Продукція > MJE

Description: TRANS NPN 400V 0.2A TO92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 20mA, 20V
Frequency - Transition: 8MHz
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1 W

товар відсутній

MJE13001-AP

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

MJE13001-BP

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

MJE13001-TP

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

MJE13001S6D

на замовлення 500000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE13001S8D

на замовлення 500000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE13002

на замовлення 9800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE13002 (транзистор біполярный NPN)
Код товару: 2694

товар відсутній

MJE13002-126

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE13002-92

на замовлення 2310 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE13002-AP

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

MJE13002-BP

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

MJE13002-BP

Description: TRANS NPN 400V 1A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 40mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 9 @ 200mA, 10V
Frequency - Transition: 5MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1.25 W

товар відсутній

MJE13002-TP

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

MJE13002A

на замовлення 9800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE13002B-AP

Description: TRANS NPN 400V 0.8A TO92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 40mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 9 @ 200mA, 10V
Frequency - Transition: 5MHz
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 900 mW

товар відсутній

MJE13002B-AP

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

MJE13002B-BP

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

MJE13002B-TP

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

MJE13003

Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 400V

товар відсутній

MJE13003

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECH

Transistor NPN; 30; 2W; 400V; 1,5A; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJE13003G; MJE13003A-BP; KSE13003AS; ST13003; MJE13003L-B-T60-K; MJE13003 JSMICRO TMJE13003 JSM
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 100 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

100+	6.33 грн

Мінімальне замовлення: 100

MJE13003

Infineon Technologies

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

MJE13003

0419

на замовлення 45 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE13003

NPN 1,5A 400V 40W 5MHz MJE13003 TMJE13003
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

100+	5.95 грн

Мінімальне замовлення: 100

MJE13003

Bipolar Transistors - BJT NPN 400 Volt

товар відсутній

MJE13003

OTOMO

Transistor NPN; 30; 2W; 400V; 1,5A; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJE13003G; MJE13003A-BP; KSE13003AS; ST13003; MJE13003L-B-T60-K; MJE13003 OTOMO TMJE13003 OTO
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 500 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

200+	5.13 грн

Мінімальне замовлення: 200

MJE13003

Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co.,LTD.

Description: TRANS NPN 400V 1.5A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 500mA, 1.5A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1.4 W

товар відсутній

MJE13003

Транзистор биполярный, NPN, 400В, 1,5А, 40Вт, TO-126

на замовлення 25 шт:

термін постачання 5 дні (днів)

MJE13003 (транзистор біполярный NPN)
Код товару: 18858

Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-126
Uceo,V: 400 V
Ucbo,V: 700 V
Ic,A: 1,5 A

товар відсутній

MJE13003(ST13003)

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE13003-1

на замовлення 5500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE13003-12

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE13003-126

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE13003-2

FSC

на замовлення 126000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE13003-AP

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

MJE13003-BP

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

MJE13003-BP

Micro Commercial Components

Description: TRANS NPN 400V 1.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 250mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 5MHz
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1.5 W

товар відсутній

MJE13003-BP

Trans GP BJT NPN 400V 1.5A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Bulk

товар відсутній

MJE13003-BP TO-220
Код товару: 115272

товар відсутній

MJE13003-C

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE13003-TP

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

MJE1300320-25AB

на замовлення 30200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE13003; биполярный; NPN; 300V; 1.5A; 40W; Корпус: TO-126; Fairchild

на замовлення 22 шт:

термін постачання 2-3 дні (днів)

22+	30.65 грн

Мінімальне замовлення: 22

MJE13003A-AP

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

MJE13003A-BP

Description: TRANS NPN 400V 1.5A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 250mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 5MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1.25 W

товар відсутній

MJE13003A-BP

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

MJE13003A-TP

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

MJE13003B-AP

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

MJE13003B-AP

Description: TRANS NPN 400V 1.5A TO92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 500mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 400mA, 10V
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1 W

товар відсутній

MJE13003B-BP

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

MJE13003B-TP

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

MJE13003D-AP

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

MJE13003D-BP

Description: TRANS NPN 400V 1.5A TO251
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 250mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 5MHz
Supplier Device Package: TO-251
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1.25 W

товар відсутній

MJE13003D-BP

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

MJE13003D-TP

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

MJE13003G

на замовлення 10 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE13003G

Trans GP BJT NPN 400V 1.5A 1400mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

товар відсутній

MJE13003G

товар відсутній

MJE13003G

Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 400V

товар відсутній

MJE13003G (транзистор біполярный NPN)
Код товару: 34621

товар відсутній

MJE13003H2

2005

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE13003H2

2005

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE13003L

UTC

NPN 1,5A 400V 40W 5MHz MJE13003L-C UTC TMJE13003 utc
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

100+	11.97 грн

Мінімальне замовлення: 100

MJE13003L-C

UTC

NPN 1,5A 400V 40W 5MHz MJE13003L-C UTC TMJE13003 utc
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 220 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

100+	11.97 грн

Мінімальне замовлення: 100

MJE13003T

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE13003T2

на замовлення 95 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE13003TO-126

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE13004

Description: TRANS NPN 300V 4A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 75 W

на замовлення 6325 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

592+	34.01 грн

Мінімальне замовлення: 592

MJE13004

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

MJE13004 LEDFREE

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

MJE13004 TIN/LEAD

Bipolar Transistors - BJT NPN Fast SW

товар відсутній

MJE13004G

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE13005

Description: MULTICOMP PRO - MJE13005 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 4 A, 75 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: No
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 10485 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	181.99 грн
10+	129.56 грн
100+	101.1 грн
500+	70.24 грн
1000+	48.72 грн
5000+	43.33 грн

Мінімальне замовлення: 5

MJE13005

ON SEMICONDUCTOR

npn 400/700V 3A 60W TO-220

на замовлення 163 шт:

термін постачання 2-3 дні (днів)

5+	48.6 грн

Мінімальне замовлення: 5

MJE13005

Description: TRANS NPN 400V 4A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 4A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 2 W

товар відсутній

MJE13005

Multicomp

Trans GP BJT NPN 400V 4A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220

на замовлення 107 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

MJE13005

OTOMO

Transistor NPN; 30; 2W; 400V; 4A; 5MHz, -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJE13005G; MJE13005-BP; ST13005; PHE13005,127; TS13005CZ; MJE13005L-B-TA3-T; MJE13005 OTOMO TMJE13005 OTO
кількість в упаковці: 50 шт

на замовлення 178 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

50+	12.86 грн

Мінімальне замовлення: 50

MJE13005

Bipolar Transistors - BJT 4A 400V 75W NPN

товар відсутній

MJE13005

NTE Electronics

Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 4A; 75W; TO220
Current gain: 8...60
Collector current: 4A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 75W
Polarisation: bipolar
Mounting: THT
Case: TO220
Collector-emitter voltage: 400V
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

MJE13005

NTE Electronics

товар відсутній

MJE13005

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

MJE13005

Transistor NPN; 30; 2W; 400V; 4A; 5MHz, -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJE13005G; MJE13005-BP; ST13005; PHE13005,127; TS13005CZ; MJE13005L-B-TA3-T; MJE13005 JSMICRO TMJE13005 JSM
кількість в упаковці: 50 шт

на замовлення 200 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

50+	12.86 грн

Мінімальне замовлення: 50

MJE13005
Код товару: 15180

Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-220AB
Uceo,V: 400 V
Ucbo,V: 700 V
Ic,A: 4 А

товар відсутній

MJE13005

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

MJE13005 LEDFREE

ROHM Semiconductor

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

MJE13005 PBFREE

Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 4A; 2W; TO220
Kind of package: bulk
Current gain: 10...60
Collector current: 4A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 2W
Polarisation: bipolar
Mounting: THT
Case: TO220
Frequency: 4MHz
Collector-emitter voltage: 400V

товар відсутній

MJE13005 PBFREE

Description: TRANS NPN 400V 4A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 4A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 2 W

на замовлення 420 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	187.77 грн
50+	143.62 грн
100+	123.11 грн

Мінімальне замовлення: 2

MJE13005 PBFREE

Bipolar Transistors - BJT NPN Fast SW

на замовлення 387 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	201.73 грн
10+	181.19 грн
50+	135.53 грн
100+	117.5 грн
250+	112.83 грн
500+	110.16 грн
1000+	101.48 грн

Мінімальне замовлення: 2

MJE13005 PBFREE

товар відсутній

MJE13005 SL PBFREE

Description: TRANS NPN 400V 4A TO220-3
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V
Supplier Device Package: TO-220-3
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 2 W

товар відсутній

MJE13005 SL PBFREE

Bipolar Transistors - BJT 400Vceo 700Vcev 9.0Vebo 4.0A 75W

на замовлення 138 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	201.73 грн
10+	175.05 грн
50+	128.85 грн
100+	117.5 грн
250+	110.82 грн
500+	104.15 грн
1000+	88.79 грн

Мінімальне замовлення: 2

MJE13005 SL TIN/LEAD

Bipolar Transistors - BJT 400Vceo 700Vcev 9.0Vebo 4.0A 2.0W

товар відсутній

MJE13005 TIN/LEAD

Bipolar Transistors - BJT 400Vceo 700Vcev 9.0Vebo 4.0A 2.0W

товар відсутній

MJE13005 TIN/LEAD

NPN Silicon Power Transistor

товар відсутній

MJE13005(ST13005)

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE13005-1

на замовлення 5750 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE13005-2

на замовлення 50000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE13005-AP

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

MJE13005-BP

Description: TRANS NPN 400V 4A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 500mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 5MHz
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1.5 W

товар відсутній

MJE13005; биполярный; NPN; 400V; 4A; 75W; TO-220AB

на замовлення 5 шт:

термін постачання 2-3 дні (днів)

5+	133.73 грн

Мінімальне замовлення: 5

MJE13005A

на замовлення 78500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE13005B

на замовлення 9800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE13005F-BP

Description: TRANS NPN 420V 4A ITO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 5MHz
Supplier Device Package: ITO-220AB
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 420 V
Power - Max: 2 W

товар відсутній

MJE13005F1

на замовлення 50000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE13005F2

на замовлення 150 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE13005G

товар відсутній

MJE13005G

Trans GP BJT NPN 400V 4A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

товар відсутній

MJE13005G

Bipolar Transistors - BJT 4A 400V 75W NPN

товар відсутній

MJE13006

на замовлення 9800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE13006

NTE Electronics, Inc

Description: TRANS NPN 300V 8A TO220
Packaging: Bag
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 80 W

на замовлення 529 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	115.55 грн
10+	105.71 грн
20+	100.14 грн
50+	88.76 грн
100+	86.8 грн

Мінімальне замовлення: 3

MJE13006G

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE13007

Description: TRANS NPN 400V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V
Frequency - Transition: 14MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 80 W

товар відсутній

MJE13007

Bipolar Transistors - BJT 8A 400V 80W NPN

товар відсутній

MJE13007

On Semiconductor

NPN, Uкэ=400V, Iк=8A (16 имп.), h21=5...40, 4МГц (тип. 14МГц), 80Вт, TO-220AB

на замовлення 2 шт:

термін постачання 5 дні (днів)

MJE13007

NTE Electronics, Inc.

Trans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

57+	207.89 грн

Мінімальне замовлення: 57

MJE13007

Bipolar Transistors - BJT IGBT & Power Bipolar

товар відсутній

MJE13007

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

MJE13007

Transistor NPN; 35; 80W; 400V; 8A; 4MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJE13007G; MJE13007-BP; ST13007; PHE13007,127; FJP13007TU; MJE13007 JSMICRO TMJE13007 JSM
кількість в упаковці: 25 шт

на замовлення 200 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

50+	19.72 грн

Мінімальне замовлення: 50

MJE13007 (MJE13007G) (транзистор біполярний NPN)
Код товару: 38055

Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-220
fT: 14 MHz
Uceo,V: 400 V
Ucbo,V: 700 V
Ic,A: 8 А
h21: 40

товар відсутній

MJE13007 SL

Description: TRANS NPN 400V 8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 80 W

товар відсутній

MJE13007(PHE13007)

на замовлення 220000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE13007-1

на замовлення 400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE13007-2

на замовлення 70 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE13007-AP

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

MJE13007-BP

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

MJE13007-BP

Description: TRANS NPN 400V 8A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 2 W

товар відсутній

MJE13007-BP

Bipolar Transistors - BJT Regulator

товар відсутній

MJE13007-H4

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE13007A

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

MJE13007A

Bipolar Transistors - BJT NPN Hi-Volt Fast Sw

товар відсутній

MJE13007A
Код товару: 123836

товар відсутній

MJE13007F

на замовлення 38000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE13007F-AP

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

MJE13007F-BP

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

MJE13007F-BP

Description: TRANS NPN 400V 8A ITO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: ITO-220AB
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 2 W

товар відсутній

MJE13007F-TP

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

MJE13007F2

на замовлення 5750 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE13007F2 транзистор
Код товару: 58559

товар відсутній

MJE13007G

Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 8A; 80W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 8A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

MJE13007G

Trans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 75 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

MJE13007G

Trans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 75 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	84.63 грн
10+	68.63 грн

Мінімальне замовлення: 7

MJE13007G

Description: TRANS NPN 400V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V
Frequency - Transition: 14MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 80 W

на замовлення 3932 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	86.66 грн
50+	67.15 грн
100+	53.21 грн
500+	42.33 грн
1000+	34.48 грн
2000+	32.46 грн

Мінімальне замовлення: 4

MJE13007G

Trans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

товар відсутній

MJE13007G

Description: ONSEMI - MJE13007G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 400 V, 8 A, 80 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 4hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 14MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	106.35 грн
10+	88.37 грн

Мінімальне замовлення: 8

MJE13007G

товар відсутній

MJE13007G

Bipolar Transistors - BJT 8A 400V 80W NPN

на замовлення 5585 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	91.13 грн
10+	72.86 грн
100+	50.74 грн
500+	42.99 грн
1000+	34.18 грн

Мінімальне замовлення: 4

MJE13007G

Trans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

товар відсутній

MJE13007R

на замовлення 115 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE13008G

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE13009

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

MJE13009

Description: TRANS NPN 400V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3A, 12A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 2 W

товар відсутній

MJE13009

Bipolar Transistors - BJT TO-220 NPN FASTSW PW

товар відсутній

MJE13009

Bipolar Transistors - BJT 12A 400V 100W NPN

товар відсутній

MJE13009 (транзистор біполярный NPN)
Код товару: 30312

Fairchild

Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-220
fT: 4 MHz
Uceo,V: 400 V
Ucbo,V: 700 V
Ic,A: 12 A
h21: 40

товар відсутній

MJE13009-1

на замовлення 4580 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE13009-2

на замовлення 37 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE13009; біполярний; NPN; 400V; 12A; 110W; Корпус: TO-220AB; 4Mhz; -65°+150°C; ON Semi.(FAIRCHILD)

на замовлення 46 шт:

термін постачання 2-3 дні (днів)

25+	27.3 грн

Мінімальне замовлення: 25

MJE13009; біполярний; NPN; 400V; 12A; 110W; Корпус: TO-220AB; NXP

на замовлення 100 шт:

термін постачання 2-3 дні (днів)

20+	33.43 грн

Мінімальне замовлення: 20

MJE13009A

на замовлення 539 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE13009AR

на замовлення 90 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE13009F

на замовлення 814 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE13009F (транзистор біполярный NPN)
Код товару: 104845

Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-220ISO
fT: 4 MHz
Uceo,V: 400 V
Ucbo,V: 700 V
Ic,A: 12 A

у наявності 10 шт:

10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро

1+	30 грн

MJE13009G

на замовлення 1400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE13009G

Bipolar Transistors - BJT 12A 400V 100W NPN

товар відсутній

MJE13009G

Trans GP BJT NPN 400V 12A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

товар відсутній

MJE13009G

Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 700V; 12A; 100W; TO220
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 700V
Collector current: 12A
Power: 0.1kW
Case: TO220
Mounting: THT

товар відсутній

MJE13009G

товар відсутній

MJE13009G (транзистор біполярный NPN)
Код товару: 1141

товар відсутній

MJE13009H3

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE13009H3(25-32)

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE13009L

на замовлення 5750 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE1302

на замовлення 90 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE13070

Description: TRANS NPN 6V 5A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 3A, 5V
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6 V
Power - Max: 80 W

товар відсутній

MJE13070

на замовлення 7253 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE13071

на замовлення 7253 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE13071

на замовлення 967 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

325+	61.35 грн

Мінімальне замовлення: 325

MJE1320

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE15003

ON/MOT

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE15004

ON/MOT

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE15028

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

MJE15028

ONS

Транзистор біполярний TO220-3 NPN 8A 120V

на замовлення 100 шт:

термін постачання 2-3 дні (днів)

6+	54.61 грн
10+	46.57 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJE15028

Description: TRANS NPN 120V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 50 W

товар відсутній

MJE15028

Bipolar Transistors - BJT 8A 120V 50W NPN

товар відсутній

MJE15028

на замовлення 7253 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE15028 (транзистор біполярный NPN)
Код товару: 126210

товар відсутній

MJE15028G

Description: TRANS NPN 120V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 50 W

на замовлення 255 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	97.49 грн
50+	75.38 грн
100+	59.74 грн

Мінімальне замовлення: 3

MJE15028G

Description: ONSEMI - MJE15028G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 120 V, 8 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

на замовлення 710 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	113.84 грн
10+	85.38 грн
100+	63.88 грн
500+	53.41 грн

Мінімальне замовлення: 7

MJE15028G

Trans GP BJT NPN 120V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

244+	47.98 грн

Мінімальне замовлення: 244

MJE15028G

Trans GP BJT NPN 120V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	44.62 грн

Мінімальне замовлення: 500

MJE15028G

Trans GP BJT NPN 120V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 43 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	102 грн
10+	82.52 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJE15028G

Trans GP BJT NPN 120V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

MJE15028G

Trans GP BJT NPN 120V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 43 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

MJE15028G

Bipolar Transistors - BJT 8A 120V 50W NPN

на замовлення 1992 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	104.37 грн
10+	82.92 грн
100+	56.95 грн
500+	40.19 грн
1100+	38.39 грн

Мінімальне замовлення: 3

MJE15029

Multicomp

Trans GP BJT PNP 120V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220

на замовлення 223 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

97+	121.21 грн
102+	115.79 грн

Мінімальне замовлення: 97

MJE15029

на замовлення 68 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE15029

Bipolar Transistors - BJT 8A 120V 50W PNP

товар відсутній

MJE15029

Description: TRANS PNP 120V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 50 W

товар відсутній

MJE15029 (транзистори біполярніе PNP)
Код товару: 126212

товар відсутній

MJE15029G

Bipolar Transistors - BJT 8A 120V 50W PNP

на замовлення 4871 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	142.54 грн
10+	111.32 грн
100+	84.12 грн
500+	70.77 грн
700+	59.28 грн

Мінімальне замовлення: 3

MJE15029G

Trans GP BJT PNP 120V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

MJE15029G

ONS

Транзистор біполярний TO220-3 PNP 8A 120V

на замовлення 100 шт:

термін постачання 2-3 дні (днів)

4+	82.47 грн
10+	70.37 грн

Мінімальне замовлення: 4

MJE15029G

Description: TRANS PNP 120V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 50 W

товар відсутній

MJE15029G

Trans GP BJT PNP 120V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

товар відсутній

MJE15029G

Trans GP BJT PNP 120V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	135.9 грн
10+	93.32 грн

Мінімальне замовлення: 5

MJE15029G

Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 120V; 8A; 50W; TO220AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 120V
Collector current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 85 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	148.29 грн
3+	129.99 грн
10+	110.16 грн
11+	95.13 грн
28+	90.13 грн

Мінімальне замовлення: 2

MJE15029G

Description: ONSEMI - MJE15029G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, PNP, 120 V, 8 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Kollektorstrom: 8A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 23 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	151.28 грн
10+	94.36 грн

Мінімальне замовлення: 5

MJE15029G

на замовлення 85 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	104.31 грн
10+	91.8 грн
11+	79.28 грн
28+	75.11 грн

Мінімальне замовлення: 4

MJE15030
Код товару: 196969

Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-220
fT: 30 MHz
Uceo,V: 150 V
Ucbo,V: 150 V
Ic,A: 8 А
h21: 30
Монтаж: THT

у наявності 100 шт:

100 шт - склад

1+	28 грн
10+	25.2 грн
100+	22.5 грн

MJE15030

Description: MULTICOMP PRO - MJE15030 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 150 V, 8 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 1626 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	199.96 грн
10+	143.04 грн
100+	111.59 грн
500+	77.19 грн
1000+	53.67 грн

Мінімальне замовлення: 4

MJE15030

Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 150V; 8A; 50W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 150V
Collector current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz

товар відсутній

MJE15030

Bipolar Transistors - BJT 8A 150V 50W NPN

товар відсутній

MJE15030

Multicomp

Trans GP BJT NPN 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220

на замовлення 168 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

126+	93.38 грн
145+	80.74 грн

Мінімальне замовлення: 126

MJE15030

import

NPN 8A 150V 50W 30MHz MJE15030 TMJE15030
кількість в упаковці: 50 шт

на замовлення 46 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

50+	30.34 грн

Мінімальне замовлення: 50

MJE15030

Description: TRANS NPN 150V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 50 W

товар відсутній

MJE15030 (транзистор біполярний NPN)
Код товару: 36906

Iscsemi

Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-220
fT: 30 MHz
Uceo,V: 150 V
Ucbo,V: 150 V
Ic,A: 8 А
h21: 30
Монтаж: THT

товар відсутній

MJE15030G

на замовлення 258 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	98.86 грн
5+	82.76 грн
10+	73.02 грн
13+	62.59 грн
36+	59.81 грн

Мінімальне замовлення: 4

MJE15030G

Trans GP BJT NPN 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	77.44 грн
10+	69.94 грн

Мінімальне замовлення: 8

MJE15030G

Trans GP BJT NPN 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 2200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

140+	84.07 грн

Мінімальне замовлення: 140

MJE15030G
Код товару: 180441

товар відсутній

MJE15030G

Bipolar Transistors - BJT 8A 150V 50W NPN

на замовлення 4956 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	104.37 грн
10+	86.76 грн
100+	57.21 грн
500+	50.4 грн
700+	40.46 грн

Мінімальне замовлення: 3

MJE15030G

Trans GP BJT NPN 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	103.37 грн
10+	84.58 грн
100+	63.61 грн
500+	54.44 грн
700+	42.08 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJE15030G

на замовлення 258 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

3+	103.13 грн
10+	87.62 грн
13+	75.11 грн
36+	71.77 грн

Мінімальне замовлення: 3

MJE15030G

Description: TRANS NPN 150V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 50 W

на замовлення 1738 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	102.55 грн
50+	79.47 грн
100+	62.98 грн
500+	50.09 грн
1000+	40.81 грн

Мінімальне замовлення: 3

MJE15030G

Trans GP BJT NPN 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

106+	111.33 грн

Мінімальне замовлення: 106

MJE15030G
Код товару: 154352

товар відсутній

MJE15030G

Trans GP BJT NPN 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 2200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	41.67 грн

Мінімальне замовлення: 8

MJE15030G

Description: ONSEMI - MJE15030G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 150 V, 8 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: No
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 145 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	117.58 грн
10+	89.87 грн
100+	63.73 грн

Мінімальне замовлення: 7

MJE15030MJE15031

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE15031

Description: TRANS PNP 150V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 50 W

товар відсутній

MJE15031

SPTECH

Tranzystor PNP; 40; 2W; 150V; 8A; 30MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: MJE 15031 G; MJE15031G; MJE15031 TMJE15031
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 49 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

20+	51.26 грн

Мінімальне замовлення: 20

MJE15031

Description: MULTICOMP PRO - MJE15031 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 150 V, 8 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 3917 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	203.71 грн
10+	146.04 грн
100+	113.09 грн
500+	78.58 грн
1000+	54.63 грн

Мінімальне замовлення: 4

MJE15031

CDIL

Tranzystor PNP; 40; 2W; 150V; 8A; 30MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: MJE 15031 G; MJE15031G; MJE15031 TMJE15031
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 300 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

20+	51.26 грн

Мінімальне замовлення: 20

MJE15031

Bipolar Transistors - BJT 8A 150V 50W PNP

товар відсутній

MJE15031 PBFREE

Bipolar Transistors - BJT PNP 120Vcbo 120Vceo 5.0Vebo 8.0A 2.0W

товар відсутній

MJE15031G
Код товару: 180445

товар відсутній

MJE15031G

Bipolar Transistors - BJT 8A 150V 50W PNP

на замовлення 34768 шт:

термін постачання 119-128 дні (днів)

3+	105.15 грн
10+	92.9 грн
100+	63.36 грн
500+	52.21 грн
700+	40.72 грн

Мінімальне замовлення: 3

MJE15031G

Description: ONSEMI - MJE15031G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, PNP, 150 V, 8 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

на замовлення 1569 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	116.08 грн
10+	90.62 грн
100+	68.08 грн
500+	43.26 грн
1000+	39.16 грн

Мінімальне замовлення: 7

MJE15031G
Код товару: 45656

товар відсутній

MJE15031G

Bipolar Transistor PNP 150V 8A 50W MJE15031G TO220 ONS TMJE15031 ons
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 34 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

10+	69.44 грн

Мінімальне замовлення: 10

MJE15031G

Trans GP BJT PNP 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

товар відсутній

MJE15031G

Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 150V; 8A; 50W; TO220AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 150V
Collector current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 70MHz

на замовлення 231 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	77.19 грн
10+	68.85 грн
14+	61.2 грн
36+	58.42 грн

Мінімальне замовлення: 5

MJE15031G

Description: TRANS PNP 150V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 50 W

товар відсутній

MJE15031G

Trans GP BJT PNP 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

товар відсутній

MJE15031G

на замовлення 231 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

3+	96.19 грн
10+	82.62 грн
14+	73.44 грн
36+	70.1 грн
250+	69.26 грн

Мінімальне замовлення: 3

MJE15032

Trans GP BJT NPN 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

товар відсутній

MJE15032

Description: TRANS NPN 250V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 50 W

товар відсутній

MJE15032

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

MJE15032

Bipolar Transistors - BJT 8A 250V 50W NPN

товар відсутній

MJE15032 MJE15033

TO220 10+

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE15032G

Trans GP BJT NPN 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

товар відсутній

MJE15032G

Trans GP BJT NPN 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 2391 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	75.88 грн
12+	50.89 грн
100+	50.39 грн
250+	48.1 грн
500+	44.09 грн
700+	38.39 грн

Мінімальне замовлення: 8

MJE15032G

Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 8A; 50W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 250V
Collector current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	116.14 грн

Мінімальне замовлення: 3

MJE15032G

Trans GP BJT NPN 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

товар відсутній

MJE15032G

Trans GP BJT NPN 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 2385 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

144+	81.6 грн
214+	54.72 грн
216+	54.18 грн
250+	51.72 грн
500+	47.42 грн
700+	41.29 грн

Мінімальне замовлення: 144

MJE15032G

на замовлення 3 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

3+	97.06 грн
10+	83.45 грн
13+	75.11 грн
36+	70.93 грн
250+	68.43 грн

Мінімальне замовлення: 3

MJE15032G

Trans GP BJT NPN 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 2391 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	45.72 грн

Мінімальне замовлення: 7

MJE15032G

Description: ONSEMI - MJE15032G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 250 V, 8 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Kollektorstrom: 8A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 696 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	119.83 грн
10+	91.37 грн
100+	64.48 грн
500+	47.15 грн

Мінімальне замовлення: 7

MJE15032G

Description: TRANS NPN 250V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 50 W

на замовлення 3505 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	101.1 грн
50+	77.93 грн
100+	64.13 грн
500+	50.92 грн
1000+	43.2 грн
2000+	41.04 грн

Мінімальне замовлення: 3

MJE15032G

Bipolar Transistors - BJT 8A 250V 50W NPN

на замовлення 8832 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	108.26 грн
10+	85.99 грн
100+	61.09 грн
250+	60.22 грн
500+	51.74 грн
700+	44.4 грн

Мінімальне замовлення: 3

MJE15032G (транзистор біполярний NPN)
Код товару: 28060

Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-220
fT: 30 MHz
Uceo,V: 250 V
Ucbo,V: 250 V
Ic,A: 8 А
h21: 70
Монтаж: THT

у наявності 99 шт:

80 шт - склад
5 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
9 шт - РАДІОМАГ-Дніпро

1+	26.5 грн
10+	23 грн

MJE15032GMJE15033G

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE15032MJE15033

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE15033

Trans GP BJT PNP 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

товар відсутній

MJE15033

Description: TRANS PNP 250V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 50 W

товар відсутній

MJE15033

Bipolar Transistors - BJT 8A 250V 50W PNP

товар відсутній

MJE15033G

Trans GP BJT PNP 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 3194 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	56.53 грн
100+	55.96 грн
250+	53.43 грн
500+	48.97 грн
700+	39.97 грн

Мінімальне замовлення: 11

MJE15033G

Trans GP BJT PNP 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB MJE15033G ONS TMJE15033 ons
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 96 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

10+	62.92 грн

Мінімальне замовлення: 10

MJE15033G

Description: TRANS PNP 250V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 50 W

на замовлення 618 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	104.72 грн
50+	81.06 грн
100+	66.68 грн
500+	52.95 грн

Мінімальне замовлення: 3

MJE15033G

Bipolar Transistors - BJT 8A 250V 50W PNP

на замовлення 10926 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	107.49 грн
10+	87.52 грн
100+	62.69 грн
500+	54.88 грн
700+	47.47 грн
5600+	46.13 грн

Мінімальне замовлення: 3

MJE15033G
Код товару: 27993

Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-220
fT: 30 MHz
Uке, В: 250 V
Uкб, В: 250 V
Iк, А: 8 А
h21,max: 70

у наявності 52 шт:

34 шт - склад
17 шт - РАДІОМАГ-Київ
1 шт - РАДІОМАГ-Харків

1+	30 грн
10+	27 грн

MJE15033G

Description: ONSEMI - MJE15033G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, PNP, 250 V, 8 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 2787 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	128.07 грн
10+	103.35 грн
100+	77.14 грн
500+	49.03 грн
1000+	44.36 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJE15033G

Trans GP BJT PNP 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

товар відсутній

MJE15033G

Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 250V; 8A; 50W; TO220AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 250V
Collector current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 153 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

3+	107.46 грн
10+	91.8 грн
12+	81.78 грн
33+	77.61 грн
250+	75.11 грн

Мінімальне замовлення: 3

MJE15033G

Trans GP BJT PNP 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

товар відсутній

MJE15033G

на замовлення 153 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	103.35 грн
5+	86.23 грн
10+	76.5 грн
12+	68.15 грн
33+	64.68 грн

Мінімальне замовлення: 4

MJE15033G

Trans GP BJT PNP 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 3194 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	47.51 грн

Мінімальне замовлення: 7

MJE15034

Trans GP BJT NPN 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

товар відсутній

MJE15034

на замовлення 1179 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE15034

Description: TRANS NPN 350V 4A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 2 W

товар відсутній

MJE15034

Bipolar Transistors - BJT 4A 350V 50W NPN

товар відсутній

MJE15034(транзистор)
Код товару: 67257

товар відсутній

MJE15034G

Trans GP BJT NPN 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 1364 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	40.11 грн

Мінімальне замовлення: 8

MJE15034G

Trans GP BJT NPN 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail

товар відсутній

MJE15034G

Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 350V; 4A; 50W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 350V
Collector current: 4A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 125 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

3+	86.66 грн
10+	72.6 грн
16+	63.42 грн
43+	59.25 грн

Мінімальне замовлення: 3

MJE15034G

Description: TRANS NPN 350V 4A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 2 W

на замовлення 954 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	98.94 грн
50+	76.5 грн
100+	60.61 грн
500+	48.22 грн

Мінімальне замовлення: 3

MJE15034G

Bipolar Transistors - BJT 4A 350V 50W NPN

на замовлення 17006 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	105.15 грн
10+	85.22 грн
100+	57.75 грн
500+	48.94 грн
800+	39.86 грн
2400+	38.92 грн

Мінімальне замовлення: 3

MJE15034G

на замовлення 125 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	69.54 грн
10+	60.5 грн
16+	52.85 грн
43+	49.38 грн

Мінімальне замовлення: 5

MJE15034G

Trans GP BJT NPN 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail

товар відсутній

MJE15034G

Trans GP BJT NPN 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail

на замовлення 1364 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	104.83 грн
10+	85.46 грн
100+	67.68 грн
500+	54.11 грн
800+	39.81 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJE15034G

Description: ONSEMI - MJE15034G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 350 V, 4 A, 50 W, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

на замовлення 830 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	116.08 грн
10+	88.37 грн
100+	64.78 грн
500+	41.52 грн

Мінімальне замовлення: 7

MJE15034G(транзистор)
Код товару: 61129

товар відсутній

MJE15034MJE15035

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE15035
Код товару: 67258

Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-220
fT: 30 MHz
Uке, В: 350 V
Uкб, В: 350 V
Iк, А: 4 A

товар відсутній

MJE15035

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE15035

Trans GP BJT PNP 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

товар відсутній

MJE15035

Description: TRANS PNP 350V 4A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 2 W

товар відсутній

MJE15035

Bipolar Transistors - BJT 4A 350V 50W PNP

товар відсутній

MJE15035G

Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 350V; 4A; 50W; TO220AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 350V
Collector current: 4A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 190 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

3+	116.13 грн
10+	97.64 грн
12+	85.12 грн
32+	80.11 грн

Мінімальне замовлення: 3

MJE15035G

на замовлення 190 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	93.19 грн
10+	81.37 грн
12+	70.93 грн
32+	66.76 грн

Мінімальне замовлення: 4

MJE15035G

Trans GP BJT PNP 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

125+	94.21 грн
159+	74.01 грн
500+	63.17 грн
800+	47.39 грн

Мінімальне замовлення: 125

MJE15035G

Trans GP BJT PNP 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 1900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	41.9 грн

Мінімальне замовлення: 8

MJE15035G

Trans GP BJT PNP 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	108.36 грн
10+	87.48 грн
100+	68.73 грн
500+	56.56 грн
800+	40.75 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJE15035G

Description: TRANS PNP 350V 4A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 2 W

на замовлення 157 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	103.27 грн
50+	79.92 грн
100+	63.33 грн

Мінімальне замовлення: 3

MJE15035G

Bipolar Transistors - BJT 4A 350V 50W PNP

на замовлення 3306 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	110.6 грн
10+	87.52 грн
100+	60.35 грн
500+	52.21 грн
800+	41.66 грн
2400+	40.72 грн

Мінімальне замовлення: 3

MJE15035G

Description: ONSEMI - MJE15035G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 350 V, 4 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

на замовлення 482 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	123.57 грн
10+	91.37 грн
100+	69.05 грн

Мінімальне замовлення: 7

MJE15035G

Trans GP BJT PNP 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail

на замовлення 1900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	89.77 грн
10+	76.17 грн
100+	62.86 грн
500+	53.32 грн
800+	39.95 грн

Мінімальне замовлення: 7

MJE15035G

Trans GP BJT PNP 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail

на замовлення 1900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

143+	81.92 грн
174+	67.6 грн
500+	59.46 грн
800+	46.4 грн

Мінімальне замовлення: 143

MJE15035G

Trans GP BJT PNP 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail

товар відсутній

MJE15035G(транзистор)
Код товару: 61130

товар відсутній

MJE16002

Description: TRANS NPN 6V 5A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 250µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6 V
Power - Max: 80 W

на замовлення 9472 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

314+	69.33 грн

Мінімальне замовлення: 314

MJE16002

на замовлення 7253 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE16004

Description: ONSEMI - MJE16004 - 5-A SWITCH MAX II POWER TRANSISTOR
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 103800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

642+	37.82 грн

Мінімальне замовлення: 642

MJE16004

Description: MAX II POWER TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active

на замовлення 103800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

533+	37.25 грн

Мінімальне замовлення: 533

MJE170

Bipolar Transistors - BJT 3A 40V 12.5W PNP

товар відсутній

MJE170

09+

на замовлення 20148 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE170

Description: TRANS PNP 40V 3A TO225AA

товар відсутній

MJE170G

Trans GP BJT PNP 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

товар відсутній

MJE170G
Код товару: 161611

товар відсутній

MJE170G

Trans GP BJT PNP 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

на замовлення 366 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	33.34 грн
19+	31.65 грн
100+	27.97 грн

Мінімальне замовлення: 18

MJE170G

Trans GP BJT PNP 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

на замовлення 970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	25.58 грн
24+	24.56 грн
100+	22.27 грн
500+	19.43 грн

Мінімальне замовлення: 23

MJE170G

Bipolar Transistors - BJT 3A 40V 12.5W PNP

на замовлення 958 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	57.95 грн
10+	49.29 грн
100+	31.85 грн
500+	26.7 грн
1000+	20.16 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJE170G

Trans GP BJT PNP 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

на замовлення 366 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

344+	34.09 грн

Мінімальне замовлення: 344

MJE170G

Description: ONSEMI - MJE170G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 12.5 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 12hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 534 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	63.66 грн
15+	52.57 грн
100+	35.72 грн
500+	27.82 грн

Мінімальне замовлення: 12

MJE170G

на замовлення 62 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE170G

Description: TRANS PNP 40V 3A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.5 W

на замовлення 2492 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	62.83 грн
10+	53.13 грн
100+	40.76 грн
500+	30.24 грн
1000+	24.19 грн
2000+	21.92 грн

Мінімальне замовлення: 5

MJE170G

Trans GP BJT PNP 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

товар відсутній

MJE170G

Trans GP BJT PNP 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

MJE170S

на замовлення 90000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE170STU

Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil

на замовлення 2740 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

MJE170STU

Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR

товар відсутній

MJE170STU

Trans GP BJT PNP 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube

товар відсутній

MJE171

Description: TRANS PNP 60V 3A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 12.5 W

товар відсутній

MJE171

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

MJE171

Bipolar Transistors - BJT 3A 60V 12.5W PNP

товар відсутній

MJE171

на замовлення 50000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE171G

Trans GP BJT PNP 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

на замовлення 2013 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

365+	32.06 грн
430+	27.23 грн
500+	24.99 грн
1000+	18.9 грн

Мінімальне замовлення: 365

MJE171G

Trans GP BJT PNP 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

товар відсутній

MJE171G

Bipolar Transistors - BJT 3A 60V 12.5W PNP

на замовлення 1295 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	55.77 грн
10+	47.83 грн
100+	30.51 грн
500+	25.37 грн
1000+	19.23 грн
6000+	19.16 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJE171G

Trans GP BJT PNP 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

товар відсутній

MJE171G

Description: ONSEMI - MJE171G - Bipolarer HF-Transistor, PNP, -60 V, 50 MHz, 1.5 W, -3 A, TO-225
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 12hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: -3A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: -60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 759 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	59.84 грн
15+	50.18 грн
100+	38.57 грн
500+	25.59 грн

Мінімальне замовлення: 13

MJE171G

Trans GP BJT PNP 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

на замовлення 2013 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	31.39 грн
20+	29.77 грн
100+	25.29 грн
500+	22.37 грн
1000+	16.25 грн

Мінімальне замовлення: 19

MJE171G

на замовлення 4609 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	54.16 грн
10+	45.48 грн
100+	31.49 грн
500+	24.69 грн
1000+	21.02 грн
2000+	18.72 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJE171G

Trans GP BJT PNP 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

товар відсутній

MJE171STU

Description: TRANS PNP 60V 3A TO126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.5 W

товар відсутній

MJE172

Description: TRANS PNP 80V 3A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W

товар відсутній

MJE172

Trans GP BJT PNP 80V 3A 12500mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube

товар відсутній

MJE172

Bipolar Transistors - BJT 3A 80V 12.5W PNP

товар відсутній

MJE172

Description: TRANS PNP 80V 3A SOT32-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-32-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 12.5 W

товар відсутній

MJE172/80Vdc3A/TO-220

09+

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE172G

Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 3A; 15W; TO225
Polarisation: bipolar
Kind of package: bulk
Case: TO225
Mounting: THT
Power dissipation: 15W
Frequency: 50MHz
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Type of transistor: PNP
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

MJE172G

Trans GP BJT PNP 80V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

на замовлення 3929 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	48.66 грн
14+	42.56 грн
100+	33.03 грн
500+	23.94 грн
1000+	18.28 грн

Мінімальне замовлення: 12

MJE172G

Trans GP BJT PNP 80V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

товар відсутній

MJE172G

Bipolar Transistors - BJT 3A 80V 12.5W PNP

на замовлення 938 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	53.59 грн
10+	45.45 грн
100+	29.04 грн
500+	23.37 грн
1000+	18.83 грн
3000+	18.69 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJE172G

Trans GP BJT PNP 80V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

на замовлення 3929 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

256+	45.83 грн
329+	35.57 грн
500+	26.73 грн
1000+	21.27 грн

Мінімальне замовлення: 256

MJE172G

товар відсутній

MJE172G

Trans GP BJT PNP 80V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

на замовлення 1340 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	52.45 грн
13+	45.17 грн
100+	34.24 грн
500+	24.33 грн
1000+	17.15 грн

Мінімальне замовлення: 12

MJE172G
Код товару: 86262

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3

товар відсутній

MJE172G

Trans GP BJT PNP 80V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

на замовлення 1440 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

241+	48.65 грн
318+	36.87 грн
500+	27.17 грн
1000+	19.95 грн

Мінімальне замовлення: 241

MJE172G

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

MJE172G

Description: ONSEMI - MJE172G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 3 A, 1.5 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 12hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 1215 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	62.54 грн
15+	52.72 грн
100+	39.09 грн
500+	25.87 грн
1000+	18.49 грн

Мінімальне замовлення: 12

MJE172G

Description: TRANS PNP 80V 3A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W

на замовлення 1104 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	53.44 грн
10+	44.37 грн
100+	30.73 грн
500+	24.1 грн
1000+	20.51 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJE172MJE182

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE172STU

Trans GP BJT PNP 80V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

MJE172STU

на замовлення 19200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE172STU

Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil

на замовлення 4338 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

MJE172STU

Description: ONSEMI - MJE172STU - TRANSISTOR, BIPOLAR, PNP, -80V, TO126-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

MJE172STU

Description: TRANS PNP 80V 3A TO126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W

товар відсутній

MJE172STU

Trans GP BJT PNP 80V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube

товар відсутній

MJE180

Bipolar Transistors - BJT 3A 40V 12.5W NPN

товар відсутній

MJE180

MICROSS/On Semiconductor

Description: DIE TRANS NPN 40V SMALL SIGNAL

товар відсутній

MJE180

NTE Electronics, Inc

Description: TRANS NPN 40V 3A TO225AA

на замовлення 64 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

MJE180

0305

на замовлення 2 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE180 PBFREE

Description: TRANS NPN 40V 3A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.5 W

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	129.99 грн
10+	103.97 грн
100+	82.71 грн
500+	65.68 грн
1000+	55.73 грн

Мінімальне замовлення: 3

MJE180 PBFREE

Trans GP BJT NPN 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-126

товар відсутній

MJE180 PBFREE

Bipolar Transistors - BJT NPN Power

на замовлення 711 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	137.86 грн
10+	112.86 грн
100+	78.11 грн
250+	72.1 грн
500+	65.83 грн
1000+	56.01 грн
2000+	53.14 грн

Мінімальне замовлення: 3

MJE180 TIN/LEAD

Bipolar Transistors - BJT 60Vcbo 40Vceo 7.0Vebo 3.0A 1.5W

товар відсутній

MJE18002

Description: ONSEMI - MJE18002 - TRANSISTOR
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 5437 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1250+	27.11 грн

Мінімальне замовлення: 1250

MJE18002

Description: TRANS NPN 450V 2A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 200mA, 5V
Frequency - Transition: 13MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 50 W

на замовлення 5437 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1025+	19.82 грн

Мінімальне замовлення: 1025

MJE18002

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE18002

Bipolar Transistors - BJT 2A 450V 40W NPN

товар відсутній

MJE18002

товар відсутній

MJE18002D2

Motorola

Description: TRANS NPN 450V 2A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 400mA, 1V
Frequency - Transition: 13MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 50 W

на замовлення 13900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

650+	31.1 грн

Мінімальне замовлення: 650

MJE18002D2

NXP

Description: NXP - MJE18002D2 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 13900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

781+	46.43 грн

Мінімальне замовлення: 781

MJE18002G

Description: ONSEMI - MJE18002G - MJE18002G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 65841 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

650+	54.22 грн

Мінімальне замовлення: 650

MJE18002G

на замовлення 65841 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

513+	40.33 грн

Мінімальне замовлення: 513

MJE18002G

Bipolar Transistors - BJT 2A 450V 40W NPN

товар відсутній

MJE18002G

Trans GP BJT NPN 450V 2A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

товар відсутній

MJE18002G

товар відсутній

MJE18004

Bipolar Transistors - BJT 5A 1000V 75W NPN

товар відсутній

MJE18004

Description: TRANS NPN 450V 5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 500mA, 2.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 300mA, 5V
Frequency - Transition: 13MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 75 W

товар відсутній

MJE18004D2

Description: TRANS NPN 450V 5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 400mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 6 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 13MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 75 W

товар відсутній

MJE18004D2G

Description: TRANS NPN 450V 5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 400mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 6 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 13MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 75 W

товар відсутній

MJE18004G

Trans GP BJT NPN 450V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

товар відсутній

MJE18004G

NPN 5A 1000V 75W MJE18004G TMJE18004
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 100 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

20+	32.58 грн

Мінімальне замовлення: 20

MJE18004G

Trans GP BJT NPN 450V 5A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

товар відсутній

MJE18004G

Trans GP BJT NPN 450V 5A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 825 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	87.55 грн
10+	75.67 грн
100+	62.48 грн
500+	52.82 грн

Мінімальне замовлення: 7

MJE18004G

Bipolar Transistors - BJT 5A 1000V 75W NPN

на замовлення 1767 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	109.04 грн
10+	88.29 грн
100+	59.95 грн
500+	50.87 грн
1000+	41.39 грн
2500+	40.39 грн

Мінімальне замовлення: 3

MJE18004G

Description: TRANS NPN 450V 5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 500mA, 2.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 300mA, 5V
Frequency - Transition: 13MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 75 W

на замовлення 4500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	100.38 грн
50+	77.53 грн
100+	61.43 грн
500+	48.87 грн
1000+	39.81 грн
2000+	37.48 грн

Мінімальне замовлення: 3

MJE18004G

Trans GP BJT NPN 450V 5A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

товар відсутній

MJE18004G

Description: ONSEMI - MJE18004G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 450 V, 5 A, 75 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 32hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 450V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 13MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C

на замовлення 265 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	119.08 грн
10+	90.62 грн
100+	67.25 грн

Мінімальне замовлення: 7

MJE18006

Bipolar Transistors - BJT 6A 450V 100W NPN

товар відсутній

MJE18006

Description: TRANS NPN 450V 6A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 6 @ 3A, 1V
Frequency - Transition: 14MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 100 W

товар відсутній

MJE18006
Код товару: 77960

Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-220AB
Uceo,V: 450 V
Ic,A: 6 А
Монтаж: THT

у наявності 4 шт:

4 шт - РАДІОМАГ-Львів

1+	16 грн

MJE18006

на замовлення 20 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE18006

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

MJE18006G

на замовлення 94000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE18006G

Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 8A 450V

товар відсутній

MJE18006G

Description: ONSEMI - MJE18006G - MJE18006G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 12824 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

400+	89.87 грн

Мінімальне замовлення: 400

MJE18006G

на замовлення 12824 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

310+	66.3 грн

Мінімальне замовлення: 310

MJE18006G

Trans GP BJT NPN 450V 6A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

товар відсутній

MJE18006G

товар відсутній

MJE18008

Bipolar Transistors - BJT 8A 450V 125W NPN

товар відсутній

MJE18008

Description: TRANS NPN 450V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 900mA, 4.5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 13MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 125 W

товар відсутній

MJE18008

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

MJE18008
Код товару: 77961

Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-220
fT: 13 MHz
Uceo,V: 450 V
Ic,A: 8 А
Монтаж: THT

у наявності 3 шт:

3 шт - РАДІОМАГ-Київ

1+	16.5 грн

MJE18008G

Trans GP BJT NPN 450V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 17 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

MJE18008G

Trans GP BJT NPN 450V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

товар відсутній

MJE18008G

Description: ONSEMI - MJE18008G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 450 V, 8 A, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: -mW
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 450V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 13MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 267 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	183.49 грн
10+	131.06 грн
100+	102.6 грн

Мінімальне замовлення: 5

MJE18008G

Bipolar Transistors - BJT 8A 450V 125W NPN

на замовлення 4543 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	168.24 грн
10+	137.43 грн
100+	95.47 грн
250+	88.12 грн
500+	80.11 грн
800+	69.43 грн

Мінімальне замовлення: 2

MJE18008G

Trans GP BJT NPN 450V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 17 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	39.91 грн

Мінімальне замовлення: 15

MJE18008G

Trans GP BJT NPN 450V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

товар відсутній

MJE18008G

Trans GP BJT NPN 450V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 765 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	94.91 грн
10+	89.03 грн
100+	80.15 грн
250+	74.26 грн
500+	65.44 грн

Мінімальне замовлення: 7

MJE18008G

Trans GP BJT NPN 450V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 7 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

MJE18008G

Trans GP BJT NPN 450V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 7 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	152.65 грн

Мінімальне замовлення: 4

MJE18008G

на замовлення 3442 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	153.82 грн
50+	119.17 грн
100+	98.04 грн
500+	77.86 грн
1000+	66.06 грн
2000+	62.76 грн

Мінімальне замовлення: 2

MJE18008G

Trans GP BJT NPN 450V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

товар відсутній

MJE18008G

NPN 8A 450V MJE18008G MJE18008 TO220AB TMJE18008
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 15 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

10+	78.35 грн

Мінімальне замовлення: 10

MJE1800B

на замовлення 502 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE180G

On Semiconductor

NPN 40V 3A TO-225AA (TO-126-3)

на замовлення 3560 шт:

термін постачання 5 дні (днів)

MJE180G

Trans GP BJT NPN 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

товар відсутній

MJE180G

на замовлення 139 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	68.61 грн
10+	53.83 грн
100+	41.89 грн

Мінімальне замовлення: 5

MJE180G
Код товару: 161612

товар відсутній

MJE180G

Description: ONSEMI - MJE180G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 3 A, 12.5 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 12hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 3477 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	62.91 грн
16+	49.35 грн
100+	35.5 грн
500+	30.46 грн
1000+	20.48 грн

Мінімальне замовлення: 12

MJE180G

Bipolar Transistors - BJT 3A 40V 12.5W NPN

на замовлення 338 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	71.74 грн
10+	58.43 грн
100+	39.52 грн
500+	36.52 грн
1000+	26.64 грн

Мінімальне замовлення: 5

MJE180G

Trans GP BJT NPN 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

товар відсутній

MJE180PWD

Description: TRANS NPN 40V 3A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.5 W

товар відсутній

MJE180STU

Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 3A, 40
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.5 W

на замовлення 3840 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1093+	18.46 грн

Мінімальне замовлення: 1093

MJE180STU

Trans GP BJT NPN 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube

на замовлення 1278 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

319+	36.74 грн
408+	28.71 грн
500+	24.82 грн
1000+	19.92 грн

Мінімальне замовлення: 319

MJE180STU

Description: ONSEMI - MJE180STU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 22165 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1920+	18.87 грн

Мінімальне замовлення: 1920

MJE180STU

Trans GP BJT NPN 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube

товар відсутній

MJE180STU

Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil

на замовлення 1484 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	47.82 грн
10+	41.15 грн
100+	26.84 грн
500+	22.1 грн
1000+	18.16 грн
1920+	16.82 грн
5760+	16.42 грн

Мінімальне замовлення: 7

MJE180STU

Description: TRANS NPN 40V 3A TO126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.5 W

на замовлення 1497 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	49.11 грн
10+	41.1 грн
100+	28.44 грн
500+	22.3 грн
1000+	18.98 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJE180STU

Trans GP BJT NPN 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube

товар відсутній

MJE180STU

Trans GP BJT NPN 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube

товар відсутній

MJE180STU

Trans GP BJT NPN 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube

товар відсутній

MJE180STU

Trans GP BJT NPN 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube

на замовлення 1278 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	37.86 грн
17+	34.12 грн
100+	26.66 грн
500+	22.23 грн
1000+	17.13 грн

Мінімальне замовлення: 16

MJE181

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

MJE181

Description: TRANS NPN 60V 3A TO225AA

товар відсутній

MJE181

на замовлення 1865 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE181G

Trans GP BJT NPN 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

товар відсутній

MJE181G

Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 3A; 15W; TO225
Power dissipation: 15W
Case: TO225
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Collector current: 3A
Collector-emitter voltage: 60V
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Current gain: 12...250
Frequency: 50MHz

товар відсутній

MJE181G

Description: TRANS NPN 60V 3A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.5 W

на замовлення 11316 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	51.27 грн
10+	42.63 грн
100+	29.49 грн
500+	23.13 грн
1000+	19.68 грн
2000+	17.53 грн
5000+	16.33 грн
10000+	15.12 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJE181G

товар відсутній

MJE181G

Trans GP BJT NPN 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

товар відсутній

MJE181G

Bipolar Transistors - BJT 3A 60V 12.5W NPN

на замовлення 4464 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	51.41 грн
10+	44.68 грн
100+	29.44 грн
500+	18.16 грн
1000+	16.96 грн
3000+	16.36 грн
6000+	16.29 грн

Мінімальне замовлення: 7

MJE181G

Trans GP BJT NPN 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	70.43 грн
10+	62.5 грн
100+	50.21 грн
500+	38.32 грн
1000+	27.4 грн

Мінімальне замовлення: 9

MJE181G

Trans GP BJT NPN 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

174+	67.31 грн
217+	54.07 грн
500+	42.8 грн
1000+	31.86 грн

Мінімальне замовлення: 174

MJE181STU

Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 3A, 60
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.5 W

на замовлення 6097 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1360+	15.07 грн

Мінімальне замовлення: 1360

MJE181STU

Trans GP BJT NPN 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube

товар відсутній

MJE181STU

Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil

товар відсутній

MJE181STU

Description: TRANS NPN 60V 3A TO126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.5 W

на замовлення 7687 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	39.72 грн

Мінімальне замовлення: 8

MJE181STU

Trans GP BJT NPN 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube

товар відсутній

MJE181STU

Trans GP BJT NPN 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube

товар відсутній

MJE181STU

Trans GP BJT NPN 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube

товар відсутній

MJE181STU

на замовлення 7680 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1920+	16.91 грн

Мінімальне замовлення: 1920

MJE181STU

Description: ONSEMI - MJE181STU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 4017 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1920+	17.23 грн

Мінімальне замовлення: 1920

MJE182

Description: TRANS PWR NPN 3A 80V TO225AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 12.5 W

на замовлення 7552 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1158+	17.34 грн

Мінімальне замовлення: 1158

MJE182

Trans GP BJT NPN 80V 3A 12500mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube

товар відсутній

MJE182

Bipolar Transistors - BJT 3A 80V 12.5W NPN

товар відсутній

MJE182

Description: ONSEMI - MJE182 - MJE182, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 7552 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1500+	17.82 грн

Мінімальне замовлення: 1500

MJE182

09+

на замовлення 20148 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE182

Description: TRANS NPN 80V 3A SOT32-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-32-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 12.5 W

товар відсутній

MJE182

Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur Power Sw

товар відсутній

MJE182

MOT

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE18204

Description: ONSEMI - MJE18204 - TRANSISTOR, NPN TO-220
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 40373 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

682+	36.25 грн

Мінімальне замовлення: 682

MJE18204

Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.25V @ 400mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 200µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 18 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition: 13MHz
Supplier Device Package: TO-220FP
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 35 W

на замовлення 40373 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

567+	35.34 грн

Мінімальне замовлення: 567

MJE18206

Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 200µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 18 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 13MHz
Supplier Device Package: TO-220AB
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 100 W

на замовлення 11725 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1110+	18.01 грн

Мінімальне замовлення: 1110

MJE18206

Description: ONSEMI - MJE18206 - TRANSISTOR
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 11725 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1336+	18.5 грн

Мінімальне замовлення: 1336

MJE182G

Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 3A; 15W; TO225
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: TO225
Current gain: 12...250
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 50MHz
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 148 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

4+	75.76 грн
8+	32.84 грн
25+	28.54 грн
47+	20.78 грн
129+	19.61 грн

Мінімальне замовлення: 4

MJE182G
Код товару: 62118

товар відсутній

MJE182G

Description: ONSEMI - MJE182G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 3 A, 1.5 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 12hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 13870 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	67.03 грн
14+	55.42 грн
100+	35.42 грн
500+	27.54 грн
1000+	19.26 грн
5000+	18.87 грн

Мінімальне замовлення: 12

MJE182G

Trans GP BJT NPN 80V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

товар відсутній

MJE182G

NPN 3A 80V 12.5W 50MHz MJE182 TO126 TMJE182
кількість в упаковці: 50 шт

на замовлення 270 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

50+	11.59 грн

Мінімальне замовлення: 50

MJE182G

на замовлення 148 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	63.13 грн
14+	26.36 грн
25+	23.78 грн
47+	17.32 грн
129+	16.34 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJE182G

Trans GP BJT NPN 80V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

товар відсутній

MJE182G

Trans GP BJT NPN 80V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

на замовлення 5500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	25.44 грн
1000+	21.51 грн
3000+	20.53 грн

Мінімальне замовлення: 500

MJE182G

Description: TRANS NPN 80V 3A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W

на замовлення 2600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	54.89 грн
10+	45.69 грн
100+	31.66 грн
500+	24.83 грн
1000+	21.13 грн
2000+	18.82 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJE182G

Bipolar Transistors - BJT 3A 80V 12.5W NPN

на замовлення 8294 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	58.65 грн
10+	49.98 грн
100+	30.38 грн
500+	25.44 грн
1000+	19.36 грн
3000+	19.23 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJE182STU

Description: TRANS NPN 80V 3A TO126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W

товар відсутній

MJE182STU

Trans GP BJT NPN 80V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube

товар відсутній

MJE182STU

Description: TRANS NPN 80V 3A TO126-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W

на замовлення 319942 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1480+	13.34 грн

Мінімальне замовлення: 1480

MJE182STU

Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil

на замовлення 6816 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

MJE182STU

Description: ONSEMI - MJE182STU - TRANSISTOR, NPN, 80V, 50MHZ, TO-126
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 1477 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

MJE20

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE200

Bipolar Transistors - BJT 5A 25V 15W NPN

товар відсутній

MJE200

Description: TRANS NPN 40V 5A TO225AA

товар відсутній

MJE200

на замовлення 554 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE200-T

на замовлення 1905 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE200G

Trans GP BJT NPN 25V 5A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

товар відсутній

MJE200G

08+ DIP-8

на замовлення 734 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE200G

Description: TRANS NPN 40V 5A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 15 W

на замовлення 7356 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	59.22 грн
10+	49.72 грн
100+	34.4 грн
500+	26.98 грн
1000+	22.96 грн
2000+	20.45 грн
5000+	19.05 грн

Мінімальне замовлення: 5

MJE200G

Description: ONSEMI - MJE200G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 5 A, 15 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 465 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	58.94 грн
16+	48.98 грн
100+	34.9 грн

Мінімальне замовлення: 13

MJE200G

Trans GP BJT NPN 25V 5A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

товар відсутній

MJE200G

Bipolar Transistors - BJT 5A 25V 15W NPN

на замовлення 3185 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	53.59 грн
10+	45.76 грн
100+	31.11 грн
500+	25.24 грн
1000+	22.77 грн
6000+	20.43 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJE200N

LIGHTNING

08+ TO126

на замовлення 50000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE200STU

Description: ONSEMI - MJE200STU - MJE200STU, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 83733 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3840+	12.36 грн

Мінімальне замовлення: 3840

MJE200STU

Trans GP BJT NPN 25V 5A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube

товар відсутній

MJE200STU

Description: TRANS NPN 25V 5A TO126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 15 W

товар відсутній

MJE200STU

на замовлення 40 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE200STU

Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil

на замовлення 3723 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

MJE200STU

Description: TRANS NPN 25V 5A TO126-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 15 W

товар відсутній

MJE200STU

Trans GP BJT NPN 25V 5A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube

товар відсутній

MJE200STU

на замовлення 99932 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1664+	13 грн

Мінімальне замовлення: 1664

MJE200TS

на замовлення 1920 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE200TSTU

Trans GP BJT NPN 25V 5A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Rail

товар відсутній

MJE200TSTU

товар відсутній

MJE210

ROHM Semiconductor

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

MJE210

Description: TRANS PNP 25V 5A SOT32-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: SOT-32-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.5 W

товар відсутній

MJE210

05+06+

на замовлення 900 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE210

Bipolar Transistors - BJT 5A 25V 15W PNP

товар відсутній

MJE210

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

MJE210

Trans GP BJT PNP 25V 5A 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube

товар відсутній

MJE210

Bipolar Transistors - BJT PNP Audio Amplifier

товар відсутній

MJE210-STU

на замовлення 176 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE210G

Trans GP BJT PNP 25V 5A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

товар відсутній

MJE210G

Trans GP BJT PNP 25V 5A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

товар відсутній

MJE210G

Bipolar Transistors - BJT 5A 25V 15W PNP

на замовлення 1442 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	57.95 грн
10+	49.21 грн
100+	33.31 грн
500+	26.17 грн
1000+	20.96 грн
3000+	20.43 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJE210G

Trans GP BJT PNP 25V 5A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

товар відсутній

MJE210G

Trans GP BJT PNP 25V 5A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

товар відсутній

MJE210G

Description: ONSEMI - MJE210G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 5 A, 15 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 1626 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	63.66 грн
15+	52.5 грн
100+	37.37 грн
500+	27.26 грн
1000+	19.64 грн

Мінімальне замовлення: 12

MJE210G

Trans GP BJT PNP 25V 5A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

на замовлення 39 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	34.15 грн
19+	32.06 грн

Мінімальне замовлення: 17

MJE210G

Trans GP BJT PNP 25V 5A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

на замовлення 39 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

MJE210G

Description: TRANS PNP 40V 5A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 15 W

на замовлення 4339 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	59.22 грн
10+	49.72 грн
100+	34.4 грн
500+	26.98 грн
1000+	22.96 грн
2000+	20.45 грн

Мінімальне замовлення: 5

MJE210N

LIGHTNING

TO126 08+

на замовлення 70000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE210STU

Description: TRANS PNP 25V 5A TO126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 15 W

на замовлення 59826 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

300+	65.72 грн

Мінімальне замовлення: 300

MJE210STU

Description: ONSEMI - MJE210STU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 58948 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1920+	15.43 грн

Мінімальне замовлення: 1920

MJE210STU

на замовлення 5250 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE210STU

товар відсутній

MJE210STU

на замовлення 59826 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

550+	65.72 грн

Мінімальне замовлення: 550

MJE210STU

Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil

на замовлення 4256 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

MJE210STU

Trans GP BJT PNP 25V 5A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube

товар відсутній

MJE210STU-FS

Description: TRANS PNP 25V 5A SOT223
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 15 W

товар відсутній

MJE210T

Description: TRANS PNP 40V 5A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 15 W

товар відсутній

MJE210TG

Description: TRANS PNP 40V 5A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 15 W

на замовлення 10150 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1158+	18.78 грн

Мінімальне замовлення: 1158

MJE210TG

Description: TRANS PNP 40V 5A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 15 W

товар відсутній

MJE210TG

Trans GP BJT PNP 25V 5A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

товар відсутній

MJE210TG

Description: ONSEMI - MJE210TG - MJE210TG, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 10150 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1400+	23.97 грн

Мінімальне замовлення: 1400

MJE2360T

на замовлення 261 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE243

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

MJE243

Trans GP BJT NPN 100V 4A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

товар відсутній

MJE243

Description: ONSEMI - MJE243 - TRANS NPN 100V 4A TO225AA
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 920 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

MJE243

Bipolar Transistors - BJT 4A 100V 15W NPN

товар відсутній

MJE243

Description: TRANS NPN 100V 4A TO225AA

товар відсутній

MJE243
Код товару: 41963

товар відсутній

MJE243G

Trans GP BJT NPN 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

на замовлення 21 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

MJE243G

Trans GP BJT NPN 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

товар відсутній

MJE243G

Description: TRANS NPN 100V 4A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W

на замовлення 5034 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	53.44 грн
10+	44.37 грн
100+	30.73 грн
500+	24.1 грн
1000+	20.51 грн
2000+	18.27 грн
5000+	17.02 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJE243G

Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 4A; 15W; TO225
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 4A
Power dissipation: 15W
Case: TO225
Current gain: 15...180
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 40MHz

на замовлення 44 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	61.04 грн
15+	23.78 грн
25+	21.42 грн

Мінімальне замовлення: 7

MJE243G

на замовлення 44 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

4+	73.24 грн
9+	29.64 грн
25+	25.7 грн
52+	18.94 грн
141+	17.86 грн

Мінімальне замовлення: 4

MJE243G

Trans GP BJT NPN 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

товар відсутній

MJE243G

Trans GP BJT NPN 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

на замовлення 28 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	43.93 грн
15+	39.77 грн

Мінімальне замовлення: 14

MJE243G

Trans GP BJT NPN 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

товар відсутній

MJE243G

Bipolar Transistors - BJT 4A 100V 15W NPN

на замовлення 1941 шт:

термін постачання 126-135 дні (днів)

6+	55.77 грн
10+	43.53 грн
100+	28.11 грн
500+	23.17 грн
1000+	18.83 грн
2500+	18.69 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJE243G

Trans GP BJT NPN 100V 4A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

на замовлення 28 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	19.24 грн

Мінімальне замовлення: 17

MJE243G

Trans GP BJT NPN 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

товар відсутній

MJE243G

Description: ONSEMI - MJE243G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 100 V, 4 A, 15 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 134 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	61.34 грн
17+	46.73 грн
100+	31.53 грн

Мінімальне замовлення: 13

MJE243G

NPN 4A 100V 15W MJE243G TMJE243
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 980 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

100+	16.08 грн

Мінімальне замовлення: 100

MJE243MJE253

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE253

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE253

Bipolar Transistors - BJT 4A 100V 15W PNP

товар відсутній

MJE253
Код товару: 41964

товар відсутній

MJE253

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

MJE253G

Trans GP BJT PNP 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	25.15 грн
1000+	18.75 грн

Мінімальне замовлення: 500

MJE253G

Trans GP BJT PNP 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

товар відсутній

MJE253G

Trans GP BJT PNP 100V 4A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

на замовлення 1338 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	19.24 грн

Мінімальне замовлення: 500

MJE253G

Trans GP BJT PNP 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	27.34 грн
1000+	20.39 грн

Мінімальне замовлення: 500

MJE253G

Bipolar Transistors - BJT 4A 100V 15W PNP

на замовлення 16455 шт:

термін постачання 162-171 дні (днів)

7+	47.82 грн
10+	40.77 грн
100+	27.57 грн
500+	22.9 грн
1000+	18.69 грн

Мінімальне замовлення: 7

MJE253G

Description: ONSEMI - MJE253G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, PNP, 100 V, 4 A, 15 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C

товар відсутній

MJE253G

Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 4A; 15W; TO225
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 4A
Power dissipation: 15W
Case: TO225
Current gain: 15...180
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 40MHz
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 472 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

3+	106.95 грн
7+	39 грн
25+	33.13 грн
34+	28.62 грн
93+	27.04 грн

Мінімальне замовлення: 3

MJE253G

Trans GP BJT PNP 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

товар відсутній

MJE253G

Description: TRANS PNP 100V 4A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W

товар відсутній

MJE253G

на замовлення 472 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	89.12 грн
12+	31.29 грн
25+	27.61 грн
34+	23.85 грн
93+	22.53 грн

Мінімальне замовлення: 5

MJE270

Bipolar Transistors - BJT 2A 100V Bipolar

товар відсутній

MJE270

на замовлення 2664 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE270

Description: TRANS NPN DARL 100V 2A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1.2mA, 120mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1500 @ 120mA, 10V
Frequency - Transition: 6MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W

товар відсутній

MJE270

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

MJE270G

Description: TRANS NPN DARL 100V 2A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1.2mA, 120mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1500 @ 120mA, 10V
Frequency - Transition: 6MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W

на замовлення 48 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	54.89 грн
10+	45.83 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJE270G

Description: ONSEMI - MJE270G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 100 V, 2 A, 15 W
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 500hFE
Transistormontage: Durchsteckmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 6MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -W
MSL: -
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -A
Übergangsfrequenz, PNP: -MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 100V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 15W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 2A

на замовлення 111 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	64.48 грн
14+	54.3 грн
100+	34.3 грн

Мінімальне замовлення: 12

MJE270G

Trans Darlington NPN 100V 2A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

на замовлення 400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	36.64 грн
18+	33.19 грн
100+	26.49 грн

Мінімальне замовлення: 16

MJE270G

Darlington Transistors 2A 100V Bipolar Power NPN

на замовлення 5036 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	54.37 грн
10+	50.98 грн
100+	30.58 грн
500+	26.17 грн
1000+	22.3 грн
5000+	19.29 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJE270G

Trans Darlington NPN 100V 2A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

товар відсутній

MJE270G

Trans Darlington NPN 100V 2A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

товар відсутній

MJE270G

Trans Darlington NPN 100V 2A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

товар відсутній

MJE270G

Trans Darlington NPN 100V 2A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

товар відсутній

MJE270G

MJE270G NPN THT Darlington transistors

на замовлення 183 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

7+	42.24 грн
39+	25.29 грн
106+	23.87 грн

Мінімальне замовлення: 7

MJE270TG

Description: TRANS NPN DARL 100V 2A TO126
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1.2mA, 120mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1500 @ 120mA, 10V
Frequency - Transition: 6MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W

на замовлення 791 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	57.05 грн
50+	45.75 грн
100+	33.2 грн
500+	26.03 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJE270TG

Darlington Transistors 2.0 A, 100 V NPN Darlington Bipolar Junction Power Transistor

товар відсутній

MJE270TG

2.0 A, 100 V NPN Darlington Bipolar Junction Power Transistor

товар відсутній

MJE271

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

MJE271

Description: TRANS PNP DARL 100V 2A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1.2mA, 120mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1500 @ 120mA, 10V
Frequency - Transition: 6MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W

товар відсутній

MJE271

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

MJE271

на замовлення 14408 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE271G

на замовлення 7478 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE271G

на замовлення 9677 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

701+	28.67 грн

Мінімальне замовлення: 701

MJE271G

Trans Darlington PNP 100V 2A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

товар відсутній

MJE271G

Darlington Transistors 2A 100V Bipolar Power PNP

товар відсутній

MJE271G

Description: ONSEMI - MJE271G - MJE271G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 9677 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	40.29 грн

Мінімальне замовлення: 1000

MJE271G

товар відсутній

MJE2801T PBFREE

Bipolar Transistors - BJT LEADED POWER TRANSIS GEN PUR T0-220

на замовлення 212 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	271.05 грн
10+	240.31 грн
25+	197.61 грн
100+	171.58 грн
500+	145.54 грн
1000+	120.17 грн
2500+	115.5 грн

Мінімальне замовлення: 2

MJE2801T TIN/LEAD

MJE2801T TIN/LEAD

товар відсутній

MJE2801T TIN/LEAD

Bipolar Transistors - BJT NPN 10A 75W 60Vcbo 60Vceo 3.0A

товар відсутній

MJE2955

MOT

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE2955

FSC

09+ TSSOP

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE2955
Код товару: 24030

Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-220
fT: 2 MHz
Uке, В: 60 V
Uкб, В: 70 V
Iк, А: 10 А
h21,max: 100

товар відсутній

MJE2955-BP

Description: TRANS PNP 60V 10A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.1V @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W

товар відсутній

MJE2955/3055

08+

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE2955ET4

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE2955T

Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 70V; 10A; 90W; TO220AB
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 70V
Collector current: 10A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 90W
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Case: TO220AB
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 485 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

4+	74.59 грн
6+	45.41 грн
25+	36.47 грн
32+	30.96 грн
86+	29.27 грн
500+	28.87 грн

Мінімальне замовлення: 4

MJE2955T

Trans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 14718 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	38.94 грн

Мінімальне замовлення: 8

MJE2955T

Trans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

товар відсутній

MJE2955T

PNP 10A 60V 75W MJE2955T TMJE2955t
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 40 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

30+	23.15 грн

Мінімальне замовлення: 30

MJE2955T

STMICROELECTRONICS

Description: STMICROELECTRONICS - MJE2955T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 10 A, 75 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Kollektorstrom: 10A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 2024 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	85.38 грн
12+	66.58 грн
100+	48.08 грн
500+	37.83 грн
1000+	26.83 грн

Мінімальне замовлення: 9

MJE2955T

Trans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 15204 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

170+	69.13 грн
218+	53.79 грн
500+	45.62 грн
1000+	35.81 грн
2000+	31.28 грн
5000+	28.56 грн

Мінімальне замовлення: 170

MJE2955T

Bipolar Transistors - BJT PNP Gen Pur Switch

на замовлення 1015 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	77.89 грн
10+	63.34 грн
100+	42.86 грн
500+	36.32 грн
1000+	29.64 грн
2000+	27.91 грн
5000+	26.5 грн

Мінімальне замовлення: 4

MJE2955T
Код товару: 57977

Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-220
fT: 2 MHz
Uке, В: 60 V
Uкб, В: 70 V
Iк, А: 10 А

у наявності 65 шт:

41 шт - склад
5 шт - РАДІОМАГ-Київ
9 шт - РАДІОМАГ-Львів
8 шт - РАДІОМАГ-Харків
2 шт - РАДІОМАГ-Одеса

1+	27.5 грн
10+	24.8 грн

MJE2955T

на замовлення 485 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	62.16 грн
10+	36.44 грн
25+	30.39 грн
32+	25.8 грн
86+	24.4 грн

Мінімальне замовлення: 7

MJE2955T

Description: TRANS PNP 60V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 75 W

на замовлення 921 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	72.94 грн
50+	56 грн
100+	44.38 грн
500+	35.3 грн

Мінімальне замовлення: 4

MJE2955T

Биполярный транзистор - [TO-220-3]; Тип: NPN; UКЭ(макс): 60 В; UКЭ(пад): 8 В; IК(макс): 10 А

на замовлення 1 шт:

термін постачання 2-3 дні (днів)

1+	278.6 грн
10+	64.15 грн

MJE2955T

Trans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

товар відсутній

MJE2955T

Trans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

товар відсутній

MJE2955T

Trans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 15218 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	85.31 грн
10+	69.5 грн
100+	54.08 грн
500+	44.22 грн
1000+	33.33 грн
2000+	30.19 грн
5000+	28.71 грн

Мінімальне замовлення: 7

MJE2955TG

Bipolar Transistors - BJT 10A 60V 125W PNP

на замовлення 7954 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	55.07 грн
10+	44.68 грн
100+	33.31 грн
500+	29.37 грн
1000+	25.24 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJE2955TG

Trans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 785 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

251+	46.74 грн
288+	40.69 грн
500+	36.72 грн

Мінімальне замовлення: 251

MJE2955TG

Description: TRANS PNP 60V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 75 W

на замовлення 3068 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	69.33 грн
50+	53.8 грн
100+	42.63 грн
500+	33.91 грн
1000+	27.62 грн
2000+	26 грн

Мінімальне замовлення: 5

MJE2955TG

Trans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

товар відсутній

MJE2955TG

Trans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 785 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	52.9 грн
14+	43.4 грн
100+	37.78 грн
500+	32.88 грн

Мінімальне замовлення: 11

MJE2955TG

на замовлення 725 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE2955TG

Description: ONSEMI - MJE2955TG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 10 A, 75 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	58.94 грн
17+	46.73 грн

Мінімальне замовлення: 13

MJE2955TMJE3055T

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE2955TTU

Fairchild

PNP 60V 10A 0.6W 2MHz MJE2955TTU Fairchild TMJE2955t FAI
кількість в упаковці: 50 шт

на замовлення 10 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

50+	25.55 грн

Мінімальне замовлення: 50

MJE2955TTU

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

MJE2955TTU

Bipolar Transistors - BJT PNP Silicon

товар відсутній

MJE2955TTU

Trans GP BJT PNP 60V 10A 600mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

MJE2955TTU

Description: TRANS PNP 60V 10A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 75 W

товар відсутній

MJE2955TTU

Trans GP BJT PNP 60V 10A 600mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

MJE2955TTU-ON

Description: TRANS PNP 60V 10A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 600 mW

товар відсутній

MJE2955TTU_Q

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

MJE3055

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE3055-BP

Description: TRANS NPN 60V 10A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W

товар відсутній

MJE3055/2955T

на замовлення 1200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE3055T

NPN 10A 60V 75W MJE3055T TMJE3055t
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 30 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

30+	22.12 грн

Мінімальне замовлення: 30

MJE3055T

Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 2240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	53.8 грн
13+	46.53 грн
100+	37.69 грн
500+	33.86 грн
1000+	25.64 грн

Мінімальне замовлення: 11

MJE3055T
Код товару: 190953

JSMICRO

Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-220AB
fT: 2 MHz
Uceo,V: 60 V
Ucbo,V: 70 V
Ic,A: 10 A
h21: 100
Монтаж: THT

у наявності 161 шт:

161 шт - склад

1+	22 грн
10+	19.8 грн
100+	17.9 грн

MJE3055T

Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 70V; 10A; 90W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 70V
Collector current: 10A
Power dissipation: 90W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube

на замовлення 327 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	62.91 грн
10+	34.98 грн
12+	29.49 грн
30+	26.79 грн
50+	26.43 грн
83+	25.33 грн
250+	24.41 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJE3055T

Description: TRANS NPN 60V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 75 W

товар відсутній

MJE3055T

Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 58 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	78.8 грн
10+	63.04 грн

Мінімальне замовлення: 8

MJE3055T

Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur Switch

на замовлення 7129 шт:

термін постачання 133-142 дні (днів)

4+	78.67 грн
10+	62.26 грн
100+	42.93 грн
500+	36.85 грн
1000+	32.11 грн
2000+	30.91 грн
5000+	29.44 грн

Мінімальне замовлення: 4

MJE3055T

Биполярный транзистор - [TO-220-3]; Тип: NPN; UКЭ(макс): 60 В; UКЭ(пад): 8 В; IК(макс): 10 А

на замовлення 1 шт:

термін постачання 2-3 дні (днів)

1+	278.6 грн
10+	64.15 грн

MJE3055T

Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 2240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	18.69 грн

Мінімальне замовлення: 17

MJE3055T

Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 58 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

MJE3055T

Description: MULTICOMP PRO - MJE3055T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 60 V, 10 A, 75 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 75W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
Übergangsfrequenz: 2MHz
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
Dauer-Kollektorstrom: 10A

на замовлення 3221 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	148.29 грн
10+	118.33 грн
100+	84.63 грн
500+	55.01 грн
1000+	36.27 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJE3055T

Description: TRANS NPN 60V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 75 W

товар відсутній

MJE3055T

NPN 10A 60V 75W MJE3055T TMJE3055t
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 150 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

30+	22.12 грн

Мінімальне замовлення: 30

MJE3055T

на замовлення 327 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

4+	75.49 грн
6+	43.59 грн
10+	35.38 грн
30+	32.15 грн
50+	31.71 грн
83+	30.39 грн
250+	29.29 грн

Мінімальне замовлення: 4

MJE3055T

Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 2226 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

233+	50.23 грн
288+	40.69 грн
500+	37.9 грн
1000+	29.9 грн

Мінімальне замовлення: 233

MJE3055T (транзистор біполярний NPN)
Код товару: 26410

Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-220AB
fT: 2 MHz
Uceo,V: 60 V
Ucbo,V: 70 V
Ic,A: 10 А
h21: 100
Монтаж: THT

товар відсутній

MJE3055TG

Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 1450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1450+	27.13 грн

Мінімальне замовлення: 1450

MJE3055TG

Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 1450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1450+	24.61 грн

Мінімальне замовлення: 1450

MJE3055TG

Description: ONSEMI - MJE3055TG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 10 A, 75 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	61.79 грн
15+	52.13 грн

Мінімальне замовлення: 13

MJE3055TG

на замовлення 1050 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE3055TG

Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 1795 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	54.09 грн
13+	47.58 грн
100+	36.17 грн
500+	28.33 грн
1000+	21.73 грн

Мінімальне замовлення: 11

MJE3055TG

Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 1795 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

229+	51.24 грн
301+	38.95 грн
500+	31.64 грн
1000+	25.27 грн

Мінімальне замовлення: 229

MJE3055TG

Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

товар відсутній

MJE3055TG

Description: TRANS NPN 60V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 75 W

на замовлення 5901 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	60.66 грн
50+	46.87 грн
100+	37.14 грн
500+	29.54 грн
1000+	24.06 грн
2000+	22.65 грн
5000+	21.22 грн

Мінімальне замовлення: 5

MJE3055TG

Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 1450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

400+	29.29 грн

Мінімальне замовлення: 400

MJE3055TG

Bipolar Transistors - BJT 10A 60V 125W NPN

на замовлення 17425 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	53.59 грн
10+	45.37 грн
100+	30.71 грн
500+	22.97 грн
1000+	21.7 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJE3055TL

на замовлення 1898 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE3055TTU

Description: TRANS NPN 60V 10A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 75 W

товар відсутній

MJE3055TTU

Bipolar Transistors - BJT NPN Sil Transistor

на замовлення 2024 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

MJE3055TTU

Trans GP BJT NPN 60V 10A 600mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 36 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	55.49 грн
13+	46.5 грн

Мінімальне замовлення: 11

MJE3055TTU

Trans GP BJT NPN 60V 10A 600mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

MJE340

Транзистор NPN; Uceo, В = 300; Ic = 500 мА; hFE = 240 @ Ic = 50 mA, Vce = 10 V; Icutoff-max = 100 мкА; Р, Вт = 20 Вт; Тексп, °C = -65...+150; Тип монт. = вивідний; TO-126-3

на замовлення 15 шт:

термін постачання 2-3 дні (днів)

15+	41.61 грн
100+	13.29 грн

Мінімальне замовлення: 15

MJE340

Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 2800mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube

на замовлення 10388 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

254+	46.15 грн
366+	32.01 грн
500+	27.07 грн
1000+	20.07 грн
2500+	18.36 грн
10000+	15.08 грн

Мінімальне замовлення: 254

MJE340

Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

товар відсутній

MJE340

Bipolar Transistors - BJT NPN Medium Power

на замовлення 96 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	52.19 грн
10+	42.53 грн
100+	26.9 грн
500+	22.5 грн
1000+	19.09 грн
2000+	16.96 грн
4000+	16.09 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJE340

Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 2800mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube

на замовлення 10410 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	51.48 грн
14+	42.78 грн
100+	29.68 грн
500+	24.2 грн
1000+	17.23 грн
2500+	16.34 грн
10000+	13.98 грн

Мінімальне замовлення: 12

MJE340

Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 2800mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube

на замовлення 388 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	50.6 грн
14+	42.01 грн
100+	29.09 грн

Мінімальне замовлення: 12

MJE340

Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 2800mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube

на замовлення 10410 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	13.71 грн

Мінімальне замовлення: 23

MJE340

Description: MULTICOMP PRO - MJE340 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 500 mA, 20 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: -
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-126
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 4312 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	73.1 грн
13+	58.49 грн
100+	41.79 грн
500+	27.12 грн
1000+	17.91 грн

Мінімальне замовлення: 11

MJE340

Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.5A; 20.8W; SOT32
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 20.8W
Case: SOT32
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 1570 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

5+	54.6 грн
10+	47.57 грн
25+	41.98 грн
45+	21.78 грн
123+	20.61 грн

Мінімальне замовлення: 5

MJE340
Код товару: 174065

Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-225
Uceo,V: 300 V
Ucbo,V: 300 V
Ic,A: 0,5 A
Монтаж: THT

у наявності 261 шт:

204 шт - склад
17 шт - РАДІОМАГ-Київ
20 шт - РАДІОМАГ-Львів
20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро

1+	9 грн
10+	8 грн
100+	7.2 грн

MJE340

Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 2800mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube

товар відсутній

MJE340

Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

товар відсутній

MJE340

HOTTECH

NPN 500mA 300V 21W MJE340 CDIL TMJE340
кількість в упаковці: 50 шт

на замовлення 174 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

100+	6.84 грн

Мінімальне замовлення: 100

MJE340

Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 2800mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube

на замовлення 388 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

259+	45.24 грн
374+	31.33 грн

Мінімальне замовлення: 259

MJE340

STMICROELECTRONICS

Description: STMICROELECTRONICS - MJE340 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 500 mA, 20.8 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20.8W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: No
Übergangsfrequenz: -MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 15192 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	59.69 грн
16+	47.48 грн
100+	31.38 грн
500+	24.34 грн
1000+	16.11 грн
5000+	15.79 грн

Мінімальне замовлення: 13

MJE340

на замовлення 1570 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	43.81 грн
10+	39.64 грн
25+	34.98 грн
45+	18.15 грн
123+	17.18 грн

Мінімальне замовлення: 8

MJE340

Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 2800mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube

товар відсутній

MJE340

Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 2800mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube

товар відсутній

MJE340

Description: TRANS NPN 300V 0.5A SOT32-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-32-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 20.8 W

на замовлення 1689 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	47.66 грн
50+	38.26 грн
100+	27.78 грн
500+	21.78 грн
1000+	18.53 грн

Мінімальне замовлення: 7

MJE340 (Hottech)
Код товару: 189369

Hottech

Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-126
Uceo,V: 300 V
Ucbo,V: 300 V
Ic,A: 0,5 A
Монтаж: THT

товар відсутній

MJE340 (транзистор біполярний NPN)
Код товару: 128645

CDIL

Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-225
Uceo,V: 300 V
Ucbo,V: 300 V
Ic,A: 0,5 A
Монтаж: THT

товар відсутній

MJE340 (транзистор біполярний NPN)
Код товару: 29960

Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-126
Uceo,V: 300 V
Ucbo,V: 300 V
Ic,A: 0,5 A

товар відсутній

MJE340 PBFREE

Bipolar Transistors - BJT . .

товар відсутній

MJE340 TIN/LEAD

Bipolar Transistors - BJT 300Vcbo 300Vceo 3.0Vebo 500mA 20.8W

товар відсутній

MJE340/350

на замовлення 90000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE340F

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE340G

Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

на замовлення 14526 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

357+	32.85 грн
565+	20.72 грн
1000+	18.13 грн
3000+	14.82 грн

Мінімальне замовлення: 357

MJE340G

Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.5A; 20W; TO225
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 20W
Case: TO225
Current gain: 30...240
Mounting: THT
Kind of package: bulk

на замовлення 565 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

14+	28.23 грн
15+	23.71 грн
25+	20.93 грн
43+	18.89 грн
100+	18.71 грн
118+	17.86 грн
500+	17.59 грн

Мінімальне замовлення: 14

MJE340G

на замовлення 565 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

8+	33.88 грн
10+	29.55 грн
25+	25.12 грн
43+	22.67 грн
100+	22.45 грн
118+	21.43 грн
500+	21.11 грн

Мінімальне замовлення: 8

MJE340G

Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

товар відсутній

MJE340G

Description: TRANS NPN 300V 0.5A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 20 W

на замовлення 7849 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	39.72 грн
10+	33.1 грн
100+	22.93 грн
500+	17.98 грн
1000+	15.3 грн
2000+	13.63 грн
5000+	12.7 грн

Мінімальне замовлення: 8

MJE340G

NPN 500mA 300V 20W MJE340G ONS TMJE340 ONS
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 440 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

100+	16.82 грн

Мінімальне замовлення: 100

MJE340G

Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

на замовлення 14535 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	34.02 грн
20+	30.46 грн
500+	19.21 грн
1000+	16.21 грн
3000+	12.72 грн

Мінімальне замовлення: 18

MJE340G

Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

на замовлення 29535 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	14.33 грн

Мінімальне замовлення: 22

MJE340G
Код товару: 112487

Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-225
Uceo,V: 300 V
Ic,A: 0,5 A
Монтаж: THT

товар відсутній

MJE340G

Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

товар відсутній

MJE340G

Description: ONSEMI - MJE340G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 300 V, 500 mA, 20 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 240hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-225AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 17046 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	49.5 грн
19+	40.59 грн
100+	30.93 грн
500+	19.75 грн
1000+	13.42 грн
5000+	13.16 грн

Мінімальне замовлення: 16

MJE340G

Bipolar Transistors - BJT 0.5A 300V 20W NPN

на замовлення 38077 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	43.46 грн
10+	36.85 грн
100+	22.16 грн
500+	18.49 грн
1000+	14.02 грн
3000+	13.95 грн

Мінімальне замовлення: 8

MJE340G

Transistor NPN; 240; 20W; 300V; 500mA; -65°C ~ 150°C; Equivalent: MJE340; MJE340STU; KSE340; KSE340STU; MJE340G JSMICRO TMJE340 JSM
кількість в упаковці: 50 шт

на замовлення 100 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

50+	11.15 грн

Мінімальне замовлення: 50

MJE340G/MJE350G

TO-225 10+

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE340MJE350

FSCST

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE340STU

Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil

товар відсутній

MJE340STU

Description: TRANS NPN 300V 0.5A TO126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 20 W

товар відсутній

MJE340STU

Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube

товар відсутній

MJE340STU

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

MJE340STU

Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube

товар відсутній

MJE3439

на замовлення 1705 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE3439

Description: ONSEMI - MJE3439 - TRANS NPN 350V 0.3A TO225AA
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.59 грн

Мінімальне замовлення: 3000

MJE3439

Description: TRANS PWR NPN .3A 350V TO225AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 15MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 15 W

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2219+	9.34 грн

Мінімальне замовлення: 2219

MJE3439G

Trans GP BJT NPN 350V 0.3A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

товар відсутній

MJE3439G

Description: TRANS NPN 350V 0.3A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 15MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 15 W

товар відсутній

MJE3439G

Trans GP BJT NPN 350V 0.3A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

на замовлення 337 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	38.36 грн
17+	34.42 грн
100+	26.11 грн

Мінімальне замовлення: 16

MJE3439G

Trans GP BJT NPN 350V 0.3A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

товар відсутній

MJE3439G

Bipolar Transistors - BJT 0.3A 350V 15W NPN

на замовлення 1634 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

MJE3439G

Trans GP BJT NPN 350V 0.3A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

на замовлення 235 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

40+	14.71 грн

Мінімальне замовлення: 40

MJE3439G

на замовлення 213 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE3439G

Trans GP BJT NPN 350V 0.3A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

товар відсутній

MJE344

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

MJE344

TO-126

на замовлення 1980 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE344

Bipolar Transistors - BJT 0.5A 200V 20W NPN

товар відсутній

MJE344

Description: TRANS NPN 200V 500MA TO225AA

товар відсутній

MJE3440

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

MJE3440

TO-126

на замовлення 1990 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE3440

Bipolar Transistors - BJT NPN Fast Switching

товар відсутній

MJE344G

Trans GP BJT NPN 200V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

товар відсутній

MJE344G

Trans GP BJT NPN 200V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

на замовлення 480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	42.08 грн
16+	36.35 грн
100+	28.53 грн

Мінімальне замовлення: 14

MJE344G

на замовлення 175 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE344G

Description: TRANS NPN 200V 0.5A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 15MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
Power - Max: 20 W

товар відсутній

MJE344G

Trans GP BJT NPN 200V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

на замовлення 2794 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	36.5 грн
18+	32.28 грн
100+	26.19 грн
500+	21.21 грн
1000+	15.91 грн
2500+	12.32 грн

Мінімальне замовлення: 16

MJE344G

Bipolar Transistors - BJT 0.5A 200V 20W NPN

на замовлення 1494 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

MJE344G

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE344G

Trans GP BJT NPN 200V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

товар відсутній

MJE350

Description: MULTICOMP PRO - MJE350 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 300 V, 500 mA, 20 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-126
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 3983 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	76.39 грн
13+	61.26 грн
100+	43.74 грн
500+	28.44 грн
1000+	18.74 грн

Мінімальне замовлення: 10

MJE350

PNP 500mA 300V 20W MJE350 TMJE350
кількість в упаковці: 50 шт

на замовлення 90 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

50+	17.01 грн

Мінімальне замовлення: 50

MJE350

Description: TRANS PNP 300V 0.5A SOT32-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-32-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 20.8 W

на замовлення 3839 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	46.94 грн
50+	37.09 грн
100+	26.93 грн
500+	21.11 грн
1000+	17.97 грн
2000+	16 грн

Мінімальне замовлення: 7

MJE350

Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 2800mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube

на замовлення 24531 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

264+	44.43 грн
367+	31.89 грн
500+	27.33 грн
1000+	22.64 грн
2000+	15.83 грн
4000+	15.04 грн
10000+	14.89 грн

Мінімальне замовлення: 264

MJE350

Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 2800mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube

товар відсутній

MJE350

Bipolar Transistors - BJT PNP Medium Power

на замовлення 4106 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	49.23 грн
10+	40.08 грн
100+	25.64 грн
500+	21.7 грн
1000+	18.96 грн
2000+	16.22 грн
4000+	16.09 грн

Мінімальне замовлення: 7

MJE350

Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 2800mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube

на замовлення 4362 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	49.55 грн
15+	41.11 грн
100+	29.32 грн
500+	24.19 грн
1000+	19.2 грн
2000+	15.3 грн

Мінімальне замовлення: 12

MJE350
Код товару: 34450

Fairchild

Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-126
Uке, В: 300 V
Uкб, В: 300 V
Iк, А: 0,5 A

товар відсутній

MJE350

Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.5A; 20W; SOT32
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 20W
Case: SOT32
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 2170 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

6+	46.54 грн
10+	41.06 грн
25+	37.55 грн
55+	17.69 грн
151+	16.69 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJE350

Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 2800mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube

на замовлення 24567 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	49.42 грн
15+	41.19 грн
100+	29.56 грн
500+	24.43 грн
1000+	19.43 грн
2000+	14.09 грн
4000+	13.94 грн
10000+	13.81 грн

Мінімальне замовлення: 12

MJE350

Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 2800mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube

на замовлення 24567 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	18.54 грн

Мінімальне замовлення: 17

MJE350

STMICROELECTRONICS

Description: STMICROELECTRONICS - MJE350 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 500 mA, 20.8 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 240hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20.8W
Bauform - Transistor: TO-225AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)

на замовлення 5453 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	59.69 грн
16+	47.11 грн
100+	31.01 грн
500+	24.06 грн
1000+	16.37 грн
5000+	16.05 грн

Мінімальне замовлення: 13

MJE350

PNP 500mA 300V 20W MJE350 TMJE350
кількість в упаковці: 50 шт

на замовлення 300 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

50+	17.01 грн

Мінімальне замовлення: 50

MJE350

STMicroelectronics NV

PNP, Uкэ=300V, Iк=0.5A, h21=30...240, 20.8Вт, SOT-32 (компл. MJE340)

на замовлення 3724 шт:

термін постачання 5 дні (днів)

MJE350

Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 2800mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube

на замовлення 4362 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

265+	44.28 грн
371+	31.58 грн
500+	27.01 грн
1000+	22.33 грн
2000+	17.16 грн

Мінімальне замовлення: 265

MJE350

на замовлення 2170 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	42.69 грн
10+	37.34 грн
11+	34.22 грн
25+	31.29 грн
55+	14.74 грн
151+	13.91 грн

Мінімальне замовлення: 9

MJE350 = KSE350STU
Код товару: 30696

Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-127
Uке, В: 300 V
Uкб, В: 300 V
Iк, А: 0,5 A

товар відсутній

MJE350G

Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 MJE350G ONS TMJE350g ONS
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 300 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

30+	21.43 грн

Мінімальне замовлення: 30

MJE350G

Description: ONSEMI - MJE350G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 300 V, 500 mA, 20 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 20W
euEccn: NLR
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 240hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
Dauer-Kollektorstrom: 500mA

на замовлення 5941 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	40.67 грн
22+	35.12 грн
100+	29.36 грн
500+	20.52 грн
1000+	17.14 грн
5000+	15.34 грн

Мінімальне замовлення: 19

MJE350G

Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.5A; 20W; TO225
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 20W
Case: TO225
Current gain: 30...240
Mounting: THT
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

MJE350G

Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

на замовлення 1980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

281+	41.66 грн
402+	29.17 грн
500+	24.32 грн
1000+	18.01 грн

Мінімальне замовлення: 281

MJE350G

Transistor PNP; 240; 20W; 300V; 500mA; -65°C ~ 150°C; Equivalent: MJE350; MJE350STU; KSE350; KSE350STU; MJE350G JSMICRO TMJE350 JSM
кількість в упаковці: 50 шт

на замовлення 100 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

50+	11.15 грн

Мінімальне замовлення: 50

MJE350G

товар відсутній

MJE350G
Код товару: 112488

товар відсутній

MJE350G

Description: TRANS PNP 300V 0.5A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 20 W

на замовлення 1356 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	49.11 грн
10+	41.03 грн
100+	28.42 грн
500+	22.28 грн
1000+	18.96 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJE350G

Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

товар відсутній

MJE350G

Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

на замовлення 1990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	17.84 грн

Мінімальне замовлення: 18

MJE350G

Bipolar Transistors - BJT 0.5A 300V 20W PNP

на замовлення 25052 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	39.1 грн
10+	34.55 грн
100+	22.9 грн
500+	19.76 грн
1000+	16.29 грн
3000+	15.69 грн

Мінімальне замовлення: 8

MJE350G

Транзистор PNP; Ptot, Вт = 20; Uceo, В = 300; Ic = 500 мА; Тип монт. = вивідний; hFE = 30 (при 50 мА, 10 В); Тексп, °С = -65...+150; TO-225AA

на замовлення 60 шт:

термін постачання 2-3 дні (днів)

46+	13.57 грн
50+	12.67 грн
100+	11.76 грн

Мінімальне замовлення: 46

MJE350G

Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

на замовлення 1990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	40.64 грн
16+	38.62 грн
100+	27.04 грн
500+	21.74 грн
1000+	15.46 грн

Мінімальне замовлення: 15

MJE350MJE340

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE350STU

Description: TRANS PNP 300V 0.5A TO126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 20 W

товар відсутній

MJE350STU

Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube

товар відсутній

MJE350STU

Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil

товар відсутній

MJE350STU

Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube

товар відсутній

MJE350STU-FS

Description: TRANS PNP 300V 0.5A SOT223
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 20 W

товар відсутній

MJE350 /MJE340

09+

на замовлення 50000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE371

Description: TRANS PNP 40V 4A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 1V
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 40 W

товар відсутній

MJE371

09+

на замовлення 20148 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE371

Description: ONSEMI - MJE371 - TRANS PNP 40V 4A TO225AA
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 1275 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

MJE371 PBFREE

Bipolar Transistors - BJT PNP GP

на замовлення 512 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	150.32 грн
10+	132.82 грн
25+	109.49 грн
100+	93.47 грн

Мінімальне замовлення: 3

MJE371 TIN/LEAD

Bipolar Transistors - BJT 40Vcbo 40Vceo 4.0Vebo 4.0A 40W

товар відсутній

MJE371(транзистор)
Код товару: 92550

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3

товар відсутній

MJE371G

Trans GP BJT PNP 40V 4A 4000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

товар відсутній

MJE371G

Description: TRANS PNP 40V 4A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 1V
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 40 W

на замовлення 581 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	67.88 грн
10+	53.76 грн
500+	35.42 грн

Мінімальне замовлення: 5

MJE371G

Trans GP BJT PNP 40V 4A 4000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

MJE371G

Bipolar Transistors - BJT 4A 40V 40W PNP

на замовлення 3205 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	73.92 грн
10+	59.65 грн
100+	46.67 грн
500+	34.18 грн
1000+	28.51 грн
5000+	27.24 грн

Мінімальне замовлення: 5

MJE371G

Trans GP BJT PNP 40V 4A 4000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

на замовлення 1129 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

185+	63.44 грн
238+	49.18 грн
500+	41.4 грн
1000+	31.71 грн

Мінімальне замовлення: 185

MJE371G

Trans GP BJT PNP 40V 4A 4000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

на замовлення 1129 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	72.25 грн
10+	58.9 грн
100+	50.42 грн
500+	37.07 грн
1000+	28.38 грн

Мінімальне замовлення: 9

MJE371G
Код товару: 131917

товар відсутній

MJE371G

Trans GP BJT PNP 40V 4A 4000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	38.92 грн

Мінімальне замовлення: 500

MJE3O55T

на замовлення 8658 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE4343

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE4343

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

MJE4343

Description: TRANS NPN 160V 16A SOT93
Packaging: Tube
Package / Case: TO-218-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 2A, 16A
Current - Collector Cutoff (Max): 750µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 8A, 2V
Frequency - Transition: 1MHz
Supplier Device Package: SOT-93
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 125 W

товар відсутній

MJE4343

Bipolar Transistors - BJT 16A 160V 125W NPN

товар відсутній

MJE4343G

Bipolar Transistors - BJT 16A 160V 125W NPN

на замовлення 143 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	357.51 грн
10+	296.35 грн
30+	243.68 грн
120+	208.3 грн
300+	184.93 грн
600+	164.23 грн

MJE4343G

Trans GP BJT NPN 160V 16A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

MJE4343G

Description: TRANS NPN 160V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 2A, 16A
Current - Collector Cutoff (Max): 750µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 8A, 2V
Frequency - Transition: 1MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 125 W

на замовлення 61 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	329.31 грн
30+	251.49 грн

MJE4343G

Trans GP BJT NPN 160V 16A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

MJE4343G

Trans GP BJT NPN 160V 16A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

MJE4343G

Trans GP BJT NPN 160V 16A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

MJE4343G

Trans GP BJT NPN 160V 16A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

MJE4353

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

MJE4353

Description: ONSEMI - MJE4353 - TRANSISTOR, PNP TO-218
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 95 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

MJE4353

Bipolar Transistors - BJT 16A 160V 125W PNP

товар відсутній

MJE4353

Description: TRANS PNP 160V 16A SOT93
Packaging: Tube
Package / Case: TO-218-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 2A, 16A
Current - Collector Cutoff (Max): 750µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 8A, 2V
Frequency - Transition: 1MHz
Supplier Device Package: SOT-93
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 125 W

товар відсутній

MJE4353G

Trans GP BJT PNP 160V 16A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

MJE4353G
Код товару: 106227

товар відсутній

MJE4353G

Description: TRANS PNP 160V 16A SOT93
Packaging: Tube
Package / Case: TO-218-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 2A, 16A
Current - Collector Cutoff (Max): 750µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 8A, 2V
Frequency - Transition: 1MHz
Supplier Device Package: SOT-93
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 125 W

товар відсутній

MJE4353G

Bipolar Transistors - BJT 16A 160V 125W PNP

товар відсутній

MJE5050

на замовлення 24 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE520

Description: TRANS NPN 30V 3A TO-126

товар відсутній

MJE520

на замовлення 1402 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE520 PBFREE

Bipolar Transistors - BJT 30Vcbo 30Vceo 4.0Vebo 3.0A 25W

на замовлення 2811 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	70.1 грн
10+	62.11 грн
25+	51.27 грн
100+	42.13 грн
500+	34.78 грн
1000+	27.37 грн
2000+	24.97 грн

Мінімальне замовлення: 5

MJE520 PBFREE

Description: TRANS NPN 30V 3A TO-126
Packaging: Tube
Part Status: Last Time Buy

товар відсутній

MJE520 PBFREE

Trans GP BJT NPN 30V 3A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126

товар відсутній

MJE520 TIN/LEAD

Bipolar Transistors - BJT 30Vcbo 30Vceo 4.0Vebo 3.0A 25W

товар відсутній

MJE521

Description: TRANS NPN 40V 4A SOT32-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 1V
Supplier Device Package: SOT-32-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 40 W

товар відсутній

MJE521

Trans GP BJT NPN 40V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube

товар відсутній

MJE521

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE521 PBFREE

Trans GP BJT NPN 40V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126

товар відсутній

MJE521 PBFREE

Bipolar Transistors - BJT 40Vcbo 40Vceo 4.0Vebo 4.0A 40W

товар відсутній

MJE521 TIN/LEAD

Bipolar Transistors - BJT 40Vcbo 40Vceo 4.0Vebo 4.0A 40W

товар відсутній

MJE521(транзистор)
Код товару: 92551

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3

товар відсутній

MJE521G

Description: ONSEMI - MJE521G - MJE521G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 1146 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

MJE521G

Description: TRANS NPN 40V 4A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 1V
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 40 W

товар відсутній

MJE5730

на замовлення 550 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE5730

Description: TRANS PNP 300V 1A TO220AB

товар відсутній

MJE5730

Bipolar Transistors - BJT 1A 300V 40W PNP

товар відсутній

MJE5730G

05+06+

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE5730G

Description: TRANS PNP 300V 1A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 40 W

на замовлення 4352 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	90.99 грн
50+	70.47 грн
100+	55.85 грн
500+	44.43 грн
1000+	36.19 грн
2000+	34.07 грн

Мінімальне замовлення: 4

MJE5730G

Trans GP BJT PNP 300V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

товар відсутній

MJE5730G

Trans GP BJT PNP 300V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

товар відсутній

MJE5730G

Bipolar Transistors - BJT 1A 300V 40W PNP

на замовлення 4313 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	98.14 грн
10+	79.08 грн
100+	53.41 грн
500+	45.26 грн
1000+	36.85 грн
3000+	35.98 грн

Мінімальне замовлення: 4

MJE5730G
Код товару: 171586

товар відсутній

MJE5730G

Description: ONSEMI - MJE5730G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 1 A, 40 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 927 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	95.86 грн
11+	72.8 грн

Мінімальне замовлення: 8

MJE5731

на замовлення 1556 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE5731

Description: TRANS PNP 350V 1A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 40 W

товар відсутній

MJE5731

Bipolar Transistors - BJT 1A 350V 40W PNP

товар відсутній

MJE5731A
Код товару: 151453

товар відсутній

MJE5731A

Description: TRANS PNP 375V 1A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 375 V
Power - Max: 40 W

товар відсутній

MJE5731A

Bipolar Transistors - BJT 1A 375V 40W PNP

товар відсутній

MJE5731AG

Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 1A 375V

на замовлення 1765 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

MJE5731AG

Trans GP BJT PNP 375V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

товар відсутній

MJE5731AG

Description: ONSEMI - MJE5731AG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 375 V, 1 A, 2 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 375V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 353 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	95.11 грн
11+	73.32 грн
100+	53.32 грн

Мінімальне замовлення: 8

MJE5731AG

Trans GP BJT PNP 375V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 12 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	79.64 грн
10+	69.4 грн

Мінімальне замовлення: 8

MJE5731AG

Trans GP BJT PNP 375V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 7 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

MJE5731AG

Description: TRANS PNP 375V 1A TO220AB

товар відсутній

MJE5731AG

Trans GP BJT PNP 375V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

товар відсутній

MJE5731AG

Trans GP BJT PNP 375V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

товар відсутній

MJE5731G

Trans GP BJT PNP 350V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	108.51 грн
10+	91.96 грн
100+	70.89 грн
500+	60.48 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJE5731G

Trans GP BJT PNP 350V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

161+	72.91 грн
196+	59.82 грн

Мінімальне замовлення: 161

MJE5731G

Description: TRANS PNP 350V 1A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 40 W

товар відсутній

MJE5731G

Trans GP BJT PNP 350V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	33.02 грн

Мінімальне замовлення: 10

MJE5731G

Trans GP BJT PNP 350V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	84.36 грн
10+	74.62 грн
100+	61.22 грн

Мінімальне замовлення: 7

MJE5731G

Bipolar Transistors - BJT 1A 350V 40W PNP

на замовлення 2229 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	69.55 грн
10+	59.42 грн
100+	42.26 грн
500+	36.85 грн
1000+	31.38 грн
3000+	30.91 грн
5000+	29.44 грн

Мінімальне замовлення: 5

MJE5731G

Description: ONSEMI - MJE5731G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 350 V, 1 A, 40 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 563 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	68.45 грн
14+	56.02 грн
100+	43.81 грн
500+	32.2 грн

Мінімальне замовлення: 11

MJE5731G

Trans GP BJT PNP 350V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

119+	99.04 грн
154+	76.34 грн
500+	67.55 грн

Мінімальне замовлення: 119

MJE5740

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE5740

Darlington Transistors 8A 300V Bipolar

товар відсутній

MJE5740G

Darlington Transistors 8A 300V Bipolar Power NPN

товар відсутній

MJE5740G

Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN

товар відсутній

MJE5741

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE5742

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE5742

Darlington Transistors 8A 400V Bipolar

товар відсутній

MJE5742

Description: TRANS NPN DARL 400V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 400mA, 8A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 5V
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 2 W

товар відсутній

MJE5742G

Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 400V; 8A; 2W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 8A
Power dissipation: 2W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube

товар відсутній

MJE5742G

Trans Darlington NPN 400V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

товар відсутній

MJE5742G

Darlington Transistors 8A 400V Bipolar Power NPN

на замовлення 10279 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	97.36 грн
10+	81.38 грн
100+	61.69 грн
250+	56.15 грн
500+	51.74 грн
700+	45.13 грн

Мінімальне замовлення: 4

MJE5742G

NPN 8A 400V Darlington MJE5742G TMJE5742g
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 4 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

10+	68.23 грн

Мінімальне замовлення: 10

MJE5742G

Description: TRANS NPN DARL 400V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 400mA, 8A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 5V
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 2 W

на замовлення 2750 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	111.22 грн
50+	86 грн
100+	70.76 грн
500+	56.19 грн
1000+	47.68 грн
2000+	45.29 грн

Мінімальне замовлення: 3

MJE5742G

Trans Darlington NPN 400V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 42 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

MJE5742G

NPN 8A 400V Darlington MJE5742G TMJE5742g
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 42 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

10+	68.23 грн

Мінімальне замовлення: 10

MJE5742G

Description: ONSEMI - MJE5742G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 400 V, 100 W, 8 A, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 100W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 400V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 8A
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 134 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	131.81 грн
10+	97.36 грн
100+	76.39 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJE5742G

Trans Darlington NPN 400V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

товар відсутній

MJE5742G

NPN 8A 400V Darlington MJE5742G TMJE5742g
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 150 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

10+	68.23 грн

Мінімальне замовлення: 10

MJE5742G

Trans Darlington NPN 400V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 42 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

MJE5742G

NPN 8A 400V Darlington MJE5742G TMJE5742g
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 8 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

10+	68.23 грн

Мінімальне замовлення: 10

MJE5742G

товар відсутній

MJE5850

Description: ONSEMI - MJE5850 - MJE5850, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 186 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

MJE5850

Description: TRANS PNP 300V 8A TO220AB

на замовлення 486 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

301+	67.36 грн

Мінімальне замовлення: 301

MJE5850

Bipolar Transistors - BJT 8A 300V 80W PNP

товар відсутній

MJE5850

Description: TRANS PNP 300V 8A TO220AB

товар відсутній

MJE5850

04+

на замовлення 33 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE5850G

Trans GP BJT PNP 300V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

товар відсутній

MJE5850G

Bipolar Transistors - BJT 8A 300V 80W PNP

на замовлення 19 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

MJE5850G

Trans GP BJT PNP 300V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

товар відсутній

MJE5850G

Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 8A, 30

товар відсутній

MJE5850G

Trans GP BJT PNP 300V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

товар відсутній

MJE5850G

Trans GP BJT PNP 300V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

товар відсутній

MJE5850G

Description: TRANS PNP 300V 8A TO220AB

товар відсутній

MJE5851

Description: TRANS PNP 350V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 3A, 8A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 80 W

товар відсутній

MJE5851

Bipolar Transistors - BJT 8A 350V 80W PNP

товар відсутній

MJE5851G

Trans GP BJT PNP 350V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	216.66 грн
10+	181.52 грн

Мінімальне замовлення: 3

MJE5851G

Trans GP BJT PNP 350V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

товар відсутній

MJE5851G

Bipolar Transistors - BJT 8A 350V 80W PNP

на замовлення 1051 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	292.08 грн
10+	258.73 грн
50+	212.3 грн
100+	184.26 грн

Мінімальне замовлення: 2

MJE5851G

Trans GP BJT PNP 350V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

товар відсутній

MJE5851G
Код товару: 180290

товар відсутній

MJE5851G

товар відсутній

MJE5852

Bipolar Transistors - BJT PNP High Voltage

товар відсутній

MJE5852

09+

на замовлення 12018 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE5852
Код товару: 103964

товар відсутній

MJE5852

Description: TRANS PNP 400V 8A TO220

товар відсутній

MJE5852

08+ TSSOP

на замовлення 736 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE5852

Bipolar Transistors - BJT 8A 400V 80W PNP

товар відсутній

MJE5852

Description: TRANS PNP 400V 8A TO220

товар відсутній

MJE5852G

Trans GP BJT PNP 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail

на замовлення 950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

450+	116.91 грн

Мінімальне замовлення: 450

MJE5852G

Trans GP BJT PNP 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail

товар відсутній

MJE5852G

Bipolar Transistors - BJT 8A 400V 80W PNP

на замовлення 1348 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	232.89 грн
10+	218.81 грн
50+	158.22 грн
100+	136.86 грн
250+	136.19 грн
400+	104.15 грн
1200+	102.14 грн

Мінімальне замовлення: 2

MJE5852G

Trans GP BJT PNP 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail

на замовлення 434 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	201.44 грн
10+	193.1 грн
50+	113.49 грн
100+	108.36 грн
250+	99.33 грн
400+	94.4 грн

Мінімальне замовлення: 3

MJE5852G

Description: TRANS PNP 400V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 3A, 8A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 80 W

на замовлення 411 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	220.26 грн
50+	167.81 грн
100+	143.84 грн

Мінімальне замовлення: 2

MJE5852G

Description: ONSEMI - MJE5852G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 400 V, 8 A, 80 W, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Kollektorstrom: 8A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: -MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 29 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	258.38 грн
10+	181.99 грн

Мінімальне замовлення: 3

MJE5852G

Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 400V; 8A; 80W; TO220AB
Case: TO220AB
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 8A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 80W
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube

товар відсутній

MJE5852G

товар відсутній

MJE5852G

Trans GP BJT PNP 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail

товар відсутній

MJE5852G
Код товару: 115058

товар відсутній

MJE5852G

Trans GP BJT PNP 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 434 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	112.94 грн

Мінімальне замовлення: 3

MJE6040

на замовлення 300 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE6043

на замовлення 297 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE6044

на замовлення 2480 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE6353

INTEL

QFP

на замовлення 17 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE700

Description: TRANS PNP 60V 4A TO225AA

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

MJE700

MOT

2002 TO-126

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE700

Darlington Transistors 4A 60V Bipolar

товар відсутній

MJE700-STU

на замовлення 37200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE700G

Darlington Transistors 4A 60V Bipolar Power PNP

на замовлення 910 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

MJE700G

Trans Darlington PNP 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Bulk

товар відсутній

MJE700G

Trans Darlington PNP 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Bulk

товар відсутній

MJE700G

Description: TRANS PNP DARL 60V 4A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 40 W

товар відсутній

MJE700GMJE702G

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE700STU

Description: TRANS PNP DARL 60V 4A TO126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V
Supplier Device Package: TO-126-3
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 40 W

товар відсутній

MJE701-Y

на замовлення 1914 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE701STU

Description: TRANS PNP DARL 60V 4A TO126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.8V @ 40mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V
Supplier Device Package: TO-126-3
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 40 W

товар відсутній

MJE702

Darlington Transistors 4A 80V Bipolar

товар відсутній

MJE702

Description: TRANS PNP 80V 4A TO225AA

товар відсутній

MJE702G

Description: TRANS PNP DARL 80V 4A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 40 W

товар відсутній

MJE702G

Trans Darlington PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

товар відсутній

MJE702G

Trans Darlington PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

на замовлення 735 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

199+	58.88 грн

Мінімальне замовлення: 199

MJE702G

Darlington Transistors 4A 80V Bipolar Power PNP

товар відсутній

MJE702G

Trans Darlington PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

на замовлення 735 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	54.67 грн

Мінімальне замовлення: 11

MJE702STU

Darlington Transistors PNP Epitaxial Silicon Darlington Transistor

товар відсутній

MJE702STU

Description: TRANS PNP DARL 80V 4A TO126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V
Supplier Device Package: TO-126-3
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 40 W

товар відсутній

MJE703

09+

на замовлення 68 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE703

Description: TRANS PNP DARL 80V 4A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.8V @ 40mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 40 W

товар відсутній

MJE703

Darlington Transistors 4A 80V Bipolar

товар відсутній

MJE703G

Trans Darlington PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Bulk

товар відсутній

MJE703G

Description: ONSEMI - MJE703G - TRANS, PNP, 80V, 4A, 150DEG C, 40W
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 9939 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	35.8 грн

Мінімальне замовлення: 1000

MJE703G

Darlington Transistors 4A 80V Bipolar Power PNP

на замовлення 996 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

MJE703G

Description: TRANS PNP DARL 80V 4A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.8V @ 40mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 40 W

на замовлення 9939 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

788+	25.02 грн

Мінімальне замовлення: 788

MJE703G

Trans Darlington PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Bulk

товар відсутній

MJE703G

Trans Darlington PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Bulk

товар відсутній

MJE703G

Trans Darlington PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Bulk

товар відсутній

MJE703G

Description: TRANS PNP DARL 80V 4A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.8V @ 40mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 40 W

товар відсутній

MJE703STU

Darlington Transistors PNP Si Transistor Epitaxial Darlington

товар відсутній

MJE703STU

Description: TRANS PNP DARL 80V 4A TO126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.8V @ 40mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V
Supplier Device Package: TO-126-3
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 40 W

товар відсутній

MJE720

на замовлення 1980 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE7542

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE800

Darlington Transistors 4A 60V Bipolar

товар відсутній

MJE800

Description: TRANS NPN 60V 4A TO225AA

товар відсутній

MJE800

Транзистор складений Дарлінгтона; Тип стр. = NPN; Uceo, В = 60; Ic = 4; hFE = 750 @ 2 A, 3 V; Icutoff-max = 100; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 2,8 @ 2 A, 40 mA; Р, Вт = 40 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = вивідний; TO-126-3

на замовлення 45 шт:

термін постачання 2-3 дні (днів)

45+	13.87 грн
100+	9.42 грн

Мінімальне замовлення: 45

MJE800-STU

на замовлення 16200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE800G

Darlington Transistors 4A 60V Bipolar Power NPN

товар відсутній

MJE800G

Description: TRANS NPN DARL 60V 4A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 40 W

товар відсутній

MJE800G

Trans Darlington NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

на замовлення 17 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	47.63 грн
16+	38.62 грн

Мінімальне замовлення: 13

MJE800G

Trans Darlington NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

товар відсутній

MJE800G

на замовлення 12546 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1175+	18.78 грн

Мінімальне замовлення: 1175

MJE800STU

Description: TRANS NPN DARL 60V 4A TO126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 40 W

на замовлення 3659 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	212.32 грн

Мінімальне замовлення: 100

MJE800STU

товар відсутній

MJE800STU

на замовлення 3659 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

175+	212.32 грн

Мінімальне замовлення: 175

MJE800STU