НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
BFU.2K.100.CZSLEMOStandard Circular Connector
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
BFU06703
на замовлення 1945 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BFU308PHILIPS
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BFU309PHILIPS
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BFU310PHILIPS
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BFU520235NXP USA Inc.Description: NPN RF TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товар відсутній
BFU520ARNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TO-236AB T/R
на замовлення 2678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+43.82 грн
17+ 36.2 грн
25+ 34.8 грн
100+ 26.44 грн
250+ 23.54 грн
500+ 18.98 грн
1000+ 13 грн
Мінімальне замовлення: 14
BFU520ARNXPDescription: NXP - BFU520AR - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10 GHz, 450 mW, 30 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 30mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 14213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+49.5 грн
20+ 39.32 грн
100+ 26.66 грн
500+ 20.93 грн
1000+ 14.25 грн
5000+ 13.61 грн
Мінімальне замовлення: 16
BFU520ARNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors Dual NPN wideband Silicon RFtransistor
на замовлення 152555 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+41.28 грн
10+ 33.7 грн
100+ 22.63 грн
500+ 19.43 грн
1000+ 15.82 грн
3000+ 14.82 грн
6000+ 13.75 грн
Мінімальне замовлення: 8
BFU520ARNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TO-236AB T/R
на замовлення 2678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
313+37.48 грн
397+ 29.53 грн
413+ 28.39 грн
500+ 23 грн
1000+ 14.58 грн
Мінімальне замовлення: 313
BFU520ARNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 10GHZ TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 18dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 10GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.7dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+41.89 грн
10+ 35.4 грн
25+ 33.3 грн
100+ 25.5 грн
250+ 23.69 грн
500+ 20.16 грн
1000+ 15.86 грн
Мінімальне замовлення: 7
BFU520ARNXPCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 30mA; 450mW; SOT23
Case: SOT23
Frequency: 10GHz
Collector-emitter voltage: 12V
Current gain: 60...200
Collector current: 30mA
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.45W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: RF
Mounting: SMD
на замовлення 5843 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+38.94 грн
13+ 27.33 грн
25+ 24.55 грн
43+ 19.26 грн
117+ 18.22 грн
3000+ 17.59 грн
Мінімальне замовлення: 10
BFU520ARNXPCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 30mA; 450mW; SOT23
Case: SOT23
Frequency: 10GHz
Collector-emitter voltage: 12V
Current gain: 60...200
Collector current: 30mA
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.45W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: RF
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5843 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
6+46.73 грн
10+ 34.06 грн
25+ 29.46 грн
43+ 23.12 грн
117+ 21.86 грн
3000+ 21.11 грн
Мінімальне замовлення: 6
BFU520ARNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TO-236AB T/R
товар відсутній
BFU520ARNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 10GHZ TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 18dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 10GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.7dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.17 грн
6000+ 14.5 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BFU520ARNXPDescription: NXP - BFU520AR - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10 GHz, 450 mW, 30 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 30mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 14213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.66 грн
500+ 20.93 грн
1000+ 14.25 грн
5000+ 13.61 грн
Мінімальне замовлення: 100
BFU520ARNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive 3-Pin TO-236AB T/R
товар відсутній
BFU520ARNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TO-236AB T/R
на замовлення 5900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
195+60.07 грн
246+ 47.64 грн
312+ 37.59 грн
313+ 36.06 грн
500+ 27.09 грн
1000+ 17.9 грн
2000+ 17.82 грн
Мінімальне замовлення: 195
BFU520AVLNXPDescription: NXP - BFU520AVL - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10 GHz, 450 mW, 5 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 5mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+31.83 грн
31+ 24.79 грн
100+ 16.48 грн
500+ 12.66 грн
1000+ 8.15 грн
5000+ 7.7 грн
Мінімальне замовлення: 24
BFU520AVLNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive 3-Pin TO-236AB T/R
товар відсутній
BFU520AVLNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TO-236AB T/R
товар відсутній
BFU520AVLNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
на замовлення 5256 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.34 грн
12+ 27.18 грн
100+ 16.16 грн
1000+ 9.08 грн
2500+ 9.01 грн
10000+ 7.08 грн
20000+ 6.54 грн
Мінімальне замовлення: 10
BFU520AVLNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 10GHZ TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 12.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 10GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Part Status: Active
товар відсутній
BFU520AVLNXPDescription: NXP - BFU520AVL - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10 GHz, 450 mW, 5 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 5mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+16.48 грн
500+ 12.66 грн
1000+ 8.15 грн
5000+ 7.7 грн
Мінімальне замовлення: 100
BFU520RNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT143B
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 20dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 10.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-143B
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3051 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+33.22 грн
11+ 27.26 грн
25+ 25.42 грн
100+ 19.08 грн
250+ 17.73 грн
500+ 15 грн
1000+ 11.4 грн
Мінімальне замовлення: 9
BFU520RNXPDescription: NXP - BFU520R - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10.5 GHz, 450 mW, 5 mA, SOT-143B
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 95hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 5mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-143B
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BFU520
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10.5GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+18.8 грн
500+ 14.6 грн
1000+ 7.83 грн
Мінімальне замовлення: 100
BFU520R
Код товару: 191928
Транзистори > Біполярні NPN
Uceo,V: 12 V
Ucbo,V: 24 V
Ic,A: 0,005 A
товар відсутній
BFU520RNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
на замовлення 2454 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+35.52 грн
11+ 30.17 грн
100+ 19.63 грн
500+ 15.42 грн
1000+ 11.95 грн
3000+ 10.88 грн
9000+ 9.41 грн
Мінімальне замовлення: 9
BFU520RNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT143B
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 20dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 10.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-143B
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
BFU520RNXPDescription: NXP - BFU520R - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10.5 GHz, 450 mW, 5 mA, SOT-143B
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 95hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 5mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-143B
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BFU520
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10.5GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+35.95 грн
29+ 25.99 грн
100+ 18.8 грн
500+ 14.6 грн
1000+ 7.83 грн
Мінімальне замовлення: 21
BFU520RNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R
товар відсутній
BFU520RNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R
товар відсутній
BFU520VLNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R
товар відсутній
BFU520VLNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT143B
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 17.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 10.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SOT-143B
Part Status: Active
товар відсутній
BFU520VLNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
товар відсутній
BFU520W135NXP USA Inc.Description: NPN RF TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товар відсутній
BFU520WFNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
BFU520WFNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 10GHZ SOT323-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 13dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 10GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
на замовлення 15190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+33.22 грн
11+ 25.66 грн
25+ 23.45 грн
100+ 16.38 грн
250+ 14.85 грн
500+ 12.29 грн
1000+ 9.06 грн
2500+ 8.31 грн
5000+ 7.81 грн
Мінімальне замовлення: 9
BFU520WFNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
на замовлення 9724 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+35.52 грн
12+ 26.33 грн
100+ 12.82 грн
1000+ 9.55 грн
2500+ 8.28 грн
10000+ 7.54 грн
20000+ 6.94 грн
Мінімальне замовлення: 9
BFU520WFNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
BFU520WFNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 10GHZ SOT323-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 13dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 10GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+8.21 грн
Мінімальне замовлення: 10000
BFU520WXNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
на замовлення 25091 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+34.04 грн
12+ 26.56 грн
100+ 18.16 грн
500+ 14.82 грн
1000+ 11.48 грн
3000+ 9.81 грн
9000+ 9.21 грн
Мінімальне замовлення: 10
BFU520WXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
BFU520WXNXPRF TRANS NPN 12V 10GHZ SOT323-3
на замовлення 2688 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
9+33.43 грн
10+ 25.87 грн
Мінімальне замовлення: 9
BFU520WXNXPDescription: NXP - BFU520WX - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10 GHz, 450 mW, 30 mA, SOT-323
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 30mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 11435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.57 грн
500+ 16.06 грн
1000+ 9.5 грн
5000+ 8.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
BFU520WXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 1935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
420+27.87 грн
527+ 22.24 грн
552+ 21.22 грн
667+ 16.92 грн
1064+ 9.83 грн
Мінімальне замовлення: 420
BFU520WXNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 10GHZ SOT323-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 18.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 10GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.33 грн
11+ 25.59 грн
25+ 23.87 грн
100+ 17.91 грн
250+ 16.63 грн
500+ 14.07 грн
1000+ 10.7 грн
Мінімальне замовлення: 10
BFU520WXNXPDescription: NXP - BFU520WX - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10 GHz, 450 mW, 30 mA, SOT-323
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 30mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 11435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+38.2 грн
25+ 30.26 грн
100+ 21.57 грн
500+ 16.06 грн
1000+ 9.5 грн
5000+ 8.86 грн
Мінімальне замовлення: 20
BFU520WXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
BFU520WXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 1935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+32.4 грн
23+ 26.16 грн
25+ 25.88 грн
100+ 19.52 грн
250+ 17.41 грн
500+ 13.97 грн
1000+ 8.76 грн
Мінімальне замовлення: 18
BFU520WXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 8330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
530+22.08 грн
533+ 21.98 грн
654+ 17.9 грн
1000+ 16.11 грн
2000+ 14.83 грн
3000+ 13.47 грн
6000+ 12.7 грн
Мінімальне замовлення: 530
BFU520WXNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 10GHZ SOT323-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 18.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 10GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SC-70
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.97 грн
6000+ 9.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BFU520X215NXP USA Inc.Description: NPN RF TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2323+8.59 грн
Мінімальне замовлення: 2323
BFU520X215NXPDescription: NXP - BFU520X215 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2793+13.03 грн
Мінімальне замовлення: 2793
BFU520X235NXPDescription: NXP - BFU520X235 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2793+13.03 грн
Мінімальне замовлення: 2793
BFU520X235NXP USA Inc.Description: NPN RF TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2323+8.59 грн
Мінімальне замовлення: 2323
BFU520XARNXPDescription: NXP - BFU520XAR - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10.5 GHz, 450 mW, 5 mA, SOT-143B
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 60hFE
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 5mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 450mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-143B
Bauform - HF-Transistor: SOT-143B
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 12V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BFU5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 5mA
Übergangsfrequenz: 10.5GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+26.14 грн
40+ 19.17 грн
100+ 13.03 грн
500+ 10.01 грн
Мінімальне замовлення: 29
BFU520XARNXPCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 30mA; 450mW; SOT143B
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 30mA
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT143B
Current gain: 60...200
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 10.5GHz
товар відсутній
BFU520XARNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive 4-Pin SOT-143B T/R
товар відсутній
BFU520XARNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT143B
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 20dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 10.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.7dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-143B
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BFU520XARNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin SOT-143B T/R
товар відсутній
BFU520XARNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
на замовлення 2252 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+34.04 грн
13+ 25.03 грн
100+ 12.15 грн
1000+ 9.15 грн
3000+ 7.81 грн
9000+ 7.08 грн
24000+ 6.61 грн
Мінімальне замовлення: 10
BFU520XARNXPCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 30mA; 450mW; SOT143B
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 30mA
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT143B
Current gain: 60...200
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 10.5GHz
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BFU520XARNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT143B
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 20dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 10.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.7dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-143B
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.05 грн
12+ 24.27 грн
25+ 22.25 грн
100+ 15.53 грн
250+ 14.08 грн
500+ 11.65 грн
1000+ 8.59 грн
Мінімальне замовлення: 10
BFU520XRRNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT143R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-143R
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 20dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 10.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-143R
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6047 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.05 грн
12+ 24.27 грн
25+ 22.25 грн
100+ 15.53 грн
250+ 14.08 грн
500+ 11.65 грн
1000+ 8.59 грн
Мінімальне замовлення: 10
BFU520XRRNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-143R T/R
товар відсутній
BFU520XRRNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
на замовлення 10692 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.34 грн
12+ 27.18 грн
100+ 16.16 грн
1000+ 9.08 грн
3000+ 8.35 грн
9000+ 7.28 грн
24000+ 6.68 грн
Мінімальне замовлення: 10
BFU520XRRNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT143R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-143R
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 20dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 10.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-143R
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BFU520XRRNXPDescription: NXP - BFU520XRR - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2793+13.03 грн
Мінімальне замовлення: 2793
BFU520XRRNXP SemiconductorsDescription: BFU520XR - NPN Wideband Silicon
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-143R
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 17.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 10GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-143R
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2323+8.59 грн
Мінімальне замовлення: 2323
BFU520XRRNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-143R T/R
товар відсутній
BFU520XRVLNXPDescription: NXP - BFU520XRVL - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2793+13.03 грн
Мінімальне замовлення: 2793
BFU520XRVLNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT143R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-143R
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 17.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 10.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SOT-143R
Part Status: Active
товар відсутній
BFU520XRVLNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-143R T/R
товар відсутній
BFU520XRVLNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
товар відсутній
BFU520XVLNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R
товар відсутній
BFU520XVLNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
товар відсутній
BFU520XVLNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT143B
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 18dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 10.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SOT-143B
Part Status: Active
товар відсутній
BFU520YNXP USA Inc.Description: RF SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSIST
товар відсутній
BFU520Y115NXP USA Inc.Description: DUAL NPN WIDEBAND RF TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товар відсутній
BFU520YFNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors Dual NPN wideband si silicon RF trans
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+56.47 грн
10+ 48.83 грн
100+ 28.97 грн
500+ 24.23 грн
1000+ 20.63 грн
2500+ 20.23 грн
10000+ 16.69 грн
Мінімальне замовлення: 6
BFU520YFNXP USA Inc.Description: RF TRANS 2 NPN 12V 10GHZ SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 14dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 10GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Active
товар відсутній
BFU520YFNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive 6-Pin TSSOP T/R
товар відсутній
BFU520YFNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive AEC-Q101 6-Pin TSSOP T/R
товар відсутній
BFU520YXNXP USA Inc.Description: RF TRANS 2 NPN 12V 10GHZ SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 19dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 10GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB @ 900MHz
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+27.33 грн
6000+ 25 грн
15000+ 24.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BFU520YXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive 6-Pin TSSOP T/R
товар відсутній
BFU520YXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive AEC-Q101 6-Pin TSSOP T/R
товар відсутній
BFU520YXNXPDescription: NXP - BFU520YX - Bipolarer HF-Transistor, Zweifach npn, 12 V, 10 GHz, 450 mW, 30 mA, SOT-363
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 30mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Übergangsfrequenz: 10GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 7116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+42.31 грн
500+ 34.7 грн
1000+ 23.43 грн
5000+ 23.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
BFU520YXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive AEC-Q101 6-Pin TSSOP T/R
на замовлення 2505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
272+43.17 грн
309+ 37.99 грн
323+ 36.3 грн
500+ 33.09 грн
1000+ 29.04 грн
Мінімальне замовлення: 272
BFU520YXNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
на замовлення 64485 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+68.07 грн
10+ 54.89 грн
100+ 38.59 грн
500+ 34.12 грн
1000+ 26.9 грн
3000+ 25.1 грн
6000+ 23.77 грн
Мінімальне замовлення: 5
BFU520YXNXPDescription: NXP - BFU520YX - Bipolarer HF-Transistor, Zweifach npn, 12 V, 10 GHz, 450 mW, 30 mA, SOT-363
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 30mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Übergangsfrequenz: 10GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 7116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+73.24 грн
13+ 58.87 грн
100+ 42.31 грн
500+ 34.7 грн
1000+ 23.43 грн
5000+ 23.24 грн
Мінімальне замовлення: 11
BFU520YXNXP USA Inc.Description: RF TRANS 2 NPN 12V 10GHZ SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 19dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 10GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB @ 900MHz
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 38843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.27 грн
10+ 55.5 грн
25+ 52.63 грн
100+ 40.57 грн
250+ 37.92 грн
500+ 33.51 грн
1000+ 26.02 грн
Мінімальне замовлення: 5
BFU520YXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive AEC-Q101 6-Pin TSSOP T/R
товар відсутній
BFU530215NXP USA Inc.Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2032+9.91 грн
Мінімальне замовлення: 2032
BFU530215NXPDescription: NXP - BFU530215 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2446+14.9 грн
Мінімальне замовлення: 2446
BFU530ARNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 18dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.01 грн
6000+ 13.46 грн
15000+ 12.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BFU530ARNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TO-236AB T/R
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+24.48 грн
26+ 22.48 грн
41+ 14.43 грн
Мінімальне замовлення: 24
BFU530ARNXPDescription: NXP - BFU530AR - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 40 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 40mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 11GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.39 грн
500+ 20.1 грн
Мінімальне замовлення: 100
BFU530ARNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
на замовлення 36255 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+36.22 грн
12+ 27.02 грн
100+ 20.36 грн
500+ 18.16 грн
1000+ 15.36 грн
3000+ 13.62 грн
6000+ 12.95 грн
Мінімальне замовлення: 9
BFU530ARNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TO-236AB T/R
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BFU530ARNXPTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive 3-Pin TO-236AB BFU530AR TBFU530ar
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+11.52 грн
Мінімальне замовлення: 100
BFU530ARNXPDescription: NXP - BFU530AR - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 40 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 40mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 11GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+47.11 грн
20+ 37.67 грн
100+ 25.39 грн
500+ 20.1 грн
Мінімальне замовлення: 16
BFU530ARNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 18dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 21681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39 грн
10+ 32.89 грн
25+ 30.9 грн
100+ 23.67 грн
250+ 21.99 грн
500+ 18.71 грн
1000+ 14.72 грн
Мінімальне замовлення: 8
BFU530ARNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TO-236AB T/R
товар відсутній
BFU530ARNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TO-236AB T/R
на замовлення 6042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
226+51.91 грн
339+ 34.61 грн
364+ 32.23 грн
365+ 30.98 грн
500+ 24.15 грн
1000+ 21.91 грн
2000+ 21.82 грн
3000+ 20.8 грн
6000+ 19.78 грн
Мінімальне замовлення: 226
BFU530ARNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive 3-Pin TO-236AB T/R
товар відсутній
BFU530AVLNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 12dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Part Status: Active
товар відсутній
BFU530AVLNXPDescription: NXP - BFU530AVL - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 10 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 10mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 11GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 9500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+18.8 грн
500+ 14.46 грн
1000+ 9.31 грн
5000+ 8.79 грн
Мінімальне замовлення: 100
BFU530AVLNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TO-236AB T/R
товар відсутній
BFU530AVLNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive 3-Pin TO-236AB T/R
товар відсутній
BFU530AVLNXPDescription: NXP - BFU530AVL - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 10 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 10mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 11GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 9500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+36.32 грн
27+ 28.38 грн
100+ 18.8 грн
500+ 14.46 грн
1000+ 9.31 грн
5000+ 8.79 грн
Мінімальне замовлення: 21
BFU530AVLNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
на замовлення 7975 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+29.68 грн
13+ 24.95 грн
100+ 16.22 грн
500+ 12.75 грн
1000+ 9.81 грн
2500+ 9.35 грн
10000+ 7.74 грн
Мінімальне замовлення: 11
BFU530RNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
935+12.52 грн
Мінімальне замовлення: 935
BFU530RNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R
товар відсутній
BFU530RNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
на замовлення 2983 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+28.97 грн
13+ 24.88 грн
100+ 16.16 грн
500+ 12.68 грн
1000+ 9.75 грн
3000+ 8.95 грн
9000+ 7.74 грн
Мінімальне замовлення: 11
BFU530RNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 21.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-143B
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+27.44 грн
13+ 22.11 грн
25+ 20.7 грн
100+ 15.53 грн
250+ 14.42 грн
Мінімальне замовлення: 11
BFU530RNXPDescription: NXP - BFU530R - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 40 mA, SOT-143B
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12
Verlustleistung: 450
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 95
Qualifikation: AEC-Q101
Bauform - Transistor: SOT-143B
Dauer-Kollektorstrom: 40
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
BFU530RNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R
на замовлення 2972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
935+12.52 грн
Мінімальне замовлення: 935
BFU530R
Код товару: 99606
Транзистори > Біполярні NPN
товар відсутній
BFU530RNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 21.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-143B
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
BFU530RNXPDescription: NXP - BFU530R - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 40 mA, SOT-143B
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 95
DC-Stromverstärkung hFE: 95
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 40
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 450
Verlustleistung: 450
Bauform - Transistor: SOT-143B
Bauform - HF-Transistor: SOT-143B
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 12
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: BFU530
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 40
Übergangsfrequenz: 11
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
BFU530VLNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
товар відсутній
BFU530VLNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 15.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SOT-143B
Part Status: Active
товар відсутній
BFU530VLNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R
товар відсутній
BFU530W,115NXP USA Inc.Description: NPN WIDEBAND SILICON RF TRANSIST
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 12.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.1dB @ 433MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: SC-70
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1214+16.52 грн
Мінімальне замовлення: 1214
BFU530W115NXPDescription: NXP - BFU530W115 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1461+25.46 грн
Мінімальне замовлення: 1461
BFU530W115NXP SemiconductorsDescription: NPN WIDEBAND SILICON RF TRANSIST
товар відсутній
BFU530WFNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
BFU530WFNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
BFU530WFNXPDescription: NXP - BFU530WF - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 10 mA, SOT-323
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 10mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 11GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.93 грн
500+ 10.78 грн
1000+ 6.93 грн
5000+ 6.55 грн
Мінімальне замовлення: 100
BFU530WFNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
на замовлення 5446 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+28.97 грн
14+ 23.11 грн
100+ 13.75 грн
1000+ 7.68 грн
2500+ 7.54 грн
10000+ 6.14 грн
20000+ 5.61 грн
Мінімальне замовлення: 11
BFU530WFNXPDescription: NXP - BFU530WF - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 10 mA, SOT-323
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 10mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 11GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+26.96 грн
36+ 21.04 грн
100+ 13.93 грн
500+ 10.78 грн
1000+ 6.93 грн
5000+ 6.55 грн
Мінімальне замовлення: 28
BFU530WFNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT323-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 12.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
товар відсутній
BFU530WXNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT323-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 18.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SC-70
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+38.28 грн
10+ 32.62 грн
25+ 30.65 грн
100+ 23.49 грн
250+ 21.82 грн
500+ 18.57 грн
1000+ 14.61 грн
Мінімальне замовлення: 8
BFU530WXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 11243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
690+16.98 грн
700+ 16.72 грн
711+ 16.46 грн
723+ 15.62 грн
1000+ 14.22 грн
3000+ 13.43 грн
6000+ 13.21 грн
Мінімальне замовлення: 690
BFU530WXNXPDescription: NXP - BFU530WX - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 155211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1461+25.46 грн
Мінімальне замовлення: 1461
BFU530WXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BFU530WXNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors Dual NPN wideband Silicon RFtransistor
на замовлення 27034 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+28.27 грн
13+ 24.18 грн
100+ 17.36 грн
500+ 15.69 грн
1000+ 13.89 грн
3000+ 13.35 грн
6000+ 12.75 грн
Мінімальне замовлення: 12
BFU530WXNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT323-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 18.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SC-70
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.9 грн
6000+ 13.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BFU530WXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
BFU530WXNXPDescription: NXP - BFU530WX - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 40 mA, SOT-323
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 40mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 11GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+31.16 грн
29+ 26.21 грн
100+ 19.47 грн
500+ 16.34 грн
1000+ 12.65 грн
Мінімальне замовлення: 25
BFU530WXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
146+80.66 грн
298+ 39.39 грн
325+ 36.01 грн
326+ 34.62 грн
500+ 26.02 грн
1000+ 23.44 грн
2000+ 23.28 грн
3000+ 22 грн
Мінімальне замовлення: 146
BFU530WXNXPCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 24V; 40mA; 450mW; SOT323
Mounting: SMD
Case: SOT323
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.45W
Frequency: 11GHz
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 24V
Current gain: 60...200
Collector current: 40mA
Type of transistor: NPN
на замовлення 2956 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+53.17 грн
14+ 25.04 грн
25+ 22.46 грн
44+ 18.93 грн
119+ 17.9 грн
Мінімальне замовлення: 8
BFU530WXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BFU530WXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 11243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+16.25 грн
37+ 15.77 грн
100+ 14.97 грн
250+ 13.65 грн
500+ 12.89 грн
1000+ 12.68 грн
3000+ 12.47 грн
6000+ 12.26 грн
Мінімальне замовлення: 36
BFU530WXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BFU530WXNXPDescription: NXP - BFU530WX - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 40 mA, SOT-323
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 40mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 11GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.47 грн
500+ 16.34 грн
1000+ 12.65 грн
Мінімальне замовлення: 100
BFU530WXNXPCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 24V; 40mA; 450mW; SOT323
Mounting: SMD
Case: SOT323
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.45W
Frequency: 11GHz
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 24V
Current gain: 60...200
Collector current: 40mA
Type of transistor: NPN
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2956 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+63.81 грн
9+ 31.2 грн
25+ 26.95 грн
44+ 22.72 грн
119+ 21.48 грн
Мінімальне замовлення: 5
BFU530XARNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 22dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.7dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-143B
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+33.22 грн
11+ 27.19 грн
25+ 25.42 грн
100+ 19.08 грн
250+ 17.72 грн
Мінімальне замовлення: 9
BFU530XARNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R
товар відсутній
BFU530XARNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 22dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.7dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-143B
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
BFU530XARNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+35.52 грн
11+ 27.95 грн
100+ 18.03 грн
500+ 15.29 грн
1000+ 11.82 грн
3000+ 10.01 грн
9000+ 9.35 грн
Мінімальне замовлення: 9
BFU530XRNXP USA Inc.Description: RF SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSIST
товар відсутній
BFU530XRRNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-143R T/R
товар відсутній
BFU530XRRNXPDescription: NXP - BFU530XRR - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 40 mA, SOT-143R
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 95hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 40mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-143R
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BFU530XR
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 11GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BFU530XRRNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-143R
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 21dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-143R
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
BFU530XRRNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-143R T/R
товар відсутній
BFU530XRRNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
товар відсутній
BFU530XRRNXPDescription: NXP - BFU530XRR - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 40 mA, SOT-143R
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 95hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 40mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-143R
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BFU530XR
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 11GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BFU530XRRNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-143R
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 21dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-143R
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
BFU530XRVLNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
товар відсутній
BFU530XRVLNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-143R
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 16.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SOT-143R
на замовлення 9120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+27.44 грн
13+ 22.11 грн
25+ 20.7 грн
100+ 15.53 грн
250+ 14.42 грн
500+ 12.2 грн
1000+ 9.28 грн
2500+ 8.46 грн
5000+ 7.91 грн
Мінімальне замовлення: 11
BFU530XRVLNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-143R
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 16.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SOT-143R
товар відсутній
BFU530XRVLNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-143R T/R
товар відсутній
BFU530XVLNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R
товар відсутній
BFU530XVLNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
товар відсутній
BFU530XVLNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 16.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SOT-143B
Part Status: Active
товар відсутній
BFU550215NXP USA Inc.Description: NPN RF TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1189+16.52 грн
Мінімальне замовлення: 1189
BFU550215NXPDescription: NXP - BFU550215 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1430+25.46 грн
Мінімальне замовлення: 1430
BFU550235NXPDescription: NXP - BFU550235 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2173+16.48 грн
Мінімальне замовлення: 2173
BFU550235NXP USA Inc.Description: NPN WIDEBAND SILICON RF TRANSIST
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1807+11.23 грн
Мінімальне замовлення: 1807
BFU550A215NXP USA Inc.Description: NPN WIDEBAND SILICON RF TRANSIST
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товар відсутній
BFU550A235NXP USA Inc.Description: NPN WIDEBAND SILICON RF TRANSIST
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товар відсутній
BFU550ARNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TO-236AB T/R
товар відсутній
BFU550ARNXPDescription: NXP - BFU550AR - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 50 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 50mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 11GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+31.16 грн
34+ 22.47 грн
100+ 11.38 грн
500+ 8.62 грн
1000+ 6.16 грн
Мінімальне замовлення: 25
BFU550ARNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TO-236AB T/R
на замовлення 5808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
822+14.24 грн
828+ 14.14 грн
839+ 13.95 грн
1112+ 10.15 грн
2000+ 9.32 грн
3000+ 7.86 грн
Мінімальне замовлення: 822
BFU550ARNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
на замовлення 80995 шт:
термін постачання 177-186 дні (днів)
12+27.49 грн
16+ 19.96 грн
100+ 9.81 грн
1000+ 7.34 грн
3000+ 6.21 грн
9000+ 6.01 грн
24000+ 5.47 грн
Мінімальне замовлення: 12
BFU550ARNXPCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 50mA; 450mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 50mA
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT23
Current gain: 60...200
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 11GHz
на замовлення 9790 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
30+14.38 грн
40+ 9.67 грн
100+ 8.55 грн
110+ 7.64 грн
290+ 7.22 грн
3000+ 7.16 грн
Мінімальне замовлення: 30
BFU550ARNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 18dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26 грн
14+ 20.03 грн
25+ 18.33 грн
100+ 12.82 грн
250+ 11.61 грн
500+ 9.61 грн
1000+ 7.09 грн
Мінімальне замовлення: 12
BFU550ARNXPCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 50mA; 450mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 50mA
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT23
Current gain: 60...200
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 11GHz
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 9790 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
20+17.26 грн
25+ 12.05 грн
100+ 10.26 грн
110+ 9.16 грн
290+ 8.66 грн
3000+ 8.6 грн
Мінімальне замовлення: 20
BFU550ARNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TO-236AB T/R
товар відсутній
BFU550ARNXPDescription: NXP - BFU550AR - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 50 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 50mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 11GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.38 грн
500+ 8.62 грн
1000+ 6.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
BFU550ARNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 18dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BFU550ARNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive 3-Pin TO-236AB T/R
товар відсутній
BFU550AVLNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive 3-Pin TO-236AB T/R
товар відсутній
BFU550AVLNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TO-236AB T/R
товар відсутній
BFU550AVLNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
на замовлення 9907 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.34 грн
13+ 25.03 грн
100+ 13.55 грн
1000+ 7.14 грн
2500+ 6.41 грн
10000+ 5.54 грн
20000+ 5.14 грн
Мінімальне замовлення: 10
BFU550AVLNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 12dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Part Status: Active
товар відсутній
BFU550RNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R
товар відсутній
BFU550RNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 21dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.7dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-143B
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 44420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.72 грн
10+ 33.31 грн
25+ 31.32 грн
100+ 24 грн
250+ 22.29 грн
500+ 18.97 грн
1000+ 14.93 грн
Мінімальне замовлення: 8
BFU550RNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
678+17.26 грн
682+ 17.16 грн
Мінімальне замовлення: 678
BFU550RNXPDescription: NXP - BFU550R - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 50 mA, SOT-143B
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 50mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-143B
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 11GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+33.78 грн
28+ 27.56 грн
100+ 19.77 грн
500+ 16.13 грн
1000+ 12.33 грн
Мінімальне замовлення: 23
BFU550R
Код товару: 182070
Транзистори > Біполярні NPN
товар відсутній
BFU550RNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R
товар відсутній
BFU550RNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
на замовлення 26042 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.64 грн
12+ 27.02 грн
100+ 19.09 грн
500+ 16.82 грн
1000+ 14.62 грн
3000+ 12.68 грн
Мінімальне замовлення: 10
BFU550RNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 21dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.7dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-143B
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.22 грн
6000+ 13.65 грн
15000+ 13.14 грн
30000+ 11.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BFU550RNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R
на замовлення 6938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
545+21.48 грн
604+ 19.39 грн
610+ 19.2 грн
670+ 16.84 грн
1000+ 14.53 грн
3000+ 13.72 грн
6000+ 13.49 грн
Мінімальне замовлення: 545
BFU550RNXPDescription: NXP - BFU550R - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 50 mA, SOT-143B
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 50mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-143B
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 11GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.77 грн
500+ 16.13 грн
1000+ 12.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
BFU550RNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R
на замовлення 6938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+21.92 грн
29+ 20.14 грн
30+ 19.95 грн
100+ 17.36 грн
250+ 15.92 грн
500+ 13.9 грн
1000+ 12.95 грн
3000+ 12.74 грн
6000+ 12.53 грн
Мінімальне замовлення: 27
BFU550VLNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R
товар відсутній
BFU550VLNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 15dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SOT-143B
Part Status: Active
товар відсутній
BFU550VLNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
товар відсутній
BFU550W135NXP USA Inc.Description: NPN WIDEBAND SILICON RF TRANSIST
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 8075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1483+14.44 грн
Мінімальне замовлення: 1483
BFU550WFNXPDescription: NXP - BFU550WF - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 50 mA, SOT-323
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 50mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 11GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.01 грн
500+ 19.68 грн
1000+ 12 грн
Мінімальне замовлення: 100
BFU550WFNXP SemiconductorsDescription: BFU550W - NPN WIDEBAND SILICON R
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 18dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SC-70
на замовлення 743543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1369+14.53 грн
Мінімальне замовлення: 1369
BFU550WFNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
BFU550WFNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 9830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
425+27.59 грн
457+ 25.65 грн
543+ 21.55 грн
1000+ 19.47 грн
2000+ 17.85 грн
Мінімальне замовлення: 425
BFU550WFNXPDescription: NXP - BFU550WF - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 50 mA, SOT-323
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 50mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 11GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+47.86 грн
21+ 37.37 грн
100+ 25.01 грн
500+ 19.68 грн
1000+ 12 грн
Мінімальне замовлення: 16
BFU550WFNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT323-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 12dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
на замовлення 23040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.72 грн
10+ 32.89 грн
25+ 30.71 грн
100+ 23.06 грн
250+ 21.42 грн
500+ 18.12 грн
1000+ 13.77 грн
2500+ 12.56 грн
5000+ 11.75 грн
Мінімальне замовлення: 8
BFU550WFNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
на замовлення 13308 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+42.76 грн
10+ 34.47 грн
100+ 22.3 грн
500+ 18.83 грн
1000+ 14.55 грн
2500+ 12.48 грн
10000+ 11.55 грн
Мінімальне замовлення: 8
BFU550WFNXPDescription: NXP - BFU550WF - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 744202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1646+21.72 грн
Мінімальне замовлення: 1646
BFU550WFNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
BFU550WFNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT323-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 12dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+12.31 грн
Мінімальне замовлення: 10000
BFU550WXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BFU550WXNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors Dual NPN wideband Silicon RFtransistor
на замовлення 5361 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+41.98 грн
10+ 35.78 грн
100+ 26.04 грн
500+ 23.57 грн
1000+ 20.83 грн
3000+ 19.63 грн
6000+ 19.36 грн
Мінімальне замовлення: 8
BFU550WXNXPDescription: NXP - BFU550WX - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 7039 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
978+37.45 грн
Мінімальне замовлення: 978
BFU550WXNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT323-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 18dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+57.77 грн
10+ 49.24 грн
25+ 46.23 грн
100+ 35.42 грн
250+ 32.9 грн
500+ 28 грн
1000+ 22.03 грн
Мінімальне замовлення: 5
BFU550WXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
206+56.95 грн
241+ 48.56 грн
282+ 41.54 грн
298+ 37.99 грн
500+ 32.91 грн
1000+ 29.67 грн
3000+ 27.08 грн
Мінімальне замовлення: 206
BFU550WXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
BFU550WXNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT323-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 18dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SC-70
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BFU550WXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 5370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
462+25.35 грн
469+ 24.96 грн
477+ 24.57 грн
484+ 23.32 грн
500+ 21.24 грн
1000+ 20.06 грн
3000+ 19.72 грн
Мінімальне замовлення: 462
BFU550WXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
BFU550WXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 5370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+23.18 грн
100+ 22 грн
250+ 20.05 грн
500+ 18.94 грн
1000+ 18.63 грн
3000+ 18.31 грн
Мінімальне замовлення: 25
BFU550XARNXPDescription: NXP - BFU550XAR - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1544+23.97 грн
Мінімальне замовлення: 1544
BFU550XARNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin SOT-143B T/R
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
303+38.67 грн
412+ 28.4 грн
417+ 28.11 грн
500+ 24.05 грн
1000+ 17.31 грн
3000+ 12.49 грн
Мінімальне замовлення: 303
BFU550XAR
на замовлення 50 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
BFU550XARNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive 4-Pin SOT-143B T/R
товар відсутній
BFU550XARNXPDescription: NXP - BFU550XAR - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 50 mA, SOT-143B
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 50mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-143B
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 11GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+27.34 грн
500+ 20.93 грн
Мінімальне замовлення: 100
BFU550XARNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 21.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.75db @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-143B
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 61412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+41.89 грн
10+ 35.12 грн
25+ 32.74 грн
100+ 24.58 грн
250+ 22.82 грн
500+ 19.31 грн
1000+ 14.68 грн
Мінімальне замовлення: 7
BFU550XARNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin SOT-143B T/R
товар відсутній
BFU550XARNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin SOT-143B T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
373+31.4 грн
509+ 23.01 грн
511+ 22.91 грн
580+ 19.47 грн
1000+ 14.89 грн
Мінімальне замовлення: 373
BFU550XARNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
на замовлення 379 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+46.34 грн
10+ 36.85 грн
100+ 23.77 грн
500+ 20.03 грн
1000+ 15.56 грн
3000+ 12.55 грн
Мінімальне замовлення: 7
BFU550XARNXPDescription: NXP - BFU550XAR - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 50 mA, SOT-143B
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 50mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-143B
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 11GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+51 грн
19+ 40.59 грн
100+ 27.34 грн
500+ 20.93 грн
Мінімальне замовлення: 15
BFU550XARNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 21.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.75db @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-143B
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.06 грн
6000+ 13.56 грн
15000+ 12.63 грн
30000+ 11.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BFU550XARNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin SOT-143B T/R
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+44.32 грн
16+ 36.42 грн
25+ 35.91 грн
100+ 25.43 грн
250+ 23.31 грн
500+ 19.85 грн
1000+ 15.44 грн
3000+ 11.6 грн
Мінімальне замовлення: 14
BFU550XR215NXP USA Inc.Description: NPN RF TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товар відсутній
BFU550XR235NXP USA Inc.Description: NPN RF TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товар відсутній
BFU550XRRNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 30V 0.08A 450mW Automotive 4-Pin SOT-143R T/R
товар відсутній
BFU550XRRNXPDescription: NXP - BFU550XRR - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 15 mA, SOT-143R
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12
Verlustleistung: 450
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 95
Qualifikation: AEC-Q101
Bauform - Transistor: SOT-143R
Dauer-Kollektorstrom: 15
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
BFU550XRRNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-143R
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 21.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.7dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-143R
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
BFU550XRRNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW 4-Pin SOT-143R T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BFU550XRRNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
на замовлення 2760 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+30.45 грн
17+ 18.58 грн
100+ 8.88 грн
1000+ 6.74 грн
3000+ 5.67 грн
9000+ 5.21 грн
24000+ 4.87 грн
Мінімальне замовлення: 11
BFU550XRRNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW 4-Pin SOT-143R T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BFU550XRRNXPDescription: NXP - BFU550XRR - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 15 mA, SOT-143R
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 95
DC-Stromverstärkung hFE: 95
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 15
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 450
Verlustleistung: 450
Bauform - Transistor: SOT-143R
Bauform - HF-Transistor: SOT-143R
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 12
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: BFU550XR
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 15
Übergangsfrequenz: 11
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
BFU550XRRNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-143R
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 21.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.7dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-143R
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+28.89 грн
14+ 21.21 грн
25+ 19.11 грн
100+ 12.39 грн
250+ 10.44 грн
500+ 8.48 грн
1000+ 6.42 грн
Мінімальне замовлення: 10
BFU550XRRNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW 4-Pin SOT-143R T/R Automotive AEC-Q101
товар відсутній
BFU550XRR215NXP USA Inc.Description: NPN RF TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товар відсутній
BFU550XRVLNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-143R
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 15.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SOT-143R
Part Status: Active
товар відсутній
BFU550XRVLNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 30V 0.08A 450mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-143R T/R
товар відсутній
BFU550XRVLNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+34.74 грн
13+ 25.18 грн
100+ 12.42 грн
1000+ 6.34 грн
2500+ 5.54 грн
10000+ 4.14 грн
20000+ 4.07 грн
Мінімальне замовлення: 9
BFU550XVLNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R
товар відсутній
BFU550XVLNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R
товар відсутній
BFU550XVLNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 244-253 дні (днів)
10+33.34 грн
11+ 28.02 грн
100+ 18.16 грн
500+ 14.29 грн
1000+ 11.08 грн
2500+ 10.21 грн
10000+ 8.81 грн
Мінімальне замовлення: 10
BFU550XVLNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 15.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SOT-143B
Part Status: Active
товар відсутній
BFU580G115NXP USA Inc.Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товар відсутній
BFU580GXNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
на замовлення 1107 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+60.83 грн
10+ 50.13 грн
100+ 34.18 грн
500+ 30.18 грн
1000+ 23.77 грн
2000+ 22.16 грн
5000+ 21.03 грн
Мінімальне замовлення: 6
BFU580GXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.1A 1000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
товар відсутній
BFU580GXNXPDescription: NXP - BFU580GX - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 1 W, 30 mA, SOT-223
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 95hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 30mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BFU580G
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 11GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+39.09 грн
500+ 32.06 грн
Мінімальне замовлення: 100
BFU580GXNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 10.5dB
Power - Max: 1W
Current - Collector (Ic) (Max): 60mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 30mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SC-73
Part Status: Active
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+25.56 грн
Мінімальне замовлення: 1000
BFU580GXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.1A 1000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+30.5 грн
Мінімальне замовлення: 1000
BFU580GXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.1A 1000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
товар відсутній
BFU580GXNXPCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 60mA; 1W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 60mA
Power dissipation: 1W
Case: SOT223
Current gain: 60...130
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 11GHz
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BFU580GXNXPDescription: NXP - BFU580GX - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 1 W, 30 mA, SOT-223
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 95hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 30mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BFU580G
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 11GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+68.45 грн
15+ 52.57 грн
100+ 39.09 грн
500+ 32.06 грн
Мінімальне замовлення: 11
BFU580GXNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 10.5dB
Power - Max: 1W
Current - Collector (Ic) (Max): 60mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 30mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SC-73
Part Status: Active
на замовлення 1928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.33 грн
10+ 48.4 грн
25+ 45.95 грн
100+ 35.42 грн
250+ 33.11 грн
500+ 29.26 грн
Мінімальне замовлення: 6
BFU580GXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.1A 1000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
товар відсутній
BFU580GXNXPCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 60mA; 1W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 60mA
Power dissipation: 1W
Case: SOT223
Current gain: 60...130
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 11GHz
товар відсутній
BFU580GXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.1A 1000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+30.27 грн
Мінімальне замовлення: 1000
BFU580QXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.1A 1000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
BFU580QXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.1A 1000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
BFU580QXNXPDescription: NXP - BFU580QX - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10.5 GHz, 1 W, 30 mA, SOT-89
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 95hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 30mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BFU580Q
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10.5GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+43.21 грн
500+ 34.84 грн
Мінімальне замовлення: 100
BFU580QXNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 8.5dB
Power - Max: 1W
Current - Collector (Ic) (Max): 60mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 30mA, 8V
Frequency - Transition: 10.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+28.75 грн
2000+ 25.84 грн
Мінімальне замовлення: 1000
BFU580QXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.1A 1000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
171+68.73 грн
194+ 60.47 грн
221+ 53.11 грн
231+ 49.01 грн
500+ 42.89 грн
Мінімальне замовлення: 171
BFU580QXNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
на замовлення 1383 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+69.55 грн
10+ 55.97 грн
100+ 38.52 грн
500+ 33.45 грн
1000+ 27.04 грн
Мінімальне замовлення: 5
BFU580QXNXPDescription: NXP - BFU580QX - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10.5 GHz, 1 W, 30 mA, SOT-89
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 95hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Kollektorstrom: 30mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Übergangsfrequenz: 10.5GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+76.39 грн
13+ 59.31 грн
100+ 43.21 грн
500+ 34.84 грн
Мінімальне замовлення: 10
BFU580QXNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 8.5dB
Power - Max: 1W
Current - Collector (Ic) (Max): 60mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 30mA, 8V
Frequency - Transition: 10.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
на замовлення 3181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.55 грн
10+ 54.45 грн
25+ 51.68 грн
100+ 39.84 грн
250+ 37.24 грн
500+ 32.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
BFU590GXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
141+83.27 грн
Мінімальне замовлення: 141
BFU590GXNXPTrans RF BJT NPN 16V 0.3A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SC-73 BFU590GX TBFU590g
кількість в упаковці: 4 шт
на замовлення 83 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
12+51.26 грн
Мінімальне замовлення: 12
BFU590GXNXPDescription: NXP - BFU590GX - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8.5 GHz, 2 W, 200 mA, SOT-223
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8.5GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+98.11 грн
10+ 74.89 грн
100+ 54.6 грн
500+ 42.91 грн
1000+ 30.36 грн
Мінімальне замовлення: 8
BFU590GXNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 8.5GHZ SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 8dB
Power - Max: 2W
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 80mA, 8V
Frequency - Transition: 8.5GHz
Supplier Device Package: SC-73
Part Status: Active
на замовлення 33925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.61 грн
10+ 70.31 грн
25+ 66.79 грн
100+ 51.47 грн
250+ 48.11 грн
500+ 42.52 грн
Мінімальне замовлення: 4
BFU590GXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
товар відсутній
BFU590GXNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
на замовлення 14308 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+86.46 грн
10+ 73.55 грн
100+ 48.94 грн
500+ 43.19 грн
1000+ 34.12 грн
2000+ 31.31 грн
5000+ 30.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
BFU590GX
на замовлення 20 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
BFU590GXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
139+84.62 грн
250+ 81.52 грн
500+ 75.41 грн
1000+ 72.32 грн
Мінімальне замовлення: 139
BFU590GXNXPCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 0.2A; 2W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Current gain: 60...130
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 8.5GHz
товар відсутній
BFU590GXNXPТранз. Бипол. ВЧ NPN SOT223 Uceo=12V; Ic=0,2A; f=8.5GHz; Pdmax=2W; hfe=60/130
на замовлення 591 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
5+55.72 грн
10+ 46.57 грн
Мінімальне замовлення: 5
BFU590GXNXPDescription: NXP - BFU590GX - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8.5 GHz, 2 W, 200 mA, SOT-223
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8.5GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+54.6 грн
500+ 42.91 грн
1000+ 30.36 грн
Мінімальне замовлення: 100
BFU590GXNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 8.5GHZ SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 8dB
Power - Max: 2W
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 80mA, 8V
Frequency - Transition: 8.5GHz
Supplier Device Package: SC-73
Part Status: Active
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+37.15 грн
2000+ 33.38 грн
5000+ 31.72 грн
10000+ 28.64 грн
Мінімальне замовлення: 1000
BFU590GXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+78.8 грн
10+ 78.73 грн
25+ 78.65 грн
100+ 75.77 грн
250+ 70.09 грн
500+ 67.22 грн
1000+ 67.15 грн
Мінімальне замовлення: 8
BFU590GX
Код товару: 121346
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-223
fT: 8,5 GHz
Uceo,V: 24 V
Ucbo,V: 24 V
Ic,A: 0,08 A
h21: 95
Монтаж: SMD
у наявності 83 шт:
73 шт - склад
10 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+42 грн
10+ 37.8 грн
BFU590GXNXPCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 0.2A; 2W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Current gain: 60...130
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 8.5GHz
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BFU590GXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.3A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
товар відсутній
BFU590Q115NXPDescription: NXP - BFU590Q115 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 99442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
663+55.42 грн
Мінімальне замовлення: 663
BFU590Q115NXP USA Inc.Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товар відсутній
BFU590QXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+79.86 грн
11+ 55.49 грн
25+ 54.94 грн
100+ 49.28 грн
250+ 40.31 грн
500+ 38.03 грн
1000+ 27.01 грн
Мінімальне замовлення: 8
BFU590QXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 2892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
166+70.7 грн
197+ 59.57 грн
228+ 51.49 грн
240+ 47.11 грн
500+ 40.83 грн
1000+ 36.78 грн
2000+ 34.68 грн
Мінімальне замовлення: 166
BFU590QX
Код товару: 131638
Транзистори > Біполярні NPN
товар відсутній
BFU590QXNXPDescription: NXP - BFU590QX - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 2 W, 200 mA, SOT-89
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BFU590QXNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 6.5dB
Power - Max: 2W
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 80mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+34.76 грн
2000+ 31.24 грн
Мінімальне замовлення: 1000
BFU590QXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 34000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+35.6 грн
2000+ 33.58 грн
5000+ 32.48 грн
10000+ 29.17 грн
Мінімальне замовлення: 1000
BFU590QXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.3A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 34000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+31.54 грн
Мінімальне замовлення: 1000
BFU590QXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
BFU590QXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
196+59.76 грн
198+ 59.17 грн
213+ 55.03 грн
250+ 46.88 грн
500+ 42.66 грн
1000+ 29.09 грн
Мінімальне замовлення: 196
BFU590QXNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
на замовлення 2687 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+81.78 грн
10+ 68.41 грн
100+ 45.6 грн
500+ 40.32 грн
1000+ 31.91 грн
2000+ 29.71 грн
5000+ 28.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
BFU590QXNXPDescription: NXP - BFU590QX - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 2 W, 200 mA, SOT-89
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+93.62 грн
10+ 75.64 грн
Мінімальне замовлення: 8
BFU590QXNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 6.5dB
Power - Max: 2W
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 80mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
на замовлення 3792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+76.55 грн
10+ 65.86 грн
25+ 62.48 грн
100+ 48.16 грн
250+ 45.02 грн
500+ 39.79 грн
Мінімальне замовлення: 4
BFU590QXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 34000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+38.29 грн
2000+ 36.12 грн
5000+ 34.93 грн
10000+ 31.37 грн
Мінімальне замовлення: 1000
BFU610F,115
Код товару: 99602
Транзистори > Біполярні NPN
товар відсутній
BFU610F,115NXPDescription: NXP - BFU610F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5.5 V, 15 GHz, 136 mW, 10 mA, SOT-343F
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136mW
Bauform - Transistor: SOT-343F
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5.5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 15GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+50.25 грн
18+ 42.39 грн
Мінімальне замовлення: 15
BFU610F,115NXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 5.5V 15GHZ 4DFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13.5dB ~ 23.5dB
Power - Max: 136mW
Current - Collector (Ic) (Max): 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 1mA, 2V
Frequency - Transition: 15GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.7dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BFU610F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 5.5V 0.01A 136mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
на замовлення 3353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
593+19.75 грн
652+ 17.97 грн
658+ 17.79 грн
693+ 16.29 грн
1000+ 13.03 грн
3000+ 12.49 грн
Мінімальне замовлення: 593
BFU610F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 5.5V 0.01A 136mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
товар відсутній
BFU610F,115NXPDescription: NXP - BFU610F,115 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1544+23.97 грн
Мінімальне замовлення: 1544
BFU610F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 5.5V 0.01A 136mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
на замовлення 3353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+19.72 грн
32+ 18.34 грн
100+ 16.09 грн
250+ 14.75 грн
500+ 13.45 грн
1000+ 11.62 грн
3000+ 11.6 грн
Мінімальне замовлення: 30
BFU610F,115NXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors Single NPN 15GHz
на замовлення 2752 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+45.64 грн
10+ 39.31 грн
100+ 25.5 грн
500+ 20.03 грн
1000+ 15.56 грн
3000+ 14.15 грн
9000+ 12.28 грн
Мінімальне замовлення: 7
BFU610F,115NXPDescription: NXP - BFU610F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5.5 V, 15 GHz, 136 mW, 10 mA, SOT-343F
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136mW
Bauform - Transistor: SOT-343F
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5.5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 15GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BFU610F,115NXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 5.5V 15GHZ 4DFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13.5dB ~ 23.5dB
Power - Max: 136mW
Current - Collector (Ic) (Max): 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 1mA, 2V
Frequency - Transition: 15GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.7dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
на замовлення 5793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+41.89 грн
10+ 34.98 грн
100+ 24.32 грн
500+ 17.82 грн
1000+ 14.48 грн
Мінімальне замовлення: 7
BFU610F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 5.5V 0.01A 136mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
товар відсутній
BFU630F,115NXPCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 5.5V; 30mA; 200mW; SOT343F
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 5.5V
Collector current: 30mA
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT343F
Current gain: 90...180
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 55GHz
товар відсутній
BFU630F,115NXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors Single NPN 21GHz
на замовлення 11838 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+50.71 грн
10+ 42.46 грн
100+ 26.1 грн
500+ 21.76 грн
1000+ 18.63 грн
3000+ 16.29 грн
6000+ 15.56 грн
Мінімальне замовлення: 7
BFU630F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 5.5V 0.03A 200mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
134+87.63 грн
250+ 46.95 грн
294+ 39.89 грн
296+ 38.17 грн
500+ 30.46 грн
1000+ 25.32 грн
Мінімальне замовлення: 134
BFU630F,115NXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 5.5V 21GHZ 4DFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13dB ~ 22.5dB
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 5mA, 2V
Frequency - Transition: 21GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.75dB ~ 1.3dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
Part Status: Active
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.77 грн
6000+ 16.22 грн
9000+ 15.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BFU630F,115NXPDescription: NXP - BFU630F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5.5 V, 21 GHz, 200 mW, 30 mA, SOT-343F
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 30mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-343F
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5.5V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 21GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BFU630F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 5.5V 0.03A 200mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
товар відсутній
BFU630F,115NXPCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 5.5V; 30mA; 200mW; SOT343F
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 5.5V
Collector current: 30mA
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT343F
Current gain: 90...180
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 55GHz
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BFU630F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 5.5V 0.03A 200mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
263+44.62 грн
361+ 32.48 грн
364+ 32.15 грн
500+ 25.86 грн
1000+ 20.74 грн
3000+ 15.88 грн
Мінімальне замовлення: 263
BFU630F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 5.5V 0.03A 200mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
товар відсутній
BFU630F,115NXPDescription: NXP - BFU630F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5.5 V, 21 GHz, 200 mW, 30 mA, SOT-343F
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 30mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-343F
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5.5V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 21GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BFU630F,115NXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 5.5V 21GHZ 4DFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13dB ~ 22.5dB
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 5mA, 2V
Frequency - Transition: 21GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.75dB ~ 1.3dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
Part Status: Active
на замовлення 17026 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.94 грн
10+ 39.01 грн
100+ 27.03 грн
500+ 21.19 грн
1000+ 18.04 грн
Мінімальне замовлення: 7
BFU630F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 5.5V 0.03A 200mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+49.48 грн
14+ 41.88 грн
25+ 41.43 грн
100+ 29.09 грн
250+ 26.66 грн
500+ 21.35 грн
1000+ 18.49 грн
3000+ 14.75 грн
Мінімальне замовлення: 12
BFU660F,115NXPDescription: NXP - BFU660F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5.5 V, 21 GHz, 225 mW, 60 mA, SOT-343F
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 60mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-343F
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5.5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 21GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BFU660F,115NXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 5.5V 21GHZ 4DFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 12dB ~ 21dB
Power - Max: 225mW
Current - Collector (Ic) (Max): 60mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 21GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 1.2dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
Part Status: Active
товар відсутній
BFU660F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 5.5V 0.06A 225mW 4-Pin DFP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BFU660F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 5.5V 0.06A 225mW 4-Pin DFP T/R
на замовлення 16472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+20.61 грн
30+ 19.62 грн
31+ 18.82 грн
100+ 17.07 грн
250+ 15.75 грн
500+ 13.68 грн
1000+ 12.5 грн
3000+ 12.22 грн
6000+ 11.93 грн
Мінімальне замовлення: 29
BFU660F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 5.5V 0.06A 225mW 4-Pin DFP T/R
товар відсутній
BFU660F,115NXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 5.5V 21GHZ 4DFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 12dB ~ 21dB
Power - Max: 225mW
Current - Collector (Ic) (Max): 60mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 21GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 1.2dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
Part Status: Active
товар відсутній
BFU660F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 5.5V 0.06A 225mW 4-Pin DFP T/R
на замовлення 16472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
578+20.27 грн
614+ 19.07 грн
617+ 18.99 грн
681+ 16.57 грн
1000+ 14.02 грн
3000+ 13.16 грн
6000+ 12.85 грн
15000+ 12.54 грн
Мінімальне замовлення: 578
BFU660F,115
Код товару: 99607
Транзистори > Біполярні NPN
товар відсутній
BFU660F,115NXPDescription: NXP - BFU660F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5.5 V, 21 GHz, 225 mW, 60 mA, SOT-343F
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 60mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-343F
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5.5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 21GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BFU660F,115NXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors Single NPN 21GHz
на замовлення 7479 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+43.46 грн
10+ 31.48 грн
100+ 21.3 грн
500+ 17.96 грн
1000+ 15.56 грн
3000+ 13.69 грн
9000+ 11.95 грн
Мінімальне замовлення: 8
BFU660F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 5.5V 0.06A 225mW 4-Pin DFP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BFU668F,115NXP SemiconductorsBipolar Transistors - BJT NPN wideband silicon RF transistor
на замовлення 2137 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
BFU668F,115NXP USA Inc.Description: TRANSISTOR NPN SOT343F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 4-DFP
Part Status: Obsolete
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BFU668F,115NXP USA Inc.Description: TRANSISTOR NPN SOT343F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 4-DFP
Part Status: Obsolete
товар відсутній
BFU668F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 5.5V 0.04A 200mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
товар відсутній
BFU690F,115
Код товару: 83917
Транзистори > Біполярні NPN
товар відсутній
BFU690F,115NXPDescription: NXP - BFU690F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5.5 V, 18 GHz, 490 mW, 70 mA, SOT-343F
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 90
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 490
Übergangsfrequenz ft: 18
Bauform - HF-Transistor: SOT-343F
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 5.5
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 70
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 2696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+46.43 грн
20+ 38.42 грн
100+ 28.68 грн
500+ 21.77 грн
1000+ 14.76 грн
Мінімальне замовлення: 17
BFU690F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 5.5V 0.1A 490mW 4-Pin DFP T/R
товар відсутній
BFU690F,115NXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 5.5V 18GHZ 4DFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 15.5dB ~ 18.5dB
Power - Max: 230mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 20mA, 2V
Frequency - Transition: 18GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 0.7dG @ 1.5GHz ~ 2.4GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
на замовлення 14980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+43.33 грн
10+ 35.81 грн
100+ 24.92 грн
500+ 18.26 грн
1000+ 14.84 грн
Мінімальне замовлення: 7
BFU690F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 5.5V 0.1A 490mW 4-Pin DFP T/R
товар відсутній
BFU690F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 5.5V 0.1A 490mW 4-Pin DFP T/R
товар відсутній
BFU690F,115NXPDescription: NXP - BFU690F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5.5 V, 18 GHz, 490 mW, 70 mA, SOT-343F
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5.5
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 490
euEccn: NLR
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Bauform - Transistor: SOT-343F
usEccn: EAR99
Dauer-Kollektorstrom: 70
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+28.68 грн
500+ 21.77 грн
1000+ 14.76 грн
Мінімальне замовлення: 100
BFU690F,115NXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors Single NPN 18GHz
на замовлення 23800 шт:
термін постачання 227-236 дні (днів)
7+47.12 грн
10+ 40 грн
100+ 25.97 грн
500+ 20.43 грн
1000+ 15.76 грн
3000+ 13.42 грн
Мінімальне замовлення: 7
BFU690F,115NXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 5.5V 18GHZ 4DFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 15.5dB ~ 18.5dB
Power - Max: 230mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 20mA, 2V
Frequency - Transition: 18GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 0.7dG @ 1.5GHz ~ 2.4GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.68 грн
6000+ 13.42 грн
9000+ 12.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BFU710F,115NXPDescription: NXP - BFU710F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 43 GHz, 136 mW, 2 mA, SOT-343F
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136mW
Bauform - Transistor: SOT-343F
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 43GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+16.4 грн
500+ 12.94 грн
1000+ 9.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
BFU710F,115NXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 2.8V 43GHZ 4DFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 136mW
Current - Collector (Ic) (Max): 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 2V
Frequency - Transition: 43GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.85dB ~ 1.45dB @ 5.8GHz ~ 12GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.4 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BFU710F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.01A 136mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
товар відсутній
BFU710F,115NXPDescription: NXP - BFU710F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 43 GHz, 136 mW, 2 mA, SOT-343F
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136mW
Bauform - Transistor: SOT-343F
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 43GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+26.81 грн
33+ 22.84 грн
100+ 16.4 грн
500+ 12.94 грн
1000+ 9.24 грн
Мінімальне замовлення: 28
BFU710F,115NXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS
на замовлення 2669 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+28.97 грн
13+ 24.57 грн
100+ 16.56 грн
500+ 14.22 грн
1000+ 12.62 грн
3000+ 11.62 грн
9000+ 11.02 грн
Мінімальне замовлення: 11
BFU710F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.01A 136mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
на замовлення 20407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+12.57 грн
100+ 12.56 грн
250+ 12.1 грн
500+ 11.2 грн
3000+ 10.75 грн
6000+ 10.74 грн
Мінімальне замовлення: 47
BFU710F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.01A 136mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
товар відсутній
BFU710F,115NXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 2.8V 43GHZ 4DFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 136mW
Current - Collector (Ic) (Max): 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 2V
Frequency - Transition: 43GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.85dB ~ 1.45dB @ 5.8GHz ~ 12GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
Part Status: Active
на замовлення 9260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.44 грн
10+ 33.24 грн
100+ 23.06 грн
500+ 16.9 грн
1000+ 13.74 грн
Мінімальне замовлення: 8
BFU710F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.01A 136mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
на замовлення 20407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
865+13.53 грн
866+ 13.52 грн
867+ 13.03 грн
3000+ 12.06 грн
6000+ 11.57 грн
15000+ 11.56 грн
Мінімальне замовлення: 865
BFU725FNXP2007 SOT343
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BFU725F
Код товару: 85278
NXPТранзистори > ВЧ
Корпус: SOT-343
Частота: 55 GHz
товар відсутній
BFU725F T/RNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors TAPE-7 TNS-RFSS
товар відсутній
BFU725F,115NXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 2.8V 70GHZ 4DFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 10dB ~ 24dB
Power - Max: 136mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 70GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.42dB ~ 1.1dB @ 1.5GHz ~ 12GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
товар відсутній
BFU725F,115NXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors RF NPN Transistor
товар відсутній
BFU725F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.04A 136mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
товар відсутній
BFU725F/N1NXP SemiconductorsNXP Semiconductors BFU725F/DFP4//N1/REEL 7 Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товар відсутній
BFU725F/N1NXPSOT343F
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BFU725F/N1,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.04A 136mW 4-Pin SO T/R
на замовлення 4550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
51+11.44 грн
52+ 11.26 грн
100+ 10.85 грн
250+ 10.04 грн
500+ 9.62 грн
3000+ 9.61 грн
Мінімальне замовлення: 51
BFU725F/N1,115NXPDescription: NXP - BFU725F/N1,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 55 GHz, 136 mW, 25 mA, SOT-343F
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 25mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136mW
Bauform - Transistor: SOT-343F
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 55GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.67 грн
500+ 17.25 грн
1000+ 11.23 грн
Мінімальне замовлення: 100
BFU725F/N1,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.04A 136mW 4-Pin SO T/R
товар відсутній
BFU725F/N1,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.04A 136mW 4-Pin SO T/R
на замовлення 2974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
620+18.89 грн
623+ 18.8 грн
697+ 16.81 грн
1000+ 15.63 грн
2000+ 14.39 грн
Мінімальне замовлення: 620
BFU725F/N1,115NXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 2.8V 55GHZ 4SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-343 Reverse Pinning
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 10dB ~ 24dB
Power - Max: 136mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 55GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.42dB ~ 1.1dB @ 1.5GHz ~ 12GHz
Supplier Device Package: 4-SO
Part Status: Active
на замовлення 3342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.39 грн
10+ 29.28 грн
100+ 20.33 грн
500+ 14.9 грн
1000+ 12.11 грн
Мінімальне замовлення: 9
BFU725F/N1,115NXPCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 2.8V; 40mA; 136mW; SOT343F
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 2.8V
Collector current: 40mA
Power dissipation: 136mW
Case: SOT343F
Current gain: 160...400
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 110GHz
Features of semiconductor devices: silicon germanium transistor (SiGe)
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BFU725F/N1,115NXPCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 2.8V; 40mA; 136mW; SOT343F
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 2.8V
Collector current: 40mA
Power dissipation: 136mW
Case: SOT343F
Current gain: 160...400
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 110GHz
Features of semiconductor devices: silicon germanium transistor (SiGe)
товар відсутній
BFU725F/N1,115NXPDescription: NXP - BFU725F/N1,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 55 GHz, 136 mW, 25 mA, SOT-343F
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 25mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136mW
Bauform - Transistor: SOT-343F
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 55GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+41.57 грн
22+ 35.35 грн
100+ 23.67 грн
500+ 17.25 грн
1000+ 11.23 грн
Мінімальне замовлення: 19
BFU725F/N1,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.04A 136mW 4-Pin SO T/R
товар відсутній
BFU725F/N1,115NXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors 2.8V 0.04A 4-Pin Trans GP BJT NPN
на замовлення 1169 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+34.74 грн
11+ 29.64 грн
100+ 19.03 грн
500+ 15.15 грн
1000+ 12.28 грн
3000+ 10.55 грн
9000+ 9.81 грн
Мінімальне замовлення: 9
BFU725F/N1,115NXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 2.8V 55GHZ 4SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-343 Reverse Pinning
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 10dB ~ 24dB
Power - Max: 136mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 55GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.42dB ~ 1.1dB @ 1.5GHz ~ 12GHz
Supplier Device Package: 4-SO
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BFU725F/N1,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.04A 136mW 4-Pin SO T/R
на замовлення 4550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
895+13.08 грн
942+ 12.43 грн
952+ 12.3 грн
958+ 11.79 грн
1000+ 10.84 грн
3000+ 10.34 грн
Мінімальне замовлення: 895
BFU725F/N1/S115NXP USA Inc.Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
товар відсутній
BFU730F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.03A 197mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
товар відсутній
BFU730F,115NXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 2.8V 55GHZ 4DFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 197mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 205 @ 2mA, 2V
Frequency - Transition: 55GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.3dB @ 5.8GHz ~ 12GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
Part Status: Active
на замовлення 82447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.05 грн
11+ 25.8 грн
100+ 17.94 грн
500+ 13.15 грн
1000+ 11.4 грн
Мінімальне замовлення: 10
BFU730F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.03A 197mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
на замовлення 16364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
637+18.39 грн
715+ 16.38 грн
716+ 16.35 грн
723+ 15.62 грн
1000+ 14.33 грн
3000+ 13.62 грн
6000+ 13.49 грн
15000+ 13.36 грн
Мінімальне замовлення: 637
BFU730F,115NXPDescription: NXP - BFU730F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 55 GHz, 197 mW, 5 mA, SOT-343F
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 205hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 197mW
Bauform - Transistor: SOT-343F
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 55GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+17.6 грн
500+ 13.63 грн
1000+ 9.69 грн
Мінімальне замовлення: 100
BFU730F,115
Код товару: 99614
Транзистори > Біполярні NPN
товар відсутній
BFU730F,115NXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS
на замовлення 20593 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.64 грн
13+ 24.03 грн
100+ 16.22 грн
500+ 13.42 грн
1000+ 12.08 грн
Мінімальне замовлення: 10
BFU730F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.03A 197mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
на замовлення 16364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+18.28 грн
34+ 17.08 грн
100+ 14.67 грн
250+ 13.56 грн
500+ 12.9 грн
1000+ 12.77 грн
3000+ 12.65 грн
6000+ 12.52 грн
Мінімальне замовлення: 32
BFU730F,115NXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 2.8V 55GHZ 4DFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 197mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 205 @ 2mA, 2V
Frequency - Transition: 55GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.3dB @ 5.8GHz ~ 12GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
Part Status: Active
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BFU730F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.03A 197mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
702+16.68 грн
706+ 16.58 грн
1000+ 16.38 грн
2000+ 15.71 грн
Мінімальне замовлення: 702
BFU730F,115NXPDescription: NXP - BFU730F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 55 GHz, 197 mW, 5 mA, SOT-343F
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 205hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 197mW
Bauform - Transistor: SOT-343F
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 55GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+30.63 грн
30+ 25.54 грн
100+ 17.6 грн
500+ 13.63 грн
1000+ 9.69 грн
Мінімальне замовлення: 25
BFU730F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.03A 197mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
товар відсутній
BFU730LXZNXPDescription: NXP - BFU730LXZ - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 3 V, 53 GHz, 160 mW, 30 mA, SOT-883C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 205hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 30mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160mW
Bauform - Transistor: SOT-883C
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 53GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+22.39 грн
40+ 19.02 грн
100+ 12.96 грн
500+ 9.6 грн
1000+ 7.19 грн
Мінімальне замовлення: 34
BFU730LXZNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors SiGe:C MMIC Transistor
на замовлення 16332 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+25.39 грн
15+ 21.73 грн
100+ 14.42 грн
500+ 11.35 грн
1000+ 9.61 грн
2500+ 9.35 грн
10000+ 9.01 грн
Мінімальне замовлення: 13
BFU730LXZNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 3V 0.03A 160mW 3-Pin DFN_C T/R
на замовлення 355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BFU730LXZNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 3V 53GHZ 3DFN1006
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Gain: 15.8dB
Power - Max: 160mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 205 @ 2mA, 3V
Frequency - Transition: 53GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.75dB @ 6GHz
Supplier Device Package: DFN1006C-3
на замовлення 14688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+32.5 грн
11+ 27.12 грн
100+ 18.82 грн
500+ 13.79 грн
1000+ 11.21 грн
2000+ 10.02 грн
5000+ 9.35 грн
Мінімальне замовлення: 9
BFU730LXZNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 3V 0.03A 160mW 3-Pin DFN_C T/R
товар відсутній
BFU730LXZNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 3V 0.03A 160mW 3-Pin DFN_C T/R
на замовлення 6350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
914+12.81 грн
Мінімальне замовлення: 914
BFU730LXZNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 3V 53GHZ 3DFN1006
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Gain: 15.8dB
Power - Max: 160mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 205 @ 2mA, 3V
Frequency - Transition: 53GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.75dB @ 6GHz
Supplier Device Package: DFN1006C-3
товар відсутній
BFU730LXZNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 3V 0.03A 160mW 3-Pin DFN_C T/R
на замовлення 355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+16.22 грн
39+ 15.05 грн
100+ 14.3 грн
250+ 13.03 грн
Мінімальне замовлення: 36
BFU760F,115NXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 2.8V 45GHZ 4DFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 220mW
Current - Collector (Ic) (Max): 70mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 155 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 45GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.4dB ~ 0.5dB @ 1.5GHz ~ 2.4GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
Part Status: Active
товар відсутній
BFU760F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.07A 220mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
товар відсутній
BFU760F,115NXPDescription: NXP - BFU760F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 45 GHz, 220 mW, 70 mA, SOT-343F
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 155
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 155
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 70
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 220
euEccn: NLR
Verlustleistung: 220
Bauform - Transistor: SOT-343F
Bauform - HF-Transistor: SOT-343F
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 2.8
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 70
Übergangsfrequenz: 45
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 9955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+33.55 грн
28+ 27.56 грн
100+ 20.6 грн
500+ 16.2 грн
1000+ 10.66 грн
5000+ 10.46 грн
Мінімальне замовлення: 23
BFU760F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.07A 220mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+37.24 грн
21+ 27.83 грн
25+ 27.55 грн
100+ 21.33 грн
250+ 19.54 грн
500+ 15.01 грн
1000+ 12.25 грн
3000+ 10.71 грн
6000+ 9.47 грн
Мінімальне замовлення: 16
BFU760F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.07A 220mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
на замовлення 38370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
620+18.89 грн
623+ 18.8 грн
697+ 16.81 грн
1000+ 15.63 грн
2000+ 14.39 грн
3000+ 13.39 грн
6000+ 12.87 грн
12000+ 12.36 грн
Мінімальне замовлення: 620
BFU760F,115NXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 2.8V 45GHZ 4DFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 220mW
Current - Collector (Ic) (Max): 70mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 155 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 45GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.4dB ~ 0.5dB @ 1.5GHz ~ 2.4GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
Part Status: Active
товар відсутній
BFU760F,115NXPDescription: NXP - BFU760F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 45 GHz, 220 mW, 70 mA, SOT-343F
tariffCode: 85412100
productTraceability: No
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 220
euEccn: NLR
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 155
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Bauform - Transistor: SOT-343F
usEccn: EAR99
Dauer-Kollektorstrom: 70
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 9955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.6 грн
500+ 16.2 грн
1000+ 10.66 грн
5000+ 10.46 грн
Мінімальне замовлення: 100
BFU760F,115NXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS
на замовлення 841 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+39.88 грн
10+ 32.78 грн
100+ 19.83 грн
500+ 15.96 грн
1000+ 13.29 грн
3000+ 10.62 грн
Мінімальне замовлення: 8
BFU760F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.07A 220mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
товар відсутній
BFU760F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.07A 220mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
395+29.67 грн
492+ 23.82 грн
497+ 23.57 грн
621+ 18.19 грн
1000+ 13.74 грн
3000+ 11.53 грн
6000+ 10.2 грн
Мінімальне замовлення: 395
BFU768F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.07A 220mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
товар відсутній
BFU768F,115NXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 2.8V 70MA 4DFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13.1dB
Power - Max: 220mW
Current - Collector (Ic) (Max): 70mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 155 @ 10mA, 2V
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 2.4GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
Part Status: Active
товар відсутній
BFU768F,115NXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors 4-pin Dual-Emitter Microwave Transistor
на замовлення 5224 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+31.86 грн
13+ 25.34 грн
100+ 16.62 грн
500+ 13.22 грн
1000+ 10.75 грн
3000+ 8.35 грн
9000+ 8.28 грн
Мінімальне замовлення: 10
BFU768F,115NXP SemiconductorsDescription: BFU768F - NPN WIDEBAND SILICON G
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13.1dB
Power - Max: 220mW
Current - Collector (Ic) (Max): 70mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 155 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 110GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.2dB @ 5GHz ~ 5.9GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
товар відсутній
BFU768F,115NXPDescription: NXP - BFU768F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 110 GHz, 220 mW, 70 mA, SOT-343F
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 330hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 70mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 220mW
Bauform - Transistor: SOT-343F
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BFU768F
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 110GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+18.65 грн
500+ 13.77 грн
1000+ 10.53 грн
Мінімальне замовлення: 100
BFU768F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.07A 220mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
товар відсутній
BFU768F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.07A 220mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
товар відсутній
BFU768F,115NXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 2.8V 70MA 4DFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13.1dB
Power - Max: 220mW
Current - Collector (Ic) (Max): 70mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 155 @ 10mA, 2V
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 2.4GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
Part Status: Active
на замовлення 311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+29.61 грн
12+ 24.62 грн
100+ 17.11 грн
Мінімальне замовлення: 10
BFU768F,115NXPDescription: NXP - BFU768F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 110 GHz, 220 mW, 70 mA, SOT-343F
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 330hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 70mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 220mW
Bauform - Transistor: SOT-343F
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BFU768F
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 110GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+35.12 грн
28+ 27.71 грн
100+ 18.65 грн
500+ 13.77 грн
1000+ 10.53 грн
Мінімальне замовлення: 22
BFU768F115NXPDescription: NXP - BFU768F115 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2493900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2196+16.48 грн
Мінімальне замовлення: 2196
BFU768F115NXP USA Inc.Description: NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM R
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13.1dB
Power - Max: 220mW
Current - Collector (Ic) (Max): 70mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 155 @ 10mA, 2V
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 2.4GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
товар відсутній
BFU790F,115NXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 2.8V 25GHZ 4DFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 234mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 235 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 25GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.4dB ~ 0.5dB @ 1.5GHz ~ 2.4GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
Part Status: Active
на замовлення 6748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.55 грн
10+ 52.85 грн
100+ 36.59 грн
500+ 28.69 грн
1000+ 24.42 грн
Мінімальне замовлення: 5
BFU790F,115NXPDescription: NXP - BFU790F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 25 GHz, 234 mW, 100 mA, SOT-343F
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8
Verlustleistung: 234
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 235
Qualifikation: -
Bauform - Transistor: SOT-343F
Dauer-Kollektorstrom: 100
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
BFU790F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.1A 234mW 4-Pin DFP T/R
товар відсутній
BFU790F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.1A 234mW 4-Pin DFP T/R
на замовлення 388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+34.52 грн
18+ 32.4 грн
25+ 32.23 грн
100+ 26.61 грн
250+ 20.51 грн
Мінімальне замовлення: 17
BFU790F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.1A 234mW 4-Pin DFP T/R
на замовлення 388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
336+34.89 грн
338+ 34.71 грн
Мінімальне замовлення: 336
BFU790F,115NXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 2.8V 25GHZ 4DFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 234mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 235 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 25GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.4dB ~ 0.5dB @ 1.5GHz ~ 2.4GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+24.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BFU790F,115NXPDescription: NXP - BFU790F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 25 GHz, 234 mW, 100 mA, SOT-343F
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 235
DC-Stromverstärkung hFE: 235
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 234
Verlustleistung: 234
Bauform - Transistor: SOT-343F
Bauform - HF-Transistor: SOT-343F
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 2.8
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 100
Übergangsfrequenz: 25
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
BFU790F,115NXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS
на замовлення 1210 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+62.31 грн
10+ 53.51 грн
100+ 31.71 грн
500+ 29.11 грн
1000+ 24.77 грн
3000+ 22.03 грн
6000+ 20.83 грн
Мінімальне замовлення: 5
BFU790F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.1A 234mW 4-Pin DFP T/R
товар відсутній
BFU910F115Rochester Electronics, LLCDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
на замовлення 227704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BFU910FXNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 9.5V SOT343F
товар відсутній
BFU910FXNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon germanium RF trans
товар відсутній
BFU910FXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 9.5V 0.015A 300mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
товар відсутній
BFU910FXNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 9.5V SOT343F
на замовлення 1353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.05 грн
13+ 22.32 грн
100+ 13.92 грн
500+ 8.94 грн
1000+ 6.88 грн
Мінімальне замовлення: 10