Продукція > IPF

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPF009N04NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPF009N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 302 A, 790 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 302A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pins
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 790µohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+307.06 грн
10+ 239.66 грн
100+ 197.72 грн
500+ 172.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPF009N04NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 49A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+127.34 грн
Мінімальне замовлення: 800
IPF009N04NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 49A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IPF009N04NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 302A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 249µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 20 V
на замовлення 774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+234.71 грн
10+ 190.27 грн
100+ 153.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPF009N04NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 49A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+126.54 грн
Мінімальне замовлення: 800
IPF009N04NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPF009N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 302 A, 790 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 302A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pins
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 790µohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+197.72 грн
500+ 172.47 грн
Мінімальне замовлення: 100
IPF009N04NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 49A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+137.99 грн
10+ 130.24 грн
25+ 128.14 грн
100+ 116.79 грн
250+ 105.81 грн
500+ 88.6 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPF009N04NF2SATMA1Infineon TechnologiesMOSFET
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+258.59 грн
10+ 214.2 грн
25+ 175.58 грн
100+ 150.21 грн
250+ 142.2 грн
500+ 133.52 грн
800+ 114.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPF009N04NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 49A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+103.59 грн
Мінімальне замовлення: 800
IPF009N04NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 302A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 249µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 20 V
товар відсутній
IPF009N04NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 49A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
79+148.61 грн
84+ 140.26 грн
85+ 138 грн
100+ 125.77 грн
250+ 113.95 грн
500+ 95.41 грн
Мінімальне замовлення: 79
IPF010N04NF2SATMA1Infineon TechnologiesMOSFET
на замовлення 965 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+240.67 грн
10+ 198.85 грн
25+ 163.57 грн
100+ 140.2 грн
250+ 132.19 грн
500+ 124.84 грн
800+ 106.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPF010N04NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 46A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IPF010N04NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 289A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 189µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 239 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 20 V
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+239.76 грн
10+ 193.61 грн
100+ 156.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPF010N04NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 289A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 189µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 239 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 20 V
товар відсутній
IPF010N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 44A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
69+171.38 грн
73+ 161.79 грн
74+ 159.21 грн
100+ 145.1 грн
250+ 131.57 грн
500+ 109.99 грн
Мінімальне замовлення: 69
IPF010N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Ta), 293A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 246µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-U02
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 30 V
товар відсутній
IPF010N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 44A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+159.14 грн
10+ 150.23 грн
25+ 147.84 грн
100+ 134.74 грн
250+ 122.17 грн
500+ 102.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPF010N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 44A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+155.02 грн
Мінімальне замовлення: 800
IPF010N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 44A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+156.01 грн
Мінімальне замовлення: 800
IPF010N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Ta), 293A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 246µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-U02
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 30 V
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+278.76 грн
10+ 225.32 грн
100+ 182.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPF010N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 44A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IPF010N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 44A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+161.14 грн
Мінімальне замовлення: 800
IPF010N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+298.31 грн
10+ 247.22 грн
25+ 202.95 грн
100+ 173.58 грн
250+ 164.23 грн
500+ 154.89 грн
800+ 132.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPF010N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 44A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IPF011N08NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
товар відсутній
IPF011N08NM6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
товар відсутній
IPF011N08NM6ATMA1Infineon TechnologiesTRENCH 40<-<100V
товар відсутній
IPF012N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 41A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+112.04 грн
Мінімальне замовлення: 800
IPF012N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
на замовлення 256 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+228.99 грн
10+ 189.64 грн
25+ 155.55 грн
100+ 133.52 грн
250+ 126.18 грн
500+ 118.84 грн
800+ 101.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPF012N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 41A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IPF012N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 41A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+144.44 грн
10+ 132.78 грн
25+ 129.59 грн
100+ 115.18 грн
250+ 103.48 грн
500+ 82.08 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPF012N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 41A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
76+155.55 грн
82+ 142.99 грн
84+ 139.56 грн
100+ 124.04 грн
250+ 111.44 грн
500+ 88.39 грн
Мінімальне замовлення: 76
IPF012N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 282A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 186µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-U02
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 30 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+207.99 грн
10+ 168.09 грн
100+ 135.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPF012N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 41A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+112.75 грн
Мінімальне замовлення: 800
IPF012N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 41A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IPF012N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 282A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 186µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-U02
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 30 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+125.51 грн
Мінімальне замовлення: 800
IPF013N04NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 232A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 126µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-U02
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 159 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 20 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+123.6 грн
Мінімальне замовлення: 800
IPF013N04NF2SATMA1Infineon TechnologiesMOSFET
на замовлення 283 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+191.6 грн
10+ 158.16 грн
100+ 109.49 грн
250+ 100.81 грн
500+ 91.46 грн
800+ 77.44 грн
2400+ 74.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPF013N04NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 232A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 126µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-U02
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 159 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 20 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+208.71 грн
10+ 180.26 грн
100+ 144.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPF013N04NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IPF014N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
на замовлення 688 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+408.13 грн
10+ 361.61 грн
100+ 257.03 грн
500+ 218.98 грн
IPF014N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 282A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 267µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-14
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 40 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+188.98 грн
Мінімальне замовлення: 800
IPF014N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesN Channel Power Mosfet
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+121.51 грн
Мінімальне замовлення: 800
IPF014N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 282A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 267µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-14
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 40 V
на замовлення 1154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+312.7 грн
10+ 253.07 грн
100+ 204.72 грн
IPF015N10N5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 276A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.53mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 279µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 50 V
товар відсутній
IPF015N10N5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPF015N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 276 A, 0.0014 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 276A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+371.47 грн
50+ 331.02 грн
100+ 292.08 грн
Мінімальне замовлення: 10
IPF015N10N5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 276A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.53mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 279µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 50 V
товар відсутній
IPF015N10N5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPF015N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 276 A, 0.0014 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 276A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+522 грн
5+ 447.11 грн
10+ 371.47 грн
50+ 331.02 грн
100+ 292.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPF015N10N5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+496.15 грн
10+ 419.19 грн
25+ 331.14 грн
100+ 303.76 грн
250+ 286.41 грн
500+ 275.06 грн
1000+ 233 грн
IPF015N10N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 35A T/R
товар відсутній
IPF016N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 223A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 129µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-U02
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 30 V
на замовлення 748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+164.66 грн
10+ 131.64 грн
100+ 104.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPF016N06NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPF016N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 223 A, 0.0013 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 223A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+106.35 грн
Мінімальне замовлення: 100
IPF016N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesMOSFET
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+180.7 грн
10+ 148.18 грн
100+ 102.14 грн
250+ 94.8 грн
500+ 86.12 грн
800+ 73.44 грн
2400+ 69.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPF016N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 35A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IPF016N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 223A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 129µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-U02
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 30 V
товар відсутній
IPF016N06NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPF016N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 223 A, 0.0013 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 223A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+196.22 грн
10+ 144.54 грн
100+ 106.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPF016N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesMOSFET
на замовлення 1123 шт:
термін постачання 227-236 дні (днів)
1+438.51 грн
10+ 363.15 грн
25+ 297.76 грн
100+ 255.03 грн
250+ 241.68 грн
500+ 226.99 грн
800+ 193.61 грн
IPF016N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesSP005578929
товар відсутній
IPF016N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 274A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 267µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-14
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 241 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 50 V
товар відсутній
IPF016N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 274A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 267µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-14
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 241 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 50 V
товар відсутній
IPF017N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 259A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 194µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-14
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8700 pF @ 40 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+157.49 грн
1600+ 129.85 грн
Мінімальне замовлення: 800
IPF017N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+303.76 грн
10+ 269.48 грн
100+ 192.27 грн
500+ 163.57 грн
800+ 133.52 грн
2400+ 130.85 грн
4800+ 128.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPF017N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 259A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 194µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-14
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8700 pF @ 40 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+260.71 грн
10+ 210.85 грн
100+ 170.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPF017N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 33A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+98.92 грн
Мінімальне замовлення: 800
IPF019N12NM6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
на замовлення 927 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+468.89 грн
10+ 387.72 грн
25+ 318.45 грн
100+ 273.05 грн
250+ 257.7 грн
500+ 243.68 грн
1000+ 206.29 грн
IPF021N13NM6ATMA1Infineon TechnologiesTRENCH >=100V
товар відсутній
IPF021N13NM6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+457.2 грн
10+ 385.41 грн
25+ 304.43 грн
100+ 279.73 грн
250+ 263.04 грн
500+ 246.35 грн
1000+ 221.65 грн
IPF023N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 209A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 139µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-14
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200 pF @ 40 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+139.79 грн
Мінімальне замовлення: 800
IPF023N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+264.04 грн
10+ 234.93 грн
100+ 166.9 грн
500+ 142.2 грн
800+ 113.49 грн
4800+ 110.16 грн
9600+ 107.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPF023N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 209A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 139µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-14
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200 pF @ 40 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+231.1 грн
10+ 187.21 грн
100+ 151.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPF023N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesN Channel Power Mosfet
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+88.01 грн
Мінімальне замовлення: 800
IPF024N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
на замовлення 786 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+328.69 грн
10+ 271.79 грн
25+ 223.65 грн
100+ 190.94 грн
250+ 180.92 грн
500+ 170.24 грн
800+ 145.54 грн
IPF024N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 227A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 169µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-14
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 50 V
на замовлення 786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+301.87 грн
10+ 244.37 грн
100+ 197.72 грн
IPF024N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 227A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 169µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-14
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 50 V
товар відсутній
IPF024N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesN Channel Power Mosfet
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+104.37 грн
Мінімальне замовлення: 800
IPF031N13NM6ATMA1Infineon TechnologiesTRENCH >=100V
товар відсутній
IPF031N13NM6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 175-184 дні (днів)
1+380.87 грн
10+ 315.55 грн
25+ 259.03 грн
100+ 221.65 грн
250+ 208.96 грн
500+ 197.61 грн
1000+ 168.91 грн
IPF039N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+200.95 грн
10+ 166.6 грн
25+ 140.2 грн
100+ 117.5 грн
250+ 113.49 грн
500+ 104.15 грн
800+ 84.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPF039N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 126A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-14
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 40 V
на замовлення 682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+184.88 грн
10+ 149.66 грн
100+ 121.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPF039N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 126A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-14
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 40 V
товар відсутній
IPF039N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 22A
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+71.81 грн
Мінімальне замовлення: 800
IPF041N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesMOSFET
товар відсутній
IPF042N10NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPF042N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 139 A, 0.0037 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 139A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+105.6 грн
500+ 75.11 грн
1000+ 68.69 грн
Мінімальне замовлення: 100
IPF042N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 21A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+55.85 грн
Мінімальне замовлення: 800
IPF042N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+175.25 грн
10+ 143.57 грн
100+ 99.47 грн
250+ 92.13 грн
500+ 83.45 грн
800+ 70.77 грн
2400+ 67.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPF042N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 21A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+84.96 грн
Мінімальне замовлення: 800
IPF042N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 139A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.25mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 50 V
на замовлення 281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+161.05 грн
10+ 129 грн
100+ 102.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPF042N10NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPF042N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 139 A, 0.0037 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 139A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+193.97 грн
10+ 143.04 грн
100+ 105.6 грн
500+ 75.11 грн
1000+ 68.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPF042N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 139A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.25mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 50 V
товар відсутній
IPF049N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
товар відсутній
IPF049N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesSP005578921
товар відсутній
IPF04N03LAInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5199 pF @ 15 V
товар відсутній
IPF04N03LA GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5199 pF @ 15 V
товар відсутній
IPF050N03LGInfineon0724+
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPF050N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 117A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.05mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 84µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 50 V
на замовлення 1321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+144.44 грн
10+ 115.72 грн
100+ 92.1 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPF050N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 19A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IPF050N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 117A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.05mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 84µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 50 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+80.93 грн
Мінімальне замовлення: 800
IPF050N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
на замовлення 609 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+155 грн
10+ 127.45 грн
100+ 88.12 грн
250+ 81.45 грн
500+ 74.11 грн
800+ 62.69 грн
2400+ 59.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPF05N03LA GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-23
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3110 pF @ 15 V
товар відсутній
IPF05N03LAGInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 24746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
593+35.52 грн
Мінімальне замовлення: 593
IPF067N20NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Ta), 138A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 100A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 253µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 100 V
товар відсутній
IPF067N20NM6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
на замовлення 937 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+622.33 грн
10+ 525.14 грн
25+ 414.59 грн
100+ 380.54 грн
250+ 358.51 грн
500+ 335.81 грн
1000+ 302.43 грн
IPF067N20NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Ta), 138A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 100A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 253µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 100 V
на замовлення 961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+573.41 грн
10+ 473.17 грн
100+ 394.29 грн
500+ 326.5 грн
IPF06N03LAInfineon TechnologiesMOSFET N-KANAL POWER MOS
товар відсутній
IPF06N03LA GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-23
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2653 pF @ 15 V
товар відсутній
IPF06N03LAGInfineon TechnologiesMOSFET N-Channel MOSFET 20-200V
товар відсутній
IPF09N03LAInfineon TechnologiesMOSFET N-KANAL POWER MOS
товар відсутній
IPF09N03LAInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-23
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1642 pF @ 15 V
товар відсутній
IPF09N03LA GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-23
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1642 pF @ 15 V
товар відсутній
IPF09N03LAGInfineon TechnologiesMOSFET N-Channel MOSFET 20-200V
товар відсутній
IPF105N03infineon07+
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPF105N03LGinfineon07+
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPF10N03LAInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 30A TO252-3
товар відсутній
IPF10N03LAInfineon TechnologiesInfineon
товар відсутній
IPF10N03LA GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 30A TO252-3
товар відсутній
IPF129N20NM6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 52-61 дні (днів)
1+457.2 грн
10+ 386.18 грн
25+ 305.1 грн
100+ 279.73 грн
250+ 263.04 грн
500+ 247.02 грн
1000+ 222.32 грн
IPF13N03LAInfineon TechnologiesMOSFET N-KANAL POWER MOS
товар відсутній
IPF13N03LA GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 25V 30A DPAK-2
товар відсутній
IPF13N03LA GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-23
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1043 pF @ 15 V
товар відсутній
IPF13N03LA GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 30A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-23
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1043 pF @ 15 V
на замовлення 468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+33.22 грн
11+ 26.91 грн
100+ 22.87 грн
Мінімальне замовлення: 9
IPF13N03LAGInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IPF7473TRPBFIRSOP8
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPFH6N03LA GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 50A DPAK
товар відсутній