Продукція > ISZ

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна без ПДВ

ISZ-2510

MEMS Single Axis ±2000°/s 16-Pin QFN EP T/R

товар відсутній

ISZ-2510

Description: MEMS GYROSCOPE 1-AXIS 16QFN

на замовлення 6898 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

ISZ-2510

MEMS Single Axis ±2000°/s 16-Pin QFN EP T/R

товар відсутній

ISZ-2510

Description: MEMS GYROSCOPE 1-AXIS 16QFN

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

ISZ-2510

MEMS Single Axis ±2000°/s 16-Pin QFN EP T/R

товар відсутній

ISZ-2510

Description: MEMS GYROSCOPE 1-AXIS 16QFN

на замовлення 6898 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

ISZ-2510

Gyroscopes 1-axis Gyroscope for Motion Applications (Toys and Helicopters)

на замовлення 4984 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

ISZ-77P1028

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ISZ019N03L5SATMA1

Description: INFINEON - ISZ019N03L5SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0016 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -mW
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0016ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm

на замовлення 6680 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	57.14 грн
500+	45.62 грн
1000+	33.83 грн
5000+	32.29 грн

Мінімальне замовлення: 100

ISZ019N03L5SATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 22A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V

товар відсутній

ISZ019N03L5SATMA1

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ISZ019N03L5SATMA1

Infineon Technologies

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 4730 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	50 грн
10+	45.91 грн
100+	36.59 грн
500+	35.05 грн
1000+	32.65 грн

Мінімальне замовлення: 7

ISZ019N03L5SATMA1

Description: INFINEON - ISZ019N03L5SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0016 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -mW
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm

на замовлення 6680 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	99.61 грн
10+	77.14 грн
100+	57.14 грн
500+	45.62 грн
1000+	33.83 грн
5000+	32.29 грн

Мінімальне замовлення: 8

ISZ019N03L5SATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 22A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V

на замовлення 4948 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	92.44 грн
10+	72.46 грн
100+	56.39 грн
500+	44.86 грн
1000+	36.54 грн
2000+	34.4 грн

Мінімальне замовлення: 4

ISZ019N03L5SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	28.92 грн

Мінімальне замовлення: 5000

ISZ022N06LM6ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)

товар відсутній

ISZ022N06LM6ATMA1

Infineon Technologies

TRENCH 40<-<100V

товар відсутній

ISZ024N06NM6ATMA1

Infineon Technologies

IGBT Transistors

товар відсутній

ISZ024N06NM6ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)

товар відсутній

ISZ024N06NM6ATMA1

Infineon Technologies

TRENCH 40<-<100V

товар відсутній

ISZ034N06LM5ATMA1

Description: INFINEON - ISZ034N06LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 112 A, 0.0029 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 112A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm

на замовлення 5184 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	87.62 грн
250+	74.59 грн
1000+	55.7 грн
3000+	49.69 грн

Мінімальне замовлення: 100

ISZ034N06LM5ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 19A/112A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 112A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 30 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	54.87 грн

Мінімальне замовлення: 5000

ISZ034N06LM5ATMA1

Infineon Technologies

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 3713 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	135.53 грн
10+	111.32 грн
100+	76.78 грн
250+	76.11 грн
500+	65.23 грн
1000+	52.41 грн
2500+	52.34 грн

Мінімальне замовлення: 3

ISZ034N06LM5ATMA1

Description: INFINEON - ISZ034N06LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 112 A, 0.0029 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 112A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm

на замовлення 5184 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	113.09 грн
50+	87.62 грн
250+	74.59 грн
1000+	55.7 грн
3000+	49.69 грн

Мінімальне замовлення: 7

ISZ034N06LM5ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 19A/112A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 112A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 30 V

на замовлення 6047 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	126.38 грн
10+	101.12 грн
100+	80.5 грн
500+	63.92 грн
1000+	54.24 грн
2000+	51.52 грн

Мінімальне замовлення: 3

ISZ034N06LM5ATMA1

Infineon Technologies

SP005402741

товар відсутній

ISZ040N03L5ISATMA1

Infineon Technologies

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 2768 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	39.1 грн
10+	34.32 грн
100+	22.63 грн
500+	19.89 грн
1000+	16.09 грн

Мінімальне замовлення: 8

ISZ040N03L5ISATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R

товар відсутній

ISZ040N03L5ISATMA1

Description: INFINEON - ISZ040N03L5ISATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0033 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 37W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm

на замовлення 8137 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	24.27 грн
500+	19.05 грн
1000+	13.22 грн
5000+	12.71 грн

Мінімальне замовлення: 100

ISZ040N03L5ISATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 18A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V

на замовлення 19765 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	49.83 грн
10+	42 грн
100+	29.07 грн
500+	22.79 грн
1000+	19.4 грн
2000+	17.28 грн

Мінімальне замовлення: 6

ISZ040N03L5ISATMA1

Description: INFINEON - ISZ040N03L5ISATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0033 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm

на замовлення 8137 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	45.24 грн
21+	37.3 грн
100+	24.27 грн
500+	19.05 грн
1000+	13.22 грн
5000+	12.71 грн

Мінімальне замовлення: 17

ISZ040N03L5ISATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 18A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	18.11 грн
10000+	16.15 грн

Мінімальне замовлення: 5000

ISZ0501NLSATMA1

Description: INFINEON - ISZ0501NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 0.0026 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 30W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0026ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 14570 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	36.02 грн
500+	31.02 грн
1000+	21.18 грн
2500+	20.48 грн
5000+	19.45 грн

Мінімальне замовлення: 100

ISZ0501NLSATMA1

Infineon Technologies

Description: 25V, N-CH MOSFET, LOGIC LEVEL, P
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-25
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 12 V

товар відсутній

ISZ0501NLSATMA1

Description: INFINEON - ISZ0501NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 0.0026 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 14570 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	52.35 грн
18+	41.86 грн
100+	36.02 грн
500+	31.02 грн
1000+	21.18 грн
2500+	20.48 грн
5000+	19.45 грн

Мінімальне замовлення: 15

ISZ0501NLSATMA1

Infineon Technologies

Description: 25V, N-CH MOSFET, LOGIC LEVEL, P
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-25
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 12 V

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	70.77 грн

Мінімальне замовлення: 5

ISZ0501NLSATMA1

Infineon Technologies

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 4185 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	83.34 грн
10+	73.47 грн
100+	49.8 грн
500+	41.12 грн

Мінімальне замовлення: 4

ISZ053N08NM6ATMA1

Infineon Technologies

TRENCH 40<-<100V

товар відсутній

ISZ0602NLSATMA1

Description: INFINEON - ISZ0602NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 64 A, 0.0073 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 60W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0073ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 4183 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	47.78 грн
500+	37.69 грн
1000+	26.64 грн
2500+	26.19 грн

Мінімальне замовлення: 100

ISZ0602NLSATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 12A/64A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 29µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 40 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	38.36 грн

Мінімальне замовлення: 5000

ISZ0602NLSATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R

товар відсутній

ISZ0602NLSATMA1

Infineon Technologies

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 14743 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	98.14 грн
10+	79.08 грн
100+	53.28 грн
500+	45.2 грн
1000+	34.65 грн
5000+	32.98 грн
10000+	32.65 грн

Мінімальне замовлення: 4

ISZ0602NLSATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R

товар відсутній

ISZ0602NLSATMA1

Description: INFINEON - ISZ0602NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 64 A, 0.0073 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 4183 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	75.64 грн
13+	61.71 грн
100+	47.78 грн
500+	37.69 грн
1000+	26.64 грн
2500+	26.19 грн

Мінімальне замовлення: 10

ISZ0602NLSATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 12A/64A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 29µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 40 V

на замовлення 9984 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	97.49 грн
10+	76.71 грн
100+	59.66 грн
500+	47.46 грн
1000+	38.66 грн
2000+	36.4 грн

Мінімальне замовлення: 3

ISZ0602NLSATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R

товар відсутній

ISZ062N06NM6ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)

товар відсутній

ISZ065N03L5SATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 12A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 15 V

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	16.16 грн
10000+	14.4 грн
25000+	14.26 грн

Мінімальне замовлення: 5000

ISZ065N03L5SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	11.92 грн

Мінімальне замовлення: 5000

ISZ065N03L5SATMA1

Description: INFINEON - ISZ065N03L5SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0054 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -mW
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm

на замовлення 6733 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

36+	21.04 грн
42+	18.12 грн
100+	12.51 грн

Мінімальне замовлення: 36

ISZ065N03L5SATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 12A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 15 V

на замовлення 36526 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	44.78 грн
10+	37.41 грн
100+	25.93 грн
500+	20.33 грн
1000+	17.3 грн
2000+	15.41 грн

Мінімальне замовлення: 7

ISZ065N03L5SATMA1

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ISZ065N03L5SATMA1

Description: INFINEON - ISZ065N03L5SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0054 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -mW
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0054ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm

на замовлення 6733 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	12.51 грн

Мінімальне замовлення: 100

ISZ065N03L5SATMA1

Infineon Technologies

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 16971 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	31.86 грн
12+	27.72 грн
100+	18.56 грн
500+	16.36 грн
1000+	14.49 грн

Мінімальне замовлення: 10

ISZ0702NLSATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 17A/86A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 26µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-25
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 30 V

товар відсутній

ISZ0702NLSATMA1

Infineon Technologies

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 6520 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	90.35 грн
10+	72.86 грн
100+	49.2 грн
500+	41.73 грн
1000+	32.05 грн
5000+	30.44 грн
10000+	30.11 грн

Мінімальне замовлення: 4

ISZ0702NLSATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 17A T/R

на замовлення 50000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	29.21 грн

Мінімальне замовлення: 5000

ISZ0702NLSATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 17A/86A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 26µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-25
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 30 V

на замовлення 8172 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	84.49 грн
10+	66.34 грн
100+	51.59 грн
500+	41.04 грн
1000+	33.43 грн
2000+	31.47 грн

Мінімальне замовлення: 4

ISZ0703NLSATMA1

Infineon Technologies

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 27931 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	76.1 грн
10+	61.27 грн
100+	41.46 грн
500+	35.32 грн
1000+	27.51 грн
2500+	27.24 грн
5000+	26.17 грн

Мінімальне замовлення: 5

ISZ0703NLSATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 13A T/R

товар відсутній

ISZ0703NLSATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 13A/56A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-25
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 30 V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	28.53 грн
10000+	26.2 грн

Мінімальне замовлення: 5000

ISZ0703NLSATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 13A/56A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-25
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 30 V

на замовлення 18316 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	72.22 грн
10+	57.03 грн
100+	44.38 грн
500+	35.3 грн
1000+	28.75 грн
2000+	27.07 грн

Мінімальне замовлення: 4

ISZ0803NLSATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 7.7A/37A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta), 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 18µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-26
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 50 V

товар відсутній

ISZ0803NLSATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 7.7A/37A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta), 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 18µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-26
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 50 V

товар відсутній

ISZ0803NLSATMA1

Infineon Technologies

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 406 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	85.68 грн
10+	66.49 грн
100+	49.47 грн
500+	45.8 грн
1000+	34.92 грн
2500+	33.98 грн
5000+	30.91 грн

Мінімальне замовлення: 4

ISZ0803NLSATMA1

Infineon Technologies

SP005430493

товар відсутній

ISZ0804NLSATMA1

Description: INFINEON - ISZ0804NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 58 A, 0.0103 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 60W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0103ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 4887 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	72.35 грн
500+	55.22 грн
1000+	37.62 грн
2500+	36.72 грн

Мінімальне замовлення: 100

ISZ0804NLSATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 11A/58A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 28µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 50 V

на замовлення 6385 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	96.05 грн
10+	75.8 грн
100+	58.95 грн
500+	46.89 грн
1000+	38.2 грн
2000+	35.96 грн

Мінімальне замовлення: 4

ISZ0804NLSATMA1

Infineon Technologies

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 8086 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	89.57 грн
10+	75.7 грн
100+	57.01 грн
500+	48.34 грн
1000+	37.05 грн
5000+	35.25 грн
10000+	34.98 грн

Мінімальне замовлення: 4

ISZ0804NLSATMA1

Infineon Technologies

N Channel Power Mosfet

товар відсутній

ISZ0804NLSATMA1

Description: INFINEON - ISZ0804NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 58 A, 0.0103 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 4887 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	103.35 грн
10+	92.87 грн
100+	72.35 грн
500+	55.22 грн
1000+	37.62 грн
2500+	36.72 грн

Мінімальне замовлення: 8

ISZ0804NLSATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 11A/58A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 28µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 50 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	37.9 грн

Мінімальне замовлення: 5000

ISZ080N10NM6ATMA1

Infineon Technologies

SP005409469

товар відсутній

ISZ080N10NM6ATMA1

Description: INFINEON - ISZ080N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.0071 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 100W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0071ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 12269 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	91.37 грн
500+	70.93 грн
1000+	52.9 грн
2500+	50.26 грн
5000+	49.24 грн

Мінімальне замовлення: 100

ISZ080N10NM6ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH >=100V PG-TSDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.04mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V

на замовлення 4790 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	110.49 грн
10+	88.81 грн
100+	70.66 грн
500+	56.11 грн
1000+	47.61 грн
2000+	45.23 грн

Мінімальне замовлення: 3

ISZ080N10NM6ATMA1

Description: INFINEON - ISZ080N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.0071 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 12269 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	145.29 грн
10+	115.33 грн
100+	91.37 грн
500+	70.93 грн
1000+	52.9 грн
2500+	50.26 грн
5000+	49.24 грн

Мінімальне замовлення: 6

ISZ080N10NM6ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH >=100V PG-TSDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.04mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V

товар відсутній

ISZ080N10NM6ATMA1

Infineon Technologies

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 9578 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	119.95 грн
10+	96.74 грн
100+	68.76 грн
500+	57.88 грн
1000+	46.6 грн
10000+	45.13 грн

Мінімальне замовлення: 3

ISZ0901NLSATMA1

Infineon Technologies

Description: 25V, N-CH MOSFET, LOGIC LEVEL, P
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-25
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 12 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	19.11 грн

Мінімальне замовлення: 5000

ISZ0901NLSATMA1

Description: INFINEON - ISZ0901NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 0.005 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 26W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 4925 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	26.14 грн
500+	19.75 грн
1000+	15.02 грн
2500+	14.25 грн

Мінімальне замовлення: 100

ISZ0901NLSATMA1

Infineon Technologies

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 3881 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	65.43 грн
10+	56.81 грн
100+	37.85 грн
500+	29.98 грн

Мінімальне замовлення: 5

ISZ0901NLSATMA1

Infineon Technologies

Description: 25V, N-CH MOSFET, LOGIC LEVEL, P
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-25
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 12 V

на замовлення 6108 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	53.44 грн
10+	44.99 грн
100+	34.49 грн
500+	25.59 грн
1000+	20.47 грн
2000+	18.55 грн

Мінімальне замовлення: 6

ISZ0901NLSATMA1

Description: INFINEON - ISZ0901NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 0.005 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 4925 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	41.19 грн
21+	36.25 грн
100+	26.14 грн
500+	19.75 грн
1000+	15.02 грн
2500+	14.25 грн

Мінімальне замовлення: 19

ISZ106N12LM6ATMA1

Infineon Technologies

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 2230 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	139.42 грн
10+	114.4 грн
100+	78.78 грн
250+	72.77 грн
500+	66.43 грн
1000+	58.75 грн
5000+	51.87 грн

Мінімальне замовлення: 3

ISZ106N12LM6ATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 60 V

товар відсутній

ISZ106N12LM6ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 120V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R

товар відсутній

ISZ106N12LM6ATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 60 V

товар відсутній

ISZ113N10NM5LF2ATMA1

Infineon Technologies

ISZ113N10NM5LF2ATMA1

товар відсутній

ISZ113N10NM5LF2ATMA1

Infineon Technologies

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 4641 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	144.09 грн
10+	117.47 грн
100+	81.45 грн
250+	75.44 грн
500+	68.1 грн
1000+	58.75 грн
2500+	55.81 грн

Мінімальне замовлення: 3

ISZ113N10NM5LFATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOSTM5LINEARFET100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 50 V

товар відсутній

ISZ113N10NM5LFATMA1

Infineon Technologies

MOSFET

на замовлення 300 шт:

термін постачання 245-254 дні (днів)

3+	144.09 грн
10+	117.47 грн
100+	81.45 грн
250+	75.44 грн
500+	68.1 грн
1000+	58.75 грн
2500+	55.81 грн

Мінімальне замовлення: 3

ISZ113N10NM5LFATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOSTM5LINEARFET100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 50 V

товар відсутній

ISZ143N13NM6ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	169.71 грн
10+	146.6 грн
25+	138.33 грн
100+	110.6 грн
250+	103.85 грн
500+	90.87 грн
1000+	74.06 грн
2500+	68.95 грн

Мінімальне замовлення: 2

ISZ143N13NM6ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	74.7 грн

Мінімальне замовлення: 5000

ISZ143N13NM6ATMA1

Infineon Technologies

ISZ143N13NM6ATMA1

товар відсутній

ISZ143N13NM6ATMA1

Infineon Technologies

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	183.04 грн
10+	150.48 грн
100+	103.48 грн
250+	96.14 грн
500+	86.79 грн
1000+	74.77 грн
2500+	70.77 грн

Мінімальне замовлення: 2

ISZ15EP15LMATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	58.5 грн
10+	49.72 грн
100+	38.14 грн
500+	28.3 грн
1000+	22.64 грн
2000+	20.51 грн

Мінімальне замовлення: 5

ISZ15EP15LMATMA1

Infineon Technologies

MOSFET

на замовлення 290 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	53.98 грн
10+	46.76 грн
100+	31.18 грн
500+	24.7 грн
1000+	20.3 грн
5000+	17.16 грн
10000+	15.96 грн

Мінімальне замовлення: 6

ISZ15EP15LMATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	19.99 грн

Мінімальне замовлення: 5000

ISZ230N10NM6ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH >=100V PG-TSDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta), 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 50 V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	32.29 грн
10000+	29.66 грн

Мінімальне замовлення: 5000

ISZ230N10NM6ATMA1

Infineon Technologies

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 20626 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	88.01 грн
10+	70.79 грн
100+	47.87 грн
500+	40.52 грн
1000+	31.18 грн
2500+	31.11 грн
5000+	29.64 грн

Мінімальне замовлення: 4

ISZ230N10NM6ATMA1

Description: INFINEON - ISZ230N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 31 A, 0.0196 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0196ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 3611 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	106.35 грн
10+	86.13 грн
100+	64.93 грн
500+	49.93 грн
1000+	35.63 грн
2500+	34.47 грн

Мінімальне замовлення: 8

ISZ230N10NM6ATMA1

Infineon Technologies

SP005402666

товар відсутній

ISZ230N10NM6ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH >=100V PG-TSDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta), 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 50 V

на замовлення 13498 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	81.61 грн
10+	64.61 грн
100+	50.23 грн
500+	39.95 грн
1000+	32.55 грн
2000+	30.64 грн

Мінімальне замовлення: 4

ISZ230N10NM6ATMA1

Description: INFINEON - ISZ230N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 31 A, 0.0196 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 48W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0196ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0196ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 3611 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	64.93 грн
500+	49.93 грн
1000+	35.63 грн
2500+	34.47 грн

Мінімальне замовлення: 100

ISZ330N12LM6ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 120V 5.7A 8-Pin TSDSON EP T/R

товар відсутній

ISZ330N12LM6ATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta), 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 60 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	37.54 грн

Мінімальне замовлення: 5000

ISZ330N12LM6ATMA1

Infineon Technologies

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 3481 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	103.59 грн
10+	83.69 грн
100+	56.48 грн
500+	47.87 грн
1000+	38.99 грн
5000+	34.65 грн

Мінімальне замовлення: 4

ISZ330N12LM6ATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta), 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 60 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	95.33 грн
10+	75.04 грн
100+	58.39 грн
500+	46.45 грн
1000+	37.84 грн
2000+	35.62 грн

Мінімальне замовлення: 4

ISZ520N20NM6ATMA1

Infineon Technologies

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 828 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	133.19 грн
10+	109.02 грн
100+	75.44 грн
250+	69.43 грн
500+	63.36 грн
1000+	54.28 грн
2500+	51.61 грн

Мінімальне замовлення: 3

ISZ56DP15LMATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.35A (Ta), 6.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 724µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 75 V

на замовлення 9989 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	71.5 грн
10+	56.61 грн
100+	44.03 грн
500+	35.02 грн
1000+	28.53 грн
2000+	26.86 грн

Мінімальне замовлення: 5

ISZ56DP15LMATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.35A (Ta), 6.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 724µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 75 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	28.3 грн

Мінімальне замовлення: 5000

ISZ56DP15LMATMA1

Infineon Technologies

MOSFET

на замовлення 294 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	76.8 грн
10+	62.03 грн
100+	42.06 грн
500+	35.65 грн
1000+	28.97 грн
5000+	25.7 грн

Мінімальне замовлення: 5

ISZ75DP15LMATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	57.77 грн
10+	45.48 грн
100+	35.36 грн
500+	28.13 грн
1000+	22.91 грн
2000+	21.57 грн

Мінімальне замовлення: 5

ISZ75DP15LMATMA1

Infineon Technologies

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 283 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	63.01 грн
10+	50.52 грн
100+	34.18 грн
500+	28.97 грн
1000+	23.63 грн
5000+	20.9 грн

Мінімальне замовлення: 5

ISZ75DP15LMATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	22.73 грн

Мінімальне замовлення: 5000