Продукція > C2M

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
C2M0025120DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 90A; 463W; TO247-3; 45ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC; Z-FET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 90A
Power dissipation: 463W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -10...25V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 161nC
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 45ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
C2M0025120DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C2M0025120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 90 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 463W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
на замовлення 317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7079.15 грн
5+ 6623.15 грн
10+ 6166.38 грн
50+ 5459.94 грн
C2M0025120DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 90A; 463W; TO247-3; 45ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC; Z-FET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 90A
Power dissipation: 463W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -10...25V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 161nC
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 45ns
товар відсутній
C2M0025120DWolfspeedMOSFET SIC MOSFET 1200V RDS ON 25 mOhm
на замовлення 306 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+7362.31 грн
10+ 6625.39 грн
30+ 5496.89 грн
60+ 5374.74 грн
120+ 5241.54 грн
C2M0025120D
Код товару: 117277		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
C2M0025120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
C2M0025120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+4991.14 грн
Мінімальне замовлення: 30
C2M0025120DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 90A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 50A, 20V
Power Dissipation (Max): 463W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2788 pF @ 1000 V
на замовлення 809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6874.1 грн
30+ 5765.37 грн
120+ 5466.43 грн
C2M0025120D-AWolfspeedC2M0025120D-A
товар відсутній
C2M0025120KWolfspeedC2M0025120K
товар відсутній
C2M0040120DWolfspeedMOSFET SiC Power MOSFET 1200V, 60A
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3693.23 грн
10+ 3538.09 грн
30+ 2827.46 грн
60+ 2783.99 грн
120+ 2650.1 грн
270+ 2627.33 грн
510+ 2625.95 грн
C2M0040120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2886.75 грн
C2M0040120D
Код товару: 173103		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
C2M0040120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+3108.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
C2M0040120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+3238.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
C2M0040120DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1893 pF @ 1000 V
на замовлення 1106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3528.13 грн
30+ 2985.51 грн
120+ 2779.61 грн
C2M0040120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+2643.7 грн
Мінімальне замовлення: 30
C2M0040120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+2894.9 грн
Мінімальне замовлення: 30
C2M0040120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3315.55 грн
10+ 3084.44 грн
25+ 2992.59 грн
50+ 2850 грн
C2M0040120DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 60A; 330W; TO247-3; 54ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC; Z-FET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 60A
Power dissipation: 330W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -10...25V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 54ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 34 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+3350.05 грн
C2M0040120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+2461.35 грн
Мінімальне замовлення: 30
C2M0040120DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C2M0040120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: C2M
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3684.35 грн
5+ 3460.61 грн
10+ 3236.87 грн
50+ 2798.62 грн
C2M0040120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+3570.59 грн
10+ 3321.71 грн
25+ 3222.79 грн
50+ 3069.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
C2M0040120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+3238.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
C2M0040120DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 60A; 330W; TO247-3; 54ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC; Z-FET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 60A
Power dissipation: 330W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -10...25V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 54ns
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2791.71 грн
C2M0045170DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1700V 72A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 50A, 20V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 18mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3672 pF @ 1000 V
товар відсутній
C2M0045170DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 48A; 520W; TO247-3; 70ns
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 48A
On-state resistance: 45mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 520W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 188nC
Technology: C2M™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -5...20V
Mounting: THT
Case: TO247-3
Reverse recovery time: 70ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
C2M0045170DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 72A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+6180.35 грн
Мінімальне замовлення: 30
C2M0045170DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C2M0045170D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 72 A, 1.7 kV, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 520W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
на замовлення 196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8446.36 грн
5+ 8277.58 грн
10+ 8108.81 грн
C2M0045170DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 72A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
C2M0045170DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 48A; 520W; TO247-3; 70ns
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 48A
On-state resistance: 45mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 520W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 188nC
Technology: C2M™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -5...20V
Mounting: THT
Case: TO247-3
Reverse recovery time: 70ns
товар відсутній
C2M0045170DWolfspeedMOSFET SiC Power MOSFET 1700V, 72A
на замовлення 353 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+8959.73 грн
30+ 8198.4 грн
60+ 7121.46 грн
120+ 7114.55 грн
270+ 6862.66 грн
510+ 6632.84 грн
1020+ 6615.59 грн
C2M0045170D
Код товару: 125314		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
C2M0045170PWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 72A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Bulk
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+5669.88 грн
Мінімальне замовлення: 30
C2M0045170PWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C2M0045170P - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 72 A, 1.7 kV, 0.045 ohm, TO-247 Plus
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 520W
Bauform - Transistor: TO-247 Plus
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: C2M
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7789.07 грн
5+ 7514.24 грн
10+ 7239.4 грн
C2M0045170PWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 72A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Bulk
товар відсутній
C2M0045170PWolfspeedMOSFET DMOSFET 1.7kV 45mOHMS 4PLUS
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+8609.49 грн
30+ 7391.26 грн
270+ 6007.59 грн
C2M0045170PWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1700V 72A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 50A, 20V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 18mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3672 pF @ 1000 V
товар відсутній
C2M0080120DCree/WolfspeedN-канальний ПТ SIC MOSFET; Udss, В = 1 200; Id = 31,6 А; Ptot, Вт = 208; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 950 @ 1000; Qg, нКл = 49,2 @ 20; Rds = 98 мОм @ 20А, 20В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2.2 В @ 1 мА; TO-247-3
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+1484.85 грн
10+ 1385.87 грн
100+ 1286.88 грн
C2M0080120DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 36A; 208W; TO247-3; 32ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC; Z-FET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 36A
Power dissipation: 208W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -10...25V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 32ns
товар відсутній
C2M0080120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
C2M0080120DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 36A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 1000 V
на замовлення 1595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2015.65 грн
30+ 1609.11 грн
120+ 1508.53 грн
510+ 1208.06 грн
C2M0080120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+1898.57 грн
Мінімальне замовлення: 7
C2M0080120D
Код товару: 166109		Транзистори > Польові N-канальні
у наявності 3 шт:
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
C2M0080120DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 36A; 208W; TO247-3; 32ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC; Z-FET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 36A
Power dissipation: 208W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -10...25V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 32ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
C2M0080120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
C2M0080120DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C2M0080120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31.6 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 31.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
на замовлення 5573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2146.04 грн
5+ 1962.56 грн
10+ 1779.08 грн
50+ 1601.68 грн
100+ 1449.94 грн
C2M0080120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+1898.57 грн
Мінімальне замовлення: 7
C2M0080120DWolfspeedMOSFET ZFET 1X20A IDS 1200V ON 80MOHM SIC MOSFT
на замовлення 2055 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2188.4 грн
10+ 1916.66 грн
30+ 1554.86 грн
60+ 1507.24 грн
120+ 1458.25 грн
270+ 1360.94 грн
510+ 1251.9 грн
C2M0080120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+3042.19 грн
5+ 2847.64 грн
10+ 2671.71 грн
20+ 2414.33 грн
50+ 2268.07 грн
100+ 2224.62 грн
250+ 2186.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
C2M0080170DWolfspeed / CreeMOSFET SIC MOSFET 1700V RDS ON 80OHM
товар відсутній
C2M0080170PWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Bulk
товар відсутній
C2M0080170PWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Bulk
товар відсутній
C2M0080170PCree/WolfspeedDescription: SICFET N-CH 1700V 40A TO247-4
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
C2M0080170P
Код товару: 162267		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
C2M0080170PWolfspeed / CreeMOSFET DMOSFET 1.7kV 80mOHMS 4PLUS
товар відсутній
C2M0160120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+705.98 грн
Мінімальне замовлення: 17
C2M0160120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
C2M0160120DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 17.7A; 125W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC; Z-FET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 17.7A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -10...25V
On-state resistance: 196mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 23ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 57 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1256.97 грн
2+ 923.61 грн
3+ 888.54 грн
4+ 840.23 грн
C2M0160120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+707.1 грн
Мінімальне замовлення: 17
C2M0160120DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C2M0160120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 19 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: C2M
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1030.44 грн
5+ 962.31 грн
10+ 894.18 грн
50+ 776.4 грн
100+ 700.08 грн
C2M0160120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+594.2 грн
Мінімальне замовлення: 30
C2M0160120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1370.89 грн
Мінімальне замовлення: 30
C2M0160120DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 19A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 10A, 20V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.6 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 527 pF @ 800 V
на замовлення 1603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1112.34 грн
30+ 866.76 грн
120+ 815.79 грн
510+ 693.81 грн
C2M0160120D
Код товару: 84501		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
C2M0160120DWolfspeedMOSFET SIC MOSFET 1200V RDS ON 160 mOhm
на замовлення 2867 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+949.27 грн
10+ 933.33 грн
30+ 724.64 грн
60+ 723.95 грн
120+ 701.17 грн
270+ 668.74 грн
510+ 632.16 грн
C2M0160120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+674.07 грн
Мінімальне замовлення: 30
C2M0160120DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 17.7A; 125W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC; Z-FET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 17.7A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -10...25V
On-state resistance: 196mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 23ns
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1047.47 грн
2+ 741.17 грн
3+ 740.45 грн
4+ 700.19 грн
C2M0160120DCREEN-MOSFET 1200V 17.7A C2M0160120D Cree/Wolfspeed TC2M0160120D
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+597.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
C2M0160120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+656.59 грн
C2M0280120DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 10A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 370mOhm @ 6A, 20V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1.25mA (Typ)
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 259 pF @ 1000 V
на замовлення 14410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+765.95 грн
30+ 589.01 грн
120+ 527 грн
510+ 436.38 грн
1020+ 392.75 грн
C2M0280120D
Код товару: 173651		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
C2M0280120DWolfspeedMOSFET SIC MOSFET 1200V RDS ON 280 mOhm
на замовлення 6979 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+607.08 грн
10+ 568.25 грн
30+ 443.06 грн
120+ 441.68 грн
270+ 403.04 грн
510+ 383.71 грн
1020+ 383.02 грн
C2M0280120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
C2M0280120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 2640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+476 грн
Мінімальне замовлення: 30
C2M0280120DCREEN-MOSFET 1200V 10A C2M0280120D Wolfspeed TC2M0280120D
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+386.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
C2M0280120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
C2M0280120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 2640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+419.03 грн
Мінімальне замовлення: 30
C2M0280120DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C2M0280120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 10 A, 1.2 kV, 0.28 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+632.51 грн
5+ 569.8 грн
10+ 506.32 грн
50+ 469.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
C2M0280120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+386.47 грн
Мінімальне замовлення: 30
C2M1000170DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 4.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+498.58 грн
Мінімальне замовлення: 24
C2M1000170DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 4.9A; 69W; TO247-3; 20ns
On-state resistance: 1.1Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 13nC
Technology: SiC; Z-FET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -10...25V
Mounting: THT
Case: TO247-3
Reverse recovery time: 20ns
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 4.9A
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+731.6 грн
2+ 472.31 грн
5+ 446.43 грн
C2M1000170DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 4.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 20250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+526.22 грн
900+ 474.07 грн
9000+ 474 грн
18000+ 457 грн
Мінімальне замовлення: 450
C2M1000170DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C2M1000170D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4.9 A, 1.7 kV, 0.95 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
на замовлення 1473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+864.76 грн
5+ 750.19 грн
10+ 635.61 грн
50+ 566.48 грн
100+ 501.01 грн
250+ 471.81 грн
C2M1000170DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 4.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
C2M1000170DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 4.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+374.4 грн
Мінімальне замовлення: 30
C2M1000170DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1700V 4.9A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 191 pF @ 1000 V
на замовлення 2163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+795.06 грн
30+ 610.96 грн
120+ 546.65 грн
510+ 452.65 грн
1020+ 407.39 грн
C2M1000170DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 4.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+498.58 грн
Мінімальне замовлення: 24
C2M1000170DWolfspeedMOSFET SIC MOSFET 1700V RDS ON 1 Ohm
на замовлення 1199 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+851.05 грн
10+ 719.05 грн
30+ 566.6 грн
120+ 521.05 грн
270+ 490.68 грн
510+ 459.63 грн
1020+ 413.39 грн
C2M1000170DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 4.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 20250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+566.7 грн
900+ 510.54 грн
9000+ 510.46 грн
18000+ 492.15 грн
Мінімальне замовлення: 450
C2M1000170DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 4.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
C2M1000170DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 4.9A; 69W; TO247-3; 20ns
On-state resistance: 1.1Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 13nC
Technology: SiC; Z-FET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -10...25V
Mounting: THT
Case: TO247-3
Reverse recovery time: 20ns
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 4.9A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 74 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+877.93 грн
2+ 588.57 грн
5+ 535.71 грн
C2M1000170D 1700V 4.9A TO247
Код товару: 82643		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
C2M1000170JWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C2M1000170J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 5.3 A, 1.7 kV, 1 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: C2M
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 2410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+785.02 грн
5+ 734.7 грн
10+ 683.61 грн
50+ 563.61 грн
100+ 471.15 грн
250+ 470.48 грн
C2M1000170JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5.3A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+733.48 грн
10+ 687.55 грн
25+ 669.63 грн
50+ 570.43 грн
100+ 421.96 грн
C2M1000170JCREEN-MOSFET 1700V 5.3A C2M1000170J-TR C2M1000170J Cree/Wolfspeed TC2M1000170J
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+401.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
C2M1000170JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5.3A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
товар відсутній
C2M1000170JWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1700V 5.3A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-7 (Straight Leads)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 1000 V
на замовлення 453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+745.79 грн
50+ 581.32 грн
100+ 547.12 грн
C2M1000170J
Код товару: 144493		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
C2M1000170JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5.3A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+656.2 грн
100+ 603.71 грн
250+ 599.73 грн
500+ 490.38 грн
Мінімальне замовлення: 50
C2M1000170JWolfspeedMOSFET SIC MOSFET 1700V RDS ON 1 Ohm
на замовлення 5666 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+767.31 грн
10+ 728.57 грн
25+ 625.26 грн
50+ 530.02 грн
100+ 462.39 грн
250+ 461.7 грн
500+ 431.33 грн
C2M1000170JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5.3A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
товар відсутній
C2M1000170JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 5.3A; 78W; D2PAK-7; 20ns
On-state resistance: 1Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 78W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 13nC
Technology: SiC; Z-FET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -10...25V
Mounting: SMD
Case: D2PAK-7
Reverse recovery time: 20ns
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 5.3A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+788.74 грн
2+ 683.53 грн
5+ 621.98 грн
50+ 617.67 грн
100+ 597.83 грн
C2M1000170JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5.3A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+435.23 грн
Мінімальне замовлення: 50
C2M1000170JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5.3A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+789.9 грн
17+ 740.44 грн
25+ 721.14 грн
50+ 614.31 грн
100+ 454.42 грн
Мінімальне замовлення: 16
C2M1000170JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 5.3A; 78W; D2PAK-7; 20ns
On-state resistance: 1Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 78W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 13nC
Technology: SiC; Z-FET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -10...25V
Mounting: SMD
Case: D2PAK-7
Reverse recovery time: 20ns
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 5.3A
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+657.28 грн
2+ 548.51 грн
5+ 518.32 грн
50+ 514.72 грн
C2M1000170J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5.3A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+435.23 грн
Мінімальне замовлення: 800
C2M1000170J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5.3A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
товар відсутній
C2M1000170J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5.3A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+535.35 грн
Мінімальне замовлення: 800
C2M1000170J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5.3A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+398.55 грн
Мінімальне замовлення: 800
C2M1000170J-TRWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1700V 5.3A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 1000 V
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+514.9 грн
Мінімальне замовлення: 800
C2M1000170J-TRWolfspeedMOSFET SIC MOSFET 1700V RDS ON 1 Ohm
на замовлення 3356 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+797.91 грн
10+ 692.86 грн
25+ 586.61 грн
50+ 554.17 грн
100+ 521.05 грн
250+ 505.18 грн
500+ 472.05 грн
C2M10028ASI
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
C2M6028RASI
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
C2M7028RASI
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)