Продукція > AIK

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
AIKN/A06+
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AIK12F02AN024-2MAltechProximity Sensors SENSOR-M12-S2.0-F-1030VDC
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
AIK12F02AN024-Q65AltechProximity Sensors SENSOR-M12-S2.0-F-1030VDC
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
AIK12F02AP024-2MAltechProximity Sensors SENSOR-M12-S2.0-F-1030VDC
товар відсутній
AIK12F02AP024-Q65AltechProximity Sensors SENSOR-M12-S2.0-F-1030VDC
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
AIK12N04AN024-2MAltech CorporationDescription: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM CYLIND
товар відсутній
AIK12N04AN024-2MAltechProximity Sensors SENSOR-M12-S4.0-NF-1030VDC
товар відсутній
AIK12N04AN024-Q65AltechProximity Sensors SENSOR-M12-S4.0-NF-1030VDC
товар відсутній
AIK12N04AN024-Q65Altech CorporationDescription: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM CYLIND
товар відсутній
AIK12N04AP024-2MAltechProximity Sensors SENSOR M12-S4.0-NF-1030VD
товар відсутній
AIK12N04AP024-Q65Altech CorporationDescription: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM CYLIND
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
AIK12N04AP024-Q65AltechProximity Sensors SENSOR-M12-S4.0-NF-1030VDC
товар відсутній
AIK18F05AN024-2MAltechProximity Sensors SENSOR-M18-S5.0-F-1030VDC
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
AIK18F05AN024-Q65AltechProximity Sensors SENSOR-M18-S5.0-F-1030VDC
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
AIK18F05AP024-2MAltechProximity Sensors SENSOR-M18-S5.0-F-1030VDC
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
AIK18F05AP024-Q65AltechProximity Sensors SENSOR-M18-S5.0-F-1030VDC
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
AIK18N08AN024-2MAltechProximity Sensors SENSOR-M18-S8.0-NF-1030VDC
товар відсутній
AIK18N08AN024-2MAltech CorporationDescription: SENSOR PROX INDUCTIVE 8MM CYLIND
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3784.93 грн
AIK18N08AN024-5MAltechProximity Sensors SENSOR-M18-S8.0-NF-1030VDC
товар відсутній
AIK18N08AN024-5MAltech CorporationDescription: SENSOR PROX INDUCTIVE CYLINDER
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3953.92 грн
AIK18N08AN024-Q65Altech CorporationDescription: SENSOR PROX INDUCTIVE 8MM CYLIND
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4277.46 грн
AIK18N08AN024-Q65AltechProximity Sensors SENSOR-M18-S8.0-NF-1030VDC
товар відсутній
AIK18N08AP024-2MAltechProximity Sensors SENSOR-M18-S8.0-NF-1030VDC
товар відсутній
AIK18N08AP024-2MAltech CorporationDescription: SENSOR PROX INDUCTIVE 8MM CYLIND
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylinder, Threaded - M18
Output Type: PNP-NO, 3-Wire
Sensing Distance: 0.315" (8mm)
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -25°C ~ 70°C
Termination Style: Cable Leads
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Material - Body: Nickel-Plated Brass
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP67, NEMA 1,3,4,6,12,13
Indicator: LED
Response Frequency: 500Hz
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4091.14 грн
10+ 3317.48 грн
25+ 3110.16 грн
AIK18N08AP024-Q65Altech CorporationDescription: SENSOR PROX INDUCTIVE 8MM CYLIND
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4277.46 грн
AIK18N08AP024-Q65AltechProximity Sensors SENSOR-M18-S8.0-NF-1030VDC
товар відсутній
AIK30F10AN024-2MAltechProximity Sensors SENSOR-M30-S10-F-1030VDC
товар відсутній
AIK30F10AN024-Q65AltechProximity Sensors SENSOR-M30-S10-F-1030VDC
товар відсутній
AIK30F10AP024-2MAltechProximity Sensors SENSOR-M30-S10-F-1030VDC
товар відсутній
AIK30F10AP024-Q65AltechProximity Sensors SENSOR-M30-S10-F-1030VDC
товар відсутній
AIK30N15AN024-2MAltechProximity Sensors SENSOR-M30-S15-NF-1030VDC
товар відсутній
AIK30N15AN024-Q65AltechProximity Sensors SENSOR-M30-S15-NF-1030VDC
товар відсутній
AIK30N15AP024-2MAltechProximity Sensors SENSOR-M30-S15-NF-1030VDC
товар відсутній
AIK30N15AP024-Q65AltechProximity Sensors Proximity Sensor-M30 S15-NF-1030VDC250MA
товар відсутній
AIKB0VENTIONCategory: HDMI, DVI, DisplayPort cables and adapt.
Description: Adapter; HDMI 1.4; DVI-I (24+5) socket,HDMI plug; black
Type of transition: adapter
Version: HDMI 1.4
Cable/adapter structure: DVI-I (24+5) socket; HDMI plug
Colour: black
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+209.4 грн
5+ 168.99 грн
7+ 153.55 грн
10+ 140.2 грн
Мінімальне замовлення: 2
AIKB0VENTIONCategory: HDMI, DVI, DisplayPort cables and adapt.
Description: Adapter; HDMI 1.4; DVI-I (24+5) socket,HDMI plug; black
Type of transition: adapter
Version: HDMI 1.4
Cable/adapter structure: DVI-I (24+5) socket; HDMI plug
Colour: black
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+174.5 грн
5+ 135.61 грн
7+ 127.96 грн
10+ 116.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
AIKB15N65DF5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - AIKB15N65DF5ATMA1 - IGBT, 30 A, 1.6 V, 105 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6V
Verlustleistung Pd: 105W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 105W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 30A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+196.11 грн
500+ 161.77 грн
1000+ 148.93 грн
Мінімальне замовлення: 100
AIKB15N65DF5ATMA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETE SWITCHES
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+264.82 грн
10+ 219.58 грн
25+ 189.6 грн
100+ 154.89 грн
250+ 153.55 грн
500+ 137.53 грн
1000+ 117.5 грн
Мінімальне замовлення: 2
AIKB15N65DF5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: DISCRETE SWITCHES
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+247.71 грн
10+ 200.01 грн
100+ 161.82 грн
500+ 134.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
AIKB15N65DF5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - AIKB15N65DF5ATMA1 - IGBT, 30 A, 1.6 V, 105 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 105W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+336.27 грн
10+ 271.86 грн
25+ 256.88 грн
100+ 196.11 грн
500+ 161.77 грн
1000+ 148.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
AIKB15N65DF5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: DISCRETE SWITCHES
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+127.9 грн
2000+ 115.97 грн
Мінімальне замовлення: 1000
AIKB15N65DF5ATMA1Infineon TechnologiesSP001686020
товар відсутній
AIKB15N65DH5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: DISCRETE SWITCHES
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+127.9 грн
2000+ 115.97 грн
Мінімальне замовлення: 1000
AIKB15N65DH5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - AIKB15N65DH5ATMA1 - IGBT, 30 A, 1.65 V, 105 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.65V
Verlustleistung Pd: 105W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 105W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 30A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+187.77 грн
500+ 155.35 грн
1000+ 138.66 грн
Мінімальне замовлення: 100
AIKB15N65DH5ATMA1Infineon TechnologiesSP001686016
товар відсутній
AIKB15N65DH5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: DISCRETE SWITCHES
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+247.71 грн
10+ 200.01 грн
100+ 161.82 грн
500+ 134.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
AIKB15N65DH5ATMA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETE SWITCHES
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+264.82 грн
10+ 219.58 грн
25+ 189.6 грн
100+ 154.89 грн
250+ 153.55 грн
500+ 137.53 грн
1000+ 117.5 грн
Мінімальне замовлення: 2
AIKB15N65DH5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - AIKB15N65DH5ATMA1 - IGBT, 30 A, 1.65 V, 105 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 105W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+323.54 грн
10+ 260.63 грн
25+ 246.4 грн
100+ 187.77 грн
500+ 155.35 грн
1000+ 138.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
AIKB20N60CTATMA1INFINEONDescription: INFINEON - AIKB20N60CTATMA1 - IGBT, 40 A, 1.5 V, 156 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
на замовлення 1875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+158.77 грн
500+ 139.09 грн
1000+ 109.13 грн
Мінімальне замовлення: 100
AIKB20N60CTATMA1Infineon TechnologiesIGBT in TRENCHSTOP and Field stop technology
товар відсутній
AIKB20N60CTATMA1Infineon TechnologiesDescription: IC DISCRETE 600V TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns
Switching Energy: 310µJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 156 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+141.3 грн
Мінімальне замовлення: 1000
AIKB20N60CTATMA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETES
на замовлення 952 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+286.63 грн
10+ 238 грн
25+ 194.94 грн
100+ 166.9 грн
250+ 157.56 грн
500+ 148.21 грн
1000+ 126.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
AIKB20N60CTATMA1INFINEONDescription: INFINEON - AIKB20N60CTATMA1 - IGBT, 40 A, 1.5 V, 156 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+277.1 грн
10+ 196.97 грн
100+ 158.77 грн
500+ 139.09 грн
1000+ 109.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
AIKB20N60CTATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 156W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1000 шт
товар відсутній
AIKB20N60CTATMA1Infineon TechnologiesDescription: IC DISCRETE 600V TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns
Switching Energy: 310µJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 156 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+267.93 грн
10+ 231.37 грн
25+ 218.67 грн
100+ 177.86 грн
250+ 168.74 грн
500+ 151.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
AIKB20N60CTATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 156W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
AIKB30N65DF5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IC DISCRETE 650V TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 67 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/188ns
Switching Energy: 330µJ (on), 100µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 188 W
на замовлення 1683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+311.98 грн
10+ 270.04 грн
25+ 255.28 грн
100+ 207.61 грн
250+ 196.97 грн
500+ 176.74 грн
AIKB30N65DF5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - AIKB30N65DF5ATMA1 - IGBT, 55 A, 1.6 V, 188 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6V
Verlustleistung Pd: 188W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 55A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 55A
на замовлення 892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+174.5 грн
500+ 148.82 грн
Мінімальне замовлення: 100
AIKB30N65DF5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IC DISCRETE 650V TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 67 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/188ns
Switching Energy: 330µJ (on), 100µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 188 W
товар відсутній
AIKB30N65DF5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - AIKB30N65DF5ATMA1 - IGBT, 55 A, 1.6 V, 188 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 55A
на замовлення 892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+289.83 грн
10+ 213.44 грн
100+ 174.5 грн
500+ 148.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
AIKB30N65DF5ATMA1Infineon TechnologiesSP001612750
товар відсутній
AIKB30N65DF5ATMA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETE SWITCHES
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+338.81 грн
10+ 294.82 грн
25+ 242.34 грн
100+ 208.96 грн
250+ 198.95 грн
500+ 180.92 грн
1000+ 153.55 грн
AIKB30N65DH5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT NPT 650V 30A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+311.98 грн
10+ 252.44 грн
100+ 204.21 грн
500+ 170.35 грн
AIKB30N65DH5ATMA1Infineon TechnologiesSP001612746
товар відсутній
AIKB30N65DH5ATMA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETE SWITCHES
на замовлення 1858 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+346.6 грн
10+ 286.37 грн
100+ 201.62 грн
500+ 179.59 грн
1000+ 153.55 грн
2000+ 141.53 грн
AIKB30N65DH5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT NPT 650V 30A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+161.4 грн
Мінімальне замовлення: 1000
AIKB40N65DF5ATMA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETE SWITCHES
на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+398.01 грн
10+ 330.13 грн
100+ 232.33 грн
500+ 206.29 грн
1000+ 187.6 грн
AIKB40N65DF5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: DISCRETE SWITCHES
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
товар відсутній
AIKB40N65DF5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - AIKB40N65DF5ATMA1 - IGBT, 74 A, 1.6 V, 250 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 74A
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+248.64 грн
10+ 178.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
AIKB40N65DF5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: DISCRETE SWITCHES
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
товар відсутній
AIKB40N65DF5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - AIKB40N65DF5ATMA1 - IGBT, 74 A, 1.6 V, 250 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6V
Verlustleistung Pd: 250W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 74A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 74A
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+178.24 грн
Мінімальне замовлення: 10
AIKB40N65DF5ATMA1Infineon TechnologiesLow Loss DuoPack, IGBT in TRENCHSTOPTM, fast recovery anti-parallel diode,Automotive AEC Q101 qualified,650V 20A
товар відсутній
AIKB40N65DH5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT NPT 650V 40A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
товар відсутній
AIKB40N65DH5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - AIKB40N65DH5ATMA1 - IGBT, 74 A, 1.65 V, 250 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 74A
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+384.2 грн
10+ 274.86 грн
100+ 222.43 грн
500+ 194.02 грн
1000+ 153.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
AIKB40N65DH5ATMA1Infineon TechnologiesSP001686008
товар відсутній
AIKB40N65DH5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT NPT 650V 40A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
на замовлення 1954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+337.26 грн
10+ 272.54 грн
100+ 220.5 грн
500+ 183.94 грн
AIKB40N65DH5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - AIKB40N65DH5ATMA1 - IGBT, 74 A, 1.65 V, 250 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.65V
Verlustleistung Pd: 250W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 74A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 74A
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+222.43 грн
500+ 194.02 грн
1000+ 153.42 грн
Мінімальне замовлення: 100
AIKB40N65DH5ATMA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETE SWITCHES
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+360.62 грн
10+ 298.66 грн
25+ 252.36 грн
100+ 209.63 грн
250+ 203.62 грн
500+ 186.93 грн
1000+ 159.56 грн
AIKB50N65DF5ATMA1Infineon TechnologiesSP001686004
товар відсутній
AIKB50N65DF5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: DISCRETE SWITCHES
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+239.19 грн
2000+ 215.83 грн
Мінімальне замовлення: 1000
AIKB50N65DF5ATMA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETE SWITCHES
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+451.75 грн
10+ 382.34 грн
25+ 331.8 грн
100+ 277.06 грн
250+ 276.39 грн
500+ 243.68 грн
1000+ 218.98 грн
AIKB50N65DF5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: DISCRETE SWITCHES
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+421.75 грн
10+ 348.06 грн
100+ 290.05 грн
500+ 240.18 грн
AIKB50N65DH5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: DISCRETE SWITCHES
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
на замовлення 3980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+421.75 грн
10+ 348.06 грн
100+ 290.05 грн
500+ 240.18 грн
AIKB50N65DH5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - AIKB50N65DH5ATMA1 - IGBT, 80 A, 1.65 V, 305 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.65V
Verlustleistung Pd: 305W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 305W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 80A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
на замовлення 1413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+307.06 грн
500+ 258 грн
1000+ 210.55 грн
Мінімальне замовлення: 100
AIKB50N65DH5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: DISCRETE SWITCHES
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
на замовлення 3979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+239.19 грн
2000+ 215.83 грн
Мінімальне замовлення: 1000
AIKB50N65DH5ATMA1Infineon TechnologiesSP001686000
товар відсутній
AIKB50N65DH5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - AIKB50N65DH5ATMA1 - IGBT, 80 A, 1.65 V, 305 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 305W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
на замовлення 1413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+477.07 грн
10+ 362.48 грн
100+ 307.06 грн
500+ 258 грн
1000+ 210.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
AIKB50N65DH5ATMA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETE SWITCHES
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+451.75 грн
10+ 382.34 грн
25+ 329.8 грн
100+ 277.06 грн
250+ 276.39 грн
500+ 244.35 грн
1000+ 218.98 грн
AIKBE50N65RF5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC_DISCRETE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO263-7-U04
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16.8ns/136ns
Switching Energy: 0.12mJ (on), 0.09mJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 9Ohm, 15V
Gate Charge: 108 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 96 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 326 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+835.56 грн
10+ 709.06 грн
AIKBE50N65RF5ATMA1Infineon TechnologiesSIC_DISCRETE
товар відсутній
AIKBE50N65RF5ATMA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors SIC_DISCRETE
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+915.96 грн
10+ 796.16 грн
20+ 673.62 грн
50+ 635.57 грн
100+ 598.85 грн
200+ 580.16 грн
500+ 542.77 грн
AIKBE50N65RF5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC_DISCRETE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO263-7-U04
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16.8ns/136ns
Switching Energy: 0.12mJ (on), 0.09mJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 9Ohm, 15V
Gate Charge: 108 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 96 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 326 W
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
AIKC76753N/A
на замовлення 550 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AIKD31551N/A
на замовлення 670 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AIKP20N60CTInfineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETE SWITCHES
товар відсутній
AIKP20N60CTAKSA1Infineon TechnologiesDescription: IC DISCRETE 600V TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns
Switching Energy: 310µJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 156 W
на замовлення 14130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
160+127.12 грн
Мінімальне замовлення: 160
AIKP20N60CTAKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 156W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 406 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+332.52 грн
3+ 283.38 грн
5+ 236.17 грн
12+ 223.65 грн
250+ 215.31 грн
AIKP20N60CTAKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 156W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 406 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+277.1 грн
3+ 227.41 грн
5+ 196.81 грн
12+ 186.38 грн
250+ 179.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
AIKP20N60CTAKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETES
товар відсутній
AIKP20N60CTAKSA1Infineon TechnologiesDescription: IC DISCRETE 600V TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns
Switching Energy: 310µJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 156 W
товар відсутній
AIKP20N60CTAKSA1Infineon TechnologiesIGBT in TRENCHSTOP and Field stop technology
товар відсутній
AIKP20N60CTAKSA1Infineon TechnologiesIGBT in TRENCHSTOP and Field stop technology
товар відсутній
AIKQ100N60CTXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 100A; 714W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 100A
Power dissipation: 714W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 400A
Mounting: THT
Gate charge: 610nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 68ns
Turn-off time: 321ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 240 шт
товар відсутній
AIKQ100N60CTXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 100A; 714W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 100A
Power dissipation: 714W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 400A
Mounting: THT
Gate charge: 610nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 68ns
Turn-off time: 321ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
AIKQ100N60CTXKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETES
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+975.94 грн
10+ 847.6 грн
25+ 716.35 грн
50+ 676.96 грн
100+ 636.9 грн
240+ 616.21 грн
480+ 529.42 грн
AIKQ100N60CTXKSA1Infineon TechnologiesIGBT in TRENCHSTOP and Field stop technology
товар відсутній
AIKQ100N60CTXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IC DISCRETE 600V TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-46
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/290ns
Switching Energy: 3.1mJ (on), 2.5mJ (off)
Test Condition: 400V, 100A, 3.6Ohm, 15V
Gate Charge: 610 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 400 A
Power - Max: 714 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+899.11 грн
10+ 795.29 грн
30+ 762.33 грн
120+ 630.34 грн
AIKQ120N60CTXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 160A 833000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
AIKQ120N60CTXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH/FS 600V 160A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 120A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-46
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/310ns
Switching Energy: 4.1mJ (on), 2.8mJ (off)
Test Condition: 400V, 120A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 772 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 480 A
Power - Max: 833 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+957.61 грн
10+ 847.17 грн
30+ 812.05 грн
120+ 671.45 грн
AIKQ120N60CTXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 120A; 833W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 120A
Power dissipation: 833W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 480A
Mounting: THT
Gate charge: 772nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 76ns
Turn-off time: 343ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 240 шт
товар відсутній
AIKQ120N60CTXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 120A; 833W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 120A
Power dissipation: 833W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 480A
Mounting: THT
Gate charge: 772nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 76ns
Turn-off time: 343ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
AIKQ120N60CTXKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETES
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1025.79 грн
10+ 908.25 грн
25+ 763.08 грн
50+ 739.72 грн
100+ 675.62 грн
240+ 593.51 грн
480+ 566.14 грн
AIKQ120N75CP2XKSA1Infineon TechnologiesDescription: DISCRETE SWITCHES PG-TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 120A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-46
Td (on/off) @ 25°C: 71ns/244ns
Switching Energy: 6.82mJ (on), 3.8mJ (off)
Test Condition: 470V, 120A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 731 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 750 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 360 A
Power - Max: 682 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+974.22 грн
10+ 862.19 грн
30+ 826.45 грн
120+ 683.36 грн
AIKQ120N75CP2XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - AIKQ120N75CP2XKSA1 - IGBT, EDT2, 150 A, 1.3 V, 682 W, 750 V, TO-247 Plus, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.3V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 682W
Bauform - Transistor: TO-247 Plus
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 750V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 150A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1186.3 грн
10+ 1072.46 грн
25+ 905.45 грн
AIKQ120N75CP2XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETE SWITCHES
на замовлення 139 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1069.4 грн
10+ 946.64 грн
25+ 795.13 грн
50+ 771.09 грн
100+ 704.33 грн
240+ 690.31 грн
480+ 632.9 грн
AIKQ120N75CP2XKSA1Infineon TechnologiesIGBT and Emitter Controlled Diode Automotive AEC-Q101
товар відсутній
AIKQ200N75CP2XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETE SWITCHES
на замовлення 1279 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1494.67 грн
10+ 1309.79 грн
25+ 1095.55 грн
50+ 1077.53 грн
100+ 996.08 грн
240+ 961.36 грн
480+ 853.88 грн
AIKQ200N75CP2XKSA1Infineon TechnologiesIGBT in TRENCHSTOP and Field stop technology
товар відсутній
AIKQ200N75CP2XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 750V 200A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 89ns/266ns
Switching Energy: 15.3mJ (on), 7mJ (off)
Gate Charge: 1256 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 750 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 600 A
Power - Max: 576 W
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1395.25 грн
30+ 1113.73 грн
120+ 1044.13 грн
AIKRI-22X-10LD-3eInfochipsAikri-22X-10LS System on Module - SOM Development Kit 2000MHz CPU Kernel 5.4/Linux/Yocto Dunfell
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+35840.24 грн
2+ 33239.72 грн
AIKRI-22X-90AD-4eInfochipsAikri-22X-90AS System on Module - SOM Development Kit 2000MHz CPU Android 12/Kernel 4.19
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+39047.68 грн
2+ 36258.56 грн
AIKRI-22X-90AS-4eInfochipsQCS2290 processor, Android OS, 4GB LPDDR4x, 64GB eMMC.
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8515.51 грн
AIKRI-22X-90AS-4-1eInfochipsQCS2290 processor, Android OS, 4GB LPDDR4x, 64GB eMMC, No GPS.
товар відсутній
AIKRI-42X-10LD-3eInfochipsAikri-42X-10LS System on Module - SOM Development Kit 1800MHz/2000MHz CPU Kernel 5.4/Linux/Yocto Dunfell
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+35320.73 грн
2+ 32758.04 грн
AIKRI-42X-10LS-3eInfochipsQRB4210 processor, Linux OS, 3GB LPDDR4x, 32GB eMMC.
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8608.2 грн
AIKRI-42X-10LS-3-1eInfochipsQRB4210 processor, Linux OS, 3GB LPDDR4x, 32GB eMMC, No GPS.
товар відсутній
AIKRI-42X-90AD-4eInfochipsDev kit with QCS4290 processor based SoM.
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+36449.33 грн
2+ 33845.8 грн
AIKRI-42X-90AS-4eInfochipsQCS4290 processor, Android OS, 4GB LPDDR4x, 64GB eMMC.
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9441.6 грн
AIKRI-42X-90AS-4-1eInfochipsQCS4290 processor, Android OS, 4GB LPDDR4x, 64GB eMMC, No GPS.
товар відсутній
AIKRI-51X-65LD-8eInfochipsDev kit with QRB5165 processor based SoM.
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+67392.74 грн
AIKRI-51X-65LS-8eInfochipsQRB5165 processor, Linux OS, 8GB LPDDR5, 64GB UFS.
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+31089.06 грн
2+ 28755.59 грн
AIKRI-54X-30MS-8eInfochipsQCS5430 processor, Android OS, 8GB LPDDR5, 128GB UFS
товар відсутній
AIKRI-82X-50AD-8eInfochipsDev kit with QCS8250 processor based SoM.
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+67428.57 грн
2+ 62347.53 грн
AIKRI-82X-50AS-8eInfochipsQCS8250 processor, Android OS, 8GB LPDDR5, 64GB UFS.
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+26893.23 грн
AIKRI-85X-50LS-12-3eInfochipsQCS8550 processor, Linux OS, 12GB LPDDR5, 1TB UFS. For Leica Oscar
товар відсутній
AIKRI-X10-4S-4eInfochipsQCS410 processor, Linux OS, 4GB LPDDR4x, 16GB eMMC.
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8879.25 грн
5+ 8245.02 грн
AIKRI-X10-6D-4eInfochipsDev kit with QCS610 processor based SoM.
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+40858.58 грн
AIKRI-X10-6S-2eInfochipsQCS610 processor, Linux OS, 2GB LPDDR4x, 16GB eMMC..
товар відсутній
AIKRI-X10-6S-2-2eInfochipsQCS610 processor, Linux OS, 2GB LPDDR4x, 16GB eMMC, No (GPS, Audio codec).
товар відсутній
AIKRI-X10-6S-4eInfochipsQCS610 processor, Linux OS, 4GB LPDDR4x, 16GB eMMC.
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9116.03 грн
AIKRI-X10-6S-4-2eInfochipsQCS610 processor, Linux OS, 4GB LPDDR4x, 16GB eMMC, No (GPS, Audio codec).
товар відсутній
AIKW20N60CTInfineon TechnologiesInfineon DISCRETE SWITCHES
товар відсутній
AIKW20N60CTXKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETES
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+426.05 грн
10+ 390.02 грн
25+ 321.12 грн
100+ 285.07 грн
240+ 259.7 грн
AIKW20N60CTXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 166W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
AIKW20N60CTXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 166W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
AIKW20N60CTXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IC DISCRETE 600V TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns
Switching Energy: 310µJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 166 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
AIKW20N60CTXKSA1Infineon TechnologiesIGBT Chip with Fast Recovery Emitter Controlled Diode
товар відсутній
AIKW20N60CTXKSA1Infineon TechnologiesIGBT Chip with Fast Recovery Emitter Controlled Diode
товар відсутній
AIKW30N60CTInfineon
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AIKW30N60CTXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - AIKW30N60CTXKSA1 - IGBT, 60 A, 1.5 V, 187 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 187W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
на замовлення 337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+567.68 грн
10+ 468.08 грн
25+ 383.45 грн
240+ 355.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
AIKW30N60CTXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 187W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 167nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 0.3µs
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
AIKW30N60CTXKSA1Infineon TechnologiesIGBT Chip with Fast Recovery Emitter Controlled Diode
товар відсутній
AIKW30N60CTXKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETES
на замовлення 288 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+477.45 грн
10+ 407.68 грн
25+ 334.47 грн
100+ 288.41 грн
240+ 215.64 грн
1200+ 204.96 грн
AIKW30N60CTXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 187W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 167nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 0.3µs
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
AIKW30N60CTXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/254ns
Switching Energy: 690µJ (on), 770µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10.6Ohm, 15V
Gate Charge: 167 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 187 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+445.58 грн
10+ 385.13 грн
AIKW40N65DF5Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETE SWITCHES
товар відсутній
AIKW40N65DF5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETES
товар відсутній
AIKW40N65DF5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 95nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
Turn-on time: 30ns
Turn-off time: 178ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
AIKW40N65DF5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Chip with Fast Recovery Emitter Controlled Diode
товар відсутній
AIKW40N65DF5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Chip with Fast Recovery Emitter Controlled Diode Automotive AEC-Q101
товар відсутній
AIKW40N65DF5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 95nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
Turn-on time: 30ns
Turn-off time: 178ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
AIKW40N65DF5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IC DISCRETE 650V TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/165ns
Switching Energy: 350µJ (on), 100µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 250 W
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
AIKW40N65DH5Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETE SWITCHES
товар відсутній
AIKW40N65DH5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Turn-on time: 31ns
Turn-off time: 164ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
AIKW40N65DH5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IC DISCRETE 650V TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/165ns
Switching Energy: 350µJ (on), 100µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 250 W
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
AIKW40N65DH5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETES
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+638.68 грн
10+ 568.91 грн
25+ 472 грн
100+ 401.9 грн
240+ 383.21 грн
480+ 304.43 грн
AIKW40N65DH5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - AIKW40N65DH5XKSA1 - IGBT, 74 A, 1.66 V, 250 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.66
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250
Bauform - Transistor: TO-247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Betriebstemperatur, max.: 175
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 74
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+415.65 грн
5+ 387.19 грн
10+ 357.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
AIKW40N65DH5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Turn-on time: 31ns
Turn-off time: 164ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
AIKW40N65DH5XKSA1Infineon TechnologiesAIKW40N65DH5XKSA1
товар відсутній
AIKW40N65DH5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT with Anti-Parallel Diode Automotive AEC-Q101
товар відсутній
AIKW50N60CTXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 310nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 55ns
Turn-off time: 328ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
AIKW50N60CTXKSA1Infineon TechnologiesIGBT Chip with Fast Recovery Emitter Controlled Diode
товар відсутній
AIKW50N60CTXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 310nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 55ns
Turn-off time: 328ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
AIKW50N60CTXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IC DISCRETE 600V TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/299ns
Switching Energy: 1.2mJ (on), 1.4mJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 333 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+679.57 грн
10+ 591.25 грн
30+ 563.74 грн
120+ 459.37 грн
270+ 438.72 грн
AIKW50N60CTXKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETES
на замовлення 378 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+728.25 грн
10+ 614.97 грн
25+ 484.69 грн
100+ 445.3 грн
240+ 367.19 грн
480+ 353.83 грн
AIKW50N65DF5Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETE SWITCHES
товар відсутній
AIKW50N65DF5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - AIKW50N65DF5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.66 V, 270 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.66V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+804.35 грн
10+ 683.02 грн
25+ 565.44 грн
240+ 468.72 грн
AIKW50N65DF5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.5A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
Turn-on time: 33ns
Turn-off time: 162ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
AIKW50N65DF5XKSA1Infineon TechnologiesHigh Speed fast IGBT Automotive AEC-Q101
товар відсутній
AIKW50N65DF5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IC DISCRETE 650V TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/156ns
Switching Energy: 490µJ (on), 140µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 1018 nC
Part Status: Active
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 270 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+619.63 грн
10+ 538.89 грн
30+ 513.78 грн
120+ 418.66 грн
AIKW50N65DF5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.5A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
Turn-on time: 33ns
Turn-off time: 162ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
AIKW50N65DF5XKSA1Infineon TechnologiesHigh Speed fast IGBT
товар відсутній
AIKW50N65DF5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETES
на замовлення 243 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+663.61 грн
10+ 561.23 грн
25+ 415.26 грн
100+ 390.55 грн
240+ 353.17 грн
480+ 322.46 грн
5040+ 307.1 грн
AIKW50N65DH5Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETE SWITCHES
товар відсутній
AIKW50N65DH5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETES
на замовлення 461 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+707.22 грн
10+ 597.31 грн
25+ 471.33 грн
100+ 397.9 грн
240+ 343.15 грн
AIKW50N65DH5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.5A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Turn-on time: 22ns
Turn-off time: 256ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
AIKW50N65DH5XKSA1Infineon TechnologiesHigh speed fast IGBT
товар відсутній
AIKW50N65DH5XKSA1Infineon TechnologiesHigh speed fast IGBT Automotive AEC-Q101
товар відсутній
AIKW50N65DH5XKSA1
Код товару: 168638		Транзистори > IGBT
товар відсутній
AIKW50N65DH5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - AIKW50N65DH5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.66 V, 270 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.66V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+781.88 грн
10+ 662.8 грн
25+ 526.49 грн
AIKW50N65DH5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.5A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Turn-on time: 22ns
Turn-off time: 256ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
AIKW50N65DH5XKSA1Infineon TechnologiesHigh speed fast IGBT Automotive AEC-Q101
товар відсутній
AIKW50N65DH5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IC DISCRETE 650V TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/156ns
Switching Energy: 490µJ (on), 140µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 1018 nC
Part Status: Active
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 270 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
AIKW50N65RF5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 250W Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
AIKW50N65RF5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: SIC_DISCRETE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/156ns
Switching Energy: 310µJ (on), 120µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 109 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 250 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+713.51 грн
10+ 620.32 грн
30+ 591.44 грн
120+ 481.95 грн
AIKW50N65RF5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors SIC_DISCRETE
на замовлення 228 шт:
термін постачання 820-829 дні (днів)
1+764.08 грн
10+ 680.23 грн
25+ 564.13 грн
100+ 490.03 грн
240+ 467.33 грн
480+ 371.19 грн
AIKW75N60CTE8188XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 600V TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 121 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/330ns
Switching Energy: 2mJ (on), 2.5mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 470 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 428 W
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
AIKW75N60CTXKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETES
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 203-212 дні (днів)
1+837.3 грн
10+ 737.81 грн
25+ 623.55 грн
50+ 598.18 грн
100+ 556.79 грн
240+ 528.75 грн
AIKW75N60CTXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - AIKW75N60CTXKSA1 - IGBT, 80 A, 1.5 V, 428 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5
Verlustleistung: 428
Bauform - Transistor: TO-247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600
Betriebstemperatur, max.: 175
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+969.86 грн
5+ 892.72 грн
10+ 815.58 грн
50+ 695.43 грн
AIKW75N60CTXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 75A
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 69ns
Turn-off time: 365ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
AIKW75N60CTXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
AIKW75N60CTXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IC DISCRETE 600V TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/330ns
Switching Energy: 2mJ (on), 2.5mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 470 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 428 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
AIKW75N60CTXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 75A
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 69ns
Turn-off time: 365ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній