Продукція > TK3

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
TK3Vector ElectronicsDescription: TERMINAL KIT P184 10EA T49
товар відсутній
TK3VectorRacks & Rack Cabinet Accessories TERMINAL KIT P184 10EA T49
товар відсутній
TK30ExtechIndustrial Temperature Sensors TEMPERATURE
товар відсутній
TK301
на замовлення 233 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK30A06J3
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK30A06J3A
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK30A06J3A(A,Q)ToshibaToshiba
товар відсутній
TK30A06J3A(LBS2PQMToshibaToshiba
товар відсутній
TK30A06J3A(Q,M)ToshibaToshiba
товар відсутній
TK30A06J3A(STA4,QMToshibaToshiba
товар відсутній
TK30A06J3A,LS2PQ(JToshibaToshiba
товар відсутній
TK30A06J3A,S5Q(JToshibaToshiba
товар відсутній
TK30A06N1,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 30A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 30 V
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+59.22 грн
Мінімальне замовлення: 5
TK30A06N1,S4XToshibaMOSFET MOSFET NCh11.5ohm VGS10V 10uA VDS60V
на замовлення 1705 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+64.49 грн
10+ 51.36 грн
100+ 37.85 грн
500+ 29.98 грн
1000+ 22.57 грн
2500+ 21.76 грн
5000+ 20.23 грн
Мінімальне замовлення: 5
TK30A06N1,S4X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
на замовлення 191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
140+84.15 грн
Мінімальне замовлення: 140
TK30A06N1,S4X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
550+29.79 грн
Мінімальне замовлення: 550
TK30A06N1,S4X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
на замовлення 578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TK30A06N1,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK30A06N1,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 0.0122 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm
на замовлення 1768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+72.27 грн
14+ 55.79 грн
100+ 43.29 грн
500+ 31.85 грн
1000+ 21.38 грн
Мінімальне замовлення: 11
TK30A06N1,S4X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
395+29.64 грн
Мінімальне замовлення: 395
TK30A06N1S4X(SToshibaMOSFET
товар відсутній
TK30E06N1,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
товар відсутній
TK30E06N1,S1XToshibaMOSFET N-Ch PWR FET 43A 53W 60V VDSS
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+67.37 грн
10+ 59.04 грн
100+ 34.98 грн
500+ 29.91 грн
1000+ 23.83 грн
2500+ 23.23 грн
5000+ 22.5 грн
Мінімальне замовлення: 5
TK30E06N1,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 43A TO220
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TK30E06N1,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+66.49 грн
11+ 54.54 грн
Мінімальне замовлення: 9
TK30E06N1,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
на замовлення 149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
142+82.75 грн
Мінімальне замовлення: 142
TK30E06N1,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK30E06N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 0.0122 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 2294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+73.99 грн
13+ 62.39 грн
100+ 39.24 грн
500+ 31.16 грн
1000+ 22.34 грн
Мінімальне замовлення: 11
TK30E06N1,S1X(STOSHIBATK30E06N1 THT N channel transistors
товар відсутній
TK30E06N1,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
товар відсутній
TK30J25DToshibaMOSFET
товар відсутній
TK30J25D,S1F(OToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товар відсутній
TK30J25D,S1F(OToshibaTK30J25D,S1F(O
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+442.6 грн
Мінімальне замовлення: 27
TK30J25DS1F(OToshibaMOSFET
товар відсутній
TK30S06K3L(T6L1,NQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 30A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
товар відсутній
TK30S06K3L(T6L1,NQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 30A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18Ohm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 10 V
товар відсутній
TK30S06K3L(T6L1,NQToshibaMOSFET N-Ch MOS 30A 60V 30W 1350pF 0.018
на замовлення 1939 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+88.01 грн
10+ 71.4 грн
100+ 48.67 грн
500+ 41.26 грн
1000+ 33.58 грн
2000+ 31.64 грн
4000+ 30.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
TK31ExtechDigital Multimeters
товар відсутній
TK3140InterlightDescription: Replacement for Kenwood TK3140 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK3140
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
товар відсутній
TK3148InterlightDescription: Replacement for Kenwood TK3148 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK3148
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
товар відсутній
TK3160InterlightDescription: Replacement for Kenwood TK3160 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK3160
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
товар відсутній
TK3168InterlightDescription: Replacement for Kenwood TK3168 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK3168
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
товар відсутній
TK3170InterlightDescription: Replacement for Kenwood TK3170 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK3170
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
товар відсутній
TK3173InterlightDescription: Replacement for Kenwood TK3173 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK3173
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
товар відсутній
TK3178InterlightDescription: Replacement for Kenwood TK3178 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK3178
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
товар відсутній
TK31A60WToshibaToshiba
товар відсутній
TK31A60W,S4VXToshibaMOSFET N-Ch 30.8A 45W FET 600V 3000pF 86nC
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+521.85 грн
10+ 464.49 грн
TK31A60W,S4VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товар відсутній
TK31A60W,S4VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товар відсутній
TK31A60W,S4VXToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 15.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+479.53 грн
TK31A60W,S4VX(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+359.06 грн
Мінімальне замовлення: 33
TK31A60W,S4VX(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
товар відсутній
TK31A60W,S4VX(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK31A60W,S4VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.073 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+547.46 грн
10+ 453.1 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK31A60WS4VX(MToshibaMOSFET
товар відсутній
TK31A60WS4VX(M-XToshibaMOSFET
товар відсутній
TK31E60W,S1VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
TK31E60W,S1VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TK31E60W,S1VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
TK31E60W,S1VXToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 15.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
товар відсутній
TK31E60W,S1VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
TK31E60W,S1VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+254.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK31E60W,S1VXToshibaMOSFET N-Ch 30.8A 290W FET 600V 3000pF 86nC
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+528.08 грн
10+ 454.51 грн
50+ 394.56 грн
100+ 331.8 грн
250+ 321.79 грн
500+ 296.42 грн
1000+ 265.71 грн
TK31E60W,S1VX(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+446.58 грн
42+ 284.46 грн
51+ 230.75 грн
100+ 208.12 грн
Мінімальне замовлення: 27
TK31E60W,S1VX(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK31E60W,S1VX(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.073 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+554.2 грн
10+ 442.61 грн
100+ 360.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK31E60W,S1VX(STOSHIBATK31E60W THT N channel transistors
товар відсутній
TK31E60W,S1VX(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+472.44 грн
39+ 301.36 грн
50+ 244.67 грн
100+ 220.59 грн
Мінімальне замовлення: 25
TK31E60W,S1VX(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220
товар відсутній
TK31E60X,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 9.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
товар відсутній
TK31E60X,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
TK31E60X,S1XToshibaMOSFET DTMOSIV-High Speed 600V 88m (VGS=10V)
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+356.73 грн
10+ 304.8 грн
50+ 251.02 грн
100+ 212.3 грн
250+ 205.62 грн
500+ 190.94 грн
1000+ 164.9 грн
TK31E60X,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
TK31E60X,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK31E60X,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.073 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+380.45 грн
10+ 281.6 грн
100+ 230.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK31E60X,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220
товар відсутній
TK31E60X,S1X(S)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TK31E60XS1X(SToshibaMOSFET
товар відсутній
TK31J60W,S1VQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Bag/Tube
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TK31J60W,S1VQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Bag/Tube
товар відсутній
TK31J60W,S1VQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Bag/Tube
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+288.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK31J60W,S1VQToshibaMOSFET N-Ch 30.8A 230W FET 600V 3000pF 86nC
товар відсутній
TK31J60W,S1VQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO3P
товар відсутній
TK31J60W,S1VQ(OToshibaTK31J60W,S1VQ(O
товар відсутній
TK31J60W,S1VQ(OToshibaTK31J60W,S1VQ(O
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+617.64 грн
27+ 449.56 грн
28+ 426.69 грн
Мінімальне замовлення: 19
TK31J60W5,S1VQToshibaMOSFET N-Ch 30.8A 230W FET 600V 3000pF 105nC
товар відсутній
TK31J60W5,S1VQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-3P(N)
товар відсутній
TK31J60W5,S1VQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Bag/Tube
товар відсутній
TK31J60W5,S1VQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Bag/Tube
товар відсутній
TK31J60W5,S1VQ(OToshibaTK31J60W5,S1VQ(O
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+456.52 грн
34+ 353.09 грн
35+ 337.17 грн
50+ 307.86 грн
100+ 269.96 грн
Мінімальне замовлення: 26
TK31J60W5,S1VQ(OToshibaTK31J60W5,S1VQ(O
товар відсутній
TK31N60W,S1VF
Код товару: 129935		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
TK31N60W,S1VFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
TK31N60W,S1VFToshibaMOSFET DTMOSIV 600V 88mOhm 30.8A 230W 3000pF
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+646.47 грн
10+ 545.87 грн
30+ 430.61 грн
120+ 395.89 грн
270+ 372.53 грн
510+ 349.83 грн
1020+ 314.45 грн
TK31N60W,S1VFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 600V 30.8A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 15.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
товар відсутній
TK31N60W,S1VF(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+409.78 грн
34+ 347.11 грн
42+ 282.47 грн
Мінімальне замовлення: 29
TK31N60W,S1VF(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
TK31N60W,S1VF(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK31N60W,S1VF(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.073 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+669.54 грн
10+ 483.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK31N60W5ToshibaToshiba
товар відсутній
TK31N60W5,S1VF
Код товару: 171563		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
TK31N60W5,S1VFToshibaMOSFET MOSFET NChtrr135ns 0.082ohm DTMOS
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+493.03 грн
10+ 426.87 грн
30+ 352.5 грн
120+ 297.09 грн
270+ 285.07 грн
510+ 261.7 грн
1020+ 230.33 грн
TK31N60W5,S1VFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
TK31N60W5,S1VFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
товар відсутній
TK31N60W5,S1VFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
TK31N60W5,S1VFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
TK31N60W5,S1VF(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK31N60W5,S1VF(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.082 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.082ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+519 грн
10+ 395.43 грн
100+ 319.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK31N60W5,S1VF(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
TK31N60W5S1VF(SToshibaMOSFET
товар відсутній
TK31N60WS1VF(SToshibaMOSFET
товар відсутній
TK31N60WS1VF(S-XToshibaMOSFET
товар відсутній
TK31N60X,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 9.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
товар відсутній
TK31N60X,S1FToshibaMOSFET DTMOSIV-H/S 600V 88mOhmmax(VGS=10V)
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+424.49 грн
10+ 375.43 грн
120+ 267.71 грн
270+ 235.67 грн
510+ 214.97 грн
1020+ 178.92 грн
2520+ 178.25 грн
TK31N60X,S1F
Код товару: 169333		Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товар відсутній
TK31N60X,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
TK31N60X,S1F(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
TK31N60X,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK31N60X,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.073 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+450.1 грн
10+ 366.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK31N60XS1F(SToshibaMOSFET
товар відсутній
TK31V60WToshibaMOSFET
товар відсутній
TK31V60W,LVQToshibaTK31V60W,LVQ Toshiba MOSFETs Transistor N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP T/R Si - Arrow.com
на замовлення 1033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+346.97 грн
10+ 330.67 грн
100+ 310.39 грн
500+ 284.84 грн
1000+ 251.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK31V60W,LVQToshibaMOSFET N-Ch DTMOSIV 600 V 240W 3000pF 30.8A
товар відсутній
TK31V60W,LVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 15.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.5mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
на замовлення 2466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+582.08 грн
10+ 480.26 грн
100+ 400.24 грн
500+ 331.42 грн
1000+ 298.28 грн
TK31V60W,LVQToshibaTK31V60W,LVQ Toshiba MOSFETs Transistor N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP T/R Si - Arrow.com
на замовлення 1033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+373.66 грн
Мінімальне замовлення: 32
TK31V60W,LVQToshibaTK31V60W,LVQ Toshiba MOSFETs Transistor N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP T/R Si - Arrow.com
товар відсутній
TK31V60W,LVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 15.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.5mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
товар відсутній
TK31V60W,LVQToshibaTK31V60W,LVQ Toshiba MOSFETs Transistor N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP T/R Si - Arrow.com
товар відсутній
TK31V60W,LVQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK31V60W,LVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.078 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 2336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+287.59 грн
10+ 219.43 грн
100+ 188.73 грн
500+ 165.51 грн
1000+ 139.3 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK31V60W,LVQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK31V60W,LVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.078 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 240W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.078ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 2336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+188.73 грн
500+ 165.51 грн
1000+ 139.3 грн
Мінімальне замовлення: 100
TK31V60W,LVQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP
товар відсутній
TK31V60W,LVQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+417.73 грн
44+ 266.55 грн
55+ 215.83 грн
100+ 194.69 грн
200+ 179.38 грн
500+ 153.45 грн
1000+ 143.22 грн
2000+ 138.96 грн
2500+ 138.11 грн
Мінімальне замовлення: 29
TK31V60W5,LVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 15.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
на замовлення 2038 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+275.87 грн
10+ 223.09 грн
100+ 180.48 грн
500+ 150.56 грн
1000+ 128.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK31V60W5,LVQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
TK31V60W5,LVQToshibaMOSFET N-Ch DTMOSIV 600V 240W 3000pF 30.8A
на замовлення 15113 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+299.09 грн
10+ 247.98 грн
25+ 202.95 грн
100+ 174.25 грн
250+ 164.23 грн
500+ 154.89 грн
1000+ 132.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK31V60W5,LVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 15.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
товар відсутній
TK31V60W5,LVQ(STOSHIBATK31V60W5 SMD N channel transistors
товар відсутній
TK31V60W5,LVQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP T/R
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+391.87 грн
35+ 344.13 грн
50+ 273.52 грн
100+ 262.79 грн
200+ 231.77 грн
500+ 199.49 грн
1000+ 194.37 грн
Мінімальне замовлення: 30
TK31V60W5,LVQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK31V60W5,LVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.087 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Anzahl der Pins: 5Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm
на замовлення 2295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+321.29 грн
10+ 227.67 грн
100+ 184.24 грн
500+ 161.34 грн
1000+ 127.1 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK31V60W5,LVQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
TK31V60W5,LVQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK31V60W5,LVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.087 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 240W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.087ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm
на замовлення 2295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+184.24 грн
500+ 161.34 грн
1000+ 127.1 грн
Мінімальне замовлення: 100
TK31V60X,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 9.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
на замовлення 23857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+342.31 грн
10+ 276.5 грн
100+ 223.69 грн
500+ 186.59 грн
1000+ 159.77 грн
TK31V60X,LQToshibaMOSFET DTMOSIV-High Speed 600V 88mVGS=10V)
на замовлення 2214 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+371.53 грн
10+ 307.87 грн
25+ 267.05 грн
100+ 216.97 грн
250+ 216.31 грн
500+ 192.27 грн
1000+ 164.23 грн
TK31V60X,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 9.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+166.47 грн
Мінімальне замовлення: 2500
TK31V60X,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP
товар відсутній
TK31V60X,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK31V60X,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.078 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 240W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.078ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
на замовлення 3950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+306.31 грн
100+ 248.64 грн
500+ 204.46 грн
1000+ 173.32 грн
Мінімальне замовлення: 10
TK31V60X,LQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
TK31V60X,LQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+447.57 грн
31+ 378.95 грн
50+ 288.43 грн
100+ 277.18 грн
200+ 241.55 грн
500+ 204.6 грн
1000+ 198.63 грн
2500+ 190.96 грн
Мінімальне замовлення: 27
TK31V60X,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK31V60X,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.078 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
на замовлення 3950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+404.42 грн
10+ 306.31 грн
100+ 248.64 грн
500+ 204.46 грн
1000+ 173.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK31Z60X,S1FToshibaMOSFET TO-247-4L PD=230W 1MHz PWR MOSFET TRNS
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+865.34 грн
10+ 731.67 грн
25+ 602.19 грн
100+ 514.73 грн
250+ 508.05 грн
500+ 458.65 грн
1000+ 419.26 грн
TK31Z60X,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 9.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L(T)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+897.67 грн
10+ 780.55 грн
TK31Z60X,S1F(OToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товар відсутній
TK31Z60X,S1F(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK31Z60X,S1F(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.073 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+876.24 грн
10+ 646.32 грн
TK31Z60X,S1F(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
61+193.95 грн
64+ 185 грн
65+ 182.02 грн
120+ 174.55 грн
Мінімальне замовлення: 61
TK31Z60X,S1F(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
TK32ExtechClamp Multimeters & Accessories TRMS PROFESSIONAL
товар відсутній
TK32-T01-MG01-B1C-1553-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 155C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
товар відсутній
TK32-T01-MG01-B1C-1603-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 160C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
товар відсутній
TK32-T01-MG01-B1C-1703-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 170C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
товар відсутній
TK32-T01-MG01-B1C-1853-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 185C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+663.61 грн
10+ 591.94 грн
50+ 415.26 грн
100+ 351.83 грн
200+ 342.49 грн
500+ 288.41 грн
1000+ 257.03 грн
TK32-T01-MG01-B1C-1903-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 190C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+663.61 грн
10+ 591.94 грн
50+ 415.26 грн
100+ 351.83 грн
200+ 342.49 грн
500+ 288.41 грн
1000+ 257.03 грн
TK32-T01-MG01-B1C-1953-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 195C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+663.61 грн
10+ 591.94 грн
50+ 415.26 грн
100+ 351.83 грн
200+ 342.49 грн
500+ 288.41 грн
1000+ 257.03 грн
TK32-T01-MG01-B1C-2003-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 150C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+663.61 грн
10+ 591.94 грн
50+ 415.26 грн
100+ 351.83 грн
200+ 342.49 грн
500+ 288.41 грн
1000+ 257.03 грн
TK32-T01-MG01-B1C-2103-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 210C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+663.61 грн
10+ 591.94 грн
50+ 415.26 грн
100+ 351.83 грн
200+ 342.49 грн
500+ 288.41 грн
1000+ 257.03 грн
TK32-T01-MG01-B1C-2203-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 220C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+663.61 грн
10+ 591.94 грн
50+ 415.26 грн
100+ 351.83 грн
200+ 342.49 грн
500+ 288.41 грн
1000+ 257.03 грн
TK32-T01-MG01-B1P-1103-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 110C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
товар відсутній
TK32-T01-MG01-B1P-1253-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 125C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
товар відсутній
TK32-T01-MG01-B1P-1303-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 130C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
товар відсутній
TK32-T01-MG01-B1P-303-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 30C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 100 шт:
термін постачання 105-114 дні (днів)
1+599.74 грн
10+ 535.13 грн
50+ 375.87 грн
100+ 317.78 грн
200+ 309.77 грн
500+ 261.04 грн
1000+ 232.33 грн
TK32-T01-MG01-B1P-403-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 40C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+599.74 грн
10+ 535.13 грн
50+ 375.87 грн
100+ 317.78 грн
200+ 309.77 грн
500+ 261.04 грн
1000+ 232.33 грн
TK32-T01-MG01-B1P-653-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 65C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+599.74 грн
10+ 535.13 грн
50+ 375.87 грн
100+ 317.78 грн
200+ 309.77 грн
500+ 261.04 грн
1000+ 232.33 грн
TK32-T01-MG01-B1P-903-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 90C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.
товар відсутній
TK32-T02-MG01-B1C-1553-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 155C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
товар відсутній
TK32-T02-MG01-B1C-1653-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 165C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 100 шт:
термін постачання 105-114 дні (днів)
1+663.61 грн
10+ 591.94 грн
50+ 415.26 грн
100+ 351.83 грн
200+ 342.49 грн
500+ 288.41 грн
1000+ 257.03 грн
TK32-T02-MG01-B1C-1853-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 185C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
товар відсутній
TK32-T02-MG01-B1C-1903-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 190C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
товар відсутній
TK32-T02-MG01-B1C-1953-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 195C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
товар відсутній
TK32-T02-MG01-B1C-2053-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 205C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
товар відсутній
TK32-T02-MG01-B1C-2404-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 240C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-4% tol.
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+729.81 грн
10+ 651.06 грн
50+ 456.65 грн
100+ 386.55 грн
200+ 377.2 грн
500+ 317.78 грн
1000+ 282.4 грн
TK32-T02-MG01-B1P-1303-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 130C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
товар відсутній
TK32-T02-MG01-B1P-1503-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 150C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+599.74 грн
10+ 535.13 грн
50+ 375.87 грн
100+ 317.78 грн
200+ 309.77 грн
500+ 261.04 грн
1000+ 232.33 грн
TK32-T02-MG01-B1P-553-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 55C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
товар відсутній
TK32-T02-MG01-B1P-703-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 70C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+599.74 грн
10+ 535.13 грн
50+ 375.87 грн
100+ 317.78 грн
200+ 309.77 грн
500+ 261.04 грн
1000+ 232.33 грн
TK32-T02-MG01-B1P-753-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 75C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+599.74 грн
10+ 535.13 грн
50+ 375.87 грн
100+ 317.78 грн
200+ 309.77 грн
500+ 261.04 грн
1000+ 232.33 грн
TK32-T02-MG01-B1P-953-MICMicrotherm SentronicThermostats 1/2" Bi-metal / , 95C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.
товар відсутній
TK3200InterlightDescription: Replacement for Kenwood TK3200 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK3200
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
товар відсутній
TK3202InterlightDescription: Replacement for Kenwood TK3202 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK3202
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
товар відсутній
TK3206InterlightDescription: Replacement for Kenwood TK3206 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK3206
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
товар відсутній
TK3207InterlightDescription: Replacement for Kenwood TK3207 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK3207
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
товар відсутній
TK32A12N1,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 120V 32A TO-220
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TK32A12N1,S4XToshibaMOSFET MOSFET NCh11ohm VGS10V10uAVDS120V
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+97.36 грн
10+ 73.55 грн
100+ 50.4 грн
500+ 42.33 грн
1000+ 34.45 грн
2500+ 34.12 грн
5000+ 32.85 грн
Мінімальне замовлення: 4
TK32A12N1,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 120V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+88.79 грн
10+ 78.09 грн
Мінімальне замовлення: 7
TK32A12N1,S4X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 120V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
товар відсутній
TK32E12N1ToshibaToshiba
товар відсутній
TK32E12N1,S1X
Код товару: 190147		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
TK32E12N1,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 120V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
товар відсутній
TK32E12N1,S1XToshibaMOSFET N-Ch 60A 98W FET 120V 2000pF 34nC
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+107.49 грн
10+ 89.83 грн
100+ 60.75 грн
500+ 49.4 грн
1000+ 38.72 грн
2500+ 37.85 грн
5000+ 36.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK32E12N1,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 120V 60A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 98W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 60 V
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+103.27 грн
10+ 89.5 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK32E12N1,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 120V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TK32E12N1,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK32E12N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 60 A, 0.011 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 98W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 1874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+119.83 грн
10+ 92.87 грн
100+ 69.5 грн
500+ 52.5 грн
1000+ 37.1 грн
Мінімальне замовлення: 7
TK32E12N1,S1X(STOSHIBATK32E12N1 THT N channel transistors
товар відсутній
TK32E12N1,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 120V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
товар відсутній
TK32SCR.05.1,30.S.150.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4mm; 5A; Ø: 1.3mm
Related items: TK32SCR
Mounting: screw-in
Current rating: 5A
Contact material: steel
Blade tip shape: head 05
Type of test accessories: test needle
Minimum pitch: 2.54mm
Maksimum spring compression: 5.4mm
Operational spring compression: 4mm
Tip diameter: 1.3mm
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+368.47 грн
4+ 297.25 грн
10+ 270.38 грн
TK32SCR.05.1,30.S.150.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4mm; 5A; Ø: 1.3mm
Related items: TK32SCR
Mounting: screw-in
Current rating: 5A
Contact material: steel
Blade tip shape: head 05
Type of test accessories: test needle
Minimum pitch: 2.54mm
Maksimum spring compression: 5.4mm
Operational spring compression: 4mm
Tip diameter: 1.3mm
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+307.06 грн
4+ 238.53 грн
10+ 225.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK32SCR.05.2,00.S.150.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4mm; 5A; Ø: 2mm
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 4mm
Maksimum spring compression: 5.4mm
Minimum pitch: 2.54mm
Current rating: 5A
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Contact material: steel
Blade tip shape: head 05
Tip diameter: 2mm
Mounting: screw
Related items: TK32SCR
товар відсутній
TK32SCR.05.2,00.S.150.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4mm; 5A; Ø: 2mm
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 4mm
Maksimum spring compression: 5.4mm
Minimum pitch: 2.54mm
Current rating: 5A
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Contact material: steel
Blade tip shape: head 05
Tip diameter: 2mm
Mounting: screw
Related items: TK32SCR
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TK32SCR.08.1,30.S.150.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4mm; 5A; Ø: 1.3mm
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 4mm
Maksimum spring compression: 5.4mm
Minimum pitch: 2.54mm
Current rating: 5A
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Contact material: steel
Blade tip shape: head 08
Tip diameter: 1.3mm
Mounting: screw
Related items: TK32SCR
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TK32SCR.08.1,30.S.150.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4mm; 5A; Ø: 1.3mm
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 4mm
Maksimum spring compression: 5.4mm
Minimum pitch: 2.54mm
Current rating: 5A
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Contact material: steel
Blade tip shape: head 08
Tip diameter: 1.3mm
Mounting: screw
Related items: TK32SCR
товар відсутній
TK32SCR.08.2,00.S.150.RTEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4mm; 5A; Ø: 2mm
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 4mm
Maksimum spring compression: 5.4mm
Minimum pitch: 2.54mm
Current rating: 5A
Contact plating: rhodium plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Contact material: steel
Blade tip shape: head 08
Tip diameter: 2mm
Mounting: screw
Related items: TK32SCR
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+323.54 грн
5+ 247.85 грн
12+ 225.32 грн
TK32SCR.08.2,00.S.150.RTEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4mm; 5A; Ø: 2mm
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 4mm
Maksimum spring compression: 5.4mm
Minimum pitch: 2.54mm
Current rating: 5A
Contact plating: rhodium plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Contact material: steel
Blade tip shape: head 08
Tip diameter: 2mm
Mounting: screw
Related items: TK32SCR
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+269.61 грн
5+ 198.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK32SCR.09.1,30.C.150.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4mm; 5A; Ø: 1.3mm
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 4mm
Maksimum spring compression: 5.4mm
Minimum pitch: 2.54mm
Current rating: 5A
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Contact material: CuBe
Blade tip shape: head 09
Tip diameter: 1.3mm
Mounting: screw
Related items: TK32SCR
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+323.54 грн
5+ 247.85 грн
12+ 225.32 грн
TK32SCR.09.1,30.C.150.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4mm; 5A; Ø: 1.3mm
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 4mm
Maksimum spring compression: 5.4mm
Minimum pitch: 2.54mm
Current rating: 5A
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Contact material: CuBe
Blade tip shape: head 09
Tip diameter: 1.3mm
Mounting: screw
Related items: TK32SCR
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+374.46 грн
TK32SCR.09.2,00.S.150.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4mm; 5A; Ø: 2mm
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 4mm
Maksimum spring compression: 5.4mm
Minimum pitch: 2.54mm
Current rating: 5A
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Contact material: steel
Blade tip shape: head 09
Tip diameter: 2mm
Mounting: screw
Related items: TK32SCR
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+323.54 грн
5+ 247.85 грн
12+ 225.32 грн
TK32SCR.09.2,00.S.150.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4mm; 5A; Ø: 2mm
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 4mm
Maksimum spring compression: 5.4mm
Minimum pitch: 2.54mm
Current rating: 5A
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Contact material: steel
Blade tip shape: head 09
Tip diameter: 2mm
Mounting: screw
Related items: TK32SCR
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+269.61 грн
5+ 198.89 грн
12+ 187.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK32SCR.10.1,50.C.150.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4mm; 5A; Ø: 1.5mm
Type of test accessories: test needle
Mounting: screw-in
Related items: TK32SCR
Contact material: CuBe
Blade tip shape: head 10
Minimum pitch: 2.54mm
Maksimum spring compression: 5.4mm
Operational spring compression: 4mm
Tip diameter: 1.5mm
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Current rating: 5A
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+294.33 грн
4+ 228.8 грн
10+ 216.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK32SCR.10.1,50.C.150.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4mm; 5A; Ø: 1.5mm
Type of test accessories: test needle
Mounting: screw-in
Related items: TK32SCR
Contact material: CuBe
Blade tip shape: head 10
Minimum pitch: 2.54mm
Maksimum spring compression: 5.4mm
Operational spring compression: 4mm
Tip diameter: 1.5mm
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Current rating: 5A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+353.19 грн
4+ 285.12 грн
10+ 259.53 грн
TK32SCR.10.2,00.S.150.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4mm; 5A; Ø: 2mm
Type of test accessories: test needle
Mounting: screw-in
Related items: TK32SCR
Contact material: steel
Blade tip shape: head 10
Minimum pitch: 2.54mm
Maksimum spring compression: 5.4mm
Operational spring compression: 4mm
Tip diameter: 2mm
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Current rating: 5A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+346 грн
4+ 279.05 грн
10+ 254.53 грн
25+ 253.69 грн
TK32SCR.10.2,00.S.150.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4mm; 5A; Ø: 2mm
Type of test accessories: test needle
Mounting: screw-in
Related items: TK32SCR
Contact material: steel
Blade tip shape: head 10
Minimum pitch: 2.54mm
Maksimum spring compression: 5.4mm
Operational spring compression: 4mm
Tip diameter: 2mm
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Current rating: 5A
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+288.34 грн
4+ 223.93 грн
10+ 212.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK32SCR.13.1,30.S.150.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4mm; 5A; Ø: 1.3mm
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 4mm
Maksimum spring compression: 5.4mm
Minimum pitch: 2.54mm
Current rating: 5A
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Contact material: steel
Blade tip shape: head 13
Tip diameter: 1.3mm
Mounting: screw
Related items: TK32SCR
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TK32SCR.13.1,30.S.150.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4mm; 5A; Ø: 1.3mm
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 4mm
Maksimum spring compression: 5.4mm
Minimum pitch: 2.54mm
Current rating: 5A
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Contact material: steel
Blade tip shape: head 13
Tip diameter: 1.3mm
Mounting: screw
Related items: TK32SCR
товар відсутній
TK33.7 -ASTEKOCategory: Multipurpose Enclosures
Description: Enclosure: multipurpose; X: 133mm; Y: 188mm; Z: 59mm; TEKMAR; ABS
Enclosure material: ABS
Version: PCB is fastened in guides
Body colour: light grey
Type of enclosure: multipurpose
Dimension Y: 188mm
Dimension X: 133mm
Dimension Z: 59mm
Enclosure series: TEKMAR
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1338.18 грн
3+ 1220.19 грн
30+ 1129.93 грн
TK33.7 -ASTEKOCategory: Multipurpose Enclosures
Description: Enclosure: multipurpose; X: 133mm; Y: 188mm; Z: 59mm; TEKMAR; ABS
Enclosure material: ABS
Version: PCB is fastened in guides
Body colour: light grey
Type of enclosure: multipurpose
Dimension Y: 188mm
Dimension X: 133mm
Dimension Z: 59mm
Enclosure series: TEKMAR
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1115.15 грн
TK33.9TEKOCategory: Multipurpose Enclosures
Description: Enclosure: multipurpose; X: 133mm; Y: 188mm; Z: 59mm; TEKMAR; ABS
Type of enclosure: multipurpose
Dimension X: 133mm
Dimension Y: 188mm
Dimension Z: 59mm
Enclosure series: TEKMAR
Body colour: black
Enclosure material: ABS
Version: PCB is fastened in guides
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1871.11 грн
2+ 1706.36 грн
10+ 1642.33 грн
TK33.9TEKOCategory: Multipurpose Enclosures
Description: Enclosure: multipurpose; X: 133mm; Y: 188mm; Z: 59mm; TEKMAR; ABS
Type of enclosure: multipurpose
Dimension X: 133mm
Dimension Y: 188mm
Dimension Z: 59mm
Enclosure series: TEKMAR
Body colour: black
Enclosure material: ABS
Version: PCB is fastened in guides
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1559.26 грн
2+ 1369.3 грн
TK3306InterlightDescription: Replacement for Kenwood TK3306 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK3306
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
товар відсутній
TK3312TASKERTAS-TK3312 Audio - Video Cables
товар відсутній
TK3312PSF-ATASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 12m; orange; 0.25mm2
Cable length: 12m
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Insulation colour: orange
Core section: 0.25mm2
Number of cores: 2
товар відсутній
TK3312PSF-ATASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 12m; orange; 0.25mm2
Cable length: 12m
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Insulation colour: orange
Core section: 0.25mm2
Number of cores: 2
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TK3312PSF-BTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 12m; blue; 0.25mm2; Cores: 2
Cable length: 12m
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Core section: 0.25mm2
Insulation colour: blue
Number of cores: 2
товар відсутній
TK3312PSF-BTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 12m; blue; 0.25mm2; Cores: 2
Cable length: 12m
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Core section: 0.25mm2
Insulation colour: blue
Number of cores: 2
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TK3312PSF-GTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 12m; yellow; 0.25mm2
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Cable length: 12m
Insulation colour: yellow
Core section: 0.25mm2
Number of cores: 2
товар відсутній
TK3312PSF-GTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 12m; yellow; 0.25mm2
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Cable length: 12m
Insulation colour: yellow
Core section: 0.25mm2
Number of cores: 2
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TK3312PSF-TBTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 12m; brown; 0.25mm2
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Cable length: 12m
Insulation colour: brown
Core section: 0.25mm2
Number of cores: 2
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TK3312PSF-TBTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 12m; brown; 0.25mm2
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Cable length: 12m
Insulation colour: brown
Core section: 0.25mm2
Number of cores: 2
товар відсутній
TK3312PSF-VTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 12m; green; 0.25mm2
Cable length: 12m
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Core section: 0.25mm2
Insulation colour: green
Number of cores: 2
товар відсутній
TK3312PSF-VTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 12m; green; 0.25mm2
Cable length: 12m
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Core section: 0.25mm2
Insulation colour: green
Number of cores: 2
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TK333TASKERTAS-TK333 Audio - Video Cables
на замовлення 9 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1581.73 грн
2+ 964.7 грн
3+ 912.13 грн
TK333PSF-ATASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 3m; orange; 0.25mm2
Cable length: 3m
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Insulation colour: orange
Core section: 0.25mm2
Number of cores: 2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1255.5 грн
3+ 1144.8 грн
TK333PSF-ATASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 3m; orange; 0.25mm2
Cable length: 3m
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Insulation colour: orange
Core section: 0.25mm2
Number of cores: 2
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1046.25 грн
3+ 918.66 грн
TK333PSF-BTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 3m; blue; 0.25mm2; Cores: 2
Cable length: 3m
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Core section: 0.25mm2
Insulation colour: blue
Number of cores: 2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1258.19 грн
3+ 1146.53 грн
TK333PSF-BTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 3m; blue; 0.25mm2; Cores: 2
Cable length: 3m
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Core section: 0.25mm2
Insulation colour: blue
Number of cores: 2
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1048.49 грн
3+ 920.05 грн
TK333PSF-GTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 3m; yellow; 0.25mm2
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Cable length: 3m
Core section: 0.25mm2
Insulation colour: yellow
Number of cores: 2
Type of connection cable: XLR - XLR
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1265.38 грн
3+ 1154.33 грн
TK333PSF-GTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 3m; yellow; 0.25mm2
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Cable length: 3m
Core section: 0.25mm2
Insulation colour: yellow
Number of cores: 2
Type of connection cable: XLR - XLR
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1054.49 грн
3+ 926.31 грн
TK333PSF-TBTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 3m; brown; 0.25mm2; Cores: 2
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Cable length: 3m
Core section: 0.25mm2
Insulation colour: brown
Number of cores: 2
Type of connection cable: XLR - XLR
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1265.38 грн
3+ 1154.33 грн
TK333PSF-TBTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 3m; brown; 0.25mm2; Cores: 2
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Cable length: 3m
Core section: 0.25mm2
Insulation colour: brown
Number of cores: 2
Type of connection cable: XLR - XLR
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1054.49 грн
3+ 926.31 грн
TK333PSF-VTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 3m; green; 0.25mm2; Cores: 2
Cable length: 3m
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Core section: 0.25mm2
Insulation colour: green
Number of cores: 2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1259.09 грн
3+ 1148.26 грн
TK333PSF-VTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 3m; green; 0.25mm2; Cores: 2
Cable length: 3m
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Core section: 0.25mm2
Insulation colour: green
Number of cores: 2
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1049.24 грн
3+ 921.44 грн
TK336TASKERTAS-TK336 Audio - Video Cables
товар відсутній
TK336PSF-ATASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 6m; orange; 0.25mm2
Cable length: 6m
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Insulation colour: orange
Core section: 0.25mm2
Number of cores: 2
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TK336PSF-ATASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 6m; orange; 0.25mm2
Cable length: 6m
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Insulation colour: orange
Core section: 0.25mm2
Number of cores: 2
товар відсутній
TK336PSF-BTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 6m; blue; 0.25mm2; Cores: 2
Cable length: 6m
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Core section: 0.25mm2
Insulation colour: blue
Number of cores: 2
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TK336PSF-BTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 6m; blue; 0.25mm2; Cores: 2
Cable length: 6m
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Core section: 0.25mm2
Insulation colour: blue
Number of cores: 2
товар відсутній
TK336PSF-GTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 6m; yellow; 0.25mm2
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Cable length: 6m
Insulation colour: yellow
Core section: 0.25mm2
Number of cores: 2
товар відсутній
TK336PSF-GTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 6m; yellow; 0.25mm2
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Cable length: 6m
Insulation colour: yellow
Core section: 0.25mm2
Number of cores: 2
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TK336PSF-TBTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 6m; brown; 0.25mm2; Cores: 2
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Cable length: 6m
Insulation colour: brown
Core section: 0.25mm2
Number of cores: 2
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TK336PSF-TBTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 6m; brown; 0.25mm2; Cores: 2
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Cable length: 6m
Insulation colour: brown
Core section: 0.25mm2
Number of cores: 2
товар відсутній
TK336PSF-VTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 6m; green; 0.25mm2; Cores: 2
Cable length: 6m
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Core section: 0.25mm2
Insulation colour: green
Number of cores: 2
товар відсутній
TK336PSF-VTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 6m; green; 0.25mm2; Cores: 2
Cable length: 6m
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Core section: 0.25mm2
Insulation colour: green
Number of cores: 2
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TK338MN/A05+ DIP8
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK339TASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 9m; black; 0.25mm2; Cores: 2
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Cable length: 9m
Insulation colour: black
Core section: 0.25mm2
Number of cores: 2
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TK339TASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 9m; black; 0.25mm2; Cores: 2
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Cable length: 9m
Insulation colour: black
Core section: 0.25mm2
Number of cores: 2
товар відсутній
TK339PSF-ATASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 9m; orange; 0.25mm2
Cable length: 9m
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Insulation colour: orange
Core section: 0.25mm2
Number of cores: 2
товар відсутній
TK339PSF-ATASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 9m; orange; 0.25mm2
Cable length: 9m
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Insulation colour: orange
Core section: 0.25mm2
Number of cores: 2
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TK339PSF-BTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 9m; blue; 0.25mm2; Cores: 2
Cable length: 9m
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Core section: 0.25mm2
Insulation colour: blue
Number of cores: 2
товар відсутній
TK339PSF-BTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 9m; blue; 0.25mm2; Cores: 2
Cable length: 9m
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Core section: 0.25mm2
Insulation colour: blue
Number of cores: 2
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TK339PSF-GTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 9m; yellow; 0.25mm2
Number of cores: 2
Cable length: 9m
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Insulation colour: yellow
Core section: 0.25mm2
товар відсутній
TK339PSF-GTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 9m; yellow; 0.25mm2
Number of cores: 2
Cable length: 9m
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Insulation colour: yellow
Core section: 0.25mm2
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TK339PSF-TBTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 9m; brown; 0.25mm2; Cores: 2
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Cable length: 9m
Insulation colour: brown
Core section: 0.25mm2
Number of cores: 2
товар відсутній
TK339PSF-TBTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 9m; brown; 0.25mm2; Cores: 2
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Cable length: 9m
Insulation colour: brown
Core section: 0.25mm2
Number of cores: 2
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TK339PSF-VTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 9m; green; 0.25mm2; Cores: 2
Cable length: 9m
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Core section: 0.25mm2
Insulation colour: green
Number of cores: 2
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TK339PSF-VTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 9m; green; 0.25mm2; Cores: 2
Cable length: 9m
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Core section: 0.25mm2
Insulation colour: green
Number of cores: 2
товар відсутній
TK33S.7TEKOTK33S.7 Desktop Enclosures
на замовлення 6 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1986.15 грн
2+ 1877.66 грн
TK33S.9 -ASTEKOCategory: Desktop Enclosures
Description: Enclosure: desktop; TEKMAR; X: 133mm; Y: 188mm; Z: 75mm; ABS; black
Type of enclosure: desktop
Enclosure series: TEKMAR
Dimension X: 133mm
Dimension Y: 188mm
Dimension Z: 75mm
Enclosure material: ABS
Body colour: black
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1522.41 грн
2+ 1388.31 грн
30+ 1289.33 грн
TK33S.9 -ASTEKOCategory: Desktop Enclosures
Description: Enclosure: desktop; TEKMAR; X: 133mm; Y: 188mm; Z: 75mm; ABS; black
Type of enclosure: desktop
Enclosure series: TEKMAR
Dimension X: 133mm
Dimension Y: 188mm
Dimension Z: 75mm
Enclosure material: ABS
Body colour: black
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1268.68 грн
TK33S10N1L,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 10 V
товар відсутній
TK33S10N1L,LQToshibaMOSFET 125W 1MHz Automotive; AEC-Q101
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+131.63 грн
10+ 107.49 грн
100+ 74.77 грн
250+ 68.76 грн
500+ 62.09 грн
1000+ 53.68 грн
2000+ 51.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK33S10N1L,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
товар відсутній
TK33S10N1L,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 10 V
на замовлення 1497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.33 грн
10+ 97.22 грн
100+ 77.4 грн
500+ 61.46 грн
1000+ 52.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK33S10N1L,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
товар відсутній
TK33S10N1L,LQ(OTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 33A; 125W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 33A
Power dissipation: 125W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 823 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+111.59 грн
5+ 93.88 грн
12+ 69.54 грн
32+ 65.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
TK33S10N1L,LQ(OToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товар відсутній
TK33S10N1L,LQ(OTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 33A; 125W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 33A
Power dissipation: 125W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 823 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+133.91 грн
5+ 116.99 грн
12+ 83.45 грн
32+ 78.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK33S10N1L,LXHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 10 V
на замовлення 1985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TK33S10N1L,LXHQToshibaMOSFET PD=40W F=1MHZ AEC-Q101
на замовлення 3784 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+91.91 грн
10+ 74.24 грн
100+ 50.07 грн
500+ 42.39 грн
1000+ 34.52 грн
2000+ 33.91 грн
Мінімальне замовлення: 4
TK33S10N1L,LXHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 10 V
на замовлення 3849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.49 грн
10+ 66.55 грн
100+ 51.76 грн
500+ 41.17 грн
1000+ 33.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
TK33S10N1L,LXHQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
товар відсутній
TK33S10N1L,LXHQ(OToshibaTK33S10N1L,LXHQ(O
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
118+99.61 грн
123+ 95.15 грн
250+ 91.34 грн
500+ 84.9 грн
1000+ 76.04 грн
Мінімальне замовлення: 118
TK33S10N1LLQ(OToshibaMOSFET
товар відсутній
TK33S10N1Z,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 10 V
на замовлення 1873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+99.66 грн
10+ 79.63 грн
100+ 63.36 грн
500+ 50.32 грн
1000+ 42.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK33S10N1Z,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
на замовлення 7950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
175+67.06 грн
189+ 62.16 грн
190+ 61.8 грн
209+ 54.1 грн
250+ 49.59 грн
500+ 45.46 грн
1000+ 45.29 грн
3000+ 45.13 грн
6000+ 44.97 грн
Мінімальне замовлення: 175
TK33S10N1Z,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
товар відсутній
TK33S10N1Z,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 10 V
товар відсутній
TK33S10N1Z,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
на замовлення 7950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+62.27 грн
11+ 57.72 грн
25+ 57.38 грн
100+ 50.24 грн
250+ 46.05 грн
500+ 42.21 грн
1000+ 42.06 грн
3000+ 41.9 грн
6000+ 41.75 грн
Мінімальне замовлення: 10
TK33S10N1Z,LQToshibaMOSFET UMOSVIII 100V 10m max(VGS=10V) DPAK
на замовлення 1993 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+84.9 грн
10+ 72.86 грн
100+ 53.48 грн
250+ 52.81 грн
500+ 47.13 грн
1000+ 43.46 грн
2000+ 41.73 грн
Мінімальне замовлення: 4
TK33S10N1Z,LQ(OToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 33A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
товар відсутній
TK33S10N1Z,LQ(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK33S10N1Z,LQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.0082 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082ohm
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+111.59 грн
10+ 87.62 грн
100+ 67.03 грн
500+ 53.55 грн
1000+ 45.77 грн
Мінімальне замовлення: 7
TK33S10N1Z,LQ(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK33S10N1Z,LQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.0082 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082ohm
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+111.59 грн
10+ 87.62 грн
100+ 67.03 грн
500+ 53.55 грн
1000+ 45.77 грн
Мінімальне замовлення: 7
TK33S10N1Z,LQ(OToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
120+98.17 грн
131+ 89.41 грн
161+ 72.7 грн
200+ 65.6 грн
500+ 60.57 грн
1000+ 51.66 грн
2000+ 48.17 грн
4000+ 46.97 грн
Мінімальне замовлення: 120
TK33S10N1Z,LXHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 10 V
на замовлення 3974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.72 грн
10+ 71.77 грн
100+ 55.84 грн
500+ 44.42 грн
1000+ 36.19 грн
Мінімальне замовлення: 4
TK33S10N1Z,LXHQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
товар відсутній
TK33S10N1Z,LXHQToshibaMOSFET 125W 1MHz Automotive; AEC-Q101
на замовлення 27442 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+98.92 грн
10+ 79.85 грн
100+ 53.94 грн
500+ 45.73 грн
1000+ 37.25 грн
2000+ 35.05 грн
4000+ 33.78 грн
Мінімальне замовлення: 4
TK33S10N1Z,LXHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 10 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+37.69 грн
Мінімальне замовлення: 2000
TK33S10N1ZLQ(OToshibaMOSFET
товар відсутній
TK33SP.7 -ASTEKOCategory: Desktop Enclosures
Description: Enclosure: desktop; TEKMAR; X: 133mm; Y: 188mm; Z: 75mm; ABS
Type of enclosure: desktop
Enclosure series: TEKMAR
Dimension X: 133mm
Dimension Y: 188mm
Dimension Z: 75mm
Enclosure material: ABS
Body colour: light grey
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1494.55 грн
TK33SP.7 -ASTEKOCategory: Desktop Enclosures
Description: Enclosure: desktop; TEKMAR; X: 133mm; Y: 188mm; Z: 75mm; ABS
Type of enclosure: desktop
Enclosure series: TEKMAR
Dimension X: 133mm
Dimension Y: 188mm
Dimension Z: 75mm
Enclosure material: ABS
Body colour: light grey
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1245.46 грн
TK33SP.9 -ASTEKOCategory: Desktop Enclosures
Description: Enclosure: desktop; TEKMAR; X: 133mm; Y: 188mm; Z: 75mm; ABS; black
Type of enclosure: desktop
Enclosure series: TEKMAR
Dimension X: 133mm
Dimension Y: 188mm
Dimension Z: 75mm
Enclosure material: ABS
Body colour: black
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1526.91 грн
2+ 1391.78 грн
50+ 1289.33 грн
TK33SP.9 -ASTEKOCategory: Desktop Enclosures
Description: Enclosure: desktop; TEKMAR; X: 133mm; Y: 188mm; Z: 75mm; ABS; black
Type of enclosure: desktop
Enclosure series: TEKMAR
Dimension X: 133mm
Dimension Y: 188mm
Dimension Z: 75mm
Enclosure material: ABS
Body colour: black
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1272.42 грн
2+ 1116.86 грн
TK3412TASKERTAS-TK3412 Audio - Video Cables
товар відсутній
TK343TASKERTAS-TK343 Audio - Video Cables
на замовлення 9 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1103.23 грн
3+ 1043.15 грн
TK34343M (TC)Description: HOME TAPE KIT - PREMIUM
товар відсутній
TK346TASKERTAS-TK346 Audio - Video Cables
товар відсутній
TK349TASKERTAS-TK349 Audio - Video Cables
товар відсутній
TK34A10N1,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 34A TO-220
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TK34A10N1,S4XToshibaMOSFET MOSFET NCh 8 mOhms VGS10V10uAVDS100V
на замовлення 1158 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+109.82 грн
10+ 90.6 грн
100+ 59.68 грн
250+ 56.35 грн
500+ 50.47 грн
1000+ 41.66 грн
5000+ 40.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK34A10N1,S4X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TK34A10N1,S4X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
товар відсутній
TK34E10N1,S1XToshibaMOSFET N-Ch PWR FET 75A 103W 100V VDSS
на замовлення 273 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+110.6 грн
10+ 89.83 грн
100+ 67.43 грн
500+ 50.07 грн
1000+ 40.19 грн
5000+ 38.19 грн
10000+ 36.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK34E10N1,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 75A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 103W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 50 V
товар відсутній
TK34E10N1,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
товар відсутній
TK34E10N1,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK34E10N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.0079 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 103W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0079ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+121.33 грн
10+ 91.37 грн
Мінімальне замовлення: 7
TK34E10N1,S1X(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 75A; 103W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 75A
Power dissipation: 103W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1019 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+61.2 грн
10+ 54.24 грн
17+ 49.38 грн
45+ 46.59 грн
Мінімальне замовлення: 6
TK34E10N1,S1X(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 75A; 103W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 75A
Power dissipation: 103W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1019 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+76.26 грн
10+ 65.09 грн
17+ 59.25 грн
45+ 55.91 грн
Мінімальне замовлення: 4
TK34E10N1S1X(SToshibaMOSFET
товар відсутній
TK3501B-EQ
на замовлення 201 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK3511-EG
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK35A08N1,S4XToshibaMOSFET MOSFET NCh 10ohm VGS10V10uAVDS80V
на замовлення 342 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+81 грн
10+ 71.48 грн
100+ 48.4 грн
500+ 39.99 грн
Мінімальне замовлення: 4
TK35A08N1,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 80V 35A TO220SIS
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+72.94 грн
10+ 62.73 грн
Мінімальне замовлення: 4
TK35A08N1,S4X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TK35A08N1,S4X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
товар відсутній
TK35A65W,S5XToshibaMOSFET MOSFET NChannel 068ohm DTMOS
товар відсутній
TK35A65W,S5XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 35A TO-220
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TK35A65W,S5X(MToshibaTK35A65W,S5X(M
товар відсутній
TK35A65W,S5X(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK35A65W,S5X(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.068 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+498.03 грн
5+ 447.86 грн
10+ 397.68 грн
50+ 347.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK35A65W5,S5XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+263.96 грн
10+ 256.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK35A65W5,S5XToshibaMOSFET Power MOSFET N-Channel
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+439.29 грн
10+ 416.89 грн
50+ 306.43 грн
100+ 268.38 грн
250+ 260.37 грн
500+ 236.33 грн
1000+ 202.95 грн
TK35A65W5,S5XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 35A TO220SIS
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TK35A65W5,S5X(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK35A65W5,S5X(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.08 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+465.08 грн
5+ 417.9 грн
10+ 370.72 грн
50+ 303.9 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK35A65W5,S5X(MToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товар відсутній
TK35E08N1,S1XToshibaMOSFET 80V N-Ch PWR FET 55A 72W 25nC
на замовлення 367 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+80.22 грн
10+ 67.33 грн
100+ 43.73 грн
500+ 36.99 грн
1000+ 29.11 грн
2500+ 28.84 грн
5000+ 27.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
TK35E08N1,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 80V 55A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 40 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.77 грн
10+ 72.19 грн
Мінімальне замовлення: 4
TK35E08N1,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
товар відсутній
TK35E08N1,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+46.47 грн
Мінімальне замовлення: 600
TK35E08N1,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK35E08N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 55 A, 0.01 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 72W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+79.39 грн
12+ 63.28 грн
Мінімальне замовлення: 10
TK35E08N1,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
252+46.45 грн
Мінімальне замовлення: 252
TK35E08N1,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TK35E08N1,S1X(STOSHIBATK35E08N1 THT N channel transistors
на замовлення 112 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+81.78 грн
22+ 45.65 грн
59+ 43.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
TK35E10K3(S1SS-Q)ToshibaMOSFET N-Ch MOS 55A 80V 72W 0.0122 Ohm
товар відсутній
TK35E10K3(S1SS-Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 35A TO-220AB
товар відсутній
TK35N.02.1,30.S.170.RTEKONTK35N.02130S170R Contact Probes
на замовлення 5 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+258.83 грн
6+ 191.1 грн
15+ 180.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK35N.03.2,00.S.170.RTEKONTK35N.03200S170R Contact Probes
на замовлення 2 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+258.83 грн
5+ 194.44 грн
14+ 184.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK35N.04.2,00.S.170.RTEKONTK35N.04200S170R Contact Probes
на замовлення 15 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+258.83 грн
6+ 192.77 грн
14+ 182.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK35N.05.1,30.S.170.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 6.4mm; 3A; Ø: 1.3mm
Related items: TK35N
Current rating: 3A
Contact material: steel
Blade tip shape: head 05
Type of test accessories: test needle
Minimum pitch: 2.54mm
Maksimum spring compression: 8mm
Operational spring compression: 6.4mm
Tip diameter: 1.3mm
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TK35N.05.1,30.S.170.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 6.4mm; 3A; Ø: 1.3mm
Related items: TK35N
Current rating: 3A
Contact material: steel
Blade tip shape: head 05
Type of test accessories: test needle
Minimum pitch: 2.54mm
Maksimum spring compression: 8mm
Operational spring compression: 6.4mm
Tip diameter: 1.3mm
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
товар відсутній
TK35N.05.2,00.S.170.ATEKONTK35N.05200S170A Contact Probes
товар відсутній
TK35N.07.1,30.S.170.RTEKONTK35N.07130S170R Contact Probes
на замовлення 2 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+291.18 грн
5+ 215.31 грн
13+ 203.62 грн
TK35N.07.2,00.S.170.RTEKONTK35N.07200S170R Contact Probes
товар відсутній
TK35N.08.2,00.S.170.RTEKONTK35N.08200S170R Contact Probes
товар відсутній
TK35N.12.0,80.S.170.RTEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 6.4mm; 3A; Ø: 0.8mm
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 6.4mm
Maksimum spring compression: 8mm
Minimum pitch: 2.54mm
Current rating: 3A
Contact plating: rhodium plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Contact material: steel
Blade tip shape: head 12
Tip diameter: 0.8mm
Related items: TK35N
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+215.69 грн
5+ 161.34 грн
14+ 152.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK35N.12.0,80.S.170.RTEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 6.4mm; 3A; Ø: 0.8mm
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 6.4mm
Maksimum spring compression: 8mm
Minimum pitch: 2.54mm
Current rating: 3A
Contact plating: rhodium plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Contact material: steel
Blade tip shape: head 12
Tip diameter: 0.8mm
Related items: TK35N
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+258.83 грн
5+ 201.05 грн
14+ 183.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK35N.13.1,30.S.170.RTEKONTK35N.13130S170R Contact Probes
на замовлення 33 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+291.18 грн
5+ 215.31 грн
13+ 203.62 грн
TK35N65WToshibaToshiba
товар відсутній
TK35N65W,S1FToshibaMOSFET MOSFET NChannel 068ohm DTMOS
товар відсутній
TK35N65W,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 35A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2.1mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 300 V
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+504.08 грн
TK35N65W,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
TK35N65W,S1F(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
TK35N65W,S1F(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+566.53 грн
29+ 413.44 грн
30+ 391.99 грн
Мінімальне замовлення: 21
TK35N65W,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK35N65W,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.068 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+584.16 грн
5+ 516.76 грн
10+ 449.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK35N65W5ToshibaToshiba
товар відсутній
TK35N65W5,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 35A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.1mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 300 V
товар відсутній
TK35N65W5,S1FToshibaMOSFET MOSFET NChtrr130ns 0.08ohm DTMOS
на замовлення 29 шт:
термін постачання 178-187 дні (днів)
1+595.07 грн
10+ 518.23 грн
120+ 379.87 грн
270+ 369.19 грн
TK35N65W5,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TK35N65W5,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
TK35N65W5,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+281.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK35N65W5,S1F(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
TK35N65W5S1F(SToshibaMOSFET
товар відсутній
TK35N65WS1F(SToshibaMOSFET
товар відсутній
TK35N65WS1F(S-XToshibaMOSFET
товар відсутній
TK35S04K3L(T6L1,NQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 35A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.3mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 10 V
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.55 грн
10+ 70.59 грн
100+ 54.87 грн
500+ 43.65 грн
1000+ 35.55 грн
Мінімальне замовлення: 4
TK35S04K3L(T6L1,NQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 35A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
товар відсутній
TK35S04K3L(T6L1,NQToshibaMOSFET N-Ch MOS 35A 40V 58W 1370pF 0.0103
товар відсутній
TK35S04K3L(T6L1,NQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 35A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.3mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 10 V
товар відсутній
TK3640448(P3640448)PROFEC
на замовлення 12800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK36L.02.2,50.S.170.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 5mm; Min.pitch: 4mm
Tip diameter: 2.5mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Blade tip shape: head 02
Minimum pitch: 4mm
Type of test accessories: test needle
Contact plating: gold-plated
Maksimum spring compression: 7mm
Contact material: steel
Current rating: 3A
Related items: TK36L
Operational spring compression: 5mm
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+249.39 грн
5+ 184.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK36L.02.2,50.S.170.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 5mm; Min.pitch: 4mm
Tip diameter: 2.5mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Blade tip shape: head 02
Minimum pitch: 4mm
Type of test accessories: test needle
Contact plating: gold-plated
Maksimum spring compression: 7mm
Contact material: steel
Current rating: 3A
Related items: TK36L
Operational spring compression: 5mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+299.27 грн
5+ 229.65 грн
13+ 208.63 грн
TK36L.02.4,00.S.170.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 5mm; Min.pitch: 4mm
Tip diameter: 4mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Blade tip shape: head 02
Minimum pitch: 4mm
Type of test accessories: test needle
Contact plating: gold-plated
Maksimum spring compression: 7mm
Contact material: steel
Current rating: 3A
Related items: TK36L
Operational spring compression: 5mm
товар відсутній
TK36L.02.4,00.S.170.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 5mm; Min.pitch: 4mm
Tip diameter: 4mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Blade tip shape: head 02
Minimum pitch: 4mm
Type of test accessories: test needle
Contact plating: gold-plated
Maksimum spring compression: 7mm
Contact material: steel
Current rating: 3A
Related items: TK36L
Operational spring compression: 5mm
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TK36L.05.2,50.S.170.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 5mm; Min.pitch: 4mm
Tip diameter: 2.5mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Blade tip shape: head 05
Minimum pitch: 4mm
Type of test accessories: test needle
Contact plating: gold-plated
Maksimum spring compression: 7mm
Contact material: steel
Current rating: 3A
Related items: TK36L
Operational spring compression: 5mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 33 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+307.36 грн
5+ 234.85 грн
12+ 214.47 грн
TK36L.05.2,50.S.170.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 5mm; Min.pitch: 4mm
Tip diameter: 2.5mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Blade tip shape: head 05
Minimum pitch: 4mm
Type of test accessories: test needle
Contact plating: gold-plated
Maksimum spring compression: 7mm
Contact material: steel
Current rating: 3A
Related items: TK36L
Operational spring compression: 5mm
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+256.13 грн
5+ 188.46 грн
12+ 178.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK36L.07.2,50.S.170.NTEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 5mm; Min.pitch: 4mm
Tip diameter: 2.5mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Blade tip shape: head 07
Minimum pitch: 4mm
Type of test accessories: test needle
Contact plating: nickel plated
Maksimum spring compression: 7mm
Contact material: steel
Current rating: 3A
Related items: TK36L
Operational spring compression: 5mm
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+222.43 грн
5+ 164.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK36L.07.2,50.S.170.NTEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 5mm; Min.pitch: 4mm
Tip diameter: 2.5mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Blade tip shape: head 07
Minimum pitch: 4mm
Type of test accessories: test needle
Contact plating: nickel plated
Maksimum spring compression: 7mm
Contact material: steel
Current rating: 3A
Related items: TK36L
Operational spring compression: 5mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+266.92 грн
5+ 204.52 грн
14+ 186.1 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK36L.08.2,50.S.170.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 5mm; Min.pitch: 4mm
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 5mm
Maksimum spring compression: 7mm
Minimum pitch: 4mm
Current rating: 3A
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Contact material: steel
Blade tip shape: head 08
Tip diameter: 2.5mm
Related items: TK36L
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+222.43 грн
5+ 164.12 грн
13+ 155.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK36L.08.2,50.S.170.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 5mm; Min.pitch: 4mm
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 5mm
Maksimum spring compression: 7mm
Minimum pitch: 4mm
Current rating: 3A
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Contact material: steel
Blade tip shape: head 08
Tip diameter: 2.5mm
Related items: TK36L
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 51 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+266.92 грн
5+ 204.52 грн
13+ 186.1 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK36L.09.2,50.S.170.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 5mm; Min.pitch: 4mm
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 5mm
Maksimum spring compression: 7mm
Minimum pitch: 4mm
Current rating: 3A
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Contact material: steel
Blade tip shape: head 09
Tip diameter: 2.5mm
Related items: TK36L
товар відсутній
TK36L.09.2,50.S.170.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 5mm; Min.pitch: 4mm
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 5mm
Maksimum spring compression: 7mm
Minimum pitch: 4mm
Current rating: 3A
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Contact material: steel
Blade tip shape: head 09
Tip diameter: 2.5mm
Related items: TK36L
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TK36L.09.4,00.S.170.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 5mm; Min.pitch: 4mm
Related items: TK36L
Current rating: 3A
Operational spring compression: 5mm
Tip diameter: 4mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Blade tip shape: head 09
Minimum pitch: 4mm
Type of test accessories: test needle
Contact plating: gold-plated
Maksimum spring compression: 7mm
Contact material: steel
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+222.43 грн
5+ 164.12 грн
14+ 155.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK36L.09.4,00.S.170.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 5mm; Min.pitch: 4mm
Related items: TK36L
Current rating: 3A
Operational spring compression: 5mm
Tip diameter: 4mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Blade tip shape: head 09
Minimum pitch: 4mm
Type of test accessories: test needle
Contact plating: gold-plated
Maksimum spring compression: 7mm
Contact material: steel
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 104 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+266.92 грн
5+ 204.52 грн
14+ 186.1 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK36L.10.1,40.S.170.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 5mm; Min.pitch: 4mm
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 5mm
Maksimum spring compression: 7mm
Minimum pitch: 4mm
Current rating: 3A
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Contact material: steel
Blade tip shape: head 10
Tip diameter: 1.4mm
Related items: TK36L
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+258.83 грн
5+ 198.45 грн
14+ 180.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK36L.10.1,40.S.170.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 5mm; Min.pitch: 4mm
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 5mm
Maksimum spring compression: 7mm
Minimum pitch: 4mm
Current rating: 3A
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Contact material: steel
Blade tip shape: head 10
Tip diameter: 1.4mm
Related items: TK36L
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+215.69 грн
5+ 159.25 грн
14+ 150.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK36L.10.2,50.S.170.ATEKONTK36L.10250S170A Contact Probes
товар відсутній
TK36L.11.1,80.S.170.ATEKONTK36L.11180S170A Contact Probes
товар відсутній
TK36L.13.1,80.S.170.ATEKONTK36L.13180S170A Contact Probes
на замовлення 76 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+266.92 грн
5+ 201.95 грн
14+ 191.1 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK36N.02.2,50.S.170.ATEKONTK36N.02250S170A Contact Probes
на замовлення 4 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+258.83 грн
6+ 191.1 грн
15+ 180.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK36N.05.2,50.S.170.ATEKONTK36N.05250S170A Contact Probes
товар відсутній
TK36N.07.2,50.S.170.ATEKONTK36N.07250S170A Contact Probes
на замовлення 42 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+299.27 грн
5+ 221.15 грн
13+ 208.63 грн
TK36N.07.3,00.S.170.ATEKONTK36N.07300S170A Contact Probes
на замовлення 27 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+275.01 грн
5+ 202.79 грн
14+ 191.94 грн
TK36N.08.2,50.C.170.ATEKONTK36N.08250C170A Contact Probes
на замовлення 2 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+258.83 грн
6+ 191.94 грн
14+ 181.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK36N.08.3,00.S.170.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4.5mm; 5A; Ø: 3mm
Blade tip shape: head 08
Type of test accessories: test needle
Minimum pitch: 4mm
Maksimum spring compression: 5.6mm
Operational spring compression: 4.5mm
Tip diameter: 3mm
Related items: TK36N
Current rating: 5A
Max. contact resistance:: 10mΩ
Contact plating: gold-plated
Contact material: steel
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+261.52 грн
5+ 210.59 грн
14+ 191.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK36N.08.3,00.S.170.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4.5mm; 5A; Ø: 3mm
Blade tip shape: head 08
Type of test accessories: test needle
Minimum pitch: 4mm
Maksimum spring compression: 5.6mm
Operational spring compression: 4.5mm
Tip diameter: 3mm
Related items: TK36N
Current rating: 5A
Max. contact resistance:: 10mΩ
Contact plating: gold-plated
Contact material: steel
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+217.94 грн
5+ 168.99 грн
14+ 159.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK36N.09.2,50.S.170.ATEKONTK36N.09250S170A Contact Probes
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+269.61 грн
6+ 191.1 грн
15+ 180.26 грн
TK36N.09.4,00.S.170.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4.5mm; 5A; Ø: 4mm
Related items: TK36N
Current rating: 5A
Operational spring compression: 4.5mm
Tip diameter: 4mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Blade tip shape: head 09
Minimum pitch: 4mm
Type of test accessories: test needle
Contact plating: gold-plated
Maksimum spring compression: 5.6mm
Contact material: steel
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+258.83 грн
5+ 210.59 грн
13+ 191.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK36N.09.4,00.S.170.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4.5mm; 5A; Ø: 4mm
Related items: TK36N
Current rating: 5A
Operational spring compression: 4.5mm
Tip diameter: 4mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Blade tip shape: head 09
Minimum pitch: 4mm
Type of test accessories: test needle
Contact plating: gold-plated
Maksimum spring compression: 5.6mm
Contact material: steel
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+215.69 грн
5+ 168.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK36N.10.1,80.S.170.ATEKONTK36N.10180S170A Contact Probes
на замовлення 46 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+291.18 грн
5+ 215.31 грн
13+ 203.62 грн
TK36N.10.2,50.S.170.ATEKONTK36N.10250S170A Contact Probes
на замовлення 47 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+177.94 грн
8+ 126.01 грн
22+ 119.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK36N.11.1,80.S.170.NTEKONTK36N.11180S170N Contact Probes
на замовлення 24 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+291.18 грн
5+ 215.31 грн
13+ 203.62 грн
TK36N.14.1,80.S.170.ATEKONTK36N.14180S170A Contact Probes
товар відсутній
TK36SCR.02.3,00.S.300.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4mm; Min.pitch: 4mm
Contact plating: gold-plated
Contact material: steel
Current rating: 5A
Blade tip shape: head 02
Max. contact resistance:: 10mΩ
Type of test accessories: test needle
Minimum pitch: 4mm
Maksimum spring compression: 5.3mm
Operational spring compression: 4mm
Tip diameter: 3mm
Related items: TK36SCR
Mounting: screw-in
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+476.32 грн
3+ 369.18 грн
8+ 336.31 грн
TK36SCR.02.3,00.S.300.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4mm; Min.pitch: 4mm
Contact plating: gold-plated
Contact material: steel
Current rating: 5A
Blade tip shape: head 02
Max. contact resistance:: 10mΩ
Type of test accessories: test needle
Minimum pitch: 4mm
Maksimum spring compression: 5.3mm
Operational spring compression: 4mm
Tip diameter: 3mm
Related items: TK36SCR
Mounting: screw-in
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+396.93 грн
3+ 296.25 грн
TK36SCR.05.2,30.C.300.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4mm; Min.pitch: 4mm
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 4mm
Maksimum spring compression: 5.3mm
Minimum pitch: 4mm
Current rating: 10A
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Contact material: CuBe
Blade tip shape: head 05
Tip diameter: 2.3mm
Mounting: screw-in
Related items: TK36SCR
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TK36SCR.05.2,30.C.300.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4mm; Min.pitch: 4mm
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 4mm
Maksimum spring compression: 5.3mm
Minimum pitch: 4mm
Current rating: 10A
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Contact material: CuBe
Blade tip shape: head 05
Tip diameter: 2.3mm
Mounting: screw-in
Related items: TK36SCR
товар відсутній
TK36SCR.05.3,00.C.300.ATEKONTK36SCR.05300C300A Contact Probes
на замовлення 29 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+452.95 грн
3+ 334.64 грн
9+ 316.28 грн
TK36SCR.07.2,30.C.300.ATEKONTK36SCR.07230C300A Contact Probes
на замовлення 5 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+517.66 грн
3+ 382.21 грн
8+ 361.35 грн
TK36SCR.08.2,30.C.300.ATEKONTK36SCR.08230C300A Contact Probes
на замовлення 4 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+452.95 грн
3+ 334.64 грн
8+ 316.28 грн
TK36SCR.09.2,30.C.300.ATEKONTK36SCR.09230C300A Contact Probes
на замовлення 5 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+452.95 грн
3+ 334.64 грн
8+ 316.28 грн
TK36SCR.10.1,40.S.300.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4mm; Min.pitch: 4mm
Type of test accessories: test needle
Mounting: screw-in
Related items: TK36SCR
Contact material: steel
Blade tip shape: head 10
Minimum pitch: 4mm
Maksimum spring compression: 5.3mm
Operational spring compression: 4mm
Tip diameter: 1.4mm
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Current rating: 5A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+430.48 грн
3+ 347.51 грн
8+ 316.28 грн
TK36SCR.10.1,40.S.300.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4mm; Min.pitch: 4mm
Type of test accessories: test needle
Mounting: screw-in
Related items: TK36SCR
Contact material: steel
Blade tip shape: head 10
Minimum pitch: 4mm
Maksimum spring compression: 5.3mm
Operational spring compression: 4mm
Tip diameter: 1.4mm
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Current rating: 5A
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+358.73 грн
3+ 278.87 грн
8+ 263.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK3701X-EBG
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK3701Y-EBG-LFTEKNOVUS2005
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK370A60F,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK370A60F,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15 A, 0.3 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+193.22 грн
10+ 148.29 грн
Мінімальне замовлення: 4
TK3711-EBG-LFTEKNOVUSOOBGA
на замовлення 96 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK3711-EBG-LFTEKNOVUS06+
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK3711X-EBG-LETEKNOVUS0037+
на замовлення 290 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK3713A-EEQ-LFTEKNDVUS08+ SOT23
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK3714A-EEQ-LFGBroadcom LimitedDescription: IC TK3714A EPON ONU ASIC W/FEC
Packaging: Tray
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній
TK3714A-EEQ-LFG-KOBroadcom LimitedDescription: IC TK3714A EPON ONU ASIC W/FEC
Packaging: Tray
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній
TK3714A-ETG-LFGBroadcom LimitedDescription: IC TK3714A EPON ONU TFBGA W/FE
Packaging: Tray
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній
TK3715A-EEQ-LF6
на замовлення 125 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK3715A-EEQ-LFGTEKNOVUSO728
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK3715A-EEQ-LFGBroadcom LimitedDescription: IC TK3715A EPON ONU ASIC LEAD
товар відсутній
TK3715A-EEQ-LFGTEKNOVUS04+ QFP
на замовлення 102 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK3721-EBG-LFN/A0443
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK3721-EBG-LFTEKNOVUS0548+ BGA
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK3723B-HG-LFG
на замовлення 140 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK3723B-HG-LFGBroadcom LimitedDescription: IC TK3723B EPON OLT ASIC LEA
товар відсутній
TK3723B-HG-LFGTEKNOVUS 10+ BGA
на замовлення 140 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK3723B-HG-PBG
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK3723C-HG-LFGBroadcom LimitedDescription: IC EPON OLT ASIC
товар відсутній
TK372GInterlightDescription: Replacement for Kenwood TK372G R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK372G
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
товар відсутній
TK37N.05.2,30.M.300.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4.5mm; 3A; Ø: 2.3mm
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 4.5mm
Maksimum spring compression: 5.8mm
Minimum pitch: 4.5mm
Current rating: 3A
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Contact material: brass
Blade tip shape: head 05
Tip diameter: 2.3mm
Related items: TK37N
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+261.52 грн
5+ 210.59 грн
14+ 191.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK37N.05.2,30.M.300.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4.5mm; 3A; Ø: 2.3mm
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 4.5mm
Maksimum spring compression: 5.8mm
Minimum pitch: 4.5mm
Current rating: 3A
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Contact material: brass
Blade tip shape: head 05
Tip diameter: 2.3mm
Related items: TK37N
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+217.94 грн
5+ 168.99 грн
14+ 159.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK37N.06.2,30.M.300.ATEKONTK37N.06230M300A Contact Probes
на замовлення 46 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+275.01 грн
5+ 202.79 грн
14+ 191.94 грн
TK37N.06.4,00.M.300.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4.5mm; 3A; Ø: 4mm
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 4.5mm
Maksimum spring compression: 5.8mm
Minimum pitch: 4.5mm
Current rating: 3A
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Contact material: brass
Blade tip shape: head 06
Tip diameter: 4mm
Related items: TK37N
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TK37N.06.4,00.M.300.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4.5mm; 3A; Ø: 4mm
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 4.5mm
Maksimum spring compression: 5.8mm
Minimum pitch: 4.5mm
Current rating: 3A
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Contact material: brass
Blade tip shape: head 06
Tip diameter: 4mm
Related items: TK37N
товар відсутній
TK37N.07.4,00.M.300.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4.5mm; 3A; Ø: 4mm
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 4.5mm
Maksimum spring compression: 5.8mm
Minimum pitch: 4.5mm
Current rating: 3A
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Contact material: brass
Blade tip shape: head 07
Tip diameter: 4mm
Related items: TK37N
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+230.67 грн
5+ 179.42 грн
13+ 169.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK37N.07.4,00.M.300.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4.5mm; 3A; Ø: 4mm
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 4.5mm
Maksimum spring compression: 5.8mm
Minimum pitch: 4.5mm
Current rating: 3A
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Contact material: brass
Blade tip shape: head 07
Tip diameter: 4mm
Related items: TK37N
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 33 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+276.8 грн
5+ 223.59 грн
13+ 203.62 грн
TK37N.08.2,30.M.300.ATEKONTK37N.08230M300A Contact Probes
на замовлення 10 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+242.65 грн
6+ 178.59 грн
15+ 169.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK37N.09.2,30.M.300.ATEKONTK37N.09230M300A Contact Probes
товар відсутній
TK37N.09.4,00.M.300.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4.5mm; 3A; Ø: 4mm
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 4.5mm
Maksimum spring compression: 5.8mm
Minimum pitch: 4.5mm
Current rating: 3A
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Contact material: brass
Blade tip shape: head 09
Tip diameter: 4mm
Related items: TK37N
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+281.6 грн
4+ 219.06 грн
11+ 207.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK37N.09.4,00.M.300.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4.5mm; 3A; Ø: 4mm
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 4.5mm
Maksimum spring compression: 5.8mm
Minimum pitch: 4.5mm
Current rating: 3A
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Contact material: brass
Blade tip shape: head 09
Tip diameter: 4mm
Related items: TK37N
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 99 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+337.91 грн
4+ 272.98 грн
11+ 248.69 грн
TK37N.10.2,30.M.300.ATEKONTK37N.10230M300A Contact Probes
на замовлення 53 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+275.01 грн
5+ 202.79 грн
14+ 191.94 грн
TK37N.10.4,00.M.300.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4.5mm; 3A; Ø: 4mm
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 4.5mm
Maksimum spring compression: 5.8mm
Minimum pitch: 4.5mm
Current rating: 3A
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Contact material: brass
Blade tip shape: head 10
Tip diameter: 4mm
Related items: TK37N
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+205.21 грн
5+ 168.99 грн
6+ 159.25 грн
14+ 150.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK37N.10.4,00.M.300.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4.5mm; 3A; Ø: 4mm
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 4.5mm
Maksimum spring compression: 5.8mm
Minimum pitch: 4.5mm
Current rating: 3A
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Contact material: brass
Blade tip shape: head 10
Tip diameter: 4mm
Related items: TK37N
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 66 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+246.25 грн
5+ 210.59 грн
6+ 191.1 грн
14+ 181.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK37N.10.6,50.M.300.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4.5mm; 3A; Ø: 6.5mm
Contact material: brass
Blade tip shape: head 10
Type of test accessories: test needle
Minimum pitch: 4.5mm
Maksimum spring compression: 5.8mm
Operational spring compression: 4.5mm
Tip diameter: 6.5mm
Related items: TK37N
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Current rating: 3A
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+202.21 грн
5+ 166.9 грн
6+ 149.52 грн
15+ 141.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK37N.10.6,50.M.300.ATEKONCategory: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4.5mm; 3A; Ø: 6.5mm
Contact material: brass
Blade tip shape: head 10
Type of test accessories: test needle
Minimum pitch: 4.5mm
Maksimum spring compression: 5.8mm
Operational spring compression: 4.5mm
Tip diameter: 6.5mm
Related items: TK37N
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Current rating: 3A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 170 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+242.65 грн
5+ 207.99 грн
6+ 179.42 грн
15+ 169.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK380A60Y,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220SIS
на замовлення 121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TK380A60Y,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TK380A60Y,S4XToshibaMOSFET N-Ch DTMOSV 600V 30W 590pF 9.7A
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+102.03 грн
10+ 89.83 грн
100+ 63.36 грн
250+ 56.48 грн
500+ 51.07 грн
1000+ 42.13 грн
5000+ 40.86 грн
Мінімальне замовлення: 4
TK380A60Y,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товар відсутній
TK380A60Y,S4XTOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.1A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.1A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
TK380A60Y,S4XTOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.1A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.1A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TK380A60Y,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK380A60Y,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.7 A, 0.29 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+113.84 грн
10+ 92.87 грн
100+ 83.88 грн
500+ 68.92 грн
Мінімальне замовлення: 7
TK380A60Y,S4X(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товар відсутній
TK380A65Y,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товар відсутній
TK380A65Y,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 360µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 300 V
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.16 грн
10+ 114.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK380A65Y,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товар відсутній
TK380A65Y,S4XToshibaMOSFET TO-220SIS PD=30W 1MHz PWR MOSFET TRNS
на замовлення 314 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+127.74 грн
10+ 101.34 грн
100+ 74.11 грн
500+ 59.88 грн
1000+ 49.2 грн
5000+ 47.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK380A65Y,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK380A65Y,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9.7 A, 0.29 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+139.3 грн
10+ 104.85 грн
Мінімальне замовлення: 6
TK380A65Y,S4X(SToshibaTK380A65Y,S4X(S
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TK380P60Y,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
TK380P60Y,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 9.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 360µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 300 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+51.7 грн
Мінімальне замовлення: 2000
TK380P60Y,RQToshibaMOSFET N-Ch DTMOSV 600V 80W 590pF 9.7A
на замовлення 1886 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+117.61 грн
10+ 95.2 грн
100+ 64.56 грн
500+ 54.28 грн
1000+ 44.26 грн
2000+ 41.66 грн
4000+ 39.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK380P60Y,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
TK380P60Y,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
TK380P60Y,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 9.7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 360µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 300 V
на замовлення 7735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+122.05 грн
10+ 104.87 грн
100+ 81.79 грн
500+ 63.41 грн
1000+ 50.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK380P60Y,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK380P60Y,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.7 A, 0.29 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
на замовлення 714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+128.82 грн
10+ 96.61 грн
100+ 72.42 грн
500+ 56.54 грн
Мінімальне замовлення: 6
TK380P60Y,RQ(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товар відсутній
TK380P60Y,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK380P60Y,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.7 A, 0.29 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
на замовлення 714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+128.82 грн
10+ 96.61 грн
100+ 72.42 грн
500+ 56.54 грн
Мінімальне замовлення: 6
TK380P65Y,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CHANNEL 650V 9.7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 360µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 300 V
на замовлення 2188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.77 грн
10+ 87.55 грн
100+ 69.73 грн
500+ 55.37 грн
1000+ 46.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK380P65Y,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
TK380P65Y,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CHANNEL 650V 9.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 360µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 300 V
товар відсутній
TK380P65Y,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
TK380P65Y,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
319+36.71 грн
Мінімальне замовлення: 319
TK380P65Y,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+34.09 грн
Мінімальне замовлення: 17
TK380P65Y,RQToshibaMOSFET N-Ch DTMOSV 650V 80W 590pF 9.7A
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+119.95 грн
10+ 89.06 грн
100+ 62.69 грн
250+ 60.09 грн
500+ 57.08 грн
1000+ 48.94 грн
2000+ 46.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK380P65Y,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK380P65Y,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9.7 A, 0.29 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+131.06 грн
10+ 91.37 грн
100+ 67.4 грн
500+ 59.46 грн
1000+ 49.94 грн
Мінімальне замовлення: 6
TK380P65Y,RQ(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товар відсутній
TK380P65Y,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK380P65Y,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9.7 A, 0.29 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+67.4 грн
500+ 59.46 грн
1000+ 49.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
TK39A60WToshibaToshiba
товар відсутній
TK39A60W,S4VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
товар відсутній
TK39A60W,S4VXToshibaMOSFET N-Ch DTMOSIV 600 V 50W 4100pF 38.8A
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+678.41 грн
10+ 573.51 грн
50+ 451.97 грн
100+ 415.26 грн
250+ 391.22 грн
500+ 366.52 грн
1000+ 329.8 грн
TK39A60W,S4VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
товар відсутній
TK39A60W,S4VXToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 39A TO220-3
товар відсутній
TK39A60W,S4VX(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK39A60W,S4VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38.8 A, 0.055 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+714.47 грн
5+ 642.58 грн
10+ 570.68 грн
50+ 480.54 грн
100+ 406.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK39A60W,S4VX(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+451.47 грн
Мінімальне замовлення: 26
TK39A60W,S4VX(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
товар відсутній
TK39J60W,S1VQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 38.8A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 19.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.9mA
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 300 V
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+774.17 грн
TK39J60W,S1VQToshibaMOSFET N-Ch 38.8A 270W FET 600V 4100pF 110nC
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+755.52 грн
10+ 673.32 грн
25+ 557.46 грн
100+ 484.02 грн
TK39J60W,S1VQ(OTOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38.8A; 270W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38.8A
Power dissipation: 270W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
TK39J60W,S1VQ(OToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Bag/Tube
товар відсутній
TK39J60W,S1VQ(OTOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38.8A; 270W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38.8A
Power dissipation: 270W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TK39J60W5,S1VQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Bag/Tube
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+426 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK39J60W5,S1VQToshibaMOSFET N-Ch 38.8A 270W FET 600V 4100pF 135nC
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+846.64 грн
10+ 742.42 грн
25+ 626.22 грн
100+ 513.39 грн
250+ 507.39 грн
500+ 459.99 грн
1000+ 411.25 грн
TK39J60W5,S1VQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 38.8A TO3P
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+802.34 грн
10+ 697.73 грн
TK39J60W5,S1VQ(OToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
товар відсутній
TK39J60W5,S1VQ(OToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+600.66 грн
Мінімальне замовлення: 20
TK39N60WToshibaToshiba
товар відсутній
TK39N60W,S1VFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
TK39N60W,S1VFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 600V 38.8A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 19.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.9mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 300 V
товар відсутній
TK39N60W,S1VFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
TK39N60W,S1VFToshibaMOSFET DTMOSIV 600V 65mOhm 38.8A 270W 4100pF
на замовлення 60 шт:
термін постачання 152-161 дні (днів)
1+383.99 грн
10+ 334.74 грн
30+ 245.01 грн
120+ 213.64 грн
270+ 210.3 грн
510+ 196.95 грн
1020+ 159.56 грн
TK39N60W,S1VF(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK39N60W,S1VF(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38.8 A, 0.055 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+416.4 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK39N60W,S1VF(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
TK39N60W,S1VF(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+426.69 грн
Мінімальне замовлення: 28
TK39N60W5
Код товару: 183831		Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товар відсутній
TK39N60W5,S1VFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 38.8A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 19.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.9mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 300 V
на замовлення 3111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+431.14 грн
30+ 329.08 грн
120+ 282.08 грн
510+ 235.31 грн
1020+ 201.48 грн
2010+ 189.72 грн
TK39N60W5,S1VFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
TK39N60W5,S1VFToshibaMOSFET Power MOSFET N-Channel
на замовлення 3045 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+436.17 грн
30+ 329.37 грн
120+ 272.39 грн
270+ 269.72 грн
510+ 243.01 грн
1020+ 195.61 грн
5010+ 194.94 грн
TK39N60W5,S1VFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
TK39N60W5,S1VFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
TK39N60W5,S1VF(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+445.58 грн
Мінімальне замовлення: 27
TK39N60W5,S1VF(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
TK39N60W5,S1VF(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK39N60W5,S1VF(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38.8 A, 0.062 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+441.87 грн
10+ 316.8 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK39N60W5S1VF(SToshibaMOSFET
товар відсутній
TK39N60WS1VF(SToshibaMOSFET
товар відсутній
TK39N60X,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TK39N60X,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
TK39N60X,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 38.8A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.9mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 300 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+462.19 грн
30+ 355.53 грн
TK39N60X,S1FToshibaMOSFET DTMOSIV-H/S 600V 65mOhmmax(VGS=10V)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+512.5 грн
10+ 456.81 грн
120+ 291.08 грн
270+ 283.74 грн
510+ 262.37 грн
1020+ 235 грн
2520+ 232.33 грн
TK39N60X,S1F(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38.8A; 270W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38.8A
Power dissipation: 270W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+442.61 грн
3+ 305.99 грн
8+ 289.3 грн
TK39N60X,S1F(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38.8A; 270W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38.8A
Power dissipation: 270W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+531.14 грн
3+ 381.31 грн
8+ 347.16 грн
TK39N60X,S1F(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
270+315.04 грн
Мінімальне замовлення: 270
TK39N60X,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK39N60X,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38.8 A, 0.055 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+538.48 грн
10+ 445.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK39N60X,S1F(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+260.08 грн
330+ 238.8 грн
660+ 223.36 грн
990+ 204.23 грн
Мінімальне замовлення: 45
TK39N60X,S1F(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
270+151.88 грн
Мінімальне замовлення: 270
TK39N60X,S1F(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+718.1 грн
23+ 523.16 грн
30+ 496.31 грн
Мінімальне замовлення: 17
TK39N60XS1F(SToshibaMOSFET
товар відсутній
TK39N60XS1F(S-XToshibaMOSFET
товар відсутній
TK39Z60X,S1F(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK39Z60X,S1F(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38.8 A, 0.055 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+618.61 грн
5+ 480.81 грн
10+ 407.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK39Z60X,S1F(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товар відсутній
TK39Z60X,S1FSToshibaMOSFET
товар відсутній
TK3A60DA
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK3A60DA(Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 2.5A TO-220SIS
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TK3A60DA(Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
товар відсутній
TK3A60DA(STA4,Q,M)ToshibaMOSFET N-ch 600V 2.5A 30w 2.8 Ohm
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+84.12 грн
10+ 70.79 грн
100+ 45.93 грн
500+ 38.92 грн
1000+ 30.58 грн
2500+ 30.38 грн
5000+ 29.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
TK3A60DA(STA4,Q,M)TOSHIBADescription: TOSHIBA - TK3A60DA(STA4,Q,M) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2.5 A, 2.2 ohm, SC-67, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: SC-67
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+93.62 грн
10+ 75.64 грн
100+ 52.57 грн
500+ 41.38 грн
1000+ 29.79 грн
Мінімальне замовлення: 8
TK3A60DA(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
товар відсутній
TK3A60DA(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 2.5A TO-220SIS
товар відсутній
TK3A65DTOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.93Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 31 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+107.46 грн
10+ 91.8 грн
29+ 89.29 грн
50+ 85.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK3A65DTOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.93Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+103.35 грн
5+ 86.23 грн
10+ 76.5 грн
29+ 74.41 грн
Мінімальне замовлення: 4
TK3A65D(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TK3A65D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 3A TO-220SIS
товар відсутній
TK3A65D(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+38.28 грн
Мінімальне замовлення: 16
TK3A65D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFET N-Ch MOS 3A 650V 35W 540pF 2.25 Ohm
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+102.03 грн
10+ 86.76 грн
100+ 68.76 грн
500+ 49.47 грн
1000+ 40.59 грн
2500+ 39.79 грн
5000+ 37.85 грн
Мінімальне замовлення: 4
TK3A65DA(STA4,QM)ToshibaMOSFET N-Ch MOS 2.5A 650V 35W 490pF 2.51
товар відсутній
TK3A65DA(STA4,QM)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
товар відсутній
TK3A65DA(STA4,QM)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 2.5A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.51Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
товар відсутній
TK3A90E,S4XToshibaMOSFET Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=35W F=1MHZ
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+85.68 грн
10+ 69.1 грн
100+ 46.67 грн
500+ 37.32 грн
1000+ 31.91 грн
2500+ 30.38 грн
5000+ 29.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
TK3A90E,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+78.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
TK3A90E,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK3A90E,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 2.5 A, 3.7 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.7ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+93.62 грн
11+ 72.2 грн
Мінімальне замовлення: 8
TK3A90E,S4X(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товар відсутній
TK3A90ES4X(SToshibaMOSFET
товар відсутній
TK3J10TK2004
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK3L10TK2004
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK3L10Z
на замовлення 76 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK3P-3.5TraktronixDescription: 3PIN 3.5MM SCREW PLUG QUICK CONN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+162.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK3P-5.08TraktronixDescription: 3PIN 5.08MM PITCH PLUG CONNECTOR
Packaging: Bulk
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK3P50DToshibaToshiba
товар відсутній
TK3P50DTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK3P50D - Leistungs-MOSFET, leistungsstark, n-Kanal, 500 V, 3 A, 2.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.3ohm
SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)
товар відсутній
TK3P50D,RDVQ(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товар відсутній
TK3P50D,RQTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3A; 60W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3A
Power dissipation: 60W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
TK3P50D,RQTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3A; 60W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3A
Power dissipation: 60W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 4000 шт
товар відсутній
TK3P50D,RQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
161+73 грн
197+ 59.47 грн
252+ 46.55 грн
500+ 37.98 грн
1000+ 28.24 грн
Мінімальне замовлення: 161
TK3P50D,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK3P50D,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3 A, 2.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.3ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+91.37 грн
11+ 70.32 грн
100+ 50.93 грн
500+ 40.06 грн
1000+ 26.96 грн
Мінімальне замовлення: 9
TK3P50D,RQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товар відсутній
TK3P50D,RQ(SToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
товар відсутній
TK3P50D,RQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товар відсутній
TK3P50D,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK3P50D,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3 A, 2.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.3ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+50.93 грн
500+ 40.06 грн
1000+ 26.96 грн
Мінімальне замовлення: 100
TK3P50D,RQ(SToshibaMOSFET N-Ch MOS 3A 500V 60W 280pF 3 Ohm
на замовлення 1265 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+81.78 грн
10+ 65.8 грн
100+ 44.53 грн
500+ 37.72 грн
1000+ 30.71 грн
2000+ 28.84 грн
4000+ 27.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
TK3P50D,RQ(SToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
на замовлення 1399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+75.11 грн
10+ 59.18 грн
100+ 46.04 грн
500+ 36.62 грн
1000+ 29.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
TK3P50D,RTRIDQ(SToshibaTK 3P50D,RTRIDQ(S
товар відсутній
TK3P80E,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
на замовлення 1859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+72.94 грн
10+ 57.51 грн
100+ 44.76 грн
500+ 35.6 грн
1000+ 29 грн
Мінімальне замовлення: 4
TK3P80E,RQToshibaMOSFET Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) MOQ=2000 PD=80W F=1MHZ
на замовлення 4202 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+79.45 грн
10+ 64.57 грн
100+ 43.73 грн
500+ 36.99 грн
1000+ 30.18 грн
2000+ 28.37 грн
4000+ 27.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
TK3P80E,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
товар відсутній
TK3P80E,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK3P80E,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 3.9 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.9ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+86.88 грн
12+ 67.78 грн
100+ 49.05 грн
500+ 38.53 грн
1000+ 26 грн
Мінімальне замовлення: 9
TK3P80E,RQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 800V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
185+63.46 грн
217+ 54 грн
253+ 46.25 грн
267+ 42.3 грн
500+ 36.68 грн
1000+ 33.08 грн
Мінімальне замовлення: 185
TK3P80E,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK3P80E,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 3.9 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.9ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+49.05 грн
500+ 38.53 грн
1000+ 26 грн
Мінімальне замовлення: 100
TK3P80E,RQ(SToshibaMOSFETs Silicon N-Channel MOS
товар відсутній
TK3R1A04PL,S4XToshibaMOSFET N-Ch 40V 4670pF 63.4nC 82A 36W
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+88.01 грн
10+ 69.94 грн
100+ 49.2 грн
500+ 41.73 грн
1000+ 31.98 грн
5000+ 29.78 грн
10000+ 29.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
TK3R1A04PL,S4XToshibaTrans MOSFET N 40V 82A TK3R1A04PL,S4X TTK3r1a04pl
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+158.76 грн
Мінімальне замовлення: 5
TK3R1A04PL,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 82A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 30A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4670 pF @ 20 V
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.16 грн
50+ 61.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
TK3R1A04PL,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товар відсутній
TK3R1A04PL,S4X(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товар відсутній
TK3R1A04PL,S4X(SToshibaSilicon N-channel MOS
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+203.9 грн
Мінімальне замовлення: 58
TK3R1A04PL,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK3R1A04PL,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 82 A, 0.0025 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+102.6 грн
10+ 78.64 грн
Мінімальне замовлення: 8
TK3R1E04PL,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+84.11 грн
10+ 71.6 грн
Мінімальне замовлення: 7
TK3R1E04PL,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 100A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 30A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 87W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4670 pF @ 20 V
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.27 грн
50+ 69.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
TK3R1E04PL,S1XToshibaMOSFET N-Ch 40V 4670pF 63.4nC 128A 87W
товар відсутній
TK3R1E04PL,S1XToshibaTrans MOSFET N 40V 100A TK3R1E04PL,S1X TTK3r1e04pl
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+158.76 грн
Мінімальне замовлення: 5
TK3R1E04PL,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK3R1E04PL,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 128 A, 0.0025 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 128A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 87W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+113.84 грн
10+ 86.13 грн
Мінімальне замовлення: 7
TK3R1E04PL,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
TK3R1E04PL,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
202+58.08 грн
209+ 56.2 грн
226+ 51.82 грн
233+ 48.53 грн
800+ 44.85 грн
1600+ 40.33 грн
Мінімальне замовлення: 202
TK3R1P04PLToshibaToshiba
товар відсутній
TK3R1P04PL,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
TK3R1P04PL,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CHANNEL 40V 58A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 87W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4670 pF @ 20 V
на замовлення 22027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+72.94 грн
10+ 57.72 грн
100+ 44.89 грн
500+ 35.71 грн
1000+ 29.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
TK3R1P04PL,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
TK3R1P04PL,RQToshibaMOSFET N-Ch 40V 4670pF 60nC 130A 87W
на замовлення 4498 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+81 грн
10+ 65.11 грн
100+ 44.06 грн
500+ 37.39 грн
1000+ 30.44 грн
2500+ 27.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
TK3R1P04PL,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CHANNEL 40V 58A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 87W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4670 pF @ 20 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.3 грн
5000+ 27.79 грн
12500+ 27.27 грн
Мінімальне замовлення: 2500
TK3R1P04PL,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
TK3R1P04PL,RQ(S2ToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товар відсутній
TK3R1P04PL,RQ(S2TOSHIBADescription: TOSHIBA - TK3R1P04PL,RQ(S2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 130 A, 0.0025 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 87W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+49.5 грн
500+ 39.01 грн
1000+ 34.54 грн
Мінімальне замовлення: 100
TK3R1P04PL,RQ(S2TOSHIBADescription: TOSHIBA - TK3R1P04PL,RQ(S2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 130 A, 0.0025 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 87W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+89.12 грн
11+ 68.45 грн
100+ 49.5 грн
500+ 39.01 грн
1000+ 34.54 грн
Мінімальне замовлення: 9
TK3R2A08QM,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: UMOS10 TO-220SIS 80V 3.2MOHM
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+150.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK3R2A08QM,S4XToshibaMOSFET UMOS10 TO-220SIS 80V 3.2mohm
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+155 грн
10+ 126.68 грн
100+ 82.78 грн
500+ 72.1 грн
1000+ 58.35 грн
5000+ 56.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK3R2A08QM,S4X(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товар відсутній
TK3R2A10PL,S4XToshibaMOSFET TO-220SIS PD=54W 1MHz PWR MOSFET TRNS
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+204.85 грн
10+ 168.14 грн
100+ 118.84 грн
500+ 114.16 грн
1000+ 78.78 грн
5000+ 76.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK3R2A10PL,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товар відсутній
TK3R2A10PL,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+185.6 грн
50+ 143.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK3R2A10PL,S4X(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товар відсутній
TK3R2A10PL,S4X(SToshibaSilicon N-channel MOS
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+324.24 грн
Мінімальне замовлення: 37
TK3R2A10PL,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK3R2A10PL,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 106 A, 0.0026 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TK3R2E06PLToshibaToshiba
товар відсутній
TK3R2E06PL,S1XToshibaMOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR
на замовлення 767 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+122.28 грн
10+ 96.74 грн
100+ 70.77 грн
500+ 59.88 грн
1000+ 47.27 грн
5000+ 45.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK3R2E06PL,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 168W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 30 V
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+110.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK3R2E06PL,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
TK3R2E06PL,S1X(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товар відсутній
TK3R2E06PL,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK3R2E06PL,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 160 A, 0.0024 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 168W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+133.31 грн
10+ 101.85 грн
Мінімальне замовлення: 6
TK3R2E06PL,S1X(SToshibaSilicon N-channel MOS
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TK3R3A06PL,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товар відсутній
TK3R3A06PL,S4XToshibaMOSFET TO-220SIS PD=42W 1MHz PWR MOSFET TRNS
товар відсутній
TK3R3A06PL,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 30 V
товар відсутній
TK3R3A06PL,S4X(SToshibaTK3R3A06PL,S4X(S
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
102+115.37 грн
Мінімальне замовлення: 102
TK3R3A06PL,S4X(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товар відсутній
TK3R3E08QMToshibaToshiba
товар відсутній
TK3R3E08QM,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+125.08 грн
10+ 116.06 грн
100+ 99.25 грн
Мінімальне замовлення: 5
TK3R3E08QM,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: UMOS10 TO-220AB 80V 3.3MOHM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.3mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7670 pF @ 40 V
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+158.88 грн
10+ 137.76 грн
100+ 110.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK3R3E08QM,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
87+134.7 грн
94+ 124.98 грн
110+ 106.89 грн
Мінімальне замовлення: 87
TK3R3E08QM,S1XToshibaMOSFET UMOS10 TO-220AB 80V 3.3mohm
на замовлення 1285 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+163.57 грн
10+ 134.36 грн
100+ 94.8 грн
500+ 80.78 грн
1000+ 66.43 грн
2500+ 62.69 грн
5000+ 61.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK3R3E08QM,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK3R3E08QM,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 200 A, 0.0026 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+218.69 грн
10+ 189.48 грн
Мінімальне замовлення: 4
TK3R3E08QM,S1X(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товар відсутній
TK3R9E10PL,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6320 pF @ 50 V
товар відсутній
TK3R9E10PL,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
TK3R9E10PL,S1XToshibaMOSFET TO-220 PD=230W 1MHz PWR MOSFET TRNS
на замовлення 150 шт:
термін постачання 189-198 дні (днів)
2+163.57 грн
10+ 112.09 грн
100+ 88.79 грн
250+ 87.46 грн
500+ 78.11 грн
1000+ 62.69 грн
5000+ 61.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK3R9E10PL,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
TK3R9E10PL,S1X(SToshibaTK3R9E10PL,S1X(S
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
64+185 грн
Мінімальне замовлення: 64
TK3R9E10PL,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK3R9E10PL,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 0.0033 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TK3R9E10PL,S1X(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товар відсутній