Продукція > PJC

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
PJC138K-AU_R1_000A1Panjit International Inc.Description: SOT-323, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 236mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PJC138K-AU_R1_000A1PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 360mA; Idm: 1.2A; 236mW; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.36A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 236mW
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
70+5.46 грн
85+ 4.1 грн
250+ 3.69 грн
280+ 2.89 грн
770+ 2.74 грн
Мінімальне замовлення: 70
PJC138K-AU_R1_000A1Panjit International Inc.Description: SOT-323, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 236mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 3486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+24.55 грн
16+ 17.59 грн
100+ 9.98 грн
500+ 6.2 грн
1000+ 4.76 грн
Мінімальне замовлення: 12
PJC138K-AU_R1_000A1PanjitMOSFET 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected
товар відсутній
PJC138K-AU_R1_000A1PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 360mA; Idm: 1.2A; 236mW; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.36A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 236mW
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
45+6.55 грн
55+ 5.1 грн
250+ 4.42 грн
280+ 3.47 грн
770+ 3.29 грн
9000+ 3.28 грн
Мінімальне замовлення: 45
PJC138K_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-323, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 236mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.41 грн
6000+ 2.15 грн
9000+ 1.79 грн
30000+ 1.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PJC138K_R1_00001PanjitMOSFET 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected
на замовлення 140321 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
21+15.19 грн
29+ 10.6 грн
100+ 3.74 грн
1000+ 2.6 грн
3000+ 2.07 грн
9000+ 1.6 грн
45000+ 1.4 грн
Мінімальне замовлення: 21
PJC138K_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-323, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 236mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 44012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+13.72 грн
30+ 9.53 грн
100+ 4.62 грн
500+ 3.62 грн
1000+ 2.51 грн
Мінімальне замовлення: 22
PJC138K_R2_00001PanjitMOSFET 8KW/TR/13"/HF/12K/SOT-323/MOS/SOT/NFET-50TAMN/NF50TA-QI01/PJ///
товар відсутній
PJC138L_R1_00001Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
на замовлення 2606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+33.94 грн
12+ 24.34 грн
100+ 13.78 грн
500+ 8.57 грн
1000+ 6.57 грн
Мінімальне замовлення: 9
PJC138L_R1_00001Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
товар відсутній
PJC138L_R1_00001PanjitMOSFET 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
товар відсутній
PJC138L_R2_00001PanjitMOSFET /C8L/TR/13"/HF/12K/SOT-323/MOS/SOT/NFET-60TAMN/NF60TA-QI01/PJ///
товар відсутній
PJC16F73-1/SP
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
PJC7002H_R1_00001Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V
на замовлення 575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+15.89 грн
21+ 13.84 грн
100+ 7.52 грн
500+ 4.34 грн
Мінімальне замовлення: 19
PJC7002H_R1_00001Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V
товар відсутній
PJC7002H_R1_00001PanjitMOSFET /C2H/TR/7"/HF/3K/SOT-323/MOS/SOT/NFET-60TAMN/NF60TA-QI04/PJ///
товар відсутній
PJC7201SQUARE D BY SCHNEIDER ELECTRICDescription: SQUARE D BY SCHNEIDER ELECTRIC - PJC7201 - ELECTRIC JOINT COMPOUND, CIRCUIT BREAKER
tariffCode: 34031980
productTraceability: No
Behältertyp: Tube
rohsCompliant: NA
Gewicht: 2oz
euEccn: NLR
Volumen: 59.15ml
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NA
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1988.4 грн
10+ 1888.79 грн
25+ 1850.59 грн
PJC7400_R1_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.9A; Idm: 7.6A; 350mW; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.35W
On-state resistance: 0.11Ω
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.9A
Gate charge: 4.8nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 7.6A
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
40+10.48 грн
55+ 6.4 грн
100+ 5.77 грн
175+ 4.73 грн
475+ 4.45 грн
Мінімальне замовлення: 40
PJC7400_R1_00001PanjitMOSFET 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 6070 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+36.61 грн
12+ 26.95 грн
100+ 14.62 грн
500+ 10.01 грн
Мінімальне замовлення: 9
PJC7400_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-323, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 447 pF @ 15 V
на замовлення 184204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+29.61 грн
14+ 19.96 грн
100+ 10.06 грн
500+ 8.37 грн
1000+ 6.51 грн
Мінімальне замовлення: 10
PJC7400_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-323, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 447 pF @ 15 V
на замовлення 174000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.45 грн
6000+ 6.07 грн
9000+ 5.38 грн
30000+ 4.98 грн
75000+ 4.23 грн
150000+ 4.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PJC7400_R1_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.9A; Idm: 7.6A; 350mW; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.35W
On-state resistance: 0.11Ω
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.9A
Gate charge: 4.8nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 7.6A
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
25+12.58 грн
35+ 7.97 грн
100+ 6.93 грн
175+ 5.67 грн
475+ 5.34 грн
9000+ 5.17 грн
Мінімальне замовлення: 25
PJC7400_R2_00001PanjitMOSFET /C00/TR/13"/HF/12K/SOT-323/MOS/SOT/NFET-30TAMN/NF30TA-QI02/PJ///
товар відсутній
PJC7401_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-323, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443 pF @ 15 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.21 грн
6000+ 5.85 грн
9000+ 5.18 грн
30000+ 4.8 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PJC7401_R1_00001PanjitMOSFET /C01/TR/7"/HF/3K/SOT-323/MOS/SOT/NFET-30TAMP/NF30TA-QI01/PJ///
товар відсутній
PJC7401_R1_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; Idm: -6A; 350mW; SOT323
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.35W
On-state resistance: 0.18Ω
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.5A
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -6A
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
25+12.58 грн
35+ 7.97 грн
100+ 6.93 грн
170+ 5.76 грн
470+ 5.42 грн
9000+ 5.17 грн
Мінімальне замовлення: 25
PJC7401_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-323, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443 pF @ 15 V
на замовлення 31458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+28.16 грн
15+ 19.19 грн
100+ 9.69 грн
500+ 8.06 грн
1000+ 6.27 грн
Мінімальне замовлення: 11
PJC7401_R1_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; Idm: -6A; 350mW; SOT323
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.35W
On-state resistance: 0.18Ω
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.5A
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -6A
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
40+10.48 грн
55+ 6.4 грн
100+ 5.77 грн
170+ 4.8 грн
470+ 4.52 грн
Мінімальне замовлення: 40
PJC7401_R2_00001PanjitMOSFET C01/TR/13"/HF/12K/SOT-323/MOS/SOT/NFET-30TAMP/NF30TA-QI01/PJ///
товар відсутній
PJC7403_R1_00001Panjit International Inc.Description: 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
товар відсутній
PJC7403_R1_00001PanjitMOSFET /C03/TR/7"/HF/3K/SOT-323/MOS/SOT/NFET-20TAMP/NF20TA-QI01/PJ///
товар відсутній
PJC7403_R1_00001Panjit International Inc.Description: 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
на замовлення 1525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+32.5 грн
12+ 23.3 грн
100+ 14.5 грн
500+ 9.31 грн
1000+ 7.16 грн
Мінімальне замовлення: 9
PJC7403_R2_00001PanjitMOSFET /C03/TR/13"/HF/12K/SOT-323/MOS/SOT/NFET-20TAMP/NF20TA-QI01/PJ///
товар відсутній
PJC7404_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-323, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 92 pF @ 10 V
на замовлення 26442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+29.61 грн
14+ 19.96 грн
100+ 10.08 грн
500+ 8.39 грн
1000+ 6.53 грн
Мінімальне замовлення: 10
PJC7404_R1_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1A; Idm: 4A; 350mW; SOT323
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1A
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.35W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 1.6nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 4A
Mounting: SMD
Case: SOT323
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
25+12.4 грн
35+ 7.63 грн
100+ 6.68 грн
180+ 5.42 грн
495+ 5.09 грн
9000+ 4.92 грн
Мінімальне замовлення: 25
PJC7404_R1_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1A; Idm: 4A; 350mW; SOT323
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1A
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.35W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 1.6nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 4A
Mounting: SMD
Case: SOT323
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
40+10.34 грн
60+ 6.12 грн
100+ 5.56 грн
180+ 4.52 грн
495+ 4.24 грн
Мінімальне замовлення: 40
PJC7404_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-323, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 92 pF @ 10 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.46 грн
6000+ 6.09 грн
9000+ 5.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PJC7404_R1_00001PanjitMOSFET 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected
на замовлення 5978 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+31.16 грн
15+ 21.65 грн
100+ 8.41 грн
1000+ 6.61 грн
3000+ 5.74 грн
9000+ 5.01 грн
24000+ 4.74 грн
Мінімальне замовлення: 10
PJC7407_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-323, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 1.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 416 pF @ 10 V
на замовлення 37266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+28.89 грн
15+ 19.75 грн
100+ 9.96 грн
500+ 8.28 грн
1000+ 6.44 грн
Мінімальне замовлення: 10
PJC7407_R1_00001PanjitMOSFET 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 156673 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+31.16 грн
15+ 21.65 грн
100+ 8.41 грн
1000+ 6.61 грн
3000+ 5.74 грн
9000+ 5.01 грн
24000+ 4.94 грн
Мінімальне замовлення: 10
PJC7407_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-323, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 1.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 416 pF @ 10 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.38 грн
6000+ 6.01 грн
9000+ 5.32 грн
30000+ 4.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PJC7407_R1_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.3A; Idm: -5.2A; 350mW
On-state resistance: 0.2Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.35W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 5.4nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -5.2A
Mounting: SMD
Case: SOT323
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.3A
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
25+12.4 грн
35+ 7.45 грн
100+ 6.43 грн
185+ 5.26 грн
500+ 5.01 грн
9000+ 4.76 грн
Мінімальне замовлення: 25
PJC7407_R1_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.3A; Idm: -5.2A; 350mW
On-state resistance: 0.2Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.35W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 5.4nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -5.2A
Mounting: SMD
Case: SOT323
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.3A
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
40+10.34 грн
60+ 5.98 грн
100+ 5.35 грн
185+ 4.38 грн
500+ 4.17 грн
Мінімальне замовлення: 40
PJC7407_R2_00001PanjitMOSFET C07/TR/13"/HF/12K/SOT-323/MOS/SOT/NFET-20TAMP/NF20TA-QI03/PJ///
товар відсутній
PJC7409-R1-00001PanjitMOSFET SOT-323/MOS/SOT/NFET-20TAMP
товар відсутній
PJC7409-R2-00001PanjitMOSFET
товар відсутній
PJC7409_R1_00001Panjit International Inc.Description: 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38 pF @ 10 V
на замовлення 5486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.33 грн
14+ 20.79 грн
100+ 10.49 грн
500+ 8.73 грн
1000+ 6.79 грн
Мінімальне замовлення: 10
PJC7409_R1_00001Panjit International Inc.Description: 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PJC7409_R1_00001PanjitMOSFET 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.34 грн
13+ 24.64 грн
100+ 13.35 грн
1000+ 7.21 грн
3000+ 6.08 грн
9000+ 5.41 грн
24000+ 5.01 грн
Мінімальне замовлення: 10
PJC7409_R2_00001PanjitMOSFET 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
товар відсутній
PJC7410-R1-00001PanjitMOSFET SOT-323/MOS/SOT/NFET-20TAMN
товар відсутній
PJC7410-R2-00001PanjitMOSFET
товар відсутній
PJC7410_R1_00001PanjitMOSFET 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 2765 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.34 грн
14+ 23.11 грн
100+ 9.01 грн
1000+ 7.01 грн
3000+ 6.08 грн
9000+ 5.41 грн
24000+ 5.01 грн
Мінімальне замовлення: 10
PJC7410_R1_00001Panjit International Inc.Description: 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 67 pF @ 10 V
на замовлення 2628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.33 грн
14+ 20.79 грн
100+ 10.49 грн
500+ 8.73 грн
1000+ 6.79 грн
Мінімальне замовлення: 10
PJC7410_R1_00001Panjit International Inc.Description: 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 67 pF @ 10 V
товар відсутній
PJC7410_R2_00001PanjitMOSFET 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товар відсутній
PJC7412_R1_00001PanjitMOSFET 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
товар відсутній
PJC7412_R2_00001PanjitMOSFET 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
товар відсутній
PJC7428_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-323, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 10 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PJC7428_R1_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 300mA; Idm: 0.6A; 350mW; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 0.6A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
PJC7428_R1_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 300mA; Idm: 0.6A; 350mW; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 0.6A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PJC7428_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-323, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 10 V
на замовлення 19884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+29.61 грн
14+ 21 грн
100+ 11.91 грн
500+ 7.4 грн
1000+ 5.67 грн
Мінімальне замовлення: 10
PJC7438-R1-00001PanjitMOSFET SOT-323/MOS/SOT/NFET-50TAMN
товар відсутній
PJC7438-R2-00001PanjitMOSFET
товар відсутній
PJC7438_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-323, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.95 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PJC7438_R1_00001PanjitMOSFET 50V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
на замовлення 2937 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+31.16 грн
15+ 21.65 грн
100+ 8.41 грн
1000+ 6.61 грн
3000+ 5.81 грн
9000+ 5.01 грн
24000+ 4.74 грн
Мінімальне замовлення: 10
PJC7438_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-323, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.95 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 25 V
на замовлення 3780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+28.89 грн
15+ 19.47 грн
100+ 9.82 грн
500+ 8.17 грн
1000+ 6.35 грн
Мінімальне замовлення: 10
PJC7438_R2_00001PanjitMOSFET 50V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
товар відсутній
PJC7439-AU_R1_000A1PanJit SemiconductorCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -250mA; Idm: -1A; 350mW
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -250mA
On-state resistance: 13Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 0.35W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.1nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -1A
Mounting: SMD
Case: SOT323
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
75+5.24 грн
105+ 3.41 грн
250+ 3.07 грн
320+ 2.52 грн
880+ 2.39 грн
Мінімальне замовлення: 75
PJC7439-AU_R1_000A1Panjit International Inc.Description: SOT-323, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 51 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 51390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+23.11 грн
18+ 15.79 грн
100+ 7.96 грн
500+ 6.1 грн
1000+ 4.52 грн
Мінімальне замовлення: 13
PJC7439-AU_R1_000A1Panjit International Inc.Description: SOT-323, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 51 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.21 грн
6000+ 3.88 грн
9000+ 3.35 грн
30000+ 3.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PJC7439-AU_R1_000A1PanjitMOSFET 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
товар відсутній
PJC7439-AU_R1_000A1PanJit SemiconductorCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -250mA; Idm: -1A; 350mW
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -250mA
On-state resistance: 13Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 0.35W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.1nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -1A
Mounting: SMD
Case: SOT323
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
45+6.29 грн
65+ 4.25 грн
250+ 3.69 грн
320+ 3.03 грн
880+ 2.87 грн
9000+ 2.75 грн
Мінімальне замовлення: 45
PJC7439_R1_00001Panjit International Inc.Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 51 pF @ 25 V
на замовлення 5826 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+28.89 грн
15+ 19.47 грн
100+ 9.82 грн
500+ 8.17 грн
1000+ 6.35 грн
Мінімальне замовлення: 10
PJC7439_R1_00001PanjitMOSFET 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 2745 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+31.16 грн
14+ 23.03 грн
100+ 12.48 грн
1000+ 6.74 грн
3000+ 5.81 грн
9000+ 5.01 грн
24000+ 4.74 грн
Мінімальне замовлення: 10
PJC7439_R1_00001Panjit International Inc.Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 51 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PJC7472B_R1_00001PanjitMOSFET /C2B/TR/7"/HF/3K/SOT-323/MOS/SOT/NFET-60TAMN/NF60TA-QI02/PJ///
товар відсутній
PJC7476_R1_00001Panjit International Inc.Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.33 грн
13+ 22.39 грн
100+ 13.97 грн
500+ 8.97 грн
1000+ 6.9 грн
Мінімальне замовлення: 10
PJC7476_R1_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 300mA; Idm: 0.8A; 350mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
PJC7476_R1_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 300mA; Idm: 0.8A; 350mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PJC7476_R1_00001PanjitMOSFET 100V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
на замовлення 2687 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+31.16 грн
14+ 23.03 грн
100+ 12.48 грн
1000+ 6.74 грн
3000+ 5.81 грн
9000+ 5.01 грн
24000+ 4.74 грн
Мінімальне замовлення: 10
PJC7476_R1_00001Panjit International Inc.Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
товар відсутній
PJCAPSwitchcraft Inc.Description: HI-AMP POWER JACK CAP
Packaging: Bulk
Color: Black
For Use With/Related Products: Power Jack
Accessory Type: Cap (Cover)
на замовлення 40112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.71 грн
10+ 98.54 грн
25+ 94.38 грн
50+ 86.6 грн
100+ 82.66 грн
300+ 74.79 грн
500+ 68.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
PJCAPSwitchcraftDC Power Connectors HI-AMPERAGE POWER JA
на замовлення 1956 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+139.42 грн
10+ 115.16 грн
100+ 88.79 грн
200+ 82.78 грн
500+ 74.11 грн
1000+ 72.1 грн
5000+ 71.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
PJCDCV14
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
PJClamp0502Q
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
PJCLAMP0504APANJITQFM1.6..
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
PJCLAMP0504APANJITQFM1.6..
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
PJCX28631CB1-RF
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)