Продукція > SUM

Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO263

товар відсутній

SUM09N20-270-E3

на замовлення 486 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM09N20-270-E3

Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO263

товар відсутній

SUM09N20-270-E3

Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM10250E-GE3

MOSFET 250V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)

на замовлення 2330 шт:

термін постачання 389-398 дні (днів)

2+	201.73 грн
10+	167.37 грн
100+	117.5 грн
500+	106.82 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM10250E-GE3

Description: MOSFET N-CH 250V 63.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3002 pF @ 125 V

товар відсутній

SUM10250E-GE3

Trans MOSFET N-CH 250V 63.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

41+	292.45 грн
46+	256.66 грн
48+	244.01 грн
100+	204.42 грн
250+	178.94 грн
500+	156.17 грн

Мінімальне замовлення: 41

SUM10250E-GE3

Description: VISHAY - SUM10250E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 63.5 A, 0.0247 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 375
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0247
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 2300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	157.27 грн
500+	143.26 грн

Мінімальне замовлення: 100

SUM10250E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 36.6A; 125W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 36.6A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 31mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 57.6nC
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

SUM10250E-GE3

Description: MOSFET N-CH 250V 63.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3002 pF @ 125 V

товар відсутній

SUM10250E-GE3

Trans MOSFET N-CH 250V 63.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM10250E-GE3

Trans MOSFET N-CH 250V 63.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM10250E-GE3

Description: VISHAY - SUM10250E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 63.5 A, 0.0247 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63.5
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 375
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0247
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0247
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 2300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	213.44 грн
10+	191.72 грн
100+	157.27 грн
500+	143.26 грн

Мінімальне замовлення: 4

SUM10250E-GE3

Trans MOSFET N-CH 250V 63.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	249.74 грн
10+	222.17 грн
25+	212.42 грн
100+	180.34 грн
250+	158.72 грн
500+	139.74 грн

Мінімальне замовлення: 3

SUM10250E-GE3

товар відсутній

SUM110N02-03

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM110N02-03P

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM110N03-03

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM110N03-03P

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM110N03-03P-E3

Description: MOSFET N-CH 30V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12100 pF @ 25 V

товар відсутній

SUM110N03-04P

MOSFET N-CHANNEL 30-V (D-S) 175 DEG.C MOSFET

товар відсутній

SUM110N03-04P
Код товару: 167466

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3

товар відсутній

SUM110N03-04P

на замовлення 2441 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM110N03-04P-E3

Trans MOSFET N-CH 30V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM110N03-04P-E3

MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SUM90N04-3M3P-E3

товар відсутній

SUM110N03-04P-E3

Description: MOSFET N-CH 30V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V

товар відсутній

SUM110N03-04P-E3

Description: MOSFET N-CH 30V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V

товар відсутній

SUM110N03-04P-T1-E3

MOSFET

товар відсутній

SUM110N04

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM110N04-02L

на замовлення 719 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM110N04-02L

MOSFET OBSOLETE - USE SUM110N04-2m3L-E3

товар відсутній

SUM110N04-02L

Trans MOSFET N-CH 40V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM110N04-02L-E3

MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SUM40010EL-GE3

товар відсутній

SUM110N04-03

MOSFET OBSOLETE - USE SUM110N04-2m7H-E3

товар відсутній

SUM110N04-03-E3

MOSFET 40V 110A 437.5W 2.8mohm @ 10V

товар відсутній

SUM110N04-03-E3

Description: MOSFET N-CH 40V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8250 pF @ 25 V

товар відсутній

SUM110N04-03L

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM110N04-03L

MOSFET OBSOLETE - USE SUM110N04-05H-E3

товар відсутній

SUM110N04-03P

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM110N04-03P

MOSFET OBSOLETE-USE SUM110N04-2M1P-E3

товар відсутній

SUM110N04-03P-E3

Description: MOSFET N-CH 40V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 25 V

товар відсутній

SUM110N04-03P-E3

MOSFET OBSOLETE-USE SUM110N04-2M1P-E3

товар відсутній

SUM110N04-04

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM110N04-04-E3

Trans MOSFET N-CH 40V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM110N04-04-E3

Description: MOSFET N-CH 40V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 25 V

товар відсутній

SUM110N04-05H-E3

Description: MOSFET N-CH 40V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 25 V

товар відсутній

SUM110N04-05H-E3

MOSFET 40V 110A 150W

товар відсутній

SUM110N04-05H-E3

Description: MOSFET N-CH 40V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 25 V

товар відсутній

SUM110N04-05H-E3

Trans MOSFET N-CH 40V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM110N04-2M1P-E3

Description: MOSFET N-CH 40V 29A/110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 360 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18800 pF @ 20 V

товар відсутній

SUM110N04-2M1P-E3

MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SUM40010EL-GE3

товар відсутній

SUM110N04-2M1P-E3
Код товару: 164383

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3

товар відсутній

SUM110N04-2M1P-E3

Description: MOSFET N-CH 40V 29A/110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 360 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18800 pF @ 20 V

товар відсутній

SUM110N04-2M1P-E3

Trans MOSFET N-CH 40V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM110N04-2M1P-E3

08+ DO

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM110N04-2M1P-E3

Trans MOSFET N-CH 40V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SUM110N04-2M3L

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM110N04-2M3L-E3

Trans MOSFET N-CH 40V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM110N04-2M3L-E3

Description: MOSFET N-CH 40V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 360 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 25 V

товар відсутній

SUM110N04-2M3L-E3

MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SUM40010EL-GE3

товар відсутній

SUM110N04-2M7H-E3

MOSFET OBSOLETE-USE SUM110N04-2M1P-E3

товар відсутній

SUM110N05

на замовлення 90 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM110N05-06L

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM110N05-06L

MOSFET 55V 110A 158W

товар відсутній

SUM110N05-06L-E3

Description: MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V

товар відсутній

SUM110N05-06L-E3

MOSFET RECOMMENDED ALT 78-IRFZ48SPBF

товар відсутній

SUM110N05-06L-E3

Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM110N05-06L-E3

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM110N05-06L-T1-E3

MOSFET

товар відсутній

SUM110N05H

на замовлення 7800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM110N06-04L

на замовлення 7800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM110N06-04L

MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) 200 DEG.C MOSFET

товар відсутній

SUM110N06-04L-E3

MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) 200 DEG.C MOSFET

товар відсутній

SUM110N06-05L

MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) 175 DEG.C MOSFET

товар відсутній

SUM110N06-05L-E3

MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) 175 DEG.C MOSFET

товар відсутній

SUM110N06-05L-T1-E3

MOSFET

товар відсутній

SUM110N06-06

MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S), 175 DEG.C MOSFET

товар відсутній

SUM110N06-06-E3

MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S), 175 DEG.C MOSFET

товар відсутній

SUM110N06-3M4L

T2BAC

на замовлення 270 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM110N06-3M4L-E3

Trans MOSFET N-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM110N06-3M4L-E3

Description: MOSFET N-CH 60V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12900 pF @ 25 V

товар відсутній

SUM110N06-3M4L-E3

Description: MOSFET N-CH 60V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12900 pF @ 25 V

товар відсутній

SUM110N06-3M4L-E3

MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQM120N06-3M5LGE

товар відсутній

SUM110N06-3M9H-E3

MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SUM50020EL-GE3

товар відсутній

SUM110N06-3M9H-E3

Description: MOSFET N-CH 60V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15800 pF @ 25 V

товар відсутній

SUM110N06-3M9H-E3

Trans MOSFET N-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB

товар відсутній

SUM110N06-3M9H-E3

Description: MOSFET N-CH 60V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15800 pF @ 25 V

товар відсутній

SUM110N08-05

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM110N08-05

Trans MOSFET N-CH 75V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM110N08-05-E3

Trans MOSFET N-CH 75V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM110N08-07

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM110N08-07L

на замовлення 480 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM110N08-07L

Trans MOSFET N-CH 75V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM110N08-07P-E3

Description: MOSFET N-CH 75V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 208.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250 pF @ 30 V

товар відсутній

SUM110N08-07P-E3

Trans MOSFET N-CH 75V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM110N08-07P-E3

Description: MOSFET N-CH 75V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 208.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250 pF @ 30 V

товар відсутній

SUM110N08-10

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM110N08-10

Trans MOSFET N-CH 75V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM110N08-10-E3

Trans MOSFET N-CH 75V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM110N08-10-E3

на замовлення 600 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM110N10

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM110N10-0

на замовлення 13500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM110N10-08

на замовлення 33 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM110N10-09

07+

на замовлення 300 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM110N10-09

MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUM110N10-09-E3

товар відсутній

SUM110N10-09-E3

Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	123.06 грн

Мінімальне замовлення: 800

SUM110N10-09-E3

Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM110N10-09-E3

Description: MOSFET N-CH 100V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 25 V

на замовлення 4255 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	254.21 грн
10+	205.5 грн
100+	166.22 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM110N10-09-E3

Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SUM110N10-09-E3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 87A; 375W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 87A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 794 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	301.07 грн
5+	261.72 грн
6+	191.94 грн
14+	181.92 грн

SUM110N10-09-E3

MOSFET 100V 110A 375W

на замовлення 3320 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	303.76 грн
10+	251.06 грн
25+	206.29 грн
100+	176.25 грн
250+	166.9 грн
500+	156.89 грн
800+	134.19 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM110N10-09-E3

Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	259.9 грн

Мінімальне замовлення: 3

SUM110N10-09-E3

на замовлення 794 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	250.89 грн
5+	210.02 грн
6+	159.95 грн
14+	151.6 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM110N10-09-E3

Description: MOSFET N-CH 100V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 25 V

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	153.44 грн
1600+	126.51 грн
2400+	119.13 грн

Мінімальне замовлення: 800

SUM110N1009

на замовлення 5 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM110P04-04L

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM110P04-04L-E3

Trans MOSFET P-CH 40V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM110P04-04L-E3

Description: MOSFET P-CH 40V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11200 pF @ 25 V

на замовлення 17087 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	301.87 грн
10+	243.68 грн
100+	197.11 грн

SUM110P04-04L-E3

Trans MOSFET P-CH 40V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 679 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

35+	338.09 грн
39+	301.27 грн
100+	240.11 грн
250+	220.23 грн
500+	180.33 грн

Мінімальне замовлення: 35

SUM110P04-04L-E3

MOSFET RECOMMENDED ALT SUM110P04-05-E3

на замовлення 499 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	331.8 грн
10+	274.86 грн
25+	228.32 грн
100+	192.94 грн
250+	187.6 грн
500+	172.24 грн
800+	145.54 грн

SUM110P04-04L-E3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 800 шт

товар відсутній

SUM110P04-04L-E3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET
Type of transistor: P-MOSFET

товар відсутній

SUM110P04-04L-E3

Description: MOSFET P-CH 40V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11200 pF @ 25 V

на замовлення 16800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	181.94 грн
1600+	150.02 грн
2400+	141.26 грн

Мінімальне замовлення: 800

SUM110P04-04L-E3

Trans MOSFET P-CH 40V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM110P04-04L-E3

Trans MOSFET P-CH 40V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 679 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	310.82 грн
10+	279.53 грн
25+	277 грн
100+	220.72 грн
250+	202.43 грн
500+	165.84 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM110P04-05-E3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -33A; 375W; D2PAK,TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -33A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 280nC
Kind of channel: enhanced

на замовлення 775 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	313.8 грн
4+	212.11 грн
11+	200.28 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM110P04-05-E3

Trans MOSFET P-CH 40V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM110P04-05-E3

Description: MOSFET P-CH 40V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 25 V

на замовлення 49057 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	305.48 грн
10+	246.81 грн
100+	199.64 грн

SUM110P04-05-E3

Trans MOSFET P-CH 40V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

SUM110P04-05-E3

Description: VISHAY - SUM110P04-05-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 110 A, 0.0041 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm

на замовлення 5633 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	198.89 грн
250+	181.67 грн

Мінімальне замовлення: 100

SUM110P04-05-E3

P-канальний ПТ; Udss, В = 40; Id = 110; Ciss, пФ @ Uds, В = 11300 @ 25; Qg, нКл = 280; Rds = 5 мОм; Ugs(th) = 4 В; Р, Вт = 375; Тексп, °C = -55...+175; Тип монт. = smd; D2PAK

на замовлення 1 шт:

термін постачання 2-3 дні (днів)

1+	624 грн
10+	240.43 грн
100+	223.25 грн

SUM110P04-05-E3

Description: MOSFET P-CH 40V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 25 V

на замовлення 48000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	184.28 грн
1600+	151.94 грн
2400+	143.07 грн

Мінімальне замовлення: 800

SUM110P04-05-E3

Trans MOSFET P-CH 40V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

SUM110P04-05-E3

MOSFET 40V 110A 375W

на замовлення 19804 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	309.99 грн
10+	260.27 грн
25+	224.99 грн
100+	190.27 грн
250+	189.6 грн
500+	183.59 грн
800+	152.88 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM110P04-05-E3

на замовлення 5633 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	330.28 грн
10+	250.89 грн
50+	232.92 грн
100+	198.89 грн
250+	181.67 грн

Мінімальне замовлення: 3

SUM110P04-05-E3

на замовлення 775 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	376.56 грн
4+	264.32 грн
11+	240.34 грн
800+	232.83 грн

SUM110P06-07L

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM110P06-07L

P-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 110 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 11400 @ 25; Qg, нКл = 345 @ 10 В; Rds = 6,9 мОм @ 30 A, 10 В; Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА; Тексп, °C = -55...+175; D2PAK

на замовлення 2 шт:

термін постачання 2-3 дні (днів)

2+	359.92 грн
10+	335.93 грн
100+	311.94 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM110P06-07L

MOSFET P-CHANNEL 60-V (D-S) 175 DEG.C MOSFET

товар відсутній

SUM110P06-07L

TO-263

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM110P06-07L

MOSFET,P CH,60V,110A,D2PAK

на замовлення 94 шт:

термін постачання 2-3 дні (днів)

1+	278.6 грн
10+	232.83 грн

SUM110P06-07L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	272.72 грн
10+	245.7 грн
25+	243.31 грн
100+	194.81 грн
250+	173.26 грн
500+	147.77 грн

Мінімальне замовлення: 3

SUM110P06-07L-E3

MOSFET 60V 110A 375W

на замовлення 16047 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	183.82 грн
10+	158.16 грн
25+	136.86 грн
100+	122.17 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM110P06-07L-E3

Description: VISHAY - SUM110P06-07L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 110 A, 0.0055 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.75W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm

на замовлення 27920 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	292.08 грн
10+	234.41 грн
100+	191.72 грн
500+	136.3 грн
1000+	123.25 грн

Мінімальне замовлення: 3

SUM110P06-07L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 20800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	237.1 грн
5600+	217.7 грн
11200+	203.62 грн
16800+	186.18 грн

Мінімальне замовлення: 800

SUM110P06-07L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	160.06 грн
1600+	138.99 грн

Мінімальне замовлення: 800

SUM110P06-07L-E3

Description: MOSFET P-CH 60V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 345 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 25 V

на замовлення 71200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	149.75 грн
1600+	123.48 грн
2400+	116.27 грн
5600+	104.68 грн

Мінімальне замовлення: 800

SUM110P06-07L-E3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -110A; Idm: -240A; 375W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -110A
Pulsed drain current: -240A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 345nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 1627 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	279.5 грн
3+	242.65 грн
6+	162.73 грн
17+	154.39 грн

SUM110P06-07L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

40+	296.62 грн

Мінімальне замовлення: 40

SUM110P06-07L-E3

Description: VISHAY - SUM110P06-07L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 110 A, 0.0055 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
Verlustleistung: 3.75W
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 14523 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	171.08 грн
800+	132.88 грн
1600+	126.46 грн
3200+	121.97 грн

Мінімальне замовлення: 100

SUM110P06-07L-E3

на замовлення 1627 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	232.92 грн
3+	194.72 грн
6+	135.61 грн
17+	128.65 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM110P06-07L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	108.26 грн

Мінімальне замовлення: 800

SUM110P06-07L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	154.4 грн
1600+	141.77 грн

Мінімальне замовлення: 800

SUM110P06-07L-E3
Код товару: 141393

Транзистори > Польові P-канальні

товар відсутній

SUM110P06-07L-E3

Description: MOSFET P-CH 60V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 345 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 25 V

на замовлення 71800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	248.43 грн
10+	200.56 грн
100+	162.24 грн

Мінімальне замовлення: 2

sum110p06-08l

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM110P06-08L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 60 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	282.43 грн
10+	253.67 грн
25+	246.43 грн

Мінімальне замовлення: 3

SUM110P06-08L-E3

Description: MOSFET P-CH 60V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 25 V

на замовлення 5112 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	176.74 грн
1600+	145.73 грн
2400+	137.22 грн

Мінімальне замовлення: 800

SUM110P06-08L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 60 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

39+	307.2 грн
43+	275.91 грн
44+	268.04 грн

Мінімальне замовлення: 39

SUM110P06-08L-E3

Description: VISHAY - SUM110P06-08L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 110 A, 0.0065 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 272W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 272W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0065ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 4507 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	351.99 грн
10+	283.09 грн
25+	257.63 грн
100+	215.58 грн
800+	169.47 грн
1600+	166.26 грн
3200+	162.41 грн

Мінімальне замовлення: 3

SUM110P06-08L-E3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET
Type of transistor: P-MOSFET

товар відсутній

SUM110P06-08L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM110P06-08L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM110P06-08L-E3

MOSFET 60V 110A 272W 8.0mohm @ 10V

на замовлення 167331 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	302.21 грн
10+	251.06 грн
25+	169.57 грн
100+	148.88 грн
250+	147.54 грн
500+	129.52 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM110P06-08L-E3

Description: MOSFET P-CH 60V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 25 V

на замовлення 5112 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	292.48 грн
10+	236.72 грн
100+	191.47 грн

SUM110P06-08L-E3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 800 шт

товар відсутній

SUM110P06-08L-E3

Description: VISHAY - SUM110P06-08L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 110 A, 0.0065 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 272W
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 4507 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	215.58 грн
800+	169.47 грн
1600+	166.26 грн
3200+	162.41 грн

Мінімальне замовлення: 100

SUM110P0608LE3

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM110P08-11-E3

Description: MOSFET P-CH 80V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 13.6W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11500 pF @ 40 V

товар відсутній

SUM110P08-11L

09+ SOP

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM110P08-11L

на замовлення 25000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM110P08-11L-E3

Description: VISHAY - SUM110P08-11L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 110 A, 0.0093 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
Verlustleistung: 375W
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0093ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 3152 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	226.01 грн
800+	204.78 грн
1600+	200.28 грн

Мінімальне замовлення: 100

SUM110P08-11L-E3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -80V; -110A; Idm: -120A; 125W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -80V
Drain current: -110A
Pulsed drain current: -120A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 796 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	420.6 грн
4+	266.05 грн
5+	255.36 грн
11+	242.01 грн

SUM110P08-11L-E3

Trans MOSFET P-CH 80V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 7200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	212.24 грн
4000+	202.05 грн

Мінімальне замовлення: 800

SUM110P08-11L-E3

MOSFET 80V 110A 375W

на замовлення 96850 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	324.01 грн
10+	268.71 грн
25+	220.31 грн
100+	188.93 грн
250+	178.25 грн
500+	167.57 грн
800+	146.21 грн

SUM110P08-11L-E3

Trans MOSFET P-CH 80V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM110P08-11L-E3

Description: VISHAY - SUM110P08-11L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 110 A, 0.0093 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0093ohm

на замовлення 13470 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	353.49 грн
10+	252.39 грн
100+	203.71 грн
500+	153.69 грн
1000+	140.58 грн

Мінімальне замовлення: 3

SUM110P08-11L-E3

Description: MOSFET P-CH 80V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 13.6W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10850 pF @ 40 V

на замовлення 35371 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	295.37 грн
10+	238.74 грн
100+	193.15 грн

SUM110P08-11L-E3

Trans MOSFET P-CH 80V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM110P08-11L-E3

Trans MOSFET P-CH 80V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	280.1 грн

Мінімальне замовлення: 800

SUM110P08-11L-E3

Trans MOSFET P-CH 80V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 19200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SUM110P08-11L-E3

на замовлення 796 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	350.5 грн
4+	213.5 грн
5+	212.8 грн
11+	201.67 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM110P08-11L-E3

Description: MOSFET P-CH 80V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 13.6W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10850 pF @ 40 V

на замовлення 35200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	178.29 грн
1600+	147.01 грн
2400+	138.42 грн

Мінімальне замовлення: 800

SUM110P08-11L-E3

Trans MOSFET P-CH 80V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	163.57 грн

Мінімальне замовлення: 800

SUM110P08-11L-E3

Trans MOSFET P-CH 80V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 7200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	361.96 грн

Мінімальне замовлення: 800

SUM11N08-07

на замовлення 7800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM120N04-1M7L-E3

Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM120N04-1M7L-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 120A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 285 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11685 pF @ 20 V

товар відсутній

SUM120N04-1M7L-GE3

APC by Schneider Electric

Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM1234

на замовлення 11 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM1500RMXL2U

UPS - Uninterruptible Power Supplies APC Smart-UPS XL Rackmount/Tower

товар відсутній

SUM18N25-165-E3

Description: MOSFET N-CH 250V 18A TO263

товар відсутній

SUM18N25-165-E3

Trans MOSFET N-CH 250V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM18N25-165-E3

Description: MOSFET N-CH 250V 18A TO263

товар відсутній

SUM23N15-73

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM23N15-73-E3

Description: MOSFET N-CH 150V 23A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 25 V

товар відсутній

SUM23N15-73-E3

Description: MOSFET N-CH 150V 23A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 25 V

товар відсутній

SUM23N15-73-E3

Trans MOSFET N-CH 150V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM25P10-138-E3

Description: MOSFET N-CH 100V 16.7A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 88.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2110 pF @ 25 V

товар відсутній

SUM25P10-138-E3

Trans MOSFET P-CH 100V 16.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

SUM27N20

на замовлення 213 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM27N20-78

DO-41

на замовлення 4000000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM27N20-78-E3

Description: MOSFET N-CH 200V 27A D2PAK

товар відсутній

SUM27N20-78-E3

Description: MOSFET N-CH 200V 27A D2PAK

товар відсутній

SUM27N20-78-E3

Description: MOSFET N-CH 200V 27A D2PAK

товар відсутній

SUM2891 ISS.1 FAIR

APC by Schneider Electric

SUM2891 ISS.1 FAIR

товар відсутній

SUM3000RMXL2U

UPS - Uninterruptible Power Supplies APC Smart-UPS XL Rackmount/Tower

товар відсутній

SUM3016-1 ISS. 14

SUM3016-1 ISS. 14

товар відсутній

SUM3016-1 ISS. 14 FAIR

SUM3016-1 ISS. 14 FAIR

товар відсутній

SUM3016-10 ISS. 14

SUM3016-10 ISS. 14

товар відсутній

SUM3016-10 ISS. 14 FAIR

SUM3016-10 ISS. 14 FAIR

товар відсутній

SUM3016-2 ISS.14

SUM3016-2 ISS.14

товар відсутній

SUM3016-2 ISS.14 FAIR

SUM3016-2 ISS.14 FAIR

товар відсутній

SUM33N20-60P-E3

Description: MOSFET N-CH 200V 33A D2PAK

товар відсутній

SUM33N20-60P-E3

Description: MOSFET N-CH 200V 33A D2PAK

товар відсутній

SUM33N20-60P-E3

Description: MOSFET N-CH 200V 33A D2PAK

товар відсутній

SUM36N20-54P

на замовлення 180 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM36N20-54P-E3

Description: MOSFET N-CH 200V 36A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.12W (Ta), 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V

товар відсутній

SUM36N20-54P-E3

Description: MOSFET N-CH 200V 36A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.12W (Ta), 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V

товар відсутній

SUM40010EL-GE3

MOSFET 40V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)

на замовлення 3174 шт:

термін постачання 806-815 дні (днів)

2+	213.41 грн
10+	187.33 грн
100+	134.19 грн
500+	122.17 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM40010EL-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 120A; Idm: 300A
Case: TO263
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
On-state resistance: 1.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 230nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 300A
кількість в упаковці: 800 шт

товар відсутній

SUM40010EL-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM40010EL-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11155 pF @ 30 V

на замовлення 4800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	110.6 грн
1600+	91.2 грн
2400+	85.87 грн

Мінімальне замовлення: 800

SUM40010EL-GE3

товар відсутній

SUM40010EL-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11155 pF @ 30 V

на замовлення 4938 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	182.71 грн
10+	148.13 грн
100+	119.82 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM40012EL-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 150A; Idm: 300A
Case: TO263
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 150A
On-state resistance: 2.24mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 195nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 300A

товар відсутній

SUM40012EL-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 150A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.67mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10930 pF @ 20 V

на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	197.15 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM40012EL-GE3

Description: VISHAY - SUM40012EL-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.00139 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00139ohm

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SUM40012EL-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 150A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.67mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10930 pF @ 20 V

товар відсутній

SUM40012EL-GE3

MOSFET 40V Vds +/-20V Vgs TO-263

на замовлення 595 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	200.17 грн
10+	175.82 грн
100+	126.18 грн
500+	104.15 грн
800+	94.13 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM40012EL-GE3

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SUM40012EL-GE3

товар відсутній

SUM40012EL-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM40014M-GE3

MOSFET 40V-DUAL N-CHANNEL

на замовлення 4617 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	243.01 грн
10+	200.38 грн
25+	164.23 грн
100+	140.87 грн
250+	133.52 грн
500+	125.51 грн
800+	107.49 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM40014M-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 200A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.99mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15780 pF @ 20 V

на замовлення 6175 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	223.15 грн
10+	180.74 грн
100+	146.26 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM40014M-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 200A

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	184.35 грн
10+	171.09 грн
25+	169.36 грн
50+	161.7 грн

Мінімальне замовлення: 4

SUM40014M-GE3

Description: VISHAY - SUM40014M-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 200 A, 0.00082 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00082ohm

на замовлення 2163 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	120.58 грн

Мінімальне замовлення: 100

SUM40014M-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 200A; Idm: 400A
Case: TO263-7
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 200A
On-state resistance: 1.36mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 275nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
кількість в упаковці: 800 шт

товар відсутній

SUM40014M-GE3

SUM40014M-GE3

товар відсутній

SUM40014M-GE3

товар відсутній

SUM40014M-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 200A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.99mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15780 pF @ 20 V

на замовлення 5600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	135.01 грн
1600+	111.32 грн
2400+	104.82 грн
5600+	94.37 грн

Мінімальне замовлення: 800

SUM40014M-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 200A

товар відсутній

SUM40014M-GE3

на замовлення 2163 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	209.7 грн
10+	148.29 грн
100+	120.58 грн

Мінімальне замовлення: 4

SUM40N02-12P-E3

Description: MOSFET N-CH 20V 40A D2PAK

товар відсутній

SUM40N05-19L-E3

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM40N10-30

на замовлення 31 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM40N10-30-E3

Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM40N10-30-E3

Description: MOSFET N-CH 100V 40A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V

товар відсутній

SUM40N10-30-E3

на замовлення 180 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM40N10-30-E3

Description: MOSFET N-CH 100V 40A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V

товар відсутній

SUM40N10-30-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM40N15-38-E3

Trans MOSFET N-CH 150V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM40N15-38-E3

Description: MOSFET N-CH 150V 40A TO263

товар відсутній

SUM40N15-38-E3

Description: MOSFET N-CH 150V 40A TO263

товар відсутній

SUM40N15-38-E3

MOSFET 150V 40A 166W 38mohm @ 10V

на замовлення 1407 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SUM4285 ISS.1 FAIR

SUM4285 ISS.1 FAIR

товар відсутній

SUM4293 ISS. 1 FAIR

SUM4293 ISS. 1 FAIR

товар відсутній

SUM4298 ISS. 2 FAIR

London Nameplate Manufacturing

SUM4298 ISS. 2 FAIR

товар відсутній

SUM4301-1 ISSUE 1 FAIR

Invotec Group

SUM4301-1 ISSUE 1 FAIR

товар відсутній

SUM4460 FAIR

SUM4460 FAIR

товар відсутній

SUM45N25-58

MOSFET OBSOLETE - USE SUM45N25-58-E3

товар відсутній

SUM45N25-58

Trans MOSFET N-CH 250V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM45N25-58

на замовлення 80 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM45N25-58-E3

Description: VISHAY - SUM45N25-58-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 45 A, 0.047 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 499 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	335.52 грн
10+	253.14 грн
100+	204.46 грн

Мінімальне замовлення: 3

SUM45N25-58-E3

Trans MOSFET N-CH 250V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM45N25-58-E3

SUM45N25-58-E3 SMD N channel transistors

товар відсутній

SUM45N25-58-E3

Description: MOSFET N-CH 250V 45A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V

товар відсутній

SUM45N25-58-E3

Trans MOSFET N-CH 250V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM45N25-58-E3

Description: MOSFET N-CH 250V 45A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V

товар відсутній

SUM45N25-58-E3

Trans MOSFET N-CH 250V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM45N25-58-E3

MOSFET 250V 45A 375W 58mohm @ 10V

на замовлення 780 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	313.11 грн
10+	259.5 грн
100+	182.26 грн
500+	168.91 грн
800+	145.54 грн

SUM4685-1 ISS. 3

SUM4685-1 ISS. 3

товар відсутній

SUM4685-1 ISS. 3 FAIR

SUM4685-1 ISS. 3 FAIR

товар відсутній

SUM4760-1 ISS.1

товар відсутній

SUM4760-1 ISS.1 FAIR

SUM4760-1 ISS.1 FAIR

товар відсутній

SUM4792

SUM4792

товар відсутній

SUM4792 FAIR

SUM4792 FAIR

товар відсутній

SUM47N10

на замовлення 15 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM47N10-24L-E3

Description: MOSFET N-CH 100V 47A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V

товар відсутній

SUM47N10-24L-E3

Trans MOSFET N-CH 100V 47A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM47N10-24L-E3

Description: MOSFET N-CH 100V 47A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V

товар відсутній

SUM4810 ISS. 3 FAIR

SUM4810 ISS. 3 FAIR

товар відсутній

SUM50010E-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 749 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	155.74 грн
10+	146.54 грн
100+	133.14 грн
250+	126.15 грн
500+	111.11 грн

Мінімальне замовлення: 4

SUM50010E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 150A; Idm: 500A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 150A
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 375W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 212nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

SUM50010E-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 150A TO263
Packaging: Strip
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10895 pF @ 30 V

на замовлення 1534 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	233.26 грн
10+	188.6 грн
100+	152.57 грн
500+	127.27 грн
1000+	108.98 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM50010E-GE3

MOSFET 60V Vds; 20V Vgs TO-263

на замовлення 2202 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	255.47 грн
10+	211.9 грн
25+	181.59 грн
100+	149.55 грн
250+	146.87 грн
500+	132.85 грн
800+	107.49 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM50010E-GE3

товар відсутній

SUM50010E-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM50010EL-GE3

MOSFET 60V Vds 150A 375W 175C

на замовлення 300 шт:

термін постачання 133-142 дні (днів)

2+	292.86 грн
10+	241.84 грн
100+	170.24 грн
250+	160.89 грн
500+	151.55 грн
800+	129.52 грн
2400+	122.17 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM50020E-GE3

SUM50020E-GE3 SMD N channel transistors

товар відсутній

SUM50020E-GE3

N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

товар відсутній

SUM50020E-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO263

на замовлення 57 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SUM50020E-GE3

MOSFET 60V Vds TrenchFET TO-263-3

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	241.45 грн
10+	209.6 грн
100+	148.88 грн
800+	106.82 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM50020E-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO263

товар відсутній

SUM50020EL-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO263

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SUM50020EL-GE3

MOSFET 60V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)

на замовлення 697 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SUM50020EL-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO263

на замовлення 1094 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SUM50020EL-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM50020EL-GE3

SUM50020EL-GE3 SMD N channel transistors

товар відсутній

SUM50020EL-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM50N03

на замовлення 80 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM50N03-13LC

на замовлення 19975 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM50N03-13LC-E3

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 5-Pin(4+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM50N03-13LC-E3

MOSFET 30V 50A 83W w/Sense Terminal

товар відсутній

SUM50N06-16L-E3

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM50N06-16L-E3

Description: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1325 pF @ 25 V

товар відсутній

SUM50P10-42-E3

Description: MOSFET N-CH 100V 36A TO263

товар відсутній

SUM50UF

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM52N20-39P

Trans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM52N20-39P-E3

Description: MOSFET N-CH 200V 52A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.12W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4220 pF @ 25 V

товар відсутній

SUM5550A

SUM

04+ TSSOP-28P

на замовлення 169 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM55N03-16P-E3

на замовлення 860 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM55P06-19L

09+ DIP

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM55P06-19L-E3

Description: MOSFET P-CH 60V 55A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	105.58 грн
1600+	86.26 грн
2400+	81.95 грн

Мінімальне замовлення: 800

SUM55P06-19L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 3200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	135.13 грн
1600+	124.08 грн

Мінімальне замовлення: 800

SUM55P06-19L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK SUM55P06-19L-E3 TSUM55P06-19l
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 205 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

10+	67.89 грн

Мінімальне замовлення: 10

SUM55P06-19L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM55P06-19L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM55P06-19L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 46 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SUM55P06-19L-E3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -31A; 125W; D2PAK,TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -31A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 115nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 1013 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

3+	127.62 грн
5+	116.99 грн
11+	85.12 грн
31+	80.11 грн

Мінімальне замовлення: 3

SUM55P06-19L-E3

MOSFET 60V 55A 125W

на замовлення 7822 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	204.85 грн
10+	172.74 грн
100+	124.18 грн
250+	120.17 грн
500+	93.47 грн
800+	82.78 грн
4800+	79.45 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM55P06-19L-E3

Description: VISHAY - SUM55P06-19L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 55 A, 0.015 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 1484 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	235.91 грн
10+	178.24 грн
25+	152.78 грн
100+	118.22 грн
800+	84.74 грн

Мінімальне замовлення: 4

SUM55P06-19L-E3

Description: MOSFET P-CH 60V 55A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V

на замовлення 2421 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	188.49 грн
10+	150.98 грн
100+	120.15 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM55P06-19L-E3

на замовлення 1013 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	106.35 грн
5+	93.88 грн
11+	70.93 грн
31+	66.76 грн

Мінімальне замовлення: 4

SUM55P06-19L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 46 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	201.31 грн
10+	168.02 грн
25+	166.34 грн

Мінімальне замовлення: 3

SUM55P06-19L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM55P06-19L-E3

MOSFET P-CH 60V 55A D2PAK

на замовлення 2 шт:

термін постачання 5 дні (днів)

SUM55P0619L

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM60020E-GE3

MOSFET N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET

на замовлення 20757 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	216.53 грн
10+	178.89 грн
100+	126.18 грн
250+	125.51 грн
500+	117.5 грн
800+	98.14 грн
2400+	95.47 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM60020E-GE3

Description: MOSFET N-CH 80V 150A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 227 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10680 pF @ 40 V

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	119.09 грн
1600+	98.2 грн
2400+	92.46 грн

Мінімальне замовлення: 800

SUM60020E-GE3

Trans MOSFET N-CH 80V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM60020E-GE3

SUM60020E-GE3 SMD N channel transistors

товар відсутній

SUM60020E-GE3

Trans MOSFET N-CH 80V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM60020E-GE3

Trans MOSFET N-CH 80V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM60020E-GE3

Description: MOSFET N-CH 80V 150A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 227 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10680 pF @ 40 V

на замовлення 2867 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	197.15 грн
10+	159.46 грн
100+	129.02 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM60030E-GE3

Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7910 pF @ 40 V

товар відсутній

SUM60030E-GE3

Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7910 pF @ 40 V

товар відсутній

SUM60030E-GE3

MOSFET N-Channel 80V (D-S) TrenchFET

на замовлення 2223 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	213.41 грн
10+	177.35 грн
25+	145.54 грн
100+	124.18 грн
250+	117.5 грн
500+	112.83 грн
800+	102.81 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM60061EL-GE3

MOSFET 80V P-CH (D-S)

на замовлення 495 шт:

термін постачання 657-666 дні (днів)

1+	433.84 грн
10+	384.65 грн
100+	274.39 грн
500+	233.66 грн

SUM60061EL-GE3

Description: P-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET D2PA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 218 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 40 V

товар відсутній

SUM60061EL-GE3

SUM60061EL-GE3 SMD P channel transistors

товар відсутній

SUM60N02-3M9P-E3

Trans MOSFET N-CH 20V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM60N02-3M9P-E3

Description: MOSFET N-CH 20V 60A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5950 pF @ 10 V

товар відсутній

SUM60N02-3M9P-E3

MOSFET 20V 60A 120W 3.9mohm @ 10V

товар відсутній

SUM60N04-05C

на замовлення 599 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM60N04-05LT-E3

Trans MOSFET N-CH 40V 60A 5-Pin(4+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM60N04-05T-E3

MOSFET 40V 60A 200W w/Sensing Diode

товар відсутній

SUM60N04-06T

на замовлення 6400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM60N04-06T-E3

MOSFET 40V 60A 200W w/Sensing Diode

товар відсутній

SUM60N04-12

на замовлення 137 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM60N04-12LT

на замовлення 5852 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM60N04-12LT

MOSFET 40V 60A 110W

товар відсутній

SUM60N04-12LT

09+

на замовлення 118 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM60N04-12LT-E3

MOSFET 40V 60A 110W

товар відсутній

SUM60N04-12LT-E3

на замовлення 22000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM60N04-1ZLT

на замовлення 3200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM60N0412LT

N/A

на замовлення 118 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM60N06-15

на замовлення 155 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM60N06-15-E3

Trans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM60N10-17

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM60N10-17-E3

Description: MOSFET N-CH 100V 60A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V

на замовлення 2782 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	187.04 грн
10+	151.12 грн
100+	122.24 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM60N10-17-E3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 60A; Idm: 100A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

SUM60N10-17-E3

товар відсутній

SUM60N10-17-E3

Trans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 220 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	191.01 грн
10+	166.62 грн
25+	164.25 грн
100+	133.01 грн

Мінімальне замовлення: 4

SUM60N10-17-E3

Description: MOSFET N-CH 100V 60A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	112.84 грн
1600+	93.04 грн

Мінімальне замовлення: 800

SUM60N10-17-E3

Trans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

SUM60N10-17-E3

MOSFET 100V 60A 150W

на замовлення 2837 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	242.23 грн
10+	199.62 грн
25+	164.23 грн
100+	140.87 грн
250+	132.85 грн
500+	125.51 грн
800+	106.82 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM60N10-17-E3

Trans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

SUM60P05

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM60P05-11LT

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM60P05-11LT-E3

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM65N20-30

MOSFET OBSOLETE - USE SUM65N20-30-E3

товар відсутній

SUM65N20-30

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM65N20-30-E3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; Idm: 140A; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 65A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 84mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

SUM65N20-30-E3

Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 1577 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	319.44 грн
10+	314.37 грн
25+	308.22 грн
100+	250.2 грн
250+	229.34 грн
500+	198.37 грн
1000+	160.81 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM65N20-30-E3

MOSFET 200V 65A 375W 30mohm @ 10V

на замовлення 6182 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	317 грн
10+	266.41 грн
25+	227.66 грн
100+	189.6 грн
250+	184.93 грн
500+	173.58 грн
800+	159.56 грн

SUM65N20-30-E3

Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	178.33 грн
1600+	175.52 грн
2400+	172.71 грн

Мінімальне замовлення: 800

SUM65N20-30-E3

товар відсутній

SUM65N20-30-E3
Код товару: 192327

Транзистори > Польові N-канальні

товар відсутній

SUM65N20-30-E3

Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM65N20-30-E3

Description: MOSFET N-CH 200V 65A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V

на замовлення 5169 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	314.15 грн
10+	253.76 грн
100+	205.3 грн

SUM65N20-30-E3

Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM65N20-30-E3

Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 1577 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

35+	338.55 грн
36+	331.92 грн
100+	269.45 грн
250+	246.98 грн
500+	213.63 грн
1000+	173.18 грн

Мінімальне замовлення: 35

SUM65N20-30-E3

Description: MOSFET N-CH 200V 65A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V

на замовлення 4800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	189.51 грн
1600+	156.26 грн
2400+	147.14 грн

Мінімальне замовлення: 800

SUM6600HR

на замовлення 16 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM6600HR

SOP-56L

на замовлення 999 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM6K1N

на замовлення 33000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM70030E-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM70030E-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM70030E-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 150A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.88mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 214 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10870 pF @ 50 V

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	140.83 грн
1600+	116.12 грн
2400+	109.34 грн

Мінімальне замовлення: 800

SUM70030E-GE3

Description: VISHAY - SUM70030E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 0.0024 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm

на замовлення 1978 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	275.6 грн
10+	204.46 грн
100+	159.52 грн
500+	134.22 грн
1000+	111.05 грн

Мінімальне замовлення: 3

SUM70030E-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 60 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	182.25 грн
10+	166.46 грн
25+	164.36 грн
50+	156.11 грн

Мінімальне замовлення: 4

SUM70030E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 150A; Idm: 500A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 150A
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 375W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.48mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 214nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

SUM70030E-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 60 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

60+	196.27 грн

Мінімальне замовлення: 60

SUM70030E-GE3

MOSFET 100V Vds; 20V Vgs TO-263

на замовлення 1366 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	246.13 грн
10+	206.53 грн
25+	175.58 грн
100+	149.55 грн
250+	144.87 грн
500+	125.51 грн
800+	110.16 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM70030E-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 150A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.88mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 214 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10870 pF @ 50 V

на замовлення 4637 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	233.26 грн
10+	188.6 грн
100+	152.57 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM70030E-GE3

товар відсутній

SUM70030E-GE3

на замовлення 1978 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	159.52 грн
500+	134.22 грн
1000+	111.05 грн

Мінімальне замовлення: 100

SUM70030M-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 150A; Idm: 500A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 150A
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 375W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 214nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

SUM70030M-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 150A 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube

товар відсутній

SUM70030M-GE3

MOSFET N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET

на замовлення 292 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	246.13 грн
10+	204.22 грн
25+	176.92 грн
100+	143.54 грн
800+	108.15 грн
2400+	106.15 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM70030M-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 150A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 214 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10870 pF @ 50 V

товар відсутній

SUM70030M-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 150A; Idm: 500A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 150A
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 375W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 214nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт

товар відсутній

SUM70030M-GE3

Description: VISHAY - SUM70030M-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 0.0029 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 375
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0029
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	137.8 грн
10+	134.81 грн
100+	132.56 грн
500+	120.31 грн
1000+	108.49 грн

Мінімальне замовлення: 6

SUM70030M-GE3

N-Channel 100 V (D-S) MOSFET

товар відсутній

SUM70030M-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 150A 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube

товар відсутній

SUM70030M-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 150A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 214 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10870 pF @ 50 V

на замовлення 293 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	224.6 грн
10+	181.23 грн
100+	146.62 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM70030M-GE3

Description: VISHAY - SUM70030M-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 0.0029 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 375
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	132.56 грн
500+	120.31 грн
1000+	108.49 грн

Мінімальне замовлення: 100

SUM70040E-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Reel

на замовлення 750 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

62+	190.42 грн
70+	167.8 грн
71+	165.22 грн
100+	134.87 грн

Мінімальне замовлення: 62

SUM70040E-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 50 V

на замовлення 954 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	195.71 грн
10+	158.77 грн
100+	128.42 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM70040E-GE3

Description: VISHAY - SUM70040E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0032 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 67 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SUM70040E-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Reel

товар відсутній

SUM70040E-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Reel

на замовлення 750 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	176.82 грн
10+	155.81 грн
25+	153.42 грн
100+	125.24 грн

Мінімальне замовлення: 4

SUM70040E-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 50 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	118.54 грн

Мінімальне замовлення: 800

SUM70040E-GE3

на замовлення 67 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	229.92 грн
10+	173 грн

Мінімальне замовлення: 4

SUM70040E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 125W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 76nC
Kind of channel: enhanced

на замовлення 789 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	210.45 грн
5+	175.94 грн
6+	134.91 грн
17+	127.26 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM70040E-GE3

MOSFET 100V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)

на замовлення 600 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	206.4 грн
10+	172.74 грн
25+	146.21 грн
100+	122.17 грн
250+	119.5 грн
500+	110.82 грн
800+	90.8 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM70040E-GE3

на замовлення 789 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	252.54 грн
5+	219.25 грн
6+	161.9 грн
17+	152.72 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM70040E-GE3-X

MOSFET

товар відсутній

SUM70040M-GE3

MOSFET 100V Vds 20V Vgs TO-263-7L

на замовлення 1046 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	212.63 грн
10+	177.35 грн
25+	152.88 грн
100+	124.18 грн
250+	123.51 грн
500+	122.84 грн
800+	115.5 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM70040M-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 120A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

SUM70040M-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 50 V

на замовлення 787 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	195.71 грн
10+	158.77 грн
100+	128.42 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM70040M-GE3

Description: VISHAY - SUM70040M-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.003 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Anzahl der Pins: 7Pins
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm

на замовлення 239 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	138.55 грн

Мінімальне замовлення: 100

SUM70040M-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 375W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

SUM70040M-GE3

товар відсутній

SUM70040M-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 120A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

SUM70040M-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 50 V

товар відсутній

SUM70040M-GE3

на замовлення 239 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	229.92 грн
10+	171.5 грн
100+	138.55 грн

Мінімальне замовлення: 4

SUM70040M-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 120A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

SUM70042E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 150A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 150A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 278W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

SUM70042E-GE3

товар відсутній

SUM70042E-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 150A Tube

товар відсутній

SUM70042E-GE3

Description: VISHAY - SUM70042E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 0.0033 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 278W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm

на замовлення 4677 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	136.3 грн
500+	111.96 грн
1000+	88.59 грн

Мінімальне замовлення: 100

SUM70042E-GE3

MOSFET N-CHANNEL 100-V (D-S)

на замовлення 794 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	207.18 грн
10+	171.98 грн
25+	144.87 грн
100+	120.84 грн
250+	117.5 грн
500+	107.49 грн
1000+	86.79 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM70042E-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube

товар відсутній

SUM70042E-GE3

Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET D2P
Packaging: Strip
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6490 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2287 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	189.21 грн
10+	153.27 грн
100+	123.99 грн
500+	103.43 грн
1000+	88.56 грн
2000+	83.39 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM70042E-GE3

Description: VISHAY - SUM70042E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 0.0033 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm

на замовлення 4677 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	225.43 грн
10+	167.76 грн
100+	136.3 грн
500+	111.96 грн
1000+	88.59 грн

Мінімальне замовлення: 4

SUM70042M

SUM70042M

товар відсутній

SUM70042M-GE3

Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET D2P
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.83mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6750 pF @ 50 V

на замовлення 780 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	371.2 грн
10+	299.94 грн
100+	242.67 грн

SUM70042M-GE3

MOSFET N-Channel 100 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 2.5 mohm a. 10V 2.3 mohm a. 7.5V

товар відсутній

SUM70042M-GE3

Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET D2P
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.83mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6750 pF @ 50 V

товар відсутній

SUM70060E-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM70060E-GE3
Код товару: 180235

Транзистори > Польові N-канальні

товар відсутній

SUM70060E-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 131A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 131A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 50 V

товар відсутній

SUM70060E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 131A; Idm: 240A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 131A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 375W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 81nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

SUM70060E-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 131A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 131A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 50 V

товар відсутній

SUM70060E-GE3

товар відсутній

SUM70060E-GE3

MOSFET 100V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)

на замовлення 14395 шт:

термін постачання 287-296 дні (днів)

3+	144.87 грн
10+	119 грн
100+	82.78 грн
500+	70.77 грн
2400+	69.43 грн

Мінімальне замовлення: 3

SUM70060E-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM70090E-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM70090E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 50A; Idm: 120A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 125W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

SUM70090E-GE3

товар відсутній

SUM70090E-GE3

MOSFET 100V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)

на замовлення 4752 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	116.05 грн
10+	95.2 грн
100+	77.44 грн
2400+	74.77 грн

Мінімальне замовлення: 3

SUM70090E-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 50 V

товар відсутній

SUM70090E-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM70090E-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM70090E-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 50 V

товар відсутній

SUM70101EL-GE3

MOSFET -100V Vds 20V Vgs TO-263

на замовлення 6743 шт:

термін постачання 287-296 дні (днів)

2+	295.2 грн
10+	244.15 грн
100+	172.24 грн
500+	157.56 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM70101EL-GE3

Description: MOSFET P-CH 100V 120A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 50 V

товар відсутній

SUM70101EL-GE3

Trans MOSFET P-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM70101EL-GE3

P-канальний ПТ; Udss, В = 100; Ciss, пФ @ Uds, В = 7000 @ 50; Qg, нКл = 190; Р, Вт = 375; Тексп, °C = -55...+175; TO-263

на замовлення 8 шт:

термін постачання 2-3 дні (днів)

2+	384.63 грн
10+	358.99 грн
100+	333.34 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM70101EL-GE3

Description: MOSFET P-CH 100V 120A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 50 V

товар відсутній

SUM70101EL-GE3

Trans MOSFET P-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM70101EL-GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -100V; -120A; 375W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -120A
Pulsed drain current: -240A
Power dissipation: 375W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

SUM70101EL-GE3

товар відсутній

SUM70N03-09CP

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM70N03-09CP-E3

Description: MOSFET N-CH 30V 70A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V

товар відсутній

SUM70N03-09CP-E3

Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM70N04-07L

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM70N04-07L-E3

Trans MOSFET N-CH 40V 70A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM70N04-07L-E3

Description: MOSFET N-CH 40V 70A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V

товар відсутній

SUM70N06-11

на замовлення 4080 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM70N06-11-E3

09+ TO252

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM75N04-05L

на замовлення 9900 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM75N06-09L

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM75N06-09L

MOSFET OBSOLETE - USE SUM75N06-09L-E3

товар відсутній

SUM75N06-09L-E3

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM75N06-09L-E3

Description: MOSFET N-CH 60V 90A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V

товар відсутній

SUM75N06-09L-E3

MOSFET RECOMMENDED ALT 78-IRFZ48SPBF

товар відсутній

SUM75N06-09L-T1-E3

MOSFET

товар відсутній

SUM75N15-18P-E3

Description: MOSFET N-CH 150V 75A TO263

товар відсутній

SUM75N15-18P-E3

Trans MOSFET N-CH 150V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM75N15-18P-E3

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM80090E-GE3

Description: VISHAY - SUM80090E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 128 A, 0.0075 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 128A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 5128 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	248.64 грн
10+	183.49 грн
100+	149.78 грн
500+	130.05 грн
1000+	117.47 грн

Мінімальне замовлення: 4

SUM80090E-GE3

Description: MOSFET N-CH 150V 128A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 128A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3425 pF @ 75 V

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	120.2 грн
1600+	99.11 грн

Мінімальне замовлення: 800

SUM80090E-GE3

Trans MOSFET N-CH 150V 128A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 218 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	105.93 грн

Мінімальне замовлення: 3

SUM80090E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 128A; Idm: 240A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 128A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

SUM80090E-GE3

товар відсутній

SUM80090E-GE3

MOSFET 150V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)

на замовлення 7410 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	212.63 грн
10+	176.58 грн
25+	144.87 грн
100+	123.51 грн
250+	116.83 грн
500+	110.82 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM80090E-GE3

Description: MOSFET N-CH 150V 128A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 128A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3425 pF @ 75 V

на замовлення 2233 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	198.6 грн
10+	160.99 грн
100+	130.21 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM85N02-05P

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM85N03-06P

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM85N03-06P-E3

Description: MOSFET N-CH 30V 85A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V

товар відсутній

SUM85N03-06P-E3

Trans MOSFET N-CH 30V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM85N03-06P-E3

Trans MOSFET N-CH 30V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM85N03-07P

Trans MOSFET N-CH 30V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM85N03-07P

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM85N03-07P-E3

Trans MOSFET N-CH 30V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM85N03-08P

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM85N15-19

на замовлення 31200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM85N15-19-E3

Description: MOSFET N-CH 150V 85A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 25 V

на замовлення 875 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	374.81 грн
10+	303.07 грн
100+	245.17 грн

SUM85N15-19-E3

Trans MOSFET N-CH 150V 85A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM85N15-19-E3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 85A; Idm: 180A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 85A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 375W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт

товар відсутній

SUM85N15-19-E3

Description: MOSFET N-CH 150V 85A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 25 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	226.31 грн

Мінімальне замовлення: 800

SUM85N15-19-E3

на замовлення 6400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM85N15-19-E3

товар відсутній

SUM85N15-19-E3

MOSFET 150V 85A 375W 19mohm @ 10V

на замовлення 392 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	362.96 грн
10+	311.71 грн
25+	255.7 грн
100+	218.98 грн
250+	214.97 грн
500+	192.27 грн
800+	174.91 грн

SUM865070

Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; Ucntrl: 3.5÷32VDC; 45A; 24÷510VAC; -55÷100°C
Body dimensions: 45x90x98mm
Operating temperature: -55...100°C
IP rating: IP20
Control voltage: 3.5...32V DC
Design: heatsink
Switching method: zero voltage switching
Switched voltage: 24...510V AC
Relay series: SUL
Max. operating current: 45A
Type of relay: solid state
Mounting: for DIN rail mounting
Relay variant: 1-phase
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

SUM865070

Celduc Inc.

Description: SSR 45A/24-510VAC/VDR/INPUT 3,5-

товар відсутній

SUM865070

товар відсутній

SUM867070

Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; Ucntrl: 3.5÷32VDC; 45A; 24÷510VAC; -55÷100°C
Type of relay: solid state
Control voltage: 3.5...32V DC
Max. operating current: 45A
Switched voltage: 24...510V AC
Relay variant: 1-phase
Mounting: for DIN rail mounting
Operating temperature: -55...100°C
Body dimensions: 45x90x98mm
Relay series: SUL
Switching method: zero voltage switching
IP rating: IP20
Design: heatsink

товар відсутній

SUM867070

товар відсутній

SUM90100E-GE3

SUM90100E-GE3 SMD N channel transistors

товар відсутній

SUM90100E-GE3

Description: N-CHANNEL 200-V (D-S) MOSFET D2P

товар відсутній

SUM90140E-GE3

Trans MOSFET N-CH 200V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM90140E-GE3

Description: MOSFET N-CH 200V 90A D2PAK

товар відсутній

SUM90140E-GE3

MOSFET 200V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)

на замовлення 4496 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SUM90140E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 75A; 125W; D2PAK,TO263
Case: D2PAK; TO263
Mounting: SMD
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 64nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 75A
On-state resistance: 17mΩ
Type of transistor: N-MOSFET

товар відсутній

SUM90140E-GE3

товар відсутній

SUM90140E-GE3

Trans MOSFET N-CH 200V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	175.22 грн
10+	161.24 грн
25+	159.79 грн
100+	129.85 грн
250+	117.64 грн
500+	99.9 грн

Мінімальне замовлення: 4

SUM90140E-GE3

Description: MOSFET N-CH 200V 90A D2PAK

товар відсутній

SUM90142E-GE3

Trans MOSFET N-CH 200V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 717 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	224.41 грн
10+	189.49 грн
25+	179.57 грн
50+	171.34 грн
100+	131.61 грн
250+	125.05 грн
500+	100.4 грн

Мінімальне замовлення: 3

SUM90142E-GE3

Description: MOSFET N-CH 200V 90A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3120 pF @ 100 V

на замовлення 157 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	209.43 грн
10+	169.62 грн
100+	137.18 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM90142E-GE3

MOSFET 200V Vds 20V Vgs TO-263

на замовлення 6983 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	227.43 грн
10+	188.87 грн
25+	158.22 грн
100+	132.19 грн
250+	128.85 грн
500+	125.51 грн
2400+	120.84 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM90142E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 90A; Idm: 240A
Case: TO263
Mounting: SMD
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 87nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 240A
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 90A
On-state resistance: 16.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET

товар відсутній

SUM90142E-GE3

товар відсутній

SUM90142E-GE3

Trans MOSFET N-CH 200V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM90142E-GE3

Description: MOSFET N-CH 200V 90A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3120 pF @ 100 V

товар відсутній

SUM90142E-GE3

Trans MOSFET N-CH 200V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 717 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

49+	241.67 грн
58+	204.07 грн
61+	193.38 грн
62+	184.52 грн
100+	141.74 грн
250+	134.66 грн
500+	108.12 грн

Мінімальне замовлення: 49

SUM90220E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 64A; Idm: 100A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 64A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 230W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт

товар відсутній

SUM90220E-GE3

Trans MOSFET N-CH 200V 64A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM90220E-GE3

Description: MOSFET N-CH 200V 64A D2PAK

товар відсутній

SUM90220E-GE3

Description: MOSFET N-CH 200V 64A D2PAK

товар відсутній

SUM90220E-GE3

MOSFET 200V Vds 20V Vgs TO-263

на замовлення 3899 шт:

термін постачання 888-897 дні (днів)

2+	214.97 грн
10+	191.17 грн
100+	133.52 грн
500+	109.49 грн
800+	90.8 грн
2400+	84.12 грн
5600+	83.45 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM90220E-GE3

Trans MOSFET N-CH 200V 64A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM90220E-GE3

Trans MOSFET N-CH 200V 64A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM90220E-GE3

товар відсутній

SUM90330E-GE3

MOSFET 200V Vds 20V Vgs TO-263

на замовлення 3141 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	119.17 грн
10+	96.74 грн
100+	65.83 грн
500+	52.07 грн
2400+	49.4 грн
4800+	48.07 грн
9600+	47.4 грн

Мінімальне замовлення: 3

SUM90330E-GE3

N-Channel 200 V MOSFET

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	48.45 грн

Мінімальне замовлення: 800

SUM90330E-GE3

Description: MOSFET N-CH 200V 35.1A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37.5mOhm @ 12.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 100 V

товар відсутній

SUM90330E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

товар відсутній

SUM90330E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 800 шт

товар відсутній

SUM90330E-GE3

Description: MOSFET N-CH 200V 35.1A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37.5mOhm @ 12.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 100 V

товар відсутній

SUM90N03-2M2P

на замовлення 40 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM90N03-2M2P-E3

Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 257 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12065 pF @ 15 V

на замовлення 1037 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	245.54 грн
10+	198.34 грн
100+	160.47 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM90N03-2M2P-E3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 90A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 250W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 257nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

SUM90N03-2M2P-E3
Код товару: 82556

Транзистори > Польові N-канальні

товар відсутній

SUM90N03-2M2P-E3

Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 257 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12065 pF @ 15 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	114.58 грн

Мінімальне замовлення: 800

SUM90N03-2M2P-E3

товар відсутній

SUM90N03-2M2P-E3

MOSFET 30V 90A 250W

на замовлення 783 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	263.26 грн
10+	218.04 грн
100+	153.55 грн
800+	124.84 грн
2400+	124.18 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM90N03-2M2P-E3

Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM90N04-3M3P-E3

Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO263

товар відсутній

SUM90N04-3M3P-E3

MOSFET 40 Volts 90 Amps 125 Watts

на замовлення 5585 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SUM90N04-3M3P-E3

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM90N04-3M3P-E3

Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO263

товар відсутній

SUM90N06-4M4P-E3

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6190 pF @ 30 V

товар відсутній

SUM90N06-4M4P-E3

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM90N06-4M4P-E3

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM90N06-4M4P-E3

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6190 pF @ 30 V

товар відсутній

SUM90N06-5M5P-E3

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 30 V

товар відсутній

SUM90N06-5M5P-E3

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM90N08-4M8P-E3

Description: MOSFET N-CH 75V 90A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6460 pF @ 40 V

товар відсутній

SUM90N08-4M8P-E3

Trans MOSFET N-CH 75V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM90N08-6M2P-E3

Description: MOSFET N-CH 75V 90A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4620 pF @ 30 V

товар відсутній

SUM90N08-6M2P-E3

Trans MOSFET N-CH 75V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM90N08-6MP

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM90N08-7M6P-E3

Description: MOSFET N-CH 75V 90A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3528 pF @ 30 V

товар відсутній

SUM90N08-7M6P-E3

Trans MOSFET N-CH 75V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM90N10-8M2P-E3

Description: MOSFET N-CH 100V 90A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6290 pF @ 50 V

на замовлення 4800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	172.09 грн
1600+	141.89 грн
2400+	133.61 грн

Мінімальне замовлення: 800

SUM90N10-8M2P-E3

MOSFET 100V 90A 300W

на замовлення 967 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	281.96 грн
10+	238.77 грн
25+	202.29 грн
100+	172.91 грн
250+	161.56 грн
500+	146.87 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM90N10-8M2P-E3

Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	80.22 грн

Мінімальне замовлення: 800

SUM90N10-8M2P-E3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 90A; Idm: 240A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 150nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 647 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	196.82 грн
5+	171.59 грн
8+	126.01 грн
22+	119.34 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM90N10-8M2P-E3

Description: MOSFET N-CH 100V 90A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6290 pF @ 50 V

на замовлення 5438 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	284.54 грн
10+	230.47 грн
100+	186.43 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM90N10-8M2P-E3

на замовлення 647 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	164.01 грн
5+	137.7 грн
8+	105.01 грн
22+	99.45 грн

Мінімальне замовлення: 3

SUM90N10-8M2P-E3

Description: VISHAY - SUM90N10-8M2P-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0067 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm

на замовлення 1604 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	301.07 грн
10+	225.43 грн
100+	212.69 грн
500+	184.98 грн
1000+	159.84 грн

Мінімальне замовлення: 3

SUM90P10-19

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM90P10-19-E3

Description: MOSFET P-CH 100V 90A TO263

товар відсутній

SUM90P10-19L-E3

Trans MOSFET P-CH 100V 17.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM90P10-19L-E3

Description: VISHAY - SUM90P10-19L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0156 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0156ohm

на замовлення 2858 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	343.76 грн
10+	254.63 грн
100+	208.95 грн
500+	173.86 грн
1000+	141.23 грн

Мінімальне замовлення: 3

SUM90P10-19L-E3

Description: MOSFET P-CH 100V 90A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 13.6W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 326 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11100 pF @ 50 V

на замовлення 2879 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	296.81 грн
10+	239.65 грн
100+	193.86 грн

SUM90P10-19L-E3

Trans MOSFET P-CH 100V 17.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM90P10-19L-E3

MOSFET 100V 90A 375W 19mohm @ 10V

на замовлення 8393 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	314.67 грн
10+	260.27 грн
25+	222.32 грн
100+	182.93 грн
800+	143.54 грн

SUM90P10-19L-E3

Trans MOSFET P-CH 100V 17.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	161.23 грн

Мінімальне замовлення: 800

SUM90P10-19L-E3

SUM90P10-19L-E3 SMD P channel transistors

на замовлення 744 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	341.51 грн
5+	225.32 грн
12+	212.8 грн

SUM90P10-19L-E3

Description: MOSFET P-CH 100V 90A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 13.6W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 326 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11100 pF @ 50 V

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	178.95 грн
1600+	147.55 грн
2400+	138.93 грн

Мінімальне замовлення: 800

SUMIL25

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUMMA01

на замовлення 2669 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUMMARY DATA P/L 59

Kyocera AVX

Kyocera AVX Components

товар відсутній

SUMMERREV1.1

CARRY

на замовлення 226 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUMMESPBL35

DEL-SUMMESPBL35 Leg protection

на замовлення 5 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	2423.43 грн
2+	2291.58 грн

SUMMESPBL36

DEL-SUMMESPBL36 Leg protection

на замовлення 9 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	2977.55 грн

SUMMESPBL37

DEL-SUMMESPBL37 Leg protection

на замовлення 7 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	2203.12 грн
2+	2082.95 грн

SUMMESPBL38

DEL-SUMMESPBL38 Leg protection

товар відсутній

SUMMESPBL39

DEL-SUMMESPBL39 Leg protection

на замовлення 2 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	2423.43 грн
2+	2291.58 грн

SUMMESPBL40

Category: Leg protection
Description: Shoes; Size: 40; yellow-blue; cotton,polyester; with metal toecap
Type of OSH component: shoes
Size: 40
Colour: yellow-blue
Material: cotton; polyester
Conform to the norm: CE; EN ISO 20344:2011; EN ISO 20345:2011
Resistance to: cutting; impact; perforation; slip
Version: with metal toecap
Manufacturer series: SUMMER S1P SRC
Application of OSH: craftman; light industry; logistics; second work; services
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 9 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	3086.17 грн

SUMMESPBL40

на замовлення 9 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	2571.81 грн

SUMMESPBL41

DEL-SUMMESPBL41 Leg protection

на замовлення 9 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	2887.43 грн

SUMMESPBL42

DEL-SUMMESPBL42 Leg protection

товар відсутній

SUMMESPBL43

DEL-SUMMESPBL43 Leg protection

на замовлення 9 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	2945.01 грн

SUMMESPBL44

DEL-SUMMESPBL44 Leg protection

товар відсутній

SUMMESPBL45

DEL-SUMMESPBL45 Leg protection

товар відсутній

SUMMESPBL46

DEL-SUMMESPBL46 Leg protection

товар відсутній

SUMMESPBL47

DEL-SUMMESPBL47 Leg protection

товар відсутній

SUMMESPBL48

DEL-SUMMESPBL48 Leg protection

товар відсутній

SUMMESPGR35

DEL-SUMMESPGR35 Leg protection

товар відсутній

SUMMESPGR36

DEL-SUMMESPGR36 Leg protection

товар відсутній

SUMMESPGR37

DEL-SUMMESPGR37 Leg protection

товар відсутній

SUMMESPGR38

DEL-SUMMESPGR38 Leg protection

на замовлення 9 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	2887.43 грн

SUMMESPGR39

DEL-SUMMESPGR39 Leg protection

на замовлення 9 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	2887.43 грн

SUMMESPGR40

DEL-SUMMESPGR40 Leg protection

товар відсутній

SUMMESPGR41

DEL-SUMMESPGR41 Leg protection

на замовлення 10 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	2887.43 грн

SUMMESPGR42