Продукція > SIZ

MOSFET 30V Vds 20/-16V Vgs PowerPAIR 3x3S

на замовлення 4999 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SIZ200DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 22A 8POWERPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.3W (Ta), 33W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 61A (Tc), 22A (Ta), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510pF @ 15V, 1600pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 10A, 10V, 5.8mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 10V, 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (3.3x3.3)

товар відсутній

SIZ200DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

товар відсутній

SIZ200DT-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 61A; Idm: 130A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 61A
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 33W
On-state resistance: 7.7/7.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30/28nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт

товар відсутній

SIZ200DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 22A 8POWERPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.3W (Ta), 33W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 61A (Tc), 22A (Ta), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510pF @ 15V, 1600pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 10A, 10V, 5.8mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 10V, 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (3.3x3.3)

товар відсутній

SIZ200DT-T1-GE3

товар відсутній

SIZ240DT-T1-GE3

Description: VISHAY - SIZ240DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 48 A, 0.00671 ohm, PowerPAIR 3 x 3S, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 48
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 33
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4
Bauform - Transistor: PowerPAIR 3 x 3S
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00671
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

товар відсутній

SIZ240DT-T1-GE3

SIZ240DT-T1-GE3 Multi channel transistors

товар відсутній

SIZ240DT-T1-GE3

Description: MOSFET DUAL N-CH 40V POWERPAIR 3

товар відсутній

SIZ240DT-T1-GE3

Description: VISHAY - SIZ240DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 48 A, 0.00671 ohm, PowerPAIR 3 x 3S, Oberflächenmontage
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

товар відсутній

SIZ240DT-T1-GE3

MOSFET DUAL N-CHANNEL Symm.PowerPAIR 3 x 3

на замовлення 5905 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	90.35 грн
10+	72.86 грн
100+	49.6 грн
500+	42.06 грн
1000+	34.25 грн
3000+	32.25 грн
6000+	30.64 грн

Мінімальне замовлення: 4

SIZ240DT-T1-GE3

Transistor 2xN-Channel MOSFET; 40V; 20V; 12mOhm/13mOhm; 48A/47A; 33W; -55°C ~ 150°C; SIZ240DT-T1-GE3 TSIZ240dt
кількість в упаковці: 5 шт

на замовлення 20 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

10+	78.69 грн

Мінімальне замовлення: 10

SIZ240DT-T1-GE3

Description: MOSFET DUAL N-CH 40V POWERPAIR 3

товар відсутній

SIZ240DT-T1-GE3

SIZ240DT-T1-GE3

товар відсутній

SIZ250DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 60V 14A 8PWRPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.3W (Ta), 33W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 38A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840pF @ 30V, 790pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 10A, 10V, 12.7mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (3.3x3.3)
Part Status: Active

товар відсутній

SIZ250DT-T1-GE3

Description: VISHAY - SIZ250DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 38 A, 0.01007 ohm, PowerPAIR 3 x 3S, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 38
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 33
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4
Bauform - Transistor: PowerPAIR 3 x 3S
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.01007
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	94.36 грн
10+	80.13 грн
100+	65.98 грн
500+	50.63 грн

Мінімальне замовлення: 8

SIZ250DT-T1-GE3

MOSFET DUAL N-CHANNEL 60-V PowerPAIR 3 x 3S

на замовлення 34726 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	84.12 грн
10+	67.79 грн
100+	45.87 грн
500+	38.86 грн
1000+	31.64 грн
3000+	29.71 грн
6000+	29.51 грн

Мінімальне замовлення: 4

SIZ250DT-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 60V; 38A; Idm: 80A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 38A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 33W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18.87/18.11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт

товар відсутній

SIZ250DT-T1-GE3

товар відсутній

SIZ250DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin PowerPAIR EP

товар відсутній

SIZ250DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 60V 14A 8PWRPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.3W (Ta), 33W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 38A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840pF @ 30V, 790pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 10A, 10V, 12.7mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (3.3x3.3)
Part Status: Active

на замовлення 287 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	78.72 грн
10+	61.82 грн
100+	48.06 грн

Мінімальне замовлення: 4

SIZ254DT-T1-GE3

Description: DUAL N-CHANNEL 70 V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.3W (Ta), 33W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 70V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 32.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 795pF @ 35V, 765pF @ 35V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.1mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (3.3x3.3)
Part Status: Active

на замовлення 1030 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	87.38 грн
10+	74.97 грн
100+	58.44 грн
500+	45.31 грн
1000+	35.77 грн

Мінімальне замовлення: 4

SIZ254DT-T1-GE3

Description: VISHAY - SIZ254DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 70 V, 70 V, 32.5 A, 32.5 A, 0.0129 ohm
tariffCode: 85412900
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0129ohm
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 32.5A
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 32.5A
hazardous: false
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Verlustleistung, n-Kanal: 33W
Drain-Source-Spannung Vds: 70V
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 70V
Verlustleistung, p-Kanal: 33W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 70V
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0129ohm
Dauer-Drainstrom Id: 32.5A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0129ohm
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
usEccn: EAR99
Transistormontage: Oberflächenmontage
Verlustleistung Pd: 33W
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

на замовлення 12995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	95.86 грн
10+	80.13 грн
100+	58.42 грн
500+	44.86 грн
1000+	32.67 грн
3000+	30.49 грн
6000+	30.43 грн

Мінімальне замовлення: 8

SIZ254DT-T1-GE3

MOSFET DUAL N-CHANNEL 70-V (D-S) S

на замовлення 5862 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	84.12 грн
10+	67.79 грн
100+	45.87 грн
500+	38.86 грн
1000+	31.64 грн
3000+	30.44 грн
6000+	28.31 грн

Мінімальне замовлення: 4

SIZ254DT-T1-GE3

Description: DUAL N-CHANNEL 70 V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.3W (Ta), 33W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 70V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 32.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 795pF @ 35V, 765pF @ 35V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.1mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (3.3x3.3)
Part Status: Active

товар відсутній

SIZ256DT-T1-GE3

Description: DUAL N-CHANNEL 70 V (D-S) MOSFET

товар відсутній

SIZ256DT-T1-GE3
Код товару: 185540

товар відсутній

SIZ256DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 70V 11.5A 8-Pin PowerPAIR EP

товар відсутній

SIZ256DT-T1-GE3

Description: VISHAY - SIZ256DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 70 V, 31.8 A, 0.0137 ohm, PowerPAIR 3 x 3S, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 70
Dauer-Drainstrom Id: 31.8
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
Verlustleistung Pd: 33
Bauform - Transistor: PowerPAIR 3 x 3S
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0137
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.5
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

товар відсутній

SIZ256DT-T1-GE3

MOSFET DUAL N-CHANNEL 70-V (D-S) MOSF

на замовлення 2600 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	84.12 грн
10+	68.64 грн
100+	47.47 грн
500+	41.06 грн
1000+	34.32 грн
3000+	32.25 грн
6000+	31.11 грн

Мінімальне замовлення: 4

SIZ256DT-T1-GE3

Description: DUAL N-CHANNEL 70 V (D-S) MOSFET

товар відсутній

SIZ256DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 70V 11.5A 8-Pin PowerPAIR EP

товар відсутній

SIZ256DT-T1-GE3

товар відсутній

SIZ256DT-T1-GE3

SIZ256DT-T1-GE3 SMD N channel transistors

товар відсутній

SIZ260DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 80V 8.9A 8PWRPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.3W (Ta), 33W (Tc)
FET Type: N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta), 24.7A (Tc), 8.9A (Ta), 24.6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.5mOhm @ 10A, 10V, 24.7mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 422 pF @ 100 V

на замовлення 6631 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	77.27 грн
10+	60.92 грн
100+	47.4 грн
500+	37.7 грн
1000+	30.71 грн

Мінімальне замовлення: 4

SIZ260DT-T1-GE3

SIZ260DT-T1-GE3 Multi channel transistors

товар відсутній

SIZ260DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 80V 8.9A 8PWRPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.3W (Ta), 33W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta), 24.7A (Tc), 8.9A (Ta), 24.6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.5mOhm @ 10A, 10V, 24.7mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (3.3x3.3)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	31.99 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIZ260DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 80V 8.9A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

товар відсутній

SIZ260DT-T1-GE3

MOSFET DUAL N-CHANNEL 80-V PowerPAIR 3 x 3S

на замовлення 2130 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	83.34 грн
10+	67.72 грн
100+	45.8 грн
500+	38.79 грн
1000+	31.58 грн
3000+	29.71 грн
6000+	29.51 грн

Мінімальне замовлення: 4

SIZ270DT-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 100V; 19.5A; 33W
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 19.5A
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 54.1/51.7mΩ
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 33W
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate charge: 27nC
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET x2

товар відсутній

SIZ270DT-T1-GE3

Description: VISHAY - SIZ270DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 19.5 A, 0.0302 ohm, PowerPAIR 3 x 3S, Oberflächenmontage
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

товар відсутній

SIZ270DT-T1-GE3

товар відсутній

SIZ270DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 100V 7.1A 8PWRPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.3W (Ta), 33W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Ta), 19.5A (Tc), 6.9A (Ta), 19.1A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860pF @ 50V, 845pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37.7mOhm @ 7A, 10V, 39.4mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (3.3x3.3)

на замовлення 11593 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	90.27 грн
10+	71.14 грн
100+	55.36 грн
500+	44.03 грн
1000+	35.87 грн

Мінімальне замовлення: 4

SIZ270DT-T1-GE3

Description: VISHAY - SIZ270DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 19.5 A, 19.5 A, 0.0302 ohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19.5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 19.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 19.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0302ohm
Verlustleistung Pd: 33W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung, p-Kanal: 33W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0302ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 33W
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0302ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

на замовлення 14050 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	79.39 грн
11+	71.3 грн
100+	55.5 грн
500+	42.49 грн
1000+	30.94 грн
5000+	30.75 грн

Мінімальне замовлення: 10

SIZ270DT-T1-GE3

MOSFET Dual N-Ch 100V(D-S)

на замовлення 11077 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	84.9 грн
10+	69.1 грн
100+	48.87 грн
500+	43.39 грн
1000+	36.65 грн
3000+	35.32 грн

Мінімальне замовлення: 4

SIZ270DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 100V 7.1A 8PWRPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.3W (Ta), 33W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Ta), 19.5A (Tc), 6.9A (Ta), 19.1A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860pF @ 50V, 845pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37.7mOhm @ 7A, 10V, 39.4mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (3.3x3.3)

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	37.37 грн
6000+	34.27 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIZ300DT-T1-GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT SIZ342DT-T1-GE3

на замовлення 2995 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	77.89 грн
10+	45.91 грн
100+	27.91 грн
500+	26.1 грн

Мінімальне замовлення: 4

SIZ300DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 9.8A/14.9A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SIZ300DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 9.8A/14.9A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

товар відсутній

SIZ300DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 11A POWERPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 16.7W, 31W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A, 28A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 9.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair®
Part Status: Active

на замовлення 13 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	80.88 грн
10+	69.82 грн

Мінімальне замовлення: 4

SIZ300DT-T1-GE3
Код товару: 106566

товар відсутній

SIZ300DT-T1-GE3

SIZ300DT-T1-GE3 SMD N channel transistors

товар відсутній

SIZ300DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 9.8A/14.9A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

товар відсутній

SIZ300DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 11A POWERPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 16.7W, 31W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A, 28A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 9.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair®
Part Status: Active

товар відсутній

SIZ320DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 25V 30/40A 8POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 16.7W, 31W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 12.5V, 1370pF @ 12.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 8A, 10V, 4.24mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9nC @ 4.5V, 11.9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

товар відсутній

SIZ320DT-T1-GE3

SIZ320DT-T1-GE3 SMD N channel transistors

товар відсутній

SIZ320DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 25V 30/40A 8POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 16.7W, 31W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 12.5V, 1370pF @ 12.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 8A, 10V, 4.24mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9nC @ 4.5V, 11.9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

на замовлення 2900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	65.72 грн
10+	54.59 грн
100+	37.77 грн
500+	29.62 грн
1000+	25.21 грн

Мінімальне замовлення: 5

SIZ320DT-T1-GE3

MOSFET 25V Vds 16V Vgs PowerPAIR 3 x 3

на замовлення 3904 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	69.55 грн
10+	60.88 грн
100+	40.59 грн
500+	32.11 грн
1000+	25.7 грн
3000+	23.23 грн
6000+	23.1 грн

Мінімальне замовлення: 5

SIZ320DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 25V 17.2A/24.8A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

товар відсутній

SIZ322DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 25V 30A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

товар відсутній

SIZ322DT-T1-GE3
Код товару: 175930

товар відсутній

SIZ322DT-T1-GE3

Description: VISHAY - SIZ322DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 30 A, 30 A, 0.00529 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.00529ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 16.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00529ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 16.7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 5686 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	33.03 грн
500+	25.59 грн
1000+	18.23 грн

Мінімальне замовлення: 100

SIZ322DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 25V 30A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 16.7W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 12.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.35mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Part Status: Active

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	22.29 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIZ322DT-T1-GE3

MOSFET 25V Vds 16V Vgs PowerPAIR 3 x 3

на замовлення 431 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	63.01 грн
10+	55.2 грн
100+	32.71 грн
500+	27.31 грн
1000+	23.3 грн
3000+	21.1 грн
6000+	19.56 грн

Мінімальне замовлення: 5

SIZ322DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 25V 30A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

товар відсутній

SIZ322DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 25V 30A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

товар відсутній

SIZ322DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 25V 30A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

товар відсутній

SIZ322DT-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 25V; 30A; Idm: 100A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 16.7W
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

SIZ322DT-T1-GE3

на замовлення 5686 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	62.39 грн
15+	52.72 грн
100+	33.03 грн
500+	25.59 грн
1000+	18.23 грн

Мінімальне замовлення: 13

SIZ322DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 25V 30A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 16.7W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 12.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.35mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Part Status: Active

на замовлення 8145 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	58.5 грн
10+	48.96 грн
100+	33.89 грн
500+	26.57 грн
1000+	22.61 грн

Мінімальне замовлення: 5

SIZ322DT-T1-GE3

товар відсутній

SIZ328DT-T1-GE3

Description: MOSFET DUAL N-CHAN 25V POWERPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.9W (Ta), 15W (Tc), 3.6W (Ta), 16.2W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Ta), 25.3A (Tc), 15A (Ta), 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325pF @ 10V, 600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 10V, 10mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9nC @ 10V, 11.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Part Status: Active

на замовлення 2850 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	65.72 грн
10+	54.8 грн
100+	37.93 грн
500+	29.74 грн
1000+	25.31 грн

Мінімальне замовлення: 5

SIZ328DT-T1-GE3

Description: MOSFET DUAL N-CHAN 25V POWERPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.9W (Ta), 15W (Tc), 3.6W (Ta), 16.2W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Ta), 25.3A (Tc), 15A (Ta), 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325pF @ 10V, 600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 10V, 10mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9nC @ 10V, 11.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Part Status: Active

товар відсутній

SIZ328DT-T1-GE3

MOSFET 25V Vds 16V Vgs PowerPAIR 3 x 3

на замовлення 5682 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	63.71 грн
10+	55.43 грн
100+	37.52 грн
500+	29.98 грн
1000+	24.1 грн
3000+	22.9 грн
6000+	21.36 грн

Мінімальне замовлення: 5

SIZ340ADT

Trans MOSFET N-CH 30V 15.7A/25.4A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

товар відсутній

SIZ340ADT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 15.7A/25.4A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

товар відсутній

SIZ340ADT-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 33.4/69.7A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 33.4/69.7A
Pulsed drain current: 100...150A
Power dissipation: 16.7/31W
On-state resistance: 14.4/6.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27.9/12.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

SIZ340ADT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 15.7A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.7W (Ta), 16.7W (Tc), 4.2W (Ta), 31W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.7A (Ta), 33.4A (Tc), 25.4A (Ta), 69.7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580pF @ 15V, 1290pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 10A, 10V, 4.29mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2nC @ 10V, 27.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Part Status: Active

на замовлення 16485 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	70.05 грн
10+	55.36 грн
100+	43.05 грн
500+	34.24 грн
1000+	27.89 грн

Мінімальне замовлення: 5

SIZ340ADT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 15.7A/25.4A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

товар відсутній

SIZ340ADT-T1-GE3

Description: VISHAY - SIZ340ADT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 69.7 A, 69.7 A, 0.00357 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 69.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 69.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.00357ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 31W
euEccn: NLR
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00357ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 31W
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

на замовлення 11672 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	29.36 грн

Мінімальне замовлення: 100

SIZ340ADT-T1-GE3

товар відсутній

SIZ340ADT-T1-GE3

MOSFET DUAL N-CHANNEL 30-V

на замовлення 12300 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	43.46 грн
10+	34.78 грн
100+	25.77 грн

Мінімальне замовлення: 8

SIZ340ADT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 15.7A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.7W (Ta), 16.7W (Tc), 4.2W (Ta), 31W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.7A (Ta), 33.4A (Tc), 25.4A (Ta), 69.7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580pF @ 15V, 1290pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 10A, 10V, 4.29mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2nC @ 10V, 27.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Part Status: Active

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	29.05 грн
6000+	26.65 грн
9000+	25.42 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIZ340ADT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 15.7A/25.4A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SIZ340ADT-T1-GE3

Description: VISHAY - SIZ340ADT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 69.7 A, 69.7 A, 0.00357 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 69.7A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 69.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 69.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.00357ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 31W
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00357ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 31W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

на замовлення 11672 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	48.01 грн
21+	36.4 грн
100+	29.36 грн

Мінімальне замовлення: 16

SIZ340BDT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 16.9A/25.3A T/R

на замовлення 45 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	53.38 грн
13+	44.69 грн
25+	43.62 грн

Мінімальне замовлення: 11

SIZ340BDT-T1-GE3

Description: VISHAY - SIZ340BDT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 69.3 A, 69.3 A, 0.00359 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 69.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 69.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.00359ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 31W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00359ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 31W
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 10923 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	50.93 грн
18+	42.69 грн
100+	26.89 грн
500+	20.86 грн
1000+	14.83 грн
5000+	13.54 грн

Мінімальне замовлення: 15

SIZ340BDT-T1-GE3

SIZ340BDT-T1-GE3 SMD N channel transistors

товар відсутній

SIZ340BDT-T1-GE3

MOSFET 30V N-CHANNEL DUAL

на замовлення 22333 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	51.41 грн
10+	44.22 грн
100+	26.64 грн
500+	22.23 грн
1000+	18.96 грн
3000+	16.82 грн
6000+	16.49 грн

Мінімальне замовлення: 7

SIZ340BDT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 16.9A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.7W (Ta), 16.7W (Tc), 4.2W (Ta), 31W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.9A (Ta), 36A (Tc), 25.3A (Ta), 69.3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550pF @ 15V, 1065pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.56mOhm @ 10A, 10V, 4.31mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6nC @ 10V, 23.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Part Status: Active

на замовлення 6089 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	47.66 грн
10+	39.78 грн
100+	27.51 грн
500+	21.57 грн
1000+	18.36 грн

Мінімальне замовлення: 7

SIZ340BDT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 16.9A/25.3A T/R

товар відсутній

SIZ340BDT-T1-GE3

на замовлення 10923 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	26.89 грн
500+	20.86 грн
1000+	14.83 грн
5000+	13.54 грн

Мінімальне замовлення: 100

SIZ340BDT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 16.9A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.7W (Ta), 16.7W (Tc), 4.2W (Ta), 31W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.9A (Ta), 36A (Tc), 25.3A (Ta), 69.3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550pF @ 15V, 1065pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.56mOhm @ 10A, 10V, 4.31mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6nC @ 10V, 23.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Part Status: Active

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	18.09 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIZ340DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 30A/40A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 16.7W, 31W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A, 40A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15.6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	24.46 грн
6000+	22.43 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIZ340DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 15.6A/22.6A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

товар відсутній

SIZ340DT-T1-GE3

Description: VISHAY - SIZ340DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 40 A, 40 A, 0.0042 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0042ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 31W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0042ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 31W
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 8144 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	63.73 грн
15+	53.25 грн
100+	38.12 грн
500+	29.21 грн
1000+	20.22 грн
5000+	18.55 грн

Мінімальне замовлення: 12

SIZ340DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 30A/40A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 16.7W, 31W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A, 40A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15.6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

на замовлення 9854 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	59.22 грн
10+	46.52 грн
100+	36.23 грн
500+	28.82 грн
1000+	23.48 грн

Мінімальне замовлення: 5

SIZ340DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 15.6A/22.6A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

товар відсутній

SIZ340DT-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 3000 шт

товар відсутній

SIZ340DT-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 3 x 3

на замовлення 6879 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	64.49 грн
10+	51.75 грн
100+	35.05 грн
500+	29.71 грн
1000+	24.23 грн
3000+	22.7 грн
6000+	21.7 грн

Мінімальне замовлення: 5

SIZ340DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 15.6A/22.6A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

товар відсутній

SIZ340DT-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

товар відсутній

SIZ342ADT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 15.7A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.7W (Ta), 16.7W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.7A (Ta), 33.4A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	20.88 грн
6000+	19.04 грн
9000+	17.63 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIZ342ADT-T1-GE3

N Channel MOSFET

товар відсутній

SIZ342ADT-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 33.4A; 16.7W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 33.4A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 16.7W
On-state resistance: 14.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт

товар відсутній

SIZ342ADT-T1-GE3

MOSFET Dual N-Channel 30V

на замовлення 5451 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	48.52 грн
10+	42.61 грн
100+	27.51 грн
500+	24.3 грн
1000+	21.5 грн
3000+	19.36 грн
6000+	18.89 грн

Мінімальне замовлення: 7

SIZ342ADT-T1-GE3

товар відсутній

SIZ342ADT-T1-GE3

Description: VISHAY - SIZ342ADT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 33.4 A, 33.4 A, 0.0078 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 33.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 33.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0078ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 16.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET GEN IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0078ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 16.7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 3810 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	31.45 грн
500+	25.87 грн
1000+	21.57 грн

Мінімальне замовлення: 100

SIZ342ADT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 15.7A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.7W (Ta), 16.7W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.7A (Ta), 33.4A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

на замовлення 12085 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	54.89 грн
10+	45.83 грн
100+	31.74 грн
500+	24.89 грн
1000+	21.18 грн

Мінімальне замовлення: 6

SIZ342ADT-T1-GE3

на замовлення 3810 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	54.15 грн
17+	46.58 грн
100+	31.45 грн
500+	25.87 грн
1000+	21.57 грн

Мінімальне замовлення: 14

SIZ342BDT-T1-GE3

MOSFET

товар відсутній

SIZ342DT-T1-GE3

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 30A; Idm: 100A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 16.7W
On-state resistance: 15.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

SIZ342DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 15.7A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 3.6W, 4.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.7A (Ta), 100A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 14A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Part Status: Active

на замовлення 18553 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	59.22 грн
10+	46.52 грн
100+	36.23 грн
500+	28.82 грн
1000+	23.48 грн

Мінімальне замовлення: 5

SIZ342DT-T1-GE3

Description: VISHAY - SIZ342DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 30 A, 30 A, 0.0084 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0084ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 16.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0084ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 16.7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 6142 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	56.69 грн
18+	44.04 грн
100+	31.45 грн
500+	24.76 грн

Мінімальне замовлення: 14

SIZ342DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 15.6A 8-Pin PowerPAIR EP

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	24.81 грн
6000+	23.77 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIZ342DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 15.6A 8-Pin PowerPAIR EP

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6000+	25.11 грн

Мінімальне замовлення: 6000

SIZ342DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 15.6A 8-Pin PowerPAIR EP

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	26.72 грн
6000+	25.6 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIZ342DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 15.7A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 3.6W, 4.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.7A (Ta), 100A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 14A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Part Status: Active

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	24.46 грн
6000+	22.43 грн
9000+	21.39 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIZ342DT-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 3 x 3

на замовлення 2570 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	64.49 грн
10+	51.75 грн
100+	35.05 грн
500+	29.71 грн
1000+	24.23 грн
3000+	22.77 грн
6000+	22.63 грн

Мінімальне замовлення: 5

SIZ342DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 15.6A 8-Pin PowerPAIR EP

товар відсутній

SIZ342DT-T1-GE3

на замовлення 6142 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	31.45 грн
500+	24.76 грн

Мінімальне замовлення: 100

SIZ342DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 15.6A 8-Pin PowerPAIR EP

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	24.95 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIZ342DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 15.6A 8-Pin PowerPAIR EP

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6000+	25.55 грн

Мінімальне замовлення: 6000

SIZ342DT-T1-GE3

товар відсутній

SIZ342DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 15.6A 8-Pin PowerPAIR EP

товар відсутній

SIZ346DT-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 3 x 3

на замовлення 4258 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	50.71 грн
10+	43.38 грн
100+	26.17 грн
500+	21.83 грн
1000+	18.56 грн
3000+	16.49 грн
6000+	16.09 грн

Мінімальне замовлення: 7

SIZ346DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 17A/30A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 16W, 16.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc), 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325pF @ 15V, 650pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 10A, 10V, 11.5mOhm @ 14.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V, 9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

на замовлення 3924 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	46.94 грн
10+	39.01 грн
100+	27 грн
500+	21.17 грн
1000+	18.02 грн

Мінімальне замовлення: 7

SIZ346DT-T1-GE3

Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFETs

товар відсутній

SIZ346DT-T1-GE3

SIZ346DT-T1-GE3 Multi channel transistors

товар відсутній

SIZ346DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 17A/30A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 16W, 16.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc), 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325pF @ 15V, 650pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 10A, 10V, 11.5mOhm @ 14.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V, 9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	17.76 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIZ348DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

товар відсутній

SIZ348DT-T1-GE3

SIZ348DT-T1-GE3 SMD N channel transistors

товар відсутній

SIZ348DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

товар відсутній

SIZ348DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 18A/30A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.7W (Ta), 16.7W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.12mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	72.94 грн
10+	57.37 грн
100+	44.63 грн
500+	35.51 грн
1000+	28.92 грн

Мінімальне замовлення: 4

SIZ348DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

на замовлення 1895 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

326+	35.93 грн
329+	35.57 грн
333+	35.22 грн
336+	33.62 грн
500+	30.82 грн
1000+	29.27 грн

Мінімальне замовлення: 326

SIZ348DT-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 3 x 3

на замовлення 4761 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	66.67 грн
10+	55.2 грн
100+	38.79 грн
500+	33.91 грн
1000+	28.84 грн
3000+	28.71 грн

Мінімальне замовлення: 5

SIZ348DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

на замовлення 1895 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	83.03 грн
10+	73.95 грн
25+	73.23 грн
100+	55.05 грн
250+	50.45 грн
500+	39.78 грн
1000+	31.18 грн

Мінімальне замовлення: 7

SIZ348DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 18A/30A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.7W (Ta), 16.7W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.12mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	30.13 грн
6000+	27.63 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIZ348DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

117+	100.45 грн
118+	99.46 грн
150+	78.27 грн
200+	71.55 грн
500+	56.83 грн
1000+	42.71 грн
2000+	40.24 грн
6000+	37.51 грн

Мінімальне замовлення: 117

SIZ350DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 18.5A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.7W (Ta), 16.7W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta), 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.75mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	29.76 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIZ350DT-T1-GE3

Description: VISHAY - SIZ350DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 30 A, 30 A, 0.00563 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.00563ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 16.7W
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00563ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 16.7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

на замовлення 1393 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	88.37 грн
11+	71 грн
100+	54.75 грн
500+	42.07 грн
1000+	30.68 грн

Мінімальне замовлення: 9

SIZ350DT-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 16V Vgs PowerPAIR 3 x 3

на замовлення 6106 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	78.67 грн
10+	62.8 грн
100+	42.99 грн
500+	36.52 грн
1000+	29.71 грн
3000+	28.37 грн

Мінімальне замовлення: 4

SIZ350DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 18.5A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.7W (Ta), 16.7W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta), 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.75mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

на замовлення 7529 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	72.22 грн
10+	56.68 грн
100+	44.08 грн
500+	35.07 грн
1000+	28.57 грн

Мінімальне замовлення: 4

SIZ350DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 18.5A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

товар відсутній

SIZ350DT-T1-GE3

SIZ350DT-T1-GE3 SMD N channel transistors

товар відсутній

SIZ350DT-T1-GE3

Description: VISHAY - SIZ350DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 30 A, 30 A, 0.00563 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.00563ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 16.7W
euEccn: NLR
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00563ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 16.7W
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

на замовлення 1393 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	54.75 грн
500+	42.07 грн
1000+	30.68 грн

Мінімальне замовлення: 100

SIZ700DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 20V 16A PPAK 1212-8

товар відсутній

SIZ700DT-T1-GE3

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIZ700DT-T1-GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SIZ710DT-T1-GE3

товар відсутній

SIZ702DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR

товар відсутній

SIZ702DT-T1-GE3

MOSFET 30 Volts 16 Amps 27 Watts

на замовлення 1480 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SIZ702DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR

товар відсутній

SIZ704DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 12A 6PWRPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerPair™
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20W, 30W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A, 16A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-PowerPair™

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	29.6 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIZ704DT-T1-GE3

MOSFET 30V 12/16A 20/30W 24/13.5mohm @ 10V

товар відсутній

SIZ704DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 9.4A/14A 6-Pin PowerPAIR T/R

товар відсутній

SIZ704DT-T1-GE3

SIZ704DT-T1-GE3 SMD N channel transistors

товар відсутній

SIZ704DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 12A 6PWRPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerPair™
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20W, 30W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A, 16A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-PowerPair™

на замовлення 3077 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	71.5 грн
10+	56.4 грн
100+	43.85 грн
500+	34.88 грн
1000+	28.42 грн

Мінімальне замовлення: 5

SIZ704DT-T1-GE3

QFN

на замовлення 90 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIZ710DT-T1-GE3

SIZ710DT-T1-GE3 SMD N channel transistors

товар відсутній

SIZ710DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 20V 16A POWERPAIR

на замовлення 2861 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SIZ710DT-T1-GE3

MOSFET 20V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 3.7

на замовлення 3609 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	103.59 грн
10+	84.45 грн
100+	56.61 грн
500+	48 грн
1000+	39.12 грн
3000+	36.79 грн
6000+	35.05 грн

Мінімальне замовлення: 4

SIZ710DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 20V 16A POWERPAIR

товар відсутній

SIZ710DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 16A/30A 6-Pin PowerPAIR T/R

товар відсутній

SIZ720DT-T1-GE3

MOSFET N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET

товар відсутній

SIZ720DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 20V 16A POWERPAIR

товар відсутній

SIZ728DT-T1-GE3

MOSFET 25V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 3.7

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SIZ728DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 25V 16A 6-POWERPAIR

товар відсутній

SIZ730DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 16A 6-POWERPAIR

на замовлення 314 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	58.5 грн
10+	46.66 грн
100+	40.87 грн

Мінімальне замовлення: 5

SIZ730DT-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 3.7

на замовлення 5506 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SIZ730DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 16A/35A 6-Pin PowerPAIR T/R

товар відсутній

SIZ730DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 16A 6-POWERPAIR

товар відсутній

SIZ790DT-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 3.7

на замовлення 1782 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SIZ790DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 12.9A/23.4A 6-Pin PowerPAIR T/R

товар відсутній

SIZ790DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 16A 6-POWERPAIR

товар відсутній

SIZ790DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 16A 6-POWERPAIR

товар відсутній

SIZ900DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR

на замовлення 2900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SIZ900DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR

на замовлення 2900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SIZ900DT-T1-GE3

MOSFET 30V 24/28A 48/100W 7.2/3.9mOhms @ 10V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SIZ900DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR

товар відсутній

SIZ902DT-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5

на замовлення 2734 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	103.59 грн
10+	84.45 грн
100+	56.61 грн
500+	48 грн
1000+	40.46 грн
6000+	40.12 грн

Мінімальне замовлення: 4

SIZ902DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 16A 8POWERPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 29W, 66W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 13.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)

товар відсутній

SIZ902DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 14.3A/16A 8-Pin PowerPAIR T/R

товар відсутній

SIZ902DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 14.3A/16A 8-Pin PowerPAIR T/R

товар відсутній

SIZ902DT-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 16A; 29/66W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 29/66W
On-state resistance: 14.5/8.3mΩ
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Gate charge: 21/65nC
Drain-source voltage: 30V
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 50...80A
Drain current: 16A

товар відсутній

SIZ902DT-T1-GE3

товар відсутній

SIZ902DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 16A 8POWERPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 29W, 66W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 13.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)

на замовлення 2922 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	96.77 грн
10+	76.36 грн
100+	59.38 грн
500+	47.24 грн
1000+	38.48 грн

Мінімальне замовлення: 3

SIZ902DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 14.3A/16A 8-Pin PowerPAIR T/R

товар відсутній

SIZ904DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 9.5A/14.5A 8-Pin PowerPAIR T/R

товар відсутній

SIZ904DT-T1-GE3

SIZ904DT-T1-GE3 SMD N channel transistors

товар відсутній

SIZ904DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 12A POWERPAIR

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SIZ904DT-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5

товар відсутній

SIZ904DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 12A POWERPAIR

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SIZ910DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 40A POWERPAIR

на замовлення 3388 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SIZ910DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 40A POWERPAIR

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SIZ910DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 40A POWERPAIR

на замовлення 3388 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SIZ910DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 22A/32A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

товар відсутній

SIZ914DT-T1-GE3

MOSFET 30V 16/40A 23/100W TrenchFET

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SIZ914DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH Si 30V 16A/40A 8-Pin PowerPAIR EP

товар відсутній

SIZ914DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 16A PWRPAIR

товар відсутній

SIZ914DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 16A PWRPAIR

товар відсутній

SIZ916DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 16A/40A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

товар відсутній

SIZ916DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR

товар відсутній

SIZ916DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR

товар відсутній

SIZ918DT-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5

на замовлення 4736 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	120.73 грн
10+	105.95 грн
100+	74.11 грн
500+	61.89 грн
1000+	52.41 грн
3000+	49.34 грн
6000+	48.34 грн

Мінімальне замовлення: 3

SIZ918DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 16A 8PWRPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 29W, 100W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A, 28A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 13.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	49.22 грн
6000+	45.61 грн
9000+	44.1 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIZ918DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 14.3A/26A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

товар відсутній

SIZ918DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 16A 8PWRPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 29W, 100W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A, 28A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 13.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active

на замовлення 21962 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	109.05 грн
10+	87.35 грн
100+	69.49 грн
500+	55.18 грн
1000+	46.82 грн

Мінімальне замовлення: 3

SIZ918DT-T1-GE3

SIZ918DT-T1-GE3 SMD N channel transistors

товар відсутній

SIZ920DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 40A 8POWERPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 39W, 100W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 18.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)

товар відсутній

SIZ920DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 22A/32A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

товар відсутній

SIZ920DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 40A 8POWERPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 39W, 100W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 18.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)

товар відсутній

SIZ920DT-T1-GE3
Код товару: 118521

товар відсутній

SIZ926DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 25V 40A 8PWRPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20.2W, 40W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 925pF @ 10V, 2150pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 5A, 10V, 2.2mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V, 41nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active

товар відсутній

SIZ926DT-T1-GE3

SIZ926DT-T1-GE3 SMD N channel transistors

товар відсутній

SIZ926DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 25V 22A/37A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

товар відсутній

SIZ926DT-T1-GE3

MOSFET 25V Vds 16V Vgs PowerPAIR 6 x 5

на замовлення 690 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	99.7 грн
10+	89.06 грн
100+	60.09 грн
500+	49.6 грн

Мінімальне замовлення: 4

SIZ926DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 25V 40A 8PWRPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20.2W, 40W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 925pF @ 10V, 2150pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 5A, 10V, 2.2mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V, 41nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active

товар відсутній

SIZ926DT-T1-GE3

Dual N-Channel 25 V (D-S) MOSFETs

товар відсутній

SIZ980BDT-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V
Type of transistor: N-MOSFET x2 + Schottky
On-state resistance: 7.12/1.72mΩ
Power dissipation: 20/66W
Polarisation: unipolar
Drain current: 54.8/197A
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 18/79nC
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Pulsed drain current: 90...130A
кількість в упаковці: 3000 шт

товар відсутній

SIZ980BDT-T1-GE3

Description: VISHAY - SIZ980BDT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 30 V, 197 A, 197 A, 817 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 197A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 197A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 817µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 66W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: TrenchFET Gen IV SkyFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 817µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal + Schottky
Verlustleistung, n-Kanal: 66W
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 11856 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	100.36 грн
10+	74.89 грн
100+	56.84 грн
500+	44.58 грн
1000+	31.97 грн
5000+	31.78 грн

Мінімальне замовлення: 8

SIZ980BDT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 23.7A/54.3A 8-Pin PowerPAIR EP

товар відсутній

SIZ980BDT-T1-GE3

MOSFET N-CHANNEL 30-V (D-S) PowerPAIR 6 x 5

на замовлення 15724 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	115.27 грн
10+	93.67 грн
100+	63.36 грн
500+	53.48 грн
1000+	43.53 грн
3000+	41.59 грн

Мінімальне замовлення: 3

SIZ980BDT-T1-GE3

товар відсутній

SIZ980BDT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 23.7A/54.3A 8-Pin PowerPAIR EP

товар відсутній

SIZ980BDT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 23.7A 8PWRPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.8W (Ta), 20W (Tc), 5W (Ta), 66W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.7A (Ta), 54.8A (Tc), 54.3A (Ta), 197A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 15V, 3655pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.39mOhm @ 15A, 10V, 1.06mOhm @ 19A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V, 79nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active

на замовлення 13638 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	104.72 грн
10+	82.96 грн
100+	64.51 грн
500+	51.31 грн
1000+	41.8 грн

Мінімальне замовлення: 3

SIZ980BDT-T1-GE3
Код товару: 173623

товар відсутній

SIZ980BDT-T1-GE3

Description: VISHAY - SIZ980BDT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 30 V, 197 A, 197 A, 817 µohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 197A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 197A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 197A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 817µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 66W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: TrenchFET Gen IV SkyFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 817µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal + Schottky
Verlustleistung, n-Kanal: 66W
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 11856 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	56.84 грн
500+	44.58 грн
1000+	31.97 грн
5000+	31.78 грн

Мінімальне замовлення: 100

SIZ980BDT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 23.7A 8PWRPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.8W (Ta), 20W (Tc), 5W (Ta), 66W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.7A (Ta), 54.8A (Tc), 54.3A (Ta), 197A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 15V, 3655pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.39mOhm @ 15A, 10V, 1.06mOhm @ 19A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V, 79nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	43.54 грн
6000+	39.93 грн
9000+	38.09 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIZ980DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 20A 8PWRPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20W, 66W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930pF @ 15V, 4600pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 15A, 10V, 1.6mOhm @ 19A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1nC @ 4.5V, 35nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	42.77 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIZ980DT-T1-GE3

Description: VISHAY - SIZ980DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 60 A, 0.0011 ohm, PowerPAIR, Oberflächenmontage
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

товар відсутній

SIZ980DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 20A 8PWRPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20W, 66W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930pF @ 15V, 4600pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 15A, 10V, 1.6mOhm @ 19A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1nC @ 4.5V, 35nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active

на замовлення 7163 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	103.27 грн
10+	81.5 грн
100+	63.37 грн
500+	50.4 грн
1000+	41.06 грн

Мінімальне замовлення: 3

SIZ980DT-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V
Type of transistor: N-MOSFET x2 + Schottky
On-state resistance: 10/2.2mΩ
Power dissipation: 20/66W
Polarisation: unipolar
Drain current: 20/60A
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 18/77nC
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Pulsed drain current: 90...130A
кількість в упаковці: 3000 шт

товар відсутній

SIZ980DT-T1-GE3

Description: VISHAY - SIZ980DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 60 A, 0.0011 ohm, PowerPAIR, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 60
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 66
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET
Wandlerpolarität: n-Kanal + Schottky
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0011
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

товар відсутній

SIZ980DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 20A/60A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

товар відсутній

SIZ980DT-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5

на замовлення 3242 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	112.94 грн
10+	92.13 грн
100+	61.89 грн
500+	52.47 грн
1000+	42.79 грн
3000+	40.12 грн

Мінімальне замовлення: 3

SIZ980DT-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V
Type of transistor: N-MOSFET x2 + Schottky
On-state resistance: 10/2.2mΩ
Power dissipation: 20/66W
Polarisation: unipolar
Drain current: 20/60A
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 18/77nC
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Pulsed drain current: 90...130A

товар відсутній

SIZ980DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 20A/60A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

товар відсутній

SIZ988DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20.2W, 40W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 15V, 2425pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V, 4.1mOhm @ 19A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 4.5V, 23.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair®
Part Status: Active

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	39.28 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIZ988DT-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5

на замовлення 4843 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	88.79 грн
10+	72.09 грн
100+	48.74 грн
500+	41.26 грн
1000+	33.65 грн
3000+	31.64 грн
6000+	31.51 грн

Мінімальне замовлення: 4

SIZ988DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20.2W, 40W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 15V, 2425pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V, 4.1mOhm @ 19A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 4.5V, 23.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair®
Part Status: Active

на замовлення 10248 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	92.44 грн
10+	79.7 грн
100+	62.14 грн
500+	48.17 грн
1000+	38.03 грн

Мінімальне замовлення: 4

SIZ998BDT

Trans MOSFET N-CH 30V 23.7A/36.2A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

товар відсутній

SIZ998BDT

товар відсутній

SIZ998BDT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 23.7A/36.2A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

товар відсутній

SIZ998BDT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 23.7A 8PWRPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.8W (Ta), 20W (Tc), 4.8W (Ta), 32.9W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.7A (Ta), 54.8A (Tc), 36.2A (Ta), 94.6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 15V, 2130pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.39mOhm @ 15A, 10V, 2.4mOhm @ 19A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V, 46.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	25.61 грн
6000+	23.49 грн
9000+	22.4 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIZ998BDT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 23.7A/36.2A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

товар відсутній

SIZ998BDT-T1-GE3

MOSFET Dual N-Ch 30V(S1-S2)

на замовлення 2889 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	55.07 грн
10+	45.68 грн
100+	33.11 грн
500+	29.58 грн
1000+	24.7 грн
6000+	23.5 грн

Мінімальне замовлення: 6

SIZ998BDT-T1-GE3

Description: VISHAY - SIZ998BDT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 30 V, 94.6 A, 94.6 A, 0.0018 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 94.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 94.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0018ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 32.9W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0018ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal + Schottky
Verlustleistung, n-Kanal: 32.9W
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 2925 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	29.21 грн

Мінімальне замовлення: 100

SIZ998BDT-T1-GE3

на замовлення 2925 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	36.32 грн
26+	29.21 грн

Мінімальне замовлення: 21

SIZ998BDT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 23.7A/36.2A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

товар відсутній

SIZ998BDT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 23.7A 8PWRPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.8W (Ta), 20W (Tc), 4.8W (Ta), 32.9W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.7A (Ta), 54.8A (Tc), 36.2A (Ta), 94.6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 15V, 2130pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.39mOhm @ 15A, 10V, 2.4mOhm @ 19A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V, 46.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active

на замовлення 17917 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	61.39 грн
10+	48.82 грн
100+	37.94 грн
500+	30.18 грн
1000+	24.59 грн

Мінімальне замовлення: 5

SIZ998DT-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5

на замовлення 3538 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	107.49 грн
10+	86.76 грн
100+	58.62 грн
500+	49.67 грн
1000+	40.46 грн
3000+	38.05 грн
6000+	37.92 грн

Мінімальне замовлення: 3

SIZ998DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 20A 8PWRPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20.2W, 32.9W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930pF @ 15V, 2620pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 15A, 10V, 2.8mOhm @ 19A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1nC @ 4.5V, 19.8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	40.5 грн
6000+	37.14 грн
9000+	35.42 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIZ998DT-T1-GE3

Description: VISHAY - SIZ998DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 30 V, 60 A, 60 A, 0.0022 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0022ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 32.9W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0022ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal + Schottky
Verlustleistung, n-Kanal: 32.9W
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 11780 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	105.6 грн
10+	80.13 грн
100+	59.17 грн
500+	46.59 грн
1000+	32.93 грн
5000+	32.8 грн

Мінімальне замовлення: 8

SIZ998DT-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V
Type of transistor: N-MOSFET x2 + Schottky
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20/60A
Pulsed drain current: 90...130A
Power dissipation: 20.2/32.9W
On-state resistance: 10/3.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18/44.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт

товар відсутній

SIZ998DT-T1-GE3

товар відсутній

SIZ998DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 20A 8PWRPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20.2W, 32.9W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930pF @ 15V, 2620pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 15A, 10V, 2.8mOhm @ 19A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1nC @ 4.5V, 19.8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active

на замовлення 13250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	97.49 грн
10+	77.19 грн
100+	59.99 грн
500+	47.72 грн
1000+	38.87 грн

Мінімальне замовлення: 3

SIZ998DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 20A/60A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	42.76 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIZ998DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 20A/60A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

товар відсутній

SIZ998DT-T1-GE3

Description: VISHAY - SIZ998DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 30 V, 60 A, 60 A, 0.0022 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0022ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 32.9W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0022ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal + Schottky
Verlustleistung, n-Kanal: 32.9W
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 11780 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	59.17 грн
500+	46.59 грн
1000+	32.93 грн
5000+	32.8 грн

Мінімальне замовлення: 100

SIZA20

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIZA60

на замовлення 400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIZAL20

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIZAL20/L291

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIZAS4

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIZB

SHINDENGEN

на замовлення 2200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIZB20

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIZB20/Z27N

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIZB40

на замовлення 8500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIZB4072

на замовлення 344 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIZB60

на замовлення 400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIZB60-7072

на замовлення 2774 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIZE 5 COAX PC TERM BKW

ITT

SIZE 5 COAX PC TERM BKW

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	39252.14 грн
2+	38916.24 грн
3+	37462.72 грн
5+	34988.54 грн

SIZF300DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 23A/34A 6-Pin PowerPAIR T/R

товар відсутній

SIZF300DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 23A 8POWERPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.8W (Ta), 48W (Tc), 4.3W (Ta), 74W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 75A (Tc), 34A (Ta), 141A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V, 3150pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V, 1.84mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 62nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active

товар відсутній

SIZF300DT-T1-GE3

Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 75A; 4,5mOhm; 20V; 75W; -55°C ~ 150°C; SIZF300DT-T1-GE3 SIZF300DT TSIZF300dt
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 100 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

20+	42.69 грн

Мінімальне замовлення: 20

SIZF300DT-T1-GE3

MOSFET 30V Vds; 16/-12V Vgs PowerPAIR F 3.3x3.3

на замовлення 970 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	93.47 грн
10+	82.92 грн
100+	56.08 грн
500+	46.53 грн

Мінімальне замовлення: 4

SIZF300DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 23A 8POWERPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.8W (Ta), 48W (Tc), 4.3W (Ta), 74W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 75A (Tc), 34A (Ta), 141A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V, 3150pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V, 1.84mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 62nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active

на замовлення 2840 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	80.16 грн
10+	63.08 грн
100+	49.08 грн
500+	39.04 грн
1000+	31.81 грн

Мінімальне замовлення: 4

SIZF300DT-T1-GE3

SIZF300DT-T1-GE3 Multi channel transistors

товар відсутній

SIZF360DT-T1-GE3

MOSFET 30-V W/SCHOTTKY PowerPAIR 3 x 3FDC

на замовлення 5936 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	127.74 грн
10+	105.95 грн
100+	80.11 грн
250+	78.11 грн

Мінімальне замовлення: 3

SIZF360DT-T1-GE3

Description: MOSFET DL N-CH 30V PPAIR 3X3FDC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerPair™
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.8W (Ta), 52W (Tc), 4.3W (Ta), 78W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 83A (Tc), 34A (Ta), 143A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V, 3150pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V, 1.9mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 62nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-PowerPair™
Part Status: Active

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	116.27 грн

Мінімальне замовлення: 3

SIZF360DT-T1-GE3

N Channel MOSFET

товар відсутній

SIZF360DT-T1-GE3

Description: MOSFET DL N-CH 30V PPAIR 3X3FDC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerPair™
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.8W (Ta), 52W (Tc), 4.3W (Ta), 78W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 83A (Tc), 34A (Ta), 143A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V, 3150pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V, 1.9mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 62nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-PowerPair™
Part Status: Active

товар відсутній

SIZF4800LDT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 80V 10A PWRPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-PowerPair™
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.5W (Ta), 56.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 36A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAIR® 3x3FS

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	46.72 грн
6000+	43.29 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIZF4800LDT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 80V 10A PWRPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-PowerPair™
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.5W (Ta), 56.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 36A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAIR® 3x3FS

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	103.27 грн
10+	82.83 грн
100+	65.95 грн
500+	52.37 грн
1000+	44.44 грн

Мінімальне замовлення: 3

SIZF4800LDT-T1-GE3

MOSFET N-CHANNEL 30 V PWRPAIR3X3FS

на замовлення 2837 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	112.94 грн
10+	92.9 грн
100+	63.96 грн
3000+	54.01 грн

Мінімальне замовлення: 3

SIZF5300DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 35A PWRPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-PowerPair™
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.5W (Ta), 56.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 125A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.43mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAIR® 3x3FS
Part Status: Active

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	59.75 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIZF5300DT-T1-GE3

MOSFET N-CHANNEL 30 V MOSFET PWRPAK

на замовлення 9936 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	144.09 грн
10+	118.23 грн
100+	82.12 грн
250+	81.45 грн
3000+	68.76 грн

Мінімальне замовлення: 3

SIZF5300DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 35A PWRPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-PowerPair™
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.5W (Ta), 56.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 125A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.43mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAIR® 3x3FS
Part Status: Active

на замовлення 5314 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	132.88 грн
10+	105.98 грн
100+	84.36 грн
500+	66.99 грн
1000+	56.84 грн

Мінімальне замовлення: 3

SIZF5302DT-T1-RE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 28.1A PWRPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-PowerPair™
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.8W (Ta), 48.1W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.1A (Ta), 100A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAIR® 3x3FS
Part Status: Active

на замовлення 5096 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	111.94 грн
10+	89.85 грн
100+	71.52 грн
500+	56.79 грн
1000+	48.19 грн

Мінімальне замовлення: 3

SIZF5302DT-T1-RE3

MOSFET P-CHANNEL 30 V MOSFET PWRPAK

на замовлення 10599 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	122.28 грн
10+	99.81 грн
100+	69.43 грн
250+	68.76 грн
3000+	58.35 грн

Мінімальне замовлення: 3

SIZF5302DT-T1-RE3

Description: VISHAY - SIZF5302DT-T1-RE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 100 A, 100 A, 0.0027 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0027ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48.1W
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0027ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

на замовлення 14725 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	137.8 грн
10+	112.34 грн
100+	87.62 грн
500+	71.63 грн
1000+	61.05 грн
3000+	55.91 грн
6000+	54.82 грн

Мінімальне замовлення: 6

SIZF5302DT-T1-RE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 28.1A PWRPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-PowerPair™
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.8W (Ta), 48.1W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.1A (Ta), 100A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAIR® 3x3FS
Part Status: Active

товар відсутній

SIZF5302DT-T1-RE3

Description: VISHAY - SIZF5302DT-T1-RE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 100 A, 100 A, 0.0027 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0027ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48.1W
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0027ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48.1W

на замовлення 14725 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	87.62 грн
500+	71.63 грн
1000+	61.05 грн
3000+	55.91 грн
6000+	54.82 грн

Мінімальне замовлення: 100

SIZF5302DT-T1-RE3-X

товар відсутній

SIZF640DT-T1-GE3

MOSFET

на замовлення 12050 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SIZF906ADT-T1-GE3

SIZF906ADT-T1-GE3 Multi channel transistors

товар відсутній

SIZF906ADT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 27A 8POWERPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.5W (Ta), 38W (Tc), 5W (Ta), 83W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 60A (Tc), 52A (Ta), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49nC @ 10V, 200nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)

товар відсутній

SIZF906ADT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 27A/52A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

товар відсутній

SIZF906ADT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 27A/52A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

на замовлення 5805 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

228+	51.34 грн
232+	50.56 грн
236+	49.76 грн
250+	47.22 грн
500+	43.02 грн
1000+	40.61 грн
3000+	39.94 грн

Мінімальне замовлення: 228

SIZF906ADT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 27A 8POWERPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.5W (Ta), 38W (Tc), 5W (Ta), 83W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 60A (Tc), 52A (Ta), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49nC @ 10V, 200nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)

товар відсутній

SIZF906ADT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 27A/52A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

на замовлення 5805 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	48.42 грн
13+	47.68 грн
25+	46.95 грн
100+	44.56 грн
250+	40.6 грн
500+	38.35 грн
1000+	37.71 грн
3000+	37.09 грн

Мінімальне замовлення: 12

SIZF906ADT-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5F

на замовлення 5804 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	80.22 грн
10+	72.55 грн
100+	52.67 грн
500+	46.53 грн
1000+	40.32 грн
3000+	39.12 грн

Мінімальне замовлення: 4

SIZF906BDT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 36A/63A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

на замовлення 2010 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

224+	52.37 грн
225+	52.12 грн
234+	48.33 грн
250+	44.74 грн
500+	41.79 грн
1000+	40.65 грн

Мінімальне замовлення: 224

SIZF906BDT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 36A 8PWRPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.5W (Ta), 38W (Tc), 5W (Ta), 83W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 105A (Tc), 63A (Ta), 257A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630pF @ 15V, 5550pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 15A, 10V, 680µOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49nC @ 10V, 165nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)

на замовлення 28356 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	127.83 грн
10+	102.65 грн
100+	81.69 грн
500+	64.86 грн
1000+	55.04 грн

Мінімальне замовлення: 3

SIZF906BDT-T1-GE3

MOSFET DUAL N-CH 30-V (D-S) W/SCHOTT

на замовлення 23778 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	129.29 грн
10+	107.49 грн
100+	75.44 грн
250+	72.77 грн
500+	64.56 грн
1000+	55.41 грн
3000+	54.41 грн

Мінімальне замовлення: 3

SIZF906BDT-T1-GE3

Description: VISHAY - SIZF906BDT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 257 A, 257 A, 0.00045 ohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 257A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 257A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 257A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 450µohm
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung, p-Kanal: 83W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 450µohm
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 83W
Betriebswiderstand, Rds(on): 450µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SIZF906BDT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 36A/63A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

на замовлення 2010 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	48.63 грн
25+	48.48 грн
50+	46.67 грн
100+	41.55 грн
250+	39.88 грн
500+	38.8 грн
1000+	37.75 грн

Мінімальне замовлення: 12

SIZF906BDT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 36A 8PWRPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.5W (Ta), 38W (Tc), 5W (Ta), 83W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 105A (Tc), 63A (Ta), 257A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630pF @ 15V, 5550pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 15A, 10V, 680µOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49nC @ 10V, 165nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)

на замовлення 27000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	57.86 грн
6000+	53.62 грн
9000+	51.84 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIZF906DT-T1-GE3
Код товару: 186042

товар відсутній

SiZF906DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 60A 8POWERPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 38W (Tc), 83W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 4.5V, 92nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	43.86 грн
6000+	40.23 грн
9000+	38.37 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SiZF906DT-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR F 6 x 5

на замовлення 8964 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	116.05 грн
10+	94.43 грн
100+	63.96 грн
500+	53.81 грн
1000+	52.07 грн

Мінімальне замовлення: 3

SIZF906DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 27A/52A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

товар відсутній

SiZF906DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 60A 8POWERPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 38W (Tc), 83W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 4.5V, 92nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active

на замовлення 16133 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	106.16 грн
10+	83.52 грн
100+	64.98 грн
500+	51.69 грн
1000+	42.11 грн

Мінімальне замовлення: 3

SiZF906DT-T1-GE3

SIZF906DT-T1-GE3 Multi channel transistors

товар відсутній

SIZF906DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 27A/52A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

товар відсутній

SIZF914DT-T1-GE3

Description: DUAL N-CH 25-V (D-S) MOSFET W/SC

товар відсутній

SIZF914DT-T1-GE3

SIZF914DT-T1-GE3 Multi channel transistors

товар відсутній

SIZF914DT-T1-GE3

Dual N-Channel 25 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode

товар відсутній

SIZF914DT-T1-GE3

MOSFET 25V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5F

товар відсутній

SIZF916DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 23A/45A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

товар відсутній

SIZF916DT-T1-GE3

Description: VISHAY - SIZF916DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 60 A, 900 µohm, PowerPAIR, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 60
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 60
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen IV, SkyFET
Wandlerpolarität: n-Kanal + Schottky
Betriebswiderstand, Rds(on): 900
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

товар відсутній

SIZF916DT-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5F

товар відсутній

SIZF916DT-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH DUAL 30V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.4W (Ta), 26.6W (Tc), 4W (Ta), 60W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060pF @ 15V, 4320pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 10A, 10V, 1.25mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 95nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active

на замовлення 922 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	118.44 грн
10+	101.81 грн
100+	79.36 грн
500+	61.52 грн

Мінімальне замовлення: 3

SIZF916DT-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH DUAL 30V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.4W (Ta), 26.6W (Tc), 4W (Ta), 60W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060pF @ 15V, 4320pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 10A, 10V, 1.25mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 95nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active

товар відсутній

SIZF916DT-T1-GE3

SIZF916DT-T1-GE3 Multi channel transistors

товар відсутній

SIZF918DT-T1-GE3

Description: MOSFET DUAL N-CH 30V POWERPAIR 6

товар відсутній

SIZF918DT-T1-GE3

SIZF918DT-T1-GE3 Multi channel transistors

товар відсутній

SIZF918DT-T1-GE3

Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode

товар відсутній

SIZF918DT-T1-GE3

Description: VISHAY - SIZF918DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 60 A, 0.0012 ohm, PowerPAIR, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 60
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 50
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen IV, SkyFET
Wandlerpolarität: n-Kanal + Schottky
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.2
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

на замовлення 5957 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	100.36 грн
10+	90.62 грн
100+	70.7 грн
500+	53.9 грн
1000+	36.85 грн
5000+	36.14 грн

Мінімальне замовлення: 8

SIZF918DT-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5F

на замовлення 7305 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	110.6 грн
10+	89.83 грн
100+	60.49 грн
500+	51.27 грн
1000+	41.79 грн
3000+	39.86 грн

Мінімальне замовлення: 3

SIZF920DT-T1-GE3

Description: MOSFET DL N-CH 30V POWERPAIR 6X5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.9W (Ta), 28W (Tc), 4.5W (Ta), 74W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 76A (Tc), 49A (Ta), 197A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 15V, 5230pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.07mOhm @ 10A, 10V, 1.05mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V, 125nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active

на замовлення 2211 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	137.21 грн
10+	118.43 грн
100+	95.18 грн
500+	73.39 грн
1000+	60.81 грн

Мінімальне замовлення: 3

SIZF920DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 28A/49A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

товар відсутній

SIZF920DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 28A/49A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

товар відсутній

SIZF920DT-T1-GE3

MOSFET Dual 30V Vds PowerPAIR 6x5F

на замовлення 11386 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	154.22 грн
10+	137.43 грн
25+	112.83 грн
100+	96.14 грн

Мінімальне замовлення: 3

SIZF920DT-T1-GE3

Description: MOSFET DL N-CH 30V POWERPAIR 6X5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.9W (Ta), 28W (Tc), 4.5W (Ta), 74W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 76A (Tc), 49A (Ta), 197A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 15V, 5230pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.07mOhm @ 10A, 10V, 1.05mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V, 125nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active

товар відсутній

SIZF920DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 28A/49A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

на замовлення 11890 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	98.4 грн
10+	88.94 грн
25+	86.3 грн
100+	72.15 грн
250+	66.07 грн
500+	57.64 грн
1000+	50.92 грн
3000+	49.31 грн
6000+	48.73 грн

Мінімальне замовлення: 6

SIZF928DT-T1-GE3

MOSFET DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S)

на замовлення 2890 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	109.04 грн
10+	89.83 грн
100+	63.36 грн
250+	62.69 грн
500+	54.68 грн
1000+	46.87 грн
3000+	44.46 грн

Мінімальне замовлення: 3

SIZF928DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 33A 8PWRPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.9W (Ta), 28W (Tc), 4.5W (Ta), 74W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 88A (Tc), 61A (Ta), 248A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.45mOhm @ 10A, 10V, 0.75mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active

на замовлення 6064 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	107.6 грн
10+	85.96 грн
100+	68.43 грн
500+	54.34 грн
1000+	46.11 грн

Мінімальне замовлення: 3

SIZF928DT-T1-GE3