Продукція > MUN

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
MUN 5114T1MOTSOT23
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN 5215T1MOTSOT23
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN12AD01-SGDelta Electronics/CyntecDescription: DC DC CONVERTER 0.8-6V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Remote On/Off, OCP, OTP, UVLO
Package / Case: 6-LDFN Module
Size / Dimension: 0.15" L x 0.10" W x 0.06" H (3.9mm x 2.6mm x 1.6mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Non-Isolated PoL Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 16V
Efficiency: 94%
Current - Output (Max): 1A
Supplier Device Package: 6-DFN (3.9x2.6)
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output 1: 0.8 ~ 6V
Number of Outputs: 1
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+203.4 грн
Мінімальне замовлення: 1000
MUN12AD01-SGDelta Electronics Inc.Module DC-DC 1-OUT 0.8V to 6V 1A 6-Pin DFN T/R
товар відсутній
MUN12AD01-SGDelta ElectronicsNon-Isolated DC/DC Converters 1A 12Vin inductor-integrated DC-DC converters
на замовлення 1282 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+268.71 грн
5+ 261.04 грн
10+ 224.32 грн
25+ 217.64 грн
50+ 210.3 грн
100+ 204.29 грн
250+ 197.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
MUN12AD01-SGDelta Electronics/CyntecDescription: DC DC CONVERTER 0.8-6V
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Remote On/Off, OCP, OTP, UVLO
Package / Case: 6-LDFN Module
Size / Dimension: 0.15" L x 0.10" W x 0.06" H (3.9mm x 2.6mm x 1.6mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Non-Isolated PoL Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 16V
Efficiency: 94%
Current - Output (Max): 1A
Supplier Device Package: 6-DFN (3.9x2.6)
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output 1: 0.8 ~ 6V
Number of Outputs: 1
на замовлення 24781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+254.21 грн
5+ 241.31 грн
10+ 237.84 грн
25+ 216.62 грн
50+ 210.07 грн
100+ 203.51 грн
250+ 193.72 грн
500+ 180.8 грн
Мінімальне замовлення: 2
MUN12AD01-SG EVBDelta ElectronicsPower Management IC Development Tools Evaluation Board for MUN12AD01-SG
товар відсутній
MUN12AD01-SHDelta Electronics/CyntecDescription: DC DC CONVERTER 1-5V
Features: Remote On/Off, OCP, OTP, UVLO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-LQFN Exposed Pad, Module
Size / Dimension: 0.14" L x 0.14" W x 0.07" H (3.5mm x 3.5mm x 1.7mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Non-Isolated PoL Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 17V
Efficiency: 95%
Current - Output (Max): 1A
Supplier Device Package: 8-QFN (3.5x3.5)
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output 1: 1 ~ 5V
Part Status: Active
Number of Outputs: 1
на замовлення 19000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+247.99 грн
Мінімальне замовлення: 1000
MUN12AD01-SHDelta Electronics Inc.MUN12AD01-SH
товар відсутній
MUN12AD01-SHDelta Electronics/CyntecDescription: DC DC CONVERTER 1-5V
Features: Remote On/Off, OCP, OTP, UVLO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-LQFN Exposed Pad, Module
Size / Dimension: 0.14" L x 0.14" W x 0.07" H (3.5mm x 3.5mm x 1.7mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Non-Isolated PoL Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 17V
Efficiency: 95%
Current - Output (Max): 1A
Supplier Device Package: 8-QFN (3.5x3.5)
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output 1: 1 ~ 5V
Part Status: Active
Number of Outputs: 1
на замовлення 20196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+309.81 грн
5+ 294.31 грн
10+ 289.99 грн
25+ 264.13 грн
50+ 256.12 грн
100+ 248.13 грн
250+ 236.18 грн
500+ 220.44 грн
MUN12AD03-SEDelta Electronics/CyntecDescription: DC DC CONVERTER 0.6-5.5V
Features: Remote On/Off, OCP, OTP, UVLO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-LQFN Exposed Pad, Module
Size / Dimension: 0.12" L x 0.11" W x 0.06" H (3.0mm x 2.8mm x 1.5mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Non-Isolated PoL Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 17V
Efficiency: 91%
Current - Output (Max): 3A
Supplier Device Package: 8-QFN (3x2.8)
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output 1: 0.6 ~ 5.5V
Number of Outputs: 1
на замовлення 44425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+350.26 грн
MUN12AD03-SEDelta Electronics/CyntecDescription: DC DC CONVERTER 0.6-5.5V
Features: Remote On/Off, OCP, OTP, UVLO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-LQFN Exposed Pad, Module
Size / Dimension: 0.12" L x 0.11" W x 0.06" H (3.0mm x 2.8mm x 1.5mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Non-Isolated PoL Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 17V
Efficiency: 91%
Current - Output (Max): 3A
Supplier Device Package: 8-QFN (3x2.8)
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output 1: 0.6 ~ 5.5V
Number of Outputs: 1
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+350.1 грн
Мінімальне замовлення: 2000
MUN12AD03-SECDelta Electronics/CyntecDescription: DC DC CONVERTER 0.8-5.5V
Features: Adjustable Output, Remote On/Off
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-LDFN Exposed Pad Module
Size / Dimension: 0.12" L x 0.11" W x 0.05" H (3.0mm x 2.8mm x 1.3mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Non-Isolated PoL Module
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (With Derating)
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 17V
Efficiency: 91%
Current - Output (Max): 3A
Supplier Device Package: 8-DFN (3x2.8)
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output 1: 0.8 ~ 5.5V
Control Features: Enable, Active High
Part Status: Active
Number of Outputs: 1
на замовлення 56932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+421.03 грн
5+ 399.18 грн
10+ 393.47 грн
25+ 358.35 грн
50+ 347.5 грн
100+ 336.65 грн
250+ 320.45 грн
500+ 299.08 грн
MUN12AD03-SECDelta Electronics Inc.Module DC-DC 1-OUT 0.8V to 5.5V 3A 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
MUN12AD03-SECDelta Electronics/CyntecDescription: DC DC CONVERTER 0.8-5.5V
Features: Adjustable Output, Remote On/Off
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-LDFN Exposed Pad Module
Size / Dimension: 0.12" L x 0.11" W x 0.05" H (3.0mm x 2.8mm x 1.3mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Non-Isolated PoL Module
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (With Derating)
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 17V
Efficiency: 91%
Current - Output (Max): 3A
Supplier Device Package: 8-DFN (3x2.8)
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output 1: 0.8 ~ 5.5V
Control Features: Enable, Active High
Part Status: Active
Number of Outputs: 1
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+336.47 грн
Мінімальне замовлення: 2000
MUN12AD03-SECDelta ElectronicsNon-Isolated DC/DC Converters 3A 12Vin inductor-integrated DC-DC converters
на замовлення 9452 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+434.62 грн
5+ 422.27 грн
10+ 361.85 грн
25+ 350.5 грн
50+ 340.48 грн
100+ 330.47 грн
250+ 319.12 грн
MUN12AD03-SECDelta ElectronicsModule DC-DC 1-OUT 0.8V to 5.5V 3A 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
MUN12AD03-SEC EVBDelta ElectronicsPower Management IC Development Tools Evaluation Board for MUN12AD03-SEC
товар відсутній
MUN12AD03-SHDelta Electronics/CyntecDescription: DC DC CONVERTER 0.6-5V
Features: Remote On/Off, OCP, OTP, UVLO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-LQFN Exposed Pad, Module
Size / Dimension: 0.14" L x 0.14" W x 0.07" H (3.5mm x 3.5mm x 1.7mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Non-Isolated PoL Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 16V
Efficiency: 91%
Current - Output (Max): 3A
Supplier Device Package: 8-QFN (3.5x3.5)
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output 1: 0.6 ~ 5V
Number of Outputs: 1
на замовлення 31402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+514.91 грн
5+ 488.89 грн
10+ 481.79 грн
25+ 438.88 грн
50+ 425.58 грн
100+ 412.28 грн
250+ 392.44 грн
500+ 366.28 грн
MUN12AD03-SHDelta Electronics/CyntecDescription: DC DC CONVERTER 0.6-5V
Features: Remote On/Off, OCP, OTP, UVLO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-LQFN Exposed Pad, Module
Size / Dimension: 0.14" L x 0.14" W x 0.07" H (3.5mm x 3.5mm x 1.7mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Non-Isolated PoL Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 16V
Efficiency: 91%
Current - Output (Max): 3A
Supplier Device Package: 8-QFN (3.5x3.5)
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output 1: 0.6 ~ 5V
Number of Outputs: 1
на замовлення 31250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+412.06 грн
Мінімальне замовлення: 1000
MUN12AD03-SMDelta Electronics Inc.MUN12AD03-SM
товар відсутній
MUN12AD05-SMFHDelta Electronics Inc.Module DC-DC 1-OUT 1.9V to 5V 5A SMD 21-Pin QFN T/
товар відсутній
MUN12AD05-SMFHDelta Electronics/CyntecDescription: DC DC CONVERTER 1.9-5V
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Adjustable Output, Remote On/Off
Package / Case: 20-BQFN Exposed Pad Module
Size / Dimension: 0.24" L x 0.24" W x 0.14" H (6.0mm x 6.0mm x 3.5mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Non-Isolated PoL Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 20V
Efficiency: 92%
Current - Output (Max): 5A
Supplier Device Package: 20-QFN (6x6)
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output 1: 1.9 ~ 5V
Part Status: Active
Number of Outputs: 1
на замовлення 1735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+478.8 грн
5+ 454.95 грн
10+ 448.41 грн
25+ 408.39 грн
50+ 396.01 грн
100+ 383.63 грн
250+ 365.17 грн
500+ 340.83 грн
MUN12AD05-SMFHDelta ElectronicsNon-Isolated DC/DC Converters 5A 12Vin inductor-integrated DC-DC converters
на замовлення 735 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+494.59 грн
5+ 480.61 грн
10+ 412.58 грн
25+ 399.9 грн
50+ 387.88 грн
100+ 375.87 грн
250+ 363.85 грн
MUN12AD05-SMFHDelta Electronics/CyntecDescription: DC DC CONVERTER 1.9-5V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Adjustable Output, Remote On/Off
Package / Case: 20-BQFN Exposed Pad Module
Size / Dimension: 0.24" L x 0.24" W x 0.14" H (6.0mm x 6.0mm x 3.5mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Non-Isolated PoL Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 20V
Efficiency: 92%
Current - Output (Max): 5A
Supplier Device Package: 20-QFN (6x6)
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output 1: 1.9 ~ 5V
Part Status: Active
Number of Outputs: 1
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+383.43 грн
Мінімальне замовлення: 1000
MUN12AD05-SMFLDelta Electronics/CyntecDescription: DC DC CONVERTER 0.6-1.8V
Features: Adjustable Output, Remote On/Off
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 25-BQFN Exposed Pad, Module
Size / Dimension: 0.24" L x 0.24" W x 0.14" H (6.0mm x 6.0mm x 3.5mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Non-Isolated PoL Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 20V
Efficiency: 92%
Current - Output (Max): 5A
Supplier Device Package: 25-QFN (6x6)
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output 1: 0.6 ~ 1.8V
Control Features: Enable, Active High
Part Status: Active
Number of Outputs: 1
товар відсутній
MUN12AD05-SMFLDelta ElectronicsNon-Isolated DC/DC Converters 5A 12Vin inductor-integrated DC-DC converters
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+494.59 грн
5+ 480.61 грн
10+ 412.58 грн
25+ 399.9 грн
50+ 387.88 грн
100+ 375.87 грн
250+ 363.85 грн
MUN12AD05-SMFLDelta Electronics/CyntecDescription: DC DC CONVERTER 0.6-1.8V
Features: Adjustable Output, Remote On/Off
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 25-BQFN Exposed Pad, Module
Size / Dimension: 0.24" L x 0.24" W x 0.14" H (6.0mm x 6.0mm x 3.5mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Non-Isolated PoL Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 20V
Efficiency: 92%
Current - Output (Max): 5A
Supplier Device Package: 25-QFN (6x6)
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output 1: 0.6 ~ 1.8V
Control Features: Enable, Active High
Part Status: Active
Number of Outputs: 1
на замовлення 738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+460.75 грн
5+ 437.15 грн
10+ 430.75 грн
25+ 392.39 грн
50+ 380.49 грн
100+ 368.59 грн
250+ 350.86 грн
500+ 327.47 грн
MUN12AD06-SMDelta ElectronicsNon-Isolated DC/DC Converters 6A 12Vin inductor-integrated DC-DC converters
на замовлення 1394 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+464.21 грн
5+ 451.44 грн
10+ 386.55 грн
25+ 375.87 грн
50+ 364.52 грн
100+ 352.5 грн
250+ 341.82 грн
MUN12AD06-SMDelta Electronics Inc.Module DC-DC 1-OUT 0.6V to 15V 6A 25-Pin QFN T/R
товар відсутній
MUN12AD06-SMDelta Electronics/CyntecDescription: DC DC CONVERTER 0.6-6V
Features: Remote On/Off, OCP, OTP, OVP, SCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 25-BQFN Exposed Pad, Module
Size / Dimension: 0.24" L x 0.24" W x 0.14" H (6.0mm x 6.0mm x 3.5mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Non-Isolated PoL Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 24V
Efficiency: 93%
Current - Output (Max): 6A
Supplier Device Package: 25-QFN (6x6)
Voltage - Input (Min): 7V
Voltage - Output 1: 0.6 ~ 6V
Part Status: Active
Number of Outputs: 1
на замовлення 23000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+306.81 грн
Мінімальне замовлення: 1000
MUN12AD06-SMDelta Electronics/CyntecDescription: DC DC CONVERTER 0.6-6V
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Remote On/Off, OCP, OTP, OVP, SCP
Package / Case: 25-BQFN Exposed Pad, Module
Size / Dimension: 0.24" L x 0.24" W x 0.14" H (6.0mm x 6.0mm x 3.5mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Non-Isolated PoL Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 24V
Efficiency: 93%
Current - Output (Max): 6A
Supplier Device Package: 25-QFN (6x6)
Voltage - Input (Min): 7V
Voltage - Output 1: 0.6 ~ 6V
Part Status: Active
Number of Outputs: 1
на замовлення 23166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+306.93 грн
MUN20AD03-SMDelta Electronics Inc.Module DC-DC 1-OUT 0.6V to 5.5V 3A 25-Pin QFN
товар відсутній
MUN2110LT1
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2110LT1(6L*)
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2111onsemionsemi SS SC59 BR XSTR PNP 50V
товар відсутній
MUN2111ON06+ SOT-23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2111LT1G
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2111T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2111T1 - TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 143230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18000+1.72 грн
Мінімальне замовлення: 18000
MUN2111T1onsemiDescription: TRANS BRT PNP 100MA 50V SC59
Packaging: Bulk
на замовлення 143230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11539+1.98 грн
Мінімальне замовлення: 11539
MUN2111T1ON99+ SOT-23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2111T1onsemiDescription: TRANS BRT PNP 100MA 50V SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
товар відсутній
MUN2111T1ONSOT23
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2111T1(6A)
на замовлення 53625 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2111T1(6A*)
на замовлення 462000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2111T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
MUN2111T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT PNP
на замовлення 29920 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
27+11.61 грн
57+ 5.45 грн
115+ 2.34 грн
1000+ 2 грн
3000+ 1.67 грн
9000+ 1.27 грн
24000+ 1.13 грн
Мінімальне замовлення: 27
MUN2111T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
MUN2111T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2111T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338mW
Bauform - Transistor: SC-59
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+3.37 грн
1000+ 2.12 грн
Мінімальне замовлення: 500
MUN2111T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 11729 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+11.55 грн
36+ 7.93 грн
100+ 4.26 грн
500+ 3.14 грн
1000+ 2.18 грн
Мінімальне замовлення: 25
MUN2111T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
MUN2111T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2111T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338mW
Bauform - Transistor: SC-59
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+13.56 грн
61+ 12.28 грн
117+ 6.43 грн
500+ 3.37 грн
1000+ 2.12 грн
Мінімальне замовлення: 56
MUN2111T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2 грн
6000+ 1.82 грн
9000+ 1.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN2111T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2111T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1001846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22727+1.57 грн
Мінімальне замовлення: 22727
MUN2111T1G/6A
на замовлення 45300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2111T3
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2111T3ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2111T3 - MUN2111T3, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.52 грн
Мінімальне замовлення: 10000
MUN2111T3onsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6662+3.29 грн
Мінімальне замовлення: 6662
MUN2111T3onsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
товар відсутній
MUN2111T3GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
товар відсутній
MUN2112T
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2112onsemionsemi SS SC59 BR XSTR PNP PBFR
товар відсутній
MUN2112/6BON09+
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2112LT1
на замовлення 226500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2112LT1(6B*)
на замовлення 226500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2112LT1/A6B
на замовлення 800000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2112LT1G
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2112T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2112T1 - TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9000+4.42 грн
Мінімальне замовлення: 9000
MUN2112T1MOTOROLA04+ SOT23
на замовлення 6100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2112T1onsemiDescription: TRANS BRT PNP 100MA 50V SC-59
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5770+3.3 грн
Мінімальне замовлення: 5770
MUN2112T1(6B*)
на замовлення 182980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2112T1/6BMOTO
на замовлення 335600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2112T1G
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2112T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
MUN2112T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 100MA SC59
товар відсутній
MUN2112T1GonsemiDigital Transistors SS BR XSTR PNP
на замовлення 122384 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
29+10.9 грн
44+ 7.14 грн
100+ 3.07 грн
1000+ 1.8 грн
3000+ 1.47 грн
9000+ 1.13 грн
24000+ 1.07 грн
Мінімальне замовлення: 29
MUN2112T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
MUN2112T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
MUN2112T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 100MA SC59
на замовлення 271889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15000+1.32 грн
Мінімальне замовлення: 15000
MUN2112T3onsemiDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
товар відсутній
MUN2112T3MOT
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2112\6BONSOT-23
на замовлення 3100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2113ON06+ SOT-23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2113onsemionsemi SS SC59 BR XSTR PNP 50V
товар відсутній
MUN2113-TXMOTOROLA09+
на замовлення 6018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2113LT1
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2113LT1(6C*)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2113LT1G
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2113T
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2113T1onsemiDescription: TRANS BRT PNP 100MA 50V SC-59
Packaging: Bulk
на замовлення 108500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11539+2.05 грн
Мінімальне замовлення: 11539
MUN2113T1
на замовлення 1170 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2113T1onsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT PNP
товар відсутній
MUN2113T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2113T1 - TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 108500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18000+1.72 грн
Мінімальне замовлення: 18000
MUN2113T1(6C*)
на замовлення 38835 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2113T1GonsemiDigital Transistors SS BR XSTR PNP 50V
на замовлення 17223 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
29+10.9 грн
46+ 6.68 грн
103+ 2.6 грн
1000+ 2.07 грн
3000+ 1.47 грн
9000+ 1.13 грн
24000+ 1.07 грн
Мінімальне замовлення: 29
MUN2113T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
MUN2113T1GON Semiconductor
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2113T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 15364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+10.83 грн
38+ 7.44 грн
100+ 4.02 грн
500+ 2.97 грн
1000+ 2.06 грн
Мінімальне замовлення: 27
MUN2113T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2113T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338mW
Bauform - Transistor: SC-59
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 14475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
71+10.63 грн
79+ 9.59 грн
143+ 5.24 грн
500+ 3.06 грн
1000+ 1.93 грн
3000+ 1.35 грн
6000+ 1.22 грн
12000+ 1.19 грн
Мінімальне замовлення: 71
MUN2113T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 21911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6945+1.68 грн
11279+ 1.04 грн
13637+ 0.86 грн
14424+ 0.78 грн
Мінімальне замовлення: 6945
MUN2113T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 35569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
334+1.74 грн
438+ 1.33 грн
442+ 1.31 грн
463+ 1.21 грн
482+ 1.07 грн
507+ 0.98 грн
1000+ 0.94 грн
3000+ 0.89 грн
6000+ 0.84 грн
Мінімальне замовлення: 334
MUN2113T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
MUN2113T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2113T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 117000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22727+1.57 грн
Мінімальне замовлення: 22727
MUN2113T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
MUN2113T1GON08+ SOT-23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2113T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.89 грн
6000+ 1.72 грн
9000+ 1.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN2113T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 35569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9494+1.23 грн
9934+ 1.18 грн
10490+ 1.12 грн
11030+ 1.02 грн
15000+ 0.89 грн
30000+ 0.81 грн
Мінімальне замовлення: 9494
MUN2113T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
MUN2113T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2113T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338mW
Bauform - Transistor: SC-59
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 14475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+3.06 грн
1000+ 1.93 грн
3000+ 1.35 грн
6000+ 1.22 грн
12000+ 1.19 грн
Мінімальне замовлення: 500
MUN2113T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 21911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
116+5 грн
152+ 3.83 грн
371+ 1.56 грн
1000+ 0.93 грн
3000+ 0.71 грн
9000+ 0.65 грн
Мінімальне замовлення: 116
MUN2113T3
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2113XLT1
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2114onsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SS SC59 BR XSTR PNP 50V
товар відсутній
MUN2114MOTOROLA
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2114-T1
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2114LT1
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2114T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2114T1 - TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18000+1.72 грн
Мінімальне замовлення: 18000
MUN2114T1OnsemiSOT23
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2114T1onsemiDescription: TRANS BRT PNP 100MA 50V SC-59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11539+2 грн
Мінімальне замовлення: 11539
MUN2114T1(6D)
на замовлення 3425 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2114T1(6D*)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2114T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
MUN2114T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 3398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+10.83 грн
39+ 7.23 грн
100+ 3.92 грн
500+ 2.89 грн
1000+ 2.01 грн
Мінімальне замовлення: 27
MUN2114T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR PNP 50V
на замовлення 10310 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
27+11.61 грн
39+ 8.06 грн
100+ 3 грн
1000+ 1.8 грн
3000+ 1.47 грн
9000+ 1.4 грн
24000+ 1.07 грн
Мінімальне замовлення: 27
MUN2114T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN2114T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
MUN2115LT1(6E)
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2115T1
на замовлення 231000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2115T1(6E)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2115T1/6EMALAYSIA
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2115T1GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 100MA SC59
товар відсутній
MUN2115T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
MUN2115T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
MUN2115T1GRochester Electronics, LLCDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,
на замовлення 482700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MUN2115T1G
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2115T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT PNP
на замовлення 11899 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
27+11.61 грн
41+ 7.6 грн
100+ 4.14 грн
1000+ 2.14 грн
3000+ 1.8 грн
9000+ 1.47 грн
24000+ 1.13 грн
Мінімальне замовлення: 27
MUN2116LT1
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2116LT1(6F*)
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2116T1ON
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2116T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
MUN2116T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased SS SC59 BR XSTR PNP 50V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
MUN2117LT1
на замовлення 4400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2117LT1(6H*)
на замовлення 4400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2119
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN211ET1(6N)
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN211T1
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2130T1MOT
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2130T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2130T1 - TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16026+1.72 грн
Мінімальне замовлення: 16026
MUN2130T1ON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59
товар відсутній
MUN2130T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT PNP
на замовлення 20059 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+19.78 грн
20+ 15.74 грн
100+ 7.28 грн
500+ 4.74 грн
1000+ 3.27 грн
3000+ 2.54 грн
9000+ 2.14 грн
Мінімальне замовлення: 16
MUN2130T1GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59
товар відсутній
MUN2130T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
MUN2130T1G
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2131T1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2131T1G
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2131T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
MUN2131T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT PNP
на замовлення 20832 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+19.78 грн
20+ 15.74 грн
100+ 7.28 грн
500+ 4.74 грн
1000+ 3.27 грн
3000+ 2.54 грн
9000+ 2.14 грн
Мінімальне замовлення: 16
MUN2132onsemionsemi SS SC59 BR XSTR PNP 50V
товар відсутній
MUN2132LT1
на замовлення 8400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2132T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59
товар відсутній
MUN2132T1ONS0426+
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2132T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2132T1 - TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18000+1.72 грн
Мінімальне замовлення: 18000
MUN2132T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MUN2132T1(6J)
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2132T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
MUN2132T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
MUN2132T1GonsemiDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,
на замовлення 303000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MUN2132T1G
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2132T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 100MA SC59
товар відсутній
MUN2132T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR PNP 50V
на замовлення 3827 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+18.15 грн
25+ 12.74 грн
100+ 6.94 грн
1000+ 3.14 грн
3000+ 2.67 грн
9000+ 2.07 грн
24000+ 1.94 грн
Мінімальне замовлення: 18
MUN2132T3
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2132T3(6J)
на замовлення 1735 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2133onsemionsemi SS SC59 BR XSTR PNP 50V
товар відсутній
MUN2133LT1
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2133LT1G
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2133T1onsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT PNP
товар відсутній
MUN2133T1
на замовлення 17000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2133T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товар відсутній
MUN2133T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2133T1 - TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 237000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18000+1.72 грн
Мінімальне замовлення: 18000
MUN2133T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 237000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15000+1.35 грн
Мінімальне замовлення: 15000
MUN2133T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 100MA SC59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 210000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15000+1.35 грн
Мінімальне замовлення: 15000
MUN2133T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 100MA SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товар відсутній
MUN2133T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
MUN2133T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT PNP
товар відсутній
MUN2133T1GON
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2134T1ON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59
товар відсутній
MUN2134T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
MUN2134T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT PNP
на замовлення 20884 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+19.78 грн
20+ 15.74 грн
100+ 7.28 грн
500+ 4.74 грн
1000+ 3.27 грн
3000+ 2.54 грн
9000+ 2.14 грн
Мінімальне замовлення: 16
MUN2134T1GON
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2135T1GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59
товар відсутній
MUN2135T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
MUN2135T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased PNP DIGITAL TRANSISTOR
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
MUN2136T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 600mW 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
MUN2136T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SS SC59 BR XSTR PNP 50V
на замовлення 20235 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+17.76 грн
22+ 14.36 грн
100+ 6.61 грн
500+ 4.41 грн
Мінімальне замовлення: 18
MUN2137T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2137T1 - TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 693000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18000+1.72 грн
Мінімальне замовлення: 18000
MUN2137T1ON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59
товар відсутній
MUN2137T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT PNP
на замовлення 20979 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
25+12.62 грн
28+ 11.21 грн
100+ 5.27 грн
500+ 5.21 грн
3000+ 4.47 грн
9000+ 1.54 грн
24000+ 1.34 грн
Мінімальне замовлення: 25
MUN2137T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
MUN2138T1GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59
товар відсутній
MUN2138T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
MUN2138T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased PNP DIGITAL TRANSISTOR
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
MUN2140T1GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 0.23W SC59
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MUN2140T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
MUN2140T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SS SC59 BR XSTR NPN 50V
на замовлення 20999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
24+13.16 грн
26+ 12.21 грн
100+ 5.74 грн
500+ 3.61 грн
3000+ 3.14 грн
9000+ 1.6 грн
24000+ 1.47 грн
Мінімальне замовлення: 24
MUN2141T1GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59
товар відсутній
MUN2141T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
MUN2141T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased PNP DIGITAL TRANSISTOR
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
24+13.16 грн
26+ 12.21 грн
100+ 5.74 грн
500+ 3.61 грн
1000+ 2.47 грн
3000+ 1.8 грн
9000+ 1.6 грн
Мінімальне замовлення: 24
MUN2210
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2211MOTSOT-23
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2211onsemionsemi SS SC59 BR XSTR NPN 50V
товар відсутній
MUN2211MOT
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2211JT1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2211JT1 - TRANS PREBIAS NPN 2.7W SC59
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15000+3 грн
Мінімальне замовлення: 15000
mun2211jt1onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
товар відсутній
mun2211jt1onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11539+2.03 грн
Мінімальне замовлення: 11539
mun2211jt1
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2211JT1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR NPN 50V
товар відсутній
MUN2211JT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 270000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11539+2.03 грн
Мінімальне замовлення: 11539
MUN2211JT1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW Automotive 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
MUN2211JT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
товар відсутній
MUN2211JT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2211JT1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 222000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15000+1.95 грн
Мінімальне замовлення: 15000
MUN2211LT1G
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2211T1ON04+ SOT-23
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2211T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2211T1 - TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 97000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9000+4.12 грн
Мінімальне замовлення: 9000
MUN2211T1ON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT NPN
товар відсутній
MUN2211T1onsemiDescription: TRANS BRT NPN 100MA 50V SC59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 97000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5323+4.06 грн
Мінімальне замовлення: 5323
MUN2211T1ONSOT23
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2211T1/8A
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2211T1BONSOT23/SOT323
на замовлення 4524 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2211T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8242+1.42 грн
Мінімальне замовлення: 8242
MUN2211T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2211T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 818282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15000+1.65 грн
Мінімальне замовлення: 15000
MUN2211T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 9676 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
31+10.13 грн
45+ 6.83 грн
100+ 3 грн
1000+ 1.74 грн
3000+ 1.4 грн
9000+ 1.13 грн
24000+ 1.07 грн
Мінімальне замовлення: 31
MUN2211T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.87 грн
6000+ 1.7 грн
9000+ 1.45 грн
30000+ 1.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN2211T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 29851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
106+5.48 грн
155+ 3.75 грн
158+ 3.68 грн
315+ 1.77 грн
322+ 1.61 грн
500+ 1.53 грн
1000+ 1.43 грн
3000+ 1.33 грн
6000+ 1.23 грн
Мінімальне замовлення: 106
MUN2211T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2211T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 18825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+3.55 грн
Мінімальне замовлення: 500
MUN2211T1G
Код товару: 103955		Транзистори > Біполярні NPN
товар відсутній
MUN2211T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN2211T1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.23W; SC59; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.23W
Case: SC59
Current gain: 35...60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
100+3.02 грн
125+ 2.18 грн
500+ 1.85 грн
625+ 1.6 грн
1675+ 1.52 грн
3000+ 1.51 грн
Мінімальне замовлення: 100
MUN2211T1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.23W; SC59; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.23W
Case: SC59
Current gain: 35...60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
150+2.52 грн
200+ 1.75 грн
500+ 1.54 грн
625+ 1.34 грн
1675+ 1.26 грн
Мінімальне замовлення: 150
MUN2211T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8334+1.4 грн
30000+ 1.11 грн
60000+ 1.09 грн
Мінімальне замовлення: 8334
MUN2211T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.3 грн
30000+ 1.03 грн
60000+ 1.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN2211T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2211T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 18825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+12.51 грн
98+ 7.71 грн
193+ 3.89 грн
500+ 3.55 грн
Мінімальне замовлення: 60
MUN2211T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 47299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+10.83 грн
38+ 7.37 грн
100+ 3.98 грн
500+ 2.93 грн
1000+ 2.04 грн
Мінімальне замовлення: 27
MUN2211T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 29851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6025+1.94 грн
6098+ 1.92 грн
6522+ 1.79 грн
7010+ 1.61 грн
7576+ 1.38 грн
15000+ 1.22 грн
Мінімальне замовлення: 6025
MUN2211T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 18432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN2211T3onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11539+2.03 грн
Мінімальне замовлення: 11539
MUN2211T3onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
товар відсутній
MUN2211T3ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2211T3 - MUN2211T3, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20000+3 грн
Мінімальне замовлення: 20000
MUN2211T3GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MUN2211T3G
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2211T3GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.23W; SC59; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.23W
Case: SC59
Current gain: 35...60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
товар відсутній
MUN2211T3GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 28261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+10.83 грн
38+ 7.37 грн
100+ 3.98 грн
500+ 2.93 грн
1000+ 2.04 грн
2000+ 1.69 грн
5000+ 1.57 грн
Мінімальне замовлення: 27
MUN2211T3GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
MUN2211T3GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2211T3G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 88340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20000+1.65 грн
Мінімальне замовлення: 20000
MUN2211T3GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
MUN2211T3GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
MUN2211T3GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.01 грн
30000+ 1.84 грн
60000+ 1.71 грн
90000+ 1.56 грн
Мінімальне замовлення: 10000
MUN2211T3GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.5 грн
Мінімальне замовлення: 10000
MUN2211T3GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.23W; SC59; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.23W
Case: SC59
Current gain: 35...60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
кількість в упаковці: 10000 шт
товар відсутній
MUN2211T3GonsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 26812 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
34+9.42 грн
55+ 5.6 грн
100+ 3 грн
1000+ 1.74 грн
2500+ 1.54 грн
10000+ 1.13 грн
20000+ 1.07 грн
Мінімальне замовлення: 34
MUN2211T3GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
MUN2212MOTSOT23
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2212MOTO
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2212LT1G
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2212T1MOTOROLA09+
на замовлення 9018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2212T1ONSOT23-8B
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2212T1ONSOT23
на замовлення 5460 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2212T1Rochester Electronics, LLCDescription: TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MUN2212T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2212T1 - TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9000+6.52 грн
Мінімальне замовлення: 9000
MUN2212T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
на замовлення 5935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+12.28 грн
26+ 10.99 грн
100+ 5.98 грн
500+ 3.46 грн
1000+ 2.36 грн
Мінімальне замовлення: 24
MUN2212T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2212T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
на замовлення 11861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+1.88 грн
3000+ 1.41 грн
9000+ 1.35 грн
Мінімальне замовлення: 500
MUN2212T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
MUN2212T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
88+6.64 грн
89+ 6.57 грн
90+ 6.5 грн
125+ 4.5 грн
250+ 4.13 грн
500+ 2.69 грн
Мінімальне замовлення: 88
MUN2212T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR NPN
на замовлення 15636 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
24+13.16 грн
26+ 12.21 грн
100+ 5.74 грн
500+ 3.61 грн
1000+ 2.47 грн
3000+ 1.8 грн
9000+ 1.6 грн
Мінімальне замовлення: 24
MUN2212T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MUN2212T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN2212T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2212T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 11841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
65+11.53 грн
97+ 7.79 грн
213+ 3.52 грн
500+ 1.88 грн
3000+ 1.41 грн
9000+ 1.35 грн
Мінімальне замовлення: 65
MUN2212T1GONSEMIMUN2212T1G NPN SMD transistors
на замовлення 21 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
21+12.58 грн
1060+ 0.92 грн
2915+ 0.87 грн
Мінімальне замовлення: 21
MUN2212T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
MUN2212T1SOT23-8BON
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2212T3Rochester Electronics, LLCDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MUN2212XLT1
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2213onsemionsemi SS SC59 BR XSTR PNP 50V
товар відсутній
MUN2213ON07+ SOT-23
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2213/8CON09+
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2213JT1onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товар відсутній
MUN2213JT1
на замовлення 114000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2213JT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15000+1.35 грн
Мінімальне замовлення: 15000
MUN2213JT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2213JT1G - TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15000+3 грн
Мінімальне замовлення: 15000
MUN2213JT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товар відсутній
MUN2213LT1
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2213LT1G
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2213T1onsemiDescription: TRANS BRT NPN 100MA 50V SC59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 545350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15000+1.35 грн
Мінімальне замовлення: 15000
MUN2213T1ON07+;
на замовлення 252000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2213T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2213T1 - TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 545350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15000+2.02 грн
Мінімальне замовлення: 15000
MUN2213T1ON00+ SOT-23
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2213T1onsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT NPN
товар відсутній
MUN2213T1ONSOT23
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2213T1/8C
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2213T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 1821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MUN2213T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
MUN2213T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9804+1.19 грн
Мінімальне замовлення: 9804
MUN2213T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 12257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+13 грн
32+ 8.83 грн
100+ 4.74 грн
500+ 3.5 грн
1000+ 2.43 грн
Мінімальне замовлення: 23
MUN2213T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 21998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
26+12.31 грн
37+ 8.45 грн
100+ 3.61 грн
1000+ 2.14 грн
3000+ 1.8 грн
9000+ 1.34 грн
45000+ 1.27 грн
Мінімальне замовлення: 26
MUN2213T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
MUN2213T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 39202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3125+3.74 грн
3165+ 3.7 грн
5475+ 2.14 грн
6466+ 1.75 грн
7076+ 1.48 грн
15000+ 1.28 грн
30000+ 1.14 грн
Мінімальне замовлення: 3125
MUN2213T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12000+1.2 грн
Мінімальне замовлення: 12000
MUN2213T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.23 грн
6000+ 2.03 грн
9000+ 1.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN2213T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 39202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+10.59 грн
80+ 7.29 грн
81+ 7.21 грн
165+ 3.39 грн
250+ 3.1 грн
500+ 2.94 грн
1000+ 1.7 грн
3000+ 1.44 грн
6000+ 1.32 грн
Мінімальне замовлення: 55
MUN2213T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MUN2213T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 1821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
103+5.66 грн
149+ 3.9 грн
307+ 1.89 грн
1000+ 1.49 грн
Мінімальне замовлення: 103
MUN2213T1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.23W; SC59; R1: 47kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.23W
Case: SC59
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
на замовлення 2610 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
80+4.92 грн
180+ 1.98 грн
500+ 1.75 грн
565+ 1.43 грн
1545+ 1.36 грн
Мінімальне замовлення: 80
MUN2213T1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.23W; SC59; R1: 47kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.23W
Case: SC59
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2610 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
50+5.9 грн
110+ 2.46 грн
500+ 2.1 грн
565+ 1.72 грн
1545+ 1.63 грн
Мінімальне замовлення: 50
MUN2214
на замовлення 700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2214LT1
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2214T1onsemiDescription: TRANS BRT NPN 100MA 50V SC59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 117000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11539+2 грн
Мінімальне замовлення: 11539
MUN2214T1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2214T1onsemiDescription: TRANS BRT NPN 100MA 50V SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товар відсутній
MUN2214T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2214T1 - TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 117000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15000+3 грн
Мінімальне замовлення: 15000
MUN2214T1FON
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2214T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
MUN2214T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 44461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+11.33 грн
54+ 10.74 грн
55+ 10.63 грн
100+ 5.93 грн
250+ 5.45 грн
500+ 3.25 грн
1000+ 2.26 грн
3000+ 1.84 грн
6000+ 1.82 грн
Мінімальне замовлення: 52
MUN2214T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 50 V Dual NPN BiPolar DRT
на замовлення 22048 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
27+11.61 грн
40+ 7.83 грн
100+ 3.27 грн
1000+ 1.94 грн
3000+ 1.67 грн
9000+ 1.27 грн
24000+ 1.2 грн
Мінімальне замовлення: 27
MUN2214T1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.23W; SC59; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.23W
Case: SC59
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
товар відсутній
MUN2214T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2214T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 10580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
59+12.81 грн
87+ 8.69 грн
185+ 4.06 грн
500+ 3.69 грн
Мінімальне замовлення: 59
MUN2214T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 5089 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+12.28 грн
35+ 8 грн
100+ 4.32 грн
500+ 3.18 грн
1000+ 2.21 грн
Мінімальне замовлення: 24
MUN2214T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
MUN2214T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 50 V Dual NPN BiPolar DRT
на замовлення 14485 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
MUN2214T1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.23W; SC59; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.23W
Case: SC59
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
MUN2214T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 44461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1782+6.57 грн
2869+ 4.08 грн
4121+ 2.84 грн
5068+ 2.23 грн
6000+ 2.04 грн
15000+ 1.57 грн
30000+ 1.54 грн
Мінімальне замовлення: 1782
MUN2214T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товар відсутній
MUN2214T3
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2214T3GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
товар відсутній
MUN2214T3GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
MUN2214T3GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
MUN2214T3GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 19240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
24+13.16 грн
26+ 12.21 грн
100+ 5.74 грн
500+ 3.61 грн
1000+ 2.47 грн
2500+ 1.87 грн
10000+ 1.67 грн
Мінімальне замовлення: 24
MUN2215LT1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2215LT1G
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2215T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2215T1 - MUN2215T1 - TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 309000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15000+2.02 грн
Мінімальне замовлення: 15000
MUN2215T1Rochester Electronics, LLCDescription: TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
на замовлення 309000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MUN2215T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6225+1.88 грн
6277+ 1.86 грн
15000+ 1.85 грн
30000+ 1.76 грн
Мінімальне замовлення: 6225
MUN2215T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR NPN 50V
на замовлення 6313 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
23+13.79 грн
32+ 9.75 грн
100+ 5.34 грн
1000+ 2.34 грн
3000+ 2.07 грн
9000+ 1.54 грн
24000+ 1.47 грн
Мінімальне замовлення: 23
MUN2215T1G
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2215T1GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
на замовлення 117000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MUN2215T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
MUN2215T1GRochester Electronics, LLCDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,
товар відсутній
MUN2215T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR NPN 50V
на замовлення 28715 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
MUN2215T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.75 грн
6000+ 1.73 грн
15000+ 1.72 грн
30000+ 1.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN2215T1GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
на замовлення 2665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MUN2215ZT1
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2215ZT1(ON)
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2215ZT1.
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2216
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2216onsemionsemi SS SC59 BR XSTR NPN 50V
товар відсутній
MUN2216-(TX)
на замовлення 19000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2216LT1GON10+ SOT-23
на замовлення 255000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2216T1ON09+
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2216T1onsemiDescription: TRANS BRT NPN 100MA 50V SC-59
Packaging: Bulk
на замовлення 228000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15000+1.44 грн
Мінімальне замовлення: 15000
MUN2216T1ON08+ SOT-23
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2216T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2216T1 - TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 228000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15000+2.02 грн
Мінімальне замовлення: 15000
MUN2216T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
MUN2216T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
MUN2216T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3827+3.06 грн
6000+ 3.03 грн
9000+ 2.45 грн
15000+ 2.33 грн
24000+ 1.98 грн
Мінімальне замовлення: 3827
MUN2216T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MUN2216T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+12.94 грн
67+ 8.76 грн
118+ 4.94 грн
1000+ 2.86 грн
3000+ 2.43 грн
9000+ 1.87 грн
24000+ 1.7 грн
Мінімальне замовлення: 45
MUN2216T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR NPN 50V
на замовлення 10330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
19+16.82 грн
23+ 13.51 грн
100+ 6.61 грн
500+ 5.01 грн
1000+ 3.4 грн
3000+ 2.67 грн
9000+ 2.2 грн
Мінімальне замовлення: 19
MUN2216T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
MUN2216T1G
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2216T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2200+5.32 грн
3659+ 3.2 грн
3990+ 2.93 грн
9000+ 2.26 грн
24000+ 1.9 грн
Мінімальне замовлення: 2200
MUN2216T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.7 грн
6000+ 3.1 грн
15000+ 2.63 грн
30000+ 2.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN2216T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.84 грн
6000+ 2.81 грн
9000+ 2.27 грн
15000+ 2.17 грн
24000+ 1.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN221JT1
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2230
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2230T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
MUN2230T1GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MUN2230T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 486 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+19.78 грн
19+ 16.2 грн
100+ 7.48 грн
500+ 4.87 грн
1000+ 3.34 грн
3000+ 2.6 грн
9000+ 2.2 грн
Мінімальне замовлення: 16
MUN2231T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2231T1 - TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15000+3 грн
Мінімальне замовлення: 15000
MUN2231T1
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2231T1ON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
товар відсутній
MUN2231T1GON
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2231T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
MUN2231T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 8466 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
24+13.16 грн
26+ 12.21 грн
100+ 5.74 грн
500+ 3.61 грн
3000+ 3.14 грн
9000+ 1.67 грн
24000+ 1.47 грн
Мінімальне замовлення: 24
MUN2231T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
MUN2232onsemionsemi SS SC59 BR XSTR NPN 50V
товар відсутній
MUN2232LT1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2232LT1G
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2232T1onsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT NPN
товар відсутній
MUN2232T1ON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
MUN2232T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2232T1 - TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 132000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15000+2.02 грн
Мінімальне замовлення: 15000
MUN2232T1/8JMOTO
на замовлення 330000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2232T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
MUN2232T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
товар відсутній
MUN2232T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
74+7.84 грн
81+ 7.24 грн
149+ 3.91 грн
Мінімальне замовлення: 74
MUN2232T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA SC59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
на замовлення 4194000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15000+1.35 грн
Мінімальне замовлення: 15000
MUN2232T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR NPN 50V
на замовлення 5900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
23+13.94 грн
25+ 12.74 грн
100+ 6.08 грн
500+ 3.74 грн
1000+ 2.6 грн
3000+ 1.87 грн
9000+ 1.6 грн
Мінімальне замовлення: 23
MUN2232T1G
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2232T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
MUN2232T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2232T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
65+11.53 грн
113+ 6.67 грн
250+ 3 грн
500+ 1.67 грн
3000+ 1.28 грн
Мінімальне замовлення: 65
MUN2232T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
MUN2232T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
MUN2232T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
товар відсутній
MUN2233MOTOROLA04+ SOT-23
на замовлення 3100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2233onsemionsemi SS SC59 BR XSTR NPN 50V
товар відсутній
MUN2233LT1G
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2233RT1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2233T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11539+1.98 грн
Мінімальне замовлення: 11539
MUN2233T1ON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT NPN
товар відсутній
MUN2233T1
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2233T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товар відсутній
MUN2233T1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.23W; SC59; R1: 4.7kΩ
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.23W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Case: SC59
на замовлення 1640 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
115+3.3 грн
215+ 1.63 грн
500+ 1.43 грн
635+ 1.29 грн
Мінімальне замовлення: 115
MUN2233T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN2233T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.58 грн
6000+ 1.56 грн
9000+ 1.52 грн
15000+ 1.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN2233T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.82 грн
6000+ 1.66 грн
9000+ 1.41 грн
30000+ 1.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN2233T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2233T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338mW
Bauform - Transistor: SC-59
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 21945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
59+12.73 грн
62+ 12.13 грн
118+ 6.35 грн
500+ 3.37 грн
1000+ 2.12 грн
3000+ 1.72 грн
6000+ 1.39 грн
12000+ 1.36 грн
Мінімальне замовлення: 59
MUN2233T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR NPN 50V
на замовлення 19849 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
34+9.42 грн
44+ 7.06 грн
100+ 2.8 грн
1000+ 1.8 грн
3000+ 1.47 грн
9000+ 1.4 грн
24000+ 1.13 грн
Мінімальне замовлення: 34
MUN2233T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2233T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 175529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22727+1.57 грн
Мінімальне замовлення: 22727
MUN2233T1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.23W; SC59; R1: 4.7kΩ
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.23W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Case: SC59
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1640 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
70+3.95 грн
130+ 2.03 грн
500+ 1.72 грн
635+ 1.55 грн
1740+ 1.47 грн
12000+ 1.44 грн
Мінімальне замовлення: 70
MUN2233T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7390+1.58 грн
7463+ 1.57 грн
9000+ 1.52 грн
15000+ 1.39 грн
Мінімальне замовлення: 7390
MUN2233T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12000+1.5 грн
Мінімальне замовлення: 12000
MUN2233T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 57061 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+10.83 грн
39+ 7.16 грн
100+ 3.89 грн
500+ 2.87 грн
1000+ 1.99 грн
Мінімальне замовлення: 27
MUN2233T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2233T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338mW
Bauform - Transistor: SC-59
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 21945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+3.37 грн
1000+ 2.12 грн
3000+ 1.72 грн
6000+ 1.39 грн
12000+ 1.36 грн
Мінімальне замовлення: 500
MUN2233T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
MUN2234T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2234T1 - TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15000+2.02 грн
Мінімальне замовлення: 15000
MUN2234T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1544+7.58 грн
2359+ 4.96 грн
3505+ 3.34 грн
4560+ 2.47 грн
9000+ 1.91 грн
Мінімальне замовлення: 1544
MUN2234T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA SC59
товар відсутній
MUN2234T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
MUN2234T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 17485 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
MUN2234T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+16.48 грн
44+ 13.44 грн
100+ 7.04 грн
500+ 4.44 грн
1000+ 2.77 грн
3000+ 2.04 грн
9000+ 1.7 грн
Мінімальне замовлення: 36
MUN2234T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA SC59
на замовлення 2535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MUN2234T1GON Semiconductor
на замовлення 2550 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2235onsemionsemi NPN DIGITAL TRANSISTOR (B
товар відсутній
MUN2235T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27000+1.32 грн
Мінімальне замовлення: 27000
MUN2235T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SC59-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 128829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+12.28 грн
28+ 10.22 грн
100+ 5.6 грн
500+ 3.23 грн
1000+ 2.2 грн
Мінімальне замовлення: 24
MUN2235T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MUN2235T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8772+1.33 грн
Мінімальне замовлення: 8772
MUN2235T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SC59-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 126000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.07 грн
6000+ 1.8 грн
15000+ 1.57 грн
30000+ 1.32 грн
75000+ 1.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN2235T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
MUN2235T1GSanyoDescription: DIGITAL TRANSISTOR (BRT)
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товар відсутній
MUN2235T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased NPN DIGITAL TRANSISTOR
на замовлення 13995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
26+12.31 грн
34+ 9.06 грн
100+ 3.34 грн
1000+ 2 грн
3000+ 1.67 грн
9000+ 1.27 грн
24000+ 1.2 грн
Мінімальне замовлення: 26
MUN2236onsemionsemi SS SC59 BR XSTR NPN 50V
товар відсутній
MUN2236T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
товар відсутній
MUN2236T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2236T1 - TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15000+3 грн
Мінімальне замовлення: 15000
MUN2236T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11539+2 грн
Мінімальне замовлення: 11539
MUN2236T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
на замовлення 216000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10606+2 грн
Мінімальне замовлення: 10606
MUN2236T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2236T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 216000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15000+2.17 грн
Мінімальне замовлення: 15000
MUN2236T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 2893 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+18.85 грн
25+ 12.74 грн
100+ 7.01 грн
1000+ 3.27 грн
3000+ 2.67 грн
9000+ 2.07 грн
24000+ 1.94 грн
Мінімальне замовлення: 17
MUN2236T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
MUN2236T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
товар відсутній
MUN2236T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
MUN2237T1ONSOT23
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2237T1ON04+
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2237T1Rochester Electronics, LLCDescription: TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
на замовлення 920995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MUN2237T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2237T1 - TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 920995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15000+2.02 грн
Мінімальне замовлення: 15000
MUN2237T1ONSOT23-8P
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2237T1 SOT23-8PON
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2237T1GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MUN2237T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
MUN2237T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 24219 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
MUN2237T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
MUN2237T1G
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2237T1SOT23-
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2237T1SOT23-BPON
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2238T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
MUN2238T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased NPN DIGITAL TRANSISTOR
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
MUN2238T1GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
товар відсутній
MUN2240T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2240T1 - TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1415500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15000+2.02 грн
Мінімальне замовлення: 15000
MUN2240T1Rochester Electronics, LLCDescription: TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
на замовлення 1415500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MUN2240T1ON07+;
на замовлення 8550 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2240T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
MUN2240T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
MUN2240T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 35847 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+19.78 грн
19+ 16.2 грн
100+ 7.48 грн
500+ 4.87 грн
1000+ 3.34 грн
3000+ 2.6 грн
9000+ 2.2 грн
Мінімальне замовлення: 16
MUN2240T1GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
на замовлення 378000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MUN2241T1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2241T1ON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
товар відсутній
MUN2241T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2241T1 - TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 80975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15000+3 грн
Мінімальне замовлення: 15000
MUN2241T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
MUN2241T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 17764 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+19.78 грн
19+ 16.2 грн
100+ 7.48 грн
500+ 4.87 грн
1000+ 3.34 грн
3000+ 2.6 грн
9000+ 2.2 грн
Мінімальне замовлення: 16
MUN24AD01-SHDelta Electronics Inc.Module DC-DC 1-OUT 2V to 8.5V 1A 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
MUN24AD03-SMDelta Electronics/CyntecDescription: DC DC CONVERTER 5-12V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Remote On/Off, OCP, OTP, UVLO
Package / Case: 25-BQFN Exposed Pad, Module
Size / Dimension: 0.24" L x 0.24" W x 0.14" H (6.0mm x 6.0mm x 3.5mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Non-Isolated PoL Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 34V
Efficiency: 94%
Current - Output (Max): 3A
Supplier Device Package: 25-QFN (6x6)
Voltage - Input (Min): 8V
Voltage - Output 1: 5 ~ 12V
Part Status: Active
Number of Outputs: 1
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+330.03 грн
Мінімальне замовлення: 1000
MUN24AD03-SMDelta Electronics Inc.Module DC-DC 1-OUT 3V to 12V 3A 25-Pin QFN T/R
товар відсутній
MUN24AD03-SMDelta Electronics/CyntecDescription: DC DC CONVERTER 5-12V
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Remote On/Off, OCP, OTP, UVLO
Package / Case: 25-BQFN Exposed Pad, Module
Size / Dimension: 0.24" L x 0.24" W x 0.14" H (6.0mm x 6.0mm x 3.5mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Non-Isolated PoL Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 34V
Efficiency: 94%
Current - Output (Max): 3A
Supplier Device Package: 25-QFN (6x6)
Voltage - Input (Min): 8V
Voltage - Output 1: 5 ~ 12V
Part Status: Active
Number of Outputs: 1
на замовлення 1101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+413.09 грн
5+ 391.53 грн
10+ 385.96 грн
25+ 351.51 грн
50+ 340.86 грн
100+ 330.2 грн
250+ 314.31 грн
500+ 293.36 грн
MUN3C1BR6-EBDelta Electronics Inc.MUN3C1BR6-EB
товар відсутній
MUN3C1BR6-SBDelta ElectronicsNon-Isolated DC/DC Converters 0.6A 5Vin/1.2Vout inductor-integrated DC-DC converters
на замовлення 1883 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+195.5 грн
5+ 190.4 грн
10+ 163.57 грн
25+ 158.22 грн
50+ 153.55 грн
100+ 148.88 грн
250+ 144.2 грн
Мінімальне замовлення: 2
MUN3C1BR6-SBDelta Electronics/CyntecDescription: 0.6A 5VIN INDUCTOR-INTEGRATED DC
Features: Remote On/Off
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD Module
Size / Dimension: 0.10" L x 0.08" W x 0.04" H (2.5mm x 2.0mm x 1.1mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Non-Isolated PoL Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 5.5V
Current - Output (Max): 600mA
Voltage - Input (Min): 2.7V
Voltage - Output 1: 1.2V
Control Features: Enable, Active High
Part Status: Active
Number of Outputs: 1
товар відсутній
MUN3C1BR6-SBDelta Electronics/CyntecDescription: 0.6A 5VIN INDUCTOR-INTEGRATED DC
Features: Remote On/Off
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD Module
Size / Dimension: 0.10" L x 0.08" W x 0.04" H (2.5mm x 2.0mm x 1.1mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Non-Isolated PoL Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 5.5V
Current - Output (Max): 600mA
Voltage - Input (Min): 2.7V
Voltage - Output 1: 1.2V
Control Features: Enable, Active High
Part Status: Active
Number of Outputs: 1
на замовлення 1955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+194.99 грн
5+ 185.4 грн
10+ 182.69 грн
25+ 166.4 грн
50+ 161.36 грн
100+ 156.32 грн
250+ 148.8 грн
500+ 138.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
MUN3C1DR6-SBDelta Electronics/CyntecDescription: 0.6A 5VIN INDUCTOR-INTEGRATED DC
Features: Remote On/Off
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD Module
Size / Dimension: 0.10" L x 0.08" W x 0.04" H (2.5mm x 2.0mm x 1.1mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Non-Isolated PoL Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 5.5V
Current - Output (Max): 600mA
Voltage - Input (Min): 2.7V
Voltage - Output 1: 1.35V
Control Features: Enable, Active High
Part Status: Active
Number of Outputs: 1
на замовлення 3963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+194.99 грн
5+ 185.4 грн
10+ 182.69 грн
25+ 166.4 грн
50+ 161.36 грн
100+ 156.32 грн
250+ 148.8 грн
500+ 138.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
MUN3C1DR6-SBDelta Electronics/CyntecDescription: 0.6A 5VIN INDUCTOR-INTEGRATED DC
Features: Remote On/Off
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD Module
Size / Dimension: 0.10" L x 0.08" W x 0.04" H (2.5mm x 2.0mm x 1.1mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Non-Isolated PoL Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 5.5V
Current - Output (Max): 600mA
Voltage - Input (Min): 2.7V
Voltage - Output 1: 1.35V
Control Features: Enable, Active High
Part Status: Active
Number of Outputs: 1
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+156.24 грн
Мінімальне замовлення: 2000
MUN3C1DR6-SBDelta ElectronicsNon-Isolated DC/DC Converters 0.6A 5Vin/1.35Vout inductor-integrated DC-DC converters
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+195.5 грн
5+ 190.4 грн
10+ 163.57 грн
25+ 158.22 грн
50+ 153.55 грн
100+ 148.88 грн
250+ 144.2 грн
Мінімальне замовлення: 2
MUN3C1ER6-SBDelta ElectronicsNon-Isolated DC/DC Converters 0.6A 5Vin/1.5Vout inductor-integrated DC-DC converters
на замовлення 1985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+195.5 грн
5+ 190.4 грн
10+ 163.57 грн
25+ 158.22 грн
50+ 153.55 грн
100+ 148.88 грн
250+ 144.2 грн
Мінімальне замовлення: 2
MUN3C1ER6-SBDelta Electronics/CyntecDescription: 0.6A 5VIN INDUCTOR-INTEGRATED DC
Features: Remote On/Off
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD Module
Size / Dimension: 0.10" L x 0.08" W x 0.04" H (2.5mm x 2.0mm x 1.1mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Non-Isolated PoL Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 5.5V
Current - Output (Max): 600mA
Voltage - Input (Min): 2.7V
Voltage - Output 1: 1.5V
Control Features: Enable, Active High
Part Status: Active
Number of Outputs: 1
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+194.99 грн
5+ 185.4 грн
10+ 182.69 грн
25+ 166.4 грн
50+ 161.36 грн
100+ 156.32 грн
250+ 148.8 грн
500+ 138.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
MUN3C1ER6-SBDelta Electronics/CyntecDescription: 0.6A 5VIN INDUCTOR-INTEGRATED DC
Features: Remote On/Off
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD Module
Size / Dimension: 0.10" L x 0.08" W x 0.04" H (2.5mm x 2.0mm x 1.1mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Non-Isolated PoL Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 5.5V
Current - Output (Max): 600mA
Voltage - Input (Min): 2.7V
Voltage - Output 1: 1.5V
Control Features: Enable, Active High
Part Status: Active
Number of Outputs: 1
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+156.24 грн
Мінімальне замовлення: 2000
MUN3C1HR6-EBDelta Electronics Inc.MUN3C1HR6-EB
товар відсутній
MUN3C1HR6-SBDelta Electronics/CyntecDescription: 0.6A 5VIN INDUCTOR-INTEGRATED DC
Features: Remote On/Off
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD Module
Size / Dimension: 0.10" L x 0.08" W x 0.04" H (2.5mm x 2.0mm x 1.1mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Non-Isolated PoL Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 5.5V
Current - Output (Max): 600mA
Voltage - Input (Min): 2.7V
Voltage - Output 1: 1.8V
Control Features: Enable, Active High
Part Status: Active
Number of Outputs: 1
на замовлення 3375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+194.99 грн
5+ 185.4 грн
10+ 182.69 грн
25+ 166.4 грн
50+ 161.36 грн
100+ 156.32 грн
250+ 148.8 грн
500+ 138.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
MUN3C1HR6-SBDelta ElectronicsNon-Isolated DC/DC Converters 0.6A 5Vin/1.8Vout inductor-integrated DC-DC converters
на замовлення 1714 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+195.5 грн
5+ 190.4 грн
10+ 163.57 грн
25+ 158.22 грн
50+ 153.55 грн
100+ 148.88 грн
250+ 144.2 грн
Мінімальне замовлення: 2
MUN3C1HR6-SBDelta Electronics/CyntecDescription: 0.6A 5VIN INDUCTOR-INTEGRATED DC
Features: Remote On/Off
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD Module
Size / Dimension: 0.10" L x 0.08" W x 0.04" H (2.5mm x 2.0mm x 1.1mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Non-Isolated PoL Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 5.5V
Current - Output (Max): 600mA
Voltage - Input (Min): 2.7V
Voltage - Output 1: 1.8V
Control Features: Enable, Active High
Part Status: Active
Number of Outputs: 1
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+156.24 грн
Мінімальне замовлення: 2000
MUN3CAD01-EEDelta Electronics Inc.MUN3CAD01-EE
товар відсутній
MUN3CAD01-SBDelta Electronics/CyntecDescription: DC DC CONVERTER 0.8-4V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Adjustable Output, Remote On/Off
Package / Case: 8-PowerTFQFN Module
Size / Dimension: 0.10" L x 0.08" W x 0.04" H (2.5mm x 2.0mm x 1.0mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Non-Isolated PoL Module
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 5.5V
Efficiency: 92%
Current - Output (Max): 1A
Supplier Device Package: 8-QFN (2.5x2)
Voltage - Input (Min): 2.5V
Voltage - Output 1: 0.8 ~ 4V
Control Features: Enable, Active High
Part Status: Active
Number of Outputs: 1
на замовлення 7930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+149.87 грн
Мінімальне замовлення: 2000
MUN3CAD01-SBDelta Electronics Inc.Module DC-DC 1-OUT 0.8V to 4V 1A 8-Pin QFN T/R
товар відсутній
MUN3CAD01-SBDelta ElectronicsNon-Isolated DC/DC Converters 1A 5Vin inductor-integrated DC-DC converters
на замовлення 885 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+195.5 грн
5+ 190.4 грн
10+ 163.57 грн
25+ 158.22 грн
50+ 153.55 грн
100+ 148.88 грн
250+ 144.2 грн
Мінімальне замовлення: 2
MUN3CAD01-SBDelta Electronics/CyntecDescription: DC DC CONVERTER 0.8-4V
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Adjustable Output, Remote On/Off
Package / Case: 8-PowerTFQFN Module
Size / Dimension: 0.10" L x 0.08" W x 0.04" H (2.5mm x 2.0mm x 1.0mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Non-Isolated PoL Module
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 5.5V
Efficiency: 92%
Current - Output (Max): 1A
Supplier Device Package: 8-QFN (2.5x2)
Voltage - Input (Min): 2.5V
Voltage - Output 1: 0.8 ~ 4V
Control Features: Enable, Active High
Part Status: Active
Number of Outputs: 1
на замовлення 7930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+187.77 грн
5+ 177.89 грн
10+ 175.25 грн
25+ 159.63 грн
50+ 154.78 грн
100+ 149.95 грн
250+ 142.74 грн
500+ 133.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
MUN3CAD01-SBCyntec CoModule DC-DC 1-OUT 0.8V to 4V 1A 8-Pin QFN T/R
товар відсутній
MUN3CAD01-SB EVBDelta ElectronicsPower Management IC Development Tools Evaluation Board for MUN3CAD01-SB
товар відсутній
MUN3CAD01-SCDelta Electronics/CyntecDescription: DC DC CONVERTER 0.8-4V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Remote On/Off, OCP, SCP, UVLO
Package / Case: 6-TDFN Module
Size / Dimension: 0.11" L x 0.09" W x 0.04" H (2.9mm x 2.3mm x 1.0mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Non-Isolated PoL Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 5.5V
Efficiency: 93%
Current - Output (Max): 1A
Supplier Device Package: 6-DFN (2.9x2.3)
Voltage - Input (Min): 2.7V
Voltage - Output 1: 0.8 ~ 4V
Number of Outputs: 1
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+196 грн
Мінімальне замовлення: 2000
MUN3CAD01-SCDelta ElectronicsNon-Isolated DC/DC Converters 1A 5Vin inductor-integrated DC-DC converters
на замовлення 2288 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+268.71 грн
5+ 261.04 грн
10+ 224.32 грн
25+ 217.64 грн
50+ 210.3 грн
100+ 204.29 грн
250+ 197.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
MUN3CAD01-SCDelta Electronics/CyntecDescription: DC DC CONVERTER 0.8-4V
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Remote On/Off, OCP, SCP, UVLO
Package / Case: 6-TDFN Module
Size / Dimension: 0.11" L x 0.09" W x 0.04" H (2.9mm x 2.3mm x 1.0mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Non-Isolated PoL Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 5.5V
Efficiency: 93%
Current - Output (Max): 1A
Supplier Device Package: 6-DFN (2.9x2.3)
Voltage - Input (Min): 2.7V
Voltage - Output 1: 0.8 ~ 4V
Number of Outputs: 1
на замовлення 20807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+244.82 грн
5+ 232.55 грн
10+ 229.21 грн
25+ 208.76 грн
50+ 202.43 грн
100+ 196.11 грн
250+ 186.67 грн
500+ 174.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
MUN3CAD01-SCDelta Electronics Inc.MUN3CAD01-SC
товар відсутній
MUN3CAD03-SEDelta Electronics/CyntecDescription: 3A 5VIN INDUCTOR-INTEGRATED DC-D
Features: Adjustable Output, Remote On/Off
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerLDFN Module
Size / Dimension: 0.12" L x 0.11" W x 0.05" H (3.0mm x 2.8mm x 1.3mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Non-Isolated PoL Module
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 5.5V
Efficiency: 95%
Current - Output (Max): 3A
Supplier Device Package: 9-QFN (3x2.8)
Voltage - Input (Min): 2.75V
Voltage - Output 1: 0.6 ~ 3.3V
Control Features: Enable, Active High
Part Status: Active
Number of Outputs: 1
на замовлення 10849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+244.82 грн
5+ 232.55 грн
10+ 229.21 грн
25+ 208.76 грн
50+ 202.43 грн
100+ 196.11 грн
250+ 186.67 грн
500+ 174.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
MUN3CAD03-SEDelta ElectronicsNon-Isolated DC/DC Converters 3A 5Vin inductor-integrated DC-DC converters
на замовлення 4351 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+268.71 грн
5+ 261.04 грн
10+ 224.32 грн
25+ 217.64 грн
50+ 210.3 грн
100+ 204.29 грн
250+ 197.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
MUN3CAD03-SEDelta Electronics/CyntecDescription: 3A 5VIN INDUCTOR-INTEGRATED DC-D
Features: Adjustable Output, Remote On/Off
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerLDFN Module
Size / Dimension: 0.12" L x 0.11" W x 0.05" H (3.0mm x 2.8mm x 1.3mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Non-Isolated PoL Module
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 5.5V
Efficiency: 95%
Current - Output (Max): 3A
Supplier Device Package: 9-QFN (3x2.8)
Voltage - Input (Min): 2.75V
Voltage - Output 1: 0.6 ~ 3.3V
Control Features: Enable, Active High
Part Status: Active
Number of Outputs: 1
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+196 грн
Мінімальне замовлення: 2000
MUN3CAD03-SE EVBDelta ElectronicsPower Management IC Development Tools Evaluation Board for MUN3CAD03-SE
товар відсутній
MUN3CAD03-SFDelta Electronics/CyntecDescription: DC DC CONVERTER 0.6-3.3V
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Remote On/Off, OCP, OTP, UVLO
Package / Case: 10-LFQFN Exposed Pad, Module
Size / Dimension: 0.12" L x 0.12" W x 0.05" H (3.0mm x 3.0mm x 1.3mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Non-Isolated PoL Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 5.5V
Efficiency: 94%
Current - Output (Max): 3A
Supplier Device Package: 10-QFN (3x3)
Voltage - Input (Min): 2.75V
Voltage - Output 1: 0.6 ~ 3.3V
Number of Outputs: 1
на замовлення 194421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+147.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
MUN3CAD03-SFDelta ElectronicsNon-Isolated DC/DC Converters 3A 5Vin inductor-integrated DC-DC converters
на замовлення 1977 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+222.76 грн
5+ 216.51 грн
10+ 185.6 грн
25+ 180.26 грн
50+ 174.25 грн
100+ 168.91 грн
250+ 164.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
MUN3CAD03-SFDelta Electronics/CyntecDescription: DC DC CONVERTER 0.6-3.3V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Remote On/Off, OCP, OTP, UVLO
Package / Case: 10-LFQFN Exposed Pad, Module
Size / Dimension: 0.12" L x 0.12" W x 0.05" H (3.0mm x 3.0mm x 1.3mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Non-Isolated PoL Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 5.5V
Efficiency: 94%
Current - Output (Max): 3A
Supplier Device Package: 10-QFN (3x3)
Voltage - Input (Min): 2.75V
Voltage - Output 1: 0.6 ~ 3.3V
Number of Outputs: 1
на замовлення 192000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+147.07 грн
Мінімальне замовлення: 2000
MUN3CADR6-ECDelta Electronics Inc.Module DC-DC 1-OUT 0.8V to 4V 0.6A 6-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
MUN5111DW1T1
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5111DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
59+9.89 грн
72+ 8.13 грн
73+ 7.94 грн
135+ 4.17 грн
250+ 3.44 грн
500+ 2.92 грн
Мінімальне замовлення: 59
MUN5111DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN5111DW1T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 1433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+17.33 грн
20+ 14.12 грн
100+ 7.47 грн
500+ 4.61 грн
1000+ 3.14 грн
Мінімальне замовлення: 17
MUN5111DW1T1GONSEMIMUN5111DW1T1G PNP SMD transistors
на замовлення 3040 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
33+8.3 грн
380+ 2.58 грн
1040+ 2.44 грн
Мінімальне замовлення: 33
MUN5111DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.54 грн
6000+ 2.07 грн
12000+ 1.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN5111DW1T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
товар відсутній
MUN5111DW1T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT Dual PNP
на замовлення 26350 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
MUN5111RT1
на замовлення 186000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5111T1ON07+;
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5111T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MUN5111T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 26990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+10.99 грн
58+ 10 грн
151+ 3.7 грн
250+ 3.21 грн
500+ 3.04 грн
1000+ 1.68 грн
3000+ 1.04 грн
6000+ 1.03 грн
Мінімальне замовлення: 53
MUN5111T1GONSEMIMUN5111T1G NPN SMD transistors
товар відсутній
MUN5111T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9434+1.24 грн
9555+ 1.22 грн
12000+ 1.21 грн
18000+ 1.16 грн
24000+ 1.06 грн
30000+ 0.93 грн
Мінімальне замовлення: 9434
MUN5111T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR PNP 50V
на замовлення 39288 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
MUN5111T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.22 грн
6000+ 1.2 грн
12000+ 1.19 грн
18000+ 1.14 грн
24000+ 1.04 грн
30000+ 0.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN5111T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
на замовлення 25289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MUN5111T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN5111T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
MUN5111T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 26990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3025+3.87 грн
3068+ 3.81 грн
5556+ 2.11 грн
8929+ 1.26 грн
9037+ 1.16 грн
15000+ 1.1 грн
Мінімальне замовлення: 3025
MUN5112onsemionsemi SS SC70 BR XSTR PNP 50V
товар відсутній
MUN5112DW1T1onsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT Dual
товар відсутній
MUN5112DW1T1
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5112DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
MUN5112DW1T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.54 грн
6000+ 3.16 грн
9000+ 2.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN5112DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
MUN5112DW1T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT Dual PNP
на замовлення 22341 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+23.21 грн
20+ 15.66 грн
100+ 5.54 грн
1000+ 3.87 грн
3000+ 2.67 грн
9000+ 2.54 грн
24000+ 2.27 грн
Мінімальне замовлення: 14
MUN5112DW1T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5112DW1T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9960+3.67 грн
Мінімальне замовлення: 9960
MUN5112DW1T1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.187W; R1: 22kΩ
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.187W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 22kΩ
Base-emitter resistor: 22kΩ
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
25+11.5 грн
100+ 5.98 грн
230+ 4.19 грн
630+ 3.96 грн
Мінімальне замовлення: 25
MUN5112DW1T1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.187W; R1: 22kΩ
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.187W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 22kΩ
Base-emitter resistor: 22kΩ
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
40+9.59 грн
100+ 4.8 грн
230+ 3.49 грн
630+ 3.3 грн
Мінімальне замовлення: 40
MUN5112DW1T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 23576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+20.94 грн
20+ 13.91 грн
100+ 6.78 грн
500+ 5.31 грн
1000+ 3.69 грн
Мінімальне замовлення: 14
MUN5112T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5112T1 - TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 774000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9000+3.52 грн
Мінімальне замовлення: 9000
MUN5112T1
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5112T1onsemiDescription: TRANS BRT PNP 100MA 50V SOT-323
Packaging: Bulk
на замовлення 774000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6662+3.3 грн
Мінімальне замовлення: 6662
MUN5112T1/6BMOTO
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5112T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.97 грн
6000+ 1.8 грн
9000+ 1.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN5112T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MUN5112T1G
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5112T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5770+2.03 грн
6000+ 2.02 грн
9000+ 1.56 грн
Мінімальне замовлення: 5770
MUN5112T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.2 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN5112T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
523+1.11 грн
Мінімальне замовлення: 523
MUN5112T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
на замовлення 13240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+11.55 грн
36+ 7.79 грн
100+ 4.2 грн
500+ 3.1 грн
1000+ 2.15 грн
Мінімальне замовлення: 25
MUN5112T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5112T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 467900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21008+1.72 грн
Мінімальне замовлення: 21008
MUN5112T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3297+3.55 грн
3334+ 3.51 грн
5640+ 2.08 грн
6330+ 1.78 грн
8242+ 1.27 грн
15000+ 1.16 грн
30000+ 1.02 грн
Мінімальне замовлення: 3297
MUN5112T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+1.29 грн
Мінімальне замовлення: 450
MUN5112T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
MUN5112T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT PNP
на замовлення 9435 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
26+12.31 грн
36+ 8.68 грн
100+ 3.2 грн
1000+ 1.94 грн
3000+ 1.6 грн
9000+ 1.27 грн
24000+ 1.2 грн
Мінімальне замовлення: 26
MUN5112T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
MUN5113MOTSOT-323
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5113DW1T1onsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 187mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhm
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhm
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7788+3.3 грн
Мінімальне замовлення: 7788
MUN5113DW1T1
на замовлення 2268 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5113DW1T1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.187W; R1: 47kΩ
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.187W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 110 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
40+7.01 грн
100+ 3.37 грн
395+ 2.45 грн
1085+ 2.33 грн
12000+ 2.32 грн
Мінімальне замовлення: 40
MUN5113DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1692+6.92 грн
2291+ 5.11 грн
2977+ 3.93 грн
3513+ 3.21 грн
Мінімальне замовлення: 1692
MUN5113DW1T1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.187W; R1: 47kΩ
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.187W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
65+5.84 грн
110+ 3.48 грн
Мінімальне замовлення: 65
MUN5113DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15000+2.81 грн
Мінімальне замовлення: 15000
MUN5113DW1T1GonsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 187mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhm
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhm
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.54 грн
6000+ 3.16 грн
9000+ 2.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN5113DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+17.93 грн
44+ 13.32 грн
50+ 11.71 грн
100+ 6.26 грн
250+ 5.74 грн
500+ 4.07 грн
1000+ 3.13 грн
3000+ 2.65 грн
Мінімальне замовлення: 33
MUN5113DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
MUN5113DW1T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR PNP 50V
на замовлення 5067 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+23.21 грн
20+ 15.66 грн
100+ 5.54 грн
1000+ 3.87 грн
3000+ 3.07 грн
9000+ 2.54 грн
24000+ 2.34 грн
Мінімальне замовлення: 14
MUN5113DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3433+3.41 грн
Мінімальне замовлення: 3433
MUN5113DW1T1GonsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 187mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhm
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhm
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+16.61 грн
26+ 10.99 грн
100+ 5.36 грн
Мінімальне замовлення: 18
MUN5113DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
MUN5113DW1T1GonsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 187mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhm
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhm
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+20.94 грн
20+ 13.91 грн
100+ 6.78 грн
500+ 5.31 грн
1000+ 3.69 грн
Мінімальне замовлення: 14
MUN5113T1onsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT PNP
товар відсутній
MUN5113T1ONSOT323
на замовлення 5944 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5113T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товар відсутній
MUN5113T1ON09+
на замовлення 2918 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5113T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
MUN5113T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товар відсутній
MUN5113T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5113T1G - DIGITAL TRANSISTOR, 50V, 0.1A
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 190000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21000+1.5 грн
Мінімальне замовлення: 21000
MUN5113T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 190000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11539+1.98 грн
Мінімальне замовлення: 11539
MUN5113T1GON Semiconductor
на замовлення 266900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5113T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 1630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MUN5113T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR PNP 50V
товар відсутній
MUN5113T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товар відсутній
MUN5113T1GON09+
на замовлення 291018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5113T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 1630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
131+4.45 грн
193+ 3.01 грн
263+ 2.21 грн
327+ 1.71 грн
391+ 1.33 грн
500+ 1.15 грн
Мінімальне замовлення: 131
MUN5113T3ON0403+
на замовлення 8050 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5113T3ON0403+ SOT23-5
на замовлення 16100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5113T3GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
MUN5113T3GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT PNP
на замовлення 29985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
MUN5113T3GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 209850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11539+1.98 грн
Мінімальне замовлення: 11539
MUN5113T3GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
MUN5113T3GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товар відсутній
MUN5114
на замовлення 2930 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5114DW1T1Rochester Electronics, LLCDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MUN5114DW1T1
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5114DW1T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5114DW1T1 - TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9000+4.42 грн
Мінімальне замовлення: 9000
MUN5114DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+18.22 грн
39+ 14.91 грн
43+ 13.73 грн
100+ 7.19 грн
250+ 5.98 грн
Мінімальне замовлення: 32
MUN5114DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
MUN5114DW1T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 16820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+15.89 грн
23+ 12.59 грн
100+ 6.68 грн
500+ 4.13 грн
1000+ 2.81 грн
Мінімальне замовлення: 19
MUN5114DW1T1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.187W; R1: 10kΩ
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Type of transistor: PNP x2
Power dissipation: 0.187W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Case: SC70-6; SC88; SOT363
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 135 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
40+7.01 грн
100+ 3.28 грн
400+ 2.42 грн
1100+ 2.29 грн
Мінімальне замовлення: 40
MUN5114DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
MUN5114DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
MUN5114DW1T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.8 грн
6000+ 2.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN5114DW1T1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.187W; R1: 10kΩ
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Type of transistor: PNP x2
Power dissipation: 0.187W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Case: SC70-6; SC88; SOT363
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
65+5.84 грн
135+ 2.64 грн
Мінімальне замовлення: 65
MUN5114DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
MUN5114DW1T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT Dual PNP
на замовлення 20690 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+20.48 грн
19+ 16.28 грн
100+ 7.54 грн
500+ 4.94 грн
1000+ 3.4 грн
3000+ 2.6 грн
9000+ 2.2 грн
Мінімальне замовлення: 16
MUN5114RT1
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5114T1ON2001
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5114T1ON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3
товар відсутній
MUN5114T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товар відсутній
MUN5114T1GON07+;
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5114T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT PNP
на замовлення 7206 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
26+12.31 грн
39+ 7.98 грн
100+ 3.14 грн
1000+ 1.94 грн
3000+ 1.6 грн
9000+ 1.47 грн
24000+ 1.34 грн
Мінімальне замовлення: 26
MUN5114T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товар відсутній
MUN5114T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 238161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11539+2 грн
Мінімальне замовлення: 11539
MUN5114T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
MUN5115D
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5115DW
на замовлення 2197 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5115DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
MUN5115DW1T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT Dual PNP
на замовлення 5955 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
MUN5115DW1T1GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MUN5115DW1T1GRochester Electronics, LLCDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,
на замовлення 274666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MUN5115DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 126000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN5115DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
61+9.6 грн
90+ 6.5 грн
91+ 6.43 грн
226+ 2.47 грн
250+ 2.27 грн
500+ 2.15 грн
1000+ 1.48 грн
Мінімальне замовлення: 61
MUN5115DW1T1GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
на замовлення 2840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MUN5115DW1T1GONSEMIMUN5115DW1T1G PNP SMD transistors
товар відсутній
MUN5115T1ON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3
товар відсутній
MUN5115T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5115T1 - TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9000+3.52 грн
Мінімальне замовлення: 9000
MUN5115T1Rochester Electronics, LLCDescription: TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MUN5115T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
MUN5115T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
MUN5115T1GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MUN5115T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT PNP
на замовлення 5542 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+18.85 грн
24+ 12.9 грн
100+ 7.14 грн
1000+ 3.34 грн
3000+ 2.87 грн
9000+ 2.14 грн
24000+ 2 грн
Мінімальне замовлення: 17
MUN5115T1G
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5115T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT PNP
на замовлення 32543 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
MUN5115T1GRochester Electronics, LLCDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,
на замовлення 46000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MUN5116DW1T1MOT
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5116DW1T1onsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
на замовлення 144000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MUN5116DW1T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5116DW1T1 - TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 144000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9000+4.42 грн
Мінімальне замовлення: 9000
MUN5116DW1T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
товар відсутній
MUN5116DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 8890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
153+3.81 грн
Мінімальне замовлення: 153
MUN5116DW1T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 3840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26 грн
15+ 18.64 грн
100+ 10.52 грн
500+ 6.54 грн
1000+ 5.02 грн
Мінімальне замовлення: 12
MUN5116DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
MUN5116DW1T1GON
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5116DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
MUN5116DW1T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT Dual PNP
на замовлення 3116 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+26.09 грн
18+ 17.5 грн
100+ 6.54 грн
1000+ 4.21 грн
3000+ 3.4 грн
9000+ 2.74 грн
24000+ 2.6 грн
Мінімальне замовлення: 12
MUN5116RT1
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5116T1ON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3
товар відсутній
MUN5116T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5116T1 - TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9000+3.52 грн
Мінімальне замовлення: 9000
MUN5116T1
на замовлення 26600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5116T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
MUN5116T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT PNP
товар відсутній
MUN5116T1GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3
товар відсутній
MUN5117T1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5130DW1T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 1kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+23.83 грн
15+ 19.05 грн
100+ 10.09 грн
500+ 6.23 грн
1000+ 4.24 грн
Мінімальне замовлення: 13
MUN5130DW1T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT PNP
на замовлення 5591 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+26.48 грн
15+ 21.04 грн
100+ 9.68 грн
500+ 6.41 грн
Мінімальне замовлення: 12
MUN5130DW1T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 1kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.23 грн
6000+ 3.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN5130DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MUN5130T1
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5130T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
MUN5130T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT PNP
товар відсутній
MUN5131DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
MUN5131DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
MUN5131DW1T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MUN5131DW1T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT PNP
на замовлення 11849 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+26.48 грн
15+ 21.04 грн
100+ 9.68 грн
500+ 6.41 грн
Мінімальне замовлення: 12
MUN5131DW1T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
товар відсутній
MUN5131DW1T1GONSEMIMUN5131DW1T1G PNP SMD transistors
на замовлення 780 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
53+5.18 грн
380+ 2.59 грн
1040+ 2.45 грн
12000+ 2.44 грн
Мінімальне замовлення: 53
MUN5131T1
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5131T1ON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3
товар відсутній
MUN5131T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 23798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
843+0.69 грн
Мінімальне замовлення: 843
MUN5131T1GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3
на замовлення 213000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MUN5131T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
MUN5131T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
MUN5131T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT PNP
на замовлення 25803 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
27+11.92 грн
34+ 9.14 грн
100+ 4.27 грн
500+ 2.87 грн
1000+ 1.94 грн
3000+ 1.67 грн
9000+ 1.54 грн
Мінімальне замовлення: 27
MUN5132DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
MUN5132DW1T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased SS SC88 BR XSTR PNP 50V
товар відсутній
MUN5132DW1T1GON SemiconductorDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SC88
товар відсутній
MUN5132RT1
на замовлення 204000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5132T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5132T1 - TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 204000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9000+3.52 грн
Мінімальне замовлення: 9000
MUN5132T1
на замовлення 3719 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5132T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT PNP
на замовлення 30313 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
MUN5132T1G
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5132T1GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3
на замовлення 14735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MUN5132T1GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MUN5132T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
MUN5133onsemionsemi SS SC70 BR XSTR PNP 50V
товар відсутній
MUN5133DW1T1onsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SS SC88 BR XSTR PNP 50V
товар відсутній
MUN5133DW1T1
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5133DW1T1onsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2885+7.29 грн
Мінімальне замовлення: 2885
MUN5133DW1T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5133DW1T1 - TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+8.76 грн
Мінімальне замовлення: 6000
MUN5133DW1T1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.187W; SOT363; R2: 47kΩ
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.187W
Case: SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
на замовлення 350 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
54+5.03 грн
100+ 2.95 грн
350+ 2.58 грн
500+ 2.51 грн
960+ 2.44 грн
3000+ 2.34 грн
Мінімальне замовлення: 54
MUN5133DW1T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.54 грн
6000+ 3.16 грн
9000+ 2.62 грн
30000+ 2.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN5133DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 18200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+22.37 грн
34+ 17.19 грн
37+ 16.09 грн
100+ 8.07 грн
250+ 7.4 грн
500+ 6.18 грн
1000+ 3.79 грн
3000+ 2.94 грн
6000+ 2.92 грн
Мінімальне замовлення: 26
MUN5133DW1T1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.187W; SOT363; R2: 47kΩ
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.187W
Case: SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
90+4.19 грн
148+ 2.36 грн
350+ 2.15 грн
Мінімальне замовлення: 90
MUN5133DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
MUN5133DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
MUN5133DW1T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT PNP
на замовлення 5790 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+28.58 грн
14+ 22.88 грн
100+ 10.55 грн
500+ 6.94 грн
1000+ 4.74 грн
3000+ 3.67 грн
9000+ 3.14 грн
Мінімальне замовлення: 11
MUN5133DW1T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 60302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+20.94 грн
20+ 13.91 грн
100+ 6.78 грн
500+ 5.31 грн
1000+ 3.69 грн
Мінімальне замовлення: 14
MUN5133RT1
на замовлення 1269000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5133T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5133T1 - TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 162000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9000+3.37 грн
Мінімальне замовлення: 9000
MUN5133T1
на замовлення 19000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5133T1onsemiDescription: TRANS BRT PNP 100MA 50V SOT-323
на замовлення 162000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MUN5133T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
MUN5133T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.49 грн
6000+ 2.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN5133T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
товар відсутній
MUN5133T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR PNP 50V
на замовлення 1008 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
23+14.02 грн
25+ 12.74 грн
100+ 5.81 грн
500+ 4.01 грн
Мінімальне замовлення: 23
MUN5133T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.45 грн
9000+ 1.54 грн
24000+ 1.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN5133T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
на замовлення 15259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+13 грн
24+ 11.68 грн
100+ 6.35 грн
500+ 3.67 грн
1000+ 2.5 грн
Мінімальне замовлення: 23
MUN5133T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 40433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+10.6 грн
60+ 9.82 грн
64+ 9.05 грн
139+ 4.03 грн
250+ 3.7 грн
500+ 3.51 грн
1000+ 2.81 грн
3000+ 2.56 грн
6000+ 1.97 грн
Мінімальне замовлення: 55
MUN5134DW1T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT Dual PNP
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
MUN5134DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
MUN5134DW1T1GON SemiconductorDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
товар відсутній
MUN5134T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
MUN5134T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR PNP 50V
товар відсутній
MUN5135DW1T1
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5135DW1T1onsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
товар відсутній
MUN5135DW1T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.57 грн
6000+ 3.19 грн
9000+ 2.65 грн
30000+ 2.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN5135DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
MUN5135DW1T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT PNP
на замовлення 43229 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+21.03 грн
19+ 16.97 грн
100+ 7.81 грн
500+ 5.34 грн
Мінімальне замовлення: 15
MUN5135DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
MUN5135DW1T1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.187W; R1: 2.2kΩ
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Type of transistor: PNP x2
Power dissipation: 0.187W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Mounting: SMD
Case: SC70-6; SC88; SOT363
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
MUN5135DW1T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
на замовлення 45184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+21.67 грн
20+ 14.05 грн
100+ 6.85 грн
500+ 5.36 грн
1000+ 3.73 грн
Мінімальне замовлення: 14
MUN5135DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.73 грн
6000+ 2.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN5135DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN5135DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 2588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+17.46 грн
42+ 13.91 грн
100+ 6.67 грн
250+ 6.01 грн
500+ 4.58 грн
1000+ 3.57 грн
Мінімальне замовлення: 34
MUN5135DW1T1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.187W; R1: 2.2kΩ
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Type of transistor: PNP x2
Power dissipation: 0.187W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Mounting: SMD
Case: SC70-6; SC88; SOT363
товар відсутній
MUN5135DW1T1G (SOT363, ON) 2хТранзистор
Код товару: 153435		ONТранзистори > Біполярні PNP
Корпус: SOT-363
Uке, В: 50 V
Uкб, В: 50 V
Iк, А: 0,1 A
товар відсутній
MUN5135T1
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5135T1ON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3
товар відсутній
MUN5135T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT PNP
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
24+13.32 грн
27+ 11.75 грн
100+ 5.67 грн
500+ 2.94 грн
1000+ 2.14 грн
3000+ 1.74 грн
9000+ 1.54 грн
Мінімальне замовлення: 24
MUN5135T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
MUN5135T1GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3
на замовлення 2391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MUN5135T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT PNP
на замовлення 33043 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
MUN5135T1GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3
товар відсутній
MUN5136DW1T1ON SemiconductorDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
товар відсутній
MUN5136DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
MUN5136DW1T1GON SemiconductorDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SC88
товар відсутній
MUN5136DW1T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SS SC88 BR XSTR PNP 50V
на замовлення 7390 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.11 грн
15+ 21.5 грн
100+ 9.95 грн
500+ 6.54 грн
1000+ 4.47 грн
3000+ 3.47 грн
9000+ 2.94 грн
Мінімальне замовлення: 12
MUN5136T1ON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3
товар відсутній
MUN5136T1ONSOT-323 01+
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5136T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5136T1 - TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 111000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8013+3.52 грн
Мінімальне замовлення: 8013
MUN5136T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SS SC70 BR XSTR PNP 50V
на замовлення 29749 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
25+12.46 грн
27+ 11.44 грн
100+ 5.41 грн
500+ 3.34 грн
1000+ 2.8 грн
3000+ 2.4 грн
9000+ 1.6 грн
Мінімальне замовлення: 25
MUN5136T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 600mW 3-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
MUN5136T1GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70
товар відсутній
MUN5137DW1T1onsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
товар відсутній
MUN5137DW1T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5137DW1T1 - TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MUN5137DW1T1GonsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
товар відсутній
MUN5137DW1T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT Dual PNP
на замовлення 14399 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+17.37 грн
26+ 11.9 грн
100+ 6.54 грн
1000+ 3.07 грн
3000+ 2.54 грн
9000+ 2.2 грн
24000+ 1.8 грн
Мінімальне замовлення: 18
MUN5137DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
MUN5137T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5137T1 - TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9000+3.52 грн
Мінімальне замовлення: 9000
MUN5137T1ON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3
товар відсутній
MUN5137T1GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MUN5137T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT PNP
на замовлення 29993 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
22+14.8 грн
23+ 13.74 грн
100+ 6.48 грн
500+ 4.01 грн
Мінімальне замовлення: 22
MUN5137T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
MUN5138T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased PNP DIGITAL TRANSISTOR
товар відсутній
MUN5138T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
MUN5138T1GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 202MW
товар відсутній
MUN5140RT1
на замовлення 156000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5140T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
на замовлення 144000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15000+1.44 грн
Мінімальне замовлення: 15000
MUN5140T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
товар відсутній
MUN5140T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased PNP DIGITAL TRANSISTOR
товар відсутній
MUN5140T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
MUN5141T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
на замовлення 285000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15000+1.44 грн
Мінімальне замовлення: 15000
MUN5141T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased PNP DIGITAL TRANSISTOR
товар відсутній
MUN5141T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
MUN5141T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
товар відсутній
MUN5211MOTOROLA
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5211onsemionsemi SS SC70 BR XSTR NPN 50V
товар відсутній
MUN5211-(TX)
на замовлення 350 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5211DW1onsemionsemi SS SC88 BR XSTR NPN 50V
товар відсутній
MUN5211DW1T
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5211DW1T1onsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT Dual
товар відсутній
MUN5211DW1T1onsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
товар відсутній
MUN5211DW1T1
на замовлення 597000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5211DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN5211DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
MUN5211DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 5911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.5 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN5211DW1T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5211DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 22468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+4.56 грн
Мінімальне замовлення: 500
MUN5211DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 71234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
248+2.34 грн
9000+ 1.64 грн
Мінімальне замовлення: 248
MUN5211DW1T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 21760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.17 грн
28+ 10.01 грн
100+ 4.89 грн
500+ 3.82 грн
1000+ 2.66 грн
Мінімальне замовлення: 20
MUN5211DW1T1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.187W; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.187W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
MUN5211DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 3665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2679+4.37 грн
2723+ 4.3 грн
3410+ 3.43 грн
Мінімальне замовлення: 2679
MUN5211DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 3665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+10.41 грн
75+ 7.79 грн
76+ 7.71 грн
124+ 4.54 грн
250+ 3.62 грн
500+ 3.42 грн
1000+ 2.73 грн
3000+ 2.02 грн
Мінімальне замовлення: 56
MUN5211DW1T1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.187W; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.187W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
товар відсутній
MUN5211DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MUN5211DW1T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5211DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 22468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+19.17 грн
63+ 11.98 грн
150+ 5.01 грн
500+ 4.56 грн
Мінімальне замовлення: 40
MUN5211DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
MUN5211DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
MUN5211DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 71234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4644+2.52 грн
9000+ 1.77 грн
Мінімальне замовлення: 4644
MUN5211DW1T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT Dual NPN
на замовлення 2268 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+15.97 грн
28+ 11.21 грн
100+ 6.14 грн
1000+ 2.74 грн
2500+ 2.34 грн
10000+ 1.8 грн
30000+ 1.67 грн
Мінімальне замовлення: 20
MUN5211DW1T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.55 грн
6000+ 2.28 грн
9000+ 1.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN5211T1ON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT NPN
товар відсутній
MUN5211T1onsemiDescription: TRANS BRT NPN 50V SS MONO SOT323
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 310 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6662+3.42 грн
Мінімальне замовлення: 6662
MUN5211T1
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5211T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.63 грн
6000+ 1.15 грн
9000+ 1.14 грн
24000+ 1.09 грн
30000+ 1 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN5211T1GonsemiDigital Transistors SS BR XSTR NPN 50V
на замовлення 21864 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
29+10.9 грн
40+ 7.68 грн
100+ 4.21 грн
1000+ 1.87 грн
2500+ 1.6 грн
10000+ 1.27 грн
30000+ 1.2 грн
Мінімальне замовлення: 29
MUN5211T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.99 грн
6000+ 1.81 грн
9000+ 1.54 грн
30000+ 1.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN5211T1GON-SemicoductorNPN 100mA 50V 202mW MUN5211T1G ON Semiconductor TMUN5211t1g
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
MUN5211T1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.31W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.31W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
на замовлення 11400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
175+2.28 грн
200+ 1.91 грн
500+ 1.68 грн
550+ 1.52 грн
1475+ 1.44 грн
3000+ 1.41 грн
Мінімальне замовлення: 175
MUN5211T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
MUN5211T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN5211T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5416+2.16 грн
9000+ 1.66 грн
24000+ 1.58 грн
Мінімальне замовлення: 5416
MUN5211T1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.31W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.31W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 11400 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
100+2.73 грн
125+ 2.38 грн
500+ 2.01 грн
550+ 1.83 грн
1475+ 1.73 грн
3000+ 1.69 грн
12000+ 1.66 грн
Мінімальне замовлення: 100
MUN5211T1G
Код товару: 113765		Транзистори > Біполярні NPN
товар відсутній
MUN5211T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 73820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+11.55 грн
36+ 7.86 грн
100+ 4.24 грн
500+ 3.13 грн
1000+ 2.17 грн
Мінімальне замовлення: 25
MUN5211T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+10.43 грн
76+ 7.66 грн
82+ 7.1 грн
Мінімальне замовлення: 56
MUN5211T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5211T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Dauer-Kollektorstrom Ic: 100mA
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN
Bauform - Transistor: SOT-323
Bauform - HF-Transistor: SOT-323
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Widerstandsverhältnis R1/R2: 1Verhältnis
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 29855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+14.38 грн
58+ 13.03 грн
110+ 6.82 грн
500+ 3.58 грн
1000+ 2.25 грн
Мінімальне замовлення: 53
MUN5211T1G/DTC114EUPANASONIC09+ SOT323
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5212
на замовлення 3020 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5212DW1T1onsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
товар відсутній
MUN5212DW1T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5212DW1T1 - TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 43833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9000+4.42 грн
Мінімальне замовлення: 9000
MUN5212DW1T1ON09+
на замовлення 27018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5212DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MUN5212DW1T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5212DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
на замовлення 7780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
49+15.35 грн
72+ 10.41 грн
179+ 4.19 грн
500+ 3.82 грн
Мінімальне замовлення: 49
MUN5212DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3668+3.19 грн
9000+ 2.64 грн
24000+ 2.41 грн
Мінімальне замовлення: 3668
MUN5212DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
MUN5212DW1T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5212DW1T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13888+2.62 грн
Мінімальне замовлення: 13888
MUN5212DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
MUN5212DW1T1GonsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
на замовлення 1735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+20.94 грн
20+ 13.91 грн
100+ 6.79 грн
500+ 5.31 грн
1000+ 3.69 грн
Мінімальне замовлення: 14
MUN5212DW1T1GON-Semicoductor2NPN 50V 100mA 250mW MUN5212DW1T1G ONSemiconductor TMUN5212dw
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
400+1.49 грн
Мінімальне замовлення: 400
MUN5212DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.44 грн
9000+ 2.04 грн
24000+ 1.8 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN5212DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
MUN5212DW1T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5212DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
на замовлення 7780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+3.82 грн
Мінімальне замовлення: 500
MUN5212DW1T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT Dual NPN
на замовлення 117819 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+17.37 грн
27+ 11.75 грн
100+ 4.27 грн
1000+ 3 грн
3000+ 2.54 грн
9000+ 2.14 грн
24000+ 1.94 грн
Мінімальне замовлення: 18
MUN5212DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+15.83 грн
55+ 10.71 грн
132+ 4.4 грн
1000+ 2.95 грн
3000+ 2.1 грн
9000+ 1.75 грн
Мінімальне замовлення: 37
MUN5212DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+13.69 грн
53+ 10.97 грн
54+ 10.8 грн
116+ 4.82 грн
250+ 2.32 грн
Мінімальне замовлення: 43
MUN5212DW1T1GonsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
товар відсутній
MUN5212DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN5212PW
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5212T1Rochester Electronics, LLCDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
на замовлення 110724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MUN5212T1ONSOT323
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5212T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR NPN 50V
на замовлення 60186 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
MUN5212T1GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
на замовлення 18003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MUN5212T1GON Semiconductor
на замовлення 662 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5212T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.25 грн
9000+ 3.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN5212T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5212T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
на замовлення 12299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
69+10.93 грн
99+ 7.64 грн
233+ 3.22 грн
500+ 1.81 грн
3000+ 1.22 грн
9000+ 1.03 грн
Мінімальне замовлення: 69
MUN5212T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
MUN5212T1GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MUN5212T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5212T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
на замовлення 12299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+1.81 грн
3000+ 1.22 грн
9000+ 1.03 грн
Мінімальне замовлення: 500
MUN5212T2
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5213MOTSOT-323
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5213ON SemiconductorON Semiconductor SS SC70 BR XSTR NPN 50V
товар відсутній
MUN5213-T1
на замовлення 2091000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5213/8CON09+
на замовлення 6018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5213DW1T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5213DW1T1 - TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 233800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9000+4.42 грн
Мінімальне замовлення: 9000
MUN5213DW1T1ON07+;
на замовлення 132000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5213DW1T1ON SemiconductorDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
на замовлення 233800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MUN5213DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
348+1.67 грн
Мінімальне замовлення: 348
MUN5213DW1T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.57 грн
6000+ 3.19 грн
9000+ 2.65 грн
30000+ 2.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN5213DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN5213DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
MUN5213DW1T1G
Код товару: 174648		Транзистори > Біполярні NPN
товар відсутній
MUN5213DW1T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR NPN 50V
на замовлення 12575 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
MUN5213DW1T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
на замовлення 41095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+21.67 грн
20+ 14.05 грн
100+ 6.85 грн
500+ 5.36 грн
1000+ 3.73 грн
Мінімальне замовлення: 14
MUN5213DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MUN5213DW1T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5213DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 29475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+15.05 грн
69+ 10.93 грн
176+ 4.27 грн
500+ 3.34 грн
1000+ 2.5 грн
Мінімальне замовлення: 50
MUN5213DW1T1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; R1: 47kΩ; R2: 47kΩ
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 140
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN x2
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
125+3.3 грн
150+ 2.75 грн
375+ 2.29 грн
975+ 2.16 грн
Мінімальне замовлення: 125
MUN5213DW1T1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; R1: 47kΩ; R2: 47kΩ
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 140
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN x2
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
75+3.95 грн
100+ 3.42 грн
375+ 2.74 грн
975+ 2.59 грн
12000+ 2.5 грн
Мінімальне замовлення: 75
MUN5213DW1T3GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SS SC88 BR XSTR XSTR NPN 50V
на замовлення 9164 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+19 грн
21+ 15.12 грн
100+ 7.01 грн
500+ 4.67 грн
1000+ 3.14 грн
2500+ 2.54 грн
10000+ 2.07 грн
Мінімальне замовлення: 17
MUN5213DW1T3GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+18.05 грн
20+ 14.12 грн
100+ 7.48 грн
500+ 4.62 грн
1000+ 3.14 грн
2000+ 2.83 грн
5000+ 2.42 грн
Мінімальне замовлення: 16
MUN5213DW1T3GON Semiconductor
на замовлення 19545 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5213DW1T3GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.32 грн
Мінімальне замовлення: 10000
MUN5213DW1T3GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
MUN5213DW1T3GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
MUN5213RT1
на замовлення 1266000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5213T1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5213T1onsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT NPN
товар відсутній
MUN5213T1ON SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
на замовлення 288000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MUN5213T1/CK
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5213T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 26168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+11.55 грн
36+ 7.86 грн
100+ 4.24 грн
500+ 3.13 грн
1000+ 2.17 грн
Мінімальне замовлення: 25
MUN5213T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30000+1.53 грн
45000+ 1.14 грн
Мінімальне замовлення: 30000
MUN5213T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 24544 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
22+14.64 грн
24+ 12.82 грн
100+ 6.08 грн
500+ 3.74 грн
1000+ 2.6 грн
3000+ 1.94 грн
9000+ 1.67 грн
Мінімальне замовлення: 22
MUN5213T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN5213T1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.31W; SC70,SOT323
Case: SC70; SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 140
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.31W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
на замовлення 5065 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
36+10.48 грн
53+ 6.61 грн
76+ 4.62 грн
106+ 3.3 грн
250+ 1.94 грн
500+ 1.62 грн
578+ 1.39 грн
1588+ 1.31 грн
Мінімальне замовлення: 36
MUN5213T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
MUN5213T1GON-SemicoductorNPN 50V 100mA 202mW MUN5213T1G ONSemiconductor TMUN5213
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1000+0.65 грн
Мінімальне замовлення: 1000
MUN5213T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.99 грн
6000+ 1.81 грн
9000+ 1.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN5213T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 30713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1737+6.74 грн
2836+ 4.13 грн
4202+ 2.78 грн
5301+ 2.13 грн
6000+ 1.85 грн
15000+ 1.68 грн
30000+ 1.38 грн
Мінімальне замовлення: 1737
MUN5213T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30000+1.56 грн
45000+ 1.16 грн
Мінімальне замовлення: 30000
MUN5213T1G
Код товару: 177311		Транзистори > Біполярні NPN
товар відсутній
MUN5213T1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.31W; SC70,SOT323
Case: SC70; SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 140
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.31W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5065 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
22+12.58 грн
32+ 8.23 грн
46+ 5.54 грн
100+ 3.96 грн
250+ 2.33 грн
500+ 1.94 грн
578+ 1.67 грн
Мінімальне замовлення: 22
MUN5213T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 30713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+13.46 грн
49+ 11.86 грн
50+ 11.74 грн
100+ 6.1 грн
250+ 5.59 грн
500+ 3.28 грн
1000+ 2.22 грн
3000+ 1.74 грн
6000+ 1.65 грн
Мінімальне замовлення: 44
MUN5213T2
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5213TI
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5213\8CONSOT-323
на замовлення 6100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5214
на замовлення 1210 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5214onsemionsemi SS SC70 BR XSTR NPN 50V
товар відсутній
MUN5214DW1T1
на замовлення 477000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5214DW1T1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; R1: 10kΩ; R2: 47kΩ
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 80...140
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
75+3.77 грн
100+ 3.28 грн
420+ 2.29 грн
1145+ 2.17 грн
Мінімальне замовлення: 75
MUN5214DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 420000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.81 грн
6000+ 2.41 грн
15000+ 2.27 грн
30000+ 1.96 грн
75000+ 1.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN5214DW1T1GonsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 14262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.17 грн
28+ 10.29 грн
100+ 5.02 грн
500+ 3.93 грн
1000+ 2.73 грн
Мінімальне замовлення: 20
MUN5214DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
MUN5214DW1T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR NPN 50V
на замовлення 84026 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
19+16.67 грн
28+ 11.21 грн
100+ 4.07 грн
1000+ 2.47 грн
3000+ 1.94 грн
9000+ 1.67 грн
24000+ 1.6 грн
Мінімальне замовлення: 19
MUN5214DW1T1G
Код товару: 56814		Транзистори > Біполярні NPN
товар відсутній
MUN5214DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.38 грн
6000+ 3.02 грн
15000+ 2.63 грн
30000+ 2.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN5214DW1T1GON-SemicoductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 6-Pin SC-88 T/R MUN5214DW1T1G TMUN5214dw
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
MUN5214DW1T1GonsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.62 грн
6000+ 2.34 грн
9000+ 1.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN5214DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN5214DW1T1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; R1: 10kΩ; R2: 47kΩ
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 80...140
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
120+3.15 грн
135+ 2.63 грн
420+ 1.91 грн
1145+ 1.81 грн
Мінімальне замовлення: 120
MUN5214DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.07 грн
6000+ 2.8 грн
15000+ 2.44 грн
30000+ 2.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN5214T1onsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT NPN
товар відсутній
MUN5214T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товар відсутній
MUN5214T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товар відсутній
MUN5214T1/8D
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5214T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.99 грн
6000+ 1.81 грн
9000+ 1.54 грн
30000+ 1.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN5214T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5214T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+13.63 грн
88+ 8.54 грн
188+ 3.98 грн
500+ 3.62 грн
Мінімальне замовлення: 55
MUN5214T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
MUN5214T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
MUN5214T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33000+1.24 грн
Мінімальне замовлення: 33000
MUN5214T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 7815 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
26+12.31 грн
41+ 7.6 грн
100+ 3.2 грн
1000+ 2.2 грн
3000+ 1.74 грн
9000+ 1.4 грн
24000+ 1.2 грн
Мінімальне замовлення: 26
MUN5214T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 30625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+11.55 грн
36+ 7.86 грн
100+ 4.24 грн
500+ 3.13 грн
1000+ 2.17 грн
Мінімальне замовлення: 25
MUN5214T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 2792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+11.14 грн
76+ 7.68 грн
83+ 7.06 грн
154+ 3.63 грн
250+ 3.16 грн
500+ 3.02 грн
1000+ 1.81 грн
Мінімальне замовлення: 53
MUN5214T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5214T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+3.62 грн
Мінімальне замовлення: 500
MUN5214T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 2792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MUN5215D
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5215DW
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5215DW1T1Rochester Electronics, LLCDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
на замовлення 72520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MUN5215DW1T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5215DW1T1 - TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 72520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9000+4.04 грн
Мінімальне замовлення: 9000
MUN5215DW1T1ON07+;
на замовлення 13520 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5215DW1T1MOT
на замовлення 2157 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5215DW1T1(7E)
на замовлення 6680 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5215DW1T1/7EY
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5215DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18000+2.32 грн
Мінімальне замовлення: 18000
MUN5215DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MUN5215DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 26480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+21.07 грн
34+ 17.04 грн
35+ 16.88 грн
100+ 8.81 грн
250+ 8.07 грн
500+ 5.05 грн
1000+ 3.4 грн
3000+ 2.89 грн
6000+ 2.28 грн
Мінімальне замовлення: 28
MUN5215DW1T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR NPN 50V
на замовлення 25902 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+23.37 грн
17+ 18.81 грн
100+ 8.88 грн
500+ 5.87 грн
Мінімальне замовлення: 14
MUN5215DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6049+1.93 грн
12000+ 1.86 грн
Мінімальне замовлення: 6049
MUN5215DW1T1G
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5215DW1T1GonsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
на замовлення 8150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+20.94 грн
20+ 13.91 грн
100+ 6.79 грн
500+ 5.31 грн
1000+ 3.69 грн
Мінімальне замовлення: 14
MUN5215DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3530+3.32 грн
6000+ 3 грн
15000+ 2.62 грн
30000+ 2.33 грн
Мінімальне замовлення: 3530
MUN5215DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.08 грн
6000+ 2.79 грн
15000+ 2.43 грн
30000+ 2.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN5215DW1T1GonsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.54 грн
6000+ 3.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN5215DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 26480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1202+9.74 грн
1846+ 6.34 грн
2743+ 4.27 грн
3226+ 3.5 грн
6000+ 2.56 грн
15000+ 2.42 грн
Мінімальне замовлення: 1202
MUN5215DWITIMOTO
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5215DWT1
на замовлення 3150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5215T1LRCSOT-323 03+
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5215T1ON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3
товар відсутній
MUN5215T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
MUN5215T1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.202W; SC70,SOT323; 10kΩ
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 160...350
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.202W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 10kΩ
Mounting: SMD
Case: SC70; SOT323
кількість в упаковці: 25 шт
товар відсутній
MUN5215T1GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
на замовлення 681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MUN5215T1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.202W; SC70,SOT323; 10kΩ
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 160...350
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.202W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 10kΩ
Mounting: SMD
Case: SC70; SOT323
товар відсутній
MUN5215T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
MUN5215T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN5215T1GON07+;
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5215T1GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
товар відсутній
MUN5215T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
26+12.31 грн
36+ 8.6 грн
100+ 3.2 грн
1000+ 1.87 грн
3000+ 1.6 грн
9000+ 1.27 грн
24000+ 1.2 грн
Мінімальне замовлення: 26
MUN5216onsemionsemi SS SC70 BR XSTR NPN 50V
товар відсутній
MUN5216
на замовлення 34720 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5216/8FON09+
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5216DW1T1
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5216DW1T1onsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
товар відсутній
MUN5216DW1T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT Dual NPN
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 180-189 дні (днів)
18+17.52 грн
22+ 14.05 грн
100+ 6.48 грн
500+ 4.27 грн
1000+ 2.94 грн
3000+ 2.6 грн
9000+ 1.94 грн
Мінімальне замовлення: 18
MUN5216DW1T1GonsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 4631 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+21.67 грн
20+ 14.05 грн
100+ 6.85 грн
500+ 5.36 грн
1000+ 3.73 грн
Мінімальне замовлення: 14
MUN5216DW1T1GON Semiconductor
на замовлення 712 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5216DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.78 грн
6000+ 1.63 грн
9000+ 1.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN5216DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
MUN5216DW1T1GonsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
товар відсутній
MUN5216DW1T1GON07+;
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5216DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
MUN5216T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5216T1 - MUN5216T1, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8020+4.21 грн
Мінімальне замовлення: 8020
MUN5216T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6662+3.61 грн
Мінімальне замовлення: 6662
MUN5216T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
товар відсутній
MUN5216T1PANASONIC
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5216T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
MUN5216T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
на замовлення 379320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11402+2.17 грн
Мінімальне замовлення: 11402
MUN5216T1G
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5216T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+18.05 грн
20+ 14.4 грн
100+ 7.65 грн
500+ 4.72 грн
1000+ 3.21 грн
Мінімальне замовлення: 16
MUN5216T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 5517 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+18.23 грн
21+ 14.66 грн
100+ 6.88 грн
500+ 4.54 грн
1000+ 3.07 грн
3000+ 2.67 грн
9000+ 1.94 грн
Мінімальне замовлення: 18
MUN5216T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
MUN5216T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.2 грн
6000+ 2.68 грн
15000+ 2.28 грн
30000+ 2.01 грн
75000+ 1.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN5216\8FONSOT-323
на замовлення 3100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5217DW1T1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5230DW1T1
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5230DW1T1ON SemiconductorDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
товар відсутній
MUN5230DW1T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT Dual NPN
на замовлення 8606 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+22.59 грн
17+ 18.35 грн
100+ 8.48 грн
500+ 5.61 грн
Мінімальне замовлення: 14
MUN5230DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
MUN5230DW1T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 1kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.95 грн
6000+ 2.47 грн
15000+ 2.1 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN5230DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
MUN5230DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
MUN5230DW1T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5230DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, AEC-Q100, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 1 kohm
tariffCode: 85412100
Dauer-Kollektorstrom Ic: 100mA
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 3hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 1kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Polarität des Digitaltransistors: Zweifach NPN
Bauform - Transistor: SOT-363
Bauform - HF-Transistor: SOT-363
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50V
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Widerstandsverhältnis R1/R2: 1Verhältnis
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+20.97 грн
46+ 16.48 грн
100+ 8.39 грн
500+ 3.34 грн
3000+ 3.02 грн
Мінімальне замовлення: 36
MUN5230DW1T1G
на замовлення 9319 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5230DW1T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 1kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 29743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+16.61 грн
21+ 13.28 грн
100+ 7.04 грн
500+ 4.35 грн
1000+ 2.96 грн
Мінімальне замовлення: 18
MUN5230T1
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5230T1GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3
на замовлення 5504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+18.05 грн
20+ 14.05 грн
100+ 7.44 грн
500+ 4.59 грн
1000+ 3.12 грн
Мінімальне замовлення: 16
MUN5230T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN5230T1GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN5230T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 18612 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+19.55 грн
24+ 13.28 грн
100+ 4.74 грн
1000+ 3.14 грн
3000+ 2.4 грн
9000+ 1.94 грн
24000+ 1.8 грн
Мінімальне замовлення: 16
MUN5230T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
MUN5231/8HON09+
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5231DW1T1GonsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 41900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+21.67 грн
20+ 14.05 грн
100+ 6.85 грн
500+ 5.36 грн
1000+ 3.73 грн
Мінімальне замовлення: 14
MUN5231DW1T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 70075 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+17.37 грн
26+ 11.98 грн
100+ 4.27 грн
1000+ 2.94 грн
3000+ 2.2 грн
9000+ 1.94 грн
24000+ 1.74 грн
Мінімальне замовлення: 18
MUN5231DW1T1GonsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.57 грн
6000+ 3.19 грн
9000+ 2.65 грн
30000+ 2.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN5231DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
MUN5231T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3
товар відсутній
MUN5231T1
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5231T1ON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3
товар відсутній