Продукція > YJQ

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
YJQ1216AYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 20V 16A DFN2020-6L-E
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2992 pF @ 10 V
товар відсутній
YJQ1216AYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 20V 16A DFN2020-6L-E
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2992 pF @ 10 V
товар відсутній
YJQ1216A-F1-1100HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 20V 16A DFN2020-6L-E
товар відсутній
YJQ1216A-F1-1100HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 20V 16A DFN2020-6L-E
товар відсутній
YJQ13N03AYangjie TechnologyDescription: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.03 грн
15000+ 5.48 грн
30000+ 5.15 грн
60000+ 4.53 грн
120000+ 4.1 грн
300000+ 3.8 грн
Мінімальне замовлення: 3000
YJQ15GP10AYANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; -100V; -9.5A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SPLIT GATE TRENCH
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -9.5A
Pulsed drain current: -45A
Power dissipation: 17.2W
Case: DFN3.3x3.3 EP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 120mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.98nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9372 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
11+25.86 грн
25+ 18.13 грн
72+ 13.05 грн
198+ 12.34 грн
Мінімальне замовлення: 11
YJQ15GP10AYANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; -100V; -9.5A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SPLIT GATE TRENCH
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -9.5A
Pulsed drain current: -45A
Power dissipation: 17.2W
Case: DFN3.3x3.3 EP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 120mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.98nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 9372 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+21.55 грн
25+ 14.55 грн
72+ 10.88 грн
198+ 10.28 грн
Мінімальне замовлення: 18
YJQ2012AYangjie TechnologyDescription: DFN2020-6L N 20V 12A Transistor
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.84 грн
15000+ 4.38 грн
30000+ 4.1 грн
60000+ 3.65 грн
120000+ 3.26 грн
300000+ 3 грн
Мінімальне замовлення: 3000
YJQ20N04AYangjie TechnologyDescription: DFN(3.3x3.3) N 40V 20A Transist
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+9.32 грн
25000+ 8.48 грн
50000+ 8 грн
100000+ 7.05 грн
200000+ 6.33 грн
500000+ 5.87 грн
Мінімальне замовлення: 5000
YJQ20P03AYangjie TechnologyDescription: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+10.23 грн
25000+ 9.26 грн
50000+ 8.74 грн
100000+ 7.65 грн
200000+ 6.92 грн
500000+ 6.43 грн
Мінімальне замовлення: 5000
YJQ2301AYangjie TechnologyDescription: DFN2020-6L P -20V -4A Transisto
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.01 грн
15000+ 5.43 грн
30000+ 5.15 грн
60000+ 4.5 грн
120000+ 4.1 грн
300000+ 3.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
YJQ30N03AYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 30V 30A DFN3333-8L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 8-DFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
товар відсутній
YJQ30N03AYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 30V 30A DFN3333-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 8-DFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
товар відсутній
YJQ3400AYANGJIE TECHNOLOGYCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 6.2A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.2A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 2W
Case: DFN2020-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2760 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
30+9.62 грн
100+ 5.25 грн
240+ 4.09 грн
500+ 4.08 грн
660+ 3.86 грн
Мінімальне замовлення: 30
YJQ3400AYANGJIE TECHNOLOGYCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 6.2A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.2A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 2W
Case: DFN2020-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2760 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
50+8.01 грн
100+ 4.21 грн
240+ 3.41 грн
500+ 3.4 грн
660+ 3.22 грн
Мінімальне замовлення: 50
YJQ3400A-F1-1100HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 30V 7.7A DFN2020-6L-
товар відсутній
YJQ3400A-F1-1100HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 30V 7.7A DFN2020-6L-
товар відсутній
YJQ3407AYANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -4.4A; 1.4W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.4A
Pulsed drain current: -22A
Power dissipation: 1.4W
Case: DFN2020-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
YJQ3407AYANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -4.4A; 1.4W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.4A
Pulsed drain current: -22A
Power dissipation: 1.4W
Case: DFN2020-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
YJQ35G10AYANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; Idm: 120A; 54W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 54W
Case: DFN3.3x3.3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
YJQ35G10AYANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; Idm: 120A; 54W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 54W
Case: DFN3.3x3.3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
YJQ35N04AYANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 40V; 23A; 40W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 40W
Case: DFN3.3x3.3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2660 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
35+10.29 грн
100+ 8.21 грн
270+ 7.76 грн
Мінімальне замовлення: 35
YJQ35N04AYangjie TechnologyDescription: DFN(3.3x3.3) N 40V 35A Transist
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+12.82 грн
25000+ 11.67 грн
50000+ 11 грн
100000+ 9.63 грн
200000+ 8.69 грн
500000+ 8.06 грн
Мінімальне замовлення: 5000
YJQ35N04AYANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 40V; 23A; 40W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 40W
Case: DFN3.3x3.3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2660 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
20+14.65 грн
25+ 12.83 грн
100+ 9.85 грн
270+ 9.32 грн
5000+ 9.1 грн
Мінімальне замовлення: 20
YJQ35N04A-F1-1100HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 40V 35A DFN3333-8L
товар відсутній
YJQ35N04A-F1-1100HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 40V 35A DFN3333-8L
товар відсутній
YJQ3622A-F1-1100HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 30V 30A DFN3333-8L
товар відсутній
YJQ3622A-F1-1100HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 30V 30A DFN3333-8L
товар відсутній
YJQ40G10A-F1-1100HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 100V 40A DFN3333-8L-
товар відсутній
YJQ40G10A-F1-1100HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 100V 40A DFN3333-8L-
товар відсутній
YJQ40P03AYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 30V 40A DFN3333-8L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 32W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 20V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2152 pF @ 15 V
товар відсутній
YJQ40P03AYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 30V 40A DFN3333-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 32W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 20V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2152 pF @ 15 V
товар відсутній
YJQ40P03A-F1-1100HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 30V 40A DFN3333-8L
товар відсутній
YJQ40P03A-F1-1100HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 30V 40A DFN3333-8L
товар відсутній
YJQ4606AYangjie TechnologyDescription: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+8.37 грн
25000+ 7.6 грн
50000+ 7.14 грн
100000+ 6.27 грн
200000+ 5.66 грн
500000+ 5.23 грн
Мінімальне замовлення: 5000
YJQ4666BYANGJIE TECHNOLOGYYJQ4666B-YAN SMD P channel transistors
на замовлення 3220 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
41+6.64 грн
270+ 3.66 грн
730+ 3.46 грн
Мінімальне замовлення: 41
YJQ4666B-F1-1100HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 16V 7A DFN2020-6L-C-
товар відсутній
YJQ4666B-F1-1100HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 16V 7A DFN2020-6L-C-
товар відсутній
YJQ50N03AYangjie TechnologyDescription: DFN(3.3x3.3) N 30V 50A Transist
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+12.49 грн
25000+ 11.34 грн
50000+ 10.71 грн
100000+ 9.4 грн
200000+ 8.48 грн
500000+ 7.83 грн
Мінімальне замовлення: 5000
YJQ50N03BYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 30V 50A DFN3333-8L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 8-DFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
товар відсутній
YJQ50N03BYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 30V 50A DFN3333-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 8-DFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
товар відсутній
YJQ50N03B-F1-1100HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 30V 50A DFN3333-8L
товар відсутній
YJQ50N03B-F1-1100HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 30V 50A DFN3333-8L
товар відсутній
YJQ50P03AYangjie TechnologyDescription: DFN(3.3x3.3) P -30V -50A Transi
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+24.55 грн
25000+ 22.32 грн
50000+ 21 грн
100000+ 18.47 грн
200000+ 16.64 грн
500000+ 15.4 грн
Мінімальне замовлення: 5000
YJQ55P02AYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 20V 55A DFN3333-8L
товар відсутній
YJQ55P02AYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 20V 55A DFN3333-8L
товар відсутній
YJQ55P02A-F1-1100HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 20V 55A DFN3333-8L
товар відсутній
YJQ55P02A-F1-1100HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 20V 55A DFN3333-8L
товар відсутній
YJQ60N03AYangjie TechnologyDescription: DFN(3.3x3.3) N 30V 60A Transist
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+19.93 грн
25000+ 18.15 грн
50000+ 17.04 грн
100000+ 15.01 грн
200000+ 13.51 грн
500000+ 12.53 грн
Мінімальне замовлення: 5000
YJQD12N03AYangjie TechnologyDescription: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
товар відсутній
YJQD25N04AYangjie TechnologyDescription: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+12.82 грн
25000+ 11.67 грн
50000+ 11 грн
100000+ 9.63 грн
200000+ 8.69 грн
500000+ 8.06 грн
Мінімальне замовлення: 5000