Продукція > IDW
Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IDW100E60 | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching FAST SWITCH EMCON DIODE 600V 100A | на замовлення 426 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDW100E60 | INFINEON | MODULE | на замовлення 100094 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
IDW100E60 | Infineon Technologies | Description: IDW100E60 - SILICON POWER DIODE | товар відсутній | |||||||||||||||
IDW100E60 | INF | TO-247 | на замовлення 146400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
IDW100E60 | Infineon technologies | на замовлення 10 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
IDW100E60FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDW100E60FKSA1 - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 150 A, Einfach, 2 V, 400 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Durchlassstoßstrom: 400A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 2V Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 150A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: IDW10 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 663 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDW100E60FKSA1 | Infineon Technologies | Diode Switching 600V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 496 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDW100E60FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 100A; tube; TO247-3 Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 100A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: fast switching Case: TO247-3 Kind of package: tube | на замовлення 51 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDW100E60FKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE GP 600V 150A TO247-3-1 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 120 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 150A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 100 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 600 V | на замовлення 383 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDW100E60FKSA1 | Infineon Technologies | Diode Switching 600V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
IDW100E60FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 100A; tube; TO247-3 Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 100A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: fast switching Case: TO247-3 Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 51 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDW100E60FKSA1 | Infineon Technologies | Diode Switching 600V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 6960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDW100E60FKSA1 Код товару: 168636 | Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди обмежувальні (cупрессори) | товар відсутній | ||||||||||||||||
IDW100E60FKSA1 | Infineon Technologies | Diode Switching 600V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 496 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDW100E60FKSA1 | Infineon Technologies | Diode Switching 600V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDW100E60FKSA1 | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching INDUSTRY 14 | товар відсутній | |||||||||||||||
IDW100E60FKSA1 | Infineon Technologies | Diode Switching 600V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
IDW10G120C5B | Infineon technologies | на замовлення 3 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
IDW10G120C5BFKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 1.2KV 34A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDW10G120C5BFKSA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC CHIP/DISCRETE | на замовлення 478 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDW10G120C5BFKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE ARR SIC 1200V 17A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 17A Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1200 V | товар відсутній | |||||||||||||||
IDW10G65C5 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | товар відсутній | |||||||||||||||
IDW10G65C5FKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Discontinued at Digi-Key Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 650 V | товар відсутній | |||||||||||||||
IDW10G65C5FKSA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | товар відсутній | |||||||||||||||
IDW10G65C5FKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
IDW10G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 180 µA @ 650 V | товар відсутній | |||||||||||||||
IDW10G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 1884 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDW10G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | на замовлення 233 шт: термін постачання 203-212 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDW10G65C5XKSA1 Код товару: 190599 | Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні | товар відсутній | ||||||||||||||||
IDW10G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 1884 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDW10G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 73 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDW10G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
IDW10G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 2923 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDW10G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDW10G65C5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; 65W; PG-TO247-3 Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Power dissipation: 65W Case: PG-TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Semiconductor structure: single diode Max. off-state voltage: 650V Max. forward voltage: 1.8V Load current: 10A Leakage current: 2µA Type of diode: Schottky rectifying Max. forward impulse current: 46A кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
IDW10G65C5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDW10G65C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 10 A, 15 nC, TO-247 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 15nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: thinQ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDW10G65C5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; 65W; PG-TO247-3 Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Power dissipation: 65W Case: PG-TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Semiconductor structure: single diode Max. off-state voltage: 650V Max. forward voltage: 1.8V Load current: 10A Leakage current: 2µA Type of diode: Schottky rectifying Max. forward impulse current: 46A | товар відсутній | |||||||||||||||
IDW10G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 73 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDW10S120FKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SCHOTTKY 1200V 10A TO247-3 | товар відсутній | |||||||||||||||
IDW10S120FKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SCHOTTKY 1200V 10A TO247-3 | на замовлення 2880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDW10S120FKSA1 | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching SIC DIODES | на замовлення 190 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||
IDW12G65C5 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | на замовлення 143 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||
IDW12G65C5 | Infineon Technologies | Description: DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO247-3 | на замовлення 219 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
IDW12G65C5FKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
IDW12G65C5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | IDW12G65C5 THT Schottky diodes | товар відсутній | |||||||||||||||
IDW12G65C5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDW12G65C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V, Einfach, 650 V, 12 A, 18 nC, TO-247 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 18nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: thinQ Gen V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDW12G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 360pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 12A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 190 µA @ 650 V | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDW12G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDW15E65D2 | Infineon Technologies | Description: DIODE GP 650V 30A TO247-3-1 Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 47 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V | на замовлення 19680 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDW15E65D2 | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching IGBT PRODUCTS Rapid Switching | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDW15E65D2FKSA1 | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching IGBT PRODUCTS | на замовлення 558 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDW15E65D2FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 650V; 30A; tube; TO247-3 Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 30A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: fast switching Case: TO247-3 Kind of package: tube | на замовлення 40 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDW15E65D2FKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Switching 650V 30A 47ns 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
IDW15E65D2FKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE GP 650V 30A TO247-3-1 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 47 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDW15E65D2FKSA1 Код товару: 132796 | Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі | товар відсутній | ||||||||||||||||
IDW15E65D2FKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Switching 650V 30A 47ns 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 8640 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDW15E65D2FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 650V; 30A; tube; TO247-3 Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 30A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: fast switching Case: TO247-3 Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 40 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDW15G120C5BFKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 1.2KV 49A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDW15G120C5BFKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 1.2KV 49A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 4080 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDW15G120C5BFKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE ARR SIC 1200V 24A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 24A (DC) Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 7.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 62 µA @ 1200 V | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDW15G120C5BFKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 1.2KV 49A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 184 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDW15G120C5BFKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 1.2KV 49A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
IDW15G120C5BFKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 7.5Ax2; 200W; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 7.5A x2 Power dissipation: 200W Semiconductor structure: common cathode; double Case: PG-TO247-3 Kind of package: tube Max. forward impulse current: 160A Max. forward voltage: 1.4V Leakage current: 8µA кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 208 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDW15G120C5BFKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 1.2KV 49A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 46 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDW15G120C5BFKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 1.2KV 49A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
IDW15G120C5BFKSA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC CHIP/DISCRETE | на замовлення 240 шт: термін постачання 196-205 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDW15G120C5BFKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 1.2KV 49A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 184 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDW15G120C5BFKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDW15G120C5BFKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ 5G 1200V, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 49 A, 82 nC, TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 82 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 49 Anzahl der Pins: 3 Pins Bauform - Diode: TO-247 Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2 Betriebstemperatur, max.: 175 Produktpalette: thinQ 5G 1200V SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDW15G120C5BFKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 7.5Ax2; 200W; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 7.5A x2 Power dissipation: 200W Semiconductor structure: common cathode; double Case: PG-TO247-3 Kind of package: tube Max. forward impulse current: 160A Max. forward voltage: 1.4V Leakage current: 8µA | на замовлення 208 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDW15S120FKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky 1.2KV 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
IDW15S120FKSA1 | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching SIC DIODES | товар відсутній | |||||||||||||||
IDW15S120FKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 15A TO247-3 | на замовлення 6483 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDW15S120FKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 15A TO247-3 | товар відсутній | |||||||||||||||
IDW16G65C5 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | товар відсутній | |||||||||||||||
IDW16G65C5 | Infineon Technologies | Description: DIODE SCHOTTKY 650V 16A TO247-3 | на замовлення 214 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
IDW16G65C5FKSA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | на замовлення 130 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||
IDW16G65C5FKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SCHOTTKY 650V 16A TO247-3 | товар відсутній | |||||||||||||||
IDW16G65C5FKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 23 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDW16G65C5FKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
IDW16G65C5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 16A; 94W; PG-TO247-3 Case: PG-TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Max. forward voltage: 1.8V Power dissipation: 94W Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Max. off-state voltage: 650V Load current: 16A Semiconductor structure: single diode Leakage current: 3.2µA Type of diode: Schottky rectifying Max. forward impulse current: 74A кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 20 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDW16G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | на замовлення 374 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDW16G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 650V 16A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 470pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 16A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 16 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V | на замовлення 207 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDW16G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
IDW16G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDW16G65C5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDW16G65C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 16 A, 23 nC, TO-247 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 23nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: thinQ productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 310 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDW16G65C5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 16A; 94W; PG-TO247-3 Case: PG-TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Max. forward voltage: 1.8V Power dissipation: 94W Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Max. off-state voltage: 650V Load current: 16A Semiconductor structure: single diode Leakage current: 3.2µA Type of diode: Schottky rectifying Max. forward impulse current: 74A | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDW20C65D2XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDW20C65D2XKSA1 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 650 V, 20 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 2.2 V, 30 ns Bauform - Diode: TO-247 Durchlassstoßstrom: 60 Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 2.2 Sperrverzögerungszeit: 30 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20 Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: Rapid2 Betriebstemperatur, max.: 175 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 227 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDW20C65D2XKSA1 | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching IGBT PRODUCTS | на замовлення 79 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDW20C65D2XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE 650V 20A RAPID2 TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.2 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDW20G120C5B | Infineon technologies | на замовлення 60 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
IDW20G120C5BFKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 1.2KV 62A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDW20G120C5BFKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; 250W; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 10A x2 Power dissipation: 250W Semiconductor structure: common cathode; double Case: PG-TO247-3 Kind of package: tube Max. forward impulse current: 180A Max. forward voltage: 1.4V Leakage current: 12µA | товар відсутній | |||||||||||||||
IDW20G120C5BFKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; 250W; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 10A x2 Power dissipation: 250W Semiconductor structure: common cathode; double Case: PG-TO247-3 Kind of package: tube Max. forward impulse current: 180A Max. forward voltage: 1.4V Leakage current: 12µA кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
IDW20G120C5BFKSA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC CHIP/DISCRETE | на замовлення 221 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDW20G120C5BFKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE ARR SIC 1200V 31A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 31A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 83 µA @ 1200 V | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDW20G120C5BFKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDW20G120C5BFKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 62 A, 106 nC, TO-247 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 106nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 62A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: thinQ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 215 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDW20G65C5 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | товар відсутній | |||||||||||||||
IDW20G65C5B | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | товар відсутній | |||||||||||||||
IDW20G65C5BXKSA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | на замовлення 76 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||
IDW20G65C5BXKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
IDW20G65C5BXKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO247-3 | товар відсутній | |||||||||||||||
IDW20G65C5BXKSA2 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
IDW20G65C5BXKSA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IDW20G65C5BXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 10 A, 15 nC, TO-247 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 15nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: thinQ Gen V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 112 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDW20G65C5BXKSA2 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
IDW20G65C5BXKSA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 180 µA @ 650 V | на замовлення 140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDW20G65C5BXKSA2 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | на замовлення 341 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDW20G65C5BXKSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; 130W; PG-TO247-3 Type of diode: Schottky rectifying Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 10A x2 Power dissipation: 130W Semiconductor structure: common cathode; double Case: PG-TO247-3 Kind of package: tube Max. forward impulse current: 46A Max. forward voltage: 1.8V Leakage current: 2µA | товар відсутній | |||||||||||||||
IDW20G65C5BXKSA2 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
IDW20G65C5BXKSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; 130W; PG-TO247-3 Type of diode: Schottky rectifying Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 10A x2 Power dissipation: 130W Semiconductor structure: common cathode; double Case: PG-TO247-3 Kind of package: tube Max. forward impulse current: 46A Max. forward voltage: 1.8V Leakage current: 2µA кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
IDW20G65C5FKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SCHOTTKY 650V 20A TO247-3 | товар відсутній | |||||||||||||||
IDW20G65C5FKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
IDW20G65C5FKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
IDW20G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
IDW20G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 396 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDW20G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | на замовлення 47 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDW20G65C5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | IDW20G65C5 THT Schottky diodes | товар відсутній | |||||||||||||||
IDW20G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
IDW20G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 590pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 210 µA @ 650 V | на замовлення 162 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDW20S120FKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE ARR SIC 1200V 10A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A (DC) Supplier Device Package: PG-TO247-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 240 µA @ 1200 V | товар відсутній | |||||||||||||||
IDW20S120FKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky 1.2KV 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
IDW20S120FKSA1 | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching SIC DIODES | товар відсутній | |||||||||||||||
IDW20S120FKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE ARR SIC 1200V 10A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A (DC) Supplier Device Package: PG-TO247-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 240 µA @ 1200 V | на замовлення 6893 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDW24G65C5B | Infineon | на замовлення 480 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
IDW24G65C5BXKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
IDW24G65C5BXKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO247-3 | товар відсутній | |||||||||||||||
IDW24G65C5BXKSA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 360pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 12A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 190 µA @ 650 V | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDW24G65C5BXKSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 12Ax2; 152W; PG-TO247-3 Type of diode: Schottky rectifying Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 12A x2 Power dissipation: 152W Semiconductor structure: common cathode; double Case: PG-TO247-3 Kind of package: tube Max. forward impulse current: 56A Max. forward voltage: 1.8V Leakage current: 2.4µA | товар відсутній | |||||||||||||||
IDW24G65C5BXKSA2 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDW24G65C5BXKSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 12Ax2; 152W; PG-TO247-3 Type of diode: Schottky rectifying Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 12A x2 Power dissipation: 152W Semiconductor structure: common cathode; double Case: PG-TO247-3 Kind of package: tube Max. forward impulse current: 56A Max. forward voltage: 1.8V Leakage current: 2.4µA кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
IDW24G65C5BXKSA2 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
IDW24G65C5BXKSA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IDW24G65C5BXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 12 A, 18 nC, TO-247 tariffCode: 85411000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kapazitive Gesamtladung: 18nC rohsCompliant: YES Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C usEccn: EAR99 | на замовлення 235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDW30C65D1 | Infineon technologies | на замовлення 162 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
IDW30C65D1XKSA1 | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching IGBT PRODUCTS | на замовлення 147 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDW30C65D1XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Switching 650V 30A 114ns 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDW30C65D1XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDW30C65D1XKSA1 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 650 V, 30 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.7 V, 71 ns tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Durchlassstoßstrom: 120A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.7V Sperrverzögerungszeit: 71ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: Rapid1 productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDW30C65D1XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE 650V 30A RAPID1 TO247-3 | товар відсутній | |||||||||||||||
IDW30C65D2 | Infineon technologies | на замовлення 20 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
IDW30C65D2XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDW30C65D2XKSA1 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 650 V, 30 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 2.2 V, 32 ns tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Durchlassstoßstrom: 100A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 2.2V Sperrverzögerungszeit: 32ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: Rapid2 productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 682 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDW30C65D2XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE ARRAY GP 650V 15A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 32 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.2 V @ 15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V | на замовлення 214 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDW30C65D2XKSA1 | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching IGBT PRODUCTS | товар відсутній | |||||||||||||||
IDW30E60 | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching IGBT PRODUCTS | товар відсутній | |||||||||||||||
IDW30E60AFKSA1 | Infineon Technologies | Fast Switching Emitter Controlled Diode | товар відсутній | |||||||||||||||
IDW30E60AFKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE GEN PURP 600V 60A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 143 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 60A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Part Status: Discontinued at Digi-Key Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 600 V | товар відсутній | |||||||||||||||
IDW30E60AFKSA1 | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching IGBT PRODUCTS | товар відсутній | |||||||||||||||
IDW30E60AFKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE GEN PURP 600V 60A TO247-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 143 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 60A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 600 V | товар відсутній | |||||||||||||||
IDW30E60FKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE GEN PURP 600V 60A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 143 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 60A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 600 V | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDW30E60FKSA1 | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching HOME APPLIANCES 14 | на замовлення 371 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDW30E65D1 | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching IGBT PRODUCTS Rapid Switching | на замовлення 63 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDW30E65D1 | Infineon Technologies | Description: DIODE GP 650V 60A TO247-3-1 | товар відсутній | |||||||||||||||
IDW30E65D1FKSA1 | Infineon Technologies | Diode Switching 650V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDW30E65D1FKSA1 | Infineon Technologies | Diode Switching 650V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
IDW30E65D1FKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE GP 650V 60A TO247-3-1 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 115 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 60A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V | на замовлення 326 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDW30E65D1FKSA1 | Infineon Technologies | Diode Switching 650V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 84 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
IDW30E65D1FKSA1 | Infineon Technologies | Diode Switching 650V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDW30E65D1FKSA1 | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching IGBT PRODUCTS | на замовлення 468 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDW30E65D1FKSA1 | Infineon Technologies | Diode Switching 650V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDW30E65D1FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDW30E65D1FKSA1 - Diode mit Standard-Erholzeit, 650 V, 30 A, Einfach, 1.35 V, 66 ns, 240 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Durchlassstoßstrom: 240A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.35V Sperrverzögerungszeit: 66ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: IDW30 productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 469 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDW30E65D1FKSA1 | Infineon Technologies | Diode Switching 650V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
IDW30E65D1FKSA1 | Infineon Technologies | Diode Switching 650V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 96960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDW30G120C5B | Infineon Technologies | Infineon SIC DISCRETE | товар відсутній | |||||||||||||||
IDW30G120C5B | Infineon technologies | на замовлення 6 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
IDW30G120C5B Код товару: 187569 | Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі | товар відсутній | ||||||||||||||||
IDW30G120C5BFKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 1.2KV 87A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
IDW30G120C5BFKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDW30G120C5BFKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ 5G 1200V, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 87 A, 154 nC, TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 154 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 87 Anzahl der Pins: 3 Pins Bauform - Diode: TO-247 Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2 Betriebstemperatur, max.: 175 Produktpalette: thinQ 5G 1200V SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | товар відсутній | |||||||||||||||
IDW30G120C5BFKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 1.2KV 87A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDW30G120C5BFKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 1.2KV 87A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
IDW30G120C5BFKSA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC CHIP/DISCRETE | на замовлення 2039 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDW30G120C5BFKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE ARR SIC 1200V 44A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 44A (DC) Supplier Device Package: PG-TO247-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 124 µA @ 1200 V | на замовлення 1242 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDW30G65C5 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | товар відсутній | |||||||||||||||
IDW30G65C5FKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO247-3 | на замовлення 12442 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDW30G65C5FKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO247-3 | товар відсутній | |||||||||||||||
IDW30G65C5FKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
IDW30G65C5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | IDW30G65C5 THT Schottky diodes | товар відсутній | |||||||||||||||
IDW30G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 130 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDW30G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
IDW30G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 860pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 220 µA @ 650 V | на замовлення 1201 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDW30G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
IDW30G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | на замовлення 1221 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDW30S120FKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SCHOTTKY 1200V 15A TO247-3 | товар відсутній | |||||||||||||||
IDW30S120FKSA1 | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching SIC DIODES | товар відсутній | |||||||||||||||
IDW30S120FKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SCHOTTKY 1200V 15A TO247-3 | товар відсутній | |||||||||||||||
IDW30S120FKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky 1.2KV 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
IDW32G65C5BXKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SCHOTTKY 650V 16A TO247-3 | товар відсутній | |||||||||||||||
IDW32G65C5BXKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
IDW32G65C5BXKSA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 650V 16A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 470pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 16A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 16 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDW32G65C5BXKSA2 | Infineon Technologies | 650V SiC Schottky Diode | товар відсутній | |||||||||||||||
IDW32G65C5BXKSA2 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDW32G65C5BXKSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 16Ax2; 188W; PG-TO247-3 Type of diode: Schottky rectifying Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 16A x2 Power dissipation: 188W Semiconductor structure: common cathode; double Case: PG-TO247-3 Kind of package: tube Max. forward impulse current: 74A Max. forward voltage: 1.8V Leakage current: 3.2µA кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
IDW32G65C5BXKSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 16Ax2; 188W; PG-TO247-3 Type of diode: Schottky rectifying Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 16A x2 Power dissipation: 188W Semiconductor structure: common cathode; double Case: PG-TO247-3 Kind of package: tube Max. forward impulse current: 74A Max. forward voltage: 1.8V Leakage current: 3.2µA | товар відсутній | |||||||||||||||
IDW40E65D1 | Infineon technologies | на замовлення 30 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
IDW40E65D1 | Infineon Technologies | Description: DIODE GP 650V 80A TO247-3-1 | товар відсутній | |||||||||||||||
IDW40E65D1 | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching IGBT PRODUCTS Rapid Switching | на замовлення 94 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDW40E65D1FKSA1 | Infineon Technologies | Diode Switching 650V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 226 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDW40E65D1FKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE GP 650V 80A TO247-3-1 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 129 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 80A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 40 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V | на замовлення 194 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDW40E65D1FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 650V; 40A; tube; TO247-3 Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 40A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: fast switching Case: TO247-3 Kind of package: tube | товар відсутній | |||||||||||||||
IDW40E65D1FKSA1 | Infineon Technologies | Diode Switching 650V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
IDW40E65D1FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 650V; 40A; tube; TO247-3 Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 40A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: fast switching Case: TO247-3 Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
IDW40E65D1FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDW40E65D1FKSA1 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 650 V, 40 A, Einfach, 1.35 V, 77 ns, 320 A Bauform - Diode: TO-247 Durchlassstoßstrom: 320 Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.35 Sperrverzögerungszeit: 77 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 40 Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: IDW40 Betriebstemperatur, max.: 175 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 154 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDW40E65D2 | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching IGBT PRODUCTS Rapid Switching | на замовлення 2056 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDW40E65D2 | Infineon Technologies | Description: DIODE GEN PURP 650V 80A TO247-3 | товар відсутній | |||||||||||||||
IDW40E65D2FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 650V; 40A; tube; TO247-3 Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 40A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: fast switching Case: TO247-3 Kind of package: tube | товар відсутній | |||||||||||||||
IDW40E65D2FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 650V; 40A; tube; TO247-3 Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 40A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: fast switching Case: TO247-3 Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
IDW40E65D2FKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE GP 650V 80A TO247-3-1 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 80A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 40 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V | на замовлення 2229 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDW40E65D2FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDW40E65D2FKSA1 - Diode mit Standard-Erholzeit, 650 V, 40 A, Einfach, 1.6 V, 36 ns, 250 A Bauform - Diode: TO-247 Durchlassstoßstrom: 250 Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.6 Sperrverzögerungszeit: 36 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 40 Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: IDW40 Betriebstemperatur, max.: 175 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDW40E65D2FKSA1 | Infineon Technologies | Diode Switching 650V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 446 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDW40G120C5B | Infineon Technologies | Infineon SIC DISCRETE | товар відсутній | |||||||||||||||
IDW40G120C5BFKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDW40G120C5BFKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 110 A, 202 nC, TO-247 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 202nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Gemeinsame Kathode Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 110A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: thinQ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDW40G120C5BFKSA1 Код товару: 119036 | Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діодні мости та збірки | товар відсутній | ||||||||||||||||
IDW40G120C5BFKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
IDW40G120C5BFKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDW40G120C5BFKSA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC CHIP/DISCRETE | на замовлення 244 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDW40G120C5BFKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE ARR SIC 1200V 55A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 55A (DC) Supplier Device Package: PG-TO247-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 166 µA @ 1200 V | на замовлення 653 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDW40G120C5B | на замовлення 13200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
IDW40G65C5 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | товар відсутній | |||||||||||||||
IDW40G65C5B | Infineon Technologies | Description: IDW40G65 - COOLSIC SCHOTTKY DIOD | товар відсутній | |||||||||||||||
IDW40G65C5BXKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SCHOTTKY 650V 40A TO247-3 | товар відсутній | |||||||||||||||
IDW40G65C5BXKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
IDW40G65C5BXKSA2 | Infineon Technologies | 650V SiC Schottky Diode | товар відсутній | |||||||||||||||
IDW40G65C5BXKSA2 | Infineon Technologies | 650V SiC Schottky Diode | товар відсутній | |||||||||||||||
IDW40G65C5BXKSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20Ax2; 112W; PG-TO247-3 Type of diode: Schottky rectifying Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 20A x2 Power dissipation: 112W Semiconductor structure: common cathode; double Case: PG-TO247-3 Kind of package: tube Max. forward impulse current: 87A Max. forward voltage: 1.8V Leakage current: 4.1µA кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
IDW40G65C5BXKSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20Ax2; 112W; PG-TO247-3 Type of diode: Schottky rectifying Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 20A x2 Power dissipation: 112W Semiconductor structure: common cathode; double Case: PG-TO247-3 Kind of package: tube Max. forward impulse current: 87A Max. forward voltage: 1.8V Leakage current: 4.1µA | товар відсутній | |||||||||||||||
IDW40G65C5BXKSA2 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | на замовлення 199 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDW40G65C5BXKSA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 590pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 210 µA @ 650 V | на замовлення 344 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDW40G65C5BXKSA2 | Infineon Technologies | 650V SiC Schottky Diode | товар відсутній | |||||||||||||||
IDW40G65C5FKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
IDW40G65C5FKSA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | на замовлення 195 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||
IDW40G65C5FKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SCHOTTKY 650V 40A TO247-3 | товар відсутній | |||||||||||||||
IDW40G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDW40G65C5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | IDW40G65C5 THT Schottky diodes | товар відсутній | |||||||||||||||
IDW40G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
IDW40G65C5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDW40G65C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 40 A, 55 nC, TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 55 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 40 Anzahl der Pins: 3 Pins Bauform - Diode: TO-247 Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650 Produktpalette: thinQ SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 236 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDW40G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
IDW40G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
IDW40G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
IDW40G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | на замовлення 61 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDW40G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 650V 40A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1140pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 40A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 40 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 220 µA @ 650 V | на замовлення 148 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDW50E60 | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching IGBT PRODUCTS | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDW50E60FKSA1 | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching IGBT PRODUCTS | на замовлення 240 шт: термін постачання 175-184 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDW50E60FKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE GEN PURP 600V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 115 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 80A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 50 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 600 V | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDW60C65D1 | Infineon Technologies | Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR | товар відсутній | |||||||||||||||
IDW60C65D1 | Infineon Technologies | Infineon INDUSTRY 14 | товар відсутній | |||||||||||||||
IDW60C65D1XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Switching 650V 60A 115ns 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
IDW60C65D1XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDW60C65D1XKSA1 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 650 V, 60 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.7 V, 66 ns Bauform - Diode: TO-247 Durchlassstoßstrom: 240 Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.7 Sperrverzögerungszeit: 66 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 60 Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: Rapid1 Betriebstemperatur, max.: 175 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | товар відсутній | |||||||||||||||
IDW60C65D1XKSA1 | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching IGBT PRODUCTS | на замовлення 295 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDW60C65D1XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Switching 650V 60A 115ns 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
IDW60C65D1XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Switching 650V 60A 115ns 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
IDW60C65D1XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE ARRAY GP 650V 30A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 66 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V | на замовлення 550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDW75D65D1 | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching INDUSTRY 14 | товар відсутній | |||||||||||||||
IDW75D65D1XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Switching 650V 150A 127ns 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
IDW75D65D1XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE GEN PURP 650V 150A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 108 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 150A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 75 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V | на замовлення 469 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDW75D65D1XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Switching 650V 150A 127ns 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 207 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDW75D65D1XKSA1 | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching IGBT PRODUCTS | на замовлення 724 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDW75D65D1XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Switching 650V 150A 127ns 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
IDW75D65D1XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Switching 650V 150A 127ns 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 208 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDW75D65D1XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Switching 650V 150A 127ns 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDW75E60 | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching FAST SWITCH EMCON DIODE 600V 75A | на замовлення 258 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDW75E60 | INFINEON | MODULE | на замовлення 100092 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
IDW75E60 | INF | TO-247 | на замовлення 51420 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
IDW75E60FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 75A; tube; TO247-3 Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 75A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: fast switching Case: TO247-3 Kind of package: tube | товар відсутній | |||||||||||||||
IDW75E60FKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Switching 600V 120A 121ns 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
IDW75E60FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDW75E60FKSA1 - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 120 A, Einfach, 2 V, 220 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Durchlassstoßstrom: 220A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 2V Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 120A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: IDW75 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDW75E60FKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE GP 600V 120A TO247-3-1 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 121 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 120A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 75 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 600 V | на замовлення 476 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDW75E60FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 75A; tube; TO247-3 Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 75A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: fast switching Case: TO247-3 Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
IDW80C65D1 | Infineon technologies | на замовлення 52 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
IDW80C65D1XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Switching 650V 80A 129ns 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
IDW80C65D1XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE ARRAY GP 650V 40A TO247-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 77 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 40A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 40 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V | на замовлення 366 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDW80C65D1XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Switching 650V 80A 129ns 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDW80C65D1XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDW80C65D1XKSA1 - Diode mit Standard-Erholzeit, 650 V, 80 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.7 V, 77 ns, 320 A tariffCode: 85411000 Durchlassstoßstrom: 320A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchlassspannung, max.: 1.7V Sperrverzögerungszeit: 77ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 80A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 245 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDW80C65D1XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE ARRAY GP 650V 40A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 77 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 40A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 40 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V | товар відсутній | |||||||||||||||
IDW80C65D1XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Switching 650V 80A 129ns 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDW80C65D1XKSA1 | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching IGBT PRODUCTS | на замовлення 388 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDW80C65D2XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDW80C65D2XKSA1 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 650 V, 80 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 2.2 V, 36 ns tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Durchlassstoßstrom: 250A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 2.2V Sperrverzögerungszeit: 36ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 80A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: Rapid2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 312 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDW80C65D2XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Switching 650V 80A 36ns 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
IDW80C65D2XKSA1 | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching INDUSTRY 14 | на замовлення 425 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDW80C65D2XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE ARRAY GP 650V 40A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 36 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 40A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.2 V @ 40 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V | на замовлення 253 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDW80C65D2XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Switching 650V 80A 36ns 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
IDWD100E120D7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: INDUSTRY 14 Packaging: Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
IDWD100E120D7XKSA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers | товар відсутній | |||||||||||||||
IDWD100E65E7XKSA1 | Infineon Technologies | INDUSTRY 14 | товар відсутній | |||||||||||||||
IDWD100E65E7XKSA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDWD100E65E7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: INDUSTRY 14 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 5A (Io) Reverse Recovery Time (trr): 98 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 150A Supplier Device Package: PG-TO247-2-2 Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 100 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDWD10G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DISCRETE | на замовлення 140 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDWD10G120C5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; 148W; TO247-2 Power dissipation: 148W Type of diode: Schottky rectifying Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Mounting: THT Case: TO247-2 Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 140A кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
IDWD10G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 34A TO247-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 730pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 34A Supplier Device Package: PG-TO247-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 1200 V | товар відсутній | |||||||||||||||
IDWD10G120C5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDWD10G120C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 34 A, 57 nC, TO-247 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 187 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDWD10G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 34A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 42 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDWD10G120C5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; 148W; TO247-2 Power dissipation: 148W Type of diode: Schottky rectifying Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Mounting: THT Case: TO247-2 Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 140A | товар відсутній | |||||||||||||||
IDWD120E65E7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: INDUSTRY 14 Packaging: Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDWD120E65E7XKSA1 | Infineon Technologies | INDUSTRY 14 | товар відсутній | |||||||||||||||
IDWD120E65E7XKSA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDWD150E65E7XKSA1 | Infineon Technologies | INDUSTRY 14 | товар відсутній | |||||||||||||||
IDWD150E65E7XKSA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers INDUSTRY 14 | на замовлення 176 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDWD150E65E7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: INDUSTRY 14 Packaging: Tube | на замовлення 140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDWD15G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 49A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 328 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDWD15G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 49A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 212 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDWD15G120C5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDWD15G120C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 49 A, 82 nC, TO-247 tariffCode: 85411000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kapazitive Gesamtladung: 82nC rohsCompliant: YES Durchschnittlicher Durchlassstrom: 49A euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Betriebstemperatur, max.: 175°C usEccn: EAR99 | на замовлення 381 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDWD15G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 49A TO247-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1050pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 49A Supplier Device Package: PG-TO247-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 124 µA @ 1200 V | на замовлення 230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDWD15G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 49A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 43440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDWD15G120C5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15A; 200W; TO247-2 Case: TO247-2 Mounting: THT Power dissipation: 200W Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 15A Semiconductor structure: single diode Type of diode: Schottky rectifying Max. forward impulse current: 170A Technology: CoolSiC™ 5G; SiC | товар відсутній | |||||||||||||||
IDWD15G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 49A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 328 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDWD15G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 49A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 328 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDWD15G120C5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15A; 200W; TO247-2 Case: TO247-2 Mounting: THT Power dissipation: 200W Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 15A Semiconductor structure: single diode Type of diode: Schottky rectifying Max. forward impulse current: 170A Technology: CoolSiC™ 5G; SiC кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
IDWD15G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 49A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 212 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDWD15G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DISCRETE | на замовлення 1229 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDWD20E65E7XKSA1 | Infineon Technologies | HOME APPLIANCES 14 | товар відсутній | |||||||||||||||
IDWD20E65E7XKSA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers HOME APPLIANCES 14 | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDWD20G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DISCRETE | на замовлення 127 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDWD20G120C5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | IDWD20G120C5XKSA1 THT Schottky diodes | товар відсутній | |||||||||||||||
IDWD20G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 1.2KV 62A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
IDWD20G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 1.2KV 62A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDWD20G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 1.2KV 62A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
IDWD20G120C5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDWD20G120C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 62 A, 106 nC, TO-247 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDWD20G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 62A TO247-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1368pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 62A Supplier Device Package: PG-TO247-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 166 µA @ 1200 V | на замовлення 266 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDWD20G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 62A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDWD20G120C5XKSA1 | Infineon | SIC SCHOTTKY 1200V 20A TO247-2 PGTO247-2 | на замовлення 16 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDWD20G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 1.2KV 62A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDWD30E65E7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: HOME APPLIANCES 14 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 82 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 50A Supplier Device Package: PG-TO247-2-2 Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V | на замовлення 207 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDWD30E65E7XKSA1 | Infineon Technologies | HOME APPLIANCES 14 | товар відсутній | |||||||||||||||
IDWD30E65E7XKSA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDWD30G120C5 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DISCRETE | товар відсутній | |||||||||||||||
IDWD30G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 87A TO247-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1980pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 87A Supplier Device Package: PG-TO247-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 248 µA @ 1200 V | на замовлення 769 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDWD30G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 87A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
IDWD30G120C5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 30A; 332W; TO247-2 Type of diode: Schottky rectifying Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 30A Power dissipation: 332W Semiconductor structure: single diode Case: TO247-2 Max. forward impulse current: 240A | товар відсутній | |||||||||||||||
IDWD30G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 1.2KV 87A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 108 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDWD30G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 1.2KV 87A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 108 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDWD30G120C5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDWD30G120C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 87 A, 154 nC, TO-247 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 154nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 87A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: CoolSiC 5G 1200V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 359 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDWD30G120C5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 30A; 332W; TO247-2 Type of diode: Schottky rectifying Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 30A Power dissipation: 332W Semiconductor structure: single diode Case: TO247-2 Max. forward impulse current: 240A кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
IDWD30G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 1.2KV 87A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 108 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDWD30G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 1.2KV 87A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 108 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDWD30G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DISCRETE | на замовлення 983 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDWD30G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 1.2KV 87A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDWD40E120D7XKSA1 | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching INDUSTRY 14 | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDWD40E120D7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: INDUSTRY 14 Packaging: Tube | на замовлення 220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDWD40E120D7XKSA1 | Infineon Technologies | IDWD40E120D7XKSA1 | товар відсутній | |||||||||||||||
IDWD40E65E7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: HOME APPLIANCES 14 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 89 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 50A Supplier Device Package: PG-TO247-2-2 Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 40 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V | на замовлення 215 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDWD40E65E7XKSA1 | Infineon Technologies | HOME APPLIANCES 14 | товар відсутній | |||||||||||||||
IDWD40E65E7XKSA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers HOME APPLIANCES 14 | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDWD40G120C5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 40A; 402W; TO247-2 Type of diode: Schottky rectifying Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 40A Power dissipation: 402W Semiconductor structure: single diode Case: TO247-2 Max. forward impulse current: 290A кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
IDWD40G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DISCRETE | на замовлення 55 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDWD40G120C5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 40A; 402W; TO247-2 Type of diode: Schottky rectifying Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 40A Power dissipation: 402W Semiconductor structure: single diode Case: TO247-2 Max. forward impulse current: 290A | товар відсутній | |||||||||||||||
IDWD40G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 110A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 2592pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 110A Supplier Device Package: PG-TO247-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 40 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 332 µA @ 1200 V | на замовлення 608 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDWD40G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 110A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDWD40G120C5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDWD40G120C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 110 A, 202 nC, TO-247 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 202nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 110A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: CoolSiC 5G 1200V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 791 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDWD50E120D7XKSA1 | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching INDUSTRY 14 | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDWD50E65E7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: INDUSTRY 14 Packaging: Tube | на замовлення 225 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDWD50E65E7XKSA1 | Infineon Technologies | INDUSTRY 14 | товар відсутній | |||||||||||||||
IDWD50E65E7XKSA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers INDUSTRY 14 | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDWD60E65E7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: INDUSTRY 14 Packaging: Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDWD60E65E7XKSA1 | Infineon Technologies | INDUSTRY 14 | товар відсутній | |||||||||||||||
IDWD75E65E7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: INDUSTRY 14 Packaging: Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDWD75E65E7XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Switching 650V 100A | товар відсутній |