Продукція > SI4
Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SI40021 | на замовлення 72 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SI4004DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4004DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 12A 8-Pin SOIC N T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4008BDY | на замовлення 570 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SI400CF-021 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SI400CF-022 | на замовлення 998 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SI4010-B1-GS | Silicon Laboratories | Crystal-SOC RF Transmitter | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4010-B1-GS | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU SoC RF transmitter with 8051 | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4010-B1-GS | на замовлення 7000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SI4010-B1-GS | Silicon Labs | Description: RF TX IC FSK 27-960MHZ 14SOIC Packaging: Tube Features: 8051 MCU Core, Crystal-less Operation Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Frequency: 27MHz ~ 960MHz Memory Size: 4kB RAM Modulation or Protocol: FSK, OOK Data Interface: PCB, Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 10dBm Applications: Garage Openers, RKE, Security Alarms Data Rate (Max): 100kBaud Current - Transmitting: 19.8mA Antenna Connector: PCB, Surface Mount Supplier Device Package: 14-SOIC Part Status: Obsolete DigiKey Programmable: Verified | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4010-B1-GSR | Silicon Laboratories | Crystal-SOC RF Transmitter | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4010-B1-GT | на замовлення 7000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SI4010-B1-GT | Silicon Labs | Description: RF TX IC FSK 27-960MHZ 10TFSOP Packaging: Tube Features: 8051 MCU Core, Crystal-less Operation Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Mounting Type: Surface Mount Frequency: 27MHz ~ 960MHz Memory Size: 4kB RAM Modulation or Protocol: FSK, OOK Data Interface: PCB, Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 10dBm Applications: Garage Openers, RKE, Security Alarms Data Rate (Max): 100kBaud Current - Transmitting: 19.8mA Antenna Connector: PCB, Surface Mount Supplier Device Package: 10-MSOP Part Status: Obsolete DigiKey Programmable: Not Verified | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4010-C2 | на замовлення 1700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SI4010-C2-AS | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 8b Wireless MCU AEC-Q100 | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4010-C2-ASR | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 8b Wireless MCU AEC-Q100 | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4010-C2-AT | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4010-C2-AT | Silicon Laboratories | RF Transmitter FSK/OOK 3.3V 10-Pin MSOP Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4010-C2-ATR | Silicon Laboratories | RF Transmitter FSK/OOK 3.3V 10-Pin MSOP T/R Automotive AEC-Q100 | на замовлення 580000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4010-C2-ATR | Silicon Laboratories | RF Transmitter FSK/OOK 3.3V 10-Pin MSOP T/R Automotive AEC-Q100 | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4010-C2-ATR | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4010-C2-GS | Silicon Laboratories | 8051 Sub-GHz RF Transmitter | на замовлення 168 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4010-C2-GS | Silicon Laboratories | RF Transmitter, 27-960MHz, 1.8?3.6V, -40?85°C SI4010-C2-GS Silicon Labs UISI4010c2gs кількість в упаковці: 4 шт | на замовлення 112 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4010-C2-GS | Silicon Laboratories | 8051 Sub-GHz RF Transmitter | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4010-C2-GS | Silicon Labs | RF System on a Chip - SoC 8051 Sub-GHz RF transmitter | на замовлення 2938 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4010-C2-GS | Silicon Laboratories | 8051 Sub-GHz RF Transmitter | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
SI4010-C2-GS | Silicon Labs | SI4010-C2-GS SI4010 кількість в упаковці: 56 шт | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
SI4010-C2-GS | Silicon Laboratories | RF Transmitter, 27-960MHz, 1.8?3.6V, -40?85°C SI4010-C2-GS Silicon Labs UISI4010c2gs кількість в упаковці: 4 шт | на замовлення 56 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4010-C2-GS | Silicon Laboratories | RF Transmitter FSK/OOK 3.3V 14-Pin SOIC Tube | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4010-C2-GS | Silicon Laboratories | 8051 Sub-GHz RF Transmitter | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4010-C2-GS | Silicon Labs | Description: RF TX IC FSK 27-960MHZ 14SOIC Packaging: Tube Features: 8051 MCU Core, Crystal-less Operation Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Frequency: 27MHz ~ 960MHz Memory Size: 4kB RAM Modulation or Protocol: FSK, OOK Data Interface: PCB, Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 10dBm Applications: Garage Openers, RKE, Security Alarms Data Rate (Max): 100kBaud Current - Transmitting: 19.8mA Antenna Connector: PCB, Surface Mount Supplier Device Package: 14-SOIC Part Status: Active DigiKey Programmable: Verified | на замовлення 7249 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4010-C2-GSR | Silicon Labs | Description: RF TX IC FSK 27-960MHZ 14SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Features: 8051 MCU Core, Crystal-less Operation Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Frequency: 27MHz ~ 960MHz Memory Size: 4kB RAM Modulation or Protocol: FSK, OOK Data Interface: PCB, Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 10dBm Applications: Garage Openers, RKE, Security Alarms Data Rate (Max): 100kBaud Current - Transmitting: 19.8mA Antenna Connector: PCB, Surface Mount Supplier Device Package: 14-SOIC Part Status: Active DigiKey Programmable: Verified | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4010-C2-GSR | Silicon Laboratories | 8051 Sub-GHz RF Transmitter | на замовлення 4940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4010-C2-GSR | Silicon Labs | SI4010-C2-GSR SI4010 кількість в упаковці: 2500 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4010-C2-GSR | Silicon Laboratories | RF Transmitter FSK/OOK 3.3V 14-Pin SOIC T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4010-C2-GSR | Silicon Laboratories | 8051 Sub-GHz RF Transmitter | на замовлення 17500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4010-C2-GSR | Silicon Labs | Description: RF TX IC FSK 27-960MHZ 14SOIC Features: 8051 MCU Core, Crystal-less Operation Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Frequency: 27MHz ~ 960MHz Memory Size: 4kB RAM Modulation or Protocol: FSK, OOK Data Interface: PCB, Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 10dBm Applications: Garage Openers, RKE, Security Alarms Data Rate (Max): 100kBaud Current - Transmitting: 19.8mA Antenna Connector: PCB, Surface Mount Supplier Device Package: 14-SOIC Part Status: Active DigiKey Programmable: Verified | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4010-C2-GSR | Silicon Laboratories | 8051 Sub-GHz RF Transmitter | на замовлення 4940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4010-C2-GSR | Silicon Laboratories | 8051 Sub-GHz RF Transmitter | на замовлення 17500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4010-C2-GSR | Silicon Labs | RF System on a Chip - SoC SoC RF transmitter with 8051 | на замовлення 2908 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4010-C2-GT | Silicon Laboratories | 8051 Sub-GHz RF Transmitter | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4010-C2-GT | Silicon Labs | RF System on a Chip - SoC 8051 Sub-GHz RF transmitter | на замовлення 378 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4010-C2-GT | Silicon Laboratories | 8051 Sub-GHz RF Transmitter | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4010-C2-GT | Silicon Labs | Description: RF TX IC FSK 27-960MHZ 10TFSOP Packaging: Tube Features: 8051 MCU Core, Crystal-less Operation Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Mounting Type: Surface Mount Frequency: 27MHz ~ 960MHz Memory Size: 4kB RAM Modulation or Protocol: FSK, OOK Data Interface: PCB, Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 10dBm Applications: Garage Openers, RKE, Security Alarms Data Rate (Max): 100kBaud Current - Transmitting: 19.8mA Antenna Connector: PCB, Surface Mount Supplier Device Package: 10-MSOP Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 587 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4010-C2-GT | Silicon Labs | MSOP 10/I°/SOC RF TRANSMITTER WITH 8051 SI4010MSOP кількість в упаковці: 50 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4010-C2-GT | Silicon Laboratories | Crystal-SOC RF Transmitter | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4010-C2-GTR | Silicon Labs | RF System on a Chip - SoC SoC RF transmitter with 8051 | на замовлення 2219 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4010-C2-GTR | Silicon Laboratories | 8051 Sub-GHz RF Transmitter | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4010-C2-GTR | Silicon Labs | Description: RF TX IC FSK 27-960MHZ 10TFSOP Features: 8051 MCU Core, Crystal-less Operation Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Mounting Type: Surface Mount Frequency: 27MHz ~ 960MHz Memory Size: 4kB RAM Modulation or Protocol: FSK, OOK Data Interface: PCB, Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 10dBm Applications: Garage Openers, RKE, Security Alarms Data Rate (Max): 100kBaud Current - Transmitting: 19.8mA Antenna Connector: PCB, Surface Mount Supplier Device Package: 10-MSOP Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4010-C2-GTR | Silicon Laboratories | 8051 Sub-GHz RF Transmitter | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4010-C2-GTR | Silicon Labs | MSOP 10/I°/SOC RF TRANSMITTER WITH 8051 SI4010MSOP кількість в упаковці: 2500 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4010-C2-GTR | Silicon Laboratories | RF Transmitter FSK/OOK 3.3V 10-Pin MSOP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4010-C2-GTR | SILICON LABS | Description: SILICON LABS - SI4010-C2-GTR - ZF-TRANSMITTER, 100KBPS, -40 BIS 85°C tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Übertragungsstrom: 19.8A Bauform - HF-IC: MSOP Ausgangsleistung (dBm): 10dBm hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: 5A992.c Frequenz, min.: 27MHz Anwendungen HF-Sender: Garagentor- & Türöffner, Hausautomatisierung & Sicherheit, RKE-Systeme, drahtlose Fernsteuerung Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.8V Empfindlichkeit (dBm): -dBm euEccn: NLR HF/IF-Modulation: FSK, OOK Anzahl der Pins: 10Pin(s) Übertragungsrate: 100Kbps productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Frequenz, max.: 960MHz Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (16-Jan-2020) | на замовлення 2197 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4010-C2-GTR | Silicon Laboratories | 8051 Sub-GHz RF Transmitter | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4010-C2-GTR | Silicon Labs | Description: RF TX IC FSK 27-960MHZ 10TFSOP Features: 8051 MCU Core, Crystal-less Operation Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Mounting Type: Surface Mount Frequency: 27MHz ~ 960MHz Memory Size: 4kB RAM Modulation or Protocol: FSK, OOK Data Interface: PCB, Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 10dBm Applications: Garage Openers, RKE, Security Alarms Data Rate (Max): 100kBaud Current - Transmitting: 19.8mA Antenna Connector: PCB, Surface Mount Supplier Device Package: 10-MSOP Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 7377 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4010-C2-GTR | Silicon Laboratories | 8051 Sub-GHz RF Transmitter | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4010-C2001AT | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 8b Wireless MCU AEC-Q100 | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4010-C2001ATR | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 8b Wireless MCU AEC-Q100 | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4010-C2002AT | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 8b Wireless MCU AEC-Q100 | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4010-C2002ATR | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 8b Wireless MCU AEC-Q100 | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4010-C2002GS | Silicon Labs | Description: 8B WIRELESS MCU Packaging: Strip DigiKey Programmable: Not Verified | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4010-C2003AT | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 8b Wireless MCU AEC-Q100 | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4010-C2003AT | Silicon Laboratories | Crystal-Less SOC RF Transmitter | на замовлення 95 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4010-C2003AT | Silicon Laboratories | Crystal-Less SOC RF Transmitter | на замовлення 95 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4010-C2003ATR | Silicon Laboratories | High Performance RF Transmitter | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4010-C2003ATR | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 8b Wireless MCU AEC-Q100 | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4010-C2004AT | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 8b Wireless MCU AEC-Q100 | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4010-C2004AT | Silicon Laboratories | Crystal-Less SOC RF Transmitter | на замовлення 46 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4010-C2004AT | Silicon Laboratories | Crystal-Less SOC RF Transmitter | на замовлення 46 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
SI4010-C2004ATR | Silicon Laboratories | RF Transmitter FSK/OOK 3.3V 10-Pin MSOP T/R | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4010-C2004ATR | Silicon Laboratories | RF Transmitter FSK/OOK 3.3V 10-Pin MSOP T/R | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4010-C2004ATR | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 8b Wireless MCU AEC-Q100 | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4010-C2004ATR | Silicon Laboratories | RF Transmitter FSK/OOK 3.3V 10-Pin MSOP T/R | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4010-C200FGT | Silicon Labs | Description: EZRADIO TX SUBG 8051 SOC | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4010-C200FGT | Silicon Laboratories | RF Transmitter FSK/OOK 3.3V 10-Pin MSOP Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4010-C200FGTR | Silicon Laboratories | RF Transmitter FSK/OOK 3.3V 10-Pin MSOP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4010-C200RGT | Silicon Labs | Description: 8B WIRELESS MCU Packaging: Tray DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4010-C200RGTR | Silicon Laboratories | RF Transmitter FSK/OOK 3.3V 10-Pin MSOP T/R | на замовлення 2487 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4010-C200RGTR | Silicon Laboratories | RF Transmitter FSK/OOK 3.3V 10-Pin MSOP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4010-C200RGTR | Silicon Laboratories | RF Transmitter FSK/OOK 3.3V 10-Pin MSOP T/R | на замовлення 2487 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4010-C200YGTR | Silicon Laboratories | RF Transmitter FSK/OOK 3.3V 10-Pin MSOP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4010-C2012GT | Silicon Laboratories | RF Transmitter FSK/OOK 3.3V 10-Pin MSOP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4010-C2020GTR | Silicon Laboratories | SI4010-C2020GTR | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4010-C2020GTR | Silicon Labs | Silicon Laboratories | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4010-C2024GTR | Silicon Laboratories | SI4010-C2024GTR | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4010-C2025GT | Silicon Laboratories | SI4010-C2025GT | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4010-C2M0RGS | Silicon Laboratories | ONLY FOR CUSTOMER CAME (CUSTOM) | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4010-C2M0RGSR | Silicon Laboratories | ONLY FOR CUSTOMER CAME (CUSTOM) | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4010-C2M0SGS | Silicon Laboratories | SoC RF transmitter with 8051 - CUSTOM CAME | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4010-C2M0SGSR | Silicon Laboratories | SoC RF transmitter with 8051 - CUSTOM CAME | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4010-C2M20GTR | Silicon Laboratories | SI4010-C2M20GTR | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4010-C2M20GTR | Silicon Laboratories | SI4010-C2M20GTR | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
SI4010-C2M20GTR | Silicon Laboratories | SI4010-C2M20GTR | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4010-C2X-GS | Silicon Laboratories | SI4010-C2X-GS | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4010DY-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET N-Channel 30V | на замовлення 5649 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||
SI4010DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 31.3A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4010DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 31.3A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4011-C1001GT | Silicon Laboratories | 0M SOC RF TRANSMITT.WITH 8051 | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4011-C1001GTR | Silicon Laboratories | 0M SOC RF TRANSMITT.WITH 8051 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4011-C1002GT | Silicon Laboratories | 0M SOC RF TRANSMITT.WITH 8051 | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4011-C100GGTR | Silicon Laboratories | 0M SOC RF TRANSMITT.WITH 8051 | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4011-C100JGTR | Silicon Labs | SI4011-C100JGTR SI4011 кількість в упаковці: 2500 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4011-C100MGTR | Silicon Labs | SI4011-C100MGTR SI4011 кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4011-C100NGTR | Silicon Labs | SI4011-C100NGTR SI4011 кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4011-C2-GT | Silicon Labs | Description: IC TRANSMITTER EZRADIO 10MSOP | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4011-CA-GT | Silicon Laboratories | SI4011-CA-GT | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4011-CC-GT | Silicon Labs | Description: IC TRANSMITTER 10MSOP | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4011-CC-GTR | Silicon Labs | Description: IC TRANSMITTER 10MSOP | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4012-A0-GT | Silicon Labs | Description: RF TX IC FSK 27-960MHZ 10TFSOP | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4012-A0-GT | Silicon Labs | SI4012-A0-GT SI4012 кількість в упаковці: 50 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4012-A0-GTR | Silicon Labs | RF Transmitter | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4012-B1-GT | на замовлення 7000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SI4012-C1001GT | Silicon Labs | MSOP 10/–40 TO 85 OC/27-960 MHZ RF TRANSMITTER SI4012 кількість в упаковці: 50 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4012-C1001GT | Silicon Labs | RF Transmitter 8051 Sub-GHz RF transmitter | на замовлення 605 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4012-C1001GT | Silicon Laboratories | RF Transmitter 100KBd 3.3V 10-Pin MSOP Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4012-C1001GT | SILICON LABS | Description: SILICON LABS - SI4012-C1001GT - ZF-Sender, 27MHz bis 960MHz, FSK, OOK, 100kBaud, 10dBm, 1.8V bis 3.6V, MSOP-10 Übertragungsstrom: 19.8 Bauform - HF-IC: MSOP Ausgangsleistung (dBm): 10 MSL: MSL 3 - 168 Stunden Frequenz, min.: 27 Anwendungen HF-Sender: Hausautomatisierung / Industrieautomation, Fernsteuerung Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, min.: 1.8 Empfindlichkeit (dBm): - HF/IF-Modulation: FSK, OOK Anzahl der Pins: 10 Übertragungsrate: 100 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 3.6 Frequenz, max.: 960 Betriebstemperatur, max.: 85 SVHC: To Be Advised | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4012-C1001GT | Silicon Labs | Description: RF TX IC FSK 27-960MHZ 10TFSOP Packaging: Tube Features: Crystal-less Operation Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Mounting Type: Surface Mount Frequency: 27MHz ~ 960MHz Modulation or Protocol: FSK, OOK Data Interface: PCB, Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 10dBm Applications: Home Automation, Remote Sensing, RKE Data Rate (Max): 100kBaud Current - Transmitting: 19.8mA Antenna Connector: PCB, Surface Mount Supplier Device Package: 10-MSOP Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 895 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4012-C1001GTR | Silicon Labs | Description: RF TX IC FSK 27-960MHZ 10TFSOP Features: Crystal-less Operation Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Mounting Type: Surface Mount Frequency: 27MHz ~ 960MHz Modulation or Protocol: FSK, OOK Data Interface: PCB, Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 10dBm Applications: Home Automation, Remote Sensing, RKE Data Rate (Max): 100kBaud Current - Transmitting: 19.8mA Antenna Connector: PCB, Surface Mount Supplier Device Package: 10-MSOP Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 2007 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4012-C1001GTR | Silicon Labs | Description: RF TX IC FSK 27-960MHZ 10TFSOP Features: Crystal-less Operation Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Mounting Type: Surface Mount Frequency: 27MHz ~ 960MHz Modulation or Protocol: FSK, OOK Data Interface: PCB, Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 10dBm Applications: Home Automation, Remote Sensing, RKE Data Rate (Max): 100kBaud Current - Transmitting: 19.8mA Antenna Connector: PCB, Surface Mount Supplier Device Package: 10-MSOP Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4012-C1001GTR | Silicon Labs | MSOP 10/–40 TO 85 OC/27-960 MHZ RF TRANSMITTER SI4012 кількість в упаковці: 2500 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4012-C1001GTR | Silicon Labs | RF Transmitter 8051 Sub-GHz RF transmitter | на замовлення 7848 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4012-C1001GTR | Silicon Laboratories | RF Transmitter 100KBd 3.3V 10-Pin MSOP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4012-C1001GTR | SILICON LABS | Description: SILICON LABS - SI4012-C1001GTR - HF-Transmitter, 27 bis 960MHz, FSK/OOK, 10dBm Out, 100kBaud, 1.8 bis 3.6V, MSOP-10 tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Übertragungsstrom: 19.8mA Bauform - HF-IC: MSOP Ausgangsleistung (dBm): 10dBm hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Frequenz, min.: 27MHz Anwendungen HF-Sender: Hausautomatisierung / Industrieautomation, Fernsteuerung Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.8V Empfindlichkeit (dBm): - euEccn: NLR HF/IF-Modulation: FSK, OOK Anzahl der Pins: 10Pin(s) Übertragungsrate: 100Kbaud Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Frequenz, max.: 960MHz Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 2297 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4018 | ALUTRONIC | SI4018 Heatsinks - equipment | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4018-S | ALUTRONIC | SI4018-S Heatsinks - equipment | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4020 | на замовлення 2350 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SI4020-I1-FT | Silicon Labs | TSSOP 16/I°/TRANSMITTER (EZRADIO) SI4020 кількість в упаковці: 96 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4020-I1-FT | Silicon Labs | Description: RF TX IC FSK 315/433MHZ 16TSSOP Packaging: Tube Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Frequency: 315MHz, 433MHz, 868MHz, 915MHz Modulation or Protocol: FSK, OOK Data Interface: PCB, Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 2.2V ~ 5.4V Power - Output: 3dBm Applications: General Purpose Data Rate (Max): 256kbps Current - Transmitting: 14mA Antenna Connector: PCB, Surface Mount Supplier Device Package: 16-TSSOP DigiKey Programmable: Not Verified | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4020-I1-FTR | Silicon Labs | Description: IC TX FSK 915MHZ 5.4V 16-TSSOP | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4020-I1-FTR | Silicon Labs | TSSOP 16/I°/TRANSMITTER (EZRADIO)(NOT RECOMMENDED FOR NEW DESIGNS; SUGGESTE SI4020TSSOP кількість в упаковці: 2000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4021 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SI4021-A1-FT | Silicon Labs | RF Transmitter TX SubG | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4021-A1-FT | Silicon Labs | SI4021-A1-FT SI4021 кількість в упаковці: 96 шт | на замовлення 96 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
SI4021-A1-FT | Silicon Labs | Description: RF TX IC FSK 433/868MHZ 16TSSOP Packaging: Tube Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Frequency: 433MHz, 868MHz, 915MHz Modulation or Protocol: FSK, OOK Data Interface: PCB, Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 2.2V ~ 5.4V Power - Output: 8dBm Applications: General Purpose Data Rate (Max): 512kbps Current - Transmitting: 24mA Antenna Connector: PCB, Surface Mount Supplier Device Package: 16-TSSOP DigiKey Programmable: Not Verified | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4021-A1-FTR | Silicon Labs | RF Transmitter TX SubG | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4021-A1-FTR | Silicon Labs | TSSOP 16/TRANSMITTER -EZRadio - UNIVERSAL ISM BAND FSK IA4221 SI4021 кількість в упаковці: 2000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4021-A1-FTR | Silicon Labs | Description: RF TX IC FSK 433/868MHZ 16TSSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Frequency: 433MHz, 868MHz, 915MHz Modulation or Protocol: FSK, OOK Data Interface: PCB, Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 2.2V ~ 5.4V Power - Output: 8dBm Applications: General Purpose Data Rate (Max): 512kbps Current - Transmitting: 24mA Antenna Connector: PCB, Surface Mount Supplier Device Package: 16-TSSOP DigiKey Programmable: Not Verified | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4021A1FTR | на замовлення 2430 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SI4022-A0-FT | Silicon Labs | Description: RF TX IC FSK 868/915MHZ 16TSSOP | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4022-A0-FT | Silicon Labs | SI4022-A0-FT SI4022 кількість в упаковці: 96 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4022-A0-FTR | Silicon Labs | TSSOP 16/I°/TRANSMITTER (EZRADIO) SI4022 кількість в упаковці: 2000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4022-A0-FTR | Silicon Labs | RF Transmitter TX SubG | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4022-A0-FTR | Silicon Labs | Description: RF TX IC FSK 868/915MHZ 16TSSOP | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4022-A1-FT | Silicon Labs | Description: RF TX IC FSK 868/915MHZ 16TSSOP | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4022-A1-FT | Silicon Laboratories | RF Transmitter FSK 3.3V 16-Pin TSSOP | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4022-A1-FT | на замовлення 80 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SI4023-S | ALUTRONIC | SI4023-S Heatsinks - equipment | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4030-A0-FM | Silicon Labs | Description: RF TX IC FSK 240-930MHZ 20VFQFN Packaging: Tube Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Frequency: 240MHz ~ 930MHz Modulation or Protocol: FSK, GFSK, OOK Data Interface: PCB, Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 20dBm (100mW) Data Rate (Max): 128kbps Current - Transmitting: 28mA Antenna Connector: PCB, Surface Mount Supplier Device Package: 20-QFN (4x4) DigiKey Programmable: Not Verified | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4030-A0-FMR | Silicon Labs | RF Transmitter TX SubG +13 dBm | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4030-A0-FMR | Silicon Labs | Description: RF TX ISM FSK 240-930MHZ 20VFQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Supplier Device Package: 20-QFN (4x4) DigiKey Programmable: Not Verified | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4030-B1-FM | Silicon Labs | Description: RF TX IC FSK 900-960MHZ 20VFQFN Packaging: Tube Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Frequency: 900MHz ~ 960MHz Modulation or Protocol: FSK, GFSK, OOK Data Interface: PCB, Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 13dBm Applications: General Purpose Data Rate (Max): 256kbps Current - Transmitting: 30mA Antenna Connector: PCB, Surface Mount Supplier Device Package: 20-QFN (4x4) DigiKey Programmable: Not Verified | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4030-B1-FM | Silicon Laboratories | ISM Transmitter 256Kbps 3V Automotive 20-Pin QFN EP Tray | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4030-B1-FM | Silicon Labs | RF Transmitter TX SubG +13 dBm | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4030-B1-FM | Silicon Laboratories | TX SubG +13dBm | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4030-B1-FMR | Silicon Labs | RF Transmitter TX SubG +13 dBm | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4030-B1-FMR | Silicon Labs | Description: RF TX IC FSK 900-960MHZ 20VFQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Frequency: 900MHz ~ 960MHz Modulation or Protocol: FSK, GFSK, OOK Data Interface: PCB, Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 13dBm Applications: General Purpose Data Rate (Max): 256kbps Current - Transmitting: 30mA Antenna Connector: PCB, Surface Mount Supplier Device Package: 20-QFN (4x4) DigiKey Programmable: Not Verified | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4030-B1-FMR | Silicon Laboratories | ISM Transmitter 256Kbps 3V Automotive 20-Pin QFN EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4030-B1-FMR | Silicon Labs | QFN 20/I°/+13DBM SI4430 EZRADIOPRO TRANSMITTER (REV B1) SI4030 кількість в упаковці: 2500 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4031 | на замовлення 5500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SI4031-A0-FM | Silicon Labs | Description: RF TX IC FSK 240-930MHZ 20VFQFN Packaging: Tube Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Frequency: 240MHz ~ 930MHz Modulation or Protocol: FSK, GFSK, OOK Data Interface: PCB, Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 13dBm Data Rate (Max): 128kbps Current - Transmitting: 28mA Antenna Connector: PCB, Surface Mount Supplier Device Package: 20-QFN (4x4) DigiKey Programmable: Not Verified | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4031-B1-FM | Silicon Labs | QFN 20/I°/+13dBm Si4431 EZRadioPRO® Transmitter (rev B1) SI4031 кількість в упаковці: 91 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4031-B1-FM | Silicon Laboratories | RF Transmitter FSK/GFSK/OOK 3V Automotive 20-Pin QFN EP Tray | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4031-B1-FM | Silicon Labs | Description: RF TX IC FSK 240-930MHZ 20VFQFN Packaging: Tube Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Frequency: 240MHz ~ 930MHz Modulation or Protocol: FSK, GFSK, OOK Data Interface: PCB, Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 13dBm Applications: General Purpose Data Rate (Max): 256kbps Current - Transmitting: 30mA Antenna Connector: PCB, Surface Mount Supplier Device Package: 20-QFN (4x4) DigiKey Programmable: Not Verified | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4031-B1-FM | Silicon Labs | RF Transmitter +13 dBm sub-GHz transmitter | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4031-B1-FMR | Silicon Labs | Description: RF TX IC FSK 240-930MHZ 20VFQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Frequency: 240MHz ~ 930MHz Modulation or Protocol: FSK, GFSK, OOK Data Interface: PCB, Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 13dBm Applications: General Purpose Data Rate (Max): 256kbps Current - Transmitting: 30mA Antenna Connector: PCB, Surface Mount Supplier Device Package: 20-QFN (4x4) DigiKey Programmable: Not Verified | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4031-B1-FMR | Silicon Laboratories | +13 dBm Sub-GHz Transmitter | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4031-B1-FMR | Silicon Labs | RF Transmitter +13 dBm sub-GHz transmitter | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4031-B1-FMR | Silicon Labs | QFN 20/I°/+13dBm Si4431 EZRadioPRO® Transmitter (rev B1) SI4031 кількість в упаковці: 2500 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4031-B1-FMR | Silicon Laboratories | RF Transmitter FSK/GFSK/OOK 3V Automotive 20-Pin QFN EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4032-B1-FM | Silicon Laboratories | +20 dBm Sub-GHz Transmitter | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4032-B1-FM | Silicon Labs | RF Transmitter +20 dBm sub-GHz transmitter | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4032-B1-FM | Silicon Labs | QFN 20/I°/+20DBM SI4432 EZRADIOPRO® TRANSMITTER (REV B1) SI4032 кількість в упаковці: 91 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4032-B1-FM | Silicon Laboratories | RF Transmitter FSK/GFSK/OOK 3V Automotive 20-Pin QFN EP Tray | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4032-B1-FM | SILICON LABS | Description: SILICON LABS - SI4032-B1-FM - ZF-Sender, 240MHz bis 930MHz, FSK, GFSK, OOK, 256kB/s, 20dBm, 1.8V bis 3.6V, QFN-20 tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Übertragungsstrom: 85mA Bauform - HF-IC: QFN Ausgangsleistung (dBm): 20dBm hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Frequenz, min.: 240MHz Anwendungen HF-Sender: Automatische Zählerauslesung, Haustechnik, Telemetrie mit geringer Leistungsaufnahme, drahtlose Alarm-/Sicherheitsanlagen Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.8V Empfindlichkeit (dBm): -dBm euEccn: NLR HF/IF-Modulation: FSK, GFSK, OOK Anzahl der Pins: 20Pin(s) Übertragungsrate: 256Kbps productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Frequenz, max.: 930MHz Betriebstemperatur, max.: 85°C | на замовлення 3510 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4032-B1-FM | Silicon Laboratories | +20 dBm Sub-GHz Transmitter | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4032-B1-FM | Silicon Labs | Description: RF TX IC FSK 240-930MHZ 20VFQFN Packaging: Tube Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Frequency: 240MHz ~ 930MHz Modulation or Protocol: FSK, GFSK, OOK Data Interface: PCB, Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 20dBm Applications: General Purpose Data Rate (Max): 256kbps Current - Transmitting: 30mA Antenna Connector: PCB, Surface Mount Supplier Device Package: 20-QFN (4x4) DigiKey Programmable: Not Verified | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4032-B1-FMR | Silicon Laboratories | RF Transmitter FSK/GFSK/OOK 3V Automotive 20-Pin QFN EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4032-B1-FMR | Silicon Laboratories | +20 dBm Sub-GHz Transmitter | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4032-B1-FMR | Silicon Labs | Description: RF TX IC FSK 240-930MHZ 20VFQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Frequency: 240MHz ~ 930MHz Modulation or Protocol: FSK, GFSK, OOK Data Interface: PCB, Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 20dBm Applications: General Purpose Data Rate (Max): 256kbps Current - Transmitting: 30mA Antenna Connector: PCB, Surface Mount Supplier Device Package: 20-QFN (4x4) DigiKey Programmable: Not Verified | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4032-B1-FMR | Silicon Labs | RF Transmitter +20 dBm sub-GHz transmitter | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4032-B1-FMR | Silicon Labs | QFN 20/I°/+20DBM SI4432 EZRADIOPRO® TRANSMITTER (REV B1) SI4032QFN+Q221 кількість в упаковці: 2500 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4032-V2-FM | Silicon Labs | Description: RF TX IC FSK 240-930MHZ 20VFQFN Packaging: Tube Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Frequency: 240MHz ~ 930MHz Modulation or Protocol: FSK, GFSK, OOK Data Interface: PCB, Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 20dBm (100mW) Data Rate (Max): 128kbps Current - Transmitting: 80mA Antenna Connector: PCB, Surface Mount Supplier Device Package: 20-QFN (4x4) DigiKey Programmable: Not Verified | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4032-V2-FM | Silicon Laboratories | RF Transmitter FSK/GFSK/OOK 3V Automotive 20-Pin QFN EP Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4032-V2-FMR | Silicon Labs | RF Transmitter +20 dBm sub-GHz transmitter | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4032-V2-FMR | Silicon Labs | Description: RF TX ISM FSK 240-930MHZ 20VFQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Supplier Device Package: 20-QFN (4x4) DigiKey Programmable: Not Verified | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4033-B2-FM | Silicon Laboratories | SI4033-B2-FM | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4033-B2-FMR | Silicon Labs | SI4033B2-FMR EZRADIOPRO® TRANSMITTER SI4033 кількість в упаковці: 2500 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4033-B2-FMR | Silicon Laboratories | SI4033-B2-FMR | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4038DY-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 42.5A; Idm: 150A Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Power dissipation: 7.8W Polarisation: unipolar Gate charge: 87nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 150A Case: SO8 Drain-source voltage: 40V Drain current: 42.5A On-state resistance: 3.2mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 2500 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4038DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 42.5A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4070 pF @ 20 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4038DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH Si 40V 42.5A 8-Pin SOIC N | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4038DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH Si 40V 42.5A 8-Pin SOIC N | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4038DY-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 42.5A; Idm: 150A Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Power dissipation: 7.8W Polarisation: unipolar Gate charge: 87nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 150A Case: SO8 Drain-source voltage: 40V Drain current: 42.5A On-state resistance: 3.2mΩ Type of transistor: N-MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4038DY-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4154DY-GE3 | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4038DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 42.5A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4070 pF @ 20 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4048DY-T1-E3 | на замовлення 30 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SI4048DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 19.3A 8-Pin SOIC N T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4048DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 19.3A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060 pF @ 15 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4048DY-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET | на замовлення 2875 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||
SI4048DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 19.3A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060 pF @ 15 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4055-B1A-FM | Silicon Labs | RF Transceiver Sub-GHz transmitter | на замовлення 485 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||
SI4055-B1A-FM | Silicon Laboratories | Easy-to-use, low current, sub-GHz EZRadio transceiver | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4055-B1A-FMR | Silicon Labs | RF Transceiver Sub-GHz transmitter | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4055-B1A-ZMR | Silicon Labs | SI4055-B1A-ZMR SI4055 кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4055-C2A-AM | Silicon Labs | RF Transceiver Transceiver AEC-Q100 | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4055-C2A-AMR | Silicon Labs | RF Transceiver Transceiver AEC-Q100 | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4055-C2A-GM | SILICON LABS | Description: SILICON LABS - SI4055-C2A-GM - HF-Sender, 284MHz bis 960MHz, 13dBm out, 1.8V bis 3.6V, QFN-EP, 20 Pins tariffCode: 84733020 rohsCompliant: YES Übertragungsstrom: 24mA Bauform - HF-IC: QFN-EP Ausgangsleistung (dBm): 13dBm hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Frequenz, min.: 284MHz Anwendungen HF-Sender: Garagen- & Toröffner, Hausautomatisierung, Sicherheits-/Alarmanlagen, industrielle Steuerung/Fernsteuerung, Telemetrie Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.8V Empfindlichkeit (dBm): -116dBm euEccn: NLR HF/IF-Modulation: FSK, GFSK, OOK Anzahl der Pins: 20Pin(s) Übertragungsrate: 500Kbps Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Frequenz, max.: 960MHz Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) | на замовлення 455 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4055-C2A-GM | Silicon Laboratories | RF Transmitter FSK/GFSK/OOK 3.3V 20-Pin QFN EP Tray | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4055-C2A-GM | Silicon Laboratories | RF Transmitter FSK/GFSK/OOK 3.3V 20-Pin QFN EP Tray | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4055-C2A-GM | Silicon Labs | RF Transceiver Sub-GHz Transmitter | на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4055-C2A-GMR | Silicon Laboratories | RF Transmitter FSK/GFSK/OOK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4055-C2A-GMR | Silicon Labs | RF Transceiver Sub-GHz transmitter | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4055-C2A-GMR | Silicon Laboratories | RF Transmitter FSK/GFSK/OOK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4056ADY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 5.9A T/R | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4056ADY-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI4056ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 8.3 A, 0.0243 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0243ohm | на замовлення 7881 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4056ADY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 5.9A/8.3A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Ta), 8.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.2mOhm @ 5.9A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 50 V | на замовлення 1153 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4056ADY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 5.9A T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4056ADY-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 8.3A; Idm: 40A; 5W Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 100V Drain current: 8.3A On-state resistance: 33mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 5W Polarisation: unipolar Gate charge: 29nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 40A Mounting: SMD Case: SO8 | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4056ADY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 5.9A T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4056ADY-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 100V N-CH D-S MOSFET | на замовлення 136108 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4056ADY-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI4056ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 8.3 A, 0.0243 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0243ohm | на замовлення 7881 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4056ADY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 5.9A/8.3A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Ta), 8.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.2mOhm @ 5.9A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 50 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4056ADY-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 8.3A; Idm: 40A; 5W Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 100V Drain current: 8.3A On-state resistance: 33mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 5W Polarisation: unipolar Gate charge: 29nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 40A Mounting: SMD Case: SO8 кількість в упаковці: 2500 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4056DY-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11.1A; Idm: 70A; 3.6W; SO8 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 100V Drain current: 11.1A On-state resistance: 23mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 3.6W Polarisation: unipolar Gate charge: 29.5nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 70A Mounting: SMD Case: SO8 | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4056DY-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET RECOMMENDED ALT SI4058DY-T1-GE3 | на замовлення 28033 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4056DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 11.1A 8-Pin SOIC N T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4056DY-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11.1A; Idm: 70A; 3.6W; SO8 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 100V Drain current: 11.1A On-state resistance: 23mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 3.6W Polarisation: unipolar Gate charge: 29.5nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 70A Mounting: SMD Case: SO8 кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4056DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 11.1A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 50 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4056DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 11.1A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 1825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4056DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 11.1A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 50 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4056DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 11.1A 8-Pin SOIC N T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
Si4058DY-T1-GE3 | VISHAY | SI4058DY-T1-GE3 SMD N channel transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||
Si4058DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: Description: MOSFET N-CH 100V 10.3A 8SOIC Base Part Number: SI4058 Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Supplier Device Package: 8-SOIC Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power Dissipation (Max): 5.6W (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 50V Vgs (Max): ±20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 10A, 10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Part Status: Active Packaging: Tape & Reel (TR) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4058DY-T1-GE3 Код товару: 182910 | Транзистори > Польові N-канальні | товар відсутній | ||||||||||||||||||
SI4058DY-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI4058DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10.3 A, 0.0217 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 5.6W Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0217ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4058DY-T1-GE3 | Vishay | N-Channel 100 V (D-S) MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4058DY-T1-GE3 | Vishay | N-Channel 100 V (D-S) MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||
Si4058DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: Description: Description: MOSFET N-CH 100V 10.3A 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 10A, 10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Part Status: Active Packaging: Cut Tape (CT) Base Part Number: SI4058 Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Supplier Device Package: 8-SOIC Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power Dissipation (Max): 5.6W (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 50V Vgs (Max): ±20V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 10A, 10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Current - Continuous Drain (Id | товар відсутній | |||||||||||||||||
Si4058DY-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 100V Vds 20V Vgs SO-8 | на замовлення 633 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||
SI4058DY-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI4058DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10.3 A, 0.0217 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 5.6W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 5.6W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: ThunderFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0217ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0217ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4058DY-T1-GE3 | Vishay | N-Channel 100 V (D-S) MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4060-B0B-FM | Silicon Labs | Description: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4060-B0B-FM | Silicon Labs | QFN 20/I°/TX SI4060QFN кількість в упаковці: 75 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4060-B0B-FMR | Silicon Laboratories | SI4060-B0B-FMR | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4060-B0B-FMR | Silicon Labs | QFN 20/-40 TO 85 OC/TX SI4060 кількість в упаковці: 2500 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4060-B1B-FM | Silicon Laboratories | +13 dBm Sub-GHz Transmitter | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4060-B1B-FM | Silicon Labs | RF Transmitter +13 dBm sub-GHz transmitter | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4060-B1B-FM | Silicon Laboratories | +13 dBm Sub-GHz Transmitter | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4060-B1B-FM | Silicon Laboratories | RF Transceiver FSK/OOK/GFSK 3.3V 20-Pin QFN EP Tray | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4060-B1B-FM | Silicon Labs | QFN 20/-40 TO 85 OC/+13DBM SI4060 EZRADIOPRO® TRANSMITTER SI4060 кількість в упаковці: 75 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4060-B1B-FM | Silicon Labs | Description: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN Packaging: Tray Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz Data Interface: PCB, Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 13dBm Applications: General Purpose Data Rate (Max): 1Mbps Current - Transmitting: 18mA Antenna Connector: PCB, Surface Mount Supplier Device Package: 20-QFN (4x4) Part Status: Not For New Designs DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 2416 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4060-B1B-FMR | Silicon Labs | RF Transmitter +13 dBm sub-GHz transmitter | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4060-B1B-FMR | Silicon Labs | Description: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz Data Interface: PCB, Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 13dBm Applications: General Purpose Data Rate (Max): 1Mbps Current - Transmitting: 18mA Antenna Connector: PCB, Surface Mount Supplier Device Package: 20-QFN (4x4) DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4060-B1B-FMR | Silicon Laboratories | RF Transceiver FSK/OOK/GFSK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4060-B1B-FMR | Silicon Laboratories | +13 dBm Sub-GHz Transmitter | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4060-B1B-FMR | Silicon Laboratories | RF Transceiver FSK/OOK/GFSK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4060-B1B-FMR | Silicon Labs | QFN 20/-40 TO 85 OC/+13DBM SI4060 EZRADIOPRO® TRANSMITTER SI4060 кількість в упаковці: 2500 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4060-B1B-FMR | Silicon Labs | Description: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz Data Interface: PCB, Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 13dBm Applications: General Purpose Data Rate (Max): 1Mbps Current - Transmitting: 18mA Antenna Connector: PCB, Surface Mount Supplier Device Package: 20-QFN (4x4) DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 7504 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4060-B1B-FMR | Silicon Laboratories | RF Transceiver FSK/OOK/GFSK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R | на замовлення 237500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4060-C2A-AM | Silicon Labs | RF Transmitter Transceiver AEC-Q100 | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4060-C2A-AMR | Silicon Labs | RF Transmitter Transceiver AEC-Q100 | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4060-C2A-GM | SILICON LABS | Description: SILICON LABS - SI4060-C2A-GM - ZF-Sender, 142MHz bis 1.05GHz, 4(G)FSK,MSK, OOK, 1MB/s, 24mA, 13dBm Ausgang, 1.8V bis 3.8V, QFN-20 tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Übertragungsstrom: 24mA Bauform - HF-IC: QFN Ausgangsleistung (dBm): 13dBm hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Frequenz, min.: 142MHz Anwendungen HF-Sender: Garagentor-/Türöffner, Sicherheits-/Alarmanlagen, Systemüberwachung, Hausautomatisierung, RKE-System Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.8V Empfindlichkeit (dBm): -dBm euEccn: NLR HF/IF-Modulation: 4FSK, 4GFSK, FSK, GFSK, MSK, GMSK, OOK Anzahl der Pins: 20Pin(s) Übertragungsrate: 1Mbps productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.8V Frequenz, max.: 1.05GHz Betriebstemperatur, max.: 85°C | на замовлення 1611 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4060-C2A-GM | Silicon Laboratories | RF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP Tray | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4060-C2A-GM | Silicon Laboratories | RF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP Tray | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4060-C2A-GM | Silicon Laboratories | RF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP Tray | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4060-C2A-GM | Silicon Labs | Description: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN Packaging: Tray Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz Modulation or Protocol: 802.15.4 Data Interface: SPI Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 3.3V Power - Output: 12.5dBm Applications: General Purpose Data Rate (Max): 1Mbps Current - Transmitting: 18mA Supplier Device Package: 20-QFN (4x4) DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 2362 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4060-C2A-GM | Silicon Labs | RF Transmitter +13 dBm sub-GHz transmitter | на замовлення 336 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4060-C2A-GM | Silicon Laboratories | RF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP Tray | на замовлення 410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4060-C2A-GMR | Silicon Labs | Description: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4060-C2A-GMR | Silicon Labs | RF Transmitter +13 dBm sub-GHz transmitter | на замовлення 6807 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4060-C2A-GMR | Silicon Laboratories | RF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4060-C2A-GMR | Silicon Laboratories | RF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4062DY-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 60V Vds 20V Vgs SO-8 | на замовлення 1956 шт: термін постачання 287-296 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4062DY-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25.7A; 5W; SO8 Case: SO8 Mounting: SMD On-state resistance: 4.2mΩ Kind of package: reel; tape Power dissipation: 5W Polarisation: unipolar Gate charge: 18.8nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V Drain current: 25.7A Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4062DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 32.1A 8-Pin SOIC N T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4062DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 32.1A 8SO | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4062DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 32.1A 8-Pin SOIC N T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4062DY-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25.7A; 5W; SO8 Case: SO8 Mounting: SMD On-state resistance: 4.2mΩ Kind of package: reel; tape Power dissipation: 5W Polarisation: unipolar Gate charge: 18.8nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V Drain current: 25.7A Type of transistor: N-MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4062DY-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI4062DY-T1-GE3 - MOSFET, N-CH, 60V, 32.1A, 150DEG C, 7.8W Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 32.1 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: - Verlustleistung Pd: 7.8 Bauform - Transistor: SOIC Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: N Channel Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0035 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 2.6 SVHC: Lead | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4062DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 32.1A 8SO | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4062DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 32.1A 8-Pin SOIC N T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4063-B0B-FM | Silicon Labs | Description: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN Packaging: Tube Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz Data Interface: PCB, Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 20dBm Applications: General Purpose Data Rate (Max): 1Mbps Current - Transmitting: 85mA Antenna Connector: PCB, Surface Mount Supplier Device Package: 20-QFN (4x4) Part Status: Obsolete DigiKey Programmable: Not Verified | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4063-B0B-FM | Silicon Labs | QFN 20/I°/TX SI4063 кількість в упаковці: 75 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4063-B0B-FMR | Silicon Laboratories | SI4063-B0B-FMR | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4063-B0B-FMR | Silicon Labs | QFN 20/I°/TX SI4063 кількість в упаковці: 2500 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4063-B1B-FM | Silicon Laboratories | +20 dBm Sub-GHz Transmitter | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4063-B1B-FM | Silicon Labs | RF Transmitter +20 dBm sub-GHz transmitter | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4063-B1B-FM | Silicon Labs | Description: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN Packaging: Tube Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz Data Interface: PCB, Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 20dBm Applications: General Purpose Data Rate (Max): 1Mbps Current - Transmitting: 85mA Antenna Connector: PCB, Surface Mount Supplier Device Package: 20-QFN (4x4) Part Status: Not For New Designs DigiKey Programmable: Not Verified | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4063-B1B-FM | Silicon Laboratories | RF Transceiver FSK/OOK/GFSK 3.3V 20-Pin QFN EP Tray | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4063-B1B-FM Код товару: 170485 | Модульні елементи > Радіомодулі | товар відсутній | ||||||||||||||||||
SI4063-B1B-FM | Silicon Labs | QFN 20/I°/+20DBM SI4063 EZRADIOPRO TRANSMITTER SI4063QFN кількість в упаковці: 75 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4063-B1B-FMR | Silicon Laboratories | +20 dBm Sub-GHz Transmitter | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4063-B1B-FMR | Silicon Labs | RF Transmitter +20 dBm sub-GHz transmitter | на замовлення 7347 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4063-B1B-FMR | Silicon Labs | Description: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz Data Interface: PCB, Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 20dBm Applications: General Purpose Data Rate (Max): 1Mbps Current - Transmitting: 85mA Antenna Connector: PCB, Surface Mount Supplier Device Package: 20-QFN (4x4) Part Status: Not For New Designs DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4063-B1B-FMR | Silicon Laboratories | RF Transceiver FSK/OOK/GFSK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4063-B1B-FMR | Silicon Laboratories | +20 dBm Sub-GHz Transmitter | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4063-B1B-FMR | Silicon Labs | QFN 20/-40 TO 85 OC/+20DBM SI4063 EZRADIOPRO® TRANSMITTER SI4063 кількість в упаковці: 2500 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4063-B1B-FMR | Silicon Laboratories | +20 dBm Sub-GHz Transmitter | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4063-B1B-FMR | Silicon Labs | Description: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz Data Interface: PCB, Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 20dBm Applications: General Purpose Data Rate (Max): 1Mbps Current - Transmitting: 85mA Antenna Connector: PCB, Surface Mount Supplier Device Package: 20-QFN (4x4) Part Status: Not For New Designs DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 14900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4063-C2A-AM | Silicon Labs | RF Transmitter Transceiver AEC-Q100 | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4063-C2A-AMR | Silicon Labs | RF Transmitter Transceiver AEC-Q100 | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4063-C2A-GM | Silicon Labs | RF Transmitter +20 dBm sub-GHz transmitter | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4063-C2A-GM | SILICON LABS | Description: SILICON LABS - SI4063-C2A-GM - HF-Transmitter, 142MHZ bis 1.05GHz, 4GFSK, GFSK, GMSK, OOK, 1Mbit/s, 1.8 bis 3.6V, QFN-EP-20 tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Übertragungsstrom: 68.5mA Bauform - HF-IC: QFN-EP Ausgangsleistung (dBm): 20dBm hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Frequenz, min.: 142MHz Anwendungen HF-Sender: Heimautomation, industrielle Steuerung, Fernsteuerung, Smart-Metering Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.8V Empfindlichkeit (dBm): - euEccn: NLR HF/IF-Modulation: 4GFSK, GFSK, GMSK, OOK Anzahl der Pins: 20Pin(s) Übertragungsrate: 1Mbps Produktpalette: PW Series productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Frequenz, max.: 1.05GHz Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 2448 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4063-C2A-GM | Silicon Labs | Description: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN Packaging: Tray Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz Modulation or Protocol: 802.15.4 Data Interface: SPI Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.8V Power - Output: 20dBm Applications: General Purpose Data Rate (Max): 1Mbps Current - Transmitting: 89mA Supplier Device Package: 20-QFN (4x4) Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 218 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4063-C2A-GM | Silicon Laboratories | RF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP Tray | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4063-C2A-GM | Silicon Laboratories | RF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP Tray | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4063-C2A-GMR | Silicon Labs | Description: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz Modulation or Protocol: 802.15.4 Data Interface: SPI Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.8V Power - Output: 20dBm Applications: General Purpose Data Rate (Max): 1Mbps Current - Transmitting: 89mA Supplier Device Package: 20-QFN (4x4) Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4063-C2A-GMR | Silicon Laboratories | RF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R | на замовлення 825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4063-C2A-GMR | Silicon Laboratories | RF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R | на замовлення 825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4063-C2A-GMR | Silicon Laboratories | RF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4063-C2A-GMR | Silicon Laboratories | RF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4063-C2A-GMR | Silicon Labs | Description: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz Modulation or Protocol: 802.15.4 Data Interface: SPI Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.8V Power - Output: 20dBm Applications: General Purpose Data Rate (Max): 1Mbps Current - Transmitting: 89mA Supplier Device Package: 20-QFN (4x4) Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4063-C2A-GMR | Silicon Labs | RF Transmitter +20 dBm sub-GHz transmitter | на замовлення 2259 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4063-C2A-GMR | Silicon Laboratories | RF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI407DNPLCC | VISHAY | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
SI4090BDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET SO- | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4090BDY-T1-GE3 | VISHAY | SI4090BDY-T1-GE3 SMD N channel transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4090BDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET SO- | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4090DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 19.7A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4090DY-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 100V Vds 20V Vgs SO-8 | на замовлення 11899 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||
SI4090DY-T1-GE3 | VISHAY | SI4090DY-T1-GE3 SMD N channel transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4090DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 19.7A 8SO | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
SI4090DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 19.7A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 649 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4090DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 19.7A 8-Pin SOIC N T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4090DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 19.7A 8SO | на замовлення 2962 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
SI40SL0116-70T | на замовлення 212 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SI40SL0416-75T | на замовлення 3200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SI41 | IDEC | Enclosures, Boxes, & Cases METAL BOX/SCAT. P41/44 | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI410 | SIEMENS | 01+ SOP | на замовлення 197 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
SI4100DY-T1 | на замовлення 75000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SI4100DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 6.8A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 4.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 50 V | на замовлення 30752 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4100DY-T1-E3 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SI4100DY-T1-E3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 100V Vds 20V Vgs SO-8 | на замовлення 16317 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||
SI4100DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 6.8A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 4.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 50 V | на замовлення 27500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4100DY-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4100DY-T1-E3 | VISHAY | SI4100DY-T1-E3 SMD N channel transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4100DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 872 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4100DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 872 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4100DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-Pin SOIC N T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4100DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 6.8A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 4.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 50 V | на замовлення 7295 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4100DY-T1-GE3 | VISHAY | SI4100DY-T1-GE3 SMD N channel transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4100DY-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI4100DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.8 A, 0.051 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 6W Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | на замовлення 3914 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4100DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4100DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 6.8A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 4.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 50 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4100DY-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI4100DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.8 A, 0.051 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 6W Anzahl der Pins: 8Pins productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm | на замовлення 3324 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4100DY-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 100V Vds 20V Vgs SO-8 | на замовлення 7802 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4100DYT1E3 | VISHAY | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
SI4101 | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SI4101DY-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI4101DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 25.7 A, 0.005 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 6W productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | на замовлення 13748 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4101DY-T1-GE3 | VISHAY | SI4101DY-T1-GE3 SMD P channel transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4101DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 25.7A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 1372 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4101DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 25.7A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 203 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8190 pF @ 15 V | на замовлення 12305 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4101DY-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET -30V Vds 20V Vgs SO-8 | на замовлення 97050 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4101DY-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI4101DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 25.7 A, 0.005 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 6W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 6W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | на замовлення 13748 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4101DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 25.7A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 1372 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4101DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 25.7A 8-Pin SOIC N T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4101DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 25.7A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 203 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8190 pF @ 15 V | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4102DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-SOIC | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4102DY-T1-E3 | на замовлення 32500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SI4102DY-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 100V Vds 20V Vgs SO-8 | на замовлення 3318 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||
SI4102DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-SOIC | на замовлення 2619 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
SI4102DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-SOIC | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4102DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-SOIC | на замовлення 2619 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
SI4102DYT1E3 | VISHAY | на замовлення 32500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
SI4103DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 14A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 2609 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4103DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 14A/16A 8SO | на замовлення 4010 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
SI4103DY-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI4103DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 16 A, 0.0067 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 5.2W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | на замовлення 9838 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4103DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 14A/16A 8SO | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
SI4103DY-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET -30V Vds 20V Vgs SO-8 | на замовлення 118920 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4103DY-T1-GE3 | VISHAY | SI4103DY-T1-GE3 SMD P channel transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4104DY-T1-E3 | на замовлення 32500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SI4104DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 4.6A 8-SOIC | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4104DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 4.6A 8-SOIC | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4104DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 4.6A 8-SOIC | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4104DYT1E3 | VISHAY | на замовлення 32500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
SI4108DY-T1-E3 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SI4108DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 75V 20.5A 8-SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 13.8A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 38 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4108DYT1E3 | VISHAY | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
SI410A | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SI4110-KT | 09+ | на замовлення 118 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
SI4110DY-T1-E3 | на замовлення 35000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SI4110DY-T1-E3 | Vishay | PN may be NE | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4110DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 80V 17.3A 8-SOIC | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4110DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 80V 17.3A 8-SOIC | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4110DY-T1-GE3 | на замовлення 124200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SI4110DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 80V 17.3A 8-SOIC | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4110DYT1E3 | VISHAY | на замовлення 35000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
SI4110KT | SILICON | на замовлення 118 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
SI4112-BM | на замовлення 434 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SI4112-BM | Silicon Labs | Description: IC SYNTHESIZER IF-ONLY 28MLP | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4112-BT | SILICONIX | 0544 | на замовлення 600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
SI4112-BT Код товару: 47301 | Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 | товар відсутній | ||||||||||||||||||
SI4112-BT | Silicon Labs | Description: IC SYNTHESIZER IF ONLY 24TSSOP | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4112-D-GM | Skyworks Solutions | Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1000MHz-OUT 28-Pin QFN | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4112-D-GM | Skyworks Solutions Inc. | Description: IC FREQ SYNTH 28QFN Packaging: Tray Package / Case: 28-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Output: Clock Frequency - Max: 1GHz Type: Frequency Synthesizer Input: Crystal Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Ratio - Input:Output: 1:1 Differential - Input:Output: No/No Supplier Device Package: 28-QFN (5x5) PLL: Yes Divider/Multiplier: Yes/No Number of Circuits: 1 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 1350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4112-D-GM | Silicon Labs | Phase Locked Loops - PLL RF synthesizer with IF OUT | на замовлення 975 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||
SI4112-D-GM | Silicon Labs | MLP 28/I°/IF SYNTHESIZER IF ONLY, LEAD FREE SI4112 кількість в упаковці: 490 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4112-D-GM | Skyworks Solutions, Inc. | Phase Locked Loops - PLL RF synthesizer with IF OUT | на замовлення 1389 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4112-D-GMR | Silicon Labs | MLP 28/?I°/IF SYNTHESIZER IF ONLY, LEAD FREE SI4112 кількість в упаковці: 2500 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4112-D-GMR | Skyworks Solutions Inc. | Description: IC FREQ SYNTH 28QFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 28-WFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Output: Clock Frequency - Max: 1GHz Type: Frequency Synthesizer Input: Crystal Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Ratio - Input:Output: 1:1 Differential - Input:Output: No/No Supplier Device Package: 28-QFN (5x5) PLL: Yes Divider/Multiplier: Yes/No Part Status: Active Number of Circuits: 1 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 6718 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4112-D-GMR | Silicon Labs | Clock Generators & Support Products IF Synthesizer IF Only, lead free | на замовлення 1300 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||
SI4112-D-GMR | Skyworks Solutions | Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1000MHz-OUT 28-Pin QFN T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4112-D-GMR | Skyworks Solutions Inc. | Description: IC FREQ SYNTH 28QFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 28-WFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Output: Clock Frequency - Max: 1GHz Type: Frequency Synthesizer Input: Crystal Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Ratio - Input:Output: 1:1 Differential - Input:Output: No/No Supplier Device Package: 28-QFN (5x5) PLL: Yes Divider/Multiplier: Yes/No Part Status: Active Number of Circuits: 1 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4112-D-GT | Silicon Labs | Phase Locked Loops - PLL RF Synthesizer with IF output | на замовлення 128 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||
SI4112-D-GT | Silicon Laboratories | RF Synthesizer with IF OUs | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4112-D-GT | Skyworks Solutions | Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1000MHz-OUT 24-Pin TSSOP | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4112-D-GT | Silicon Laboratories | RF Synthesizer with IF OUs | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4112-D-GT | Silicon Laboratories | RF Synthesizer with IF OUs | на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4112-D-GT | Silicon Labs | SI4112 кількість в упаковці: 62 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4112-D-GT | Skyworks Solutions Inc. | Description: IC SYNTHESIZER IF ONLY 24TSSOP | на замовлення 7440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4112-D-GTR | Silicon Laboratories | RF Synthesizer with IF OUs | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4112-D-GTR | Silicon Labs | TSSOP 24/I°/IF Synthesizer IF Only SI4112 кількість в упаковці: 2500 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4112-D-GTR | Silicon Labs | Description: IC SYNTHESIZER IF ONLY 24TSSOP | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4112-D-GTR | Silicon Labs | Clock Generators & Support Products IF Synthesizer IF Only, lead free | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4112-EVB | Silicon Labs | TSSOP/I°/IF ONLY EVALUATION BOARD-TSSOP SI4112 кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4112-EVB | Silicon Labs | Description: BOARD EVALUATION FOR SI4112 | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4112-EVB | Silicon Labs | RF Development Tools IF Only Evaluation Board TSSOP | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4112BT | SILICON | на замовлення 235 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
SI4112G-BM | на замовлення 88 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SI4112M-EVB | Silicon Labs | Description: BOARD EVALUATION FOR SI4112 | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4112M-EVB | Silicon Labs | MLP/I°/IF ONLY EVALUATION BOARD SI4112 кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4112M-EVB | Silicon Labs | RF Development Tools IF Only Evaluation Board MLP | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4113-BMR | на замовлення 7280 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SI4113-BT | Silicon Labs | Description: IC SYNTHESIZER RF1/RF2 24TSSOP | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4113-D-GM | Skyworks Solutions, Inc. | Phase Locked Loops - PLL RF synthesizer with RF1/RF2 output | на замовлення 355 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4113-D-GM | Silicon Labs | Description: IC SYNTHESIZER RF-ONLY 28MLP | на замовлення 490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
SI4113-D-GM | Skyworks Solutions | Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 28-Pin QFN Tray | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4113-D-GM | Silicon Labs | QFN 28/I°/DUAL-BAND RF SYNTHESIZER WITH INTEGRATED VCOS SI4113 кількість в упаковці: 490 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4113-D-GMR | Silicon Labs | RF Wireless Misc Dual-Band RF Synthesizer (RF1/RF2) RF Only, lead free | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4113-D-GMR | Silicon Labs | Description: IC SYNTHESIZER RF-ONLY 28MLP | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4113-D-GMR | Skyworks Solutions | Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 28-Pin QFN T/R | на замовлення 52500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4113-D-GMR | Silicon Labs | MLP 28/I°/DUAL-BAND RF SYNTHESIZER (RF1/RF2) RF ONLY SI4113 кількість в упаковці: 2500 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4113-D-GT | Silicon Labs | SLLSI4113-D-GT SI4113 кількість в упаковці: 62 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4113-D-GT | Skyworks Solutions, Inc. | Phase Locked Loops - PLL RF synthesizer with RF1/RF2 output | на замовлення 62 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4113-D-GT | Skyworks Solutions Inc. | Description: IC SYNTHESIZER RF1/RF2 24TSSOP | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4113-D-GT | Skyworks Solutions | Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 24-Pin TSSOP Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4113-D-GTR | Silicon Labs | Clock Generators & Support Products Dual-Band RF Synthesizer (RF1/RF2) RF Only, lead free | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4113-D-GTR | Skyworks Solutions Inc. | Description: IC SYNTHESIZER RF1/RF2 24TSSOP | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4113-D-GTR | Skyworks Solutions | IC SYNTHESIZER RF1/RF2 24TSSOP | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4113-D-GTR | Silicon Labs | TSSOP 24/I°/DUAL-BAND RF SYNTHESIZER (RF1/RF2) RF ONLY SI4113 кількість в упаковці: 2500 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4113-D-ZT1 | Skyworks Solutions Inc. | Description: IC SYNTHESIZER RF1/RF2 24TSSOP | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4113-EVB | Silicon Labs | TSSOP/I°/DUAL-BAND RF SYNTHESIZER (RF1/RF2) RF ONLY EVALUATION BOARD-TSSOP SI4113 кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4113-EVB | Silicon Labs | Description: BOARD EVALUATION FOR SI4113 | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4113-EVB | Silicon Labs | RF Development Tools Dual-Band RF Synthesizer (RF1/RF2) RF Only Evaluation Board TSSOP | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4113G-BT | SI | на замовлення 105 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
SI4113GM | SI | O6 | на замовлення 18 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
SI4113M-EVB | Silicon Labs | MLP/I°/DUAL-BAND RF SYNTHESIZER (RF1/RF2) RF ONLY EVALUATION BOARD SI4113 кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4113M-EVB | Silicon Labs | Description: BOARD EVALUATION FOR SI4113 | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4113M-EVB | Silicon Labs | RF Development Tools Dual-Band RF Synthesizer (RF1/RF2) RF Only Evaluation Board MLP | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||
SI4113ZT1 | N/A | на замовлення 280 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
SI4114DY-T1-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 20V Vds 16V Vgs SO-8 | на замовлення 4620 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||
SI4114DY-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 20A 8-Pin SOIC N T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4114DY-T1-E3 | VISHAY | SI4114DY-T1-E3 SMD N channel transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4114DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 20A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 10 V | на замовлення 1680 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4114DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 20A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 10 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4114DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 20A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 10 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4114DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 20A 8-Pin SOIC N T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4114DY-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 20V Vds 16V Vgs SO-8 | на замовлення 12468 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4114DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 20A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 10 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4114DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 20A 8-Pin SOIC N T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4114DY-T1-GE3 | VISHAY | SI4114DY-T1-GE3 SMD N channel transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4114DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 20A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 2383 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4114DYT1E3 | VISHAY | на замовлення 32500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
SI4114G-B-GM | Silicon Labs | Description: IC RF SYNTH FOR GSM/GPRS 28QFN | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4114G-BM | Silicon Labs | Description: IC RF FREQ SYNTH VCO 28QFN | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4114G-BMR | SI | 03+ CLCC | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
SI4114GM-EVB | Silicon Labs | Description: BOARD EVAL SI4114G-BM | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4115G-BM | Silicon Labs | Description: FREQUENCY GSM/GPRS SYNTH EXT | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4115G-BMR | SILICON | на замовлення 67790 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
SI4116DY-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 2363 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4116DY-T1-E3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 25V Vds 12V Vgs SO-8 | на замовлення 3411 шт: термін постачання 714-723 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4116DY-T1-E3 | VISHAY | на замовлення 35000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
SI4116DY-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin SOIC N T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4116DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 25V 18A 8SO | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4116DY-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4116DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 25V 18A 8SO | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4116DY-T1-E3 | VISHAY | SI4116DY-T1-E3 SMD N channel transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4116DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 25V 18A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 15 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4116DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 661 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4116DY-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI4116DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 18 A, 0.0071 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: true rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | на замовлення 1016 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4116DY-T1-GE3 | VISHAY | SI4116DY-T1-GE3 SMD N channel transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4116DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 25V 18A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 15 V | на замовлення 561 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4116DY-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 25V Vds 12V Vgs SO-8 | на замовлення 7146 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4116DY-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI4116DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 18 A, 0.0071 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | на замовлення 1016 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4116DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin SOIC N T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4116DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin SOIC N T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4116DYT1E3 | VISHAY | на замовлення 35000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
SI4120 | на замовлення 363 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SI4120-KT | 09+ | на замовлення 118 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
SI4120KT | SILICON | на замовлення 118 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
SI4122-BT | Silicon Labs | Description: IC SYNTHESIZER RF2/IF 24TSSOP | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4122-BT | SI | на замовлення 4450 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
SI4122-BTR | на замовлення 1370 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SI4122-D-GM | Skyworks Solutions, Inc. | Phase Locked Loops - PLL RF synthesizer with RF2/IF output | на замовлення 23 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4122-D-GM | Skyworks Solutions | Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1000MHz-OUT 28-Pin QFN | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4122-D-GM | Silicon Laboratories | RF synthesizer with RF2/IF OUT | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4122-D-GM | Silicon Labs | MLP 28/I°/SINGLE-BAND RF SYNTHESIZER (RF2/IF) SI4122 кількість в упаковці: 490 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4122-D-GM | Silicon Labs | Description: IC SYNTH RF2/IF SNGL-BAND 28MLP | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4122-D-GMR | Silicon Labs | RF Wireless Misc Single-Band RF Synthesizer (RF2/IF), lead free | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4122-D-GMR | Skyworks Solutions | Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1000MHz-OUT 28-Pin QFN T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4122-D-GMR | Silicon Labs | MLP 28/I°/SINGLE-BAND RF SYNTHESIZER (RF2/IF) SI4122 кількість в упаковці: 2500 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4122-D-GMR | Silicon Labs | Description: IC SYNTH RF2/IF SNGL-BAND 28MLP | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4122-D-GT | Silicon Labs | Description: IC SYNTHESIZER RF2/IF 24TSSOP | на замовлення 124 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
SI4122-D-GT | Silicon Laboratories | RF synthesizer with RF2/IF OUT | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4122-D-GT | Silicon Labs | Phase Locked Loops - PLL RF synthesizer with RF2/IF output | на замовлення 73 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||
SI4122-D-GT | Silicon Labs | TSSOP 24/I°/SINGLE-BAND RF SYNTHESIZER (RF2/IF) SI4122 кількість в упаковці: 62 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4122-D-GTR | Silicon Labs | TSSOP 24/I°/SINGLE-BAND RF SYNTHESIZER (RF2/IF) SI4122 кількість в упаковці: 2500 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4122-D-GTR | Silicon Labs | Description: IC SYNTHESIZER RF2/IF 24TSSOP | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4122-EVB | Silicon Labs | TSSOP/I°/SINGLE-BAND RF SYNTHESIZER (RF2/IF) EVALUATION BOARD-TSSOP SI4122 кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4122-EVB | Silicon Labs | Description: BOARD EVALUATION FOR SI4122 | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4122-EVB | Silicon Labs | RF Development Tools Single-Band RF Synthesizer (RF2/IF) Evaluation Board TSSOP | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4122BT | SILICON | на замовлення 238 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
SI4122DY-T1-E3 | VISHAY | на замовлення 37500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
SI4122DY-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI4122DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 27.2 A, 0.0036 ohm, SOIC, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40 Dauer-Drainstrom Id: 27.2 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 3 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2 Verlustleistung: 3 Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: Trench Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0036 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) | на замовлення 4207 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4122DY-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 27.2A; Idm: 70A; 6W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 40V Drain current: 27.2A On-state resistance: 6mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 6W Polarisation: unipolar Gate charge: 95nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±25V Pulsed drain current: 70A | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4122DY-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 27.2A; Idm: 70A; 6W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 40V Drain current: 27.2A On-state resistance: 6mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 6W Polarisation: unipolar Gate charge: 95nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±25V Pulsed drain current: 70A кількість в упаковці: 2500 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4122DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 27.2A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 20 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4122DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 19.2A 8-Pin SOIC N T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4122DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 19.2A 8-Pin SOIC N T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4122DY-T1-GE3 | Vishay | 10+ | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
SI4122DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 27.2A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 20 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4122DY-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 40V Vds 25V Vgs SO-8 | на замовлення 9522 шт: термін постачання 319-328 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4122DY-T1-GE3 Код товару: 188744 | Транзистори > Польові N-канальні | товар відсутній | ||||||||||||||||||
SI4122DYT1E3 | VISHAY | на замовлення 37500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
SI4122G-BMR | SI | 2000 | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
SI4122M-EVB | Silicon Labs | MLP/I°/SINGLE-BAND RF SYNTHESIZER (RF2/IF) EVALUATION BOARD SI4122 кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4122M-EVB | Silicon Labs | RF Development Tools Single-Band RF Synthesizer (RF2/IF) Evaluation Board MLP | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4122M-EVB | Skyworks Solutions Inc. | Description: BOARD EVALUATION FOR SI4122 | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4123-BM | Silicon Labs | Description: IC SYNTH RF1/IF SNGL-BAND 28MLP | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4123-BT | Silicon Labs | Description: IC SYNTHESIZER RF1/IF 24TSSOP | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4123-BT | на замовлення 20 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SI4123-D-GM | Skyworks Solutions, Inc. | Phase Locked Loops - PLL RF synthesizer with RF1/IF output | на замовлення 940 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4123-D-GM | Skyworks Solutions | Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1000MHz-OUT 28-Pin QFN | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4123-D-GM | Silicon Laboratories | RF synthesizer with RF1/IF OUT | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4123-D-GM | Silicon Labs | MLP 28/I°/SINGLE-BAND RF SYNTHESIZER (RF1/IF), LEAD FREE SI4123 кількість в упаковці: 490 шт | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
SI4123-D-GM | Skyworks Solutions Inc. | Description: IC FREQ SYNTH 28QFN Packaging: Tray Package / Case: 28-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Output: Clock Frequency - Max: 1.8GHz Type: Frequency Synthesizer Input: Crystal Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Ratio - Input:Output: 1:2 Differential - Input:Output: No/No Supplier Device Package: 28-QFN (5x5) PLL: Yes Divider/Multiplier: Yes/No Number of Circuits: 1 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 2467 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4123-D-GMR | Silicon Laboratories | RF synthesizer with RF1/IF OUT | на замовлення 1133 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4123-D-GMR | Skyworks Solutions Inc. | Description: IC SYNTHESIZER RF1/IF 28MLP | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4123-D-GMR | Silicon Laboratories | RF synthesizer with RF1/IF OUT | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4123-D-GMR | Silicon Labs | Clock Generators & Support Products Single-Band RF Synthesizer (RF1/IF), lead free | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4123-D-GMR | Skyworks Solutions | Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1000MHz-OUT 28-Pin QFN T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4123-D-GMR | Silicon Laboratories | RF synthesizer with RF1/IF OUT | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4123-D-GMR | Silicon Labs | MLP 28/I°/SINGLE-BAND RF SYNTHESIZER (RF1/IF) SI4123 кількість в упаковці: 2500 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4123-D-GT | Skyworks Solutions, Inc. | Phase Locked Loops - PLL RF synthesizer with RF1/IF output | на замовлення 26 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||
SI4123-D-GT | Silicon Laboratories | RF synthesizer with RF1/IF OUT | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4123-D-GT | Skyworks Solutions | Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 24-Pin TSSOP Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4123-D-GT | Silicon Labs | TSSOP 24/I°/SINGLE-BAND RF SYNTHESIZER (RF1/IF) SI4123 кількість в упаковці: 62 шт | на замовлення 52 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
SI4123-D-GT | Silicon Laboratories | RF synthesizer with RF1/IF OUT | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4123-D-GT | Skyworks Solutions Inc. | Description: IC SYNTHESIZER RF1/IF 24TSSOP | на замовлення 265 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4123-D-GTR | Silicon Labs | TSSOP 24/I°/SINGLE-BAND RF SYNTHESIZER (RF1/IF) SI4123 кількість в упаковці: 2500 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4123-D-GTR | Skyworks Solutions Inc. | Description: IC SYNTHESIZER RF1/IF 24TSSOP | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4123-D-GTR | Silicon Labs | Clock Generators & Support Products Single-Band RF Synthesizer (RF1/IF), lead free | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4123-EVB | Silicon Labs | Description: BOARD EVALUATION FOR SI4123 | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4123-EVB | Silicon Labs | RF Development Tools Single-Band RF Synthesizer (RF1/IF) Evaluation Board TSSOP | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4123-EVB | Silicon Labs | TSSOP/I°/SINGLE-BAND RF SYNTHESIZER (RF1/IF) EVALUATION BOARD-TSSOP SI4123 кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4123BM | на замовлення 2090 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SI4123BM | QFN | на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
SI4123M-EVB | Silicon Labs | MLP/I°/SINGLE-BAND RF SYNTHESIZER (RF1/IF) EVALUATION BOARD SI4123 кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4123M-EVB | Silicon Labs | Description: BOARD EVALUATION FOR SI4123 | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4123M-EVB | Silicon Labs | RF Development Tools Single-Band RF Synthesizer (RF1/IF) Evaluation Board MLP | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4124DY-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 20.5A 8-Pin SOIC N T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4124DY-T1-E3 | VISHAY | на замовлення 37500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
SI4124DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 20.5A 8SO | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4124DY-T1-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 40V Vds 20V Vgs SO-8 | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4124DY-T1-E3 | VISHAY | SI4124DY-T1-E3 SMD N channel transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4124DY-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 20.5A 8-Pin SOIC N T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4124DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 20.5A 8-Pin SOIC N T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4124DY-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 40V Vds 20V Vgs SO-8 | на замовлення 2490 шт: термін постачання 384-393 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4124DY-T1-GE3 | VISHAY | SI4124DY-T1-GE3 SMD N channel transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4124DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 20.5A 8-Pin SOIC N T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4124DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 20.5A 8SO | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4124DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 20.5A 8-Pin SOIC N T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4124DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 20.5A 8SO | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4124DYT1E3 | VISHAY | на замовлення 37500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
SI4126 | VISHAY | на замовлення 110 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
SI4126 | SILICON | O246+ QFN | на замовлення 1345 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
SI4126-BM | Silicon Labs | Description: IC SYNTHESIZER WLAN RF2/IF 28MLP | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4126-BM | SILICON | на замовлення 1474 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
SI4126-BMR | SILICON | на замовлення 550 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
SI4126-BMR | st | на замовлення 915 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
SI4126-BMR | SILICON | 03+ | на замовлення 4105 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
SI4126-F-BM | Silicon Labs | Description: IC SYNTHESIZER RF2/IF 28MLP | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4126-F-BMR | Silicon Labs | Description: IC SYNTHESIZER RF2/IF 28MLP | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4126-F-GM | Silicon Labs | QFN 28/I°/WLAN Synthesizer (RF2/IF) SI4126 кількість в упаковці: 490 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4126-F-GM | Silicon Labs | RF Wireless Misc RF synthesizer with 2.3 GHz/IF output | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4126-F-GM | Silicon Labs | Description: IC WLAN SYNTH (RF2/IF) 28MLP | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4126-F-GMR | Silicon Labs | RF Wireless Misc WLAN Synthesizer (RF2/IF), lead free | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4126-F-GMR | Silicon Labs | Description: IC WLAN SYNTH (RF2/IF) 28MLP | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4126-F-GMR | Silicon Labs | MLP 28/I°/WLAN SYNTHESIZER (RF2/IF), LEAD FREE SI4126 кількість в упаковці: 2500 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4126-GM | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SI4126BM | VISHAY | на замовлення 626 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
SI4126BM | N/A | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
SI4126DY-T1 | на замовлення 75000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SI4126DY-T1-E3 | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SI4126DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 39A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4405 pF @ 15 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4126DY-T1-GE3 | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SI4126DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 39A 8-Pin SOIC N T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4126DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 39A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4405 pF @ 15 V | на замовлення 3862 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4126DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 39A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 2502 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4126DY-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 39A; Idm: 70A; 7.8W Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 30V Drain current: 39A On-state resistance: 3.4mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 7.8W Polarisation: unipolar Gate charge: 105nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 70A Mounting: SMD Case: SO8 кількість в упаковці: 2500 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4126DY-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 39A; Idm: 70A; 7.8W Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 30V Drain current: 39A On-state resistance: 3.4mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 7.8W Polarisation: unipolar Gate charge: 105nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 70A Mounting: SMD Case: SO8 | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4126DY-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8 | на замовлення 4652 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4126M-EVB | Silicon Labs | Description: BOARD EVALUATION FOR SI4126 | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4126M-EVB | Silicon Labs | MLP/I°/WLAN SYNTHESIZER (RF2/IF) EVALUATION BOARD SI4126 кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4128BDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4128DY | на замовлення 300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SI4128DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 10.9A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 15 V | на замовлення 9616 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4128DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 10.9A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 15 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4128DY-T1-E3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8 | на замовлення 3326 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4128DY-T1-E3 | на замовлення 140 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SI4128DY-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 10.9A 8-Pin SOIC N T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4128DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 10.9A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4128DY-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8 | на замовлення 37083 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4128DY-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.7A; 3.2W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 8.7A Power dissipation: 3.2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 24mΩ Mounting: SMD Gate charge: 3.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4128DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 10.9A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 15 V | на замовлення 4058 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4128DY-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.7A; 3.2W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 8.7A Power dissipation: 3.2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 24mΩ Mounting: SMD Gate charge: 3.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4128DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 10.9A 8-Pin SOIC N T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4128DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 10.9A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 15 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4128DY-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI4128DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10.9 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm | на замовлення 3971 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4128DY-TI-GE3 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SI4132-BT | SILICON | на замовлення 798 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
SI4132-KT | 09+ | на замовлення 757 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
SI4132-KT | на замовлення 714 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SI4132-SB | SILICON | на замовлення 93 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
SI4132BT | SILICON | на замовлення 798 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
SI4132KT | SILICON | на замовлення 757 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
SI4132SB | SILICON | на замовлення 118 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
SI4133 | на замовлення 300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SI4133-BMR | SILICONI | 00+ CLCC | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
SI4133-BT | SILICON | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
SI4133-BT | Silicon Labs | Description: IC SYNTHESIZR RF1/RF2/IF 24TSSOP | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4133-BT/GT | на замовлення 300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SI4133-D-GM | Skyworks Solutions | Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1000MHz-OUT 28-Pin QFN | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4133-D-GM | Skyworks Solutions Inc. | Description: IC FREQ SYNTH 28QFN Packaging: Tray Package / Case: 28-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Output: Clock Frequency - Max: 1.8GHz Type: Frequency Synthesizer Input: Crystal Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Ratio - Input:Output: 1:3 Differential - Input:Output: No/No Supplier Device Package: 28-QFN (5x5) PLL: Yes Divider/Multiplier: Yes/No Number of Circuits: 1 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 3884 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4133-D-GM | Silicon Laboratories | RF synthesizer with RF1/RF2/IF OUT | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4133-D-GM | Skyworks Solutions, Inc. | Phase Locked Loops - PLL RF synthesizer with RF1/RF2/IF output | на замовлення 2929 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4133-D-GM | Silicon Labs | MLP 28/I°/Dual-Band RF Synthesizer (RF1/RF2/IF) SI4133 кількість в упаковці: 490 шт | на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
SI4133-D-GMR | Skyworks Solutions Inc. | Description: IC FREQ SYNTH 28QFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 28-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Output: Clock Frequency - Max: 1.8GHz Type: Frequency Synthesizer Input: Crystal Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Ratio - Input:Output: 1:3 Differential - Input:Output: No/No Supplier Device Package: 28-QFN (5x5) PLL: Yes Divider/Multiplier: Yes/No Number of Circuits: 1 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4133-D-GMR | Silicon Laboratories | RF synthesizer with RF1/RF2/IF OUT | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4133-D-GMR | Skyworks Solutions, Inc. | RF Wireless Misc RF synthesizer with RF1/RF2/IF output | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4133-D-GMR | Silicon Labs | MLP 28/I°/DUAL-BAND RF SYNTHESIZER (RF1/RF2/IF), LEAD FREE SI4133 кількість в упаковці: 2500 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4133-D-GMR | Skyworks Solutions Inc. | Description: IC FREQ SYNTH 28QFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 28-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Output: Clock Frequency - Max: 1.8GHz Type: Frequency Synthesizer Input: Crystal Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Ratio - Input:Output: 1:3 Differential - Input:Output: No/No Supplier Device Package: 28-QFN (5x5) PLL: Yes Divider/Multiplier: Yes/No Number of Circuits: 1 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 4318 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4133-D-GMR | Skyworks Solutions | Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 28-Pin QFN T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4133-D-GT | Skyworks Solutions, Inc. | Phase Locked Loops - PLL RF synthesizer with RF1/RF2/IF output | на замовлення 228 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4133-D-GT | Silicon Labs | TSSOP 24/I°/Dual-Band RF Synthesizer SI4133 кількість в упаковці: 62 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4133-D-GT | Skyworks Solutions Inc. | Description: IC FREQ SYNTH 24TSSOP Packaging: Tube Package / Case: 24-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Output: Clock Frequency - Max: 1.8GHz Type: Frequency Synthesizer Input: Crystal Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Ratio - Input:Output: 1:3 Differential - Input:Output: No/No Supplier Device Package: 24-TSSOP PLL: Yes Divider/Multiplier: Yes/No Number of Circuits: 1 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 1127 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4133-D-GT | Silicon Laboratories | RF synthesizer with RF1/RF2/IF OUT | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4133-D-GT | Skyworks Solutions | Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1000MHz-OUT 24-Pin TSSOP | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4133-D-GT | Silicon Laboratories | RF synthesizer with RF1/RF2/IF OUT | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4133-D-GTR | Silicon Laboratories | RF synthesizer with RF1/RF2/IF OUT | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4133-D-GTR | Skyworks Solutions | Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 24-Pin TSSOP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4133-D-GTR | Skyworks Solutions, Inc. | Clock Generators & Support Products RF synthesizer with RF1/RF2/IF output | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4133-D-GTR | Silicon Labs | TSSOP 24/I°/DUAL-BAND RF SYNTHESIZER (RF1/RF2/IF) SI4133 кількість в упаковці: 2500 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4133-D-GTR | Skyworks Solutions Inc. | Description: IC SYNTHESIZR RF1/RF2/IF 24TSSOP | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4133-EVB | Skyworks Solutions, Inc. | RF Development Tools Dual-Band RF Synthesizer (RF1/RF2/IF) Evaluation Board TSSOP | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||
SI4133-EVB | Silicon Labs | SLLSI4133-EVB SI4133 кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4133-EVB | Silicon Labs | Description: BOARD EVALUATION FOR SI4133 | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
SI4133-EVB | Skyworks Solutions | Si4133-BT Clock Generator and Synthesizer Evaluation Kit | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4133-GM | на замовлення 460 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SI4133B-BM | на замовлення 219 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
Si4133BM | на замовлення 60 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SI4133F-BMR | VISHAY | 03+ | на замовлення 2937 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
SI4133G-BM | SILICON | на замовлення 117 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
SI4133G-BT | SILCON | на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
SI4133G-BTR | SILICON | 0050 | на замовлення 848 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
SI4133G-BTR | SILI | на замовлення 1540 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
SI4133G-XM2 | SILICON | на замовлення 72 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
SI4133G-XM2R | SILICON | 2003 | на замовлення 1385 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
SI4133G-XMZ | на замовлення 546 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SI4133GBM | SILICON | на замовлення 117 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
SI4133GBMR | SLAB | 0011 | на замовлення 3 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
SI4133GBMR | SLAB | на замовлення 6 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
SI4133GBT | SILICON | на замовлення 118 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
SI4133GM | на замовлення 60 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SI4133GM-EVB | Skyworks Solutions, Inc. | Mobile Development Tools Dual-Band GSM RF Synthesizer (RF1/RF2/IF) Evaluation Board, Not recommended for new designs, Recommended replacement is Si4133M-EVB | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4133GX2-BM | Silicon Labs | Description: IC SYNTH DUAL GSM RF(RF1/RF2/IF) | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4133GX2M-EVB | Silicon Labs | Description: BOARD EVAL DUAL-BAND GSM-HITACHI | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4133GXM2 | SILICON | на замовлення 118 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
SI4133M-EVB | Silicon Labs | Description: BOARD EVALUATION FOR SI4133 | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4133M-EVB | Silicon Labs | RF Development Tools Dual-Band RF Synthesizer (RF1/RF2/IF) Evaluation Board MLP | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||
SI4133M-EVB | Silicon Laboratories | Si4133-BM PLL Evaluation Board | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4133M-EVB | Silicon Labs | MLP/I°/DUAL-BAND RF SYNTHESIZER (RF1/RF2/IF) EVALUATION BOARD-MLP SI4133 кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4133T-BM | Silicon | 09+ | на замовлення 350018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
SI4133T-BM | SI | 04+ CLCC | на замовлення 2388 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
SI4133T-BM | SILICON | QFN?? | на замовлення 43 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
SI4133T-BM | Silicon Labs | Description: IC RF SYNTHESIZER DUAL 28MLP | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4133T-BMR | SI | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
SI4133T-BMR | SILICON | 2004 | на замовлення 2400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
SI4133T-GM | Silicon Labs | Description: IC RF SYNTHESIZER DUAL 28MLP | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4133T-GM | на замовлення 53500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SI4133T-MB | VISHAY | 2004 | на замовлення 179 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
SI4133TBM | Silicon | 03+ | на замовлення 2066 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
SI4133W-BM | на замовлення 390 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SI4133W-BMR | SILICON | 2002 | на замовлення 17500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
SI4133W-D-GM | Silicon Labs | 0602 | на замовлення 78 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
SI4133WM-EVB | Skyworks Solutions Inc. | Description: KIT EVAL FOR SI4133W-BM Packaging: Bulk For Use With/Related Products: SI4133W-BM Type: Synthesizer Supplied Contents: Board(s) | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4134DY | на замовлення 163 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SI4134DY-T1 | на замовлення 75000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SI4134DY-T1-E3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8 | на замовлення 67067 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4134DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 846 pF @ 15 V | на замовлення 4212 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4134DY-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 9.9A 8-Pin SOIC N T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4134DY-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 9.9A 8-Pin SOIC N T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4134DY-T1-E3 | VISHAY | 1027+ SOP8 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
SI4134DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 846 pF @ 15 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4134DY-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 9.9A 8-Pin SOIC N T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4134DY-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11.2A; 3.2W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 11.2A Power dissipation: 3.2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14mΩ Mounting: SMD Gate charge: 7.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | на замовлення 7442 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4134DY-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI4134DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 0.0115 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm | на замовлення 65560 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4134DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 846 pF @ 15 V | на замовлення 3474 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4134DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 9.9A 8-Pin SOIC N T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4134DY-T1-GE3 | Siliconix | Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 17mOhm; 14A; 5W; -55°C ~ 150°C; SI4134DY-T1-GE3 TSI4134dy кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 75 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4134DY-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8 | на замовлення 14421 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4134DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 846 pF @ 15 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4134DY-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI4134DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 0.0115 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm | на замовлення 65560 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4134DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 9.9A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4134DY-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11.2A; 3.2W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 11.2A Power dissipation: 3.2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14mΩ Mounting: SMD Gate charge: 7.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 7442 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4134DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 9.9A 8-Pin SOIC N T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4134T-BM | Silicon | 09+ | на замовлення 318 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
SI4134T-BM | SILICON | QFN32 | на замовлення 800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
SI4134T-BM | Silicon Labs | Description: IC RF SYNTH DUAL W/DCXO 32MLP | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4134T-BMR | SILICON | QFN | на замовлення 1776 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
SI4134T-BMR | SILICON | QFN?? | на замовлення 39 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
SI4134T-GM | Silicon | 09+ | на замовлення 9018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
SI4134T-GM | Silicon Labs | Description: IC RF SYNTH DUAL W/DCXO 32MLP | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4134T-GMR | SILICON | 04+ | на замовлення 1100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
SI4136-BM | Skyworks Solutions Inc. | Description: IC SYNTH WLAN SAT/RADIO 28MLP | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4136-BM | Silicon | 09+ | на замовлення 92 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
SI4136-Bt | на замовлення 62 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SI4136-BT | Skyworks Solutions | Clock Generator 2MHz to 50MHz-IN 24-Pin TSSOP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4136-Bt | Skyworks Solutions Inc. | Description: IC SYNTH RF1/RF2/IF 24TSSOP | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4136-EVB | Skyworks Solutions | ISM RF SYNTHESIZER WITH INTEGRATED VCOS FOR WIRELESS COMMUNICATIONS | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4136-EVB | Silicon Labs | RF Development Tools WLAN Satellite Radio Synthesizer (RF1/RF2/IF) Evaluation Board TSSOP | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||
SI4136-EVB | Skyworks Solutions Inc. | Description: BOARD EVALUATION FOR SI4136 Packaging: Bulk For Use With/Related Products: SI4136 Frequency: 2.3GHz ~ 2.5GHz, 2.025GHz ~ 2.3GHz Type: Frequency Synthesizer Supplied Contents: Board(s) Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4136-EVB | Silicon Labs | TSSOP/I°/WLAN SATELLITE RADIO SYNTHESIZER (RF1/RF2/IF) EVALUATION BOARD-TS SI4136 кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4136-F-BM | Silicon Labs | Description: IC FREQUENCY SYNTH 28QFN | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4136-F-BT | Silicon Labs | Description: IC FREQUENCY SYNTH 24TSSOP | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4136-F-GM | Skyworks Solutions Inc. | Description: IC SYNTHESIZER RF1/RF2/IF 28QFN | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4136-F-GM | Silicon Labs | QFN 28/I°/WLAN Satellite Radio Synthesizer (RF1/RF2/IF) SI4136 кількість в упаковці: 490 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4136-F-GM | Silicon Labs | RF Wireless Misc RF synthesizer with 2.5 GHz/2.3 GHz/IF output | на замовлення 18 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||
SI4136-F-GMR | Silicon Labs | Clock Generators & Support Products WLAN Satellite Radio Synthesizer (RF1/RF2/IF), lead free | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4136-F-GMR | Skyworks Solutions Inc. | Description: IC SYNTHESIZER RF1/RF2/IF 28MLP | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4136-F-GMR | Silicon Labs | MLP 28/I°/WLAN SATELLITE RADIO SYNTHESIZER (RF1/RF2/IF) SI4136 кількість в упаковці: 2500 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4136-F-GT | Silicon Labs | RF Wireless Misc RF Synthesizer with 2.5 GHz/2.3 GHz/IF output | на замовлення 56 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||
SI4136-F-GT | Skyworks Solutions Inc. | Description: IC WLAN SAT RADIO 24TSSOP | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4136-F-GT | Silicon Labs | TSSOP 24/I°/WLAN SATELLITE RADIO SYNTHESIZER (RF1/RF2/IF) SI4136 кількість в упаковці: 62 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4136-F-GTR | Silicon Labs | TSSOP 24/I°/WLAN SATELLITE RADIO SYNTHESIZER (RF1/RF2/IF) SI4136 кількість в упаковці: 2500 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4136-F-GTR | Silicon Labs | RF Wireless Misc WLAN Satellite Radio Synthesizer (RF1/RF2/IF), lead free | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4136-F-GTR | Skyworks Solutions Inc. | Description: IC WLAN SAT RADIO 24TSSOP | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4136-GM | на замовлення 150 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SI4136-XM-GT | на замовлення 3848 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SI4136BM | на замовлення 154 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SI4136BT | SILICON | 09+ TSSOP24 | на замовлення 1002 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
SI4136DY | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SI4136DY-T1-E3 | на замовлення 80 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SI4136DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 46A 8-Pin SOIC N T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4136DY-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 20V Vds 20V Vgs SO-8 | на замовлення 21393 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4136DY-T1-GE3 | на замовлення 2450 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SI4136DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 46A 8SO | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4136DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 46A 8-Pin SOIC N T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4136DY-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4136DY-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 2500 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4136M-EVB | Silicon Labs | Description: BOARD EVALUATION FOR SI4136 | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4136M-EVB | Silicon Labs | MLP/I°/WLAN SATELLITE RADIO SYNTHESIZER (RF1/RF2/IF) EVALUATION BOARD-MLP SI4136 кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4136M-EVB | Silicon Labs | RF Development Tools WLAN Satellite Radio Synthesizer (RF1/RF2/IF) Evaluation Board MLP | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4136XM-BT | SILCON | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
SI4136XM-BT | SILICON | 09+ TSSOP24 | на замовлення 1001 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
SI4136XM-BT | SILICON | на замовлення 5998 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
SI4136XM-BTR | на замовлення 652 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SI4136XM-GT | на замовлення 626 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SI4137-BM | 09+ | на замовлення 118 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
SI4137BM | SILICON | на замовлення 118 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
SI4143DY-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI4143DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 25.3 A, 0.0051 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 6W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0051ohm | на замовлення 14517 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4143DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 25.3A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6630 pF @ 15 V | на замовлення 2526 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4143DY-T1-GE3 | VISHAY | SI4143DY-T1-GE3 SMD P channel transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4143DY-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET -30V Vds 25V Vgs SO-8 | на замовлення 63860 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4143DY-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI4143DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 25.3 A, 0.0051 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 6W productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0051ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | на замовлення 13260 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4143DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 25.3A 8-Pin SOIC N T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4143DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 25.3A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6630 pF @ 15 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4143DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 25.3A 8-Pin SOIC N T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4148DY-T1 | на замовлення 12500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SI415 | VISHAY | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
SI415 | SIEMENS | 01+ SOP | на замовлення 1078 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
SI4151DY-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -20.5A; 5.6W; SO8 Kind of package: reel; tape Case: SO8 Drain-source voltage: -30V Drain current: -20.5A On-state resistance: 13mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 5.6W Polarisation: unipolar Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±25V Pulsed drain current: -150A Gate charge: 87nC Mounting: SMD | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4151DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 15.2A 8-Pin SOIC N T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4151DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 15.2A T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4151DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta), 20.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 5.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 15 V | на замовлення 4129 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4151DY-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI4151DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 20.5 A, 0.00625 ohm, SOIC, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 20.5 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 5.6 Bauform - Transistor: SOIC Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series Wandlerpolarität: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00625 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 2.5 SVHC: To Be Advised | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4151DY-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -20.5A; 5.6W; SO8 Kind of package: reel; tape Case: SO8 Drain-source voltage: -30V Drain current: -20.5A On-state resistance: 13mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 5.6W Polarisation: unipolar Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±25V Pulsed drain current: -150A Gate charge: 87nC Mounting: SMD кількість в упаковці: 2500 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4151DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta), 20.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 5.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 15 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4151DY-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET P-CHANNEL 30-V MOSFET | на замовлення 15455 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4153-TP | Micro Commercial Components (MCC) | MOSFET N-Ch Enh FET 20Vdss 6Vgss 0.9215A 150mW | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4153-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 20V 0.915A 3-Pin SOT-523 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4153DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET SO-8 | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4153DY-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET P-CH 30-V MSFT | на замовлення 15648 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4153DY-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI4153DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 19.3 A, 0.0072 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 19.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 5.6W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen III Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | на замовлення 5788 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4153DY-T1-GE3 | VISHAY | SI4153DY-T1-GE3 SMD P channel transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4153DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET SO-8 | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4154DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 36A 8SO | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4154DY-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI4154DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 36 A, 0.0027 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 7.8W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm SVHC: Lead (10-Jun-2022) | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4154DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 36A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4154DY-T1-GE3 Код товару: 184243 | Транзистори > Польові N-канальні | товар відсутній | ||||||||||||||||||
SI4154DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 36A 8-Pin SOIC N T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4154DY-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 40V Vds 20V Vgs SO-8 | на замовлення 16465 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||
SI4154DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 36A 8SO | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4154DY-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI4154DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 36 A, 0.0027 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 7.8W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm SVHC: Lead (10-Jun-2022) | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4154DY-T1-GE3 | VISHAY | SI4154DY-T1-GE3 SMD N channel transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4154DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 36A 8-Pin SOIC N T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4154DY-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI4154DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 36 A, 0.0027 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 7.8W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm SVHC: Lead (10-Jun-2022) | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
SI4155DY-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI4155DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13.6 A, 0.0125 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 4.5W Kanaltyp: p-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | на замовлення 3695 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4155DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET SO-8 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4155DY-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI4155DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13.6 A, 0.0125 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 4.5W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 4.5W Bauform - Transistor: SOIC Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0125ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | на замовлення 3695 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4155DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET SO-8 | на замовлення 3727 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4156DY-T1-E3 | на замовлення 120 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SI4156DY-T1-GE3 | на замовлення 25 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SI4156DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 24A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15.7A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4156DY-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8 | на замовлення 64592 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4156DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 24A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15.7A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V | на замовлення 2987 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4156DY-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 24A; Idm: 70A; 6W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 24A Pulsed drain current: 70A Power dissipation: 6W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 42nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 2500 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4156DY-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI4156DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 24 A, 0.0048 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 24 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2.5 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5 Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0048 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048 SVHC: Lead (10-Jun-2022) | на замовлення 3045 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4156DY-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 24A; Idm: 70A; 6W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 24A Pulsed drain current: 70A Power dissipation: 6W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 42nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4158DY-T1-E3 | на замовлення 80 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SI4158DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 36.5A 8SO | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4158DY-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 20V 36.5A 6.0W 2.5mohm @ 10V | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4160DY-T1-E3 | на замовлення 87520 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SI4160DY-T1-EG3 | на замовлення 110 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SI4160DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 25.4A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2071 pF @ 15 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4160DY-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI4160DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 25.4 A, 0.004 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 5.7W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm | на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4160DY-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8 | на замовлення 14229 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4160DY-T1-GE3 | VISHAY | SI4160DY-T1-GE3 SMD N channel transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4160DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 25.4A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2071 pF @ 15 V | на замовлення 1860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4160DY-T1-GE3 | Vishay | на замовлення 1640 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
SI4160DY-TI-GE3 | на замовлення 400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SI4162DY-T1-E3 | на замовлення 87520 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SI4162DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 19.3A 8-Pin SOIC N T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4162DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 19.3A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 22500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4162DY-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8 | на замовлення 20398 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4162DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 19.3A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1155 pF @ 15 V | на замовлення 27938 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4162DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 19.3A 8-Pin SOIC N T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4162DY-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 15.4A; 3.2W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 15.4A Power dissipation: 3.2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 8.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 1861 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4162DY-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 15.4A; 3.2W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 15.4A Power dissipation: 3.2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 8.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | на замовлення 1861 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4162DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 19.3A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1155 pF @ 15 V | на замовлення 27500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4162DY-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI4162DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 19.3 A, 0.0065 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 19.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm | на замовлення 67452 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4162DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 19.3A 8-Pin SOIC N T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4162DY-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI4162DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 19.3 A, 0.0065 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 19.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm | на замовлення 67452 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4164DY-T1 | на замовлення 75000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SI4164DY-T1-E3 | VISHAY | на замовлення 32500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
SI4164DY-T1-GE3 Код товару: 186845 | Транзистори > Польові N-канальні | товар відсутній | ||||||||||||||||||
SI4164DY-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI4164DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 A, 0.0026 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 6W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm | на замовлення 2263 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4164DY-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 30A; Idm: 70A; 6W Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 70A Case: SO8 Drain-source voltage: 30V Drain current: 30A On-state resistance: 3.9mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 6W Polarisation: unipolar Gate charge: 95nC Technology: TrenchFET® кількість в упаковці: 2500 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4164DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 30A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3545 pF @ 15 V | на замовлення 33401 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4164DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 30A 8-Pin SOIC N T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4164DY-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8 | на замовлення 33627 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4164DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 30A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3545 pF @ 15 V | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4164DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 30A 8-Pin SOIC N T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4164DY-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 30A; Idm: 70A; 6W Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 70A Case: SO8 Drain-source voltage: 30V Drain current: 30A On-state resistance: 3.9mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 6W Polarisation: unipolar Gate charge: 95nC Technology: TrenchFET® | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4164DYT1E3 | VISHAY | на замовлення 32500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
SI4166DY | на замовлення 29 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SI4166DY-T1 | на замовлення 75000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SI4166DY-T1-E3 | на замовлення 87520 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SI4166DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 30.5A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 2405 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4166DY-T1-GE3 | на замовлення 2165 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SI4166DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 30.5A 8-Pin SOIC N T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4166DY-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8 | на замовлення 3789 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4166DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 30.5A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 2405 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4166DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 30.5A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 15 V | на замовлення 437 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4166DY-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 30.5A; Idm: 70A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 30.5A Pulsed drain current: 70A Power dissipation: 6.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 65nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4166DY-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 30.5A; Idm: 70A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 30.5A Pulsed drain current: 70A Power dissipation: 6.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 65nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 2500 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4166DY-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI4166DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30.5 A, 0.0032 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 6.5W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm | на замовлення 1495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4166DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 30.5A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 15 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4168DY | на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SI4168DY-T1-E3 | на замовлення 87520 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SI4168DY-T1-GE3 | VISHAY | SI4168DY-T1-GE3 SMD N channel transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4168DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 24A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720 pF @ 15 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4168DY-T1-GE3 | на замовлення 652 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SI4168DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 24A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720 pF @ 15 V | на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4168DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin SOIC N T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4168DY-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8 | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI417 | SIEMENS | 01+ SOP | на замовлення 159 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
SI4170DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4170DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4170DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4170DYT1E3 | VISHAY | на замовлення 40000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
SI4172DT-T1-GE3 | на замовлення 75000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SI4172DY | на замовлення 300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SI4172DY-T1-E3 | на замовлення 87520 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SI4172DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4172DY-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4174DY-T1-GE3 | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4172DY-T1-GE3 | на замовлення 798200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SI4172DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC | на замовлення 165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
SI4172DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 2404 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4174DY-T1-E3 | на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SI4174DY-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8 | на замовлення 26045 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4174DY-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13.5A; 3.2W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 13.5A Power dissipation: 3.2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | на замовлення 2102 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4174DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 17A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 985 pF @ 15 V | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4174DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin SOIC N T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4174DY-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI4174DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 17 A, 0.0078 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm | на замовлення 6065 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4174DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4174DY-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13.5A; 3.2W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 13.5A Power dissipation: 3.2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 2102 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4174DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 17A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 985 pF @ 15 V | на замовлення 15645 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4174DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 2581 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4176DY | на замовлення 798200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SI4176DY-T1-E3 | на замовлення 87520 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SI4176DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8SO | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4176DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4176DY-T1-GE3 | на замовлення 798200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SI4178DY | на замовлення 3310 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SI4178DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8SO | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4178DY-T1-E3 | Vishay | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4178DY-T1-E3 | на замовлення 87520 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SI4178DY-T1-GE3 | Siliconix | N-MOSFET 30V 12A 21mΩ 5W SI4178DY-T1-GE3 Vishay TSI4178dy кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4178DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin SOIC N T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4178DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 15 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4178DY-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 30V Vds 25V Vgs SO-8 | на замовлення 8160 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4178DY-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.7A; 5W; SO8 Mounting: SMD On-state resistance: 33mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 12nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±25V Case: SO8 Drain-source voltage: 30V Drain current: 6.7A кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 2496 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4178DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin SOIC N T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4178DY-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI4178DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12 A, 0.017 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm | на замовлення 3787 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4178DY-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.7A; 5W; SO8 Mounting: SMD On-state resistance: 33mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 12nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±25V Case: SO8 Drain-source voltage: 30V Drain current: 6.7A | на замовлення 2496 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4178DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 15 V | на замовлення 3569 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4178DY-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI4178DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12 A, 0.017 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm | на замовлення 3787 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4178DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin SOIC N T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4186DY | на замовлення 798200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SI4186DY-T1-E3 | на замовлення 35 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SI4186DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 35.8A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3630 pF @ 10 V | на замовлення 5692 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4186DY-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 35.8A; Idm: 70A; 6W Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Power dissipation: 6W Polarisation: unipolar Gate charge: 90nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 70A Case: SO8 Drain-source voltage: 20V Drain current: 35.8A On-state resistance: 3.2mΩ Type of transistor: N-MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4186DY-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 35.8A; Idm: 70A; 6W Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Power dissipation: 6W Polarisation: unipolar Gate charge: 90nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 70A Case: SO8 Drain-source voltage: 20V Drain current: 35.8A On-state resistance: 3.2mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 2500 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4186DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 35.8A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3630 pF @ 10 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4186DY-T1-GE3 | на замовлення 798200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SI4186DY-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 20V Vds 20V Vgs SO-8 | на замовлення 23831 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI419 | SIEMENS | 01+ SOP | на замовлення 197 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
SI419 | SI | SOP-8 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
SI4190ADY-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 18.4A; Idm: 70A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 18.4A Pulsed drain current: 70A Power dissipation: 6W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12mΩ Mounting: SMD Gate charge: 67nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 2500 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4190ADY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 18.4A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1970 pF @ 50 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4190ADY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 18.4A 8-Pin SOIC N T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4190ADY-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 100V Vds 20V Vgs SO-8 | на замовлення 13854 шт: термін постачання 802-811 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4190ADY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 18.4A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1970 pF @ 50 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4190ADY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 18.4A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 1395 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4190ADY-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 18.4A; Idm: 70A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 18.4A Pulsed drain current: 70A Power dissipation: 6W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12mΩ Mounting: SMD Gate charge: 67nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||
Si4190BDY-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET N-Channel 100 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 14.9 mohm a. 10V 14.4 mohm a. 7.5V | на замовлення 4543 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4190DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 20A 8-Pin SOIC N T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4190DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 20A 8-SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 15A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 50 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4196DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 8A 8SOIC | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4196DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 8A 8SOIC | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4200 | SILICONE | QFN?? | на замовлення 19 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
SI4200-BM | SI | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
SI4200-BM | Silicon Labs | Description: IC TXRX TRI-BAND 32MLP | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4200-BM | Silicon | 09+ | на замовлення 54 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
SI4200-BMR | SILICON | 2 QFN | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
SI4200-BMR | SILICON | 03+ | на замовлення 1835 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
SI4200-BMR | SILICON | QFN | на замовлення 700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
SI4200-EVB | Silicon Labs | Description: BOARD EVAL FOR SI4200 Packaging: Bulk For Use With/Related Products: Si4200 Frequency: 850MHz, 900MHz, 1.8GHz Type: GPRS/GSM Supplied Contents: Board(s) | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4200-GM | SILICON | QFN?? | на замовлення 2922 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
SI4200-GM | Silicon Labs | Description: IC TXRX TRI-BAND 32MLP | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4200-GMR | SILICON | 04+ | на замовлення 7500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
SI42000BW | на замовлення 18000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SI4200BM | N/A | 0346 | на замовлення 1009 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
SI4200BM | SILICON | на замовлення 118 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
SI4200BM | SIL | QFN | на замовлення 1270 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
SI4200DB-BM | Silicon | 09+ | на замовлення 5718 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
SI4200DB-BMR | SILICON | 0347 | на замовлення 1336 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
SI4200DB-BMR | SI | на замовлення 1573 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
SI4200DB-BMR | VISHAY | 0340+ | на замовлення 1452 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
SI4200DB-BRM | SAGEM | 04+ | на замовлення 3298 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
SI4200DB-GMR | SILICON | 06+ | на замовлення 357 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
SI4200DY-T1-E3 | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SI4200DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
SI4200DY-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 25 Volts 8 Amps 2.8 Watts | на замовлення 53 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||
SI4200DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
SI4201-BM | Silicon | 09+ | на замовлення 440018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
SI4201-BM | Silicon Labs | Description: IC UNVRSL BASEBAND INTRFC 20QFN | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4201-BMR | SILICON | QFN | на замовлення 700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
SI4201-BMR | VISHAY | 03+ | на замовлення 2596 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
SI4201-BMR | SILICON | 2 QFN | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
SI4201-BMR | SILICON | QFN?? | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
SI4201-GM | Silicon Labs | Description: IC UNVRSL BASEBAND INTRFC 20QFN | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4201-GMR | SIICON | 2004PB | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
si4201bm | на замовлення 60 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
Si4202DY-T1-E3 | на замовлення 87520 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SI4202DY-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI4202DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12.1 A, 0.0115 ohm, SOIC, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 12.1 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 3.7 Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0115 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 1 SVHC: No SVHC (15-Jun-2015) | на замовлення 1003 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4202DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 12.1A 8-Pin SOIC N T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4202DY-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8 | на замовлення 7807 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4202DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 12.1A 8SO | на замовлення 4750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4202DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 12.1A 8-Pin SOIC N T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4202DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 12.1A 8SO | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4202DY-T1-GE3 | VISHAY | SI4202DY-T1-GE3 SMD N channel transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4202DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 12.1A 8-Pin SOIC N T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4204 | на замовлення 371 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
Si4204DY-T1-E3 | на замовлення 87520 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SI4204DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 19.8A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 2367 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4204DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 20V 19.8A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.25W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2110pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active | на замовлення 27506 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4204DY-T1-GE3 | VISHAY | SI4204DY-T1-GE3 SMD N channel transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4204DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 19.8A 8-Pin SOIC N T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4204DY-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI4204DY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 19.8 A, 19.8 A, 0.0038 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 19.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 19.8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0038ohm Verlustleistung, p-Kanal: 3.25W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pins Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0038ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Verlustleistung, n-Kanal: 3.25W Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 12312 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4204DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 19.8A 8-Pin SOIC N T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4204DY-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 20V Vds 20V Vgs SO-8 | на замовлення 34370 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4204DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 20V 19.8A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.25W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2110pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active | на замовлення 27500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
SI4205 | SILICON | 08+ ; | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
SI4205 | SILICON | QFN? | на замовлення 3277 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
SI4205 | SILICON | 2007; | на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
SI4205-BM | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX CELLULAR 32LFLGA | товар відсутній | |||||||||||||||||
SI4205-BM | SILICON | 04+ | на замовлення 98 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
SI4205-BM | SILICONI? | 05+ MLP32 | на замовлення 1388 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |