Продукція > IPB

MOSFET N-Ch 30V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

на замовлення 1880 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IPB009N03L G
Код товару: 132260

товар відсутній

IPB009N03LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 227 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25000 pF @ 15 V

товар відсутній

IPB009N03LGATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 180A; 250W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 180A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.95mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level

товар відсутній

IPB009N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB009N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB009N03LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 227 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25000 pF @ 15 V

товар відсутній

IPB009N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB009N03LGATMA1

товар відсутній

IPB009N03LGATMA1

MOSFET N-Ch 30V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

на замовлення 13 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	310.77 грн
10+	275.62 грн
100+	196.28 грн
500+	167.57 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB010N06N

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB010N06N

MOSFET N-Ch 60V 180A D2PAK-6

на замовлення 953 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	525.75 грн
10+	444.53 грн
25+	350.5 грн
100+	322.46 грн
250+	303.1 грн
500+	284.4 грн
1000+	243.68 грн

IPB010N06NATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 180A; 300W; PG-TO263-7
Technology: OptiMOS™
Mounting: SMD
Case: PG-TO263-7
On-state resistance: 1mΩ
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Power dissipation: 300W
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 180A
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPB010N06NATMA1

MOSFET N-Ch 60V 180A D2PAK-6

на замовлення 1317 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	524.97 грн
10+	442.99 грн
25+	383.88 грн
100+	319.79 грн
250+	318.45 грн
500+	281.07 грн
1000+	253.03 грн

IPB010N06NATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 45A/180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 208 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 30 V

на замовлення 4973 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	491.08 грн
10+	405.16 грн
100+	337.62 грн
500+	279.57 грн

IPB010N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	236 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB010N06NATMA1

Description: INFINEON - IPB010N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 A, 800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1994 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	551.21 грн
10+	393.19 грн
50+	361.73 грн
200+	315.73 грн
500+	273.46 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB010N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB010N06NATMA1

товар відсутній

IPB010N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB010N06NATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 45A/180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 208 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 30 V

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	278.42 грн
2000+	251.23 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB010N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB011N04L G

MOSFET N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

на замовлення 1918 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	380.87 грн
10+	315.55 грн
25+	259.03 грн
100+	222.32 грн
250+	209.63 грн
500+	198.28 грн
1000+	167.57 грн

IPB011N04LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 346 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29000 pF @ 20 V

на замовлення 2493 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	350.98 грн
10+	283.46 грн
100+	229.33 грн
500+	191.31 грн

IPB011N04LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB011N04LGATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 250W; PG-TO263-7
Mounting: SMD
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Case: PG-TO263-7
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
On-state resistance: 1.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET

товар відсутній

IPB011N04LGATMA1

MOSFET N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

на замовлення 733 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	376.98 грн
10+	312.48 грн
25+	265.71 грн
100+	220.98 грн
250+	216.31 грн
500+	196.95 грн
1000+	165.57 грн

IPB011N04LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 346 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29000 pF @ 20 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	181.26 грн
2000+	164.36 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB011N04LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB011N04LGATMA1

товар відсутній

IPB011N04LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	101.25 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB011N04N

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB011N04N (транзисторы)
Код товару: 50026

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2

товар відсутній

IPB011N04N G

MOSFET N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

на замовлення 4820 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	241.45 грн
10+	199.62 грн
25+	166.9 грн
100+	140.87 грн
250+	140.2 грн
500+	125.51 грн
1000+	102.14 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB011N04NF2SATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 201A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 249µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 20 V

на замовлення 733 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	207.99 грн
10+	168.22 грн
100+	136.12 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB011N04NF2SATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 266 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	225.88 грн
10+	188.1 грн
25+	154.22 грн
100+	131.52 грн
250+	124.84 грн
500+	117.5 грн
800+	100.14 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB011N04NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB011N04NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPB011N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 201 A, 740 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 201A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 740µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 594 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	244.15 грн
10+	173 грн
100+	140.05 грн
500+	104.31 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPB011N04NF2SATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 201A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 249µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 20 V

товар відсутній

IPB011N04NF2SATMA1

на замовлення 594 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	140.05 грн
500+	104.31 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPB011N04NG

на замовлення 15 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB011N04NGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	69.71 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB011N04NGATMA1

Description: INFINEON - IPB011N04NGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 250W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 900µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 1942 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	273.36 грн
10+	218.69 грн
100+	179.74 грн
500+	141.87 грн
1000+	128.39 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB011N04NGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB011N04NGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 20 V

на замовлення 3618 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	221.71 грн
10+	179.63 грн
100+	145.32 грн
500+	121.23 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB011N04NGATMA1

товар відсутній

IPB011N04NGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB011N04NGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB011N04NGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 20 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	114.86 грн
2000+	104.15 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB011N04NGATMA1

товар відсутній

IPB012N04NF2SATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 197A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 189µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 239 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 20 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	110.83 грн

Мінімальне замовлення: 800

IPB012N04NF2SATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 293 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	210.3 грн
10+	171.98 грн
100+	119.5 грн
250+	110.16 грн
500+	100.14 грн
800+	84.79 грн
2400+	80.78 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB012N04NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 41A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB012N04NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 41A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB012N04NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPB012N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 197 A, 820 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 197A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 820µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 709 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	227.67 грн
10+	167.76 грн
100+	123.57 грн
500+	101.53 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPB012N04NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 41A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	84 грн
10+	80.37 грн
25+	79.89 грн
100+	72.78 грн
250+	65.76 грн
500+	55.26 грн

Мінімальне замовлення: 7

IPB012N04NF2SATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 197A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 189µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 239 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 20 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	197.88 грн
10+	158.42 грн
100+	126.12 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB012N04NF2SATMA1

на замовлення 709 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	123.57 грн
500+	101.53 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPB012N04NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 41A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

130+	90.46 грн
136+	86.56 грн
137+	86.04 грн
144+	78.37 грн
250+	70.82 грн
500+	59.51 грн

Мінімальне замовлення: 130

IPB013N06NF2SATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 198A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 246µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 30 V

товар відсутній

IPB013N06NF2SATMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 798 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	276.5 грн
10+	229.56 грн
25+	188.27 грн
100+	160.89 грн
250+	152.22 грн
500+	143.54 грн
800+	122.17 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB013N06NF2SATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 198A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 246µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 30 V

на замовлення 930 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	257.82 грн
10+	208.42 грн
100+	168.62 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB013N06NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB014N04NF2SATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 191A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 126µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 159 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 20 V

на замовлення 616 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	122.05 грн
10+	97.15 грн
100+	77.34 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB014N04NF2SATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 289 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	130.07 грн
10+	107.49 грн
100+	74.11 грн
250+	68.1 грн
500+	61.82 грн
800+	52.87 грн
2400+	50.27 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB014N04NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB014N04NF2SATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 191A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 126µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 159 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 20 V

товар відсутній

IPB014N04NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB014N04NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

245+	47.9 грн
246+	47.76 грн
256+	45.74 грн
261+	43.34 грн
500+	36.32 грн

Мінімальне замовлення: 245

IPB014N04NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	45.94 грн
14+	44.48 грн
25+	44.35 грн
100+	40.95 грн
250+	37.26 грн
500+	32.37 грн

Мінімальне замовлення: 13

IPB014N06N

на замовлення 7 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB014N06N

MOSFET N-Ch 60V 180A D2PAK-6

на замовлення 130 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	321.68 грн
10+	266.41 грн
25+	218.31 грн
100+	187.6 грн
250+	176.92 грн
500+	166.9 грн
1000+	141.53 грн

IPB014N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB014N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB014N06NATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 34A/180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 143µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 30 V

товар відсутній

IPB014N06NATMA1

MOSFET N-Ch 60V 180A D2PAK-6

на замовлення 150 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	320.9 грн
10+	265.64 грн
25+	217.64 грн
100+	186.93 грн
250+	176.25 грн
500+	165.57 грн
1000+	142.2 грн

IPB014N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB014N06NATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 180A; 214W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 180A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPB014N06NATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 34A/180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 143µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 30 V

на замовлення 1874 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	299.7 грн
10+	242.36 грн
100+	196.04 грн
500+	163.54 грн

IPB014N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	88.01 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB014N06NATMA1

товар відсутній

IPB014N06NE8197ATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R (incomplete reels from part IPB014N06NATMA1)

товар відсутній

IPB015N04L G

MOSFET N-Ch 40V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

товар відсутній

IPB015N04LGATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 250W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 260nC
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPB015N04LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB015N04LGATMA1

товар відсутній

IPB015N04LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 346 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 25 V

на замовлення 1708 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	311.98 грн
10+	252.58 грн
100+	204.34 грн
500+	170.46 грн

IPB015N04LGATMA1

MOSFET N-Ch 40V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

товар відсутній

IPB015N04LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB015N04LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 346 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 25 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	161.51 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB015N04LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	116.05 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB015N04N
Код товару: 62499

товар відсутній

IPB015N04N G

MOSFET N-Ch 40V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 975 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	299.87 грн
10+	247.98 грн
25+	203.62 грн
100+	174.25 грн
250+	164.23 грн
500+	155.55 грн
1000+	131.52 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB015N04NGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB015N04NGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	160.81 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB015N04NGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	98.92 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB015N04NGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 20 V

на замовлення 2165 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	280.2 грн
10+	226.57 грн
100+	183.29 грн
500+	152.9 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB015N04NGATMA1

товар відсутній

IPB015N04NGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	160.59 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB015N04NGATMA1

MOSFET N-Ch 40V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	299.87 грн
10+	248.75 грн
25+	212.97 грн
100+	174.91 грн
250+	172.24 грн
500+	155.55 грн
1000+	132.85 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB015N04NGATMA1

товар відсутній

IPB015N04NGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 20 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	144.87 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB015N06NF2SATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 186µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 30 V

товар відсутній

IPB015N06NF2SATMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 756 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	186.93 грн
10+	152.78 грн
100+	105.48 грн
250+	97.47 грн
500+	88.79 грн
800+	75.44 грн
2400+	72.1 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB015N06NF2SATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 186µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 30 V

на замовлення 691 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	172.6 грн
10+	137.9 грн
100+	109.72 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB015N08N5

MOSFET TRENCH 40<-<100V

товар відсутній

IPB015N08N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 180A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB015N08N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB015N08N5ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 180A; 375W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 180A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPB015N08N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 279µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 222 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16900 pF @ 40 V

товар відсутній

IPB015N08N5ATMA1

товар відсутній

IPB015N08N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB015N08N5ATMA1

MOSFET N-Ch 80V 180A D2PAK-2

на замовлення 5729 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	498.48 грн
10+	420.73 грн
25+	343.82 грн
100+	267.05 грн
250+	264.37 грн
500+	249.02 грн
1000+	235.67 грн

IPB015N08N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 279µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 222 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16900 pF @ 40 V

на замовлення 982 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	469.42 грн
10+	387.49 грн
100+	322.92 грн
500+	267.4 грн

IPB015N08N5ATMA1

Description: INFINEON - IPB015N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 180 A, 0.0011 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pins
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm

на замовлення 2285 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	538.48 грн
10+	423.14 грн
100+	359.48 грн
500+	296.95 грн
1000+	244.58 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB016N06L3 G

MOSFET N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

на замовлення 1958 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	279.62 грн
10+	231.86 грн
25+	190.27 грн
100+	163.57 грн
250+	154.22 грн
500+	145.54 грн
1000+	122.84 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB016N06L3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 237 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

41+	288.71 грн
48+	247.91 грн
57+	208.2 грн
100+	134.8 грн

Мінімальне замовлення: 41

IPB016N06L3GATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 180A; 250W; PG-TO263-7
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Case: PG-TO263-7
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 180A
On-state resistance: 1.6mΩ
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPB016N06L3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 196µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 30 V

на замовлення 9490 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	254.93 грн
10+	205.99 грн
100+	166.64 грн
500+	139.01 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB016N06L3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	109.04 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB016N06L3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB016N06L3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 196µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 30 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	131.71 грн
2000+	119.43 грн
5000+	114.58 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB016N06L3GATMA1

Description: INFINEON - IPB016N06L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 A, 0.0012 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 250
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

на замовлення 987 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	322.79 грн
10+	289.83 грн
100+	237.41 грн
500+	187.77 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB016N06L3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB016N06L3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 237 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	268.09 грн
10+	230.2 грн
25+	193.33 грн
100+	125.17 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB016N06L3GATMA1

MOSFET N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

на замовлення 672 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	275.72 грн
10+	231.86 грн
25+	188.93 грн
100+	161.56 грн
250+	158.22 грн
500+	145.54 грн
1000+	122.17 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB016N06L3GATMA1

товар відсутній

IPB016N08NF2SATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 267µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 40 V

на замовлення 960 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	279.48 грн
10+	225.95 грн
100+	182.82 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB016N08NF2SATMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 695 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	303.76 грн
10+	251.06 грн
25+	211.63 грн
100+	176.92 грн
250+	171.58 грн
500+	160.89 грн
800+	126.85 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB016N08NF2SATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 267µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 40 V

товар відсутній

IPB016N08NF2SATMA1

SP005571685

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	106.71 грн

Мінімальне замовлення: 800

IPB017N06N3 G

MOSFET N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

на замовлення 771 шт:

термін постачання 403-412 дні (днів)

2+	255.47 грн
10+	211.13 грн
25+	173.58 грн
100+	148.88 грн
250+	140.2 грн
500+	132.19 грн
1000+	112.83 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB017N06N3GATMA1

Description: INFINEON - IPB017N06N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 A, 0.0013 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 250W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0013ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 337 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	290.58 грн
10+	232.17 грн
100+	190.98 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB017N06N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	83.34 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB017N06N3GATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 180A; 250W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 180A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPB017N06N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 196µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 30 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	233.26 грн
10+	188.67 грн
100+	152.61 грн
500+	127.31 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB017N06N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB017N06N3GATMA1

MOSFET N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

на замовлення 3053 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	264.04 грн
10+	227.26 грн
100+	162.23 грн
500+	140.2 грн
1000+	116.16 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB017N06N3GATMA1

товар відсутній

IPB017N06N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 196µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 30 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	120.62 грн
2000+	109.37 грн
5000+	104.93 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB017N06N3GXT

MOSFET N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

товар відсутній

IPB017N08N5

MOSFET N-Ch 80V 120A D2PAK-2

на замовлення 876 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	449.41 грн
10+	379.27 грн
25+	299.09 грн
100+	274.39 грн
250+	258.37 грн
500+	242.34 грн
1000+	217.64 грн

IPB017N08N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 177A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB017N08N5ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 375W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPB017N08N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16900 pF @ 40 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	237.85 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB017N08N5ATMA1

товар відсутній

IPB017N08N5ATMA1

MOSFET N-Ch 80V 120A D2PAK-2

на замовлення 177 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	448.64 грн
10+	380.04 грн
100+	275.06 грн
250+	273.05 грн
500+	243.01 грн
1000+	217.64 грн
2000+	208.3 грн

IPB017N08N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16900 pF @ 40 V

на замовлення 2302 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	419.59 грн
10+	346.05 грн
100+	288.42 грн
500+	238.83 грн

IPB017N10N5

MOSFET TRENCH >=100V

товар відсутній

IPB017N10N5

Trans MOSFET N-CH 100V 180A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	613.62 грн
25+	587.26 грн
50+	564.89 грн
100+	526.23 грн
250+	472.47 грн
500+	441.23 грн

Мінімальне замовлення: 20

IPB017N10N5

на замовлення 987 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB017N10N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 279µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15600 pF @ 50 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	279.13 грн
2000+	251.86 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB017N10N5ATMA1

Description: INFINEON - IPB017N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 0.0015 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 375W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 7063 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	502.53 грн
25+	432.13 грн
100+	335.89 грн
1000+	270.25 грн

Мінімальне замовлення: 10

IPB017N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 180A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB017N10N5ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 375W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPB017N10N5ATMA1

MOSFET N-Ch 100V 180A D2PAK-2

на замовлення 10035 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	527.3 грн
10+	445.3 грн
25+	369.86 грн
100+	323.12 грн
250+	315.78 грн
500+	285.07 грн
1000+	253.03 грн

IPB017N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 180A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB017N10N5ATMA1

товар відсутній

IPB017N10N5ATMA1

Description: INFINEON - IPB017N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 0.0015 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 375W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0015ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 7063 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	577.42 грн
10+	502.53 грн
25+	432.13 грн
100+	335.89 грн
1000+	270.25 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB017N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 180A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB017N10N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 279µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15600 pF @ 50 V

на замовлення 3003 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	492.52 грн
10+	406.2 грн
100+	338.47 грн
500+	280.27 грн

IPB017N10N5E8187ATMA1

OptiMOS5Power-Transistor,100VPG-TO 263-7

товар відсутній

IPB017N10N5LFATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 578 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	589.8 грн
28+	430.66 грн
50+	381.93 грн
100+	345.27 грн
200+	301.93 грн
500+	270.25 грн

Мінімальне замовлення: 20

IPB017N10N5LFATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 50 V

на замовлення 8405 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	579.19 грн
10+	478.32 грн
100+	398.64 грн
500+	330.1 грн

IPB017N10N5LFATMA1

MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS

на замовлення 9405 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	629.34 грн
10+	532.05 грн
25+	455.98 грн
100+	385.88 грн
500+	340.48 грн
1000+	305.77 грн
2000+	291.75 грн

IPB017N10N5LFATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 50 V

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	328.74 грн
2000+	296.64 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB017N10N5LFATMA1

Description: INFINEON - IPB017N10N5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 0.0015 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 313W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 289 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	566.94 грн
25+	491.29 грн
100+	385.27 грн

Мінімальне замовлення: 10

IPB017N10N5LFATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	282.73 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB017N10N5LFATMA1

Description: INFINEON - IPB017N10N5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 0.0015 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 313W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0015ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 289 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	686.76 грн
10+	566.94 грн
25+	491.29 грн
100+	385.27 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB018N06NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	66.62 грн

Мінімальне замовлення: 800

IPB018N06NF2SATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 187A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 129µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 30 V

на замовлення 775 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	153.82 грн
10+	132.97 грн
100+	106.88 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB018N06NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	67.04 грн

Мінімальне замовлення: 800

IPB018N06NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB018N06NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

75+	156.34 грн
91+	129.94 грн
92+	128.54 грн
113+	100.63 грн
250+	86.2 грн
500+	57.74 грн

Мінімальне замовлення: 75

IPB018N06NF2SATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 187A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 129µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 30 V

товар відсутній

IPB018N06NF2SATMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 121 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	148.77 грн
10+	122.07 грн
100+	84.12 грн
250+	77.44 грн
500+	70.77 грн
800+	60.29 грн
2400+	57.28 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB018N06NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 23200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	71.92 грн

Мінімальне замовлення: 800

IPB018N06NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	145.18 грн
10+	120.66 грн
25+	119.36 грн
100+	93.44 грн
250+	80.04 грн
500+	53.62 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPB018N10N5ATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 53 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	450.97 грн
10+	381.57 грн
25+	300.43 грн
100+	276.39 грн
250+	260.37 грн
500+	249.69 грн
1000+	211.63 грн

IPB018N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 33A T/R

товар відсутній

IPB018N10N5ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 176A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.83mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 50 V

на замовлення 434 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	410.92 грн
10+	339.37 грн
100+	282.81 грн

IPB018N10N5ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 176A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.83mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 50 V

товар відсутній

IPB019N06L3 G

MOSFET N-Ch 60V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 677 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	262.48 грн
10+	217.27 грн
25+	178.25 грн
100+	152.88 грн
250+	144.87 грн
500+	136.86 грн
1000+	115.5 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB019N06L3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	95.02 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB019N06L3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 196µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 30 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	124.8 грн
2000+	113.16 грн
5000+	108.56 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB019N06L3GATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 250W; PG-TO263-3
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
On-state resistance: 1.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 50 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	167.16 грн
5+	150.79 грн
8+	131.02 грн
21+	123.51 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB019N06L3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB019N06L3GATMA1

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	139.3 грн
5+	121 грн
8+	109.18 грн
21+	102.92 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB019N06L3GATMA1

MOSFET N-Ch 60V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 6308 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	261.7 грн
10+	216.51 грн
25+	177.59 грн
100+	152.22 грн
250+	144.2 грн
500+	135.53 грн
1000+	109.49 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB019N06L3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 196µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 30 V

на замовлення 7726 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	241.21 грн
10+	195.14 грн
100+	157.9 грн
500+	131.72 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB019N06L3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB019N08N3 G

MOSFET N-Ch 80V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

на замовлення 88 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	444.74 грн
10+	375.43 грн
25+	296.42 грн
100+	271.72 грн
250+	256.36 грн
500+	245.68 грн
1000+	208.3 грн

IPB019N08N3 G

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB019N08N3G

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 180A; 300W; PG-TO263-7
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-7
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 180A
On-state resistance: 1.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1000 шт

товар відсутній

IPB019N08N3G

Trans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	485.98 грн
26+	465.11 грн
50+	447.38 грн
100+	416.77 грн
250+	374.19 грн
500+	349.45 грн
1000+	340.9 грн

Мінімальне замовлення: 25

IPB019N08N3G

товар відсутній

IPB019N08N3GATMA1

Description: INFINEON - IPB019N08N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 180 A, 0.0016 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm

на замовлення 2501 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	451.6 грн
10+	332.52 грн
100+	287.59 грн
500+	249.66 грн
1000+	200.28 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB019N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB019N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 180A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB019N08N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14200 pF @ 40 V

на замовлення 7000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	235.12 грн
2000+	212.16 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB019N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	258.57 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB019N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	237.26 грн
2000+	229.48 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB019N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 180A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	177.59 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB019N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1780 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	242.06 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB019N08N3GATMA1

MOSFET N-Ch 80V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

на замовлення 944 шт:

термін постачання 215-224 дні (днів)

1+	405.02 грн
10+	347.03 грн
100+	263.04 грн
250+	259.03 грн
500+	234.33 грн
1000+	208.3 грн

IPB019N08N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14200 pF @ 40 V

на замовлення 7622 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	414.53 грн
10+	342.08 грн
100+	285.11 грн
500+	236.09 грн

IPB019N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 855 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

27+	444.59 грн
32+	375.96 грн
50+	286.45 грн
200+	258.95 грн
500+	211.35 грн

Мінімальне замовлення: 27

IPB019N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1780 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

45+	260.68 грн

Мінімальне замовлення: 45

IPB019N08N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 224W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 154µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8970 pF @ 40 V

на замовлення 847 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	348.81 грн
10+	281.79 грн
100+	227.94 грн
500+	190.15 грн

IPB019N08N5ATMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

товар відсутній

IPB019N08N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 224W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 154µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8970 pF @ 40 V

товар відсутній

IPB019N08N5ATMA1

Trench Power Transistor IC

товар відсутній

IPB019N08N5ATMA1

Trench Power Transistor IC

товар відсутній

IPB019N08NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	126.18 грн

Мінімальне замовлення: 800

IPB019N08NF2SATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 166A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 194µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8700 pF @ 40 V

на замовлення 447 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	209.43 грн
10+	169.41 грн
100+	137.03 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB019N08NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 30400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	122.85 грн

Мінімальне замовлення: 800

IPB019N08NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPB019N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 166 A, 0.0016 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 166
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: TBC
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8
euEccn: TBC
Verlustleistung: 250
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	239.66 грн
10+	214.94 грн
100+	176.75 грн
500+	139.09 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPB019N08NF2SATMA1

SP005571690

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	79.45 грн

Мінімальне замовлення: 800

IPB019N08NF2SATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 166A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 194µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8700 pF @ 40 V

товар відсутній

IPB019N08NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	119.66 грн

Мінімальне замовлення: 800

IPB019N08NF2SATMA1

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	176.75 грн
500+	139.09 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPB019N08NF2SATMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 317 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	227.43 грн
10+	188.87 грн
25+	158.89 грн
100+	132.85 грн
250+	128.85 грн
500+	118.17 грн
800+	94.8 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB020N04N G

MOSFET N-Ch 40V 140A D2PAK-6 OptiMOS 3

на замовлення 939 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	211.86 грн
10+	172.74 грн
100+	119.5 грн
250+	112.16 грн
500+	102.14 грн
1000+	86.79 грн
2000+	82.78 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB020N04NGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 140A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9700 pF @ 20 V

на замовлення 3448 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	195.71 грн
10+	156.47 грн
100+	124.57 грн
500+	98.92 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB020N04NGATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 140A; 167W; PG-TO263-7
Mounting: SMD
Power dissipation: 167W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 140A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-7
On-state resistance: 2mΩ

товар відсутній

IPB020N04NGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 140A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 3515 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	109.72 грн
10+	105.2 грн
25+	103.84 грн
100+	95.06 грн
250+	85.77 грн
500+	79.25 грн
1000+	76.49 грн
3000+	75.72 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPB020N04NGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 140A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9700 pF @ 20 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	92.88 грн
2000+	84.96 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB020N04NGATMA1

товар відсутній

IPB020N04NGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 140A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB020N04NGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 140A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB020N08N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 173A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB020N08N5ATMA1

MOSFET N-Ch 80V 120A D2PAK-2

на замовлення 493 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	302.21 грн
10+	250.29 грн
25+	210.97 грн
100+	176.25 грн
250+	170.91 грн
500+	156.22 грн
1000+	128.85 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB020N08N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 173A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	95.8 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB020N08N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 208µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12100 pF @ 40 V

на замовлення 5611 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	278.04 грн
10+	225.04 грн
100+	182.03 грн
500+	151.85 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB020N08N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 173A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	192.6 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPB020N08N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 208µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12100 pF @ 40 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	143.87 грн
2000+	130.45 грн
5000+	125.16 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB020N10N5

на замовлення 215 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB020N10N5

MOSFET N-Ch 100V 120A D2PAK-2

на замовлення 506 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	487.58 грн
10+	412.28 грн
25+	324.46 грн
100+	298.42 грн
250+	280.4 грн
500+	263.04 грн
1000+	237 грн

IPB020N10N5ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 375W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1000 шт

товар відсутній

IPB020N10N5ATMA1

товар відсутній

IPB020N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 176A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	230.55 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB020N10N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15600 pF @ 50 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	258.36 грн
2000+	233.13 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB020N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 176A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB020N10N5ATMA1

MOSFET N-Ch 100V 120A D2PAK-2

на замовлення 2365 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	488.36 грн
10+	412.28 грн
25+	342.49 грн
100+	298.42 грн
250+	295.75 грн
500+	263.71 грн
1000+	237 грн

IPB020N10N5ATMA1

Description: INFINEON - IPB020N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0017 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm

на замовлення 3239 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	364.73 грн
50+	325.46 грн
100+	287.59 грн
250+	270.25 грн

Мінімальне замовлення: 10

IPB020N10N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15600 pF @ 50 V

на замовлення 2832 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	455.69 грн
10+	375.95 грн
100+	313.29 грн
500+	259.42 грн

IPB020N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 176A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 750 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	401.8 грн
10+	347.19 грн
25+	332.41 грн
100+	257.18 грн
250+	229.34 грн
500+	207.5 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB020N10N5ATMA1

на замовлення 3239 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	514.51 грн
5+	439.62 грн
10+	364.73 грн
50+	325.46 грн
100+	287.59 грн
250+	270.25 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB020N10N5LF

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 313W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 313W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1000 шт

товар відсутній

IPB020N10N5LF

товар відсутній

IPB020N10N5LFATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 176A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1830 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	622.15 грн

Мінімальне замовлення: 19

IPB020N10N5LFATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 176A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1830 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	577.71 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB020N10N5LFATMA1

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB020N10N5LFATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 176A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 176A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 50 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	310.9 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB020N10N5LFATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 176A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	884.2 грн
15+	799.66 грн
50+	711.14 грн
100+	624.37 грн
200+	558.58 грн
500+	492.75 грн
1000+	445.86 грн

Мінімальне замовлення: 14

IPB020N10N5LFATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 176A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB020N10N5LFATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	277.28 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB020N10N5LFATMA1

MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS

на замовлення 1947 шт:

термін постачання 161-170 дні (днів)

1+	587.28 грн
10+	495.97 грн
100+	359.18 грн
500+	307.1 грн
1000+	285.07 грн

IPB020N10N5LFATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 176A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 176A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 50 V

на замовлення 1539 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	548.13 грн
10+	452.38 грн
100+	377 грн
500+	312.18 грн

IPB020NE7N3 G

MOSFET N-Ch 75V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 2950 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	441.63 грн
10+	384.65 грн
25+	332.47 грн
100+	270.38 грн
500+	241.01 грн
1000+	205.62 грн
2000+	193.61 грн

IPB020NE7N3 G

Rochester Electronics, LLC

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB020NE7N3G

Description: IPB020NE7 - 12V-300V N-CHANNEL P

на замовлення 5372 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPB020NE7N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 75V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	192.51 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB020NE7N3GATMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

товар відсутній

IPB020NE7N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 273µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14400 pF @ 37.5 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	221.28 грн
2000+	200.64 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB020NE7N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 75V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB020NE7N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 75V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB020NE7N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 273µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14400 pF @ 37.5 V

на замовлення 6894 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	428.25 грн
10+	346.05 грн
100+	279.96 грн
500+	233.54 грн

IPB020NE7N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 75V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB021N06N3 G

Rochester Electronics, LLC

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IPB021N06N3G

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

товар відсутній

IPB021N06N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 196µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 30 V

товар відсутній

IPB021N06N3GXT

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB022N04L G

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB022N04LG

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 20 V

на замовлення 1840 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

335+	61.52 грн

Мінімальне замовлення: 335

IPB022N04LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 90A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 20 V

товар відсутній

IPB022N04LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 90A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 20 V

товар відсутній

IPB022N04LGXT

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB022N12NM6ATMA1

TRENCH >=100V

товар відсутній

IPB023N04N G

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IPB023N04NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPB023N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 122 A, 0.0019 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 122A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	146.79 грн
10+	110.84 грн
100+	79.39 грн
500+	56.96 грн
1000+	48.34 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPB023N04NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 794 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	65.05 грн
10+	61.64 грн
25+	61.19 грн
100+	55.06 грн
250+	49.66 грн
500+	40.7 грн

Мінімальне замовлення: 9

IPB023N04NF2SATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 122A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.35mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 81µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 20 V

товар відсутній

IPB023N04NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	63.18 грн

Мінімальне замовлення: 800

IPB023N04NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	47.43 грн

Мінімальне замовлення: 800

IPB023N04NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 794 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

177+	66.38 грн
178+	65.9 грн
191+	61.49 грн
250+	57.76 грн
500+	45.66 грн

Мінімальне замовлення: 177

IPB023N04NF2SATMA1

на замовлення 1100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	79.39 грн
500+	56.96 грн
1000+	48.34 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPB023N04NF2SATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 284 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	131.63 грн
10+	108.25 грн
100+	75.44 грн
250+	69.43 грн
500+	62.69 грн
800+	53.61 грн
2400+	50.94 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB023N04NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	62.78 грн

Мінімальне замовлення: 800

IPB023N04NF2SATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 122A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.35mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 81µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 20 V

на замовлення 761 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	121.33 грн
10+	97.01 грн
100+	77.24 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB023N04NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB023N04NG

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 20 V

товар відсутній

IPB023N04NGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 90A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 20 V

товар відсутній

IPB023N04NGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 90A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 20 V

товар відсутній

IPB023N04NGXT

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB023N06N3 G

MOSFET N-Ch 60V 140A D2PAK-6

на замовлення 393 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IPB023N06N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 140A TO263-7

товар відсутній

IPB023N06N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 140A TO263-7

товар відсутній

IPB023N06N3GXT

Trans MOSFET N-CH 60V 140A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB024N08N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 154µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8970 pF @ 40 V

на замовлення 990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	262.15 грн
10+	211.9 грн
100+	171.42 грн
500+	142.99 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB024N08N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 166A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	169.57 грн
10+	163.56 грн
25+	161.97 грн
100+	154.51 грн
250+	141.51 грн
500+	134.36 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPB024N08N5ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 375W; PG-TO263-3
Mounting: SMD
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-3
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
On-state resistance: 2.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET

товар відсутній

IPB024N08N5ATMA1

Description: INFINEON - IPB024N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.0021 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 264 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	352.74 грн
10+	287.59 грн
25+	265.12 грн
100+	225.32 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB024N08N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 166A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	91.13 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB024N08N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 166A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 16000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	162.65 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB024N08N5ATMA1

товар відсутній

IPB024N08N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 154µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8970 pF @ 40 V

товар відсутній

IPB024N08N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 166A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB024N08N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 166A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

65+	182.62 грн
67+	176.14 грн
68+	174.43 грн
100+	166.39 грн
250+	152.39 грн
500+	144.69 грн

Мінімальне замовлення: 65

IPB024N08N5ATMA1

на замовлення 264 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	287.59 грн
25+	265.12 грн
100+	225.32 грн

Мінімальне замовлення: 10

IPB024N08N5ATMA1

MOSFET N-Ch 80V 120A D2PAK-2

на замовлення 1001 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	197.06 грн
10+	171.98 грн
25+	148.88 грн
100+	130.85 грн
250+	130.18 грн
500+	121.51 грн
1000+	119.5 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB024N08NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPB024N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 161 A, 0.002 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 161A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 690 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	242.65 грн
10+	193.97 грн
25+	164.76 грн
100+	125.87 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPB024N08NF2SATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 107A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200 pF @ 40 V

на замовлення 769 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	199.32 грн
10+	161.2 грн
100+	130.37 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB024N08NF2SATMA1

на замовлення 690 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	125.87 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPB024N08NF2SATMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 619 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	216.53 грн
10+	178.89 грн
25+	151.55 грн
100+	126.18 грн
250+	122.17 грн
500+	112.16 грн
800+	90.13 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB024N08NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB024N08NF2SATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 107A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200 pF @ 40 V

товар відсутній

IPB024N08NF2SATMA1

SP005571694

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	72.59 грн

Мінімальне замовлення: 800

IPB024N08NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 29600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	116.88 грн

Мінімальне замовлення: 800

IPB024N10N5ATMA1

MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS

на замовлення 2978 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	435.39 грн
10+	360.84 грн
25+	296.42 грн
100+	253.69 грн
250+	239.67 грн
500+	225.65 грн
1000+	181.59 грн

IPB024N10N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 183µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10200 pF @ 50 V

на замовлення 463 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	400.81 грн
10+	324.07 грн
100+	262.18 грн

IPB024N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 180A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB024N10N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 183µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10200 pF @ 50 V

товар відсутній

IPB024N10N5E8197ATMA1

IPB024N10N5E8197ATMA1

товар відсутній

IPB025N08N3 G

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14200 pF @ 40 V

товар відсутній

IPB025N08N3 G

MOSFET N-Ch 80V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 8425 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	310.77 грн
10+	266.41 грн
25+	228.99 грн
100+	188.27 грн
500+	176.92 грн
1000+	167.57 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB025N08N3GATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 300W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPB025N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

27+	437.62 грн
32+	370.98 грн
50+	282.47 грн
200+	256.08 грн
500+	207.8 грн
1000+	194.37 грн

Мінімальне замовлення: 27

IPB025N08N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14200 pF @ 40 V

на замовлення 15101 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	369.75 грн
10+	298.76 грн
100+	241.66 грн
500+	201.59 грн

IPB025N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	118.39 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB025N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB025N08N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14200 pF @ 40 V

на замовлення 14000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	191.01 грн
2000+	173.19 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB025N08N3GATMA1

Description: INFINEON - IPB025N08N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.002 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm

на замовлення 5617 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	368.47 грн
10+	280.85 грн
100+	223.18 грн
500+	194.72 грн
1000+	161.13 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB025N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB025N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	477.02 грн
100+	455.39 грн
250+	417.48 грн
500+	396.7 грн

Мінімальне замовлення: 25

IPB025N08N3GATMA1

товар відсутній

IPB025N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	451.71 грн
10+	402.89 грн
25+	398.98 грн
100+	313.62 грн
250+	287.48 грн
500+	233.33 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB025N10N3 G

MOSFET N-Ch 100V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

на замовлення 1460 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	475.12 грн
10+	401.54 грн
25+	316.45 грн
100+	291.08 грн
250+	273.72 грн
500+	256.36 грн
1000+	230.99 грн

IPB025N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 3800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	613.34 грн
22+	554.83 грн
50+	486.57 грн
100+	446.63 грн
200+	397.88 грн
500+	353.54 грн
1000+	320.95 грн
2000+	301.72 грн

Мінімальне замовлення: 20

IPB025N10N3GATMA1

Description: INFINEON - IPB025N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 0.002 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm

на замовлення 14200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	522 грн
10+	369.97 грн
100+	319.79 грн
500+	278.17 грн
1000+	231.74 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB025N10N3GATMA1
Код товару: 133145

товар відсутній

IPB025N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	248.37 грн
2000+	235.12 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB025N10N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800 pF @ 50 V

на замовлення 446 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	440.53 грн
10+	356.69 грн
100+	288.52 грн

IPB025N10N3GATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 300W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced

на замовлення 960 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	336.27 грн
3+	280.95 грн
4+	215.58 грн
11+	203.76 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB025N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 180A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB025N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 61000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	268.23 грн
2000+	251.57 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB025N10N3GATMA1

на замовлення 960 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	403.52 грн
3+	350.11 грн
4+	258.7 грн
11+	244.51 грн
1000+	241.18 грн

IPB025N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 61000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	288.86 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB025N10N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800 pF @ 50 V

товар відсутній

IPB025N10N3GATMA1

MOSFET N-Ch 100V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

на замовлення 37 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	475.9 грн
10+	402.3 грн
25+	347.16 грн
100+	291.75 грн
250+	290.41 грн
500+	257.03 грн
1000+	230.99 грн

IPB025N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 180A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	164.34 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB025N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	344.09 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB025N10N3GE8187ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800 pF @ 50 V

товар відсутній

IPB025N10N3GE818XT

MOSFET N-Ch 100V 180A D2PAK-6

товар відсутній

IPB025N10N3GE8197ATMA1

SP001227196

товар відсутній

IPB025N10N3GE8197ATMA1

SP001227196

товар відсутній

IPB026N06N

MOSFET N-Ch 60V 100A D2PAK-2

на замовлення 1522 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	171.35 грн
10+	140.5 грн
100+	96.8 грн
250+	89.46 грн
500+	82.12 грн
1000+	68.76 грн
2000+	66.43 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB026N06N

Description: MOSFET N-CH 60V 25A TO263-3

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPB026N06N

Description: MOSFET N-CH 60V 25A TO263-3

на замовлення 1928 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPB026N06N

Description: MOSFET N-CH 60V 25A TO263-3

на замовлення 1928 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPB026N06NATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 136W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPB026N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

59+	201.47 грн
65+	180.6 грн
66+	178.79 грн
100+	140.02 грн
250+	128.35 грн
500+	104.9 грн
1000+	85.85 грн

Мінімальне замовлення: 59

IPB026N06NATMA1

товар відсутній

IPB026N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 32000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	48.91 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB026N06NATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 25A/100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 75µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 30 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	74.38 грн
2000+	68.04 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB026N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	187.08 грн
10+	167.7 грн
25+	166.02 грн
100+	130.02 грн
250+	119.18 грн
500+	97.41 грн
1000+	79.72 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPB026N06NATMA1

MOSFET N-Ch 60V 100A D2PAK-2

на замовлення 1150 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	140.2 грн
10+	112.86 грн
100+	83.45 грн
250+	74.77 грн
500+	67.43 грн
1000+	64.29 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB026N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB026N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB026N06NATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 25A/100A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 75µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 30 V

на замовлення 2943 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	156.71 грн
10+	125.32 грн
100+	99.76 грн
500+	79.22 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB026N10NF2SATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 162A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 169µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 50 V

на замовлення 1644 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	288.87 грн
10+	233.25 грн
100+	188.66 грн

IPB026N10NF2SATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 788 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	313.89 грн
10+	260.27 грн
25+	212.97 грн
100+	182.26 грн
250+	172.91 грн
500+	162.9 грн
800+	138.2 грн

IPB026N10NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPB026N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 162 A, 0.0022 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 414 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	353.49 грн
10+	284.59 грн
100+	232.92 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB026N10NF2SATMA1

SP005571706

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	97.36 грн

Мінімальне замовлення: 800

IPB026N10NF2SATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 162A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 169µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 50 V

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	174.15 грн
1600+	143.59 грн

Мінімальне замовлення: 800

IPB026N10NF2SATMA1

на замовлення 414 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	232.92 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPB027N10N3 G

Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

36+	334.15 грн
37+	319.79 грн
50+	307.6 грн
100+	286.55 грн
250+	257.28 грн
500+	240.27 грн
1000+	234.39 грн

Мінімальне замовлення: 36

IPB027N10N3 G

на замовлення 300 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB027N10N3 G

MOSFET N-Ch 100V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 7532 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	237.56 грн
10+	232.63 грн
1000+	196.28 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB027N10N3GATMA1

Description: INFINEON - IPB027N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0023 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm

на замовлення 4558 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	311.55 грн
10+	241.9 грн
50+	237.41 грн
200+	215.58 грн
500+	195.15 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB027N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	137.08 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB027N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1256 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

50+	236.1 грн

Мінімальне замовлення: 50

IPB027N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

54+	217.5 грн
56+	209.22 грн
100+	202.12 грн
250+	188.99 грн
500+	170.22 грн

Мінімальне замовлення: 54

IPB027N10N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800 pF @ 50 V

на замовлення 10504 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	434.03 грн
10+	350.98 грн
100+	283.97 грн
500+	236.88 грн

IPB027N10N3GATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 300W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPB027N10N3GATMA1

MOSFET N-Ch 100V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 2049 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	471.22 грн
10+	390.02 грн
25+	329.13 грн
100+	274.39 грн
250+	266.38 грн
500+	243.68 грн
1000+	204.96 грн

IPB027N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB027N10N3GATMA1

Description: INFINEON - IPB027N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0023 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm

на замовлення 11140 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	307.81 грн
100+	305.56 грн
500+	254.53 грн
1000+	189.37 грн

Мінімальне замовлення: 10

IPB027N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1850 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	512.22 грн
32+	372.97 грн
50+	331.21 грн
100+	300.19 грн
200+	261.97 грн
500+	234.45 грн
1000+	219.95 грн

Мінімальне замовлення: 23

IPB027N10N3GATMA1

товар відсутній

IPB027N10N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800 pF @ 50 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	224.45 грн
2000+	203.51 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB027N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1256 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	450.84 грн
10+	386.66 грн
25+	376.67 грн
100+	297.35 грн
250+	221.71 грн
500+	161.37 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB027N10N3GE8187ATMA1

Description: MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete

товар відсутній

IPB027N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 166A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 2064 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

26+	452.54 грн
31+	382.93 грн
50+	291.41 грн
100+	280.05 грн
200+	244.21 грн
500+	206.31 грн
1000+	201.19 грн
2000+	193.52 грн

Мінімальне замовлення: 26

IPB027N10N5ATMA1

MOSFET N-Ch 100V 120A D2PAK-2

на замовлення 2387 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	365.3 грн
10+	310.94 грн
25+	258.37 грн
100+	224.99 грн
250+	220.98 грн
500+	198.28 грн
1000+	179.59 грн

IPB027N10N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 184µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 50 V

на замовлення 2347 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	381.31 грн
10+	308.15 грн
100+	249.3 грн
500+	207.96 грн

IPB027N10N5ATMA1

Description: INFINEON - IPB027N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 166 A, 0.0024 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 166A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 1173 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	443.36 грн
10+	340.01 грн
100+	280.85 грн
500+	232.27 грн
1000+	191.94 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB027N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 166A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

48+	248.73 грн

Мінімальне замовлення: 48

IPB027N10N5ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 250W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPB027N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 166A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB027N10N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 184µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 50 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	197.04 грн
2000+	178.66 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB027N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 166A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 736 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

43+	272.72 грн
45+	261.01 грн
50+	251.06 грн
100+	233.88 грн
250+	209.99 грн
500+	196.11 грн

Мінімальне замовлення: 43

IPB027N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 166A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB027N10N5ATMA1

на замовлення 1173 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	340.01 грн
100+	280.85 грн
500+	232.27 грн
1000+	191.94 грн

Мінімальне замовлення: 10

IPB027N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 166A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	385.58 грн
10+	327.19 грн
25+	313.79 грн
100+	255.02 грн
250+	227.79 грн
500+	170 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB027N10N5ATMA1

товар відсутній

IPB029N06N3 G

MOSFET N-Ch 60V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 1935 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	153.44 грн
10+	125.91 грн
100+	86.79 грн
250+	80.11 грн
500+	73.44 грн
1000+	61.89 грн
2000+	59.55 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB029N06N3GATMA1

MOSFET N-Ch 60V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 1043 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	154.22 грн
10+	126.68 грн
100+	87.46 грн
250+	84.12 грн
500+	73.44 грн
1000+	62.09 грн
2000+	59.55 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB029N06N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	39.1 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB029N06N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 118µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V

на замовлення 29422 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	142.27 грн
10+	113.49 грн
100+	90.32 грн
500+	71.72 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB029N06N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	75.12 грн

Мінімальне замовлення: 8

IPB029N06N3GATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 188W; PG-TO263-3
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
On-state resistance: 2.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 188W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPB029N06N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 118µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V

на замовлення 28000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	67.34 грн
2000+	61.6 грн
5000+	59.28 грн
10000+	53.79 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB029N06N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB029N06N3GATMA1

товар відсутній

IPB029N06N3GATMA1
Код товару: 150736

товар відсутній

IPB029N06N3GE8187ATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A T/R

товар відсутній

IPB029N06N3GE8187ATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 118µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V

товар відсутній

IPB029N06N3GE8187ATMA1

MOSFET N-Ch 60V 120A D2PAK-2

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IPB029N06N3GE8187ATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A T/R

товар відсутній

IPB029N06N3GE8187ATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 118µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V

товар відсутній

IPB029N06NF2SATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 30 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	67.67 грн

Мінімальне замовлення: 800

IPB029N06NF2SATMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 55 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	132.41 грн
10+	109.02 грн
100+	75.44 грн
250+	69.43 грн
500+	63.36 грн
800+	53.94 грн
2400+	51.27 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB029N06NF2SATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 30 V

на замовлення 1058 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	120.6 грн
10+	96.73 грн
100+	77.01 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB029N06NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB030N08N3 G

MOSFET N-Ch 80V 160A D2PAK-6 OptiMOS 3

на замовлення 2676 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	290.52 грн
10+	240.31 грн
25+	197.61 грн
100+	168.91 грн
250+	159.56 грн
500+	150.21 грн
1000+	121.51 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB030N08N3GATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 160A; 214W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 160A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPB030N08N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 160A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 155µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8110 pF @ 40 V

на замовлення 2748 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	265.04 грн
10+	214.26 грн
100+	173.35 грн
500+	144.6 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB030N08N3GATMA1

Description: INFINEON - IPB030N08N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 160 A, 0.0025 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm

на замовлення 2300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	280.85 грн
10+	199.21 грн
100+	161.02 грн
500+	141.17 грн
1000+	111.7 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB030N08N3GATMA1

товар відсутній

IPB030N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 160A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	81 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB030N08N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 160A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 155µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8110 pF @ 40 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	137.01 грн
2000+	124.23 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB031N08N5

MOSFET N-Ch 80V 120A D2PAK-2

на замовлення 982 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	207.18 грн
10+	171.21 грн
25+	140.87 грн
100+	120.17 грн
250+	114.16 грн
500+	107.49 грн
1000+	91.46 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB031N08N5ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 167W; PG-TO263-3
Power dissipation: 167W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TO263-3
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
On-state resistance: 3.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET

товар відсутній

IPB031N08N5ATMA1

MOSFET N-Ch 80V 120A D2PAK-2

на замовлення 36 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	207.96 грн
10+	171.98 грн
100+	120.84 грн
250+	120.17 грн
500+	107.49 грн
1000+	86.79 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB031N08N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 17000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	83.34 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB031N08N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 40 V

на замовлення 5623 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	234.71 грн
10+	189.44 грн
100+	153.24 грн
500+	127.84 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB031N08N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB031N08N5ATMA1

товар відсутній

IPB031N08N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 40 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	121.12 грн
2000+	109.83 грн
5000+	105.37 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB031N08N5ATMA1

Rochester Electronics, LLC

Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB031NE7N3 G

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

товар відсутній

IPB031NE7N3 G

MOSFET N-Ch 75V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 9 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	335.7 грн
10+	297.89 грн
100+	212.3 грн
500+	180.26 грн

IPB031NE7N3G

Description: IPB031NE7 - 12V-300V N-CHANNEL P

товар відсутній

IPB031NE7N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 75V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 874 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	127.27 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPB031NE7N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3-2

на замовлення 3216 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPB031NE7N3GATMA1

MOSFET N-Ch 75V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 315-324 дні (днів)

1+	346.6 грн
10+	305.57 грн
100+	217.64 грн
250+	204.96 грн

IPB031NE7N3GATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 100A; 214W; PG-TO263-3
Power dissipation: 214W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TO263-3
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 100A
On-state resistance: 3.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPB031NE7N3GATMA1

товар відсутній

IPB031NE7N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 75V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB032N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 166A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	327.29 грн
10+	295.31 грн
25+	281.89 грн
100+	242.26 грн
250+	213.54 грн
500+	190.14 грн
1000+	179.71 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB032N10N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 166A TO263-7

товар відсутній

IPB032N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 166A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB032N10N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 166A TO263-7

товар відсутній

IPB032N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 166A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB032N10N5ATMA1

MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS

на замовлення 998 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	430.72 грн
10+	380.81 грн
100+	271.72 грн
500+	231.66 грн
1000+	190.94 грн
25000+	190.27 грн

IPB032N10N5ATMA1

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB033N10N5LF

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 108A; 179W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 108A
Power dissipation: 179W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPB033N10N5LF

товар відсутній

IPB033N10N5LFATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 50 V

товар відсутній

IPB033N10N5LFATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 159A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB033N10N5LFATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB033N10N5LFATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 159A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1030 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	473.37 грн
10+	395.43 грн
25+	382.46 грн
100+	303.7 грн
250+	278.36 грн
500+	247.3 грн
1000+	197.19 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB033N10N5LFATMA1

MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS

на замовлення 5763 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	477.45 грн
10+	393.86 грн
25+	337.14 грн
100+	275.06 грн
250+	273.05 грн
500+	212.97 грн
1000+	208.96 грн

IPB033N10N5LFATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 50 V

на замовлення 447 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	441.97 грн
10+	357.45 грн
100+	289.15 грн

IPB033N10N5LFATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 159A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1030 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	509.78 грн
28+	425.85 грн
29+	411.88 грн
100+	327.07 грн
250+	299.77 грн
500+	266.32 грн
1000+	212.36 грн

Мінімальне замовлення: 23

IPB033N10N5LFATMA1

Description: INFINEON - IPB033N10N5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0027 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm

на замовлення 6086 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	536.23 грн
10+	429.88 грн
25+	391.69 грн
100+	328.24 грн
500+	263.19 грн
1000+	220.18 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB034N03L G

MOSFET N-Ch 30V 80A D2PAK-2 OptiMOS 3

товар відсутній

IPB034N03LG

07+

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB034N03LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

товар відсутній

IPB034N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB034N03LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPB034N03LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

товар відсутній

IPB034N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 785 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	89.6 грн
10+	88.71 грн
25+	87.81 грн
100+	83.83 грн
250+	76.85 грн
500+	65.04 грн

Мінімальне замовлення: 7

IPB034N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB034N06L3 G

MOSFET N-Ch 60V 90A D2PAK-2 OptiMOS 3

товар відсутній

IPB034N06L3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 90A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	63.73 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB034N06L3GATMA1

MOSFET N-Ch 60V 90A D2PAK-2 OptiMOS 3

товар відсутній

IPB034N06L3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	36.69 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB034N06L3GATMA1

Description: INFINEON - IPB034N06L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 0.0027 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 167W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0027ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	153.53 грн
10+	124.32 грн
100+	98.86 грн
500+	75.11 грн
1000+	68.05 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPB034N06L3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 90A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V

на замовлення 1632 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	134.32 грн
10+	107.44 грн
100+	85.49 грн
500+	67.88 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB034N06L3GATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 167W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1000 шт

товар відсутній

IPB034N06L3GATMA1

товар відсутній

IPB034N06N3G

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V

на замовлення 3146 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

315+	64.24 грн

Мінімальне замовлення: 315

IPB034N06N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V

товар відсутній

IPB034N06N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V

товар відсутній

IPB034N06N3GATMA2

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V

товар відсутній

IPB034N06N3GATMA2

N-channel MOSFET

товар відсутній

IPB034N06N3GATMA2

MOSFET TRENCH 40<-<100V

товар відсутній

IPB035N08N3 G

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB035N08N3 G

MOSFET N-Ch 80V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 437 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	275.72 грн
10+	228.79 грн
25+	187.6 грн
100+	160.89 грн
250+	151.55 грн
500+	142.87 грн
1000+	126.85 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB035N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB035N08N3GATMA1

MOSFET N-Ch 80V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 562 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	304.54 грн
10+	251.82 грн
25+	208.96 грн
100+	176.92 грн
250+	172.24 грн
500+	156.89 грн
1000+	134.19 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB035N08N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 155µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8110 pF @ 40 V

на замовлення 1941 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	280.2 грн
10+	226.29 грн
100+	183.08 грн
500+	152.72 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB035N08N3GATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 214W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 214W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TO263-3
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
On-state resistance: 3.5mΩ

товар відсутній

IPB035N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB035N08N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 155µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8110 pF @ 40 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	144.7 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB035N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB035N08N3GATMA1

товар відсутній

IPB035N12NM6ATMA1

IPB035N12NM6ATMA1

товар відсутній

IPB035N12NM6ATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

товар відсутній

IPB035N12NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)

товар відсутній

IPB036N12N3 G

Description: MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7

на замовлення 5518 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPB036N12N3 G

MOSFET N-Ch 120V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

на замовлення 40 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	446.3 грн
10+	376.97 грн
25+	297.09 грн
100+	273.05 грн
250+	257.03 грн
500+	241.68 грн
1000+	206.29 грн

IPB036N12N3 G

Description: MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7

на замовлення 5518 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPB036N12N3 G

на замовлення 270 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB036N12N3G

на замовлення 188 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB036N12N3GATMA1

Description: INFINEON - IPB036N12N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 180 A, 0.0029 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0029
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

на замовлення 3490 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	514.51 грн
10+	465.08 грн
100+	384.95 грн
500+	310.86 грн
1000+	270.25 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB036N12N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 60 V

на замовлення 2010 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	416.7 грн
10+	343.61 грн
100+	286.36 грн
500+	237.11 грн

IPB036N12N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 120V 180A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB036N12N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 60 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	236.14 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB036N12N3GATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 180A; 300W; PG-TO263-3
Mounting: SMD
Case: PG-TO263-3
On-state resistance: 3.6mΩ
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 180A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 120V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPB036N12N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 120V 180A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB036N12N3GATMA1

MOSFET N-Ch 120V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

на замовлення 3875 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	535.09 грн
10+	476.78 грн
100+	343.15 грн
500+	298.42 грн
1000+	281.07 грн
2000+	265.04 грн

IPB036N12N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 120V 180A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	176.03 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB036N12N3GATMA1

товар відсутній

IPB037N06N3 G

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3

на замовлення 2504 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPB037N06N3 G

TO-263

на замовлення 28000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB037N06N3 G

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3

на замовлення 2504 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPB037N06N3 G

MOSFET N-Ch 60V 90A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 995 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	134.75 грн
10+	110.56 грн
100+	76.11 грн
250+	70.77 грн
500+	64.56 грн
1000+	54.54 грн
2000+	51.87 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB037N06N3 G

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPB037N06N3GATMA1

MOSFET N-Ch 60V 90A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 1084 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	105.93 грн
10+	90.6 грн
100+	58.28 грн
250+	58.02 грн
500+	53.41 грн
1000+	50.27 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB037N06N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 90A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V

на замовлення 3995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	124.94 грн
10+	100.28 грн
100+	79.81 грн
500+	63.38 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB037N06N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB037N06N3GATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 188W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPB037N06N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 90A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	59.51 грн
2000+	54.44 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB037N06N3GATMA1

товар відсутній

IPB038N12N3 G

на замовлення 252 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB038N12N3 G

MOSFET N-Ch 120V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 6751 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	352.83 грн
10+	343.19 грн
25+	272.39 грн
100+	256.36 грн
250+	255.03 грн
500+	241.01 грн
1000+	216.97 грн

IPB038N12N3GATMA1

IPB038N12N3GATMA1 SMD N channel transistors

товар відсутній

IPB038N12N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 120V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB038N12N3GATMA1

MOSFET N-Ch 120V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 4563 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	581.05 грн
10+	474.47 грн
100+	372.53 грн
250+	361.85 грн

IPB038N12N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 120V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 60 V

на замовлення 2420 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	416.7 грн
10+	343.61 грн
100+	286.36 грн
500+	237.11 грн

IPB038N12N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 120V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1680 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	413.39 грн
10+	348.2 грн
25+	344.43 грн
100+	257.53 грн
250+	236.06 грн
500+	206.13 грн
1000+	172.29 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB038N12N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 120V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 60 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	236.14 грн
2000+	213.08 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB038N12N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 120V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB039N04LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V

товар відсутній

IPB039N04LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB039N04LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V

товар відсутній

IPB039N04LGXT

Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB039N10N3 G

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB039N10N3 G

MOSFET N-Ch 100V 160A D2PAK-6 OptiMOS 3

на замовлення 3963 шт:

термін постачання 147-156 дні (днів)

2+	211.86 грн
10+	175.82 грн
25+	144.2 грн
100+	123.51 грн
250+	116.83 грн
500+	110.82 грн
1000+	93.47 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB039N10N3G

на замовлення 39 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB039N10N3GATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 160A; 214W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 160A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPB039N10N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V

на замовлення 29000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	102.26 грн
2000+	92.73 грн
5000+	88.96 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB039N10N3GATMA1

MOSFET N-Ch 100V 160A D2PAK-6 OptiMOS 3

на замовлення 1682 шт:

термін постачання 147-156 дні (днів)

2+	211.86 грн
10+	175.05 грн
25+	148.88 грн
100+	122.84 грн
250+	120.17 грн
500+	105.48 грн
1000+	91.46 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB039N10N3GATMA1

Description: INFINEON - IPB039N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 160 A, 0.0033 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Anzahl der Pins: 7Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm

на замовлення 4889 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	233.66 грн
10+	164.76 грн
100+	134.06 грн
500+	116.83 грн
1000+	87.3 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPB039N10N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V

на замовлення 29709 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	197.88 грн
10+	159.95 грн
100+	129.38 грн
500+	107.93 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB039N10N3GATMA1

товар відсутній

IPB039N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 160A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	74.31 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB039N10N3GE8187ATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

товар відсутній

IPB039N10N3GE8187ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V

товар відсутній

IPB039N10N3GE8187ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 160A

товар відсутній

IPB039N10N3GE8197ATMA1

SP001227198

товар відсутній

IPB039N10N3GE8197ATMA1

SP001227198

товар відсутній

IPB039N10N3GE8197ATMA1

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V

товар відсутній

IPB03N03LA

TO-263

на замовлення 22000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB03N03LA

09+

на замовлення 5030 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB03N03LA

07+;

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB03N03LA

Description: MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3

товар відсутній

IPB03N03LA

07+ to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB03N03LA

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB03N03LA G

Description: MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3

товар відсутній

IPB03N03LA G

Description: MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3

товар відсутній

IPB03N03LAG

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

322+	61.39 грн

Мінімальне замовлення: 322

IPB03N03LAG

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB03N03LB

07+ to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB03N03LB

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB03N03LB

Description: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

товар відсутній

IPB03N03LB G

Description: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7624 pF @ 15 V

на замовлення 787 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	111.22 грн
10+	91.8 грн
100+	79.44 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB03N03LB G

Description: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7624 pF @ 15 V

товар відсутній

IPB03N03LBG

Description: OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPB0401NM5S

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB0401NM5SATMA1

SP004565816

товар відсутній

IPB0401NM5SATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active

товар відсутній

IPB0401NM5SATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

товар відсутній

IPB0401NM5SATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active

на замовлення 990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	316.31 грн
10+	255.57 грн
100+	206.77 грн
500+	172.48 грн

IPB040N08NF2SATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 107A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 40 V

на замовлення 790 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	191.38 грн
10+	154.66 грн
100+	125.08 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB040N08NF2SATMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 799 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	218.09 грн
10+	193.47 грн
100+	138.2 грн
500+	117.5 грн
800+	93.47 грн
4800+	90.13 грн
9600+	88.79 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB040N08NF2SATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 107A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 40 V

товар відсутній

IPB040N08NF2SATMA1

SP005571698

товар відсутній

IPB041N04N G

TO-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB041N04N G

MOSFET N-Ch 40V 80A D2PAK-2

товар відсутній

IPB041N04NGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 20 V

товар відсутній

IPB041N04NGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB041N04NGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 20 V

товар відсутній

IPB041N04NGXT

Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB042N03L G

TO-263

на замовлення 28000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB042N03L G

MOSFET N-Ch 30V 70A D2PAK-2 OptiMOS 3

товар відсутній

IPB042N03LGATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

товар відсутній

IPB042N03LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 70A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V

товар відсутній

IPB042N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB042N03LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 70A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V

товар відсутній

IPB042N10N3 G

Trans MOSFET N-CH 100V 137A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

67+	176.35 грн
69+	169.64 грн
100+	163.88 грн
250+	153.23 грн
500+	138.03 грн
1000+	129.26 грн

Мінімальне замовлення: 67

IPB042N10N3 G

MOSFET N-Ch 100V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 3785 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	206.4 грн
10+	168.91 грн
100+	117.5 грн
250+	108.15 грн
500+	98.81 грн
1000+	83.45 грн
2000+	80.11 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB042N10N3 G

на замовлення 167000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB042N10N3 G E8187

MOSFET N-Ch 100V 100A D2PAK-2

товар відсутній

IPB042N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 137A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	93.02 грн
2000+	89.03 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB042N10N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V

на замовлення 37000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	91.9 грн
2000+	84.07 грн
5000+	80.91 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB042N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 137A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	92.68 грн
2000+	88.71 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB042N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 137A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	72.36 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB042N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 137A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 219 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

64+	184.85 грн
106+	110.54 грн
107+	109.43 грн
109+	104.47 грн

Мінімальне замовлення: 64

IPB042N10N3GATMA1

Description: INFINEON - IPB042N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0036 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 579 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	223.93 грн
10+	164.76 грн
100+	121.33 грн
500+	102.23 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPB042N10N3GATMA1
Код товару: 117738

товар відсутній

IPB042N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 137A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 721 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

105+	112.28 грн
110+	107.25 грн
250+	102.95 грн
500+	95.7 грн

Мінімальне замовлення: 105

IPB042N10N3GATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 214W; PG-TO263-3
Mounting: SMD
Case: PG-TO263-3
Power dissipation: 214W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
On-state resistance: 4.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPB042N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 137A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1235 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

92+	127.31 грн
102+	115.37 грн
124+	94.48 грн
200+	85.26 грн
1000+	69.89 грн

Мінімальне замовлення: 92

IPB042N10N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V

на замовлення 37445 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	193.54 грн
10+	154.87 грн
100+	123.26 грн
500+	97.88 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB042N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 137A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 219 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	171.64 грн
10+	102.64 грн
25+	101.61 грн
100+	97.01 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPB042N10N3GATMA1

товар відсутній

IPB042N10N3GATMA1

MOSFET N-Ch 100V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 14812 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	185.37 грн
10+	145.11 грн
100+	110.16 грн
250+	107.49 грн
500+	94.13 грн
1000+	81.45 грн
2000+	77.44 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB042N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 137A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 7000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	96.72 грн
2000+	91.99 грн
5000+	89.36 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB042N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 137A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 7000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	104.16 грн
2000+	99.07 грн
5000+	96.23 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB042N10N3GATMA1

на замовлення 579 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	121.33 грн
500+	102.23 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPB042N10N3GE8187ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V

товар відсутній

IPB042N10N3GE8187ATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

товар відсутній

IPB042N10N3GE8187ATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

IPB042N10N3GE8187ATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

IPB042N10N3GE818XT

MOSFET N-Ch 100V 100A D2PAK-2

товар відсутній

IPB042N10NF2SATMA1

SP005557198

товар відсутній

IPB042N10NF2SATMA1

Infineon

товар відсутній

IPB042N10NF2SATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Discontinued at Digi-Key

товар відсутній

IPB043N10NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB043N10NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 3200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	68.58 грн

Мінімальне замовлення: 800

IPB043N10NF2SATMA1

Description: AUTOMOTIVE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 135A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.35mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 50 V

на замовлення 547 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	129.99 грн
10+	104.11 грн
100+	82.87 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB043N10NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPB043N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 135 A, 0.0038 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 135A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: TBC
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: TBC
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	112.34 грн
500+	86.93 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPB043N10NF2SATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 217 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	140.98 грн
10+	116.7 грн
100+	80.78 грн
250+	74.77 грн
500+	67.43 грн
800+	57.48 грн
2400+	54.61 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB043N10NF2SATMA1

Description: AUTOMOTIVE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 135A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.35mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 50 V

товар відсутній

IPB043N10NF2SATMA1

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	167.01 грн
10+	138.55 грн
100+	112.34 грн
500+	86.93 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPB044N15N5ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 123A; Idm: 696A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 123A
Pulsed drain current: 696A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1000 шт

товар відсутній

IPB044N15N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 974 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	754.73 грн

Мінімальне замовлення: 16

IPB044N15N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 150V 174A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 174A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 87A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 264µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 75 V

на замовлення 1692 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	571.96 грн
10+	472.27 грн
100+	393.58 грн
500+	325.9 грн

IPB044N15N5ATMA1

Description: INFINEON - IPB044N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 174 A, 0.0034 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 174A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 3324 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	519.75 грн
5+	494.29 грн
10+	468.83 грн
50+	398.48 грн
100+	333.16 грн
250+	326.75 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB044N15N5ATMA1

товар відсутній

IPB044N15N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPB044N15N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	275.72 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB044N15N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 2880 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	821.54 грн
20+	598.75 грн
50+	531.12 грн
100+	481.46 грн
200+	420.05 грн
500+	375.96 грн
1000+	352.94 грн
2000+	352.09 грн

Мінімальне замовлення: 15

IPB044N15N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 150V 174A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 174A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 87A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 264µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 75 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	324.57 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB044N15N5ATMA1

на замовлення 3324 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	468.83 грн
50+	398.48 грн
100+	333.16 грн
250+	326.75 грн

Мінімальне замовлення: 10

IPB044N15N5ATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 10527 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	475.12 грн
10+	423.03 грн
100+	329.8 грн
500+	305.77 грн
1000+	283.74 грн

IPB044N15N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB044N15N5E8187ATMA1

SP004531436

товар відсутній

IPB048N06L

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB048N06L

07+ to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB048N06LG

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB048N06LG

07+ to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB048N06LG

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO-263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 30 V

товар відсутній

IPB048N06LG

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB048N06LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 30 V

товар відсутній

IPB048N06LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB048N06LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 30 V

товар відсутній

IPB048N06LGXT

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB048N06LGXT

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB048N15N5

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB048N15N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 150V 120A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 264µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 75 V

на замовлення 155 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	513.47 грн
10+	423.59 грн
100+	352.97 грн

IPB048N15N5ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 118A; Idm: 480A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 118A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO 263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1000 шт

товар відсутній

IPB048N15N5ATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 1601 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	557.68 грн
10+	471.4 грн
25+	395.23 грн
100+	341.82 грн
250+	337.81 грн
500+	301.09 грн
1000+	285.07 грн

IPB048N15N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 150V 120A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 264µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 75 V

товар відсутній

IPB048N15N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 953 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	250.8 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB048N15N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 953 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	559.82 грн
10+	477.15 грн
25+	454.95 грн
100+	377.25 грн
250+	340.85 грн
500+	290.42 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB048N15N5ATMA1

товар відсутній

IPB048N15N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 952 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	601.54 грн
23+	512.7 грн
25+	488.84 грн
100+	405.36 грн
250+	366.24 грн
500+	312.06 грн

Мінімальне замовлення: 20

IPB048N15N5LF

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 115A; 313W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 115A
Power dissipation: 313W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPB048N15N5LF

товар відсутній

IPB048N15N5LFATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	309.22 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB048N15N5LFATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	496.97 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB048N15N5LFATMA1

Description: MOSFET N-CH 150V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 255µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 75 V

на замовлення 898 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	628.29 грн
10+	518.65 грн
100+	432.23 грн
500+	357.91 грн

IPB048N15N5LFATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1006 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	886.37 грн
17+	714.75 грн
50+	677.69 грн
100+	590.49 грн
200+	514.54 грн
500+	450.5 грн
1000+	437.12 грн

Мінімальне замовлення: 14

IPB048N15N5LFATMA1

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB048N15N5LFATMA1

Description: MOSFET N-CH 150V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 255µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 75 V

товар відсутній

IPB048N15N5LFATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	318.42 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB048N15N5LFATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 635 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	688.53 грн
10+	581.96 грн
25+	492.03 грн
100+	421.26 грн
250+	413.92 грн
500+	379.87 грн
1000+	334.47 грн

IPB048N15N5LFATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	296.34 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB049N06L3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3

товар відсутній

IPB049N06L3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3

товар відсутній

IPB049N06L3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB049N06L3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3

товар відсутній

IPB049N08N5ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 320A; 125W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 320A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPB049N08N5ATMA1

товар відсутній

IPB049N08N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 66µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 40 V

на замовлення 1859 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	156.71 грн
10+	125.39 грн
100+	99.84 грн
500+	79.28 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB049N08N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB049N08N5ATMA1

MOSFET N-Ch 80V 80A D2PAK-2

на замовлення 696 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	170.58 грн
10+	138.96 грн
100+	96.8 грн
250+	92.8 грн
500+	81.45 грн
1000+	68.76 грн
2000+	65.83 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB049N08N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 66µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 40 V

товар відсутній

IPB049NE7N3 G

MOSFET N-Ch 75V 80A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 130 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	246.13 грн
10+	218.04 грн
100+	151.55 грн
500+	124.84 грн
1000+	104.15 грн
2000+	98.14 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB049NE7N3G

на замовлення 366 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB049NE7N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 75V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB049NE7N3GATMA1

IPB049NE7N3GATMA1 SMD N channel transistors

товар відсутній

IPB049NE7N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK

на замовлення 4680 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	233.99 грн
10+	202.37 грн
100+	162.66 грн
500+	125.42 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB049NE7N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 75V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB049NE7N3GATMA1

MOSFET N-Ch 75V 80A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 564 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	260.93 грн
10+	231.86 грн
100+	162.23 грн
500+	133.52 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB049NE7N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	115.65 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB049NE7N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 75V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	63.09 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB04CN10NG

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB04CN10NGANBRUCH

0825

на замовлення 1 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB04CN10NGANBRUCH

inf

07+

на замовлення 10 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB04CN10NGANBRUCH

07+

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB04CN10NGXT

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB04N03L

07+ to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB04N03L

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB04N03LA

07+ to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB04N03LA

Description: MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3877 pF @ 15 V

товар відсутній

IPB04N03LA

MOSFET

товар відсутній

IPB04N03LA

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB04N03LA

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB04N03LA G

TO-263

на замовлення 62000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB04N03LA G

Description: MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3877 pF @ 15 V

товар відсутній

IPB04N03LA G

Description: MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3877 pF @ 15 V

товар відсутній

IPB04N03LA G

MOSFET N-Ch 25V 80A D2PAK-2

товар відсутній

IPB04N03LAG

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB04N03LAG

MOSFET N-Ch 25V 80A D2PAK-2

товар відсутній

IPB04N03LAG

07+ to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB04N03LAG

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3877 pF @ 15 V

товар відсутній

IPB04N03LAGATMA1

MOSFET

товар відсутній

IPB04N03LAT

Description: MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3877 pF @ 15 V

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	80.16 грн
10+	63.01 грн
100+	55.17 грн
500+	48.62 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPB04N03LAT

товар відсутній

IPB04N03LAT

MOSFET

товар відсутній

IPB04N03LB

07+ to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB04N03LB

MOSFET N-KANAL POWER MOS

товар відсутній

IPB04N03LB

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB04N03LB

Description: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5203 pF @ 15 V

товар відсутній

IPB04N03LB G

Description: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5203 pF @ 15 V

товар відсутній

IPB04N03LBG

MOSFET N-Ch 30V 80A D2PAK-2

товар відсутній

IPB050N06N G

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IPB050N06NG

07+ to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB050N06NG

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB050N06NGATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 30 V

товар відсутній

IPB050N06NGATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB050N06NGATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 30 V

товар відсутній

IPB050N06NGXT

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB050N10NF2SATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 103A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.05mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 50 V

товар відсутній

IPB050N10NF2SATMA1

MOSFET

на замовлення 800 шт:

термін постачання 175-184 дні (днів)

3+	144.87 грн
10+	118.23 грн
100+	82.12 грн
250+	75.44 грн
500+	68.76 грн
800+	58.82 грн
2400+	55.81 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB050N10NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPB050N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 103 A, 0.0045 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	84.63 грн
500+	70.24 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPB050N10NF2SATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 103A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.05mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 50 V

на замовлення 813 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	135.05 грн
10+	107.93 грн
100+	85.91 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB050N10NF2SATMA1

SP005571710

товар відсутній

IPB050N10NF2SATMA1

на замовлення 600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	158.02 грн
10+	116.83 грн
100+	84.63 грн
500+	70.24 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPB051NE8N G

MOSFET N-Ch 85V 100A D2PAK-2

товар відсутній

IPB051NE8NG

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

на замовлення 775 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

198+	103.44 грн

Мінімальне замовлення: 198

IPB051NE8NG

07+ to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB051NE8NG

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB051NE8NGATMA1

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

товар відсутній

IPB051NE8NGXT

Trans MOSFET N-CH 85V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB051NE8NGXT

Trans MOSFET N-CH 85V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB052N04N G

Trans MOSFET N-CH 40V 70A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IPB052N04N G

TO-263

на замовлення 42000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB052N04N G

MOSFET N-Ch 40V 70A D2PAK-2

на замовлення 870 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IPB052N04NG

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TO-263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 20 V

на замовлення 1989 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

693+	28.67 грн

Мінімальне замовлення: 693

IPB052N04NGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 20 V

товар відсутній

IPB052N04NGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 20 V

товар відсутній

IPB054N06N3 G

MOSFET N-Ch 60V 80A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 974 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	130.85 грн
10+	107.49 грн
100+	74.77 грн
250+	68.1 грн
500+	63.36 грн
1000+	53.48 грн
2000+	50.81 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB054N06N3G

на замовлення 161 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB054N06N3G

Description: IPB054N06 - 12V-300V N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 58µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 30 V

товар відсутній

IPB054N06N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB054N06N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 58µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 30 V

на замовлення 3338 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	122.77 грн
10+	98.19 грн
100+	78.16 грн
500+	62.07 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB054N06N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1255 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	29.68 грн

Мінімальне замовлення: 11

IPB054N06N3GATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 115W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 115W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPB054N06N3GATMA1

товар відсутній

IPB054N06N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 58µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 30 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	58.27 грн
2000+	53.31 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB054N06N3GATMA1

MOSFET N-Ch 60V 80A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 645 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	131.63 грн
10+	107.49 грн
100+	74.77 грн
250+	74.11 грн
500+	63.36 грн
1000+	53.48 грн
2000+	50.81 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB054N06N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB054N08N3 G

MOSFET N-Ch 80V 80A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 170 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	137.86 грн
10+	112.86 грн
100+	77.44 грн
250+	72.1 грн
500+	65.23 грн
1000+	56.15 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB054N08N3G

на замовлення 1900 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB054N08N3GATMA1

MOSFET N-Ch 80V 80A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 3377 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	137.08 грн
10+	107.49 грн
100+	77.44 грн
250+	65.83 грн
500+	60.75 грн
1000+	53.54 грн
2000+	51.67 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB054N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB054N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB054N08N3GATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 80A; 150W; PG-TO263-3
Kind of channel: enhanced
On-state resistance: 5.4mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 80A
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Case: PG-TO263-3
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 3

товар відсутній

IPB054N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB054N08N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 40 V

на замовлення 2888 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	127.1 грн
10+	101.67 грн
100+	80.89 грн
500+	64.24 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB054N08N3GATMA1

товар відсутній

IPB054N08N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 40 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	60.31 грн
2000+	55.17 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB055N03L G
Код товару: 61412

товар відсутній

IPB055N03L G

MOSFET N-Ch 30V 50A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 413 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IPB055N03LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 15 V

товар відсутній

IPB055N03LGATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 68W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPB055N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB055N03LGATMA1

товар відсутній

IPB055N08NF2SATMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 674 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	128.52 грн
10+	105.95 грн
100+	73.44 грн
250+	70.1 грн
500+	60.89 грн
800+	49.54 грн
4800+	48 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB055N08NF2SATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 94A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 55µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 40 V

на замовлення 598 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	117.71 грн
10+	94.44 грн
100+	75.18 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB055N08NF2SATMA1

SP005571702

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	40.35 грн

Мінімальне замовлення: 800

IPB055N08NF2SATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 94A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 55µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 40 V

товар відсутній

IPB056N06N

MOSFET 60V TO-263

товар відсутній

IPB057N06N

MOSFET N-Ch 60V 45A D2PAK-2

на замовлення 259 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	110.6 грн
10+	90.6 грн
100+	62.69 грн
250+	57.88 грн
500+	52.54 грн
1000+	44.93 грн
2000+	42.73 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB057N06N
Код товару: 176082

товар відсутній

IPB057N06NATMA1

MOSFET N-Ch 60V 45A D2PAK-2

на замовлення 2068 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	110.6 грн
10+	90.6 грн
100+	62.69 грн
250+	59.95 грн
500+	52.47 грн
1000+	45.87 грн
2000+	43.66 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB057N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB057N06NATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 45A; 83W; PG-TO263-3
Kind of channel: enhanced
On-state resistance: 5.7mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 45A
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Case: PG-TO263-3
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPB057N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB057N06NATMA1

товар відсутній

IPB057N06NATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 17A/45A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V

товар відсутній

IPB057N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB057N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 160 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	127.43 грн
10+	114.07 грн
25+	105.58 грн
100+	87.25 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPB057N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 160 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

96+	122.85 грн
103+	113.7 грн
121+	97.44 грн

Мінімальне замовлення: 96

IPB057N06NATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 17A/45A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V

на замовлення 460 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	101.83 грн
10+	81.43 грн
100+	64.81 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB05CN10N G

Description: MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 181 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 50 V

товар відсутній

IPB05CN10NG

07+ to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB05CN10NG

INFINE0N

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB05CN10NG

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB05CN10NGXT

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB05CN10NGXT

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 375 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	152.27 грн
10+	149.86 грн
25+	147.44 грн
50+	139.93 грн
100+	127.41 грн
250+	120.24 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPB05N03

TO-263

на замовлення 25000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB05N03L

07+ to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB05N03L

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB05N03L

09+

на замовлення 5030 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB05N03LA

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB05N03LA

Description: MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3110 pF @ 15 V

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

507+	39.34 грн

Мінімальне замовлення: 507

IPB05N03LA

04+ D2PAK

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB05N03LA

Description: MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3110 pF @ 15 V

товар відсутній

IPB05N03LA

07+;

на замовлення 3019 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB05N03LA G

Description: MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3

товар відсутній

IPB05N03LAG

MOSFET N-KANAL POWER MOS

товар відсутній

IPB05N03LAG

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB05N03LAT

Description: MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3

товар відсутній

IPB05N03LAT

MOSFET

товар відсутній

IPB05N03LAT

Description: MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3

товар відсутній

IPB05N03LB

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB05N03LB

Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3

товар відсутній

IPB05N03LB

Infineon

товар відсутній

IPB05N03LB G

Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3

товар відсутній

IPB05N03LB G

MOSFET N-Ch 30V 80A D2PAK-2

товар відсутній

IPB05N03LB G

TO-263

на замовлення 32000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB05N03LB G

Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3

товар відсутній

IPB05N03LE3045A

03+ TO-263

на замовлення 650 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB05N06L

07+ to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB05N06L

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB05N06LG

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB060N15N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 150V 136A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 136A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 68A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 75 V

на замовлення 1588 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	457.14 грн
10+	377.69 грн
100+	314.79 грн
500+	260.66 грн

IPB060N15N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 150V 136A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 136A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 68A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 75 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	259.59 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB060N15N5ATMA1

OptiMOS 5 Power-Transistor, 150V

товар відсутній

IPB060N15N5ATMA1

MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS

на замовлення 432 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	496.93 грн
10+	419.96 грн
25+	331.14 грн
100+	304.43 грн
250+	286.41 грн
500+	268.38 грн
1000+	241.68 грн

IPB060N15N5E8187ATMA1

SP001863630

товар відсутній

IPB065N03L G

MOSFET N-Ch 30V 50A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 1810 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IPB065N03L G

TO-263

на замовлення 62000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB065N03LG

08+

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB065N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB065N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 158 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	29.37 грн
25+	28.89 грн
50+	27.4 грн
100+	24.95 грн

Мінімальне замовлення: 20

IPB065N03LGATMA1

MOSFET N-Ch 30V 50A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 182 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IPB065N03LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V

товар відсутній

IPB065N03LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V

товар відсутній

IPB065N03LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V

на замовлення 6333 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

666+	32.5 грн

Мінімальне замовлення: 666

IPB065N06L G

TO-263

на замовлення 36000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB065N06L G

Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 30 V

товар відсутній

IPB065N06L G

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IPB065N06LG

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 30 V

товар відсутній

IPB065N06LG

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB065N06LG

07+ to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB065N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB065N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB065N10N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4910 pF @ 50 V

товар відсутній

IPB065N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 930 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	249.11 грн
10+	215.19 грн
25+	200.25 грн
100+	167.31 грн
250+	114.57 грн
500+	108.89 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB065N10N3GATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 1002 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	257.81 грн
10+	228.79 грн
100+	160.23 грн
500+	132.19 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB065N15N3 G

MOSFET N-Ch 150V 130A D2PAK-6 OptiMOS 3

на замовлення 1951 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	529.64 грн
10+	446.83 грн
25+	352.5 грн
100+	323.79 грн
250+	305.1 грн
500+	285.74 грн
1000+	257.03 грн

IPB065N15N3 G

на замовлення 19000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB065N15N3G

на замовлення 845 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB065N15N3GATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 130A; 300W; PG-TO263-3
On-state resistance: 6.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TO263-3
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 130A

товар відсутній

IPB065N15N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 75 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	280.41 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB065N15N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 130A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	165.9 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB065N15N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 130A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB065N15N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 130A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB065N15N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 75 V

на замовлення 1189 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	493.97 грн
10+	408.08 грн
100+	340.03 грн
500+	281.56 грн

IPB065N15N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 130A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	483.44 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB065N15N3GATMA1

MOSFET N-Ch 150V 130A D2PAK-6 OptiMOS 3

на замовлення 187 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	504.72 грн
10+	429.94 грн
25+	367.85 грн
100+	314.45 грн
250+	313.11 грн
500+	281.07 грн
1000+	255.7 грн

IPB065N15N3GATMA1

товар відсутній

IPB065N15N3GE8187ATMA1

Old Part IPB065N15N3GE8187XT^INFINEON

товар відсутній

IPB065N15N3GE8187ATMA1

Description: MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 75 V

товар відсутній

IPB065N15N3GE8197ATMA1

SP001227194

товар відсутній

IPB065N15N3GE8197ATMA1

SP001227194

товар відсутній

IPB067N08N3 G

MOSFET N-Ch 80V 80A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 1960 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	211.86 грн
10+	174.28 грн
100+	120.17 грн
250+	110.82 грн
500+	100.81 грн
1000+	79.45 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB067N08N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 73A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 73µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 40 V

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	93.05 грн
2000+	85.12 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB067N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB067N08N3GATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 80A; 136W; PG-TO263-3
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 80A
On-state resistance: 6.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 136W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-3
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPB067N08N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 73A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 73µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 40 V

на замовлення 5515 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	195.71 грн
10+	156.82 грн
100+	124.8 грн
500+	99.11 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB067N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB067N08N3GATMA1

товар відсутній

IPB067N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	64.34 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB068N20NM6ATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 820 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	591.95 грн
10+	499.81 грн
25+	394.56 грн
100+	362.51 грн
250+	341.15 грн
500+	327.8 грн
1000+	278.39 грн

IPB068N20NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Ta), 134A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 100A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 258µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 100 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	308.91 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB068N20NM6ATMA1

TRENCH >=100V

товар відсутній

IPB068N20NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Ta), 134A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 100A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 258µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 100 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	544.52 грн
10+	449.53 грн
100+	374.59 грн
500+	310.18 грн

IPB06CN10N G

Description: MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 50 V

товар відсутній

IPB06CN10NG

07+ to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB06CN10NG

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB06CNE8NG

07+ to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB06CNE8NG

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB06N03

TO-263

на замовлення 25000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB06N03LA

07+;

на замовлення 442 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB06N03LA

0544+

на замовлення 250 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB06N03LA

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB06N03LA

0237+ TO-263

на замовлення 990 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB06N03LA

MOSFET N-KANAL POWER MOS

товар відсутній

IPB06N03LA

09+

на замовлення 5030 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB06N03LA

Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2653 pF @ 15 V

товар відсутній

IPB06N03LA G

MOSFET N-Ch 25V 50A D2PAK-2

товар відсутній

IPB06N03LA G

товар відсутній

IPB06N03LAG

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB06N03LAT

товар відсутній

IPB06N03LAT

Infineon

товар відсутній

IPB06N03LB

Infineon

товар відсутній

IPB06N03LB

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB06N03LB

Description: MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2782 pF @ 15 V

товар відсутній

IPB06N03LB G

TO-263

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB06N03LB G

Description: MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2782 pF @ 15 V

товар відсутній

IPB06N03LBG

MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V

товар відсутній

IPB06P001LATMA1

MOSFET

товар відсутній

IPB070N06L G

MOSFET N-Ch 60V 80A D2PAK-2

товар відсутній

IPB070N06L G

Description: MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 30 V

товар відсутній

IPB070N06LG

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB070N06LG

07+ to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB070N06LGATMA1

MOSFET

товар відсутній

IPB070N06N G

Description: MOSFET N-CHAN D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 30 V

товар відсутній

IPB070N06NG

07+ to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB070N06NG

MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V

товар відсутній

IPB070N06NG

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB070N06NGATMA1

MOSFET

товар відсутній

IPB072N15N3 G

на замовлення 83000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB072N15N3 G

MOSFET N-Ch 150V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 6680 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	483.69 грн
10+	400.77 грн
25+	328.47 грн
100+	281.07 грн
250+	265.71 грн
500+	250.35 грн
1000+	214.3 грн

IPB072N15N3 G E8187

MOSFET PG-TO263-3-2

товар відсутній

IPB072N15N3G

Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

29+	415.71 грн
30+	397.86 грн
50+	382.7 грн
100+	356.51 грн
250+	320.08 грн
500+	298.92 грн

Мінімальне замовлення: 29

IPB072N15N3G

N-MOSFET 150V 100A 300W 7.2mΩ IPB072N15N3G Infineon TIPB072n15n3g

на замовлення 20 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

IPB072N15N3G

N-MOSFET 150V 100A 300W 7.2mΩ IPB072N15N3G Infineon TIPB072n15n3g
кількість в упаковці: 2 шт

на замовлення 4 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

4+	212.42 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPB072N15N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB072N15N3GATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 100A; 300W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 100A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPB072N15N3GATMA1

Description: INFINEON - IPB072N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 100 A, 0.0058 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 9700 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	527.24 грн
10+	383.45 грн
100+	310.05 грн
500+	271.22 грн
1000+	209.91 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB072N15N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5470 pF @ 75 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	228.06 грн
2000+	206.79 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB072N15N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1147 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

44+	267.81 грн
46+	256.3 грн
50+	246.54 грн
100+	229.67 грн
250+	206.2 грн
500+	192.57 грн
1000+	187.86 грн

Мінімальне замовлення: 44

IPB072N15N3GATMA1

товар відсутній

IPB072N15N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1919 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	474.91 грн
29+	407.59 грн
31+	380.05 грн
100+	315.78 грн
250+	275.05 грн
500+	247.46 грн
1000+	186.22 грн

Мінімальне замовлення: 25

IPB072N15N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 4673 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	543.05 грн
30+	395.85 грн
50+	351.1 грн
100+	318.41 грн
200+	277.95 грн
500+	248.08 грн
1000+	233.59 грн
2000+	232.74 грн

Мінімальне замовлення: 22

IPB072N15N3GATMA1

на замовлення 9700 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	383.45 грн
100+	310.05 грн
500+	271.22 грн
1000+	209.91 грн

Мінімальне замовлення: 10

IPB072N15N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5470 pF @ 75 V

на замовлення 5160 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	441.25 грн
10+	356.62 грн
100+	288.54 грн
500+	240.7 грн

IPB072N15N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1919 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	440.99 грн
10+	378.48 грн
25+	352.91 грн
100+	293.23 грн
250+	255.4 грн
500+	229.79 грн
1000+	172.92 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB072N15N3GATMA1

MOSFET N-Ch 150V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 3530 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	483.69 грн
10+	400.77 грн
25+	337.81 грн
100+	281.73 грн
250+	279.73 грн
500+	251.02 грн
1000+	208.96 грн

IPB072N15N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB072N15N3GE8187ATMA1

Description: MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5470 pF @ 75 V

товар відсутній

IPB073N15N5ATMA1

Description: INFINEON - IPB073N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 114 A, 0.0056 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 114A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 3010 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	417.15 грн
10+	299.57 грн
100+	242.65 грн
500+	211.41 грн
1000+	166.9 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB073N15N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 114A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 305 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	271.78 грн
10+	248.02 грн
25+	245.12 грн
100+	210.04 грн
250+	168.22 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB073N15N5ATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 12981 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	313.89 грн
10+	272.55 грн
25+	229.66 грн
100+	204.96 грн
250+	194.28 грн
500+	182.93 грн
1000+	166.9 грн

IPB073N15N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 150V 114A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 114A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 57A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 75 V

на замовлення 2619 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	366.87 грн
10+	296.81 грн
100+	240.09 грн
500+	200.28 грн

IPB073N15N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 114A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 305 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

29+	416.51 грн
34+	348 грн
100+	274.01 грн
250+	251.63 грн

Мінімальне замовлення: 29

IPB073N15N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 114A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB073N15N5ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 81A; 214W; PG-TO263-3
Case: PG-TO263-3
Mounting: SMD
Power dissipation: 214W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 49nC
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 81A
On-state resistance: 7.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPB073N15N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 114A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB073N15N5ATMA1

Description: INFINEON - IPB073N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 114 A, 0.0056 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 114A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 3385 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	311.55 грн
100+	252.39 грн
500+	212.11 грн
1000+	166.9 грн

Мінімальне замовлення: 10

IPB073N15N5ATMA1

товар відсутній

IPB073N15N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 150V 114A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 114A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 57A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 75 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	189.76 грн
2000+	172.06 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB073N15N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 114A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	542.06 грн
30+	394.85 грн
50+	350.1 грн
100+	317.46 грн
200+	277.07 грн
500+	248.08 грн

Мінімальне замовлення: 22

IPB075N04LG

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

товар відсутній

IPB075N04LG

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB075N04LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 50A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V

товар відсутній

IPB075N04LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 50A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V

товар відсутній

IPB075N04LGXT

Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB07N03

на замовлення 860 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB07N03L

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB07N03L

09+

на замовлення 5030 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB07N03L

TO263

на замовлення 18200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB07N03L E3045A

на замовлення 1564 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB080N03L G

MOSFET N-Ch 30V 50A D2PAK-2 OptiMOS 3

товар відсутній

IPB080N03L G

TO-263

на замовлення 46000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB080N03L G

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V

на замовлення 1250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

693+	29.39 грн

Мінімальне замовлення: 693

IPB080N03LG

Description: OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V

товар відсутній

IPB080N03LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V

товар відсутній

IPB080N03LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V

на замовлення 3905 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

693+	28.67 грн

Мінімальне замовлення: 693

IPB080N03LGATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

товар відсутній

IPB080N03LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V

товар відсутній

IPB080N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB080N03LGXT

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB080N06N G

Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 30 V

товар відсутній

IPB080N06N G

Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 30 V

товар відсутній

IPB080N06N G

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IPB080N06NG

07+ to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB080N06NG

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB081N06L3 G

MOSFET N-Ch 60V 50A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 659 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	118.39 грн
10+	95.97 грн
100+	64.56 грн
500+	54.94 грн
1000+	44.8 грн
2000+	42.13 грн
5000+	40.12 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB081N06L3G

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 79W; PG-TO263-3
Mounting: SMD
Case: PG-TO263-3
On-state resistance: 8.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 79W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A

товар відсутній

IPB081N06L3G

товар відсутній

IPB081N06L3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 30 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	48.09 грн
2000+	43.59 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB081N06L3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB081N06L3GATMA1

Description: INFINEON - IPB081N06L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0067 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 3461 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	105.6 грн
10+	77.14 грн
100+	62.01 грн
500+	52.85 грн
1000+	38.45 грн

Мінімальне замовлення: 8

IPB081N06L3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 31000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	28.2 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB081N06L3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 30 V

на замовлення 5151 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	109.05 грн
10+	86.23 грн
100+	67.07 грн
500+	53.35 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB081N06L3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	55.7 грн

Мінімальне замовлення: 11

IPB081N06L3GATMA1

MOSFET N-Ch 60V 50A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 1137 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	119.17 грн
10+	95.97 грн
100+	61.55 грн
500+	50.27 грн
1000+	44.8 грн
2000+	42.13 грн
5000+	40.12 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB083N10N3 G

MOSFET N-Ch 100V 80A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 5959 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	117.61 грн
10+	96.74 грн
100+	66.43 грн
250+	61.62 грн
500+	55.95 грн
1000+	47.93 грн
2000+	45.6 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB083N10N3G

на замовлення 89 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB083N10N3GATMA1

MOSFET N-Ch 100V 80A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 1167 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	118.39 грн
10+	95.2 грн
100+	66.76 грн
500+	56.55 грн
1000+	47.93 грн
2000+	45.6 грн
5000+	44.06 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB083N10N3GATMA1

Description: INFINEON - IPB083N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0072 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0072ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 473 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	128.07 грн
10+	102.6 грн
100+	80.88 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPB083N10N3GATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 125W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPB083N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB083N10N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 73A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 75µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 50 V

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	51.53 грн
2000+	47.14 грн
5000+	45.37 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB083N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	54.56 грн
2000+	52.21 грн
5000+	51.15 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB083N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB083N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

44+	267.54 грн

Мінімальне замовлення: 44

IPB083N10N3GATMA1

Description: INFINEON - IPB083N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0072 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 125W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 473 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	80.88 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPB083N10N3GATMA1

товар відсутній

IPB083N10N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 73A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 75µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 50 V

на замовлення 8382 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	109.05 грн
10+	86.79 грн
100+	69.12 грн
500+	54.89 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB083N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	53.47 грн
2000+	51.16 грн
5000+	50.13 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB083N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB083N15N5LF

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 66A; 179W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 66A
Power dissipation: 179W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPB083N15N5LF

товар відсутній

IPB083N15N5LFATMA1

Description: MOSFET N-CH 150V 105A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 134µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 75 V

товар відсутній

IPB083N15N5LFATMA1

Description: MOSFET N-CH 150V 105A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 134µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 75 V

товар відсутній

IPB083N15N5LFATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 2980 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	472 грн
10+	390.79 грн
100+	275.06 грн
500+	244.35 грн
1000+	208.3 грн
2000+	196.28 грн
5000+	195.61 грн

IPB083N15N5LFATMA1