Продукція > RD3
Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
RD3 | PULSE | Description: PULSE - RD3 - Schublade für 19"-Racks, mit Schloss, 3HE Außentiefe - imperial: 14.65 Außenbreite - Zoll: 18.98 Außentiefe: 372 Außenhöhe: 130 Zur Verwendung mit: 19"-Rackschränke Außenbreite: 482 Produktpalette: PULSE 19" Rack Drawers SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | на замовлення 141 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3-2650 | Kinetic Technologies | Video IC Development Tools DP1.2 to HDMI1.4 Converter for STDP2650 | товар відсутній | |||||||||||||||
RD3-2650 | Kinetic Technologies | Description: EVB DISPLAYPORT 1.2 TO HDMI 1.4 Packaging: Box Function: Video Processing Type: Video Utilized IC / Part: STDP2650 Supplied Contents: Board(s) Primary Attributes: DisplayPort to HDMI Part Status: Active | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3-2850 | Kinetic Technologies | Description: EVB DISPLAYPORT 1.2 TO HDMI 2.0 Packaging: Box Function: Video Processing Type: Video Utilized IC / Part: MCDP2850 Supplied Contents: Board(s) Primary Attributes: DisplayPort to HDMI | товар відсутній | |||||||||||||||
RD3-30436-NTSC | STMicroelectronics | RD3-30436-NTSC | товар відсутній | |||||||||||||||
RD3.0 | NEC | на замовлення 2300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
RD3.0B-T1B/JM | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD3.0E--T4 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD3.0E-T1-AZ | Renesas Electronics Corporation | Description: DIODE ZENER Packaging: Bulk | на замовлення 103990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3.0E-T1B1 | на замовлення 22000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD3.0E-T1B2 | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD3.0E-T1L1 | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD3.0E-T4B1 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD3.0E-T4B2 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD3.0EB | EIC Semiconductor | Zener Diode Single 3V 6% 80Ohm 500mW 2-Pin DO-35 | товар відсутній | |||||||||||||||
RD3.0EB1 | EIC Semiconductor | Zener Diode Single 3V 4% 80Ohm 500mW 2-Pin DO-35 | товар відсутній | |||||||||||||||
RD3.0EB2 | EIC Semiconductor | Zener Diode Single 3.1V 3% 80Ohm 500mW 2-Pin DO-35 | товар відсутній | |||||||||||||||
RD3.0ES | NEC Corporation | Description: DIODE ZENER 3V | на замовлення 3600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3.0ES-T1-AZ | Renesas Electronics America Inc | Description: DIODE ZENER | на замовлення 378000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3.0ES-T1AB1 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD3.0ES-T1AB2 | на замовлення 24000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD3.0ESAB | EIC Semiconductor | Zener Diode Single 3.22V 6% 120Ohm 400mW 2-Pin DO-34 | товар відсутній | |||||||||||||||
RD3.0ESAB1 | EIC Semiconductor | Zener Diode Single 3.07V 4% 120Ohm 400mW 2-Pin DO-34 | товар відсутній | |||||||||||||||
RD3.0ESAB2 | EIC Semiconductor | Zener Diode Single 3.22V 3% 120Ohm 400mW 2-Pin DO-34 | товар відсутній | |||||||||||||||
RD3.0F-AZ | NEC Corporation | Description: DIODE ZENER | товар відсутній | |||||||||||||||
RD3.0F/JM(B1) | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD3.0FB | EIC Semiconductor | Diode Zener Single 3.03V 4% 1000mW 2-Pin DO-41 | товар відсутній | |||||||||||||||
RD3.0FB1 | EIC Semiconductor | Zener Diode Single 2.95V 4% 15Ohm 1000mW 2-Pin DO-41 | товар відсутній | |||||||||||||||
RD3.0FB2 | EIC Semiconductor | Zener Diode Single 3.1V 4% 15Ohm 1000mW 2-Pin DO-41 | товар відсутній | |||||||||||||||
RD3.0FM | на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD3.0FM(D)-T1 | NEC | DO214 | на замовлення 2870 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
RD3.0FM-T | NEC | SOT- | на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
RD3.0FM-T1 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD3.0FM-T1B | на замовлення 4500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD3.0L | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD3.0L-T1 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD3.0L-T2 | NEC | LL34 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
RD3.0M | NEC | SOT-23 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
RD3.0M-T1 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD3.0M-T1-A | на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD3.0M-T1B(3V | на замовлення 16430 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD3.0M-T1B(3V) | на замовлення 16430 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD3.0M-T1B-A/JM | NEC | SOT23/SOT323 | на замовлення 1958 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
RD3.0M-T1B0 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD3.0M-T2B | NEC | SOT23/SOT323 | на замовлення 2040 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
RD3.0M-T2B-A/JM | RENESAS | SOT23/SOT323 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
RD3.0M-T2B/B1 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD3.0M<1>-T1B | NEC | SOT23 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
RD3.0MW | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD3.0MW-T1B | на замовлення 54000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD3.0P | NEC | SOT-89 | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
RD3.0P-T1 | NEC | SOT89 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
RD3.0P-T1SOT89-3V-30 | NEC | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
RD3.0P-T2 | NEC | SOT89 | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
RD3.0P-T2-AZ | Renesas | Description: RD3.0P - 1W ZENER DIODE | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3.0P3V | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD3.0S | NEC | на замовлення 943 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
RD3.0S-T1 | Rochester Electronics, LLC | Description: ZENER DIODE | на замовлення 105000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
RD3.0S-T1 | NEC | SOD123 | на замовлення 2702 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
RD3.0S-T1-A | Renesas | Description: RD3.0S-T1-A - ZENER DIODES200 MW Packaging: Bulk Package / Case: SC-76, SOD-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Supplier Device Package: 2-Super Mini Mold | на замовлення 147000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3.0S-T1-A/JM | NEC | SOD123 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
RD3.0S-T1-AT | Renesas | Description: RD3.0S-T1-AT - ZENER DIODES200 M Packaging: Bulk Package / Case: SC-76, SOD-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Supplier Device Package: 2-Super Mini Mold | на замовлення 122583 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3.0S-T1/JM | NEC | SOD123 | на замовлення 2954 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
RD3.0UH | NEC | на замовлення 820 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
RD3.0UH-T1 | на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD3.0UM | NEC | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
RD3.0UM-T1 | NEC | SOD-523 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
RD3.0UM-T1-A | Renesas | Description: RD3.0UM-T1-A - ZENER DIODES 2PIN Packaging: Bulk Package / Case: 2-SMD, Gull Wing Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Supplier Device Package: 2-Ultra Super Mini Mold | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3.0UM-T2-A | NEC | SOD123 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
RD3.3F-AZ | Renesas Electronics America Inc | Description: DIODE ZENER Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 6400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3.3FB | EIC | 1 Watt, Zener Diodes | товар відсутній | |||||||||||||||
RD3.3FB1 | EIC | Zener Diode Single 3.25V 4% 15Ohm 1000mW 2-Pin DO-41 | товар відсутній | |||||||||||||||
RD3.3FB2 | EIC | Zener Diode Single 3.39V 4% 15Ohm 1000mW 2-Pin DO-41 | товар відсутній | |||||||||||||||
RD3.3FM-T1 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD3.3L | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD3.3M | NEC | на замовлення 2200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
RD3.3M-(T1B) | NEC | 04+ SOT23 | на замовлення 3100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
RD3.3M-T1 | на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD3.3M-T1B | NEC | SOT23/SOT323 | на замовлення 6788 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
RD3.3M-T1B | NEC | SOT23 | на замовлення 10444 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
RD3.3M-T1B | NEC | SOT-23 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
RD3.3M-T1B-A | на замовлення 470 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD3.3M-T1B3.3V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD3.3M-T2B-A/JM | RENESAS | SOT23/SOT323 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
RD3.3M/B1/3.3V | NEC | 07+ SOT-23 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
RD3.3MW-T1B/B | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD3.3P | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD3.3P-T1 | NEC | 05+ SOT-89 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
RD3.3P-T1 | NEC | SOT-89 | на замовлення 1824 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
RD3.3P-T1(3.3) | на замовлення 535 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD3.3P-T2 | NEC | SOT89 | на замовлення 11442 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
RD3.3P-T2/3.3V | NEC | на замовлення 873 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
RD3.3S | NEC | 00+ SOD-323 | на замовлення 3999 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
RD3.3S-T1 | NEC | 04+ SOD323 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
RD3.3S-T1 | NEC | 03+ | на замовлення 2418 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
RD3.3S-T1(3.3V) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD3.3S-T1(B) | на замовлення 6130 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD3.3S-T1(B1) | на замовлення 187826 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD3.3S-T1(B2) | на замовлення 125891 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD3.3S-T1-A/JM | NEC | 07+PB | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
RD3.3S-T1-AT/JM | RENESAS | SOD123 | на замовлення 1300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
RD3.3S-T1B | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD3.3UH | NEC | на замовлення 2720 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
RD3.3UH-T1 | NEC | 603 | на замовлення 3500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
RD3.3UJ(3.3V) | на замовлення 2800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD3.3UM | NEC | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
RD3.3UM-T1 | NEC | SOT23 | на замовлення 197 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
RD3.3UM-T1 | RENESAS | SOD-323 | на замовлення 2800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
RD3.3UM-T1 | NEC | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
RD3.3UM-T1 | NEC# | 05+ SOD-523 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
RD3.6 | на замовлення 27000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD3.6E | на замовлення 400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD3.6E-T1-AZ | Renesas Electronics Corporation | Description: DIODE ZENER Packaging: Bulk | на замовлення 297000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3.6EB | EIC Semiconductor | Zener Diode Single 3.7V 5% 60Ohm 500mW 2-Pin DO-35 | товар відсутній | |||||||||||||||
RD3.6EB1 | EIC Semiconductor | Zener Diode Single 3.6V 3% 60Ohm 500mW 2-Pin DO-35 | товар відсутній | |||||||||||||||
RD3.6EB2 | EIC Semiconductor | Zener Diode Single 3.7V 3% 60Ohm 500mW 2-Pin DO-35 | товар відсутній | |||||||||||||||
RD3.6EL | NEC | SOT-23 07+ | на замовлення 44000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
RD3.6ESAB | EIC Semiconductor | Zener Diode Single 3.83V 5% 100Ohm 400mW 2-Pin DO-34 | товар відсутній | |||||||||||||||
RD3.6ESAB1 | EIC Semiconductor | Zener Diode Single 3.68V 3% 100Ohm 400mW 2-Pin DO-34 | товар відсутній | |||||||||||||||
RD3.6ESAB2 | EIC Semiconductor | Zener Diode Single 3.83V 3% 100Ohm 400mW 2-Pin DO-34 | товар відсутній | |||||||||||||||
RD3.6FB | EIC Semiconductor | Diode Zener Single 3.63V 4% 1000mW 2-Pin DO-41 | товар відсутній | |||||||||||||||
RD3.6FB1 | EIC Semiconductor | Zener Diode Single 3.56V 4% 15Ohm 1000mW 2-Pin DO-41 | товар відсутній | |||||||||||||||
RD3.6FB2 | EIC Semiconductor | Zener Diode Single 3.71V 3% 15Ohm 1000mW 2-Pin DO-41 | товар відсутній | |||||||||||||||
RD3.6FM | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD3.6FM-T1 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD3.6FM-T1-A | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD3.6FS | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD3.6M | NEC | SOT-23 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
RD3.6M-T1-A | на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD3.6M-T1B | NEC | SOT23 | на замовлення 20600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
RD3.6M-T1B | NEC | SOT23/SOT323 | на замовлення 14641 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
RD3.6M-T1B-A | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD3.6M-T1B-A&JM | NEC | SOT23 | на замовлення 2822 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
RD3.6M-T1B-A/JM | NEC | SOT23/SOT323 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
RD3.6M-T1B/B1 | на замовлення 2660 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD3.6M-T1B/B2 | на замовлення 2890 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD3.6M-T1B3.6V | NEC | на замовлення 575 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
RD3.6M-TIB | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD3.6M/23-3.6V | NEC | на замовлення 7400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
RD3.6P-T1 | на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD3.6P-T2 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD3.6P-T2/3.6V | на замовлення 14000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD3.6P-TT2/3.6V | NEC | на замовлення 14000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
RD3.6S | NEC | SOD323 | на замовлення 2900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
RD3.6S(0)-T1-AT | Renesas | Description: RD3.6S(0)-T1-AT - ZENER DIODES20 Packaging: Bulk Package / Case: SC-76, SOD-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Supplier Device Package: 2-Super Mini Mold | на замовлення 114000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3.6S- T1 | на замовлення 5990 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD3.6S-T1(B1) | на замовлення 6021 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD3.6S-T1(B2) | на замовлення 38108 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD3.6S-T1-A | Renesas | Description: RD3.6S-T1-A - ZENER DIODES200 MW Packaging: Bulk Package / Case: SC-76, SOD-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Supplier Device Package: 2-Super Mini Mold | на замовлення 159000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3.6S-T1-A | на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD3.6S-T1-A/JM | NEC | 05+PB | на замовлення 2873 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
RD3.6S-T1-AT | Renesas | Description: RD3.6S-T1-AT - ZENER DIODES200 M Packaging: Bulk Package / Case: SC-76, SOD-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Supplier Device Package: 2-Super Mini Mold | на замовлення 141000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3.6S-T1-B1 | NEC | 03+ | на замовлення 1352 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
RD3.6S-T1B | на замовлення 39000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD3.6S3.6V | на замовлення 2900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD3.6UH-T1 | Renesas | ZENER DIODES 2PIN ULTRA SUPER MINI MOLD | товар відсутній | |||||||||||||||
RD3.6UH-T1 | NEC | 603 | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
RD3.6UM | NEC | на замовлення 1600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
RD3.6UM-T1 | NEC | SOD-423 | на замовлення 6600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
RD3.6UM-T1-A | Renesas | Description: RD3.6UM-T1-A - ZENER DIODES 2PIN Packaging: Bulk Package / Case: 2-SMD, Gull Wing Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Supplier Device Package: 2-Ultra Super Mini Mold | на замовлення 117000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3.6UM-T13.6v | на замовлення 7634 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD3.95(0)-T1-A | NEC | SOD123 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
RD3.9E | на замовлення 1800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD3.9FM | на замовлення 4500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD3.9FM-T1 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD3.9FM-T1/1W 3.9V | NEC | DO-214A 05+ | на замовлення 820 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
RD3.9FM-T1/1W 3.9V | NEC | 05+ DO-214A | на замовлення 820 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
RD3.9FM-T1/1W3.9V | NEC | 06+ SOT1812 | на замовлення 970 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
RD3.9FS-T1 | NEC | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
RD3.9M | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD3.9M(3.9V) | на замовлення 800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD3.9M-T1B | NEC | SOT23 | на замовлення 7537 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
RD3.9M-T1B | NEC | SOT23/SOT323 | на замовлення 17999 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
RD3.9M-T1B | NEC | SOT23/ | на замовлення 2532 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
RD3.9M-T2B 3.9V | NEC | SOT23 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
RD3.9M-T2B(3V9) | на замовлення 7000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD3.9M-T2B3.9V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD3.9MB1-T1B | NEC | SOT23/SOT323 | на замовлення 814 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
RD3.9MB23.9V | на замовлення 1922 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD3.9MW | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD3.9MW-T1B | NEC | SOT23 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
RD3.9MW-T2B | NEC | SOT23 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
RD3.9P | NEC | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
RD3.9P-T1 | NEC | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
RD3.9P-T1-AZ | на замовлення 846 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD3.9P-T13.9v | на замовлення 1700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD3.9P-T1B | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD3.9P-T2/89-3.9V/3.9 | NEC | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
RD3.9P-TI | NEC | на замовлення 4197 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
RD3.9P/1W3.9V | NEC | 06+ SOT-89 | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
RD3.9S-T1 | на замовлення 1362 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD3.9S-T1-A/JM | NEC | 08+PB/09+PB | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
RD3.9S-T1B | на замовлення 88000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD3.9UH | на замовлення 27000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD3.9UH-T13.9v | на замовлення 2904 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD30-3 | Eaton Bussmann | Description: SWITCH 30A NON-F 3P UL98 | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
RD30-3 | Bussmann / Eaton | Control Switches 30A 3P 100kA NON-F UL98 | товар відсутній | |||||||||||||||
RD30-3 | Eaton | Electromechanical Switch Non-Fused Disconnect Switch 3P 30A | товар відсутній | |||||||||||||||
RD300 | Teledyne FLIR | Refrigerant Leakage Detector | товар відсутній | |||||||||||||||
RD300 | EXTECH | Category: Meters of Env. Conditions - Others Description: Meter: leak detectors; Equipment: soft case,leak test bottle Application: air conditioning; cooling systems Standard equipment: leak test bottle; soft case Power supply: battery 6LR61 9V x1 Body dimensions: 184x70x40mm Detected gas: freo (CFC); HCFC; heptafluoropropane (HFC-227ea); R-22; R-134a; R-404a; R-410a Battery/ rechargeable battery: battery 6LR61 9V x1 Measuring instrument features: acoustic and optical alarm; low battery indicator Probe length: 450mm Storage temperature: -10...60°C Operating temperature: 0...50°C Heating up time: 90s Type of meter: leak detectors кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
RD300 | EXTECH | Category: Meters of Env. Conditions - Others Description: Meter: leak detectors; Equipment: soft case,leak test bottle Application: air conditioning; cooling systems Standard equipment: leak test bottle; soft case Power supply: battery 6LR61 9V x1 Body dimensions: 184x70x40mm Detected gas: freo (CFC); HCFC; heptafluoropropane (HFC-227ea); R-22; R-134a; R-404a; R-410a Battery/ rechargeable battery: battery 6LR61 9V x1 Measuring instrument features: acoustic and optical alarm; low battery indicator Probe length: 450mm Storage temperature: -10...60°C Operating temperature: 0...50°C Heating up time: 90s Type of meter: leak detectors | товар відсутній | |||||||||||||||
RD300 | FLIR Extech | Description: REFRIGERANT LEAK DETECTOR | товар відсутній | |||||||||||||||
RD300 | Extech | Environmental Test Equipment Refrigerant Leak Detector | товар відсутній | |||||||||||||||
RD300-L | FLIR Extech | Description: REPLACEMENT LED TIP FOR RD300 | товар відсутній | |||||||||||||||
RD300-L | Extech | Environmental Test Equipment Replacement Led Tip For RD300 (Please Confirm Availability) | товар відсутній | |||||||||||||||
RD300-L | Teledyne FLIR | LED Light Tip for Refrigerant Leakage Detector | товар відсутній | |||||||||||||||
RD300-S | Teledyne FLIR | Heated Diode Sensor Tip for Refrigerant Leakage Detector | товар відсутній | |||||||||||||||
RD300-S | FLIR Extech | Description: HEATED DIODE REPLACEMENT TIP FOR | товар відсутній | |||||||||||||||
RD300-S | Extech | Environmental Test Equipment Heated Diode Replacement Tip For RD300 | товар відсутній | |||||||||||||||
RD303M, | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD303S-T1 | на замовлення 1190 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD3053PA | PANASONIC | 02+ | на замовлення 77 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
RD30B104M201B6H07B | Walsin | Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - Leaded CAP X7R .1 uF 20 % 200V 5LL 7.5LS BULK | товар відсутній | |||||||||||||||
RD30E | Renesas Electronics Corporation | Description: DIODE ZENER Packaging: Bulk | на замовлення 144896 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD30E | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD30E-T1-AZ | Renesas Electronics America Inc | Description: DIODE ZENER | на замовлення 13838000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
RD30E-T2-AZ | Renesas Electronics Corporation | Description: DIODE ZENER Packaging: Bulk | на замовлення 510000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD30E-T4 | Renesas Electronics Corporation | Description: DIODE ZENER Packaging: Bulk | на замовлення 150000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD30E-T4-AZ | Renesas Electronics Corporation | Description: DIODE ZENER Packaging: Bulk | на замовлення 1170000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD30E-T4B4 | на замовлення 4300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD30EB | EIC Semiconductor | Zener Diode Single 28.8V 6% 55Ohm 500mW 2-Pin DO-35 | товар відсутній | |||||||||||||||
RD30EB1 | EIC Semiconductor | Zener Diode Single 27.7V 3% 55Ohm 500mW 2-Pin DO-35 | товар відсутній | |||||||||||||||
RD30EB2 | EIC Semiconductor | Zener Diode Single 28.4V 3% 55Ohm 500mW 2-Pin DO-35 | товар відсутній | |||||||||||||||
RD30EB3 | EIC Semiconductor | Zener Diode Single 29.1V 3% 55Ohm 500mW 2-Pin DO-35 | товар відсутній | |||||||||||||||
RD30EB4 | EIC Semiconductor | Zener Diode Single 29.8V 3% 55Ohm 500mW 2-Pin DO-35 | товар відсутній | |||||||||||||||
RD30ES-AZ | Renesas Electronics America Inc | Description: DIODE ZENER | на замовлення 71340 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
RD30ES-T1 | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD30ES-T1-AZ | Renesas Electronics America Inc | Description: DIODE ZENER | на замовлення 342000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
RD30ESAB | EIC Semiconductor | Zener Diode Single 28.8V 6% 55Ohm 400mW 2-Pin DO-34 | товар відсутній | |||||||||||||||
RD30ESAB1 | EIC Semiconductor | Zener Diode Single 27.7V 3% 55Ohm 400mW 2-Pin DO-34 | товар відсутній | |||||||||||||||
RD30ESAB2 | EIC Semiconductor | Zener Diode Single 28.4V 3% 55Ohm 400mW 2-Pin DO-34 | товар відсутній | |||||||||||||||
RD30ESAB3 | EIC Semiconductor | Zener Diode Single 29.1V 3% 55Ohm 400mW 2-Pin DO-34 | товар відсутній | |||||||||||||||
RD30ESAB4 | EIC Semiconductor | Zener Diode Single 29.8V 3% 55Ohm 400mW 2-Pin DO-34 | товар відсутній | |||||||||||||||
RD30F | Renesas Electronics America Inc | Description: DIODE ZENER | на замовлення 23822 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
RD30F(10)-T6-AZ | Renesas Electronics America Inc | Description: DIODE ZENER | на замовлення 9990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
RD30F-T7 | Renesas Electronics America Inc | Description: DIODE ZENER | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
RD30F-T7-AZ | Renesas Electronics America Inc | Description: DIODE ZENER | на замовлення 803884 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
RD30F-T8-AZ | Renesas Electronics America Inc | Description: DIODE ZENER | на замовлення 9990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
RD30FB | EIC Semiconductor | Diode Zener Single 29.35V 3% 1000mW 2-Pin DO-41 | товар відсутній | |||||||||||||||
RD30FB1 | EIC Semiconductor | Zener Diode Single 28.26V 3% 18Ohm 1000mW 2-Pin DO-41 | товар відсутній | |||||||||||||||
RD30FB2 | EIC Semiconductor | Zener Diode Single 29.37V 3% 18Ohm 1000mW 2-Pin DO-41 | товар відсутній | |||||||||||||||
RD30FB3 | на замовлення 12500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD30FB3 | EIC Semiconductor | Zener Diode Single 30.42V 2% 18Ohm 1000mW 2-Pin DO-41 | товар відсутній | |||||||||||||||
RD30FM | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD30FM-T1 | NEC | DO214 | на замовлення 999 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
RD30FM-T1 | NEC | DO-214 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
RD30FM-T1/JM | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD30FM-T1B | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD30HUF1 | на замовлення 800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD30HVF1 Код товару: 40856 | Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 | товар відсутній | ||||||||||||||||
RD30HVF1-101 | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD30JS-T1-AZ | Renesas Electronics America Inc | Description: DIODE ZENER | на замовлення 628750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD30JSAB | EIC | Zener Diode Single 30V 6% 200Ohm 400mW 2-Pin DO-34 | товар відсутній | |||||||||||||||
RD30JSAB1 | EIC | Zener Diode Single 28.9V 2% 200Ohm 400mW 2-Pin DO-34 | товар відсутній | |||||||||||||||
RD30JSAB2 | EIC | Zener Diode Single 29.9V 3% 200Ohm 400mW 2-Pin DO-34 | товар відсутній | |||||||||||||||
RD30JSAB3 | EIC | Zener Diode Single 31V 2% 200Ohm 400mW 2-Pin DO-34 | товар відсутній | |||||||||||||||
RD30M-D | NEC | на замовлення 2950 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
RD30M-T1B 30V | NEC | SOT23 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
RD30M-T1B/JM | NEC | SOT23/SOT323 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
RD30M-T1B30V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD30M-T2B | NEC | SOT343 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
RD30M-T2B | NEC | SOT23/SOT323 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
RD30P | на замовлення 1658 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD30P(2)-T1 | NEC | SOT89 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
RD30P-T1 | NEC | 01+ SOT-89 | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
RD30P-T1/30 | на замовлення 800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD30P-T130V | на замовлення 2650 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD30P-T2 | NEC | SOT223 | на замовлення 900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
RD30PC27-T1 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD30S | NEC | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
RD30S | NEC | SOD323 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
RD30S 30V | NEC | SOD323 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
RD30S(0)-T1-AT | Renesas | Description: RD30S(0)-T1-AT - ZENER DIODES200 Packaging: Bulk Package / Case: SC-76, SOD-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Supplier Device Package: 2-Super Mini Mold | на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD30S-T1 0805-30V-301 | NEC | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
RD30S-T1-A | на замовлення 21886 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD30S-T1-A/JM | NEC | SOD123 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
RD30S-T10805-30 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD30S-T10805-30V-301 | NEC | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
RD30S-T130V | на замовлення 51650 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD30S-T1B | на замовлення 9600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD30S-T2-A | Renesas | Description: RD30S-T2-A - ZENER DIODES200 MW Packaging: Bulk Package / Case: SC-76, SOD-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Supplier Device Package: 2-Super Mini Mold | на замовлення 111000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD30S30V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD30UJ-T1 | на замовлення 57000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD30UJ-T1-A | Renesas | Description: RD30UJ-T1-A - LOW NOISE SHARP BR Packaging: Bulk Package / Case: 2-SMD, Gull Wing Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Supplier Device Package: 2-Ultra Super Mini Mold | на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD30UM | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD30UM-T1 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD30UM-T1-AT | Renesas | Description: RD30UM-T1-AT - ZENER DIODES 2PIN Packaging: Bulk Package / Case: 2-SMD, Gull Wing Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Supplier Device Package: 2-Ultra Super Mini Mold | на замовлення 114000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD30UM-T1-AT/JM | NEC | SOD123 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
RD30V | на замовлення 6900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD3112MMA7260Q | NXP USA Inc. | Description: BOARD DEMO STAR FOR MMA7260Q Packaging: Bulk Sensitivity: 800, 600, 300 or 200mV/g Interface: Analog Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V Sensor Type: Accelerometer, 3 Axis Utilized IC / Part: MMA7260, MC68HC908KX8 Supplied Contents: Board(s), Cable(s) Embedded: Yes, MCU, 8-Bit Sensing Range: ±1.5g, 2g, 4g, 6g Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||
RD3112MMA7260Q | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD3112MMA7260QE | NXP USA Inc. | Description: BOARD DEMO STAR FOR MMA7260QT Packaging: Bulk Sensitivity: 800, 600, 300 or 200mV/g Interface: Analog Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V Sensor Type: Accelerometer, 3 Axis Utilized IC / Part: MMA7260, MC68HC908KX8 Supplied Contents: Board(s), Cable(s) Embedded: Yes, MCU, 8-Bit Sensing Range: ±1.5g, 2g, 4g, 6g Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||
RD3112MMA7260QE | на замовлення 5 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD3123PA | на замовлення 18 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD3123RA | на замовлення 25 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD3123S | на замовлення 65 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD3123V | 04+ | на замовлення 81 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
RD3152MMA7260Q | NXP Semiconductors | MMA7260QT Accelerometer Sensor Development Tool | товар відсутній | |||||||||||||||
RD3152MMA7260Q | NXP USA Inc. | Description: BOARD REF 3-AXIS ACCELEROMETER Packaging: Box Sensitivity: 800, 600, 300 or 200mV/g Interface: Analog Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V Sensor Type: Accelerometer, 3 Axis Utilized IC / Part: MMA7260, MC68HC908JW32 Supplied Contents: Board(s) Embedded: Yes, MCU, 8-Bit Sensing Range: ±1.5g, 2g, 4g, 6g Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||
RD3153NA | на замовлення 86 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD3153RA | на замовлення 10 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD3172MMA7455L | NXP Semiconductors | Acceleration Sensor Development Tools EVAL BD FOR MMA7455L | товар відсутній | |||||||||||||||
RD3172MMA7455L | NXP USA Inc. | Description: EVAL BOARD FOR MMA7455L | товар відсутній | |||||||||||||||
RD3172MMA7455L | на замовлення 5 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD3172MMA7456L | Freescale Semiconductor - NXP | Description: KIT MMA7456 BOARD/MC13213 BOARD | товар відсутній | |||||||||||||||
RD3172MMA7456L | на замовлення 200000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD31P-4/111479 | ebm-papst Inc. | Description: FAN BLWR 516X405MM 277/440VAC | товар відсутній | |||||||||||||||
RD3243RA | на замовлення 87 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD3304 | на замовлення 20 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD3326 | на замовлення 20 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD332M50 | R. G. Allen Co. | Конденсатор електролітичний радіальний; С, мкФ = 3 300; Uном, В = 50; Габ. розм, мм = 18 x 36; Тексп, °С = -40...+85; 18x36mm | на замовлення 6 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD335M400HFCBA | Aillen | Description: CAP ALUM 3.3UF 20% 400V RAD TH Packaging: Bulk Tolerance: ±20% Package / Case: Radial, Can Size / Dimension: 0.315" Dia (8.00mm) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 105°C Applications: General Purpose Lead Spacing: 0.138" (3.50mm) Lifetime @ Temp.: 8000 Hrs @ 85°C Height - Seated (Max): 0.472" (12.00mm) Part Status: Active Capacitance: 3.3 µF Voltage - Rated: 400 V Ripple Current @ High Frequency: 110 mA @ 100 kHz | на замовлення 600000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD33771-48VEVM | NXP USA Inc. | Description: RD33771-48VEVM Packaging: Box Function: CANbus Type: Power Management Supplied Contents: Board(s) Embedded: Yes, MCU, 32-Bit Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||
RD33771-48VEVM | NXP Semiconductors | Power Management IC Development Tools RD33771-48VEVM | на замовлення 2 шт: термін постачання 182-191 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD33771-48VEVM | NXP Semiconductors | MC33771B Motion Motor Control Evaluation Board | товар відсутній | |||||||||||||||
RD33771CDSTEVB | NXP USA Inc. | Description: RDMC33771CEPEVB Packaging: Bulk Function: Battery Cell Controller Type: Power Management Utilized IC / Part: MC33771C Supplied Contents: Board(s) Embedded: Yes, MCU | товар відсутній | |||||||||||||||
RD33771CDSTEVB | NXP Semiconductors | Power Management IC Development Tools RDMC33771CEPEVB | на замовлення 32 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD33771CDSTEVB | NXP Semiconductors | MC33771C Battery Management Evaluation Board | товар відсутній | |||||||||||||||
RD33771CNTREVM | NXP Semiconductors | Power Management IC Development Tools RD33771CNTREVM | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD33771CNTREVM | NXP Semiconductors | MC33771C Battery Management Reference Design Board | товар відсутній | |||||||||||||||
RD33772BJBEVM | NXP Semiconductors | Power Management IC Development Tools RD33772BJBEVM | товар відсутній | |||||||||||||||
RD33772BJBEVM | NXP Semiconductors | MC33772 Battery Management Reference Design Board | товар відсутній | |||||||||||||||
RD33774CNC3EVB | NXP USA Inc. | Description: EVALUATION BOARD Packaging: Bulk | товар відсутній | |||||||||||||||
RD33774CNT2EVB | NXP USA Inc. | Description: RD33774CNT2EVB Packaging: Bulk | товар відсутній | |||||||||||||||
RD33774CNT3EVB | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors RD33774CNT3EVB | товар відсутній | |||||||||||||||
RD33774PC3EVB | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors RD33774PC3EVB | товар відсутній | |||||||||||||||
RD33775ACNCEVB | NXP USA Inc. | Description: CAN FD CENTRALIZED EVB Packaging: Box Function: CANbus Type: Interface Supplied Contents: Board(s) | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD33775ACNCEVB | NXP Semiconductors | MC33665A, MC33775A Reference Design Board | товар відсутній | |||||||||||||||
RD33775ACNCEVB | NXP Semiconductors | Power Management IC Development Tools RD33775ACNCEVB | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD33775ACNCEVB | NXP | Description: NXP - RD33775ACNCEVB - Evaluationsboard, MC33665A, MC33775A, Schnittstelle, CAN-FD-Transceiver tariffCode: 84733020 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD33775ACNTEVB | NXP USA Inc. | Description: RD33775ACNTEVB Packaging: Bulk Function: Battery Cell Controller Type: Power Management Utilized IC / Part: MC33775A Supplied Contents: Board(s), Cable(s) Embedded: No Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||
RD33775ACNTEVB | NXP Semiconductors | RD33775ACNTEVB | товар відсутній | |||||||||||||||
RD33775ACNTEVB | NXP Semiconductors | RD33775ACNTEVB | товар відсутній | |||||||||||||||
RD33775ACNTEVB | NXP Semiconductors | Power Management IC Development Tools RD33775ACNTEVB | товар відсутній | |||||||||||||||
RD33775ADSTEVB | NXP Semiconductors | Power Management IC Development Tools RD33775ADSTEVB | товар відсутній | |||||||||||||||
RD33ESAB2 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD33F-AZ | Renesas Electronics America Inc | Description: DIODE ZENER | на замовлення 7676 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD33F-B2 | на замовлення 350 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD33F-T6 | Renesas Electronics America Inc | Description: RD33F - ZENER DIODE | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD33F-T6-AZ | Renesas Electronics America Inc | Description: DIODE ZENER | на замовлення 4400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD33F-T7 | Renesas Electronics America Inc | Description: RD33F - ZENER DIODE | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD33F-T7-AZ | Renesas Electronics America Inc | Description: DIODE ZENER | на замовлення 709505 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD33F-T8-AZ | Renesas Electronics America Inc | Description: DIODE ZENER | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD33FB | EIC | 1 Watt, Zener Diodes | товар відсутній | |||||||||||||||
RD33FB1 | EIC | Zener Diode Single 31.16V 3% 18Ohm 1000mW 2-Pin DO-41 | товар відсутній | |||||||||||||||
RD33FB2 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD33FB2 | EIC | Zener Diode Single 32.28V 3% 18Ohm 1000mW 2-Pin DO-41 | товар відсутній | |||||||||||||||
RD33FB3 | EIC | Zener Diode Single 33.27V 2% 18Ohm 1000mW 2-Pin DO-41 | товар відсутній | |||||||||||||||
RD33FM | NEC | 09+ | на замовлення 36018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
RD33FM | NEC | DO-214 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
RD33FM(0)-T1-AY | Renesas | Description: RD33FM(0)-T1-AY - ZENER DIODES1 | товар відсутній | |||||||||||||||
RD33FM(D)-T1 | NEC | на замовлення 380 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
RD33FM(D)-T1(33V) | на замовлення 1113 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD33FM(D)-T1TE25-33V | NEC | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
RD33FM(D1)-T1 | NEC | 33V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
RD33FM(D1)-T1-AZ | Renesas | Description: RD33FM - 1W ZENER DIODE | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD33FM-T1 | на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD33FM-T1-AY | Renesas | Description: RD33FM-T1-AY - ZENER DIODES1 W P | товар відсутній | |||||||||||||||
RD33FM-T1-AZ | Renesas | Description: RD33FM-T1-AZ - ZENER DIODES1 W P | товар відсутній | |||||||||||||||
RD33FM-T1-AZ | nec | на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
RD33FS-T1-AY | Renesas | Description: RD33FS-T1-AY - ZENER DIODES1.0 W | на замовлення 38000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD33M | NEC | на замовлення 180000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
RD33M-T1B | NEC | SOT23 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
RD33M-T1B(33V) | на замовлення 8993 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD33M-T2B(33V) | на замовлення 7000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD33P | NEC | 00+ SOT-89 | на замовлення 2010 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
RD33P-T1 | NEC | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
RD33P-T1(33) | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD33P-T1(33V) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD33P-T2 | NEC | SOT89 | на замовлення 977 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
RD33S | NEC | на замовлення 800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
RD33S(0)-T1-A | Renesas | Description: RD33S(0)-T1-A - ZENER DIODES200 Packaging: Bulk Package / Case: SC-76, SOD-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Supplier Device Package: 2-Super Mini Mold | на замовлення 69000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD33S-T1 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD33S-T1(33V) | на замовлення 3445 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD33S-T1(B1) | на замовлення 153652 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD33S-T1-A/JM | NEC | SOD123 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
RD33S-T1-AT | Renesas | Description: RD33S-T1-AT - ZENER DIODES200 MW Packaging: Bulk Package / Case: SC-76, SOD-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Supplier Device Package: 2-Super Mini Mold | на замовлення 59255 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD33S-T133V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD33S-T1B | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD33UJ-T1 | на замовлення 48000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD33UJ-T1-AT | Renesas | Description: RD33UJ-T1-AT - LOW NOISE SHARP B Packaging: Bulk Package / Case: 2-SMD, Gull Wing Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Supplier Device Package: 2-Ultra Super Mini Mold | на замовлення 54000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD33UM\33V | NEC | на замовлення 51100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
RD33U\33V | NEC | на замовлення 42100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
RD3470 | на замовлення 9262 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD3472 | на замовлення 28 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD3473A | на замовлення 8 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD3473MMA7360L | на замовлення 5 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD3473MMA7360L | NXP USA Inc. | Description: BOARD ZSTAR2 XYZ-AXIS ACCEL | товар відсутній | |||||||||||||||
RD35 | Banner Engineering | Banner Engineering | товар відсутній | |||||||||||||||
RD35-B | Astrodyne | RD35-B | товар відсутній | |||||||||||||||
RD3501-D | Carlo Gavazzi Computing Solutions | RD3501-D | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3501-D | Carlo Gavazzi | Solid State Relays - Industrial Mount SSR DC SWITCHING 350V 1A | товар відсутній | |||||||||||||||
RD35AM(D) | на замовлення 300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD35HUF2 | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD367 | ABB - THOMAS & BETTS | Description: ABB - THOMAS & BETTS - RD367 - TERMINAL, RING TONGUE, #10, CRIMP, RED tariffCode: 85369010 productTraceability: No Leiterquerschnitt CSA: 0 rohsCompliant: YES Isoliermaterial: Nylon (Polyamide) Bolzengröße - metrisch: M5 euEccn: NLR Leiterstärke (AWG), max.: 0 Bolzengröße - imperial: #10 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES directShipCharge: 25 Isolatorfarbe: Red usEccn: EAR99 Produktpalette: Sta-Kon RD Series SVHC: No SVHC | на замовлення 1107 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD36EB | EIC Semiconductor | Zener Diode Single 34V 5% 75Ohm 500mW 2-Pin DO-35 | товар відсутній | |||||||||||||||
RD36EB1 | EIC Semiconductor | Zener Diode Single 33V 3% 75Ohm 500mW 2-Pin DO-35 | товар відсутній | |||||||||||||||
RD36EB2 | EIC Semiconductor | Zener Diode Single 33.6V 3% 75Ohm 500mW 2-Pin DO-35 | товар відсутній | |||||||||||||||
RD36EB3 | EIC Semiconductor | Zener Diode Single 34.3V 3% 75Ohm 500mW 2-Pin DO-35 | товар відсутній | |||||||||||||||
RD36EB4 | EIC Semiconductor | Zener Diode Single 34.9V 3% 75Ohm 500mW 2-Pin DO-35 | товар відсутній | |||||||||||||||
RD36ES-T1 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD36ESAB | EIC Semiconductor | Zener Diode Single 34V 5% 85Ohm 400mW 2-Pin DO-34 | товар відсутній | |||||||||||||||
RD36ESAB1 | EIC Semiconductor | Zener Diode Single 33V 3% 85Ohm 400mW 2-Pin DO-34 | товар відсутній | |||||||||||||||
RD36ESAB2 | EIC Semiconductor | Zener Diode Single 33.6V 3% 85Ohm 400mW 2-Pin DO-34 | товар відсутній | |||||||||||||||
RD36ESAB3 | EIC Semiconductor | Zener Diode Single 34.3V 3% 85Ohm 400mW 2-Pin DO-34 | товар відсутній | |||||||||||||||
RD36ESAB4 | EIC Semiconductor | Zener Diode Single 34.9V 3% 85Ohm 400mW 2-Pin DO-34 | товар відсутній | |||||||||||||||
RD36F-T7 | на замовлення 5458 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD36F-T7(B2) | на замовлення 5458 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD36FB | EIC Semiconductor | Diode Zener Single 35.13V 3% 1000mW 2-Pin DO-41 | товар відсутній | |||||||||||||||
RD36FB1 | EIC Semiconductor | Zener Diode Single 34.09V 3% 20Ohm 1000mW 2-Pin DO-41 | товар відсутній | |||||||||||||||
RD36FB2 | EIC Semiconductor | Zener Diode Single 35.14V 2% 20Ohm 1000mW 2-Pin DO-41 | товар відсутній | |||||||||||||||
RD36FB3 | EIC Semiconductor | Zener Diode Single 36.1V 2% 20Ohm 1000mW 2-Pin DO-41 | товар відсутній | |||||||||||||||
RD36FM | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD36FM(D)-T1 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD36FM-T1 | NEC | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
RD36FM-T1 | NEC | 09+ | на замовлення 9018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
RD36JSAB3 | EIC Semiconductor | Zener Diode Single 37V 2% 300Ohm 400mW 2-Pin DO-34 | товар відсутній | |||||||||||||||
RD36M | NEC | SOT23 | на замовлення 36000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
RD36M | NEC | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
RD36M-T1B/JM | NEC | SOT23/SOT323 | на замовлення 1810 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
RD36M-T2B | NEC | SOT23 | на замовлення 11898 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
RD36M-T2B-A | на замовлення 2960 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD36MW-T1B36V | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD36P-T1 | NEC | SOT89 | на замовлення 446 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
RD36P-T1 | NEC | SOT-89 | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
RD36P-T1 | NEC | на замовлення 250 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
RD36P-T136V | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD36P-T2 | NEC | на замовлення 910 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
RD36P-T2 | NEC | SOT89 | на замовлення 474 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
RD36S | на замовлення 36000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD36S(0)-T1-A | Renesas | Description: RD36S(0)-T1-A - ZENER DIODES200 Packaging: Bulk Package / Case: SC-76, SOD-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Supplier Device Package: 2-Super Mini Mold | на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD36S(0)-T1-AT | Renesas | Description: RD36S(0)-T1-AT - ZENER DIODES200 Packaging: Bulk Package / Case: SC-76, SOD-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Supplier Device Package: 2-Super Mini Mold | на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD36S-T1 | NEC | SMD0805 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
RD36S-T1 | NEC | SOD323 | на замовлення 24000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
RD36S-T1 | NEC | 09+ | на замовлення 3018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
RD36S-T1-AT | Renesas | Description: RD36S-T1-AT - ZENER DIODES200 MW Packaging: Bulk Package / Case: SC-76, SOD-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Supplier Device Package: 2-Super Mini Mold | на замовлення 84000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD36S-T136V | на замовлення 18000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD36S-T1B | на замовлення 68000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD36S-T2-A | Renesas | Description: RD36S-T2-A - ZENER DIODES200 MW Packaging: Bulk Package / Case: SC-76, SOD-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Supplier Device Package: 2-Super Mini Mold | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD36SL-T1 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD36U | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD36UJ-T1 | на замовлення 120000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD36UJ-T1-A | Renesas | Description: RD36UJ-T1-A - LOW NOISE SHARP BR Packaging: Bulk Package / Case: 2-SMD, Gull Wing Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Supplier Device Package: 2-Ultra Super Mini Mold | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD36UJ-T1/N3 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD36UM | NEC | SOD523 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
RD36UM-T1 | NEC | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
RD36UM-T1-A | Renesas | Description: RD36UM-T1-A - ZENER DIODES 2PIN Packaging: Bulk Package / Case: 2-SMD, Gull Wing Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Supplier Device Package: 2-Ultra Super Mini Mold | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD36UM-T1-AT | Renesas | Description: RD36UM-T1-AT - ZENER DIODES 2PIN Packaging: Bulk Package / Case: 2-SMD, Gull Wing Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Supplier Device Package: 2-Ultra Super Mini Mold | на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD36UM\36V | NEC | на замовлення 129100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
RD36U\36V | NEC | на замовлення 129100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
RD37M00000 | PEI-Genesis | Description: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS | на замовлення 109 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
RD37M00000/AA | PEI-Genesis | Description: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS | на замовлення 109 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
RD37M0000X | PEI-Genesis | Description: RD 37C 37#20 PIN PLUG | на замовлення 234 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
RD37M0000X/AA | PEI-Genesis | Description: RD 37C 37#20 PIN PLUG | на замовлення 234 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
RD37M0000Z | PEI-Genesis | Description: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS | на замовлення 106 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
RD37M0000Z/AA | PEI-Genesis | Description: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS | на замовлення 106 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
RD37M000E0 | PEI-Genesis | Description: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS | на замовлення 109 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
RD37M000E0/AA | PEI-Genesis | Description: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS | на замовлення 109 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
RD37M000E20 | PEI-Genesis | Description: RD 37C 37#20 PIN PLUG | на замовлення 140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
RD37M000E20/AA | PEI-Genesis | Description: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS | на замовлення 109 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
RD37M000E2X | PEI-Genesis | Description: RD 37C 37#20 PIN PLUG | на замовлення 234 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
RD37M000E2X/AA | PEI-Genesis | Description: RD 37C 37#20 PIN PLUG | на замовлення 172 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
RD37M000E2Z | PEI-Genesis | Description: RD 37C 37#20 PIN PLUG | на замовлення 234 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
RD37M000E2Z/AA | PEI-Genesis | Description: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS | на замовлення 106 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
RD37M000EX | PEI-Genesis | Description: RD 37C 37#20 PIN PLUG | на замовлення 234 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
RD37M000EZ | PEI-Genesis | Description: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS | на замовлення 106 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
RD37M000T0 | PEI-Genesis | Description: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS | на замовлення 109 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
RD37M000T20 | PEI-Genesis | Description: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS | на замовлення 109 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
RD37M000T20/AA | PEI-Genesis | Description: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS | на замовлення 109 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
RD37M000T2X | PEI-Genesis | Description: RD 37C 37#20 PIN PLUG | на замовлення 234 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
RD37M000T2Z | PEI-Genesis | Description: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS | на замовлення 106 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
RD37M000TX | PEI-Genesis | Description: RD 37C 37#20 PIN PLUG | на замовлення 234 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
RD37M000TZ | PEI-Genesis | Description: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS | на замовлення 106 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
RD37M000V30/AA | PEI-Genesis | Description: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS | на замовлення 109 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
RD37M000V50 | PEI-Genesis | Description: RD 37C 37#20 PIN PLUG | на замовлення 138 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
RD37M000V5X | PEI-Genesis | Description: RD 37C 37#20 PIN PLUG | на замовлення 138 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
RD37M00GVL0/AA | PEI-Genesis | Description: RD 37C 37#20 PIN PLUG | на замовлення 58 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
RD37M0F000 | PEI-Genesis | Description: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS | на замовлення 109 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
RD37M0F000/AA | PEI-Genesis | Description: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS | на замовлення 109 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
RD37M0F00X | PEI-Genesis | Description: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS | на замовлення 106 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
RD37M0F00X/AA | PEI-Genesis | Description: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS | на замовлення 106 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
RD37M0F00Z | PEI-Genesis | Description: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS | на замовлення 106 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
RD37M0S5000 | PEI-Genesis | Description: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS | на замовлення 109 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
RD37M0S5000/AA | PEI-Genesis | Description: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS | на замовлення 109 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
RD37M0S500X | PEI-Genesis | Description: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS | на замовлення 106 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
RD37M0S500X/AA | PEI-Genesis | Description: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS | на замовлення 106 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
RD37M0S500Z | PEI-Genesis | Description: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS | на замовлення 106 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
RD37M0S500Z/AA | PEI-Genesis | Description: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS | на замовлення 106 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
RD37M0S50T0 | PEI-Genesis | Description: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS | на замовлення 109 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
RD37M0S50T0/AA | PEI-Genesis | Description: RD 37C 37#20 PIN PLUG | на замовлення 51 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
RD37M0S50T20 | PEI-Genesis | Description: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS | на замовлення 109 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
RD37M0S50T20/AA | PEI-Genesis | Description: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS | на замовлення 109 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
RD37M0S50T2X | PEI-Genesis | Description: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS | на замовлення 106 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
RD37M0S50T2X/AA | PEI-Genesis | Description: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS | на замовлення 106 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
RD37M0S50T2Z | PEI-Genesis | Description: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS | на замовлення 106 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
RD37M0S50T2Z/AA | PEI-Genesis | Description: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS | на замовлення 106 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
RD37M0S50TX | PEI-Genesis | Description: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS | на замовлення 106 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
RD37M0S50TX/AA | PEI-Genesis | Description: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS | на замовлення 106 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
RD37M0S50TZ | PEI-Genesis | Description: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS | на замовлення 106 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
RD37M0S50TZ/AA | PEI-Genesis | Description: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS | на замовлення 106 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
RD37M0S50V30/AA | PEI-Genesis | Description: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS | на замовлення 109 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
RD37M0S50V3S | Positronic | Description: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS Packaging: Box Connector Type: Plug for Male Contacts Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Number of Positions: 37 Contact Type: Signal Flange Feature: Board Side (4-40) Ingress Protection: IP65/IP67 - Dust Tight, Water Resistant, Waterproof Connector Style: D-Sub Shell Material, Finish: Stainless Steel, Passivated Shell Size, Connector Layout: 4 (DC, C) Part Status: Active Number of Rows: 2 | товар відсутній | |||||||||||||||
RD37M0S50V3S/AA | Positronic | Description: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS Packaging: Box Connector Type: Plug for Male Contacts Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Number of Positions: 37 Contact Type: Signal Flange Feature: Board Side (4-40) Ingress Protection: IP65/IP67 - Dust Tight, Water Resistant, Waterproof Connector Style: D-Sub Shell Material, Finish: Stainless Steel, Passivated Shell Size, Connector Layout: 4 (DC, C) Part Status: Active Number of Rows: 2 | товар відсутній | |||||||||||||||
RD37M0S50V3X/AA | PEI-Genesis | Description: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS | на замовлення 106 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
RD37M0S50V3Z/AA | PEI-Genesis | Description: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS | на замовлення 106 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
RD37M0S50V5S | Positronic | Description: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS Packaging: Box Connector Type: Plug for Male Contacts Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Number of Positions: 37 Contact Type: Signal Flange Feature: Board Side (4-40) Ingress Protection: IP65/IP67 - Dust Tight, Water Resistant, Waterproof Connector Style: D-Sub Shell Material, Finish: Stainless Steel, Passivated Shell Size, Connector Layout: 4 (DC, C) Part Status: Active Number of Rows: 2 | товар відсутній | |||||||||||||||
RD37M0S50V5S/AA | Positronic | Description: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS Packaging: Box Connector Type: Plug for Male Contacts Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Number of Positions: 37 Contact Type: Signal Flange Feature: Board Side (4-40) Ingress Protection: IP65/IP67 - Dust Tight, Water Resistant, Waterproof Connector Style: D-Sub Shell Material, Finish: Stainless Steel, Passivated Shell Size, Connector Layout: 4 (DC, C) Part Status: Active Number of Rows: 2 | товар відсутній | |||||||||||||||
RD37M1000X/AA | PEI-Genesis | Description: RD 37C 37#20 PIN PLUG | на замовлення 235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
RD37M100E20 | PEI-Genesis | Description: RD 37C 37#20 PIN PLUG | на замовлення 194 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
RD37M100E2Z/AA | PEI-Genesis | Description: RD 37C 37#20 PIN PLUG | на замовлення 172 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
RD37M100TX | PEI-Genesis | Description: RD 37C 37#20 PIN PLUG | на замовлення 235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
RD37M100TZ | PEI-Genesis | Description: RD 37C 37#20 PIN PLUG | на замовлення 194 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
RD37M10ACES/AA | Amphenol Positronic | D-Sub Standard Connectors | товар відсутній | |||||||||||||||
RD37M10ANVL0/AA | PEI-Genesis | Description: RD 37C 37#20 PIN PLUG | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
RD37M10GE0 | PEI-Genesis | Description: RD 37C 37#20 PIN PLUG | на замовлення 53 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
RD37M10GE0/AA | PEI-Genesis | Description: RD 37C 37#20 PIN PLUG | на замовлення 56 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
RD37M10GEX | PEI-Genesis | Description: RD 37C 37#20 PIN PLUG | на замовлення 56 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
RD37M10GEX/AA | PEI-Genesis | Description: RD 37C 37#20 PIN PLUG | на замовлення 71 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
RD37M10GEZ | PEI-Genesis | Description: CONN D-SUB PLUG 37POS CRIMP | на замовлення 53 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
RD37M10GEZ-50-1023.5 | Amphenol Positronic | D-Sub Standard Connectors D-Sub Male Connector 37P Crimp Tin Shell Backshell Assembly Jackscrews | товар відсутній | |||||||||||||||
RD37M10GEZ/AA | PEI-Genesis | Description: RD 37C 37#20 PIN PLUG | на замовлення 53 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
RD37M10GVL0 | PEI-Genesis | Description: RD 37C 37#20 PIN PLUG | на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
RD37M10GVLX | PEI-Genesis | Description: CONN D-SUB PLUG 37POS CRIMP | на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
RD37M10GVLX/AA | PEI-Genesis | Description: RD 37C 37#20 PIN PLUG | на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
RD37M10GVLZ/AA | PEI-Genesis | Description: RD 37C 37#20 PIN PLUG | на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
RD37M10HV50/AA | Positronic | Description: CONN D-SUB PLUG 37POS CRIMP Packaging: Box Features: Backshell, Cable Clamp, Mounting Hardware Connector Type: Plug, Male Pins Contact Finish: Gold Current Rating (Amps): 7.5A Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Number of Positions: 37 Number of Rows: 2 Contact Type: Signal Flange Feature: Housing/Shell (Unthreaded) Termination: Crimp Ingress Protection: IP65/IP67 - Dust Tight, Water Resistant, Waterproof Connector Style: D-Sub Contact Finish Thickness: FLASH Material Flammability Rating: UL94 V-0 Shell Material, Finish: Steel, Clear Chromate Plated Zinc Shell Size, Connector Layout: 4 (DC, C) Part Status: Active | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD37M10JV30 | Amphenol Positronic | D-Sub MIL Spec Connectors D-Sub Male Connector 37P Crimp Zinc Shell Backshell Assembly Lock Lever | товар відсутній | |||||||||||||||
RD37M1F00Z/AA | PEI-Genesis | Description: RD 37C 37#20 PIN PLUG | на замовлення 116 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
RD37M1S500X | PEI-Genesis | Description: RD 37C 37#20 PIN PLUG | на замовлення 235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
RD37M1S500X/AA | PEI-Genesis | Description: RD 37C 37#20 PIN PLUG | на замовлення 235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
RD37M1S500Z | PEI-Genesis | Description: RD 37C 37#20 PIN PLUG | на замовлення 194 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
RD37M1S500Z/AA | PEI-Genesis | Description: RD 37C 37#20 PIN PLUG | на замовлення 234 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
RD37M1S50T2X | PEI-Genesis | Description: RD 37C 37#20 PIN PLUG | на замовлення 235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
RD37M1S50V5X | PEI-Genesis | Description: CONN D-SUB PLUG 37POS CRIMP | на замовлення 137 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
RD37M1S50V5Z | PEI-Genesis | Description: RD 37C 37#20 PIN PLUG | на замовлення 140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
RD37P/37.14/89-37V | NEC | на замовлення 1360 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
RD37P1000S | Amphenol Positronic | D-Sub Standard Connectors D-Sub Male Connector 37P Crimp Stainless Steel, Passivated Shell | товар відсутній | |||||||||||||||
RD37S00000 | PEI-Genesis | Description: RD 37C 37#20 SKT RECP | на замовлення 397 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
RD37S00000/AA | PEI-Genesis | Description: D-SUB 37 SKT | на замовлення 397 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
RD37S00000/AA | POSITRONIC | Description: POSITRONIC - RD37S00000/AA - D-Sub-Steckverbindergehäuse, 37 -polig, D-Sub, DC, Produktreihe RD, Buchse, Gehäuse aus Zink tariffCode: 85366990 Anzahl der Positionen: 37-polig productTraceability: No Steckverbindertyp: D-Sub rohsCompliant: YES Ausführung: Buchse Steckverbindergehäusegröße: DC euEccn: NLR Steckverbindermaterial: Gehäuse aus Zink hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Zur Verwendung mit: Positronic RD Series Female Contacts usEccn: EAR99 Produktpalette: Produktreihe RD SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD37S0000S | Positronic | Description: CONN D-SUB HOUSING RCPT 37POS Packaging: Box Connector Type: Receptacle for Female Contacts Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Number of Positions: 37 Contact Type: Signal Flange Feature: Housing/Shell (Unthreaded) Ingress Protection: IP65/IP67 - Dust Tight, Water Resistant, Waterproof Connector Style: D-Sub Shell Material, Finish: Stainless Steel, Passivated Shell Size, Connector Layout: 4 (DC, C) Number of Rows: 2 | на замовлення 191 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
RD37S0000X | PEI-Genesis | Description: RD 37C 37#20 SKT RECP | на замовлення 397 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
RD37S0000X/AA | PEI-Genesis | Description: RD 37C 37#20 SKT RECP | на замовлення 397 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
RD37S000E20 | PEI-Genesis | Description: RD 37C 37#20 SKT RECP | на замовлення 397 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
RD37S000E20/AA | PEI-Genesis | Description: RD 37C 37#20 SKT RECP | на замовлення 378 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
RD37S000E2S/AA | Positronic | Description: CONN D-SUB HOUSING RCPT 37POS Packaging: Box Connector Type: Receptacle for Female Contacts Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Number of Positions: 37 Contact Type: Signal Flange Feature: Cable Side, Male Jackscrew (4-40) Ingress Protection: IP65/IP67 - Dust Tight, Water Resistant, Waterproof Connector Style: D-Sub Shell Material, Finish: Stainless Steel, Passivated Shell Size, Connector Layout: 4 (DC, C) Number of Rows: 2 | на замовлення 191 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
RD37S000E2X | PEI-Genesis | Description: RD 37C 37#20 SKT RECP | на замовлення 397 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
RD37S000E2X/AA | PEI-Genesis | Description: RD 37C 37#20 SKT RECP | на замовлення 172 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
RD37S000T0 | PEI-Genesis | Description: RD 37C 37#20 SKT RECP | на замовлення 397 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
RD37S000T0/AA | PEI-Genesis | Description: RD 37C 37#20 SKT RECP | на замовлення 51 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
RD37S000T20 | PEI-Genesis | Description: CONN D-SUB HOUSING RCPT 37POS | на замовлення 397 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
RD37S000T20/AA | PEI-Genesis | Description: RD 37C 37#20 SKT RECP | на замовлення 244 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
RD37S000T2X | PEI-Genesis | Description: RD 37C 37#20 SKT RECP | на замовлення 397 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
RD37S000TX | PEI-Genesis | Description: RD 37C 37#20 SKT RECP | на замовлення 397 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
RD37S00HT2C | PEI-Genesis | Description: CONN D-SUB HOUSING RCPT 37POS | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
RD37S00LT2S | PEI-Genesis | Description: RD 37C 37#20 SKT RECP | на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
RD37S0S5000 | PEI-Genesis | Description: RD 37C 37#20 SKT RECP | на замовлення 397 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
RD37S0S5000/AA | PEI-Genesis | Description: RD 37C 37#20 SKT RECP | на замовлення 397 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
RD37S0S500X | PEI-Genesis | Description: RD 37C 37#20 SKT RECP | на замовлення 292 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
RD37S0S500X/AA | PEI-Genesis | Description: RD 37C 37#20 SKT RECP | на замовлення 292 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
RD37S0S50T2X | PEI-Genesis | Description: RD 37C 37#20 SKT RECP | на замовлення 292 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
RD37S0S50V3S | Positronic | Description: CONN D-SUB HOUSING RCPT 37POS Packaging: Box Connector Type: Receptacle for Female Contacts Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Number of Positions: 37 Contact Type: Signal Flange Feature: Board Side (4-40) Ingress Protection: IP65/IP67 - Dust Tight, Water Resistant, Waterproof Connector Style: D-Sub Shell Material, Finish: Stainless Steel, Passivated Shell Size, Connector Layout: 4 (DC, C) Part Status: Active Number of Rows: 2 | товар відсутній | |||||||||||||||
RD37S0S50V3S/AA | Positronic | Description: CONN D-SUB HOUSING RCPT 37POS Packaging: Box Connector Type: Receptacle for Female Contacts Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Number of Positions: 37 Contact Type: Signal Flange Feature: Board Side (4-40) Ingress Protection: IP65/IP67 - Dust Tight, Water Resistant, Waterproof Connector Style: D-Sub Shell Material, Finish: Stainless Steel, Passivated Shell Size, Connector Layout: 4 (DC, C) Part Status: Active Number of Rows: 2 | товар відсутній | |||||||||||||||
RD37S0S50V5S | Positronic | Description: CONN D-SUB HOUSING RCPT 37POS Packaging: Box Connector Type: Receptacle for Female Contacts Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Number of Positions: 37 Contact Type: Signal Flange Feature: Board Side (4-40) Ingress Protection: IP65/IP67 - Dust Tight, Water Resistant, Waterproof Connector Style: D-Sub Shell Material, Finish: Stainless Steel, Passivated Shell Size, Connector Layout: 4 (DC, C) Part Status: Active Number of Rows: 2 | товар відсутній | |||||||||||||||
RD37S0S50V5S/AA | Positronic | Description: CONN D-SUB HOUSING RCPT 37POS Packaging: Box Connector Type: Receptacle for Female Contacts Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Number of Positions: 37 Contact Type: Signal Flange Feature: Board Side (4-40) Ingress Protection: IP65/IP67 - Dust Tight, Water Resistant, Waterproof Connector Style: D-Sub Shell Material, Finish: Stainless Steel, Passivated Shell Size, Connector Layout: 4 (DC, C) Part Status: Active Number of Rows: 2 | товар відсутній | |||||||||||||||
RD37S10000-919.2 | Positronic Industries | RD37S10000-919.2 | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD37S100E20/AA | PEI-Genesis | Description: CONN D-SUB RCPT 37POS CRIMP | на замовлення 364 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
RD37S100E2X/AA | PEI-Genesis | Description: RD 37C 37#20 SKT RECP | на замовлення 172 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
RD37S100E60 | Amphenol Positronic | D-Sub Mil Spec Connectors D-Sub Female Connector 37P Crimp Zinc Shell Jackscrews | товар відсутній | |||||||||||||||
RD37S100T20/AA | PEI-Genesis | Description: RD 37C 37#20 SKT RECP | на замовлення 244 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
RD37S100TC | Positronic | Description: CONN D-SUB RCPT 37POS CRIMP | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
RD37S100V50 | PEI-Genesis | Description: RD 37C 37#20 SKT RECP | на замовлення 140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
RD37S10ACES/AA | Amphenol Positronic | D-Sub Standard Connectors | товар відсутній | |||||||||||||||
RD37S10GE0/AA | PEI-Genesis | Description: RD 37C 37#20 SKT RECP | на замовлення 56 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
RD37S10GEX | PEI-Genesis | Description: RD 37C 37#20 SKT RECP | на замовлення 56 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
RD37S10GEX-50-1023.5 | Amphenol Positronic | D-Sub Standard Connectors D-Sub Female Connector 37P Crimp Tin Shell Backshell Assembly Jackscrews | товар відсутній | |||||||||||||||
RD37S10GEX/AA | Positronic | Description: CONN D-SUB RCPT 37POS CRIMP | на замовлення 55 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
RD37S10GVL0/AA | PEI-Genesis | Description: RD 37C 37#20 SKT RECP | на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
RD37S10HEC | Positronic | Description: CONN D-SUB RCPT 37POS CRIMP | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
RD37S10HT2C | PEI-Genesis | Description: CONN D-SUB RCPT 37POS CRIMP | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
RD37S10JV30 | Amphenol Positronic | D-Sub MIL Spec Connectors D-Sub Female Connector 37P Crimp Zinc Shell Backshell Assembly Lock Lever | товар відсутній | |||||||||||||||
RD37S1S500S | Positronic | Description: CONN D-SUB RCPT 37POS CRIMP | на замовлення 82 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
RD37S1S50T20 | PEI-Genesis | Description: RD 37C 37#20 SKT RECP | на замовлення 397 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
RD37S1S50T20/AA | PEI-Genesis | Description: RD 37C 37#20 SKT RECP | на замовлення 415 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
RD37S1S50T2X/AA | PEI-Genesis | Description: CONN D-SUB RCPT 37POS CRIMP | на замовлення 292 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
RD37S1S50TC | Positronic | Description: CONN D-SUB RCPT 37POS CRIMP | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
RD37S1S50TX/AA | PEI-Genesis | Description: RD 37C 37#20 SKT RECP | на замовлення 284 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
RD3803MMA7660FC | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD3803MMA7660FC | NXP USA Inc. | Description: KIT EVAL BOARD MMA7660FC | товар відсутній | |||||||||||||||
RD3803MMA7660FC | NXP Semiconductors | MMA7660FC Accelerometer Sensor Evaluation Kit | товар відсутній | |||||||||||||||
RD38F1010C0ZTL | на замовлення 27000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD38F1010C0ZTL0 | на замовлення 67150 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD38F1010C0ZTL0ES | на замовлення 25 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD38F1010COZBL0 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD38F1010COZBLO | на замовлення 78 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD38F1010COZTLO | на замовлення 30 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD38F1010W0YTL0 | на замовлення 14152 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD38F1010WOYTLO | на замовлення 40 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD38F1020C0ZBL0 | INTEL | 05+ | на замовлення 138 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
RD38F1020C0ZBL0SB93 | Intel | Description: IC FLASH RAM 32MBIT PAR 66SCSP Packaging: Tray Package / Case: 66-LFBGA, CSPBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 32Mbit (FLASH), 8Mbit (RAM) Memory Type: Non-Volatile, Volatile Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TC) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.3V Technology: FLASH, SRAM Memory Format: FLASH, RAM Supplier Device Package: 66-SCSP (8x14) Write Cycle Time - Word, Page: 70ns Memory Interface: Parallel Access Time: 70 ns DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD38F1020C0ZBL0SB93 | на замовлення 700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD38F1020C0ZBLQ | на замовлення 3072 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD38F1020C0ZTL0 | INTEL | 05+ | на замовлення 236 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
RD38F1020C0ZTL0 | INTEL | 05+ | на замовлення 236 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
RD38F1020C0ZTL0SB93 | Intel | Description: IC FLASH RAM 32MBIT PAR 66SCSP Packaging: Tray Package / Case: 66-LFBGA, CSPBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 32Mbit (FLASH), 8Mbit (RAM) Memory Type: Non-Volatile, Volatile Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TC) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.3V Technology: FLASH, SRAM Memory Format: FLASH, RAM Supplier Device Package: 66-SCSP (8x14) Write Cycle Time - Word, Page: 70ns Memory Interface: Parallel Access Time: 70 ns DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD38F1020COIBL0 | на замовлення 224 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD38F1020COZBL0 | INTEL | BGA?? | на замовлення 230 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
RD38F1020COZBLO | на замовлення 208 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD38F1020COZTLO | на замовлення 73 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD38F1020W0YBQ0SB93 | Intel | Description: IC FLASH 32MBIT 65NS 66SCSP | товар відсутній | |||||||||||||||
RD38F1020W0YTQ0SB93 | Intel | Description: IC FLASH RAM 32MBIT PAR 66SCSP Packaging: Tray Package / Case: 66-LFBGA, CSPBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 32Mbit (FLASH), 8Mbit (RAM) Memory Type: Non-Volatile, Volatile Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V Technology: FLASH, SRAM Memory Format: FLASH, RAM Supplier Device Package: 66-SCSP (8x14) Part Status: Obsolete Write Cycle Time - Word, Page: 65ns Memory Interface: Parallel Access Time: 65 ns DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD38F1020WOYTQ0 | INTEL | BGA?? | на замовлення 5091 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
RD38F1030WOYBQ2 | INTEL | BGA? | на замовлення 62 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
RD38F1030WOZTQ0 | INTEL | BGA?? | на замовлення 650 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
RD38F2020W0YBQ0SB93 | Intel | Description: IC FLASH 64MBIT 70NS 88SCSP | товар відсутній | |||||||||||||||
RD38F2020W0YTQ0 | INTEL | BGA | на замовлення 796 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
RD38F2020W0YTQ0SB93 | Intel | Description: IC FLASH 64MBIT 70NS 88SCSP | товар відсутній | |||||||||||||||
RD38F2020W0YTS0 | на замовлення 1595 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD38F2020W0ZBQ0 | на замовлення 77 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD38F2020WOZBQO | на замовлення 2326 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD38F2030W0ZBQ1 | на замовлення 498 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD38F2030W0ZTQ0 | на замовлення 80 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD38F2030W0ZTQ1 | на замовлення 94 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD38F2030WOYTQF | INTEL | BGA?? | на замовлення 210 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
RD38F2030WOZBQ1 | INTEL | BGA?? | на замовлення 195 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
RD38F2030WOZTQ2 | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD38F2040 | на замовлення 76 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD38F2040W0ZBQ1 | INTEL | 07+ | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
RD38F2040WOYBQO | на замовлення 37 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD38F2040WOZBQ0 | INTEL | BGA?? | на замовлення 190 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
RD38F2040WOZBQ1 | INTEL | BGA?? | на замовлення 2022 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
RD38F2040WOZBQO | на замовлення 16 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD38F2040WOZTQO | на замовлення 44 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD38F2240WWYDQ0 | INTEL | BGA?? | на замовлення 1234 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
RD38F2240WWYDQ0 | INTEL | 04+ | на замовлення 120 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
RD38F2240WWYDQO | INTEL | 04+ | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
RD38F2240WWYTQ0 | INTEL | BGA?? | на замовлення 3332 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
RD38F2240WWZD | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD38F2240WWZDQ0 | Intel | Description: IC FLASH RAM 64MBIT CFI 88SCSP Packaging: Bulk Package / Case: 88-LFBGA, CSPBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 64Mbit (FLASH), 32Mbit (RAM) Memory Type: Non-Volatile, Volatile Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TC) Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V Technology: FLASH, PSRAM Memory Format: FLASH, RAM Supplier Device Package: 88-SCSP (8x10) Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 70ns Memory Interface: CFI Access Time: 85 ns Memory Organization: 8M x 8 (FLASH), 4M x 8 (RAM) DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD38F2240WWZDQ0 | INTEL | BGA?? | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
RD38F2240WWZDQ1 | на замовлення 785 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD38F2240WWZDQO | на замовлення 130 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD38F3000LOYBQO | на замовлення 124 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD38F3040L0YBQ0 | INTEL | BGA | на замовлення 410 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
RD38F3040L0ZBQ0 | INTEL | на замовлення 20 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
RD38F3040L0ZBQ0(TSTDTS) | на замовлення 118 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD38F3040L0ZBQ0S B93 | INTEL | 06+; | на замовлення 1150 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
RD38F3040L0ZTQ0 | на замовлення 3100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD38F3040L0ZTQ0856811 | INTEL | 06+; | на замовлення 5100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
RD38F3040LOYTQO | на замовлення 250 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD38F3040LOZB | INTEL | 05+ | на замовлення 47 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
RD38F3040LOZBQ0 | INTEL | 420 | на замовлення 1538 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
RD38F3040LOZBQ0 | INTEL | 420 | на замовлення 1538 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
RD38F3040LOZBQ1 | на замовлення 52 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD38F3040LOZBQO | на замовлення 73 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD38F3040LOZTQ0 | INTEL | BGA?? | на замовлення 613 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
RD38F3040LOZTQO | INTEL | BGA | на замовлення 79 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
RD38F3050LOYTQ1 | на замовлення 1320 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD38F3050LOZBQO | INTEL | BGA | на замовлення 114 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
RD38F3350LL | на замовлення 3100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD38F3350LLZDQ0 | INTEL | BGA 08+ | на замовлення 3591 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
RD38F3350WWZDQ1SB93 | Intel | Description: IC FLASH 128MBIT 65NS 88SCSP | товар відсутній | |||||||||||||||
RD38F3352LLZDQ0 | на замовлення 5800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD38F4000LOYBQ0 | INTEL | BGA?? | на замовлення 158 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
RD38F4000LOYBQO | на замовлення 655 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD38F4000LOYTQO | на замовлення 140 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD38F4000LOZBQO | INTEL | BGA? | на замовлення 672 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
RD38F4050L0YBQ1 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD38F4050L0YTQ1 | ITL | 07+; | на замовлення 3872 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
RD38F4050L0YTQ2 | ITL | 07+; | на замовлення 4224 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
RD38F4050L0ZBQ0 | ITL | 07+; | на замовлення 10728 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
RD38F4050L0ZTQ0 | ITL | 07+; | на замовлення 2816 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
RD38F4050LOZBQO | на замовлення 248 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD38F4050LOZTQO | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD38F4400LOYBP0 | INTEL | BGA?? | на замовлення 146 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
RD38F4400LOYDQO | на замовлення 215 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD38F4400LOZDQ0 | INTEL | BGA?? | на замовлення 40 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
RD38F4400LOZDQO | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD38F4455LLYBQ2 | INTEL | BGA? | на замовлення 332 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
RD38F4455LLZBQ0 | INTEL | BGA?? | на замовлення 81 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
RD38F4466LLYBQ864891 | INTEL | на замовлення 3348 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
RD38F4470LLYFH0 | INTEL | BGA?? | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
RD38F5070MOY0B0 | INTEL | BGA?? | на замовлення 21 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
RD38F5070MOYOBOES | на замовлення 20 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD3924MMA8450Q | NXP USA Inc. | Description: BOARD DEV ACCELEROMETER MMA8450 | товар відсутній | |||||||||||||||
RD3924MMA8450Q | на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD3965MMA7660FC | NXP USA Inc. | Description: ZSTAR3 ZIGBEE W/MMA7660FC | товар відсутній | |||||||||||||||
RD3965MMA7660FC | на замовлення 5 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD39E | NEC Corporation | Description: RD39 - 500MW ZENER DIODE, DO-35 Packaging: Bulk | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD39E-TB | на замовлення 2494 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD39EB3 | на замовлення 4960 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD39ES-T1-AZ | Renesas Electronics America Inc | Description: DIODE ZENER | на замовлення 2252000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD39F2030W0ZBQ1 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD39FB3 | на замовлення 3800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD39FM | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD39FM-T1 | NEC | 1808 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
RD39FM-T1B(39V) | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD39FS?0?-TI-AY | RENESAS | SOD-123 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
RD39JS/JM | на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD39L-T1 | NEC | на замовлення 42000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
RD39M | NEC | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
RD39M-T1 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD39M-T2B(39) | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD39P | NEC | SOT-89 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
RD39P(39V) | на замовлення 2910 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD39P-T1 | NEC | SOT-89 | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
RD39P-T1(B) | на замовлення 5500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD39P-T1-AY | Renesas | Description: RD39P-T1-AY - 1W POWER MINI MOLD Tolerance: ±5.13% Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 39 V Impedance (Max) (Zzt): 130 Ohms Part Status: Obsolete Power - Max: 1 W Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 30 V | товар відсутній | |||||||||||||||
RD39P-T1/39/39V | NEC | на замовлення 4956 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
RD39P-T139V | на замовлення 1768 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD39P-T2-AZ | Renesas | Description: RD39P - 1W ZENER DIODE | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD39P-T2/39V | NEC | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
RD39P/89-39V | NEC | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
RD39S(0)-T1-AT | Renesas | Description: RD39S(0)-T1-AT - ZENER DIODES200 Packaging: Bulk Package / Case: SC-76, SOD-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Supplier Device Package: 2-Super Mini Mold | на замовлення 68427 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD39S(0)-T1-AT/JM | RENESAS | SOD323 | на замовлення 14990 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
RD39S-T1 | NEC | SOD323 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
RD39S-T1 | NEC | 05+ SOD-323 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
RD39S-T1 | NEC | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
RD39S-T139V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD39S-T1B | NEC | 01+ | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
RD39S-T1B | NEC | SOD323 | на замовлення 24000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
RD39S-T2-AT | Renesas | Description: RD39S-T2-AT - ZENER DIODES200 MW Packaging: Bulk Package / Case: SC-76, SOD-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Supplier Device Package: 2-Super Mini Mold | на замовлення 75000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD39UJ-T1 | на замовлення 2930 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD39UJ-T1-A | Renesas | Description: RD39UJ-T1-A - LOW NOISE SHARP BR Packaging: Bulk Package / Case: 2-SMD, Gull Wing Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Supplier Device Package: 2-Ultra Super Mini Mold | на замовлення 54000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD39UJ-T13.9V | на замовлення 1561 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD39UM(39V) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD39UM-T1-A | Renesas | Description: RD39UM-T1-A - ZENER DIODES 2PIN Packaging: Bulk Package / Case: 2-SMD, Gull Wing Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Supplier Device Package: 2-Ultra Super Mini Mold | на замовлення 72000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3A2BY100J | на замовлення 72500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD3A2BY100J-T1 | на замовлення 39000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD3A2BY102J-T1 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD3A2BY103J | на замовлення 5500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD3A2BY104J | на замовлення 72500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD3A2BY105J-T2 | на замовлення 5600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD3A2BY113J-T2 | на замовлення 2900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD3A2BY114J-T2 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD3A2BY132J | на замовлення 72500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD3A2BY150J | на замовлення 20500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD3A2BY152J-T2 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD3A2BY181J | на замовлення 50500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD3A2BY202J | на замовлення 72500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD3A2BY204J | на замовлення 72500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD3A2BY220J | на замовлення 41500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD3A2BY221J-T2 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD3A2BY223J-T2 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD3A2BY272J | на замовлення 26500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD3A2BY273J | на замовлення 2522 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD3A2BY301J | на замовлення 23500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD3A2BY303J-T1 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD3A2BY304J-T1 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD3A2BY333J-T1 | на замовлення 2437 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD3A2BY361J-T1 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD3A2BY363J | на замовлення 40000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD3A2BY391J | на замовлення 14500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD3A2BY393J | на замовлення 12420 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD3A2BY430J | на замовлення 8500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD3A2BY433G | на замовлення 72500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD3A2BY470J | на замовлення 72500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD3A2BY473J | на замовлення 5500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD3A2BY512J | на замовлення 72500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD3A2BY513J-T2 | на замовлення 12500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD3A2BY560J-T2 | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD3A2BY561J | на замовлення 14500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD3A2BY561J-T2 | на замовлення 5400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD3A2BY564J | на замовлення 11500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD3A2BY5R1J | на замовлення 26500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD3A2BY621J | на замовлення 72500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD3A2BY683J-T2 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD3A2BY752J-T1 | TAIYO | 99+ | на замовлення 3010 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
RD3A2BY822J | на замовлення 12420 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD3A2BY823J | на замовлення 29500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD3A2BY910J | на замовлення 26500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD3A2BY911J | на замовлення 72500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD3A2BY911J-T1 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD3A2BY912J-T2 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD3CYD08CMB | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD3CYD08CME | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD3CYD08VSE | RENESAS | 05+ | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
RD3CYDT08CMH1 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RD3G01BATTL1 | Rohm Semiconductor | Description: PCH -40V -15A POWER MOSFET - RD3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 20 V | на замовлення 1525 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3G01BATTL1 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -15A; Idm: -30A; 25W Power dissipation: 25W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 19.3nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -30A Mounting: SMD Case: DPAK; TO252 Drain-source voltage: -40V Drain current: -15A On-state resistance: 49mΩ Type of transistor: P-MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||
RD3G01BATTL1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 40V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2320 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3G01BATTL1 | ROHM | Description: ROHM - RD3G01BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 15 A, 0.031 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40 Dauer-Drainstrom Id: 15 hazardous: false Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 25 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5 euEccn: NLR Verlustleistung: 25 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.031 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031 SVHC: Lead (10-Jun-2022) | на замовлення 4505 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3G01BATTL1 | Rohm Semiconductor | Description: PCH -40V -15A POWER MOSFET - RD3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 20 V | на замовлення 1525 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
RD3G01BATTL1 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -15A; Idm: -30A; 25W Power dissipation: 25W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 19.3nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -30A Mounting: SMD Case: DPAK; TO252 Drain-source voltage: -40V Drain current: -15A On-state resistance: 49mΩ Type of transistor: P-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
RD3G01BATTL1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 40V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 1497 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3G01BATTL1 | ROHM | Description: ROHM - RD3G01BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 15 A, 0.031 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40 Dauer-Drainstrom Id: 15 hazardous: false Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 25 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5 euEccn: NLR Verlustleistung: 25 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.031 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031 SVHC: Lead (10-Jun-2022) | на замовлення 4505 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3G01BATTL1 | ROHM Semiconductor | MOSFET Pch -40V -15A Power MOSFET | на замовлення 33436 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3G03BATTL1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 40V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3G03BATTL1 | ROHM | Description: ROHM - RD3G03BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 35 A, 0.015 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40 Dauer-Drainstrom Id: 35 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 56 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 2.5 SVHC: Lead (08-Jul-2021) | на замовлення 1970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3G03BATTL1 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -35A; Idm: -70A; 56W Power dissipation: 56W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 38nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -70A Mounting: SMD Case: DPAK; TO252 Drain-source voltage: -40V Drain current: -35A On-state resistance: 24mΩ Type of transistor: P-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
RD3G03BATTL1 | Rohm Semiconductor | Description: PCH -40V -35A POWER MOSFET - RD3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.1mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 56W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 20 V | на замовлення 4832 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3G03BATTL1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 40V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 80 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
RD3G03BATTL1 | ROHM | Description: ROHM - RD3G03BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 35 A, 0.015 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40 Dauer-Drainstrom Id: 35 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 56 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 2.5 SVHC: Lead (08-Jul-2021) | на замовлення 1970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3G03BATTL1 | ROHM Semiconductor | MOSFET Pch -40V -35A Power MOSFET | на замовлення 305 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3G03BATTL1 | Rohm Semiconductor | Description: PCH -40V -35A POWER MOSFET - RD3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.1mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 56W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 20 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3G03BATTL1 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -35A; Idm: -70A; 56W Power dissipation: 56W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 38nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -70A Mounting: SMD Case: DPAK; TO252 Drain-source voltage: -40V Drain current: -35A On-state resistance: 24mΩ Type of transistor: P-MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||
RD3G03BATTL1 | ROHM - Japan | Transistor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 19,1mOhm; 35A; 56W; -55°C~150°C; RD3G03BATTL1 TRD3G03BATTL1 кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3G03BATTL1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 40V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 157 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
RD3G03BBGTL1 | ROHM Semiconductor | MOSFET RD3G03BBG is a power MOSFET with low-on resistance and High power package, suitable for switching. | на замовлення 4989 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3G03BBGTL1 | ROHM | Description: ROHM - RD3G03BBGTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 65 A, 0.005 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40 Dauer-Drainstrom Id: 65 Qualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5 Verlustleistung: 50 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товар відсутній | |||||||||||||||
RD3G03BBGTL1 | Rohm Semiconductor | Description: NCH 40V 65A, TO-252, POWER MOSFE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170 pF @ 20 V | на замовлення 2492 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3G03BBGTL1 | ROHM | Description: ROHM - RD3G03BBGTL1 - NCH 40V 65A, TO-252, POWER MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||
RD3G03BBGTL1 | Rohm Semiconductor | Description: NCH 40V 65A, TO-252, POWER MOSFE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170 pF @ 20 V | товар відсутній | |||||||||||||||
RD3G07BATTL1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 40V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 801 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3G07BATTL1 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -70A; Idm: -140A; 101W Power dissipation: 101W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 105nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -140A Mounting: SMD Case: DPAK; TO252 Drain-source voltage: -40V Drain current: -70A On-state resistance: 8.7mΩ Type of transistor: P-MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||
RD3G07BATTL1 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -70A; Idm: -140A; 101W Power dissipation: 101W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 105nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -140A Mounting: SMD Case: DPAK; TO252 Drain-source voltage: -40V Drain current: -70A On-state resistance: 8.7mΩ Type of transistor: P-MOSFET кількість в упаковці: 2500 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
RD3G07BATTL1 | ROHM | Description: ROHM - RD3G07BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 70 A, 0.0057 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 101W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 101W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0057ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0057ohm SVHC: Lead (17-Jan-2023) | на замовлення 2083 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3G07BATTL1 | Rohm Semiconductor | Description: PCH -40V -70A POWER MOSFET - RD3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 101W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5550 pF @ 20 V | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3G07BATTL1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 40V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 684 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3G07BATTL1 | ROHM Semiconductor | MOSFET Pch -40V -70A Power MOSFET | на замовлення 25517 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3G07BATTL1 | ROHM | Description: ROHM - RD3G07BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 70 A, 0.0057 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 101W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0057ohm SVHC: Lead (17-Jan-2023) | на замовлення 2083 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3G07BATTL1 | Rohm Semiconductor | Description: PCH -40V -70A POWER MOSFET - RD3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 101W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5550 pF @ 20 V | на замовлення 9253 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3G07BBGTL1 | ROHM | Description: ROHM - RD3G07BBGTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.00175 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 89W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00175ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3G07BBGTL1 | ROHM Semiconductor | MOSFET RD3G07BBG is a power MOSFET with low on-resistance and high power package, suitable for switching. | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3G07BBGTL1 | ROHM | Description: ROHM - RD3G07BBGTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.00175 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 89W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00175ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3G400GNTL | ROHM Semiconductor | MOSFET RD3G400GN is a power MOSFET with low-on resistance and High power package (TO-252), suitable for switching. | на замовлення 2450 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3G400GNTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 40V 40A TO252 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3G400GNTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 40V 40A TO252 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3G400GNTL | ROHM SEMICONDUCTOR | RD3G400GNTL SMD N channel transistors | товар відсутній | |||||||||||||||
RD3G500GNTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22800 pF @ 20 V | товар відсутній | |||||||||||||||
RD3G500GNTL | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; Idm: 100A; 35W; DPAK,TO252 Mounting: SMD Case: DPAK; TO252 Power dissipation: 35W Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Gate charge: 31nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 100A Drain-source voltage: 40V Drain current: 50A On-state resistance: 6.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 2500 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
RD3G500GNTL | ROHM Semiconductor | MOSFET RD3G500GN is the low on - resistance MOSFET for switching application. | на замовлення 1720 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3G500GNTL | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; Idm: 100A; 35W; DPAK,TO252 Mounting: SMD Case: DPAK; TO252 Power dissipation: 35W Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Gate charge: 31nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 100A Drain-source voltage: 40V Drain current: 50A On-state resistance: 6.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||
RD3G500GNTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22800 pF @ 20 V | товар відсутній | |||||||||||||||
RD3G600GNTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 40V 60A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 20 V | на замовлення 2466 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3G600GNTL | ROHM Semiconductor | MOSFET RD3G600GN is a power MOSFET with low-on resistance and High power package (TO-252), suitable for switching. | на замовлення 2826 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3G600GNTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 40V 60A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 20 V | товар відсутній | |||||||||||||||
RD3H045SPFRATL | ROHM | Description: ROHM - RD3H045SPFRATL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 4.5 A, 0.11 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 45V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm | на замовлення 430 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3H045SPFRATL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 45V 4.5A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 15W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V | на замовлення 2118 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3H045SPFRATL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 45V 4.5A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 15W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V | товар відсутній | |||||||||||||||
RD3H045SPFRATL | ROHM Semiconductor | MOSFET Pch -45V Vdss -4.5A TO-252(DPAK); TO-252 | на замовлення 1040 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3H045SPFRATL | ROHM | Description: ROHM - RD3H045SPFRATL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 4.5 A, 0.11 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES Verlustleistung: 15 Kanaltyp: p-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11 rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 SVHC: Lead (10-Jun-2022) | на замовлення 461 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3H045SPTL1 | ROHM | Description: ROHM - RD3H045SPTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 4.5 A, 0.11 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 15 Kanaltyp: p-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11 rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: Lead (10-Jun-2022) | на замовлення 1848 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3H045SPTL1 | ROHM SEMICONDUCTOR | RD3H045SPTL1 SMD P channel transistors | товар відсутній | |||||||||||||||
RD3H045SPTL1 | ROHM Semiconductor | MOSFET Pch -45V -4.5A TO-252 (DPAK) | на замовлення 4270 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3H045SPTL1 | ROHM | Description: ROHM - RD3H045SPTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 4.5 A, 0.11 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 45V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm | на замовлення 1382 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3H045SPTL1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 45V 4.5A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 15W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V | на замовлення 4927 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3H045SPTL1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 45V 4.5A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 15W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V | товар відсутній | |||||||||||||||
RD3H080SPFRATL | ROHM Semiconductor | MOSFET Pch -45V Vdss -8A ID TO-252(DPAK); TO-252 | на замовлення 115 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3H080SPFRATL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 45V 8A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 15W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V | товар відсутній | |||||||||||||||
RD3H080SPFRATL | ROHM | Description: ROHM - RD3H080SPFRATL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 8 A, 0.065 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 45V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 15W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.065ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm | на замовлення 4376 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3H080SPFRATL | ROHM | Description: ROHM - RD3H080SPFRATL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 8 A, 0.065 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 45V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm | на замовлення 4376 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3H080SPFRATL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 45V 8A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 15W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V | на замовлення 1643 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3H080SPFRATL | ROHM SEMICONDUCTOR | RD3H080SPFRATL SMD P channel transistors | товар відсутній | |||||||||||||||
RD3H080SPTL1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 45V 8A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 15W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V | товар відсутній | |||||||||||||||
RD3H080SPTL1 | ROHM Semiconductor | MOSFET Pch -45V -8A TO-252(DPAK) | на замовлення 3316 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3H080SPTL1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 45V 8A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 15W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V | на замовлення 2423 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3H160SPFRATL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 45V 16A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 20W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 10 V | на замовлення 3691 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3H160SPFRATL | ROHM Semiconductor | MOSFET Pch -45V Vdss -16A TO-252(DPAK); TO-252 | на замовлення 1416 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3H160SPFRATL | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -45V; -16A; Idm: -32A; 20W Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Power dissipation: 20W Polarisation: unipolar Gate charge: 16nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -32A Case: DPAK; TO252 Drain-source voltage: -45V Drain current: -16A On-state resistance: 70mΩ Type of transistor: P-MOSFET кількість в упаковці: 2500 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
RD3H160SPFRATL | ROHM | Description: ROHM - RD3H160SPFRATL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 16 A, 0.035 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 45 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 20 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 euEccn: NLR Verlustleistung: 20 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.035 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035 SVHC: Lead (17-Jan-2023) | на замовлення 9337 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3H160SPFRATL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 45V 16A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2112 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3H160SPFRATL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 45V 16A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 20W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 10 V | товар відсутній | |||||||||||||||
RD3H160SPFRATL | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -45V; -16A; Idm: -32A; 20W Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Power dissipation: 20W Polarisation: unipolar Gate charge: 16nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -32A Case: DPAK; TO252 Drain-source voltage: -45V Drain current: -16A On-state resistance: 70mΩ Type of transistor: P-MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||
RD3H160SPFRATL | ROHM | Description: ROHM - RD3H160SPFRATL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 16 A, 0.035 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 45 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 20 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 euEccn: NLR Verlustleistung: 20 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.035 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035 SVHC: Lead (17-Jan-2023) | на замовлення 9337 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3H160SPFRATL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 45V 16A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2347 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3H160SPTL1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 45V 16A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 20W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 10 V | на замовлення 4976 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3H160SPTL1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 45V 16A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 20W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 10 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3H160SPTL1 | ROHM Semiconductor | MOSFET Pch -45V -16A TO-252(DPAK) | на замовлення 16670 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3H160SPTL1 | ROHM SEMICONDUCTOR | RD3H160SPTL1 SMD P channel transistors | товар відсутній | |||||||||||||||
RD3H200SNFRATL | ROHM Semiconductor | MOSFET Nch 45V Vdss 20A ID TO-252(DPAK); TO-252 | на замовлення 1770 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3H200SNFRATL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 45V 20A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 20W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 10 V | на замовлення 2376 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3H200SNFRATL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 45V 20A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 20W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 10 V | товар відсутній | |||||||||||||||
RD3H200SNTL1 | ROHM Semiconductor | MOSFET Nch 45V 20A TO-252 (DPAK) | на замовлення 7283 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3H200SNTL1 | ROHM | Description: ROHM - RD3H200SNTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 20 A, 0.02 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 45V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: Lead (17-Jan-2023) | на замовлення 2029 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3H200SNTL1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 45V 20A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 20W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 10 V | товар відсутній | |||||||||||||||
RD3H200SNTL1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 45V 20A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 20W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 10 V | на замовлення 1511 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3H200SNTL1 | ROHM | Description: ROHM - RD3H200SNTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 20 A, 0.02 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 45V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: Lead (17-Jan-2023) | на замовлення 2029 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3L01BATTL1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 4052 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3L01BATTL1 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -10A; Idm: -20A; 26W Power dissipation: 26W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 15.2nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -20A Mounting: SMD Case: DPAK; TO252 Drain-source voltage: -60V Drain current: -10A On-state resistance: 93mΩ Type of transistor: P-MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||
RD3L01BATTL1 | Rohm Semiconductor | Description: PCH -60V -10A POWER MOSFET - RD3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 26W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 30 V | товар відсутній | |||||||||||||||
RD3L01BATTL1 | ROHM | Description: ROHM - RD3L01BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 10 A, 0.065 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 10 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 26 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5 Verlustleistung: 26 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.065 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065 SVHC: Lead (10-Jun-2022) | на замовлення 57 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3L01BATTL1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 1193 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3L01BATTL1 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -10A; Idm: -20A; 26W Power dissipation: 26W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 15.2nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -20A Mounting: SMD Case: DPAK; TO252 Drain-source voltage: -60V Drain current: -10A On-state resistance: 93mΩ Type of transistor: P-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
RD3L01BATTL1 | ROHM Semiconductor | MOSFET Pch -60V -10A Power MOSFET | на замовлення 36432 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3L01BATTL1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3L01BATTL1 | Rohm Semiconductor | Description: PCH -60V -10A POWER MOSFET - RD3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 26W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 30 V | на замовлення 4966 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3L03BATTL1 | Rohm Semiconductor | Description: PCH -60V -35A POWER MOSFET - RD3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 56W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1930 pF @ 30 V | на замовлення 12958 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3L03BATTL1 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -35A; Idm: -70A; 56W Power dissipation: 56W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 37nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -70A Mounting: SMD Case: DPAK; TO252 Drain-source voltage: -60V Drain current: -35A On-state resistance: 46mΩ Type of transistor: P-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
RD3L03BATTL1 | ROHM Semiconductor | MOSFET Pch -60V -35A Power MOSFET | на замовлення 30602 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3L03BATTL1 | Rohm Semiconductor | Description: PCH -60V -35A POWER MOSFET - RD3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 56W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1930 pF @ 30 V | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3L03BATTL1 | ROHM | Description: ROHM - RD3L03BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 35 A, 0.032 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 35 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 56 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 2.5 SVHC: Lead (08-Jul-2021) | на замовлення 3037 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3L03BATTL1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 1778 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3L03BATTL1 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -35A; Idm: -70A; 56W Power dissipation: 56W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 37nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -70A Mounting: SMD Case: DPAK; TO252 Drain-source voltage: -60V Drain current: -35A On-state resistance: 46mΩ Type of transistor: P-MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||
RD3L03BATTL1 | ROHM | Description: ROHM - RD3L03BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 35 A, 0.032 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 35 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 56 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 2.5 SVHC: Lead (08-Jul-2021) | на замовлення 3037 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3L03BATTL1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 3457 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3L03BBGTL1 | Rohm Semiconductor | Description: NCH 60V 50A, TO-252, POWER MOSFE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 30 V | на замовлення 2108 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3L03BBGTL1 | Rohm Semiconductor | Description: NCH 60V 50A, TO-252, POWER MOSFE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 30 V | товар відсутній | |||||||||||||||
RD3L03BBGTL1 | ROHM Semiconductor | MOSFET RD3L03BBG is a power MOSFET with low-on resistance and High power package, suitable for switching. | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3L050SNFRATL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 5A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 15W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2422 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3L050SNFRATL | ROHM Semiconductor | MOSFET Nch 60V 5A 15W Pd DPAK TO-252 | на замовлення 3441 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3L050SNFRATL | ROHM SEMICONDUCTOR | RD3L050SNFRATL SMD N channel transistors | товар відсутній | |||||||||||||||
RD3L050SNFRATL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 5A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 15W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||
RD3L050SNTL1 | ROHM | Description: ROHM - RD3L050SNTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5 A, 0.078 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 15W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.078ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm SVHC: Lead (17-Jan-2023) | на замовлення 767 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3L050SNTL1 | ROHM Semiconductor | MOSFET Nch 60V 5A TO-252(DPAK) | на замовлення 2036 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3L050SNTL1 | ROHM SEMICONDUCTOR | RD3L050SNTL1 SMD N channel transistors | товар відсутній | |||||||||||||||
RD3L050SNTL1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 5A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 15W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3L050SNTL1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 5A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 15W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3L07BATTL1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 1357 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3L07BATTL1 | Rohm Semiconductor | Description: PCH -60V -70A POWER MOSFET - RD3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.7mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 101W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 30 V | товар відсутній | |||||||||||||||
RD3L07BATTL1 | ROHM | Description: ROHM - RD3L07BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 70 A, 0.0101 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 101W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 101W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0101ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0101ohm SVHC: Lead (17-Jan-2023) | на замовлення 12089 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3L07BATTL1 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -70A; Idm: -140A; 101W Power dissipation: 101W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 105nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -140A Mounting: SMD Case: DPAK; TO252 Drain-source voltage: -60V Drain current: -70A On-state resistance: 14.1mΩ Type of transistor: P-MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||
RD3L07BATTL1 | ROHM | Description: ROHM - RD3L07BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 70 A, 0.0101 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 101W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0101ohm SVHC: Lead (17-Jan-2023) | на замовлення 12089 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3L07BATTL1 | ROHM Semiconductor | MOSFET Pch -60V -70A Power MOSFET | на замовлення 57990 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3L07BATTL1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 1677 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3L07BATTL1 | Rohm Semiconductor | Description: PCH -60V -70A POWER MOSFET - RD3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.7mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 101W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 30 V | на замовлення 2495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3L07BATTL1 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -70A; Idm: -140A; 101W Power dissipation: 101W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 105nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -140A Mounting: SMD Case: DPAK; TO252 Drain-source voltage: -60V Drain current: -70A On-state resistance: 14.1mΩ Type of transistor: P-MOSFET кількість в упаковці: 2500 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
RD3L07BBGTL1 | ROHM Semiconductor | MOSFET RD3L07BBG is a power MOSFET with low on - resistance, suitable for switching. | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3L07BBGTL1 | Rohm Semiconductor | Description: NCH 60V 115A, TO-252, POWER MOSF Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 102W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 30 V | товар відсутній | |||||||||||||||
RD3L07BBGTL1 | Rohm Semiconductor | Description: NCH 60V 115A, TO-252, POWER MOSF Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 102W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 30 V | на замовлення 2430 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3L080SNFRATL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 8A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 15W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 10 V | на замовлення 4848 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3L080SNFRATL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 8A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2455 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3L080SNFRATL | ROHM | Description: ROHM - RD3L080SNFRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 8 A, 0.057 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES Verlustleistung: 15W Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: Lead (17-Jan-2023) | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3L080SNFRATL | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8A; Idm: 16A; 15W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 8A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 15W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 109mΩ Mounting: SMD Gate charge: 9.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 2500 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
RD3L080SNFRATL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 8A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 15W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 10 V | товар відсутній | |||||||||||||||
RD3L080SNFRATL | ROHM | Description: ROHM - RD3L080SNFRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 8 A, 0.057 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm SVHC: Lead (17-Jan-2023) | на замовлення 2415 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3L080SNFRATL | ROHM Semiconductor | MOSFET Nch 60V Vdss 8A ID TO-252(DPAK); TO-252 | на замовлення 8716 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3L080SNFRATL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 8A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2260 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3L080SNFRATL | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8A; Idm: 16A; 15W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 8A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 15W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 109mΩ Mounting: SMD Gate charge: 9.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||
RD3L080SNTL1 | ROHM SEMICONDUCTOR | RD3L080SNTL1 SMD N channel transistors | товар відсутній | |||||||||||||||
RD3L080SNTL1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 8A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 15W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 10 V | на замовлення 6442 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3L080SNTL1 | ROHM Semiconductor | MOSFET Nch 60V 8A TO-252 (DPAK) | на замовлення 2360 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||
RD3L080SNTL1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 8A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 15W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 10 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3L08BGNTL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 1319 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3L08BGNTL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 1885 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3L08BGNTL | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; Idm: 160A; 119W Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain current: 80A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 60V Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Case: DPAK; TO252 On-state resistance: 8.1mΩ Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 160A Power dissipation: 119W Gate charge: 71nC | товар відсутній | |||||||||||||||
RD3L08BGNTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO252 | на замовлення 1055 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3L08BGNTL | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; Idm: 160A; 119W Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain current: 80A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 60V Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Case: DPAK; TO252 On-state resistance: 8.1mΩ Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 160A Power dissipation: 119W Gate charge: 71nC кількість в упаковці: 2500 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
RD3L08BGNTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO252 | товар відсутній | |||||||||||||||
RD3L08BGNTL | ROHM Semiconductor | MOSFET RD3L08BGN is a power MOSFET, suitable for swithing applications. | на замовлення 2721 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3L140SP | ROHM Semiconductor | MOSFET Trans MOSFET N-CH 30V 5A 8-Pin SOP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
RD3L140SPFRATL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 60V 14A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 20W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3L140SPFRATL | ROHM Semiconductor | MOSFET Pch -60V Vdss -14A TO-252(DPAK); TO-252 | на замовлення 12640 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3L140SPFRATL | ROHM SEMICONDUCTOR | RD3L140SPFRATL SMD P channel transistors | товар відсутній | |||||||||||||||
RD3L140SPFRATL | ROHM | Description: ROHM - RD3L140SPFRATL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 14 A, 0.06 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 20W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.06ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm | на замовлення 4545 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3L140SPFRATL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 60V 14A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 20W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 7977 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3L140SPFRATL | ROHM | Description: ROHM - RD3L140SPFRATL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 14 A, 0.06 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm | на замовлення 4545 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3L140SPTL1 | ROHM | Description: ROHM - RD3L140SPTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 14 A, 0.06 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm | на замовлення 7018 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3L140SPTL1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 60V 14A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 20W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 10 V | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3L140SPTL1 | ROHM | Description: ROHM - RD3L140SPTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 14 A, 0.06 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm | на замовлення 7018 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3L140SPTL1 | ROHM Semiconductor | MOSFET Pch -60V -14A TO-252(DPAK) | на замовлення 4894 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3L140SPTL1 | ROHM SEMICONDUCTOR | RD3L140SPTL1 SMD P channel transistors | товар відсутній | |||||||||||||||
RD3L140SPTL1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 60V 14A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 20W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 10 V | на замовлення 31637 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3L150SNFRATL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 15A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 20W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 10 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3L150SNFRATL | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 15A; Idm: 30A; 20W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 15A Pulsed drain current: 30A Power dissipation: 20W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 51mΩ Mounting: SMD Gate charge: 18nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||
RD3L150SNFRATL | ROHM | Description: ROHM - RD3L150SNFRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 15 A, 0.028 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm | на замовлення 7020 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3L150SNFRATL | ROHM Semiconductor | MOSFET Nch 60V Vdss 15A ID TO-252(DPAK); TO-252 | на замовлення 1841 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3L150SNFRATL | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 15A; Idm: 30A; 20W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 15A Pulsed drain current: 30A Power dissipation: 20W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 51mΩ Mounting: SMD Gate charge: 18nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 2500 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
RD3L150SNFRATL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 15A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 20W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 10 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3L150SNFRATL | ROHM | Description: ROHM - RD3L150SNFRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 15 A, 0.028 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 20W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.028ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm | на замовлення 7020 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3L150SNTL1 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 15A; Idm: 30A; 20W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 15A Pulsed drain current: 30A Power dissipation: 20W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 51mΩ Mounting: SMD Gate charge: 18nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
RD3L150SNTL1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 15A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 20W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 10 V | на замовлення 24538 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3L150SNTL1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 15A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 20W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 10 V | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3L150SNTL1 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 15A; Idm: 30A; 20W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 15A Pulsed drain current: 30A Power dissipation: 20W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 51mΩ Mounting: SMD Gate charge: 18nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||
RD3L150SNTL1 | ROHM Semiconductor | MOSFET Nch 60V 15A TO-252 (DPAK) | на замовлення 3137 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3L220SNFRATL | ROHM | Description: ROHM - RD3L220SNFRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 22 A, 0.018 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 22A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm | на замовлення 2490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3L220SNFRATL | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 22A; Idm: 44A; 20W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 22A Pulsed drain current: 44A Power dissipation: 20W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 33mΩ Mounting: SMD Gate charge: 30nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||
RD3L220SNFRATL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 22A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 20W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 10 V | на замовлення 2327 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3L220SNFRATL | ROHM | Description: ROHM - RD3L220SNFRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 22 A, 0.018 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 22A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm | на замовлення 2490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3L220SNFRATL | ROHM Semiconductor | MOSFET Nch 60V Vdss 22A ID TO-252(DPAK); TO-252 | на замовлення 2366 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3L220SNFRATL | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 22A; Idm: 44A; 20W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 22A Pulsed drain current: 44A Power dissipation: 20W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 33mΩ Mounting: SMD Gate charge: 30nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 2500 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
RD3L220SNFRATL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 22A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 20W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 10 V | товар відсутній | |||||||||||||||
RD3L220SNTL1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 22A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 20W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 10 V | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3L220SNTL1 | ROHM Semiconductor | MOSFET Nch 60V 22A TO-252(DPAK) | на замовлення 4915 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3L220SNTL1 | ROHM | Description: ROHM - RD3L220SNTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 22 A, 0.018 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 22A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm | на замовлення 2105 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3L220SNTL1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 22A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 20W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 10 V | на замовлення 10355 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3L220SNTL1 | ROHM | Description: ROHM - RD3L220SNTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 22 A, 0.018 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 22A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm | на замовлення 2105 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3P01BATTL1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2483 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3P01BATTL1 | ROHM Semiconductor | MOSFET RD3P01BAT is a low on-resistance power MOSFET suitable for switching applications. | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3P02BATTL1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 100V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 70 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
RD3P02BATTL1 | ROHM Semiconductor | MOSFET RD3P02BAT is a low on-resistance power MOSFET suitable for switching applications. | на замовлення 2480 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3P050SNFRATL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 100V 5A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 15W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||
RD3P050SNFRATL | ROHM | Description: ROHM - RD3P050SNFRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5 A, 0.135 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm | на замовлення 1858 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3P050SNFRATL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 100V 5A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 15W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2023 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3P050SNFRATL | ROHM | Description: ROHM - RD3P050SNFRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5 A, 0.135 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm | на замовлення 1858 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3P050SNFRATL | ROHM Semiconductor | MOSFET Nch 100V Vdss 5A ID TO-252(DPAK); TO-252 | на замовлення 3035 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3P050SNTL1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 100V 5A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 15W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V | на замовлення 9422 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3P050SNTL1 | ROHM | Description: ROHM - RD3P050SNTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5 A, 0.135 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm | на замовлення 1236 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3P050SNTL1 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5A; Idm: 20A; 15W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 5A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 15W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.205Ω Mounting: SMD Gate charge: 14nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
RD3P050SNTL1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 100V 5A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 15W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3P050SNTL1 | ROHM Semiconductor | MOSFET Nch 100V 5A TO-252(DPAK) | на замовлення 7038 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3P050SNTL1 | ROHM | Description: ROHM - RD3P050SNTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5 A, 0.135 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm | на замовлення 1236 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3P050SNTL1 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5A; Idm: 20A; 15W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 5A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 15W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.205Ω Mounting: SMD Gate charge: 14nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||
RD3P05BATTL1 | ROHM Semiconductor | MOSFET RD3P05BAT is a low on-resistance power MOSFET suitable for switching applications. | на замовлення 4985 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3P05BATTL1 | Rohm Semiconductor | Description: PCH -100V -50A POWER MOSFET: RD3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 101W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4620 pF @ 50 V | на замовлення 3654 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3P05BATTL1 | ROHM | Description: ROHM - RD3P05BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 50 A, 0.032 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 101W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 87 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3P05BATTL1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 58 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
RD3P05BATTL1 | Rohm Semiconductor | Description: PCH -100V -50A POWER MOSFET: RD3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 101W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4620 pF @ 50 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3P05BATTL1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 96 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
RD3P05BATTL1 | ROHM | Description: ROHM - RD3P05BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 50 A, 0.032 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 101W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 87 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
RD3P07BBHTL1 | ROHM Semiconductor | MOSFET | на замовлення 4684 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3P08BBDTL | ROHM Semiconductor | MOSFET RD3P08BBD is a power MOSFET with low on - resistance, suitable for switching. | на замовлення 2352 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3P08BBDTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 119W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 50 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3P08BBDTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 119W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 50 V | на замовлення 9836 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3P08BBDTL | ROHM SEMICONDUCTOR | RD3P08BBDTL SMD N channel transistors | товар відсутній | |||||||||||||||
RD3P100SNFRATL | ROHM | Description: ROHM - RD3P100SNFRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.095 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm | на замовлення 2396 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3P100SNFRATL | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; Idm: 20A; 20W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 10A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 20W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 147mΩ Mounting: SMD Gate charge: 18nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
RD3P100SNFRATL | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; Idm: 20A; 20W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 10A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 20W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 147mΩ Mounting: SMD Gate charge: 18nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||
RD3P100SNFRATL | ROHM | Description: ROHM - RD3P100SNFRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.095 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm | на замовлення 2396 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RD3P100SNFRATL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 100V 10A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 133mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 20W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V | на замовлення 617 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|