Продукція > LSI
Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
LSI-L5A9898 | на замовлення 250 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
LSI00197 | LSI | 4-Port Internal 6Gb/s SAS/SATA PCIe 2.0 512MB 3.3V/12V | товар відсутній | |||||||||||||||
LSI010616-001Q | на замовлення 8 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
LSI0664C | на замовлення 3325 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
LSI0724 | на замовлення 65 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
LSI100B | PLCC | на замовлення 93 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
LSI100C | ICS | PLCC68 | на замовлення 108 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSI1016-60LJ | на замовлення 572 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
LSI1016-60LJ | 07+ | на замовлення 18 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
LSI1016-60LJI | 07+ | на замовлення 6 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
LSI1016-80LJI | 07+ | на замовлення 10 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
LSI101660LJ | LATTICE | 97+ PLCC | на замовлення 90 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSI101680LJI | N/A | 04+ PLCC | на замовлення 90 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSI101680LT | LATTICE | на замовлення 150 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
LSI1016E100L44 | LATTICE | на замовлення 180 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
LSI1016E100LT44 | LATTICE | на замовлення 250 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
LSI1016E100LT44 | Lattice | 03+ QFP | на замовлення 970 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSI1024-60LJ1 | 07+ | на замовлення 2 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
LSI1032E/70LT1 | 07+ | на замовлення 6 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
LSI104880LQ | LATTIC | на замовлення 80 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
LSI1048C507080 | LATTIC | на замовлення 320 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
LSI1048E-70LQ | 01+ QFP | на замовлення 23 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
LSI1048E125LQ | LATTIC | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
LSI11240 | LIGITEK | 2010+ LED | на замовлення 3400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSI1200FN | MOT | PLCC44 | на замовлення 90 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSI131340BT-08-1.05 | Cre-sound Electronics | Category: Speakers Description: Loudspeaker; miniature,mylar,general purpose; 700mW; 8Ω Type of sound transducer: loudspeaker Kind of loudspeaker: general purpose; miniature; mylar Power: 0.7W Maximum power: 1W Impedance: 8Ω Body dimensions: 13x13x4.1mm Operating temperature: -30...85°C Resonant frequency: 1.05kHz Sound output tolerance: ±3dB Height: 4.1mm Resonant frequency tolerance: ±20Hz | на замовлення 505 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
LSI131340BT-08-1.05 | Cre-sound Electronics | Category: Speakers Description: Loudspeaker; miniature,mylar,general purpose; 700mW; 8Ω Type of sound transducer: loudspeaker Kind of loudspeaker: general purpose; miniature; mylar Power: 0.7W Maximum power: 1W Impedance: 8Ω Body dimensions: 13x13x4.1mm Operating temperature: -30...85°C Resonant frequency: 1.05kHz Sound output tolerance: ±3dB Height: 4.1mm Resonant frequency tolerance: ±20Hz кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 505 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||
LSI151540BT-08-0.8 | Cre-sound Electronics | Category: Speakers Description: Loudspeaker; miniature,mylar,general purpose; 800mW; 8Ω Operating temperature: -40...105°C Power: 0.8W Body dimensions: 15x15x4mm Sound level: 92dB Maximum power: 1W Resonant frequency: 800Hz Type of sound transducer: loudspeaker Sound output tolerance: ±3dB Resonant frequency tolerance: ±20Hz Kind of loudspeaker: general purpose; miniature; mylar Impedance: 8Ω Height: 4mm кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 566 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||
LSI151540BT-08-0.8 | Cre-sound Electronics | Category: Speakers Description: Loudspeaker; miniature,mylar,general purpose; 800mW; 8Ω Operating temperature: -40...105°C Power: 0.8W Body dimensions: 15x15x4mm Sound level: 92dB Maximum power: 1W Resonant frequency: 800Hz Type of sound transducer: loudspeaker Sound output tolerance: ±3dB Resonant frequency tolerance: ±20Hz Kind of loudspeaker: general purpose; miniature; mylar Impedance: 8Ω Height: 4mm | на замовлення 566 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
LSI153C80S-44QFP | LSI | QFP | на замовлення 64 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSI16X16-N1 | LSI | 2001 QFP | на замовлення 1205 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSI176 | TI | SOP-8 | на замовлення 240 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSI2032 | LSI | на замовлення 175 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
LSI2032-80LJ | LATTICE | на замовлення 4010 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
LSI2032A-80LJ44 | 07+ | на замовлення 12 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
LSI2032E110LJ44 | 07+ | на замовлення 7 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
LSI2032E110LTN | LATTICE | Category: Programmable circuits Description: IC: CPLD; SMD; TQFP44; I/O: 32; 5VDC; 111MHz; Number of gates: 1k Type of integrated circuit: CPLD Supply voltage: 5V DC Mounting: SMD Case: TQFP44 Number of inputs/outputs: 32 DC supply current: 40mA Number of gates: 1k Frequency: 111MHz Delay time: 10ns кількість в упаковці: 160 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
LSI2032E110LTN | LATTICE | Category: Programmable circuits Description: IC: CPLD; SMD; TQFP44; I/O: 32; 5VDC; 111MHz; Number of gates: 1k Type of integrated circuit: CPLD Supply voltage: 5V DC Mounting: SMD Case: TQFP44 Number of inputs/outputs: 32 DC supply current: 40mA Number of gates: 1k Frequency: 111MHz Delay time: 10ns | товар відсутній | |||||||||||||||
LSI2032VE-110LT44 | LATTICE | 2000+ | на замовлення 414 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSI2041 | LIGITEK | 2010+ LED | на замовлення 6800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSI2064VE/100LT100 | 07+ | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
LSI2064VE/135LT100 | 07+ | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
LSI2064VE100LT100 | LATTICE | 02+ TQFP | на замовлення 90 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSI2064VE135LT100 | LATTICE | на замовлення 180 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
LSI2064VE60LT | LATTICE | на замовлення 130 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
LSI2064VE60LT44 | LATTICE | на замовлення 240 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
LSI2064VE60LT44 | Lattice | 03+ QFP | на замовлення 3 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSI2096VE | на замовлення 600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
LSI212880LQ | LATTICE | 99+ QFP | на замовлення 135 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSI2128A80LQ160 | LATTICE | 99+ QFP | на замовлення 145 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSI2128VE100LB208 | 07+ | на замовлення 6 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
LSI4012-A | на замовлення 90 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
LSI401Z-A | на замовлення 846 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
LSI402ZX | LSILOGIC | 0347+ BGA | на замовлення 3589 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSI402ZX | LSI | BGA | на замовлення 3325 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSI402ZX | LSI | BGA | на замовлення 150 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSI402ZX200MHZ | на замовлення 3589 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
LSI5128VE/100LT128-80 | 07+ | на замовлення 30 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
LSI5256VA | на замовлення 60 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
LSI5256VE-100LT128-80 | 07+ | на замовлення 3 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
LSI5384VA | на замовлення 60 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
LSI5384VE | LATTICA | 07+ | на замовлення 1047 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSI53C | LSI | 06+ QFP | на замовлення 300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSI53C040 | LSI | 03+ QFP | на замовлення 150 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSI53C040 | LSI | на замовлення 78 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
LSI53C040 | LSI | QFP | на замовлення 216 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSI53C1000B | LSI | 03+ BGA | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSI53C1000B1 | LSILOGIC | на замовлення 118 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
LSI53C1000B1G | LSILOGIC | BGA | на замовлення 2215 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSI53C1000R | LSI | на замовлення 1 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
LSI53C1000R | LSI | 03+ BGA | на замовлення 246 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSI53C1000RB1 | LSILOGIC | 2003 | на замовлення 144 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSI53C1010 | LSI | 00+ BGA | на замовлення 700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSI53C1010-33 | LSI | 00+ BGA | на замовлення 15 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSI53C1010-66 | LSI | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
LSI53C1010-66 | LSI | BGA | на замовлення 3325 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSI53C1010-66 | LSI | BGA | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSI53C1010-66 B1 | LSI | BGA | на замовлення 10 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSI53C1010-66B1 | LSI LOGIC | на замовлення 250 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
LSI53C1010-66B1 | LSI | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
LSI53C1010-66B1 | LSILOGIC | 2000 | на замовлення 250 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSI53C1010-66BI | LSI | BGA | на замовлення 3325 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSI53C101066 | LSI | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
LSI53C101066B1 | LSI | на замовлення 300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
LSI53C1010R | LSI | QFP | на замовлення 3325 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSI53C1010R | LSILOGIC | 09+PB | на замовлення 924 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSI53C1010R | LSI | на замовлення 388 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
LSI53C1010R | LSI | BGA456 | на замовлення 96 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSI53C1010R | LSILOGIC | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
LSI53C1010R | LSI | BGA | на замовлення 22 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSI53C1020 | LSI | BGA | на замовлення 325 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSI53C1020 | LSI | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
LSI53C1020 | LSI | BGA456 | на замовлення 71 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSI53C1020 B2 | LSI | 04+ | на замовлення 170 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSI53C1020 B2 | LSI | BGA | на замовлення 400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSI53C1020 B2 | LSI | BGA | на замовлення 6325 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSI53C1020(CO) | LSI | на замовлення 286 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
LSI53C1020(CO) | LSI | 05+ | на замовлення 286 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSI53C1020-B2 | LSI | 2002 | на замовлення 97 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSI53C1020-B2 | LSI | на замовлення 181 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
LSI53C1020-C0 | LSI | на замовлення 12 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
LSI53C1020-CO | BGA | на замовлення 98 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
LSI53C1020/62047A1 | LSI Logic | BGA 456/LSI53C1020 REV C.0 PCI-X TO SINGLE CHANNEL U320 SCSI CONTROLLER 53C1020 кількість в упаковці: 24 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
LSI53C1020/62052A1 | LSI Logic | EPBGA 456/LSI53C1020 REV C.0 (LEAD-FREE) PCI-X TO SINGLE CHANNEL U320 SCSI 53C1020 кількість в упаковці: 24 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
LSI53C1020A | LSI | 05+ | на замовлення 1549 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSI53C1020A | LSI | BGA | на замовлення 6325 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSI53C1020A | LSI | 05+ BGA-384 | на замовлення 4576 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSI53C1020A | LSI LOGIC | 0620 | на замовлення 54 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSI53C1020A A1 | LSI | QFP | на замовлення 3325 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSI53C1020A-CO | на замовлення 850 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
LSI53C1020A384BGA-62072A | LSI | 09+ | на замовлення 52 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSI53C1020AA1 | на замовлення 325 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
LSI53C1020B | LSI | 03+ BGA | на замовлення 97 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSI53C1020B2 | LSI | BGA | на замовлення 495 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSI53C1020B2 | LSI | 09+ | на замовлення 283 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSI53C1020B2 | LSILOGIG | 2004 | на замовлення 47 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSI53C1020C0 | LSI | на замовлення 130 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
LSI53C1020CO | LSI | BGA | на замовлення 54 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSI53C1020CO | LSI | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
LSI53C1030 | intech | 03+ BGA | на замовлення 588 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSI53C1030 | LSI | 0450 | на замовлення 16 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSI53C1030 | LSI | BGA | на замовлення 17 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSI53C1030 | LSI | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
LSI53C1030 | LSI | 06+ EPBGA456 | на замовлення 712 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSI53C1030 | LSILOGIC | BGA | на замовлення 2215 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSI53C1030 B2 | LSI | на замовлення 51 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
LSI53C1030 C0 | LSI | на замовлення 286 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
LSI53C1030 CO | LSILOGIC | BGA | на замовлення 2215 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSI53C1030 CO | LSI | BGA | на замовлення 19 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSI53C1030(CO) | LSI | 05+ BGA-456 | на замовлення 556 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSI53C1030(CO) | LSI | 05+ | на замовлення 302 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSI53C1030(CO) | LSI | на замовлення 302 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
LSI53C1030-B2 | LSI | 02+ BGA | на замовлення 44 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSI53C1030-B2 | LSI | на замовлення 192 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
LSI53C1030-CO | LSI | BGA | на замовлення 80 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSI53C1030/62050A1 | LSI Logic | BGA 456/LSI53C1030 REV C.0 (LEAD-FREE) PCI-X TO DUAL CHANNEL U320 SCSI CONT 53C1030 кількість в упаковці: 24 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
LSI53C1030B | LSI | 03+ BGA | на замовлення 145 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSI53C1030B2 | LSI | BGA | на замовлення 600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSI53C1030B2 | LSILOGIC | 2008 | на замовлення 609 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSI53C1030B2 | LSI | на замовлення 502 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
LSI53C1030B2 | LSI | BGA | на замовлення 3300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSI53C1030C | LSI | 03+ BGA | на замовлення 250 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSI53C1030C0 | LSI | BGA | на замовлення 218 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSI53C1030C0 | LSI | на замовлення 360 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
LSI53C1030CO | LSI | на замовлення 180 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
LSI53C1030T | LSILOGIC | BGA | на замовлення 2215 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSI53C1030T-A0 | LSI | на замовлення 13 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
LSI53C1030T-A2 | LSI | на замовлення 10 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
LSI53C1030T-A2 | INTEL | BGA | на замовлення 2215 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSI53C1030T-C0 | LSI | на замовлення 124 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
LSI53C1030T-E1-A2/62070A1 | LSI Logic | EPBGA 456/LSI53C1030T REV A.2 (LEAD-FREE) PCI-X TO DUAL CHANNEL U320 TARGET 62070 кількість в упаковці: 24 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
LSI53C120 | LSILOGIC | 2000 | на замовлення 7041 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSI53C120B1 | LSILOGIC | 2000 | на замовлення 7041 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSI53C120B1 | LSILOGIC | на замовлення 7041 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
LSI53C140 | LSI | 03+ QFP | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSI53C140 | LSI | на замовлення 5 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
LSI53C141 | CONEXANT | QFP | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSI53C1510 | на замовлення 852 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
LSI53C180 | LSILOGIC | 0052+ | на замовлення 360 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSI53C180 | N/A | на замовлення 250 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
LSI53C180 C1 | LSI | BGA | на замовлення 61 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSI53C180-C1 | на замовлення 632 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
LSI53C180C1 | N/A | на замовлення 67 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
LSI53C180C1 | LSI | BGA | на замовлення 19 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSI53C180C1Y | LSI | 2004 | на замовлення 2309 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSI53C180Y | LSI | на замовлення 3850 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
LSI53C320/62030D1 | LSI Logic | PBGA 272/LSI53C320 U320 BUS EXPANDER 53C320 LSI62074A1 кількість в упаковці: 40 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
LSI53C320/62074A1 | LSI Logic | PBGA 272/LSI53C320 (LEAD-FREE) U320 BUS EXPANDER 53C320 LSI62030D1 кількість в упаковці: 40 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
LSI53C710 | LSI | 99+ QFP | на замовлення 58 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSI53C720 | LSI | QFP | на замовлення 12 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSI53C770LFP | LSI | QFP | на замовлення 71 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSI53C80S | на замовлення 840 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
LSI53C810AE | на замовлення 508 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
LSI53C825A | LSI | на замовлення 1 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
LSI53C875 | LSI | 0424+ PQFP-160 | на замовлення 272 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSI53C875 | LSI | 0424+ | на замовлення 176 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSI53C875A | LSI | 03+ QFP | на замовлення 150 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSI53C875J | LSI | 04+ MQFP208 | на замовлення 768 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSI53C875J | LSI | 04+ | на замовлення 384 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSI53C875J | LSI | 2001 | на замовлення 78 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSI53C875JBE | LSI | BGA169 | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSI53C875Y | LSILOGIC | 2001 | на замовлення 20 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSI53C876 | LSI | BGA | на замовлення 5 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSI53C876 | LSI | 00+ | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSI53C876 | LSI | QFP160 | на замовлення 384 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSI53C876-208QFP | LSILOGIC | 01+ BGA | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSI53C885 | LSI | 02+ QFP | на замовлення 178 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSI53C885 | LSI | на замовлення 293 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
LSI53C885 | LSI | QFP | на замовлення 153 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSI53C895 | LSI | QFP | на замовлення 504 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSI53C895 | LSI | на замовлення 504 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
LSI53C895-208QFP | LSILOGIC | 5 | на замовлення 11 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSI53C895A BO | QFP | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
LSI53C895A-208QFP | на замовлення 680 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
LSI53C895A208QFP | LSI | на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
LSI53C896 | LSIOGIC | 03+ BGA | на замовлення 534 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSI53C896 | LSI | 00+ BGA | на замовлення 1 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSI53C896 | LSI | 09+ | на замовлення 137 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSI53C896 | LSIOGIC | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
LSI53C896 | LSI | 0617+ | на замовлення 119 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSI53C896 | LSI | BGA | на замовлення 17 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSI53C896-328BGA | LSILOGIC | на замовлення 630 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
LSI53CF92A | LSI | на замовлення 286 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
LSI53CF92A | SYMBIOS | 97+ QFP | на замовлення 159 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSI53CF92A | LSI | QFP | на замовлення 54 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSI53CF96-2 | LSI | 99+ | на замовлення 1980 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSI53CF96-2 | LSI | QFP | на замовлення 198 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSI53CU98LSA0631 | LSI | 0515+ | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSI5512VA | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
LSI62N02 | LSI LOGIC | 87+ | на замовлення 96 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSI62N02 | LSI LOGIC | 87+ | на замовлення 96 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSI64005 | MOT | 03+ | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSI64005 | MOT | 03+ | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSI64108 | MOT | 03+ | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSI64108 | MOT | 03+ | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSI64363C1 | на замовлення 688 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
LSI64364A1 | на замовлення 71 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
LSI64712A0 | LSI | 9904+ | на замовлення 40 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSI64733 | MAXIM | QFP | на замовлення 771 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSI65073B1-004(L64060C) | LSI | QFP176 | на замовлення 160 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSI65181A1 | LSILOGIC | BGA | на замовлення 2215 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSI68042A1 | LSILOGIG | 2002 | на замовлення 119 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSI69207A1 | QFP | на замовлення 129 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
LSI7240 | на замовлення 300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
LSI80225 | LSI | PLCC44 | на замовлення 387 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSI80225 | N/A | на замовлення 250 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
LSI8101D | на замовлення 140 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
LSI901PC | LSI | на замовлення 222 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
LSIC1MO120E0040 | Littelfuse | LSIC1MO120E0040 | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC1MO120E0080 | Littelfuse Inc. | Description: SICFET N-CH 1200V 39A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V Power Dissipation (Max): 179W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA Supplier Device Package: TO-247AD Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +22V, -6V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1825 pF @ 800 V | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC1MO120E0080 | LITTELFUSE | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 25A; Idm: 80A; 179W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 25A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 179W Case: TO247-3 Gate-source voltage: -5...20V On-state resistance: 80mΩ Mounting: THT Gate charge: 95nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC1MO120E0080 | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC1MO120E0080 | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC1MO120E0080 | LITTELFUSE | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 25A; Idm: 80A; 179W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 25A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 179W Case: TO247-3 Gate-source voltage: -5...20V On-state resistance: 80mΩ Mounting: THT Gate charge: 95nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC1MO120E0080 | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC1MO120E0080 | IXYS | MOSFET 1200V 80mOhm SiC MOSFET | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
LSIC1MO120E0080 Код товару: 138007 | Транзистори > Польові N-канальні | товар відсутній | ||||||||||||||||
LSIC1MO120E0120 | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 27A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC1MO120E0120 | LITTELFUSE | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 18A; Idm: 60A; 139W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Power dissipation: 139W Polarisation: unipolar Gate charge: 80nC Technology: SiC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -5...20V Pulsed drain current: 60A Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 18A On-state resistance: 0.12Ω Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC1MO120E0120 | Littelfuse | MOSFET 1200 V 120 mOhm SiC Mosfet | на замовлення 1710 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
LSIC1MO120E0120 Код товару: 183409 | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-247 Uds,V: 1200 V Idd,A: 18 A Rds(on), Ohm: 120 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 1130/63 Монтаж: THT | товар відсутній | ||||||||||||||||
LSIC1MO120E0120 | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 27A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
LSIC1MO120E0120 | Littelfuse Inc. | Description: SICFET N-CH 1200V 27A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 14A, 20V Power Dissipation (Max): 139W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 7mA Supplier Device Package: TO-247AD Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +22V, -6V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1125 pF @ 800 V | на замовлення 876 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
LSIC1MO120E0120 | LITTELFUSE | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 18A; Idm: 60A; 139W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Power dissipation: 139W Polarisation: unipolar Gate charge: 80nC Technology: SiC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -5...20V Pulsed drain current: 60A Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 18A On-state resistance: 0.12Ω Type of transistor: N-MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC1MO120E0120 | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 27A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
LSIC1MO120E0120 | IXYS | MOSFET 1200 V 120 mOhm SiC Mosfet | на замовлення 1684 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
LSIC1MO120E0160 | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC1MO120E0160 | Littelfuse Inc. | Description: SICFET N-CH 1200V 22A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 10A, 20V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA Supplier Device Package: TO-247AD Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +22V, -6V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 800 V | на замовлення 1448 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
LSIC1MO120E0160 | LITTELFUSE | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 14A; Idm: 44A; 125W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Power dissipation: 125W Polarisation: unipolar Gate charge: 57nC Technology: SiC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -5...20V Pulsed drain current: 44A Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 14A On-state resistance: 0.16Ω Type of transistor: N-MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC1MO120E0160 | Littelfuse | MOSFET 1200 V 160 mOhm SiC Mosfet | на замовлення 593 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
LSIC1MO120E0160 | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC1MO120E0160 | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC1MO120E0160 | LITTELFUSE | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 14A; Idm: 44A; 125W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Power dissipation: 125W Polarisation: unipolar Gate charge: 57nC Technology: SiC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -5...20V Pulsed drain current: 44A Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 14A On-state resistance: 0.16Ω Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC1MO120G0025 | Littelfuse | MOSFET SIC MOSFET 1200V 25MO TO247-4L | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC1MO120G0025 | Littelfuse | SiC MOSFET 1200V 25mO TO247-4L | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC1MO120G0025 | LITTELFUSE | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 70A; Idm: 200A; 500W Case: TO247-4 Mounting: THT Kind of package: tube Power dissipation: 500W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Gate charge: 265nC Technology: SiC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -5...20V Pulsed drain current: 200A Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 70A On-state resistance: 25mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC1MO120G0025 | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET SIC 1200V 70A TO247-4L Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 50A, 20V Power Dissipation (Max): 500W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30mA Supplier Device Package: TO-247-4L Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +22V, -6V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 265 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 495 pF @ 800 V | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC1MO120G0025 | LITTELFUSE | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 70A; Idm: 200A; 500W Case: TO247-4 Mounting: THT Kind of package: tube Power dissipation: 500W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Gate charge: 265nC Technology: SiC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -5...20V Pulsed drain current: 200A Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 70A On-state resistance: 25mΩ Type of transistor: N-MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC1MO120G0040 | LITTELFUSE | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 130A; 357W Case: TO247-4 Mounting: THT Kind of package: tube Power dissipation: 357W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Gate charge: 175nC Technology: SiC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -5...20V Pulsed drain current: 130A Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 50A On-state resistance: 40mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC1MO120G0040 | Littelfuse | 1200 V, 40m Ohm N-Channel SiC MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC1MO120G0040 | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET SIC 1200V 50A TO247-4L Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 40A, 20V Power Dissipation (Max): 357W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA Supplier Device Package: TO-247-4L Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +22V, -6V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 317 pF @ 800 V | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC1MO120G0040 | LITTELFUSE | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 130A; 357W Case: TO247-4 Mounting: THT Kind of package: tube Power dissipation: 357W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Gate charge: 175nC Technology: SiC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -5...20V Pulsed drain current: 130A Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 50A On-state resistance: 40mΩ Type of transistor: N-MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC1MO120G0040 | Littelfuse | MOSFET SIC MOSFET 1200V 80MO | на замовлення 497 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
LSIC1MO120G0040 | Littelfuse | 1200 V, 40m Ohm N-Channel SiC MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC1MO120G0040 | LITTELFUSE | Description: LITTELFUSE - LSIC1MO120G0040 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 70 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 357W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: LSIC1MO120 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
LSIC1MO120G0080 | Littelfuse | MOSFET 1200 V, 80 mOhm N-Channel SiC MOSFET (TO247-4L) | на замовлення 510 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||
LSIC1MO120G0080 | Littelfuse | SiC MOSFET 1200V 80mO TO247-4L | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC1MO120G0080 | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET SIC 1200V 25A TO247-4L | на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
LSIC1MO120G0120 | Littelfuse | SiC MOSFET 1200V 120mO TO247-4L | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC1MO120G0120 | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET SIC 1200V 18A TO247-4L | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC1MO120G0120 | Littelfuse | MOSFET 1200 V, 120 mOhm N-Channel SiC MOSFET (TO247-4L) | на замовлення 510 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||
LSIC1MO120G0160 | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET SIC 1200V 14A TO247-4L | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC1MO120G0160 | Littelfuse | MOSFET SIC MOSFET 1200V 160MO | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC1MO120G0160 | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 22A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC1MO120T0080-TU | LITTELFUSE | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 39A; TO263-7 Polarisation: unipolar Kind of package: tube Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Gate charge: 95nC Technology: SiC Kind of channel: enhanced Mounting: SMD Case: TO263-7 Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 39A On-state resistance: 80mΩ Type of transistor: N-MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC1MO120T0080-TU | LITTELFUSE | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 39A; TO263-7 Polarisation: unipolar Kind of package: tube Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Gate charge: 95nC Technology: SiC Kind of channel: enhanced Mounting: SMD Case: TO263-7 Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 39A On-state resistance: 80mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC1MO120T0120-TU | LITTELFUSE | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 27A; TO263-7 Polarisation: unipolar Kind of package: tube Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Gate charge: 80nC Technology: SiC Kind of channel: enhanced Mounting: SMD Case: TO263-7 Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 27A On-state resistance: 0.12Ω Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC1MO120T0120-TU | Littelfuse | 1200V/120mohm SiC MOSFET TO-263-7L | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC1MO120T0120-TU | LITTELFUSE | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 27A; TO263-7 Polarisation: unipolar Kind of package: tube Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Gate charge: 80nC Technology: SiC Kind of channel: enhanced Mounting: SMD Case: TO263-7 Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 27A On-state resistance: 0.12Ω Type of transistor: N-MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC1MO120T0160-TU | LITTELFUSE | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 22A; TO263-7 Polarisation: unipolar Kind of package: tube Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Gate charge: 57nC Technology: SiC Kind of channel: enhanced Mounting: SMD Case: TO263-7 Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 22A On-state resistance: 0.16Ω Type of transistor: N-MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC1MO120T0160-TU | LITTELFUSE | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 22A; TO263-7 Polarisation: unipolar Kind of package: tube Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Gate charge: 57nC Technology: SiC Kind of channel: enhanced Mounting: SMD Case: TO263-7 Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 22A On-state resistance: 0.16Ω Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC1MO120T0160-TU | Littelfuse | 1200V/160mohm SiC MOSFET TO-263-7L | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC1MO170E0750 | Littelfuse | MOSFET SIC MOSFET 1700V 750MO | на замовлення 2221 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
LSIC1MO170E0750 | LITTELFUSE | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 4.4A; Idm: 11A; 60W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Power dissipation: 60W Polarisation: unipolar Gate charge: 13nC Technology: SiC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -5...20V Pulsed drain current: 11A Drain-source voltage: 1.7kV Drain current: 4.4A On-state resistance: 0.75Ω Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC1MO170E0750 | Littelfuse | 1700 V 750 mOhm N-Channel SiC MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC1MO170E0750 | Littelfuse Inc. | Description: SICFET N-CH 1700V 750OHM TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2A, 20V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-247AD Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +22V, -6V Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 1000 V | на замовлення 4617 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
LSIC1MO170E0750 | LITTELFUSE | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 4.4A; Idm: 11A; 60W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Power dissipation: 60W Polarisation: unipolar Gate charge: 13nC Technology: SiC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -5...20V Pulsed drain current: 11A Drain-source voltage: 1.7kV Drain current: 4.4A On-state resistance: 0.75Ω Type of transistor: N-MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC1MO170E1000 | LITTELFUSE | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 3.5A; Idm: 15A; 54W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Power dissipation: 54W Polarisation: unipolar Gate charge: 15nC Technology: SiC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -5...20V Pulsed drain current: 15A Drain-source voltage: 1.7kV Drain current: 3.5A On-state resistance: 1Ω Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 450 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC1MO170E1000 | Littelfuse Inc. | Description: SICFET N-CH 1700V 5A TO247-3L | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC1MO170E1000 | LITTELFUSE | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 3.5A; Idm: 15A; 54W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Power dissipation: 54W Polarisation: unipolar Gate charge: 15nC Technology: SiC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -5...20V Pulsed drain current: 15A Drain-source voltage: 1.7kV Drain current: 3.5A On-state resistance: 1Ω Type of transistor: N-MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC1MO170E1000 | LITTELFUSE | Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 LSIC1MO170E1000 TLSIC1MO170E1000 кількість в упаковці: 2 шт | на замовлення 2 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
LSIC1MO170E1000 | Littelfuse | MOSFET 1700V 1000mOhm SiC MOSFET | на замовлення 611 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||
LSIC1MO170H0750-TR | Littelfuse | Power MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC1MO170T0750 | LITTELFUSE | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 4.5A; Idm: 11A; 65W Case: TO263-7 Mounting: SMD Kind of package: tube Power dissipation: 65W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Gate charge: 11nC Technology: SiC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -5...20V Pulsed drain current: 11A Drain-source voltage: 1.7kV Drain current: 4.5A On-state resistance: 0.75Ω Type of transistor: N-MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC1MO170T0750 | LITTELFUSE | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 4.5A; Idm: 11A; 65W Case: TO263-7 Mounting: SMD Kind of package: tube Power dissipation: 65W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Gate charge: 11nC Technology: SiC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -5...20V Pulsed drain current: 11A Drain-source voltage: 1.7kV Drain current: 4.5A On-state resistance: 0.75Ω Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 400 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC1MO170T0750 | Littelfuse | MOSFET 1700V/750MOHM SIC MOSFET | на замовлення 4924 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
LSIC1MO170T0750 | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 6.4A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC1MO170T0750 | IXYS | MOSFET 1700V/750MOHM SIC MOSFET | на замовлення 4887 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
LSIC1MO170T0750 | Littelfuse Inc. | Description: SICFET N-CH 1700V 6.4A TO263-7L | на замовлення 1173 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
LSIC2SD065A06A | Littelfuse | Schottky Diodes & Rectifiers 650V 6A TO-220-2L SiC Schottky Diode | на замовлення 1813 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||
LSIC2SD065A06A | LITTELFUSE | Description: LITTELFUSE - LSIC2SD065A06A - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 18.5 A, 20 nC, TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 20 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 18.5 Anzahl der Pins: 2 Pins Bauform - Diode: TO-220 Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD065A06A | Littelfuse Inc. | Description: DIODE SIL CARB 650V 18.5A TO220L Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 18.5A Supplier Device Package: TO-220-2L Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V | на замовлення 758 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
LSIC2SD065A06A | LITTELFUSE | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; 32W; TO220-2 Application: automotive industry Manufacturer series: LSIC2SD Max. forward impulse current: 32A Max. off-state voltage: 650V Power dissipation: 32W Case: TO220-2 Type of diode: Schottky rectifying Mounting: THT Technology: SiC Max. forward voltage: 1.85V Load current: 6A Semiconductor structure: single diode | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD065A06A | LITTELFUSE | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; 32W; TO220-2 Application: automotive industry Manufacturer series: LSIC2SD Max. forward impulse current: 32A Max. off-state voltage: 650V Power dissipation: 32W Case: TO220-2 Type of diode: Schottky rectifying Mounting: THT Technology: SiC Max. forward voltage: 1.85V Load current: 6A Semiconductor structure: single diode кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD065A08A | Littelfuse | Schottky Diodes & Rectifiers 650V 8A TO-220-2L SiC Schottky Diode | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD065A08A | LITTELFUSE | Description: LITTELFUSE - LSIC2SD065A08A - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 23 A, 29 nC, TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 29 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 23 Anzahl der Pins: 2 Pins Bauform - Diode: TO-220 Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD065A08A | Littelfuse Inc. | Description: DIODE SIL CARB 650V 23A TO220-2L Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 415pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 23A Supplier Device Package: TO-220-2L Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V | на замовлення 1021 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
LSIC2SD065A08A | LITTELFUSE | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; 38W; TO220-2 Application: automotive industry Manufacturer series: LSIC2SD Max. forward impulse current: 40A Max. off-state voltage: 650V Power dissipation: 38W Case: TO220-2 Type of diode: Schottky rectifying Mounting: THT Technology: SiC Max. forward voltage: 1.85V Load current: 8A Semiconductor structure: single diode | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD065A08A | Littelfuse | 650V/8A SiC SBD TO220-2L AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD065A08A | LITTELFUSE | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; 38W; TO220-2 Application: automotive industry Manufacturer series: LSIC2SD Max. forward impulse current: 40A Max. off-state voltage: 650V Power dissipation: 38W Case: TO220-2 Type of diode: Schottky rectifying Mounting: THT Technology: SiC Max. forward voltage: 1.85V Load current: 8A Semiconductor structure: single diode кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD065A10A | LITTELFUSE | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; 43W; TO220-2 Application: automotive industry Manufacturer series: LSIC2SD Max. forward impulse current: 48A Max. off-state voltage: 650V Power dissipation: 43W Case: TO220-2 Type of diode: Schottky rectifying Mounting: THT Technology: SiC Max. forward voltage: 1.85V Load current: 10A Semiconductor structure: single diode кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD065A10A | Littelfuse | Schottky Diodes & Rectifiers 650V 10A TO-220-2L SiC Schottky Diode | на замовлення 1771 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
LSIC2SD065A10A | LITTELFUSE | Description: LITTELFUSE - LSIC2SD065A10A - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 27 A, 30 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 30nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 27A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) | на замовлення 939 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
LSIC2SD065A10A | Littelfuse Inc. | Description: DIODE SIL CARB 650V 27A TO220-2L Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 470pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 27A Supplier Device Package: TO-220-2L Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V | на замовлення 1006 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
LSIC2SD065A10A | LITTELFUSE | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; 43W; TO220-2 Application: automotive industry Manufacturer series: LSIC2SD Max. forward impulse current: 48A Max. off-state voltage: 650V Power dissipation: 43W Case: TO220-2 Type of diode: Schottky rectifying Mounting: THT Technology: SiC Max. forward voltage: 1.85V Load current: 10A Semiconductor structure: single diode | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD065A10A | Littelfuse | 650V/10A SiC SBD TO220-2L AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD065A16A | Littelfuse | Schottky Diodes & Rectifiers 650V 16A TO-220-2L SiC Schottky Diode | на замовлення 1030 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||
LSIC2SD065A16A | Littelfuse Inc. | Description: DIODE SIL CARB 650V 38A TO220-2L Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 730pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 38A Supplier Device Package: TO-220-2L Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 16 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V | на замовлення 842 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
LSIC2SD065A16A | LITTELFUSE | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 16A; 54W; TO220-2 Application: automotive industry Manufacturer series: LSIC2SD Max. forward impulse current: 70A Max. off-state voltage: 650V Power dissipation: 54W Case: TO220-2 Type of diode: Schottky rectifying Mounting: THT Technology: SiC Max. forward voltage: 1.85V Load current: 16A Semiconductor structure: single diode | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD065A16A | LITTELFUSE | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 16A; 54W; TO220-2 Application: automotive industry Manufacturer series: LSIC2SD Max. forward impulse current: 70A Max. off-state voltage: 650V Power dissipation: 54W Case: TO220-2 Type of diode: Schottky rectifying Mounting: THT Technology: SiC Max. forward voltage: 1.85V Load current: 16A Semiconductor structure: single diode кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD065A20A | LITTELFUSE | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; 60W; TO220-2 Application: automotive industry Manufacturer series: LSIC2SD Max. forward impulse current: 90A Max. off-state voltage: 650V Power dissipation: 60W Case: TO220-2 Type of diode: Schottky rectifying Mounting: THT Technology: SiC Max. forward voltage: 1.85V Load current: 20A Semiconductor structure: single diode кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD065A20A | LITTELFUSE | Description: LITTELFUSE - LSIC2SD065A20A - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 63 nC, TO-220 Periodische Spitzen-Sperrspannung: 650 Kapazitive Gesamtladung: 63 Anzahl der Pins: 2 Pins Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Bauform - Diode: TO-220 Diodenkonfiguration: Einfach Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175 Kontinuierlicher Durchlassstrom If: 45 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD065A20A | Littelfuse | 650V/20A SiC SBD TO220-2L AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD065A20A | Littelfuse | Schottky Diodes & Rectifiers 650V 20A TO-220-2L SiC Schottky Diode | на замовлення 1506 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
LSIC2SD065A20A | Littelfuse Inc. | Description: DIODE SIL CARB 650V 45A TO220-2L Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 960pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 45A Supplier Device Package: TO-220-2L Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V | на замовлення 873 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
LSIC2SD065A20A | LITTELFUSE | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; 60W; TO220-2 Application: automotive industry Manufacturer series: LSIC2SD Max. forward impulse current: 90A Max. off-state voltage: 650V Power dissipation: 60W Case: TO220-2 Type of diode: Schottky rectifying Mounting: THT Technology: SiC Max. forward voltage: 1.85V Load current: 20A Semiconductor structure: single diode | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD065C06A | Littelfuse | Diode Schottky SiC 650V 18.5A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD065C06A | Littelfuse Inc. | Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 6A TO252 | на замовлення 2304 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
LSIC2SD065C06A | Littelfuse | Schottky Diodes & Rectifiers 650V 6A TO-252-2L SiC Schottky Diode | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD065C06A | Littelfuse Inc. | Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 6A TO252 | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD065C06A | LITTELFUSE | Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 6A; TO252; 32W; LSIC2SD Application: automotive industry Manufacturer series: LSIC2SD Max. forward impulse current: 32A Max. off-state voltage: 650V Power dissipation: 32W Case: TO252 Type of diode: Schottky rectifying Mounting: SMD Technology: SiC Max. forward voltage: 1.85V Load current: 6A Semiconductor structure: single diode | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD065C06A | LITTELFUSE | Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 6A; TO252; 32W; LSIC2SD Application: automotive industry Manufacturer series: LSIC2SD Max. forward impulse current: 32A Max. off-state voltage: 650V Power dissipation: 32W Case: TO252 Type of diode: Schottky rectifying Mounting: SMD Technology: SiC Max. forward voltage: 1.85V Load current: 6A Semiconductor structure: single diode кількість в упаковці: 2500 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD065C06A | LITTELFUSE | Description: LITTELFUSE - LSIC2SD065C06A - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 18.5 A, 20 nC, TO-252 (DPAK) Kapazitive Gesamtladung: 20 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 18.5 Anzahl der Pins: 2 Pins Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD065C08A | Littelfuse | Schottky Diodes & Rectifiers 650V 8A TO-252-2L SiC Schottky Diode | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD065C08A | LITTELFUSE | Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 8A; TO252; 38W; LSIC2SD Application: automotive industry Manufacturer series: LSIC2SD Max. forward impulse current: 40A Max. off-state voltage: 650V Power dissipation: 38W Case: TO252 Type of diode: Schottky rectifying Mounting: SMD Technology: SiC Max. forward voltage: 1.85V Load current: 8A Semiconductor structure: single diode | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD065C08A | Littelfuse Inc. | Description: DIODE SIL CARB 650V 23A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 415pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 23A Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V | на замовлення 2298 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
LSIC2SD065C08A | LITTELFUSE | Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 8A; TO252; 38W; LSIC2SD Application: automotive industry Manufacturer series: LSIC2SD Max. forward impulse current: 40A Max. off-state voltage: 650V Power dissipation: 38W Case: TO252 Type of diode: Schottky rectifying Mounting: SMD Technology: SiC Max. forward voltage: 1.85V Load current: 8A Semiconductor structure: single diode кількість в упаковці: 2500 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD065C08A | Littelfuse | 650V/8A SiC SBD TO252-2L AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD065C08A | Littelfuse Inc. | Description: DIODE SIL CARB 650V 23A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 415pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 23A Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD065C10A | LITTELFUSE | Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 10A; TO252; 43W; LSIC2SD Application: automotive industry Manufacturer series: LSIC2SD Max. forward impulse current: 48A Max. off-state voltage: 650V Power dissipation: 43W Case: TO252 Type of diode: Schottky rectifying Mounting: SMD Technology: SiC Max. forward voltage: 1.85V Load current: 10A Semiconductor structure: single diode кількість в упаковці: 2500 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD065C10A | Littelfuse | GEN2 SiC Schottky Diode 650 V, 10 A | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD065C10A | Littelfuse | Schottky Diodes & Rectifiers 650V 10A TO-252-2L SiC Schottky Diode | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD065C10A | LITTELFUSE | Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 10A; TO252; 43W; LSIC2SD Application: automotive industry Manufacturer series: LSIC2SD Max. forward impulse current: 48A Max. off-state voltage: 650V Power dissipation: 43W Case: TO252 Type of diode: Schottky rectifying Mounting: SMD Technology: SiC Max. forward voltage: 1.85V Load current: 10A Semiconductor structure: single diode | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD065C16A | Littelfuse | Schottky Diodes & Rectifiers 650V 16A TO-252-2L SiC Schottky Diode | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD065C16A | LITTELFUSE | Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 16A; TO252; 54W; LSIC2SD Application: automotive industry Manufacturer series: LSIC2SD Max. forward impulse current: 70A Max. off-state voltage: 650V Power dissipation: 54W Case: TO252 Type of diode: Schottky rectifying Mounting: SMD Technology: SiC Max. forward voltage: 1.85V Load current: 16A Semiconductor structure: single diode | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD065C16A | Littelfuse Inc. | Description: SIC SCHOTTKY DIOD 650V 16A TO252 | на замовлення 2550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
LSIC2SD065C16A | LITTELFUSE | Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 16A; TO252; 54W; LSIC2SD Application: automotive industry Manufacturer series: LSIC2SD Max. forward impulse current: 70A Max. off-state voltage: 650V Power dissipation: 54W Case: TO252 Type of diode: Schottky rectifying Mounting: SMD Technology: SiC Max. forward voltage: 1.85V Load current: 16A Semiconductor structure: single diode кількість в упаковці: 2500 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD065C16A | Littelfuse Inc. | Description: SIC SCHOTTKY DIOD 650V 16A TO252 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
LSIC2SD065C20A | LITTELFUSE | Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 20A; TO252; 60W; LSIC2SD Application: automotive industry Manufacturer series: LSIC2SD Max. forward impulse current: 90A Max. off-state voltage: 650V Power dissipation: 60W Case: TO252 Type of diode: Schottky rectifying Mounting: SMD Technology: SiC Max. forward voltage: 1.85V Load current: 20A Semiconductor structure: single diode кількість в упаковці: 2500 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD065C20A | Littelfuse | Diode Schottky SiC 650V 48A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD065C20A | Littelfuse | Schottky Diodes & Rectifiers 650V 20A TO-252-2L SiC Schottky Diode | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD065C20A | LITTELFUSE | Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 20A; TO252; 60W; LSIC2SD Application: automotive industry Manufacturer series: LSIC2SD Max. forward impulse current: 90A Max. off-state voltage: 650V Power dissipation: 60W Case: TO252 Type of diode: Schottky rectifying Mounting: SMD Technology: SiC Max. forward voltage: 1.85V Load current: 20A Semiconductor structure: single diode | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD065D06A | Littelfuse Inc. | Description: DIODE SIL CARB 650V 18.5A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 18.5A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD065D06A | Littelfuse | Schottky Diodes & Rectifiers 650V/6A SiC SBD TO263-2LAEC-Q101 | на замовлення 415 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
LSIC2SD065D06A | LITTELFUSE | Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 6A; TO263; 32W; LSIC2SD Application: automotive industry Manufacturer series: LSIC2SD Max. forward impulse current: 32A Max. off-state voltage: 650V Power dissipation: 32W Case: TO263 Type of diode: Schottky rectifying Mounting: SMD Technology: SiC Max. forward voltage: 1.85V Load current: 6A Semiconductor structure: single diode | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD065D06A | LITTELFUSE | Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 6A; TO263; 32W; LSIC2SD Application: automotive industry Manufacturer series: LSIC2SD Max. forward impulse current: 32A Max. off-state voltage: 650V Power dissipation: 32W Case: TO263 Type of diode: Schottky rectifying Mounting: SMD Technology: SiC Max. forward voltage: 1.85V Load current: 6A Semiconductor structure: single diode кількість в упаковці: 800 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD065D08A | Littelfuse | Schottky Diodes & Rectifiers 650V/8A SiC SBD?TO263-2LAEC-Q101 | на замовлення 696 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
LSIC2SD065D08A | LITTELFUSE | Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 8A; TO263; 38W; LSIC2SD Application: automotive industry Manufacturer series: LSIC2SD Max. forward impulse current: 40A Max. off-state voltage: 650V Power dissipation: 38W Case: TO263 Type of diode: Schottky rectifying Mounting: SMD Technology: SiC Max. forward voltage: 1.75V Load current: 8A Semiconductor structure: single diode | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD065D08A | LITTELFUSE | Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 8A; TO263; 38W; LSIC2SD Application: automotive industry Manufacturer series: LSIC2SD Max. forward impulse current: 40A Max. off-state voltage: 650V Power dissipation: 38W Case: TO263 Type of diode: Schottky rectifying Mounting: SMD Technology: SiC Max. forward voltage: 1.75V Load current: 8A Semiconductor structure: single diode кількість в упаковці: 800 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD065D10A | Littelfuse Inc. | Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 27A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 470pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 27A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Grade: Automotive Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 599 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
LSIC2SD065D10A | Littelfuse | Schottky Diodes & Rectifiers 650V/10A SIC SBD | на замовлення 27 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
LSIC2SD065D10A | Littelfuse Inc. | Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 27A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 470pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 27A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Grade: Automotive Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD065D10A | LITTELFUSE | Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 10A; TO263; 43W; LSIC2SD Application: automotive industry Manufacturer series: LSIC2SD Max. forward impulse current: 48A Max. off-state voltage: 650V Power dissipation: 43W Case: TO263 Type of diode: Schottky rectifying Mounting: SMD Technology: SiC Max. forward voltage: 1.85V Load current: 10A Semiconductor structure: single diode | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD065D10A | LITTELFUSE | Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 10A; TO263; 43W; LSIC2SD Application: automotive industry Manufacturer series: LSIC2SD Max. forward impulse current: 48A Max. off-state voltage: 650V Power dissipation: 43W Case: TO263 Type of diode: Schottky rectifying Mounting: SMD Technology: SiC Max. forward voltage: 1.85V Load current: 10A Semiconductor structure: single diode кількість в упаковці: 800 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD065D16A | Littelfuse | Schottky Diodes & Rectifiers 650V/16A SiC SBD?TO263-2LAEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD065D16A | LITTELFUSE | Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 16A; TO263; 54W; LSIC2SD Application: automotive industry Manufacturer series: LSIC2SD Max. forward impulse current: 70A Max. off-state voltage: 650V Power dissipation: 54W Case: TO263 Type of diode: Schottky rectifying Mounting: SMD Technology: SiC Max. forward voltage: 1.85V Load current: 16A Semiconductor structure: single diode | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD065D16A | Littelfuse Inc. | Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 38A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 730pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 38A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 16 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 819 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
LSIC2SD065D16A | LITTELFUSE | Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 16A; TO263; 54W; LSIC2SD Application: automotive industry Manufacturer series: LSIC2SD Max. forward impulse current: 70A Max. off-state voltage: 650V Power dissipation: 54W Case: TO263 Type of diode: Schottky rectifying Mounting: SMD Technology: SiC Max. forward voltage: 1.85V Load current: 16A Semiconductor structure: single diode кількість в упаковці: 800 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD065D16A | Littelfuse Inc. | Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 38A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 730pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 38A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 16 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD065D20A | Littelfuse Inc. | Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: TO-220AC Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 45 A | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
LSIC2SD065D20A | LITTELFUSE | Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 20A; TO263; 65W; LSIC2SD Application: automotive industry Manufacturer series: LSIC2SD Max. forward impulse current: 95A Max. off-state voltage: 650V Power dissipation: 65W Case: TO263 Type of diode: Schottky rectifying Mounting: SMD Technology: SiC Max. forward voltage: 1.7V Load current: 20A Semiconductor structure: single diode кількість в упаковці: 800 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD065D20A | Littelfuse | Silicon Carbide Schottky Diode | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD065D20A | Littelfuse Inc. | Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220AC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: TO-220AC Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 45 A | на замовлення 1572 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
LSIC2SD065D20A | Littelfuse | Schottky Diodes & Rectifiers 650V/20A SIC SBD | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
LSIC2SD065D20A | LITTELFUSE | Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 20A; TO263; 65W; LSIC2SD Application: automotive industry Manufacturer series: LSIC2SD Max. forward impulse current: 95A Max. off-state voltage: 650V Power dissipation: 65W Case: TO263 Type of diode: Schottky rectifying Mounting: SMD Technology: SiC Max. forward voltage: 1.7V Load current: 20A Semiconductor structure: single diode | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD065E12CCA | Littelfuse Inc. | Description: DIODE SIC 650V 18.5A TO247AD Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 18.5A Supplier Device Package: TO-247AD Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
LSIC2SD065E12CCA | Littelfuse | Schottky Diodes & Rectifiers 650V/12A SiC SBD TO247-3LAEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD065E12CCA | LITTELFUSE | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6Ax2; 32/64W; TO247-3 Application: automotive industry Manufacturer series: LSIC2SD Max. forward impulse current: 32A Max. off-state voltage: 650V Power dissipation: 32/64W Case: TO247-3 Type of diode: Schottky rectifying Mounting: THT Technology: SiC Max. forward voltage: 1.85V Load current: 6A x2 Semiconductor structure: common cathode; double | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD065E12CCA | LITTELFUSE | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6Ax2; 32/64W; TO247-3 Application: automotive industry Manufacturer series: LSIC2SD Max. forward impulse current: 32A Max. off-state voltage: 650V Power dissipation: 32/64W Case: TO247-3 Type of diode: Schottky rectifying Mounting: THT Technology: SiC Max. forward voltage: 1.85V Load current: 6A x2 Semiconductor structure: common cathode; double кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD065E16CCA | Littelfuse | Schottky Diodes & Rectifiers 650V/16A SiC SBD TO247-3LAEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD065E16CCA | LITTELFUSE | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8Ax2; 38/76W; TO247-3 Application: automotive industry Manufacturer series: LSIC2SD Max. forward impulse current: 40A Max. off-state voltage: 650V Power dissipation: 38/76W Case: TO247-3 Type of diode: Schottky rectifying Mounting: THT Technology: SiC Max. forward voltage: 1.85V Load current: 8A x2 Semiconductor structure: common cathode; double | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD065E16CCA | LITTELFUSE | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8Ax2; 38/76W; TO247-3 Application: automotive industry Manufacturer series: LSIC2SD Max. forward impulse current: 40A Max. off-state voltage: 650V Power dissipation: 38/76W Case: TO247-3 Type of diode: Schottky rectifying Mounting: THT Technology: SiC Max. forward voltage: 1.85V Load current: 8A x2 Semiconductor structure: common cathode; double кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD065E16CCA | Littelfuse Inc. | Description: DIODE SCHOTTKY SIC 650V 8A DUAL | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
LSIC2SD065E20CCA | Littelfuse | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 54A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD065E20CCA | Littelfuse Inc. | Description: DIODE SIL CARB 650V 27A TO247AD Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 470pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 27A Supplier Device Package: TO-247AD Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 656 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
LSIC2SD065E20CCA | Littelfuse | Schottky Diodes & Rectifiers 650V/20A SiC SBD TO247-3LAEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD065E20CCA | LITTELFUSE | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; 43/86W; TO247-3 Application: automotive industry Manufacturer series: LSIC2SD Max. forward impulse current: 50A Max. off-state voltage: 650V Power dissipation: 43/86W Case: TO247-3 Type of diode: Schottky rectifying Mounting: THT Technology: SiC Max. forward voltage: 1.85V Load current: 10A x2 Semiconductor structure: common cathode; double | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD065E20CCA | LITTELFUSE | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; 43/86W; TO247-3 Application: automotive industry Manufacturer series: LSIC2SD Max. forward impulse current: 50A Max. off-state voltage: 650V Power dissipation: 43/86W Case: TO247-3 Type of diode: Schottky rectifying Mounting: THT Technology: SiC Max. forward voltage: 1.85V Load current: 10A x2 Semiconductor structure: common cathode; double кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD065E40CCA | Littelfuse Inc. | Description: DIODE SIL CARB 650V 45A TO247AD Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 960pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 45A Supplier Device Package: TO-247AD Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 435 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
LSIC2SD065E40CCA | Littelfuse | Schottky Diodes & Rectifiers 650V/40A SIC SBD TO247-3L | на замовлення 410 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
LSIC2SD065E40CCA | LITTELFUSE | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20Ax2; 60/120W; TO247-3 Application: automotive industry Manufacturer series: LSIC2SD Max. forward impulse current: 90A Max. off-state voltage: 650V Power dissipation: 60/120W Case: TO247-3 Type of diode: Schottky rectifying Mounting: THT Technology: SiC Max. forward voltage: 1.85V Load current: 20A x2 Semiconductor structure: common cathode; double | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD065E40CCA | LITTELFUSE | Description: LITTELFUSE - LSIC2SD065E40CCA - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 96 A, 63 nC, SOT-227B tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-227B Kapazitive Gesamtladung: 63nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Durchlassstrom If: 96A Durchschnittlicher Durchlassstrom: 96A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Periodische Spitzen-Sperrspannung: 650V SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
LSIC2SD065E40CCA | LITTELFUSE | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20Ax2; 60/120W; TO247-3 Application: automotive industry Manufacturer series: LSIC2SD Max. forward impulse current: 90A Max. off-state voltage: 650V Power dissipation: 60/120W Case: TO247-3 Type of diode: Schottky rectifying Mounting: THT Technology: SiC Max. forward voltage: 1.85V Load current: 20A x2 Semiconductor structure: common cathode; double кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD065E40CCA | Littelfuse | Diode Schottky SiC 650V 96A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD120A05 | LITTELFUSE | Description: LITTELFUSE - LSIC2SD120A05 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 17.5 A, 30 nC, TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 30 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 17.5 Anzahl der Pins: 2 Pins Bauform - Diode: TO-220 Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2 Betriebstemperatur, max.: 175 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (07-Jul-2017) | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD120A05 | LITTELFUSE | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5A; 43.3W; TO220-2 Technology: SiC Power dissipation: 43.3W Case: TO220-2 Mounting: THT Manufacturer series: LSIC2SD Semiconductor structure: single diode Max. off-state voltage: 1.2kV Type of diode: Schottky rectifying Max. forward impulse current: 40A Load current: 5A Max. forward voltage: 2.1V кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD120A05 | Littelfuse Inc. | Description: DIODE SIC 1.2KV 17.5A TO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 17.5A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD120A05 | Littelfuse | Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 5A 2-lead GEN2 SiC | на замовлення 358 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||
LSIC2SD120A05 | LITTELFUSE | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5A; 43.3W; TO220-2 Technology: SiC Power dissipation: 43.3W Case: TO220-2 Mounting: THT Manufacturer series: LSIC2SD Semiconductor structure: single diode Max. off-state voltage: 1.2kV Type of diode: Schottky rectifying Max. forward impulse current: 40A Load current: 5A Max. forward voltage: 2.1V | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD120A08 | Littelfuse Inc. | Description: DIODE SIC 1.2KV 24.5A TO220AC | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD120A08 | Littelfuse | Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 8A TO-220-2L SiC Schottky Diode | на замовлення 1022 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||
LSIC2SD120A08 | LITTELFUSE | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 8A; 54W; TO220-2 Technology: SiC Power dissipation: 54W Case: TO220-2 Mounting: THT Manufacturer series: LSIC2SD Semiconductor structure: single diode Max. off-state voltage: 1.2kV Type of diode: Schottky rectifying Max. forward impulse current: 65A Load current: 8A Max. forward voltage: 2.2V | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD120A08 | LITTELFUSE | Description: LITTELFUSE - LSIC2SD120A08 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 24.5 A, 47 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 productTraceability: No Kapazitive Gesamtladung: 47nC rohsCompliant: YES Durchschnittlicher Durchlassstrom: 24.5A euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Betriebstemperatur, max.: 175°C usEccn: EAR99 | на замовлення 916 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
LSIC2SD120A08 | LITTELFUSE | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 8A; 54W; TO220-2 Technology: SiC Power dissipation: 54W Case: TO220-2 Mounting: THT Manufacturer series: LSIC2SD Semiconductor structure: single diode Max. off-state voltage: 1.2kV Type of diode: Schottky rectifying Max. forward impulse current: 65A Load current: 8A Max. forward voltage: 2.2V кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD120A10 | LITTELFUSE | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; 59W; TO220-2 Technology: SiC Power dissipation: 59W Case: TO220-2 Mounting: THT Manufacturer series: LSIC2SD Semiconductor structure: single diode Max. off-state voltage: 1.2kV Type of diode: Schottky rectifying Max. forward impulse current: 80A Load current: 10A Max. forward voltage: 2.2V | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD120A10 | LITTELFUSE | Description: LITTELFUSE - LSIC2SD120A10 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 28 A, 57 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 productTraceability: No Kapazitive Gesamtladung: 57nC rohsCompliant: YES Durchschnittlicher Durchlassstrom: 28A euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Betriebstemperatur, max.: 175°C usEccn: EAR99 | на замовлення 71 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
LSIC2SD120A10 | LITTELFUSE | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; 59W; TO220-2 Technology: SiC Power dissipation: 59W Case: TO220-2 Mounting: THT Manufacturer series: LSIC2SD Semiconductor structure: single diode Max. off-state voltage: 1.2kV Type of diode: Schottky rectifying Max. forward impulse current: 80A Load current: 10A Max. forward voltage: 2.2V кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD120A10 | Littelfuse Inc. | Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 28A TO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 582pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 28A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD120A10 | Littelfuse | Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 10A 2-lead GEN2 SiC | на замовлення 1060 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||
LSIC2SD120A10A | IXYS | Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 1200V 10A TO-220-2L | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD120A10A | LITTELFUSE | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; 65W; TO220-2 Technology: SiC Power dissipation: 65W Case: TO220-2 Mounting: THT Manufacturer series: LSIC2SD Semiconductor structure: single diode Max. off-state voltage: 1.2kV Application: automotive industry Type of diode: Schottky rectifying Max. forward impulse current: 80A Load current: 10A Max. forward voltage: 2V | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD120A10A | LITTELFUSE | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; 65W; TO220-2 Technology: SiC Power dissipation: 65W Case: TO220-2 Mounting: THT Manufacturer series: LSIC2SD Semiconductor structure: single diode Max. off-state voltage: 1.2kV Application: automotive industry Type of diode: Schottky rectifying Max. forward impulse current: 80A Load current: 10A Max. forward voltage: 2V кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD120A15 | Littelfuse | Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 15A TO-220-2L SiC Schottky Diode | на замовлення 1030 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||
LSIC2SD120A15 | Littelfuse | Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 44A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD120A15 | LITTELFUSE | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15A; 93W; TO220-2 Technology: SiC Power dissipation: 93W Case: TO220-2 Mounting: THT Manufacturer series: LSIC2SD Semiconductor structure: single diode Max. off-state voltage: 1.2kV Type of diode: Schottky rectifying Max. forward impulse current: 120A Load current: 15A Max. forward voltage: 2.2V | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD120A15 | Littelfuse Inc. | Description: DIODE SIC SCHOTTKY 1200V 15A | на замовлення 930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
LSIC2SD120A15 | LITTELFUSE | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15A; 93W; TO220-2 Technology: SiC Power dissipation: 93W Case: TO220-2 Mounting: THT Manufacturer series: LSIC2SD Semiconductor structure: single diode Max. off-state voltage: 1.2kV Type of diode: Schottky rectifying Max. forward impulse current: 120A Load current: 15A Max. forward voltage: 2.2V кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD120A15 | LITTELFUSE | Description: LITTELFUSE - LSIC2SD120A15 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 44 A, 92 nC, TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 92 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 44 Anzahl der Pins: 2 Pins Bauform - Diode: TO-220 Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD120A20 | LITTELFUSE | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; 108W; TO220-2 Technology: SiC Power dissipation: 108W Case: TO220-2 Mounting: THT Manufacturer series: LSIC2SD Semiconductor structure: single diode Max. off-state voltage: 1.2kV Type of diode: Schottky rectifying Max. forward impulse current: 140A Load current: 20A Max. forward voltage: 2.2V кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD120A20 | LITTELFUSE | Description: LITTELFUSE - LSIC2SD120A20 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 54.5 A, 115 nC, TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 115 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 54.5 Anzahl der Pins: 2 Pins Bauform - Diode: TO-220 Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD120A20 | Littelfuse | Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 20A TO-220-2L SiC Schottky Diode | на замовлення 821 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||
LSIC2SD120A20 | LITTELFUSE | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; 108W; TO220-2 Technology: SiC Power dissipation: 108W Case: TO220-2 Mounting: THT Manufacturer series: LSIC2SD Semiconductor structure: single diode Max. off-state voltage: 1.2kV Type of diode: Schottky rectifying Max. forward impulse current: 140A Load current: 20A Max. forward voltage: 2.2V | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD120A20 | Littelfuse Inc. | Description: DIODE SIC SCHOTTKY 1200V 20A | на замовлення 728 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
LSIC2SD120A20A | LITTELFUSE | Description: LITTELFUSE - LSIC2SD120A20A - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 55 A, 125 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 euEccn: NLR hazardous: false usEccn: EAR99 | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD120A20A | IXYS | Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 1200V 20A TO-220-2L | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD120A20A | LITTELFUSE | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; 108W; TO220-2 Technology: SiC Power dissipation: 108W Case: TO220-2 Mounting: THT Manufacturer series: LSIC2SD Semiconductor structure: single diode Max. off-state voltage: 1.2kV Application: automotive industry Type of diode: Schottky rectifying Max. forward impulse current: 145A Load current: 20A Max. forward voltage: 2.1V | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD120A20A | LITTELFUSE | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; 108W; TO220-2 Technology: SiC Power dissipation: 108W Case: TO220-2 Mounting: THT Manufacturer series: LSIC2SD Semiconductor structure: single diode Max. off-state voltage: 1.2kV Application: automotive industry Type of diode: Schottky rectifying Max. forward impulse current: 145A Load current: 20A Max. forward voltage: 2.1V кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD120C05 | Littelfuse Inc. | Description: DIODE SIC 1.2KV 18.1A TO252L Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 18.1A Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD120C05 | LITTELFUSE | Description: LITTELFUSE - LSIC2SD120C05 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 18.1 A, 30 nC, TO-252 (DPAK) SVHC: No SVHC (07-Jul-2017) | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD120C05 | Littelfuse Inc. | Description: DIODE SIC 1.2KV 18.1A TO252L Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 18.1A Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD120C05 | LITTELFUSE | Description: LITTELFUSE - LSIC2SD120C05 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 18.1 A, 30 nC, TO-252 (DPAK) Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Kapazitive Gesamtladung: 30 Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchschnittlicher Durchlassstrom: 18.1 Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2 Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - Betriebstemperatur, max.: 175 SVHC: No SVHC (07-Jul-2017) | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD120C05 | Littelfuse | Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 5A 2-lead GEN2 SiC | на замовлення 2639 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||
LSIC2SD120C05A | Littelfuse | Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 1200V 05A TO252-2L | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD120C05A | Littelfuse Inc. | Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 05A TO2 | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD120C05A | Littelfuse | SiC Schottky Diode 1200V 05A TO252-2L | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD120C08 | Littelfuse | Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 8A TO-252-2L SiC Schottky Diode | на замовлення 2504 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||
LSIC2SD120C08 | Littelfuse Inc. | Description: DIODE SIC 1.2KV 24.5A TO252L Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 454pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 24.5A Supplier Device Package: TO-252-2L (DPAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD120C08 | Littelfuse | Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 24.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD120C08 | LITTELFUSE | Description: LITTELFUSE - LSIC2SD120C08 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 24.5 A, 47 nC, TO-252 (DPAK) SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD120C08 | Littelfuse Inc. | Description: DIODE SIC 1.2KV 24.5A TO252L Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 454pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 24.5A Supplier Device Package: TO-252-2L (DPAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD120C08A | Littelfuse Inc. | Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 08A TO2 | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD120C08A | Littelfuse | Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 1200V 08A TO252-2L | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD120C10 | Littelfuse | Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 33A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD120C10 | LITTELFUSE | Description: LITTELFUSE - LSIC2SD120C10 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 33 A, 30 nC, TO-252 (DPAK) SVHC: No SVHC (07-Jul-2017) | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD120C10 | Littelfuse Inc. | Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 33A TO252L Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 582pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 33A Supplier Device Package: TO-252-2L (DPAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD120C10 | Littelfuse | Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 10A 2-lead GEN2 SiC | на замовлення 2211 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||
LSIC2SD120C10 | LITTELFUSE | Description: LITTELFUSE - LSIC2SD120C10 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 33 A, 30 nC, TO-252 (DPAK) Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Kapazitive Gesamtladung: 30 Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchschnittlicher Durchlassstrom: 33 Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2 Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - Betriebstemperatur, max.: 175 SVHC: No SVHC (07-Jul-2017) | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD120C10 | Littelfuse Inc. | Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 33A TO252L Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 582pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 33A Supplier Device Package: TO-252-2L (DPAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD120C10A | Littelfuse Inc. | Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A TO2 | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD120C10A | Littelfuse | SiC Schottky Diode 1200V 10A TO252-2L | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD120C20 | Littelfuse | Diode Schottky SiC 1.2KV 33A TO252 | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD120D10 | LITTELFUSE | Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 1.2kV; 10A; TO263; 59W Technology: SiC Power dissipation: 59W Case: TO263 Mounting: SMD Manufacturer series: LSIC2SD Semiconductor structure: single diode Max. off-state voltage: 1.2kV Type of diode: Schottky rectifying Max. forward impulse current: 80A Load current: 10A Max. forward voltage: 2.2V | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD120D10 | LITTELFUSE | Description: LITTELFUSE - LSIC2SD120D10 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 28 A, 57 nC, TO-263 (D2PAK) SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
LSIC2SD120D10 | LITTELFUSE | Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 1.2kV; 10A; TO263; 59W Technology: SiC Power dissipation: 59W Case: TO263 Mounting: SMD Manufacturer series: LSIC2SD Semiconductor structure: single diode Max. off-state voltage: 1.2kV Type of diode: Schottky rectifying Max. forward impulse current: 80A Load current: 10A Max. forward voltage: 2.2V кількість в упаковці: 800 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD120D10 | Littelfuse Inc. | Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 28A TO263L Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 582pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 28A Supplier Device Package: TO-263-2L Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD120D10 | LITTELFUSE | Description: LITTELFUSE - LSIC2SD120D10 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 28 A, 57 nC, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK) Kapazitive Gesamtladung: 57nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 28A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
LSIC2SD120D10 | Littelfuse | Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 28A 3-Pin(2+Tab) TO-263 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD120D10 | Littelfuse | Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 10A TO-263-2L SiC Schottky Diode | на замовлення 497 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
LSIC2SD120D10 | Littelfuse Inc. | Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 28A TO263L Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 582pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 28A Supplier Device Package: TO-263-2L Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD120D10A | Littelfuse Inc. | Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A TO2 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Supplier Device Package: TO-263-2L Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD120D10A | Littelfuse | SiC Schottky Diode 1200V 10A TO263-2L | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD120D10A | Littelfuse | Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 1200V 10A TO263-2L | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD120D10A | LITTELFUSE | Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 1.2kV; 10A; TO263; 65W Technology: SiC Power dissipation: 65W Case: TO263 Mounting: SMD Manufacturer series: LSIC2SD Semiconductor structure: single diode Max. off-state voltage: 1.2kV Application: automotive industry Type of diode: Schottky rectifying Max. forward impulse current: 80A Load current: 10A Max. forward voltage: 2V | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD120D10A | LITTELFUSE | Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 1.2kV; 10A; TO263; 65W Technology: SiC Power dissipation: 65W Case: TO263 Mounting: SMD Manufacturer series: LSIC2SD Semiconductor structure: single diode Max. off-state voltage: 1.2kV Application: automotive industry Type of diode: Schottky rectifying Max. forward impulse current: 80A Load current: 10A Max. forward voltage: 2V кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD120D15 | Littelfuse | Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 15A TO-263-2L SiC Schottky Diode | на замовлення 377 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
LSIC2SD120D15 | LITTELFUSE | Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 1.2kV; 15A; TO263; 93W Technology: SiC Power dissipation: 93W Case: TO263 Mounting: SMD Manufacturer series: LSIC2SD Semiconductor structure: single diode Max. off-state voltage: 1.2kV Type of diode: Schottky rectifying Max. forward impulse current: 120A Load current: 15A Max. forward voltage: 2.2V | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD120D15 | Littelfuse Inc. | Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 44A TO263L Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 920pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 44A Supplier Device Package: TO-263-2L Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD120D15 | LITTELFUSE | Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 1.2kV; 15A; TO263; 93W Technology: SiC Power dissipation: 93W Case: TO263 Mounting: SMD Manufacturer series: LSIC2SD Semiconductor structure: single diode Max. off-state voltage: 1.2kV Type of diode: Schottky rectifying Max. forward impulse current: 120A Load current: 15A Max. forward voltage: 2.2V кількість в упаковці: 800 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD120D15 | Littelfuse Inc. | Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 44A TO263L Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 920pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 44A Supplier Device Package: TO-263-2L Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD120D15 | Littelfuse | Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 44A 3-Pin(2+Tab) TO-263 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD120D15A | Littelfuse | Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 1200V 15A TO263-2L | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD120D15A | Littelfuse Inc. | Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 15A TO2 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Supplier Device Package: TO-263-2L Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD120D20 | Littelfuse Inc. | Description: DIODE SIC 1.2KV 54.5A TO263L Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1142pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 54.5A Supplier Device Package: TO-263-2L Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD120D20 | Littelfuse | Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 20A TO-263-2L SiC Schottky Diode | на замовлення 904 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||
LSIC2SD120D20 | LITTELFUSE | Description: LITTELFUSE - LSIC2SD120D20 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 54.5 A, 115 nC, TO-263 (D2PAK) SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) | на замовлення 490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
LSIC2SD120D20 | Littelfuse Inc. | Description: DIODE SIC 1.2KV 54.5A TO263L Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1142pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 54.5A Supplier Device Package: TO-263-2L Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD120D20 | LITTELFUSE | Description: LITTELFUSE - LSIC2SD120D20 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 54.5 A, 115 nC, TO-263 (D2PAK) Kapazitive Gesamtladung: 115 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 54.5 Anzahl der Pins: 2 Pins Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK) Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) | на замовлення 490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
LSIC2SD120D20A | LITTELFUSE | Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 1.2kV; 20A; TO263; 108W Technology: SiC Power dissipation: 108W Case: TO263 Mounting: SMD Manufacturer series: LSIC2SD Semiconductor structure: single diode Max. off-state voltage: 1.2kV Application: automotive industry Type of diode: Schottky rectifying Max. forward impulse current: 145A Load current: 20A Max. forward voltage: 2.1V кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD120D20A | Littelfuse Inc. | Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 20A TO2 Packaging: Cut Tape (CT) Part Status: Active Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1310pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 55A Supplier Device Package: TO-263-2L Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD120D20A | Littelfuse Inc. | Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 20A TO2 Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1310pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 55A Supplier Device Package: TO-263-2L Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD120D20A | LITTELFUSE | Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 1.2kV; 20A; TO263; 108W Technology: SiC Power dissipation: 108W Case: TO263 Mounting: SMD Manufacturer series: LSIC2SD Semiconductor structure: single diode Max. off-state voltage: 1.2kV Application: automotive industry Type of diode: Schottky rectifying Max. forward impulse current: 145A Load current: 20A Max. forward voltage: 2.1V | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD120D20A | Littelfuse | Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 1200V 20A TO263-2L | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD120E10CC | LITTELFUSE | Description: LITTELFUSE - LSIC2SD120E10CC - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 35 A, 30 nC, TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 30 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 35 Anzahl der Pins: 3 Pins Bauform - Diode: TO-247 Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) | на замовлення 367 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
LSIC2SD120E10CC | LITTELFUSE | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5Ax2; 43/86W; TO247-3 Technology: SiC Power dissipation: 43/86W Case: TO247-3 Mounting: THT Manufacturer series: LSIC2SD Semiconductor structure: common cathode; double Max. off-state voltage: 1.2kV Type of diode: Schottky rectifying Max. forward impulse current: 40A Load current: 5A x2 Max. forward voltage: 2.1V | на замовлення 424 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
LSIC2SD120E10CC | Littelfuse | Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 10A TO-247-3L SiC Schottky Diode | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
LSIC2SD120E10CC | LITTELFUSE | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5Ax2; 43/86W; TO247-3 Technology: SiC Power dissipation: 43/86W Case: TO247-3 Mounting: THT Manufacturer series: LSIC2SD Semiconductor structure: common cathode; double Max. off-state voltage: 1.2kV Type of diode: Schottky rectifying Max. forward impulse current: 40A Load current: 5A x2 Max. forward voltage: 2.1V кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 424 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||
LSIC2SD120E10CC | Littelfuse Inc. | Description: DIODE SIC 1.2KV 17.5A TO247AD Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 17.5A Supplier Device Package: TO-247AD Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD120E15CC | LITTELFUSE | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 8Ax2; 54/108W; TO247-3 Technology: SiC Power dissipation: 54/108W Case: TO247-3 Mounting: THT Manufacturer series: LSIC2SD Semiconductor structure: common cathode; double Max. off-state voltage: 1.2kV Type of diode: Schottky rectifying Max. forward impulse current: 40A Load current: 8A x2 Max. forward voltage: 2.2V | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD120E15CC | Littelfuse Inc. | Description: DIODE SIC 1.2KV 24.5A TO247AD Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 454pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 24.5A Supplier Device Package: TO-247AD Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V | на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
LSIC2SD120E15CC | Littelfuse | Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 15A TO-247-3L SiC Schottky Diode | на замовлення 40 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
LSIC2SD120E15CC | LITTELFUSE | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 8Ax2; 54/108W; TO247-3 Technology: SiC Power dissipation: 54/108W Case: TO247-3 Mounting: THT Manufacturer series: LSIC2SD Semiconductor structure: common cathode; double Max. off-state voltage: 1.2kV Type of diode: Schottky rectifying Max. forward impulse current: 40A Load current: 8A x2 Max. forward voltage: 2.2V кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD120E15CC | Littelfuse Inc. | Description: DIODE SIC 1.2KV 24.5A TO247AD Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 454pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 24.5A Supplier Device Package: TO-247AD Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD120E20CC | LITTELFUSE | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; 59/118W Technology: SiC Power dissipation: 59/118W Case: TO247-3 Mounting: THT Manufacturer series: LSIC2SD Semiconductor structure: common cathode; double Max. off-state voltage: 1.2kV Type of diode: Schottky rectifying Max. forward impulse current: 80A Load current: 10A x2 Max. forward voltage: 2.2V | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD120E20CC | Littelfuse Inc. | Description: SCHOTTKY DIODE SIC 1200V 20A | на замовлення 172 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
LSIC2SD120E20CC | Littelfuse | Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 20A TO-247-3L SiC Schottky Diode | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD120E20CC | LITTELFUSE | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; 59/118W Technology: SiC Power dissipation: 59/118W Case: TO247-3 Mounting: THT Manufacturer series: LSIC2SD Semiconductor structure: common cathode; double Max. off-state voltage: 1.2kV Type of diode: Schottky rectifying Max. forward impulse current: 80A Load current: 10A x2 Max. forward voltage: 2.2V кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD120E20CCA | LITTELFUSE | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; 130W; TO247-3 Technology: SiC Power dissipation: 130W Case: TO247-3 Mounting: THT Manufacturer series: LSIC2SD Semiconductor structure: common cathode; double Max. off-state voltage: 1.2kV Application: automotive industry Type of diode: Schottky rectifying Max. forward impulse current: 80A Load current: 10A x2 Max. forward voltage: 4V | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD120E20CCA | IXYS | Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 1200V 2x10A TO247-3L | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD120E20CCA | LITTELFUSE | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; 130W; TO247-3 Technology: SiC Power dissipation: 130W Case: TO247-3 Mounting: THT Manufacturer series: LSIC2SD Semiconductor structure: common cathode; double Max. off-state voltage: 1.2kV Application: automotive industry Type of diode: Schottky rectifying Max. forward impulse current: 80A Load current: 10A x2 Max. forward voltage: 4V кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD120E20CCA | Littelfuse | SiC Schottky Diode 1200V 2x10A TO247-3L | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD120E30CC | LITTELFUSE | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15Ax2; 93/186W Technology: SiC Power dissipation: 93/186W Case: TO247-3 Mounting: THT Manufacturer series: LSIC2SD Semiconductor structure: common cathode; double Max. off-state voltage: 1.2kV Type of diode: Schottky rectifying Max. forward impulse current: 120A Load current: 15A x2 Max. forward voltage: 2.2V кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD120E30CC | Littelfuse Inc. | Description: SCHOTTKY DIODE SIC 1200V 30A | на замовлення 549 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
LSIC2SD120E30CC | LITTELFUSE | Description: LITTELFUSE - LSIC2SD120E30CC - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 88 A, 92 nC, TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 92 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 88 Anzahl der Pins: 3 Pins Bauform - Diode: TO-247 Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) | на замовлення 434 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
LSIC2SD120E30CC | LITTELFUSE | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15Ax2; 93/186W Technology: SiC Power dissipation: 93/186W Case: TO247-3 Mounting: THT Manufacturer series: LSIC2SD Semiconductor structure: common cathode; double Max. off-state voltage: 1.2kV Type of diode: Schottky rectifying Max. forward impulse current: 120A Load current: 15A x2 Max. forward voltage: 2.2V | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD120E30CC | Littelfuse | Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 30A TO-247-3L SiC Schottky Diode | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD120E30CCA | LITTELFUSE | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15Ax2; 178W; TO247-3 Technology: SiC Power dissipation: 178W Case: TO247-3 Mounting: THT Manufacturer series: LSIC2SD Semiconductor structure: common cathode; double Max. off-state voltage: 1.2kV Application: automotive industry Type of diode: Schottky rectifying Max. forward impulse current: 120A Load current: 15A x2 Max. forward voltage: 2V | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD120E30CCA | IXYS | Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 1200V 2x15A TO247-3L | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD120E30CCA | LITTELFUSE | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15Ax2; 178W; TO247-3 Technology: SiC Power dissipation: 178W Case: TO247-3 Mounting: THT Manufacturer series: LSIC2SD Semiconductor structure: common cathode; double Max. off-state voltage: 1.2kV Application: automotive industry Type of diode: Schottky rectifying Max. forward impulse current: 120A Load current: 15A x2 Max. forward voltage: 2V кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD120E30CCA | Littelfuse Inc. | Description: SCHOTTKY DIODE SIC 1200V 30A | на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
LSIC2SD120E40CC | Littelfuse | Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 40A TO-247-3L SiC Schottky Diode | на замовлення 218 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
LSIC2SD120E40CC | LITTELFUSE | Description: LITTELFUSE - LSIC2SD120E40CC - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 109 A, 115 nC, TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 115 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 109 Anzahl der Pins: 3 Pins Bauform - Diode: TO-247 Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD120E40CC | LITTELFUSE | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20Ax2; 108/216W Technology: SiC Power dissipation: 108/216W Case: TO247-3 Mounting: THT Manufacturer series: LSIC2SD Semiconductor structure: common cathode; double Max. off-state voltage: 1.2kV Type of diode: Schottky rectifying Max. forward impulse current: 140A Load current: 20A x2 Max. forward voltage: 2.2V кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD120E40CC | Littelfuse Inc. | Description: SCHOTTKY DIODE SIC 1200V 40A | на замовлення 210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
LSIC2SD120E40CC | LITTELFUSE | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20Ax2; 108/216W Technology: SiC Power dissipation: 108/216W Case: TO247-3 Mounting: THT Manufacturer series: LSIC2SD Semiconductor structure: common cathode; double Max. off-state voltage: 1.2kV Type of diode: Schottky rectifying Max. forward impulse current: 140A Load current: 20A x2 Max. forward voltage: 2.2V | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD120E40CCA | Littelfuse | SiC Schottky Diode 1200V 2x20A TO247-3L | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD120E40CCA | LITTELFUSE | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20Ax2; 216W; TO247-3 Technology: SiC Power dissipation: 216W Case: TO247-3 Mounting: THT Manufacturer series: LSIC2SD Semiconductor structure: common cathode; double Max. off-state voltage: 1.2kV Application: automotive industry Type of diode: Schottky rectifying Max. forward impulse current: 145A Load current: 20A x2 Max. forward voltage: 2.1V | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD120E40CCA | IXYS | Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 1200V 2x20A TO247-3L | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD120E40CCA | LITTELFUSE | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20Ax2; 216W; TO247-3 Technology: SiC Power dissipation: 216W Case: TO247-3 Mounting: THT Manufacturer series: LSIC2SD Semiconductor structure: common cathode; double Max. off-state voltage: 1.2kV Application: automotive industry Type of diode: Schottky rectifying Max. forward impulse current: 145A Load current: 20A x2 Max. forward voltage: 2.1V кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD120N120PA | IXYS | Description: DIODE MOD SIC SCHOT 1200V 120A Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 2 Independent Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 60 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD120N120PA | LITTELFUSE | Category: Diode modules Description: Module: diode; double independent; 1.2kV; If: 60Ax2; SOT227B; screw Technology: SiC Case: SOT227B Semiconductor structure: double independent Max. off-state voltage: 1.2kV Features of semiconductor devices: Schottky Electrical mounting: screw Type of module: diode Max. forward impulse current: 440A Load current: 60A x2 Max. forward voltage: 2.1V | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD120N120PA | Littelfuse | Schottky Diodes & Rectifiers 1200V/120A SIC SBD IN SOT-227 | на замовлення 90 шт: термін постачання 786-795 дні (днів) |
| ||||||||||||||
LSIC2SD120N120PA | LITTELFUSE | Category: Diode modules Description: Module: diode; double independent; 1.2kV; If: 60Ax2; SOT227B; screw Technology: SiC Case: SOT227B Semiconductor structure: double independent Max. off-state voltage: 1.2kV Features of semiconductor devices: Schottky Electrical mounting: screw Type of module: diode Max. forward impulse current: 440A Load current: 60A x2 Max. forward voltage: 2.1V кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD120N120PA | Littelfuse | Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 240A 4-Pin SOT-227B Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD120N40PA | LITTELFUSE | Category: Diode modules Description: Module: diode; double independent; 1.2kV; If: 20Ax2; SOT227B; screw Technology: SiC Case: SOT227B Semiconductor structure: double independent Max. off-state voltage: 1.2kV Features of semiconductor devices: Schottky Electrical mounting: screw Type of module: diode Max. forward impulse current: 145A Load current: 20A x2 Max. forward voltage: 2.1V кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD120N40PA | Littelfuse | 1200V/40A SiC SBD in SOT-227 | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD120N40PA | IXYS | Description: DIODE MOD SIC 1200V 42A SOT227B Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 2 Independent Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 42A (DC) Supplier Device Package: SOT-227B - miniBLOC Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD120N40PA | LITTELFUSE | Category: Diode modules Description: Module: diode; double independent; 1.2kV; If: 20Ax2; SOT227B; screw Technology: SiC Case: SOT227B Semiconductor structure: double independent Max. off-state voltage: 1.2kV Features of semiconductor devices: Schottky Electrical mounting: screw Type of module: diode Max. forward impulse current: 145A Load current: 20A x2 Max. forward voltage: 2.1V | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD120N40PA | Littelfuse | Schottky Diodes & Rectifiers 1200V/40A SIC SBD IN SOT-227 | на замовлення 100 шт: термін постачання 895-904 дні (днів) |
| ||||||||||||||
LSIC2SD120N80PA | Littelfuse | Schottky Barrier Diode | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD120N80PA | IXYS | Description: DIODE MOD SIC 1200V 75A SOT227B Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 2 Independent Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 75A (DC) Supplier Device Package: SOT-227B - miniBLOC Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 40 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD120N80PA | LITTELFUSE | Category: Diode modules Description: Module: diode; double independent; 1.2kV; If: 40Ax2; SOT227B; screw Technology: SiC Case: SOT227B Semiconductor structure: double independent Max. off-state voltage: 1.2kV Features of semiconductor devices: Schottky Electrical mounting: screw Type of module: diode Max. forward impulse current: 300A Load current: 40A x2 Max. forward voltage: 2.1V | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD120N80PA | Littelfuse | Schottky Diodes & Rectifiers 1200V/80A SIC SBD IN SOT-227 | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
LSIC2SD120N80PA | LITTELFUSE | Category: Diode modules Description: Module: diode; double independent; 1.2kV; If: 40Ax2; SOT227B; screw Technology: SiC Case: SOT227B Semiconductor structure: double independent Max. off-state voltage: 1.2kV Features of semiconductor devices: Schottky Electrical mounting: screw Type of module: diode Max. forward impulse current: 300A Load current: 40A x2 Max. forward voltage: 2.1V кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD120N80PA | LITTELFUSE | Description: LITTELFUSE - LSIC2SD120N80PA - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, 240 nC, SOT-227B Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.2 Kapazitive Gesamtladung: 240 Anzahl der Pins: 4 Pins Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Bauform - Diode: SOT-227B Diodenkonfiguration: Zweifach Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175 Kontinuierlicher Durchlassstrom If: 150 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD170B10 | Littelfuse | Schottky Diodes & Rectifiers SIC SCHOTTKY DIODE 1700V 10A | на замовлення 288 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
LSIC2SD170B10 | LITTELFUSE | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 10A; 76W; TO220-2 Mounting: THT Manufacturer series: LSIC2SD Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Case: TO220-2 Max. off-state voltage: 1.7kV Max. forward voltage: 2.2V Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 72A Power dissipation: 76W кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD170B10 | Littelfuse | SIC Schottky Barrier Diode | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD170B10 | LITTELFUSE | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 10A; 76W; TO220-2 Mounting: THT Manufacturer series: LSIC2SD Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Case: TO220-2 Max. off-state voltage: 1.7kV Max. forward voltage: 2.2V Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 72A Power dissipation: 76W | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD170B25 | LITTELFUSE | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 25A; 147W; TO220-2 Mounting: THT Manufacturer series: LSIC2SD Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Case: TO220-2 Max. off-state voltage: 1.7kV Max. forward voltage: 2.2V Load current: 25A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 144A Power dissipation: 147W | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD170B25 | Littelfuse | Schottky Diodes & Rectifiers SIC SCHOTTKY DIODE 1700V 25A | на замовлення 450 шт: термін постачання 1219-1228 дні (днів) |
| ||||||||||||||
LSIC2SD170B25 | LITTELFUSE | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 25A; 147W; TO220-2 Mounting: THT Manufacturer series: LSIC2SD Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Case: TO220-2 Max. off-state voltage: 1.7kV Max. forward voltage: 2.2V Load current: 25A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 144A Power dissipation: 147W кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD170B50 | LITTELFUSE | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 50A; 280W; TO220-2 Mounting: THT Manufacturer series: LSIC2SD Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Case: TO220-2 Max. off-state voltage: 1.7kV Max. forward voltage: 2.2V Load current: 50A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 280A Power dissipation: 280W | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIC2SD170B50 | Littelfuse | Schottky Diodes & Rectifiers SIC SCHOTTKY DIODE 1700V 50A | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
LSIC2SD170B50 | LITTELFUSE | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 50A; 280W; TO220-2 Mounting: THT Manufacturer series: LSIC2SD Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Case: TO220-2 Max. off-state voltage: 1.7kV Max. forward voltage: 2.2V Load current: 50A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 280A Power dissipation: 280W кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
LSIFC949E A1 | BGA | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
LSIL2A0984 | HP | BGA | на замовлення 60 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSIL2B1635 | LSI | на замовлення 250 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
LSIL2D0782 | LSI | 01+ BGA | на замовлення 653 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSIL9B0054 | LSILOGIG | 96+ | на замовлення 9 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSIR13733 | LIGITEK | 2010+ LED | на замовлення 6800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSIR2041 | LIGITEK | 2010+ LED | на замовлення 6800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSIR3331 | LIGITEK | 2010+ LED | на замовлення 6800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSIR3331-PF | LIGITEK | 2010+ LED | на замовлення 3400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSIR3331/H0-PF | LIGITEK | 2010+ LED | на замовлення 3400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSIR3331/TBS | LIGITEK | 2010+ LED | на замовлення 3400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSIR3331/TBS-X-PF | LIGITEK | 2010+ LED | на замовлення 3400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSIR3331/TRS | LIGITEK | 2010+ LED | на замовлення 6800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSIR3333 | LIGITEK | 2010+ LED | на замовлення 6800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSIR3333-PF | LIGITEK | 2010+ LED | на замовлення 3400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSIR3333/TBS | LIGITEK | 2010+ LED | на замовлення 3400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSIR3333/TRS | LIGITEK | 2010+ LED | на замовлення 3400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSIR3341/S175-PF | LIGITEK | 2010+ LED | на замовлення 3400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSIR3341/S201-PF | LIGITEK | 2010+ LED | на замовлення 6800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSIR3831 | LIGITEK | 2010+ LED | на замовлення 3400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSIR3831-PF | LIGITEK | 2010+ LED | на замовлення 3400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSIR9033/A Світлодіод d=1.9 мм, інфрачервоний, J= 2.0 mcd, кут огляду 20, SMD | товар відсутній | |||||||||||||||||
LSIR9033/TR3 | LIGITEK | 2010+ LED | на замовлення 3400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSIR9353 | LIGITEK | 2010+ LED | на замовлення 3400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSIR9553/TR1 | LIGITEK | 2010+ LED | на замовлення 3400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSIR9S53/TR1 | LIGITEK | 2010+ LED | на замовлення 3400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSISA81064E | на замовлення 38 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
LSISAS1064 | LSI | BGA | на замовлення 3325 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSISAS1064 A1 | LSI LOGIC | на замовлення 74 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
LSISAS1064 A2 | LSI | 04+ | на замовлення 671 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSISAS1064 A3 | LSI LOGIC | BGA | на замовлення 325 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSISAS1064 A4 /62042E1 | LSI Logic | EPBGA 472/LSISAS1064 REV A.4 PCI-X TO 4-PORT 3 GB/S SAS/SATA CONTROLLER - N SAS1064 кількість в упаковці: 40 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
LSISAS1064 R:A3 | LSI LOGIC | 0630 | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSISAS1064/62042D1 | LSI Logic | EPBGA 472/LSISAS1064 REV A.3 PCI-X TO 4-PORT 3 GB/S SAS/SATA CONTROLLER SAS1064 кількість в упаковці: 40 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
LSISAS1064/62042D2 | LSI Logic | EPBGA 472/LSISAS1064 REV A.3 (LEAD-FREE) PCI-X TO 4-PORT 3 GB/S SAS/SATA CO SAS1064 кількість в упаковці: 40 шт | на замовлення 80 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
LSISAS1064A1 | LSILOGIC | 2004 | на замовлення 74 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSISAS1064A2 | LSI | BGA | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSISAS1064A2 | LSI | на замовлення 212 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
LSISAS1064A3 | LSILOGIC | на замовлення 118 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
LSISAS1064A3 | LSI | 06+ | на замовлення 29 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSISAS1064A4 | LSILOGIC | на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
LSISAS1064A4 | LSI | 06+ | на замовлення 12 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSISAS1064E | LSI | 08+ bga | на замовлення 440 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSISAS1064E | LSI | bga 08+ | на замовлення 440 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSISAS1064E-E1-B2/62097C2 | LSI Logic | EPBGA 636/LSISAS1064E REV B.2 (LEAD-FREE) PCI EXPRESS TO 4 PORT 3 GB/S SAS/ 62097 кількість в упаковці: 40 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
LSISAS1064E/62097B2 | LSI Logic | EPBGA 636/LSISAS1064E REV B.1 (LEAD-FREE - ROHS 6) PCI EXPRESS TO 4 PORT 3 SAS1064 кількість в упаковці: 40 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
LSISAS1068 | на замовлення 290 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
LSISAS1068 AO | LSI | BGA | на замовлення 3325 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSISAS1068 B1 /62089B1 | LSI Logic | EPBGA 636 /LSISAS1068 REV B.1 PCI-X TO 8-PORT 3GB/S SAS/SATA CONTROLLER - N SAS1068 кількість в упаковці: 40 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
LSISAS1068-AO | LSILOGIC | 2005 | на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSISAS1068/62089A1 | LSI Logic | EPBGA 636LSISAS1068 REV B.0 PCI-X TO 8-PORT 3GB/S SAS/SATA CONTROLLER SAS1068 кількість в упаковці: 40 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
LSISAS1068/62089B2 | LSI Logic | EPBGA 636/LSISAS1068 REV B.1 (LEAD-FREE) PCI X TO 8-PORT 3GB/S SAS/SATA CON SAS1068 кількість в упаковці: 40 шт | на замовлення 560 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
LSISAS1068AD | на замовлення 325 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
LSISAS1068B0 | на замовлення 19 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
LSISAS1068BC | LSILOGIC | на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
LSISAS1068BO | LSI | на замовлення 356 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
LSISAS1068E | LSI | на замовлення 150 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
LSISAS1068E B1 | LSI | BGA 09+ | на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSISAS1068E B2 /62095C2 | LSI Logic | EPBGA 636/LSISAS1068E REV B.2 (LEAD-FREE) PCI EXPRESS TO 8-PORT 3GB/S SAS/S 62095C2 кількість в упаковці: 40 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
LSISAS1068E B3 /62095D2 | LSI Logic | EPBGA 636/LSISAS1068E REV B.3 (LEAD-FREE) PCI EXPRESS TO 8-PORT 3GB/S SAS/S 62095D2 кількість в упаковці: 40 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
LSISAS1068E/62095C1 | LSI Logic | EPBGA 636/LSISAS1068E REV B.2 PCI EXPRESS TO 8-PORT 3GB/S SAS/SATA CONTROLL кількість в упаковці: 40 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
LSISAS1068EB3 | LSI | 09+ TSSOP16 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSISAS1068EЎЎB3 | на замовлення 91 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
LSISAS1078 C1 | LSI | BGA | на замовлення 538 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSISAS1078 C2 | LSI | BGA | на замовлення 325 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSISAS1078BO | LSILOGIC | 2005 | на замовлення 111 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSISAS1078C1 | LSI LOGIC | на замовлення 43 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
LSISAS1078C2 | LSILOG | BGA 04+ | на замовлення 480 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSISAS1078C2 | LSILOG | 04+ BGA | на замовлення 480 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSISAS1078CO | LSILOGIC | 05+ | на замовлення 136 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSISASX12 | LSILOGIC | 0451+N | на замовлення 46 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSISASX12 A1 | LSI | BGA | на замовлення 325 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSISASX12 A1 | LSILOGIC | 0451+N | на замовлення 46 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSISASX12 A1 | LSILOGIC | 0451+ | на замовлення 46 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSISASX12A | LSI | на замовлення 1252 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
LSISASX12A AO | BGA | на замовлення 3325 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
LSISASX12A/62084A2 | LSI Logic | EPBGA 472/LSISASX12A REV A.0 (LEAD-FREE) 12-PORT 3 GB/S SAS/SATA EXPANDER кількість в упаковці: 40 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
LSISASX28-E1/62081B2 | LSI Logic | EPBGA 672/LSISASX28 REV A.1 (LEAD-FREE) 28-PORT 3GB/S SAS/SATA EXPANDER 62081B2 кількість в упаковці: 40 шт | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
LSISASX36 | LSILOGIG | 2007 | на замовлення 190 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
LSISASX36/62067A1 | LSI Logic | EPBGA 672/LSISASX36 REV A.0 36-PORT 3GB/S SAS/SATA EXPANDER SASX36 кількість в упаковці: 40 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
LSISASX36/62067A2 | LSI Logic | EPBGA 672/LSISASX36 REV A.0 (LEAD-FREE) 36-PORT 3GB/S SAS/SATA EXPANDER SASX36 кількість в упаковці: 40 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
LSISS1320-CA | LSI Logic | BGA 117/RESTRICTED SALE - SELL LSISS9132 INTERPOSER CARD FIRST (CONTACT LSI LSISS1320 LSILSISS1320CL кількість в упаковці: 20 шт | товар відсутній |