Продукція > NTH

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NTHWELLERWEL.NT-H Soldering tips
на замовлення 5 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1422.02 грн
2+ 1343.57 грн
NTHWellerSoldering Irons Weller Chisel Tip For WMP Solder Penc
товар відсутній
NTHWellerChisel Tip 0.8mm NTH
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+1492.42 грн
Мінімальне замовлення: 8
NTHApex Tool Group B.V.Chisel Tip 0.8mm NTH
товар відсутній
NTH-FA3R3KTR
на замовлення 370000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH.WELLERDescription: WELLER - NTH. - Lötspitze, meißelförmig, 0.8mm
Breite der Spitze/Düse: 0.8
Spitze/Düse: Meißelförmig
Zur Verwendung mit: Lötkolben WMP
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+973.6 грн
5+ 895.71 грн
NTH027N65S3F-F155ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTH027N65S3F-F155ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 60A; Idm: 187.5A; 595W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 187.5A
Power dissipation: 595W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 259nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
NTH027N65S3F-F155ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+1801.2 грн
10+ 1411.16 грн
120+ 1295.71 грн
510+ 1224.61 грн
Мінімальне замовлення: 7
NTH027N65S3F-F155ON Semiconductor
на замовлення 1521 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH027N65S3F-F155ONSEMIDescription: ONSEMI - NTH027N65S3F-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.023 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 75
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 595
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET III
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTH027N65S3F-F155ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTH027N65S3F-F155ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1405.26 грн
10+ 1186.5 грн
120+ 1097.41 грн
NTH027N65S3F-F155onsemiMOSFET SF3 FRFET 650V 27MOHM
на замовлення 978 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1567.89 грн
10+ 1441.08 грн
25+ 1132.94 грн
100+ 1042.14 грн
250+ 1011.43 грн
450+ 924.64 грн
2700+ 911.29 грн
NTH027N65S3F-F155onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.4mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 7.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 259 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7690 pF @ 400 V
на замовлення 242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1487.69 грн
30+ 1187.75 грн
120+ 1113.52 грн
NTH027N65S3F-F155ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 60A; Idm: 187.5A; 595W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 187.5A
Power dissipation: 595W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 259nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NTH027N65S3F_F155ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
товар відсутній
NTH030C-2.4576Diodes IncOscillator XO 2.4576MHz ±100ppm 50pF HCMOS/TTL 60% 5V 4-Pin Metal DIP Thru-Hole Bulk
товар відсутній
NTH03NA-2.048000MHZT
на замовлення 1150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH03NA-2.0480MHZ(T)
на замовлення 2092 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH03NA-2.0480T
на замовлення 615 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH03NA20480T
на замовлення 132 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH0505M
на замовлення 155 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH0505MCMurata Power SolutionsIsolated DC/DC Converters 2W 5-5V SINGLE 1KV DC/DC
товар відсутній
NTH0505MC
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH0505MCMurata Power SolutionsModule DC-DC 5VIN 2-OUT 5V/-5V 0.2A/-0.2A 2W 8-Pin SMD Tube
товар відсутній
NTH0505MCMurata Power Solutions Inc.Description: DC DC CONVERTER +/-5V 2W
Packaging: Tube
Package / Case: 26-SMD Module, 12 Leads
Size / Dimension: 0.70" L x 0.50" W x 0.23" H (17.8mm x 12.7mm x 5.8mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 5.5V
Efficiency: 80%
Current - Output (Max): 200mA, 200mA
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output 1: 5V
Voltage - Output 2: -5V
Part Status: Last Time Buy
Power (Watts): 2 W
Number of Outputs: 2
Voltage - Isolation: 1 kV
товар відсутній
NTH0505MCMurata Power SolutionsModule DC-DC 5VIN 2-OUT 5V/-5V 0.2A/-0.2A 2W 8-Pin SMD Tube
товар відсутній
NTH0505MC-RMurata Power Solutions Inc.Description: CONV DC/DC SM 2W 5VIN 5VDUAL 1KV
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTH0505MC-RMurata Power SolutionsModule DC-DC 5VIN 2-OUT 5V/-5V 0.2A/-0.2A 2W 12-Pin Mini-SMD T/R
товар відсутній
NTH0505MC-RMurata Power SolutionsIsolated DC/DC Converters 5V +/-5Vout +/-200mA Isolated 2W SMT
товар відсутній
NTH0509MCMurata Power Solutions Inc.Description: CONV DC/DC SM 2W 9VIN 5VDUAL 1KV
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTH0509MCMurata Power SolutionsIsolated DC/DC Converters 2W 5V TO 9V +/-111mA
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTH0509MC-RMurata Power SolutionsIsolated DC/DC Converters 5V +/-9Vout +/-111mA Isolated 2W SMT
товар відсутній
NTH0509MC-RMurata Power Solutions Inc.Description: CONV DC/DC SM 2W 9VIN 5VDUAL 1KV
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTH0512MCMurata Power Solutions Inc.Description: DC DC CONVERTER +/-12V 2W
на замовлення 122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTH0512MCMurata Power SolutionsIsolated DC/DC Converters SUGGESTED ALTERNATE 580-NMH0512SC
товар відсутній
NTH0512MC-RMurata Power SolutionsIsolated DC/DC Converters 5V +/-12Vout +/-83mA Isolated 2W SMT
товар відсутній
NTH0512MC-RMurata Power Solutions Inc.Description: CONV DC/DC 2W 5VIN 12V DUAL 1KV
товар відсутній
NTH0515MC
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH0515MCMurata Power Solutions Inc.Description: DC DC CONVERTER +/-15V 2W
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTH0515MCMurata Power SolutionsIsolated DC/DC Converters 2W 5V TO 15V +/-67mA
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTH0515MC-RMurata Power Solutions Inc.Description: DC DC CONVERTER +/-15V 2W
товар відсутній
NTH0515MC-RMurata Power SolutionsIsolated DC/DC Converters 5V +/-15Vout +/-67mA Isolated 2W SMT
на замовлення 389 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTH069AASARONIX0052+
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH069AASARONIX0052+
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH080AA44.7360MHZ
на замовлення 958 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH08312J803JTR
на замовлення 1890 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH089AA362208
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH08HCCITIZEN1000/REEL
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH08HC-55.0000MHZ
на замовлення 806 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH08NB-25.0000(T)
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH11D5R0LA/C130MURATA
на замовлення 7800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH1205M
на замовлення 157 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH1205MCMurata Power SolutionsIsolated DC/DC Converters DC/DC SM 2W 12-5V Single 1kV
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1093.55 грн
5+ 1073.32 грн
10+ 926.65 грн
25+ 915.3 грн
NTH1205MCMurata Power SolutionsModule DC-DC 12VIN 2-OUT 5V/-5V 0.2A/-0.2A 2W 12-Pin Mini-SMD Tube
товар відсутній
NTH1205MCMurata Power SolutionsModule DC-DC 12VIN 2-OUT 5V/-5V 0.2A/-0.2A 2W 12-Pin Mini-SMD Tube
товар відсутній
NTH1205MCMurata Power Solutions Inc.Description: DC DC CONVERTER +/-5V 2W
Packaging: Tube
Package / Case: 26-SMD Module, 12 Leads
Size / Dimension: 0.70" L x 0.50" W x 0.23" H (17.8mm x 12.7mm x 5.8mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 13.2V
Efficiency: 80%
Current - Output (Max): 200mA, 200mA
Voltage - Input (Min): 10.8V
Voltage - Output 1: 5V
Voltage - Output 2: -5V
Part Status: Last Time Buy
Power (Watts): 2 W
Number of Outputs: 2
Voltage - Isolation: 1 kV
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1013.94 грн
5+ 972.21 грн
10+ 965.26 грн
NTH1205MC-RMurata Power Solutions Inc.Description: DC DC CONVERTER +/-5V 2W
товар відсутній
NTH1205MC-RMurata Power SolutionsIsolated DC/DC Converters 2W +/-5Vout +/-200mA 12Vin Isolated SMT
товар відсутній
NTH1205MC-RMurata Power SolutionsModule DC-DC 12VIN 2-OUT 5V/-5V 0.2A/-0.2A 2W 12-Pin Mini-SMD T/R
товар відсутній
NTH1209MCMurata Power SolutionsIsolated DC/DC Converters - SMD DC/DC SM 2W 12-9V Single 1kV
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1093.55 грн
5+ 1073.32 грн
10+ 926.65 грн
25+ 915.3 грн
NTH1209MC
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH1209MCMurata Power Solutions Inc.Description: DC DC CONVERTER +/-9V 2W
товар відсутній
NTH1209MC-RMurata Power Solutions Inc.Description: DC DC CONVERTER +/-9V 2W
товар відсутній
NTH1209MC-RMurata Power SolutionsModule DC-DC 12VIN 2-OUT 9V/-9V 0.111A/-0.111A 2W 12-Pin Mini-SMD T/R
товар відсутній
NTH1209MC-RMurata Power SolutionsModule DC-DC 12VIN 2-OUT 9V/-9V 0.111A/-0.111A 2W 12-Pin Mini-SMD T/R
товар відсутній
NTH1209MC-RMurata Power SolutionsIsolated DC/DC Converters - SMD DC/DC SM 2W 12-9V Single 1kV
товар відсутній
NTH1212MCMurata Power Solutions Inc.Description: DC DC CONVERTER +/-12V 2W
Packaging: Tube
Package / Case: 26-SMD Module, 12 Leads
Size / Dimension: 0.70" L x 0.50" W x 0.23" H (17.8mm x 12.7mm x 5.8mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 13.2V
Efficiency: 84%
Current - Output (Max): 83mA, 83mA
Voltage - Input (Min): 10.8V
Voltage - Output 1: 12V
Voltage - Output 2: -12V
Power (Watts): 2 W
Number of Outputs: 2
Voltage - Isolation: 1 kV
товар відсутній
NTH1212MCMurata Power SolutionsModule DC-DC 12VIN 2-OUT 12V/-12V 0.083A/-0.083A 2W 12-Pin Mini-SMD Tube
товар відсутній
NTH1212MC
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH1212MCMurata Power SolutionsModule DC-DC 12VIN 2-OUT 12V/-12V 0.083A/-0.083A 2W 12-Pin Mini-SMD Tube
товар відсутній
NTH1212MCMurata Power SolutionsIsolated DC/DC Converters SUGGESTED ALTERNATE 580-NMH1212SC
товар відсутній
NTH1212MC-RMurata Power SolutionsIsolated DC/DC Converters - SMD 2W +/-12Vout +/-83mA 12Vin Isolated SMT
товар відсутній
NTH1212MC-RMurata Power Solutions Inc.Description: DC DC CONVERTER +/-12V 2W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 26-SMD Module, 12 Leads
Size / Dimension: 0.70" L x 0.50" W x 0.23" H (17.8mm x 12.7mm x 5.8mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 13.2V
Efficiency: 84%
Current - Output (Max): 83mA, 83mA
Voltage - Input (Min): 10.8V
Voltage - Output 1: 12V
Voltage - Output 2: -12V
Power (Watts): 2 W
Number of Outputs: 2
Voltage - Isolation: 1 kV
товар відсутній
NTH1212MC-RMurata Power SolutionsModule DC-DC 12VIN 2-OUT 12V/-12V 0.083A/-0.083A 2W 12-Pin Mini-SMD T/R
товар відсутній
NTH1212MC-RMurata Power SolutionsModule DC-DC 12VIN 2-OUT 12V/-12V 0.083A/-0.083A 2W 12-Pin Mini-SMD T/R
товар відсутній
NTH1215MMurata Power SolutionsIsolated DC/DC Converters 2W 12V - 15V +/-67mA
товар відсутній
NTH1215MCMurata Power Solutions Inc.Description: DC DC CONVERTER +/-15V 2W
Packaging: Tube
Package / Case: 26-SMD Module, 12 Leads
Size / Dimension: 0.70" L x 0.50" W x 0.23" H (17.8mm x 12.7mm x 5.8mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 13.2V
Efficiency: 84%
Current - Output (Max): 67mA, 67mA
Voltage - Input (Min): 10.8V
Voltage - Output 1: 15V
Voltage - Output 2: -15V
Part Status: Last Time Buy
Power (Watts): 2 W
Number of Outputs: 2
Voltage - Isolation: 1 kV
товар відсутній
NTH1215MCMurata Power SolutionsIsolated DC/DC Converters DC/DC SM 2W 12-15V Single 1kV
товар відсутній
NTH1215MCMurata Power SolutionsModule DC-DC 12VIN 2-OUT 15V/-15V 0.067A/-0.067A 2W 12-Pin Mini-SMD Tube
товар відсутній
NTH1215MCMurata Power SolutionsModule DC-DC 12VIN 2-OUT 15V/-15V 0.067A/-0.067A 2W 12-Pin Mini-SMD Tube
товар відсутній
NTH1215MCMurataDC-DC перетворювач; Кіл. вих. кан. = 2; Uвих1, В = -15; Uвих2, В = 15; Pвих, Вт = 1; Pвих2, Вт = 1; Uвх (max), В = 13,2; Uвх (min), В = 10,8; Iвих1, А = 0,067; Iвих2, А = 0,067; Uізол., В = 1 000; ККД, % = 84; Рів. пульс., мВ = 150; Тексп, °С = -40...+85
на замовлення 47 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+946.58 грн
10+ 883.47 грн
NTH1215MC-RMurata Power SolutionsModule DC-DC 12VIN 2-OUT 15V/-15V 0.067A/-0.067A 2W 12-Pin Mini-SMD T/R
товар відсутній
NTH1215MC-RMurata Power Solutions Inc.Description: DC DC CONVERTER +/-15V 2W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 26-SMD Module, 12 Leads
Size / Dimension: 0.70" L x 0.50" W x 0.23" H (17.8mm x 12.7mm x 5.8mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 13.2V
Efficiency: 84%
Current - Output (Max): 67mA, 67mA
Voltage - Input (Min): 10.8V
Voltage - Output 1: 15V
Voltage - Output 2: -15V
Power (Watts): 2 W
Number of Outputs: 2
Voltage - Isolation: 1 kV
товар відсутній
NTH1215MC-RMurata Power SolutionsIsolated DC/DC Converters DC/DC SM 2W 12-15V Single 1kV
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1093.55 грн
5+ 1073.32 грн
10+ 926.65 грн
25+ 915.3 грн
NTH1215MC-RMurata Power SolutionsModule DC-DC 12VIN 2-OUT 15V/-15V 0.067A/-0.067A 2W 12-Pin Mini-SMD T/R
товар відсутній
NTH205MCMurata ElectronicsMurata
товар відсутній
NTH209MCMurata ElectronicsMurata
товар відсутній
NTH212MCMurata ElectronicsMurata
товар відсутній
NTH215MCMurata ElectronicsMurata
товар відсутній
NTH215MC-RMurata ElectronicsMurata
товар відсутній
NTH2410BL
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH25CST141BOmron Automation and SafetyOmron
товар відсутній
NTH25ST121BOmron Automation and SafetyOmron
товар відсутній
NTH294AAFCI0009
на замовлення 96 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH294AAPulse ElectronicsPulse
товар відсутній
NTH295AAPulse ElectronicsPulse
товар відсутній
NTH407AQPulse Electronics NetworkDescription: IC CHIP
товар відсутній
NTH407AQNLPulse Electronics NetworkDescription: IC CHIP
товар відсутній
NTH407CKPulse Electronics NetworkDescription: IC CHIP
товар відсутній
NTH411ARPulse Electronics NetworkDescription: IC CHIP
товар відсутній
NTH413AE
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH437AAPulse Electronics NetworkDescription: IC CHIP
товар відсутній
NTH437ABTPULSE0
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH437AGT
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH437AWPulse Electronics NetworkDescription: IC CHIP
товар відсутній
NTH439ANPulse Electronics NetworkDescription: IC CHIP
товар відсутній
NTH439BBPulse Electronics NetworkDescription: IC CHIP
товар відсутній
NTH441BKPulse Electronics NetworkDescription: IC CHIP
товар відсутній
NTH441CT
на замовлення 390 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH441DCPulse Electronics NetworkDescription: IC CHIP
товар відсутній
NTH441DCTPulse Electronics NetworkDescription: IC CHIP
товар відсутній
NTH441DDPulse Electronics NetworkDescription: IC CHIP
товар відсутній
NTH441DDTPulse Electronics NetworkDescription: IC CHIP
товар відсутній
NTH441DEPulse Electronics NetworkDescription: IC CHIP
товар відсутній
NTH441DETPulse Electronics NetworkDescription: IC CHIP
товар відсутній
NTH441DFPulse Electronics NetworkDescription: IC CHIP
товар відсутній
NTH456AAPulse Electronics NetworkDescription: IC CHIP
товар відсутній
NTH456AANLPulse Electronics NetworkDescription: FIXED IND
товар відсутній
NTH456AATPulse Electronics NetworkDescription: IC CHIP
товар відсутній
NTH456AAT
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH465BB
на замовлення 470 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH48HC3-33.3333
на замовлення 229 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH4G1S33B103FD01MURATASMD
на замовлення 86200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH4G39A103E02
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH4G39A103F02MURATADIP
на замовлення 86200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH4G40B203F01
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH4L013N120M3SON SemiconductorDiscrete SiC M3S 1200V 13mohm
товар відсутній
NTH4L014N120M3PON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 127A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+1346.69 грн
Мінімальне замовлення: 450
NTH4L014N120M3PonsemiDescription: SIC MOSFET 1200 V 14 MOHM M3P SE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 127A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 74A, 18V
Power Dissipation (Max): 686W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.63V @ 37mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 329 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6230 pF @ 800 V
на замовлення 196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1929.66 грн
10+ 1651.51 грн
NTH4L014N120M3PonsemiMOSFET SIC MOS TO247-4L 14MOHM 1200V
на замовлення 365 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2080.39 грн
10+ 1821.88 грн
25+ 1478.09 грн
50+ 1432.7 грн
100+ 1386.63 грн
250+ 1293.83 грн
450+ 1189.02 грн
NTH4L015N065SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTH4L015N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 142 A, 650 V, 0.012 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 142A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1892.53 грн
5+ 1876.06 грн
10+ 1859.58 грн
50+ 1710.76 грн
100+ 1565.04 грн
NTH4L015N065SC1ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 100A; Idm: 483A; 250W; TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 100A
On-state resistance: 16mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 283nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 483A
Case: TO247
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NTH4L015N065SC1onsemiDescription: SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 142A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 75A, 18V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 25mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 283 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4790 pF @ 325 V
на замовлення 6433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1811.94 грн
30+ 1446.52 грн
120+ 1356.1 грн
510+ 1085.99 грн
NTH4L015N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 142A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2824.28 грн
10+ 2258.55 грн
NTH4L015N065SC1onsemiMOSFET SIC MOS TO247-4L 650V
на замовлення 308 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2634.96 грн
10+ 2298.66 грн
25+ 1954.77 грн
50+ 1807.9 грн
250+ 1770.51 грн
450+ 1685.72 грн
NTH4L015N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 142A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTH4L015N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 142A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+3041.53 грн
10+ 2432.29 грн
Мінімальне замовлення: 4
NTH4L015N065SC1ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 100A; Idm: 483A; 250W; TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 100A
On-state resistance: 16mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 283nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 483A
Case: TO247
товар відсутній
NTH4L015N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 142A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2324.47 грн
10+ 2028.21 грн
NTH4L016N065M3SON SemiconductorNTH4L016N065M3S
товар відсутній
NTH4L020N090SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 900V 116A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTH4L020N090SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 900V 116A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTH4L020N090SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTH4L020N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 116 A, 900 V, 0.016 ohm, TO-247
tariffCode: 85414900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 116A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 484W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2763.53 грн
5+ 2671.41 грн
10+ 2577.05 грн
50+ 2324.82 грн
100+ 2027.23 грн
NTH4L020N090SC1onsemiDescription: SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 15V
Power Dissipation (Max): 484W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4415 pF @ 450 V
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1819.16 грн
30+ 1452.13 грн
120+ 1361.37 грн
NTH4L020N090SC1onsemiMOSFET SIC MOSFET 900V TO247-4L 20MOHM
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1976.02 грн
10+ 1730.52 грн
25+ 1403.99 грн
50+ 1360.6 грн
100+ 1316.53 грн
250+ 1228.41 грн
450+ 1128.93 грн
NTH4L020N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 102A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2697.52 грн
10+ 2344.03 грн
NTH4L020N120SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTH4L020N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 102 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 102A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 510W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2001.13 грн
NTH4L020N120SC1ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 84A; Idm: 408A; 255W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 84A
Pulsed drain current: 408A
Power dissipation: 255W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -15...25V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.22µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товар відсутній
NTH4L020N120SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 102A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 20V
Power Dissipation (Max): 510W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2943 pF @ 800 V
на замовлення 2132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2525.45 грн
30+ 2016.26 грн
120+ 1890.26 грн
NTH4L020N120SC1onsemiMOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 20 mohm, 1200 V, M1, TO-247-4L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 20 mohm, 1200 V, M1, TO-247-4L
на замовлення 335 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2585.89 грн
10+ 2525.15 грн
25+ 1855.96 грн
100+ 1769.84 грн
250+ 1761.16 грн
450+ 1547.53 грн
900+ 1546.86 грн
NTH4L020N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 102A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTH4L020N120SC1ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 84A; Idm: 408A; 255W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 84A
Pulsed drain current: 408A
Power dissipation: 255W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -15...25V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.22µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NTH4L020N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 102A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTH4L022N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 68A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1974.17 грн
10+ 1494.35 грн
NTH4L022N120M3SonsemiDescription: SIC MOS TO247-4L 22MOHM 1200V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 352W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3175 pF @ 800 V
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2088.54 грн
NTH4L022N120M3SonsemiMOSFET SIC MOS TO247-4L 22MOHM 1200V
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1363.82 грн
10+ 1236.09 грн
25+ 1030.13 грн
100+ 873.24 грн
250+ 845.87 грн
450+ 791.12 грн
900+ 730.37 грн
NTH4L022N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 68A Automotive Tube
товар відсутній
NTH4L022N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 68A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1568.96 грн
10+ 1329.2 грн
NTH4L022N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 68A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+2126.03 грн
10+ 1609.31 грн
Мінімальне замовлення: 6
NTH4L022N120M3SONSEMIDescription: ONSEMI - NTH4L022N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 68 A, 1.2 kV, 0.022 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.72V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 352W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
на замовлення 369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1044 грн
NTH4L023N065M3SON SemiconductorSiC MOS TO247-4L 23mohm 650V M3S
товар відсутній
NTH4L025N065SC1ON SemiconductorSiC MOS TO247-4L 650V
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+865.34 грн
Мінімальне замовлення: 450
NTH4L025N065SC1ON SemiconductorSilicon Carbide MOSFET,19mohm,650V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1639.23 грн
10+ 1498.7 грн
NTH4L025N065SC1onsemiDescription: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 45A, 18V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 15.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3480 pF @ 15 V
на замовлення 5229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1357.69 грн
10+ 1151.56 грн
450+ 902.59 грн
NTH4L025N065SC1onsemiMOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 19 mohm, 650 V, M2, TO-247-4L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - 19 mohm, 650 V, M2, TO247-4L
на замовлення 423 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1454.17 грн
10+ 1262.19 грн
25+ 1068.18 грн
50+ 1008.1 грн
100+ 949.35 грн
250+ 919.3 грн
450+ 860.55 грн
NTH4L027N65S3FON Semiconductor650 V, N Channel Power MOSFET
товар відсутній
NTH4L027N65S3FON Semiconductor650 V, N Channel Power MOSFET
товар відсутній
NTH4L027N65S3FonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.4mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 259 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7690 pF @ 400 V
товар відсутній
NTH4L027N65S3FON Semiconductor
на замовлення 310 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH4L027N65S3FonsemiMOSFET FRFET 650V 75A 27.4 mOhm
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1588.14 грн
10+ 1391.94 грн
25+ 1128.93 грн
50+ 1118.92 грн
100+ 1118.25 грн
450+ 950.01 грн
NTH4L027N65S3FONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 60A; Idm: 187.5A; 595W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 187.5A
Power dissipation: 595W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 259nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NTH4L027N65S3FONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 60A; Idm: 187.5A; 595W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 187.5A
Power dissipation: 595W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 259nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
NTH4L028N170M1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 81A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTH4L028N170M1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 81A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTH4L028N170M1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 81A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTH4L028N170M1onsemiDescription: SIC MOSFET 1700 V 28 MOHM M1 SER
товар відсутній
NTH4L028N170M1onsemiMOSFET SIC 1700V MOS 28MO IN TO247-4L
на замовлення 344 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2775.93 грн
10+ 2431.48 грн
25+ 1972.8 грн
50+ 1911.38 грн
100+ 1849.29 грн
250+ 1725.78 грн
450+ 1586.25 грн
NTH4L030N120M3SON SemiconductorSilicon Carbide (SiC) MOSFET
товар відсутній
NTH4L030N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 73A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+764.86 грн
Мінімальне замовлення: 450
NTH4L030N120M3SonsemiDescription: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 15mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 800 V
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1182.93 грн
30+ 922.21 грн
120+ 867.97 грн
NTH4L030N120M3SonsemiMOSFET SIC MOS TO247-4L 30MOHM 1200V M3
на замовлення 868 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1285.15 грн
10+ 1116.32 грн
25+ 944.67 грн
50+ 891.26 грн
100+ 839.19 грн
250+ 813.15 грн
450+ 759.74 грн
NTH4L032N065M3SON SemiconductorSiC MOS TO247-4L 32mohm 650V M3S
товар відсутній
NTH4L040N120M3SonsemiDescription: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 800 V
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+892.61 грн
10+ 757.39 грн
NTH4L040N120M3SonsemiMOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-4L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-4L
на замовлення 758 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+969.71 грн
10+ 842.23 грн
25+ 713.01 грн
50+ 672.95 грн
100+ 633.56 грн
250+ 613.54 грн
450+ 573.48 грн
NTH4L040N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 43A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+577.15 грн
Мінімальне замовлення: 450
NTH4L040N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 58A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+940.89 грн
Мінімальне замовлення: 450
NTH4L040N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 58A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1835.53 грн
10+ 1450.89 грн
NTH4L040N120SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTH4L040N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 58 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 319W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1390.75 грн
5+ 1275.42 грн
10+ 1159.34 грн
50+ 1075.13 грн
100+ 931.45 грн
250+ 811.41 грн
NTH4L040N120SC1ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 41A; Idm: 232A; 160W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 41A
Pulsed drain current: 232A
Power dissipation: 160W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -15...25V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 106nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NTH4L040N120SC1ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 41A; Idm: 232A; 160W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 41A
Pulsed drain current: 232A
Power dissipation: 160W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -15...25V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 106nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товар відсутній
NTH4L040N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 58A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTH4L040N120SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 58A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 35A, 20V
Power Dissipation (Max): 319W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1762 pF @ 800 V
на замовлення 875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1356.97 грн
30+ 1083.16 грн
120+ 1015.46 грн
510+ 813.2 грн
NTH4L040N120SC1onsemiMOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, TO-247-4L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, TO-247-4L
на замовлення 2555 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1448.72 грн
10+ 1270.63 грн
25+ 1032.13 грн
100+ 968.71 грн
250+ 961.36 грн
450+ 843.2 грн
2700+ 830.51 грн
NTH4L040N65S3FON Semiconductor
на замовлення 156 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH4L040N65S3FONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 45A; Idm: 162.5A; 446W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 162.5A
Power dissipation: 446W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 158nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1024.53 грн
3+ 899.89 грн
NTH4L040N65S3FonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 65A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.1mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5940 pF @ 400 V
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1123.71 грн
30+ 875.94 грн
120+ 824.42 грн
NTH4L040N65S3FON Semiconductor650 V, 65 A, 40 m Ohm N Channel MOSFET
товар відсутній
NTH4L040N65S3FonsemiMOSFET FRFET 650 V 65 A 40 mOhm TO-247
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1220.51 грн
10+ 1088.68 грн
25+ 946.01 грн
50+ 855.21 грн
100+ 801.14 грн
250+ 774.43 грн
450+ 657.6 грн
NTH4L040N65S3FONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 45A; Idm: 162.5A; 446W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 162.5A
Power dissipation: 446W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 158nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1229.43 грн
3+ 1121.4 грн
NTH4L040N65S3FonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 65A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.1mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5940 pF @ 400 V
на замовлення 871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1123.71 грн
10+ 953.23 грн
100+ 824.42 грн
500+ 701.15 грн
NTH4L045N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 55A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTH4L045N065SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTH4L045N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 55 A, 650 V, 0.033 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
на замовлення 452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+880.74 грн
5+ 802.1 грн
10+ 723.46 грн
50+ 646.75 грн
100+ 546.93 грн
250+ 494.93 грн
NTH4L045N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 55A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+831.64 грн
10+ 729.5 грн
NTH4L045N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 55A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTH4L045N065SC1onsemiDescription: SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 325 V
на замовлення 118353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+801.62 грн
30+ 624.82 грн
120+ 588.07 грн
510+ 500.14 грн
1020+ 458.75 грн
NTH4L045N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 55A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1061.69 грн
10+ 843.52 грн
NTH4L045N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 55A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+1143.36 грн
13+ 908.4 грн
Мінімальне замовлення: 11
NTH4L045N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 55A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+517.96 грн
Мінімальне замовлення: 450
NTH4L045N065SC1onsemiMOSFET SIC MOS TO247-4L 650V
на замовлення 1708 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+870.79 грн
10+ 756.24 грн
25+ 634.9 грн
50+ 602.19 грн
100+ 570.14 грн
250+ 550.78 грн
450+ 533.42 грн
NTH4L060N065SC1onsemiDescription: SIC MOS TO247-4L 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 6.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1473 pF @ 325 V
на замовлення 25395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+759.01 грн
30+ 583.1 грн
120+ 521.71 грн
510+ 432 грн
1020+ 388.8 грн
NTH4L060N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 47A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTH4L060N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 47A Tube
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+425.27 грн
Мінімальне замовлення: 450
NTH4L060N065SC1onsemiMOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 44 mohm, 650 V, M2, TO-247-4L
на замовлення 533 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+810.04 грн
10+ 684.07 грн
25+ 539.43 грн
100+ 495.37 грн
250+ 466.66 грн
450+ 437.29 грн
900+ 393.22 грн
NTH4L060N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 47A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+725.16 грн
10+ 688.65 грн
25+ 681.77 грн
NTH4L060N090SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 900V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTH4L060N090SC1onsemiMOSFET SIC MOSFET 900V TO247-4L 60MOHM
на замовлення 730 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+975.16 грн
10+ 855.28 грн
60+ 743.05 грн
120+ 687.64 грн
270+ 665.61 грн
510+ 635.57 грн
1020+ 552.78 грн
NTH4L060N090SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 900V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+473.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTH4L060N090SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 900V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+717.52 грн
Мінімальне замовлення: 17
NTH4L060N090SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 900V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+510.17 грн
Мінімальне замовлення: 23
NTH4L060N090SC1onsemiDescription: SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 221W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 450 V
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+803.06 грн
30+ 626.05 грн
120+ 589.21 грн
NTH4L060N090SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTH4L060N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 66.9 A, 900 V, 0.0531 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 66.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.09V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 320W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0531ohm
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+705.49 грн
5+ 644.08 грн
10+ 582.66 грн
50+ 524.35 грн
100+ 438.44 грн
250+ 405.7 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTH4L060N090SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 900V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTH4L060N090SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 900V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+666.27 грн
NTH4L067N65S3HonsemiDescription: SUPERFET3 FAST 67MOHM TO-247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 266W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 3.9mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 400 V
товар відсутній
NTH4L067N65S3HONSEMINTH4L067N65S3H THT N channel transistors
товар відсутній
NTH4L067N65S3HON SemiconductorNTH4L067N65S3H
товар відсутній
NTH4L067N65S3HonsemiMOSFET SUPERFET3 FAST, 67MOHM, TO-247-4
товар відсутній
NTH4L070N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 34A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+419.04 грн
Мінімальне замовлення: 450
NTH4L070N120M3SonsemiMOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 65 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-4L
на замовлення 782 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+798.35 грн
10+ 674.86 грн
25+ 532.09 грн
100+ 488.69 грн
250+ 459.99 грн
450+ 430.61 грн
900+ 387.22 грн
NTH4L070N120M3SonsemiDescription: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 7mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 800 V
на замовлення 422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+727.95 грн
10+ 600.71 грн
NTH4L070N120M3SON SemiconductorSilicon Carbide (SiC) MOSFET
товар відсутній
NTH4L075N065SC1ON SemiconductorSilicon Carbide MOSFET,57mohm,650V
товар відсутній
NTH4L075N065SC1onsemiDescription: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 5
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 148W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1196 pF @ 325 V
на замовлення 535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+640.57 грн
30+ 492.48 грн
120+ 440.63 грн
510+ 364.86 грн
NTH4L075N065SC1ON SemiconductorSilicon Carbide MOSFET,57mohm,650V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+725.95 грн
10+ 624.54 грн
NTH4L075N065SC1ON SemiconductorSilicon Carbide (SiC) MOSFET
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+365.3 грн
Мінімальне замовлення: 450
NTH4L075N065SC1onsemiMOSFET SIC MOS TO247-4L 650V
на замовлення 521 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+696.32 грн
10+ 588.1 грн
25+ 463.99 грн
100+ 426.6 грн
250+ 401.24 грн
450+ 375.87 грн
900+ 337.81 грн
NTH4L080N120SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 29A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 800 V
на замовлення 117430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+766.95 грн
30+ 589.33 грн
120+ 527.3 грн
510+ 436.63 грн
1020+ 392.97 грн
NTH4L080N120SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTH4L080N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 29 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.75V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+612.62 грн
5+ 600.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTH4L080N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50.4A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTH4L080N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50.4A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+436.95 грн
Мінімальне замовлення: 450
NTH4L080N120SC1onsemiMOSFET SIC MOS TO247-4L 80MOHM 1200V
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+746.95 грн
10+ 704.03 грн
25+ 510.06 грн
100+ 474.67 грн
250+ 470 грн
450+ 444.63 грн
900+ 403.91 грн
NTH4L080N120SC1ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 21A; Idm: 125A; 28W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 125A
Power dissipation: 28W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -15...25V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1041.01 грн
2+ 742.72 грн
3+ 702.38 грн
NTH4L080N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50.4A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1023.09 грн
10+ 938.99 грн
NTH4L080N120SC1ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 21A; Idm: 125A; 28W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 125A
Power dissipation: 28W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -15...25V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1249.21 грн
2+ 925.54 грн
3+ 842.86 грн
NTH4L160N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 27.3A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTH4L160N120SC1onsemiMOSFET SIC MOS TO247-4L 1200V 160MOHM INDUSTRY PART
на замовлення 645 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+486.8 грн
10+ 478.31 грн
25+ 351.16 грн
100+ 340.48 грн
250+ 339.81 грн
450+ 306.43 грн
900+ 285.74 грн
NTH4L160N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 27.3A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTH4L160N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 27.3A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+473.08 грн
10+ 434.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTH4L160N120SC1ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12.3A; Idm: 69A; 55.5W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Kind of package: tube
Technology: SiC
On-state resistance: 224mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 55.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 34nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -15...25V
Pulsed drain current: 69A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 12.3A
товар відсутній
NTH4L160N120SC1ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12.3A; Idm: 69A; 55.5W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Kind of package: tube
Technology: SiC
On-state resistance: 224mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 55.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 34nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -15...25V
Pulsed drain current: 69A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 12.3A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NTH4L160N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 27.3A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTH4L160N120SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 17.3A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 224mOhm @ 12A, 20V
Power Dissipation (Max): 111W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665 pF @ 800 V
на замовлення 1121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+566.91 грн
30+ 435.62 грн
120+ 389.77 грн
510+ 322.75 грн
1020+ 290.47 грн
NTH4L160N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 27.3A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+443.74 грн
10+ 401.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTH4L160N120SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTH4L160N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 17.3 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 111W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+471.82 грн
5+ 420.9 грн
10+ 369.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTH4L160N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 27.3A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+477.88 грн
28+ 432.09 грн
Мінімальне замовлення: 25
NTH4LN019N65S3HonsemiDescription: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.3mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 14.3mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 282 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15993 pF @ 400 V
товар відсутній
NTH4LN019N65S3HONSEMIDescription: ONSEMI - NTH4LN019N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.015 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1470.89 грн
10+ 1411.72 грн
25+ 1309.12 грн
NTH4LN019N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTH4LN019N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 75A Tube
товар відсутній
NTH4LN019N65S3HonsemiMOSFET SUPERFET3 FAST, 19MOHM, TO-247-4
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1817.91 грн
10+ 1636.85 грн
25+ 1339.9 грн
50+ 1288.49 грн
100+ 1255.11 грн
450+ 1075.52 грн
NTH4LN019N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTH4LN040N65S3HONSEMIDescription: ONSEMI - NTH4LN040N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 62 A, 0.032 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 379W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FAST
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1020.04 грн
5+ 945.89 грн
10+ 871 грн
50+ 776.1 грн
100+ 686.87 грн
250+ 656.06 грн
NTH4LN040N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 62A Tube
товар відсутній
NTH4LN040N65S3HonsemiMOSFET SUPERFET3 FAST, 40MOHM, TO-247-4
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1025.01 грн
10+ 928.98 грн
25+ 776.43 грн
50+ 751.73 грн
100+ 740.38 грн
450+ 629.56 грн
900+ 556.12 грн
NTH4LN040N65S3HonsemiDescription: NTH4LN040N65S3H
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 379W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 6.8mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6513 pF @ 400 V
на замовлення 2228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+876 грн
10+ 775.34 грн
30+ 743.23 грн
120+ 584.38 грн
270+ 546.68 грн
510+ 508.97 грн
1020+ 474.67 грн
NTH4LN067N65S3HONSEMINTH4LN067N65S3H THT N channel transistors
товар відсутній
NTH4LN067N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+300.64 грн
40+ 294.01 грн
100+ 280.59 грн
Мінімальне замовлення: 39
NTH4LN067N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTH4LN067N65S3HonsemiDescription: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 266W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 3.9mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 400 V
на замовлення 337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+615.3 грн
30+ 473.12 грн
120+ 423.34 грн
NTH4LN067N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTH4LN067N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+279.17 грн
10+ 273.01 грн
100+ 260.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
NTH4LN067N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 40A Tube
товар відсутній
NTH4LN067N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTH4LN067N65S3HonsemiMOSFET SUPERFET3 FAST, 67MOHM, TO-247-4
на замовлення 387 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+563.91 грн
10+ 484.45 грн
25+ 385.88 грн
100+ 357.17 грн
250+ 336.48 грн
450+ 318.45 грн
900+ 305.77 грн
NTH4LN095N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 30A Tube
товар відсутній
NTH4LN095N65S3HonsemiMOSFET SUPERFET3 FAST, 95MOHM, TO-247-4
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+634.79 грн
10+ 565.07 грн
25+ 449.3 грн
100+ 427.94 грн
250+ 406.58 грн
450+ 329.8 грн
900+ 313.11 грн
NTH4LN095N65S3HonsemiDescription: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.8mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2833 pF @ 400 V
товар відсутній
NTH502AANL
на замовлення 2030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH518AAT
на замовлення 720 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH557AJT
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH570ABTPULSE99/00
на замовлення 2856 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH582AA
на замовлення 809 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH582AAT
на замовлення 988 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5D103KA
на замовлення 1578 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5D223KA
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G10P33B103F08TH
на замовлення 55768 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G10P33B103J08TH
на замовлення 18808 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G10P33B103J08TH0402TEM
на замовлення 37616 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G10P35A221J08TH0402T
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G10P39B332K08TH
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G10P39B682J08TH
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G10P42B104J08TH0402T
на замовлення 18200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G10P42B104J08TH
на замовлення 9100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G16P30B102J07TH0603-1KMURATA
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G16P33B103E07TH
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G16P33B103F07T
на замовлення 23497 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G16P33B103F07TH
на замовлення 186921 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G16P33B103J07T
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G16P33B103J07THMURATA01+
на замовлення 80043 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G16P35A331K07TH
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G16P36B102J077HMURATA0603-1K
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G16P36B102J07THMURATA0603-1K
на замовлення 160000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G16P36B102J07TH 0603MURATA
на замовлення 116000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G16P36B102J07TH0603-1KMURATA
на замовлення 356000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G16P36B102K07TH
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G16P36B471K07TH
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G16P36B681J07TH
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G16P39A563K07TH
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G16P39B152J07TH
на замовлення 2594 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G16P39B153J07THmuRata2005+
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G16P39B222J07TH0603TEM
на замовлення 7960 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G16P39B223J07T
на замовлення 23973 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G16P39B223J07TH0603TEM
на замовлення 10926 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G16P39B223J07TH
на замовлення 23973 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G16P39B332J07THMURATA05+
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G16P39B472J07TH
на замовлення 13693 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G16P39B682J07T1
на замовлення 6782 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G16P39B682J07THMURATA0603-6.8K
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G16P39B682J07TH 0603-6MURATA
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G16P39B682J07TH0603-6.8KMURATA
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G16P40B333J07T
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G16P40B333J07TH
на замовлення 36886 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G16P40B473FJ07THMURATASMD
на замовлення 86200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G16P40B473J04TH
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G16P40B473J07T
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G16P40B473J07THMURATA06+
на замовлення 1765 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G16P40B473J07THMURATA09+
на замовлення 1783 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G16P40B473J0TTH
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G16P40B473K07T
на замовлення 600000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G16P40B473K07TH
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G16P41B683J07TE0603TEM
на замовлення 144000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G16P41B683J07TH
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G16P42A104F18TH
на замовлення 3980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G16P42B104J07THMURATA02+
на замовлення 60010 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G16P45A224E07T
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G16P45A224E07THMURATA01+
на замовлення 16010 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G16P45A224E07THMURATASMD
на замовлення 86200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G16P45A224E07THMURATA0603L
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G16P45A224J07THmuRata2005+
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G16P45A224K07TH0603TEM
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G16P45A224K07TH
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G16P45A474J07TH
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G1M29A221J04TH
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G1M29A221J04TH0603TEM
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G1M31B102JMURATA
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G1M31B102K04TH
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G1M33B103F04THMURATA
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G1M33B103J04THMURATA0603-10K
на замовлення 18664 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G1M33B103J04TH 0603-MURATA
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G1M33B103J04TH 0603-10MURATA
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G1M33B103J04TH0603-10K
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G1M35A472J
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G1M35A472J04THMURATA0603-4.7K
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G1M35A472J04TH 0603-MURATA
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G1M35A472J04TH(0603-4.7K
на замовлення 416000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G1M35A472J04TH0603-4.7KMURATA
на замовлення 408000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G1M35A47J04TH
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G1M35AA472J04T
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G1M35AA472J04THMURATA0603-4.7K
на замовлення 352000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G1M35AA472J04TH 0603MURATA
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G1M36B682K04TH0603TEM
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G1M36B682K04TH
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G1M39B153J04TH
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G1M39B153K04TH0603TEM
на замовлення 7600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G1M39B223J04TH
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G1M39B223K04TH
на замовлення 3496 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G1M40B222J07TE
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G1M40B333J04TH
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G1M40B333K04TH0603TEM
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G1M40B333K04TH
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G1M40B473JMURATA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G1M40B473J04TH0603TEM
на замовлення 30022 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G1M40B473J04TH
на замовлення 805011 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G1M42B101J04THMURATA02+
на замовлення 18010 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G1M42B104J04THMURATA
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G1M42B104J04THMURATA0603-100K
на замовлення 585048 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G1M42B104J04TH 0603-MURATA
на замовлення 11386 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G1M42B104J04TH0603-100K
на замовлення 11386 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G1M42B104K04TH
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G1M42B204J04THMURATA0603-200K
на замовлення 164000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G1M42B204J04TH 0603-MURATA
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G1M42B204J04TH 0603-20MURATA
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G1M42B204J04TH0603-200K
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G1M42B204K04TH0603TEM
на замовлення 64000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G20P35A221J07TE
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G20P35A221J07TE0805T
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G20P35A221K07TE
на замовлення 5345 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G20P36B102J07TE
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G20P36B471J07TE
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G20P39A103J07T
на замовлення 148000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G20P39A103J07TE
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G20P39A103K07TE
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G20P39B153J07TE
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G20P39B222J07TE
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G20P39B223J07TE
на замовлення 7600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G20P39B472J07TE
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G20P40B330J07TE
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G20P40B330J07TE0805T
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G20P40B333J07TE
на замовлення 3195 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G20P40B473J07T
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G20P40B473J07TEMURATASMD
на замовлення 86200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G20P40B473K07TE
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G20P42B103J07TE
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G20P42B103k07TE
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G20P42B104F15TE
на замовлення 8400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G20P42B104J07T
на замовлення 10470 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G20P42B104J07TE
на замовлення 120580 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G29A221J01TE0805T
на замовлення 560 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G29A221J01TE
на замовлення 280 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G29A221K01TE
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G29A221K01TE0805T
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G29A331J01TEMURATA06+
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G29A331J01TEMURATA09+
на замовлення 8018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G29A331J01TEMURATA06+
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G2M29B471J04TE
на замовлення 3371 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G2M29B471J04TE0805T
на замовлення 6742 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G2M29B471K04TE
на замовлення 6078 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G2M31A681J04TE0805T
на замовлення 320000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G2M31B102JMURATA
на замовлення 15736 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G2M31B102J04TE
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G2M35A472J
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G2M35A472J04TE
на замовлення 2718 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G2M35A472J04TE-1
на замовлення 916 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G2M35A472K04TEMURATA
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G2M36B103E12TE0805T
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G2M36B103E12TE
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G2M36B103J04TE(10K)
на замовлення 18200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G2M36B103K04TE0805T
на замовлення 15490 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G2M36B103K04TE
на замовлення 7745 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G2M39A103Q04TE0805T
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G2M39A103Q04TE
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G2M39B104J04TE
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G2M39B222K04TE
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G2M39B332J04TE
на замовлення 89000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G2M39B332K04TEMURATA0805-3.3K
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G2M39B332K04TE 0805-MURATA
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G2M39B332K04TE0805-3.3KMURATA
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G2M39B332K07TE
на замовлення 3950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G2M39B333K04TE
на замовлення 7997 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G2M40B333K04TE
на замовлення 3950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G2M40B473J04TE0805T
на замовлення 37000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G2M40B473J04TE
на замовлення 14500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G2M41B683J04TE0805T
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G2M41B683J04TE
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G2M42B104J04TE
на замовлення 119600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G2M42B104JTE
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G2M69B471K04TE
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G2MB104K04TE
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G2MP39B222J04TE
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G31B102J01TE0805T
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G31B102J01TE
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G31B102K0805T
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G31B102K
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G32M31B102J04TE
на замовлення 340 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G35A472J04TH05+ 603
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G35A472J04TH
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G35A502K0111
на замовлення 44000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G35A502K01TE
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G36B103JMURATA
на замовлення 1961 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G36B103J01TE
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G36B103K01TEMARATA2006
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G36B103K0TE
на замовлення 44000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G36B682K01TE
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G39B152J
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G39B152J0805T
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G39B152K01TEMURATA98+
на замовлення 4010 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G39B153J01TE0805T
на замовлення 7600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G39B153J01TE
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G39B153KMURATA
на замовлення 2790 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G39B153K01TE
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G39B222K01TE
на замовлення 2144 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G39B223E01TE0805T
на замовлення 5400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G39B223E01TE
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G39B223J01TE
на замовлення 2366 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G39B223K01TE
на замовлення 7800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G39B332KMURATA
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G39B332K01TEMURATA
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G39B332K01TE1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G40B303J01E
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G40B473K01TE
на замовлення 28900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G41B683J01TE
на замовлення 25030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G41B683J01TE0805T
на замовлення 50060 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G42B104K01TE
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G42B104K01TF
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5GM39B681K04TE
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5GZM35A472K04TE
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHA3HB-1.5440MHZ-E(T)
на замовлення 328 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHA3HB2048T
на замовлення 933 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHA6HC-E13.5000MHZ(T)
на замовлення 2388 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHA6HC166700T
на замовлення 824 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHA8HB-33.3300T
на замовлення 700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHBBA6A10150UAmphenol Commercial ProductsAmphenol NTHBBA6A10150U
товар відсутній
NTHBR11A1000SRAmphenol Commercial ProductsModular Connectors / Ethernet Connectors NETbridge+ 1x1 Right Angle Seal A code ,100Mohm resistance insulation,3A,Surface Mount termination.
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+190.05 грн
10+ 157.39 грн
100+ 126.18 грн
500+ 104.82 грн
1000+ 90.13 грн
2500+ 84.12 грн
5000+ 80.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTHC08-3HJ103JTR0805T
на замовлення 6418 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHC08-3HJ103JTR
на замовлення 3209 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHC083RJ803JTR
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHC5513T1ON1206-8
на замовлення 18954 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHC5513T1onsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A, 2.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Obsolete
товар відсутній
NTHC5513T1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 2.9A/2.2A 8-Pin Chip FET T/R
товар відсутній
NTHC5513T1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 2.9A/2.2A 8-Pin Chip FET T/R
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTHC5513T1GON07+ SOT23-6
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHC5513T1GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V 2.9A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A, 2.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Last Time Buy
товар відсутній
NTHC5513T1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 2.9A/2.2A 8-Pin Chip FET T/R
на замовлення 693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
124+94.62 грн
125+ 93.73 грн
162+ 72.61 грн
250+ 69.31 грн
500+ 52.68 грн
Мінімальне замовлення: 124
NTHC5513T1GonsemiMOSFET 20V +3.9A/-3A Complementary
товар відсутній
NTHC5513T1GONSOT23-8
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHC5513T1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 2.9A/2.2A 8-Pin Chip FET T/R
товар відсутній
NTHC5513T1GON09+
на замовлення 33018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHC5513T1GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V 2.9A CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A, 2.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Last Time Buy
товар відсутній
NTHC5513T1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 3.9/-3A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 2.1W
Case: ChipFET
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 115/240mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NTHC5513T1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 3.9/-3A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 2.1W
Case: ChipFET
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 115/240mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
NTHCAA23A1601M4Amphenol Commercial ProductsAmphenol NTH 2X3plug unsealed TO 2X2plug unsealed L=1000MM
товар відсутній
NTHCAA23A1601Q0Amphenol Commercial ProductsAmphenol NTHCAA23A1601Q0
товар відсутній
NTHCAC22A1601F0Amphenol Commercial ProductsAmphenol NTHCAC22A1601F0
товар відсутній
NTHCALA401004D0Amphenol Commercial ProductsAmphenol NTHCALA401004D0
товар відсутній
NTHCAP23A1601Q1Amphenol Commercial ProductsAmphenol NTH 2X3 PLUG TO OTHERS =1000MM
товар відсутній
NTHCBBA6A10150SAmphenol ICC (Commercial Products)Description: NETBRIDGE+ CABLE ASS'Y, 1X1+6, F
Packaging: Bag
Connector Type: Socket to Socket
Color: Black, Individual
Length: 4.92' (1.50m)
Shielding: Unshielded
Number of Positions: 8
Number of Rows: 2
Cable Termination: Crimp
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1843 грн
10+ 1554.08 грн
25+ 1486.94 грн
50+ 1350.42 грн
NTHCBBA6A10150SAmphenol Commercial ProductsEthernet Cables / Networking Cables NETBRIDGE+ ASSY
товар відсутній
NTHCCB12A104600Amphenol Commercial ProductsAmphenol NTHCCB12A104600
товар відсутній
NTHCCB15B156000Amphenol Commercial ProductsAmphenol NTHCCB15B156000
товар відсутній
NTHCPP11A10150SAmphenol Commercial ProductsAmphenol NTHCPP11A10150S
товар відсутній
NTHCPP22A10150SAmphenol Commercial ProductsAmphenol NTH 2X2 plug sealed TO 2X2 plug sealed L=15000MM
товар відсутній
NTHD2102PT1
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHD2102PT1onsemiDescription: MOSFET 2P-CH 8V 3.4A CHIPFET
товар відсутній
NTHD2102PT1GON06+NOP
на замовлення 2192 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHD2102PT1GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 8V 3.4A CHIPFET
товар відсутній
NTHD2102PT1GONSOT23-8
на замовлення 13810 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHD2102PT1GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 8V 3.4A CHIPFET
товар відсутній
NTHD2102PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 8V 3.4A 8-Pin Chip FET T/R
товар відсутній
NTHD2102PT1GON09+
на замовлення 2210 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHD2102PT1GonsemiMOSFET -8V -4.6A P-Channel
товар відсутній
NTHD2110TT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 4.5A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 6.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1072 pF @ 6 V
товар відсутній
NTHD2110TT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTHD2110TT1G - NTHD2110TT1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+31.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTHD2110TT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 4.5A CHIPFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 6.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1072 pF @ 6 V
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
919+22.01 грн
Мінімальне замовлення: 919
NTHD3100CT1ON1206-8
на замовлення 2351 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHD3100CT1ON07+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHD3100CT1ON SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET
товар відсутній
NTHD3100CT1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 3.9/-4.4A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 3.1W
Case: ChipFET
Gate-source voltage: ±12/±8V
On-state resistance: 115/110mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NTHD3100CT1GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V 2.9A CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A, 3.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Active
на замовлення 5102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65 грн
10+ 51.67 грн
100+ 40.17 грн
500+ 31.96 грн
1000+ 26.03 грн
Мінімальне замовлення: 5
NTHD3100CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH Si 20V 2.9A/3.2A 8-Pin Chip FET T/R
товар відсутній
NTHD3100CT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTHD3100CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.9 A, 3.9 A, 0.064 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.064ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.064ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+44.11 грн
500+ 34.63 грн
Мінімальне замовлення: 100
NTHD3100CT1GonsemiMOSFET 20V +3.9A/-4.4A Complementary
на замовлення 24085 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+70.96 грн
10+ 56.28 грн
100+ 38.99 грн
500+ 33.05 грн
1000+ 26.9 грн
3000+ 25.44 грн
6000+ 24.84 грн
Мінімальне замовлення: 5
NTHD3100CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH Si 20V 2.9A/3.2A 8-Pin Chip FET T/R
товар відсутній
NTHD3100CT1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 3.9/-4.4A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 3.1W
Case: ChipFET
Gate-source voltage: ±12/±8V
On-state resistance: 115/110mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
NTHD3100CT1GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V 2.9A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A, 3.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+27.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTHD3100CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH Si 20V 2.9A/3.2A 8-Pin Chip FET T/R
товар відсутній
NTHD3100CT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTHD3100CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.9 A, 3.9 A, 0.064 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.064ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.064ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+78.64 грн
13+ 59.61 грн
100+ 44.11 грн
500+ 34.63 грн
Мінімальне замовлення: 10
NTHD3100CT3
на замовлення 79986 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHD3100CT3ON SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET
товар відсутній
NTHD3100CT3G
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHD3100CT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET
товар відсутній
NTHD3101F
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHD3101FT1ON0432+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHD3101FT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 20V 3.2A 8-Pin Chip FET T/R
товар відсутній
NTHD3101FT1GONSOT23-8
на замовлення 41422 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHD3101FT1GONROHS
на замовлення 25888 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHD3101FT1GONSEMINTHD3101FT1G SMD P channel transistors
товар відсутній
NTHD3101FT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.2A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 10 V
на замовлення 2383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.66 грн
10+ 68.36 грн
100+ 53.17 грн
500+ 42.29 грн
1000+ 34.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
NTHD3101FT1GONSOT-8
на замовлення 4102 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHD3101FT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 20V 3.2A 8-Pin Chip FET T/R
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+30.37 грн
25+ 24.07 грн
100+ 16.99 грн
Мінімальне замовлення: 20
NTHD3101FT1GON Semiconductor
на замовлення 2220 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHD3101FT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 20V 3.2A 8-Pin Chip FET T/R
товар відсутній
NTHD3101FT1GONS08+
на замовлення 21500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHD3101FT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.2A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 10 V
товар відсутній
NTHD3101FT1GON
на замовлення 2838 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHD3101FT1GON SemiconductorMOSFET -20V -4.4A P-Channel w/4.1A Schottky
на замовлення 7019 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTHD3101FT3ON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFET
товар відсутній
NTHD3101FT3GON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFET
товар відсутній
NTHD3102CON
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHD3102CT1
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHD3102CT1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 5.5/-4.2A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 0.6W
Case: ChipFET
Gate-source voltage: ±8/±8V
On-state resistance: 37/83mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.8/6.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
NTHD3102CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.1A 8-Pin Chip FET T/R
товар відсутній
NTHD3102CT1G
на замовлення 138000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHD3102CT1GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V 4A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Active
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+28.85 грн
6000+ 26.46 грн
9000+ 25.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTHD3102CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.1A 8-Pin Chip FET T/R
товар відсутній
NTHD3102CT1GonsemiMOSFET 20V 5.5A/-4.2A Complementary
на замовлення 50740 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+73.92 грн
10+ 59.5 грн
100+ 40.26 грн
500+ 34.18 грн
1000+ 27.84 грн
3000+ 26.17 грн
6000+ 24.9 грн
Мінімальне замовлення: 5
NTHD3102CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.1A 8-Pin Chip FET T/R
на замовлення 835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+40.46 грн
17+ 34.26 грн
25+ 33.69 грн
100+ 24 грн
250+ 21.49 грн
500+ 17.91 грн
Мінімальне замовлення: 15
NTHD3102CT1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 5.5/-4.2A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 0.6W
Case: ChipFET
Gate-source voltage: ±8/±8V
On-state resistance: 37/83mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.8/6.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NTHD3102CT1GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V 4A CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Active
на замовлення 66005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.05 грн
10+ 54.94 грн
100+ 42.74 грн
500+ 34 грн
1000+ 27.7 грн
Мінімальне замовлення: 5
NTHD3103FT1G
на замовлення 10090 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHD3133PFT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.2A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 10 V
на замовлення 55717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1480+13.52 грн
Мінімальне замовлення: 1480
NTHD3133PFT1GON0748NO
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHD3133PFT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTHD3133PFT1G - NTHD3133PFT1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 55717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTHD3133PFT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.2A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 10 V
товар відсутній
NTHD3133PFT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3.2A 8-Pin Chip FET T/R
товар відсутній
NTHD3133PFT3GON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFET
товар відсутній
NTHD4102PT1
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHD4102PT1onsemiMOSFET -20V -4.1A Dual
товар відсутній
NTHD4102PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTHD4102PT1G - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.9 A, 2.9 A, 0.064 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.064ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.064ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+78.64 грн
13+ 61.26 грн
100+ 44.04 грн
500+ 34.63 грн
Мінімальне замовлення: 10
NTHD4102PT1GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.9A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+27.38 грн
6000+ 25.11 грн
9000+ 23.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTHD4102PT1GONSOT-8
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHD4102PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.9A 8-Pin Chip FET T/R
товар відсутній
NTHD4102PT1G
Код товару: 109267		Транзистори > Польові P-канальні
товар відсутній
NTHD4102PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.9A 8-Pin Chip FET T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+31.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTHD4102PT1GonsemiMOSFET -20V -4.1A Dual P-Channel
на замовлення 8997 шт:
термін постачання 147-156 дні (днів)
5+71.74 грн
10+ 57.97 грн
100+ 39.26 грн
500+ 33.25 грн
1000+ 27.11 грн
3000+ 25.44 грн
6000+ 24.3 грн
Мінімальне замовлення: 5
NTHD4102PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.9A 8-Pin Chip FET T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+27.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTHD4102PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTHD4102PT1G - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.9 A, 2.9 A, 0.064 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.064ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.064ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+44.04 грн
500+ 34.63 грн
Мінімальне замовлення: 100
NTHD4102PT1GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.9A CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Active
на замовлення 12218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.72 грн
10+ 52.16 грн
100+ 40.56 грн
500+ 32.26 грн
1000+ 26.28 грн
Мінімальне замовлення: 5
NTHD4102PT1GON Semiconductor
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHD4102PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.9A 8-Pin Chip FET T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+29.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTHD4102PT3GonsemiMOSFET PFET 20V 4.8A 80M
товар відсутній
NTHD4102PT3GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.9A 8-Pin Chip FET T/R
товар відсутній
NTHD4102PT3GON SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.9A CHIPFET
товар відсутній
NTHD4401PT1onsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.1A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Obsolete
товар відсутній
NTHD4401PT1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTHD4401PT1 - NTHD4401PT1, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTHD4401PT1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHD4401PT1onsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.1A CHIPFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Obsolete
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTHD4401PT1GON09+
на замовлення 675018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHD4401PT1GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.1A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Obsolete
товар відсутній
NTHD4401PT1GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.1A CHIPFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Obsolete
на замовлення 1174277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1374+14.86 грн
Мінімальне замовлення: 1374
NTHD4401PT1GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.1A CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Obsolete
товар відсутній
NTHD4401PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTHD4401PT1G - Leistungs-MOSFET, Zweifach p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.13 ohm, ChipFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2049045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTHD4401PT3onsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.1A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Obsolete
товар відсутній
NTHD4401PT3GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.1A CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Obsolete
товар відсутній
NTHD4401PT3GON09+
на замовлення 9918 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHD4401PT3GONSEMIDescription: ONSEMI - NTHD4401PT3G - NTHD4401PT3G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 95300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+22.77 грн
Мінімальне замовлення: 10000
NTHD4401PT3GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.1A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Obsolete
товар відсутній
NTHD4401PT3GON0611NO
на замовлення 9900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHD4401PT3GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.1A CHIPFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Obsolete
на замовлення 95300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1268+16.44 грн
Мінімальне замовлення: 1268
NTHD4502N
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHD4502NT1ON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 2.2A CHIPFET
товар відсутній
NTHD4502NT1
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHD4502NT1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTHD4502NT1 - NTHD4502NT1, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 359015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTHD4502NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.9A 8-Pin Chip FET T/R
товар відсутній
NTHD4502NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 2.2A CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 640mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
товар відсутній
NTHD4502NT1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 2.2/2.9A; Idm: 16÷12.6A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.2/2.9A
Pulsed drain current: 16...12.6A
Power dissipation: 0.6W
Case: ChipFET
Gate-source voltage: ±8/±8V
On-state resistance: 37/83mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.8/6.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NTHD4502NT1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 2.2/2.9A; Idm: 16÷12.6A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.2/2.9A
Pulsed drain current: 16...12.6A
Power dissipation: 0.6W
Case: ChipFET
Gate-source voltage: ±8/±8V
On-state resistance: 37/83mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.8/6.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
NTHD4502NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.9A 8-Pin Chip FET T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+28.08 грн
23+ 26.08 грн
25+ 25.97 грн
100+ 21.59 грн
250+ 19.6 грн
500+ 17.39 грн
1000+ 15.81 грн
Мінімальне замовлення: 21
NTHD4502NT1GonsemiMOSFET 30V 3.9A Dual N-Channel
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+104.37 грн
10+ 92.13 грн
100+ 62.82 грн
500+ 51.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
NTHD4502NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.9A 8-Pin Chip FET T/R
товар відсутній
NTHD4502NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 2.2A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 640mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
товар відсутній
NTHD4502NT1G
на замовлення 31450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHD4504N
на замовлення 68 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHD4508NT1
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHD4508NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 3A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.13W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+33.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTHD4508NT1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 2.2A; Idm: 12A; 590mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.2A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 0.59W
Case: ChipFET
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
NTHD4508NT1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 2.2A; Idm: 12A; 590mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.2A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 0.59W
Case: ChipFET
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NTHD4508NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 3A 8-Pin Chip FET T/R
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTHD4508NT1GonsemiMOSFET 20V 4.1A Dual N-Channel
на замовлення 16499 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+87.23 грн
100+ 79.85 грн
500+ 58.62 грн
1000+ 47.73 грн
3000+ 31.38 грн
6000+ 29.78 грн
9000+ 28.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
NTHD4508NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 3A 8-Pin Chip FET T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+32.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTHD4508NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTHD4508NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 4.1 A, 4.1 A, 0.06 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.06ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.06ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+95.86 грн
10+ 86.88 грн
100+ 77.89 грн
500+ 49.72 грн
Мінімальне замовлення: 8
NTHD4508NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 3A CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.13W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Active
на замовлення 5786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.16 грн
10+ 62.94 грн
100+ 48.97 грн
500+ 38.95 грн
1000+ 31.73 грн
Мінімальне замовлення: 4
NTHD4508NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 3A 8-Pin Chip FET T/R
товар відсутній
NTHD4508NT1G
Код товару: 133952		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
NTHD4508NTIG
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHD4902FTIG
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHD4N02F
на замовлення 7700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHD4N02FT
на замовлення 9200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHD4N02FT1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTHD4N02FT1 - NTHD4N02FT1, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTHD4N02FT1ON1206-8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHD4N02FT1ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 2.9A CHIPFET
товар відсутній
NTHD4N02FT1OnsemiSSOP-8
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHD4N02FT1GON Semiconductor
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHD4N02FT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTHD4N02FT1G - NTHD4N02FT1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 238219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTHD4N02FT1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 2.9A CHIPFET
товар відсутній
NTHD4P01FT1-D
на замовлення 990 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHD4P01FT1GONMSOP8 08+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHD4P01FT1GON08+ MSOP8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHD4P02
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHD4P02F
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHD4P02FT1
на замовлення 3050 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHD4P02FT1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTHD4P02FT1 - NTHD4P02FT1, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 20955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+7.64 грн
Мінімальне замовлення: 6000
NTHD4P02FT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.2A CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2.2A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.1W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V
на замовлення 2924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.77 грн
10+ 86.37 грн
100+ 67.16 грн
500+ 53.42 грн
1000+ 43.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
NTHD4P02FT1GON SemiconductorTrans MOSFET -20V, -3A, Single P-Channel with 3A Schottky Barrier Diode 8-Pin
товар відсутній
NTHD4P02FT1GON09+
на замовлення 1788 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHD4P02FT1GON Semiconductor
на замовлення 780 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHD4P02FT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.2A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2.2A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.1W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V
товар відсутній
NTHD4P02FT1GON SemiconductorTrans MOSFET -20V, -3A, Single P-Channel with 3A Schottky Barrier Diode 8-Pin
товар відсутній
NTHD4P02FT1GON05NOPB
на замовлення 2957 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHD4P02FT1GONSOT23-8
на замовлення 9678 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHD4P02FT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTHD4P02FT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal + Schottky, 20 V, 2.2 A, 0.155 ohm, ChipFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 2.2
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Kanaltyp: p-Kanal + Schottky
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
NTHD4P02FT1GonsemiMOSFET -20V -3A P-Channel w/3A Schottky
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+115.27 грн
10+ 92.9 грн
100+ 62.69 грн
500+ 53.54 грн
1000+ 43.6 грн
3000+ 40.39 грн
6000+ 39.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
NTHD4P02FT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.2A 8-Pin Chip FET T/R
товар відсутній
NTHD4P02PMOSS689SAGEMN/A
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHD5902T1
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHD5902T1ON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 2.9A CHIPFET
товар відсутній
NTHD5903T1
на замовлення 1336 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHD5903T1GON SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.2A CHIPFET
товар відсутній
NTHD5903T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTHD5903T1G - NTHD5903T1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTHD5903T1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.2A 8-Pin Chip FET T/R
товар відсутній
NTHD5903T1G
на замовлення 341 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHD5903T1GON SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.2A CHIPFET
товар відсутній
NTHD5904NT1ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 2.5A CHIPFET
товар відсутній
NTHD5904NT1GON07+ VSOP1206-8
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHD5904NT1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 2.5A CHIPFET
товар відсутній
NTHD5904NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTHD5904NT1G - NTHD5904NT1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTHD5904NT1GON0539+ VSOP1206-8
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHD5904NT1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 2.5A CHIPFET
товар відсутній
NTHD5904NT3ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 2.5A CHIPFET
товар відсутній
NTHD5904NT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 2.5A CHIPFET
товар відсутній
NTHD5904T1ON07+ TSOP1206-8
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHD5904T1ON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 20V 3.1A CHIPFET
товар відсутній
NTHD5904T1ON04+ TSOP1206-8
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHD5904T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTHD5904T1 - NTHD5904T1, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1687+22.47 грн
Мінімальне замовлення: 1687
NTHD5905
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHD5905T1ON SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 8V 3A CHIPFET
товар відсутній
NTHD5905T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTHD5905T1 - NTHD5905T1, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 408000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2290+16.55 грн
Мінімальне замовлення: 2290
NTHD5905T1
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHD6N03
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHG1M35A472J04TH
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHL015N065SC1ON SemiconductorNTHL015N065SC1
товар відсутній
NTHL015N065SC1ON SemiconductorSilicon Carbide MOSFET,12mohm,650V
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+2415.13 грн
6+ 2290.31 грн
10+ 2272.37 грн
25+ 2103.21 грн
Мінімальне замовлення: 5
NTHL015N065SC1onsemiMOSFET SIC MOS TO247-3L 650V
на замовлення 365 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1991.6 грн
10+ 1784.26 грн
450+ 1223.07 грн
900+ 1203.04 грн
2700+ 1202.37 грн
NTHL015N065SC1onsemiDescription: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 163A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 75A, 18V
Power Dissipation (Max): 643W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 25mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 283 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4790 pF @ 325 V
на замовлення 408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1805.44 грн
30+ 1441.42 грн
120+ 1351.35 грн
NTHL015N065SC1ON SemiconductorSilicon Carbide MOSFET,12mohm,650V
товар відсутній
NTHL015N065SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTHL015N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 163 A, 650 V, 0.012 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 163A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.63V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 643W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2626.48 грн
5+ 2544.85 грн
10+ 2463.21 грн
50+ 2175.31 грн
100+ 1903.98 грн
NTHL015N065SC1ON SemiconductorSilicon Carbide MOSFET,12mohm,650V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2242.62 грн
5+ 2126.72 грн
10+ 2110.06 грн
25+ 1952.98 грн
NTHL017N60S5HonsemiMOSFET SF5 600V FAST 17MOHM WITH TO-247-3
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1092.77 грн
10+ 802.3 грн
NTHL017N60S5HonsemiDescription: SF5 600V FAST 17MOHM WITH TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.9mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 16mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 265 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14200 pF @ 400 V
на замовлення 2636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1020.44 грн
10+ 902.81 грн
25+ 865.39 грн
100+ 680.42 грн
450+ 592.63 грн
NTHL017N60S5HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTHL019N60S5FonsemiMOSFET SUPERFET5 FRFET, 19MOHM, TO-247-3
на замовлення 450 шт:
термін постачання 119-128 дні (днів)
1+1523.49 грн
10+ 1123.23 грн
NTHL019N60S5FonsemiDescription: SUPERFET5 FRFET, 19MOHM, TO-247-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 37.5A,10V
Power Dissipation (Max): 568W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 15.7mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 252 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13400 pF @ 400 V
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1402.47 грн
10+ 1199.96 грн
NTHL019N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTHL019N65S3HON Semiconductor
на замовлення 2095 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHL019N65S3HonsemiMOSFET SUPERFET3 FAST 650V TO247
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1780.52 грн
10+ 1559.31 грн
25+ 1264.46 грн
50+ 1225.74 грн
100+ 1185.68 грн
250+ 1160.31 грн
450+ 1018.11 грн
NTHL019N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTHL019N65S3HonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.3mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 14.3mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 282 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15993 pF @ 400 V
товар відсутній
NTHL019N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTHL019N65S3HONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 73A; Idm: 328A; 625W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 73A
Pulsed drain current: 328A
Power dissipation: 625W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 282nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NTHL019N65S3HONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 73A; Idm: 328A; 625W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 73A
Pulsed drain current: 328A
Power dissipation: 625W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 282nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
NTHL020N090SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 900V 118A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 118A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 15V
Power Dissipation (Max): 503W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4415 pF @ 450 V
на замовлення 1611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1829.28 грн
30+ 1460.5 грн
120+ 1369.21 грн
510+ 1096.49 грн
NTHL020N090SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 900V 118A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTHL020N090SC1ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 83A; Idm: 427A; 251W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 83A
Pulsed drain current: 427A
Power dissipation: 251W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -10...19V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 196nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NTHL020N090SC1ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 83A; Idm: 427A; 251W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 83A
Pulsed drain current: 427A
Power dissipation: 251W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -10...19V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 196nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
NTHL020N090SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTHL020N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 118 A, 900 V, 0.02 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 118A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 503W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 1137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1697.06 грн
NTHL020N090SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 900V 118A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTHL020N090SC1onsemiMOSFET 20MOHM 900V
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2812.54 грн
10+ 2463.73 грн
30+ 2062.26 грн
60+ 2026.87 грн
120+ 1873.32 грн
270+ 1803.89 грн
510+ 1676.38 грн
NTHL020N090SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 900V 118A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTHL020N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 103A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+3135.27 грн
5+ 2931.12 грн
10+ 2640.63 грн
20+ 2474.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
NTHL020N120SC1ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 73A; Idm: 412A; 267W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 73A
Pulsed drain current: 412A
Power dissipation: 267W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -15...25V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
NTHL020N120SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTHL020N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 103 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 535W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2589.03 грн
5+ 2368.1 грн
10+ 2146.42 грн
50+ 1940.95 грн
100+ 1724.88 грн
NTHL020N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 103A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2955.39 грн
10+ 2588.14 грн
30+ 2496.14 грн
NTHL020N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 103A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTHL020N120SC1onsemiMOSFET 20MW 1200V
на замовлення 909 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2222.93 грн
10+ 2178.12 грн
25+ 1708.42 грн
50+ 1699.74 грн
100+ 1647.67 грн
250+ 1647 грн
450+ 1603.61 грн
NTHL020N120SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 103A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 103A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 20V
Power Dissipation (Max): 535W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 203 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2890 pF @ 800 V
на замовлення 477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2513.18 грн
30+ 2006.55 грн
120+ 1881.14 грн
NTHL020N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 103A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+3182.73 грн
10+ 2787.23 грн
30+ 2688.16 грн
60+ 2537.99 грн
120+ 2152.88 грн
270+ 1937.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
NTHL020N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 103A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTHL020N120SC1ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 73A; Idm: 412A; 267W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 73A
Pulsed drain current: 412A
Power dissipation: 267W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -15...25V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NTHL022N120M3SON SemiconductorSilicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 22 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-3L
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2301.29 грн
5+ 2229.58 грн
10+ 2039.07 грн
25+ 1793.72 грн
NTHL022N120M3SON SemiconductorSilicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 22 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-3L
товар відсутній
NTHL022N120M3SonsemiMOSFET SIC MOS TO247-3L 22MOHM 1200V M3
на замовлення 489 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1325.66 грн
10+ 1151.63 грн
25+ 974.05 грн
50+ 919.97 грн
100+ 865.89 грн
250+ 838.52 грн
450+ 784.45 грн
NTHL022N120M3SonsemiDescription: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 352W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 800 V
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2359.35 грн
10+ 2018.9 грн
100+ 1765.79 грн
NTHL022N120M3SON SemiconductorSilicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 22 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-3L
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+2401.09 грн
10+ 2195.93 грн
25+ 1931.7 грн
60+ 1712 грн
120+ 1610.09 грн
270+ 1586.68 грн
Мінімальне замовлення: 5
NTHL022N120M3SON SemiconductorSilicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 22 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-3L
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+2763.71 грн
60+ 2592.62 грн
120+ 2460.26 грн
180+ 2271.62 грн
Мінімальне замовлення: 30
NTHL022N120M3SON SemiconductorSilicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 22 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-3L
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+2443.64 грн
10+ 2284.45 грн
20+ 2058.42 грн
50+ 1929.21 грн
Мінімальне замовлення: 5
NTHL023N065M3SON SemiconductorSiC MOS TO247-3L 23mohm 650V M3S
товар відсутній
NTHL025N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 99A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1271.25 грн
NTHL025N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 99A Tube
товар відсутній
NTHL025N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 99A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+1369.04 грн
Мінімальне замовлення: 9
NTHL025N065SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTHL025N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 99 A, 650 V, 0.019 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 348W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 348W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.019ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1938.97 грн
5+ 1863.32 грн
10+ 1788.43 грн
50+ 1538.99 грн
100+ 1308.91 грн
NTHL025N065SC1onsemiMOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 19 mohm, 650 V, M2, TO-247-3L
на замовлення 451 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1435.48 грн
10+ 1246.83 грн
25+ 1054.83 грн
50+ 996.75 грн
100+ 937.33 грн
250+ 908.62 грн
450+ 849.2 грн
NTHL025N065SC1onsemiDescription: SIC MOS TO247-3L 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 45A, 18V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 15.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3480 pF @ 325 V
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1340.36 грн
10+ 1136.89 грн
NTHL025N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 99A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+1761.16 грн
10+ 1646.44 грн
20+ 1483.53 грн
Мінімальне замовлення: 7
NTHL027N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTHL027N65S3HFONSEMIDescription: ONSEMI - NTHL027N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.023 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 595W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 595W
Bauform - Transistor: TO-247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1475.38 грн
NTHL027N65S3HFonsemiMOSFET FRFET 650V 75A 27.4mOhm
на замовлення 1315 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1487.66 грн
10+ 1303.65 грн
25+ 1057.5 грн
50+ 1024.79 грн
100+ 991.41 грн
250+ 929.98 грн
450+ 850.54 грн
NTHL027N65S3HFonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.4mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7630 pF @ 400 V
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1389.47 грн
30+ 1109.33 грн
120+ 1040 грн
NTHL027N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTHL027N65S3HFONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 60A; Idm: 187.5A; 595W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 187.5A
Power dissipation: 595W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 27.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 225nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NTHL027N65S3HFONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 60A; Idm: 187.5A; 595W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 187.5A
Power dissipation: 595W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 27.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 225nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
NTHL027N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTHL030N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 73A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+1326.05 грн
10+ 1240.84 грн
20+ 1164.39 грн
50+ 1052.56 грн
Мінімальне замовлення: 9
NTHL030N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 73A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+942.39 грн
10+ 909.07 грн
25+ 899.66 грн
NTHL030N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 73A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+979 грн
25+ 968.86 грн
Мінімальне замовлення: 12
NTHL030N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 73A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTHL030N120M3SonsemiMOSFET SIC MOS TO247-3L 30MOHM 1200V M3
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1420.68 грн
10+ 1233.78 грн
25+ 1043.48 грн
50+ 985.4 грн
100+ 927.31 грн
250+ 898.61 грн
450+ 840.52 грн
NTHL030N120M3SonsemiDescription: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 15mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 800 V
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1308.59 грн
30+ 1019.83 грн
120+ 959.83 грн
NTHL033N65S3HFONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 53A; Idm: 175A; 500W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 53A
Pulsed drain current: 175A
Power dissipation: 500W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 188nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 450 шт
товар відсутній
NTHL033N65S3HFONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 53A; Idm: 175A; 500W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 53A
Pulsed drain current: 175A
Power dissipation: 500W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 188nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
NTHL033N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTHL033N65S3HFonsemiMOSFET Pwr MOSFET N-Chn SUPERFET III
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1391.86 грн
10+ 1209.21 грн
25+ 1050.82 грн
50+ 909.29 грн
250+ 823.83 грн
450+ 817.16 грн
NTHL033N65S3HFonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 70A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6720 pF @ 400 V
товар відсутній
NTHL033N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTHL033N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTHL040N120M3SON SemiconductorNTHL040N120M3S
товар відсутній
NTHL040N120M3SonsemiMOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-3L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-3L
на замовлення 356 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+922.2 грн
10+ 800.77 грн
25+ 677.63 грн
50+ 639.57 грн
100+ 601.52 грн
250+ 582.83 грн
450+ 545.44 грн
NTHL040N120M3SonsemiDescription: SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V M3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 800 V
на замовлення 3663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+848.56 грн
30+ 661.56 грн
120+ 622.64 грн
510+ 529.54 грн
1020+ 485.72 грн
NTHL040N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 54A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+963.79 грн
Мінімальне замовлення: 13
NTHL040N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 54A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+894.95 грн
NTHL040N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 54A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTHL040N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+1496.97 грн
10+ 1399.46 грн
30+ 1356.56 грн
60+ 1253.2 грн
Мінімальне замовлення: 8
NTHL040N120SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 35A, 20V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1781 pF @ 800 V
на замовлення 437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1338.19 грн
30+ 1068.16 грн
120+ 1001.4 грн
NTHL040N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1390.05 грн
10+ 1299.5 грн
30+ 1259.66 грн
NTHL040N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTHL040N120SC1onsemiMOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, TO-247-3L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, TO-247-3L
на замовлення 792 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1433.14 грн
10+ 1353.55 грн
25+ 1018.78 грн
50+ 1001.42 грн
100+ 974.71 грн
250+ 974.05 грн
450+ 831.18 грн
NTHL040N120SC1ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 42A; Idm: 240A; 174W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -15...25V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 106nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NTHL040N120SC1ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 42A; Idm: 240A; 174W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -15...25V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 106nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
NTHL040N120SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTHL040N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.039 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.97V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 348W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1378.02 грн
5+ 1260.44 грн
10+ 1142.11 грн
50+ 1028.54 грн
100+ 936.58 грн
250+ 819.75 грн
NTHL040N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTHL040N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTHL040N65S3FonsemiMOSFET SUPERFET3 650V TO247
на замовлення 450 шт:
термін постачання 119-128 дні (днів)
1+1152.74 грн
10+ 1001.15 грн
25+ 847.2 грн
50+ 799.8 грн
100+ 752.4 грн
250+ 729.03 грн
450+ 682.3 грн
NTHL040N65S3FONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 45A; Idm: 162.5A; 446W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 162.5A
Power dissipation: 446W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 158nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 450 шт
товар відсутній
NTHL040N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTHL040N65S3FONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 45A; Idm: 162.5A; 446W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 162.5A
Power dissipation: 446W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 158nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
NTHL040N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTHL040N65S3FonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 65A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 6.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5940 pF @ 400 V
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1076.77 грн
30+ 839.29 грн
120+ 789.91 грн
NTHL040N65S3HFONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 45A; Idm: 162.5A; 446W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 162.5A
Power dissipation: 446W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 159nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
NTHL040N65S3HFonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 65A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 159 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5945 pF @ 400 V
на замовлення 426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1112.88 грн
10+ 944.05 грн
NTHL040N65S3HFONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 45A; Idm: 162.5A; 446W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 162.5A
Power dissipation: 446W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 159nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NTHL040N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTHL040N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTHL040N65S3HFonsemiMOSFET FRFET 650 V 65 A 40 mOhm TO-247
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1208.05 грн
10+ 1049.52 грн
25+ 796.46 грн
50+ 777.1 грн
100+ 765.75 грн
250+ 758.41 грн
450+ 715.01 грн
NTHL040N65S3HFON Semiconductor
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHL040N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTHL041N60S5HonsemiDescription: NTHL041N60S5H
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 28.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 329W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 6.7mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5840 pF @ 400 V
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+686.07 грн
10+ 596.96 грн
30+ 569.21 грн
120+ 442.98 грн
NTHL041N60S5HONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 36A; Idm: 200A; 329W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 329W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 32.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NTHL041N60S5HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTHL041N60S5HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+760.58 грн
18+ 664.39 грн
30+ 559.32 грн
120+ 489.77 грн
270+ 430.58 грн
Мінімальне замовлення: 16
NTHL041N60S5HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 57A Tube
товар відсутній
NTHL041N60S5HonsemiMOSFET SUPERFET5 FAST, 41MOHM, TO-247-3
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+790.56 грн
10+ 708.64 грн
25+ 523.41 грн
100+ 494.7 грн
250+ 415.26 грн
450+ 403.91 грн
900+ 385.88 грн
NTHL041N60S5HONSEMIDescription: ONSEMI - NTHL041N60S5H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 57 A, 0.0328 ohm, TO-247LL, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 57A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 329W
Bauform - Transistor: TO-247LL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET V FAST
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0328ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+846.28 грн
10+ 707.73 грн
25+ 647.07 грн
NTHL041N60S5HONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 36A; Idm: 200A; 329W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 329W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 32.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
NTHL041N60S5HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+706.25 грн
10+ 616.94 грн
30+ 519.37 грн
120+ 454.79 грн
270+ 399.82 грн
NTHL041N60S5HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTHL045N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTHL045N065SC1onsemiMOSFET SIC MOS TO247-3L 650V
на замовлення 1608 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+848.2 грн
10+ 737.04 грн
25+ 623.55 грн
50+ 588.83 грн
100+ 554.12 грн
250+ 536.76 грн
450+ 501.38 грн
NTHL045N065SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTHL045N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 66 A, 650 V, 0.032 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 291W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+859.77 грн
5+ 779.63 грн
10+ 699.5 грн
50+ 641.88 грн
100+ 584.8 грн
250+ 577.74 грн
NTHL045N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTHL045N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTHL045N065SC1onsemiDescription: SIC MOS TO247-3L 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 291W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 325 V
на замовлення 862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+935.94 грн
10+ 793.97 грн
100+ 686.69 грн
500+ 584.01 грн
NTHL050N65S3HFONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 37A; Idm: 145A; 378W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 37A
Pulsed drain current: 145A
Power dissipation: 378W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 125nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
NTHL050N65S3HFonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 58A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 378W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.7mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5017 pF @ 400 V
на замовлення 414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+919.33 грн
30+ 716.92 грн
120+ 674.74 грн
NTHL050N65S3HFONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 37A; Idm: 145A; 378W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 37A
Pulsed drain current: 145A
Power dissipation: 378W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 125nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NTHL050N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTHL050N65S3HFonsemiMOSFET SF3 650V 50MOHM
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+984.51 грн
10+ 855.28 грн
25+ 723.02 грн
50+ 682.97 грн
100+ 645.58 грн
250+ 644.91 грн
450+ 548.11 грн
NTHL050N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTHL050N65S3HFON Semiconductor
на замовлення 225 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHL060N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+734.94 грн
NTHL060N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTHL060N065SC1onsemiMOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 44 mohm, 650 V, M2, TO-247-3L
на замовлення 622 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+763.3 грн
10+ 644.91 грн
25+ 508.72 грн
100+ 467.33 грн
250+ 439.29 грн
450+ 411.92 грн
900+ 370.53 грн
NTHL060N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+1169.53 грн
25+ 1115.53 грн
Мінімальне замовлення: 11
NTHL060N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 20250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1247.96 грн
Мінімальне замовлення: 10
NTHL060N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+844.97 грн
10+ 836.56 грн
NTHL060N065SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTHL060N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 47 A, 650 V, 0.044 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 176W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 176W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.044ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1232.73 грн
5+ 1177.31 грн
10+ 1121.89 грн
50+ 960.39 грн
100+ 811.41 грн
250+ 794.72 грн
NTHL060N065SC1onsemiDescription: SIC MOS TO247-3L 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 6.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1473 pF @ 325 V
на замовлення 20783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+712.07 грн
30+ 547.37 грн
120+ 489.75 грн
510+ 405.54 грн
1020+ 364.98 грн
NTHL060N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+791.47 грн
Мінімальне замовлення: 15
NTHL060N090SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 900V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+832.58 грн
10+ 768.33 грн
30+ 741.24 грн
NTHL060N090SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTHL060N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 46 A, 900 V, 0.06 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 221W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 1803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+793.86 грн
5+ 765.4 грн
10+ 736.94 грн
50+ 657.18 грн
100+ 582.24 грн
250+ 557.84 грн
NTHL060N090SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 900V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+896.62 грн
15+ 827.43 грн
30+ 798.26 грн
60+ 725.89 грн
Мінімальне замовлення: 14
NTHL060N090SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 900V 46A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 221W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 450 V
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1003.1 грн
10+ 851.35 грн
100+ 736.31 грн
NTHL060N090SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 900V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTHL060N090SC1onsemiMOSFET 60MOHM 900V
на замовлення 1871 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1006.32 грн
10+ 875.24 грн
30+ 723.02 грн
60+ 686.97 грн
120+ 677.63 грн
270+ 645.58 грн
510+ 624.22 грн
NTHL060N090SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 900V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTHL060N090SC1ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 32A; Idm: 184A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 184A
Power dissipation: 110W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -10...20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
NTHL060N090SC1ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 32A; Idm: 184A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 184A
Power dissipation: 110W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -10...20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NTHL065N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTHL065N65S3FonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 46A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 337W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4.6mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4075 pF @ 400 V
на замовлення 6612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+806.67 грн
30+ 620.28 грн
120+ 554.98 грн
510+ 459.56 грн
1020+ 413.6 грн
NTHL065N65S3FONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 115A; 337W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 115A
Power dissipation: 337W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
NTHL065N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTHL065N65S3FonsemiMOSFET SUPERFET3 650V TO247
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+863.78 грн
10+ 783.88 грн
25+ 582.83 грн
100+ 528.75 грн
250+ 512.06 грн
450+ 466.66 грн
900+ 419.93 грн
NTHL065N65S3FONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 115A; 337W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 115A
Power dissipation: 337W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 450 шт
товар відсутній
NTHL065N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTHL065N65S3HFONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 115A; 337W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 115A
Power dissipation: 337W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 54mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
NTHL065N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 46A Tube
товар відсутній
NTHL065N65S3HFonsemiMOSFET SF3 FRFET HF VERSION, 65MOHM, TO-247
на замовлення 457 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+940.89 грн
10+ 884.45 грн
25+ 696.32 грн
50+ 670.28 грн
100+ 644.25 грн
450+ 550.11 грн
900+ 508.72 грн
NTHL065N65S3HFON Semiconductor
на замовлення 369 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHL065N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTHL065N65S3HFonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 46A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 337W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.3mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4075 pF @ 400 V
на замовлення 40926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+724.34 грн
30+ 564.41 грн
120+ 531.21 грн
510+ 451.78 грн
1020+ 414.39 грн
NTHL065N65S3HFONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 115A; 337W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 115A
Power dissipation: 337W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 54mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NTHL065N65S3HFONSEMIDescription: ONSEMI - NTHL065N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 46 A, 0.054 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 337W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 337W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.054ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+862.01 грн
10+ 748.92 грн
25+ 691.26 грн
100+ 588.33 грн
NTHL067N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+382.82 грн
10+ 360.22 грн
25+ 352.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTHL067N65S3HonsemiDescription: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 266W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 3.9mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 400 V
товар відсутній
NTHL067N65S3HON Semiconductor
на замовлення 380 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHL067N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTHL067N65S3HONSEMIDescription: ONSEMI - NTHL067N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.055 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 266W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+739.94 грн
10+ 543.72 грн
25+ 510.02 грн
100+ 442.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTHL067N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTHL067N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 40A Tube
товар відсутній
NTHL067N65S3HonsemiMOSFET SUPERFET3 FAST, 67MOHM, TO-247-3
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+631.67 грн
10+ 545.87 грн
25+ 409.25 грн
100+ 375.87 грн
450+ 318.45 грн
NTHL067N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTHL067N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTHL067N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+412.27 грн
31+ 379.98 грн
Мінімальне замовлення: 29
NTHL070N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 34A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTHL070N120M3SonsemiMOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 65 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-3L
на замовлення 549 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+750.84 грн
10+ 634.93 грн
25+ 500.71 грн
100+ 459.99 грн
250+ 432.61 грн
450+ 405.24 грн
900+ 365.18 грн
NTHL070N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 34A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+850.6 грн
Мінімальне замовлення: 14
NTHL070N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 34A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+789.84 грн
NTHL070N120M3SonsemiDescription: SIC MOS TO247-3L 70MOHM 1200V M3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 7mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 800 V
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+780.67 грн
10+ 644.18 грн
100+ 536.84 грн
NTHL070N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 34A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTHL075N065SC1ON SemiconductorSilicon Carbide (SiC) MOSFET
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+588.73 грн
22+ 545.9 грн
25+ 509.7 грн
50+ 467.58 грн
100+ 430.3 грн
Мінімальне замовлення: 20
NTHL075N065SC1ON SemiconductorSilicon Carbide (SiC) MOSFET
товар відсутній
NTHL075N065SC1onsemiDescription: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 148W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1196 pF @ 325 V
на замовлення 5730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+594.35 грн
30+ 456.57 грн
120+ 408.52 грн
510+ 338.28 грн
1020+ 304.45 грн
2010+ 285.28 грн
NTHL075N065SC1ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 26A; Idm: 120A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 74W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...18V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
NTHL075N065SC1ON SemiconductorSilicon Carbide (SiC) MOSFET
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+546.67 грн
10+ 506.91 грн
25+ 473.3 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTHL075N065SC1ON SemiconductorSilicon Carbide (SiC) MOSFET
товар відсутній
NTHL075N065SC1onsemiMOSFET SIC MOS TO247-3L 650V
на замовлення 449 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+645.69 грн
10+ 545.87 грн
25+ 429.94 грн
100+ 395.23 грн
250+ 371.86 грн
450+ 348.49 грн
900+ 313.78 грн
NTHL080N120SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 44A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 800 V
товар відсутній
NTHL080N120SC1ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 31A; Idm: 136A; 58W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 31A
Pulsed drain current: 136A
Power dissipation: 58W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
NTHL080N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 44A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTHL080N120SC1ON SemiconductorMOSFET SIC MOS 80MW 1200V
на замовлення 895 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTHL080N120SC1AONSEMIDescription: ONSEMI - NTHL080N120SC1A - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 31 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 178W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
на замовлення 592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+807.34 грн
5+ 780.38 грн
10+ 753.42 грн
50+ 673.87 грн
100+ 598.93 грн
250+ 575.82 грн
NTHL080N120SC1AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+999.22 грн
480+ 931.05 грн
960+ 879.4 грн
1440+ 809.33 грн
Мінімальне замовлення: 30
NTHL080N120SC1AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTHL080N120SC1AonsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 31A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+727.95 грн
30+ 567.89 грн
120+ 534.47 грн
NTHL080N120SC1AONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 22A; Idm: 132A; 178W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 132A
Power dissipation: 178W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 114mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
NTHL080N120SC1AONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 22A; Idm: 132A; 178W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 132A
Power dissipation: 178W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 114mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NTHL080N120SC1AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTHL080N120SC1AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTHL080N120SC1AonsemiMOSFET SIC MOS TO247-3L 80MOHM 1200V
на замовлення 1575 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+791.34 грн
10+ 687.14 грн
25+ 580.82 грн
50+ 548.78 грн
100+ 516.73 грн
250+ 500.71 грн
450+ 468 грн
NTHL082N65S3FonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 40A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3410 pF @ 400 V
товар відсутній
NTHL082N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTHL082N65S3FONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 25.5A; Idm: 100A; 313W; TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 25.5A
On-state resistance: 82mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 313W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 81nC
Technology: SuperFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 100A
Case: TO247
товар відсутній
NTHL082N65S3FONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 25.5A; Idm: 100A; 313W; TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 25.5A
On-state resistance: 82mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 313W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 81nC
Technology: SuperFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 100A
Case: TO247
кількість в упаковці: 450 шт
товар відсутній
NTHL082N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTHL082N65S3FonsemiMOSFET SUPERFET3 650V TO247 N-CHANNEL
на замовлення 2683 шт:
термін постачання 1218-1227 дні (днів)
1+725.92 грн
10+ 612.67 грн
30+ 483.35 грн
120+ 443.96 грн
270+ 417.93 грн
510+ 391.89 грн
1020+ 352.5 грн
NTHL082N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTHL082N65S3HFON Semiconductor
на замовлення 420 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHL082N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 40A Tube
товар відсутній
NTHL082N65S3HFonsemiMOSFET SF3 FRFET HF VERSION, 82MOHM, TO-247
на замовлення 1330 шт:
термін постачання 1090-1099 дні (днів)
1+654.26 грн
10+ 552.78 грн
25+ 435.95 грн
100+ 400.57 грн
250+ 377.2 грн
NTHL082N65S3HF
Код товару: 182440		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
NTHL082N65S3HFonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 40A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 400 V
на замовлення 426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+603.02 грн
30+ 463.27 грн
120+ 414.51 грн
NTHL082N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTHL095N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTHL095N65S3HonsemiDescription: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.8mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2833 pF @ 400 V
на замовлення 364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+501.91 грн
30+ 385.62 грн
120+ 345.03 грн
NTHL095N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTHL095N65S3HONSEMIDescription: ONSEMI - NTHL095N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.077 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 208W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TO-247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.077ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+506.27 грн
10+ 440.37 грн
25+ 378.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTHL095N65S3HON Semiconductor
на замовлення 385 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHL095N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 30A Tube
товар відсутній
NTHL095N65S3HonsemiMOSFET SUPERFET3 FAST, 95MOHM, TO-247-3
на замовлення 261 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+586.5 грн
10+ 540.5 грн
25+ 398.56 грн
100+ 395.89 грн
250+ 373.2 грн
450+ 329.8 грн
900+ 319.12 грн
NTHL095N65S3HFONSEMIDescription: ONSEMI - NTHL095N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 36 A, 0.078 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 36
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 272
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 272
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.078
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
NTHL095N65S3HFON Semiconductor
на замовлення 284 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHL095N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTHL095N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTHL095N65S3HFonsemiMOSFET SUPERFET3 650V FRFET 95MO
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+566.25 грн
10+ 478.31 грн
25+ 347.83 грн
100+ 347.16 грн
450+ 295.08 грн
NTHL095N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTHL095N65S3HFONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 22.8A; Idm: 90A; 272W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22.8A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 272W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NTHL095N65S3HFONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 22.8A; Idm: 90A; 272W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22.8A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 272W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
NTHL095N65S3HFonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 36A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 860µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2930 pF @ 400 V
на замовлення 1325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+529.36 грн
30+ 406.97 грн
120+ 364.12 грн
510+ 301.51 грн
1020+ 271.36 грн
NTHL099N60S5ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTHL099N60S5ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTHL099N60S5onsemiDescription: NTHL099N60S5
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 184W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.8mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 400 V
на замовлення 1202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+408.03 грн
10+ 354.74 грн
30+ 338.23 грн
120+ 263.23 грн
270+ 240 грн
510+ 224.52 грн
1020+ 197.99 грн
NTHL099N60S5ONSEMIDescription: ONSEMI - NTHL099N60S5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 33 A, 0.0792 ohm, TO-247LL, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 184W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 184W
Bauform - Transistor: TO-247LL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0792ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0792ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+441.87 грн
10+ 381.2 грн
25+ 315.3 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTHL099N60S5ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTHL099N60S5onsemiMOSFET SUPERFET5 EASY, 99MOHM, TO-247-3
на замовлення 429 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+484.46 грн
10+ 439.92 грн
25+ 324.46 грн
100+ 271.05 грн
250+ 259.7 грн
450+ 241.68 грн
900+ 231.66 грн
NTHL1000N170M1onsemiMOSFET SIC 1700V MOS 1O IN TO247-3L
на замовлення 141 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+341.93 грн
10+ 282.53 грн
25+ 232.33 грн
100+ 199.62 грн
250+ 188.27 грн
450+ 176.25 грн
900+ 150.88 грн
NTHL110N65S3FonsemiMOSFET SUPERFET3 650V
на замовлення 10770 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+530.42 грн
10+ 522.07 грн
25+ 362.51 грн
100+ 324.46 грн
250+ 323.79 грн
450+ 286.41 грн
900+ 245.68 грн
NTHL110N65S3FonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2560 pF @ 400 V
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+494.69 грн
30+ 380.24 грн
120+ 340.22 грн
510+ 281.72 грн
NTHL110N65S3FONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19.5A; Idm: 69A; 240W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19.5A
Pulsed drain current: 69A
Power dissipation: 240W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 450 шт
товар відсутній
NTHL110N65S3FONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19.5A; Idm: 69A; 240W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19.5A
Pulsed drain current: 69A
Power dissipation: 240W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
NTHL110N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTHL120N60S5ZonsemiMOSFET Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET V, Easy Drive, 600 V, 28 A, 120 mohm, TO-247 Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET V, Easy Drive, 600 V, 28 A, 120 mohm, TO-247
на замовлення 450 шт:
термін постачання 119-128 дні (днів)
1+459.54 грн
10+ 380.81 грн
25+ 312.44 грн
100+ 267.71 грн
250+ 253.03 грн
450+ 237.67 грн
900+ 203.62 грн
NTHL120N60S5ZonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 22A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.2mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2088 pF @ 400 V
товар відсутній
NTHL125N65S3HON Semiconductor
на замовлення 430 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHL125N65S3HonsemiMOSFET SUPERFET3 FAST, 125MOHM, TO-247-3
на замовлення 367 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+512.5 грн
10+ 464.49 грн
25+ 342.49 грн
100+ 328.47 грн
250+ 307.1 грн
450+ 257.03 грн
900+ 247.02 грн
NTHL125N65S3HonsemiDescription: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 171W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 400 V
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTHL125N65S3HONSEMIDescription: ONSEMI - NTHL125N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.108 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 171W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.108ohm
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+538.48 грн
5+ 461.34 грн
10+ 384.2 грн
50+ 349.8 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTHL125N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 24A Tube
товар відсутній
NTHL160N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTHL160N120SC1ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 69A; 59W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: SiC
On-state resistance: 0.16Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 59W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 34nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -15...25V
Pulsed drain current: 69A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 12A
товар відсутній
NTHL160N120SC1ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 69A; 59W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: SiC
On-state resistance: 0.16Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 59W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 34nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -15...25V
Pulsed drain current: 69A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 12A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NTHL160N120SC1onsemiMOSFET SIC MOS TO247-3L 160MOHM 1200V
на замовлення 1617 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+528.86 грн
10+ 509.79 грн
25+ 350.5 грн
100+ 330.47 грн
250+ 329.8 грн
450+ 287.07 грн
900+ 278.39 грн
NTHL160N120SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 17A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 224mOhm @ 12A, 20V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665 pF @ 800 V
на замовлення 365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+553.91 грн
30+ 425.88 грн
120+ 381.04 грн
NTHL185N60S5HonsemiMOSFET SUPERFET5 FAST, 185MOHM, TO-247-3
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+372.31 грн
10+ 308.64 грн
25+ 253.03 грн
100+ 216.97 грн
250+ 204.29 грн
450+ 178.25 грн
900+ 160.89 грн
NTHL185N60S5HonsemiDescription: SUPERFET5 FAST 185MOHM TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 116W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 1.4mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 400 V
товар відсутній
NTHL185N60S5HON SemiconductorPower MOSFET, N-Channel
товар відсутній
NTHL190N65S3HFONSEMIDescription: ONSEMI - NTHL190N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.165 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 162W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.165ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+468.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTHL190N65S3HFonsemiMOSFET SUPERFET3 650V FRFET 190M
на замовлення 2715 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+441.63 грн
10+ 366.22 грн
25+ 300.43 грн
100+ 257.7 грн
250+ 243.68 грн
450+ 199.62 грн
900+ 184.93 грн
NTHL190N65S3HFonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 162W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 430µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 400 V
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+407.31 грн
30+ 311.07 грн
NTHL190N65S3HFON Semiconductor
на замовлення 3800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHL190N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTHL190N65S3HFONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12.7A; Idm: 50A; 162W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12.7A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 162W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
NTHL190N65S3HFONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12.7A; Idm: 50A; 162W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12.7A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 162W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NTHLD040N65S3HFONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 45A; Idm: 162.5A; 446W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 162.5A
Power dissipation: 446W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 159nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
NTHLD040N65S3HFON Semiconductor
на замовлення 220 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHLD040N65S3HFONSEMIDescription: ONSEMI - NTHLD040N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 65 A, 0.032 ohm, TO-247AD, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 65
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 446
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 446
Bauform - Transistor: TO-247AD
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1004.31 грн
5+ 953.38 грн
10+ 901.71 грн
NTHLD040N65S3HFonsemiMOSFET FRFET 650 V 65 A 40 mOhm TO-247AD
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1198.7 грн
10+ 1041.08 грн
30+ 881.25 грн
60+ 831.18 грн
120+ 782.44 грн
270+ 758.41 грн
510+ 709 грн
NTHLD040N65S3HFonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 65A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 159 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5945 pF @ 400 V
товар відсутній
NTHLD040N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTHLD040N65S3HFONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 45A; Idm: 162.5A; 446W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 162.5A
Power dissipation: 446W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 159nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NTHNApex Tool GroupDescription: NTH SOLDERING TIP CHISEL 0 8MM
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTHS-1005N02 9.2K 10% R580402TEM
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHS-1005N029.2K10%R58
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHS-1204N01
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHS-1206J02-8K5R58
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHS-1206N01-50K
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHS-1206N01/50K
на замовлення 840 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHS-1206N0150K5%R58VISHAY
на замовлення 24010 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHS-1206N0150K5R58
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHS-1206N17104KR58
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHS0402N01N1002JPVishay DaleDescription: THERMOSTOR NTC 10K OHM 5% 0402
товар відсутній
NTHS0402N01N1003JEVishay DaleDescription: THERM NTC 100KOHM 3964K 0402
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0402 (1005 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
B Value Tolerance: ±3%
Resistance in Ohms @ 25°C: 100k
Resistance Tolerance: ±5%
B25/75: 3964K
Part Status: Active
на замовлення 10450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.71 грн
10+ 97.15 грн
25+ 80.98 грн
50+ 74.31 грн
100+ 67.54 грн
500+ 59.1 грн
1000+ 51.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
NTHS0402N01N1003JEVishay / DaleNTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors 100Kohms 5%
на замовлення 5471 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+519.51 грн
10+ 409.98 грн
25+ 329.8 грн
100+ 285.07 грн
250+ 276.39 грн
500+ 267.71 грн
1000+ 249.69 грн
NTHS0402N01N1003JESMD
на замовлення 86200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHS0402N01N1003JEVishay DaleDescription: THERM NTC 100KOHM 3964K 0402
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0402 (1005 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
B Value Tolerance: ±3%
Resistance in Ohms @ 25°C: 100k
Resistance Tolerance: ±5%
B25/75: 3964K
Part Status: Active
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+57.93 грн
4000+ 53.98 грн
6000+ 52.18 грн
Мінімальне замовлення: 2000
NTHS0402N01N1003JEVishayThermistor NTC 100K Ohm 5% 2-Pin 0402 Surface Mount Solder Pad 3974K -4.5 to -4 T/R Automotive
товар відсутній
NTHS0402N01N1003JE
на замовлення 190000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHS0402N01N1003JFVishay DaleDescription: THERM NTC 100KOHM 3964K 0402
Packaging: Bulk
Package / Case: 0402 (1005 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
B25/85: 3974K
B Value Tolerance: ±3%
Resistance in Ohms @ 25°C: 100k
Resistance Tolerance: ±5%
B25/75: 3964K
товар відсутній
NTHS0402N01N1003JPVishay DaleDescription: THERM NTC 100KOHM 3964K 0402
товар відсутній
NTHS0402N01N1003JRVishay DaleDescription: THERM NTC 100KOHM 3964K 0402
товар відсутній
NTHS0402N01N4702JEVishay DaleDescription: THERMISTOR NTC 47KOHM 3964K 0402
товар відсутній
NTHS0402N01N6802JEVishay DaleDescription: THERMISTOR NTC 68KOHM 3964K 0402
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0402 (1005 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
B Value Tolerance: ±3%
Resistance in Ohms @ 25°C: 68k
Resistance Tolerance: ±5%
B25/75: 3964K
товар відсутній
NTHS0402N01N6802JEVishay DaleDescription: THERMISTOR NTC 68KOHM 3964K 0402
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0402 (1005 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
B Value Tolerance: ±3%
Resistance in Ohms @ 25°C: 68k
Resistance Tolerance: ±5%
B25/75: 3964K
на замовлення 324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+75.11 грн
10+ 54.59 грн
25+ 43.67 грн
100+ 37.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
NTHS0402N01N6802JEVishay / DaleNTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors 68Kohms 5%
товар відсутній
NTHS0402N01N6802JPVishay DaleDescription: THERMOSTOR NTC 68K OHM 5% 0402
товар відсутній
NTHS0402N01N6802JRVishay DaleDescription: THERMOSTOR NTC 68K OHM 5% 0402
товар відсутній
NTHS0402N02 10K 5%TRVishay / DaleNTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors
товар відсутній
NTHS0402N02N1002HEVishayNTC SMD Thermistors
товар відсутній
NTHS0402N02N1002JEVishay DaleDescription: THERMISTOR NTC 10KOHM 3477K 0402
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0402 (1005 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
B Value Tolerance: ±3%
Resistance in Ohms @ 25°C: 10k
Resistance Tolerance: ±5%
B25/75: 3477K
Part Status: Active
на замовлення 4806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+296.81 грн
10+ 214.26 грн
25+ 190.46 грн
50+ 169.82 грн
100+ 165.34 грн
500+ 138.53 грн
1000+ 127.47 грн
NTHS0402N02N1002JEVishay / DaleNTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors 10Kohms 5%
на замовлення 2874 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+518.74 грн
10+ 409.21 грн
25+ 329.13 грн
100+ 284.4 грн
250+ 275.72 грн
500+ 267.05 грн
1000+ 249.02 грн
NTHS0402N02N1002JE
на замовлення 994 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHS0402N02N1002JEVISHAYDescription: VISHAY - NTHS0402N02N1002JE - NTC-Thermistor, 10 kOhm, Produktreihe NTHS, 3477 K, -40°C bis 125°C, SMD, 0402 [Metrisch 1005]
tariffCode: 85334090
Thermistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
Bauform - Thermistor: 0402 [Metrisch 1005]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Beta-Wert (K): 3477K
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Thermistoranschlüsse: -
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Temperaturabhängiger Widerstand bei 25°C: 10kohm
Produktpalette: NTHS
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+79.39 грн
50+ 67.63 грн
Мінімальне замовлення: 10