Продукція > SQ2
Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SQ2.5 | TEKO | SQ2.5 Enclosures with Panel | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2.9 | TEKO | SQ2.9 Enclosures with Panel | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ200 | IKALOGIC | Description: IKALOGIC - SQ200 - Logikanalysator, 4, 16kB, 200 MHz, 15 mm tariffCode: 90308900 rohsCompliant: YES Stromverbrauch: -999W hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: 3A992.a Frequenz: 200MHz Außentiefe: 50mm Außenbreite: 50mm euEccn: NLR Außenhöhe: 15mm Produktpalette: ScanaQuad Series productTraceability: No Anzahl der Takteingänge: -999 Gewicht: 80g | на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ200 | IKALOGIC | Description: LOGIC ANALYZER COMM SYST/COMP Packaging: Box For Use With/Related Products: Communication Systems, Computer Systems, Electrical Systems Tool Type: Logic Analyzer Part Status: Active | на замовлення 47 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ200 | Pimoroni Ltd | Logic Analyzer and Pattern Generators | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ201 | на замовлення 130 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
SQ201570 | Rose Enclosures | Description: BOX 04102006 MOD TO EKD21020301 Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2019H2 | на замовлення 101 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
SQ202 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
SQ202 транзистор Код товару: 89209 | Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
SQ215 | Klein Tools, Inc. | Description: BIT POWER SQUARE #2 1" Packaging: Bulk Tool Type: Bit, Power Length - Overall: 1.00" (25.4mm) Tip Type: Square Tip Size: #2 Drive Size: 1/4" Quantity: 5 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ21G | ?? | 2010+ ROHS | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SQ2200-.25MHZ | на замовлення 447 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
SQ2200-250K | на замовлення 447 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
SQ221 | на замовлення 134 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
SQ2301ES-T1-GE3 | на замовлення 24000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
SQ2301ES-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET RECOMMENDED ALT SQ2301ES-T1_GE3 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2301ES-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 3.9A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2301ES-T1_BE3 | Vishay | SQ2301ES-T1_BE3 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2301ES-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 3.9A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2301ES-T1_BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET P-CHANNEL 20V (D-S) | на замовлення 28907 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2301ES-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 3.9A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 7735 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2301ES-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 3.9A TO236 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236 (SOT-23) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 6460 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2301ES-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 3.9A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2301ES-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET P-Channel 20V AEC-Q101 Qualified | на замовлення 23957 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2301ES-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 3.9A TO236 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236 (SOT-23) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2301ES-T1_GE3 | VISHAY | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.2A; 1W; SOT23 Mounting: SMD Case: SOT23 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: -20V Drain current: -2.2A On-state resistance: 0.12Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1W Polarisation: unipolar Gate charge: 8nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 2980 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2301ES-T1_GE3 | VISHAY | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.2A; 1W; SOT23 Mounting: SMD Case: SOT23 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: -20V Drain current: -2.2A On-state resistance: 0.12Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1W Polarisation: unipolar Gate charge: 8nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V | на замовлення 2980 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2303ES-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 2.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2303ES-T1_BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET P-CHANNEL 30V (D-S) | на замовлення 93942 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2303ES-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.7A, 10V Power Dissipation (Max): 1.9W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 9406 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2303ES-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.7A, 10V Power Dissipation (Max): 1.9W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2303ES-T1_BE3 | Vishay | Automotive P-Channel 30 V, 175 degree C MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2303ES-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQ2303ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.13 ohm, TO-236, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.9W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm | на замовлення 10270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2303ES-T1_GE3 | VISHAY | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -2.5A; Idm: -10A Mounting: SMD Case: SOT23 Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: -10A Power dissipation: 1.9W Gate charge: 6.8nC Polarisation: unipolar Technology: TrenchFET® Drain current: -2.5A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: -30V Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 370mΩ | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2303ES-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 2.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2303ES-T1_GE3 | VISHAY | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -2.5A; Idm: -10A Mounting: SMD Case: SOT23 Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: -10A Power dissipation: 1.9W Gate charge: 6.8nC Polarisation: unipolar Technology: TrenchFET® Drain current: -2.5A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: -30V Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 370mΩ кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2303ES-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A TO236 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.8A, 10V Power Dissipation (Max): 1.9W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 12988 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2303ES-T1_GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified | на замовлення 171914 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2303ES-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A TO236 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.8A, 10V Power Dissipation (Max): 1.9W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2303P-203NM | Laird Technologies IAS | Description: PNL ANT SQUINT OMNI N MALE | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2303P12NF | Laird Technologies IAS | Description: ANT OMNI SQUINT PNL N FEMALE | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2303P36RSM | Laird Technologies IAS | Description: ANT OMNI SQUINT PNL RP SMA | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2303P36RTN | Laird Technologies IAS | Description: ANT OMNI SQUINT PNL RP TNC | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2303P72RTN | Laird Technologies IAS | Description: ANT OMNI SQUINT PNL RP TNC | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2303PNF | Laird Technologies IAS | Description: ANT OMNI SQUINT PNL N FEMALE | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2308BES-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2308CES Код товару: 170837 | Vishay | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: SOT-23-3 Uds,V: 60 V Idd,A: 2,3 A Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 164/3,5 Монтаж: SMD | у наявності 490 шт: 437 шт - склад3 шт - РАДІОМАГ-Київ 30 шт - РАДІОМАГ-Львів 7 шт - РАДІОМАГ-Харків 10 шт - РАДІОМАГ-Одеса 3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
| ||||||||||||||||||
SQ2308CES-T1"BE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQ2308CES-T1"BE3 - MOSFET, N-CH, 60V, 2.3A, SOT-23 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 0 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 0 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 0 euEccn: NLR Verlustleistung: 0 Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 0 Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: No Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 0 Betriebstemperatur, max.: 0 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0 directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | на замовлення 33613 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2308CES-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET RECOMMENDED ALT SQ2308CES-T1_GE3 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2308CES-T1-GE3 | Vishay | Trans Mosfet N-Ch 60V 2.3A Automotive | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2308CES-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 2.3A TO236 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2308CES-T1_BE3 | Vishay | Automotive AEC-Q101 N-Channel 60 V, 175 degree C MOSFET | на замовлення 33613 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2308CES-T1_BE3 | Vishay | Automotive N-Channel 60 V, 175 degree C MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2308CES-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.3A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 205 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 66000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2308CES-T1_BE3 | Vishay | Automotive AEC-Q101 N-Channel 60 V, 175 degree C MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2308CES-T1_BE3 | Vishay | Automotive AEC-Q101 N-Channel 60 V, 175 degree C MOSFET | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2308CES-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.3A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 205 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 67867 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2308CES-T1_BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET N-CHANNEL 60V (D-S) | на замовлення 508255 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2308CES-T1_GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 2A; Idm: 9A; 2W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 2A Pulsed drain current: 9A Power dissipation: 2W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.325Ω Mounting: SMD Gate charge: 3.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | на замовлення 2122 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2308CES-T1_GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET N-CH 60V 2.3A | на замовлення 1371 шт: термін постачання 5 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SQ2308CES-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2308CES-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.3A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 205 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 19944 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2308CES-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQ2308CES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.3 A, 0.125 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.3W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm | на замовлення 42674 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2308CES-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2308CES-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1186 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2308CES-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.3A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 205 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2308CES-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 60V 2.3A 2watt AEC-Q101 Qualified | на замовлення 23351 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2308CES-T1_GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 2A; Idm: 9A; 2W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 2A Pulsed drain current: 9A Power dissipation: 2W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.325Ω Mounting: SMD Gate charge: 3.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 2122 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2308CES-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1186 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2308CES-T1_GE3 | Vishay | Trans Mosfet N-Ch 60V 2.3A Automotive | на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2308CES-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQ2308CES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.3 A, 0.125 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.3W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm | на замовлення 42674 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2308CES-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2308ES-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2308ES-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH D-S 60V TO236 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2308FES-T1/GE3 | Vishay | Vishay | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2308FES-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2309CES-T1_GE3 | Vishay | P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET EC-Q101 qualified SOT-23-3 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2309CES-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET Automotive P-Channel 60 V (D-S) 175C MOSFET SOT-23 , 370 mohm a. 10V, 500 mohm a. 4.5V | на замовлення 2662 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2309ES | на замовлення 3080 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
SQ2309ES-T1"BE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQ2309ES-T1"BE3 - MOSFET, P-CH, 60V, 1.7A, SOT-23 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 0 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 0 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 0 euEccn: NLR Verlustleistung: 0 Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 0 Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: No Kanaltyp: P Channel Rds(on)-Prüfspannung: 0 Betriebstemperatur, max.: 0 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0 directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | на замовлення 4288 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2309ES-T1-BE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET P-CH 60V 1.7A | на замовлення 500 шт: термін постачання 5 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SQ2309ES-T1-GE3 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
SQ2309ES-T1-GE3 8P.. | Vishay | Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 10V; 1,7A; 336mOhm; 2W; -55°C~175°C; Substitute: SQ2309ES-T1_GE3; SQ2309ES-T1-GE3; SQ2309ES-T1_GE3 VSIG; SQ2309ES-T1_BE3; SQ2309ES-T1_GE3 Vishay TSQ2309es кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2309ES-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 335mOhm @ 1.25A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 12443 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2309ES-T1_BE3 | Vishay | Automotive P-Channel MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2309ES-T1_BE3 | Vishay | SQ2309ES-T1_BE3 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2309ES-T1_BE3 | Vishay Siliconix | P-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 1,7 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 265 @ 25; Qg, нКл = 8,5 @ 10 В; Rds = 335 мОм @ 1,25 A, 10 В; Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА; Р, Вт = 2; Тексп, °C = -55...+175; Тип монт. = smd; SOT-23-3 | на замовлення 37 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2309ES-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 335mOhm @ 1.25A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2309ES-T1_BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET P-CHANNEL 60V (D-S) | на замовлення 327668 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2309ES-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 60V 1.7A TO236 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 336mOhm @ 3.8A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 48892 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2309ES-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQ2309ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.3 A, 0.125 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.3W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | на замовлення 27948 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2309ES-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 1.7A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 87000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2309ES-T1_GE3 | VISHAY | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -1.7A; Idm: -6.8A Mounting: SMD Case: SOT23 Polarisation: unipolar Pulsed drain current: -6.8A Power dissipation: 2W Gate charge: 8.5nC Technology: TrenchFET® Drain current: -1.7A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: -60V Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape On-state resistance: 704mΩ кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2309ES-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 60V 1.7A TO236 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 336mOhm @ 3.8A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2309ES-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 1.7A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2309ES-T1_GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 60V -1.7A 2W AEC-Q101 Qualified | на замовлення 221997 шт: термін постачання 535-544 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2309ES-T1_GE3 | VISHAY | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -1.7A; Idm: -6.8A Mounting: SMD Case: SOT23 Polarisation: unipolar Pulsed drain current: -6.8A Power dissipation: 2W Gate charge: 8.5nC Technology: TrenchFET® Drain current: -1.7A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: -60V Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape On-state resistance: 704mΩ | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2309ES-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQ2309ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.3 A, 0.125 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.3W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | на замовлення 27948 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2309ES-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 1.7A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2310CES-T1-GE3 | Vishay | Vishay 20V N-CHANNEL (D-S) | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2310CES-T1/GE3 | Vishay | Vishay | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2310CES-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQ2310CES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.022 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 2190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2310CES-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET Automotive N-Channel 20 V (D-S) 175C MOSFET SOT-23, 30 mohm a. 4.5V | на замовлення 4888 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2310CES-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 6A TO236 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2310CES-T1_GE3 | Vishay | N-CHANNEL 20-V (D-S) 175C MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2310CES-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQ2310CES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.022 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 2190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2310ES-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 6A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2310ES-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQ2310ES-T1_GE3 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2310ES-T1_BE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 6A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2310ES-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 6A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2310ES-T1_BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET N-CHANNEL 20V (D-S) | на замовлення 25279 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2310ES-T1_BE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 6A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2310ES-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 6A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 30563 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2310ES-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 6A TO236 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 10 V | на замовлення 291 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2310ES-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQ2310ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.024 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Anzahl der Pins: 3Pins productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm | на замовлення 9170 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2310ES-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 20V 6A 2W AEC-Q101 Qualified | на замовлення 33571 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2310ES-T1_GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.5A; 0.6W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 3.5A Power dissipation: 0.6W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 30mΩ Mounting: SMD Gate charge: 4.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | на замовлення 2716 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2310ES-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 6A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2310ES-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 6A TO236 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 10 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2310ES-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQ2310ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.024 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Anzahl der Pins: 3Pins productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm | на замовлення 9170 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2310ES-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 6A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2310ES-T1_GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.5A; 0.6W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 3.5A Power dissipation: 0.6W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 30mΩ Mounting: SMD Gate charge: 4.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 2716 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2310ES-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 6A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2310ES-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 6A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2315ES-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 12V 5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2315ES-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQ2315ES-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 5 A, 0.042 ohm, TO-236, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12 Dauer-Drainstrom Id: 5 Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 2 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 450 Verlustleistung: 2 Bauform - Transistor: TO-236 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.042 Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042 SVHC: To Be Advised | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2315ES-T1_BE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 12V 5A Automotive 3-Pin SOT-23 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2315ES-T1_BE3 | Vishay | Automotive P-Channel 12 V, 175 degree C MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2315ES-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 12V 5A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 6 V | на замовлення 8650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2315ES-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 12V 5A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 6 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2315ES-T1_BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET P-CHANNEL 12V (D-S) | на замовлення 388353 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2315ES-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQ2315ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 5 A, 0.042 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.042ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | на замовлення 8834 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2315ES-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 12V 5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2315ES-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET P-Channel 12V AEC-Q101 Qualified | на замовлення 127457 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2315ES-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 12V 5A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 4 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 19618 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2315ES-T1_GE3 | VISHAY | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -5A; Idm: -20A; 0.67W; SOT23 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Case: SOT23 Application: automotive industry Pulsed drain current: -20A Power dissipation: 0.67W Gate charge: 13nC Drain current: -5A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: -12V Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±8V Kind of package: reel; tape On-state resistance: 75mΩ кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 1968 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2315ES-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 12V 5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2315ES-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 12V 5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2315ES-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 12V 5A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 4 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2315ES-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 12V 5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2315ES-T1_GE3 | VISHAY | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -5A; Idm: -20A; 0.67W; SOT23 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Case: SOT23 Application: automotive industry Pulsed drain current: -20A Power dissipation: 0.67W Gate charge: 13nC Drain current: -5A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: -12V Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±8V Kind of package: reel; tape On-state resistance: 75mΩ | на замовлення 1968 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2318AES-T1"BE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQ2318AES-T1"BE3 - MOSFET, N-CH, 40V, 8A, SOT-23 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 0 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 0 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 0 euEccn: NLR Verlustleistung: 0 Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 0 Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: No Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 0 Betriebstemperatur, max.: 0 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0 directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | на замовлення 91018 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2318AES-T1_BE3 | Vishay | Automotive N-Channel 40 V, 175 degree C MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2318AES-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 8A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 7.9A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 553 pF @ 20 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 61686 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2318AES-T1_BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET N-CHANNEL 40V (D-S) | на замовлення 284046 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2318AES-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 8A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 7.9A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 553 pF @ 20 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 54000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2318AES-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 8A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 7.9A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2318AES-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQ2318AES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 8 A, 0.125 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.3W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | на замовлення 315813 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2318AES-T1_GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 4.6A; 1W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 4.6A Power dissipation: 1W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 31mΩ Mounting: SMD Gate charge: 8.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | на замовлення 1179 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2318AES-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET N-Channel 40V AEC-Q101 Qualified | на замовлення 163800 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2318AES-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 8A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 7.9A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 29236 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2318AES-T1_GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 4.6A; 1W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 4.6A Power dissipation: 1W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 31mΩ Mounting: SMD Gate charge: 8.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 1179 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2318AES-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQ2318AES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 8 A, 0.125 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.3W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | на замовлення 315813 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2318AES-T1_GE3 VSIG | Vishay | SQ2318AES-T1-GE3, only from VSIG Itzehoe Fab | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2318BES-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET | на замовлення 67247 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2318BES-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQ2318BES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 8 A, 0.021 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage Verlustleistung: 3 Kanaltyp: n-Kanal Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021 Qualifikation: AEC-Q101 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2318BES-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 8A SOT23-3 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2318BES-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQ2318BES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 8 A, 0.021 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40 Dauer-Drainstrom Id: 8 Qualifikation: AEC-Q101 Verlustleistung Pd: 3 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2 Verlustleistung: 3 Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: TrenchFET Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.021 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2318BES-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 8A SOT23-3 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2318ES-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 6A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2318ES-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2319ADS-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 40V 4.6A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 20 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 5713 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2319ADS-T1_BE3 | Vishay | SQ2319ADS-T1_BE3 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2319ADS-T1_BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET P-CHANNEL 40V (D-S) | на замовлення 291650 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2319ADS-T1_BE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 4.6A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2768 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2319ADS-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 40V 4.6A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 20 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2319ADS-T1_BE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 4.6A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2319ADS-T1_BE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 4.6A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 66000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2319ADS-T1_GE3 | VISHAY | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -2A; 0.5W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -2A Power dissipation: 0.5W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 75mΩ Mounting: SMD Gate charge: 10.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | на замовлення 2925 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2319ADS-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2319ADS-T1_GE3 | VISHAY | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -2A; 0.5W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -2A Power dissipation: 0.5W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 75mΩ Mounting: SMD Gate charge: 10.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 2925 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2319ADS-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2319ADS-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 40V 4.6A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 20 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 14830 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2319ADS-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQ2319ADS-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 4.6 A, 0.068 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | на замовлення 2234 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2319ADS-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2319ADS-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2319ADS-T1_GE3 | Vishay Semiconductors | SQ2319ADS-T1_GE3 P-CH 40V 4,6A 75mOhm SOT-23 | на замовлення 1400 шт: термін постачання 5 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SQ2319ADS-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 40V 4.6A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 20 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2319ADS-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 4.6A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2319ADS-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQ2319ADS-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 4.6 A, 0.068 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | на замовлення 2234 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2319ADS-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2319ADS-T1_GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET P Ch -40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified | на замовлення 61330 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2319ADS-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 84000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2319ES-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 4.6A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2319ES-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 40V 4.6A TO-236 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2325ES-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 150V 1A Automotive 3-Pin TO-236 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2325ES-T1_GE3 Код товару: 164123 | Транзистори > Польові P-канальні | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
SQ2325ES-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 150V 840MA TO236 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2325ES-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 150V 0.84A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2325ES-T1_GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET P-Chnl 150-V (D-S) AEC-Q101 Qualified | на замовлення 202310 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2325ES-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 150V 840MA TO236 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2325ES-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 150V 1A Automotive 3-Pin TO-236 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2325ES-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQ2325ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 840 mA, 1.3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 840mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | на замовлення 2843 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2325ES-T1_GE3 | VISHAY | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -1A; Idm: -2A; 1W; SOT23 Mounting: SMD Case: SOT23 Power dissipation: 1W Kind of package: reel; tape Application: automotive industry Polarisation: unipolar Gate charge: 10nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -2A Drain-source voltage: -150V Drain current: -1A On-state resistance: 4.4Ω Type of transistor: P-MOSFET | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2325ES-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 150V 0.84A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2325ES-T1_GE3 | VISHAY | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -1A; Idm: -2A; 1W; SOT23 Mounting: SMD Case: SOT23 Power dissipation: 1W Kind of package: reel; tape Application: automotive industry Polarisation: unipolar Gate charge: 10nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -2A Drain-source voltage: -150V Drain current: -1A On-state resistance: 4.4Ω Type of transistor: P-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2325ES-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQ2325ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 840 mA, 1.3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 840mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | на замовлення 8788 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2328ES-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET N-Channel 100V Automotive MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2328ES-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2337ES-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 80V 2.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2337ES-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 1.2A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 40 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 274683 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2337ES-T1_BE3 | Vishay | P-Channel MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2337ES-T1_BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET P-CHANNEL 80V (D-S) | на замовлення 233866 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2337ES-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 1.2A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 40 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 270000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2337ES-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQ2337ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 2.2 A, 0.241 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80 Dauer-Drainstrom Id: 2.2 Qualifikation: AEC-Q101 Verlustleistung Pd: 3 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5 Verlustleistung: 3 Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: TrenchFET Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.241 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.241 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2337ES-T1_GE3 | VISHAY | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -80V; -1.3A; 1W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -80V Drain current: -1.3A Power dissipation: 1W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.29Ω Mounting: SMD Gate charge: 11.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | на замовлення 4199 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2337ES-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET P-Channel 80V AEC-Q101 Qualified | на замовлення 258830 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SQ2337ES-T1_GE3 | VISHAY | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -80V; -1.3A; 1W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -80V Drain current: -1.3A Power dissipation: 1W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.29Ω Mounting: SMD Gate charge: 11.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 4199 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2337ES-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 30 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 16586 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2337ES-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2337ES-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 80V 2.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2348CES-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET Automotive P-Channel 12 V (D-S) 175C MOSFET PowerPAK SC-70W, 19 mohm a. 4.5V | на замовлення 1572 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2348ES-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SQ2348ES-T1_GE3 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2348ES-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 8A Automotive 3-Pin SOT-23 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2348ES-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 8A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 15 V | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2348ES-T1_BE3 | Vishay | SQ2348ES-T1_BE3 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2348ES-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 8A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 15 V | на замовлення 12050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2348ES-T1_BE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 8A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2348ES-T1_BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET N-CHANNEL 30V (D-S) | на замовлення 238819 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2348ES-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1688 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2348ES-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 8A TO236 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 15 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2348ES-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2348ES-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 30V 8A 3W AEC-Q101 Qualified | на замовлення 155225 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2348ES-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 8A Automotive 3-Pin SOT-23 | на замовлення 1404 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SQ2348ES-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1688 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2348ES-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQ2348ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.02 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 3W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | на замовлення 64225 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2348ES-T1_GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8A; Idm: 32A; 1W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 8A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 1W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 42mΩ Mounting: SMD Gate charge: 14.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2348ES-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 8A TO236 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 15 V | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SQ2351CES-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET Automotive P-Channel 20 V (D-S) 175C MOSFET SOT-23, 115 mohm a. 4.5V | на замовлення 5572 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2351ES-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 3.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2351ES-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 3.2A SOT23-3 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2351ES-T1_BE3 | Vishay | SQ2351ES-T1_BE3 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2351ES-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 3.2A SOT23-3 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2351ES-T1_BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET P-CHANNEL 20V (D-S) | на замовлення 138900 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2351ES-T1_GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET P-Channel 20V AEC-Q101 Qualified | на замовлення 103048 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2351ES-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 3.2A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 2.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V | на замовлення 8829 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2351ES-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQ2351ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.2 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20 Dauer-Drainstrom Id: 3.2 Qualifikation: AEC-Q101 Verlustleistung Pd: 2 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1 Verlustleistung: 2 Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: TrenchFET Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.08 Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2351ES-T1_GE3 | VISHAY | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; 2W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -1.8A Power dissipation: 2W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.115Ω Mounting: SMD Gate charge: 5.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | на замовлення 2933 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2351ES-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 3.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2351ES-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 3.2A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 2.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2351ES-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 3.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2351ES-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 3.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SQ2351ES-T1_GE3 | VISHAY | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; 2W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -1.8A Power dissipation: 2W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.115Ω Mounting: SMD Gate charge: 5.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 2933 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2360EES-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 4A Automotive 3-Pin SOT-23 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2360EES-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 4A Automotive 3-Pin SOT-23 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2360EES-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQ2362ES-T1_GE3 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2360EES-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 4.4A TO236 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 6A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2361AEES-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 60V 2.8A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 7419 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2361AEES-T1_BE3 | Vishay | Trans MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2361AEES-T1_BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET P-CHANNEL 60V (D-S) | на замовлення 46613 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2361AEES-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 60V 2.8A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 30 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2361AEES-T1_BE3 | Vishay | Trans MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2361AEES-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 60V 2.8A SSOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 68683 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2361AEES-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 2.8A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2361AEES-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 2.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2361AEES-T1_GE3 | VISHAY | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.8A; Idm: -11A; 0.67W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -2.8A Pulsed drain current: -11A Power dissipation: 0.67W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 315mΩ Mounting: SMD Gate charge: 15nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2361AEES-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 60V 2.8A SSOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 66000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2361AEES-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 2.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2361AEES-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 2.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2361AEES-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET -60V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualified | на замовлення 111563 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2361AEES-T1_GE3 | VISHAY | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.8A; Idm: -11A; 0.67W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -2.8A Pulsed drain current: -11A Power dissipation: 0.67W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 315mΩ Mounting: SMD Gate charge: 15nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate Application: automotive industry | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2361CEES-T1-BE3 | Vishay | Vishay 60V P-CHANNEL (D-S) | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2361CEES-T1-GE3 | Vishay | Vishay 60V P-CHANNEL (D-S) | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2361CEES-T1/GE3 | Vishay | Vishay | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2361CEES-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2361CEES-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 60V 2.8A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 30 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2361CEES-T1_GE3 | Vishay | SQ2361CEES-T1_GE3 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2361CES-T1-GE3 | Vishay | Vishay 60V P-CHANNEL (D-S) | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2361CES-T1/GE3 | Vishay | Vishay | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2361CES-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 60V 2.8A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 177mOhm @ 2.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2361EES-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 2.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2361EES-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 2.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2361EES-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 545 pF @ 30 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2361ES-T1_BE3 | Vishay | Transistor P-Channel MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2361ES-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 60V 2.8A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 177mOhm @ 2.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 66542 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2361ES-T1_BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET P-CHANNEL 60V (D-S) | на замовлення 202693 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2361ES-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 60V 2.8A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 177mOhm @ 2.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 63000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2361ES-T1_BE3 | Vishay | Transistor P-Channel MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2361ES-T1_GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified | на замовлення 195141 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2361ES-T1_GE3 | VISHAY | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.8A; Idm: -11A; 0.67W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -2.8A Pulsed drain current: -11A Power dissipation: 0.67W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.32Ω Mounting: SMD Gate charge: 12nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2361ES-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 2.8A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2361ES-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 2.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2361ES-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 60V 2.8A SSOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 177mOhm @ 2.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 60610 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2361ES-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 2.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2361ES-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQ2361ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.8 A, 0.13 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm | на замовлення 227016 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2361ES-T1_GE3 | VISHAY | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.8A; Idm: -11A; 0.67W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -2.8A Pulsed drain current: -11A Power dissipation: 0.67W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.32Ω Mounting: SMD Gate charge: 12nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2361ES-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 2.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 468 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2361ES-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 60V 2.8A SSOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 177mOhm @ 2.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2361ES-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 2.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 468 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2361ES-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQ2361ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.8 A, 0.13 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm | на замовлення 227016 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2362ES-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 4.3A SOT23-3 | на замовлення 1515 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2362ES-T1_BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET N-CHANNEL 60V (D-S) | на замовлення 602701 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2362ES-T1_BE3 | Vishay | SQ2362ES-T1_BE3 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2362ES-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 4.3A SOT23-3 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2362ES-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2362ES-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQ2362ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.3 A, 0.125 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.3W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | на замовлення 49836 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2362ES-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 4.3A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2362ES-T1_GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.3A; Idm: 17A; 1W; SOT23 Mounting: SMD Case: SOT23 Kind of package: reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 1W Polarisation: unipolar Gate charge: 12nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 17A Drain-source voltage: 60V Drain current: 4.3A On-state resistance: 147mΩ | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2362ES-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2362ES-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET N-Channel 60V AEC-Q101 Qualified | на замовлення 17479 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2362ES-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2362ES-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2362ES-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQ2362ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.3 A, 0.125 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.3W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | на замовлення 49836 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2362ES-T1_GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.3A; Idm: 17A; 1W; SOT23 Mounting: SMD Case: SOT23 Kind of package: reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 1W Polarisation: unipolar Gate charge: 12nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 17A Drain-source voltage: 60V Drain current: 4.3A On-state resistance: 147mΩ кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2362ES-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 4.3A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2364EES-T1 GE3 | Vishay | Vishay 60V N-CHANNEL (D-S) | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2364EES-T1"GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQ2364EES-T1"GE3 - N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET 26AK9938 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2364EES-T1-BE3 | Vishay | MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2364EES-T1_BE3 | Vishay | MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET | на замовлення 8572 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2364EES-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2364EES-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 4499 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2364EES-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 24526 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2364EES-T1_GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.3A; 1W; SOT23 Mounting: SMD Power dissipation: 1W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: ESD protected gate Gate charge: 2nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Case: SOT23 Drain-source voltage: 60V Drain current: 1.3A On-state resistance: 245mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 1764 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2364EES-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2020 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2364EES-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQ2364EES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.19 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | на замовлення 7863 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2364EES-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2364EES-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3020 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2364EES-T1_GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 60V Vds; +/-8V Vgs SOT-23; 4A Id | на замовлення 155639 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2364EES-T1_GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.3A; 1W; SOT23 Mounting: SMD Power dissipation: 1W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: ESD protected gate Gate charge: 2nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Case: SOT23 Drain-source voltage: 60V Drain current: 1.3A On-state resistance: 245mΩ Type of transistor: N-MOSFET | на замовлення 1764 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2364EES-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3020 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2364EES-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQ2364EES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.19 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | на замовлення 7863 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2364EES-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2364EES-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2389ES-T1_BE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 4.1A Automotive | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2389ES-T1_BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET P-CHANNEL 40V (D-S) | на замовлення 545424 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2389ES-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 40V 4.1A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 100478 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2389ES-T1_BE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 4.1A Automotive | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2389ES-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 40V 4.1A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 99000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2389ES-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQ2389ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 4.1 A, 0.094 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40 Dauer-Drainstrom Id: 4.1 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 3.3 Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: TrenchFET Wandlerpolarität: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.094 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 2 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2389ES-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 4.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2389ES-T1_GE3 | VISHAY | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -4.1A; Idm: -16A; 1W; SOT23 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: -40V Drain current: -4.1A On-state resistance: 169mΩ Type of transistor: P-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 1W Polarisation: unipolar Gate charge: 12nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -16A Mounting: SMD Case: SOT23 | на замовлення 2958 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2389ES-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 4.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2389ES-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 40V 4.1A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 20059 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2389ES-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 4.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2389ES-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET -40V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualified | на замовлення 451 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2389ES-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 40V 4.1A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2389ES-T1_GE3 | VISHAY | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -4.1A; Idm: -16A; 1W; SOT23 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: -40V Drain current: -4.1A On-state resistance: 169mΩ Type of transistor: P-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 1W Polarisation: unipolar Gate charge: 12nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -16A Mounting: SMD Case: SOT23 кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 2958 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2389ES-T1_GE3 (A9xxx) | Vishay | MOSFET P-CHAN 40V SO23 SQ2389ES-T1_GE3 SQ2389ES-T1_GE3 TSQ2389es кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 4 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2398ES-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2398ES-T1_BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET N-CHANNEL 100V (D-S) | на замовлення 20110 шт: термін постачання 735-744 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2398ES-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 8545 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2398ES-T1_BE3 | Vishay | SQ2398ES-T1_BE3 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2398ES-T1_BE3 | Vishay | SQ2398ES-T1_BE3 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2398ES-T1_GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified | на замовлення 113466 шт: термін постачання 584-593 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2398ES-T1_GE3 | VISHAY | SQ2398ES-T1-GE3 SMD N channel transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2398ES-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152 pF @ 50 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 219000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2398ES-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2398ES-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152 pF @ 50 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 221646 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ24-12S500 | на замовлення 52 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
SQ24-5D500 | на замовлення 51 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
SQ2403PFTNF | Laird Technologies IAS | Description: ANT OMNI SQUINT PNL RP TNC FEM | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2403PFTNF | Laird Connectivity | Antennas Omni,Squint,fixed,TN CF | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2403PG12NF | Laird Connectivity Inc. | Description: RF ANT 2.4GHZ PANEL CAB CHAS MT | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2403PG12NF | Laird Connectivity | Antennas Omni,Squint,12in,NF | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2403PG12RTN | Laird Connectivity Inc. | Description: RF ANT 2.4GHZ PANEL CAB CHAS MT | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2403PG12RTN | Laird Connectivity | Antennas Omni,Squint,12in,RTN M | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SQ2403PG36RSM | Laird Connectivity Inc. | Description: RF ANT 2.4GHZ PANEL CAB CHAS MT | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2403PG36RSM | Laird Connectivity | Antennas Omni,Squint,36in,RSM AM | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2403PG36RTN | Laird Connectivity Inc. | Description: RF ANT 2.4GHZ PANEL CAB CHAS MT | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2403PG36RTN | Laird Connectivity | Antennas Omni,Squint,36in,RTN M | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2403PG48RBN | TE Connectivity Laird | Description: RF ANT 2.4GHZ PANEL CAB CHAS MT Packaging: Bulk Features: Cable - 1.2m Mounting Type: Chassis Mount Frequency Range: 2.4GHz ~ 2.5GHz Gain: 3.5dBi Termination: RP-BNC Number of Bands: 1 VSWR: 1.5 Antenna Type: Panel Height (Max): 0.866" (22.00mm) Frequency Group: UHF (2GHz ~ 3GHz) Frequency (Center/Band): 2.4GHz | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2403PG48RBN | Laird Connectivity | Antennas Omni,Squint,48in,RBN CM | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2403PTNF | Laird Technologies IAS | Description: ANT OMNI QUINT VEHICLE APPL | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2403PTRASMF | Laird Technologies IAS | Description: ANT OMNI QUINT VEHICLE APPL | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2403PV117SMM | Laird Connectivity | Antennas Omni,Squint,117in,SM AM | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2403PV117SMM | Laird Technologies IAS | Description: ANT OMNI QUINT VEHICLE SMA MALE | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2403PV12NF | Laird Connectivity | Antennas Omni,Squint,12in,NF | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2403PV12NF | Laird Technologies IAS | Description: ANT OMNI QUINT VEHICLE N FEMALE | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2403PV144RSM | Laird Connectivity | Antennas Omni,Squint,144in,RS MAM | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2403PV144RSM | Laird Technologies IAS | Description: RF ANT 2.4GHZ PANEL CAB CHAS MT | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2403PV36RTN | Laird Connectivity | Antennas Omni,Squint,36in,RTN M | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2403PV36RTN | Laird Technologies IAS | Description: ANT OMNI QUINT VEHICLE RP TNC | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2403PV96RSM | Laird Connectivity | Antennas Omni,Squint,96in,RSM AM | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2403PV96RSM | Laird Technologies IAS | Description: ANT OMNI QUINT VEHICLE RP SMA | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2403PVNF | Laird Technologies IAS | Description: ANT OMNI QUINT VEHICLE N FEMALE | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2405DD12NF | Laird Technologies IAS | Description: ANT BIDIR CEILING MNT N FEMALE | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2405DD36RTN | Laird Technologies IAS | Description: ANT BIDIR CEILING MNT RP TNC | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2405DDN36RSM | Laird Technologies IAS | Description: ANT BIDIR CEILING MNT RP SMA | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ24493P12SMM | Laird Technologies IAS | Description: ANT SQUINT OMNI DUAL WIDE BAND | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2449PV36RSM | Laird | Antennas Omni,Squint,36in,RSM AM | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2449PV36RSM | Laird Technologies IAS | Description: ANT SQUINT OMNI 36" CBL N FEMALE | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2449PV72RSM | Laird | Antennas Omni,Squint,72in,RSM AM | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2449PV72RSM | Laird Technologies IAS | Description: ANT SQUINT OMNI 72" CBL N FEMALE | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ24D25 | Teledyne Relays | Solid State Relays - Industrial Mount 25A 230VAC Zero Cross | на замовлення 125 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ24D25-12 | Teledyne Relays | Solid State Relays - Industrial Mount 25A 230VAC Zero Cross | на замовлення 23 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ24S03150-NS00 | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERT 15V 3.3A | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SQ24S03150-PS00 | Power-One | Description: DC/DC CONVERTER 15V 50W | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ24S03150-PS00 | Bel Power Solutions | Module DC-DC 24VIN 1-OUT 15V 3.3A 8-Pin 1/8-Brick | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ24S03150-PS00G | Bel Power Solutions | Description: DC DC CONVERTER 15V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ24S03150-PS00G | Bel Power Solutions | Module DC-DC 24VIN 1-OUT 15V 3.3A 8-Pin 1/8-Brick | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ24S04120-NS00 | Bel Power Solutions | Description: DC DC CONVERTER 12V 48W | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ24S04120-NS00G | Bel Power Solutions | Module DC-DC 24VIN 1-OUT 12V 4A 50W 8-Pin 1/8-Brick | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ24S04120-NS00G | Bel Power Solutions | Isolated DC/DC Converters - SMD DC/DC Converter | на замовлення 33 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ24S04120-NS00G | Bel Power Solutions | Description: DC DC CONVERTER 12V 48W | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ24S04120-PS00 | Bel Power Solutions | Isolated DC/DC Converters DC/DC Converter | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ24S04120-PS00 | Bel Power Solutions | Description: DC DC CONVERTER 12V 48W | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ24S04120-PS00 | Bel Power Solutions | Module DC-DC 24VIN 1-OUT 12V 4A 50W 8-Pin 1/8-Brick | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ24S04120-PS00G | Bel Power Solutions | Module DC-DC 24VIN 1-OUT 12V 4A 50W 8-Pin 1/8-Brick | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ24S04120-PS00G | Bel Power Solutions | Isolated DC/DC Converters DC/DC Converter | на замовлення 56 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SQ24S04120-PS00G | Bel Power Solutions | Description: DC DC CONVERTER 12V 48W Features: Remote On/Off, OCP, OTP, OVP, UVLO Packaging: Bulk Package / Case: 8-SMD Module, 1/8 Brick Size / Dimension: 2.30" L x 0.90" W x 0.27" H (58.4mm x 22.9mm x 7.0mm) Mounting Type: Surface Mount Type: Isolated Module Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Applications: ITE (Commercial) Voltage - Input (Max): 36V Efficiency: 87% Current - Output (Max): 4A Voltage - Input (Min): 18V Voltage - Output 1: 12V Control Features: Enable, Active High Power (Watts): 48 W Number of Outputs: 1 Voltage - Isolation: 2 kV | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ24S04120-PS0S | Bel Power Solutions | Description: DC DC CONVERTER 12V 48W | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ24S05080-NS00 | Bel Power Solutions | Description: DC DC CONVERTER 8V 42W | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ24S05080-PS00 | Bel Power Solutions | Description: DC DC CONVERTER 8V 42W | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ24S05080-PS00G | Bel Power Solutions | Description: DC DC CONVERTER 8V 42W | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ24S05080-PS00G | Bel Power Solutions | Isolated DC/DC Converters POWER SUPPLY;SQ24S05080-PS00G;DC-DC;36-75V;8.0V;5A;SM; | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ24S08060-NS00 | Bel Power Solutions | Description: DC DC CONVERTER 6V 48W | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ24S08060-NS00G | Bel Power Solutions | Description: DC DC CONVERTER 6V 48W | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ24S08060-NS00G | Bel Power Solutions | Isolated DC/DC Converters - SMD POWER SUPPLY;SQ24S08060-NS00G;DC-DC;18-36V;6.0V;8A;SM; | на замовлення 132 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ24S08060-NS00G | Bel Power Solutions | Module DC-DC 24VIN 1-OUT 6V 8A 50W 8-Pin 1/8-Brick | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ24S08060-PS00 | Bel Power Solutions | Description: DC DC CONVERTER 6V 48W | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ24S08060-PS00G | Bel Power Solutions | Isolated DC/DC Converters - SMD POWER SUPPLY;SQ24S08060-PS00G;DC-DC;NA;24V;6V;8.3A;SMT;; | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ24S08060-PS00G | Bel Power Solutions | Module DC-DC 24VIN 1-OUT 6V 8A 50W 8-Pin 1/8-Brick | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ24S08060-PS00G | Bel Power Solutions | Description: DC DC CONVERTER 6V 48W | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ24S10050-NS00 | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERT 5V 10A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ24S10050-NS00G | Bel Power Solutions | Isolated DC/DC Converters DC/DC Converter | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ24S10050-NS00G | Bel Power Solutions | Module DC-DC 24VIN 1-OUT 5V 10A 50W 8-Pin 1/8-Brick | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ24S10050-NS0S | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERT 5V 10A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ24S10050-PS00 | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERT 5V 10A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ24S10050-PS00G | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERTER 5V 50W | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SQ24S10050-PS00G | Bel Power Solutions | Isolated DC/DC Converters - SMD POWER SUPPLY;SSQE48T07050-PABNG;DC-DC;18-36V;5.0V;10A;SM; | на замовлення 17 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ24S10050-PS00G | Bel Power Solutions | Module DC-DC 24VIN 1-OUT 5V 10A 50W 8-Pin 1/8-Brick | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ24S10050-PS0S | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERT 5V 10A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ24S10050-PSN0 | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERTER 5V 50W | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SQ24S15033-NS00 | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERT 3.3V 15A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ24S15033-NS00G | Bel Power Solutions | Isolated DC/DC Converters - SMD DC/DC Converter | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ24S15033-NS00G | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERTER 3.3V 50W | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SQ24S15033-NS0S | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERT 3.3V 15A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ24S15033-PS00 | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERT 3.3V 15A | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SQ24S15033-PS00G | Bel Power Solutions | Description: DC DC CONVERTER 3.3V 50W | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ24S15033-PS00G | Bel Power Solutions | Module DC-DC 24VIN 1-OUT 3.3V 15A 50W 8-Pin 1/8-Brick | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ24S15033-PS00G | Bel Power Solutions | Description: DC DC CONVERTER 3.3V 50W | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ24S15033-PS00G | Bel Power Solutions | Isolated DC/DC Converters POWER SUPPLY;SQ24S15033-PS00G;DC-DC;;18-36V;3.3V;15A;SM;; | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ24S15033-PS0S | Bel Power Solutions | Description: DC DC CONVERTER 3.3V 50W | на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ24S15033-PS0S | Bel Power Solutions | Description: DC DC CONVERTER 3.3V 50W | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ24S15033-PSN0 | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERTER 3.3V 50W | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SQ24T03150-NBA0 | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERT 15V 3.3A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ24T03150-NBA0G | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERTER 15V 50W | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SQ24T03150-NEC0 | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERT 15V 3.3A | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SQ24T03150-NEC0G | Bel Power Solutions | Isolated DC/DC Converters | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ24T03150-NEC0G | Bel Power Solutions | Module DC-DC 24VIN 1-OUT 15V 3.3A 8-Pin 1/8-Brick | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ24T03150-NEC0G | Bel Power Solutions | Description: DC DC CONVERTER 15V 50W | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ24T03150-PAA0 | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERT 15V 3.3A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ24T03150-PCA0 | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERTER 15V 50W | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SQ24T04120-NAC0 | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERT 12V 4A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ24T04120-NAC0G | Bel Power Solutions | Module DC-DC 24VIN 1-OUT 12V 4A 50W 8-Pin 1/8-Brick | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ24T04120-NBA0 | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERT 12V 4A | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SQ24T04120-NBA0G | Bel Power Solutions | Isolated DC/DC Converters - Through Hole DC/DC Converter | на замовлення 87 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ24T04120-NBA0G | Bel Power Solutions | Module DC-DC 24VIN 1-OUT 12V 4A 50W 8-Pin 1/8-Brick | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ24T04120-NBA0G | Bel Power Solutions | Description: DC DC CONVERTER 12V 48W Features: Remote On/Off, OCP, OTP, OVP, UVLO Packaging: Bulk Package / Case: 8-DIP Module, 1/8 Brick Size / Dimension: 2.30" L x 0.90" W x 0.27" H (58.4mm x 22.9mm x 7.0mm) Mounting Type: Through Hole Type: Isolated Module Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Applications: ITE (Commercial) Voltage - Input (Max): 36V Efficiency: 87% Current - Output (Max): 4A Voltage - Input (Min): 18V Voltage - Output 1: 12V Control Features: Enable, Active Low Power (Watts): 48 W Number of Outputs: 1 Voltage - Isolation: 2 kV | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ24T04120-NBB0 | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERT 12V 4A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ24T04120-NBC0 | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERT 12V 4A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ24T04120-NBC0G | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERTER 12V 48W | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SQ24T04120-NDB0 | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERTER 12V 48W | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SQ24T04120-NEAS | Bel Power Solutions | Module DC-DC 24VIN 1-OUT 12V 4A 50W 8-Pin 1/8-Brick | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ24T04120-PAC0G | Bel Power Solutions | Isolated DC/DC Converters DC/DC Converter | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ24T04120-PAC0G | Bel Power Solutions | Module DC-DC 24VIN 1-OUT 12V 4A 50W 8-Pin 1/8-Brick | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ24T04120-PAC0G | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERTER 12V 48W | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SQ24T04120-PBA0G | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERTER 12V 48W | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SQ24T04120-PCB0 | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERT 12V 4A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ24T04120-PDA0 | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERTER 12V 48W | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SQ24T04120-PDB0 | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERT 12V 4A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ24T05080-NBA0 | Bel Power Solutions | Description: DC DC CONVERTER 8V 42W | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ24T05080-NBA0G | Bel Power Solutions | Description: DC DC CONVERTER 8V 42W | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ24T05080-PBA0G | Bel Power Solutions | Description: DC DC CONVERTER 8V 42W | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ24T05080-PBA0G | Bel Power Solutions | Isolated DC/DC Converters /DC DC POWER SUPPLY/ | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ24T08060-NAA0G | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERTER 6V 48W | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SQ24T08060-NBA0G | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERT 6V 8A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ24T08060-NEC0G | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERTER 6V 48W | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SQ24T08060-PAA0G | Bel Power Solutions | Isolated DC/DC Converters POWER SUPPLY | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ24T08060-PBA0 | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERT 6V 8A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ24T08060-PCA0 | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERTER 6V 48W | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SQ24T10050-NAA0 | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERT 5V 10A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ24T10050-NAB0 | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERT 5V 10A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ24T10050-NAC0G | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERTER 5V 50W | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SQ24T10050-NBA0G | Bel Power Solutions | Module DC-DC 24VIN 1-OUT 5V 10A 50W 8-Pin 1/8-Brick | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ24T10050-NBA0G | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERTER 5V 50W | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SQ24T10050-NBA0G | Bel Power Solutions | Isolated DC/DC Converters DC/DC Converter | на замовлення 144 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ24T10050-NBB0 | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERT 5V 10A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ24T10050-NBC0 | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERT 5V 10A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ24T10050-NBC0G | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERTER 5V 50W | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SQ24T10050-NEC0 | Bel Power Solutions | Module DC-DC 24VIN 1-OUT 5V 10A 50W 8-Pin 1/8-Brick | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ24T10050-NEC0 | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERT 5V 10A | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SQ24T10050-NEC0G | Bel Power Solutions | Isolated DC/DC Converters | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ24T10050-NEC0G | Bel Power Solutions | Module DC-DC 24VIN 1-OUT 5V 10A 50W 8-Pin 1/8-Brick | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ24T10050-PAA0 | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERT 5V 10A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ24T10050-PAALG | Bel Power Solutions | Module DC-DC 24VIN 1-OUT 5V 10A 50W | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ24T10050-PBA0 | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERT 5V 10A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ24T10050-PDB0 | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERTER 5V 50W | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SQ24T10050-PDB0G | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERTER 5V 50W | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SQ24T15012-NBB0G | Bel Power Solutions | Isolated DC/DC Converters POWER SUPPLY | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ24T15012-NBB0G | Bel Power Solutions | Description: DC DC CONVERTER 1.2V 18W | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ24T15015-PCA0 | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERTER 1.5V 23W | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SQ24T15015-PCA0G | Bel Power Solutions | Isolated DC/DC Converters - Through Hole DC-DCTHT | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ24T15020-NEC0 | Bel Power Solutions | Module DC-DC 24VIN 1-OUT 2V 15A 50W 8-Pin 1/8-Brick | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ24T15020-NEC0 | Bel Power Solutions | Description: DC DC CONVERTER 2V 30W | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SQ24T15020-NEC0 | Bel Power Solutions | Module DC-DC 24VIN 1-OUT 2V 15A 50W 8-Pin 1/8-Brick | на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ24T15020-NEC0 | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERT 2V 15A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ24T15020-NEC0 | Bel Power Solutions | Module DC-DC 24VIN 1-OUT 2V 15A 50W 8-Pin 1/8-Brick | на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ24T15020-NEC0G | Bel Power Solutions | Description: DC DC CONVERTER 2V 30W | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ24T15020-NEC0G | Bel Power Solutions | Module DC-DC 24VIN 1-OUT 2V 15A 30W 8-Pin 1/8-Brick | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ24T15020-NEC0G | Bel Power Solutions | Isolated DC/DC Converters - Through Hole DC-DC CONVERTER | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ24T15025-NBB0G | Bel Power Solutions | Isolated DC/DC Converters POWER SUPPLY | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ24T15025-NBB0G | Bel Power Solutions | Description: DC DC CONVERTER 2.5V 38W | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ24T15033-NAB0 | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERT 3.3V 15A | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SQ24T15033-NAB0 | POWERO | 07+NOP | на замовлення 1 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SQ24T15033-NAB0G | Bel Power Solutions | Isolated DC/DC Converters | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ24T15033-NBA0 | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERT 3.3V 15A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ24T15033-NBA0G | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERTER 3.3V 50W | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SQ24T15033-NBB0 | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERT 3.3V 15A | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SQ24T15033-NBB0 | Bel Power Solutions | Isolated DC/DC Converters 18-36Vin 15A 3.3Vout | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ24T15033-NBB0G | Bel Power Solutions | Isolated DC/DC Converters - Through Hole 18-36Vin 15A 3.3Vout 50W | на замовлення 144 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ24T15033-NBB0G | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERTER 3.3V 50W | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SQ24T15033-NBC0 | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERT 3.3V 15A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ24T15033-NEC0 | Bel Power Solutions | Module DC-DC 24VIN 1-OUT 3.3V 15A 50W 8-Pin 1/8-Brick | на замовлення 46 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ24T15033-NEC0 | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERT 3.3V 15A | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SQ24T15033-NEC0G | Bel Power Solutions | Isolated DC/DC Converters | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ24T15033-NEC0G | Bel Power Solutions | Module DC-DC 24VIN 1-OUT 3.3V 15A 50W 8-Pin 1/8-Brick | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ24T15033-PBB0 | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERT 3.3V 15A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ24T15033-PCA0 | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERTER 3.3V 50W | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SQ24T15033-PDC0 | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERTER 3.3V 50W | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2576-5.0S(T) | на замовлення 78 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
SQ2711L-SOP8 | China Wind | на замовлення 9800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
SQ274-12305 | TE Connectivity | TE Connectivity | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ274-15017 | TE Connectivity | TE Connectivity | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ28-10 | American Electrical Inc. | Description: TOOL HAND CRIMPER 10-28AWG SIDE Packaging: Bulk For Use With/Related Products: Ferrules Tool Type: Hand Crimper Wire Gauge or Range - AWG: 10-28 AWG Tool Method: Manual Ratcheting: Ratchet Wire Entry Location: Side Entry | на замовлення 191 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2831 | на замовлення 56 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
SQ2833 | на замовлення 168 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
SQ2D02600B2HBG | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
SQ2E151MU01635 | Chinsan (Elite) | Description: CAP ALUM 150UF 20% 250V RAD TH Tolerance: ±20% Packaging: Bulk Package / Case: Radial, Can Size / Dimension: 0.630" Dia (16.00mm) Polarization: Polar Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -25°C ~ 105°C Applications: General Purpose Lead Spacing: 0.295" (7.50mm) Lifetime @ Temp.: 5000 Hrs @ 105°C Height - Seated (Max): 1.437" (36.50mm) Part Status: Active Capacitance: 150 µF Voltage - Rated: 250 V Ripple Current @ Low Frequency: 900 mA @ 120 Hz Ripple Current @ High Frequency: 1.26 A @ 100 kHz | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SQ2O03840KEINC | на замовлення 8562 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
SQ2O04800FI | на замовлення 20980 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
SQ2O04800FIDNC48M | на замовлення 20979 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
SQ2O04800FIDNC48MHZ | на замовлення 20979 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
SQ2V-07B | IDEC | Relay Sockets & Fixings SQ DIN/Pnl Mt 8 Pin Socket for | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SQ2V-25CLIP-PN10 | IDEC | Relay Sockets & Fixings 25.5mm Hold Down Clip SQ Sock | товар відсутній |