Продукція > GHX

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
GHXS010A060S-D1Global Power Technologies GroupDescription: MOD SBD BRIDGE 600V 10A SOT227
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GHXS010A060S-D1EGlobal Power Technologies GroupDescription: MOD SBD BRIDGE 600V 10A SOT227
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GHXS010A060S-D3SemiQDescription: DIODE MOD SIC SCHOT 600V SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1286.2 грн
10+ 1101 грн
GHXS010A060S-D3SemiQDiscrete Semiconductor Modules SiC SBD Parallel Power Module 600V 10A
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1412.11 грн
10+ 1236.85 грн
20+ 1068.18 грн
50+ 1034.8 грн
100+ 940 грн
200+ 925.98 грн
500+ 802.47 грн
GHXS010A060S-D4Global Power Technologies GroupDescription: DIODE SBD SCHOTT 600V 10A SOT227
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GHXS015A120S-D1Global Power Technologies GroupDescription: MOD SBD BRIDGE 1200V 15A SOT227
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GHXS015A120S-D1EGlobal Power Technologies GroupDescription: MOD SBD BRIDGE 1200V 15A SOT227
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GHXS015A120S-D3SemiQDiscrete Semiconductor Modules SiC SBD Parallel Power Module 1200V 15A
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
GHXS015A120S-D3SemiQDescription: DIODE SCHOT SBD 1200V 15A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2880.77 грн
GHXS015A120S-D4Global Power Technologies GroupDescription: DIODE SCHOT SBD 1200V 15A SOT227
на замовлення 252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GHXS020A060S-D1Global Power Technologies GroupDescription: MOD SBD BRIDGE 600V 20A SOT227
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GHXS020A060S-D1EGlobal Power Technologies GroupDescription: MOD SBD BRIDGE 600V 20A SOT227
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GHXS020A060S-D3SemiQDescription: DIODE MOD SIC SCHOT 600V SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V
товар відсутній
GHXS020A060S-D3SemiQDiscrete Semiconductor Modules SiC SBD Parallel Power Module 600V 20A
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1821.8 грн
10+ 1789.64 грн
20+ 1509.47 грн
50+ 1489.44 грн
100+ 1359.26 грн
200+ 1317.87 грн
500+ 1269.8 грн
GHXS020A060S-D4Global Power Technologies GroupDescription: DIODE SBD SHOTT 600V 20A SOT227
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GHXS030A060S-D1Global Power Technologies GroupDescription: MOD SBD BRIDGE 600V 30A SOT227
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GHXS030A060S-D1ESemiQDescription: BRIDGE RECT 1P 600V 30A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide Schottky
Supplier Device Package: SOT-227
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 30 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2465.51 грн
10+ 2115.5 грн
GHXS030A060S-D1ESemiQDiscrete Semiconductor Modules SiC SBD Rectifier Bridge Power Module 600V 30A
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4635.13 грн
10+ 4153.55 грн
20+ 3490.95 грн
50+ 3370.78 грн
100+ 3250.61 грн
200+ 3129.77 грн
500+ 3010.27 грн
GHXS030A060S-D3SemiQDescription: DIODE MOD SIC SCHOT 600V SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
товар відсутній
GHXS030A060S-D3SemiQDiscrete Semiconductor Modules SiC SBD Parallel Power Module 600V 30A
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1951.88 грн
10+ 1709.02 грн
20+ 1387.3 грн
50+ 1343.9 грн
100+ 1299.84 грн
200+ 1213.72 грн
500+ 1116.25 грн
GHXS030A060S-D4Global Power Technologies GroupDescription: DIODE SBD SHOTT 600V 30A SOT227
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GHXS030A120S-D1Global Power Technologies GroupDescription: MOD SBD BRIDGE 1200V 30A SOT227
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GHXS030A120S-D1ESemiQDescription: BRIDGE RECT 1P 1.2KV 30A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide Schottky
Supplier Device Package: SOT-227
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 1.2 kV
Current - Average Rectified (Io): 30 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3433.95 грн
10+ 2946.47 грн
GHXS030A120S-D1ESemiQDiscrete Semiconductor Modules SiC SBD Rectifier Bridge Power Module 1200V 30A
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+7818.41 грн
10+ 7308.26 грн
30+ 6259.54 грн
100+ 6005.18 грн
250+ 5891.68 грн
GHXS030A120S-D3SemiQDescription: DIODE SCHOTKY 1200V 30A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4900.7 грн
10+ 4433.23 грн
GHXS030A120S-D3SemiQDiscrete Semiconductor Modules SiC SBD Parallel Power Module 1200V 30A
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4968.49 грн
10+ 4600.39 грн
30+ 3928.23 грн
100+ 3584.41 грн
250+ 3516.98 грн
GHXS030A120S-D4Global Power Technologies GroupDescription: DIODE SCHOTKY 1200V 30A SOT227
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GHXS045A120S-D1Global Power Technologies GroupDescription: MOD SBD BRIDGE 1200V 45A SOT227
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GHXS045A120S-D1EGlobal Power Technologies GroupDescription: MOD SBD BRIDGE 1200V 45A SOT227
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GHXS045A120S-D3SemiQDescription: DIODE SCHOT SBD 1200V 45A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 45A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 45 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 1200 V
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6514.04 грн
10+ 5949.06 грн
GHXS045A120S-D3SemiQDiscrete Semiconductor Modules SiC SBD Parallel Power Module 1200A 45A
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+7024.73 грн
10+ 6567.37 грн
30+ 5554.54 грн
100+ 5313.53 грн
GHXS045A120S-D4Global Power Technologies GroupDescription: DIODE SCHOT SBD 1200V 45A SOT227
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GHXS050A060S-D3SemiQDiscrete Semiconductor Modules SiC SBD Parallel Power Module 600V 50A
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4096.92 грн
10+ 3869.48 грн
30+ 3239.93 грн
100+ 2955.52 грн
250+ 2900.78 грн
GHXS050A060S-D3SemiQDescription: DIODE SCHOTT SBD 600V 50A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3780.6 грн
GHXS050A060S-D4Global Power Technologies GroupDescription: DIODE SCHOTT SBD 600V 50A SOT227
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GHXS050A170S-D3SemiQDescription: DIODE MOD SIC 1700V 150A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 750 µA @ 1700 V
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+11443.62 грн
10+ 10321.02 грн
GHXS050A170S-D3SemiQDiscrete Semiconductor Modules SiC SBD Parallel Power Module 1700V 50A
на замовлення 15 шт:
термін постачання 125-134 дні (днів)
1+3879.61 грн
10+ 3407.3 грн
20+ 2786.62 грн
50+ 2693.15 грн
100+ 2601.02 грн
200+ 2507.55 грн
500+ 2392.06 грн
GHXS050B065S-D3SemiQDescription: DIODE MOD SIC SCHOT 650V SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 95A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 125 µA @ 650 V
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2045.93 грн
10+ 1750.68 грн
GHXS050B065S-D3SemiQDiscrete Semiconductor Modules SiC SBD 650V 50A SiC Power Modules
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2155.94 грн
10+ 1887.91 грн
20+ 1585.58 грн
50+ 1550.86 грн
100+ 1435.37 грн
200+ 1387.3 грн
500+ 1311.86 грн
GHXS050B120S-D3SemiQDescription: DIODE MOD SIC 1200V 101A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 101A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2913.99 грн
GHXS050B120S-D3SemiQDiscrete Semiconductor Modules SiC SBD 1200V 50A SiC Power Modules
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3229.24 грн
10+ 2705.57 грн
20+ 2273.22 грн
50+ 2197.11 грн
100+ 2121.67 грн
200+ 2045.57 грн
500+ 1950.76 грн
GHXS060A120S-D3Global Power Technologies GroupDescription: MOD SBD BRIDGE 1200V 60A SOT227
товар відсутній
GHXS060A120S-D4Global Power Technologies GroupDescription: DIODE SCHOT SBD 1200V 60A SOT227
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GHXS060B120S-D3SemiQDiscrete Semiconductor Modules SiC SBD Power Dual Diode Module 1200A 60A
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+6012.97 грн
10+ 5569.29 грн
GHXS060B120S-D3SemiQDescription: DIODE MOD SIC 1200V 161A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 161A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6263.44 грн
10+ 5506.49 грн
GHXS100B065S-D3SemiQDiscrete Semiconductor Modules SiC SBD 650V 100A SiC Power Modules
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2691.82 грн
10+ 2363.92 грн
20+ 1988.15 грн
50+ 1952.1 грн
100+ 1804.56 грн
200+ 1768.51 грн
500+ 1707.75 грн
GHXS100B065S-D3SemiQDescription: DIODE MOD SIC 650V 193A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 193A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 650 V
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2513.18 грн
10+ 2156.6 грн
GHXS100B120S-D3SemiQDescription: DIODE MOD SIC 1200V 198A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 198A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
на замовлення 121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5229.29 грн
10+ 4563.97 грн
100+ 4091.84 грн
GHXS100B120S-D3SemiQDiscrete Semiconductor Modules SiC SBD 1200V 100A SiC Power Modules
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+5172.55 грн
10+ 4620.35 грн
20+ 3946.93 грн
50+ 3875.49 грн
100+ 3602.44 грн
200+ 3545.02 грн
500+ 3514.31 грн