Продукція > DMP

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DMP-0.5 X 0.5 X 0.25Fotofab LLCDescription: SHIELD RF REMOVBL .5 X .5 X .25"
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DMP-0.5 X 1.0 X 0.25Fotofab LLCDescription: SHIELD RF REMOVBL .5 X 1 X .25"
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DMP-1.0 X 1.0 X 0.25Fotofab LLCDescription: SHIELD RF REMOVBL 1 X 1 X .25"
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DMP-1.0 X 1.5 X 0.25Fotofab LLCDescription: SHIELD RF REMOVBL 1 X 1.5 X .25"
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DMP-CLD-FULL-PDPMAdvantechDevelopment Software
товар відсутній
DMP-DDV1890U11
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DMP-VC2074S6
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DMP-VCX1652ST00D1652ACCEPTED
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DMP-VCX1668UT20DELTA2004
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DMP-VCX980S10ACCEPTEO
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DMP1-120125Acme Electric/Amveco/ActownDescription: AC/DC CONVERTER 12V 15W
товар відсутній
DMP1-12025Acme ElectricDescription: AC/DC DIN RAIL SUPPLY 12V 36W
Power (Watts): 36W
Features: Adjustable Output, Universal Input
Packaging: Box
Size / Dimension: 3.54" L x 0.90" W x 4.02" H (89.9mm x 22.9mm x 102.1mm)
Operating Temperature: -10°C ~ 50°C (With Derating)
Applications: Industrial, ITE (Commercial)
Input Type: AC
Approval Agency: CE, cULus
Efficiency: 84%
Current - Output (Max): 3A
Voltage - Output 1: 12V
Part Status: Active
Number of Outputs: 1
Standard Number: 60950-1; UL 508
AC Voltage - Input: 90 ~ 264 VAC
на замовлення 1194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1421.97 грн
DMP1-1204Acme Electric/Amveco/ActownDescription: AC/DC CONVERTER 12V 50W
товар відсутній
DMP1-1502Galco Industrial ElectronicsDescription: POWER SUPPLY, 15VDC, 2A, 1PH, 30
на замовлення 494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DMP1-24006Acme ElectricDescription: AC/DC DIN RAIL SUPPLY 24V 16W
Power (Watts): 16W
Features: Adjustable Output, Universal Input
Packaging: Box
Size / Dimension: 3.54" L x 0.90" W x 4.02" H (89.9mm x 22.9mm x 102.1mm)
Operating Temperature: -10°C ~ 50°C (With Derating)
Applications: Industrial, ITE (Commercial)
Input Type: AC
Approval Agency: CE, cULus
Efficiency: 81%
Current - Output (Max): 680mA
Voltage - Output 1: 24V
Part Status: Active
Number of Outputs: 1
Standard Number: 60950-1; UL 508
AC Voltage - Input: 90 ~ 264 VAC
на замовлення 678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9999.99 грн
DMP1-24006-ACMEAcme ElectricDescription: Power Supply, 24VDC, 0.625A, 1Ph
Packaging: Retail Package
Part Status: Active
на замовлення 677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9146.38 грн
DMP1-240125Acme Electric/Amveco/ActownDescription: AC/DC CONVERTER 24V 30W
товар відсутній
DMP1-2402Acme Electric/Amveco/ActownDescription: AC/DC CONVERTER 24V 50W
товар відсутній
DMP1-4801Acme Electric/Amveco/ActownDescription: AC/DC CONVERTER 48V 50W
товар відсутній
DMP1-4801-ACMEGalco Industrial ElectronicsDescription: Power Supply, 48VDC, 1A, 1Ph, 50
Packaging: Retail Package
Part Status: Active
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10083.76 грн
DMP1-504Acme Electric/Amveco/ActownDescription: AC/DC CONVERTER 5V 20W
товар відсутній
DMP1005UFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 26A 6UDFN
товар відсутній
DMP1005UFDF-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -10.3A; Idm: -70A; 2.1W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -10.3A
On-state resistance: 18.5mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.1W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 47nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -70A
Case: U-DFN2020-6
товар відсутній
DMP1005UFDF-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFETBVDSS: 8V-24V
товар відсутній
DMP1005UFDF-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -10.3A; Idm: -70A; 2.1W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -10.3A
On-state resistance: 18.5mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.1W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 47nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -70A
Case: U-DFN2020-6
кількість в упаковці: 10000 шт
товар відсутній
DMP1005UFDF-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 12V 12.8A 6-Pin UDFN EP T/R
товар відсутній
DMP1005UFDF-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -10.3A; Idm: -70A; 2.1W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -10.3A
On-state resistance: 18.5mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.1W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 47nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -70A
Case: U-DFN2020-6
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
DMP1005UFDF-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 12V 12.8A 6-Pin UDFN EP T/R
товар відсутній
DMP1005UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 26A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2475 pF @ 6 V
на замовлення 396112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+36.11 грн
10+ 29.76 грн
100+ 20.71 грн
500+ 15.17 грн
1000+ 12.33 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMP1005UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 26A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2475 pF @ 6 V
на замовлення 393000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.93 грн
6000+ 9.99 грн
9000+ 9.27 грн
30000+ 8.5 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP1005UFDF-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -10.3A; Idm: -70A; 2.1W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -10.3A
On-state resistance: 18.5mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.1W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 47nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -70A
Case: U-DFN2020-6
товар відсутній
DMP1005UFDF-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFETBVDSS: 8V-24V
на замовлення 64312 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+39.1 грн
10+ 30.71 грн
100+ 19.89 грн
500+ 15.62 грн
1000+ 12.75 грн
3000+ 9.88 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMP1007UCB9-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -8V; -7.8A; Idm: -80A; 1.53W
Case: U-WLB1515-9
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: -7.8A
On-state resistance: 9.1mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.53W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 8.2nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±6V
Pulsed drain current: -80A
Drain-source voltage: -8V
товар відсутній
DMP1007UCB9-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 8V 13.2A U-WLB1515-9
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 840mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1515-9 (Type C)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 4 V
на замовлення 166716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+52.72 грн
10+ 43.74 грн
100+ 30.27 грн
500+ 23.73 грн
1000+ 20.2 грн
Мінімальне замовлення: 6
DMP1007UCB9-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
товар відсутній
DMP1007UCB9-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -8V; -7.8A; Idm: -80A; 1.53W
Case: U-WLB1515-9
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: -7.8A
On-state resistance: 9.1mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.53W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 8.2nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±6V
Pulsed drain current: -80A
Drain-source voltage: -8V
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
DMP1007UCB9-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 8V 13.2A U-WLB1515-9
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 840mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1515-9 (Type C)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 4 V
на замовлення 165000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.91 грн
6000+ 18.16 грн
9000+ 16.81 грн
30000+ 15.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP1008UCA9-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DSN1515-
товар відсутній
DMP1008UCA9-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
товар відсутній
DMP1008UCB9-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP1008UCB9-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 9.8 A, 0.0047 ohm, U-WLB1515, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 840mW
Bauform - Transistor: U-WLB1515
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm
на замовлення 2615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.96 грн
500+ 21.35 грн
1000+ 14.51 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMP1008UCB9-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V U-WLB1515-9
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 840mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1515-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 4 V
товар відсутній
DMP1008UCB9-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V U-WLB1515-9 T&R 3K
товар відсутній
DMP1008UCB9-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP1008UCB9-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 9.8 A, 0.0047 ohm, U-WLB1515, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 840mW
Bauform - Transistor: U-WLB1515
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm
на замовлення 2615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+50.93 грн
19+ 40.59 грн
100+ 26.96 грн
500+ 21.35 грн
1000+ 14.51 грн
Мінімальне замовлення: 15
DMP1009UFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 15A UDFN2020-6
товар відсутній
DMP1009UFDF-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFETBVDSS: 8V-24V
товар відсутній
DMP1009UFDF-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -12A; Idm: -70A; 2W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -12A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 44nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -70A
Case: U-DFN2020-6
кількість в упаковці: 10000 шт
товар відсутній
DMP1009UFDF-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 11A 6-Pin UDFN EP T/R
товар відсутній
DMP1009UFDF-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 12V 11A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 350000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+8.65 грн
Мінімальне замовлення: 10000
DMP1009UFDF-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -12A; Idm: -70A; 2W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -12A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 44nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -70A
Case: U-DFN2020-6
товар відсутній
DMP1009UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 11A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP1009UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 11A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 1355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
447+26.22 грн
586+ 19.99 грн
592+ 19.79 грн
754+ 14.97 грн
1000+ 10.73 грн
Мінімальне замовлення: 447
DMP1009UFDF-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 12V 11A 6-Pin UDFN EP T/R
товар відсутній
DMP1009UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 15A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 10 V
на замовлення 156255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.33 грн
11+ 25.45 грн
100+ 17.69 грн
500+ 12.96 грн
1000+ 10.54 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMP1009UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 11A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 1355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+32.04 грн
23+ 26.29 грн
25+ 24.35 грн
100+ 17.9 грн
250+ 16.41 грн
500+ 12.36 грн
1000+ 9.56 грн
Мінімальне замовлення: 19
DMP1009UFDF-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -12A; Idm: -70A; 2W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -12A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 44nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -70A
Case: U-DFN2020-6
товар відсутній
DMP1009UFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP1009UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 11 A, 0.0083 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0083ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0083ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+36.55 грн
25+ 30.56 грн
100+ 20.45 грн
500+ 14.88 грн
1000+ 10.66 грн
Мінімальне замовлення: 21
DMP1009UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 11A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP1009UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 15A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 10 V
на замовлення 156000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.42 грн
6000+ 9.53 грн
9000+ 8.84 грн
30000+ 8.11 грн
75000+ 7.9 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP1009UFDF-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFETBVDSS: 8V-24V
на замовлення 31847 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.34 грн
13+ 25.34 грн
100+ 16.56 грн
500+ 13.42 грн
1000+ 10.88 грн
3000+ 9.21 грн
9000+ 8.48 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMP1009UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 11A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP1009UFDF-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -12A; Idm: -70A; 2W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -12A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 44nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -70A
Case: U-DFN2020-6
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMP1009UFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP1009UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 11 A, 0.0083 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 2W
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0083ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.45 грн
500+ 14.88 грн
1000+ 10.66 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMP1009UFDFQ-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6 T&R 10K
товар відсутній
DMP1009UFDFQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6
товар відсутній
DMP1009UFDFQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -12A; Idm: -70A; 2W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -12A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 44nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -70A
Case: U-DFN2020-6
товар відсутній
DMP1009UFDFQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 11A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+43.33 грн
10+ 35.4 грн
100+ 24.61 грн
500+ 18.03 грн
1000+ 14.66 грн
Мінімальне замовлення: 7
DMP1009UFDFQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -12A; Idm: -70A; 2W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -12A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 44nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -70A
Case: U-DFN2020-6
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
DMP1009UFDFQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 11A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.5 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP1009UFDFQ-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 12V 11A Automotive 6-Pin UDFN EP T/R
товар відсутній
DMP1009UFDFQ-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 19685 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+45.64 грн
10+ 38.39 грн
100+ 23.23 грн
500+ 18.16 грн
1000+ 14.75 грн
3000+ 12.48 грн
9000+ 12.02 грн
Мінімальне замовлення: 7
DMP1010UCA4-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DSN1212-4 T&R 3K
товар відсутній
DMP1011LFV-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 19A 8-Pin PowerDI EP T/R
товар відсутній
DMP1011LFV-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -10A; Idm: -70A; 2.16W
Mounting: SMD
Power dissipation: 2.16W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 9.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±6V
Pulsed drain current: -70A
Case: PowerDI3333-8
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -10A
On-state resistance: 18.6mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
DMP1011LFV-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFETBVDSS: 8V-24V
товар відсутній
DMP1011LFV-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -10A; Idm: -70A; 2.16W
Mounting: SMD
Power dissipation: 2.16W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 9.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±6V
Pulsed drain current: -70A
Case: PowerDI3333-8
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -10A
On-state resistance: 18.6mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
товар відсутній
DMP1011LFV-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 19A POWERDI3333
товар відсутній
DMP1011LFV-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -10A; Idm: -70A; 2.16W
Mounting: SMD
Power dissipation: 2.16W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 9.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±6V
Pulsed drain current: -70A
Case: PowerDI3333-8
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -10A
On-state resistance: 18.6mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
товар відсутній
DMP1011LFV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 19A POWERDI3333
товар відсутній
DMP1011LFV-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 19A 8-Pin PowerDI EP T/R
товар відсутній
DMP1011LFV-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -10A; Idm: -70A; 2.16W
Mounting: SMD
Power dissipation: 2.16W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 9.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±6V
Pulsed drain current: -70A
Case: PowerDI3333-8
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -10A
On-state resistance: 18.6mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
DMP1011LFV-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFETBVDSS: 8V-24V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+52.19 грн
10+ 45.37 грн
100+ 26.9 грн
500+ 22.5 грн
1000+ 19.09 грн
2000+ 16.89 грн
Мінімальне замовлення: 6
DMP1011LFVQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.05W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 913 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
DMP1011LFVQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.05W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 913 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+12.97 грн
6000+ 11.86 грн
10000+ 11.01 грн
50000+ 9.84 грн
Мінімальне замовлення: 2000
DMP1011UCB9-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP1011UCB9-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 10 A, 0.0082 ohm, U-WLB1515, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 890mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 890mW
Bauform - Transistor: U-WLB1515
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0082ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+67.93 грн
14+ 57.52 грн
100+ 40.52 грн
500+ 29.69 грн
1000+ 21.95 грн
3000+ 19.84 грн
Мінімальне замовлення: 12
DMP1011UCB9-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 8V 10A U-WLB1515-9
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 890mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1515-9
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 4 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.16 грн
6000+ 19.31 грн
9000+ 17.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP1011UCB9-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 8V 10A 9-Pin UWLP T/R
товар відсутній
DMP1011UCB9-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -8V; -6A; Idm: -50A; 1.57W
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.57W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 10.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±6V
Pulsed drain current: -50A
Case: U-WLB1515-9
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -6A
On-state resistance: 14mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
DMP1011UCB9-7Diodes IncorporatedMOSFET P-Ch Enh Mode FET
на замовлення 5880 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+60.13 грн
10+ 52.51 грн
100+ 33.85 грн
500+ 27.17 грн
1000+ 22.16 грн
3000+ 19.96 грн
6000+ 19.56 грн
Мінімальне замовлення: 6
DMP1011UCB9-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP1011UCB9-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 10 A, 0.0082 ohm, U-WLB1515, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 890mW
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+40.52 грн
500+ 29.69 грн
1000+ 21.95 грн
3000+ 19.84 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMP1011UCB9-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 8V 10A U-WLB1515-9
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 890mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1515-9
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 4 V
на замовлення 15039 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.33 грн
10+ 46.52 грн
100+ 32.18 грн
500+ 25.23 грн
1000+ 21.47 грн
Мінімальне замовлення: 6
DMP1011UCB9-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -8V; -6A; Idm: -50A; 1.57W
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.57W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 10.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±6V
Pulsed drain current: -50A
Case: U-WLB1515-9
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -6A
On-state resistance: 14mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
товар відсутній
DMP1012UCB9-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 8V 10A U-WLB1515-9
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 890mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1515-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 4 V
товар відсутній
DMP1012UCB9-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -8V; -6A; Idm: -50A; 1.57W
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.57W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 10.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±6V
Pulsed drain current: -50A
Case: U-WLB1515-9
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -6A
On-state resistance: 14mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
товар відсутній
DMP1012UCB9-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -8V; -6A; Idm: -50A; 1.57W
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.57W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 10.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±6V
Pulsed drain current: -50A
Case: U-WLB1515-9
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -6A
On-state resistance: 14mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
DMP1012UCB9-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET
товар відсутній
DMP1012UFDF-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -12.6A; Idm: -55A; 1.36W
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.36W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 31nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -55A
Case: U-DFN2020-6
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -12.6A
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
товар відсутній
DMP1012UFDF-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP1012UFDF-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 20 A, 0.011 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.11W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
на замовлення 9995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+54.67 грн
20+ 39.02 грн
100+ 23.37 грн
500+ 17.32 грн
1000+ 11.49 грн
5000+ 10.78 грн
Мінімальне замовлення: 14
DMP1012UFDF-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -12.6A; Idm: -55A; 1.36W
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.36W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 31nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -55A
Case: U-DFN2020-6
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -12.6A
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 10000 шт
товар відсутній
DMP1012UFDF-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 12V 20A 6-Pin UDFN EP T/R
товар відсутній
DMP1012UFDF-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
товар відсутній
DMP1012UFDF-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP1012UFDF-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 20 A, 0.011 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.11W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
на замовлення 9995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.37 грн
500+ 17.32 грн
1000+ 11.49 грн
5000+ 10.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMP1012UFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 12.6A/20A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 720mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1344 pF @ 10 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+10.65 грн
Мінімальне замовлення: 10000
DMP1012UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 12.6A/20A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 720mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1344 pF @ 10 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.33 грн
12+ 25.24 грн
100+ 17.54 грн
500+ 12.85 грн
1000+ 10.44 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMP1012UFDF-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 12V 20A 6-Pin UDFN EP T/R
товар відсутній
DMP1012UFDF-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 2454 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.34 грн
11+ 28.1 грн
100+ 18.29 грн
500+ 14.42 грн
1000+ 11.08 грн
3000+ 9.35 грн
9000+ 9.28 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMP1012UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 12.6A/20A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 720mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1344 pF @ 10 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.33 грн
6000+ 9.44 грн
9000+ 8.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP1012UFDF-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -12.6A; Idm: -55A; 1.36W
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.36W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 31nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -55A
Case: U-DFN2020-6
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -12.6A
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
товар відсутній
DMP1012UFDF-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -12.6A; Idm: -55A; 1.36W
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.36W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 31nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -55A
Case: U-DFN2020-6
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -12.6A
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMP1012USS-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
товар відсутній
DMP1012USSQ-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V SO-8 T&R 2.5K
на замовлення 2443 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+36.92 грн
11+ 29.41 грн
100+ 17.42 грн
1000+ 9.81 грн
2500+ 8.41 грн
10000+ 7.88 грн
25000+ 7.21 грн
Мінімальне замовлення: 9
DMP1018UCB9-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 7.6A U-WLB1515-9
товар відсутній
DMP1022UFDE-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 9.1A 6UDFN
товар відсутній
DMP1022UFDE-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 12V 9.1A 6-Pin UDFN EP T/R
товар відсутній
DMP1022UFDE-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 9.1A 6UDFN
товар відсутній
DMP1022UFDE-7Diodes IncorporatedMOSFET 12V P-CH ENH Mode 16mOhm 4.5V -9.1A
на замовлення 531000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
DMP1022UFDEQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 9.1A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2953 pF @ 4 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
DMP1022UFDEQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -9A; Idm: -90A; 1.3W
Mounting: SMD
Case: U-DFN2020-6
Pulsed drain current: -90A
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -9A
On-state resistance: 0.16Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 42.6nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
товар відсутній
DMP1022UFDEQ-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 12V 9.1A Automotive 6-Pin UDFN EP T/R
товар відсутній
DMP1022UFDEQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 9.1A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2953 pF @ 4 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
DMP1022UFDEQ-7Diodes IncorporatedMOSFET 12V P-CH MOSFET
на замовлення 2799 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.82 грн
10+ 41.46 грн
100+ 24.97 грн
500+ 20.83 грн
1000+ 17.76 грн
3000+ 15.76 грн
6000+ 15.69 грн
Мінімальне замовлення: 7
DMP1022UFDEQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -9A; Idm: -90A; 1.3W
Mounting: SMD
Case: U-DFN2020-6
Pulsed drain current: -90A
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -9A
On-state resistance: 0.16Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 42.6nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
DMP1022UFDF-13Diodes IncorporatedMOSFET 12V P-Ch Enh Mode 8Vgss 2712pF 28.6nC
товар відсутній
DMP1022UFDF-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -8.8A; Idm: -90A; 1.3W
Mounting: SMD
Case: U-DFN2020-6
Pulsed drain current: -90A
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -8.8A
On-state resistance: 32mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 48.3nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 10000 шт
товар відсутній
DMP1022UFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 9.5A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.8mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 730mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2712 pF @ 10 V
на замовлення 170000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+11.13 грн
30000+ 10.47 грн
50000+ 10.2 грн
Мінімальне замовлення: 10000
DMP1022UFDF-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -8.8A; Idm: -90A; 1.3W
Mounting: SMD
Case: U-DFN2020-6
Pulsed drain current: -90A
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -8.8A
On-state resistance: 32mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 48.3nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
товар відсутній
DMP1022UFDF-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 12V 9.5A 6-Pin UDFN EP T/R
товар відсутній
DMP1022UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 9.5A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.3mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 730mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48.3 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2712 pF @ 10 V
на замовлення 321000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.62 грн
6000+ 10.62 грн
9000+ 9.86 грн
30000+ 9.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP1022UFDF-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -8.8A; Idm: -90A; 1.3W
Mounting: SMD
Case: U-DFN2020-6
Pulsed drain current: -90A
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -8.8A
On-state resistance: 32mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 48.3nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
товар відсутній
DMP1022UFDF-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 12V 9.5A 6-Pin UDFN EP T/R
товар відсутній
DMP1022UFDF-7Diodes IncorporatedMOSFET 12V P-Ch Enh Mode 19Vgs 2712pF 28.6nC
на замовлення 48144 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+23.91 грн
15+ 20.65 грн
100+ 13.75 грн
500+ 11.88 грн
1000+ 10.21 грн
3000+ 9.55 грн
Мінімальне замовлення: 14
DMP1022UFDF-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -8.8A; Idm: -90A; 1.3W
Mounting: SMD
Case: U-DFN2020-6
Pulsed drain current: -90A
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -8.8A
On-state resistance: 32mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 48.3nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMP1022UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 9.5A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.3mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 730mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48.3 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2712 pF @ 10 V
на замовлення 321330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+34.66 грн
10+ 28.37 грн
100+ 19.73 грн
500+ 14.46 грн
1000+ 11.75 грн
Мінімальне замовлення: 9
DMP1022UWS-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
товар відсутній
DMP1022UWS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 7.2A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN3020-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2847 pF @ 4 V
товар відсутній
DMP1022UWS-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 7.2A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN3020-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2847 pF @ 4 V
товар відсутній
DMP1022UWS-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
товар відсутній
DMP1045Uams OSRAMams OSRAM
товар відсутній
DMP1045UDiodes IncorporatedMOSFET
товар відсутній
DMP1045UDIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP1045U - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, p-Kanal, 12 V, 5.2 A, 0.026 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+31.16 грн
41+ 18.65 грн
100+ 9.59 грн
500+ 7.37 грн
1000+ 5.39 грн
Мінімальне замовлення: 25
DMP1045U-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -3.1A; 0.8W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -3.1A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
35+11.53 грн
60+ 6.26 грн
100+ 5.56 грн
175+ 4.8 грн
470+ 4.52 грн
Мінімальне замовлення: 35
DMP1045U-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 12V 5.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP1045U-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP1045U-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4 A, 0.026 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
на замовлення 2981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+19.02 грн
52+ 14.45 грн
100+ 9.81 грн
500+ 7.02 грн
1500+ 6.36 грн
Мінімальне замовлення: 40
DMP1045U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 4A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1357 pF @ 10 V
на замовлення 11440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+28.89 грн
14+ 19.89 грн
100+ 10.01 грн
500+ 8.33 грн
1000+ 6.48 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMP1045U-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -3.1A; 0.8W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -3.1A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
20+13.84 грн
35+ 7.8 грн
100+ 6.68 грн
175+ 5.76 грн
470+ 5.42 грн
Мінімальне замовлення: 20
DMP1045U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 5.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.27 грн
6000+ 5.22 грн
9000+ 4.45 грн
24000+ 4.25 грн
30000+ 3.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP1045U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 4A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1357 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.42 грн
6000+ 6.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP1045U-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS
на замовлення 161647 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+28.27 грн
18+ 17.35 грн
100+ 8.21 грн
1000+ 6.61 грн
3000+ 5.61 грн
9000+ 4.67 грн
24000+ 4.54 грн
Мінімальне замовлення: 12
DMP1045U-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP1045U-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4 A, 0.026 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 800mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.026ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
на замовлення 2981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+9.81 грн
500+ 7.02 грн
1500+ 6.36 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMP1045U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 5.2A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
DMP1045U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 5.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.73 грн
6000+ 5.67 грн
9000+ 4.84 грн
24000+ 4.63 грн
30000+ 3.5 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP1045U-7 15P.DIODES/ZETEXTrans MOSFET P-CH 12V 5.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R DMP1045U-7 TDMP1045U-7 Diodes
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+6.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMP1045UCB4-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-WLB0808-4 T&R 3K
товар відсутній
DMP1045UCB4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 2.6A X2-WLB0808
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 530mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-WLB0808-4 (Type C)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 6 V
товар відсутній
DMP1045UFY4-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP1045UFY4-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 5.5 A, 0.026 ohm, X2-DFN2015, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: X2-DFN2015
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.71 грн
500+ 10.99 грн
1000+ 8.54 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMP1045UFY4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 5.5A DFN2015H4-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2015H4-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.7 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1291 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.53 грн
6000+ 7.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP1045UFY4-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -5.1A; Idm: -25A; 1.1W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5.1A
Pulsed drain current: -25A
Power dissipation: 1.1W
Case: X2-DFN2015-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
14+20.4 грн
21+ 12.91 грн
30+ 11.02 грн
96+ 10.24 грн
100+ 9.93 грн
263+ 9.68 грн
500+ 9.35 грн
Мінімальне замовлення: 14
DMP1045UFY4-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 5.5A 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP1045UFY4-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -5.1A; Idm: -25A; 1.1W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5.1A
Pulsed drain current: -25A
Power dissipation: 1.1W
Case: X2-DFN2015-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
23+17 грн
34+ 10.36 грн
38+ 9.18 грн
96+ 8.53 грн
100+ 8.28 грн
263+ 8.07 грн
500+ 7.79 грн
Мінімальне замовлення: 23
DMP1045UFY4-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 12V 5.5A 3-Pin X2-DFN T/R
товар відсутній
DMP1045UFY4-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS
на замовлення 17726 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+34.04 грн
12+ 26.26 грн
100+ 12.22 грн
1000+ 8.61 грн
3000+ 6.68 грн
9000+ 6.54 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMP1045UFY4-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP1045UFY4-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 5.5 A, 0.026 ohm, X2-DFN2015, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: X2-DFN2015
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+37.52 грн
27+ 28.68 грн
100+ 13.71 грн
500+ 10.99 грн
1000+ 8.54 грн
Мінімальне замовлення: 20
DMP1045UFY4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 5.5A DFN2015H4-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2015H4-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.7 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1291 pF @ 10 V
на замовлення 6801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.05 грн
12+ 23.64 грн
100+ 14.17 грн
500+ 12.31 грн
1000+ 8.37 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMP1045UQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP1045UQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4 A, 0.026 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+28.46 грн
50+ 22.17 грн
100+ 15.8 грн
500+ 7.72 грн
1500+ 7 грн
Мінімальне замовлення: 27
DMP1045UQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 5.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
DMP1045UQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 4A SOT23 T&R 3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1357 pF @ 10 V
на замовлення 13050745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.78 грн
13+ 22.11 грн
100+ 11.13 грн
500+ 9.26 грн
1000+ 7.21 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMP1045UQ-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 12V 5.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
DMP1045UQ-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 124106 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+34.04 грн
15+ 21.73 грн
100+ 9.55 грн
1000+ 7.41 грн
3000+ 5.67 грн
9000+ 4.81 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMP1045UQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP1045UQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4 A, 0.026 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 800mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.026ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+15.8 грн
500+ 7.72 грн
1500+ 7 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMP1045UQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 4A SOT23 T&R 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1357 pF @ 10 V
на замовлення 13050000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.14 грн
6000+ 6.72 грн
9000+ 5.95 грн
30000+ 5.51 грн
75000+ 4.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP1045UQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 5.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 13047000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP1046UFDB-13Diodes IncorporatedMOSFET 20V P-Ch Enh Mode 8Vgs 915pF 10.7nC
на замовлення 77012 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+34.74 грн
12+ 26.79 грн
100+ 12.48 грн
1000+ 8.14 грн
2500+ 7.81 грн
10000+ 6.68 грн
Мінімальне замовлення: 9
DMP1046UFDB-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -4A; Idm: -15A; 2.2W
Case: U-DFN2020-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: -4A
On-state resistance: 0.115Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 17.9nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -15A
Drain-source voltage: -12V
кількість в упаковці: 10000 шт
товар відсутній
DMP1046UFDB-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -4A; Idm: -15A; 2.2W
Case: U-DFN2020-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: -4A
On-state resistance: 0.115Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 17.9nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -15A
Drain-source voltage: -12V
товар відсутній
DMP1046UFDB-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 12V 3.8A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 915pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 3.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.9nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
на замовлення 18950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.78 грн
12+ 23.78 грн
100+ 14.28 грн
500+ 12.41 грн
1000+ 8.44 грн
2000+ 7.77 грн
5000+ 7.32 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMP1046UFDB-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 12V 3.8A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 915pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 3.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.9nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+7.42 грн
Мінімальне замовлення: 10000
DMP1046UFDB-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 3.8A 6-Pin UDFN EP T/R
товар відсутній
DMP1046UFDB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 12V 3.8A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 915pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 3.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.9nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Part Status: Active
на замовлення 68845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.33 грн
13+ 23.02 грн
100+ 13.8 грн
500+ 11.99 грн
1000+ 8.15 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMP1046UFDB-7Diodes IncorporatedMOSFET 20V P-Ch Enh Mode 8Vgs 915pF 10.7nC
на замовлення 6346 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+35.13 грн
11+ 28.1 грн
100+ 16.62 грн
500+ 12.48 грн
1000+ 9.35 грн
3000+ 8.55 грн
9000+ 7.48 грн
Мінімальне замовлення: 9
DMP1046UFDB-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 12V 3.8A 6-Pin UDFN EP T/R
товар відсутній
DMP1046UFDB-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 3.8A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 3014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+24.81 грн
29+ 20.45 грн
30+ 19.39 грн
100+ 12.64 грн
250+ 11.5 грн
500+ 10.28 грн
1000+ 7.24 грн
3000+ 5.99 грн
Мінімальне замовлення: 24
DMP1046UFDB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 12V 3.8A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 915pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 3.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.9nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Part Status: Active
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.31 грн
6000+ 7.67 грн
9000+ 6.9 грн
30000+ 6.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP1055UFDB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2PCH 12V 3.9A UDFN2020
товар відсутній
DMP1055UFDB-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 1428 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+45.41 грн
10+ 37.31 грн
100+ 24.23 грн
500+ 19.49 грн
1000+ 15.09 грн
3000+ 13.35 грн
9000+ 13.02 грн
Мінімальне замовлення: 7
DMP1055UFDB-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -4A; Idm: -25A; 1.89W
Case: U-DFN2020-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: -4A
On-state resistance: 0.215Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.89W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 20.8nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -25A
Drain-source voltage: -12V
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
DMP1055UFDB-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -4A; Idm: -25A; 1.89W
Case: U-DFN2020-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: -4A
On-state resistance: 0.215Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.89W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 20.8nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -25A
Drain-source voltage: -12V
товар відсутній
DMP1055USW-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -3A; Idm: -20A; 1.03W; SOT363
Case: SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: -3A
On-state resistance: 0.15Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.03W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 20.8nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -20A
Drain-source voltage: -12V
кількість в упаковці: 10000 шт
товар відсутній
DMP1055USW-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -3A; Idm: -20A; 1.03W; SOT363
Case: SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: -3A
On-state resistance: 0.15Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.03W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 20.8nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -20A
Drain-source voltage: -12V
товар відсутній
DMP1055USW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 3.8A SOT363
товар відсутній
DMP1055USW-13Diodes IncorporatedMOSFET Dual P-Ch Enh FET Vdss -12V 8Vgss
товар відсутній
DMP1055USW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 3.8A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1028 pF @ 6 V
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.3 грн
6000+ 6.74 грн
9000+ 6.06 грн
30000+ 5.6 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP1055USW-7Diodes IncorporatedMOSFET Dual P-Ch Enh FET Vdss -12V 8Vgss
на замовлення 3613 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+28.27 грн
15+ 21.88 грн
100+ 10.35 грн
1000+ 7.21 грн
3000+ 6.61 грн
9000+ 6.08 грн
24000+ 6.01 грн
Мінімальне замовлення: 12
DMP1055USW-7Diodes IncP-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP1055USW-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -3A; Idm: -20A; 1.03W; SOT363
Case: SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: -3A
On-state resistance: 0.15Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.03W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 20.8nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -20A
Drain-source voltage: -12V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMP1055USW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 3.8A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1028 pF @ 6 V
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+26.72 грн
14+ 20.17 грн
100+ 12.12 грн
500+ 10.53 грн
1000+ 7.16 грн
Мінімальне замовлення: 11
DMP1055USW-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -3A; Idm: -20A; 1.03W; SOT363
Case: SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: -3A
On-state resistance: 0.15Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.03W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 20.8nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -20A
Drain-source voltage: -12V
товар відсутній
DMP1070UCA3-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 3.6A X4DSN0607-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 710mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: X4-DSN0607-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.45 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 147 pF @ 6 V
товар відсутній
DMP1070UCA3-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
товар відсутній
DMP1080UCB4-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 12V 3.3A 4-Pin U-WLB T/R
товар відсутній
DMP1080UCB4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 3.3A U-WLB1010-4
на замовлення 72147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DMP1080UCB4-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 3.3A 4-Pin U-WLB T/R
товар відсутній
DMP1080UCB4-7Diodes IncorporatedMOSFET P-Ch Enh Mode FET 80mOhm -12V -3.3A
на замовлення 5748 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+46.66 грн
10+ 40.31 грн
100+ 26.9 грн
500+ 21.3 грн
Мінімальне замовлення: 7
DMP1080UCB4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 3.3A U-WLB1010-4
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DMP1081UCB4-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 3.3A 4-Pin U-WLB T/R
товар відсутній
DMP1081UCB4-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 2085 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+57.72 грн
10+ 50.44 грн
100+ 33.65 грн
500+ 26.57 грн
Мінімальне замовлення: 6
DMP1081UCB4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 3A U-WLB1010-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 3.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 0.9V
Power Dissipation (Max): 820mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 650mV @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1010-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0.9V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 6 V
товар відсутній
DMP1081UCB4-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 12V 3.3A 4-Pin U-WLB T/R
товар відсутній
DMP1081UCB4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 3A U-WLB1010-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 3.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 0.9V
Power Dissipation (Max): 820mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 650mV @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1010-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0.9V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 6 V
товар відсутній
DMP1096UCB4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 2.6A U-WLB1010-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 820mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1010-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 251 pF @ 6 V
товар відсутній
DMP1096UCB4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 2.6A U-WLB1010-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 820mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1010-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 251 pF @ 6 V
товар відсутній
DMP1096UCB4-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-WLB1010-4,3K
на замовлення 5478 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
DMP10H088SPS-13Diodes IncP-Channel Enhancement Mode MOSFET
товар відсутній
DMP10H400SE-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 2.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.05 грн
5000+ 14.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMP10H400SE-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP10H400SE-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6 A, 0.203 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.203ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.203ohm
на замовлення 5988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+24.49 грн
500+ 19.05 грн
1000+ 15.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMP10H400SE-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 2.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+13.09 грн
5000+ 12.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMP10H400SE-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 2.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DMP10H400SE-13Diodes IncorporatedMOSFET 100V P-Ch Enh FET 250mOhm -2.3A
на замовлення 19313 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+39.88 грн
10+ 33.09 грн
100+ 19.29 грн
500+ 17.56 грн
1000+ 15.36 грн
2500+ 13.62 грн
5000+ 13.55 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMP10H400SE-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 100V 2.3A/6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta), 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 13.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1239 pF @ 25 V
на замовлення 275576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39 грн
10+ 32.13 грн
100+ 22.23 грн
500+ 17.43 грн
1000+ 14.83 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMP10H400SE-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 100V 2.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
DMP10H400SE-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 2.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.1 грн
5000+ 13.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMP10H400SE-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -2.1A; 2W; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -2.1A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1265 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
10+26.96 грн
25+ 23.4 грн
53+ 18.41 грн
145+ 17.41 грн
2500+ 16.77 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMP10H400SE-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -2.1A; 2W; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -2.1A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1265 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+22.47 грн
25+ 18.78 грн
53+ 15.34 грн
145+ 14.51 грн
Мінімальне замовлення: 17
DMP10H400SE-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP10H400SE-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6 A, 0.203 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.203ohm
на замовлення 5988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+38.57 грн
50+ 31.53 грн
100+ 24.49 грн
500+ 19.05 грн
1000+ 15.09 грн
Мінімальне замовлення: 20
DMP10H400SE-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 100V 2.3A/6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta), 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 13.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1239 pF @ 25 V
на замовлення 272500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.62 грн
5000+ 13.34 грн
12500+ 12.35 грн
25000+ 11.47 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMP10H400SE-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 2.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 222500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMP10H400SE-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 2.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+21.79 грн
29+ 20.41 грн
30+ 19.8 грн
100+ 16.85 грн
250+ 11.16 грн
Мінімальне замовлення: 27
DMP10H400SE-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 100V 2.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+12.07 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMP10H400SE-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 2.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+13.97 грн
5000+ 13.35 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMP10H400SEQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -2.1A; 2W; SOT223
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Drain current: -2.1A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: -100V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMP10H400SEQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -2.1A; 2W; SOT223
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Drain current: -2.1A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: -100V
товар відсутній
DMP10H400SEQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 2.3A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
DMP10H400SEQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 100V 2.3A/6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta), 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 13.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1239 pF @ 25 V
на замовлення 434181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.94 грн
10+ 38.74 грн
100+ 26.82 грн
500+ 21.03 грн
1000+ 17.9 грн
Мінімальне замовлення: 7
DMP10H400SEQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 2.3A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
DMP10H400SEQ-13Diodes IncorporatedMOSFET 100V P-Ch Enh FET 250mOhm -10V -2.3A
на замовлення 3880 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
DMP10H400SEQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 100V 2.3A/6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta), 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 13.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1239 pF @ 25 V
на замовлення 432500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.64 грн
5000+ 16.09 грн
12500+ 14.9 грн
25000+ 13.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMP10H400SK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+13.79 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMP10H400SK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+12.81 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMP10H400SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 100V 9A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1239 pF @ 25 V
на замовлення 525000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.61 грн
5000+ 15.15 грн
12500+ 14.03 грн
25000+ 13.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMP10H400SK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 645000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.65 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMP10H400SK3-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP10H400SK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 9 A, 0.19 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 42W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.19ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
на замовлення 7701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.84 грн
500+ 20.24 грн
1000+ 16.05 грн
5000+ 13.42 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMP10H400SK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
456+25.7 грн
460+ 25.44 грн
465+ 25.18 грн
514+ 21.98 грн
1000+ 13.83 грн
Мінімальне замовлення: 456
DMP10H400SK3-13Diodes IncorporatedMOSFET 100V P-CH MOSFET
на замовлення 201671 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+44.94 грн
10+ 36.24 грн
100+ 23.03 грн
500+ 19.23 грн
1000+ 15.02 грн
2500+ 13.82 грн
Мінімальне замовлення: 7
DMP10H400SK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+11.65 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMP10H400SK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+43.74 грн
25+ 23.86 грн
100+ 22.78 грн
250+ 20.88 грн
500+ 18.14 грн
1000+ 12.32 грн
Мінімальне замовлення: 14
DMP10H400SK3-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8A; 42W; TO252
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: -8A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: -100V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1469 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+73.69 грн
9+ 29.64 грн
25+ 25.12 грн
45+ 21.76 грн
123+ 20.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
DMP10H400SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 100V 9A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1239 pF @ 25 V
на замовлення 526851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+44.05 грн
10+ 36.44 грн
100+ 25.26 грн
500+ 19.81 грн
1000+ 16.86 грн
Мінімальне замовлення: 7
DMP10H400SK3-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8A; 42W; TO252
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: -8A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: -100V
на замовлення 1469 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+61.41 грн
15+ 23.78 грн
25+ 20.93 грн
45+ 18.13 грн
123+ 17.15 грн
Мінімальне замовлення: 7
DMP10H400SK3-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP10H400SK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 9 A, 0.19 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
на замовлення 7701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+49.5 грн
20+ 39.17 грн
100+ 25.84 грн
500+ 20.24 грн
1000+ 16.05 грн
5000+ 13.42 грн
Мінімальне замовлення: 16
DMP10H400SK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+11.47 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMP10H400SK3-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 100V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+11.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMP10H4D2SDiodes IncorporatedMOSFET
товар відсутній
DMP10H4D2S-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
DMP10H4D2S-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -210mA; Idm: -1A; 440mW
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: -210mA
On-state resistance: 5mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.44W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 1.8nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -1A
Drain-source voltage: -100V
кількість в упаковці: 10000 шт
товар відсутній
DMP10H4D2S-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 100V 270MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 380mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87 pF @ 25 V
товар відсутній
DMP10H4D2S-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -210mA; Idm: -1A; 440mW
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: -210mA
On-state resistance: 5mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.44W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 1.8nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -1A
Drain-source voltage: -100V
товар відсутній
DMP10H4D2S-13Diodes Inc100V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
товар відсутній
DMP10H4D2S-13Diodes IncorporatedMOSFET P-Ch Enh Mode FET 100V 20Vgss 87pF
товар відсутній
DMP10H4D2S-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP10H4D2S-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 270 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
на замовлення 24640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+32.5 грн
32+ 23.52 грн
100+ 13.03 грн
500+ 8.28 грн
1000+ 5.89 грн
Мінімальне замовлення: 24
DMP10H4D2S-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 100V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
DMP10H4D2S-7Diodes IncorporatedMOSFET P-Ch Enh Mode FET 100V 20Vgss 87pF
на замовлення 205709 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+28.97 грн
20+ 15.43 грн
100+ 7.81 грн
1000+ 6.21 грн
3000+ 4.14 грн
9000+ 4.07 грн
24000+ 4.01 грн
Мінімальне замовлення: 11
DMP10H4D2S-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
DMP10H4D2S-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 100V 270MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 380mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87 pF @ 25 V
на замовлення 2957717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+26.72 грн
15+ 18.71 грн
100+ 9.42 грн
500+ 7.84 грн
1000+ 6.1 грн
Мінімальне замовлення: 11
DMP10H4D2S-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP10H4D2S-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 270 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 380mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380mW
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.8ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
на замовлення 24640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.03 грн
500+ 8.28 грн
1000+ 5.89 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMP10H4D2S-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
DMP10H4D2S-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.21A; 0.38W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Drain current: -210mA
On-state resistance: 5Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.38W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: -100V
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
20+15.1 грн
40+ 7.37 грн
100+ 6.26 грн
180+ 5.4 грн
500+ 5.11 грн
Мінімальне замовлення: 20
DMP10H4D2S-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 100V 270MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 380mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87 pF @ 25 V
на замовлення 2952000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.04 грн
6000+ 5.69 грн
9000+ 5.04 грн
30000+ 4.67 грн
75000+ 3.96 грн
150000+ 3.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP10H4D2S-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.21A; 0.38W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Drain current: -210mA
On-state resistance: 5Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.38W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: -100V
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
30+12.58 грн
60+ 5.91 грн
Мінімальне замовлення: 30
DMP10H4D2S-7 P10.DIODES/ZETEXTrans MOSFET P-CH 100V 0.27A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R DMP10H4D2S-7 TDMP10H4D2S-7 Diodes
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+4.37 грн
Мінімальне замовлення: 200
DMP10H4D2S-7-50Diodes ZetexMOSFET BVDSS: 61V100V SOT23 T&R 3K
товар відсутній
DMP10H4D2S-7-50Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT23 T&R
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 380mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87 pF @ 25 V
товар відсутній
DMP10H4D2SQ-13Diodes IncMOSFET BVDSS: 61V100V SOT23 T&R 10K
товар відсутній
DMP10H4D2SQ-7Diodes IncMOSFET BVDSS: 61V100V SOT23 T&R 3K
товар відсутній
DMP1100UCB4-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -2.6A; Idm: -13A; 1.1W
Mounting: SMD
Case: X2-WLB0808-4
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.1W
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -2.6A
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 14nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -13A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMP1100UCB4-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP1100UCB4-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.5 A, 0.065 ohm, X2-WLB0808, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 670mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 670mW
Bauform - Transistor: X2-WLB0808
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.065ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+31.83 грн
28+ 26.89 грн
100+ 17.9 грн
500+ 13.07 грн
1000+ 9.31 грн
3000+ 7.83 грн
6000+ 7.77 грн
Мінімальне замовлення: 24
DMP1100UCB4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 2.5A WLB0808
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 83mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 670mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: X2-WLB0808-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.3V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 6 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 171745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+26.72 грн
13+ 22.05 грн
100+ 15.33 грн
500+ 11.24 грн
1000+ 9.14 грн
Мінімальне замовлення: 11
DMP1100UCB4-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -2.6A; Idm: -13A; 1.1W
Mounting: SMD
Case: X2-WLB0808-4
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.1W
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -2.6A
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 14nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -13A
товар відсутній
DMP1100UCB4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 2.5A WLB0808
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 83mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 670mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: X2-WLB0808-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.3V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 6 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 168000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.04 грн
6000+ 8.26 грн
9000+ 7.67 грн
30000+ 7.03 грн
75000+ 6.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP1100UCB4-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP1100UCB4-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.5 A, 0.065 ohm, X2-WLB0808, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 670mW
Bauform - Transistor: X2-WLB0808
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+17.9 грн
500+ 13.07 грн
1000+ 9.31 грн
3000+ 7.83 грн
6000+ 7.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMP1100UCB4-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 2989 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+29.29 грн
13+ 24.88 грн
100+ 16.22 грн
500+ 12.75 грн
1000+ 9.88 грн
3000+ 8.21 грн
9000+ 7.81 грн
Мінімальне замовлення: 11
DMP1200UFR4-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -2A; 1.26W; X2-DFN1010-3
Mounting: SMD
Case: X2-DFN1010-3
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -2A
On-state resistance: 0.38Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.26W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 5.8nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
товар відсутній
DMP1200UFR4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 2A X2-DFN1010-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1010-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 514 pF @ 5 V
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+28.16 грн
14+ 20.72 грн
100+ 12.44 грн
500+ 10.81 грн
1000+ 7.35 грн
Мінімальне замовлення: 11
DMP1200UFR4-7Diodes IncorporatedMOSFET P-Ch Enh Mode FET Vdss -12V 8Vgss
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+30.45 грн
13+ 23.95 грн
100+ 12.55 грн
1000+ 8.08 грн
3000+ 6.48 грн
9000+ 6.14 грн
Мінімальне замовлення: 11
DMP1200UFR4-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 2A 3-Pin X2-DFN T/R
товар відсутній
DMP1200UFR4-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -2A; 1.26W; X2-DFN1010-3
Mounting: SMD
Case: X2-DFN1010-3
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -2A
On-state resistance: 0.38Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.26W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 5.8nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
DMP1200UFR4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 2A X2-DFN1010-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1010-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 514 pF @ 5 V
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DMP1245UFCL-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 6.6A X1-DFN1616
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 613mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1616-6 (Type E)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.1 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1357.4 pF @ 10 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.12 грн
6000+ 13.79 грн
9000+ 12.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP1245UFCL-7Diodes IncorporatedMOSFET 12V P-CH ENH MOSFET LOW RDSon High PERF
на замовлення 3675 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+42.76 грн
10+ 37.39 грн
100+ 22.16 грн
500+ 18.56 грн
1000+ 15.76 грн
3000+ 14.29 грн
6000+ 13.95 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMP1245UFCL-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 6.6A 7-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
DMP1245UFCL-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -5.25A; Idm: -16.67A; 1.7W
Polarisation: unipolar
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.7W
Kind of package: reel; tape
Case: X1-DFN1616-6
Mounting: SMD
Gate charge: 26.1nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -16.67A
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5.25A
On-state resistance: 0.1Ω
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMP1245UFCL-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 6.6A X1-DFN1616
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 613mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1616-6 (Type E)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.1 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1357.4 pF @ 10 V
на замовлення 12713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.72 грн
10+ 33.17 грн
100+ 22.98 грн
500+ 18.02 грн
1000+ 15.34 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMP1245UFCL-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -5.25A; Idm: -16.67A; 1.7W
Polarisation: unipolar
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.7W
Kind of package: reel; tape
Case: X1-DFN1616-6
Mounting: SMD
Gate charge: 26.1nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -16.67A
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5.25A
On-state resistance: 0.1Ω
товар відсутній
DMP1245UFCL-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 12V 6.6A 7-Pin DFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.5 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP1555UFA-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 200MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN0806-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.84 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55.4 pF @ 10 V
на замовлення 230000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.74 грн
30000+ 3.53 грн
50000+ 2.93 грн
Мінімальне замовлення: 10000
DMP1555UFA-7BDIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -0.2A; 0.36W; X2-DFN0806-3
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -200mA
On-state resistance: 5Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Case: X2-DFN0806-3
товар відсутній
DMP1555UFA-7BDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 0.2A 3-Pin X2-DFN T/R
товар відсутній
DMP1555UFA-7BDiodes IncorporatedMOSFET 12 P-Ch Enh FET 8 VGS 55.4pF 0.84nC
на замовлення 22933 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.49 грн
17+ 18.89 грн
100+ 6.74 грн
1000+ 4.21 грн
2500+ 4.01 грн
10000+ 3.67 грн
20000+ 3.61 грн
Мінімальне замовлення: 12
DMP1555UFA-7BDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 0.2A 3-Pin X2-DFN T/R
товар відсутній
DMP1555UFA-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 200MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN0806-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.84 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55.4 pF @ 10 V
на замовлення 234906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+25.28 грн
17+ 16.97 грн
100+ 8.55 грн
500+ 6.55 грн
1000+ 4.86 грн
2000+ 4.09 грн
5000+ 3.84 грн
Мінімальне замовлення: 12
DMP1555UFA-7BDIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -0.2A; 0.36W; X2-DFN0806-3
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -200mA
On-state resistance: 5Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Case: X2-DFN0806-3
кількість в упаковці: 10 шт
товар відсутній
DMP2002UPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 60A PWRDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type K)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 585 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12826 pF @ 10 V
на замовлення 39348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+152.38 грн
10+ 121.77 грн
100+ 96.9 грн
500+ 76.95 грн
1000+ 65.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
DMP2002UPS-13Diodes IncorporatedMOSFET 20V P-Ch Enh FET 12Vgss 104W
на замовлення 1511 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+160.45 грн
10+ 131.29 грн
100+ 91.46 грн
250+ 84.12 грн
500+ 76.11 грн
1000+ 66.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
DMP2002UPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 60A PWRDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type K)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 585 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12826 pF @ 10 V
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+68.64 грн
5000+ 63.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMP2002UPS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -33.5A; Idm: -100A; 6.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -33.5A
Pulsed drain current: -100A
Power dissipation: 6.25W
Case: PowerDI5060-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 585nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
DMP2002UPS-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 60A 8-Pin PowerDI EP T/R
товар відсутній
DMP2002UPS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -33.5A; Idm: -100A; 6.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -33.5A
Pulsed drain current: -100A
Power dissipation: 6.25W
Case: PowerDI5060-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 585nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DMP2002UPS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 60A 8-Pin PowerDI EP T/R
товар відсутній
DMP2003UPS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -120A; Idm: -350A; 2.7W
Case: PowerDI5060-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 177nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 4mΩ
Drain current: -120A
Drain-source voltage: -20V
Pulsed drain current: -350A
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2.7W
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
DMP2003UPS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 150A 8-Pin PowerDI EP T/R
товар відсутній
DMP2003UPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 150A PWRDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 177 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8352 pF @ 10 V
на замовлення 7406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.38 грн
10+ 68.78 грн
100+ 53.49 грн
500+ 42.55 грн
1000+ 34.66 грн
Мінімальне замовлення: 4
DMP2003UPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2003UPS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 150 A, 0.0017 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
на замовлення 7726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+80.88 грн
50+ 70.7 грн
100+ 60.51 грн
500+ 47.64 грн
1000+ 35.82 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMP2003UPS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -120A; Idm: -350A; 2.7W
Case: PowerDI5060-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 177nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 4mΩ
Drain current: -120A
Drain-source voltage: -20V
Pulsed drain current: -350A
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2.7W
Type of transistor: P-MOSFET
товар відсутній
DMP2003UPS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 150A 8-Pin PowerDI EP T/R
товар відсутній
DMP2003UPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 150A PWRDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 177 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8352 pF @ 10 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+36.1 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMP2003UPS-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 4748 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+93.47 грн
10+ 73.55 грн
100+ 51.01 грн
500+ 43.19 грн
1000+ 35.18 грн
2500+ 31.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
DMP2003UPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2003UPS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 150 A, 0.0017 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
на замовлення 7726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+60.51 грн
500+ 47.64 грн
1000+ 35.82 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMP2004DMK-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -550mA; Idm: -1.9A; 500mW
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -550mA
Pulsed drain current: -1.9A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT26
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DMP2004DMK-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 0.55A 6-Pin SOT-26 T/R
товар відсутній
DMP2004DMK-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.55A 6-Pin SOT-26 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2004DMK-7Diodes IncorporatedMOSFET 500mW -20Vdss
на замовлення 2635 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+44.86 грн
10+ 38.08 грн
100+ 24.77 грн
500+ 19.49 грн
1000+ 15.02 грн
3000+ 12.82 грн
9000+ 11.88 грн
Мінімальне замовлення: 7
DMP2004DMK-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.55A 6-Pin SOT-26 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2004DMK-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -550mA; Idm: -1.9A; 500mW
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -550mA
Pulsed drain current: -1.9A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT26
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMP2004DMK-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.55A 6-Pin SOT-26 T/R
товар відсутній
DMP2004DMK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.55A SOT-26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 550mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.45 грн
6000+ 14.82 грн
15000+ 13.8 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2004DMK-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.55A 6-Pin SOT-26 T/R
товар відсутній
DMP2004DWK
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DMP2004DWK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.43A SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.39 грн
11+ 27.75 грн
100+ 18.88 грн
500+ 13.29 грн
1000+ 9.97 грн
Мінімальне замовлення: 9
DMP2004DWK-7Diodes IncorporatedMOSFET Dual P-Channel
на замовлення 7245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+35.52 грн
12+ 27.26 грн
100+ 12.88 грн
1000+ 9.01 грн
3000+ 7.14 грн
Мінімальне замовлення: 9
DMP2004DWK-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.43A 6-Pin SOT-363 T/R
товар відсутній
DMP2004DWK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.43A SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2004DWK-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -310mA; 250mW; SOT363
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -310mA
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMP2004DWK-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -310mA; 250mW; SOT363
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -310mA
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DMP2004DWK-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 0.43A 6-Pin SOT-363 T/R
товар відсутній
DMP2004DWK-7DIODESSOT23-6
на замовлення 2065 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DMP2004K
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DMP2004K-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 444000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4156+2.82 грн
Мінімальне замовлення: 4156
DMP2004K-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3049+3.84 грн
6000+ 3.2 грн
12000+ 2.56 грн
Мінімальне замовлення: 3049
DMP2004K-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2004K-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 600 mA, 0.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 550mW
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.58 грн
500+ 7.58 грн
1000+ 4.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMP2004K-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 600MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 550mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 16 V
на замовлення 1403673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26 грн
17+ 17.11 грн
100+ 8.36 грн
500+ 6.55 грн
1000+ 4.55 грн
Мінімальне замовлення: 12
DMP2004K-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+2.74 грн
12000+ 2.14 грн
Мінімальне замовлення: 6000
DMP2004K-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.6A; 0.55W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.6A
Power dissipation: 0.55W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 2660 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
35+11.53 грн
90+ 3.87 грн
110+ 3.31 грн
285+ 2.87 грн
775+ 2.71 грн
Мінімальне замовлення: 35
DMP2004K-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.8 грн
6000+ 3.27 грн
15000+ 3.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2004K-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 0.6A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
DMP2004K-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.6A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
DMP2004K-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 561000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4156+2.82 грн
Мінімальне замовлення: 4156
DMP2004K-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DMP2004K-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2004K-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 600 mA, 0.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 550mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 550mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.7ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+32.95 грн
29+ 26.29 грн
100+ 12.58 грн
500+ 7.58 грн
1000+ 4.78 грн
Мінімальне замовлення: 23
DMP2004K-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 600MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 550mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 16 V
на замовлення 1401000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.77 грн
6000+ 3.37 грн
9000+ 2.79 грн
30000+ 2.58 грн
75000+ 2.31 грн
150000+ 2.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2004K-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.6A; 0.55W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.6A
Power dissipation: 0.55W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2660 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
20+13.84 грн
55+ 4.82 грн
100+ 3.97 грн
285+ 3.45 грн
775+ 3.26 грн
Мінімальне замовлення: 20
DMP2004K-7Diodes IncorporatedMOSFET P-Channel
на замовлення 80586 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+26.09 грн
21+ 14.97 грн
100+ 5.27 грн
1000+ 4.34 грн
3000+ 2.8 грн
9000+ 2.6 грн
24000+ 2.34 грн
Мінімальне замовлення: 12
DMP2004K-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+2.95 грн
12000+ 2.3 грн
Мінімальне замовлення: 6000
DMP2004K-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3152+3.71 грн
6000+ 3.2 грн
15000+ 3 грн
Мінімальне замовлення: 3152
DMP2004K-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.56 грн
6000+ 2.97 грн
12000+ 2.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2004K-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2004K-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+24.05 грн
34+ 17.17 грн
37+ 15.95 грн
100+ 6.92 грн
250+ 3.33 грн
Мінімальне замовлення: 25
DMP2004K-7-F10+ROHS SOT-23
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DMP2004KQ-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT23 T&R 3K
товар відсутній
DMP2004KQ-7Diodes IncorporatedDescription: DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 550mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 16 V
товар відсутній
DMP2004KQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.6A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
DMP2004KQ-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 0.6A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
DMP2004TKDiodes IncorporatedDescription: DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 430mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 230mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.97 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47 pF @ 16 V
товар відсутній
DMP2004TK-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.43A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.15 грн
6000+ 8.07 грн
9000+ 7.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2004TK-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.43A 3-Pin SOT-523 T/R
товар відсутній
DMP2004TK-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.43A 3-Pin SOT-523 T/R
товар відсутній
DMP2004TK-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.43A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 285000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2004TK-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.43A 3-Pin SOT-523 T/R
товар відсутній
DMP2004TK-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 0.43A 3-Pin SOT-523 T/R
товар відсутній
DMP2004TK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 430MA SOT523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 430mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 16 V
на замовлення 240603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+37.55 грн
10+ 29.49 грн
100+ 20.07 грн
500+ 14.13 грн
1000+ 10.6 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMP2004TK-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.43A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2004TK-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -310mA; Idm: -0.75A; 320mW
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -310mA
Pulsed drain current: -0.75A
Power dissipation: 0.32W
Case: SOT523
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 970pC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMP2004TK-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.43A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.78 грн
6000+ 8.69 грн
9000+ 7.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2004TK-7Diodes IncorporatedMOSFET P-Channel .15W
на замовлення 14350 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+37.7 грн
11+ 29.02 грн
100+ 13.75 грн
1000+ 9.48 грн
3000+ 7.28 грн
9000+ 7.21 грн
Мінімальне замовлення: 9
DMP2004TK-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -310mA; Idm: -0.75A; 320mW
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -310mA
Pulsed drain current: -0.75A
Power dissipation: 0.32W
Case: SOT523
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 970pC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DMP2004TK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 430MA SOT523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 430mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 16 V
на замовлення 234000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.75 грн
6000+ 9.72 грн
15000+ 9.09 грн
30000+ 7.83 грн
75000+ 7.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2004TK-7-79Diodes IncorporatedDescription: DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 430mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 230mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.97 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47 pF @ 16 V
товар відсутній
DMP2004UFG-13Diodes Inc20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
товар відсутній
DMP2004UFG-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -95A; Idm: -180A; 2.4W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -95A
Pulsed drain current: -180A
Power dissipation: 2.4W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 83nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
DMP2004UFG-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V PowerDI3333-8 T&R 3K
товар відсутній
DMP2004UFG-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -95A; Idm: -180A; 2.4W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -95A
Pulsed drain current: -180A
Power dissipation: 2.4W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 83nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DMP2004UFG-13Diodes Zetex20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
товар відсутній
DMP2004UFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V PowerDI3333
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 10 V
товар відсутній
DMP2004UFG-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V PowerDI3333-8 T&R 2K
товар відсутній
DMP2004UFG-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -95A; Idm: -180A; 2.4W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -95A
Pulsed drain current: -180A
Power dissipation: 2.4W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 83nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DMP2004UFG-7Diodes Zetex20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
товар відсутній
DMP2004UFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V PowerDI3333
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 10 V
товар відсутній
DMP2004UFG-7Diodes Inc20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
товар відсутній
DMP2004UFG-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -95A; Idm: -180A; 2.4W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -95A
Pulsed drain current: -180A
Power dissipation: 2.4W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 83nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
DMP2004VK-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.53A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2004VK-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 0.53A 6-Pin SOT-563 T/R
товар відсутній
DMP2004VK-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.53A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.39 грн
6000+ 7.11 грн
15000+ 6.58 грн
30000+ 5.89 грн
75000+ 5.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2004VK-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.53A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 2340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
468+25.05 грн
678+ 17.27 грн
685+ 17.08 грн
917+ 12.31 грн
1296+ 8.07 грн
Мінімальне замовлення: 468
DMP2004VK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.53A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 400mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 530mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 235374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.05 грн
13+ 23.09 грн
100+ 13.89 грн
500+ 12.07 грн
1000+ 8.2 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMP2004VK-7DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -0.44A; 0.4W; SOT563
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.44A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMP2004VK-7Diodes IncorporatedMOSFET Dual P-Channel
на замовлення 24536 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.49 грн
16+ 20.27 грн
100+ 10.21 грн
1000+ 7.41 грн
3000+ 6.94 грн
Мінімальне замовлення: 12
DMP2004VK-7DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -0.44A; 0.4W; SOT563
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.44A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
товар відсутній
DMP2004VK-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.53A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.92 грн
9000+ 6.64 грн
12000+ 6.57 грн
30000+ 6.13 грн
45000+ 5.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2004VK-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.53A 6-Pin SOT-563 T/R
товар відсутній
DMP2004VK-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.53A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 2340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+28.95 грн
25+ 23.26 грн
100+ 15.46 грн
250+ 14.16 грн
500+ 10.16 грн
1000+ 7.19 грн
Мінімальне замовлення: 21
DMP2004VK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.53A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 400mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 530mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 234000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.36 грн
6000+ 7.71 грн
9000+ 6.94 грн
30000+ 6.42 грн
75000+ 6.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2004WK
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DMP2004WK-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.4A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2004WK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 400MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 16 V
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.75 грн
6000+ 10.59 грн
15000+ 9.86 грн
30000+ 8.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2004WK-7Diodes IncorporatedMOSFET 250mW -20Vdss
на замовлення 35582 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.34 грн
11+ 28.33 грн
100+ 17.16 грн
500+ 13.42 грн
1000+ 10.88 грн
3000+ 8.48 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMP2004WK-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -400mA; Idm: -1.4A; 250mW
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.4A
Pulsed drain current: -1.4A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DMP2004WK-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.4A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 237000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2004WK-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -400mA; Idm: -1.4A; 250mW
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.4A
Pulsed drain current: -1.4A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
DMP2004WK-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.4A 3-Pin SOT-323 T/R
товар відсутній
DMP2004WK-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.4A 3-Pin SOT-323 T/R
товар відсутній
DMP2004WK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 400MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 16 V
на замовлення 68810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+33.22 грн
11+ 27.68 грн
100+ 20.65 грн
500+ 15.23 грн
1000+ 11.77 грн
Мінімальне замовлення: 9
DMP2004WK-7DIODES09+ TO92
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DMP2004WK-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 0.4A 3-Pin SOT-323 T/R
товар відсутній
DMP2005UFGDiodes IncorporatedMOSFET
товар відсутній
DMP2005UFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 89A POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4670 pF @ 10 V
на замовлення 1575000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.72 грн
6000+ 19.82 грн
9000+ 18.35 грн
30000+ 17.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2005UFG-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 3137 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+60.13 грн
10+ 53.05 грн
100+ 31.51 грн
500+ 26.24 грн
1000+ 22.37 грн
3000+ 20.23 грн
6000+ 19.83 грн
Мінімальне замовлення: 6
DMP2005UFG-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 19A 8-Pin PowerDI EP T/R
товар відсутній
DMP2005UFG-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -15A; Idm: -100A; 2.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -15A
Pulsed drain current: -100A
Power dissipation: 2.2W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 125nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DMP2005UFG-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 19A 8-Pin PowerDI EP T/R
товар відсутній
DMP2005UFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 89A POWERDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4670 pF @ 10 V
на замовлення 1578490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+57.77 грн
10+ 47.71 грн
100+ 33.03 грн
500+ 25.9 грн
1000+ 22.04 грн
Мінімальне замовлення: 5
DMP2005UFG-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -15A; Idm: -100A; 2.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -15A
Pulsed drain current: -100A
Power dissipation: 2.2W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 125nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
DMP2005UFG-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+60.83 грн
10+ 53.13 грн
100+ 31.51 грн
500+ 26.3 грн
1000+ 22.43 грн
2000+ 19.89 грн
4000+ 19.83 грн
Мінімальне замовлення: 6
DMP2005UFG-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 19A 8-Pin PowerDI EP T/R
товар відсутній
DMP2005UFG-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -15A; Idm: -100A; 2.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -15A
Pulsed drain current: -100A
Power dissipation: 2.2W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 125nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DMP2005UFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 19A 8-Pin PowerDI EP T/R
товар відсутній
DMP2005UFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 89A POWERDI3333
товар відсутній
DMP2005UFG-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -15A; Idm: -100A; 2.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -15A
Pulsed drain current: -100A
Power dissipation: 2.2W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 125nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
DMP2006UFGDiodes IncorporatedMOSFET
товар відсутній
DMP2006UFG-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -14A; Idm: -80A; 2.3W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -14A
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 2.3W
Case: PowerDI®3333-8
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 200nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DMP2006UFG-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 17.5A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2006UFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 17.5A POWERDI
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DMP2006UFG-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -14A; Idm: -80A; 2.3W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -14A
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 2.3W
Case: PowerDI®3333-8
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 200nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMP2006UFG-13Diodes IncorporatedMOSFET 20V P-Ch Enh Mode 10Vgss 5404pF 64nC
товар відсутній
DMP2006UFG-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 17.5A 8-Pin PowerDI EP T/R
товар відсутній
DMP2006UFG-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 17.5A 8-Pin PowerDI EP T/R
товар відсутній
DMP2006UFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 17.5A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 154000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+17.6 грн
Мінімальне замовлення: 2000
DMP2006UFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 17.5A POWERDI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5404 pF @ 10 V
на замовлення 154000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DMP2006UFG-7Diodes IncorporatedMOSFET 20V P-Ch Enh Mode 10Vgss 5404pF 64nC
на замовлення 463 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+49.23 грн
10+ 42.99 грн
100+ 25.5 грн
500+ 21.3 грн
1000+ 18.16 грн
2000+ 16.42 грн
4000+ 16.02 грн
Мінімальне замовлення: 7
DMP2006UFGQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 17.5A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R
товар відсутній
DMP2006UFGQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V PWRDI3333
товар відсутній
DMP2006UFGQ-13Diodes IncorporatedMOSFET 20V P-CH Enhance Mode
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+65.89 грн
10+ 53.13 грн
100+ 35.92 грн
500+ 30.51 грн
1000+ 24.84 грн
3000+ 24.23 грн
Мінімальне замовлення: 5
DMP2006UFGQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -14A; Idm: -80A; 2.3W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -14A
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 2.3W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 200nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DMP2006UFGQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -14A; Idm: -80A; 2.3W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -14A
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 2.3W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 200nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
DMP2006UFGQ-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 17.5A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R
товар відсутній
DMP2006UFGQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -14A; Idm: -80A; 2.3W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -14A
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 2.3W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 200nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DMP2006UFGQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -14A; Idm: -80A; 2.3W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -14A
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 2.3W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 200nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
DMP2006UFGQ-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 17.5A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R
товар відсутній
DMP2006UFGQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 17.5A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R
товар відсутній
DMP2006UFGQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V PWRDI3333
товар відсутній
DMP2006UFGQ-7Diodes IncorporatedMOSFET 20V P-CH MOSFET
на замовлення 1998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+65.89 грн
10+ 53.13 грн
100+ 35.92 грн
500+ 30.51 грн
1000+ 24.84 грн
2000+ 24.23 грн
Мінімальне замовлення: 5
DMP2007UFG-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 18A 8-Pin PowerDI EP T/R
товар відсутній
DMP2007UFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 18A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4621 pF @ 10 V
на замовлення 271599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.05 грн
10+ 47.15 грн
100+ 32.63 грн
500+ 25.58 грн
1000+ 21.77 грн
Мінімальне замовлення: 6
DMP2007UFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 18A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4621 pF @ 10 V
на замовлення 270000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.46 грн
6000+ 19.58 грн
9000+ 18.13 грн
30000+ 16.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2007UFG-13Diodes IncorporatedMOSFET 20V P-Ch Enh FET 12Vgss 29nC
товар відсутній
DMP2007UFG-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -14.5A; Idm: -80A; 2.3W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -14.5A
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 2.3W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 85nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DMP2007UFG-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -14.5A; Idm: -80A; 2.3W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -14.5A
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 2.3W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 85nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
DMP2007UFG-7Diodes IncorporatedMOSFET 20V P-Ch Enh FET 12Vgss 29nC
на замовлення 5630 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+60.13 грн
10+ 51.67 грн
100+ 31.11 грн
500+ 26.04 грн
1000+ 22.1 грн
2000+ 17.83 грн
Мінімальне замовлення: 6
DMP2007UFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 18A PWRDI3333
на замовлення 3682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.44 грн
10+ 56.4 грн
100+ 43.29 грн
500+ 32.11 грн
1000+ 25.69 грн
Мінімальне замовлення: 5
DMP2007UFG-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -14.5A; Idm: -80A; 2.3W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -14.5A
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 2.3W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 85nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DMP2007UFG-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -14.5A; Idm: -80A; 2.3W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -14.5A
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 2.3W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 85nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
DMP2007UFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 18A PWRDI3333
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+25.76 грн
Мінімальне замовлення: 2000
DMP2008UFG-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -11A; Idm: -80A; 2.4W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -11A
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 2.4W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 72nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DMP2008UFG-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R
товар відсутній
DMP2008UFG-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -11A; Idm: -80A; 2.4W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -11A
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 2.4W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 72nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
DMP2008UFG-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2008UFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 14A PWRDI3333
товар відсутній
DMP2008UFG-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R
товар відсутній
DMP2008UFG-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R
товар відсутній
DMP2008UFG-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2008UFG-13Diodes IncorporatedMOSFET 20V P-CH MOSFET
товар відсутній
DMP2008UFG-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2008UFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 14A PWRDI3333
товар відсутній
DMP2008UFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R
товар відсутній
DMP2008UFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 14A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6909 pF @ 10 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+13.23 грн
6000+ 12.09 грн
10000+ 11.23 грн
Мінімальне замовлення: 2000
DMP2008UFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+12.55 грн
Мінімальне замовлення: 2000
DMP2008UFG-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+11.29 грн
Мінімальне замовлення: 2000
DMP2008UFG-7Diodes IncorporatedMOSFET 20V P-CH MOSFET
на замовлення 13903 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+31.86 грн
12+ 27.1 грн
100+ 17.62 грн
500+ 14.62 грн
1000+ 12.55 грн
2000+ 11.68 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMP2008UFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+10.7 грн
Мінімальне замовлення: 2000
DMP2008UFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R
товар відсутній
DMP2008UFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+11.52 грн
Мінімальне замовлення: 2000
DMP2008UFG-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -11A; Idm: -80A; 2.4W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -11A
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 2.4W
Case: PowerDI®3333-8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DMP2008UFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 14A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6909 pF @ 10 V
на замовлення 20138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39 грн
10+ 32.27 грн
100+ 22.45 грн
500+ 16.45 грн
1000+ 13.37 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMP2008UFG-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -11A; Idm: -80A; 2.4W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -11A
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 2.4W
Case: PowerDI®3333-8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
DMP2008UFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+11.65 грн
Мінімальне замовлення: 2000
DMP2008USS-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V 24V SO-8 T&R 2.5K
товар відсутній
DMP2010UFG-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -12.7A; Idm: -80A; 2.3W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -12.7A
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 2.3W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 103nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DMP2010UFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 12.7A
товар відсутній
DMP2010UFG-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -12.7A; Idm: -80A; 2.3W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -12.7A
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 2.3W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 103nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
DMP2010UFG-13Diodes IncorporatedMOSFET 20V P-Ch Enh FET 10Vgss -80A Idm
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+60.13 грн
10+ 52.51 грн
100+ 31.18 грн
500+ 26.04 грн
1000+ 22.16 грн
3000+ 20.1 грн
6000+ 19.56 грн
Мінімальне замовлення: 6
DMP2010UFG-13Diodes Inc20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2010UFG-7Diodes IncorporatedMOSFET 20V P-Ch Enh FET 10Vgss -80A Idm
на замовлення 1590 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+59.43 грн
10+ 52.44 грн
100+ 31.11 грн
500+ 25.97 грн
1000+ 22.1 грн
2000+ 19.96 грн
4000+ 19.56 грн
Мінімальне замовлення: 6
DMP2010UFG-7Diodes Inc20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
товар відсутній
DMP2010UFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 12.7A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.7A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3350 pF @ 10 V
на замовлення 9487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+59.22 грн
10+ 49.86 грн
100+ 38.21 грн
500+ 28.34 грн
1000+ 22.68 грн
Мінімальне замовлення: 5
DMP2010UFG-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -12.7A; Idm: -80A; 2.3W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -12.7A
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 2.3W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 103nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DMP2010UFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 12.7A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.7A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3350 pF @ 10 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+22.74 грн
Мінімальне замовлення: 2000
DMP2010UFG-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -12.7A; Idm: -80A; 2.3W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -12.7A
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 2.3W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 103nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
DMP2010UFV-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 50A 8-Pin PowerDI EP T/R
товар відсутній
DMP2010UFV-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -40A; Idm: -80A; 2W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -40A
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 2W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 103nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DMP2010UFV-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -40A; Idm: -80A; 2W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -40A
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 2W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 103nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
DMP2010UFV-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFETBVDSS: 8V-24V
на замовлення 8508 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+44.94 грн
10+ 37.7 грн
100+ 22.77 грн
500+ 17.83 грн
1000+ 14.49 грн
3000+ 11.28 грн
Мінімальне замовлення: 7
DMP2010UFV-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -40A; Idm: -80A; 2W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -40A
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 2W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 103nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMP2010UFV-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFETBVDSS: 8V-24V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+44.94 грн
10+ 37.77 грн
100+ 24.5 грн
500+ 19.29 грн
1000+ 14.89 грн
2000+ 12.42 грн
Мінімальне замовлення: 7
DMP2010UFV-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 50A 8-Pin PowerDI EP T/R
товар відсутній
DMP2010UFV-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 50A 8-Pin PowerDI EP T/R
товар відсутній
DMP2010UFV-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -40A; Idm: -80A; 2W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -40A
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 2W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 103nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DMP2012SN
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DMP2012SN-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 700MA SC59-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 178.5 pF @ 10 V
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.08 грн
6000+ 6.54 грн
9000+ 5.88 грн
30000+ 5.44 грн
75000+ 5.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2012SN-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 0.7A 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
DMP2012SN-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -900mA; Idm: -2.8A; 500mW
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -900mA
Pulsed drain current: -2.8A
Power dissipation: 0.5W
Case: SC59
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMP2012SN-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -900mA; Idm: -2.8A; 500mW
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -900mA
Pulsed drain current: -2.8A
Power dissipation: 0.5W
Case: SC59
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DMP2012SN-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 700MA SC59-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 178.5 pF @ 10 V
на замовлення 95008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26 грн
15+ 19.61 грн
100+ 11.77 грн
500+ 10.23 грн
1000+ 6.95 грн
Мінімальне замовлення: 12
DMP2012SN-7Diodes IncorporatedMOSFET 20V 700mA
на замовлення 5586 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+28.27 грн
15+ 21.8 грн
100+ 10.55 грн
1000+ 7.21 грн
3000+ 6.54 грн
9000+ 5.94 грн
Мінімальне замовлення: 12
DMP2016UFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6
товар відсутній
DMP2016UFDF-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 10K
товар відсутній
DMP2016UFDF-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 1541 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+41.28 грн
10+ 31.71 грн
100+ 20.63 грн
500+ 17.49 грн
1000+ 14.29 грн
3000+ 12.08 грн
9000+ 11.35 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMP2016UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2018LFK-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -10.3A; Idm: -90A; 1.3W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -10.3A
Pulsed drain current: -90A
Power dissipation: 1.3W
Case: U-DFN2523-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 113nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DMP2018LFK-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 9.2A 6-Pin UDFN EP T/R
товар відсутній
DMP2018LFK-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -10.3A; Idm: -90A; 1.3W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -10.3A
Pulsed drain current: -90A
Power dissipation: 1.3W
Case: U-DFN2523-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 113nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 10000 шт
товар відсутній
DMP2018LFK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 9.2A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 200µA
Supplier Device Package: U-DFN2523-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4748 pF @ 10 V
на замовлення 35250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.05 грн
6000+ 9.18 грн
9000+ 8.53 грн
30000+ 7.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2018LFK-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2523-6 T&R 3K
на замовлення 143219 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.64 грн
12+ 27.56 грн
100+ 16.62 грн
500+ 12.95 грн
1000+ 10.55 грн
3000+ 8.81 грн
9000+ 8.28 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMP2018LFK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 9.2A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 200µA
Supplier Device Package: U-DFN2523-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4748 pF @ 10 V
на замовлення 35438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+29.61 грн
12+ 24.55 грн
100+ 17.06 грн
500+ 12.5 грн
1000+ 10.16 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMP2021UFDE-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 10K
товар відсутній
DMP2021UFDE-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -8.9A; Idm: -60A; 1.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -8.9A
Pulsed drain current: -60A
Power dissipation: 1.2W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 59nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 10000 шт
товар відсутній
DMP2021UFDE-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 11.1A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 15 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+10.93 грн
Мінімальне замовлення: 10000
DMP2021UFDE-13Diodes IncP-Channel Enhancement Mode MOSFET
товар відсутній
DMP2021UFDE-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -8.9A; Idm: -60A; 1.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -8.9A
Pulsed drain current: -60A
Power dissipation: 1.2W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 59nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DMP2021UFDE-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -8.9A; Idm: -60A; 1.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -8.9A
Pulsed drain current: -60A
Power dissipation: 1.2W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 59nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMP2021UFDE-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 11.1A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 15 V
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.37 грн
6000+ 11.3 грн
9000+ 10.5 грн
30000+ 9.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2021UFDE-7Diodes ZetexP-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
товар відсутній
DMP2021UFDE-7Diodes ZetexP-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
на замовлення 530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+36.54 грн
19+ 30.98 грн
100+ 21.36 грн
500+ 16.27 грн
Мінімальне замовлення: 16
DMP2021UFDE-7Diodes IncP-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2021UFDE-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -8.9A; Idm: -60A; 1.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -8.9A
Pulsed drain current: -60A
Power dissipation: 1.2W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 59nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DMP2021UFDE-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 11.1A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 15 V
на замовлення 43508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+36.83 грн
10+ 30.18 грн
100+ 20.99 грн
500+ 15.38 грн
1000+ 12.5 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMP2021UFDE-7Diodes ZetexP-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
на замовлення 1077000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2021UFDE-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 4579 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+39.88 грн
10+ 33.63 грн
100+ 20.36 грн
500+ 15.89 грн
1000+ 12.88 грн
3000+ 11.08 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMP2021UFDF-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -8.9A; Idm: -60A; 1.3W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -8.9A
Pulsed drain current: -60A
Power dissipation: 1.3W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 59nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DMP2021UFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 9A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 730mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 15 V
товар відсутній
DMP2021UFDF-13Diodes IncorporatedMOSFET P-Ch -20V Enh FET 8Vgss 0.73W 2760pF
товар відсутній
DMP2021UFDF-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -8.9A; Idm: -60A; 1.3W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -8.9A
Pulsed drain current: -60A
Power dissipation: 1.3W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 59nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 10000 шт
товар відсутній
DMP2021UFDF-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 9A 6-Pin UDFN EP T/R
товар відсутній
DMP2021UFDF-7Diodes IncorporatedMOSFET P-Ch -20V Enh FET 8Vgss 0.73W 2760pF
на замовлення 4048 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+53.59 грн
10+ 45.76 грн
100+ 27.57 грн
500+ 23.03 грн
1000+ 19.63 грн
3000+ 17.42 грн
6000+ 17.29 грн
Мінімальне замовлення: 6
DMP2021UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 9A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 2596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
252+46.59 грн
345+ 33.96 грн
352+ 33.33 грн
500+ 27.47 грн
1000+ 15.92 грн
Мінімальне замовлення: 252
DMP2021UFDF-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -7.2A; Idm: -60A; 0.47W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -7.2A
Pulsed drain current: -60A
Power dissipation: 0.47W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 59nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMP2021UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 9A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 730mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 15 V
на замовлення 55392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+49.11 грн
10+ 41.17 грн
100+ 28.5 грн
500+ 22.35 грн
1000+ 19.02 грн
Мінімальне замовлення: 6
DMP2021UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 9A 6-Pin UDFN EP T/R
товар відсутній
DMP2021UFDF-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 9A 6-Pin UDFN EP T/R
товар відсутній
DMP2021UFDF-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -7.2A; Idm: -60A; 0.47W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -7.2A
Pulsed drain current: -60A
Power dissipation: 0.47W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 59nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DMP2021UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 9A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2021UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 9A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 730mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 15 V
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.74 грн
6000+ 17.1 грн
9000+ 15.83 грн
30000+ 14.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2021UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 9A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 2596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+51.73 грн
14+ 44.13 грн
25+ 43.27 грн
100+ 30.41 грн
250+ 27.63 грн
500+ 22.67 грн
1000+ 14.19 грн
Мінімальне замовлення: 12
DMP2021UTS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 18A 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 15 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.95 грн
5000+ 18.2 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMP2021UTS-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 7.4A 8-Pin TSSOP T/R
товар відсутній
DMP2021UTS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.9A; Idm: -55A; 1.3W; TSSOP8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5.9A
Pulsed drain current: -55A
Power dissipation: 1.3W
Case: TSSOP8
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 59nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DMP2021UTS-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 3942 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+57.95 грн
10+ 49.21 грн
100+ 29.64 грн
500+ 24.77 грн
1000+ 21.1 грн
2500+ 16.96 грн
Мінімальне замовлення: 6
DMP2021UTS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 18A 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 15 V
на замовлення 12480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+52.72 грн
10+ 43.81 грн
100+ 30.33 грн
500+ 23.78 грн
1000+ 20.24 грн
Мінімальне замовлення: 6
DMP2021UTS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.9A; Idm: -55A; 1.3W; TSSOP8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5.9A
Pulsed drain current: -55A
Power dissipation: 1.3W
Case: TSSOP8
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 59nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
DMP2021UTSQ-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
товар відсутній
DMP2021UTSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V 24V TSSOP-8 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.94 грн
5000+ 21.84 грн
12500+ 20.22 грн
25000+ 18.79 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMP2021UTSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V 24V TSSOP-8 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.83 грн
10+ 52.57 грн
100+ 36.4 грн
500+ 28.54 грн
1000+ 24.29 грн
Мінімальне замовлення: 5
DMP2022LSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 10A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2444 pF @ 10 V
на замовлення 37712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.66 грн
10+ 39.43 грн
100+ 27.32 грн
500+ 21.43 грн
1000+ 18.23 грн
Мінімальне замовлення: 7
DMP2022LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 160000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.43 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMP2022LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+25.84 грн
24+ 24.36 грн
25+ 24.15 грн
100+ 20.12 грн
250+ 18.45 грн
500+ 13.06 грн
Мінімальне замовлення: 23
DMP2022LSS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -8A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -8A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1261 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
9+31.19 грн
25+ 27.04 грн
47+ 20.83 грн
128+ 19.69 грн
3000+ 19.28 грн
Мінімальне замовлення: 9
DMP2022LSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 10A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2444 pF @ 10 V
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.97 грн
5000+ 16.39 грн
12500+ 15.18 грн
25000+ 14.1 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMP2022LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+26.01 грн
521+ 22.47 грн
526+ 22.25 грн
713+ 15.83 грн
Мінімальне замовлення: 450
DMP2022LSS-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOP T/R
товар відсутній
DMP2022LSS-13Diodes IncorporatedMOSFET PMOS SINGLE P-CHANNL 20V 10A
на замовлення 3244 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+50 грн
10+ 42.23 грн
100+ 25.84 грн
500+ 21.76 грн
1000+ 18.29 грн
2500+ 16.89 грн
5000+ 16.76 грн
Мінімальне замовлення: 7
DMP2022LSS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -8A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -8A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1261 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+25.99 грн
25+ 21.7 грн
47+ 17.36 грн
128+ 16.41 грн
Мінімальне замовлення: 15
DMP2022LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOP T/R
товар відсутній
DMP2022LSSQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -7.4A; Idm: -35A; 1.6W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -7.4A
Pulsed drain current: -35A
Power dissipation: 1.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
DMP2022LSSQ-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 9.3A Automotive 8-Pin SO T/R
товар відсутній
DMP2022LSSQ-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS:
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+68.07 грн
10+ 58.5 грн
100+ 35.18 грн
500+ 29.44 грн
1000+ 25.04 грн
2500+ 22.3 грн
5000+ 21.03 грн
Мінімальне замовлення: 5
DMP2022LSSQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -7.4A; Idm: -35A; 1.6W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -7.4A
Pulsed drain current: -35A
Power dissipation: 1.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DMP2023UFDFDiodes IncorporatedMOSFET
товар відсутній
DMP2023UFDF-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -7.6A; Idm: -40A; 1.3W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -7.6A
Pulsed drain current: -40A
Power dissipation: 1.3W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DMP2023UFDF-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 7.6A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 230000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+17.4 грн
Мінімальне замовлення: 10000
DMP2023UFDF-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -7.6A; Idm: -40A; 1.3W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -7.6A
Pulsed drain current: -40A
Power dissipation: 1.3W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 10000 шт
товар відсутній
DMP2023UFDF-13Diodes IncorporatedMOSFET 20V P-Ch Enh FET 8Vgss -7.6A ID 0.7W
товар відсутній
DMP2023UFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 7.6A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 730mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1837 pF @ 15 V
на замовлення 230000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+15.03 грн
30000+ 14.33 грн
Мінімальне замовлення: 10000
DMP2023UFDF-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 7.6A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 230000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+17.4 грн
Мінімальне замовлення: 10000
DMP2023UFDF-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 7.6A 6-Pin UDFN EP T/R
товар відсутній
DMP2023UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 7.6A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 267000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.4 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2023UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 7.6A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
698+16.77 грн
769+ 15.23 грн
800+ 14.63 грн
1000+ 13.56 грн
Мінімальне замовлення: 698
DMP2023UFDF-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.9A; 0.73W; U-DFN2020-6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.9A
Power dissipation: 0.73W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
DMP2023UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 7.6A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.71 грн
6000+ 15.55 грн
9000+ 14.07 грн
24000+ 13.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2023UFDF-7Diodes IncorporatedMOSFET 20V P-Ch Enh FET 8Vgss -7.6A ID 0.7W
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.64 грн
12+ 27.87 грн
100+ 18.36 грн
500+ 16.22 грн
1000+ 14.95 грн
3000+ 14.89 грн
9000+ 14.42 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMP2023UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 7.6A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 153000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.4 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2023UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 7.6A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 730mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1837 pF @ 15 V
на замовлення 126434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.5 грн
10+ 37.62 грн
100+ 26.04 грн
500+ 20.43 грн
1000+ 17.38 грн
Мінімальне замовлення: 7
DMP2023UFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2023UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 7.6 A, 0.027 ohm, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 730mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 730mW
Bauform - Transistor: UDFN2020
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.027ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
на замовлення 1125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.91 грн
500+ 20.45 грн
1000+ 15.21 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMP2023UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 7.6A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 141000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.4 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2023UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 7.6A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.81 грн
6000+ 10.79 грн
12000+ 10.04 грн
18000+ 9.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2023UFDF-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 7.6A 6-Pin UDFN EP T/R
товар відсутній
DMP2023UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 7.6A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.92 грн
6000+ 16.75 грн
9000+ 15.16 грн
24000+ 14.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2023UFDF-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.9A; 0.73W; U-DFN2020-6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.9A
Power dissipation: 0.73W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DMP2023UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 7.6A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+16.22 грн
38+ 15.57 грн
100+ 14.14 грн
500+ 13.1 грн
1000+ 11.65 грн
Мінімальне замовлення: 36
DMP2023UFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2023UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 7.6 A, 0.027 ohm, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 730mW
Bauform - Transistor: UDFN2020
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
на замовлення 1125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+47.86 грн
19+ 40.22 грн
100+ 25.91 грн
500+ 20.45 грн
1000+ 15.21 грн
Мінімальне замовлення: 16
DMP2023UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 7.6A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.46 грн
6000+ 15.87 грн
9000+ 10.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2023UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 7.6A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 730mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1837 pF @ 15 V
на замовлення 123000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.13 грн
6000+ 15.63 грн
9000+ 14.47 грн
30000+ 13.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2023UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 7.6A 6-Pin UDFN EP T/R
товар відсутній
DMP2033UCB9-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.2A U-WLB1515-9
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1515-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2033UCB9-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 5.8A 9-Pin U-WLB T/R
товар відсутній
DMP2033UCB9-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.2A U-WLB1515-9
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1515-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 10 V
на замовлення 5716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+44.78 грн
10+ 36.58 грн
100+ 25.46 грн
500+ 18.66 грн
1000+ 15.16 грн
Мінімальне замовлення: 7
DMP2033UCB9-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.2A U-WLB1515-9
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1515-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 10 V
товар відсутній
DMP2033UCB9-7Diodes IncorporatedMOSFET P-Ch Enh Mode FET 33mOhm -20V -5.8A
товар відсутній
DMP2033UVT-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.4A; Idm: -10A; 1.7W; TSOT26
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.4A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 1.7W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DMP2033UVT-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.2A TSOT-26
товар відсутній
DMP2033UVT-13Diodes IncorporatedMOSFET 20V P-Ch Enh Mode 8Vgss 845pF 10.4nC
товар відсутній
DMP2033UVT-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 4.2A 6-Pin TSOT-26 T/R
товар відсутній
DMP2033UVT-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.4A; Idm: -10A; 1.7W; TSOT26
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.4A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 1.7W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 10000 шт
товар відсутній
DMP2033UVT-7Diodes IncorporatedMOSFET 20V P-Ch Enh Mode 8Vgss 845pF 10.4nC
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+29.68 грн
13+ 24.8 грн
100+ 15.02 грн
500+ 11.75 грн
1000+ 9.55 грн
3000+ 8.08 грн
9000+ 7.48 грн
Мінімальне замовлення: 11
DMP2033UVT-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 4.2A 6-Pin TSOT-26 T/R
товар відсутній
DMP2033UVT-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.4A; Idm: -10A; 1.7W; TSOT26
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.4A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 1.7W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMP2033UVT-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.4A; Idm: -10A; 1.7W; TSOT26
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.4A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 1.7W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DMP2033UVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.2A TSOT-26
товар відсутній
DMP2035UDiodes IncorporatedMOSFET
товар відсутній
DMP2035UDIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2035U - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, p-Kanal, 20 V, 3.6 A, 0.023 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 810mW
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
на замовлення 26839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+8.24 грн
500+ 6.45 грн
1000+ 4.85 грн
5000+ 4.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMP2035Uams OSRAMams OSRAM
товар відсутній
DMP2035UDIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2035U - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, p-Kanal, 20 V, 3.6 A, 0.023 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 810mW
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
на замовлення 26839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+22.77 грн
46+ 16.33 грн
100+ 8.24 грн
500+ 6.45 грн
1000+ 4.85 грн
5000+ 4.58 грн
Мінімальне замовлення: 33
DMP2035U-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.9A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
DMP2035U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.9A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
DMP2035U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 3.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 810mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 10 V
на замовлення 2926645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+28.89 грн
14+ 19.89 грн
100+ 10.01 грн
500+ 8.33 грн
1000+ 6.48 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMP2035U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 11735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1208+9.69 грн
1593+ 7.35 грн
3000+ 5.55 грн
9000+ 4.05 грн
Мінімальне замовлення: 1208
DMP2035U-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2035U-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.6 A, 0.023 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 810mW
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
на замовлення 16205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+16.33 грн
61+ 12.28 грн
100+ 8.24 грн
500+ 6.17 грн
1500+ 5.58 грн
Мінімальне замовлення: 46
DMP2035U-7DIODES/ZETEXP-MOSFET 20V 3.6A 35mΩ 810mW DMP2035U-7 Diodes TDMP2035u
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
DMP2035U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1360+8.6 грн
1373+ 8.53 грн
1387+ 8.44 грн
1769+ 6.38 грн
Мінімальне замовлення: 1360
DMP2035U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.19 грн
6000+ 5.05 грн
12000+ 3.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2035U-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2035U-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.6 A, 0.023 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 810mW
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.54 грн
9000+ 5.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2035U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.34 грн
6000+ 4.9 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2035U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2937000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2035U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.74 грн
6000+ 4.69 грн
12000+ 3.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2035U-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.9A; 0.81W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.9A
Power dissipation: 0.81W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 62mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 4989 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
30+12.88 грн
60+ 6.05 грн
100+ 5.29 грн
180+ 4.58 грн
485+ 4.33 грн
Мінімальне замовлення: 30
DMP2035U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 3.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 810mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 10 V
на замовлення 2922000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.42 грн
6000+ 6.04 грн
9000+ 5.35 грн
30000+ 4.96 грн
75000+ 4.21 грн
150000+ 4.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2035U-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 4.9A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
DMP2035U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2010000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.76 грн
6000+ 4.72 грн
12000+ 2.96 грн
18000+ 2.81 грн
30000+ 2.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2035U-7DIODES/ZETEXP-MOSFET 20V 3.6A 35mΩ 810mW DMP2035U-7 Diodes TDMP2035u
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 398 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+3.82 грн
Мінімальне замовлення: 200
DMP2035U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.34 грн
6000+ 4.9 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2035U-7
Код товару: 198292		Транзистори > Польові P-канальні
товар відсутній
DMP2035U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 11735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+28.16 грн
30+ 19.83 грн
100+ 9 грн
1000+ 6.58 грн
3000+ 4.6 грн
9000+ 3.35 грн
Мінімальне замовлення: 21
DMP2035U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2010000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.35 грн
6000+ 4.38 грн
12000+ 2.75 грн
18000+ 2.61 грн
30000+ 2.4 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2035U-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2035U-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.6 A, 0.023 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 810mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 810mW
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
на замовлення 16205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+8.24 грн
500+ 6.17 грн
1500+ 5.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMP2035U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
93+6.27 грн
Мінімальне замовлення: 93
DMP2035U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2460000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.22 грн
6000+ 4.79 грн
12000+ 4.61 грн
18000+ 4.39 грн
30000+ 3.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2035U-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET P-CHANNEL SOT-23
на замовлення 116012 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+30.45 грн
15+ 21.34 грн
100+ 8.48 грн
1000+ 6.54 грн
3000+ 5.54 грн
9000+ 5.07 грн
24000+ 4.74 грн
Мінімальне замовлення: 11
DMP2035U-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 4.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2035U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2853000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2035U-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.9A; 0.81W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.9A
Power dissipation: 0.81W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 62mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 4989 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
20+15.46 грн
35+ 7.54 грн
100+ 6.34 грн
180+ 5.5 грн
485+ 5.2 грн
Мінімальне замовлення: 20
DMP2035U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2460000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3312+3.53 грн
630000+ 3.23 грн
1260000+ 3 грн
1890000+ 2.73 грн
Мінімальне замовлення: 3312
DMP2035U-7-FDIODES/CJ11+ SOT-23
на замовлення 129211 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DMP2035UFCL-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.3A; Idm: -40A; 1.6W
Case: U-DFN1616-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5.3A
On-state resistance: 45mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 44nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -40A
товар відсутній
DMP2035UFCL-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 6.6A T/R
товар відсутній
DMP2035UFCL-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 6.6A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN1616-6 (Type K)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 10 V
на замовлення 176012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.44 грн
10+ 33.66 грн
100+ 23.3 грн
500+ 18.27 грн
1000+ 15.55 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMP2035UFCL-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 6.6A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2035UFCL-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.3A; Idm: -40A; 1.6W
Case: U-DFN1616-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5.3A
On-state resistance: 45mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 44nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -40A
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
DMP2035UFCL-7Diodes IncorporatedMOSFET 20V P-Ch Enh FET 8Vgss -20Vdss -40A
на замовлення 1058 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+43.46 грн
10+ 36.93 грн
100+ 22.23 грн
500+ 18.63 грн
1000+ 15.82 грн
3000+ 13.09 грн
9000+ 12.68 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMP2035UFCL-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 6.6A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN1616-6 (Type K)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 10 V
на замовлення 174000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.33 грн
6000+ 13.98 грн
9000+ 12.95 грн
30000+ 12.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2035UFDF-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6.5A; Idm: -40A; 1.31W
Case: U-DFN2020-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6.5A
On-state resistance: 0.12Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.31W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 20.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -40A
товар відсутній
DMP2035UFDF-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 6.9A T/R
товар відсутній
DMP2035UFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 8.1A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.03W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1808 pF @ 15 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+7.69 грн
Мінімальне замовлення: 10000
DMP2035UFDF-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 6.9A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+8.33 грн
Мінімальне замовлення: 10000
DMP2035UFDF-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6.5A; Idm: -40A; 1.31W
Case: U-DFN2020-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6.5A
On-state resistance: 0.12Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.31W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 20.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -40A
кількість в упаковці: 10000 шт
товар відсутній
DMP2035UFDF-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 10K
товар відсутній
DMP2035UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 8.1A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.03W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1808 pF @ 15 V
на замовлення 949407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+33.94 грн
12+ 25.24 грн
100+ 15.17 грн
500+ 13.18 грн
1000+ 8.96 грн
Мінімальне замовлення: 9
DMP2035UFDF-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6.5A; Idm: -40A; 1.31W
Case: U-DFN2020-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6.5A
On-state resistance: 0.12Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.31W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 20.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -40A
товар відсутній
DMP2035UFDF-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 6.9A 6-Pin UDFN EP T/R
товар відсутній
DMP2035UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 8.1A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.03W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1808 pF @ 15 V
на замовлення 945000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.13 грн
6000+ 8.42 грн
9000+ 7.58 грн
30000+ 7.01 грн
75000+ 6.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2035UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 6.9A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 252000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2035UFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2035UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.9 A, 0.02 ohm, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 660mW
Anzahl der Pins: 6Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+15.05 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMP2035UFDF-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6.5A; Idm: -40A; 1.31W
Case: U-DFN2020-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6.5A
On-state resistance: 0.12Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.31W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 20.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -40A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMP2035UFDF-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 30454 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+36.22 грн
13+ 24.8 грн
100+ 12.95 грн
1000+ 9.15 грн
3000+ 7.08 грн
9000+ 6.88 грн
Мінімальне замовлення: 9
DMP2035UFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2035UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.9 A, 0.02 ohm, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 660mW
Anzahl der Pins: 6Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+39.92 грн
25+ 30.26 грн
100+ 15.05 грн
Мінімальне замовлення: 19
DMP2035UQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.9A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
DMP2035UQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4A; Idm: -24A; 1.2W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4A
Pulsed drain current: -24A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 62mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMP2035UQ-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 3K
на замовлення 2935 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+37.7 грн
11+ 29.94 грн
100+ 17.76 грн
1000+ 10.28 грн
3000+ 8.75 грн
9000+ 8.01 грн
24000+ 7.34 грн
Мінімальне замовлення: 9
DMP2035UQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 810mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.22 грн
6000+ 8.51 грн
9000+ 7.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2035UQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.9A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2035UQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4A; Idm: -24A; 1.2W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4A
Pulsed drain current: -24A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 62mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DMP2035UQ-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 4.9A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
DMP2035UTS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 6.04A 8-Pin TSSOP T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+13.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMP2035UTS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2035UTS-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 6.04 A, 6.04 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.04A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.04A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 890mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSSOP
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: PW Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 890mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+45.38 грн
20+ 37.97 грн
100+ 25.84 грн
500+ 19.05 грн
1000+ 13.87 грн
Мінімальне замовлення: 17
DMP2035UTS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 6.04A 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 890mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.04A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Part Status: Active
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+13.56 грн
5000+ 12.39 грн
12500+ 11.51 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMP2035UTS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 6.04A 8-Pin TSSOP T/R
на замовлення 2367 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+14.68 грн
41+ 14.31 грн
100+ 12.87 грн
250+ 11.8 грн
500+ 10.74 грн
1000+ 9.63 грн
Мінімальне замовлення: 40
DMP2035UTS-13DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; 3.96A; Idm: 22A; 0.89W
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: 3.96A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 0.89W
Case: TSSOP8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 62mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Semiconductor structure: common drain
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
товар відсутній
DMP2035UTS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 6.04A 8-Pin TSSOP T/R
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+13.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMP2035UTS-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 6.04A 8-Pin TSSOP T/R
товар відсутній
DMP2035UTS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2035UTS-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 6.04 A, 6.04 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.04A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.04A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 890mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSSOP
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: PW Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 890mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.84 грн
500+ 19.05 грн
1000+ 13.87 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMP2035UTS-13DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; 3.96A; Idm: 22A; 0.89W
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: 3.96A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 0.89W
Case: TSSOP8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 62mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Semiconductor structure: common drain
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMP2035UTS-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET P-CHAN
на замовлення 2436 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+39.1 грн
10+ 33.09 грн
100+ 21.3 грн
500+ 17.09 грн
1000+ 13.62 грн
2500+ 12.08 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMP2035UTS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 6.04A 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 890mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.04A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Part Status: Active
на замовлення 24211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.72 грн
10+ 33.1 грн
100+ 23.01 грн
500+ 16.87 грн
1000+ 13.71 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMP2035UTS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 6.04A 8-Pin TSSOP T/R
на замовлення 2367 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
760+15.41 грн
815+ 14.37 грн
823+ 14.23 грн
868+ 13.01 грн
1000+ 10.8 грн
Мінімальне замовлення: 760
DMP2035UVT-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.7A; Idm: -24A; 2W; TSOT26
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5.7A
Pulsed drain current: -24A
Power dissipation: 2W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 62mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DMP2035UVT-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 6A 6-Pin TSOT-26 T/R
товар відсутній
DMP2035UVT-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.7A; Idm: -24A; 2W; TSOT26
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5.7A
Pulsed drain current: -24A
Power dissipation: 2W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 62mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 10000 шт
товар відсутній
DMP2035UVT-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 7.2A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
DMP2035UVT-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 6A 6-Pin TSOT-26 T/R
товар відсутній
DMP2035UVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 6A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.08 грн
6000+ 7.02 грн
9000+ 6.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2035UVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 6A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2035UVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 6A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 1137000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2035UVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 6A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2035UVT-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2035UVT-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.023 ohm, TSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: TSOT
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
на замовлення 1710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+38.27 грн
28+ 26.81 грн
100+ 14 грн
500+ 10.36 грн
1000+ 7.06 грн
Мінімальне замовлення: 20
DMP2035UVT-7Diodes IncorporatedMOSFET P-Ch -20V ENH Mode 35mOhm -4.5V -6.0A
на замовлення 12399 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+34.04 грн
14+ 22.8 грн
100+ 10.95 грн
1000+ 6.88 грн
3000+ 6.74 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMP2035UVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 6A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2035UVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 6A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 2448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
521+22.49 грн
1122+ 10.44 грн
1133+ 10.33 грн
1145+ 9.86 грн
1857+ 5.63 грн
Мінімальне замовлення: 521
DMP2035UVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 6A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 10 V
на замовлення 1156764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+32.5 грн
12+ 24.27 грн
100+ 14.56 грн
500+ 12.65 грн
1000+ 8.6 грн
Мінімальне замовлення: 9
DMP2035UVT-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.8A; 1.2W; TSOT26
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.8A
Power dissipation: 1.2W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 62mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 5084 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+32.95 грн
17+ 20.86 грн
25+ 15.37 грн
100+ 11.13 грн
107+ 7.55 грн
293+ 7.14 грн
Мінімальне замовлення: 12
DMP2035UVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 6A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.58 грн
6000+ 6.51 грн
9000+ 6.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2035UVT-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 6A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2035UVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 6A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 939000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2035UVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 6A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 2448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+30.98 грн
28+ 20.88 грн
100+ 9.35 грн
250+ 8.56 грн
500+ 8.14 грн
1000+ 5.02 грн
Мінімальне замовлення: 19
DMP2035UVT-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2035UVT-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.023 ohm, TSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: TSOT
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
на замовлення 1710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+14 грн
500+ 10.36 грн
1000+ 7.06 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMP2035UVT-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.8A; 1.2W; TSOT26
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.8A
Power dissipation: 1.2W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 62mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5084 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
7+39.54 грн
10+ 26 грн
25+ 18.44 грн
100+ 13.35 грн
107+ 9.06 грн
293+ 8.57 грн
Мінімальне замовлення: 7
DMP2035UVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 6A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 10 V
на замовлення 1152000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.76 грн
6000+ 8.09 грн
9000+ 7.28 грн
30000+ 6.73 грн
75000+ 6.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2035UVTQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 7.2A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-23-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
DMP2035UVTQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.7A; Idm: -24A; 2W; TSOT26
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5.7A
Pulsed drain current: -24A
Power dissipation: 2W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 62mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DMP2035UVTQ-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 6A Automotive 6-Pin TSOT-26 T/R
товар відсутній
DMP2035UVTQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.7A; Idm: -24A; 2W; TSOT26
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5.7A
Pulsed drain current: -24A
Power dissipation: 2W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 62mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 10000 шт
товар відсутній
DMP2035UVTQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 6A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOT-26 T/R
товар відсутній
DMP2035UVTQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 7.2A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-23-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
DMP2035UVTQ-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 9895 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+36.22 грн
12+ 27.72 грн
100+ 13.42 грн
1000+ 8.41 грн
2500+ 8.08 грн
10000+ 7.21 грн
20000+ 7.08 грн
Мінімальне замовлення: 9
DMP2035UVTQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.7A; Idm: -24A; 2W; TSOT26
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5.7A
Pulsed drain current: -24A
Power dissipation: 2W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 62mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMP2035UVTQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 6A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2035UVTQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 7.2A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-23-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.91 грн
6000+ 8.22 грн
9000+ 7.4 грн
30000+ 6.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2035UVTQ-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 7123 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+36.22 грн
12+ 27.72 грн
100+ 13.42 грн
1000+ 9.15 грн
3000+ 6.94 грн
9000+ 6.88 грн
Мінімальне замовлення: 9
DMP2035UVTQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.7A; Idm: -24A; 2W; TSOT26
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5.7A
Pulsed drain current: -24A
Power dissipation: 2W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 62mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DMP2035UVTQ-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 6A Automotive 6-Pin TSOT-26 T/R
товар відсутній
DMP2035UVTQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 7.2A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 65559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+33.22 грн
12+ 24.69 грн
100+ 14.81 грн
500+ 12.86 грн
1000+ 8.75 грн
Мінімальне замовлення: 9
DMP2036UVT-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V TSOT26 T&R 10K
товар відсутній
DMP2036UVT-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5A; Idm: -40A; 1W; TSOT26
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 20.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -40A
Case: TSOT26
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5A
On-state resistance: 58mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
товар відсутній
DMP2036UVT-13Diodes IncHigh Enhancement Mode MOSFET
товар відсутній
DMP2036UVT-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+6.68 грн
Мінімальне замовлення: 10000
DMP2036UVT-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5A; Idm: -40A; 1W; TSOT26
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 20.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -40A
Case: TSOT26
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5A
On-state resistance: 58mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 10000 шт
товар відсутній
DMP2036UVT-13Diodes ZetexHigh Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+7.18 грн
Мінімальне замовлення: 10000
DMP2036UVT-7Diodes IncHigh Enhancement Mode MOSFET
товар відсутній
DMP2036UVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 6A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1808 pF @ 15 V
товар відсутній
DMP2036UVT-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5A; Idm: -40A; 1W; TSOT26
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 20.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -40A
Case: TSOT26
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5A
On-state resistance: 58mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
DMP2036UVT-7Diodes ZetexHigh Enhancement Mode MOSFET
товар відсутній
DMP2036UVT-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V TSOT26 T&R 3K
товар відсутній
DMP2036UVT-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5A; Idm: -40A; 1W; TSOT26
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 20.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -40A
Case: TSOT26
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5A
On-state resistance: 58mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
товар відсутній
DMP2036UVTQ-13Diodes ZetexMOSFET BVDSS: 8V24V TSOT26 T&R 10K
товар відсутній
DMP2036UVTQ-7Diodes ZetexMOSFET BVDSS: 8V24V TSOT26 T&R 3K
товар відсутній
DMP2037U-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 10K
товар відсутній
DMP2037U-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 803 pF @ 10 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+6.17 грн
30000+ 5.87 грн
Мінімальне замовлення: 10000
DMP2037U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 803 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.13 грн
6000+ 6.71 грн
9000+ 5.95 грн
30000+ 5.51 грн
75000+ 4.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2037U-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.8A; Idm: -38A; 1.6W; SOT23
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -38A
Power dissipation: 1.6W
Gate charge: 14.5nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -4.8A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±10V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
On-state resistance: 43mΩ
товар відсутній
DMP2037U-7Diodes IncMOSFET BVDSS: 8V24V SOT23 T&R 3K
товар відсутній
DMP2037U-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.8A; Idm: -38A; 1.6W; SOT23
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -38A
Power dissipation: 1.6W
Gate charge: 14.5nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -4.8A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±10V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
On-state resistance: 43mΩ
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
DMP2037U-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3K
на замовлення 5760 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+39.1 грн
12+ 26.41 грн
100+ 14.29 грн
1000+ 10.15 грн
3000+ 8.61 грн
9000+ 6.74 грн
24000+ 6.41 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMP2037UFCL-7Diodes ZetexP-Channel Enhancement Mode MOSFET
товар відсутній
DMP2037UFCL-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN1616-6 T&R 3K
товар відсутній
DMP2037UFCL-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN1616-6
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN1616-6 (Type K)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 806 pF @ 10 V
товар відсутній
DMP2038USS-13Diodes IncorporatedMOSFET 20V P-Ch Enh Mode 8Vgss 1496pF 14.4nC
товар відсутній
DMP2038USS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 6.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1496 pF @ 15 V
на замовлення 37572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.33 грн
13+ 22.74 грн
100+ 13.66 грн
500+ 11.87 грн
1000+ 8.07 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMP2038USS-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 6.5A 8-Pin SO T/R
товар відсутній
DMP2038USS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 6.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1496 pF @ 15 V
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+8.22 грн
5000+ 7.59 грн
12500+ 6.83 грн
25000+ 6.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMP2039UFDE-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -25V; -5.4A; 0.8W; U-DFN2020-6
Case: U-DFN2020-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -25V
Drain current: -5.4A
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.8W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
товар відсутній
DMP2039UFDE-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 25V 6.7A 6UDFN
товар відсутній
DMP2039UFDE-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 25V 6.7A 6-Pin DFN EP T/R
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+35.97 грн
19+ 31.02 грн
Мінімальне замовлення: 17
DMP2039UFDE-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -25V; -5.4A; 0.8W; U-DFN2020-6
Case: U-DFN2020-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -25V
Drain current: -5.4A
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.8W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMP2039UFDE-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 11941 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+31.86 грн
13+ 23.72 грн
100+ 15.42 грн
500+ 12.75 грн
1000+ 10.35 грн
3000+ 8.08 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMP2039UFDE-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 25V 6.7A 6UDFN
товар відсутній
DMP2039UFDE-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 25V 6.7A 6-Pin DFN EP T/R
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+30.73 грн
23+ 26.19 грн
25+ 25.93 грн
Мінімальне замовлення: 19
DMP2039UFDE-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 25V 6.7A 6-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
DMP2039UFDE4Diodes IncorporatedMOSFET
товар відсутній
DMP2039UFDE4-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -25V; -7.3A; Idm: -60A; 1.5W
Case: X2-DFN2020-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -25V
Drain current: -7.3A
On-state resistance: 70mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 28.2nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -60A
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
DMP2039UFDE4-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2039UFDE4-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 25 V, 7.3 A, 0.019 ohm, X2-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 690mW
Bauform - Transistor: X2-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.61 грн
500+ 18.71 грн
1000+ 12.13 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMP2039UFDE4-7
Код товару: 200462		Транзистори > Польові P-канальні
товар відсутній
DMP2039UFDE4-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 25V 7.3A 6-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
DMP2039UFDE4-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2039UFDE4-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 25 V, 7.3 A, 0.019 ohm, X2-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 690mW
Bauform - Transistor: X2-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+45.46 грн
20+ 38.05 грн
100+ 25.61 грн
500+ 18.71 грн
1000+ 12.13 грн
Мінімальне замовлення: 17
DMP2039UFDE4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 25V 7.3A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerXDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 690mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN2020-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 15 V
на замовлення 8990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39 грн
10+ 31.57 грн
100+ 21.95 грн
500+ 16.09 грн
1000+ 13.08 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMP2039UFDE4-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 25V 7.3A 6-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
DMP2039UFDE4-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -25V; -7.3A; Idm: -60A; 1.5W
Case: X2-DFN2020-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -25V
Drain current: -7.3A
On-state resistance: 70mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 28.2nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -60A
товар відсутній
DMP2039UFDE4-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 X2-DFN2020-6 T&R 3K
товар відсутній
DMP2039UFDE4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 25V 7.3A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerXDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 690mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN2020-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.93 грн
6000+ 11.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2039UFDE4-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 25V 7.3A 6-Pin DFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.7 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2040UFDF-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.9A; Idm: -35A; 1.8W
Mounting: SMD
Case: U-DFN2020-6
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.8W
Drain current: -4.9A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 53mΩ
Pulsed drain current: -35A
Gate charge: 19nC
Polarisation: unipolar
товар відсутній
DMP2040UFDF-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6 T&R 10K
товар відсутній
DMP2040UFDF-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.9A; Idm: -35A; 1.8W
Mounting: SMD
Case: U-DFN2020-6
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.8W
Drain current: -4.9A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 53mΩ
Pulsed drain current: -35A
Gate charge: 19nC
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 10000 шт
товар відсутній
DMP2040UFDF-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 2958 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.64 грн
12+ 27.64 грн
100+ 16.69 грн
500+ 13.02 грн
1000+ 10.62 грн
3000+ 9.15 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMP2040UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 13A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 8.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 834 pF @ 10 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.04 грн
6000+ 9.18 грн
9000+ 8.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2040UFDF-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.9A; Idm: -35A; 0.8W
Mounting: SMD
Case: U-DFN2020-6
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.8W
Drain current: -4.9A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 53mΩ
Pulsed drain current: -35A
Gate charge: 19nC
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMP2040UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 13A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 8.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 834 pF @ 10 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+29.61 грн
12+ 24.55 грн
100+ 17.05 грн
500+ 12.49 грн
1000+ 10.15 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMP2040UFDF-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.9A; Idm: -35A; 0.8W
Mounting: SMD
Case: U-DFN2020-6
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.8W
Drain current: -4.9A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 53mΩ
Pulsed drain current: -35A
Gate charge: 19nC
Polarisation: unipolar
товар відсутній
DMP2040USD-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 6.5A 8-Pin SO T/R
товар відсутній
DMP2040USD-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 6.5A 8-Pin SO T/R
товар відсутній
DMP2040USD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V-24V SO-8 T&R 2.
товар відсутній
DMP2040USD-13DIODES/ZETEXTrans MOSFET P-CH 20V 6.5A 8-Pin SO DMP2040USD-13 TDMP2040USD-13
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+12.52 грн
Мінімальне замовлення: 50
DMP2040USD-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V SO-8 T&R 2.5K
на замовлення 13820 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+34.43 грн
11+ 28.94 грн
100+ 18.83 грн
500+ 14.82 грн
1000+ 11.48 грн
2500+ 10.48 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMP2040USD-13DIODES INCORPORATEDDMP2040USD-13 SMD P channel transistors
товар відсутній
DMP2040USS-13DIODES INCORPORATEDDMP2040USS-13 SMD P channel transistors
товар відсутній
DMP2040USS-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V SO-8 T&R 2.5K
на замовлення 7246 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+34.74 грн
12+ 26.79 грн
100+ 12.95 грн
1000+ 8.81 грн
2500+ 6.81 грн
10000+ 6.74 грн
25000+ 6.68 грн
Мінімальне замовлення: 9
DMP2040USS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 7A/15A 8SO T&R 2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 8.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 834 pF @ 10 V
на замовлення 1159158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.78 грн
12+ 24.06 грн
100+ 14.46 грн
500+ 12.57 грн
1000+ 8.55 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMP2040USS-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 7A 8-Pin SO T/R
товар відсутній
DMP2040USS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 7A/15A 8SO T&R 2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 8.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 834 pF @ 10 V
на замовлення 1155000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+8.71 грн
5000+ 8.04 грн
12500+ 7.23 грн
25000+ 6.69 грн
62500+ 6.28 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMP2040UVT-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TSOT-26 T/R
товар відсутній
DMP2040UVT-13DIODES INCORPORATEDDMP2040UVT-13 SMD P channel transistors
товар відсутній
DMP2040UVT-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TSOT-26 T/R
товар відсутній
DMP2040UVT-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
товар відсутній
DMP2040UVT-7DIODES INCORPORATEDDMP2040UVT-7 SMD P channel transistors
товар відсутній
DMP2040UVT-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 3870 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+29.68 грн
14+ 22.96 грн
100+ 11.08 грн
1000+ 7.54 грн
3000+ 6.88 грн
9000+ 6.34 грн
Мінімальне замовлення: 11
DMP2040UVT-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TSOT-26 T/R
товар відсутній
DMP2040UVTQ-13Diodes ZetexMOSFET BVDSS: 8V24V TSOT26 T&R 10K
товар відсутній
DMP2042UCB4-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 1719 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
DMP2042UCB4-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 4.6A 4-Pin U-WLB T/R
товар відсутній
DMP2042UCB4-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.7A; Idm: -16A; 1.4W
Mounting: SMD
Case: U-WLB1010-4
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: -16A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.7A
On-state resistance: 65mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 2.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±6V
товар відсутній
DMP2042UCB4-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.7A; Idm: -16A; 1.4W
Mounting: SMD
Case: U-WLB1010-4
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: -16A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.7A
On-state resistance: 65mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 2.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±6V
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
DMP2042UCP4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DSN1010-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DSN1010-4 (Type C)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 218 pF @ 10 V
на замовлення 228000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.47 грн
6000+ 8.66 грн
9000+ 8.04 грн
30000+ 7.37 грн
75000+ 7.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2042UCP4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DSN1010-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DSN1010-4 (Type C)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 218 pF @ 10 V
на замовлення 230960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+28.16 грн
13+ 23.16 грн
100+ 16.08 грн
500+ 11.78 грн
1000+ 9.57 грн
Мінімальне замовлення: 11
DMP2043UCA3-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DSN1010-
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DMP2043UCA3-7DIODES INCORPORATEDDMP2043UCA3-7 SMD P channel transistors
товар відсутній
DMP2043UCA3-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 3553 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+36.61 грн
10+ 31.02 грн
100+ 20.16 грн
500+ 15.82 грн
Мінімальне замовлення: 9
DMP2043UCA3-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 4.2A 3-Pin X2-DSN T/R
товар відсутній
DMP2045U-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.5A; Idm: -25A; 1.2W; SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 6.8nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -25A
Case: SOT23
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.5A
On-state resistance: 90mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 10000 шт
товар відсутній
DMP2045U-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.5A; Idm: -25A; 1.2W; SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 6.8nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -25A
Case: SOT23
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.5A
On-state resistance: 90mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
товар відсутній
DMP2045U-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 9958 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.34 грн
14+ 22.8 грн
100+ 8.21 грн
1000+ 5.14 грн
2500+ 4.87 грн
10000+ 4.14 грн
20000+ 3.94 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMP2045U-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.3A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634 pF @ 10 V
товар відсутній
DMP2045U-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
DMP2045U-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.3A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634 pF @ 10 V
товар відсутній
DMP2045U-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
DMP2045U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.3A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634 pF @ 10 V
на замовлення 900000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.55 грн
6000+ 5.11 грн
9000+ 4.42 грн
30000+ 4.07 грн
75000+ 3.37 грн
150000+ 3.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2045U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+5.15 грн
9000+ 3.68 грн
Мінімальне замовлення: 6000
DMP2045U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DMP2045U-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.5 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2045U-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.1A; 0.8W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.1A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5451 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
10+28.76 грн
13+ 20.54 грн
25+ 12.18 грн
100+ 8.76 грн
191+ 5.09 грн
525+ 4.76 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMP2045U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 837000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.1 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2045U-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2045U-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.3 A, 0.032 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 800
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 116893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+38.72 грн
27+ 28.08 грн
100+ 14.08 грн
500+ 8.9 грн
1000+ 6.22 грн
5000+ 6.1 грн
Мінімальне замовлення: 20
DMP2045U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+5.78 грн
Мінімальне замовлення: 6000
DMP2045U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2045U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 123000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+5.15 грн
9000+ 3.68 грн
Мінімальне замовлення: 6000
DMP2045U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.14 грн
9000+ 4.15 грн
24000+ 3.98 грн
45000+ 3.4 грн
99000+ 3.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2045U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.3A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634 pF @ 10 V
на замовлення 903849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.05 грн
14+ 20.79 грн
100+ 10.49 грн
500+ 8.04 грн
1000+ 5.96 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMP2045U-7Diodes IncorporatedТранзистор: P-MOSFET, полевой, 24В, 4,3А, SOT23
на замовлення 491 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
DMP2045U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.54 грн
9000+ 4.47 грн
24000+ 4.29 грн
45000+ 3.66 грн
99000+ 3.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2045U-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2045U-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.3 A, 0.032 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 800
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 116893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+14.08 грн
500+ 8.9 грн
1000+ 6.22 грн
5000+ 6.1 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMP2045U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 123000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+5.78 грн
Мінімальне замовлення: 6000
DMP2045U-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.1A; 0.8W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.1A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 5451 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+23.97 грн
22+ 16.48 грн
35+ 10.15 грн
100+ 7.3 грн
191+ 4.24 грн
525+ 3.96 грн
Мінімальне замовлення: 16
DMP2045U-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V 24V
на замовлення 245463 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+28.27 грн
17+ 18.89 грн
100+ 8.21 грн
1000+ 6.08 грн
3000+ 4.87 грн
9000+ 3.4 грн
Мінімальне замовлення: 12
DMP2045U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2045U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
929+12.61 грн
1008+ 11.62 грн
1312+ 8.92 грн
1673+ 6.75 грн
3000+ 5.58 грн
Мінімальне замовлення: 929
DMP2045UFDB-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 3.1A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 740mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Part Status: Active
товар відсутній
DMP2045UFDB-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6 T&R 10K
товар відсутній
DMP2045UFDB-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6 T&R 3K
товар відсутній
DMP2045UFDB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 740mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Part Status: Active
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.83 грн
6000+ 8.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2045UFY4-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.7A 3-Pin X2-DFN T/R
товар відсутній
DMP2045UFY4-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.8A; Idm: -25A; 1.49W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.49W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 6.8nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -25A
Case: X2-DFN2015-3
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.8A
On-state resistance: 0.16Ω
Type of transistor: P-MOSFET
товар відсутній
DMP2045UFY4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.7A X2-DFN2015
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 670mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN2015-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634 pF @ 10 V
на замовлення 630000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.95 грн
6000+ 6.42 грн
9000+ 5.77 грн
30000+ 5.34 грн
75000+ 5.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2045UFY4-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN2015-3 T&R 3K
на замовлення 28094 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+26.09 грн
16+ 19.81 грн
100+ 9.55 грн
1000+ 6.54 грн
3000+ 6.28 грн
9000+ 5.54 грн
24000+ 5.47 грн
Мінімальне замовлення: 12
DMP2045UFY4-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.7A 3-Pin X2-DFN T/R
товар відсутній
DMP2045UFY4-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 4.7A 3-Pin X2-DFN T/R
товар відсутній
DMP2045UFY4-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.8A; Idm: -25A; 1.49W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.49W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 6.8nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -25A
Case: X2-DFN2015-3
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.8A
On-state resistance: 0.16Ω
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
DMP2045UFY4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.7A X2-DFN2015
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 670mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN2015-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634 pF @ 10 V
на замовлення 632957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26 грн
15+ 19.26 грн
100+ 11.55 грн
500+ 10.04 грн
1000+ 6.82 грн
Мінімальне замовлення: 12
DMP2045UQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+24.55 грн
16+ 18.08 грн
100+ 10.85 грн
500+ 9.43 грн
1000+ 6.41 грн
2000+ 5.9 грн
5000+ 5.56 грн
Мінімальне замовлення: 12
DMP2045UQ-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 10K
на замовлення 7847 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+26.79 грн
15+ 21.19 грн
100+ 12.62 грн
1000+ 7.08 грн
2500+ 6.61 грн
10000+ 5.67 грн
20000+ 5.21 грн
Мінімальне замовлення: 12
DMP2045UQ-13Diodes ZetexP-Channel Enhancement Mode MOSFET
товар відсутній
DMP2045UQ-13Diodes IncP-Channel Enhancement Mode MOSFET
товар відсутній
DMP2045UQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
DMP2045UQ-7Diodes ZetexP-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 702000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.53 грн
9000+ 5.32 грн
15000+ 5.23 грн
30000+ 4.91 грн
60000+ 4.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2045UQ-7Diodes ZetexP-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 702000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.97 грн
6000+ 6.52 грн
15000+ 5.88 грн
30000+ 5.41 грн
75000+ 4.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2045UQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.3A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 49125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+33.22 грн
13+ 22.74 грн
100+ 11.45 грн
500+ 9.52 грн
1000+ 7.41 грн
Мінімальне замовлення: 9
DMP2045UQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.5A; Idm: -25A; 1.2W; SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 6.8nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -25A
Case: SOT23
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.5A
On-state resistance: 90mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
DMP2045UQ-7Diodes ZetexP-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2045UQ-7Diodes ZetexP-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 2238000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.8 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2045UQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2045UQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.3 A, 0.032 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 800
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 4710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+16.7 грн
500+ 10.64 грн
1000+ 7.57 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMP2045UQ-7Diodes ZetexP-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
718+16.31 грн
1007+ 11.63 грн
1349+ 8.67 грн
3000+ 7.45 грн
6000+ 6.44 грн
15000+ 5.58 грн
30000+ 5.52 грн
75000+ 5.22 грн
Мінімальне замовлення: 718
DMP2045UQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.3A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 47360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.34 грн
6000+ 6.91 грн
9000+ 6.12 грн
30000+ 5.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2045UQ-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3K
на замовлення 154974 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+35.52 грн
16+ 20.27 грн
100+ 9.35 грн
1000+ 7.28 грн
3000+ 6.01 грн
9000+ 5.14 грн
24000+ 4.94 грн
Мінімальне замовлення: 9
DMP2045UQ-7Diodes ZetexP-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2045UQ-7Diodes ZetexP-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
товар відсутній
DMP2045UQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2045UQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.3 A, 0.032 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 800
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 4710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+41.12 грн
25+ 29.96 грн
100+ 16.7 грн
500+ 10.64 грн
1000+ 7.57 грн
Мінімальне замовлення: 19
DMP2045UQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.5A; Idm: -25A; 1.2W; SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 6.8nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -25A
Case: SOT23
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.5A
On-state resistance: 90mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
товар відсутній
DMP2045UQ-7Diodes IncMOSFET BVDSS: 8V24V SOT23 T&R 3K
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2047UCB4-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.1A 4-Pin U-WLB T/R
на замовлення 2180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+44.15 грн
16+ 38.28 грн
25+ 35.42 грн
100+ 25.39 грн
250+ 22.66 грн
500+ 18.6 грн
1000+ 11.98 грн
Мінімальне замовлення: 14
DMP2047UCB4-7Diodes IncorporatedMOSFET P-Ch ENH Mode FET -20V -6
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 189-198 дні (днів)
7+45.64 грн
10+ 38.77 грн
100+ 23.37 грн
500+ 19.56 грн
1000+ 16.62 грн
3000+ 15.02 грн
6000+ 13.95 грн
Мінімальне замовлення: 7
DMP2047UCB4-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.2A; Idm: -16A; 1.66W
Mounting: SMD
Case: U-WLB1010-4
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: -16A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.2A
On-state resistance: 60mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.66W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 2.3nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±6V
товар відсутній
DMP2047UCB4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.1A U-WLB1010-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1010-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 218 pF @ 10 V
на замовлення 2642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+44.78 грн
10+ 37.97 грн
100+ 29.1 грн
500+ 21.59 грн
1000+ 17.27 грн
Мінімальне замовлення: 7
DMP2047UCB4-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 4.1A 4-Pin U-WLB T/R
товар відсутній
DMP2047UCB4-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.1A 4-Pin U-WLB T/R
товар відсутній
DMP2047UCB4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.1A U-WLB1010-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1010-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 218 pF @ 10 V
товар відсутній
DMP2047UCB4-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.2A; Idm: -16A; 1.66W
Mounting: SMD
Case: U-WLB1010-4
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: -16A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.2A
On-state resistance: 60mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.66W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 2.3nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±6V
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
DMP2047UCB4-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.1A 4-Pin U-WLB T/R
на замовлення 2180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
307+38.15 грн
413+ 28.36 грн
429+ 27.33 грн
501+ 22.53 грн
1000+ 13.44 грн
Мінімальне замовлення: 307
DMP2060UFDB-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 3.2A 6UDFN
товар відсутній
DMP2060UFDB-13Diodes IncorporatedMOSFET 20V Dual P-Ch Enh 12Vgs -1.4W 884pF
товар відсутній
DMP2060UFDB-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 3.2A 6-Pin UDFN EP T/R
товар відсутній
DMP2060UFDB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 3.2A 6UDFN
на замовлення 2475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DMP2060UFDB-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 3.2A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
847+13.83 грн
Мінімальне замовлення: 847
DMP2060UFDB-7Diodes IncorporatedMOSFET 20V Dual P-Ch Enh 12Vgs -1.4W 884pF
товар відсутній
DMP2060UFDB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 3.2A 6UDFN
товар відсутній
DMP2060UFDB-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 3.2A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+12.84 грн
Мінімальне замовлення: 46
DMP2065U-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT23 T&R 3K
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+29.29 грн
15+ 21.65 грн
100+ 11.75 грн
500+ 8.28 грн
1000+ 6.61 грн
3000+ 5.54 грн
6000+ 5.21 грн
Мінімальне замовлення: 11
DMP2065UFDBDiodes IncorporatedMOSFET
товар відсутній
DMP2065UFDB-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.6A; Idm: -25A; 1.54W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.6A
On-state resistance: 0.2Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.54W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 9.1nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -25A
Mounting: SMD
Case: U-DFN2020-6
товар відсутній
DMP2065UFDB-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 10K
товар відсутній
DMP2065UFDB-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin UDFN EP T/R
товар відсутній
DMP2065UFDB-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.6A; Idm: -25A; 1.54W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.6A
On-state resistance: 0.2Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.54W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 9.1nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -25A
Mounting: SMD
Case: U-DFN2020-6
кількість в упаковці: 10000 шт
товар відсутній
DMP2065UFDB-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin UDFN EP T/R
товар відсутній
DMP2065UFDB-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2 P-CH 4.5A UDFN2020-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 752pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Part Status: Active
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+11.43 грн
30000+ 10.44 грн
50000+ 10.33 грн
Мінімальне замовлення: 10000
DMP2065UFDB-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+10.89 грн
Мінімальне замовлення: 10000
DMP2065UFDB-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2065UFDB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.54W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 752pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Part Status: Active
на замовлення 16369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+32.5 грн
11+ 26.77 грн
100+ 18.6 грн
500+ 13.63 грн
1000+ 11.08 грн
Мінімальне замовлення: 9
DMP2065UFDB-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.79 грн
6000+ 11.58 грн
9000+ 11.44 грн
15000+ 10.9 грн
30000+ 9.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2065UFDB-7DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -3.2A; 0.74W; U-DFN2020-6
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.2A
Power dissipation: 0.74W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMP2065UFDB-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2065UFDB-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin UDFN EP T/R
товар відсутній
DMP2065UFDB-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2065UFDB-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2065UFDB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.54W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 752pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.96 грн
6000+ 10.01 грн
9000+ 9.3 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2065UFDB-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 684000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2065UFDB-7DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -3.2A; 0.74W; U-DFN2020-6
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.2A
Power dissipation: 0.74W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DMP2065UFDB-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.79 грн
6000+ 11.58 грн
9000+ 11.44 грн
15000+ 10.9 грн
30000+ 9.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2065UFDB-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2065UFDB-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 620 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+37.31 грн
10+ 31.79 грн
100+ 20.63 грн
500+ 16.22 грн
1000+ 12.55 грн
3000+ 11.42 грн
6000+ 10.88 грн
Мінімальне замовлення: 9
DMP2065UQ-13DIODES INCORPORATEDDMP2065UQ-13 SMD P channel transistors
товар відсутній
DMP2065UQ-13Diodes IncMOSFET BVDSS: 8V24V SOT23 T&R 10K
товар відсутній
DMP2065UQ-7Diodes Inc20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
товар відсутній
DMP2066LDM
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DMP2066LDM-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.6A SOT-26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 15 V
на замовлення 51585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+27.44 грн
13+ 22.6 грн
100+ 15.74 грн
500+ 11.53 грн
1000+ 9.37 грн
Мінімальне замовлення: 11
DMP2066LDM-7Diodes IncorporatedMOSFET P-channel 1.25W
на замовлення 9010 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
DMP2066LDM-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.6A SOT-26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 15 V
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.27 грн
6000+ 8.47 грн
9000+ 7.87 грн
30000+ 7.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2066LDMQ-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+30.45 грн
13+ 25.57 грн
100+ 16.62 грн
500+ 13.02 грн
1000+ 10.15 грн
3000+ 8.41 грн
Мінімальне замовлення: 11
DMP2066LDMQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.7A; Idm: -18A; 1.25W; SOT26
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SOT26
Gate charge: 10.1nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -18A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.7A
On-state resistance: 70mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
товар відсутній
DMP2066LDMQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.6A SOT-26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 15 V
на замовлення 3171000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.39 грн
6000+ 8.58 грн
9000+ 7.97 грн
30000+ 7.3 грн
75000+ 7.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2066LDMQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.7A; Idm: -18A; 1.25W; SOT26
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SOT26
Gate charge: 10.1nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -18A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.7A
On-state resistance: 70mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMP2066LSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 5.8A 8-SOIC
товар відсутній
DMP2066LSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 5.8A 8-SOIC
товар відсутній
DMP2066LSD-13Diodes IncorporatedMOSFET 2xP-Channel 2W
на замовлення 4911 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
DMP2066LSN
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DMP2066LSN-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.6A 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2066LSN-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 4.6A 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
DMP2066LSN-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.7A; Idm: -18A; 1.25W; SC59
Mounting: SMD
Case: SC59
Pulsed drain current: -18A
Power dissipation: 1.25W
Gate charge: 10.1nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -3.7A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 70mΩ
Gate-source voltage: ±12V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMP2066LSN-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.6A SC59-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 15 V
на замовлення 133720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.33 грн
12+ 25.17 грн
100+ 17.48 грн
500+ 12.81 грн
1000+ 10.41 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMP2066LSN-7Diodes IncorporatedMOSFET P-channel 1.25W
на замовлення 16247 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.34 грн
12+ 27.87 грн
100+ 17.16 грн
500+ 13.42 грн
1000+ 10.75 грн
3000+ 8.48 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMP2066LSN-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.6A 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DMP2066LSN-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.6A SC59-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 15 V
на замовлення 126000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.3 грн
6000+ 9.41 грн
9000+ 8.74 грн
30000+ 8.01 грн
75000+ 7.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2066LSN-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.6A 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+23.39 грн
30+ 19.43 грн
100+ 13.02 грн
250+ 8.49 грн
Мінімальне замовлення: 25
DMP2066LSN-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.7A; Idm: -18A; 1.25W; SC59
Mounting: SMD
Case: SC59
Pulsed drain current: -18A
Power dissipation: 1.25W
Gate charge: 10.1nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -3.7A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 70mΩ
Gate-source voltage: ±12V
товар відсутній
DMP2066LSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 6.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 15 V
на замовлення 29744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.16 грн
10+ 34.01 грн
100+ 23.61 грн
500+ 17.3 грн
1000+ 14.06 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMP2066LSS-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 6.5A 8-Pin SOP T/R
товар відсутній
DMP2066LSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 6.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 15 V
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+13.91 грн
5000+ 12.71 грн
12500+ 11.8 грн
25000+ 10.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMP2066LSS-13Diodes IncorporatedMOSFET P-Channel 2.5W
на замовлення 2374 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
DMP2066LVT-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.5A TSOT26
товар відсутній
DMP2066LVT-13Diodes IncorporatedMOSFET FET BVDSS 8V 24V P-Ch 4.5A 45Vgs 1496
на замовлення 9998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
DMP2066LVT-7Diodes IncorporatedMOSFET FET BVDSS 8V 24V P-Ch 4.5A 45Vgs 1496
на замовлення 2340 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
DMP2066LVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V TSOT26
на замовлення 248118000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DMP2066LVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V TSOT26
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DMP2066LVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V TSOT26
на замовлення 248118000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DMP2066UFDE-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 6.2A 6UDFN
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+32.5 грн
11+ 26.57 грн
100+ 19.85 грн
500+ 14.63 грн
1000+ 11.31 грн
Мінімальне замовлення: 9
DMP2066UFDE-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 6.2A 6-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
DMP2066UFDE-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 6.2A 6UDFN
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2066UFDE-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.9A; Idm: -25A; 2.03W
Mounting: SMD
Case: U-DFN2020-6
Pulsed drain current: -25A
Power dissipation: 2.03W
Gate charge: 14.4nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -5.9A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 75mΩ
Gate-source voltage: ±12V
товар відсутній
DMP2066UFDE-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+30.45 грн
14+ 22.19 грн
100+ 15.29 грн
500+ 12.02 грн
1000+ 9.81 грн
3000+ 7.68 грн
24000+ 7.61 грн
Мінімальне замовлення: 11
DMP2066UFDE-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.9A; Idm: -25A; 2.03W
Mounting: SMD
Case: U-DFN2020-6
Pulsed drain current: -25A
Power dissipation: 2.03W
Gate charge: 14.4nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -5.9A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 75mΩ
Gate-source voltage: ±12V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMP2067LVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.2A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1575 pF @ 10 V
на замовлення 862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+29.61 грн
12+ 23.44 грн
100+ 15.93 грн
500+ 11.21 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMP2067LVT-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 1555 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+28.27 грн
13+ 23.65 грн
100+ 11.48 грн
1000+ 8.28 грн
3000+ 6.81 грн
9000+ 6.14 грн
24000+ 6.01 грн
Мінімальне замовлення: 12
DMP2067LVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.2A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1575 pF @ 10 V
товар відсутній
DMP2069UFY4-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2069UFY4-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.036 ohm, X2-DFN2015, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 530mW
Bauform - Transistor: X2-DFN2015
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+36.55 грн
25+ 30.63 грн
100+ 20.45 грн
500+ 14.88 грн
1000+ 10.66 грн
3000+ 10.21 грн
Мінімальне замовлення: 21
DMP2069UFY4-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.2A; Idm: -12A; 530mW
Case: X2-DFN2015-3
Mounting: SMD
On-state resistance: 90mΩ
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.53W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 9.1nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -12A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.2A
Type of transistor: P-MOSFET
товар відсутній
DMP2069UFY4-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.2A; Idm: -12A; 530mW
Case: X2-DFN2015-3
Mounting: SMD
On-state resistance: 90mΩ
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.53W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 9.1nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -12A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.2A
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMP2069UFY4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 2.5A DFN2015H4-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 530mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2015H4-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 214 pF @ 10 V
товар відсутній
DMP2069UFY4-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2069UFY4-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.036 ohm, X2-DFN2015, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 530mW
Bauform - Transistor: X2-DFN2015
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.45 грн
500+ 14.88 грн
1000+ 10.66 грн
3000+ 10.21 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMP2069UFY4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 2.5A DFN2015H4-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 530mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2015H4-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 214 pF @ 10 V
товар відсутній
DMP2069UFY4-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET P-CHAN.
на замовлення 23980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.34 грн
11+ 28.33 грн
100+ 17.16 грн
500+ 13.35 грн
1000+ 10.88 грн
3000+ 8.48 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMP2069UFY4-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 2.5A 3-Pin DFN T/R
товар відсутній
DMP2069UFY4Q-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2069UFY4Q-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.036 ohm, X2-DFN2015, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 530mW
Bauform - Transistor: X2-DFN2015
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+14.98 грн
500+ 11.82 грн
1000+ 9.31 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMP2069UFY4Q-7Diodes IncMOSFET BVDSS: 8V24V X2-DFN2015-3 T&R 3K
товар відсутній
DMP2069UFY4Q-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.2A; Idm: -12A; 530mW
Case: X2-DFN2015-3
Mounting: SMD
On-state resistance: 90mΩ
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.53W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 9.1nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -12A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.2A
Type of transistor: P-MOSFET
товар відсутній
DMP2069UFY4Q-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2069UFY4Q-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.036 ohm, X2-DFN2015, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 530mW
Bauform - Transistor: X2-DFN2015
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+25.61 грн
40+ 18.87 грн
100+ 14.98 грн
500+ 11.82 грн
1000+ 9.31 грн
Мінімальне замовлення: 30
DMP2069UFY4Q-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.2A; Idm: -12A; 530mW
Case: X2-DFN2015-3
Mounting: SMD
On-state resistance: 90mΩ
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.53W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 9.1nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -12A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.2A
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMP2069UFY4Q-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN2015-
товар відсутній
DMP2070U-7Diodes IncMOSFET BVDSS: 8V24V SOT23 T&R 3K
товар відсутній
DMP2070U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
на замовлення 2476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.16 грн
10+ 33.8 грн
100+ 25.24 грн
500+ 18.61 грн
1000+ 14.38 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMP2070U-7DIODES INCORPORATEDDMP2070U-7 SMD P channel transistors
товар відсутній
DMP2070U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
товар відсутній
DMP2070UCB6-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 2.5A U-WLB1510-6
на замовлення 1834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DMP2070UCB6-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 U-WLB1015-6 T&R 3K
на замовлення 12605 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
DMP2070UCB6-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 2.5A 6-Pin WLB T/R
товар відсутній
DMP2070UCB6-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 2.5A U-WLB1510-6
товар відсутній
DMP2070UCB6-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 2.5A U-WLB1510-6
товар відсутній
DMP2070UQ-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 4.6A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
DMP2070UQ-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 3K
на замовлення 2109 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+36.61 грн
12+ 27.1 грн
100+ 14.75 грн
500+ 10.08 грн
1000+ 7.94 грн
3000+ 6.74 грн
6000+ 6.54 грн
Мінімальне замовлення: 9
DMP2070UQ-7DIODES INCORPORATEDDMP2070UQ-7 SMD N channel transistors
товар відсутній
DMP2070UQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
на замовлення 698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+38.28 грн
10+ 27.89 грн
100+ 17.34 грн
500+ 11.13 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMP2070UQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
товар відсутній
DMP2070UQ-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 4.6A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
DMP2075UFDB-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3A; Idm: -25A; 1.4W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3A
On-state resistance: 137mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.4W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -25A
Mounting: SMD
Case: U-DFN2020-6
товар відсутній
DMP2075UFDB-13Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 3.8A 6-Pin UDFN EP T/R
товар відсутній
DMP2075UFDB-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
товар відсутній
DMP2075UFDB-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3A; Idm: -25A; 1.4W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3A
On-state resistance: 137mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.4W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -25A
Mounting: SMD
Case: U-DFN2020-6
кількість в упаковці: 10000 шт
товар відсутній
DMP2075UFDB-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 642pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+6.89 грн
30000+ 6.54 грн
50000+ 6.15 грн
Мінімальне замовлення: 10000
DMP2075UFDB-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 3.8A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.04 грн
9000+ 7.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2075UFDB-7Diodes IncTrans MOSFET P-CH 20V 3.8A 6-Pin UDFN EP T/R
товар відсутній
DMP2075UFDB-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 3.8A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.66 грн
9000+ 8.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2075UFDB-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 83016 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.34 грн
14+ 22.65 грн
100+ 12.08 грн
1000+ 7.88 грн
3000+ 7.28 грн
9000+ 6.74 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMP2075UFDB-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3A; Idm: -25A; 1.4W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -25A
Power dissipation: 1.4W
Gate charge: 15nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -3A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
Case: U-DFN2020-6
On-state resistance: 137mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMP2075UFDB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 642pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Part Status: Active
на замовлення 201000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.08 грн
6000+ 8.38 грн
9000+ 7.55 грн
30000+ 6.98 грн
75000+ 6.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2075UFDB-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 3.8A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMP2075UFDB-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 3.8A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 2819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+31.94 грн
26+ 22.51 грн
27+ 22.06 грн
100+ 13.35 грн
250+ 12.24 грн
500+ 11.27 грн
1000+ 6.96 грн
Мінімальне замовлення: 19
DMP2075UFDB-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 3.8A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 2819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
493+23.76 грн
785+ 14.91 грн
793+ 14.76 грн
827+ 13.65 грн
1339+ 7.81 грн
Мінімальне замовлення: 493
DMP2075UFDB-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3A; Idm: -25A; 1.4W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -25A
Power dissipation: 1.4W
Gate charge: 15nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -3A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
Case: U-DFN2020-6
On-state resistance: 137mΩ
товар відсутній
DMP2075UFDB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 642pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Part Status: Active
на замовлення 216173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+33.22 грн
12+ 25.11 грн
100+ 15.09 грн
500+ 13.11 грн
1000+ 8.92 грн
Мінімальне замовлення: 9
DMP2075UVT-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 T&R
товар відсутній
DMP2075UVT-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
товар відсутній
DMP2075UVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 T&R
товар відсутній
DMP2075UVT-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
товар відсутній
DMP2077UCA3-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4A X4-DSN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 660mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X4-DSN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143 pF @ 10 V
на замовлення 4890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+27.44 грн
14+ 20.45 грн
100+ 12.24 грн
500+ 10.64 грн
1000+ 7.23 грн
2000+ 6.66 грн
Мінімальне замовлення: 11
DMP2077UCA3-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4A X4-DSN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 660mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X4-DSN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143 pF @ 10 V
товар відсутній