Продукція > IPD

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна без ПДВ

IPD 2131

OSRAM Opto Semiconductors

Alphanumeric Displays Panel 8DIGIT 280LED Yellow Automotive 24-Pin CDIP

товар відсутній

IPD 2132

OSRAM Opto Semiconductors

Alphanumeric Displays Panel 8DIGIT 280LED Hi-Eff. Red Automotive 24-Pin CDIP

товар відсутній

IPD 2133

OSRAM Opto Semiconductors

Alphanumeric Displays Panel 8DIGIT 280LED Hi-Eff. Green Automotive 24-Pin CDIP

товар відсутній

IPD 2545 A

OSRAM Opto Semiconductors

Alphanumeric Displays Panel 4DIGIT 140LED Hi-Eff. Red Automotive 20-Pin CDIP

товар відсутній

IPD 2547 A

OSRAM Opto Semiconductors

Alphanumeric Displays Panel 4DIGIT 140LED Green Automotive 20-Pin CDIP

товар відсутній

IPD 2548 A

OSRAM Opto Semiconductors

Alphanumeric Displays Panel 4DIGIT 140LED Yellow Automotive 20-Pin CDIP

товар відсутній

IPD CLICK - TPD2015

Category: Add-on boards
Description: Click board; load driver; GPIO; TPD2015FN; prototype board
Type of accessories for development kits: Click board
Components: TPD2015FN
Kind of connector: mikroBUS connector; screw terminal
Interface: GPIO
Kit contents: prototype board
Supply voltage: 3.3V DC; 5V DC
development kits accessories features: ClickID
Kind of module: load driver
Size: L

товар відсутній

IPD CLICK - TPD2015

Category: Add-on boards
Description: Click board; load driver; GPIO; TPD2015FN; prototype board
Type of accessories for development kits: Click board
Components: TPD2015FN
Kind of connector: mikroBUS connector; screw terminal
Interface: GPIO
Kit contents: prototype board
Supply voltage: 3.3V DC; 5V DC
development kits accessories features: ClickID
Kind of module: load driver
Size: L
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPD CLICK - TPD2017

Category: Add-on boards
Description: Click board; load driver; GPIO; TPD2017FN; prototype board
Type of accessories for development kits: Click board
Components: TPD2017FN
Kind of connector: mikroBUS connector; screw terminal
Interface: GPIO
Kit contents: prototype board
Supply voltage: 3.3V DC; 5V DC
development kits accessories features: ClickID
Kind of module: load driver
Size: L

товар відсутній

IPD CLICK - TPD2017

Category: Add-on boards
Description: Click board; load driver; GPIO; TPD2017FN; prototype board
Type of accessories for development kits: Click board
Components: TPD2017FN
Kind of connector: mikroBUS connector; screw terminal
Interface: GPIO
Kit contents: prototype board
Supply voltage: 3.3V DC; 5V DC
development kits accessories features: ClickID
Kind of module: load driver
Size: L
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPD WD 3P2,5 M20 BK

Phoenix Contact

Panel feed-through, Push-in connection, number of positions: 2+PE, 0.5 mm² . 2.5 mm², 690 V, 20 A, black, cable diameter range: 6 mm . 9 mm and 8 mm . 13 mm, Push-in connection

товар відсутній

IPD WD 3P2.5 M20 GY

Phoenix Contact

Panel feed-through, Push-in connection, number of positions: 2+PE, 0.5 mm² . 2.5 mm², 690 V, 20 A, light gray, cable diameter range: 6 mm . 9 mm and 8 mm . 13 mm, Push-in connection

товар відсутній

IPD WD 5P2,5 M25 GY

Phoenix Contact

1047344

товар відсутній

IPD023N04NF2SATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 143A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 81µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 20 V

на замовлення 1940 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	85.94 грн
10+	67.32 грн
100+	52.37 грн
500+	41.65 грн
1000+	33.93 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD023N04NF2SATMA1

Infineon Technologies

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	94.24 грн
10+	76.39 грн
100+	51.27 грн
500+	43.46 грн
1000+	37.12 грн
2000+	31.51 грн
10000+	31.44 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD023N04NF2SATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 143A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 81µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 20 V

товар відсутній

IPD023N04NF2SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD024N06N

Infineon Technologies

MOSFET 60V TO-252

товар відсутній

IPD024N06NATMA1

Infineon Technologies

MOSFET

товар відсутній

IPD025N06N

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 60V 90A DPAK-2

на замовлення 14213 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	186.15 грн
10+	152.02 грн
100+	105.48 грн
250+	97.47 грн
500+	88.79 грн
1000+	80.11 грн
2500+	69.43 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPD025N06N

Infineon technologies

на замовлення 2479 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD025N06NATMA1
Код товару: 169019

Транзистори > Польові N-канальні

товар відсутній

IPD025N06NATMA1

Description: INFINEON - IPD025N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 0.0021 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 167W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0021ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 11448 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	161.77 грн
10+	137.05 грн
25+	125.07 грн
100+	104.31 грн
500+	82.81 грн
1000+	68.69 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPD025N06NATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 661 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

47+	251.64 грн

Мінімальне замовлення: 47

IPD025N06NATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD025N06NATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD025N06NATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 30 V

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	78.18 грн
5000+	72.45 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD025N06NATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 167W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 1940 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	190.53 грн
5+	162.92 грн
8+	135.19 грн
20+	127.68 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPD025N06NATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 167W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced

на замовлення 1940 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	158.77 грн
5+	130.74 грн
8+	112.66 грн
20+	106.4 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPD025N06NATMA1

Description: INFINEON - IPD025N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 0.0021 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 167W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 11448 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	104.31 грн
500+	82.81 грн
1000+	68.69 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPD025N06NATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD025N06NATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 30 V

на замовлення 10331 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	173.32 грн
10+	138.67 грн
100+	110.37 грн
500+	87.65 грн
1000+	74.37 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPD025N06NATMA1

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 60V 90A DPAK-2

на замовлення 9637 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	185.37 грн
10+	143.57 грн
100+	104.82 грн
250+	96.8 грн
500+	88.12 грн
1000+	75.44 грн
2500+	69.43 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPD025N06NATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD028N06NF2SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	53.58 грн

Мінімальне замовлення: 2000

IPD028N06NF2SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	82.49 грн
10+	72.91 грн
25+	70.89 грн
100+	59.93 грн
250+	52.34 грн
500+	46.73 грн
1000+	37.61 грн

Мінімальне замовлення: 8

IPD028N06NF2SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

150+	78.52 грн
154+	76.34 грн
175+	66.93 грн
250+	60.88 грн
500+	52.43 грн
1000+	40.51 грн

Мінімальне замовлення: 150

IPD028N06NF2SATMA1

Infineon Technologies

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 2073 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	110.6 грн
10+	90.6 грн
100+	62.69 грн
250+	57.82 грн
500+	52.47 грн
1000+	47.53 грн
2000+	41.33 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPD028N06NF2SATMA1

Infineon Technologies

SP005588978

товар відсутній

IPD028N06NF2SATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 139A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.85mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 30 V

на замовлення 1995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	119.88 грн
10+	103.76 грн
100+	83.42 грн
500+	64.32 грн
1000+	53.3 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPD028N06NF2SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	45.55 грн

Мінімальне замовлення: 2000

IPD028N06NF2SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD028N06NF2SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	45.26 грн

Мінімальне замовлення: 2000

IPD028N06NF2SATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 139A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.85mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 30 V

товар відсутній

IPD029N04NF2SATMA1

Infineon Technologies

MOSFET

на замовлення 286 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	75.32 грн
10+	60.73 грн
100+	41.06 грн
500+	34.85 грн
1000+	29.71 грн
2000+	25.24 грн
10000+	25.17 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPD029N04NF2SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD029N04NF2SATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 131A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 53µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 20 V

товар відсутній

IPD029N04NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPD029N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 131 A, 0.0024 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 131A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	83.88 грн
12+	63.21 грн
100+	49.2 грн
500+	39.08 грн
1000+	31.45 грн

Мінімальне замовлення: 9

IPD029N04NF2SATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 131A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 53µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 20 V

на замовлення 1999 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	69.33 грн
10+	54.59 грн
100+	42.44 грн
500+	33.76 грн
1000+	27.5 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPD029N04NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPD029N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 131 A, 0.0024 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 131A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	49.2 грн
500+	39.08 грн
1000+	31.45 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPD031N03L G

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 650 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

154+	76.28 грн
161+	72.8 грн
181+	64.95 грн
200+	60.23 грн

Мінімальне замовлення: 154

IPD031N03L G

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 30V 90A DPAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 217-226 дні (днів)

3+	106.71 грн
10+	86.76 грн
100+	58.22 грн
500+	53.21 грн
1000+	46.27 грн
2500+	39.46 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPD031N03L G E8177

Infineon Technologies

MOSFET

товар відсутній

IPD031N03LG

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD031N03LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	47.21 грн
5000+	45.76 грн
10000+	44.31 грн
12500+	42.3 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD031N03LGATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 79A; 94W; PG-TO252-3
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 79A
On-state resistance: 3.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET

на замовлення 2645 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	67.4 грн
7+	57.03 грн
19+	43.14 грн
52+	40.79 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPD031N03LGATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 15 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	40.64 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD031N03LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 215000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	46.25 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD031N03LGATMA1

Description: INFINEON - IPD031N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 90 A, 0.0026 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 94W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0026ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 2120 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	77.89 грн
13+	60.36 грн
100+	48.61 грн
500+	42.77 грн
1000+	39.22 грн

Мінімальне замовлення: 10

IPD031N03LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2198 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

257+	45.67 грн
258+	45.42 грн
274+	42.8 грн
277+	40.86 грн
500+	37.14 грн
1000+	35.26 грн

Мінімальне замовлення: 257

IPD031N03LGATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 79A; 94W; PG-TO252-3
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 79A
On-state resistance: 3.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 2645 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

4+	80.88 грн
5+	71.06 грн
19+	51.77 грн
52+	48.94 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD031N03LGATMA1
Код товару: 149574

Транзистори > Польові N-канальні

товар відсутній

IPD031N03LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	27.88 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD031N03LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	43.84 грн
5000+	42.49 грн
10000+	41.14 грн
12500+	39.28 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD031N03LGATMA1

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 30V 90A DPAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 1196 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	64.49 грн
10+	52.51 грн
100+	40.39 грн
500+	38.79 грн
1000+	38.19 грн
2500+	37.79 грн
5000+	36.65 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPD031N03LGATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 15 V

на замовлення 4271 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	61.39 грн
10+	48.4 грн
100+	42.43 грн
500+	37.39 грн
1000+	36.86 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPD031N03LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

122+	96.07 грн
134+	87.52 грн
165+	71.21 грн
200+	64.25 грн
1000+	52.66 грн
2000+	47.23 грн
5000+	45.95 грн
10000+	44.16 грн

Мінімальне замовлення: 122

IPD031N03LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2198 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	45.82 грн
14+	42.4 грн
25+	42.17 грн
100+	38.33 грн
250+	35.13 грн
500+	33.11 грн
1000+	32.74 грн

Мінімальне замовлення: 13

IPD031N03LGBTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD031N03LGBTMA1

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 30V 90A DPAK-2

товар відсутній

IPD031N03LGBTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 15 V

товар відсутній

IPD031N03LGBTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD031N03M G

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3

товар відсутній

IPD031N03M G

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3

товар відсутній

IPD031N06L3 G

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 60V 100A DPAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 624 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	201.73 грн
10+	165.84 грн
100+	114.83 грн
250+	106.15 грн
500+	96.14 грн
1000+	82.12 грн
2500+	78.11 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPD031N06L3G

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

56+	209.39 грн
59+	201.42 грн
100+	194.58 грн
250+	181.94 грн
500+	163.88 грн
1000+	153.47 грн
2500+	150.09 грн

Мінімальне замовлення: 56

IPD031N06L3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	79.11 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD031N06L3GATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 167W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 1477 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	159.97 грн
5+	138.66 грн
9+	109.32 грн
25+	103.48 грн
500+	99.31 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPD031N06L3GATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V

на замовлення 65000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	85.44 грн
5000+	79.19 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD031N06L3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD031N06L3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 1765 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

91+	129.01 грн
101+	116.79 грн
102+	115.05 грн
112+	101.5 грн
250+	91.84 грн
500+	80.91 грн
1000+	68.96 грн

Мінімальне замовлення: 91

IPD031N06L3GATMA1

Description: INFINEON - IPD031N06L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0025 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2687 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	119.08 грн
500+	100.14 грн
1000+	78.96 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPD031N06L3GATMA1

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 60V 100A DPAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 5689 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	192.38 грн
10+	151.25 грн
100+	112.16 грн
250+	109.49 грн
500+	94.8 грн
1000+	78.78 грн
2500+	77.44 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPD031N06L3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	85.41 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD031N06L3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 1765 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	119.79 грн
10+	108.45 грн
25+	106.83 грн
100+	94.25 грн
250+	85.28 грн
500+	75.13 грн
1000+	64.03 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPD031N06L3GATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 167W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced

на замовлення 1477 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	133.31 грн
5+	111.27 грн
9+	91.1 грн
25+	86.23 грн
500+	82.76 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPD031N06L3GATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V

на замовлення 70631 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	189.21 грн
10+	151.6 грн
100+	120.64 грн
500+	95.79 грн
1000+	81.28 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPD031N06L3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 10164 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

65+	182.34 грн
77+	153.09 грн
100+	144.31 грн
200+	138.22 грн
500+	116.66 грн
1000+	105.31 грн
2000+	102.8 грн
2500+	101.97 грн
5000+	99.46 грн

Мінімальне замовлення: 65

IPD031N06L3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	48.52 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD031N06L3GATMA1

Description: INFINEON - IPD031N06L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0025 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2687 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	161.77 грн
50+	140.8 грн
100+	119.08 грн
500+	100.14 грн
1000+	78.96 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPD033N06NATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 30 V

на замовлення 2190 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	139.38 грн
10+	111.69 грн
100+	88.92 грн
500+	70.61 грн
1000+	59.91 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPD033N06NATMA1

Infineon Technologies

Power Management Specialised - PMIC TRENCH 40<-<100V

товар відсутній

IPD033N06NATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 30 V

товар відсутній

IPD033N06NATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 22A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD034N06N3 G

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

107+	110.01 грн
112+	105.09 грн
250+	100.88 грн
500+	93.76 грн
1000+	83.98 грн

Мінімальне замовлення: 107

IPD034N06N3 G

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 60V 100A DPAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 159 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	127.74 грн
10+	105.18 грн
100+	72.77 грн
250+	70.77 грн
500+	60.69 грн
1000+	51.94 грн
2500+	49.34 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPD034N06N3G

Infineon technologies

на замовлення 1400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD034N06N3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	57.53 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD034N06N3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD034N06N3GATMA1

Description: INFINEON - IPD034N06N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0028 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm

на замовлення 5320 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	139.3 грн
10+	105.6 грн
100+	81.63 грн
500+	63.84 грн
1000+	53.79 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPD034N06N3GATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V

на замовлення 10904 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	119.16 грн
10+	95.41 грн
100+	75.91 грн
500+	60.29 грн
1000+	51.15 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPD034N06N3GATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 167W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 1884 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

3+	113.24 грн
5+	96.19 грн
12+	80.95 грн
33+	76.78 грн
500+	74.27 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPD034N06N3GATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 167W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced

на замовлення 1884 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	94.36 грн
5+	77.19 грн
12+	67.46 грн
33+	63.98 грн
500+	61.89 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD034N06N3GATMA1

Infineon Technologies

MOSFET TRENCH 40<-<100V

товар відсутній

IPD034N06N3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD034N06N3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	100.76 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD034N06N3GATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	53.77 грн
5000+	49.83 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD034N06N3GATMA1

Description: INFINEON - IPD034N06N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0028 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm

на замовлення 5320 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	81.63 грн
500+	63.84 грн
1000+	53.79 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPD034N06N3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPD035N06L3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD035N06L3GATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V

товар відсутній

IPD036N04L G

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 465 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IPD036N04L G
Код товару: 166396

Транзистори > Польові N-канальні

товар відсутній

IPD036N04LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD036N04LGATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 20 V

на замовлення 41783 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	93.88 грн
10+	73.92 грн
100+	57.49 грн
500+	45.73 грн
1000+	37.25 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD036N04LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 90A T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	29.52 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD036N04LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD036N04LGATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 20 V

на замовлення 37500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	38.81 грн
5000+	35.59 грн
12500+	33.95 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD036N04LGATMA1

Infineon Technologies

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 7162 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	102.03 грн
10+	82.92 грн
100+	55.61 грн
500+	47.13 грн
1000+	38.45 грн
2500+	36.05 грн
5000+	34.38 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD036N04LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

127+	92.8 грн
139+	84.54 грн
171+	68.83 грн
200+	62.05 грн
1000+	50.89 грн
2000+	45.61 грн

Мінімальне замовлення: 127

IPD036N04LGBTMA1

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS 3

товар відсутній

IPD036N04LGBTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD036N04LGBTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 20 V

товар відсутній

IPD036N04LGBTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 20 V

товар відсутній

IPD036N04LGBTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD038N04N G

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

IPD038N04N G

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 40V 90A DPAK-2

товар відсутній

IPD038N04NGBTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD038N04NGBTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 20 V

товар відсутній

IPD038N04NGBTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 20 V

товар відсутній

IPD038N04NGXT

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD038N04NGXT

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD038N06N3

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD038N06N3 G

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 60V 90A DPAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 17489 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	139.42 грн
10+	113.63 грн
100+	78.78 грн
250+	72.77 грн
500+	65.83 грн
1000+	56.68 грн
2500+	52.14 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPD038N06N3G

Infineon Technologies

Description: IPD038N06N3G

на замовлення 120 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPD038N06N3G

09+ QFP-64

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD038N06N3GATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 188W; PG-TO252-3
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
On-state resistance: 3.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPD038N06N3GATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 30 V

товар відсутній

IPD038N06N3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD038N06N3GATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 30 V

товар відсутній

IPD038N06N3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 692 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	116.39 грн
10+	103.81 грн
25+	98.52 грн
100+	71.25 грн
500+	55.92 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPD038N06N3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	44.55 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD038N06N3GATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 188W; PG-TO252-3
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
On-state resistance: 3.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET

товар відсутній

IPD038N06NF2SATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.85mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 52µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 30 V

на замовлення 1233 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	63.55 грн
10+	50 грн
100+	38.89 грн
500+	30.94 грн
1000+	25.2 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPD038N06NF2SATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.85mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 52µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 30 V

товар відсутній

IPD038N06NF2SATMA1

Infineon Technologies

MOSFET

на замовлення 117 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	69.55 грн
10+	56.35 грн
100+	38.12 грн
500+	32.31 грн
1000+	27.57 грн
2000+	23.43 грн
10000+	23.37 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPD03N03LA

to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD03N03LA

07+ to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD03N03LA G

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 25V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V

на замовлення 1037 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	107.6 грн
10+	89.36 грн
100+	81.21 грн
500+	72.92 грн
1000+	72.37 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPD03N03LA G

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 25V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V

товар відсутній

IPD03N03LAG

to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD03N03LAG

07+ to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD03N03LAP

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD03N03LB

to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD03N03LB

07+ to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD03N03LB G

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V

товар відсутній

IPD03N03LB G

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V

товар відсутній

IPD03NLBG

to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD03NLBG

07+ to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD040N03L G

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 30V 90A DPAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 2711 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	84.9 грн
10+	68.87 грн
100+	46.6 грн
500+	39.46 грн
1000+	33.71 грн
2500+	28.64 грн
10000+	28.57 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD040N03L G E8177

Infineon Technologies

MOSFET

товар відсутній

IPD040N03LG

Infineon Technologies

Description: OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V

товар відсутній

IPD040N03LGATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 79A; 94W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 79A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 2488 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

4+	84.48 грн
5+	62.22 грн
22+	45.9 грн
58+	43.39 грн
500+	42.81 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD040N03LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 1888 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

111+	105.7 грн
112+	104.68 грн
113+	103.66 грн
250+	98.96 грн
500+	90.72 грн
1000+	86.2 грн

Мінімальне замовлення: 111

IPD040N03LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	20.33 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD040N03LGATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V

на замовлення 281 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	78.72 грн
10+	61.96 грн
100+	48.21 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD040N03LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD040N03LGATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 79A; 94W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 79A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced

на замовлення 2488 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	70.4 грн
7+	49.93 грн
22+	38.25 грн
58+	36.16 грн
500+	35.68 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPD040N03LGATMA1

Infineon Technologies

MOSFET TRENCH <= 40V

товар відсутній

IPD040N03LGATMA1
Код товару: 128410

Транзистори > Польові N-канальні

товар відсутній

IPD040N03LGATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V

товар відсутній

IPD040N03LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 1888 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	99.1 грн
10+	98.15 грн
25+	97.2 грн
100+	92.82 грн
250+	85.09 грн
500+	80.87 грн
1000+	80.04 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPD040N03LGBTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD040N03LGBTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V

товар відсутній

IPD040N03LGBTMA1

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 30V 90A DPAK-2

товар відсутній

IPD040N08NF2SATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 129A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 40 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	58.92 грн

Мінімальне замовлення: 2000

IPD040N08NF2SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	44.63 грн

Мінімальне замовлення: 2000

IPD040N08NF2SATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 129A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 40 V

на замовлення 3562 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	130.71 грн
10+	104.45 грн
100+	83.18 грн
500+	66.05 грн
1000+	56.04 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPD040N08NF2SATMA1

Infineon Technologies

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 1151 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	141.76 грн
10+	116.7 грн
100+	80.78 грн
250+	74.77 грн
500+	67.43 грн
1000+	61.02 грн
2000+	53.14 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPD042P03L3 G

Infineon Technologies

MOSFET P-Ch -30V 70A DPAK-2 OptiMOS P3

товар відсутній

IPD042P03L3G

Infineon technologies

на замовлення 178 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD042P03L3GATMA1

Infineon Technologies

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 13864 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	139.42 грн
10+	115.16 грн
100+	79.45 грн
500+	67.43 грн
1000+	57.01 грн
2500+	54.08 грн
5000+	52.41 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPD042P03L3GATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -70A; Idm: -280A; 150W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -70A
Pulsed drain current: -280A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPD042P03L3GATMA1

Infineon Technologies

OptiMOS P3 Power-Transistor

товар відсутній

IPD042P03L3GATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -70A; Idm: -280A; 150W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -70A
Pulsed drain current: -280A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт

товар відсутній

IPD042P03L3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	57.21 грн
5000+	56.22 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD042P03L3GATMA1

Description: INFINEON - IPD042P03L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, AEC-Q101, p-Kanal, 30 V, 70 A, 0.0035 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 18039 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	119.08 грн
50+	106.35 грн
100+	92.87 грн
500+	73.02 грн
1000+	57 грн

Мінімальне замовлення: 7

IPD042P03L3GATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12400 pF @ 15 V

на замовлення 8577 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	128.55 грн
10+	103.13 грн
100+	82.08 грн
500+	65.18 грн
1000+	55.3 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPD042P03L3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	53.12 грн
5000+	52.2 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD042P03L3GATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12400 pF @ 15 V

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	58.14 грн
5000+	53.88 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD042P03L3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 3990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

73+	161.13 грн
78+	150.18 грн
100+	128.3 грн
200+	117.96 грн
500+	100.34 грн
1000+	81.67 грн
2000+	79.29 грн
2500+	78.34 грн

Мінімальне замовлення: 73

IPD042P03L3GATMA1

Description: INFINEON - IPD042P03L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, AEC-Q101, p-Kanal, 30 V, 70 A, 0.0035 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 18039 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	92.87 грн
500+	73.02 грн
1000+	57 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPD042P03L3GBTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12400 pF @ 15 V

товар відсутній

IPD042P03L3GBTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12400 pF @ 15 V

товар відсутній

IPD042P03L3GBTMA1

Infineon Technologies

MOSFET P-Ch -30V 70A DPAK-2 OptiMOS P3

товар відсутній

IPD046N08N5

Infineon Technologies

MOSFET TRENCH 40<-<100V

товар відсутній

IPD046N08N5ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD046N08N5ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 65µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 40 V

товар відсутній

IPD046N08N5ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD046N08N5ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD046N08N5ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 65µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 40 V

на замовлення 2170 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	167.55 грн
10+	133.66 грн
100+	106.35 грн
500+	84.44 грн
1000+	71.65 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPD046N08N5ATMA1

Infineon Technologies

MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS

на замовлення 2499 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	181.48 грн
10+	148.18 грн
100+	102.81 грн
250+	98.81 грн
500+	86.12 грн
1000+	74.11 грн
2500+	69.43 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPD048N06L3 G

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 60V 90A DPAK-2 OptiMOS 3

товар відсутній

IPD048N06L3 G

на замовлення 42500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD048N06L3G

Infineon technologies

на замовлення 14 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD048N06L3GATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 58µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-311
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 30 V

на замовлення 6374 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	88.11 грн
10+	69.13 грн
100+	53.78 грн
500+	42.78 грн
1000+	34.85 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD048N06L3GATMA1

Infineon Technologies

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 67 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	94.24 грн
10+	76.39 грн
100+	51.27 грн
500+	43.46 грн
1000+	35.45 грн
2500+	33.31 грн
5000+	31.78 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD048N06L3GATMA1

Infineon Technologies

IPD048N06L3 G

товар відсутній

IPD048N06L3GATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 58µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-311
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 30 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	36.3 грн
5000+	33.29 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD048N06L3GATMA1

Infineon Technologies

N-channel MOSFET

товар відсутній

IPD048N06L3GBTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD048N06L3GBTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 58µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 30 V

товар відсутній

IPD048N06L3GBTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 73 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	72.4 грн
10+	62.31 грн
25+	60.61 грн

Мінімальне замовлення: 9

IPD048N06L3GBTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD048N06L3GBTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 58µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 30 V

товар відсутній

IPD048N06L3GBTMA1

Infineon Technologies

MOSFET TRENCH 40<-<100V

товар відсутній

IPD048N06L3GBTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD04N03L

03+

на замовлення 2690 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD04N03L

to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD04N03L

07+ to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD04N03LA

to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD04N03LA

0522+

на замовлення 1250 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD04N03LA G

09+

на замовлення 5030 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD04N03LA G

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 25V 50A DPAK-2

товар відсутній

IPD04N03LA G

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5199 pF @ 15 V

товар відсутній

IPD04N03LA G

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5199 pF @ 15 V

товар відсутній

IPD04N03LAG

to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD04N03LAG

0522+

на замовлення 32 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD04N03LB G

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V

товар відсутній

IPD04N03LB G

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V

на замовлення 1119 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	84.49 грн
10+	66.76 грн
100+	58.44 грн
500+	51.51 грн
1000+	50.77 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD04N03LB G

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 30V 50A DPAK-2

товар відсутній

IPD04N03LBG

Rochester Electronics, LLC

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPD04N03LBG

to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD050N03L G

на замовлення 129200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD050N03L G

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 30V 50A DPAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 2431 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	82.56 грн
10+	66.79 грн
100+	45.26 грн
500+	38.39 грн
1000+	31.24 грн
2500+	29.37 грн
5000+	27.97 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD050N03L G

Infineon Technologies

Description: OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 15 V

товар відсутній

IPD050N03LGATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 15 V

на замовлення 13512 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	77.27 грн
10+	60.92 грн
100+	47.41 грн
500+	37.71 грн
1000+	30.72 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD050N03LGATMA1

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 30V 50A DPAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 4366 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	63.01 грн
10+	52.59 грн
100+	38.39 грн
500+	34.58 грн
1000+	27.91 грн
2500+	27.71 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPD050N03LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 3316 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

293+	39.99 грн
305+	38.4 грн
500+	37.01 грн
1000+	34.52 грн
2500+	31.02 грн

Мінімальне замовлення: 293

IPD050N03LGATMA1

Description: INFINEON - IPD050N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0042 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 8150 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	48.98 грн
500+	38.25 грн
1000+	27.99 грн
2500+	25.68 грн
5000+	25.16 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPD050N03LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 12500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	22.43 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD050N03LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	29.95 грн
5000+	29.08 грн
10000+	28.58 грн
12500+	26.88 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD050N03LGATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 15 V

на замовлення 12500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	32 грн
5000+	29.35 грн
12500+	28 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD050N03LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD050N03LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	30.13 грн
5000+	29.27 грн
10000+	28.77 грн
12500+	27.06 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD050N03LGATMA1

Description: INFINEON - IPD050N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0042 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 8150 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	70.77 грн
13+	61.94 грн
100+	48.98 грн
500+	38.25 грн
1000+	27.99 грн
2500+	25.68 грн
5000+	25.16 грн

Мінімальне замовлення: 11

IPD050N03LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

225+	52.05 грн
228+	51.52 грн
257+	45.53 грн
260+	43.47 грн
500+	36.23 грн
1000+	28.63 грн

Мінімальне замовлення: 225

IPD050N03LGATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 68W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced

на замовлення 2375 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	56.17 грн
9+	39.64 грн
25+	34.98 грн
27+	30.25 грн
73+	28.58 грн
500+	28.3 грн

Мінімальне замовлення: 7

IPD050N03LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	53.43 грн
12+	48.33 грн
25+	47.84 грн
100+	40.77 грн
250+	37.38 грн
500+	32.3 грн
1000+	26.59 грн

Мінімальне замовлення: 11

IPD050N03LGATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 68W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 2375 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

4+	67.4 грн
6+	49.4 грн
25+	41.98 грн
27+	36.3 грн
73+	34.3 грн
500+	33.96 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD050N03LGBTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 15 V

товар відсутній

IPD050N03LGBTMA1

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 30V 50A DPAK-2

товар відсутній

IPD050N03LGBTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD050N10N5ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 4980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

145+	80.77 грн

Мінімальне замовлення: 145

IPD050N10N5ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 84µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 50 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	84.55 грн
5000+	78.36 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD050N10N5ATMA1

Infineon Technologies

MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS

на замовлення 12699 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	200.95 грн
10+	156.62 грн
100+	114.16 грн
250+	111.49 грн
500+	96.8 грн
1000+	82.12 грн
2500+	75.44 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPD050N10N5ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD050N10N5ATMA1

Description: INFINEON - IPD050N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0043 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 966 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	122.07 грн
500+	99.45 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPD050N10N5ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD050N10N5ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 4157 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

36+	332.2 грн
56+	211.85 грн
69+	171.07 грн
100+	154.42 грн
200+	142.09 грн
500+	121.91 грн
1000+	113.39 грн
2000+	110.83 грн
2500+	109.97 грн

Мінімальне замовлення: 36

IPD050N10N5ATMA1

Description: INFINEON - IPD050N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0043 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 966 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	217.94 грн
10+	160.27 грн
100+	122.07 грн
500+	99.45 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD050N10N5ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 84µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 50 V

на замовлення 5073 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	187.04 грн
10+	150 грн
100+	119.38 грн
500+	94.8 грн
1000+	80.43 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPD050N10NF2SATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Discontinued at Digi-Key

товар відсутній

IPD050N10NF2SATMA1

Infineon Technologies

Infineon

товар відсутній

IPD052N10NF2SATMA1

Infineon Technologies

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 105-114 дні (днів)

3+	139.42 грн
10+	114.4 грн
100+	78.78 грн
250+	73.44 грн
500+	66.43 грн
1000+	59.82 грн
2000+	52.01 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPD052N10NF2SATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 118A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 84µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 50 V

товар відсутній

IPD053N06N

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 60V 45A DPAK-2

на замовлення 3338 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	109.82 грн
10+	89.06 грн
100+	60.29 грн
500+	51.07 грн
1000+	43.66 грн
2500+	37.05 грн
10000+	36.99 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPD053N06N3 G

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 200V 90A DPAK-2

товар відсутній

IPD053N06N3GBTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 58µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 30 V

товар відсутній

IPD053N06N3GBTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 58µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 30 V

товар відсутній

IPD053N06N3GBTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD053N06N3GXT

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD053N06NATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 4965 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

118+	99.46 грн
129+	90.71 грн
159+	73.8 грн
200+	66.56 грн
500+	61.45 грн
1000+	52.43 грн
2000+	48.94 грн
2500+	48.76 грн

Мінімальне замовлення: 118

IPD053N06NATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	26.4 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD053N06NATMA1

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 60V 45A DPAK-2

на замовлення 17943 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	75.32 грн
10+	64.11 грн
100+	46.07 грн
500+	40.92 грн
1000+	36.99 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPD053N06NATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	43.11 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD053N06NATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 45A; 83W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 45A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPD053N06NATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 18A/45A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	42.67 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD053N06NATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD053N06NATMA1

Description: INFINEON - IPD053N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 45 A, 0.0045 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 26532 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	40.44 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPD053N06NATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 45A; 83W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 45A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт

товар відсутній

IPD053N06NATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 7483 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

174+	67.55 грн
175+	67.06 грн
207+	56.61 грн
250+	53.12 грн
500+	43.91 грн
1000+	38.21 грн
3000+	37.34 грн
6000+	35.96 грн

Мінімальне замовлення: 174

IPD053N06NATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 18A/45A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V

на замовлення 6835 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	103.27 грн
10+	81.3 грн
100+	63.21 грн
500+	50.28 грн
1000+	40.96 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPD053N06NATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD053N06NATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	43.96 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD053N06NATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 7483 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	64.64 грн
10+	62.72 грн
25+	62.27 грн
100+	50.69 грн
250+	45.67 грн
500+	39.14 грн
1000+	35.48 грн
3000+	34.68 грн
6000+	33.39 грн

Мінімальне замовлення: 9

IPD053N06NATMA1

Description: INFINEON - IPD053N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 45 A, 0.0045 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 26532 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	63.96 грн
14+	54.75 грн
100+	40.44 грн

Мінімальне замовлення: 12

IPD053N08N3 G

на замовлення 45000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD053N08N3 G

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

88+	133.32 грн
92+	128.25 грн
100+	123.89 грн
250+	115.84 грн
500+	104.34 грн
1000+	97.72 грн
2500+	95.56 грн

Мінімальне замовлення: 88

IPD053N08N3 G

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 80V 90A DPAK-2 OptiMOS 3

товар відсутній

IPD053N08N3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 1759 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	97 грн
10+	90.39 грн
25+	89.49 грн
100+	78.15 грн
250+	71.63 грн
500+	65.07 грн
1000+	58.83 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPD053N08N3GATMA1

Description: INFINEON - IPD053N08N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 90 A, 0.0053 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm

на замовлення 21764 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	152.78 грн
10+	119.08 грн
100+	98.86 грн
500+	82.06 грн
1000+	67.4 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPD053N08N3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 1759 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

113+	104.46 грн
121+	97.35 грн
122+	96.38 грн
135+	84.16 грн
250+	77.14 грн
500+	70.08 грн
1000+	63.36 грн

Мінімальне замовлення: 113

IPD053N08N3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	44.55 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD053N08N3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	65.21 грн
5000+	63.96 грн
10000+	47.72 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD053N08N3GATMA1

Infineon Technologies

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 64402 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	139.42 грн
10+	118.23 грн
100+	86.79 грн
250+	86.12 грн
500+	77.44 грн
1000+	70.1 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPD053N08N3GATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 40 V

на замовлення 15322 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	171.88 грн
10+	137.35 грн
100+	109.31 грн
500+	86.8 грн
1000+	73.65 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPD053N08N3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 387500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	90.45 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD053N08N3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD053N08N3GATMA1

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD053N08N3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 4198 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

114+	103.36 грн
128+	92.05 грн
133+	88.54 грн
200+	85.19 грн
500+	73.48 грн
1000+	67.53 грн
2000+	66.36 грн
2500+	66.28 грн

Мінімальне замовлення: 114

IPD053N08N3GATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 40 V

на замовлення 12500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	77.42 грн
5000+	71.75 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD053N08N3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	70.41 грн
5000+	69.07 грн
10000+	51.52 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD053N08N3GBTMA1

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 80V 90A DPAK-2 OptiMOS 3

товар відсутній

IPD053N08N3GBTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 40 V

товар відсутній

IPD053N08N3GBTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD053N08N3GBTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 40 V

товар відсутній

IPD053N08N3GBTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD055N08NF2SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD055N08NF2SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD055N08NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPD055N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 98 A, 0.0047 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 657 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	72.42 грн
500+	61.06 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPD055N08NF2SATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 55µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 40 V

на замовлення 1815 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	113.38 грн
10+	90.89 грн
100+	72.33 грн
500+	57.44 грн
1000+	48.73 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPD055N08NF2SATMA1
Код товару: 199783

Транзистори > Польові N-канальні

товар відсутній

IPD055N08NF2SATMA1

Infineon Technologies

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 1662 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	123.84 грн
10+	101.34 грн
100+	70.1 грн
250+	64.56 грн
500+	58.62 грн
1000+	53.08 грн
2000+	46.2 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPD055N08NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPD055N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 98 A, 0.0047 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 657 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	135.56 грн
10+	101.85 грн
100+	72.42 грн
500+	61.06 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPD055N08NF2SATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 55µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 40 V

товар відсутній

IPD05N03

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD05N03LA

to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD05N03LA

07+ to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD05N03LA G

09+

на замовлення 5030 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD05N03LA G

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3

товар відсутній

IPD05N03LAG

to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD05N03LAG

07+ to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD05N03LB

to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD05N03LB

07+ to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD05N03LB G

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3

товар відсутній

IPD05N03LBG

to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD060N03L G

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 30V 50A DPAK-2 OptiMOS 3

товар відсутній

IPD060N03L G

Description: INFINEON - IPD060N03L G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.005 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 50
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 56
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2
Verlustleistung: 56
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

товар відсутній

IPD060N03L G E8177

Infineon Technologies

MOSFET

товар відсутній

IPD060N03LG

Infineon Technologies

Description: OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V

товар відсутній

IPD060N03LG (Транзистори польові N-канал) (IPD060N03LGATMA1)
Код товару: 45565

Транзистори > Польові N-канальні

товар відсутній

IPD060N03LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	35.1 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD060N03LGATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V

товар відсутній

IPD060N03LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	79.99 грн
10+	72.02 грн
25+	70.69 грн
100+	54.61 грн
250+	48.62 грн
500+	38.38 грн
1000+	35.47 грн

Мінімальне замовлення: 8

IPD060N03LGATMA1

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 30V 50A DPAK-2

на замовлення 4159 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	52.19 грн
10+	43.3 грн
100+	30.98 грн
500+	27.04 грн
1000+	23.5 грн
2500+	23.3 грн
10000+	23.1 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPD060N03LGATMA1

Description: INFINEON - IPD060N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.005 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 56W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 2846 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	78.64 грн
12+	66.5 грн
100+	48.08 грн
500+	36.79 грн
1000+	26.83 грн
2500+	24.97 грн

Мінімальне замовлення: 10

IPD060N03LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

151+	77.56 грн
154+	76.13 грн
192+	60.99 грн
250+	56.55 грн
500+	43.05 грн
1000+	38.2 грн

Мінімальне замовлення: 151

IPD060N03LGATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 43A; 56W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 43A
Power dissipation: 56W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 132 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

4+	80.88 грн
6+	46.54 грн
10+	39.81 грн
28+	34.55 грн
77+	32.63 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD060N03LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2796 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	16.12 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD060N03LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD060N03LGATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V

на замовлення 1342 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	64.27 грн
10+	50.77 грн
100+	39.52 грн
500+	31.44 грн
1000+	25.61 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPD060N03LGATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 43A; 56W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 43A
Power dissipation: 56W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced

на замовлення 132 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	67.4 грн
10+	37.34 грн
11+	33.17 грн
28+	28.79 грн
77+	27.19 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPD060N03LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	29 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD060N03LGBTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD060N03LGBTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V

товар відсутній

IPD060N03LGINCT

Infineon Technologies

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

товар відсутній

IPD068N10N3 G

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD068N10N3 G

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 100V 90A DPAK-2 OptiMOS 3

товар відсутній

IPD068N10N3GATMA1

Description: INFINEON - IPD068N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0057 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0057ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0057ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 2823 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	182.74 грн
10+	164.01 грн
100+	131.81 грн
500+	100.84 грн
1000+	77.03 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPD068N10N3GATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4910 pF @ 50 V

на замовлення 11252 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	176.93 грн
10+	141.17 грн
100+	112.35 грн
500+	89.21 грн
1000+	75.7 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPD068N10N3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD068N10N3GATMA1

Infineon Technologies

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 40470 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	182.26 грн
10+	143.57 грн
100+	106.82 грн
250+	106.15 грн
500+	90.8 грн
1000+	75.44 грн
2500+	71.43 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPD068N10N3GATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4910 pF @ 50 V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	79.57 грн
5000+	73.75 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD068N10N3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 650 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	195.37 грн
10+	174.88 грн
25+	173.17 грн
100+	133.79 грн
250+	122.63 грн
500+	96.3 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPD068N10N3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	52.81 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD068N10N3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 650 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

56+	210.4 грн
63+	186.49 грн
100+	144.08 грн
250+	132.06 грн
500+	103.71 грн

Мінімальне замовлення: 56

IPD068N10N3GBTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4910 pF @ 50 V

товар відсутній

IPD068P03L3 G

Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3

на замовлення 6607 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPD068P03L3 G

Infineon Technologies

MOSFET P-Ch -30V -70A DPAK-2 OptiMOS P3

товар відсутній

IPD068P03L3 G

Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3

на замовлення 6607 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPD068P03L3 G

на замовлення 157500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD068P03L3G

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD068P03L3GATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -70A; 100W; PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 100W
Drain current: -70A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ P3
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPD068P03L3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

IPD068P03L3GATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7720 pF @ 15 V

на замовлення 6755 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	83.77 грн
10+	66.48 грн
100+	51.68 грн
500+	41.12 грн
1000+	33.49 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD068P03L3GATMA1

Description: INFINEON - IPD068P03L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 70 A, 0.005 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm

на замовлення 2918 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	56.09 грн
500+	44.16 грн
1000+	33.19 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPD068P03L3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 3562 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

130+	90.4 грн
143+	82.1 грн
170+	68.84 грн
200+	62.81 грн
500+	52.33 грн
1000+	42.21 грн
2500+	39.12 грн

Мінімальне замовлення: 130

IPD068P03L3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 1880 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	50.8 грн
13+	46.73 грн
25+	46.52 грн
100+	39.53 грн
250+	36.41 грн
500+	31.84 грн
1000+	26.5 грн

Мінімальне замовлення: 12

IPD068P03L3GATMA1

Infineon Technologies

Single P-Channel Power Transistor

товар відсутній

IPD068P03L3GATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -70A; 100W; PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 100W
Drain current: -70A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ P3
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPD068P03L3GATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7720 pF @ 15 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	34.89 грн
5000+	32 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD068P03L3GATMA1

Description: INFINEON - IPD068P03L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 70 A, 0.005 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm

на замовлення 2918 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	77.14 грн
50+	66.65 грн
100+	56.09 грн
500+	44.16 грн
1000+	33.19 грн

Мінімальне замовлення: 10

IPD068P03L3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 1880 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

233+	50.32 грн
234+	50.1 грн
266+	44.15 грн
267+	42.35 грн
500+	35.72 грн
1000+	28.54 грн

Мінімальне замовлення: 233

IPD068P03L3GATMA1

Infineon Technologies

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 9866 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	91.13 грн
10+	74.24 грн
100+	50 грн
500+	42.39 грн
1000+	34.52 грн
2500+	32.51 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD068P03L3GBTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET P-CH 30V 70A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD068P03L3GBTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7720 pF @ 15 V

товар відсутній

IPD068P03L3GBTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7720 pF @ 15 V

товар відсутній

IPD06N03L

to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD06N03L

03+

на замовлення 4077 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD06N03L

09+

на замовлення 5030 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD06N03L

07+;

на замовлення 300000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD06N03L

07+ to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD06N03LA

TO252

на замовлення 240 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD06N03LA

0426+

на замовлення 5579 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD06N03LA

Infineon Technologies

MOSFET N-KANAL POWER MOS

товар відсутній

IPD06N03LA

to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD06N03LA

07+;

на замовлення 320 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD06N03LA

07+ to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD06N03LA G

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2653 pF @ 15 V

товар відсутній

IPD06N03LA G

TO-252

на замовлення 1207 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD06N03LA G

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2653 pF @ 15 V

товар відсутній

IPD06N03LA G

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 25V 50A DPAK-2

товар відсутній

IPD06N03LAG

TO-252 10+

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD06N03LAG

Infineon Technologies

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2653 pF @ 15 V

на замовлення 25570 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

611+	32.34 грн

Мінімальне замовлення: 611

IPD06N03LAG

to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD06N03LAGBUMA1

Infineon Technologies

MOSFET

товар відсутній

IPD06N03LB G

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 30V 50A DPAK-2

товар відсутній

IPD06N03LB G

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V

товар відсутній

IPD06N03LB G

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V

товар відсутній

IPD06N03LBG

07+ to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD06N03LBG

to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD06P002NATMA1

Infineon Technologies

MOSFET

товар відсутній

IPD06P002NSAUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 60V 35A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.7mA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 30 V

товар відсутній

IPD06P003NATMA1

Infineon Technologies

MOSFET

товар відсутній

IPD06P003NSAUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 60V 22A TO252-3

товар відсутній

IPD06P004NATMA1

Infineon Technologies

MOSFET

товар відсутній

IPD06P004NSAUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 60V 16.4A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 16.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 710µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 30 V

товар відсутній

IPD06P005LATMA1

Infineon Technologies

MOSFET

товар відсутній

IPD06P005LSAUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 60V 6.5A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 30 V

товар відсутній

IPD06P005NATMA1

Infineon Technologies

MOSFET

товар відсутній

IPD06P005NATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH 40<-<100V

товар відсутній

IPD06P005NSAUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 60V 6.5A TO252-3

товар відсутній

IPD06P007NATMA1

Infineon Technologies

MOSFET

товар відсутній

IPD075N03L G

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 30V 50A DPAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IPD075N03L G

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD075N03LG

Infineon Technologies

Description: OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET

товар відсутній

IPD075N03LGATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	25.12 грн
5000+	22.98 грн
12500+	22.11 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD075N03LGATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 35A; 47W; PG-TO252-3
Power dissipation: 47W
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 35A
On-state resistance: 7.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET

на замовлення 2491 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	71.15 грн
9+	39.85 грн
11+	31.99 грн
30+	27.75 грн
80+	26.22 грн
1000+	25.87 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPD075N03LGATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 35A; 47W; PG-TO252-3
Power dissipation: 47W
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 35A
On-state resistance: 7.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 2491 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

4+	85.38 грн
6+	49.66 грн
10+	38.39 грн
30+	33.3 грн
80+	31.46 грн
1000+	31.04 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD075N03LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD075N03LGATMA1
Код товару: 172911

Транзистори > Польові N-канальні

товар відсутній

IPD075N03LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	16.9 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD075N03LGATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V

на замовлення 18379 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	46.22 грн
10+	34.35 грн
100+	28.5 грн
500+	24.48 грн
1000+	23.67 грн

Мінімальне замовлення: 7

IPD075N03LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPD075N03LGATMA1

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 30V 50A DPAK-2

на замовлення 8500 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	46.34 грн
10+	35.39 грн
100+	25.3 грн
500+	23.83 грн
1000+	21.23 грн
2500+	20.9 грн

Мінімальне замовлення: 7

IPD075N03LGBTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD075N03LGBTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V

товар відсутній

IPD079N06L3 G

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 60V 50A DPAK-2 OptiMOS 3

товар відсутній

IPD079N06L3 G

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD079N06L3GATMA1

Infineon Technologies

MOSFET

на замовлення 82 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	76.8 грн
10+	61.73 грн
100+	41.86 грн
500+	35.45 грн
1000+	28.84 грн
2500+	27.17 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPD079N06L3GATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-311
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 30 V

на замовлення 7950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	70.77 грн
10+	55.56 грн
100+	43.21 грн
500+	34.38 грн
1000+	28 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPD079N06L3GATMA1

Infineon Technologies

SP005559925

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	28.43 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD079N06L3GATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-311
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 30 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	29.17 грн
5000+	26.75 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD079N06L3GBTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD079N06L3GBTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 30 V

товар відсутній

IPD079N06L3GBTMA1

Description: INFINEON - IPD079N06L3GBTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0063 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0063ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

на замовлення 420 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	54 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPD079N06L3GBTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD079N06L3GBTMA1

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 60V 50A DPAK-2 OptiMOS 3

товар відсутній

IPD079N06L3GBTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 30 V

товар відсутній

IPD079N06L3GBTMA1

Description: INFINEON - IPD079N06L3GBTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0063 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0063ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

на замовлення 420 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	88.37 грн
11+	74.67 грн
100+	54 грн

Мінімальне замовлення: 9

IPD07N03L

07+ to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD07N03L

to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD07N03L

09+

на замовлення 5030 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD07N03LA

to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD07N03LAG

to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD082N10N3 G

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 100V 80A DPAK-2 OptiMOS 3

товар відсутній

IPD082N10N3G(Power-Transistor)
Код товару: 82995

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3

товар відсутній

IPD082N10N3GATMA1

Description: INFINEON - IPD082N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.007 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.007
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 16825 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	187.98 грн
10+	149.78 грн
100+	120.58 грн
500+	92.49 грн
1000+	70.61 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD082N10N3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	42.99 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD082N10N3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 1820 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

74+	158.88 грн
81+	144.78 грн
83+	142.47 грн
100+	115.37 грн
250+	104.34 грн
500+	82.18 грн
1000+	64.3 грн

Мінімальне замовлення: 74

IPD082N10N3GATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 73A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 75µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 50 V

на замовлення 25000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	61.58 грн
5000+	57.07 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD082N10N3GATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 125W; PG-TO252-3
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
On-state resistance: 8.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPD082N10N3GATMA1

Description: INFINEON - IPD082N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.007 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 125
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 16825 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	120.58 грн
500+	92.49 грн
1000+	70.61 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPD082N10N3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 1820 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	147.53 грн
10+	134.43 грн
25+	132.3 грн
100+	107.13 грн
250+	96.89 грн
500+	76.31 грн
1000+	59.7 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD082N10N3GATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 125W; PG-TO252-3
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
On-state resistance: 8.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET

товар відсутній

IPD082N10N3GATMA1
Код товару: 143398

Транзистори > Польові N-канальні

товар відсутній

IPD082N10N3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD082N10N3GATMA1

Infineon Technologies

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 702 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	140.98 грн
10+	111.32 грн
100+	81.45 грн
250+	78.78 грн
500+	69.43 грн
1000+	58.82 грн
2500+	56.48 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPD082N10N3GATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 73A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 75µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 50 V

на замовлення 28636 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	136.49 грн
10+	109.25 грн
100+	86.94 грн
500+	69.04 грн
1000+	58.58 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPD082N10N3GBTMA1

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 100V 80A DPAK-2 OptiMOS 3

товар відсутній

IPD082N10N3GBTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 73A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 75µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 50 V

товар відсутній

IPD082N10N3GBTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD088N04L G

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 40V 50A DPAK-2

товар відсутній

IPD088N04L G

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

IPD088N04LG

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD088N04LGBTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 16µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 20 V

товар відсутній

IPD088N04LGBTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD088N04LGXT

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD088N04LGXT

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD088N06N3 G

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 60V 50A DPAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 22160 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IPD088N06N3GATMA1

Infineon Technologies

MOSFET

товар відсутній

IPD088N06N3GATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-311
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 30 V

товар відсутній

IPD088N06N3GBTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD088N06N3GBTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 30 V

товар відсутній

IPD088N06N3GBTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD088N06N3GBTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD088N06N3GBTMA1

Infineon Technologies

MOSFET TRENCH 40<-<100V

товар відсутній

IPD088N06N3GBTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 30 V

товар відсутній

IPD090N03L G

Description: INFINEON - IPD090N03L G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0075 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 40
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 42
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2
Verlustleistung: 42
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0075
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

товар відсутній

IPD090N03L G

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 30V 40A DPAK-2 OptiMOS 3

товар відсутній

IPD090N03L G E8177

Infineon Technologies

MOSFET

товар відсутній

IPD090N03LG

N-MOSFET 30V 40A 42W 9mΩ IPD090N03LG Infineon TIPD090n03lg
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 75 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

50+	12.19 грн

Мінімальне замовлення: 50

IPD090N03LG (Транзистори польові N-канал)
Код товару: 45566

Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 40 A
Rds(on), Ohm: 0,9 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: /15

товар відсутній

IPD090N03LGATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 30A; 42W; PG-TO252-3
Power dissipation: 42W
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30A
On-state resistance: 9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 2498 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

3+	94.36 грн
7+	39 грн
25+	33.3 грн
34+	28.71 грн
93+	27.12 грн
500+	26.79 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPD090N03LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD090N03LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 5064 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	12.85 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD090N03LGATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 40A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15

на замовлення 92324 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	50.55 грн
10+	42.56 грн
100+	29.47 грн
500+	23.1 грн
1000+	19.66 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPD090N03LGATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 30A; 42W; PG-TO252-3
Power dissipation: 42W
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30A
On-state resistance: 9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET

на замовлення 2498 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	78.64 грн
12+	31.29 грн
25+	27.75 грн
34+	23.92 грн
93+	22.6 грн
500+	22.32 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPD090N03LGATMA1

Description: INFINEON - IPD090N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0075 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 3311 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	31.53 грн
500+	24.83 грн
1000+	17.27 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPD090N03LGATMA1

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 30V 40A DPAK-2

на замовлення 34314 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	48.52 грн
10+	41.77 грн
100+	26.17 грн
500+	21.5 грн
1000+	20.3 грн
2500+	17.69 грн
5000+	16.82 грн

Мінімальне замовлення: 7

IPD090N03LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	46.09 грн
15+	40.51 грн
25+	34.36 грн
100+	29.48 грн
250+	25.9 грн
500+	15.36 грн

Мінімальне замовлення: 13

IPD090N03LGATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 40A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15

на замовлення 91305 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	19.38 грн
5000+	17.68 грн
12500+	16.37 грн
25000+	15.21 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD090N03LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

317+	37 грн
356+	32.92 грн
375+	31.23 грн
607+	18.61 грн

Мінімальне замовлення: 317

IPD090N03LGATMA1

Description: INFINEON - IPD090N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0075 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 3311 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	58.94 грн
16+	49.65 грн
100+	31.53 грн
500+	24.83 грн
1000+	17.27 грн

Мінімальне замовлення: 13

IPD090N03LGBTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD090N03LGBTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD090N03LGBTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 40A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V

товар відсутній

IPD090N03LGBTMA1
Код товару: 163865

Транзистори > Польові N-канальні

товар відсутній

IPD096N08N3 G

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 80V 73A DPAK-2 OptiMOS 3

товар відсутній

IPD096N08N3G

Infineon technologies

на замовлення 748 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD096N08N3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 73A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD096N08N3GATMA1

Description: INFINEON - IPD096N08N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 73 A, 0.0079 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 73A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0079ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 756 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	107.85 грн
10+	80.88 грн
100+	59.76 грн
500+	47.01 грн

Мінімальне замовлення: 7

IPD096N08N3GATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 73A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 40 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	90.27 грн
10+	70.79 грн
100+	55.04 грн
500+	43.78 грн
1000+	35.66 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD096N08N3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 73A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	28.66 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD096N08N3GATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 73A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 40 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	37.15 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD096N08N3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 73A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD096N08N3GATMA1

Description: INFINEON - IPD096N08N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 73 A, 0.0079 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 73A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0079ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 756 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	59.76 грн
500+	47.01 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPD096N08N3GATMA1

Infineon Technologies

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 1833 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	97.36 грн
10+	76.78 грн
100+	52.14 грн
500+	45.06 грн
1000+	36.72 грн
2500+	34.58 грн
5000+	32.91 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD096N08N3GBTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 73A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 40 V

товар відсутній

IPD09N032AL-AP

09+

на замовлення 5018 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD09N03L

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD09N03LA

09+

на замовлення 5030 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD09N03LA

Infineon Technologies

MOSFET N-KANAL POWER MOS

товар відсутній

IPD09N03LA

0424+

на замовлення 1330 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD09N03LA

TO252

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD09N03LA G

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1642 pF @ 15 V

товар відсутній

IPD09N03LA G

09+

на замовлення 5030 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD09N03LA G

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1642 pF @ 15 V

товар відсутній

IPD09N03LA G

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 25V 50A DPAK-2

товар відсутній

IPD09N03LAG

0825+

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD09N03LAGBUMA1

Infineon Technologies

MOSFET

товар відсутній

IPD09N03LAP

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD09N03LB G

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V

товар відсутній

IPD09N03LBG

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD09N03LBG

Infineon Technologies

MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V

товар відсутній

IPD09N03LBG

07+ to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD09N03LBG

0521+

на замовлення 4304 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD09N03LBG

to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD1-02-D

Description: CONN RCPT HSG 4POS 2.54MM
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 4
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Part Status: Active
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

на замовлення 982 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	80.16 грн
10+	65.37 грн
25+	62.73 грн
50+	57.61 грн
100+	55.11 грн
250+	50.1 грн
500+	44.35 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD1-02-D-GP-M

Heavy Duty Power Connectors .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-02-D-K

Conn Housing F 4 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Bulk

на замовлення 99 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	37.31 грн

Мінімальне замовлення: 9

IPD1-02-D-K

Description: SAMTEC - IPD1-02-D-K - Steckverbindergehäuse, zwei Reihen, IPD1, Buchse, 4 -polig, 2.54 mm
tariffCode: 85472000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Rastermaß: 2.54mm
Ausführung: Buchse
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Crimpbare Buchsenkontakte der Produktreihe CC79
usEccn: EAR99
Produktpalette: IPD1
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

товар відсутній

IPD1-02-D-K

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 24138 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	81 грн
10+	69.94 грн
100+	52.41 грн
500+	42.86 грн
1000+	38.19 грн
2500+	34.52 грн
5000+	33.31 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD1-02-D-K

Description: CONN RCPT HSG 4POS 2.54MM
Packaging: Bulk
Features: Polarizing Key
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 4
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

на замовлення 3839 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	67.88 грн
10+	55.15 грн
25+	52.94 грн
50+	48.61 грн
100+	46.49 грн
250+	42.26 грн
500+	37.41 грн
1000+	33.25 грн
2500+	30.14 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPD1-02-D-K-M

Conn Housing F 4 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Bulk

товар відсутній

IPD1-02-D-K-M

Description: MINI-POWER CONN

на замовлення 1776 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPD1-02-D-K-M

Conn Housing F 4 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Bulk

на замовлення 25 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	104.89 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPD1-02-D-K-M

Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 1884 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	198.61 грн
100+	145.87 грн
500+	107.49 грн
1000+	91.46 грн
2500+	84.12 грн
5000+	82.12 грн
10000+	80.11 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPD1-02-D-M

Heavy Duty Power Connectors .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-02-D-M

Conn Housing RCP 4 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount White Mini Mate® Bulk

товар відсутній

IPD1-02-D-P-M

Heavy Duty Power Connectors .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-02-D-P-M

Conn Housing F 4 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Bulk

товар відсутній

IPD1-02-S

Conn Housing F 2 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount

товар відсутній

IPD1-02-S

Description: SAMTEC - IPD1-02-S - Steckverbindergehäuse, IPD1, Buchse, 2 -polig, 2.54 mm
tariffCode: 85472000
Anzahl der Positionen: 2-polig
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Rastermaß: 2.54mm
Ausführung: Buchse
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Buchsenkontakte der Produktreihen CC79L & CC79R von Samtec
usEccn: EAR99
Produktpalette: IPD1
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 19 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	56.24 грн

Мінімальне замовлення: 14

IPD1-02-S

Description: CONN RCPT HSG 2POS 2.54MM
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 2
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 1

на замовлення 1181 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	73.66 грн
10+	60.36 грн
100+	54.22 грн
1000+	37.01 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD1-02-S

Conn Housing F 2 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount

на замовлення 26 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	38.83 грн

Мінімальне замовлення: 15

IPD1-02-S-K

Conn Housing RCP 2 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount White Bulk

на замовлення 38051 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	68.81 грн

Мінімальне замовлення: 9

IPD1-02-S-K

Conn Housing F 2 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Bulk

товар відсутній

IPD1-02-S-K

Conn Housing RCP 2 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount White Bulk

на замовлення 5200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

154+	76.01 грн

Мінімальне замовлення: 154

IPD1-02-S-K

Description: SAMTEC - IPD1-02-S-K - Steckverbindergehäuse, eine Reihe, IPD1, Buchse, 2 -polig, 2.54 mm
tariffCode: 85366990
Anzahl der Positionen: 2Ways
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Rastermaß: 2.54mm
Ausführung: Buchse
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Crimpbare Buchsenkontakte der Produktreihe CC79
usEccn: EAR99
Produktpalette: IPD1
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 8913 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	49.43 грн
50+	43.36 грн
100+	37.22 грн
250+	32.34 грн
500+	27.73 грн
1500+	24.52 грн

Мінімальне замовлення: 16

IPD1-02-S-K

Description: CONN RCPT HSG 2POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 2
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 1

на замовлення 11761 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	67.88 грн
10+	55.15 грн
25+	52.94 грн
50+	48.61 грн
100+	46.49 грн
250+	42.26 грн
500+	37.41 грн
1000+	33.25 грн
2500+	30.14 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPD1-02-S-K

Conn Housing RCP 2 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount White Bulk

товар відсутній

IPD1-02-S-K

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 11358 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	78.67 грн
10+	67.72 грн
100+	50.74 грн
500+	41.53 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD1-02-S-K

Conn Housing RCP 2 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount White Bulk

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPD1-02-S-K

Conn Housing RCP 2 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount White Bulk

на замовлення 38051 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

158+	74.11 грн

Мінімальне замовлення: 158

IPD1-02-S-K-M

Conn Housing RCP 2 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount White Mini Mate® Bulk

товар відсутній

IPD1-02-S-K-M

Conn Housing RCP 2 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount White Mini Mate® Bulk

на замовлення 780 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

46+	254.54 грн

Мінімальне замовлення: 46

IPD1-02-S-K-M

Conn Housing RCP 2 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount White Mini Mate® Bulk

товар відсутній

IPD1-02-S-K-M

Conn Housing RCP 2 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount White Mini Mate® Bulk

товар відсутній

IPD1-02-S-K-M

Conn Housing RCP 2 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount White Mini Mate® Bulk

товар відсутній

IPD1-02-S-K-M

Description: MINI-POWER CONN

на замовлення 367 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPD1-02-S-K-R

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-02-S-K-R

Description: CONN RCPT HSG 2POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 2
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 1

товар відсутній

IPD1-02-S-K..

Description: SAMTEC - IPD1-02-S-K.. - Steckverbindergehäuse, Single Row, Buchse, 2 -polig, 2.54 mm, CC79 Series Socket Crimp Contacts
Rastermaß: 2.54
Ausführung: Buchse
Zur Verwendung mit: CC79 Series Socket Crimp Contacts
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

товар відсутній

IPD1-02-S-R

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 330 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	86.46 грн
10+	74.4 грн
100+	55.75 грн
500+	45.6 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD1-03-D

Description: CONN RCPT HSG 6POS 2.54MM
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 6
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Part Status: Active
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

на замовлення 36 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	67.16 грн
10+	54.38 грн
25+	52.19 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPD1-03-D

Conn Housing F 6 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Bulk

товар відсутній

IPD1-03-D

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 464 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	81 грн
10+	69.94 грн
100+	52.41 грн
500+	42.86 грн
1000+	38.19 грн
2500+	34.52 грн
5000+	33.31 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD1-03-D-GP

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-03-D-GP

Description: MINI-POWER CONNECTOR

товар відсутній

IPD1-03-D-GP-M

Description: MINI-POWER CONNECTOR

товар відсутній

IPD1-03-D-GP-R

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-03-D-GP-R

Description: MINI-POWER CONNECTOR

товар відсутній

IPD1-03-D-K

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 65554 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	55.07 грн
10+	47.52 грн
100+	36.72 грн
500+	29.64 грн
1000+	27.31 грн
2500+	27.04 грн
10000+	25.9 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPD1-03-D-K

Description: CONN RCPT HSG 6POS 2.54MM
Packaging: Bulk
Features: Polarizing Key
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 6
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

на замовлення 8973 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	67.88 грн
10+	55.15 грн
25+	52.94 грн
50+	48.61 грн
100+	46.49 грн
250+	42.26 грн
500+	37.41 грн
1000+	33.25 грн
2500+	30.14 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPD1-03-D-K

Conn Housing F 6 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Bulk

товар відсутній

IPD1-03-D-K .

Description: SAMTEC - IPD1-03-D-K . - Steckverbindergehäuse, IPD1, Buchse, 6 -polig, 2.54 mm
tariffCode: 85472000
Anzahl der Positionen: 6-polig
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Rastermaß: 2.54mm
Ausführung: Buchse
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Crimpbare Buchsenkontakte der Produktreihe CC79
usEccn: EAR99
Produktpalette: IPD1
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 18 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	49.43 грн

Мінімальне замовлення: 16

IPD1-03-D-K-M

Description: CONN RECEPT .100" 6POS

на замовлення 927 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPD1-03-D-K-M

Description: SAMTEC - IPD1-03-D-K-M - Steckverbindergehäuse, Buchse, 6 -polig, 2.54 mm
tariffCode: 85366990
Anzahl der Positionen: 6-polig
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Rastermaß: 2.54mm
Ausführung: Buchse
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Crimpbare Buchsenkontakte der Produktreihe CC69L/CC69R von Samtec
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	312.3 грн
10+	298.82 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPD1-03-D-K-M
Код товару: 130196

Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Інші

товар відсутній

IPD1-03-D-K-M

Conn Housing F 6 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Bulk

товар відсутній

IPD1-03-D-K-M

Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 271 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	394.11 грн
10+	371.59 грн
100+	269.72 грн
500+	228.99 грн
1000+	194.94 грн
2500+	178.92 грн
5000+	175.58 грн

IPD1-03-D-K-R

IPD1-03-D-K-R

товар відсутній

IPD1-03-D-K-R

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-03-D-K-R

Description: MINI-POWER CONNECTOR

товар відсутній

IPD1-03-D-M

Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-03-D-M

Description: MINI-POWER CONNECTOR

товар відсутній

IPD1-03-D-M

Conn Housing RCP 6 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Mini Mate® Bulk

товар відсутній

IPD1-03-D-P

Conn Housing 6 POS 2.54mm Crimp ST Loose

товар відсутній

IPD1-03-D-P

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-03-D-P

Description: MINI-POWER CONNECTOR

товар відсутній

IPD1-03-D-P-M

Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-03-D-P-M

Description: MINI-POWER CONNECTOR

товар відсутній

IPD1-03-D-R

Description: MINI-POWER CONNECTOR

товар відсутній

IPD1-03-D-R

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-03-S

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-03-S

Description: CONN RCPT HSG 3POS 2.54MM
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 3
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Part Status: Active
Number of Rows: 1

товар відсутній

IPD1-03-S

Conn Housing F 3 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount

товар відсутній

IPD1-03-S-K

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 4892 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	81 грн
10+	69.94 грн
100+	52.41 грн
500+	42.86 грн
1000+	38.19 грн
2500+	34.52 грн
5000+	33.31 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD1-03-S-K

Conn Housing F 3 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Bulk

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPD1-03-S-K

Description: CONN RCPT HSG 3POS 2.54MM
Packaging: Bulk
Features: Polarizing Key
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 3
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Part Status: Active
Number of Rows: 1
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6

на замовлення 2787 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	75.83 грн
10+	61.89 грн
25+	59.36 грн
50+	54.53 грн
100+	52.16 грн
250+	47.42 грн
500+	41.97 грн
1000+	37.31 грн
2500+	33.81 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD1-03-S-K

Conn Housing F 3 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Bulk

товар відсутній

IPD1-03-S-K

Conn Housing F 3 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Bulk

товар відсутній

IPD1-03-S-K .

Description: SAMTEC - IPD1-03-S-K . - Steckverbindergehäuse, IPD1, Buchse, 3 -polig, 2.54 mm
tariffCode: 85366990
Anzahl der Positionen: 3-polig
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Rastermaß: 2.54mm
Ausführung: Buchse
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Crimpbare Buchsenkontakte der Produktreihe CC79
usEccn: EAR99
Produktpalette: IPD1
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 325 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	72.12 грн
50+	65.08 грн
100+	58.04 грн
250+	48.96 грн

Мінімальне замовлення: 11

IPD1-03-S-K-M

Conn Housing F 3 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Bulk

товар відсутній

IPD1-03-S-K-M

Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 643 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	394.11 грн
10+	371.59 грн
100+	269.72 грн
500+	228.99 грн
1000+	194.94 грн
2500+	178.92 грн
5000+	175.58 грн

IPD1-03-S-K-M

Conn Housing F 3 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Bulk

товар відсутній

IPD1-03-S-K-M

Description: CONN RCPT HSG 3POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 3
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Part Status: Active
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 1

на замовлення 520 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	371.2 грн
10+	324.42 грн
25+	307.32 грн
50+	281.69 грн
100+	268.27 грн
250+	234.74 грн
500+	224.3 грн

IPD1-03-S-K-R

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-03-S-K-R

Description: CONN RCPT HSG 3POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 3
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Part Status: Active
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 1

товар відсутній

IPD1-03-S-P

Description: CONN RCPT HSG 3POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 3
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Part Status: Active
Number of Rows: 1

товар відсутній

IPD1-03-S-R

Description: CONN RCPT HSG 3POS 2.54MM
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 3
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Part Status: Active
Number of Rows: 1

товар відсутній

IPD1-03-S-R

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-04-D

Description: MINI-POWER CONN

на замовлення 770 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPD1-04-D

Description: SAMTEC - IPD1-04-D - Steckverbindergehäuse, Buchse, 8 -polig, 2.54 mm
tariffCode: 85366990
Anzahl der Positionen: 8-polig
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Rastermaß: 2.54mm
Ausführung: Buchse
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Crimpbare Buchsenkontakte der Produktreihe CC69L/CC69R von Samtec
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPD1-04-D

Conn Housing F 8 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

на замовлення 97 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPD1-04-D-K

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 11409 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	78.67 грн
10+	67.72 грн
100+	50.74 грн
500+	41.53 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD1-04-D-K

Description: CONN RCPT HSG 8POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 8
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Part Status: Active
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

на замовлення 2589 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	67.88 грн
10+	55.15 грн
25+	52.94 грн
50+	48.61 грн
100+	46.49 грн
250+	42.26 грн
500+	37.41 грн
1000+	33.25 грн
2500+	30.14 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPD1-04-D-K .

Description: SAMTEC - IPD1-04-D-K . - Steckverbindergehäuse, IPD1, Buchse, 8 -polig, 2.54 mm
tariffCode: 85472000
Anzahl der Positionen: 8-polig
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Rastermaß: 2.54mm
Ausführung: Buchse
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Crimpbare Buchsenkontakte der Produktreihe CC79
usEccn: EAR99
Produktpalette: IPD1
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 130 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	74.89 грн
50+	67.78 грн
100+	60.59 грн

Мінімальне замовлення: 10

IPD1-04-D-K-M

Heavy Duty Power Connectors .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 56 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IPD1-04-D-K-M

Description: MINI-POWER CONNECTOR

на замовлення 850 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPD1-04-D-M

Heavy Duty Power Connectors .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-04-D-P-M

Heavy Duty Power Connectors .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-04-S

Description: MINI-POWER CONN

на замовлення 250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPD1-04-S-K

Description: MINI-POWER CONN

на замовлення 1813 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPD1-04-S-K

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 5455 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	78.67 грн
10+	67.72 грн
100+	50.74 грн
500+	41.53 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD1-04-S-K .

Description: SAMTEC - IPD1-04-S-K . - Steckverbindergehäuse, IPD1, Buchse, 4 -polig, 2.54 mm
tariffCode: 85472000
Anzahl der Positionen: 4-polig
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Rastermaß: 2.54mm
Ausführung: Buchse
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Crimpbare Buchsenkontakte der Produktreihe CC79 von Samtec
usEccn: EAR99
Produktpalette: IPD1
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 238 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	72.12 грн
50+	65.08 грн
100+	58.04 грн

Мінімальне замовлення: 11

IPD1-04-S-K-M

Description: SAMTEC - IPD1-04-S-K-M - Steckverbindergehäuse, Buchse, 4 -polig, 2.54 mm, Samtech Mini Mate IPD1 Series Socket Contacts
tariffCode: 85366990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	289.08 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPD1-04-S-K-M

Description: CONN RCPT HSG 4POS 2.54MM

на замовлення 229 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	369.75 грн
10+	323.03 грн
25+	305.96 грн
50+	280.44 грн
100+	267.08 грн

IPD1-04-S-K-M

Conn Housing F 4 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Bulk

на замовлення 18 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	271.78 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPD1-04-S-K-M

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 122 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IPD1-04-S-K-R

Description: CONN RCPT HSG 4POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 4
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 1

товар відсутній

IPD1-04-S-K-R

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-05-D

Conn Housing F 10 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Mini Mate® Bulk

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPD1-05-D

Description: CONN RCPT HSG 10POS 2.54MM
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 10
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Part Status: Active
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

на замовлення 55955 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	72.94 грн
10+	59.6 грн
25+	57.19 грн
50+	52.52 грн
100+	50.24 грн
250+	45.67 грн
500+	40.43 грн
1000+	35.94 грн
2500+	32.57 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD1-05-D

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 6506 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	78.67 грн
10+	67.72 грн
100+	50.74 грн
500+	41.53 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD1-05-D

Description: SAMTEC - IPD1-05-D - Steckverbindergehäuse, IPD1, Buchse, 10 -polig, 2.54 mm
tariffCode: 85472000
Anzahl der Positionen: 10Ways
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Rastermaß: 2.54mm
Ausführung: Buchse
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Crimpbare Buchsenkontakte der Produktreihe CC79
usEccn: EAR99
Produktpalette: IPD1
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 313 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	61.71 грн
50+	56.02 грн
100+	50.25 грн
250+	42.42 грн

Мінімальне замовлення: 13

IPD1-05-D-K

Description: CONN RCPT HSG 10POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 10
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

на замовлення 12122 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	57.77 грн
10+	47.01 грн
25+	45.15 грн
50+	41.46 грн
100+	39.66 грн
250+	36.06 грн
500+	31.92 грн
1000+	28.37 грн
2500+	25.71 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPD1-05-D-K

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 26341 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	78.67 грн
10+	67.72 грн
100+	50.74 грн
500+	41.53 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD1-05-D-K

Description: SAMTEC - IPD1-05-D-K - Steckverbindergehäuse, zwei Reihen, IPD1, Buchse, 10 -polig, 2.54 mm
tariffCode: 85366990
Anzahl der Positionen: 10Ways
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Rastermaß: 2.54mm
Ausführung: Buchse
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Crimpbare Buchsenkontakte der Produktreihe CC79
usEccn: EAR99
Produktpalette: IPD1
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 12255 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	49.2 грн
50+	43.59 грн
100+	37.97 грн
250+	33.73 грн
500+	29.66 грн
1500+	25.74 грн

Мінімальне замовлення: 16

IPD1-05-D-K

Conn Housing F 10 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Mini Mate® Bulk

на замовлення 1417 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	37.31 грн
1000+	27.19 грн

Мінімальне замовлення: 9

IPD1-05-D-K-M

Description: MINI-POWER CONNECTOR

на замовлення 624 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPD1-05-D-K-M

Heavy Duty Power Connectors .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 86 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IPD1-05-D-K-M

Description: SAMTEC - IPD1-05-D-K-M - Steckverbindergehäuse, IPD1, Buchse, 10 -polig, 2.54 mm
tariffCode: 85472000
Anzahl der Positionen: 10Ways
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Rastermaß: 2.54mm
Ausführung: Buchse
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Buchsenkontakte der Produktreihe CC69 von Samtec
usEccn: EAR99
Produktpalette: IPD1
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 690 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	218.69 грн
10+	163.27 грн
100+	133.31 грн
250+	102.23 грн
500+	74.46 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD1-05-D-M

Description: CONN RCPT HSG 10POS 2.54MM
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 10
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Part Status: Active
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

на замовлення 1127 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	247.71 грн
50+	193.93 грн
100+	172.58 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPD1-05-D-M

Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 35 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	268.71 грн
50+	215.74 грн
100+	173.58 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPD1-05-D-M

Conn Housing RCP 10 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Mini Mate® Bulk

товар відсутній

IPD1-05-D-P

Description: MINI-POWER CONN

на замовлення 975 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPD1-05-D-P-M

Heavy Duty Power Connectors .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-05-S

Description: MINI-POWER CONN

на замовлення 1271 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPD1-05-S-K

Description: CONN RCPT HSG 5POS 2.54MM
Packaging: Bulk
Features: Polarizing Key
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 5
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 1

на замовлення 33488 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	73.66 грн
10+	59.81 грн
100+	53.72 грн
1000+	36.66 грн
5000+	32.08 грн
10000+	30.48 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD1-05-S-K-M

Conn Housing F 5 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Bulk

товар відсутній

IPD1-05-S-K-M

Headers & Wire Housings .100" MINI MATE DISCRETE WIRE SOCKET HOUSING

на замовлення 232 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IPD1-05-S-K-M

Description: MINI-POWER CONN

на замовлення 142 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPD1-05-S-K-M

Conn Housing F 5 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Bulk

на замовлення 35 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	151.9 грн
10+	132.49 грн
25+	124.16 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD1-05-S-K-R

Description: CONN RCPT HSG 5POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 5
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 1

товар відсутній

IPD1-06-D

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 1215 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	77.81 грн
10+	66.95 грн
100+	50.2 грн
500+	41.06 грн
1000+	36.52 грн
2500+	33.05 грн
5000+	31.91 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPD1-06-D

Description: CONN RECEPT .100" 12POS

на замовлення 575 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPD1-06-D-K

Conn Housing F 12 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Mini Mate® Bulk

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPD1-06-D-K

Description: CONN RECEPT .100" 12POS

на замовлення 2588 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPD1-06-D-K

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 8975 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	77.81 грн
10+	66.95 грн
100+	50.2 грн
500+	41.06 грн
1000+	36.52 грн
2500+	33.05 грн
5000+	31.91 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPD1-06-D-K .

Description: SAMTEC - IPD1-06-D-K . - Steckverbindergehäuse, IPD1, Buchse, 12 -polig, 2.54 mm
tariffCode: 85472000
Anzahl der Positionen: 12-polig
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Rastermaß: 2.54mm
Ausführung: Buchse
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Crimpbare Buchsenkontakte der Produktreihe CC79
usEccn: EAR99
Produktpalette: IPD1
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 561 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	74.74 грн
50+	67.4 грн
100+	59.99 грн
250+	50.63 грн
500+	42.05 грн

Мінімальне замовлення: 11

IPD1-06-D-K-M

Description: SAMTEC - IPD1-06-D-K-M - Steckverbindergehäuse, IPD1, Buchse, 12 -polig, 2.54 mm
tariffCode: 85366990
Anzahl der Positionen: 12-polig
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Rastermaß: 2.54mm
Ausführung: Buchse
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Crimpbare Buchsenkontakte der Produktreihe CC79 von Samtec
usEccn: EAR99
Produktpalette: IPD1
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPD1-06-D-K-M

Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 481 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	318.56 грн
10+	271.79 грн
100+	208.3 грн
250+	199.62 грн
500+	194.28 грн
1000+	170.91 грн
5000+	168.24 грн

IPD1-06-D-K-M

Conn Housing F 12 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Bulk

товар відсутній

IPD1-06-D-K-M

Description: CONN RCPT HSG 12POS 2.54MM
Packaging: Bulk
Features: Pick and Place, Polarizing Key
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 12
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

на замовлення 1525 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	361.81 грн
10+	316.49 грн
25+	299.81 грн
50+	274.81 грн
100+	261.73 грн
250+	229.01 грн
500+	218.82 грн
1000+	186.64 грн

IPD1-06-D-M

Description: CONN RCPT HSG 12POS 2.54MM
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 12
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

на замовлення 17 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	371.92 грн

IPD1-06-D-M

Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-06-S-K

Description: MINI-POWER CONN

на замовлення 361 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPD1-06-S-K

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 3696 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	70.26 грн
10+	57.12 грн
100+	44.53 грн
500+	39.79 грн
1000+	32.25 грн
2500+	31.04 грн
10000+	30.84 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPD1-06-S-K-M

Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 26 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IPD1-06-S-K-M

Conn Housing F 6 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Bulk

на замовлення 208 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	151.39 грн
5+	140.54 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD1-06-S-K-M

Description: MINI-POWER CONNECTOR

на замовлення 499 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPD1-06-S-K-R

Description: CONN RCPT HSG 6POS 2.54MM
Packaging: Bulk
Features: Polarizing Key
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 6
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 1

товар відсутній

IPD1-06-S-K-R

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-07-D

Supercapacitors / Ultracapacitors 100F 2.7V +30% / -10% tol

товар відсутній

IPD1-07-D

Description: SAMTEC - IPD1-07-D - Steckverbindergehäuse, IPD1, Buchse, 14 -polig, 2.54 mm
tariffCode: 85366990
Anzahl der Positionen: 14-polig
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Rastermaß: 2.54mm
Ausführung: Buchse
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Crimpbare Buchsenkontakte der Produktreihe CC79 von Samtec
usEccn: EAR99
Produktpalette: IPD1
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 48 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	101.85 грн
10+	81.63 грн

Мінімальне замовлення: 8

IPD1-07-D

Description: CONN RCPT HSG 14POS 2.54MM
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 14
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

на замовлення 1075 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	101.1 грн
10+	84.49 грн
100+	75.5 грн
1000+	50.61 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPD1-07-D-K

Conn Housing F 14 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

товар відсутній

IPD1-07-D-K

Description: SAMTEC - IPD1-07-D-K - Steckverbindergehäuse, IPD1, Buchse, 14 -polig, 2.54 mm
tariffCode: 85472000
Anzahl der Positionen: 14
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Rastermaß: 2.54
Ausführung: Buchse
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Buchsenkontakte der Produktreihen CC79L & CC79R von Samtec
usEccn: EAR99
Produktpalette: IPD1
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 21 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	106.35 грн
10+	99.61 грн

Мінімальне замовлення: 8

IPD1-07-D-K

Conn Housing F 14 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

товар відсутній

IPD1-07-D-K

Description: CONN RCPT HSG 14POS 2.54MM
Packaging: Bulk
Features: Polarizing Key
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 14
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

на замовлення 1198 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	87.38 грн
10+	70.79 грн
100+	63.56 грн
1000+	43.38 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD1-07-D-K

Conn Housing F 14 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPD1-07-D-K

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 2309 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	117.61 грн
10+	105.18 грн
100+	78.11 грн
500+	65.36 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPD1-07-D-K-M

Description: CONN RCPT HSG 14POS 2.54MM
Packaging: Tube
Features: Pick and Place, Polarizing Key
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 14
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

на замовлення 280 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	387.81 грн
10+	339.58 грн
25+	321.59 грн
50+	294.79 грн
100+	280.75 грн
250+	245.66 грн

IPD1-07-D-K-M

Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 1165 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	296.75 грн
112+	216.51 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPD1-07-D-K-M

Conn Housing F 14 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

товар відсутній

IPD1-07-D-K-M

Conn Housing F 14 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

товар відсутній

IPD1-07-S-K-M

Heavy Duty Power Connectors .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-07-S-K-R

Description: CONN RCPT HSG 7POS 2.54MM
Packaging: Bulk
Features: Polarizing Key
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 7
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 1

товар відсутній

IPD1-08-D

Description: MINI-POWER CONN

на замовлення 119 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPD1-08-D

Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 370 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IPD1-08-D-GP

Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-08-D-GP

Description: MINI-POWER CONNECTOR

товар відсутній

IPD1-08-D-GP-M

Description: MINI-POWER CONNECTOR

товар відсутній

IPD1-08-D-GP-R

Description: MINI-POWER CONNECTOR

товар відсутній

IPD1-08-D-K

Conn Housing F 16 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPD1-08-D-K

Conn Housing F 16 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

товар відсутній

IPD1-08-D-K

Description: CONN RCPT HSG 16POS 2.54MM
Packaging: Bulk
Features: Polarizing Key
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 16
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

на замовлення 3337 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	75.11 грн
10+	61.2 грн
25+	58.69 грн
50+	53.91 грн
100+	51.56 грн
250+	46.87 грн
500+	41.5 грн
1000+	36.88 грн
2500+	33.43 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD1-08-D-K

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 12514 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	60.75 грн
10+	47.68 грн
100+	36.05 грн
500+	32.38 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPD1-08-D-K

Description: SAMTEC - IPD1-08-D-K - Steckverbindergehäuse, IPD1, Buchse, 16 -polig, 2.54 mm
tariffCode: 85472000
Anzahl der Positionen: 16-polig
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Rastermaß: 2.54mm
Ausführung: Buchse
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Crimpbare Buchsenkontakte der Produktreihe CC79 von Samtec
usEccn: EAR99
Produktpalette: IPD1
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 230 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	46.96 грн
50+	41.42 грн
100+	35.8 грн

Мінімальне замовлення: 16

IPD1-08-D-K-M

Description: CONN RCPT HSG 16POS 2.54MM
Packaging: Tube
Features: Pick and Place, Polarizing Key
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 16
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

на замовлення 4207 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	358.92 грн
10+	313.99 грн
25+	297.39 грн
50+	272.59 грн
100+	259.61 грн
250+	227.16 грн
500+	217.05 грн
1000+	185.13 грн
2500+	172.37 грн

IPD1-08-D-K-M

Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 129 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IPD1-08-D-K-M

Description: SAMTEC - IPD1-08-D-K-M - Steckverbindergehäuse, Buchse, 16 -polig, 2.54 mm
tariffCode: 85366990
Anzahl der Positionen: 16-polig
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Rastermaß: 2.54mm
Ausführung: Buchse
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Crimpbare Buchsenkontakte der Produktreihe CC69L/CC69R von Samtec
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 22 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	414.16 грн
10+	360.23 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPD1-08-D-K-R

Description: MINI-POWER CONNECTOR

товар відсутній

IPD1-08-D-K-R

Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-08-D-M

Description: MINI-POWER CONNECTOR

товар відсутній

IPD1-08-D-M

Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-08-D-P

Description: MINI-POWER CONNECTOR

товар відсутній

IPD1-08-D-P

Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-08-D-P-M

Conn Housing F 16 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

товар відсутній

IPD1-08-D-P-M

Description: MINI-POWER CONNECTOR

товар відсутній

IPD1-08-D-P-M

Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-08-D-P-R

Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-08-D-R

Description: MINI-POWER CONNECTOR

товар відсутній

IPD1-08-S

Description: MINI-POWER CONNECTOR

товар відсутній

IPD1-08-S

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 362 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	82.56 грн
10+	71.02 грн
100+	53.21 грн
500+	43.53 грн
1000+	38.72 грн
2500+	35.05 грн
5000+	33.85 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD1-08-S-K

Description: MINI-POWER CONN

на замовлення 216 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPD1-08-S-K

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 2642 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	75.32 грн
10+	54.66 грн
100+	41.39 грн
500+	39.86 грн
1000+	38.72 грн
2500+	35.05 грн
5000+	24.97 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPD1-08-S-K-M

Description: MINI-POWER CONNECTOR

товар відсутній

IPD1-08-S-K-M

Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 35 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	391 грн
10+	370.83 грн
100+	263.71 грн
500+	225.65 грн
1000+	194.28 грн
2500+	178.25 грн
5000+	174.25 грн

IPD1-08-S-K-M

Conn Housing F 8 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

товар відсутній

IPD1-08-S-K-R

Description: CONN RCPT HSG 8POS 2.54MM
Packaging: Bulk
Features: Polarizing Key
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 8
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 1

товар відсутній

IPD1-08-S-K-R

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-08-S-R

Description: MINI-POWER CONNECTOR

товар відсутній

IPD1-08-S-R

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-09-D-K

Description: CONN RCPT HSG 18POS 2.54MM
Packaging: Bulk
Features: Polarizing Key
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 18
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6

на замовлення 2331 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	110.49 грн
10+	92.42 грн
25+	88.51 грн
50+	81.21 грн
100+	77.52 грн
250+	70.13 грн
500+	63.54 грн
1000+	54.46 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPD1-09-D-K-M

Heavy Duty Power Connectors .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-09-S-K-R

Description: CONN RCPT HSG 9POS 2.54MM
Packaging: Bulk
Features: Polarizing Key
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 9
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 1

товар відсутній

IPD1-10-D

Conn Housing F 20 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Mini Mate® Tube

товар відсутній

IPD1-10-D

Description: SAMTEC - IPD1-10-D - Steckverbindergehäuse, IPD1, Buchse, 20 -polig, 2.54 mm
tariffCode: 85472000
Anzahl der Positionen: 20-polig
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Rastermaß: 2.54mm
Ausführung: Buchse
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Crimpbare Buchsenkontakte der Baureihe CC79 von Samtec
usEccn: EAR99
Produktpalette: IPD1
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 396 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	71.97 грн
50+	66.13 грн
100+	60.29 грн
250+	50.91 грн

Мінімальне замовлення: 11

IPD1-10-D

Conn Housing F 20 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Mini Mate® Tube

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPD1-10-D

Conn Housing F 20 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Mini Mate® Tube

товар відсутній

IPD1-10-D

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-10-D

Conn Housing F 20 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Mini Mate® Tube

на замовлення 1637 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

137+	85.5 грн

Мінімальне замовлення: 137

IPD1-10-D

Description: CONN RCPT HSG 20POS 2.54MM
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 20
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

на замовлення 3885 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	75.11 грн
10+	61.2 грн
25+	58.69 грн
50+	53.91 грн
100+	51.56 грн
250+	46.87 грн
500+	41.5 грн
1000+	36.88 грн
2500+	33.43 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD1-10-D-GP

Description: CONN RCPT HSG 20POS 2.54MM

товар відсутній

IPD1-10-D-GP-M

Description: CONN RCPT HSG 20POS 2.54MM

товар відсутній

IPD1-10-D-GP-R

Description: CONN RCPT HSG 20POS 2.54MM

товар відсутній

IPD1-10-D-K

Conn Housing F 20 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

на замовлення 315 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	71.74 грн
50+	51.64 грн
100+	41.44 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPD1-10-D-K

Conn Housing RCP 20 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount White Mini Mate® Tube

товар відсутній

IPD1-10-D-K

Description: CONN RCPT HSG 20POS 2.54MM
Packaging: Bulk
Features: Polarizing Key
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 20
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

на замовлення 1927 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	60.66 грн
10+	49.24 грн
100+	44.23 грн
1000+	30.19 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPD1-10-D-K

Conn Housing RCP 20 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount White Mini Mate® Tube

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPD1-10-D-K

Description: SAMTEC - IPD1-10-D-K - Steckverbindergehäuse, zwei Reihen, IPD1, Buchse, 20 -polig, 2.54 mm
tariffCode: 85472000
Anzahl der Positionen: 20Ways
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Rastermaß: 2.54mm
Ausführung: Buchse
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Crimpbare Buchsenkontakte der Produktreihe CC79
usEccn: EAR99
Produktpalette: IPD1
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 5371 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	90.62 грн
11+	70.7 грн
100+	57.14 грн
500+	46.52 грн
1000+	36.46 грн
2500+	29.34 грн

Мінімальне замовлення: 9

IPD1-10-D-K

Conn Housing RCP 20 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount White Mini Mate® Tube

на замовлення 4450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

130+	90.38 грн

Мінімальне замовлення: 130

IPD1-10-D-K-M

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 464 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	369.97 грн
10+	349.33 грн
100+	253.69 грн
500+	214.97 грн

IPD1-10-D-K-M

Conn Housing F 20 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

товар відсутній

IPD1-10-D-K-M

Conn Housing F 20 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

товар відсутній

IPD1-10-D-K-M

Conn Housing F 20 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

на замовлення 1088 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

36+	331.61 грн

Мінімальне замовлення: 36

IPD1-10-D-K-M

Conn Housing F 20 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

товар відсутній

IPD1-10-D-K-M

Description: CONN RCPT HSG 20POS 2.54MM

на замовлення 626 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	334.37 грн
10+	292.15 грн
25+	276.75 грн
50+	253.68 грн
100+	241.59 грн
250+	211.39 грн
500+	201.98 грн

IPD1-10-D-K-M

Conn Housing F 20 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

товар відсутній

IPD1-10-D-K-R

Description: CONN RCPT HSG 20POS 2.54MM

товар відсутній

IPD1-10-D-K..

Description: SAMTEC - IPD1-10-D-K.. - Steckverbindergehäuse, Dual Row, Buchse, 20 -polig, 2.54 mm
Ausführung: Buchse
Zur Verwendung mit: Crimpbare Buchsenkontakte der Produktreihe CC79

товар відсутній

IPD1-10-D-M

Description: CONN RCPT HSG 20POS 2.54MM

товар відсутній

IPD1-10-D-M

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 60 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	420.6 грн
10+	398.46 грн
100+	288.41 грн
500+	245.01 грн

IPD1-10-D-M

Conn Housing RCP 20 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Mini Mate® Tube

товар відсутній

IPD1-10-D-P

Conn Housing 20 POS 2.54mm Crimp ST Loose

товар відсутній

IPD1-10-D-P

Description: CONN RCPT HSG 20POS 2.54MM

на замовлення 25 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	304.04 грн
10+	266 грн
25+	252 грн

IPD1-10-D-P

Description: SAMTEC - IPD1-10-D-P - CONNECTOR
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

товар відсутній

IPD1-10-D-P

Conn Housing 20 POS 2.54mm Crimp ST Loose

товар відсутній

IPD1-10-D-P-M

Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-10-D-P-M

Description: CONN RCPT HSG 20POS 2.54MM

товар відсутній

IPD1-10-D-P-M

Conn Housing F 20 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

товар відсутній

IPD1-10-D-P-R

Description: CONN RCPT HSG 20POS 2.54MM

товар відсутній

IPD1-10-D-R

Description: CONN RCPT HSG 20POS 2.54MM

товар відсутній

IPD1-10-S

Description: CONN RCPT HSG 10POS 2.54MM

товар відсутній

IPD1-10-S

Conn Housing F 10 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount

товар відсутній

IPD1-10-S

Conn Housing F 10 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount

товар відсутній

IPD1-10-S-K

Conn Housing F 10 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

товар відсутній

IPD1-10-S-K

Description: SAMTEC - IPD1-10-S-K - Steckverbindergehäuse, eine Reihe, IPD1, Buchse, 10 -polig, 2.54 mm
tariffCode: 85366990
Anzahl der Positionen: 10-polig
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Rastermaß: 2.54mm
Ausführung: Buchse
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Crimpbare Buchsenkontakte der Produktreihe CC79
usEccn: EAR99
Produktpalette: IPD1
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 26 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	90.62 грн
11+	73.84 грн

Мінімальне замовлення: 9

IPD1-10-S-K

Description: CONN RCPT HSG 10POS 2.54MM

на замовлення 541 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	79.44 грн
10+	64.74 грн
25+	62.09 грн
50+	57.03 грн
100+	54.55 грн
250+	49.59 грн
500+	43.9 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD1-10-S-K

Conn Housing F 10 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

товар відсутній

IPD1-10-S-K

Conn Housing F 10 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

товар відсутній

IPD1-10-S-K

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 2193 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	88.79 грн
10+	76.39 грн
100+	57.21 грн
500+	46.8 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD1-10-S-K

Conn Housing F 10 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

на замовлення 185 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

137+	85.5 грн

Мінімальне замовлення: 137

IPD1-10-S-K-M

Description: CONN RCPT HSG 10POS 2.54MM

товар відсутній

IPD1-10-S-K-M

Headers & Wire Housings

на замовлення 85 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	229.77 грн
10+	218.04 грн
100+	157.56 грн
500+	133.52 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPD1-10-S-K-R

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-10-S-K-R

Description: CONN RCPT HSG 10POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 10
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 1

товар відсутній

IPD1-10-S-P

Description: CONN RCPT HSG 10POS 2.54MM

товар відсутній

IPD1-10-S-R

Description: CONN RCPT HSG 10POS 2.54MM

товар відсутній

IPD1-103-S-K-M

Description: CONN RCPT HSG 3POS 2.54MM

товар відсутній

IPD1-11-D-K

Description: MINI-POWER CONNECTOR

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPD1-11-D-K

Conn Housing F 22 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

товар відсутній

IPD1-11-D-K-M

Conn Housing F 22 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

товар відсутній

IPD1-11-D-K-M

Heavy Duty Power Connectors .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-11-S-K-M

Heavy Duty Power Connectors .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-11-S-K-M

Description: MINI-POWER CONNECTOR

товар відсутній

IPD1-11-S-K-R

Description: CONN RCPT HSG 11POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 11
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 1

товар відсутній

IPD1-12-D-K

Description: MINI-POWER CONNECTOR

на замовлення 1088 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPD1-12-D-K

Conn Housing F 24 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

товар відсутній

IPD1-12-D-K

Conn Housing F 24 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

товар відсутній

IPD1-12-D-K

Conn Housing F 24 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPD1-12-D-K

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 3939 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	83.34 грн
10+	71.79 грн
100+	53.81 грн
500+	44 грн
1000+	39.19 грн
2500+	35.45 грн
5000+	34.18 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD1-12-D-K-M

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 961 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IPD1-12-D-K-M

Description: MINI-POWER CONNECTOR

на замовлення 464 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPD1-12-D-K-M

Conn Housing F 24 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

товар відсутній

IPD1-12-D-M

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 64 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	420.6 грн
10+	398.46 грн
102+	288.41 грн
510+	245.01 грн

IPD1-12-D-M

Description: MINI-POWER CONNECTOR

товар відсутній

IPD1-12-S-K-M

Heavy Duty Power Connectors .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-12-S-K-M

Description: MINI-POWER CONNECTOR

товар відсутній

IPD1-12-S-K-R

Description: CONN RCPT HSG 12POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 12
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 1

товар відсутній

IPD1-13-D

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 215 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	111.38 грн
10+	102.88 грн
100+	74.11 грн
500+	61.89 грн
1000+	53.01 грн
2500+	49.07 грн
5000+	47.07 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPD1-13-D

Conn Housing F 26 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

товар відсутній

IPD1-13-D-K

Description: CONN RCPT HSG 26POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 26
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

на замовлення 964 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	106.16 грн
10+	89.08 грн
25+	85.26 грн
50+	78.24 грн
100+	74.68 грн
250+	67.57 грн
500+	61.21 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPD1-13-D-K

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 195 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	111.38 грн
10+	89.83 грн
100+	67.43 грн
500+	61.89 грн
1000+	50.47 грн
2500+	48 грн
5000+	47.07 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPD1-13-D-K

Conn Housing F 26 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

товар відсутній

IPD1-13-D-K-M

Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 36 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	423.71 грн
10+	401.54 грн
105+	267.05 грн
255+	260.37 грн
510+	240.34 грн
1005+	210.3 грн
2505+	192.94 грн

IPD1-13-D-K-M

Conn Housing F 26 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

товар відсутній

IPD1-13-D-K-R

Description: MINI-POWER CONNECTOR

товар відсутній

IPD1-13-D-R

Description: MINI-POWER CONNECTOR

товар відсутній

IPD1-13-S-K-M

Description: MINI-POWER CONNECTOR

товар відсутній

IPD1-13-S-K-R

Description: CONN RCPT HSG 13POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 13
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 1

товар відсутній

IPD1-14-D-K

Conn Housing F 28 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

товар відсутній

IPD1-14-D-K

Description: CONN RCPT HSG 28POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 28
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

на замовлення 68 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	103.99 грн
10+	87.55 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPD1-14-D-K-M

Conn Housing F 28 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

товар відсутній

IPD1-14-D-K-M

Heavy Duty Power Connectors .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-14-S-K-M

Description: MINI-POWER CONNECTOR

товар відсутній

IPD1-14-S-K-R

Description: CONN RCPT HSG 14POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 14
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 1

товар відсутній

IPD1-15-D

Description: SAMTEC - IPD1-15-D - Steckverbindergehäuse, IPD1, Buchse, 30 -polig, 2.54 mm
tariffCode: 85389099
Anzahl der Positionen: 30-polig
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Rastermaß: 2.54mm
Ausführung: Buchse
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Crimpbare Buchsenkontakte der Produktreihe CC79
usEccn: EAR99
Produktpalette: IPD1
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 20 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	89.87 грн
15+	50.93 грн

Мінімальне замовлення: 9

IPD1-15-D

Description: CONN RCPT 30POS .100" DUAL

на замовлення 426 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPD1-15-D-K

Conn Housing F 30 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

на замовлення 20 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	65.43 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPD1-15-D-K

Description: MINI-POWER CONN

на замовлення 1563 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	86.66 грн
10+	70.17 грн
25+	67.32 грн
50+	61.8 грн
100+	59.12 грн
250+	53.75 грн
500+	47.58 грн
1000+	42.29 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD1-15-D-K

Description: SAMTEC - IPD1-15-D-K - Steckverbindergehäuse, IPD1, Buchse, 30 -polig, 2.54 mm
tariffCode: 85472000
Anzahl der Positionen: 30-polig
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Rastermaß: 2.54mm
Ausführung: Buchse
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Buchsenkontakte der Produktreihe CC69 von Samtec
usEccn: EAR99
Produktpalette: IPD1
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 80 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	69.5 грн
50+	60.81 грн

Мінімальне замовлення: 11

IPD1-15-D-K-M

Conn Housing F 30 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

на замовлення 210 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	136.18 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPD1-15-D-K-M

Heavy Duty Power Connectors .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 65 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IPD1-15-D-K-M

Conn Housing F 30 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	273.85 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPD1-15-D-K-M

Description: CONN RCPT HSG 30POS 2.54MM
Packaging: Tube
Features: Pick and Place, Polarizing Key
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 30
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

на замовлення 3023 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	361.81 грн
10+	316.21 грн
25+	299.51 грн
50+	274.55 грн
100+	261.47 грн
250+	228.79 грн
500+	218.61 грн
1000+	186.46 грн
2500+	173.6 грн

IPD1-15-D-M

Heavy Duty Power Connectors .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-15-D-M

Description: MINI-POWER CONNECTOR

товар відсутній

IPD1-15-D-P-M

Conn Housing F 30 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

товар відсутній

IPD1-15-S-K

Description: MINI-POWER CONN

на замовлення 478 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPD1-15-S-K .

Description: SAMTEC - IPD1-15-S-K . - Steckverbindergehäuse, IPD1, Buchse, 15 -polig, 2.54 mm
tariffCode: 85366990
Anzahl der Positionen: 15-polig
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Rastermaß: 2.54mm
Ausführung: Buchse
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Crimpbare Buchsenkontakte der Produktreihe CC79
usEccn: EAR99
Produktpalette: IPD1
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 15 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	75.64 грн

Мінімальне замовлення: 10

IPD1-15-S-K-M

Description: MINI-POWER CONNECTOR

товар відсутній

IPD1-15-S-K-M

Heavy Duty Power Connectors .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-15-S-K-R

Description: CONN RCPT HSG 15POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 15
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 1

товар відсутній

IPD1-16-D

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	197.84 грн
100+	137.43 грн
500+	99.47 грн
1000+	84.79 грн
2500+	78.78 грн
5000+	75.44 грн
10000+	74.11 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPD1-16-D

Conn Housing F 32 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

товар відсутній

IPD1-16-D

Conn Housing F 32 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

товар відсутній

IPD1-16-D

Description: CONN RCPT HSG 32POS 2.54MM
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 32
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

товар відсутній

IPD1-16-D-GP

Description: CONN RCPT HSG 32POS 2.54MM
Features: Guide Post
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 32
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

товар відсутній

IPD1-16-D-GP

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-16-D-GP-M

Description: CONN RCPT HSG 32POS 2.54MM
Features: Guide Post
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 32
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

товар відсутній

IPD1-16-D-GP-M

Headers & Wire Housings

товар відсутній

IPD1-16-D-GP-R

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-16-D-GP-R

Description: CONN RCPT HSG 32POS 2.54MM
Features: Guide Post
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 32
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

товар відсутній

IPD1-16-D-K

Conn Housing F 32 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

на замовлення 75 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

57+	205.86 грн

Мінімальне замовлення: 57

IPD1-16-D-K

Description: CONN RCPT HSG 32POS 2.54MM
Packaging: Bulk
Features: Polarizing Key
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 32
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

на замовлення 805 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	165.38 грн
10+	138.46 грн
25+	132.55 грн
50+	121.62 грн
100+	116.1 грн
250+	105.05 грн
500+	95.17 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPD1-16-D-K

Conn Housing F 32 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

товар відсутній

IPD1-16-D-K

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 5844 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	181.48 грн
10+	145.87 грн
100+	109.49 грн
500+	100.81 грн
1000+	84.12 грн
2500+	80.11 грн
5000+	77.44 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPD1-16-D-K

Conn Housing F 32 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

товар відсутній

IPD1-16-D-K .

Description: SAMTEC - IPD1-16-D-K . - Steckverbindergehäuse, zwei Reihen, IPD1, Buchse, 32 -polig, 2.54 mm
tariffCode: 85366990
Anzahl der Positionen: 32-polig
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Rastermaß: 2.54mm
Ausführung: Buchse
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Crimpbare Buchsenkontakte der Produktreihe CC79
usEccn: EAR99
Produktpalette: IPD1
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPD1-16-D-K-M

Conn Housing F 32 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

товар відсутній

IPD1-16-D-K-M

Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 288 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	468.11 грн
12+	442.23 грн
108+	317.12 грн
252+	297.09 грн
504+	267.05 грн
1008+	233.66 грн
2508+	221.65 грн

IPD1-16-D-K-M

Conn Housing F 32 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

товар відсутній

IPD1-16-D-K-M

Conn Housing F 32 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

товар відсутній

IPD1-16-D-K-M

Description: CONN RCPT HSG 32POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Tube
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 32
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

на замовлення 58 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	428.97 грн
10+	373.79 грн
25+	353.14 грн
50+	323.32 грн

IPD1-16-D-K-R

Description: CONN RCPT HSG 32POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 32
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

товар відсутній

IPD1-16-D-K-R

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 166 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	84.9 грн
10+	72.86 грн
100+	54.54 грн
500+	44.66 грн
1000+	39.72 грн
2500+	35.92 грн
5000+	34.72 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD1-16-D-M

Description: CONN RCPT HSG 32POS 2.54MM
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 32
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

на замовлення 48 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	428.97 грн
10+	373.79 грн
25+	353.14 грн

IPD1-16-D-M

Conn Housing RCP 32 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Mini Mate®

товар відсутній

IPD1-16-D-M

Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 62 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	468.11 грн
12+	442.23 грн
108+	289.74 грн
252+	282.4 грн
504+	265.71 грн
1008+	233.66 грн
2508+	221.65 грн

IPD1-16-D-P

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-16-D-P

Description: CONN RCPT HSG 32POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 32
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

товар відсутній

IPD1-16-D-P-M

Description: CONN RCPT HSG 32POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 32
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

товар відсутній

IPD1-16-D-P-M

Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-16-D-R

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-16-D-R

Description: CONN RCPT HSG 32POS 2.54MM
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 32
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

товар відсутній

IPD1-16-S-K

Description: MINI-POWER CONNECTOR

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPD1-16-S-K-M

Description: MINI-POWER CONNECTOR

товар відсутній

IPD1-16-S-K-M

Heavy Duty Power Connectors .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-16-S-K-R

Description: CONN RCPT HSG 16POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 16
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 1

товар відсутній

IPD1-17-D-K-M

Heavy Duty Power Connectors .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-17-S-K

Conn Housing F 17 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPD1-17-S-K-M

Description: MINI-POWER CONNECTOR

товар відсутній

IPD1-17-S-K-R

Description: CONN RCPT HSG 17POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 17
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 1

товар відсутній

IPD1-18-D-K

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 34 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	201.73 грн
100+	140.5 грн
500+	101.48 грн
1000+	87.46 грн
2500+	80.78 грн
5000+	77.44 грн
10000+	76.11 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPD1-18-D-K

Description: CONN RCPT HSG 36POS 2.54MM
Packaging: Bulk
Features: Polarizing Key
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 36
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2

на замовлення 317 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	183.43 грн
10+	153.48 грн
25+	146.99 грн
50+	134.86 грн
100+	128.73 грн
250+	116.47 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPD1-18-D-K-M

Heavy Duty Power Connectors .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-18-S-K-M

Description: MINI-POWER CONNECTOR

товар відсутній

IPD1-18-S-K-M

Heavy Duty Power Connectors .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-18-S-K-R

Description: CONN RCPT HSG 18POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 18
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 1

товар відсутній

IPD1-19-S-K-M

Description: MINI-POWER CONNECTOR

товар відсутній

IPD1-19-S-K-R

Description: CONN RCPT HSG 19POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 19
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 1

товар відсутній

IPD1-20-D

Description: CONN RECEPT .100" 40POS

на замовлення 187 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPD1-20-D

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 314 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	204.85 грн
100+	142.03 грн
500+	102.81 грн
1000+	88.12 грн
2500+	81.45 грн
5000+	78.78 грн
10000+	76.78 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPD1-20-D-GP

Description: MINI-POWER CONNECTOR

товар відсутній

IPD1-20-D-GP-M

Description: MINI-POWER CONNECTOR

товар відсутній

IPD1-20-D-GP-R

Description: MINI-POWER CONNECTOR

товар відсутній

IPD1-20-D-K

Description: SAMTEC - IPD1-20-D-K - Steckverbindergehäuse, IPD1, Buchse, 40 -polig, 2.54 mm
tariffCode: 85366990
Anzahl der Positionen: 40-polig
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Rastermaß: 2.54mm
Ausführung: Buchse
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Crimpbare Buchsenkontakte der Baureihe CC79 von SAMTEC
usEccn: EAR99
Produktpalette: IPD1
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 158 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	78.64 грн
12+	62.68 грн
100+	61.41 грн

Мінімальне замовлення: 10

IPD1-20-D-K

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 4800 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	168.24 грн
10+	138.2 грн
100+	99.47 грн
500+	90.8 грн
1000+	74.11 грн
2500+	72.1 грн
10000+	68.76 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPD1-20-D-K

Conn Housing F 40 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Mini Mate® Tube

товар відсутній

IPD1-20-D-K

Description: MINI-POWER CONN

на замовлення 195 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPD1-20-D-K-M

Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 77 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	398.79 грн
10+	377.74 грн
100+	273.72 грн
500+	232.33 грн
1000+	198.28 грн
2500+	181.59 грн
5000+	178.25 грн

IPD1-20-D-K-M

Description: CONN RCPT HSG 40POS 2.54MM
Packaging: Tube
Features: Pick and Place, Polarizing Key
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 40
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2

на замовлення 523 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	397.2 грн
10+	347.58 грн
25+	329.22 грн
50+	301.77 грн
100+	287.39 грн
250+	251.47 грн
500+	240.28 грн

IPD1-20-D-K-R

Description: MINI-POWER CONNECTOR

товар відсутній

IPD1-20-D-M

Description: MINI-POWER CONNECTOR

товар відсутній

IPD1-20-D-M

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 76 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	506.27 грн
10+	478.31 грн
100+	343.15 грн
500+	289.08 грн

IPD1-20-D-P

Description: MINI-POWER CONNECTOR

товар відсутній

IPD1-20-D-P

Headers & Wire Housings Samtec

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	725.14 грн
10+	683.3 грн
100+	500.04 грн
250+	422.6 грн

IPD1-20-D-P-M

Description: MINI-POWER CONNECTOR

товар відсутній

IPD1-20-D-R

Description: MINI-POWER CONNECTOR

товар відсутній

IPD1-20-S-K

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-20-S-K

Description: CONN RCPT HSG 20POS 2.54MM
Packaging: Bulk
Features: Polarizing Key
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 20
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 1

товар відсутній

IPD1-20-S-K-M

Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-20-S-K-M

Description: CONN RCPT HSG 20POS 2.54MM
Packaging: Tube
Features: Polarizing Key
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 20
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 1

на замовлення 14 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	360.94 грн

Мінімальне замовлення: 10

IPD1-20-S-K-R

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-20-S-K-R

Description: CONN RCPT HSG 20POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 20
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 1

товар відсутній

IPD1-20-S-R

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-20-S-R

Description: CONN RCPT HSG 20POS 2.54MM
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 20
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 1

товар відсутній

IPD1-21-D

Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-21-D-GP

Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-21-D-GP-M

Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-21-D-K

Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-21-D-M

Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-21-S-K-R

Description: CONN RCPT HSG 21POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 21
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 1

товар відсутній

IPD1-22-D

Conn Housing F 44 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

товар відсутній

IPD1-22-D-K-M

Heavy Duty Power Connectors .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-22-S-K-R

Description: CONN RCPT HSG 22POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 22
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 1

товар відсутній

IPD1-23-D

Conn Housing F 46 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

товар відсутній

IPD1-23-S-K-M

Description: MINI-POWER CONNECTOR

товар відсутній

IPD1-23-S-K-M

Headers & Wire Housings

товар відсутній

IPD1-23-S-K-R

Description: CONN RCPT HSG 23POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 23
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 1

товар відсутній

IPD1-24-D-P-M

Heavy Duty Power Connectors .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-24-D-R

Description: CONN RCPT HSG 48POS 2.54MM
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 48
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

товар відсутній

IPD1-24-S-K-R

Description: CONN RCPT HSG 24POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 24
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 1

товар відсутній

IPD1-25-D

Conn Housing F 50 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount

на замовлення 31 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	95.91 грн

Мінімальне замовлення: 7

IPD1-25-D

Conn Housing F 50 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount

на замовлення 353 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPD1-25-D

Description: CONN HOUSING 50 POS 2.54MM ST

товар відсутній

IPD1-25-D-GP-M

Heavy Duty Power Connectors .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-25-D-K

Conn Housing F 50 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

товар відсутній

IPD1-25-D-K

Conn Housing F 50 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

товар відсутній

IPD1-25-D-K

Description: CONN RCPT HSG 50POS 2.54MM
Packaging: Bulk
Features: Polarizing Key
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 50
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6

на замовлення 22 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	182.71 грн
10+	153.13 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPD1-25-D-K

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 286 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	162.01 грн
10+	155.09 грн
500+	107.49 грн
1000+	91.46 грн
2500+	82.78 грн
5000+	78.78 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPD1-25-D-K

Conn Housing F 50 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPD1-25-D-K

Conn Housing F 50 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

на замовлення 825 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

60+	195.72 грн

Мінімальне замовлення: 60

IPD1-25-D-K .

Description: SAMTEC - IPD1-25-D-K . - Steckverbindergehäuse, zwei Reihen, IPD1, Buchse, 50 -polig, 2.54 mm
tariffCode: 85366990
Anzahl der Positionen: 50-polig
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Rastermaß: 2.54mm
Ausführung: Buchse
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Crimpbare Buchsenkontakte der Produktreihe CC79
usEccn: EAR99
Produktpalette: IPD1
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 28 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	176 грн
10+	151.28 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPD1-25-D-K-M

Conn Housing F 50 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

товар відсутній

IPD1-25-D-K-M

Description: CONN RCPT HSG 50POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Tube
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 50
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Part Status: Active
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

на замовлення 580 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	453.53 грн
10+	395.28 грн
25+	373.42 грн
50+	341.89 грн
100+	324.8 грн
250+	290.61 грн
500+	269.03 грн

IPD1-25-D-K-M

Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 72 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	476.68 грн
8+	413.05 грн
104+	291.75 грн
256+	274.39 грн
504+	252.36 грн
1000+	221.65 грн

IPD1-25-D-K-M

Conn Housing F 50 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

товар відсутній

IPD1-25-D-K-M

Conn Housing F 50 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

товар відсутній

IPD1-25-D-K-R

Description: CONN RCPT HSG 50POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 50
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Part Status: Active
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

товар відсутній

IPD1-25-D-K-R

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-25-D-M

Heavy Duty Power Connectors .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-25-D-P

Description: CONN RCPT HSG 50POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 50
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

товар відсутній

IPD1-25-D-P

Conn Housing 50 POS 2.54mm Crimp ST Loose

товар відсутній

IPD1-25-D-P

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-25-D-P-M

Conn Housing RCP 50 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount White Mini Mate®

товар відсутній

IPD1-25-D-P-M

Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-25-D-P-M

Description: CONN RCPT HSG 50POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 50
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

товар відсутній

IPD1-25-S-K-M

Heavy Duty Power Connectors .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-25-S-K-R

Description: CONN RCPT HSG 25POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 25
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 1

товар відсутній

IPD100N04S4-02

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 40V 100A DPAK-2 OptiMOS-T2

на замовлення 11806 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	164.34 грн
10+	126.68 грн
100+	93.47 грн
250+	86.12 грн
500+	78.11 грн
1000+	66.76 грн
2500+	62.69 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPD100N04S4-02

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

95+	123.45 грн
99+	118.74 грн
102+	114.72 грн
250+	107.27 грн
500+	96.62 грн
1000+	90.48 грн
2500+	88.49 грн

Мінімальне замовлення: 95

IPD100N04S402ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9430 pF @ 25 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	68.53 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD100N04S402ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 188 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

106+	110.55 грн
111+	105.6 грн

Мінімальне замовлення: 106

IPD100N04S402ATMA1

Description: INFINEON - IPD100N04S402ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0017 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 26294 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	99.61 грн
500+	83.45 грн
1000+	66.12 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPD100N04S402ATMA1

Infineon Technologies

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

товар відсутній

IPD100N04S402ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 130000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	62.31 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD100N04S402ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD100N04S402ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD100N04S402ATMA1

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD100N04S402ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 130000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	86.59 грн
32500+	79.12 грн
65000+	73.62 грн
97500+	66.96 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD100N04S402ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9430 pF @ 25 V

на замовлення 4318 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	152.38 грн
10+	121.56 грн
100+	96.76 грн
500+	76.83 грн
1000+	65.19 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPD100N04S402ATMA1

Description: INFINEON - IPD100N04S402ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0017 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 26294 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	183.49 грн
10+	135.56 грн
100+	99.61 грн
500+	83.45 грн
1000+	66.12 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPD100N04S402ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 130000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	69.64 грн
5000+	67.63 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD100N04S402ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

67+	176.04 грн
73+	162.12 грн
100+	135.27 грн
200+	123.72 грн
500+	104.79 грн
1000+	97.19 грн
2000+	93.78 грн
2500+	85.25 грн
5000+	81.33 грн

Мінімальне замовлення: 67

IPD100N04S4L-02

Infineon Technologies

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

товар відсутній

IPD100N04S4L02ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CHANNEL_30/40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

IPD100N04S4L02ATMA1

Infineon Technologies

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 2490 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	186.15 грн
10+	152.78 грн
100+	105.48 грн
250+	97.47 грн
500+	88.12 грн
1000+	75.44 грн
2500+	72.1 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPD100N04S4L02ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CHANNEL_30/40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2219 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	171.88 грн
10+	137.56 грн
100+	109.46 грн
500+	86.92 грн
1000+	73.75 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPD100N04S4L02ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD100N04S4L02ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD100N06S4-03

TO252 09+

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD100N06S403ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3-11
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10400 pF @ 25 V

товар відсутній

IPD100N06S403ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD100N06S403ATMA2

Infineon Technologies

MOSFET MOSFET

на замовлення 4741 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	156.56 грн
10+	122.07 грн
100+	88.79 грн
250+	82.12 грн
500+	74.77 грн
1000+	63.96 грн
2500+	60.75 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPD100N06S403ATMA2

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD100N06S403ATMA2

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD100N06S403ATMA2

Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3,5mOhm; 100A; 150W; -55°C ~ 175°C; Substitute: IPD100N06S4-03; IPD100N06S403ATMA2; IPD100N06S403ATMA1; IPD100N06S403ATMA2 TIPD100n06s403
кількість в упаковці: 2 шт

на замовлення 8 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

4+	185.16 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD100N06S403ATMA2

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD100N06S403ATMA2

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3-11
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	65.27 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD100N06S403ATMA2

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD100N06S403ATMA2

Description: INFINEON - IPD100N06S403ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0028 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm

на замовлення 4440 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	153.53 грн
10+	113.09 грн
100+	83.13 грн
500+	70.24 грн
1000+	55.33 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPD100N06S403ATMA2

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3-11
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2859 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	144.44 грн
10+	115.79 грн
100+	92.15 грн
500+	73.17 грн
1000+	62.09 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPD105N03L G

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 30V 35A DPAK-2 OptiMOS 3

товар відсутній

IPD105N03LGATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 35A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V

товар відсутній

IPD105N03LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD105N03LGBTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD105N03LGXT

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD105N04L G

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

IPD105N04LG

SOT-252 09+

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD105N04LG

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD105N04LGBTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD105N04LGBTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 40A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 20 V

товар відсутній

IPD105N04LGXT

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD10N03

04+

на замовлення 2065 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)