НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
UF3-70B410
Код товару: 92013
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товар відсутній
UF3-V2UHUDINFODescription: USB 3.0 FLASH DRIVE 16GB~ 512GB
товар відсутній
UF300
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF3001
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF3001Diodes IncorporatedRectifiers
товар відсутній
UF3001Diodes IncorporatedDescription: DIODE GEN PURP 50V 3A DO201AD
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 75pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
товар відсутній
UF3001-GComchip TechnologyRectifiers 50V, 3A
на замовлення 1115 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
UF3001-GComchip TechnologyDescription: DIODE GEN PURP 50V 3A DO27
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-27
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
товар відсутній
UF3001-GComchip TechnologyRectifier Diode Switching 50V 3A 50ns 2-Pin DO-27 Ammo
товар відсутній
UF3001-GComchip TechnologyRectifier Diode Switching 50V 3A 50ns 2-Pin DO-27 Ammo
товар відсутній
UF3001-HFComchip TechnologyRectifier Diode Switching 50V 3A 50ns 2-Pin DO-27 Ammo
товар відсутній
UF3001-HFComchip TechnologyRectifier Diode Switching 50V 3A 50ns 2-Pin DO-27 Ammo
товар відсутній
UF3001-HFComchip TechnologyRectifiers 50V, 3A
товар відсутній
UF3001-HFComchip TechnologyDescription: DIODE GEN PURP 50V 3A DO27
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-27
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
товар відсутній
UF3001-TDiodes ZetexRectifier Diode Switching 50V 3A 50ns 2-Pin DO-201AD T/R
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
74+7.84 грн
Мінімальне замовлення: 74
UF3001-TDiodes IncorporatedRectifiers 3.0A 50V
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
UF3001-TDiodes IncorporatedDescription: DIODE GEN PURP 50V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 75pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
товар відсутній
UF3001-TDiodes IncRectifier Diode Switching 50V 3A 50ns 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
UF3002Diodes IncorporatedRectifiers
товар відсутній
UF3002MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - UF3002 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 100 V, 3 A, Einfach, 1 V, 50 ns, 125 A
Bauform - Diode: DO-201AA
Durchlassspannung Vf max.: 1
Diodenkonfiguration: Einfach
Sperrerholzeit Trr, max.: 50
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 3
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: UF300
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 125
Betriebstemperatur, max.: 125
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 100
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
товар відсутній
UF3002MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - UF3002 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 100 V, 3 A, Einfach, 1 V, 50 ns, 125 A
Bauform - Diode: DO-201AA
Durchlassspannung Vf max.: 1
Diodenkonfiguration: Einfach
Sperrerholzeit Trr, max.: 50
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 3
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: UF300
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 125
Betriebstemperatur, max.: 125
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 100
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
товар відсутній
UF3002LTN
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF3002-GComchip TechnologyDescription: DIODE GEN PURP 100V 3A DO27
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-27
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
товар відсутній
UF3002-GComchip TechnologyRectifier Diode Switching 100V 3A 50ns 2-Pin DO-27 Ammo
товар відсутній
UF3002-GComchip TechnologyRectifiers 100V, 3A
товар відсутній
UF3002-GComchip TechnologyRectifier Diode Switching 100V 3A 50ns 2-Pin DO-27 Ammo
товар відсутній
UF3002-HFComchip TechnologyRectifier Diode Switching 100V 3A 50ns 2-Pin DO-27 Ammo
товар відсутній
UF3002-HFComchip TechnologyRectifiers 100V, 3A
товар відсутній
UF3002-HFComchip TechnologyRectifier Diode Switching 100V 3A 50ns 2-Pin DO-27 Ammo
товар відсутній
UF3002-HFComchip TechnologyDescription: DIODE GEN PURP 100V 3A DO27
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-27
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
товар відсутній
UF3002-TDiodes IncorporatedDescription: DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 75pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
товар відсутній
UF3002-TDiodes IncRectifier Diode Switching 100V 3A 50ns 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
UF3002-TDiodes IncorporatedRectifiers 3.0A 100V
на замовлення 1188 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
UF3003Diodes IncorporatedRectifiers
товар відсутній
UF3003MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - UF3003 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, Baureihe UF, 200 V, 3 A, Einfach, 1 V, 50 ns, 125 A
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
hazardous: false
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
товар відсутній
UF3003VISHAY04+ DIP
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF3003MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - UF3003 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, Baureihe UF, 200 V, 3 A, Einfach, 1 V, 50 ns, 125 A
Bauform - Diode: DO-201AA
Durchlassspannung Vf max.: 1
Diodenkonfiguration: Einfach
Sperrerholzeit Trr, max.: 50
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 3
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: UF300
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 125
Betriebstemperatur, max.: 125
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 200
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
товар відсутній
UF3003-A52Diodes IncorporatedDescription: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 75pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товар відсутній
UF3003-BUDiodes IncorporatedDescription: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 75pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товар відсутній
UF3003-GComchip TechnologyDescription: DIODE GEN PURP 200V 3A DO27
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-27
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товар відсутній
UF3003-GComchip TechnologyRectifier Diode Switching 200V 3A 50ns 2-Pin DO-27 Ammo
товар відсутній
UF3003-GComchip TechnologyRectifier Diode Switching 200V 3A 50ns 2-Pin DO-27 Ammo
товар відсутній
UF3003-GComchip TechnologyRectifiers 200V, 3A
на замовлення 979 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
UF3003-HFComchip TechnologyRectifier Diode Switching 200V 3A 50ns 2-Pin DO-27 Ammo
товар відсутній
UF3003-HFComchip TechnologyRectifiers DIODE GEN PURP 200V 3A DO-27
товар відсутній
UF3003-HFComchip TechnologyDescription: DIODE GEN PURP 200V 3A DO27
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-27
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товар відсутній
UF3003-HFComchip TechnologyRectifier Diode Switching 200V 3A 50ns 2-Pin DO-27 Ammo
товар відсутній
UF3003-TDiodes IncorporatedRectifiers 3.0A 200V
на замовлення 578 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
UF3003-TDiodes IncorporatedDescription: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 75pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товар відсутній
UF3003-TDiodes IncRectifier Diode Switching 200V 3A 50ns 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
UF3004MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - UF3004 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 300 V, 3 A, Einfach, 1.3 V, 50 ns, 125 A
Bauform - Diode: DO-201AA
Durchlassspannung Vf max.: 1.3
Diodenkonfiguration: Einfach
Sperrerholzeit Trr, max.: 50
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 3
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: UF300
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 125
Betriebstemperatur, max.: 125
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 300
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
товар відсутній
UF3004
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF3004MulticompDiode Switching 300V 3A 2-Pin DO-27
на замовлення 1446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
UF3004Diodes IncorporatedRectifiers
товар відсутній
UF3004MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - UF3004 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 300 V, 3 A, Einfach, 1.3 V, 50 ns, 125 A
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
hazardous: false
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
товар відсутній
UF3004-GComchip TechnologyRectifier Diode Switching 300V 3A 50ns 2-Pin DO-27 Ammo
товар відсутній
UF3004-GComchip TechnologyRectifiers 300V 3.0A
товар відсутній
UF3004-GComchip TechnologyRectifier Diode Switching 300V 3A 50ns 2-Pin DO-27 Ammo
товар відсутній
UF3004-GComchip TechnologyDescription: DIODE GEN PURP 300V 3A DO27
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-27
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V
товар відсутній
UF3004-HFComchip TechnologyRectifier Diode Switching 300V 3A 50ns 2-Pin DO-27 Ammo
товар відсутній
UF3004-HFComchip TechnologyDescription: DIODE GEN PURP 300V 3A DO27
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-27
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V
товар відсутній
UF3004-HFComchip TechnologyRectifiers DIODE GEN PURP 300V 3A DO-27
товар відсутній
UF3004-HFComchip TechnologyRectifier Diode Switching 300V 3A 50ns 2-Pin DO-27 Ammo
товар відсутній
UF3004-TDiodes IncorporatedDescription: DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 75pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товар відсутній
UF3004-TDiodes IncorporatedRectifiers 3.0A 400V
на замовлення 2302 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
UF3004-TDiodes IncRectifier Diode Switching 400V 3A 50ns 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
UF3004BDiodes IncorporatedDescription: DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 75pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товар відсутній
UF3004B
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF3004B-FRDiodes IncorporatedDescription: UF3004B-FR
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 75pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товар відсутній
UF3004M
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF3005Lite-On ElectronicsDiode Switching 600V 3A 2-Pin DO-201AD
товар відсутній
UF3005MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - UF3005 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 400 V, 3 A, Einfach, 1.3 V, 50 ns, 150 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-201AA
Durchlassstoßstrom: 150A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 400V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: UF300x
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
UF3005
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF3005-GComchip TechnologyRectifiers 400V, 3A
на замовлення 1130 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
UF3005-GComchip TechnologyRectifier Diode Switching 400V 3A 50ns 2-Pin DO-27 Ammo
товар відсутній
UF3005-GComchip TechnologyRectifier Diode Switching 400V 3A 50ns 2-Pin DO-27 Ammo
товар відсутній
UF3005-GComchip TechnologyDescription: DIODE GEN PURP 400V 3A DO27
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-27
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товар відсутній
UF3005-HFComchip TechnologyRectifier Diode Switching 400V 3A 50ns 2-Pin DO-27 Ammo
товар відсутній
UF3005-HFComchip TechnologyDescription: DIODE GEN PURP 400V 3A DO27
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-27
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товар відсутній
UF3005-HFComchip TechnologyRectifiers 400V, 3A
товар відсутній
UF3005-HFComchip TechnologyRectifier Diode Switching 400V 3A 50ns 2-Pin DO-27 Ammo
товар відсутній
UF3005-TDiodes IncorporatedDescription: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товар відсутній
UF3005-TDiodes IncorporatedRectifiers 3.0A 600V
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
UF3005-TDiodes IncRectifier Diode Switching 600V 3A 75ns 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
UF3005-TLite-On ElectronicsUF3005-T
товар відсутній
UF3006
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF3006Diodes IncorporatedRectifiers
товар відсутній
UF3006-GComchip TechnologyRectifiers 600V, 3A
товар відсутній
UF3006-GComchip TechnologyRectifier Diode Switching 600V 3A 75ns 2-Pin DO-27 Ammo
товар відсутній
UF3006-GComchip TechnologyDescription: DIODE GEN PURP 600V 3A DO27
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-27
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товар відсутній
UF3006-GComchip TechnologyRectifier Diode Switching 600V 3A 75ns 2-Pin DO-27 Ammo
товар відсутній
UF3006-HFComchip TechnologyRectifiers DIODE GEN PURP 600V 3A DO-27
товар відсутній
UF3006-HFComchip TechnologyRectifier Diode Switching 600V 3A 75ns 2-Pin DO-27 Ammo
товар відсутній
UF3006-HFComchip TechnologyDescription: DIODE GEN PURP 600V 3A DO27
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-27
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товар відсутній
UF3006-HFComchip TechnologyRectifier Diode Switching 600V 3A 75ns 2-Pin DO-27 Ammo
товар відсутній
UF3006-TDiodes IncorporatedRectifiers 3.0A 800V
на замовлення 986 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
UF3006-TDiodes IncorporatedDescription: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товар відсутній
UF3006-TDiodes IncRectifier Diode Switching 800V 3A 75ns 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
UF3006PT_T0_00001PanjitRectifiers 600V,Ultra Fast Recovery Rectifiers,TO-3P/TO-247AD,30A
товар відсутній
UF3006PT_T0_00001Panjit International Inc.Description: DIODE ARRAY GP 600V 15A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: TO-247AD (TO-3P)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Not For New Designs
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товар відсутній
UF3007
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF3007Lite-On ElectronicsDiode Switching 1KV 3A 2-Pin DO-201AD
товар відсутній
UF3007Diodes IncorporatedRectifiers
товар відсутній
UF3007-GComchip TechnologyDescription: DIODE GEN PURP 800V 3A DO27
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-27
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товар відсутній
UF3007-GComchip TechnologyRectifier Diode Switching 800V 3A 75ns 2-Pin DO-27 Ammo
товар відсутній
UF3007-GComchip TechnologyRectifiers 800V, 3A
на замовлення 316 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
UF3007-GComchip TechnologyRectifier Diode Switching 800V 3A 75ns 2-Pin DO-27 Ammo
товар відсутній
UF3007-HFComchip TechnologyRectifier Diode Switching 800V 3A 75ns 2-Pin DO-27 Ammo
товар відсутній
UF3007-HFComchip TechnologyRectifiers 800V, 3A
на замовлення 478 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+30.45 грн
12+ 25.64 грн
100+ 15.56 грн
500+ 12.08 грн
1200+ 9.81 грн
Мінімальне замовлення: 11
UF3007-HFComchip TechnologyRectifier Diode Switching 800V 3A 75ns 2-Pin DO-27 Ammo
товар відсутній
UF3007-HFComchip TechnologyDescription: DIODE GEN PURP 800V 3A DO27
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-27
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товар відсутній
UF3007-TDiodes IncRectifier Diode Switching 1KV 3A 75ns 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
UF3007-TDiodes IncorporatedDescription: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товар відсутній
UF3007-TDiodes IncorporatedRectifiers 3.0A 1000V
товар відсутній
UF3007-TLite-On ElectronicsUF3007-T
товар відсутній
UF3008MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - UF3008 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 1 kV, 3 A, Einfach, 1.7 V, 75 ns, 125 A
Bauform - Diode: DO-201AA
Durchlassspannung Vf max.: 1.7
Diodenkonfiguration: Einfach
Sperrerholzeit Trr, max.: 75
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 3
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: UF300
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 125
Betriebstemperatur, max.: 125
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 1
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
товар відсутній
UF3008
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF3008MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - UF3008 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 1 kV, 3 A, Einfach, 1.7 V, 75 ns, 125 A
Bauform - Diode: DO-201AA
Durchlassspannung Vf max.: 1.7
Diodenkonfiguration: Einfach
Sperrerholzeit Trr, max.: 75
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 3
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: UF300
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 125
Betriebstemperatur, max.: 125
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 1
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
товар відсутній
UF3008-GComchip TechnologyRectifier Diode Switching 1KV 3A 75ns 2-Pin DO-27 Ammo
товар відсутній
UF3008-GComchip TechnologyRectifiers 1000V, 3A
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
UF3008-GComchip TechnologyRectifier Diode Switching 1KV 3A 75ns 2-Pin DO-27 Ammo
товар відсутній
UF3008-GComchip TechnologyDescription: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO27
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-27
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1200+10.7 грн
Мінімальне замовлення: 1200
UF3008-GComchip TechnologyRectifier Diode Switching 1KV 3A 75ns 2-Pin DO-27 Ammo
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1200+44.34 грн
Мінімальне замовлення: 1200
UF3008-HFComchip TechnologyRectifier Diode Switching 1KV 3A 75ns 2-Pin DO-27 Ammo
товар відсутній
UF3008-HFComchip TechnologyDescription: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO27
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-27
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товар відсутній
UF3008-HFComchip TechnologyRectifier Diode Switching 1KV 3A 75ns 2-Pin DO-27 Ammo
товар відсутній
UF3008-HFComchip TechnologyRectifiers DIODE GEN PURP 1KV 3A DO-27
товар відсутній
UF300BNA12-H1C2AMechatronics Fan GroupDescription: FAN AXIAL 380X98MM 115VAC
Packaging: Bulk
Power (Watts): 200W
Features: Permanent Split Capacitor Motor
Voltage - Rated: 115VAC
Size / Dimension: Round - 398mm Dia
Bearing Type: Ball
RPM: 2950 RPM
Air Flow: 1615.0 CFM (45.22m³/min)
Width: 98.30mm
Weight: 9.9 lbs (4.5 kg)
Operating Temperature: -4 ~ 158°F (-20 ~ 70°C)
Termination: 2 Wire Leads
Approval Agency: CE, cUL, TUV, UL
Fan Type: Tubeaxial
Noise: 78.0dB(A)
Static Pressure: 1.100 in H2O (274.0 Pa)
Part Status: Active
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+13209.35 грн
10+ 11715.7 грн
UF300BNA23-H1C2AMechatronics Fan GroupDescription: FAN AXIAL 398X98.3MM 230VAC WIRE
Packaging: Bulk
Power (Watts): 200W
Features: Permanent Split Capacitor Motor
Voltage - Rated: 230VAC
Size / Dimension: Round - 398mm Dia
Bearing Type: Ball
RPM: 2950 RPM
Air Flow: 1615.0 CFM (45.22m³/min)
Width: 98.30mm
Weight: 10 lbs (4.5 kg)
Operating Temperature: -4 ~ 158°F (-20 ~ 70°C)
Termination: 2 Wire Leads
Approval Agency: CE, cUL, TUV, UL
Fan Type: Tubeaxial
Noise: 78.0dB(A)
Static Pressure: 1.100 in H2O (274.0 Pa)
Part Status: Active
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+13209.35 грн
UF300BNA23H1C2AFULLTECHCategory: AC230V Fans
Description: Fan: AC; axial; 230VAC; Ø398x98.3mm; 2436m3/h; 75dBA; ball bearing
Type of fan: AC
Kind of fan: axial
Supply voltage: 230V AC
Fan dimensions: Ø398x98.3mm
Power consumption: 150W
Current rating: 0.68A
Fan efficiency: 2436m3/h
Noise level: 75dBA
Kind of Bearing: ball bearing
Rotational rate/speed: 2650rpm
Frequency: 50Hz
Impeller material: metal
Enclosure material: metal
Leads: connectors 2,8x0,5mm
Static pressure: 31mm H2O
Kind of motor: 1-phase
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+11143.1 грн
UF300BNA23H1C2AFULLTECHCategory: AC230V Fans
Description: Fan: AC; axial; 230VAC; Ø398x98.3mm; 2436m3/h; 75dBA; ball bearing
Type of fan: AC
Kind of fan: axial
Supply voltage: 230V AC
Fan dimensions: Ø398x98.3mm
Power consumption: 150W
Current rating: 0.68A
Fan efficiency: 2436m3/h
Noise level: 75dBA
Kind of Bearing: ball bearing
Rotational rate/speed: 2650rpm
Frequency: 50Hz
Impeller material: metal
Enclosure material: metal
Leads: connectors 2,8x0,5mm
Static pressure: 31mm H2O
Kind of motor: 1-phase
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+9285.92 грн
UF300G_AY_00001PanjitRectifiers 50V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF300G_AY_10001PanjitRectifiers 50V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF300G_B0_00001PanjitRectifiers 50V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF300G_B0_10001PanjitRectifiers 50V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF300G_R2_00001Panjit International Inc.Description: DIODE GEN PURP 50V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 75pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 50 V
товар відсутній
UF300G_R2_00001Panjit International Inc.Description: DIODE GEN PURP 50V 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 75pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 50 V
товар відсутній
UF300G_R2_00001PanjitRectifiers 50V,Ultra Fast Recovery Rectifiers,DO-201AD,3A
товар відсутній
UF300G_R2_10001PanjitRectifiers 50V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF3010
Код товару: 112495
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: DO-201AD
Vrr, V: 1000 V
Iav, A: 3 A
Час зворотнього відновлення Trr, ns: 75 ns
у наявності 1 шт:
1 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+5 грн
UF3010
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF3010G_AY_00001PanjitRectifiers 1000V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF3010G_AY_10001PanjitRectifiers 1000V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF3010G_B0_00001PanjitRectifiers 1000V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF3010G_B0_10001PanjitRectifiers 1000V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF3010G_F0_000A4PanjitRectifiers 1000V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF3010G_F0_000A5PanjitRectifiers 1000V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF3010G_F0_100A1PanjitRectifiers 1000V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF3010G_F0_100A4PanjitRectifiers 1000V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF3010G_R2_00001Panjit International Inc.Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
товар відсутній
UF3010G_R2_00001PanjitRectifiers 1000V,Ultra Fast Recovery Rectifiers,DO-201AD,3A
товар відсутній
UF3010G_R2_00001Panjit International Inc.Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
товар відсутній
UF3010G_R2_10001PanjitRectifiers 1000V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF301G_AY_00001PanjitRectifiers 100V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF301G_AY_10001PanjitRectifiers 100V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF301G_B0_00001PanjitRectifiers 100V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF301G_B0_10001PanjitRectifiers 100V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF301G_R2_00001Panjit International Inc.Description: DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 75pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
товар відсутній
UF301G_R2_00001PanjitRectifiers 100V,Ultra Fast Recovery Rectifiers,DO-201AD,3A
товар відсутній
UF301G_R2_00001Panjit International Inc.Description: DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 75pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
товар відсутній
UF301G_R2_10001PanjitRectifiers 100V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF302
Код товару: 112497
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: DO-201AD
Vrr, V: 200 V
Iav, A: 3 A
Час зворотнього відновлення Trr, ns: 50 ns
товар відсутній
UF302
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF302G-AY-00001PanjitRectifiers
товар відсутній
UF302G-R2-00001PanjitRectifiers DO-201AD/UF/AXIAL/UFG-30H
товар відсутній
UF302G_AY_00001PanjitRectifiers 200V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF302G_AY_000A5PanjitRectifiers 200V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF302G_AY_10001PanjitRectifiers 200V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF302G_AY_100A5PanjitRectifiers 200V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF302G_B0_00001PanjitRectifiers 200V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF302G_B0_10001PanjitRectifiers 200V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF302G_F0_000A1PanjitRectifiers 200V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF302G_F0_000A2PanjitRectifiers 200V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF302G_F0_000A3PanjitRectifiers 200V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF302G_F0_000A4PanjitRectifiers 200V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF302G_F0_000A8PanjitRectifiers 200V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF302G_F0_100A1PanjitRectifiers 200V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF302G_F0_100A2PanjitRectifiers 200V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF302G_F0_100A3PanjitRectifiers 200V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF302G_F0_100A4PanjitRectifiers 200V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF302G_F0_100A6PanjitRectifiers 200V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF302G_F0_100A8PanjitRectifiers 200V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF302G_R2_00001PanjitRectifiers 200V,Ultra Fast Recovery Rectifiers,DO-201AD,3A
товар відсутній
UF302G_R2_00001Panjit International Inc.Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 75pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
на замовлення 3492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+24.55 грн
16+ 18.22 грн
100+ 10.94 грн
500+ 9.5 грн
Мінімальне замовлення: 12
UF302G_R2_00001Panjit International Inc.Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 75pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1250+7.15 грн
Мінімальне замовлення: 1250
UF302G_R2_10001PanjitRectifiers 200V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF304PanJitВипрямний ультрашвидкий діод вивідний; Ur, В = 400; Io, А = 3; If, A = 3; Uf (max), В = 1,1; I, мкА @ Ur, В = 10 @ 400; trr, нс = 50; С, пФ @ Ur, В; F, МГц = 75; Тексп, °С = -55...+150; Темп.опір,°C/Вт = 20; DO-201AD
на замовлення 9 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
9+69.33 грн
10+ 62.4 грн
100+ 7.29 грн
Мінімальне замовлення: 9
UF304G_AY_00001PanjitRectifiers 400V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF304G_AY_10001PanjitRectifiers 400V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF304G_B0_00001PanjitRectifiers 400V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF304G_B0_10001PanjitRectifiers 400V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF304G_F0_000A1PanjitRectifiers 400V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF304G_F0_100A1PanjitRectifiers 400V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF304G_R2_00001Panjit International Inc.Description: DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
товар відсутній
UF304G_R2_00001PanjitRectifiers 400V,Ultra Fast Recovery Rectifiers,DO-201AD,3A
товар відсутній
UF304G_R2_00001Panjit International Inc.Description: DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
товар відсутній
UF304G_R2_10001PanjitRectifiers 400V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF305
на замовлення 225000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF306
на замовлення 225000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF306G_AY_00001PanjitRectifiers 600V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF306G_AY_10001PanjitRectifiers 600V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF306G_B0_00001PanjitRectifiers 600V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF306G_B0_10001PanjitRectifiers 600V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF306G_R2_00001Panjit International Inc.Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
товар відсутній
UF306G_R2_00001PanjitRectifiers 600V,Ultra Fast Recovery Rectifiers,DO-201AD,3A
товар відсутній
UF306G_R2_00001Panjit International Inc.Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
товар відсутній
UF306G_R2_10001PanjitRectifiers 600V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF307
на замовлення 225000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF308G_AY_00001PanjitRectifiers 800V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF308G_AY_10001PanjitRectifiers 800V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF308G_B0_00001PanjitRectifiers 800V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF308G_B0_10001PanjitRectifiers 800V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF308G_F0_100A1PanjitRectifiers 800V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF308G_R2_00001Panjit International Inc.Description: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V
товар відсутній
UF308G_R2_00001PanjitRectifiers 800V,Ultra Fast Recovery Rectifiers,DO-201AD,3A
товар відсутній
UF308G_R2_00001Panjit International Inc.Description: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V
товар відсутній
UF308G_R2_10001PanjitRectifiers 800V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF30H04PTGeneSiC SemiconductorRectifiers 400V, 30A Ultra Fast High Effcncy Rectfer
товар відсутній
UF31
на замовлення 1002 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF31613-FB4
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF318AAA12-H1C4AMechatronics Fan GroupDescription: IMPELLER 318X154MM 115VAC
товар відсутній
UF318AAA12-H1C4A-CCMechatronics Fan GroupDescription: FAN IMP MTRZ 318X154.4MM 115VAC
Packaging: Bulk
Power (Watts): 160W
Features: Conformal Coating, Permanent Split Capacitor Motor, Thermal Overload Protector (TOP)
Voltage - Rated: 115VAC
Size / Dimension: Round - 318mm Dia
Bearing Type: Ball
RPM: 1580 RPM
Air Flow: 1165.0 CFM (32.62m³/min)
Width: 154.4mm
Weight: 8.3 lbs (3.8 kg)
Operating Temperature: -4 ~ 158°F (-20 ~ 70°C)
Termination: 4 Wire Leads
Approval Agency: CE, cUL, TUV, UL
Fan Type: Motorized Impellers
Noise: 66.0dB(A)
Static Pressure: 1.600 in H2O (398.6 Pa)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+15982.51 грн
UF318AAA23-H1C4AMechatronics Fan GroupDescription: IMPELLER 318X154MM 230VAC
Packaging: Bulk
Power (Watts): 160W
Features: Permanent Split Capacitor Motor, Thermal Overload Protector (TOP)
Voltage - Rated: 230VAC
Size / Dimension: Round - 318mm Dia
Bearing Type: Ball
RPM: 1580 RPM
Air Flow: 1165.0 CFM (32.62m³/min)
Width: 154.4mm
Weight: 8.3 lbs (3.8 kg)
Operating Temperature: -4 ~ 158°F (-20 ~ 70°C)
Termination: 4 Wire Leads
Approval Agency: CE, cUL, TUV, UL
Fan Type: Motorized Impellers
Noise: 66.0dB(A)
Static Pressure: 1.600 in H2O (398.6 Pa)
Part Status: Active
товар відсутній
UF318AAA23-H1C4A-L32Mechatronics Fan GroupDescription: FAN IMP MTRZ 318X154.4MM 230VAC
Packaging: Bulk
Power (Watts): 160W
Features: Permanent Split Capacitor Motor, Thermal Overload Protector (TOP)
Voltage - Rated: 230VAC
Size / Dimension: Round - 318mm Dia
Bearing Type: Ball
RPM: 1580 RPM
Air Flow: 1165.0 CFM (32.62m³/min)
Width: 154.4mm
Weight: 8.3 lbs (3.8 kg)
Operating Temperature: -4 ~ 158°F (-20 ~ 70°C)
Termination: 4 Wire Leads
Approval Agency: CE, cUL, TUV, UL
Fan Type: Motorized Impellers
Noise: 66.0dB(A)
Static Pressure: 1.600 in H2O (398.6 Pa)
Part Status: Active
товар відсутній
UF318AAA23H1C4AFULLTECHCategory: AC230V Fans
Description: Fan: AC; radial; 230VAC; Ø318x138mm; 1725.5m3/h; 63dBA; 1390rpm
Frequency: 50...60Hz
Type of fan: AC
Fan dimensions: Ø318x138mm
Impeller material: aluminium
Kind of Bearing: ball bearing
Fan efficiency: 1725.5m3/h
Static pressure: 30.5mm H2O
Noise level: 63dBA
Rotational rate/speed: 1390rpm
Power consumption: 115W
Kind of fan: radial
Min. insulation resistance: 0.1GΩ
Operating temperature: -40...70°C
Enclosure material: aluminium
Current rating: 0.6A
Supply voltage: 230V AC
Leads: lead x4
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+14458.44 грн
UF318AAA23H1C4AFULLTECHCategory: AC230V Fans
Description: Fan: AC; radial; 230VAC; Ø318x138mm; 1725.5m3/h; 63dBA; 1390rpm
Frequency: 50...60Hz
Type of fan: AC
Fan dimensions: Ø318x138mm
Impeller material: aluminium
Kind of Bearing: ball bearing
Fan efficiency: 1725.5m3/h
Static pressure: 30.5mm H2O
Noise level: 63dBA
Rotational rate/speed: 1390rpm
Power consumption: 115W
Kind of fan: radial
Min. insulation resistance: 0.1GΩ
Operating temperature: -40...70°C
Enclosure material: aluminium
Current rating: 0.6A
Supply voltage: 230V AC
Leads: lead x4
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+12048.7 грн
UF31AB
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF31BA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF3205GTO-220
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF3205LTO-220
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF32670
на замовлення 22800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF32670CT
на замовлення 12800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF32670F
на замовлення 12800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF32670FCT
на замовлення 12800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF32864AH
на замовлення 617 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF32864AHLFICS09+
на замовлення 2130 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF32864BH
на замовлення 292 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF32864BHLF
на замовлення 218 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF32864CH
на замовлення 141 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF32864CHLFICS09+
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF32864EHLF
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF32AB
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF32F6204ZDiodes IncorporatedStandard Clock Oscillators Crystal Oscillator SEAM3225 T&R 3K
товар відсутній
UF32F6204ZDiodes IncorporatedDescription: CRYSTAL OSCILLATOR SEAM3225 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: LVPECL
Function: Enable/Disable
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±25ppm
Voltage - Supply: 2.5V ~ 3.3V
Current - Supply (Max): 50mA
Height - Seated (Max): 0.041" (1.05mm)
Part Status: Active
Frequency: 156.25 MHz
Base Resonator: Crystal
товар відсутній
UF32F6204ZDiodes IncorporatedDescription: CRYSTAL OSCILLATOR SEAM3225 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: LVPECL
Function: Enable/Disable
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±25ppm
Voltage - Supply: 2.5V ~ 3.3V
Current - Supply (Max): 50mA
Height - Seated (Max): 0.041" (1.05mm)
Part Status: Active
Frequency: 156.25 MHz
Base Resonator: Crystal
товар відсутній
UF33ABST09+ .
на замовлення 320 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF33ABST08+ .
на замовлення 368 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF33BAST09+ .
на замовлення 320 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF33BAST08+ .
на замовлення 368 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF33BBST08+ .
на замовлення 368 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF33BBST09+ .
на замовлення 320 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF33BCST08+ .
на замовлення 368 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF33BCST09+ .
на замовлення 320 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF33F6202ZDiodes IncorporatedDescription: CRYSTAL OSCILLATOR SEAM3225 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: LVDS
Function: Enable/Disable
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±25ppm
Voltage - Supply: 2.5V ~ 3.3V
Current - Supply (Max): 25mA
Height - Seated (Max): 0.041" (1.05mm)
Frequency: 156.25 MHz
Base Resonator: Crystal
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+265.2 грн
Мінімальне замовлення: 3000
UF33F6202ZDiodes IncorporatedDescription: CRYSTAL OSCILLATOR SEAM3225 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: LVDS
Function: Enable/Disable
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±25ppm
Voltage - Supply: 2.5V ~ 3.3V
Current - Supply (Max): 25mA
Height - Seated (Max): 0.041" (1.05mm)
Frequency: 156.25 MHz
Base Resonator: Crystal
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+382.03 грн
10+ 347.37 грн
50+ 337.09 грн
100+ 301.98 грн
500+ 287.6 грн
1000+ 249.25 грн
UF33L2501ZDiodes IncorporatedStandard Clock Oscillators Crystal Oscillator SEAM3225 T&R 3K
товар відсутній
UF341605Celduc Inc.Description: FERRITE MAGNET DIA34X16X5MM/RED
товар відсутній
UF360AAA12-H1C4AMechatronics Fan GroupDescription: IMPELLER 360X167MM 115VAC
Packaging: Bulk
Power (Watts): 270W
Features: Permanent Split Capacitor Motor
Voltage - Rated: 115VAC
Size / Dimension: Round - 360mm Dia
Bearing Type: Ball
RPM: 1600 RPM
Air Flow: 1645.0 CFM (46.06m³/min)
Width: 167.3mm
Weight: 11 lbs (5 kg)
Operating Temperature: -4 ~ 158°F (-20 ~ 70°C)
Termination: 4 Wire Leads
Approval Agency: CE, cUL, TUV, UL
Fan Type: Motorized Impellers
Noise: 70.0dB(A)
Static Pressure: 2.200 in H2O (548.0 Pa)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+22228.62 грн
UF360AAA23-H1C4AMechatronics Fan GroupDescription: IMPELLER 360X167MM 230VAC
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+20447.01 грн
UF383-100Sunon FansDescription: FAN AXIAL 8X3MM VAPO 3VDC WIRE
Packaging: Tray
Features: Auto Restart, Speed Sensor (Tach)
Voltage - Rated: 3VDC
Size / Dimension: Square - 8mm L x 8mm H
Bearing Type: Vapo-Bearing™
RPM: 13500 RPM
Air Flow: 0.006 CFM (0.0002m³/min)
Width: 3.00mm
Weight: 0.000 lb (0.30 g)
Operating Temperature: 14 ~ 158°F (-10 ~ 70°C)
Termination: 3 Wire Leads
Approval Agency: CE
Ingress Protection: IP55 - Dust Protected, Water Resistant
Fan Type: Tubeaxial
Noise: 2.1dB(A)
Static Pressure: 0.006 in H2O (1.6 Pa)
Part Status: Obsolete
Power (Watts): 300 mW
товар відсутній
UF385-100Sunon FansDescription: FAN AXIAL 8X5MM VAPO 3VDC WIRE
Features: Auto Restart, Speed Sensor (Tach)
Packaging: Tray
Voltage - Rated: 3VDC
Size / Dimension: Square - 8mm L x 8mm H
Bearing Type: Vapo-Bearing™
RPM: 17000 RPM
Air Flow: 0.010 CFM (0.0003m³/min)
Width: 5.00mm
Weight: 0.001 lb (0.45 g)
Operating Temperature: 14 ~ 158°F (-10 ~ 70°C)
Termination: 3 Wire Leads
Approval Agency: CE
Ingress Protection: IP55 - Dust Protected, Water Resistant
Fan Type: Tubeaxial
Noise: 17.1dB(A)
Static Pressure: 0.012 in H2O (3.0 Pa)
Part Status: Obsolete
Power (Watts): 200 mW
товар відсутній
UF3ADC COMPONENTSCategory: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 50V; 3A; 50ns; SMC; Ufmax: 1V; Ifsm: 100A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 100A
Case: SMC
Max. forward voltage: 1V
Reverse recovery time: 50ns
товар відсутній
UF3ADC COMPONENTSCategory: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 50V; 3A; 50ns; SMC; Ufmax: 1V; Ifsm: 100A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 100A
Case: SMC
Max. forward voltage: 1V
Reverse recovery time: 50ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
UF3A3-500SUNONCategory: Miniature Fans
Description: Fan: DC; axial; 3VDC; 10x10x3mm; 0.21m3/h; 6.8dBA; Vapo; 1.07mmH2O
Type of fan: DC
Kind of fan: axial
Supply voltage: 3V DC
Operating voltage: 2...3.5V
Fan dimensions: 10x10x3mm
Power consumption: 290mW
Current rating: 96mA
Fan efficiency: 0.21m3/h
Noise level: 6.8dBA
Kind of Bearing: Vapo
Rotational rate/speed: 17000 (±30%)rpm
Min. insulation resistance: 500MΩ
Impeller material: thermoplastic
Enclosure material: thermoplastic
Leads: lead FPCB
Operating temperature: -10...70°C
Static pressure: 1.07mm H2O
Version: Might&Mini
товар відсутній
UF3A3-500SUNONCategory: Miniature Fans
Description: Fan: DC; axial; 3VDC; 10x10x3mm; 0.21m3/h; 6.8dBA; Vapo; 1.07mmH2O
Type of fan: DC
Kind of fan: axial
Supply voltage: 3V DC
Operating voltage: 2...3.5V
Fan dimensions: 10x10x3mm
Power consumption: 290mW
Current rating: 96mA
Fan efficiency: 0.21m3/h
Noise level: 6.8dBA
Kind of Bearing: Vapo
Rotational rate/speed: 17000 (±30%)rpm
Min. insulation resistance: 500MΩ
Impeller material: thermoplastic
Enclosure material: thermoplastic
Leads: lead FPCB
Operating temperature: -10...70°C
Static pressure: 1.07mm H2O
Version: Might&Mini
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
UF3A3-500Sunon FansDescription: FAN AXIAL 10X3MM VAPO 3VDC WIRE
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
UF3A3-500SunonDC Fans DC Fan, 10x3mm, 3VDC, 3.43CFM, 0.29W, 27.3/10cm dBA, 17000RPM, 10.44inch H2O, Vapo Bearing, 3Wire/Tach, IP55, Mighty Mini Series
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
UF3A3-500 TCSunonDC Fans Axial Fan, 10x10x3mm, 3VDC, 10.44"H2O, Vapo, 4x Wire, Tach/PWM, IP55
товар відсутній
UF3A3-500BSunonDC Fans Axial Fan, 10x10x3mm, 3VDC, 10.44"H2O, Vapo, 4x Wire, Tach/PWM, IP58
товар відсутній
UF3A3-500BSunon FansDescription: FAN AXIAL 10X3MM VAPO 3VDC WIRE
Features: Auto Restart, Speed Sensor (Tach)
Packaging: Tray
Voltage - Rated: 3VDC
Size / Dimension: Square - 10mm L x 10mm H
Bearing Type: Vapo-Bearing™
RPM: 17000 RPM
Air Flow: 0.121 CFM (0.003m³/min)
Width: 3.00mm
Weight: 0.002 lb (0.91 g)
Operating Temperature: 14 ~ 158°F (-10 ~ 70°C)
Termination: 3 Wire Leads
Approval Agency: CE
Ingress Protection: IP58 - Dust Protected, Waterproof
Fan Type: Tubeaxial
Noise: 21.0dB(A)
Static Pressure: 0.042 in H2O (10.4 Pa)
Power (Watts): 290 mW
на замовлення 2762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1728.89 грн
10+ 1520.77 грн
25+ 1462.99 грн
50+ 1282.64 грн
100+ 1183.28 грн
250+ 1165.21 грн
500+ 1137.23 грн
UF3A3-500B TCSunonDC Fans Axial Fan, 10x10x3mm, 3VDC, 10.44"H2O, Vapo, 4x Wire, Tach/PWM, IP58
товар відсутній
UF3A3-500TCSunon FansDescription: FAN AXIAL 10X3MM VAPO 3VDC WIRE
Packaging: Tray
Features: Auto Restart, Speed Sensor (Tach)
Voltage - Rated: 3VDC
Size / Dimension: Square - 10mm L x 10mm H
Bearing Type: Vapo-Bearing™
RPM: 17000 RPM
Air Flow: 0.121 CFM (0.003m³/min)
Width: 3.00mm
Weight: 0.002 lb (0.91 g)
Operating Temperature: 14 ~ 158°F (-10 ~ 70°C)
Termination: 3 Wire Leads
Approval Agency: CE
Ingress Protection: IP55 - Dust Protected, Water Resistant
Fan Type: Tubeaxial
Noise: 21.0dB(A)
Static Pressure: 0.042 in H2O (10.4 Pa)
Part Status: Active
Power (Watts): 290 mW
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1514.41 грн
10+ 1331.68 грн
25+ 1281.09 грн
50+ 1123.16 грн
100+ 1036.16 грн
250+ 1020.34 грн
UF3A3-700SunonDC Fan Vapo Bearing 3V 0.096A 0.29W 17000RPM 0.12CFM Flange Mount
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+2637.15 грн
10+ 2500.53 грн
20+ 2299.97 грн
Мінімальне замовлення: 5
UF3A3-700SunonDC Fans Fan, 10x10x3mm, 3VDC, 3.43 L/min, 0.29W, 27.3/10cm dBA, Vapo, 2 Wire, IP55
товар відсутній
UF3A3-700Sunon FansDescription: FAN AXIAL 10X3MM VAPO 3VDC WIRE
Packaging: Tray
Features: Auto Restart
Voltage - Rated: 3VDC
Size / Dimension: Square - 10mm L x 10mm H
Bearing Type: Vapo-Bearing™
RPM: 17000 RPM
Air Flow: 0.121 CFM (0.003m³/min)
Width: 3.00mm
Weight: 0.002 lb (0.91 g)
Operating Temperature: 14 ~ 158°F (-10 ~ 70°C)
Termination: 2 Wire Leads
Approval Agency: CE
Ingress Protection: IP55 - Dust Protected, Water Resistant
Fan Type: Tubeaxial
Noise: 21.0dB(A)
Static Pressure: 0.042 in H2O (10.4 Pa)
Power (Watts): 290 mW
товар відсутній
UF3A3-700 TCSunonDC Fans Axial Fan, 10x10x3mm, 3VDC, 10.44"H2O, Vapo, IP55
товар відсутній
UF3A3-700 TC
Код товару: 158621
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товар відсутній
UF3A3-700-TCSunon6 Poles Brushless DC Motor Fan
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+2195.48 грн
25+ 1798.84 грн
100+ 1521.72 грн
Мінімальне замовлення: 6
UF3A3-700-TCSunon FansDescription: Power Supply
Packaging: Bulk
товар відсутній
UF3A3-700BSunonDC Fans Axial Fan, 10x10x3mm, 3VDC, 10.44"H2O, Vapo, IP58
товар відсутній
UF3A3-700BSunon FansDescription: FAN AXIAL 10X3MM VAPO 3VDC WIRE
Features: Auto Restart
Packaging: Tray
Voltage - Rated: 3VDC
Size / Dimension: Square - 10mm L x 10mm H
Bearing Type: Vapo-Bearing™
RPM: 17000 RPM
Air Flow: 0.121 CFM (0.003m³/min)
Width: 3.00mm
Weight: 0.002 lb (0.91 g)
Operating Temperature: 14 ~ 158°F (-10 ~ 70°C)
Termination: 2 Wire Leads
Approval Agency: CE
Ingress Protection: IP58 - Dust Protected, Waterproof
Fan Type: Tubeaxial
Noise: 21.0dB(A)
Static Pressure: 0.042 in H2O (10.4 Pa)
Part Status: Active
Power (Watts): 290 mW
на замовлення 2993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1711.56 грн
10+ 1505.68 грн
25+ 1448.5 грн
50+ 1269.94 грн
100+ 1171.56 грн
250+ 1153.67 грн
500+ 1125.97 грн
UF3A3-700B TCSunonDC Fans Axial Fan, 10x10x3mm, 3VDC, 10.44"H2O, Vapo, IP58
товар відсутній
UF3A3-700TCSunon FansDescription: FAN AXIAL 10X3MM VAPO 3VDC WIRE
Packaging: Tray
Features: Auto Restart
Voltage - Rated: 3VDC
Size / Dimension: Square - 10mm L x 10mm H
Bearing Type: Vapo-Bearing™
RPM: 17000 RPM
Air Flow: 0.121 CFM (0.003m³/min)
Width: 3.00mm
Weight: 0.002 lb (0.91 g)
Operating Temperature: 14 ~ 158°F (-10 ~ 70°C)
Termination: 2 Wire Leads
Approval Agency: CE
Ingress Protection: IP55 - Dust Protected, Water Resistant
Fan Type: Tubeaxial
Noise: 21.0dB(A)
Static Pressure: 0.042 in H2O (10.4 Pa)
Part Status: Active
Power (Watts): 290 mW
на замовлення 1203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1490.57 грн
10+ 1311.02 грн
25+ 1261.23 грн
50+ 1105.76 грн
100+ 1020.09 грн
250+ 1004.52 грн
500+ 980.39 грн
UF3A_R1_00001PanjitRectifiers 50V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF3A_R1_00001Panjit International Inc.Description: DIODE GEN PURP 50V 3A SMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 75pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SMC (DO-214AB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 50 V
товар відсутній
UF3A_R1_00001Panjit International Inc.Description: DIODE GEN PURP 50V 3A SMC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 75pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SMC (DO-214AB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 50 V
товар відсутній
UF3A_R2_00001PanjitRectifiers 50V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF3BDC COMPONENTSCategory: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 100V; 3A; 50ns; SMC; Ufmax: 1V; Ifsm: 100A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 100A
Case: SMC
Max. forward voltage: 1V
Reverse recovery time: 50ns
товар відсутній
UF3BDC COMPONENTSCategory: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 100V; 3A; 50ns; SMC; Ufmax: 1V; Ifsm: 100A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 100A
Case: SMC
Max. forward voltage: 1V
Reverse recovery time: 50ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
UF3B_R1_00001Panjit International Inc.Description: DIODE GEN PURP 100V 3A SMC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 75pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SMC (DO-214AB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
товар відсутній
UF3B_R1_00001PanjitRectifiers 100V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF3B_R1_00001Panjit International Inc.Description: DIODE GEN PURP 100V 3A SMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 75pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SMC (DO-214AB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
товар відсутній
UF3B_R2_00001PanjitRectifiers 100V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF3C065030B3UNITEDSICDescription: UNITEDSIC - UF3C065030B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 650 V, 0.027 ohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 242W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1554.77 грн
5+ 1491.86 грн
10+ 1428.95 грн
50+ 1258.03 грн
100+ 1098.35 грн
250+ 1034.8 грн
UF3C065030B3QorvoDescription: MOSFET N-CH 650V 65A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 4845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1208.2 грн
10+ 1024.92 грн
100+ 886.44 грн
UF3C065030B3
Код товару: 198848
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
UF3C065030B3QorvoMOSFET 650V/30mO,SICFET,G3,TO263-3
на замовлення 1296 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1356.81 грн
25+ 1309.79 грн
100+ 986.06 грн
250+ 883.25 грн
500+ 859.22 грн
800+ 817.16 грн
2400+ 808.48 грн
UF3C065030B3UNITEDSICDescription: UNITEDSIC - UF3C065030B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 650 V, 0.027 ohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 242W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1428.95 грн
50+ 1258.03 грн
100+ 1098.35 грн
250+ 1034.8 грн
Мінімальне замовлення: 10
UF3C065030B3QorvoDescription: MOSFET N-CH 650V 65A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+834.24 грн
Мінімальне замовлення: 800
UF3C065030K3SQorvo / UnitedSiCMOSFET 650V/30mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, TO-247-3L, REDUCED Rth
на замовлення 458 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1611.51 грн
10+ 1460.27 грн
30+ 1072.19 грн
270+ 958.02 грн
510+ 957.36 грн
1020+ 940 грн
UF3C065030K3SQorvo (UnitedSiC)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 62A
Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: cascode
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 62A
Pulsed drain current: 230A
Power dissipation: 441W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3330.47 грн
UF3C065030K3SQorvo (UnitedSiC)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 62A
Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: cascode
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 62A
Pulsed drain current: 230A
Power dissipation: 441W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+3996.56 грн
UF3C065030K3SUnited Silicon Carbide650V-27mW SiC FET
товар відсутній
UF3C065030K3SQORVODescription: QORVO - UF3C065030K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1461.9 грн
5+ 1376.52 грн
10+ 1290.4 грн
50+ 1118.25 грн
100+ 958.41 грн
250+ 811.41 грн
UF3C065030K3SQorvoMOSFET 650V/30mO,SICFET,G3,TO247-3
на замовлення 406 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1392.64 грн
25+ 1365.07 грн
100+ 1026.79 грн
250+ 921.97 грн
600+ 909.29 грн
3000+ 905.28 грн
5400+ 900.61 грн
UF3C065030K3SQorvoDescription: SICFET N-CH 650V 85A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 441W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1239.98 грн
30+ 966.95 грн
120+ 910.07 грн
510+ 774 грн
UF3C065030K4SQorvoMOSFET 650V/30mO,SICFET,G3,TO247-4
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1539.85 грн
25+ 1339.73 грн
100+ 1009.43 грн
250+ 952.02 грн
600+ 809.15 грн
3000+ 792.46 грн
5400+ 767.75 грн
UF3C065030K4SUnitedSiCMOSFET 650V/30mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, TO-247-4L, REDUCED Rth
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1448.72 грн
10+ 1312.86 грн
120+ 964.7 грн
270+ 944.67 грн
510+ 843.86 грн
1020+ 829.18 грн
UF3C065030K4SQorvoDescription: MOSFET N-CH 650V 85A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 441W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 1955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1268.87 грн
30+ 989.02 грн
120+ 930.85 грн
510+ 791.67 грн
UF3C065030K4SQorvo (UnitedSiC)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 62A
Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: cascode
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 62A
Pulsed drain current: 230A
Power dissipation: 441W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Features of semiconductor devices: ESD protected gate; Kelvin terminal
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3726.65 грн
UF3C065030K4SQorvo (UnitedSiC)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 62A
Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: cascode
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 62A
Pulsed drain current: 230A
Power dissipation: 441W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Features of semiconductor devices: ESD protected gate; Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+4471.98 грн
UF3C065030K4SUnited Silicon Carbide650V-27mW SiC Cascode
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+972.79 грн
17+ 892.88 грн
44+ 869.73 грн
107+ 819.14 грн
UF3C065030K4SQORVODescription: QORVO - UF3C065030K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1479.88 грн
5+ 1393 грн
10+ 1306.12 грн
50+ 1132.16 грн
100+ 969.96 грн
UF3C065030T3SQorvoDescription: MOSFET N-CH 650V 85A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 441W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 4681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1208.2 грн
50+ 941.85 грн
100+ 886.44 грн
500+ 753.9 грн
UF3C065030T3SQorvoMOSFET 650V/30mO,SICFET,G3,TO220-3
на замовлення 401 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1742.36 грн
25+ 1460.27 грн
100+ 1119.59 грн
250+ 970.71 грн
500+ 821.16 грн
1000+ 777.77 грн
5000+ 739.05 грн
UF3C065030T3SUnited Silicon CarbideSwitching Fast SiC FETs
товар відсутній
UF3C065030T3SQORVODescription: QORVO - UF3C065030T3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-220
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1675.34 грн
5+ 1550.27 грн
10+ 1424.45 грн
50+ 1244.82 грн
100+ 1076.53 грн
UF3C065030T3SQorvo / UnitedSiCMOSFET 650V/30mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, TO-220-3L, REDUCED Rth
на замовлення 527 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1570.23 грн
10+ 1422.65 грн
50+ 1236.42 грн
100+ 1044.15 грн
500+ 933.32 грн
1000+ 916.63 грн
2500+ 915.96 грн
UF3C065040B3United Silicon CarbideSwitching Fast SiC FETs
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+540.54 грн
Мінімальне замовлення: 800
UF3C065040B3UNITEDSICDescription: UNITEDSIC - UF3C065040B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 41 A, 650 V, 0.042 ohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 176
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 176
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.042
Rds(on)-Prüfspannung: 12
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+965.36 грн
5+ 922.68 грн
10+ 879.24 грн
50+ 755.93 грн
100+ 641.94 грн
UF3C065040B3QorvoDescription: MOSFET N-CH 650V 41A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 30A, 12V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+854.34 грн
10+ 724.5 грн
100+ 626.57 грн
UF3C065040B3UNITEDSICDescription: UNITEDSIC - UF3C065040B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 41 A, 650 V, 0.042 ohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 176
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+879.24 грн
50+ 755.93 грн
100+ 641.94 грн
Мінімальне замовлення: 10
UF3C065040B3QorvoDescription: MOSFET N-CH 650V 41A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 30A, 12V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
товар відсутній
UF3C065040B3QorvoMOSFET 650V/40mO,SICFET,G3,TO263-3
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+958.8 грн
25+ 935.13 грн
100+ 703.66 грн
250+ 658.27 грн
500+ 641.58 грн
800+ 608.86 грн
2400+ 602.85 грн
UF3C065040K3SQORVODescription: QORVO - UF3C065040K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 650 V, 0.042 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 326W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+956.38 грн
5+ 900.21 грн
10+ 844.04 грн
50+ 723.25 грн
100+ 611.12 грн
250+ 598.93 грн
UF3C065040K3SQorvoMOSFET 650V/40mO,SICFET,G3,TO247-3
на замовлення 1620 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+954.91 грн
25+ 865.26 грн
100+ 635.57 грн
600+ 567.47 грн
UF3C065040K3SQorvo (UnitedSiC)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 40A
Technology: SiC
Mounting: THT
Power dissipation: 326W
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Case: TO247-3
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 40A
On-state resistance: 42mΩ
Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 51nC
Kind of transistor: cascode
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 125A
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2556.08 грн
3+ 2358.2 грн
5+ 2274.06 грн
UF3C065040K3SQorvo (UnitedSiC)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 40A
Technology: SiC
Mounting: THT
Power dissipation: 326W
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Case: TO247-3
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 40A
On-state resistance: 42mΩ
Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 51nC
Kind of transistor: cascode
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 125A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+3067.3 грн
3+ 2938.68 грн
5+ 2728.87 грн
UF3C065040K3SUnited Silicon CarbideSwitching Fast SiC FETs
товар відсутній
UF3C065040K3SQorvoDescription: MOSFET N-CH 650V 54A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 3779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+890.44 грн
30+ 694.27 грн
120+ 653.43 грн
510+ 555.73 грн
1020+ 509.74 грн
UF3C065040K4SUnited Silicon CarbideSwitching Fast SiC FETs
товар відсутній
UF3C065040K4SQorvoDescription: MOSFET N-CH 650V 54A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+907.78 грн
30+ 707.69 грн
120+ 666.06 грн
510+ 566.47 грн
UF3C065040K4SQORVODescription: QORVO - UF3C065040K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 650 V, 0.042 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 326W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1073.21 грн
5+ 997.57 грн
10+ 921.18 грн
50+ 798.35 грн
100+ 684.3 грн
250+ 584.16 грн
UF3C065040K4SQorvoMOSFET 650V/40mO,SICFET,G3,TO247-4
на замовлення 3206 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1085.76 грн
25+ 944.34 грн
100+ 711.68 грн
250+ 602.85 грн
600+ 570.81 грн
3000+ 558.79 грн
5400+ 542.1 грн
UF3C065040T3SQorvoDescription: MOSFET N-CH 650V 54A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+854.34 грн
50+ 665.72 грн
100+ 626.57 грн
UF3C065040T3SQORVODescription: QORVO - UF3C065040T3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 650 V, 0.042 ohm, TO-220
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 326W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1220.75 грн
5+ 1124.14 грн
10+ 1026.78 грн
50+ 897.8 грн
100+ 776.74 грн
250+ 673.39 грн
UF3C065040T3SQorvoMOSFET 650V/40mO,SICFET,G3,TO220-3
на замовлення 424 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1088.88 грн
25+ 869.1 грн
100+ 711.01 грн
250+ 707 грн
500+ 633.56 грн
1000+ 583.49 грн
5000+ 577.49 грн
UF3C065040T3SUnited Silicon CarbideSwitching Fast SiC FETs
товар відсутній
UF3C065080B3QORVODescription: QORVO - UF3C065080B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 25 A, 650 V, 0.08 ohm, D2PAK
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+559.45 грн
5+ 510.02 грн
10+ 460.59 грн
50+ 396.4 грн
100+ 336.37 грн
250+ 303.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
UF3C065080B3UnitedSiCMOSFET 650V/80mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, D2PAK-3L
на замовлення 219 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+567.8 грн
10+ 505.95 грн
100+ 363.85 грн
500+ 317.78 грн
800+ 292.41 грн
2400+ 287.74 грн
UF3C065080B3QorvoDescription: MOSFET N-CH 650V 25A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
на замовлення 14577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+350.98 грн
10+ 289.3 грн
100+ 249.64 грн
UF3C065080B3QorvoMOSFET 650V/80mO,SICFET,G3,TO263-3
на замовлення 1683 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+538.21 грн
25+ 522.07 грн
100+ 381.21 грн
250+ 370.53 грн
500+ 369.19 грн
800+ 302.43 грн
2400+ 285.07 грн
UF3C065080B3QORVODescription: QORVO - UF3C065080B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 25 A, 650 V, 0.08 ohm, D2PAK
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+460.59 грн
50+ 396.4 грн
100+ 336.37 грн
250+ 303.64 грн
Мінімальне замовлення: 10
UF3C065080B3QorvoDescription: MOSFET N-CH 650V 25A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
на замовлення 13600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+259.24 грн
Мінімальне замовлення: 800
UF3C065080B3Qorvo / UnitedSiCMOSFET 650V/80mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, D2PAK-3L
на замовлення 1707 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+629.34 грн
10+ 531.29 грн
100+ 385.21 грн
800+ 305.77 грн
2400+ 286.41 грн
UF3C065080B7SQorvoDescription: SICFET N-CH 650V 27A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 136.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 100 V
на замовлення 2957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+590.02 грн
10+ 486.87 грн
100+ 405.76 грн
UF3C065080B7SUnited Silicon CarbideSwitching Fast SiC FETs
товар відсутній
UF3C065080B7SQorvoMOSFET 650V/80mO,SICFET,G3,TO263-7
на замовлення 4303 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+637.13 грн
25+ 593.47 грн
100+ 439.96 грн
250+ 412.58 грн
500+ 406.58 грн
800+ 349.83 грн
2400+ 346.49 грн
UF3C065080B7SQorvoDescription: SICFET N-CH 650V 27A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 136.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 100 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+371.79 грн
1600+ 322.22 грн
Мінімальне замовлення: 800
UF3C065080B7SQorvo / UnitedSiCMOSFET 650V/80mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, D2PAK-7L, REDUCED Rth
на замовлення 4355 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+758.63 грн
10+ 675.62 грн
100+ 486.69 грн
500+ 423.93 грн
800+ 397.23 грн
2400+ 389.89 грн
UF3C065080K3SQorvoDescription: MOSFET N-CH 650V 31A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 12183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+530.08 грн
30+ 407.38 грн
120+ 364.52 грн
510+ 301.84 грн
1020+ 271.66 грн
2010+ 254.55 грн
UF3C065080K3SUnited Silicon CarbideSwitching Fast SiC FETs
товар відсутній
UF3C065080K3SQorvo / UnitedSiCMOSFET 650V/80mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, TO-247-3L, REDUCED Rth
на замовлення 495 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+689.31 грн
10+ 613.44 грн
120+ 441.29 грн
510+ 384.55 грн
1020+ 360.51 грн
2520+ 353.83 грн
UF3C065080K3SQORVODescription: QORVO - UF3C065080K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+597.64 грн
5+ 542.22 грн
10+ 486.05 грн
50+ 421.43 грн
100+ 361.41 грн
250+ 305.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
UF3C065080K3SQorvoMOSFET 650V/80mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, TO-247-3L, REDUCED Rth
на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+689.31 грн
10+ 613.44 грн
120+ 441.29 грн
510+ 384.55 грн
1020+ 360.51 грн
2520+ 353.83 грн
UF3C065080K4SQorvo (UnitedSiC)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 23A
Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: cascode
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 190W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Features of semiconductor devices: ESD protected gate; Kelvin terminal
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1765.96 грн
2+ 1550.11 грн
UF3C065080K4SQorvo (UnitedSiC)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 23A
Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: cascode
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 190W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Features of semiconductor devices: ESD protected gate; Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+2119.16 грн
2+ 1931.68 грн
5+ 1835.94 грн
UF3C065080K4SQorvo / UnitedSiCMOSFET 650V/80mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, TO-247-4L, REDUCED Rth
на замовлення 928 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+711.9 грн
10+ 633.4 грн
120+ 455.98 грн
510+ 396.56 грн
1020+ 372.53 грн
2520+ 366.52 грн
UF3C065080K4SQorvoDescription: MOSFET N-CH 650V 31A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 13236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+547.41 грн
30+ 420.83 грн
120+ 376.52 грн
510+ 311.78 грн
1020+ 280.6 грн
2010+ 262.93 грн
UF3C065080K4SUnited Silicon CarbideSwitching Fast SiC FETs
товар відсутній
UF3C065080K4SQORVODescription: QORVO - UF3C065080K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+616.37 грн
5+ 559.45 грн
10+ 502.53 грн
50+ 435.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
UF3C065080K4SQorvoMOSFET 650V/80mO,SICFET,G3,TO247-4
на замовлення 777 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+597.4 грн
25+ 580.42 грн
100+ 423.27 грн
250+ 369.19 грн
600+ 335.14 грн
1200+ 316.45 грн
3000+ 315.78 грн
UF3C065080T3SQorvo / UnitedSiCMOSFET 650V/80mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, TO-220-3L, REDUCED Rth
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+641.02 грн
10+ 571.21 грн
50+ 496.04 грн
100+ 411.25 грн
500+ 357.84 грн
1000+ 335.81 грн
2500+ 330.47 грн
UF3C065080T3SQorvoDescription: MOSFET N-CH 650V 31A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 7639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+350.98 грн
50+ 269.41 грн
100+ 249.64 грн
UF3C065080T3SQORVODescription: QORVO - UF3C065080T3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-220
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+651.56 грн
5+ 582.66 грн
10+ 513.01 грн
50+ 448.55 грн
100+ 388.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
UF3C065080T3SUnitedSiCMOSFET 650V/80mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, TO-220-3L, REDUCED Rth
на замовлення 412 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+557.68 грн
10+ 497.51 грн
50+ 431.95 грн
100+ 357.84 грн
500+ 311.11 грн
1000+ 292.41 грн
2500+ 287.74 грн
UF3C065080T3SQorvoMOSFET 650V/80mO,SICFET,G3,TO220-3
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+627.78 грн
25+ 525.91 грн
100+ 403.91 грн
250+ 349.83 грн
500+ 296.42 грн
1000+ 280.4 грн
5000+ 266.38 грн
UF3C120040K3SQORVODescription: QORVO - UF3C120040K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.035 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2276.73 грн
5+ 2143.42 грн
10+ 2009.37 грн
50+ 1741.36 грн
100+ 1492.5 грн
UF3C120040K3SUnited Silicon CarbideSwitching Fast SiC FETs
товар відсутній
UF3C120040K3SQorvo / UnitedSiCMOSFET 1200V/40mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, TO-247-3L, REDUCED Rth
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2353 грн
10+ 2138.96 грн
30+ 1587.58 грн
270+ 1441.38 грн
UF3C120040K3SQorvoDescription: SICFET N-CH 1200V 65A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 429W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 36052 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1260.92 грн
30+ 1107.73 грн
UF3C120040K3SQorvoMOSFET 1200V/40mO,SICFET,G3,TO247-3
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2367.8 грн
25+ 2059.89 грн
100+ 1552.2 грн
250+ 1313.86 грн
600+ 1243.76 грн
3000+ 1218.39 грн
5400+ 1181.67 грн
UF3C120040K4SQorvoMOSFET 1200V/40mO,SICFET,G3,TO247-4
на замовлення 807 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2367.8 грн
25+ 2059.89 грн
100+ 1552.2 грн
250+ 1313.86 грн
600+ 1243.76 грн
3000+ 1218.39 грн
5400+ 1181.67 грн
UF3C120040K4SQorvoDescription: SICFET N-CH 1200V 65A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 429W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1793.89 грн
30+ 1432.05 грн
120+ 1342.56 грн
510+ 1075.15 грн
UF3C120040K4SQorvo / UnitedSiCMOSFET 1200V/40mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, TO-247-4L, REDUCED Rth
на замовлення 217 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2262.65 грн
10+ 1982.34 грн
30+ 1506.8 грн
270+ 1286.49 грн
UF3C120040K4SQORVODescription: QORVO - UF3C120040K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.035 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2276.73 грн
5+ 2143.42 грн
10+ 2009.37 грн
50+ 1741.36 грн
100+ 1492.5 грн
UF3C120040K4SUnited Silicon CarbideSwitching Fast SiC FETs
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+1193.25 грн
Мінімальне замовлення: 600
UF3C120080B7SQorvoDescription: SICFET N-CH 1200V 28.8A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 754 pF @ 100 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+508.48 грн
Мінімальне замовлення: 800
UF3C120080B7SQorvo / UnitedSiCMOSFET 1200V/80mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, TO-247-3L, REDUCED Rth
на замовлення 1842 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1109.91 грн
10+ 1005.76 грн
100+ 739.05 грн
500+ 659.6 грн
800+ 647.58 грн
UF3C120080B7SQorvoDescription: SICFET N-CH 1200V 28.8A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 754 pF @ 100 V
на замовлення 4895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+606.63 грн
10+ 514.48 грн
100+ 489.65 грн
UF3C120080B7SQorvoMOSFET 1200V/80mO,SICFET,G3,TO263-7
на замовлення 1786 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1046.82 грн
25+ 910.56 грн
100+ 686.31 грн
250+ 580.16 грн
500+ 550.11 грн
2400+ 539.43 грн
4800+ 522.74 грн
UF3C120080K3SQorvoDescription: SICFET N-CH 1200V 33A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 254.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 17658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+694.73 грн
30+ 560.79 грн
UF3C120080K3SUNITEDSICDescription: UNITEDSIC - UF3C120080K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254.2W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1307.62 грн
5+ 1254.45 грн
10+ 1200.53 грн
50+ 1027.85 грн
100+ 867.9 грн
250+ 851.21 грн
UF3C120080K3SQorvoMOSFET 1200V/80mO,SICFET,G3,TO247-3
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 329-338 дні (днів)
1+1182.34 грн
25+ 1028.02 грн
100+ 775.1 грн
250+ 655.6 грн
600+ 621.55 грн
3000+ 608.86 грн
5400+ 590.84 грн
UF3C120080K4SUnited Silicon CarbideSwitching Fast SiC FETs
товар відсутній
UF3C120080K4SQorvoMOSFET 1200V/80mO,SICFET,G3,TO247-4
на замовлення 437 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1223.62 грн
25+ 982.73 грн
100+ 799.8 грн
250+ 717.68 грн
600+ 659.6 грн
3000+ 657.6 грн
5400+ 654.93 грн
UF3C120080K4SQorvoDescription: SICFET N-CH 1200V 33A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 254.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 16475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+965.55 грн
30+ 753.03 грн
120+ 708.75 грн
510+ 602.77 грн
1020+ 552.89 грн
UF3C120080K4SQORVODescription: QORVO - UF3C120080K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254.2W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1158.59 грн
5+ 1081.45 грн
10+ 1004.31 грн
50+ 870.68 грн
UF3C120150B7SQorvoMOSFET 1200V/150mO,SICFET,G3,TO263-7
на замовлення 4902 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+585.72 грн
25+ 509.02 грн
100+ 383.88 грн
250+ 324.46 грн
500+ 307.77 грн
2400+ 304.43 грн
9600+ 283.07 грн
UF3C120150B7SQorvoDescription: 1200V/150MOHM, SIC, FAST CASCODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.7 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 738 pF @ 100 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+344.51 грн
1600+ 298.57 грн
Мінімальне замовлення: 800
UF3C120150B7SQorvo / UnitedSiCMOSFET 1200V/150mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, TO-247-3L, REDUCED Rth
на замовлення 4969 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+708.78 грн
10+ 631.86 грн
100+ 454.64 грн
500+ 413.25 грн
800+ 376.53 грн
UF3C120150B7SQorvoDescription: 1200V/150MOHM, SIC, FAST CASCODE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.7 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 738 pF @ 100 V
на замовлення 2794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+546.69 грн
10+ 451.2 грн
100+ 375.98 грн
UF3C120150K3SUnitedSiCDescription: SICFET N-CH 1200V 18.4A TO247-3
товар відсутній
UF3C120150K4SUnited Silicon CarbideSwitching Fast SiC FETs
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
UF3C120150K4SQorvoDescription: SICFET N-CH 1200V 18.4A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 166.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.7 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 738 pF @ 100 V
на замовлення 472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+646.35 грн
30+ 496.63 грн
120+ 444.35 грн
UF3C120150K4SQorvo / UnitedSiCMOSFET 1200V/150mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, TO-247-4L, REDUCED Rth
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+873.91 грн
10+ 778.5 грн
120+ 560.13 грн
510+ 487.36 грн
1020+ 441.96 грн
2520+ 433.95 грн
UF3C120150K4SUNITEDSICDescription: UNITEDSIC - UF3C120150K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 18.4 A, 1.2 kV, 0.15 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 166.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166.7W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.15ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+909.94 грн
5+ 846.28 грн
10+ 781.88 грн
50+ 664.14 грн
100+ 554.63 грн
250+ 543.72 грн
UF3C120150K4SQorvoMOSFET 1200V/150mO,SICFET,G3,TO247-4
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+691.65 грн
25+ 601.15 грн
100+ 453.31 грн
250+ 383.88 грн
600+ 363.18 грн
3000+ 356.51 грн
5400+ 345.16 грн
UF3C120400B7SQorvoDescription: SICFET N-CH 1200V 7.6A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 515mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 739 pF @ 800 V
на замовлення 1502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+415.25 грн
10+ 335.96 грн
100+ 271.79 грн
UF3C120400B7SQorvoMOSFET 1200V/400mO,SICFET,G3,TO263-7
на замовлення 326 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+402.68 грн
25+ 350.86 грн
100+ 264.37 грн
250+ 249.69 грн
800+ 212.3 грн
UF3C120400B7SUnited Silicon CarbideSwitching Fast SiC FETs
товар відсутній
UF3C120400B7SQorvoDescription: SICFET N-CH 1200V 7.6A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 515mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 739 pF @ 800 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+250.89 грн
Мінімальне замовлення: 800
UF3C120400K3SUNITEDSICDescription: UNITEDSIC - UF3C120400K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.6 A, 1.2 kV, 0.41 ohm, TO-247
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2
Dauer-Drainstrom Id: 7.6
Verlustleistung Pd: 100
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 100
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.41
Rds(on)-Prüfspannung: 12
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+581.91 грн
5+ 547.46 грн
10+ 512.26 грн
50+ 465.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
UF3C120400K3SQorvo / UnitedSiCMOSFET 1200V/400mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, TO-247-3L, REDUCED Rth
на замовлення 1196 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+697.88 грн
10+ 621.11 грн
100+ 447.97 грн
600+ 389.22 грн
1200+ 327.8 грн
3000+ 315.11 грн
UF3C120400K3SUnited Silicon CarbideSwitching Fast SiC FETs
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
UF3C120400K3SQorvoMOSFET 1200V/400mO,SICFET,G3,TO247-3
на замовлення 538 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+509.39 грн
25+ 443.76 грн
100+ 333.81 грн
250+ 282.4 грн
600+ 268.38 грн
3000+ 262.37 грн
5400+ 254.36 грн
UF3C120400K3SUnited Silicon CarbideSwitching Fast SiC FETs
товар відсутній
UF3C120400K3SQorvoDescription: SICFET N-CH 1200V 7.6A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 515mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 100 V
на замовлення 587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+471.58 грн
30+ 362.27 грн
120+ 324.13 грн
510+ 268.4 грн
UF3C170400B7SQorvoDescription: SICFET N-CH 1700V 7.6A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 515mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 734 pF @ 1200 V
на замовлення 6695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+493.25 грн
10+ 407.52 грн
100+ 339.6 грн
UF3C170400B7SUnitedSiCMOSFET 1700V/400mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, D2PAK-7L, ENHANCED Rth
на замовлення 800 шт:
термін постачання 50-59 дні (днів)
1+552.23 грн
10+ 492.13 грн
100+ 353.83 грн
500+ 308.44 грн
1000+ 289.08 грн
2500+ 279.73 грн
UF3C170400B7SQorvoDescription: SICFET N-CH 1700V 7.6A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 515mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 734 pF @ 1200 V
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+311.17 грн
1600+ 269.68 грн
2400+ 252.7 грн
Мінімальне замовлення: 800
UF3C170400B7SQorvoMOSFET 1200V/400mO,SICFET,G3,TO263-7
товар відсутній
UF3C170400K3SQorvo / UnitedSiCMOSFET 1700V/400mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, TO-247-3L, REDUCED Rth
на замовлення 5182 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+760.97 грн
10+ 677.93 грн
100+ 488.03 грн
250+ 425.27 грн
600+ 369.86 грн
1200+ 356.51 грн
UF3C170400K3SUnited Silicon Carbide1700V 410Mw Sic FET
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+367.9 грн
Мінімальне замовлення: 2
UF3C170400K3SQorvoDescription: SICFET N-CH 1700V 7.6A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 515mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 100 V
на замовлення 75577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+579.91 грн
30+ 446.1 грн
120+ 399.14 грн
510+ 330.51 грн
1020+ 297.46 грн
2010+ 278.73 грн
UF3C170400K3SUnited Silicon Carbide1700V 410Mw Sic FET
товар відсутній
UF3C170400K3SQorvoMOSFET 1700V/400mO,SICFET,G3,TO247-3
на замовлення 4960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+514.84 грн
25+ 405.37 грн
100+ 326.46 грн
600+ 325.8 грн
10200+ 325.13 грн
UF3C3-500Sunon FansDescription: FAN AXIAL 12X3MM VAPO 3VDC WIRE
Packaging: Tray
Features: Auto Restart, Speed Sensor (Tach)
Voltage - Rated: 3VDC
Size / Dimension: Square - 12mm L x 12mm H
Bearing Type: Vapo-Bearing™
RPM: 16500 RPM
Air Flow: 0.218 CFM (0.006m³/min)
Width: 3.00mm
Weight: 0.002 lb (0.91 g)
Operating Temperature: 14 ~ 158°F (-10 ~ 70°C)
Termination: 3 Wire Leads
Approval Agency: CE
Ingress Protection: IP55 - Dust Protected, Water Resistant
Fan Type: Tubeaxial
Noise: 28.3dB(A)
Static Pressure: 0.076 in H2O (18.9 Pa)
Part Status: Obsolete
Power (Watts): 300 mW
товар відсутній
UF3C3-500SunonDC Fans DC Fan, 12x3mm, 3VDC, 5.95CFM, 0.3W, 28.3/20cm dBA, 16500RPM, 18.91inch H2O, Vapo Bearing, 3Wire/Tach, IP55, Mighty Mini Series
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
UF3C3-500SUNONCategory: Miniature Fans
Description: Fan: DC; axial; 3VDC; 12x12x3mm; 0.36m3/h; 14dBA; Vapo; 1.07mmH2O
Current rating: 97mA
Operating temperature: -10...70°C
Leads: lead FPCB
Min. insulation resistance: 20MΩ
Operating voltage: 2...3.5V
Version: Might&Mini
Kind of fan: axial
Enclosure material: thermoplastic
Supply voltage: 3V DC
Type of fan: DC
Fan dimensions: 12x12x3mm
Impeller material: thermoplastic
Kind of Bearing: Vapo
Fan efficiency: 0.36m3/h
Static pressure: 1.07mm H2O
Noise level: 14dBA
Rotational rate/speed: 16500 (±30%)rpm
Power consumption: 0.3W
товар відсутній
UF3C3-500SUNONCategory: Miniature Fans
Description: Fan: DC; axial; 3VDC; 12x12x3mm; 0.36m3/h; 14dBA; Vapo; 1.07mmH2O
Current rating: 97mA
Operating temperature: -10...70°C
Leads: lead FPCB
Min. insulation resistance: 20MΩ
Operating voltage: 2...3.5V
Version: Might&Mini
Kind of fan: axial
Enclosure material: thermoplastic
Supply voltage: 3V DC
Type of fan: DC
Fan dimensions: 12x12x3mm
Impeller material: thermoplastic
Kind of Bearing: Vapo
Fan efficiency: 0.36m3/h
Static pressure: 1.07mm H2O
Noise level: 14dBA
Rotational rate/speed: 16500 (±30%)rpm
Power consumption: 0.3W
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
UF3C3-500 TCSunonDC Fans Axial Fan, 12x12x3mm, 3VDC, 18.91"H2O, Vapo, 4x Wire, Tach/PWM, IP55
товар відсутній
UF3C3-500BSunonDC Fans Axial Fan, 12x12x3mm, 3VDC, 18.91"H2O, Vapo, 4x Wire, Tach/PWM, IP58
товар відсутній
UF3C3-500BSunon FansDescription: FAN AXIAL 12X3MM VAPO 3VDC WIRE
Features: Auto Restart, Speed Sensor (Tach)
Packaging: Tray
Voltage - Rated: 3VDC
Size / Dimension: Square - 12mm L x 12mm H
Bearing Type: Vapo-Bearing™
RPM: 16500 RPM
Air Flow: 0.218 CFM (0.006m³/min)
Width: 3.00mm
Weight: 0.002 lb (0.91 g)
Operating Temperature: 14 ~ 158°F (-10 ~ 70°C)
Termination: 3 Wire Leads
Approval Agency: CE
Ingress Protection: IP58 - Dust Protected, Waterproof
Fan Type: Tubeaxial
Noise: 28.3dB(A)
Static Pressure: 0.076 in H2O (18.9 Pa)
Part Status: Active
Power (Watts): 300 mW
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1696.39 грн
UF3C3-500B TCSunonDC Fans Axial Fan, 12x12x3mm, 3VDC, 18.91"H2O, Vapo, 4x Wire, Tach/PWM, IP58
товар відсутній
UF3C3-500TCSunon FansDescription: FAN AXIAL 12X3MM VAPO 3VDC WIRE
Features: Auto Restart, Speed Sensor (Tach)
Packaging: Tray
Voltage - Rated: 3VDC
Size / Dimension: Square - 12mm L x 12mm H
Bearing Type: Vapo-Bearing™
RPM: 16500 RPM
Air Flow: 0.218 CFM (0.006m³/min)
Width: 3.00mm
Weight: 0.002 lb (0.91 g)
Operating Temperature: 14 ~ 158°F (-10 ~ 70°C)
Termination: 3 Wire Leads
Approval Agency: CE
Ingress Protection: IP55 - Dust Protected, Water Resistant
Fan Type: Tubeaxial
Noise: 28.3dB(A)
Static Pressure: 0.076 in H2O (18.9 Pa)
Part Status: Active
Power (Watts): 300 mW
на замовлення 499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1247.92 грн
10+ 1097.53 грн
25+ 1055.83 грн
50+ 925.67 грн
100+ 853.97 грн
250+ 840.93 грн
UF3C3-700Sunon FansDescription: FAN AXIAL 12X3MM VAPO 3VDC WIRE
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
UF3C3-700SUNONCategory: Miniature Fans
Description: Fan: DC; axial; 3VDC; 12x12x3mm; 0.36m3/h; 14dBA; Vapo; 1.07mmH2O
Current rating: 97mA
Operating temperature: -10...70°C
Leads: lead FPCB
Min. insulation resistance: 20MΩ
Operating voltage: 2...3.5V
Version: Might&Mini
Kind of fan: axial
Enclosure material: thermoplastic
Supply voltage: 3V DC
Type of fan: DC
Fan dimensions: 12x12x3mm
Impeller material: thermoplastic
Kind of Bearing: Vapo
Fan efficiency: 0.36m3/h
Static pressure: 1.07mm H2O
Noise level: 14dBA
Rotational rate/speed: 16500 (±30%)rpm
Power consumption: 0.3W
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2027.34 грн
UF3C3-700SUNONCategory: Miniature Fans
Description: Fan: DC; axial; 3VDC; 12x12x3mm; 0.36m3/h; 14dBA; Vapo; 1.07mmH2O
Current rating: 97mA
Operating temperature: -10...70°C
Leads: lead FPCB
Min. insulation resistance: 20MΩ
Operating voltage: 2...3.5V
Version: Might&Mini
Kind of fan: axial
Enclosure material: thermoplastic
Supply voltage: 3V DC
Type of fan: DC
Fan dimensions: 12x12x3mm
Impeller material: thermoplastic
Kind of Bearing: Vapo
Fan efficiency: 0.36m3/h
Static pressure: 1.07mm H2O
Noise level: 14dBA
Rotational rate/speed: 16500 (±30%)rpm
Power consumption: 0.3W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+2432.81 грн
10+ 2033.94 грн
50+ 1649 грн
UF3C3-700SunonDC Fans DC Fan, 12x3mm, 3VDC, 5.95CFM, 0.3W, 28.3/20cm dBA, 16500RPM, 18.91inch H2O, Vapo Bearing, 2 Lead Wire, IP55, Mighty Mini Series
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
UF3C3-700 TCSunonDC Fans Axial Fan, 12x12x3mm, 3VDC, 18.91"H2O, Vapo, IP55
товар відсутній
UF3C3-700BSunonDC Fans DC Fan, 12x3mm, 3VDC, 5.95CFM, 0.3W, 28.3/20cm dBA, 16500RPM, 18.91inch H2O, Vapo Bearing, 2 Lead Wire, IP58, Mighty Mini Series
товар відсутній
UF3C3-700BSunon FansDescription: FAN AXIAL 12X3MM VAPO 3VDC WIRE
Features: Auto Restart
Packaging: Tray
Voltage - Rated: 3VDC
Size / Dimension: Square - 12mm L x 12mm H
Bearing Type: Vapo-Bearing™
RPM: 16500 RPM
Air Flow: 0.218 CFM (0.006m³/min)
Width: 3.00mm
Weight: 0.002 lb (0.91 g)
Operating Temperature: 14 ~ 158°F (-10 ~ 70°C)
Termination: 2 Wire Leads
Approval Agency: CE
Ingress Protection: IP58 - Dust Protected, Waterproof
Fan Type: Tubeaxial
Noise: 28.3dB(A)
Static Pressure: 0.076 in H2O (18.9 Pa)
Part Status: Active
Power (Watts): 300 mW
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2204.81 грн
10+ 1938.86 грн
25+ 1865.23 грн
50+ 1635.27 грн
100+ 1508.6 грн
250+ 1485.57 грн
UF3C3-700B TCSunonDC Fans Axial Fan, 12x12x3mm, 3VDC, 18.91"H2O, Vapo, IP58
товар відсутній
UF3C3-700TCSunon FansDescription: FAN AXIAL 12X3MM VAPO 3VDC WIRE
Packaging: Tray
Features: Auto Restart
Voltage - Rated: 3VDC
Size / Dimension: Square - 12mm L x 12mm H
Bearing Type: Vapo-Bearing™
RPM: 16500 RPM
Air Flow: 0.218 CFM (0.006m³/min)
Width: 3.00mm
Weight: 0.002 lb (0.91 g)
Operating Temperature: 14 ~ 158°F (-10 ~ 70°C)
Termination: 2 Wire Leads
Approval Agency: CE
Ingress Protection: IP55 - Dust Protected, Water Resistant
Fan Type: Tubeaxial
Noise: 28.3dB(A)
Static Pressure: 0.076 in H2O (18.9 Pa)
Part Status: Active
Power (Watts): 300 mW
на замовлення 2628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1233.48 грн
10+ 1084.8 грн
25+ 1043.59 грн
50+ 914.94 грн
100+ 844.07 грн
250+ 831.18 грн
500+ 811.22 грн
UF3DDC COMPONENTSCategory: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 3A; 50ns; SMC; Ufmax: 1V; Ifsm: 100A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 3A
Reverse recovery time: 50ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching
Case: SMC
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: reel; tape
товар відсутній
UF3DDC COMPONENTSCategory: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 3A; 50ns; SMC; Ufmax: 1V; Ifsm: 100A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 3A
Reverse recovery time: 50ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching
Case: SMC
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
UF3D-R1-00001PanjitRectifiers SMC/ULTRA/SMD/USM-30H
товар відсутній
UF3D-R2-00001PanjitRectifiers
товар відсутній
UF3DL-6253E3/72Vishay1A,300V,50NS,UF PLASTIC RECT
товар відсутній
UF3DL-6253E3/72Vishay1A,300V,50NS,UF PLASTIC RECT
товар відсутній
UF3D_R1_00001Panjit International Inc.Description: DIODE GEN PURP 200V 3A SMC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 75pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SMC (DO-214AB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
на замовлення 1489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+26.72 грн
14+ 19.96 грн
100+ 11.98 грн
Мінімальне замовлення: 11
UF3D_R1_00001PanjitRectifiers 200V,Ultra Fast Recovery Rectifiers,SMC,3A
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+28.97 грн
14+ 22.19 грн
100+ 11.62 грн
500+ 10.75 грн
800+ 6.68 грн
2400+ 6.41 грн
9600+ 5.74 грн
Мінімальне замовлення: 11
UF3D_R1_00001Panjit International Inc.Description: DIODE GEN PURP 200V 3A SMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 75pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SMC (DO-214AB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+11.52 грн
Мінімальне замовлення: 800
UF3D_R2_00001PanjitRectifiers 200V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF3F3-500Sunon FansDescription: FAN AXIAL 15X3MM VAPO 3VDC WIRE
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1630.68 грн
UF3F3-500SunonDC Fans DC Fan, 15x3mm, 3VDC, 8.75CFM, 0.1W, 30.0/30cm dBA, 14500RPM, 20.36inch H2O, Vapo Bearing, 3Wire/Tach, IP55, Mighty Mini Series
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
UF3F3-500 TCSunonDC Fans Axial Fan, 15x15x3mm, 3VDC, 20.36"H2O, Vapo, 4x Wire, Tach/PWM, IP55
на замовлення 1845 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+992.3 грн
10+ 933.59 грн
25+ 763.75 грн
50+ 735.04 грн
100+ 676.96 грн
250+ 633.56 грн
500+ 623.55 грн
UF3F3-500BSunon FansDescription: FAN AXIAL 15X3MM VAPO 3VDC WIRE
Features: Auto Restart, Speed Sensor (Tach)
Packaging: Tray
Voltage - Rated: 3VDC
Size / Dimension: Square - 15mm L x 15mm H
Bearing Type: Vapo-Bearing™
RPM: 14500 RPM
Air Flow: 0.309 CFM (0.009m³/min)
Width: 3.00mm
Weight: 0.003 lb (1.36 g)
Operating Temperature: 14 ~ 158°F (-10 ~ 70°C)
Termination: 3 Wire Leads
Approval Agency: CE
Ingress Protection: IP58 - Dust Protected, Waterproof
Fan Type: Tubeaxial
Noise: 30.0dB(A)
Static Pressure: 0.082 in H2O (20.4 Pa)
Power (Watts): 100 mW
товар відсутній
UF3F3-500BSunonDC Fans DC Fan, 15x3mm, 3VDC, 8.75CFM, 0.1W, 30.0/30cm dBA, 14500RPM, 20.36inch H2O, Vapo Bearing, 3Wire/Tach, IP58, Mighty Mini Series
товар відсутній
UF3F3-500B TCSunonDC Fans Axial Fan, 15x15x3mm, 3VDC, 20.36"H2O, Vapo, 4x Wire, Tach/PWM, IP58
товар відсутній
UF3F3-500TCSunon FansDescription: FAN AXIAL 15X3MM VAPO 3VDC WIRE
Features: Auto Restart, Speed Sensor (Tach)
Packaging: Tray
Voltage - Rated: 3VDC
Size / Dimension: Square - 15mm L x 15mm H
Bearing Type: Vapo-Bearing™
RPM: 14500 RPM
Air Flow: 0.309 CFM (0.009m³/min)
Width: 3.00mm
Weight: 0.003 lb (1.36 g)
Operating Temperature: 14 ~ 158°F (-10 ~ 70°C)
Termination: 3 Wire Leads
Approval Agency: CE
Ingress Protection: IP55 - Dust Protected, Water Resistant
Fan Type: Tubeaxial
Noise: 30.0dB(A)
Static Pressure: 0.082 in H2O (20.4 Pa)
Part Status: Active
Power (Watts): 100 mW
товар відсутній
UF3F3-700SunonDC Fans Fan, 15x3mm, 3VDC, 8.75 L/min, 0.1W, Vapo, Leads, IP55, MagLev, Mighty Mini
товар відсутній
UF3F3-700SUNONCategory: Miniature Fans
Description: Fan: DC; axial; 3VDC; 15x15x3mm; 0.53m3/h; 20.2dBA; Vapo; 2.08mmH2O
Type of fan: DC
Kind of fan: axial
Supply voltage: 3V DC
Operating voltage: 2...3.5V
Fan dimensions: 15x15x3mm
Power consumption: 100mW
Current rating: 36mA
Fan efficiency: 0.53m3/h
Noise level: 20.2dBA
Kind of Bearing: Vapo
Rotational rate/speed: 14500 (±30%)rpm
Min. insulation resistance: 20MΩ
Impeller material: thermoplastic
Enclosure material: thermoplastic
Leads: lead FPCB
Operating temperature: -10...70°C
Static pressure: 2.08mm H2O
Version: Might&Mini
товар відсутній
UF3F3-700SUNONCategory: Miniature Fans
Description: Fan: DC; axial; 3VDC; 15x15x3mm; 0.53m3/h; 20.2dBA; Vapo; 2.08mmH2O
Type of fan: DC
Kind of fan: axial
Supply voltage: 3V DC
Operating voltage: 2...3.5V
Fan dimensions: 15x15x3mm
Power consumption: 100mW
Current rating: 36mA
Fan efficiency: 0.53m3/h
Noise level: 20.2dBA
Kind of Bearing: Vapo
Rotational rate/speed: 14500 (±30%)rpm
Min. insulation resistance: 20MΩ
Impeller material: thermoplastic
Enclosure material: thermoplastic
Leads: lead FPCB
Operating temperature: -10...70°C
Static pressure: 2.08mm H2O
Version: Might&Mini
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
UF3F3-700Sunon FansDescription: FAN AXIAL 15X3MM VAPO 3VDC WIRE
товар відсутній
UF3F3-700
Код товару: 129707
Корпусні та встановлювальні вироби > Вентилятори та аксесуари
товар відсутній
UF3F3-700 TCSunonDC Fans Axial Fan, 15x15x3mm, 3VDC, 20.36"H2O, Vapo, IP55
на замовлення 974 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1178.45 грн
10+ 1081 грн
25+ 894.6 грн
50+ 846.53 грн
100+ 779.1 грн
250+ 747.06 грн
UF3F3-700-TCSunon FansDescription: Thermal Products
Packaging: Bulk
Features: Auto Restart
Voltage - Rated: 3VDC
Size / Dimension: Square - 15mm L x 15mm H
Bearing Type: Vapo-Bearing™
RPM: 14500 RPM
Air Flow: 0.309 CFM (0.009m³/min)
Width: 3.00mm
Operating Temperature: 14 ~ 158°F (-10 ~ 70°C)
Termination: 2 Wire Leads
Approval Agency: CE
Ingress Protection: IP55 - Dust Protected, Water Resistant
Fan Type: Tubeaxial
Noise: 30.0dB(A)
Static Pressure: 0.082 in H2O (20.4 Pa)
Power (Watts): 100 mW
товар відсутній
UF3F3-700BSunon FansDescription: FAN AXIAL 15X3MM VAPO 3VDC WIRE
Packaging: Tray
Features: Auto Restart
Voltage - Rated: 3VDC
Size / Dimension: Square - 15mm L x 15mm H
Bearing Type: Vapo-Bearing™
RPM: 14500 RPM
Air Flow: 0.309 CFM (0.009m³/min)
Width: 3.00mm
Weight: 0.003 lb (1.36 g)
Operating Temperature: 14 ~ 158°F (-10 ~ 70°C)
Termination: 2 Wire Leads
Approval Agency: CE
Ingress Protection: IP58 - Dust Protected, Waterproof
Fan Type: Tubeaxial
Noise: 30.0dB(A)
Static Pressure: 0.082 in H2O (20.4 Pa)
Power (Watts): 100 mW
на замовлення 489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2100.81 грн
10+ 1847.62 грн
25+ 1777.46 грн
50+ 1558.35 грн
100+ 1437.64 грн
250+ 1415.68 грн
UF3F3-700BSunonDC Fans DC Fan, 15x3mm, 3VDC, 8.75CFM, 0.1W, 30.0/30cm dBA, 14500RPM, 20.36inch H2O, Vapo Bearing, 2 Lead Wire, IP58, Mighty Mini Series
товар відсутній
UF3F3-700B TCSunonDC Fans Axial Fan, 15x15x3mm, 3VDC, 20.36"H2O, Vapo, IP58
товар відсутній
UF3F3-700TCSunon FansDescription: FAN AXIAL 15X3MM VAPO 3VDC WIRE
Packaging: Tray
Features: Auto Restart
Voltage - Rated: 3VDC
Size / Dimension: Square - 15mm L x 15mm H
Bearing Type: Vapo-Bearing™
RPM: 14500 RPM
Air Flow: 0.309 CFM (0.009m³/min)
Width: 3.00mm
Weight: 0.003 lb (1.36 g)
Operating Temperature: 14 ~ 158°F (-10 ~ 70°C)
Termination: 2 Wire Leads
Approval Agency: CE
Ingress Protection: IP55 - Dust Protected, Water Resistant
Fan Type: Tubeaxial
Noise: 30.0dB(A)
Static Pressure: 0.082 in H2O (20.4 Pa)
Part Status: Active
Power (Watts): 100 mW
на замовлення 1098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1168.48 грн
10+ 1074.23 грн
25+ 1010.29 грн
50+ 912.11 грн
100+ 840.1 грн
250+ 786.1 грн
500+ 761.41 грн
UF3GDC COMPONENTSCategory: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 3A; 50ns; SMC; Ufmax: 1.3V; Ifsm: 100A
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 3A
Case: SMC
Max. forward voltage: 1.3V
Max. forward impulse current: 100A
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching
Kind of package: reel; tape
Reverse recovery time: 50ns
товар відсутній
UF3GDC COMPONENTSCategory: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 3A; 50ns; SMC; Ufmax: 1.3V; Ifsm: 100A
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 3A
Case: SMC
Max. forward voltage: 1.3V
Max. forward impulse current: 100A
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching
Kind of package: reel; tape
Reverse recovery time: 50ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
UF3GL-5700/22T
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF3G_R1_00001Panjit International Inc.Description: DIODE GEN PURP 400V 3A SMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 75pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SMC (DO-214AB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
товар відсутній
UF3G_R1_00001PanjitRectifiers 400V,Ultra Fast Recovery Rectifiers,SMC,3A
товар відсутній
UF3G_R1_00001Panjit International Inc.Description: DIODE GEN PURP 400V 3A SMC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 75pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SMC (DO-214AB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+29.61 грн
12+ 24.62 грн
100+ 17.09 грн
Мінімальне замовлення: 10
UF3G_R2_00001PanjitRectifiers 400V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF3H3-500Sunon FansDescription: FAN AXIAL 17X3MM VAPO 3VDC WIRE
Features: Auto Restart, Speed Sensor (Tach)
Packaging: Tray
Voltage - Rated: 3VDC
Size / Dimension: Square - 17mm L x 17mm H
Bearing Type: Vapo-Bearing™
RPM: 13000 RPM
Air Flow: 0.575 CFM (0.016m³/min)
Width: 3.00mm
Weight: 0.003 lb (1.36 g)
Operating Temperature: 14 ~ 158°F (-10 ~ 70°C)
Termination: 3 Wire Leads
Approval Agency: CE
Ingress Protection: IP55 - Dust Protected, Water Resistant
Fan Type: Tubeaxial
Noise: 32.0dB(A)
Static Pressure: 0.085 in H2O (21.2 Pa)
Part Status: Obsolete
Power (Watts): 100 mW
товар відсутній
UF3H3-500SunonDC Fans DC Fan, 17x3mm, 3VDC, 16.27CFM, 0.1W, 32.0/30cm dBA, 13000RPM, 21.21inch H2O, Vapo Bearing, 3Wire/Tach, IP55, Mighty Mini Series
на замовлення 544 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
UF3H3-500 TCSunonDC Fans Axial Fan, 17x17x3mm, 3VDC, 21.21"H2O, Vapo, 4x Wire, Tach/PWM, IP55
товар відсутній
UF3H3-500BSunon FansDescription: FAN AXIAL 17X3MM VAPO 3VDC WIRE
Features: Auto Restart, Speed Sensor (Tach)
Packaging: Tray
Voltage - Rated: 3VDC
Size / Dimension: Square - 17mm L x 17mm H
Bearing Type: Vapo-Bearing™
RPM: 13000 RPM
Air Flow: 0.575 CFM (0.016m³/min)
Width: 3.00mm
Weight: 0.003 lb (1.36 g)
Operating Temperature: 14 ~ 158°F (-10 ~ 70°C)
Termination: 3 Wire Leads
Approval Agency: CE
Ingress Protection: IP58 - Dust Protected, Waterproof
Fan Type: Tubeaxial
Noise: 32.0dB(A)
Static Pressure: 0.085 in H2O (21.2 Pa)
Part Status: Active
Power (Watts): 100 mW
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1614.79 грн
10+ 1419.65 грн
25+ 1365.74 грн
50+ 1197.36 грн
100+ 1104.62 грн
UF3H3-500BSunonDC Fans DC Fan, 17x3mm, 3VDC, 16.27CFM, 0.1W, 32.0/30cm dBA, 13000RPM, 21.21inch H2O, Vapo Bearing, 3Wire/Tach, IP58, Mighty Mini Series
товар відсутній
UF3H3-500B TCSunonDC Fans Fan, 17x17x3mm, 3VDC, 16.27 L/min, 0.1W, 32.0/30cm dBA, Vapo, Tach, 3 Wire, IP58
товар відсутній
UF3H3-500TCSunon FansDescription: FAN AXIAL 17X3MM VAPO 3VDC WIRE
Packaging: Tray
Features: Auto Restart, Speed Sensor (Tach)
Voltage - Rated: 3VDC
Size / Dimension: Square - 17mm L x 17mm H
Bearing Type: Vapo-Bearing™
RPM: 13000 RPM
Air Flow: 0.575 CFM (0.016m³/min)
Width: 3.00mm
Weight: 0.003 lb (1.36 g)
Operating Temperature: 14 ~ 158°F (-10 ~ 70°C)
Termination: 3 Wire Leads
Approval Agency: CE
Ingress Protection: IP55 - Dust Protected, Water Resistant
Fan Type: Tubeaxial
Noise: 32.0dB(A)
Static Pressure: 0.085 in H2O (21.2 Pa)
Part Status: Active
Power (Watts): 100 mW
на замовлення 406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+891.89 грн
10+ 819.77 грн
25+ 770.98 грн
50+ 696.07 грн
100+ 641.12 грн
250+ 599.9 грн
UF3H3-700SunonDC Fans DC Fan, 17x3mm, 3VDC, 16.27 L/min, 0.1W, 32/30cm dBA, 13000RPM, 21.21inch H2O, Vapo Bearing, 2 Lead Wire, IP55 Rated, MagLev Motor, Mighty Mini Series
товар відсутній
UF3H3-700Sunon FansDescription: FAN AXIAL 17X3MM VAPO 3VDC WIRE
на замовлення 1132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+799.45 грн
10+ 734.37 грн
25+ 690.67 грн
50+ 623.57 грн
100+ 574.34 грн
250+ 537.42 грн
500+ 520.54 грн
UF3H3-700 /Sunon
Код товару: 113662
Корпусні та встановлювальні вироби > Вентилятори та аксесуари
товар відсутній
UF3H3-700 TCSunonDC Fans Axial Fan, 17x17x3mm, 3VDC, 21.21"H2O, Vapo, IP55
товар відсутній
UF3H3-700BSunonDC Fans DC Fan, 17x3mm, 3VDC, 16.27CFM, 0.1W, 32/30cm dBA, 13000RPM, 21.21inch H2O, Vapo Bearing, 2 Lead Wire, IP58, Mighty Mini Series
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
UF3H3-700BSunon FansDescription: FAN AXIAL 17X3MM VAPO 3VDC WIRE
Packaging: Tray
Features: Auto Restart
Voltage - Rated: 3VDC
Size / Dimension: Square - 17mm L x 17mm H
Bearing Type: Vapo-Bearing™
RPM: 13000 RPM
Air Flow: 0.575 CFM (0.016m³/min)
Width: 3.00mm
Weight: 0.003 lb (1.36 g)
Operating Temperature: 14 ~ 158°F (-10 ~ 70°C)
Termination: 2 Wire Leads
Approval Agency: CE
Ingress Protection: IP58 - Dust Protected, Waterproof
Fan Type: Tubeaxial
Noise: 32.0dB(A)
Static Pressure: 0.085 in H2O (21.2 Pa)
Part Status: Active
Power (Watts): 100 mW
на замовлення 999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1596.01 грн
10+ 1403.52 грн
25+ 1350.22 грн
50+ 1183.76 грн
100+ 1092.06 грн
250+ 1075.39 грн
500+ 1049.56 грн
UF3H3-700B TCSunonDC Fans Axial Fan, 17x17x3mm, 3VDC, 21.21"H2O, Vapo, IP58
товар відсутній
UF3H3-700TCSunon FansDescription: FAN AXIAL 17X3MM VAPO 3VDC WIRE
Packaging: Tray
Features: Auto Restart
Voltage - Rated: 3VDC
Size / Dimension: Square - 17mm L x 17mm H
Bearing Type: Vapo-Bearing™
RPM: 13000 RPM
Air Flow: 0.575 CFM (0.016m³/min)
Width: 3.00mm
Weight: 0.003 lb (1.36 g)
Operating Temperature: 14 ~ 158°F (-10 ~ 70°C)
Termination: 2 Wire Leads
Approval Agency: CE
Ingress Protection: IP55 - Dust Protected, Water Resistant
Fan Type: Tubeaxial
Noise: 32.0dB(A)
Static Pressure: 0.085 in H2O (21.2 Pa)
Part Status: Active
Power (Watts): 100 mW
на замовлення 669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1193.04 грн
10+ 1096.69 грн
25+ 1031.38 грн
50+ 931.17 грн
100+ 857.66 грн
250+ 802.52 грн
500+ 777.31 грн
UF3H3-710Sunon FansDescription: FAN AXIAL 17X3MM VAPO 3VDC WIRE
Features: Auto Restart, Speed Sensor (Tach)
Packaging: Tray
Voltage - Rated: 3VDC
Size / Dimension: Square - 17mm L x 17mm H
Bearing Type: Vapo-Bearing™
RPM: 13000 RPM
Air Flow: 0.575 CFM (0.016m³/min)
Width: 3.00mm
Weight: 0.003 lb (1.36 g)
Operating Temperature: 14 ~ 158°F (-10 ~ 70°C)
Termination: 2 Wire Leads
Approval Agency: CE
Ingress Protection: IP55 - Dust Protected, Water Resistant
Fan Type: Tubeaxial
Noise: 32.0dB(A)
Static Pressure: 0.085 in H2O (21.2 Pa)
Part Status: Active
Power (Watts): 100 mW
на замовлення 1021 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+782.12 грн
10+ 719.28 грн
30+ 676.47 грн
60+ 610.75 грн
120+ 562.53 грн
270+ 526.37 грн
510+ 509.83 грн
UF3H3-710 V2Sunon FansDescription: FAN AXIAL 17X3MM VAPO 3VDC
Packaging: Bulk
Features: Auto Restart, Speed Sensor (Tach)
Voltage - Rated: 3VDC
Size / Dimension: Square - 17mm L x 17mm H
Bearing Type: Vapo-Bearing™
RPM: 13000 RPM
Air Flow: 0.575 CFM (0.016m³/min)
Width: 3.00mm
Weight: 0.003 lb (1.36 g)
Operating Temperature: 14 ~ 158°F (-10 ~ 70°C)
Termination: 2 Position Rectangular Connector
Approval Agency: CE
Ingress Protection: IP55 - Dust Protected, Water Resistant
Fan Type: Tubeaxial
Noise: 32.0dB(A)
Static Pressure: 0.085 in H2O (21.2 Pa)
Part Status: Active
Power (Watts): 100 mW
товар відсутній
UF3JDC COMPONENTSCategory: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 3A; 100ns; SMC; Ufmax: 1.7V; Ifsm: 100A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 100A
Case: SMC
Max. forward voltage: 1.7V
Reverse recovery time: 100ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
UF3JDC COMPONENTSCategory: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 3A; 100ns; SMC; Ufmax: 1.7V; Ifsm: 100A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 100A
Case: SMC
Max. forward voltage: 1.7V
Reverse recovery time: 100ns
товар відсутній
UF3J_R1_00001Panjit International Inc.Description: DIODE GEN PURP 600V 3A SMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 63pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SMC (DO-214AB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
товар відсутній
UF3J_R1_00001PanjitRectifiers 600V,Ultra Fast Recovery Rectifiers,SMC,3A
товар відсутній
UF3J_R1_00001Panjit International Inc.Description: DIODE GEN PURP 600V 3A SMC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 63pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SMC (DO-214AB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+29.61 грн
12+ 24.62 грн
100+ 17.09 грн
Мінімальне замовлення: 10
UF3J_R2_00001PanjitRectifiers 600V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF3KDC COMPONENTSCategory: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 800V; 3A; 100ns; SMC; Ufmax: 1.7V; Ifsm: 100A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 100A
Case: SMC
Max. forward voltage: 1.7V
Reverse recovery time: 100ns
товар відсутній
UF3KDC COMPONENTSCategory: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 800V; 3A; 100ns; SMC; Ufmax: 1.7V; Ifsm: 100A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 100A
Case: SMC
Max. forward voltage: 1.7V
Reverse recovery time: 100ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
UF3K_R1_00001Panjit International Inc.Description: DIODE GEN PURP 800V 3A SMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 63pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SMC (DO-214AB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V
товар відсутній
UF3K_R1_00001PanjitRectifiers 800V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
на замовлення 5196 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+30.14 грн
13+ 25.03 грн
100+ 16.22 грн
500+ 12.82 грн
800+ 9.81 грн
2400+ 8.95 грн
4800+ 8.14 грн
Мінімальне замовлення: 11
UF3K_R1_00001Panjit International Inc.Description: DIODE GEN PURP 800V 3A SMC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 63pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SMC (DO-214AB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V
на замовлення 538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+29.61 грн
12+ 24.62 грн
100+ 17.09 грн
Мінімальне замовлення: 10
UF3MDC COMPONENTSCategory: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 3A; 100ns; SMC; Ufmax: 1.7V; Ifsm: 100A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 3A
Reverse recovery time: 100ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching
Case: SMC
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 446 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
38+7.19 грн
50+ 5.58 грн
216+ 4.52 грн
593+ 4.28 грн
1000+ 4.26 грн
3000+ 4.11 грн
Мінімальне замовлення: 38
UF3MDC COMPONENTSCategory: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 3A; 100ns; SMC; Ufmax: 1.7V; Ifsm: 100A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 3A
Reverse recovery time: 100ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching
Case: SMC
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: reel; tape
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
63+5.99 грн
78+ 4.48 грн
216+ 3.77 грн
Мінімальне замовлення: 63
UF3M-R1-00001PanjitRectifiers SMC/ULTRA/SMD/USM-30H
товар відсутній
UF3M-R2-00001PanjitRectifiers SMC/UF/SMD/USM-30H
товар відсутній
UF3M_R1_00001Panjit International Inc.Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A SMC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 63pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SMC (DO-214AB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
на замовлення 3526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+33.94 грн
12+ 25.24 грн
100+ 15.13 грн
Мінімальне замовлення: 9
UF3M_R1_00001PanjitRectifiers 1000V,Ultra Fast Recovery Rectifiers,SMC,3A
товар відсутній
UF3M_R1_00001Panjit International Inc.Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A SMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 63pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SMC (DO-214AB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+14.55 грн
1600+ 9.53 грн
2400+ 8.77 грн
Мінімальне замовлення: 800
UF3M_R2_00001PanjitRectifiers 1000V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товар відсутній
UF3N170400B7SQorvoMOSFET 1700V/400mO,SIC,JFET,G3,TO263-7
на замовлення 768 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+620.77 грн
25+ 540.5 грн
100+ 407.24 грн
250+ 344.49 грн
500+ 326.46 грн
2400+ 320.45 грн
4800+ 309.77 грн
UF3N170400B7SQorvoDescription: JFET N-CH 1.7KV 6.8A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225pF @ 100V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 1700 V
Current Drain (Id) - Max: 6.8 A
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Power - Max: 68 W
Resistance - RDS(On): 500 mOhms
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2.2 µA @ 1700 V
на замовлення 2776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+579.91 грн
10+ 479.01 грн
100+ 399.14 грн
UF3N170400B7SUnited Silicon CarbideUF3N170400B7S
товар відсутній
UF3N170400B7SQorvo / UnitedSiCJFET 1700V/400mOhm, SiC, N-ON JFET, G3 Fast, reduced Rth, D2PAK-7L
на замовлення 797 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+753.96 грн
10+ 671.02 грн
100+ 483.35 грн
500+ 438.62 грн
800+ 423.93 грн
2400+ 416.59 грн
UF3N170400B7SUNITEDSICDescription: UNITEDSIC - UF3N170400B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 6.8 A, 1.7 kV, 400 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -6.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+772.14 грн
5+ 713.73 грн
10+ 654.56 грн
50+ 555.65 грн
100+ 464.76 грн
250+ 455.77 грн
UF3N170400B7SQorvoDescription: JFET N-CH 1.7KV 6.8A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225pF @ 100V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 1700 V
Current Drain (Id) - Max: 6.8 A
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Power - Max: 68 W
Resistance - RDS(On): 500 mOhms
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2.2 µA @ 1700 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+365.73 грн
1600+ 316.96 грн
Мінімальне замовлення: 800
UF3N170400B7SUnited Silicon Carbide1700V - 400mW SiC Normally-on JFET
товар відсутній
UF3SC065007K4SUNITEDSICDescription: UNITEDSIC - UF3SC065007K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 120 A, 650 V, 0.0067 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 789W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 789W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0067ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6320.92 грн
5+ 6163.65 грн
10+ 6005.63 грн
50+ 5341.6 грн
UF3SC065007K4SQorvoMOSFET 650V/7mO,SiCFET,G3,TO247-4
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+6384.49 грн
25+ 5979.27 грн
100+ 4939 грн
250+ 4381.54 грн
600+ 4149.21 грн
3000+ 4066.43 грн
5400+ 3942.25 грн
UF3SC065007K4SUnited Silicon CarbideTrans MOSFET N-CH SiC 650V 120A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
UF3SC065007K4SQorvo / UnitedSiCMOSFET 650V/7mOhm, SiC, N-OFF STACKED CASCODE, G3 FAST, TO-247-4L
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+6382.16 грн
10+ 5976.97 грн
120+ 4978.39 грн
510+ 4888.26 грн
UF3SC065007K4SQorvoDescription: MOSFET N-CH 650V 120A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 789W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 214 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8360 pF @ 100 V
на замовлення 1761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4961.36 грн
30+ 4180.51 грн
120+ 3881.89 грн
UF3SC065030B7SQorvoDescription: 650V/30MOHM, SIC, STACKED FAST C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 2686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1184.37 грн
10+ 1004.83 грн
100+ 868.99 грн
UF3SC065030B7SUnited Silicon CarbideSwitching Fast SiC FETs
товар відсутній
UF3SC065030B7SQorvoMOSFET 650V/30mO,SICFET,G3,TO263-7
на замовлення 813 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+935.44 грн
100+ 877.54 грн
800+ 762.41 грн
UF3SC065030B7SQorvoDescription: 650V/30MOHM, SIC, STACKED FAST C
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+817.81 грн
Мінімальне замовлення: 800
UF3SC065030B7SQorvo / UnitedSiCMOSFET 650V/30mOhm, SiC, FAST STACK CASCODE, G3, D2PAK-7L, REDUCED Rth
на замовлення 1163 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1553.09 грн
10+ 1407.29 грн
100+ 1033.46 грн
500+ 921.31 грн
800+ 903.95 грн
UF3SC065030D8SUnitedSiCDescription: 650V/30MOHM, SIC, STACKED FAST C
товар відсутній
UF3SC065030D8SUnitedSiCDescription: 650V/30MOHM, SIC, STACKED FAST C
товар відсутній
UF3SC065040B7SQorvoMOSFET 650V/40mO,SICFET,G3,TO263-7
на замовлення 947 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1005.54 грн
25+ 874.47 грн
100+ 658.93 грн
250+ 558.12 грн
500+ 528.75 грн
2400+ 517.4 грн
4800+ 502.71 грн
UF3SC065040B7SQorvoDescription: 650V/40MOHM, SIC, STACKED FAST C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 30A, 12V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 8477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+820.39 грн
10+ 695.92 грн
100+ 601.92 грн
UF3SC065040B7SUNITEDSICDescription: UNITEDSIC - UF3SC065040B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 650 V, 42 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 195W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1002.81 грн
5+ 927.92 грн
10+ 853.03 грн
50+ 739.24 грн
100+ 633.59 грн
250+ 536.66 грн
UF3SC065040B7SQorvoDescription: 650V/40MOHM, SIC, STACKED FAST C
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 30A, 12V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+566.47 грн
Мінімальне замовлення: 800
UF3SC065040D8SQorvoDescription: SICFET N-CH 650V 18A 4DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: 4-DFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
товар відсутній
UF3SC065040D8SUnitedSiCMOSFET 650V/40mOhm SiC STACKED FAST CASCODE G3 DFN8 REDUCED Rth
на замовлення 541 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
UF3SC065040D8SUnited Silicon CarbideSwitching Fast SiC FETs
товар відсутній
UF3SC120009K4SUnited Silicon Carbide1200V-8.6mW SiC FET
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4220.12 грн
UF3SC120009K4SQorvoMOSFET 1200V/9mO,SICFET,G3,TO247-4
на замовлення 1165 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+6704.61 грн
25+ 5986.95 грн
100+ 4667.28 грн
250+ 4443.63 грн
3000+ 4354.17 грн
5400+ 4221.32 грн
10200+ 4089.13 грн
UF3SC120009K4SUnited Silicon Carbide1200V-8.6mW SiC FET
товар відсутній
UF3SC120009K4SUNITEDSICDescription: UNITEDSIC - UF3SC120009K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 120 A, 1.2 kV, 0.0086 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 789W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 789W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0086ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0086ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7119.28 грн
5+ 6941.03 грн
10+ 6762.79 грн
50+ 5848.57 грн
UF3SC120009K4SQorvoDescription: SICFET N-CH 1200V 120A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 100A, 12V
Power Dissipation (Max): 789W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8512 pF @ 100 V
на замовлення 1132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4109.19 грн
UF3SC120016K3SQorvoDescription: SICFET N-CH 1200V 107A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 107A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 517W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 218 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7824 pF @ 800 V
на замовлення 1593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3245.47 грн
30+ 2618.97 грн
120+ 2444.38 грн
UF3SC120016K3SQorvoMOSFET 1200V/16mO,SICFET,G3,TO247-3
на замовлення 281 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4093.8 грн
25+ 3381.96 грн
100+ 2743.89 грн
250+ 2721.19 грн
600+ 2683.8 грн
1200+ 2682.47 грн
3000+ 2675.12 грн
UF3SC120016K3SQorvo / UnitedSiCMOSFET 1200V/16mOhm, SiC, N-OFF STACKED CASCODE, G3 FAST, TO-247-3L
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4391.34 грн
10+ 4039.16 грн
120+ 3055.66 грн
510+ 3002.92 грн
5010+ 3002.26 грн
UF3SC120016K3SUnited Silicon Carbide1200V 16mOhm SiC MOSFETs
товар відсутній
UF3SC120016K3SUNITEDSICDescription: UNITEDSIC - UF3SC120016K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 107 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, TO-247
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2
Dauer-Drainstrom Id: 107
Verlustleistung Pd: 517
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 517
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016
Rds(on)-Prüfspannung: 12
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3731.14 грн
5+ 3565.63 грн
10+ 3400.12 грн
50+ 2806.06 грн
UF3SC120016K4SQorvoMOSFET 1200V/16mO,SICFET,G3,TO247-4
на замовлення 151 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4343.82 грн
25+ 3888.68 грн
100+ 3046.99 грн
250+ 2894.77 грн
600+ 2793.29 грн
UF3SC120016K4SUnited Silicon CarbideSwitching Fast SiC FETs
на замовлення 156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
UF3SC120016K4SUNITEDSICDescription: UNITEDSIC - UF3SC120016K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 107 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 107A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 517W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4176.75 грн
5+ 3985.03 грн
10+ 3793.3 грн
50+ 3173.94 грн
UF3SC120016K4SQorvoDescription: SICFET N-CH 1200V 107A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 107A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 517W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 218 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7824 pF @ 800 V
на замовлення 1209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2583.23 грн
UF3SC120040B7SQorvoDescription: 1200V/40MOHM, SIC, STACKED FAST
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 35A, 12V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 1952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1642.95 грн
10+ 1405.95 грн
100+ 1229.71 грн
UF3SC120040B7SUnited Silicon Carbide1200V-35mW SiC FET
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1385.05 грн
12+ 1258.82 грн
31+ 1209.3 грн
75+ 1113.32 грн
UF3SC120040B7SQORVODescription: QORVO - UF3SC120040B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 1.2 kV, 35 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 35mohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2049.81 грн
5+ 1970.42 грн
10+ 1891.03 грн
50+ 1628 грн
100+ 1384.01 грн
UF3SC120040B7SQorvo / UnitedSiCMOSFET 1200V/40mOhm, SiC, FAST STACK CASCODE, G3, D2PAK-7L, REDUCED Rth
на замовлення 683 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2131.8 грн
10+ 1938.58 грн
100+ 1439.37 грн
500+ 1402.65 грн
800+ 1377.29 грн
UF3SC120040B7SQorvoDescription: 1200V/40MOHM, SIC, STACKED FAST
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 35A, 12V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+1089.71 грн
Мінімальне замовлення: 800
UF3SC120040B7SQorvoMOSFET 1200V/40mO,SICFET,G3,TO263-7
на замовлення 645 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2169.19 грн
25+ 1886.37 грн
100+ 1422.02 грн
250+ 1202.37 грн
500+ 1138.95 грн
2400+ 1116.92 грн
4800+ 1082.87 грн
UF3SC170400B7SUnited Silicon CarbideUF3SC170400B7S
товар відсутній