Продукція > UJ3
Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
UJ3-AH-4-TH | CUI Devices | Description: CONN RCPT USB3.0 TYPEA 9POS R/A Features: Board Lock Packaging: Tray Voltage - Rated: 30VAC Number of Contacts: 9 Connector Type: USB-A (USB TYPE-A) Gender: Receptacle Current Rating (Amps): 1A Mounting Type: Through Hole, Right Angle Shielding: Shielded Operating Temperature: -20°C ~ 85°C Specifications: USB 3.2 Gen 1 (USB 3.1 Gen 1, Superspeed (USB 3.0)) Termination: Solder Mounting Feature: Horizontal Mating Cycles: 1500 Part Status: Active Number of Ports: 1 | на замовлення 878 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3-AH-4-TH | CUI DEVICES | Conn USB 3.0 Type A F 9 POS Solder RA Thru-Hole 9 Terminal 1 Port | товар відсутній | |||||||||||||||||
UJ3-AH-4-TH | CUI Devices | USB Connectors USB 3.0 type A jack 9 pin Horizontal TH | на замовлення 1043 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3-MIABH-1-SMT-TR | CUI Devices | Description: CONN RCPT USB3.0 MICRO AB SMD RA | товар відсутній | |||||||||||||||||
UJ3-MIABH-1-SMT-TR | CUI DEVICES | Conn Micro USB 3.0 Type AB F 10 POS 0.65mm Solder RA SMD 10 Terminal 1 Port T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
UJ3-MIABH-1-SMT-TR | CUI Devices | USB Connectors USB 3.0micro AB jack 10 pin Horiz SMT | на замовлення 8239 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3-MIABH-1-SMT-TR | CUI Devices | Description: CONN RCPT USB3.0 MICRO AB SMD RA | товар відсутній | |||||||||||||||||
UJ31-CH-3-MSMT-TR-67 | CUI Devices | USB Connectors USB Jack 3.1 C type 24pin HZ SMT IP67 | на замовлення 1537 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ31-CH-3-MSMT-TR-67 | CUI Devices | Description: CONN RCPT USB3.1 TYPEC 24POS SMD Packaging: Tape & Reel (TR) Features: 15µ" Finish Thickness Voltage - Rated: 20V Number of Contacts: 24 Connector Type: USB-C (USB TYPE-C) Gender: Receptacle Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A, 6.25A Mounting Type: Board Edge, Cutout; Surface Mount; Through Hole, Right Angle Shielding: Shielded Operating Temperature: -40°C ~ 80°C Specifications: USB 3.2 Gen 2 (USB 3.1 Gen 2, Superspeed + (USB 3.1)) Termination: Solder Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof Mounting Feature: Horizontal, Mid Mount Mating Cycles: 10000 Part Status: Active Number of Ports: 1 | на замовлення 4200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ31-CH-3-MSMT-TR-67 | CUI DEVICES | Conn USB 3.1 Type C F 24 POS 0.5mm Solder RA SMD 24 Terminal 1 Port T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
UJ31-CH-3-MSMT-TR-67 | CUI Devices | Description: CONN RCPT USB3.1 TYPEC 24POS SMD Packaging: Cut Tape (CT) Features: 15µ" Finish Thickness Voltage - Rated: 20V Number of Contacts: 24 Connector Type: USB-C (USB TYPE-C) Gender: Receptacle Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A, 6.25A Mounting Type: Board Edge, Cutout; Surface Mount; Through Hole, Right Angle Shielding: Shielded Operating Temperature: -40°C ~ 80°C Specifications: USB 3.2 Gen 2 (USB 3.1 Gen 2, Superspeed + (USB 3.1)) Termination: Solder Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof Mounting Feature: Horizontal, Mid Mount Mating Cycles: 10000 Part Status: Active Number of Ports: 1 | на замовлення 5934 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ31-CH-3-MSMT-TR-67 Код товару: 161243 | Роз'єми, клеми, з'єднувачі > USB | товар відсутній | ||||||||||||||||||
UJ31-CH-3-SMT-TR | CUI Devices | Description: CONN RCPT USB3.1 TYPEC 24POS R/A Packaging: Cut Tape (CT) Features: 3.0µ" Finish Thickness, Board Guide Voltage - Rated: 20V Number of Contacts: 24 Connector Type: USB-C (USB TYPE-C) Gender: Receptacle Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A, 6.25A Mounting Type: Surface Mount, Right Angle; Through Hole Shielding: Shielded Operating Temperature: -30°C ~ 85°C Specifications: USB 3.2 Gen 2 (USB 3.1 Gen 2, Superspeed + (USB 3.1)) Termination: Solder Mounting Feature: Horizontal Mating Cycles: 10000 Part Status: Active Number of Ports: 1 | на замовлення 7122 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ31-CH-3-SMT-TR | CUI DEVICES | Conn USB 3.1 Type C RCP 24 POS 0.5mm Solder RA SMD 24 Terminal 1 Port T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
UJ31-CH-3-SMT-TR | CUI Devices | Description: CONN RCPT USB3.1 TYPEC 24POS R/A Packaging: Tape & Reel (TR) Features: 3.0µ" Finish Thickness, Board Guide Voltage - Rated: 20V Number of Contacts: 24 Connector Type: USB-C (USB TYPE-C) Gender: Receptacle Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A, 6.25A Mounting Type: Surface Mount, Right Angle; Through Hole Shielding: Shielded Operating Temperature: -30°C ~ 85°C Specifications: USB 3.2 Gen 2 (USB 3.1 Gen 2, Superspeed + (USB 3.1)) Termination: Solder Mounting Feature: Horizontal Mating Cycles: 10000 Part Status: Active Number of Ports: 1 | на замовлення 6800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ31-CH-3-SMT-TR | CUI Devices | USB Connectors USB jack 3.1 C type 24pin Horz SMT | на замовлення 6788 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ31-CH-31-SMT-TR | CUI Devices | Description: CONN RCPT USB3.1 TYPEC 24POS R/A Packaging: Cut Tape (CT) Features: Board Guide Voltage - Rated: 20V Number of Contacts: 24 Connector Type: USB-C (USB TYPE-C) Gender: Receptacle Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A, 6.25A Mounting Type: Surface Mount, Right Angle; Through Hole Shielding: Shielded Operating Temperature: -30°C ~ 85°C Specifications: USB 3.2 Gen 2 (USB 3.1 Gen 2, Superspeed + (USB 3.1)) Termination: Solder Mounting Feature: Horizontal Mating Cycles: 10000 Part Status: Active Number of Ports: 1 | на замовлення 7904 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ31-CH-31-SMT-TR | CUI Devices | USB Connectors USB jack 3.1 C type 24pin Horz SMT | на замовлення 1946 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ31-CH-31-SMT-TR | CUI Devices | Description: CONN RCPT USB3.1 TYPEC 24POS R/A Packaging: Tape & Reel (TR) Features: Board Guide Voltage - Rated: 20V Number of Contacts: 24 Connector Type: USB-C (USB TYPE-C) Gender: Receptacle Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A, 6.25A Mounting Type: Surface Mount, Right Angle; Through Hole Shielding: Shielded Operating Temperature: -30°C ~ 85°C Specifications: USB 3.2 Gen 2 (USB 3.1 Gen 2, Superspeed + (USB 3.1)) Termination: Solder Mounting Feature: Horizontal Mating Cycles: 10000 Part Status: Active Number of Ports: 1 | на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ31-CH-31-SMT-TR | CUI DEVICES | Conn USB 3.1 Type C RCP 24 POS 0.5mm Solder RA SMD 24 Terminal 1 Port T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
UJ31-CH-312-SMT-TR Код товару: 161025 | Роз'єми, клеми, з'єднувачі > USB | товар відсутній | ||||||||||||||||||
UJ31-CH-312-SMT-TR | CUI DEVICES | Conn USB 3.1 Type C RCP 24 POS 0.5mm Solder RA SMD 24 Terminal 1 Port T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
UJ31-CH-312-SMT-TR | CUI Devices | USB Connectors USB jack 3.1 C type 24pin Horz SMT | на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ31-CH-314-SMT-TR | CUI DEVICES | Conn USB 3.1 Type C RCP 24 POS 0.5mm Solder RA SMD 24 Terminal 1 Port T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
UJ31-CH-314-SMT-TR | CUI Devices | Description: CONN RCPT USB3.1 TYPEC 24POS R/A Packaging: Cut Tape (CT) Features: Board Guide Voltage - Rated: 20V Number of Contacts: 24 Connector Type: USB-C (USB TYPE-C) Gender: Receptacle Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A, 6.25A Mounting Type: Surface Mount, Right Angle; Through Hole Shielding: Shielded Operating Temperature: -30°C ~ 85°C Specifications: USB 3.2 Gen 2 (USB 3.1 Gen 2, Superspeed + (USB 3.1)) Termination: Solder Mounting Feature: Horizontal Mating Cycles: 10000 Part Status: Active Number of Ports: 1 | на замовлення 787 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ31-CH-314-SMT-TR | CUI Devices | USB Connectors USB jack 3.1 C type 24pin Horz SMT | на замовлення 2150 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ31-CH-314-SMT-TR | CUI Devices | Description: CONN RCPT USB3.1 TYPEC 24POS R/A Packaging: Tape & Reel (TR) Features: Board Guide Voltage - Rated: 20V Number of Contacts: 24 Connector Type: USB-C (USB TYPE-C) Gender: Receptacle Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A, 6.25A Mounting Type: Surface Mount, Right Angle; Through Hole Shielding: Shielded Operating Temperature: -30°C ~ 85°C Specifications: USB 3.2 Gen 2 (USB 3.1 Gen 2, Superspeed + (USB 3.1)) Termination: Solder Mounting Feature: Horizontal Mating Cycles: 10000 Part Status: Active Number of Ports: 1 | товар відсутній | |||||||||||||||||
UJ31-CH-31N-SMT-TR | CUI DEVICES | Back Cover, USB Receptacle | на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ31-CH-31N-SMT-TR | CUI Devices | Description: CONN RCPT USB3.1 TYPEC 24POS R/A Packaging: Tape & Reel (TR) Features: Board Guide Voltage - Rated: 20V Number of Contacts: 24 Connector Type: USB-C (USB TYPE-C) Gender: Receptacle Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A, 6.25A Mounting Type: Surface Mount, Right Angle; Through Hole Shielding: Shielded Operating Temperature: -30°C ~ 85°C Specifications: USB 3.2 Gen 2 (USB 3.1 Gen 2, Superspeed + (USB 3.1)) Termination: Solder Mounting Feature: Horizontal Mating Cycles: 10000 Part Status: Active Number of Ports: 1 | товар відсутній | |||||||||||||||||
UJ31-CH-31N-SMT-TR | CUI Devices | USB Connectors USB jack 3.1 C type 24pin Horz SMT | на замовлення 1366 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ31-CH-31N-SMT-TR | CUI DEVICES | Back Cover, USB Receptacle | на замовлення 87 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ31-CH-31N-SMT-TR | CUI DEVICES | Back Cover, USB Receptacle | на замовлення 87 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
UJ31-CH-31N-SMT-TR | CUI Devices | Description: CONN RCPT USB3.1 TYPEC 24POS R/A Features: Board Guide Packaging: Cut Tape (CT) Voltage - Rated: 20V Number of Contacts: 24 Connector Type: USB-C (USB TYPE-C) Gender: Receptacle Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A, 6.25A Mounting Type: Surface Mount, Right Angle; Through Hole Shielding: Shielded Operating Temperature: -30°C ~ 85°C Specifications: USB 3.2 Gen 2 (USB 3.1 Gen 2, Superspeed + (USB 3.1)) Termination: Solder Mounting Feature: Horizontal Mating Cycles: 10000 Part Status: Active Number of Ports: 1 | товар відсутній | |||||||||||||||||
UJ31-CH-31N-SMT-TR | CUI DEVICES | Back Cover, USB Receptacle | на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ31-CH-31N-SMT-TR | CUI DEVICES | Conn USB 3.1 Type C RCP 24 POS 0.5mm Solder RA SMD 24 Terminal 1 Port T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
UJ31-CH-31N-SMT-TR | CUI DEVICES | Back Cover, USB Receptacle | товар відсутній | |||||||||||||||||
UJ31-CH-4-MSMT-TR | CUI Devices | Description: CONN RCPT USB3.1 TYPEC 24POS SMD Features: Flash Finish Thickness, Board Guide Packaging: Tape & Reel (TR) Voltage - Rated: 20V Number of Contacts: 24 Connector Type: USB-C (USB TYPE-C) Gender: Receptacle Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A, 6.25A Mounting Type: Board Edge, Cutout; Surface Mount; Through Hole, Right Angle Shielding: Shielded Operating Temperature: -30°C ~ 85°C Specifications: USB 3.2 Gen 2 (USB 3.1 Gen 2, Superspeed + (USB 3.1)) Termination: Solder Mounting Feature: Horizontal Mating Cycles: 10000 Part Status: Obsolete Number of Ports: 1 | товар відсутній | |||||||||||||||||
UJ31-CH-4-MSMT-TR | CUI DEVICES | Conn USB 3.1 Type C RCP 24 POS 0.5mm Solder RA SMD 24 Terminal 1 Port T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
UJ31-CH-4-MSMT-TR | CUI DEVICES | Type C, USB 3.1 Gen 2, 5 A, Right Angle, Mid Mount (SMT), USB Receptacle | на замовлення 1165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ31-CH-4-MSMT-TR | CUI Devices | USB Connectors USB jack 3.1 C type 24pin Horz SMT | товар відсутній | |||||||||||||||||
UJ31-CH-4-MSMT-TR | CUI Devices | Description: CONN RCPT USB3.1 TYPEC 24POS SMD Packaging: Cut Tape (CT) Features: Flash Finish Thickness, Board Guide Voltage - Rated: 20V Number of Contacts: 24 Connector Type: USB-C (USB TYPE-C) Gender: Receptacle Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A, 6.25A Mounting Type: Board Edge, Cutout; Surface Mount; Through Hole, Right Angle Shielding: Shielded Operating Temperature: -30°C ~ 85°C Specifications: USB 3.2 Gen 2 (USB 3.1 Gen 2, Superspeed + (USB 3.1)) Termination: Solder Mounting Feature: Horizontal Mating Cycles: 10000 Part Status: Obsolete Number of Ports: 1 | товар відсутній | |||||||||||||||||
UJ31-CH-G-SMT-TR-67 Код товару: 183509 | Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1 | товар відсутній | ||||||||||||||||||
UJ31-CH-G-SMT-TR-67 | CUI DEVICES | Conn USB 3.2 Type C RCP 24 POS 0.5mm/(0.4mm/0.65mm/0.8)mm Solder RA SMD/Thru-Hole 24 Terminal 1 Port T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
UJ31-CH-G-SMT-TR-67 | CUI Devices | USB Connectors USB jack 3.1, Gen 2, C type, 24 pin, gold flash, horizontal, SMT, T&R, IP67 | на замовлення 4347 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ31-CH-G-SMT-TR-67 | CUI Devices | Description: USB JACK 3.1, GEN 2, C TYPE, 24 Packaging: Tape & Reel (TR) Features: Board Guide Voltage - Rated: 20VDC Number of Contacts: 24 Connector Type: USB-C (USB TYPE-C) Gender: Receptacle Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A Mounting Type: Surface Mount, Right Angle; Through Hole Shielding: Shielded Operating Temperature: -25°C ~ 85°C Specifications: USB 3.2 Gen 2 (USB 3.1 Gen 2, Superspeed + (USB 3.1)) Termination: Solder Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof Mounting Feature: Horizontal Mating Cycles: 10000 Part Status: Active Number of Ports: 1 | товар відсутній | |||||||||||||||||
UJ31-CH-G-SMT-TR-67 | CUI DEVICES | Conn USB 3.2 Type C RCP 24 POS 0.5mm/(0.4mm/0.65mm/0.8)mm Solder RA SMD/Thru-Hole 24 Terminal 1 Port T/R | на замовлення 276 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ31-CH-G-SMT-TR-67 | CUI DEVICES | Conn USB 3.1 Type C RCP 24 POS 0.5mm Solder RA SMD 12 Terminal 1 Port T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
UJ31-CH-G-SMT-TR-67 | CUI Devices | Description: USB JACK 3.1, GEN 2, C TYPE, 24 Packaging: Cut Tape (CT) Features: Board Guide Voltage - Rated: 20VDC Number of Contacts: 24 Connector Type: USB-C (USB TYPE-C) Gender: Receptacle Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A Mounting Type: Surface Mount, Right Angle; Through Hole Shielding: Shielded Operating Temperature: -25°C ~ 85°C Specifications: USB 3.2 Gen 2 (USB 3.1 Gen 2, Superspeed + (USB 3.1)) Termination: Solder Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof Mounting Feature: Horizontal Mating Cycles: 10000 Part Status: Active Number of Ports: 1 | на замовлення 555 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ31-CH-G-SMT-TR-67 | CUI DEVICES | Conn USB 3.2 Type C RCP 24 POS 0.5mm/(0.4mm/0.65mm/0.8)mm Solder RA SMD/Thru-Hole 24 Terminal 1 Port T/R | на замовлення 276 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ31-CH-G1-SMT-TR | CUI Devices | Description: CONN RCP USB3.1 TYPEC 24P SMD RA Packaging: Cut Tape (CT) Features: Board Guide Voltage - Rated: 20V Number of Contacts: 24 Connector Type: USB-C (USB TYPE-C) Gender: Receptacle Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A, 6.25A Mounting Type: Surface Mount, Right Angle; Through Hole Shielding: Shielded Operating Temperature: -25°C ~ 85°C Specifications: USB 3.2 Gen 2 (USB 3.1 Gen 2, Superspeed + (USB 3.1)) Termination: Solder Mounting Feature: Horizontal Mating Cycles: 10000 Part Status: Active Number of Ports: 1 | товар відсутній | |||||||||||||||||
UJ31-CH-G1-SMT-TR | CUI DEVICES | Type C, USB 3.1 Gen 2, 5 A, Right Angle, Surface Mount (SMT) , USB Receptacle | товар відсутній | |||||||||||||||||
UJ31-CH-G1-SMT-TR | CUI DEVICES | Conn USB 3.1 Type C RCP 24 POS 0.5mm Solder RA SMD 24 Terminal 1 Port T/R | на замовлення 1050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ31-CH-G1-SMT-TR | CUI Devices | Description: CONN RCP USB3.1 TYPEC 24P SMD RA Features: Board Guide Packaging: Tape & Reel (TR) Voltage - Rated: 20V Number of Contacts: 24 Connector Type: USB-C (USB TYPE-C) Gender: Receptacle Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A, 6.25A Mounting Type: Surface Mount, Right Angle; Through Hole Shielding: Shielded Operating Temperature: -25°C ~ 85°C Specifications: USB 3.2 Gen 2 (USB 3.1 Gen 2, Superspeed + (USB 3.1)) Termination: Solder Mounting Feature: Horizontal Mating Cycles: 10000 Part Status: Active Number of Ports: 1 | товар відсутній | |||||||||||||||||
UJ31-CH-G1-SMT-TR | CUI DEVICES | Type C, USB 3.1 Gen 2, 5 A, Right Angle, Surface Mount (SMT) , USB Receptacle | на замовлення 26 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ31-CH-G1-SMT-TR | CUI Devices | USB Connectors USB jack 3.1 C type 24pin Horz SMT | на замовлення 19320 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ31-CH-G2-SMT-TR | CUI DEVICES | Conn USB 3.1 Type C RCP 24 POS 0.5mm Solder RA SMD 24 Terminal 1 Port T/R | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ31-CH-G2-SMT-TR | CUI Devices | Description: CONN RCPT USB3.1 TYPEC 24POS SMD Features: Board Guide Packaging: Cut Tape (CT) Voltage - Rated: 20V Number of Contacts: 24 Connector Type: USB-C (USB TYPE-C) Gender: Receptacle Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A, 6.25A Mounting Type: Board Cutout, Surface Mount, Right Angle; Through Hole Shielding: Shielded Operating Temperature: -25°C ~ 80°C Specifications: USB 3.2 Gen 2 (USB 3.1 Gen 2, Superspeed + (USB 3.1)) Termination: Solder Mounting Feature: Horizontal Mating Cycles: 10000 Part Status: Active Number of Ports: 1 | на замовлення 18220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ31-CH-G2-SMT-TR | CUI Devices | USB Connectors USB jack 3.1 C type 24pin Horz SMT | на замовлення 250 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ31-CH-G2-SMT-TR | CUI DEVICES | Type C, USB 3.1 Gen 2, 5 A, Right Angle, Surface Mount (SMT), USB Receptacle | товар відсутній | |||||||||||||||||
UJ31-CH-G2-SMT-TR Код товару: 139296 | Роз'єми, клеми, з'єднувачі > USB | товар відсутній | ||||||||||||||||||
UJ31-CH-G2-SMT-TR | CUI Devices | Description: CONN RCPT USB3.1 TYPEC 24POS SMD Packaging: Tape & Reel (TR) Features: Board Guide Voltage - Rated: 20V Number of Contacts: 24 Connector Type: USB-C (USB TYPE-C) Gender: Receptacle Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A, 6.25A Mounting Type: Board Cutout, Surface Mount, Right Angle; Through Hole Shielding: Shielded Operating Temperature: -25°C ~ 80°C Specifications: USB 3.2 Gen 2 (USB 3.1 Gen 2, Superspeed + (USB 3.1)) Termination: Solder Mounting Feature: Horizontal Mating Cycles: 10000 Part Status: Active Number of Ports: 1 | на замовлення 16800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ31-CH-G2-SMT-TR | CUI DEVICES | Type C, USB 3.1 Gen 2, 5 A, Right Angle, Surface Mount (SMT), USB Receptacle | товар відсутній | |||||||||||||||||
UJ31-CV-G1-SMT-TR | CUI Devices | Description: I/C Interface Packaging: Tape & Reel (TR) Voltage - Rated: 20V Number of Contacts: 24 Connector Type: USB-C (USB TYPE-C) Gender: Receptacle Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A, 6.25A Mounting Type: Surface Mount, Right Angle; Through Hole Shielding: Shielded Operating Temperature: -25°C ~ 85°C Specifications: USB 3.2 Gen 2 (USB 3.1 Gen 2, Superspeed + (USB 3.1)) Termination: Solder Mounting Feature: Horizontal Mating Cycles: 10000 Part Status: Active Number of Ports: 1 | товар відсутній | |||||||||||||||||
UJ32-C-H-G-H1-SMT-TR | CUI Devices | USB Connectors Type C USB 3.2 Gen 2x2 20 Gbps 20 Vac 5 A Horizontal Gold Flash Surface Mount | на замовлення 1838 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ32-C-H-G-H1-SMT-TR | CUI Devices | Description: TYPE C, USB 3.2 GEN 2X2, 20 GBPS Packaging: Cut Tape (CT) Voltage - Rated: 20VDC Number of Contacts: 24 Connector Type: USB-C (USB TYPE-C) Gender: Receptacle Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A Mounting Type: Surface Mount, Right Angle; Through Hole Shielding: Shielded Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Specifications: USB 3.2 Gen 2 (USB 3.1 Gen 2, Superspeed + (USB 3.1)) Termination: Solder Mounting Feature: Horizontal Mating Cycles: 10000 Part Status: Active Number of Ports: 1 | на замовлення 1823 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ32-C-H-G-H1-SMT-TR | CUI Devices | Description: TYPE C, USB 3.2 GEN 2X2, 20 GBPS Packaging: Tape & Reel (TR) Voltage - Rated: 20VDC Number of Contacts: 24 Connector Type: USB-C (USB TYPE-C) Gender: Receptacle Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A Mounting Type: Surface Mount, Right Angle; Through Hole Shielding: Shielded Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Specifications: USB 3.2 Gen 2 (USB 3.1 Gen 2, Superspeed + (USB 3.1)) Termination: Solder Mounting Feature: Horizontal Mating Cycles: 10000 Part Status: Active Number of Ports: 1 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ32-C-H-G-H1-SMT-TR | CUI DEVICES | UJ32-C-H-G-H1-SMT-TR | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
UJ32-C-H-G-H2-SMT-TR | CUI DEVICES | UJ32-C-H-G-H2-SMT-TR | на замовлення 1800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ32-C-H-G-H2-SMT-TR | CUI Devices | Description: TYPE C, USB 3.2 GEN 2X2, 20 GBPS Packaging: Cut Tape (CT) Voltage - Rated: 20VDC Number of Contacts: 24 Connector Type: USB-C (USB TYPE-C) Gender: Receptacle Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A Mounting Type: Surface Mount, Right Angle; Through Hole Shielding: Shielded Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Specifications: USB 3.2 Gen 2 (USB 3.1 Gen 2, Superspeed + (USB 3.1)) Termination: Solder Mounting Feature: Horizontal Mating Cycles: 10000 Part Status: Active Number of Ports: 1 | на замовлення 1819 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ32-C-H-G-H2-SMT-TR | CUI Devices | USB Connectors Type C USB 3.2 Gen 2x2 20 Gbps 20 Vac 5 A Horizontal Gold Flash Surface Mount | на замовлення 3452 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ32-C-H-G-H2-SMT-TR | CUI Devices | Description: TYPE C, USB 3.2 GEN 2X2, 20 GBPS Packaging: Tape & Reel (TR) Voltage - Rated: 20VDC Number of Contacts: 24 Connector Type: USB-C (USB TYPE-C) Gender: Receptacle Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A Mounting Type: Surface Mount, Right Angle; Through Hole Shielding: Shielded Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Specifications: USB 3.2 Gen 2 (USB 3.1 Gen 2, Superspeed + (USB 3.1)) Termination: Solder Mounting Feature: Horizontal Mating Cycles: 10000 Part Status: Active Number of Ports: 1 | на замовлення 1800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ32-C-H-G-H3-MSMT-TR | CUI Devices | USB Connectors Type C USB 3.2 Gen 2x2 20 Gbps 20 Vac 5 A Horizontal Gold Flash Mid Mount SMT | на замовлення 2488 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ32-C-H-G-H3-MSMT-TR | CUI Devices | Description: TYPE C, USB 3.2 GEN 2X2, 20 GBPS Packaging: Cut Tape (CT) Voltage - Rated: 20VDC Number of Contacts: 24 Connector Type: USB-C (USB TYPE-C) Gender: Receptacle Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A Mounting Type: Board Edge, Cutout; Surface Mount; Through Hole, Right Angle Shielding: Shielded Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Specifications: USB 3.2 Gen 2 (USB 3.1 Gen 2, Superspeed + (USB 3.1)) Termination: Solder Mounting Feature: Horizontal Mating Cycles: 10000 Part Status: Active Number of Ports: 1 | на замовлення 2488 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ32-C-H-G-H3-MSMT-TR | CUI DEVICES | UJ32-C-H-G-H3-MSMT-TR | на замовлення 1250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
UJ32-C-H-G-H3-MSMT-TR | CUI Devices | Description: TYPE C, USB 3.2 GEN 2X2, 20 GBPS Packaging: Tape & Reel (TR) Voltage - Rated: 20VDC Number of Contacts: 24 Connector Type: USB-C (USB TYPE-C) Gender: Receptacle Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A Mounting Type: Board Edge, Cutout; Surface Mount; Through Hole, Right Angle Shielding: Shielded Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Specifications: USB 3.2 Gen 2 (USB 3.1 Gen 2, Superspeed + (USB 3.1)) Termination: Solder Mounting Feature: Horizontal Mating Cycles: 10000 Part Status: Active Number of Ports: 1 | на замовлення 1250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ32-C-H-G-L1-MSMT-TR | CUI Devices | Description: TYPE C, USB 3.2 GEN 2X2, 20 GBPS Packaging: Tape & Reel (TR) Voltage - Rated: 20VDC Number of Contacts: 24 Connector Type: USB-C (USB TYPE-C) Gender: Receptacle Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A Mounting Type: Board Edge, Cutout; Surface Mount; Through Hole, Right Angle Shielding: Shielded Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Specifications: USB 3.2 Gen 2 (USB 3.1 Gen 2, Superspeed + (USB 3.1)) Termination: Solder Mounting Feature: Horizontal Mating Cycles: 10000 Part Status: Active Number of Ports: 1 | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ32-C-H-G-L1-MSMT-TR | CUI DEVICES | UJ32-C-H-G-L1-MSMT-TR | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
UJ32-C-H-G-L1-MSMT-TR | CUI Devices | Description: TYPE C, USB 3.2 GEN 2X2, 20 GBPS Packaging: Cut Tape (CT) Voltage - Rated: 20VDC Number of Contacts: 24 Connector Type: USB-C (USB TYPE-C) Gender: Receptacle Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A Mounting Type: Board Edge, Cutout; Surface Mount; Through Hole, Right Angle Shielding: Shielded Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Specifications: USB 3.2 Gen 2 (USB 3.1 Gen 2, Superspeed + (USB 3.1)) Termination: Solder Mounting Feature: Horizontal Mating Cycles: 10000 Part Status: Active Number of Ports: 1 | на замовлення 1582 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ32-C-H-G-L1-MSMT-TR | CUI Devices | USB Connectors Type C USB 3.2 Gen 2x2 20 Gbps 20 Vac 5 A Horizontal Gold Flash Mid Mount SMT | на замовлення 1499 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ32-C-H-G-L2-SMT-TR | CUI DEVICES | UJ32-C-H-G-L2-SMT-TR | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
UJ32-C-H-G-L2-SMT-TR | CUI Devices | Description: TYPE C, USB 3.2 GEN 2X2, 20 GBPS Packaging: Tape & Reel (TR) Voltage - Rated: 20VDC Number of Contacts: 24 Connector Type: USB-C (USB TYPE-C) Gender: Receptacle Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A Mounting Type: Surface Mount, Right Angle; Through Hole Shielding: Shielded Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Specifications: USB 3.2 Gen 2 (USB 3.1 Gen 2, Superspeed + (USB 3.1)) Termination: Solder Mounting Feature: Horizontal Mating Cycles: 10000 Part Status: Active Number of Ports: 1 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ32-C-H-G-L2-SMT-TR | CUI Devices | USB Connectors Type C USB 3.2 Gen 2x2 20 Gbps 20 Vac 5 A Horizontal Gold Flash Surface Mount | на замовлення 1941 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ32-C-H-G-L2-SMT-TR | CUI Devices | Description: TYPE C, USB 3.2 GEN 2X2, 20 GBPS Packaging: Cut Tape (CT) Voltage - Rated: 20VDC Number of Contacts: 24 Connector Type: USB-C (USB TYPE-C) Gender: Receptacle Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A Mounting Type: Surface Mount, Right Angle; Through Hole Shielding: Shielded Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Specifications: USB 3.2 Gen 2 (USB 3.1 Gen 2, Superspeed + (USB 3.1)) Termination: Solder Mounting Feature: Horizontal Mating Cycles: 10000 Part Status: Active Number of Ports: 1 | на замовлення 1839 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ32-C-H-G-MSMT-TR | CUI Devices | USB Connectors Type C USB 3.2 Gen 2x2 20 Gbps 20 Vac 5 A Horizontal Gold Flash Mid Mount SMT | на замовлення 2467 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ32-C-H-G-MSMT-TR | CUI Devices | Description: TYPE C, USB 3.2 GEN 2X2, 20 GBPS Packaging: Cut Tape (CT) Voltage - Rated: 20VDC Number of Contacts: 24 Connector Type: USB-C (USB TYPE-C) Gender: Receptacle Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A Mounting Type: Board Edge, Cutout; Surface Mount; Through Hole, Right Angle Shielding: Shielded Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Specifications: USB 3.2 Gen 2 (USB 3.1 Gen 2, Superspeed + (USB 3.1)) Termination: Solder Mounting Feature: Horizontal Mating Cycles: 10000 Part Status: Active Number of Ports: 1 | на замовлення 2275 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ32-C-H-G-MSMT-TR | CUI Devices | Description: TYPE C, USB 3.2 GEN 2X2, 20 GBPS Packaging: Tape & Reel (TR) Voltage - Rated: 20VDC Number of Contacts: 24 Connector Type: USB-C (USB TYPE-C) Gender: Receptacle Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A Mounting Type: Board Edge, Cutout; Surface Mount; Through Hole, Right Angle Shielding: Shielded Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Specifications: USB 3.2 Gen 2 (USB 3.1 Gen 2, Superspeed + (USB 3.1)) Termination: Solder Mounting Feature: Horizontal Mating Cycles: 10000 Part Status: Active Number of Ports: 1 | на замовлення 1250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ32-C-H-G-MSMT-TR | CUI DEVICES | UJ32-C-H-G-MSMT-TR | на замовлення 1250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
UJ32-C-H-G-SMT-TR | CUI DEVICES | UJ32-C-H-G-SMT-TR | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
UJ32-C-H-G-SMT-TR | CUI Devices | Description: TYPE C, USB 3.2 GEN 2X2, 20 GBPS Packaging: Cut Tape (CT) Voltage - Rated: 20VDC Number of Contacts: 24 Connector Type: USB-C (USB TYPE-C) Gender: Receptacle Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A Mounting Type: Surface Mount, Right Angle; Through Hole Shielding: Shielded Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Specifications: USB 3.2 Gen 2 (USB 3.1 Gen 2, Superspeed + (USB 3.1)) Termination: Solder Mounting Feature: Horizontal Mating Cycles: 10000 Part Status: Active Number of Ports: 1 | на замовлення 1899 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ32-C-H-G-SMT-TR | CUI Devices | USB Connectors Type C USB 3.2 Gen 2x2 20 Gbps 20 Vac 5 A Horizontal Gold Flash Surface Mount | на замовлення 2169 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ32-C-H-G-SMT-TR | CUI Devices | Description: TYPE C, USB 3.2 GEN 2X2, 20 GBPS Packaging: Tape & Reel (TR) Voltage - Rated: 20VDC Number of Contacts: 24 Connector Type: USB-C (USB TYPE-C) Gender: Receptacle Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A Mounting Type: Surface Mount, Right Angle; Through Hole Shielding: Shielded Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Specifications: USB 3.2 Gen 2 (USB 3.1 Gen 2, Superspeed + (USB 3.1)) Termination: Solder Mounting Feature: Horizontal Mating Cycles: 10000 Part Status: Active Number of Ports: 1 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ32-C-H-G-SMT-TR-68 | CUI Devices | USB Connectors Type C USB 3.2 Gen 2x2 20 Gbps 20 Vac 5 A Horizontal Gold Flash Surface Mount | на замовлення 1893 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ32-C-H-G-SMT-TR-68 | CUI Devices | Description: TYPE C, USB 3.2 GEN 2X2, 20 GBPS Packaging: Cut Tape (CT) Voltage - Rated: 20VDC Number of Contacts: 24 Connector Type: USB-C (USB TYPE-C) Gender: Receptacle Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A Mounting Type: Surface Mount, Right Angle; Through Hole Shielding: Shielded Operating Temperature: -25°C ~ 85°C Specifications: USB 3.2 Gen 2 (USB 3.1 Gen 2, Superspeed + (USB 3.1)) Termination: Solder Mounting Feature: Horizontal Mating Cycles: 10000 Part Status: Active Number of Ports: 1 | на замовлення 1904 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ32-C-H-G-SMT-TR-68 | CUI DEVICES | UJ32-C-H-G-SMT-TR-68 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
UJ32-C-H-G-SMT-TR-68 | CUI Devices | Description: TYPE C, USB 3.2 GEN 2X2, 20 GBPS Packaging: Tape & Reel (TR) Voltage - Rated: 20VDC Number of Contacts: 24 Connector Type: USB-C (USB TYPE-C) Gender: Receptacle Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A Mounting Type: Surface Mount, Right Angle; Through Hole Shielding: Shielded Operating Temperature: -25°C ~ 85°C Specifications: USB 3.2 Gen 2 (USB 3.1 Gen 2, Superspeed + (USB 3.1)) Termination: Solder Mounting Feature: Horizontal Mating Cycles: 10000 Part Status: Active Number of Ports: 1 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ32-C-H-MSMT-TR-68 | CUI Devices | Description: TYPE C, USB 3.2 GEN 1, 10 GBPS, Packaging: Tape & Reel (TR) Voltage - Rated: 20VDC Number of Contacts: 24 Connector Type: USB-C (USB TYPE-C) Gender: Receptacle Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A Mounting Type: Surface Mount, Right Angle; Through Hole Shielding: Shielded Operating Temperature: -25°C ~ 85°C Specifications: USB 3.2 Gen 1 (USB 3.1 Gen 1, Superspeed (USB 3.0)) Termination: Solder Ingress Protection: IP68 - Dust Tight, Waterproof Mounting Feature: Horizontal Mating Cycles: 10000 Number of Ports: 1 | товар відсутній | |||||||||||||||||
UJ32-C-H-MSMT-TR-68 | CUI Devices | Description: TYPE C, USB 3.2 GEN 1, 10 GBPS, Packaging: Cut Tape (CT) Voltage - Rated: 20VDC Number of Contacts: 24 Connector Type: USB-C (USB TYPE-C) Gender: Receptacle Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A Mounting Type: Surface Mount, Right Angle; Through Hole Shielding: Shielded Operating Temperature: -25°C ~ 85°C Specifications: USB 3.2 Gen 1 (USB 3.1 Gen 1, Superspeed (USB 3.0)) Termination: Solder Ingress Protection: IP68 - Dust Tight, Waterproof Mounting Feature: Horizontal Mating Cycles: 10000 Number of Ports: 1 | товар відсутній | |||||||||||||||||
UJ32-C-H-MSMT-TR-68 | CUI Devices | USB Connectors | на замовлення 2917 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ32-C-V-G-SMT-TR | CUI Devices | Description: TYPE C, USB 3.2 GEN 2X2, 20 GBPS Packaging: Tape & Reel (TR) Voltage - Rated: 20VDC Number of Contacts: 24 Connector Type: USB-C (USB TYPE-C) Gender: Receptacle Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A Mounting Type: Surface Mount, Through Hole Shielding: Shielded Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Specifications: USB 3.2 Gen 2 (USB 3.1 Gen 2, Superspeed + (USB 3.1)) Termination: Solder Mounting Feature: Vertical Mating Cycles: 10000 Part Status: Active Number of Ports: 1 | на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ32-C-V-G-SMT-TR | CUI DEVICES | Conn USB 3.2 Type C RCP 24 POS 0.5mm Solder ST SMD 24 Terminal 1 Port T/R | на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
UJ32-C-V-G-SMT-TR | CUI Devices | USB Connectors Type C USB 3.2 Gen 2x2 20 Gbps 20 Vac 5 A Vertical Gold Flash Surface Mount | на замовлення 1372 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ32-C-V-G-SMT-TR | CUI Devices | Description: TYPE C, USB 3.2 GEN 2X2, 20 GBPS Packaging: Cut Tape (CT) Voltage - Rated: 20VDC Number of Contacts: 24 Connector Type: USB-C (USB TYPE-C) Gender: Receptacle Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A Mounting Type: Surface Mount, Through Hole Shielding: Shielded Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Specifications: USB 3.2 Gen 2 (USB 3.1 Gen 2, Superspeed + (USB 3.1)) Termination: Solder Mounting Feature: Vertical Mating Cycles: 10000 Part Status: Active Number of Ports: 1 | на замовлення 222 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ33BR133AL | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
UJ3507A | на замовлення 16000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
UJ360094 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
UJ360135 | на замовлення 87 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
UJ360150 | на замовлення 24 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
UJ360166 | ICS | SSOP | на замовлення 150 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
UJ360262 | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
UJ360510 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
UJ360608 | на замовлення 52 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
UJ360738 | на замовлення 4300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
UJ360820 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
UJ361098 | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
UJ361154 | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
UJ361217 | на замовлення 900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
UJ3C065030B3 | Qorvo | Description: MOSFET N-CH 650V 65A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 50A, 12V Power Dissipation (Max): 242W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V | на замовлення 1225 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3C065030B3 | Qorvo | MOSFET 650V/30mO,SICFET,G3,TO263-3 | на замовлення 1732 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3C065030B3 | Qorvo (UnitedSiC) | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 47A Mounting: SMD Drain-source voltage: 650V Drain current: 47A On-state resistance: 27mΩ Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET Power dissipation: 250W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: ESD protected gate Gate charge: 51nC Technology: SiC Kind of transistor: cascode Gate-source voltage: ±25V Pulsed drain current: 230A Case: D2PAK | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3C065030B3 | UNITEDSIC | Description: UNITEDSIC - UJ3C065030B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 650 V, 0.027 ohm, D2PAK tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 65 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 242 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 242 Bauform - Transistor: D2PAK Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: PW Series productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.027 Rds(on)-Prüfspannung: 12 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 730 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3C065030B3 | Qorvo | Description: MOSFET N-CH 650V 65A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 50A, 12V Power Dissipation (Max): 242W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3C065030B3 | Qorvo / UnitedSiC | MOSFET 650V/30mOhm, SiC, CASCODE, G3, D2PAK-3L | на замовлення 2180 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3C065030B3 | UNITEDSIC | Description: UNITEDSIC - UJ3C065030B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 650 V, 0.027 ohm, D2PAK tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES Verlustleistung: 242 Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027 rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 730 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3C065030B3 | Qorvo (UnitedSiC) | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 47A Mounting: SMD Drain-source voltage: 650V Drain current: 47A On-state resistance: 27mΩ Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET Power dissipation: 250W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: ESD protected gate Gate charge: 51nC Technology: SiC Kind of transistor: cascode Gate-source voltage: ±25V Pulsed drain current: 230A Case: D2PAK кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 15 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3C065030K3S | United Silicon Carbide | Trans MOSFET P-CH SiC 650V 85A Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
UJ3C065030K3S | United Silicon Carbide | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 1347 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3C065030K3S | Qorvo | MOSFET 650V/30mO,SICFET,G3,TO247-3 | на замовлення 1842 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3C065030K3S | Qorvo (UnitedSiC) | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 62A Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Kind of transistor: cascode Drain-source voltage: 650V Drain current: 62A Pulsed drain current: 230A Power dissipation: 441W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 30mΩ Mounting: THT Gate charge: 51nC Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 22 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3C065030K3S | Qorvo | Description: MOSFET N-CH 650V 85A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 50A, 12V Power Dissipation (Max): 441W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V | на замовлення 4826 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3C065030K3S | Qorvo (UnitedSiC) | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 62A Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Kind of transistor: cascode Drain-source voltage: 650V Drain current: 62A Pulsed drain current: 230A Power dissipation: 441W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 30mΩ Mounting: THT Gate charge: 51nC Features of semiconductor devices: ESD protected gate | на замовлення 22 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3C065030K3S | QORVO | Description: QORVO - UJ3C065030K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-247 tariffCode: 85411000 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 85A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 441W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 473 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3C065030T3S | Qorvo (UnitedSiC) | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 62A Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Kind of transistor: cascode Drain-source voltage: 650V Drain current: 62A Pulsed drain current: 230A Power dissipation: 441W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 27mΩ Mounting: THT Gate charge: 51nC Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 9 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3C065030T3S | Qorvo | Description: MOSFET N-CH 650V 85A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 50A, 12V Power Dissipation (Max): 441W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V | на замовлення 912 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3C065030T3S | Qorvo (UnitedSiC) | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 62A Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Kind of transistor: cascode Drain-source voltage: 650V Drain current: 62A Pulsed drain current: 230A Power dissipation: 441W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 27mΩ Mounting: THT Gate charge: 51nC Features of semiconductor devices: ESD protected gate | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3C065030T3S | Qorvo / UnitedSiC | MOSFET 650V/30mOhm, SiC, CASCODE, G3, TO-220-3L, REDUCED Rth | на замовлення 1574 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3C065030T3S | QORVO | Description: QORVO - UJ3C065030T3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-220 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 85A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 441W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 504 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3C065030T3S | Qorvo | MOSFET 650V/30mO,SICFET,G3,TO220-3 | на замовлення 1336 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3C065080B3 | Qorvo / UnitedSiC | MOSFET 650V/80mOhm, SiC, CASCODE, G3, D2PAK-3L | на замовлення 102 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3C065080B3 | QORVO | Description: QORVO - UJ3C065080B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 25 A, 650 V, 0.08 ohm, D2PAK tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 115W Bauform - Transistor: D2PAK Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 574 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3C065080B3 | Qorvo | Description: MOSFET N-CH 650V 25A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 20A, 12V Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V | на замовлення 5988 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3C065080B3 | QORVO | Description: QORVO - UJ3C065080B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 25 A, 650 V, 0.08 ohm, D2PAK tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 115W Bauform - Transistor: D2PAK Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 574 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3C065080B3 | Qorvo (UnitedSiC) | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 18.2A Mounting: SMD Drain-source voltage: 650V Drain current: 18.2A On-state resistance: 80mΩ Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET Power dissipation: 115W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: ESD protected gate Gate charge: 51nC Technology: SiC Kind of transistor: cascode Gate-source voltage: ±25V Pulsed drain current: 65A Case: D2PAK кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 1 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3C065080B3 | Qorvo | Description: MOSFET N-CH 650V 25A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 20A, 12V Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V | на замовлення 5600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3C065080B3 | Qorvo (UnitedSiC) | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 18.2A Mounting: SMD Drain-source voltage: 650V Drain current: 18.2A On-state resistance: 80mΩ Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET Power dissipation: 115W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: ESD protected gate Gate charge: 51nC Technology: SiC Kind of transistor: cascode Gate-source voltage: ±25V Pulsed drain current: 65A Case: D2PAK | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3C065080K3S | QORVO | Description: QORVO - UJ3C065080K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 190W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 624 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3C065080K3S | Qorvo (UnitedSiC) | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 23A Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Kind of transistor: cascode Drain-source voltage: 650V Drain current: 23A Pulsed drain current: 65A Power dissipation: 190W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 80mΩ Mounting: THT Gate charge: 51nC Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
UJ3C065080K3S | Qorvo (UnitedSiC) | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 23A Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Kind of transistor: cascode Drain-source voltage: 650V Drain current: 23A Pulsed drain current: 65A Power dissipation: 190W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 80mΩ Mounting: THT Gate charge: 51nC Features of semiconductor devices: ESD protected gate | товар відсутній | |||||||||||||||||
UJ3C065080K3S | Qorvo / UnitedSiC | MOSFET 650V/80mOhm, SiC, CASCODE, G3, TO-247-3L, REDUCED Rth | на замовлення 2400 шт: термін постачання 109-118 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3C065080K3S | Qorvo | Description: MOSFET N-CH 650V 31A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 20A, 12V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V | на замовлення 127 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3C065080T3S | Qorvo (UnitedSiC) | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 23A Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Kind of transistor: cascode Drain-source voltage: 650V Drain current: 23A Pulsed drain current: 65A Power dissipation: 190W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 80mΩ Mounting: THT Gate charge: 51nC Features of semiconductor devices: ESD protected gate | на замовлення 19 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3C065080T3S | Qorvo | MOSFET 650V/80mOhm, SiC, CASCODE, G3, TO-220-3L, REDUCED Rth | на замовлення 1026 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3C065080T3S | Qorvo | Description: MOSFET N-CH 650V 31A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 12V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V | на замовлення 6473 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3C065080T3S | United Silicon Carbide | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220 | товар відсутній | |||||||||||||||||
UJ3C065080T3S | QORVO | Description: QORVO - UJ3C065080T3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-220 tariffCode: 85411000 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 190W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 696 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3C065080T3S | Qorvo (UnitedSiC) | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 23A Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Kind of transistor: cascode Drain-source voltage: 650V Drain current: 23A Pulsed drain current: 65A Power dissipation: 190W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 80mΩ Mounting: THT Gate charge: 51nC Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 19 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3C120040K3S | USCi | Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 1.2kV; 47A UJ3C120040K3S TUJ3C120040k3s кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 5 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3C120040K3S | Qorvo | Description: SICFET N-CH 1200V 65A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 40A, 12V Power Dissipation (Max): 429W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V | на замовлення 539 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3C120040K3S Код товару: 193437 | Транзистори > Польові N-канальні | товар відсутній | ||||||||||||||||||
UJ3C120040K3S | Qorvo / UnitedSiC | MOSFET 1200V/40mOhm, SiC, CASCODE, G3, TO-247-3L, REDUCED Rth | на замовлення 279 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3C120040K3S | QORVO | Description: QORVO - UJ3C120040K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.035 ohm, TO-247 tariffCode: 85411000 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 65A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 429W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 649 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3C120040K3S | Qorvo (UnitedSiC) | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 1.2kV; 47A Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Kind of transistor: cascode Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 47A Pulsed drain current: 175A Power dissipation: 429W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 35mΩ Mounting: THT Gate charge: 51nC Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
UJ3C120040K3S | Qorvo (UnitedSiC) | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 1.2kV; 47A Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Kind of transistor: cascode Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 47A Pulsed drain current: 175A Power dissipation: 429W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 35mΩ Mounting: THT Gate charge: 51nC Features of semiconductor devices: ESD protected gate | товар відсутній | |||||||||||||||||
UJ3C120040K3S | Qorvo | MOSFET 1200V/40mO,SICFET,G3,TO247-3 | на замовлення 211 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3C120070K3S | QORVO | Description: QORVO - UJ3C120070K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34.5 A, 1.2 kV, 0.07 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 34.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 254.2W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 372 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3C120070K3S | Qorvo | Description: SICFET N-CH 1200V 34.5A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 12V Power Dissipation (Max): 254.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V | на замовлення 671 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3C120070K3S | Qorvo | MOSFET 1200V/70mOhm, SiC, CASCODE, G3, TO-247-3L, REDUCED Rth | на замовлення 175 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3C120070K4S | QORVO | Description: QORVO - UJ3C120070K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34.5 A, 1.2 kV, 70 mohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 34.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 254.2W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 70mohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3C120080K3S | QORVO | Description: QORVO - UJ3C120080K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247 tariffCode: 85411000 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 33A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 254.2W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 833 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3C120080K3S | Qorvo | Description: SICFET N-CH 1200V 33A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 12V Power Dissipation (Max): 254.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V | на замовлення 5884 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3C120080K3S | Qorvo | MOSFET 1200V/80mO,SICFET,G3,TO247-3 | на замовлення 578 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3C120080K3S Код товару: 175759 | Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1 | товар відсутній | ||||||||||||||||||
UJ3C120150K3S | Qorvo | MOSFET 1200V/150mO,SICFET,G3,TO247-3 | на замовлення 478 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3C120150K3S | Qorvo / UnitedSiC | MOSFET 1200V/150mOhm, SiC, CASCODE, G3, TO-247-3L, REDUCED Rth | на замовлення 607 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3C120150K3S | UNITEDSIC | Description: UNITEDSIC - UJ3C120150K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 18.4 A, 1.2 kV, 0.15 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18.4 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 166.7 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4 MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 166.7 Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: PW Series productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.15 Rds(on)-Prüfspannung: 12 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 674 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3C120150K3S | Qorvo | Description: SICFET N-CH 1200V 18.4A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 12V Power Dissipation (Max): 166.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 738 pF @ 100 V | на замовлення 495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3D06504TS | Qorvo / UnitedSiC | Schottky Diodes & Rectifiers 650V/4A SiC SCHOTTKY DIODE G3, TO-220, ENHANCED SURGE | на замовлення 1724 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3D06504TS | Qorvo | Description: DIODE SIL CARB 650V 4A TO220-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 118pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 4A Supplier Device Package: TO-220-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 650 V | на замовлення 22775 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3D06504TS | Qorvo | Schottky Diodes & Rectifiers 650V/4A,SIC,DIODE,G3,TO220-2 | на замовлення 1718 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3D06506TS | Qorvo / UnitedSiC | Schottky Diodes & Rectifiers 650V/6A SiC SCHOTTKY DIODE G3, TO-220, ENHANCED SURGE | товар відсутній | |||||||||||||||||
UJ3D06506TS | Qorvo | Description: DIODE SIL CARB 650V 6A TO220-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 196pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: TO-220-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V | на замовлення 58496 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3D06506TS | UnitedSiC | Schottky Diodes & Rectifiers 650V/6A SiC SCHOTTKY DIODE G3 | товар відсутній | |||||||||||||||||
UJ3D06508TS | Qorvo | Schottky Diodes & Rectifiers 650V/8A,SIC,DIODE,G3,TO220-2 | на замовлення 1751 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3D06508TS | UNITEDSIC | Description: UNITEDSIC - UJ3D06508TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, 19 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 19nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: PW Series productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3D06508TS | Qorvo / UnitedSiC | Schottky Diodes & Rectifiers 650V/8A SiC SCHOTTKY DIODE G3, TO-220, ENHANCED SURGE | на замовлення 1751 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3D06508TS | Qorvo | Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO220-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 250pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-220-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V | на замовлення 28214 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3D06510TS | UNITEDSIC | Description: UNITEDSIC - UJ3D06510TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 23 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 23nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: PW Series productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 194 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3D06510TS | Qorvo / UnitedSiC | Schottky Diodes & Rectifiers 650V/10A SiC SCHOTTKY DIODE G3, TO-220, ENHANCED SURGE | на замовлення 752 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3D06510TS | Qorvo | Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 327pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-220-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V | на замовлення 11389 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3D06510TS | Qorvo | Schottky Diodes & Rectifiers 650V/10A,SIC,DIODE,G3,TO220-2 | на замовлення 728 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3D06510TS | UnitedSiC | Schottky Diodes & Rectifiers 650V/10A SiC SCHOTTKY DIODE G3, TO-220, ENHANCED SURGE | на замовлення 770 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3D06512TS | United Silicon Carbide | 12A - 650V SiC Schottky Diode | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3D06512TS | Qorvo / UnitedSiC | Schottky Diodes & Rectifiers 650V/12A SiC SCHOTTKY DIODE G3, TO-220-2L, ENHANCED SURGE | на замовлення 1935 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3D06512TS | QORVO | Description: QORVO - UJ3D06512TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 12 A, 29 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 29nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: PW Series productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3D06512TS | UnitedSiC | Schottky Diodes & Rectifiers 650V/12A SiC SCHOTTKY DIODE G3, TO-220-2L, ENHANCED SURGE | на замовлення 1995 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3D06512TS | Qorvo | Schottky Diodes & Rectifiers 650V/12A,SIC,DIODE,G3,TO220-2 | на замовлення 1665 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3D06512TS | Qorvo | Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 392pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 12A Supplier Device Package: TO-220-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V | на замовлення 4601 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3D06516TS | Qorvo | Schottky Diodes & Rectifiers 650V/16A,SIC,DIODE,G3,TO220-2 | на замовлення 1033 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3D06516TS | UnitedSiC | Schottky Diodes & Rectifiers 650V/16A SiC SCHOTTKY DIODE G3, TO-220-2L, ENHANCED SURGE | на замовлення 2033 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3D06516TS | UnitedSiC | Description: 650V 16A SIC SCHOTTKY DIODE G3, | на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3D06516TS | Qorvo / UnitedSiC | Schottky Diodes & Rectifiers 650V/16A SiC SCHOTTKY DIODE G3, TO-220-2L, ENHANCED SURGE | на замовлення 1033 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3D06520KSD | Qorvo | Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 654pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-247-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 650 V | на замовлення 12837 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3D06520KSD | UNITEDSIC | Description: UNITEDSIC - UJ3D06520KSD - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 20 A, 46 nC, TO-247 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 46nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PW Series productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 108 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3D06520KSD | Qorvo | Schottky Diodes & Rectifiers 650V/20A,SIC,DIODE,DUAL,G3,TO247-3 | на замовлення 364 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3D06520KSD | United Silicon Carbide | UJ3D06520KSD | товар відсутній | |||||||||||||||||
UJ3D06520TS | Qorvo | Schottky Diodes & Rectifiers 650V/20A,SIC,DIODE,G3,TO220-2 | на замовлення 1184 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3D06520TS | Qorvo | Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 654pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: TO-220-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 650 V | на замовлення 6111 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3D06520TS | Qorvo / UnitedSiC | Schottky Diodes & Rectifiers 650V/20A SiC SCHOTTKY DIODE G3, TO-220-2L, ENHANCED SURGE | на замовлення 427 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3D06530TS | Qorvo | Schottky Diodes & Rectifiers 650V/30A,SIC,DIODE,G3,TO220-2 | на замовлення 648 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3D06530TS | Qorvo | Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO220-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 990pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 30A Supplier Device Package: TO-220-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 370 µA @ 650 V | на замовлення 7896 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3D06530TS | United Silicon Carbide | UJ3D06530TS | товар відсутній | |||||||||||||||||
UJ3D06530TS | Qorvo / UnitedSiC | Schottky Diodes & Rectifiers 650V/30A SiC SCHOTTKY DIODE G3, TO-220, ENHANCED SURGE | на замовлення 664 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3D06530TS | Qorvo (UnitedSiC) | UJ3D06530TS THT Schottky diodes | товар відсутній | |||||||||||||||||
UJ3D06530TS | UNITEDSIC | Description: UNITEDSIC - UJ3D06530TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 72 nC, TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 72 Anzahl der Pins: 2 Pins Bauform - Diode: TO-220 Diodenkonfiguration: Einfach Produktpalette: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | на замовлення 1135 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3D06560KSD | Qorvo / UnitedSiC | Schottky Diodes & Rectifiers 650V/60A SiC SCHOTTKY DIODE G3, TO-247, DUAL | на замовлення 544 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3D06560KSD | Qorvo | Schottky Diodes & Rectifiers 650V/60A,SIC,DIODE,DUAL,G3,TO247-3 | на замовлення 516 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3D06560KSD | Qorvo | Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1980pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 30A Supplier Device Package: TO-247-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 740 µA @ 650 V | на замовлення 8128 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3D1202TS | Qorvo / UnitedSiC | Schottky Diodes & Rectifiers 1200V/2A SiC SCHOTTKY DIODE G3, TO-220, ENHANCED SURGE | на замовлення 747 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3D1202TS | QORVO | Description: QORVO - UJ3D1202TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 2 A, 12 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 12nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: PW Series productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 35 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3D1202TS | UnitedSiC | Schottky Diodes & Rectifiers 1200V/2A SiC SCHOTTKY DIODE G3, TO-220, ENHANCED SURGE | на замовлення 808 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3D1202TS | Qorvo | Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 2A TO220-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 109pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: TO-220-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 22 µA @ 1200 V | на замовлення 17979 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3D1202TS | Qorvo | Schottky Diodes & Rectifiers 1200V/2A,SIC,DIODE,G3,TO220-2 | на замовлення 1474 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3D1205TS | Qorvo | Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 5A TO220-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 250pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 5A Supplier Device Package: TO-220-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 55 µA @ 1200 V | на замовлення 36235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3D1205TS | Qorvo / UnitedSiC | Schottky Diodes & Rectifiers 1200V/5A SiC SCHOTTKY DIODE G3, TO-220, ENHANCED SURGE | на замовлення 2896 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3D1210K2 | Qorvo | Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO247-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 510pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-247-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 110 µA @ 1200 V | на замовлення 7251 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3D1210K2 | Qorvo | Schottky Diodes & Rectifiers 1200V/10A,SIC,DIODE,G3,TO247-2 | на замовлення 363 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3D1210KS | UNITEDSIC | Description: UNITEDSIC - UJ3D1210KS - SiC-Schottky-Diode, Einfache, zweifache Kathode, 1.2 kV, 10 A, 51 nC, TO-247 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 51 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Diodenkonfiguration: Einfache, zweifache Kathode Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10 euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3D1210KS | Qorvo | Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 510pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-247-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 110 µA @ 1200 V | на замовлення 2300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3D1210KS | Qorvo | Schottky Diodes & Rectifiers 1200V/10A,SIC,DIODE,G3,TO247-3 | на замовлення 1135 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3D1210KSD | UNITEDSIC | Description: UNITEDSIC - UJ3D1210KSD - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 10 A, 54 nC, TO-247 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 54 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10 euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3D1210KSD | Qorvo | Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 5A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 5A Supplier Device Package: TO-247-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 110 µA @ 1200 V | на замовлення 5328 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3D1210KSD | Qorvo | Schottky Diodes & Rectifiers 1200V/10A,SIC,DIODE,DUAL,G3,TO247-3 | на замовлення 1087 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3D1210TS | Qorvo / UnitedSiC | Schottky Diodes & Rectifiers 1200V/10A SiC SCHOTTKY DIODE G3, TO-220, ENHANCED SURGE | на замовлення 2389 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3D1210TS | QORVO | Description: QORVO - UJ3D1210TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 51 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 51nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3D1210TS | Qorvo | Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 510pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-220-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 110 µA @ 1200 V | на замовлення 9266 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3D1210TS | UnitedSiC | Schottky Diodes & Rectifiers 1200V/10A SiC SCHOTTKY DIODE G3, TO-220, ENHANCED SURGE | на замовлення 2455 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3D1210TS | Qorvo | Schottky Diodes & Rectifiers 1200V/10A,SIC,DIODE,G3,TO220-2 | на замовлення 2379 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3D1220K2 | Qorvo | Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 20A TO247-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 810pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: TO-247-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 190 µA @ 1200 V | на замовлення 427 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3D1220K2 | Qorvo | Schottky Diodes & Rectifiers 1200V/20A,SIC,DIODE,G3,TO247-2 | на замовлення 1034 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3D1220K2 | Qorvo / UnitedSiC | Schottky Diodes & Rectifiers 1200V/20A SiC SCHOTTKY DIODE G3, TO-247-2L | на замовлення 442 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3D1220KSD | Qorvo / UnitedSiC | Schottky Diodes & Rectifiers 1200V/20A, SiC, SCHOTTKY DIODE, G3, TO-247-3L, ENHANCED SURGE, DUAL | на замовлення 376 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3D1220KSD | Qorvo (UnitedSiC) | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; 53.2/468.8W Mounting: THT Manufacturer series: UJ3D Case: TO247-3 Power dissipation: 53.2/468.8W Type of diode: Schottky rectifying Features of semiconductor devices: MPS Technology: SiC Max. off-state voltage: 1.2kV Max. forward voltage: 1.4V Load current: 10A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Max. forward impulse current: 220A | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3D1220KSD | Qorvo (UnitedSiC) | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; 53.2/468.8W Mounting: THT Manufacturer series: UJ3D Case: TO247-3 Power dissipation: 53.2/468.8W Type of diode: Schottky rectifying Features of semiconductor devices: MPS Technology: SiC Max. off-state voltage: 1.2kV Max. forward voltage: 1.4V Load current: 10A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Max. forward impulse current: 220A кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 5 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3D1220KSD | Qorvo | Schottky Diodes & Rectifiers 1200V/20A, SiC, SCHOTTKY DIODE, G3, TO-247-3L, ENHANCED SURGE, DUAL | на замовлення 436 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3D1220KSD | Qorvo | Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1020pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-247-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 220 µA @ 1200 V | на замовлення 1823 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3D1220TS | UnitedSiC | Schottky Diodes & Rectifiers 1200V/20A SiC SCHOTTKY DIODE G2 | товар відсутній | |||||||||||||||||
UJ3D1250K | Qorvo | Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 50A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 2340pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 50A Supplier Device Package: TO-247-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 50 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 1200 V | на замовлення 6788 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3D1250K | UnitedSiC | Schottky Diodes & Rectifiers 1200V/50A SiC SCHOTTKY DIODE G3, TO-247-3L | на замовлення 1120 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3D1250K | Qorvo | Schottky Diodes & Rectifiers 1200V/50A SiC SCHOTTKY DIODE G3, TO-247-3L | на замовлення 510 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3D1250K | Qorvo / UnitedSiC | Schottky Diodes & Rectifiers 1200V/50A SiC SCHOTTKY DIODE G3, TO-247-3L | на замовлення 522 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3D1250K2 | UnitedSiC | Schottky Diodes & Rectifiers 1200V/50A SiC SCHOTTKY DIODE G3, TO-247-2L | на замовлення 1180 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3D1250K2 | Qorvo / UnitedSiC | Schottky Diodes & Rectifiers 1200V/50A SiC SCHOTTKY DIODE G3, TO-247-2L | на замовлення 1471 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3D1250K2 | Qorvo | Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 50A TO247-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 2340pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 50A Supplier Device Package: TO-247-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 50 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 1200 V | на замовлення 15360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3D1250ZW | UnitedSiC | Schottky Diodes & Rectifiers 50A - 1200V SiC Schottky Diode Die on tape | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||
UJ3D1725K2 | United Silicon Carbide | UJ3D1725K2 | на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3D1725K2 | Qorvo | Description: DIODE SIL CARB 1.7KV 25A TO247-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1500pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 25A Supplier Device Package: TO-247-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 25 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 360 µA @ 1700 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 5121 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3D1725K2 | Qorvo / UnitedSiC | Schottky Diodes & Rectifiers 1700V/25A SiC SCHOTTKY DIODE G3, TO-247-2L | на замовлення 135 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3N065025K3S | Qorvo | Description: JFET N-CH 650V 85A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2360pF @ 100V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 650 V Current Drain (Id) - Max: 85 A Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Power - Max: 441 W Resistance - RDS(On): 33 mOhms | на замовлення 621 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3N065025K3S | Qorvo | JFET 650V/25mO,SIC,JFET,G3,TO247-3 | на замовлення 440 шт: термін постачання 329-338 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3N065025K3S | Qorvo / UnitedSiC | JFET 650V/25mOhm, SiC, N-ON JFET, G3, TO-247-3L, REDUCED Rth | на замовлення 466 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3N065025K3S | United Silicon Carbide | 650V SiC Normally-On JFET | товар відсутній | |||||||||||||||||
UJ3N065025K3S | UNITEDSIC | Description: UNITEDSIC - UJ3N065025K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.022 ohm, TO-247 Drain-Source-Spannung Vds: 650 Dauer-Drainstrom Id: 85 Verlustleistung Pd: 441 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 11.5 MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 441 Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.022 Rds(on)-Prüfspannung: 2 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | на замовлення 202 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3N065080K3S | United Silicon Carbide | 650V SiC Normally-On JFET | товар відсутній | |||||||||||||||||
UJ3N065080K3S | Qorvo | JFET 650V/80mO,SIC,JFET,G3,TO247-3 | на замовлення 1226 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3N065080K3S | UNITEDSIC | Description: UNITEDSIC - UJ3N065080K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 32 A, 650 V, 0.068 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 32A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 11.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 190W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 2V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 536 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3N065080K3S | Qorvo | Description: JFET N-CH 650V 32A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630pF @ 100V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 650 V Current Drain (Id) - Max: 32 A Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Power - Max: 190 W Resistance - RDS(On): 95 mOhms | на замовлення 451 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3N065080K3S | Qorvo / UnitedSiC | JFET 650V/80mOhm, SiC, N-ON JFET, G3, TO-247-3L, REDUCED Rth | на замовлення 2320 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3N120035K3S | Qorvo | Description: JFET N-CH 1200V 63A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2145pF @ 100V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 1200 V Current Drain (Id) - Max: 63 A Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Power - Max: 429 W Resistance - RDS(On): 45 mOhms | на замовлення 1048 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3N120035K3S | United Silicon Carbide | 35mW - 1200V SiC Normally-On JFET | товар відсутній | |||||||||||||||||
UJ3N120035K3S | Qorvo | JFET 1200V/35mO,SIC,JFET,G3,TO247-3 | на замовлення 591 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3N120035K3S | United Silicon Carbide | UJ3N120035K3S | товар відсутній | |||||||||||||||||
UJ3N120035K3S | Qorvo / UnitedSiC | JFET 1200V/35mOhm, SiC, N-ON JFET, G3, TO-247-3L, REDUCED Rth | на замовлення 644 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3N120065K3S | Qorvo / UnitedSiC | JFET 1200V/65mOhm SiC Planar JFET, N-ON G3, TO-247-3L | на замовлення 928 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3N120065K3S | Qorvo | JFET 1200V/65mO,SIC,JFET,G3,TO247-3 | на замовлення 901 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3N120065K3S | Qorvo | Description: JFET N-CH 1.2KV 34A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1008pF @ 100V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 1200 V Current Drain (Id) - Max: 34 A Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Power - Max: 254 W Resistance - RDS(On): 55 mOhms Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5 µA @ 1200 V | на замовлення 1957 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3N120065K3S | United Silicon Carbide | UJ3N120065K3S | товар відсутній | |||||||||||||||||
UJ3N120070K3S | Qorvo / UnitedSiC | JFET 1200V/70mOhm, SiC, N-ON JFET, G3, TO-247-3L, REDUCED Rth | на замовлення 403 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3N120070K3S | Qorvo | Description: JFET N-CH 1200V 33.5A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 985pF @ 100V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 1200 V Current Drain (Id) - Max: 33.5 A Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Power - Max: 254 W Resistance - RDS(On): 90 mOhms | на замовлення 3228 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3N120070K3S | United Silicon Carbide | 1200V SiC Normally-On JFET | товар відсутній | |||||||||||||||||
UJ3N120070K3S | Qorvo | JFET 1200V/70mO,SIC,JFET,G3,TO247-3 | на замовлення 267 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UJ3N120070K3S | QORVO | Description: QORVO - UJ3N120070K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33.5 A, 1.2 kV, 0.063 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 33.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 11.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 254W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 2V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 461 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|