Продукція > BFU
Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BFU.2K.100.CZS | LEMO | Standard Circular Connector | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BFU06703 | на замовлення 1945 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
BFU308 | PHILIPS | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BFU309 | PHILIPS | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BFU310 | PHILIPS | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BFU520235 | NXP USA Inc. | Description: NPN RF TRANSISTOR Packaging: Bulk Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU520AR | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TO-236AB T/R | на замовлення 2678 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU520AR | NXP | Description: NXP - BFU520AR - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10 GHz, 450 mW, 30 mA, SOT-23 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 30mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 450mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 10GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 14213 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU520AR | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors Dual NPN wideband Silicon RFtransistor | на замовлення 152555 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU520AR | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TO-236AB T/R | на замовлення 2678 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU520AR | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 10GHZ TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 18dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V Frequency - Transition: 10GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.7dB @ 900MHz Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB) Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 6266 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU520AR | NXP | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 30mA; 450mW; SOT23 Case: SOT23 Frequency: 10GHz Collector-emitter voltage: 12V Current gain: 60...200 Collector current: 30mA Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.45W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Kind of transistor: RF Mounting: SMD | на замовлення 5843 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU520AR | NXP | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 30mA; 450mW; SOT23 Case: SOT23 Frequency: 10GHz Collector-emitter voltage: 12V Current gain: 60...200 Collector current: 30mA Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.45W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Kind of transistor: RF Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 5843 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU520AR | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TO-236AB T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU520AR | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 10GHZ TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 18dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V Frequency - Transition: 10GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.7dB @ 900MHz Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB) Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU520AR | NXP | Description: NXP - BFU520AR - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10 GHz, 450 mW, 30 mA, SOT-23 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 30mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 450mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 10GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 14213 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU520AR | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive 3-Pin TO-236AB T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU520AR | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TO-236AB T/R | на замовлення 5900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU520AVL | NXP | Description: NXP - BFU520AVL - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10 GHz, 450 mW, 5 mA, SOT-23 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 5mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 450mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 10GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU520AVL | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive 3-Pin TO-236AB T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU520AVL | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TO-236AB T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU520AVL | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor | на замовлення 5256 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU520AVL | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 10GHZ TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 12.5dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V Frequency - Transition: 10GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB) Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU520AVL | NXP | Description: NXP - BFU520AVL - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10 GHz, 450 mW, 5 mA, SOT-23 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 5mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 450mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 10GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU520R | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT143B Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-253-4, TO-253AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 20dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V Frequency - Transition: 10.5GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB @ 900MHz Supplier Device Package: SOT-143B Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3051 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU520R | NXP | Description: NXP - BFU520R - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10.5 GHz, 450 mW, 5 mA, SOT-143B tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 95hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 5mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 450mW Bauform - Transistor: SOT-143B Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: BFU520 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 10.5GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 1733 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU520R Код товару: 191928 | Транзистори > Біполярні NPN Uceo,V: 12 V Ucbo,V: 24 V Ic,A: 0,005 A | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
BFU520R | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor | на замовлення 2454 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU520R | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT143B Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-253-4, TO-253AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 20dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V Frequency - Transition: 10.5GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB @ 900MHz Supplier Device Package: SOT-143B Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU520R | NXP | Description: NXP - BFU520R - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10.5 GHz, 450 mW, 5 mA, SOT-143B tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 95hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 5mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 450mW Bauform - Transistor: SOT-143B Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: BFU520 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 10.5GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 1733 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU520R | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU520R | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU520VL | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU520VL | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT143B Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-253-4, TO-253AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 17.5dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V Frequency - Transition: 10.5GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: SOT-143B Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU520VL | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU520W135 | NXP USA Inc. | Description: NPN RF TRANSISTOR Packaging: Bulk Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU520WF | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU520WF | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 10GHZ SOT323-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 13dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V Frequency - Transition: 10GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: SC-70 Part Status: Active | на замовлення 15190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU520WF | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor | на замовлення 9724 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU520WF | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU520WF | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 10GHZ SOT323-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 13dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V Frequency - Transition: 10GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: SC-70 Part Status: Active | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU520WX | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor | на замовлення 25091 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU520WX | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU520WX | NXP | RF TRANS NPN 12V 10GHZ SOT323-3 | на замовлення 2688 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU520WX | NXP | Description: NXP - BFU520WX - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10 GHz, 450 mW, 30 mA, SOT-323 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 30mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 450mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 10GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 11435 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU520WX | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 1935 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU520WX | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 10GHZ SOT323-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 18.5dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V Frequency - Transition: 10GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz Supplier Device Package: SC-70 Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 11174 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU520WX | NXP | Description: NXP - BFU520WX - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10 GHz, 450 mW, 30 mA, SOT-323 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 30mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 450mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 10GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 11435 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU520WX | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU520WX | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 1935 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU520WX | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 8330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU520WX | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 10GHZ SOT323-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 18.5dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V Frequency - Transition: 10GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz Supplier Device Package: SC-70 Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU520X215 | NXP USA Inc. | Description: NPN RF TRANSISTOR Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU520X215 | NXP | Description: NXP - BFU520X215 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU520X235 | NXP | Description: NXP - BFU520X235 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU520X235 | NXP USA Inc. | Description: NPN RF TRANSISTOR Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU520XAR | NXP | Description: NXP - BFU520XAR - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10.5 GHz, 450 mW, 5 mA, SOT-143B tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 60hFE Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 5mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 450mW euEccn: NLR Verlustleistung: 450mW Bauform - Transistor: SOT-143B Bauform - HF-Transistor: SOT-143B Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 12V Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: BFU5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 5mA Übergangsfrequenz: 10.5GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 510 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU520XAR | NXP | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 30mA; 450mW; SOT143B Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 12V Collector current: 30mA Power dissipation: 0.45W Case: SOT143B Current gain: 60...200 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 10.5GHz | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU520XAR | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive 4-Pin SOT-143B T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU520XAR | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT143B Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-253-4, TO-253AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 20dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V Frequency - Transition: 10.5GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.7dB @ 900MHz Supplier Device Package: SOT-143B Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU520XAR | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin SOT-143B T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU520XAR | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor | на замовлення 2252 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU520XAR | NXP | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 30mA; 450mW; SOT143B Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 12V Collector current: 30mA Power dissipation: 0.45W Case: SOT143B Current gain: 60...200 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 10.5GHz кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU520XAR | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT143B Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-253-4, TO-253AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 20dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V Frequency - Transition: 10.5GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.7dB @ 900MHz Supplier Device Package: SOT-143B Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 8203 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU520XRR | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT143R Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-143R Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 20dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V Frequency - Transition: 10.5GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB @ 900MHz Supplier Device Package: SOT-143R Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 6047 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU520XRR | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-143R T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU520XRR | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor | на замовлення 10692 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU520XRR | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT143R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-143R Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 20dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V Frequency - Transition: 10.5GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB @ 900MHz Supplier Device Package: SOT-143R Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU520XRR | NXP | Description: NXP - BFU520XRR - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 55000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU520XRR | NXP Semiconductors | Description: BFU520XR - NPN Wideband Silicon Packaging: Bulk Package / Case: SOT-143R Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 17.5dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V Frequency - Transition: 10GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB @ 900MHz Supplier Device Package: SOT-143R Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 55000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU520XRR | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-143R T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU520XRVL | NXP | Description: NXP - BFU520XRVL - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 3868 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU520XRVL | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT143R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-143R Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 17.5dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V Frequency - Transition: 10.5GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: SOT-143R Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU520XRVL | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-143R T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU520XRVL | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU520XVL | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU520XVL | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU520XVL | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT143B Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-253-4, TO-253AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 18dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V Frequency - Transition: 10.5GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: SOT-143B Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU520Y | NXP USA Inc. | Description: RF SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSIST | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU520Y115 | NXP USA Inc. | Description: DUAL NPN WIDEBAND RF TRANSISTOR Packaging: Bulk Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU520YF | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors Dual NPN wideband si silicon RF trans | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU520YF | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS 2 NPN 12V 10GHZ SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 14dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V Frequency - Transition: 10GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: 6-TSSOP Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU520YF | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive 6-Pin TSSOP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU520YF | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive AEC-Q101 6-Pin TSSOP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU520YX | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS 2 NPN 12V 10GHZ SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 19dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V Frequency - Transition: 10GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB @ 900MHz Supplier Device Package: 6-TSSOP Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU520YX | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive 6-Pin TSSOP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU520YX | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive AEC-Q101 6-Pin TSSOP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU520YX | NXP | Description: NXP - BFU520YX - Bipolarer HF-Transistor, Zweifach npn, 12 V, 10 GHz, 450 mW, 30 mA, SOT-363 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 30mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 450mW Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: No Wandlerpolarität: Zweifach npn Übergangsfrequenz: 10GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 7116 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU520YX | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive AEC-Q101 6-Pin TSSOP T/R | на замовлення 2505 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU520YX | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor | на замовлення 64485 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU520YX | NXP | Description: NXP - BFU520YX - Bipolarer HF-Transistor, Zweifach npn, 12 V, 10 GHz, 450 mW, 30 mA, SOT-363 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 30mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 450mW Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: No Wandlerpolarität: Zweifach npn Übergangsfrequenz: 10GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 7116 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU520YX | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS 2 NPN 12V 10GHZ SOT363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 19dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V Frequency - Transition: 10GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB @ 900MHz Supplier Device Package: 6-TSSOP Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 38843 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU520YX | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive AEC-Q101 6-Pin TSSOP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU530215 | NXP USA Inc. | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU530215 | NXP | Description: NXP - BFU530215 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU530AR | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 18dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 40mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V Frequency - Transition: 11GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB) Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU530AR | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TO-236AB T/R | на замовлення 96 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU530AR | NXP | Description: NXP - BFU530AR - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 40 mA, SOT-23 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 40mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 450mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 11GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 677 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU530AR | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor | на замовлення 36255 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU530AR | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TO-236AB T/R | на замовлення 96 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BFU530AR | NXP | Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive 3-Pin TO-236AB BFU530AR TBFU530ar кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 300 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU530AR | NXP | Description: NXP - BFU530AR - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 40 mA, SOT-23 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 40mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 450mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 11GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 677 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU530AR | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 18dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 40mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V Frequency - Transition: 11GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB) Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 21681 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU530AR | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TO-236AB T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU530AR | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TO-236AB T/R | на замовлення 6042 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU530AR | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive 3-Pin TO-236AB T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU530AVL | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 12dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 40mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V Frequency - Transition: 11GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB) Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU530AVL | NXP | Description: NXP - BFU530AVL - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 10 mA, SOT-23 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 10mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 450mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 11GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 9500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU530AVL | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TO-236AB T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU530AVL | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive 3-Pin TO-236AB T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU530AVL | NXP | Description: NXP - BFU530AVL - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 10 mA, SOT-23 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 10mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 450mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 11GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 9500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU530AVL | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor | на замовлення 7975 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU530R | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R | на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU530R | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU530R | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor | на замовлення 2983 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU530R | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-253-4, TO-253AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 21.5dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 40mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V Frequency - Transition: 11GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz Supplier Device Package: SOT-143B Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 305 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU530R | NXP | Description: NXP - BFU530R - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 40 mA, SOT-143B Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12 Verlustleistung: 450 DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 95 Qualifikation: AEC-Q101 Bauform - Transistor: SOT-143B Dauer-Kollektorstrom: 40 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU530R | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R | на замовлення 2972 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU530R Код товару: 99606 | Транзистори > Біполярні NPN | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
BFU530R | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-253-4, TO-253AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 21.5dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 40mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V Frequency - Transition: 11GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz Supplier Device Package: SOT-143B Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU530R | NXP | Description: NXP - BFU530R - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 40 mA, SOT-143B Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 95 DC-Stromverstärkung hFE: 95 Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 40 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 450 Verlustleistung: 450 Bauform - Transistor: SOT-143B Bauform - HF-Transistor: SOT-143B Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 12 Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: BFU530 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12 Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 40 Übergangsfrequenz: 11 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU530VL | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU530VL | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-253-4, TO-253AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 15.5dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 40mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V Frequency - Transition: 11GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: SOT-143B Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU530VL | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU530W,115 | NXP USA Inc. | Description: NPN WIDEBAND SILICON RF TRANSIST Packaging: Bulk Part Status: Active Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 12.5dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 40mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V Frequency - Transition: 11GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.1dB @ 433MHz ~ 1.8GHz Supplier Device Package: SC-70 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1809 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU530W115 | NXP | Description: NXP - BFU530W115 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 1809 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU530W115 | NXP Semiconductors | Description: NPN WIDEBAND SILICON RF TRANSIST | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU530WF | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU530WF | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU530WF | NXP | Description: NXP - BFU530WF - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 10 mA, SOT-323 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 10mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 450mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 11GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU530WF | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor | на замовлення 5446 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU530WF | NXP | Description: NXP - BFU530WF - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 10 mA, SOT-323 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 10mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 450mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 11GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU530WF | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT323-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 12.5dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 40mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V Frequency - Transition: 11GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: SC-70 Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU530WX | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT323-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 18.5dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 40mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V Frequency - Transition: 11GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz Supplier Device Package: SC-70 Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 17924 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU530WX | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 11243 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU530WX | NXP | Description: NXP - BFU530WX - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 155211 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU530WX | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU530WX | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors Dual NPN wideband Silicon RFtransistor | на замовлення 27034 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU530WX | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT323-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 18.5dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 40mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V Frequency - Transition: 11GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz Supplier Device Package: SC-70 Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU530WX | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU530WX | NXP | Description: NXP - BFU530WX - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 40 mA, SOT-323 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 40mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 450mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 11GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 2450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU530WX | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU530WX | NXP | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 24V; 40mA; 450mW; SOT323 Mounting: SMD Case: SOT323 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.45W Frequency: 11GHz Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 24V Current gain: 60...200 Collector current: 40mA Type of transistor: NPN | на замовлення 2956 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU530WX | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU530WX | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 11243 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU530WX | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BFU530WX | NXP | Description: NXP - BFU530WX - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 40 mA, SOT-323 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 40mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 450mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 11GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 2450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU530WX | NXP | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 24V; 40mA; 450mW; SOT323 Mounting: SMD Case: SOT323 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.45W Frequency: 11GHz Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 24V Current gain: 60...200 Collector current: 40mA Type of transistor: NPN кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 2956 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU530XAR | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-253-4, TO-253AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 22dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 40mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V Frequency - Transition: 11GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.7dB @ 900MHz Supplier Device Package: SOT-143B Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 465 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU530XAR | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU530XAR | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-253-4, TO-253AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 22dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 40mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V Frequency - Transition: 11GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.7dB @ 900MHz Supplier Device Package: SOT-143B Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU530XAR | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU530XR | NXP USA Inc. | Description: RF SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSIST | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU530XRR | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-143R T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU530XRR | NXP | Description: NXP - BFU530XRR - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 40 mA, SOT-143R tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 95hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 40mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 450mW Bauform - Transistor: SOT-143R Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: BFU530XR Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 11GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BFU530XRR | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-143R Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 21dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 40mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V Frequency - Transition: 11GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB @ 900MHz Supplier Device Package: SOT-143R Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU530XRR | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-143R T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU530XRR | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU530XRR | NXP | Description: NXP - BFU530XRR - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 40 mA, SOT-143R tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 95hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 40mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 450mW Bauform - Transistor: SOT-143R Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: BFU530XR Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 11GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BFU530XRR | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143R Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-143R Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 21dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 40mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V Frequency - Transition: 11GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB @ 900MHz Supplier Device Package: SOT-143R Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU530XRVL | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU530XRVL | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143R Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-143R Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 16.5dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 40mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V Frequency - Transition: 11GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: SOT-143R | на замовлення 9120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU530XRVL | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-143R Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 16.5dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 40mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V Frequency - Transition: 11GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: SOT-143R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU530XRVL | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-143R T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU530XVL | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU530XVL | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU530XVL | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-253-4, TO-253AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 16.5dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 40mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V Frequency - Transition: 11GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: SOT-143B Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU550215 | NXP USA Inc. | Description: NPN RF TRANSISTOR Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU550215 | NXP | Description: NXP - BFU550215 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU550235 | NXP | Description: NXP - BFU550235 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 7000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU550235 | NXP USA Inc. | Description: NPN WIDEBAND SILICON RF TRANSIST Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 7000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU550A215 | NXP USA Inc. | Description: NPN WIDEBAND SILICON RF TRANSIST Packaging: Bulk Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU550A235 | NXP USA Inc. | Description: NPN WIDEBAND SILICON RF TRANSIST Packaging: Bulk Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU550AR | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TO-236AB T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU550AR | NXP | Description: NXP - BFU550AR - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 50 mA, SOT-23 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 50mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 450mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 11GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 2725 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU550AR | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TO-236AB T/R | на замовлення 5808 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU550AR | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor | на замовлення 80995 шт: термін постачання 177-186 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU550AR | NXP | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 50mA; 450mW; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 12V Collector current: 50mA Power dissipation: 0.45W Case: SOT23 Current gain: 60...200 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 11GHz | на замовлення 9790 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU550AR | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 18dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V Frequency - Transition: 11GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB) Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 6970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU550AR | NXP | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 50mA; 450mW; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 12V Collector current: 50mA Power dissipation: 0.45W Case: SOT23 Current gain: 60...200 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 11GHz кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 9790 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU550AR | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TO-236AB T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU550AR | NXP | Description: NXP - BFU550AR - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 50 mA, SOT-23 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 50mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 450mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 11GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 2725 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU550AR | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 18dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V Frequency - Transition: 11GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB) Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU550AR | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive 3-Pin TO-236AB T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU550AVL | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive 3-Pin TO-236AB T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU550AVL | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TO-236AB T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU550AVL | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor | на замовлення 9907 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU550AVL | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 12dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V Frequency - Transition: 11GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB) Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU550R | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU550R | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-253-4, TO-253AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 21dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V Frequency - Transition: 11GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.7dB @ 900MHz Supplier Device Package: SOT-143B Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 44420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU550R | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R | на замовлення 2950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU550R | NXP | Description: NXP - BFU550R - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 50 mA, SOT-143B tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 50mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 450mW Bauform - Transistor: SOT-143B Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 11GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 2833 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU550R Код товару: 182070 | Транзистори > Біполярні NPN | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
BFU550R | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU550R | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor | на замовлення 26042 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU550R | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-253-4, TO-253AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 21dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V Frequency - Transition: 11GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.7dB @ 900MHz Supplier Device Package: SOT-143B Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU550R | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R | на замовлення 6938 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU550R | NXP | Description: NXP - BFU550R - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 50 mA, SOT-143B tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 50mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 450mW Bauform - Transistor: SOT-143B Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 11GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 2833 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU550R | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R | на замовлення 6938 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU550VL | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU550VL | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-253-4, TO-253AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 15dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V Frequency - Transition: 11GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: SOT-143B Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU550VL | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU550W135 | NXP USA Inc. | Description: NPN WIDEBAND SILICON RF TRANSIST Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 8075 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU550WF | NXP | Description: NXP - BFU550WF - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 50 mA, SOT-323 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 50mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 450mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 11GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 1417 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU550WF | NXP Semiconductors | Description: BFU550W - NPN WIDEBAND SILICON R Packaging: Bulk Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 18dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V Frequency - Transition: 11GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: SC-70 | на замовлення 743543 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU550WF | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU550WF | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 9830 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU550WF | NXP | Description: NXP - BFU550WF - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 50 mA, SOT-323 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 50mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 450mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 11GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 1417 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU550WF | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT323-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 12dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V Frequency - Transition: 11GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: SC-70 Part Status: Active | на замовлення 23040 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU550WF | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor | на замовлення 13308 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU550WF | NXP | Description: NXP - BFU550WF - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 744202 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU550WF | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU550WF | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT323-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 12dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V Frequency - Transition: 11GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: SC-70 Part Status: Active | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU550WX | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 138 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BFU550WX | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors Dual NPN wideband Silicon RFtransistor | на замовлення 5361 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU550WX | NXP | Description: NXP - BFU550WX - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 7039 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU550WX | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT323-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 18dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V Frequency - Transition: 11GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz Supplier Device Package: SC-70 Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 6920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU550WX | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU550WX | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU550WX | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT323-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 18dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V Frequency - Transition: 11GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz Supplier Device Package: SC-70 Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU550WX | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 5370 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU550WX | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU550WX | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 5370 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU550XAR | NXP | Description: NXP - BFU550XAR - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU550XAR | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin SOT-143B T/R | на замовлення 4900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU550XAR | на замовлення 50 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
BFU550XAR | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive 4-Pin SOT-143B T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU550XAR | NXP | Description: NXP - BFU550XAR - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 50 mA, SOT-143B tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 50mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 450mW Bauform - Transistor: SOT-143B Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 11GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 840 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU550XAR | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-253-4, TO-253AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 21.5dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V Frequency - Transition: 11GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.75db @ 900MHz Supplier Device Package: SOT-143B Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 61412 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU550XAR | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin SOT-143B T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU550XAR | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin SOT-143B T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU550XAR | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor | на замовлення 379 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU550XAR | NXP | Description: NXP - BFU550XAR - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 50 mA, SOT-143B tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 50mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 450mW Bauform - Transistor: SOT-143B Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 11GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 840 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU550XAR | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-253-4, TO-253AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 21.5dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V Frequency - Transition: 11GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.75db @ 900MHz Supplier Device Package: SOT-143B Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 54000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU550XAR | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin SOT-143B T/R | на замовлення 4900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU550XR215 | NXP USA Inc. | Description: NPN RF TRANSISTOR Packaging: Bulk Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU550XR235 | NXP USA Inc. | Description: NPN RF TRANSISTOR Packaging: Bulk Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU550XRR | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 30V 0.08A 450mW Automotive 4-Pin SOT-143R T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU550XRR | NXP | Description: NXP - BFU550XRR - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 15 mA, SOT-143R Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12 Verlustleistung: 450 DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 95 Qualifikation: AEC-Q101 Bauform - Transistor: SOT-143R Dauer-Kollektorstrom: 15 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU550XRR | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-143R Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 21.5dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V Frequency - Transition: 11GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.7dB @ 900MHz Supplier Device Package: SOT-143R Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU550XRR | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW 4-Pin SOT-143R T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BFU550XRR | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor | на замовлення 2760 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU550XRR | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW 4-Pin SOT-143R T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BFU550XRR | NXP | Description: NXP - BFU550XRR - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 15 mA, SOT-143R Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 95 DC-Stromverstärkung hFE: 95 Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 15 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 450 Verlustleistung: 450 Bauform - Transistor: SOT-143R Bauform - HF-Transistor: SOT-143R Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 12 Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: BFU550XR Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12 Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 15 Übergangsfrequenz: 11 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU550XRR | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143R Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-143R Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 21.5dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V Frequency - Transition: 11GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.7dB @ 900MHz Supplier Device Package: SOT-143R Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU550XRR | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW 4-Pin SOT-143R T/R Automotive AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU550XRR215 | NXP USA Inc. | Description: NPN RF TRANSISTOR Packaging: Bulk Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU550XRVL | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-143R Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 15.5dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V Frequency - Transition: 11GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: SOT-143R Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU550XRVL | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 30V 0.08A 450mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-143R T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU550XRVL | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU550XVL | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU550XVL | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU550XVL | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor | на замовлення 10000 шт: термін постачання 244-253 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU550XVL | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-253-4, TO-253AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 15.5dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V Frequency - Transition: 11GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: SOT-143B Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU580G115 | NXP USA Inc. | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU580GX | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor | на замовлення 1107 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU580GX | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.1A 1000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU580GX | NXP | Description: NXP - BFU580GX - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 1 W, 30 mA, SOT-223 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 95hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 30mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: BFU580G Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 11GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 844 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU580GX | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 10.5dB Power - Max: 1W Current - Collector (Ic) (Max): 60mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 30mA, 8V Frequency - Transition: 11GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: SC-73 Part Status: Active | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU580GX | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.1A 1000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU580GX | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.1A 1000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU580GX | NXP | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 60mA; 1W; SOT223 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 12V Collector current: 60mA Power dissipation: 1W Case: SOT223 Current gain: 60...130 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 11GHz кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU580GX | NXP | Description: NXP - BFU580GX - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 1 W, 30 mA, SOT-223 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 95hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 30mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: BFU580G Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 11GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 844 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU580GX | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 10.5dB Power - Max: 1W Current - Collector (Ic) (Max): 60mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 30mA, 8V Frequency - Transition: 11GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: SC-73 Part Status: Active | на замовлення 1928 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU580GX | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.1A 1000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU580GX | NXP | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 60mA; 1W; SOT223 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 12V Collector current: 60mA Power dissipation: 1W Case: SOT223 Current gain: 60...130 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 11GHz | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU580GX | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.1A 1000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU580QX | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.1A 1000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU580QX | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.1A 1000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU580QX | NXP | Description: NXP - BFU580QX - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10.5 GHz, 1 W, 30 mA, SOT-89 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 95hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 30mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BFU580Q Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 10.5GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 962 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU580QX | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT89-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 8.5dB Power - Max: 1W Current - Collector (Ic) (Max): 60mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 30mA, 8V Frequency - Transition: 10.5GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Part Status: Active | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU580QX | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.1A 1000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 753 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU580QX | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor | на замовлення 1383 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU580QX | NXP | Description: NXP - BFU580QX - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10.5 GHz, 1 W, 30 mA, SOT-89 tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 95hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Dauer-Kollektorstrom: 30mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Anzahl der Pins: 3Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: No Übergangsfrequenz: 10.5GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 952 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU580QX | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT89-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 8.5dB Power - Max: 1W Current - Collector (Ic) (Max): 60mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 30mA, 8V Frequency - Transition: 10.5GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Part Status: Active | на замовлення 3181 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU590GX | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU590GX | NXP | Trans RF BJT NPN 16V 0.3A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SC-73 BFU590GX TBFU590g кількість в упаковці: 4 шт | на замовлення 83 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU590GX | NXP | Description: NXP - BFU590GX - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8.5 GHz, 2 W, 200 mA, SOT-223 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 200mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 8.5GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 4276 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU590GX | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 8.5GHZ SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 8dB Power - Max: 2W Current - Collector (Ic) (Max): 200mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 80mA, 8V Frequency - Transition: 8.5GHz Supplier Device Package: SC-73 Part Status: Active | на замовлення 33925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU590GX | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU590GX | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor | на замовлення 14308 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU590GX | на замовлення 20 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
BFU590GX | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | на замовлення 1750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU590GX | NXP | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 0.2A; 2W; SOT223 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 12V Collector current: 0.2A Power dissipation: 2W Case: SOT223 Current gain: 60...130 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 8.5GHz | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU590GX | NXP | Транз. Бипол. ВЧ NPN SOT223 Uceo=12V; Ic=0,2A; f=8.5GHz; Pdmax=2W; hfe=60/130 | на замовлення 591 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU590GX | NXP | Description: NXP - BFU590GX - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8.5 GHz, 2 W, 200 mA, SOT-223 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 200mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 8.5GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 4276 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU590GX | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 8.5GHZ SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 8dB Power - Max: 2W Current - Collector (Ic) (Max): 200mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 80mA, 8V Frequency - Transition: 8.5GHz Supplier Device Package: SC-73 Part Status: Active | на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU590GX | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | на замовлення 1750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU590GX Код товару: 121346 | Транзистори > Біполярні NPN Корпус: SOT-223 fT: 8,5 GHz Uceo,V: 24 V Ucbo,V: 24 V Ic,A: 0,08 A h21: 95 Монтаж: SMD | у наявності 83 шт: 73 шт - склад10 шт - РАДІОМАГ-Київ |
| |||||||||||||||||||
BFU590GX | NXP | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 0.2A; 2W; SOT223 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 12V Collector current: 0.2A Power dissipation: 2W Case: SOT223 Current gain: 60...130 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 8.5GHz кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU590GX | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.3A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU590Q115 | NXP | Description: NXP - BFU590Q115 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 99442 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU590Q115 | NXP USA Inc. | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU590QX | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 1120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU590QX | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 2892 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU590QX Код товару: 131638 | Транзистори > Біполярні NPN | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
BFU590QX | NXP | Description: NXP - BFU590QX - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 2 W, 200 mA, SOT-89 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 200mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 8GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 89 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BFU590QX | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT89-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 6.5dB Power - Max: 2W Current - Collector (Ic) (Max): 200mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 80mA, 8V Frequency - Transition: 8GHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Part Status: Active | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU590QX | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 34000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU590QX | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.3A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 34000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU590QX | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU590QX | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 1120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU590QX | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor | на замовлення 2687 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU590QX | NXP | Description: NXP - BFU590QX - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 2 W, 200 mA, SOT-89 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 200mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 8GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 89 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU590QX | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT89-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 6.5dB Power - Max: 2W Current - Collector (Ic) (Max): 200mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 80mA, 8V Frequency - Transition: 8GHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Part Status: Active | на замовлення 3792 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU590QX | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 34000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU610F,115 Код товару: 99602 | Транзистори > Біполярні NPN | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
BFU610F,115 | NXP | Description: NXP - BFU610F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5.5 V, 15 GHz, 136 mW, 10 mA, SOT-343F tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 10mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 136mW Bauform - Transistor: SOT-343F Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5.5V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 15GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 73 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU610F,115 | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 5.5V 15GHZ 4DFP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-343F Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 13.5dB ~ 23.5dB Power - Max: 136mW Current - Collector (Ic) (Max): 10mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 1mA, 2V Frequency - Transition: 15GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.7dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz Supplier Device Package: 4-DFP | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU610F,115 | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 5.5V 0.01A 136mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R | на замовлення 3353 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU610F,115 | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 5.5V 0.01A 136mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU610F,115 | NXP | Description: NXP - BFU610F,115 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 3140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU610F,115 | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 5.5V 0.01A 136mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R | на замовлення 3353 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU610F,115 | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors Single NPN 15GHz | на замовлення 2752 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU610F,115 | NXP | Description: NXP - BFU610F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5.5 V, 15 GHz, 136 mW, 10 mA, SOT-343F tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 10mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 136mW Bauform - Transistor: SOT-343F Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5.5V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 15GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 73 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BFU610F,115 | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 5.5V 15GHZ 4DFP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-343F Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 13.5dB ~ 23.5dB Power - Max: 136mW Current - Collector (Ic) (Max): 10mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 1mA, 2V Frequency - Transition: 15GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.7dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz Supplier Device Package: 4-DFP | на замовлення 5793 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU610F,115 | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 5.5V 0.01A 136mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU630F,115 | NXP | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 5.5V; 30mA; 200mW; SOT343F Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 5.5V Collector current: 30mA Power dissipation: 0.2W Case: SOT343F Current gain: 90...180 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 55GHz | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU630F,115 | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors Single NPN 21GHz | на замовлення 11838 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU630F,115 | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 5.5V 0.03A 200mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R | на замовлення 1950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU630F,115 | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 5.5V 21GHZ 4DFP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-343F Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 13dB ~ 22.5dB Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 5mA, 2V Frequency - Transition: 21GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.75dB ~ 1.3dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz Supplier Device Package: 4-DFP Part Status: Active | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU630F,115 | NXP | Description: NXP - BFU630F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5.5 V, 21 GHz, 200 mW, 30 mA, SOT-343F tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 30mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-343F Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5.5V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 21GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BFU630F,115 | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 5.5V 0.03A 200mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU630F,115 | NXP | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 5.5V; 30mA; 200mW; SOT343F Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 5.5V Collector current: 30mA Power dissipation: 0.2W Case: SOT343F Current gain: 90...180 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 55GHz кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU630F,115 | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 5.5V 0.03A 200mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU630F,115 | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 5.5V 0.03A 200mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU630F,115 | NXP | Description: NXP - BFU630F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5.5 V, 21 GHz, 200 mW, 30 mA, SOT-343F tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 30mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-343F Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5.5V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 21GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BFU630F,115 | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 5.5V 21GHZ 4DFP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-343F Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 13dB ~ 22.5dB Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 5mA, 2V Frequency - Transition: 21GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.75dB ~ 1.3dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz Supplier Device Package: 4-DFP Part Status: Active | на замовлення 17026 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU630F,115 | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 5.5V 0.03A 200mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU660F,115 | NXP | Description: NXP - BFU660F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5.5 V, 21 GHz, 225 mW, 60 mA, SOT-343F tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 60mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-343F Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5.5V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 21GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BFU660F,115 | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 5.5V 21GHZ 4DFP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-343F Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 12dB ~ 21dB Power - Max: 225mW Current - Collector (Ic) (Max): 60mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 10mA, 2V Frequency - Transition: 21GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 1.2dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz Supplier Device Package: 4-DFP Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU660F,115 | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 5.5V 0.06A 225mW 4-Pin DFP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU660F,115 | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 5.5V 0.06A 225mW 4-Pin DFP T/R | на замовлення 16472 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU660F,115 | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 5.5V 0.06A 225mW 4-Pin DFP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU660F,115 | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 5.5V 21GHZ 4DFP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-343F Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 12dB ~ 21dB Power - Max: 225mW Current - Collector (Ic) (Max): 60mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 10mA, 2V Frequency - Transition: 21GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 1.2dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz Supplier Device Package: 4-DFP Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU660F,115 | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 5.5V 0.06A 225mW 4-Pin DFP T/R | на замовлення 16472 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU660F,115 Код товару: 99607 | Транзистори > Біполярні NPN | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
BFU660F,115 | NXP | Description: NXP - BFU660F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5.5 V, 21 GHz, 225 mW, 60 mA, SOT-343F tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 60mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-343F Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5.5V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 21GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BFU660F,115 | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors Single NPN 21GHz | на замовлення 7479 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU660F,115 | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 5.5V 0.06A 225mW 4-Pin DFP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU668F,115 | NXP Semiconductors | Bipolar Transistors - BJT NPN wideband silicon RF transistor | на замовлення 2137 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BFU668F,115 | NXP USA Inc. | Description: TRANSISTOR NPN SOT343F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-343F Mounting Type: Surface Mount Supplier Device Package: 4-DFP Part Status: Obsolete | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BFU668F,115 | NXP USA Inc. | Description: TRANSISTOR NPN SOT343F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-343F Mounting Type: Surface Mount Supplier Device Package: 4-DFP Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU668F,115 | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 5.5V 0.04A 200mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU690F,115 Код товару: 83917 | Транзистори > Біполярні NPN | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
BFU690F,115 | NXP | Description: NXP - BFU690F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5.5 V, 18 GHz, 490 mW, 70 mA, SOT-343F Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung hFE: 90 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 490 Übergangsfrequenz ft: 18 Bauform - HF-Transistor: SOT-343F Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 5.5 Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 70 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 2696 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU690F,115 | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 5.5V 0.1A 490mW 4-Pin DFP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU690F,115 | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 5.5V 18GHZ 4DFP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-343F Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 15.5dB ~ 18.5dB Power - Max: 230mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 20mA, 2V Frequency - Transition: 18GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 0.7dG @ 1.5GHz ~ 2.4GHz Supplier Device Package: 4-DFP | на замовлення 14980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU690F,115 | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 5.5V 0.1A 490mW 4-Pin DFP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU690F,115 | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 5.5V 0.1A 490mW 4-Pin DFP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU690F,115 | NXP | Description: NXP - BFU690F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5.5 V, 18 GHz, 490 mW, 70 mA, SOT-343F tariffCode: 85412100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5.5 rohsCompliant: YES Verlustleistung: 490 euEccn: NLR DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Bauform - Transistor: SOT-343F usEccn: EAR99 Dauer-Kollektorstrom: 70 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 2696 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU690F,115 | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors Single NPN 18GHz | на замовлення 23800 шт: термін постачання 227-236 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU690F,115 | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 5.5V 18GHZ 4DFP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-343F Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 15.5dB ~ 18.5dB Power - Max: 230mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 20mA, 2V Frequency - Transition: 18GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 0.7dG @ 1.5GHz ~ 2.4GHz Supplier Device Package: 4-DFP | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU710F,115 | NXP | Description: NXP - BFU710F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 43 GHz, 136 mW, 2 mA, SOT-343F tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 2mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 136mW Bauform - Transistor: SOT-343F Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 43GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 1189 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU710F,115 | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 2.8V 43GHZ 4DFP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-343F Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 136mW Current - Collector (Ic) (Max): 10mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 2V Frequency - Transition: 43GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.85dB ~ 1.45dB @ 5.8GHz ~ 12GHz Supplier Device Package: 4-DFP Part Status: Active | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU710F,115 | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 2.8V 0.01A 136mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU710F,115 | NXP | Description: NXP - BFU710F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 43 GHz, 136 mW, 2 mA, SOT-343F tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 2mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 136mW Bauform - Transistor: SOT-343F Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 43GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 1189 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU710F,115 | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS | на замовлення 2669 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU710F,115 | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 2.8V 0.01A 136mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R | на замовлення 20407 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU710F,115 | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 2.8V 0.01A 136mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU710F,115 | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 2.8V 43GHZ 4DFP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-343F Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 136mW Current - Collector (Ic) (Max): 10mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 2V Frequency - Transition: 43GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.85dB ~ 1.45dB @ 5.8GHz ~ 12GHz Supplier Device Package: 4-DFP Part Status: Active | на замовлення 9260 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU710F,115 | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 2.8V 0.01A 136mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R | на замовлення 20407 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU725F | NXP | 2007 SOT343 | на замовлення 2800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BFU725F Код товару: 85278 | NXP | Транзистори > ВЧ Корпус: SOT-343 Частота: 55 GHz | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU725F T/R | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors TAPE-7 TNS-RFSS | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU725F,115 | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 2.8V 70GHZ 4DFP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-343F Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 10dB ~ 24dB Power - Max: 136mW Current - Collector (Ic) (Max): 40mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V Frequency - Transition: 70GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.42dB ~ 1.1dB @ 1.5GHz ~ 12GHz Supplier Device Package: 4-DFP | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU725F,115 | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors RF NPN Transistor | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU725F,115 | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 2.8V 0.04A 136mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU725F/N1 | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors BFU725F/DFP4//N1/REEL 7 Q1/T1 *STANDARD MARK SMD | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU725F/N1 | NXP | SOT343F | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BFU725F/N1,115 | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 2.8V 0.04A 136mW 4-Pin SO T/R | на замовлення 4550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU725F/N1,115 | NXP | Description: NXP - BFU725F/N1,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 55 GHz, 136 mW, 25 mA, SOT-343F tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 25mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 136mW Bauform - Transistor: SOT-343F Anzahl der Pins: 4Pins Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 55GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 2015 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU725F/N1,115 | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 2.8V 0.04A 136mW 4-Pin SO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU725F/N1,115 | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 2.8V 0.04A 136mW 4-Pin SO T/R | на замовлення 2974 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU725F/N1,115 | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 2.8V 55GHZ 4SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-343 Reverse Pinning Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 10dB ~ 24dB Power - Max: 136mW Current - Collector (Ic) (Max): 40mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 10mA, 2V Frequency - Transition: 55GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.42dB ~ 1.1dB @ 1.5GHz ~ 12GHz Supplier Device Package: 4-SO Part Status: Active | на замовлення 3342 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU725F/N1,115 | NXP | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 2.8V; 40mA; 136mW; SOT343F Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 2.8V Collector current: 40mA Power dissipation: 136mW Case: SOT343F Current gain: 160...400 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 110GHz Features of semiconductor devices: silicon germanium transistor (SiGe) кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU725F/N1,115 | NXP | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 2.8V; 40mA; 136mW; SOT343F Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 2.8V Collector current: 40mA Power dissipation: 136mW Case: SOT343F Current gain: 160...400 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 110GHz Features of semiconductor devices: silicon germanium transistor (SiGe) | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU725F/N1,115 | NXP | Description: NXP - BFU725F/N1,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 55 GHz, 136 mW, 25 mA, SOT-343F tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 25mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 136mW Bauform - Transistor: SOT-343F Anzahl der Pins: 4Pins Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 55GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 2015 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU725F/N1,115 | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 2.8V 0.04A 136mW 4-Pin SO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU725F/N1,115 | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors 2.8V 0.04A 4-Pin Trans GP BJT NPN | на замовлення 1169 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU725F/N1,115 | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 2.8V 55GHZ 4SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-343 Reverse Pinning Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 10dB ~ 24dB Power - Max: 136mW Current - Collector (Ic) (Max): 40mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 10mA, 2V Frequency - Transition: 55GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.42dB ~ 1.1dB @ 1.5GHz ~ 12GHz Supplier Device Package: 4-SO Part Status: Active | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU725F/N1,115 | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 2.8V 0.04A 136mW 4-Pin SO T/R | на замовлення 4550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU725F/N1/S115 | NXP USA Inc. | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU730F,115 | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 2.8V 0.03A 197mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU730F,115 | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 2.8V 55GHZ 4DFP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-343F Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 197mW Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 205 @ 2mA, 2V Frequency - Transition: 55GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.3dB @ 5.8GHz ~ 12GHz Supplier Device Package: 4-DFP Part Status: Active | на замовлення 82447 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU730F,115 | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 2.8V 0.03A 197mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R | на замовлення 16364 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU730F,115 | NXP | Description: NXP - BFU730F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 55 GHz, 197 mW, 5 mA, SOT-343F tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 205hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 5mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 197mW Bauform - Transistor: SOT-343F Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 55GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 2272 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU730F,115 Код товару: 99614 | Транзистори > Біполярні NPN | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
BFU730F,115 | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS | на замовлення 20593 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU730F,115 | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 2.8V 0.03A 197mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R | на замовлення 16364 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU730F,115 | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 2.8V 55GHZ 4DFP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-343F Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 197mW Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 205 @ 2mA, 2V Frequency - Transition: 55GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.3dB @ 5.8GHz ~ 12GHz Supplier Device Package: 4-DFP Part Status: Active | на замовлення 81000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU730F,115 | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 2.8V 0.03A 197mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU730F,115 | NXP | Description: NXP - BFU730F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 55 GHz, 197 mW, 5 mA, SOT-343F tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 205hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 5mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 197mW Bauform - Transistor: SOT-343F Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 55GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 2272 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU730F,115 | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 2.8V 0.03A 197mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU730LXZ | NXP | Description: NXP - BFU730LXZ - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 3 V, 53 GHz, 160 mW, 30 mA, SOT-883C tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 205hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 30mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 160mW Bauform - Transistor: SOT-883C Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 3V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 53GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 2952 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU730LXZ | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors SiGe:C MMIC Transistor | на замовлення 16332 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU730LXZ | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 3V 0.03A 160mW 3-Pin DFN_C T/R | на замовлення 355 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BFU730LXZ | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 3V 53GHZ 3DFN1006 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Gain: 15.8dB Power - Max: 160mW Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 205 @ 2mA, 3V Frequency - Transition: 53GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.75dB @ 6GHz Supplier Device Package: DFN1006C-3 | на замовлення 14688 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU730LXZ | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 3V 0.03A 160mW 3-Pin DFN_C T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU730LXZ | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 3V 0.03A 160mW 3-Pin DFN_C T/R | на замовлення 6350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU730LXZ | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 3V 53GHZ 3DFN1006 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Gain: 15.8dB Power - Max: 160mW Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 205 @ 2mA, 3V Frequency - Transition: 53GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.75dB @ 6GHz Supplier Device Package: DFN1006C-3 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU730LXZ | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 3V 0.03A 160mW 3-Pin DFN_C T/R | на замовлення 355 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU760F,115 | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 2.8V 45GHZ 4DFP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-343F Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 220mW Current - Collector (Ic) (Max): 70mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 155 @ 10mA, 2V Frequency - Transition: 45GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.4dB ~ 0.5dB @ 1.5GHz ~ 2.4GHz Supplier Device Package: 4-DFP Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU760F,115 | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 2.8V 0.07A 220mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU760F,115 | NXP | Description: NXP - BFU760F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 45 GHz, 220 mW, 70 mA, SOT-343F tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 155 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 155 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 70 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 220 euEccn: NLR Verlustleistung: 220 Bauform - Transistor: SOT-343F Bauform - HF-Transistor: SOT-343F Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 2.8 Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8 productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 70 Übergangsfrequenz: 45 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 9955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU760F,115 | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 2.8V 0.07A 220mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU760F,115 | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 2.8V 0.07A 220mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R | на замовлення 38370 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU760F,115 | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 2.8V 45GHZ 4DFP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-343F Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 220mW Current - Collector (Ic) (Max): 70mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 155 @ 10mA, 2V Frequency - Transition: 45GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.4dB ~ 0.5dB @ 1.5GHz ~ 2.4GHz Supplier Device Package: 4-DFP Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU760F,115 | NXP | Description: NXP - BFU760F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 45 GHz, 220 mW, 70 mA, SOT-343F tariffCode: 85412100 productTraceability: No Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8 rohsCompliant: YES Verlustleistung: 220 euEccn: NLR DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 155 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Bauform - Transistor: SOT-343F usEccn: EAR99 Dauer-Kollektorstrom: 70 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 9955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU760F,115 | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS | на замовлення 841 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU760F,115 | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 2.8V 0.07A 220mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU760F,115 | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 2.8V 0.07A 220mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU768F,115 | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 2.8V 0.07A 220mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU768F,115 | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 2.8V 70MA 4DFP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-343F Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 13.1dB Power - Max: 220mW Current - Collector (Ic) (Max): 70mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 155 @ 10mA, 2V Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 2.4GHz Supplier Device Package: 4-DFP Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU768F,115 | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors 4-pin Dual-Emitter Microwave Transistor | на замовлення 5224 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU768F,115 | NXP Semiconductors | Description: BFU768F - NPN WIDEBAND SILICON G Packaging: Bulk Package / Case: SOT-343F Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 13.1dB Power - Max: 220mW Current - Collector (Ic) (Max): 70mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 155 @ 10mA, 2V Frequency - Transition: 110GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.2dB @ 5GHz ~ 5.9GHz Supplier Device Package: 4-DFP | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU768F,115 | NXP | Description: NXP - BFU768F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 110 GHz, 220 mW, 70 mA, SOT-343F tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 330hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 70mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 220mW Bauform - Transistor: SOT-343F Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: BFU768F Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 110GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 1860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU768F,115 | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 2.8V 0.07A 220mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU768F,115 | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 2.8V 0.07A 220mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU768F,115 | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 2.8V 70MA 4DFP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-343F Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 13.1dB Power - Max: 220mW Current - Collector (Ic) (Max): 70mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 155 @ 10mA, 2V Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 2.4GHz Supplier Device Package: 4-DFP Part Status: Active | на замовлення 311 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU768F,115 | NXP | Description: NXP - BFU768F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 110 GHz, 220 mW, 70 mA, SOT-343F tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 330hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 70mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 220mW Bauform - Transistor: SOT-343F Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: BFU768F Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 110GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 1860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU768F115 | NXP | Description: NXP - BFU768F115 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 2493900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU768F115 | NXP USA Inc. | Description: NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM R Packaging: Bulk Part Status: Active Package / Case: SOT-343F Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 13.1dB Power - Max: 220mW Current - Collector (Ic) (Max): 70mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 155 @ 10mA, 2V Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 2.4GHz Supplier Device Package: 4-DFP | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU790F,115 | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 2.8V 25GHZ 4DFP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-343F Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 234mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 235 @ 10mA, 2V Frequency - Transition: 25GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.4dB ~ 0.5dB @ 1.5GHz ~ 2.4GHz Supplier Device Package: 4-DFP Part Status: Active | на замовлення 6748 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU790F,115 | NXP | Description: NXP - BFU790F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 25 GHz, 234 mW, 100 mA, SOT-343F Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8 Verlustleistung: 234 DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 235 Qualifikation: - Bauform - Transistor: SOT-343F Dauer-Kollektorstrom: 100 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU790F,115 | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 2.8V 0.1A 234mW 4-Pin DFP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU790F,115 | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 2.8V 0.1A 234mW 4-Pin DFP T/R | на замовлення 388 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU790F,115 | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 2.8V 0.1A 234mW 4-Pin DFP T/R | на замовлення 388 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU790F,115 | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 2.8V 25GHZ 4DFP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-343F Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 234mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 235 @ 10mA, 2V Frequency - Transition: 25GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.4dB ~ 0.5dB @ 1.5GHz ~ 2.4GHz Supplier Device Package: 4-DFP Part Status: Active | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU790F,115 | NXP | Description: NXP - BFU790F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 25 GHz, 234 mW, 100 mA, SOT-343F Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 235 DC-Stromverstärkung hFE: 235 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 234 Verlustleistung: 234 Bauform - Transistor: SOT-343F Bauform - HF-Transistor: SOT-343F Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 2.8 Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8 Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 100 Übergangsfrequenz: 25 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU790F,115 | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS | на замовлення 1210 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFU790F,115 | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 2.8V 0.1A 234mW 4-Pin DFP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU910F115 | Rochester Electronics, LLC | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR | на замовлення 227704 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BFU910FX | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 9.5V SOT343F | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU910FX | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors NPN wideband silicon germanium RF trans | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU910FX | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 9.5V 0.015A 300mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFU910FX | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 9.5V SOT343F | на замовлення 1353 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|