Продукція > HUF

Description: MOSFET N-CH 50V 44A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V

товар відсутній

HUF75229P3

Description: ONSEMI - HUF75229P3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 161050 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

457+	79.39 грн

Мінімальне замовлення: 457

HUF75229P3

на замовлення 161050 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

381+	52.68 грн

Мінімальне замовлення: 381

HUF75229P3

Trans MOSFET N-CH Si 50V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail

товар відсутній

HUF75229P3

MOSFET 44a 50V N-Ch MOSFET

товар відсутній

HUF75229P3_NL

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V

товар відсутній

HUF75305D3ST

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF75307

03+ SOT-223;

на замовлення 92 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF75307D3

Description: MOSFET N-CH 55V 15A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V

на замовлення 8110 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

592+	34.01 грн

Мінімальне замовлення: 592

HUF75307D3

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF75307D3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 15A 3-Pin(3+Tab) IPAK Rail

товар відсутній

HUF75307D3

MOSFET 15a 55V N-Ch UltraFET 0.099 Ohm

товар відсутній

HUF75307D35T

00+

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF75307D38

на замовлення 373 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF75307D3S

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF75307D3S

MOSFET TO-252

товар відсутній

HUF75307D3S

08+ TSSOP

на замовлення 223 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF75307D3S

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF75307D3ST

Description: MOSFET N-CH 55V 15A TO252AA

на замовлення 110710 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

802+	24.93 грн

Мінімальне замовлення: 802

HUF75307D3ST

Description: MOSFET N-CH 55V 15A TO252

товар відсутній

HUF75307D3ST

MOSFET 15a 55V N-Ch UltraFET 0.099 Ohm

товар відсутній

HUF75307D3ST

Description: MOSFET N-CH 55V 15A TO252AA

товар відсутній

HUF75307D3ST

99+

на замовлення 3043 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF75307D3ST

Trans MOSFET N-CH Si 55V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

HUF75307D3ST_NL

MOSFET 55V,15A,0.090 OHM,NCH ULTRAFET POWER MOSFET

товар відсутній

HUF75307D3ST_NL

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V

на замовлення 2597 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

919+	22.01 грн

Мінімальне замовлення: 919

HUF75307D3ST_SB78016

onsemi

товар відсутній

HUF75307D3ST_SN00079

onsemi

товар відсутній

HUF75307D3_NL

MOSFET 55V,15A,0.090 OHM,NCH ULTRAFET POWER MOSFET

товар відсутній

HUF75307DS3S

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF75307DS3S

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF75307P3

MOSFET TO-220

товар відсутній

HUF75307T3S136

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF75307T3ST

Description: MOSFET N-CH 55V 2.6A SOT223-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V

на замовлення 5276 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

761+	26.01 грн

Мінімальне замовлення: 761

HUF75307T3ST

07+ SOT-223

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF75307T3ST

MOSFET 15a 55V N-Ch UltraFET 0.099 Ohm

товар відсутній

HUF75307T3ST

Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

HUF75307T3ST

Description: ONSEMI - HUF75307T3ST - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 5276 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

915+	40.44 грн

Мінімальне замовлення: 915

HUF75307T3ST

SOT-223

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF75307T3ST/5307

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF75307T3ST136

INTEL

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF75307T3ST136

Description: 13A, 55V, 0.090 OHM, N CHANNEL,
Packaging: Bulk

на замовлення 3263 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1158+	17.58 грн

Мінімальне замовлення: 1158

HUF75309D3

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V

товар відсутній

HUF75309D3S

Description: MOSFET N-CH 55V 19A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V

на замовлення 15980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1025+	19.34 грн

Мінімальне замовлення: 1025

HUF75309D3S

Trans MOSFET N-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail

товар відсутній

HUF75309D3S

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF75309D3S

Description: ONSEMI - HUF75309D3S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 14180 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1232+	29.96 грн

Мінімальне замовлення: 1232

HUF75309D3S

Description: MOSFET N-CH 55V 19A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V

на замовлення 1687 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1025+	19.34 грн

Мінімальне замовлення: 1025

HUF75309D3S

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF75309D3S

TO-252

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF75309D3S

MOSFET 19a 55V N-Channel UltraFET

товар відсутній

HUF75309D3ST

Description: MOSFET N-CH 55V 19A DPAK

товар відсутній

HUF75309D3ST

на замовлення 17000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF75309D3ST

Trans MOSFET N-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

HUF75309D3ST_NL

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

товар відсутній

HUF75309P3
Код товару: 189443

товар відсутній

HUF75309P3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail

товар відсутній

HUF75309P3

Description: MOSFET N-CH 55V 19A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V

на замовлення 9584 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

683+	29.34 грн

Мінімальне замовлення: 683

HUF75309P3

MOSFET 19a 55V N-Channel UltraFET

товар відсутній

HUF75309P3_Q

MOSFET

товар відсутній

HUF75309S3S

SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF75309S3S

07+ SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF75309T3ST

07+ SOT-223

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF75309T3ST

SOT-223

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF75309T3ST

Description: MOSFET N-CH 55V 3A SOT-223

товар відсутній

HUF75321D3

Description: MOSFET N-CH 55V 20A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V

на замовлення 1050 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1050+	19.34 грн

Мінімальне замовлення: 1050

HUF75321D3S

Description: MOSFET N-CH 55V 20A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V

на замовлення 1818 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

701+	28.67 грн

Мінімальне замовлення: 701

HUF75321D3S

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF75321D3S

TO-252

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF75321D3S

Trans MOSFET N-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail

товар відсутній

HUF75321D3S

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF75321D3ST

Trans MOSFET N-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

HUF75321D3ST

Trans MOSFET N-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 47500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	31.48 грн

Мінімальне замовлення: 2500

HUF75321D3ST

Description: MOSFET N-CH 55V 20A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V

на замовлення 10440 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	60.66 грн
10+	47.98 грн
100+	37.32 грн
500+	29.69 грн
1000+	24.18 грн

Мінімальне замовлення: 5

HUF75321D3ST

Trans MOSFET N-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	25.08 грн

Мінімальне замовлення: 2500

HUF75321D3ST

Trans MOSFET N-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

HUF75321D3ST

MOSFET 20a 55V N-Channel UltraFET

на замовлення 2544 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	60.13 грн
10+	48.83 грн
100+	33.78 грн
500+	29.17 грн
1000+	24.5 грн
2500+	24.37 грн

Мінімальне замовлення: 6

HUF75321D3ST

Trans MOSFET N-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 47500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	42.01 грн
12500+	38.39 грн
25000+	35.72 грн
37500+	32.48 грн

Мінімальне замовлення: 2500

HUF75321D3ST

Description: MOSFET N-CH 55V 20A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V

на замовлення 8200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	25.19 грн
5000+	23.1 грн

Мінімальне замовлення: 2500

HUF75321D3ST

Trans MOSFET N-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

HUF75321P

на замовлення 700 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF75321P3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

HUF75321P3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 31A; 93W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Kind of package: tube
On-state resistance: 34mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 44nC
Technology: UltraFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 93W
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 31A

товар відсутній

HUF75321P3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

200+	72.85 грн

Мінімальне замовлення: 200

HUF75321P3

MOSFET 35A 55V N-Channel UltraFET

на замовлення 1596 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	107.49 грн
10+	85.22 грн
100+	58.42 грн
500+	49.54 грн
800+	39.46 грн

Мінімальне замовлення: 3

HUF75321P3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

HUF75321P3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 35A (HUF75321S3S TO263AB *OBSOLETE) (HUF75321D3S TO252AA *OBSOLETE) HUF75321P3 THUF75321p3
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 80 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

20+	27.26 грн

Мінімальне замовлення: 20

HUF75321P3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

116+	101.1 грн
149+	78.85 грн

Мінімальне замовлення: 116

HUF75321P3

Description: ONSEMI - HUF75321P3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 13417 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

563+	65.16 грн

Мінімальне замовлення: 563

HUF75321P3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

HUF75321P3

товар відсутній

HUF75321P3
Код товару: 53580

товар відсутній

HUF75321P3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

HUF75321P3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

HUF75321P3

Description: MOSFET N-CH 55V 35A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V

на замовлення 650 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	98.94 грн
50+	76.29 грн
100+	60.46 грн
500+	48.09 грн

Мінімальне замовлення: 3

HUF75321P3

Description: ONSEMI - HUF75321P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 35 A, 0.034 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55
Dauer-Drainstrom Id: 35
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 93
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 93
Bauform - Transistor: TO-220AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.034
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

товар відсутній

HUF75321S3

MOSFET

товар відсутній

HUF75321S3S

TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF75321S3S

Description: ONSEMI - HUF75321S3S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 991 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

843+	42.69 грн

Мінімальне замовлення: 843

HUF75321S3S

SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF75321S3S

Description: MOSFET N-CH 55V 35A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V

на замовлення 1204 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

701+	28.67 грн

Мінімальне замовлення: 701

HUF75321S3S

Trans MOSFET N-CH Si 55V 35A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Rail

товар відсутній

HUF75321S3S

07+ SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF75321S3ST

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V

на замовлення 1303 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

888+	22.67 грн

Мінімальне замовлення: 888

HUF75329D3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Rail

товар відсутній

HUF75329D3

MOSFET 20a 55V N-Channel UltraFET

товар відсутній

HUF75329D3

Description: MOSFET N-CH 55V 20A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V

на замовлення 1792 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

452+	44.01 грн

Мінімальне замовлення: 452

HUF75329D3S

MOSFET 20a 55V N-Channel UltraFET

товар відсутній

HUF75329D3S

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF75329D3S

Description: MOSFET N-CH 55V 20A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V

на замовлення 5425 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

314+	64.02 грн

Мінімальне замовлення: 314

HUF75329D3S

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF75329D3S

Trans MOSFET N-CH Si 55V 20A Rail

товар відсутній

HUF75329D3S

TO-252

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF75329D3ST

Trans MOSFET N-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

HUF75329D3ST

Description: MOSFET N-CH 55V 20A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V

на замовлення 2483 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	72.22 грн
10+	56.61 грн
100+	44.02 грн
500+	35.02 грн
1000+	28.52 грн

Мінімальне замовлення: 4

HUF75329D3ST

MOSFET 20a 55V N-Channel UltraFET

на замовлення 2154 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	63.71 грн
10+	54.89 грн
100+	41.73 грн
500+	36.05 грн
1000+	29.37 грн
2500+	27.64 грн
5000+	26.3 грн

Мінімальне замовлення: 5

HUF75329D3ST

Trans MOSFET N-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

HUF75329D3ST

Description: MOSFET N-CH 55V 20A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V

товар відсутній

HUF75329D3STS2559

TO-252

на замовлення 19990 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF75329G3

Description: MOSFET N-CH 55V 49A TO-247

товар відсутній

HUF75329P3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail

товар відсутній

HUF75329P3

MOSFET 20a 55V N-Channel UltraFET

товар відсутній

HUF75329P3

Description: MOSFET N-CH 55V 49A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 49A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V

на замовлення 3077 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

468+	42.68 грн

Мінімальне замовлення: 468

HUF75329P3_NL

MOSFET PWR MOS ULTRAFET 55V/49A/0.024OHMS N-CHANNEL TO-220AB

товар відсутній

HUF75329S3

Description: MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK

товар відсутній

HUF75329S3

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

товар відсутній

HUF75329S3S

FAIRCHIL

09+ DIP

на замовлення 900 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF75329S3S

SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF75329S3S

MOSFET DISC BY MFG 2/02

товар відсутній

HUF75329S3S

07+ SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF75329S3S

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF75329S3ST

MOSFET TAPE AND REEL HUF75329S3S

товар відсутній

HUF75332P2

на замовлення 9950 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF75332P3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 60A; 145W; TO220AB
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 145W
Kind of package: tube
Gate charge: 85nC
Technology: UltraFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 60A
On-state resistance: 16mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 62 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	145.59 грн
3+	122.19 грн
10+	99.31 грн
11+	88.46 грн
31+	83.45 грн
250+	80.11 грн

Мінімальне замовлення: 2

HUF75332P3

Description: MOSFET N-CH 55V 60A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V

на замовлення 9993 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

336+	59.35 грн

Мінімальне замовлення: 336

HUF75332P3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

HUF75332P3
Код товару: 144977

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3

товар відсутній

HUF75332P3

Description: MOSFET N-CH 55V 60A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V

на замовлення 1307 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	122.77 грн
50+	95.15 грн
100+	78.28 грн
500+	62.17 грн
1000+	52.75 грн

Мінімальне замовлення: 3

HUF75332P3

MOSFET 60a 55V 0.019 Ohm Logic Level N-Ch

на замовлення 604 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	133.19 грн
10+	106.72 грн
100+	75.44 грн
500+	63.96 грн
800+	51.61 грн
2400+	50 грн

Мінімальне замовлення: 3

HUF75332P3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

HUF75332P3

на замовлення 62 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	98.06 грн
10+	82.76 грн
11+	73.72 грн
31+	69.54 грн

Мінімальне замовлення: 4

HUF75332P3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A (HUF75332S3ST *OBSOLETE) HUF75332P3 THUF75332p3
кількість в упаковці: 50 шт

на замовлення 150 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

50+	34.8 грн

Мінімальне замовлення: 50

HUF75332P3_NL

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V

товар відсутній

HUF75332S3

MOSFET DISC BY MFG 2/02

товар відсутній

HUF75332S3S

07+ SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF75332S3S

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 52A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V

на замовлення 2788 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

683+	29.34 грн

Мінімальне замовлення: 683

HUF75332S3S

TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF75332S3S

MOSFET DISC BY MFG 2/02

товар відсутній

HUF75332S3S

SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF75332S3ST

SOP-8

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF75332S3ST

Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

HUF75332S3ST

MOSFET 60a 55V 0.019 Ohm Logic Level N-Ch

товар відсутній

HUF75332S3ST

Description: MOSFET N-CH 55V 52A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 52A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V

на замовлення 24790 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

386+	52.02 грн

Мінімальне замовлення: 386

HUF75332S3ST_NL

MOSFET

товар відсутній

HUF75333P3

Description: MOSFET N-CH 55V 66A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V

на замовлення 2197 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

365+	54.68 грн

Мінімальне замовлення: 365

HUF75333P3

Description: MOSFET N-CH 55V 66A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V

на замовлення 338029 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

365+	54.68 грн

Мінімальне замовлення: 365

HUF75333P3

MOSFET TO-220 N-CH 55V 66A

товар відсутній

HUF75333P3

06+

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF75333P3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 66A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail

товар відсутній

HUF75333P3
Код товару: 189444

товар відсутній

HUF75333P3_NL

MOSFET PWR MOS ULTRAFET 55V/66A/0.016 OHMS N-CHANNEL TO 220AB

товар відсутній

HUF75333P3_NS2552

Description: 56A, 55V, 0.016 OHM, N CHANNEL,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V

товар відсутній

HUF75333P3_Q

MOSFET TO-220 N-CH 55V 66A

товар відсутній

HUF75333S3

Description: MOSFET N-CH 55V 66A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V

на замовлення 1257 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

485+	41.35 грн

Мінімальне замовлення: 485

HUF75333S3

Description: MOSFET N-CH 55V 66A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V

на замовлення 2288 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

485+	41.35 грн

Мінімальне замовлення: 485

HUF75333S3S

07+ SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF75333S3S

TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF75333S3S

SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF75333S3ST

Description: MOSFET N-CH 55V 60A D2PAK

товар відсутній

HUF75337P3

Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 175W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1775 pF @ 25 V

на замовлення 2600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1211+	16.67 грн

Мінімальне замовлення: 1211

HUF75337S3S

TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF75337S3S

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Rail

товар відсутній

HUF75337S3S

SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF75337S3S

Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

товар відсутній

HUF75337S3S

07+ SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF75339G3

Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V

товар відсутній

HUF75339G3

MOSFET 75a 55V 0.012Ohm NCh UltraFET

товар відсутній

HUF75339G3

Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V

на замовлення 3009 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

289+	75.11 грн

Мінімальне замовлення: 289

HUF75339G3_NL

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V

товар відсутній

HUF75339P

TO-220

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF75339P3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 75A; 200W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Kind of package: tube
On-state resistance: 12mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 130nC
Technology: UltraFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 200W
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 75A

товар відсутній

HUF75339P3

товар відсутній

HUF75339P3

Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V

на замовлення 15480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

320+	62.68 грн

Мінімальне замовлення: 320

HUF75339P3

Description: ONSEMI - HUF75339P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.012 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm

на замовлення 398 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	152.78 грн
10+	114.59 грн
100+	84.63 грн

Мінімальне замовлення: 5

HUF75339P3

MOSFET 75a 55V 0.012Ohm NCh UltraFET

на замовлення 375 шт:

термін постачання 154-163 дні (днів)

3+	140.2 грн
10+	115.16 грн
100+	78.11 грн
250+	75.44 грн
500+	65.23 грн
800+	54.21 грн
5600+	52.54 грн

Мінімальне замовлення: 3

HUF75339P3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

HUF75339P3

Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V

на замовлення 790 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	129.27 грн
50+	99.93 грн
100+	82.22 грн
500+	65.29 грн

Мінімальне замовлення: 3

HUF75339P3_Q

MOSFET 75a 55V 0.012Ohm NCh UltraFET

товар відсутній

HUF75339S3

Description: MOSFET N-CH 55V 70A TO262AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262AA
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V

товар відсутній

HUF75339S3S

SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF75339S3S

07+ SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF75339S3ST

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V

на замовлення 1450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

314+	64.02 грн

Мінімальне замовлення: 314

HUF75339S3S_TR4935

Description: N-CHANNEL ULTRAFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

товар відсутній

HUF75343G3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247

товар відсутній

HUF75343G3

Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V

товар відсутній

HUF75343P3

MOSFET 75A 55V N-CH MOSFET

товар відсутній

HUF75343P3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail

товар відсутній

HUF75343P3

Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V

товар відсутній

HUF75343P3_NL

MOSFET PWR MOS ULTRAFET 55V/75A/0.009OHMS N-CHANNEL-TO-220AB

товар відсутній

HUF75343P3_Q

MOSFET

товар відсутній

HUF75343S3

Description: 75 A, 55 V, 0.009 OHM, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V

на замовлення 557 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

278+	72.02 грн

Мінімальне замовлення: 278

HUF75343S3

Description: ONSEMI - HUF75343S3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 557 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

333+	109.34 грн

Мінімальне замовлення: 333

HUF75343S3

MOSFET 75a 55V 0.009Ohm NCh UltraFET

товар відсутній

HUF75343S3S

07+ SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF75343S3S

MOSFET PWR MOS ULTRAFET 55V/75A/0.009OHMS N-CHANNEL TO-262AB

товар відсутній

HUF75343S3S

Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V

товар відсутній

HUF75343S3S

SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF75343S3S

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Rail

товар відсутній

HUF75343S3ST

Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V

товар відсутній

HUF75343S3ST

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

HUF75343S3ST

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

HUF75343S3_NL

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V

на замовлення 360 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

198+	100.42 грн

Мінімальне замовлення: 198

HUF75343S3_NL

Description: ONSEMI - HUF75343S3_NL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 360 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

238+	153.53 грн

Мінімальне замовлення: 238

HUF75344A3

Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 288.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 208 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4855 pF @ 25 V

товар відсутній

HUF75344A3

Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 288.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 208 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4855 pF @ 25 V

на замовлення 616 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

202+	98.35 грн

Мінімальне замовлення: 202

HUF75344A3

Description: ONSEMI - HUF75344A3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 616 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

242+	150.53 грн

Мінімальне замовлення: 242

HUF75344A3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Rail

товар відсутній

HUF75344G3

MOSFET 75a 55V NCh UltraFET

на замовлення 1771 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	253.92 грн
10+	238 грн
25+	170.24 грн
100+	148.21 грн
250+	144.2 грн
900+	124.84 грн

Мінімальне замовлення: 2

HUF75344G3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 536 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	199.76 грн
10+	185.06 грн
30+	159.69 грн
120+	135.81 грн
270+	117.9 грн
510+	112.04 грн

Мінімальне замовлення: 3

HUF75344G3

Description: ONSEMI - HUF75344G3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.0065 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 285W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm

на замовлення 377 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	254.63 грн
10+	196.97 грн
100+	147.54 грн

Мінімальне замовлення: 3

HUF75344G3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 75A; 285W; TO247
Mounting: THT
Case: TO247
Kind of package: tube
On-state resistance: 8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 7nC
Technology: UltraFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 285W
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 75A
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 293 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	315.45 грн
5+	209.72 грн
14+	191.1 грн
300+	183.59 грн

HUF75344G3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

HUF75344G3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 536 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	128.52 грн

Мінімальне замовлення: 3

HUF75344G3
Код товару: 59800

Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 75 A
Rds(on), Ohm: 6,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3200/14
Монтаж: THT

у наявності 20 шт:

18 шт - склад
2 шт - РАДІОМАГ-Київ

1+	135 грн

HUF75344G3

Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 285W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V

на замовлення 193 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	251.32 грн
30+	191.61 грн
120+	164.25 грн

Мінімальне замовлення: 2

HUF75344G3

на замовлення 293 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	262.87 грн
5+	168.29 грн
14+	159.25 грн

Мінімальне замовлення: 2

HUF75344G3

N-MOSFET 75A 55V 285W 0.008Ω HUF75344G3 THUF75344g
кількість в упаковці: 2 шт

на замовлення 54 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

4+	155.16 грн

Мінімальне замовлення: 4

HUF75344P3

N-MOSFET 75A 55V 285W 0.008Ω HUF75344P3 THUF75344p
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 30 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

10+	148.81 грн

Мінімальне замовлення: 10

HUF75344P3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	98.14 грн

Мінімальне замовлення: 4

HUF75344P3
Код товару: 119353

Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 75 A
Rds(on), Ohm: 8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: /175
Монтаж: THT

товар відсутній

HUF75344P3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

HUF75344P3

Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 285W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	194.27 грн
50+	148.32 грн
100+	127.12 грн
500+	106.05 грн

Мінімальне замовлення: 2

HUF75344P3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 75A; 285W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 75A
Power dissipation: 285W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

на замовлення 17 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	210.45 грн
3+	175.94 грн
6+	134.91 грн
17+	127.26 грн

Мінімальне замовлення: 2

HUF75344P3

на замовлення 17 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	252.54 грн
3+	219.25 грн
6+	161.9 грн
17+	152.72 грн

Мінімальне замовлення: 2

HUF75344P3

MOSFET 75a 55V NCh UltraFET

на замовлення 1580 шт:

термін постачання 154-163 дні (днів)

2+	207.96 грн
10+	171.98 грн
50+	140.87 грн
100+	120.84 грн
250+	114.16 грн
500+	107.49 грн
800+	95.47 грн

Мінімальне замовлення: 2

HUF75344P3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

HUF75344P3
Код товару: 191834

Intersil

Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 55 V
Idd,A: 75 A
Rds(on), Ohm: 8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: /175
Монтаж: THT

у наявності 40 шт:

40 шт - склад

1+	115 грн
10+	106 грн

HUF75344P3

Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 285W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V

на замовлення 5046 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

194+	104.81 грн

Мінімальне замовлення: 194

HUF75344P3_NL

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 285W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V

на замовлення 312 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

312+	80.47 грн

Мінімальне замовлення: 312

HUF75344P3_NL

Description: ONSEMI - HUF75344P3_NL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

на замовлення 312 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

306+	82.38 грн

Мінімальне замовлення: 306

HUF75344S3

Description: 75A, 55V, 0.008 OHM, N-CHANNEL U
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V

на замовлення 678 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

296+	67.35 грн

Мінімальне замовлення: 296

HUF75344S3S

MOSFET

товар відсутній

HUF75344S3S

07+ SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF75344S3S

TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF75344S3S

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF75344S3S

SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF75344S3ST

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF75344S3ST

Description: ONSEMI - HUF75344S3ST - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 41485 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	72.65 грн

Мінімальне замовлення: 500

HUF75344S3ST

Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 285W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V

на замовлення 49485 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

417+	48.01 грн

Мінімальне замовлення: 417

HUF75344S3ST

MOSFET 55V Single

товар відсутній

HUF75345G3

Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 325W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V

на замовлення 1256 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	283.09 грн
30+	216 грн
120+	185.15 грн
510+	154.45 грн
1020+	132.24 грн

Мінімальне замовлення: 2

HUF75345G3

MOSFET 75a 55V 0.007Ohm NCh UltraFET

на замовлення 892 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	306.88 грн
25+	240.31 грн
100+	179.59 грн
450+	156.22 грн
900+	140.87 грн

Мінімальне замовлення: 2

HUF75345G3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

HUF75345G3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

HUF75345P3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 75A; 325W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Kind of package: tube
On-state resistance: 7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 275nC
Technology: UltraFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 325W
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 75A

на замовлення 49 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	144.65 грн
8+	110.57 грн
20+	105.01 грн

Мінімальне замовлення: 3

HUF75345P3

MOSFET 75a 55V 0.007Ohm NCh UltraFET

на замовлення 474 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	200.17 грн
10+	158.16 грн
100+	112.83 грн
500+	95.47 грн
800+	82.78 грн

Мінімальне замовлення: 2

HUF75345P3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	122.95 грн

Мінімальне замовлення: 5

HUF75345P3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

HUF75345P3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A HUF75345P3 THUF75345p3
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 100 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

10+	97.04 грн

Мінімальне замовлення: 10

HUF75345P3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	84.9 грн

Мінімальне замовлення: 4

HUF75345P3
Код товару: 122685

Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 75 A
Rds(on), Ohm: 7 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 4000/14
Монтаж: THT

товар відсутній

HUF75345P3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

HUF75345P3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

HUF75345P3

на замовлення 49 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	209.4 грн
3+	180.26 грн
8+	132.69 грн
20+	126.01 грн

Мінімальне замовлення: 2

HUF75345P3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 38 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

HUF75345P3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A HUF75345P3 THUF75345p3
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 20 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

10+	97.04 грн

Мінімальне замовлення: 10

HUF75345P3

Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 325W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	184.16 грн
50+	142.17 грн
100+	116.98 грн
500+	92.89 грн
1000+	78.81 грн

Мінімальне замовлення: 2

HUF75345P3

Description: ONSEMI - HUF75345P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.006 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 215W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm

на замовлення 747 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	173.75 грн
10+	123.57 грн
100+	101.1 грн
500+	79.28 грн

Мінімальне замовлення: 5

HUF75345P3_NL

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 325W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V

на замовлення 252 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

169+	128.55 грн

Мінімальне замовлення: 169

HUF75345P3_NS2552

Description: N-CHANNEL ULTRAFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

товар відсутній

HUF75345P3_Q

MOSFET 75a 55V 0.007Ohm NCh UltraFET

товар відсутній

HUF75345S3

Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

товар відсутній

HUF75345S3

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Rail

товар відсутній

HUF75345S3S

SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF75345S3S

Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

товар відсутній

HUF75345S3S

MOSFET 75a 55V 0.007Ohm NCh UltraFET

товар відсутній

HUF75345S3S

07+ SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF75345S3S

TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF75345S3S

Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

товар відсутній

HUF75345S3ST

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 362 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	545.12 грн
10+	491.9 грн
25+	468.24 грн
100+	404.29 грн
250+	358.94 грн

Мінімальне замовлення: 2

HUF75345S3ST

Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

товар відсутній

HUF75345S3ST

1998

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF75345S3ST

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

HUF75345S3ST

Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

товар відсутній

HUF75345S3ST

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

HUF75345S3ST

Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 362 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	587.06 грн
23+	529.74 грн
25+	504.26 грн
100+	435.38 грн
250+	386.55 грн

Мінімальне замовлення: 20

HUF75345S3ST

MOSFET 75a 55V 0.007Ohm NCh UltraFET

на замовлення 1613 шт:

термін постачання 294-303 дні (днів)

1+	422.93 грн
10+	380.81 грн
100+	275.72 грн
800+	218.98 грн

HUF75345S3ST_NL

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

товар відсутній

HUF75531SK8

SO-8

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF75531SK8

07+ SO-8

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF75531SK8T

Description: MOSFET N-CH 80V 6A 8SOIC

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

HUF75542P3

Description: ONSEMI - HUF75542P3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 780 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

208+	175.25 грн

Мінімальне замовлення: 208

HUF75542P3

Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

HUF75542P3

Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1337 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

106+	111.03 грн
111+	105.46 грн
124+	91.68 грн
250+	84.04 грн
500+	79.88 грн
1000+	76.53 грн

Мінімальне замовлення: 106

HUF75542P3

Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 45 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	150.01 грн
10+	137.12 грн

Мінімальне замовлення: 4

HUF75542P3

Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1337 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	103.1 грн
10+	98.55 грн
50+	97.93 грн
100+	85.13 грн
250+	78.04 грн
500+	74.17 грн
1000+	71.07 грн

Мінімальне замовлення: 6

HUF75542P3

MOSFET 75a 80V N-Ch UltraFET 0.014 Ohm

на замовлення 669 шт:

термін постачання 182-191 дні (днів)

2+	213.41 грн
10+	178.89 грн
50+	150.21 грн
100+	126.85 грн
250+	122.84 грн
500+	113.49 грн
1000+	97.47 грн

Мінімальне замовлення: 2

HUF75542P3

Description: ONSEMI - HUF75542P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 75 A, 0.014 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 75
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 230
Bauform - Transistor: TO-220AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.014
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

товар відсутній

HUF75542P3

Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

HUF75542P3

Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 45 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

HUF75542P3

Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

HUF75542P3

Description: MOSFET N-CH 80V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2750 pF @ 25 V

на замовлення 724 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	243.37 грн
10+	210.51 грн
100+	172.49 грн
500+	137.81 грн

Мінімальне замовлення: 2

HUF75542P3
Код товару: 174091

Мікросхеми > Інші мікросхеми

товар відсутній

HUF75542P3

Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

HUF75542P3_NL

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

товар відсутній

HUF75542S3S

07+ SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF75542S3S

TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF75542S3S

SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF75542S3S

Description: ONSEMI - HUF75542S3S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

227+	160.27 грн

Мінімальне замовлення: 227

HUF75542S3S

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

на замовлення 400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

205+	100.03 грн

Мінімальне замовлення: 205

HUF75545P

04+

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF75545P3

MOSFET 75a 80V 0.010 Ohm N-Ch MOSFET

на замовлення 1371 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	198.61 грн
10+	165.84 грн
100+	119.5 грн
500+	104.82 грн
1000+	84.12 грн
2500+	82.12 грн
5000+	80.11 грн

Мінімальне замовлення: 2

HUF75545P3

Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

HUF75545P3

Description: N-CHANNEL ULTRAFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 235 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 25 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

210+	95.11 грн

Мінімальне замовлення: 210

HUF75545P3

Description: ONSEMI - HUF75545P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 75 A, 0.01 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm

на замовлення 2934 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	223.18 грн
10+	173 грн
100+	137.8 грн
500+	108.49 грн
1000+	85.38 грн

Мінімальне замовлення: 4

HUF75545P3

Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 2050 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	168.39 грн
10+	146.91 грн
25+	145.43 грн
50+	129.95 грн
100+	88.71 грн
250+	85.04 грн
500+	77.41 грн

Мінімальне замовлення: 4

HUF75545P3

Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

HUF75545P3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 73A; 270W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UltraFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 73A
Power dissipation: 270W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 235nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 130 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	194.12 грн
3+	164.66 грн
8+	137.7 грн
20+	130.18 грн
250+	125.18 грн

Мінімальне замовлення: 2

HUF75545P3

Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

HUF75545P3

Description: MOSFET N-CH 80V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 235 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 25 V

товар відсутній

HUF75545P3

на замовлення 130 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	132.13 грн
8+	114.75 грн
20+	108.49 грн

Мінімальне замовлення: 3

HUF75545P3

Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	90.35 грн

Мінімальне замовлення: 4

HUF75545P3

Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 2050 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

65+	181.95 грн
74+	158.74 грн
75+	157.14 грн
81+	140.41 грн
109+	95.85 грн
250+	91.89 грн
500+	83.63 грн

Мінімальне замовлення: 65

HUF75545P3

Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

HUF75545P3_NL

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 235 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 25 V

товар відсутній

HUF75545P3_Q

MOSFET 75a 80V 0.010 Ohm N-Ch MOSFET

товар відсутній

HUF75545P3_R4932

Description: N-CHANNEL ULTRAFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk

товар відсутній

HUF75545S3

Description: MOSFET N-CH 80V 75A I2PAK

на замовлення 3713 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

352+	57.84 грн

Мінімальне замовлення: 352

HUF75545S3

Description: MOSFET N-CH 80V 75A I2PAK

товар відсутній

HUF75545S3S

Description: MOSFET N-CH 80V 75A D2PAK

товар відсутній

HUF75545S3S

TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF75545S3S

Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Rail

товар відсутній

HUF75545S3S

SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF75545S3S

Description: MOSFET N-CH 80V 75A D2PAK

товар відсутній

HUF75545S3S

07+ SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF75545S3ST

Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

HUF75545S3ST

MOSFET 75a 80V 0.010 Ohm N-Ch MOSFET

на замовлення 4795 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	253.14 грн
10+	209.6 грн
25+	176.92 грн
100+	147.54 грн
250+	146.21 грн
500+	138.2 грн
800+	110.82 грн

Мінімальне замовлення: 2

HUF75545S3ST

Description: MOSFET N-CH 80V 75A D2PAK

товар відсутній

HUF75545S3ST

Description: ONSEMI - HUF75545S3ST - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 75 A, 0.0082 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 270W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0082ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

товар відсутній

HUF75545S3ST

Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

HUF75545S3ST

Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

HUF75545S3ST

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF75545S3ST

Description: ONSEMI - HUF75545S3ST - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 75 A, 0.0082 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

товар відсутній

HUF75545S3ST

Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

HUF75545S3ST

Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

HUF75545S3ST

Description: MOSFET N-CH 80V 75A D2PAK

товар відсутній

HUF75545S3ST_NL

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

товар відсутній

HUF7554S3S

Description: HUF755453S - 75A, 80V, 0.010 OHM

на замовлення 839 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

217+	93.91 грн

Мінімальне замовлення: 217

HUF75617D3

Description: MOSFET N-CH 100V 16A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V

на замовлення 5222 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1110+	18.46 грн

Мінімальне замовлення: 1110

HUF75617D3

MOSFET 16a 100V N-Ch 0.090Ohm

товар відсутній

HUF75617D3S

Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

HUF75617D3S

Description: MOSFET N-CH 100V 16A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V

товар відсутній

HUF75617D3S

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF75617D3S

TO-252

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF75617D3S

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF75617D3ST

Description: MOSFET N-CH 100V 16A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V

товар відсутній

HUF75623P3

Description: MOSFET N-CH 100V 22A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 25 V

на замовлення 4811 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

579+	35.54 грн

Мінімальне замовлення: 579

HUF75623S3S

07+ SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF75623S3S

TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF75623S3S

MOSFET

товар відсутній

HUF75623S3S

SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF75623S3ST

Description: MOSFET N-CH 100V 22A D2PAK

товар відсутній

HUF75623S3ST

MOSFET 22a 100V N-Ch UltraFET

товар відсутній

HUF75631P

на замовлення 569 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF75631P3

Description: MOSFET N-CH 100V 33A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 25 V

на замовлення 16024 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

249+	82.71 грн

Мінімальне замовлення: 249

HUF75631S3S

SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF75631S3S

Description: N CHANNEL ULTRAFET 100V, 33A, 4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263AB)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 25 V

на замовлення 1130 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

398+	51.27 грн

Мінімальне замовлення: 398

HUF75631S3S

07+ SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF75631S3S

TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF75631S3ST

Description: MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 25 V

на замовлення 459 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	275.87 грн
10+	223.3 грн
100+	180.68 грн

Мінімальне замовлення: 2

HUF75631S3ST

Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	165.16 грн

Мінімальне замовлення: 800

HUF75631S3ST

Description: MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 25 V

товар відсутній

HUF75631S3ST

Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

HUF75631S3ST

MOSFET 100V NCh PowerMOSFET UltraFET

на замовлення 416 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	250.02 грн
10+	217.27 грн
25+	184.26 грн
100+	162.9 грн
250+	158.89 грн
500+	150.88 грн
800+	128.85 грн

Мінімальне замовлення: 2

HUF75631S3ST

Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

HUF75631S3ST

Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	149.85 грн

Мінімальне замовлення: 800

HUF75631S3ST

Description: MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 25 V

на замовлення 321 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

138+	149.01 грн

Мінімальне замовлення: 138

HUF75631S3ST

Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

HUF75631SK8

07+ SO-8

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF75631SK8

на замовлення 11835 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF75631SK8

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225 pF @ 25 V

на замовлення 4484 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

317+	64.94 грн

Мінімальне замовлення: 317

HUF75631SK8

SO-8

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF75631SK8T

0913+ SOP8

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF75631SK8T

Description: MOSFET N-CH 100V 5.5A 8-SOP

товар відсутній

HUF75631SK8T

SOP8 09+

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF75631SK8T

SOP8 08+

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF75631SK8T_NB82083

Description: N CHANNEL ULTRAFET 100V, 33A, 4
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225 pF @ 25 V

на замовлення 651 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

392+	52.63 грн

Мінімальне замовлення: 392

HUF75637P3

Description: MOSFET N-CH 100V 44A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V

на замовлення 5595 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

533+	38.28 грн

Мінімальне замовлення: 533

HUF75637S3

Description: MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK
Packaging: Bulk

на замовлення 6080 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

185+	110.74 грн

Мінімальне замовлення: 185

HUF75637S3S

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

на замовлення 744 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

HUF75637S3S

Trans MOSFET N-CH 100V 44A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Rail

товар відсутній

HUF75637S3S

Description: MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK

товар відсутній

HUF75637S3S

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF75637S3ST

Description: MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V

на замовлення 1429 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

204+	101.16 грн

Мінімальне замовлення: 204

HUF75637S3ST

Trans MOSFET N-CH 100V 44A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R

товар відсутній

HUF75637S3_NR4895

Description: MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK

товар відсутній

HUF75639G3

Description: ONSEMI - HUF75639G3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.025 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm

на замовлення 109 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	262.12 грн
10+	158.02 грн
100+	134.81 грн

Мінімальне замовлення: 3

HUF75639G3

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

HUF75639G3

Description: MOSFET N-CH 100V 56A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V

на замовлення 205 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	223.88 грн
30+	170.8 грн
120+	146.39 грн

Мінімальне замовлення: 2

HUF75639G3

MOSFET 56a 100V N-Ch UltraFET .25 Ohm

на замовлення 105 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	243.01 грн
10+	225.72 грн
25+	156.89 грн
100+	141.53 грн
250+	132.85 грн
450+	125.51 грн
900+	101.48 грн

Мінімальне замовлення: 2

HUF75639G3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 56A; 200W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 56A
Power dissipation: 200W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

HUF75639G3

товар відсутній

HUF75639G3

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

HUF75639G3

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

HUF75639P
Код товару: 61772

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2

товар відсутній

HUF75639P3

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 3522 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	152.34 грн
10+	127.7 грн
100+	108.1 грн
250+	101.99 грн
500+	85.71 грн
800+	66.51 грн

Мінімальне замовлення: 4

HUF75639P3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 56A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UltraFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 56A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 79 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	188.73 грн
3+	164.66 грн
9+	120.17 грн
23+	113.49 грн

Мінімальне замовлення: 2

HUF75639P3

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 3522 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	76.33 грн

Мінімальне замовлення: 5

HUF75639P3
Код товару: 122687

Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 100 V
Idd,A: 56 A
Rds(on), Ohm: 25 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 2000/9,8
Монтаж: THT

товар відсутній

HUF75639P3

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

HUF75639P3

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

HUF75639P3

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 3522 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

72+	163.58 грн
86+	137.14 грн
101+	116.08 грн
250+	109.52 грн
500+	92.04 грн
800+	71.42 грн

Мінімальне замовлення: 72

HUF75639P3

Description: ONSEMI - HUF75639P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.025 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 56
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 200
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 200
Bauform - Transistor: TO-220AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

товар відсутній

HUF75639P3

Description: MOSFET N-CH 100V 56A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V

на замовлення 442 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	166.1 грн
50+	128.35 грн
100+	105.59 грн

Мінімальне замовлення: 2

HUF75639P3

MOSFET 56a 100V N-Ch UltraFET 0.025 Ohm

на замовлення 1224 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	180.7 грн
10+	142.8 грн
100+	102.14 грн
250+	98.81 грн
500+	88.12 грн
800+	74.77 грн

Мінімальне замовлення: 2

HUF75639P3

на замовлення 79 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	132.13 грн
9+	100.14 грн
23+	94.58 грн

Мінімальне замовлення: 3

HUF75639P3

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

HUF75639P3-F102

N-Channel MOSFET

товар відсутній

HUF75639P3-F102

Description: ONSEMI - HUF75639P3-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.021 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 56
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 200
Bauform - Transistor: TO-220AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.021
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

товар відсутній

HUF75639P3-F102

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	155.27 грн
10+	124.13 грн
100+	98.78 грн
800+	78.44 грн

Мінімальне замовлення: 2

HUF75639P3-F102

MOSFET 100V/53A/0.025 OHM N-CHPWRMOSULTRAFET

товар відсутній

HUF75639P3-F102

N-Channel MOSFET

товар відсутній

HUF75639P3..

Description: ONSEMI - HUF75639P3.. - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.021 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 56
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 200
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.021
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

товар відсутній

HUF75639P3_F102

Description: N-CHANNEL ULTRAFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

товар відсутній

HUF75639P3_NL

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V

товар відсутній

HUF75639P3_Q

MOSFET

товар відсутній

HUF75639S

на замовлення 9500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF75639S3

Description: MOSFET N-CH 100V 56A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	179.82 грн
10+	145.69 грн
100+	117.85 грн
800+	98.31 грн

Мінімальне замовлення: 2

HUF75639S3

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube

товар відсутній

HUF75639S3

Description: ONSEMI - HUF75639S3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	92.87 грн

Мінімальне замовлення: 800

HUF75639S3

MOSFET TO-262

на замовлення 152 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	195.5 грн
10+	162 грн
50+	138.2 грн
100+	113.49 грн
250+	111.49 грн
500+	101.48 грн
800+	81.45 грн

Мінімальне замовлення: 2

HUF75639S3

на замовлення 5441 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

207+	97.36 грн

Мінімальне замовлення: 207

HUF75639S3

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube

товар відсутній

HUF75639S3S

TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF75639S3S

Description: ONSEMI - HUF75639S3S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

на замовлення 33191 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

243+	108.59 грн

Мінімальне замовлення: 243

HUF75639S3S

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF75639S3S

Description: MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V

на замовлення 33191 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

202+	99.36 грн

Мінімальне замовлення: 202

HUF75639S3S

SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF75639S3S

07+ SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF75639S3S

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Rail

товар відсутній

HUF75639S3S

товар відсутній

HUF75639S3ST

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 560 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	121.15 грн
10+	106.76 грн
100+	83.99 грн

Мінімальне замовлення: 5

HUF75639S3ST

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 560 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	88.79 грн

Мінімальне замовлення: 4

HUF75639S3ST

Description: MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V

на замовлення 745 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	176.21 грн
10+	140.69 грн
100+	111.98 грн

Мінімальне замовлення: 2

HUF75639S3ST

MOSFET 56a 100V N-Ch UltraFET 0.025 Ohm

на замовлення 5688 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	191.6 грн
10+	157.39 грн
100+	108.82 грн
800+	79.45 грн
2400+	78.78 грн

Мінімальне замовлення: 2

HUF75639S3ST

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	151.98 грн
10+	124.68 грн
100+	88.87 грн
800+	84.15 грн

Мінімальне замовлення: 4

HUF75639S3ST

Description: ONSEMI - HUF75639S3ST - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.021 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm

на замовлення 799 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	126.57 грн
500+	84.15 грн

Мінімальне замовлення: 100

HUF75639S3ST

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 56A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UltraFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 56A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

HUF75639S3ST

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

HUF75639S3ST

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

HUF75639S3ST

Description: MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V

товар відсутній

HUF75639S3ST

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	141.27 грн

Мінімальне замовлення: 800

HUF75639S3ST

товар відсутній

HUF75639S3ST

на замовлення 799 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	215.69 грн
10+	156.53 грн
100+	126.57 грн
500+	84.15 грн

Мінімальне замовлення: 4

HUF75639S3ST

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V

на замовлення 575 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

235+	85.36 грн

Мінімальне замовлення: 235

HUF75639S3ST
Код товару: 163634

товар відсутній

HUF75639S3ST

Description: ONSEMI - HUF75639S3ST - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

на замовлення 575 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

HUF75639S3ST-S2515

56A, 100V, 0.025 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs

товар відсутній

HUF75639S3STNL

Description: 56A, 100V, 0.025OHM, N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V

товар відсутній

HUF75639S3ST_Q

Description: ONSEMI - HUF75639S3ST_Q - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

на замовлення 36800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	85.38 грн

Мінімальне замовлення: 800

HUF75639S3ST_Q

Description: MOSFET N-CH 100V 56A
Packaging: Bulk
Part Status: Active

на замовлення 36800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

256+	78.69 грн

Мінімальне замовлення: 256

HUF75639S3S_Q

MOSFET

товар відсутній

HUF75639S3_NL

Description: ONSEMI - HUF75639S3_NL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

на замовлення 655 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

295+	89.87 грн

Мінімальне замовлення: 295

HUF75639S3_NL

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V

на замовлення 655 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

245+	82.02 грн

Мінімальне замовлення: 245

HUF7563P3

TO-220

на замовлення 887 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF75645P3

Description: MOSFET N-CH 100V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 238 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3790 pF @ 25 V

на замовлення 1488 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	179.82 грн
50+	137.5 грн
100+	117.85 грн
500+	98.31 грн
1000+	84.18 грн

Мінімальне замовлення: 2

HUF75645P3

Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

HUF75645P3

MOSFET 75a 100V N-Ch UltraFET

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	190.05 грн
10+	160.46 грн
50+	136.86 грн
100+	113.49 грн
250+	112.16 грн
500+	100.81 грн
1000+	90.13 грн

Мінімальне замовлення: 2

HUF75645P3
Код товару: 56156

товар відсутній

HUF75645P3

Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

HUF75645P3

Trans MOSFET N-CH 100V 75A HUF75645P3 THUF75645p3
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 19 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

10+	98.93 грн

Мінімальне замовлення: 10

HUF75645P3

Description: ONSEMI - HUF75645P3 - N CHANNEL MOSFET, 100V, 75A, TO-220AB
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 0
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: 0
MSL: 0
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 0
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 0
Produktpalette: 0
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 0
Betriebstemperatur, max.: 0
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0
directShipCharge: 25
SVHC: Lead

на замовлення 175 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

HUF75645P3

Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

HUF75645P3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 65A; 310W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UltraFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 65A
Power dissipation: 310W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 238nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 220 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	210.3 грн
3+	179.39 грн
7+	149.38 грн
19+	141.03 грн
250+	136.03 грн

Мінімальне замовлення: 2

HUF75645P3

на замовлення 220 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	143.95 грн
7+	124.48 грн
19+	117.53 грн

Мінімальне замовлення: 3

HUF75645P3-SB82282

HUF75645P3_SB82282

товар відсутній

HUF75645P3-SB82282

товар відсутній

HUF75645P3_Q

MOSFET 75a 100V N-Ch UltraFET

товар відсутній

HUF75645S3S

TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF75645S3S

Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Rail

товар відсутній

HUF75645S3S

SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF75645S3S

Description: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 238 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3790 pF @ 25 V

на замовлення 375 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

375+	64.94 грн

Мінімальне замовлення: 375

HUF75645S3S

TO-263 10+PBF

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF75645S3S

07+ SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF75645S3ST

MOSFET 75a 100V N-Ch UltraFET

на замовлення 12652 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	198.61 грн
10+	168.91 грн
25+	145.54 грн
100+	121.51 грн
250+	120.84 грн
500+	113.49 грн
800+	98.81 грн

Мінімальне замовлення: 2

HUF75645S3ST

Description: ONSEMI - HUF75645S3ST - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.0115 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UltraFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	242.65 грн
10+	171.5 грн
100+	138.55 грн
500+	121 грн
800+	98.86 грн

Мінімальне замовлення: 4

HUF75645S3ST

Description: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 238 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3790 pF @ 25 V

на замовлення 18400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	128.31 грн
1600+	105.8 грн
2400+	99.62 грн
5600+	89.14 грн

Мінімальне замовлення: 800

HUF75645S3ST

Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 11200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	114.74 грн

Мінімальне замовлення: 800

HUF75645S3ST

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 65A; 310W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UltraFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 65A
Power dissipation: 310W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 238nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

HUF75645S3ST

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	121 грн
800+	98.86 грн

Мінімальне замовлення: 100

HUF75645S3ST

Description: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 238 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3790 pF @ 25 V

на замовлення 19150 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	212.32 грн
10+	171.77 грн
100+	139 грн

Мінімальне замовлення: 2

HUF75645S3ST

Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	215.71 грн
10+	183.05 грн
25+	140.24 грн
100+	123.63 грн
250+	98.82 грн
500+	93.38 грн

Мінімальне замовлення: 3

HUF75645S3ST

Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

HUF75645S3ST-F101

N CHANNEL MOSFET, 100V, 75mA, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:75mA, Drain Source Voltage Vds:100V

товар відсутній

HUF75645S3ST_NL

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 238 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3790 pF @ 25 V

на замовлення 342 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

72+	285.04 грн

Мінімальне замовлення: 72

HUF75645S3ST_Q

Description: N CHANNEL ULTRAFET 100V, 75A, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 238 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3790 pF @ 25 V

на замовлення 308 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

72+	285.04 грн

Мінімальне замовлення: 72

HUF75645S3ST_Q

Description: ONSEMI - HUF75645S3ST_Q - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 308 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

86+	422.39 грн

Мінімальне замовлення: 86

HUF75645S3S_NL

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF75652G3

Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

HUF75652G3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 75A; 515W; TO247
Mounting: THT
Case: TO247
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 75A
On-state resistance: 8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 515W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 475nC
Technology: UltraFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V

товар відсутній

HUF75652G3

Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 614 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	366.85 грн

HUF75652G3

Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 297 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	442.81 грн
10+	433.56 грн
25+	426.17 грн
50+	404.05 грн
100+	365.72 грн

Мінімальне замовлення: 2

HUF75652G3

Description: MOSFET N-CH 100V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 515W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 475 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7585 pF @ 25 V

на замовлення 450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	658.63 грн
10+	543.69 грн
100+	453.07 грн

HUF75652G3

MOSFET 75a 100VN-Ch MOSFET

на замовлення 890 шт:

термін постачання 184-193 дні (днів)

1+	697.88 грн
10+	588.87 грн
30+	465.33 грн
120+	427.27 грн
270+	401.9 грн
510+	377.2 грн
1020+	355.84 грн

HUF75652G3

Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 297 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

27+	440.15 грн
28+	423.61 грн
50+	401.63 грн
100+	363.53 грн

Мінімальне замовлення: 27

HUF75652G3

товар відсутній

HUF75652G3

Description: ONSEMI - HUF75652G3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.0067 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 75
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 515
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0067
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

товар відсутній

HUF75823D3S

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF75823D3S

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V

на замовлення 3600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

346+	62.83 грн

Мінімальне замовлення: 346

HUF75823D3S

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF75829D3

Description: ONSEMI - HUF75829D3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 4067 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

681+	53.17 грн

Мінімальне замовлення: 681

HUF75829D3

Description: MOSFET N-CH 150V 18A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V

на замовлення 4067 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

567+	35.01 грн

Мінімальне замовлення: 567

HUF75829D3S

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF75829D3S

Description: MOSFET N-CH 150V 18A DPAK

товар відсутній

HUF75829D3S

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF75829D3S

TO-252

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF75829D3ST

Description: MOSFET N-CH 150V 18A DPAK

товар відсутній

HUF75831SK8T

SO-8

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF75831SK8T

07+ SO-8

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF75831SK8T

Description: MOSFET N-CH 150V 3A 8-SOP

товар відсутній

HUF75842P3

Description: ONSEMI - HUF75842P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 43 A, 0.042 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 43
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 230
Bauform - Transistor: TO-220AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.042
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

товар відсутній

HUF75842P3

Description: MOSFET N-CH 150V 43A TO220-3

на замовлення 4636 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

125+	163.32 грн

Мінімальне замовлення: 125

HUF75842P3

MOSFET 43a 150V 0.042 Ohm Logic Level N-Ch

на замовлення 174 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	350.5 грн
10+	312.48 грн
100+	222.32 грн
500+	182.93 грн
1000+	172.24 грн
2500+	168.24 грн
5000+	166.24 грн

HUF75842P3

Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

HUF75842P3

Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

HUF75842S3

Description: ONSEMI - HUF75842S3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

223+	164.01 грн

Мінімальне замовлення: 223

HUF75842S3

Description: MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
Packaging: Bulk

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

185+	108.03 грн

Мінімальне замовлення: 185

HUF75842S3S

SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF75842S3S

Description: MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK

товар відсутній

HUF75842S3S

Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R

товар відсутній

HUF75842S3S

07+ SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF75842S3ST

Description: MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 25 V

на замовлення 3509 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

245+	82.02 грн

Мінімальне замовлення: 245

HUF75842S3ST

Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

HUF75852G3

Description: MOSFET N-CH 150V 75A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 480 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7690 pF @ 25 V

на замовлення 807 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

37+	597.24 грн

Мінімальне замовлення: 37

HUF75852G3

Description: ONSEMI - HUF75852G3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 75 A, 0.016 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 75
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 500
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 500
Bauform - Transistor: TO-247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

товар відсутній

HUF75852G3

Trans MOSFET N-CH 150V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

HUF75852G3

Description: MOSFET N-CH 150V 75A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 480 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7690 pF @ 25 V

на замовлення 2276 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

37+	597.24 грн

Мінімальне замовлення: 37

HUF75852G3

Trans MOSFET N-CH 150V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

HUF75852G3

Description: MOSFET N-CH 150V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 480 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7690 pF @ 25 V

товар відсутній

HUF75852G3

MOSFET 75a 150V 0.016 Ohm N-Ch MOSFET

на замовлення 370 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	911.29 грн
10+	809.21 грн
120+	606.19 грн
510+	491.36 грн

HUF75852G3
Код товару: 160801

Fair

Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 150 V
Idd,A: 75 A
Rds(on), Ohm: 0,016 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 7690/400

у наявності 4 шт:

4 шт - склад

1+	590 грн

HUF75852G3

Description: ONSEMI - HUF75852G3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 292 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

41+	877.74 грн

Мінімальне замовлення: 41

HUF75925D3S

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF75925D3S

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF75925D3ST

TO-252

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF75925D3ST

Description: MOSFET N-CH 200V 11A TO252AA

на замовлення 2631 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

HUF75925P3

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 275mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

390+	55.61 грн

Мінімальне замовлення: 390

HUF75925S3S

SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF75925S3S

07+ SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF75939P3

Description: MOSFET N-CH 200V 22A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V

товар відсутній

HUF75939P3

на замовлення 35157 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

296+	66.73 грн

Мінімальне замовлення: 296

HUF75939P3_F102

Description: 22A, 200V, 0.125OHM, N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Part Status: Active

товар відсутній

HUF75939S3S

SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF75939S3S

07+ SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF75939S3ST

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

120+	165.82 грн

Мінімальне замовлення: 120

HUF75939S3ST

Description: ONSEMI - HUF75939S3ST - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

144+	252.39 грн

Мінімальне замовлення: 144

HUF75945G3

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4023 pF @ 25 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

130+	166.82 грн

Мінімальне замовлення: 130

HUF75945P3

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

589+	36.2 грн

Мінімальне замовлення: 589

HUF75945S3S

07+ SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF75945S3S

SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76

93+ SOP8P

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76/107D

01+ SOP8P

на замовлення 750 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76009D3S

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76009D3S

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76009D3S

TO-252

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76009D3ST

Description: MOSFET N-CH 20V 20A TO252AA

на замовлення 12359 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

HUF76009P3

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 20 V

на замовлення 7513 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

523+	41.16 грн

Мінімальне замовлення: 523

HUF76013D3S

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76013D3S

Description: MOSFET N-CH 20V 20A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 624 pF @ 20 V

на замовлення 1212 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1212+	16.67 грн

Мінімальне замовлення: 1212

HUF76013D3S

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76013D3ST

Description: MOSFET N-CH 20V 20A TO252AA

товар відсутній

HUF76013D3ST

Description: MOSFET N-CH 20V 20A TO252AA

на замовлення 150700 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1069+	19.05 грн

Мінімальне замовлення: 1069

HUF76013P3

Description: MOSFET N-CH 20V 20A TO220-3

на замовлення 5326 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1110+	19.78 грн

Мінімальне замовлення: 1110

HUF76013P3

Description: MOSFET N-CH 20V 20A TO220-3

товар відсутній

HUF76013S3S

07+ SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76013S3S

SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76017D3S

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76017D3S

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76017T3ST

SOT-223

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76017T3ST

07+ SOT-223

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76105DK8

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76105DK8

SO-8

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76105DK8

07+ SO-8

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76105DK8T

9948+

на замовлення 2499 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76105SK8

07+ SO-8

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76105SK8

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76105SK8

SO-8

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76105SK8T

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V

на замовлення 82500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

919+	23.83 грн

Мінімальне замовлення: 919

HUF76107D35ST

210

на замовлення 670 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76107D3S

TO-252

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76107D3S

07+ TO-252

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76107D3S

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 25 V

на замовлення 1050 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

701+	31.05 грн

Мінімальне замовлення: 701

HUF76107D3S

TO252

на замовлення 660 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76107D3ST

92 TO-252

на замовлення 286 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76107D3ST

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 25 V

на замовлення 4730 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

919+	23.83 грн

Мінімальне замовлення: 919

HUF76107D3ST

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76107P3

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 25 V

на замовлення 8400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

701+	28.38 грн

Мінімальне замовлення: 701

HUF76112SK8

Intersil

99+

на замовлення 12774 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76112SK8

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76113

93+ SOP8P

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76113

03+ SOT-223;

на замовлення 196 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76113D

00+ SOP

на замовлення 4838 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76113DK8

07+ SO-8

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76113DK8

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76113DK8

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76113DK8

SO-8

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76113DK8T

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-VFSOP (0.091", 2.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 605pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: US8
Part Status: Active

на замовлення 77500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

592+	36.83 грн

Мінімальне замовлення: 592

HUF76113SK8

07+ SO-8

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76113SK8

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-VFSOP (0.091", 2.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: US8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 585 pF @ 25 V

на замовлення 1960 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

503+	43.33 грн

Мінімальне замовлення: 503

HUF76113SK8

SO-8

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76113T3ST

Description: ONSEMI - HUF76113T3ST - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 3500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

654+	56.17 грн

Мінімальне замовлення: 654

HUF76113T3ST

07+ SOT-223

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76113T3ST

Description: 4.7 A, 30 V, 0.031 OHM, N-CHANNE
Packaging: Bulk
Part Status: Active

на замовлення 3500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

544+	36.34 грн

Мінімальне замовлення: 544

HUF76113T3ST

SOT-223

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76121D

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76121D3

SOT-252

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76121D3

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76121D3S

SOT-252

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76121D3S

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 25 V

на замовлення 2192 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

650+	33.22 грн

Мінімальне замовлення: 650

HUF76121D3S

Description: ONSEMI - HUF76121D3S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 2192 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

781+	46.43 грн

Мінімальне замовлення: 781

HUF76121D3S

TO-252

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76121D3ST

FAI

09+

на замовлення 5018 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76121D3ST

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 25 V

на замовлення 76888 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

683+	31.78 грн

Мінімальне замовлення: 683

HUF76121P3

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 25 V

на замовлення 26402 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

701+	31.05 грн

Мінімальне замовлення: 701

HUF76121P3

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76121S3

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

на замовлення 3600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

634+	33.94 грн

Мінімальне замовлення: 634

HUF76121S3S

SOT-263

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76121S3S

Description: ONSEMI - HUF76121S3S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 1200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

516+	71.15 грн

Мінімальне замовлення: 516

HUF76121S3S

07+ SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76121S3S

TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76121S3S

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 25 V

на замовлення 1200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

430+	50.55 грн

Мінімальне замовлення: 430

HUF76121S3ST

SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76121S3ST

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 25 V

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

606+	36.11 грн

Мінімальне замовлення: 606

HUF76121S3ST

TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76121SK8

HAR

1997 SOP

на замовлення 81 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76127S3S

на замовлення 1258 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76129

TO220/

на замовлення 10 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76129D

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76129D3

SOT-252

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76129D3

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76129D3S

SOT-252

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76129D3S

TO-252

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76129D3S

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1425 pF @ 25 V

на замовлення 24723 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

513+	42.61 грн

Мінімальне замовлення: 513

HUF76129D3ST

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1425 pF @ 25 V

на замовлення 42200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

533+	40.44 грн

Мінімальне замовлення: 533

HUF76129P3

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16Ohm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V

на замовлення 24775 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

365+	59.22 грн

Мінімальне замовлення: 365

HUF76129P3

Trans MOSFET N-CH Si 30V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

товар відсутній

HUF76129P3

1999

на замовлення 350 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76129S3S

TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76129S3S

SOT-263

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76129S3S

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16Ohm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V

на замовлення 1850 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

468+	46.22 грн

Мінімальне замовлення: 468

HUF76129S3S

07+ SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76129S3ST

на замовлення 396 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76129S3ST

TO263/2.5

на замовлення 1587 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76129S3ST

FAIRCHLD

на замовлення 198 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76131

01+ SOP8P

на замовлення 13000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76131SK8

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76131SK8T

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1605 pF @ 25 V

на замовлення 10025 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

567+	38.28 грн

Мінімальне замовлення: 567

HUF76131SK8T_NB82084

Description: 10A, 30V, 0.017OHM, N CHANNEL ,

товар відсутній

HUF76132P3

Description: 75A, 30V, 0.016OHM, N-CHANNEL MO
Packaging: Bulk
Part Status: Active

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

307+	66.99 грн

Мінімальне замовлення: 307

HUF76132S

2001

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76132S3S

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

307+	70.77 грн

Мінімальне замовлення: 307

HUF76132S3S

07+ SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76132S3S

TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76132S3S

SOT-263

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76132S3ST

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V

на замовлення 9600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

307+	70.77 грн

Мінімальне замовлення: 307

HUF76132SK8

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76132SK8

SO-8

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76132SK8

07+ SO-8

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76137P

на замовлення 24050 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76137P3

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V

на замовлення 13040 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

329+	65.72 грн

Мінімальне замовлення: 329

HUF76137S3S

07+ SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76137S3S

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V

на замовлення 197 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

197+	139.38 грн

Мінімальне замовлення: 197

HUF76137S3S

SOT-263

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76137S3ST

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76139P3

00+

на замовлення 385 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76139P3

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V

на замовлення 12841 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

293+	68.69 грн

Мінімальне замовлення: 293

HUF76139P3

00+

на замовлення 380 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76139P3-NS2552

Trans MOSFET N-CH Si 30V 75A

товар відсутній

HUF76139P3_NS2552

Description: 75A, 30V, 0.01OHM, N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Part Status: Active

товар відсутній

HUF76139S

1998

на замовлення 440 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76139S3

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

247+	81.36 грн

Мінімальне замовлення: 247

HUF76139S3S

TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76139S3S

SOT-263

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76139S3S

07+ SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76139S3ST

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V

на замовлення 1950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

606+	33.34 грн

Мінімальне замовлення: 606

HUF76139S3ST

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76139S3ST

Description: ONSEMI - HUF76139S3ST - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99

на замовлення 1950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

729+	36.25 грн

Мінімальне замовлення: 729

HUF76139S3STK

Description: ONSEMI - HUF76139S3STK - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	36.25 грн

Мінімальне замовлення: 800

HUF76139S3STK

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

606+	33.34 грн

Мінімальне замовлення: 606

HUF76143P

INTELSIL

2001

на замовлення 96 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76143P3

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 225W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V

на замовлення 108627 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

430+	50.55 грн

Мінімальне замовлення: 430

HUF76143P3

на замовлення 537 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76143S

на замовлення 4600 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76143S3

Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 75A
Packaging: Bulk
Part Status: Active

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

398+	54.16 грн

Мінімальне замовлення: 398

HUF76143S3

09+

на замовлення 165 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76143S3S

SOT-263

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76143S3ST

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 225W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V

на замовлення 1364 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

423+	51.27 грн

Мінімальне замовлення: 423

HUF76145P3

MOSFET 75a 30V 0.0045 Ohm Logic Level N-Ch

товар відсутній

HUF76145S3

MOSFET

товар відсутній

HUF76145S3

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 25 V

товар відсутній

HUF76145S3S

07+ SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76145S3S

на замовлення 64800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76145S3S

MOSFET 75a 30V 0.0045 Ohm Logic Level N-Ch

товар відсутній

HUF76145S3S

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 25 V

на замовлення 9980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

146+	148.77 грн

Мінімальне замовлення: 146

HUF76145S3S

SOT-263

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76145S3ST

Description: ONSEMI - HUF76145S3ST - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 1706 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

348+	104.85 грн

Мінімальне замовлення: 348

HUF76145S3ST

MOSFET 75a 30V 0.0045 Ohm Logic Level N-Ch

товар відсутній

HUF76145S3ST

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 25 V

на замовлення 1706 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

290+	75.11 грн

Мінімальне замовлення: 290

HUF76407D

04+05+ TO-251(IPAK)

на замовлення 147 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76407D3

Description: MOSFET N-CH 60V 12A IPAK

на замовлення 22053 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

802+	27.1 грн

Мінімальне замовлення: 802

HUF76407D3

Description: MOSFET N-CH 60V 12A IPAK

товар відсутній

HUF76407D3

SOT-252

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76407D3S

Description: MOSFET N-CH 60V 12A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V

на замовлення 19076 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1401+	13.97 грн

Мінімальне замовлення: 1401

HUF76407D3S

SOT-252

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76407D3S

Description: ONSEMI - HUF76407D3S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 19076 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1686+	21.72 грн

Мінімальне замовлення: 1686

HUF76407D3S

TO-252

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76407D3ST

Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

HUF76407D3ST

Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	29.83 грн

Мінімальне замовлення: 2500

HUF76407D3ST

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6A; 38W; DPAK
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 38W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±16V
Case: DPAK
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 6A
On-state resistance: 92mΩ

товар відсутній

HUF76407D3ST

Description: MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V

на замовлення 4976 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	71.5 грн
10+	56.4 грн
100+	43.83 грн
500+	34.86 грн
1000+	28.4 грн

Мінімальне замовлення: 5

HUF76407D3ST

товар відсутній

HUF76407D3ST

Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

HUF76407D3ST

Description: MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	29.58 грн

Мінімальне замовлення: 2500

HUF76407D3ST

MOSFET 11a 60V 0.107 Ohm Logic Level N-Ch

на замовлення 4359 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	60.83 грн
10+	52.51 грн
100+	39.39 грн
500+	35.18 грн
1000+	28.04 грн
2500+	27.11 грн
5000+	26.5 грн

Мінімальне замовлення: 6

HUF76407DK8

SO-8

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76407DK8

MOSFET

товар відсутній

HUF76407DK8

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76407DK8T

SO-8

на замовлення 51000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76407DK8T

Trans MOSFET N-CH 60V 3.8A 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

HUF76407DK8T

Description: MOSFET 2N-CH 60V 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC

товар відсутній

HUF76407DK8TR4810

Description: N-CHANNEL LOGIC LEVEL ULTRAFET P
Packaging: Bulk

товар відсутній

HUF76407P3

Description: MOSFET N-CH 60V 13A TO-220AB

товар відсутній

HUF76407P3

Trans MOSFET N-CH 60V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail

товар відсутній

HUF76409D3

MOSFET

товар відсутній

HUF76409D3

SOT-252

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76409D3

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 49W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 25 V

на замовлення 3600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

592+	33.92 грн

Мінімальне замовлення: 592

HUF76409D3

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76409D3S

MOSFET

товар відсутній

HUF76409D3S

SOT-252

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76409D3ST

MOSFET

товар відсутній

HUF76409D3ST

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 49W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 25 V

на замовлення 663 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

663+	34.59 грн

Мінімальне замовлення: 663

HUF76409D3ST-S2457

товар відсутній

HUF76409D3ST-SB82270

товар відсутній

HUF76409D3ST_S2457

onsemi

товар відсутній

HUF76409D3ST_SB82270

onsemi

товар відсутній

HUF76409D3ST_SN00065

onsemi

товар відсутній

HUF76409D3ST_SN00066

onsemi

товар відсутній

HUF76413D3

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76413D3

Description: ONSEMI - HUF76413D3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 3600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

728+	50.18 грн

Мінімальне замовлення: 728

HUF76413D3

на замовлення 215 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76413D3

SOT-252

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76413D3

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 25 V

на замовлення 3600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

606+	33.34 грн

Мінімальне замовлення: 606

HUF76413D3S

SOT-252

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76413P3

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76413P3

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76419D3

Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Rail

товар відсутній

HUF76419D3

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76419D3

SOT-252

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76419D3

Description: MOSFET N-CH 60V 20A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V

товар відсутній

HUF76419D3

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76419D3S

MOSFET

товар відсутній

HUF76419D3S

TO-252

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76419D3S

SOT-252

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76419D3ST

Description: MOSFET N-CH 60V 20A TO252AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V

на замовлення 4274 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1210+	16.46 грн

Мінімальне замовлення: 1210

HUF76419D3ST

Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

HUF76419D3ST

Description: MOSFET N-CH 60V 20A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V

товар відсутній

HUF76419D3ST

MOSFET 20a 60V 0.043 Ohm Logic Level N-Ch

товар відсутній

HUF76419D3STR4921

Description: 20A, 60V, 0.043OHM, N CHANNEL ,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V

на замовлення 2175 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

544+	36.21 грн

Мінімальне замовлення: 544

HUF76419D3STR4921

Description: ONSEMI - HUF76419D3STR4921 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 2175 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

654+	56.17 грн

Мінімальне замовлення: 654

HUF76419D3ST_NL

MOSFET PWR MOS ULTRAFET 60V/20A/0.044 OHMS N-CH LL TO-252AA T&R

товар відсутній

HUF76419P3

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76419P3

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76419P3

Description: MOSFET N-CH 60V 29A TO220-3

товар відсутній

HUF76419S3S

07+ SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76419S3S

Description: MOSFET N-CH 60V 29A D2PAK

товар відсутній

HUF76419S3S

SOT-263

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76419S3ST

Description: MOSFET N-CH 60V 29A D2PAK

товар відсутній

HUF76419S3ST

Trans MOSFET N-CH 60V 29A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R

товар відсутній

HUF76419S3ST

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76419S3ST

Description: MOSFET N-CH 60V 29A D2PAK

на замовлення 42556 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

451+	47.44 грн

Мінімальне замовлення: 451

HUF76419S3ST-F085

MOSFET 60V, 29A, 35mOhm N-Channel Mosfet

на замовлення 510 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

HUF76419S3ST-F085

Description: MOSFET N-CH 60V 29A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

HUF76419S3ST-F085

Trans MOSFET N-CH 60V 29A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

HUF76419S3ST-F085

Trans MOSFET N-CH 60V 29A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

HUF76419S3ST-Q

05+;

на замовлення 2045 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76419S3ST-Q

0546+

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76419S3ST_NL

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

товар відсутній

HUF76423D3

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76423D3

Description: ONSEMI - HUF76423D3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

на замовлення 6852 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

822+	30.41 грн

Мінімальне замовлення: 822

HUF76423D3

Description: MOSFET N-CH 60V 20A IPAK

на замовлення 6794 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

HUF76423D3

SOT-252

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76423D3S

SOT-252

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76423D3S

Description: MOSFET N-CH 60V 20A TO252AA

на замовлення 8936 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

HUF76423D3S

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76423D3S

TO-252

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76423D3ST

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76423P3

Description: ONSEMI - HUF76423P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 33 A, 0.03 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 33
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 85
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.03
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

товар відсутній

HUF76423P3

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3

товар відсутній

HUF76423P3

Trans MOSFET N-CH 60V 35A HUF76423P3 THUF76423p3
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 50 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

30+	26.57 грн

Мінімальне замовлення: 30

HUF76423P3

Trans MOSFET N-CH 60V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 27900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	41.59 грн

Мінімальне замовлення: 8

HUF76423P3

Trans MOSFET N-CH 60V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

HUF76423P3

Description: MOSFET N-CH 60V 35A TO220-3

товар відсутній

HUF76423P3

MOSFET 20a 60V N-Channel 0.037Ohm

на замовлення 2002 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	109.04 грн
10+	86.76 грн
100+	59.88 грн
500+	50.81 грн
800+	38.92 грн
2400+	37.05 грн
5600+	36.72 грн

Мінімальне замовлення: 3

HUF76423P3

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 23A; 85W; TO220AB
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 23A
On-state resistance: 35mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 85W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 34nC
Technology: UltraFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±16V
Mounting: THT
Case: TO220AB
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

HUF76423P3

Trans MOSFET N-CH 60V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

HUF76423P3

товар відсутній

HUF76423S3S

07+ SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76423S3S

MOSFET

товар відсутній

HUF76423S3S

SOT-263

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76423S3ST

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

417+	52 грн

Мінімальне замовлення: 417

HUF76429D3

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76429D3

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 25 V

на замовлення 1441 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

423+	51.27 грн

Мінімальне замовлення: 423

HUF76429D3

Description: ONSEMI - HUF76429D3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 1441 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

508+	71.9 грн

Мінімальне замовлення: 508

HUF76429D3

SOT-252

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76429D3S

Description: MOSFET N-CH 60V 20A TO252AA

товар відсутній

HUF76429D3S

Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail

товар відсутній

HUF76429D3S

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76429D3S

TO-252

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76429D3S

MOSFET 20a 60V 0.027 Ohm Logic Level N-Ch

товар відсутній

HUF76429D3S

SOT-252

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76429D3ST

Description: MOSFET N-CH 60V 20A TO252AA

товар відсутній

HUF76429D3ST

MOSFET 20a 60V 0.027 Ohm Logic Level N-Ch

товар відсутній

HUF76429D3ST

Description: MOSFET N-CH 60V 20A TO252AA

товар відсутній

HUF76429D3ST

Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

HUF76429D3ST_NL

MOSFET

товар відсутній

HUF76429P

на замовлення 250 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76429P3

Trans MOSFET N-CH 60V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail

товар відсутній

HUF76429P3

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

товар відсутній

HUF76429P3

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76429P3

Description: MOSFET N-CH 60V 47A TO-220AB

товар відсутній

HUF76429S3S

Description: MOSFET N-CH 60V 47A D2PAK

товар відсутній

HUF76429S3S

07+ SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76429S3S

TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76429S3S

SOT-263

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76429S3ST

Trans MOSFET N-CH 60V 47A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

HUF76429S3ST

Description: MOSFET N-CH 60V 47A D2PAK

товар відсутній

HUF76429S3ST

Description: MOSFET N-CH 60V 47A D2PAK

товар відсутній

HUF76429S3ST

MOSFET 44a 60V 0.025 Ohm Logic Level N-Ch

на замовлення 2038 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	129.29 грн
10+	106.72 грн
100+	75.44 грн
500+	74.11 грн
800+	53.14 грн
2400+	51.47 грн
4800+	49.8 грн

Мінімальне замовлення: 3

HUF76429S3ST

Trans MOSFET N-CH 60V 47A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

HUF76429S3ST_Q

Description: N-CHANNEL LOGIC LEVEL ULTRAFET P

товар відсутній

HUF76432P3

MOSFET 55a 60V 0.019Ohm Logic Level N-Ch

товар відсутній

HUF76432P3

Description: MOSFET N-CH 60V 59A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 59A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765 pF @ 25 V

товар відсутній

HUF76432P3

товар відсутній

HUF76432S3S

TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76432S3S

SOT-263

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76432S3S

07+ SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76432S3ST

Description: ONSEMI - HUF76432S3ST - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99

на замовлення 3124 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

361+	69.13 грн

Мінімальне замовлення: 361

HUF76432S3ST

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 59A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765 pF @ 25 V

на замовлення 3124 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

300+	72.22 грн

Мінімальне замовлення: 300

HUF76432S3STR4908

Description: 59A, 60V, 0.019OHM, N-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
Part Status: Active

товар відсутній

HUF76437P3

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 71A, 10V
Power Dissipation (Max): 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230 pF @ 25 V

на замовлення 3200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

238+	86.13 грн

Мінімальне замовлення: 238

HUF76437P3

Description: ONSEMI - HUF76437P3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 3200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

286+	128.07 грн

Мінімальне замовлення: 286

HUF76437P3

MOSFET TO-220

товар відсутній

HUF76437S3S

SOT-263

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76437S3S

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

на замовлення 4945 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

HUF76437S3S

07+ SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76437S3S

TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76437S3ST

Description: ONSEMI - HUF76437S3ST - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 27282 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

641+	56.92 грн

Мінімальне замовлення: 641

HUF76437S3ST

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

на замовлення 27282 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

HUF76439P3

Trans MOSFET N-CH 60V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail

товар відсутній

HUF76439P3

Description: MOSFET N-CH 60V 75A TO220-3

товар відсутній

HUF76439S3S

Trans MOSFET N-CH 60V 75A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Rail

товар відсутній

HUF76439S3S

SOT-263

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76439S3S

Description: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK

товар відсутній

HUF76439S3S

07+ SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76439S3S

TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76439S3ST

Trans MOSFET N-CH 60V 75A HUF76439S3ST (T&R) , (HUF76439P3 TO220AB *OBSOLETE) HUF76439S3S THUF76439s3s
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 60 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

10+	59.49 грн

Мінімальне замовлення: 10

HUF76439S3ST

Description: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2745 pF @ 25 V

на замовлення 201 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	166.1 грн
10+	132.9 грн
100+	105.75 грн

Мінімальне замовлення: 2

HUF76439S3ST

MOSFET 71a 60V 0.014Ohm Logic Level N-Ch

на замовлення 743 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	190.83 грн
10+	169.67 грн
100+	118.84 грн
500+	86.79 грн
800+	82.78 грн
2400+	77.44 грн
4800+	74.11 грн

Мінімальне замовлення: 2

HUF76439S3ST

Trans MOSFET N-CH 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

HUF76439S3ST

Trans MOSFET N-CH 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

HUF76439S3ST

Description: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2745 pF @ 25 V

товар відсутній

HUF76443P3

Description: MOSFET N-CH 60V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 129 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4115 pF @ 25 V

товар відсутній

HUF76443P3

на замовлення 7300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

163+	133.6 грн

Мінімальне замовлення: 163

HUF76443S3S

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 129 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4115 pF @ 25 V

на замовлення 400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

180+	120.6 грн

Мінімальне замовлення: 180

HUF76443S3S

SOT-263

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76443S3S

07+ SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76443S3ST

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 129 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4115 pF @ 25 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

182+	119.16 грн

Мінімальне замовлення: 182

HUF76445P3

07+ TO-220

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76445P3

Description: MOSFET N-CH 60V 75A TO220-3

товар відсутній

HUF76445S3S

TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76445S3S

07+ TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76445S3S

Description: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK

товар відсутній

HUF76445S3ST

Description: ONSEMI - HUF76445S3ST - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 385 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

238+	153.53 грн

Мінімальне замовлення: 238

HUF76445S3ST

Description: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4965 pF @ 25 V

на замовлення 385 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

198+	101.36 грн

Мінімальне замовлення: 198

HUF76609D3

Description: MOSFET N-CH 100V 10A IPAK

на замовлення 15455 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

HUF76609D3

Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Rail

товар відсутній

HUF76609D3S

TO-252

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76609D3S

07+ TO-252

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76609D3S

Description: ONSEMI - HUF76609D3S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

на замовлення 9884 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

916+	26.96 грн

Мінімальне замовлення: 916

HUF76609D3S

Description: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK

на замовлення 10799 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

HUF76609D3S

Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail

товар відсутній

HUF76609D3S

FAIRCHIL

0441

на замовлення 1148 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76609D3ST

MOSFET 10a 100V 0.165 Ohm 1Ch HS Logic Gate

на замовлення 9111 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	48.29 грн
10+	41.84 грн
100+	28.51 грн
500+	23.03 грн
1000+	21.43 грн
10000+	20.83 грн
25000+	20.1 грн

Мінімальне замовлення: 7

HUF76609D3ST

Description: MOSFET N-CH 100V 10A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 49W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 25 V

товар відсутній

HUF76609D3ST

Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 157 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	44.88 грн
14+	42.43 грн
100+	33.21 грн

Мінімальне замовлення: 13

HUF76609D3ST

Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

HUF76609D3ST

Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 157 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

HUF76609D3ST

Description: MOSFET N-CH 100V 10A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 49W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 25 V

на замовлення 1210 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	70.05 грн
10+	59.18 грн
100+	45.35 грн
500+	33.64 грн
1000+	26.92 грн

Мінімальне замовлення: 5

HUF76609D3ST

Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

HUF76609D3_NL

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

товар відсутній

HUF76619D3

MOSFET 18a 100V 0.087 Ohm Logic Level N-Ch

товар відсутній

HUF76619D3S

Description: MOSFET N-CH 100V 18A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 767 pF @ 25 V

товар відсутній

HUF76619D3S

TO-252

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76619D3S

Description: ONSEMI - HUF76619D3S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 5406 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1144+	31.45 грн

Мінімальне замовлення: 1144

HUF76619D3S

07+ TO-252

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76619D3S

Description: MOSFET N-CH 100V 18A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 767 pF @ 25 V

на замовлення 5406 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1031+	20.94 грн

Мінімальне замовлення: 1031

HUF76619D3ST

Description: MOSFET N-CH 100V 18A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 767 pF @ 25 V

товар відсутній

HUF76619D3ST

Description: MOSFET N-CH 100V 18A TO252AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 767 pF @ 25 V

товар відсутній

HUF76629D3

MOSFET 20a 100V 0.054 Ohm Logic Level N-Ch

товар відсутній

HUF76629D3

Description: MOSFET N-CH 100V 20A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1285 pF @ 25 V

товар відсутній

HUF76629D3S

Trans MOSFET N-CH 100V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail

товар відсутній

HUF76629D3S

Description: MOSFET N-CH 100V 20A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1285 pF @ 25 V

товар відсутній

HUF76629D3S

Description: MOSFET N-CH 100V 20A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1285 pF @ 25 V

на замовлення 458 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

458+	50.01 грн

Мінімальне замовлення: 458

HUF76629D3S

TO-252

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76629D3S

Description: MOSFET N-CH 100V 20A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1285 pF @ 25 V

на замовлення 33795 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

398+	50.01 грн

Мінімальне замовлення: 398

HUF76629D3S

07+ TO-252

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76629D3S

Description: ONSEMI - HUF76629D3S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

на замовлення 33795 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

479+	55.12 грн

Мінімальне замовлення: 479

HUF76629D3S

MOSFET 20a 100V 0.054 Ohm Logic Level N-Ch

товар відсутній

HUF76629D3ST

Description: ONSEMI - HUF76629D3ST - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.041 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UltraFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm

на замовлення 4624 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	112.34 грн
500+	100.84 грн
2500+	89.87 грн

Мінімальне замовлення: 100

HUF76629D3ST

Trans MOSFET N-CH 100V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

HUF76629D3ST

Trans MOSFET N-CH 100V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 5933 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

87+	135.73 грн
95+	123.37 грн
96+	122.7 грн
107+	106 грн
250+	93.57 грн
500+	82.13 грн
1000+	79.18 грн
3000+	76.22 грн

Мінімальне замовлення: 87

HUF76629D3ST

Description: MOSFET N-CH 100V 20A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1285 pF @ 25 V

на замовлення 17040 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	176.93 грн
10+	141.24 грн
100+	112.44 грн
500+	89.28 грн
1000+	75.76 грн

Мінімальне замовлення: 2

HUF76629D3ST

на замовлення 4624 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	207.45 грн
10+	152.78 грн
100+	112.34 грн
500+	100.84 грн
2500+	89.87 грн

Мінімальне замовлення: 4

HUF76629D3ST

MOSFET 20a 100V 0.054 Ohm Logic Level N-Ch

на замовлення 7491 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	191.6 грн
10+	156.62 грн
100+	108.82 грн
250+	100.14 грн
500+	90.8 грн
1000+	78.78 грн

Мінімальне замовлення: 2

HUF76629D3ST

Trans MOSFET N-CH 100V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

HUF76629D3ST

Trans MOSFET N-CH 100V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 5933 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	126.03 грн
10+	114.56 грн
25+	113.93 грн
100+	98.43 грн
250+	86.88 грн
500+	76.26 грн
1000+	73.52 грн
3000+	70.78 грн

Мінімальне замовлення: 5

HUF76629D3ST

Description: MOSFET N-CH 100V 20A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1285 pF @ 25 V

на замовлення 12500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	79.64 грн
5000+	73.8 грн

Мінімальне замовлення: 2500

HUF76629D3ST-F085

MOSFET UltraFET Power MOSFET

на замовлення 2441 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

HUF76629D3ST-F085

Trans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

HUF76629D3ST-F085

Trans MOSFET N-CH 100V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

товар відсутній

HUF76629D3ST-F085

Description: MOSFET N-CH 100V 20A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

HUF76629D3STNL

Description: N-CHANNEL LOGIC LEVEL ULTRAFET P
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1285 pF @ 25 V

товар відсутній

HUF76629D3STR4885

товар відсутній

HUF76629D3ST_F085

Description: MOSFET N-CH 100V 20A DPAK

на замовлення 21252500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

HUF76629D3ST_F085

Description: MOSFET N-CH 100V 20A DPAK

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

HUF76629D3ST_F085

Description: MOSFET N-CH 100V 20A DPAK

на замовлення 2125 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

HUF76629D3ST_NL

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1285 pF @ 25 V

товар відсутній

HUF76629DS3

Description: N CHANNEL LOGIC LEVEL ULTRAFET

товар відсутній

HUF76633P3

MOSFET 38a 100V 0.036 Ohm Logic Level N-Ch

товар відсутній

HUF76633P3

Description: MOSFET N-CH 100V 39A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 39A, 10V
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 25 V

товар відсутній

HUF76633P3 F085
Код товару: 94093

товар відсутній

HUF76633P3-F085

MOSFET Single NCh 55V 7mOhm Power MOS UltraFET

на замовлення 21 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

HUF76633P3-F085

товар відсутній

HUF76633P3-F085

Trans MOSFET N-CH 100V 39A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

HUF76633P3-F085

Description: ONSEMI - HUF76633P3-F085 - HUF76633P3-F085, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 48 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

HUF76633P3-F085

Trans MOSFET N-CH 100V 39A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

HUF76633P3-F085

Description: MOSFET N-CH 100V 39A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 39A, 10V
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 25 V

на замовлення 1200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

300+	66.69 грн

Мінімальне замовлення: 300

HUF76633P3-R4883

MOSFET N-CHAN 100V 38A TO-220AB

товар відсутній

HUF76633P3-R4883

товар відсутній

HUF76633P3_NL

MOSFET 38A,100V, 0.036 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET

товар відсутній

HUF76633P3_R4883

ON Semiconductor

товар відсутній

HUF76633P3_SN00075

ON Semiconductor

товар відсутній

HUF76633S3S

MOSFET 38a 100V 0.036 Ohm Logic Level N-Ch

товар відсутній

HUF76633S3S

Description: MOSFET N-CH 100V 39A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 39A, 10V
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 25 V

товар відсутній

HUF76633S3S

TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76633S3S

07+ TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76633S3ST

Description: MOSFET N-CH 100V 39A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 39A, 10V
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 25 V

на замовлення 12648 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

606+	33.34 грн

Мінімальне замовлення: 606

HUF76633S3ST

Description: ONSEMI - HUF76633S3ST - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

на замовлення 12648 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

729+	36.25 грн

Мінімальне замовлення: 729

HUF76633S3ST

Description: MOSFET N-CH 100V 39A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 39A, 10V
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 25 V

товар відсутній

HUF76633S3ST

MOSFET 38a 100V 0.036 Ohm Logic Level N-Ch

товар відсутній

HUF76633S3ST-F085

Trans MOSFET N-CH 100V 39A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

HUF76633S3ST-F085
Код товару: 132414

товар відсутній

HUF76633S3ST-F085

Description: MOSFET N-CH 100V 39A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 39A, 10V
Power Dissipation (Max): 183W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

HUF76633S3ST-F085

MOSFET NMOS D2PAK 100V 36 MOHM

товар відсутній

HUF76633S3ST-F085

Description: MOSFET N-CH 100V 39A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 39A, 10V
Power Dissipation (Max): 183W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

HUF76633S3ST-F085

Trans MOSFET N-CH 100V 39A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

HUF76633S3ST-SB82274

товар відсутній

HUF76639P3

FAIRCHIL

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76639P3

Description: MOSFET N-CH 100V 51A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 51A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V

товар відсутній

HUF76639P3

Trans MOSFET N-CH 100V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail

товар відсутній

HUF76639P3

MOSFET 50a 100V 0.027 Ohm Logic Level N-Ch

товар відсутній

HUF76639P3
Код товару: 46829

товар відсутній

HUF76639P3_NL

MOSFET 100V,50A,0.027 OHM,NCH,LOGIC LEVEL ULTRAFET POWER MOSFET

товар відсутній

HUF76639P3_Q

MOSFET

товар відсутній

HUF76639S3S

Description: MOSFET N-CH 100V 51A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V

товар відсутній

HUF76639S3S

Trans MOSFET N-CH 100V 51A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Rail

товар відсутній

HUF76639S3S

TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76639S3S

Description: MOSFET N-CH 100V 51A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V

товар відсутній

HUF76639S3S

07+ TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76639S3ST

Description: MOSFET N-CH 100V 51A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V

товар відсутній

HUF76639S3ST
Код товару: 176379

товар відсутній

HUF76639S3ST

MOSFET 50A 100V 0.026 Ohm Logic Level N-Ch

на замовлення 1599 шт:

термін постачання 164-173 дні (днів)

2+	163.57 грн
10+	129.75 грн
100+	94.8 грн
500+	87.46 грн
800+	68.76 грн
2400+	64.29 грн

Мінімальне замовлення: 2

HUF76639S3ST

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V

товар відсутній

HUF76639S3ST

Trans MOSFET N-CH 100V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

HUF76639S3ST

Trans MOSFET N-CH 100V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

HUF76639S3ST

Description: MOSFET N-CH 100V 51A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	168.27 грн

Мінімальне замовлення: 2

HUF76639S3ST-F085

Description: MOSFET N CH 100V 51A TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V

товар відсутній

HUF76639S3ST-F085

Description: MOSFET N CH 100V 51A TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V

товар відсутній

HUF76639S3ST-F085

MOSFET 50A, 100V, 0.026 Ohm N-Channel UltraFET

товар відсутній

HUF76639S3STR4882

infleon

на замовлення 3200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HUF76645P3