НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
BY2000Diotec SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 2000V 3A DO201
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 2000 V
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1700+12.45 грн
Мінімальне замовлення: 1700
BY2000Diotec SemiconductorRectifier Diode Switching 2KV 3A 1500ns 2-Pin DO-201 Ammo
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1700+12.53 грн
Мінімальне замовлення: 1700
BY2000Diotec SemiconductorRectifier Diode Switching 2KV 3A 1500ns 2-Pin DO-201 Ammo
товар відсутній
BY2000Diotec SemiconductorRectifier Diode Switching 2KV 3A 1500ns 2-Pin DO-201 Ammo
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+9.42 грн
Мінімальне замовлення: 35
BY2000Diotec ElectronicsRectifier Diode Switching 2KV 3A 1500ns 2-Pin DO-201 Ammo
на замовлення 1092 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
371+32.29 грн
548+ 21.87 грн
670+ 17.87 грн
1000+ 17.06 грн
Мінімальне замовлення: 371
BY2000Diotec ElectronicsRectifier Diode Switching 2KV 3A 1500ns 2-Pin DO-201 Ammo
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1700+16.63 грн
Мінімальне замовлення: 1700
BY2000
Код товару: 105894
VishayДіоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-201
Uзвор., V: 2000 V
Iвипр., A: 3 A
Монтаж: THT
у наявності 145 шт:
90 шт - склад
20 шт - РАДІОМАГ-Київ
15 шт - РАДІОМАГ-Харків
20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+10 грн
10+ 8.9 грн
100+ 7.2 грн
BY2000Diotec SemiconductorRectifier Diode Switching 2KV 3A 1500ns 2-Pin DO-201 Ammo
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+34.95 грн
20+ 29.98 грн
100+ 20.3 грн
500+ 16 грн
1000+ 14.66 грн
Мінімальне замовлення: 17
BY2000Diotec SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 2000V 3A DO201
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 2000 V
на замовлення 2137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.85 грн
11+ 27.17 грн
100+ 18.9 грн
500+ 13.85 грн
Мінімальне замовлення: 10
BY2000Diotec SemiconductorRectifier Diode Switching 2KV 3A 1500ns 2-Pin DO-201 Ammo
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1700+9.42 грн
Мінімальне замовлення: 1700
BY2000DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 2kV; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 100A; DO201; Ir: 5uA
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Type of diode: rectifying
Case: DO201
Max. off-state voltage: 2kV
Max. load current: 20A
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 1.5µs
Max. forward impulse current: 100A
Leakage current: 5µA
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BY2000Diotec ElectronicsRectifier Diode Switching 2KV 3A 1500ns 2-Pin DO-201 Ammo
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1700+13.49 грн
Мінімальне замовлення: 1700
BY2000Diotec SemiconductorRectifier Diode Switching 2KV 3A 1500ns 2-Pin DO-201 Ammo
товар відсутній
BY2000Diotec SemiconductorRectifiers Diode, DO-201, 2000V, 3A
на замовлення 4978 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+44.2 грн
10+ 34.29 грн
100+ 17.87 грн
500+ 17.74 грн
1000+ 17.12 грн
1700+ 13.25 грн
8500+ 10.63 грн
Мінімальне замовлення: 8
BY2000DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 2kV; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 100A; DO201; Ir: 5uA
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Type of diode: rectifying
Case: DO201
Max. off-state voltage: 2kV
Max. load current: 20A
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 1.5µs
Max. forward impulse current: 100A
Leakage current: 5µA
товар відсутній
BY2000Diotec ElectronicsRectifier Diode Switching 2KV 3A 1500ns 2-Pin DO-201 Ammo
на замовлення 19927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
632+18.95 грн
739+ 16.19 грн
1000+ 15.72 грн
2500+ 14.72 грн
Мінімальне замовлення: 632
BY2000-CTDiotec SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 2KV 3A DO201
Packaging: Strip
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 2 V
товар відсутній
BY20195/96/97
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BY203-12
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BY203-12STAPVishay SemiconductorsRectifiers 1200 Volt 0.25 Amp 20 Amp IFSM
товар відсутній
BY203-12STAPVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE AVAL 1.2KV 250MA SOD57
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: SOD-57, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 300 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: SOD-57
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.4 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 700 V
товар відсутній
BY203-12STAPVishayRectifier Diode Switching 1.2KV 0.25A 300ns 2-Pin SOD-57 Ammo
товар відсутній
BY203-12STRVishay SemiconductorsRectifiers 1200 Volt 0.25 Amp 20 Amp IFSM
товар відсутній
BY203-12STRVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE AVAL 1.2KV 250MA SOD57
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-57, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 300 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: SOD-57
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.4 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 700 V
товар відсутній
BY203-12STRVishayRectifier Diode Switching 1.2KV 0.25A 300ns 2-Pin SOD-57 T/R
товар відсутній
BY203-16STAPVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE AVAL 1.6KV 250MA SOD57
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: SOD-57, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 300 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: SOD-57
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.4 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1000 V
товар відсутній
BY203-16STAPVishayRectifier Diode Switching 1.6KV 0.25A 300ns 2-Pin SOD-57 Ammo
товар відсутній
BY203-16STAPVISHAYCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.6kV; 0.25A; Ammo Pack; Ifsm: 20A; SOD57
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 0.25A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward impulse current: 20A
Case: SOD57
Max. forward voltage: 2.4V
Leakage current: 2µA
Reverse recovery time: 300ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BY203-16STAPVISHAYCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.6kV; 0.25A; Ammo Pack; Ifsm: 20A; SOD57
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 0.25A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward impulse current: 20A
Case: SOD57
Max. forward voltage: 2.4V
Leakage current: 2µA
Reverse recovery time: 300ns
товар відсутній
BY203-16STAPVishay SemiconductorsRectifiers 1600 Volt 0.25 Amp 20 Amp IFSM
товар відсутній
BY203-16STRVishay SemiconductorsRectifiers 1600 Volt 0.25 Amp 20 Amp IFSM
товар відсутній
BY203-16STRVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE AVAL 1.6KV 250MA SOD57
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-57, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 300 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: SOD-57
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.4 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1000 V
товар відсутній
BY203-16STRVishayRectifier Diode Switching 1.6KV 0.25A 300ns 2-Pin SOD-57 T/R
товар відсутній
BY203-20S-TRVishayDiode Switching 2KV 0.25A 2-Pin SOD-57 T/R
на замовлення 4709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
365+32.85 грн
397+ 30.21 грн
409+ 29.29 грн
500+ 27.17 грн
1000+ 24.24 грн
Мінімальне замовлення: 365
BY203-20S-TRVishayDiode Switching 2KV 0.25A 2-Pin SOD-57 T/R
на замовлення 25349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+59.27 грн
12+ 50.98 грн
25+ 50.48 грн
100+ 33.68 грн
250+ 30.87 грн
500+ 24.62 грн
1000+ 18.51 грн
3000+ 17.57 грн
6000+ 17.56 грн
Мінімальне замовлення: 10
BY203-20S-TRVishayDiode Switching 2KV 0.25A 2-Pin SOD-57 T/R
на замовлення 25349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
218+54.9 грн
221+ 54.36 грн
319+ 37.61 грн
322+ 35.9 грн
500+ 27.62 грн
1000+ 19.94 грн
3000+ 18.92 грн
6000+ 18.91 грн
Мінімальне замовлення: 218
BY203-20S-TRVishayDiode Switching 2KV 0.25A 2-Pin SOD-57 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+23.37 грн
10000+ 21.46 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BY203-20S-TRVishayDiode Switching 2KV 0.25A 2-Pin SOD-57 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+21.7 грн
10000+ 19.93 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BY203-20STAPVishay SemiconductorВипрямний ультрашвидкий лавинноподібний діод вивідний; Ur, В = 1 200; Io, А = 0,25; If, A = 0,2; Uf (max), В = 2,4; I, мкА @ Ur, В = 2 @ 1200; trr, нс = 300; Тексп, °С = -55...+150; SOD-57
на замовлення 10 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
10+62.4 грн
100+ 18.78 грн
Мінімальне замовлення: 10
BY203-20STAPVISHAYCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 2kV; 0.25A; Ammo Pack; Ifsm: 20A; SOD57
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Type of diode: rectifying
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching
Case: SOD57
Max. off-state voltage: 2kV
Max. forward voltage: 2.4V
Load current: 0.25A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 300ns
Max. forward impulse current: 20A
Leakage current: 2µA
на замовлення 6537 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+55.74 грн
10+ 36.81 грн
25+ 33.21 грн
31+ 28.04 грн
84+ 25.88 грн
500+ 25.81 грн
Мінімальне замовлення: 7
BY203-20STAP
Код товару: 28539
VishayДіоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: SOD-57
Uзвор., V: 2000 V
Iвипр., A: 0,25 A
Опис: Швидкий
Падіння напруги Vf: 2,4 V
товар відсутній
BY203-20STAPVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE AVALANCHE 2KV 250MA SOD57
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: SOD-57, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 300 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: SOD-57
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.4 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1200 V
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+20.59 грн
10000+ 18.36 грн
25000+ 18.17 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BY203-20STAPVishayDiode Switching 2KV 0.25A 2-Pin SOD-57 Ammo
на замовлення 1952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.9 грн
Мінімальне замовлення: 15
BY203-20STAPVishayDiode Switching 2KV 0.25A 2-Pin SOD-57 Ammo
на замовлення 26560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+59.18 грн
13+ 47.69 грн
25+ 47.26 грн
100+ 33.36 грн
250+ 30.58 грн
500+ 24.63 грн
1000+ 18.53 грн
3000+ 18.48 грн
6000+ 18.44 грн
Мінімальне замовлення: 11
BY203-20STAPVISHAYDescription: VISHAY - BY203-20STAP - Diode mit Standard-Erholzeit, 2 kV, 250 mA, Einfach, 2.4 V, 300 ns, 20 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-57
Durchlassstoßstrom: 20A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 2.4V
Sperrverzögerungszeit: 300ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 250mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 2kV
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BY203
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 71749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+70.22 грн
14+ 56.98 грн
100+ 36.39 грн
500+ 28.54 грн
1000+ 23.69 грн
5000+ 21.04 грн
Мінімальне замовлення: 12
BY203-20STAPVishayDiode Switching 2KV 0.25A 2-Pin SOD-57 Ammo
на замовлення 26560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
233+51.36 грн
236+ 50.89 грн
322+ 37.25 грн
325+ 35.56 грн
500+ 27.63 грн
1000+ 19.95 грн
3000+ 19.9 грн
6000+ 19.86 грн
15000+ 19.82 грн
Мінімальне замовлення: 233
BY203-20STAPVISHAYCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 2kV; 0.25A; Ammo Pack; Ifsm: 20A; SOD57
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Type of diode: rectifying
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching
Case: SOD57
Max. off-state voltage: 2kV
Max. forward voltage: 2.4V
Load current: 0.25A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 300ns
Max. forward impulse current: 20A
Leakage current: 2µA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6537 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+66.89 грн
6+ 45.87 грн
25+ 39.86 грн
31+ 33.64 грн
84+ 31.06 грн
500+ 30.97 грн
Мінімальне замовлення: 5
BY203-20STAPVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE AVALANCHE 2KV 250MA SOD57
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-57, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 300 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: SOD-57
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.4 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1200 V
на замовлення 3747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.48 грн
10+ 47.73 грн
100+ 33.04 грн
500+ 25.91 грн
1000+ 22.05 грн
2000+ 19.64 грн
Мінімальне замовлення: 6
BY203-20STAPVishay SemiconductorsRectifiers 2000 Volt 0.25 Amp 20 Amp IFSM
на замовлення 62234 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+61.43 грн
10+ 48.89 грн
100+ 31.19 грн
500+ 26.36 грн
1000+ 20.84 грн
Мінімальне замовлення: 6
BY203-20STAPVishayDiode Switching 2KV 0.25A 2-Pin SOD-57 Ammo
товар відсутній
BY203-20STRVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE AVALANCHE 2KV 250MA SOD57
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-57, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 300 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: SOD-57
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.4 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1200 V
на замовлення 85812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BY203-20STRVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE AVALANCHE 2KV 250MA SOD57
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-57, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 300 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: SOD-57
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.4 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1200 V
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BY203-20STRVishay SemiconductorsRectifiers 2000 Volt 0.25 Amp 20 Amp IFSM
на замовлення 3318 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+61.43 грн
10+ 52.3 грн
100+ 31.54 грн
500+ 26.36 грн
1000+ 20.84 грн
Мінімальне замовлення: 6
BY203-20STRVishayDiode Switching 2KV 0.25A 2-Pin SOD-57 T/R
товар відсутній
BY203-20STR(диод)
Код товару: 54247
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товар відсутній
BY203/20
Код товару: 56225
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
товар відсутній
BY206GP-E3/54Vishay General SemiconductorRectifiers 1.0 Amp 350 Volt
на замовлення 5868 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+29.23 грн
16+ 20.32 грн
100+ 7.87 грн
1000+ 5.52 грн
2500+ 5.38 грн
5500+ 4.76 грн
22000+ 4.69 грн
Мінімальне замовлення: 12
BY206GP-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GP 300V 400MA DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 400mA
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 300 V
на замовлення 8810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+27.62 грн
16+ 18.48 грн
100+ 9.32 грн
500+ 7.76 грн
1000+ 6.04 грн
2000+ 5.4 грн
Мінімальне замовлення: 11
BY206GP-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GP 300V 400MA DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 400mA
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 300 V
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5500+5.84 грн
Мінімальне замовлення: 5500
BY206GP-E3/54VISHAYDescription: VISHAY - BY206GP-E3/54 - Diode mit Standard-Erholzeit, 350 V, 400 mA, Einfach, 1.5 V, 1 µs, 15 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Durchlassstoßstrom: 15A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.5V
Sperrverzögerungszeit: 1µs
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 400mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 350V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BY206
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 20085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+34.22 грн
33+ 23.92 грн
100+ 22.37 грн
500+ 19.34 грн
1000+ 16.52 грн
2500+ 15.26 грн
5500+ 13.87 грн
11000+ 12.61 грн
Мінімальне замовлення: 23
BY206GP-E3/73Vishay General SemiconductorRectifiers 1.0 Amp 350 Volt
на замовлення 10144 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.53 грн
13+ 26.35 грн
100+ 15.6 грн
500+ 11.66 грн
1000+ 9.11 грн
3000+ 7.66 грн
9000+ 7.45 грн
Мінімальне замовлення: 10
BY206GP-E3/73Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GP 300V 400MA DO204AL
товар відсутній
BY206GPHE3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GP 300V 400MA DO204AL
товар відсутній
BY206GPHE3/73Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GP 300V 400MA DO204AL
товар відсутній
BY224PHILIPS
на замовлення 134 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BY224PHILIPSSIP-4
на замовлення 134 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BY227MGP-E3/54Vishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 1.25KV 2A DO204AC
товар відсутній
BY227MGPHE3/54Vishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 1.25KV 2A DO204AC
товар відсутній
BY228NXP SemiconductorsNXP Semiconductors
товар відсутній
BY228DiotecBY228G Диод выпрямительный, 1,5кВ, 3А, DO201
на замовлення 2 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
BY228
Код товару: 66877
NXPДіоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: SOD-64
Uзвор., V: 1500 V
Iвипр., A: 3 A
Монтаж: THT
товар відсутній
BY228-13TAPVishayRectifier Diode Switching 1KV 3A 20000ns 2-Pin SOD-64 Ammo
товар відсутній
BY228-13TAPVishayRectifier Diode Switching 1KV 3A 20000ns 2-Pin SOD-64 Ammo
товар відсутній
BY228-13TAPVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE AVALANCHE 1KV 3A SOD64
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: SOD-64, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SOD-64
Operating Temperature - Junction: 140°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товар відсутній
BY228-13TAPVishay SemiconductorsRectifiers 3.0 Amp 1300 Volt 50 Amp IFSM
товар відсутній
BY228-13TRVishayRectifier Diode Switching 1KV 3A 20000ns 2-Pin SOD-64 T/R
товар відсутній
BY228-13TRVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE AVALANCHE 1KV 3A SOD64
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-64, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SOD-64
Operating Temperature - Junction: 140°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товар відсутній
BY228-13TRVishay SemiconductorsRectifiers 3.0 Amp 1300 Volt 50 Amp IFSM
товар відсутній
BY228-15TAPVishay SemiconductorsRectifiers 3.0 Amp 1500 Volt 50 Amp IFSM
на замовлення 20401 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+80.52 грн
10+ 65.24 грн
100+ 44.17 грн
500+ 37.41 грн
1000+ 30.5 грн
2500+ 28.71 грн
5000+ 27.4 грн
Мінімальне замовлення: 4
BY228-15TAPVISHAYCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 50A; SOD64; 20us
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward impulse current: 50A
Case: SOD64
Max. forward voltage: 1.5V
Leakage current: 140µA
Reverse recovery time: 20µs
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BY228-15TAPVishayDiode Switching 1.2KV 3A 2-Pin SOD-64 Ammo
товар відсутній
BY228-15TAPVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE AVALANCHE 1.2KV 3A SOD64
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-64, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SOD-64
Operating Temperature - Junction: 140°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
на замовлення 2095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+75.4 грн
10+ 59.52 грн
100+ 46.25 грн
500+ 36.79 грн
1000+ 29.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
BY228-15TAPVishayDiode Switching 1.2KV 3A 2-Pin SOD-64 Ammo
товар відсутній
BY228-15TAPVishayDiode Switching 1.2KV 3A 2-Pin SOD-64 Ammo
товар відсутній
BY228-15TAPVISHAYCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 50A; SOD64; 20us
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward impulse current: 50A
Case: SOD64
Max. forward voltage: 1.5V
Leakage current: 140µA
Reverse recovery time: 20µs
товар відсутній
BY228-15TAPVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE AVALANCHE 1.2KV 3A SOD64
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: SOD-64, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SOD-64
Operating Temperature - Junction: 140°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.22 грн
5000+ 28.63 грн
Мінімальне замовлення: 2500
BY228-15TRVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE AVALANCHE 1.2KV 3A SOD64
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-64, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SOD-64
Operating Temperature - Junction: 140°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.22 грн
5000+ 28.63 грн
12500+ 27.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500
BY228-15TRVishayDiode Switching 1.2KV 3A 2-Pin SOD-64 T/R
товар відсутній
BY228-15TRVishayDiode Switching 1.2KV 3A 2-Pin SOD-64 T/R
товар відсутній
BY228-15TRVishay SemiconductorsRectifiers 3.0 Amp 1500 Volt 50 Amp IFSM
на замовлення 19254 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+80.52 грн
10+ 65.24 грн
100+ 44.17 грн
500+ 37.41 грн
1000+ 30.5 грн
2500+ 28.71 грн
5000+ 27.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
BY228-15TRVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE AVALANCHE 1.2KV 3A SOD64
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-64, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SOD-64
Operating Temperature - Junction: 140°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
на замовлення 17883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+75.4 грн
10+ 59.52 грн
100+ 46.25 грн
500+ 36.79 грн
1000+ 29.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
BY228-15TRVishayDiode Switching 1.2KV 3A 2-Pin SOD-64 T/R
товар відсутній
BY228GDiotec ElectronicsStandard Recovery Rectifiers
на замовлення 4841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+19.94 грн
703+ 17.04 грн
1000+ 16.54 грн
2500+ 15.49 грн
Мінімальне замовлення: 600
BY228GDiotec SemiconductorRectifiers Diode, DO-201, 1500V, 3A
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+45.65 грн
10+ 35.48 грн
100+ 18.5 грн
500+ 18.36 грн
1000+ 17.81 грн
1700+ 11.94 грн
3400+ 11.11 грн
Мінімальне замовлення: 8
BY228GDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.5kV; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 100A; DO201
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.5kV
Load current: 3A
Max. load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward impulse current: 100A
Case: DO201
Max. forward voltage: 1.1V
Leakage current: 5µA
Reverse recovery time: 1.5µs
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4841 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
14+21.37 грн
25+ 17.74 грн
82+ 12.42 грн
226+ 11.73 грн
1000+ 11.47 грн
Мінімальне замовлення: 14
BY228GDiotec SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 1500V 3A DO201
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1500 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1500 V
товар відсутній
BY228GDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.5kV; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 100A; DO201
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.5kV
Load current: 3A
Max. load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward impulse current: 100A
Case: DO201
Max. forward voltage: 1.1V
Leakage current: 5µA
Reverse recovery time: 1.5µs
на замовлення 4841 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
22+17.81 грн
26+ 14.23 грн
82+ 10.35 грн
226+ 9.78 грн
1000+ 9.56 грн
Мінімальне замовлення: 22
BY228G
Код товару: 117012
DiotecДіоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-201
Uзвор., V: 1500 V
Iвипр., A: 3 A
Опис: Випрямляючий
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,3 V
товар відсутній
BY228GDiotec SemiconductorВипрямний діод вивідний; Io, A = 3; Uзвор, В = 1 500; Uf (max), В = 1,3; If, А = 3; Тексп, °C = -50...+150; I, мкА @ Ur, В = 5 @ 1500; DO-201
на замовлення 140 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
34+18.81 грн
37+ 16.94 грн
100+ 15.05 грн
Мінімальне замовлення: 34
BY228GDiotec SemiconductorDiode, DO-201, 1500V, 3A
товар відсутній
BY228GDiotec SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 1500V 3A DO201
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1500 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1500 V
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1700+13.47 грн
Мінімальне замовлення: 1700
BY228GPVishay SemiconductorsRectifiers 2.5A,1500V,SUPER RECT.DO-201AD
товар відсутній
BY228GP-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GP 1.5KV 2.5A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2.5A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1500 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 2.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1500 V
на замовлення 6742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+106.01 грн
10+ 85.04 грн
100+ 67.68 грн
500+ 53.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
BY228GP-E3/54
Код товару: 155570
VishayДіоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-201AD
Uзвор., V: 1500 V
Iвипр., A: 2,5 A
Опис: Выпрямительный
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,6 V
у наявності 661 шт:
231 шт - склад
104 шт - РАДІОМАГ-Київ
186 шт - РАДІОМАГ-Харків
50 шт - РАДІОМАГ-Одеса
90 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+15.5 грн
10+ 13.8 грн
100+ 12.4 грн
BY228GP-E3/54VishayDiode Switching 1.5KV 2.5A 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
BY228GP-E3/54VishayDiode Switching 1.5KV 2.5A 2-Pin DO-201AD T/R
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2800+26.57 грн
Мінімальне замовлення: 2800
BY228GP-E3/54Vishay General SemiconductorRectifiers 2.5 Amp 1500 Volt
на замовлення 28409 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+113.53 грн
10+ 93.65 грн
100+ 64.8 грн
500+ 54.59 грн
1400+ 45.07 грн
2800+ 42.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
BY228GP-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GP 1.5KV 2.5A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2.5A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1500 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 2.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1500 V
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1400+50.47 грн
2800+ 46.17 грн
Мінімальне замовлення: 1400
BY228GP-E3/54VISHAYDescription: VISHAY - BY228GP-E3/54 - Diode mit Standard-Erholzeit, 1.5 kV, 2.5 A, Einfach, 1.6 V, 2 µs, 50 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-201AD
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.6V
Sperrverzögerungszeit: 2µs
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2.5A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.5kV
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SUPERECTIFIER
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 11785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+123.87 грн
10+ 95.22 грн
100+ 72.7 грн
500+ 56.86 грн
1000+ 41.01 грн
5000+ 40.21 грн
Мінімальне замовлення: 7
BY228GP-E3/54VishayDiode Switching 1.5KV 2.5A 2-Pin DO-201AD T/R
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2800+43.76 грн
4200+ 42.55 грн
7000+ 42.12 грн
Мінімальне замовлення: 2800
BY228GP-E3/54VishayDiode Switching 1.5KV 2.5A 2-Pin DO-201AD T/R
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1400+52.06 грн
Мінімальне замовлення: 1400
BY228GP-E3/54VISHAYCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.5kV; 2.5A; Ifsm: 50A; DO201AD; Ufmax: 1.6V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.5kV
Load current: 2.5A
Max. load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated
Capacitance: 40pF
Max. forward impulse current: 50A
Case: DO201AD
Max. forward voltage: 1.6V
Leakage current: 0.2mA
Reverse recovery time: 20µs
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BY228GP-E3/54VISHAYCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.5kV; 2.5A; Ifsm: 50A; DO201AD; Ufmax: 1.6V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.5kV
Load current: 2.5A
Max. load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated
Capacitance: 40pF
Max. forward impulse current: 50A
Case: DO201AD
Max. forward voltage: 1.6V
Leakage current: 0.2mA
Reverse recovery time: 20µs
товар відсутній
BY228GP-E3/73VishayRectifier Diode Switching 1.5KV 2.5A 20000ns 2-Pin DO-201AD Ammo
товар відсутній
BY228GP-E3/73Vishay General SemiconductorRectifiers 2.5A,1500V,SUPER RECT.DO-201AD
на замовлення 3182 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+132.04 грн
10+ 107.94 грн
100+ 75.22 грн
500+ 63.15 грн
1000+ 53.55 грн
2000+ 50.86 грн
5000+ 49.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
BY228GP-E3/73Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GP 1.5KV 2.5A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 20 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2.5A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1500 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 2.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1500 V
на замовлення 964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.18 грн
10+ 98.27 грн
100+ 78.21 грн
500+ 62.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
BY228GP-E3/73Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GP 1.5KV 2.5A DO201AD
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 20 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2.5A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1500 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 2.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1500 V
товар відсутній
BY228GPHE3/54VishayRectifier Diode Switching 1.5KV 2.5A 20000ns Automotive 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
BY228GPHE3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GP 1.5KV 2.5A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 20 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2.5A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1500 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 2.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1500 V
товар відсутній
BY228TAPVishayDiode Switching 1.65KV 3A 2-Pin SOD-64 Ammo
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
197+60.92 грн
218+ 55.04 грн
242+ 49.46 грн
252+ 45.96 грн
500+ 40.6 грн
1000+ 37.26 грн
2000+ 35.73 грн
2500+ 34.96 грн
Мінімальне замовлення: 197
BY228TAPVishayДиод БМ SOD-64 U=1500 V I=3 A trr=20000 ns
на замовлення 2486 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
9+34.19 грн
10+ 26.46 грн
Мінімальне замовлення: 9
BY228TAPVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE AVALANCHE 1.5KV 3A SOD64
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-64, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 20 µs
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SOD-64
Operating Temperature - Junction: 140°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1500 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1500 V
на замовлення 2027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53 грн
10+ 41.77 грн
100+ 32.52 грн
500+ 25.87 грн
1000+ 25.58 грн
Мінімальне замовлення: 6
BY228TAPVISHAYDescription: VISHAY - BY228TAP - Diode mit Standard-Erholzeit, 1.65 kV, 3 A, Einfach, 1.5 V, 20 µs, 50 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-64
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.5V
Sperrverzögerungszeit: 20µs
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.65kV
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 140°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 22079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+88.26 грн
12+ 66.04 грн
100+ 49.47 грн
500+ 38.89 грн
1000+ 26.68 грн
5000+ 25.95 грн
Мінімальне замовлення: 9
BY228TAPVishayDiode Switching 1.65KV 3A 2-Pin SOD-64 Ammo
на замовлення 30779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.98 грн
Мінімальне замовлення: 15
BY228TAPVishayDiode Switching 1.65KV 3A 2-Pin SOD-64 Ammo
на замовлення 30761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
278+43.05 грн
Мінімальне замовлення: 278
BY228TAPVishayDiode Switching 1.65KV 3A 2-Pin SOD-64 Ammo
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BY228TAPVishay SemiconductorВипрямний лавиноподібний діод вивідний; Io, A = 3; Uзвор, В = 1 500; Uf (max), В = 1,5; If, А = 5; trr, нс = 20 000; Тексп, °С = -55...+175; I, мкА @ Ur, В = 5 @ 1500; SOD-64
на замовлення 836 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
19+33.1 грн
21+ 29.8 грн
100+ 26.47 грн
Мінімальне замовлення: 19
BY228TAPVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE AVALANCHE 1.5KV 3A SOD64
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: SOD-64, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 20 µs
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SOD-64
Operating Temperature - Junction: 140°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1500 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1500 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500
BY228TAPVISHAYCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.5kV; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 50A; SOD64
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.5kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward impulse current: 50A
Case: SOD64
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+64.26 грн
10+ 38.1 грн
25+ 35.87 грн
26+ 32.35 грн
72+ 30.91 грн
500+ 30.12 грн
Мінімальне замовлення: 7
BY228TAPVishay SemiconductorsRectifiers 3.0 Amp 1500 Volt 50 Amp IFSM
на замовлення 26572 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+80.52 грн
10+ 62.62 грн
100+ 44.17 грн
500+ 37.41 грн
1000+ 30.5 грн
2500+ 28.09 грн
5000+ 26.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
BY228TAPVishayDiode Switching 1.65KV 3A 2-Pin SOD-64 Ammo
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7500+28.67 грн
Мінімальне замовлення: 7500
BY228TAPVISHAYCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.5kV; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 50A; SOD64
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.5kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward impulse current: 50A
Case: SOD64
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+77.11 грн
6+ 47.48 грн
25+ 43.05 грн
26+ 38.82 грн
72+ 37.09 грн
500+ 36.15 грн
Мінімальне замовлення: 4
BY228TAP
Код товару: 38478
EICДіоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: SOD-64
Uзвор., V: 1500 V
Iвипр., A: 3 A
Опис: демпферний діод
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,5 V
у наявності 52 шт:
40 шт - склад
2 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Харків
1+22.5 грн
10+ 19.8 грн
BY228TAPVishayDiode Switching 1.65KV 3A 2-Pin SOD-64 Ammo
на замовлення 30779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+58.3 грн
13+ 48.93 грн
100+ 41.93 грн
500+ 35.38 грн
1000+ 27.7 грн
2500+ 25.7 грн
5000+ 24.77 грн
12500+ 24.15 грн
25000+ 23.59 грн
Мінімальне замовлення: 11
BY228TRVishayDiode Switching 1.65KV 3A 2-Pin SOD-64 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BY228TRVishay SemiconductorsRectifiers 3.0 Amp 1500 Volt 50 Amp IFSM
на замовлення 20355 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+66.67 грн
10+ 53.25 грн
100+ 35.96 грн
500+ 30.5 грн
1000+ 27.95 грн
5000+ 26.57 грн
12500+ 25.47 грн
Мінімальне замовлення: 5
BY228TRVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE AVALANCHE 1.5KV 3A SOD64
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-64, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 20 µs
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SOD-64
Operating Temperature - Junction: 140°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1500 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1500 V
на замовлення 12283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+75.4 грн
10+ 59.52 грн
100+ 46.25 грн
500+ 36.79 грн
1000+ 29.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
BY228TRVishayDiode Switching 1.65KV 3A 2-Pin SOD-64 T/R
товар відсутній
BY228TRVishayDiode Switching 1.65KV 3A 2-Pin SOD-64 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+31.55 грн
Мінімальне замовлення: 10000
BY228TRVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE AVALANCHE 1.5KV 3A SOD64
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-64, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 20 µs
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SOD-64
Operating Temperature - Junction: 140°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1500 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1500 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.22 грн
5000+ 28.63 грн
Мінімальне замовлення: 2500
BY228TRVishayRectifier Diode Switching 1.65KV 3A 20000ns 2-Pin SOD-64 T/R
товар відсутній
BY229-1000R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BY229-200-E3Vishay SemiconductorsDiodes - General Purpose, Power, Switching `A,200V,145NS,FS PLASTIC RECT
товар відсутній
BY229-200-E3/45VishayRectifier Diode Switching 200V 8A 145ns 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
товар відсутній
BY229-200-E3/45Vishay SemiconductorsRectifiers 8.0 Amp 200 Volt
товар відсутній
BY229-200-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 8A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 145 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
товар відсутній
BY229-200HE3Vishay SemiconductorsDiodes - General Purpose, Power, Switching 8A,200V,145NS,FS PLASTIC RECT
товар відсутній
BY229-200HE3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 8A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 145 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
товар відсутній
BY229-400-E3/45VishayDiode Switching 400V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
товар відсутній
BY229-400-E3/45Vishay SemiconductorsRectifiers
товар відсутній
BY229-600Vishay SemiconductorsDiodes - General Purpose, Power, Switching 8A,600V,145NS,FS PLASTIC RECT
товар відсутній
BY229-600NXP SemiconductorsRectifiers RAIL REC-DD
товар відсутній
BY229-600
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BY229-600,127NXP USA Inc.Description: DIODE GEN PURP 500V 8A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 135 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 500 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 500 V
товар відсутній
BY229-600,127NXP SemiconductorsRectifier Diode Switching 600V 8A 135ns 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Rail
товар відсутній
BY229-600-E3Vishay SemiconductorsDiodes - General Purpose, Power, Switching 8A,600V,145NS,FS PLASTIC RECT
товар відсутній
BY229-600-E3/45VishayDiode Switching 600V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
товар відсутній
BY229-600-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 145 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товар відсутній
BY229-600-E3/45Vishay SemiconductorsRectifiers 8.0 Amp 600 Volt
товар відсутній
BY229-600HE3Vishay SemiconductorsDiodes - General Purpose, Power, Switching 8A,600V,145NS,FS PLASTIC RECT
товар відсутній
BY229-600HE3/45Vishay SemiconductorsRectifiers 600 Volt 8.0A 145ns Glass Passivated
товар відсутній
BY229-600HE3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 145 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товар відсутній
BY229-600HE3/45VishayRectifier Diode Switching 600V 8A 145ns Automotive 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
товар відсутній
BY229-800PH09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BY229-800Vishay SemiconductorsDiodes - General Purpose, Power, Switching 8A,800V,145NS,FS PLASTIC RECT
товар відсутній
BY229-800,127NXP SemiconductorsNXP Semiconductors
товар відсутній
BY229-800-E3Vishay SemiconductorsDiodes - General Purpose, Power, Switching 8A,800V,145NS,FS PLASTIC RECT
товар відсутній
BY229-800-E3/45VishayDiode Switching 800V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
товар відсутній
BY229-800-E3/45Vishay SemiconductorsDiodes - General Purpose, Power, Switching 8.0 Amp 600 Volt
товар відсутній
BY229-800-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 800V 8A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 145 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
товар відсутній
BY229-800HE3Vishay SemiconductorsDiodes - General Purpose, Power, Switching 8A,800V,145NS,FS PLASTIC RECT
товар відсутній
BY229-800HE3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 800V 8A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 145 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
товар відсутній
BY229B-200Vishay SemiconductorsDiodes - General Purpose, Power, Switching 8A,200V,145NS,FS PLASTIC RECT
товар відсутній
BY229B-200-E3Vishay SemiconductorsDiodes - General Purpose, Power, Switching 8A,200V,145NS,FS PLASTIC RECT
товар відсутній
BY229B-200-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 145 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
товар відсутній
BY229B-200-E3/45Vishay SemiconductorsRectifiers 8.0 Amp 200 Volt
товар відсутній
BY229B-200-E3/81Vishay SemiconductorsRectifiers 8.0 Amp 200 Volt
товар відсутній
BY229B-200-E3/81Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 145 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
товар відсутній
BY229B-200HE3Vishay SemiconductorsDiodes - General Purpose, Power, Switching 8A,200V,145NS,FS PLASTIC RECT
товар відсутній
BY229B-200HE3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 145 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
товар відсутній
BY229B-200HE3/81Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 145 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
товар відсутній
BY229B-200HE3/81VishayDiode Switching 200V 8A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
товар відсутній
BY229B-400Vishay SemiconductorsDiodes - General Purpose, Power, Switching 8A,400V,145NS,FS PLASTIC RECT
товар відсутній
BY229B-400-E3Vishay SemiconductorsDiodes - General Purpose, Power, Switching 8A,400V,145NS,FS PLASTIC RECT
товар відсутній
BY229B-400-E3/31Vishay SemiconductorsRectifiers 8.0 Amp 400 Volt
товар відсутній
BY229B-400-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 145 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
товар відсутній
BY229B-400-E3/81Vishay SemiconductorsRectifiers 8.0 Amp 200 Volt
товар відсутній
BY229B-400-E3/81Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 145 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
товар відсутній
BY229B-400HE3Vishay SemiconductorsDiodes - General Purpose, Power, Switching 8A,400V,145NS,FS PLASTIC RECT
товар відсутній
BY229B-400HE3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 145 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
товар відсутній
BY229B-400HE3/81Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 145 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
товар відсутній
BY229B-400HE3/81VishayRectifier Diode Switching 400V 8A 145ns Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
товар відсутній
BY229B-400HE3/81Vishay SemiconductorsRectifiers 8.0A 400 Volt 145ns 100 Amp IFSM
товар відсутній
BY229B-600Vishay SemiconductorsDiodes - General Purpose, Power, Switching 8A,600V,145NS,FS PLASTIC RECT
товар відсутній
BY229B-600-E3Vishay SemiconductorsDiodes - General Purpose, Power, Switching 8A,600V,145NS,FS PLASTIC RECT
товар відсутній
BY229B-600-E3/45VishayRectifier Diode Switching 600V 8A 145ns 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube
товар відсутній
BY229B-600-E3/45Vishay SemiconductorsRectifiers 8.0 Amp 600 Volt
товар відсутній
BY229B-600-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 145 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товар відсутній
BY229B-600-E3/81Vishay SemiconductorsRectifiers 8.0 Amp 600 Volt
товар відсутній
BY229B-600-E3/81Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 145 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товар відсутній
BY229B-600HE3Vishay SemiconductorsDiodes - General Purpose, Power, Switching 8A,600V,145NS,FS PLASTIC RECT
товар відсутній
BY229B-600HE3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 145 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товар відсутній
BY229B-600HE3/81Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 145 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товар відсутній
BY229B-800Vishay SemiconductorsDiodes - General Purpose, Power, Switching 8A,800V,145NS,FS PLASTIC RECT
товар відсутній
BY229B-800-E3Vishay SemiconductorsDiodes - General Purpose, Power, Switching 8A,800V,145NS,FS PLASTIC RECT
товар відсутній
BY229B-800-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 145 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
товар відсутній
BY229B-800-E3/45Vishay SemiconductorsRectifiers 8.0 Amp 800 Volt
товар відсутній
BY229B-800-E3/81Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 145 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
товар відсутній
BY229B-800-E3/81VishayRectifier Diode Switching 800V 8A 145ns 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
товар відсутній
BY229B-800HE3Vishay SemiconductorsDiodes - General Purpose, Power, Switching 8A,800V,145NS,FS PLASTIC RECT
товар відсутній
BY229B-800HE3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 145 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
товар відсутній
BY229B-800HE3/81VishayDiode Switching 800V 8A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
товар відсутній
BY229B-800HE3/81Vishay SemiconductorsDiodes - General Purpose, Power, Switching 8.0A 800 Volt 145ns 100 Amp IFSM
товар відсутній
BY229B-800HE3/81Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 145 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
товар відсутній
BY229F-600
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BY229X-200NXP SemiconductorsRectifiers RAIL REC-DD
товар відсутній
BY229X-200,127NXP USA Inc.Description: DIODE GEN PURP 150V 8A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 135 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220FP
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 150 V
товар відсутній
BY229X-200-E3Vishay SemiconductorsDiodes - General Purpose, Power, Switching 8A,200V,145NS,FS PLASTIC RECT
товар відсутній
BY229X-200-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 8A ITO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 145 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: ITO-220AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
товар відсутній
BY229X-200-E3/45VishayDiode Switching 200V 8A 2-Pin(2+Tab) ITO-220AC Tube
товар відсутній
BY229X-200HE3Vishay SemiconductorsDiodes - General Purpose, Power, Switching 8A,200V,145NS,FS PLASTIC RECT
товар відсутній
BY229X-200HE3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 8A ITO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 145 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: ITO-220AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
товар відсутній
BY229X-400-E3Vishay SemiconductorsDiodes - General Purpose, Power, Switching 8A,400V,145NS,FS PLASTIC RECT
товар відсутній
BY229X-400-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 400V 8A ITO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 145 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: ITO-220AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
товар відсутній
BY229X-400-E3/45VishayDiode Switching 400V 8A 2-Pin(2+Tab) ITO-220AC Tube
товар відсутній
BY229X-400HE3Vishay SemiconductorsDiodes - General Purpose, Power, Switching 8A,400V,145NS,FS PLASTIC RECT
товар відсутній
BY229X-400HE3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 400V 8A ITO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 145 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: ITO-220AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
товар відсутній
BY229X-600NXP SemiconductorsRectifiers RAIL REC-DD
товар відсутній
BY229X-600,127NXP USA Inc.Description: DIODE GEN PURP 500V 8A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 135 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220FP
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 500 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 500 V
товар відсутній
BY229X-600-E3Vishay SemiconductorsDiodes - General Purpose, Power, Switching 8A,600V,145NS,FS PLASTIC RECT
товар відсутній
BY229X-600-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 8A ITO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 145 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: ITO-220AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товар відсутній
BY229X-600-E3/45VishayDiode Switching 600V 8A 2-Pin(2+Tab) ITO-220AC Tube
товар відсутній
BY229X-600-E3/45Vishay SemiconductorsRectifiers 8.0 Amp 600 Volt
товар відсутній
BY229X-600HE3Vishay SemiconductorsDiodes - General Purpose, Power, Switching 8A,600V,145NS,FS PLASTIC RECT
товар відсутній
BY229X-600HE3/45Vishay SemiconductorsDiodes - General Purpose, Power, Switching 8.0A 600 Volt 145ns 100 Amp IFSM
товар відсутній
BY229X-600HE3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 8A ITO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 145 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: ITO-220AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товар відсутній
BY229X-800NXP SemiconductorsRectifiers RAIL REC-DD
товар відсутній
BY229X-800
Код товару: 111591
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
товар відсутній
BY229X-800
на замовлення 10600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BY229X-800,127NXP USA Inc.Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 135 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220FP
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 600 V
товар відсутній
BY229X-800,127NXP SemiconductorsRectifiers RAIL REC-DD
товар відсутній
BY229X-800-E3Vishay SemiconductorsDiodes - General Purpose, Power, Switching 8A,800V,145NS,FS PLASTIC RECT
товар відсутній
BY229X-800-E3/45VishayDiode Switching 800V 8A 2-Pin(2+Tab) ITO-220AC Tube
товар відсутній
BY229X-800-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 800V 8A ITO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 145 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: ITO-220AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
товар відсутній
BY229X-800HE3Vishay SemiconductorsDiodes - General Purpose, Power, Switching 8A,800V,145NS,FS PLASTIC RECT
товар відсутній
BY229X-800HE3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 800V 8A ITO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 145 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: ITO-220AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
товар відсутній
BY251Diotec SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 1675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+18.13 грн
50+ 12.93 грн
100+ 11.14 грн
250+ 7.46 грн
500+ 6.21 грн
1000+ 5.46 грн
1500+ 4.98 грн
Мінімальне замовлення: 25
BY251Taiwan SemiconductorRectifiers 3A,200V,Std SILASTIC Rect
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+30.27 грн
15+ 22.14 грн
100+ 10.9 грн
500+ 7.25 грн
1250+ 5.59 грн
2500+ 4.83 грн
10000+ 3.8 грн
Мінімальне замовлення: 11
BY251DC COMPONENTSBY251-DC THT universal diodes
на замовлення 3715 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
17+16.71 грн
385+ 2.63 грн
1050+ 2.49 грн
Мінімальне замовлення: 17
BY251EICDiode 200V 3A 2-Pin DO-201AD
товар відсутній
BY251Diotec SemiconductorRectifier Diode Switching 200V 3A 1500ns 2-Pin DO-201 Ammo
товар відсутній
BY251DIOTEC3A; 200V; packaging: ammo; BY251 diode rectifying DP BY251
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+3.38 грн
Мінімальне замовлення: 500
BY251Diotec SemiconductorRectifiers Diode, DO-201, 200V, 3A
на замовлення 4855 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+98.23 грн
10+ 32.22 грн
100+ 20.08 грн
500+ 14.63 грн
1000+ 14.01 грн
1700+ 12.91 грн
3400+ 11.18 грн
Мінімальне замовлення: 4
BY251Diotec SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 159800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1700+5.56 грн
Мінімальне замовлення: 1700
BY251DIOTEC SEMICONDUCTORBY251-DIO THT universal diodes
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
20+14.49 грн
330+ 3.08 грн
900+ 2.92 грн
Мінімальне замовлення: 20
BY251 R0Taiwan SemiconductorRectifiers 3A,200V,STD.SILASTIC RECTIFIER
товар відсутній
BY251 R0Taiwan SemiconductorDiode 200V 3A 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
BY251 R0GTaiwan SemiconductorRectifiers 3A,200V,STD.SILASTIC RECTIFIER
товар відсутній
BY251 X0Taiwan SemiconductorRectifiers
товар відсутній
BY251 X0GTaiwan SemiconductorRectifiers
товар відсутній
BY251-CTDiotec SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201
Packaging: Strip
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 1675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+18.13 грн
50+ 12.93 грн
100+ 11.14 грн
250+ 7.46 грн
500+ 6.21 грн
1000+ 5.46 грн
1500+ 4.98 грн
Мінімальне замовлення: 25
BY251GTaiwan SemiconductorDiode 200V 3A 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
BY251GTAIWAN SEMICONDUCTORDescription: TAIWAN SEMICONDUCTOR - BY251G - Diode mit Standard-Erholzeit, 200 V, 3 A, Einfach, 1 V, 150 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-201AD
Durchlassstoßstrom: 150A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+63.64 грн
16+ 50.63 грн
100+ 30.43 грн
500+ 20.63 грн
Мінімальне замовлення: 13
BY251G A0GTaiwan SemiconductorRectifiers 3A, 200V, Standard Recovery Rectifier
товар відсутній
BY251G A0GTaiwan SemiconductorRectifier Diode 200V 3A 2-Pin DO-201AD Ammo
товар відсутній
BY251G R0GTaiwan SemiconductorRectifiers 3A 200V Standard Rec overy Rectifier
товар відсутній
BY251G R0GTaiwan SemiconductorDiode 200V 3A 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
BY251G R0GTaiwan SemiconductorDiode 200V 3A 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
BY251GP-E3/54VishayRectifier Diode Switching 200V 3A 3000ns 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
BY251GP-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товар відсутній
BY251GP-E3/73Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.11 грн
14+ 21.57 грн
100+ 17.88 грн
Мінімальне замовлення: 11
BY251GP-E3/73Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товар відсутній
BY251GP-E3/73VishayDiode Switching 200V 3A 2-Pin DO-201AD Ammo
товар відсутній
BY251GPHE3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товар відсутній
BY251GPHE3/73Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товар відсутній
BY251P-E3/54Vishay General SemiconductorRectifiers 3.0 Amp 200 Volt
на замовлення 7509 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+34.46 грн
11+ 28.89 грн
100+ 17.46 грн
500+ 13.66 грн
1400+ 10.97 грн
2800+ 9.52 грн
Мінімальне замовлення: 10
BY251P-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 5437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.85 грн
11+ 26.6 грн
100+ 18.51 грн
500+ 13.56 грн
Мінімальне замовлення: 10
BY251P-E3/54VishayDiode Switching 200V 3A 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
BY251P-E3/54VishayDiode Switching 200V 3A 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
BY251P-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 3950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1400+12.2 грн
2800+ 10.5 грн
Мінімальне замовлення: 1400
BY251P-E3/54VISHAYBY251P-E3/54 THT universal diodes
товар відсутній
BY251P-E3/54VishayDiode Switching 200V 3A 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
BY251P-E3/73VishayDiode Switching 200V 3A 2-Pin DO-201AD Ammo
товар відсутній
BY251P-E3/73Vishay General SemiconductorRectifiers 3A,200V,STD,PLASTIC RECT,DO-201AD
товар відсутній
BY251P-E3/73Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товар відсутній
BY252Taiwan SemiconductorRectifiers 3A,400V,Std SILASTIC Rect
товар відсутній
BY252DIOTEC SEMICONDUCTORBY252-DIO THT universal diodes
на замовлення 55 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
20+14.59 грн
330+ 3.08 грн
900+ 2.92 грн
Мінімальне замовлення: 20
BY252Diotec SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 400V 3A DO201
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товар відсутній
BY252Diotec SemiconductorRectifier Diode Switching 400V 3A 1500ns 2-Pin DO-201 Ammo
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1700+7.05 грн
Мінімальне замовлення: 1700
BY252Diotec SemiconductorRectifier Diode Switching 400V 3A 1500ns 2-Pin DO-201 Ammo
товар відсутній
BY252Diotec ElectronicsRectifier Diode Switching 400V 3A 1500ns 2-Pin DO-201 Ammo
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1700+7.66 грн
Мінімальне замовлення: 1700
BY252Diotec SemiconductorRectifier Diode Switching 400V 3A 1500ns 2-Pin DO-201 Ammo
товар відсутній
BY252Diotec SemiconductorRectifiers Diode, DO-201, 400V, 3A
на замовлення 5023 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+53.62 грн
11+ 30.87 грн
100+ 19.25 грн
500+ 14.01 грн
1000+ 13.39 грн
1700+ 8.49 грн
3400+ 7.18 грн
Мінімальне замовлення: 7
BY252DC COMPONENTSBY252-DC THT universal diodes
товар відсутній
BY252Diotec SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 400V 3A DO201
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товар відсутній
BY252EIC SemiconductorRectifier Diode 400V 3A 2-Pin DO-201AD
товар відсутній
BY252Diotec SemiconductorRectifier Diode Switching 400V 3A 1500ns 2-Pin DO-201 Ammo
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1700+2.5 грн
Мінімальне замовлення: 1700
BY252Diotec SemiconductorRectifier Diode Switching 400V 3A 1500ns 2-Pin DO-201 Ammo
товар відсутній
BY252Diotec SemiconductorRectifier Diode Switching 400V 3A 1500ns 2-Pin DO-201 Ammo
товар відсутній
BY252 R0Taiwan SemiconductorDiode 400V 3A 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
BY252 R0Taiwan SemiconductorRectifiers 3A,400V,STD.SILASTIC RECTIFIER
товар відсутній
BY252 R0GTaiwan SemiconductorRectifier Diode Switching Si 400V 3A 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
BY252 R0GTaiwan SemiconductorRectifiers 3A,400V,STD.SILASTIC RECTIFIER
товар відсутній
BY252 X0Taiwan SemiconductorRectifiers
товар відсутній
BY252 X0GTaiwan SemiconductorRectifiers
товар відсутній
BY252-CTDiotec SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 400V 3A DO201
Packaging: Strip
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 13600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
425+44.57 грн
850+ 18.34 грн
1700+ 5.93 грн
3400+ 5.51 грн
Мінімальне замовлення: 425
BY252GTaiwan SemiconductorRectifiers 3A, 400V, Standard Recovery Rectifier
товар відсутній
BY252GTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 3A, 400V, STANDARD RECOVERY RECT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товар відсутній
BY252G R0GTaiwan SemiconductorRectifiers 3A 400V Standard Rec overy Rectifier
товар відсутній
BY252G R0GTaiwan SemiconductorRectifier Diode 400V 3A 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
BY252G R0GTaiwan SemiconductorRectifier Diode 400V 3A 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
BY252GP-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товар відсутній
BY252GP-E3/73VishayDiode Switching 400V 3A 2-Pin DO-201AD Ammo
товар відсутній
BY252GP-E3/73Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товар відсутній
BY252GPHE3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товар відсутній
BY252P-E3/54VishayRectifier Diode Switching 400V 3A 3000ns 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
BY252P-E3/54Vishay General SemiconductorRectifiers 3.0 Amp 400 Volt
на замовлення 4247 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+34.46 грн
11+ 28.89 грн
100+ 17.46 грн
500+ 13.66 грн
1400+ 11.04 грн
2800+ 8.63 грн
Мінімальне замовлення: 10
BY252P-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 7485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.09 грн
10+ 28.76 грн
100+ 21.48 грн
500+ 15.84 грн
Мінімальне замовлення: 9
BY252P-E3/54VishayRectifier Diode Switching 400V 3A 3000ns 2-Pin DO-201AD T/R
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1400+12.64 грн
2800+ 11.44 грн
Мінімальне замовлення: 1400
BY252P-E3/54VishayRectifier Diode Switching 400V 3A 3000ns 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
BY252P-E3/54VishayRectifier Diode Switching 400V 3A 3000ns 2-Pin DO-201AD T/R
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1400+12.36 грн
2800+ 11.18 грн
Мінімальне замовлення: 1400
BY252P-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1400+13.94 грн
2800+ 12.29 грн
Мінімальне замовлення: 1400
BY252P-E3/54VishayRectifier Diode Switching 400V 3A 3000ns 2-Pin DO-201AD T/R
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BY252P-E3/73VishayRectifier Diode Switching 400V 3A 3000ns 2-Pin DO-201AD Ammo
товар відсутній
BY253Diotec SemiconductorDiode Switching 600V 3A Automotive 2-Pin DO-201 Ammo
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
129+2.5 грн
Мінімальне замовлення: 129
BY253DC COMPONENTSCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 200A; DO27
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward impulse current: 200A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1.1V
на замовлення 685 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
35+12.85 грн
130+ 2.82 грн
145+ 2.5 грн
370+ 2.26 грн
500+ 2.24 грн
Мінімальне замовлення: 35
BY253Diotec SemiconductorRectifier Diode Switching 600V 3A 1500ns 2-Pin DO-201 Ammo
товар відсутній
BY253DIOTEC SEMICONDUCTORBY253-DIO THT universal diodes
на замовлення 550 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
21+13.84 грн
310+ 3.28 грн
845+ 3.11 грн
Мінімальне замовлення: 21
BY253Diotec Semiconductor AGDescription: Diode, DO-201, 600V, 3A
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 368900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1700+5.49 грн
Мінімальне замовлення: 1700
BY253Diotec SemiconductorRectifier Diode Switching 600V 3A 1500ns 2-Pin DO-201 Ammo
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
117+2.75 грн
Мінімальне замовлення: 117
BY253DC COMPONENTSCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 200A; DO27
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward impulse current: 200A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1.1V
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 685 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
20+15.42 грн
80+ 3.51 грн
100+ 3 грн
370+ 2.71 грн
500+ 2.69 грн
1015+ 2.56 грн
3000+ 2.51 грн
Мінімальне замовлення: 20
BY253Diotec SemiconductorRectifiers Diode, DO-201, 600V, 3A
на замовлення 1694 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+55.39 грн
10+ 31.9 грн
100+ 19.88 грн
500+ 14.49 грн
1000+ 13.87 грн
1700+ 8.76 грн
3400+ 7.45 грн
Мінімальне замовлення: 6
BY253Diotec SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 368900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
425+41.05 грн
850+ 16.89 грн
1700+ 5.46 грн
3400+ 5.07 грн
Мінімальне замовлення: 425
BY253EICDiode 600V 3A 2-Pin DO-201AD
товар відсутній
BY253
Код товару: 189078
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
товар відсутній
BY253 R0Taiwan SemiconductorRectifiers 3A,600V,STD.SILASTIC RECTIFIER
товар відсутній
BY253 R0Taiwan SemiconductorDiode 600V 3A 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
BY253 R0GTaiwan SemiconductorRectifiers 3A,600V,STD.SILASTIC RECTIFIER
товар відсутній
BY253 X0Taiwan SemiconductorRectifiers
товар відсутній
BY253 X0GTaiwan SemiconductorRectifiers
товар відсутній
BY253-CTDiotec SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201
Packaging: Strip
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 382500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
425+41.05 грн
850+ 16.89 грн
1700+ 5.46 грн
3400+ 5.07 грн
Мінімальне замовлення: 425
BY253GTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 3A, 600V, STANDARD RECOVERY RECT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товар відсутній
BY253GTaiwan SemiconductorRectifiers 3A, 600V, Standard Recovery Rectifier
товар відсутній
BY253G A0GTaiwan SemiconductorRectifiers 3A 600V Standard Rec overy Rectifier
товар відсутній
BY253G A0GTaiwan SemiconductorRectifier Diode 600V 3A 2-Pin DO-201AD Ammo
товар відсутній
BY253G R0GTaiwan SemiconductorRectifier Diode 600V 3A 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
BY253G R0GTaiwan SemiconductorRectifiers 3A 600V Standard Rec overy Rectifier
товар відсутній
BY253G R0GTaiwan SemiconductorRectifier Diode 600V 3A 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
BY253GP-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товар відсутній
BY253GP-E3/54VishayRectifier Diode Switching 600V 3A 3000ns 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
BY253GP-E3/73VishayDiode Switching 600V 3A 2-Pin DO-201AD Ammo
товар відсутній
BY253GP-E3/73Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товар відсутній
BY253GPHE3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товар відсутній
BY253P-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1400+12.23 грн
2800+ 10.74 грн
Мінімальне замовлення: 1400
BY253P-E3/54VishayRectifier Diode Switching 600V 3A 3000ns 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
BY253P-E3/54Vishay General SemiconductorRectifiers 3.0 Amp 600 Volt
на замовлення 5563 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+34.46 грн
11+ 28.89 грн
100+ 17.46 грн
500+ 13.66 грн
1400+ 11.11 грн
2800+ 9.32 грн
9800+ 9.11 грн
Мінімальне замовлення: 10
BY253P-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 5411 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.35 грн
12+ 25.95 грн
100+ 19.4 грн
500+ 14.3 грн
Мінімальне замовлення: 10
BY253P-E3/54VishayRectifier Diode Switching 600V 3A 3000ns 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
BY253P-E3/54VishayRectifier Diode Switching 600V 3A 3000ns 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
BY253P-E3/73Vishay General SemiconductorRectifiers 600 Volt 3.0 Amp Glass Passivated
товар відсутній
BY253P-E3/73Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товар відсутній
BY253P-E3/73VishayDiode Switching 600V 3A 2-Pin DO-201AD Ammo
товар відсутній
BY254Diotec SemiconductorRectifier Diode Switching 800V 3A 1500ns 2-Pin DO-201 Ammo
на замовлення 10200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1700+4.76 грн
3400+ 4.71 грн
8500+ 3.54 грн
Мінімальне замовлення: 1700
BY254Diotec ElectronicsRectifier Diode Switching 800V 3A 1500ns 2-Pin DO-201 Ammo
на замовлення 2955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2326+5.15 грн
2455+ 4.87 грн
Мінімальне замовлення: 2326
BY254EICDiode 800V 3A 2-Pin DO-201AD
товар відсутній
BY254DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 100A; DO201; 1.5us
Mounting: THT
Reverse recovery time: 1.5µs
Max. forward impulse current: 100A
Leakage current: 5µA
Kind of package: Ammo Pack
Type of diode: rectifying
Case: DO201
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 20A
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
40+10.84 грн
90+ 4.18 грн
110+ 3.36 грн
305+ 2.77 грн
830+ 2.62 грн
Мінімальне замовлення: 40
BY254Taiwan SemiconductorRectifiers 3A,800V,Std SILASTIC Rect
товар відсутній
BY254MULTICOMPDescription: MULTICOMP - BY254 - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 3 A, Einfach, 840 mV, 150 A
Bauform - Diode: DO-201AD
Durchlassstoßstrom: 150
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 840
Sperrverzögerungszeit: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: BY254
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (07-Jul-2017)
товар відсутній
BY254Diotec SemiconductorRectifier Diode Switching 800V 3A 1500ns 2-Pin DO-201 Ammo
товар відсутній
BY254
Код товару: 187762
DC COMPONENTSДіоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-201AD(DO-27)
Uзвор., V: 800 V
Iвипр., A: 3 A
Опис: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
у наявності 3 шт:
3 шт - склад
1+11 грн
BY254Diotec SemiconductorRectifier Diode Switching 800V 3A 1500ns 2-Pin DO-201 Ammo
товар відсутній
BY254DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 100A; DO201; 1.5us
Mounting: THT
Reverse recovery time: 1.5µs
Max. forward impulse current: 100A
Leakage current: 5µA
Kind of package: Ammo Pack
Type of diode: rectifying
Case: DO201
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 20A
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
25+13.01 грн
55+ 5.21 грн
100+ 4.04 грн
305+ 3.32 грн
830+ 3.14 грн
Мінімальне замовлення: 25
BY254Diotec ElectronicsRectifier Diode Switching 800V 3A 1500ns 2-Pin DO-201 Ammo
на замовлення 10200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2330+5.14 грн
3400+ 5.08 грн
8500+ 3.82 грн
Мінімальне замовлення: 2330
BY254DC COMPONENTSCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 200A; DO27
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 200A
Kind of package: Ammo Pack
Type of diode: rectifying
Case: DO27
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
30+13.72 грн
120+ 3.01 грн
140+ 2.66 грн
370+ 2.28 грн
1010+ 2.16 грн
Мінімальне замовлення: 30
BY254Diotec SemiconductorRectifiers Diode, DO-201, 800V, 3A
на замовлення 1688 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+57.65 грн
10+ 33.25 грн
100+ 20.7 грн
500+ 15.11 грн
1000+ 14.42 грн
1700+ 9.18 грн
3400+ 7.8 грн
Мінімальне замовлення: 6
BY254Diotec SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+16.96 грн
50+ 12.68 грн
100+ 10.93 грн
250+ 7.32 грн
500+ 6.1 грн
1000+ 5.36 грн
Мінімальне замовлення: 25
BY254Diotec SemiconductorRectifier Diode Switching 800V 3A 1500ns 2-Pin DO-201 Ammo
товар відсутній
BY254Diotec SemiconductorRectifier Diode Switching 800V 3A 1500ns 2-Pin DO-201 Ammo
на замовлення 10201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1700+2.49 грн
Мінімальне замовлення: 1700
BY254DC COMPONENTSCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 200A; DO27
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 200A
Kind of package: Ammo Pack
Type of diode: rectifying
Case: DO27
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
20+16.46 грн
75+ 3.75 грн
100+ 3.19 грн
370+ 2.73 грн
1010+ 2.59 грн
Мінімальне замовлення: 20
BY254 R0Taiwan SemiconductorDiode 800V 3A 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
BY254 R0Taiwan SemiconductorRectifiers 3A,800V,STD.SILASTIC RECTIFIER
товар відсутній
BY254 R0GTaiwan SemiconductorRectifiers 3A,800V,STD.SILASTIC RECTIFIER
товар відсутній
BY254 R0GTaiwan SemiconductorRectifier Diode Switching Si 800V 3A 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
BY254 X0Taiwan SemiconductorRectifiers
товар відсутній
BY254 X0GTaiwan SemiconductorRectifiers
товар відсутній
BY254-CTDiotec SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201
Packaging: Strip
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 1425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+18.13 грн
50+ 13.54 грн
100+ 11.67 грн
250+ 7.82 грн
500+ 6.52 грн
1000+ 5.73 грн
Мінімальне замовлення: 25
BY254GTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 3A, 800V, STANDARD RECOVERY RECT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1250+7.11 грн
Мінімальне замовлення: 1250
BY254GTaiwan SemiconductorRectifiers 3A, 800V, Standard Recovery Rectifier
товар відсутній
BY254GTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 3A, 800V, STANDARD RECOVERY RECT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.64 грн
16+ 18.12 грн
100+ 10.87 грн
500+ 9.44 грн
Мінімальне замовлення: 13
BY254G A0GTaiwan SemiconductorRectifier Diode 800V 3A 2-Pin DO-201AD Ammo
товар відсутній
BY254G A0GTaiwan SemiconductorRectifiers 3A, 800V, Standard Recovery Rectifier
товар відсутній
BY254G R0GTaiwan SemiconductorRectifiers 3A 800V Standard Rec overy Rectifier
на замовлення 4806 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
BY254G R0GTaiwan SemiconductorRectifier Diode 800V 3A 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
BY254G R0GTaiwan SemiconductorRectifier Diode 800V 3A 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
BY254GP-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товар відсутній
BY254GP-E3/54VishayRectifier Diode Switching 800V 3A 3000ns 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
BY254GP-E3/73VishayRectifier Diode Switching 800V 3A 3000ns 2-Pin DO-201AD Ammo
товар відсутній
BY254GP-E3/73Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товар відсутній
BY254GPHE3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товар відсутній
BY254P-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 5576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.35 грн
12+ 25.59 грн
100+ 17.84 грн
500+ 13.07 грн
Мінімальне замовлення: 10
BY254P-E3/54VishayRectifier Diode Switching 800V 3A 3000ns 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
BY254P-E3/54Vishay General SemiconductorRectifiers 3.0 Amp 800 Volt
на замовлення 25299 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+34.46 грн
11+ 28.89 грн
100+ 17.46 грн
500+ 13.66 грн
1400+ 11.04 грн
2800+ 8.83 грн
9800+ 8.7 грн
Мінімальне замовлення: 10
BY254P-E3/54VISHAYCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 3A; reel,tape; Ifsm: 150A; DO201AD
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 150A
Kind of package: reel; tape
Type of diode: rectifying
Case: DO201AD
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2468 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
8+37.16 грн
9+ 33.33 грн
10+ 29.33 грн
25+ 27.09 грн
87+ 11.65 грн
237+ 10.96 грн
Мінімальне замовлення: 8
BY254P-E3/54VishayRectifier Diode Switching 800V 3A 3000ns 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
BY254P-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1400+11.75 грн
2800+ 10.12 грн
Мінімальне замовлення: 1400
BY254P-E3/54VishayRectifier Diode Switching 800V 3A 3000ns 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
BY254P-E3/54VISHAYCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 3A; reel,tape; Ifsm: 150A; DO201AD
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 150A
Kind of package: reel; tape
Type of diode: rectifying
Case: DO201AD
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 2468 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+30.97 грн
14+ 26.74 грн
15+ 24.44 грн
25+ 22.57 грн
87+ 9.7 грн
237+ 9.13 грн
Мінімальне замовлення: 13
BY254P-E3/73Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товар відсутній
BY254P-E3/73VishayRectifier Diode Switching 800V 3A 3000ns 2-Pin DO-201AD Ammo
товар відсутній
BY254P-E3/73VishayRectifier Diode Switching 800V 3A 3000ns 2-Pin DO-201AD Ammo
товар відсутній
BY254P-E3/73Vishay General SemiconductorRectifiers 3.0 Amp 800 Volt
товар відсутній
BY255Diotec SemiconductorRectifier Diode Switching 1.3KV 3A 1500ns 2-Pin DO-201 Ammo
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
85+6.99 грн
122+ 4.89 грн
123+ 4.84 грн
Мінімальне замовлення: 85
BY255DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.3kV; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 100A; DO201
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.3kV
Load current: 3A
Max. load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward impulse current: 100A
Case: DO201
Max. forward voltage: 1.1V
Leakage current: 5µA
Reverse recovery time: 1.5µs
на замовлення 31000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
35+11.3 грн
95+ 3.85 грн
120+ 3.08 грн
320+ 2.67 грн
870+ 2.53 грн
Мінімальне замовлення: 35
BY255MIC3A; 1300V; packaging: ammo; BY255 diode rectifying DP BY255
кількість в упаковці: 1250 шт
на замовлення 6360 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1250+2.15 грн
Мінімальне замовлення: 1250
BY255
Код товару: 34884
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-27
Uзвор., V: 1300 V
Iвипр., A: 3 A
у наявності 32 шт:
32 шт - РАДІОМАГ-Київ
2+3 грн
10+ 2.5 грн
Мінімальне замовлення: 2
BY255Diotec ElectronicsRectifier Diode Switching 1.3KV 3A 1500ns 2-Pin DO-201 Ammo
на замовлення 17000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1974+6.06 грн
5100+ 4.62 грн
10200+ 4.32 грн
Мінімальне замовлення: 1974
BY255EICRectifier Diode 1.3KV 3A 2-Pin DO-201AD
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BY255YANGJIE TECHNOLOGYCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.3kV; 3A; tape; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.3kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 200A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1.1V
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
35+11.3 грн
50+ 7.98 грн
100+ 7.12 грн
140+ 6.14 грн
Мінімальне замовлення: 35
BY255Diotec SemiconductorRectifiers Diode, DO-201, 1300V, 3A
на замовлення 2312 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
23+14.25 грн
34+ 9.6 грн
100+ 7.04 грн
1700+ 3.93 грн
8500+ 2.97 грн
23800+ 2.55 грн
49300+ 2.42 грн
Мінімальне замовлення: 23
BY255LGE3A; 1300V; packaging: ammo; BY255 diode rectifying DP BY255 q
кількість в упаковці: 1250 шт
на замовлення 800 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1250+2.15 грн
Мінімальне замовлення: 1250
BY255DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.3kV; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 100A; DO201
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.3kV
Load current: 3A
Max. load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward impulse current: 100A
Case: DO201
Max. forward voltage: 1.1V
Leakage current: 5µA
Reverse recovery time: 1.5µs
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 31000 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
25+13.56 грн
60+ 4.8 грн
100+ 3.69 грн
320+ 3.21 грн
870+ 3.04 грн
Мінімальне замовлення: 25
BY255Diotec SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 1300V 3A DO201
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1300 V
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+27.62 грн
16+ 18.19 грн
100+ 8.85 грн
Мінімальне замовлення: 11
BY255Diotec ElectronicsRectifier Diode Switching 1.3KV 3A 1500ns 2-Pin DO-201 Ammo
на замовлення 10200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1852+6.46 грн
8500+ 3.96 грн
Мінімальне замовлення: 1852
BY255Diotec SemiconductorRectifier Diode Switching 1.3KV 3A 1500ns 2-Pin DO-201 Ammo
товар відсутній
BY255DC COMPONENTSCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.3kV; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 200A; DO27
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.3kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward impulse current: 200A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1.1V
товар відсутній
BY255YANGJIE TECHNOLOGYCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.3kV; 3A; tape; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.3kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 200A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1.1V
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 305 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
25+13.56 грн
30+ 9.94 грн
100+ 8.54 грн
140+ 7.36 грн
380+ 6.96 грн
Мінімальне замовлення: 25
BY255Diotec ElectronicsRectifier Diode Switching 1.3KV 3A 1500ns 2-Pin DO-201 Ammo
на замовлення 31500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2412+4.96 грн
2547+ 4.7 грн
Мінімальне замовлення: 2412
BY255LUGUANG ELECTRONICCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.3kV; 3A; Ifsm: 150A; DO201AD; Ufmax: 1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.3kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 150A
Case: DO201AD
Max. forward voltage: 1V
Leakage current: 5µA
товар відсутній
BY255LGE3A; 1300V; packaging: ammo; BY255 diode rectifying DP BY255 q
кількість в упаковці: 1250 шт
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1250+2.15 грн
Мінімальне замовлення: 1250
BY255DC COMPONENTSCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.3kV; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 200A; DO27
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.3kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward impulse current: 200A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1.1V
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
BY255Diotec SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 1300V 3A DO201
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 1300
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1300 V
товар відсутній
BY255Diotec SemiconductorRectifier Diode Switching 1.3KV 3A 1500ns 2-Pin DO-201 Ammo
на замовлення 10200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1700+5.1 грн
3400+ 4.5 грн
5100+ 4.18 грн
8500+ 3.01 грн
Мінімальне замовлення: 1700
BY255EICRectifier Diode 1.3KV 3A 2-Pin DO-201AD
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1412+8.48 грн
Мінімальне замовлення: 1412
BY255Taiwan SemiconductorRectifiers 3A,1300V,STD.SILASTIC RECTIFIER
товар відсутній
BY255Diotec SemiconductorRectifier Diode Switching 1.3KV 3A 1500ns 2-Pin DO-201 Ammo
на замовлення 10525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1700+2.57 грн
Мінімальне замовлення: 1700
BY255LUGUANG ELECTRONICCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.3kV; 3A; Ifsm: 150A; DO201AD; Ufmax: 1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.3kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 150A
Case: DO201AD
Max. forward voltage: 1V
Leakage current: 5µA
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BY255 R0Taiwan SemiconductorRectifiers 3A,1300V,STD.SILASTIC RECTIFIER
товар відсутній
BY255 R0Taiwan SemiconductorDiode 1.3KV 3A 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
BY255 X0Taiwan SemiconductorRectifiers
товар відсутній
BY255 X0GTaiwan SemiconductorRectifiers
товар відсутній
BY255-AQDiotec SemiconductorBY255-AQ
товар відсутній
BY255-AQDiotec SemiconductorRectifiers Diode, DO-201, 1300V, 3A, AEC-Q101
товар відсутній
BY255-AQDiotec SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 1.3KV 3A DO201
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1.3 V
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+40.7 грн
Мінімальне замовлення: 25
BY255-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.3kV; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 100A; DO201
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.3kV
Load current: 3A
Max. load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward impulse current: 100A
Case: DO201
Max. forward voltage: 1.1V
Leakage current: 5µA
Reverse recovery time: 1.5µs
товар відсутній
BY255-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.3kV; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 100A; DO201
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.3kV
Load current: 3A
Max. load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward impulse current: 100A
Case: DO201
Max. forward voltage: 1.1V
Leakage current: 5µA
Reverse recovery time: 1.5µs
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
BY255-AQDiotec SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 1300V 3A DO201
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1300 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
BY255-AQDiotec SemiconductorRectifier Diode Switching 1.3KV 3A 1500ns Automotive AEC-Q101 2-Pin DO-201 Ammo
товар відсутній
BY255-AQ-CTDiotec SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 1.3KV 3A DO201
Packaging: Strip
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1.3 V
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.3
товар відсутній
BY255-CTDiotec SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 1.3KV 3A DO201
Packaging: Strip
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1.3 V
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.3
товар відсутній
BY255GYangjie TechnologyDescription: DO-201AD 1300V 3.0A Diodes Rec
Packaging: Tape & Box (TB)
Part Status: Active
на замовлення 125000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1250+8.36 грн
6250+ 7.62 грн
12500+ 7.12 грн
25000+ 6.27 грн
50000+ 5.67 грн
125000+ 5.26 грн
Мінімальне замовлення: 1250
BY255GYangjie Electronic TechnologyGeneral Purpose Rectifier
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1729+6.92 грн
Мінімальне замовлення: 1729
BY255GPVishay SemiconductorsRectifiers 3A,1300V, STD SUPERECT,DO-201AD
товар відсутній
BY255GP-7000HE3/54Vishay SemiconductorsVishay
товар відсутній
BY255GP-E3Vishay SemiconductorsRectifiers 3A,1300V, STD SUPERECT,DO-201AD
товар відсутній
BY255GP-E3/1Vishay SemiconductorsRectifiers 1300 Volt 3.0 Amp Glass Passivated
товар відсутній
BY255GP-E3/23Vishay SemiconductorsRectifiers RECOMMENDED ALT 625-BY255GP-E3
товар відсутній
BY255GP-E3/4Vishay SemiconductorsRectifiers 3.0 Amp 1300 Volt
товар відсутній
BY255GP-E3/51Vishay SemiconductorsRectifiers 3.0 Amp 1300 Volt
товар відсутній
BY255GP-E3/54VishayDiode Switching 1.3KV 3A 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
BY255GP-E3/54VishayRectifier Diode Switching 1.3KV 3A 3000ns 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
BY255GP-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 1.3KV 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1300 V
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 1300
товар відсутній
BY255GP-E3/54Vishay SemiconductorsRectifiers 3.0 Amp 1300 Volt
товар відсутній
BY255GP-E3/73Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 1.3KV 3A DO201AD
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1300 V
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 1300
товар відсутній
BY255GP-E3/73Vishay SemiconductorsRectifiers 3.0 Amp 1300 Volt
товар відсутній
BY255GP/1Vishay SemiconductorsRectifiers 1300 Volt 3.0 Amp Glass Passivated
товар відсутній
BY255GP/23Vishay SemiconductorsRectifiers RECOMMENDED ALT 625-BY255GP-E3
товар відсутній
BY255GP/4Vishay SemiconductorsRectifiers 3.0 Amp 1300 Volt
товар відсутній
BY255GP/54Vishay SemiconductorsRectifiers 3.0 Amp 1300 Volt
товар відсутній
BY255GPHE3Vishay SemiconductorsRectifiers 3A,1300V, STD SUPERECT,DO-201AD
товар відсутній
BY255GPHE3/54Vishay SemiconductorsRectifiers 1300 Volt 3.0 Amp Glass Passivated
товар відсутній
BY255GPHE3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 1.3KV 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1300 V
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 1300
товар відсутній
BY255GPHE3/54VishayRectifier Diode Switching 1.3KV 3A 3000ns Automotive 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
BY255GPHE3/73Vishay SemiconductorsRectifiers 1300 Volt 3.0 Amp Glass Passivated
товар відсутній
BY255GPHE3/73Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 1.3KV 3A DO201AD
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1300 V
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 1300
товар відсутній
BY255GPHE3/73VishayRectifier Diode Switching 1.3KV 3A 3000ns Automotive 2-Pin DO-201AD Ammo
товар відсутній
BY255P
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BY255P-E3/54VishayRectifier Diode Switching 1.3KV 3A 3000ns 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
BY255P-E3/54VISHAYCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.3kV; 3A; reel,tape; Ifsm: 150A; DO201AD
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.3kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 150A
Case: DO201AD
Max. forward voltage: 1.1V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3347 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
10+27.5 грн
11+ 24.15 грн
25+ 22.26 грн
98+ 10.35 грн
269+ 9.83 грн
Мінімальне замовлення: 10
BY255P-E3/54VishayRectifier Diode Switching 1.3KV 3A 3000ns 2-Pin DO-201AD T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
791+15.13 грн
821+ 14.58 грн
1000+ 14.11 грн
Мінімальне замовлення: 791
BY255P-E3/54Vishay General SemiconductorRectifiers 3.0 Amp 1300 Volt
на замовлення 8989 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.93 грн
13+ 26.43 грн
100+ 17.46 грн
500+ 13.66 грн
1400+ 10.08 грн
2800+ 9.52 грн
Мінімальне замовлення: 10
BY255P-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 1.3KV 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1300 V
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 1300
на замовлення 11200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1400+12.07 грн
2800+ 10.39 грн
7000+ 9.86 грн
9800+ 8.59 грн
Мінімальне замовлення: 1400
BY255P-E3/54VishayRectifier Diode Switching 1.3KV 3A 3000ns 2-Pin DO-201AD T/R
на замовлення 1218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+14.66 грн
44+ 13.51 грн
100+ 12.05 грн
250+ 10.99 грн
500+ 9.75 грн
1000+ 8.1 грн
Мінімальне замовлення: 41
BY255P-E3/54VishayRectifier Diode Switching 1.3KV 3A 3000ns 2-Pin DO-201AD T/R
на замовлення 22536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+7.28 грн
Мінімальне замовлення: 45
BY255P-E3/54VISHAYCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.3kV; 3A; reel,tape; Ifsm: 150A; DO201AD
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.3kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 150A
Case: DO201AD
Max. forward voltage: 1.1V
на замовлення 3347 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+25.55 грн
17+ 22.07 грн
18+ 20.13 грн
25+ 18.55 грн
98+ 8.63 грн
269+ 8.2 грн
Мінімальне замовлення: 16
BY255P-E3/54VishayRectifier Diode Switching 1.3KV 3A 3000ns 2-Pin DO-201AD T/R
на замовлення 22536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+29.93 грн
25+ 23.72 грн
26+ 23.28 грн
50+ 21.99 грн
100+ 12.22 грн
Мінімальне замовлення: 20
BY255P-E3/54VishayRectifier Diode Switching 1.3KV 3A 3000ns 2-Pin DO-201AD T/R
на замовлення 22512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
489+24.48 грн
815+ 14.69 грн
Мінімальне замовлення: 489
BY255P-E3/54VishayRectifier Diode Switching 1.3KV 3A 3000ns 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
BY255P-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 1.3KV 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 1300
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1300 V
на замовлення 12292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.1 грн
11+ 26.31 грн
100+ 18.32 грн
500+ 13.42 грн
Мінімальне замовлення: 10
BY255P-E3/54VISHAYDescription: VISHAY - BY255P-E3/54 - Diode mit Standard-Erholzeit, 1.3 kV, 3 A, Einfach, 1.1 V, 3 µs, 150 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-201AD
Durchlassstoßstrom: 150A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: 3µs
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.3kV
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BY255
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 10052 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+37.24 грн
27+ 29.73 грн
100+ 19.74 грн
500+ 15.02 грн
1000+ 10.42 грн
5000+ 9.42 грн
Мінімальне замовлення: 21
BY255P-E3/54VishayRectifier Diode Switching 1.3KV 3A 3000ns 2-Pin DO-201AD T/R
на замовлення 1218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
823+14.55 грн
890+ 13.46 грн
904+ 13.25 грн
978+ 11.81 грн
1177+ 9.08 грн
Мінімальне замовлення: 823
BY255P-E3/73Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 1.3KV 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1300 V
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 1300
на замовлення 942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.83 грн
10+ 29.19 грн
100+ 20.29 грн
500+ 14.87 грн
Мінімальне замовлення: 9
BY255P-E3/73VishayDiode Switching 1.3KV 3A 2-Pin DO-201AD Ammo
товар відсутній
BY255P-E3/73Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 1.3KV 3A DO201AD
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1300 V
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 1300
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+10.03 грн
Мінімальне замовлення: 1000
BY255P-E3/73VishayRectifier Diode Switching 1.3KV 3A 3000ns 2-Pin DO-201AD Ammo
товар відсутній
BY255P-E3/73Vishay General SemiconductorRectifiers 3.0 Amp 1300 Volt
на замовлення 1792 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+38.16 грн
10+ 32.06 грн
100+ 19.39 грн
500+ 15.11 грн
1000+ 12.28 грн
2000+ 11.8 грн
Мінімальне замовлення: 9
BY25Q128ASFIG(T)BYTe SemiconductorDescription: 128 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -
Packaging: Tube
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 128Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 16-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 16M x 8
товар відсутній
BY25Q128ASSIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 128 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 128Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 16M x 8
товар відсутній
BY25Q128ASSIG(T)BYTe SemiconductorDescription: 128 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 128Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 16M x 8
товар відсутній
BY25Q128ASSJG(R)BYTe SemiconductorDescription: 128 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 128Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 16M x 8
товар відсутній
BY25Q128ASSJG(T)BYTe SemiconductorDescription: 128 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 128Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 16M x 8
товар відсутній
BY25Q128ASWIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 128 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 128Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (5x6)
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 16M x 8
товар відсутній
BY25Q128ESSIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 128 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 128Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 120 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 60µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 7.5 ns
Memory Organization: 16M x 8
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+50.59 грн
Мінімальне замовлення: 2000
BY25Q128ESSIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 128 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 128Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 120 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 60µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 7.5 ns
Memory Organization: 16M x 8
на замовлення 3988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.43 грн
10+ 60.67 грн
25+ 59.87 грн
50+ 55.85 грн
100+ 49.94 грн
250+ 49.52 грн
500+ 47.99 грн
1000+ 46.27 грн
Мінімальне замовлення: 5
BY25Q128ESSIG(T)BYTe SemiconductorDescription: 128 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 128Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 120 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 60µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 7.5 ns
Memory Organization: 16M x 8
на замовлення 9500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+100.04 грн
10+ 85.91 грн
95+ 66.99 грн
285+ 58.76 грн
570+ 51.93 грн
1045+ 41 грн
2565+ 37.64 грн
5035+ 35.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
BY25Q128ESWIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 128 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 128Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 120 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (5x6)
Write Cycle Time - Word, Page: 60µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 7.5 ns
Memory Organization: 16M x 8
товар відсутній
BY25Q128ESWIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 128 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 128Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 120 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (5x6)
Write Cycle Time - Word, Page: 60µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 7.5 ns
Memory Organization: 16M x 8
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.74 грн
10+ 94.39 грн
25+ 89.6 грн
100+ 69.07 грн
250+ 64.56 грн
500+ 57.05 грн
1000+ 44.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
BY25Q16AWSIG(T)BYTe SemiconductorDescription: 16 MBIT, WIDE VCC (1.7V TO 3.6V)
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 100 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 12 ns
Memory Organization: 2M x 8
на замовлення 9500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+38.82 грн
10+ 32.13 грн
95+ 23.98 грн
285+ 20.9 грн
570+ 17.68 грн
1045+ 13.67 грн
2565+ 12.26 грн
5035+ 11.46 грн
Мінімальне замовлення: 8
BY25Q16AWTIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 16 MBIT, WIDE VCC (1.7V TO 3.6V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 100 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 3ms, 3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 12 ns
Memory Organization: 2M x 8
на замовлення 3975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+17.11 грн
25+ 15.87 грн
50+ 14.82 грн
100+ 13.16 грн
250+ 12.99 грн
500+ 12.59 грн
1000+ 12.25 грн
Мінімальне замовлення: 17
BY25Q16AWTIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 16 MBIT, WIDE VCC (1.7V TO 3.6V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 100 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 3ms, 3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 12 ns
Memory Organization: 2M x 8
товар відсутній
BY25Q16AWTIG(T)BYTe SemiconductorDescription: 16 MBIT, WIDE VCC (1.7V TO 3.6V)
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 100 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 12 ns
Memory Organization: 2M x 8
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+34.34 грн
11+ 28.18 грн
25+ 26.34 грн
100+ 19.78 грн
300+ 18.36 грн
500+ 15.54 грн
1000+ 11.81 грн
2500+ 10.77 грн
5000+ 10.07 грн
Мінімальне замовлення: 9
BY25Q16AWXIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 16 MBIT, WIDE VCC (1.7V TO 3.6V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 100 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-USON (2x3)
Write Cycle Time - Word, Page: 3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 12 ns
Memory Organization: 2M x 8
товар відсутній
BY25Q16BLMIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 16 MBIT, 1.8V (1.65V TO 2.0V), -
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 2V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-USON (2x3)
Write Cycle Time - Word, Page: 3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 8 ns
Memory Organization: 2M x 8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.1 грн
6000+ 12.7 грн
15000+ 11.83 грн
30000+ 10.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BY25Q16BLMIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 16 MBIT, 1.8V (1.65V TO 2.0V), -
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 2V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-USON (2x3)
Write Cycle Time - Word, Page: 3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 8 ns
Memory Organization: 2M x 8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.57 грн
10+ 32.85 грн
25+ 30.65 грн
100+ 23.02 грн
250+ 21.37 грн
500+ 18.08 грн
1000+ 13.75 грн
Мінімальне замовлення: 8
BY25Q16BLSIG(T)BYTe SemiconductorDescription: 16 MBIT, 1.8V (1.65V TO 2.0V), -
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 2V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 8 ns
Memory Organization: 2M x 8
товар відсутній
BY25Q16BLTIG(T)BYTe SemiconductorDescription: 16 MBIT, 1.8V (1.65V TO 2.0V), -
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 2V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 8 ns
Memory Organization: 2M x 8
товар відсутній
BY25Q16BSMIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 16 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-USON (2x3)
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 2M x 8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+21.35 грн
25+ 19.78 грн
50+ 18.47 грн
100+ 16.41 грн
250+ 16.2 грн
500+ 15.69 грн
1000+ 15.27 грн
Мінімальне замовлення: 14
BY25Q16BSMIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 16 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-USON (2x3)
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 2M x 8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.3 грн
6000+ 14.87 грн
15000+ 14.61 грн
30000+ 13.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BY25Q16BSSIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 16 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 2M x 8
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.55 грн
10+ 35.15 грн
25+ 32.78 грн
100+ 24.62 грн
250+ 22.87 грн
500+ 19.35 грн
1000+ 14.71 грн
Мінімальне замовлення: 8
BY25Q16BSSIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 16 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 2M x 8
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+15.08 грн
Мінімальне замовлення: 2000
BY25Q16BSSIG(T)BYTe SemiconductorDescription: 16 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 2M x 8
на замовлення 9500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.55 грн
10+ 35.15 грн
95+ 26.24 грн
285+ 22.87 грн
570+ 19.35 грн
1045+ 14.95 грн
2565+ 13.41 грн
5035+ 12.54 грн
Мінімальне замовлення: 8
BY25Q16BSSJG(R)BYTe SemiconductorDescription: 16 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 60µs, 4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 2M x 8
товар відсутній
BY25Q16BSSJG(T)BYTe SemiconductorDescription: 16 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 60µs, 4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 2M x 8
товар відсутній
BY25Q16BSTIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 16 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 2M x 8
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.57 грн
10+ 33.07 грн
25+ 30.83 грн
100+ 23.15 грн
250+ 21.5 грн
500+ 18.19 грн
1000+ 13.83 грн
Мінімальне замовлення: 8
BY25Q16BSTIG(R)BOYAMICROFLASH 16MBIT 133MHZ SOIC-8
на замовлення 1593 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
BY25Q16BSTIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 16 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 2M x 8
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+14.18 грн
Мінімальне замовлення: 4000
BY25Q16BSTIG(T)BYTe SemiconductorDescription: 16 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 2M x 8
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.57 грн
10+ 33.07 грн
25+ 30.83 грн
100+ 23.15 грн
300+ 21.5 грн
500+ 18.19 грн
1000+ 13.83 грн
2500+ 12.61 грн
5000+ 11.79 грн
Мінімальне замовлення: 8
BY25Q16BSTJG(R)BYTe SemiconductorDescription: 16 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 60µs, 4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 2M x 8
товар відсутній
BY25Q16BSTJG(T)BYTe SemiconductorDescription: 16 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 60µs, 4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 2M x 8
товар відсутній
BY25Q16BSUJG(R)BYTe SemiconductorDescription: 16 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-USON (2x3)
Write Cycle Time - Word, Page: 60µs, 4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 2M x 8
товар відсутній
BY25Q16ESMIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 16 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 8-USON (2x3)
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 2M x 8
товар відсутній
BY25Q16ESSIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 16 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 2M x 8
на замовлення 11995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+38.07 грн
10+ 31.77 грн
25+ 29.62 грн
100+ 22.24 грн
250+ 20.65 грн
500+ 17.47 грн
1000+ 13.28 грн
Мінімальне замовлення: 8
BY25Q16ESSIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 16 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 2M x 8
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+13.62 грн
6000+ 12.27 грн
10000+ 11.43 грн
Мінімальне замовлення: 2000
BY25Q16ESSIG(T)BYTe SemiconductorDescription: 16 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 2M x 8
на замовлення 19000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+38.07 грн
10+ 31.77 грн
95+ 23.7 грн
285+ 20.65 грн
570+ 17.47 грн
1045+ 13.5 грн
2565+ 12.11 грн
5035+ 11.33 грн
Мінімальне замовлення: 8
BY25Q16ESTIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 16 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 2M x 8
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+37.33 грн
10+ 30.41 грн
25+ 28.38 грн
100+ 21.3 грн
250+ 19.78 грн
500+ 16.74 грн
1000+ 12.72 грн
Мінімальне замовлення: 8
BY25Q16ESTIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 16 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 2M x 8
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+13.05 грн
8000+ 11.76 грн
12000+ 10.94 грн
Мінімальне замовлення: 4000
BY25Q16ESTIG(T)BYTe SemiconductorDescription: 16 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 2M x 8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+37.33 грн
10+ 30.41 грн
25+ 28.38 грн
100+ 21.3 грн
300+ 19.78 грн
500+ 16.74 грн
1000+ 12.72 грн
2500+ 11.6 грн
5000+ 10.85 грн
Мінімальне замовлення: 8
BY25Q16ESTJG(T)BYTe SemiconductorDescription: 16 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 8-SOP
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 2M x 8
товар відсутній
BY25Q16ESUJG(R)BYTe SemiconductorDescription: 16 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 8-USON (2x3)
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 2M x 8
товар відсутній
BY25Q20AWTIG(T)BYTe SemiconductorDescription: 2 MBIT, WIDE VCC (1.7V TO 3.6V),
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 85 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 6 ns
Memory Organization: 256K x 8
товар відсутній
BY25Q20AWUIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 2MBIT, WIDE VCC (1.7V TO 3.6V),
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 85 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-USON (2x3)
Write Cycle Time - Word, Page: 3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 6 ns
Memory Organization: 256K x 8
товар відсутній
BY25Q20AWUIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 2MBIT, WIDE VCC (1.7V TO 3.6V),
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 85 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-USON (2x3)
Write Cycle Time - Word, Page: 3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 6 ns
Memory Organization: 256K x 8
товар відсутній
BY25Q20BLAIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 2 MBIT, 1.8V (1.65V TO 2.0V), -4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 2V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 85 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 6-USON (1.2x1.2)
Write Cycle Time - Word, Page: 3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 6 ns
Memory Organization: 256K x 8
товар відсутній
BY25Q20BLRIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 2 MBIT, 1.8V (1.65V TO 2.0V), -4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 2V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 85 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 6-USON (1.2x1.2)
Write Cycle Time - Word, Page: 3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 6 ns
Memory Organization: 256K x 8
товар відсутній
BY25Q20BLRIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 2 MBIT, 1.8V (1.65V TO 2.0V), -4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 2V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 85 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 6-USON (1.2x1.2)
Write Cycle Time - Word, Page: 3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 6 ns
Memory Organization: 256K x 8
товар відсутній
BY25Q20BLYIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 2 MBIT, 1.8V (1.65V TO 2.0V), -4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 2V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 85 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-USON (1.5x1.5)
Write Cycle Time - Word, Page: 3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 6 ns
Memory Organization: 256K x 8
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+7.39 грн
10000+ 6.66 грн
25000+ 6.1 грн
50000+ 5.51 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BY25Q20BLYIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 2 MBIT, 1.8V (1.65V TO 2.0V), -4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 2V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 85 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-USON (1.5x1.5)
Write Cycle Time - Word, Page: 3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 6 ns
Memory Organization: 256K x 8
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+27.62 грн
14+ 21.64 грн
25+ 19.73 грн
100+ 13.78 грн
250+ 12.49 грн
500+ 10.34 грн
1000+ 7.63 грн
2500+ 6.99 грн
Мінімальне замовлення: 11
BY25Q20BLZIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 2 MBIT, 1.8V (1.65V TO 2.0V), -4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 2V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 85 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 6-USON (1.2x0.85)
Write Cycle Time - Word, Page: 3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 6 ns
Memory Organization: 256K x 8
товар відсутній
BY25Q256FSEIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 256 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 100 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (8x6)
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 32M x 8
товар відсутній
BY25Q256FSEIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 256 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 100 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (8x6)
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 32M x 8
товар відсутній
BY25Q256FSFIG(T)BYTe SemiconductorDescription: 256 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -
Packaging: Tube
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 100 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 16-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 32M x 8
товар відсутній
BY25Q256FSSIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 256 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 100 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 32M x 8
товар відсутній
BY25Q256FSSIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 256 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 100 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 32M x 8
товар відсутній
BY25Q256FSSIG(T)BYTe SemiconductorDescription: 256 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 100 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 32M x 8
на замовлення 9500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+199.32 грн
10+ 172.17 грн
95+ 141.05 грн
285+ 125.58 грн
570+ 112.68 грн
1045+ 95.03 грн
2565+ 88.8 грн
5035+ 85.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
BY25Q256FSWIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 256 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 100 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (5x6)
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 32M x 8
товар відсутній
BY25Q256FSWIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 256 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 100 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (5x6)
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 32M x 8
товар відсутній
BY25Q32BSHIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 32 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-USON (4x3)
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 4M x 8
товар відсутній
BY25Q32BSHJG(R)BYTe SemiconductorDescription: 32 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-USON (4x3)
Write Cycle Time - Word, Page: 60µs, 4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 4M x 8
товар відсутній
BY25Q32BSSIGBOYAMICRO32Mb-FLASH Memory IC; x8-bit; 2,7~3,6V; 108MHz; Quad SPI; -40?85°C; Replacement for: W25Q32BVSSIG; W25Q32FVSSIG, W25Q32JVSSIQ, GD25Q32BSIG, EN25Q32B-104HIP BY25Q32BSSIG PEF25q32bssig BY
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+35.41 грн
Мінімальне замовлення: 20
BY25Q32BSSIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 32 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 4M x 8
товар відсутній
BY25Q32BSSIG(T)BYTe SemiconductorDescription: 32 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 4M x 8
товар відсутній
BY25Q32BSTIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 32 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 4M x 8
товар відсутній
BY25Q32BSTIG(T)BYTe SemiconductorDescription: 32 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 4M x 8
товар відсутній
BY25Q32BSTJG(R)BYTe SemiconductorDescription: 32 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 60µs, 4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 4M x 8
товар відсутній
BY25Q32BSTJG(T)BYTe SemiconductorDescription: 32 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 60µs, 4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 4M x 8
товар відсутній
BY25Q32BSWIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 32 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (5x6)
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 4M x 8
товар відсутній
BY25Q32CSHJG(R)BYTe SemiconductorDescription: 32 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-USON (4x3)
Write Cycle Time - Word, Page: 60µs, 4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 4M x 8
товар відсутній
BY25Q32CSKIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 32 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-USON (2x3)
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 4M x 8
товар відсутній
BY25Q32CSKJG(R)BYTe SemiconductorDescription: 32 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-USON (2x3)
Write Cycle Time - Word, Page: 60µs, 4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 4M x 8
товар відсутній
BY25Q32CSSIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 32 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 4M x 8
товар відсутній
BY25Q32CSSIG(T)BYTe SemiconductorDescription: 32 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 4M x 8
товар відсутній
BY25Q32CSTIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 32 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 4M x 8
товар відсутній
BY25Q32CSTIG(T)BYTe SemiconductorDescription: 32 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 4M x 8
товар відсутній
BY25Q32CSTJG(R)BYTe SemiconductorDescription: 32 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 60µs, 4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 4M x 8
товар відсутній
BY25Q32CSTJG(T)BYTe SemiconductorDescription: 32 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 60µs, 4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 4M x 8
товар відсутній
BY25Q32CSWIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 32 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (5x6)
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 4M x 8
товар відсутній
BY25Q32ESHIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 32 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 120 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-USON (4x3)
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 11.5 ns
Memory Organization: 4M x 8
товар відсутній
BY25Q32ESSIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 32 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 120 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 11.5 ns
Memory Organization: 4M x 8
на замовлення 3818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+22.72 грн
25+ 21.08 грн
50+ 19.69 грн
100+ 17.47 грн
250+ 17.25 грн
500+ 16.71 грн
1000+ 16.27 грн
Мінімальне замовлення: 13
BY25Q32ESSIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 32 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 120 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 11.5 ns
Memory Organization: 4M x 8
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+17.9 грн
Мінімальне замовлення: 2000
BY25Q32ESSIG(T)BYTe SemiconductorDescription: 32 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 120 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 11.5 ns
Memory Organization: 4M x 8
на замовлення 9485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+22.72 грн
25+ 21.08 грн
95+ 17.48 грн
285+ 17.25 грн
570+ 16.99 грн
1045+ 16.27 грн
5035+ 14.62 грн
Мінімальне замовлення: 13
BY25Q32ESTIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 32 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 120 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 11.5 ns
Memory Organization: 4M x 8
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+16 грн
Мінімальне замовлення: 4000
BY25Q32ESTIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 32 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 120 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 11.5 ns
Memory Organization: 4M x 8
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.54 грн
10+ 37.31 грн
25+ 34.79 грн
100+ 26.13 грн
250+ 24.26 грн
500+ 20.53 грн
1000+ 15.6 грн
Мінімальне замовлення: 7
BY25Q32ESTIG(T)BYTe SemiconductorDescription: 32 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 120 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 11.5 ns
Memory Organization: 4M x 8
на замовлення 9960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+22.64 грн
25+ 20.96 грн
50+ 19.58 грн
100+ 17.39 грн
300+ 17.17 грн
500+ 16.63 грн
1000+ 16.19 грн
5000+ 14.55 грн
Мінімальне замовлення: 13
BY25Q32ESWIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 32 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 120 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (5x6)
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 11.5 ns
Memory Organization: 4M x 8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.74 грн
10+ 48.17 грн
25+ 45.32 грн
100+ 34.7 грн
250+ 32.23 грн
500+ 27.43 грн
1000+ 21.58 грн
Мінімальне замовлення: 6
BY25Q32ESWIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 32 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 120 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (5x6)
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 11.5 ns
Memory Organization: 4M x 8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BY25Q40AWOIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 4 MBIT, WIDE VCC (1.7V TO 3.6V),
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 85 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Write Cycle Time - Word, Page: 3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 17 ns
Memory Organization: 512K x 8
товар відсутній
BY25Q40AWTIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 4 MBIT, WIDE VCC (1.7V TO 3.6V),
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 85 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 17 ns
Memory Organization: 512K x 8
товар відсутній
BY25Q40AWTIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 4 MBIT, WIDE VCC (1.7V TO 3.6V),
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 85 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 17 ns
Memory Organization: 512K x 8
товар відсутній
BY25Q40AWTIG(T)BYTe SemiconductorDescription: 4 MBIT, WIDE VCC (1.7V TO 3.6V),
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 85 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 17 ns
Memory Organization: 512K x 8
товар відсутній
BY25Q40BLSIG(T)BYTe SemiconductorDescription: 4 MBIT, 1.8V (1.65V TO 2.0V), -4
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 2V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 50 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 17 ns
Memory Organization: 512K x 8
товар відсутній
BY25Q40BLUIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 4 MBIT, 1.8V (1.65V TO 2.0V), -4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 2V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 50 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-USON (2x3)
Write Cycle Time - Word, Page: 3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 17 ns
Memory Organization: 512K x 8
товар відсутній
BY25Q40BLUIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 4 MBIT, 1.8V (1.65V TO 2.0V), -4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 2V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 50 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-USON (2x3)
Write Cycle Time - Word, Page: 3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 17 ns
Memory Organization: 512K x 8
товар відсутній
BY25Q40BSMIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 4 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -40
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-USON (2x3)
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 512K x 8
товар відсутній
BY25Q40BSMIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 4 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -40
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-USON (2x3)
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 512K x 8
товар відсутній
BY25Q40BSSIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 4 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -40
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 512K x 8
товар відсутній
BY25Q40BSSIG(T)BYTe SemiconductorDescription: 4 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -40
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 512K x 8
товар відсутній
BY25Q40BSTIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 4 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -40
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 512K x 8
товар відсутній
BY25Q40BSTIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 4 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -40
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 512K x 8
товар відсутній
BY25Q40BSTIG(T)BYTe SemiconductorDescription: 4 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -40
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 512K x 8
товар відсутній
BY25Q40BSTJG(R)BYTe SemiconductorDescription: 4 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -40
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 60µs, 4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 512K x 8
товар відсутній
BY25Q40BSTJG(T)BYTe SemiconductorDescription: 4 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -40
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 60µs, 4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 512K x 8
товар відсутній
BY25Q40GLSIG(T)BYTe SemiconductorDescription: 4 MBIT, 1.8V (1.65V TO 2.0V), -4
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 2V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 50 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 3ms, 3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 17 ns
Memory Organization: 512K x 8
товар відсутній
BY25Q40GLUIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 4 MBIT, 1.8V (1.65V TO 2.0V), -4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 2V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 50 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-USON (2x3)
Write Cycle Time - Word, Page: 3ms, 3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 17 ns
Memory Organization: 512K x 8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.1 грн
12+ 25.38 грн
25+ 23.21 грн
100+ 16.21 грн
250+ 14.68 грн
500+ 12.15 грн
1000+ 8.96 грн
Мінімальне замовлення: 10
BY25Q40GLUIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 4 MBIT, 1.8V (1.65V TO 2.0V), -4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 2V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 50 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-USON (2x3)
Write Cycle Time - Word, Page: 3ms, 3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 17 ns
Memory Organization: 512K x 8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.24 грн
6000+ 8.36 грн
15000+ 7.82 грн
30000+ 6.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BY25Q40GWSIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 4 MBIT, WIDE VCC (1.7V TO 3.6V),
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 100 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 17 ns
Memory Organization: 512K x 8
товар відсутній
BY25Q40GWSIG(T)BYTe SemiconductorDescription: 4 MBIT, WIDE VCC (1.7V TO 3.6V),
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 85 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 17 ns
Memory Organization: 512K x 8
товар відсутній
BY25Q40GWTIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 4 MBIT, WIDE VCC (1.7V TO 3.6V),
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 100 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 17 ns
Memory Organization: 512K x 8
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+7.16 грн
Мінімальне замовлення: 4000
BY25Q40GWTIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 4 MBIT, WIDE VCC (1.7V TO 3.6V),
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 100 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 17 ns
Memory Organization: 512K x 8
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+25.38 грн
15+ 19.63 грн
25+ 17.97 грн
100+ 12.54 грн
250+ 11.37 грн
500+ 9.41 грн
1000+ 6.94 грн
Мінімальне замовлення: 12
BY25Q40GWTIG(T)BYTe SemiconductorDescription: 4 MBIT, WIDE VCC (1.7V TO 3.6V),
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 100 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 17 ns
Memory Organization: 512K x 8
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+25.38 грн
15+ 19.63 грн
25+ 17.97 грн
100+ 12.54 грн
300+ 11.37 грн
500+ 9.41 грн
1000+ 6.94 грн
2500+ 6.36 грн
5000+ 5.98 грн
Мінімальне замовлення: 12
BY25Q40GWUIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 4MBIT, WIDE VCC (1.7V TO 3.6V),
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 85 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-USON (2x3)
Write Cycle Time - Word, Page: 3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 17 ns
Memory Organization: 512K x 8
товар відсутній
BY25Q64ASHIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 64 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-USON (4x3)
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 8M x 8
товар відсутній
BY25Q64ASSIGBOYAMICRO64Mb-FLASH Memory IC; x8-bit; 2,7~3,6V; 120MHz; Quad SPI; -40?85°C; Replacement for: W25Q64CVSSIG, W25Q64FVSSIG, W25Q64JVSSIQ, GD25Q64BSIG, EN25Q64-104HIP BY25Q64ASSIG PEF25q64assig BY
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+35.41 грн
Мінімальне замовлення: 20
BY25Q64ASSIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 64 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 8M x 8
товар відсутній
BY25Q64ASSIG(T)BYTe SemiconductorDescription: 64 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 8M x 8
товар відсутній
BY25Q64ASTIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 64 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 8M x 8
товар відсутній
BY25Q64ASTIG(T)BYTe SemiconductorDescription: 64 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 8M x 8
товар відсутній
BY25Q64ASWIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 64 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (5x6)
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 8M x 8
товар відсутній
BY25Q64ESHIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 64 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 120 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-USON (4x3)
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 11.5 ns
Memory Organization: 8M x 8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+29.1 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BY25Q64ESHIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 64 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 120 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-USON (4x3)
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 11.5 ns
Memory Organization: 8M x 8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.68 грн
10+ 59.02 грн
25+ 56.04 грн
100+ 43.2 грн
250+ 40.38 грн
500+ 35.69 грн
1000+ 27.71 грн
Мінімальне замовлення: 5
BY25Q64ESSIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 64 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 120 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 11.5 ns
Memory Organization: 8M x 8
на замовлення 3668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.29 грн
10+ 40.33 грн
25+ 39.86 грн
50+ 37.17 грн
100+ 33.23 грн
250+ 32.95 грн
500+ 31.93 грн
1000+ 30.79 грн
Мінімальне замовлення: 7
BY25Q64ESSIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 64 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 120 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 11.5 ns
Memory Organization: 8M x 8
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+33.66 грн
Мінімальне замовлення: 2000
BY25Q64ESSIG(T)BYTe SemiconductorDescription: 64 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 120 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 11.5 ns
Memory Organization: 8M x 8
на замовлення 9500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.44 грн
10+ 57.15 грн
95+ 44.56 грн
285+ 39.1 грн
570+ 34.55 грн
1045+ 27.28 грн
2565+ 25.04 грн
5035+ 23.79 грн
Мінімальне замовлення: 5
BY25Q64ESTIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 64 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 120 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 11.5 ns
Memory Organization: 8M x 8
товар відсутній
BY25Q64ESTIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 64 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 120 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 11.5 ns
Memory Organization: 8M x 8
на замовлення 3975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.2 грн
10+ 55.57 грн
25+ 52.79 грн
100+ 40.7 грн
250+ 38.04 грн
500+ 33.62 грн
1000+ 26.11 грн
Мінімальне замовлення: 5
BY25Q64ESTIG(T)BYTe SemiconductorDescription: 64 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 120 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 11.5 ns
Memory Organization: 8M x 8
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.2 грн
10+ 55.57 грн
25+ 52.79 грн
100+ 40.7 грн
300+ 38.04 грн
500+ 33.62 грн
1000+ 26.11 грн
2500+ 24.37 грн
5000+ 23.15 грн
Мінімальне замовлення: 5
BY25Q64ESWIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 64 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 120 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (5x6)
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 11.5 ns
Memory Organization: 8M x 8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+32.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BY25Q64ESWIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 64 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 120 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (5x6)
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 11.5 ns
Memory Organization: 8M x 8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+76.15 грн
10+ 65.63 грн
25+ 62.28 грн
100+ 48.01 грн
250+ 44.88 грн
500+ 39.66 грн
1000+ 30.8 грн
Мінімальне замовлення: 4
BY25Q80AWSIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 8 MBIT, WIDE VCC (1.7V TO 3.6V),
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 100 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 1M x 8
товар відсутній
BY25Q80AWSIG(T)BYTe SemiconductorDescription: 8 MBIT, WIDE VCC (1.7V TO 3.6V),
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 100 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 1M x 8
на замовлення 9500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.61 грн
12+ 25.3 грн
95+ 18.87 грн
285+ 16.44 грн
570+ 13.92 грн
1045+ 10.75 грн
2565+ 9.64 грн
5035+ 9.02 грн
Мінімальне замовлення: 10
BY25Q80AWTIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 8 MBIT, WIDE VCC (1.7V TO 3.6V),
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 100 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 1M x 8
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+27.62 грн
13+ 23.15 грн
25+ 21.62 грн
100+ 16.24 грн
250+ 15.08 грн
500+ 12.76 грн
1000+ 9.7 грн
Мінімальне замовлення: 11
BY25Q80AWTIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 8 MBIT, WIDE VCC (1.7V TO 3.6V),
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 100 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 1M x 8
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+9.95 грн
Мінімальне замовлення: 4000
BY25Q80AWTIG(T)BYTe SemiconductorDescription: 8 MBIT, WIDE VCC (1.7V TO 3.6V),
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 100 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 1M x 8
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+27.62 грн
13+ 23.15 грн
25+ 21.62 грн
100+ 16.24 грн
300+ 15.08 грн
500+ 12.76 грн
1000+ 9.7 грн
2500+ 8.84 грн
5000+ 8.27 грн
Мінімальне замовлення: 11
BY25Q80AWUIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 8 MBIT, WIDE VCC (1.7V TO 3.6V),
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 100 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-USON (2x3)
Write Cycle Time - Word, Page: 3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 1M x 8
товар відсутній
BY25Q80AWXIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 8 MBIT, WIDE VCC (1.7V TO 3.6V),
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 100 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-USON (2x3)
Write Cycle Time - Word, Page: 3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 1M x 8
товар відсутній
BY25Q80AWYIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 8 MBIT, WIDE VCC (1.7V TO 3.6V),
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 100 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-USON (1.5x1.5)
Write Cycle Time - Word, Page: 3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 1M x 8
товар відсутній
BY25Q80BSMIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 8 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -40
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-USON (2x3)
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 1M x 8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.83 грн
10+ 29.33 грн
25+ 27.4 грн
100+ 20.58 грн
250+ 19.11 грн
500+ 16.17 грн
1000+ 12.29 грн
Мінімальне замовлення: 9
BY25Q80BSMIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 8 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -40
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-USON (2x3)
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 1M x 8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.61 грн
6000+ 11.36 грн
15000+ 10.57 грн
30000+ 9.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BY25Q80BSSIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 8 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -40
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 1M x 8
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+11.67 грн
Мінімальне замовлення: 2000
BY25Q80BSSIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 8 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -40
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 1M x 8
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.85 грн
11+ 27.17 грн
25+ 25.39 грн
100+ 19.05 грн
250+ 17.69 грн
500+ 14.97 грн
1000+ 11.38 грн
Мінімальне замовлення: 10
BY25Q80BSSIG(T)BYTe SemiconductorDescription: 8 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -40
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 1M x 8
на замовлення 9500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.85 грн
11+ 27.17 грн
95+ 20.3 грн
285+ 17.69 грн
570+ 14.97 грн
1045+ 11.57 грн
2565+ 10.37 грн
5035+ 9.7 грн
Мінімальне замовлення: 10
BY25Q80BSTIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 8 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -40
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 1M x 8
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.61 грн
12+ 25.09 грн
25+ 23.46 грн
100+ 17.6 грн
250+ 16.35 грн
500+ 13.83 грн
1000+ 10.51 грн
Мінімальне замовлення: 10
BY25Q80BSTIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 8 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -40
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 1M x 8
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+10.78 грн
Мінімальне замовлення: 4000
BY25Q80BSTIG(T)BYTe SemiconductorDescription: 8 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -40
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 1M x 8
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.61 грн
12+ 25.09 грн
25+ 23.46 грн
100+ 17.6 грн
300+ 16.35 грн
500+ 13.83 грн
1000+ 10.51 грн
2500+ 9.59 грн
5000+ 8.97 грн
Мінімальне замовлення: 10
BY25Q80BSTJG(R)BYTe SemiconductorDescription: 8 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -40
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 60µs, 4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 1M x 8
товар відсутній
BY25Q80BSTJG(T)BYTe SemiconductorDescription: 8 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -40
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 60µs, 4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 1M x 8
товар відсутній
BY25Q80ESMIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 8 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -40
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 120 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-USON (2x3)
Write Cycle Time - Word, Page: 55µs, 2ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 1M x 8
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+34.34 грн
11+ 28.04 грн
25+ 26.2 грн
100+ 19.67 грн
250+ 18.26 грн
500+ 15.45 грн
1000+ 11.75 грн
Мінімальне замовлення: 9
BY25Q80ESMIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 8 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -40
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 120 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-USON (2x3)
Write Cycle Time - Word, Page: 55µs, 2ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 1M x 8
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.05 грн
6000+ 10.85 грн
15000+ 10.1 грн
30000+ 8.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BY25Q80ESSIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 8 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -40
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 120 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 55µs, 2ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 1M x 8
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+10.54 грн
6000+ 9.49 грн
10000+ 8.84 грн
Мінімальне замовлення: 2000
BY25Q80ESSIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 8 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -40
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 120 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 55µs, 2ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 1M x 8
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+29.86 грн
12+ 24.59 грн
25+ 22.92 грн
100+ 17.2 грн
250+ 15.97 грн
500+ 13.52 грн
1000+ 10.27 грн
Мінімальне замовлення: 10
BY25Q80ESSIG(T)BYTe SemiconductorDescription: 8 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -40
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 120 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 55µs, 2ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 1M x 8
на замовлення 19000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+29.86 грн
12+ 24.59 грн
95+ 18.33 грн
285+ 15.97 грн
570+ 13.52 грн
1045+ 10.44 грн
2565+ 9.37 грн
5035+ 8.76 грн
Мінімальне замовлення: 10
BY25Q80ESTIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 8 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -40
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 120 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 55µs, 2ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 1M x 8
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+27.62 грн
13+ 23.08 грн
25+ 21.57 грн
100+ 16.18 грн
250+ 15.03 грн
500+ 12.72 грн
1000+ 9.67 грн
Мінімальне замовлення: 11
BY25Q80ESTIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 8 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -40
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 120 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 55µs, 2ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 1M x 8
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+9.91 грн
8000+ 8.93 грн
12000+ 8.31 грн
Мінімальне замовлення: 4000
BY25Q80ESTIG(T)BYTe SemiconductorDescription: 8 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -40
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 120 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 55µs, 2ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 1M x 8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+27.62 грн
13+ 23.08 грн
25+ 21.57 грн
100+ 16.18 грн
300+ 15.03 грн
500+ 12.72 грн
1000+ 9.67 грн
2500+ 8.81 грн
5000+ 8.24 грн
Мінімальне замовлення: 11
BY268TAPVishayDiode Switching 0.8A 2-Pin SOD-57 Ammo
товар відсутній
BY268TAPVishay SemiconductorsRectifiers FAST AVALANCHE 1400V
товар відсутній
BY268TAPVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 1.4KV 800MA SOD57
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: SOD-57, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 400 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Supplier Device Package: SOD-57
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 400 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1400 V
товар відсутній
BY268TRVishay SemiconductorsRectifiers FAST AVALANCHE 1400V
на замовлення 23664 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+37.44 грн
10+ 32.06 грн
100+ 20.63 грн
500+ 18.01 грн
1000+ 15.46 грн
2500+ 14.7 грн
5000+ 14.15 грн
Мінімальне замовлення: 9
BY268TRVishayRectifier Diode Switching 0.8A 400ns 2-Pin SOD-57 T/R
на замовлення 24453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
679+17.65 грн
689+ 17.37 грн
700+ 17.1 грн
711+ 16.24 грн
1000+ 14.79 грн
3000+ 13.98 грн
6000+ 13.74 грн
15000+ 13.51 грн
Мінімальне замовлення: 679
BY268TRVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 1.4KV 800MA SOD57
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-57, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 400 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Supplier Device Package: SOD-57
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 400 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1400 V
товар відсутній
BY268TRVishayRectifier Diode Switching 0.8A 400ns 2-Pin SOD-57 T/R
на замовлення 24453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+16.63 грн
37+ 16.39 грн
100+ 15.56 грн
250+ 14.18 грн
500+ 13.4 грн
1000+ 13.19 грн
3000+ 12.98 грн
6000+ 12.76 грн
Мінімальне замовлення: 36
BY268TRVishayRectifier Diode Switching 0.8A 400ns 2-Pin SOD-57 T/R
товар відсутній
BY268TRVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 1.4KV 800MA SOD57
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-57, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 400 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Supplier Device Package: SOD-57
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 400 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1400 V
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+44.05 грн
10+ 36.59 грн
100+ 25.35 грн
Мінімальне замовлення: 7
BY268TRVishayRectifier Diode Switching 0.8A 400ns 2-Pin SOD-57 T/R
товар відсутній
BY268V
на замовлення 12180 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BY269VISHAY
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BY269
Код товару: 72040
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
товар відсутній
BY269TAPVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE AVAL 1.6KV 800MA SOD57
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: SOD-57, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Supplier Device Package: SOD-57
Operating Temperature - Junction: 140°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 400 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1400 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+18.05 грн
10000+ 16.09 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BY269TAPVISHAYCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.6kV; 0.8A; Ammo Pack; Ifsm: 20A; SOD57
Mounting: THT
Load current: 0.8A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 400ns
Max. forward impulse current: 20A
Leakage current: 15µA
Kind of package: Ammo Pack
Type of diode: rectifying
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; high voltage
Case: SOD57
Max. off-state voltage: 1.6kV
Max. forward voltage: 1.25V
на замовлення 4712 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+40.47 грн
10+ 38.24 грн
25+ 30.77 грн
44+ 19.19 грн
121+ 18.19 грн
1000+ 17.47 грн
Мінімальне замовлення: 9
BY269TAP
Код товару: 140193
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
товар відсутній
BY269TAPVishayDiode Switching 0.8A 2-Pin SOD-57 Ammo
на замовлення 17780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
310+38.63 грн
407+ 29.42 грн
500+ 25.36 грн
1000+ 19.42 грн
2500+ 17.75 грн
5000+ 16.16 грн
10000+ 15.02 грн
Мінімальне замовлення: 310
BY269TAPVishayDiode Switching 0.8A 2-Pin SOD-57 Ammo
на замовлення 17802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+14.73 грн
Мінімальне замовлення: 22
BY269TAPVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE AVAL 1.6KV 800MA SOD57
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-57, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Supplier Device Package: SOD-57
Operating Temperature - Junction: 140°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 400 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1400 V
на замовлення 4868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+50.02 грн
10+ 41.84 грн
100+ 28.96 грн
500+ 22.71 грн
1000+ 19.33 грн
2000+ 17.21 грн
Мінімальне замовлення: 6
BY269TAPVISHAYCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.6kV; 0.8A; Ammo Pack; Ifsm: 20A; SOD57
Mounting: THT
Load current: 0.8A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 400ns
Max. forward impulse current: 20A
Leakage current: 15µA
Kind of package: Ammo Pack
Type of diode: rectifying
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; high voltage
Case: SOD57
Max. off-state voltage: 1.6kV
Max. forward voltage: 1.25V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4712 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+57.6 грн
6+ 50.44 грн
10+ 45.89 грн
25+ 36.92 грн
44+ 23.03 грн
121+ 21.83 грн
1000+ 20.96 грн
Мінімальне замовлення: 5
BY269TAPVishay SemiconductorsRectifiers 1600 Volt 0.8 Amp 20 Amp IFSM
на замовлення 22917 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+54.67 грн
10+ 46.51 грн
100+ 28.02 грн
500+ 23.4 грн
1000+ 17.81 грн
2500+ 17.74 грн
5000+ 16.84 грн
Мінімальне замовлення: 6
BY269TAPVishayDiode Switching 0.8A 2-Pin SOD-57 Ammo
товар відсутній
BY269TAPVishayDiode Switching 0.8A 2-Pin SOD-57 Ammo
на замовлення 17802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+40.1 грн
17+ 35.88 грн
100+ 27.33 грн
500+ 22.71 грн
1000+ 16.71 грн
2500+ 15.82 грн
5000+ 15 грн
10000+ 13.96 грн
Мінімальне замовлення: 15
BY269TRVishayRectifier Diode Switching 0.8A 400ns 2-Pin SOD-57 T/R
товар відсутній
BY269TRVishayRectifier Diode Switching 0.8A 400ns 2-Pin SOD-57 T/R
на замовлення 19854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+21.46 грн
29+ 20.61 грн
100+ 17.91 грн
250+ 16.3 грн
500+ 15.39 грн
1000+ 15.13 грн
3000+ 14.86 грн
6000+ 14.6 грн
Мінімальне замовлення: 28
BY269TRVISHAYDescription: VISHAY - BY269TR - Diode mit Standard-Erholzeit, 1.8 kV, 800 mA, Einfach, 1.25 V, 400 ns, 20 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-57
Durchlassstoßstrom: 20A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 400ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 800mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.8kV
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BY269
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 16130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+27.33 грн
500+ 22.36 грн
1000+ 16.59 грн
5000+ 15.79 грн
Мінімальне замовлення: 100
BY269TRVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE AVAL 1.6KV 800MA SOD57
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-57, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 400 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Supplier Device Package: SOD-57
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 400 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1600 V
на замовлення 48907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.09 грн
10+ 29.4 грн
100+ 20.36 грн
500+ 15.96 грн
1000+ 14.95 грн
Мінімальне замовлення: 9
BY269TRVISHAYCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.6kV; 0.8A; reel,tape; Ifsm: 20A; SOD57
Mounting: THT
Load current: 0.8A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 400ns
Max. forward impulse current: 20A
Leakage current: 15µA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: rectifying
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; high voltage
Case: SOD57
Max. off-state voltage: 1.6kV
Max. forward voltage: 1.25V
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BY269TRVishayRectifier Diode Switching 0.8A 400ns 2-Pin SOD-57 T/R
на замовлення 19854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
540+22.19 грн
599+ 20 грн
609+ 19.66 грн
619+ 18.65 грн
1000+ 16.97 грн
3000+ 16.01 грн
6000+ 15.73 грн
15000+ 15.45 грн
Мінімальне замовлення: 540
BY269TRVishay SemiconductorsRectifiers 1600 Volt 0.8 Amp 20 Amp IFSM
на замовлення 117822 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+38.16 грн
10+ 32.7 грн
100+ 19.74 грн
500+ 16.49 грн
1000+ 16.08 грн
Мінімальне замовлення: 9
BY269TRVishayRectifier Diode Switching 0.8A 400ns 2-Pin SOD-57 T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25000+14.77 грн
Мінімальне замовлення: 25000
BY269TRVISHAYDescription: VISHAY - BY269TR - Diode mit Standard-Erholzeit, 1.8 kV, 800 mA, Einfach, 1.25 V, 400 ns, 20 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-57
Durchlassstoßstrom: 20A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 400ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 800mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.8kV
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BY269
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 16130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+49.7 грн
19+ 41.96 грн
100+ 27.33 грн
500+ 22.36 грн
1000+ 16.59 грн
5000+ 15.79 грн
Мінімальне замовлення: 16
BY269TRVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE AVAL 1.6KV 800MA SOD57
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-57, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 400 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Supplier Device Package: SOD-57
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 400 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1600 V
на замовлення 43967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+16.54 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BY269TRVISHAYCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.6kV; 0.8A; reel,tape; Ifsm: 20A; SOD57
Mounting: THT
Load current: 0.8A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 400ns
Max. forward impulse current: 20A
Leakage current: 15µA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: rectifying
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; high voltage
Case: SOD57
Max. off-state voltage: 1.6kV
Max. forward voltage: 1.25V
товар відсутній
BY269TRVishayRectifier Diode Switching 0.8A 400ns 2-Pin SOD-57 T/R
на замовлення 9453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
144+83.47 грн
294+ 40.79 грн
321+ 37.29 грн
323+ 35.77 грн
500+ 26.98 грн
1000+ 24.18 грн
2000+ 24.02 грн
5000+ 21.46 грн
Мінімальне замовлення: 144
BY269TRVishayRectifier Diode Switching 0.8A 400ns 2-Pin SOD-57 T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25000+15.91 грн
Мінімальне замовлення: 25000
BY296Diotec SemiconductorRectifier Diode Switching 100V 2A 500ns 2-Pin DO-201 Ammo
товар відсутній
BY296Diotec SemiconductorRectifier Diode Switching 100V 2A 500ns 2-Pin DO-201 Ammo
товар відсутній
BY296EICRectifier Diode Switching 100V 2A 250ns 2-Pin DO-201AD
товар відсутній
BY296Diotec SemiconductorRectifier Diode Switching 100V 2A 500ns 2-Pin DO-201 Ammo
товар відсутній
BY296Diotec SemiconductorRectifier Diode Switching 100V 2A 500ns 2-Pin DO-201 Ammo
товар відсутній
BY296Diotec SemiconductorRectifier Diode Switching 100V 2A 500ns 2-Pin DO-201 Ammo
товар відсутній
BY296Diotec SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 100V 2A DO201
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1700+6.24 грн
Мінімальне замовлення: 1700
BY296DIOTEC SEMICONDUCTORBY296-DIO THT universal diodes
на замовлення 970 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
20+14.31 грн
280+ 3.64 грн
760+ 3.44 грн
Мінімальне замовлення: 20
BY296Diotec SemiconductorRectifiers Diode, Fast, DO-201, 100V, 2A, 500ns
на замовлення 3400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
BY297Diotec SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 200V 2A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 2A
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
товар відсутній
BY297Taiwan SemiconductorRectifiers 2A,200V,FASTSWITCH,PLASTIC RECTIFIER
товар відсутній
BY297EIC SemiconductorRectifier Diode Switching 200V 2A 250ns 2-Pin DO-201AD
товар відсутній
BY297Diotec SemiconductorRectifier Diode Switching 200V 2A 500ns 2-Pin DO-201 Ammo
товар відсутній
BY297Diotec SemiconductorRectifier Diode Switching 200V 2A 500ns 2-Pin DO-201 Ammo
товар відсутній
BY297Diotec SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 200V 2A DO201
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-201
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товар відсутній
BY297DIOTEC SEMICONDUCTORBY297-DIO THT universal diodes
на замовлення 50 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
25+11.16 грн
285+ 3.55 грн
780+ 3.36 грн
Мінімальне замовлення: 25
BY297Diotec SemiconductorRectifiers Diode, Fast, DO-201, 200V, 2A, 150C
товар відсутній
BY297Diotec SemiconductorRectifier Diode Switching 200V 2A 500ns 2-Pin DO-201 Ammo
товар відсутній
BY297Diotec SemiconductorRectifier Diode Switching 200V 2A 500ns 2-Pin DO-201 Ammo
товар відсутній
BY297Diotec SemiconductorRectifier Diode Switching 200V 2A 500ns 2-Pin DO-201 Ammo
товар відсутній
BY297 R0Taiwan SemiconductorRectifiers 2A,200V,FASTSWITCH,PLASTIC RECTIFIER
товар відсутній
BY297P-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 2A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 28pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 125°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
товар відсутній
BY298EICRectifier Diode Switching 400V 2A 250ns 2-Pin DO-201AD
товар відсутній
BY298DC COMPONENTSCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 2A; Ammo Pack; Ifsm: 70A; DO15; 150ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 2A
Reverse recovery time: 150ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Case: DO15
Max. forward voltage: 1.3V
Max. forward impulse current: 70A
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
BY298Diotec SemiconductorDiode Switching 400V 2A 2-Pin DO-201 Ammo
товар відсутній
BY298Diotec SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 400V 2A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-201
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товар відсутній
BY298DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 2A; Ammo Pack; Ifsm: 70A; DO201; Ir: 5uA
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 2A
Max. load current: 20A
Reverse recovery time: 0.5µs
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Case: DO201
Max. forward voltage: 1.3V
Max. forward impulse current: 70A
Leakage current: 5µA
Kind of package: Ammo Pack
товар відсутній
BY298Diotec SemiconductorRectifiers Diode, Fast, DO-201, 400V, 2A, 150C
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 137-146 дні (днів)
8+45.65 грн
11+ 31.59 грн
100+ 17.12 грн
500+ 16.36 грн
1000+ 15.11 грн
1700+ 8.76 грн
3400+ 6.97 грн
Мінімальне замовлення: 8
BY298DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 2A; Ammo Pack; Ifsm: 70A; DO201; Ir: 5uA
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 2A
Max. load current: 20A
Reverse recovery time: 0.5µs
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Case: DO201
Max. forward voltage: 1.3V
Max. forward impulse current: 70A
Leakage current: 5µA
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
BY298Diotec Semiconductor AGDescription: Diode, Fast, DO-201, 400V, 2A
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-201
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товар відсутній
BY298DC COMPONENTSCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 2A; Ammo Pack; Ifsm: 70A; DO15; 150ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 2A
Reverse recovery time: 150ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Case: DO15
Max. forward voltage: 1.3V
Max. forward impulse current: 70A
Kind of package: Ammo Pack
товар відсутній
BY298Taiwan SemiconductorRectifiers 2A,400V,FASTSWITCH,PLASTIC RECTIFIER
товар відсутній
BY298 R0Taiwan SemiconductorRectifiers 2A,400V,FASTSWITCH,PLASTIC RECTIFIER
товар відсутній
BY298 диод
Код товару: 84641
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товар відсутній
BY298P-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 400V 2A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 28pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 125°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
товар відсутній
BY299DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 2A; Ammo Pack; Ifsm: 70A; DO201; Ir: 5uA
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 2A
Max. forward impulse current: 70A
Case: DO201
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward voltage: 1.3V
Features of semiconductor devices: fast switching
Mounting: THT
Max. load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 5µA
Type of diode: rectifying
Reverse recovery time: 0.5µs
на замовлення 2780 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
40+10.84 грн
80+ 4.53 грн
100+ 3.6 грн
280+ 2.98 грн
765+ 2.83 грн
Мінімальне замовлення: 40
BY299Diotec SemiconductorRectifiers Diode, Fast, DO-201, 800V, 2A, 150C
на замовлення 3378 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+140.1 грн
10+ 75.4 грн
100+ 40.79 грн
500+ 26.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
BY299Diotec SemiconductorDiode Switching 800V 2A 2-Pin DO-201 Ammo
товар відсутній
BY299DC COMPONENTSCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 2A; Ammo Pack; Ifsm: 70A; DO15; 500ns
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 2A
Max. forward impulse current: 70A
Case: DO15
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward voltage: 1.3V
Features of semiconductor devices: fast switching
Mounting: THT
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: rectifying
Reverse recovery time: 0.5µs
кількість в упаковці: 25 шт
товар відсутній
BY299LGE2A; 800V; packaging: ammo; BY299 diode rectifying DP BY299
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 400 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+2.96 грн
Мінімальне замовлення: 500
BY299DC COMPONENTSCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 2A; Ammo Pack; Ifsm: 70A; DO15; 500ns
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 2A
Max. forward impulse current: 70A
Case: DO15
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward voltage: 1.3V
Features of semiconductor devices: fast switching
Mounting: THT
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: rectifying
Reverse recovery time: 0.5µs
товар відсутній
BY299
Код товару: 54701
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
товар відсутній
BY299Diotec SemiconductorDiode Switching 800V 2A 2-Pin DO-201 Ammo
товар відсутній
BY299Taiwan SemiconductorRectifiers 2A,800V,FASTSWITCH,PLASTIC RECTIFIER
товар відсутній
BY299Diotec SemiconductorDiode Switching 800V 2A 2-Pin DO-201 Ammo
на замовлення 3400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1700+2.96 грн
Мінімальне замовлення: 1700
BY299EICFast Recovery Rectifier Diodes
товар відсутній
BY299DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 2A; Ammo Pack; Ifsm: 70A; DO201; Ir: 5uA
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 2A
Max. forward impulse current: 70A
Case: DO201
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward voltage: 1.3V
Features of semiconductor devices: fast switching
Mounting: THT
Max. load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 5µA
Type of diode: rectifying
Reverse recovery time: 0.5µs
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2780 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
25+13.01 грн
50+ 5.64 грн
100+ 4.32 грн
280+ 3.58 грн
765+ 3.39 грн
Мінімальне замовлення: 25
BY299Diotec SemiconductorDescription: DIODE FR DO-201 800V 2A
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1700+6.57 грн
Мінімальне замовлення: 1700
BY299 R0Taiwan SemiconductorRectifiers 2A,800V,FASTSWITCH,PLASTIC RECTIFIER
товар відсутній
BY299BULKEIC SEMICONDUCTOR INC.Description: DIODE GEN PURP 800V 2A DO15
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BY299P-E3Vishay SemiconductorsRectifiers 2A,800V,500NS,FS,PLAS RECT,DO-201AD
товар відсутній
BY299P-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 800V 2A DO201AD
товар відсутній
BY299P-E3/54VishayRectifier Diode Switching 800V 2A 1000ns 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
BY299P-E3/54Vishay SemiconductorsRectifiers RECOMMENDED ALT 625-RGP30K-E3
товар відсутній
BY299P-E3/73Vishay SemiconductorsRectifiers RECOMMENDED ALT 625-RGP30K-E3/73
товар відсутній
BY299P-E3/73Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 800V 2A DO201AD
товар відсутній
BY29E100
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BY29G1GFSBIG(Y)BYTe SemiconductorDescription: 1 GBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -40
Packaging: Tray
Package / Case: 64-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 64-TFBGA (11x13)
Memory Interface: CFI
Memory Organization: 128M x 8
товар відсутній