Продукція > PMZ
Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
PMZ1000UN | на замовлення 120000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
PMZ1000UN,315 | NEXPERIA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 480mA; Idm: 1.8A; 350mW Type of transistor: N-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.48A Pulsed drain current: 1.8A Power dissipation: 0.35W Case: DFN1006-3; SOT883 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.89nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate | товар відсутній | |||||||||||||||||||
PMZ1000UN,315 | NXP | Description: NXP - PMZ1000UN,315 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 10843200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZ1000UN,315 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 480MA DFN1006-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 480mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 200mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-883 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.89 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 25 V | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZ1000UN,315 | NEXPERIA | Trans MOSFET N-CH 30V 0.48A 3-Pin DFN T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
PMZ1000UN,315 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMZ1000UN,315 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 10843200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZ1000UN,315 | NEXPERIA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 480mA; Idm: 1.8A; 350mW Type of transistor: N-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.48A Pulsed drain current: 1.8A Power dissipation: 0.35W Case: DFN1006-3; SOT883 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.89nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 10000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
PMZ1000UN,315 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMZ1000UN,315 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 480 mA, 1 ohm, DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 480mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: DFN1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm | на замовлення 17961 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZ1000UN,315 | Nexperia | MOSFET PMZ1000UN/SOT883/XQFN3 | на замовлення 10845 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZ1000UN,315 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 480MA DFN1006-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 480mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 200mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-883 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.89 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 25 V | на замовлення 21896 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZ1200UPEYL | NEXPERIA | Trans MOSFET P-CH 30V 0.41A 3-Pin DFN T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
PMZ1200UPEYL | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 30V 410MA DFN1006-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 410mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 1.67W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-883 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43.2 pF @ 15 V | на замовлення 9875 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZ1200UPEYL | NEXPERIA | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -260mA; Idm: -1.7A Type of transistor: P-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -260mA Pulsed drain current: -1.7A Case: DFN1006-3; SOT883 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 2.4Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 10000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
PMZ1200UPEYL | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMZ1200UPEYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 410 mA, 1.2 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 410 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 310 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700 euEccn: NLR Verlustleistung: 310 Bauform - Transistor: SOT-883 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.2 Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 2343 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZ1200UPEYL | Nexperia | MOSFET PMZ1200UPE/SOT883/XQFN3 | на замовлення 6789 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZ1200UPEYL | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMZ1200UPEYL - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 4885 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
PMZ1200UPEYL | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 30V 410MA DFN1006-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 410mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 1.67W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-883 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43.2 pF @ 15 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
PMZ1200UPEYL | NEXPERIA | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -260mA; Idm: -1.7A Type of transistor: P-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -260mA Pulsed drain current: -1.7A Case: DFN1006-3; SOT883 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 2.4Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate | товар відсутній | |||||||||||||||||||
PMZ1200UPEYL | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMZ1200UPEYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 410 mA, 1.2 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 310 Kanaltyp: p-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2 rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 2343 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZ130UNE315 | Nexperia USA Inc. | Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
PMZ130UNEYL | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 20V 1.8A 3-Pin DFN T/R | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
PMZ130UNEYL | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMZ130UNEYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.8 A, 0.12 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.8 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 350 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700 euEccn: NLR Verlustleistung: 350 Bauform - Transistor: SOT-883 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.12 Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 23458 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZ130UNEYL | NEXPERIA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 1.2A; Idm: 8A Type of transistor: N-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 1.2A Pulsed drain current: 8A Case: DFN1006-3; SOT883 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.22Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate | товар відсутній | |||||||||||||||||||
PMZ130UNEYL | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 20V 1.8A DFN1006-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-883 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 10 V | на замовлення 24137 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZ130UNEYL | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 20V 1.8A 3-Pin DFN T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
PMZ130UNEYL | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMZ130UNEYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.8 A, 0.12 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 350 Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12 rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 23458 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZ130UNEYL | NEXPERIA | Trans MOSFET N-CH 20V 1.8A 3-Pin DFN T/R | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZ130UNEYL | NEXPERIA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 1.2A; Idm: 8A Type of transistor: N-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 1.2A Pulsed drain current: 8A Case: DFN1006-3; SOT883 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.22Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 10000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
PMZ130UNEYL | Nexperia | MOSFET PMZ130UNE/SOT883/XQFN3 | на замовлення 53702 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZ130UNEYL | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 20V 1.8A DFN1006-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-883 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 10 V | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZ200UNE | Nexperia | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
PMZ200UNE,315 | NXP Semiconductors | Old Part PMZ200UNE^NXP | товар відсутній | |||||||||||||||||||
PMZ200UNE/S500YL | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMZ200UNE/S500YL - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 8900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZ200UNEYL | Nexperia | MOSFET PMZ200UNE/SOT883/XQFN3 | на замовлення 13010 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZ200UNEYL | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A DFN1006-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-883 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 89 pF @ 15 V | на замовлення 19421 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZ200UNEYL | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin DFN T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
PMZ200UNEYL | NEXPERIA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 900mA; Idm: 5A Type of transistor: N-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.9A Pulsed drain current: 5A Case: DFN1006-3; SOT883 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 410mΩ Mounting: SMD Gate charge: 2.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 10000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
PMZ200UNEYL | NEXPERIA | Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin DFN T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
PMZ200UNEYL | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A DFN1006-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-883 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 89 pF @ 15 V | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZ200UNEYL | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin DFN T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
PMZ200UNEYL | NEXPERIA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 900mA; Idm: 5A Type of transistor: N-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.9A Pulsed drain current: 5A Case: DFN1006-3; SOT883 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 410mΩ Mounting: SMD Gate charge: 2.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate | товар відсутній | |||||||||||||||||||
PMZ2035RE6100K150R06 | KEMET | Category: Paper capacitors Description: Capacitor: paper; X1; 100nF; 440VAC; Pitch: 25.4mm; ±10%; THT; PMZ203 Mounting: THT Capacitance: 100nF Manufacturer series: PMZ203 Max. operating voltage: 440V AC; 1000V DC Tolerance: ±10% Type of capacitor: paper Lead length: 6mm Terminal pitch: 25.4mm Alias: P435EJ104K440CH151 Kind of capacitor: X1 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
PMZ2035RE6100K150R06 | KEMET | Film Capacitors 440V 0.1uF 10% LS=25.4mm | на замовлення 62 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZ2035RE6100K150R06 | KEMET | Description: CAP FILM 0.1UF 10% 1KVDC RADIAL Packaging: Box Tolerance: ±10% Package / Case: Radial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Applications: EMI, RFI Suppression Lead Spacing: 1.000" (25.40mm) Termination: PC Pins Ratings: X1 Dielectric Material: Paper, Metallized Voltage Rating - AC: 440V Voltage Rating - DC: 1000V (1kV) Height - Seated (Max): 0.748" (19.00mm) Part Status: Active Capacitance: 0.1 µF Size / Dimension: 1.201" L x 0.476" W (30.50mm x 12.10mm) | на замовлення 2381 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZ2035RE6100K150R06 | KEMET | Category: Paper capacitors Description: Capacitor: paper; X1; 100nF; 440VAC; Pitch: 25.4mm; ±10%; THT; PMZ203 Mounting: THT Capacitance: 100nF Manufacturer series: PMZ203 Max. operating voltage: 440V AC; 1000V DC Tolerance: ±10% Type of capacitor: paper Lead length: 6mm Terminal pitch: 25.4mm Alias: P435EJ104K440CH151 Kind of capacitor: X1 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
PMZ2035RE6100K150R30 | KEMET | METALLIZED POLYESTER FILM CAPACITOR DESIGNED FOR A.C. APPLICATIONS | товар відсутній | |||||||||||||||||||
PMZ2035RE6100K150R30 | KEMET | Film Capacitors 440volts 0.10uF 10% LS 25.4mm | на замовлення 440 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZ2035RE6100K150R30 | KEMET | Description: CAP FILM 0.1UF 10% 1KVDC RADIAL Packaging: Box Tolerance: ±10% Package / Case: Radial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Applications: EMI, RFI Suppression Lead Spacing: 1.000" (25.40mm) Termination: PC Pins Ratings: X1 Dielectric Material: Paper, Metallized Voltage Rating - AC: 440V Voltage Rating - DC: 1000V (1kV) Height - Seated (Max): 0.748" (19.00mm) Part Status: Active Capacitance: 0.1 µF Size / Dimension: 1.201" L x 0.476" W (30.50mm x 12.10mm) | на замовлення 298 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZ2035RE6100K150R30 | KEMET | Category: Paper capacitors Description: Capacitor: paper; X1; 100nF; 440VAC; Pitch: 25.4mm; ±10%; THT; PMZ203 Mounting: THT Capacitance: 100nF Manufacturer series: PMZ203 Max. operating voltage: 440V AC; 1000V DC Tolerance: ±10% Type of capacitor: paper Lead length: 30mm Terminal pitch: 25.4mm Alias: P435EJ104K440AH151 Kind of capacitor: X1 | на замовлення 14 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZ2035RE6100K150R30 | KEMET | Category: THT Film Capacitors Description: 100nF; 12.1x19x30.5mm; THT; ±10%; 25.4mm; Filter: RC; 440VAC; 150Ω Capacitance: 0.1µF Body dimensions: 12.1x19x30.5mm Mounting: THT Tolerance: ±10% Terminal pitch: 25.4mm Type of filter: RC Kind of capacitor: X1 Max. operating voltage: 440V AC Resistance: 150Ω | товар відсутній | |||||||||||||||||||
PMZ2035RE6100K150R30 | KEMET | Category: Paper capacitors Description: Capacitor: paper; X1; 100nF; 440VAC; Pitch: 25.4mm; ±10%; THT; PMZ203 Mounting: THT Capacitance: 100nF Manufacturer series: PMZ203 Max. operating voltage: 440V AC; 1000V DC Tolerance: ±10% Type of capacitor: paper Lead length: 30mm Terminal pitch: 25.4mm Alias: P435EJ104K440AH151 Kind of capacitor: X1 | на замовлення 14 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZ2035RE6150K330 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
PMZ2035RE6150K330R30 | KEMET | Cap RC Network 0.15uF 1000V 10% 330 Ohm 30% 1R/1C 85C Bulk | товар відсутній | |||||||||||||||||||
PMZ2081MD6100M100J105 | KEMET | Cap RC Network 0.1uF 250VAC 20% 100 Ohm 30% 2 85C | товар відсутній | |||||||||||||||||||
PMZ250UN | на замовлення 120000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
PMZ250UN,315 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 20V 2.28A DFN1006-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 200mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-883 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.89 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 20 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
PMZ250UN,315 | NEXPERIA | Trans MOSFET N-CH 20V 2.28A 3-Pin DFN T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
PMZ250UN,315 | NXP | Description: NXP - PMZ250UN,315 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 83637 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZ250UN,315 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 20V 2.28A DFN1006-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 200mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-883 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.89 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 20 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
PMZ270XN | на замовлення 120000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
PMZ270XN,315 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 20V 2.15A DFN1006-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 200mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-883 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.72 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34 pF @ 20 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
PMZ270XN,315 | NEXPERIA | Trans MOSFET N-CH 20V 2.15A 3-Pin DFN T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
PMZ270XN,315 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 20V 2.15A DFN1006-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 200mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-883 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.72 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34 pF @ 20 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
PMZ290UN315 | Rochester Electronics, LLC | Description: SMALL SIGNAL FET | на замовлення 19000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
PMZ290UNE2YL | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMZ290UNE2YL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.2 A, 0.27 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 350 Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27 rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 11432 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZ290UNE2YL | NEXPERIA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 800mA; Idm: 4A Type of transistor: N-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.8A Pulsed drain current: 4A Case: DFN1006-3; SOT883 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 475mΩ Mounting: SMD Gate charge: 1.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate | товар відсутній | |||||||||||||||||||
PMZ290UNE2YL | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMZ290UNE2YL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.2 A, 0.27 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 350mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-883 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.27ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 7802 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZ290UNE2YL | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 20V 1.2A DFN1006-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 1.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 5.43W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-883 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 10 V | на замовлення 121600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZ290UNE2YL | Nexperia | MOSFET PMZ290UNE2/SOT883/XQFN3 | на замовлення 124883 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZ290UNE2YL | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 20V 1.2A DFN1006-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 1.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 5.43W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-883 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 10 V | на замовлення 110000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZ290UNE2YL | NEXPERIA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 800mA; Idm: 4A Type of transistor: N-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.8A Pulsed drain current: 4A Case: DFN1006-3; SOT883 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 475mΩ Mounting: SMD Gate charge: 1.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 10000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
PMZ290UNE2YL | NEXPERIA | Trans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN T/R | на замовлення 110000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZ290UNE315 | Rochester Electronics, LLC | Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
PMZ290UNEYL | Nexperia | MOSFET 20V N-channel Trench MOSFET | на замовлення 6257 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
PMZ290UNEYL | NXP Semiconductors | Description: NEXPERIA PMZ290U - 20V, N-CHANNE | на замовлення 78532 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZ290UNYL | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET DFN1006-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tj) Supplier Device Package: SOT-883 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
PMZ290UNYL | NEXPERIA | Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin DFN T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
PMZ290UNYL | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET DFN1006-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tj) Supplier Device Package: SOT-883 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
PMZ3-N200RM (PTC 200R 100°C 270V 200R ±20% 100°C±5°C 270V) Код товару: 126932 | Пасивні компоненти > Термістори | у наявності 9 шт: 9 шт - РАДІОМАГ-Київ |
| |||||||||||||||||||
PMZ320UPE/S500YL | Nexperia USA Inc. | Description: PMZ320UPEY/L - P Channel MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 510mOhm @ 1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 0.95V @ 250µA Supplier Device Package: DFN1006-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 122 pF @ 15 V | на замовлення 9800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZ320UPE/S500YL | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMZ320UPE/S500YL - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 9800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
PMZ320UPEYL | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 30V 1A DFN1006-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 510mOhm @ 1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-883 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 122 pF @ 15 V | на замовлення 33886 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZ320UPEYL | Nexperia | MOSFET PMZ320UPE/SOT883/XQFN3 | на замовлення 39827 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZ320UPEYL | NEXPERIA | Trans MOSFET P-CH 30V 1A 3-Pin DFN T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
PMZ320UPEYL | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMZ320UPEYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1 A, 0.43 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 350 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700 euEccn: NLR Verlustleistung: 350 Bauform - Transistor: SOT-883 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.43 Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 3500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZ320UPEYL | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 30V 1A 3-Pin DFN T/R | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZ320UPEYL | NEXPERIA | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -600mA; Idm: -4A Type of transistor: P-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -0.6A Pulsed drain current: -4A Case: DFN1006-3; SOT883 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 810mΩ Mounting: SMD Gate charge: 1.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 10000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
PMZ320UPEYL | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 30V 1A 3-Pin DFN T/R | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZ320UPEYL | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 30V 1A DFN1006-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 510mOhm @ 1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-883 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 122 pF @ 15 V | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZ320UPEYL | NEXPERIA | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -600mA; Idm: -4A Type of transistor: P-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -0.6A Pulsed drain current: -4A Case: DFN1006-3; SOT883 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 810mΩ Mounting: SMD Gate charge: 1.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate | товар відсутній | |||||||||||||||||||
PMZ320UPEYL | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMZ320UPEYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1 A, 0.43 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 350 Kanaltyp: p-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43 rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 3500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZ320UPEYL | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 30V 1A 3-Pin DFN T/R | на замовлення 400000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZ320UPEYL | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 30V 1A 3-Pin DFN T/R | на замовлення 400000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZ350UPE/S500YL | Nexperia USA Inc. | Description: PMZ350UPEY/L - 20V, P-Channel MO Packaging: Bulk Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 300mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 3.13W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 0.95V @ 250µA Supplier Device Package: DFN1006-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 127 pF @ 10 V | на замовлення 8800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZ350UPE/S500YL | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMZ350UPE/S500YL - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 8800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
PMZ350UPEYL | NEXPERIA | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -700mA; Idm: -2.8A Type of transistor: P-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -0.7A Pulsed drain current: -2.8A Case: DFN1006-3; SOT883 On-state resistance: 645mΩ Mounting: SMD Gate charge: 1.9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 9835 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZ350UPEYL | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin DFN T/R | на замовлення 1995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZ350UPEYL | NEXPERIA | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -700mA; Idm: -2.8A Type of transistor: P-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -0.7A Pulsed drain current: -2.8A Case: DFN1006-3; SOT883 On-state resistance: 645mΩ Mounting: SMD Gate charge: 1.9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate | на замовлення 9835 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZ350UPEYL | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin DFN T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZ350UPEYL | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 1A DFN1006-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 300mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 3.125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-883 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 127 pF @ 10 V | на замовлення 23718 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZ350UPEYL | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin DFN T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
PMZ350UPEYL | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMZ350UPEYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1 A, 0.33 ohm, DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 360 Kanaltyp: p-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33 rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 4202 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZ350UPEYL | Nexperia | MOSFET PMZ350UPE/SOT883/XQFN3 | на замовлення 14172 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZ350UPEYL | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin DFN T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZ350UPEYL | NEXPERIA | Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin DFN T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
PMZ350UPEYL | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 1A DFN1006-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 300mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 3.125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-883 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 127 pF @ 10 V | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZ350UPEYL | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin DFN T/R | на замовлення 1995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZ350UPEYL | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMZ350UPEYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1 A, 0.33 ohm, DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 360 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700 euEccn: NLR Verlustleistung: 360 Bauform - Transistor: DFN1006 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.33 Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 4202 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZ350XN | на замовлення 120000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
PMZ350XN,315 | NEXPERIA | Trans MOSFET N-CH 30V 1.87A 3-Pin DFN T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
PMZ350XN,315 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 1.87A DFN1006-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.87A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 200mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-883 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.65 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
PMZ350XN,315 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 1.87A DFN1006-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.87A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 200mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-883 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.65 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
PMZ370UNE,315 | Nexperia USA Inc. | Description: 0.9A, 30V, N CHANNEL, MOSFET, S Packaging: Bulk Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||||
PMZ370UNE315 | NXP USA Inc. | Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET Packaging: Bulk Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||||
PMZ370UNEYL | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
PMZ370UNEYL | Nexperia | MOSFET PMZ370UNE/SOT883/XQFN3 | на замовлення 7935 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZ370UNEYL | NEXPERIA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 560mA; Idm: 3.6A Type of transistor: N-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.56A Pulsed drain current: 3.6A Case: DFN1006-3; SOT883 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 860mΩ Mounting: SMD Gate charge: 1.16nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 10000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
PMZ370UNEYL | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 900MA DFN1006-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 500mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-883 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.16 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZ370UNEYL | NEXPERIA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 560mA; Idm: 3.6A Type of transistor: N-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.56A Pulsed drain current: 3.6A Case: DFN1006-3; SOT883 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 860mΩ Mounting: SMD Gate charge: 1.16nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate | товар відсутній | |||||||||||||||||||
PMZ370UNEYL | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 900MA DFN1006-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 500mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-883 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.16 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V | на замовлення 25311 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZ370UNEYL | NEXPERIA | Trans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
PMZ390UN | Nexperia | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
PMZ390UN | на замовлення 120000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
PMZ390UN,315 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 1.78A DFN1006-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.78A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-883 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.89 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 25 V | на замовлення 137098 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZ390UN,315 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 1.78A 3-Pin DFN T/R | на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZ390UN,315 | Nexperia | MOSFET PMZ390UN/SOT883/XQFN3 | на замовлення 39762 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZ390UN,315 | NEXPERIA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 600mA; Idm: 4A Type of transistor: N-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.6A Pulsed drain current: 4A Case: DFN1006-3; SOT883 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.79Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 10000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
PMZ390UN,315 | NEXPERIA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 600mA; Idm: 4A Type of transistor: N-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.6A Pulsed drain current: 4A Case: DFN1006-3; SOT883 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.79Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate | товар відсутній | |||||||||||||||||||
PMZ390UN,315 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 1.78A DFN1006-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.78A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-883 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.89 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 25 V | на замовлення 130000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZ390UN,315 | NEXPERIA | Trans MOSFET N-CH 30V 1.78A 3-Pin DFN T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
PMZ390UN,315 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 1.78A 3-Pin DFN T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
PMZ390UN,315 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 1.78A 3-Pin DFN T/R | на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZ390UNE | Nexperia | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
PMZ390UNE/S500315 | NXP USA Inc. | Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET Packaging: Bulk Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||||
PMZ390UNEYL | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN T/R | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZ390UNEYL | NEXPERIA | Trans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
PMZ390UNEYL | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMZ390UNEYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 900 mA, 0.39 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 900mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm | на замовлення 25110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZ390UNEYL | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN T/R | на замовлення 16055 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZ390UNEYL | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 900MA DFN1006-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 900mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 5.43W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-883 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 15 V | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZ390UNEYL | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN T/R | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZ390UNEYL | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN T/R | на замовлення 16055 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZ390UNEYL | Nexperia | MOSFET PMZ390UNE/SOT883/XQFN3 | на замовлення 57131 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZ390UNEYL | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN T/R | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZ390UNEYL | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMZ390UNEYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 900 mA, 0.39 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 900mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm | на замовлення 25110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZ390UNEYL | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN T/R | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZ390UNEYL | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 900MA DFN1006-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 900mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 5.43W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-883 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 15 V | на замовлення 23129 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZ420UNYL | Nexperia | MOSFET Trench MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
PMZ420UNYL | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||||
PMZ550UNE315 | NXP USA Inc. | Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | на замовлення 6666 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
PMZ550UNEYL | NEXPERIA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 370mA; Idm: 2.3A Type of transistor: N-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.37A Pulsed drain current: 2.3A Case: DFN1006-3; SOT883 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 1.17Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 10000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
PMZ550UNEYL | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 0.59A 3-Pin DFN T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZ550UNEYL | NEXPERIA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 370mA; Idm: 2.3A Type of transistor: N-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.37A Pulsed drain current: 2.3A Case: DFN1006-3; SOT883 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 1.17Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate | товар відсутній | |||||||||||||||||||
PMZ550UNEYL | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 0.59A 3-Pin DFN T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZ550UNEYL | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 590MA DFN1006-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 590mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 590mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 1.67W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-883 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.3 pF @ 15 V | на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZ550UNEYL | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMZ550UNEYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 590 mA, 0.55 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 590mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 310mW Bauform - Transistor: SOT-883 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 45134 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZ550UNEYL | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMZ550UNEYL - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 154000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZ550UNEYL | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 0.59A 3-Pin DFN T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
PMZ550UNEYL | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 590MA DFN1006-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 590mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 590mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 1.67W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-883 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.3 pF @ 15 V | на замовлення 48752 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZ550UNEYL | NEXPERIA | Trans MOSFET N-CH 30V 0.59A 3-Pin DFN T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
PMZ550UNEYL | Nexperia | MOSFET PMZ550UNE/SOT883/XQFN3 | на замовлення 242247 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZ550UNEYL | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMZ550UNEYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 590 mA, 0.55 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 590mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 310mW Bauform - Transistor: SOT-883 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 45134 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZ600UNELYL | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 20V 0.6A 3-Pin DFN T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZ600UNELYL | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 20V 0.6A 3-Pin DFN T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZ600UNELYL | NEXPERIA | Trans MOSFET N-CH 20V 0.6A 3-Pin DFN T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
PMZ600UNELYL | Nexperia | MOSFET PMZ600UNEL/SOT883/XQFN3 | на замовлення 25850 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZ600UNELYL | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 20V 0.6A 3-Pin DFN T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZ600UNELYL | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-883 Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3 pF @ 10 V | на замовлення 76634 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZ600UNELYL | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 20V 0.6A 3-Pin DFN T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZ600UNELYL | NEXPERIA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 400mA; Idm: 2.5A Type of transistor: N-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.4A Pulsed drain current: 2.5A Case: DFN1006-3; SOT883 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 1Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 10000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
PMZ600UNELYL | NEXPERIA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 400mA; Idm: 2.5A Type of transistor: N-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.4A Pulsed drain current: 2.5A Case: DFN1006-3; SOT883 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 1Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate | товар відсутній | |||||||||||||||||||
PMZ600UNELYL | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 20V 0.6A 3-Pin DFN T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
PMZ600UNELYL | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-883 Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3 pF @ 10 V | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZ600UNEYL | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-883 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3 pF @ 10 V | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZ600UNEYL | NEXPERIA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 400mA; Idm: 2.5A Type of transistor: N-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.4A Pulsed drain current: 2.5A Case: DFN1006-3; SOT883 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 1Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 10000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
PMZ600UNEYL | NEXPERIA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 400mA; Idm: 2.5A Type of transistor: N-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.4A Pulsed drain current: 2.5A Case: DFN1006-3; SOT883 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 1Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate | товар відсутній | |||||||||||||||||||
PMZ600UNEYL | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-883 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3 pF @ 10 V | на замовлення 24499 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZ600UNEYL | NEXPERIA | Trans MOSFET N-CH 20V 0.6A 3-Pin DFN T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
PMZ600UNEYL | Nexperia | MOSFET PMZ600UNE/SOT883/XQFN3 | на замовлення 158938 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZ600UNEZ | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-883 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3 pF @ 10 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
PMZ600UNEZ | NEXPERIA | 20 V, N-channel Trench MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
PMZ600UNEZ | Nexperia | MOSFET PMZ600UNE/SOT883/XQFN3 | на замовлення 11477 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZ600UNEZ | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-883 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3 pF @ 10 V | на замовлення 9230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZ600UNEZ | NEXPERIA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 400mA; Idm: 2.5A Type of transistor: N-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.4A Pulsed drain current: 2.5A Case: DFN1006-3; SOT883 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 1Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 10000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
PMZ600UNEZ | NEXPERIA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 400mA; Idm: 2.5A Type of transistor: N-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.4A Pulsed drain current: 2.5A Case: DFN1006-3; SOT883 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 1Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate | товар відсутній | |||||||||||||||||||
PMZ760SN | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
PMZ760SN | на замовлення 120000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
PMZ760SN T/R | NXP Semiconductors | MOSFET MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
PMZ760SN,315 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 1.22A DFN1006-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 300mA, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-883 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.05 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 30 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
PMZ760SN,315 | NEXPERIA | Trans MOSFET N-CH 60V 1.22A 3-Pin DFN T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
PMZ760SN,315 | Nexperia | MOSFET MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
PMZ760SN,315 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 1.22A DFN1006-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 300mA, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-883 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.05 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 30 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
PMZ950UPE,315 | Rochester Electronics, LLC | Description: 0.5A, 20V, P CHANNEL, MOSFET, X | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
PMZ950UPE315 | Rochester Electronics, LLC | Description: P-CHANNEL MOSFET | на замовлення 899869 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
PMZ950UPELYL | NEXPERIA | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -300mA; Idm: -2A Type of transistor: P-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -300mA Pulsed drain current: -2A Case: DFN1006-3; SOT883 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 2.1Ω Mounting: SMD Gate charge: 2.1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 10000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
PMZ950UPELYL | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMZ950UPELYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 500 mA, 1.02 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 715mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 715mW Bauform - Transistor: SOT-883 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: No Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.02ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.02ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 8330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZ950UPELYL | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 500MA DFN1006-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-883 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V | на замовлення 35986 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZ950UPELYL | NEXPERIA | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -300mA; Idm: -2A Type of transistor: P-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -300mA Pulsed drain current: -2A Case: DFN1006-3; SOT883 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 2.1Ω Mounting: SMD Gate charge: 2.1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate | товар відсутній | |||||||||||||||||||
PMZ950UPELYL | NEXPERIA | Trans MOSFET P-CH 20V 0.5A 3-Pin DFN T/R | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZ950UPELYL | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMZ950UPELYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 500 mA, 1.02 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 productTraceability: No rohsCompliant: YES Verlustleistung: 715mW Kanaltyp: p-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.02ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 8330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZ950UPELYL | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 500MA DFN1006-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-883 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZ950UPELYL | Nexperia | MOSFET PMZ950UPEL/SOT883/XQFN3 | на замовлення 229296 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZ950UPEYL | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 0.5A 3-Pin DFN T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
PMZ950UPEYL | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 500MA DFN1006-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-883 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
PMZ950UPEYL | NEXPERIA | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -300mA; Idm: -2A Type of transistor: P-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -300mA Pulsed drain current: -2A Case: DFN1006-3; SOT883 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 2.1Ω Mounting: SMD Gate charge: 2.1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate | товар відсутній | |||||||||||||||||||
PMZ950UPEYL | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 0.5A 3-Pin DFN T/R | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZ950UPEYL | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 0.5A 3-Pin DFN T/R | на замовлення 18908 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZ950UPEYL | Nexperia | MOSFET Trench Mosfet 20V, P-channel | на замовлення 3400 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZ950UPEYL | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 0.5A 3-Pin DFN T/R | на замовлення 18908 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZ950UPEYL | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 500MA DFN1006-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-883 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V | на замовлення 7275 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZ950UPEYL | NEXPERIA | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -300mA; Idm: -2A Type of transistor: P-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -300mA Pulsed drain current: -2A Case: DFN1006-3; SOT883 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 2.1Ω Mounting: SMD Gate charge: 2.1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 10000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
PMZ950UPEYL | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 0.5A 3-Pin DFN T/R | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZB1200UPEYL | Nexperia | MOSFET PMZB1200UPE/SOT883B/XQFN3 | на замовлення 18531 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZB1200UPEYL | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 30V 410MA DFN1006B-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 410mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 1.67W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: DFN1006B-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43.2 pF @ 15 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
PMZB1200UPEYL | NEXPERIA | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -260mA; Idm: -1.7A Drain-source voltage: -30V Drain current: -260mA On-state resistance: 2.4Ω Gate charge: 1.2nC Case: DFN1006B-3; SOT883B Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Technology: Trench Pulsed drain current: -1.7A Gate-source voltage: ±8V Type of transistor: P-MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
PMZB1200UPEYL | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 30V 0.41A 3-Pin DFN-B T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZB1200UPEYL | NEXPERIA | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -260mA; Idm: -1.7A Drain-source voltage: -30V Drain current: -260mA On-state resistance: 2.4Ω Gate charge: 1.2nC Case: DFN1006B-3; SOT883B Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Technology: Trench Pulsed drain current: -1.7A Gate-source voltage: ±8V Type of transistor: P-MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
PMZB1200UPEYL | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 30V 0.41A 3-Pin DFN-B T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZB1200UPEYL | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 30V 410MA DFN1006B-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 410mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 1.67W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: DFN1006B-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43.2 pF @ 15 V | на замовлення 18013 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZB1200UPEYL | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 30V 0.41A 3-Pin DFN-B T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
PMZB150UNEYL | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 20V 1.5A DFN1006B-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: DFN1006B-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 10 V | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZB150UNEYL | Nexperia | MOSFET PMZB150UNE/SOT883B/XQFN3 | на замовлення 23565 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZB150UNEYL | NEXPERIA | PMZB150UNEYL SMD N channel transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
PMZB150UNEYL | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 20V 1.5A DFN1006B-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: DFN1006B-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 10 V | на замовлення 30215 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZB200UNE | Nexperia | Nexperia | товар відсутній | |||||||||||||||||||
PMZB200UNE315 | NXP | Description: NXP - PMZB200UNE315 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 156850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZB200UNE315 | NXP USA Inc. | Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Supplier Device Package: DFN1006B-3 | на замовлення 156850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZB200UNEYL | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin DFN-B T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
PMZB200UNEYL | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A DFN1006B-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: DFN1006B-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 89 pF @ 15 V | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZB200UNEYL | NEXPERIA | Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin DFN-B T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
PMZB200UNEYL | NEXPERIA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 900mA; Idm: 5A Type of transistor: N-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.9A Pulsed drain current: 5A Case: DFN1006B-3; SOT883B Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 410mΩ Mounting: SMD Gate charge: 2.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
PMZB200UNEYL | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin DFN-B T/R | на замовлення 8136 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZB200UNEYL | NEXPERIA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 900mA; Idm: 5A Type of transistor: N-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.9A Pulsed drain current: 5A Case: DFN1006B-3; SOT883B Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 410mΩ Mounting: SMD Gate charge: 2.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 10000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
PMZB200UNEYL | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin DFN-B T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
PMZB200UNEYL | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin DFN-B T/R | на замовлення 8136 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZB200UNEYL | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A DFN1006B-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: DFN1006B-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 89 pF @ 15 V | на замовлення 25920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZB200UNEYL | Nexperia | MOSFET PMZB200UNE/SOT883B/XQFN3 | на замовлення 37521 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZB200UNEYL | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMZB200UNEYL - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 421580 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZB200UNEYL | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin DFN-B T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
PMZB290UN | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
PMZB290UN,315 | Nexperia | MOSFET 20V Single N-channel Trench MOSFET | на замовлення 6039 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZB290UN,315 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006B-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 500mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: DFN1006B-3 Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 83 pF @ 10 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
PMZB290UN,315 | NEXPERIA | Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin DFN-B T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
PMZB290UN,315 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006B-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 500mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: DFN1006B-3 Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 83 pF @ 10 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
PMZB290UN/FYL | NXP USA Inc. | Description: PMZB290UN/FYL Packaging: Bulk Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||||
PMZB290UNE,315 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006B-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 500mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: DFN1006B-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 83 pF @ 10 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
PMZB290UNE,315 | NEXPERIA | Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin DFN-B T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
PMZB290UNE,315 | Nexperia | MOSFET N-Chan 20V 1A 715mW | на замовлення 7970 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
PMZB290UNE,315 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006B-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 500mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: DFN1006B-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 83 pF @ 10 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
PMZB290UNE2315 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 20V 1A Packaging: Bulk | товар відсутній | |||||||||||||||||||
PMZB290UNE2YL | NEXPERIA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 0.8A; Idm: 4A; 350mW Technology: Trench Mounting: SMD Power dissipation: 0.35W Case: DFN1006B-3; SOT883B Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Gate charge: 1.4nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 4A Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.8A On-state resistance: 1.19Ω Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 7290 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZB290UNE2YL | NEXPERIA | Trans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN-B T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZB290UNE2YL | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN-B T/R | на замовлення 28568 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZB290UNE2YL | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN-B T/R | на замовлення 28568 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZB290UNE2YL | Nexperia | MOSFET PMZB290UNE2/SOT883B/XQFN3 | на замовлення 143656 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZB290UNE2YL | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN-B T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZB290UNE2YL | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN-B T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
PMZB290UNE2YL | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 20V 1.2A DFN1006B-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 1.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 5.43W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: DFN1006B-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 10 V | на замовлення 31231 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZB290UNE2YL | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMZB290UNE2YL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.2 A, 0.27 ohm, SOT-883B, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 350mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-883B Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.27ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 7707 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZB290UNE2YL | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN-B T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZB290UNE2YL | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN-B T/R | на замовлення 770000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZB290UNE2YL | NEXPERIA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 0.8A; Idm: 4A; 350mW Technology: Trench Mounting: SMD Power dissipation: 0.35W Case: DFN1006B-3; SOT883B Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Gate charge: 1.4nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 4A Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.8A On-state resistance: 1.19Ω Type of transistor: N-MOSFET | на замовлення 7290 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZB290UNE2YL | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN-B T/R | на замовлення 770000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZB290UNE2YL | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 20V 1.2A DFN1006B-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 1.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 5.43W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: DFN1006B-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 10 V | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZB300XN,315 | NXP Semiconductors | Description: MOSFET N-CH 20V 1A 3DFN | товар відсутній | |||||||||||||||||||
PMZB300XN,315 | NXP Semiconductors | Description: MOSFET N-CH 20V 1A 3DFN | товар відсутній | |||||||||||||||||||
PMZB320UPEYL | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 30V 1A DFN1006B-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 510mOhm @ 1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: DFN1006B-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 122 pF @ 15 V | на замовлення 64622 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZB320UPEYL | NEXPERIA | PMZB320UPEYL SMD P channel transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
PMZB320UPEYL | NEXPERIA | Trans MOSFET P-CH 30V 1A 3-Pin DFN-B T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZB320UPEYL | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 30V 1A 3-Pin DFN-B T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
PMZB320UPEYL | Nexperia | MOSFET PMZB320UPE/SOT883B/XQFN3 | на замовлення 39246 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZB320UPEYL | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 30V 1A DFN1006B-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 510mOhm @ 1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: DFN1006B-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 122 pF @ 15 V | на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZB350UPE,315 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 1A DFN1006B-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 300mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 3.125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: DFN1006B-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 127 pF @ 10 V | на замовлення 15375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZB350UPE,315 | NEXPERIA | PMZB350UPE.315 SMD P channel transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
PMZB350UPE,315 | NEXPERIA | Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin DFN-B T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
PMZB350UPE,315 | Nexperia | MOSFET PMZB350UPE/SOT883B/XQFN3 | на замовлення 13521 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZB350UPE,315 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 1A DFN1006B-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 300mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 3.125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: DFN1006B-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 127 pF @ 10 V | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZB370UNE,315 | Nexperia | MOSFET N-Chan 30V 900mA | товар відсутній | |||||||||||||||||||
PMZB370UNE,315 | NXP | Description: NXP - PMZB370UNE,315 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 570000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZB370UNE,315 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 900MA DFN1006B-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 500mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA Supplier Device Package: DFN1006B-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.16 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
PMZB370UNE,315 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 900MA DFN1006B-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 500mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA Supplier Device Package: DFN1006B-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.16 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
PMZB370UNE,315-NEX | Nexperia USA Inc. | Description: EFFECT TRANSISTOR, 0.9A I(D), 30 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
PMZB380XN,315 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 930MA DFN1006B-3 Packaging: Bulk Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 930mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: DFN1006B-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 25 V | на замовлення 243343 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZB390UNE | Nexperia | Nexperia | товар відсутній | |||||||||||||||||||
PMZB390UNEYL | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 900MA DFN1006B-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 900mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 5.43W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: DFN1006B-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 15 V | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZB390UNEYL | Nexperia | MOSFET PMZB390UNE/SOT883B/XQFN3 | на замовлення 15061 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZB390UNEYL | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN-B T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
PMZB390UNEYL | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMZB390UNEYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 900 mA, 0.39 ohm, SOT-883B, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 900mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm | на замовлення 3205 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZB390UNEYL | NEXPERIA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 600mA; Idm: 4A Type of transistor: N-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.6A Pulsed drain current: 4A Case: DFN1006B-3; SOT883B Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.79Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
PMZB390UNEYL | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMZB390UNEYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 900 mA, 0.39 ohm, SOT-883B, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZB390UNEYL | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 900MA DFN1006B-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 900mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 5.43W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: DFN1006B-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 15 V | на замовлення 29228 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZB390UNEYL | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMZB390UNEYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 900 mA, 0.39 ohm, SOT-883B, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 900mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm | на замовлення 3205 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZB390UNEYL | NEXPERIA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 600mA; Idm: 4A Type of transistor: N-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.6A Pulsed drain current: 4A Case: DFN1006B-3; SOT883B Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.79Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 10000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
PMZB390UNEYL | NEXPERIA | Trans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN-B T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
PMZB390UNEYL | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMZB390UNEYL - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZB420UN,315 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V SGL 3DFN | товар відсутній | |||||||||||||||||||
PMZB420UN,315 | NEXPERIA | Trans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN-B T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
PMZB420UN,315 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 900MA DFN1006B-3 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
PMZB550UNE/S500YL | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMZB550UNE/S500YL - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 7400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
PMZB550UNE315 | NXP USA Inc. | Description: NOW NEXPERIA PMZB550UNE SMALL SI | на замовлення 338000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZB550UNEYL | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 590MA DFN1006B-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 590mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 590mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 1.67W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: DFN1006B-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.3 pF @ 15 V | на замовлення 18644 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZB550UNEYL | NEXPERIA | PMZB550UNEYL SMD N channel transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
PMZB550UNEYL | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 590MA DFN1006B-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 590mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 590mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 1.67W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: DFN1006B-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.3 pF @ 15 V | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZB550UNEYL | Nexperia | MOSFET PMZB550UNE/SOT883B/XQFN3 | на замовлення 16305 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZB600UNE315 | Rochester Electronics, LLC | Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | на замовлення 599486 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
PMZB600UNEL315 | NXP Semiconductors | Description: NEXPERIA PMZB600UNE - SMALL SIGN Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 150000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZB600UNELYL | NEXPERIA | N-channel Trench MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
PMZB600UNELYL | NEXPERIA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 400mA; Idm: 2.5A Pulsed drain current: 2.5A Gate charge: 0.7nC Polarisation: unipolar Technology: Trench Drain current: 0.4A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 20V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±8V Kind of package: reel; tape Case: DFN1006B-3; SOT883B On-state resistance: 1Ω Mounting: SMD | товар відсутній | |||||||||||||||||||
PMZB600UNELYL | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006B-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: DFN1006B-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3 pF @ 10 V | на замовлення 230000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZB600UNELYL | Nexperia | MOSFET PMZB600UNEL/SOT883B/XQFN3 | на замовлення 11233 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZB600UNELYL | Nexperia | N-channel Trench MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
PMZB600UNELYL | NEXPERIA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 400mA; Idm: 2.5A Pulsed drain current: 2.5A Gate charge: 0.7nC Polarisation: unipolar Technology: Trench Drain current: 0.4A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 20V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±8V Kind of package: reel; tape Case: DFN1006B-3; SOT883B On-state resistance: 1Ω Mounting: SMD кількість в упаковці: 10000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
PMZB600UNELYL | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006B-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: DFN1006B-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3 pF @ 10 V | на замовлення 250339 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZB600UNEYL | Nexperia | MOSFET PMZB600UNE/SOT883B/XQFN3 | на замовлення 13059 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZB600UNEYL | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006B-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: DFN1006B-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3 pF @ 10 V | на замовлення 32745 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZB600UNEYL | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006B-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: DFN1006B-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3 pF @ 10 V | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZB670UPE,315 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 680MA DFN1006B-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 400mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: DFN1006B-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.14 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87 pF @ 10 V | на замовлення 27710 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZB670UPE,315 | NEXPERIA | PMZB670UPE.315 SMD P channel transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
PMZB670UPE,315 | NEXPERIA | Trans MOSFET P-CH 20V 0.68A 3-Pin DFN-B T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
PMZB670UPE,315 | Nexperia | MOSFET PMZB670UPE/SOT883B/XQFN3 | на замовлення 8809 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZB670UPE,315 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMZB670UPE,315 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 1934000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZB670UPE,315 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 680MA DFN1006B-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 400mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: DFN1006B-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.14 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87 pF @ 10 V | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZB790SN,315 | NEXPERIA | Trans MOSFET N-CH 60V 0.65A 3-Pin DFN-B T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
PMZB790SN,315 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 650MA DFN1006B-3 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
PMZB790SN,315 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 650MA DFN1006B-3 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
PMZB950UPE315 | Rochester Electronics, LLC | Description: P-CHANNEL MOSFET | на замовлення 490000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
PMZB950UPEL315 | NXP Semiconductors | Description: NEXPERIA PMZB950UPEL - 20 V, P-C Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 54000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZB950UPELYL | Nexperia | MOSFET PMZB950UPEL/SOT883B/XQFN3 | на замовлення 9467 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZB950UPELYL | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMZB950UPELYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 500 mA, 1.02 ohm, SOT-883B, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-883B Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.02ohm | на замовлення 9604 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZB950UPELYL | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 500MA DFN1006B-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: DFN1006B-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZB950UPELYL | NEXPERIA | P-channel Trench MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
PMZB950UPELYL | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMZB950UPELYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 500 mA, 1.02 ohm, SOT-883B, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-883B Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.02ohm | на замовлення 9704 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZB950UPELYL | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 500MA DFN1006B-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: DFN1006B-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V | на замовлення 34560 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZB950UPEYL | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 500MA DFN1006B-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: DFN1006B-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V | на замовлення 9490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PMZB950UPEYL | NEXPERIA | PMZB950UPEYL SMD P channel transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
PMZB950UPEYL | NEXPERIA | Trans MOSFET P-CH 20V 0.5A 3-Pin DFN-B T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
PMZB950UPEYL | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 500MA DFN1006B-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: DFN1006B-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
PMZB950UPEYL | Nexperia | MOSFET 20V P-channel Trench MOSFET | на замовлення 4697 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |