Продукція > NTM

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NTM-120Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.120" 3/5MM 2L
товар відсутній
NTM-120BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTM-120BivarLED Mount, Self Retaining, Vertical, 0.120in., 3mm or 5mm LED, 2 Lead, Round, Molded 6/6 Nylon, Natural
товар відсутній
NTM-130BivarPanel Mount LED Holder
товар відсутній
NTM-130Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.130" 3/5MM 2L
товар відсутній
NTM-130BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTM-140BivarLED Mount, Self Retaining, Vertical, 0.140in., 3mm or 5mm LED, 2 Lead, Round, Molded 6/6 Nylon, Natural
товар відсутній
NTM-140Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.140" 3/5MM 2L
товар відсутній
NTM-140BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
товар відсутній
NTM-150BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTM-150BivarLED Mount, Self Retaining, Vertical, 0.150in., 3mm or 5mm LED, 2 Lead, Round, Molded 6/6 Nylon, Natural
товар відсутній
NTM-150BivarLED Mount, Self Retaining, Vertical, 0.150in., 3mm or 5mm LED, 2 Lead, Round, Molded 6/6 Nylon, Natural
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTM-150Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.150" 3/5MM 2L
товар відсутній
NTM-160Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.160" 3/5MM 2L
Packaging: Bag
Color: Black
Material: Nylon
Length: 0.160" (4.06mm)
LED: T1, T1 3/4
Part Status: Active
товар відсутній
NTM-160BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
на замовлення 457 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+28.97 грн
17+ 18.81 грн
100+ 10.88 грн
1000+ 9.41 грн
2500+ 8.41 грн
10000+ 7.34 грн
25000+ 6.81 грн
Мінімальне замовлення: 11
NTM-160BivarLED Mount, Self Retaining, Vertical, 0.160in., 3mm or 5mm LED, 2 Lead, Round, Molded 6/6 Nylon, Natural
товар відсутній
NTM-170Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.170" 3/5MM 2L
Packaging: Bag
Color: Black
Material: Nylon
Length: 0.170" (4.32mm)
LED: T1, T1 3/4
товар відсутній
NTM-170BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTM-170BivarLED Mount, Self Retaining, Vertical, 0.170in., 3mm or 5mm LED, 2 Lead, Round, Molded 6/6 Nylon, Natural
товар відсутній
NTM-180Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.180" 3/5MM 2L
товар відсутній
NTM-180BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
на замовлення 2506 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTM-180BivarLED Mount, Self Retaining, Vertical, 0.180in., 3mm or 5mm LED, 2 Lead, Round, Molded 6/6 Nylon, Natural
товар відсутній
NTM-190Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.190" 3/5MM 2L
товар відсутній
NTM-190BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTM-190BivarLED Mount, Self Retaining, Vertical, 0.190in., 3mm or 5mm LED, 2 Lead, Round, Molded 6/6 Nylon, Natural
товар відсутній
NTM-200BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+44.4 грн
10+ 31.17 грн
100+ 8.35 грн
1000+ 6.88 грн
Мінімальне замовлення: 8
NTM-200Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.200" 3/5MM 2L
товар відсутній
NTM-210Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.210" 3/5MM 2L
товар відсутній
NTM-210BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTM-220Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.220" 3/5MM 2L
товар відсутній
NTM-220BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTM-230Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.230" 3/5MM 2L
товар відсутній
NTM-230BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTM-240BivarLED Mount, Self Retaining, Vertical, 0.240in., 3mm or 5mm LED, 2 Lead, Round, Molded 6/6 Nylon, Natural
товар відсутній
NTM-240Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.240" 3/5MM 2L
товар відсутній
NTM-240BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
товар відсутній
NTM-250Bivar Inc.Description: LED MOUNT .250"
Packaging: Bulk
Color: Natural
Material: Nylon
Length: 0.290" (7.37mm)
LED: T1, T1 3/4
Part Status: Active
товар відсутній
NTM-250BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
на замовлення 1780 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTM-260Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.260" 3/5MM 2L
товар відсутній
NTM-260BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
на замовлення 1072 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+28.97 грн
17+ 18.81 грн
100+ 10.88 грн
1000+ 10.55 грн
10000+ 9.61 грн
25000+ 8.95 грн
50000+ 8.28 грн
Мінімальне замовлення: 11
NTM-270BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTM-270Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.270" 3/5MM 2L
товар відсутній
NTM-280Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.280" 3/5MM 2L
товар відсутній
NTM-280BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
на замовлення 2132 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTM-290Bivar Inc.Description: LED MOUNT .290"
Packaging: Bulk
Color: Natural
Material: Nylon
Length: 0.290" (7.37mm)
LED: T1, T1 3/4
товар відсутній
NTM-290BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTM-300Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.300" 3/5MM 2L
товар відсутній
NTM-300BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTM-310Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.310" 3/5MM 2L
товар відсутній
NTM-310BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTM-320BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
на замовлення 1255 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+31.16 грн
15+ 20.58 грн
100+ 11.88 грн
500+ 9.28 грн
Мінімальне замовлення: 10
NTM-320Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.320" 3/5MM 2L
товар відсутній
NTM-330Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.330" 3/5MM 2L
товар відсутній
NTM-330BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTM-340Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.340" 3/5MM 2L
товар відсутній
NTM-340BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTM-350Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.350" 3/5MM 2L
товар відсутній
NTM-350BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTM-360Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.360" 3/5MM 2L
товар відсутній
NTM-360BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm LED Black
на замовлення 2154 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+28.97 грн
17+ 18.81 грн
100+ 12.02 грн
1000+ 10.55 грн
2500+ 8.41 грн
10000+ 7.28 грн
25000+ 6.74 грн
Мінімальне замовлення: 11
NTM-370BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+44.4 грн
10+ 31.17 грн
100+ 8.35 грн
1000+ 6.88 грн
Мінімальне замовлення: 8
NTM-370Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.370" 3/5MM 2L
товар відсутній
NTM-380Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.380" 3/5MM 2L
товар відсутній
NTM-380BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+45.18 грн
10+ 31.79 грн
100+ 8.55 грн
1000+ 7.01 грн
Мінімальне замовлення: 7
NTM-390Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.390" 3/5MM 2L
товар відсутній
NTM-390BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTM-390BivarLED Mount, Self Retaining, Vertical, 0.390in., 3mm or 5mm LED, 2 Lead, Round, Molded 6/6 Nylon, Natural
товар відсутній
NTM-400Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.400" 3/5MM 2L
Packaging: Bag
Color: Black
Material: Nylon
Length: 0.400" (10.16mm)
LED: T1, T1 3/4
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+33.94 грн
13+ 21.7 грн
100+ 14.37 грн
Мінімальне замовлення: 9
NTM-400BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+29.68 грн
17+ 19.12 грн
100+ 11.55 грн
1000+ 7.34 грн
2500+ 6.54 грн
10000+ 5.61 грн
25000+ 5.27 грн
Мінімальне замовлення: 11
NTM-410Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.410" 3/5MM 2L
товар відсутній
NTM-410BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+45.18 грн
10+ 31.79 грн
100+ 8.55 грн
1000+ 7.01 грн
Мінімальне замовлення: 7
NTM-420BivarLED Mount, Self Retaining, Vertical, 0.420in., 3mm or 5mm LED, 2 Lead, Round, Molded 6/6 Nylon, Natural
товар відсутній
NTM-420Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.420" 3/5MM 2L
товар відсутній
NTM-420BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+29.99 грн
16+ 19.73 грн
100+ 11.42 грн
500+ 8.95 грн
1000+ 8.41 грн
2500+ 6.81 грн
5000+ 6.41 грн
Мінімальне замовлення: 11
NTM-430Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.430" 3/5MM 2L
товар відсутній
NTM-430BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+29.68 грн
17+ 19.12 грн
100+ 11.08 грн
1000+ 8.61 грн
2500+ 7.61 грн
10000+ 6.61 грн
25000+ 6.01 грн
Мінімальне замовлення: 11
NTM-440Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.440" 3/5MM 2L
товар відсутній
NTM-440BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTM-440BivarLED Mount, Self Retaining, Vertical, 0.440in., 3mm or 5mm LED, 2 Lead, Round, Molded 6/6 Nylon, Natural
товар відсутній
NTM-450Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.450" 3/5MM 2L
товар відсутній
NTM-450BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTM-460Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.460" 3/5MM 2L
товар відсутній
NTM-460BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTM-480BivarLED Mount, Self Retaining, Vertical, 0.480in., 3mm or 5mm LED, 2 Lead, Round, Molded 6/6 Nylon, Natural
товар відсутній
NTM-480Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.480" 3/5MM 2L
товар відсутній
NTM-480BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+31.93 грн
15+ 20.96 грн
100+ 12.15 грн
500+ 9.55 грн
Мінімальне замовлення: 10
NTM-490Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.490" 3/5MM 2L
товар відсутній
NTM-490BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTM-500Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.500" 3/5MM 2L
товар відсутній
NTM-500BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTM-520BivarLED Mount, Self Retaining, Vertical, 0.520in., 3mm or 5mm LED, 2 Lead, Round, Molded 6/6 Nylon, Natural
товар відсутній
NTM-520Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.520" 3/5MM 2L
товар відсутній
NTM-520BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTM-530Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.530" 3/5MM 2L
товар відсутній
NTM-530BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTM-550Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.550" 3/5MM 2L
Packaging: Bag
Color: Black
Material: Nylon
Length: 0.550" (13.97mm)
LED: T1, T1 3/4
товар відсутній
NTM-550BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
на замовлення 802 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.64 грн
15+ 20.96 грн
100+ 12.15 грн
1000+ 8.01 грн
2500+ 7.21 грн
10000+ 6.21 грн
25000+ 5.81 грн
Мінімальне замовлення: 10
NTM-570Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.570" 3/5MM 2L
товар відсутній
NTM-570BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.36 грн
10+ 33.17 грн
100+ 8.95 грн
1000+ 7.28 грн
Мінімальне замовлення: 7
NTM-600Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.600" 3/5MM 2L
Packaging: Bag
Color: Black
Material: Nylon
Length: 0.600" (15.24mm)
LED: T1, T1 3/4
товар відсутній
NTM-600BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
товар відсутній
NTM-620Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.620" 3/5MM 2L
товар відсутній
NTM-620BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTM-650Bivar Inc.Description: LED MOUNT .650"
Packaging: Bulk
Color: Natural
Material: Nylon
Length: 0.650" (16.51mm)
LED: T1, T1 3/4
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39 грн
12+ 25.11 грн
100+ 16.59 грн
Мінімальне замовлення: 8
NTM-650BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
на замовлення 169 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+28.97 грн
18+ 17.58 грн
100+ 11.95 грн
1000+ 10.35 грн
2500+ 9.41 грн
10000+ 8.01 грн
25000+ 7.74 грн
Мінімальне замовлення: 11
NTM-670Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.670" 3/5MM 2L
Packaging: Bag
Color: Black
Material: Nylon
Length: 0.670" (17.02mm)
LED: T1, T1 3/4
товар відсутній
NTM-670BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
на замовлення 1270 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+28.97 грн
18+ 17.58 грн
100+ 11.95 грн
1000+ 11.75 грн
2500+ 7.21 грн
10000+ 6.08 грн
25000+ 5.87 грн
Мінімальне замовлення: 11
NTM-700Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.700" 3/5MM 2L
товар відсутній
NTM-700BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTM-700BivarLED Mount, Self Retaining, Vertical, 0.700in., 3mm or 5mm LED, 2 Lead, Round, Molded 6/6 Nylon, Natural
товар відсутній
NTM-720BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTM-720Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.720" 3/5MM 2L
товар відсутній
NTM-750Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.750" 3/5MM 2L
Packaging: Bag
Color: Black
Material: Nylon
Length: 0.750" (19.05mm)
LED: T1, T1 3/4
товар відсутній
NTM-750BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
на замовлення 884 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+31.16 грн
17+ 18.81 грн
100+ 12.68 грн
1000+ 9.61 грн
2500+ 8.81 грн
10000+ 7.48 грн
25000+ 7.21 грн
Мінімальне замовлення: 10
NTM-770Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.770" 3/5MM 2L
товар відсутній
NTM-770BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
на замовлення 1347 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTM-800BIVARCategory: Spacers for LED
Description: Spacer sleeve; LED; Øout: 5.1mm; ØLED: 3mm,5mm; L: 20.3mm; natural
Type of LED accessories: spacer sleeve
Application: LED
Outside diameter: 5.1mm
LED diameter: 3mm; 5mm
Spacer length: 20.3mm
Colour: natural
Flammability rating: UL94V-2
Body material: polyamide 6.6
Mounting holes pitch: 2.5mm
Kind of bulb: T1; T1 3/4
товар відсутній
NTM-800Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.800" 3/5MM 2L
Packaging: Bag
Color: Black
Material: Nylon
Length: 0.800" (20.32mm)
LED: T1, T1 3/4
Part Status: Active
товар відсутній
NTM-800BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
товар відсутній
NTM-820Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.820" 3/5MM 2L
товар відсутній
NTM-820BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTM-820BIVARCategory: Spacers for LED
Description: Spacer sleeve; LED; Øout: 5.1mm; ØLED: 3mm,5mm; L: 20.8mm; natural
Application: LED
Flammability rating: UL94V-2
Body material: polyamide 6.6
Outside diameter: 5.1mm
LED diameter: 3mm; 5mm
Kind of bulb: T1; T1 3/4
Spacer length: 20.8mm
Type of LED accessories: spacer sleeve
Colour: natural
Mounting holes pitch: 2.5mm
товар відсутній
NTM-850BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTM-850Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.850" 3/5MM 2L
товар відсутній
NTM-870Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.870" 3/5MM 2L
товар відсутній
NTM-870BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
товар відсутній
NTM-900Bivar Inc.Description: LED MT SR VERT X 0.900" 3/5MM 2L
товар відсутній
NTM-900BivarLED Mounting Hardware LED Mount Self Ret 3 or 5mm Natural
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+57.64 грн
10+ 40.54 грн
100+ 10.88 грн
1000+ 8.95 грн
Мінімальне замовлення: 6
NTM-900BIVARCategory: Spacers for LED
Description: Spacer sleeve; LED; Øout: 5.1mm; ØLED: 3mm,5mm; L: 22.9mm; natural
Application: LED
Outside diameter: 5.1mm
LED diameter: 3mm; 5mm
Kind of bulb: T1; T1 3/4
Spacer length: 22.9mm
Type of LED accessories: spacer sleeve
Colour: natural
Mounting holes pitch: 2.5mm
Flammability rating: UL94V-2
Body material: polyamide 6.6
товар відсутній
NTM1NeutrikPower Transformers TRANSFRMER MIC INPUT PCB VERT 1:1 RATIO
товар відсутній
NTM105K100FNIC ComponentsCap Film 1uF 100V PET 10%( 10 X 19mm) Axial 85°C
товар відсутній
NTM105K250FNIC ComponentsCap Film 1uF 250V PET 10% (11.5 X 27mm) Axial 85°C
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
229+51.2 грн
1200+ 46.79 грн
2400+ 43.54 грн
3600+ 39.6 грн
Мінімальне замовлення: 229
NTM10N02ZMOT09+ SO-8
на замовлення 1587 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTM10N02ZMOT
на замовлення 587 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTM11210-SC900
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTM1210-SC900TOKO0402X2
на замовлення 5064 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTM156K100D18R0FNIC ComponentsCap Film 15uF 100V PET 10% (22 X 47mm) Axial 85°C
товар відсутній
NTM156K100D18R0FNIC ComponentsCap Film 15uF 100V PET 10% (22 X 47mm) Axial 85°C
товар відсутній
NTM156K100FNIC ComponentsCap Film 15uF 100V PET 10% (22 X 47mm) Axial 85°C
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+109.15 грн
Мінімальне замовлення: 6
NTM156K100FNIC ComponentsCap Film 15uF 100V PET 10% (22 X 47mm) Axial 85°C
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTM1603HDBIVARCategory: Spacers for LED
Description: Spacer sleeve; 3mm; natural
Colour: natural
LED diameter: 3mm
Type of LED accessories: spacer sleeve
товар відсутній
NTM1603HDBivarLED Circuit Board Indicators Vert LED Assembly 3mm HE Red
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.82 грн
10+ 31.17 грн
100+ 17.89 грн
1000+ 17.16 грн
2500+ 16.89 грн
10000+ 16.69 грн
25000+ 16.62 грн
Мінімальне замовлення: 7
NTM1603HDBivar Inc.Description: LED ASSY VERT
Packaging: Tray
Current: 30mA
Color: Red
Voltage Rating: 2V
Mounting Type: Through Hole
Millicandela Rating: 30mcd
Configuration: Single
Viewing Angle: 45°
Lens Type: Diffused
Wavelength - Peak: 635nm
Part Status: Active
Lens Style: Round with Domed Top
Lens Size: 3mm, T-1
товар відсутній
NTM1603HDBivarVertical LED Assembly,2 Lead Single Color, Green, Diffused Lens, Black PVC Alloy
товар відсутній
NTM1N05EMOT
на замовлення 299 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTM1N05EMOT09+ SO-8
на замовлення 1299 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTM2003GDBivarLED Circuit Board Indicators Vert LED Assembly 3mm Green
товар відсутній
NTM2003GDBivar IncDescription: LED ASSY VERT 3MM GRN 565NM
товар відсутній
NTM2073D
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTM2222AHITACHI01+ SOT-23
на замовлення 3999 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTM2222A-T1B
на замовлення 1703 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTM2222AT1
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTM2369NEC
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTM2369-T1B
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTM2369-T2B
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTM2369-TBTOSHIBA02+ SOT-23
на замовлення 3999 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTM2603GDBivarLED Circuit Board Indicators Vert LED Assembly 3mm Green
товар відсутній
NTM2603HDBivarLED Circuit Board Indicators Vert LED Assembly 3mm HE Red
товар відсутній
NTM2907NEC
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTM2907A
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTM2907A-T1B
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTM2907A/Y15
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTM3003GDBivarLED Circuit Board Indicators Vert LED Assembly 3mm Green
товар відсутній
NTM3003HDBivarLED Circuit Board Indicators Vert LED Assembly 3mm HE Red
товар відсутній
NTM3003YDBivar IncDescription: LED ASSY VERT 3MM YLW 585NM
товар відсутній
NTM3003YDBivarLED Circuit Board Indicators Vert LED Assembly 3mm Yellow
товар відсутній
NTM3414AM
на замовлення 119 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTM3703GDBivar IncDescription: LED ASSY VERT
товар відсутній
NTM3703GDBivarLED Circuit Board Indicators Vert LED Assembly 3mm Green
товар відсутній
NTM3703YDBivar IncDescription: LED ASSY VERT
товар відсутній
NTM3703YDBivarLED Circuit Board Indicators Vert LED Assembly 3mm Yellow
товар відсутній
NTM3904
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTM3904/B25
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTM3906
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTM3906-T1BNECSOT23/SOT323
на замовлення 5952 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTM3906/Y25
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTM4NeutrikAudio Transformer 1:4 PC Pin Thru-Hole
товар відсутній
NTM4NeutrikPower Transformers TRANSFRMER MIC INPUT PCB VERT 1:4 RATIO
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTM4403GDBivarLED Circuit Board Indicators Vert LED Assembly 3mm Green
товар відсутній
NTM4403GDBivar IncDescription: LED ASSY VERT 3MM GRN 565NM
товар відсутній
NTM4403YDBivar IncDescription: LED ASSY VERT 3MM YLW 585NM
товар відсутній
NTM4403YDBivarLED Circuit Board Indicators Vert LED Assembly 3mm Yellow
товар відсутній
NTM4558DJRC
на замовлення 925 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTM4816NR2G
на замовлення 6880 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTM5203GDBivarLED Circuit Board Indicators Vert LED Assembly 3mm Green
товар відсутній
NTM5203GDBivar IncDescription: LED ASSY VERT 3MM GRN 565NM
товар відсутній
NTM5203HDBivarLED Circuit Board Indicators Vert LED Assembly 3mm HE Red
товар відсутній
NTM5203HDBivar IncDescription: LED ASSY VERT 3MM HER 635NM
товар відсутній
NTM5203YDBivar IncDescription: LED ASSY VERT 3MM YLW 585NM
товар відсутній
NTM5203YDBivarLED Circuit Board Indicators Vert LED Assembly 3mm Yellow
товар відсутній
NTM78L09UAT2
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTM8050(M)-T1BNEC05+ SOT-23
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTM8050(M)-T1B-MFNEC
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTM88H055T1NXP USA Inc.Description: IC PRESSURE SENSOR 24HQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Obsolete
на замовлення 1913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+603.02 грн
5+ 512.67 грн
10+ 452.79 грн
25+ 344.75 грн
50+ 304.68 грн
100+ 296.65 грн
500+ 244.47 грн
1000+ 228.7 грн
NTM88H055T1NXP SemiconductorsBoard Mount Pressure Sensors TPMS 4X4 900kPa X axis
на замовлення 1984 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTM88H055T1NXP SemiconductorsTire Pressure Monitoring Sensors
товар відсутній
NTM88H055T1NXP USA Inc.Description: IC PRESSURE SENSOR 24HQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
товар відсутній
NTM88H065T1NXP USA Inc.Description: IC PRESSURE SENSOR 24HQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Obsolete
на замовлення 1847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+603.02 грн
5+ 512.67 грн
10+ 452.79 грн
25+ 344.75 грн
50+ 304.68 грн
100+ 296.65 грн
500+ 244.47 грн
1000+ 228.7 грн
NTM88H065T1NXP USA Inc.Description: IC PRESSURE SENSOR 24HQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
товар відсутній
NTM88H065T1NXP SemiconductorsBoard Mount Pressure Sensors NTM88 Highly Integrated Tire Pressure Sensor
на замовлення 1939 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+683.08 грн
5+ 593.47 грн
10+ 455.98 грн
25+ 369.86 грн
NTM88H065T1NXP SemiconductorsTire Pressure Monitoring Sensors
товар відсутній
NTM88H075T1NXP USA Inc.Description: IC PRESSURE SENSOR 24HQFN
товар відсутній
NTM88H075T1NXP SemiconductorsBoard Mount Pressure Sensors NTM88 Highly Integrated Tire Pressure Sensor
на замовлення 1988 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTM88H075T1NXP USA Inc.Description: IC PRESSURE SENSOR 24HQFN
товар відсутній
NTM88H077T1NXP USA Inc.Description: IC PRESSURE SENSOR 24HQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
товар відсутній
NTM88H125T1NXP USA Inc.Description: IC PRESSURE SENSOR 24HQFN
товар відсутній
NTM88H125T1NXP USA Inc.Description: IC PRESSURE SENSOR 24HQFN
товар відсутній
NTM88H135ST1NXP SemiconductorsTPMS 4X4 900kPa XZ axis
товар відсутній
NTM88H135T1NXP USA Inc.Description: IC PRESSURE SENSOR 24HQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+247.05 грн
Мінімальне замовлення: 2000
NTM88H135T1NXP SemiconductorsBoard Mount Pressure Sensors NTM88 Highly Integrated Tire Pressure Sensor
на замовлення 1905 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+693.2 грн
5+ 603.46 грн
10+ 333.14 грн
NTM88H135T1NXP USA Inc.Description: IC PRESSURE SENSOR 24HQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+511.3 грн
10+ 369.13 грн
25+ 328.13 грн
50+ 292.55 грн
100+ 284.85 грн
500+ 238.66 грн
1000+ 219.6 грн
NTM88H145T1NXP SemiconductorsBoard Mount Pressure Sensor 90kPa to 930kPa 24-Pin HQFN EP
товар відсутній
NTM88H145T1NXP USA Inc.Description: IC PRESSURE SENSOR 24HQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+247.05 грн
Мінімальне замовлення: 2000
NTM88H145T1NXP SemiconductorsBoard Mount Pressure Sensors NTM88 Highly Integrated Tire Pressure Sensor
товар відсутній
NTM88H155T1NXP SemiconductorsBoard Mount Pressure Sensors NTM88 Highly Integrated Tire Pressure Sensor
на замовлення 1943 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+693.2 грн
5+ 602.69 грн
10+ 462.66 грн
25+ 375.87 грн
NTM88H155T1NXP USA Inc.Description: IC PRESSURE SENSOR 24HQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Obsolete
товар відсутній
NTM88H155T1NXP SemiconductorsBoard Mount Pressure Sensor 90kPa to 930kPa 24-Pin HQFN EP
товар відсутній
NTM88H155T1NXP USA Inc.Description: IC PRESSURE SENSOR 24HQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
товар відсутній
NTM88J125T1NXP USA Inc.Description: IC PRESSURE SENSOR 24HQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Obsolete
товар відсутній
NTM88J125T1NXP USA Inc.Description: IC PRESSURE SENSOR 24HQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
товар відсутній
NTM88J127T1NXP SemiconductorsNTM88J127T1
товар відсутній
NTM88J135ST1NXP SemiconductorsNTM88 Highly Integrated Tire Pressure Sensor
товар відсутній
NTM88J135T1NXP USA Inc.Description: IC PRESSURE SENSOR 24HQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
товар відсутній
NTM88J145ST1NXP SemiconductorsNTM88 Highly Integrated Tire Pressure Sensor
товар відсутній
NTM88J145T1NXP SemiconductorsNTM88 Highly Integrated Tire Pressure Sensor
товар відсутній
NTM88J145T1NXP USA Inc.Description: IC PRESSURE SENSOR 24HQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
товар відсутній
NTM88J155T1NXP USA Inc.Description: IC PRESSURE SENSOR 24HQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
товар відсутній
NTMC083NP10M5LonsemiMOSFET MV5_100V_N_P_IN DUALS AND SINGLE
на замовлення 65287 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+69.55 грн
10+ 57.2 грн
100+ 34.45 грн
500+ 32.31 грн
1000+ 25.37 грн
2500+ 24.03 грн
5000+ 23.37 грн
Мінімальне замовлення: 5
NTMC1300RMOT01+
на замовлення 2167 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMC1300R2
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMC1300R2onsemiDescription: MOSFET N/P-CH 30V 2.2A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A, 1.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1110+18.01 грн
Мінімальне замовлення: 1110
NTMC1300R2onsemiDescription: MOSFET N/P-CH 30V 2.2A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A, 1.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товар відсутній
NTMD2C02R2ON05+
на замовлення 70 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMD2C02R2ON SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 20V 8SOIC
товар відсутній
NTMD2C02R2ONSO-8
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMD2C02R2onsemiMOSFET 20V 5.2A
товар відсутній
NTMD2C02R2ON07+ SO-8
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMD2C02R2GonsemiMOSFET 20V 5.2A Complementary
товар відсутній
NTMD2C02R2GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V 8SOIC
на замовлення 16455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
802+24.6 грн
Мінімальне замовлення: 802
NTMD2C02R2GON SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 20V 8SOIC
товар відсутній
NTMD2C02R2SGonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V 8SOIC
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1603+12.63 грн
Мінімальне замовлення: 1603
NTMD2C02R2SGonsemiMOSFET COMP20V 2A .043R TR
товар відсутній
NTMD2C02R2SGON SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 20V 8SOIC
товар відсутній
NTMD2N05ZMOT09+ SO-8
на замовлення 2318 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMD2N05ZMOT
на замовлення 1318 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMD2P01ON07+ SO-8
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMD2P01ONSO-8
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMD2P01R2ON SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 16V 2.3A 8SOIC
товар відсутній
NTMD2P01R2ON05+
на замовлення 607 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMD2P01R2GON SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 16V 2.3A 8SOIC
товар відсутній
NTMD2P02MOT95+ SOP
на замовлення 251 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMD2P10MOT95+ SOP
на замовлення 941 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMD3N03MOT
на замовлення 754 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMD3N03MOT95+ SOP
на замовлення 1295 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMD3N03MOT09+ SO-8
на замовлення 1754 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMD3N08LONSO-8
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMD3N08LON07+ SO-8
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMD3N08LR2onsemiMOSFET 80V 2.3A N-Channel
товар відсутній
NTMD3N08LR2onsemiDescription: MOSFET PWR N-CHAN DUAL 80V 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 215mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
на замовлення 114190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1374+15.89 грн
Мінімальне замовлення: 1374
NTMD3N08LR2GonsemiMOSFET
товар відсутній
NTMD3P03ONSO-8
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMD3P03ON07+ SO-8
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMD3P03R2
на замовлення 280000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMD3P03R2GonsemiMOSFET 30V 3.05A P-Channel
на замовлення 7430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+52.89 грн
10+ 46.3 грн
100+ 35.38 грн
500+ 33.58 грн
1000+ 30.84 грн
2500+ 29.04 грн
5000+ 27.64 грн
Мінімальне замовлення: 6
NTMD3P03R2GON SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 30V 2.34A 8SOIC
товар відсутній
NTMD3P03R2GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 3.05A 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
NTMD3P03R2GONSOP8 07+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMD3P03R2GON SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 30V 2.34A 8SOIC
товар відсутній
NTMD4184PFG
на замовлення 7717 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMD4184PFR2GonsemiMOSFET PFET FTKY S08 30V TR 3.8A
на замовлення 22502 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTMD4184PFR2GonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 2.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 770mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 10 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10
товар відсутній
NTMD4184PFR2GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 3.3A 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
NTMD4184PFR2GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMD4184PFR2G - Leistungs-MOSFET, FETKY, p-Kanal, 30 V, 3.3 A, 0.07 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+38.2 грн
Мінімальне замовлення: 100
NTMD4184PFR2GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMD4184PFR2G - Leistungs-MOSFET, FETKY, p-Kanal, 30 V, 3.3 A, 0.07 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+67.25 грн
15+ 51.83 грн
100+ 38.2 грн
Мінімальне замовлення: 12
NTMD4184PFR2G
на замовлення 39 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMD4820Nonsemionsemi NFET SO8 30V 8A 0.020R TR
товар відсутній
NTMD4820NR2GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMD4820NR2G - NFET SO8 30V 8A 0.020R TR
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 60481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+36.7 грн
Мінімальне замовлення: 2500
NTMD4820NR2GonsemiMOSFET NFET SO8 30V 8A TR 0.020R
на замовлення 1530 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+67.37 грн
10+ 54.89 грн
100+ 36.85 грн
500+ 31.24 грн
Мінімальне замовлення: 5
NTMD4820NR2GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SOIC
на замовлення 20895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTMD4820NR2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.4A 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
NTMD4820NR2G
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMD4820NR2GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SOIC
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTMD4820NR2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.4A 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
NTMD4840Nonsemionsemi NFET SO8 30V 7.5A 0.034R
товар відсутній
NTMD4840NR2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 680mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 307102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1156+17.34 грн
Мінімальне замовлення: 1156
NTMD4840NR2GON08+ SOP-8
на замовлення 1678 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMD4840NR2GonsemiMOSFET NFET SO8 30V 7.5A 0.034R
на замовлення 1396 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+51.8 грн
10+ 45.37 грн
100+ 30.24 грн
500+ 23.9 грн
Мінімальне замовлення: 7
NTMD4840NR2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 680mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товар відсутній
NTMD4840NR2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5.5A 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
NTMD4840NR2GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMD4840NR2G - MOSFET, DUAL N CH, 30V, 5.5A, SOIC-8
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 234602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1400+18.95 грн
Мінімальне замовлення: 1400
NTMD4840NR2GON Semiconductor
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMD4840NR2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 680mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товар відсутній
NTMD4884NFR2GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 3.3A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 770mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 15 V
на замовлення 43322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1268+16 грн
Мінімальне замовлення: 1268
NTMD4884NFR2G
на замовлення 1260 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMD4884NFR2GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 3.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 770mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 15 V
товар відсутній
NTMD4N01MOT09+ SO-8
на замовлення 3948 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMD4N01MOT
на замовлення 2948 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMD4N03onsemionsemi NFET SO8 30V 4A 60MOHM
товар відсутній
NTMD4N03DR2
на замовлення 1456 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMD4N03R2ON07+ SO-8
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMD4N03R2ONSOP-8
на замовлення 3012 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMD4N03R2ON05+
на замовлення 4252 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMD4N03R2ONSO-8
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMD4N03R2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.3 грн
Мінімальне замовлення: 2500
NTMD4N03R2GON06+ SOIC
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMD4N03R2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 4A 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
NTMD4N03R2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 31763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+50.55 грн
10+ 41.73 грн
100+ 28.92 грн
500+ 22.67 грн
1000+ 19.3 грн
Мінімальне замовлення: 6
NTMD4N03R2GonsemiMOSFET 30V 4A N-Channel
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 571-580 дні (днів)
5+63.87 грн
10+ 56.43 грн
100+ 47.67 грн
500+ 33.78 грн
1000+ 27.04 грн
2500+ 22.97 грн
5000+ 22.16 грн
Мінімальне замовлення: 5
NTMD4N03R2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 4A 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
NTMD4N03R2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.02 грн
5000+ 17.35 грн
12500+ 16.06 грн
25000+ 14.93 грн
Мінімальне замовлення: 2500
NTMD5836NLR2GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 40V 9A/5.7A SO-8FL
товар відсутній
NTMD5836NLR2GonsemiMOSFET NFET SO8-D 40V 10 25mOHM
товар відсутній
NTMD5836NLR2GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 40V 9A/5.7A SO-8FL
товар відсутній
NTMD5836NLR2GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 40V 9A/5.7A SO-8FL
товар відсутній
NTMD5836NLR2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 9A/5.7A 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
NTMD5838NLR2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 7.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+51.73 грн
13+ 46.01 грн
25+ 45.61 грн
50+ 43.6 грн
100+ 31.71 грн
250+ 30.16 грн
500+ 24.16 грн
1000+ 23.93 грн
Мінімальне замовлення: 12
NTMD5838NLR2GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMD5838NLR2G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 7.4 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85412900
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Anzahl der Pins: 8
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.4
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
hazardous: false
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Produktpalette: -
Bauform - Transistor: NSOIC
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02
Dauer-Drainstrom Id: 7.4
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0162
usEccn: EAR99
Transistormontage: Oberflächenmontage
Verlustleistung Pd: 2.1
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 20085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+65.16 грн
14+ 57.44 грн
100+ 44.04 грн
500+ 32.34 грн
Мінімальне замовлення: 12
NTMD5838NLR2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 7.4A 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
NTMD5838NLR2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 7.4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
товар відсутній
NTMD5838NLR2GonsemiMOSFET NFETDPAK40V100A3.7M OHM
товар відсутній
NTMD5838NLR2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 7.4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
товар відсутній
NTMD5838NLR2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 7.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
237+49.55 грн
239+ 49.12 грн
241+ 48.69 грн
306+ 36.88 грн
309+ 33.84 грн
500+ 26.02 грн
1000+ 25.77 грн
Мінімальне замовлення: 237
NTMD5838NLR2GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMD5838NLR2G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 7.4 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.4
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: NSOIC
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 20085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+44.04 грн
500+ 32.34 грн
Мінімальне замовлення: 100
NTMD6601NR2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 80V 1.1A 8SOIC
на замовлення 60595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTMD6601NR2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 2.2A 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
NTMD6601NR2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 80V 1.1A 8SOIC
товар відсутній
NTMD6N02MOT09+ SO-8
на замовлення 3811 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMD6N02ONSO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMD6N02MOT
на замовлення 2811 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMD6N02ON07+ SO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMD6N02D2
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMD6N02R2ON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 20V 3.92A 8SO
товар відсутній
NTMD6N02R2ON SemiconductorMOSFET 20V 6A N-Channel
товар відсутній
NTMD6N02R2MOTSOP-8
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMD6N02R2Rochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 21500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTMD6N02R2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
NTMD6N02R2GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.5A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.5A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
NTMD6N02R2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 3.92A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 730mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.92A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.53 грн
5000+ 19.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500
NTMD6N02R2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTMD6N02R2GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.5A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.5A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
NTMD6N02R2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 3.92A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 730mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.92A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 9768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.33 грн
10+ 47.29 грн
100+ 32.73 грн
500+ 25.67 грн
1000+ 21.84 грн
Мінімальне замовлення: 6
NTMD6N02R2GonsemiMOSFET NFET 20V 0.035R TR
на замовлення 5956 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+70.1 грн
10+ 60.96 грн
100+ 40.66 грн
500+ 32.11 грн
Мінімальне замовлення: 5
NTMD6N03MOT95+ SOP
на замовлення 2930 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMD6N03MOT09+ SO-8
на замовлення 1668 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMD6N03onsemionsemi NFET SO8 30V 6A 32MOHM
товар відсутній
NTMD6N03MOT
на замовлення 668 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMD6N0382
на замовлення 420 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMD6N03R2onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.29W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 24V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
на замовлення 53550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1401+13.83 грн
Мінімальне замовлення: 1401
NTMD6N03R2onsemiMOSFET 30V 6A N-Channel
товар відсутній
NTMD6N03R2ON04+
на замовлення 235 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMD6N03R2onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.29W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 24V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
товар відсутній
NTMD6N03R2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
NTMD6N03R2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.29W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 24V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
товар відсутній
NTMD6N03R2GON09+
на замовлення 7518 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMD6N03R2G
Код товару: 94669		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
NTMD6N03R2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
NTMD6N03R2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+52.73 грн
12+ 52.2 грн
25+ 51.68 грн
100+ 43.26 грн
250+ 38.44 грн
500+ 32.01 грн
1000+ 20.49 грн
Мінімальне замовлення: 11
NTMD6N03R2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.29W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 24V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
товар відсутній
NTMD6N03R2GonsemiMOSFET NFET 30V SPCL TR
товар відсутній
NTMD6N03R2GON
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMD6N03R2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.29W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 24V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
798+25.02 грн
Мінімальне замовлення: 798
NTMD6N03R2GON Semiconductor
на замовлення 52570 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMD6N03R2GOSonsemiMOSFET Discrete Semiconductor Products FETs - Arrays - MOSFET PWR N-CH DL 6A 30V 8SOIC
товар відсутній
NTMD6N04R2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 4.6A 8SOIC
товар відсутній
NTMD6N04R2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 5.8A 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
NTMD6N04R2GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMD6N04R2G - NTMD6N04R2G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+31.9 грн
Мінімальне замовлення: 30
NTMD6N04R2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 4.6A 8SOIC
товар відсутній
NTMD6N04R2G
на замовлення 43 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMD6N04R2GonsemiMOSFET NFET SO8 40V 5.8A 0.027R
товар відсутній
NTMD6P02ON07+ SO-8
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMD6P02onsemionsemi PFET SO8 20V 6A 33MOHM
товар відсутній
NTMD6P02ONSO-8
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMD6P02DR2G
на замовлення 130 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMD6P02R2onsemiMOSFET 20V 6A P-Channel
товар відсутній
NTMD6P02R2onsemiDescription: MOSFET PWR P-CHAN DUAL 20V 8SOIC
товар відсутній
NTMD6P02R2
на замовлення 4792 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMD6P02R2GON-SemicoductorTransistor 2xP-Channel MOSFET; 20V; 12V; 50mOhm; 6,2A; 1,28W; -55°C ~ 150°C; NTMD6P02R2G TNTMD6p02
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+25.2 грн
Мінімальне замовлення: 25
NTMD6P02R2GONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.7A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5.7A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
NTMD6P02R2GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC
товар відсутній
NTMD6P02R2GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
NTMD6P02R2GONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.7A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5.7A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
NTMD6P02R2GonsemiMOSFET 20V 6A P-Channel
на замовлення 2992 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+88.01 грн
10+ 71.17 грн
100+ 48.13 грн
500+ 38.86 грн
1000+ 33.45 грн
2500+ 31.44 грн
5000+ 29.91 грн
Мінімальне замовлення: 4
NTMD6P02R2GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+33.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500
NTMD6P02R2GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
NTMD6P02R2GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC
товар відсутній
NTMD6P02R2SGonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC
на замовлення 1270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
704+31.35 грн
Мінімальне замовлення: 704
NTMD6P02R2SGonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC
товар відсутній
NTMED2P01R2G
на замовлення 923 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMF1N05MOT
на замовлення 1227 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMF1N05MOT09+ SO-8
на замовлення 2227 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMF4708NT1G
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMF4N02MOT
на замовлення 62 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMF4N02MOT09+ SO-8
на замовлення 1062 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFC013NP10M5Lonsemionsemi MV5_100V_N_P_IN DUALS AND SINGLE
товар відсутній
NTMFD016N06ConsemiON Semiconductor
товар відсутній
NTMFD016N06CT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 9A/32A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 36W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 32A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 489pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Part Status: Active
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+189.93 грн
10+ 151.67 грн
100+ 120.73 грн
500+ 95.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTMFD016N06CT1GonsemiMOSFET T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
товар відсутній
NTMFD016N06CT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 9A/32A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 36W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 32A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 489pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Part Status: Active
товар відсутній
NTMFD020N06CT1GonsemiMOSFET T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+160.45 грн
10+ 131.29 грн
100+ 91.46 грн
250+ 87.46 грн
500+ 76.78 грн
1000+ 65.23 грн
1500+ 61.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTMFD020N06CT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 8A/27A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 27A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.3mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Part Status: Active
на замовлення 1340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+145.88 грн
10+ 116.83 грн
100+ 92.97 грн
500+ 73.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTMFD020N06CT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 8A/27A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 27A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.3mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Part Status: Active
товар відсутній
NTMFD024N06CT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 8A/24A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 28W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 24A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 333pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.6mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
товар відсутній
NTMFD024N06CT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 8A/24A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 28W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 24A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 333pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.6mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
товар відсутній
NTMFD024N06CT1GonsemiMOSFET T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
товар відсутній
NTMFD030N06CT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 7A/19A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 19A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.7mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Part Status: Active
товар відсутній
NTMFD030N06CT1GonsemiMOSFET T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
товар відсутній
NTMFD030N06CT1GON SemiconductorPower MOSFET Power, N Channel, DUAL SO8FL, 60 V, 29.7 m, 19 A
товар відсутній
NTMFD030N06CT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 7A/19A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 19A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.7mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Part Status: Active
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.77 грн
10+ 55.77 грн
100+ 43.37 грн
500+ 34.5 грн
Мінімальне замовлення: 5
NTMFD0D9N02P1EonsemiDescription: IFET 25V 0.9 MOHM PQFN56MP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 960mW (Ta), 1.04W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 30A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 15V, 5050pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V, 720µOhm @ 41A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 4.5V, 30nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 340µA, 2V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
товар відсутній
NTMFD1D1N02XonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 14A/75A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 960mW (Ta), 27W (Tc), 1W (Ta), 44W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 75A (Tc), 27A (Ta), 178A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080pF @ 12V, 4265pF @ 12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V, 870µOhm @ 37A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V, 59nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 240µA, 2.1V @ 850µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+60.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTMFD1D1N02XonsemiMOSFET Dual Power MOSFETs, N-Channel, 25V, 3.0mohm/75A, 0.87mohm/178A, Asymmetric, Power Clip Dual 5x6 25V, N-Channel, Power MOSFETs, Power Clip Dual 5x6
товар відсутній
NTMFD1D1N02XON SemiconductorMOSFET-Power Dual N-Channel Power Clip
товар відсутній
NTMFD1D4N02P1EonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 13A/74A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 960mW (Ta), 1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 74A (Tc), 24A (Ta), 155A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180pF @ 13V, 3603pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V, 1.1mOhm @ 37A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2nC @ 4.5V, 21.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, 2V @ 800µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
на замовлення 5940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+158.88 грн
10+ 127.12 грн
100+ 101.18 грн
500+ 80.34 грн
1000+ 68.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTMFD1D4N02P1EonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 13A/74A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 960mW (Ta), 1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 74A (Tc), 24A (Ta), 155A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180pF @ 13V, 3603pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V, 1.1mOhm @ 37A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2nC @ 4.5V, 21.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, 2V @ 800µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+71.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTMFD1D6N03P8onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 17A/56A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W (Ta), 23W (Tc), 2.3W (Ta), 29W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 56A (Tc), 32A (Ta), 109A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1715pF @ 15V, 6430pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17A, 10V, 1.6mOhm @ 32A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V, 87nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
на замовлення 1724994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+100.38 грн
10+ 80.04 грн
100+ 63.68 грн
500+ 50.57 грн
1000+ 42.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
NTMFD1D6N03P8onsemiMOSFET PT8 N-CH DUAL 30V
товар відсутній
NTMFD1D6N03P8onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 17A/56A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W (Ta), 23W (Tc), 2.3W (Ta), 29W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 56A (Tc), 32A (Ta), 109A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1715pF @ 15V, 6430pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17A, 10V, 1.6mOhm @ 32A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V, 87nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
на замовлення 1722000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+45.11 грн
6000+ 41.8 грн
9000+ 40.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTMFD2D4N03P8onsemiMOSFET PT8 N-CH DUAL 30V
на замовлення 2880 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+98.14 грн
10+ 79.08 грн
100+ 53.21 грн
500+ 45.06 грн
1000+ 36.79 грн
3000+ 34.52 грн
6000+ 32.91 грн
Мінімальне замовлення: 4
NTMFD2D4N03P8onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 17A/56A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W (Ta), 23W (Tc), 1.1W (Ta), 25W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 56A (Tc), 25A (Ta), 84A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1715pF @ 15V, 3825pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17A, 10V, 2.4mOhm @ 25A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V, 55nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
на замовлення 366000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.83 грн
10+ 69.96 грн
100+ 54.44 грн
500+ 43.3 грн
1000+ 35.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
NTMFD2D4N03P8onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 17A/56A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W (Ta), 23W (Tc), 1.1W (Ta), 25W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 56A (Tc), 25A (Ta), 84A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1715pF @ 15V, 3825pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17A, 10V, 2.4mOhm @ 25A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V, 55nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
на замовлення 366000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+36.75 грн
6000+ 33.7 грн
9000+ 32.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTMFD4901NFonsemionsemi NFET SO8FL 30V 10.8A 7MO
товар відсутній
NTMFD4901NFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 10.3A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W, 1.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A, 17.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
товар відсутній
NTMFD4901NFT1GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 10.8A 7MO
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTMFD4901NFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13.5A/23.4A 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
NTMFD4901NFT1G
Код товару: 91879		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
NTMFD4901NFT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13.5A/23.4A 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
NTMFD4901NFT3GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 10.3A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W, 1.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A, 17.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
товар відсутній
NTMFD4901NFT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 10.8A 7MO
товар відсутній
NTMFD4902NFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 13.5A/17.5A 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
NTMFD4902NFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 10.3A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W, 1.16W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A, 13.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
товар відсутній
NTMFD4902NFT1GonsemiMOSFET NFET SO8FL 30V 10.8A 7MO
товар відсутній
NTMFD4902NFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 13.5A/17.5A 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
NTMFD4902NFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 10.3A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W, 1.16W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A, 13.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
товар відсутній
NTMFD4902NFT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 10.8A 7MO
товар відсутній
NTMFD4902NFT3GON Semiconductor
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFD4902NFT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 13.5A/17.5A 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
NTMFD4902NFT3GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 10.3A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W, 1.16W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A, 13.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
товар відсутній
NTMFD4902NFT3G-SonsemiDescription: NTMFD4902NFT3G-S
товар відсутній
NTMFD4951NFT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFD4951NFT1G - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
229+159.52 грн
Мінімальне замовлення: 229
NTMFD4951NFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 10.8A SO8FL
Packaging: Bulk
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
190+104.03 грн
Мінімальне замовлення: 190
NTMFD4951NFT1GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 10.8A
товар відсутній
NTMFD4951NFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 10.8A SO8FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
товар відсутній
NTMFD4951NFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 10.8A 8DFN DL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
172+115.22 грн
Мінімальне замовлення: 172
NTMFD4951NFT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 10.8A 7MO
товар відсутній
NTMFD4951NFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 10.8A 8DFN DL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
товар відсутній
NTMFD4952NFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 10.8A 8DFN DL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
товар відсутній
NTMFD4952NFT1GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 10.8A 7MO
товар відсутній
NTMFD4952NFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 10.8A 8DFN DL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
товар відсутній
NTMFD4952NFT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 10.8A 7MO
товар відсутній
NTMFD4C20NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/13.7A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.09W, 1.15W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.1A, 13.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
товар відсутній
NTMFD4C20NT1GonsemiMOSFET NFET SO8FL 30V 27A 3.4MOH
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+151.1 грн
10+ 124.38 грн
100+ 101.48 грн
250+ 98.14 грн
500+ 94.8 грн
1000+ 90.8 грн
1500+ 88.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
NTMFD4C20NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/13.7A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.09W, 1.15W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.1A, 13.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+137.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
NTMFD4C20NT1GON Semiconductor
на замовлення 1268 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFD4C20NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 12A/18A 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
NTMFD4C20NT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 27A 3.4MOH
товар відсутній
NTMFD4C20NT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 12A/18A 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
NTMFD4C20NT3GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/13.7A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.09W, 1.15W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.1A, 13.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
товар відсутній
NTMFD4C50NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 12A 8DFN DL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
на замовлення 16500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
337+58.6 грн
Мінімальне замовлення: 337
NTMFD4C50NT1GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V
товар відсутній
NTMFD4C50NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 12A 8DFN DL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
товар відсутній
NTMFD4C50NT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V
товар відсутній
NTMFD4C50NT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 12A 8DFN DL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
товар відсутній
NTMFD4C85NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 15.4A 8DFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.13W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A, 29.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
на замовлення 182728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
130+152.75 грн
Мінімальне замовлення: 130
NTMFD4C85NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 15.4A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.13W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A, 29.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
товар відсутній
NTMFD4C85NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 25.4A/49.2A 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
NTMFD4C85NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFD4C85NT1G - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 25.4 A, 0.0022 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 25.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0022ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.95W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 182728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+141.55 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NTMFD4C85NT1GonsemiMOSFET NFET SO8FL 30V 40A 1.2MOH
на замовлення 253 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+345.82 грн
10+ 286.37 грн
25+ 235 грн
100+ 201.62 грн
NTMFD4C85NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 15.4A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.13W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A, 29.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
товар відсутній
NTMFD4C85NT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 25.4A/49.2A 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
NTMFD4C85NT3GonsemiMOSFET NFET SO8FL
товар відсутній
NTMFD4C85NT3GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 15.4A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.13W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A, 29.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
товар відсутній
NTMFD4C86NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFD4C86NT1G - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 20.2 A, 0.0043 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0043ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.89W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 40079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+205.95 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NTMFD4C86NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 11.3A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A, 18.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1153pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
товар відсутній
NTMFD4C86NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 14.8A/23.7A 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
NTMFD4C86NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 11.3A 8DFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A, 18.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1153pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
на замовлення 40079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
117+169.21 грн
Мінімальне замовлення: 117
NTMFD4C86NT1GonsemiMOSFET NFET SO8FL 30V 32A 2.1MOH
товар відсутній
NTMFD4C86NT3GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 11.3A 8DFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A, 18.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1153pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
на замовлення 795000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
117+169.21 грн
Мінімальне замовлення: 117
NTMFD4C86NT3GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 11.3A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A, 18.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1153pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
товар відсутній
NTMFD4C86NT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 32A 2.1MOH
товар відсутній
NTMFD4C87NT1GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 26A 3.1MOH
товар відсутній
NTMFD4C87NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 11.7A 8DFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A, 14.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1252pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
130+152.09 грн
Мінімальне замовлення: 130
NTMFD4C87NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 11.7A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A, 14.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1252pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
товар відсутній
NTMFD4C87NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFD4C87NT1G - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
156+233.66 грн
Мінімальне замовлення: 156
NTMFD4C87NT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 26A 3.1MOH
товар відсутній
NTMFD4C87NT3GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 11.7A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A, 14.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1252pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
товар відсутній
NTMFD4C88NT1GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 24A 3.4MOH
товар відсутній
NTMFD4C88NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 11.7A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A, 14.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1252pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
товар відсутній
NTMFD4C88NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFD4C88NT1G - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
192+190.23 грн
Мінімальне замовлення: 192
NTMFD4C88NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 11.7A 8DFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A, 14.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1252pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
160+125.37 грн
Мінімальне замовлення: 160
NTMFD4C88NT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 15.4A/18.7A 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
NTMFD4C88NT3GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 11.7A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A, 14.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1252pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
товар відсутній
NTMFD4C88NT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL
товар відсутній
NTMFD5875NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 7A/22A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W (Ta), 32W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 22A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
товар відсутній
NTMFD5875NLT1GonsemiMOSFET 60V 22A 33MOHM
товар відсутній
NTMFD5875NLT1GON SemiconductorNFET SO8FL 60V 22A 33MOHM
товар відсутній
NTMFD5C446NLT1GonsemiMOSFET T6 40V LL S08FL DS
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 560-569 дні (днів)
1+373.08 грн
10+ 343.19 грн
100+ 265.04 грн
500+ 249.69 грн
1000+ 223.65 грн
NTMFD5C446NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 25A/145A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.5W (Ta), 125W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 145A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3170pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
товар відсутній
NTMFD5C446NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
NTMFD5C446NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 25A/145A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.5W (Ta), 125W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 145A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3170pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
товар відсутній
NTMFD5C462NLT1GON SemiconductorDescription: T6 40V LL S08FL DS
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTMFD5C466NLT1GON SemiconductorDescription: T6 40V LL S08FL DS
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTMFD5C466NLT1GON SemiconductorMOSFET T6 40V LL S08FL DS
товар відсутній
NTMFD5C466NT1GON SemiconductorDual N Channel Power MOSFET
товар відсутній
NTMFD5C466NT1GonsemiDescription: MOSFET 40V S08FL DUAL
Packaging: Tape & Reel (TR)
товар відсутній
NTMFD5C466NT1GonsemiMOSFET 40V 8.1 MOHM T6 S08FL DUAL
товар відсутній
NTMFD5C466NT1GonsemiDescription: MOSFET 40V S08FL DUAL
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+103.99 грн
10+ 81.78 грн
100+ 63.6 грн
Мінімальне замовлення: 3
NTMFD5C466NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 14A 8-Pin DFN EP Reel
товар відсутній
NTMFD5C470NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 11A/36A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 24W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 36A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Part Status: Active
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+91.35 грн
3000+ 83.57 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NTMFD5C470NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 11A/36A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 24W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 36A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Part Status: Active
на замовлення 5713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+192.82 грн
10+ 153.9 грн
100+ 122.53 грн
500+ 97.3 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTMFD5C470NLT1GonsemiMOSFET T6 40V LL S08FL DS
на замовлення 1239 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+208.74 грн
10+ 170.44 грн
100+ 118.17 грн
250+ 109.49 грн
500+ 98.81 грн
1000+ 84.12 грн
1500+ 80.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTMFD5C650NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 21A 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
NTMFD5C650NLT1GON Semiconductor
на замовлення 2829 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFD5C650NLT1GON SemiconductorMOSFET T6 60V LL S08FL DS
на замовлення 1770 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTMFD5C650NLT1GON SemiconductorDescription: T6 60V LL S08FL DS
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTMFD5C650NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 21A 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
NTMFD5C672NLT1GonsemiDescription: T6 60V LL S08FL DS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 45W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 49A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 793pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
товар відсутній
NTMFD5C672NLT1GON SemiconductorPower MOSFET
товар відсутній
NTMFD5C672NLT1GonsemiDescription: T6 60V LL S08FL DS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 45W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 49A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 793pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
товар відсутній
NTMFD5C674NLT1GON Semiconductor
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFD5C674NLT1GON SemiconductorMOSFET T6 60V LL S08FL DS
на замовлення 2987 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTMFD5C674NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
NTMFD5C680NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 7.5A/26A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 19W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 26A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 13µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
на замовлення 40500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+184.16 грн
10+ 147.57 грн
100+ 117.48 грн
500+ 93.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTMFD5C680NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 7.5A/26A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 19W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 26A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 13µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
на замовлення 40500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+87.59 грн
3000+ 80.13 грн
7500+ 77.11 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NTMFD5C680NLT1GON Semiconductor
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFD5C680NLT1GonsemiMOSFET T6 60V LL SO8FL DUAL
на замовлення 11981 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+201.73 грн
10+ 156.62 грн
100+ 114.16 грн
250+ 105.48 грн
500+ 95.47 грн
1000+ 82.12 грн
1500+ 77.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTMFD6H846NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 80V 9.4A/31A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W (Ta), 34W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 31A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 21µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Part Status: Active
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+104.72 грн
10+ 83.31 грн
100+ 66.35 грн
500+ 52.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
NTMFD6H846NLT1GON Semiconductor
на замовлення 1430 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFD6H846NLT1GonsemiMOSFET T8 80V LL SO8FL DS
на замовлення 2239 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+114.5 грн
10+ 94.43 грн
100+ 65.23 грн
500+ 54.81 грн
1000+ 47.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
NTMFD6H846NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 80V 9.4A/31A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W (Ta), 34W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 31A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 21µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Part Status: Active
товар відсутній
NTMFD6H846NLT1GON SemiconductorDual N Channel Power MOSFET 80V, 31A, 15m
товар відсутній
NTMFRS4707NT1G
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS002N10MCLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS002N10MCLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 175 A, 0.0023 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 189W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 189W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 4268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+274.11 грн
10+ 220.18 грн
25+ 199.96 грн
100+ 166.9 грн
500+ 111.05 грн
1500+ 105.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
NTMFS002N10MCLT1GonsemiDescription: PTNG 100V LL SO8FL HE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 175A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 189W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 351µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 50 V
на замовлення 1439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+213.76 грн
10+ 173.16 грн
100+ 140.09 грн
500+ 116.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTMFS002N10MCLT1GonsemiDescription: PTNG 100V LL SO8FL HE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 175A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 189W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 351µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 50 V
товар відсутній
NTMFS002N10MCLT1GonsemiMOSFET PTNG 100V LL SO8FL HE
на замовлення 2816 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+232.89 грн
10+ 191.94 грн
25+ 157.56 грн
100+ 135.53 грн
250+ 128.18 грн
500+ 119.5 грн
1000+ 102.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTMFS002P03P8ZT1GonsemiDescription: MOSFET, POWER -30V P-CHANNEL, SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40.2A (Ta), 263A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 138.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 217 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14950 pF @ 15 V
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+106.36 грн
3000+ 96.44 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NTMFS002P03P8ZT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS002P03P8ZT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 226 A, 0.0012 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 226A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 138.9W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 138.9W
Bauform - Transistor: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 1028 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+144.54 грн
500+ 111.27 грн
Мінімальне замовлення: 100
NTMFS002P03P8ZT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 40.2A 5-Pin SO-FL EP Reel
товар відсутній
NTMFS002P03P8ZT1GonsemiMOSFET MOSFET, Power -30V P-Channel, SO-8FL
на замовлення 5679 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+223.54 грн
10+ 185.03 грн
25+ 158.22 грн
100+ 130.18 грн
250+ 128.85 грн
500+ 116.16 грн
1000+ 106.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTMFS002P03P8ZT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS002P03P8ZT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 226 A, 0.0012 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 226A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 138.9W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
на замовлення 903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+241.9 грн
10+ 177.5 грн
100+ 144.54 грн
500+ 111.27 грн
Мінімальне замовлення: 4
NTMFS002P03P8ZT1GonsemiDescription: MOSFET, POWER -30V P-CHANNEL, SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40.2A (Ta), 263A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 138.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 217 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14950 pF @ 15 V
на замовлення 69871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+205.82 грн
10+ 166.35 грн
100+ 134.57 грн
500+ 112.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTMFS005N10MCLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 16A 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NTMFS005N10MCLT1GonsemiMOSFET PTNG 100V LL SO8FL
на замовлення 9489 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+138.64 грн
10+ 116.7 грн
100+ 82.78 грн
250+ 82.12 грн
500+ 70.77 грн
1000+ 69.43 грн
1500+ 62.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
NTMFS005N10MCLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 16A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 1353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+92.93 грн
10+ 86.67 грн
25+ 85.8 грн
100+ 72.58 грн
250+ 66.76 грн
500+ 61.35 грн
1000+ 59.01 грн
Мінімальне замовлення: 7
NTMFS005N10MCLT1GonsemiDescription: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 192µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 50 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+66.09 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NTMFS005N10MCLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 16A 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NTMFS005N10MCLT1GON Semiconductor
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS005N10MCLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 16A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 1353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
117+100.08 грн
126+ 93.34 грн
127+ 92.4 грн
145+ 78.16 грн
250+ 71.9 грн
500+ 66.07 грн
1000+ 63.55 грн
Мінімальне замовлення: 117
NTMFS005N10MCLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 16A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTMFS005N10MCLT1GonsemiDescription: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 192µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 50 V
на замовлення 4115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.38 грн
10+ 111.34 грн
100+ 88.65 грн
500+ 70.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
NTMFS005P03P8ZT1GON SemiconductorPower, Single P-Channel, SO8-FL
товар відсутній
NTMFS006N08MCON Semiconductor
на замовлення 2936 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS006N08MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 14.7A 8-Pin PQFN EP T/R
товар відсутній
NTMFS006N08MConsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 9.3A/82A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta), 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 40 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+63.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTMFS006N08MConsemiMOSFET 80V PTNG IN PQFN8
на замовлення 2498 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+153.44 грн
10+ 125.91 грн
100+ 86.79 грн
250+ 80.11 грн
500+ 72.77 грн
1000+ 62.09 грн
3000+ 59.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
NTMFS006N08MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 14.7A 8-Pin PQFN EP T/R
товар відсутній
NTMFS006N08MConsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 9.3A/82A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta), 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 40 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.55 грн
10+ 113.36 грн
100+ 90.2 грн
500+ 71.63 грн
1000+ 60.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
NTMFS006N12MCT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 120V 15A 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NTMFS006N12MCT1GonsemiDescription: POWER MOSFET, 120V SINGLE N CHAN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 93A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 260µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3365 pF @ 60 V
товар відсутній
NTMFS006N12MCT1GonsemiMOSFET PTNG 120V SG
на замовлення 11808 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+217.31 грн
10+ 179.65 грн
100+ 126.85 грн
500+ 112.16 грн
1500+ 96.14 грн
3000+ 90.8 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTMFS006N12MCT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 120V 15A 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NTMFS006N12MCT1GonsemiDescription: POWER MOSFET, 120V SINGLE N CHAN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 93A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 260µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3365 pF @ 60 V
товар відсутній
NTMFS006N12MCT1GON Semiconductor
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS006N12MCT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 120V 15A 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NTMFS006N12MCT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 120V 15A
товар відсутній
NTMFS008N12MCT1GonsemiDescription: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 12
на замовлення 1147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+177.66 грн
10+ 153.62 грн
100+ 123.45 грн
500+ 95.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTMFS008N12MCT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 120V 12A 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NTMFS008N12MCT1GonsemiDescription: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 12
товар відсутній
NTMFS008N12MCT1GonsemiMOSFET PTNG 120V SG
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTMFS010N10GTWGON SemiconductorPower MOSFET, Single N-Channel
товар відсутній
NTMFS010N10GTWGonsemiDescription: 100V MVSOA IN PQFN56 PACKAGE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 164µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3950 pF @ 50 V
товар відсутній
NTMFS010N10GTWGonsemiDescription: 100V MVSOA IN PQFN56 PACKAGE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 164µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3950 pF @ 50 V
товар відсутній
NTMFS010N10GTWGON SemiconductorPower MOSFET, Single N-Channel
товар відсутній
NTMFS011N15MConsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 10.7A/78A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta), 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 194µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3592 pF @ 75 V
товар відсутній
NTMFS011N15MCONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS011N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 78 A, 0.009 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 147W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 147W
Bauform - Transistor: PQFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 5953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+569.18 грн
100+ 498.78 грн
Мінімальне замовлення: 10
NTMFS011N15MConsemiMOSFET PTNG 150V 11MOHM, PQFN56
на замовлення 2546 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+603.63 грн
10+ 524.38 грн
100+ 451.31 грн
NTMFS011N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 10.7A 8-Pin PQFN EP T/R
товар відсутній
NTMFS011N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 10.7A 8-Pin PQFN EP T/R
товар відсутній
NTMFS011N15MConsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 10.7A/78A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta), 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 194µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3592 pF @ 75 V
на замовлення 2848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+782.12 грн
10+ 663.44 грн
100+ 573.81 грн
500+ 488.01 грн
1000+ 447.62 грн
NTMFS011N15MCONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS011N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 78 A, 0.009 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 147W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 5953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+695 грн
10+ 569.18 грн
100+ 498.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTMFS011N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 10.7A 8-Pin PQFN EP T/R
товар відсутній
NTMFS015N10MCLT1GonsemiMOSFET PTNG 100V LL NCH SO-8FL FOR INDUSTRIAL MARKET
на замовлення 1997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+88.79 грн
10+ 73.55 грн
100+ 48.94 грн
500+ 44.73 грн
1000+ 44.6 грн
1500+ 37.65 грн
3000+ 34.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
NTMFS015N10MCLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 10.5A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
210+55.73 грн
220+ 53.24 грн
239+ 49.15 грн
275+ 41.08 грн
Мінімальне замовлення: 210
NTMFS015N10MCLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 10.5A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NTMFS015N10MCLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 10.5A 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NTMFS015N10MCLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 10.5A/54A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 282µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13380 pF @ 50 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+42.18 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NTMFS015N10MCLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 10.5A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+58.85 грн
12+ 51.75 грн
25+ 49.44 грн
100+ 44.01 грн
250+ 35.32 грн
Мінімальне замовлення: 10
NTMFS015N10MCLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 10.5A/54A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 282µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13380 pF @ 50 V
на замовлення 2703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.05 грн
10+ 75.59 грн
100+ 58.82 грн
500+ 46.79 грн
Мінімальне замовлення: 4
NTMFS015N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 9.2A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+122.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTMFS015N15MConsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 9.2A/61A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 108.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 162µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 75 V
на замовлення 11978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+210.15 грн
10+ 169.75 грн
100+ 137.35 грн
500+ 114.58 грн
1000+ 98.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTMFS015N15MCON Semiconductor
на замовлення 2755 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS015N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 9.2A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
86+137.14 грн
90+ 131.13 грн
91+ 129.26 грн
100+ 117.5 грн
250+ 108.24 грн
500+ 102.9 грн
1000+ 101.9 грн
Мінімальне замовлення: 86
NTMFS015N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 9.2A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+127.34 грн
10+ 121.76 грн
25+ 120.03 грн
100+ 109.1 грн
250+ 100.5 грн
500+ 95.55 грн
1000+ 94.62 грн
Мінімальне замовлення: 5
NTMFS015N15MConsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 9.2A/61A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 108.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 162µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 75 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+102.22 грн
6000+ 94.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTMFS015N15MConsemiMOSFET PTNG 150V 15MOHM, PQFN56
на замовлення 6498 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+214.97 грн
10+ 181.19 грн
25+ 156.89 грн
100+ 129.52 грн
250+ 128.85 грн
500+ 116.16 грн
1000+ 101.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTMFS015N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 9.2A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+110.28 грн
6000+ 106.5 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTMFS015N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 9.2A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+109.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTMFS015N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 9.2A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+118.49 грн
6000+ 114.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTMFS015N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 9.2A 8-Pin PQFN EP T/R
товар відсутній
NTMFS015N15MCONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS015N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 61 A, 0.0102 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 108.7W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0102ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 6418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+240.4 грн
10+ 180.49 грн
100+ 147.54 грн
500+ 107.79 грн
3000+ 98.86 грн
6000+ 98.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
NTMFS016N06CT1GonsemiMOSFET T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
товар відсутній
NTMFS016N06CT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 10A/33A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.6mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 489 pF @ 30 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+52 грн
10+ 43.6 грн
100+ 30.19 грн
500+ 23.67 грн
Мінімальне замовлення: 6
NTMFS016N06CT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 10A/33A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.6mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 489 pF @ 30 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+22.29 грн
3000+ 19.12 грн
7500+ 18.11 грн
10500+ 15.74 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NTMFS020N06CT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 9A/28A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.6mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 30 V
на замовлення 4476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+97.49 грн
10+ 77.19 грн
100+ 60.02 грн
500+ 47.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
NTMFS020N06CT1GonsemiMOSFET T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
товар відсутній
NTMFS020N06CT1GON Semiconductor
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS020N06CT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 9A/28A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.6mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+43.04 грн
3000+ 39.01 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NTMFS022N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 7.3A 8-Pin PQFN EP T/R
товар відсутній
NTMFS022N15MConsemiDescription: POWER MOSFET, 150V SINGLE N CHAN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta), 41.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 80.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 75 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+74.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTMFS022N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 7.3A T/R
товар відсутній
NTMFS022N15MConsemiMOSFET PTNG 150V 22MOHM, PQFN56
на замовлення 1511 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+174.47 грн
10+ 143.57 грн
100+ 99.47 грн
250+ 94.13 грн
500+ 84.12 грн
1000+ 71.43 грн
3000+ 66.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTMFS022N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 7.3A 8-Pin PQFN EP T/R
товар відсутній
NTMFS022N15MConsemiDescription: POWER MOSFET, 150V SINGLE N CHAN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta), 41.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 80.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 75 V
на замовлення 3152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+165.38 грн
10+ 132.13 грн
100+ 105.14 грн
500+ 83.49 грн
1000+ 70.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTMFS024N06CT1GonsemiMOSFET T6 60V SG HIGHER
товар відсутній
NTMFS024N06CT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 8A/25A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 333 pF @ 30 V
товар відсутній
NTMFS024N06CT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 8A/25A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 333 pF @ 30 V
товар відсутній
NTMFS024N06CT1GON SemiconductorT6 60V SG HIGHER RDS-ON P
товар відсутній
NTMFS034N15MConsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 6.1A/31A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta), 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 70µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 75 V
на замовлення 2585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+129.99 грн
10+ 103.69 грн
100+ 82.51 грн
500+ 65.52 грн
1000+ 55.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
NTMFS034N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 6.1A 8-Pin PQFN EP T/R
товар відсутній
NTMFS034N15MConsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 6.1A/31A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta), 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 70µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 75 V
товар відсутній
NTMFS034N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 6.1A 8-Pin PQFN EP T/R
товар відсутній
NTMFS034N15MConsemiMOSFET PTNG 150V 34MOHM, PQFN56
на замовлення 604 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+129.29 грн
10+ 107.49 грн
100+ 75.44 грн
500+ 66.43 грн
1000+ 56.41 грн
3000+ 53.68 грн
6000+ 51.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
NTMFS034N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 6.1A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+91.2 грн
10+ 83.45 грн
25+ 80.49 грн
100+ 57.63 грн
Мінімальне замовлення: 7
NTMFS034N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 6.1A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
120+98.21 грн
131+ 89.87 грн
135+ 86.68 грн
Мінімальне замовлення: 120
NTMFS08N003CON SemiconductorNTMFS08N003C ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 80V 22A 8-Pin Power 56 EP T/R - Arrow.com
товар відсутній
NTMFS08N003CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 22A 8-Pin Power 56 EP T/R
товар відсутній
NTMFS08N003ConsemiMOSFET PTNG 80/20V IN 5X6CLIP
на замовлення 2564 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+470.44 грн
10+ 421.5 грн
25+ 362.51 грн
100+ 327.8 грн
250+ 324.46 грн
500+ 303.76 грн
1000+ 286.41 грн
NTMFS08N003ConsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 22A/147A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 147A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 310µA
Supplier Device Package: Power56
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5350 pF @ 40 V
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+294.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTMFS08N003CON SemiconductorNTMFS08N003C ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 80V 22A 8-Pin Power 56 EP T/R - Arrow.com
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+357.33 грн
10+ 351.82 грн
25+ 346.32 грн
100+ 328.64 грн
250+ 299.32 грн
500+ 282.62 грн
1000+ 277.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTMFS08N003CON Semiconductor
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS08N003CON SemiconductorNTMFS08N003C ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 80V 22A 8-Pin Power 56 EP T/R - Arrow.com
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+378.88 грн
32+ 372.96 грн
100+ 353.92 грн
250+ 322.34 грн
500+ 304.36 грн
1000+ 299.28 грн
Мінімальне замовлення: 31
NTMFS08N003ConsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 22A/147A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 147A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 310µA
Supplier Device Package: Power56
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5350 pF @ 40 V
на замовлення 62948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+553.91 грн
10+ 457.11 грн
100+ 380.96 грн
500+ 315.45 грн
1000+ 283.9 грн
NTMFS08N004CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 18A 8-Pin PQFN EP T/R
товар відсутній
NTMFS08N004CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 18A 8-Pin PQFN EP T/R
товар відсутній
NTMFS08N004CON Semiconductor / FairchildMOSFET 80V/20V N-Channel PTNG MOSFET
товар відсутній
NTMFS08N2D5CONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS08N2D5C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 166 A, 0.0022 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 166A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 138W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 138W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0022ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+535.48 грн
10+ 429.13 грн
100+ 361.73 грн
500+ 257.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTMFS08N2D5CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 24A 8-Pin PQFN EP T/R
товар відсутній
NTMFS08N2D5Consemi / FairchildMOSFET PTNG 80V/20V N-Channel MOSFET
на замовлення 2786 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+507.83 грн
10+ 452.21 грн
100+ 325.8 грн
500+ 283.74 грн
1000+ 247.02 грн
3000+ 237 грн
9000+ 235.67 грн
NTMFS08N2D5CONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS08N2D5C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 166 A, 0.0022 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
Verlustleistung: 138W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+429.13 грн
100+ 361.73 грн
500+ 257.31 грн
Мінімальне замовлення: 10
NTMFS0D4N04XMT1GonsemiDescription: 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 509A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.42mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 330µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8577 pF @ 20 V
товар відсутній
NTMFS0D4N04XMT1GonsemiDescription: 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 509A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.42mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 330µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8577 pF @ 20 V
товар відсутній
NTMFS0D4N04XMT1GON SemiconductorNTMFS0D4N04XMT1G
товар відсутній
NTMFS0D4N04XMT1GonsemiMOSFET 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 266-275 дні (днів)
2+201.73 грн
10+ 167.37 грн
25+ 136.86 грн
100+ 117.5 грн
250+ 110.82 грн
500+ 104.15 грн
1000+ 84.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTMFS0D55N03CGT1GonsemiDescription: WIDE SOA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.58mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 330µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 224.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18500 pF @ 15 V
на замовлення 2064000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+91.33 грн
3000+ 82.82 грн
7500+ 79.45 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NTMFS0D55N03CGT1GON SemiconductorMOSFET, Power, 30V N Channel, SO8 FL
товар відсутній
NTMFS0D55N03CGT1GonsemiMOSFET WIDE SOA
на замовлення 1360 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+212.63 грн
10+ 176.58 грн
25+ 148.21 грн
100+ 124.18 грн
250+ 120.17 грн
500+ 110.82 грн
1000+ 103.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTMFS0D55N03CGT1GonsemiDescription: WIDE SOA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.58mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 330µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 224.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18500 pF @ 15 V
на замовлення 2065410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+176.93 грн
10+ 142.84 грн
100+ 115.56 грн
500+ 96.4 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTMFS0D5N03CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 65A 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NTMFS0D5N03CT1GonsemiMOSFET LFPAK WIDE SOA AND SO8FL EXPANSION
на замовлення 5968 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+334.92 грн
10+ 278.7 грн
25+ 241.68 грн
100+ 206.29 грн
250+ 205.62 грн
500+ 182.93 грн
1500+ 156.22 грн
NTMFS0D5N03CT1GonsemiDescription: MOSFET, POWER, SINGLE N-CHANNEL,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta), 464A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.52mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 330µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 15 V
товар відсутній
NTMFS0D5N03CT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS0D5N03CT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 464 A, 0.00043 ohm, SO-8 FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 464A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 430µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00043ohm
на замовлення 206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+230.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
NTMFS0D5N03CT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS0D5N03CT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 464 A, 0.00043 ohm, SO-8 FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 464A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00043ohm
на замовлення 206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+347.5 грн
10+ 263.62 грн
100+ 230.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
NTMFS0D5N03CT1GonsemiDescription: MOSFET, POWER, SINGLE N-CHANNEL,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta), 464A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.52mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 330µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 15 V
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+315.59 грн
10+ 255.15 грн
NTMFS0D5N04XLT1GonsemiMOSFET 40V T10S IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE
на замовлення 1467 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+267.16 грн
10+ 221.11 грн
25+ 181.59 грн
100+ 155.55 грн
250+ 146.87 грн
500+ 138.2 грн
1000+ 118.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTMFS0D6N03CT1GonsemiMOSFET LFPAK WIDE SOA AND SO8FL EXPANSION
на замовлення 4754 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+297.53 грн
10+ 248.75 грн
25+ 213.64 грн
100+ 176.92 грн
250+ 174.25 грн
500+ 157.56 грн
1000+ 144.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTMFS0D6N03CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 60A 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NTMFS0D6N03CT1GonsemiDescription: MOSFET, POWER, SINGLE N-CHANNEL,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta), 433A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.62mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 280µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+144.38 грн
3000+ 130.92 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NTMFS0D6N03CT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS0D6N03CT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 433 A, 0.00052 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 433A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 520µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00052ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 1239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+153.53 грн
500+ 129.35 грн
Мінімальне замовлення: 100
NTMFS0D6N03CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 60A 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NTMFS0D6N03CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 60A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+88.92 грн
Мінімальне замовлення: 7
NTMFS0D6N03CT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS0D6N03CT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 433 A, 0.00052 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 433A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00052ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 1239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+241.15 грн
10+ 182.74 грн
100+ 153.53 грн
500+ 129.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
NTMFS0D6N03CT1GonsemiDescription: MOSFET, POWER, SINGLE N-CHANNEL,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta), 433A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.62mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 280µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 15 V
на замовлення 3296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+279.48 грн
10+ 225.81 грн
100+ 182.68 грн
500+ 152.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTMFS0D7N03CGT1GON Semiconductor
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS0D7N03CGT1GON SemiconductorN-Channel MOSFET
товар відсутній
NTMFS0D7N03CGT1GonsemiMOSFET WIDE SOA
на замовлення 1307 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+202.51 грн
10+ 166.6 грн
100+ 134.86 грн
1500+ 82.12 грн
3000+ 78.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTMFS0D7N04XLT1GonsemiMOSFET 40V T10S IN S08FL PACKAGE
на замовлення 1485 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+201.73 грн
10+ 168.14 грн
25+ 137.53 грн
100+ 118.17 грн
250+ 110.82 грн
500+ 104.82 грн
1000+ 90.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTMFS0D7N04XMT1GonsemiMOSFET 40V T10M IN S08FL PACKAGE
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 266-275 дні (днів)
3+114.5 грн
10+ 93.67 грн
100+ 64.56 грн
250+ 60.02 грн
500+ 54.48 грн
1000+ 46.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
NTMFS0D8N02P1ET1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 55A/365A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Ta), 365A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.68mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2mA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8600 pF @ 13 V
на замовлення 16494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+261.43 грн
10+ 226.08 грн
100+ 185.26 грн
500+ 148.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTMFS0D8N02P1ET1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 55A/365A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Ta), 365A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.68mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2mA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8600 pF @ 13 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+138.13 грн
3000+ 126.36 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NTMFS0D8N02P1ET1GonsemiMOSFET FET 25V 0.8 MOHM SO8FL
на замовлення 1379 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+193.16 грн
10+ 168.14 грн
100+ 124.84 грн
250+ 123.51 грн
500+ 115.5 грн
1000+ 113.49 грн
1500+ 103.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTMFS0D8N02P1ET1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 55A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
на замовлення 2903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+98.09 грн
10+ 93.2 грн
25+ 92.28 грн
50+ 88.09 грн
100+ 76.65 грн
250+ 72.85 грн
500+ 69.12 грн
1000+ 63.7 грн
Мінімальне замовлення: 6
NTMFS0D8N03CT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS0D8N03CT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 337 A, 0.00062 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 337A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00062ohm
на замовлення 2988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+262.12 грн
10+ 190.98 грн
100+ 154.28 грн
500+ 112.66 грн
1500+ 102.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
NTMFS0D8N03CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 54A 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NTMFS0D8N03CT1GonsemiMOSFET LFPAK WIDE SOA AND SO8FL EXPANSION
на замовлення 4077 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+190.05 грн
10+ 155.09 грн
100+ 107.49 грн
500+ 97.47 грн
1500+ 96.8 грн
3000+ 94.8 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTMFS0D8N03CT1GonsemiDescription: MOSFET, POWER, SINGLE N-CHANNEL,
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTMFS0D8N03CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 54A 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NTMFS0D8N03CT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS0D8N03CT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 337 A, 0.00062 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 337A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 620µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00062ohm
на замовлення 2988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+154.28 грн
500+ 112.66 грн
1500+ 102.07 грн
Мінімальне замовлення: 100
NTMFS0D8N03CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 54A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+212.53 грн
10+ 187.61 грн
25+ 185.85 грн
100+ 160.91 грн
250+ 147.55 грн
500+ 140.27 грн
1000+ 138.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
NTMFS0D8N03CT1GonsemiDescription: MOSFET, POWER, SINGLE N-CHANNEL,
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTMFS0D8N03CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 54A 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NTMFS0D9N03CGT1GON Semiconductor30 V, Single N Channel Power Transistor
товар відсутній
NTMFS0D9N03CGT1GonsemiMOSFET WIDE SOA
на замовлення 1360 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+181.48 грн
10+ 148.18 грн
100+ 102.14 грн
250+ 97.47 грн
500+ 86.12 грн
1000+ 79.45 грн
1500+ 67.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTMFS0D9N03CGT1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 6DFN
товар відсутній
NTMFS0D9N04XLT1GonsemiMOSFET 40V T10S IN S08FL PACKAGE
на замовлення 1485 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+170.58 грн
10+ 139.73 грн
100+ 96.8 грн
250+ 89.46 грн
500+ 81.45 грн
1000+ 69.43 грн
1500+ 65.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTMFS0D9N04XMT1GonsemiMOSFET 40V T10M IN S08FL PACKAGE
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 343-352 дні (днів)
3+115.27 грн
10+ 93.67 грн
100+ 63.36 грн
500+ 53.68 грн
1000+ 43.8 грн
1500+ 41.19 грн
3000+ 39.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
NTMFS0D9N04XMT1GonsemiDescription: 40V T10M IN S08FL PACKAGE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta), 273A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 121W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3918 pF @ 20 V
товар відсутній
NTMFS0D9N04XMT1GON SemiconductorPower MOSFET, Single, N-Channel
товар відсутній
NTMFS0D9N04XMT1GonsemiDescription: 40V T10M IN S08FL PACKAGE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta), 273A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 121W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3918 pF @ 20 V
товар відсутній
NTMFS0D9N04XMT1GON SemiconductorPower MOSFET, Single, N-Channel
товар відсутній
NTMFS10N3D2CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
товар відсутній
NTMFS10N3D2CONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS10N3D2C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 151 A, 0.0024 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 151A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 138W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 138W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0024ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 3995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+585.66 грн
10+ 486.05 грн
25+ 395.43 грн
100+ 283.74 грн
3000+ 258.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTMFS10N3D2ConsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 151A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 151A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 67A, 10V
Power Dissipation (Max): 138W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 370µA
Supplier Device Package: Power56
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6215 pF @ 50 V
товар відсутній
NTMFS10N3D2Consemi / FairchildMOSFET 100V/20V N-Channel PTNG MOSFET
на замовлення 2425 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+534.31 грн
10+ 452.21 грн
25+ 368.52 грн
100+ 327.8 грн
250+ 318.45 грн
500+ 289.08 грн
1000+ 248.35 грн
NTMFS10N3D2ConsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 151A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 151A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 67A, 10V
Power Dissipation (Max): 138W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 370µA
Supplier Device Package: Power56
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6215 pF @ 50 V
товар відсутній
NTMFS10N7D2Consemi / FairchildMOSFET PTNG 100/20V Nch Power Trench MOSFET
на замовлення 711 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+231.33 грн
10+ 191.17 грн
100+ 134.86 грн
500+ 119.5 грн
1000+ 102.14 грн
3000+ 96.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTMFS10N7D2CONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS10N7D2C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 78 A, 0.0072 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 2682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+104.1 грн
Мінімальне замовлення: 100
NTMFS10N7D2ConsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 78A 8PQFN
на замовлення 14822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+241.93 грн
10+ 208.91 грн
100+ 171.21 грн
500+ 136.78 грн
1000+ 115.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTMFS10N7D2CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin PQFN EP T/R
товар відсутній
NTMFS10N7D2CONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS10N7D2C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 78 A, 0.0072 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 2682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+140.8 грн
10+ 127.32 грн
100+ 104.1 грн
Мінімальне замовлення: 6
NTMFS10N7D2ConsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 78A 8PQFN
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+121.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTMFS1D15N03CGT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 43A/245A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 245A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 160µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 15 V
товар відсутній
NTMFS1D15N03CGT1GON Semiconductor30 V, Single N Channel Power Transistor
товар відсутній
NTMFS1D15N03CGT1GON Semiconductor
на замовлення 1420 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS1D15N03CGT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 43A/245A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 245A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 160µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 15 V
товар відсутній
NTMFS1D15N03CGT1GonsemiMOSFET WIDE SOA
товар відсутній
NTMFS1D7N03CGT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS1D7N03CGT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 170 A, 0.00145 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 87W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 87W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00145ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00145ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+93.88 грн
500+ 72.54 грн
Мінімальне замовлення: 100
NTMFS1D7N03CGT1GonsemiDescription: MOSFET, POWER, 30V N-CHANNEL, SO
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+93.02 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NTMFS1D7N03CGT1GonsemiMOSFET WIDE SOA
на замовлення 5338 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+176.03 грн
10+ 144.34 грн
100+ 100.14 грн
500+ 84.12 грн
1500+ 72.1 грн
3000+ 65.83 грн
9000+ 64.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTMFS1D7N03CGT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS1D7N03CGT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 170 A, 0.00145 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 87W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 87W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00145ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00145ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 1358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+142.3 грн
10+ 125.07 грн
25+ 113.09 грн
100+ 93.19 грн
500+ 72.54 грн
Мінімальне замовлення: 6
NTMFS1D7N03CGT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 35A 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NTMFS1D7N03CGT1GonsemiDescription: MOSFET, POWER, 30V N-CHANNEL, SO
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+189.21 грн
10+ 163.7 грн
100+ 131.58 грн
500+ 101.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTMFS23D9N06HLT1GonsemiMOSFET T8 60V LOW COSS
товар відсутній
NTMFS23D9N06HLT1GON SemiconductorPower MOSFET 60 V, 23.9 mW, 23 A, Single N-Channel
товар відсутній
NTMFS2D1N08XT1GonsemiMOSFET T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 266-275 дні (днів)
2+160.45 грн
10+ 131.29 грн
100+ 90.8 грн
250+ 84.12 грн
500+ 76.11 грн
1000+ 65.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTMFS3D2N10MDT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 19A T/R
товар відсутній
NTMFS3D2N10MDT1GonsemiDescription: PTNG 100V LOW Q3.2MOHM N-FET, HE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 142A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 316µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 50 V
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+207.26 грн
10+ 167.53 грн
100+ 135.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTMFS3D2N10MDT1GonsemiMOSFET PTNG 100V LOW Q3.2MOHM N-FET, HE SO8FL
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+225.1 грн
10+ 186.56 грн
25+ 153.55 грн
100+ 131.52 грн
250+ 124.18 грн
500+ 116.83 грн
1000+ 100.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTMFS3D2N10MDT1GonsemiDescription: PTNG 100V LOW Q3.2MOHM N-FET, HE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 142A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 316µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 50 V
товар відсутній
NTMFS3D5N08XT1GonsemiMOSFET T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL
на замовлення 1310 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+99.7 грн
10+ 80.61 грн
100+ 54.54 грн
500+ 46.27 грн
1000+ 41.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
NTMFS3D6N10MCLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 19.5A/131A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.5A (Ta), 131A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 48A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 270µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4411 pF @ 50 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+205.1 грн
10+ 177.13 грн
100+ 142.36 грн
500+ 109.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTMFS3D6N10MCLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS3D6N10MCLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 131 A, 0.003 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 131A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+113.84 грн
500+ 84.15 грн
1500+ 77.03 грн
Мінімальне замовлення: 100
NTMFS3D6N10MCLT1GonsemiMOSFET PTNG 100V LL NCH SO-8FL FOR INDUSTRIAL MARKET
на замовлення 25483 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+193.94 грн
10+ 151.25 грн
100+ 110.16 грн
250+ 108.15 грн
500+ 93.47 грн
1000+ 89.46 грн
1500+ 76.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTMFS3D6N10MCLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 19.5A 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NTMFS3D6N10MCLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 19.5A/131A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.5A (Ta), 131A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 48A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 270µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4411 pF @ 50 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+100.64 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NTMFS3D6N10MCLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS3D6N10MCLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 131 A, 0.003 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 131A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+209.7 грн
10+ 154.28 грн
100+ 113.84 грн
500+ 84.15 грн
1500+ 77.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
NTMFS4108N
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS4108NT1GON06+
на замовлення 282 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS4108NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 13.5A 5DFN
на замовлення 15066 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTMFS4108NT3G
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS4108NT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 13.5A 5DFN
на замовлення 14636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTMFS4119N
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS4119NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11A 5DFN
на замовлення 5358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
589+38.39 грн
Мінімальне замовлення: 589
NTMFS4119NT1GON07+;
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS4119NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 18A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NTMFS4119NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11A 5DFN
товар відсутній
NTMFS4119NT1GON2005
на замовлення 870 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS4119NT1GON06+ QFN8
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS4119NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11A 5DFN
товар відсутній
NTMFS4119NT1GON0737+ QFN8
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS4119NT1GONQFN8 0749+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS4119NT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11A 5DFN
товар відсутній
NTMFS4119NT3GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS4119NT3G - NTMFS4119NT3G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+44.34 грн
Мінімальне замовлення: 5000
NTMFS4119NT3G
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS4119NT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11A 5DFN
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
545+41.4 грн
Мінімальне замовлення: 545
NTMFS4120NON09+
на замовлення 429 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS4120NT1
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS4120NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11A 5DFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 24 V
на замовлення 131261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
683+29.34 грн
Мінімальне замовлення: 683
NTMFS4120NT1GON
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS4120NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 24 V
товар відсутній
NTMFS4120NT1GON2005
на замовлення 1553 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS4120NT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 11A SO8FL
товар відсутній
NTMFS4121NT1GonsemiMOSFET NFET 24A 30V 4.0MOH
товар відсутній
NTMFS4121NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11A 5DFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.25mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 24 V
на замовлення 728470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
807+24.67 грн
Мінімальне замовлення: 807
NTMFS4121NT1G
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS4121NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.25mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 24 V
товар відсутній
NTMFS4121NT3G
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS4121NT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 11A SO8FL
товар відсутній
NTMFS4122NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.1A 5DFN
товар відсутній
NTMFS4122NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.1A 5DFN
товар відсутній
NTMFS4122NT1GonsemiMOSFET NFET 23A 30V 4.6MO
товар відсутній
NTMFS4122NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.1A 5DFN
на замовлення 7228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTMFS4122NT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.1A 5DFN
товар відсутній
NTMFS4701NONSO-8
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS4701NON07+ SO-8
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS4701NT1GonsemiMOSFET 30V 20A N-Channel
товар відсутній
NTMFS4701NT1GON
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS4701NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 7.7A 5DFN
товар відсутній
NTMFS4701NT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 7.7A SO8FL
товар відсутній
NTMFS4707NT1GON08+ QFN8
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS4707NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 6.9A 5DFN
товар відсутній
NTMFS4707NT1GON2005
на замовлення 460 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS4707NT1GON07+;
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS4707NT1GON0814+ QFN8
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS4707NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 6.9A 5DFN
на замовлення 46126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTMFS4707NT1GonsemiMOSFET 30V 17A N-Channel
товар відсутній
NTMFS4707NT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 6.9A SO8FL
товар відсутній
NTMFS4707NT3G
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS4708N
на замовлення 350 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS4708NT1GON07+;
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS4708NT1GON09+
на замовлення 1187 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS4708NT1GON0732+
на замовлення 1169 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS4708NT1GON2005 QFN
на замовлення 1138 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS4708NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 7.8A 5DFN
на замовлення 64433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTMFS4708NT3GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS4708NT3G - NTMFS4708NT3G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+18.42 грн
Мінімальне замовлення: 5000
NTMFS4708NT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 7.8A 5DFN
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTMFS4709NT1G
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS4709NT3G
на замовлення 13516 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS4741N
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS4744NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 7A 5DFN
товар відсутній
NTMFS4744NT1GON05+
на замовлення 587 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS4744NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 7A 5DFN
на замовлення 153685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTMFS4744NT1GonsemiMOSFET NFET 30V 53A 10MOHM
товар відсутній
NTMFS4744NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 7A 5DFN
товар відсутній
NTMFS4744NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NTMFS4744NT3GonsemiMOSFET NFET 30V 53A 10MOHM
товар відсутній
NTMFS4744NT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 7A 5DFN
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTMFS4744NT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 7A 5DFN
товар відсутній
NTMFS4821NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.8A/58.5A 5DFN
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTMFS4821NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13.8A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 2349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1560+7.5 грн
1649+ 7.1 грн
1749+ 6.69 грн
1864+ 6.06 грн
1993+ 5.24 грн
Мінімальне замовлення: 1560
NTMFS4821NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13.8A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 2349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
70+8.34 грн
82+ 7.11 грн
83+ 7.04 грн
84+ 6.72 грн
100+ 5.89 грн
250+ 5.33 грн
500+ 5 грн
1000+ 4.68 грн
Мінімальне замовлення: 70
NTMFS4821NT1GonsemiMOSFET NFET SO8FL 30V TR
на замовлення 7004 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTMFS4821NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.8A/58.5A 5DFN
на замовлення 16250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTMFS4821NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS4821NT1G - MOSFET, N CHANNEL, 30V, 13.8A, DFN-5
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 81458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+19.25 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NTMFS4821NT1GON Semiconductor
на замовлення 716 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS4821NT1GNTMFS4821NT3G4821N
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS4821NT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 8.8A SO-8FL
товар відсутній
NTMFS4823NT1GonsemiMOSFET NFET SO8FL 30V
товар відсутній
NTMFS4823NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 10.8A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NTMFS4823NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 6.9A/30A 5DFN
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTMFS4823NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 10.8A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NTMFS4823NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 6.9A/30A 5DFN
товар відсутній
NTMFS4823NT1GON Semiconductor
на замовлення 256 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS4823NT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 6.9A SO-8FL
товар відсутній
NTMFS4825NFET1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 17A/171A 5DFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 171A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta), 96.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5660 pF @ 15 V
на замовлення 5200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
173+116.03 грн
Мінімальне замовлення: 173
NTMFS4825NFET1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS4825NFET1G - MOSFET, N CH, W SCH, 30V, 17A, SO8FL
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+128.82 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NTMFS4825NFET1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 29A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NTMFS4825NFET1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 17A/171A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 171A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta), 96.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5660 pF @ 15 V
товар відсутній
NTMFS4825NFET1GonsemiMOSFET NFETFL 30V 171A 2mOHM
товар відсутній
NTMFS4825NFET3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 17A/171A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 171A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta), 96.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5660 pF @ 15 V
товар відсутній
NTMFS4825NFET3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 17A/171A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 171A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta), 96.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5660 pF @ 15 V
товар відсутній
NTMFS4826NET1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 66A SO-8FL
товар відсутній
NTMFS4826NET1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 66A SO-8FL
товар відсутній
NTMFS4826NET1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 66A SO-8FL
товар відсутній
NTMFS4826NET3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 66A SO-8FL
товар відсутній
NTMFS4826NET3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 66A SO-8FL
товар відсутній
NTMFS4826NET3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 66A SO-8FL
товар відсутній
NTMFS4827NET1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 58.5A SO-8FL
товар відсутній
NTMFS4827NET1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 58.5A SO-8FL
товар відсутній
NTMFS4827NET1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 58.5A SO-8FL
товар відсутній
NTMFS4827NET3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 8.8A SO-8FL
товар відсутній
NTMFS4827NET3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 8.8A SO-8FL
товар відсутній
NTMFS4827NET3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 8.8A SO-8FL
товар відсутній
NTMFS4833NonsemiMOSFET NFET SO8FL 30V 191A 2MOHM
товар відсутній
NTMFS4833NAT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 16A/191A 5DFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 191A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 11.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 12 V
на замовлення 16335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
165+121.37 грн
Мінімальне замовлення: 165
NTMFS4833NAT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 16A/191A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 191A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 11.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 12 V
товар відсутній
NTMFS4833NAT1GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 191A 2MOHM
товар відсутній
NTMFS4833NST1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 26A T/R
товар відсутній
NTMFS4833NST1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 16A/156A SO-8FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 156A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta), 86.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SO-8FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 11.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5250 pF @ 12 V
товар відсутній
NTMFS4833NST1GonsemiMOSFET Power MOSFET, Single, N-Channel, 30 V, 156 A, SO-8FL
товар відсутній
NTMFS4833NST3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 16A/156A SO-8FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 156A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta), 86.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SO-8FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 11.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5250 pF @ 12 V
товар відсутній
NTMFS4833NT1GonsemiMOSFET NFET 30V 191A 2MOHM
на замовлення 8943 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTMFS4833NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 16A/156A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 156A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 910mW (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 11.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 12 V
товар відсутній
NTMFS4833NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 28A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NTMFS4833NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 28A 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NTMFS4833NT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 16A/156A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 156A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 910mW (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 11.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 12 V
товар відсутній
NTMFS4833NT3GON SemiconductorNTMFS4833NT3G ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 30V 28A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R - Arrow.com
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+53.2 грн
12+ 51.52 грн
25+ 51.01 грн
100+ 46.67 грн
250+ 41.84 грн
500+ 39.53 грн
1000+ 37.05 грн
3000+ 36.51 грн
Мінімальне замовлення: 11
NTMFS4833NT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 28A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NTMFS4833NT3GON SemiconductorNTMFS4833NT3G ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 30V 28A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R - Arrow.com
товар відсутній
NTMFS4833NT3G
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS4833NT3GON SemiconductorMOSFET NFET 30V 191A 2MOHM
на замовлення 11144 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTMFS4834NT1GON
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS4834NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 13A/130A 5DFN
товар відсутній
NTMFS4834NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 21A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NTMFS4834NT1GONQFN
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS4834NT1GonsemiMOSFET NFET 30V 130A 3MOHM
товар відсутній
NTMFS4834NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 13A/130A 5DFN
товар відсутній
NTMFS4834NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 21A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NTMFS4834NT1GON0806+
на замовлення 317 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS4834NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 21A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NTMFS4834NT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 13A SO-8FL
товар відсутній
NTMFS4835NT
на замовлення 240 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS4835NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 13A/130A 5DFN
на замовлення 3122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTMFS4835NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 20A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NTMFS4835NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 13A/130A 5DFN
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTMFS4835NT1G
Код товару: 133508		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
NTMFS4835NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS4835NT1G - MOSFET, N CHANNEL, 30V, 20A, DFN-5
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 862771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
620+63.88 грн
Мінімальне замовлення: 620
NTMFS4835NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 20A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NTMFS4835NT1GonsemiMOSFET NFET SO8FL 30V 104A 3.5mOhm
на замовлення 2034 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTMFS4835NT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 13A/130A 5DFN
на замовлення 325000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTMFS4835NT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 20A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NTMFS4836Nonsemionsemi
товар відсутній
NTMFS4836NT1GonsemiMOSFET NFET 30V 90A 4MOHM
товар відсутній
NTMFS4836NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11A/90A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 890mW (Ta), 55.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2677 pF @ 12 V
товар відсутній
NTMFS4836NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11A/90A 5DFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 890mW (Ta), 55.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2677 pF @ 12 V
на замовлення 115775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
761+28.16 грн
Мінімальне замовлення: 761
NTMFS4836NT1G
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS4836NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 18A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NTMFS4836NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11A/90A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 890mW (Ta), 55.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2677 pF @ 12 V
товар відсутній
NTMFS4836NT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11A/90A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 890mW (Ta), 55.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2677 pF @ 12 V
товар відсутній
NTMFS4836NT3GonsemiMOSFET NFET 30V 90A 4MOHM
товар відсутній
NTMFS4837NHT1GON Semiconductor
на замовлення 440 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS4837NHT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 16A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NTMFS4837NHT1G
Код товару: 179189		Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товар відсутній
NTMFS4837NHT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 10.2A/75A 5DFN
товар відсутній
NTMFS4837NHT1GonsemiMOSFET NFET S08FL 30V 74A 5mOhm
на замовлення 873 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTMFS4837NHT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 16A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NTMFS4837NHT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 10.2A/75A 5DFN
товар відсутній
NTMFS4837NHT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 10.2A/75A 5DFN
на замовлення 19500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTMFS4837NHT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 10.2A SO-8FL
товар відсутній
NTMFS4837NHT3G
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS4837NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 10A/74A 5DFN
товар відсутній
NTMFS4837NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 10A/74A 5DFN
на замовлення 219215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTMFS4837NT1G
на замовлення 1744 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS4837NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 10A/74A 5DFN
товар відсутній
NTMFS4837NT1GonsemiMOSFET NFET 30V 16A 5MOHM
товар відсутній
NTMFS4837NT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 10A SO-8FL
товар відсутній
NTMFS4839NHT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.5A/64A 5DFN
товар відсутній
NTMFS4839NHT1GonsemiMOSFET NFET S08FL 30V 66A 5.5mOhm
товар відсутній
NTMFS4839NHT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.5A/64A 5DFN
на замовлення 735321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTMFS4839NHT1G
на замовлення 1817 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS4839NHT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.5A/64A 5DFN
товар відсутній
NTMFS4839NHT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.5A/64A 5DFN
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTMFS4839NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.5A/64A 5DFN
на замовлення 268110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTMFS4839NT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 9.5A SO-8FL
товар відсутній
NTMFS4841NonsemiMOSFET NFET SO8FL 30V 57A 7MOHM
товар відсутній
NTMFS4841NON09+
на замовлення 755 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS4841NHonsemiMOSFET NFET SO8FL 30V 57A 7MOHM
товар відсутній
NTMFS4841NHG
на замовлення 93 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS4841NHT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13.5A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+51.3 грн
14+ 43.82 грн
25+ 35.14 грн
Мінімальне замовлення: 12
NTMFS4841NHT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13.5A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+58.46 грн
3000+ 57.87 грн
6000+ 57.28 грн
9000+ 54.66 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NTMFS4841NHT1GonsemiMOSFET NFET S08FL 30V 57A 7mOhm
товар відсутній
NTMFS4841NHT1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 8.6A/59A 5DFN
на замовлення 11743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTMFS4841NHT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13.5A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NTMFS4841NHT1G
на замовлення 289 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS4841NHT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13.5A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NTMFS4841NHT1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 8.6A/59A 5DFN
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTMFS4841NHT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 8.6A SO-8FL
товар відсутній
NTMFS4841NT1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 8.3A SO-8FL
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTMFS4841NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13.1A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NTMFS4841NT1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 8.3A SO-8FL
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTMFS4841NT1GON SemiconductorMOSFET NFET 30V 57A 7MOHM
на замовлення 3972 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTMFS4841NT3GVISHAY08+ QFN-8
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS4841NT3GVISHAYQFN-8 08+
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS4841NT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 8.3A SO-8FL
товар відсутній
NTMFS4841NT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13.1A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NTMFS4845NT1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 13.7A/115A 5DFN
на замовлення 28468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTMFS4845NT1GON Semiconductor
на замовлення 180 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS4845NT1GonsemiCircular MIL Spec Backshells PROTECTIVE COVER ASSY
товар відсутній
NTMFS4845NT1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 13.7A/115A 5DFN
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTMFS4845NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 35.5A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NTMFS4845NT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 35.5A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NTMFS4845NT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 13.7A SO-8FL
товар відсутній
NTMFS4846NT1GONQFN
на замовлення 446 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS4846NT1GonsemiMOSFET NFET SO8FL 30V TR
товар відсутній
NTMFS4846NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 12.7A/100A 5DFN
на замовлення 50133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTMFS4846NT1GON Semiconductor
на замовлення 809 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS4846NT3GonsemiMOSFET Power MOSFET 30V 100A 3.4 mOhm Single N-Channel SO-8FL
товар відсутній
NTMFS4846NT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 12.7A SO-8FL
товар відсутній
NTMFS4847NAG
на замовлення 91 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS4847NAT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11.5A/85A 5DFN
на замовлення 168000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTMFS4847NAT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 18A 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NTMFS4847NAT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 11.5A SO-8FL
товар відсутній
NTMFS4847NAT3GON SemiconductorMOSFET 30V N-CH TRENCH 2.6 S0-8FL
товар відсутній
NTMFS4847NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11.5A/85A 5DFN
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTMFS4847NT1G
на замовлення 2413 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS4847NT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 11.5A SO-8FL
товар відсутній
NTMFS4849NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS4849NT1G - NTMFS4849NT1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 67500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+25.09 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NTMFS4849NT1GON Semiconductor
на замовлення 730 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS4849NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 10.2A/71A 5DFN
на замовлення 67500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTMFS4849NT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 10.2A SO-8FL
товар відсутній
NTMFS4851NT1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 9.5A SO-8FL
товар відсутній
NTMFS4851NT1G
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS4851NT1GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V TR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTMFS4851NT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 9.5A SO-8FL
товар відсутній
NTMFS4852NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS4852NT1G - MOSFET, N-CH, 30V, 25A, 150DEG C, 86.2W
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2049 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
510+75.64 грн
Мінімальне замовлення: 510
NTMFS4852NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 16A/155A 5DFN
товар відсутній
NTMFS4852NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 25A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NTMFS4852NT1GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 155A 2.1MO
на замовлення 349 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTMFS4852NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 25A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+48.96 грн
259+ 45.21 грн
Мінімальне замовлення: 240
NTMFS4852NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 25A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+45.46 грн
100+ 41.98 грн
Мінімальне замовлення: 13
NTMFS4852NT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 155A 2.1MO
товар відсутній
NTMFS4852NT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 25A 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NTMFS4852NT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 16A SO8FL
товар відсутній
NTMFS4852NT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 25A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NTMFS4854NSGEVBON SemiconductorDescription: EVAL BOARD NTMFS4854NSG
товар відсутній
NTMFS4854NSGEVBON SemiconductorEVALUATION BOARD TO DEMONSTRATE THE NTMFS4854NS ACCURATE, LOSSLESS CURRENT SENSING MOSFET
товар відсутній
NTMFS4854NSGEVBON SemiconductorPower Management IC Development Tools LOADSWITCH CURRENT SENSE
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTMFS4854NST1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 15.2A/149A SO8FL
товар відсутній
NTMFS4854NST3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 15.2A/149A SO8FL
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTMFS4897NFT1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 17A/171A 5DFN
товар відсутній
NTMFS4897NFT1GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 191A 2MOHM
на замовлення 1477 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTMFS4897NFT1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 17A/171A 5DFN
товар відсутній
NTMFS4897NFT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 17A/171A 5DFN
товар відсутній
NTMFS4897NFT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 191A 2MOHM
товар відсутній
NTMFS4898NFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 22.5A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NTMFS4898NFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 22.5A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+28.97 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NTMFS4898NFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 22.5A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NTMFS4898NFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 13.2A/117A 5DFN
на замовлення 23815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTMFS4898NFT3GRochester Electronics, LLCDescription: MOSFET N-CH 30V 13.2A/117A 5DFN
на замовлення 5671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTMFS4898NFT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 22.5A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
на замовлення 1790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTMFS4898NFT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 22.5A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NTMFS4898NFT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 22.5A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NTMFS4898NFT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 13.2A/117A 5DFN
товар відсутній
NTMFS4898NFT3GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS4898NFT3G - MOSFET,N CH,W DIODE,30V,13.2A,SO8 FL
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+62.91 грн
Мінімальне замовлення: 5000
NTMFS4898NFT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 22.5A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NTMFS4899NFT1GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 75A 5MOHM
товар відсутній
NTMFS4899NFT1GON Semiconductor
на замовлення 54 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS4899NFT1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V SO-8FL
товар відсутній
NTMFS4921NBT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13.8A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NTMFS4921NBT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13.8A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
на замовлення 113250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+5.94 грн
1501+ 5.58 грн
3001+ 5.22 грн
39001+ 4.89 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NTMFS4921NT1GonsemiMOSFET NFET SO8FL 30V TR
товар відсутній
NTMFS4921NT1G
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS4921NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13.8A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NTMFS4921NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.8A/58.5A 5DFN
товар відсутній
NTMFS4921NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13.8A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NTMFS4921NT1G
Код товару: 43590		Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товар відсутній
NTMFS4921NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.8A/58.5A 5DFN
товар відсутній
NTMFS4921NT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.8A/58.5A 5DFN
товар відсутній
NTMFS4921NT3GonsemiMOSFET Power MOSFET 30V 58.5A 6.95 mOhm Single N-Channel SO-8FL
товар відсутній
NTMFS4922NET1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 17.1A/147A 5DFN
на замовлення 83020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
325+64.78 грн
Мінімальне замовлення: 325
NTMFS4922NET1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 17.1A/147A 5DFN
товар відсутній