Продукція > C2M

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
C2M0025120DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 90A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 50A, 20V
Power Dissipation (Max): 463W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2788 pF @ 1000 V
на замовлення 373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6558.09 грн
30+ 5500.41 грн
120+ 5215.22 грн
C2M0025120DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C2M0025120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 90 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 463W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
на замовлення 418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6848.17 грн
5+ 6407.05 грн
10+ 5965.19 грн
50+ 5281.79 грн
C2M0025120DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 90A; 463W; TO247-3; 45ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC; Z-FET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 90A
Power dissipation: 463W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -10...25V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 161nC
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 45ns
товар відсутній
C2M0025120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
C2M0025120DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 90A; 463W; TO247-3; 45ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC; Z-FET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 90A
Power dissipation: 463W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -10...25V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 161nC
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 45ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
C2M0025120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+4828.29 грн
Мінімальне замовлення: 30
C2M0025120DWolfspeedMOSFET SIC MOSFET 1200V RDS ON 25 mOhm
на замовлення 306 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+7122.09 грн
10+ 6409.22 грн
30+ 5317.54 грн
60+ 5199.37 грн
120+ 5070.52 грн
C2M0025120D
Код товару: 117277		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
C2M0025120D-AWolfspeedC2M0025120D-A
товар відсутній
C2M0025120KWolfspeedC2M0025120K
товар відсутній
C2M0040120DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C2M0040120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
на замовлення 845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3564.13 грн
5+ 3347.69 грн
10+ 3131.25 грн
50+ 2707.31 грн
C2M0040120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2822.92 грн
C2M0040120DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 60A; 330W; TO247-3; 54ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC; Z-FET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 60A
Power dissipation: 330W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -10...25V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 54ns
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2700.62 грн
C2M0040120DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 60A; 330W; TO247-3; 54ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC; Z-FET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 60A
Power dissipation: 330W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -10...25V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 54ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 34 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+3240.75 грн
C2M0040120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+3040.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
C2M0040120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+3167.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
C2M0040120DWolfspeedMOSFET SiC Power MOSFET 1200V, 60A
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3572.73 грн
10+ 3422.65 грн
30+ 2735.21 грн
60+ 2693.15 грн
120+ 2563.63 грн
270+ 2541.6 грн
510+ 2540.27 грн
C2M0040120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+2585.24 грн
Мінімальне замовлення: 30
C2M0040120D
Код товару: 173103		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
C2M0040120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+2830.89 грн
Мінімальне замовлення: 30
C2M0040120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3242.24 грн
10+ 3016.24 грн
25+ 2926.41 грн
50+ 2786.98 грн
C2M0040120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+3491.64 грн
10+ 3248.25 грн
25+ 3151.52 грн
50+ 3001.36 грн
Мінімальне замовлення: 4
C2M0040120DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1893 pF @ 1000 V
на замовлення 1106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3413.01 грн
30+ 2888.1 грн
120+ 2688.92 грн
C2M0040120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+3167.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
C2M0040120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+2381.04 грн
Мінімальне замовлення: 30
C2M0045170D
Код товару: 125314		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
C2M0045170DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 72A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
C2M0045170DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1700V 72A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 50A, 20V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 18mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3672 pF @ 1000 V
товар відсутній
C2M0045170DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 72A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+5978.7 грн
Мінімальне замовлення: 30
C2M0045170DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C2M0045170D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 72 A, 1.7 kV, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 520W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8170.77 грн
5+ 8007.5 грн
10+ 7844.24 грн
C2M0045170DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 48A; 520W; TO247-3; 70ns
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 48A
On-state resistance: 45mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 520W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 188nC
Technology: C2M™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -5...20V
Mounting: THT
Case: TO247-3
Reverse recovery time: 70ns
товар відсутній
C2M0045170DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 48A; 520W; TO247-3; 70ns
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 48A
On-state resistance: 45mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 520W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 188nC
Technology: C2M™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -5...20V
Mounting: THT
Case: TO247-3
Reverse recovery time: 70ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
C2M0045170DWolfspeedMOSFET SiC Power MOSFET 1700V, 72A
на замовлення 353 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+8667.4 грн
30+ 7930.91 грн
60+ 6889.1 грн
120+ 6882.42 грн
270+ 6638.74 грн
510+ 6416.43 грн
1020+ 6399.74 грн
C2M0045170PWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 72A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Bulk
товар відсутній
C2M0045170PWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1700V 72A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 50A, 20V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 18mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3672 pF @ 1000 V
товар відсутній
C2M0045170PWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 72A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Bulk
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+5484.89 грн
Мінімальне замовлення: 30
C2M0045170PWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C2M0045170P - Siliziumkarbid-MOSFET, SiC, Eins, n-Kanal, 72 A, 1.7 kV, 0.045 ohm, TO-247 Plus
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 520W
Bauform - Transistor: TO-247 Plus
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: C2M
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6455.73 грн
5+ 6205.59 грн
10+ 5956.2 грн
50+ 5168.44 грн
C2M0045170PWolfspeedMOSFET DMOSFET 1.7kV 45mOHMS 4PLUS
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+8328.58 грн
30+ 7150.1 грн
270+ 5811.57 грн
C2M0080120DWolfspeedMOSFET ZFET 1X20A IDS 1200V ON 80MOHM SIC MOSFT
на замовлення 2055 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2117 грн
10+ 1854.13 грн
30+ 1504.13 грн
60+ 1458.07 грн
120+ 1410.67 грн
270+ 1316.53 грн
510+ 1211.05 грн
C2M0080120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+1856.59 грн
Мінімальне замовлення: 7
C2M0080120DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 36A; 208W; TO247-3; 32ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC; Z-FET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 36A
Power dissipation: 208W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -10...25V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 32ns
товар відсутній
C2M0080120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
C2M0080120DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 36A; 208W; TO247-3; 32ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC; Z-FET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 36A
Power dissipation: 208W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -10...25V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 32ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
C2M0080120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+1856.59 грн
Мінімальне замовлення: 7
C2M0080120DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 36A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 1000 V
на замовлення 1595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1949.88 грн
30+ 1556.6 грн
120+ 1459.31 грн
510+ 1168.64 грн
C2M0080120D
Код товару: 166109		Транзистори > Польові N-канальні
у наявності 3 шт:
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
C2M0080120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
C2M0080120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+2974.92 грн
5+ 2784.67 грн
10+ 2612.63 грн
20+ 2360.94 грн
50+ 2217.92 грн
100+ 2175.43 грн
250+ 2138.1 грн
Мінімальне замовлення: 4
C2M0080120DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C2M0080120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31.6 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 31.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
на замовлення 3482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2076.02 грн
5+ 1898.52 грн
10+ 1721.03 грн
50+ 1549.42 грн
100+ 1402.63 грн
C2M0080120DCree/WolfspeedN-канальний ПТ SIC MOSFET; Udss, В = 1 200; Id = 31,6 А; Ptot, Вт = 208; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 950 @ 1000; Qg, нКл = 49,2 @ 20; Rds = 98 мОм @ 20А, 20В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2.2 В @ 1 мА; TO-247-3
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+1484.85 грн
10+ 1385.87 грн
100+ 1286.88 грн
C2M0080170DWolfspeed / CreeMOSFET SIC MOSFET 1700V RDS ON 80OHM
товар відсутній
C2M0080170PCree/WolfspeedDescription: SICFET N-CH 1700V 40A TO247-4
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
C2M0080170P
Код товару: 162267		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
C2M0080170PWolfspeed / CreeMOSFET DMOSFET 1.7kV 80mOHMS 4PLUS
товар відсутній
C2M0080170PWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Bulk
товар відсутній
C2M0080170PWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Bulk
товар відсутній
C2M0160120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+688.97 грн
C2M0160120DCREEN-MOSFET 1200V 17.7A C2M0160120D Cree/Wolfspeed TC2M0160120D
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+584.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
C2M0160120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+741.97 грн
Мінімальне замовлення: 16
C2M0160120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+575.93 грн
Мінімальне замовлення: 21
C2M0160120DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C2M0160120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 19 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: C2M
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+930.16 грн
5+ 877.74 грн
10+ 824.57 грн
50+ 711.42 грн
100+ 654.13 грн
250+ 637.44 грн
C2M0160120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+581.82 грн
Мінімальне замовлення: 30
C2M0160120DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 17.7A; 125W; TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Technology: SiC; Z-FET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -10...25V
Case: TO247-3
Reverse recovery time: 23ns
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 17.7A
On-state resistance: 196mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 57 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1271.67 грн
2+ 890.88 грн
4+ 811.15 грн
C2M0160120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+659.24 грн
Мінімальне замовлення: 30
C2M0160120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+709.95 грн
Мінімальне замовлення: 30
C2M0160120DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 19A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 10A, 20V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.6 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 527 pF @ 800 V
на замовлення 1723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1060.88 грн
30+ 826.94 грн
120+ 778.3 грн
510+ 661.93 грн
C2M0160120DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 17.7A; 125W; TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Technology: SiC; Z-FET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -10...25V
Case: TO247-3
Reverse recovery time: 23ns
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 17.7A
On-state resistance: 196mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1059.73 грн
2+ 714.9 грн
4+ 675.96 грн
C2M0160120D
Код товару: 84501		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
C2M0160120DWolfspeedMOSFET SIC MOSFET 1200V RDS ON 160 mOhm
на замовлення 2964 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1151.97 грн
10+ 1000.38 грн
30+ 846.53 грн
60+ 799.13 грн
120+ 751.73 грн
270+ 728.37 грн
510+ 681.63 грн
C2M0160120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+534.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
C2M0280120DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C2M0280120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 10 A, 1.2 kV, 0.28 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+621.61 грн
5+ 593.9 грн
10+ 566.94 грн
50+ 500.71 грн
100+ 439.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
C2M0280120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+373.86 грн
Мінімальне замовлення: 30
C2M0280120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
C2M0280120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 2640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+465.47 грн
Мінімальне замовлення: 30
C2M0280120DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 10A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 370mOhm @ 6A, 20V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1.25mA (Typ)
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 259 pF @ 1000 V
на замовлення 14410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+740.95 грн
30+ 569.79 грн
120+ 509.8 грн
510+ 422.15 грн
1020+ 379.93 грн
C2M0280120D
Код товару: 173651		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
C2M0280120DWolfspeedMOSFET SIC MOSFET 1200V RDS ON 280 mOhm
на замовлення 6979 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+587.28 грн
10+ 549.71 грн
30+ 428.61 грн
120+ 427.27 грн
270+ 389.89 грн
510+ 371.19 грн
1020+ 370.53 грн
C2M0280120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
C2M0280120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 2640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+409.76 грн
Мінімальне замовлення: 30
C2M0280120DCREEN-MOSFET 1200V 10A C2M0280120D Wolfspeed TC2M0280120D
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+378.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
C2M1000170DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1700V 4.9A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 191 pF @ 1000 V
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+769.12 грн
30+ 591.02 грн
120+ 528.81 грн
C2M1000170DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 4.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 71100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+557.45 грн
Мінімальне замовлення: 450
C2M1000170DWolfspeedMOSFET SIC MOSFET 1700V RDS ON 1 Ohm
на замовлення 1330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+823.28 грн
10+ 695.59 грн
30+ 548.11 грн
120+ 504.05 грн
270+ 474.67 грн
510+ 444.63 грн
1020+ 399.9 грн
C2M1000170DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 4.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 1014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+487.55 грн
Мінімальне замовлення: 24
C2M1000170DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 4.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 71550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+463.66 грн
1800+ 463.59 грн
4500+ 463.52 грн
9000+ 446.89 грн
45000+ 410.1 грн
Мінімальне замовлення: 450
C2M1000170DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 4.9A; 69W; TO247-3; 20ns
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 13nC
Technology: SiC; Z-FET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -10...25V
Mounting: THT
Case: TO247-3
Reverse recovery time: 20ns
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 4.9A
On-state resistance: 1.1Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 78 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+676.73 грн
2+ 567.63 грн
5+ 516.57 грн
30+ 494.87 грн
C2M1000170DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 4.9A; 69W; TO247-3; 20ns
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 13nC
Technology: SiC; Z-FET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -10...25V
Mounting: THT
Case: TO247-3
Reverse recovery time: 20ns
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 4.9A
On-state resistance: 1.1Ω
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+563.94 грн
2+ 455.51 грн
5+ 430.47 грн
30+ 412.39 грн
C2M1000170DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 4.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+791.47 грн
17+ 715.96 грн
25+ 642.63 грн
50+ 613.96 грн
100+ 508.93 грн
Мінімальне замовлення: 15
C2M1000170DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 4.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+776.73 грн
10+ 695.89 грн
25+ 618.89 грн
50+ 590.78 грн
C2M1000170DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C2M1000170D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4.9 A, 1.7 kV, 0.95 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
на замовлення 1513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+836.55 грн
5+ 725.71 грн
10+ 614.87 грн
50+ 548 грн
100+ 484.66 грн
250+ 456.42 грн
C2M1000170DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 4.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 1803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+366.85 грн
Мінімальне замовлення: 30
C2M1000170DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 4.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 784 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+487.55 грн
Мінімальне замовлення: 24
C2M1000170DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 4.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+836.48 грн
16+ 749.42 грн
25+ 666.5 грн
50+ 636.23 грн
Мінімальне замовлення: 14
C2M1000170DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 4.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+734.94 грн
10+ 664.82 грн
25+ 596.73 грн
50+ 570.11 грн
100+ 438.3 грн
C2M1000170D 1700V 4.9A TO247
Код товару: 82643		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
C2M1000170JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 5.3A; 78W; D2PAK-7; 20ns
Power dissipation: 78W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 13nC
Technology: SiC; Z-FET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -10...25V
Mounting: SMD
Case: D2PAK-7
Reverse recovery time: 20ns
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 5.3A
On-state resistance: 1Ω
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+642.58 грн
2+ 520.88 грн
3+ 520.18 грн
5+ 491.67 грн
50+ 472.89 грн
C2M1000170JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5.3A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+570.01 грн
25+ 545.52 грн
50+ 524.74 грн
100+ 488.83 грн
250+ 438.89 грн
500+ 409.87 грн
Мінімальне замовлення: 21
C2M1000170JWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C2M1000170J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 5.3 A, 1.7 kV, 1 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
на замовлення 935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+762.41 грн
5+ 693.5 грн
10+ 623.85 грн
50+ 565.38 грн
100+ 458.98 грн
250+ 456.42 грн
C2M1000170JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5.3A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+430.6 грн
Мінімальне замовлення: 2
C2M1000170JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5.3A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+389.44 грн
Мінімальне замовлення: 50
C2M1000170JMACOMMOSFET SIC MOSFET 1700V RDS ON 1 Ohm
на замовлення 5927 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+771.87 грн
10+ 670.25 грн
25+ 567.47 грн
50+ 536.09 грн
100+ 504.05 грн
250+ 488.69 грн
500+ 456.65 грн
C2M1000170JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5.3A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+663.3 грн
100+ 583.03 грн
250+ 575.31 грн
500+ 490.52 грн
1000+ 396.45 грн
Мінімальне замовлення: 50
C2M1000170JCREEN-MOSFET 1700V 5.3A C2M1000170J-TR C2M1000170J Cree/Wolfspeed TC2M1000170J
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+392.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
C2M1000170JWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1700V 5.3A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-7 (Straight Leads)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 1000 V
на замовлення 828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+721.46 грн
50+ 562.35 грн
100+ 529.27 грн
500+ 450.14 грн
C2M1000170JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5.3A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+463.72 грн
Мінімальне замовлення: 26
C2M1000170J
Код товару: 144493		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
C2M1000170JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5.3A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
товар відсутній
C2M1000170JWolfspeedMOSFET SIC MOSFET 1700V RDS ON 1 Ohm
на замовлення 5671 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+739.94 грн
10+ 688.68 грн
25+ 589.5 грн
50+ 523.41 грн
100+ 474.01 грн
250+ 473.34 грн
500+ 405.91 грн
C2M1000170JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5.3A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+615.92 грн
100+ 541.39 грн
250+ 534.22 грн
500+ 455.49 грн
1000+ 368.13 грн
Мінімальне замовлення: 50
C2M1000170JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 5.3A; 78W; D2PAK-7; 20ns
Power dissipation: 78W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 13nC
Technology: SiC; Z-FET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -10...25V
Mounting: SMD
Case: D2PAK-7
Reverse recovery time: 20ns
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 5.3A
On-state resistance: 1Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+771.09 грн
2+ 649.09 грн
3+ 624.22 грн
5+ 590 грн
50+ 567.47 грн
C2M1000170J-TRWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1700V 5.3A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 1000 V
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+498.1 грн
Мінімальне замовлення: 800
C2M1000170J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5.3A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
товар відсутній
C2M1000170J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5.3A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+430.06 грн
Мінімальне замовлення: 800
C2M1000170J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5.3A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+391.78 грн
Мінімальне замовлення: 800
C2M1000170J-TRWolfspeedMOSFET SIC MOSFET 1700V RDS ON 1 Ohm
на замовлення 3528 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+771.87 грн
10+ 670.25 грн
25+ 567.47 грн
50+ 536.09 грн
100+ 504.05 грн
250+ 488.69 грн
500+ 456.65 грн
C2M10028ASI
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
C2M6028RASI
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
C2M7028RASI
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)