Продукція > RRQ

MOSFET

товар відсутній

RRQ020P03TCR

Trans MOSFET P-CH 30V 2A 6-Pin TSMT T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

262+	44.71 грн
273+	42.92 грн
500+	41.37 грн
1000+	38.59 грн
2500+	34.68 грн

Мінімальне замовлення: 262

RRQ020P03TCR

MOSFET Trans MOSFET P-CH 30V 2A

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	28.97 грн
13+	24.26 грн
100+	14.69 грн
500+	11.48 грн
1000+	9.35 грн
3000+	7.88 грн
9000+	7.34 грн

Мінімальне замовлення: 11

RRQ020P03TCR

Description: MOSFET P-CH 30V 2A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 10 V

на замовлення 2975 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	27.44 грн
13+	22.39 грн
100+	15.56 грн
500+	11.4 грн
1000+	9.26 грн

Мінімальне замовлення: 11

RRQ020P03TCR

Description: MOSFET P-CH 30V 2A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 10 V

товар відсутній

RRQ020P03TCR

Trans MOSFET P-CH 30V 2A 6-Pin TSMT T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

262+	44.71 грн
273+	42.92 грн
500+	41.37 грн
1000+	38.59 грн
2500+	34.68 грн

Мінімальне замовлення: 262

RRQ030P03

на замовлення 33000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RRQ030P03FRATR

ROHM SEMICONDUCTOR

RRQ030P03FRATR SMD P channel transistors

товар відсутній

RRQ030P03HZGTR

Description: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 1.5A, 4V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 10 V

на замовлення 806 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	47.66 грн
10+	40.47 грн
100+	31.04 грн
500+	23.02 грн

Мінімальне замовлення: 7

RRQ030P03HZGTR

MOSFET Pch -30V -3A Small Signal MOSFET

на замовлення 1443 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	48.29 грн
10+	42 грн
100+	28.04 грн
500+	22.16 грн
1000+	18.09 грн
3000+	16.09 грн
9000+	15.15 грн

Мінімальне замовлення: 7

RRQ030P03HZGTR

Description: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 1.5A, 4V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 10 V

товар відсутній

RRQ030P03TR

Description: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 10 V

товар відсутній

RRQ030P03TR

MOSFET TRANS MOSFET P-CH 30V 3A TR

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	39.26 грн
11+	30.1 грн
100+	15.22 грн
1000+	13.09 грн

Мінімальне замовлення: 8

RRQ030P03TR

Description: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 10 V

на замовлення 2997 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	45.5 грн
10+	37.62 грн
100+	28.07 грн
500+	20.7 грн
1000+	15.99 грн

Мінімальне замовлення: 7

RRQ030P03TR

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RRQ035N03

на замовлення 33000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RRQ045P03

на замовлення 123800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RRQ045P03FRATR

Description: ROHM - RRQ045P03FRATR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.5 A, 0.025 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
Verlustleistung: 1.25
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 2831 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	34.53 грн
500+	26.5 грн
1000+	19.58 грн

Мінімальне замовлення: 100

RRQ045P03FRATR

Description: ROHM - RRQ045P03FRATR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.5 A, 0.025 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm

на замовлення 219 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	59.84 грн
17+	46.06 грн
100+	33.85 грн

Мінімальне замовлення: 13

RRQ045P03HZGTR

MOSFET AECQ

на замовлення 5990 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	92.69 грн
10+	75.01 грн
100+	50.74 грн
500+	43.93 грн
1000+	35.78 грн
3000+	33.65 грн
6000+	31.38 грн

Мінімальне замовлення: 4

RRQ045P03HZGTR

Description: ROHM - RRQ045P03HZGTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.5 A, 0.025 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 4.5
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.25
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25
Bauform - Transistor: TSMT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 2971 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	72.95 грн
500+	55.98 грн
1000+	38 грн

Мінімальне замовлення: 100

RRQ045P03HZGTR

Description: AUTOMOTIVE PCH -30V -4.5A SMALL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 10 V

товар відсутній

RRQ045P03HZGTR

на замовлення 2971 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	104.1 грн
10+	93.62 грн
100+	72.95 грн
500+	55.98 грн
1000+	38 грн

Мінімальне замовлення: 8

RRQ045P03HZGTR

Description: AUTOMOTIVE PCH -30V -4.5A SMALL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 10 V

на замовлення 248 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	96.05 грн
10+	82.96 грн
100+	64.66 грн

Мінімальне замовлення: 4

RRQ045P03TR

Description: MOSFET P-CH 30V 4.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 10 V

на замовлення 1733 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	64.27 грн
10+	55.43 грн
100+	43.23 грн
500+	33.52 грн
1000+	26.46 грн

Мінімальне замовлення: 5

RRQ045P03TR

Description: MOSFET P-CH 30V 4.5A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 10 V

товар відсутній

RRQ045P03TR

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RRQ045P03TR