Продукція > NGT

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NGTB03N60R2DT4GonsemiDescription: IGBT 9A 600V DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: DPAK
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/59ns
Switching Energy: 50µJ (on), 27µJ (off)
Test Condition: 300V, 3A, 30Ohm, 15V
Gate Charge: 17 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 9 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 49 W
товар відсутній
NGTB03N60R2DT4GON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 9A 49000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
NGTB03N60R2DT4GON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 9A 49000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NGTB03N60R2DT4GonsemiDescription: IGBT 9A 600V DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: DPAK
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/59ns
Switching Energy: 50µJ (on), 27µJ (off)
Test Condition: 300V, 3A, 30Ohm, 15V
Gate Charge: 17 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 9 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 49 W
товар відсутній
NGTB03N60R2DT4GonsemiIGBT Transistors RC2 IGBT 3A 600V DPAK
товар відсутній
NGTB05N60R2DT4GON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 16A 56000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
NGTB05N60R2DT4GonsemiDescription: IGBT 5A 600V DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
товар відсутній
NGTB05N60R2DT4GON SemiconductorIGBT Transistors RC2 IGBT 5A 600V DPAK
на замовлення 1828 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NGTB10N60FGonsemiDescription: IGBT 600V 10A TO220F3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-220F-3FS
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/145ns
Test Condition: 300V, 10A, 30Ohm, 15V
Gate Charge: 55 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 72 A
Power - Max: 40 W
товар відсутній
NGTB10N60FGonsemiIGBT Transistors IGBT N-Channel, 600V, 10A, VCE(sat)=1.5V, TO-220F-3FS
товар відсутній
NGTB10N60FGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 20A 40W 3-Pin(3+Tab) TO-220F-3FS Tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NGTB10N60FGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 20A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220F-3FS Tube
товар відсутній
NGTB10N60FGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTB10N60FG - IGBT, 20 A, 1.5 V, 40 W, 600 V, SC-67, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600
Verlustleistung: 40
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 20
Bauform - Transistor: SC-67
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товар відсутній
NGTB10N60R2DT4GonsemiDescription: IGBT 600V 20A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: DPAK
Td (on/off) @ 25°C: 48ns/120ns
Switching Energy: 412µJ (on), 140µJ (off)
Test Condition: 300V, 10A, 30Ohm, 15V
Gate Charge: 53 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 72 W
товар відсутній
NGTB10N60R2DT4GON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 20A 72000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
NGTB10N60R2DT4GonsemiDescription: IGBT 600V 20A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: DPAK
Td (on/off) @ 25°C: 48ns/120ns
Switching Energy: 412µJ (on), 140µJ (off)
Test Condition: 300V, 10A, 30Ohm, 15V
Gate Charge: 53 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 72 W
товар відсутній
NGTB15N120FL2WGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTB15N120FL2WG - IGBT, 30 A, 2 V, 294 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
Verlustleistung: 294
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2
Kollektorstrom: 30
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+238.91 грн
10+ 214.94 грн
100+ 149.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
NGTB15N120FL2WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 294W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NGTB15N120FL2WGonsemiIGBT Transistors 1200V/15A VERY FAST IGBT
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+447.08 грн
10+ 390.79 грн
30+ 283.07 грн
120+ 261.04 грн
210+ 252.36 грн
420+ 202.95 грн
1050+ 190.94 грн
NGTB15N120FL2WG
Код товару: 172890		Транзистори > IGBT
товар відсутній
NGTB15N120FL2WGonsemiDescription: IGBT 1200V 15A SOLAR/UPS TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 64ns/132ns
Switching Energy: 1.2mJ (on), 370µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 109 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 294 W
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+428.25 грн
NGTB15N120FL2WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 294000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NGTB15N120FL2WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 294W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NGTB15N120FLWGonsemiDescription: IGBT 1200V 15A TO247-3
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товар відсутній
NGTB15N120FLWGON SemiconductorIGBT Transistors IGBT, 1200 V, 15 A, FS1 Solar/UPS
товар відсутній
NGTB15N120FLWGonsemiDescription: IGBT 1200V 15A TO247-3
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
на замовлення 151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
151+150.11 грн
Мінімальне замовлення: 151
NGTB15N120FLWGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 156000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NGTB15N120IHonsemionsemi LC IH RC OSV
товар відсутній
NGTB15N120IHLWGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NGTB15N120IHLWGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+89.1 грн
10+ 85.68 грн
25+ 83.57 грн
Мінімальне замовлення: 7
NGTB15N120IHLWG
Код товару: 108636		Транзистори > IGBT
товар відсутній
NGTB15N120IHLWGonsemiIGBT Transistors IGBT 1200V 15A FS1 Induction Heating
товар відсутній
NGTB15N120IHLWGonsemiDescription: IGBT 1200V 30A 156W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: -/165ns
Switching Energy: 560µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 160 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 156 W
товар відсутній
NGTB15N120IHRonsemionsemi 1200V/15A RC IGBT FSII TO
товар відсутній
NGTB15N120IHRWGonsemiDescription: IGBT TRENCH/FS 1200V 30A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/170ns
Switching Energy: 340µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 160 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 333 W
товар відсутній
NGTB15N120IHRWGonsemiIGBT Transistors 1200V/15A RC IGBT FSII TO-247
товар відсутній
NGTB15N120IHRWGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 333000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NGTB15N120IHRWGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 333000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NGTB15N120IHRWGonsemiDescription: IGBT TRENCH/FS 1200V 30A TO247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/170ns
Switching Energy: 340µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 160 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 333 W
на замовлення 21517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
149+136.59 грн
Мінімальне замовлення: 149
NGTB15N120IHRWGON Semiconductor
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NGTB15N120IHRWGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTB15N120IHRWG - IGBT, 30 A, 2.1 V, 333 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.1
Verlustleistung Pd: 333
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
DC-Kollektorstrom: 30
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товар відсутній
NGTB15N120IHRWG
Код товару: 185531		Транзистори > IGBT
товар відсутній
NGTB15N120IHTGonsemiIGBT Transistors 1200V/15A 15A 1200V RC IG
товар відсутній
NGTB15N120IHTGonsemiDescription: IGBT 1200V 15A BIPOLAR TO247
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товар відсутній
NGTB15N120IHWGonsemiDescription: IGBT 15A 1200V TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/130ns
Switching Energy: 360µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 278 W
товар відсутній
NGTB15N120IHWGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 278000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NGTB15N120IHWGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 278000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+105.54 грн
10+ 102.5 грн
Мінімальне замовлення: 6
NGTB15N120IHWGON Semiconductor
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NGTB15N120IHWGonsemiIGBT Transistors LC IH RC OSV
на замовлення 196 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+249.24 грн
10+ 207.29 грн
30+ 170.24 грн
120+ 144.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
NGTB15N120LWGonsemiDescription: IGBT 1200V 30A 156W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 72ns/165ns
Switching Energy: 2.1mJ (on), 560µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 160 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 229 W
на замовлення 6987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
193+105.48 грн
Мінімальне замовлення: 193
NGTB15N120LWGonsemiIGBT Transistors 1200V/15A IGBT LPT TO-247
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NGTB15N120LWGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTB15N120LWG - IGBT, 1200V, 15A, FS1, TO-247-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 8065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+143.04 грн
Мінімальне замовлення: 240
NGTB15N120LWGonsemiDescription: IGBT 1200V 30A 156W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 72ns/165ns
Switching Energy: 2.1mJ (on), 560µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 160 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 229 W
товар відсутній
NGTB15N120LWGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 229000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NGTB15N135IHRWGON SemiconductorIGBT Transistors IGBT 1350V 15A FS2-RC Induction Heating
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NGTB15N135IHRWGON Semiconductor
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NGTB15N135IHRWGonsemiDescription: IGBT TRENCH/FS 1350V 30A TO247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.65V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/170ns
Switching Energy: 420µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 156 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 357 W
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
136+148.04 грн
Мінімальне замовлення: 136
NGTB15N135IHRWGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1350V 30A 357000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NGTB15N135IHRWGonsemiDescription: IGBT TRENCH/FS 1350V 30A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.65V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/170ns
Switching Energy: 420µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 156 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 357 W
товар відсутній
NGTB15N60EGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 30A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
NGTB15N60EGON SemiconductorIGBT Transistors 15A 600V IGBT
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NGTB15N60EGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 30A 130mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
NGTB15N60EGonsemiDescription: IGBT 600V 30A 117W TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 270 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-220AB
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 78ns/130ns
Switching Energy: 900µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 80 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 117 W
товар відсутній
NGTB15N60R2FGON SemiconductorIGBT Transistors RC2 IGBT 15A 600V
на замовлення 369 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NGTB15N60R2FGonsemiDescription: IGBT 600V 24A TO220F-3FS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 95 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-220F-3FS
Td (on/off) @ 25°C: 70ns/190ns
Switching Energy: 550µJ (on), 220µJ (off)
Test Condition: 300V, 15A, 30Ohm, 15V
Gate Charge: 80 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 54 W
товар відсутній
NGTB15N60R2FGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 24A 54000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220F-3FS Tube
товар відсутній
NGTB15N60S1EGonsemiDescription: IGBT 600V 30A 117W TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 270 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-220AB
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 65ns/170ns
Switching Energy: 550µJ (on), 350µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 88 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 117 W
товар відсутній
NGTB15N60S1EGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 30A 117000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
NGTB15N60S1EGON SemiconductorIGBT Transistors 15A 600V IGBT
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NGTB20N120FL2WGON SemiconductorDescription: IGBT 1200V 20A TO247-3
товар відсутній
NGTB20N120IHLWGonsemiDescription: IGBT 1200V 40A 192W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: -/235ns
Switching Energy: 700µJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 200 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 192 W
товар відсутній
NGTB20N120IHLWGonsemiIGBT Transistors IGBT 1200V 20A FS1 Induction Heating
товар відсутній
NGTB20N120IHLWGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 192000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NGTB20N120IHRonsemionsemi 1200V/20A RC IGBT FSII TO
товар відсутній
NGTB20N120IHRWGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 384000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NGTB20N120IHRWGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 384000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NGTB20N120IHRWG
Код товару: 151548		Транзистори > IGBT
товар відсутній
NGTB20N120IHRWGonsemiIGBT Transistors 1200V/20A RC IGBT FSII
товар відсутній
NGTB20N120IHRWGON Semiconductor
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NGTB20N120IHRWGonsemiDescription: IGBT TRENCH/FS 1200V 40A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/235ns
Switching Energy: 450µJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 225 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 384 W
товар відсутній
NGTB20N120IHSWGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 156000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NGTB20N120IHSWGON SemiconductorIGBT Transistors 1200/20A IGBT LPT TO-24
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NGTB20N120IHSWGonsemiDescription: IGBT 1200V 20A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/160ns
Switching Energy: 650µJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 155 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 156 W
товар відсутній
NGTB20N120IHTGonsemiDescription: IGBT 1200V 20A TO247
Packaging: Tube
товар відсутній
NGTB20N120IHTGonsemiIGBT Transistors 1200V/20A RC IGBT
товар відсутній
NGTB20N120IHWGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 341000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+152.41 грн
Мінімальне замовлення: 4
NGTB20N120IHWGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTB20N120IHWG - IGBT, 40 A, 2.2 V, 341 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 174993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
180+199.96 грн
Мінімальне замовлення: 180
NGTB20N120IHWGonsemiDescription: IGBT 20A 1200V TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.65V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/170ns
Switching Energy: 480µJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 150 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 341 W
на замовлення 174993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
125+160.05 грн
Мінімальне замовлення: 125
NGTB20N120IHWGON SemiconductorIGBT Transistors LC IH RC OSV
на замовлення 211 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NGTB20N120IHWGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 341000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NGTB20N120IHWGonsemiDescription: IGBT 20A 1200V TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.65V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/170ns
Switching Energy: 480µJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 150 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 341 W
товар відсутній
NGTB20N120LWGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 192000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NGTB20N120LWGonsemiDescription: IGBT 1200V 40A 192W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 86ns/235ns
Switching Energy: 3.1mJ (on), 700µJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 200 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 192 W
товар відсутній
NGTB20N120LWGON SemiconductorIGBT Transistors 1200V/20A IGBT FSI TO-247
товар відсутній
NGTB20N135IHRonsemionsemi 1350V/20A IGBT FSII TO-24
товар відсутній
NGTB20N135IHRWGonsemiDescription: IGBT TRENCH/FS 1350V 40A TO247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.65V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/245ns
Switching Energy: 600µJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 234 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 394 W
на замовлення 168996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
109+185.39 грн
Мінімальне замовлення: 109
NGTB20N135IHRWGonsemiIGBT Transistors 1350V/20A IGBT FSII TO-24
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+355.17 грн
10+ 333.21 грн
120+ 237 грн
540+ 201.62 грн
1080+ 170.24 грн
2520+ 166.24 грн
5040+ 160.89 грн
NGTB20N135IHRWGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1350V 40A 350000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+176.38 грн
Мінімальне замовлення: 4
NGTB20N135IHRWGON Semiconductor
на замовлення 14615 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NGTB20N135IHRWGonsemiDescription: IGBT TRENCH/FS 1350V 40A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.65V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/245ns
Switching Energy: 600µJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 234 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 394 W
товар відсутній
NGTB20N135IHRWGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1350V 40A 350000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NGTB20N135IHRWGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1350V 40A 350000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NGTB20N60L2TF1GON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 64000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
товар відсутній
NGTB20N60L2TF1GonsemiDescription: IGBT 600V 20A TO3PF
товар відсутній
NGTB20N60L2TF1GON SemiconductorIGBT Transistors 600V 20A IGBT TO-3PF
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NGTB20N60L2TF1GON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 64000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+106.4 грн
10+ 102.35 грн
Мінімальне замовлення: 6
NGTB25N120FL2WAGonsemiDescription: IGBT FIELD STOP 1.2KV TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 136 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/113ns
Switching Energy: 990µJ (on), 660µJ (off)
Test Condition: 600V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 181 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 385 W
товар відсутній
NGTB25N120FL2WAGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 100A 385000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+409.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
NGTB25N120FL2WAGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTB25N120FL2WAG - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 8762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+399.93 грн
Мінімальне замовлення: 150
NGTB25N120FL2WAGonsemiDescription: IGBT FIELD STOP 1.2KV TO247-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 136 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/113ns
Switching Energy: 990µJ (on), 660µJ (off)
Test Condition: 600V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 181 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 385 W
на замовлення 8762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
118+172.42 грн
Мінімальне замовлення: 118
NGTB25N120FL2WAGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 100A 385000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NGTB25N120FL2WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 385W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NGTB25N120FL2WGonsemiIGBT Transistors 1200V/25 FAST IGBT FSII T
на замовлення 462 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+522.63 грн
10+ 453.74 грн
30+ 325.8 грн
180+ 288.41 грн
540+ 253.03 грн
1080+ 242.34 грн
NGTB25N120FL2WGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTB25N120FL2WG - IGBT, Field Stop II, 50 A, 2 V, 385 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
Verlustleistung: 385
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2
Kollektorstrom: 50
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
NGTB25N120FL2WGonsemiDescription: IGBT FIELD STOP 1200V 50A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 154 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 87ns/179ns
Switching Energy: 1.95mJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 178 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 385 W
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+487.47 грн
30+ 374.72 грн
NGTB25N120FL2WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 385000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NGTB25N120FL2WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 385W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NGTB25N120FL2WGONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 192W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 192W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 178nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode; Kelvin terminal
товар відсутній
NGTB25N120FL2WGONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 192W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 192W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 178nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode; Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NGTB25N120FL3WGonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 100A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 114 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/109ns
Switching Energy: 1mJ (on), 700µJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 136 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 349 W
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+416.7 грн
30+ 320.34 грн
NGTB25N120FL3WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 100A 349000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NGTB25N120FL3WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 100A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NGTB25N120FL3WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 100A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NGTB25N120FL3WGonsemiIGBT Transistors IGBT, Ultra Field Stop - 1200V 25A
на замовлення 191 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+446.3 грн
10+ 435.32 грн
30+ 305.1 грн
120+ 270.38 грн
180+ 241.01 грн
540+ 216.97 грн
1080+ 206.29 грн
NGTB25N120FL3WGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTB25N120FL3WG - IGBT, 100 A, 1.7 V, 349 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 349
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
Betriebstemperatur, max.: 175
Kollektorstrom: 100
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
NGTB25N120FLWGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTB25N120FLWG - IGBT, 50 A, 2 V, 192 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
Verlustleistung: 192
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2
Kollektorstrom: 50
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товар відсутній
NGTB25N120FLWGonsemiDescription: IGBT 1200V 25A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 240 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 91ns/228ns
Switching Energy: 1.5mJ (on), 950µJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 220 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 192 W
товар відсутній
NGTB25N120FLWGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 192000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NGTB25N120IHLWGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTB25N120IHLWG - IGBT, 50 A, 1.85 V, 192 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
Verlustleistung: 192
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товар відсутній
NGTB25N120IHLWGonsemiDescription: IGBT 1200V 50A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: -/235ns
Switching Energy: 800µJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 200 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 192 W
товар відсутній
NGTB25N120IHLWGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 192000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NGTB25N120LWGonsemiIGBT Transistors 1200/25A IGBT LPT TO-247
товар відсутній
NGTB25N120LWGonsemiDescription: IGBT 1200V 50A 192W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 89ns/235ns
Switching Energy: 3.4mJ (on), 800µJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 200 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 192 W
товар відсутній
NGTB25N120LWGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 192000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NGTB25N120SWGonsemiDescription: IGBT 25A 1200V TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 154 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 87ns/179ns
Switching Energy: 1.95mJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 178 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 385 W
товар відсутній
NGTB25N120SWGON Semiconductor
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NGTB25N120SWGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 385000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NGTB25N120SWGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTB25N120SWG - IGBT, 50 A, 2 V, 385 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
Verlustleistung: 385
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товар відсутній
NGTB30N120FL2WGonsemiDescription: IGBT TRENCH/FS 1200V 60A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 240 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 98ns/210ns
Switching Energy: 2.6mJ (on), 700µJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 220 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 452 W
товар відсутній
NGTB30N120FL2WGonsemiIGBT Transistors 1200V/30A FAST IGBT FSII
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+638.68 грн
10+ 539.73 грн
30+ 437.29 грн
120+ 390.55 грн
NGTB30N120FL2WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 60A 452000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NGTB30N120FL2WGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTB30N120FL2WG - TRANSISTOR, IGBT, 2V, 60A, TO-247-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
70+502.53 грн
Мінімальне замовлення: 70
NGTB30N120FL2WGonsemiDescription: IGBT TRENCH/FS 1200V 60A TO247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 240 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 98ns/210ns
Switching Energy: 2.6mJ (on), 700µJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 220 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 452 W
на замовлення 1341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+346.1 грн
Мінімальне замовлення: 58
NGTB30N120IHLWGON Semiconductor
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NGTB30N120IHLWGonsemiDescription: IGBT 1200V 30A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/360ns
Switching Energy: 1mJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 420 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 320 A
Power - Max: 260 W
товар відсутній
NGTB30N120IHLWGON SemiconductorIGBT Transistors IGBT 1200V 30A FS1 Induction Heating
товар відсутній
NGTB30N120IHLWGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 60A 260000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NGTB30N120IHRonsemionsemi 1200V/30A RC IGBT FSII TO
товар відсутній
NGTB30N120IHRWGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 60A 384000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NGTB30N120IHRWGonsemiDescription: IGBT 1200V 60A 384W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/230ns
Switching Energy: 700µJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 225 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 384 W
товар відсутній
NGTB30N120IHRWGonsemiIGBT Transistors 1200V/30A RC IGBT FSII
товар відсутній
NGTB30N120IHSWGonsemiDescription: IGBT 1200V 30A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/210ns
Switching Energy: 1mJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 220 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 192 W
на замовлення 5392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
153+131.37 грн
Мінімальне замовлення: 153
NGTB30N120IHSWGonsemiDescription: IGBT 1200V 30A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/210ns
Switching Energy: 1mJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 220 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 192 W
товар відсутній
NGTB30N120IHSWGON SemiconductorIGBT Transistors IGBT 1200V 30A FS1 Induction Heating
товар відсутній
NGTB30N120IHSWGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 60A 192000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NGTB30N120IHSWGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTB30N120IHSWG - IGBT, 1200V, 30A, TO-247-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
210+173 грн
Мінімальне замовлення: 210
NGTB30N120L2WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 60A 468mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NGTB30N120L2WGON SemiconductorIGBT Transistors 1200V/30A LOW VCE SAT FSII
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NGTB30N120L2WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 60A 468mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+285.4 грн
Мінімальне замовлення: 3
NGTB30N120L2WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 60A 468000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NGTB30N120L2WGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTB30N120L2WG - TRANSISTOR, IGBT, 1.7V, 60A, TO-247-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NGTB30N120L2WGonsemiDescription: IGBT 1200V 60A 534W TO247
Packaging: Tube
Part Status: Active
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+605.18 грн
NGTB30N120LWGonsemiDescription: IGBT 1200V 30A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 136ns/360ns
Switching Energy: 4.4mJ (on), 1mJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 420 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 560 W
товар відсутній
NGTB30N120LWGON SemiconductorIGBT Transistors IGBT 1200V 30A FS1 Gen Mkt
товар відсутній
NGTB30N120LWGonsemiDescription: IGBT 1200V 30A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 136ns/360ns
Switching Energy: 4.4mJ (on), 1mJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 420 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 560 W
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
90+222.73 грн
Мінімальне замовлення: 90
NGTB30N135IHRonsemionsemi 1350V/30A IGBT FSII TO-24
товар відсутній
NGTB30N135IHR1WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1350V 60A 394000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NGTB30N135IHR1WG
Код товару: 129042		Транзистори > IGBT
товар відсутній
NGTB30N135IHR1WGonsemiDescription: IGBT 1350V 30A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/200ns
Switching Energy: 630µJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 220 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 394 W
товар відсутній
NGTB30N135IHR1WGON SemiconductorIGBT Transistors 1350V/30A IGBT FSII
на замовлення 206 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NGTB30N135IHRWGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTB30N135IHRWG - TRANSISTOR, IGBT, 1.35KV, 60A, TO-247-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 45651 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
130+304.81 грн
Мінімальне замовлення: 130
NGTB30N135IHRWGonsemiIGBT Transistors 1350V/30A IGBT FSII TO-24
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+401.12 грн
10+ 355.47 грн
30+ 292.41 грн
120+ 252.36 грн
NGTB30N135IHRWGonsemiDescription: IGBT TRENCH/FS 1350V 60A TO247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.65V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/250ns
Switching Energy: 850µJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 234 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 394 W
на замовлення 47766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
103+194.72 грн
Мінімальне замовлення: 103
NGTB30N135IHRWGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1350V 60A 394mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+281.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
NGTB30N135IHRWGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1350V 60A 394000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NGTB30N135IHRWGON Semiconductor
на замовлення 260 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NGTB30N135IHRWGonsemiDescription: IGBT TRENCH/FS 1350V 60A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.65V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/250ns
Switching Energy: 850µJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 234 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 394 W
товар відсутній
NGTB30N140IHR3WGonsemionsemi 1400V, 30A, IGBT with Monolithic Free Wheeling Diode IGBT - 1400 V 30 A
товар відсутній
NGTB30N140IHR3WGON SemiconductorIGBT with Monolithic Free Wheeling Diode
товар відсутній
NGTB30N60FLWGON SemiconductorDescription: IGBT 600V 60A 250W TO247
товар відсутній
NGTB30N60FLWGON Semiconductor
на замовлення 429 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NGTB30N60FLWGonsemiIGBT Transistors 600V/30A IGBT LPT TO-247
товар відсутній
NGTB30N60FLWGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 167000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NGTB30N60FWGonsemiDescription: IGBT 600V 60A 167W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 72 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 81ns/190ns
Switching Energy: 650µJ (on), 650µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 170 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 167 W
на замовлення 7834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
113+180.54 грн
Мінімальне замовлення: 113
NGTB30N60FWGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 167000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NGTB30N60FWGonsemiDescription: IGBT 600V 60A 167W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 72 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 81ns/190ns
Switching Energy: 650µJ (on), 650µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 170 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 167 W
товар відсутній
NGTB30N60FWGON Semiconductor
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NGTB30N60IHLWGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NGTB30N60IHLWGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 250mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NGTB30N60IHLWGON SemiconductorIGBT Transistors 600V/30A IGBT FS1 IH TO-2
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NGTB30N60IHLWGonsemiDescription: IGBT 600V 30A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 400 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 70ns/140ns
Switching Energy: 280µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 130 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 250 W
товар відсутній
NGTB30N60IHLWGonsemiDescription: IGBT 600V 30A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 400 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 70ns/140ns
Switching Energy: 280µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 130 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 5700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
129+158.22 грн
Мінімальне замовлення: 129
NGTB30N60L2WGonsemiDescription: IGBT 600V 30A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 100ns/390ns
Switching Energy: 310µJ (on), 1.14mJ (off)
Test Condition: 300V, 30A, 30Ohm, 15V
Gate Charge: 166 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 225 W
товар відсутній
NGTB30N60L2WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 100A 225000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NGTB30N60L2WGonsemiDescription: IGBT 600V 30A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 100ns/390ns
Switching Energy: 310µJ (on), 1.14mJ (off)
Test Condition: 300V, 30A, 30Ohm, 15V
Gate Charge: 166 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 225 W
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+313.42 грн
10+ 253.14 грн
NGTB30N60L2WGON SemiconductorIGBT Transistors 600V 30A IGBT TO-247
на замовлення 531 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NGTB30N60SWGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 189000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NGTB30N60SWGonsemiDescription: IGBT 600V 60A 189W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 57ns/109ns
Switching Energy: 750µJ (on), 540µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 189 W
товар відсутній
NGTB30N60SWGonsemiIGBT Transistors 600V/30A IGBT FSI TO-247
товар відсутній
NGTB30N60SWGON Semiconductor
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NGTB30N60SWGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTB30N60SWG - 600V-30A IGBT FSI TO-247
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
180+208.95 грн
Мінімальне замовлення: 180
NGTB30N60SWGonsemiDescription: IGBT 600V 60A 189W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 57ns/109ns
Switching Energy: 750µJ (on), 540µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 189 W
на замовлення 1873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
127+160.26 грн
Мінімальне замовлення: 127
NGTB30N65IHL2WGonsemiIGBT Transistors 650V/30A FAST IGBT FSII T
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+495.37 грн
10+ 439.92 грн
120+ 305.77 грн
210+ 298.42 грн
NGTB30N65IHL2WGonsemiDescription: IGBT TRENCH/FS 650V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 430 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/145ns
Switching Energy: 200µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 135 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 300 W
товар відсутній
NGTB30N65IHL2WGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTB30N65IHL2WG - IGBT, 650V 30A FS2 INDUCTION HEATING
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товар відсутній
NGTB30N65IHL2WGonsemiDescription: IGBT TRENCH/FS 650V 60A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 430 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/145ns
Switching Energy: 200µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 135 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 300 W
на замовлення 1899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
88+229.4 грн
Мінімальне замовлення: 88
NGTB30N65IHL2WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 60A 300000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NGTB35N60FL2onsemionsemi 600V/35A FAST IGBT FSII T
товар відсутній
NGTB35N60FL2WGON Semiconductor
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NGTB35N60FL2WGonsemiIGBT Transistors 600V/35A FAST IGBT FSII T
товар відсутній
NGTB35N60FL2WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 70A 300000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NGTB35N60FL2WGonsemiDescription: IGBT TRENCH/FS 600V 70A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 68 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 35A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 72ns/132ns
Switching Energy: 840µJ (on), 280µJ (off)
Test Condition: 400V, 35A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 125 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 300 W
товар відсутній
NGTB35N60FL2WGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTB35N60FL2WG - IGBT, 70 A, 1.7 V, 300 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600
Verlustleistung: 300
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 70
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товар відсутній
NGTB35N65FL2WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 70A 300mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NGTB35N65FL2WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 70A 300000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NGTB35N65FL2WGonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 70A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 68 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 35A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 72ns/132ns
Switching Energy: 840µJ (on), 280µJ (off)
Test Condition: 400V, 35A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 125 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 300 W
товар відсутній
NGTB35N65FL2WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 70A 300mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+215.05 грн
Мінімальне замовлення: 30
NGTB35N65FL2WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 70A 300mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NGTB35N65FL2WGON Semiconductor
на замовлення 2408 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NGTB35N65FL2WGonsemiIGBT Transistors 650V/35A FAST IGBT FSII T
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+412.81 грн
10+ 341.65 грн
30+ 279.73 грн
120+ 240.34 грн
180+ 213.64 грн
540+ 182.26 грн
1080+ 172.24 грн
NGTB35N65FL2WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 70A 300mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
54+219.9 грн
Мінімальне замовлення: 54
NGTB40N120FL2onsemionsemi 1200V/40A FAST IGBT FSII
товар відсутній
NGTB40N120FL2WAGonsemiIGBT Transistors IGBT, 1200 VField Stop II, 40 A
товар відсутній
NGTB40N120FL2WAGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 160A 536W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NGTB40N120FL2WAGON Semiconductor
на замовлення 82 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NGTB40N120FL2WAGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 160A 536000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NGTB40N120FL2WAG
Код товару: 171155		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
NGTB40N120FL2WAGonsemiDescription: IGBT FIELD STOP 1200V 160A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 240 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/145ns
Switching Energy: 1.7mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 313 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 536 W
товар відсутній
NGTB40N120FL2WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 652000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NGTB40N120FL2WG
Код товару: 165841		Транзистори > IGBT
товар відсутній
NGTB40N120FL2WGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTB40N120FL2WG - IGBT, 80 A, 2 V, 535 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
Verlustleistung: 535
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2
Kollektorstrom: 80
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товар відсутній
NGTB40N120FL2WGonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 240 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 116ns/286ns
Switching Energy: 3.4mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 313 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 535 W
товар відсутній
NGTB40N120FL2WGonsemiIGBT Transistors 1200V/40A FAST IGBT FSII
товар відсутній
NGTB40N120FL2WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 535W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NGTB40N120FL3onsemionsemi IGBT 1200V 40A FS3 SOLAR/
товар відсутній
NGTB40N120FL3WGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTB40N120FL3WG - IGBT, 160 A, 1.7 V, 454 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 454
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
Betriebstemperatur, max.: 175
Kollektorstrom: 160
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товар відсутній
NGTB40N120FL3WGonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 160A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 136 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/145ns
Switching Energy: 1.6mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 212 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 454 W
товар відсутній
NGTB40N120FL3WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 160A 454W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NGTB40N120FL3WGONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 227W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 227W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 212nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
NGTB40N120FL3WGonsemiIGBT Transistors IGBT 1200V 40A FS3 SOLAR/UPS
на замовлення 1412 шт:
термін постачання 203-212 дні (днів)
1+567.8 грн
10+ 515.93 грн
30+ 334.47 грн
120+ 307.77 грн
300+ 285.74 грн
600+ 269.05 грн
1050+ 263.71 грн
NGTB40N120FL3WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 160A 454000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NGTB40N120FL3WGONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 227W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 227W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 212nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NGTB40N120FL3WG
Код товару: 133614		Транзистори > IGBT
товар відсутній
NGTB40N120FL3WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 160A 454W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NGTB40N120FLWGonsemiIGBT Transistors IGBT, 1200 V, 40 A, FS1 Solar/UPS
товар відсутній
NGTB40N120FLWGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 260000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NGTB40N120FLWGonsemiDescription: IGBT 1200V 40A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 130ns/385ns
Switching Energy: 2.6mJ (on), 1.6mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 415 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 260 W
товар відсутній
NGTB40N120IHLWGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 260000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NGTB40N120IHLWGonsemiDescription: IGBT 1200V 40A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/360ns
Switching Energy: 1.4mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 420 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 320 A
Power - Max: 260 W
товар відсутній
NGTB40N120IHRWGON Semiconductor
на замовлення 7725 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NGTB40N120IHRWGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 120A 384000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NGTB40N120IHRWGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 120A 384000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NGTB40N120IHRWGonsemiDescription: IGBT 1200V 80A 384W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.55V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/230ns
Switching Energy: 950µJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 225 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 384 W
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+392.14 грн
30+ 299.15 грн
NGTB40N120IHRWGON SemiconductorIGBT Transistors 1200V/40A RC IGBT FSII
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NGTB40N120L3WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 160A 454000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NGTB40N120L3WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 160A 454000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NGTB40N120L3WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 160A 454000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NGTB40N120L3WGonsemiDescription: IGBT 1200V 160A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 86 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/150ns
Switching Energy: 1.5mJ (on), 1.5mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 220 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 454 W
товар відсутній
NGTB40N120L3WG
Код товару: 166585		Транзистори > IGBT
товар відсутній
NGTB40N120L3WGonsemiIGBT Transistors IGBT 1200V 40A FS3 LOW VCESAT
товар відсутній
NGTB40N120L3WGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTB40N120L3WG - IGBT, 160 A, 1.55 V, 454 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 454
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
Betriebstemperatur, max.: 175
Kollektorstrom: 160
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+301.82 грн
5+ 291.33 грн
10+ 289.08 грн
50+ 260.09 грн
100+ 231.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
NGTB40N120L3WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 160A 454000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NGTB40N120L3WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 160A 454000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NGTB40N120LWGonsemiDescription: IGBT 1200V 40A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 140ns/360ns
Switching Energy: 5.5mJ (on), 1.4mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 420 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 320 A
Power - Max: 260 W
товар відсутній
NGTB40N120LWGON SemiconductorIGBT Transistors IGBT 1200V 40A FS1 Gen Mkt
товар відсутній
NGTB40N120LWGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 260000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NGTB40N120Sonsemionsemi FSII 40A 1200V WELDING
товар відсутній
NGTB40N120S3onsemionsemi IGBT 1200V 40A FS3 LOW VF
товар відсутній
NGTB40N120S3WGON Semiconductor
на замовлення 9034 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NGTB40N120S3WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 160A 454000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NGTB40N120S3WGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTB40N120S3WG - IGBT, 160 A, 1.7 V, 454 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 454W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 160A
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+429.13 грн
10+ 329.53 грн
100+ 249.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
NGTB40N120S3WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 160A 454000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NGTB40N120S3WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 160A 454000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+471.78 грн
10+ 395.72 грн
25+ 367.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
NGTB40N120S3WGonsemiDescription: IGBT 1.2KV 40A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 163 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/145ns
Switching Energy: 2.2mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 212 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 454 W
товар відсутній
NGTB40N120S3WGonsemiIGBT Transistors IGBT 1200V 40A FS3 LOW VF
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NGTB40N120SWG
Код товару: 162412		Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товар відсутній
NGTB40N120SWGonsemiDescription: IGBT 40A 1200V TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 240 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 116ns/286ns
Switching Energy: 3.4mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 313 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 535 W
товар відсутній
NGTB40N120SWGonsemiIGBT Transistors FSII 40A 1200V Welding
товар відсутній
NGTB40N120SWGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 535000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NGTB40N120SWGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 535000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NGTB40N135IHRonsemionsemi 1350V/40A IGBT FSII TO-24
товар відсутній
NGTB40N135IHRWGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1350V 120A 394000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NGTB40N135IHRWGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1350V 120A 394000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NGTB40N135IHRWGON Semiconductor
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NGTB40N135IHRWG
Код товару: 168994		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
NGTB40N135IHRWGonsemiIGBT Transistors 1350V/40A IGBT FSII TO-24
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+509.39 грн
10+ 451.44 грн
30+ 371.19 грн
120+ 321.79 грн
NGTB40N135IHRWGonsemiDescription: IGBT TRENCH/FS 1350V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/250ns
Switching Energy: 1.3mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 234 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 394 W
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+437.64 грн
NGTB40N135IHRWGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTB40N135IHRWG - IGBT, 80 A, 2.4 V, 394 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35
Verlustleistung: 394
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товар відсутній
NGTB40N135IHRWGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1350V 120A 394000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NGTB40N60FL2onsemionsemi 600V/40A FAST IGBT FSII T
товар відсутній
NGTB40N60FL2WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 366000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NGTB40N60FL2WG
Код товару: 171527		Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товар відсутній
NGTB40N60FL2WGonsemiDescription: IGBT 600V 80A 366W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 72 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 84ns/177ns
Switching Energy: 970µJ (on), 440µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 170 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 366 W
товар відсутній
NGTB40N60FL2WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 366000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+238.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
NGTB40N60FL2WGonsemiIGBT Transistors 600V/40A FAST IGBT FSII T
товар відсутній
NGTB40N60FLWGonsemiDescription: IGBT 600V 80A 257W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 77 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 85ns/174ns
Switching Energy: 890µJ (on), 440µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 171 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 257 W
товар відсутній
NGTB40N60FLWGonsemiIGBT Transistors IGBT 600V 40A FS1 Solar/UPS
товар відсутній
NGTB40N60FLWGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 277000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NGTB40N60IHLWGonsemiDescription: IGBT 600V 40A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 400 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 70ns/140ns
Switching Energy: 400µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 130 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 452462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
123+164.99 грн
Мінімальне замовлення: 123
NGTB40N60IHLWGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NGTB40N60IHLWGonsemiDescription: IGBT 600V 40A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 400 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 70ns/140ns
Switching Energy: 400µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 130 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 250 W
товар відсутній
NGTB40N60L2WGON SemiconductorIGBT Transistors 600V/40A FAST IGBT FSII T
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NGTB40N60L2WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 417000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+211.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
NGTB40N60L2WGON Semiconductor
на замовлення 3570 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NGTB40N60L2WGonsemiDescription: IGBT TRENCH/FS 600V 80A TO247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 73 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.61V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 98ns/213ns
Switching Energy: 1.17mJ (on), 280µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 228 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 417 W
на замовлення 2092 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
88+232.61 грн
Мінімальне замовлення: 88
NGTB40N60L2WGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTB40N60L2WG - 600V-40A FAST IGBT FSII T
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2092 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
120+320.54 грн
Мінімальне замовлення: 120
NGTB40N60L2WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 417000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NGTB40N60L2WGonsemiDescription: IGBT TRENCH/FS 600V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 73 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.61V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 98ns/213ns
Switching Energy: 1.17mJ (on), 280µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 228 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 417 W
товар відсутній
NGTB40N60L2WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 417000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NGTB40N60L2WG.ONSEMIDescription: ONSEMI - NGTB40N60L2WG. - IGBT, 80 A, 2 V, 417 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600
Verlustleistung: 417
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2
Kollektorstrom: 80
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товар відсутній
NGTB40N65FL2WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 36000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NGTB40N65FL2WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 36000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NGTB40N65FL2WGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTB40N65FL2WG - IGBT, 80 A, 1.7 V, 366 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Verlustleistung: 366
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
NGTB40N65FL2WGonsemiIGBT Transistors 650V/40A FAST IGBT FSII T
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+466.55 грн
10+ 443.76 грн
30+ 323.79 грн
120+ 271.05 грн
180+ 241.68 грн
540+ 206.96 грн
1080+ 194.28 грн
NGTB40N65FL2WGonsemiDescription: IGBT TRENCH/FS 650V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 72 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 84ns/177ns
Switching Energy: 970µJ (on), 440µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 170 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 366 W
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+436.2 грн
NGTB40N65IHL2WGonsemiDescription: IGBT TRENCH/FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 465 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/140ns
Switching Energy: 360µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 135 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 300 W
на замовлення 11225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
115+174.72 грн
Мінімальне замовлення: 115
NGTB40N65IHL2WGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTB40N65IHL2WG - IGBT, 650V 40A FS2 INDUCTION HEATING
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товар відсутній
NGTB40N65IHL2WGON SemiconductorIGBT Transistors 650V/40A FAST IGBT FSII T
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NGTB40N65IHL2WGonsemiDescription: IGBT TRENCH/FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 465 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/140ns
Switching Energy: 360µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 135 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 300 W
товар відсутній
NGTB40N65IHL2WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 300000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+195.65 грн
10+ 189.93 грн
25+ 186.52 грн
100+ 171.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
NGTB40N65IHRTGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 405000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товар відсутній
NGTB40N65IHRTGonsemiDescription: IGBT 650V 40A
Packaging: Tube
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+194.99 грн
10+ 155.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
NGTB40N65IHRTGON SemiconductorIGBT Transistors 650V/40A MONOLITHIC RC IG
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NGTB40N65IHRWGonsemiDescription: NGTB40N65 - IGBT, MONOLITHIC WIT
товар відсутній
NGTB40N65IHRWGON SemiconductorIGBT Transistors 40A 650V MONOLITHIC RC IG
на замовлення 854 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NGTB40N65IHRWGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 405000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NGTB45N60S1WGON SemiconductorIGBT Transistors FSII 45A 600V Welding
на замовлення 810 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NGTB45N60S1WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 90A 300000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NGTB45N60S1WGonsemiDescription: IGBT 45A 600V TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 45A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 72ns/132ns
Switching Energy: 1.25mJ (on), 530µJ (off)
Test Condition: 400V, 45A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 125 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 300 W
на замовлення 11017 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
174+116.98 грн
Мінімальне замовлення: 174
NGTB45N60S1WGonsemiDescription: IGBT 45A 600V TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 45A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 72ns/132ns
Switching Energy: 1.25mJ (on), 530µJ (off)
Test Condition: 400V, 45A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 125 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 300 W
товар відсутній
NGTB45N60S2onsemionsemi FSII 45A 600V WELDING
товар відсутній
NGTB45N60S2WGonsemiDescription: IGBT 45A 600V TO-247
Packaging: Tube
Part Status: Active
товар відсутній
NGTB45N60S2WGonsemiIGBT Transistors FSII 45A 600V Welding
товар відсутній
NGTB45N60S2WGonsemiDescription: IGBT 45A 600V TO-247
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 6960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
132+154.84 грн
Мінімальне замовлення: 132
NGTB45N60S2WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 90A 300000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NGTB45N60SWGonsemiDescription: IGBT 600V 45A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 376 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 45A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 70ns/144ns
Switching Energy: 550µJ (off)
Test Condition: 400V, 45A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 134 nC
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 250 W
товар відсутній
NGTB45N60SWGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 90A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NGTB45N60SWGonsemiIGBT Transistors 600V/45A IGBT FS1 TO-247
товар відсутній
NGTB45N60SWGonsemiDescription: IGBT 600V 45A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 376 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 45A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 70ns/144ns
Switching Energy: 550µJ (off)
Test Condition: 400V, 45A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 134 nC
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
91+224.49 грн
Мінімальне замовлення: 91
NGTB50N120FL2WAGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 200A 536000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NGTB50N120FL2WAGonsemiIGBT Transistors IGBT, 1200 V Field Stop II, 50 A
товар відсутній
NGTB50N120FL2WAGonsemiDescription: NGTB50N120 - IGBT, 1200 V FIELD
товар відсутній
NGTB50N120FL2WGonsemiIGBT Transistors 1200V/50A FAST IGBT FSII
товар відсутній
NGTB50N120FL2WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 100A 535000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NGTB50N120FL2WGonsemiDescription: IGBT 1200V 100A 535W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 256 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 118ns/282ns
Switching Energy: 4.4mJ (on), 1.4mJ (off)
Test Condition: 600V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 311 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 535 W
товар відсутній
NGTB50N120FL2WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 100A 535000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NGTB50N120FL2WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 100A 535000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NGTB50N120FL2WGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTB50N120FL2WG - IGBT, 100 A, 2.2 V, 535 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
Verlustleistung: 535
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
NGTB50N60FL2WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 100A 417000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NGTB50N60FL2WGonsemiDescription: IGBT 600V 50A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 94 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 100ns/237ns
Switching Energy: 1.5mJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 220 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 417 W
товар відсутній
NGTB50N60FLWGonsemiDescription: IGBT 600V 50A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 116ns/292ns
Switching Energy: 1.1mJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 223 W
товар відсутній
NGTB50N60FLWGonsemiIGBT Transistors IGBT, 600 V, 50 A, FS1 Solar/UPS
товар відсутній
NGTB50N60FLWGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 100A 223000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NGTB50N60FWGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 100A 223mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+311.8 грн
Мінімальне замовлення: 38
NGTB50N60FWGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTB50N60FWG - IGBT, 600V, 50A, TO-247-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 10950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
120+265.12 грн
Мінімальне замовлення: 120
NGTB50N60FWGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 100A 223000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NGTB50N60FWGonsemiDescription: IGBT 600V 100A 223W TO247
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товар відсутній
NGTB50N60FWGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 100A 223mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+289.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
NGTB50N60FWGonsemiDescription: IGBT 600V 100A 223W TO247
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
на замовлення 10950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
88+231.93 грн
Мінімальне замовлення: 88
NGTB50N60L2WGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTB50N60L2WG - IGBT, 600V, 100A, 175°C, 500W, TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600
Verlustleistung: 500
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товар відсутній
NGTB50N60L2WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 100A 500000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NGTB50N60L2WGonsemiDescription: IGBT 600V 50A TO247
товар відсутній
NGTB50N60L2WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 100A 500000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NGTB50N60L2WGON Semiconductor
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NGTB50N60S1WGonsemiDescription: IGBT 50A 600V TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 94 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 100ns/237ns
Switching Energy: 1.5mJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 220 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 417 W
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
93+218.41 грн
Мінімальне замовлення: 93
NGTB50N60S1WGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTB50N60S1WG - IGBT, SINGLE, 600V, 100A, TO-247-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
120+268.86 грн
Мінімальне замовлення: 120
NGTB50N60S1WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 100A 417000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NGTB50N60S1WGonsemiDescription: IGBT 50A 600V TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 94 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 100ns/237ns
Switching Energy: 1.5mJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 220 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 417 W
товар відсутній
NGTB50N60SWGonsemiDescription: IGBT 600V 50A TO247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 376 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 70ns/144ns
Switching Energy: 600µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 135 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
99+205.56 грн
Мінімальне замовлення: 99
NGTB50N60SWGonsemiDescription: IGBT 600V 50A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 376 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 70ns/144ns
Switching Energy: 600µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 135 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
товар відсутній
NGTB50N65FL2WAGonsemiDescription: IGBT FIELD STOP 650V 160A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 94 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/123ns
Switching Energy: 420µJ (on), 550µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 215 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 417 W
товар відсутній
NGTB50N65FL2WAGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTB50N65FL2WAG - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
142+256.88 грн
Мінімальне замовлення: 142
NGTB50N65FL2WAGON SemiconductorIGBT Transistors 650V/50 FAST IGBT FSII TO
товар відсутній
NGTB50N65FL2WAGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 160A 417000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NGTB50N65FL2WAGonsemiDescription: IGBT FIELD STOP 650V 160A TO247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 94 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/123ns
Switching Energy: 420µJ (on), 550µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 215 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 417 W
на замовлення 3330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
118+170.05 грн
Мінімальне замовлення: 118
NGTB50N65FL2WAG
Код товару: 154577		Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товар відсутній
NGTB50N65FL2WGonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 100A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 94 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 100ns/237ns
Switching Energy: 1.5mJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 220 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 417 W
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+434.03 грн
30+ 333.57 грн
NGTB50N65FL2WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 100A 417W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NGTB50N65FL2WGON Semiconductor
на замовлення 196 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NGTB50N65FL2WGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTB50N65FL2WG - IGBT, 650V 50A FS2 SOLAR/UPS
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
NGTB50N65FL2WGonsemiIGBT Transistors 600V/50A FAST IGBT FSII T
на замовлення 311 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+471.22 грн
10+ 444.53 грн
30+ 317.12 грн
120+ 295.08 грн
300+ 254.36 грн
600+ 228.99 грн
1050+ 218.98 грн
NGTB50N65FL2WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 100A 417000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NGTB50N65S1WGonsemiIGBT Transistors IGBT, FSII, 650V, 50A
товар відсутній
NGTB50N65S1WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 140A 300000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NGTB50N65S1WGonsemiDescription: IGBT TRENCH 650V 140A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 75ns/128ns
Switching Energy: 1.25mJ (on), 530µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 128 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 140 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 140 A
Power - Max: 300 W
товар відсутній
NGTB60N60SWGonsemiDescription: IGBT 600V 120A 298W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 76 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 87ns/180ns
Switching Energy: 1.41mJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 173 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 298 W
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
87+234.63 грн
Мінімальне замовлення: 87
NGTB60N60SWGonsemiIGBT Transistors 600V/60A IGBT LPT TO-247
на замовлення 184 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NGTB60N60SWGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 298000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NGTB60N60SWGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTB60N60SWG - 600V-60A IGBT LPT TO-247
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
120+248.64 грн
Мінімальне замовлення: 120
NGTB60N60SWGonsemiDescription: IGBT 600V 120A 298W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 76 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 87ns/180ns
Switching Energy: 1.41mJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 173 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 298 W
товар відсутній
NGTB60N65FL2WGON Semiconductor
на замовлення 96 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NGTB60N65FL2WGonsemiDescription: IGBT FIELD STOP 650V 100A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 96 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 117ns/265ns
Switching Energy: 1.59mJ (on), 660µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 318 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 595 W
товар відсутній
NGTB60N65FL2WGonsemiIGBT Transistors 650V/60A FAST IGBT FSII
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+884.03 грн
10+ 787.72 грн
120+ 566.8 грн
600+ 542.1 грн
NGTB60N65FL2WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 100A 595000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NGTB60N65FL2WGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTB60N65FL2WG - IGBT, SINGLE, N-CH, 650V, 100A, TO-247-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+638.08 грн
Мінімальне замовлення: 50
NGTB60N65FL2WG.ONSEMIDescription: ONSEMI - NGTB60N65FL2WG. - IGBT, 100 A, 1.64 V, 595 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Verlustleistung: 595
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.64
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товар відсутній
NGTB75N60FL2onsemionsemi 600V/75A FAST FSII TO-247
товар відсутній
NGTB75N60FL2WGonsemiDescription: IGBT 600V 75A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 110ns/270ns
Switching Energy: 1.5mJ (on), 1mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 595 W
товар відсутній
NGTB75N60FL2WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 100A 595000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NGTB75N60FL2WGonsemiIGBT Transistors IGBT, 600V 75A FS2 Solar/UPS
товар відсутній
NGTB75N60Sonsemionsemi FSII 75A 600V WELDING
товар відсутній
NGTB75N60SWGonsemiIGBT Transistors FSII 75A 600V Welding
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+485.24 грн
10+ 410.75 грн
30+ 332.47 грн
120+ 297.09 грн
NGTB75N60SWGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTB75N60SWG - IGBT, SINGLE, 600V, 100A, TO-247-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
120+295.08 грн
Мінімальне замовлення: 120
NGTB75N60SWGonsemiDescription: IGBT 75A 600V TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 110ns/270ns
Switching Energy: 1.5mJ (on), 1mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 595 W
на замовлення 914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
80+250.07 грн
Мінімальне замовлення: 80
NGTB75N60SWG
Код товару: 184223		Транзистори > IGBT
товар відсутній
NGTB75N60SWGonsemiDescription: IGBT 75A 600V TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 110ns/270ns
Switching Energy: 1.5mJ (on), 1mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 595 W
товар відсутній
NGTB75N60SWGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 100A 595000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NGTB75N65FL2WAGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 200A 536000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NGTB75N65FL2WAGON SemiconductorIGBT Transistors 650V/75 FAST IGBT FSII TO
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NGTB75N65FL2WAGonsemiDescription: IGBT FIELD STOP 650V 200A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/157ns
Switching Energy: 610µJ (on), 1.2mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 536 W
товар відсутній
NGTB75N65FL2WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 100A 595000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NGTB75N65FL2WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 100A 595mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NGTB75N65FL2WGonsemiIGBT Transistors IGBT 650V 75A FS2 Solar/UPS
на замовлення 450 шт:
термін постачання 301-310 дні (днів)
1+631.67 грн
10+ 534.36 грн
30+ 421.26 грн
90+ 386.55 грн
270+ 363.85 грн
NGTB75N65FL2WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 100A 595mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NGTB75N65FL2WGonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 100A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 110ns/270ns
Switching Energy: 1.5mJ (on), 1mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 595 W
товар відсутній
NGTB75N65FL2WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 100A 595mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NGTB75N65FL2WGON Semiconductor
на замовлення 379 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NGTB75N65FL2WGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTB75N65FL2WG - IGBT, 100 A, 1.75 V, 595 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Verlustleistung: 595
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75
Kollektorstrom: 100
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
NGTB75N65FL2WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 100A 595mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NGTD13R120F2SWKON SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 1.2KV DIE
товар відсутній
NGTD13R120F2SWKON SemiconductorRectifier Diode Switching 1.2KV 2-Pin Die Container
товар відсутній
NGTD13R120F2SWKON SemiconductorIGBT Transistors 1200V/25A CN34 FAST RECTI
товар відсутній
NGTD13R120F2WPON SemiconductorRectifier Diode Switching 1.2KV 2-Pin Die WJAR
товар відсутній
NGTD13R120F2WPON SemiconductorIGBT Transistors 1200V/25A CN34 FAST REC
товар відсутній
NGTD13R120F2WPON SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 1.2KV DIE
товар відсутній
NGTD13T65F2SWKonsemiDescription: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: Die
IGBT Type: Trench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
товар відсутній
NGTD13T65F2SWKON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 3-Pin Die Container
товар відсутній
NGTD13T65F2SWKON SemiconductorIGBT Transistors IGBT, 650V 30A FS2 bare die
товар відсутній
NGTD13T65F2WPON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 3-Pin Die WJAR
товар відсутній
NGTD13T65F2WPON SemiconductorIGBT Transistors IGBT, 650V 30A FS2 bare die
товар відсутній
NGTD13T65F2WPonsemiDescription: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: Die
IGBT Type: Trench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
товар відсутній
NGTD14T65F2SWKON SemiconductorIGBT Transistors IGBT, 650V 35A FS2 bare die
товар відсутній
NGTD14T65F2SWKonsemiDescription: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 35A
Supplier Device Package: Die
IGBT Type: Trench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
товар відсутній
NGTD14T65F2SWKON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 3-Pin Die Container
товар відсутній
NGTD14T65F2WPonsemiDescription: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 35A
Supplier Device Package: Die
IGBT Type: Trench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
товар відсутній
NGTD14T65F2WPON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 3-Pin Die WJAR
товар відсутній
NGTD14T65F2WPON SemiconductorIGBT Transistors IGBT, 650V 35A FS2 bare die
товар відсутній
NGTD15R65F2SWKON SemiconductorDiode Switching 650V 2-Pin Die Container
товар відсутній
NGTD15R65F2SWKON SemiconductorIGBT Transistors 650V/50A CC15 FAST RECTIF
товар відсутній
NGTD15R65F2SWKON SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 650V DIE
товар відсутній
NGTD15R65F2WPonsemiDescription: DIODE GEN PURP 650V DIE
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Technology: Standard
Supplier Device Package: Die
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.9 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 650 V
товар відсутній
NGTD15R65F2WPON SemiconductorRectifier Diode Switching 650V 2-Pin Die WJAR
товар відсутній
NGTD15R65F2WPonsemiIGBT Transistors 650V/50A CC15 FAST RECTIFIER UNSAWN WAFER SALES
товар відсутній
NGTD17R120F2SWKON SemiconductorDiode Switching 1.2KV 2-Pin Die Container
товар відсутній
NGTD17R120F2SWKON SemiconductorIGBT Transistors 1200V/40A CJ61 FAST RECTI
товар відсутній
NGTD17R120F2SWKON SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 1.2KV DIE
на замовлення 377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NGTD17R120F2WPON SemiconductorIGBT Transistors 1200V/40A CJ61 FAST REC
товар відсутній
NGTD17R120F2WPON SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 1.2KV DIE
товар відсутній
NGTD17R120F2WPON SemiconductorRectifier Diode Switching 1.2KV 2-Pin Die WJAR
товар відсутній
NGTD17T65F2SWKonsemiDescription: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: Die
IGBT Type: Trench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
товар відсутній
NGTD17T65F2SWKON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 3-Pin Die Container
товар відсутній
NGTD17T65F2WPON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 3-Pin Die WJAR
товар відсутній
NGTD17T65F2WPonsemiDescription: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: Die
IGBT Type: Trench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
товар відсутній
NGTD17T65F2WPON SemiconductorIGBT Transistors IGBT 600V 40A FS2 bare die
товар відсутній
NGTD20T120F2SWKonsemiDescription: IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE
Packaging: Tray
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: Die
IGBT Type: Trench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
товар відсутній
NGTD20T120F2SWKON SemiconductorIGBT Transistors 1200V/25A CN35 FAST IGBT
на замовлення 19069 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NGTD20T120F2SWKON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V Die Container
товар відсутній
NGTD20T120F2WPON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V WJAR
товар відсутній
NGTD20T120F2WPonsemiDescription: IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: Die
IGBT Type: Trench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
товар відсутній
NGTD20T120F2WPonsemiIGBT Transistors 1200V/25A CN35 FAST IGBT UNSAWN WAFER SALES
товар відсутній
NGTD21T65F2SWKON SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
на замовлення 17461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NGTD21T65F2SWKON SemiconductorIGBT Transistors IGBT 650V 45A FS2 bare die
товар відсутній
NGTD21T65F2WPON SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
на замовлення 1166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NGTD21T65F2WPON SemiconductorIGBT Transistors IGBT 650V 45A FS2 bare die
товар відсутній
NGTD23T120F2SWKON SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE
товар відсутній
NGTD23T120F2SWKON SemiconductorIGBT Transistors 1200V/30A CJ52 FAST IGBT DIE SALES
товар відсутній
NGTD23T120F2WPON SemiconductorIGBT Transistors 1200V/30A CJ52 FAST IGBT UNSAWN WAFER SALES
товар відсутній
NGTD28T65F2SWKON SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
товар відсутній
NGTD28T65F2SWKON SemiconductorIGBT Transistors IGBT 650V 75A FS2 bare die
товар відсутній
NGTD28T65F2WPON SemiconductorIGBT Transistors IGBT 650V 75A FS2 bare die
товар відсутній
NGTD28T65F2WPON SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
товар відсутній
NGTD30T120F2SWKON SemiconductorIGBT Transistors 1200V/50A CJ57 FAST IGBT
на замовлення 7721 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NGTD30T120F2SWKON SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE
товар відсутній
NGTD30T120F2WPON SemiconductorIGBT Transistors 1200V/50A CJ57 FAST IGBT
на замовлення 11254 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NGTD5R65F2SWKON SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 650V DIE
товар відсутній
NGTD5R65F2SWKON SemiconductorIGBT Transistors 650V/40A CC87 LOW VF RECT
на замовлення 25376 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NGTD5R65F2WPON SemiconductorIGBT Transistors 650V/40A CC87 LOW VF RE
на замовлення 32604 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NGTD8R65F2SWKON SemiconductorIGBT Transistors 650V/40A CC14 FAST RECTIF
товар відсутній
NGTD8R65F2SWKON SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 650V DIE
товар відсутній
NGTD8R65F2WPON SemiconductorIGBT Transistors 650V/40A CC14 FAST RECT
на замовлення 36220 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NGTD9R120F2SWKON SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 1.2KV DIE
товар відсутній
NGTD9R120F2SWKON SemiconductorIGBT Transistors 1200V/85A BR69 VERY FAST
на замовлення 39850 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NGTD9R120F2SWKON SemiconductorDiode Switching 1.2KV 2-Pin Die Container
товар відсутній
NGTD9R120F2WPON SemiconductorIGBT Transistors 1200V/85A BR69 VERY FAS
на замовлення 49753 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NGTD9R120F2WPON SemiconductorRectifier Diode Switching 1.2KV 2-Pin Die WJAR
товар відсутній
NGTF2016M601TR5FNIC ComponentsGas Discharge Tubes 600VDC 5KADC 1pF Solder Pad SMD
товар відсутній
NGTG12N60TF1GON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 24A 54000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
товар відсутній
NGTG12N60TF1GON SemiconductorDescription: IGBT 600V 24A 54W TO-3PF
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NGTG12N60TF1GonsemiIGBT Transistors 600V 12A IGBT TO-3PF
на замовлення 376 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+151.1 грн
10+ 124.38 грн
120+ 84.79 грн
270+ 78.78 грн
450+ 71.43 грн
900+ 61.42 грн
2700+ 58.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
NGTG15N120FL2onsemiON Semiconductor
товар відсутній
NGTG15N120FL2WGonsemiDescription: IGBT TRENCH/FS 1200V 30A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 64ns/128ns
Switching Energy: 1.2mJ (on), 370µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 109 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 294 W
на замовлення 1790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
138+147.41 грн
Мінімальне замовлення: 138
NGTG15N120FL2WGonsemiIGBT Transistors 1200V/15A VERY FAST IGBT
на замовлення 143 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NGTG15N120FL2WGON Semiconductor
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NGTG15N120FL2WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 294000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NGTG15N120FL2WGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTG15N120FL2WG - IGBT, 294 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 294W
Transistormontage: Durchsteckmontage
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform - Transistor: TO-247
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
Produktpalette: PW Series
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
180+172.25 грн
Мінімальне замовлення: 180
NGTG15N120FL2WGonsemiDescription: IGBT TRENCH/FS 1200V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 64ns/128ns
Switching Energy: 1.2mJ (on), 370µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 109 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 294 W
товар відсутній
NGTG15N120FL2WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 294000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NGTG15N120FL2WG.ONSEMIDescription: ONSEMI - NGTG15N120FL2WG. - IGBT, 30 A, 2 V, 294 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 294
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
Betriebstemperatur, max.: 175
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товар відсутній
NGTG15N60S1EGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 30A 117000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
NGTG15N60S1EG
Код товару: 55979		Транзистори > IGBT
товар відсутній
NGTG15N60S1EGonsemiDescription: IGBT NPT 600V 30A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-220AB
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 65ns/170ns
Switching Energy: 550µJ (on), 350µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 88 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 117 W
товар відсутній
NGTG15N60S1EGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 30A 117000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
NGTG15N60S1EGonsemiIGBT Transistors 15A 600V IGBT
товар відсутній
NGTG15N60S1EGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 30A 117000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
NGTG20N60L2TF1GonsemiDescription: IGBT 600V 40A 64W TO-3PF
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+192.1 грн
30+ 148.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
NGTG20N60L2TF1GON SemiconductorIGBT Transistors 600V 20A IGBT TO-3PF
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NGTG20N60L2TF1GON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 64000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
товар відсутній
NGTG20N60L2TF1GONSEMIDescription: ONSEMI - NGTG20N60L2TF1G - IGBT, SINGLE, N CH, 600V, 40A, TO-3PF-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 17909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
270+126.57 грн
Мінімальне замовлення: 270
NGTG20N60L2TF1GonsemiDescription: IGBT 600V 40A 64W TO-3PF
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товар відсутній
NGTG20N60L2TF1GON Semiconductor
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NGTG25N120FL2WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 385000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NGTG25N120FL2WGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTG25N120FL2WG - IGBT, 1200V 25A SOLAR-UPS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 67378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
140+220.18 грн
Мінімальне замовлення: 140
NGTG25N120FL2WGonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 87ns/179ns
Switching Energy: 1.95mJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 178 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 385 W
на замовлення 48084 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
113+180.54 грн
Мінімальне замовлення: 113
NGTG25N120FL2WGonsemiDescription: IGBT 1200V 25A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 87ns/179ns
Switching Energy: 1.95mJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 178 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 385 W
товар відсутній
NGTG30N60FLWGonsemiDescription: IGBT 600V 60A 250W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 83ns/170ns
Switching Energy: 700µJ (on), 280µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 170 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 8660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
143+142.67 грн
Мінімальне замовлення: 143
NGTG30N60FLWGonsemiDescription: IGBT 600V 60A 250W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 83ns/170ns
Switching Energy: 700µJ (on), 280µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 170 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 250 W
товар відсутній
NGTG30N60FLWGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NGTG30N60FLWGonsemiIGBT Transistors 600V/30A IGBT LPT TO-247
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+303.76 грн
10+ 251.82 грн
30+ 206.29 грн
120+ 176.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
NGTG30N60FWGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 167000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+130.82 грн
10+ 126.69 грн
Мінімальне замовлення: 5
NGTG30N60FWGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 167000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NGTG30N60FWGON SemiconductorIGBT Transistors 600V/30A IGBT NPT TO-247
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NGTG30N60FWGON Semiconductor
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NGTG30N60FWGonsemiDescription: IGBT 600V 60A 167W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 81ns/190ns
Switching Energy: 650µJ (on), 650µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 170 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 167 W
товар відсутній
NGTG35N65FL2WGON Semiconductor
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NGTG35N65FL2WGonsemiDescription: IGBT FIELD STOP 650V 70A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 35A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 72ns/132ns
Switching Energy: 840µJ (on), 280µJ (off)
Test Condition: 400V, 35A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 125 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 300 W
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+249.87 грн
30+ 190.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
NGTG35N65FL2WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 70A 300000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NGTG35N65FL2WGON SemiconductorIGBT Transistors IGBT, 650V 35A FS2 Solar/UPS
на замовлення 212 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NGTG40N120FL2onsemionsemi 1200V/40A FAST IGBT FSII
товар відсутній
NGTG40N120FL2WGON SemiconductorIGBT Transistors 1200V/40A FAST IGBT FSII
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NGTG40N120FL2WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 535000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NGTG40N120FL2WGON Semiconductor
на замовлення 260 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NGTG40N120FL2WGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTG40N120FL2WG - IGBT, 1.2KV, 80A, 175DEG C, 535W
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NGTG40N120FL2WGonsemiDescription: IGBT 1200V 40A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 116ns/286ns
Switching Energy: 3.4mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 313 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 535 W
товар відсутній
NGTG50N60FLWGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 100A 223000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NGTG50N60FLWGonsemiDescription: IGBT 600V 50A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 116ns/292ns
Switching Energy: 1.1mJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 223 W
на замовлення 4287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+203.53 грн
Мінімальне замовлення: 100
NGTG50N60FLWGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTG50N60FLWG - IGBT, 600V, 50A, TO-247-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+238.16 грн
Мінімальне замовлення: 150
NGTG50N60FLWGonsemiDescription: IGBT 600V 50A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 116ns/292ns
Switching Energy: 1.1mJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 223 W
товар відсутній
NGTG50N60FLWG
Код товару: 83454		Транзистори > IGBT
товар відсутній
NGTG50N60FWGON Semiconductor
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NGTG50N60FWGonsemiDescription: IGBT 600V 100A 223W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 117ns/285ns
Switching Energy: 1.1mJ (on), 1.2mJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 223 W
на замовлення 4181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
105+194.74 грн
Мінімальне замовлення: 105
NGTG50N60FWGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 100A 223000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NGTG50N60FWGonsemiDescription: IGBT 600V 100A 223W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 117ns/285ns
Switching Energy: 1.1mJ (on), 1.2mJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 223 W
товар відсутній
NGTG50N60FWGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTG50N60FWG - IGBT, 600V, 50A, TO-247-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+229.17 грн
Мінімальне замовлення: 150
NGTM2332M252TR05FNIC ComponentsSurface Mount Gas Discharge Tube
товар відсутній