Продукція > IRG
Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRG 4PC50RD Код товару: 84561 | Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 | товар відсутній | ||||||||||||||||||
IRG4B30S-STRLP | на замовлення 1038 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
IRG4B50W | на замовлення 700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
IRG4BAC50W-S | IOR | TO263 | на замовлення 600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
IRG4BAC50W-S | Infineon / IR | IGBT Modules | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BAC50W-S | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 55A 200W SUPER 220 Packaging: Tube Package / Case: TO-273AA Mounting Type: Through Hole Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 27A Supplier Device Package: SUPER-220™ (TO-273AA) Td (on/off) @ 25°C: 46ns/120ns Switching Energy: 80µJ (on), 320µJ (off) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 55 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Power - Max: 200 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BAC50W-SPBF | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 55A 200W SUPER220 Packaging: Tube Package / Case: TO-273AA Mounting Type: Through Hole Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 27A Supplier Device Package: SUPER-220™ (TO-273AA) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 55 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Power - Max: 200 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BAC50W-SPBF | Infineon Technologies | Infineon | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC10K | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 9A 38W TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.62V @ 15V, 5A Supplier Device Package: TO-220AB Td (on/off) @ 25°C: 11ns/51ns Switching Energy: 160µJ (on), 100µJ (off) Test Condition: 480V, 5A, 100Ohm, 15V Gate Charge: 19 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 9 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A Power - Max: 38 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC10K | на замовлення 903 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
IRG4BC10KD | Vishay Semiconductors | IGBT Transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC10KDPBF | Infineon / IR | IGBT Transistors 600V UltraFast 8-25kHz | на замовлення 73 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IRG4BC10KDPBF | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 9A 38W TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.62V @ 15V, 5A Supplier Device Package: TO-220AB Td (on/off) @ 25°C: 49ns/97ns Switching Energy: 250µJ (on), 140µJ (off) Test Condition: 480V, 5A, 100Ohm, 15V Gate Charge: 19 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 9 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A Power - Max: 38 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC10KDPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 9A 38000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC10KPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 9A 38000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC10KPBF | Infineon / IR | IGBT Transistors 600V UltraFast 8-25kHz | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC10KPBF | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 9A 38W TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.62V @ 15V, 5A Supplier Device Package: TO-220AB Td (on/off) @ 25°C: 11ns/51ns Switching Energy: 160µJ (on), 100µJ (off) Test Condition: 480V, 5A, 100Ohm, 15V Gate Charge: 19 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 9 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A Power - Max: 38 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC10S | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 14A 38W TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 8A Supplier Device Package: TO-220AB Td (on/off) @ 25°C: 25ns/630ns Switching Energy: 140µJ (on), 2.58mJ (off) Test Condition: 480V, 8A, 100Ohm, 15V Gate Charge: 15 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 14 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A Power - Max: 38 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC10SD | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 14A 38W TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 28 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 8A Supplier Device Package: TO-220AB Td (on/off) @ 25°C: 76ns/815ns Switching Energy: 310µJ (on), 3.28mJ (off) Test Condition: 480V, 8A, 100Ohm, 15V Gate Charge: 15 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 14 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A Power - Max: 38 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC10SD | IR | 09+ | на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
IRG4BC10SD Код товару: 60186 | Транзистори > IGBT | товар відсутній | ||||||||||||||||||
IRG4BC10SD-L | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 14A 38W TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 28 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 8A Supplier Device Package: TO-262 Td (on/off) @ 25°C: 76ns/815ns Switching Energy: 310µJ (on), 3.28mJ (off) Test Condition: 480V, 8A, 100Ohm, 15V Gate Charge: 15 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 14 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A Power - Max: 38 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC10SD-L | на замовлення 1222 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
IRG4BC10SD-LPBF | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 14A 38W TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 28 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 8A Supplier Device Package: TO-262 Td (on/off) @ 25°C: 76ns/815ns Switching Energy: 310µJ (on), 3.28mJ (off) Test Condition: 480V, 8A, 100Ohm, 15V Gate Charge: 15 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 14 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A Power - Max: 38 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC10SD-LPBF | Infineon / IR | IGBT Transistors 600V DC-1kHz | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC10SD-LPBF | IR - ASA only Supplier | Trans IGBT Chip N-CH 600V 14A 38000mW 3-Pin(3+Tab) TO-262 | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC10SD-S | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 14A 38W D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 28 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 8A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 76ns/815ns Switching Energy: 310µJ (on), 3.28mJ (off) Test Condition: 480V, 8A, 100Ohm, 15V Gate Charge: 15 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 14 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A Power - Max: 38 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC10SD-SPBF | International Rectifier | Description: IGBT 600V 14A D2PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 28 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 8A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 76ns/815ns Switching Energy: 310µJ (on), 3.28mJ (off) Test Condition: 480V, 8A, 100Ohm, 15V Gate Charge: 15 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 14 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A Power - Max: 38 W | на замовлення 2050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IRG4BC10SD-SPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 14A 38000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC10SD-SPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 14A 38000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube | на замовлення 44 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IRG4BC10SD-SPBF | Infineon Technologies | IGBT Transistors 600V DC-1kHz | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC10SD2S | IR | TO-263 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
IRG4BC10SD2S | IR | 07+ TO-263 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
IRG4BC10SDPBF | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 14A 38W TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 28 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 8A Supplier Device Package: TO-220AB Td (on/off) @ 25°C: 76ns/815ns Switching Energy: 310µJ (on), 3.28mJ (off) Test Condition: 480V, 8A, 100Ohm, 15V Gate Charge: 15 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 14 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A Power - Max: 38 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC10SDPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 14A 38000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC10SDPBF | Infineon / IR | IGBT Transistors 600V DC-1kHz | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC10SPBF | Infineon / IR | IGBT Transistors 600V DC-1 KHZ (STD) DISCRETE IGBT | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC10SPBF | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 14A 38W TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 8A Supplier Device Package: TO-220AB Td (on/off) @ 25°C: 25ns/630ns Switching Energy: 140µJ (on), 2.58mJ (off) Test Condition: 480V, 8A, 100Ohm, 15V Gate Charge: 15 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 14 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A Power - Max: 38 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC10U | Infineon / IR | IGBT Transistors 600V8.500ATO-220 | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC10U | IR | 09+ | на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
IRG4BC10UD | IR | 09+ | на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
IRG4BC10UDPBF | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 8.5A 38W TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 28 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 5A Supplier Device Package: TO-220AB Td (on/off) @ 25°C: 40ns/87ns Switching Energy: 140µJ (on), 120µJ (off) Test Condition: 480V, 5A, 100Ohm, 15V Gate Charge: 15 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 8.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 34 A Power - Max: 38 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC10UDPBF | Infineon / IR | IGBT Transistors 600V UltraFast 8-60kHz | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC10UDPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 8.5A 38000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC10UPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 8.5A 38000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC10UPBF | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 8.5A 38W TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 28 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 5A Supplier Device Package: TO-220AB Td (on/off) @ 25°C: 40ns/87ns Switching Energy: 140µJ (on), 120µJ (off) Test Condition: 480V, 5A, 100Ohm, 15V Gate Charge: 15 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 8.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 34 A Power - Max: 38 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC10UPBF | Infineon / IR | IGBT Modules 600V 8.500A | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC15MDPBF | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 14A 49W TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 28 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 8.6A Supplier Device Package: TO-220AB Td (on/off) @ 25°C: 21ns/540ns Switching Energy: 320µJ (on), 1.93mJ (off) Test Condition: 480V, 8.6A, 75Ohm, 15V Gate Charge: 46 nC Current - Collector (Ic) (Max): 14 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 28 A Power - Max: 49 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC15MDPBF | Infineon / IR | IGBT Transistors 600V Fast 1-8kHz | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC15MDPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 14A 49000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC15UD | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 14A 49W TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 28 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 7.8A Supplier Device Package: TO-220AB Td (on/off) @ 25°C: 17ns/160ns Switching Energy: 240µJ (on), 260µJ (off) Test Condition: 480V, 7.8A, 75Ohm, 15V Gate Charge: 23 nC Current - Collector (Ic) (Max): 14 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 42 A Power - Max: 49 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC15UD-L | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 14A 49W TO262 | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC15UD-L | на замовлення 5250 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
IRG4BC15UD-LPBF | Infineon / IR | IGBT Transistors 600V UltraFast 10-30kHz | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC15UD-LPBF | International Rectifier | Description: IRG4BC15 - Discrete IGBT with An Packaging: Bulk Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 28 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 7.8A Supplier Device Package: TO-262 Td (on/off) @ 25°C: 17ns/160ns Switching Energy: 240µJ (on), 260µJ (off) Test Condition: 480V, 7.8A, 75Ohm, 15V Gate Charge: 23 nC Current - Collector (Ic) (Max): 14 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 42 A Power - Max: 49 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC15UD-LPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 14A 49000mW 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC15UD-S | на замовлення 72500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
IRG4BC15UD-S | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 14A 49W D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 28 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 7.8A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 17ns/160ns Switching Energy: 240µJ (on), 260µJ (off) Test Condition: 480V, 7.8A, 75Ohm, 15V Gate Charge: 23 nC Current - Collector (Ic) (Max): 14 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 42 A Power - Max: 49 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC15UD-SPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 14A 49000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC15UD-SPBF | International Rectifier | Description: IGBT 600V 14A D2PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 28 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 7.8A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 17ns/160ns Switching Energy: 240µJ (on), 260µJ (off) Test Condition: 480V, 7.8A, 75Ohm, 15V Gate Charge: 23 nC Current - Collector (Ic) (Max): 14 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 42 A Power - Max: 49 W | на замовлення 3174 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IRG4BC15UD-SPBF | Infineon / IR | IGBT Transistors 600V ULTRAFAST 10-30KHZ COPACK IGBT | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC15UD-STRL | на замовлення 72500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
IRG4BC15UD-STRL | Infineon / IR | IGBT Transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC15UD-STRL | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 14A 49W D2PAK | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC15UD-STRLPBF | Infineon / IR | IGBT Modules | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC15UD-STRM | на замовлення 18500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
IRG4BC15UD2S | IR | 07+ TO-263 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
IRG4BC15UD2S | IR | TO-263 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
IRG4BC15UDHR | Infineon / IR | Infineon | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC15UDPBF | Infineon / IR | IGBT Transistors 600V UltraFast 8-60kHz | на замовлення 364 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IRG4BC15UDPBF | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 14A 49W TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 28 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 7.8A Supplier Device Package: TO-220AB Td (on/off) @ 25°C: 17ns/160ns Switching Energy: 240µJ (on), 260µJ (off) Test Condition: 480V, 7.8A, 75Ohm, 15V Gate Charge: 23 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 14 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 42 A Power - Max: 49 W | на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IRG4BC15UDPBF | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 14A 49W TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 28 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 7.8A Supplier Device Package: TO-220AB Td (on/off) @ 25°C: 17ns/160ns Switching Energy: 240µJ (on), 260µJ (off) Test Condition: 480V, 7.8A, 75Ohm, 15V Gate Charge: 23 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 14 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 42 A Power - Max: 49 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC15UDSTRLP | Infineon Technologies | IGBT Modules 600V 7.800A | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC15UDSTRLP | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 14A 49000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC15UDSTRLP | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 14A 49W D2PAK | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC20F | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 16A 60W TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 9A Supplier Device Package: TO-220AB Td (on/off) @ 25°C: 24ns/190ns Switching Energy: 70µJ (on), 600µJ (off) Test Condition: 480V, 9A, 50Ohm, 15V Gate Charge: 27 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 16 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 64 A Power - Max: 60 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC20F-S | IR | 09+ | на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
IRG4BC20F-S | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 16A 60W TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 9A Supplier Device Package: TO-220AB Td (on/off) @ 25°C: 24ns/190ns Switching Energy: 70µJ (on), 600µJ (off) Test Condition: 480V, 9A, 50Ohm, 15V Gate Charge: 27 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 16 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 64 A Power - Max: 60 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC20F-SPBF | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 16A 60W TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 9A Supplier Device Package: TO-220AB Td (on/off) @ 25°C: 24ns/190ns Switching Energy: 70µJ (on), 600µJ (off) Test Condition: 480V, 9A, 50Ohm, 15V Gate Charge: 27 nC Current - Collector (Ic) (Max): 16 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 64 A Power - Max: 60 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC20FD | IR | 09+ | на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
IRG4BC20FD | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 16A 60W TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 37 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 9A Supplier Device Package: TO-220AB Td (on/off) @ 25°C: 43ns/240ns Switching Energy: 250µJ (on), 640µJ (off) Test Condition: 480V, 9A, 50Ohm, 15V Gate Charge: 27 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 16 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 64 A Power - Max: 60 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC20FD Код товару: 138026 | Транзистори > IGBT | товар відсутній | ||||||||||||||||||
IRG4BC20FD | International Rectifier | 16A; 600V; 60W; IGBT w/ Diode IRG4BC20FD TIRG4bc20fd кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 5 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IRG4BC20FD | IR | Транз. IGBT Fast TO220AB Uces=600V; Ic=16A; Ic=9A(100°C); Pdmax=60W | на замовлення 10 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IRG4BC20FD-S | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 16A 60W D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 37 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 9A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 43ns/240ns Switching Energy: 250µJ (on), 640µJ (off) Test Condition: 480V, 9A, 50Ohm, 15V Gate Charge: 27 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 16 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 64 A Power - Max: 60 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC20FD-S | IR | 09+ | на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
IRG4BC20FD-SPBF | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 16A 60W D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 37 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 9A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 43ns/240ns Switching Energy: 250µJ (on), 640µJ (off) Test Condition: 480V, 9A, 50Ohm, 15V Gate Charge: 27 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 16 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 64 A Power - Max: 60 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC20FD-STRL | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 16A 60W D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 37 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 9A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 43ns/240ns Switching Energy: 250µJ (on), 640µJ (off) Test Condition: 480V, 9A, 50Ohm, 15V Gate Charge: 27 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 16 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 64 A Power - Max: 60 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC20FD-STRLPBF | Infineon / IR | IGBT Modules | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC20FD-STRR | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 16A 60W D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 37 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 9A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 43ns/240ns Switching Energy: 250µJ (on), 640µJ (off) Test Condition: 480V, 9A, 50Ohm, 15V Gate Charge: 27 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 16 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 64 A Power - Max: 60 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC20FD2S | IR | TO-263 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
IRG4BC20FD2S | IR | 07+ TO-263 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
IRG4BC20FDPBF | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 16A 60W TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 37 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 9A Supplier Device Package: TO-220AB Td (on/off) @ 25°C: 43ns/240ns Switching Energy: 250µJ (on), 640µJ (off) Test Condition: 480V, 9A, 50Ohm, 15V Gate Charge: 27 nC Current - Collector (Ic) (Max): 16 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 64 A Power - Max: 60 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC20FDPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 16A 60000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC20FDPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 16A 60000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 36 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IRG4BC20FDPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRG4BC20FDPBF - IGBT, 16 A, 1.66 V, 60 W, 600 V, TO-220AB, 3 Pin(s) Transistormontage: Durchsteckmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.66 Verlustleistung: 60 Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600 Betriebstemperatur, max.: 150 Kollektorstrom: 16 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC20FDPBF | Infineon / IR | IGBT Transistors 600V Fast 1-8kHz | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC20FDPBF(транзистор) Код товару: 61163 | Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 | товар відсутній | ||||||||||||||||||
IRG4BC20FDSTRLP | Infineon / IR | IGBT Modules | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC20FDSTRRP | Infineon / IR | IGBT Modules | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC20FPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRG4BC20FPBF - IGBT, 16 A, 1.66 V, 60 W, 600 V, TO-220AB, 3 Pin(s) Transistormontage: Durchsteckmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.66 Verlustleistung: 60 Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600 Betriebstemperatur, max.: 150 Kollektorstrom: 16 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC20FPBF | Infineon / IR | IGBT Transistors 600V Fast 1-8kHz | на замовлення 428 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IRG4BC20FPBF | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 16A 60W TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 9A Supplier Device Package: TO-220AB Td (on/off) @ 25°C: 24ns/190ns Switching Energy: 70µJ (on), 600µJ (off) Test Condition: 480V, 9A, 50Ohm, 15V Gate Charge: 27 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 16 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 64 A Power - Max: 60 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC20FPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 16A 60000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 124 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IRG4BC20K | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 16A 60W TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 9A Supplier Device Package: TO-220AB Td (on/off) @ 25°C: 28ns/150ns Switching Energy: 150µJ (on), 250µJ (off) Test Condition: 480V, 9A, 50Ohm, 15V Gate Charge: 34 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 16 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 32 A Power - Max: 60 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC20K-S | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 16A 60W D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 9A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 28ns/150ns Switching Energy: 150µJ (on), 250µJ (off) Test Condition: 480V, 9A, 50Ohm, 15V Gate Charge: 34 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 16 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 32 A Power - Max: 60 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC20K-SPBF | Infineon / IR | IGBT Transistors 600V ULTRAFAST 8-25KHZ DSCRETE IGBT | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC20K-SPBF | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 16A 60W D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 9A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 28ns/150ns Switching Energy: 150µJ (on), 250µJ (off) Test Condition: 480V, 9A, 50Ohm, 15V Gate Charge: 34 nC Current - Collector (Ic) (Max): 16 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 32 A Power - Max: 60 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC20K-SPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 16A 60000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC20K-STRL | Infineon / IR | IGBT Transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC20K-STRLP | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 16A 60W D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 9A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 28ns/150ns Switching Energy: 150µJ (on), 250µJ (off) Test Condition: 480V, 9A, 50Ohm, 15V Gate Charge: 34 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 16 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 32 A Power - Max: 60 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC20K-STRLP | Infineon / IR | IGBT Modules | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC20K-STRLPBF | Infineon / IR | IGBT Modules | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC20K-STRR | Infineon / IR | IGBT Transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC20K-STRRP | Infineon / IR | IGBT Modules 600V 10A | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC20K-STRRP | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 16A 60W D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 9A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 28ns/150ns Switching Energy: 150µJ (on), 250µJ (off) Test Condition: 480V, 9A, 50Ohm, 15V Gate Charge: 34 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 16 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 32 A Power - Max: 60 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC20K-STRRPBF | Infineon / IR | IGBT Modules | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC20K2S | IR | TO-263 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
IRG4BC20K2S | IR | 07+ TO-263 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
IRG4BC20KD | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 16A 60W TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 37 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 9A Supplier Device Package: TO-220AB Td (on/off) @ 25°C: 54ns/180ns Switching Energy: 340µJ (on), 300µJ (off) Test Condition: 480V, 9A, 50Ohm, 15V Gate Charge: 34 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 16 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 32 A Power - Max: 60 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC20KD-S | International Rectifier | 16A; 600V; 60W; IGBT w/ Diode IRG4BC20KD-S TIRG4bc20kd-s кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IRG4BC20KD-S | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 16A 60W D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 37 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 9A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 54ns/180ns Switching Energy: 340µJ (on), 300µJ (off) Test Condition: 480V, 9A, 50Ohm, 15V Gate Charge: 34 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 16 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 32 A Power - Max: 60 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC20KD-SPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 16A 60000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC20KD-SPBF Код товару: 143551 | Транзистори > Польові N-канальні | товар відсутній | ||||||||||||||||||
IRG4BC20KD-SPBF | Infineon Technologies | IGBT Transistors 600V ULTRAFAST 8-25 KHZ COPACK IGBT | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC20KD-SPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 16A 60000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC20KD-SPBF | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 16A 60W D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 37 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 9A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 54ns/180ns Switching Energy: 340µJ (on), 300µJ (off) Test Condition: 480V, 9A, 50Ohm, 15V Gate Charge: 34 nC Current - Collector (Ic) (Max): 16 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 32 A Power - Max: 60 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC20KD-SPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 16A 60000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC20KD-STRL | Infineon / IR | IGBT Transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC20KD-STRLPBF | Infineon / IR | IGBT Modules | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC20KD-STRR | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 16A 60W D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 37 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 9A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 54ns/180ns Switching Energy: 340µJ (on), 300µJ (off) Test Condition: 480V, 9A, 50Ohm, 15V Gate Charge: 34 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 16 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 32 A Power - Max: 60 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC20KD-STRR | Infineon / IR | IGBT Transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC20KD-STRRPBF | Infineon / IR | IGBT Modules | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC20KD2S | IR | TO-263 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
IRG4BC20KD2S | IR | 07+ TO-263 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
IRG4BC20KDPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRG4BC20KDPBF - IGBT, 16 A, 2.27 V, 60 W, 600 V, TO-220AB, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.27 DC-Kollektorstrom: 16 Anzahl der Pins: 3 Bauform - Transistor: TO-220AB Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600 Verlustleistung Pd: 60 Betriebstemperatur, max.: 150 Produktpalette: IRG4 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC20KDPBF | Infineon / IR | IGBT Transistors 600V UltraFast 8-25kHz | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC20KDPBF | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 16A 60W TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 37 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 9A Supplier Device Package: TO-220AB Td (on/off) @ 25°C: 54ns/180ns Switching Energy: 340µJ (on), 300µJ (off) Test Condition: 480V, 9A, 50Ohm, 15V Gate Charge: 34 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 16 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 32 A Power - Max: 60 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC20KDPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 16A 60000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC20KDPBF Код товару: 62394 | Транзистори > Польові N-канальні | товар відсутній | ||||||||||||||||||
IRG4BC20KDPBF-IR | International Rectifier | Description: IGBT, 16A I(C), 600V V(BR)CES, N Packaging: Bulk Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC20KDSTRLP | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 16A 60000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC20KDSTRLP | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 16A 60000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC20KDSTRLP | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 16A 60W D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 37 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 9A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 54ns/180ns Switching Energy: 340µJ (on), 300µJ (off) Test Condition: 480V, 9A, 50Ohm, 15V Gate Charge: 34 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 16 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 32 A Power - Max: 60 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC20KDSTRLP | Infineon / IR | IGBT Modules 600V 10A | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC20KDSTRLP-IR | International Rectifier | Description: IGBT 16A, 600V, N CHANNEL Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 37 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 9A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 54ns/180ns Switching Energy: 340µJ (on), 300µJ (off) Test Condition: 480V, 9A, 50Ohm, 15V Gate Charge: 34 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 16 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 32 A Power - Max: 60 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC20KDSTRRP | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 16A 60W D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 37 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 9A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 54ns/180ns Switching Energy: 340µJ (on), 300µJ (off) Test Condition: 480V, 9A, 50Ohm, 15V Gate Charge: 34 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 16 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 32 A Power - Max: 60 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC20KDSTRRP | Infineon / IR | IGBT Modules 600V ULTRAFAST 8-25 KHZ COPACK IGBT | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC20KDSTRRP | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 16A 60000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC20KPBF | Infineon / IR | IGBT Transistors 600V UltraFast 8-25kHz | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC20KPBF | IR | на замовлення 350 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
IRG4BC20KPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 16A 60000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC20KPBF | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 16A 60W TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 9A Supplier Device Package: TO-220AB Td (on/off) @ 25°C: 28ns/150ns Switching Energy: 150µJ (on), 250µJ (off) Test Condition: 480V, 9A, 50Ohm, 15V Gate Charge: 34 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 16 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 32 A Power - Max: 60 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC20MD | на замовлення 903 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
IRG4BC20MD Код товару: 14595 | IR | Транзистори > IGBT Корпус: TO-220 Vces: 600 V Vce: 2,46 V Ic 25: 18 A Ic 100: 11 А Pd 25: 60 W td(on)/td(off) 100-150 град: 19/590 | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC20MD-S | на замовлення 1722 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
IRG4BC20MD-SPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 18A 60000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC20MD-SPBF | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 18A 60W D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 37 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 11A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 21ns/463ns Switching Energy: 410µJ (on), 2.03mJ (off) Test Condition: 480V, 11A, 50Ohm, 15V Gate Charge: 39 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 18 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 36 A Power - Max: 60 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC20MD-SPBF | Infineon / IR | IGBT Transistors 600V Fast 1-8kHz | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC20MD2S | IR | 07+ TO-263 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
IRG4BC20MD2S | IR | TO-263 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
IRG4BC20MDPBF | Infineon / IR | IGBT Transistors 600V Fast 1-8kHz | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC20MDPBF | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 18A 60W TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 37 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 11A Supplier Device Package: TO-220AB Td (on/off) @ 25°C: 21ns/463ns Switching Energy: 410µJ (on), 2.03mJ (off) Test Condition: 480V, 11A, 50Ohm, 15V Gate Charge: 39 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 18 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 36 A Power - Max: 60 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC20S | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 19A 60W TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 10A Supplier Device Package: TO-220AB Td (on/off) @ 25°C: 27ns/540ns Switching Energy: 120µJ (on), 2.05mJ (off) Test Condition: 480V, 10A, 50Ohm, 15V Gate Charge: 27 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 19 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 38 A Power - Max: 60 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC20S | International Rectifier | 19A; 600V; 60W; IGBT IRG4BC20S TIRG4bc20s кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 4 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IRG4BC20S | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 19A 60000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC20SD | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 19A 60W TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 37 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 10A Supplier Device Package: TO-220AB Td (on/off) @ 25°C: 62ns/690ns Switching Energy: 320µJ (on), 2.58mJ (off) Test Condition: 480V, 10A, 50Ohm, 15V Gate Charge: 27 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 19 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 38 A Power - Max: 60 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC20SD-S | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 19A 60W D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 37 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 10A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 62ns/690ns Switching Energy: 320µJ (on), 2.58mJ (off) Test Condition: 480V, 10A, 50Ohm, 15V Gate Charge: 27 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 19 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 38 A Power - Max: 60 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC20SD-SPBF Код товару: 170091 | Транзистори > IGBT | товар відсутній | ||||||||||||||||||
IRG4BC20SD-SPBF | International Rectifier | Description: IGBT, 19A I(C), 600V V(BR)CES, N Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 37 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 10A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 62ns/690ns Switching Energy: 320µJ (on), 2.58mJ (off) Test Condition: 480V, 10A, 50Ohm, 15V Gate Charge: 27 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 19 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 38 A Power - Max: 60 W | на замовлення 11000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IRG4BC20SD-SPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 19A 60000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC20SD-SPBF | Infineon Technologies | IGBT Transistors 600V DC-1kHz | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC20SD2S | IR | 07+ TO-263 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
IRG4BC20SD2S | IR | TO-263 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
IRG4BC20SDHR | Infineon / IR | Infineon | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC20SDPBF | Infineon / IR | IGBT Transistors 600V DC-1kHz | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IRG4BC20SDPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 19A 60W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC20SDPBF | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 19A 60W TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 37 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 10A Supplier Device Package: TO-220AB Td (on/off) @ 25°C: 62ns/690ns Switching Energy: 320µJ (on), 2.58mJ (off) Test Condition: 480V, 10A, 50Ohm, 15V Gate Charge: 27 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 19 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 38 A Power - Max: 60 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC20SDPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 19A 60000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC20SDPBF(транзистор) Код товару: 61153 | Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 | товар відсутній | ||||||||||||||||||
IRG4BC20SPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 19A 60000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC20SPBF | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 19A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 10A Supplier Device Package: TO-220AB Td (on/off) @ 25°C: 27ns/540ns Switching Energy: 120µJ (on), 2.05mJ (off) Test Condition: 480V, 10A, 50Ohm, 15V Gate Charge: 27 nC Current - Collector (Ic) (Max): 19 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 38 A Power - Max: 60 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC20SPBF | IR | на замовлення 5400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
IRG4BC20SPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 19A 60000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC20SPBF | Infineon / IR | IGBT Transistors 600V DC-1kHz | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC20SPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 19A 60000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC20SPBFXKMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 19A 60W TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 10A Supplier Device Package: TO-220AB Td (on/off) @ 25°C: 27ns/540ns Switching Energy: 120µJ (on), 2.05mJ (off) Test Condition: 480V, 10A, 50Ohm, 15V Gate Charge: 27 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 19 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 38 A Power - Max: 60 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC20U | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 13A 60W TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 6.5A Supplier Device Package: TO-220AB Td (on/off) @ 25°C: 21ns/86ns Switching Energy: 100µJ (on), 120µJ (off) Test Condition: 480V, 6.5A, 50Ohm, 15V Gate Charge: 27 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 13 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 52 A Power - Max: 60 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC20U-S | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 16A 60W TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 9A Supplier Device Package: TO-220AB Td (on/off) @ 25°C: 21ns/86ns Switching Energy: 100µJ (on), 120µJ (off) Test Condition: 480V, 6.5A, 50Ohm, 15V Gate Charge: 27 nC Current - Collector (Ic) (Max): 16 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 52 A Power - Max: 60 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC20UD Код товару: 77967 | IR | Транзистори > IGBT Корпус: TO-220AB Vces: 600 V Vce: 1,85 V Ic 25: 13 A Ic 100: 6,5 A Pd 25: 60 W td(on)/td(off) 100-150 град: 38/100 | у наявності 49 шт: 40 шт - склад4 шт - РАДІОМАГ-Київ 1 шт - РАДІОМАГ-Львів 3 шт - РАДІОМАГ-Одеса 1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
| ||||||||||||||||
IRG4BC20UD | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 13A 60W TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 37 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 6.5A Supplier Device Package: TO-220AB Td (on/off) @ 25°C: 39ns/93ns Switching Energy: 160µJ (on), 130µJ (off) Test Condition: 480V, 6.5A, 50Ohm, 15V Gate Charge: 27 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 13 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 52 A Power - Max: 60 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC20UD-S | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 13A 60W D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 37 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 6.5A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 39ns/93ns Switching Energy: 160µJ (on), 130µJ (off) Test Condition: 480V, 6.5A, 50Ohm, 15V Gate Charge: 27 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 13 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 52 A Power - Max: 60 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC20UD-S | IR | на замовлення 6701 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
IRG4BC20UD-SPBF | Infineon / IR | IGBT Transistors 600V ULTRAFAST 8-60 KHZ COPACK IGBT | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC20UD-SPBF | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 13A 60W D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 37 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 6.5A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 39ns/93ns Switching Energy: 160µJ (on), 130µJ (off) Test Condition: 480V, 6.5A, 50Ohm, 15V Gate Charge: 27 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 13 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 52 A Power - Max: 60 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC20UD-STRL | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 13A 60W D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 37 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 6.5A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 39ns/93ns Switching Energy: 160µJ (on), 130µJ (off) Test Condition: 480V, 6.5A, 50Ohm, 15V Gate Charge: 27 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 13 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 52 A Power - Max: 60 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC20UD-STRL | Infineon / IR | IGBT Transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC20UD-STRLPBF | Infineon / IR | IGBT Modules | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC20UD-STRR | Infineon / IR | IGBT Transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC20UD-STRR | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 13A 60W D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 37 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 6.5A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 39ns/93ns Switching Energy: 160µJ (on), 130µJ (off) Test Condition: 480V, 6.5A, 50Ohm, 15V Gate Charge: 27 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 13 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 52 A Power - Max: 60 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC20UD-STRRPBF | Infineon / IR | IGBT Modules | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC20UD2S | IR | TO-263 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
IRG4BC20UD2S | IR | 07+ TO-263 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
IRG4BC20UDPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 13A 60000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC20UDPBF | Infineon / IR | IGBT Transistors 600V UltraFast 8-60kHz | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC20UDPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 13A 60000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IRG4BC20UDPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRG4BC20UDPBF - IGBT, 13 A, 2.4 V, 60 W, 600 V, TO-220AB, 3 Pin(s) Transistormontage: Durchsteckmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4 Verlustleistung: 60 Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600 Betriebstemperatur, max.: 150 Kollektorstrom: 13 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC20UDPBF | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 13A 60W TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 37 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 6.5A Supplier Device Package: TO-220AB Td (on/off) @ 25°C: 39ns/93ns Switching Energy: 160µJ (on), 130µJ (off) Test Condition: 480V, 6.5A, 50Ohm, 15V Gate Charge: 27 nC Current - Collector (Ic) (Max): 13 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 52 A Power - Max: 60 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC20UDSTRLP | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 13A 60W D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 37 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 6.5A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 39ns/93ns Switching Energy: 160µJ (on), 130µJ (off) Test Condition: 480V, 6.5A, 50Ohm, 15V Gate Charge: 27 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 13 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 52 A Power - Max: 60 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC20UDSTRLP | Infineon / IR | IGBT Modules | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC20UDSTRRP | Infineon Technologies | IGBT Modules 600V 13A | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC20UDSTRRP | International Rectifier | Description: ULTRAFAST COPACK IGBTWITH ULTRAF Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 37 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 6.5A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 39ns/93ns Switching Energy: 160µJ (on), 130µJ (off) Test Condition: 480V, 6.5A, 50Ohm, 15V Gate Charge: 27 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 13 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 52 A Power - Max: 60 W | на замовлення 5028 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IRG4BC20UP-STRL | IR | 04+ | на замовлення 800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
IRG4BC20UPBF | Infineon / IR | IGBT Transistors 600V UltraFast 8-60kHz | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC20UPBF | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 13A 60W TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 6.5A Supplier Device Package: TO-220AB Td (on/off) @ 25°C: 21ns/86ns Switching Energy: 100µJ (on), 120µJ (off) Test Condition: 480V, 6.5A, 50Ohm, 15V Gate Charge: 27 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 13 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 52 A Power - Max: 60 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC20W | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 13A 60W TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 6.5A Supplier Device Package: TO-220AB Td (on/off) @ 25°C: 22ns/110ns Switching Energy: 60µJ (on), 80µJ (off) Test Condition: 480V, 6.5A, 50Ohm, 15V Gate Charge: 26 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 13 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 52 A Power - Max: 60 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC20W | IR | 09+ | на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
IRG4BC20W | IR | 97+ | на замовлення 10 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
IRG4BC20W-S | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 13A 60W D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 6.5A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 22ns/110ns Switching Energy: 60µJ (on), 80µJ (off) Test Condition: 480V, 6.5A, 50Ohm, 15V Gate Charge: 26 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 13 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 52 A Power - Max: 60 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC20W-SPBF | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 13A 60W D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 6.5A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 22ns/110ns Switching Energy: 60µJ (on), 80µJ (off) Test Condition: 480V, 6.5A, 50Ohm, 15V Gate Charge: 26 nC Current - Collector (Ic) (Max): 13 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 52 A Power - Max: 60 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC20W-SPBF | Infineon / IR | IGBT Modules | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC20W-SPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 13A 60000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC20W2S | IR | TO-263 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
IRG4BC20WHR | Infineon / IR | Infineon | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC20WPBF | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
IRG4BC20WPBF | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 13A 60W TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 6.5A Supplier Device Package: TO-220AB Td (on/off) @ 25°C: 22ns/110ns Switching Energy: 60µJ (on), 80µJ (off) Test Condition: 480V, 6.5A, 50Ohm, 15V Gate Charge: 26 nC Current - Collector (Ic) (Max): 13 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 52 A Power - Max: 60 W | на замовлення 7000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IRG4BC20WPBF | Infineon / IR | IGBT Transistors 600V WARP 60-150 KHZ DISCRETE IGBT | на замовлення 440 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IRG4BC20WPBF | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 13A 60W TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 6.5A Supplier Device Package: TO-220AB Td (on/off) @ 25°C: 22ns/110ns Switching Energy: 60µJ (on), 80µJ (off) Test Condition: 480V, 6.5A, 50Ohm, 15V Gate Charge: 26 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 13 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 52 A Power - Max: 60 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC20WPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 13A 60W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 144 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
IRG4BC30F | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 31A 100W TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 17A Supplier Device Package: TO-220AB Td (on/off) @ 25°C: 21ns/200ns Switching Energy: 230µJ (on), 1.18mJ (off) Test Condition: 480V, 17A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 51 nC Current - Collector (Ic) (Max): 31 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 100 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC30F | IR | Транз. IGBT Fast TO220AB Uces=600V; Ic=31A; Ic=17A(100°C); Pdmax=100W | на замовлення 135 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IRG4BC30F Код товару: 85537 | Транзистори > IGBT | товар відсутній | ||||||||||||||||||
IRG4BC30F-S | на замовлення 28750 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
IRG4BC30F-S | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 31A 100W D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 17A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 21ns/200ns Switching Energy: 230µJ (on), 1.18mJ (off) Test Condition: 480V, 17A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 51 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 31 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 100 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC30F-SPBF | International Rectifier | Description: IGBT 31A, 600V, N CHANNEL Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 17A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 21ns/200ns Switching Energy: 230µJ (on), 1.18mJ (off) Test Condition: 480V, 17A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 51 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 31 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 100 W | на замовлення 10050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IRG4BC30F-SPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 31A 100000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC30F-SPBF | Infineon Technologies | IGBT Modules IGBT DISCRETES | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC30F-SPBF | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 31A 100W D2PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 17A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 21ns/200ns Switching Energy: 230µJ (on), 1.18mJ (off) Test Condition: 480V, 17A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 51 nC Current - Collector (Ic) (Max): 31 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 100 W | на замовлення 324 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IRG4BC30F-SPBF | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 31A 100W D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 17A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 21ns/200ns Switching Energy: 230µJ (on), 1.18mJ (off) Test Condition: 480V, 17A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 51 nC Current - Collector (Ic) (Max): 31 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 100 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC30F-STRL | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 31A 100W D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 17A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 21ns/200ns Switching Energy: 230µJ (on), 1.18mJ (off) Test Condition: 480V, 17A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 51 nC Current - Collector (Ic) (Max): 31 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 100 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC30F-STRLP | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 31A 100W D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 17A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 21ns/200ns Switching Energy: 230µJ (on), 1.18mJ (off) Test Condition: 480V, 17A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 51 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 31 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 100 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC30F-STRLP | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 31A 100W D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 17A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 21ns/200ns Switching Energy: 230µJ (on), 1.18mJ (off) Test Condition: 480V, 17A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 51 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 31 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 100 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC30F-STRLP | Infineon / IR | IGBT Modules 600V 31A | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC30F-STRR | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 31A 100W D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 17A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 21ns/200ns Switching Energy: 230µJ (on), 1.18mJ (off) Test Condition: 480V, 17A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 51 nC Current - Collector (Ic) (Max): 31 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 100 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC30F-STRRP | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 31A 100W D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 17A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 21ns/200ns Switching Energy: 230µJ (on), 1.18mJ (off) Test Condition: 480V, 17A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 51 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 31 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 100 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC30F-STRRP | Infineon / IR | IGBT Modules | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC30F-STRRP | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 31A 100W D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 17A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 21ns/200ns Switching Energy: 230µJ (on), 1.18mJ (off) Test Condition: 480V, 17A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 51 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 31 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 100 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC30F-TRR | Infineon / IR | IGBT Modules | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC30FD Код товару: 77972 | Транзистори > IGBT Корпус: TO-220AB Vces: 600 V Vce: 1,59 V Ic 25: 31 A Ic 100: 17 A Pd 25: 42 W td(on)/td(off) 100-150 град: 42/230 | товар відсутній | ||||||||||||||||||
IRG4BC30FD | International Rectifier | 31A; 600V; 100W; IGBT w/ Diode IRG4BC30FD TIRG4bc30fd кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 9 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IRG4BC30FD-S Код товару: 27023 | Транзистори > IGBT | товар відсутній | ||||||||||||||||||
IRG4BC30FD-S | International Rectifier | 31A; 600V; 100W; IGBT w/ Diode IRG4BC30FD-S TIRG4bc30fd-s кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 32 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IRG4BC30FD-S | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 31A 100W D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 42 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 17A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 42ns/230ns Switching Energy: 630µJ (on), 1.39mJ (off) Test Condition: 480V, 17A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 51 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 31 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 100 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC30FD-SHR | Infineon / IR | Infineon | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC30FD-SPBF | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 31A 100W D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 42 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 17A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 42ns/230ns Switching Energy: 630µJ (on), 1.39mJ (off) Test Condition: 480V, 17A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 51 nC Current - Collector (Ic) (Max): 31 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 124 A Power - Max: 100 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC30FD-SPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 31A 100mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube | на замовлення 159 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IRG4BC30FD-SPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRG4BC30FD-SPBF - IGBT, 31 A, 1.8 V, 100 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8 Verlustleistung Pd: 100 Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - DC-Kollektorstrom: 31 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC30FD-SPBF | Infineon / IR | IGBT Transistors 600V HYPERFAST 1-8 KHZ CO-PACK IGBT | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC30FD-SPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 31A 100mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube | на замовлення 159 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IRG4BC30FD-SPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 31A 100000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC30FD-STRL | Infineon / IR | Infineon | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC30FD-STRLHR | Infineon / IR | IGBT Transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC30FD-STRR | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 31A 100W D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 42 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 17A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 42ns/230ns Switching Energy: 630µJ (on), 1.39mJ (off) Test Condition: 480V, 17A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 51 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 31 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 100 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC30FD-STRRHR | Infineon / IR | Infineon | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC30FD1 | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 31A 100W TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 46 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 17A Supplier Device Package: TO-220AB Td (on/off) @ 25°C: 22ns/250ns Switching Energy: 370µJ (on), 1.42mJ (off) Test Condition: 480V, 17A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 57 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 31 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 100 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC30FD1PBF | International Rectifier | Description: IGBT, 31A I(C), 600V V(BR)CES, N Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 46 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 17A Supplier Device Package: TO-220AB Td (on/off) @ 25°C: 22ns/250ns Switching Energy: 370µJ (on), 1.42mJ (off) Test Condition: 480V, 17A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 57 nC Current - Collector (Ic) (Max): 31 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 124 A Power - Max: 100 W | на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IRG4BC30FD1PBF | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 31A 100W TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 46 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 17A Supplier Device Package: TO-220AB Td (on/off) @ 25°C: 22ns/250ns Switching Energy: 370µJ (on), 1.42mJ (off) Test Condition: 480V, 17A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 57 nC Current - Collector (Ic) (Max): 31 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 124 A Power - Max: 100 W | на замовлення 210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IRG4BC30FD1PBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 31A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC30FD1PBF | Infineon / IR | IGBT Transistors 600V Fast 1-5kHz >20kHz resonant mode | на замовлення 276 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||
IRG4BC30FD1PBF | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 31A 100W TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 46 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 17A Supplier Device Package: TO-220AB Td (on/off) @ 25°C: 22ns/250ns Switching Energy: 370µJ (on), 1.42mJ (off) Test Condition: 480V, 17A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 57 nC Current - Collector (Ic) (Max): 31 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 124 A Power - Max: 100 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC30FDPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 31A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC30FDPBF | Infineon Technologies | IGBT Transistors 600V Fast 1-8kHz | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC30FDPBF | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 31A 100W TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 42 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 17A Supplier Device Package: TO-220AB Td (on/off) @ 25°C: 42ns/230ns Switching Energy: 630µJ (on), 1.39mJ (off) Test Condition: 480V, 17A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 51 nC Current - Collector (Ic) (Max): 31 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 124 A Power - Max: 100 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC30FDPBF Код товару: 102047 | Infineon | Транзистори > IGBT Корпус: TO-220 Vces: 600 V Vce: 1,59 V Ic 25: 31 A Ic 100: 17 A Pd 25: 100 W td(on)/td(off) 100-150 град: 42/230 | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC30FDPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 31A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC30FDPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRG4BC30FDPBF - IGBT, 31 A, 1.9 V, 100 W, 600 V, TO-220AB, 3 Pin(s) MSL: - Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.9 Verlustleistung Pd: 100 Bauform - Transistor: TO-220AB Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: IRG4 DC-Kollektorstrom: 31 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC30FDSTRRP | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 31A 100W D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 42 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 17A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 42ns/230ns Switching Energy: 630µJ (on), 1.39mJ (off) Test Condition: 480V, 17A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 51 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 31 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 100 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC30FDSTRRP | Infineon / IR | IGBT Modules 600V 31A | на замовлення 498 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||
IRG4BC30FPBF | IR | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
IRG4BC30FPBF Код товару: 109124 | Транзистори > IGBT | товар відсутній | ||||||||||||||||||
IRG4BC30FPBF | Infineon Technologies | IGBT Transistors 600V Fast 1-8kHz | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC30FPBF | IR | 10+ | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
IRG4BC30FPBF | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 31A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 17A Supplier Device Package: TO-220AB Td (on/off) @ 25°C: 21ns/200ns Switching Energy: 230µJ (on), 1.18mJ (off) Test Condition: 480V, 17A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 51 nC Current - Collector (Ic) (Max): 31 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 124 A Power - Max: 100 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC30K | International Rectifier | 28A; 600V; 100W; IGBT IRG4BC30K TIRG4bc30k кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IRG4BC30K | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 28A 100W TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 16A Supplier Device Package: TO-220AB Td (on/off) @ 25°C: 26ns/130ns Switching Energy: 360µJ (on), 510µJ (off) Test Condition: 480V, 16A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 67 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 28 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 58 A Power - Max: 100 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC30K-S | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 28A 100W D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 16A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 26ns/130ns Switching Energy: 360µJ (on), 510µJ (off) Test Condition: 480V, 16A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 67 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 28 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 58 A Power - Max: 100 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC30K-S | IR | 09+ | на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
IRG4BC30K-SPBF | Infineon / IR | IGBT Transistors 600V ULTRAFAST 8-25KHZ DSCRETE IGBT | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC30K-SPBF | International Rectifier | Trans IGBT Chip N-CH 600V 28A 100000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IRG4BC30K-SPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 28A 100000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC30K-SPBF | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 28A 100W D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 16A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 26ns/130ns Switching Energy: 360µJ (on), 510µJ (off) Test Condition: 480V, 16A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 67 nC Current - Collector (Ic) (Max): 28 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A Power - Max: 100 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC30K-SPBF | IR - ASA only Supplier | Trans IGBT Chip N-CH 600V 28A 100000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC30K-STRLP | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 28A 100W D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 16A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 26ns/130ns Switching Energy: 360µJ (on), 510µJ (off) Test Condition: 480V, 16A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 67 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 28 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A Power - Max: 100 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC30K-STRLP | Infineon / IR | IGBT Modules 600V 23A | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC30K-STRLP | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 28A 100mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC30K-STRLP | International Rectifier | Trans IGBT Chip N-CH 600V 28A 100000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 6400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IRG4BC30K-STRLP | IR - ASA only Supplier | Trans IGBT Chip N-CH 600V 28A 100000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC30K-STRRP | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 28A 100000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC30K-STRRP | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 28A 100W D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 16A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 26ns/130ns Switching Energy: 360µJ (on), 510µJ (off) Test Condition: 480V, 16A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 67 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 28 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A Power - Max: 100 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC30K-STRRP | Infineon / IR | IGBT Modules 600V ULTRAFAST 8-25KHZ DSCRETE IGBT | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC30K-STRRPBF | Infineon / IR | IGBT Modules | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC30K2S | IR | TO-263 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
IRG4BC30K2S | IR | 07+ TO-263 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
IRG4BC30KD | IR | Транз. IGBT UltraFast TO-220 Uces=600V; Ic=28A; Ic=16A(100°C); Pdmax=100W; (с диодом) | на замовлення 224 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IRG4BC30KD | International Rectifier | 28A; 600V; 100W; IGBT w/ Diode IRG4BC30KD IRG4BC30KD TIRG4bc30kd кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 70 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IRG4BC30KD | IR | 09+ | на замовлення 20018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
IRG4BC30KD | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 28A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC30KD | International Rectifier | 28A; 600V; 100W; IGBT w/ Diode IRG4BC30KD IRG4BC30KD TIRG4bc30kd кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 5 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IRG4BC30KD Код товару: 62950 | Транзистори > IGBT | товар відсутній | ||||||||||||||||||
IRG4BC30KD-005 | Infineon / IR | IGBT Modules | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC30KD-S | IR | 09+ | на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
IRG4BC30KD-S TO-263 Код товару: 148851 | Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 | товар відсутній | ||||||||||||||||||
IRG4BC30KD-SHR | IR - ASA only Supplier | Trans IGBT Chip N-CH 600V 28A 100000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC30KD-SHR | Infineon / IR | Infineon | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC30KD-SPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 28A 100000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC30KD-SPBF | Infineon / IR | IGBT Transistors 600V ULTRAFAST 8-25 KHZ COPACK IGBT | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC30KD-SPBF | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 28A 100W D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 42 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 16A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 60ns/160ns Switching Energy: 600µJ (on), 580µJ (off) Test Condition: 480V, 16A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 67 nC Current - Collector (Ic) (Max): 28 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A Power - Max: 100 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC30KD-SPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 28A 100000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC30KD-SPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 28A 100000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC30KD-STRL | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 28A 100000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC30KD-STRL | Infineon / IR | IGBT Transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC30KD-STRLPBF | Infineon / IR | IGBT Modules | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC30KD-STRR | Infineon / IR | IGBT Transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC30KD-STRR | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 28A 100W D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 42 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 16A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 60ns/160ns Switching Energy: 600µJ (on), 580µJ (off) Test Condition: 480V, 16A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 67 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 28 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 58 A Power - Max: 100 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC30KD-STRRHR | Infineon / IR | Infineon | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC30KD-STRRPBF | Infineon / IR | IGBT Modules | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC30KD2S | IR | TO-263 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
IRG4BC30KD2S | IR | 07+ TO-263 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
IRG4BC30KDPBF Код товару: 106309 | IR | Транзистори > IGBT Корпус: TO-220 Vces: 600 V Vce: 2,21 V Ic 25: 28 A Ic 100: 16 A Pd 25: 100 W | у наявності 10 шт: 5 шт - РАДІОМАГ-Київ5 шт - РАДІОМАГ-Дніпро очікується 30 шт: 30 шт - очікується |
| ||||||||||||||||
IRG4BC30KDPBF | Infineon (IRF) | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 28A; 100W; TO220AB Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 28A Power dissipation: 100W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC30KDPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 28A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC30KDPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 924 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IRG4BC30KDPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRG4BC30KDPBF - IGBT, 28 A, 2.21 V, 100 W, 600 V, TO-220AB, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.21 DC-Kollektorstrom: 28 Anzahl der Pins: 3 Bauform - Transistor: TO-220AB Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600 Verlustleistung Pd: 100 Betriebstemperatur, max.: 150 Produktpalette: IRG4 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC30KDPBF | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 28A 100W TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 42 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 16A Supplier Device Package: TO-220AB Td (on/off) @ 25°C: 60ns/160ns Switching Energy: 600µJ (on), 580µJ (off) Test Condition: 480V, 16A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 67 nC Current - Collector (Ic) (Max): 28 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A Power - Max: 100 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC30KDPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 149 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IRG4BC30KDPBF | Infineon Technologies | IGBT Transistors 600V UltraFast 8-25kHz | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC30KDPBF-INF | Infineon Technologies | Description: IGBT, 28A I(C), 600V V(BR)CES, N Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 42 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 16A Supplier Device Package: TO-220AB Td (on/off) @ 25°C: 60ns/160ns Switching Energy: 600µJ (on), 580µJ (off) Test Condition: 480V, 16A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 67 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 28 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A Power - Max: 100 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC30KDSTRLP | Infineon / IR | IGBT Modules 600V 23A | на замовлення 336 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IRG4BC30KDSTRLP | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 28A 100000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC30KDSTRLP | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 28A 100W D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 42 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 16A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 60ns/160ns Switching Energy: 600µJ (on), 580µJ (off) Test Condition: 480V, 16A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 67 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 28 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A Power - Max: 100 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC30KDSTRLP | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 28A 100000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC30KDSTRLP-IR | International Rectifier | Description: 600V, 28A, IGBT WITH ULTRAFAST S Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 42 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 16A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 60ns/160ns Switching Energy: 600µJ (on), 580µJ (off) Test Condition: 480V, 16A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 67 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 28 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A Power - Max: 100 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC30KDSTRRP | Infineon / IR | IGBT Modules 600V ULTRAFAST 8-25 KHZ COPACK IGBT | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC30KDSTRRP | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 28A 100000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IRG4BC30KDSTRRP | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 28A 100W D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 42 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 16A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 60ns/160ns Switching Energy: 600µJ (on), 580µJ (off) Test Condition: 480V, 16A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 67 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 28 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A Power - Max: 100 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC30KDSTRRP-IR | International Rectifier | Description: SHORT CIRCUIT RATED ULTRAFAST IG Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 42 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 16A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 60ns/160ns Switching Energy: 600µJ (on), 580µJ (off) Test Condition: 480V, 16A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 67 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 28 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A Power - Max: 100 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC30KPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 28A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 248 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IRG4BC30KPBF | International Rectifier | Description: IGBT 600V 28A TO220AB Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 16A Supplier Device Package: TO-220AB Td (on/off) @ 25°C: 26ns/130ns Switching Energy: 360µJ (on), 510µJ (off) Test Condition: 480V, 16A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 100 nC Current - Collector (Ic) (Max): 28 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A Power - Max: 100 W | на замовлення 8644 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IRG4BC30KPBF | Infineon Technologies | IGBT Transistors 600V UltraFast 8-25kHz | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC30S | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 34A 100W TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 18A Supplier Device Package: TO-220AB Td (on/off) @ 25°C: 22ns/540ns Switching Energy: 260µJ (on), 3.45mJ (off) Test Condition: 480V, 18A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 50 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 34 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 68 A Power - Max: 100 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC30S-S | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 34A 100W D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 18A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 22ns/540ns Switching Energy: 260µJ (on), 3.45mJ (off) Test Condition: 480V, 18A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 50 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 34 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 68 A Power - Max: 100 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC30S-S Код товару: 27024 | Транзистори > IGBT | товар відсутній | ||||||||||||||||||
IRG4BC30S-S | International Rectifier | 34A; 600V; 100W; IGBT IRG4BC30S-S TIRG4bc30s-s кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 9 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IRG4BC30S-SPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 34A 100000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC30S-SPBF | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 34A 100W D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 18A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 22ns/540ns Switching Energy: 260µJ (on), 3.45mJ (off) Test Condition: 480V, 18A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 50 nC Current - Collector (Ic) (Max): 34 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 68 A Power - Max: 100 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC30S-STRLP | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 34A 100W D2PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 18A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 22ns/540ns Switching Energy: 260µJ (on), 3.45mJ (off) Test Condition: 480V, 18A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 50 nC Current - Collector (Ic) (Max): 34 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 68 A Power - Max: 100 W | на замовлення 353 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IRG4BC30S-STRLP | Infineon Technologies | IGBT Modules 600V DC-1 KHZ (STD) DISCRETE IGBT | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC30S-STRLP | на замовлення 2200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
IRG4BC30S-STRLP | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 34A 100W D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 18A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 22ns/540ns Switching Energy: 260µJ (on), 3.45mJ (off) Test Condition: 480V, 18A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 50 nC Current - Collector (Ic) (Max): 34 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 68 A Power - Max: 100 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC30S-STRR | на замовлення 798 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
IRG4BC30S2S | IR | TO-263 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
IRG4BC30S2S | IR | 07+ TO-263 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
IRG4BC30SPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 34A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC30SPBF | International Rectifier | Description: IGBT 600V 34A TO220AB Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 18A Supplier Device Package: TO-220AB Td (on/off) @ 25°C: 22ns/540ns Switching Energy: 260µJ (on), 3.45mJ (off) Test Condition: 480V, 18A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 75 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 34 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 68 A Power - Max: 100 W | на замовлення 1115 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IRG4BC30SPBF | Infineon Technologies | IGBT Transistors 600V DC-1 KHZ (STD) DISCRETE IGBT | на замовлення 1103 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||
IRG4BC30SPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 34A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC30SPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRG4BC30SPBF - IGBT, 34 A, 1.6 V, 100 W, 600 V, TO-220AB, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6 DC-Kollektorstrom: 34 Anzahl der Pins: 3 Bauform - Transistor: TO-220AB Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600 Verlustleistung Pd: 100 Betriebstemperatur, max.: 150 Produktpalette: IRG4 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC30SPBF-INF | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 34A TO220AB Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 18A Supplier Device Package: TO-220AB Td (on/off) @ 25°C: 22ns/540ns Switching Energy: 260µJ (on), 3.45mJ (off) Test Condition: 480V, 18A, 23Ohm, 15V Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 34 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Power - Max: 100 W | на замовлення 5745 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IRG4BC30U Код товару: 30172 | IR | Транзистори > IGBT Корпус: TO-247 Vces: 600 V Vce: 1,95 V Ic 25: 23 A Ic 100: 12 Pd 25: 100 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC30U | International Rectifier | 23A; 600V; 100W; IGBT IRG4BC30U TIRG4bc30u кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 40 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IRG4BC30U | IR | 09+ | на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
IRG4BC30U | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 23A 100W TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 12A Supplier Device Package: TO-220AB Td (on/off) @ 25°C: 17ns/78ns Switching Energy: 160µJ (on), 200µJ (off) Test Condition: 480V, 12A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 50 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 23 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 92 A Power - Max: 100 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC30U-S | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 23A 100W D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 12A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 17ns/78ns Switching Energy: 160µJ (on), 200µJ (off) Test Condition: 480V, 12A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 50 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 23 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 92 A Power - Max: 100 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC30U-SPBF | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 23A 100W D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 12A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 17ns/78ns Switching Energy: 160µJ (on), 200µJ (off) Test Condition: 480V, 12A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 50 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 23 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 92 A Power - Max: 100 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC30U-SPBF | Infineon / IR | IGBT Transistors 600V ULTRAFAST 8-60KHZ DSCRETE IGBT | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC30U-SPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 23A 100000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC30U-STRL | Infineon / IR | IGBT Transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC30U-STRLPBF | Infineon / IR | IGBT Modules | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC30U-STRR | Infineon / IR | IGBT Transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC30U-STRRP | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 23A 100W D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 12A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 17ns/78ns Switching Energy: 160µJ (on), 200µJ (off) Test Condition: 480V, 12A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 50 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 23 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 92 A Power - Max: 100 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC30U-STRRP | Infineon / IR | IGBT Modules 600V 23AD2PAK | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC30U-STRRPBF | Infineon / IR | IGBT Modules | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC30U2S | IR | TO-263 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
IRG4BC30U2S | IR | 07+ TO-263 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
IRG4BC30UD | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 23A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC30UD | IR | 09+ | на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
IRG4BC30UDHR | Infineon / IR | Infineon | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC30UDPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 23A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IRG4BC30UDPBF | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 23A 100W TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 42 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 12A Supplier Device Package: TO-220AB Td (on/off) @ 25°C: 40ns/91ns Switching Energy: 380µJ (on), 160µJ (off) Test Condition: 480V, 12A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 50 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 23 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 92 A Power - Max: 100 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC30UDPBF | Infineon / IR | IGBT Transistors 600V UltraFast 8-60kHz | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC30UDPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRG4BC30UDPBF - IGBT, 23 A, 2.52 V, 100 W, 600 V, TO-220AB, 3 Pin(s) MSL: - Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.52 Verlustleistung Pd: 100 Bauform - Transistor: TO-220AB Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - DC-Kollektorstrom: 23 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC30UDPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 23A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC30UDPBF | IR | Транз. IGBT TO220AB Uces=600V; Ic=23A; Ic=12A(100°C); Pdmax=100W; (с диодом) | на замовлення 4 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IRG4BC30UDPBF Код товару: 139998 | Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 | товар відсутній | ||||||||||||||||||
IRG4BC30UDPBF; IGBT+diod; 12A; 600V; 42W; Корпус: TO-220AB; I*R | на замовлення 4 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IRG4BC30UHR | Infineon / IR | Infineon | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC30UPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 23A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC30UPBF Код товару: 52184 | IR | Транзистори > IGBT Корпус: TO-220AB Vces: 600 V Vce: 1,95 V Ic 25: 23 A Ic 100: 12 А Pd 25: 100 W td(on)/td(off) 100-150 град: 17/20 | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC30UPBF | Infineon / IR | IGBT Transistors 600V ULTRAFAST 8-60KHZ DSCRETE IGBT | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC30UPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 23A 100mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1159 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IRG4BC30UPBF | Infineon Technologies | Description: IGBT Packaging: Bulk | на замовлення 16220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IRG4BC30W Код товару: 43775 | IR | Транзистори > IGBT Корпус: TO-220AB Vces: 600 V Vce: 2,7 V Ic 25: 23 A Ic 100: 12 А Pd 25: 100 W td(on)/td(off) 100-150 град: 24/150 | у наявності 92 шт: 51 шт - склад13 шт - РАДІОМАГ-Київ 14 шт - РАДІОМАГ-Львів 9 шт - РАДІОМАГ-Харків 5 шт - РАДІОМАГ-Одеса |
| ||||||||||||||||
IRG4BC30W | International Rectifier | 23A; 600V; 100W; IGBT IRG4BC30W TIRG4bc30w кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 80 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IRG4BC30W | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 23A 100W TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A Supplier Device Package: TO-220AB Td (on/off) @ 25°C: 25ns/99ns Switching Energy: 130µJ (on), 130µJ (off) Test Condition: 480V, 12A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 51 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 23 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 92 A Power - Max: 100 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC30W | International Rectifier | 23A; 600V; 100W; IGBT IRG4BC30W TIRG4bc30w кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IRG4BC30W | IR | Транз. IGBT WARP TO220AB Uces=600V; Ic=23A; Ic=12A(100°C); Pdmax=100W | на замовлення 52 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IRG4BC30W-S | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 23A 100W D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 25ns/99ns Switching Energy: 130µJ (on), 130µJ (off) Test Condition: 480V, 12A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 51 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 23 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 92 A Power - Max: 100 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC30W-S | IR | 09+ | на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
IRG4BC30W-SPBF | Infineon Technologies | IGBT Transistors 600V WARP 60-150 KHZ DISCRETE IGBT | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC30W-SPBF | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 23A 100W D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 25ns/99ns Switching Energy: 130µJ (on), 130µJ (off) Test Condition: 480V, 12A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 51 nC Current - Collector (Ic) (Max): 23 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 92 A Power - Max: 100 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC30W-STRL | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 23A 100W D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 25ns/99ns Switching Energy: 130µJ (on), 130µJ (off) Test Condition: 480V, 12A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 51 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 23 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 92 A Power - Max: 100 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC30W-STRL | Infineon / IR | IGBT Transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC30W-STRLP | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 23A 100000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC30W-STRLP | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 23A 100000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IRG4BC30W-STRLP | Infineon / IR | IGBT Modules 600V 23AD2PAK | на замовлення 77 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IRG4BC30W-STRLP | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 23A 100W D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 25ns/99ns Switching Energy: 130µJ (on), 130µJ (off) Test Condition: 480V, 12A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 51 nC Current - Collector (Ic) (Max): 23 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 92 A Power - Max: 100 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC30W-STRLP | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 23A 100000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC30W-STRLPBF | Infineon / IR | IGBT Modules | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC30W-STRR | Infineon / IR | IGBT Modules | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC30W-STRRP | Infineon / IR | IGBT Modules 600V WARP 60-150 KHZ DISCRETE IGBT | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC30W-STRRP | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 23A 100W D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 25ns/99ns Switching Energy: 130µJ (on), 130µJ (off) Test Condition: 480V, 12A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 51 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 23 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 92 A Power - Max: 100 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC30W-STRRP | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 23A 100000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC30W-STRRPBF | Infineon / IR | IGBT Modules | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC30W2S | IR | 07+ TO-263 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
IRG4BC30W2S | IR | TO-263 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
IRG4BC30WPBF | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 23A 100W TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A Supplier Device Package: TO-220AB Td (on/off) @ 25°C: 25ns/99ns Switching Energy: 130µJ (on), 130µJ (off) Test Condition: 480V, 12A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 51 nC Current - Collector (Ic) (Max): 23 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 92 A Power - Max: 100 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC30WPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 23A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC30WPBF | Infineon Technologies | IGBT Transistors 600V Warp 60-150kHz | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC30WPBF Код товару: 53372 | Транзистори > IGBT | товар відсутній | ||||||||||||||||||
IRG4BC30WPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 23A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC30WSTRR | Infineon Technologies | Description: IGBT D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 23 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Power - Max: 100 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC40F | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 49A 160000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC40F-S | на замовлення 1072 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
IRG4BC40FPBF | Infineon Technologies | IGBT Transistors 600V Fast 1-8kHz | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC40FPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRG4BC40FPBF - IGBT, 49 A, 1.85 V, 160 W, 600 V, TO-220AB, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85 DC-Kollektorstrom: 49 Anzahl der Pins: 3 Bauform - Transistor: TO-220AB Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600 Verlustleistung Pd: 160 Betriebstemperatur, max.: 150 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC40FPBF Код товару: 89446 | Транзистори > IGBT | товар відсутній | ||||||||||||||||||
IRG4BC40FPBF | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 49A 160W TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 27A Supplier Device Package: TO-220AB Td (on/off) @ 25°C: 26ns/240ns Switching Energy: 370µJ (on), 1.81mJ (off) Test Condition: 480V, 27A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 100 nC Current - Collector (Ic) (Max): 49 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 196 A Power - Max: 160 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC40FPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 49A 160000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC40FPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 49A 160000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC40K | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 42A 160W TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 25A Supplier Device Package: TO-220AB Td (on/off) @ 25°C: 30ns/140ns Switching Energy: 620µJ (on), 330µJ (off) Test Condition: 480V, 25A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 42 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 84 A Power - Max: 160 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC40KPBF | International Rectifier | Description: IRG4BC40 - DISCRETE IGBT WITHOUT Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 9723 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IRG4BC40KPBF | Infineon / IR | IGBT Transistors 600V ULTRAFAST 8-25KHZ DSCRETE IGBT | на замовлення 2876 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||
IRG4BC40KPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 42A 160W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 45 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IRG4BC40KPBF Код товару: 124588 | IR | Транзистори > IGBT Корпус: TO-220AB Vces: 600 V Vce: 2,1 V Ic 25: 42 A Ic 100: 25 A Pd 25: 160 W td(on)/td(off) 100-150 град: 30/190 | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC40KPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 42A 160000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC40KPBF | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 42A 160W TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 25A Supplier Device Package: TO-220AB Td (on/off) @ 25°C: 30ns/140ns Switching Energy: 620µJ (on), 330µJ (off) Test Condition: 480V, 25A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Current - Collector (Ic) (Max): 42 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 84 A Power - Max: 160 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC40KPBF-IR | International Rectifier | Description: IGBT, 42A, 600V, N-CHANNEL Packaging: Bulk Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC40S | International Rectifier | 60A; 600V; 160W; IGBT IRG4BC40S IRG4BC40S TIRG4bc40s кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 13 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IRG4BC40SPBF | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 60A 160W TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 31A Supplier Device Package: TO-220AB Td (on/off) @ 25°C: 22ns/650ns Switching Energy: 450µJ (on), 6.5mJ (off) Test Condition: 480V, 31A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 100 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 160 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC40SPBF | Infineon Technologies | IGBT Transistors 600V DC-1 KHZ (STD) DISCRETE IGBT | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC40SPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 160000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC40SPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 160000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC40SPBF транзистор Код товару: 54514 | Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 | товар відсутній | ||||||||||||||||||
IRG4BC40U | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 40A 160W TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A Supplier Device Package: TO-220AB Td (on/off) @ 25°C: 34ns/110ns Switching Energy: 320µJ (on), 350µJ (off) Test Condition: 480V, 25A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 100 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 160 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC40U Код товару: 24013 | IR | Транзистори > IGBT Корпус: TO-220AB Vces: 600 V Vce: 1,72 V Ic 25: 40 A Ic 100: 20 A Pd 25: 160 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC40UPBF | International Rectifier | Description: IGBT 600V 40A TO220AB Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A Supplier Device Package: TO-220AB Td (on/off) @ 25°C: 34ns/110ns Switching Energy: 320µJ (on), 350µJ (off) Test Condition: 480V, 20A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 150 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 160 W | на замовлення 151 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IRG4BC40UPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRG4BC40UPBF - IGBT, 40 A, 2.4 V, 160 W, 600 V, TO-220AB, 3 Pin(s) MSL: - Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.4 Verlustleistung Pd: 160 Bauform - Transistor: TO-220AB Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - DC-Kollektorstrom: 40 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC40UPBF | Infineon Technologies | IGBT Transistors 600V UltraFast 8-60kHz | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC40UPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 160W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
IRG4BC40UPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 160000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC40UPBF(Транзистор) Код товару: 45570 | Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 | товар відсутній | ||||||||||||||||||
IRG4BC40UPBF-INF | Infineon Technologies | Description: ULTRAFAST SPEED IGBT Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 684 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IRG4BC40W Код товару: 31011 | IR | Транзистори > IGBT Корпус: TO-220AB Vces: 600 V Vce: 2.05 V Ic 25: 40 A Ic 100: 20 A Pd 25: 160 W td(on)/td(off) 100-150 град: 25/170 | у наявності 33 шт: 18 шт - склад3 шт - РАДІОМАГ-Київ 10 шт - РАДІОМАГ-Одеса 2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
| ||||||||||||||||
IRG4BC40W | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 40A 160W TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A Supplier Device Package: TO-220AB Td (on/off) @ 25°C: 27ns/100ns Switching Energy: 110µJ (on), 230µJ (off) Test Condition: 480V, 20A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 98 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 160 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC40W | International Rectifier | 40A; 600V; 160W; IGBT IRG4BC40W TIRG4bc40w кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 15 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IRG4BC40W-LPBF | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 40A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A Supplier Device Package: TO-262 Td (on/off) @ 25°C: 27ns/100ns Switching Energy: 110µJ (on), 230µJ (off) Test Condition: 480V, 20A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 98 nC Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 160 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC40W-LPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 160W; TO262 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 40A Power dissipation: 160W Case: TO262 Mounting: THT Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC40W-LPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRG4BC40W-LPBF - IGBT, N-Kanal, 40 A, 2.36 V, 160 W, 600 V, TO-262, 3 Pin(s) MSL: MSL 2 - 1 Jahr Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.36 Verlustleistung Pd: 160 Bauform - Transistor: TO-262 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - DC-Kollektorstrom: 40 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC40W-LPBF | Infineon / IR | IGBT Transistors 600V Warp 60-150kHz | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IRG4BC40W-LPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 160000mW 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC40W-LPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 160000mW 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC40W-LPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 160W; TO262 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 40A Power dissipation: 160W Case: TO262 Mounting: THT Kind of package: tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC40W-S | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 40A 160W D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 27ns/100ns Switching Energy: 110µJ (on), 230µJ (off) Test Condition: 480V, 20A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 98 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 160 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC40W-S | International Rectifier | 40A; 600V; 160W; IGBT IRG4BC40W-S TIRG4bc40w-s кількість в упаковці: 2 шт | на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IRG4BC40W-SPBF | Infineon / IR | IGBT Transistors 600V WARP 60-150 KHZ DISCRETE IGBT | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC40W-SPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 160000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC40W-SPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 160000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC40W-SPBF | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 40A 160W D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 27ns/100ns Switching Energy: 110µJ (on), 230µJ (off) Test Condition: 480V, 20A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 98 nC Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 160 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC40W-SPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRG4BC40W-SPBF - IGBT, 40 A, 2.5 V, 160 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.5 Verlustleistung Pd: 160 Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - DC-Kollektorstrom: 40 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC40W-STRRP | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 160W; D2PAK Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 40A Power dissipation: 160W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC40W-STRRP | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 160W; D2PAK Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 40A Power dissipation: 160W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel кількість в упаковці: 800 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC40W-STRRP | Infineon / IR | IGBT Modules 600V 40AD2PAK | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC40W-STRRP | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 160000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC40W-STRRP | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 160000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC40W-STRRP | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 40A 160W D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 27ns/100ns Switching Energy: 110µJ (on), 230µJ (off) Test Condition: 480V, 20A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 98 nC Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 160 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC40WHR | Infineon / IR | Infineon | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC40WL | IR | 07+ TO-263 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
IRG4BC40WL | IR | TO-263 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
IRG4BC40WLPBF | Vishay | IGBT Transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC40WPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 160000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC40WPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 160000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC40WPBF | Infineon / IR | IGBT Transistors 600V Warp 60-150kHz | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC40WPBF | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 40A 160W TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A Supplier Device Package: TO-220AB Td (on/off) @ 25°C: 27ns/100ns Switching Energy: 110µJ (on), 230µJ (off) Test Condition: 480V, 20A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 98 nC Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 160 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BC40WPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRG4BC40WPBF - IGBT, 40 A, 2.5 V, 160 W, 600 V, TO-220AB, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.5 DC-Kollektorstrom: 40 Anzahl der Pins: 3 Bauform - Transistor: TO-220AB Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600 Verlustleistung Pd: 160 Betriebstemperatur, max.: 150 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BH20K-L | Infineon Technologies | Description: IGBT 1200V 11A 60W TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.3V @ 15V, 5A Supplier Device Package: TO-262 Td (on/off) @ 25°C: 23ns/93ns Switching Energy: 450µJ (on), 440µJ (off) Test Condition: 960V, 5A, 50Ohm, 15V Gate Charge: 28 nC Current - Collector (Ic) (Max): 11 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 22 A Power - Max: 60 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BH20K-L | Infineon | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 11A 60000mW IRG4BH20K-L TIRG4bh20k-L кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 1 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IRG4BH20K-LPBF | Infineon Technologies | IGBT Transistors 1200V UltraFast 4-20kHz | на замовлення 435 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||
IRG4BH20K-LPBF | Infineon Technologies | Description: IGBT 1200V 11A 60W TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.3V @ 15V, 5A Supplier Device Package: TO-262 Td (on/off) @ 25°C: 23ns/93ns Switching Energy: 450µJ (on), 440µJ (off) Test Condition: 960V, 5A, 50Ohm, 15V Gate Charge: 28 nC Current - Collector (Ic) (Max): 11 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 22 A Power - Max: 60 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BH20K-S | Infineon Technologies | Description: IGBT 1200V 11A 60W D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.3V @ 15V, 5A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 23ns/93ns Switching Energy: 450µJ (on), 440µJ (off) Test Condition: 960V, 5A, 50Ohm, 15V Gate Charge: 28 nC Current - Collector (Ic) (Max): 11 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 22 A Power - Max: 60 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BH20K-S | International Rectifier | 11A; 1200V; 60W; IGBT IRG4BH20K-S TIRG4bh20k-s кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 12 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IRG4BH20K-S | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 11A 60000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BH20K-SPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRG4BH20K-SPBF - IGBT, 11 A, 3.17 V, 60 W, 1.2 kV, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.17 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 60 Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: IRG4 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2 Betriebstemperatur, max.: 150 Kollektorstrom: 11 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BH20K-SPBF | IRG4BH20K-SPBF Транзисторы | на замовлення 110 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) | ||||||||||||||||||
IRG4BH20K-SPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 11A 60000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BH20K-SPBF | Infineon Technologies | IGBT Transistors 1200V ULTRAFAST 4-20KHZ DSCRETE IGBT | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BH20K-SPBF | Infineon Technologies | Description: IGBT 1200V 11A 60W D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.3V @ 15V, 5A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 23ns/93ns Switching Energy: 450µJ (on), 440µJ (off) Test Condition: 960V, 5A, 50Ohm, 15V Gate Charge: 28 nC Current - Collector (Ic) (Max): 11 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 22 A Power - Max: 60 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BH20K-SPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 11A 60000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube | на замовлення 328 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IRG4BH20K-STRL | Infineon / IR | IGBT Transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BH20K-STRLP | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 11A 60000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BH20K-STRLP | Infineon Technologies | Description: IGBT 1200V 11A 60W D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.3V @ 15V, 5A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 23ns/93ns Switching Energy: 450µJ (on), 440µJ (off) Test Condition: 960V, 5A, 50Ohm, 15V Gate Charge: 28 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 11 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 22 A Power - Max: 60 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BH20K-STRLP | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 11A 60000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 2892 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IRG4BH20K-STRLP | Infineon Technologies | IGBT Modules 1200V ULTRAFAST 4-20KHZ DSCRETE IGBT | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4BH20K2S | IR | 07+ TO-263 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
IRG4BH20K2S | IR | TO-263 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
IRG4CC30UB | Infineon Technologies | Description: IGBT CHIP | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4CC50UB | Infineon Technologies | Description: IGBT DIE | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4CC50WC | Infineon Technologies | Description: IGBT CHIP | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4IBC10UD | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 6.8A 25W TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 28 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 5A Supplier Device Package: PG-TO220-FP Td (on/off) @ 25°C: 40ns/87ns Switching Energy: 140µJ (on), 120µJ (off) Test Condition: 480V, 5A, 100Ohm, 15V Gate Charge: 15 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 6.8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 27 A Power - Max: 25 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4IBC10UDPBF | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 6.8A 25W TO220FP Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 28 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 5A Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak Td (on/off) @ 25°C: 40ns/87ns Switching Energy: 140µJ (on), 120µJ (off) Test Condition: 480V, 5A, 100Ohm, 15V Gate Charge: 15 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 6.8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 27 A Power - Max: 25 W | на замовлення 2157 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IRG4IBC10UDPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 3.9A; 25W; TO220AB; single transistor Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 3.9A Power dissipation: 25W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Semiconductor structure: single transistor Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4IBC10UDPBF | Infineon / IR | IGBT Transistors 600V UltraFast 8-60kHz | на замовлення 834 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||
IRG4IBC10UDPBF | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 6.8A 25W TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 28 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 5A Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak Td (on/off) @ 25°C: 40ns/87ns Switching Energy: 140µJ (on), 120µJ (off) Test Condition: 480V, 5A, 100Ohm, 15V Gate Charge: 15 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 6.8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 27 A Power - Max: 25 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4IBC10UDPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 3.9A; 25W; TO220AB; single transistor Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 3.9A Power dissipation: 25W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Semiconductor structure: single transistor Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4IBC20FD | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 14.3A 34W TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 37 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 9A Supplier Device Package: PG-TO220-FP Td (on/off) @ 25°C: 43ns/240ns Switching Energy: 250µJ (on), 640µJ (off) Test Condition: 480V, 9A, 50Ohm, 15V Gate Charge: 27 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 14.3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 64 A Power - Max: 34 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4IBC20FD Код товару: 77977 | IR | Транзистори > IGBT Корпус: TO-220 Vces: 600 V Vce: 1,66 V Ic 25: 14.3 A Ic 100: 7,7 A Pd 25: 34 W td(on)/td(off) 100-150 град: 43/240 | у наявності 1 шт: 1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
| ||||||||||||||||
IRG4IBC20FD | IR | 09+ | на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
IRG4IBC20FDPBF | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 14.3A 34W TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 37 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 9A Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak Td (on/off) @ 25°C: 43ns/240ns Switching Energy: 250µJ (on), 640µJ (off) Test Condition: 480V, 9A, 50Ohm, 15V Gate Charge: 27 nC Current - Collector (Ic) (Max): 14.3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 64 A Power - Max: 34 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4IBC20FDPBF | IR | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
IRG4IBC20FDPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 14.3A 34000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4IBC20FDPBF | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 14.3A 34W TO220FP Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 37 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 9A Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak Td (on/off) @ 25°C: 43ns/240ns Switching Energy: 250µJ (on), 640µJ (off) Test Condition: 480V, 9A, 50Ohm, 15V Gate Charge: 27 nC Current - Collector (Ic) (Max): 14.3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 64 A Power - Max: 34 W | на замовлення 14000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IRG4IBC20FDPBF | Infineon / IR | IGBT Transistors 600V Fast 1-8kHz | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4IBC20KD | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 11.5A 34W TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 37 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 9A Supplier Device Package: PG-TO220-FP Td (on/off) @ 25°C: 54ns/180ns Switching Energy: 340µJ (on), 300µJ (off) Test Condition: 480V, 9A, 50Ohm, 15V Gate Charge: 34 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 11.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 23 A Power - Max: 34 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4IBC20KDPBF | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 11.5A 34W TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 37 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 9A Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak Td (on/off) @ 25°C: 54ns/180ns Switching Energy: 340µJ (on), 300µJ (off) Test Condition: 480V, 9A, 50Ohm, 15V Gate Charge: 34 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 11.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 23 A Power - Max: 34 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4IBC20KDPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 11.5A 34000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4IBC20KDPBF Код товару: 53373 | Транзистори > IGBT | товар відсутній | ||||||||||||||||||
IRG4IBC20KDPBF | Infineon / IR | IGBT Transistors 600V UltraFast 8-25kHz | на замовлення 777 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||
IRG4IBC20KDPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRG4IBC20KDPBF - IGBT, N-Kanal, 11.5 A, 3.01 V, 34 W, 600 V, TO-220FP, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.01 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 34 Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600 Betriebstemperatur, max.: 150 Kollektorstrom: 11.5 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4IBC20UD | International Rectifier/Infineon | Транзистор IGBT; Uceb, В = 600; Ic, А = 11,4 @ 25 °C; Pmax, Вт = 34 @ 25 °C; Uce(on), В = 2,27 @ Ic= 13 A; Uge(th), В = 3...6 @ Vce = Vge @ 250 uA; Тексп, °С = -55...+150; Тип монт = вивідний; td(on), нс = 39; td(off), нс = 93; TO-220-3 | на замовлення 9 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IRG4IBC20UDPBF | Infineon / IR | IGBT Transistors 600V UltraFast 8-60kHz | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4IBC20UDPBF | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 11.4A 34W TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 37 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 6.5A Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak Td (on/off) @ 25°C: 39ns/93ns Switching Energy: 160µJ (on), 130µJ (off) Test Condition: 480V, 6.5A, 50Ohm, 15V Gate Charge: 27 nC Current - Collector (Ic) (Max): 11.4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 52 A Power - Max: 34 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4IBC20UDPBF | International Rectifier | Description: IGBT, 11.4A, 600V, N-CHANNEL Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 37 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 6.5A Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak Td (on/off) @ 25°C: 39ns/93ns Switching Energy: 160µJ (on), 130µJ (off) Test Condition: 480V, 6.5A, 50Ohm, 15V Gate Charge: 27 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 11.4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 52 A Power - Max: 34 W | на замовлення 268073 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IRG4IBC20W | IR | на замовлення 9850 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
IRG4IBC20W | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 11.8A 34W TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 6.5A Supplier Device Package: PG-TO220-FP Td (on/off) @ 25°C: 22ns/110ns Switching Energy: 60µJ (on), 80µJ (off) Test Condition: 480V, 6.5A, 50Ohm, 15V Gate Charge: 26 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 11.8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 52 A Power - Max: 34 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4IBC20WPBF | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 12A 34W TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 6.5A Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak Td (on/off) @ 25°C: 22ns/110ns Switching Energy: 60µJ (on), 80µJ (off) Test Condition: 480V, 6.5A, 50Ohm, 15V Gate Charge: 26 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 12 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 52 A Power - Max: 34 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4IBC20WPBF | Infineon Technologies | IGBT Transistors 600V Warp 60-150kHz | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4IBC30FD | IR | на замовлення 4600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
IRG4IBC30FD | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 20.3A 45000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4IBC30FD | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 20.3A 45W TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 42 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 17A Supplier Device Package: PG-TO220-FP Td (on/off) @ 25°C: 42ns/230ns Switching Energy: 630µJ (on), 1.39mJ (off) Test Condition: 480V, 17A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 51 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 20.3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 45 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4IBC30FDPBF | IR - ASA only Supplier | Trans IGBT Chip N-CH 600V 20.3A 45000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4IBC30FDPBF | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 20.3A 45W TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 42 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 17A Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak Td (on/off) @ 25°C: 42ns/230ns Switching Energy: 630µJ (on), 1.39mJ (off) Test Condition: 480V, 17A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 51 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 20.3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 45 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4IBC30KD | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 17A 45W TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 42 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 16A Supplier Device Package: PG-TO220-FP Td (on/off) @ 25°C: 60ns/160ns Switching Energy: 600µJ (on), 580µJ (off) Test Condition: 480V, 16A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 67 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 17 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 34 A Power - Max: 45 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4IBC30KD | IR | 09+ | на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
IRG4IBC30KDPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 17A 45000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4IBC30KDPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 17A 45W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube | на замовлення 330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IRG4IBC30KDPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRG4IBC30KDPBF - IGBT, N-Kanal, 17 A, 2.88 V, 45 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage hazardous: false Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.88 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 45 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600 Betriebstemperatur, max.: 150 Kontinuierlicher Kollektorstrom: 17 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4IBC30KDPBF | на замовлення 1080 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
IRG4IBC30KDPBF | Infineon / IR | IGBT Transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4IBC30KDPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 17A 45W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube | на замовлення 330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IRG4IBC30KDPBF | International Rectifier | Description: COPACK IGBT W/ULTRAFAST SOFT REC Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 42 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 16A Supplier Device Package: TO220 Full Pack Td (on/off) @ 25°C: 60ns/160ns Switching Energy: 600µJ (on), 580µJ (off) Test Condition: 480V, 16A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 100 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 17 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 34 A Power - Max: 45 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4IBC30KDPBF-INF | Infineon Technologies | Description: COPACK IGBT W/ULTRAFAST SOFT REC Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 42 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 16A Supplier Device Package: TO220 Full Pack Td (on/off) @ 25°C: 60ns/160ns Switching Energy: 600µJ (on), 580µJ (off) Test Condition: 480V, 16A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 100 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 17 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 34 A Power - Max: 45 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4IBC30S | IRG4IBC30S Транзисторы IGB-transistors | на замовлення 11 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) | ||||||||||||||||||
IRG4IBC30S | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 23.5A 45W TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 18A Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak Td (on/off) @ 25°C: 22ns/540ns Switching Energy: 260µJ (on), 3.45mJ (off) Test Condition: 480V, 18A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 50 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 23.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 68 A Power - Max: 45 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4IBC30S(92-0129) | на замовлення 72500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
IRG4IBC30S?92-0129? | IR | TO-220 | на замовлення 54000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
IRG4IBC30SPBF | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 23.5A 45W TO220FP Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 18A Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak Td (on/off) @ 25°C: 22ns/540ns Switching Energy: 260µJ (on), 3.45mJ (off) Test Condition: 480V, 18A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 50 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 23.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 47 A Power - Max: 45 W | на замовлення 9651 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IRG4IBC30SPBF | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 23.5A 45W TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 18A Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak Td (on/off) @ 25°C: 22ns/540ns Switching Energy: 260µJ (on), 3.45mJ (off) Test Condition: 480V, 18A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 50 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 23.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 47 A Power - Max: 45 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4IBC30SPBF | IR | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
IRG4IBC30SPBF | Infineon / IR | IGBT Transistors 600V DC-1kHz | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4IBC30UD | Vishay Semiconductors | IGBT Transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4IBC30UD | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 17A 45W TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 42 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 12A Supplier Device Package: PG-TO220-FP Td (on/off) @ 25°C: 40ns/91ns Switching Energy: 380µJ (on), 160µJ (off) Test Condition: 480V, 12A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 50 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 17 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 92 A Power - Max: 45 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4IBC30UDPBF | Infineon / IR | IGBT Transistors 600V UltraFast 8-60kHz | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4IBC30UDPBF | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 17A 45W TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 42 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 12A Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak Td (on/off) @ 25°C: 40ns/91ns Switching Energy: 380µJ (on), 160µJ (off) Test Condition: 480V, 12A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 50 nC Current - Collector (Ic) (Max): 17 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 68 A Power - Max: 45 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4IBC30UDPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 17A 45000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube | на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IRG4IBC30UDPBF | International Rectifier Corporation | IRG4IBC30UD (IGBT N-CH U=600B I=12A TO-220) | на замовлення 9 шт: термін постачання 5 дні (днів) | |||||||||||||||||
IRG4IBC30UDPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 17A 45000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4IBC30UDPBF Код товару: 36198 | Транзистори > IGBT | товар відсутній | ||||||||||||||||||
IRG4IBC30UDPBF-INF | Infineon Technologies | Description: COPACK IGBT W/ULTRAFAST SOFT REC Packaging: Tube Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4IBC30W | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 17A 45W TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A Supplier Device Package: PG-TO220-FP Td (on/off) @ 25°C: 25ns/99ns Switching Energy: 130µJ (on), 130µJ (off) Test Condition: 480V, 12A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 51 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 17 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 92 A Power - Max: 45 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4IBC30W Код товару: 14596 | IR | Транзистори > IGBT Корпус: TO-220 Vces: 600 V Vce: 2,7 V Ic 25: 17 A Ic 100: 8,4 A Pd 25: 45 W td(on)/td(off) 100-150 град: 25/99 | у наявності 16 шт: 9 шт - склад5 шт - РАДІОМАГ-Київ 2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
| ||||||||||||||||
IRG4IBC30W | IR | 09+ | на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
IRG4IBC30WHR | Infineon / IR | Infineon | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4IBC30WPBF | International Rectifier | Description: COPACK IGBT W/ULTRAFAST SOFT REC Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak Td (on/off) @ 25°C: 25ns/99ns Switching Energy: 130µJ (on), 130µJ (off) Test Condition: 480V, 12A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 51 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 17 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 92 A Power - Max: 45 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4IBC30WPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 17A 45000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
IRG4IBC30WPBF | Infineon / IR | IGBT Transistors 600V Warp 60-150kHz | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4IBC30WPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 17A; 45W; TO220AB; single transistor Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 600V Power dissipation: 45W Type of transistor: IGBT Semiconductor structure: single transistor Collector current: 17A | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4IBC30WPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 17A; 45W; TO220AB; single transistor Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 600V Power dissipation: 45W Type of transistor: IGBT Semiconductor structure: single transistor Collector current: 17A кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4IBC30WPBF | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 17A 45W TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak Td (on/off) @ 25°C: 25ns/99ns Switching Energy: 130µJ (on), 130µJ (off) Test Condition: 480V, 12A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 51 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 17 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 92 A Power - Max: 45 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4IBC30WPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 17A 45W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
IRG4IBC30WPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRG4IBC30WPBF - IGBT, 17 A, 2.1 V, 45 W, 600 V, TO-220FP, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.1 DC-Kollektorstrom: 17 Anzahl der Pins: 3 Bauform - Transistor: TO-220FP Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600 Verlustleistung Pd: 45 Betriebstemperatur, max.: 150 Produktpalette: IRG4 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4IBC30WPBF-INF | Infineon Technologies | Description: COPACK IGBT W/ULTRAFAST SOFT REC Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A Supplier Device Package: TO220 Full Pack Td (on/off) @ 25°C: 25ns/99ns Switching Energy: 130µJ (on), 130µJ (off) Test Condition: 480V, 12A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 51 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 17 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 92 A Power - Max: 45 W | на замовлення 844 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IRG4P254S | Infineon Technologies | Description: IGBT 250V 98A 200W TO247AC Packaging: Bag Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 55A Supplier Device Package: TO-247AC Td (on/off) @ 25°C: 40ns/270ns Switching Energy: 380µJ (on), 3.5mJ (off) Test Condition: 200V, 55A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 200 nC Current - Collector (Ic) (Max): 98 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V Current - Collector Pulsed (Icm): 196 A Power - Max: 200 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4P254SPBF | Infineon Technologies | Description: IGBT 250V 98A 200W TO247AC Packaging: Bag Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 55A Supplier Device Package: TO-247AC Td (on/off) @ 25°C: 40ns/270ns Switching Energy: 380µJ (on), 3.5mJ (off) Test Condition: 200V, 55A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 200 nC Current - Collector (Ic) (Max): 98 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V Current - Collector Pulsed (Icm): 196 A Power - Max: 200 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4P254SPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 250V 98A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4P254SPBF | Infineon Technologies | IGBT Transistors 250V DC-1kHz | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC20U | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 13A 60W TO247AC Packaging: Bag Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 6.5A Supplier Device Package: TO-247AC Td (on/off) @ 25°C: 21ns/86ns Switching Energy: 100µJ (on), 120µJ (off) Test Condition: 480V, 6.5A, 50Ohm, 15V Gate Charge: 27 nC Current - Collector (Ic) (Max): 13 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 52 A Power - Max: 60 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC20UPBF | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 13A 60W TO247AC Packaging: Bag Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 6.5A Supplier Device Package: TO-247AC Td (on/off) @ 25°C: 21ns/86ns Switching Energy: 100µJ (on), 120µJ (off) Test Condition: 480V, 6.5A, 50Ohm, 15V Gate Charge: 27 nC Current - Collector (Ic) (Max): 13 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 52 A Power - Max: 60 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC30F | IR | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
IRG4PC30F | IR | Транз. IGBT Fast TO247AC Uces=600V; Ic=31A; Ic=17A(100°C); Pdmax=100W | на замовлення 364 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IRG4PC30F | IR | TO-247 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
IRG4PC30FDPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 31A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC30FDPBF Код товару: 36329 | IR | Транзистори > IGBT Корпус: TO-247 Vces: 600 V Vce: 1,59 V Ic 25: 31 A Ic 100: 17 A Pd 25: 100 W td(on)/td(off) 100-150 град: 21/200 | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC30FDPBF | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 31A 100W TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 42 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 17A Supplier Device Package: TO-247AC Td (on/off) @ 25°C: 42ns/230ns Switching Energy: 630µJ (on), 1.39mJ (off) Test Condition: 480V, 17A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 51 nC Current - Collector (Ic) (Max): 31 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 100 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC30FDPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 31A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC30FDPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 31A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC30FDPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRG4PC30FDPBF - IGBT, schnell, CoPACK, N-Kanal, 31 A, 1.99 V, 100 W, 600 V, TO-247AC, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.99 DC-Kollektorstrom: 31 Anzahl der Pins: 3 Bauform - Transistor: TO-247AC Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600 Verlustleistung Pd: 100 Betriebstemperatur, max.: 150 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC30FDPBF | Infineon / IR | IGBT Transistors 600V Fast 1-8kHz | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC30FPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 31A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC30FPBF | Infineon / IR | IGBT Transistors 600V Fast 1-8kHz | на замовлення 24 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IRG4PC30FPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 31A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC30FPBF | International Rectifier | Description: FAST SPEED IGBT Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 17A Supplier Device Package: TO-247AC Td (on/off) @ 25°C: 21ns/200ns Switching Energy: 230µJ (on), 1.18mJ (off) Test Condition: 480V, 17A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 77 nC Current - Collector (Ic) (Max): 31 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 100 W | на замовлення 451 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IRG4PC30K | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 28A 100W TO247AC Packaging: Bag Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 16A Supplier Device Package: TO-247AC Td (on/off) @ 25°C: 26ns/130ns Switching Energy: 360µJ (on), 510µJ (off) Test Condition: 480V, 16A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 67 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 28 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 58 A Power - Max: 100 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC30K | IR | TO-247 | на замовлення 5520 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
IRG4PC30KD | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 28A 100W TO247AC Packaging: Bag Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 42 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 16A Supplier Device Package: TO-247AC Td (on/off) @ 25°C: 60ns/160ns Switching Energy: 600µJ (on), 580µJ (off) Test Condition: 480V, 16A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 67 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 28 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 58 A Power - Max: 100 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC30KD-E206 | IR | TO-247 | на замовлення 15898 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
IRG4PC30KD-E206 | Infineon / IR | IGBT Modules | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC30KDPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRG4PC30KDPBF - IGBT, 28 A, 2.7 V, 100 W, 600 V, TO-247AC, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.7 DC-Kollektorstrom: 28 Anzahl der Pins: 3 Bauform - Transistor: TO-247AC Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600 Verlustleistung Pd: 100 Betriebstemperatur, max.: 150 Produktpalette: IRG4 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC30KDPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 28A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC30KDPBF | Infineon Technologies | IGBT Transistors 600V UltraFast 8-25kHz | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC30KDPBF | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 28A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 42 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 16A Supplier Device Package: TO-247AC Td (on/off) @ 25°C: 60ns/160ns Switching Energy: 600µJ (on), 580µJ (off) Test Condition: 480V, 16A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 67 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 28 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 58 A Power - Max: 100 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC30KDPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 28A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC30KDPBF Код товару: 47672 | IR | Транзистори > IGBT Корпус: TO-247 Vces: 600 V Vce: 2,7 V Ic 25: 28 A Ic 100: 16 A Pd 25: 100 W td(on)/td(off) 100-150 град: 58/160 | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC30KPBF | International Rectifier | Description: IRG4PC30 - DISCRETE IGBT WITHOUT Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 16A Supplier Device Package: TO-247AC Td (on/off) @ 25°C: 26ns/130ns Switching Energy: 360µJ (on), 510µJ (off) Test Condition: 480V, 16A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 67 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 28 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 58 A Power - Max: 100 W | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IRG4PC30KPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 28A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC30KPBF | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 28A TO247AC Packaging: Bag Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 16A Supplier Device Package: TO-247AC Td (on/off) @ 25°C: 26ns/130ns Switching Energy: 360µJ (on), 510µJ (off) Test Condition: 480V, 16A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 67 nC Current - Collector (Ic) (Max): 28 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 58 A Power - Max: 100 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC30KPBF | Infineon / IR | IGBT Transistors 600V UltraFast 8-25kHz | на замовлення 510 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IRG4PC30S | IR | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
IRG4PC30S | IR | TO-247 | на замовлення 127883 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
IRG4PC30S | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 34A 100W TO247AC Packaging: Bag Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 18A Supplier Device Package: TO-247AC Td (on/off) @ 25°C: 22ns/540ns Switching Energy: 260µJ (on), 3.45mJ (off) Test Condition: 480V, 18A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 50 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 34 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 68 A Power - Max: 100 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC30S | IR | 09+ | на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
IRG4PC30SPBF | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 34A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 18A Supplier Device Package: TO-247AC Td (on/off) @ 25°C: 22ns/540ns Switching Energy: 260µJ (on), 3.45mJ (off) Test Condition: 480V, 18A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 50 nC Current - Collector (Ic) (Max): 34 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 68 A Power - Max: 100 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC30SPBF | Infineon / IR | IGBT Transistors 600V DC-1kHz | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC30SPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 34A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 579 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IRG4PC30U Код товару: 30173 | IR | Транзистори > IGBT Корпус: TO-247 Vces: 600 V Vce: 1,95 V Ic 25: 23 A Ic 100: 12 A Pd 25: 100 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC30U | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 23A 100W TO247AC Packaging: Bag Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 12A Supplier Device Package: TO-247AC Td (on/off) @ 25°C: 17ns/78ns Switching Energy: 160µJ (on), 200µJ (off) Test Condition: 480V, 12A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 50 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 23 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 92 A Power - Max: 100 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC30U | International Rectifier | 23A; 600V; 100W; IGBT IRG4PC30U TIRG4pc30u кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 15 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IRG4PC30UD | International Rectifier Corporation | IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE | на замовлення 1 шт: термін постачання 5 дні (днів) | |||||||||||||||||
IRG4PC30UD Код товару: 32428 | Транзистори > IGBT | товар відсутній | ||||||||||||||||||
IRG4PC30UDPBF | Infineon Technologies | IGBT Transistors 600V ULTRAFAST 8-60 KHZ COPACK IGBT | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC30UDPBF | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 23A 100W TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 42 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 12A Supplier Device Package: TO-247AC Td (on/off) @ 25°C: 40ns/91ns Switching Energy: 380µJ (on), 160µJ (off) Test Condition: 480V, 12A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 50 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 23 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 92 A Power - Max: 100 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC30UDPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 23A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC30UDPBF Код товару: 83721 | IR | Транзистори > IGBT Корпус: TO-247AC Vces: 600 V Vce: 1,95 V Ic 25: 23 A Ic 100: 12 A Pd 25: 100 W td(on)/td(off) 100-150 град: 40/91 | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC30UDPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRG4PC30UDPBF - IGBT, 23 A, 2.52 V, 100 W, 600 V, TO-247AC, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.52 DC-Kollektorstrom: 23 Anzahl der Pins: 3 Bauform - Transistor: TO-247AC Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600 Verlustleistung Pd: 100 Betriebstemperatur, max.: 150 Produktpalette: IRG4 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC30UDPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 23A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC30UDPBF-IR | International Rectifier | Description: ULTRAFAST COPACK IGBT W/ULTRAFAS Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 42 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 12A Supplier Device Package: TO-247AC Td (on/off) @ 25°C: 40ns/91ns Switching Energy: 380µJ (on), 160µJ (off) Test Condition: 480V, 12A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 75 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 23 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 92 A Power - Max: 100 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC30UPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 23A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC30UPBF Код товару: 167383 | Транзистори > IGBT | товар відсутній | ||||||||||||||||||
IRG4PC30UPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRG4PC30UPBF - IGBT, 23 A, 2.52 V, 100 W, 600 V, TO-247AC, 3 Pin(s) MSL: - Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.52 Verlustleistung Pd: 100 Bauform - Transistor: TO-247AC Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - DC-Kollektorstrom: 23 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC30UPBF | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 23A 100W TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 12A Supplier Device Package: TO-247AC Td (on/off) @ 25°C: 17ns/78ns Switching Energy: 160µJ (on), 200µJ (off) Test Condition: 480V, 12A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 50 nC Current - Collector (Ic) (Max): 23 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 92 A Power - Max: 100 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC30UPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 23A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC30UPBF | Infineon / IR | IGBT Transistors 600V ULTRAFAST 8-60KHZ DSCRETE IGBT | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC30VD Код товару: 72965 | Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 | товар відсутній | ||||||||||||||||||
IRG4PC30W | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 23A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC30W | IR | 09+ | на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
IRG4PC30W | IR | TO-247 | на замовлення 27690 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
IRG4PC30WPBF | Infineon / IR | IGBT Transistors 600V Warp 60-150kHz | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC30WPBF | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 23A TO247AC Packaging: Bag Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A Supplier Device Package: TO-247AC Td (on/off) @ 25°C: 25ns/99ns Switching Energy: 130µJ (on), 130µJ (off) Test Condition: 480V, 12A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 51 nC Current - Collector (Ic) (Max): 23 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 92 A Power - Max: 100 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC40F | IR | 09+ | на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
IRG4PC40F | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 49A 160W TO247AC Packaging: Bag Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 27A Supplier Device Package: TO-247AC Td (on/off) @ 25°C: 26ns/240ns Switching Energy: 370µJ (on), 1.81mJ (off) Test Condition: 480V, 27A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 100 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 49 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 160 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC40F | IR | TO-247 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
IRG4PC40FD | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 49A 160W TO247AC Packaging: Bag Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 42 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 27A Supplier Device Package: TO-247AC Td (on/off) @ 25°C: 63ns/230ns Switching Energy: 950µJ (on), 2.01mJ (off) Test Condition: 480V, 27A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 100 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 49 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 160 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC40FD | IR | 08+ SOP-8 | на замовлення 250 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
IRG4PC40FDPBF Код товару: 77988 | IR | Транзистори > IGBT Корпус: TO-247AC Vces: 600 V Vce: 1,5 V Ic 25: 49 A Ic 100: 27 A Pd 25: 160 W td(on)/td(off) 100-150 град: 63/350 | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC40FDPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 49A 160000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC40FDPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 49A 160000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IRG4PC40FDPBF | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 49A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 42 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 27A Supplier Device Package: TO-247AC Td (on/off) @ 25°C: 63ns/230ns Switching Energy: 950µJ (on), 2.01mJ (off) Test Condition: 480V, 27A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 100 nC Current - Collector (Ic) (Max): 49 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 196 A Power - Max: 160 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC40FDPBF | Infineon / IR | IGBT Transistors 600V Fast 1-8kHz | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC40FDPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRG4PC40FDPBF - IGBT, 49 A, 1.85 V, 160 W, 600 V, TO-247AC, 3 Pin(s) MSL: - Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85 Verlustleistung Pd: 160 Bauform - Transistor: TO-247AC Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - DC-Kollektorstrom: 49 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC40FPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 49A 160000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC40FPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 49A 160000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 175 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IRG4PC40FPBF | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 49A 160W TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 27A Supplier Device Package: TO-247AC Td (on/off) @ 25°C: 26ns/240ns Switching Energy: 370µJ (on), 1.81mJ (off) Test Condition: 480V, 27A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 100 nC Current - Collector (Ic) (Max): 49 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 160 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC40FPBF | Infineon / IR | IGBT Transistors 600V Fast 1-8kHz | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC40K | International Rectifier | 42A; 600V; 160W; IGBT IRG4PC40K; IRG4PC40K TIRG4pc40k кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IRG4PC40K | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 42A 160W TO247AC Packaging: Bag Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 25A Supplier Device Package: TO-247AC Td (on/off) @ 25°C: 30ns/140ns Switching Energy: 620µJ (on), 330µJ (off) Test Condition: 480V, 25A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 42 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 84 A Power - Max: 160 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC40KD-E | Infineon / IR | IGBT Modules | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC40KD-E206 | IR | TO-247 | на замовлення 4146 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
IRG4PC40KD-E206 | Infineon / IR | IGBT Modules | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC40KDE206P | Infineon / IR | IGBT Modules 600V ULTRAFAST 8-60KHZ DSCRETE IGBT | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC40KDE206P | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 42A 160W TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 42 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 25A Supplier Device Package: TO-247AC Td (on/off) @ 25°C: 53ns/110ns Switching Energy: 950µJ (on), 760µJ (off) Test Condition: 480V, 25A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 42 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 84 A Power - Max: 160 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC40KDPBF | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 42A 160W TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 42 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 25A Supplier Device Package: TO-247AC Td (on/off) @ 25°C: 53ns/110ns Switching Energy: 950µJ (on), 760µJ (off) Test Condition: 480V, 25A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 42 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 84 A Power - Max: 160 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC40KDPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRG4PC40KDPBF - IGBT, 42 A, 2.1 V, 160 W, 600 V, TO-247AC, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.1 DC-Kollektorstrom: 42 Anzahl der Pins: 3 Bauform - Transistor: TO-247AC Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600 Verlustleistung Pd: 160 Betriebstemperatur, max.: 150 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC40KDPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 42A 160000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC40KDPBF | Infineon / IR | IGBT Transistors 600V ULTRAFAST 8-25 KHZ COPACK IGBT | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC40KDPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 42A 160000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 1053 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IRG4PC40KDPBF Код товару: 40711 | IR | Транзистори > IGBT Корпус: TO-247 Vces: 600 V Vce: 2,1 V Ic 25: 42 A Ic 100: 25 A Pd 25: 160 W td(on)/td(off) 100-150 град: 5-25 KHz | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC40KDPBF-IR | International Rectifier | Description: IGBT, 42A, 600V, N-CHANNEL Packaging: Bulk Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC40KPBF | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 42A 160W TO247AC Packaging: Bag Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 25A Supplier Device Package: TO-247AC Td (on/off) @ 25°C: 30ns/140ns Switching Energy: 620µJ (on), 330µJ (off) Test Condition: 480V, 25A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Current - Collector (Ic) (Max): 42 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 84 A Power - Max: 160 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC40KPBF | Infineon / IR | IGBT Transistors 600V UltraFast 8-25kHz | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC40KPBF Код товару: 122003 | Транзистори > Польові N-канальні | товар відсутній | ||||||||||||||||||
IRG4PC40S Код товару: 40228 | IR | Транзистори > IGBT Корпус: TO-247 Vces: 600 V Vce: 1,32 V Ic 25: 60 A Ic 100: 31 A Pd 25: 160 W td(on)/td(off) 100-150 град: 22/1000 | у наявності 13 шт: 5 шт - склад2 шт - РАДІОМАГ-Київ 3 шт - РАДІОМАГ-Львів 1 шт - РАДІОМАГ-Харків 2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
| ||||||||||||||||
IRG4PC40SPBF | Infineon Technologies | IGBT Transistors 600V DC-1 KHZ (STD) DISCRETE IGBT | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC40SPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRG4PC40SPBF - IGBT, 60 A, 1.6 V, 160 W, 600 V, TO-247AC, 3 Pin(s) MSL: - Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6 Verlustleistung Pd: 160 Bauform - Transistor: TO-247AC Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: IRG4 DC-Kollektorstrom: 60 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC40SPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 160000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC40SPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 160000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IRG4PC40SPBF Код товару: 140291 | Транзистори > IGBT | товар відсутній | ||||||||||||||||||
IRG4PC40SPBF | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 60A 160W TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 31A Supplier Device Package: TO-247AC Td (on/off) @ 25°C: 22ns/650ns Switching Energy: 450µJ (on), 6.5mJ (off) Test Condition: 480V, 31A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 100 nC Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 160 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC40U | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 40A 160W TO247AC Packaging: Bag Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A Supplier Device Package: TO-247AC Td (on/off) @ 25°C: 34ns/110ns Switching Energy: 320µJ (on), 350µJ (off) Test Condition: 480V, 20A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 100 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 160 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC40UD | International Rectifier HiRel Products | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 160000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC40UD-203 | Infineon / IR | IGBT Transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC40UD-E | Infineon / IR | IGBT Transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC40UD-EPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 160000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC40UD-EPBF | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 40A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 42 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A Supplier Device Package: TO-247AC Td (on/off) @ 25°C: 54ns/110ns Switching Energy: 710µJ (on), 350µJ (off) Test Condition: 480V, 20A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 100 nC Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 160 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC40UD-EPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 160000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC40UD-EPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRG4PC40UD-EPBF - IGBT, 40 A, 2.15 V, 160 W, 600 V, TO-247AC, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.15 DC-Kollektorstrom: 40 Anzahl der Pins: 3 Bauform - Transistor: TO-247AC Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600 Verlustleistung Pd: 160 Betriebstemperatur, max.: 150 Produktpalette: IRG4 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC40UD-EPBF | Infineon / IR | IGBT Transistors 600V UltraFast 8-60kHz | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC40UD-MP | Infineon / IR | Infineon COPAK-247 | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC40UDPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 160000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC40UDPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRG4PC40UDPBF - IGBT, 40 A, 2.4 V, 160 W, 600 V, TO-247AC, 3 Pin(s) MSL: - Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.4 Verlustleistung Pd: 160 Bauform - Transistor: TO-247AC Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - DC-Kollektorstrom: 40 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC40UDPBF Код товару: 26200 | IR | Транзистори > IGBT Корпус: TO-247 Vces: 600 V Vce: 1,72 V Ic 25: 40 A Ic 100: 20 A Pd 25: 160 W td(on)/td(off) 100-150 град: 54/110 | у наявності 4 шт: 1 шт - РАДІОМАГ-Київ2 шт - РАДІОМАГ-Харків 1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
| ||||||||||||||||
IRG4PC40UDPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 160000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
IRG4PC40UDPBF | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 40A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 42 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A Supplier Device Package: TO-247AC Td (on/off) @ 25°C: 54ns/110ns Switching Energy: 710µJ (on), 350µJ (off) Test Condition: 480V, 20A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 100 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 160 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC40UDPBF | Infineon / IR | IGBT Transistors 600V UltraFast 8-60kHz | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC40UHR | Infineon / IR | Infineon | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC40UPBF | Infineon / IR | IGBT Transistors 600V UltraFast 8-60kHz | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC40UPBF | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 40A 160W TO247AC Packaging: Bag Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A Supplier Device Package: TO-247AC Td (on/off) @ 25°C: 34ns/110ns Switching Energy: 320µJ (on), 350µJ (off) Test Condition: 480V, 20A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 100 nC Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 160 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC40UPBF Код товару: 40713 | IR | Транзистори > IGBT Корпус: TO-247 Vces: 600 V Vce: 1,72 V Ic 25: 40 A Ic 100: 20 A Pd 25: 160 W td(on)/td(off) 100-150 град: 8-60 KHz | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC40W Код товару: 30315 | IR | Транзистори > IGBT Корпус: TO-257 Vces: 600 V Vce: 2,05 V Ic 25: 40 A Ic 100: 20 A Pd 25: 160 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC40WPBF Код товару: 35966 | IR | Транзистори > IGBT Корпус: TO-247AC Vces: 600 V Vce: 2,05 V Ic 25: 40 A Ic 100: 20 A Pd 25: 160 W td(on)/td(off) 100-150 град: 27/100 | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC40WPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 160000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 88 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IRG4PC40WPBF | Infineon Technologies | IGBT Transistors 600V Warp 60-150kHz | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC40WPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 160000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC40WPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRG4PC40WPBF - IGBT, 40 A, 2.5 V, 160 W, 600 V, TO-247AC, 3 Pin(s) MSL: - Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.5 Verlustleistung Pd: 160 Bauform - Transistor: TO-247AC Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - DC-Kollektorstrom: 40 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC40WPBF | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 40A 160W TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A Supplier Device Package: TO-247AC Td (on/off) @ 25°C: 27ns/100ns Switching Energy: 110µJ (on), 230µJ (off) Test Condition: 480V, 20A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 98 nC Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 160 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC50F Код товару: 23470 | Транзистори > IGBT Корпус: TO-247AC Vces: 600 V Vce: 1,45 V Ic 25: 70 A Ic 100: 39 A Pd 25: 200 W | товар відсутній | ||||||||||||||||||
IRG4PC50F-EPBF | Infineon / IR | IGBT Transistors 600V Fast IGBT GEN 4 1 to 5kHz 1.45V 39A | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC50F-EPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC50F-EPBF | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 70A 200W TO247AD Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 39A Supplier Device Package: TO-247AD Td (on/off) @ 25°C: 31ns/240ns Switching Energy: 370µJ (on), 2.1mJ (off) Test Condition: 480V, 39A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 190 nC Current - Collector (Ic) (Max): 70 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 280 A Power - Max: 200 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC50FD-E | Infineon / IR | IGBT Transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC50FD-EPBF | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 70A 200W TO247AD Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 39A Supplier Device Package: TO-247AC Td (on/off) @ 25°C: 55ns/240ns Switching Energy: 1.5mJ (on), 2.4mJ (off) Test Condition: 480V, 39A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 190 nC Current - Collector (Ic) (Max): 70 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 280 A Power - Max: 200 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC50FD-EPBF | IR | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
IRG4PC50FD-EPBF | Infineon / IR | IGBT Transistors 600V FAST 1-8 KHZ COPACK IGBT | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC50FD-EPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC50FDPBF | Infineon Technologies | IGBT Transistors 600V FAST 1-8 KHZ COPACK IGBT | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC50FDPBF Код товару: 36672 | IR | Транзистори > IGBT Корпус: TO-247 Vces: 600 V Vce: 1,45 V Ic 25: 70 A Ic 100: 39 A Pd 25: 200 W td(on)/td(off) 100-150 град: 55/240 | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC50FDPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRG4PC50FDPBF - IGBT, 70 A, 1.79 V, 200 W, 600 V, TO-247AC, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.79 DC-Kollektorstrom: 70 Anzahl der Pins: 3 Bauform - Transistor: TO-247AC Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600 Verlustleistung Pd: 200 Betriebstemperatur, max.: 150 Produktpalette: IRG4 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC50FDPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC50FDPBF | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 70A 200W TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 39A Supplier Device Package: TO-247AC Td (on/off) @ 25°C: 55ns/240ns Switching Energy: 1.5mJ (on), 2.4mJ (off) Test Condition: 480V, 39A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 190 nC Current - Collector (Ic) (Max): 70 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 280 A Power - Max: 200 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC50FDPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC50FPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRG4PC50FPBF - IGBT, 70 A, 1.79 V, 200 W, 600 V, TO-247AC, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.79 DC-Kollektorstrom: 70 Anzahl der Pins: 3 Bauform - Transistor: TO-247AC Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600 Verlustleistung Pd: 200 Betriebstemperatur, max.: 150 Produktpalette: IRG4 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC50FPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC50FPBF | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 70A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 39A Supplier Device Package: TO-247AC Td (on/off) @ 25°C: 31ns/240ns Switching Energy: 370µJ (on), 2.1mJ (off) Test Condition: 480V, 39A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 190 nC Current - Collector (Ic) (Max): 70 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 280 A Power - Max: 200 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC50FPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC50FPBF | Infineon / IR | IGBT Transistors 600V Fast 1-8kHz | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC50K | IR | 09+ | на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
IRG4PC50K | IR | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
IRG4PC50K Код товару: 32245 | IR | Транзистори > IGBT Корпус: TO-247 Vces: 1200 V Vce: 2,77 V Ic 25: 45 A Ic 100: 24 A Pd 25: 200 W td(on)/td(off) 100-150 град: 37/260 | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC50K | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 52A 200W TO247AC Packaging: Bag Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-247AC Td (on/off) @ 25°C: 38ns/160ns Switching Energy: 490µJ (on), 680µJ (off) Test Condition: 480V, 30A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 200 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 52 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 104 A Power - Max: 200 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC50K | IR | TO-247 | на замовлення 3603 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
IRG4PC50K-212 | Infineon / IR | IGBT Modules | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC50KD | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 52A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC50KDPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 52A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC50KDPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 52A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC50KDPBF Код товару: 34338 | IR | Транзистори > IGBT Корпус: TO-247 Vces: 600 V Vce: 1,84 V Ic 25: 52 A Ic 100: 30 A Pd 25: 104 W td(on)/td(off) 100-150 град: 11/40 | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC50KDPBF | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 52A 200W TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-247AC Td (on/off) @ 25°C: 63ns/150ns Switching Energy: 1.61mJ (on), 840µJ (off) Test Condition: 480V, 30A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 200 nC Current - Collector (Ic) (Max): 52 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 104 A Power - Max: 200 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC50KDPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRG4PC50KDPBF - IGBT, 52 A, 1.84 V, 104 W, 600 V, TO-247AC, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.84 DC-Kollektorstrom: 52 Anzahl der Pins: 3 Bauform - Transistor: TO-247AC Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600 Verlustleistung Pd: 104 Betriebstemperatur, max.: 150 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC50KDPBF | Infineon Technologies | IGBT Transistors 600V ULTRAFAST 8-25 KHZ COPACK IGBT | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC50KDPBF-IR | International Rectifier | Description: SHORT CIRCUIT RATED ULTRAFAST IG Packaging: Bulk Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC50KPBF | Infineon / IR | IGBT Transistors 600V UltraFast 8-25kHz | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC50KPBF | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 52A 200W TO247AC Packaging: Bag Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-247AC Td (on/off) @ 25°C: 38ns/160ns Switching Energy: 490µJ (on), 680µJ (off) Test Condition: 480V, 30A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 200 nC Current - Collector (Ic) (Max): 52 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 104 A Power - Max: 200 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC50S Код товару: 24235 | IR | Транзистори > IGBT Корпус: TO-247AC Vces: 600 V Vce: 1,28 V Ic 25: 70 A Ic 100: 41 A Pd 25: 200 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC50S-P | Infineon / IR | IGBT Transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC50S-P | на замовлення 10825 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
IRG4PC50S-P | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC50S-PPbF | Infineon / IR | IGBT Modules | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC50SD-205PBF | Infineon / IR | Infineon COPAK-247 | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC50SDPBF | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 70A 200W TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.36V @ 15V, 41A Supplier Device Package: TO-247AC Td (on/off) @ 25°C: 33ns/650ns Switching Energy: 720µJ (on), 8.27mJ (off) Test Condition: 480V, 41A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 180 nC Current - Collector (Ic) (Max): 70 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 140 A Power - Max: 200 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC50SDPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC50SDPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC50SDPBF | Infineon / IR | IGBT Transistors 600V ULTRAFAST COPACK IGBT | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC50SPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC50SPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC50SPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRG4PC50SPBF - IGBT, 70 A, 1.62 V, 200 W, 600 V, TO-247AC, 3 Pin(s) MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.62 Verlustleistung Pd: 200 Bauform - Transistor: TO-247AC Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - DC-Kollektorstrom: 70 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC50SPBF | Infineon Technologies | IGBT Transistors 600V DC-1 KHZ (STD) DISCRETE IGBT | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC50SPBF Код товару: 55915 | IR | Транзистори > IGBT Корпус: TO-247 Vces: 600 V Vce: 1,28 V Ic 25: 70 A Ic 100: 41 A Pd 25: 200 W td(on)/td(off) 100-150 град: 33/650 | у наявності 8 шт: 3 шт - склад5 шт - РАДІОМАГ-Київ |
| ||||||||||||||||
IRG4PC50SPBF | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 70A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.36V @ 15V, 41A Supplier Device Package: TO-247AC Td (on/off) @ 25°C: 33ns/650ns Switching Energy: 720µJ (on), 8.27mJ (off) Test Condition: 480V, 41A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 180 nC Current - Collector (Ic) (Max): 70 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 140 A Power - Max: 200 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC50U | IR | TO3P | на замовлення 1800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
IRG4PC50U | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 55A 200W TO247AC Packaging: Bag Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 27A Supplier Device Package: TO-247AC Td (on/off) @ 25°C: 32ns/170ns Switching Energy: 120µJ (on), 540µJ (off) Test Condition: 480V, 27A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 180 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 55 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 220 A Power - Max: 200 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC50U | IR | MODULE | на замовлення 44 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
IRG4PC50UD | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 55A 200mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC50UD | IR - ASA only Supplier | Trans IGBT Chip N-CH 600V 55A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC50UD | International Rectifier | Trans IGBT Chip N-CH 600V 55A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC50UD-E | Infineon / IR | IGBT Transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC50UD-EPBF | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 55A 200W TO247-3 Packaging: Bag Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 27A Supplier Device Package: TO-247AC Td (on/off) @ 25°C: 46ns/140ns Switching Energy: 990µJ (on), 590µJ (off) Test Condition: 480V, 27A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 180 nC Current - Collector (Ic) (Max): 55 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 220 A Power - Max: 200 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC50UD-EPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 55A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC50UD-EPBF | Infineon Technologies | IGBT Transistors 600V UltraFast 8-60kHz | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC50UD-MP | Infineon / IR | IGBT Transistors 600V UltraFast 8-60kHz Copack IGBT | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC50UD-MP | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 55A 200W TO247AC Packaging: Bag Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 27A Supplier Device Package: TO-247AC Gate Charge: 270 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 55 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 220 A Power - Max: 200 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC50UDEPBF Код товару: 99675 | Транзистори > IGBT | товар відсутній | ||||||||||||||||||
IRG4PC50UDPBF | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 55A 200W TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 27A Supplier Device Package: TO-247AC Td (on/off) @ 25°C: 46ns/140ns Switching Energy: 990µJ (on), 590µJ (off) Test Condition: 480V, 27A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 180 nC Current - Collector (Ic) (Max): 55 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 220 A Power - Max: 200 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC50UDPBF Код товару: 17973 | IR | Транзистори > IGBT Корпус: TO-247 Vces: 600 V Vce: 1,65 V Ic 25: 55 A Ic 100: 27 A Pd 25: 200 W td(on)/td(off) 100-150 град: 44/240 | у наявності 28 шт: 13 шт - склад2 шт - РАДІОМАГ-Київ 2 шт - РАДІОМАГ-Львів 2 шт - РАДІОМАГ-Харків 5 шт - РАДІОМАГ-Одеса 4 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
| ||||||||||||||||
IRG4PC50UDPBF | Infineon Technologies | IGBT Transistors 600V UltraFast 8-60kHz | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC50UDPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 55A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC50UDPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 55A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC50UHR | Infineon / IR | Infineon | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC50UP | IR | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
irg4pc50uPBF | Infineon Technologies | IGBT Transistors 600V UltraFast 8-60kHz | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC50UPBF Код товару: 33861 | IR | Транзистори > IGBT Корпус: TO-247 Vces: 600 V Vce: 1,65 V Ic 25: 55 A Ic 100: 27 A Pd 25: 200 W td(on)/td(off) 100-150 град: 31/230 | у наявності 14 шт: 9 шт - склад1 шт - РАДІОМАГ-Київ 4 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
| ||||||||||||||||
IRG4PC50UPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 55A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC50UPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 55A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
irg4pc50uPBF | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 55A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 27A Supplier Device Package: TO-247AC Td (on/off) @ 25°C: 32ns/170ns Switching Energy: 120µJ (on), 540µJ (off) Test Condition: 480V, 27A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 180 nC Current - Collector (Ic) (Max): 55 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 220 A Power - Max: 200 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC50UPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRG4PC50UPBF - IGBT, 55 A, 2.4 V, 200 W, 600 V, TO-247AC, 3 Pin(s) MSL: - Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.4 Verlustleistung Pd: 200 Bauform - Transistor: TO-247AC Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - DC-Kollektorstrom: 55 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC50W | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 55A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC50W /IR | IR | 08+; | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
IRG4PC50WPBF | Infineon (IRF) | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 27A; 200W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 27A Power dissipation: 200W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 220A Mounting: THT Kind of package: tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC50WPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 55A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC50WPBF | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 55A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 27A Supplier Device Package: TO-247AC Td (on/off) @ 25°C: 46ns/120ns Switching Energy: 80µJ (on), 320µJ (off) Test Condition: 480V, 27A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 180 nC Current - Collector (Ic) (Max): 55 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 220 A Power - Max: 200 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC50WPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRG4PC50WPBF - IGBT, 55 A, 2.3 V, 200 W, 600 V, TO-247AC, 3 Pin(s) MSL: - Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.3 Verlustleistung Pd: 200 Bauform - Transistor: TO-247AC Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - DC-Kollektorstrom: 55 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC50WPBF | IRG4PC50WPBF Транзисторы IGB-transistors | на замовлення 11 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) | ||||||||||||||||||
IRG4PC50WPBF | Infineon Technologies | IGBT Transistors 600V Warp 60-150kHz | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC50WPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 55A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC50WPBF Код товару: 24036 | IR | Транзистори > IGBT Корпус: TO-247AC Vces: 600 V Vce: 2,3 V Ic 25: 55 A Ic 100: 27 A Pd 25: 178 W | у наявності 4 шт: 3 шт - склад1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
| ||||||||||||||||
IRG4PC50WPI | IR | 09+ | на замовлення 43 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
IRG4PC60FPBF | Infineon / IR | IGBT Transistors 600V Fast 1-8kHz | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC60FPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 90A 520000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC60FPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 90A 520000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC60FPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 90A 520000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IRG4PC60FPBF | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 90A 520W TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 60A Supplier Device Package: TO-247AC Td (on/off) @ 25°C: 42ns/310ns Switching Energy: 300µJ (on), 4.6mJ (off) Test Condition: 480V, 60A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 290 nC Current - Collector (Ic) (Max): 90 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 360 A Power - Max: 520 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC60U-212 | Infineon / IR | IGBT Transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC60U-212HR | Infineon / IR | IGBT Transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC60U-PPBF | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 75A 520W TO247AC Packaging: Bag Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247AC Td (on/off) @ 25°C: 39ns/200ns Switching Energy: 280µJ (on), 1.1mJ (off) Test Condition: 480V, 40A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 310 nC Current - Collector (Ic) (Max): 75 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Power - Max: 520 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC60UHR | Infineon / IR | Infineon | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC60UPBF | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 75A 520W TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247AC Td (on/off) @ 25°C: 39ns/200ns Switching Energy: 280µJ (on), 1.1mJ (off) Test Condition: 480V, 40A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 310 nC Current - Collector (Ic) (Max): 75 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Power - Max: 520 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC60UPBF | Infineon / IR | IGBT Transistors 600V ULTRAFAST 8-60KHZ DSCRETE IGBT | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC60UPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 520000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PC60UPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 520000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 831 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IRG4PC71U | IR | MODULE | на замовлення 80 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
IRG4PF50W | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 900V 51A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PF50W Код товару: 197675 | Транзистори > IGBT | у наявності 1 шт: 1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро | ||||||||||||||||||
IRG4PF50W?92-0119? | IR | TO-247 | на замовлення 13250 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
IRG4PF50WD-201P | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 900V 51A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PF50WD-201P | Infineon / IR | IGBT Modules | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PF50WD-201P | Infineon Technologies | Description: IGBT 900V 51A 200W TO247AC Packaging: Bag Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 90 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 28A Supplier Device Package: TO-247AC Td (on/off) @ 25°C: 50ns/110ns Switching Energy: 2.63mJ (on), 1.34mJ (off) Test Condition: 720V, 28A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 160 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 51 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V Current - Collector Pulsed (Icm): 204 A Power - Max: 200 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PF50WDPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRG4PF50WDPBF - IGBT, 51 A, 2.25 V, 200 W, 900 V, TO-247AC, 3 Pin(s) MSL: - Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.25 Verlustleistung Pd: 200 Bauform - Transistor: TO-247AC Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 900 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - DC-Kollektorstrom: 51 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PF50WDPBF Код товару: 28038 | IR | Транзистори > IGBT Корпус: TO-247 Vces: 900 V Vce: 2,25 V Ic 25: 51 A Ic 100: 28 A Pd 25: 200 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PF50WDPBF | Infineon Technologies | Description: IGBT 900V 51A 200W TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 90 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 28A Supplier Device Package: TO-247AC Td (on/off) @ 25°C: 71ns/150ns Switching Energy: 2.63mJ (on), 1.34mJ (off) Test Condition: 720V, 28A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 160 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 51 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V Current - Collector Pulsed (Icm): 204 A Power - Max: 200 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PF50WDPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 900V 51A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 67 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IRG4PF50WDPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 900V 51A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PF50WDPBF | Infineon Technologies | IGBT Transistors 900V Warp 20-100kHz | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PF50WPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 900V 51A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 651 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IRG4PF50WPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 900V 51A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PF50WPBF | Infineon Technologies | IGBT Transistors 900V Warp 20-100kHz | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PF50WPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRG4PF50WPBF - IGBT, 51 A, 2.7 V, 200 W, 900 V, TO-247AC, 3 Pin(s) MSL: - Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.7 Verlustleistung Pd: 200 Bauform - Transistor: TO-247AC Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 900 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - DC-Kollektorstrom: 51 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PF50WPBF Код товару: 32408 | IR | Транзистори > IGBT Корпус: TO-247 Vces: 600 V Vce: 2,3 V Ic 25: 55 A Ic 100: 27 A Pd 25: 200 W | у наявності 107 шт: 81 шт - склад12 шт - РАДІОМАГ-Київ 3 шт - РАДІОМАГ-Львів 3 шт - РАДІОМАГ-Харків 3 шт - РАДІОМАГ-Одеса 5 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
| ||||||||||||||||
IRG4PF50WPBF | Infineon Technologies | Description: IGBT 900V 51A 200W TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 28A Supplier Device Package: TO-247AC Td (on/off) @ 25°C: 29ns/110ns Switching Energy: 190µJ (on), 1.06mJ (off) Test Condition: 720V, 28A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 160 nC Current - Collector (Ic) (Max): 51 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V Current - Collector Pulsed (Icm): 204 A Power - Max: 200 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PF50WPBF; IGBT; 51A; 900V; 200W; Корпус: TO-247; INFINEON (IRF) | на замовлення 1 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
IRG4PF50WTRPBF | Infineon / IR | IGBT Modules | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PH20K | IR | TO-247 | на замовлення 28000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
IRG4PH20K | IR | 09+ | на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
IRG4PH20K | Infineon Technologies | Description: IGBT 1200V 11A 60W TO247AC Packaging: Bag Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.3V @ 15V, 5A Supplier Device Package: TO-247AC Td (on/off) @ 25°C: 23ns/93ns Switching Energy: 450µJ (on), 440µJ (off) Test Condition: 960V, 5A, 50Ohm, 15V Gate Charge: 28 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 11 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 22 A Power - Max: 60 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PH20K-E | Infineon / IR | IGBT Modules | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PH20K-E | IR | TO-247 | на замовлення 7428 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
IRG4PH20KD | Infineon Technologies | Description: IGBT 1200V 11A 60W TO247AC Packaging: Bag Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 51 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.3V @ 15V, 5A Supplier Device Package: TO-247AC Td (on/off) @ 25°C: 50ns/100ns Switching Energy: 620µJ (on), 300µJ (off) Test Condition: 800V, 5A, 50Ohm, 15V Gate Charge: 28 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 11 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 22 A Power - Max: 60 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PH20KDPBF | Infineon / IR | IGBT Transistors 1200V UltraFast 4-20kHz | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PH20KDPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRG4PH20KDPBF - IGBT, 11 A, 3.17 V, 60 W, 1.2 kV, TO-247AC, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.17 DC-Kollektorstrom: 11 Anzahl der Pins: 3 Bauform - Transistor: TO-247AC Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2 Verlustleistung Pd: 60 Betriebstemperatur, max.: 150 Produktpalette: IRG4 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PH20KDPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 11A; 60W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 11A Power dissipation: 60W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PH20KDPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 11A; 60W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 11A Power dissipation: 60W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PH20KDPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 11A 60000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 59 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IRG4PH20KDPBF | Infineon Technologies | Description: IGBT 1200V 11A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 51 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.3V @ 15V, 5A Supplier Device Package: TO-247AC Td (on/off) @ 25°C: 50ns/100ns Switching Energy: 620µJ (on), 300µJ (off) Test Condition: 800V, 5A, 50Ohm, 15V Gate Charge: 28 nC Current - Collector (Ic) (Max): 11 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 22 A Power - Max: 60 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PH20KDPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 11A 60000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PH20KPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 11A; 60W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 11A Power dissipation: 60W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PH20KPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 11A 60000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 275 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IRG4PH20KPBF | Infineon Technologies | Description: IGBT 1200V 11A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.3V @ 15V, 5A Supplier Device Package: TO-247AC Td (on/off) @ 25°C: 23ns/93ns Switching Energy: 450µJ (on), 440µJ (off) Test Condition: 960V, 5A, 50Ohm, 15V Gate Charge: 28 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 11 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 22 A Power - Max: 60 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PH20KPBF Код товару: 191426 | Транзистори > IGBT | товар відсутній | ||||||||||||||||||
IRG4PH20KPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 11A 60000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PH20KPBF | Infineon Technologies | IGBT Transistors 1200V UltraFast 4-20kHz | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PH20KPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRG4PH20KPBF - IGBT, 11 A, 3.17 V, 60 W, 1.2 kV, TO-247AC, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.17 DC-Kollektorstrom: 11 Anzahl der Pins: 3 Bauform - Transistor: TO-247AC Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2 Verlustleistung Pd: 60 Betriebstemperatur, max.: 150 Produktpalette: IRG4 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PH20KPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 11A; 60W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 11A Power dissipation: 60W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PH30K | Infineon Technologies | Description: IGBT 1200V 20A 100W TO247AC Packaging: Bag Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.2V @ 15V, 10A Supplier Device Package: TO-247AC Td (on/off) @ 25°C: 28ns/200ns Switching Energy: 640µJ (on), 920µJ (off) Test Condition: 960V, 10A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 53 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A Power - Max: 100 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PH30K-E | Infineon / IR | IGBT Modules | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PH30KD | Infineon | 20A; 1200V; 100W; IGBT w/ Diode IRG4PH30KD TIRG4ph30kd кількість в упаковці: 2 шт | на замовлення 5 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IRG4PH30KD | Infineon Technologies | Description: IGBT 1200V 20A 100W TO247AC Packaging: Bag Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.2V @ 15V, 10A Supplier Device Package: TO-247AC Td (on/off) @ 25°C: 39ns/220ns Switching Energy: 950µJ (on), 1.15mJ (off) Test Condition: 800V, 10A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 53 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A Power - Max: 100 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PH30KDHR | Infineon / IR | Infineon | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PH30KDPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 20A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PH30KDPBF | Infineon Technologies | Description: IGBT 1200V 20A 100W TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.2V @ 15V, 10A Supplier Device Package: TO-247AC Td (on/off) @ 25°C: 39ns/220ns Switching Energy: 950µJ (on), 1.15mJ (off) Test Condition: 800V, 10A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 53 nC Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A Power - Max: 100 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PH30KDPBF | Infineon Technologies | IGBT Transistors 1200V ULTRAFAST 4-20 KHZ COPACK IGBT | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PH30KDPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 20A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PH30KDPBF Код товару: 88438 | Транзистори > IGBT | товар відсутній | ||||||||||||||||||
IRG4PH30KHR | Infineon / IR | Infineon | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PH30KPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRG4PH30KPBF - IGBT, 20 A, 3.1 V, 100 W, 1.2 kV, TO-247AC, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.1 DC-Kollektorstrom: 20 Anzahl der Pins: 3 Bauform - Transistor: TO-247AC Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2 Verlustleistung Pd: 100 Betriebstemperatur, max.: 150 Produktpalette: IRG4 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PH30KPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 20A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PH30KPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 20A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PH30KPBF | Infineon Technologies | Description: IGBT 1200V 20A 100W TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.2V @ 15V, 10A Supplier Device Package: TO-247AC Td (on/off) @ 25°C: 28ns/200ns Switching Energy: 640µJ (on), 920µJ (off) Test Condition: 960V, 10A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 53 nC Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A Power - Max: 100 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PH30KPBF | Infineon Technologies | IGBT Transistors 1200V ULTRAFAST 4-20KHZ DSCRETE IGBT | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PH40FD | IR | 09+ | на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
IRG4PH40K | Infineon Technologies | Description: IGBT 1200V 30A 160W TO247AC Packaging: Bag Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 15A Supplier Device Package: TO-247AC Td (on/off) @ 25°C: 30ns/200ns Switching Energy: 730µJ (on), 1.66mJ (off) Test Condition: 960V, 15A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 94 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 160 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PH40K Код товару: 126241 | Транзистори > IGBT Корпус: TO-247AC Vces: 1200 V Vce: 2,7 V Ic 25: 30 A Ic 100: 15 A Pd 25: 160 W td(on)/td(off) 100-150 град: 29/870 | товар відсутній | ||||||||||||||||||
IRG4PH40KD | IR | MODULE | на замовлення 87 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
IRG4PH40KD | IR | на замовлення 75 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
IRG4PH40KDPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 160000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PH40KDPBF Код товару: 24014 | IR | Транзистори > IGBT Корпус: TO-247AC Vces: 1200 V Vce: 2,74 V Ic 25: 30 A Ic 100: 15 A Pd 25: 160 W | у наявності 1 шт: 1 шт - склад |
| ||||||||||||||||
IRG4PH40KDPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 160000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PH40KDPBF | Infineon Technologies | IGBT Transistors 1200V ULTRAFAST 4-20 KHZ COPACK IGBT | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PH40KDPBF Код товару: 191981 | China | Транзистори > IGBT Корпус: TO-247AC Vces: 1200 V Vce: 2,74 V Ic 25: 30 A Ic 100: 15 A Pd 25: 160 W | у наявності 24 шт: 20 шт - склад4 шт - РАДІОМАГ-Харків |
| ||||||||||||||||
IRG4PH40KDPBF | Infineon Technologies | Description: IGBT 1200V 30A 160W TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 63 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 15A Supplier Device Package: TO-247AC Td (on/off) @ 25°C: 50ns/96ns Switching Energy: 1.31mJ (on), 1.12mJ (off) Test Condition: 800V, 15A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 94 nC Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 160 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PH40KHR | Infineon / IR | Infineon | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PH40KPBF | Infineon Technologies | Description: IGBT 1200V 30A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 15A Supplier Device Package: TO-247AC Td (on/off) @ 25°C: 30ns/200ns Switching Energy: 730µJ (on), 1.66mJ (off) Test Condition: 960V, 15A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 94 nC Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 160 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PH40KPBF | Infineon / IR | IGBT Transistors 1200V ULTRAFAST 4-20KHZ DSCRETE IGBT | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PH40KPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 160000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PH40KPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 160000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PH40U Код товару: 25208 | IR | Транзистори > IGBT Корпус: TO-247 Vces: 1200 V Vce: 2,43 V Ic 25: 41 A Ic 100: 21 A td(on)/td(off) 100-150 град: 24/180 | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PH40U-E | Infineon / IR | IGBT Transistors 1200V30.000ATO-247 | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PH40U-E | International Rectifier | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 41A 160000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | на замовлення 4616 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IRG4PH40U-E | IR - ASA only Supplier | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 41A 160000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PH40UD | IR | 09+ | на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
IRG4PH40UD | IR | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
IRG4PH40UD-E | IR | TO-247 | на замовлення 3748 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
IRG4PH40UD-E | Infineon / IR | IGBT Transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PH40UD-EPBF | Infineon Technologies | Description: IGBT 1200V 41A 160W TO247-3 Packaging: Bag Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 63 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 21A Supplier Device Package: TO-247AC Td (on/off) @ 25°C: 46ns/97ns Switching Energy: 1.8mJ (on), 1.93mJ (off) Test Condition: 800V, 21A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 86 nC Current - Collector (Ic) (Max): 41 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 82 A Power - Max: 160 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PH40UD-EPBF | Infineon / IR | IGBT Transistors 1200V UltraFast 5-40kHz | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PH40UD-EPBF-INF | Infineon Technologies | Description: ULTRAFAST COPACK IGBT W/ULTRAFAS Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 63 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 21A Supplier Device Package: TO-247AD Td (on/off) @ 25°C: 46ns/97ns Switching Energy: 1.8mJ (on), 1.93mJ (off) Test Condition: 800V, 21A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 86 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 41 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 82 A Power - Max: 160 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PH40UD2-E | IR | на замовлення 9050 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
IRG4PH40UD2-EP | Infineon | на замовлення 2800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
IRG4PH40UD2-EP | Infineon Technologies | Description: IGBT 1200V 41A TO247AD Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 21A Supplier Device Package: TO-247AD Td (on/off) @ 25°C: 22ns/100ns Switching Energy: 1.95mJ (on), 1.71mJ (off) Test Condition: 800V, 21A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 100 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 41 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 82 A Power - Max: 160 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PH40UD2-EP | Infineon / IR | IGBT Transistors 1200V UltraFast 5-40kHz | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PH40UD2-EP | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 41A 160000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PH40UD2-EP Код товару: 122313 | Транзистори > IGBT | товар відсутній | ||||||||||||||||||
IRG4PH40UD2-EPBF | Infineon / IR | IGBT Transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PH40UD2-EPBF | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
IRG4PH40UDPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 41A 160000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PH40UDPBF | Infineon Technologies | IGBT Transistors 1200V UltraFast 5-40kHz | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PH40UDPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 41A 160000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PH40UDPBF Код товару: 37004 | IR | Транзистори > IGBT Корпус: TO-247 Vces: 1200 V Vce: 2,43 V Ic 25: 41 A Ic 100: 21 A Pd 25: 160 W td(on)/td(off) 100-150 град: 5-40 KHz | у наявності 18 шт: 11 шт - склад2 шт - РАДІОМАГ-Київ 5 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
| ||||||||||||||||
IRG4PH40UDPBF | Infineon Technologies | Description: IGBT 1200V 41A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 63 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 21A Supplier Device Package: TO-247AC Td (on/off) @ 25°C: 46ns/97ns Switching Energy: 1.8mJ (on), 1.93mJ (off) Test Condition: 800V, 21A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 86 nC Current - Collector (Ic) (Max): 41 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 82 A Power - Max: 160 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PH40UDPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRG4PH40UDPBF - IGBT, 41 A, 2.43 V, 160 W, 1.2 kV, TO-247AC, 3 Pin(s) MSL: - Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.43 Verlustleistung Pd: 160 Bauform - Transistor: TO-247AC Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - DC-Kollektorstrom: 41 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PH40UPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 41A 160000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 29 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IRG4PH40UPBF | Infineon Technologies | Description: IGBT 1200V 41A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 21A Supplier Device Package: TO-247AC Td (on/off) @ 25°C: 24ns/220ns Switching Energy: 1.04mJ (on), 3.4mJ (off) Test Condition: 960V, 21A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 86 nC Current - Collector (Ic) (Max): 41 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 82 A Power - Max: 160 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PH40UPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRG4PH40UPBF - IGBT, 41 A, 2.43 V, 160 W, 1.2 kV, TO-247AC, 3 Pin(s) MSL: - Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.43 Verlustleistung Pd: 160 Bauform - Transistor: TO-247AC Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: IRG4 DC-Kollektorstrom: 41 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PH40UPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 41A 160000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PH40UPBF | Infineon / IR | IGBT Transistors 1200V UltraFast 5-40kHz | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PH50F | IR | 2002 TO-3P | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
IRG4PH50F (Транзистор) Код товару: 51784 | Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 | товар відсутній | ||||||||||||||||||
IRG4PH50K Код товару: 30174 | IR | Транзистори > IGBT Корпус: TO-247 Vces: 1200 V Vce: 2,77 V Ic 25: 45 A Ic 100: 24 A Pd 25: 200 W td(on)/td(off) 100-150 град: 38/380 | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PH50KD Код товару: 23471 | IR | Транзистори > IGBT Корпус: TO-247AC Vces: 1200 V Vce: 2,77 V Ic 25: 45 A Ic 100: 24 A Pd 25: 200 W | у наявності 2 шт: 1 шт - РАДІОМАГ-Київ1 шт - РАДІОМАГ-Львів |
| ||||||||||||||||
IRG4PH50KD Код товару: 200971 | China | Транзистори > IGBT Корпус: TO-247AC Vces: 1200 V Vce: 2,77 V Ic 25: 45 A Ic 100: 24 A Pd 25: 200 W | у наявності 36 шт: 36 шт - склад |
| ||||||||||||||||
IRG4PH50KDPBF | Infineon Technologies | Description: IGBT 1200V 45A 200W TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 90 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 24A Supplier Device Package: TO-247AC Td (on/off) @ 25°C: 87ns/140ns Switching Energy: 3.83mJ (on), 1.9mJ (off) Test Condition: 800V, 24A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 180 nC Current - Collector (Ic) (Max): 45 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 200 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PH50KDPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRG4PH50KDPBF - IGBT, 45 A, 2.77 V, 200 W, 1.2 kV, TO-247AC, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.77 DC-Kollektorstrom: 45 Anzahl der Pins: 3 Bauform - Transistor: TO-247AC Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2 Verlustleistung Pd: 200 Betriebstemperatur, max.: 150 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PH50KDPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 45A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PH50KDPBF | Infineon Technologies | IGBT Transistors 1200V ULTRAFAST 4-20 KHZ COPACK IGBT | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PH50KDPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 45A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PH50KDPBF-INF | Infineon Technologies | Description: SHORT CIRCUIT RATED ULTRAFAST IG Packaging: Bulk Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PH50KPBF | Infineon Technologies | Description: IGBT 1200V 45A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 24A Supplier Device Package: TO-247AC Td (on/off) @ 25°C: 36ns/200ns Switching Energy: 1.21mJ (on), 2.25mJ (off) Test Condition: 960V, 24A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 180 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 45 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 200 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PH50KPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 45A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PH50KPBF Код товару: 184249 | Транзистори > IGBT | товар відсутній | ||||||||||||||||||
IRG4PH50KPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 45A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PH50KPBF | Infineon / IR | IGBT Transistors 1200V ULTRAFAST 4-20KHZ DSCRETE IGBT | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PH50S Код товару: 28008 | Транзистори > IGBT | товар відсутній | ||||||||||||||||||
IRG4PH50S | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 57A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PH50S (Транзистор) Код товару: 51791 | Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 | товар відсутній | ||||||||||||||||||
IRG4PH50S-EPBF | Infineon Technologies | IGBT Transistors 1200V DC-1kHz w/ exetended lead | на замовлення 146 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||
IRG4PH50S-EPBF | Infineon Technologies | Description: IGBT 1200V 57A TO247AD Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 33A Supplier Device Package: TO-247AD Td (on/off) @ 25°C: 32ns/845ns Switching Energy: 1.8mJ (on), 19.6mJ (off) Test Condition: 960V, 33A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 167 nC Current - Collector (Ic) (Max): 57 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 114 A Power - Max: 200 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PH50S-EPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 57A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PH50SPBF | Infineon Technologies | IGBT Transistors 1200V DC-1kHz | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PH50SPBF Код товару: 180246 | Транзистори > IGBT | товар відсутній | ||||||||||||||||||
IRG4PH50SPBF | Infineon Technologies | Description: IGBT 1200V 57A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 33A Supplier Device Package: TO-247AC Td (on/off) @ 25°C: 32ns/845ns Switching Energy: 1.8mJ (on), 19.6mJ (off) Test Condition: 960V, 33A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 167 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 57 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 114 A Power - Max: 200 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PH50SPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 57A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PH50SPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRG4PH50SPBF - IGBT, 57 A, 1.47 V, 200 W, 1.2 kV, TO-247AC, 3 Pin(s) MSL: - Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.47 Verlustleistung Pd: 200 Bauform - Transistor: TO-247AC Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - DC-Kollektorstrom: 57 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PH50SPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 57A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IRG4PH50UD Код товару: 30175 | IR | Транзистори > IGBT Корпус: TO-247 Vces: 1200 V Vce: 2,78 V Ic 25: 45 A Ic 100: 24 A Pd 25: 200 W td(on)/td(off) 100-150 град: 46/240 | у наявності 95 шт: 75 шт - склад10 шт - РАДІОМАГ-Одеса 10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
| ||||||||||||||||
IRG4PH50UD-P | Infineon / IR | IGBT Transistors 1200V UltraFast 5-40 kHz Copack IGBT in a SMT TO-247 package | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PH50UDPBF | Infineon Technologies | Description: IGBT 1200V 45A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 90 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 24A Supplier Device Package: TO-247AC Td (on/off) @ 25°C: 47ns/110ns Switching Energy: 2.1mJ (on), 1.5mJ (off) Test Condition: 800V, 24A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 160 nC Current - Collector (Ic) (Max): 45 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A Power - Max: 200 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PH50UDPBF Код товару: 200630 | China | Транзистори > IGBT Корпус: TO-247 Vces: 1200 V Vce: 2,78 V Ic 25: 45 A Ic 100: 24 A Pd 25: 200 W td(on)/td(off) 100-150 град: 46/110 | у наявності 40 шт: 40 шт - склад |
| ||||||||||||||||
IRG4PH50UDPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 45A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PH50UDPBF | Infineon Technologies | IGBT Transistors 1200V ULTRAFAST 5-40 KHZ COPACK IGBT | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PH50UDPBF Код товару: 44154 | IR | Транзистори > IGBT Корпус: TO-247 Vces: 1200 V Vce: 2,78 V Ic 25: 45 A Ic 100: 24 A Pd 25: 200 W td(on)/td(off) 100-150 град: 46/110 | у наявності 4 шт: 3 шт - РАДІОМАГ-Київ1 шт - РАДІОМАГ-Львів |
| ||||||||||||||||
IRG4PH50UDPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 45A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PH50UPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 45A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PH50UPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRG4PH50UPBF - IGBT, 45 A, 3.2 V, 200 W, 1.2 kV, TO-247AC, 3 Pin(s) MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.2 Verlustleistung Pd: 200 Bauform - Transistor: TO-247AC Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - DC-Kollektorstrom: 45 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PH50UPBF | Infineon Technologies | Description: IGBT 1200V 45A 200W TO247AC Packaging: Tray Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 24A Supplier Device Package: TO-247AC Td (on/off) @ 25°C: 35ns/200ns Switching Energy: 530µJ (on), 1.41mJ (off) Test Condition: 960V, 24A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 160 nC Current - Collector (Ic) (Max): 45 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A Power - Max: 200 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PH50UPBF Код товару: 44979 | Транзистори > IGBT Корпус: TO-247AC Vces: 1200 V Vce: 2,78 V Ic 25: 45 A Ic 100: 24 A Pd 25: 200 W td(on)/td(off) 100-150 град: 35/200 | товар відсутній | ||||||||||||||||||
IRG4PH50UPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 45A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PH50UPBF | Infineon Technologies | IGBT Transistors 1200V ULTRAFAST 5-40KHZ DSCRETE IGBT | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PH50V | IR | MODULE | на замовлення 59 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
IRG4PSC71K | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 85A 350W SUPER247 Packaging: Bag Package / Case: TO-274AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A Supplier Device Package: SUPER-247™ (TO-274AA) Td (on/off) @ 25°C: 34ns/54ns Switching Energy: 790µJ (on), 1.98mJ (off) Test Condition: 480V, 60A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 340 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 85 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 350 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PSC71K | IR | MODULE | на замовлення 80 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
IRG4PSC71K | IR | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
IRG4PSC71K | IR | SUPER247 | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
IRG4PSC71KD | IR | на замовлення 380 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
IRG4PSC71KD | IR | SUPER247 | на замовлення 2666 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
IRG4PSC71KD | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 85A 350W SUPER247 Packaging: Bag Package / Case: TO-274AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 82 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A Supplier Device Package: SUPER-247™ (TO-274AA) Td (on/off) @ 25°C: 82ns/282ns Switching Energy: 3.95mJ (on), 2.33mJ (off) Test Condition: 480V, 60A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 340 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 85 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 350 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PSC71KD | IR | 09+ TO-247 | на замовлення 999 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
IRG4PSC71KDPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 85A 350000mW 3-Pin(3+Tab) TO-274AA Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PSC71KDPBF | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 85A SUPER247 Packaging: Tube Package / Case: TO-274AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 82 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A Supplier Device Package: SUPER-247™ (TO-274AA) Td (on/off) @ 25°C: 82ns/282ns Switching Energy: 3.95mJ (on), 2.33mJ (off) Test Condition: 480V, 60A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 340 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 85 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 350 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PSC71KDPBF | Infineon / IR | IGBT Transistors 600V UltraFast 8-25kHz | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PSC71KDPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 85A 350000mW 3-Pin(3+Tab) TO-274AA Tube | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IRG4PSC71KPBF | Infineon / IR | IGBT Transistors 600V UltraFast 8-25kHz | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PSC71KPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 85A; 350W; SUPER247 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 85A Power dissipation: 350W Case: SUPER247 Mounting: THT Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PSC71KPBF | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 85A 350W SUPER247 Packaging: Bag Package / Case: TO-274AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A Supplier Device Package: SUPER-247™ (TO-274AA) Td (on/off) @ 25°C: 34ns/54ns Switching Energy: 790µJ (on), 1.98mJ (off) Test Condition: 480V, 60A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 340 nC Current - Collector (Ic) (Max): 85 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 350 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PSC71KPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 85A; 350W; SUPER247 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 85A Power dissipation: 350W Case: SUPER247 Mounting: THT Kind of package: tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PSC71KPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 85A 350000mW 3-Pin(3+Tab) TO-274AA Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PSC71KPBF | International Rectifier | Description: IGBT, 85A, 600V, N-CHANNEL Packaging: Bulk Package / Case: TO-274AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A Supplier Device Package: SUPER-247™ (TO-274AA) Td (on/off) @ 25°C: 34ns/54ns Switching Energy: 790µJ (on), 1.98mJ (off) Test Condition: 480V, 60A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 340 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 85 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 350 W | на замовлення 75 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IRG4PSC71U | IR | SUPER247 | на замовлення 12954 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
IRG4PSC71U | IR | на замовлення 380 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
IRG4PSC71UD Код товару: 30176 | IR | Транзистори > IGBT Корпус: TO-247 Vces: 600 V Vce: 1,67 V Ic 25: 85 A Ic 100: 60 A Pd 25: 350 W td(on)/td(off) 100-150 град: 91/245 | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PSC71UDPBF | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 85A 350W SUPER247 Packaging: Tube Package / Case: TO-274AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 82 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 60A Supplier Device Package: SUPER-247™ (TO-274AA) Td (on/off) @ 25°C: 90ns/245ns Switching Energy: 3.26mJ (on), 2.27mJ (off) Test Condition: 480V, 60A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 340 nC Current - Collector (Ic) (Max): 85 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 350 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PSC71UDPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 85A 350000mW 3-Pin(3+Tab) TO-274AA Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PSC71UDPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 85A 350000mW 3-Pin(3+Tab) TO-274AA Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PSC71UDPBF | Infineon Technologies | IGBT Transistors 600V UltraFast 8-60kHz | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PSC71UDPBF Код товару: 13499 | Транзистори > IGBT | товар відсутній | ||||||||||||||||||
IRG4PSC71UDPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRG4PSC71UDPBF - IGBT, 85 A, 1.95 V, 350 W, 600 V, TO-274AA, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.95 DC-Kollektorstrom: 85 Anzahl der Pins: 3 Bauform - Transistor: TO-274AA Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600 Verlustleistung Pd: 350 Betriebstemperatur, max.: 150 Produktpalette: IRG4 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PSC71UDPBF-INF | Infineon Technologies | Description: ULTRAFAST COPACK IGBT W/ULTRAFAS Packaging: Bulk Package / Case: TO-274AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 82 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 60A Supplier Device Package: SUPER-247 (TO-274AA) Td (on/off) @ 25°C: 90ns/245ns Switching Energy: 3.26mJ (on), 2.27mJ (off) Test Condition: 480V, 60A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 340 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 85 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 350 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
IRG4PSC71UPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 85A 350000mW 3-Pin(3+Tab) TO-274AA Tube | товар відсутній |