Продукція > SQ4

Description: SENSOR FOR STANDARD LIQUID NPN

товар відсутній

SQ4-A21-P

Description: SENSOR FOR STANDARD LIQUID PNP

на замовлення 54 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQ4-A22-N

Description: SENSOR LEVEL CHEM LIQUID NPN
Packaging: Box
Voltage Rating: 12 ~ 24V
Mounting Type: Bracket Mount
Type: Liquid
Operating Temperature: -10°C ~ 55°C
Output Configuration: NPN
Material - Housing & Prism: PFA

на замовлення 26 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	17405.2 грн
10+	15236.8 грн

SQ4-A22-P

Panasonic Industrial Automation

Description: SENSOR LEVEL CHEM LIQUID PNP
Packaging: Box
Voltage Rating: 12 ~ 24V
Mounting Type: Bracket Mount
Type: Liquid
Operating Temperature: -10°C ~ 55°C
Output Configuration: PNP
Material - Housing & Prism: PFA

на замовлення 37 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	17227.54 грн
10+	15081.65 грн

SQ4-A22-P

Liquid Level Sensors Safety Luquid Leak Sensor for chemical liquid, PNP output

на замовлення 14 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	18905.8 грн
10+	16772.37 грн
25+	13936.42 грн

SQ4-C11

Description: CONTROL LIQ LEVEL 24VDC DIN RAIL
Packaging: Box
Features: Alarm Leak - Audible and Contact and LED Indication, Two Stage
Output Type: Solid State
Mounting Type: DIN Rail
Type: Leak Detection
Operating Temperature: -10°C ~ 55°C
Termination Style: Screw Terminal
Voltage - Supply: 24VDC

на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	42674.91 грн

SQ4005EY-T1_BE3

MOSFET P-CHANNEL 12V

на замовлення 4913 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	70.26 грн
10+	56.58 грн
100+	38.25 грн
500+	32.45 грн
1000+	26.44 грн
2500+	25.64 грн
5000+	23.63 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQ4005EY-T1_BE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 12V 15A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 6 V

на замовлення 1460 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	72.94 грн
10+	62.59 грн
100+	48.77 грн
500+	37.81 грн
1000+	29.85 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQ4005EY-T1_BE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 12V 15A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 6 V

товар відсутній

SQ4005EY-T1_GE3

MOSFET P Ch -12Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 15481 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	70.26 грн
10+	56.58 грн
100+	38.25 грн
500+	32.45 грн
1000+	26.44 грн
2500+	24.84 грн
5000+	23.63 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQ4005EY-T1_GE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 12V 15A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm@ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 6 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 7440 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	26.43 грн
5000+	24.24 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SQ4005EY-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 12V 15A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SQ4005EY-T1_GE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 12V 15A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm@ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 6 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 9164 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	64.27 грн
10+	50.35 грн
100+	39.15 грн
500+	31.14 грн
1000+	25.37 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQ4005EY-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 12V 15A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SQ400M2R20B5S-1012

Yageo

Cap Aluminum Lytic 2.2uF 400V 20% (10 x 12mm) Radial 5mm Bulk

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQ4050EY-T1_BE3

Description: MOSFET N-CHANNEL 40V 19A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2406 pF @ 20 V

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	28.61 грн
5000+	26.24 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SQ4050EY-T1_BE3

MOSFET N-CHANNEL 40V

на замовлення 6715 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	62.31 грн
10+	51.52 грн
100+	35.98 грн
500+	31.44 грн
1000+	27.64 грн
2500+	25.97 грн
5000+	24.7 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQ4050EY-T1_BE3

Description: MOSFET N-CHANNEL 40V 19A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2406 pF @ 20 V

на замовлення 7768 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	69.33 грн
10+	54.52 грн
100+	42.39 грн
500+	33.72 грн
1000+	27.46 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQ4050EY-T1_GE3

MOSFET N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 1536 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SQ4050EY-T1_GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 19A; Idm: 75A; 6W
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 19A
On-state resistance: 15mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 51nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 75A
Case: SO8
кількість в упаковці: 2500 шт

товар відсутній

SQ4050EY-T1_GE3

товар відсутній

SQ4064EY-T1_BE3

Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 12A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.8mOhm @ 6.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2096 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1272 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	66.44 грн
10+	52.64 грн
100+	40.96 грн
500+	32.59 грн
1000+	26.55 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQ4064EY-T1_BE3

Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 12A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.8mOhm @ 6.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2096 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

SQ4064EY-T1_BE3

MOSFET N-CHANNEL 60V

на замовлення 50488 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	73.14 грн
10+	59.12 грн
100+	39.99 грн
500+	33.91 грн
1000+	27.64 грн
2500+	25.57 грн
5000+	24.5 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQ4064EY-T1_GE3

на замовлення 9813 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	66.44 грн
10+	52.64 грн
100+	40.96 грн
500+	32.59 грн
1000+	26.55 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQ4064EY-T1_GE3

MOSFET N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 14915 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	73.14 грн
10+	59.12 грн
100+	39.99 грн
500+	33.91 грн
1000+	27.64 грн
2500+	26.97 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQ4064EY-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 12A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SQ4064EY-T1_GE3

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	27.65 грн
5000+	25.36 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SQ4080EY-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 150-V (D-S) 175C MOSFE

на замовлення 2388 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	91.72 грн
10+	79.14 грн
100+	61.73 грн
500+	47.86 грн
1000+	37.78 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQ4080EY-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 150-V (D-S) 175C MOSFE

товар відсутній

SQ4080EY-T1_GE3

Description: MOSFET N-CHANNEL 150V 18A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1590 pF @ 75 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	35.19 грн
5000+	32.28 грн
12500+	30.79 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SQ4080EY-T1_GE3

MOSFET N-Channel 150V SO-8

на замовлення 1811 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SQ4080EY-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 150V 18A Automotive 8-Pin SOIC N

товар відсутній

SQ4080EY-T1_GE3

Description: MOSFET N-CHANNEL 150V 18A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1590 pF @ 75 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 15982 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	85.22 грн
10+	67.04 грн
100+	52.14 грн
500+	41.47 грн
1000+	33.78 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQ4080EY-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ4080EY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 18 A, 0.07 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.1W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 2440 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	101.85 грн
10+	77.89 грн
100+	56.54 грн
500+	44.58 грн
1000+	39.22 грн

Мінімальне замовлення: 8

SQ40T

на замовлення 14936 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQ4120-R62MHF

Description: 0.62UH, 0.95MOHM, 23A MAX. FLAT
Tolerance: ±20%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD
Size / Dimension: 0.406" L x 0.319" W (10.30mm x 8.10mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Drum Core, Wirewound
Operating Temperature: -55°C ~ 130°C
DC Resistance (DCR): 0.95mOhm
Current - Saturation (Isat): 23A
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Supplier Device Package: 3-SMD
Height - Seated (Max): 0.197" (5.00mm)
Inductance: 650 nH
Current Rating (Amps): 23 A

на замовлення 250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

250+	133.37 грн

Мінімальне замовлення: 250

SQ4120-R82MHF

Description: 0.82UH, 0.95MOHM, 15A MAX. FLAT

на замовлення 250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

250+	132.03 грн

Мінімальне замовлення: 250

SQ4120-R90MHF

Description: 0.90UH, 0.95MOHM, 14.5A MAX. FLA
Tolerance: ±20%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD
Size / Dimension: 0.406" L x 0.319" W (10.30mm x 8.10mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Drum Core, Wirewound
Operating Temperature: -55°C ~ 130°C
DC Resistance (DCR): 0.95mOhm
Current - Saturation (Isat): 14.5A
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Supplier Device Package: 3-SMD
Height - Seated (Max): 0.197" (5.00mm)
Inductance: 900 nH
Current Rating (Amps): 23 A

на замовлення 250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

250+	131.68 грн

Мінімальне замовлення: 250

SQ4126-1R0MHF

Description: 1UH, 20%, 2.2MOHM, 26AMP MAX. SM

на замовлення 3500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQ4126-2R2MHF

Description: FIXED IND 2.2UH 11A 6.731MOHM SM

на замовлення 1200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

700+	56.82 грн

Мінімальне замовлення: 700

SQ4126-R42MHF

Description: FIXED IND 420NH 26A 1.39MOHM SMD
Tolerance: ±20%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.406" L x 0.323" W (10.30mm x 8.20mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -55°C ~ 130°C
DC Resistance (DCR): 1.39mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 45A
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Height - Seated (Max): 0.262" (6.65mm)
Part Status: Active
Inductance: 420 nH
Current Rating (Amps): 26 A

на замовлення 700 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

700+	56.88 грн

Мінімальне замовлення: 700

SQ4153EY-T1_BE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 12V 25A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.32mOhm @ 14A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 7.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 474 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	104.72 грн
10+	82.48 грн
100+	64.12 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQ4153EY-T1_BE3

MOSFET N-CHANNEL 12V

на замовлення 9618 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	114.5 грн
10+	92.9 грн
100+	62.69 грн
500+	53.08 грн
1000+	43.19 грн
2500+	39.46 грн
5000+	38.39 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQ4153EY-T1_BE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 12V 25A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.32mOhm @ 14A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 7.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

SQ4153EY-T1_GE3

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	43.28 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SQ4153EY-T1_GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -14A; 2.3W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -14A
Power dissipation: 2.3W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 8.32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 151nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

на замовлення 2475 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	128.07 грн
5+	108.49 грн
11+	77.89 грн
29+	73.02 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQ4153EY-T1_GE3

MOSFET P Ch -12Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 42256 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	114.5 грн
10+	92.9 грн
100+	62.69 грн
500+	53.08 грн
1000+	43.19 грн
2500+	39.86 грн
5000+	38.65 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQ4153EY-T1_GE3

на замовлення 2475 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	153.68 грн
5+	135.19 грн
11+	93.47 грн
29+	87.62 грн

Мінімальне замовлення: 2

SQ4153EY-T1_GE3

на замовлення 4680 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	104.72 грн
10+	82.48 грн
100+	64.12 грн
500+	51.01 грн
1000+	41.55 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQ4153EY-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 12V 25A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SQ4182EY-T1_BE3

Trans MOSFET N-CH 30V 32A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SQ4182EY-T1_BE3

Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 32A 8SOIC

товар відсутній

SQ4182EY-T1_BE3

Trans MOSFET N-CH 30V 32A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	75.41 грн
10+	67.62 грн
25+	67.21 грн
100+	54.42 грн
250+	50.04 грн
500+	42.93 грн
1000+	36.28 грн

Мінімальне замовлення: 8

SQ4182EY-T1_BE3

Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 32A 8SOIC

на замовлення 2200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQ4182EY-T1_BE3

MOSFET N-CHANNEL 30V

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	133.97 грн
10+	119 грн
100+	80.78 грн
500+	66.36 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQ4182EY-T1_GE3

Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 32A 8SOIC

товар відсутній

SQ4182EY-T1_GE3

Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 32A 8SOIC

товар відсутній

SQ4182EY-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 32A Automotive 8-Pin SOIC N

товар відсутній

SQ4182EY-T1_GE3

MOSFET N Ch 30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 3170 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SQ4182EY-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 32A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SQ4184EY-T1_GE3

MOSFET N-Channel 40V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 35503 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	114.5 грн
10+	91.36 грн
100+	62.69 грн
500+	53.08 грн
1000+	43.19 грн
2500+	40.66 грн
5000+	38.65 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQ4184EY-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 29A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SQ41P00001

на замовлення 1843 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQ4282EY-T1_BE3

Description: MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8A 8SOIC

на замовлення 2608 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	109.77 грн
10+	94.86 грн
100+	73.92 грн
500+	57.31 грн
1000+	45.24 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQ4282EY-T1_BE3

Description: MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8A 8SOIC

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	50.06 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SQ4282EY-T1_BE3

MOSFET DUAL N-CHANNEL 30V

на замовлення 21028 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	105.15 грн
10+	85.22 грн
100+	57.35 грн
500+	48.67 грн
1000+	39.59 грн
2500+	37.25 грн
5000+	35.45 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQ4282EY-T1_BE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 8A; Idm: 32A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 3.9W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт

товар відсутній

SQ4282EY-T1_BE3

товар відсутній

SQ4282EY-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 8A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SQ4282EY-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ4282EY-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 8 A, 8 A, 0.01 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.01ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.9W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe TrenchFET
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.01ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.9W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 25 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQ4282EY-T1_GE3

MOSFET N Ch 30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 13836 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	105.15 грн
10+	85.22 грн
100+	57.35 грн
500+	48.67 грн
1000+	39.59 грн
2500+	35.18 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQ4282EY-T1_GE3

Description: MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8A 8SOIC

на замовлення 710 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	109.77 грн
10+	94.86 грн
100+	73.92 грн
500+	57.31 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQ4282EY-T1_GE3

на замовлення 25 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	119.83 грн
10+	98.11 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ4282EY-T1_GE3

Description: MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8A 8SOIC

товар відсутній

SQ4282EY-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 8A Automotive 8-Pin SO T/R

товар відсутній

SQ4284EY-T1"BE3

Description: VISHAY - SQ4284EY-T1"BE3 - MOSFET, DUAL, N-CH, 40V, 8A, SOIC
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 0
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 0
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0
Verlustleistung, p-Kanal: 0
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 0
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 0
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Verlustleistung, n-Kanal: 0
Betriebstemperatur, max.: 0
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	110.09 грн
10+	92.12 грн
25+	86.88 грн
50+	76.5 грн
100+	66.76 грн
250+	62.91 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ4284EY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 8A Automotive 8-Pin SOIC N

товар відсутній

SQ4284EY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 8A Automotive 8-Pin SOIC N

товар відсутній

SQ4284EY-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC

товар відсутній

SQ4284EY-T1_BE3

Description: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.9W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5062 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	106.88 грн
10+	85.12 грн
100+	67.73 грн
500+	53.79 грн
1000+	45.64 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQ4284EY-T1_BE3

Trans MOSFET N-CH 40V 8A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 1920 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	59.72 грн
25+	59.12 грн
100+	51.76 грн
250+	47.44 грн
500+	42.36 грн
1000+	38.48 грн

Мінімальне замовлення: 10

SQ4284EY-T1_BE3

Description: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.9W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	47.98 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SQ4284EY-T1_BE3

Trans MOSFET N-CH 40V 8A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SQ4284EY-T1_BE3

MOSFET DUAL N-CHANNEL 40V

на замовлення 11460 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	112.94 грн
10+	92.9 грн
100+	63.96 грн
250+	59.02 грн
500+	53.61 грн
1000+	45.87 грн
2500+	42.19 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQ4284EY-T1_GE3

Description: MOSFET 2N-CH 40V 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.9W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6816 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	106.88 грн
10+	92.01 грн
100+	73.99 грн
500+	57.05 грн
1000+	47.27 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQ4284EY-T1_GE3

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 7.4A; 3.9W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 7.4A
Power dissipation: 3.9W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

SQ4284EY-T1_GE3

MOSFET 40V 8A 3.9W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 6727 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	112.94 грн
10+	92.9 грн
100+	63.96 грн
250+	59.02 грн
500+	53.61 грн
1000+	45.87 грн
2500+	43.53 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQ4284EY-T1_GE3

товар відсутній

SQ4284EY-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 8A Automotive 8-Pin SOIC N

товар відсутній

SQ4284EY-T1_GE3

Description: MOSFET 2N-CH 40V 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.9W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	47.98 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SQ4401CEY

Trans MOSFET P-CH 40V 17.3A 8-Pin SOIC N T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQ4401CEY

Trans MOSFET P-CH 40V 17.3A 8-Pin SOIC N T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	45.2 грн
25+	42.02 грн
50+	39.03 грн

Мінімальне замовлення: 13

SQ4401CEY-T1/GE3

товар відсутній

SQ4401CEY-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ4401CEY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 17.3 A, 0.011 ohm, SO-8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.14W
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 4882 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	53.55 грн
500+	42.14 грн
1000+	34.6 грн

Мінімальне замовлення: 100

SQ4401CEY-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.14W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2092 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	78.72 грн
10+	62.24 грн
100+	48.39 грн
500+	38.49 грн
1000+	31.36 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQ4401CEY-T1_GE3

MOSFET Automotive P-Channel 40V 175C MOSFET 14mO 10V23mO 4.5V

на замовлення 3871 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	85.68 грн
10+	69.17 грн
100+	46.8 грн
500+	39.66 грн
1000+	33.91 грн
2500+	28.77 грн
10000+	28.64 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQ4401CEY-T1_GE3

на замовлення 4882 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	95.86 грн
11+	73.69 грн
100+	53.55 грн
500+	42.14 грн
1000+	34.6 грн

Мінімальне замовлення: 8

SQ4401CEY-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.14W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

SQ4401DY-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 15.8A 8SOIC

товар відсутній

SQ4401DY-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 15.8A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SQ4401EY-T1"BE3

Description: VISHAY - SQ4401EY-T1"BE3 - MOSFET, P-CH, 40V, 17.3A, SOIC
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 0
Dauer-Drainstrom Id: 0
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 0
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 0
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 0
Betriebstemperatur, max.: 0
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 359 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	217.19 грн
10+	180.49 грн
25+	168.51 грн
50+	144.65 грн
100+	123.25 грн
250+	112.98 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQ4401EY-T1-GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT SQ4401EY-T1_GE3

товар відсутній

SQ4401EY-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 17.3A 8SOIC

товар відсутній

SQ4401EY-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 17.3A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SQ4401EY-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 40V 17.3A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	117.01 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SQ4401EY-T1_BE3

Description: MOSFET P-CH 40V 17.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.14W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	84.74 грн
5000+	78.54 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SQ4401EY-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 40V 17.3A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SQ4401EY-T1_BE3

MOSFET P-CHANNEL 40V

на замовлення 26913 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	204.07 грн
10+	158.93 грн
100+	116.16 грн
250+	106.82 грн
500+	97.47 грн
1000+	83.45 грн
2500+	76.11 грн

Мінімальне замовлення: 2

SQ4401EY-T1_BE3

Description: MOSFET P-CH 40V 17.3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.14W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 14140 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	187.77 грн
10+	150.35 грн
100+	119.64 грн
500+	95.01 грн
1000+	80.61 грн

Мінімальне замовлення: 2

SQ4401EY-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 17.3A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SQ4401EY-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ4401EY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 17.3 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.14W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm

на замовлення 25895 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	139.3 грн
50+	123.57 грн
100+	107.85 грн
500+	87.62 грн
1000+	72.54 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQ4401EY-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 17.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.14W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250 pF @ 20 V

на замовлення 17252 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	187.77 грн
10+	150.35 грн
100+	119.64 грн
500+	95.01 грн
1000+	80.61 грн

Мінімальне замовлення: 2

SQ4401EY-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 17.3A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

66+	178.03 грн
79+	149.19 грн
100+	141.23 грн
200+	135.23 грн
500+	113.67 грн
1000+	102.3 грн
2500+	99.74 грн

Мінімальне замовлення: 66

SQ4401EY-T1_GE3

MOSFET 40V 17.3A 7.14W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 40233 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	204.07 грн
10+	168.14 грн
100+	116.16 грн
250+	106.82 грн
500+	97.47 грн
1000+	83.45 грн
2500+	78.11 грн

Мінімальне замовлення: 2

SQ4401EY-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 17.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.14W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250 pF @ 20 V

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	84.74 грн
5000+	78.54 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SQ4401EY-T1_GE3

на замовлення 25895 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	107.85 грн
500+	87.62 грн
1000+	72.54 грн

Мінімальне замовлення: 100

SQ4401EY-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 17.3A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SQ4410EY-T1-GE3

Description: VISHAY - SQ4410EY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 0.009 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 15
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 5
Bauform - Transistor: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009
SVHC: To Be Advised

товар відсутній

SQ4410EY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC

товар відсутній

SQ4410EY-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC

товар відсутній

SQ4410EY-T1_BE3

Trans MOSFET N-CH 30V 15A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SQ4410EY-T1_BE3

Trans MOSFET N-CH 30V 15A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SQ4410EY-T1_BE3

Trans MOSFET N-CH 30V 15A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SQ4410EY-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC

товар відсутній

SQ4410EY-T1_BE3

MOSFET N-CHANNEL 30 V

на замовлення 5801 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	106.71 грн
10+	85.99 грн
100+	58.02 грн
500+	49.14 грн
1000+	40.06 грн
2500+	37.72 грн
5000+	35.85 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQ4410EY-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 15A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SQ4410EY-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8SO

на замовлення 505 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	116.99 грн
10+	100.7 грн
100+	78.52 грн
500+	60.88 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQ4410EY-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 15A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SQ4410EY-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ4410EY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 0.009 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 1273 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	65.08 грн
500+	51.18 грн
1000+	44.74 грн

Мінімальне замовлення: 100

SQ4410EY-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8SO

товар відсутній

SQ4410EY-T1_GE3

MOSFET 30V 15A 5W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 22201 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	106.71 грн
10+	85.99 грн
100+	58.02 грн
500+	49.14 грн
1000+	40.06 грн
2500+	39.06 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQ4410EY-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ4410EY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 0.009 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 1273 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	116.08 грн
10+	88.37 грн
100+	65.08 грн
500+	51.18 грн
1000+	44.74 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ4425EY-T1-GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQ4425EY-T1_GE3

товар відсутній

SQ4425EY-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 18A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SQ4425EY-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 30V 18A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2326 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

102+	115.12 грн
117+	100.71 грн
118+	95.7 грн
142+	74.06 грн
250+	66.5 грн
500+	60.87 грн
1000+	53.48 грн

Мінімальне замовлення: 102

SQ4425EY-T1_BE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3630 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 324 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	122.77 грн
10+	97.85 грн
100+	77.88 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQ4425EY-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 30V 18A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SQ4425EY-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 30V 18A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2326 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	106.89 грн
10+	93.51 грн
25+	92.84 грн
50+	88.87 грн
100+	68.77 грн
250+	61.75 грн
500+	56.52 грн
1000+	49.66 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQ4425EY-T1_BE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3630 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

SQ4425EY-T1_BE3

MOSFET P-CHANNEL 30 V

на замовлення 17680 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	119.95 грн
10+	99.81 грн
100+	71.43 грн
250+	68.1 грн
500+	60.62 грн
1000+	52.94 грн
2500+	51.94 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQ4425EY-T1_GE3

MOSFET P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 26380 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	134.75 грн
10+	110.56 грн
100+	76.11 грн
250+	70.77 грн
500+	63.96 грн
1000+	54.74 грн
2500+	51.94 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQ4425EY-T1_GE3

на замовлення 35617 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	122.77 грн
10+	97.85 грн
100+	77.88 грн
500+	61.84 грн
1000+	52.47 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQ4425EY-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 18A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SQ4425EY-T1_GE3

на замовлення 32500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	55.16 грн
5000+	51.12 грн
12500+	49.43 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SQ4425EY-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 18A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SQ443-13110

First Sensor

Optical Sensor Development Tools LDE Evaluation Board

товар відсутній

SQ4431EY-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 10.8A 8SOIC

товар відсутній

SQ4431EY-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 10.8A Automotive 8-Pin SO T/R

товар відсутній

SQ4431EY-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 10.8A Automotive 8-Pin SO T/R

товар відсутній

SQ4431EY-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 30V 10.8A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SQ4431EY-T1_BE3

Description: MOSFET P-CH 30V 10.8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1265 pF @ 15 V

на замовлення 2493 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	67.88 грн
10+	53.41 грн
100+	41.55 грн
500+	33.05 грн
1000+	26.93 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQ4431EY-T1_BE3

MOSFET P-CHANNEL 30V

на замовлення 42315 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	71.74 грн
10+	57.81 грн
100+	39.12 грн
500+	33.18 грн
1000+	27.04 грн
2500+	25.37 грн
5000+	24.17 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQ4431EY-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 30V 10.8A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SQ4431EY-T1_BE3

Description: MOSFET P-CH 30V 10.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1265 pF @ 15 V

товар відсутній

SQ4431EY-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 30V 10.8A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SQ4431EY-T1_GE3

MOSFET 30V 10.8A 6W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 3541 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	76.88 грн
10+	67.72 грн
100+	45.87 грн
500+	37.92 грн
1000+	29.91 грн
2500+	27.84 грн
5000+	26.5 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQ4431EY-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 10.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1265 pF @ 15 V

на замовлення 7383 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	67.88 грн
10+	58.35 грн
100+	45.51 грн
500+	35.28 грн
1000+	27.85 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQ4431EY-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ4431EY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 10.8 A, 0.022 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 6W
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 124840 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	49.8 грн
500+	38.25 грн
1000+	27.86 грн
2500+	25.16 грн
5000+	24.07 грн
10000+	23.43 грн

Мінімальне замовлення: 100

SQ4431EY-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 10.8A Automotive 8-Pin SO T/R

товар відсутній

SQ4431EY-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 10.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1265 pF @ 15 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	28.77 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SQ4431EY-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ4431EY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 10.8 A, 0.022 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.022ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 124840 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	81.63 грн
12+	65.91 грн
100+	49.8 грн
500+	38.25 грн
1000+	27.86 грн
2500+	25.16 грн
5000+	24.07 грн
10000+	23.43 грн

Мінімальне замовлення: 10

SQ4435BEY-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 15A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SQ4435EY-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 15A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SQ4435EY-T1-GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT SQ4435EY-T1_GE3

товар відсутній

SQ4435EY-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 15A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SQ4435EY-T1_BE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 15A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2170 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	38.23 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SQ4435EY-T1_BE3

MOSFET P-CHANNEL 30 V

на замовлення 2436 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	99.7 грн
10+	81.38 грн
100+	54.74 грн
500+	46.47 грн
1000+	37.79 грн
2500+	35.58 грн
5000+	33.85 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQ4435EY-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 30V 15A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SQ4435EY-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 30V 15A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SQ4435EY-T1_BE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 15A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2170 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	92.44 грн
10+	72.81 грн
100+	56.63 грн
500+	45.05 грн
1000+	36.7 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQ4435EY-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 30V 15A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SQ4435EY-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 15A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SQ4435EY-T1_GE3

товар відсутній

SQ4435EY-T1_GE3

на замовлення 2317 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	92.44 грн
10+	72.81 грн
100+	56.63 грн
500+	45.05 грн
1000+	36.7 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQ4435EY-T1_GE3

MOSFET P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 11405 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	99.7 грн
10+	81.38 грн
100+	54.74 грн
500+	46.47 грн
1000+	37.79 грн
2500+	34.52 грн
5000+	33.85 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQ4470EY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 16A 8SOIC

товар відсутній

SQ4470EY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 16A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SQ4470EY-T1_BE3

Trans MOSFET N-CH 60V 16A Automotive T/R

товар відсутній

SQ4470EY-T1_BE3

MOSFET N-CHANNEL 60V

на замовлення 14503 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	114.5 грн
10+	92.9 грн
100+	62.69 грн
500+	53.08 грн
1000+	43.19 грн
2500+	39.66 грн
5000+	38.65 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQ4470EY-T1_BE3

Trans MOSFET N-CH 60V 16A Automotive T/R

товар відсутній

SQ4470EY-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 60V 16A 8SOIC

товар відсутній

SQ4470EY-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 60V 16A 8SOIC

товар відсутній

SQ4470EY-T1_GE3

MOSFET 60V 16A 7.1W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 12955 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	115.27 грн
10+	102.11 грн
100+	69.43 грн
500+	56.95 грн
1000+	45 грн
2500+	41.93 грн
5000+	39.86 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQ4470EY-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ4470EY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 16 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 16
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung Pd: 7.1
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 7.1
Bauform - Transistor: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Series
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.01
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 15 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	171.5 грн
10+	154.28 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQ4470EY-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 16A 8SO

товар відсутній

SQ4470EY-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 16A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SQ4470EY-T1_GE3

на замовлення 15 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQ4470EY-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 16A 8SO

товар відсутній

SQ4483BEEY-T1-GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQ4483BEEY-T1_GE3

товар відсутній

SQ4483BEEY-T1-GE3

Automotive AEC-Q101 P-Channel 30 V MOSFET

товар відсутній

SQ4483BEEY-T1_GE3

MOSFET P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	121.51 грн
10+	99.81 грн
100+	69.43 грн
250+	63.96 грн
500+	57.88 грн
1000+	49.54 грн
2500+	47 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQ4483BEEY-T1_GE3

Automotive P-Channel 30 V MOSFET

товар відсутній

SQ4483BEEY-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ4483BEEY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 22 A, 0.007 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 28 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	132.56 грн
10+	101.1 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQ4483BEEY-T1_GE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 22A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	50.03 грн
5000+	46.37 грн
12500+	44.84 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SQ4483BEEY-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ4483BEEY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 22 A, 0.007 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.007ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 28 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQ4483BEEY-T1_GE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 22A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 23793 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	111.22 грн
10+	88.74 грн
100+	70.64 грн
500+	56.1 грн
1000+	47.6 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQ4483EEY-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 22A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SQ4483EY-T1_BE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 30A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1913 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	95.33 грн
10+	75.32 грн
100+	58.58 грн
500+	46.6 грн
1000+	37.96 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQ4483EY-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SQ4483EY-T1_BE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 30A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

SQ4483EY-T1_BE3

MOSFET P-CHANNEL 30V

на замовлення 3730 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	105.15 грн
10+	85.22 грн
100+	57.35 грн
500+	48.67 грн
1000+	39.59 грн
2500+	38.45 грн
5000+	35.45 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQ4483EY-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SQ4483EY-T1_GE3

на замовлення 2495 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	95.33 грн
10+	75.32 грн
100+	58.58 грн
500+	46.6 грн
1000+	37.96 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQ4483EY-T1_GE3

MOSFET P Ch -30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 56356 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	105.15 грн
10+	85.22 грн
100+	57.35 грн
500+	48.67 грн
1000+	39.59 грн
2500+	37.25 грн
5000+	35.45 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQ4483EY-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 30A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SQ4483EY-T1_GE3

товар відсутній

SQ44PL210

Souriau

Circular MIL Spec Strain Reliefs & Adapters

товар відсутній

SQ4532470JMB

4532(1812)

на замовлення 6700 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQ4532470JMB

на замовлення 3350 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQ4532560JMB

на замовлення 4200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQ4532560JMB

4532(1812)

на замовлення 8400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQ4532561JSB

на замовлення 378 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQ4532680J9C

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQ4532681KAB

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQ4532AEY-T1_BE3

Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SQ4532AEY-T1_BE3

Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SQ4532AEY-T1_BE3

Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2369 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	43.03 грн
15+	39.22 грн
25+	39 грн
100+	32.49 грн
250+	29.74 грн
500+	24.49 грн
1000+	21.01 грн

Мінімальне замовлення: 14

SQ4532AEY-T1_BE3

Description: MOSFET N/P-CH 30V 7.3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.3W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc), 5.3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535pF @ 15V, 528pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 4.9A, 10V, 70mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8nC @ 10V, 10.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 455 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	56.33 грн
10+	43.95 грн
100+	34.16 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQ4532AEY-T1_BE3

MOSFET N/P CHANNEL 30V

на замовлення 25301 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	60.13 грн
10+	48.75 грн
100+	32.98 грн
500+	27.97 грн
1000+	22.77 грн
2500+	21.43 грн
5000+	20.43 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQ4532AEY-T1_BE3

Description: MOSFET N/P-CH 30V 7.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.3W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc), 5.3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535pF @ 15V, 528pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 4.9A, 10V, 70mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8nC @ 10V, 10.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

SQ4532AEY-T1_GE3

Description: MOSFET N/P-CH 30V 7.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc), 5.3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535pF @ 15V, 528pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 4.9A, 10V, 70mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8nC @ 10V, 10.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	23.65 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SQ4532AEY-T1_GE3

MOSFET N Ch 30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 24873 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	60.83 грн
10+	49.6 грн
100+	33.38 грн
500+	28.84 грн
1000+	23.17 грн
2500+	22.03 грн
5000+	21.7 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQ4532AEY-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ4532AEY-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 7.3 A, 0.021 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 7.3
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.3
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.3
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021
Verlustleistung Pd: 3.3
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung, p-Kanal: 3.3
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.3
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.021
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 2990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	68.15 грн
13+	60.96 грн
100+	47.56 грн
500+	36.51 грн

Мінімальне замовлення: 11

SQ4532AEY-T1_GE3

Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SQ4532AEY-T1_GE3

Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SQ4532AEY-T1_GE3

Description: MOSFET N/P-CH 30V 7.3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc), 5.3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535pF @ 15V, 528pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 4.9A, 10V, 70mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8nC @ 10V, 10.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3178 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	56.33 грн
10+	47.98 грн
25+	45.54 грн
100+	35.11 грн
250+	32.82 грн
500+	29 грн
1000+	22.52 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQ48-5D-500

ASIA

K1-2

на замовлення 33 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQ48-5D500

ASIA

1999

на замовлення 55 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQ4840CEY-T1_GE3

MOSFET Automotive N-Channel 40V 175C MOSFET 9mO 10V, 12mO 4.5V

на замовлення 4766 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	90.35 грн
10+	73.55 грн
100+	49.67 грн
500+	42.13 грн
1000+	35.92 грн
2500+	30.51 грн
10000+	30.44 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQ4840EY

на замовлення 798200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQ4840EY-T1-E3

на замовлення 87520 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQ4840EY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 20.7A 8SOIC

товар відсутній

SQ4840EY-T1-GE3

на замовлення 798200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQ4840EY-T1_BE3

MOSFET N-CHANNEL 40V

на замовлення 12488 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	230.55 грн
10+	190.4 грн
25+	156.22 грн
100+	134.19 грн
250+	126.85 грн
500+	118.84 грн
1000+	102.14 грн

Мінімальне замовлення: 2

SQ4840EY-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 40V 20.7A 8SOIC

на замовлення 2490 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQ4840EY-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 40V 20.7A 8SOIC

товар відсутній

SQ4840EY-T1_GE3

MOSFET 40V 10A 1.56W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	230.55 грн
10+	190.4 грн
25+	156.22 грн
100+	134.19 грн
250+	126.85 грн
500+	119.5 грн
1000+	102.14 грн

Мінімальне замовлення: 2

SQ4840EY-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 20.7A 8SO

товар відсутній

SQ4840EY-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 20.7A 8SO

на замовлення 1963 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	234.71 грн
10+	202.93 грн
100+	166.26 грн
500+	132.83 грн
1000+	112.02 грн

Мінімальне замовлення: 2

SQ4850CEY-T1_GE3

MOSFET Automotive N-Channel 60V 175C MOSFET 22mO 10V, 31mO 4.5V

на замовлення 3902 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	72.44 грн
10+	58.66 грн
100+	39.72 грн
500+	33.71 грн
1000+	28.77 грн
2500+	24.37 грн
10000+	24.3 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQ4850EY

на замовлення 798200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQ4850EY-T1-E3

на замовлення 87520 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQ4850EY-T1-GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQ4850EY-T1_GE3

товар відсутній

SQ4850EY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 12A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SQ4850EY-T1-GE3

на замовлення 798200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQ4850EY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 12A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SQ4850EY-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 60V 12A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 5V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

SQ4850EY-T1_BE3

MOSFET N-CHANNEL 60V

на замовлення 57843 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	95.8 грн
10+	76.78 грн
100+	52.14 грн
500+	44.2 грн
1000+	35.98 грн
2500+	33.85 грн
5000+	32.25 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQ4850EY-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 60V 12A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 5V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2497 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	87.38 грн
10+	68.71 грн
100+	53.43 грн
500+	42.5 грн
1000+	34.62 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQ4850EY-T1_BE3

Trans MOSFET N-CH 60V 12A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SQ4850EY-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 12A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 5V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 23781 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	87.38 грн
10+	68.71 грн
100+	53.43 грн
500+	42.5 грн
1000+	34.62 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQ4850EY-T1_GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6.9A; 6.8W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 6.9A
Power dissipation: 6.8W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

SQ4850EY-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 12A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2355 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

295+	39.75 грн
297+	39.52 грн
298+	39.39 грн
316+	35.71 грн
320+	32.74 грн
500+	30.16 грн
1000+	25.72 грн

Мінімальне замовлення: 295

SQ4850EY-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ4850EY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.017 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.8W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 5520 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	52.42 грн
500+	42.28 грн
1000+	30.75 грн
5000+	30.68 грн

Мінімальне замовлення: 100

SQ4850EY-T1_GE3

MOSFET 60V 12A 6.8W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 59216 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	81 грн
10+	66.95 грн
100+	46.73 грн
500+	40.59 грн
1000+	33.38 грн
2500+	31.98 грн
5000+	31.91 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQ4850EY-T1_GE3