Продукція > FGH

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FGH.LM.368.XLCT
Код товару: 196533		Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Роз'єми колоподібні (силові, мікрофонні)
товар відсутній
FGH051-020.OMEGADescription: OMEGA - FGH051-020. - HEATING TAPE, 105W, 120VAC, 1/2" X 2
tariffCode: 0
productTraceability: No
Stromverbrauch: 105W
rohsCompliant: YES
Drahtverbindung Oberflächenheizung: 2-Prong Molded Separable Plug
euEccn: NLR
Oberflächenheizung: Standard Insulated Heating Tape
Versorgungsspannung: 120VAC
hazardous: false
Wattdichte: 8.6W/in²
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
Betriebstemperatur, min.: -
Betriebstemperatur, max.: 482°C
usEccn: EAR99
Produktpalette: OMEGALUX FGH Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
FGH0H104ZFKEMETHigh Energy Storage Electric Double Layer- Supercaps
товар відсутній
FGH0H104ZFKEMETDescription: KEMET - FGH0H104ZF - Superkondensator, EDLC, 0.1 F, 5.5 V, Radial bedrahtet, -20%, +80%, 5.08 mm, 1000 Stunden bei 70°C
tariffCode: 85322900
Produkthöhe: 5.5mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Becher
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: 5.08mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: -20%, +80%
Kondensatormontage: Durchsteckmontage
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Lebensdauer bei Temperatur: 1000 Stunden bei 70°C
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 100ohm
Produktlänge: -
euEccn: NLR
Kapazität: 0.1F
Spannung (DC): 5.5V
Produktpalette: FG Supercapacitors Series
productTraceability: No
Produktdurchmesser: 11mm
Kondensatoranschlüsse: Radial bedrahtet
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Produktbreite: -
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+235.91 грн
10+ 159.52 грн
50+ 148.29 грн
100+ 114.75 грн
500+ 84.74 грн
1000+ 73.82 грн
2000+ 69.33 грн
4000+ 68.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
FGH0H104ZFKEMETDescription: CAP 100MF -20% +80% 5.5V T/H
Packaging: Bulk
Tolerance: -20%, +80%
Package / Case: Radial, Can
Size / Dimension: 0.433" Dia (11.00mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -25°C ~ 70°C
Lead Spacing: 0.200" (5.08mm)
Termination: PC Pins
ESR (Equivalent Series Resistance): 100Ohm @ 1kHz
Lifetime @ Temp.: 1000 Hrs @ 70°C
Height - Seated (Max): 0.217" (5.50mm)
Part Status: Active
Capacitance: 100 mF
Voltage - Rated: 5.5 V
на замовлення 2126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+200.77 грн
10+ 148.47 грн
50+ 136.4 грн
100+ 106.13 грн
500+ 85.33 грн
2000+ 72 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH0H104ZFKEMETSupercapacitors / Ultracapacitors 5.5V 0.1F -20/+80% LS=5.08mm
на замовлення 5815 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+218.09 грн
10+ 165.07 грн
50+ 132.19 грн
100+ 110.16 грн
500+ 88.12 грн
1000+ 76.78 грн
2000+ 70.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH0H105ZFKEMETDescription: CAP 1F -20% +80% 5.5V T/H
Tolerance: -20%, +80%
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial, Can
Size / Dimension: 0.846" Dia (21.50mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -25°C ~ 70°C
Lead Spacing: 0.300" (7.62mm)
Termination: PC Pins
ESR (Equivalent Series Resistance): 35Ohm @ 1kHz
Height - Seated (Max): 0.374" (9.50mm)
Part Status: Active
Capacitance: 1 F
Voltage - Rated: 5.5 V
на замовлення 412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+380.59 грн
90+ 236.12 грн
FGH0H105ZFKEMETSupercapacitors / Ultracapacitors 5.5V 1F -20/+80% LS=7.62mm
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+403.46 грн
10+ 358.54 грн
50+ 270.38 грн
90+ 235.67 грн
FGH0H105ZFKEMETCap Supercap 1F 5.5V -20% to 80% (21.5 X 9.5mm) Radial Aluminum Cylindrical Can 7.62mm 35 Ohm 70C Bulk
товар відсутній
FGH0H105ZFKEMETCategory: Supercapacitors
Description: Supercapacitor; THT; 1F; 5.5VDC; -20÷80%; Body dim: Ø21.5x9.5mm
Mounting: THT
Operating temperature: -25...70°C
Body dimensions: Ø21.5x9.5mm
Trade name: EDLC
Operating voltage: 5.5V DC
Capacitance: 1F
ESR value: 35Ω
Type of capacitor: supercapacitor
Spatial orientation: horizontal
Tolerance: -20...80%
Terminal pitch: 7.62mm
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+316.05 грн
5+ 191.24 грн
12+ 180.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH0H105ZFKEMETDescription: KEMET - FGH0H105ZF - Superkondensator, EDLC, 1 F, 5.5 V, Radial bedrahtet, -20%, +80%, 7.62 mm, 1000 Stunden bei 70°C
tariffCode: 85322900
Produkthöhe: 9.5mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Becher
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: 7.62mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: -20%, +80%
Kondensatormontage: Durchsteckmontage
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Lebensdauer bei Temperatur: 1000 Stunden bei 70°C
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 35ohm
Produktlänge: -
euEccn: NLR
Kapazität: 1F
Spannung (DC): 5.5V
Produktpalette: FG Supercapacitors Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Produktdurchmesser: 21.5mm
Kondensatoranschlüsse: Radial bedrahtet
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Produktbreite: -
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+423.89 грн
10+ 345.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH0H105ZFKEMETCategory: Supercapacitors
Description: Supercapacitor; THT; 1F; 5.5VDC; -20÷80%; Body dim: Ø21.5x9.5mm
Mounting: THT
Operating temperature: -25...70°C
Body dimensions: Ø21.5x9.5mm
Trade name: EDLC
Operating voltage: 5.5V DC
Capacitance: 1F
ESR value: 35Ω
Type of capacitor: supercapacitor
Spatial orientation: horizontal
Tolerance: -20...80%
Terminal pitch: 7.62mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 58 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+379.26 грн
5+ 238.32 грн
12+ 216.97 грн
FGH0H224ZFKEMETHighly Reliable Against Liquid Leakage Supercapacitors
товар відсутній
FGH0H224ZFKEMETDescription: KEMET - FGH0H224ZF - Superkondensator, EDLC, 0.22 F, 5.5 V, Radial bedrahtet, -20%, +80%, 5.08 mm, 1000 Stunden bei 70°C
tariffCode: 85322900
Produkthöhe: 7mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Becher
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: 5.08mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: -20%, +80%
Kondensatormontage: Durchsteckmontage
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Lebensdauer bei Temperatur: 1000 Stunden bei 70°C
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 100ohm
Produktlänge: -
euEccn: NLR
Kapazität: 0.22F
Spannung (DC): 5.5V
Produktpalette: FG Supercapacitors Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Produktdurchmesser: 11mm
Kondensatoranschlüsse: Radial bedrahtet
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Produktbreite: -
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+265.87 грн
10+ 181.24 грн
50+ 167.76 грн
100+ 128.65 грн
500+ 95.65 грн
1600+ 83.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
FGH0H224ZFKemetCap Supercap 0.22F 5.5V -20% to 80% ( 11 X 7mm ) Radial Aluminum Cylindrical Can 5.08mm 100 Ohm 70°C Box
товар відсутній
FGH0H224ZFKEMETDescription: CAP 220MF -20% +80% 5.5V T/H
Tolerance: -20%, +80%
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial, Can
Size / Dimension: 0.433" Dia (11.00mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -25°C ~ 70°C
Lead Spacing: 0.200" (5.08mm)
Termination: PC Pins
ESR (Equivalent Series Resistance): 100Ohm @ 1kHz
Height - Seated (Max): 0.217" (5.50mm)
Part Status: Active
Capacitance: 220 mF
Voltage - Rated: 5.5 V
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+221.71 грн
10+ 163.91 грн
100+ 124.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH0H224ZFKEMETSupercapacitors / Ultracapacitors 5.5V 0.22F -20/+80% LS=5.08mm
на замовлення 2280 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+236.78 грн
10+ 178.89 грн
50+ 143.54 грн
100+ 118.84 грн
500+ 95.47 грн
1600+ 83.45 грн
3200+ 80.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH0H474ZFKEMETDescription: KEMET - FGH0H474ZF - Superkondensator, EDLC, 0.47 F, 5.5 V, Radial bedrahtet, -20%, +80%, 5.08 mm, 1000 Stunden bei 70°C
tariffCode: 85322900
Produkthöhe: 8.5mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Becher
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: 5.08mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: -20%, +80%
Kondensatormontage: Durchsteckmontage
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Lebensdauer bei Temperatur: 1000 Stunden bei 70°C
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 65ohm
Produktlänge: -
euEccn: NLR
Kapazität: 0.47F
Spannung (DC): 5.5V
Produktpalette: FG Supercapacitors Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Produktdurchmesser: 16.5mm
Kondensatoranschlüsse: Radial bedrahtet
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Produktbreite: -
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+321.29 грн
10+ 247.89 грн
50+ 223.93 грн
100+ 152.3 грн
Мінімальне замовлення: 3
FGH0H474ZFKEMETDescription: CAP 470MF -20% +80% 5.5V T/H
Packaging: Bulk
Tolerance: -20%, +80%
Package / Case: Radial, Can
Size / Dimension: 0.650" Dia (16.50mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -25°C ~ 70°C
Lead Spacing: 0.200" (5.08mm)
Termination: PC Pins
ESR (Equivalent Series Resistance): 65Ohm @ 1kHz
Height - Seated (Max): 0.315" (8.00mm)
Part Status: Active
Capacitance: 470 mF
Voltage - Rated: 5.5 V
товар відсутній
FGH0H474ZFKEMETSupercapacitors / Ultracapacitors 5.5V 0.47F -20/+80% LS=5.08mm
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+299.09 грн
10+ 254.13 грн
50+ 200.28 грн
100+ 164.9 грн
250+ 154.22 грн
600+ 143.54 грн
1200+ 132.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH0H474ZFKEMETHighly Reliable Against Liquid Leakage Supercapacitors
товар відсутній
FGH0V474ZFKEMETSupercapacitors / Ultracapacitors 3.5V 0.47F -20/80% LS=5.08mm
на замовлення 437 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+201.73 грн
10+ 178.12 грн
50+ 150.21 грн
100+ 127.51 грн
500+ 108.82 грн
800+ 106.82 грн
2400+ 88.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH0V474ZFKemetCap Supercap 0.47F 3.5V -20% to 80% (13 X 7.5mm) Radial Aluminum Cylindrical Can 5.08mm 25 Ohm 70°C Bulk
товар відсутній
FGH0V474ZFKEMETCategory: Supercapacitors
Description: Supercapacitor; THT; 0.47F; 3.5VDC; -20÷80%; Body dim: Ø13x7.5mm
Type of capacitor: supercapacitor
Mounting: THT
Capacitance: 0.47F
Operating voltage: 3.5V DC
Tolerance: -20...80%
Body dimensions: Ø13x7.5mm
Terminal pitch: 5.08mm
ESR value: 25Ω
Spatial orientation: horizontal
Operating temperature: -25...70°C
Trade name: EDLC
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+146.04 грн
10+ 84.84 грн
27+ 79.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
FGH0V474ZFKEMETCap Supercap 0.47F 3.5V -20% to 80% (13 X 7.5mm) Radial Aluminum Cylindrical Can 5.08mm 25 Ohm 70C Bulk
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+84.12 грн
Мінімальне замовлення: 800
FGH0V474ZFKEMETCategory: Supercapacitors
Description: Supercapacitor; THT; 0.47F; 3.5VDC; -20÷80%; Body dim: Ø13x7.5mm
Type of capacitor: supercapacitor
Mounting: THT
Capacitance: 0.47F
Operating voltage: 3.5V DC
Tolerance: -20...80%
Body dimensions: Ø13x7.5mm
Terminal pitch: 5.08mm
ESR value: 25Ω
Spatial orientation: horizontal
Operating temperature: -25...70°C
Trade name: EDLC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 799 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+175.25 грн
10+ 105.73 грн
27+ 95.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH0V474ZFKEMETDescription: KEMET - FGH0V474ZF - Superkondensator, EDLC, 0.47 F, 3.5 V, Radial bedrahtet, -20%, +80%, 5.08 mm, 1000 Stunden bei 70°C
tariffCode: 85322900
Produkthöhe: 7.5mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Becher
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: 5.08mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: -20%, +80%
Kondensatormontage: Durchsteckmontage
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Lebensdauer bei Temperatur: 1000 Stunden bei 70°C
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 25ohm
Produktlänge: -
euEccn: NLR
Kapazität: 0.47F
Spannung (DC): 3.5V
Produktpalette: FG Supercapacitors Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Produktdurchmesser: 13mm
Kondensatoranschlüsse: Radial bedrahtet
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Produktbreite: -
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+254.63 грн
10+ 144.54 грн
50+ 134.81 грн
100+ 93.88 грн
800+ 84.74 грн
1600+ 83.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
FGH0V474ZFKEMETDescription: CAP 470MF -20% +80% 3.5V T/H
Tolerance: -20%, +80%
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial, Can
Size / Dimension: 0.512" Dia (13.00mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -25°C ~ 70°C
Lead Spacing: 0.200" (5.08mm)
Termination: PC Pins
ESR (Equivalent Series Resistance): 25Ohm @ 1kHz
Height - Seated (Max): 0.295" (7.50mm)
Capacitance: 470 mF
Voltage - Rated: 3.5 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+222.43 грн
10+ 164.54 грн
50+ 148.67 грн
100+ 120.05 грн
800+ 89.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH100MAAM2QuectelDescription: Linear IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
товар відсутній
FGH100MAAM2QuectelWiFi Modules - 802.11
товар відсутній
FGH100MAAM2Quectel Wireless SoultionsFGH100MAAM2
товар відсутній
FGH100MAAMDQuectelDescription: Linear IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
товар відсутній
FGH100MAAMDQuectelWiFi Modules - 802.11 Wi-Fi HaLow, IEEE 802.11ah, 850-950 MHz, 21 dBm (Morse Micro MM6108)
на замовлення 250 шт:
термін постачання 105-114 дні (днів)
1+2522.8 грн
10+ 2297.12 грн
25+ 1831.26 грн
100+ 1691.73 грн
250+ 1608.95 грн
500+ 1497.46 грн
1000+ 1428.69 грн
FGH100MAAMDQuectel Wireless SoultionsWiFi Hallo IEEE 802.11ah module, 850-950MHz, LGA
товар відсутній
FGH100MABMDQuectel Wireless SoultionsWiFi Hallo IEEE 802.11ah module, 850-950MHz, LGA
товар відсутній
FGH100MABMDQuectelDescription: WI-FI HALOW, IEEE 802.11AH, 8509
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2194.7 грн
10+ 1950.54 грн
25+ 1788.01 грн
100+ 1550.86 грн
FGH100MABMDQuectelDescription: WI-FI HALOW, IEEE 802.11AH, 8509
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+1631.72 грн
Мінімальне замовлення: 250
FGH100MABMDQuectelWiFi Modules - 802.11 Wi-Fi HaLow, IEEE 802.11ah, 850-950 MHz, 21 dBm (Morse Micro MM6108), US version only
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2620.16 грн
10+ 2384.65 грн
25+ 1901.36 грн
100+ 1757.16 грн
250+ 1671.04 грн
500+ 1555.54 грн
1000+ 1483.44 грн
FGH102-080LSEOMEGADescription: OMEGA - FGH102-080LSE - HEIZBAND, 420W, 8.6W/IN2, 240V
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
FGH12040WD-F155ON Semiconductor
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FGH12040WD-F155ON Semiconductor / FairchildIGBT Transistors 1200V 40A FS2 Trench IGBT
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FGH12040WD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 428000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+224.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
FGH12040WD-F155
Код товару: 167483		Транзистори > IGBT
товар відсутній
FGH12040WD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 428000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH12040WD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 428000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH12040WD-F155ON SemiconductorDescription: IGBT TRENCH/FS 1200V 80A TO247-3
на замовлення 866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FGH15T120SMDonsemiIGBT Transistors FS2TIGBT TO247 15A 1200V
товар відсутній
FGH15T120SMD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 333mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH15T120SMD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 333000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH15T120SMD-F155onsemiDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 72 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 32ns/490ns
Switching Energy: 1.15mJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 34Ohm, 15V
Gate Charge: 128 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 333 W
товар відсутній
FGH15T120SMD-F155onsemi / FairchildIGBT Transistors 1200V, 15A, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 450 шт:
термін постачання 808-817 дні (днів)
1+466.55 грн
10+ 413.82 грн
100+ 297.76 грн
250+ 294.42 грн
FGH15T120SMD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 333mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH20N60SFDonsemionsemi FSPIGBT TO247 20A 600V
товар відсутній
FGH20N60SFDTUonsemiDescription: IGBT FIELD STOP 600V 40A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/90ns
Switching Energy: 370µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 65 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 165 W
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FGH20N60SFDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 165W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH20N60SFDTUON-SemicoductorSingle IGBT Transistors 600V 20A Field Stop ;   FGH20N60SFDTU TO-247AB-3 TFGH20N60sfdtu
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 72 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+159.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
FGH20N60SFDTUonsemi / FairchildIGBT Transistors 600V 20A Field Stop
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+264.82 грн
10+ 219.58 грн
25+ 154.22 грн
100+ 143.54 грн
450+ 121.51 грн
900+ 120.84 грн
5400+ 120.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH20N60SFDTUONSEMIDescription: ONSEMI - FGH20N60SFDTU - IGBT, Universal, 40 A, 2.2 V, 165 W, 600 V, TO-247AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 165W
Bauform - Transistor: TO-247AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
на замовлення 345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+303.31 грн
10+ 208.95 грн
100+ 162.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
FGH20N60SFDTUONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 66W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 66W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+261.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH20N60SFDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 165000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH20N60SFDTU Транзистор
Код товару: 191499		Транзистори > IGBT
товар відсутній
FGH20N60SFDTU-F085ON Semiconductor / FairchildIGBT Transistors N-Ch 20A 600V FS IGBT
на замовлення 345 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FGH20N60SFDTU-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 165000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH20N60SFDTU-F085onsemiDescription: IGBT FIELD STOP 600V 40A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/90ns
Switching Energy: 430µJ (on), 130µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 66 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 165 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
FGH20N60SFDTU-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 165000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+131.4 грн
Мінімальне замовлення: 5
FGH20N60UFDonsemiIGBT Transistors FSPIGBT TO247 20A 600V
товар відсутній
FGH20N60UFDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 165000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+151.85 грн
10+ 133.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
FGH20N60UFDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 165000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH20N60UFDTUonsemiDescription: IGBT FIELD STOP 600V 40A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/87ns
Switching Energy: 380µJ (on), 260µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 63 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 165 W
товар відсутній
FGH20N60UFDTUON Semiconductor
на замовлення 870 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FGH20N60UFDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 165000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH20N60UFDTUON Semiconductor / FairchildIGBT Transistors 600V 20A Field Stop
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FGH20N6S2Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL IGBT
на замовлення 2521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FGH20N6S2DONSEMIDescription: ONSEMI - FGH20N6S2D - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 9624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
439+62.54 грн
Мінімальне замовлення: 439
FGH20N6S2DFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL IGBT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: 7.7ns/87ns
Switching Energy: 25µJ (on), 58µJ (off)
Test Condition: 390V, 7A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 30 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 28 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 125 W
на замовлення 16324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
365+53.99 грн
Мінімальне замовлення: 365
FGH25N120FTDSONSEMIDescription: ONSEMI - FGH25N120FTDS - IGBT, 1200V, 25A, FIELD STOP TRENCH
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товар відсутній
FGH25N120FTDSonsemiDescription: IGBT 1200V 50A 313W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 535 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/151ns
Switching Energy: 1.42mJ (on), 1.16mJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 169 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 313 W
товар відсутній
FGH25N120FTDSON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 313000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH25N120FTDSON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 313000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH25N120FTDSON Semiconductor
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FGH25N120FTDS; Field Stop Trench IGBT; 25A 1200V 313W; Корпус: TO-247; Fairchild
на замовлення 4 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
3+322.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
FGH25N120FTDS_Tonsemi / FairchildIGBT Transistors
товар відсутній
FGH25T120SMDonsemiIGBT Transistors FS2TIGBT TO247 25A 1200V
товар відсутній
FGH25T120SMD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH25T120SMD-F155onsemi / FairchildIGBT Transistors 1200V, 25A Field Stop Trench IGBT
товар відсутній
FGH25T120SMD-F155ONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 214W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 214W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 225nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
FGH25T120SMD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH25T120SMD-F155onsemiDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/490ns
Switching Energy: 1.74mJ (on), 560µJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 225 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 428 W
товар відсутній
FGH25T120SMD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 428000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH30N120FTDTUonsemiDescription: IGBT 1200V 60A 339W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 730 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Gate Charge: 208 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 339 W
товар відсутній
FGH30N120FTDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 60A 339000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AB Rail
товар відсутній
FGH30N60LSDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 480000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH30N60LSDTUON Semiconductor
на замовлення 390 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FGH30N60LSDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 480000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH30N60LSDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 480mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH30N60LSDTUonsemiDescription: IGBT 600V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/250ns
Switching Energy: 1.1mJ (on), 21mJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 6.8Ohm, 15V
Gate Charge: 225 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 480 W
товар відсутній
FGH30N60LSDTUonsemi / FairchildIGBT Transistors PDD
товар відсутній
FGH30N6S2Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL IGBT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: 6ns/40ns
Switching Energy: 55µJ (on), 100µJ (off)
Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 23 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 45 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 108 A
Power - Max: 167 W
на замовлення 7945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
293+68.05 грн
Мінімальне замовлення: 293
FGH30N6S2onsemiDescription: IGBT 600V 45A 167W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 6ns/40ns
Switching Energy: 55µJ (on), 100µJ (off)
Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 23 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 45 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 108 A
Power - Max: 167 W
товар відсутній
FGH30N6S2onsemi / FairchildIGBT Transistors Sgl N-Ch 600V SMPS
товар відсутній
FGH30N6S2DON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 45A 167000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail
товар відсутній
FGH30N6S2DonsemiDescription: IGBT 600V 45A 167W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 46 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 6ns/40ns
Switching Energy: 55µJ (on), 100µJ (off)
Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 23 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 45 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 108 A
Power - Max: 167 W
товар відсутній
FGH30S130PON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1300V 60A 500W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH30S130Ponsemi / FairchildIGBT Transistors 1300V 30A FS SA Trench IGBT
товар відсутній
FGH30S130PonsemiDescription: IGBT 1300V 60A 500W TO-247AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Gate Charge: 78 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1300 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 500 W
товар відсутній
FGH30S130PON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1300V 60A 500W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH30S130PON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1300V 60A 500W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH30S130PONSEMIDescription: ONSEMI - FGH30S130P - IGBT, 60 A, 1.75 V, 500 W, 1.3 kV, TO-247, 3 Pin(s)
MSL: -
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75
Verlustleistung Pd: 500
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.3
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
DC-Kollektorstrom: 60
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товар відсутній
FGH30S130P
Код товару: 104327		FairchildТранзистори > IGBT
Vces: 1300 V
Vce: 1,75 V
Ic 25: 60 A
Ic 100: 30 A
Pd 25: 500 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 39/620
товар відсутній
FGH30S130PON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1300V 60A 500000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH30S150PON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1500V 60A 500000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+292.5 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH30S150PONSEMIDescription: ONSEMI - FGH30S150P - IGBT, 30 A, 1.85 V, 500 W, 1.5 kV, TO-247, 3 Pin(s)
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товар відсутній
FGH30S150PON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1500V 60A 500000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH30S150Ponsemi / FairchildIGBT Transistors SA2TIGBT TO247 30A 1500V
товар відсутній
FGH30S150PonsemiDescription: IGBT 1500V 60A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 32ns/492ns
Switching Energy: 1.16mJ (on), 900µJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 369 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 500 W
товар відсутній
FGH30T65UPDT-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 60A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH30T65UPDT-F155onsemi / FairchildIGBT Transistors FS1TIGBT TO247 30A 650V
товар відсутній
FGH30T65UPDT-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 60A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+431.5 грн
31+ 387.54 грн
32+ 366.11 грн
50+ 334.52 грн
Мінімальне замовлення: 28
FGH30T65UPDT-F155onsemiDescription: IGBT 650V 60A 250W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/139ns
Switching Energy: 760µJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 8Ohm, 15V
Gate Charge: 155 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 250 W
товар відсутній
FGH30T65UPDT-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 60A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+400.68 грн
10+ 359.86 грн
25+ 339.96 грн
50+ 310.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH30T65UPDT_F155Fairchild SemiconductorDescription: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 33 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/139ns
Switching Energy: 760µJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 8Ohm, 15V
Gate Charge: 155 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 250 W
товар відсутній
FGH40N120
Код товару: 179924		Транзистори > IGBT
товар відсутній
FGH40N120ANonsemiIGBT Transistors NPTPIGBT TO247 40A 1200V
товар відсутній
FGH40N120ANTUonsemi / FairchildIGBT Transistors 1200V NPT
товар відсутній
FGH40N120ANTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 64A 417000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH40N120ANTUonsemiDescription: IGBT NPT 1200V 64A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/110ns
Switching Energy: 2.3mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 220 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 64 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 417 W
товар відсутній
FGH40N120ANTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 64A 417000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH40N120ANTU
Код товару: 165183		Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товар відсутній
FGH40N120ANTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 64A 417000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH40N60SFonsemiIGBT Transistors FSPIGBT TO247 40A 600V
товар відсутній
FGH40N60SFDFAIRCHIL..QFN16
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FGH40N60SFD
Код товару: 201597		ChinaТранзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 2,3 V
Ic 25: 80 A
Ic 100: 40 A
у наявності 85 шт:
85 шт - склад
1+135 грн
10+ 124 грн
FGH40N60SFDonsemiIGBT Transistors FSPIGBT TO247 40A 600V
товар відсутній
FGH40N60SFDFAIRCHIL
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FGH40N60SFDFairchaildIGBT транзистор - [TO-247-3]; Uкэ.макс 600 V, 40 A Field Stop
на замовлення 2 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+313.42 грн
10+ 261.94 грн
FGH40N60SFD (FGH40N60SFDTU)
Код товару: 79400		FAIRТранзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 2,3 V
Ic 25: 80 A
Ic 100: 40 A
у наявності 2 шт:
2 шт - РАДІОМАГ-Львів
очікується 300 шт:
200 шт - очікується 20.05.2024
100 шт - очікується 12.05.2024
1+165 грн
10+ 152 грн
100+ 139 грн
FGH40N60SFDTUONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 116W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
FGH40N60SFDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH40N60SFDTUonsemiDescription: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/115ns
Switching Energy: 1.13mJ (on), 310µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 290 W
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+366.87 грн
FGH40N60SFDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH40N60SFDTUonsemi / FairchildIGBT Transistors 600V 40A Field Stop
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 161-170 дні (днів)
1+392.56 грн
10+ 333.21 грн
25+ 261.7 грн
100+ 226.32 грн
250+ 208.3 грн
450+ 188.93 грн
900+ 164.23 грн
FGH40N60SFDTUONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 116W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FGH40N60SFDTU
Код товару: 49007		IRТранзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 2,3 V
Ic 25: 80 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 290 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 25/115
товар відсутній
FGH40N60SFDTU-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH40N60SFDTU-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH40N60SFDTU-F085onsemiDescription: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 68 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/138ns
Switching Energy: 1.23mJ (on), 380µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 121 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 290 W
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
FGH40N60SFDTU-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH40N60SFTUFairchild SemiconductorDescription: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Packaging: Bulk
на замовлення 13230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
122+167.69 грн
Мінімальне замовлення: 122
FGH40N60SFTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH40N60SFTUonsemiDescription: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/115ns
Switching Energy: 1.13mJ (on), 310µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 290 W
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+295.37 грн
FGH40N60SFTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH40N60SFTUONSEMIDescription: ONSEMI - FGH40N60SFTU - IGBT, Universal, 80 A, 2.3 V, 290 W, 600 V, TO-247AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.3V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 290W
Bauform - Transistor: TO-247AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 13230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+339.26 грн
10+ 274.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
FGH40N60SFTUonsemi / FairchildIGBT Transistors N-CH / 40A 600V FS Planar
на замовлення 574 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+336.48 грн
10+ 298.66 грн
100+ 212.97 грн
450+ 191.6 грн
FGH40N60SFTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+300.61 грн
10+ 261.68 грн
25+ 214.09 грн
100+ 168.44 грн
450+ 137.44 грн
900+ 131.35 грн
2700+ 130.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH40N60SMDONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 174W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FGH40N60SMD
Код товару: 63296		FAIR/ONТранзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 2,1 V
Ic 25: 80 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 349 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 12/92
у наявності 142 шт:
65 шт - склад
8 шт - РАДІОМАГ-Київ
15 шт - РАДІОМАГ-Львів
20 шт - РАДІОМАГ-Харків
10 шт - РАДІОМАГ-Одеса
24 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+205 грн
10+ 186 грн
FGH40N60SMDONSEMIDescription: ONSEMI - FGH40N60SMD - IGBT, 80 A, 1.9 V, 349 W, 600 V, TO-247AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Verlustleistung: 349W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+365.48 грн
10+ 257.63 грн
100+ 211.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
FGH40N60SMDonsemi / FairchildIGBT Transistors 600V, 40A Field Stop IGBT
на замовлення 19800 шт:
термін постачання 161-170 дні (днів)
1+334.92 грн
10+ 277.16 грн
25+ 226.99 грн
100+ 194.94 грн
250+ 183.59 грн
450+ 172.91 грн
FGH40N60SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH40N60SMDonsemiDescription: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 36 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/92ns
Switching Energy: 870µJ (on), 260µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 119 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 349 W
товар відсутній
FGH40N60SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH40N60SMDONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 174W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
FGH40N60SMD-F085onsemi / FairchildIGBT Transistors 600V/40A FS Planar IGBT Gen 2
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+457.2 грн
10+ 415.36 грн
25+ 308.44 грн
100+ 279.73 грн
250+ 271.05 грн
450+ 247.02 грн
900+ 211.63 грн
FGH40N60SMD-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH40N60SMD-F085onsemiDescription: IGBT 600V 80A 349W TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 47 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/110ns
Switching Energy: 920µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 180 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 349 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+427.53 грн
30+ 328.5 грн
120+ 293.91 грн
FGH40N60SMD-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH40N60SMD-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH40N60SMDFONSEMIDescription: ONSEMI - FGH40N60SMDF - IGBT, Universal, 80 A, 1.9 V, 349 W, 600 V, TO-247AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 349W
Bauform - Transistor: TO-247AB
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 3099 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+498.78 грн
10+ 360.23 грн
100+ 291.33 грн
500+ 254.53 грн
1000+ 207.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH40N60SMDFON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+405.69 грн
10+ 349.87 грн
30+ 297.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH40N60SMDFonsemi / FairchildIGBT Transistors 600V/40A Field Stop IGBT ver. 2
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+463.43 грн
10+ 383.11 грн
30+ 315.11 грн
120+ 270.38 грн
270+ 254.36 грн
510+ 239.67 грн
1020+ 212.3 грн
FGH40N60SMDFonsemiDescription: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/92ns
Switching Energy: 1.3mJ (on), 260µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 119 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 349 W
товар відсутній
FGH40N60SMDFON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH40N60SMDFON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+456.46 грн
Мінімальне замовлення: 26
FGH40N60SMDF-F085ON Semiconductor / FairchildIGBT Transistors 600V, 40A FIELD STOP IGBT
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FGH40N60SMDF-F085onsemiDescription: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/110ns
Switching Energy: 1.3mJ (on), 260µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 122 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 349 W
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
FGH40N60SMDF-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH40N60SMDF-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH40N60UFonsemionsemi FSPIGBT TO247 40A 600V
товар відсутній
FGH40N60UFDonsemiIGBT Transistors FSPIGBT TO247 40A 600V
товар відсутній
FGH40N60UFDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH40N60UFDTUonsemi / FairchildIGBT Transistors 600V 40A Field Stop
на замовлення 719 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+345.82 грн
25+ 270.25 грн
100+ 200.95 грн
450+ 174.91 грн
900+ 155.55 грн
FGH40N60UFDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH40N60UFDTUONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 116W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
FGH40N60UFDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH40N60UFDTUONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 116W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FGH40N60UFDTU
Код товару: 61781		FairchildТранзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 80 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 290 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 24/112
товар відсутній
FGH40N60UFDTUonsemiDescription: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/112ns
Switching Energy: 1.19mJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 290 W
на замовлення 1202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+315.59 грн
30+ 240.73 грн
120+ 206.34 грн
510+ 172.13 грн
1020+ 147.38 грн
FGH40N60UFTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH40N60UFTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH40N60UFTUonsemiDescription: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/112ns
Switching Energy: 1.19mJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 290 W
товар відсутній
FGH40N60UFTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH40N60UFTUON Semiconductor / FairchildIGBT Transistors 600V 40A Field Stop
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FGH40N65UFDonsemiIGBT Transistors FSPIGBT TO247 40A 650V
товар відсутній
FGH40N65UFDTUonsemiDescription: IGBT FIELD STOP 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/112ns
Switching Energy: 1.19mJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 290 W
товар відсутній
FGH40N65UFDTUON-SemicoductorIGBT 650V 80A 290W   FGH40N65UFDTU TFGH40N65ufdtu
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 51 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+493.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH40N65UFDTU
Код товару: 160734		Транзистори > IGBT
товар відсутній
FGH40N65UFDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH40N65UFDTUonsemi / FairchildIGBT Transistors N-ch / 40A 650V
товар відсутній
FGH40N65UFDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH40N65UFDTU-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 290000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH40N65UFDTU-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 290000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH40N65UFDTU-F085ON Semiconductor / FairchildIGBT Transistors N-ch / 40A 650V IGBT
на замовлення 141 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FGH40N65UFDTU-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 290000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+370 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH40N65UFDTU-F085onsemiDescription: IGBT FIELD STOP 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/126ns
Switching Energy: 1.28mJ (on), 500µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 119 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 290 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
FGH40N6S2onsemiDescription: IGBT 600V 75A 290W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 8ns/35ns
Switching Energy: 115µJ (on), 195µJ (off)
Test Condition: 390V, 20A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 35 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 290 W
товар відсутній
FGH40N6S2Donsemi / FairchildMotor/Motion/Ignition Controllers & Drivers Comp 600V N-Ch
товар відсутній
FGH40N6S2DonsemiDescription: IGBT 600V 75A 290W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 48 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 8ns/35ns
Switching Energy: 115µJ (on), 195µJ (off)
Test Condition: 390V, 20A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 35 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 290 W
товар відсутній
FGH40T100SMDonsemiDescription: IGBT 1000V 80A 333W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 78 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 29ns/285ns
Switching Energy: 2.35mJ (on), 1.15mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 265 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 333 W
товар відсутній
FGH40T100SMDonsemi / FairchildIGBT Transistors 1000V 40A Field Stop Trench IGBT
товар відсутній
FGH40T100SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1000V 80A 333000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH40T100SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1000V 80A 333000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH40T100SMD-F155onsemiDescription: IGBT TRENCH FS 1000V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 78 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 29ns/285ns
Switching Energy: 2.35mJ (on), 1.15mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 398 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 333 W
товар відсутній
FGH40T100SMD-F155onsemi / FairchildIGBT Transistors FS1TIGBT TO247 40A 1000V
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+504.72 грн
10+ 449.9 грн
100+ 323.12 грн
FGH40T100SMD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1000V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH40T100SMD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1000V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH40T120SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+608.38 грн
22+ 537.94 грн
26+ 466.45 грн
100+ 420.72 грн
250+ 379.13 грн
450+ 342.44 грн
900+ 310.36 грн
Мінімальне замовлення: 20
FGH40T120SMD
Код товару: 104369		Транзистори > IGBT
товар відсутній
FGH40T120SMDON-SemicoductorSingle IGBT Transistors 1200V 40A FS2 Trench IGBT; 1.8V ;   FGH40T120SMD TO-247-3L TFGH40T120smd
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+450.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH40T120SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH40T120SMDON-SemicoductorSingle IGBT Transistors 1200V 40A FS2 Trench IGBT; 1.8V ;   FGH40T120SMD TO-247-3L TFGH40T120smd
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+450.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH40T120SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+335.7 грн
FGH40T120SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+566.26 грн
10+ 500.69 грн
25+ 434.15 грн
100+ 391.59 грн
250+ 352.87 грн
450+ 318.73 грн
900+ 288.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH40T120SMDonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/475ns
Switching Energy: 2.7mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 370 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 555 W
на замовлення 702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+588.57 грн
30+ 452.63 грн
120+ 405 грн
510+ 335.36 грн
FGH40T120SMDonsemi / FairchildIGBT Transistors 1200V 40A FS2 Trench IGBT
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+638.68 грн
10+ 539.73 грн
25+ 425.94 грн
100+ 391.22 грн
250+ 367.85 грн
FGH40T120SMDONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±25V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 277W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.37µC
Mounting: THT
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+807.04 грн
2+ 536.43 грн
6+ 488.19 грн
FGH40T120SMDONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±25V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 277W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.37µC
Mounting: THT
Case: TO247-3
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+672.53 грн
2+ 430.47 грн
6+ 406.83 грн
FGH40T120SMD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+468.84 грн
Мінімальне замовлення: 30
FGH40T120SMD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+335.7 грн
Мінімальне замовлення: 450
FGH40T120SMD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH40T120SMD-F155onsemiDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/475ns
Switching Energy: 2.7mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 370 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 555 W
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+588.57 грн
30+ 452.7 грн
120+ 405.06 грн
FGH40T120SMD-F155onsemi / FairchildIGBT Transistors 1200V, 40A Field Stop Trench IGBT
на замовлення 244 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+854.43 грн
10+ 826.87 грн
100+ 676.96 грн
250+ 391.89 грн
450+ 345.16 грн
900+ 297.09 грн
FGH40T120SMD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH40T120SMD-F155ONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±25V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 277W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.37µC
Mounting: THT
Case: TO247-3
товар відсутній
FGH40T120SMD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+436.38 грн
Мінімальне замовлення: 450
FGH40T120SMD-F155ONSEMIDescription: ONSEMI - FGH40T120SMD-F155 - IGBT, 80 A, 1.8 V, 555 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 555W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1029.02 грн
5+ 917.43 грн
10+ 805.84 грн
50+ 728.12 грн
100+ 650.28 грн
250+ 631.66 грн
FGH40T120SMD-F155
Код товару: 154761		Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товар відсутній
FGH40T120SMD-F155ONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±25V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 277W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.37µC
Mounting: THT
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FGH40T120SMD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH40T120SMDL4ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH40T120SMDL4ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH40T120SMDL4ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH40T120SMDL4ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH40T120SMDL4onsemiDescription: IGBT TRENCH/FS 1200V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-4
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 44ns/464ns
Switching Energy: 2.24mJ (on), 1.02mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 370 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 555 W
товар відсутній
FGH40T120SMDL4ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH40T120SMDL4ON Semiconductor / FairchildIGBT Transistors FS2 TIGBT excellent swtching performance
товар відсутній
FGH40T120SQDNL4ONSEMIDescription: ONSEMI - FGH40T120SQDNL4 - IGBT, 160 A, 1.78 V, 454 W, 1.2 kV, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.78V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 454W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 160A
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+677.78 грн
5+ 583.41 грн
10+ 489.05 грн
50+ 436.03 грн
100+ 385.16 грн
250+ 362.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH40T120SQDNL4ON Semiconductor
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FGH40T120SQDNL4ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 160A 454000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH40T120SQDNL4onsemiDescription: IGBT 1200V 40A UFS FOR SO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 166 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 46ns/220ns
Switching Energy: 1.4mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 221 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 454 W
на замовлення 404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+590.74 грн
30+ 454.21 грн
120+ 406.38 грн
FGH40T120SQDNL4ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 160A 454W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH40T120SQDNL4onsemiIGBT Transistors IGBT 1200V 40A UFS
на замовлення 450 шт:
термін постачання 196-205 дні (днів)
1+641.8 грн
10+ 582.73 грн
25+ 432.61 грн
100+ 393.22 грн
250+ 380.54 грн
450+ 346.49 грн
900+ 297.76 грн
FGH40T65SHFairchild SemiconductorDescription: IGBT 80A, 650V, N CHANNEL, TO 24
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товар відсутній
FGH40T65SHonsemiON Semiconductor FS3TIGBT TO247 40A 650V
товар відсутній
FGH40T65SH-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH40T65SH-F155onsemiDescription: IGBT 650V 80A 268W TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19.2ns/65.6ns
Switching Energy: 1.01mJ (on), 297µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 72.2 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 268 W
товар відсутній
FGH40T65SH-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH40T65SH-F155onsemi / FairchildIGBT Transistors 650V FS Gen3 Trench IGBT
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FGH40T65SHDFairchild SemiconductorDescription: IGBT 80A, 650V, N CHANNEL, TO 24
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товар відсутній
FGH40T65SHDonsemiIGBT Transistors FS3TIGBT TO247 40A 650V
товар відсутній
FGH40T65SHD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH40T65SHD-F155onsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31.8 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19.2ns/65.6ns
Switching Energy: 1.01mJ (on), 297µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 72.2 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 268 W
на замовлення 2559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+254.93 грн
10+ 206.13 грн
450+ 148.25 грн
1350+ 119.13 грн
2250+ 112.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH40T65SHD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH40T65SHD-F155onsemi / FairchildIGBT Transistors 650 V, 40 A Field Stop Trench IGBT
на замовлення 371 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+273.39 грн
10+ 226.49 грн
25+ 193.61 грн
100+ 184.93 грн
250+ 162.9 грн
450+ 140.87 грн
900+ 113.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH40T65SHD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH40T65SHDF-F155
Код товару: 190128		Транзистори > IGBT
товар відсутній
FGH40T65SHDF-F155onsemiDescription: IGBT FIELD STOP 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 101 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.81V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/64ns
Switching Energy: 1.22mJ (on), 440µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 68 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 268 W
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+252.76 грн
30+ 192.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH40T65SHDF-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH40T65SHDF-F155onsemi / FairchildIGBT Transistors 650V FS Gen3 Trench IGBT
на замовлення 866 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+271.05 грн
10+ 239.54 грн
25+ 183.59 грн
100+ 156.89 грн
250+ 128.85 грн
450+ 116.16 грн
900+ 112.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH40T65SHDF-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH40T65SPDonsemiIGBT Transistors FS3TIGBT TO247 40A 650V
товар відсутній
FGH40T65SPD-F085onsemiDescription: IGBT NPT 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/35ns
Switching Energy: 1.16mJ (on), 270µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 36 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 267 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
FGH40T65SPD-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 267W Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+24.15 грн
Мінімальне замовлення: 24
FGH40T65SPD-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 267000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH40T65SPD-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 267W Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FGH40T65SPD-F085onsemi / FairchildIGBT Transistors 650V 40A Field Stop Trench IGBT
на замовлення 648 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+351.28 грн
10+ 311.71 грн
25+ 256.36 грн
100+ 222.32 грн
FGH40T65SPD-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FGH40T65SPD-F085 - IGBT, 267 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 267W
Transistormontage: Durchsteckmontage
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform - Transistor: TO-247
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FGH40T65SPD-F085ON Semiconductor
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FGH40T65SPD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 267W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FGH40T65SPD-F155TE ConnectivityTE Connectivity
товар відсутній
FGH40T65SPD-F155onsemiDescription: IGBT 650V 80A 267W TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/37ns
Switching Energy: 1.16mJ (on), 280µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 35 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 267 W
товар відсутній
FGH40T65SPD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 267000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH40T65SPD-F155onsemi / FairchildIGBT Transistors FS3TIGBT TO247 40A 650V
товар відсутній
FGH40T65SQDonsemionsemi 650V 40A FS4 TRENCH IGBT
товар відсутній
FGH40T65SQD-F155onsemiIGBT Transistors 650V 40A FS4 TRENCH IGBT
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FGH40T65SQD-F155onsemiDescription: IGBT TRENCH/FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31.8 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16.4ns/86.4ns
Switching Energy: 138µJ (on), 52µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 80 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 238 W
на замовлення 3430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+270.09 грн
30+ 205.78 грн
120+ 176.38 грн
510+ 147.13 грн
1020+ 125.98 грн
2010+ 118.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH40T65SQD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268000mW 3-
товар відсутній
FGH40T65SQD-F155ONSEMIDescription: ONSEMI - FGH40T65SQD-F155 - FIELD STOP TRENCH IGBT, 650V-80A, TO-247
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
180+185.73 грн
Мінімальне замовлення: 180
FGH40T65SQD-F155ON Semiconductor
на замовлення 322 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FGH40T65SQD-F155ON SemiconductorIGBT, Field Stop, Trench 650 V, 40 A
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+89.04 грн
10+ 84.69 грн
25+ 81.98 грн
50+ 78.18 грн
100+ 70.88 грн
Мінімальне замовлення: 7
FGH40T65SQD_F155onsemiDescription: 650V FS4 TRENCH IGBT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31.8 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16.4ns/86.4ns
Switching Energy: 138µJ (on), 52µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 80 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 238 W
товар відсутній
FGH40T65UPDonsemiDescription: IGBT TRENCH/FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/144ns
Switching Energy: 1.59mJ (on), 580µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 7Ohm, 15V
Gate Charge: 177 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 268 W
товар відсутній
FGH40T65UPDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH40T65UPDON Semiconductor / FairchildIGBT Transistors 650 V 80 A 268 W
на замовлення 4529 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FGH40T65UPDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH40T65UQDF-F155onsemiDescription: FS4TIGBT TO247 40A 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 89 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.67V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 32ns/271ns
Switching Energy: 989µJ (on), 310µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 306 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 231 W
товар відсутній
FGH40T65UQDF-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 231000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH40T65UQDF-F155ON Semiconductor / FairchildIGBT Transistors 650V FS4 Trench IGBT
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FGH40T65UQDF-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 231000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH40T70SHD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 700V 80A 268000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH40T70SHD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 700V 80A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
71+165.77 грн
Мінімальне замовлення: 71
FGH40T70SHD-F155onsemiDescription: 650V FS GEN3 TRENCH IGBT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/66ns
Switching Energy: 1.15mJ (on), 271µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 69 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 268 W
товар відсутній
FGH40T70SHD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 700V 80A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+153.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
FGH40T70SHD-F155ON Semiconductor / FairchildIGBT Transistors 650V FS Gen3 Trench IGBT
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FGH4L40T120LQDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 306W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+552.81 грн
Мінімальне замовлення: 450
FGH4L40T120LQDonsemiDescription: 1200V 40A FSIII IGBT LOW VCESAT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 59 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 42ns/218ns
Switching Energy: 1.04mJ (on), 1.35mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 227 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 306 W
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+554.63 грн
10+ 458.15 грн
FGH4L40T120LQDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 306W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+443.55 грн
28+ 418.75 грн
30+ 393.55 грн
50+ 375.73 грн
100+ 344.35 грн
250+ 310.72 грн
Мінімальне замовлення: 27
FGH4L40T120LQDonsemiIGBT Transistors 1200V 40A FSIII IGBT LOW VCESAT AND FAST FRD
на замовлення 571 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+602.85 грн
10+ 509.02 грн
25+ 401.24 грн
100+ 368.52 грн
250+ 347.16 грн
450+ 325.13 грн
900+ 293.08 грн
FGH4L40T120LQDON SemiconductorFGH4L40T120LQD
товар відсутній
FGH4L40T120LQDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 306W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+411.87 грн
10+ 388.84 грн
25+ 365.44 грн
50+ 348.9 грн
100+ 319.75 грн
250+ 288.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH4L40T120LQDONSEMIDescription: ONSEMI - FGH4L40T120LQD - IGBT, 80 A, 1.55 V, 306 W, 1.2 kV, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 306W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+626.85 грн
5+ 538.48 грн
10+ 450.1 грн
50+ 401.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH4L50T65MQDC50onsemiIGBT Transistors 650V Field stop 4th generation mid speed IGBT with co-pack SiC diode
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+817.83 грн
10+ 690.98 грн
25+ 544.77 грн
100+ 500.71 грн
250+ 471.33 грн
450+ 441.29 грн
900+ 397.23 грн
FGH4L50T65MQDC50ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 100A 246W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH4L50T65MQDC50ONSEMIDescription: ONSEMI - FGH4L50T65MQDC50 - IGBT, 100 A, 1.45 V, 246 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 246W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Field Stop IV Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100A
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+856.77 грн
5+ 717.47 грн
10+ 607.38 грн
50+ 535.48 грн
100+ 457.06 грн
250+ 450.64 грн
FGH4L50T65MQDC50ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 100A 246W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH4L50T65MQDC50onsemiDescription: IGBT FIELD STOP 650V 100A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/181ns
Switching Energy: 240µJ (on), 310µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 102 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 246 W
на замовлення 4035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+753.23 грн
10+ 655.16 грн
25+ 624.75 грн
100+ 509.07 грн
450+ 443.29 грн
1350+ 386.09 грн
FGH4L50T65SQDONSEMIDescription: ONSEMI - FGH4L50T65SQD - IGBT, 80 A, 1.6 V, 268 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 268W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+359.48 грн
10+ 256.13 грн
100+ 207.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
FGH4L50T65SQDonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22.4ns/162ns
Switching Energy: 660µJ (on), 440µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 92 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 268 W
товар відсутній
FGH4L50T65SQDonsemiIGBT Transistors FS4 T TO247 50A 650V 4L
на замовлення 409 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+336.48 грн
10+ 278.7 грн
25+ 228.32 грн
100+ 195.61 грн
250+ 184.93 грн
450+ 173.58 грн
900+ 148.88 грн
FGH4L50T65SQDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+289.92 грн
Мінімальне замовлення: 450
FGH4L75T65MQDC50onsemiDescription: IGBT FIELD STOP 650V 110A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 29ns/187ns
Switching Energy: 720µJ (on), 960µJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 146 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 110 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 385 W
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+758.29 грн
10+ 670.95 грн
30+ 643.13 грн
120+ 531.78 грн
270+ 505.68 грн
FGH4L75T65MQDC50onsemiIGBT Transistors 650V 75A FS4 HYBRID IGBT INDUSTRIAL (TO247-4L)
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+823.28 грн
10+ 715.55 грн
25+ 605.52 грн
50+ 572.14 грн
100+ 538.1 грн
250+ 453.31 грн
FGH50N3ONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 300V; 75A; 463W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 75A
Power dissipation: 463W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 228nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FGH50N3ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 300V 75A 463000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH50N3ONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 300V; 75A; 463W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 75A
Power dissipation: 463W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 228nC
Kind of package: tube
товар відсутній
FGH50N3ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 300V 75A 463000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH50N3ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 300V 75A 463000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH50N3onsemiDescription: IGBT PT 300V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/135ns
Switching Energy: 130µJ (on), 92µJ (off)
Test Condition: 180V, 30A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 180 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 463 W
товар відсутній
FGH50N3onsemi / FairchildIGBT Transistors 300V PT N-Channel
на замовлення 1726 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+726.7 грн
10+ 647.99 грн
100+ 453.98 грн
250+ 406.58 грн
FGH50N6S2Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL IGBT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/55ns
Switching Energy: 260µJ (on), 250µJ (off)
Test Condition: 390V, 30A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 463 W
на замовлення 1416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
54+370.77 грн
Мінімальне замовлення: 54
FGH50N6S2onsemiDescription: IGBT 600V 75A 463W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/55ns
Switching Energy: 260µJ (on), 250µJ (off)
Test Condition: 390V, 30A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 463 W
товар відсутній
FGH50N6S2DonsemiDescription: IGBT 600V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/55ns
Switching Energy: 260µJ (on), 250µJ (off)
Test Condition: 390V, 30A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 463 W
товар відсутній
FGH50N6S2Donsemi / FairchildIGBT Transistors Comp 600V N-Ch
товар відсутній
FGH50N6S2DFSCTO-247 08+
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FGH50N6S2DON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 75A 463000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH50N6S2DON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 75A 463000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH50N6S2DFairchild SemiconductorDescription: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/55ns
Switching Energy: 260µJ (on), 250µJ (off)
Test Condition: 390V, 30A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 463 W
на замовлення 2504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+709.53 грн
Мінімальне замовлення: 29
FGH50N6S2D_NLON Semiconductor / FairchildIGBT Transistors 600V, SMPS II Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Stealth™ Diode
товар відсутній
FGH50T65SQDonsemiON Semiconductor FS4TIGBT TO247 50A 650V
товар відсутній
FGH50T65SQD-F155ONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Pulsed collector current: 200A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 134W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 99nC
Collector-emitter voltage: 650V
Kind of package: tube
Collector current: 50A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FGH50T65SQD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 100A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH50T65SQD-F155onsemi / FairchildIGBT Transistors 650V FS4 Trench IGBT
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+317.78 грн
10+ 287.91 грн
25+ 216.97 грн
100+ 184.93 грн
250+ 179.59 грн
450+ 159.56 грн
900+ 146.21 грн
FGH50T65SQD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 100A 268000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH50T65SQD-F155onsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 100A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/105ns
Switching Energy: 180µJ (on), 45µJ (off)
Test Condition: 400V, 12.5A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 99 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 268 W
на замовлення 316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+292.48 грн
30+ 223.49 грн
120+ 191.57 грн
FGH50T65SQD-F155ONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Pulsed collector current: 200A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 134W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 99nC
Collector-emitter voltage: 650V
Kind of package: tube
Collector current: 50A
товар відсутній
FGH50T65SQD-F155ONSEMIDescription: ONSEMI - FGH50T65SQD-F155 - IGBT, 650 V, 50A FIELD STOP 4 TRENCH
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
FGH50T65SQD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 100A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH50T65UPDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 100A 340000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH50T65UPDonsemiDescription: IGBT TRENCH/FS 650V 100A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 53 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 32ns/160ns
Switching Energy: 2.7mJ (on), 740µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 230 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 340 W
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+413.09 грн
30+ 317.07 грн
120+ 283.71 грн
FGH50T65UPDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 100A 340W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH50T65UPDonsemi / FairchildIGBT Transistors 650 V 100 A 240 W
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+429.16 грн
10+ 368.52 грн
25+ 263.71 грн
100+ 260.37 грн
250+ 245.01 грн
450+ 208.3 грн
2700+ 207.63 грн
FGH60N60SFDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 378W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+278.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
FGH60N60SFDTUonsemi / FairchildIGBT Transistors N-Ch/ 60A 600V FS
товар відсутній
FGH60N60SFDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 378000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH60N60SFDTUonsemiDescription: IGBT FIELD STOP 600V 120A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 47 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/134ns
Switching Energy: 1.79mJ (on), 670µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 198 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 378 W
товар відсутній
FGH60N60SFDTUFGH60N60SFDTU Транзисторы IGB-transistors
на замовлення 108 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
FGH60N60SFDTU
Код товару: 71883		FAIR/ONТранзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 2,5 V
Ic 25: 120 A
Ic 100: 60 A
Pd 25: 378 W
у наявності 38 шт:
1 шт - РАДІОМАГ-Київ
12 шт - РАДІОМАГ-Львів
2 шт - РАДІОМАГ-Харків
23 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+228 грн
10+ 211 грн
FGH60N60SFDTU-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 378000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH60N60SFDTU-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 378000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH60N60SFDTU-F085onsemiDescription: IGBT FIELD STOP 600V 120A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/134ns
Switching Energy: 1.97mJ (on), 570µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 188 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 378 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
FGH60N60SFDTU-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 378000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH60N60SFTUON Semiconductor / FairchildIGBT Transistors N-CH / 600V 60A/ FS
на замовлення 341 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FGH60N60SFTUONSEMIDescription: ONSEMI - FGH60N60SFTU - IGBT,N CH,600V,120A,TO247
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 39870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+274.86 грн
Мінімальне замовлення: 450
FGH60N60SFTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 378mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FGH60N60SFTUfairchild2011+
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FGH60N60SFTUonsemiDescription: IGBT FIELD STOP 600V 120A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/134ns
Switching Energy: 1.79mJ (on), 670µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 198 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 378 W
товар відсутній
FGH60N60SFTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 378mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+233.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
FGH60N60SFTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 378000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH60N60SFTUFairchild SemiconductorDescription: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/134ns
Switching Energy: 1.79mJ (on), 670µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 198 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 378 W
на замовлення 9888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
81+250.86 грн
Мінімальне замовлення: 81
FGH60N60SMDONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 284nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 383 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+583.26 грн
3+ 387.38 грн
8+ 352.17 грн
FGH60N60SMDonsemiDescription: IGBT FIELD STOP 600V 120A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 39 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/104ns
Switching Energy: 1.26mJ (on), 450µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 189 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 600 W
на замовлення 392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+431.86 грн
30+ 329.8 грн
120+ 282.68 грн
FGH60N60SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+429.81 грн
33+ 358.4 грн
100+ 316.3 грн
450+ 277.13 грн
900+ 214.09 грн
Мінімальне замовлення: 28
FGH60N60SMDONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 284nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 383 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+486.05 грн
3+ 310.86 грн
8+ 293.47 грн
FGH60N60SMD
Код товару: 60291		FAIR/ONТранзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,9 V
Ic 25: 120 A
Ic 100: 60 A
Pd 25: 300 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 18/115
у наявності 100 шт:
67 шт - склад
6 шт - РАДІОМАГ-Київ
11 шт - РАДІОМАГ-Львів
2 шт - РАДІОМАГ-Харків
10 шт - РАДІОМАГ-Одеса
4 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+255 грн
10+ 239 грн
FGH60N60SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 600000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+218.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH60N60SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+490.51 грн
30+ 390.9 грн
100+ 336.06 грн
Мінімальне замовлення: 24
FGH60N60SMDonsemi / FairchildIGBT Transistors 600V/60A Field Stop IGBT ver. 2
на замовлення 8651 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+472 грн
25+ 369.29 грн
100+ 275.06 грн
450+ 244.35 грн
900+ 212.3 грн
FGH60N60SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+399.62 грн
25+ 333.23 грн
100+ 294.09 грн
450+ 257.66 грн
900+ 199.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH60N60SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+455.48 грн
25+ 362.98 грн
100+ 312.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH60N60SMD-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 600000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH60N60SMD-F085ON Semiconductor / FairchildIGBT Transistors 600V/60A Field Stop IGBT Gen 2
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FGH60N60SMD-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 600W Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+347.11 грн
10+ 331.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH60N60SMD-F085onsemiDescription: IGBT 600V 120A 600W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/116ns
Switching Energy: 1.59mJ (on), 390µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 280 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 600 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
FGH60N60UFDonsemiIGBT Transistors FSPIGBT TO247 60A 600V
товар відсутній
FGH60N60UFDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 298000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH60N60UFDTUonsemiDescription: IGBT FIELD STOP 600V 120A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 47 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/130ns
Switching Energy: 1.81mJ (on), 810µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 188 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 298 W
товар відсутній
FGH60N60UFDTUonsemi / FairchildIGBT Transistors N-Ch/ 60A 600V FS
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+587.28 грн
10+ 523.61 грн
120+ 376.53 грн
270+ 365.85 грн
510+ 328.47 грн
1020+ 275.06 грн
FGH60N60UFDTUfairchild2011+
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FGH60N60UFDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 298000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH60N60UFDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 298W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+367.76 грн
10+ 340.36 грн
30+ 322.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH60N60UFDTU-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 298000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH60N60UFDTU-F085onsemiDescription: IGBT 600V 120A 298W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 76 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 29ns/138ns
Switching Energy: 2.47mJ (on), 810µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 192 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 298 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
FGH60N60UFDTU-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FGH60N60UFDTU-F085 - IGBT, 600V, 60A, 1.8V, TO-247 FIELD STOP
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товар відсутній
FGH60N60UFDTU-F085ON Semiconductor / FairchildIGBT Transistors N-Ch/ 60A 600V FS IGBT
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FGH60N60UFDTU_F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 298000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH60N60UFDTU_F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 298000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH60N6S2onsemiDescription: IGBT 600V 75A 625W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/70ns
Switching Energy: 400µJ (on), 310µJ (off)
Test Condition: 390V, 40A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 140 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 320 A
Power - Max: 625 W
товар відсутній
FGH60T65
Код товару: 130492		Транзистори > IGBT
товар відсутній
FGH60T65SHDonsemiIGBT Transistors FS3TIGBT TO247 60A 650V
товар відсутній
FGH60T65SHD-F155onsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 120A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34.6 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/87ns
Switching Energy: 1.69mJ (on), 630µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 102 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 349 W
на замовлення 889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+335.09 грн
30+ 255.9 грн
120+ 219.35 грн
510+ 182.98 грн
FGH60T65SHD-F155onsemi / FairchildIGBT Transistors 650 V, 60 A Field Stop Trench IGBT
на замовлення 370 шт:
термін постачання 126-135 дні (днів)
1+364.52 грн
10+ 332.44 грн
25+ 247.68 грн
100+ 211.63 грн
250+ 208.3 грн
450+ 188.27 грн
900+ 166.9 грн
FGH60T65SHD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 120A 349000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH60T65SHD-F155ONSEMIDescription: ONSEMI - FGH60T65SHD-F155 - IGBT, 650 V, 60 A FIELD STOP TRENCH
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товар відсутній
FGH60T65SHD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 120A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH60T65SQD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 120A 333000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH60T65SQD-F155ONSEMIDescription: ONSEMI - FGH60T65SQD-F155 - IGBT, 120 A, 1.6 V, 333 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 120A
на замовлення 597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+433.63 грн
5+ 372.96 грн
10+ 311.55 грн
50+ 280.95 грн
100+ 251.64 грн
250+ 243.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH60T65SQD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 120A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH60T65SQD-F155
Код товару: 166613		Транзистори > IGBT
товар відсутній
FGH60T65SQD-F155onsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 120A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34.6 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20.8ns/102ns
Switching Energy: 227µJ (on), 100µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 79 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 333 W
на замовлення 382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+361.09 грн
30+ 275.72 грн
120+ 236.32 грн
FGH60T65SQD-F155onsemiIGBT Transistors 650V 60A FS4 TRENCH
на замовлення 961 шт:
термін постачання 161-170 дні (днів)
1+392.56 грн
10+ 332.44 грн
25+ 267.05 грн
100+ 227.66 грн
250+ 215.64 грн
450+ 202.95 грн
900+ 163.57 грн
FGH60T65SQD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 120A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH75N60SFTUFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL IGBT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/138ns
Switching Energy: 2.7mJ (on), 1mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 250 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 452 W
товар відсутній
FGH75N60SFTUonsemi / FairchildIGBT Transistors N-CH/75A 600V FS Planar
товар відсутній
FGH75N60UFonsemionsemi FSPIGBT TO247 75A 600V
товар відсутній
FGH75N60UFTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 150A 452000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH75N60UFTUON Semiconductor
на замовлення 850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FGH75N60UFTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 150A 452000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH75N60UFTUonsemi / FairchildIGBT Transistors N-CH / 600V 75A FS Planar
товар відсутній
FGH75N60UFTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 150A 452000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH75N60UFTUonsemiDescription: IGBT 600V 150A 452W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/128ns
Switching Energy: 3.05mJ (on), 1.35mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 250 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 452 W
товар відсутній
FGH75T65SHDonsemiIGBT Transistors FS3TIGBT TO247 75A 650V
товар відсутній
FGH75T65SHD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 455000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH75T65SHD-F155
Код товару: 172511		Транзистори > IGBT
товар відсутній
FGH75T65SHD-F155onsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 150A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43.4 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/80ns
Switching Energy: 2.4mJ (on), 720µJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 123 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 455 W
на замовлення 51901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+444.14 грн
30+ 338.74 грн
120+ 290.36 грн
510+ 242.21 грн
1020+ 207.39 грн
2010+ 195.28 грн
FGH75T65SHD-F155onsemi / FairchildIGBT Transistors 650 V, 75 A Field Stop Trench IGBT
на замовлення 1880 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+482.13 грн
10+ 453.74 грн
25+ 327.13 грн
100+ 280.4 грн
250+ 275.06 грн
450+ 249.02 грн
900+ 214.3 грн
FGH75T65SHD-F155ONSEMIDescription: ONSEMI - FGH75T65SHD-F155 - IGBT, 650 V, 75 A FIELD STOP TRENCH
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товар відсутній
FGH75T65SHDTonsemiIGBT Transistors FS3TIGBT TO247 75A 650V
товар відсутній
FGH75T65SHDT-F155onsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 150A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 76 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/86ns
Switching Energy: 3mJ (on), 750µJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 123 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 455 W
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+418.14 грн
30+ 318.83 грн
120+ 273.29 грн
FGH75T65SHDT-F155ONSEMIDescription: ONSEMI - FGH75T65SHDT-F155 - IGBT, 150 A, 1.6 V, 455 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 455W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 150A
на замовлення 414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+489.8 грн
5+ 464.33 грн
10+ 438.87 грн
50+ 384.57 грн
100+ 333.16 грн
250+ 311.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH75T65SHDT-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 455W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH75T65SHDT-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 455000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH75T65SHDT-F155onsemi / FairchildIGBT Transistors 650V FS3 Trench IGBT
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+454.09 грн
10+ 388.48 грн
25+ 308.44 грн
100+ 263.71 грн
250+ 249.02 грн
450+ 235 грн
900+ 189.6 грн
FGH75T65SHDTL4ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 455W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH75T65SHDTL4ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 455000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH75T65SHDTL4onsemi / FairchildIGBT Transistors FS3 TIGBT Excellent switching performan
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+479.79 грн
10+ 430.71 грн
25+ 324.46 грн
100+ 279.06 грн
250+ 270.38 грн
450+ 231.66 грн
900+ 199.62 грн
FGH75T65SHDTL4onsemiDescription: IGBT FIELD STOP 650V 150A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 76 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-4
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 55ns/189ns
Switching Energy: 1.06mJ (on), 1.56mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 126 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 455 W
на замовлення 414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+441.25 грн
30+ 336.82 грн
120+ 288.7 грн
FGH75T65SHDTL4ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 455W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH75T65SHDTL4ONSEMIDescription: ONSEMI - FGH75T65SHDTL4 - IGBT, FS-Trench, 150 A, 1.6 V, 455 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 455W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 150A
на замовлення 429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+505.52 грн
5+ 435.87 грн
10+ 365.48 грн
50+ 315.03 грн
100+ 268.33 грн
250+ 259.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH75T65SHDTLN4ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 455W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FGH75T65SHDTLN4onsemiIGBT Transistors FS3 T TO247 75A 65
на замовлення 309 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+427.61 грн
10+ 393.09 грн
100+ 337.14 грн
250+ 317.12 грн
450+ 259.7 грн
900+ 255.03 грн
FGH75T65SHDTLN4onsemiDescription: FS3 T TO247 75A 650V 4WL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 36 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-4
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 55ns/189ns
Switching Energy: 1.06mJ (on), 1.56mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 126 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 455 W
товар відсутній
FGH75T65SHDTLN4ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 455W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+143.06 грн
Мінімальне замовлення: 5
FGH75T65SHDTLN4ONSEMIDescription: ONSEMI - FGH75T65SHDTLN4 - IGBT, 650V, 150A, 175DEG C, 455W, TO-247
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FGH75T65SHDTLN4TE ConnectivityTE Connectivity
товар відсутній
FGH75T65SHDTLN4onsemiDescription: FS3 T TO247 75A 650V 4WL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 36 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-4
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 55ns/189ns
Switching Energy: 1.06mJ (on), 1.56mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 126 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 455 W
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
63+319.42 грн
Мінімальне замовлення: 63
FGH75T65SHDTLN4ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 455000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH75T65SHDT_F155
Код товару: 171976		Транзистори > Польові N-канальні
у наявності 1 шт:
1 шт - склад
1+190 грн
FGH75T65SHD_F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 455W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+266.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
FGH75T65SHD_F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 455W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+511.97 грн
28+ 427.09 грн
100+ 343.39 грн
Мінімальне замовлення: 23
FGH75T65SHD_F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 455W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH75T65SHD_F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 455W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH75T65SQDonsemiIGBT Transistors FS4TIGBT TO247 75A 650V
товар відсутній
FGH75T65SQD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH75T65SQD-F155ONSEMIDescription: ONSEMI - FGH75T65SQD-F155 - IGBT, N-Kanal, 150 A, 1.6 V, 375 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 150A
на замовлення 785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+475.57 грн
5+ 409.66 грн
10+ 343.01 грн
50+ 295.56 грн
100+ 251.64 грн
250+ 243.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH75T65SQD-F155onsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 150A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Switching Energy: 760µJ (on), 180µJ (off)
Gate Charge: 128 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 375 W
на замовлення 1036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+414.53 грн
30+ 316.42 грн
120+ 271.21 грн
510+ 226.24 грн
1020+ 193.72 грн
FGH75T65SQD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH75T65SQD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH75T65SQD-F155ON Semiconductor
на замовлення 310 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FGH75T65SQD-F155onsemi / FairchildIGBT Transistors 650V FS4 Trench IGBT
на замовлення 3775 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+450.19 грн
10+ 404.61 грн
25+ 251.02 грн
100+ 226.99 грн
250+ 192.27 грн
450+ 187.6 грн
FGH75T65SQDNL4onsemiDescription: 650V/75 FAST IGBT FSIII T
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 134 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 44ns/208ns
Switching Energy: 1.25mJ (on), 1.26mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 152 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 375 W
на замовлення 406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+661.51 грн
30+ 462.11 грн
120+ 381.86 грн
FGH75T65SQDNL4ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH75T65SQDNL4ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH75T65SQDNL4ON Semiconductor
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FGH75T65SQDNL4onsemiIGBT Transistors 650V/75 FAST IGBT
на замовлення 449 шт:
термін постачання 1207-1216 дні (днів)
1+718.91 грн
10+ 624.18 грн
25+ 405.91 грн
100+ 368.52 грн
250+ 343.82 грн
450+ 341.15 грн
FGH75T65SQDNL4ONSEMIDescription: ONSEMI - FGH75T65SQDNL4 - IGBT, 200 A, 1.43 V, 375 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.43V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 200A
на замовлення 885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+739.19 грн
5+ 576.67 грн
10+ 413.41 грн
50+ 367.88 грн
100+ 325.46 грн
250+ 310.7 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH75T65SQDNL4ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH75T65SQDT-F155onsemiIGBT Transistors 650V 40A FS4 TRENCH IGBT
на замовлення 1180 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+482.91 грн
10+ 453.74 грн
25+ 329.8 грн
100+ 291.08 грн
250+ 287.07 грн
450+ 272.39 грн
900+ 224.99 грн
FGH75T65SQDT-F155ONSEMIDescription: ONSEMI - FGH75T65SQDT-F155 - IGBT, FS-Trench, 150 A, 1.6 V, 375 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 150A
на замовлення 439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+499.53 грн
5+ 431.38 грн
10+ 362.48 грн
50+ 315.03 грн
100+ 270.9 грн
250+ 263.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH75T65SQDT-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH75T65SQDT-F155onsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 150A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 76 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/120ns
Switching Energy: 300µJ (on), 70µJ (off)
Test Condition: 400V, 18.8A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 128 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 375 W
на замовлення 397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+454.97 грн
30+ 349.73 грн
120+ 312.93 грн
FGH75T65SQDT-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH75T65SQDTL4ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH75T65SQDTL4onsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 150A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 76 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-4
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 44ns/276ns
Switching Energy: 307µJ (on), 266µJ (off)
Test Condition: 400V, 18.8A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 128 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
товар відсутній
FGH75T65SQDTL4ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH75T65SQDTL4onsemi / FairchildIGBT Transistors 650V FS4 Trench IGBT
товар відсутній
FGH75T65SQDTL4ONSEMIDescription: ONSEMI - FGH75T65SQDTL4 - IGBT, 650 V, 75 A FIELD STOP TRENCH
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товар відсутній
FGH75T65SQDT_F155onsemiDescription: 650V FS4 TRENCH IGBT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 76 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/120ns
Switching Energy: 300µJ (on), 70µJ (off)
Test Condition: 400V, 18.8A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 128 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 375 W
товар відсутній
FGH75T65UPDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH75T65UPDonsemi / FairchildIGBT Transistors 650V 150A 187W
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+454.09 грн
10+ 383.11 грн
25+ 302.43 грн
100+ 278.39 грн
250+ 261.7 грн
450+ 245.01 грн
900+ 232.33 грн
FGH75T65UPDonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 150A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 32ns/166ns
Switching Energy: 2.85mJ (on), 1.2mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 385 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 375 W
на замовлення 863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+418.86 грн
30+ 321.78 грн
120+ 287.9 грн
510+ 238.39 грн
FGH75T65UPDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH75T65UPDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+262.01 грн
Мінімальне замовлення: 45
FGH75T65UPDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+238.34 грн
Мінімальне замовлення: 30
FGH75T65UPDON-SemicoductorIGBT Transistor Chip N-CH 650V 150A   FGH75T65UPD TO247AB TFGH75T65upd
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
FGH75T65UPD-F085onsemiDescription: IGBT 650V 150A 375W TO-247AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 32ns/166ns
Switching Energy: 2.85mJ (on), 1.2mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 578 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 375 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 361 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+592.91 грн
30+ 455.92 грн
120+ 407.94 грн
FGH75T65UPD-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375W Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH75T65UPD-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FGH75T65UPD-F085 - IGBT, 150 A, 1.69 V, 375 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.69V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 150A
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+680.77 грн
5+ 586.41 грн
10+ 491.29 грн
50+ 438.12 грн
100+ 387.09 грн
250+ 363.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH75T65UPD-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH75T65UPD-F085ON Semiconductor
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FGH75T65UPD-F085onsemi / FairchildIGBT Transistors 650V/75A FS TRENCH IGBT
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+644.14 грн
10+ 544.34 грн
25+ 429.28 грн
100+ 394.56 грн
250+ 370.53 грн
450+ 315.11 грн
900+ 313.11 грн
FGH75T65UPD-F155ON SemiconductorField Stop Trench IGBT Chip Transistor
товар відсутній
FGH75T65UPD-F155onsemi / FairchildIGBT Transistors 650V,75A Field Stop Trench IGBT
товар відсутній
FGH75T65UPD-F155onsemiDescription: 650V,75A FIELD STOP TRENCH IGBT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 42ns/216ns
Switching Energy: 3.68mJ (on), 1.6mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 68 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 375 W
товар відсутній
FGH80N60FDonsemiIGBT Transistors FSPIGBT TO247 80A 600V
товар відсутній
FGH80N60FD2TUonsemiDescription: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 61 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/126ns
Switching Energy: 1mJ (on), 520µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 290 W
на замовлення 328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+340.15 грн
30+ 259.63 грн
120+ 222.54 грн
FGH80N60FD2TUonsemi / FairchildIGBT Transistors 600V 80A Field Stop
на замовлення 869 шт:
термін постачання 501-510 дні (днів)
1+382.43 грн
10+ 339.35 грн
120+ 241.68 грн
FGH80N60FD2TUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH80N60FD2TUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 6750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+218.1 грн
900+ 192.1 грн
4500+ 190.14 грн
Мінімальне замовлення: 450
FGH80N60FD2TU(транзистор)
Код товару: 61002		Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товар відсутній
FGH80N60FDTU
Код товару: 155558		Транзистори > IGBT
товар відсутній
FGH80N60FDTUONSEMIDescription: ONSEMI - FGH80N60FDTU - IGBT, Universal, 80 A, 1.8 V, 290 W, 600 V, TO-247AB, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8
DC-Kollektorstrom: 80
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247AB
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 290
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товар відсутній
FGH80N60FDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH80N60FDTUonsemi / FairchildIGBT Transistors 600V Field Stop
товар відсутній
FGH80N60FDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH80N60FDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH80N60FDTUonsemiDescription: IGBT 600V 80A 290W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 36 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/126ns
Switching Energy: 1mJ (on), 520µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 290 W
товар відсутній
FGH80N60FDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGHL40S65UQON Semiconductor
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FGHL40S65UQON SemiconductorDescription: IGBT 650V 40A
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+184.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGHL40S65UQON SemiconductorIGBT Transistors IGBT, 650 V, 40 A
на замовлення 367 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FGHL40S65UQON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 231000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGHL40T120RWDonsemiIGBT Transistors 1200V/40A FS7 IGBT SCR TO247
на замовлення 424 шт:
термін постачання 189-198 дні (днів)
1+501.6 грн
10+ 423.03 грн
25+ 333.81 грн
100+ 306.43 грн
250+ 288.41 грн
FGHL40T120RWDON Semiconductor1200V/40A FS7 IGBT SCR TO247
товар відсутній
FGHL40T120RWDonsemiDescription: IGBT FIELD STOP 1200V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 248 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40.3A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 38ns/184ns
Switching Energy: 2.9mJ (on), 2.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 174 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 600 W
товар відсутній
FGHL40T120SWDonsemiDescription: IGBT FIELD STOP 1200V 70A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 185 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/118ns
Switching Energy: 2.4mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 118 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 469 W
товар відсутній
FGHL40T120SWDonsemiIGBT Transistors 1200V/40A FS7 IGBT TO247
на замовлення 425 шт:
термін постачання 154-163 дні (днів)
1+440.07 грн
10+ 363.92 грн
25+ 299.09 грн
100+ 256.36 грн
250+ 242.34 грн
450+ 227.66 грн
900+ 194.94 грн
FGHL40T120SWDON SemiconductorIGBT- Power, Co-PAK N-Channel, Field Stop VII
товар відсутній
FGHL40T65LQDTonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 84 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/364ns
Switching Energy: 620µJ (on), 1.03mJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 414 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 273 W
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+265.76 грн
30+ 203.02 грн
120+ 174.01 грн
510+ 145.16 грн
1020+ 124.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGHL40T65LQDTonsemiIGBT Transistors FS4 LOW VCESAT IGBT 650V 40A TO247-3L WITH FULL RATED CURRENT DIODE
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+285.07 грн
10+ 236.47 грн
25+ 193.61 грн
100+ 137.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGHL40T65MQDON Semiconductor650 V, 40 A Field Stop Trench IGBT
товар відсутній
FGHL40T65MQDON Semiconductor650 V, 40 A Field Stop Trench IGBT
товар відсутній
FGHL40T65MQDonsemiDescription: IGBT 650V 40A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 33 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/109ns
Switching Energy: 860µJ (on), 520µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 86 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 238 W
товар відсутній
FGHL40T65MQDON Semiconductor
на замовлення 152 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FGHL40T65MQDonsemiIGBT Transistors 650 V 40 A FS4
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+291.3 грн
10+ 241.08 грн
25+ 168.91 грн
450+ 142.87 грн
900+ 124.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGHL40T65MQDTON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 60A 238000mW Tube
товар відсутній
FGHL40T65MQDTonsemiDescription: FS4 MID SPEED IGBT 650V 40A TO24
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 86 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/75ns
Switching Energy: 880µJ (on), 490µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 80 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 238 W
на замовлення 214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+288.15 грн
30+ 219.71 грн
120+ 188.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGHL40T65MQDTonsemiIGBT Transistors FS4 MID SPEED IGBT 650V 40A TO247-3L WITH FULL RATED CURRENT DIODE
на замовлення 1652 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+307.66 грн
10+ 254.89 грн
25+ 208.96 грн
100+ 179.59 грн
250+ 169.57 грн
450+ 159.56 грн
900+ 136.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGHL40T65MQDTONSEMIDescription: ONSEMI - FGHL40T65MQDT - IGBT, 60 A, 1.45 V, 238 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 238W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 6632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+336.27 грн
10+ 238.91 грн
100+ 193.97 грн
500+ 169.68 грн
1000+ 134.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
FGHL40T65MQDTON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 60A 238000mW Tube
товар відсутній
FGHL50T65LQDTON SemiconductorField Stop Trench IGBT
товар відсутній
FGHL50T65LQDTonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 31ns/408ns
Switching Energy: 510µJ (on), 880µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 509 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 341 W
товар відсутній
FGHL50T65LQDTonsemiIGBT Transistors FS4 LOW VCESAT IGBT 650V 50A TO247-3L WITH FULL RATED CURRENT DIODE
на замовлення 315 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+331.8 грн
10+ 274.86 грн
25+ 225.65 грн
100+ 155.55 грн
FGHL50T65LQDTL4onsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/424ns
Switching Energy: 410µJ (on), 860µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 509 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 341 W
товар відсутній
FGHL50T65LQDTL4onsemiIGBT Transistors FS4 LOW VCESAT IGBT 650V 50A TO247-4L WITH FULL RATED CURRENT DIODE
на замовлення 450 шт:
термін постачання 196-205 дні (днів)
1+352.05 грн
10+ 290.98 грн
25+ 239.67 грн
100+ 204.96 грн
250+ 193.61 грн
450+ 182.26 грн
FGHL50T65MQDON Semiconductor650 V, 50 A Field Stop Trench IGBT
товар відсутній
FGHL50T65MQDonsemiDescription: IGBT 650V 50A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 32 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/120ns
Switching Energy: 1.05mJ (on), 700µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 94 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 268 W
на замовлення 412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+314.15 грн
10+ 253.97 грн
FGHL50T65MQDonsemiIGBT Transistors 650 V 50 A FS4
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+340.37 грн
10+ 281.77 грн
25+ 243.68 грн
100+ 237 грн
250+ 207.63 грн
450+ 176.25 грн
900+ 142.2 грн
FGHL50T65MQDTONSEMIDescription: ONSEMI - FGHL50T65MQDT - IGBT, 80 A, 1.45 V, 268 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 268W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+414.9 грн
10+ 337.02 грн
25+ 276.35 грн
450+ 218.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGHL50T65MQDTON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268000mW Tube
товар відсутній
FGHL50T65MQDTonsemiDescription: FS4 MID SPEED IGBT 650V 50A TO24
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 79 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/90ns
Switching Energy: 1.19mJ (on), 630µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 99 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 268 W
на замовлення 139050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+340.87 грн
30+ 260.28 грн
120+ 223.09 грн
510+ 186.1 грн
1020+ 159.35 грн
2010+ 150.04 грн
FGHL50T65MQDTonsemiIGBT Transistors FS4 MID SPEED IGBT 650V 50A TO247-3L WITH FULL RATED CURRENT DIODE
на замовлення 2206 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+357.51 грн
10+ 296.35 грн
25+ 243.01 грн
100+ 167.57 грн
FGHL50T65MQDTON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268000mW Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+177.79 грн
Мінімальне замовлення: 4
FGHL50T65MQDTL4onsemiDescription: FS4 MID SPEED IGBT 650V 50A TO24
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 79 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/336ns
Switching Energy: 1mJ (on), 850µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 30Ohm, 15V
Gate Charge: 99 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 268 W
на замовлення 4465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+373.37 грн
10+ 301.96 грн
450+ 217.12 грн
1350+ 174.47 грн
2250+ 164.28 грн
FGHL50T65MQDTL4onsemiIGBT Transistors FS4 MID SPEED IGBT 650V 50A TO247-4L WITH FULL RATED CURRENT DIODE
на замовлення 355 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+405.02 грн
10+ 335.51 грн
25+ 275.06 грн
100+ 235.67 грн
250+ 222.98 грн
450+ 209.63 грн
900+ 179.59 грн
FGHL50T65MQDTL4ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268000mW Tube
товар відсутній
FGHL50T65MQDTL4ONSEMIDescription: ONSEMI - FGHL50T65MQDTL4 - IGBT, 80 A, 1.45 V, 268 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 268W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+429.88 грн
10+ 308.56 грн
100+ 250.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGHL50T65SQON SemiconductorIGBT Chip for PFC Applications
товар відсутній
FGHL50T65SQONSEMIDescription: ONSEMI - FGHL50T65SQ - IGBT, 100 A, 1.6 V, 268 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 268W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100A
на замовлення 326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+301.82 грн
10+ 182.74 грн
100+ 162.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
FGHL50T65SQON SemiconductorIGBT Chip for PFC Applications
товар відсутній
FGHL50T65SQON SemiconductorIGBT Chip for PFC Applications
товар відсутній
FGHL50T65SQonsemiDescription: IGBT 650V 100A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/93ns
Switching Energy: 410µJ (on), 88µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 99 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 268 W
на замовлення 149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+253.48 грн
30+ 193.14 грн
120+ 165.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGHL50T65SQonsemiIGBT Transistors FS4TIGBT 50A 650V
на замовлення 273 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+274.95 грн
10+ 258.73 грн
25+ 186.93 грн
100+ 160.23 грн
250+ 154.89 грн
450+ 137.53 грн
900+ 114.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGHL50T65SQDTONSEMIDescription: ONSEMI - FGHL50T65SQDT - IGBT, 100 A, 1.47 V, 268 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Verlustleistung: 268
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.47
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
FGHL50T65SQDTON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 100A 268mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGHL50T65SQDTON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 100A 268000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGHL50T65SQDTonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 100A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22.8ns/70ns
Switching Energy: 223µJ (on), 91.13µJ (off)
Test Condition: 400V, 12.5A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 99.7 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 268 W
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+363.26 грн
30+ 277.38 грн
120+ 237.76 грн
FGHL50T65SQDTonsemiIGBT Transistors 650 FS4 HI SPEED 50 A WITH FULL RATING FRD
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+394.89 грн
10+ 370.83 грн
25+ 268.38 грн
100+ 229.66 грн
250+ 226.32 грн
450+ 203.62 грн
900+ 164.23 грн
FGHL60T120RWDonsemiDescription: 1200V, 60A TRENCH FIELD STOP VII
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 257 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 51ns/250ns
Switching Energy: 4.5mJ (on), 3.4mJ (off)
Test Condition: 600V, 60A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 256 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 833 W
товар відсутній
FGHL60T120RWDonsemiIGBT Transistors 1200V/60A FS7 IGBT SCR TO247
на замовлення 450 шт:
термін постачання 252-261 дні (днів)
1+655.82 грн
10+ 554.32 грн
30+ 437.29 грн
120+ 401.24 грн
270+ 377.2 грн
510+ 353.83 грн
1020+ 318.45 грн
FGHL75T65LQDTONSEMIDescription: ONSEMI - FGHL75T65LQDT - IGBT, 80 A, 1.15 V, 469 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.15V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 469W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+536.23 грн
5+ 459.09 грн
10+ 381.95 грн
50+ 340.07 грн
100+ 299.78 грн
250+ 282.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGHL75T65LQDTonsemiDescription: FS4 LOW VCESAT IGBT 650V 75A TO2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 152 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 48ns/568ns
Switching Energy: 1.88mJ (on), 2.38mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 793 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 469 W
на замовлення 383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+469.42 грн
10+ 387.63 грн
FGHL75T65LQDTonsemiIGBT Transistors FS4 LOW VCESAT IGBT 650V 75A TO247-3L WITH FULL RATED CURRENT DIODE
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+510.95 грн
10+ 431.48 грн
25+ 340.48 грн
100+ 311.78 грн
250+ 293.75 грн
450+ 275.06 грн
900+ 247.68 грн
FGHL75T65LQDTON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 469000mW Tube
товар відсутній
FGHL75T65LQDTON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 469000mW Tube
товар відсутній
FGHL75T65LQDTL4ONSEMIDescription: ONSEMI - FGHL75T65LQDTL4 - IGBT, 80 A, 1.15 V, 469 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.15V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 469W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+523.5 грн
5+ 447.86 грн
10+ 372.22 грн
50+ 331.72 грн
100+ 292.72 грн
250+ 275.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGHL75T65LQDTL4onsemiDescription: FS4 LOW VCESAT IGBT 650V 75A TO2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 87 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/548ns
Switching Energy: 1.01mJ (on), 2.53mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 779 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 469 W
на замовлення 321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+500.47 грн
30+ 384.9 грн
120+ 344.38 грн
FGHL75T65LQDTL4onsemiIGBT Transistors FS4 LOW VCESAT IGBT 650V 75A TO247-4L WITH FULL RATED CURRENT DIODE
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+497.71 грн
10+ 420.73 грн
25+ 331.8 грн
100+ 304.43 грн
250+ 286.41 грн
450+ 268.38 грн
900+ 251.69 грн
FGHL75T65LQDTL4ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 469000mW Tube
товар відсутній
FGHL75T65MQDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375000mW Tube
товар відсутній
FGHL75T65MQDonsemiDescription: IGBT 650V 75A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 36 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/176ns
Switching Energy: 1.94mJ (on), 1.55mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 145 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 375 W
на замовлення 534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+433.31 грн
10+ 350.5 грн
450+ 252.02 грн
FGHL75T65MQDonsemiIGBT Transistors 650 V 75 A FS4
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+470.44 грн
10+ 389.25 грн
25+ 328.47 грн
100+ 303.1 грн
250+ 258.37 грн
450+ 236.33 грн
900+ 196.28 грн
FGHL75T65MQDTON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375000mW Tube
товар відсутній
FGHL75T65MQDTON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375000mW Tube
товар відсутній
FGHL75T65MQDTonsemiDescription: FS4 MID SPEED IGBT 650V 75A TO24
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 107 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/118ns
Switching Energy: 2.35mJ (on), 1.25mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 149 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 375 W
на замовлення 306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+434.03 грн
10+ 351.19 грн
FGHL75T65MQDTonsemiIGBT Transistors FS4 MID SPEED IGBT 650V 75A TO247-3L WITH FULL RATED CURRENT DIODE
на замовлення 1504 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+471.22 грн
10+ 390.02 грн
25+ 320.45 грн
100+ 274.39 грн
250+ 259.03 грн
450+ 243.68 грн
900+ 208.3 грн
FGHL75T65MQDTONSEMIDescription: ONSEMI - FGHL75T65MQDT - IGBT, 80 A, 1.45 V, 375 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 1340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+485.3 грн
10+ 350.5 грн
100+ 283.09 грн
500+ 246.88 грн
1000+ 195.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGHL75T65MQDTL4onsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 107 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 32ns/181ns
Switching Energy: 1.2mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 149 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 375 W
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+422.47 грн
30+ 324.97 грн
120+ 290.76 грн
FGHL75T65MQDTL4onsemiIGBT Transistors FS4 MID SPEED IGBT 650V 75A TO247-4L WITH FULL RATED CURRENT DIODE
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+362.18 грн
10+ 325.53 грн
25+ 243.68 грн
100+ 241.01 грн
450+ 212.97 грн
FGHL75T65MQDTL4ONSEMIDescription: ONSEMI - FGHL75T65MQDTL4 - IGBT, 80 A, 1.45 V, 375 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+520.5 грн
10+ 427.64 грн
25+ 388.69 грн
100+ 324.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGHOV225Z-L5(T3-270)NEC
на замовлення 5719 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)