Продукція > ZXM
Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
ZXM41N10F | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXM41N10FTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXM41N10FTA | ZETEX | 07+ SOT-223 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXM41N10FTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXM41N10FTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXM41N10FTA | ZETEX | SOT-223 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXM41N10FTC | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXM6 | на замовлення 11670 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZXM61N02F | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXM61N02F | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXM61N02F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.7 A, 0.18 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: -888 MSL: -999 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: -999 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm | на замовлення 14881 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXM61N02F | Diodes Incorporated | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXM61N02F | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXM61N02F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.7 A, 0.18 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: -888 MSL: -999 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: -999 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm | на замовлення 14881 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXM61N02FTA | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXM61N02FTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 123000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXM61N02FTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXM61N02FTA Код товару: 127179 | Транзистори > Польові N-канальні | товар відсутній | ||||||||||||||||||
ZXM61N02FTA | Diodes Incorporated | MOSFET 20V N-Chnl HDMOS | на замовлення 78582 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXM61N02FTA | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.3A; 0.625W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 1.3A Power dissipation: 0.625W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.24Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | на замовлення 5996 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXM61N02FTA | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXM61N02FTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXM61N02FTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 1.7A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 930mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 625mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min) Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 15 V | на замовлення 1906995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXM61N02FTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXM61N02FTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2460 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXM61N02FTA | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXM61N02FTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 123000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXM61N02FTA | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.3A; 0.625W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 1.3A Power dissipation: 0.625W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.24Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 5996 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXM61N02FTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 1.7A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 930mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 625mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min) Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 15 V | на замовлення 1902000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXM61N02FTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2460 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXM61N02FTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXM61N02FTA N02 | DIODES/ZETEX | Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 240mOhm; 1,7A; 806mW; -55°C ~ 150°C; ZXM61N02FTA TZXM61n02f кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 290 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXM61N02FTA/P02 | на замовлення 1747 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZXM61N02FTC | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 1.7A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 930mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 625mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min) Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 15 V | на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXM61N02FTC | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXM61N02FTC | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 1.7A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 930mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 625mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min) Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 15 V | на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXM61N02FTC | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXM61N02FTC | Diodes Incorporated | MOSFET 20V N Chnl HDMOS | на замовлення 87081 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXM61N02FTC | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXM61N03F | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXM61N03F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.4 A, 0.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm | на замовлення 22470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXM61N03F | Diodes Incorporated | MOSFET Discrete Semiconductor Products FETs - Single - MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3 | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXM61N03F | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXM61N03F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.4 A, 0.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm | на замовлення 22470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXM61N03F | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXM61N03FTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 480000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXM61N03FTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 63000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXM61N03FTA | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.1A; 0.625W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 1.1A Power dissipation: 0.625W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.3Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 2059 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXM61N03FTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 910mA, 10V Power Dissipation (Max): 625mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V | на замовлення 660000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXM61N03FTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3188 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXM61N03FTA | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 63000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXM61N03FTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXM61N03FTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3188 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXM61N03FTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXM61N03FTA | Zetex | N-MOSFET 30V 1.4A 220mΩ 625mW ZXM61N03FTA Diodes Inc TZXM61N03FTA кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 290 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXM61N03FTA Код товару: 72846 | Транзистори > Польові N-канальні | товар відсутній | ||||||||||||||||||
ZXM61N03FTA | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.1A; 0.625W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 1.1A Power dissipation: 0.625W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.3Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | на замовлення 2059 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXM61N03FTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 910mA, 10V Power Dissipation (Max): 625mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V | на замовлення 667771 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXM61N03FTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 63000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXM61N03FTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXM61N03FTA | Diodes Incorporated | MOSFET 30V N-Chnl HDMOS | на замовлення 84551 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXM61N03FTC | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 910mA, 10V Power Dissipation (Max): 625mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXM61N03FTR | на замовлення 1850 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZXM61N03GTA | на замовлення 31000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZXM61N03TFA | на замовлення 1960 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZXM61P02F | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXM61P02F | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXM61P02F - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 900 mA, 0.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 900mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: -888 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: -999 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm | на замовлення 6027 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXM61P02F | ZETEX | SOT-223 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXM61P02F | Diodes Incorporated | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXM61P02F | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 0.9A 3-Pin SOT-23 | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXM61P02F | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXM61P02F - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 900 mA, 0.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 900mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: -888 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: -999 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm | на замовлення 6027 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXM61P02F | ZETEX | 07+ SOT-223 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXM61P02FTA | Diodes Inc | Trans MOSFET P-CH 20V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXM61P02FTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 54000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXM61P02FTA | Diodes Incorporated | MOSFET 20V P-Chnl HDMOS | на замовлення 198909 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXM61P02FTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 54000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXM61P02FTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1433 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXM61P02FTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 687000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXM61P02FTA | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.7A; 0.625W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -700mA Power dissipation: 0.625W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.9Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | на замовлення 2748 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXM61P02FTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXM61P02FTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXM61P02FTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 20V 900MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 610mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 625mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 15 V | на замовлення 657305 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXM61P02FTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXM61P02FTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXM61P02FTA | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.7A; 0.625W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -700mA Power dissipation: 0.625W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.9Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 2748 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXM61P02FTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1433 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXM61P02FTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 20V 900MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 610mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 625mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 15 V | на замовлення 654000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXM61P02FTA/P | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZXM61P02FTC | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 20V 900MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 610mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 625mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 15 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXM61P03F | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXM61P03F | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXM61P03F - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.1 A, 0.35 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm | на замовлення 29970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXM61P03F | Diodes Incorporated | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXM61P03F | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXM61P03F - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.1 A, 0.35 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm | на замовлення 29970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXM61P03FTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 1.1A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 411000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXM61P03FTA | Diodes Inc | Trans MOSFET P-CH 30V 1.1A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXM61P03FTA | DIODES/ZETEX | Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 550mOhm; 1,1A; 806mW; -55°C ~ 150°C; ZXM61P03FTA TZXM61p03f кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 48 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXM61P03FTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 1.1A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 411000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXM61P03FTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 1.1A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXM61P03FTA | Diodes Incorporated | MOSFET 30V P-Chnl HDMOS | на замовлення 25407 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXM61P03FTA Код товару: 72847 | Транзистори > Польові P-канальні | товар відсутній | ||||||||||||||||||
ZXM61P03FTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 1.1A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 600mA, 10V Power Dissipation (Max): 625mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V | на замовлення 941598 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXM61P03FTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 1.1A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXM61P03FTA | Diodes Inc | Trans MOSFET P-CH 30V 1.1A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXM61P03FTA | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.9A; 0.625W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -900mA Power dissipation: 0.625W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.55Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 1425 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXM61P03FTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 1.1A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 900000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXM61P03FTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 1.1A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXM61P03FTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 1.1A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 600mA, 10V Power Dissipation (Max): 625mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V | на замовлення 939000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXM61P03FTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 1.1A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXM61P03FTA | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.9A; 0.625W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -900mA Power dissipation: 0.625W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.55Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | на замовлення 1425 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXM61P03FTA-P03 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZXM61P03FTC | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 1.1A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 600mA, 10V Power Dissipation (Max): 625mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXM62M02E6 | на замовлення 19892 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZXM62N02E6 | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXM62N02E6 | ZETEX | SOT-223 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXM62N02E6 | ZETEX | 07+ SOT-223 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXM62N02E6TA | Diodes Incorporated | MOSFET 20V N-Chnl HDMOS | на замовлення 2515 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXM62N02E6TAPBF | на замовлення 36000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZXM62N03E6 | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXM62N03E6TA | на замовлення 26100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZXM62N03E6TA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT-23-6 | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXM62N03E6TAPBF | на замовлення 36000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZXM62N03G | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXM62N03G | ZETEX | SOT223 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXM62N03G | ZETEX | 07+ SOT223 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXM62N03GTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 3.4A/4.7A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), 4.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXM62N03GTA | Diodes Incorporated | MOSFET 30V N-Chnl HDMOS | на замовлення 152 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXM62N03GTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 3.4A/4.7A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), 4.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXM62N03GTA | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 30V 3.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXM62N03GTA | на замовлення 20 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZXM62P02E6 | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXM62P02E6T | на замовлення 2400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZXM62P02E6TA | Diodes Incorporated | MOSFET 20V P-Chnl HDMOS | на замовлення 2654 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXM62P02E6TA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 20V 2.3A SOT23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min) Supplier Device Package: SOT-23-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 15 V | на замовлення 108000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXM62P02E6TA | Diodes Inc | Trans MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXM62P02E6TA | ZETEX | 03/04+ SOT23-6 | на замовлення 21100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXM62P02E6TA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 20V 2.3A SOT23-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min) Supplier Device Package: SOT-23-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 15 V | на замовлення 113445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXM62P02E6TAPBF | на замовлення 36000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZXM62P03E6 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXM62P03E6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.6 A, 0.11 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 806mW Anzahl der Pins: 6Pins productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm | на замовлення 2162 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXM62P03E6 | ZETEX | SOT-223 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXM62P03E6 | ZETEX | 07+ SOT-223 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXM62P03E6 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXM62P03E6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.6 A, 0.11 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 806mW Anzahl der Pins: 6Pins productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm | на замовлення 2162 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXM62P03E6 | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXM62P03E6TA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT26 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.6A, 10V Power Dissipation (Max): 625mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-26 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V | на замовлення 8960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXM62P03E6TA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT26 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.6A, 10V Power Dissipation (Max): 625mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-26 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXM62P03E6TA | Diodes Incorporated | MOSFET 30V P-Chnl HDMOS | на замовлення 5563 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXM62P03E6TA | DIODES INCORPORATED | ZXM62P03E6TA SMD P channel transistors | на замовлення 987 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXM62P03E6TA | Diodes Inc | Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 6-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXM62P03E6TC | Diodes Incorporated | MOSFET 30V P Chnl HDMOS | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXM62P03E6TC | Diodes Inc | Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 6-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXM62P03E6TC | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23-6 | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXM62P03G | ZETEX | 07+ SOT223 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXM62P03G | ZETEX | SOT223 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXM62P03GTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 2.9A SOT223 | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXM62P03GTA | на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZXM63C02 | ZETEX | 2004 | на замовлення 744 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXM63C02X8 | на замовлення 700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZXM63C02XTA | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZXM63C03 | ZETEX | 2004 | на замовлення 811 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXM63C03XTA | на замовлення 2600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZXM63N02 | на замовлення 102 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZXM63N02E6TA | Diodes Incorporated | Diodes Inc. | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXM63N02E6TA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-23-6 | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXM63N02XTA | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZXM63N03XTA | на замовлення 1600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZXM63P02 | на замовлення 2380 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZXM63P02E6TA | ZETEX | 2004 | на замовлення 429 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXM63P02XTA | на замовлення 400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZXM63P03XTA | на замовлення 320 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZXM64N02 | на замовлення 648 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZXM64N02X | ZETEX | MSOP8 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXM64N02X | ZETEX | 07+ MSOP8 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXM64N02X | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXM64N02XTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 5.4A 8-MSOP | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXM64N02XTA | ZETEX | 09+ | на замовлення 3681 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXM64N02XTA | Diodes Incorporated | MOSFET 20V P-Chnl HDMOS | на замовлення 1321 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXM64N02XTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 5.4A 8-MSOP | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXM64N02XTA | ZETEX | 05+ | на замовлення 77 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXM64N02XTA | ZETEX | TSSOP8 | на замовлення 14694 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXM64N02XTC | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 5.4A 8MSOP | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXM64N035 | ZETEX | 02+ TO-220 | на замовлення 134 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXM64N035G | ZETEX | SOT223 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXM64N035G | ZETEX | 07+ SOT223 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXM64N035G | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXM64N035GT | на замовлення 1100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZXM64N035GTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 35V 6.7A SOT223 | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXM64N035GTA | ZETEX | SOT223 | на замовлення 23790 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXM64N035GTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 35V 6.7A SOT223 | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXM64N035GTA12A/35V | на замовлення 1990 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZXM64N035L3 | ZETEX | TO-220 02 29 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXM64N035L3 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 35V 13A TO-220-3 | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXM64N035L3 | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXM64N03X | ZETEX | 07+ MSOP8 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXM64N03X | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXM64N03X | ZETEX | MSOP8 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXM64N03XTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 5A 8-MSOP | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXM64N03XTA | на замовлення 441 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZXM64N03XTC | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 5A 8MSOP | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXM64N03XTR-ND | ZETEX | 2004 | на замовлення 446 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXM64P02X | ZETEX | MSOP8 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXM64P02X | ZETEX | 05+ SOP | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXM64P02X | ZETEX | 07+ MSOP8 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXM64P02X | ZETEX | на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
ZXM64P02X | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXM64P02XTA | Diodes Incorporated | MOSFET 20V P-Chnl HDMOS | на замовлення 5980 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXM64P02XTA | Diodes Inc | Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A 8-Pin MSOP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXM64P02XTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A 8MSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min) Supplier Device Package: 8-MSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 15 V | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXM64P02XTA | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.8A; Idm: -19A; 1.1W; MSOP8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -2.8A Pulsed drain current: -19A Power dissipation: 1.1W Case: MSOP8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.13Ω Mounting: SMD Gate charge: 6.9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXM64P02XTA | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.8A; Idm: -19A; 1.1W; MSOP8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -2.8A Pulsed drain current: -19A Power dissipation: 1.1W Case: MSOP8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.13Ω Mounting: SMD Gate charge: 6.9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXM64P02XTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A 8MSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min) Supplier Device Package: 8-MSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 15 V | на замовлення 13470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXM64P02XTC | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A 8MSOP | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXM64P035 | на замовлення 1366 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZXM64P035G | ZETEX | SOT223 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXM64P035G | ZETEX | 07+ SOT223 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXM64P035G | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXM64P035GT | на замовлення 800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZXM64P035GTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 35V 3.8A SOT223 | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXM64P035GTA | ZETEX | SOT223 | на замовлення 5990 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXM64P035GTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 35V 3.8A SOT223 | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXM64P035GTA12A/35V | на замовлення 6200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZXM64P035L3 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 35V 12A TO-220-3 | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXM64P035L3 | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXM64P03X | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXM64P03X | ZETEX | MSOP8 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXM64P03X | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXM64P03X - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.8 A, 0.075 ohm, MSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Anzahl der Pins: 8Pins productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm | на замовлення 638 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXM64P03X | ZETEX | 07+ MSOP8 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXM64P03X | Diodes Incorporated | MOSFET Discrete Semiconductor Products FETs - Single - MOSFET P-CH 30V 3.8A 8-MSOP | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXM64P03X | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXM64P03X - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.8 A, 0.075 ohm, MSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Anzahl der Pins: 8Pins productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm | на замовлення 638 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXM64P03XTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 8-Pin MSOP T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXM64P03XTA | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; 1.1W; MSOP8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -3A Power dissipation: 1.1W Case: MSOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXM64P03XTA | Diodes Incorporated | MOSFET 30V P Chnl HDMOS | на замовлення 4603 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXM64P03XTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 3.8A 8MSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.4A, 10V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-MSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825 pF @ 25 V | на замовлення 7994 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXM64P03XTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 8-Pin MSOP T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXM64P03XTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 8-Pin MSOP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXM64P03XTA | Diodes Inc | Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 8-Pin MSOP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXM64P03XTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 3.8A 8MSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.4A, 10V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-MSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825 pF @ 25 V | на замовлення 7000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXM64P03XTA | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; 1.1W; MSOP8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -3A Power dissipation: 1.1W Case: MSOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXM64P03XTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 8-Pin MSOP T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXM64P03XTC | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 3.8A 8MSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.4A, 10V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-MSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXM64P03XTR-ND | ZETEX | 2004 | на замовлення 679 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXM66N02 | ZETEX | 09+ SO-8 | на замовлення 1400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXM66N02 | ZETEX | на замовлення 400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
ZXM66N02N8TA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 9A 8-SOIC | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXM66N03 | ZETEX | на замовлення 1615 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
ZXM66N03 | ZETEX | 09+ SO-8 | на замовлення 2580 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXM66N03N8TA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXM66P02 | SO-8 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
ZXM66P02N8 | ZETEX | 07+ SO8 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXM66P02N8 | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXM66P02N8 | ZETEX | SO8 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXM66P02N8 | ZETEX | на замовлення 2152 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
ZXM66P02N8TA | на замовлення 694 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZXM66P02N8TA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 20V 8A 8-SOIC | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXM66P02N8TA | Diodes Inc | Trans MOSFET P-CH 20V 6.4A 8-Pin SOIC T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXM66P02N8TA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 20V 8A 8-SOIC | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXM66P02N8TA | Diodes Incorporated | MOSFET 20V P-Chnl HDMOS | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXM66P02N8TC | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 20V 6.4A 8SOIC | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXM66P02N8TC | Diodes Inc | Trans MOSFET P-CH 20V 6.4A 8-Pin SOIC T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXM66P03 | ZETEX | 09+ SO-8 | на замовлення 1291 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXM66P03 | ZETEX | на замовлення 291 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
ZXM66P03 | N/A | на замовлення 65 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
ZXM66P03N8 | ZETEX | 07+ SO8 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXM66P03N8 | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXM66P03N8 | ZETEX | SO8 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXM66P03N8TA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 7.9A 8-SOIC | на замовлення 2795 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXM66P03N8TA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 7.9A 8-SOIC | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXM66P03N8TA | Diodes Inc | Description: MOSFET P-CH 30V 7.9A 8-SOIC | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMC10A816DN8TC | Diodes Inc | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMC10A816N8 | Diodes Incorporated | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMC10A816N8TA | DIODES INCORPORATED | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 100V; 1.7A Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: complementary pair Drain-source voltage: 100V Drain current: 1.7A Pulsed drain current: 9.4A Power dissipation: 1.3W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.17Ω Mounting: SMD Gate charge: 9.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMC10A816N8TA | Diodes Inc | 100V COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMC10A816N8TA | Diodes Zetex | 100V COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMC10A816N8TA | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZXMC10A816N8TA | DIODES INCORPORATED | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 100V; 1.7A Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: complementary pair Drain-source voltage: 100V Drain current: 1.7A Pulsed drain current: 9.4A Power dissipation: 1.3W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.17Ω Mounting: SMD Gate charge: 9.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMC10A816N8TC | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXMC10A816N8TC - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 2.1 A, 2.1 A, 0.17 ohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.1A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.1A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.17ohm Verlustleistung Pd: 2.1W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.17ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W Betriebswiderstand, Rds(on): 0.17ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 2470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMC10A816N8TC | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-Pin SO T/R | на замовлення 1510 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMC10A816N8TC | Diodes Incorporated | MOSFET 100V COMPLEMENTARY DUAL ENHANCEMNT MODE | на замовлення 14182 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMC10A816N8TC | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-Pin SO T/R | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMC10A816N8TC | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.8W Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 497pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active | на замовлення 210000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMC10A816N8TC | Diodes Inc | Trans MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-Pin SO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMC10A816N8TC | DIODES INCORPORATED | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 100/-100V Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: complementary pair Drain-source voltage: 100/-100V Drain current: 2.2/-2.1A Power dissipation: 2.4W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.23/0.235Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMC10A816N8TC | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXMC10A816N8TC - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 2.1 A, 2.1 A, 0.17 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.1A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.17ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.17ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 2470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMC10A816N8TC | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-Pin SO T/R | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMC10A816N8TC | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-Pin SO T/R | на замовлення 210000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMC10A816N8TC | DIODES INCORPORATED | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 100/-100V Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: complementary pair Drain-source voltage: 100/-100V Drain current: 2.2/-2.1A Power dissipation: 2.4W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.23/0.235Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMC10A816N8TC | Diodes Inc | Trans MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-Pin SO T/R | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMC10A816N8TC | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-Pin SO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMC10A816N8TC | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-Pin SO T/R | на замовлення 1510 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMC10A816N8TC | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.8W Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 497pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active | на замовлення 210000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMC10A816N8TC Код товару: 184010 | Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1 | товар відсутній | ||||||||||||||||||
ZXMC3A16 | NA | 03+ SMD8 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMC3A16 | ZETEX | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
ZXMC3A16DN8 | Zetex | 09+ | на замовлення 34 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMC3A16DN8 | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMC3A16DN8 | ZETEX | SO8 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMC3A16DN8QTA | Diodes Zetex | MOSFET BVDSS, 25V to 30V SO-8 0.5K | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMC3A16DN8QTA | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 25V 30V SO-8 T&R 0.5K | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMC3A16DN8TA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 30V 4.9A/4.1A 8-Pin SOIC T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMC3A16DN8TA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMC3A16DN8TA | Diodes Incorporated | MOSFET N and P Channel | на замовлення 350 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMC3A16DN8TA | DIODES INCORPORATED | ZXMC3A16DN8TA Multi channel transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMC3A16DN8TA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMC3A16DN8TA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 30V 4.9A/4.1A 8-Pin SOIC T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMC3A16DN8TC | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 30V 4.9A/4.1A 8-Pin SOIC T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMC3A16DN8TC | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.25W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A, 4.1A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 796pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active | на замовлення 14660 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMC3A16DN8TC | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.25W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A, 4.1A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 796pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active | на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMC3A16DN8TC | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 30V 4.9A/4.1A 8-Pin SOIC T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMC3A16DN8TC | Diodes Incorporated | MOSFET Cmp 30V NP Ch UMOS | на замовлення 1781 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMC3A16DN8TC | DIODES INCORPORATED | ZXMC3A16DN8TC Multi channel transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMC3A16DN8TC | Diodes Inc | Trans MOSFET N/P-CH 30V 4.9A/4.1A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMC3A17 | N/A | на замовлення 75 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
ZXMC3A17DN8 | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMC3A17DN8 | ZETEX | SO8 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMC3A17DN8 | ZETEX | 07+ SO8 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMC3A17DN8TA | Diodes Incorporated | MOSFET 30V Enhancement Mode | на замовлення 980 шт: термін постачання 322-331 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMC3A17DN8TA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3.4A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.25W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A, 3.4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7.8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active | на замовлення 26000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMC3A17DN8TA | Diodes Inc | Trans MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3.4A 8-Pin SOIC T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMC3A17DN8TA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXMC3A17DN8TA - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 4.4 A, 4.4 A, 0.07 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.4A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.07ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.07ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 590 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMC3A17DN8TA | DIODES INCORPORATED | ZXMC3A17DN8TA Multi channel transistors | на замовлення 85 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMC3A17DN8TA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3.4A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.25W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A, 3.4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7.8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active | на замовлення 26301 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMC3A17DN8TC | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMC3A18 | N/A | на замовлення 300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
ZXMC3A18DN8 | ZETEX | SO8 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMC3A18DN8 | ZETEX | 07+ SO8 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMC3A18DN8 | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMC3A18DN8TA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMC3A18DN8TA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMC3AM832 | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMC3AM832TA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8MLP | на замовлення 563 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMC3AM832TA | на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZXMC3AM832TA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8MLP | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMC3AM832TA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8MLP | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMC3AMCTA | Diodes Incorporated | MOSFET 30V COMP ENH MODE 20V VGS 3.7 IDS | на замовлення 16377 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMC3AMCTA | Diodes Inc | Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8-Pin DFN EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMC3AMCTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXMC3AMCTA - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.9 A, 2.9 A, 0.1 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.9A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.45W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: DFN3020B Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: PW Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.45W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMC3AMCTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.7W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A, 2.1A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: DFN3020B-8 Part Status: Active | на замовлення 42912 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMC3AMCTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8-Pin DFN EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMC3AMCTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.7W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A, 2.1A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: DFN3020B-8 Part Status: Active | на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMC3AMCTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXMC3AMCTA - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.9 A, 2.9 A, 0.1 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.9A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.45W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: DFN3020B Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: PW Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.45W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMC3AMCTA | DIODES INCORPORATED | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: complementary pair Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 3/-2.2A Power dissipation: 1.5W Case: DFN3020B-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.18/0.33Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | на замовлення 2950 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMC3AMCTA | DIODES INCORPORATED | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: complementary pair Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 3/-2.2A Power dissipation: 1.5W Case: DFN3020B-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.18/0.33Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 2950 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMC3AMCTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8-Pin DFN EP T/R | на замовлення 1026 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMC3F31DN8 | Diodes Incorporated | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMC3F31DN8TA | Diodes Incorporated | MOSFET 30V S08 Dual MOSFET 20V VBR 4.5V Gate | на замовлення 34 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMC3F31DN8TA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.9A 8SO | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMC3F31DN8TA | DIODES INCORPORATED | ZXMC3F31DN8TA Multi channel transistors | на замовлення 471 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMC3F31DN8TA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.9A 8SO | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMC4559 | SO-8 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
ZXMC4559DN8 | ZETEX | 07+ SO8 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMC4559DN8 | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMC4559DN8 | Diodes Incorporated | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMC4559DN8 | ZETEX | SO8 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMC4559DN8TA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.25W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A, 2.6A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1063pF @ 30V, 1021pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active | на замовлення 729 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMC4559DN8TA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMC4559DN8TA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMC4559DN8TA | Diodes Incorporated | MOSFET Comp. 60V NP-Chnl | на замовлення 5567 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMC4559DN8TA | DIODES INCORPORATED | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: complementary pair Drain-source voltage: 60/-60V Drain current: 3.6/-2.6A Power dissipation: 1.25W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 75mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 1113 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMC4559DN8TA | DIODES INCORPORATED | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: complementary pair Drain-source voltage: 60/-60V Drain current: 3.6/-2.6A Power dissipation: 1.25W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 75mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | на замовлення 1113 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMC4559DN8TA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8-Pin SOIC T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMC4559DN8TA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.25W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A, 2.6A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1063pF @ 30V, 1021pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMC4559DN8TA | Diodes Inc | Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMC4559DN8TA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMC4559DN8TA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMC4559DN8TC | DIODES INCORPORATED | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: complementary pair Drain-source voltage: 60/-60V Drain current: 3.9/-4.7A Power dissipation: 2.2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.055/0.85Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMC4559DN8TC | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 1480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMC4559DN8TC | DIODES INCORPORATED | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: complementary pair Drain-source voltage: 60/-60V Drain current: 3.9/-4.7A Power dissipation: 2.2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.055/0.85Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMC4559DN8TC | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A, 2.6A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1063pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Supplier Device Package: 8-SO | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMC4559DN8TC | Diodes Inc | Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8-Pin SOIC T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMC4559DN8TC | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8-Pin SOIC T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMC4559DN8TC | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMC4559DN8TC | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A, 2.6A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1063pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Supplier Device Package: 8-SO | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMC4559DN8TC | Diodes Incorporated | MOSFET 60V TRENCH MOSFET 20V VGS P-Channel | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMC4A16DN8 | ZETEX | SO8 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMC4A16DN8 | ZETEX | 07+ SO8 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMC4A16DN8TA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 40V 4A/3.6A 8SOIC | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMC4A16DN8TA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 40V 4A/3.6A 8SOIC | на замовлення 2946 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMC4A16DN8TA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 40V 4A/3.6A 8SOIC | на замовлення 3500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMC4A16DN8TA | Diodes Incorporated | MOSFET 40V N/P-Channel Enhancement MOSFET | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMC4A16DN8TA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 40V 4A/3.6A 8SOIC | на замовлення 3500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMC4A16DN8TA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 40V 4A/3.6A 8SOIC | на замовлення 2946 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMC4A16DN8TA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 40V 4A/3.6A 8SOIC | на замовлення 3500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMC4A16DN8TC | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 40V 4A/3.6A 8SOIC | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMC6A07T8 | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMC6A09DN8 | ZETEX | 07+ SO8 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMC6A09DN8 | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMC6A09DN8 | ZETEX | SO8 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMC6A09DN8TA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 60V 3.9A/3.7A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.8W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A, 3.7A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1407pF @ 40V, 1580pF @ 40V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 8.2A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active | на замовлення 2936 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMC6A09DN8TA | Diodes Incorporated | MOSFET Comp. 60V NP-Chnl | на замовлення 897 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMC6A09DN8TA | DIODES INCORPORATED | ZXMC6A09DN8TA Multi channel transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMC6A09DN8TA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.9A/3.7A 8-Pin SO T/R | на замовлення 590 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMC6A09DN8TA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.9A/3.7A 8-Pin SO T/R | на замовлення 590 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMC6A09DN8TA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 60V 3.9A/3.7A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.8W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A, 3.7A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1407pF @ 40V, 1580pF @ 40V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 8.2A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMC6A09DN8TA | Diodes Inc | Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.9A/3.7A 8-Pin SO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMC6A09DN8TA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.9A/3.7A 8-Pin SO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMD63C02X | ZETEX | MSOP8 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMD63C02X | ZETEX | 07+ MSOP8 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMD63C02XTA | ZETEX | MSOP | на замовлення 15100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMD63C02XTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 20V 8-MSOP | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMD63C02XTA | ZETEX | 09+ | на замовлення 15018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMD63C02XTA | Diodes Inc | Description: MOSFET N+P 20V 1.7A 8-MSOP | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMD63C02XTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 20V 8-MSOP | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMD63C02XTC | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 20V 8MSOP | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMD63C03X | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMD63C03X | ZETEX | MSOP8 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMD63C03X | ZETEX | 07+ MSOP8 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMD63C03XTA | на замовлення 2600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZXMD63C03XTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 30V 8-MSOP | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMD63C03XTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 30V 8-MSOP | на замовлення 13603000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMD63C03XTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 30V 8-MSOP | на замовлення 13602000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMD63C03XTA | Diodes Incorporated | MOSFET 30V N&P Chnl HDMOS | на замовлення 1305 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMD63C03XTC | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 30V 8MSOP | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMD63N02X | ZETEX | 2004 | на замовлення 1894 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMD63N02X | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMD63N02X | ZETEX | MSOP8 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMD63N02XTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 20V 2.5A 8-MSOP | на замовлення 483345000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMD63N02XTA | Diodes Incorporated | MOSFET Dual 20V N Chl HDMOS | на замовлення 695 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMD63N02XTA | на замовлення 14000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZXMD63N02XTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 20V 2.5A 8-MSOP | на замовлення 400045000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMD63N02XTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 20V 2.5A 8-MSOP | на замовлення 483345000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMD63N02XTC | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 20V 2.5A 8MSOP | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMD63N03X | ZETEX | MSOP8 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMD63N03X | ZETEX | 07+ MSOP8 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMD63N03X | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMD63N03XTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 30V 2.3A 8-MSOP | на замовлення 4715 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMD63N03XTA | DIODES INCORPORATED | ZXMD63N03XTA Multi channel transistors | на замовлення 1 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMD63N03XTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 30V 2.3A 8-MSOP | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMD63N03XTA | Diodes Incorporated | MOSFET Dual 30V N Chl HDMOS | на замовлення 944 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMD63N03XTC | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 30V 2.3A 8MSOP | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMD63N03XTC | на замовлення 6500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZXMD63P02X | ZETEX | MSOP8 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMD63P02X | ZETEX | 07+ MSOP8 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMD63P02X | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMD63P02XTA | ZETEX | SOT-223 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMD63P02XTA | Diodes Inc | Trans MOSFET P-CH 20V 1.7A 8-Pin MSOP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMD63P02XTA | Diodes Incorporated | MOSFET Dual 20V P Chl HDMOS | на замовлення 843 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMD63P02XTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2P-CH 20V 8MSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.04W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 1.2A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.25nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min) Supplier Device Package: 8-MSOP | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMD63P02XTA | ZETEX | 07+ SOT-223 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMD63P02XTC | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2P-CH 20V 8MSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.04W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 1.2A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.25nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min) Supplier Device Package: 8-MSOP | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMD63P03X | ZETEX | MSOP8 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMD63P03X | ZETEX | 07+ MSOP8 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMD63P03X | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMD63P03XTA | Diodes Incorporated | MOSFET Dual 30V P Chl HDMOS | на замовлення 1530 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMD63P03XTA | ZETEX | TSSOP8 | на замовлення 3351 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMD63P03XTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2P-CH 30V 8-MSOP | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMD63P03XTC | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2P-CH 30V 8MSOP | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMD65N02 | ZETEX | на замовлення 149 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
ZXMD65N02 | ZETEX | 09+ SO-8 | на замовлення 1149 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMD65N02N8TA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 20V 8-SOIC | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMD65N03 | ZETEX | 09+ SO-8 | на замовлення 1073 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMD65N03 | ZETEX | на замовлення 73 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
ZXMD65N03N8 | на замовлення 5200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZXMD65N03N8TA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMD65P02 | N/A | на замовлення 250 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
ZXMD65P02 | ZETEX | 09+ SO-8 | на замовлення 1275 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMD65P02 | ZETEX | на замовлення 275 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
ZXMD65P02N8 | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMD65P02N8 | ZETEX | SO8 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMD65P02N8 | ZETEX | 07+ SO8 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMD65P02N8TA | Diodes Inc | Trans MOSFET P-CH 20V 4A 8-Pin SOIC T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMD65P02N8TA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8-SOIC | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMD65P02N8TA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8-SOIC | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMD65P02N8TA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8-SOIC | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMD65P02N8TC | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMD65P03 | ZETEX | 09+ SO-8 | на замовлення 2793 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMD65P03 | ZETEX | на замовлення 1793 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
ZXMD65P03N8 | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMD65P03N8TA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2P-CH 30V 3.8A 8-SOIC | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMHC10A07N8TC | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 100V 0.8A/0.68A 8-Pin SO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMHC10A07N8TC | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N/2P-CH 100V 0.8A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 870mW Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA, 680mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138pF @ 60V, 141pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active | на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMHC10A07N8TC | Diodes INC. | Транзистор польовий 2N+2P; Udss, В = 100; Id = 800 мА; Ciss, пФ @ Uds, В = 138 @ 60; Qg, нКл = 2,9 @ 10 В; Rds = 700 мОм @ 1,5 A, 10 В; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; Р, Вт = 0,87; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; Id2 = 680 мА; SOICN-8 | на замовлення 5 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMHC10A07N8TC | DIODES INCORPORATED | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET x2; unipolar; 100/-100V; 0.9/-0.7A; 0.87W Type of transistor: N/P-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100/-100V Drain current: 0.9/-0.7A Power dissipation: 0.87W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.9/1.45Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: MOSFET H-Bridge кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 2123 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMHC10A07N8TC | Diodes Inc | Trans MOSFET N/P-CH 100V 0.8A/0.68A 8-Pin SO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMHC10A07N8TC | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 100V 0.8A/0.68A 8-Pin SO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMHC10A07N8TC | Diodes Incorporated | MOSFET Mosfet H-Bridge 100/-100 1.1/-0.9 | на замовлення 24339 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMHC10A07N8TC | DIODES INCORPORATED | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET x2; unipolar; 100/-100V; 0.9/-0.7A; 0.87W Type of transistor: N/P-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100/-100V Drain current: 0.9/-0.7A Power dissipation: 0.87W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.9/1.45Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: MOSFET H-Bridge | на замовлення 2123 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMHC10A07N8TC | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N/2P-CH 100V 0.8A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 870mW Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA, 680mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138pF @ 60V, 141pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active | на замовлення 92688 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMHC10A07T8 | Diodes Incorporated | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMHC10A07T8 | ZETEX | 07+ SM-8 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMHC10A07T8 | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMHC10A07T8 | ZETEX | SM-8 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMHC10A07T8TA | Diodes Inc | Trans MOSFET N/P-CH 100V 1A/0.8A 8-Pin SM8 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMHC10A07T8TA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 100V 1A/0.8A 8-Pin SM8 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMHC10A07T8TA | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Mounting: SMD Kind of package: tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMHC10A07T8TA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N/2P-CH 100V 1A/0.8A SM8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-223-8 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.3W Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A, 800mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138pF @ 60V, 141pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SM8 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMHC10A07T8TA | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Mounting: SMD Kind of package: tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMHC10A07T8TA | Diodes Incorporated | MOSFET 100V 1.4A N-Channel MOSFET H-Bridge | на замовлення 1967 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMHC10A07T8TA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N/2P-CH 100V 1A/0.8A SM8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-223-8 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.3W Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A, 800mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138pF @ 60V, 141pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SM8 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMHC3A01N8 | Diodes Incorporated | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMHC3A01N8DICT | Diodes Inc./Zetex | MOSFET 2N/2P-CH 30V 8-SOIC | на замовлення 2 шт: термін постачання 5 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMHC3A01N8TA | на замовлення 1900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZXMHC3A01N8TC | Diodes Incorporated | MOSFET Mosfet H-Bridge 30/-30V 2.7/-2.1A | на замовлення 34090 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMHC3A01N8TC | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N/2P-CH 30V 2.17A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 870mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.17A, 1.64A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 25V, 204pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO | на замовлення 126319 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMHC3A01N8TC | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZXMHC3A01N8TC | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.17A/1.64A 8-Pin SO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMHC3A01N8TC | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N/2P-CH 30V 2.17A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 870mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.17A, 1.64A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 25V, 204pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO | на замовлення 122500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMHC3A01N8TC | Diodes Inc | Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.17A/1.64A 8-Pin SO T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMHC3A01N8TC | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.17A/1.64A 8-Pin SO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMHC3A01N8TC | DIODES INCORPORATED | ZXMHC3A01N8TC SMD N channel transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMHC3A01T8 | ZETEX | 07+ SM-8 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMHC3A01T8 | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMHC3A01T8 | ZETEX | SM-8 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMHC3A01T8TA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A 8-Pin SM T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMHC3A01T8TA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A 8-Pin SM T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMHC3A01T8TA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N/2P-CH 30V 2.7A/2A SM8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-223-8 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.3W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A, 2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 25V, 204pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SM8 Part Status: Active | на замовлення 55944 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMHC3A01T8TA | на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZXMHC3A01T8TA | Diodes Inc | Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A 8-Pin SM T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMHC3A01T8TA Код товару: 163888 | Транзистори > Польові N-канальні | товар відсутній | ||||||||||||||||||
ZXMHC3A01T8TA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A 8-Pin SM T/R | на замовлення 1080 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMHC3A01T8TA | Diodes Incorporated | MOSFET 30/30V 3.1/2.3A N & P Channel | на замовлення 1621 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMHC3A01T8TA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N/2P-CH 30V 2.7A/2A SM8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-223-8 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.3W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A, 2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 25V, 204pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SM8 Part Status: Active | на замовлення 55000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMHC3A01T8TA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A 8-Pin SM T/R | на замовлення 1080 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMHC3A01T8TA | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Mounting: SMD Kind of package: tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMHC3A01T8TA | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Mounting: SMD Kind of package: tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMHC3F381N8TC | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.98A/3.36A 8-Pin SO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMHC3F381N8TC | Diodes Inc | Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.98A/3.36A 8-Pin SO T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMHC3F381N8TC | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET H-BRIDGE SOP-8L | на замовлення 26069 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMHC3F381N8TC | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXMHC3F381N8TC - Dual-MOSFET, H-Brücke, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.98 A, 3.98 A, 0.033 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.98A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.98A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.033ohm Verlustleistung, p-Kanal: 870mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 870mW Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 1765 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMHC3F381N8TC | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.98A/3.36A 8-Pin SO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMHC3F381N8TC | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N/2P-CH 30V 3.98A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 870mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.98A, 3.36A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430pF @ 15V, 670pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO | на замовлення 167922 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMHC3F381N8TC | DIODES INCORPORATED | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET x2; unipolar; 30/-30V; 3.98/-3.36A; 0.87W Type of transistor: N/P-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 3.98/-3.36A Pulsed drain current: 22.9...-19.6A Power dissipation: 0.87W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 33mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: MOSFET H-Bridge | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMHC3F381N8TC | DIODES INCORPORATED | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET x2; unipolar; 30/-30V; 3.98/-3.36A; 0.87W Type of transistor: N/P-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 3.98/-3.36A Pulsed drain current: 22.9...-19.6A Power dissipation: 0.87W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 33mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: MOSFET H-Bridge кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMHC3F381N8TC | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N/2P-CH 30V 3.98A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 870mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.98A, 3.36A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430pF @ 15V, 670pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO | на замовлення 165000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMHC3F381N8TC | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXMHC3F381N8TC - Dual-MOSFET, H-Brücke, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.98 A, 3.98 A, 0.033 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.98A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.98A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.033ohm Verlustleistung, p-Kanal: 870mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 870mW Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 1765 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMHC6A07N8TC | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N/2P-CH 60V 8-SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 870mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.39A, 1.28A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166pF @ 40V, 141pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO | на замовлення 215000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMHC6A07N8TC | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Mounting: SMD Kind of package: tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMHC6A07N8TC | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZXMHC6A07N8TC | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 60V 1.39A/1.28A 8-Pin SO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMHC6A07N8TC | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 60V 1.39A/1.28A 8-Pin SO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMHC6A07N8TC | Diodes Inc | Trans MOSFET N/P-CH 60V 1.39A/1.28A 8-Pin SO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMHC6A07N8TC | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N/2P-CH 60V 8-SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 870mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.39A, 1.28A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166pF @ 40V, 141pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO | на замовлення 217628 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMHC6A07N8TC | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Mounting: SMD Kind of package: tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMHC6A07N8TC | Diodes Incorporated | MOSFET Mosfet H-Bridge 60/-60V 1.8/-1.4A | на замовлення 85460 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMHC6A07T8 | ZETEX | 07+ SM-8 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMHC6A07T8 | Diodes Incorporated | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMHC6A07T8 | ZETEX | SM-8 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMHC6A07T8TA | Diodes Incorporated | MOSFET 60V UMOS H-Bridge | на замовлення 4223 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMHC6A07T8TA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXMHC6A07T8TA - Dual-MOSFET, H-Brücke, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 1.8 A, 1.8 A, 1.5 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.5ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.7W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.5ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.7W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 996 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMHC6A07T8TA | Diodes Inc | Trans MOSFET N/P-CH 60V 1.6A/1.3A 8-Pin SM T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMHC6A07T8TA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N/2P-CH 60V SM8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-223-8 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.3W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A, 1.3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166pF @ 40V, 233pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SM8 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMHC6A07T8TA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 60V 1.6A/1.3A 8-Pin SM T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMHC6A07T8TA | DIODES INCORPORATED | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET x2; unipolar; 60/-60V; 1.4/-1.2A; 1.3W Type of transistor: N/P-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60/-60V Drain current: 1.4/-1.2A Power dissipation: 1.3W Case: SOT223-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: MOSFET H-Bridge кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 2792 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMHC6A07T8TA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXMHC6A07T8TA - Dual-MOSFET, H-Brücke, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 1.8 A, 1.8 A, 1.5 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.5ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.7W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.5ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.7W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 996 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMHC6A07T8TA | DIODES INCORPORATED | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET x2; unipolar; 60/-60V; 1.4/-1.2A; 1.3W Type of transistor: N/P-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60/-60V Drain current: 1.4/-1.2A Power dissipation: 1.3W Case: SOT223-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: MOSFET H-Bridge | на замовлення 2792 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMHC6A07T8TA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 60V 1.6A/1.3A 8-Pin SM T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMHC6A07T8TA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N/2P-CH 60V SM8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-223-8 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.3W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A, 1.3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166pF @ 40V, 233pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SM8 | на замовлення 6001 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMHN6A07T8 | ZETEX | 07+ SM-8 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMHN6A07T8 | ZETEX | SM-8 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMHN6A07T8TA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 4N-CH 60V 1.4A SM8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-223-8 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.6W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166pF @ 40V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SM8 | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMHN6A07T8TA | Diodes Incorporated | MOSFET 60V 1.6A N-Channel MOSFET H-Bridge | на замовлення 609 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMHN6A07T8TA | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 60V 1.6A 8-Pin SM8 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN | на замовлення 13870 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZXMN0545FFTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 450V SOT23F-3 | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN0545FFTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 450V SOT23F-3 | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN0545FFTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 450V SOT23F-3 | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN0545G4 | ZETEX | SOT223 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMN0545G4 | ZETEX | 07+ SOT223 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMN0545G4TA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 450V 0.14A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN0545G4TA | на замовлення 11000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZXMN0545G4TA | Diodes Incorporated | MOSFET 450V 140mA N-Channel Enhancement MOSFET | на замовлення 5004 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMN0545G4TA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 450V 140MA SOT-223 | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN0545G4TA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 450V 0.14A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 1114 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN0545G4TA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 450V 140MA SOT-223 | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN0545GTA | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZXMN10A07F | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXMN10A07F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 640 mA, 1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 625 Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1 rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 5075 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN10A07F | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXMN10A07F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 640 mA, 1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 640 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 625 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 euEccn: NLR Verlustleistung: 625 Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 5075 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN10A07FTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 625mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138 pF @ 50 V | на замовлення 639000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN10A07FTA | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.8A; 0.625W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.8A Power dissipation: 0.625W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.7Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | на замовлення 2480 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN10A07FTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.7A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN10A07FTA | на замовлення 35800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZXMN10A07FTA | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.8A; 0.625W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.8A Power dissipation: 0.625W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.7Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | на замовлення 1277 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN10A07FTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.7A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 913 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN10A07FTA | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 100V 0.7A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN10A07FTA | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.8A; 0.625W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.8A Power dissipation: 0.625W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.7Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 1277 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN10A07FTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXMN10A07FTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 700 mA, 0.54 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 700mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 625mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.54ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN10A07FTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 625mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138 pF @ 50 V | на замовлення 639441 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN10A07FTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.7A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 913 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN10A07FTA | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.8A; 0.625W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.8A Power dissipation: 0.625W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.7Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 1277 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN10A07FTA | Diodes Incorporated | MOSFET 100V N-Chnl UMOS | на замовлення 28409 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN10A07FTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXMN10A07FTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 700 mA, 0.54 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 700mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 625mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.54ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN10A07FTC | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3 | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN10A07Z | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMN10A07ZTA | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN10A07ZTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 3002 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN10A07ZTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN10A07ZTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 1A SOT89-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-89-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138 pF @ 50 V | на замовлення 96480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN10A07ZTA | Diodes Incorporated | MOSFET 100V N-Chnl UMOS | на замовлення 39261 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN10A07ZTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN10A07ZTA | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.1A; 1.5W; SOT89 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 1.1A Power dissipation: 1.5W Case: SOT89 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.9Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 2000 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN10A07ZTA | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.1A; 1.5W; SOT89 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 1.1A Power dissipation: 1.5W Case: SOT89 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.9Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN10A07ZTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN10A07ZTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 1A SOT89-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-89-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138 pF @ 50 V | на замовлення 96000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN10A07ZTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN10A07ZTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN10A08 | N/A | на замовлення 459 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
ZXMN10A08DN8 | ZETEX | 07+ SO8 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMN10A08DN8 | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMN10A08DN8 | ZETEX | SO8 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMN10A08DN8TA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8-SOIC | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN10A08DN8TA | Diodes Incorporated | MOSFET 100V 2.1A N-Channel Enhancement MOSFET | на замовлення 559 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN10A08DN8TA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 2.1A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN10A08DN8TA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 2.1A 8-Pin SOIC T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN10A08DN8TA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 2.1A 8-Pin SOIC T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN10A08DN8TA | DIODES/ZETEX | Transistor 2xN-Channel MOSFET; 100V; 20V; 300mOhm; 2,1A; 1,8W; -55°C ~ 150°C; ZXMN10A08DN8TA TZXMN10a08dn8 кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN10A08DN8TA | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 100V 2.1A 8-Pin SOIC T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN10A08DN8TA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8-SOIC | на замовлення 87 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN10A08DN8TA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 2.1A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMN10A08DN8TC | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8SOIC | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN10A08E6 | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMN10A08E6 | Diodes Incorporated | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN10A08E6QTA | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V SOT26 T&R 3K | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN10A08E6QTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT26 T&R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 3.2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-26 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 50 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN10A08E6QTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-26 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN10A08E6TA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 6-Pin SOT-26 T/R | на замовлення 5139 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN10A08E6TA | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 6-Pin SOT-26 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN10A08E6TA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT26 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 3.2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-26 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 50 V | на замовлення 156000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN10A08E6TA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 6-Pin SOT-26 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN10A08E6TA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 6-Pin SOT-26 T/R | на замовлення 5139 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN10A08E6TA | на замовлення 3200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZXMN10A08E6TA | Diodes Incorporated | MOSFET 100V N-Chnl UMOS | на замовлення 16013 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN10A08E6TA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT26 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 3.2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-26 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 50 V | на замовлення 156532 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN10A08E6TA-50 | Diodes Zetex | 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN10A08E6TA-50 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT26 T&R Packaging: Bulk Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 3.2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-26 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 50 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN10A08E6TC | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT26 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 3.2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-26 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 50 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN10A08E6TC | Diodes Incorporated | MOSFET 100V N-Chnl UMOS | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN10A08E6TC | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 6-Pin SOT-26 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN10A08E6TC | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 6-Pin SOT-26 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN10A08E6TC | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 6-Pin SOT-26 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN10A08GT | на замовлення 20500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZXMN10A08GTA | Diodes Incorporated | MOSFET 100V N-Channel 2A MOSFET | на замовлення 17038 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN10A08GTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN10A08GTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 2A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 3.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 50 V | на замовлення 147364 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN10A08GTA | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 100V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN10A08GTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN10A08GTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 2A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 3.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 50 V | на замовлення 147000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN10A08GTA | на замовлення 12500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZXMN10A08T6TA | на замовлення 2525 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZXMN10A09K | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMN10A09K | ZETEX | DPAK | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMN10A09K | ZETEX | 07+ DPAK | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMN10A09KTC | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 7.1A; 4.31W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 7.1A Power dissipation: 4.31W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN10A09KTC | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN10A09KTC | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 5A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 4.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.15W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1313 pF @ 50 V | на замовлення 1377 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN10A09KTC | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET N-CH 100V | на замовлення 806 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN10A09KTC | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2255 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN10A09KTC | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 7.1A; 4.31W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 7.1A Power dissipation: 4.31W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN10A09KTC | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 5A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 4.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.15W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1313 pF @ 50 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN10A09KTC | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 100V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN10A11G | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXMN10A11G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.8 A, 0.6 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.8 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 3.9 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 euEccn: NLR Verlustleistung: 3.9 Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.6 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6 SVHC: Lead (17-Jan-2023) | на замовлення 1290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN10A11G | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMN10A11G | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXMN10A11G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.8 A, 0.6 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 3.9 Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6 rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: Lead (17-Jan-2023) | на замовлення 1290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN10A11GFTA | на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZXMN10A11GTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN10A11GTA Код товару: 131543 | Транзистори > Польові N-канальні | товар відсутній | ||||||||||||||||||
ZXMN10A11GTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 2.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 274 pF @ 50 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN10A11GTA | Diodes Incorporated | MOSFET 100V N-Chnl UMOS | на замовлення 3875 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN10A11GTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN10A11GTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN10A11GTA | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 100V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN10A11GTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 43000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN10A11GTA | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.9A; 2W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 1.9A Power dissipation: 2W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 405 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN10A11GTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 2.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 274 pF @ 50 V | на замовлення 7093 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN10A11GTA | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.9A; 2W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 1.9A Power dissipation: 2W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | на замовлення 405 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN10A11GTC | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223 | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN10A11K | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 2.4A TO252-3 | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN10A11K | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 2.4A TO252-3 | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN10A11K | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 2.4A TO252-3 | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN10A11KT | на замовлення 78000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZXMN10A11KTC | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 100V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN10A11KTC | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 2.4A TO252-2 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 2.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.11W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 274 pF @ 50 V | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMN10A11KTC | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.1A; 4.06W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 3.1A Power dissipation: 4.06W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN10A11KTC | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN10A11KTC | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 2.4A TO252-2 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 2.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.11W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 274 pF @ 50 V | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN10A11KTC | Diodes Incorporated | MOSFET N-Chan 100V MOSFET (UMOS) | на замовлення 2240 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN10A11KTC | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN10A11KTC | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.1A; 4.06W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 3.1A Power dissipation: 4.06W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN10A25 | ZETEX | SOT-223 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMN10A25GTA | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.7A; 2W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 3.7A Power dissipation: 2W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.15Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN10A25GTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 2.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 603 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN10A25GTA | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.7A; 2W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 3.7A Power dissipation: 2W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.15Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 1000 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN10A25GTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 2.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 603 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN10A25GTA | Diodes Incorporated | MOSFET 100V N-Channel 2.9A MOSFET | на замовлення 2776 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN10A25GTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 2.9A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.9A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 859 pF @ 50 V | на замовлення 20480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN10A25GTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 2.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN10A25GTA | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 100V 2.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN10A25GTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 2.9A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.9A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 859 pF @ 50 V | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN10A25K | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 4.2A TO252-3 | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN10A25K | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 4.2A TO252-3 | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN10A25KTC | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 4.2A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.9A, 10V Power Dissipation (Max): 2.11W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 859 pF @ 50 V | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN10A25KTC | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXMN10A25KTC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.4 A, 0.125 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 9.85W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) | на замовлення 2344 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN10A25KTC | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 100V 4.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN10A25KTC | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 4.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN10A25KTC | на замовлення 78000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZXMN10A25KTC | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 4.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN10A25KTC | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 4.2A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.9A, 10V Power Dissipation (Max): 2.11W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 859 pF @ 50 V | на замовлення 9733 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN10A25KTC | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXMN10A25KTC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.4 A, 0.125 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 9.85W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) | на замовлення 2344 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN10A25KTC | Diodes Incorporated | MOSFET N-Chan 100V MOSFET (UMOS) | на замовлення 4691 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN10B08E6 | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMN10B08E6 | ZETEX | 09+ SOP | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMN10B08E6QTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT26 T&R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN10B08E6QTA | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 61V 100V SOT26 T&R 3K | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN10B08E6QTA | Diodes Inc | ZXMN10B08E6QTA | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN10B08E6TA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT26 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1.6A, 10V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-26 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.3V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 497 pF @ 50 V | на замовлення 93000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN10B08E6TA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXMN10B08E6TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.6 A, 0.23 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.6 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.1 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.1 Bauform - Transistor: SOT-26 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.23 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 7670 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN10B08E6TA | Diodes Incorporated | MOSFET 100V N-Chnl UMOS | на замовлення 2835 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN10B08E6TA | DIODES INCORPORATED | ZXMN10B08E6TA SMD N channel transistors | на замовлення 638 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN10B08E6TA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXMN10B08E6TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.6 A, 0.23 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 1.1 Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23 rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 7670 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN10B08E6TA | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 6-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN10B08E6TA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 6-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN10B08E6TA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT26 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1.6A, 10V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-26 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.3V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 497 pF @ 50 V | на замовлення 95543 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN10B08E6TA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 6-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN10B08E6TA 10B8 | DIODES/ZETEX | N-MOSFET 1.6A 100V 1.1W 0.23Ω ZXMN10B08E6 TZXMN10b08e6 кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 36 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN10B08E6TC | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT26 | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN15A27KT | на замовлення 78000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZXMN15A27KTC | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 150V 2.55A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN15A27KTC | на замовлення 6070 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZXMN15A27KTC | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 150V 1.7A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 2.15A, 10V Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 169 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN15A27KTC | Diodes Incorporated | MOSFET ENHANCE MODE MOSFET 150V N-CHANNEL | на замовлення 136 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMN15A27KTC | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 150V 1.7A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 2.15A, 10V Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 169 pF @ 25 V | на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN2069FTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH SOT23-3 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN2088DE6 | на замовлення 123800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZXMN2088DE6TA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 6-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN2088DE6TA | Diodes Incorporated | MOSFET 20V DUAL SOT23-6 20V VBR MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN2088DE6TA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 20V 1.7A SOT-26 | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN20B28K | Diodes Incorporated | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN20B28K-13 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZXMN20B28KT | на замовлення 20500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZXMN20B28KTC | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 200V 1.5A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.75A, 10V Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 358 pF @ 25 V | на замовлення 3100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN20B28KTC | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXMN20B28KTC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 1.5 A, 0.65 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 MSL: MSL 1 - unbegrenzt productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: Y-EX Verlustleistung: 2.2W Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: Lead (14-Jun-2023) | на замовлення 1014 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN20B28KTC | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 200V 1.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN20B28KTC | Diodes Incorporated | MOSFET ENHANCE MODE MOSFET 200V N-CHANNEL | на замовлення 35747 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN20B28KTC | Zetex | 10+ SOT-23 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMN20B28KTC | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXMN20B28KTC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 1.5 A, 0.65 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2.2W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.2W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.65ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) | на замовлення 1014 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN20B28KTC | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 200V 2.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN20B28KTC | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 200V 1.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN20B28KTC | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 200V 1.5A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.75A, 10V Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 358 pF @ 25 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN20B28KTC | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 200V 1.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN20B28KTC-13 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZXMN2A01E6 | Diodes Incorporated | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN2A01E6 | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMN2A01E6TA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 2.5A 6-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN2A01E6TA | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 20V 2.5A 6-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN2A01E6TA | на замовлення 967 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZXMN2A01E6TA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min) Supplier Device Package: SOT-23-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 303 pF @ 15 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN2A01E6TA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 2.5A 6-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 7266 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN2A01E6TA | Diodes Incorporated | MOSFET 20V N-Chnl UMOS | на замовлення 5708 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN2A01E6TA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min) Supplier Device Package: SOT-23-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 303 pF @ 15 V | на замовлення 1633 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN2A01E6TC | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23-6 | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN2A01F | Diodes Incorporated | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN2A01F | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMN2A01FTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN2A01FTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 1.9A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 625mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min) Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 303 pF @ 15 V | на замовлення 1238787 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN2A01FTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN2A01FTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN2A01FTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXMN2A01FTA - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, n-Kanal, 20 V, 2.2 A, 0.12 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 806 Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12 rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 11885 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN2A01FTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN2A01FTA | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.9A; Idm: 8A; 0.625W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 1.9A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 0.625W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN2A01FTA | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.9A; Idm: 8A; 0.625W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 1.9A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 0.625W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN2A01FTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN2A01FTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1478 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN2A01FTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 1.9A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 625mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min) Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 303 pF @ 15 V | на замовлення 1239670 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN2A01FTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXMN2A01FTA - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, n-Kanal, 20 V, 2.2 A, 0.12 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.2 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 806 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700 euEccn: NLR Verlustleistung: 806 Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.12 Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 11885 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN2A01FTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN2A01FTA | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 20V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN2A01FTA | Diodes Incorporated | MOSFET 20V N-Chnl UMOS | на замовлення 40328 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN2A01FTA 7N2 | DIODES/ZETEX | Trans MOSFET N-CH 20V 2.2A Automotive 3-Pin SOT-23 ZXMN2A01FTA TZXMN2a01fta кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN2A01FTC | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 1.9A SOT23-3 | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN2A02 | на замовлення 938 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZXMN2A02F | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZXMN2A02N8 | ZETEX | SO8 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMN2A02N8 | ZETEX | 07+ SO8 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMN2A02N8 | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMN2A02N8TA | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 20V 10.2A 8-Pin SOIC T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN2A02N8TA | Diodes Incorporated | MOSFET 20V N Chnl UMOS | на замовлення 416 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMN2A02N8TA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 8.3A 8-SOIC | на замовлення 749 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMN2A02N8TA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 8.3A 8-SOIC | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMN2A02X8 | ZETEX | 07+ MSOP8 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMN2A02X8 | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMN2A02X8 | ZETEX | MSOP8 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMN2A02X8TA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 6.2A 8-MSOP | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN2A02X8TA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 6.2A 8-MSOP | на замовлення 93 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMN2A02X8TA | на замовлення 2080 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZXMN2A02X8TA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 6.2A 8-MSOP | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN2A02X8TC | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 6.2A 8-MSOP | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN2A03 | ZETEX | на замовлення 1126 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
ZXMN2A03E6 | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMN2A03E6TA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 3.7A SOT23-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 7.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min) Supplier Device Package: SOT-23-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 837 pF @ 10 V | на замовлення 4666 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN2A03E6TA | Diodes Incorporated | MOSFET N Channel | на замовлення 1764 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN2A03E6TA | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.4A; 1.1W; SOT26 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 3.4A Power dissipation: 1.1W Case: SOT26 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN2A03E6TA | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.4A; 1.1W; SOT26 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 3.4A Power dissipation: 1.1W Case: SOT26 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN2A03E6TA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 3.7A SOT23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 7.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min) Supplier Device Package: SOT-23-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 837 pF @ 10 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN2A03E6TA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 4.6A Automotive 6-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN2A03E6TC | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 3.7A SOT23-6 | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN2A04D | ZETEX | 09+ SO-8 | на замовлення 1021 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMN2A04D | ZETEX | на замовлення 21 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
ZXMN2A04DN8 | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMN2A04DN8TA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 7.7A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 320 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN2A04DN8TA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8-SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.8W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1880pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.9A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.1nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min) Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN2A04DN8TA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 7.7A 8-Pin SOIC T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN2A04DN8TA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 7.7A 8-Pin SOIC T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN2A04DN8TA | ZETEX | SOP 08+PBF | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMN2A04DN8TA | Diodes Incorporated | MOSFET Dl 20V N-Chnl UMOS | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN2A04DN8TA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8-SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.8W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1880pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.9A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.1nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min) Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active | на замовлення 644 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN2A04DN8TC | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SOIC | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN2A14F | TOSHIBA | на замовлення 18000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
ZXMN2A14F | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMN2A14FTA | Zetex | N-MOSFET 20V 3.4A ZXMN2A14FTA DIODES TZXMN2a14f кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN2A14FTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min) Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 544 pF @ 10 V | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN2A14FTA | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 20V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN2A14FTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2696 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN2A14FTA | Diodes Incorporated | MOSFET N Channel | на замовлення 78691 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN2A14FTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2696 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN2A14FTA | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.3A; 1W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 3.3A Power dissipation: 1W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 60mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN2A14FTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min) Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 544 pF @ 10 V | на замовлення 31289 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN2A14FTA | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.3A; 1W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 3.3A Power dissipation: 1W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 60mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN2A14FTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN2AM832 | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMN2AM832TA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 20V 2.9A 8MLP | на замовлення 3401 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMN2AM832TA | на замовлення 746 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZXMN2AM832TA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 20V 2.9A 8MLP | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMN2AMCTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 20V 3.7A 8DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.7W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 299pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 4A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: DFN3020B-8 Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMN2AMCTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 3.7A Automotive 8-Pin DFN EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN2AMCTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 20V 3.7A 8DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.7W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 299pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 4A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: DFN3020B-8 Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN2AMCTA | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 20V 2.9A 8-Pin DFN EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN2AMCTA | Diodes Incorporated | MOSFET 20V DUAL N-CH ENH 12V VGS 3.7 IDS | на замовлення 1900 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMN2AN8 | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZXMN2B01F | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXMN2B01F - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, n-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 806mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 806mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 3926 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN2B01F | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXMN2B01F - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, n-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 806mW Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 3926 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN2B01F | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZXMN2B01FTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 625mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 10 V | на замовлення 188643 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN2B01FTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN2B01FTA | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN2B01FTA | DIODES INCORPORATED | ZXMN2B01FTA SMD N channel transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN2B01FTA | Diodes Incorporated | MOSFET 20V N-Channel MOSFET w/low gate drive cap | на замовлення 14657 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN2B01FTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 625mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 10 V | на замовлення 186000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN2B01FTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2022 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN2B01FTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2022 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN2B03E6 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZXMN2B03E6TA | Diodes Incorporated | MOSFET 20V N-Ch 4.6 MOSFET w/low gate drive cap | на замовлення 8780 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMN2B03E6TA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT23-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 10 V | на замовлення 2994 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN2B03E6TA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 5.4A Automotive 6-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN2B03E6TA | на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZXMN2B03E6TA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 10 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN2B03E6TA | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 20V 5.4A 6-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN2B14FH | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZXMN2B14FH | Diodes Incorporated | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN2B14FHTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 3.5A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 872 pF @ 10 V | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN2B14FHTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN2B14FHTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2668 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN2B14FHTA | Diodes Incorporated | MOSFET 20V N-Channel MOSFET w/low gate drive cap | на замовлення 2820 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN2B14FHTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 3.5A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 872 pF @ 10 V | на замовлення 33397 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN2B14FHTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2668 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN2F30FH | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZXMN2F30FH | Diodes Incorporated | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN2F30FHQTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 4.9A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 2.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.4W Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 452 pF @ 10 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN2F30FHQTA | DIODES INCORPORATED | ZXMN2F30FHQTA SMD N channel transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN2F30FHQTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 4.9A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN2F30FHQTA | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V | на замовлення 8145 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN2F30FHQTA | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 20V 4.9A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN2F30FHQTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 4.9A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 2.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.4W Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 452 pF @ 10 V | на замовлення 2970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN2F30FHQTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 4.9A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN2F30FHTA | Diodes Incorporated | MOSFET 20V N-Channel Enhance. Mode MOSFET | на замовлення 127210 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN2F30FHTA | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 20V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN2F30FHTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN2F30FHTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 54000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN2F30FHTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 2.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 960mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 452 pF @ 10 V | на замовлення 183000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN2F30FHTA | DIODES/ZETEX | Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 65mOhm; 4,9A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; ZXMN2F30FHTA TZXMN2f30fh кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN2F30FHTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMN2F30FHTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 54000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN2F30FHTA | DIODES INCORPORATED | ZXMN2F30FHTA SMD N channel transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN2F30FHTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 2.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 960mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 452 pF @ 10 V | на замовлення 184462 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN2F30FHTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN2F34FH | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZXMN2F34FH | Diodes Incorporated | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN2F34FHTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN2F34FHTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 950mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 277 pF @ 10 V | на замовлення 112155 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN2F34FHTA | Diodes Incorporated | MOSFET 20V N-Channel Enhance. Mode MOSFET | на замовлення 88510 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN2F34FHTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXMN2F34FHTA - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, n-Kanal, 20 V, 4 A, 0.06 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.4 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.4 Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.06 Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 1718 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN2F34FHTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN2F34FHTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 950mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 277 pF @ 10 V | на замовлення 108000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN2F34FHTA | DIODES INCORPORATED | ZXMN2F34FHTA SMD N channel transistors | на замовлення 1256 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN2F34FHTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN2F34FHTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXMN2F34FHTA - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, n-Kanal, 20 V, 4 A, 0.06 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 1.4 Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06 rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 1718 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN2F34FHTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN2F34MATA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 4A DFN-2X2 | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN2F34MATA | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 20V 8.5A 3-Pin DFN T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN2F34MATA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 4A DFN-2X2 | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN2N02 | на замовлення 128 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZXMN3804 | на замовлення 300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZXMN3A01E6 | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMN3A01E6 | Diodes Incorporated | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN3A01E6TA | на замовлення 3200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZXMN3A01E6TA | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 30V 2.4A 6-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN3A01E6TA | Diodes Incorporated | MOSFET 30V N-Chnl UMOS | на замовлення 12999 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN3A01E6TA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 2.4A SOT-23-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 25 V | на замовлення 144787 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN3A01E6TA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 2.4A SOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 25 V | на замовлення 132000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN3A01E6TC | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 2.4A SOT23-6 | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN3A01F | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXMN3A01F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2 A, 0.12 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 806mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 4734 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN3A01F | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXMN3A01F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2 A, 0.12 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 806mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 4734 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN3A01F | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMN3A01FQTA | Diodes Inc | MOSFET BVDSS, 25V to 30V SOT23 | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN3A01FTA | Diodes Incorporated | MOSFET 30V N-Chnl UMOS | на замовлення 96746 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN3A01FTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 1.8A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 516 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN3A01FTA | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.6A; 0.806W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 1.6A Power dissipation: 0.806W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 6000 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN3A01FTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 625mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 25 V | на замовлення 256612 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN3A01FTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 1.8A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 72000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN3A01FTA | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.6A; 0.806W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 1.6A Power dissipation: 0.806W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN3A01FTA | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 30V 1.8A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN3A01FTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 1.8A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 72000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN3A01FTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 1.8A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN3A01FTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 625mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 25 V | на замовлення 255000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN3A01FTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 1.8A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 516 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN3A01FTC | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 30V 1.8A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN3A01FTC | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3 | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN3A01ZTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 3.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN3A01ZTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT89 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 970mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-89-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 186 pF @ 25 V | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN3A01ZTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXMN3A01ZTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.3 A, 0.106 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 970mW Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.106ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 830 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN3A01ZTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 3.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMN3A01ZTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 3.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 723 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN3A01ZTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT89 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 970mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-89-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 186 pF @ 25 V | на замовлення 50286 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN3A01ZTA | Diodes Incorporated | MOSFET 30V N-Ch ENH Mode 120mOhm 10VGS 3.3A | на замовлення 10958 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN3A01ZTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXMN3A01ZTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.3 A, 0.106 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 970mW Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.106ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 830 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN3A01ZTA | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 30V 3.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN3A01ZTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 3.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 723 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN3A02N8 | ZETEX | 07+ SO8 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMN3A02N8 | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMN3A02N8 | ZETEX | SO8 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMN3A02N8TA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A 8-SOIC | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN3A02N8TA | на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZXMN3A02N8TA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A 8-SOIC | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN3A02N8TA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A 8-SOIC | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN3A02X8 | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMN3A02X8 | ZETEX | MSOP8 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMN3A02X8 | ZETEX | 07+ MSOP8 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMN3A02X8TA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A 8MSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-MSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN3A02X8TA | Diodes Incorporated | MOSFET 30V N Chnl UMOS | на замовлення 16195 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN3A02X8TA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A 8MSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-MSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN3A02X8TA | на замовлення 780 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZXMN3A02X8TC | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A 8MSOP | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN3A03E6 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXMN3A03E6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.6 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 3967 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN3A03E6 | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMN3A03E6 | Diodes Incorporated | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN3A03E6 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXMN3A03E6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.6 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 3967 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN3A03E6TA | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.6A; 1.1W; SOT26 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 4.6A Power dissipation: 1.1W Case: SOT26 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 50mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN3A03E6TA | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 30V 4.6A 6-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN3A03E6TA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7.8A, 10V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V | на замовлення 53500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN3A03E6TA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 3.7A 6-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN3A03E6TA | Diodes Incorporated | MOSFET 30V N Chnl UMOS | на замовлення 73723 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN3A03E6TA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 3.7A 6-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN3A03E6TA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 3.7A 6-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN3A03E6TA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT-23-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7.8A, 10V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V | на замовлення 54941 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN3A03E6TA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 3.7A 6-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN3A03E6TA | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.6A; 1.1W; SOT26 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 4.6A Power dissipation: 1.1W Case: SOT26 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 50mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN3A03E6TC | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7.8A, 10V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN3A04D | ZETEX | на замовлення 109 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
ZXMN3A04D | ZXMN | 04+ SMD8 | на замовлення 1120 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMN3A04D | N/A | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
ZXMN3A04D | ZETEX | 09+ SO-8 | на замовлення 1109 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMN3A04DN8 | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMN3A04DN8 | ZETEX | SO8 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMN3A04DN8 | ZETEX | 07+ SO8 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMN3A04DN8TA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.81W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 12.6A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.8nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active | на замовлення 22500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN3A04DN8TA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.81W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 12.6A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.8nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active | на замовлення 22603 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN3A04DN8TA | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-Pin SOIC T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN3A04DN8TA | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZXMN3A04DN8TA | Diodes Incorporated | MOSFET Dl 30V N-Chnl UMOS | на замовлення 975 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN3A04DN8TC | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SOIC | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN3A04DN8TC | на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZXMN3A04K | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMN3A04K | ZETEX | DPAK | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMN3A04K | ZETEX | 07+ DPAK | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMN3A04KTC | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN3A04KTC | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 18.4A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 2.15W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250mA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2080 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN3A04KTC | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 18.4A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 2.15W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250mA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN3A04KTC | Diodes Incorporated | MOSFET N-Ch 30 Volt 18.4A | на замовлення 1549 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN3A04KTC | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 18.4A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 2.15W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250mA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2080 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN3A04KTC | на замовлення 25000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZXMN3A05N8TA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN3A06D | N/A | на замовлення 367 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
ZXMN3A06DN8 | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMN3A06DN8 | Zetex | 09+ | на замовлення 397 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMN3A06DN8 | ZETEX | 07+ SO8 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMN3A06DN8 | ZETEX | SO8 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMN3A06DN8TA | Diodes Incorporated | MOSFET Dl 30V N-Chnl UMOS | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN3A06DN8TA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.8W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 796pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN3A06DN8TA | Zetex | Dual N-Channel 30 V 0.035 Ohm Power MOSFET ZXMN3A06DN8TA DIODES TZXMN3a06dn8 кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 8 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN3A06DN8TA | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN3A06DN8TA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.8W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 796pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active | на замовлення 514 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN3A06DN8TC | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SOIC | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN3A06N8TA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN3A13FTA | на замовлення 1503 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZXMN3A14F | ZETEX | 07+ SOT23 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMN3A14F | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMN3A14F | Diodes Incorporated | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN3A14F | ZETEX | SOT23 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMN3A14FPBF | на замовлення 700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZXMN3A14FQTA | Diodes Inc | 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN3A14FQTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 448 pF @ 15 V | на замовлення 2975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN3A14FQTA | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS 25V-30V | на замовлення 19671 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN3A14FQTA | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.6A; 1W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 2.6A Power dissipation: 1W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 95mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | на замовлення 2773 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN3A14FQTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 448 pF @ 15 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN3A14FQTA | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.6A; 1W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 2.6A Power dissipation: 1W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 95mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 2773 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN3A14FTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXMN3A14FTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.2 A, 0.048 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm | на замовлення 3613 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXMN3A14FTA | ZETEX | SOT23 08+ | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXMN3A14FTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXMN3A14FTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.2A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 448 pF @ 15 V | на замовлення 77677 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|