Продукція > NTB

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NTBWELLERWEL.NT-B Soldering tips
на замовлення 4 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1450.39 грн
2+ 1371.11 грн
NTBWellerSoldering Irons Weller Chisel Tip For WMP Solder Penc
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1061.62 грн
NTBApex Tool Group B.V.Soldering Tips For micro soldering pencil
товар відсутній
NTBWELLERDescription: WELLER - NTB - Lötspitze, meißelförmig, 2.4mm
Breite der Spitze/Düse: 0
Spitze/Düse: 0
Zur Verwendung mit: Mikro-Lötkolben WMP von Weller
Produktpalette: 0
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1183.3 грн
NTB-C145BNEW TRYDescription: LED ENG BLUE LINEAR STRIP
Packaging: Case
Color: Blue
Size / Dimension: 155.00mm L x 21.00mm W
Type: LED Engine
Configuration: Linear Light Strip, Plug and Play
Height: 29.00mm
Current - Test: 420mA
Lens Type: Flat
Light Emitting Surface (LES): 147.00mm L x 14.00mm W
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8993.28 грн
NTB-C145GNEW TRYDescription: LED ENG GREEN LINEAR STRIP
Packaging: Case
Color: Green
Size / Dimension: 155.00mm L x 21.00mm W
Type: LED Engine
Configuration: Linear Light Strip, Plug and Play
Height: 29.00mm
Current - Test: 420mA
Lens Type: Flat
Light Emitting Surface (LES): 147.00mm L x 14.00mm W
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8993.28 грн
NTB-C145RNEW TRYDescription: LED ENG RED LINEAR STRIP
Packaging: Case
Color: Red
Size / Dimension: 155.00mm L x 21.00mm W
Type: LED Engine
Configuration: Linear Light Strip, Plug and Play
Height: 29.00mm
Current - Test: 420mA
Lens Type: Flat
Light Emitting Surface (LES): 147.00mm L x 14.00mm W
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8993.28 грн
NTB-C145WNEW TRYDescription: LED ENG WHITE LINEAR STRIP
Packaging: Case
Color: White
Size / Dimension: 155.00mm L x 21.00mm W
Type: LED Engine
Configuration: Linear Light Strip, Plug and Play
Height: 29.00mm
Current - Test: 420mA
Lens Type: Flat
Light Emitting Surface (LES): 147.00mm L x 14.00mm W
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8993.28 грн
NTB-C145W-ANEW TRYDescription: LED ENG WHITE LINEAR STRIP
Packaging: Case
Color: White
Size / Dimension: 155.00mm L x 21.00mm W
Type: LED Engine
Configuration: Linear Light Strip, Plug and Play
Height: 29.00mm
Current - Test: 420mA
Lens Type: Flat
Light Emitting Surface (LES): 147.00mm L x 14.00mm W
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8993.28 грн
NTB-C220BNEW TRYDescription: LED ENG BLUE LINEAR STRIP
Packaging: Case
Color: Blue
Size / Dimension: 230.00mm L x 21.00mm W
Type: LED Engine
Configuration: Linear Light Strip, Plug and Play
Height: 29.00mm
Current - Test: 530mA
Lens Type: Flat
Light Emitting Surface (LES): 220.00mm L x 14.00mm W
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+11151.14 грн
NTB-C220GNEW TRYDescription: LED ENG GREEN LINEAR STRIP
Packaging: Case
Color: Green
Size / Dimension: 230.00mm L x 21.00mm W
Type: LED Engine
Configuration: Linear Light Strip, Plug and Play
Height: 29.00mm
Current - Test: 530mA
Lens Type: Flat
Light Emitting Surface (LES): 220.00mm L x 14.00mm W
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+11151.14 грн
NTB-C220RNEW TRYDescription: LED ENG RED LINEAR STRIP
Packaging: Case
Color: Red
Size / Dimension: 230.00mm L x 21.00mm W
Type: LED Engine
Configuration: Linear Light Strip, Plug and Play
Height: 29.00mm
Current - Test: 530mA
Lens Type: Flat
Light Emitting Surface (LES): 220.00mm L x 14.00mm W
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+11151.14 грн
NTB-C220WNEW TRYDescription: LED ENG WHITE LINEAR STRIP
Packaging: Case
Color: White
Size / Dimension: 230.00mm L x 21.00mm W
Type: LED Engine
Configuration: Linear Light Strip, Plug and Play
Height: 29.00mm
Current - Test: 530mA
Lens Type: Flat
Light Emitting Surface (LES): 220.00mm L x 14.00mm W
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+11151.14 грн
NTB-C295RNEW TRYDescription: LED ENG RED LINEAR STRIP
Packaging: Case
Color: Red
Size / Dimension: 305.00mm L x 21.00mm W
Type: LED Engine
Configuration: Linear Light Strip, Plug and Play
Height: 29.00mm
Current - Test: 720mA
Lens Type: Flat
Light Emitting Surface (LES): 295.00mm L x 14.00mm W
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+14792.36 грн
NTB-C295WNEW TRYDescription: LED ENG WHITE LINEAR STRIP
Packaging: Case
Color: White
Size / Dimension: 305.00mm L x 21.00mm W
Type: LED Engine
Configuration: Linear Light Strip, Plug and Play
Height: 29.00mm
Current - Test: 720mA
Lens Type: Flat
Light Emitting Surface (LES): 295.00mm L x 14.00mm W
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+14792.36 грн
NTB-C370BNEW TRYDescription: LED ENG BLUE LINEAR STRIP
Packaging: Case
Color: Blue
Size / Dimension: 308.00mm L x 21.00mm W
Type: LED Engine
Configuration: Linear Light Strip, Plug and Play
Height: 29.00mm
Current - Test: 950mA
Lens Type: Flat
Light Emitting Surface (LES): 370.00mm L x 14.00mm W
товар відсутній
NTB-C370GNEW TRYDescription: LED ENG GREEN LINEAR STRIP
Packaging: Case
Color: Green
Size / Dimension: 308.00mm L x 21.00mm W
Type: LED Engine
Configuration: Linear Light Strip, Plug and Play
Height: 29.00mm
Current - Test: 950mA
Lens Type: Flat
Light Emitting Surface (LES): 370.00mm L x 14.00mm W
товар відсутній
NTB-C370RNEW TRYDescription: LED ENG RED LINEAR STRIP
Packaging: Case
Color: Red
Size / Dimension: 308.00mm L x 21.00mm W
Type: LED Engine
Configuration: Linear Light Strip, Plug and Play
Height: 29.00mm
Current - Test: 950mA
Lens Type: Flat
Light Emitting Surface (LES): 370.00mm L x 14.00mm W
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+17081.66 грн
NTB-C370WNEW TRYDescription: LED ENG WHITE LINEAR STRIP
Packaging: Case
Color: White
Size / Dimension: 308.00mm L x 21.00mm W
Type: LED Engine
Configuration: Linear Light Strip, Plug and Play
Height: 29.00mm
Current - Test: 950mA
Lens Type: Flat
Light Emitting Surface (LES): 370.00mm L x 14.00mm W
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+17081.66 грн
NTB-C445BNEW TRYDescription: LED ENG BLUE
Packaging: Case
Color: Blue
Type: LED Engine
Part Status: Active
товар відсутній
NTB-C445GNEW TRYDescription: LED ENG GREEN
Packaging: Case
Color: Green
Type: LED Engine
Part Status: Active
товар відсутній
NTB-C445RNEW TRYDescription: LED ENG RED
Packaging: Case
Color: Red
Type: LED Engine
Part Status: Active
товар відсутній
NTB-C445WNEW TRYDescription: LED ENG WHITE
Packaging: Case
Color: White
Type: LED Engine
Part Status: Active
товар відсутній
NTB-C75BNEW TRYDescription: LED ENG BLUE LINEAR STRIP
Packaging: Case
Color: Blue
Size / Dimension: 80.50mm L x 21.00mm W
Type: LED Engine
Configuration: Linear Light Strip, Plug and Play
Height: 29.00mm
Current - Test: 210mA
Lens Type: Flat
Light Emitting Surface (LES): 72.50mm L x 14.00mm W
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7076.62 грн
NTB-C75GNEW TRYDescription: LED ENG GREEN LINEAR STRIP
Packaging: Case
Color: Green
Size / Dimension: 80.50mm L x 21.00mm W
Type: LED Engine
Configuration: Linear Light Strip, Plug and Play
Height: 29.00mm
Current - Test: 210mA
Lens Type: Flat
Light Emitting Surface (LES): 72.50mm L x 14.00mm W
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7076.62 грн
NTB-C75RNEW TRYDescription: LED ENG RED LINEAR STRIP
Packaging: Case
Color: Red
Size / Dimension: 80.50mm L x 21.00mm W
Type: LED Engine
Configuration: Linear Light Strip, Plug and Play
Height: 29.00mm
Current - Test: 210mA
Lens Type: Flat
Light Emitting Surface (LES): 72.50mm L x 14.00mm W
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7076.62 грн
NTB-C75WNEW TRYDescription: LED ENG WHITE LINEAR STRIP
Packaging: Case
Color: White
Size / Dimension: 80.50mm L x 21.00mm W
Type: LED Engine
Configuration: Linear Light Strip, Plug and Play
Height: 29.00mm
Current - Test: 210mA
Lens Type: Flat
Light Emitting Surface (LES): 72.50mm L x 14.00mm W
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7076.62 грн
NTB-D149B-PNEW TRYDescription: LED ENG BLUE LINEAR STRIP
Packaging: Case
Color: Blue
Size / Dimension: 155.00mm L x 25.00mm W
Type: LED Engine
Configuration: Linear Light Strip, Plug and Play
Height: 31.50mm
Current - Test: 430mA
Lens Type: Flat
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4698.49 грн
NTB-D149R-PNEW TRYDescription: LED ENG RED LINEAR STRIP
Packaging: Case
Color: Red
Size / Dimension: 155.00mm L x 25.00mm W
Type: LED Engine
Configuration: Linear Light Strip, Plug and Play
Height: 31.50mm
Current - Test: 270mA
Lens Type: Flat
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4698.49 грн
NTB-D149W-PNEW TRYDescription: LED ENG WHITE LINEAR STRIP
Packaging: Case
Color: White
Size / Dimension: 155.00mm L x 25.00mm W
Type: LED Engine
Configuration: Linear Light Strip, Plug and Play
Height: 31.50mm
Current - Test: 430mA
Lens Type: Flat
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3993.64 грн
NTB-D298B-PNEW TRYDescription: LED ENG BLUE LINEAR STRIP
Packaging: Case
Color: Blue
Size / Dimension: 304.00mm L x 25.00mm W
Type: LED Engine
Configuration: Linear Light Strip, Plug and Play
Height: 31.50mm
Current - Test: 870mA
Lens Type: Flat
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7977.17 грн
NTB-D298R-PNEW TRYDescription: LED ENG RED LINEAR STRIP
Packaging: Case
Color: Red
Size / Dimension: 304.00mm L x 25.00mm W
Type: LED Engine
Configuration: Linear Light Strip, Plug and Play
Height: 31.50mm
Current - Test: 520mA
Lens Type: Flat
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7977.17 грн
NTB-D298W-PNEW TRYDescription: LED ENG WHITE LINEAR STRIP
Packaging: Case
Color: White
Size / Dimension: 304.00mm L x 25.00mm W
Type: LED Engine
Configuration: Linear Light Strip, Plug and Play
Height: 31.50mm
Current - Test: 870mA
Lens Type: Flat
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7076.62 грн
NTB-D447B-PNEW TRYDescription: LED ENG BLUE LINEAR STRIP
Packaging: Case
Color: Blue
Size / Dimension: 453.00mm L x 25.00mm W
Type: LED Engine
Configuration: Linear Light Strip, Plug and Play
Height: 31.50mm
Current - Test: 1.29A
Lens Type: Flat
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10696.17 грн
NTB-D447R-PNEW TRYDescription: LED ENG RED LINEAR STRIP
Packaging: Case
Color: Red
Size / Dimension: 453.00mm L x 25.00mm W
Type: LED Engine
Configuration: Linear Light Strip, Plug and Play
Height: 31.50mm
Current - Test: 780mA
Lens Type: Flat
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10696.17 грн
NTB-D447W-PNEW TRYDescription: LED ENG WHITE LINEAR STRIP
Packaging: Case
Color: White
Size / Dimension: 453.00mm L x 25.00mm W
Type: LED Engine
Configuration: Linear Light Strip, Plug and Play
Height: 31.50mm
Current - Test: 1.29A
Lens Type: Flat
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9713.29 грн
NTB-D596B-PNEW TRYDescription: LED ENG BLUE LINEAR STRIP
Packaging: Case
Color: Blue
Size / Dimension: 602.00mm L x 25.00mm W
Type: LED Engine
Configuration: Linear Light Strip, Plug and Play
Height: 31.50mm
Current - Test: 1.68A
Lens Type: Flat
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+14109.18 грн
NTB-D596R-PNEW TRYDescription: LED ENG RED LINEAR STRIP
Packaging: Case
Color: Red
Size / Dimension: 602.00mm L x 25.00mm W
Type: LED Engine
Configuration: Linear Light Strip, Plug and Play
Height: 31.50mm
Current - Test: 1A
Lens Type: Flat
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+14071.63 грн
NTB-D596W-PNEW TRYDescription: LED ENG WHITE LINEAR STRIP
Packaging: Case
Color: White
Size / Dimension: 602.00mm L x 25.00mm W
Type: LED Engine
Configuration: Linear Light Strip, Plug and Play
Height: 31.50mm
Current - Test: 1.68A
Lens Type: Flat
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+12175.19 грн
NTB-D745B-PNEW TRYDescription: LED ENG BLUE LINEAR STRIP
Packaging: Case
Color: Blue
Size / Dimension: 751.00mm L x 25.00mm W
Type: LED Engine
Configuration: Linear Light Strip, Plug and Play
Height: 31.50mm
Current - Test: 2A
Lens Type: Flat
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+16300.27 грн
NTB-D745R-PNEW TRYDescription: LED ENG RED LINEAR STRIP
Packaging: Case
Color: Red
Size / Dimension: 751.00mm L x 25.00mm W
Type: LED Engine
Configuration: Linear Light Strip, Plug and Play
Height: 31.50mm
Current - Test: 1.2A
Lens Type: Flat
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+16300.27 грн
NTB-D745W-PNEW TRYDescription: LED ENG WHITE LINEAR STRIP
Packaging: Case
Color: White
Size / Dimension: 751.00mm L x 25.00mm W
Type: LED Engine
Configuration: Linear Light Strip, Plug and Play
Height: 31.50mm
Current - Test: 2A
Lens Type: Flat
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+14169.12 грн
NTB004N10GONSEMIDescription: ONSEMI - NTB004N10G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 201 A, 0.0034 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 201A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
на замовлення 1848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+381.95 грн
100+ 301.07 грн
500+ 262.18 грн
800+ 233.66 грн
1600+ 225.32 грн
Мінімальне замовлення: 10
NTB004N10GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 201A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
NTB004N10GONSEMIDescription: ONSEMI - NTB004N10G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 201 A, 0.0034 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 201A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
на замовлення 1848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+506.27 грн
10+ 381.95 грн
100+ 301.07 грн
500+ 262.18 грн
800+ 233.66 грн
1600+ 225.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTB004N10GonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 201A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 201A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 340W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11900 pF @ 50 V
на замовлення 9878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+441.97 грн
10+ 384.71 грн
25+ 366.83 грн
100+ 285.48 грн
250+ 260.29 грн
NTB004N10GON Semiconductor
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB004N10GonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 201A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 201A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 340W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11900 pF @ 50 V
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+269.45 грн
1600+ 232.63 грн
2400+ 223.68 грн
Мінімальне замовлення: 800
NTB004N10GonsemiMOSFET MV5 SOAFET 4.2MOHM 100V N-FET, D2PAK
на замовлення 748 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+477.45 грн
10+ 419.96 грн
25+ 338.48 грн
100+ 288.41 грн
250+ 261.7 грн
500+ 254.36 грн
800+ 222.98 грн
NTB0101AGWHNXP SemiconductorsDescription: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL SOT363
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Output Type: Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Data Rate: 100Mbps
Supplier Device Package: SOT-363
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 1
Voltage - VCCA: 1.65 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 2.3 V ~ 5.5 V
Number of Circuits: 1
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1479+13.67 грн
Мінімальне замовлення: 1479
NTB0101AGWHNXPDescription: NXP - NTB0101AGWH - Logik, Transceiver, Umsetzung, Produktfamilie NTB0101A, 1.65V-5.5V Versorgungsspannung, SC-88-6
Logik-IC-Sockelnummer: -
Logik-IC-Familie: -
Bauform - Logikbaustein: SC-88
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Logikfamilie / Sockelnummer: NTB0101A
Logikbaustein: Transceiver, umsetzend
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
товар відсутній
NTB0101AGWHNXP USA Inc.Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 6TSSOP
Features: Auto-Direction Sensing
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Output Type: Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Data Rate: 100Mbps
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 1
Voltage - VCCA: 1.2 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 5.5 V
Number of Circuits: 1
товар відсутній
NTB0101AGWHNXP SemiconductorsVoltage Level Translator 1-CH Bidirectional 6-Pin TSSOP T/R
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTB0101AGWHNXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels Dual supply translating transcvr
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTB0101AGWHNXPDescription: NXP - NTB0101AGWH - Logik, Transceiver, Umsetzung, Produktfamilie NTB0101A, 1.65V-5.5V Versorgungsspannung, SC-88-6
Logik-IC-Sockelnummer: -
Logik-IC-Familie: -
Bauform - Logikbaustein: SC-88
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Logikfamilie / Sockelnummer: NTB0101A
Logikbaustein: Transceiver, umsetzend
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
товар відсутній
NTB0101AGWHNXP USA Inc.Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 6TSSOP
Features: Auto-Direction Sensing
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Output Type: Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Data Rate: 100Mbps
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 1
Voltage - VCCA: 1.2 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 5.5 V
Number of Circuits: 1
товар відсутній
NTB0101AGWHNXP SemiconductorsVoltage Level Translator 1-CH Bidirectional 6-Pin TSSOP T/R
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+23.32 грн
27+ 21.76 грн
28+ 21.37 грн
50+ 18.92 грн
Мінімальне замовлення: 25
NTB0101AGWHNXP SemiconductorsVoltage Level Translator 1-CH Bidirectional 6-Pin TSSOP T/R
товар відсутній
NTB0101GF
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB0101GF,132NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 1-CH Bidirectional 6-Pin XSON T/R
на замовлення 4853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+30.99 грн
22+ 27.08 грн
100+ 20.92 грн
500+ 16.14 грн
1000+ 11.71 грн
Мінімальне замовлення: 19
NTB0101GF,132NXP USA Inc.Description: IC TRNSLTR BIDIRECTIONAL 6XSON
товар відсутній
NTB0101GF,132NXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels 4.2ns 6.5V 250mW OD
на замовлення 7930 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTB0101GF,132NXP USA Inc.Description: IC TRNSLTR BIDIRECTIONAL 6XSON
товар відсутній
NTB0101GF,132NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 1-CH Bidirectional 6-Pin XSON T/R
товар відсутній
NTB0101GF,132NXP USA Inc.Description: IC TRNSLTR BIDIRECTIONAL 6XSON
товар відсутній
NTB0101GM
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB0101GM,115NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 1-CH Bidirectional 6-Pin XSON T/R
на замовлення 4971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+29.81 грн
23+ 26.24 грн
25+ 26.06 грн
100+ 19.23 грн
250+ 17.63 грн
500+ 16.75 грн
1000+ 12.99 грн
3000+ 12.88 грн
Мінімальне замовлення: 20
NTB0101GM,115NXP USA Inc.Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 6XSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Auto-Direction Sensing
Package / Case: 6-XFDFN
Output Type: Tri-State, Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Data Rate: 100Mbps
Supplier Device Package: 6-XSON, SOT886 (1.45x1)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 1
Voltage - VCCA: 1.2 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 5.5 V
Number of Circuits: 1
на замовлення 1292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+38.28 грн
10+ 32.34 грн
25+ 30.4 грн
100+ 23.29 грн
250+ 21.63 грн
500+ 18.41 грн
1000+ 14.49 грн
Мінімальне замовлення: 8
NTB0101GM,115NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 1-CH Bidirectional 6-Pin XSON T/R
товар відсутній
NTB0101GM,115NXP USA Inc.Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 6XSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Auto-Direction Sensing
Package / Case: 6-XFDFN
Output Type: Tri-State, Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Data Rate: 100Mbps
Supplier Device Package: 6-XSON, SOT886 (1.45x1)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 1
Voltage - VCCA: 1.2 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 5.5 V
Number of Circuits: 1
товар відсутній
NTB0101GM,115NXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels 4.2ns 5.5V 250mW OD
на замовлення 4595 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+43.23 грн
10+ 35.93 грн
100+ 25.5 грн
250+ 23.63 грн
500+ 20.16 грн
1000+ 16.16 грн
2500+ 14.95 грн
Мінімальне замовлення: 8
NTB0101GN,132NXP USA Inc.Description: IC TRNSLTR BIDIRECTIONAL 6XSON
Features: Auto-Direction Sensing
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFDFN
Output Type: Tri-State, Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Data Rate: 100Mbps
Supplier Device Package: 6-XSON, SOT1115 (0.9x1)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 1
Voltage - VCCA: 1.2 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 5.5 V
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 1
товар відсутній
NTB0101GN,132NXP USA Inc.Description: IC TRNSLTR BIDIRECTIONAL 6XSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Auto-Direction Sensing
Package / Case: 6-XFDFN
Output Type: Tri-State, Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Data Rate: 100Mbps
Supplier Device Package: 6-XSON, SOT1115 (0.9x1)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 1
Voltage - VCCA: 1.2 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 5.5 V
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 1
товар відсутній
NTB0101GN132NXP USA Inc.Description: IC TRNSLTR BIDIRECTIONAL 6XSON
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1803+12.34 грн
Мінімальне замовлення: 1803
NTB0101GS,132NXP USA Inc.Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 6XSON
Features: Auto-Direction Sensing
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFDFN
Output Type: Tri-State, Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Data Rate: 100Mbps
Supplier Device Package: 6-XSON, SOT1202 (1x1)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 1
Voltage - VCCA: 1.2 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 5.5 V
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 1
на замовлення 2254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+33.22 грн
11+ 27.4 грн
25+ 25.56 грн
100+ 19.2 грн
250+ 17.83 грн
500+ 15.08 грн
1000+ 11.47 грн
Мінімальне замовлення: 9
NTB0101GS,132NXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels Transceiver Dual Supply
на замовлення 4035 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTB0101GS,132NXP USA Inc.Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 6XSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Auto-Direction Sensing
Package / Case: 6-XFDFN
Output Type: Tri-State, Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Data Rate: 100Mbps
Supplier Device Package: 6-XSON, SOT1202 (1x1)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 1
Voltage - VCCA: 1.2 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 5.5 V
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 1
товар відсутній
NTB0101GS132NXP USA Inc.Description: LINE TRANSCEIVER
на замовлення 3326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1803+12.34 грн
Мінімальне замовлення: 1803
NTB0101GS1XLNXP USA Inc.Description: IC PWR 1BIT BIDIRECTION 6X2SON
товар відсутній
NTB0101GS1ZNXP SemiconductorsVoltage Level Translator
товар відсутній
NTB0101GS1ZNXPDescription: NXP - NTB0101GS1Z - Logik, Transceiver, Umsetzung, Produktfamilie NTB0101, 1.65V-5.5V Versorgungsspannung, X2SON-6
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товар відсутній
NTB0101GS1ZNXP USA Inc.Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 6X2SON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFDFN
Output Type: Tri-State, Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Data Rate: 100Mbps
Supplier Device Package: 6-X2SON (1x1)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 1
Voltage - VCCA: 1.2 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 5.5 V
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 1
на замовлення 9680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+38.28 грн
10+ 32.27 грн
25+ 30.32 грн
100+ 23.23 грн
250+ 21.58 грн
500+ 18.37 грн
1000+ 14.45 грн
2500+ 13.1 грн
5000+ 12.19 грн
Мінімальне замовлення: 8
NTB0101GS1ZNXPDescription: NXP - NTB0101GS1Z - Logik, Transceiver, Umsetzung, Produktfamilie NTB0101, 1.65V-5.5V Versorgungsspannung, X2SON-6
Logik-IC-Sockelnummer: -
Logik-IC-Familie: -
Bauform - Logikbaustein: X2SON
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Logikfamilie / Sockelnummer: NTB0101
Logikbaustein: Transceiver, umsetzend
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товар відсутній
NTB0101GS1ZNXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels 1bit bidirection push-pull xlator
на замовлення 8922 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+54.52 грн
10+ 47.22 грн
100+ 31.51 грн
250+ 29.24 грн
Мінімальне замовлення: 6
NTB0101GS1ZNXP USA Inc.Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 6X2SON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN
Output Type: Tri-State, Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Data Rate: 100Mbps
Supplier Device Package: 6-X2SON (1x1)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 1
Voltage - VCCA: 1.2 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 5.5 V
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 1
товар відсутній
NTB0101GW,125NXP USA Inc.Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 6TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Auto-Direction Sensing
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Output Type: Tri-State, Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Data Rate: 100Mbps
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 1
Voltage - VCCA: 1.2 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 5.5 V
Part Status: Not For New Designs
Number of Circuits: 1
товар відсутній
NTB0101GW,125NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 1-CH Bidirectional 6-Pin TSSOP T/R
товар відсутній
NTB0101GW,125NXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels Transceiver Dual Supply
на замовлення 7553 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+58.42 грн
10+ 48.83 грн
100+ 29.44 грн
500+ 24.9 грн
Мінімальне замовлення: 6
NTB0101GW,125NXPDescription: NXP - NTB0101GW,125 - Transceiver, 1.2V bis 3.6V, SC-88-6
Logik-IC-Sockelnummer: -
Logik-IC-Familie: NT
Bauform - Logikbaustein: SC-88
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.2
Logikfamilie / Sockelnummer: -
Logikbaustein: Transceiver, umsetzend
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 3.6
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
NTB0101GW,125NXP USA Inc.Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 6TSSOP
Features: Auto-Direction Sensing
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Output Type: Tri-State, Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Data Rate: 100Mbps
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 1
Voltage - VCCA: 1.2 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 5.5 V
Part Status: Not For New Designs
Number of Circuits: 1
на замовлення 3708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.44 грн
10+ 33.8 грн
25+ 31.54 грн
100+ 23.67 грн
250+ 21.98 грн
500+ 18.6 грн
1000+ 14.14 грн
Мінімальне замовлення: 8
NTB0101GW,125NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 1-CH Bidirectional 6-Pin TSSOP T/R
на замовлення 6866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+38.83 грн
18+ 32.36 грн
25+ 32.04 грн
100+ 20.96 грн
250+ 19.21 грн
500+ 18.25 грн
1000+ 13.13 грн
3000+ 12.16 грн
6000+ 12.03 грн
Мінімальне замовлення: 15
NTB0101GW,125NXPDescription: NXP - NTB0101GW,125 - Transceiver, 1.2V bis 3.6V, SC-88-6
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
NTB0101GW-Q100HNXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels Dual supply translating transcvr
товар відсутній
NTB0101GW-Q100HNXP USA Inc.Description: IC TRNSLTR BIDIRECTIONAL 6TSSOP
товар відсутній
NTB0101GW-Q100HNXP SemiconductorsVoltage Level Translator 1-CH Bidirectional Automotive 6-Pin TSSOP T/R
товар відсутній
NTB0101GW-Q100HNXP SemiconductorsVoltage Level Translator 1-CH Bidirectional Automotive 6-Pin TSSOP T/R
товар відсутній
NTB0102DPNXPVoltage Level Translation Bidirectional Dual supply; 100Mbps; 250mW; 1,65V~5,5V; -40°C~85°C; Substitute: NTB0102DP,125; NTB0102DP UINTB0102dp
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+106.98 грн
Мінімальне замовлення: 5
NTB0102DP,125NXPDescription: NXP - NTB0102DP,125 - Pegelumsetzer, Transceiver, 2 Eingänge, 5.9ns, 1.65V bis 5.5V, TSSOP-8
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
NTB0102DP,125NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 2-CH Bidirectional 8-Pin TSSOP T/R
товар відсутній
NTB0102DP,125NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 2-CH Bidirectional 8-Pin TSSOP T/R
товар відсутній
NTB0102DP,125NXP USA Inc.Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Auto-Direction Sensing
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Output Type: Tri-State, Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Data Rate: 100Mbps
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 2
Voltage - VCCA: 1.2 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 5.5 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 12322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.44 грн
10+ 68.36 грн
25+ 64.9 грн
100+ 50.04 грн
250+ 46.77 грн
500+ 41.34 грн
1000+ 32.1 грн
Мінімальне замовлення: 4
NTB0102DP,125NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 2-CH Bidirectional 8-Pin TSSOP T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTB0102DP,125NXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels 4.4ns 6.5V 250mW
на замовлення 4120 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+84.9 грн
10+ 73.55 грн
100+ 48.4 грн
500+ 42.99 грн
1000+ 33.25 грн
3000+ 31.64 грн
6000+ 30.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
NTB0102DP,125NXPDescription: NXP - NTB0102DP,125 - Pegelumsetzer, Transceiver, 2 Eingänge, 5.9ns, 1.65V bis 5.5V, TSSOP-8
Bauform - Logikbaustein: TSSOP
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Logiktyp: Umsetzender Transceiver
Ausbreitungsverzögerung: 5.9
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Anzahl der Eingänge: 2
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
NTB0102DP,125NXP USA Inc.Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Auto-Direction Sensing
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Output Type: Tri-State, Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Data Rate: 100Mbps
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 2
Voltage - VCCA: 1.2 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 5.5 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+33.7 грн
6000+ 30.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTB0102DP-Q100125NXP USA Inc.Description: DUAL SUPPLY TRANSLATING TRANSCEI
товар відсутній
NTB0102DP-Q100HNXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels Dual supply translating transcvr
на замовлення 4032 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+90.35 грн
10+ 76.39 грн
100+ 50.61 грн
500+ 44.73 грн
1000+ 35.32 грн
3000+ 32.91 грн
6000+ 31.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
NTB0102DP-Q100HNXP USA Inc.Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 8TSSOP
Features: Auto-Direction Sensing
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Output Type: Tri-State, Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Data Rate: 100Mbps
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 2
Voltage - VCCA: 1.2 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 5.5 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 14363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.22 грн
10+ 73.51 грн
25+ 69.79 грн
100+ 53.81 грн
250+ 50.3 грн
500+ 44.45 грн
1000+ 34.52 грн
Мінімальне замовлення: 4
NTB0102DP-Q100HNXPDescription: NXP - NTB0102DP-Q100H - Pegelumsetzer, Transceiver, AEC-Q100, 2 Eingänge, 5.9ns, 1.65V bis 5.5V, TSSOP-8
Bauform - Logikbaustein: TSSOP
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Logiktyp: Umsetzender Transceiver
Ausbreitungsverzögerung: 5.9
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Anzahl der Eingänge: 2
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
NTB0102DP-Q100HNXP SemiconductorsVoltage Level Translator 2-CH Bidirectional Automotive 8-Pin TSSOP T/R
товар відсутній
NTB0102DP-Q100HNXP USA Inc.Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 8TSSOP
Features: Auto-Direction Sensing
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Output Type: Tri-State, Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Data Rate: 100Mbps
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 2
Voltage - VCCA: 1.2 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 5.5 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+36.24 грн
6000+ 33.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTB0102DP-Q100HNXP SemiconductorsVoltage Level Translator 2-CH Bidirectional Automotive 8-Pin TSSOP T/R
товар відсутній
NTB0102DP-Q100HNXPDescription: NXP - NTB0102DP-Q100H - Pegelumsetzer, Transceiver, AEC-Q100, 2 Eingänge, 5.9ns, 1.65V bis 5.5V, TSSOP-8
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
NTB0102GD,125NXP USA Inc.Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 8XSON
Features: Auto-Direction Sensing
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-XFDFN
Output Type: Tri-State, Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Data Rate: 100Mbps
Supplier Device Package: 8-XSON, SOT996-2 (2x3)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 2
Voltage - VCCA: 1.2 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 5.5 V
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 1
товар відсутній
NTB0102GD,125NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 2-CH Bidirectional 8-Pin XSON8U T/R
товар відсутній
NTB0102GD,125NXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels Transceiver Dual Supply
на замовлення 1117 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTB0102GD,125NXP USA Inc.Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 8XSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Auto-Direction Sensing
Package / Case: 8-XFDFN
Output Type: Tri-State, Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Data Rate: 100Mbps
Supplier Device Package: 8-XSON, SOT996-2 (2x3)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 2
Voltage - VCCA: 1.2 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 5.5 V
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 1
товар відсутній
NTB0102GD,125NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 2-CH Bidirectional 8-Pin XSON8U T/R
товар відсутній
NTB0102GD,125NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 2-CH Bidirectional 8-Pin XSON8U T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+72.43 грн
10+ 63.91 грн
25+ 57.03 грн
100+ 51.07 грн
Мінімальне замовлення: 9
NTB0102GD-Q100NXP SemiconductorsVoltage Level Translator Automotive 8-Pin XSON
товар відсутній
NTB0102GD-Q100HNXP USA Inc.Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 8XSON
товар відсутній
NTB0102GD-Q100HNXP USA Inc.Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 8XSON
товар відсутній
NTB0102GF
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB0102GF,115NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 2-CH Bidirectional 8-Pin XSON T/R
товар відсутній
NTB0102GF,115NXP USA Inc.Description: IC TRNSLTR BIDIRECTIONAL 8XSON
товар відсутній
NTB0102GF,115NXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels DUAL XCVR AUTO DRECT SENSING; 3-STATE
на замовлення 4478 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+66.2 грн
10+ 57.35 грн
100+ 38.25 грн
250+ 35.52 грн
Мінімальне замовлення: 5
NTB0102GF,115NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 2-CH Bidirectional 8-Pin XSON T/R
товар відсутній
NTB0102GF,115NXP USA Inc.Description: IC TRNSLTR BIDIRECTIONAL 8XSON
на замовлення 1585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.44 грн
10+ 45.13 грн
25+ 42.39 грн
100+ 32.48 грн
250+ 30.17 грн
500+ 25.68 грн
1000+ 20.2 грн
Мінімальне замовлення: 6
NTB0102GT
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB0102GT,115NXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels DUAL SUPP 4.8ns 3.6V
на замовлення 23260 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+60.83 грн
10+ 49.6 грн
100+ 32.71 грн
500+ 27.17 грн
1000+ 21.03 грн
2500+ 19.69 грн
5000+ 18.76 грн
Мінімальне замовлення: 6
NTB0102GT,115NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 2-CH Bidirectional 8-Pin XSON T/R
товар відсутній
NTB0102GT,115NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 2-CH Bidirectional 8-Pin XSON T/R
на замовлення 8788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+51.13 грн
14+ 42.64 грн
25+ 42.22 грн
100+ 28.21 грн
250+ 25.86 грн
500+ 24.57 грн
1000+ 18.2 грн
3000+ 18.01 грн
6000+ 17.86 грн
Мінімальне замовлення: 12
NTB0102GT,115NXP USA Inc.Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 8XSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Auto-Direction Sensing
Package / Case: 8-XFDFN
Output Type: Tri-State, Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Data Rate: 100Mbps
Supplier Device Package: 8-XSON, SOT833-1 (1.95x1)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 2
Voltage - VCCA: 1.2 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 5.5 V
Part Status: Not For New Designs
Number of Circuits: 1
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+20.2 грн
Мінімальне замовлення: 5000
NTB0102GT,115NXP USA Inc.Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 8XSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Auto-Direction Sensing
Package / Case: 8-XFDFN
Output Type: Tri-State, Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Data Rate: 100Mbps
Supplier Device Package: 8-XSON, SOT833-1 (1.95x1)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 2
Voltage - VCCA: 1.2 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 5.5 V
Part Status: Not For New Designs
Number of Circuits: 1
на замовлення 6394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.33 грн
10+ 47.57 грн
25+ 44.67 грн
100+ 34.22 грн
250+ 31.78 грн
500+ 27.05 грн
1000+ 21.28 грн
2500+ 19.29 грн
Мінімальне замовлення: 6
NTB0102GT,115NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 2-CH Bidirectional 8-Pin XSON T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+34.82 грн
Мінімальне замовлення: 5000
NTB0102JKZNXP USA Inc.Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 8XSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-XFDFN
Output Type: Tri-State
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Data Rate: 100Mbps
Supplier Device Package: 8-X2SON (1.35x1)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 2
Voltage - VCCA: 1.2 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 5.5 V
Number of Circuits: 1
товар відсутній
NTB0102JKZNXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels NTB0102JK
товар відсутній
NTB0102JKZNXP SemiconductorsNTB0102JK
товар відсутній
NTB0104BQ
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB0104BQ,115NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 4-CH Bidirectional 14-Pin DHVQFN EP T/R
товар відсутній
NTB0104BQ,115NXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels 4.2ns 5.5V 250mW OD Transceiver
на замовлення 63618 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+84.12 грн
10+ 70.1 грн
100+ 46.8 грн
500+ 41.33 грн
1000+ 32.58 грн
3000+ 30.44 грн
6000+ 28.91 грн
Мінімальне замовлення: 4
NTB0104BQ,115NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 4-CH Bidirectional 14-Pin DHVQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+32.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTB0104BQ,115NXP USA Inc.Description: IC TRANSLATOR BIDIR 14DHVQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Auto-Direction Sensing
Package / Case: 14-VFQFN Exposed Pad
Output Type: Tri-State, Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Data Rate: 100Mbps
Supplier Device Package: 14-DHVQFN (2.5x3)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 4
Voltage - VCCA: 1.2 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 5.5 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 23967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+78.72 грн
10+ 67.32 грн
25+ 63.95 грн
100+ 49.28 грн
250+ 46.07 грн
500+ 40.71 грн
1000+ 31.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
NTB0104BQ,115NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 4-CH Bidirectional 14-Pin DHVQFN EP T/R
товар відсутній
NTB0104BQ,115NXP USA Inc.Description: IC TRANSLATOR BIDIR 14DHVQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Auto-Direction Sensing
Package / Case: 14-VFQFN Exposed Pad
Output Type: Tri-State, Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Data Rate: 100Mbps
Supplier Device Package: 14-DHVQFN (2.5x3)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 4
Voltage - VCCA: 1.2 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 5.5 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+33.2 грн
6000+ 30.37 грн
15000+ 29.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTB0104BQ-Q100115NXP USA Inc.Description: DUAL SUPPLY TRANSLATING TRANSCEI
товар відсутній
NTB0104BQ-Q100XNXP USA Inc.Description: IC TRANSLATOR BIDIR 14DHVQFN
Features: Auto-Direction Sensing
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-VFQFN Exposed Pad
Output Type: Tri-State, Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Data Rate: 100Mbps
Supplier Device Package: 14-DHVQFN (2.5x3)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 4
Voltage - VCCA: 1.2 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 5.5 V
Grade: Automotive
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 8915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+92.44 грн
10+ 79.7 грн
25+ 75.63 грн
100+ 58.33 грн
250+ 54.52 грн
500+ 48.18 грн
1000+ 37.41 грн
Мінімальне замовлення: 4
NTB0104BQ-Q100XNXP SemiconductorsVoltage Level Translator 4-CH Bidirectional Automotive 14-Pin DHVQFN EP T/R
товар відсутній
NTB0104BQ-Q100XNXP USA Inc.Description: IC TRANSLATOR BIDIR 14DHVQFN
Features: Auto-Direction Sensing
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-VFQFN Exposed Pad
Output Type: Tri-State, Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Data Rate: 100Mbps
Supplier Device Package: 14-DHVQFN (2.5x3)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 4
Voltage - VCCA: 1.2 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 5.5 V
Grade: Automotive
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+39.28 грн
6000+ 35.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTB0104BQ-Q100XNXP SemiconductorsVoltage Level Translator 4-CH Bidirectional Automotive 14-Pin DHVQFN EP T/R
товар відсутній
NTB0104BQ-Q100XNXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels Dual supply translating transcvr
на замовлення 5551 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+98.14 грн
10+ 84.45 грн
100+ 55.81 грн
500+ 46.6 грн
1000+ 38.52 грн
3000+ 36.59 грн
6000+ 34.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
NTB0104BQ-Q100XNXP SemiconductorsVoltage Level Translator 4-CH Bidirectional Automotive 14-Pin DHVQFN EP T/R
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTB0104GU12
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB0104GU12,115NXPDescription: NXP - NTB0104GU12,115 - Transceiver, 1.2V bis 3.6V, XQFN-12
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: -
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: NT
Bauform - Logikbaustein: XQFN
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.2V
Logikfamilie / Sockelnummer: -
euEccn: NLR
Logikbaustein: Transceiver, umsetzend
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 10433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+63.06 грн
500+ 49.45 грн
1000+ 36.72 грн
4000+ 32.74 грн
8000+ 32.1 грн
Мінімальне замовлення: 100
NTB0104GU12,115NXP USA Inc.Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 12XQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Auto-Direction Sensing
Package / Case: 12-XFQFN
Output Type: Tri-State, Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Data Rate: 100Mbps
Supplier Device Package: 12-XQFN (2x1.7)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 4
Voltage - VCCA: 1.2 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 5.5 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 22560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.94 грн
10+ 74.13 грн
25+ 70.35 грн
100+ 54.23 грн
250+ 50.69 грн
500+ 44.79 грн
1000+ 34.78 грн
Мінімальне замовлення: 4
NTB0104GU12,115NXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels DUAL SUPP 4.8ns 3.6V
на замовлення 29723 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+91.91 грн
10+ 77.54 грн
100+ 51.54 грн
500+ 45.53 грн
1000+ 35.92 грн
2000+ 35.18 грн
4000+ 33.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
NTB0104GU12,115NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 4-CH Bidirectional 12-Pin XQFN T/R
товар відсутній
NTB0104GU12,115NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 4-CH Bidirectional 12-Pin XQFN T/R
товар відсутній
NTB0104GU12,115NXPDescription: NXP - NTB0104GU12,115 - Transceiver, 1.2V bis 3.6V, XQFN-12
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: -
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: NT
Bauform - Logikbaustein: XQFN
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.2V
Logikfamilie / Sockelnummer: -
euEccn: NLR
Logikbaustein: Transceiver, umsetzend
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 10433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+104.1 грн
10+ 86.13 грн
100+ 63.06 грн
500+ 49.45 грн
1000+ 36.72 грн
4000+ 32.74 грн
8000+ 32.1 грн
Мінімальне замовлення: 8
NTB0104GU12,115NXP USA Inc.Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 12XQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Auto-Direction Sensing
Package / Case: 12-XFQFN
Output Type: Tri-State, Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Data Rate: 100Mbps
Supplier Device Package: 12-XQFN (2x1.7)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 4
Voltage - VCCA: 1.2 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 5.5 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+36.52 грн
8000+ 33.41 грн
12000+ 32.16 грн
Мінімальне замовлення: 4000
NTB0104GU12,115NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 4-CH Bidirectional 12-Pin XQFN T/R
товар відсутній
NTB0104UKNXP USA Inc.Description: DUAL SUPPLY TRANSLATING TRANSCEI
товар відсутній
NTB0104UK,012NXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels Dual supply translating transceiver; auto direction sensing; 3-state
на замовлення 6616 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+116.05 грн
10+ 103.65 грн
25+ 85.45 грн
100+ 70.1 грн
Мінімальне замовлення: 3
NTB0104UK,012NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 4-CH Bidirectional 12-Pin WLCSP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+86.05 грн
10+ 76.67 грн
25+ 75.42 грн
100+ 61.58 грн
250+ 56.45 грн
500+ 48.48 грн
1000+ 46.15 грн
3000+ 42.99 грн
Мінімальне замовлення: 7
NTB0104UK,012NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 4-CH Bidirectional 12-Pin WLCSP T/R
товар відсутній
NTB0104UK,012NXP USA Inc.Description: IC TRANSLATOR BIDIR 12WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Auto-Direction Sensing
Package / Case: 12-UFBGA, WLCSP
Output Type: Tri-State, Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Data Rate: 100Mbps
Supplier Device Package: 12-UFBGA, WLCSP
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 4
Voltage - VCCA: 1.2 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 5.5 V
Number of Circuits: 1
на замовлення 16148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.55 грн
10+ 77.26 грн
25+ 73.35 грн
100+ 56.55 грн
250+ 52.86 грн
500+ 46.71 грн
1000+ 36.28 грн
2500+ 33.86 грн
Мінімальне замовлення: 4
NTB0104UK,012NXP USA Inc.Description: IC TRANSLATOR BIDIR 12WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Auto-Direction Sensing
Package / Case: 12-UFBGA, WLCSP
Output Type: Tri-State, Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Data Rate: 100Mbps
Supplier Device Package: 12-UFBGA, WLCSP
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 4
Voltage - VCCA: 1.2 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 5.5 V
Number of Circuits: 1
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+36.18 грн
Мінімальне замовлення: 5000
NTB0104UK,012NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 4-CH Bidirectional 12-Pin WLCSP T/R
товар відсутній
NTB0104UK,012NXPDescription: NXP - NTB0104UK,012 - Pegelumsetzer, Transceiver, 4 Eingänge, 5.9ns, 1.65V bis 5.5V, WLCSP-12
Bauform - Logikbaustein: WLCSP
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Logiktyp: Umsetzender Transceiver
Ausbreitungsverzögerung: 5.9
Anzahl der Pins: 12
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Anzahl der Eingänge: 4
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 3266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+76.39 грн
12+ 65.08 грн
50+ 61.49 грн
100+ 53.69 грн
250+ 47.95 грн
500+ 43.78 грн
1000+ 43.46 грн
2500+ 42.56 грн
Мінімальне замовлення: 10
NTB0104UK,023NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 12-Pin WLCSP
товар відсутній
NTB0104UK-Q100ZNXP SemiconductorsVoltage Level Translator 4-CH Bidirectional Automotive 12-Pin WLCSP
товар відсутній
NTB0104UK-Q100ZNXP SemiconductorsVoltage Level Translator 4-CH Bidirectional Automotive 12-Pin WLCSP
товар відсутній
NTB0104UK-Q100ZNXP USA Inc.Description: IC TRANSLATOR BIDIR 12WLCSP
Features: Auto-Direction Sensing
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-UFBGA, WLCSP
Output Type: Tri-State, Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Data Rate: 100Mbps
Supplier Device Package: 12-UFBGA, WLCSP
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 4
Voltage - VCCA: 1.2 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 5.5 V
Grade: Automotive
Part Status: Last Time Buy
Number of Circuits: 1
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.33 грн
10+ 92.98 грн
25+ 88.29 грн
100+ 68.05 грн
250+ 63.61 грн
500+ 56.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
NTB0104UK-Q100ZNXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels Dual supply translating transceiver; auto direction sensing; 3-state
на замовлення 2231 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+123.06 грн
10+ 109.02 грн
25+ 89.46 грн
100+ 74.11 грн
250+ 68.76 грн
500+ 60.89 грн
1000+ 48.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
NTB0104UK-Q100ZNXP USA Inc.Description: IC TRANSLATOR BIDIR 12WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Auto-Direction Sensing
Package / Case: 12-UFBGA, WLCSP
Output Type: Tri-State, Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Data Rate: 100Mbps
Supplier Device Package: 12-UFBGA, WLCSP
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 4
Voltage - VCCA: 1.2 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 5.5 V
Part Status: Last Time Buy
Number of Circuits: 1
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товар відсутній
NTB011N15MConsemiMOSFET PTNG 150V N-FET D2PAK
на замовлення 153 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+325.57 грн
10+ 282.53 грн
25+ 232.33 грн
100+ 192.94 грн
250+ 174.91 грн
500+ 171.58 грн
800+ 136.86 грн
NTB011N15MConsemiDescription: NTB011N15MC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta), 75.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.9mOhm @ 41A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 136.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 223µA
Supplier Device Package: D²PAK-3 (TO-263-3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2810 pF @ 75 V
на замовлення 552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+295.37 грн
10+ 255.57 грн
25+ 241.62 грн
100+ 186.44 грн
250+ 167.29 грн
NTB011N15MConsemiDescription: NTB011N15MC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta), 75.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.9mOhm @ 41A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 136.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 223µA
Supplier Device Package: D²PAK-3 (TO-263-3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2810 pF @ 75 V
товар відсутній
NTB02-010MVYAGEODescription: YAGEO - NTB02-010MV - Thermistor, ICL, NTC, 10 Ohm, Produktreihe NT, 5mm, 2A
tariffCode: 85334010
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Zulassungen: TÜV, UL
Maximaler eingeschwungener Strom bei 25°C: 2A
euEccn: NLR
Maximale Nennenergie bei 25°C: -
hazardous: false
Temperaturabhängiger Widerstand bei 25°C: 10ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Scheibengröße: 5mm
usEccn: EAR99
Produktpalette: NT Series
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+13.63 грн
100+ 10.86 грн
500+ 8.46 грн
1000+ 7.09 грн
3500+ 5.78 грн
Мінімальне замовлення: 55
NTB082N65S3FonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 40A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3410 pF @ 400 V
товар відсутній
NTB082N65S3FonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 40A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3410 pF @ 400 V
товар відсутній
NTB082N65S3FonsemiMOSFET SUPERFET3 650V D2PAK PKG
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 1281-1290 дні (днів)
1+617.65 грн
10+ 522.84 грн
100+ 378.54 грн
500+ 375.87 грн
800+ 300.43 грн
NTB082N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
NTB095N65S3HFonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 36A D2PAK-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 860µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2930 pF @ 400 V
товар відсутній
NTB095N65S3HFonsemiMOSFET SUPERFET3 650V FRFET 95MO
на замовлення 800 шт:
термін постачання 150-159 дні (днів)
1+457.98 грн
10+ 386.95 грн
100+ 280.4 грн
800+ 222.32 грн
2400+ 212.97 грн
NTB095N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
NTB095N65S3HFonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 36A D2PAK-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 860µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2930 pF @ 400 V
товар відсутній
NTB1024Boca Bearing CompanyDescription: 10X24X2MM THRUST BEARING
Packaging: Bulk
Type: Thrust Bearing
Outer Diameter: 0.945" (24.00mm)
Inner Diameter: 0.394" (10.00mm)
Part Status: Active
товар відсутній
NTB10N40MotorolaDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2020 pF @ 25 V
товар відсутній
NTB10N40E
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB10N60onsemiDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товар відсутній
NTB110N65S3HFonsemiMOSFET SUPERFET3 650V FRFET,110MOHM, TO263
на замовлення 800 шт:
термін постачання 119-128 дні (днів)
1+471.22 грн
10+ 389.25 грн
25+ 319.12 грн
100+ 273.72 грн
250+ 260.37 грн
500+ 246.35 грн
800+ 216.31 грн
NTB110N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
NTB110N65S3HFON Semiconductor
на замовлення 2094 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB110N65S3HFonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 30A D2PAK-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 740µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2635 pF @ 400 V
товар відсутній
NTB110N65S3HFonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 30A D2PAK-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 740µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2635 pF @ 400 V
на замовлення 576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
86+236.66 грн
Мінімальне замовлення: 86
NTB110N65S3HFonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 30A D2PAK-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 740µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2635 pF @ 400 V
товар відсутній
NTB125N02RonsemiDescription: MOSFET N-CH 24V 95A/120.5A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Ta), 120.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.98W (Ta), 113.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3440 pF @ 20 V
товар відсутній
NTB125N02RONSOT-263
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB125N02RON07+ SOT-263
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB125N02RONTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB125N02RG
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB125N02RGonsemiDescription: MOSFET N-CH 24V 95A/120.5A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Ta), 120.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.98W (Ta), 113.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3440 pF @ 20 V
товар відсутній
NTB125N02RT4ONTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB125N02RT4onsemiDescription: MOSFET N-CH 24V 125A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
товар відсутній
NTB125N02RT4G
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB125N02RT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 24V 95A/120.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Ta), 120.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.98W (Ta), 113.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3440 pF @ 20 V
товар відсутній
NTB125N2
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB12N50MotorolaDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 202W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2520 pF @ 25 V
товар відсутній
NTB12N50ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Rail
товар відсутній
NTB12N50
на замовлення 8646 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB12N50T4onsemiDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 3989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
197+103.45 грн
Мінімальне замовлення: 197
NTB12N50T4
на замовлення 5589 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB13N10ON07+ SOT-263
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB13N10onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 13A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 64.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
товар відсутній
NTB13N10ONSOT-263
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB13N10GonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 13A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 64.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
товар відсутній
NTB13N10G
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB13N10T4
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB13N10T4G
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB13N10T4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 13A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 64.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
товар відсутній
NTB150N65S3HFON Semiconductor
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB150N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
NTB150N65S3HFonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 540µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1985 pF @ 400 V
товар відсутній
NTB150N65S3HFonsemiMOSFET Pwr MOSFET N-Chn SUPERFET III
на замовлення 2370 шт:
термін постачання 498-507 дні (днів)
1+382.43 грн
10+ 339.35 грн
100+ 241.68 грн
500+ 182.93 грн
800+ 173.58 грн
NTB150N65S3HFonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 540µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1985 pF @ 400 V
товар відсутній
NTB1730Boca Bearing CompanyDescription: 17X30X2MM THRUST BEARING
Packaging: Bulk
Type: Thrust Bearing
Outer Diameter: 1.181" (30.00mm)
Inner Diameter: 0.669" (17.00mm)
Part Status: Active
товар відсутній
NTB18N06onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 48.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
товар відсутній
NTB18N06onsemiMOSFET 60V 15A N-Channel
товар відсутній
NTB18N06ONSOT-263
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB18N06ON07+ SOT-263
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB18N06GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 48.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
товар відсутній
NTB18N06G
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB18N06GONSEMIDescription: ONSEMI - NTB18N06G - NTB18N06G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
750+37.67 грн
Мінімальне замовлення: 750
NTB18N06LONTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB18N06LonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 7.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 48.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
товар відсутній
NTB18N06LONSOT-263
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB18N06L(N.TB)
на замовлення 194 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB18N06LG
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB18N06LGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 7.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 48.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
товар відсутній
NTB18N06LT4onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 7.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 48.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
товар відсутній
NTB18N06LT4ONTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB18N06LT4GONTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB18N06LT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 7.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 48.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
товар відсутній
NTB18N06LT4GON0522+
на замовлення 2627 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB18N06LT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
NTB18N06LT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 7.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 48.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
товар відсутній
NTB18N06LT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
NTB18N06T4onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 48.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
товар відсутній
NTB18N06T4ONSEMIDescription: ONSEMI - NTB18N06T4 - NTB18N06T4, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 15586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1600+18.42 грн
Мінімальне замовлення: 1600
NTB18N06T4
на замовлення 26386 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB18N06T4G
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB18N06T4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 48.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
товар відсутній
NTB190N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
NTB190N65S3HFonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 162W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 430µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 400 V
товар відсутній
NTB190N65S3HFonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 162W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 430µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 400 V
товар відсутній
NTB190N65S3HFonsemiMOSFET SUPERFET3 650V FRFET 190M
на замовлення 800 шт:
термін постачання 119-128 дні (днів)
1+321.68 грн
10+ 266.41 грн
25+ 227.66 грн
100+ 187.6 грн
500+ 166.9 грн
800+ 134.19 грн
NTB190N65S3HFON Semiconductor
на замовлення 639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB1N100
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB22N06onsemiDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
на замовлення 2729 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2729+7.53 грн
Мінімальне замовлення: 2729
NTB22N06
на замовлення 2729 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB22N06LonsemiDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
товар відсутній
NTB22N06LG
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB22N06LT4
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB22N06LT4onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 22A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 11A, 5V
Power Dissipation (Max): 60W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 25 V
товар відсутній
NTB22N06T4onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 22A D2PAK
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1374+14.52 грн
Мінімальне замовлення: 1374
NTB22N06T4onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 22A D2PAK
товар відсутній
NTB22N06T4
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB23N03RONSEMIDescription: ONSEMI - NTB23N03R - 6A, 25V, 0.06OHM, N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 8250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.08 грн
Мінімальне замовлення: 2500
NTB23N03RonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 23A D2PAK
на замовлення 8250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2219+9.24 грн
Мінімальне замовлення: 2219
NTB23N03RON07+ SOT-263
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB23N03RONTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB23N03RonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 23A D2PAK
товар відсутній
NTB23N03RONSOT-263
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB23N03RGON07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB23N03RGonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 23A D2PAK
на замовлення 12350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2219+9.24 грн
Мінімальне замовлення: 2219
NTB23N03RGONSEMIDescription: ONSEMI - NTB23N03RG - NTB23N03RG, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 12350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+10.86 грн
Мінімальне замовлення: 2500
NTB23N03RGONTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB23N03RGonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 23A D2PAK
товар відсутній
NTB23N03RT4onsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 23A D2PAK
на замовлення 174372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2219+9.24 грн
Мінімальне замовлення: 2219
NTB23N03RT4ON07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB23N03RT4ONTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB23N03RT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 23A D2PAK
товар відсутній
NTB23N03RT4GONTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB23N03RT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 23A D2PAK
товар відсутній
NTB23N03RT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 23A D2PAK
на замовлення 11894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1312+15.18 грн
Мінімальне замовлення: 1312
NTB25P06ON07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB25P06ONTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB25P06onsemiMOSFET -60V -27.5A Pchannel
товар відсутній
NTB25P06onsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 25 V
товар відсутній
NTB25P06ONSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB25P06GonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 25 V
товар відсутній
NTB25P06GONTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB25P06GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 27.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Rail
товар відсутній
NTB25P06GON08+
на замовлення 392 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB25P06T4onsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK
товар відсутній
NTB25P06T4GONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -27.5A; 120W; D2PAK
Mounting: SMD
On-state resistance: 75mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 120W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±15V
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -27.5A
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
NTB25P06T4GonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 25 V
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTB25P06T4GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 27.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
NTB25P06T4GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 27.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
NTB25P06T4GONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -27.5A; 120W; D2PAK
Mounting: SMD
On-state resistance: 75mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 120W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±15V
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -27.5A
товар відсутній
NTB25P06T4GonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 25 V
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+151.66 грн
10+ 121.14 грн
100+ 96.4 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTB25P06T4GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 27.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
NTB25P06T4GonsemiMOSFET -60V -27.5A Pchannel
на замовлення 10375 шт:
термін постачання 315-324 дні (днів)
2+164.34 грн
10+ 135.12 грн
100+ 93.47 грн
250+ 88.79 грн
500+ 77.44 грн
800+ 63.36 грн
4800+ 61.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTB27N06ONTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB27N06ON07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB27N06LG
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB27N06LT4onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 27A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 13.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 88.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 25 V
на замовлення 20028 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
740+29.61 грн
Мінімальне замовлення: 740
NTB27N06LT4onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 27A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 13.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 88.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 25 V
товар відсутній
NTB27N06T4ONTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB27N06T4ON07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB27N06T4G
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB3055V
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB30N06ONSOT-263
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB30N06onsemiDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товар відсутній
NTB30N06ON07+ SOT-263
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB30N06G
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB30N06GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 27A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 88.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
товар відсутній
NTB30N06LONSOT-263
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB30N06LON07+ SOT-263
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB30N06LonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 15A, 5V
Power Dissipation (Max): 88.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V
товар відсутній
NTB30N06LONTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB30N06LGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 15A, 5V
Power Dissipation (Max): 88.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V
товар відсутній
NTB30N06LG
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB30N06LT4onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 15A, 5V
Power Dissipation (Max): 88.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V
товар відсутній
NTB30N06LT4ONTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB30N06LT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 15A, 5V
Power Dissipation (Max): 88.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V
товар відсутній
NTB30N06LT4G
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB30N06LT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
NTB30N06T4onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 27A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 88.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
товар відсутній
NTB30N06T4G
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB30N06T4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 27A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 88.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
товар відсутній
NTB30N20onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 30A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2335 pF @ 25 V
товар відсутній
NTB30N20ONSOT-263
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB30N20ON07+ SOT-263
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB30N20ONTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB30N20GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товар відсутній
NTB30N20GonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 30A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2335 pF @ 25 V
товар відсутній
NTB30N20T4ONTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB30N20T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
NTB30N20T4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 30A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2335 pF @ 25 V
товар відсутній
NTB30N20T4GON0848
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB30N20T4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 30A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2335 pF @ 25 V
товар відсутній
NTB30N20T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
NTB35N15ONSOT-263
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB35N15ON07+ SOT-263
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB35N15ONTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB35N15GON
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB35N15GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 150V 37A D2PAK
товар відсутній
NTB35N15T4ON07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB35N15T4ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 150V 37A D2PAK
товар відсутній
NTB35N15T4ONTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB35N15T4GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 150V 37A D2PAK
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTB35N15T4GON SemiconductorMOSFET 150V 37A N-Channel
на замовлення 1230 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTB35N15T4GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 150V 37A D2PAK
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTB36N06
на замовлення 45 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB3N120EONTO-263
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB4302ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 74A D2PAK
товар відсутній
NTB4302ONSOT-263
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB4302ON07+ SOT-263
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB4302ONTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB4302GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 74A D2PAK
товар відсутній
NTB4302T4ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 74A D2PAK
товар відсутній
NTB4302T4ON07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB4302T4ONTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB4302T4G
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB4302T4GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 74A D2PAK
товар відсутній
NTB45N06ON07+ SOT-263
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB45N06ONTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB45N06Rochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTB45N06ONSOT-263
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB45N06GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 45A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 125W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1725 pF @ 25 V
товар відсутній
NTB45N06GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товар відсутній
NTB45N06GOND2PAK
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB45N06GON
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB45N06LON07+ SOT-263
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB45N06LONTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB45N06LONSOT-263
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB45N06LRochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTB45N06LGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 45A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 22.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 125W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
товар відсутній
NTB45N06LGON07+;
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB45N06LGON07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB45N06LGONTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB45N06LT4ONTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB45N06LT4ON07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB45N06LT4onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 45A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 22.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 125W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
товар відсутній
NTB45N06LT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 45A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 22.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 125W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
товар відсутній
NTB45N06LT4GON SemiconductorMOSFET 60V 45A N-Channel
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTB45N06LT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 45A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 22.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 125W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
товар відсутній
NTB45N06LT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
NTB45N06T4ONTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB45N06T4Rochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTB45N06T4ON07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB45N06T4onsemiMOSFET 60V 45A N-Channel
товар відсутній
NTB45N06T4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 45A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 125W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1725 pF @ 25 V
товар відсутній
NTB45N06T4GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 30A; 125W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 30A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
NTB45N06T4GonsemiMOSFET 60V 45A N-Channel
товар відсутній
NTB45N06T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
NTB45N06T4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 45A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 125W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1725 pF @ 25 V
товар відсутній
NTB4N40E
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB50N06EL
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB52N10ON07+ SOT-263
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB52N10ONSOT-263
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB52N10G
на замовлення 41 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB52N10GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 52A D2PAK
товар відсутній
NTB52N10T4GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 52A D2PAK
товар відсутній
NTB52N10T4GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 52A D2PAK
товар відсутній
NTB52N10T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 52A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
NTB52N10T4GON08+
на замовлення 786 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB52N10T4GonsemiMOSFET 100V 52A N-Channel
товар відсутній
NTB52N10T4GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 52A D2PAK
товар відсутній
NTB52N10T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 52A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
NTB5404NT4G
на замовлення 900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB5404NT4GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 167A D2PAK
товар відсутній
NTB5405NGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 116A D2PAK
товар відсутній
NTB5405NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 116A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 32 V
товар відсутній
NTB5405NT4GON SemiconductorMOSFET NFET 40V 116A PB
на замовлення 852 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTB5405NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 116A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 32 V
на замовлення 14400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
332+60.68 грн
Мінімальне замовлення: 332
NTB5411NT4GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
товар відсутній
NTB5412NT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
NTB5412NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 0 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 25 V
на замовлення 23200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
307+64.69 грн
Мінімальне замовлення: 307
NTB5412NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 0 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 25 V
товар відсутній
NTB5426NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
на замовлення 7636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTB5605PON07+ SOT-263
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB5605PONSOT-263
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB5605PON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAK
товар відсутній
NTB5605PON09+ SMA
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB5605PONTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB5605PGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAK
товар відсутній
NTB5605PGRochester Electronics, LLCDescription: P-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTB5605PT4ONTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB5605PT4ON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAK
товар відсутній
NTB5605PT4ON07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB5605PT4GON SemiconductorMOSFET -60V -18.5A P-Channel
на замовлення 1781 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTB5605PT4GON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAK
на замовлення 3765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTB5605PT4GON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAK
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTB5605T4GON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAK
товар відсутній
NTB5D0N15MCON Semiconductor
на замовлення 625 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB5D0N15MConsemiMOSFET PTNG 150V N-FET D2PAK
на замовлення 2083 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+390.22 грн
10+ 323.22 грн
25+ 272.39 грн
100+ 226.99 грн
250+ 220.98 грн
500+ 213.64 грн
800+ 176.92 грн
NTB60N06ON07+ SOT-263
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB60N06onsemiMOSFET 60V 60A N-Channel
товар відсутній
NTB60N06ONTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB60N06ONSOT-263
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB60N06GON07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB60N06GONTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB60N06GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 150W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 25 V
товар відсутній
NTB60N06GonsemiMOSFET 60V 60A N-Channel
товар відсутній
NTB60N06LON07+ SOT-263
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB60N06LonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 150W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3075 pF @ 25 V
товар відсутній
NTB60N06LonsemiMOSFET 60V 60A N-Channel
товар відсутній
NTB60N06LONSOT-263
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB60N06LGonsemiMOSFET 60V 60A N-Channel
товар відсутній
NTB60N06LGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 150W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3075 pF @ 25 V
товар відсутній
NTB60N06LT4onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 150W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3075 pF @ 25 V
товар відсутній
NTB60N06LT4onsemiMOSFET 60V 60A N-Channel
товар відсутній
NTB60N06LT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 150W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3075 pF @ 25 V
товар відсутній
NTB60N06LT4GonsemiMOSFET 60V 60A N-Channel
товар відсутній
NTB60N06LT4G
на замовлення 520 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB60N06LT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 150W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3075 pF @ 25 V
товар відсутній
NTB60N06LT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
NTB60N06LT4GOSonsemiMOSFET Discrete Semiconductor Products FETs - Single - MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
товар відсутній
NTB60N06T4ON07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB60N06T4onsemiMOSFET 60V 60A N-Channel
товар відсутній
NTB60N06T4ONTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB60N06T4GonsemiMOSFET 60V 60A N-Channel
товар відсутній
NTB60N06T4GONTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB60N06T4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 150W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 25 V
товар відсутній
NTB60N06T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
NTB60N06T4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 150W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 25 V
товар відсутній
NTB60N06T4GOSonsemiMOSFET Discrete Semiconductor Products FETs - Single - MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
товар відсутній
NTB6410ANGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 76A D2PAK
товар відсутній
NTB6410ANT4GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 76A D2PAK
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTB6410ANT4GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 76A D2PAK
на замовлення 1087 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTB6410ANT4GonsemiMOSFET NFET D2PAK 100V 76A 13MOH
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 386-395 дні (днів)
2+250.02 грн
10+ 222.65 грн
25+ 182.93 грн
100+ 158.22 грн
500+ 134.86 грн
800+ 112.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTB6410ANT4GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 76A D2PAK
на замовлення 1087 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTB6410ANT4GON Semiconductor
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB6411ANGONSEMIDescription: ONSEMI - NTB6411ANG - NTB6411ANG, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1782 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+167.01 грн
Мінімальне замовлення: 250
NTB6411ANGonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 77A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 72A, 10V
Power Dissipation (Max): 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
товар відсутній
NTB6411ANT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 77A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 72A, 10V
Power Dissipation (Max): 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
товар відсутній
NTB6411ANT4GON Semiconductor
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB6411ANT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 77A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
NTB6411ANT4GonsemiMOSFET NFET D2PAK 100V 75A 16MO
товар відсутній
NTB6411ANT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTB6411ANT4G - NTB6411ANT4G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+167.01 грн
Мінімальне замовлення: 800
NTB6411ANT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 77A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
NTB6411ANT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 77A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 72A, 10V
Power Dissipation (Max): 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
товар відсутній
NTB6412ANGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 58A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+189.78 грн
25+ 138.35 грн
100+ 101.41 грн
500+ 73.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
NTB6412ANGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 58A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Rail
товар відсутній
NTB6412ANGonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 58A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.2mOhm @ 58A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
на замовлення 8806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
204+98.44 грн
Мінімальне замовлення: 204
NTB6412ANGonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 58A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.2mOhm @ 58A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
товар відсутній
NTB6412ANGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 58A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товар відсутній
NTB6412ANT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 58A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
NTB6412ANT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 58A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.2mOhm @ 58A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
товар відсутній
NTB6412ANT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 58A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.2mOhm @ 58A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
товар відсутній
NTB6412ANT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 58A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.2mOhm @ 58A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
на замовлення 2519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
204+98.44 грн
Мінімальне замовлення: 204
NTB6412ANT4GON Semiconductor
на замовлення 2192 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB6413ANGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK
товар відсутній
NTB6413ANGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+454.17 грн
25+ 371.6 грн
100+ 204.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTB6413ANT4GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK
товар відсутній
NTB6413ANT4GonsemiMOSFET NFET D2PAK 100V 40A 30MO
на замовлення 1497 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+142.54 грн
10+ 127.45 грн
100+ 90.8 грн
500+ 80.11 грн
800+ 65.49 грн
2400+ 61.29 грн
4800+ 59.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
NTB6413ANT4GON Semiconductor
на замовлення 540 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB6413ANT4GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTB6448ANGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
товар відсутній
NTB6448ANT4GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
товар відсутній
NTB65N02RON07+ SOT-263
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB65N02RONTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB65N02RonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 65A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.04W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 20 V
товар відсутній
NTB65N02RONSOT-263
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB65N02RGonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 65A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.04W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 20 V
товар відсутній
NTB65N02RT4ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 7.6A D2PAK
товар відсутній
NTB65N02RT4ONTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB65N02RT4ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 7.6A D2PAK
товар відсутній
NTB65N02RT4ONSOT263
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB65N02RT4G
на замовлення 442 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB65N02RT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 7.6A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.04W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 20 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
683+28.97 грн
Мінімальне замовлення: 683
NTB65N02RT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 7.6A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.04W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 20 V
товар відсутній
NTB6N60onsemiDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 10048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
503+40.57 грн
Мінімальне замовлення: 503
NTB6N60ONSEMIDescription: ONSEMI - NTB6N60 - 6A, 600V, 1.2OHM, N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 9939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
605+41.04 грн
Мінімальне замовлення: 605
NTB6N60T4MotorolaDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 25 V
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
231+86.69 грн
Мінімальне замовлення: 231
NTB75N03-006onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5635 pF @ 25 V
товар відсутній
NTB75N03-006ONSOT-263
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB75N03-006ON07+ SOT-263
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB75N03-06ONTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB75N03-06ON09+ BGA
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB75N03-06ON07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB75N03-06T4ONTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB75N03-06T4onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5635 pF @ 25 V
товар відсутній
NTB75N03-6GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5635 pF @ 25 V
товар відсутній
NTB75N03-6T4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5635 pF @ 25 V
товар відсутній
NTB75N03L09onsemiMOSFET 30V 75A N-Channel
товар відсутній
NTB75N03L09ON07+ SOT-263
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB75N03L09ONTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB75N03L09ONSOT-263
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB75N03L09GON07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB75N03L09GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 37.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5635 pF @ 25 V
товар відсутній
NTB75N03L09GonsemiMOSFET 30V 75A N-Channel
товар відсутній
NTB75N03L09GONTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB75N03L09GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товар відсутній
NTB75N03L09T4onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 37.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5635 pF @ 25 V
товар відсутній
NTB75N03L09T4onsemiMOSFET 30V 75A N-Channel
товар відсутній
NTB75N03L09T4ON07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB75N03L09T4ONTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB75N03L09T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
NTB75N03L09T4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 37.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5635 pF @ 25 V
товар відсутній
NTB75N03L09T4GonsemiMOSFET 30V 75A N-Channel
товар відсутній
NTB75N03RONSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB75N03RonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 9.7A/75A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 74.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1333 pF @ 20 V
товар відсутній
NTB75N03RON07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB75N03RONTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB75N03RGonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 9.7A/75A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 74.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1333 pF @ 20 V
товар відсутній
NTB75N03RG
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB75N03RT4onsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 9.7A/75A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 74.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1333 pF @ 20 V
на замовлення 89600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1210+17.12 грн
Мінімальне замовлення: 1210
NTB75N03RT4ONTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB75N03RT4onsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 9.7A/75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 74.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1333 pF @ 20 V
товар відсутній
NTB75N03RT4ON07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB75N03RT4GON
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB75N03RT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 12.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
NTB75N03RT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 9.7A/75A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 74.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1333 pF @ 20 V
на замовлення 4166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
592+34.93 грн
Мінімальне замовлення: 592
NTB75N03RT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 12.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
NTB75N03RT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 9.7A/75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 74.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1333 pF @ 20 V
товар відсутній
NTB75N06ONSOT-263
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB75N06onsemiMOSFET 60V 75A N-Channel
товар відсутній
NTB75N06ON07+ SOT-263
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB75N06ONTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB75N06GonsemiMOSFET 60V 75A N-Channel
товар відсутній
NTB75N06GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товар відсутній
NTB75N06GON07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB75N06GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 214W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4510 pF @ 25 V
товар відсутній
NTB75N06GONTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB75N06LONSOT-263
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB75N06LonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 37.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 214W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4370 pF @ 25 V
товар відсутній
NTB75N06LON07+ SOT-263
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB75N06LGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 37.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 214W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4370 pF @ 25 V
товар відсутній
NTB75N06LG
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB75N06LT4onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 37.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 214W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4370 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товар відсутній
NTB75N06LT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 37.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 214W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4370 pF @ 25 V
товар відсутній
NTB75N06LT4G
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB75N06T4ONTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB75N06T4ON07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB75N06T4GON07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB75N06T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
NTB75N06T4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 214W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4510 pF @ 25 V
товар відсутній
NTB75N06T4GONTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB75N06T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
NTB75N06T4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 214W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4510 pF @ 25 V
товар відсутній
NTB75N06T4GOSonsemiMOSFET Discrete Semiconductor Products FETs - Single - MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
товар відсутній
NTB7D3N15MCONSEMIDescription: ONSEMI - NTB7D3N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 101 A, 0.006 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 101A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+273.36 грн
10+ 205.21 грн
100+ 153.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
NTB7D3N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 15.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
NTB7D3N15MConsemiDescription: NTB7D3N15MC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta), 101A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 342µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250 pF @ 75 V
товар відсутній
NTB7D3N15MConsemiMOSFET PTNG 150V N-FET D2PAK
на замовлення 2904 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+253.92 грн
10+ 222.65 грн
25+ 182.93 грн
100+ 152.22 грн
250+ 136.86 грн
500+ 135.53 грн
800+ 112.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTB7D3N15MCONSEMIDescription: ONSEMI - NTB7D3N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 101 A, 0.006 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 101A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 166W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.006ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+153.53 грн
Мінімальне замовлення: 100
NTB7D3N15MConsemiDescription: NTB7D3N15MC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta), 101A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 342µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250 pF @ 75 V
на замовлення 384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+233.99 грн
10+ 202.37 грн
25+ 191.3 грн
100+ 147.6 грн
250+ 132.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTB85N03ONTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB85N03onsemiDescription: MOSFET N-CH 28V 85A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 28 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 24 V
товар відсутній
NTB85N03ON07+ SOT-263
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB85N03ONTO-263
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB85N03ONSOT-263
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB85N03G
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB85N03GonsemiDescription: MOSFET N-CH 28V 85A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 28 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 24 V
товар відсутній
NTB85N03R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB85N03T4onsemiDescription: MOSFET N-CH 28V 85A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
товар відсутній
NTB85N03T4ONTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB85N03T4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 28V 85A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 28 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 24 V
товар відсутній
NTB85N03T4G
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB85N03TB
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB8N50onsemiDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 4250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
533+37.34 грн
Мінімальне замовлення: 533
NTB90N02ONTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB90N02onsemiDescription: MOSFET N-CH 24V 90A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 20 V
товар відсутній
NTB90N02ON07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB90N02G
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB90N02GonsemiDescription: MOSFET N-CH 24V 90A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 20 V
товар відсутній
NTB90N02T
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB90N02T4ON07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB90N02T4onsemiDescription: MOSFET N-CH 24V 90A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 20 V
товар відсутній
NTB90N02T4ONTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB90N02T4onsemiDescription: MOSFET N-CH 24V 90A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 20 V
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1025+19.14 грн
Мінімальне замовлення: 1025
NTB90N02T4ON07+;
на замовлення 135 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB90N02T4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 24V 90A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 20 V
товар відсутній
NTB90N02T4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 24V 90A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 20 V
на замовлення 5795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
523+37.62 грн
Мінімальне замовлення: 523
NTB90N02T4GON10+ BGA
на замовлення 4600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB90N20ONSOT-263
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTB90N20ON07+ SOT-263
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTBA104BQ,115NXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels
товар відсутній
NTBA104GU12NXP SemiconductorsNXP Semiconductors Dual supply translating transceiver; auto direction sensing; 3-state
товар відсутній
NTBA104GU12,115NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 4-CH Bidirectional 12-Pin XQFN T/R
товар відсутній
NTBA104GU12,115NXP USA Inc.Description: VOLTAGE LEVEL TRANSLATOR BIDIREC
товар відсутній
NTBA104GU12,115NXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels Dual supply translating transcvr
товар відсутній
NTBA104GU16,115NXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels
товар відсутній
NTBG014N120M3PonsemiDescription: SIC MOSFET 1200 V 14 MOHM M3P SE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 74A, 18V
Power Dissipation (Max): 454W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.63V @ 37mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 337 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6313 pF @ 800 V
на замовлення 527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1933.99 грн
10+ 1654.85 грн
100+ 1447.41 грн
NTBG014N120M3PonsemiMOSFET SIC MOS D2PAK-7L 14MOHM 1200V
на замовлення 1697 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2100.64 грн
10+ 1840.31 грн
25+ 1492.78 грн
50+ 1446.05 грн
100+ 1399.32 грн
250+ 1306.52 грн
500+ 1201.04 грн
NTBG014N120M3PON SemiconductorSiC MOSFET 1200 V 14 mohm
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+1359.93 грн
Мінімальне замовлення: 800
NTBG014N120M3PonsemiDescription: SIC MOSFET 1200 V 14 MOHM M3P SE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 74A, 18V
Power Dissipation (Max): 454W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.63V @ 37mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 337 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6313 pF @ 800 V
товар відсутній
NTBG015N065SC1onsemiDescription: SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 75A, 18V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 25mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 283 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4689 pF @ 325 V
на замовлення 2260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1795.33 грн
10+ 1536.07 грн
100+ 1343.48 грн
NTBG015N065SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTBG015N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 145 A, 650 V, 0.012 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 145A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
на замовлення 361 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3953.57 грн
10+ 3459.28 грн
100+ 2866.13 грн
NTBG015N065SC1onsemiDescription: SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 75A, 18V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 25mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 283 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4689 pF @ 325 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+1190.53 грн
Мінімальне замовлення: 800
NTBG015N065SC1onsemiMOSFET SIC MOS D2PAK-7L 650V
на замовлення 942 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2613.15 грн
10+ 2308.64 грн
25+ 1983.48 грн
100+ 1813.9 грн
250+ 1775.85 грн
500+ 1667.03 грн
800+ 1579.57 грн
NTBG015N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 176A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+1275.81 грн
Мінімальне замовлення: 800
NTBG020N090SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 900V 9.8A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
NTBG020N090SC1onsemiMOSFET SIC MOS 20MOHM 900V
на замовлення 1655 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1860.75 грн
10+ 1720.54 грн
25+ 1420.68 грн
50+ 1376.62 грн
100+ 1329.88 грн
250+ 1243.1 грн
500+ 1142.95 грн
NTBG020N090SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 900V 9.8A/112A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta), 112A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 477W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4415 pF @ 450 V
на замовлення 1045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2630.17 грн
10+ 2250.48 грн
100+ 1968.32 грн
NTBG020N090SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTBG020N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 112 A, 900 V, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 112A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 477W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1914.25 грн
100+ 1906.01 грн
Мінімальне замовлення: 10
NTBG020N090SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 900V 9.8A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
NTBG020N090SC1ON Semiconductor
на замовлення 550 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTBG020N090SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 900V 9.8A/112A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta), 112A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 477W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4415 pF @ 450 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+1744.24 грн
Мінімальне замовлення: 800
NTBG020N090SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTBG020N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 112 A, 900 V, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 112A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 477W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1921.74 грн
10+ 1914.25 грн
100+ 1906.01 грн
NTBG020N120SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 20V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 468W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2943 pF @ 800 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+1683.36 грн
Мінімальне замовлення: 800
NTBG020N120SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTBG020N120SC1 - SIC MOSFET, N-CH, 20V, 98A, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2
Dauer-Drainstrom Id: 98
hazardous: false
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7
MOSFET-Modul-Konfiguration: Single
euEccn: NLR
Verlustleistung: 468
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7
Produktpalette: -
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 20
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товар відсутній
NTBG020N120SC1ON Semiconductor
на замовлення 571 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTBG020N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 8.6A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+1760.27 грн
Мінімальне замовлення: 800
NTBG020N120SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTBG020N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 98 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 468W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+2219.81 грн
100+ 2193.6 грн
500+ 2013.27 грн
Мінімальне замовлення: 10
NTBG020N120SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 20V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 468W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2943 pF @ 800 V
на замовлення 2333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2538.45 грн
10+ 2171.9 грн
100+ 1899.62 грн
NTBG020N120SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTBG020N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 98 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 468W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2551.59 грн
10+ 2219.81 грн
100+ 2193.6 грн
500+ 2013.27 грн
NTBG020N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 8.6A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1760.27 грн
NTBG020N120SC1onsemiMOSFET SIC MOS 20MW 1200V
на замовлення 1740 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2612.37 грн
10+ 2347.79 грн
25+ 1990.82 грн
100+ 1811.23 грн
250+ 1800.55 грн
500+ 1766.5 грн
800+ 1577.57 грн
NTBG022N120M3SonsemiDescription: SIC MOSFET 1200 V 22 MOHM M3S SE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 234W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 20mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 142 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3175 pF @ 800 V
товар відсутній
NTBG022N120M3SonsemiMOSFET SIC MOS D2PAK-7L 22MOHM 1200V
на замовлення 935 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1324.88 грн
10+ 1150.86 грн
25+ 973.38 грн
50+ 919.3 грн
100+ 865.23 грн
250+ 838.52 грн
500+ 784.45 грн
NTBG022N120M3SonsemiDescription: SIC MOSFET 1200 V 22 MOHM M3S SE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 234W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 20mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 142 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3175 pF @ 800 V
на замовлення 777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1208.2 грн
10+ 1024.92 грн
100+ 886.44 грн
NTBG022N120M3SON SemiconductorSiC MOSFET 1200 V 22 mohm
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+788.23 грн
Мінімальне замовлення: 800
NTBG025N065SC1onsemiMOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 19 mohm, 650 V, M2, D2PAK-7L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - 19 mohm, 650 V, M2, D2PAK-7L
на замовлення 862 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1437.82 грн
10+ 1249.14 грн
25+ 1056.16 грн
50+ 998.08 грн
100+ 938.66 грн
250+ 909.29 грн
500+ 851.21 грн
NTBG025N065SC1onsemiDescription: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 45A, 18V
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 15.5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3480 pF @ 325 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+926.59 грн
Мінімальне замовлення: 800
NTBG025N065SC1ON SemiconductorSilicon Carbide (SiC) MOSFET
товар відсутній
NTBG025N065SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTBG025N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 106 A, 650 V, 0.0285 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0285ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1484.37 грн
10+ 1192.29 грн
100+ 1172.07 грн
500+ 1069.57 грн
NTBG025N065SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTBG025N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 106 A, 650 V, 0.0285 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0285ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1192.29 грн
100+ 1172.07 грн
500+ 1069.57 грн
Мінімальне замовлення: 10
NTBG025N065SC1onsemiDescription: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 45A, 18V
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 15.5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3480 pF @ 325 V
на замовлення 2330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1342.53 грн
10+ 1138.42 грн
100+ 984.58 грн
NTBG028N170M1ON SemiconductorSiC MOSFET 1700 V 28 mohm
товар відсутній
NTBG028N170M1onsemiDescription: SIC MOSFET 1700 V 28 MOHM M1 SER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 60A, 20V
Power Dissipation (Max): 428W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 222 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4160 pF @ 800 V
на замовлення 763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2387.52 грн
10+ 2048.39 грн
100+ 1797.96 грн
NTBG028N170M1onsemiDescription: SIC MOSFET 1700 V 28 MOHM M1 SER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 60A, 20V
Power Dissipation (Max): 428W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 222 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4160 pF @ 800 V
товар відсутній
NTBG028N170M1onsemiMOSFET SIC 1700V MOS 28MO IN TO263-7L
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2619.38 грн
10+ 2300.19 грн
25+ 1881.33 грн
50+ 1818.58 грн
100+ 1755.82 грн
250+ 1693.07 грн
500+ 1614.29 грн
NTBG030N120M3SonsemiMOSFET SIC MOS D2PAK-7L 30MOHM 1200V M3
на замовлення 1014 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1275.81 грн
10+ 1107.87 грн
25+ 937.33 грн
50+ 885.25 грн
100+ 833.18 грн
250+ 807.14 грн
500+ 755.07 грн
NTBG030N120M3SonsemiDescription: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 15mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 800 V
на замовлення 798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1174.98 грн
10+ 996.76 грн
100+ 862.04 грн
NTBG030N120M3SON SemiconductorSilicon Carbide (SiC) MOSFET
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+759.41 грн
Мінімальне замовлення: 800
NTBG030N120M3SonsemiDescription: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 15mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 800 V
товар відсутній
NTBG032N065M3SON SemiconductorSiC MOS D2PAK-7L 32mohm 650V M3S
товар відсутній
NTBG040N120M3SON SemiconductorSilicon Carbide (SiC) MOSFET
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+565.47 грн
Мінімальне замовлення: 800
NTBG040N120M3SonsemiDescription: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 800 V
на замовлення 752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+875.28 грн
10+ 742.23 грн
100+ 641.91 грн
NTBG040N120M3SonsemiMOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M3S, D2PAK-7L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M3S, D2PAK-7L
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+950.24 грн
10+ 825.34 грн
25+ 698.32 грн
50+ 659.6 грн
100+ 620.88 грн
250+ 601.52 грн
500+ 562.8 грн
NTBG040N120M3SonsemiDescription: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 800 V
товар відсутній
NTBG040N120SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTBG040N120SC1 - SIC MOSFET, N-CH, 20V, 60A, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2
Dauer-Drainstrom Id: 60
hazardous: false
usEccn: Unknown
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
MOSFET-Modul-Konfiguration: Single
euEccn: Unknown
Verlustleistung: 357
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7
Produktpalette: -
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 20
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товар відсутній
NTBG040N120SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 60A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 35A, 20V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1789 pF @ 800 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+892.04 грн
Мінімальне замовлення: 800
NTBG040N120SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTBG040N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-263HV (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
на замовлення 746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1140.61 грн
Мінімальне замовлення: 10
NTBG040N120SC1onsemiMOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, D2PAK-7L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, D2PAK?7L
на замовлення 1714 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1205.71 грн
10+ 1097.89 грн
25+ 905.28 грн
50+ 903.95 грн
100+ 874.57 грн
250+ 872.57 грн
500+ 835.18 грн
NTBG040N120SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTBG040N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-263HV (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
на замовлення 746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1140.61 грн
NTBG040N120SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 60A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 35A, 20V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1789 pF @ 800 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1344.69 грн
10+ 1150.94 грн
100+ 1006.64 грн
NTBG040N120SC1ON Semiconductor
на замовлення 365 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTBG040N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+946.34 грн
Мінімальне замовлення: 800
NTBG045N065SC1onsemiMOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 31 mohm, 650 V, M2, D2PAK-7L
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1019.56 грн
10+ 890.6 грн
25+ 762.41 грн
50+ 736.38 грн
100+ 672.95 грн
250+ 660.94 грн
500+ 609.53 грн
NTBG045N065SC1onsemiDescription: SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 8mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 325 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+672.62 грн
Мінімальне замовлення: 800
NTBG045N065SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTBG045N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 62 A, 650 V, 0.031 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 242W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 242W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.031ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
на замовлення 704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+805.09 грн
500+ 722.55 грн
Мінімальне замовлення: 150
NTBG045N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 62A Reel
товар відсутній
NTBG045N065SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTBG045N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 62 A, 650 V, 0.031 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 242W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
на замовлення 704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+859.02 грн
10+ 832.06 грн
100+ 805.09 грн
500+ 722.55 грн
NTBG045N065SC1onsemiDescription: SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 8mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 325 V
на замовлення 1578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+974.22 грн
10+ 826.38 грн
100+ 714.71 грн
NTBG060N065SC1onsemiDescription: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 6.5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1473 pF @ 325 V
на замовлення 735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+716.4 грн
10+ 590.98 грн
100+ 492.49 грн
NTBG060N065SC1ON SemiconductorSilicon Carbide (SiC) MOSFET
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+402.68 грн
Мінімальне замовлення: 800
NTBG060N065SC1onsemiDescription: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 6.5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1473 pF @ 325 V
товар відсутній
NTBG060N065SC1onsemiMOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 44 mohm, 650 V, M2, D2PAK-7L
на замовлення 572 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+767.2 грн
10+ 647.99 грн
25+ 511.39 грн
100+ 470 грн
250+ 441.96 грн
500+ 414.59 грн
800+ 372.53 грн
NTBG060N090SC1onsemiDescription: MOSFET N-CH 900V 5.8/44A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 450 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+987.22 грн
10+ 837.23 грн
100+ 724.05 грн
NTBG060N090SC1onsemiMOSFET SIC MOS 60MOHM 900V
на замовлення 1498 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+834.96 грн
10+ 741.65 грн
25+ 632.23 грн
50+ 619.54 грн
100+ 532.09 грн
250+ 530.75 грн
500+ 528.08 грн
NTBG060N090SC1ON Semiconductor
на замовлення 295 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTBG060N090SC1onsemiDescription: MOSFET N-CH 900V 5.8/44A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 450 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+681.4 грн
Мінімальне замовлення: 800
NTBG060N090SC1ON SemiconductorSiC Power, Single N-Channel MOSFET
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+509.39 грн
Мінімальне замовлення: 800
NTBG070N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+598.96 грн
Мінімальне замовлення: 800
NTBG070N120M3SonsemiMOSFET SIC MOS D2PAK-7L 70MOHM 1200V M3
на замовлення 791 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+771.09 грн
10+ 651.06 грн
25+ 513.39 грн
100+ 472 грн
250+ 443.96 грн
500+ 415.92 грн
800+ 374.53 грн
NTBG080N120SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1154 pF @ 800 V
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+963.38 грн
10+ 852.11 грн
NTBG080N120SC1onsemiMOSFET SIC MOS D2PAK-7L 80MOHM 1200V
на замовлення 976 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+793.68 грн
10+ 694.05 грн
25+ 595.51 грн
100+ 533.42 грн
250+ 528.08 грн
500+ 506.05 грн
800+ 492.7 грн
NTBG080N120SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTBG080N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-263HV (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
на замовлення 1633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+647.82 грн
10+ 534.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTBG080N120SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1154 pF @ 800 V
товар відсутній
NTBG080N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56.4A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+486.02 грн
Мінімальне замовлення: 800
NTBG080N120SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTBG080N120SC1 - SIC MOSFET, N-CH, 20V, 30A, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2
Dauer-Drainstrom Id: 30
hazardous: false
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
MOSFET-Modul-Konfiguration: Single
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7
Produktpalette: -
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 20
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товар відсутній
NTBG1000N170M1onsemiMOSFET SIC 1700V MOS 1O IN TO263-7L
на замовлення 808 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+325.57 грн
10+ 269.48 грн
25+ 220.98 грн
100+ 189.6 грн
250+ 178.92 грн
500+ 168.24 грн
800+ 144.2 грн
NTBG160N120SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 19.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 224mOhm @ 12A, 20V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 2.5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.8 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 678 pF @ 800 V
товар відсутній
NTBG160N120SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTBG160N120SC1 - SIC MOSFET, N-CH, 20V, 19.5A, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2
Dauer-Drainstrom Id: 19.5
hazardous: false
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
MOSFET-Modul-Konfiguration: Single
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7
Produktpalette: -
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 20
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товар відсутній
NTBG160N120SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTBG160N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 19.5 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-263HV (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 19.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
на замовлення 522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+611.87 грн
10+ 587.91 грн
100+ 563.19 грн
500+ 500.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTBG160N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
NTBG160N120SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 19.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 224mOhm @ 12A, 20V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 2.5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.8 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 678 pF @ 800 V
на замовлення 423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+540.19 грн
10+ 445.98 грн
100+ 371.67 грн
NTBG160N120SC1onsemiMOSFET SIC MOS D2PAK-7L 160MOHM 1200V
на замовлення 1385 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+586.5 грн
10+ 495.2 грн
25+ 391.22 грн
100+ 359.18 грн
250+ 338.48 грн
500+ 316.45 грн
800+ 275.72 грн
NTBG160N120SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTBG160N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 19.5 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-263HV (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 19.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.16ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
на замовлення 522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+563.19 грн
500+ 500.71 грн
Мінімальне замовлення: 150
NTBG160N120SC1ON Semiconductor
на замовлення 540 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTBGS001N06CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 42A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
NTBGS001N06ConsemiDescription: POWER MOSFET, 60 V, 1.1 M?, 342
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 342A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 112A, 12V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 562µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11110 pF @ 30 V
товар відсутній
NTBGS001N06ConsemiMOSFET NFET D2PAK7 60V 1.0MO
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 308-317 дні (днів)
1+1100.56 грн
10+ 996.55 грн
25+ 841.86 грн
100+ 732.37 грн
250+ 725.7 грн
500+ 610.87 грн
800+ 585.5 грн
NTBGS001N06CONSEMIDescription: ONSEMI - NTBGS001N06C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 342 A, 0.00089 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 342A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 245W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 890µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 890µohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+749.67 грн
100+ 633.59 грн
Мінімальне замовлення: 10
NTBGS001N06ConsemiDescription: POWER MOSFET, 60 V, 1.1 M?, 342
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 342A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 112A, 12V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 562µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11110 pF @ 30 V
на замовлення 670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1045.71 грн
10+ 925.41 грн
100+ 781.55 грн
NTBGS001N06CONSEMIDescription: ONSEMI - NTBGS001N06C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 342 A, 0.00089 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 342A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 245W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 890µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 890µohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
товар відсутній
NTBGS002N06ConsemiDescription: POWER MOSFET, 60 V, 2.2 M?, 211
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 211A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 45A, 12V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 225µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4620 pF @ 30 V
товар відсутній
NTBGS002N06ConsemiDescription: POWER MOSFET, 60 V, 2.2 M?, 211
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 211A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 45A, 12V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 225µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4620 pF @ 30 V
товар відсутній
NTBGS002N06CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 30A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
NTBGS002N06ConsemiMOSFET NFET D2PAK7 60V 2.0MO
на замовлення 800 шт:
термін постачання 406-415 дні (днів)
1+667.5 грн
10+ 571.98 грн
25+ 482.02 грн
100+ 413.25 грн
250+ 401.9 грн
500+ 354.5 грн
NTBGS004N10GonsemiMOSFET 100V MVSOA IN D2PAK-7L PACKAGE
на замовлення 2375 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+478.23 грн
10+ 403.84 грн
25+ 318.45 грн
100+ 292.41 грн
250+ 275.72 грн
500+ 258.37 грн
800+ 232.33 грн
NTBGS004N10GONSEMIDescription: ONSEMI - NTBGS004N10G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 203 A, 0.003 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 203A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
на замовлення 1598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+504.03 грн
10+ 373.71 грн
100+ 318.29 грн
500+ 285.13 грн
800+ 247.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTBGS004N10GonsemiDescription: POWER MOSFET 203 AMPS, 100 VOLTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 203A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 340W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12100 pF @ 50 V
на замовлення 693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+440.53 грн
10+ 363.71 грн
100+ 303.12 грн
NTBGS004N10GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 21A T/R
товар відсутній
NTBGS004N10GON SemiconductorMOSFET 100V MVSOA IN D2PAK-7L PACKAGE
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTBGS004N10GonsemiDescription: POWER MOSFET 203 AMPS, 100 VOLTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 203A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 340W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12100 pF @ 50 V
товар відсутній
NTBGS004N10GONSEMIDescription: ONSEMI - NTBGS004N10G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 203 A, 0.003 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 203A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 340W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
на замовлення 1598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+373.71 грн
100+ 318.29 грн
500+ 285.13 грн
800+ 247.15 грн
Мінімальне замовлення: 10
NTBGS1D2N08HON SemiconductorPower MOSFET, Single N-Channel
товар відсутній
NTBGS1D5N06ConsemiDescription: POWER MOSFET, 60 V, 1.62 M?, 267
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 267A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 64A, 12V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 318µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6250 pF @ 30 V
на замовлення 9100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+387.81 грн
10+ 313.43 грн
100+ 253.55 грн
NTBGS1D5N06ConsemiMOSFET Power MOSFET, 60 V, 1.62 m?, 267 A, Single N-Channel, D2PAK7 Power MOSFET, 60 V, 1.5 m?, 294 A, Single N-Channel, D2PAK7
на замовлення 3680 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+426.83 грн
10+ 353.17 грн
25+ 297.09 грн
100+ 248.35 грн
250+ 241.01 грн
500+ 220.98 грн
800+ 178.25 грн
NTBGS1D5N06ConsemiDescription: POWER MOSFET, 60 V, 1.62 M?, 267
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 267A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 64A, 12V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 318µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6250 pF @ 30 V
на замовлення 9100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+234.05 грн
1600+ 192.98 грн
2400+ 181.71 грн
Мінімальне замовлення: 800
NTBGS2D5N06ConsemiDescription: POWER MOSFET, 60 V, 2.5 M?, 224
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 169A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 35A, 12V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 175µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3510 pF @ 30 V
товар відсутній
NTBGS2D5N06ConsemiMOSFET NFET D2PAK7 60V 2.5MO
на замовлення 796 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+482.13 грн
10+ 427.64 грн
25+ 351.16 грн
100+ 305.1 грн
500+ 259.03 грн
800+ 218.31 грн
2400+ 205.62 грн
NTBGS2D5N06CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 27A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
NTBGS2D5N06ConsemiDescription: POWER MOSFET, 60 V, 2.5 M?, 224
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 169A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 35A, 12V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 175µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3510 pF @ 30 V
на замовлення 796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+459.3 грн
10+ 397.23 грн
100+ 325.45 грн
NTBGS3D5N06CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 22A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
NTBGS3D5N06ConsemiDescription: POWER MOSFET, 60 V, 3.7 M?, 127A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 127A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 24A, 12V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 122µA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 30 V
товар відсутній
NTBGS3D5N06CONSEMIDescription: ONSEMI - NTBGS3D5N06C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 127 A, 0.0031 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 127A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
на замовлення 417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+259.13 грн
10+ 195.47 грн
100+ 157.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
NTBGS3D5N06ConsemiDescription: POWER MOSFET, 60 V, 3.7 M?, 127A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 127A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 24A, 12V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 122µA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 30 V
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+309.09 грн
10+ 267.32 грн
100+ 219.05 грн
NTBGS3D5N06ConsemiMOSFET NFET D2PAK7 60V 3.5MO
на замовлення 682 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+302.21 грн
10+ 250.29 грн
100+ 175.58 грн
800+ 130.18 грн
2400+ 123.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTBGS3D5N06CONSEMIDescription: ONSEMI - NTBGS3D5N06C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 127 A, 0.0031 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 127A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 115W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0031ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+130.05 грн
Мінімальне замовлення: 100
NTBGS4D1N15MCON SemiconductorDescription: POWER MOSFET, 150 V, 4.1 M, 185A
на замовлення 101600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTBGS4D1N15MConsemiMOSFET PTNG 150V IN SUZHOU D2PAK7L FOR INDUSTRIAL
на замовлення 428 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+472.78 грн
10+ 419.19 грн
25+ 344.49 грн
100+ 298.42 грн
500+ 254.36 грн
800+ 214.3 грн
NTBGS4D1N15MCON Semiconductor
на замовлення 230 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTBGS4D1N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 20A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
NTBGS4D1N15MCON SemiconductorDescription: POWER MOSFET, 150 V, 4.1 M, 185A
на замовлення 102391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTBGS6D5N15MConsemiMOSFET PTNG 150V IN SUZHOU D2PAK7L FOR INDUSTRIAL
на замовлення 703 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+453.31 грн
10+ 375.43 грн
25+ 307.77 грн
100+ 263.71 грн
250+ 243.68 грн
500+ 235 грн
800+ 194.94 грн
NTBGS6D5N15MCONSEMIDescription: ONSEMI - NTBGS6D5N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 121 A, 0.0055 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 121A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 238W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+218.69 грн
500+ 201.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
NTBGS6D5N15MConsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 15A/121A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 121A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 69A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 379µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4745 pF @ 75 V
на замовлення 12530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+475.19 грн
10+ 411.07 грн
25+ 388.61 грн
100+ 316.07 грн
250+ 299.86 грн
NTBGS6D5N15MCON Semiconductor
на замовлення 770 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTBGS6D5N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 15A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
NTBGS6D5N15MCONSEMIDescription: ONSEMI - NTBGS6D5N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 121 A, 0.0055 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 121A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 238W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm
на замовлення 1040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+353.49 грн
10+ 274.86 грн
100+ 218.69 грн
500+ 201.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
NTBGS6D5N15MConsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 15A/121A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 121A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 69A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 379µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4745 pF @ 75 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+297.73 грн
1600+ 241.8 грн
2400+ 229.71 грн
Мінімальне замовлення: 800
NTBKBAG156STARTECHDescription: STARTECH - NTBKBAG156 - Laptop-Rucksack, 1680d ballistisches Nylon, 324mm x 203mm x 425mm, schwarz
tariffCode: 42021110
Außentiefe - metrisch: 324mm
Außentiefe - imperial: 12.8"
productTraceability: No
Außenbreite - metrisch: 203mm
rohsCompliant: TBA
Außenhöhe - metrisch: 425mm
Außenhöhe - imperial: 16.7"
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Außenbreite - Zoll: 8"
usEccn: EAR99
Produktpalette: Multicomp Pro Driver Bit
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+15976.81 грн
NTBL045N065SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTBL045N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 73 A, 650 V, 0.05 ohm, H-PSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 73A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 348W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+970.61 грн
10+ 754.92 грн
100+ 687.51 грн
500+ 548 грн
2000+ 489.8 грн
NTBL045N065SC1onsemiDescription: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 8mA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 325 V
на замовлення 1964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+888.28 грн
10+ 753.57 грн
100+ 651.72 грн
500+ 554.27 грн
1000+ 508.4 грн
NTBL045N065SC1onsemiMOSFET SIC MOS TOLL 650V
на замовлення 1733 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+774.21 грн
10+ 672.55 грн
25+ 568.81 грн
50+ 536.76 грн
100+ 505.38 грн
250+ 490.03 грн
500+ 457.98 грн
NTBL045N065SC1onsemiDescription: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 8mA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 325 V
на замовлення 1964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTBL045N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 73A 9-Pin(8+Tab) HPSOF EP T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+460.32 грн
Мінімальне замовлення: 2000
NTBL045N065SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTBL045N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 73 A, 650 V, 0.05 ohm, H-PSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 73A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 348W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+754.92 грн
100+ 687.51 грн
500+ 548 грн
2000+ 489.8 грн
Мінімальне замовлення: 10
NTBL050N65S3HONSEMIDescription: ONSEMI - NTBL050N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 49 A, 0.0425 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 305W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 305W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0425ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0425ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 1801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+477.07 грн
500+ 371.36 грн
Мінімальне замовлення: 150
NTBL050N65S3HonsemiMOSFET SF3 650V FAST 50MOHM TOLL
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+727.48 грн
10+ 627.26 грн
25+ 490.03 грн
100+ 453.31 грн
250+ 425.27 грн
500+ 397.9 грн
1000+ 356.51 грн
NTBL050N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 49A T/R
товар відсутній
NTBL050N65S3HONSEMIDescription: ONSEMI - NTBL050N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 49 A, 0.0425 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 305W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0425ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 1801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+747.43 грн
10+ 549.71 грн
100+ 477.07 грн
500+ 371.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTBL050N65S3HonsemiDescription: MOSFET - POWER,NCHANNEL, SUPERFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 24.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 305W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4.8mA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4880 pF @ 400 V
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+464.36 грн
10+ 383.39 грн
100+ 330.9 грн
NTBL050N65S3HonsemiDescription: MOSFET - POWER,NCHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 24.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 305W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4.8mA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4880 pF @ 400 V
товар відсутній
NTBL060N065SC1onsemionsemi M2 650V SIC MOSFET 60MOHM WITH TOLL
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 126-135 дні (днів)
1+630.12 грн
10+ 561.23 грн
100+ 403.91 грн
250+ 385.88 грн
500+ 351.83 грн
1000+ 306.43 грн
2000+ 295.08 грн
NTBL070N65S3ON SemiconductorPower MOSFET, N-Channel
товар відсутній
NTBL070N65S3onsemiDescription: SF3 650V EASY 70MOHM KELVIN SENS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 400 V
товар відсутній
NTBL070N65S3onsemiMOSFET SF3 650V EASY 70MOHM KELVIN SENSE TOLL
товар відсутній
NTBL070N65S3onsemiDescription: SF3 650V EASY 70MOHM KELVIN SENS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 400 V
товар відсутній
NTBL075N065SC1onsemionsemi M2 650V SIC MOSFET 75MOHM WITH TOLL
товар відсутній
NTBL082N65S3HFONSEMIDescription: ONSEMI - NTBL082N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.07 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 313W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+504.78 грн
100+ 441.87 грн
500+ 337.28 грн
Мінімальне замовлення: 10
NTBL082N65S3HFonsemiDescription: NTBL082N65S3HF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 400 V
товар відсутній
NTBL082N65S3HFonsemiMOSFET SF3 650V FRFET HF 82MOHM KELVIN SENSE TOLL
на замовлення 1992 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+625.44 грн
10+ 557.39 грн
25+ 433.28 грн
100+ 402.57 грн
250+ 375.87 грн
500+ 350.5 грн
1000+ 323.79 грн
NTBL082N65S3HFONSEMIDescription: ONSEMI - NTBL082N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.07 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+677.78 грн
10+ 504.78 грн
100+ 441.87 грн
500+ 337.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTBL082N65S3HFonsemiDescription: NTBL082N65S3HF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 400 V
на замовлення 1992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+388.53 грн
10+ 337.91 грн
25+ 322.18 грн
100+ 259.68 грн
NTBL095N65S3HonsemiDescription: SUPERFET3 FAST 95MOHM TOLL
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+257.85 грн
Мінімальне замовлення: 2000
NTBLS001N06ConsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 51A/422A 8HPSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Ta), 422A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 284W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 562µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11575 pF @ 30 V
товар відсутній
NTBLS001N06ConsemiMOSFET NFET TOLL 60V 1.0MO
товар відсутній
NTBLS001N06CON SemiconductorPower MOSFET 60 V, 1 mW, 297 A, Single N-Channel, TOLL
товар відсутній
NTBLS001N06ConsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 51A/422A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Ta), 422A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 284W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 562µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11575 pF @ 30 V
на замовлення 1764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+415.97 грн
10+ 361.83 грн
25+ 344.99 грн
100+ 268.49 грн
250+ 244.8 грн
500+ 229.01 грн
1000+ 201.95 грн
NTBLS001N06CON Semiconductor
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTBLS002N08MCON SemiconductorN-Channel Power MOSFET
товар відсутній
NTBLS002N08MConsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 28A/238A 8HPSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 238A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 530µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6580 pF @ 40 V
товар відсутній
NTBLS002N08MConsemiMOSFET PTNG 80V
товар відсутній
NTBLS002N08MConsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 28A/238A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 238A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 530µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6580 pF @ 40 V
товар відсутній
NTBLS0D7N06ConsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 54A/470A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Ta), 470A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 314W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 661µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13730 pF @ 30 V
на замовлення 1172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+576.3 грн
10+ 475.4 грн
100+ 396.17 грн
500+ 328.05 грн
1000+ 295.25 грн
NTBLS0D7N06ConsemiMOSFET NFET TOLL 60V 0.75MO
на замовлення 1826 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+638.68 грн
10+ 539.73 грн
25+ 468.66 грн
100+ 391.22 грн
250+ 383.21 грн
500+ 338.48 грн
1000+ 304.43 грн
NTBLS0D7N06CON Semiconductor
на замовлення 1965 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTBLS0D7N06CONSEMIDescription: ONSEMI - NTBLS0D7N06C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 470 A, 560 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 470A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 314W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 560µohm
на замовлення 1790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+525.75 грн
100+ 429.88 грн
500+ 352.58 грн
Мінімальне замовлення: 10
NTBLS0D7N06ConsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 54A/470A 8HPSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Ta), 470A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 314W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 661µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13730 pF @ 30 V
товар відсутній
NTBLS0D7N06CONSEMIDescription: ONSEMI - NTBLS0D7N06C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 470 A, 560 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 470A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 314W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 560µohm
на замовлення 1790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+662.05 грн
10+ 525.75 грн
100+ 429.88 грн
500+ 352.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTBLS0D8N08XTXGonsemiDescription: MOSFET, POWER 80V SINGLE N-CHANN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 457A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 790µOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 325W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 720µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 174 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12920 pF @ 40 V
на замовлення 1890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+449.19 грн
10+ 370.66 грн
100+ 308.85 грн
500+ 255.75 грн
1000+ 230.17 грн
NTBLS0D8N08XTXGonsemiDescription: MOSFET, POWER 80V SINGLE N-CHANN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 457A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 790µOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 325W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 720µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 174 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12920 pF @ 40 V
товар відсутній
NTBLS0D8N08XTXGON SemiconductorMOSFET - Power, SingleN-Channel, TOLL80 V, 0.79 mOhm, 457 A
товар відсутній
NTBLS0D8N08XTXGonsemiMOSFET T10S 80V SG NCH MOSFET TOLL
на замовлення 2689 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+493.03 грн
10+ 416.89 грн
25+ 328.47 грн
100+ 301.76 грн
250+ 284.4 грн
500+ 266.38 грн
1000+ 253.03 грн
NTBLS1D1N08HONSEMIDescription: ONSEMI - NTBLS1D1N08H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 351 A, 0.00105 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 351
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 311
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 9
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00105
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
NTBLS1D1N08HON SemiconductorSingle N-Channel Power MOSFET
товар відсутній
NTBLS1D1N08HON SemiconductorSingle N-Channel Power MOSFET
товар відсутній
NTBLS1D1N08HonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 41A/351A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 351A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 311W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 650µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11200 pF @ 40 V
на замовлення 1857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+419.59 грн
10+ 345.98 грн
100+ 288.26 грн
500+ 238.7 грн
1000+ 214.83 грн
NTBLS1D1N08HonsemiMOSFET T8-80V IN TOLL
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+449.41 грн
10+ 380.04 грн
250+ 275.06 грн
500+ 243.01 грн
1000+ 218.31 грн
2000+ 208.3 грн
NTBLS1D1N08HonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 41A/351A 8HPSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 351A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 311W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 650µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11200 pF @ 40 V
товар відсутній
NTBLS1D1N08HON Semiconductor
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTBLS1D5N08MConsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 32A/298A 8HPSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 298A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.53mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 710µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8170 pF @ 40 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+265.56 грн
Мінімальне замовлення: 2000
NTBLS1D5N08MConsemiMOSFET PTNG 80V IN TOLL
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+542.88 грн
10+ 458.35 грн
25+ 371.86 грн
100+ 332.47 грн
250+ 312.44 грн
500+ 293.08 грн
1000+ 263.04 грн
NTBLS1D5N08MConsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 32A/298A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 298A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.53mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 710µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8170 pF @ 40 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+499.75 грн
10+ 412.39 грн
100+ 343.67 грн
500+ 284.57 грн
1000+ 256.12 грн
NTBLS1D5N10MCTXGonsemiMOSFET PTNG 100V STD TOLL
на замовлення 1966 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+503.94 грн
10+ 425.34 грн
25+ 335.81 грн
100+ 308.44 грн
250+ 290.41 грн
500+ 272.39 грн
1000+ 258.37 грн
NTBLS1D7N08HONSEMIDescription: ONSEMI - NTBLS1D7N08H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 203 A, 0.00129 ohm, TO-LL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 203A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 167W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-LL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00129ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00129ohm
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+446.36 грн
100+ 372.96 грн
Мінімальне замовлення: 10
NTBLS1D7N08HonsemiDescription: MOSFET - POWER, SINGLE, N-CHANNE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 203A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 479µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7675 pF @ 40 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+165.01 грн
Мінімальне замовлення: 2000
NTBLS1D7N08HonsemiMOSFET T8-80V IN TOLL FOR INDUSTRIAL MARKET
на замовлення 3428 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+367.63 грн
10+ 304.8 грн
100+ 216.31 грн
4000+ 153.55 грн
NTBLS1D7N08HONSEMIDescription: ONSEMI - NTBLS1D7N08H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 203 A, 0.00129 ohm, TO-LL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 203A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-LL
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00129ohm
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+567.68 грн
10+ 446.36 грн
100+ 372.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTBLS1D7N08HonsemiDescription: MOSFET - POWER, SINGLE, N-CHANNE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 203A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 479µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7675 pF @ 40 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+338.7 грн
10+ 274.07 грн
100+ 221.72 грн
500+ 184.96 грн
1000+ 158.37 грн
NTBLS1D7N08HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 29A 9-Pin(8+Tab) PSOF T/R
товар відсутній
NTBLS1D7N10MCTXGonsemiMOSFET PTNG 100V STD TOLL
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+457.98 грн
10+ 386.95 грн
25+ 305.1 грн
100+ 279.73 грн
250+ 263.71 грн
500+ 247.02 грн
1000+ 222.32 грн
NTBLS4D0N15MConsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 19A/187A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 187A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 316W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 584µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7490 pF @ 75 V
на замовлення 4155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+426.81 грн
10+ 345.14 грн
100+ 279.21 грн
500+ 232.92 грн
1000+ 199.43 грн
NTBLS4D0N15MCONSEMIDescription: ONSEMI - NTBLS4D0N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 187 A, 0.0031 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 187A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 316W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 316W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0031ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+346.75 грн
100+ 282.34 грн
500+ 211.41 грн
Мінімальне замовлення: 10
NTBLS4D0N15MConsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 19A/187A 8HPSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 187A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 316W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 584µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7490 pF @ 75 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+207.8 грн
Мінімальне замовлення: 2000
NTBLS4D0N15MConsemiMOSFET MOSFET - Power, Single, N-Channel, TOLL, 150 V, 4.4 mohm?, 187A
на замовлення 7999 шт:
термін постачання 189-198 дні (днів)
1+456.42 грн
10+ 378.5 грн
25+ 310.44 грн
100+ 265.71 грн
250+ 248.35 грн
500+ 236.33 грн
1000+ 202.29 грн
NTBLS4D0N15MCONSEMIDescription: ONSEMI - NTBLS4D0N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 187 A, 0.0031 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 187A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 316W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
на замовлення 1965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+480.81 грн
10+ 357.24 грн
100+ 289.83 грн
500+ 211.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTBM11R0U01110TAmphenol Commercial ProductsAutomotive Connectors NETBridge 1x1 RA DIP 100Mbit/s Code A
товар відсутній
NTBM11R1U01110TAmphenol Commercial ProductsModular Connectors / Ethernet Connectors NETBridge 1x1 RA DIP 1Gbit/s Code A
товар відсутній
NTBM12R0U01110TAmphenol Commercial ProductsAutomotive Connectors NETBridge 1x2 RA DIP 100Mbit/s Code A
товар відсутній
NTBM13R0U01110TAmphenolNET Bridge Input Output Connectors Right angle 1X3 DIP 100Mps NONE-ESD CODE1
товар відсутній
NTBM13R0U01110TAmphenol Commercial ProductsAutomotive Connectors NETBridge 1x3 RA DIP 100Mbit/s Code A
товар відсутній
NTBM14R0U01110TAmphenolNET Bridge Input Output Connectors Right angle 1X4 DIP 100Mps NONE-ESD CODE1
товар відсутній
NTBM14R0U01110TAmphenol Commercial ProductsAutomotive Connectors NETBridge 1x4 RA DIP 100Mbit/s Code A
товар відсутній
NTBM15R0U01110TAmphenol Commercial ProductsAutomotive Connectors NETBridge 1x5 RA DIP 100Mbit/s Code A
товар відсутній
NTBM16R0U01110TAmphenol Commercial ProductsAutomotive Connectors NETBridge 1x6 RA DIP 100Mbit/s Code A
товар відсутній
NTBM17R0U01110TAmphenol Commercial ProductsAutomotive Connectors NETBridge 1x7 RA DIP 100Mbit/s Code A
товар відсутній
NTBMS-FSNXPNXP USA Inc.Description: BATTERY MGMT REF DESIGN ASIL C
Packaging: Bulk
Function: Battery Monitor, Car
Type: Power Management
Utilized IC / Part: FS4503C, MC33772B, S32K144
Supplied Contents: Board(s)
Embedded: Yes, MCU, 32-Bit
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+63383.34 грн
NTBMS-FSNXPNXP SemiconductorsFS4503C/MC33772B/S32K144 Battery Management Development Board Automotive
товар відсутній
NTBMS-FSNXPNXP SemiconductorsPower Management IC Development Tools NewTec NXP BMS Kit
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+73558.37 грн
NTBNApex Tool GroupDescription: TIP SOLDER CHISEL DIM .094"
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTBN-M20Fraenkische USA, LPDescription: FIPLOCK, LOCKNUT, M20X1.5, BRASS
Features: M20 Thread
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Fiplock ONE® Series
Material: Brass, Nickel Plated
Accessory Type: Locknut
на замовлення 1426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+159.6 грн
10+ 133.52 грн
100+ 119.29 грн
1000+ 79.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTBN-M20-EMVFraenkische USA, LPDescription: FIPLOCK, LOCKNUT, M20X1.5, BRASS
Features: M20 Thread
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Fiplock ONE® Series
Material: Brass, Nickel Plated
Accessory Type: Locknut
товар відсутній
NTBN-M32Fraenkische USA, LPDescription: FIPLOCK, LOCKNUT, M32X1.5, BRASS
на замовлення 352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTBN-M32-EMVFraenkische USA, LPDescription: FIPLOCK, LOCKNUT, M32X1.5, BRASS
товар відсутній
NTBN-M50Fraenkische USA, LPDescription: FIPLOCK, LOCKNUT, M50X1.5, BRASS
Packaging: Bulk
Features: M50 Thread
For Use With/Related Products: Fiplock ONE® Series
Material: Brass, Nickel Plated
Accessory Type: Locknut
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+603.74 грн
12+ 522.91 грн
NTBN-M63Fraenkische USA, LPDescription: FIPLOCK, LOCKNUT, M63X1.5, BRASS
товар відсутній
NTBN-P07Fraenkische USA, LPDescription: FIPLOCK, LOCKNUT, PG07, BRASS-NI
Features: PG7 Thread
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Fiplock ONE® Series
Material: Brass, Nickel Plated
Accessory Type: Locknut
Part Status: Active
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.44 грн
10+ 44.51 грн
100+ 36.7 грн
Мінімальне замовлення: 6
NTBN-P07-EMVFraenkische USA, LPDescription: FIPLOCK, LOCKNUT, PG07, BRASS-NI
Features: PG7 Thread
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Fiplock ONE® Series
Material: Brass, Nickel Plated
Accessory Type: Locknut
Part Status: Active
товар відсутній
NTBN-P09Fraenkische USA, LPDescription: FIPLOCK, LOCKNUT, PG09, BRASS-NI
Features: PG9 Thread
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Fiplock ONE® Series
Material: Brass, Nickel Plated
Accessory Type: Locknut
Part Status: Active
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+50.55 грн
10+ 41.17 грн
100+ 36.96 грн
1000+ 25.22 грн
Мінімальне замовлення: 6
NTBN-P21Fraenkische USA, LPDescription: FIPLOCK, LOCKNUT, PG21, BRASS-NI
Packaging: Bulk
Features: PG21 Thread
For Use With/Related Products: Fiplock ONE® Series
Material: Brass, Nickel Plated
Accessory Type: Locknut
на замовлення 735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.88 грн
10+ 76.5 грн
100+ 68.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
NTBN-P29Fraenkische USA, LPDescription: FIPLOCK, LOCKNUT, PG29, BRASS-NI
Packaging: Bulk
Features: PG29 Thread
For Use With/Related Products: Fiplock ONE® Series
Material: Brass, Nickel Plated
Accessory Type: Locknut
на замовлення 357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.71 грн
12+ 109.59 грн
102+ 97.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
NTBN-P36Fraenkische USA, LPDescription: FIPLOCK, LOCKNUT, PG36, BRASS-NI
Features: PG36 Thread
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Fiplock ONE® Series
Material: Brass, Nickel Plated
Accessory Type: Locknut
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+194.27 грн
12+ 169.45 грн
102+ 149.3 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTBN-P42Fraenkische USA, LPDescription: FIPLOCK, LOCKNUT, PG42, BRASS-NI
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+345.92 грн
10+ 302.16 грн
25+ 286.21 грн
50+ 262.33 грн
NTBN-P48Fraenkische USA, LPDescription: FIPLOCK, LOCKNUT, PG48, BRASS-NI
Packaging: Bulk
Features: PG48 Thread
For Use With/Related Products: Fiplock ONE® Series
Material: Brass, Nickel Plated
Accessory Type: Locknut
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+397.2 грн
12+ 347.48 грн
NTBS2D7N06M7onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK-3
товар відсутній
NTBS2D7N06M7ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
NTBS2D7N06M7onsemiMOSFET NMOS 60V 2.7 MOHM
на замовлення 422 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+373.08 грн
10+ 320.92 грн
25+ 270.38 грн
100+ 243.68 грн
800+ 241.01 грн
2400+ 230.99 грн
NTBS2D7N06M7onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK-3
на замовлення 686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+284.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTBS9D0N10MCONSEMIDescription: ONSEMI - NTBS9D0N10MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.0078 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm
на замовлення 1407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+211.95 грн
10+ 157.27 грн
100+ 122.07 грн
500+ 100.84 грн
800+ 76.39 грн
Мінімальне замовлення: 4
NTBS9D0N10MConsemiMOSFET PTNG 100V 9.0MOHM, D2PAK-3L
на замовлення 6999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+200.17 грн
10+ 164.3 грн
100+ 114.16 грн
250+ 112.16 грн
500+ 105.48 грн
800+ 80.78 грн
4800+ 77.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTBS9D0N10MCONSEMIDescription: ONSEMI - NTBS9D0N10MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.0078 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 68W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0078ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm
на замовлення 1407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+122.07 грн
500+ 100.84 грн
800+ 76.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
NTBT-F135L10P3
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTBT-F153L10-P3-A
на замовлення 309 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTBT-R153H09-P3
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTBV25P06T4GON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK
товар відсутній
NTBV30N20T4GON SemiconductorTRANS MOSFET N-CH 60V 45A 3-PIN(2+TAB) D2PAK T/R
товар відсутній
NTBV30N20T4GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 30A D2PAK
товар відсутній
NTBV30N20T4GON SemiconductorTRANS MOSFET N-CH 60V 45A 3-PIN(2+TAB) D2PAK T/R
товар відсутній
NTBV45N06LT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 45A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
NTBV45N06LT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 45A D2PAK
товар відсутній
NTBV45N06LT4GON SemiconductorMOSFET NFET 60V 45A 28MOHM
товар відсутній
NTBV45N06T4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 45A D2PAK
товар відсутній
NTBV45N06T4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTBV45N06T4G - NTBV45N06T4G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 61813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+87.62 грн
Мінімальне замовлення: 800
NTBV45N06T4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 45A D2PAK
на замовлення 62973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTBV5605T4GON SemiconductorMOSFET NFET 60V 18.5A 14MO
на замовлення 680 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTBV5605T4GON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAK
товар відсутній
NTBV75N06T4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 37.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4510 pF @ 25 V
товар відсутній