Продукція > AOB

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
AOB-IBRS232Amulet Technologies LLCDescription: BOARD INTERFACE ONBOARD RS232
товар відсутній
AOB003ASRA Soldering ProductsDescription: REPLACEMENT SOLDERING IRON 968A+
Packaging: Bag
For Use With/Related Products: 968A+, 701A+
Voltage - Input: 24V
Type: Iron
Tip Type: Included, Not Specified
Workstand: Not Included
Part Status: Active
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1666.79 грн
AOB003BSRA Soldering ProductsDescription: REPLACEMENT SOLDERING IRON AOYUE
Packaging: Bag
For Use With/Related Products: 968A+, 701A+
Voltage - Input: 24V
Type: Iron
Tip Type: Included, Not Specified
Workstand: Not Included
Part Status: Active
товар відсутній
AOB012SRA Soldering ProductsDescription: REPLACEMENT SOLDERING IRON AOYUE
Packaging: Bag
For Use With/Related Products: 2702, 2702A+, 2703A+
Voltage - Input: 24V
Type: Iron
Tip Type: Not Included
Workstand: Not Included
Part Status: Active
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1333.14 грн
AOB016SRA Soldering ProductsDescription: REPLACEMENT SOLDERING IRON FOR T
Packaging: Bag
For Use With/Related Products: 702A+, 866, 888A, 9378
Voltage - Input: 24V
Type: Iron
Tip Type: Included, Not Specified
Workstand: Not Included
Part Status: Active
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1666.79 грн
AOB028-PSRA Soldering ProductsDescription: SPARE IRON FOR 9378 PRO
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: 9378 Pro Series
Voltage - Input: 24V
Type: Iron
Part Status: Active
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1949.16 грн
AOB033-PSRA Soldering ProductsDescription: REPLACEMENT SOLDERING IRON WITH
Packaging: Bag
Features: LED Indicator
For Use With/Related Products: 9378 Pro
Voltage - Input: 24V
Type: Iron
Tip Type: Included, Not Specified
Workstand: Not Included
Part Status: Active
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1999.71 грн
AOB034-PSRA Soldering ProductsDescription: REPLACEMENT SOLDERING IRON FOR W
Packaging: Bag
For Use With/Related Products: WQ Tips, 9378 Pro
Voltage - Input: 24V
Type: Iron
Tip Type: Not Included
Workstand: Not Included
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2199.75 грн
AOB0408AAFreeWave TechnologiesDescription: DIN RAIL MOUNT BRACKET ASSEMBLY
Packaging: Box
товар відсутній
AOB095A60LAlpha & Omega SemiconductorN Channel Power Transistor
товар відсутній
AOB095A60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 38A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 378W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4010 pF @ 100 V
товар відсутній
AOB095A60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 38A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 378W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4010 pF @ 100 V
товар відсутній
AOB10B60DAlpha & Omega SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 20A 163W 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
AOB10B60DAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: IGBT 600V 20A 163W TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 105 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: 10ns/72ns
Switching Energy: 260µJ (on), 70µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 30Ohm, 15V
Gate Charge: 17.4 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 163 W
товар відсутній
AOB10B60DAlpha & Omega SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 20A 163000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
AOB10B65M1Alpha & Omega SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 20A 150000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
AOB10B65M1Alpha & Omega SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 20A 150000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
AOB10B65M1Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: IGBT 650V 10A TO263
товар відсутній
AOB10B65M1Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: IGBT 650V 10A TO263
товар відсутній
AOB10N60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
товар відсутній
AOB10N60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
товар відсутній
AOB10T60PLAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1595 pF @ 100 V
товар відсутній
AOB10T60PLAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1595 pF @ 100 V
товар відсутній
AOB1100LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 8A/130A TO263
товар відсутній
AOB1100LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 8A/130A TO263
товар відсутній
AOB1100LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
AOB1100LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
AOB11C60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO263
товар відсутній
AOB11N60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 25 V
товар відсутній
AOB11N60LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
AOB11N60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 25 V
товар відсутній
AOB11S60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 399mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 545 pF @ 100 V
товар відсутній
AOB11S60LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
AOB11S60LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
AOB11S60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 399mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 545 pF @ 100 V
товар відсутній
AOB11S65LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 399mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 198W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 646 pF @ 100 V
товар відсутній
AOB11S65LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8A; 198W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 198W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13.2nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 773 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+127.32 грн
5+ 104.31 грн
10+ 87.03 грн
26+ 82.28 грн
500+ 81.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
AOB11S65LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 399mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 198W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 646 pF @ 100 V
товар відсутній
AOB11S65LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
AOB11S65LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8A; 198W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 198W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13.2nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 773 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+152.78 грн
5+ 129.99 грн
10+ 104.43 грн
26+ 98.73 грн
500+ 97.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
AOB125A60LAlpha & Omega SemiconductorN Channel Power Transistor
товар відсутній
AOB125A60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 28A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2993 pF @ 100 V
на замовлення 1269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+279.48 грн
10+ 225.74 грн
100+ 182.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
AOB125A60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 28A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2993 pF @ 100 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+168.57 грн
Мінімальне замовлення: 800
AOB12N50LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
AOB12N50LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1633 pF @ 25 V
товар відсутній
AOB12N60FDLAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 25 V
товар відсутній
AOB12N60FDLAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 25 V
товар відсутній
AOB12N65LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7.7A; 40W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7.7A
Power dissipation: 40W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 720mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39.8nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+75.11 грн
10+ 67.46 грн
13+ 65.37 грн
34+ 61.89 грн
Мінімальне замовлення: 5
AOB12N65LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 720mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+72.01 грн
Мінімальне замовлення: 800
AOB12N65LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
AOB12N65LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7.7A; 40W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7.7A
Power dissipation: 40W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 720mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39.8nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 795 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+93.59 грн
10+ 80.95 грн
13+ 78.44 грн
34+ 74.27 грн
800+ 71.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
AOB12N65LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 720mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 25 V
на замовлення 1097 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.55 грн
10+ 102.92 грн
100+ 81.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
AOB12T60PLAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2028 pF @ 100 V
товар відсутній
AOB1404LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 15A/220A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 220A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 20 V
товар відсутній
AOB1404LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 15A/220A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 220A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 20 V
товар відсутній
AOB14N50Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 141600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+49.07 грн
Мінімальне замовлення: 800
AOB14N50Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
AOB14N50ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 278W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 278W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 46 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+86.28 грн
5+ 74.53 грн
18+ 57.58 грн
47+ 54.24 грн
500+ 53.41 грн
Мінімальне замовлення: 4
AOB14N50Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 500V 14A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2297 pF @ 25 V
товар відсутній
AOB14N50Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 263200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+165.7 грн
4000+ 150.79 грн
8000+ 142 грн
12000+ 128.61 грн
20000+ 110.32 грн
24000+ 97.58 грн
100000+ 93.71 грн
Мінімальне замовлення: 800
AOB14N50Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 500V 14A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2297 pF @ 25 V
товар відсутній
AOB14N50ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 278W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 278W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+59.81 грн
18+ 47.98 грн
Мінімальне замовлення: 6
AOB14N50Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 263200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+76.88 грн
65600+ 70.25 грн
131200+ 65.36 грн
196800+ 59.44 грн
Мінімальне замовлення: 800
AOB14N50LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+165.7 грн
Мінімальне замовлення: 800
AOB14N50LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+49.07 грн
Мінімальне замовлення: 800
AOB14N50LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+76.88 грн
Мінімальне замовлення: 800
AOB15B60DAlpha & Omega SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 30A 167000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
AOB15B60DAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: IGBT 600V 30A 167W TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 196 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/73ns
Switching Energy: 420µJ (on), 110µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 25.4 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 167 W
товар відсутній
AOB15B65M1Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: IGBT 650V 30A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 317 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/116ns
Switching Energy: 290µJ (on), 200µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 32 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 214 W
товар відсутній
AOB15B65M1Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: IGBT 650V 30A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 317 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/116ns
Switching Energy: 290µJ (on), 200µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 32 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 214 W
товар відсутній
AOB15B65M1Alpha & Omega SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 30A 214mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
AOB15B65MQ1Alpha & Omega SemiconductorAlpha IGBT and Soft and Fast Recovery Anti-Parallel Diode
товар відсутній
AOB15B65MQ1Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: IGBT 15A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 106 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/94ns
Switching Energy: 290µJ (on), 200µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 32 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 214 W
товар відсутній
AOB15S60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 15A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 717 pF @ 100 V
товар відсутній
AOB15S60LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
AOB15S65LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 650V 15A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 841 pF @ 100 V
товар відсутній
AOB15S65LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 650V 15A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 841 pF @ 100 V
товар відсутній
AOB15S65LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
AOB1606LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 12A/178A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 178A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
товар відсутній
AOB1606LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 178A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
AOB1606LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 12A/178A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 178A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
товар відсутній
AOB1608LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 11A TO263
товар відсутній
AOB1608LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORAOB1608L SMD N channel transistors
на замовлення 844 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+99.76 грн
15+ 69.26 грн
39+ 65.93 грн
500+ 65.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
AOB1608LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 11A TO263
товар відсутній
AOB160A60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 24A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 100 V
на замовлення 755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+221.71 грн
10+ 191.52 грн
100+ 156.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
AOB160A60LAlpha & Omega SemiconductorN Channel Power Transistor
товар відсутній
AOB160A60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 24A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 100 V
товар відсутній
AOB190A60CLAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1935 pF @ 100 V
на замовлення 1952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+181.99 грн
10+ 145.55 грн
100+ 115.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
AOB190A60CLALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 70A; 208W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 208W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Gate charge: 34nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
AOB190A60CLALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 70A; 208W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 208W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Gate charge: 34nC
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
AOB190A60CLAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1935 pF @ 100 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+101.8 грн
Мінімальне замовлення: 800
AOB190A60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1935 pF @ 100 V
товар відсутній
AOB190A60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1935 pF @ 100 V
товар відсутній
AOB190A60LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; 208W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Power dissipation: 208W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 41 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+345.1 грн
5+ 229.65 грн
13+ 209.46 грн
AOB190A60LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; 208W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Power dissipation: 208W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+287.59 грн
5+ 184.29 грн
13+ 174.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
AOB20B65M1Alpha & Omega SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 40A 227000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
AOB20C60Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 463W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3440 pF @ 100 V
товар відсутній
AOB20C60LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
AOB20C60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 463W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3440 pF @ 100 V
товар відсутній
AOB20C60PLAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 463W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3607 pF @ 100 V
товар відсутній
AOB20C60PLAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 463W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3607 pF @ 100 V
товар відсутній
AOB20S60Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
AOB20S60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 266W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1038 pF @ 100 V
товар відсутній
AOB20S60LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
AOB20S60LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
AOB20S60LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 80A; 266W; TO263
Case: TO263
Gate charge: 19.8nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 80A
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
On-state resistance: 530mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 266W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
AOB20S60LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 80A; 266W; TO263
Case: TO263
Gate charge: 19.8nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 80A
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
On-state resistance: 530mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 266W
Polarisation: unipolar
товар відсутній
AOB20S60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 266W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1038 pF @ 100 V
на замовлення 783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+210.88 грн
10+ 170.31 грн
100+ 137.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
AOB210LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 105A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
AOB210LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 20A/105A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 15 V
товар відсутній
AOB210LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 20A/105A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 15 V
товар відсутній
AOB2140LAlpha & Omega Semiconductor40V N-Channel AlphaSGT TM
товар відсутній
AOB2140LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: N
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Ta), 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9985 pF @ 20 V
товар відсутній
AOB2144LAlpha & Omega SemiconductorN-Channel MOSFET
товар відсутній
AOB2144LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: N
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 205A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5225 pF @ 20 V
товар відсутній
AOB2146LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 47.5W; TO263
Mounting: SMD
Power dissipation: 47.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO263
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
On-state resistance: 2.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 101 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+81.51 грн
5+ 60.75 грн
10+ 52.57 грн
20+ 48.65 грн
55+ 45.98 грн
800+ 45.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
AOB2146LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 47.5W; TO263
Mounting: SMD
Power dissipation: 47.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO263
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
On-state resistance: 2.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 101 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+67.93 грн
8+ 48.75 грн
10+ 43.81 грн
20+ 40.54 грн
55+ 38.32 грн
Мінімальне замовлення: 6
AOB2146LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
AOB2146LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: N
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3830 pF @ 20 V
товар відсутній
AOB240LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 105A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
AOB240LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 20A/105A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3510 pF @ 20 V
на замовлення 4559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.66 грн
10+ 100.14 грн
100+ 79.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
AOB240LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 105A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
AOB240LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 20A/105A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3510 pF @ 20 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+70.01 грн
1600+ 57.2 грн
2400+ 54.34 грн
Мінімальне замовлення: 800
AOB240LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 105A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
AOB240LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 82A; 176W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 82A
Power dissipation: 176W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 785 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+90.77 грн
5+ 77.13 грн
17+ 57.58 грн
46+ 54.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
AOB240LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 82A; 176W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 82A
Power dissipation: 176W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 785 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+75.64 грн
6+ 61.89 грн
17+ 47.98 грн
46+ 45.2 грн
Мінімальне замовлення: 5
AOB2500LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 152A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 18400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+127.74 грн
Мінімальне замовлення: 800
AOB2500LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 152A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
AOB2500LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 150V 11.5/152A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), 152A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6460 pF @ 75 V
на замовлення 8663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+267.21 грн
10+ 216.49 грн
100+ 175.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
AOB2500LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 107A; 375W; TO263
Mounting: SMD
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 97nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO263
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 107A
On-state resistance: 6.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 518 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+236.36 грн
5+ 204.52 грн
7+ 143.54 грн
19+ 135.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
AOB2500LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 107A; 375W; TO263
Mounting: SMD
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 97nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO263
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 107A
On-state resistance: 6.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 518 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+196.97 грн
5+ 164.12 грн
7+ 119.61 грн
19+ 112.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
AOB2500LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 152A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+174.4 грн
1600+ 148.17 грн
2400+ 138.25 грн
Мінімальне замовлення: 800
AOB2500LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 150V 11.5/152A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), 152A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6460 pF @ 75 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+161.65 грн
1600+ 133.28 грн
2400+ 125.5 грн
Мінімальне замовлення: 800
AOB2500LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 152A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+178.41 грн
1600+ 151.57 грн
2400+ 141.42 грн
Мінімальне замовлення: 800
AOB2500LALPHA&OMEGATransistor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 12,3mOhm; 152A; 375W; -55°C ~ 175°C; AOB2500L TAOB2500l
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+117.1 грн
Мінімальне замовлення: 5
AOB2502LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 67A; 111W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 67A
Power dissipation: 111W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 65 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+153.68 грн
5+ 138.66 грн
20+ 129.35 грн
25+ 125.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
AOB2502LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 106A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
AOB2502LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 150V 106A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 277W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3010 pF @ 75 V
товар відсутній
AOB2502LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 67A; 111W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 67A
Power dissipation: 111W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+128.07 грн
5+ 111.27 грн
20+ 107.79 грн
25+ 104.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
AOB254LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 150V 4.2A/32A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 75 V
товар відсутній
AOB254LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 32A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
AOB254LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 150V 4.2A/32A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 75 V
товар відсутній
AOB256LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 13.5A; 83W; TO263
Mounting: SMD
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 7nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO263
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 13.5A
On-state resistance: 85mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
AOB256LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 13.5A; 83W; TO263
Mounting: SMD
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 7nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO263
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 13.5A
On-state resistance: 85mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
AOB256LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 150V 3A/19A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1165 pF @ 75 V
товар відсутній
AOB256LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
AOB25S65LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 25A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
AOB25S65LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 25A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
190+265.96 грн
Мінімальне замовлення: 190
AOB25S65LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 650V 25A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1278 pF @ 100 V
товар відсутній
AOB25S65LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 25A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
AOB25S65LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 25A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
AOB25S65LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 650V 25A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1278 pF @ 100 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+255.65 грн
10+ 206.68 грн
100+ 167.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
AOB25S65L
Код товару: 173627		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
AOB2606LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 13A/72A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4050 pF @ 30 V
товар відсутній
AOB2606LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
AOB2606LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 13A/72A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4050 pF @ 30 V
товар відсутній
AOB2606LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
AOB2608LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 11A/72A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2995 pF @ 30 V
товар відсутній
AOB2608LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 11A/72A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2995 pF @ 30 V
товар відсутній
AOB2608LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
AOB260LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110A; 165W; TO263
Mounting: SMD
Power dissipation: 165W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 150nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO263
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 110A
On-state resistance: 2.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+216.44 грн
3+ 176.64 грн
6+ 146.3 грн
16+ 138.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
AOB260LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 140A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
AOB260LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 20A/140A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14200 pF @ 30 V
товар відсутній
AOB260LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 140A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
AOB260LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110A; 165W; TO263
Mounting: SMD
Power dissipation: 165W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 150nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO263
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 110A
On-state resistance: 2.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+259.73 грн
3+ 220.12 грн
6+ 175.56 грн
16+ 165.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
AOB260LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 20A/140A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14200 pF @ 30 V
товар відсутній
AOB2618LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 7A/23A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 41.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 30 V
товар відсутній
AOB2618LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 7A/23A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 41.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 30 V
товар відсутній
AOB2618LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
AOB262LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 20A/140A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9800 pF @ 30 V
товар відсутній
AOB262LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 140A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
AOB264LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 140A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
AOB264LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 19A/140A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 30 V
товар відсутній
AOB264LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 19A/140A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 30 V
товар відсутній
AOB266LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 18A/140A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 268W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 30 V
товар відсутній
AOB266LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 140A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
AOB266LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 18A/140A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 268W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 30 V
товар відсутній
AOB266LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 140A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
AOB270ALAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 21.5A/140A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.5A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10830 pF @ 37.5 V
товар відсутній
AOB270ALAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 140A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
AOB270ALALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 110A; 250W; TO263
Mounting: SMD
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 147nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO263
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 110A
On-state resistance: 2.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 695 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+283.09 грн
5+ 246.12 грн
6+ 184.43 грн
15+ 173.58 грн
AOB270ALAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 140A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
AOB270ALALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 110A; 250W; TO263
Mounting: SMD
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 147nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO263
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 110A
On-state resistance: 2.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 695 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+235.91 грн
5+ 197.5 грн
6+ 153.69 грн
15+ 144.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
AOB270LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 21.5A/140A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.5A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10350 pF @ 37.5 V
товар відсутній
AOB270LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 21.5A/140A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.5A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10350 pF @ 37.5 V
товар відсутній
AOB27S60LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 27A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
AOB27S60LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 17A; 40W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 17A
Power dissipation: 40W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
AOB27S60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 27A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1294 pF @ 100 V
на замовлення 6178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+259.98 грн
10+ 210.72 грн
100+ 170.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
AOB27S60LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 27A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
AOB27S60LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 27A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
AOB27S60LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 17A; 40W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 17A
Power dissipation: 40W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
AOB27S60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 27A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1294 pF @ 100 V
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+157.35 грн
1600+ 129.74 грн
2400+ 122.16 грн
Мінімальне замовлення: 800
AOB280A60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 14A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 100 V
товар відсутній
AOB280A60LAlpha & Omega SemiconductorN Channel Power Transistor
товар відсутній
AOB280A60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 14A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 100 V
товар відсутній
AOB280LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 140A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
AOB280LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 20.5A/140A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.5A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 224 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11135 pF @ 40 V
товар відсутній
AOB280LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 140A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
AOB280LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 110A; 166.5W; TO263
Mounting: SMD
Case: TO263
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 110A
On-state resistance: 2.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 166.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 160nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 770 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+251.64 грн
3+ 214.92 грн
6+ 180.26 грн
15+ 170.24 грн
800+ 163.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
AOB280LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 110A; 166.5W; TO263
Mounting: SMD
Case: TO263
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 110A
On-state resistance: 2.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 166.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 160nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+209.7 грн
3+ 172.47 грн
6+ 150.21 грн
15+ 141.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
AOB282LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 105A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
AOB282LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 82A; 136W; TO263
Mounting: SMD
Power dissipation: 136W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 58nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO263
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 82A
On-state resistance: 3.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
AOB282LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 82A; 136W; TO263
Mounting: SMD
Power dissipation: 136W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 58nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO263
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 82A
On-state resistance: 3.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
AOB282LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 105A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
AOB282LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 18.5A/105A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta), 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 272.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7765 pF @ 40 V
товар відсутній
AOB284LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 82A; 125W; TO263
Mounting: SMD
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.1µC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO263
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 82A
On-state resistance: 7.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
AOB284LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 105A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
AOB284LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 16A/105A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5154 pF @ 40 V
товар відсутній
AOB284LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 82A; 125W; TO263
Mounting: SMD
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.1µC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO263
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 82A
On-state resistance: 7.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
AOB286LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 13A/70A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3142 pF @ 40 V
товар відсутній
AOB286LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 70A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+75.48 грн
Мінімальне замовлення: 800
AOB286LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 55A; 83W; TO263
Mounting: SMD
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Drain current: 55A
Drain-source voltage: 80V
Gate charge: 63nC
Case: TO263
Kind of channel: enhanced
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.6mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 440 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+134.81 грн
5+ 116.13 грн
11+ 95.27 грн
29+ 90.08 грн
800+ 86.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
AOB286LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 70A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
AOB286LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 55A; 83W; TO263
Mounting: SMD
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Drain current: 55A
Drain-source voltage: 80V
Gate charge: 63nC
Case: TO263
Kind of channel: enhanced
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.6mΩ
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+112.34 грн
5+ 93.19 грн
11+ 79.39 грн
29+ 75.06 грн
Мінімальне замовлення: 4
AOB286LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 70A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+37.39 грн
Мінімальне замовлення: 800
AOB286LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 70A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+73.65 грн
Мінімальне замовлення: 800
AOB288LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 46A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
AOB288LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 10.5A/46A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 93.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 40 V
товар відсутній
AOB2904ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 163W; TO263
Mounting: SMD
Power dissipation: 163W
Case: TO263
Polarisation: unipolar
Gate charge: 93nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
On-state resistance: 4.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 685 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+130.31 грн
4+ 109.18 грн
10+ 86.23 грн
26+ 81.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
AOB2904Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
товар відсутній
AOB2904ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 163W; TO263
Mounting: SMD
Power dissipation: 163W
Case: TO263
Polarisation: unipolar
Gate charge: 93nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
On-state resistance: 4.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 685 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+156.38 грн
3+ 136.06 грн
10+ 103.48 грн
26+ 97.64 грн
800+ 96.8 грн
Мінімальне замовлення: 2
AOB2904Alpha & Omega Semiconductor100V N-Channel AlphaSGT TM
товар відсутній
AOB2906Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 100V TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 122A (Tc)
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
товар відсутній
AOB290LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 18A/140A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9550 pF @ 50 V
на замовлення 1559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+241.93 грн
10+ 195.69 грн
100+ 158.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
AOB290LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 140A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 202400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+177.94 грн
1600+ 149 грн
2400+ 140.26 грн
5600+ 128.86 грн
Мінімальне замовлення: 800
AOB290LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 140A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 202400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+165.23 грн
1600+ 138.35 грн
2400+ 130.24 грн
5600+ 119.65 грн
Мінімальне замовлення: 800
AOB290LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 110A; 250W; TO263
Mounting: SMD
Power dissipation: 250W
Case: TO263
Polarisation: unipolar
Gate charge: 126nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 110A
On-state resistance: 3.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 93 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+238.16 грн
5+ 202.79 грн
6+ 171.91 грн
16+ 162.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
AOB290LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 18A/140A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9550 pF @ 50 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+146.13 грн
Мінімальне замовлення: 800
AOB290L
Код товару: 169925		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
AOB290LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 140A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+114.5 грн
Мінімальне замовлення: 800
AOB290LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 140A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+163.93 грн
Мінімальне замовлення: 800
AOB290LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 140A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+165.2 грн
1600+ 138.29 грн
Мінімальне замовлення: 800
AOB290LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 110A; 250W; TO263
Mounting: SMD
Power dissipation: 250W
Case: TO263
Polarisation: unipolar
Gate charge: 126nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 110A
On-state resistance: 3.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+198.47 грн
5+ 162.73 грн
6+ 143.26 грн
16+ 135.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
AOB290LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 140A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
AOB2910LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 21A; 25W; TO263
Mounting: SMD
Power dissipation: 25W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 7nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO263
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 21A
On-state resistance: 23.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
AOB2910LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
AOB2910LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 21A; 25W; TO263
Mounting: SMD
Power dissipation: 25W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 7nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO263
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 21A
On-state resistance: 23.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
AOB2910LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N CH 100V 6A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 50 V
товар відсутній
AOB2918LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 13A/90A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 267W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3430 pF @ 50 V
товар відсутній
AOB2918LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
AOB2918LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 13A/90A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 267W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3430 pF @ 50 V
товар відсутній
AOB292LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 82A; 300W; TO263
Mounting: SMD
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 90nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO263
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 82A
On-state resistance: 4.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
AOB292LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 105A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta), 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6775 pF @ 50 V
товар відсутній
AOB292LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 105A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
AOB292LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 105A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
AOB292LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 105A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta), 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6775 pF @ 50 V
товар відсутній
AOB292LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 82A; 300W; TO263
Mounting: SMD
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 90nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO263
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 82A
On-state resistance: 4.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
AOB296LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N CH 100V 9.5A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2785 pF @ 50 V
товар відсутній
AOB296LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
AOB298LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 9A/58A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 50 V
товар відсутній
AOB298LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 58A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
AOB298LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 9A/58A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 50 V
товар відсутній
AOB29S50LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 500V 29A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1312 pF @ 100 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+200.63 грн
Мінімальне замовлення: 800
AOB29S50LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
AOB29S50LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 500V 29A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1312 pF @ 100 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+319.92 грн
10+ 276.99 грн
100+ 226.95 грн
AOB29S50LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
AOB360A70LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 700V 12A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 100 V
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+138.66 грн
10+ 110.78 грн
100+ 88.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
AOB360A70LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 700V 12A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 100 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+77.46 грн
Мінімальне замовлення: 800
AOB360A70LAlpha & Omega SemiconductorN Channel Power Transistor
товар відсутній
AOB380A60CLAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 955 pF @ 100 V
на замовлення 1351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+131.44 грн
10+ 105.43 грн
100+ 83.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
AOB380A60CLAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 955 pF @ 100 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+73.73 грн
Мінімальне замовлення: 800
AOB403AO07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AOB403AOTO-252
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AOB403AOSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AOB403LAO07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AOB403LAOSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AOB405AO07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AOB405AOTO-252
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AOB405AOSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AOB405LAOSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AOB405LAO07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AOB409LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET P-CH 60V 5A TO263
товар відсутній
AOB409LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 31.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+42.84 грн
1600+ 34.68 грн
2400+ 32.35 грн
Мінімальне замовлення: 800
AOB409LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORAOB409L SMD P channel transistors
на замовлення 359 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+94.45 грн
22+ 44.23 грн
61+ 41.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
AOB409LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 31.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
AOB409LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 31.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+27.6 грн
Мінімальне замовлення: 800
AOB409LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 31.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+45.89 грн
1600+ 37.13 грн
2400+ 34.64 грн
Мінімальне замовлення: 800
AOB409LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 31.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
AOB410LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 100V TO263
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 129 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7950 pF @ 50 V
товар відсутній
AOB411LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET P-CH 60V 8A TO263
товар відсутній
AOB411LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORAOB411L SMD P channel transistors
на замовлення 726 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+174.35 грн
10+ 105.98 грн
26+ 100.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
AOB411L_001Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET P-CH 60V 8A TO263
товар відсутній
AOB412AOS07+ TO-263
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AOB412AOSTO-263
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AOB412LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 8.2A TO263
товар відсутній
AOB414ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORAOB414 SMD N channel transistors
на замовлення 564 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+79.54 грн
21+ 48.57 грн
56+ 45.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
AOB414Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 6.6A/51A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta), 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 50 V
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.61 грн
10+ 81.43 грн
100+ 63.49 грн
Мінімальне замовлення: 4
AOB414Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 6.6A/51A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta), 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 50 V
товар відсутній
AOB414LAOSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AOB414_001Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 51A D2PAK
товар відсутній
AOB416AOSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AOB416Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 45A D2PAK
на замовлення 2364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
AOB416AOSTO-263
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AOB416AO07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AOB416Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 45A D2PAK
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
AOB416AOTO-263
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AOB416Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 45A D2PAK
на замовлення 2364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
AOB416LAOSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AOB418Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 105A D2PAK
товар відсутній
AOB418AOSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AOB418AOSTO-263
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AOB418Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 105A D2PAK
товар відсутній
AOB418AO07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AOB418Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 105A D2PAK
товар відсутній
AOB418AOTO-263
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AOB4184ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORAOB4184 SMD N channel transistors
на замовлення 359 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+79.18 грн
26+ 38.89 грн
69+ 36.8 грн
Мінімальне замовлення: 4
AOB4184Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 12A TO263
товар відсутній
AOB418LAOSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AOB420AOSTO-263
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AOB420AO07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AOB420AOTO-263
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AOB420AOSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AOB420LAOSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AOB420LAO07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AOB428AOTO-263
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AOB428AOSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AOB428AO07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AOB428LAOSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AOB42S60Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
AOB42S60LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23A; 417W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23A
Power dissipation: 417W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.31Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 680 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+319.04 грн
5+ 229.84 грн
12+ 209.25 грн
500+ 203.62 грн
AOB42S60LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
AOB42S60LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23A; 417W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23A
Power dissipation: 417W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.31Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 680 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+265.87 грн
5+ 184.44 грн
12+ 174.38 грн
500+ 169.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
AOB42S60LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
AOB42S60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 37A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2154 pF @ 100 V
товар відсутній
AOB430AOSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AOB430AO07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AOB430AOTO-263
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AOB430LAOSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AOB430LAO07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AOB430YAOSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AOB430YAO07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AOB430YLAOSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AOB430YLAO07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AOB432AO07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AOB432AOTO-263
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AOB432AOSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AOB432LAOSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AOB432LAO07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AOB434AO07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AOB434AOTO-263
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AOB434AOSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AOB434LAOSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AOB434LAO07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AOB436AO07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AOB436AOTO-263
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AOB436AOSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AOB436LAOSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AOB436LAO07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AOB438AO07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AOB438AOSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AOB438LAO07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AOB438LAOSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AOB440Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 75A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 30 V
товар відсутній
AOB440Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
AOB440Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 75A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 30 V
товар відсутній
AOB442Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 21A TO263
товар відсутній
AOB462LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 7A TO263
товар відсутній
AOB470LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 10A TO263
товар відсутній
AOB480LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 80V D2PAK
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
AOB480LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 80V D2PAK
товар відсутній
AOB480L_001Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 800V TO-263
товар відсутній
AOB482LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 11A/105A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4870 pF @ 40 V
товар відсутній
AOB482LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 105A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
AOB482LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 11A/105A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4870 pF @ 40 V
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.05 грн
10+ 89.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
AOB4S60
Код товару: 170155		Мікросхеми > Інші мікросхеми
товар відсутній
AOB4S60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 4A TO263
товар відсутній
AOB4S60LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
AOB5B60DAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: IGBT 600V 10A 82.4W TO263
товар відсутній
AOB5B60DAlpha & Omega SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 10A 82400mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
AOB5B65M1Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: IGBT 650V 5A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 195 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.98V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: 8.5ns/106ns
Switching Energy: 80µJ (on), 70µJ (off)
Test Condition: 400V, 5A, 60Ohm, 15V
Gate Charge: 14 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 15 A
Power - Max: 83 W
на замовлення 243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+98.94 грн
10+ 77.75 грн
100+ 60.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
AOB5B65M1Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: IGBT 650V 5A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 195 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.98V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: 8.5ns/106ns
Switching Energy: 80µJ (on), 70µJ (off)
Test Condition: 400V, 5A, 60Ohm, 15V
Gate Charge: 14 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 15 A
Power - Max: 83 W
товар відсутній
AOB5B65M1Alpha & Omega SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 10A 83000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
AOB600A60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 8A TO263
на замовлення 765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
AOB600A60LAlpha & Omega SemiconductorN Channel Power Transistor
товар відсутній
AOB600A60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 8A TO263
товар відсутній
AOB600A70FLAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 700V 8.5A TO263
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
AOB600A70FLAlpha & Omega SemiconductorN Channel Power Transistor
товар відсутній
AOB600A70FLAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 700V 8.5A TO263
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
AOB600A70LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 700V 8.5A TO263
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+89.35 грн
Мінімальне замовлення: 800
AOB600A70LAlpha & Omega SemiconductorN Channel Power Transistor
товар відсутній
AOB600A70LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 700V 8.5A TO263
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
AOB66518LAlpha & Omega Semiconductor150V N-Channel MOSFET
товар відсутній
AOB66518LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: N
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 10W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6460 pF @ 75 V
товар відсутній
AOB66613LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 44.5A/120A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44.5A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 30 V
на замовлення 4350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+204.38 грн
10+ 165.37 грн
100+ 133.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
AOB66613LAlpha & Omega Semiconductor60V N-Channel MOSFET
товар відсутній
AOB66613LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 44.5A/120A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44.5A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 30 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+123.49 грн
1600+ 101.83 грн
2400+ 95.88 грн
Мінімальне замовлення: 800
AOB66616LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 140A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 41600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+100.62 грн
Мінімальне замовлення: 800
AOB66616LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 38.5A/140A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.5A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870 pF @ 30 V
товар відсутній
AOB66616LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 95A; 50W; TO263
Mounting: SMD
Case: TO263
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 95A
On-state resistance: 3.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 42.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+60.66 грн
8+ 49.38 грн
10+ 45.2 грн
20+ 42.14 грн
53+ 39.85 грн
Мінімальне замовлення: 7
AOB66616LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 140A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 41600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+102.95 грн
Мінімальне замовлення: 800
AOB66616LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 95A; 50W; TO263
Mounting: SMD
Case: TO263
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 95A
On-state resistance: 3.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 42.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 73 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+72.8 грн
5+ 61.53 грн
10+ 54.24 грн
20+ 50.57 грн
53+ 47.82 грн
800+ 45.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
AOB66616LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 140A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+35.49 грн
Мінімальне замовлення: 800
AOB66616LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 140A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+104.06 грн
Мінімальне замовлення: 800
AOB66616LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 38.5A/140A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.5A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870 pF @ 30 V
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+153.1 грн
10+ 122.4 грн
100+ 97.4 грн
Мінімальне замовлення: 2
AOB66616LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 140A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
AOB66620LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: N
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 30 V
товар відсутній
AOB66811LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: FET N CHANNEL 80V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 10W (Ta), 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5750 pF @ 40 V
на замовлення 57600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+110.02 грн
1600+ 89.89 грн
2400+ 85.4 грн
5600+ 77.13 грн
Мінімальне замовлення: 800
AOB66811LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: FET N CHANNEL 80V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 10W (Ta), 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5750 pF @ 40 V
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+196.43 грн
10+ 157.31 грн
100+ 125.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
AOB66914LAlpha & Omega SemiconductorN Channel Trench Power MOSFET
товар відсутній
AOB66914LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: N
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 6V
Power Dissipation (Max): 10W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12500 pF @ 50 V
товар відсутній
AOB66916LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; AlphaSGT™; unipolar; 100V; 35.5A; 8.3W; D2PAK
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35.5A
On-state resistance: 3.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 8.3W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 78nC
Technology: AlphaSGT™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
AOB66916LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 35.5/120A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.5A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 277W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6180 pF @ 50 V
на замовлення 2640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+241.93 грн
10+ 195.49 грн
100+ 158.2 грн
Мінімальне замовлення: 2
AOB66916LAlpha & Omega SemiconductorN-Channel MOSFET
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+62.12 грн
Мінімальне замовлення: 800
AOB66916LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 35.5/120A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.5A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 277W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6180 pF @ 50 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+146.03 грн
1600+ 120.41 грн
Мінімальне замовлення: 800
AOB66916LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; AlphaSGT™; unipolar; 100V; 35.5A; 8.3W; D2PAK
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35.5A
On-state resistance: 3.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 8.3W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 78nC
Technology: AlphaSGT™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
товар відсутній
AOB66918LAlpha & Omega SemiconductorN Channel Trench Power MOSFET
товар відсутній
AOB66918LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: N
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 10W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 50 V
товар відсутній
AOB66919LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: N
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 10W (Ta), 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3420 pF @ 50 V
товар відсутній
AOB66920LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 22.5A/80A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.5A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+86.57 грн
Мінімальне замовлення: 800
AOB66920LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; AlphaSGT™; unipolar; 100V; 22.5A; 8.3W; D2PAK
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 22.5A
On-state resistance: 8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 8.3W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 50nC
Technology: AlphaSGT™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: D2PAK
товар відсутній
AOB66920LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; AlphaSGT™; unipolar; 100V; 22.5A; 8.3W; D2PAK
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 22.5A
On-state resistance: 8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 8.3W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 50nC
Technology: AlphaSGT™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: D2PAK
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
AOB66920LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 22.5A/80A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.5A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V
на замовлення 1428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+154.55 грн
10+ 123.79 грн
100+ 98.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
AOB66920LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
AOB7S60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO263
товар відсутній
AOB7S60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO263
товар відсутній
AOB7S65LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 434 pF @ 100 V
товар відсутній
AOB7S65LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 434 pF @ 100 V
товар відсутній
AOB9N70LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 700V 9A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 236W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 25 V
товар відсутній
AOB9N70LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 700V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
AOB9N70LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 700V 9A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 236W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 25 V
товар відсутній
AOBD2VELLEMAN INSTRUMENTSDescription: VELLEMAN INSTRUMENTS - AOBD2 - Kfz-Diagnose OBD2, EOBD und JOBD Codeleser und Scanner
tariffCode: 90303100
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3757.36 грн
AOBGA.SETSRA Soldering ProductsDescription: HOT AIR REWORK BGA NOZZLE SET 1
Packaging: Box
Length: Assorted
Width: Assorted
Height: Assorted
Tip Shape: Nozzle
Tip Type: Rework (Hot Air)
Part Status: Active
Tip Chip Size: BGA
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8016.17 грн
AOBGA.SET2SRA Soldering ProductsDescription: HOT AIR REWORK BGA NOZZLE SET 2
Packaging: Box
Length: Assorted
Width: Assorted
Height: Assorted
Tip Shape: Nozzle
Tip Type: Rework (Hot Air)
Part Status: Active
Tip Chip Size: BGA
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+12834.54 грн
AOBN15-15ETA-USAETA-USA 15W 15V 1A
товар відсутній
AOBN50-24ETA-USADescription: AC/DC CONVERTER 24V 50W
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
AOBRXN/A06+
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AOBRYN/A06+
на замовлення 114 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AOBS30B65LNAlpha & Omega Semiconductor650V, 30A Alpha IGBT TM AEC-Q101 Qualified
товар відсутній
AOBT*S717ZBASTBGA
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)