Продукція > R80

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
R80-762040SEIKOQFP
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R800
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R80007-001ROCKWELLDIP
на замовлення 170 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R8001CND3FRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 1A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+80.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500
R8001CND3FRATLROHM SEMICONDUCTORR8001CND3FRATL SMD N channel transistors
товар відсутній
R8001CND3FRATLROHM SemiconductorMOSFET 800V 1A TO-252, Automotive Power MOSFET with integrated ESD protection diode
на замовлення 6036 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+170.58 грн
10+ 138.96 грн
100+ 96.8 грн
250+ 92.8 грн
500+ 81.45 грн
1000+ 69.43 грн
2500+ 66.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
R8001CND3FRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 1A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
на замовлення 2574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+176.21 грн
10+ 152.51 грн
100+ 122.56 грн
500+ 94.5 грн
1000+ 78.3 грн
Мінімальне замовлення: 2
R8001CNDTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 1A 3-Pin(2+Tab) CPT T/R
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R8002ANJFRGTLROHMDescription: ROHM - R8002ANJFRGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 3.3 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 62W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: TO-263S
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3.3ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.3ohm
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+110.84 грн
Мінімальне замовлення: 100
R8002ANJFRGTLROHM SemiconductorMOSFET Nch 800V Vdss 2A ID TO-263(D2PAK); LPTS
на замовлення 931 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+187.71 грн
10+ 145.11 грн
100+ 106.15 грн
250+ 98.14 грн
500+ 88.79 грн
1000+ 76.11 грн
2000+ 72.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
R8002ANJFRGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 2A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
R8002ANJFRGTLROHMDescription: ROHM - R8002ANJFRGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 3.3 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.3ohm
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+204.46 грн
10+ 140.8 грн
100+ 110.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
R8002ANJFRGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 2A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+173.32 грн
10+ 138.39 грн
100+ 110.16 грн
500+ 87.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
R8002ANJGTLRohm SemiconductorDescription: NCH 800V 2A POWER MOSFET : R8002
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+199.32 грн
10+ 161.06 грн
100+ 130.29 грн
500+ 108.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
R8002ANJGTLRohm SemiconductorDescription: NCH 800V 2A POWER MOSFET : R8002
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
товар відсутній
R8002ANJGTLROHM SemiconductorMOSFET MOSFET
на замовлення 1979 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+216.53 грн
10+ 178.89 грн
25+ 146.87 грн
100+ 126.18 грн
250+ 119.5 грн
500+ 112.16 грн
1000+ 94.8 грн
Мінімальне замовлення: 2
R8002ANJGTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) LPTS
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
64+183.88 грн
67+ 176.88 грн
Мінімальне замовлення: 64
R8002ANXROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
товар відсутній
R8002ANXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 800V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
95+123.61 грн
100+ 118.08 грн
Мінімальне замовлення: 95
R8002ANXROHMDescription: ROHM - R8002ANX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 3.3 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 2
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 36
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 36
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3.3
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.3
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
R8002ANXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 2A TO220FM
на замовлення 485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+194.27 грн
10+ 168.09 грн
100+ 137.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
R8002ANX
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R8002ANXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 800V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
95+123.61 грн
100+ 118.08 грн
250+ 113.35 грн
500+ 105.36 грн
Мінімальне замовлення: 95
R8002CND3FRATLROHMDescription: ROHM - R8002CND3FRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 3.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 69W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3.3ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.3ohm
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+122.07 грн
500+ 106.4 грн
1000+ 84.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
R8002CND3FRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 2A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+84.86 грн
Мінімальне замовлення: 2500
R8002CND3FRATLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2A; Idm: 8A; 69W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 69W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
R8002CND3FRATLROHMDescription: ROHM - R8002CND3FRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 3.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.3ohm
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+213.44 грн
10+ 150.53 грн
100+ 122.07 грн
500+ 106.4 грн
1000+ 84.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
R8002CND3FRATLROHM SemiconductorMOSFET 800V 2A TO-252, Automotive Power MOSFET with integrated ESD protection diode
на замовлення 3250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+197.06 грн
10+ 163.53 грн
25+ 134.19 грн
100+ 115.5 грн
250+ 108.82 грн
500+ 102.14 грн
1000+ 87.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
R8002CND3FRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 2A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+127.83 грн
10+ 103.27 грн
100+ 83.54 грн
500+ 76.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
R8002CND3FRATLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2A; Idm: 8A; 69W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 69W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
R8002KND3TL1ROHMDescription: ROHM - R8002KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.6 A, 3.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 30
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: R8xxxKNx
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3.5
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+110.09 грн
10+ 98.86 грн
Мінімальне замовлення: 7
R8002KND3TL1Rohm SemiconductorDescription: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 1.
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-252GE
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+102.55 грн
10+ 80.95 грн
100+ 62.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
R8002KND3TL1ROHM SEMICONDUCTORR8002KND3TL1 SMD N channel transistors
товар відсутній
R8002KND3TL1ROHMDescription: ROHM - R8002KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.6 A, 3.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 30
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: R8xxxKNx
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3.5
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R8002KND3TL1ROHM SemiconductorMOSFET NCH 800V 1.6A POWER MOSFET
на замовлення 5321 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+109.04 грн
10+ 96.74 грн
100+ 65.49 грн
500+ 55.14 грн
1000+ 43.6 грн
2500+ 40.66 грн
5000+ 38.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
R8002KND3TL1Rohm SemiconductorDescription: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 1.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-252GE
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
товар відсутній
R8002KNXC7GROHM SemiconductorMOSFET 800V 1.6A TO-220FM PWR MOSFET
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+140.98 грн
10+ 116.7 грн
100+ 79.45 грн
250+ 76.11 грн
500+ 66.76 грн
1000+ 57.48 грн
2500+ 54.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
R8002KNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 1.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
98+120.35 грн
106+ 111.4 грн
124+ 94.48 грн
200+ 86.12 грн
Мінімальне замовлення: 98
R8002KNXC7GROHMDescription: ROHM - R8002KNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.6 A, 3.5 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 28
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28
Bauform - Transistor: TO-220FM
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3.5
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+149.04 грн
10+ 126.57 грн
Мінімальне замовлення: 6
R8002KNXC7GRohm SemiconductorDescription: 800V 1.6A, TO-220FM, HIGH-SPEED
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+146.6 грн
10+ 126.78 грн
100+ 101.87 грн
500+ 78.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
R8003KND3TL1Rohm SemiconductorDescription: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 3A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 100 V
товар відсутній
R8003KND3TL1ROHM SemiconductorMOSFET NCH 800V 3A POWER MOSFET
на замовлення 8185 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+161.23 грн
10+ 132.82 грн
100+ 92.13 грн
250+ 84.12 грн
500+ 76.78 грн
1000+ 74.11 грн
2500+ 62.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
R8003KND3TL1ROHM SEMICONDUCTORR8003KND3TL1 SMD N channel transistors
товар відсутній
R8003KND3TL1Rohm SemiconductorDescription: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 3A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 100 V
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+167.55 грн
10+ 144.72 грн
100+ 116.34 грн
500+ 89.7 грн
Мінімальне замовлення: 2
R8003KNXC7GROHMDescription: ROHM - R8003KNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 1.5 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 36
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36
Bauform - Transistor: TO-220FM
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.5
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+175.25 грн
10+ 157.27 грн
Мінімальне замовлення: 5
R8003KNXC7GROHM SemiconductorMOSFET 800V 3A TO-220FM PWR MOSFET
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+172.91 грн
10+ 142.03 грн
100+ 98.14 грн
250+ 96.14 грн
500+ 84.79 грн
1000+ 70.1 грн
2500+ 66.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
R8003KNXC7GROHM SEMICONDUCTORR8003KNXC7G THT N channel transistors
товар відсутній
R8003KNXC7GRohm SemiconductorDescription: 800V 3A, TO-220FM, HIGH-SPEED SW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 100 V
на замовлення 477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+179.82 грн
10+ 155.36 грн
100+ 124.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
R8005ANJFRGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 5A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+122.61 грн
2000+ 112.17 грн
Мінімальне замовлення: 1000
R8005ANJFRGTLROHMDescription: ROHM - R8005ANJFRGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5 A, 1.6 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 120W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120W
Bauform - Transistor: TO-263S
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.6ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 1008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+105.71 грн
500+ 89.23 грн
1000+ 71.9 грн
Мінімальне замовлення: 100
R8005ANJFRGTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5A; Idm: 10A; 120W; D2PAK
Power dissipation: 120W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5A
On-state resistance: 3.8Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 10A
товар відсутній
R8005ANJFRGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 5A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
на замовлення 2006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+231.82 грн
10+ 200.7 грн
100+ 164.46 грн
500+ 131.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
R8005ANJFRGTLROHMDescription: ROHM - R8005ANJFRGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5 A, 1.6 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 1008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+172.25 грн
10+ 145.29 грн
25+ 139.3 грн
100+ 105.71 грн
500+ 89.23 грн
1000+ 71.9 грн
Мінімальне замовлення: 5
R8005ANJFRGTLROHM SemiconductorMOSFET Nch 800V Vdss 5A ID TO-263(D2PAK); LPTS
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+223.54 грн
10+ 185.8 грн
25+ 152.22 грн
100+ 130.18 грн
250+ 123.51 грн
500+ 116.16 грн
1000+ 93.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
R8005ANJFRGTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5A; Idm: 10A; 120W; D2PAK
Power dissipation: 120W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5A
On-state resistance: 3.8Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 10A
кількість в упаковці: 1000 шт
товар відсутній
R8005ANJGTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 5A 3-Pin(2+Tab) LPTS
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
65+182.38 грн
Мінімальне замовлення: 65
R8005ANJGTLRohm SemiconductorDescription: NCH 800V 5A POWER MOSFET : R8005
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+133.31 грн
Мінімальне замовлення: 1000
R8005ANJGTLROHM SemiconductorMOSFET MOSFET
на замовлення 1992 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+286.63 грн
10+ 238 грн
25+ 194.94 грн
100+ 166.9 грн
250+ 157.56 грн
500+ 148.88 грн
1000+ 126.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
R8005ANJGTLRohm SemiconductorDescription: NCH 800V 5A POWER MOSFET : R8005
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+252.76 грн
10+ 218.23 грн
100+ 178.8 грн
500+ 142.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
R8005ANXROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
на замовлення 458 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+158.89 грн
10+ 141.27 грн
100+ 98.81 грн
500+ 85.45 грн
1000+ 76.78 грн
2500+ 71.43 грн
5000+ 68.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
R8005ANXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
86+136.9 грн
107+ 110.23 грн
500+ 91.97 грн
Мінімальне замовлення: 86
R8005ANXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 5A TO220FM
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R8005ANXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
на замовлення 1443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
173+67.84 грн
176+ 66.54 грн
185+ 63.55 грн
200+ 60.33 грн
1000+ 54.08 грн
Мінімальне замовлення: 173
R8005ANXROHMDescription: ROHM - R8005ANX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5 A, 1.6 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 51
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 51
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.6
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 506 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+143.79 грн
10+ 122.82 грн
100+ 104.85 грн
500+ 79.28 грн
Мінімальне замовлення: 6
R8006KND3TL1Rohm SemiconductorDescription: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 6A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 100 V
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+249.87 грн
10+ 216.21 грн
100+ 177.13 грн
500+ 141.51 грн
1000+ 119.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
R8006KND3TL1ROHM SemiconductorMOSFET NCH 800V 6A POWER MOSFET
на замовлення 4882 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+241.45 грн
10+ 199.62 грн
25+ 164.23 грн
100+ 140.87 грн
250+ 132.85 грн
500+ 125.51 грн
1000+ 116.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
R8006KND3TL1Rohm SemiconductorDescription: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 6A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 100 V
товар відсутній
R8006KNXC7GRohm SemiconductorDescription: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 6A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 100 V
товар відсутній
R8006KNXC7GROHM SemiconductorMOSFET High-speed Switching Nch 800V 6A Power MOSFET
на замовлення 645 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+244.57 грн
10+ 216.51 грн
100+ 153.55 грн
500+ 130.85 грн
1000+ 104.82 грн
5000+ 100.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
R8006KNXC7GROHMDescription: ROHM - R8006KNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.75 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 6
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 52
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
Verlustleistung: 52
Bauform - Transistor: TO-220FM
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: R8xxxKNx
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.75
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+235.16 грн
10+ 211.2 грн
Мінімальне замовлення: 4
R8006KNXC7GRohm SemiconductorDescription: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 6A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 100 V
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+241.21 грн
10+ 208.56 грн
100+ 170.87 грн
500+ 136.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
R8007AND3FRATLROHMDescription: ROHM - R8007AND3FRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7 A, 1.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 140
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.2
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+384.2 грн
10+ 327.28 грн
100+ 283.84 грн
500+ 223.93 грн
1000+ 175.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
R8007AND3FRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 7A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+189.3 грн
Мінімальне замовлення: 2500
R8007AND3FRATLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 7A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+454.53 грн
41+ 290.42 грн
50+ 234.73 грн
100+ 211.96 грн
500+ 174.06 грн
1000+ 156.01 грн
2000+ 151.75 грн
Мінімальне замовлення: 26
R8007AND3FRATLROHMDescription: ROHM - R8007AND3FRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7 A, 1.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 140
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.2
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+283.84 грн
500+ 223.93 грн
1000+ 175.25 грн
Мінімальне замовлення: 100
R8007AND3FRATLROHM SemiconductorMOSFET 800V 7A TO-252, Automotive Power MOSFET
на замовлення 5132 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+366.07 грн
10+ 323.99 грн
100+ 231.66 грн
500+ 196.95 грн
1000+ 165.57 грн
2500+ 158.22 грн
5000+ 153.55 грн
R8007AND3FRATLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 7A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+256.01 грн
48+ 245.02 грн
50+ 235.68 грн
100+ 219.55 грн
250+ 197.12 грн
500+ 184.09 грн
1000+ 179.58 грн
Мінімальне замовлення: 46
R8007AND3FRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 7A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 25 V
на замовлення 4975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+376.98 грн
10+ 326.23 грн
100+ 267.27 грн
500+ 213.52 грн
1000+ 180.07 грн
R80080006CrouzetDescription: BRUSHLESS MOTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
товар відсутній
R80080008CrouzetDescription: BRUSHLESS MOTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
товар відсутній
R80080009CrouzetDescription: BRUSHLESS MOTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
товар відсутній
R8008ANJFRGTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 8A Automotive 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
61+191.95 грн
69+ 171.07 грн
100+ 164.11 грн
500+ 147.7 грн
Мінімальне замовлення: 61
R8008ANJFRGTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 32A; 195W; D2PAK
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 195W
Gate charge: 38nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 8A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK
On-state resistance: 1.54Ω
Mounting: SMD
товар відсутній
R8008ANJFRGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 8A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.03Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
товар відсутній
R8008ANJFRGTLROHMDescription: ROHM - R8008ANJFRGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.79 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 195
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 195
Bauform - Transistor: TO-263S
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.79
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.79
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+399.18 грн
100+ 328.03 грн
500+ 259.4 грн
Мінімальне замовлення: 10
R8008ANJFRGTLROHM SemiconductorMOSFET Nch 800V Vdss 8A ID TO-263(D2PAK); LPTS
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+369.19 грн
10+ 327.06 грн
100+ 233 грн
500+ 198.28 грн
1000+ 167.57 грн
2000+ 166.9 грн
R8008ANJFRGTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 32A; 195W; D2PAK
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 195W
Gate charge: 38nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 8A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK
On-state resistance: 1.54Ω
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1000 шт
товар відсутній
R8008ANJFRGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 8A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.03Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+367.59 грн
10+ 317.74 грн
100+ 260.32 грн
500+ 207.97 грн
R8008ANJFRGTLROHMDescription: ROHM - R8008ANJFRGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.79 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 195
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 195
Bauform - Transistor: TO-263S
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.79
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.79
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+444.86 грн
10+ 399.18 грн
100+ 328.03 грн
500+ 259.4 грн
Мінімальне замовлення: 2
R8008ANJGTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 32A; 195W; D2PAK
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 195W
Gate charge: 38nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 8A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK
On-state resistance: 1.54Ω
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1000 шт
товар відсутній
R8008ANJGTLRohm SemiconductorDescription: NCH 800V 8A POWER MOSFET : R8008
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.03Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+420.31 грн
10+ 363.71 грн
100+ 298.02 грн
500+ 238.09 грн
R8008ANJGTLRohm SemiconductorDescription: NCH 800V 8A POWER MOSFET : R8008
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.03Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
товар відсутній
R8008ANJGTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(2+Tab) LPTS
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+314.98 грн
39+ 301.45 грн
50+ 289.96 грн
100+ 270.12 грн
Мінімальне замовлення: 38
R8008ANJGTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 32A; 195W; D2PAK
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 195W
Gate charge: 38nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 8A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK
On-state resistance: 1.54Ω
Mounting: SMD
товар відсутній
R8008ANJGTLROHM SemiconductorMOSFET MOSFET
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+405.8 грн
10+ 336.28 грн
25+ 275.72 грн
100+ 236.33 грн
250+ 223.65 грн
500+ 210.97 грн
1000+ 178.92 грн
R8008ANXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+210.56 грн
Мінімальне замовлення: 56
R8008ANXROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
товар відсутній
R8008ANXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 8A TO220FM
товар відсутній
R8009KNXC7GROHM SemiconductorMOSFET NCH 800V 9A POWER MOSFET
на замовлення 933 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+314.67 грн
10+ 288.68 грн
50+ 212.97 грн
100+ 198.95 грн
250+ 183.59 грн
500+ 168.91 грн
1000+ 138.86 грн
R8009KNXC7GRohm SemiconductorDescription: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 9A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+158.92 грн
Мінімальне замовлення: 1000
R8009KNXC7GROHM SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 9A; Idm: 27A; 59W; TO220FP
Gate charge: 27nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 9A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Pulsed drain current: 27A
Power dissipation: 59W
товар відсутній
R8009KNXC7GROHMDescription: ROHM - R8009KNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 9 A, 0.5 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 59W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+272.61 грн
10+ 253.14 грн
25+ 214.94 грн
100+ 172.47 грн
500+ 146.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
R8009KNXC7GROHM SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 9A; Idm: 27A; 59W; TO220FP
Gate charge: 27nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 9A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Pulsed drain current: 27A
Power dissipation: 59W
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
R8009KNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+262.57 грн
48+ 246.43 грн
51+ 230.98 грн
100+ 215.12 грн
Мінімальне замовлення: 45
R8009KNXC7GRohm SemiconductorDescription: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 9A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 100 V
на замовлення 1949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+301.15 грн
10+ 260.16 грн
100+ 213.16 грн
500+ 170.29 грн
R800CАналог SIM800C на чіпсеті RDA, без аудіоканалу, інженерні зразки
на замовлення 3 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
1+315.22 грн
R800CH08
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R800CH10
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R800CH12
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R800CH14
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R800CH14CF0
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R800CH14CY0
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R800CH14FY0
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R800CH16
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R800CH16-18
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R8010REED InstrumentsDescription: LASER DISTANCE METER, 328'
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R8010-NISTREED InstrumentsDescription: LASER DISTANCE METER, 328' W/CER
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R8010ANXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 10A TO220FM
товар відсутній
R8010ANXROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
товар відсутній
R8011KNXC7GRohm SemiconductorDescription: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 11
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 5.5mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+192.04 грн
Мінімальне замовлення: 1000
R8011KNXC7GRohm SemiconductorDescription: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 11
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 5.5mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 100 V
на замовлення 1999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+363.26 грн
10+ 314.4 грн
100+ 257.58 грн
500+ 205.78 грн
R8011LR112Q
на замовлення 320 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R80186INTEL98+ CPLCC
на замовлення 70 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R80186Advanced Micro DevicesDescription: IC MPU 8MHZ 68CLCC
Packaging: Bulk
Package / Case: 68-CLCC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 8MHz
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Core Processor: 80186
Voltage - I/O: 5V
Supplier Device Package: 68-CLCC (24.13x24.13)
Number of Cores/Bus Width: 1 Core, 16-Bit
Graphics Acceleration: No
Part Status: Active
товар відсутній
R80186INTELCLCC68 92+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R80186INTEL98+ CLCC
на замовлення 201 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R80186INTELCBGA
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R80186-10Rochester Electronics, LLCDescription: RISC MICROPROCESSOR, 16 BIT, 10M
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+7651.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
R80186-10INTEL
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R80186-10INTELCLCC68
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R80186-3/B4
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R80186-6/B4INTEL8519+
на замовлення 131 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R80186-8INTELCLCC68
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R8018610IntelDescription: MPU, 16-BIT, 10MHZ, NMOS, CQCC68
Packaging: Bulk
Package / Case: 88-BCPGA
Mounting Type: Through Hole
Speed: 10MHz
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TC)
Core Processor: 80186
Voltage - I/O: 5V
Supplier Device Package: 88-CPGA (34.29x34.29)
Number of Cores/Bus Width: 1 Core, 16-Bit
Graphics Acceleration: No
Part Status: Active
товар відсутній
R80188INTEL02+ PLCC
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R80188Advanced Micro DevicesDescription: IC MPU 8MHZ 68CLCC
Packaging: Bulk
Package / Case: 68-CLCC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 8MHz
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Core Processor: 80188
Voltage - I/O: 5V
Supplier Device Package: 68-CLCC (24.13x24.13)
Number of Cores/Bus Width: 1 Core, 16-Bit
Graphics Acceleration: No
Part Status: Active
на замовлення 5973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+1251.53 грн
Мінімальне замовлення: 18
R80188INTEL98+ BGA;
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R80188INTEL07+;
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R80188-10Advanced Micro DevicesDescription: IC MPU 10MHZ 68CLCC
Packaging: Bulk
Package / Case: 68-CLCC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 10MHz
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Core Processor: 80188
Voltage - I/O: 5V
Supplier Device Package: 68-CLCC (24.13x24.13)
Number of Cores/Bus Width: 1 Core, 16-Bit
Graphics Acceleration: No
Part Status: Active
на замовлення 1506 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+1694.23 грн
Мінімальне замовлення: 13
R80188-10
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R8019KNXC7GROHM SemiconductorMOSFET 800V 19A, TO-220FM, High-speed switching Power MOSFET: The R8xxxKNx series are high-speed switching products, Super Junction MOSFETs, that place an emphasis on high efficiency. This series products achieve higher efficiency via high-speed switching
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 248-257 дні (днів)
1+439.29 грн
10+ 370.83 грн
50+ 292.41 грн
100+ 269.05 грн
250+ 259.03 грн
R80200-93
на замовлення 2217 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R8020PRockwellDIP-40
на замовлення 116 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R8025R
на замовлення 15320 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R8025EPSON09+ SOP14
на замовлення 1010 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R8025AAEPSON2004
на замовлення 209 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R8025ACRTCSOP
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R8025ACEPSON00+ SOP
на замовлення 438 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R8025SA
на замовлення 35250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R8025T
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R8025Y12BPLB2APelonis TechnologiesDescription: FAN AXIAL 80X25MM 12VDC WIRE
Features: Auto Restart, Constant Speed, Inrush Protection, Locked Rotor Protection, Polarity Protection, Speed Sensor (Tach)
Packaging: Bulk
Voltage - Rated: 12VDC
Size / Dimension: Square - 80mm L x 80mm H
Bearing Type: Ball
RPM: 4400 RPM
Air Flow: 57.7 CFM (1.64m³/min)
Width: 25.00mm
Operating Temperature: 14 ~ 158°F (-10 ~ 70°C)
Termination: 3 Wire Leads
Approval Agency: CE, cUL, UL
Fan Type: Tubeaxial
Noise: 40.6dB(A)
Static Pressure: 0.300 in H2O (74.7 Pa)
Part Status: Active
Power (Watts): 4.8 W
на замовлення 162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+803.78 грн
10+ 722.97 грн
25+ 677.43 грн
50+ 581.26 грн
100+ 484.08 грн
R80286INTELCLCC68
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R80286-10INTELCLCC68 92+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R80286-10INTPGA
на замовлення 103 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R80286-10/C2H
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R80286-12INTELCBGA
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R80286-12INTEL
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R80286-12INTEL9940 LCC
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R80286-12INTELPLCC
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R80286-12INTEL99+
на замовлення 199 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R80286-12(Refurbs)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R80286-12/S(Refurbs)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R80286-6INTELBGA
на замовлення 245 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R80286-8INTEL96+ BGA;
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R80286-8INTEL07+;
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R80286-8INTELCLCC68
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R80286-8INTPGA
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R80286-8(Refurbs)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R80286-8SAdvanced Micro DevicesDescription: IC MPU 8MHZ 68CLCC
Packaging: Bulk
Package / Case: 68-CLCC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 8MHz
Operating Temperature: 0°C ~ 85°C (TC)
Core Processor: 80286
Voltage - I/O: 5V
Supplier Device Package: 68-CLCC (24.13x24.13)
Number of Cores/Bus Width: 1 Core
Graphics Acceleration: No
Part Status: Active
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+3337.9 грн
Мінімальне замовлення: 7
R8028612INTEL99+ PLCC
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R802P2
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R80302NLiNRCOREAudio Transformers / Signal Transformers Industrial Planar Transformers
товар відсутній
R80405
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R80405CDIP
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R8040PRockwellDIP-40
на замовлення 133 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R8040SZCDIP
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R8040SROCKWELL03+ DIP
на замовлення 56 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R8046678
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R8050REED InstrumentsDescription: DUAL RANGE SOUND LEVEL METER
Packaging: Retail Package
Type: Sound/Decibel Level Meter
Includes: Battery, Case, Windshield Ball
For Measuring: Sound
Part Status: Active
на замовлення 551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+12926.98 грн
R8050PROCKWELLDIP
на замовлення 320 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R8050PROCKWELL
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R8050S
на замовлення 155 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R8051AHP98+ DIP-40
на замовлення 189 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R8060
на замовлення 1680 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R8060REED InstrumentsDescription: SOUND LEVEL METER WITH BARGRAPH
Packaging: Retail Package
Type: Sound/Decibel Level Meter
Includes: Battery, Case, Windshield Ball
For Measuring: Sound
Part Status: Active
товар відсутній
R8060/05P
на замовлення 884 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R8060KP
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R8060PROCKWELLDIP
на замовлення 260 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R8060PROCKWELL
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R8060P1193813
на замовлення 415 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R8060S
на замовлення 138 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R8069AP
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R8069BP
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R806P2
на замовлення 45 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R806P2AD
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R8070AG
на замовлення 248 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R8070AJZILOG89+ PLCC
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R8070AP(1195111)ROCKWELL
на замовлення 210 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R8070JROCK00+ PLCC-68
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R8070JE
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R8070PMEXICODIP64
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R8070SDREED InstrumentsDescription: DATA LOGGING SOUND LEVEL METER
Packaging: Retail Package
Type: Sound/Decibel Level Meter
Includes: Batteries (6), Case, Windshield Ball
For Measuring: Sound
Part Status: Active
товар відсутній
R8070SD-KITREED InstrumentsDescription: SOUND METER W/ ADAPTER, SD CARD
Packaging: Retail Package
Type: Sound Level Meter
Includes: Adapter, Memory Card
For Measuring: Sound
Part Status: Active
товар відсутній
R8070SD-KIT2REED InstrumentsDescription: SOUND METER W/TRIPOD, CARD, ADP
Packaging: Retail Package
Type: Sound Level Meter
Includes: Adapter, Memory Card
For Measuring: Sound
Part Status: Active
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+30259.23 грн
R8071AJROCKWELLPLCC68
на замовлення 111 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R8071AJEBTPLCC68
на замовлення 138 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R8071APMEXICODIP64
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R8071J
на замовлення 3900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R8075S
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R8080REED InstrumentsDescription: DATA LOGGING SOUND LEVEL METER
Packaging: Retail Package
Type: Sound/Decibel Level Meter
Includes: Batteries (4), Case, Software, USB Cable, Windshield Ball
For Measuring: Sound
Part Status: Active
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+23759.64 грн
R8080-KITREED InstrumentsDescription: DATA LOGGING SOUND LEVEL METER K
Packaging: Retail Package
Part Status: Active
Equipment Type: Calibrator, Sound/Decibel Level Meter
Equipment Part Numbers: R8080, R8090
Set Type: Sound Measurement
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+41091.9 грн
R8080-KIT-NISTREED InstrumentsDescription: DATA LOGGING SOUND LEVEL METER K
Packaging: Retail Package
Part Status: Active
Equipment Type: Calibrator, Sound/Decibel Level Meter
Equipment Part Numbers: R8080, R8090
Set Type: Sound Measurement
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+71640 грн
R8080-KIT2REED InstrumentsDescription: DATALOGGING SOUND METER W/TRIPOD
Packaging: Retail Package
Type: Sound Level Meter
Includes: Tripod
For Measuring: Sound
Part Status: Active
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+27803.83 грн
R8080-NISTREED InstrumentsDescription: SOUND LEVEL METER/DATA LOGGER
Packaging: Retail Package
Type: Sound/Decibel Level Meter
Includes: Batteries (4), Calibration Certificate, Case, Software, USB Cable, Windshield Ball
For Measuring: Sound
Part Status: Active
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+43619.52 грн
R8082RSMO9
на замовлення 410 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R8085REED InstrumentsDescription: PERSONAL NOISE DOSIMETER
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R8085-KITREED InstrumentsDescription: NOISE DOSIMETERS KIT
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R8085-NISTREED InstrumentsDescription: NOISE DOSIMETER W/NIST CERT
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R8085-PCREED InstrumentsDescription: PC SOFTWARE FOR R8085
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R8085-USBREED InstrumentsDescription: USB CABLE FOR R8085
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R80C186INTELLCC
на замовлення 96 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R80C186--12
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R80C186-12INTELLCC
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R80C186-16
на замовлення 504 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R80C186XLINTEL9549 LCC
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R80C186XL-12
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R80C186XL10INTELLCC
на замовлення 61 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R80C186XL10INTEL92
на замовлення 283 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R80C186XL12INTELCBGA?
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R80C186XL12INTEL02+ PLCC
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R80C186XL20IntelMPU 80186 Processor CISC 16bit 20MHz 68-Pin PLCC
товар відсутній
R80C186XL20INTEL02+
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R80C186XL20IntelDescription: IC MPU I186 20MHZ 68PLCC
товар відсутній
R80C186XL20INTEL02+
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R80C186XL25IntelDescription: IC MPU I186 25MHZ 68PLCC
товар відсутній
R80C186XL25IntelMPU 80186 Processor CISC 16bit 25MHz 68-Pin PLCC
товар відсутній
R80C188INTELLCC
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R80C188-12INTELCBGA?
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R80C188-16INTELCPLCC
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R80C188XL-10INTEL
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R80C188XL-12
на замовлення 33 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R80C188XL-20
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R80C188XL12
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R80C188XL20
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R80C188XL20IntelMPU 188 Processor CISC 16bit 20MHz 68-Pin PLCC
товар відсутній
R80C188XL20IntelDescription: IC MPU I186 20MHZ 68PLCC
Packaging: Tube
Package / Case: 68-LCC (J-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 20MHz
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Core Processor: 80C186
Voltage - I/O: 5.0V
Supplier Device Package: 68-PLCC
Number of Cores/Bus Width: 1 Core, 16-Bit
RAM Controllers: DRAM
Graphics Acceleration: No
на замовлення 397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+3264.04 грн
Мінімальне замовлення: 7
R80C188XL25IntelDescription: IC MPU I186 25MHZ 68PLCC
товар відсутній
R80C188XL25INTEL
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R80C286-8
на замовлення 47 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R80MOmron Automation and SafetyDescription: R80M, ROPE ONLY 80M
товар відсутній
R80POrion FansFan Accessories Retainer, 80mm, for GRM80 Series
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+85.68 грн
10+ 80.61 грн
25+ 67.43 грн
50+ 64.16 грн
100+ 58.88 грн
250+ 58.08 грн
500+ 55.61 грн
Мінімальне замовлення: 4
R80W-100RSR PASSIVESCategory: Power resistors
Description: Resistor: wire-wound; 100Ω; 80W; ±5%; Ø28x121mm; 200ppm/°C
Temperature coefficient: 200ppm/°C
Number of mounting holes: 2
Mounting holes pitch: 145mm
Leads: solder lugs
Type of resistor: wire-wound
Power: 80W
Resistance: 100Ω
Tolerance: ±5%
Body dimensions: Ø28x121mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+574.28 грн
4+ 293.78 грн
10+ 267.05 грн
R80W-100RSR PASSIVESCategory: Power resistors
Description: Resistor: wire-wound; 100Ω; 80W; ±5%; Ø28x121mm; 200ppm/°C
Temperature coefficient: 200ppm/°C
Number of mounting holes: 2
Mounting holes pitch: 145mm
Leads: solder lugs
Type of resistor: wire-wound
Power: 80W
Resistance: 100Ω
Tolerance: ±5%
Body dimensions: Ø28x121mm
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+478.56 грн
4+ 235.75 грн
10+ 222.54 грн
R80W-10KSR PASSIVESCategory: Power resistors
Description: Resistor: wire-wound; 10kΩ; 80W; ±5%; Ø28x121mm; 200ppm/°C
Type of resistor: wire-wound
Resistance: 10kΩ
Power: 80W
Tolerance: ±5%
Body dimensions: Ø28x121mm
Temperature coefficient: 200ppm/°C
Leads: solder lugs
Mounting holes pitch: 145mm
Number of mounting holes: 2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 34 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+605.73 грн
5+ 412.51 грн
25+ 309.61 грн
R80W-10KSR PASSIVESCategory: Power resistors
Description: Resistor: wire-wound; 10kΩ; 80W; ±5%; Ø28x121mm; 200ppm/°C
Type of resistor: wire-wound
Resistance: 10kΩ
Power: 80W
Tolerance: ±5%
Body dimensions: Ø28x121mm
Temperature coefficient: 200ppm/°C
Leads: solder lugs
Mounting holes pitch: 145mm
Number of mounting holes: 2
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+504.78 грн
5+ 331.02 грн
25+ 258 грн
R80W-10RSR PASSIVESCategory: Power resistors
Description: Resistor: wire-wound; 10Ω; 80W; ±5%; Ø28x121mm; 200ppm/°C
Type of resistor: wire-wound
Resistance: 10Ω
Power: 80W
Tolerance: ±5%
Body dimensions: Ø28x121mm
Temperature coefficient: 200ppm/°C
Leads: solder lugs
Mounting holes pitch: 145mm
Number of mounting holes: 2
товар відсутній
R80W-10RSR PASSIVESCategory: Power resistors
Description: Resistor: wire-wound; 10Ω; 80W; ±5%; Ø28x121mm; 200ppm/°C
Type of resistor: wire-wound
Resistance: 10Ω
Power: 80W
Tolerance: ±5%
Body dimensions: Ø28x121mm
Temperature coefficient: 200ppm/°C
Leads: solder lugs
Mounting holes pitch: 145mm
Number of mounting holes: 2
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
R80W-1KSR PASSIVESR80W-1K Power resistors
на замовлення 41 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+591.35 грн
25+ 313.71 грн
R80W-1RSR PASSIVESR80W-1R Power resistors
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+591.35 грн
25+ 313.71 грн
R80W-220RSR PASSIVESR80W-220R Power resistors
на замовлення 56 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+591.35 грн
25+ 313.71 грн
R80W-22RSR PASSIVESCategory: Power resistors
Description: Resistor: wire-wound; 22Ω; 80W; ±5%; Ø28x121mm; 200ppm/°C
Type of resistor: wire-wound
Resistance: 22Ω
Tolerance: ±5%
Power: 80W
Body dimensions: Ø28x121mm
Temperature coefficient: 200ppm/°C
Mounting holes pitch: 145mm
Number of mounting holes: 2
Leads: solder lugs
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+606.63 грн
5+ 413.37 грн
25+ 309.61 грн
R80W-22RSR PASSIVESCategory: Power resistors
Description: Resistor: wire-wound; 22Ω; 80W; ±5%; Ø28x121mm; 200ppm/°C
Type of resistor: wire-wound
Resistance: 22Ω
Tolerance: ±5%
Power: 80W
Body dimensions: Ø28x121mm
Temperature coefficient: 200ppm/°C
Mounting holes pitch: 145mm
Number of mounting holes: 2
Leads: solder lugs
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+505.52 грн
R80W-2K2SR PASSIVESCategory: Power resistors
Description: Resistor: wire-wound; 2.2kΩ; 80W; ±5%; Ø28x121mm; 200ppm/°C
Type of resistor: wire-wound
Resistance: 2.2kΩ
Power: 80W
Tolerance: ±5%
Body dimensions: Ø28x121mm
Temperature coefficient: 200ppm/°C
Leads: solder lugs
Mounting holes pitch: 145mm
Number of mounting holes: 2
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+471.82 грн
4+ 237.14 грн
10+ 224.62 грн
R80W-2K2SR PASSIVESCategory: Power resistors
Description: Resistor: wire-wound; 2.2kΩ; 80W; ±5%; Ø28x121mm; 200ppm/°C
Type of resistor: wire-wound
Resistance: 2.2kΩ
Power: 80W
Tolerance: ±5%
Body dimensions: Ø28x121mm
Temperature coefficient: 200ppm/°C
Leads: solder lugs
Mounting holes pitch: 145mm
Number of mounting holes: 2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+566.19 грн
4+ 295.52 грн
10+ 269.55 грн
R80W-2R2SR PASSIVESCategory: Power resistors
Description: Resistor: wire-wound; 2.2Ω; 80W; ±5%; Ø28x121mm; 200ppm/°C
Type of resistor: wire-wound
Resistance: 2.2Ω
Power: 80W
Tolerance: ±5%
Body dimensions: Ø28x121mm
Temperature coefficient: 200ppm/°C
Leads: solder lugs
Mounting holes pitch: 145mm
Number of mounting holes: 2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+571.58 грн
4+ 293.78 грн
10+ 267.05 грн
R80W-2R2SR PASSIVESCategory: Power resistors
Description: Resistor: wire-wound; 2.2Ω; 80W; ±5%; Ø28x121mm; 200ppm/°C
Type of resistor: wire-wound
Resistance: 2.2Ω
Power: 80W
Tolerance: ±5%
Body dimensions: Ø28x121mm
Temperature coefficient: 200ppm/°C
Leads: solder lugs
Mounting holes pitch: 145mm
Number of mounting holes: 2
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+476.32 грн
4+ 235.75 грн
10+ 222.54 грн
R80W-470RSR PASSIVESCategory: Power resistors
Description: Resistor: wire-wound; 470Ω; 80W; ±5%; Ø28x121mm; 200ppm/°C
Type of resistor: wire-wound
Resistance: 470Ω
Power: 80W
Tolerance: ±5%
Body dimensions: Ø28x121mm
Temperature coefficient: 200ppm/°C
Leads: solder lugs
Mounting holes pitch: 145mm
Number of mounting holes: 2
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
R80W-470RSR PASSIVESCategory: Power resistors
Description: Resistor: wire-wound; 470Ω; 80W; ±5%; Ø28x121mm; 200ppm/°C
Type of resistor: wire-wound
Resistance: 470Ω
Power: 80W
Tolerance: ±5%
Body dimensions: Ø28x121mm
Temperature coefficient: 200ppm/°C
Leads: solder lugs
Mounting holes pitch: 145mm
Number of mounting holes: 2
товар відсутній
R80W-470R
Код товару: 188515		Вивідні резистори > Резистори в алюмінієвому корпусі 10-600W
товар відсутній
R80W-47RSR PASSIVESCategory: Power resistors
Description: Resistor: wire-wound; 47Ω; 80W; ±5%; Ø28x121mm; 200ppm/°C
Type of resistor: wire-wound
Resistance: 47Ω
Power: 80W
Tolerance: ±5%
Body dimensions: Ø28x121mm
Temperature coefficient: 200ppm/°C
Leads: solder lugs
Mounting holes pitch: 145mm
Number of mounting holes: 2
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+508.52 грн
R80W-47RSR PASSIVESCategory: Power resistors
Description: Resistor: wire-wound; 47Ω; 80W; ±5%; Ø28x121mm; 200ppm/°C
Type of resistor: wire-wound
Resistance: 47Ω
Power: 80W
Tolerance: ±5%
Body dimensions: Ø28x121mm
Temperature coefficient: 200ppm/°C
Leads: solder lugs
Mounting holes pitch: 145mm
Number of mounting holes: 2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+610.22 грн
5+ 415.97 грн
25+ 311.27 грн
R80W-4K7SR PASSIVESCategory: Power resistors
Description: Resistor: wire-wound; 4.7kΩ; 80W; ±5%; Ø28x121mm; 200ppm/°C
Type of resistor: wire-wound
Resistance: 4.7kΩ
Power: 80W
Tolerance: ±5%
Body dimensions: Ø28x121mm
Temperature coefficient: 200ppm/°C
Leads: solder lugs
Mounting holes pitch: 145mm
Number of mounting holes: 2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+566.19 грн
4+ 305.91 грн
10+ 278.73 грн
R80W-4K7SR PASSIVESCategory: Power resistors
Description: Resistor: wire-wound; 4.7kΩ; 80W; ±5%; Ø28x121mm; 200ppm/°C
Type of resistor: wire-wound
Resistance: 4.7kΩ
Power: 80W
Tolerance: ±5%
Body dimensions: Ø28x121mm
Temperature coefficient: 200ppm/°C
Leads: solder lugs
Mounting holes pitch: 145mm
Number of mounting holes: 2
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+471.82 грн
4+ 245.49 грн
R80W-4R7SR PASSIVESCategory: Power resistors
Description: Resistor: wire-wound; 4.7Ω; 80W; ±5%; Ø28x121mm; 200ppm/°C
Type of resistor: wire-wound
Resistance: 4.7Ω
Power: 80W
Tolerance: ±5%
Body dimensions: Ø28x121mm
Temperature coefficient: 200ppm/°C
Leads: solder lugs
Mounting holes pitch: 145mm
Number of mounting holes: 2
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+495.79 грн
5+ 325.46 грн
R80W-4R7SR PASSIVESCategory: Power resistors
Description: Resistor: wire-wound; 4.7Ω; 80W; ±5%; Ø28x121mm; 200ppm/°C
Type of resistor: wire-wound
Resistance: 4.7Ω
Power: 80W
Tolerance: ±5%
Body dimensions: Ø28x121mm
Temperature coefficient: 200ppm/°C
Leads: solder lugs
Mounting holes pitch: 145mm
Number of mounting holes: 2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+594.95 грн
5+ 405.57 грн
25+ 303.76 грн