Продукція > TK0

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
TK0001RKOREA98+
на замовлення 10010 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK010HM00TDKBiometric Sensors ECG sensor Bartype Lite
товар відсутній
TK010HM00TDK CorporationDescription: ECG SENSOR SILMEE BARTYPE LITE
товар відсутній
TK010HM11TDKBiometric Sensors Gelpad for Bartype Lite (30 sheets)
товар відсутній
TK010HM11TDK CorporationDescription: GELPAD FOR SILMEE BARTYPE LITE (
товар відсутній
TK011AM00TDK CorporationDescription: ACCELEROMETER BLUETOOTH
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TK011AM00TDKBiometric Sensors Wristband activity tracker W11
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
TK01276TOKO
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK01298B-F08J10TLQ
на замовлення 8750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK01298B-F08J10TLQ1-3TOKO
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK01560
на замовлення 900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK01563
на замовлення 992 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK01851
на замовлення 8571 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK020TRIDENT04+ DIP
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK0205800000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB WIR PRO 180D SOL
товар відсутній
TK0205800000GAmphenol AnytekDescription: TERM BLK 2POS SIDE ENTRY 5MM PCB
Packaging: Bulk
Color: Gray
Mounting Type: Through Hole
Wire Gauge: 12-22 AWG
Pitch: 0.197" (5.00mm)
Mating Orientation: Horizontal with Board
Positions Per Level: 2
Wire Termination: Screw - Leaf Spring, Wire Guard
Current: 15 A
Number of Levels: 1
Voltage: 250 V
товар відсутній
TK02058000J0GAmphenol FCIDescription: 500 TB WIR PRO 180D SOL
товар відсутній
TK020AM00/BLTDKBiometric Sensors Wristbnd vital sensr W20 long band
товар відсутній
TK020AM00/BLTDK CorporationDescription: WRISTBAND TYPE VITAL SENSOR SILM
товар відсутній
TK020AM00/BSTDKBiometric Sensors Wristbnd vital sensr W20 standard band
товар відсутній
TK020AM00/BSTDK CorporationDescription: WRISTBAND TYPE VITAL SENSOR SILM
товар відсутній
TK0305800000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB WIR PRO 180D SOL
товар відсутній
TK0305800000GAmphenol AnytekDescription: TERM BLK 3POS SIDE ENTRY 5MM PCB
Packaging: Bulk
Color: Gray
Mounting Type: Through Hole
Wire Gauge: 12-22 AWG
Pitch: 0.197" (5.00mm)
Mating Orientation: Horizontal with Board
Positions Per Level: 3
Wire Termination: Screw - Leaf Spring, Wire Guard
Part Status: Active
Current: 15 A
Number of Levels: 1
Voltage: 250 V
товар відсутній
TK0326/702378T07+
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK0405800000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB WIR PRO 180D SOL
товар відсутній
TK04058000J0GAmphenol FCIDescription: 500 TB WIR PRO 180D SOL
товар відсутній
TK040N65Z,S1FToshibaMOSFET Power MOSFET 57A 360W 650V
на замовлення 2797 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+801.47 грн
10+ 677.16 грн
TK040N65Z,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 57A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 28.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.85mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6250 pF @ 300 V
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+722.9 грн
30+ 555.76 грн
TK040N65Z,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK040N65Z,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 57 A, 0.033 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 57A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+817.08 грн
5+ 739.19 грн
10+ 660.55 грн
50+ 600.85 грн
100+ 543.72 грн
TK040N65Z,S1F(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 57A; Idm: 228A; 360W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 57A
Pulsed drain current: 228A
Power dissipation: 360W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
TK040N65Z,S1F(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 57A; Idm: 228A; 360W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 57A
Pulsed drain current: 228A
Power dissipation: 360W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TK040N65Z,S1F(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товар відсутній
TK040N65ZS1F(SToshibaToshiba
товар відсутній
TK040Z65Z,S1FToshibaMOSFET 360W 1MHz TO-247-4L(T)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+883.25 грн
10+ 731.67 грн
25+ 590.17 грн
100+ 530.08 грн
250+ 504.72 грн
500+ 468 грн
1000+ 421.26 грн
TK040Z65Z,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 57A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 28.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.85mA
Supplier Device Package: TO-247-4L(T)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6250 pF @ 300 V
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+897.67 грн
TK040Z65Z,S1F(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK040Z65Z,S1F(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 57 A, 0.033 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 57A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+910.69 грн
5+ 793.11 грн
10+ 675.53 грн
TK042N65Z5,S1F(SToshiba Semiconductor and StorageDescription: 650V DTMOS6 HSD 42MOHM TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 27.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.85mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6280 pF @ 300 V
на замовлення 202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+753.23 грн
30+ 579.18 грн
120+ 518.22 грн
TK050TASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 3.5mm 3pin plug,Jack 6.3mm 2pin plug x2; 1.5m
Insulation colour: black
Core section: 0.15mm2
Number of cores: 2
Version: mono; stereo
Cable length: 1.5m
Type of connection cable: Jack - Jack
Cable/adapter structure: Jack 3.5mm 3pin plug; Jack 6.3mm 2pin plug x2
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+936.16 грн
2+ 570.25 грн
4+ 538.96 грн
TK050TASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 3.5mm 3pin plug,Jack 6.3mm 2pin plug x2; 1.5m
Insulation colour: black
Core section: 0.15mm2
Number of cores: 2
Version: mono; stereo
Cable length: 1.5m
Type of connection cable: Jack - Jack
Cable/adapter structure: Jack 3.5mm 3pin plug; Jack 6.3mm 2pin plug x2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1123.39 грн
2+ 710.62 грн
4+ 646.75 грн
TK0505800000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB WIR PRO 180D SOL
товар відсутній
TK05058000J0GAmphenol FCIDescription: 500 TB WIR PRO 180D SOL
товар відсутній
TK050WV03-001-AKyocera DisplayTFT Displays & Accessories 5.0" TFT Tool Kit w/VGA and DVI
товар відсутній
TK055TASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 3.5mm 3pin plug,XLR male 3pin; 1.5m; black; 0.08mm2
Cable/adapter structure: Jack 3.5mm 3pin plug; XLR male 3pin
Cable length: 1.5m
Type of connection cable: XLR - JACK
Version: stereo
Core section: 0.08mm2
Insulation colour: black
Number of cores: 2
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+501.03 грн
3+ 317.81 грн
TK055TASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 3.5mm 3pin plug,XLR male 3pin; 1.5m; black; 0.08mm2
Cable/adapter structure: Jack 3.5mm 3pin plug; XLR male 3pin
Cable length: 1.5m
Type of connection cable: XLR - JACK
Version: stereo
Core section: 0.08mm2
Insulation colour: black
Number of cores: 2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+601.24 грн
3+ 396.04 грн
7+ 360.51 грн
TK055U60Z1,RQToshibaMOSFET 600V DTMOS VI TOLL 55mohm
на замовлення 5606 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+405.8 грн
10+ 335.51 грн
25+ 275.72 грн
100+ 235.67 грн
250+ 222.98 грн
500+ 209.63 грн
1000+ 188.93 грн
TK055U60Z1,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: 600V DTMOS VI TOLL 55MOHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.69mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680 pF @ 300 V
на замовлення 3567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+369.03 грн
10+ 298.55 грн
100+ 241.51 грн
500+ 201.47 грн
1000+ 172.51 грн
TK055U60Z1,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: 600V DTMOS VI TOLL 55MOHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.69mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680 pF @ 300 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+179.74 грн
Мінімальне замовлення: 2000
TK055U60Z1,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK055U60Z1,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 40 A, 0.046 ohm, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: DTMOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+428.38 грн
10+ 370.72 грн
25+ 328.03 грн
100+ 275.39 грн
500+ 227.89 грн
2000+ 213.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK055U60Z1,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK055U60Z1,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 40 A, 0.046 ohm, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: DTMOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+370.72 грн
25+ 328.03 грн
100+ 275.39 грн
500+ 227.89 грн
2000+ 213.12 грн
Мінімальне замовлення: 10
TK060TASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 3.5mm 3pin plug,RCA plug x2; 1.5m; black; 0.08mm2
Type of connection cable: Jack - RCA
Cable/adapter structure: Jack 3.5mm 3pin plug; RCA plug x2
Version: stereo
Cable length: 1.5m
Insulation colour: black
Core section: 0.08mm2
Number of cores: 2
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+706.24 грн
2+ 452.72 грн
5+ 427.69 грн
TK060TASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 3.5mm 3pin plug,RCA plug x2; 1.5m; black; 0.08mm2
Type of connection cable: Jack - RCA
Cable/adapter structure: Jack 3.5mm 3pin plug; RCA plug x2
Version: stereo
Cable length: 1.5m
Insulation colour: black
Core section: 0.08mm2
Number of cores: 2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+847.48 грн
2+ 564.16 грн
5+ 513.23 грн
TK0605800000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB WIR PRO 180D SOL
товар відсутній
TK0605800000GAmphenol AnytekDescription: TERM BLK 6POS SIDE ENTRY 5MM PCB
Packaging: Bulk
Color: Gray
Mounting Type: Through Hole
Wire Gauge: 12-22 AWG
Pitch: 0.197" (5.00mm)
Mating Orientation: Horizontal with Board
Positions Per Level: 6
Wire Termination: Screw - Leaf Spring, Wire Guard
Current: 15 A
Number of Levels: 1
Voltage: 250 V
товар відсутній
TK06058000J0GAmphenol FCIDescription: 500 TB WIR PRO 180D SOL
товар відсутній
TK065TASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA plug x2,USB C plug; 1.5m; black; 0.08mm2; Cores: 3
Cable/adapter structure: RCA plug x2; USB C plug
Insulation colour: black
Number of cores: 3
Cable length: 1.5m
Type of connection cable: USB - RCA
Core section: 0.08mm2
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1451.42 грн
2+ 1274.03 грн
TK065TASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA plug x2,USB C plug; 1.5m; black; 0.08mm2; Cores: 3
Cable/adapter structure: RCA plug x2; USB C plug
Insulation colour: black
Number of cores: 3
Cable length: 1.5m
Type of connection cable: USB - RCA
Core section: 0.08mm2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1741.7 грн
2+ 1587.63 грн
TK065N65ZToshibaMOSFET
товар відсутній
TK065N65Z,S1FToshibaMOSFET 270W 1MHz TO-247
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+497.71 грн
10+ 421.5 грн
25+ 332.47 грн
100+ 311.11 грн
500+ 262.37 грн
1000+ 230.99 грн
TK065N65Z,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 38A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.69mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3650 pF @ 300 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+452.08 грн
10+ 373.65 грн
TK065N65Z,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
TK065N65Z,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
TK065N65Z,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
TK065N65Z,S1F(SToshibaPower MOSFET (N-ch 500V
товар відсутній
TK065N65Z,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK065N65Z,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 38 A, 0.054 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+599.14 грн
5+ 465.83 грн
10+ 394.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK065N65ZS1F(SToshibaToshiba
товар відсутній
TK065U65ZToshibaToshiba
товар відсутній
TK065U65Z,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: DTMOS VI TOLL PD=270W F=1MHZ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.69mA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3650 pF @ 300 V
на замовлення 2013 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+405.14 грн
10+ 334.78 грн
100+ 278.95 грн
500+ 230.99 грн
1000+ 207.89 грн
TK065U65Z,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 38A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R
товар відсутній
TK065U65Z,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: DTMOS VI TOLL PD=270W F=1MHZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.69mA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3650 pF @ 300 V
товар відсутній
TK065U65Z,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 38A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R
товар відсутній
TK065U65Z,RQToshibaMOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=270W F=1MHZ
на замовлення 3485 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+440.07 грн
10+ 372.36 грн
25+ 293.08 грн
100+ 269.72 грн
250+ 253.03 грн
500+ 237.67 грн
1000+ 213.64 грн
TK065U65Z,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 38A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R
товар відсутній
TK065U65Z,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK065U65Z,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 38 A, 0.051 ohm, TO-LL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 38
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 270
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270
Bauform - Transistor: TO-LL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 9
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.051
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 1831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+419.4 грн
10+ 381.2 грн
100+ 337.77 грн
500+ 276.78 грн
1000+ 234.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK065U65Z,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK065U65Z,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 38 A, 0.051 ohm, TO-LL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 38
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 270
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270
Bauform - Transistor: TO-LL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 9
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.051
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 1831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+381.2 грн
100+ 337.77 грн
500+ 276.78 грн
1000+ 234.95 грн
Мінімальне замовлення: 10
TK065U65Z,RQ(SToshibaTK065U65Z,RQ(S
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+212.63 грн
Мінімальне замовлення: 2000
TK065V01Kyocera Industrial Ceramics CorporationDescription: TOOLKIT TFT 6.5" VGA
товар відсутній
TK065Z65Z,S1FToshibaMOSFET PWR MOSFET TRANSISTR PD=270W F=1MHz
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+549.89 грн
10+ 477.54 грн
25+ 352.5 грн
100+ 339.81 грн
250+ 323.79 грн
500+ 308.44 грн
1000+ 283.74 грн
TK065Z65Z,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: POWER MOSFET TRANSISTOR TO-247-4
товар відсутній
TK065Z65Z,S1F(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK065Z65Z,S1F(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 38 A, 0.054 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+575.17 грн
5+ 539.97 грн
10+ 504.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK065Z65Z,S1F(OToshibaPower MOSFET (N-ch 500V
товар відсутній
TK065Z65ZS1F(OToshibaToshiba
товар відсутній
TK0705800000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB WIR PRO 180D SOL
товар відсутній
TK07058000J0GAmphenol FCIDescription: 500 TB WIR PRO 180D SOL
товар відсутній
TK075TASKERTAS-TK075 Audio - Video Cables
на замовлення 15 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+851.08 грн
2+ 518.23 грн
6+ 489.86 грн
TK07H90A
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK080TASKERTAS-TK080 Audio - Video Cables
товар відсутній
TK08001N/A
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK0805800000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB WIR PRO 180D SOL
товар відсутній
TK08058000J0GAmphenol FCIDescription: 500 TB WIR PRO 180D SOL
товар відсутній
TK0805P34A1BGA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK084V00Kyocera Industrial Ceramics CorporationDescription: TOOLKIT TFT LCD 8.4" VGA
товар відсутній
TK084V01Kyocera Industrial Ceramics CorporationDescription: TOOLKIT TFT LCD 8.4" VGA
товар відсутній
TK084X00Kyocera Industrial Ceramics CorporationDescription: TOOLKIT TFT LCD 8.4" XGA
товар відсутній
TK084X00-001Kyocera Industrial Ceramics CorporationDescription: TOOLKIT TFT LCD 8.4" XGA
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TK085TASKERTAS-TK085 Audio - Video Cables
товар відсутній
TK0905800000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB WIR PRO 180D SOL
товар відсутній
TK09058000J0GAmphenol FCIDescription: 500 TB WIR PRO 180D SOL
товар відсутній
TK090A65Z,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 30A TO220SIS
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+333.65 грн
10+ 288.26 грн
TK090A65Z,S4X(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TK090A65Z,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK090A65Z,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.075 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 45W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.075ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+367.72 грн
10+ 318.29 грн
50+ 281.6 грн
100+ 236.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK090E65Z,S1XToshibaMOSFET 650V DTMOS VI TO-220 90MOHM
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+356.73 грн
10+ 309.41 грн
50+ 206.96 грн
100+ 188.93 грн
250+ 184.26 грн
500+ 174.91 грн
TK090E65Z,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: 650V DTMOS VI TO-220 90MOHM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.27mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 300 V
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+369.75 грн
10+ 319.76 грн
TK090E65Z,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK090E65Z,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.075 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+432.88 грн
10+ 321.29 грн
100+ 260.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK090N65Z,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 30A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.27mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 300 V
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+457.86 грн
TK090N65Z,S1FToshibaMOSFET 230W 1MHz TO-247
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+463.43 грн
10+ 410.75 грн
100+ 292.41 грн
500+ 248.35 грн
TK090N65Z,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK090N65Z,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.075 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+480.06 грн
10+ 372.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK090N65Z,S1F(SToshibaSilicon N Channel MOSFET
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TK090U65ZToshibaToshiba
товар відсутній
TK090U65Z,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 30A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R
на замовлення 1652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+304.74 грн
10+ 282.86 грн
100+ 243.96 грн
500+ 208.36 грн
1000+ 168.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK090U65Z,RQToshibaMOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=230W F=1MHZ
на замовлення 1508 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+397.23 грн
10+ 353.17 грн
100+ 251.69 грн
500+ 214.97 грн
1000+ 182.26 грн
2000+ 172.91 грн
4000+ 170.91 грн
TK090U65Z,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 30A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R
на замовлення 1652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+328.18 грн
39+ 304.62 грн
100+ 262.73 грн
500+ 224.39 грн
1000+ 180.95 грн
Мінімальне замовлення: 36
TK090U65Z,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: DTMOS VI TOLL PD=230W F=1MHZ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.27mA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 300 V
на замовлення 3951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+397.2 грн
10+ 343.26 грн
100+ 281.22 грн
500+ 224.66 грн
1000+ 189.48 грн
TK090U65Z,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 30A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R
товар відсутній
TK090U65Z,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: DTMOS VI TOLL PD=230W F=1MHZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.27mA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 300 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+199.18 грн
Мінімальне замовлення: 2000
TK090U65Z,RQ(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товар відсутній
TK090U65Z,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK090U65Z,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.07 ohm, TO-LL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 230W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-LL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+229.49 грн
500+ 190.01 грн
Мінімальне замовлення: 100
TK090U65Z,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK090U65Z,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.07 ohm, TO-LL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 230W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-LL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+357.24 грн
10+ 309.31 грн
25+ 274.11 грн
100+ 229.49 грн
500+ 190.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK090Z65Z,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 30A TO247-4L
Packaging: Tube
Part Status: Active
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.27mA
Supplier Device Package: TO-247-4L(T)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 300 V
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+415.25 грн
10+ 343.13 грн
TK090Z65Z,S1FToshibaMOSFET Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO247-4L PD=230W F=1MHZ
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+440.85 грн
10+ 376.97 грн
25+ 270.38 грн
100+ 253.69 грн
250+ 243.68 грн
500+ 235 грн
1000+ 222.32 грн
TK090Z65Z,S1F(OToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TK090Z65Z,S1F(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK090Z65Z,S1F(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.075 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+466.58 грн
5+ 441.87 грн
10+ 417.9 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK095N65Z5,S1FToshibaMOSFET 650V DTMOS6-High Speed Diode 95mohm TO-247
товар відсутній
TK095N65Z5,S1F(SToshiba Semiconductor and StorageDescription: 650V DTMOS6-HIGH SPEED DIODE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.27mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 300 V
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+403.7 грн
30+ 308.21 грн
120+ 264.18 грн
TK095N65Z5,S1F(SToshibaToshiba N CHAN 650V TO-247
товар відсутній
TK099V65Z,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 30A 5-Pin DFN EP
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+406.81 грн
32+ 365.94 грн
100+ 282.01 грн
250+ 258.54 грн
500+ 220.05 грн
1000+ 184.08 грн
3000+ 175.25 грн
Мінімальне замовлення: 29
TK099V65Z,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 30A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.27mA
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 300 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+171.59 грн
Мінімальне замовлення: 2500
TK099V65Z,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 30A 5-Pin DFN EP
товар відсутній
TK099V65Z,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 30A 5-Pin DFN EP
товар відсутній
TK099V65Z,LQToshibaMOSFET 230W 1MHz 8x8DFN
на замовлення 9982 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+383.21 грн
10+ 317.08 грн
25+ 260.37 грн
100+ 222.98 грн
250+ 210.3 грн
500+ 198.28 грн
1000+ 169.57 грн
TK099V65Z,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 30A 5-Pin DFN EP
товар відсутній
TK099V65Z,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 30A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.27mA
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 300 V
на замовлення 14954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+352.42 грн
10+ 284.99 грн
100+ 230.55 грн
500+ 192.32 грн
1000+ 164.68 грн
TK099V65Z,LQ(SToshibaTK099V65Z,LQ(S
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+374.97 грн
37+ 317.27 грн
50+ 241.69 грн
100+ 232.1 грн
200+ 202.47 грн
500+ 171.35 грн
1000+ 167.09 грн
2500+ 160.27 грн
Мінімальне замовлення: 32
TK099V65Z,LQ(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товар відсутній
TK099V65Z,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK099V65Z,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.08 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 1496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+408.91 грн
10+ 292.83 грн
100+ 236.66 грн
500+ 207.24 грн
1000+ 163.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK099V65Z,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK099V65Z,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.08 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 230W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.08ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 1496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+236.66 грн
500+ 207.24 грн
1000+ 163.69 грн
Мінімальне замовлення: 100
TK099V65Z,LQ(SToshibaTK099V65Z,LQ(S
на замовлення 2456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
49+241.49 грн
51+ 232.28 грн
100+ 224.41 грн
250+ 209.82 грн
500+ 189 грн
1000+ 177 грн
Мінімальне замовлення: 49
TK09H90AToshibaToshiba
товар відсутній
TK09H90ATOSHIBA
на замовлення 2110 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK09H90A (Q)ToshibaMOSFET
товар відсутній
TK09H90A(Q)ToshibaMOSFET MOSFET N-Ch 900V 9A Rdson=1.3Ohm
товар відсутній
TK09N90A
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK0DT9PCB-L1
на замовлення 46000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)