Продукція > IXT

MOSFET 1.5 Amps 1000V 11 Ohms Rds

товар відсутній

IXT-1-1N100S1 T/R

- 8-Pin SOIC

товар відсутній

IXT-1-1N100S1-TR

MOSFET 1.5 Amps 1000V 11 Ohms Rds

товар відсутній

IXT-1-1N100S1-TR

Description: MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V

товар відсутній

IXT-705AT

Planet

Description: INDUSTRIAL 10G/5G/2.5G/1G/100M C
Packaging: Box
Connector Type: RJ45, SFP
Mounting Type: DIN Rail
Voltage - Input: 12 ~ 24VAC, 48VDC
Configuration: Fixed + SFP
Operating Temperature: -40°C ~ 75°C
Ingress Protection: IP30
Fiber Type: SFP
Copper Type: 10/100/1000
Fiber Ports: 1
SFP/XFP Ports: 1 (SFP)
Distance: 300M
Part Status: Active
Copper Ports: 1

на замовлення 55 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	22965.24 грн

IXTA02N250

Description: MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO263

товар відсутній

IXTA02N250HV

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 2.5kV; 0.2A; 83W; TO263; 1.5us
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 2.5kV
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 83W
Case: TO263
On-state resistance: 450Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 1.5µs

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	817.83 грн
2+	543.13 грн
5+	513.23 грн

IXTA02N250HV

Trans MOSFET N-CH 2.5KV 0.2A 3-Pin(2+Tab) TO-263ABVHV

товар відсутній

IXTA02N250HV

Description: MOSFET N-CH 2500V 200MA TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450Ohm @ 50mA, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 2500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 116 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA02N250HV

на замовлення 10 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	981.39 грн
2+	676.82 грн
5+	615.87 грн

IXTA02N250HV

Description: LITTELFUSE - IXTA02N250HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 2.5 kV, 200 mA, 450 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 2.5kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

на замовлення 287 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	862.01 грн
10+	791.61 грн
50+	729.45 грн
100+	620.32 грн
250+	561.05 грн

IXTA02N250HV

MOSFET SMD N-CHANNEL POWER MOSFET

на замовлення 1129 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	867.67 грн
10+	755.47 грн
25+	644.25 грн
50+	623.55 грн
100+	578.15 грн
250+	568.81 грн
500+	525.41 грн

IXTA02N250HV

Trans MOSFET N-CH 2.5KV 0.2A 3-Pin(2+Tab) TO-263ABVHV

на замовлення 314 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1038.1 грн
10+	931.73 грн
25+	922.57 грн
50+	839.98 грн
100+	671.1 грн

IXTA02N450HV

Trans MOSFET N-CH 4.5KV 0.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA02N450HV

Description: MOSFET N-CH 4500V 200MA TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750Ohm @ 10mA, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 4500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 256 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA05N100

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.75A; 40W; TO263; 710ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.75A
Power dissipation: 40W
Case: TO263
On-state resistance: 17Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 710ns
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IXTA05N100

MOSFET 0.75 Amps 1000V 15 Rds

товар відсутній

IXTA05N100

Trans MOSFET N-CH Si 1KV 0.75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA05N100

Trans MOSFET N-CH Si 1KV 0.75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA05N100

Description: MOSFET N-CH 1000V 750MA TO263

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

50+	294.01 грн

Мінімальне замовлення: 50

IXTA05N100

товар відсутній

IXTA05N100-TRL

MOSFET IXTA05N100 TRL

товар відсутній

IXTA05N100-TRL

Trans MOSFET N-CH Si 1KV 0.75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IXTA05N100-TRL

Description: MOSFET N-CH 1000V 750MA TO263

товар відсутній

IXTA05N100HV

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.75A; 40W; TO263HV; 710ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.75A
Power dissipation: 40W
Case: TO263HV
On-state resistance: 17Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 710ns

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	258.38 грн
3+	216.28 грн
5+	171.77 грн
14+	162.73 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA05N100HV

MOSFET High Voltage Power MOSFET

на замовлення 1699 шт:

термін постачання 612-621 дні (днів)

1+	345.82 грн
10+	286.37 грн
50+	235 грн
100+	200.95 грн
250+	190.27 грн
500+	178.92 грн
1000+	154.22 грн

IXTA05N100HV

Trans MOSFET N-CH Si 1KV 0.75A

на замовлення 5200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

300+	174.47 грн

Мінімальне замовлення: 300

IXTA05N100HV

на замовлення 300 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	310.05 грн
3+	269.52 грн
5+	206.13 грн
14+	195.28 грн

IXTA05N100HV

Description: MOSFET N-CH 1000V 750MA TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17Ohm @ 375mA, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA05N100HV-TRL

MOSFET IXTA05N100HV TRL

товар відсутній

IXTA05N100HV-TRL

High Voltage Power MOSFET

товар відсутній

IXTA05N100HV-TRL

Description: MOSFET N-CH 1000V 750MA TO263HV

товар відсутній

IXTA06N120P

Trans MOSFET N-CH 1.2KV 0.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA06N120P

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 0.6A; 42W; TO263; 900ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 0.6A
Power dissipation: 42W
Case: TO263
On-state resistance: 34Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 900ns
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IXTA06N120P

Description: LITTELFUSE - IXTA06N120P - MOSFET, N-CH, 1.2KV, 0.6A, TO-263
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar Series
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 27ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)

товар відсутній

IXTA06N120P

товар відсутній

IXTA06N120P

MOSFET 0.6 Amps 1200V 32 Rds

на замовлення 59 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	324.01 грн
10+	318.62 грн
50+	219.64 грн

IXTA06N120P

Trans MOSFET N-CH 1.2KV 0.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA06N120P

Description: MOSFET N-CH 1200V 600MA TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V

на замовлення 389 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	297.54 грн
50+	227.13 грн
100+	194.69 грн

IXTA06N120P TRL

Trans MOSFET N-CH 1.2KV 0.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IXTA06N120P-TRL

Description: MOSFET N-CH 1200V 600MA TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 236 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA06N120P-TRL

Trans MOSFET N-CH 1.2KV 0.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IXTA06N120P-TRL

MOSFET IXTA06N120P TRL

товар відсутній

IXTA06N120P-TRL

Trans MOSFET N-CH 1.2KV 0.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IXTA06N120P-TRL

Description: MOSFET N-CH 1200V 600MA TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 236 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA08N100D2

MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 1000V 800MA

на замовлення 548 шт:

термін постачання 392-401 дні (днів)

2+	207.96 грн
10+	171.98 грн
50+	140.87 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA08N100D2

Description: LITTELFUSE - IXTA08N100D2 - MOSFET, N-CH, 1KV, 0.8A, TO-263AA
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 21ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)

на замовлення 284 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	219.43 грн
10+	204.46 грн
25+	189.48 грн
50+	162.04 грн
100+	128.39 грн

Мінімальне замовлення: 4

IXTA08N100D2

Trans MOSFET N-CH 1KV 0.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA08N100D2

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 60W; TO263
Mounting: SMD
Case: TO263
Kind of package: tube
Power dissipation: 60W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 325nC
Kind of channel: depleted
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.8A
On-state resistance: 21Ω
Type of transistor: N-MOSFET

на замовлення 184 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	126.57 грн
4+	107.1 грн
10+	85.54 грн
27+	80.67 грн

Мінімальне замовлення: 3

IXTA08N100D2

Description: MOSFET N-CH 1000V 800MA TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21Ohm @ 400mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V

на замовлення 3690 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	191.38 грн
50+	146.01 грн
100+	125.15 грн
500+	104.4 грн
1000+	89.39 грн
2000+	84.17 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA08N100D2

на замовлення 184 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	151.88 грн
3+	133.46 грн
10+	102.65 грн
27+	96.8 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA08N100D2-TRL

Description: IXTA08N100D2 TRL

товар відсутній

IXTA08N100D2-TRL

MOSFET IXTA08N100D2 TRL

товар відсутній

IXTA08N100D2HV

MOSFET MSFT N-CH DEPL MODE-D2

на замовлення 929 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	312.33 грн
10+	258.73 грн
50+	197.61 грн
100+	176.92 грн
250+	170.91 грн

IXTA08N100D2HV

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 60W; TO263HV
Mounting: SMD
Case: TO263HV
Kind of package: tube
Power dissipation: 60W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 325nC
Kind of channel: depleted
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.8A
On-state resistance: 21Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IXTA08N100D2HV

Description: LITTELFUSE - IXTA08N100D2HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 800 mA, 21 ohm, TO-263HV, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 21ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	229.17 грн
10+	199.96 грн
100+	166.26 грн

Мінімальне замовлення: 4

IXTA08N100D2HV

Trans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) TO-263HV

товар відсутній

IXTA08N100D2HV

Trans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) TO-263HV

товар відсутній

IXTA08N100D2HV

Description: MOSFET N-CH 1000V 800MA TO263HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21Ohm @ 400mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V

на замовлення 150 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

50+	227.46 грн

Мінімальне замовлення: 50

IXTA08N100D2HV

товар відсутній

IXTA08N100D2HV TRL

Trans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) TO-263HV T/R

товар відсутній

IXTA08N100D2HV-TRL

Trans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) TO-263HV T/R

товар відсутній

IXTA08N100D2HV-TRL

Description: MOSFET N-CH 1000V 800MA TO263HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21Ohm @ 400mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA08N100D2HV-TRL

MOSFET IXTA08N100D2HV TRL

товар відсутній

IXTA08N100D2TRL

Trans MOSFET N-CH 1KV 0.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IXTA08N100P

Description: MOSFET N-CH 1000V 0.8A TO-263

товар відсутній

IXTA08N100P

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 42W; TO263; 750ns
Mounting: SMD
Case: TO263
Kind of package: tube
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 750ns
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.8A
On-state resistance: 20Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IXTA08N100P

MOSFET 0.8 Amps 1000V 20 Rds

товар відсутній

IXTA08N100P

товар відсутній

IXTA08N100P

Trans MOSFET N-CH 1KV 0.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA08N120P

MOSFET 0.8 Amps 1200V 25 Rds

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	288.97 грн
10+	261.04 грн
50+	222.32 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA08N120P

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.2kV; 0.8A; 50W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 50W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 900ns

товар відсутній

IXTA08N120P

Trans MOSFET N-CH 1.2KV 0.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

50+	123.97 грн

Мінімальне замовлення: 50

IXTA08N120P

Trans MOSFET N-CH 1.2KV 0.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA08N120P

Description: MOSFET N-CH 1200V 800MA TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 333 pF @ 25 V

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	265.76 грн
50+	202.79 грн
100+	173.82 грн
500+	145 грн
1000+	124.16 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA08N120P

товар відсутній

IXTA08N50D2

Trans MOSFET N-CH 500V 0.8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA

на замовлення 250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IXTA08N50D2

Description: MOSFET N-CH 500V 800MA TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6Ohm @ 400mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263AA
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 312 pF @ 25 V

на замовлення 905 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	191.38 грн
50+	146.01 грн
100+	125.15 грн
500+	104.4 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA08N50D2
Код товару: 118357

товар відсутній

IXTA08N50D2

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 0.8A; 60W; TO263; 11ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO263
On-state resistance: 4.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 312nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depleted
Reverse recovery time: 11ns
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IXTA08N50D2

MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 500V 800MA

на замовлення 754 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	207.96 грн
10+	186.56 грн
50+	128.85 грн
100+	110.82 грн
250+	108.82 грн
500+	104.82 грн
1000+	92.8 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA08N50D2

товар відсутній

IXTA100N04T2

MOSFET 100 Amps 40V

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	211.86 грн
10+	174.28 грн
100+	128.18 грн
250+	118.84 грн
500+	110.82 грн
1000+	98.81 грн
2500+	93.47 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA100N04T2

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 150W; TO263; 34ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 34ns

товар відсутній

IXTA100N04T2

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA100N04T2

Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263

товар відсутній

IXTA100N04T2

товар відсутній

IXTA100N04T2-TRL

MOSFET IXTA100N04T2 TRL

товар відсутній

IXTA100N15X4

MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3 3&44

на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	750.06 грн
10+	633.4 грн
50+	511.39 грн
100+	449.3 грн
250+	429.28 грн

IXTA100N15X4

Description: MOSFET N-CH 150V 100A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3970 pF @ 25 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	670.18 грн
50+	515.01 грн
100+	460.8 грн
500+	381.56 грн
1000+	343.41 грн

IXTA102N15T

Description: MOSFET N-CH 150V 102A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 455W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5220 pF @ 25 V

на замовлення 570 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	322.09 грн
10+	278.59 грн
100+	228.24 грн
500+	182.34 грн

IXTA102N15T

MOSFET 102 Amps 150V 18 Rds

на замовлення 13 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	340.37 грн
10+	290.98 грн
50+	244.35 грн
100+	205.62 грн
250+	199.62 грн
500+	190.94 грн

IXTA102N15T-TRL

Trans MOSFET N-CH 150V 102A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IXTA10N60P

Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IXTA10N60P

MOSFET 10.0 Amps 600 V 0.74 Ohm Rds

товар відсутній

IXTA10N60P

Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 740mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA10P15T

MOSFET MSFT P-CH TRENCH GATE

товар відсутній

IXTA10P15T

Description: MOSFET P-CH 150V 10A TO263
Packaging: Tube
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA10P15T-TRL

Trans MOSFET P-CH 150V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IXTA10P15T-TRL

MOSFET IXTA10P15T TRL

товар відсутній

IXTA10P15T-TRL

Description: MOSFET P-CH 150V 10A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA10P50P

Trans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 540 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	482.62 грн
29+	414.59 грн
50+	392.24 грн
100+	363.11 грн

Мінімальне замовлення: 25

IXTA10P50P

Trans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 2014 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	268.71 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA10P50P

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTA10P50P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 500 V, 10 A, 1 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 73 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	460.59 грн
10+	395.43 грн
50+	362.48 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA10P50P

Trans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	626.44 грн
25+	597.53 грн
50+	573.48 грн
100+	533.5 грн
250+	478.66 грн

Мінімальне замовлення: 19

IXTA10P50P

Trans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 178 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	483 грн
10+	415.06 грн
25+	410.93 грн
50+	392.83 грн
100+	360.05 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA10P50P

MOSFET -10.0 Amps -500V 1.000 Rds

на замовлення 862 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	489.92 грн
10+	413.05 грн
50+	352.5 грн

IXTA10P50P

Description: MOSFET P-CH 500V 10A TO263
Packaging: Tube
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA10P50P

Trans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA10P50P

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -500V; -10A; 300W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -10A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 414ns
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 287 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	502.38 грн
3+	435.91 грн
4+	319.62 грн
9+	302.09 грн

IXTA10P50P

Trans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 178 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	520.16 грн
27+	442.54 грн
50+	423.05 грн
100+	387.74 грн

Мінімальне замовлення: 23

IXTA10P50P

Trans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 540 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	490.37 грн
10+	421.39 грн
25+	421.24 грн
50+	398.54 грн
100+	368.95 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA10P50P

Trans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA10P50P

на замовлення 287 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	418.65 грн
3+	349.8 грн
4+	266.35 грн
9+	251.75 грн

IXTA10P50P-TRL

Trans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	473.8 грн
10+	403.11 грн
25+	373.48 грн
100+	318.44 грн
250+	287.29 грн
500+	219.29 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA10P50P-TRL

Description: MOSFET P-CH 500V 10A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V

на замовлення 76000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	278.28 грн
1600+	241.18 грн
2400+	225.99 грн

Мінімальне замовлення: 800

IXTA10P50P-TRL

Trans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	299.7 грн

Мінімальне замовлення: 800

IXTA10P50P-TRL

Trans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	253.6 грн

Мінімальне замовлення: 800

IXTA10P50P-TRL

Trans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	510.25 грн
27+	434.11 грн
30+	402.21 грн
100+	342.94 грн
250+	309.39 грн
500+	236.16 грн

Мінімальне замовлення: 23

IXTA10P50P-TRL

Description: MOSFET P-CH 500V 10A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V

на замовлення 76877 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	441.25 грн
10+	364.41 грн
100+	303.71 грн

IXTA10P50P-TRL

Trans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IXTA10P50P-TRL

Description: LITTELFUSE - IXTA10P50P-TRL - MOSFET, P-CH, 500V, 10A, TO-263AA
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP Series
productTraceability: No
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)

на замовлення 494 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	501.03 грн
10+	429.13 грн
25+	405.92 грн
50+	353.97 грн
100+	306.2 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA10P50P-TRL

MOSFET MSFT P-CH POLAR

на замовлення 1304 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	479.79 грн
10+	404.61 грн
25+	329.13 грн
100+	293.75 грн
250+	284.4 грн
500+	263.04 грн
800+	239.01 грн

IXTA110N055P

Description: MOSFET N-CH 55V 110A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA110N055T

Description: MOSFET N-CH 55V 110A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA110N055T2

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 180W; TO263; 38ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 180W
Case: TO263
On-state resistance: 6.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 38ns
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IXTA110N055T2

Trans MOSFET N-CH 55V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA110N055T2

Description: MOSFET N-CH 55V 110A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3060 pF @ 25 V

на замовлення 400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	191.38 грн
50+	146.01 грн
100+	125.15 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA110N055T2

MOSFET 110 Amps 55V 0.0066 Rds

на замовлення 11 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	197.84 грн
10+	175.82 грн
100+	120.17 грн
250+	114.16 грн
500+	106.82 грн
1000+	92.8 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA110N055T2

товар відсутній

IXTA110N055T2-TRL

Description: MOSFET N-CH 55V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3060 pF @ 25 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	115.52 грн

Мінімальне замовлення: 800

IXTA110N055T2-TRL

MOSFET IXTA110N055T2 TRL

товар відсутній

IXTA110N055T2-TRL

Trans MOSFET N-CH 55V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IXTA110N055T7

Description: MOSFET N-CH 55V 110A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA110N055T7

MOSFET 110 Amps 55V 6.7 Rds

товар відсутній

IXTA110N12T2

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 110A; 517W; TO263; 64ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 110A
Power dissipation: 517W
Case: TO263
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 64ns

товар відсутній

IXTA110N12T2

Description: MOSFET N-CH 120V 110A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 517W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6570 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA110N12T2

товар відсутній

IXTA120N04T2

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 200W; TO263; 35ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
On-state resistance: 6.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 35ns
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 3 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	184.24 грн
3+	162.06 грн
8+	124.34 грн
22+	117.67 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA120N04T2

MOSFET 120 Amps 40V

товар відсутній

IXTA120N04T2

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	130.05 грн

Мінімальне замовлення: 3

IXTA120N04T2

Description: MOSFET N-CH 40V 120A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 25 V

на замовлення 1950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

300+	121.49 грн

Мінімальне замовлення: 300

IXTA120N075T2

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 250W; TO263; 50ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: TO263
On-state resistance: 7.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 50ns

на замовлення 20 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	225.43 грн
3+	188.46 грн
6+	150.21 грн
15+	141.87 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA120N075T2

Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO263

на замовлення 2950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

50+	257.27 грн

Мінімальне замовлення: 50

IXTA120N075T2

на замовлення 20 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	270.51 грн
3+	234.85 грн
6+	180.26 грн
15+	170.24 грн

IXTA120N075T2

MOSFET 120 Amps 75V

товар відсутній

IXTA120P065T

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -120A; 298W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -65V
Drain current: -120A
Power dissipation: 298W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 53ns
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 295 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	452.05 грн
3+	391.71 грн
4+	300.43 грн
9+	284.57 грн

IXTA120P065T

MOSFET -120 Amps -65V 0.01 Rds

на замовлення 7797 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	462.66 грн
10+	413.05 грн
100+	297.09 грн
250+	288.41 грн
500+	261.7 грн

IXTA120P065T

Trans MOSFET P-CH 65V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

300+	232.11 грн

Мінімальне замовлення: 300

IXTA120P065T

на замовлення 295 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	376.71 грн
3+	314.33 грн
4+	250.35 грн
9+	237.14 грн

IXTA120P065T

Description: MOSFET P-CH 65V 120A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13200 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA120P065T-TRL

MOSFET IXTA120P065T TRL

товар відсутній

IXTA120P065T-TRL

Description: MOSFET P-CH 65V 120A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13200 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA120P065TTRL

Trans MOSFET P-CH 65V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IXTA12N50P

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 300ns
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IXTA12N50P

Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1830 pF @ 25 V

на замовлення 524 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	257.82 грн
50+	196.72 грн
100+	168.62 грн
500+	140.66 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA12N50P

товар відсутній

IXTA12N50P

MOSFET 12.0 Amps 500 V 0.5 Ohm Rds

на замовлення 544 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	283.51 грн
10+	257.2 грн
50+	196.28 грн
100+	164.9 грн
500+	149.55 грн
1000+	126.85 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA12N50P

Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA12N65X2

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; 180W; TO263; 270ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Power dissipation: 180W
Case: TO263
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 270ns

товар відсутній

IXTA12N65X2

MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X2 3&44

товар відсутній

IXTA12N65X2

Trans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA

товар відсутній

IXTA12N65X2

товар відсутній

IXTA12N65X2

Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25

товар відсутній

IXTA12N70X2

MOSFET DiscMSFT NChUltraJnctn X2Class TO-263D2

товар відсутній

IXTA130N065T2

Description: MOSFET N-CH 65V 130A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA130N065T2

MOSFET 130 Amps 65V

товар відсутній

IXTA130N065T2

Trans MOSFET N-CH 65V 130A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263AA

товар відсутній

IXTA130N10T

MOSFET 130 Amps 100V 8.5 Rds

товар відсутній

IXTA130N10T

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchMV™; unipolar; 100V; 130A; Idm: 350A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchMV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 350A
Power dissipation: 360W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 9.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 104nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 77ns
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IXTA130N10T

Trans MOSFET N-CH 100V 130A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA130N10T

Description: LITTELFUSE - IXTA130N10T - MOSFET, N-CH, 100V, 130A, TO-263
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 130
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 360
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 360
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TrenchMV Series
Wandlerpolarität: N Channel
Kanaltyp: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0091
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0091
SVHC: To Be Advised

товар відсутній

IXTA130N10T

товар відсутній

IXTA130N10T

Trans MOSFET N-CH 100V 130A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA130N10T

Description: MOSFET N-CH 100V 130A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA130N10T

Trans MOSFET N-CH 100V 130A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA130N10T-TRL

Description: MOSFET N-CH 100V 130A TO263

товар відсутній

IXTA130N10T-TRL

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchMV™; unipolar; 100V; 130A; Idm: 350A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchMV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 350A
Power dissipation: 360W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 9.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 104nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 77ns

товар відсутній

IXTA130N10T-TRL

Description: MOSFET N-CH 100V 130A TO263

товар відсутній

IXTA130N10T-TRL

MOSFET IXTA130N10T TRL

на замовлення 798 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	367.63 грн
10+	304.8 грн
25+	250.35 грн
100+	214.97 грн
250+	202.29 грн
500+	199.62 грн
800+	166.24 грн

IXTA130N10T-TRL

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchMV™; unipolar; 100V; 130A; Idm: 350A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchMV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 350A
Power dissipation: 360W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 9.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 104nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 77ns
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IXTA130N10T7

MOSFET 130 Amps 100V 8.5 Rds

товар відсутній

IXTA130N10T7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchMV™; unipolar; 100V; 130A; Idm: 350A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchMV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 350A
Power dissipation: 360W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 104nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 77ns
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IXTA130N10T7

Description: MOSFET N-CH 100V 130A TO263

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

50+	281.55 грн

Мінімальне замовлення: 50

IXTA130N10T7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchMV™; unipolar; 100V; 130A; Idm: 350A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchMV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 350A
Power dissipation: 360W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 104nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 77ns

товар відсутній

IXTA130N10TTRL

Trans MOSFET N-CH 100V 130A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IXTA130N15X4

Description: MOSFET N-CH 150V 130A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 65A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4770 pF @ 25 V

на замовлення 1524 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	756.12 грн
50+	581.66 грн
100+	520.43 грн
500+	430.95 грн
1000+	387.85 грн

IXTA130N15X4

MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3 3&44

на замовлення 70 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	971.27 грн
10+	864.49 грн
50+	717.02 грн
100+	622.22 грн

IXTA130N15X4-7

MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3 3&44

на замовлення 35 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	863 грн
10+	767.75 грн
50+	636.9 грн
100+	552.12 грн

IXTA130N15X4-7

Description: MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 65A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4770 pF @ 25 V

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	756.12 грн
50+	581.66 грн
100+	520.43 грн
500+	430.95 грн
1000+	387.85 грн

IXTA140N055T2

MOSFET MSFT N-CH TRENCH GATE -GEN2

товар відсутній

IXTA140N055T2

Description: MOSFET N-CH 55V 140A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4760 pF @ 25 V

на замовлення 1350 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

300+	132.98 грн

Мінімальне замовлення: 300

IXTA140N12T2

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 140A; 577W; TO263; 65ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 140A
Power dissipation: 577W
Case: TO263
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 174nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 65ns
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 8 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	452.95 грн
3+	393.44 грн
4+	286.24 грн
10+	270.38 грн

IXTA140N12T2

Description: MOSFET N-CH 120V 140A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 577W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 174 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9700 pF @ 25 V

на замовлення 1400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

50+	347.25 грн

Мінімальне замовлення: 50

IXTA140N12T2

на замовлення 8 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	377.46 грн
3+	315.73 грн
4+	238.53 грн

IXTA140N12T2

Power MOSFET

товар відсутній

IXTA140N12T2

MOSFET MSFT N-CH TRENCH GATE -GEN2

товар відсутній

IXTA140P05T

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -50V; -140A; 298W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -140A
Power dissipation: 298W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 53ns

товар відсутній

IXTA140P05T

Trans MOSFET P-CH 50V 140A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA

товар відсутній

IXTA140P05T

MOSFET -140 Amps -50V 0.008 Rds

на замовлення 207 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	539.77 грн
10+	460.65 грн
50+	377.2 грн
100+	351.16 грн
250+	343.82 грн
500+	329.13 грн

IXTA140P05T

товар відсутній

IXTA140P05T

Description: MOSFET P-CH 50V 140A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13500 pF @ 25 V

на замовлення 712 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	511.3 грн
10+	422.06 грн
100+	351.73 грн
500+	291.25 грн

IXTA140P05T-TRL

Description: IXTA140P05T
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13500 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA140P05T-TRL

MOSFET MOSFET DISCRETE

товар відсутній

IXTA14N60P

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; 300W; TO263; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 0.5µs
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IXTA14N60P

MOSFET 14.0 Amps 600 V 0.55 Ohm Rds

товар відсутній

IXTA14N60P

товар відсутній

IXTA14N60P

Description: MOSFET N-CH 600V 14A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V

на замовлення 220 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	320.65 грн
50+	244.69 грн
100+	209.73 грн

IXTA14N60PTRL

IXTA14N60PTRL

товар відсутній

IXTA150N15X4

MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3 3&44

на замовлення 101 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	960.36 грн
10+	845.3 грн
50+	664.27 грн

IXTA150N15X4

X4-Class Power MOSFET

товар відсутній

IXTA150N15X4

Description: MOSFET N-CH 150V 150A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V

на замовлення 196 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	896.94 грн
50+	699.12 грн
100+	658 грн

IXTA150N15X4-7

Description: MOSFET N-CH 150V 150A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA150N15X4-7

MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3 3&44

товар відсутній

IXTA150N15X4-7

X4-Class Power MOSFET

товар відсутній

IXTA152N085T

Description: MOSFET N-CH 85V 152A TO-263

товар відсутній

IXTA152N085T7

Description: MOSFET N-CH 85V 152A TO-263-7

товар відсутній

IXTA15N50L2

Trans MOSFET N-CH 500V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA15N50L2

MOSFET MSFT N-CH LINEAR L2

на замовлення 279 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	979.05 грн
10+	850.67 грн
25+	719.69 грн
50+	678.29 грн
100+	638.91 грн
250+	638.24 грн

IXTA15N50L2

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 15A; 300W; TO263; 570ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 15A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 570ns

товар відсутній

IXTA15N50L2

Trans MOSFET N-CH 500V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA15N50L2

товар відсутній

IXTA15N50L2

Description: MOSFET N-CH 500V 15A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4080 pF @ 25 V

на замовлення 350 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	914.28 грн
50+	712.44 грн
100+	670.53 грн

IXTA15N50L2-TRL

Trans MOSFET N-CH 500V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IXTA15N50L2-TRL

Description: MOSFET N-CH 500V 15A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4080 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA15N50L2-TRL

MOSFET IXTA15N50L2 TRL

товар відсутній

IXTA15P15T

Description: MOSFET P-CH 150V 15A TO-263

товар відсутній

IXTA15P15T

IXTA15P15T SMD P channel transistors

товар відсутній

IXTA15P15T

MOSFET TenchP Power MOSFET

товар відсутній

IXTA15P15T

Trans MOSFET P-CH 150V 15A 3-Pin(2+Tab) TO-263

на замовлення 150 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IXTA15P15T-A2

MOSFET -150V -15A

товар відсутній

IXTA160N04T2

MOSFET 160Amps 40V

на замовлення 66 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	303.76 грн
10+	262.57 грн
50+	193.61 грн
100+	176.25 грн
250+	155.55 грн
500+	150.21 грн
1000+	144.87 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA160N04T2

Description: MOSFET N-CH 40V 160A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4640 pF @ 25 V

на замовлення 600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	278.76 грн
10+	225.6 грн
100+	182.52 грн
500+	152.26 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA160N04T2

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 160A; 250W; TO263; 40ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 160A
Power dissipation: 250W
Case: TO263
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 79nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 40ns

на замовлення 44 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	225.43 грн
3+	188.46 грн
6+	150.21 грн
15+	141.87 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA160N04T2

на замовлення 44 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	270.51 грн
3+	234.85 грн
6+	180.26 грн
15+	170.24 грн

IXTA160N075T

MOSFET 160 Amps 75V 5.5 Rds

товар відсутній

IXTA160N075T

Description: MOSFET N-CH 75V 160A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA160N075T7

MOSFET 160 Amps 75V 5.5 Rds

товар відсутній

IXTA160N075T7

Description: MOSFET N-CH 75V 160A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA160N085T

Description: MOSFET N-CH 85V 160A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA160N10T

Description: MOSFET N-CH 100V 160A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 430W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA160N10T

Trans MOSFET N-CH 100V 160A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA160N10T

MOSFET 160 Amps 100V 6.9 Rds

товар відсутній

IXTA160N10T7

Description: MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 430W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA160N10T7

MOSFET 160 Amps 100V 6.9 Rds

товар відсутній

IXTA16N50P

Description: MOSFET N-CH 500V 16A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V

на замовлення 850 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

300+	200.98 грн

Мінімальне замовлення: 300

IXTA16N50P

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO263; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 400ns

товар відсутній

IXTA16N50P

MOSFET 16.0 Amps 500 V 0.4 Ohm Rds

на замовлення 99 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	343.49 грн
10+	293.28 грн
50+	216.31 грн
100+	192.94 грн
250+	180.92 грн
500+	175.58 грн
1000+	166.24 грн

IXTA16N50P

товар відсутній

IXTA16N50P-TRL

MOSFET IXTA16N50P TRL

товар відсутній

IXTA16N50P-TRL

Description: MOSFET N-CH 500V 16A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA16N50PTRL

Trans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IXTA170N075T2

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 170A; 360W; TO263; 63ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 170A
Power dissipation: 360W
Case: TO263
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 109nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 63ns

товар відсутній

IXTA170N075T2

товар відсутній

IXTA170N075T2

Description: MOSFET N-CH 75V 170A TO263

на замовлення 2050 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IXTA170N075T2

MOSFET 170 Amps 75V

товар відсутній

IXTA180N055T

Description: MOSFET N-CH 55V 180A TO263

товар відсутній

IXTA180N085T

Description: MOSFET N-CH 85V 180A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 430W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA180N085T7

Description: MOSFET N-CH 85V 180A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 430W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA180N10T

Description: LITTELFUSE - IXTA180N10T - MOSFET, N-CH, 100V, 180A, TO-263
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 180
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 480
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 480
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: Trench Series
Wandlerpolarität: N Channel
Kanaltyp: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0057
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0057
SVHC: To Be Advised

товар відсутній

IXTA180N10T

MOSFET 180 Amps 100V 6.1 Rds

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	427.61 грн
10+	380.81 грн
50+	252.36 грн
100+	228.32 грн
250+	224.99 грн
500+	208.3 грн
1000+	206.96 грн

IXTA180N10T

Trans MOSFET N-CH 100V 180A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IXTA180N10T

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 480W; TO263; 72ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 480W
Case: TO263
On-state resistance: 6.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 151nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 72ns

на замовлення 28 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	318.29 грн
3+	266.35 грн
4+	212.11 грн
11+	200.28 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA180N10T

на замовлення 28 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	381.95 грн
3+	331.91 грн
4+	254.53 грн
11+	240.34 грн

IXTA180N10T

Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 25 V

на замовлення 6426 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	393.59 грн
50+	300.13 грн
100+	257.25 грн
500+	214.6 грн
1000+	183.75 грн
2000+	173.02 грн

IXTA180N10T-TRL

Trans MOSFET N-CH 100V 180A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IXTA180N10T-TRL

Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 25 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	237.47 грн

Мінімальне замовлення: 800

IXTA180N10T-TRL

MOSFET IXTA180N10T TRL

на замовлення 540 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	427.61 грн
10+	353.93 грн
25+	297.76 грн
100+	249.02 грн
250+	241.68 грн
500+	221.65 грн
800+	190.94 грн

IXTA180N10T-TRL

Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 25 V

на замовлення 2383 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	393.59 грн
10+	318.02 грн
100+	257.25 грн

IXTA180N10T7

MOSFET 180 Amps 100V 6.1 Rds

товар відсутній

IXTA180N10T7

Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA180N10T7

Trans MOSFET N-CH 100V 180A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA180N10T7-TRL

MOSFET IXTA180N10T7 TRL

товар відсутній

IXTA180N10T7-TRL

Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA180N10TTRL

Trans MOSFET N-CH 100V 180A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IXTA182N055T

MOSFET 182 Amps 55V 4.4 Rds

товар відсутній

IXTA182N055T

Description: MOSFET N-CH 55V 182A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 182A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4850 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA182N055T7

MOSFET 182 Amps 55V 4.4 Rds

товар відсутній

IXTA182N055T7

Description: MOSFET N-CH 55V 182A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 182A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4850 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA18P10T

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -18A; 83W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -18A
Power dissipation: 83W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 62ns

товар відсутній

IXTA18P10T

товар відсутній

IXTA18P10T

Trans MOSFET P-CH 100V 18A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA

товар відсутній

IXTA18P10T

MOSFET 18 Amps 100V 0.12 Rds

товар відсутній

IXTA18P10T

Description: MOSFET P-CH 100V 18A TO-263

товар відсутній

IXTA1970-TRL

Littelfuse IXTA1970 TRL

товар відсутній

IXTA1970-TRL

Description: MOSFET N-CH TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)

товар відсутній

IXTA1970TRL

TRENCHT2 POWER MOSFET

товар відсутній

IXTA1N100

Description: MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-263

на замовлення 995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	298.26 грн
10+	257.66 грн
100+	211.09 грн
500+	168.64 грн

IXTA1N100

Trans MOSFET N-CH Si 1KV 1.5A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA

товар відсутній

IXTA1N100

Trans MOSFET N-CH Si 1KV 1.5A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA

товар відсутній

IXTA1N100P

MOSFET 1 Amps 1000V 14 Rds

на замовлення 300 шт:

термін постачання 491-500 дні (днів)

2+	202.51 грн
10+	166.6 грн
100+	114.83 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA1N100P

Trans MOSFET N-CH 1KV 1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA1N100P

Description: MOSFET N-CH 1000V 1A TO263

на замовлення 52 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	197.88 грн
10+	171.01 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA1N100P

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1A; 50W; TO263; 750ns
Mounting: SMD
Case: TO263
Kind of package: tube
Power dissipation: 50W
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 750ns
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 1A
On-state resistance: 15Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar

товар відсутній

IXTA1N100P

товар відсутній

IXTA1N100P-TRL

Trans MOSFET N-CH 1KV 1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IXTA1N120P

Description: MOSFET N-CH 1200V 1A TO263
Packaging: Tube
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	335.81 грн
10+	271.57 грн
100+	219.67 грн

IXTA1N120P

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 1A; 63W; TO263; 900ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 1A
Power dissipation: 63W
Case: TO263
On-state resistance: 20Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 900ns

товар відсутній

IXTA1N120P

товар відсутній

IXTA1N120P

Trans MOSFET N-CH 1.2KV 1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA1N120P

MOSFET 1 Amps 1200V 20 Rds

на замовлення 648 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	369.19 грн
10+	306.33 грн
50+	216.31 грн
100+	195.61 грн

IXTA1N120P-TRL

Description: MOSFET N-CH 1200V 1A TO263

товар відсутній

IXTA1N170DHV

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.7kV; 1A; 290W; TO263HV; 30ns
Mounting: SMD
Case: TO263HV
Kind of package: tube
Power dissipation: 290W
Kind of channel: depleted
Reverse recovery time: 30ns
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 1A
On-state resistance: 16Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar

товар відсутній

IXTA1N170DHV

товар відсутній

IXTA1N170DHV

Trans MOSFET N-CH 1.7KV 3-Pin(2+Tab) TO-263HV

товар відсутній

IXTA1N170DHV

MOSFET MSFT N-CH DEPL MODE-STD

на замовлення 2457 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1561.66 грн
10+	1368.14 грн
50+	1010.1 грн
250+	990.74 грн
500+	959.36 грн

IXTA1N170DHV

Description: MOSFET N-CH 1700V 1A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16Ohm @ 500mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263HV
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3090 pF @ 25 V

на замовлення 305 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1437.86 грн
50+	1147.7 грн
100+	1075.96 грн

IXTA1N170DHV

Trans MOSFET N-CH 1.7KV 3-Pin(2+Tab) TO-263HV

товар відсутній

IXTA1N170DHV

Description: LITTELFUSE - IXTA1N170DHV - MOSFET, N-CH, 1.7KV, 1A, TO-263HV
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7
Dauer-Drainstrom Id: 1
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 290
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 290
Bauform - Transistor: TO-263HV
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Kanaltyp: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 16
Rds(on)-Prüfspannung: 0
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 16
SVHC: To Be Advised

товар відсутній

IXTA1N170DHV-TRL

Littelfuse MOSFET DISCRETE TO-263HV

товар відсутній

IXTA1N170DHVTRL

IXTA1N170DHVTRL

товар відсутній

IXTA1N200P3HV

Description: MOSFET N-CH 2000V 1A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 2000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 646 pF @ 25 V

на замовлення 1152 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	627.57 грн
50+	482.56 грн
100+	431.76 грн
500+	357.52 грн
1000+	321.77 грн

IXTA1N200P3HV

Trans MOSFET N-CH 2KV 1A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV

товар відсутній

IXTA1N200P3HV

MOSFET 2000V/1A HV Power MOSFET, TO-263HV

на замовлення 3722 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	681.52 грн
10+	622.65 грн
50+	461.32 грн
100+	403.24 грн
250+	397.23 грн
500+	365.85 грн
1000+	329.13 грн

IXTA1N200P3HV

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 2kV; 1A; 125W; TO263HV; 2.3us
Mounting: SMD
Case: TO263HV
Kind of package: tube
Power dissipation: 125W
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 2.3µs
Drain-source voltage: 2kV
Drain current: 1A
On-state resistance: 40Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar

товар відсутній

IXTA1N200P3HV

товар відсутній

IXTA1N200P3HV-TRL

Trans MOSFET N-CH 2KV 1A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV T/R

товар відсутній

IXTA1N200P3HV.

Description: LITTELFUSE - IXTA1N200P3HV. - MOSFET, N-CH, 2KV, 1A, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 40ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)

на замовлення 27301 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	711.48 грн
25+	611.87 грн
100+	509.27 грн
250+	444.38 грн
500+	384.52 грн
1000+	346 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA1N200P3HVTRL

Description: MOFET N-CH 2000V 1.0A TO-263HV

на замовлення 172 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IXTA1N200P3HVTRL

Description: MOFET N-CH 2000V 1.0A TO-263HV

товар відсутній

IXTA1N80

Description: MOSFET N-CH 800V 750MA TO-263

товар відсутній

IXTA1R4N100P

MOSFET 1.4 Amps 1000V 11 Rds

на замовлення 486 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	231.33 грн
10+	191.17 грн
50+	156.22 грн
100+	134.19 грн
250+	126.85 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA1R4N100P

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 1.4A; Idm: 3A; 63W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 1.4A
Pulsed drain current: 3A
Power dissipation: 63W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 750ns

товар відсутній

IXTA1R4N100P

товар відсутній

IXTA1R4N100P

Description: MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V

на замовлення 416 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	213.04 грн
50+	162.23 грн
100+	139.05 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA1R4N100P

Trans MOSFET N-CH 1KV 1.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA1R4N100PTRL

Description: MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.8Ohm @ 700mA, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA1R4N100PTRL

MOSFET MSFT N-CH STD-POLAR

товар відсутній

IXTA1R4N120P

Trans MOSFET N-CH 1.2KV 1.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA1R4N120P

MOSFET 1.4 Amps 1200V 15 Rds

на замовлення 75 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IXTA1R4N120P

Description: MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 666 pF @ 25 V

на замовлення 28 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	377.7 грн
10+	305.5 грн

IXTA1R4N120P

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.2kV; 1.4A; Idm: 3A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 1.4A
Pulsed drain current: 3A
Power dissipation: 86W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 24.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 900ns

товар відсутній

IXTA1R4N120P

товар відсутній

IXTA1R4N120P-TRL

Description: MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO263

товар відсутній

IXTA1R4N120P-TRL

Trans MOSFET N-CH 1.2KV 1.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IXTA1R6N100D2

Trans MOSFET N-CH 1KV 1.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

58+	203.74 грн
100+	166.95 грн

Мінімальне замовлення: 58

IXTA1R6N100D2

Trans MOSFET N-CH 1KV 1.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA1R6N100D2

Trans MOSFET N-CH 1KV 1.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA1R6N100D2

IXTA1R6N100D2 SMD N channel transistors

товар відсутній

IXTA1R6N100D2

Trans MOSFET N-CH 1KV 1.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

300+	269.37 грн

Мінімальне замовлення: 300

IXTA1R6N100D2

MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 1000V 800MA

на замовлення 575 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	270.27 грн
10+	229.56 грн
50+	168.91 грн
500+	152.22 грн
1000+	124.84 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA1R6N100D2

Description: MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 800mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 25 V

на замовлення 121 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	248.43 грн
50+	189.82 грн
100+	162.7 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA1R6N100D2-TRL

MOSFET IXTA1R6N100D2 TRL

товар відсутній

IXTA1R6N100D2-TRL

Description: MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 800mA, 0V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA1R6N100D2-TRL

Trans MOSFET N-CH 1KV 1.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IXTA1R6N100D2HV

MOSFET MSFT N-CH DEPL MODE-D2

на замовлення 110 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	398.79 грн
10+	340.12 грн
50+	270.38 грн
100+	231.66 грн
250+	223.65 грн
500+	219.64 грн

IXTA1R6N100D2HV

Description: MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO263HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 800mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 10 V

на замовлення 239 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	366.87 грн
50+	279.87 грн
100+	239.89 грн

IXTA1R6N100D2HV

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 1.6A; 100W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 100W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depleted
Reverse recovery time: 970ns
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IXTA1R6N100D2HV

High Voltage Depletion Mode MOSFET

товар відсутній

IXTA1R6N100D2HV

товар відсутній

IXTA1R6N100D2HV

High Voltage Depletion Mode MOSFET

товар відсутній

IXTA1R6N100D2HV

High Voltage Depletion Mode MOSFET

товар відсутній

IXTA1R6N100D2HV-TRL

IXTA1R6N100D2HV-TRL

товар відсутній

IXTA1R6N100D2TRL

Trans MOSFET N-CH 1KV 1.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA1R6N50D2

MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 500V 1.6A

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	263.26 грн
10+	233.4 грн
50+	191.6 грн
100+	166.24 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA1R6N50D2

Description: MOSFET N-CH 500V 1.6A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 800mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 25 V

на замовлення 107 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	248.43 грн
50+	189.82 грн
100+	162.7 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA1R6N50D2

IXTA1R6N50D2 SMD N channel transistors

товар відсутній

IXTA1R6N50D2

Trans MOSFET N-CH 500V 1.6A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA

товар відсутній

IXTA200N055T2

MOSFET 200 Amps 55V 0.0042 Rds

товар відсутній

IXTA200N055T2

Description: MOSFET N-CH 55V 200A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 25 V

на замовлення 450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	274.43 грн
50+	209.74 грн
100+	179.78 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA200N055T2

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 200A; 360W; TO263; 49ns
Case: TO263
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 360W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 109nC
Kind of channel: enhanced
Mounting: SMD
Reverse recovery time: 49ns
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 200A
On-state resistance: 4.2mΩ
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IXTA200N055T2

товар відсутній

IXTA200N055T2-7

MOSFET MSFT N-CH TRENCH GATE -GEN2

товар відсутній

IXTA200N055T2-7

Description: MOSFET N-CH 55V 200A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6970 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA200N055T2-TRL

MOSFET IXTA200N055T2 TRL

товар відсутній

IXTA200N055T2-TRL

Description: MOSFET N-CH 55V 200A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6970 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA200N055T2-TRL

Trans MOSFET N-CH 55V 200A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IXTA200N075T

Description: MOSFET N-CH 75V 200A TO-263

товар відсутній

IXTA200N075T7

Description: MOSFET N-CH 75V 200A TO-263-7

товар відсутній

IXTA200N085T

Description: MOSFET N-CH 85V 200A TO263

товар відсутній

IXTA200N085T

MOSFET 200 Amps 85V 5.0 Rds

товар відсутній

IXTA200N085T7

MOSFET 200 Amps 85V 5.0 Rds

товар відсутній

IXTA200N085T7

Description: MOSFET N-CH 85V 200A TO263-7

товар відсутній

IXTA20N65X

MOSFET 650V/9A Power MOSFET

товар відсутній

IXTA20N65X

Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA20N65X

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 320W; TO220AB; 350ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 0.35µs

товар відсутній

IXTA20N65X

товар відсутній

IXTA20N65X-TRL

MOSFET IXTA20N65X TRL

товар відсутній

IXTA20N65X-TRL

Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA20N65X2

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 22A; 290W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 290W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

на замовлення 32 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	337.77 грн
3+	282.34 грн
4+	224.62 грн
10+	212.8 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA20N65X2

MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X2 3&44

товар відсутній

IXTA20N65X2

на замовлення 32 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	405.32 грн
3+	351.84 грн
4+	269.55 грн
10+	255.36 грн

IXTA20N65X2

Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA220N04T2

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 220A; 360W; TO263; 45ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 220A
Power dissipation: 360W
Case: TO263
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 112nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 45ns
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IXTA220N04T2

Description: MOSFET N-CH 40V 220A TO-263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6820 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA220N04T2

Trans MOSFET N-CH 40V 220A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA220N04T2

Trans MOSFET N-CH 40V 220A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA220N04T2

товар відсутній

IXTA220N04T2

MOSFET 220 Amps 40V 0.0035 Rds

товар відсутній

IXTA220N04T2 TRL

Trans MOSFET N-CH 40V 220A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IXTA220N04T2-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 220A; 360W; TO263-7; 45ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 220A
Power dissipation: 360W
Case: TO263-7
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 112nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 45ns

товар відсутній

IXTA220N04T2-7

MOSFET 220 Amps 40V 0.0035 Rds

товар відсутній

IXTA220N04T2-7

товар відсутній

IXTA220N04T2-7

Description: MOSFET N-CH 40V 220A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6820 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA220N04T2-7TRL

IXTA220N04T2-7TRL

товар відсутній

IXTA220N04T2-TRL

MOSFET IXTA220N04T2 TRL

товар відсутній

IXTA220N04T2-TRL

Description: MOSFET N-CH 40V 220A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6820 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA220N04T2-TRL

Trans MOSFET N-CH 40V 220A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IXTA220N055T

Description: MOSFET N-CH 55V 220A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 430W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA220N055T7

Description: MOSFET N-CH 55V 220A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 430W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA220N075T

Description: MOSFET N-CH 75V 220A TO263

товар відсутній

IXTA220N075T7

Description: MOSFET N-CH 75V 220A TO263-7

товар відсутній

IXTA230N04T4

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 230A; 340W; TO263; 32ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 230A
Power dissipation: 340W
Case: TO263
On-state resistance: 2.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 32ns
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IXTA230N04T4

Description: MOSFET N-CH 40V 230A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 115A, 10V
Power Dissipation (Max): 340W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA230N04T4

MOSFET Disc MSFT NChTrenchGate-Gen4 TO-263D2

товар відсутній

IXTA230N04T4

товар відсутній

IXTA230N075T2

MOSFET 230 Amps 75V

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IXTA230N075T2

Trans MOSFET N-CH 75V 230A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA230N075T2

IXTA230N075T2 SMD N channel transistors

товар відсутній

IXTA230N075T2

Description: MOSFET N-CH 75V 230A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 25 V

на замовлення 450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	470.14 грн
10+	409.05 грн
100+	338.68 грн

IXTA230N075T2-7

IXTA230N075T2-7 SMD N channel transistors

товар відсутній

IXTA230N075T2-7

Description: MOSFET N-CH 75V 230A TO-263

товар відсутній

IXTA230N075T2-7

MOSFET

на замовлення 20 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IXTA240N055T

Description: MOSFET N-CH 55V 240A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA240N055T7

Description: MOSFET N-CH 55V 240A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA24N65X2

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; 390W; TO263; 390ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 390W
Case: TO263
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 390ns
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IXTA24N65X2

Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA24N65X2

MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X2 3&44

товар відсутній

IXTA24N65X2

товар відсутній

IXTA24N65X2

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA

товар відсутній

IXTA24N65X2TRL

IXTA24N65X2TRL

товар відсутній

IXTA24P085T

MOSFET 24 Amps 85V 0.065 Rds

на замовлення 288 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IXTA24P085T

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -85V; -24A; 83W; TO263
Mounting: SMD
Case: TO263
Kind of package: tube
Power dissipation: 83W
Gate charge: 41nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchP™
Drain current: -24A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -85V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 65mΩ
Reverse recovery time: 40ns

на замовлення 22 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	127.96 грн
9+	97.36 грн

Мінімальне замовлення: 3

IXTA24P085T

на замовлення 22 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	185.13 грн
3+	159.46 грн
9+	116.83 грн
23+	110.16 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA24P085T

Description: MOSFET P-CH 85V 24A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2090 pF @ 25 V

на замовлення 3324 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	180.54 грн
50+	137.9 грн
100+	118.19 грн
500+	98.59 грн
1000+	84.42 грн
2000+	79.49 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA260N055T2

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 260A; 480W; TO263; 60ns
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 480W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.14µC
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 60ns
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 260A
On-state resistance: 3.3mΩ
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IXTA260N055T2

Description: MOSFET N-CH 55V 260A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10800 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA260N055T2

MOSFET MSFT N-CH TRENCH GATE -GEN2

товар відсутній

IXTA260N055T2

товар відсутній

IXTA260N055T2-7

Description: MOSFET N-CH 55V 260A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10800 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA260N055T2-7

Trans MOSFET N-CH 55V 260A Automotive 7-Pin(6+Tab) TO-263AA

товар відсутній

IXTA260N055T2-7

MOSFET 260 Amps 55V

товар відсутній

IXTA260N055T2-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 260A; 480W; TO263-7; 60ns
Case: TO263-7
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 480W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.14µC
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 60ns
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 260A
On-state resistance: 3.3mΩ

товар відсутній

IXTA260N055T2-7

товар відсутній

IXTA26P10T

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -26A; 150W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -26A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 70ns
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IXTA26P10T

Description: MOSFET P-CH 100V 26A TO-263

товар відсутній

IXTA26P10T

Trans MOSFET P-CH 100V 26A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA

товар відсутній

IXTA26P10T

MOSFET TenchP Power MOSFET

товар відсутній

IXTA26P10T

товар відсутній

IXTA26P20P

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -26A; 300W; TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 56nC
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO263
Reverse recovery time: 240ns
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -26A
On-state resistance: 0.17Ω
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 290 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	523.05 грн
3+	361.38 грн
8+	328.8 грн

IXTA26P20P

Description: MOSFET P-CH 200V 26A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA26P20P

Trans MOSFET P-CH 200V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA26P20P

Trans MOSFET P-CH 200V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA26P20P

MOSFET -26.0 Amps -200V 0.170 Rds

на замовлення 1349 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	489.92 грн
10+	433.78 грн
50+	335.14 грн
100+	309.77 грн

IXTA26P20P

на замовлення 290 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	435.87 грн
3+	289.99 грн
8+	274 грн

IXTA26P20P

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTA26P20P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 26 A, 0.17 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 26
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PolarP
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.17
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)

на замовлення 33 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	487.55 грн
5+	464.33 грн
10+	440.37 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA26P20P
Код товару: 162385

Транзистори > Польові P-канальні

товар відсутній

IXTA26P20P TRL

IXTA26P20P TRL

товар відсутній

IXTA26P20P-TRL

MOSFET IXTA26P20P TRL

на замовлення 1703 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	479.79 грн
10+	405.37 грн
25+	319.79 грн
100+	293.75 грн
250+	277.06 грн
500+	259.7 грн
800+	239.01 грн

IXTA26P20P-TRL

Description: MOSFET P-CH 200V 26A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 25 V

на замовлення 1234 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	447.75 грн
10+	369.55 грн
100+	307.95 грн

IXTA26P20P-TRL

Description: MOSFET P-CH 200V 26A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA26P20P-TRL

Trans MOSFET P-CH 200V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IXTA270N04T4

Description: MOSFET N-CH 40V 270A

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IXTA270N04T4

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 375W; TO263; 48ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 270A
Power dissipation: 375W
Case: TO263
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 182nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 48ns

товар відсутній

IXTA270N04T4

товар відсутній

IXTA270N04T4

MOSFET 40V/270A TrenchT4 Power MOSFET

товар відсутній

IXTA270N04T4-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 375W; TO263-7; 48ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 270A
Power dissipation: 375W
Case: TO263-7
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 182nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 48ns
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IXTA270N04T4-7

MOSFET 40V/270A TrenchT4 Power MOSFET

товар відсутній

IXTA270N04T4-7

товар відсутній

IXTA27N20T

Description: MOSFET N-CH 20V 27A TO-263

товар відсутній

IXTA27N20T

MOSFET 27 Amps 200V 100 Rds

товар відсутній

IXTA28P065T

Description: MOSFET P-CH 65V 28A TO-263

на замовлення 9 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IXTA28P065T

MOSFET 28 Amps 65V 0.045 Rds

товар відсутній

IXTA28P065T

IXTA28P065T SMD P channel transistors

на замовлення 54 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	167.16 грн
9+	119.34 грн
23+	113.49 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA2N100

MOSFET 2 Amps 1000V 7 Rds

товар відсутній

IXTA2N100

Description: MOSFET N-CH 1000V 2A TO-263

товар відсутній

IXTA2N100P

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 86W; TO263; 800ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
Power dissipation: 86W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 800ns

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	141.87 грн
7+	128.65 грн

Мінімальне замовлення: 3

IXTA2N100P

Description: MOSFET N-CH 1000V 2A TO-263

товар відсутній

IXTA2N100P

на замовлення 10 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	208.5 грн
3+	176.79 грн
7+	154.39 грн
18+	146.04 грн
50+	143.54 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA2N100P

Trans MOSFET N-CH 1KV 2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA2N100P

MOSFET 2 Amps 1000V 7.5 Rds

товар відсутній

IXTA2N100P-TRL

MOSFET IXTA2N100P TRL

товар відсутній

IXTA2N80

Description: MOSFET N-CH 800V 2A TO263
Packaging: Box
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA2N80P

Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA2N80P

Description: MOSFET N-CH 800V 2A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA2R4N120P

Description: MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO263

на замовлення 55 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	461.47 грн
10+	401.33 грн

IXTA2R4N120P

Trans MOSFET N-CH 1.2KV 2.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA2R4N120P

MOSFET 2.4 Amps 1200V 7.5 Rds

на замовлення 259 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IXTA2R4N120P-TRL

Description: MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO263

товар відсутній

IXTA300N04T2

Trans MOSFET N-CH 40V 300A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263AA

товар відсутній

IXTA300N04T2

Description: MOSFET N-CH 40V 300A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10700 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA300N04T2

MOSFET 300 Amps 40V 0.025 Rds

товар відсутній

IXTA300N04T2

Trans MOSFET N-CH 40V 300A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA

товар відсутній

IXTA300N04T2

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 300A; 480W; TO263; 53ns
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Case: TO263
Gate charge: 145nC
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 53ns
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 300A
On-state resistance: 2.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 480W
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet

товар відсутній

IXTA300N04T2

товар відсутній

IXTA300N04T2-7

MOSFET 300 Amps 40V

на замовлення 297 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	429.94 грн
10+	356.24 грн
50+	291.75 грн
100+	251.02 грн

IXTA300N04T2-7

Description: MOSFET N-CH 40V 300A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10700 pF @ 25 V

на замовлення 1100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

300+	254.02 грн

Мінімальне замовлення: 300

IXTA30N25L2

MOSFET MSFT N-CH LINEAR L2

на замовлення 522 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	805.36 грн
10+	699.42 грн
25+	591.51 грн
50+	570.14 грн
250+	542.77 грн

IXTA30N65X2

MOSFET MOSFET DISCRETE

товар відсутній

IXTA32N20T

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 32A; 200W; TO263; 110ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 32A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 110ns

товар відсутній

IXTA32N20T

Description: MOSFET N-CH 200V 32A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA32N20T

товар відсутній

IXTA32N20T

MOSFET 32 Amps 200V 78 Rds

товар відсутній

IXTA32P05T

Description: MOSFET P-CH 50V 32A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1975 pF @ 25 V

на замовлення 128 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	180.54 грн
50+	137.9 грн
100+	118.19 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA32P05T

IXTA32P05T SMD P channel transistors

на замовлення 300 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	167.16 грн
9+	116.83 грн
23+	110.16 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA32P05T

MOSFET 32 Amps 50V 0.036 Rds

на замовлення 311 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	196.28 грн
10+	170.44 грн
50+	125.51 грн
100+	114.16 грн
250+	107.49 грн
500+	97.47 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA32P05T

Trans MOSFET P-CH 50V 32A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA32P05T-TRL

Trans MOSFET P-CH 50V 32A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IXTA32P05T-TRL

MOSFET IXTA32P05T TRL

товар відсутній

IXTA32P05TTRL

IXYS/Littelfuse

P-канальний ПТ; Udss, В = 50; Id = 32 А; Ptot, Вт = 83; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 1975 @ 25; Qg, нКл = 46 @ 10 В; Rds = 39 мОм @ 500 мA, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4,5 В @ 250 мкА; TO-220

на замовлення 794 шт:

термін постачання 2-3 дні (днів)

33+	19.41 грн
35+	18.11 грн
100+	16.82 грн

Мінімальне замовлення: 33

IXTA32P20T

Trans MOSFET P-CH 200V 32A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA32P20T

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -200V; -32A; 300W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -32A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 190ns

товар відсутній

IXTA32P20T

товар відсутній

IXTA32P20T

Description: LITTELFUSE - IXTA32P20T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 32 A, 0.13 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 32
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-263AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.13
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

на замовлення 276 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	736.94 грн
5+	700.99 грн
10+	665.05 грн
50+	564.69 грн
100+	471.82 грн
250+	462.19 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA32P20T

MOSFET TenchP Power MOSFET

на замовлення 1439 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	641.02 грн
10+	541.27 грн
50+	379.87 грн
100+	357.17 грн
250+	354.5 грн

IXTA32P20T

Description: MOSFET P-CH 200V 32A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14500 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA32P20T-TRL

MOSFET IXTA32P20T TRL

товар відсутній

IXTA32P20T-TRL

Description: MOSFET P-CH 200V 32A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14500 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA32P20T-TRL

Trans MOSFET P-CH 200V 32A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	359.06 грн

Мінімальне замовлення: 800

IXTA340N04T4

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 340A; 480W; TO263; 43ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 340A
Power dissipation: 480W
Case: TO263
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 256nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 43ns

товар відсутній

IXTA340N04T4

MOSFET 40V/340A TrenchT4 Power MOSFET

товар відсутній

IXTA340N04T4

Description: MOSFET N-CH 40V 340A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 256 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V

на замовлення 188 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	382.75 грн
10+	309.4 грн
100+	250.31 грн

IXTA340N04T4

товар відсутній

IXTA340N04T4-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 340A; 480W; TO263-7; 43ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 340A
Power dissipation: 480W
Case: TO263-7
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 256nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 43ns

товар відсутній

IXTA340N04T4-7

MOSFET 40V/340A TrenchT4 Power MOSFET

товар відсутній

IXTA340N04T4-7

Description: MOSFET N-CH 40V 340A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 256 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA340N04T4-7

товар відсутній

IXTA340N04T4-7TRL

IXTA340N04T4-7TRL

товар відсутній

IXTA340N04T4-TRL

Description: MOSFET N-CH TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)

товар відсутній

IXTA34N65X2

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO263; 390ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO263
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 390ns
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IXTA34N65X2

Description: MOSFET N-CH 650V 34A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 96mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA34N65X2

Trans MOSFET N-CH 650V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA34N65X2

товар відсутній

IXTA34N65X2

MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X2 3&44

товар відсутній

IXTA34N65X2-TRL

Description: MOSFET N-CH 650V 34A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 96mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA34N65X2-TRL

MOSFET IXTA34N65X2 TRL

товар відсутній

IXTA34N65X2TRL

Trans MOSFET N-CH 650V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IXTA36N20T

MOSFET 36 Amps 200V 60 Rds

товар відсутній

IXTA36N20T

Description: MOSFET N-CH 200V 36A TO-263

товар відсутній

IXTA36N30P

Trans MOSFET N-CH 300V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 9100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

300+	180.7 грн

Мінімальне замовлення: 300

IXTA36N30P

Trans MOSFET N-CH 300V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA36N30P

Trans MOSFET N-CH 300V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 9100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

300+	224.44 грн
500+	211.46 грн
1000+	175.49 грн
2000+	166.82 грн

Мінімальне замовлення: 300

IXTA36N30P

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 300V; 36A; 300W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 36A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 250ns

на замовлення 254 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	251.64 грн
3+	206.54 грн
5+	176.64 грн
13+	167.6 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA36N30P
Код товару: 52904

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2

товар відсутній

IXTA36N30P

Description: MOSFET N-CH 300V 36A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V

на замовлення 2060 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	329.31 грн
50+	251.47 грн
100+	215.55 грн
500+	179.81 грн
1000+	153.96 грн
2000+	144.97 грн

IXTA36N30P

Trans MOSFET N-CH 300V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 9100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

51+	232.05 грн
2250+	213.06 грн
4500+	199.29 грн
6750+	182.22 грн

Мінімальне замовлення: 51

IXTA36N30P

MOSFET MOSFET N-CH 300V 36A

на замовлення 3838 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	357.51 грн
10+	296.35 грн
50+	223.65 грн
100+	195.61 грн
250+	190.94 грн
500+	180.26 грн
1000+	159.56 грн

IXTA36N30P

на замовлення 254 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	301.97 грн
3+	257.38 грн
5+	211.97 грн
13+	201.12 грн

IXTA36N30P-PDP

Description: MOSFET N-CH TO263
Packaging: Bulk

товар відсутній

IXTA36N30P-TRL

MOSFET IXTA36N30P TRL

товар відсутній

IXTA36N30P-TRL

Trans MOSFET N-CH 300V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IXTA36N30P-TRL

Description: MOSFET N-CH 300V 36A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	196.94 грн

Мінімальне замовлення: 800

IXTA36N30P-TRL

Trans MOSFET N-CH 300V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IXTA36N30PTRL

Trans MOSFET N-CH 300V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IXTA36N30T

Description: MOSFET N-CH 300V 36A TO263

товар відсутній

IXTA36N30T

MOSFET 36 Amps 300V 110 Rds

товар відсутній

IXTA36P15P

IXTA36P15P SMD P channel transistors

на замовлення 76 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	452.05 грн
3+	328.8 грн
9+	311.27 грн

IXTA36P15P

MOSFET -36.0 Amps -150V 0.110 Rds

на замовлення 296 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IXTA36P15P

Trans MOSFET P-CH 150V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 190 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	245.35 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA36P15P

Description: MOSFET P-CH 150V 36A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V

на замовлення 2235 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	441.25 грн
50+	339.44 грн
100+	303.71 грн
500+	251.49 грн
1000+	226.34 грн
2000+	212.09 грн

IXTA36P15P TRL

MOSFET -36.0 Amps -150V 0.110 Rds

на замовлення 745 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	561.57 грн
10+	499.81 грн
25+	414.59 грн
100+	359.84 грн
500+	313.78 грн
800+	266.38 грн
2400+	257.03 грн

IXTA36P15P-TRL

Description: MOSFET P-CH 150V 36A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V

на замовлення 1852 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	441.25 грн
10+	364.41 грн
100+	303.71 грн

IXTA36P15P-TRL

Trans MOSFET P-CH 150V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA36P15P-TRL

Description: MOSFET P-CH 150V 36A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	278.28 грн

Мінімальне замовлення: 800

IXTA36P15P-TRL

Description: LITTELFUSE - IXTA36P15P-TRL - MOSFET, P-CH, 150V, 36A, TO-263AA
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP Series
productTraceability: No
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)

на замовлення 660 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	501.03 грн
10+	429.13 грн
25+	405.92 грн
50+	353.97 грн
100+	306.2 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA380N036T4-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 36V; 380A; 480W; TO263-7; 54ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 36V
Drain current: 380A
Power dissipation: 480W
Case: TO263-7
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 260nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 54ns

товар відсутній

IXTA380N036T4-7

Description: MOSFET N-CH 36V 380A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 36 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13400 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA380N036T4-7

MOSFET Disc MSFT NChTrenchGate-Gen4 TO-263D2

товар відсутній

IXTA380N036T4-7

товар відсутній

IXTA380N036T4-7-TR

Description: MOSFET N-CH 36V 380A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 36 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13400 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA380N036T4-7-TR

MOSFET IXTA380N036T4-7 TRL

товар відсутній

IXTA38N15T

Description: MOSFET N-CH 150V 38A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Supplier Device Package: TO-263AA
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V

товар відсутній

IXTA3N100D2

Description: MOSFET N-CH 1000V 3A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5Ohm @ 1.5A, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA3N100D2

Trans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA3N100D2

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 3A; 125W; TO263; 17ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 125W
Case: TO263
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.02µC
Kind of package: tube
Kind of channel: depleted
Reverse recovery time: 17ns

товар відсутній

IXTA3N100D2

товар відсутній

IXTA3N100D2

MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 1000V 3A

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	413.59 грн
10+	365.45 грн
50+	197.61 грн

IXTA3N100D2

Trans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA3N100D2 TRL

Trans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IXTA3N100D2-TRL

Description: MOSFET N-CH 1000V 3A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 1.5A, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA3N100D2-TRL

MOSFET IXTA3N100D2 TRL

товар відсутній

IXTA3N100D2-TRL

Trans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IXTA3N100D2HV

MOSFET MSFT N-CH DEPL MODE-D2

на замовлення 200 шт:

термін постачання 392-401 дні (днів)

1+	460.32 грн
10+	381.57 грн
50+	313.11 грн
100+	274.39 грн

IXTA3N100D2HV

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 3A; 125W; TO263HV; 17ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 125W
Case: TO263HV
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.02µC
Kind of package: tube
Kind of channel: depleted
Reverse recovery time: 17ns
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IXTA3N100D2HV

Trans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) TO-263HV

товар відсутній

IXTA3N100D2HV

товар відсутній

IXTA3N100D2HV

Description: LITTELFUSE - IXTA3N100D2HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 3 A, 6 ohm, TO-263HV, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125
Bauform - Transistor: TO-263HV
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 6
Rds(on)-Prüfspannung: 0
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

на замовлення 290 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	389.44 грн
10+	350.5 грн
100+	286.84 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA3N100D2HV

Trans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) TO-263HV

товар відсутній

IXTA3N100D2HV

Description: MOSFET N-CH 1000V 3A TO263HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 1.5A, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA3N100D2HV-TRL

Trans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) TO-263HV T/R

товар відсутній

IXTA3N100D2HV-TRL

Description: MOSFET N-CH 1000V 3A TO263HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 1.5A, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA3N100D2HV-TRL

MOSFET IXTA3N100D2HV TRL

товар відсутній

IXTA3N100D2HV-TRL

Trans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) TO-263HV T/R

товар відсутній

IXTA3N100D2TRL

Trans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IXTA3N100P

Trans MOSFET N-CH 1KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA3N100P

MOSFET 3 Amps 1000V 4.8 Rds

товар відсутній

IXTA3N100P

Trans MOSFET N-CH 1KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA3N100P

Trans MOSFET N-CH 1KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 420 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	359.28 грн
10+	320.71 грн
25+	317.54 грн
50+	286.53 грн
100+	228.41 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA3N100P

Trans MOSFET N-CH 1KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA3N100P

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 3A; 125W; TO263; 820ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 125W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 820ns
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IXTA3N100P

Description: MOSFET N-CH 1000V 3A TO-263

на замовлення 600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IXTA3N100P

товар відсутній

IXTA3N100P-TRL

Description: IXTA3N100P TRL

товар відсутній

IXTA3N100P-TRL

MOSFET IXTA3N100P TRL

товар відсутній

IXTA3N110

MOSFET 3 Amps 1100V 4 Rds

товар відсутній

IXTA3N110

Description: MOSFET N-CH 1100V 3A TO-263

товар відсутній

IXTA3N110-TRL

Description: IXTA3N110 TRL

товар відсутній

IXTA3N120

MOSFET 3 Amps 1200V 4.5 Rds

на замовлення 4656 шт:

термін постачання 570-579 дні (днів)

1+	588.83 грн
10+	497.51 грн
50+	392.56 грн

IXTA3N120
Код товару: 190833

товар відсутній

IXTA3N120

Description: MOSFET N-CH 1200V 3A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA3N120

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTA3N120 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 3 A, 4.5 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	564.69 грн
5+	525 грн
10+	484.55 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA3N120

Trans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R/Tube

товар відсутній

IXTA3N120

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3A; 200W; TO263; 700ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 700ns
кількість в упаковці: 300 шт

товар відсутній

IXTA3N120

товар відсутній

IXTA3N120

Trans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R/Tube

товар відсутній

IXTA3N120

Trans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R/Tube

товар відсутній

IXTA3N120

Trans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R/Tube

товар відсутній

IXTA3N120-TRL

High Voltage Power MOSFET

товар відсутній

IXTA3N120-TRL

Description: MOSFET N-CH 1200V 3A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA3N120-TRL

Trans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA3N120-TRL

MOSFET IXTA3N120 TRL

на замовлення 1580 шт:

термін постачання 306-315 дні (днів)

1+	600.52 грн
10+	504.41 грн
25+	432.61 грн
100+	364.52 грн
250+	360.51 грн
500+	318.45 грн

IXTA3N120-TRL

Description: MOSFET N-CH 1200V 3A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA3N120-TRL

Description: LITTELFUSE - IXTA3N120-TRL - MOSFET, N-CH, 1.2KV, 3A, TO-263AA
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: N Channel
Kanaltyp: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 4.5ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm
directShipCharge: 25
SVHC: To Be Advised

на замовлення 714 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	632.09 грн
10+	571.43 грн
25+	537.73 грн
50+	469.42 грн
100+	405.7 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA3N120-TRL

Trans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA3N120-TRR

MOSFET IXTA3N120 TRR

товар відсутній

IXTA3N120-TRR

Description: MOSFET N-CH 1200V 3A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA3N120HV

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3A; 200W; TO263HV; 700ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 200W
Case: TO263HV
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 700ns

товар відсутній

IXTA3N120HV

Description: LITTELFUSE - IXTA3N120HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 3 A, 4.5 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2
Dauer-Drainstrom Id: 3
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200
Bauform - Transistor: TO-263
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 4.5
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

на замовлення 298 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	573.68 грн
5+	546.72 грн
10+	518.26 грн
50+	440.21 грн
100+	367.19 грн
250+	360.13 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA3N120HV

Description: MOSFET N-CH 1200V 3A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V

на замовлення 239 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	519.25 грн
50+	399.54 грн
100+	357.49 грн

IXTA3N120HV

Trans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV

товар відсутній

IXTA3N120HV

Trans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV

товар відсутній

IXTA3N120HV

MOSFET MSFT N-CH STD-HI VOLTAGE

товар відсутній

IXTA3N120HV

товар відсутній

IXTA3N120HV-TRL

Description: MOSFET N-CH 1200V 3A TO263HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA3N120HV-TRL

Trans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV T/R

товар відсутній

IXTA3N120HV-TRL

Trans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV T/R

товар відсутній

IXTA3N120HV-TRL

MOSFET MSFT N-CH STD-HI VOLTAGE

на замовлення 800 шт:

термін постачання 629-638 дні (днів)

1+	570.14 грн
10+	481.38 грн
25+	379.87 грн
100+	349.16 грн
250+	328.47 грн
500+	307.77 грн
800+	283.74 грн

IXTA3N120HVTRL

Trans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV T/R

товар відсутній

IXTA3N150HV

MOSFET MSFT N-CH STD-HI VOLTAGE

на замовлення 336 шт:

термін постачання 473-482 дні (днів)

1+	778.88 грн
10+	766.99 грн

IXTA3N150HV

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 3A; 250W; TO263; 900ns
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 3A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 38.6nC
Kind of channel: enhanced
Mounting: SMD
Case: TO263
Reverse recovery time: 900ns
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 78 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	878.94 грн
2+	606.63 грн
3+	583.33 грн
5+	551.62 грн

IXTA3N150HV

на замовлення 78 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	732.45 грн
2+	486.8 грн
3+	486.11 грн
5+	459.68 грн

IXTA3N150HV

Description: MOSFET N-CH 1500V 3A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1375 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA3N150HV

Trans MOSFET N-CH 1.5KV 3A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV

товар відсутній

IXTA3N150HV-TRL

Trans MOSFET N-CH 1.5KV 3A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV T/R

товар відсутній

IXTA3N150HV-TRL

Description: MOSFET N-CH 1500V 3A TO263HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1375 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA3N150HV-TRL

Trans MOSFET N-CH 1.5KV 3A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV T/R

товар відсутній

IXTA3N150HV-TRL

MOSFET IXTA3N150HV TRL

товар відсутній

IXTA3N150HV-TRL

Trans MOSFET N-CH 1.5KV 3A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV T/R

товар відсутній

IXTA3N50D2

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3A; 125W; TO263; 24ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3A
Power dissipation: 125W
Case: TO263
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.07µC
Kind of package: tube
Kind of channel: depleted
Reverse recovery time: 24ns
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IXTA3N50D2

товар відсутній

IXTA3N50D2

MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 500V 3A

на замовлення 495 шт:

термін постачання 392-401 дні (днів)

1+	359.84 грн
10+	297.89 грн
50+	244.35 грн
100+	208.96 грн
250+	198.28 грн
500+	186.26 грн

IXTA3N50D2

Trans MOSFET N-CH 500V 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA3N50D2

Description: MOSFET N-CH 500V 3A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263AA
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 25 V

на замовлення 135 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	328.59 грн
10+	265.65 грн
100+	214.92 грн

IXTA3N50D2-TRL

Description: MOSFET N-CH 500V 3A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA3N50D2-TRL

MOSFET IXTA3N50D2 TRL

товар відсутній

IXTA3N50P

Description: MOSFET N-CH 500V 3.6A D2PAK

товар відсутній

IXTA3N50P

MOSFET 3.6 Amps 500 V 2 Ohm Rds

на замовлення 107 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IXTA3N50P
Код товару: 131345

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3

товар відсутній

IXTA3N50P

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 3A; 70W; TO263; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3A
Power dissipation: 70W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 400ns
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 10 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

3+	108.74 грн

Мінімальне замовлення: 3

IXTA3N50P

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	90.62 грн

Мінімальне замовлення: 5

IXTA3N60P

Description: MOSFET N-CH 600V 3A TO263

товар відсутній

IXTA3N60P

MOSFET 3 Amps 600V 2.9 Ohms Rds

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IXTA42N15T

MOSFET MSFT N-CH TRENCH GATE -GEN1

на замовлення 184 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	231.33 грн
10+	200.38 грн
50+	147.54 грн
100+	134.19 грн
250+	126.85 грн
500+	119.5 грн
1000+	108.82 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA42N25P

MOSFET 42 Amps 250V 0.084 Rds

товар відсутній

IXTA42N25P

IXTA42N25P SMD N channel transistors

товар відсутній

IXTA42N25P

Description: MOSFET N-CH 250V 42A TO-263

товар відсутній

IXTA42N28P

09+

на замовлення 322 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IXTA44N15T

Description: MOSFET N-CH 150V 44A TO-263

товар відсутній

IXTA44N25T

Description: MOSFET N-CH 250V 44A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V

товар відсутній

IXTA44N25T

MOSFET 44 Amps 250V 72 Rds

товар відсутній

IXTA44N30T

Description: MOSFET N-CH 300V 44A TO263

товар відсутній

IXTA44N30T

MOSFET 44 Amps 300V 85 Rds

товар відсутній

IXTA44P15T

Trans MOSFET P-CH 150V 44A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA44P15T

IXTA44P15T SMD P channel transistors

на замовлення 84 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	427.79 грн
4+	302.93 грн
9+	286.24 грн

IXTA44P15T

Trans MOSFET P-CH 150V 44A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA44P15T

Description: MOSFET P-CH 150V 44A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13400 pF @ 25 V

на замовлення 2769 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	417.42 грн
50+	321.11 грн
100+	287.3 грн
500+	237.9 грн
1000+	214.11 грн
2000+	200.63 грн

IXTA44P15T

Trans MOSFET P-CH 150V 44A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 121 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	232.11 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA44P15T

MOSFET -44 Amps -150V 0.065 Rds

товар відсутній

IXTA44P15T

Trans MOSFET P-CH 150V 44A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA44P15T-TRL

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

товар відсутній

IXTA44P15T-TRL

Description: MOSFET P-CH 150V 44A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13400 pF @ 25 V

на замовлення 23118 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	417.42 грн
10+	344.79 грн
100+	287.3 грн

IXTA44P15T-TRL

MOSFET MOSFET 150 V

на замовлення 3100 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	453.31 грн
10+	401.54 грн
25+	327.8 грн
100+	289.08 грн
250+	283.07 грн
500+	249.02 грн
800+	226.32 грн

IXTA44P15T-TRL

Description: LITTELFUSE - IXTA44P15T-TRL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 44 A, 0.065 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchP Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 804 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	372.96 грн
50+	317.81 грн
100+	266.4 грн
250+	261.27 грн

Мінімальне замовлення: 10

IXTA44P15T-TRL

Trans MOSFET P-CH 150V 44A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA44P15T-TRL

Description: MOSFET P-CH 150V 44A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13400 pF @ 25 V

на замовлення 22400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	263.25 грн
1600+	228.15 грн
2400+	213.79 грн

Мінімальне замовлення: 800

IXTA44P15T-TRL

на замовлення 804 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	435.13 грн
5+	404.42 грн
10+	372.96 грн
50+	317.81 грн
100+	266.4 грн
250+	261.27 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA44P15T-TRL.

Description: LITTELFUSE - IXTA44P15T-TRL. - MOSFET, P-CH, 150V, 44A, TO-263AA
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 298W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchP Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: P Channel
Kanaltyp: P Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.065ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
directShipCharge: 25
SVHC: To Be Advised

на замовлення 302 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	487.55 грн
10+	439.62 грн
25+	414.16 грн
50+	360.93 грн
100+	311.98 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA44P15TTRL

Description: MOSFET P-CH 150V 44A TO-263

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IXTA460P2

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 24A; 480W; TO263; 400ns
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 24A
Case: TO263
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.27Ω
Power dissipation: 480W
Kind of channel: enhanced
Gate charge: 48nC
Reverse recovery time: 400ns
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IXTA460P2

MOSFET PolarP2 Power MOSFET

на замовлення 36 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	398.79 грн
10+	330.13 грн
50+	277.73 грн
100+	228.99 грн
250+	223.65 грн
500+	204.29 грн
1000+	176.25 грн

IXTA460P2

Description: MOSFET N-CH 500V 24A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2890 pF @ 25 V

на замовлення 986 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	413.09 грн
10+	357.1 грн
100+	292.57 грн
500+	233.73 грн

IXTA460P2

товар відсутній

IXTA48N20T

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 48A; 250W; TO263; 130ns
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Power dissipation: 250W
Reverse recovery time: 130ns
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 48A
On-state resistance: 50mΩ
Gate charge: 60nC
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IXTA48N20T

MOSFET 48 Amps 200V 50 Rds

товар відсутній

IXTA48N20T

Description: MOSFET N-CH 200V 48A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3090 pF @ 25 V

на замовлення 1050 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	285.98 грн
10+	231.72 грн
100+	187.48 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA48N20T

товар відсутній

IXTA48P05T

IXTA48P05T SMD P channel transistors

товар відсутній

IXTA48P05T

Trans MOSFET P-CH 50V 48A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA48P05T

MOSFET TenchP Power MOSFET

на замовлення 360 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	317 грн
10+	263.34 грн
50+	215.64 грн
100+	181.59 грн
250+	175.58 грн

IXTA48P05T

Description: MOSFET P-CH 50V 48A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3660 pF @ 25 V

на замовлення 3439 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	291.76 грн
50+	223.08 грн
100+	191.2 грн
500+	159.5 грн
1000+	136.57 грн
2000+	128.6 грн

IXTA48P05T-TRL

Description: MOSFET P-CH 50V 48A TO263

товар відсутній

IXTA4N150HV

Trans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV

товар відсутній

IXTA4N150HV

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 4A; 280W; TO263; 900ns
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 4A
On-state resistance: 6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 280W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 44.5nC
Kind of channel: enhanced
Mounting: SMD
Case: TO263
Reverse recovery time: 900ns

товар відсутній

IXTA4N150HV

Description: MOSFET N-CH 1500V 4A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1576 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA4N150HV

товар відсутній

IXTA4N150HV

Trans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV

товар відсутній

IXTA4N150HV

MOSFET DiscMosfet N-CH Std-HiVoltage TO-263D2

на замовлення 113 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	2015.75 грн
50+	1647.6 грн
100+	1343.24 грн
250+	1293.83 грн
500+	1130.27 грн

IXTA4N150HV-TRL

Trans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV T/R

товар відсутній

IXTA4N150HV-TRL

Description: MOSFET N-CH 1500V 4A TO263HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1576 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA4N150HV-TRL

Trans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV T/R

товар відсутній

IXTA4N150HV-TRL

MOSFET IXTA4N150HV TRL

товар відсутній

IXTA4N150HVTRL

Trans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV T/R

товар відсутній

IXTA4N60P

MOSFET 4.0 Amps 600 V 1.9 Ohm Rds

товар відсутній

IXTA4N60P

Description: MOSFET N-CH 600V 4A TO263

товар відсутній

IXTA4N65X2

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 160ns

на замовлення 12 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	128.07 грн
4+	105.71 грн
9+	94.58 грн

Мінімальне замовлення: 3

IXTA4N65X2

на замовлення 12 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	153.68 грн
3+	131.73 грн
9+	113.49 грн
24+	107.65 грн
50+	105.98 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA4N65X2

Description: MOSFET N-CH 650V 4A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455 pF @ 25 V

на замовлення 35 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	195.71 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA4N65X2

Trans MOSFET N-CH 650V 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA4N65X2

MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X2 3&44

товар відсутній

IXTA4N65X2TRL

IXTA4N65X2TRL

товар відсутній

IXTA4N70X2

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 4A; Idm: 8A; 80W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 80W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 46 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	214.79 грн
3+	187.19 грн
7+	144.37 грн
19+	136.03 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA4N70X2

Description: MOSFET N-CH 700V 4A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 386 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA4N70X2

MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X2 3&44

товар відсутній

IXTA4N70X2

на замовлення 46 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	150.21 грн
7+	120.31 грн
19+	113.36 грн

Мінімальне замовлення: 3

IXTA4N80P

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 800V; 3.6A; Idm: 8A; 100W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 100W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 560ns

товар відсутній

IXTA4N80P

товар відсутній

IXTA4N80P

Description: MOSFET N-CH 800V 3.6A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA4N80P

Trans MOSFET N-CH 800V 3.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA4N80P

MOSFET 3.5 Amps 800V 3 Rds

товар відсутній

IXTA4N80P-TRL

Description: MOSFET N-CH 800V 3.6A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA4N80P-TRL

MOSFET IXTA4N80P TRL

товар відсутній

IXTA50N20P

MOSFET 50 Amps 200V 0.06 Rds

на замовлення 158 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	357.51 грн
10+	296.35 грн
50+	249.02 грн
100+	208.3 грн
250+	201.62 грн
500+	199.62 грн

IXTA50N20P

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 50A; 360W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 50A
Power dissipation: 360W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 150ns
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IXTA50N20P

Trans MOSFET N-CH 200V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA50N20P

Description: MOSFET N-CH 200V 50A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2720 pF @ 25 V

на замовлення 1550 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	329.31 грн
10+	266.42 грн
100+	215.55 грн
500+	179.81 грн
1000+	153.96 грн

IXTA50N20P

товар відсутній

IXTA50N20P-TRL

Trans MOSFET N-CH 200V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IXTA50N20P-TRL

Description: MOSFET N-CH 200V 50A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2720 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA50N20P-TRL

Trans MOSFET N-CH 200V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IXTA50N20P-TRL

MOSFET IXTA50N20P TRL

товар відсутній

IXTA50N25T

Description: MOSFET N-CH 250V 50A TO263

товар відсутній

IXTA50N25T

Trans MOSFET N-CH 250V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA50N25T

MOSFET 50 Amps 250V 50 Rds

на замовлення 258 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	395.67 грн
10+	327.83 грн
50+	268.38 грн
100+	234.33 грн

IXTA50N25T

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 50A; 400W; TO263; 166ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 50A
Power dissipation: 400W
Case: TO263
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 166ns

товар відсутній

IXTA50N25T

товар відсутній

IXTA50N25T-TRL

Description: MOSFET N-CH 250V 50A TO263

товар відсутній

IXTA50N25T-TRL

MOSFET IXTA50N25T TRL

товар відсутній

IXTA52P10P

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -52A; 300W; TO263
Kind of package: tube
Gate charge: 60nC
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: TO263
Reverse recovery time: 120ns
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -52A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar

на замовлення 308 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	418.65 грн
3+	349.8 грн
4+	269.13 грн
9+	254.53 грн

IXTA52P10P

Description: MOSFET P-CH 100V 52A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 52A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2845 pF @ 25 V

на замовлення 1815 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	447.75 грн
50+	344.17 грн
100+	307.95 грн
500+	255 грн
1000+	229.5 грн

IXTA52P10P

на замовлення 308 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	502.38 грн
3+	435.91 грн
4+	322.96 грн
9+	305.43 грн

IXTA52P10P

Trans MOSFET P-CH 100V 52A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA52P10P

MOSFET -52.0 Amps -100V 0.050 Rds

на замовлення 245 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	479.79 грн
10+	423.03 грн
50+	353.17 грн
100+	304.43 грн
250+	289.74 грн
500+	267.71 грн
1000+	263.04 грн

IXTA52P10P

Description: LITTELFUSE - IXTA52P10P - MOSFET, P-CH, 100V, 52A, TO-263AA
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - Unlimited
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)

на замовлення 291 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	501.03 грн
25+	429.13 грн
100+	357.24 грн
250+	312.94 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA52P10P

Trans MOSFET P-CH 100V 52A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IXTA52P10P-TRL

MOSFET IXTA52P10P TRL

на замовлення 800 шт:

термін постачання 322-331 дні (днів)

1+	479.79 грн
10+	404.61 грн
25+	319.12 грн
100+	293.08 грн
250+	276.39 грн
500+	259.03 грн
800+	239.01 грн

IXTA52P10P-TRL

Description: MOSFET P-CH 100V 52A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2845 pF @ 25 V

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	278.28 грн
1600+	241.18 грн

Мінімальне замовлення: 800

IXTA52P10P-TRL

Description: MOSFET P-CH 100V 52A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2845 pF @ 25 V

на замовлення 2171 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	441.25 грн
10+	364.41 грн
100+	303.71 грн

IXTA52P10P-TRL

Trans MOSFET P-CH 100V 52A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IXTA54N30T

Description: MOSFET N-CH 300V 54A TO-263

товар відсутній

IXTA54N30T

MOSFET 54 Amps 300V 72 Rds

товар відсутній

IXTA56N15T

Trans MOSFET N-CH 150V 56A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA

товар відсутній

IXTA56N15T

Description: MOSFET N-CH 150V 56A TO263

на замовлення 700 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

300+	191.56 грн

Мінімальне замовлення: 300

IXTA5N50P

Description: MOSFET N-CH 500V 4.8A TO263

товар відсутній

IXTA5N50P

MOSFET 4.8 Amps 500V 1.4 Ohms Rds

товар відсутній

IXTA5N60P

Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA5N60P

Description: MOSFET N-CH 600V 5A TO263

товар відсутній

IXTA5N60P

MOSFET 5.0 Amps 600 V 1.6 Ohm Rds

товар відсутній

IXTA60N10T
Код товару: 148376

товар відсутній

IXTA60N10T

Description: MOSFET N-CH 100V 60A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V

на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	183.43 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA60N10T

MOSFET 60 Amps 100V 18.0 Rds

на замовлення 60 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	199.39 грн
10+	163.53 грн
100+	110.82 грн
250+	98.81 грн
500+	90.8 грн
1000+	86.12 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA60N10T

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 176W; TO263; 59ns
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Case: TO263
Drain current: 60A
On-state resistance: 18mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 176W
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 49nC
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 59ns
Drain-source voltage: 100V

товар відсутній

IXTA60N10T

Trans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA60N10T

товар відсутній

IXTA60N10T-TRL

Description: MOSFET N-CH 100V 60A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V

на замовлення 5600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	102.59 грн
1600+	83.82 грн
2400+	79.63 грн
5600+	71.92 грн

Мінімальне замовлення: 800

IXTA60N10T-TRL

MOSFET IXTA60N10T TRL

на замовлення 780 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	199.39 грн
10+	163.53 грн
100+	112.83 грн
250+	108.82 грн
500+	94.8 грн
800+	82.12 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA60N10T-TRL

Trans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IXTA60N10T-TRL

Description: MOSFET N-CH 100V 60A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V

на замовлення 6399 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	183.43 грн
10+	146.67 грн
100+	116.74 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA60N10TTRL

Trans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IXTA60N20T

Description: MOSFET N-CH 200V 60A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4530 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA60N20T

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 500W; TO263; 118ns
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Case: TO263
Drain current: 60A
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 500W
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 73nC
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 118ns
Drain-source voltage: 200V

на замовлення 14 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	310.8 грн
3+	259.4 грн
4+	206.54 грн
11+	194.72 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA60N20T

Trans MOSFET N-CH 200V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA60N20T

на замовлення 14 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	372.96 грн
3+	323.25 грн
4+	247.85 грн
11+	233.66 грн

IXTA60N20T

MOSFET 60 Amps 200V

товар відсутній

IXTA60N20T
Код товару: 108659

товар відсутній

IXTA60N20T-TRL

MOSFET IXTA60N20T TRL

товар відсутній

IXTA60N20T-TRL

Description: MOSFET N-CH 200V 60A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4530 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA60N20X4

Description: MOSFET ULTRA X4 200V 60A TO-263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (IXTA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 25 V

на замовлення 1667 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	739.51 грн
50+	568.43 грн
100+	508.59 грн
500+	421.14 грн
1000+	379.03 грн

IXTA60N20X4

MOSFET 200V, 60A current capacity, Ultra junction X4, TO-263 package, MOSFET

на замовлення 947 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	803.03 грн
10+	697.89 грн
50+	515.4 грн
100+	491.36 грн
250+	462.66 грн
500+	433.28 грн
1000+	389.89 грн

IXTA62N15P

Description: MOSFET N-CH 150V 62A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V

на замовлення 272 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	329.31 грн
50+	251.47 грн
100+	215.55 грн

IXTA62N15P

Trans MOSFET N-CH 150V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA62N15P

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 150V; 62A; 350W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 62A
Power dissipation: 350W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 150ns
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IXTA62N15P

Description: LITTELFUSE - IXTA62N15P - MOSFET, N-CH, 150V, 62A, TO-263
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 62
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 350
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PolarHT Series
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.033
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 5.5
SVHC: To Be Advised

товар відсутній

IXTA62N15P

Trans MOSFET N-CH 150V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	327.96 грн
10+	293.64 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA62N15P

MOSFET 62 Amps 150V 0.04 Rds

на замовлення 323 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	357.51 грн
10+	331.67 грн
50+	218.31 грн
100+	194.94 грн

IXTA62N15P

Trans MOSFET N-CH 150V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA62N15P

товар відсутній

IXTA62N15P-TRL

MOSFET IXTA62N15P TRL

товар відсутній

IXTA62N15P-TRL

Description: MOSFET N-CH 150V 62A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	198.97 грн

Мінімальне замовлення: 800

IXTA62N15P-TRL

Trans MOSFET N-CH 150V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IXTA62N25T

Description: MOSFET N-CH 250V 62A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Supplier Device Package: TO-263AA
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V

товар відсутній

IXTA62N25T

MOSFET 62 Amps 250V 50 Rds

товар відсутній

IXTA64N10L2

Trans MOSFET N-CH 100V 64A 3-Pin(2+Tab) TO-263

товар відсутній

IXTA64N10L2

MOSFET MSFT N-CH LINEAR L2

на замовлення 963 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	954.91 грн
10+	848.37 грн
25+	706.33 грн
50+	680.97 грн
100+	637.57 грн
250+	625.55 грн
500+	586.16 грн

IXTA64N10L2

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 64A; 357W; TO263; 180ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 64A
Power dissipation: 357W
Case: TO263
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 180ns

товар відсутній

IXTA64N10L2

товар відсутній

IXTA64N10L2

Description: MOSFET N-CH 100V 64A TO263AA

товар відсутній

IXTA64N10L2

Description: LITTELFUSE - IXTA64N10L2 - MOSFET, N-CH, 100V, 64A, TO-263
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 64
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 357
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 357
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: LinearL2 Series
Wandlerpolarität: N Channel
Kanaltyp: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032
SVHC: To Be Advised

товар відсутній

IXTA64N10L2-TRL

Description: MOSFET N-CH 100V 64A TO263

товар відсутній

IXTA64N10L2-TRL

MOSFET IXTA64N10L2 TRL

товар відсутній

IXTA6N100D2

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 6A; 300W; TO263; 41ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 6A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: depleted
Reverse recovery time: 41ns

товар відсутній

IXTA6N100D2

товар відсутній

IXTA6N100D2

MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 1000V 6A

на замовлення 1050 шт:

термін постачання 462-471 дні (днів)

1+	598.96 грн
10+	534.36 грн
50+	442.63 грн
100+	383.88 грн

IXTA6N100D2

Trans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA6N100D2

Trans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA6N100D2

Description: MOSFET N-CH 1000V 6A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 3A, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V

на замовлення 159 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	616.02 грн
10+	508.78 грн
100+	424.02 грн

IXTA6N100D2-TRL

MOSFET IXTA6N100D2 TRL

товар відсутній

IXTA6N100D2-TRL

Trans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IXTA6N100D2-TRL

Description: MOSFET N-CH 1000V 6A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 3A, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA6N100D2HV

Description: MOSFET N-CH 1000V 6A TO263HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 3A, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 10 V

товар відсутній

IXTA6N100D2HV

High Voltage MOSFET

товар відсутній

IXTA6N100D2HV

MOSFET MSFT N-CH DEPL MODE-D2

на замовлення 295 шт:

термін постачання 573-582 дні (днів)

1+	1086.54 грн
10+	825.34 грн
500+	703.66 грн
1000+	687.64 грн

IXTA6N100D2TRL

Trans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IXTA6N50D2

Trans MOSFET N-CH 500V 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA6N50D2

MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 500V 6A

на замовлення 26 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	691.65 грн
10+	667.95 грн
50+	464.66 грн

IXTA6N50D2

Description: LITTELFUSE - IXTA6N50D2 - MOSFET, N-CH, 500V, 6A, TO-263AA
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)

на замовлення 1217 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	715.97 грн
25+	613.37 грн
100+	510.77 грн
250+	447.86 грн
500+	387.09 грн
1000+	347.93 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA6N50D2

Trans MOSFET N-CH 500V 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA6N50D2

Trans MOSFET N-CH 500V 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA6N50D2

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6A; 300W; TO263; 64ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: depleted
Reverse recovery time: 64ns

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	615.62 грн
2+	409.61 грн
6+	387.35 грн

IXTA6N50D2

Description: MOSFET N-CH 500V 6A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3A, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263AA
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V

на замовлення 1140 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	623.96 грн
50+	479.99 грн
100+	429.46 грн
500+	355.61 грн
1000+	320.05 грн

IXTA6N50D2

на замовлення 300 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	738.74 грн
2+	510.44 грн
6+	464.83 грн

IXTA6N50D2 TRL

Trans MOSFET N-CH 500V 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	213.47 грн

Мінімальне замовлення: 800

IXTA6N50D2(IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 6A D2PAK )
Код товару: 84036

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3

товар відсутній

IXTA6N50D2-TRL

Description: MOSFET N-CH 500V 6A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3A, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V

на замовлення 1144 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	623.96 грн
10+	515.31 грн
100+	429.46 грн

IXTA6N50D2-TRL

MOSFET MSFT N-CH DEPL MODE-D2

на замовлення 800 шт:

термін постачання 456-465 дні (днів)

1+	677.63 грн
10+	573.51 грн
25+	472.67 грн
100+	415.26 грн
250+	401.9 грн
500+	367.19 грн
800+	351.16 грн

IXTA6N50D2-TRL

Trans MOSFET N-CH 500V 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IXTA6N50D2-TRL

Description: MOSFET N-CH 500V 6A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3A, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	393.51 грн

Мінімальне замовлення: 800

IXTA6N50P

MOSFET 6 Amps 500V 1.1 Ohms Rds

на замовлення 276 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IXTA6N50P

Description: MOSFET N-CH 500V 6A D2-PAK

товар відсутній

IXTA70N075T2

MOSFET 70 Amps 75V 0.0120 Rds

товар відсутній

IXTA70N075T2

Description: MOSFET N-CH 75V 70A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2725 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA70N075T2

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 70A; 150W; TO263; 48ns
Mounting: SMD
Case: TO263
On-state resistance: 12mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Reverse recovery time: 48ns
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 46nC
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 70A

товар відсутній

IXTA70N075T2

товар відсутній

IXTA70N075T2-TRL

MOSFET IXTA70N075T2 TRL

товар відсутній

IXTA70N075T2-TRL

Description: MOSFET N-CH 75V 70A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2725 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA70N075T2TRL

Trans MOSFET N-CH 75V 70A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IXTA70N085T

Description: MOSFET N-CH 85V 70A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2570 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA72N20T

MOSFET 72 Amps 200V 33 Rds

товар відсутній

IXTA72N20T

Description: MOSFET N-CH 200V 72A TO-263

товар відсутній

IXTA74N15T

Description: MOSFET N-CH 150V 74A TO-263

товар відсутній

IXTA75N10P

Description: MOSFET N-CH 100V 75A TO263

на замовлення 205 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IXTA75N10P

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 75A; 360W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 75A
Power dissipation: 360W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 74nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 120ns
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IXTA75N10P

MOSFET 75 Amps 100V 0.025 Rds

на замовлення 7 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	393.34 грн
10+	348.56 грн
50+	286.41 грн
100+	247.68 грн
500+	211.63 грн

IXTA75N10P

Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA75N10P

товар відсутній

IXTA75N10P-TRL

MOSFET IXTA75N10P TRL

товар відсутній

IXTA75N10P-TRL

Description: MOSFET N-CH 100V 75A TO263

товар відсутній

IXTA76N075T

Description: MOSFET N-CH 75V 76A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2580 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA76N25T

MOSFET 76 Amps 250V 39 Rds

товар відсутній

IXTA76N25T

Trans MOSFET N-CH 250V 76A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA76N25T

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 76A; 460W; TO263; 148ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 76A
Power dissipation: 460W
Case: TO263
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 148ns

товар відсутній

IXTA76N25T

товар відсутній

IXTA76N25T

Description: MOSFET N-CH 250V 76A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V

на замовлення 3033 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	414.53 грн
10+	335.13 грн
100+	271.16 грн
500+	226.19 грн
1000+	193.68 грн
2000+	182.37 грн

IXTA76N25T-TRL

Description: MOSFET N-CH 250V 76A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	250.29 грн

Мінімальне замовлення: 800

IXTA76N25T-TRL

MOSFET IXTA76N25T TRL

товар відсутній

IXTA76P10T
Код товару: 198462

Транзистори > Польові P-канальні

товар відсутній

IXTA76P10T

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -76A; 298W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -76A
Power dissipation: 298W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 197nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 70ns

на замовлення 24 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	376.71 грн
3+	314.33 грн
4+	251.05 грн
9+	237.14 грн

IXTA76P10T

Description: MOSFET P-CH 100V 76A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13700 pF @ 25 V

на замовлення 3480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	417.42 грн
50+	321.11 грн
100+	287.3 грн
500+	237.9 грн
1000+	214.11 грн
2000+	200.63 грн

IXTA76P10T

Trans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA

товар відсутній

IXTA76P10T

Trans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA

на замовлення 3500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	481.93 грн
28+	420 грн
50+	373.1 грн
100+	276.09 грн
1000+	228.07 грн

Мінімальне замовлення: 25

IXTA76P10T

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTA76P10T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 76 A, 0.025 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm

на замовлення 1523 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	419.4 грн
5+	389.44 грн
10+	359.48 грн
50+	305.99 грн
100+	256.77 грн
250+	251.64 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA76P10T

MOSFET -76 Amps -100V 0.024 Rds

на замовлення 2264 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	453.31 грн
10+	416.12 грн
50+	302.43 грн
100+	277.73 грн
250+	265.71 грн
500+	260.37 грн

IXTA76P10T

на замовлення 24 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	452.05 грн
3+	391.71 грн
4+	301.26 грн
9+	284.57 грн

IXTA76P10T

Trans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA

на замовлення 20 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IXTA76P10T

Trans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA

на замовлення 3500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	447.51 грн
10+	394.27 грн
25+	390 грн
50+	346.45 грн
100+	256.37 грн
1000+	211.78 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA76P10T-TRL

Trans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA

на замовлення 636 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	371.31 грн
10+	332.41 грн
25+	312.34 грн
100+	277.51 грн
250+	249.52 грн
500+	217.12 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA76P10T-TRL

Description: MOSFET P-CH 100V 76A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13700 pF @ 25 V

на замовлення 2925 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	417.42 грн
10+	344.79 грн
100+	287.3 грн

IXTA76P10T-TRL

Trans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA

на замовлення 636 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

30+	399.87 грн
33+	357.98 грн
35+	336.37 грн
100+	298.86 грн
250+	268.71 грн
500+	233.82 грн

Мінімальне замовлення: 30

IXTA76P10T-TRL

Trans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA

на замовлення 6400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	240.56 грн
4000+	238.17 грн

Мінімальне замовлення: 800

IXTA76P10T-TRL

Description: MOSFET P-CH 100V 76A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13700 pF @ 25 V

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	263.25 грн
1600+	228.15 грн
2400+	213.79 грн

Мінімальне замовлення: 800

IXTA76P10T-TRL

Trans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA

товар відсутній

IXTA76P10T-TRL

MOSFET -76 Amps -100V 0.024 Rds

товар відсутній

IXTA76P10T-TRL

Trans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA

на замовлення 6400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	259.06 грн
4000+	256.49 грн

Мінімальне замовлення: 800

IXTA7N60P

Description: MOSFET N-CH 600V 7A D2-PAK

на замовлення 43 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IXTA80N075L2

Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube

товар відсутній

IXTA80N075L2

Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA80N075L2

MOSFET MOSFET N CHANNEL

на замовлення 3777 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	968.93 грн
10+	842.23 грн
25+	724.36 грн
50+	696.99 грн
100+	633.56 грн
500+	631.56 грн

IXTA80N075L2

Description: MOSFET N-CH 75V 80A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V

на замовлення 839 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	883.95 грн
50+	688.98 грн
100+	648.45 грн
500+	551.49 грн

IXTA80N075L2

Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube

товар відсутній

IXTA80N075L2

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 357W; TO263; 160ns
Mounting: SMD
On-state resistance: 24mΩ
Reverse recovery time: 160ns
Power dissipation: 357W
Gate charge: 103nC
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Drain current: 80A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 75V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO263

на замовлення 290 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	966.11 грн
2+	623.11 грн
4+	589.03 грн

IXTA80N075L2

Description: LITTELFUSE - IXTA80N075L2 - MOSFET, N-CH, 75V, 80A, TO-263AA
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - Unlimited
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: LinearL2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)

на замовлення 271 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1013.3 грн
5+	953.38 грн
10+	891.97 грн
25+	773.32 грн
100+	662.48 грн

IXTA80N075L2

на замовлення 290 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	1159.34 грн
2+	776.49 грн
4+	706.84 грн

IXTA80N075L2-TRL

MOSFET IXTA80N075L2 TRL

товар відсутній

IXTA80N075L2-TRL

Description: MOSFET N-CH 75V 80A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA80N075L2-TRL

Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IXTA80N10T

Trans MOSFET N-CH 100V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA80N10T

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 230W; TO263; 100ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 230W
Case: TO263
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 100ns

товар відсутній

IXTA80N10T

Trans MOSFET N-CH 100V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA80N10T

Trans MOSFET N-CH 100V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA80N10T

товар відсутній

IXTA80N10T

MOSFET 80 Amps 100V 13.0 Rds

товар відсутній

IXTA80N10T

Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3040 pF @ 25 V

на замовлення 4030 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	247.71 грн
50+	188.61 грн
100+	161.67 грн
500+	134.86 грн
1000+	115.48 грн
2000+	108.73 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA80N10T

Trans MOSFET N-CH 100V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA80N10T-TRL

MOSFET IXTA80N10T TRL

товар відсутній

IXTA80N10T-TRL

Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3040 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA80N10T7

Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO263-7

товар відсутній

IXTA80N12T2

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 80A; 325W; TO263; 90ns
Mounting: SMD
On-state resistance: 17mΩ
Reverse recovery time: 90ns
Power dissipation: 325W
Gate charge: 80nC
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Drain current: 80A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 120V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO263
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IXTA80N12T2

Description: MOSFET N-CH 120V 80A TO263

товар відсутній

IXTA80N12T2

MOSFET TrenchT2 MOSFETs Power MOSFETs

товар відсутній

IXTA80N12T2

товар відсутній

IXTA86N20T

Description: MOSFET N-CH 200V 86A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V

на замовлення 1048 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	466.53 грн
10+	403.63 грн
100+	330.71 грн
500+	264.21 грн
1000+	222.82 грн

IXTA86N20T

Trans MOSFET N-CH 200V 86A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA86N20T

MOSFET 86 Amps 200V 29 Rds

товар відсутній

IXTA86N20T

Trans MOSFET N-CH 200V 86A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA86N20T

IXTA86N20T SMD N channel transistors

товар відсутній

IXTA86N20T-TRL

Description: MOSFET N-CH 200V 86A TO263

товар відсутній

IXTA86N20T-TRL

MOSFET IXTA86N20T TRL

товар відсутній

IXTA86N20X4

Description: MOSFET 200V 86A N-CH ULTRA TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V

на замовлення 4649 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	758.29 грн
50+	590.99 грн
100+	556.23 грн
500+	473.07 грн
1000+	433.92 грн

IXTA86N20X4

Discrete MOSFET 86A 200V X4 TO263

товар відсутній

IXTA86N20X4

MOSFET MSFT 86A 200V X4

на замовлення 2413 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	823.28 грн
10+	715.55 грн
25+	605.52 грн
50+	571.48 грн
100+	560.79 грн

IXTA86N20X4

Discrete MOSFET 86A 200V X4 TO263

товар відсутній

IXTA86N20X4-TRL

Littelfuse Discrete MOSFET 86A 200V X4 TO263

товар відсутній

IXTA86N20X4-TRL

IXTA86N20X4-TRL

товар відсутній

IXTA88N085T

Description: MOSFET N-CH 85V 88A TO-263

товар відсутній

IXTA88N085T

Trans MOSFET N-CH 85V 88A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA88N085T7

Description: MOSFET N-CH 85V 88A TO-263-7

товар відсутній

IXTA8N50P

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 500V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 400ns

товар відсутній

IXTA8N50P
Код товару: 99415

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3

товар відсутній

IXTA8N50P

MOSFET 8 Amps 500V 0.8 Ohm Rds

товар відсутній

IXTA8N50P

Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA8N50P

Description: MOSFET N-CH 500V 8A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA8N65X2

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 200ns

на замовлення 56 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	127.26 грн
8+	114.75 грн
10+	114.05 грн
20+	108.49 грн
50+	106.4 грн

Мінімальне замовлення: 3

IXTA8N65X2

на замовлення 56 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	185.13 грн
3+	158.59 грн
8+	137.7 грн
10+	136.86 грн
20+	130.18 грн
50+	127.68 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA8N65X2

MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X2 3&44

на замовлення 247 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	231.33 грн
10+	208.06 грн
50+	156.22 грн
100+	137.53 грн
250+	130.85 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA8N65X2

Trans MOSFET N-CH 650V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA

товар відсутній

IXTA8N65X2

Description: MOSFET N-CH 650V 8A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V

на замовлення 2230 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	213.04 грн
50+	162.23 грн
100+	139.05 грн
500+	116 грн
1000+	99.32 грн
2000+	93.52 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA8N65X2TRL

IXTA8N65X2TRL

товар відсутній

IXTA8N70X2

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 8A; 150W; TO263; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 200ns

товар відсутній

IXTA8N70X2

товар відсутній

IXTA8N70X2

MOSFET 700V/8A Ultra Junct X2-Class MOSFET

товар відсутній

IXTA8N70X2TRL

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

товар відсутній

IXTA8PN50P

Description: MOSFET N-CH 500V 8A D2-PAK

товар відсутній

IXTA90N055T

Description: MOSFET N-CH 55V 90A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA90N055T2

Trans MOSFET N-CH 55V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA90N055T2

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 90A; 150W; TO263; 37ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 90A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
On-state resistance: 8.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 37ns

товар відсутній

IXTA90N055T2

Description: MOSFET N-CH 55V 90A TO-263

товар відсутній

IXTA90N055T2

товар відсутній

IXTA90N055T2

MOSFET 90 Amps 55V 0.0084 Rds

на замовлення 45 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	211.86 грн
10+	174.28 грн
100+	119.5 грн
250+	115.5 грн
500+	108.15 грн
1000+	106.15 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA90N075T2

MOSFET 90 Amps 75V 0.01 Rds

на замовлення 19 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	239.9 грн
10+	217.27 грн
50+	139.53 грн
100+	134.86 грн
500+	122.84 грн
1000+	107.49 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA90N075T2

Description: MOSFET N-CH 75V 90A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V

на замовлення 4106 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	218.82 грн
10+	176.64 грн
100+	142.95 грн
500+	119.24 грн
1000+	102.1 грн
2000+	96.14 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA90N075T2-TRL

Description: MOSFET N-CH 75V 90A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA90N075T2-TRL

MOSFET IXTA90N075T2 TRL

товар відсутній

IXTA90N075T2TRL

Trans MOSFET N-CH 75V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IXTA90N15T

Description: MOSFET N-CH 150V 90A TO-263

товар відсутній

IXTA90N20X3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 90A; Idm: 220A; 390W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 220A
Power dissipation: 390W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 124ns
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IXTA90N20X3

MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3 3&44

товар відсутній

IXTA90N20X3

Power MOSFET

товар відсутній

IXTA90N20X3

Description: MOSFET N-CH 200V 90A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5420 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTA90N20X3

товар відсутній

IXTA90N20X3

Trans MOSFET N-CH 200V 90A 3-Pin(2+Tab) TO-263 Tube

товар відсутній

IXTA94N20X4

Description: MOSFET 200V 94A N-CH ULTRA TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 94A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5050 pF @ 25 V

на замовлення 1152 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	577.74 грн
50+	466.11 грн

IXTA94N20X4

Discrete MOSFET 94A 200V X4 TO263

товар відсутній

IXTA94N20X4

MOSFET MSFT 94A 200V X4

на замовлення 858 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	892.6 грн
10+	774.66 грн
100+	582.16 грн
500+	548.78 грн

IXTA96P085T

Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 60 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	232.11 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA96P085T

Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 270 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

26+	461.42 грн
27+	441.59 грн
50+	424.77 грн
100+	395.7 грн
250+	355.27 грн

Мінімальне замовлення: 26

IXTA96P085T

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTA96P085T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 85 V, 96 A, 0.013 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 85V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 96A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm

на замовлення 85 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	419.4 грн
5+	389.44 грн
10+	359.48 грн
50+	305.99 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA96P085T

Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 260 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	457.49 грн
10+	393.63 грн
25+	390.74 грн
50+	352.68 грн
100+	282.31 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA96P085T

Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 603 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	447.51 грн
10+	385.07 грн
25+	382.32 грн
50+	345.12 грн
100+	276.23 грн
500+	206.19 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA96P085T

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -85V; -96A; 298W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -85V
Drain current: -96A
Power dissipation: 298W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 55ns

на замовлення 289 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	396.18 грн
3+	317.12 грн
4+	253.14 грн
9+	239.23 грн

IXTA96P085T

MOSFET -96 Amps -85V 0.013 Rds

на замовлення 9254 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	454.09 грн
10+	433.78 грн
50+	320.45 грн
100+	277.73 грн
500+	261.04 грн

IXTA96P085T

Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 603 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	481.93 грн
29+	411.73 грн
50+	371.67 грн
100+	297.48 грн
500+	222.06 грн

Мінімальне замовлення: 25

IXTA96P085T

на замовлення 289 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	475.42 грн
3+	395.18 грн
4+	303.76 грн
9+	287.07 грн

IXTA96P085T

Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 260 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

26+	456.86 грн
30+	390.2 грн
50+	352.2 грн
100+	281.93 грн

Мінімальне замовлення: 26

IXTA96P085T

Description: MOSFET P-CH 85V 96A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 48A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13100 pF @ 25 V

на замовлення 181 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	417.42 грн
50+	321.11 грн
100+	287.3 грн

IXTA96P085T

Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA96P085T TRL

Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

31+	387.62 грн
35+	342.77 грн
45+	260.62 грн

Мінімальне замовлення: 31

IXTA96P085T TRL

Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	359.93 грн
10+	318.28 грн
25+	242.01 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA96P085T TRL

Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA96P085T-TRL

Description: MOSFET P-CH 85V 96A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 48A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13100 pF @ 25 V

на замовлення 5609 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	417.42 грн
10+	344.79 грн
100+	287.3 грн

IXTA96P085T-TRL

MOSFET IXTA96P085T TRL

на замовлення 3483 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	412.03 грн
10+	353.17 грн
25+	295.08 грн
100+	261.04 грн
250+	253.69 грн
500+	232.33 грн
800+	219.64 грн

IXTA96P085T-TRL

Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 700 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

34+	350.49 грн
37+	318.12 грн
38+	315 грн
100+	271.93 грн
250+	249.21 грн
500+	223.39 грн

Мінімальне замовлення: 34

IXTA96P085T-TRL

Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA96P085T-TRL

Description: LITTELFUSE - IXTA96P085T-TRL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 85 V, 96 A, 0.013 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 85V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 96A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe TrenchP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

на замовлення 2039 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	419.4 грн
5+	389.44 грн
10+	359.48 грн
50+	305.99 грн
100+	256.77 грн
250+	251.64 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA96P085T-TRL

Description: MOSFET P-CH 85V 96A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 48A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13100 pF @ 25 V

на замовлення 4800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	263.25 грн
1600+	228.15 грн
2400+	213.79 грн

Мінімальне замовлення: 800

IXTA96P085T-TRL

Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA96P085T-TRL

Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IXTA96P085T-TRL

Description: LITTELFUSE - IXTA96P085T-TRL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 85 V, 96 A, 0.013 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 85V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 96A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 298W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe TrenchP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.013ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

на замовлення 2039 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	359.48 грн
50+	305.99 грн
100+	256.77 грн
250+	251.64 грн

Мінімальне замовлення: 10

IXTA96P085T-TRL

Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 700 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	325.45 грн
10+	295.39 грн
25+	292.5 грн
100+	252.5 грн
250+	231.41 грн
500+	207.44 грн

Мінімальне замовлення: 2

IXTA98N075T

Description: MOSFET N-CH 75V 98A TO-263

товар відсутній

IXTA98N075T7

Description: MOSFET N-CH 75V 98A TO-263-7

товар відсутній

IXTB1909

Description: POWER MOSFET 500V 100AMP

на замовлення 19470 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1682.67 грн
10+	1494.76 грн
100+	1276.39 грн
500+	1087.52 грн

IXTB30N100L

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 30A; 800W; PLUS264™; 1us
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Case: PLUS264™
Gate charge: 545nC
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 1µs
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 30A
On-state resistance: 0.45Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 800W
Features of semiconductor devices: linear power mosfet

товар відсутній

IXTB30N100L

товар відсутній

IXTB30N100L

Description: MOSFET N-CH 1000V 30A PLUS264

товар відсутній

IXTB30N100L

MOSFET 30 Amps 1000V

товар відсутній

IXTB30N100L

Trans MOSFET N-CH 1KV 30A 3-Pin PLUS 264

товар відсутній

IXTB62N50L

Description: MOSFET N-CH 500V 62A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 31A, 20V
Power Dissipation (Max): 800W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PLUS264™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 550 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11500 pF @ 25 V

на замовлення 25 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	4002.31 грн
10+	3620.76 грн

IXTB62N50L

MOSFET 62 Amps 500V 0.1 Rds

на замовлення 48 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	4544.77 грн
10+	4207.3 грн
25+	3540.35 грн

IXTB62N50L

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 62A; 800W; PLUS264™; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 62A
Power dissipation: 800W
Case: PLUS264™
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 550nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 0.5µs

на замовлення 11 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	3344.7 грн

IXTB62N50L

на замовлення 11 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	4013.64 грн
25+	3803.56 грн

IXTC102N20T

Description: MOSFET N-CH 200V ISOPLUS220

товар відсутній

IXTC102N25T

Description: MOSFET N-CH 250V ISOPLUS220

товар відсутній

IXTC1088

на замовлення 2928 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IXTC1088/6E/2C

на замовлення 135 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IXTC110N25T

Description: MOSFET N-CH 250V 50A ISOPLUS220

товар відсутній

IXTC130N15T

Description: MOSFET N-CH 150V ISOPLUS220

товар відсутній

IXTC13N50

Description: MOSFET N-CH 500V 12A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25

товар відсутній

IXTC160N085T

Description: MOSFET N-CH 85V 110A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V

товар відсутній

IXTC160N10T

Description: MOSFET N-CH 100V 83A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V

товар відсутній

IXTC180N055T