Продукція > BYW
Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BYW-3000-2255PN | Amphenol | Amphenol SPECIAL | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW08200 | ST | на замовлення 150 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BYW100-150 | на замовлення 1705 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
BYW100-200 | STMicroelectronics | Description: DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO15 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-15 Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 4.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW100-200 | STMicroelectronics | Rectifier Diode Switching 200V 1.5A 35ns 2-Pin DO-15 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW100-200 | STMicroelectronics | Description: DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO15 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-15 Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 4.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW100-200 Код товару: 51558 | ST | Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі Корпус: DO-15 Vrr, V: 200 V Iav, A: 1,5 A Час зворотнього відновлення Trr, ns: 30 ns | у наявності 84 шт: 25 шт - РАДІОМАГ-Київ13 шт - РАДІОМАГ-Львів 46 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
| ||||||||||||||||||
BYW100-200 | STMicroelectronics | Rectifiers 1.5 Amp 200 Volt | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW100-200RL | STMicroelectronics | Description: DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO15 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-15 Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 4.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW100-200RL | STMicroelectronics | Rectifiers 1.5 Amp 200 Volt | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW100-200RL | STMicroelectronics | Description: DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO15 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-15 Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 4.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW100-200RL | на замовлення 14500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
BYW172D-TAP | Vishay Semiconductors | Rectifiers 3.0 Amp 200 Volt 100 Amp IFSM | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW172D-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 200V 3A SOD64 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: SOD-64, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 100 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: SOD-64 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW172D-TAP | Vishay | Rectifier Diode Switching 200V 3A 100ns 2-Pin SOD-64 Ammo | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW172D-TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 200V 3A SOD64 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-64, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 100 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: SOD-64 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW172D-TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 200V 3A 100ns 2-Pin SOD-64 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW172D-TR | Vishay Semiconductors | Rectifiers 3.0 Amp 200 Volt 100 Amp IFSM | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW172F-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 300V 3A SOD64 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: SOD-64, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 100 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: SOD-64 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 300 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW172F-TAP | Vishay Semiconductors | Rectifiers 3.0 Amp 300 Volt 100 Amp IFSM | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW172F-TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 300V 3A SOD64 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-64, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 100 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: SOD-64 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 300 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW172F-TR | Vishay Semiconductors | Rectifiers 3.0 Amp 300 Volt 100 Amp IFSM | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW172G-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 400V 3A SOD64 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: SOD-64, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 100 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: SOD-64 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW172G-TAP | Vishay Semiconductors | Rectifiers 3.0 Amp 400 Volt 100 Amp IFSM | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW172G-TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 400V 3A 100ns 2-Pin SOD-64 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW172G-TR | Vishay Semiconductors | Rectifiers 3.0 Amp 400 Volt 100 Amp IFSM | на замовлення 11443 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW172G-TR | VISHAY | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 3A; reel,tape; Ifsm: 100A; SOD64; 75ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.4kV Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 100A Case: SOD64 Max. forward voltage: 1.1V Reverse recovery time: 75ns кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 801 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW172G-TR | VISHAY | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 3A; reel,tape; Ifsm: 100A; SOD64; 75ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.4kV Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 100A Case: SOD64 Max. forward voltage: 1.1V Reverse recovery time: 75ns | на замовлення 801 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW172G-TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 400V 3A SOD64 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-64, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 100 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: SOD-64 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW178 | на замовлення 2970 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
BYW178-TAP | Vishay | Diode Switching 800V 3A 2-Pin SOD-64 Ammo | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW178-TAP | VISHAY | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 80A; SOD64; 50ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.8kV Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated Kind of package: Ammo Pack Max. forward impulse current: 80A Case: SOD64 Max. forward voltage: 1.9V Reverse recovery time: 50ns | на замовлення 7472 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW178-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 800V 3A SOD64 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: SOD-64, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 60 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: SOD-64 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW178-TAP | VISHAY | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 80A; SOD64; 50ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.8kV Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated Kind of package: Ammo Pack Max. forward impulse current: 80A Case: SOD64 Max. forward voltage: 1.9V Reverse recovery time: 50ns кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 7472 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW178-TAP | Vishay | Diode Switching 800V 3A 2-Pin SOD-64 Ammo | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BYW178-TAP | Vishay | Diode Switching 800V 3A 2-Pin SOD-64 Ammo | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW178-TAP | Vishay Semiconductors | Rectifiers 3.0 Amp 800 Volt 80 Amp IFSM | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW178-TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 800V 3A 60ns 2-Pin SOD-64 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW178-TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 800V 3A 60ns 2-Pin SOD-64 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW178-TR | Vishay Semiconductors | Rectifiers 3.0 Amp 800 Volt 80 Amp IFSM | на замовлення 12123 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW178-TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 800V 3A SOD64 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-64, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 60 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: SOD-64 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V | на замовлення 12460 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW178-TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 800V 3A SOD64 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-64, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 60 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: SOD-64 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW208B | на замовлення 800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
BYW27-100 | Diotec Semiconductor | Description: DIODE STD DO-41 100V 1A | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BYW27-100 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 100V; 1A; Ammo Pack; Ifsm: 50A; DO41; 1.5us Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 100V Load current: 1A Max. load current: 10A Semiconductor structure: single diode Kind of package: Ammo Pack Max. forward impulse current: 50A Case: DO41 Max. forward voltage: 1.3V Reverse recovery time: 1.5µs кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 4475 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW27-100 | EIC | SILICON RECTIFIER DIODES 2DO-41 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW27-100 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 100V; 1A; Ammo Pack; Ifsm: 50A; DO41; 1.5us Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 100V Load current: 1A Max. load current: 10A Semiconductor structure: single diode Kind of package: Ammo Pack Max. forward impulse current: 50A Case: DO41 Max. forward voltage: 1.3V Reverse recovery time: 1.5µs | на замовлення 4475 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW27-100-CT | DComponents | Description: CUT-TAPE VERSION. STANDARD RECO | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW27-1000 | Diotec Semiconductor | Rectifier Diode Switching 1KV 1A 1500ns 2-Pin DO-41 Ammo | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW27-1000 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 1A; Ammo Pack; Ifsm: 50A; DO41; 1.5us Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 1kV Load current: 1A Max. load current: 10A Semiconductor structure: single diode Kind of package: Ammo Pack Max. forward impulse current: 50A Case: DO41 Max. forward voltage: 1.3V Reverse recovery time: 1.5µs кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 1165 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW27-1000 | Diotec Semiconductor | Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW27-1000 | EIC | SILICON RECTIFIER DIODES 2DO-41 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW27-1000 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 1A; Ammo Pack; Ifsm: 50A; DO41; 1.5us Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 1kV Load current: 1A Max. load current: 10A Semiconductor structure: single diode Kind of package: Ammo Pack Max. forward impulse current: 50A Case: DO41 Max. forward voltage: 1.3V Reverse recovery time: 1.5µs | на замовлення 1165 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW27-1000 | Diotec Semiconductor | Rectifier Diode Switching 1KV 1A 1500ns 2-Pin DO-41 Ammo | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW27-1000 | Diotec Semiconductor | Diode Switching 1KV 1A Automotive 2-Pin DO-41 Ammo | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW27-1000 | Diotec Semiconductor | Rectifiers Diode, DO-41, 1000V, 1A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW27-1000 | Diotec Semiconductor | Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW27-1000-CT | DComponents | Description: CUT-TAPE VERSION. STANDARD RECO | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW27-200 | Diotec Electronics | SILICON RECTIFIERS | на замовлення 2885 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW27-200 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 1A; Ammo Pack; Ifsm: 50A; DO41; 1.5us Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 200V Load current: 1A Max. load current: 10A Semiconductor structure: single diode Kind of package: Ammo Pack Max. forward impulse current: 50A Case: DO41 Max. forward voltage: 1.3V Reverse recovery time: 1.5µs | на замовлення 2887 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW27-200 | Diotec Semiconductor | Description: IC Packaging: Bulk Package / Case: DO-204AC, DO-41, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-204AC (DO-41) Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 200 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW27-200 | EIC Semiconductor | Diode 200V 1A 2-Pin DO-41 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW27-200 | Diotec Semiconductor | SILICON RECTIFIERS | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW27-200 | Diotec Semiconductor | Diode Switching 200V 1A 2-Pin DO-41 Ammo | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW27-200 | Diotec Semiconductor | Rectifiers Diode, DO-41, 200V, 1A | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW27-200 | Diotec Semiconductor | Diode Switching 200V 1A 2-Pin DO-41 Ammo | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW27-200 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 1A; Ammo Pack; Ifsm: 50A; DO41; 1.5us Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 200V Load current: 1A Max. load current: 10A Semiconductor structure: single diode Kind of package: Ammo Pack Max. forward impulse current: 50A Case: DO41 Max. forward voltage: 1.3V Reverse recovery time: 1.5µs кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 2887 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW27-200-CT | Diotec Semiconductor | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO41 Packaging: Strip Package / Case: DO-204AC, DO-41, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-41/DO-204AC Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 200 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW27-200GP-E3/54 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 200 Volt 1.0 Amp Glass Passivated | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW27-200GP-E3/54 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW27-200GP-E3/73 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 200 Volt 1.0 Amp Glass Passivated | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW27-200GP-E3/73 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 3 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 200 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW27-200GPHE3/54 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 3 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 200 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW27-200GPHE3/73 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 3 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 200 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW27-400 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | BYW27-400-DIO THT universal diodes | на замовлення 4060 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW27-400 | EIC | SILICON RECTIFIER DIODES 2DO-41 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW27-400 | Diotec Semiconductor | Description: IC Packaging: Bulk Package / Case: DO-204AC, DO-41, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-204AC (DO-41) Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 400 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW27-400-CT | DComponents | Description: CUT-TAPE VERSION. STANDARD RECO | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW27-400GP-E3/54 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 400 Volt 1.0 Amp Glass Passivated | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW27-400GP-E3/54 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW27-400GP-E3/73 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW27-400GP-E3/73 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 400 Volt 1.0 Amp Glass Passivated | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW27-400GPHE3/54 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW27-400GPHE3/73 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW27-50 | Diotec Semiconductor | Rectifier Diode Switching 50V 1A 1500ns 2-Pin DO-41 Ammo | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW27-50 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | BYW27-50-DIO THT universal diodes | на замовлення 4452 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW27-50 | EIC | SILICON RECTIFIER DIODES 2DO-41 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW27-50 | Diotec Semiconductor | Description: DIODE GEN PURP 50V 1A DO41 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW27-50-CT | DComponents | Description: CUT-TAPE VERSION. STANDARD RECO | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW27-600 | Diotec Semiconductor | Description: DIODE STD DO-41 600V 1A | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BYW27-600 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | BYW27-600-DIO THT universal diodes | на замовлення 3940 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW27-600 | EIC | SILICON RECTIFIER DIODES 2DO-41 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW27-600-CT | DComponents | Description: CUT-TAPE VERSION. STANDARD RECO | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW27-800 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | BYW27-800-DIO THT universal diodes | на замовлення 305 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW27-800 | EIC | SILICON RECTIFIER DIODES 2DO-41 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW27-800 | Diotec Semiconductor | Description: DIODE STD DO-41 800V 1A | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BYW27-800-CT | DComponents | Description: CUT-TAPE VERSION. STANDARD RECO | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW29 | onsemi | onsemi REC T0220 8A 200V ULTFST | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW29-100 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 8A,100V,25NS,SINGLE UF RECT | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW29-100 Код товару: 106038 | Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
BYW29-100 | onsemi | Description: RECTIFIER DIODE, 7.3A, 100V Packaging: Bulk Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW29-100-E3/45 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 100V 8A TO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V | на замовлення 541 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW29-100-E3/45 | Vishay | Rectifier Diode Switching 100V 8A 25ns 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW29-100-E3/45 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 8.0 Amp 100 Volt | на замовлення 643 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW29-100-E3/45 | VISHAY | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 100V; 8A; tube; Ifsm: 100A; TO220AC; 25ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 100V Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching Capacitance: 45pF Kind of package: tube Max. forward impulse current: 100A Case: TO220AC Max. forward voltage: 0.8V Heatsink thickness: 1.14...1.39mm Reverse recovery time: 25ns | на замовлення 868 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW29-100-E3/45 | VISHAY | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 100V; 8A; tube; Ifsm: 100A; TO220AC; 25ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 100V Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching Capacitance: 45pF Kind of package: tube Max. forward impulse current: 100A Case: TO220AC Max. forward voltage: 0.8V Heatsink thickness: 1.14...1.39mm Reverse recovery time: 25ns кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 868 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW29-100-E3/45 | Vishay | Rectifier Diode Switching 100V 8A 25ns 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW29-100/45 | Vishay Semiconductors | Rectifiers RECOMMENDED ALT BYW29-100-E3 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW29-100801HE3/45 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE ARRAY GP 100V TO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW29-100HE3/45 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 100V 8A TO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW29-150 | PHILIPS | 2000 | на замовлення 47 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BYW29-150-E3/45 | VISHAY | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 150V; 8A; tube; Ifsm: 100A; TO220AC; 25ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 150V Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching Capacitance: 45pF Kind of package: tube Max. forward impulse current: 100A Case: TO220AC Max. forward voltage: 0.8V Heatsink thickness: 1.14...1.39mm Reverse recovery time: 25ns кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 422 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW29-150-E3/45 | Vishay | Diode Switching 150V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW29-150-E3/45 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 150V 8A TO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 150 V | на замовлення 977 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW29-150-E3/45 | VISHAY | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 150V; 8A; tube; Ifsm: 100A; TO220AC; 25ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 150V Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching Capacitance: 45pF Kind of package: tube Max. forward impulse current: 100A Case: TO220AC Max. forward voltage: 0.8V Heatsink thickness: 1.14...1.39mm Reverse recovery time: 25ns | на замовлення 422 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW29-150-E3/45 | Vishay | Diode Switching 150V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW29-150-E3/45 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 8.0 Amp 150 Volt | на замовлення 558 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW29-150HE3/45 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 150 Volt 8.0A 25ns Single Glass Pass | на замовлення 194 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BYW29-150HE3/45 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 150V 8A TO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 150 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW29-200 | onsemi | Rectifiers 200V 8A UltraFast | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW29-200 | STMicroelectronics | Rectifiers 8.0 Amp 200 Volt | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW29-200 | STMicroelectronics | Rectifier Diode Switching 200V 8A 35ns 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW29-200 | STMicroelectronics | Description: DIODE GEN PURP 200V 8A TO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW29-200 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 8A,200V,25NS,SINGLE UF RECT | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW29-200 | на замовлення 108 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
BYW29-200 | ON Semiconductor | Rectifier Diode Switching 200V 8A 35ns 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW29-200-E3/45 | Vishay | Diode Switching 200V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW29-200-E3/45 | VISHAY | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 8A; tube; Ifsm: 100A; TO220AC; 25ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 200V Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching Capacitance: 45pF Kind of package: tube Max. forward impulse current: 100A Case: TO220AC Max. forward voltage: 0.8V Heatsink thickness: 1.14...1.39mm Reverse recovery time: 25ns кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW29-200-E3/45 | Vishay | Diode Switching 200V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW29-200-E3/45 | VISHAY | Description: VISHAY - BYW29-200-E3/45 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 8 A, Einfach, 1.3 V, 25 ns, 100 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220AC Durchlassstoßstrom: 100A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.3V Sperrverzögerungszeit: 25ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 1147 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW29-200-E3/45 | Vishay | Diode Switching 200V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube | на замовлення 314 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW29-200-E3/45 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 8.0 Amp 200 Volt | на замовлення 4945 шт: термін постачання 77-86 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW29-200-E3/45 | VISHAY | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 8A; tube; Ifsm: 100A; TO220AC; 25ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 200V Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching Capacitance: 45pF Kind of package: tube Max. forward impulse current: 100A Case: TO220AC Max. forward voltage: 0.8V Heatsink thickness: 1.14...1.39mm Reverse recovery time: 25ns | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW29-200-E3/45 Код товару: 155970 | Транзистори > Біполярні NPN | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
BYW29-200-E3/45 | Vishay | Diode Switching 200V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube | на замовлення 314 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW29-200-E3/45 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 8A TO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V | на замовлення 594 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW29-200F | ST | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BYW29-200G | ONSEMI | Description: ONSEMI - BYW29-200G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 8 A, Einfach, 1.3 V, 35 ns, 100 A Bauform - Diode: TO-220B Durchlassstoßstrom: 100 Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.3 Sperrverzögerungszeit: 35 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8 Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200 Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: BYW29 Betriebstemperatur, max.: 175 SVHC: Lead (10-Jun-2022) | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW29-200G | onsemi | Rectifiers 200V 8A UltraFast | на замовлення 1151 шт: термін постачання 743-752 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW29-200G | ONSEMI | Category: THT universal diodes Description: Diode: switching; THT; 200V; 8A; tube; TO220AC; 1.14÷1.39mm Type of diode: switching Mounting: THT Max. off-state voltage: 200V Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Kind of package: tube Case: TO220AC Heatsink thickness: 1.14...1.39mm кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW29-200G | ONSEMI | Category: THT universal diodes Description: Diode: switching; THT; 200V; 8A; tube; TO220AC; 1.14÷1.39mm Type of diode: switching Mounting: THT Max. off-state voltage: 200V Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Kind of package: tube Case: TO220AC Heatsink thickness: 1.14...1.39mm | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW29-200G | ON Semiconductor | Rectifier Diode Switching 200V 8A 35ns 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW29-200G Код товару: 58309 | Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
BYW29-200G | ON Semiconductor | Rectifier Diode Switching 200V 8A 35ns 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW29-200G | onsemi | Description: DIODE GEN PURP 200V 8A TO220-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-220-2 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | на замовлення 3396 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW29-200G | ON Semiconductor | Rectifier Diode Switching 200V 8A 35ns 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW29-200H | onsemi | Description: DIODE GEN PURP 200V 8A TO220-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-220-2 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW29-200H | ONSEMI | Description: ONSEMI - BYW29-200H - REC T0220 8A 200V ULTF HF tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 125 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BYW29-200HE3/45 | Vishay | Rectifier Diode Switching 200V 8A 25ns Automotive 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW29-200HE3/45 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 8A TO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW29-50 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 8A,50V,25NS,SINGLE UF RECT | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW29-50-E3/45 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 50V 8A TO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V | на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW29-50-E3/45 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 8.0 Amp 50 Volt | на замовлення 898 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW29-50-E3/45 | Vishay | Rectifier Diode Switching 50V 8A 25ns 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW29-50HE3/45 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 50V 8A TO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW29E-100 | WeEn Semiconductors | Rectifiers EPI | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW29E-100,127 | WeEn Semiconductors | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 100V; 8A; tube; Ifsm: 88A; SOD59,TO220AC Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 100V Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Kind of package: tube Max. forward impulse current: 88A Case: SOD59; TO220AC Max. forward voltage: 0.895V Reverse recovery time: 25ns кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 752 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW29E-100,127 | WeEn Semiconductors | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 100V; 8A; tube; Ifsm: 88A; SOD59,TO220AC Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 100V Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Kind of package: tube Max. forward impulse current: 88A Case: SOD59; TO220AC Max. forward voltage: 0.895V Reverse recovery time: 25ns | на замовлення 752 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW29E-100,127 | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Rectifier Diode Switching 100V 8A 25ns 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Rail | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW29E-100,127 | Ween | Rectifier Diode Switching 100V 8A 25ns 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Rail | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW29E-100,127 | WeEn Semiconductors | Description: DIODE GEN PURP 100V 8A TO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW29E-100,127 | WeEn Semiconductors | Rectifiers EPI | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW29E-150 Код товару: 4080 | NXP | Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі Корпус: TO-220AC Vrr, V: 150 V Iav, A: 8 A Час зворотнього відновлення Trr, ns: 25 ns | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW29E-150 | WeEn Semiconductors | WeEn Semiconductors BYW29E-150/TO-220AC/STANDARD M | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW29E-150 | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Diode Switching 150V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW29E-150,127 | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Rectifier Diode Switching 150V 8A 25ns 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Rail | на замовлення 439 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW29E-150,127 | WeEn Semiconductors | Description: DIODE GEN PURP 150V 8A TO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 150 V | на замовлення 17778 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW29E-150,127 | WEEN SEMICONDUCTORS | Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BYW29E-150,127 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 150 V, 8 A, Einfach, 1.05 V, 25 ns, 80 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220AC Durchlassstoßstrom: 80A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.05V Sperrverzögerungszeit: 25ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 150V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 5896 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW29E-150,127 | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Rectifier Diode Switching 150V 8A 25ns 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Rail | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW29E-150,127 | Nexperia | Rectifier Diode Switching 150V 8A 25ns 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Rail | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW29E-150,127 | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Rectifier Diode Switching 150V 8A 25ns 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Rail | на замовлення 439 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW29E-150,127 | WeEn Semiconductors | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 150V; 8A; tube; Ifsm: 88A; SOD59,TO220AC Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 150V Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Kind of package: tube Max. forward impulse current: 88A Case: SOD59; TO220AC Max. forward voltage: 0.8V Heatsink thickness: 1.15...1.4mm Reverse recovery time: 25ns кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 1017 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW29E-150,127 | WeEn Semiconductors | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 150V; 8A; tube; Ifsm: 88A; SOD59,TO220AC Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 150V Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Kind of package: tube Max. forward impulse current: 88A Case: SOD59; TO220AC Max. forward voltage: 0.8V Heatsink thickness: 1.15...1.4mm Reverse recovery time: 25ns | на замовлення 1017 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW29E-150,127 | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Rectifier Diode Switching 150V 8A 25ns 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Rail | на замовлення 444 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW29E-150,127 | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Rectifier Diode Switching 150V 8A 25ns 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Rail | на замовлення 444 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW29E-150,127 | Ween | Rectifier Diode Switching 150V 8A 25ns 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Rail | на замовлення 4408 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW29E-150,127 | WeEn Semiconductors | Rectifiers RECT UFAST 150V | на замовлення 5418 шт: термін постачання 195-204 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW29E-150.127 Код товару: 167076 | Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
BYW29E-150; (8A 150V 25ns); корпус: TO220-2pin; ультрабыстрый; Philips | на замовлення 92 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||||
BYW29E-200 Код товару: 43932 | Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
BYW29E-200 | WeEn Semiconductors | WeEn Semiconductors BYW29E-200/TO-220AC/STANDARD M | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW29E-200 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
BYW29E-200 | WEEN SEMICONDUCTORS | Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BYW29E-200 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 8 A, Einfach, 1.3 V, 25 ns, 80 A Bauform - Diode: TO-220AC Durchlassstoßstrom: 80 Durchlassspannung Vf max.: 1.3 Diodenkonfiguration: Einfach Sperrerholzeit Trr, max.: 25 Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.3 Sperrverzögerungszeit: 25 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8 Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200 Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 8 Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: BYW29 Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 80 Betriebstemperatur, max.: 150 Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 200 SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW29E-200 | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Diode Switching 200V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW29E-200,127 | WeEn Semiconductors | Rectifiers FAST REC 8A 200V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 120-129 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW29E-200,127 | WeEn Semiconductors | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 8A; tube; Ifsm: 88A; SOD59,TO220AC Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 200V Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Kind of package: tube Max. forward impulse current: 88A Case: SOD59; TO220AC Max. forward voltage: 0.8V Heatsink thickness: 1.15...1.4mm Reverse recovery time: 25ns | на замовлення 550 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW29E-200,127 | WeEn Semiconductors | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 8A; tube; Ifsm: 88A; SOD59,TO220AC Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 200V Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Kind of package: tube Max. forward impulse current: 88A Case: SOD59; TO220AC Max. forward voltage: 0.8V Heatsink thickness: 1.15...1.4mm Reverse recovery time: 25ns кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 550 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW29E-200,127 | WEEN SEMICONDUCTORS | Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BYW29E-200,127 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 8 A, Einfach, 1.05 V, 25 ns, 88 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220AC Durchlassstoßstrom: 88A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.05V Sperrverzögerungszeit: 25ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: BYW29E productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 2452 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW29E-200,127 | Nexperia | Diode Switching 200V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Rail | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW29E-200,127 | Ween | Rectifier Diode Switching 200V 8A 25ns 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Rail | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW29E-200,127 | WeEn Semiconductors | Description: DIODE GEN PURP 200V 8A TO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW29E150 | PHILIPS | на замовлення 3500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BYW29E200 | на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
BYW29EB | на замовлення 3096 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
BYW29EB-200,118 | NXP Semiconductors | SOT404 EPI RECTIFIER PT | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW29ED-1500 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
BYW29ED-200 | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Diode Switching 200V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW29ED-200,118 | WeEn Semiconductors | Description: DIODE GEN PURP 200V 8A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: DPAK Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW29ED-200,118 | WeEn Semiconductors | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 8A; 25ns; DPAK; Ufmax: 0.8V; Ifsm: 80A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 200V Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 80A Case: DPAK Max. forward voltage: 0.8V Reverse recovery time: 25ns кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 1787 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW29ED-200,118 | NXP USA Inc. | Description: DIODE RECT 200V 8A SOT428 Packaging: Bulk | на замовлення 1335 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW29ED-200,118 | WEEN SEMICONDUCTORS | Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BYW29ED-200,118 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 8 A, Einfach, 1.05 V, 25 ns, 88 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Durchlassstoßstrom: 88A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.05V Sperrverzögerungszeit: 25ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: BYW29ED productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 6378 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW29ED-200,118 | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Rectifier Diode Switching 200V 8A 25ns 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW29ED-200,118 | WeEn Semiconductors | Rectifiers TAPE13 REC-EPI | на замовлення 3409 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW29ED-200,118 | WeEn Semiconductors | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 8A; 25ns; DPAK; Ufmax: 0.8V; Ifsm: 80A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 200V Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 80A Case: DPAK Max. forward voltage: 0.8V Reverse recovery time: 25ns | на замовлення 1787 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW29ED-200,118 | WeEn Semiconductors | Description: DIODE GEN PURP 200V 8A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: DPAK Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V | на замовлення 55 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW29ED-200,118 | WEEN SEMICONDUCTORS | Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BYW29ED-200,118 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 8 A, Einfach, 1.05 V, 25 ns, 88 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Durchlassstoßstrom: 88A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.05V Sperrverzögerungszeit: 25ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: BYW29ED productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 6378 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW29EX-200 | WEEN SEMICONDUCTORS | Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BYW29EX-200 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 8 A, Einfach, 920 mV, 25 ns, 80 A Bauform - Diode: TO-220F Durchlassstoßstrom: 80 Durchlassspannung Vf max.: 920 Diodenkonfiguration: Einfach Sperrerholzeit Trr, max.: 25 Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 920 Sperrverzögerungszeit: 25 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8 Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200 Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 8 Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: BYW29 Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 80 Betriebstemperatur, max.: 150 Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 200 SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW29EX-200 | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Diode Switching 200V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220F | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW29EX-200 | PH | 09+ | на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BYW29EX-200,127 | WeEn Semiconductors | Description: DIODE GEN PURP 200V 8A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-220FP Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V | на замовлення 17891 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW29EX-200,127 | WeEn Semiconductors | Rectifiers TO-220 REC-EPI | на замовлення 4494 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW29EX-200,127 | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Rectifier Diode Switching 200V 8A 25ns 2-Pin(2+Tab) TO-220F Rail | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW29EX-200,127 | WeEn Semiconductors | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 8A; tube; Ifsm: 88A; SOD113,TO220FP-2 Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 200V Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Kind of package: tube Max. forward impulse current: 88A Case: SOD113; TO220FP-2 Max. forward voltage: 0.8V Reverse recovery time: 25ns | на замовлення 1045 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW29EX-200,127 | WeEn Semiconductors | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 8A; tube; Ifsm: 88A; SOD113,TO220FP-2 Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 200V Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Kind of package: tube Max. forward impulse current: 88A Case: SOD113; TO220FP-2 Max. forward voltage: 0.8V Reverse recovery time: 25ns кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 1045 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW29EX-200,127 | NXP USA Inc. | Description: DIODE FAST REC 200V 8A TO220F Packaging: Bulk | на замовлення 9600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW29EX-200,127 | Ween | Rectifier Diode Switching 200V 8A 25ns 2-Pin(2+Tab) TO-220F Rail | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW29EX-200,127 | WEEN SEMICONDUCTORS | Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BYW29EX-200,127 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 8 A, Einfach, 895 mV, 25 ns, 88 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-113 Durchlassstoßstrom: 88A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 895mV Sperrverzögerungszeit: 25ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: BYW29EX productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 2372 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW29EX-200,127 | NXP Semiconductors | Rectifier Diode Switching 200V 8A 25ns 2-Pin(2+Tab) TO-220F Rail | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW29F-200 | PHILIPS | TO220 01+ | на замовлення 350 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BYW29FP-200 | STMicroelectronics | Diode Switching 200V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220FPAC Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW29FP-200 | ST | TO-220ACFP | на замовлення 925 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BYW29G-200 | ST | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BYW29G-200 | STMicroelectronics | Rectifier Diode Switching 200V 8A 35ns 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW29G-200-TR | STMicroelectronics | Description: DIODE GEN PURP 200V 8A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: D2PAK Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW29G-200-TR | STMicroelectronics | Rectifier Diode Switching 200V 8A 35ns 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW29G-200-TR | STMicroelectronics | Description: DIODE GEN PURP 200V 8A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: D2PAK Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW29G-200-TR | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
BYW29G200 | ST | 08+ TO263 | на замовлення 534 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BYW29G200 | ST | 02+ | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BYW30-150 | NXP Semiconductors | ULTRA FAST RECOVERY RECTIFIER DIODES | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW30-200 | NXP Semiconductors | ULTRA FAST RECOVERY RECTIFIER DIODES | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW30/200 | на замовлення 680 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
BYW30100 | на замовлення 150 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
BYW30600 | на замовлення 150 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
BYW31-100 | NXP Semiconductors | 100V 28A ULTRA FAST | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW31-100 | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
BYW31-50 | на замовлення 2670 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
BYW31100U | на замовлення 150 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
BYW3150 | на замовлення 150 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
BYW32 | EIC Semiconductor | Diode Switching 200V 2A 2-Pin Case D-2 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW32-TAP | VISHAY | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 2A; Ammo Pack; Ifsm: 50A; SOD57; 200ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 200V Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching; glass passivated Kind of package: Ammo Pack Max. forward impulse current: 50A Case: SOD57 Max. forward voltage: 1.1V Reverse recovery time: 200ns | на замовлення 12010 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW32-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 200V 2A SOD57 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 200 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | на замовлення 8191 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW32-TAP | VISHAY | Description: VISHAY - BYW32-TAP - Diode mit Standard-Erholzeit, AEC-Q101, 200 V, 2 A, Einfach, 1.1 V, 200 ns, 50 A Bauform - Diode: SOD-57 Durchlassstoßstrom: 50 Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1.1 Sperrverzögerungszeit: 200 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2 Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200 Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: BYW32 Betriebstemperatur, max.: 175 SVHC: To Be Advised | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW32-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 200V 2A SOD57 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 200 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW32-TAP | Vishay | Rectifier Diode Switching 200V 2A 200ns 2-Pin SOD-57 Ammo | на замовлення 888 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW32-TAP | VISHAY | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 2A; Ammo Pack; Ifsm: 50A; SOD57; 200ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 200V Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching; glass passivated Kind of package: Ammo Pack Max. forward impulse current: 50A Case: SOD57 Max. forward voltage: 1.1V Reverse recovery time: 200ns кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 12010 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW32-TAP | Vishay | Rectifier Diode Switching 200V 2A 200ns 2-Pin SOD-57 Ammo | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW32-TAP | Vishay Semiconductors | Rectifiers 2.0 Amp 200 Volt 50 Amp IFSM | на замовлення 4388 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW32-TAP діод Код товару: 62659 | Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
BYW32-TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 200V 2A SOD57 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 200 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | на замовлення 35330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW32-TR | Vishay | Diode Switching 200V 2A 2-Pin SOD-57 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW32-TR | Vishay Semiconductors | Rectifiers 2.0 Amp 200 Volt 50 Amp IFSM | на замовлення 9777 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW32-TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 200V 2A SOD57 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 200 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | на замовлення 35000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW33 | EIC Semiconductor | Diode Switching 300V 2A 2-Pin Case D-2 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW33-TAP | Vishay Semiconductors | Rectifiers 2.0 Amp 300 Volt 50 Amp IFSM | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW33-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 300V 2A SOD57 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 200 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW33-TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 300V 2A SOD57 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 200 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW33-TR | Vishay Semiconductors | Rectifiers 2.0 Amp 300 Volt 50 Amp IFSM | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW34 | на замовлення 2332 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
BYW34 | EIC Semiconductor | Diode Switching 400V 2A 2-Pin Case D-2 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW34-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 400V 2A SOD57 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 200 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW34-TAP | Vishay | Diode Switching 400V 2A 2-Pin SOD-57 Ammo | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW34-TAP | Vishay Semiconductors | Rectifiers 2.0 Amp 400 Volt 50 Amp IFSM | на замовлення 2245 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW34-TAP | Vishay | Diode Switching 400V 2A 2-Pin SOD-57 Ammo | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW34-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 400V 2A SOD57 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 200 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V | на замовлення 1092 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW34-TR | VISHAY | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 2A; reel; Ifsm: 50A; SOD57; Ufmax: 1.1V Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.4kV Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching; glass passivated Kind of package: reel Max. forward impulse current: 50A Case: SOD57 Max. forward voltage: 1.1V Leakage current: 0.15mA Reverse recovery time: 200ns кількість в упаковці: 5000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW34-TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 400V 2A SOD57 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 200 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW34-TR | VISHAY | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 2A; reel; Ifsm: 50A; SOD57; Ufmax: 1.1V Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.4kV Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching; glass passivated Kind of package: reel Max. forward impulse current: 50A Case: SOD57 Max. forward voltage: 1.1V Leakage current: 0.15mA Reverse recovery time: 200ns | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW34-TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 400V 2A 200ns 2-Pin SOD-57 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW34-TR | Vishay Semiconductors | Rectifiers 2.0 Amp 400 Volt 50 Amp IFSM | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW35 | EIC Semiconductor | Diode Switching 500V 2A 2-Pin Case D-2 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW35-TAP | Vishay Semiconductors | Rectifiers 2.0 Amp 500 Volt 50 Amp IFSM | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW35-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 500V 2A SOD57 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 200 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 500 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 500 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW35-TR | Vishay Semiconductors | Rectifiers 2.0 Amp 500 Volt 50 Amp IFSM | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW35-TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 500V 2A SOD57 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 200 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 500 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 500 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW36 | EIC Semiconductor | Diode Switching 600V 2A 2-Pin Case D-2 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW36 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
BYW36-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 600V 2A SOD57 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 200 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW36-TAP | Vishay | Rectifier Diode Switching 600V 2A 200ns 2-Pin SOD-57 Ammo | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW36-TAP | VISHAY | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 2A; Ammo Pack; Ifsm: 50A; SOD57; 200ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching; glass passivated Kind of package: Ammo Pack Max. forward impulse current: 50A Case: SOD57 Max. forward voltage: 1.1V Reverse recovery time: 200ns | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW36-TAP | VISHAY | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 2A; Ammo Pack; Ifsm: 50A; SOD57; 200ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching; glass passivated Kind of package: Ammo Pack Max. forward impulse current: 50A Case: SOD57 Max. forward voltage: 1.1V Reverse recovery time: 200ns кількість в упаковці: 25000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW36-TAP | Vishay | Rectifier Diode Switching 600V 2A 200ns 2-Pin SOD-57 Ammo | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW36-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 600V 2A SOD57 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 200 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | на замовлення 9364 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW36-TAP | Vishay Semiconductors | Rectifiers 2.0 Amp 600 Volt 50 Amp IFSM | на замовлення 8507 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW36-TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 600V 2A SOD57 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 200 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW36-TR | Vishay Semiconductors | Rectifiers RECOMMENDED ALT BYW36-TAP | на замовлення 24495 шт: термін постачання 91-100 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW36-TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 600V 2A SOD57 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 200 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | на замовлення 18762 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW36-TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 600V 2A 200ns 2-Pin SOD-57 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW36-TR | VISHAY | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 2A; reel,tape; Ifsm: 50A; SOD57; 200ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching; glass passivated Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 50A Case: SOD57 Max. forward voltage: 1.1V Reverse recovery time: 200ns | на замовлення 8144 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW36-TR | VISHAY | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 2A; reel,tape; Ifsm: 50A; SOD57; 200ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching; glass passivated Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 50A Case: SOD57 Max. forward voltage: 1.1V Reverse recovery time: 200ns кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 8144 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW36-TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 600V 2A 200ns 2-Pin SOD-57 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW36-TR | VISHAY | Description: VISHAY - BYW36-TR - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 2 A, Einfach, 1.1 V, 200 ns, 50 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-57 Durchlassstoßstrom: 50A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1.1V Sperrverzögerungszeit: 200ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BYW36 productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 22686 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW36/4 | Vishay Semiconductors | Rectifiers RECOMMENDED ALT BYW36 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW4045WT | PHILIPS | TO-247 | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BYW4200B-TR | ST | TO-252 | на замовлення 92500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BYW4200B-TR | STMicroelectronics | Description: DIODE GEN PURP 200V 4A DPAK | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW4200BTR | на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
BYW51 | onsemi | onsemi REC T0220 16A 200V ULTFST | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW51-100 | Harris Corporation | Description: DIODE ARRAY GP 100V 8A TO220AB Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 8A Supplier Device Package: TO-220AB Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V | на замовлення 4404 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW51-150 | на замовлення 62500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
BYW51-200 | onsemi | Rectifiers 200V 16A UltraFast | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW51-200 | STMicroelectronics | Rectifier Diode Switching 200V 20A 35ns 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW51-200 | ON Semiconductor | Rectifier Diode Switching 200V 16A 35ns 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW51-200 | ONSEMI | Description: ONSEMI - BYW51-200 - BYW51-200, ZENER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 145 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BYW51-200 | STMicroelectronics | Description: DIODE ARRAY GP 200V 10A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A Supplier Device Package: TO-220 Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 850 mV @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 200 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW51-200 | STMicroelectronics | Rectifiers 2X10 Amp 200 Volt | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW51-200 | »ъ | 2002 TO-220 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BYW51-200G | ONSEMI | Description: ONSEMI - BYW51-200G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, zweifach, 200 V, 16 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 970 mV Bauform - Diode: TO-220AB Durchlassstoßstrom: 100 Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 970 Sperrverzögerungszeit: 35 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16 Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: BYW51 Betriebstemperatur, max.: 175 SVHC: Lead (10-Jun-2022) | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW51-200G | onsemi | Description: DIODE ARRAY GP 200V 8A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 8A Supplier Device Package: TO-220 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 970 mV @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW51-200G | onsemi | Rectifiers 200V 16A UltraFast | на замовлення 5757 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW51-200G | ON Semiconductor | Rectifier Diode Switching 200V 16A 35ns 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW51-200G | ONSEMI | Category: THT universal diodes Description: Diode: switching; THT; 200V; 8Ax2; tube; Ifsm: 100A; TO220AB Type of diode: switching Mounting: THT Max. off-state voltage: 200V Load current: 8A x2 Max. load current: 16A Semiconductor structure: common cathode; double Features of semiconductor devices: ultrafast switching Kind of package: tube Max. forward impulse current: 100A Case: TO220AB Heatsink thickness: 1.15...1.39mm кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW51-200G | ONSEMI | Category: THT universal diodes Description: Diode: switching; THT; 200V; 8Ax2; tube; Ifsm: 100A; TO220AB Type of diode: switching Mounting: THT Max. off-state voltage: 200V Load current: 8A x2 Max. load current: 16A Semiconductor structure: common cathode; double Features of semiconductor devices: ultrafast switching Kind of package: tube Max. forward impulse current: 100A Case: TO220AB Heatsink thickness: 1.15...1.39mm | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW51-200G | ON Semiconductor | Rectifier Diode Switching 200V 16A 35ns 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW51-200G | ON Semiconductor | Rectifier Diode Switching 200V 16A 35ns 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW51-200G | ON Semiconductor | Rectifier Diode Switching 200V 16A 35ns 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW51-50A | на замовлення 550 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
BYW51100 | Harris Corporation | Description: 8A, 100V-200V DUAL DIODE Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 8A Supplier Device Package: TO-220AB Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW51150 | Harris Corporation | Description: 8A, 100V-200V DUAL DIODE Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 8A Supplier Device Package: TO-220AB Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 150 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW51200 | ST | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BYW51F-200 | STMicroelectronics | Rectifiers | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW51F200 | ST | на замовлення 573 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BYW51FP-200 | STMicroelectronics | Rectifier Diode Switching 200V 20A 35ns 3-Pin(3+Tab) TO-220FPAB Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW51FP-200 | STMicroelectronics | Rectifiers 2X10 Amp 200 Volt | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW51FP-200 | ST | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BYW51FP-200 | STMicroelectronics | Description: DIODE ARRAY GP 200V 10A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A Supplier Device Package: TO-220FP Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 850 mV @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 200 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW51G | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
BYW51G-200 | STMicroelectronics | Description: DIODE ARRAY GP 200V 10A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A Supplier Device Package: D2PAK Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 850 mV @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 200 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW51G-200 | STMicroelectronics | Diode Switching 200V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW51G-200 | ST | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BYW51G-200-TR | STMicroelectronics | Description: DIODE ARRAY GP 200V 10A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A Supplier Device Package: D2PAK Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 850 mV @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 200 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW51G-200-TR | STMicroelectronics | Rectifier Diode Switching 200V 20A 35ns 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW51G-200-TR | на замовлення 750 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
BYW51RC-200-TR | STMicroelectronics | RECTIFIER | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW52-TAP | Vishay Semiconductors | Rectifiers 2.0 Amp 200 Volt 50 Amp IFSM | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW52-TAP | Vishay | Rectifier Diode Switching 200V 2A 4000ns Automotive 2-Pin SOD-57 Ammo | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW52-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 200V 2A SOD57 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW52-TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 200V 2A SOD57 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 µs Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW52-TR | Vishay Semiconductors | Rectifiers 2.0 Amp 200 Volt 50 Amp IFSM | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW52-TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 200V 2A 4000ns Automotive 2-Pin SOD-57 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW52-TR | VISHAY | Description: VISHAY - BYW52-TR - AVALANCHE DIODE, 2A, 200V, SOD-57 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-57 Durchlassstoßstrom: 50A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Single Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: 4µs usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BYW52-TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 200V 2A 4000ns Automotive 2-Pin SOD-57 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW52-TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 200V 2A SOD57 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 µs Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V | на замовлення 1350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW53-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 400V 2A SOD57 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 µs Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW53-TAP | Vishay Semiconductors | Rectifiers 2.0 Amp 400 Volt 50 Amp IFSM | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW53-TAP | Vishay | Rectifier Diode Switching 400V 2A 4000ns Automotive 2-Pin SOD-57 Ammo | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW53-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 400V 2A SOD57 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 µs Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V | на замовлення 4900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW53-TR | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 400V 2A SOD57 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW53-TR | Vishay Semiconductors | Rectifiers 2.0 Amp 400 Volt 50 Amp IFSM | на замовлення 22660 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW54 | на замовлення 12965 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
BYW54 | EIC Semiconductor | Diode Switching 600V 2A 2-Pin DO-41 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW54 | Vishay Semiconductors | Rectifiers | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW54 Код товару: 76027 | Vishay | Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні Корпус: SOD-57 Uзвор., V: 600 V Iвипр., A: 2 A Монтаж: THT Падіння напруги Vf: 1 V | у наявності 62 шт: 3 шт - склад2 шт - РАДІОМАГ-Київ 21 шт - РАДІОМАГ-Львів 18 шт - РАДІОМАГ-Харків 1 шт - РАДІОМАГ-Одеса 17 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
| ||||||||||||||||||
BYW54 | EIC Semiconductor | Diode Switching 600V 2A 2-Pin DO-41 | на замовлення 100000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW54-E3/54 | Vishay | Rectifier Diode Switching 600V 2A 4000ns 2-Pin SOD-57 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW54-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 600V 2A SOD57 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 µs Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW54-TAP | Vishay | Diode Switching 600V 2A Automotive 2-Pin SOD-57 Ammo | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW54-TAP | Vishay | Diode Switching 600V 2A Automotive AEC-Q101 2-Pin SOD-57 Ammo | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW54-TAP | VISHAY | SOD57 05+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BYW54-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 600V 2A SOD57 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 µs Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V | на замовлення 2916 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW54-TAP | Vishay Semiconductors | Rectifiers 2.0 Amp 600 Volt 50 Amp IFSM | на замовлення 24823 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW54-TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 600V 2A SOD57 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 µs Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V | на замовлення 19733 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW54-TR | Vishay | Diode Switching 600V 2A Automotive AEC-Q101 2-Pin SOD-57 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW54-TR | VISHAY | Description: VISHAY - BYW54-TR - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 2 A, Einfach, 1 V, 4 µs, 50 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-57 Durchlassstoßstrom: 50A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: 4µs usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BYW54 productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 54332 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW54-TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 600V 2A SOD57 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 µs Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW54-TR | Vishay Semiconductors | Rectifiers 2.0 Amp 600 Volt 50 Amp IFSM | на замовлення 11995 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW54-TR | Vishay | Diode Switching 600V 2A Automotive AEC-Q101 2-Pin SOD-57 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW54-TR | VISHAY | Description: VISHAY - BYW54-TR - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 2 A, Einfach, 1 V, 4 µs, 50 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-57 Durchlassstoßstrom: 50A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: 4µs usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BYW54 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 54332 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW54-TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 600V 2A 4000ns Automotive 2-Pin SOD-57 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW54` | на замовлення 28250 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
BYW55 | EIC Semiconductor | Diode Switching 800V 2A 2-Pin DO-41 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW55 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
BYW55-TAP | VISHAY | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 2A; Ammo Pack; Ifsm: 50A; SOD57; 200ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.8kV Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching; glass passivated Kind of package: Ammo Pack Max. forward impulse current: 50A Case: SOD57 Max. forward voltage: 0.9V Reverse recovery time: 200ns | на замовлення 2619 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW55-TAP | VISHAY | Description: VISHAY - BYW55-TAP - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 2 A, Einfach, 1 V, 4 µs, 50 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-57 Durchlassstoßstrom: 50A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: 4µs usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BYW55 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 10700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW55-TAP | Vishay Semiconductors | Rectifiers 2.0 Amp 800 Volt 50 Amp IFSM | на замовлення 30522 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW55-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 800V 2A SOD57 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 µs Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V | на замовлення 3700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW55-TAP | VISHAY | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 2A; Ammo Pack; Ifsm: 50A; SOD57; 200ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.8kV Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching; glass passivated Kind of package: Ammo Pack Max. forward impulse current: 50A Case: SOD57 Max. forward voltage: 0.9V Reverse recovery time: 200ns кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 2619 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW55-TAP | VISHAY | Description: VISHAY - BYW55-TAP - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 2 A, Einfach, 1 V, 4 µs, 50 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-57 Durchlassstoßstrom: 50A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: 4µs usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BYW55 productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 10700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW55-TAP | Vishay | Rectifier Diode Switching 800V 2A 4000ns Automotive 2-Pin SOD-57 Ammo | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW55-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 800V 2A SOD57 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 µs Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW55-TAP | Vishay | Rectifier Diode Switching 800V 2A 4000ns Automotive AEC-Q101 2-Pin SOD-57 Ammo | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW55-TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 800V 2A 4000ns Automotive AEC-Q101 2-Pin SOD-57 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW55-TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 800V 2A 4000ns Automotive AEC-Q101 2-Pin SOD-57 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW55-TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 800V 2A SOD57 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 µs Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V | на замовлення 24402 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW55-TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 800V 2A 4000ns Automotive AEC-Q101 2-Pin SOD-57 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW55-TR | Vishay Semiconductors | Rectifiers 2.0 Amp 800 Volt 50 Amp IFSM | на замовлення 17686 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW55-TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 800V 2A SOD57 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 µs Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW55/4 | Vishay Semiconductors | Rectifiers RECOMMENDED ALT BYW55 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW56 | на замовлення 24860 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
BYW56 | EIC | Diode Switching 1KV 2A 2-Pin DO-41 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW56 | EIC | Diode Switching 1KV 2A 2-Pin DO-41 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW56 | Vishay Semiconductors | Rectifiers | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW56 діод Код товару: 101760 | Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
BYW56-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 1KV 2A SOD57 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 µs Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW56-TAP | Vishay | Rectifier Diode Switching 1KV 2A 4000ns Automotive AEC-Q101 2-Pin SOD-57 Ammo | на замовлення 12348 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW56-TAP | Vishay | Rectifier Diode Switching 1KV 2A 4000ns Automotive AEC-Q101 2-Pin SOD-57 Ammo | на замовлення 12358 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW56-TAP | Vishay | Rectifier Diode Switching 1KV 2A 4000ns Automotive AEC-Q101 2-Pin SOD-57 Ammo | на замовлення 100000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW56-TAP | Vishay | Rectifier Diode Switching 1KV 2A 4000ns Automotive AEC-Q101 2-Pin SOD-57 Ammo | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW56-TAP | Vishay Semiconductors | Rectifiers 2.0 Amp 1000 Volt 50 Amp IFSM | на замовлення 64036 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW56-TAP | VISHAY | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 2A; Ammo Pack; Ifsm: 50A; SOD57; 4us Mounting: THT Case: SOD57 Kind of package: Ammo Pack Type of diode: rectifying Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching; glass passivated Max. off-state voltage: 1kV Max. forward voltage: 0.9V Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 4µs Max. forward impulse current: 50A | на замовлення 4540 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW56-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 1KV 2A SOD57 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 µs Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V | на замовлення 9288 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW56-TAP | Vishay | Rectifier Diode Switching 1KV 2A 4000ns Automotive AEC-Q101 2-Pin SOD-57 Ammo | на замовлення 24500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW56-TAP | VISHAY | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 2A; Ammo Pack; Ifsm: 50A; SOD57; 4us Mounting: THT Case: SOD57 Kind of package: Ammo Pack Type of diode: rectifying Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching; glass passivated Max. off-state voltage: 1kV Max. forward voltage: 0.9V Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 4µs Max. forward impulse current: 50A кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 4540 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW56-TAP | VISHAY | Description: VISHAY - BYW56-TAP - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 2 A, Einfach, 1 V, 4 µs, 50 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-57 Durchlassstoßstrom: 50A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: 4µs usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BYW56 productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 151009 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW56-TAP | Vishay | Rectifier Diode Switching 1KV 2A 4000ns Automotive 2-Pin SOD-57 Ammo | на замовлення 12358 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW56-TAP | Vishay | Rectifier Diode Switching 1KV 2A 4000ns Automotive AEC-Q101 2-Pin SOD-57 Ammo | на замовлення 100000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW56-TAP | Vishay | Rectifier Diode Switching 1KV 2A 4000ns Automotive AEC-Q101 2-Pin SOD-57 Ammo | на замовлення 24500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW56-TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 1KV 2A 4000ns Automotive AEC-Q101 2-Pin SOD-57 T/R | на замовлення 45960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW56-TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 1KV 2A 4000ns Automotive AEC-Q101 2-Pin SOD-57 T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW56-TR | Vishay Semiconductors | Rectifiers 2.0 Amp 1000 Volt 50 Amp IFSM | на замовлення 31486 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW56-TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 1KV 2A SOD57 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 µs Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V | на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW56-TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 1KV 2A 4000ns Automotive AEC-Q101 2-Pin SOD-57 T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW56-TR | VISHAY | Description: VISHAY - BYW56-TR - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 2 A, Einfach, 1 V, 4 µs, 50 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-57 Durchlassstoßstrom: 50A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: 4µs usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 25569 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW56-TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 1KV 2A 4000ns Automotive 2-Pin SOD-57 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW56-TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 1KV 2A 4000ns Automotive AEC-Q101 2-Pin SOD-57 T/R | на замовлення 16980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW56-TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 1KV 2A 4000ns Automotive AEC-Q101 2-Pin SOD-57 T/R | на замовлення 23008 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW56-TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 1KV 2A SOD57 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 µs Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V | на замовлення 31403 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW56-TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 1KV 2A 4000ns Automotive AEC-Q101 2-Pin SOD-57 T/R | на замовлення 23008 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW56-TR | VISHAY | Description: VISHAY - BYW56-TR - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 2 A, Einfach, 1 V, 4 µs, 50 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-57 Durchlassstoßstrom: 50A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: 4µs usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 25569 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW56/A52A | NXP Semiconductors | SOD 57 GP RECTIFIER SOD57 GLASS BEAD | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW72 | на замовлення 9773 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
BYW72-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 200V 3A SOD64 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: SOD-64, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 200 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: SOD-64 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW72-TAP | Vishay | Rectifier Diode Switching 200V 3A 200ns 2-Pin SOD-64 Ammo | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW72-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 200V 3A SOD64 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-64, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 200 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: SOD-64 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | на замовлення 2195 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW72-TAP | Vishay | Rectifier Diode Switching 200V 3A 200ns 2-Pin SOD-64 Ammo | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW72-TAP | Vishay | Rectifier Diode Switching 200V 3A 200ns 2-Pin SOD-64 Ammo | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW72-TAP | Vishay Semiconductors | Rectifiers 3.0 Amp 200 Volt 100 Amp IFSM | на замовлення 11034 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW72-TAP | VISHAY | BYW72 THT universal diodes | на замовлення 1814 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW72-TR | Vishay | Diode Switching 200V 3A 2-Pin SOD-64 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW72-TR | Vishay Semiconductors | Rectifiers 3.0 Amp 200 Volt 100 Amp IFSM | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW72-TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 200V 3A SOD64 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-64, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 200 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: SOD-64 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW72-TR | Vishay | Diode Switching 200V 3A 2-Pin SOD-64 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW73-TAP | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 300V 3A SOD64 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW73-TAP | Vishay Semiconductors | Rectifiers 3.0 Amp 300 Volt 100 Amp IFSM | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW73-TR | Vishay Semiconductors | Rectifiers 3.0 Amp 300 Volt 100 Amp IFSM | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW73-TR | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 300V 3A SOD64 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW74-L36 | Vishay Semiconductors | Rectifiers AVALANCHE DIODE SOD64 STD-e2 | на замовлення 1723 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW74-L36 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE AVAL 3A 400V SOD64 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW74TAP | VISHAY | BYW74TAP THT universal diodes | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW74TAP | Vishay Semiconductors | Rectifiers 3.0 Amp 400 Volt 100 Amp IFSM | на замовлення 9251 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BYW74TAP | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 400V 3A SOD64 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW74TR | Vishay Semiconductors | Rectifiers 3.0 Amp 400 Volt 100 Amp IFSM | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW74TR | Vishay | Diode Switching 400V 3A 2-Pin SOD-64 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW74TR | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 400V 3A SOD64 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW75TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 500V 3A SOD64 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: SOD-64, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 200 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: SOD-64 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 500 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 500 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW75TAP | Vishay | Rectifier Diode Switching 500V 3A 200ns 2-Pin SOD-64 Ammo | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW75TAP | Vishay Semiconductors | Rectifiers 3.0 Amp 500 Volt 100 Amp IFSM | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW75TR | Vishay Semiconductors | Rectifiers 3.0 Amp 500 Volt 100 Amp IFSM | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW75TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 500V 3A SOD64 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-64, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 200 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: SOD-64 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 500 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 500 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW75TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 500V 3A 200ns 2-Pin SOD-64 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW76 | VISHAY | 09+ | на замовлення 20018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BYW76-TAP | VISHAY | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 100A; SOD64; 200ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching; glass passivated Kind of package: Ammo Pack Max. forward impulse current: 100A Case: SOD64 Max. forward voltage: 0.95V Reverse recovery time: 200ns | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW76-TAP | VISHAY | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 100A; SOD64; 200ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching; glass passivated Kind of package: Ammo Pack Max. forward impulse current: 100A Case: SOD64 Max. forward voltage: 0.95V Reverse recovery time: 200ns кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW76RAS15-10 | Vishay Semiconductors | Rectifiers AVALANCHE DIODE SOD64 STD-e2 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW76RAS15-10 | на замовлення 4800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
BYW76RAS15-10 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 600V 3A SOD64 Packaging: Bulk Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 200 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 3A Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW76RAS15-10-PH | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 600V 3A SOD64 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-64, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 200 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: SOD-64 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW76TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 600V 3A SOD64 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-64, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 200 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: SOD-64 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | на замовлення 1946 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW76TAP | Vishay | Diode Switching 600V 3A 2-Pin SOD-64 Ammo | на замовлення 6910 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW76TAP | Vishay | Rectifier Diode Switching 600V 3A 200ns 2-Pin SOD-64 Ammo | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BYW76TAP | Vishay | Diode Switching 600V 3A 2-Pin SOD-64 Ammo | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW76TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 600V 3A SOD64 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: SOD-64, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 200 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: SOD-64 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW76TAP | Vishay | Diode Switching 600V 3A 2-Pin SOD-64 Ammo | на замовлення 6910 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW76TAP | Vishay Semiconductors | Rectifiers 3.0 Amp 600 Volt 100 Amp IFSM | на замовлення 9261 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW76TAP Код товару: 26630 | Vishay | Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні Корпус: SOD-64 Uзвор., V: 600 V Iвипр., A: 3 A Опис: лавинний Швидкий 200 нс Монтаж: THT Падіння напруги Vf: 1,1 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW76TAP | Vishay | Diode Switching 600V 3A 2-Pin SOD-64 Ammo | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW76TR | Vishay Semiconductors | Rectifiers 3.0 Amp 600 Volt 100 Amp IFSM | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW76TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 600V 3A SOD64 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-64, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 200 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: SOD-64 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW76TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 600V 3A 200ns 2-Pin SOD-64 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW76TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 600V 3A 200ns 2-Pin SOD-64 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW77 | ST | 09+ HSOP10 | на замовлення 1001 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BYW77-150R | на замовлення 580 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
BYW77200 | на замовлення 280 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
BYW77G-200 | STMicroelectronics | Rectifier Diode Switching 200V 25A 50ns 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW77G-200-TR | STMicroelectronics | Rectifier Diode Switching 200V 25A 50ns 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW77G-200-TR | STMicroelectronics | Description: DIODE GEN PURP 200V 25A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 25A Supplier Device Package: D2PAK Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 40 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 200 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW77M200 | ST | 01+ SOP | на замовлення 988 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BYW77M200 | ST | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BYW77P-200 | STMicroelectronics | Rectifier Diode Switching 200V 25A 50ns 2-Pin(2+Tab) SOD-93 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW77P-200 | ST | SOD-93 | на замовлення 106 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BYW77P-200 | STMicroelectronics | Rectifiers 25 Amp 200 Volt | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW77P-200 | STMicroelectronics | Description: DIODE GEN PURP 200V 25A SOD93-2 Packaging: Tube Package / Case: SOD-93-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 25A Supplier Device Package: SOD-93-2 Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 40 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 200 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW77PI-200RG | STMicroelectronics | Rectifier Diode Switching 200V 25A 50ns 2-Pin(2+Tab) DOP3 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW77PI-200RG | STMicroelectronics | Description: DIODE GEN PURP 200V 25A DOP3I Packaging: Tube Package / Case: DOP3I-2 Insulated (Straight Leads) Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 25A Supplier Device Package: DOP3I Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 40 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 200 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW78-100 | на замовлення 280 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
BYW80 | onsemi | onsemi REC T0220 7A 200V ULTFST | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW80-100 | onsemi | Description: RECTIFIER DIODE, 8A, 100V, TO-22 Packaging: Bulk Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW80-150F | на замовлення 745 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
BYW80-200 | onsemi | Rectifiers 200V 8A UltraFast | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW80-200 | ONS | Диод БМ TO220 U=200 V I=8 A Ultrafast | на замовлення 826 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW80-200 Код товару: 29784 | ON | Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі Корпус: TO-220 Vrr, V: 200 V Iav, A: 8 A Час зворотнього відновлення Trr, ns: 35 ns | у наявності 27 шт: 11 шт - РАДІОМАГ-Київ3 шт - РАДІОМАГ-Львів 3 шт - РАДІОМАГ-Харків 8 шт - РАДІОМАГ-Одеса 2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
| ||||||||||||||||||
BYW80-200 | STMicroelectronics | Rectifier Diode Switching 200V 10A 35ns 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW80-200 | ON | TO-2202 10+ | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BYW80-200 | STMicroelectronics | Description: DIODE GEN PURP 200V 10A TO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW80-200 | ON Semiconductor | Rectifier Diode Switching 200V 8A 35ns 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Rail | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW80-200G | ON Semiconductor | Rectifier Diode Switching 200V 8A 35ns 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW80-200G | onsemi | Description: DIODE GEN PURP 200V 8A TO220-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-220-2 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 22 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V | на замовлення 430 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW80-200G | ONSEMI | Description: ONSEMI - BYW80-200G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 8 A, Einfach, 1.25 V, 35 ns, 100 A Bauform - Diode: TO-220B Durchlassstoßstrom: 100 Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.25 Sperrverzögerungszeit: 35 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8 Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200 Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: BYW80 Betriebstemperatur, max.: 175 SVHC: Lead (10-Jun-2022) | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW80-200G | ON Semiconductor | Rectifier Diode Switching 200V 8A 35ns 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW80-200G | onsemi | Rectifiers 200V 8A UltraFast | на замовлення 1750 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW80-200G | ONSEMI | Category: THT universal diodes Description: Diode: switching; THT; 200V; 8A; tube; Ifsm: 100A; TO220-2 Type of diode: switching Mounting: THT Max. off-state voltage: 200V Load current: 8A Max. load current: 16A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Kind of package: tube Max. forward impulse current: 100A Case: TO220-2 Heatsink thickness: 1.15...1.39mm кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 326 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW80-200G | ONSEMI | Category: THT universal diodes Description: Diode: switching; THT; 200V; 8A; tube; Ifsm: 100A; TO220-2 Type of diode: switching Mounting: THT Max. off-state voltage: 200V Load current: 8A Max. load current: 16A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Kind of package: tube Max. forward impulse current: 100A Case: TO220-2 Heatsink thickness: 1.15...1.39mm | на замовлення 326 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW80-200G Код товару: 101730 | Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
BYW80FP | ST | TO-220 | на замовлення 45 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BYW80FP-200 | STMicroelectronics | Description: DIODE GP 200V 10A TO220FPAC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-220FPAC Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW80PI-200 | ST | 09+ | на замовлення 218 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BYW80PI-200 | ST | TO220AC | на замовлення 190 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BYW81-200 | на замовлення 496 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
BYW81-200C2FY1 | STMicroelectronics | STMicroelectronics Aerospace 1 x 15 A and 2 x 15 A - 200 V fast recovery rectifier | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW81-200C2FYT | STMicroelectronics | STMicroelectronics Aerospace 1 x 15 A - 200 V fast recovery rectifier | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW81-200CFSY1 | STMicroelectronics | STMicroelectronics Aerospace 1 x 15 A and 2 x 15 A - 200 V fast recovery rectifier | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW81-200CFSYHRB | STMicroelectronics | STMicroelectronics Aerospace 1 x 15 A and 2 x 15 A - 200 V fast recovery rectifier | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW81-200FYT | STMicroelectronics | STMicroelectronics Aerospace 1 x 15 A - 200 V fast recovery rectifier | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW81-200S1 | STMicroelectronics | STMicroelectronics Aerospace 1 x 15 A - 200 V fast recovery rectifier | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW81-200SG | STMicroelectronics | Rectifier Diode Switching 200V 15A 40ns 3-Pin SMD-0.5 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW81-200SG | STMicroelectronics | STMicroelectronics Aerospace 1 x 15 A - 200 V fast recovery rectifier | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW81-200SHRB | STMicroelectronics | STMicroelectronics Aerospace 1 x 15 A and 2 x 15 A - 200 V fast recovery rectifier | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW81P-200 | STMicroelectronics | Rectifier Diode Switching 200V 15A 40ns 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW81P-200 | STMicroelectronics | Description: DIODE GEN PURP 200V 15A TO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 40 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 15A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 25 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 200 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW81P-200 Код товару: 46840 | Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
BYW81P-200 | STMicroelectronics | Rectifiers 15 Amp 200 Volt | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW81P200 | ST | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BYW81PI-200 | STMicroelectronics | Rectifiers | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW81PI-200RG | STMicroelectronics | Rectifiers 15 Amp 200 Volt | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW82-TAP | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 200V 3A SOD64 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW82-TAP | VISHAY | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 100A; SOD64; 7.5us Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 200V Load current: 3A Reverse recovery time: 7.5µs Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching; glass passivated Capacitance: 60pF Case: SOD64 Kind of package: Ammo Pack Max. forward impulse current: 100A Max. forward voltage: 1V Leakage current: 10µA кількість в упаковці: 2500 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW82-TAP | VISHAY | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 100A; SOD64; 7.5us Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 200V Load current: 3A Reverse recovery time: 7.5µs Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching; glass passivated Capacitance: 60pF Case: SOD64 Kind of package: Ammo Pack Max. forward impulse current: 100A Max. forward voltage: 1V Leakage current: 10µA | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW82-TAP | Vishay Semiconductors | Rectifiers 3.0 Amp 200 Volt 100 Amp IFSM | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW82-TR | Vishay Semiconductors | Rectifiers 3.0 Amp 200 Volt 100 Amp IFSM | на замовлення 5601 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW82-TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 200V 3A SOD64 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW83-TAP | Vishay | Rectifier Diode Switching 400V 3A 7500ns Automotive AEC-Q101 2-Pin SOD-64 Ammo | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW83-TAP | Vishay | Rectifier Diode Switching 400V 3A 7500ns Automotive AEC-Q101 2-Pin SOD-64 Ammo | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW83-TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 400V 3A SOD64 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-64, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 7.5 µs Technology: Avalanche Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: SOD-64 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW83-TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 400V 3A 7500ns Automotive AEC-Q101 2-Pin SOD-64 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW83-TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 400V 3A 7500ns Automotive 2-Pin SOD-64 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW83-TR | Vishay Semiconductors | Rectifiers 3.0 Amp 400 Volt 100 Amp IFSM | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW83TAP | Vishay | Rectifier Diode Switching 400V 3A 7500ns Automotive 2-Pin SOD-64 Ammo | на замовлення 6304 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BYW83TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 400V 3A SOD64 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: SOD-64, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 7.5 µs Technology: Avalanche Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: SOD-64 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW83TAP | Vishay Semiconductors | Rectifiers 3.0 Amp 400 Volt 100 Amp IFSM | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW83TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 400V 3A SOD64 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-64, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 7.5 µs Technology: Avalanche Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: SOD-64 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V | на замовлення 2470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW83TAP | VISHAY | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 100A; SOD64 Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.4kV Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching; glass passivated Kind of package: Ammo Pack Max. forward impulse current: 100A Case: SOD64 Max. forward voltage: 1V кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 174 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW83TAP | VISHAY | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 100A; SOD64 Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.4kV Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching; glass passivated Kind of package: Ammo Pack Max. forward impulse current: 100A Case: SOD64 Max. forward voltage: 1V | на замовлення 174 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW84-TAP | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 600V 3A SOD64 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW84-TAP | Vishay Semiconductors | Rectifiers 3.0 Amp 600 Volt 100 Amp IFSM | на замовлення 1414 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW84-TR | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 600V 3A SOD64 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW84-TR | Vishay Semiconductors | Rectifiers 3.0 Amp 600 Volt 100 Amp IFSM | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW85-TAP | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 800V 3A SOD64 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW85-TAP | Vishay Semiconductors | Rectifiers 3.0 Amp 800 Volt 100 Amp IFSM | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW85TR | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 800V 3A SOD64 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW85TR | Vishay Semiconductors | Rectifiers 3.0 Amp 800 Volt 100 Amp IFSM | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW86-TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 1KV 3A SOD64 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-64, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 7.5 µs Technology: Avalanche Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: SOD-64 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V | на замовлення 12827 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW86-TR Код товару: 161222 | Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
BYW86-TR | VISHAY | Description: VISHAY - BYW86-TR - Diode mit Standard-Erholzeit, Avalanche-Diode, 1 kV, 3 A, Einfach, 1 V, 7.5 µs, 100 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-64 Durchlassstoßstrom: 100A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: 7.5µs usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BYW86 Series productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 8049 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW86-TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 1KV 3A SOD64 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-64, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 7.5 µs Technology: Avalanche Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: SOD-64 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V | на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW86-TR | Vishay Semiconductors | Rectifiers 3.0 Amp 1000 Volt | на замовлення 3715 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW86-TR | VISHAY | Description: VISHAY - BYW86-TR - Diode mit Standard-Erholzeit, Avalanche-Diode, 1 kV, 3 A, Einfach, 1 V, 7.5 µs, 100 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-64 Durchlassstoßstrom: 100A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: 7.5µs usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BYW86 Series productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 8049 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW86GEG | Vishay Semiconductors | 1000V 3A SOD64 | на замовлення 30 шт: термін постачання 5 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BYW86TAP | Vishay Semiconductors | Rectifiers 1000 Volt 3.0 Amp 100 Amp IFSM | на замовлення 12400 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BYW86TAP | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 1KV 3A SOD64 | на замовлення 1045 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW86TAP | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 1KV 3A SOD64 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW86TAP | Vishay | Diode Switching 1KV 3A Automotive 2-Pin SOD-64 Ammo | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW88-1000M | на замовлення 749 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
BYW88100 | PHILIPS | на замовлення 660 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BYW881000M | ST | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BYW88100R | PHILIPS | на замовлення 600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BYW88200 | PHILIPS | на замовлення 660 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BYW88200R | PHILIPS | на замовлення 600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BYW88300 | PHILIPS | на замовлення 660 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BYW88300R | PHILIPS | на замовлення 600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BYW88400 | PHILIPS | на замовлення 660 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BYW88400R | PHILIPS | на замовлення 600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BYW8850 | PHILIPS | на замовлення 660 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BYW88500 | PHILIPS | на замовлення 660 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BYW88500R | PHILIPS | на замовлення 600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BYW8850R | PHILIPS | на замовлення 600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BYW88600 | PHILIPS | на замовлення 660 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BYW88600R | PHILIPS | на замовлення 600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BYW95A | EIC Semiconductor | Rectifier Diode Switching 200V 3A 250ns 2-Pin DO-201AD | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW95A,113 | NXP Semiconductors | Diode Switching 200V 3A 2-Pin GALF T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW95B | EIC Semiconductor | Rectifier Diode Switching 400V 3A 250ns 2-Pin DO-201AD | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW95C Код товару: 24065 | NXP | Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі Корпус: SOD64 Vrr, V: 600 V Iav, A: 3 A Час зворотнього відновлення Trr, ns: 250 ns | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW95C | EIC Semiconductor | Rectifier Diode Switching 600V 3A 250ns 2-Pin DO-201AD | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BYW95C,113 | NXP Semiconductors | Diode Switching 600V 3A 2-Pin GALF T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW96C | на замовлення 42000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
BYW96D | на замовлення 700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
BYW96D | EIC | Rectifier Diode Switching 800V 3A 300ns 2-Pin DO-201AD | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW96E | for Electronics Industry Public Company Limited | Rectifier Diode Switching 1KV 3A 300ns 2-Pin DO-201AD | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW96E | на замовлення 4788 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
BYW96E | EIC | Rectifier Diode Switching 1KV 3A 300ns 2-Pin DO-201AD | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW96E,112 | NXP Semiconductors | Diode Switching 1KV 3A 2-Pin GALF Bulk | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW96E,133 | NXP Semiconductors | Diode Switching 1KV 3A 2-Pin GALF Ammo | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW96E\A52R Код товару: 57564 | Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні Корпус: SOD-64 Uзвор., V: 1000 V Iвипр., A: 3 A Монтаж: THT | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
BYW97G | на замовлення 700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
BYW98-200 | STMicroelectronics | Diode Switching 200V 3A 2-Pin DO-201AD T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW98-200 | ST | 3A; 200V; fast <35ns; packaging: ammo; BYW98 diode rectifying DP BYW98-200 кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 300 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW98-200 | STMicroelectronics | Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 9 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW98-200 | ST | 3A; 200V; fast <35ns; packaging: ammo; BYW98 diode rectifying DP BYW98-200 кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 400 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYW98-200 | STMicroelectronics | Rectifiers 3.0 Amp 200 Volt | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW98-200 | STMicroelectronics | Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 9 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW98-200 Код товару: 86062 | ST | Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі Корпус: DO-201AD Vrr, V: 200 V Iav, A: 3 A Час зворотнього відновлення Trr, ns: 35 ns | у наявності 57 шт: 39 шт - РАДІОМАГ-Київ11 шт - РАДІОМАГ-Харків 7 шт - РАДІОМАГ-Одеса |
| ||||||||||||||||||
BYW98-200ESYHRB | STMicroelectronics | Rectifiers RECTIFIER | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW98-200RL | STMicroelectronics | Rectifier Diode Switching 200V 3A 35ns 2-Pin DO-201AD T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW98-200RL | STMicroelectronics | Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 9 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW98-200RL | STMicroelectronics | Rectifiers 3.0 Amp 200 Volt | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW99-P200 | ST | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BYW99P | ST | SOT-93 | на замовлення 139 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BYW99P-200 | STMicroelectronics | Rectifier Diode Switching 200V 15A 40ns 3-Pin(3+Tab) SOT-93 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW99P-200 | STMicroelectronics | Description: DIODE ARRAY GP 200V 15A SOT93 Packaging: Tube Package / Case: TO-218-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 40 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A Supplier Device Package: SOT-93 Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 850 mV @ 12 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 200 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW99P1200 | на замовлення 85 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
BYW99P200 | ST | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BYW99PI-200 | STMicroelectronics | Rectifiers | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW99PI-200RG | STMicroelectronics | Description: DIODE ARRAY GP 200V 15A TOP-3I Packaging: Tube Package / Case: TOP-3 Insulated Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 40 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A Supplier Device Package: TOP-3I Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 850 mV @ 12 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 200 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYW99W-200 | ST | 04+ TO247 | на замовлення 25 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BYW99W-200 | STMicroelectronics | Description: DIODE ARRAY GP 200V 15A TO247-3 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYWB-30 | на замовлення 1 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
BYWB29-100-E3/45 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 100 Volt 8.0A 25ns Single Glass Pass | на замовлення 384 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYWB29-100-E3/45 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYWB29-100-E3/45 | Vishay | Rectifier Diode Switching 100V 8A 25ns 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYWB29-100-E3/81 | Vishay | Diode Switching 100V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYWB29-100-E3/81 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 8.0 Amp 100 Volt | на замовлення 581 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYWB29-100-E3/81 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYWB29-100HE3/45 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 100 Volt 8.0A 25ns Single Glass Pass | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYWB29-100HE3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYWB29-100HE3/45 | Vishay | Diode Switching 100V 8A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYWB29-100HE3/81 | Vishay | Diode Switching 100V 8A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYWB29-100HE3/81 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 100 Volt 8.0A 25ns Single Glass Pass | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYWB29-100HE3/81 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYWB29-100HE3_A/I | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 100V 100A AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYWB29-100HE3_A/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYWB29-100HE3_A/P | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 100V 100A AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYWB29-100HE3_A/P | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYWB29-150-E3/45 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 150 Volt 8.0A 25ns Single Glass Pass | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYWB29-150-E3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 150V 8A TO263AB | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYWB29-150-E3/81 | Vishay | Rectifier Diode Switching 150V 8A 25ns 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYWB29-150-E3/81 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 8.0 Amp 150 Volt | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYWB29-150-E3/81 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 150V 8A TO263AB | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYWB29-150HE3/45 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 150 Volt 8.0A 25ns Single Glass Pass | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYWB29-150HE3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 150V 8A TO263AB | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYWB29-150HE3/81 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 150 Volt 8.0A 25ns Single Glass Pass | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYWB29-150HE3/81 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 150V 8A TO263AB | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYWB29-150HE3_A/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 150V 8A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 150 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYWB29-150HE3_A/P | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 150V 8A TO263AB Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 150 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYWB29-200 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 8A,200V,25NS,SINGLE UF RECT | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYWB29-200-E3/45 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYWB29-200-E3/45 | Vishay | Diode Switching 200V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYWB29-200-E3/45 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 200 Volt 8.0A 25ns Single Glass Pass | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYWB29-200-E3/45 | Vishay | Diode Switching 200V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYWB29-200-E3/81 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 8.0 Amp 200 Volt | на замовлення 321 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYWB29-200-E3/81 | Vishay | Diode Switching 200V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYWB29-200-E3/81 | Vishay | Diode Switching 200V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYWB29-200-E3/81 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V | на замовлення 954 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYWB29-200-E3/81 | Vishay | Diode Switching 200V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYWB29-200-E3/81 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYWB29-200HE3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYWB29-200HE3/45 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 200 Volt 8.0A 25ns Single Glass Pass | на замовлення 400 шт: термін постачання 93-102 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYWB29-200HE3/45 | Vishay | Diode Switching 200V 8A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYWB29-200HE3/81 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 200 Volt 8.0A 25ns Single Glass Pass | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYWB29-200HE3/81 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYWB29-200HE3_A/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYWB29-200HE3_A/I | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 200V 100A AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYWB29-200HE3_A/P | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 200V 100A AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYWB29-200HE3_A/P | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYWB29-50-E3/45 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 50 Volt 8.0A 25ns Single Glass Pass | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYWB29-50-E3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYWB29-50-E3/81 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYWB29-50-E3/81 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 8.0 Amp 50 Volt | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYWB29-50HE3/45 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 50 Volt 8.0A 25ns Single Glass Pass | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYWB29-50HE3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYWB29-50HE3/81 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYWB29-50HE3/81 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 50 Volt 8.0A 25ns Single Glass Pass | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYWB29-50HE3_A/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYWB29-50HE3_A/P | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYWE29-100-E3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 100V 8A TO220AC | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYWE29-100-E3/45 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 8.0 Amp 100 Volt | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYWE29-200-E3/45 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 8.0 Amp 200 Volt | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYWE29-200-E3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 8A TO220AC | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYWF29-100-E3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 100V 8A ITO220AC | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYWF29-100-E3/45 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 100 Volt 8.0A 25ns Single Glass Pass | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYWF29-100HE3/45 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 100 Volt 8.0A 25ns Single Glass Pass | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYWF29-100HE3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 100V 8A ITO220AC | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYWF29-100HE3_A/P | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 100V 8A ITO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: ITO-220AC Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYWF29-150-E3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 150V 8A ITO220AC | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYWF29-150-E3/45 | Vishay | Diode Switching 150V 8A 2-Pin(2+Tab) ITO-220AC Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYWF29-150-E3/45 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 8.0 Amp 150 Volt | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYWF29-150HE3/45 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 150 Volt 8.0A 25ns Single Glass Pass | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYWF29-150HE3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 150V 8A ITO220AC | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYWF29-150HE3_A/P | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 150V 8A ITO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: ITO-220AC Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 150 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYWF29-200-E3/45 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 8.0 Amp 200 Volt | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYWF29-200-E3/45 | Vishay | Diode Switching 200V 8A 2-Pin(2+Tab) ITO-220AC Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYWF29-200-E3/45 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 8A ITO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: ITO-220AC Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V | на замовлення 342 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYWF29-200HE3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 8A ITO220AC | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYWF29-200HE3/45 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 200 Volt 8.0A 25ns Single Glass Pass | на замовлення 479 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BYWF29-200HE3_A/P | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 200V 100A AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYWF29-200HE3_A/P | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 8A ITO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: ITO-220AC Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYWF29-50-E3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 50V 8A ITO220AC | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYWF29-50-E3/45 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 50 Volt 8.0A 25ns Single Glass Pass | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYWF29-50HE3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 50V 8A ITO220AC | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYWF29-50HE3/45 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 50 Volt 8.0A 25ns Single Glass Pass | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BYWF29-50HE3_A/P | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 50V 8A ITO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: ITO-220AC Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V | товар відсутній |