Продукція > CSD

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
CSD-NM-914-NMTE Connectivity / Linx TechnologiesRF Cable Assemblies Cable Assembly Coaxial N-Type Male to N-Type Male RG-58 36.00" (914.40mm)
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1101.45 грн
CSD-NM-914-NMTE Connectivity LinxDescription: CBL ASSY NTYPE PLUG TO PLUG 36"
Packaging: Bulk
Color: Black
Length: 36.00" (914.40mm)
Style: N-Type to N-Type
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Cable Type: RG-58
1st Connector: N-Type Plug
2nd Connector: N-Type Plug
Part Status: Active
Frequency - Max: 5.8 GHz
1st Connector Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
2nd Connector Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
1st Contact Gender: Male
2nd Contact Gender: Male
Cable Impedance: 50 Ohms
Overall Impedance: 50 Ohms
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+989.91 грн
CSD-NM-914-NMLinx TechnologiesRF Cable Assemblies Cable Assembly Coaxial N-Type Male to N-Type Male RG-58 36.00" (914.40mm)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1277.78 грн
10+ 1126.98 грн
25+ 922.7 грн
100+ 915.11 грн
CSD-NM-914-NMTE ConnectivityRF Cable Assemblies Cable Assembly Coaxial N-Type Male to N-Type Male RG-58 36.00" (914.40mm)
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1320.45 грн
10+ 1165.08 грн
20+ 953.76 грн
100+ 944.1 грн
CSD-SMAM-610-NMTE Connectivity LinxDescription: CBL ASSY SMA-NTYPE PLUG-PLUG 24"
Packaging: Bulk
Color: Black
Length: 24.00" (609.60mm)
Style: SMA to N-Type
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Cable Type: RG-58
1st Connector: SMA Plug
2nd Connector: N-Type Plug
Part Status: Active
Frequency - Max: 5.8 GHz
1st Connector Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
2nd Connector Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
1st Contact Gender: Male
2nd Contact Gender: Male
Cable Impedance: 50 Ohms
Overall Impedance: 50 Ohms
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1151.9 грн
CSD-SMAM-610-NMLinx TechnologiesRF Cable Assemblies RF Cable Assemblies Cable Assembly Coaxial SMA to N-Type RG-58 24.00" (609.6mm)
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1482.29 грн
10+ 1315.87 грн
25+ 1080.05 грн
100+ 1044.17 грн
CSD-SMAM-610-NMTE ConnectivityRF Cable Assemblies RF Cable Assemblies Cable Assembly Coaxial SMA to N-Type RG-58 24.00" (609.6mm)
на замовлення 241 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1283.41 грн
CSD-SMAM-610-NMTE Connectivity / Linx TechnologiesRF Cable Assemblies RF Cable Assemblies Cable Assembly Coaxial SMA to N-Type RG-58 24.00" (609.6mm)
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1283.41 грн
CSD.M26.GLL.C72AZLEMOStandard Circular Connector
товар відсутній
CSD01060AWolfspeedDiode Schottky SiC 600V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 9108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+69.53 грн
10+ 64.02 грн
25+ 63.38 грн
50+ 60.51 грн
100+ 50.21 грн
500+ 36.27 грн
Мінімальне замовлення: 9
CSD01060AWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - CSD01060A - SiC-Schottky-Diode, Z-Rec 600V, Einfach, 600 V, 2 A, 3.3 nC, TO-220
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 3.3
Diodenmontage: Durchsteckmontage
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: Z-Rec 600V
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: To Be Advised
товар відсутній
CSD01060AWolfspeed(CREE)Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 600V; 1A; 21.4W; TO220-2
Case: TO220-2
Mounting: THT
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC; Z-Rec®
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Power dissipation: 21.4W
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+60.39 грн
10+ 53.2 грн
18+ 47.45 грн
49+ 44.57 грн
Мінімальне замовлення: 6
CSD01060AWolfspeedRectifier Diode Schottky SiC 600V 4A Automotive 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 9108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
174+68.95 грн
176+ 68.25 грн
178+ 67.57 грн
198+ 58.4 грн
500+ 40.68 грн
Мінімальне замовлення: 174
CSD01060AWolfspeed(CREE)Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 600V; 1A; 21.4W; TO220-2
Case: TO220-2
Mounting: THT
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC; Z-Rec®
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Power dissipation: 21.4W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+75.25 грн
10+ 63.84 грн
18+ 56.94 грн
49+ 53.49 грн
Мінімальне замовлення: 4
CSD01060A
Код товару: 57916		Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
товар відсутній
CSD01060AWolfspeedRectifier Diode Schottky SiC 600V 4A Automotive 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 9650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
216+55.51 грн
Мінімальне замовлення: 216
CSD01060AWolfspeedSchottky Diodes & Rectifiers 1A 600V SIC SCHOTTKY DIODE
на замовлення 8971 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+72.62 грн
10+ 59.29 грн
100+ 46.72 грн
Мінімальне замовлення: 5
CSD01060AWolfspeed, Inc.Description: DIODE SIL CARB 600V 4A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
на замовлення 8416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.97 грн
50+ 88.98 грн
100+ 73.21 грн
500+ 58.14 грн
1000+ 49.33 грн
2000+ 46.86 грн
5000+ 44.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD01060AWolfspeedDiode Schottky SiC 600V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101
товар відсутній
CSD01060ACree, IncДіод Шоттки TO-220-2 U=600V I=4A(T=25C) Vf=1,6V; Silicon Carbide
на замовлення 12 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
6+50.71 грн
10+ 47.09 грн
Мінімальне замовлення: 6
CSD01060AWolfspeedRectifier Diode Schottky SiC 600V 4A Automotive 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
CSD01060AWolfspeedDiode Schottky SiC 600V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 9650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9650+51.55 грн
Мінімальне замовлення: 9650
CSD01060EWolfspeedDiode Schottky SiC 600V 4A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252 Tube
товар відсутній
CSD01060EWolfspeedSchottky Diodes & Rectifiers 1A 600V SIC SCHOTTKY DIODE
на замовлення 11511 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+101.45 грн
10+ 92.06 грн
75+ 63.08 грн
525+ 56.18 грн
1050+ 48.24 грн
2550+ 46.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
CSD01060EWolfspeed, Inc.Description: DIODE SIL CARB 600V 4A TO252-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
на замовлення 3163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.97 грн
75+ 88.99 грн
150+ 73.22 грн
525+ 58.14 грн
1050+ 49.33 грн
2025+ 46.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD01060EWolfspeedRectifier Diode Schottky SiC 600V 4A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252 Tube
на замовлення 4275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
241+49.78 грн
3000+ 48.36 грн
Мінімальне замовлення: 241
CSD01060EWolfspeedRectifier Diode Schottky SiC 600V 4A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252 Tube
товар відсутній
CSD01060EWolfspeedDiode Schottky SiC 600V 4A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252 Tube
на замовлення 4275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+46.22 грн
3000+ 44.9 грн
Мінімальне замовлення: 75
CSD01060EWolfspeed(CREE)Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 600V; 1A; TO252-2; 21.4W
Case: TO252-2
Mounting: SMD
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC; Z-Rec®
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Power dissipation: 21.4W
товар відсутній
CSD01060EWolfspeed(CREE)Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 600V; 1A; TO252-2; 21.4W
Case: TO252-2
Mounting: SMD
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC; Z-Rec®
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Power dissipation: 21.4W
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD01060E-TRWolfspeedDiode Schottky SiC 600V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+48.98 грн
5000+ 46.56 грн
10000+ 44.83 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD01060E-TRWolfspeed, Inc.Description: DIODE SIL CARB 600V 4A TO252-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
на замовлення 18875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.46 грн
10+ 93.31 грн
100+ 74.23 грн
500+ 58.95 грн
1000+ 50.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD01060E-TRWolfspeedDiode Schottky SiC 600V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товар відсутній
CSD01060E-TRWolfspeedRectifier Diode Schottky SiC 600V 4A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+66.81 грн
5000+ 61.05 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD01060E-TRWolfspeedSchottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 1A, 600V
на замовлення 5544 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+124.8 грн
10+ 102.38 грн
100+ 71.08 грн
500+ 59.9 грн
1000+ 50.79 грн
2500+ 48.24 грн
5000+ 46.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD01060E-TRWolfspeed, Inc.Description: DIODE SIL CARB 600V 4A TO252-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+52.58 грн
5000+ 48.73 грн
12500+ 47.12 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD01060E-TRWolfspeedDiode Schottky SiC 600V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товар відсутній
CSD01060E-TRWolfspeedRectifier Diode Schottky SiC 600V 4A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
CSD02060ACree/WolfspeedDescription: DIODE SCHOTTKY 600V 3.5A TO220-2
товар відсутній
CSD02060GCree/WolfspeedDescription: DIODE SCHOTTKY 600V 3.5A TO263-2
товар відсутній
CSD04060ACree/WolfspeedDescription: DIODE SCHOTTKY 600V 7A TO220-2
товар відсутній
CSD04060ACree, Inc.Schottky Diodes & Rectifiers
товар відсутній
CSD04060ECree, Inc.Schottky Diodes & Rectifiers
товар відсутній
CSD04060ECree/WolfspeedDescription: DIODE SCHOTTKY 600V 4A TO252-2
товар відсутній
CSD06060AWolfspeed, Inc.Description: DIODE SIL CARB 600V 10A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 340pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V
товар відсутній
CSD06060AWolfspeedSchottky Diodes & Rectifiers
товар відсутній
CSD06060GWolfspeedSchottky Diodes & Rectifiers
товар відсутній
CSD06060GWolfspeed, Inc.Description: DIODE SIL CARB 600V 10A TO263-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 340pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-263-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V
товар відсутній
CSD08060ACree/WolfspeedDescription: DIODE SCHOTTKY 600V 12.5A TO220
товар відсутній
CSD0910B-100MCODACADescription: SMD HIGH CURRENT POWER INDUCTORS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±20%
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.394" L x 0.354" W (10.00mm x 9.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 18.7mOhm Max
Ratings: AEC-Q200
Current - Saturation (Isat): 5.6A
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 1 kHz
Supplier Device Package: 4-SMD
Height - Seated (Max): 0.394" (10.00mm)
Part Status: Active
Inductance: 10 µH
Current Rating (Amps): 5 A
товар відсутній
CSD0910B-100MCODACADescription: SMD HIGH CURRENT POWER INDUCTORS
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±20%
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.394" L x 0.354" W (10.00mm x 9.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 18.7mOhm Max
Ratings: AEC-Q200
Current - Saturation (Isat): 5.6A
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 1 kHz
Supplier Device Package: 4-SMD
Height - Seated (Max): 0.394" (10.00mm)
Part Status: Active
Inductance: 10 µH
Current Rating (Amps): 5 A
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+245.61 грн
10+ 197.91 грн
25+ 180.7 грн
50+ 145.37 грн
100+ 133.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
CSD0910B-150MCODACADescription: SMD HIGH CURRENT POWER INDUCTORS
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±20%
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.394" L x 0.354" W (10.00mm x 9.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 39.2mOhm Max
Ratings: AEC-Q200
Current - Saturation (Isat): 4.6A
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 1 kHz
Supplier Device Package: 4-SMD
Height - Seated (Max): 0.394" (10.00mm)
Part Status: Active
Inductance: 15 µH
Current Rating (Amps): 3.5 A
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+196.34 грн
10+ 158.37 грн
25+ 144.58 грн
50+ 116.3 грн
100+ 106.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
CSD0910B-150MCODACADescription: SMD HIGH CURRENT POWER INDUCTORS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±20%
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.394" L x 0.354" W (10.00mm x 9.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 39.2mOhm Max
Ratings: AEC-Q200
Current - Saturation (Isat): 4.6A
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 1 kHz
Supplier Device Package: 4-SMD
Height - Seated (Max): 0.394" (10.00mm)
Part Status: Active
Inductance: 15 µH
Current Rating (Amps): 3.5 A
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+114.39 грн
Мінімальне замовлення: 300
CSD0910B-220MCODACADescription: SMD HIGH CURRENT POWER INDUCTORS
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±20%
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.394" L x 0.354" W (10.00mm x 9.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 51.6mOhm Max
Ratings: AEC-Q200
Current - Saturation (Isat): 3.2A
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 1 kHz
Supplier Device Package: 4-SMD
Height - Seated (Max): 0.394" (10.00mm)
Part Status: Active
Inductance: 22 µH
Current Rating (Amps): 2.5 A
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+196.34 грн
10+ 158.37 грн
25+ 144.58 грн
50+ 116.3 грн
100+ 106.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
CSD0910B-220MCODACADescription: SMD HIGH CURRENT POWER INDUCTORS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±20%
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.394" L x 0.354" W (10.00mm x 9.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 51.6mOhm Max
Ratings: AEC-Q200
Current - Saturation (Isat): 3.2A
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 1 kHz
Supplier Device Package: 4-SMD
Height - Seated (Max): 0.394" (10.00mm)
Part Status: Active
Inductance: 22 µH
Current Rating (Amps): 2.5 A
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+114.39 грн
Мінімальне замовлення: 300
CSD0910B-3R3MCODACADescription: SMD HIGH CURRENT POWER INDUCTORS
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±20%
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.394" L x 0.354" W (10.00mm x 9.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 11.5mOhm Max
Ratings: AEC-Q200
Current - Saturation (Isat): 10.5A
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Supplier Device Package: 4-SMD
Height - Seated (Max): 0.394" (10.00mm)
Part Status: Active
Inductance: 3.3 µH
Current Rating (Amps): 6 A
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+196.34 грн
10+ 158.37 грн
25+ 144.58 грн
50+ 116.3 грн
100+ 106.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
CSD0910B-3R3MCODACADescription: SMD HIGH CURRENT POWER INDUCTORS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±20%
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.394" L x 0.354" W (10.00mm x 9.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 11.5mOhm Max
Ratings: AEC-Q200
Current - Saturation (Isat): 10.5A
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Supplier Device Package: 4-SMD
Height - Seated (Max): 0.394" (10.00mm)
Part Status: Active
Inductance: 3.3 µH
Current Rating (Amps): 6 A
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+114.39 грн
Мінімальне замовлення: 300
CSD0910B-6R8MCODACADescription: SMD HIGH CURRENT POWER INDUCTORS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±20%
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.394" L x 0.354" W (10.00mm x 9.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 18.7mOhm Max
Ratings: AEC-Q200
Current - Saturation (Isat): 8.7A
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Supplier Device Package: 4-SMD
Height - Seated (Max): 0.394" (10.00mm)
Inductance: 6.8 µH
Current Rating (Amps): 5 A
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+114.39 грн
Мінімальне замовлення: 300
CSD0910B-6R8MCODACADescription: SMD HIGH CURRENT POWER INDUCTORS
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±20%
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.394" L x 0.354" W (10.00mm x 9.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 18.7mOhm Max
Ratings: AEC-Q200
Current - Saturation (Isat): 8.7A
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Supplier Device Package: 4-SMD
Height - Seated (Max): 0.394" (10.00mm)
Inductance: 6.8 µH
Current Rating (Amps): 5 A
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+196.34 грн
10+ 158.37 грн
25+ 144.58 грн
50+ 116.3 грн
100+ 106.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
CSD10Apex Tool GroupRibbon Cables / IDC Cables IDC Socket Cable Assemblies, 2.00mm Pitch
товар відсутній
CSD100-427-2BXVishay / Thin FilmThin Film Resistors - Through Hole CSD CUSTOM
на замовлення 100 шт:
термін постачання 344-353 дні (днів)
1+2008.85 грн
10+ 1107.14 грн
CSD1000B-MFantom DrivesDescription: SSD 1TB USB BLACK MAC
Packaging: Retail Package
Size / Dimension: 116.84mm x 81.28mm x 15.24mm
Memory Size: 1TB
Type: USB
Speed - Read: 560MB/s
Speed - Write: 530MB/s
Part Status: Active
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+11112.18 грн
CSD1000B-WFantom DrivesDescription: SSD 1TB USB BLACK WINDOWS
Packaging: Retail Package
Size / Dimension: 116.84mm x 81.28mm x 15.24mm
Memory Size: 1TB
Type: USB
Speed - Read: 560MB/s
Speed - Write: 530MB/s
Part Status: Active
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+11112.18 грн
CSD10030ACree IncDescription: DIODE SCHOTTKY 300V 10A TO220-2
товар відсутній
CSD10060ACREE LED (See account 19947)Rectifier Diode Schottky 600V 16.5A 2-Pin(2+Tab) TO-220
товар відсутній
CSD10060AWolfspeedSchottky Diodes & Rectifiers
товар відсутній
CSD10060AWolfspeed, Inc.Description: DIODE SIL CARB 600V 16.5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 550pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16.5A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V
товар відсутній
CSD10060GWolfspeed, Inc.Description: DIODE SIL CARB 600V 16.5A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 550pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16.5A
Supplier Device Package: TO-263-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V
товар відсутній
CSD10060GWolfspeedSchottky Diodes & Rectifiers
товар відсутній
CSD1006ACTripp LiteDescription: BATT CHARGING STATION 15A
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 13.54" L x 16.54" W x 8.94" H (343.92mm x 420.12mm x 227.08mm)
Mounting Type: Custom
Voltage - Input: 120VAC
Type: Charging Station
Termination Style: NEMA 5-15R
Battery Chemistry: Mobile Devices
Charge Current - Max: 15A
Part Status: Active
Number of Cells: 10
на замовлення 915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+17570.46 грн
CSD1006USBTripp LiteBattery Chargers Tripp Lite 10-Device USB Desktop Charging Station with Surge Protection
товар відсутній
CSD1013B-100MCODACADescription: SMD HIGH CURRENT POWER INDUCTORS
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±20%
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.512" L x 0.413" W (13.00mm x 10.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 18mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 7.1A
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 1 kHz
Supplier Device Package: 4-SMD
Height - Seated (Max): 0.413" (10.50mm)
Part Status: Active
Inductance: 10 µH
Current Rating (Amps): 4.2 A
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+226.95 грн
10+ 182.74 грн
25+ 166.81 грн
50+ 134.19 грн
100+ 123 грн
Мінімальне замовлення: 2
CSD1013B-100MCODACADescription: SMD HIGH CURRENT POWER INDUCTORS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±20%
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.512" L x 0.413" W (13.00mm x 10.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 18mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 7.1A
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 1 kHz
Supplier Device Package: 4-SMD
Height - Seated (Max): 0.413" (10.50mm)
Part Status: Active
Inductance: 10 µH
Current Rating (Amps): 4.2 A
товар відсутній
CSD1013B-220MCODACADescription: SMD HIGH CURRENT POWER INDUCTORS
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±20%
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.512" L x 0.413" W (13.00mm x 10.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 38mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 4.3A
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 1 kHz
Supplier Device Package: 4-SMD
Height - Seated (Max): 0.413" (10.50mm)
Part Status: Active
Inductance: 22 µH
Current Rating (Amps): 3 A
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+226.95 грн
10+ 182.74 грн
25+ 166.81 грн
50+ 134.19 грн
100+ 123 грн
Мінімальне замовлення: 2
CSD1013B-220MCODACADescription: SMD HIGH CURRENT POWER INDUCTORS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±20%
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.512" L x 0.413" W (13.00mm x 10.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 38mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 4.3A
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 1 kHz
Supplier Device Package: 4-SMD
Height - Seated (Max): 0.413" (10.50mm)
Part Status: Active
Inductance: 22 µH
Current Rating (Amps): 3 A
товар відсутній
CSD104-162UFVishayCERAMIC SANDWICH, DUAL-IN-LINE, RESISTOR NETWORK (CUSTOM)
товар відсутній
CSD104-162UFVishayCERAMIC SANDWICH, DUAL-IN-LINE, RESISTOR NETWORK (CUSTOM)
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+508.96 грн
Мінімальне замовлення: 24
CSD104-162UFVishayCERAMIC SANDWICH, DUAL-IN-LINE, RESISTOR NETWORK (CUSTOM)
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+472.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
CSD108Power IntegrationsDescription: MODULE GATE DVR P&P SCALE 1
товар відсутній
CSD12106NVENT HOFFMANDescription: NVENT HOFFMAN - CSD12106 - ENCLOSURE, IP66, STEEL, GREY
tariffCode: 73102990
rohsCompliant: YES
Gehäusefarbe: Gray
Außenhöhe - imperial: 12"
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IP-Schutzart: IP66
NEMA-Bewertung: NEMA 4, 12, 13
Außentiefe - metrisch: 152mm
usEccn: EAR99
Außenhöhe - metrisch: 304.8mm
Außentiefe - imperial: 6"
euEccn: NLR
Außenbreite - metrisch: 254mm
Produktpalette: CONCEPT Series
productTraceability: No
Gehäusetyp: Electrical / Industrial
Außenbreite - Zoll: 10"
Gehäusematerial: Steel
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+39718 грн
3+ 37523.96 грн
5+ 37304.09 грн
CSD12126Hoffman Enclosures, Inc.Description: BOX STEEL GRAY 12.01"L X 12.01"W
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+28254.87 грн
CSD12126SSHoffman Enclosures, Inc.Description: BOX S STEEL NAT 12.01"LX12.01"W
Packaging: Bulk
Features: Sealing Gasket, Stainless Steel Hinge, Wall Mount
Color: Natural
Size / Dimension: 12.008" L x 12.008" W (305.00mm x 305.00mm)
Material: Metal, Stainless Steel
Thickness: 16 Gauge
Height: 5.984" (152.00mm)
Design: Hinged Door, Lid
Ratings: IP66, NEMA 3R,4,4X,12,13, UL-508A
Container Type: Box
Area (L x W): 144in² (929cm²)
Part Status: Active
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+81352.19 грн
5+ 76940.77 грн
CSD130699 DIP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
CSD1306EУЎ¶И06+ SOT-23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
CSD13201W10Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 1.6A 4-Pin DSBGA T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
CSD13201W10Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-DSBGA (1x1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 462 pF @ 6 V
на замовлення 31333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+33.59 грн
12+ 25.02 грн
100+ 15.02 грн
500+ 13.05 грн
1000+ 8.87 грн
Мінімальне замовлення: 9
CSD13201W10Texas InstrumentsMOSFET N-CH NexFET Pwr MOSFET
на замовлення 5962 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+35.19 грн
12+ 27.3 грн
100+ 13.18 грн
1000+ 8.7 грн
3000+ 7.94 грн
9000+ 7.11 грн
24000+ 6.9 грн
Мінімальне замовлення: 10
CSD13201W10Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-DSBGA (1x1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 462 pF @ 6 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.04 грн
6000+ 8.34 грн
9000+ 7.51 грн
30000+ 6.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
CSD13202Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 22A 6-Pin WSON EP T/R
на замовлення 2718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+15.86 грн
40+ 15.02 грн
100+ 13.04 грн
250+ 11.87 грн
500+ 10.25 грн
1000+ 8.05 грн
Мінімальне замовлення: 38
CSD13202Q2TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD13202Q2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 22 A, 0.0075 ohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Bauform - Transistor: WSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0075ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.98 грн
Мінімальне замовлення: 100
CSD13202Q2Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 22A 6WSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 997 pF @ 6 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.22 грн
6000+ 12.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
CSD13202Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 22A 6-Pin WSON EP T/R
товар відсутній
CSD13202Q2Texas InstrumentsMOSFET N-CH Power MOSFET 12V 9.3mohm
на замовлення 4283 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+34.46 грн
11+ 29.52 грн
100+ 18.7 грн
500+ 14.91 грн
1000+ 12.01 грн
3000+ 11.25 грн
9000+ 10.35 грн
Мінімальне замовлення: 10
CSD13202Q2TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD13202Q2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 22 A, 0.0075 ohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+37.94 грн
25+ 31.74 грн
100+ 20.98 грн
Мінімальне замовлення: 21
CSD13202Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 22A 6-Pin WSON EP T/R
товар відсутній
CSD13202Q2Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 22A 6WSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 997 pF @ 6 V
на замовлення 10471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+38.82 грн
10+ 32.28 грн
100+ 22.45 грн
500+ 16.45 грн
1000+ 13.37 грн
Мінімальне замовлення: 8
CSD13202Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 22A 6-Pin WSON EP T/R
товар відсутній
CSD13202Q2TTexas InstrumentsDescription: PROTOTYPE
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 997 pF @ 6 V
товар відсутній
CSD13302WTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 1.6A 4-Pin DSBGA T/R
товар відсутній
CSD13302WTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 1.6A 4-Pin DSBGA T/R
товар відсутній
CSD13302WTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 1.6A 4-Pin DSBGA T/R
товар відсутній
CSD13302WTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.1mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-DSBGA (1x1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 862 pF @ 6 V
на замовлення 5749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+28.37 грн
14+ 21.42 грн
100+ 12.85 грн
500+ 11.17 грн
1000+ 7.59 грн
Мінімальне замовлення: 11
CSD13302WTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 1.6A 4-Pin DSBGA T/R
на замовлення 2670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
408+29.36 грн
594+ 20.17 грн
602+ 19.9 грн
833+ 13.86 грн
1122+ 9.52 грн
Мінімальне замовлення: 408
CSD13302WTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 1.6A 4-Pin DSBGA T/R
на замовлення 2670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+33.73 грн
22+ 27.53 грн
25+ 27.26 грн
100+ 18.06 грн
250+ 16.5 грн
500+ 11.44 грн
1000+ 8.49 грн
Мінімальне замовлення: 18
CSD13302WTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.1mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-DSBGA (1x1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 862 pF @ 6 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
CSD13302WTexas InstrumentsMOSFET 12-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single WLP 1 mm x 1 mm, 17.1 mOhm 4-DSBGA
на замовлення 8520 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+30.68 грн
13+ 24.52 грн
100+ 12.49 грн
1000+ 8.21 грн
3000+ 7.45 грн
9000+ 6.63 грн
24000+ 6 грн
Мінімальне замовлення: 11
CSD13302WTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.1mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-DSBGA (1x1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 862 pF @ 6 V
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+40.7 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD13302WTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 1.6A 4-Pin DSBGA T/R
товар відсутній
CSD13302WTTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 1.6A; Idm: 29A; 1.8W; DSBGA4
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 25.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Drain current: 1.6A
Drain-source voltage: 12V
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 29A
Case: DSBGA4
Mounting: SMD
товар відсутній
CSD13302WTTexas InstrumentsMOSFET 12-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single WLP 1 mm x 1 mm, 17.1 mOhm 4-DSBGA -55 to 150
товар відсутній
CSD13302WTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.1mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-DSBGA (1x1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 862 pF @ 6 V
на замовлення 322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.95 грн
10+ 50.83 грн
100+ 39.56 грн
Мінімальне замовлення: 5
CSD13302WTTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 1.6A; Idm: 29A; 1.8W; DSBGA4
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 25.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Drain current: 1.6A
Drain-source voltage: 12V
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 29A
Case: DSBGA4
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD13302WTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 1.6A 4-Pin DSBGA T/R
товар відсутній
CSD13302WTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 1.6A 4-Pin DSBGA T/R
товар відсутній
CSD13303W1015Texas InstrumentsMOSFET N-CH NexFET Pwr MOSFET
на замовлення 2376 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.74 грн
11+ 28.97 грн
100+ 18.84 грн
500+ 14.84 грн
1000+ 11.46 грн
3000+ 10.42 грн
9000+ 9.04 грн
Мінімальне замовлення: 10
CSD13303W1015Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 31A 6DSBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.65W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DSBGA (1x1.5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715 pF @ 6 V
товар відсутній
CSD13303W1015Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 3.5A 6-Pin DSBGA T/R
на замовлення 2265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
94+6.35 грн
111+ 5.39 грн
112+ 5.33 грн
155+ 3.7 грн
250+ 3.39 грн
500+ 2.53 грн
1000+ 2.17 грн
Мінімальне замовлення: 94
CSD13303W1015Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 31A 6DSBGA
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.65W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DSBGA (1x1.5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715 pF @ 6 V
на замовлення 143944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1998+10.49 грн
Мінімальне замовлення: 1998
CSD13303W1015Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 3.5A 6-Pin DSBGA T/R
товар відсутній
CSD13303W1015Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 3.5A 6-Pin DSBGA T/R
товар відсутній
CSD13303W1015Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 31A 6DSBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.65W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DSBGA (1x1.5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715 pF @ 6 V
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+37.33 грн
10+ 30.48 грн
Мінімальне замовлення: 8
CSD13303W1015Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 3.5A 6-Pin DSBGA T/R
товар відсутній
CSD13306WTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 3.5A 6DSBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DSBGA (1x1.5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 6 V
товар відсутній
CSD13306WTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 3.5A 6-Pin DSBGA T/R
товар відсутній
CSD13306WTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 3.5A 6DSBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DSBGA (1x1.5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 6 V
на замовлення 2955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.83 грн
10+ 29.33 грн
100+ 20.39 грн
500+ 14.94 грн
1000+ 12.15 грн
Мінімальне замовлення: 9
CSD13306WTexas InstrumentsMOSFET 12-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single WLP 1 mm x 1.5 mm, 10.2 mOhm 6-DSBGA
на замовлення 2811 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+38.16 грн
10+ 31.9 грн
100+ 19.32 грн
500+ 15.11 грн
1000+ 12.35 грн
3000+ 9.11 грн
9000+ 8.49 грн
Мінімальне замовлення: 9
CSD13306WTTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 3.5A; Idm: 44A; 1.9W; DSBGA6
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 15.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.9W
Polarisation: unipolar
Drain current: 3.5A
Drain-source voltage: 12V
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 44A
Case: DSBGA6
Mounting: SMD
товар відсутній
CSD13306WTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 3.5A 6-Pin DSBGA T/R
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
CSD13306WTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 3.5A 6DSBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DSBGA (1x1.5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 6 V
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+47.28 грн
500+ 38.97 грн
1250+ 31.74 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD13306WTTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 3.5A; Idm: 44A; 1.9W; DSBGA6
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 15.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.9W
Polarisation: unipolar
Drain current: 3.5A
Drain-source voltage: 12V
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 44A
Case: DSBGA6
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD13306WTTexas InstrumentsMOSFET 12V N-Channel NexFET Power MOSFET
на замовлення 972 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+69.65 грн
10+ 57.46 грн
100+ 39.82 грн
500+ 37.13 грн
1000+ 30.23 грн
2500+ 28.43 грн
5000+ 27.05 грн
Мінімальне замовлення: 5
CSD13306WTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 3.5A 6-Pin DSBGA T/R
товар відсутній
CSD13306WTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 3.5A 6-Pin DSBGA T/R
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+32.84 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD13306WTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 3.5A 6-Pin DSBGA T/R
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+30.52 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD13306WTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 3.5A 6-Pin DSBGA T/R
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+30.2 грн
26+ 22.1 грн
100+ 20.35 грн
Мінімальне замовлення: 20
CSD13306WTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 3.5A 6DSBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DSBGA (1x1.5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 6 V
на замовлення 2085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+74.65 грн
10+ 59.09 грн
100+ 45.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
CSD13306WTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 3.5A 6-Pin DSBGA T/R
товар відсутній
CSD13380F3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 3.6A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): 8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 6 V
на замовлення 52962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+29.86 грн
15+ 20.49 грн
100+ 10.33 грн
500+ 7.91 грн
1000+ 5.87 грн
Мінімальне замовлення: 10
CSD13380F3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 3.6A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 1479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
773+15.48 грн
861+ 13.9 грн
1017+ 11.77 грн
1248+ 9.25 грн
Мінімальне замовлення: 773
CSD13380F3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 3.6A 3-Pin PicoStar T/R
товар відсутній
CSD13380F3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 3.6A 3-Pin PicoStar T/R
товар відсутній
CSD13380F3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 3.6A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): 8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 6 V
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.46 грн
6000+ 5.03 грн
9000+ 4.35 грн
30000+ 4.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
CSD13380F3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 3.6A 3-Pin PicoStar T/R
товар відсутній
CSD13380F3Texas InstrumentsMOSFET 12-V, N channel NexFET power MOSFET, single LGA 0.6 mm x 0.7 mm, 76 mOhm, gate ESD protection 3-PICOSTAR -55 to 150
на замовлення 8488 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+30.68 грн
15+ 21.43 грн
100+ 7.94 грн
1000+ 5.73 грн
3000+ 4.76 грн
9000+ 3.93 грн
24000+ 3.66 грн
Мінімальне замовлення: 11
CSD13380F3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 3.6A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 1479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+28.54 грн
28+ 21.31 грн
30+ 20.42 грн
100+ 13.86 грн
250+ 11.53 грн
500+ 9.37 грн
1000+ 7.63 грн
Мінімальне замовлення: 21
CSD13380F3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 3.6A 3-Pin PicoStar T/R
товар відсутній
CSD13380F3TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 3.6A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): 8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 6 V
на замовлення 29138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.46 грн
10+ 53.05 грн
100+ 36.71 грн
Мінімальне замовлення: 5
CSD13380F3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 3.6A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+72.06 грн
10+ 63.07 грн
25+ 62.45 грн
100+ 46.06 грн
Мінімальне замовлення: 9
CSD13380F3TTexas InstrumentsMOSFET 12-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single LGA 0.6 mm x 0.7 mm, 76 mOhm, gate ESD protection 3-PICOSTAR -55 to 150
на замовлення 63889 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+50.89 грн
10+ 44.13 грн
100+ 23.74 грн
500+ 20.57 грн
1000+ 19.81 грн
Мінімальне замовлення: 7
CSD13380F3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 3.6A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
177+67.92 грн
178+ 67.26 грн
Мінімальне замовлення: 177
CSD13380F3TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 3.6A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): 8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 6 V
на замовлення 29000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+25.85 грн
500+ 21.56 грн
1250+ 20.19 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD13380F3TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 3.6A; Idm: 13.5A; 1.4W
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 135mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Drain current: 3.6A
Drain-source voltage: 12V
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 13.5A
Case: PICOSTAR3
Mounting: SMD
товар відсутній
CSD13380F3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 3.6A 3-Pin PicoStar T/R
товар відсутній
CSD13380F3TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 3.6A; Idm: 13.5A; 1.4W
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 135mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Drain current: 3.6A
Drain-source voltage: 12V
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 13.5A
Case: PICOSTAR3
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD13380F3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 3.6A 3-Pin PicoStar T/R
товар відсутній
CSD13381F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 2.1A 3-Pin PicoStar T/R
товар відсутній
CSD13381F4Texas InstrumentsMOSFET 12V N-CH Pwr MOSFET
на замовлення 83819 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+26.97 грн
16+ 20.24 грн
100+ 9.94 грн
1000+ 5.04 грн
3000+ 4.35 грн
9000+ 3.45 грн
24000+ 3.24 грн
Мінімальне замовлення: 12
CSD13381F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 2.1A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 2958000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.67 грн
9000+ 3.9 грн
24000+ 3.73 грн
45000+ 3.12 грн
99000+ 2.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
CSD13381F4Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): 8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 6 V
на замовлення 466610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+20.9 грн
21+ 14.02 грн
100+ 7.08 грн
500+ 5.42 грн
1000+ 4.02 грн
Мінімальне замовлення: 15
CSD13381F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 2.1A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.8 грн
Мінімальне замовлення: 3000
CSD13381F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 2.1A 3-Pin PicoStar T/R
товар відсутній
CSD13381F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 2.1A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+20.89 грн
37+ 16.04 грн
100+ 7.39 грн
250+ 6.78 грн
500+ 4.15 грн
Мінімальне замовлення: 29
CSD13381F4Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): 8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 6 V
на замовлення 462000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.75 грн
6000+ 3.45 грн
9000+ 3.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
CSD13381F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 2.1A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
CSD13381F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 2.1A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
CSD13381F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 2.1A 3-Pin PicoStar T/R
товар відсутній
CSD13381F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 2.1A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+22.87 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD13381F4TTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD13381F4T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 2.1 A, 0.14 ohm, LGA, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 500
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
CSD13381F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 2.1A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+26.27 грн
500+ 24.95 грн
1000+ 22.99 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD13381F4TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 2.1A; Idm: 7A; 500mW; PICOSTAR3
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Drain current: 2.1A
Drain-source voltage: 12V
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 7A
Case: PICOSTAR3
Mounting: SMD
на замовлення 243 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+48.88 грн
23+ 37.02 грн
63+ 35.01 грн
Мінімальне замовлення: 8
CSD13381F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 2.1A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+29.98 грн
500+ 27.78 грн
1000+ 24.77 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD13381F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 2.1A 3-Pin PicoStar T/R
товар відсутній
CSD13381F4TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 2.1A; Idm: 7A; 500mW; PICOSTAR3
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Drain current: 2.1A
Drain-source voltage: 12V
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 7A
Case: PICOSTAR3
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 243 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+60.92 грн
23+ 44.43 грн
63+ 42.01 грн
250+ 40.46 грн
Мінімальне замовлення: 5
CSD13381F4TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): 8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 6 V
на замовлення 5374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.71 грн
10+ 52.48 грн
100+ 36.35 грн
Мінімальне замовлення: 5
CSD13381F4TTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD13381F4T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 2.1 A, 0.14 ohm, LGA, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12
Dauer-Drainstrom Id: 2.1
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 500
Bauform - Transistor: LGA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 850
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+75.87 грн
12+ 67.2 грн
Мінімальне замовлення: 11
CSD13381F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 2.1A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+27.55 грн
23+ 26.31 грн
27+ 22.7 грн
Мінімальне замовлення: 22
CSD13381F4TTexas InstrumentsMOSFET 12V,N-Ch FemtoFET MOSFET
на замовлення 5663 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.18 грн
10+ 39.52 грн
100+ 26.85 грн
500+ 24.64 грн
1000+ 22.36 грн
2500+ 20.98 грн
5000+ 20.57 грн
Мінімальне замовлення: 7
CSD13381F4TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): 8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 6 V
на замовлення 5250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+36.41 грн
500+ 30.38 грн
1250+ 25.85 грн
2500+ 21.61 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD13383F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 2.9A 3-Pin PicoStar T/R
товар відсутній
CSD13383F4Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 2.9A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 291 pF @ 6 V
на замовлення 1008000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.24 грн
6000+ 4.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
CSD13383F4Texas InstrumentsMOSFET CSD13383F4 12-V Ncha MOSFET 3-PICOSTAR
на замовлення 11738 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.21 грн
14+ 23.65 грн
100+ 9.32 грн
1000+ 7.11 грн
3000+ 6.21 грн
9000+ 5.59 грн
24000+ 5.24 грн
Мінімальне замовлення: 10
CSD13383F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 2.9A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
CSD13383F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 2.9A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
CSD13383F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 2.9A 3-Pin PicoStar T/R
товар відсутній
CSD13383F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 2.9A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 1948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+36.01 грн
23+ 26.58 грн
25+ 26.3 грн
100+ 14.24 грн
250+ 13.05 грн
500+ 9.68 грн
1000+ 7.49 грн
Мінімальне замовлення: 17
CSD13383F4Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 2.9A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 291 pF @ 6 V
на замовлення 1009820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+23.89 грн
18+ 16.25 грн
100+ 8.18 грн
500+ 6.8 грн
1000+ 5.29 грн
Мінімальне замовлення: 13
CSD13383F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 2.9A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 1948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
423+28.32 грн
753+ 15.9 грн
761+ 15.74 грн
985+ 11.72 грн
1272+ 8.4 грн
Мінімальне замовлення: 423
CSD13383F4TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 2.9A; Idm: 18.5A; 500mW
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 65mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Drain current: 2.9A
Drain-source voltage: 12V
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 18.5A
Case: PICOSTAR3
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD13383F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 2.9A 3-Pin PicoStar T/R
товар відсутній
CSD13383F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 2.9A 3-Pin PicoStar T/R
товар відсутній
CSD13383F4TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 2.9A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 291 pF @ 6 V
на замовлення 3750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+26.84 грн
500+ 22.12 грн
1250+ 21.88 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD13383F4TTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD13383F4T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 2.9 A, 0.037 ohm, PICOSTAR, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12
Dauer-Drainstrom Id: 2.9
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 500
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1
Verlustleistung: 500
Bauform - Transistor: PICOSTAR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.037
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
CSD13383F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 2.9A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+40.65 грн
16+ 38.65 грн
25+ 38.26 грн
100+ 32.81 грн
Мінімальне замовлення: 15
CSD13383F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 2.9A 3-Pin PicoStar T/R
товар відсутній
CSD13383F4TTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD13383F4T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 2.9 A, 0.037 ohm, PICOSTAR, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12
Dauer-Drainstrom Id: 2.9
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 500
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1
Verlustleistung: 500
Bauform - Transistor: PICOSTAR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.037
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
CSD13383F4TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 2.9A; Idm: 18.5A; 500mW
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 65mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Drain current: 2.9A
Drain-source voltage: 12V
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 18.5A
Case: PICOSTAR3
Mounting: SMD
товар відсутній
CSD13383F4TTexas InstrumentsMOSFET 12V N-Channel FemtoFET MOSFET
на замовлення 986 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+57.65 грн
10+ 46.67 грн
100+ 32.23 грн
500+ 29.95 грн
1000+ 24.36 грн
2500+ 22.98 грн
5000+ 21.88 грн
Мінімальне замовлення: 6
CSD13383F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 2.9A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
CSD13383F4TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 2.9A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 291 pF @ 6 V
на замовлення 4192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.55 грн
10+ 33.5 грн
100+ 26.1 грн
Мінімальне замовлення: 8
CSD13385F5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 7.1A 3-Pin PicoStar T/R
товар відсутній
CSD13385F5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 4.3A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 900mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): 8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 674 pF @ 6 V
на замовлення 47207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.1 грн
12+ 24.15 грн
100+ 14.49 грн
500+ 12.59 грн
1000+ 8.56 грн
Мінімальне замовлення: 10
CSD13385F5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 7.1A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 2008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
560+21.37 грн
897+ 13.35 грн
906+ 13.22 грн
915+ 12.62 грн
1525+ 7.01 грн
Мінімальне замовлення: 560
CSD13385F5TEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 7.1A; Idm: 41A; 1.4W; PICOSTAR3
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Drain current: 7.1A
Drain-source voltage: 12V
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 41A
Case: PICOSTAR3
Mounting: SMD
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+25.55 грн
22+ 16.39 грн
27+ 13.52 грн
100+ 10.93 грн
130+ 6.47 грн
358+ 6.11 грн
Мінімальне замовлення: 16
CSD13385F5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 7.1A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 2008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+24.96 грн
30+ 19.84 грн
100+ 11.96 грн
250+ 10.96 грн
500+ 10.41 грн
1000+ 6.25 грн
Мінімальне замовлення: 24
CSD13385F5Texas InstrumentsMOSFET 12-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single LGA 0.8 mm x 1.5 mm, 19 mOhm, gate ESD protection 3-PICOSTAR -55 to 150
на замовлення 13946 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+29.95 грн
14+ 22.78 грн
100+ 11.66 грн
1000+ 7.52 грн
3000+ 6.9 грн
9000+ 6.63 грн
45000+ 6.28 грн
Мінімальне замовлення: 11
CSD13385F5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 4.3A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 900mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): 8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 674 pF @ 6 V
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.72 грн
6000+ 8.05 грн
9000+ 7.24 грн
30000+ 6.7 грн
Мінімальне замовлення: 3000
CSD13385F5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 7.1A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 114000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.13 грн
6000+ 7.06 грн
9000+ 6.87 грн
30000+ 6.56 грн
45000+ 5.83 грн
75000+ 5.4 грн
99000+ 5.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
CSD13385F5TEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 7.1A; Idm: 41A; 1.4W; PICOSTAR3
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Drain current: 7.1A
Drain-source voltage: 12V
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 41A
Case: PICOSTAR3
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
10+30.66 грн
14+ 20.43 грн
25+ 16.22 грн
100+ 13.11 грн
130+ 7.76 грн
358+ 7.33 грн
Мінімальне замовлення: 10
CSD13385F5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 7.1A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 114000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
CSD13385F5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 7.1A 3-Pin PicoStar T/R
товар відсутній
CSD13385F5TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 7.1A 3-Pin PicoStar T/R
товар відсутній
CSD13385F5TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 7.1A; Idm: 41A; 1.4W; PICOSTAR3
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Drain current: 7.1A
Drain-source voltage: 12V
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 41A
Case: PICOSTAR3
Mounting: SMD
товар відсутній
CSD13385F5TTexas InstrumentsMOSFET 12-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single LGA 0.8 mm x 1.5 mm, 19 mOhm, gate ESD protection 3-PICOSTAR -55 to 150
на замовлення 4289 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+37.44 грн
10+ 31.75 грн
100+ 23.46 грн
500+ 23.4 грн
Мінімальне замовлення: 9
CSD13385F5TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 7.1A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
CSD13385F5TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 7.1A; Idm: 41A; 1.4W; PICOSTAR3
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Drain current: 7.1A
Drain-source voltage: 12V
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 41A
Case: PICOSTAR3
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD13385F5TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 4.3A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 900mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): 8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 674 pF @ 6 V
на замовлення 22565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.29 грн
10+ 36.3 грн
100+ 28.2 грн
Мінімальне замовлення: 7
CSD13385F5TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 7.1A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+69.6 грн
10+ 62.74 грн
25+ 62.24 грн
Мінімальне замовлення: 9
CSD13385F5TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 7.1A 3-Pin PicoStar T/R
товар відсутній
CSD13385F5TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 4.3A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 900mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): 8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 674 pF @ 6 V
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+29.01 грн
500+ 23.9 грн
1250+ 23.64 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD13385F5TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 7.1A 3-Pin PicoStar T/R
товар відсутній
CSD15380F3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.9A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
CSD15380F3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 20V 500MA 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1190mOhm @ 100mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.35V @ 2.5µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 8V
Vgs (Max): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.281 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10.5 pF @ 10 V
на замовлення 59666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+25.38 грн
18+ 16.82 грн
100+ 8.48 грн
500+ 6.49 грн
1000+ 4.82 грн
Мінімальне замовлення: 12
CSD15380F3Texas InstrumentsMOSFET 20-V, N channel NexFET power MOSFET, single LGA 0.6 mm x 0.7 mm, 1460 mOhm, gate ESD protection 3-PICOSTAR -55 to 150
на замовлення 17172 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+30.68 грн
15+ 21.19 грн
100+ 7.8 грн
1000+ 5.73 грн
3000+ 4.62 грн
9000+ 3.93 грн
45000+ 3.24 грн
Мінімальне замовлення: 11
CSD15380F3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 20V 500MA 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1190mOhm @ 100mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.35V @ 2.5µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 8V
Vgs (Max): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.281 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10.5 pF @ 10 V
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.48 грн
6000+ 4.13 грн
9000+ 3.57 грн
30000+ 3.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
CSD15380F3TTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD15380F3T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 500 mA, 0.99 ohm, LGA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: LGA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: FemtoFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.99ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
CSD15380F3TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 20V 500MA 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1190mOhm @ 100mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.35V @ 2.5µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.281 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10.5 pF @ 10 V
на замовлення 3750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+36.92 грн
500+ 30.8 грн
1250+ 26.21 грн
2500+ 21.91 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD15380F3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.9A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+37.59 грн
17+ 35.67 грн
25+ 35.32 грн
100+ 28.65 грн
Мінімальне замовлення: 16
CSD15380F3TTexas InstrumentsMOSFET 20-V N-Ch FemtoFET
на замовлення 1178 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+63.69 грн
10+ 55.56 грн
100+ 33.89 грн
500+ 29.33 грн
1000+ 24.98 грн
2500+ 22.22 грн
5000+ 20.98 грн
Мінімальне замовлення: 6
CSD15380F3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.9A 3-Pin PicoStar T/R
товар відсутній
CSD15380F3TTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD15380F3T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 500 mA, 0.99 ohm, LGA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: LGA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: FemtoFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.99ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.99ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
CSD15380F3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.9A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
CSD15380F3TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 900mA; Idm: 1.6A; 1.4W
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.9A
On-state resistance: 4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 1.6A
Mounting: SMD
Case: PICOSTAR3
товар відсутній
CSD15380F3TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 20V 500MA 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1190mOhm @ 100mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.35V @ 2.5µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.281 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10.5 pF @ 10 V
на замовлення 4036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.46 грн
10+ 53.27 грн
100+ 36.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
CSD15380F3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.9A 3-Pin PicoStar T/R
товар відсутній
CSD15380F3TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 900mA; Idm: 1.6A; 1.4W
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.9A
On-state resistance: 4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 1.6A
Mounting: SMD
Case: PICOSTAR3
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD15571Q2Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 20V 22A 6SON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-SON (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 419 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
CSD15571Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 20V 22A 6-Pin WSON EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
CSD15571Q2Texas InstrumentsMOSFET 20V N-Channel NexFET Pwr MOSFET
на замовлення 12822 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+30.68 грн
13+ 26.11 грн
100+ 16.56 грн
500+ 12.97 грн
1000+ 10.56 грн
3000+ 8.9 грн
9000+ 8.42 грн
Мінімальне замовлення: 11
CSD15571Q2Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 20V 22A 6SON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-SON (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 419 pF @ 10 V
на замовлення 5587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.61 грн
12+ 25.02 грн
100+ 17.38 грн
500+ 12.74 грн
1000+ 10.36 грн
Мінімальне замовлення: 10
CSD15571Q2
Код товару: 130599		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
CSD16126Hoffman Enclosures, Inc.Description: BOX STEEL GRAY 15.98"L X 12.01"W
Packaging: Bulk
Features: Sealing Gasket, Wall Mount
Color: Gray
Size / Dimension: 15.984" L x 12.008" W (406.00mm x 305.00mm)
Material: Metal, Steel
Thickness: 18 Gauge
Height: 5.984" (152.00mm)
Design: Hinged Door, Lid
Ratings: IP66, NEMA 4,12,13, UL-508A
Container Type: Box
Area (L x W): 192in² (1239cm²)
товар відсутній
CSD16128PentairGray Steel Wall Mount Enclosure
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+47242.89 грн
CSD16128Hoffman Enclosures, Inc.Description: BOX STEEL GRAY 15.98"L X 12.01"W
Packaging: Bulk
Features: Sealing Gasket, Wall Mount
Color: Gray
Size / Dimension: 15.984" L x 12.008" W (406.00mm x 305.00mm)
Material: Metal, Steel
Thickness: 18 Gauge
Height: 7.992" (203.00mm)
Design: Hinged Door, Lid
Ratings: IP66, NEMA 4,12,13, UL-508A
Container Type: Box
Area (L x W): 192in² (1239cm²)
Part Status: Active
товар відсутній
CSD16128LGPentairLight Gray 16-Gauge Steel Wall Mount Single Door Enclosure
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+43007.08 грн
CSD1614C&K1CSB20007ABQ
товар відсутній
CSD161610Hoffman Enclosures, Inc.Description: BOX STEEL GRAY 15.98"L X 15.98"W
Packaging: Bulk
Features: Sealing Gasket, Wall Mount
Color: Gray
Size / Dimension: 15.984" L x 15.984" W (406.00mm x 406.00mm)
Material: Metal, Steel
Thickness: 18 Gauge
Height: 10.000" (254.00mm)
Design: Hinged Door, Lid
Ratings: IP66, NEMA 4,12,13, UL-508A
Container Type: Box
Area (L x W): 255in² (1645cm²)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+33765.05 грн
CSD16166PentairSteel Wall Mount Enclosure
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+48398.55 грн
CSD16166Hoffman Enclosures, Inc.Description: BOX STEEL GRAY 15.98"L X 15.98"W
Packaging: Bulk
Features: Sealing Gasket, Wall Mount
Color: Gray
Size / Dimension: 15.984" L x 15.984" W (406.00mm x 406.00mm)
Material: Metal, Steel
Thickness: 18 Gauge
Height: 5.984" (152.00mm)
Design: Hinged Door, Lid
Ratings: IP66, NEMA 4,12,13, UL-508A
Container Type: Box
Area (L x W): 255in² (1645cm²)
Part Status: Active
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+30299.63 грн
CSD16166SSHoffman Enclosures, Inc.Description: BOX S STEEL NAT 15.98"LX15.98"W
Packaging: Bulk
Features: Sealing Gasket, Stainless Steel Hinge, Wall Mount
Color: Natural
Size / Dimension: 15.984" L x 15.984" W (406.00mm x 406.00mm)
Material: Metal, Stainless Steel
Thickness: 16 Gauge
Height: 5.984" (152.00mm)
Design: Hinged Door, Lid
Ratings: IP66, NEMA 3R,4,4X,12,13, UL-508A
Container Type: Box
Area (L x W): 255in² (1645cm²)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+105960.98 грн
CSD16168NVENT HOFFMANDescription: NVENT HOFFMAN - CSD16168 - ENCLOSURE, WALL MOUNT, CONCEPT, STEEL, GRAY
Gehäusefarbe: Grey
Außenhöhe - imperial: 16
IP-Schutzart: IP66
NEMA-Bewertung: NEMA 4, 12, 13
Außentiefe - metrisch: 203
Außenhöhe - metrisch: 406
Außentiefe - imperial: 8
Außenbreite - metrisch: 406
Produktpalette: Concept Series
Gehäusetyp: Electrical / Industrial
Außenbreite - Zoll: 16
Gehäusematerial: Steel
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+48452.35 грн
CSD16168Hoffman Enclosures, Inc.Description: BOX STEEL GRAY 15.98"L X 15.98"W
Packaging: Bulk
Features: Sealing Gasket, Wall Mount
Color: Gray
Size / Dimension: 15.984" L x 15.984" W (406.00mm x 406.00mm)
Material: Metal, Steel
Thickness: 18 Gauge
Height: 7.992" (203.00mm)
Design: Hinged Door, Lid
Ratings: IP66, NEMA 4,12,13, UL-508A
Container Type: Box
Area (L x W): 255in² (1645cm²)
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+33063.3 грн
CSD16168SSHoffman Enclosures, Inc.Description: BOX S STEEL NAT 15.98"LX15.98"W
Packaging: Bulk
Features: Sealing Gasket, Stainless Steel Hinge, Wall Mount
Color: Natural
Size / Dimension: 15.984" L x 15.984" W (406.00mm x 406.00mm)
Material: Metal, Stainless Steel
Thickness: 16 Gauge
Height: 7.992" (203.00mm)
Design: Hinged Door, Lid
Ratings: IP66, NEMA 3R,4,4X,12,13, UL-508A
Container Type: Box
Area (L x W): 255in² (1645cm²)
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+109016.56 грн
CSD162010PentairGray Steel Wall Mount Enclosure
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+55851.97 грн
CSD16208Hoffman Enclosures, Inc.Description: BOX STEEL GRAY 20"L X 15.98"W
Packaging: Bulk
Features: Sealing Gasket, Wall Mount
Color: Gray
Size / Dimension: 20.000" L x 15.984" W (508.00mm x 406.00mm)
Material: Metal, Steel
Thickness: 18 Gauge
Height: 7.992" (203.00mm)
Design: Hinged Door, Lid
Ratings: IP66, NEMA 4,12,13, UL-508A
Container Type: Box
Area (L x W): 320in² (2065cm²)
Part Status: Active
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+35229 грн
CSD16301Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 8.2A 6-Pin WSON EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.2 грн
Мінімальне замовлення: 3000
CSD16301Q2Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 5A 6SON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 4A, 8V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.55V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-SON
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 12.5 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.57 грн
6000+ 10.58 грн
9000+ 9.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
CSD16301Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 8.2A 6-Pin WSON EP T/R
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+31.4 грн
22+ 27.61 грн
42+ 14.36 грн
Мінімальне замовлення: 19
CSD16301Q2TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16301Q2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 5 A, 0.019 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.3W
Bauform - Transistor: SON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.019ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
CSD16301Q2Texas InstrumentsMOSFET N-Channel NexFET Power MOSFET
на замовлення 45845 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+36.71 грн
11+ 31.03 грн
100+ 18.7 грн
500+ 14.56 грн
1000+ 11.87 грн
3000+ 10.08 грн
9000+ 9.32 грн
Мінімальне замовлення: 9
CSD16301Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 8.2A 6-Pin WSON EP T/R
товар відсутній
CSD16301Q2TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16301Q2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 5 A, 0.019 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.3W
Bauform - Transistor: SON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.019ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
CSD16301Q2Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 5A 6SON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 4A, 8V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.55V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-SON
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 12.5 V
на замовлення 13182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+34.34 грн
11+ 28.25 грн
100+ 19.65 грн
500+ 14.4 грн
1000+ 11.7 грн
Мінімальне замовлення: 9
CSD16301Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 5A 6-Pin SON T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
CSD16301Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 8.2A 6-Pin WSON EP T/R
товар відсутній
CSD16321Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 31A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 12.5 V
на замовлення 11625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.98 грн
10+ 89.29 грн
100+ 71.06 грн
500+ 56.42 грн
1000+ 47.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD16321Q5Texas InstrumentsMOSFET N-Channel NexFET Power MOSFET
на замовлення 2984 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+119.97 грн
10+ 98.41 грн
100+ 68.05 грн
500+ 57.35 грн
1000+ 48.65 грн
2500+ 46.17 грн
5000+ 44.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD16321Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD16321Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 31A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 12.5 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+50.33 грн
5000+ 46.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD16321Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD16321Q5
Код товару: 94698		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
CSD16321Q5TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16321Q5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 0.0019 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
на замовлення 1712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+76.33 грн
500+ 59.74 грн
1000+ 49.97 грн
Мінімальне замовлення: 100
CSD16321Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 1922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+77.89 грн
10+ 70.93 грн
25+ 70.52 грн
100+ 60.71 грн
250+ 55.65 грн
500+ 43.64 грн
Мінімальне замовлення: 8
CSD16321Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD16321Q5TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16321Q5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 0.0019 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+130.84 грн
10+ 99.87 грн
100+ 76.33 грн
500+ 59.74 грн
1000+ 49.97 грн
Мінімальне замовлення: 6
CSD16321Q5CTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 31A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD16321Q5CTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 31A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 12.5 V
товар відсутній
CSD16321Q5CTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 31A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 12.5 V
товар відсутній
CSD16321Q5CTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 31A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD16321Q5CTexas InstrumentsMOSFET DualCool N-Channel NexFET Power MOSFET
товар відсутній
CSD16321Q5TTexas Instruments25-V, N Channel Power MOSFET
товар відсутній
CSD16321Q5TTexas InstrumentsCSD16321Q5T
товар відсутній
CSD16321Q5TTexas InstrumentsMOSFET 25-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 5 mm x 6 mm, 2.6 mOhm 8-VSON-CLIP -55 to 150
на замовлення 707 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+155.39 грн
10+ 127.78 грн
100+ 91.79 грн
250+ 77.29 грн
500+ 73.15 грн
1000+ 63.22 грн
2500+ 60.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD16321Q5TTexas InstrumentsDescription: 25-V, N CHANNEL NEXFET POWER MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 12.5 V
на замовлення 530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+145.57 грн
10+ 125.59 грн
25+ 118.47 грн
100+ 94.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD16321Q5TTexas Instruments25-V, N Channel Power MOSFET
товар відсутній
CSD16321Q5TTexas InstrumentsDescription: 25-V, N CHANNEL NEXFET POWER MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 12.5 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+98.41 грн
500+ 82.92 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD16322Q5TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16322Q5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 97 A, 0.0039 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 97A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
на замовлення 2395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+92.13 грн
11+ 72 грн
100+ 53.57 грн
500+ 42.2 грн
1000+ 29.8 грн
Мінімальне замовлення: 9
CSD16322Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD16322Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 21A/97A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1365 pF @ 12.5 V
на замовлення 4908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.12 грн
10+ 64.63 грн
100+ 50.25 грн
500+ 39.97 грн
1000+ 32.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
CSD16322Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+52.84 грн
13+ 48.29 грн
25+ 33.64 грн
Мінімальне замовлення: 12
CSD16322Q5TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16322Q5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 97 A, 0.0039 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 97A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+49.39 грн
500+ 37.89 грн
1000+ 27.61 грн
Мінімальне замовлення: 100
CSD16322Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD16322Q5Texas InstrumentsMOSFET N-Channel NexFET Pwr MOSFETs
на замовлення 4652 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+83.74 грн
10+ 68.73 грн
100+ 47.76 грн
500+ 40.51 грн
1000+ 32.99 грн
2500+ 30.99 грн
5000+ 29.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
CSD16322Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD16322Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 21A/97A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1365 pF @ 12.5 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+33.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD16322Q5CTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD16322Q5CTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 21A/97A 8SON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SON
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1365 pF @ 12.5 V
товар відсутній
CSD16322Q5CTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD16322Q5CTexas InstrumentsMOSFET DualCool N-Channel NexFET Power MOSFET
на замовлення 11629 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
CSD16322Q5CTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 21A/97A 8SON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SON
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1365 pF @ 12.5 V
на замовлення 149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+102.28 грн
10+ 80.59 грн
100+ 62.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD16323Q3Texas InstrumentsMOSFET N-Ch NexFET Pwr MOSFET
на замовлення 29428 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+83.74 грн
10+ 67.86 грн
100+ 44.65 грн
500+ 37.68 грн
1000+ 29.81 грн
2500+ 28.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
CSD16323Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD16323Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.39 грн
10000+ 30.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD16323Q3TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16323Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 60 A, 0.0044 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044ohm
на замовлення 2253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+74.32 грн
14+ 57.06 грн
100+ 41.26 грн
500+ 32.49 грн
Мінімальне замовлення: 11
CSD16323Q3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 21A/60A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 24A, 8V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 12.5 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.48 грн
5000+ 29.79 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD16323Q3Texas InstrumentsN-Channel 25 V 21A (Ta), 60A (Tc) 3W (Ta) Surface Mount 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
на замовлення 380 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
2+148.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
CSD16323Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+81.3 грн
10+ 67.07 грн
25+ 66.39 грн
100+ 49.27 грн
250+ 43.88 грн
500+ 35.27 грн
1000+ 27.43 грн
Мінімальне замовлення: 8
CSD16323Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD16323Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD16323Q3TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16323Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 60 A, 0.0044 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044ohm
на замовлення 2253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+41.26 грн
500+ 32.49 грн
Мінімальне замовлення: 100
CSD16323Q3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 21A/60A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 24A, 8V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 12.5 V
на замовлення 8032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+78.39 грн
10+ 61.82 грн
100+ 48.12 грн
500+ 38.28 грн
1000+ 31.18 грн
Мінімальне замовлення: 4
CSD16323Q3CTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 21A/60A 8SON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 24A, 8V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SON-EP (3x3)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 12.5 V
товар відсутній
CSD16323Q3CTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin SON EP T/R
товар відсутній
CSD16323Q3CTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 21A/60A 8SON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 24A, 8V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SON-EP (3x3)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 12.5 V
товар відсутній
CSD16323Q3CTexas InstrumentsMOSFET Dual Cool NCh NexFET Power MOSFET
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
CSD16323Q3CTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin SON EP T/R
товар відсутній
CSD16323Q3TTexas InstrumentsDescription: PROTOTYPE
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 24A, 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 12.5 V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 74W (Tc)
товар відсутній
CSD16325Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 33A 8-Pin SON EP T/R
товар відсутній
CSD16325Q5Texas InstrumentsMOSFET N-Channel NexFET Power MOSFET
на замовлення 4969 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+138.49 грн
10+ 115.08 грн
100+ 80.06 грн
250+ 69.01 грн
500+ 63.7 грн
1000+ 55.49 грн
2500+ 53.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD16325Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 33A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 12.5 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+60.49 грн
5000+ 56.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD16325Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 33A 8-Pin SON EP T/R
товар відсутній
CSD16325Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 33A 8-Pin SON EP T/R
на замовлення 2499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+132.66 грн
10+ 113.73 грн
25+ 112.61 грн
100+ 87.31 грн
250+ 60.65 грн
500+ 57.64 грн
1000+ 51.78 грн
Мінімальне замовлення: 5
CSD16325Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 33A 8-Pin SON EP T/R
товар відсутній
CSD16325Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 33A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 12.5 V
на замовлення 9558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.38 грн
10+ 107.26 грн
100+ 85.4 грн
500+ 67.82 грн
1000+ 57.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD16325Q5CTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 33A/100A 8VSON
товар відсутній
CSD16325Q5CTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 33A/100A 8VSON
товар відсутній
CSD16325Q5CTexas InstrumentsMOSFET DualCool N-Channel NexFET Power MOSFET
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
CSD16327Q3TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16327Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 60 A, 0.0034 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 3W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+49.39 грн
500+ 37.89 грн
1000+ 27.61 грн
Мінімальне замовлення: 100
CSD16327Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 2294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+41.81 грн
16+ 38.44 грн
25+ 38.2 грн
100+ 32.93 грн
250+ 30.3 грн
500+ 27.24 грн
1000+ 25.97 грн
Мінімальне замовлення: 15
CSD16327Q3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 60A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 24A, 8V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 12.5 V
на замовлення 13478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+75.4 грн
10+ 59.67 грн
100+ 46.41 грн
500+ 36.92 грн
1000+ 30.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
CSD16327Q3Texas InstrumentsMOSFET N-Channel NexFET Pwr MOSFET
на замовлення 14010 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+59.18 грн
10+ 50.08 грн
100+ 35.82 грн
500+ 32.16 грн
1000+ 28.36 грн
2500+ 27.12 грн
5000+ 26.71 грн
Мінімальне замовлення: 6
CSD16327Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD16327Q3TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16327Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 60 A, 0.0034 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
на замовлення 3035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+58.45 грн
16+ 49.55 грн
100+ 38.71 грн
500+ 33 грн
1000+ 28.53 грн
Мінімальне замовлення: 14
CSD16327Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 2294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
290+41.4 грн
291+ 41.14 грн
326+ 36.77 грн
328+ 35.24 грн
500+ 30.56 грн
1000+ 27.97 грн
Мінімальне замовлення: 290
CSD16327Q3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 60A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 24A, 8V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 12.5 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.33 грн
5000+ 28.73 грн
12500+ 27.4 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD16327Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD16327Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD16327Q3TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 60A; Idm: 240A; 74W; VSON-CLIP8
Technology: NexFET™
Mounting: SMD
Case: VSON-CLIP8
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 74W
Application: automotive industry
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -8...10V
Pulsed drain current: 240A
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 60A
On-state resistance: 6.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD16327Q3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD16327Q3T
Код товару: 153742		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
CSD16327Q3TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 60A; Idm: 240A; 74W; VSON-CLIP8
Technology: NexFET™
Mounting: SMD
Case: VSON-CLIP8
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 74W
Application: automotive industry
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -8...10V
Pulsed drain current: 240A
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 60A
On-state resistance: 6.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
CSD16327Q3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD16327Q3TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 60A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 24A, 8V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 12.5 V
на замовлення 5775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.93 грн
10+ 53.56 грн
100+ 41.65 грн
Мінімальне замовлення: 5
CSD16327Q3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD16327Q3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD16327Q3TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 60A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 24A, 8V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 12.5 V
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+42.84 грн
500+ 35.3 грн
1250+ 34.92 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD16327Q3TTexas InstrumentsMOSFET 25-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 3 mm x 3 mm, 4.8 mOhm 8-VSON-CLIP -55 to 150
на замовлення 3478 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+103.06 грн
10+ 84.13 грн
100+ 51.41 грн
500+ 47.2 грн
1000+ 38.99 грн
2500+ 36.71 грн
5000+ 34.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
CSD16340Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD16340Q3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 21A/60A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 8V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 12.5 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.14 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD16340Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD16340Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 2008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+41.86 грн
16+ 37.98 грн
25+ 37.6 грн
100+ 32.02 грн
250+ 29.35 грн
500+ 27.61 грн
1000+ 27.03 грн
Мінімальне замовлення: 15
CSD16340Q3Texas InstrumentsMOSFET N Channel NexFET Power MOSFET
на замовлення 5835 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+58.37 грн
10+ 47.22 грн
100+ 32.44 грн
500+ 27.95 грн
1000+ 27.74 грн
2500+ 27.67 грн
10000+ 27.47 грн
Мінімальне замовлення: 6
CSD16340Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD16340Q3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 21A/60A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 8V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 12.5 V
на замовлення 21932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.74 грн
10+ 44.5 грн
100+ 34.62 грн
500+ 27.54 грн
1000+ 27.24 грн
Мінімальне замовлення: 6
CSD16340Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 2008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
293+40.9 грн
296+ 40.49 грн
335+ 35.76 грн
338+ 34.14 грн
500+ 30.97 грн
1000+ 29.11 грн
Мінімальне замовлення: 293
CSD16340Q3TTexas InstrumentsMOSFET 25V, -55 to 150
на замовлення 674 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+107.09 грн
10+ 86.51 грн
100+ 55.62 грн
500+ 47.83 грн
1000+ 40.17 грн
2500+ 37.89 грн
5000+ 36.02 грн
Мінімальне замовлення: 4
CSD16340Q3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
285+42.02 грн
500+ 40.8 грн
Мінімальне замовлення: 285
CSD16340Q3TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 60A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 8V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 12.5 V
товар відсутній
CSD16340Q3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+39.01 грн
500+ 37.89 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD16340Q3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+40.34 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD16340Q3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+57.95 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD16340Q3TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 60A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 8V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 12.5 V
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+100.04 грн
10+ 78.57 грн
100+ 61.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD16340Q3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD16342Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 20A, 8V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 12.5 V
на замовлення 6019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+76.15 грн
10+ 59.88 грн
100+ 46.57 грн
500+ 37.05 грн
1000+ 30.18 грн
Мінімальне замовлення: 4
CSD16342Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD16342Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD16342Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 1437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
331+36.22 грн
332+ 36.08 грн
357+ 33.59 грн
358+ 32.26 грн
500+ 29.59 грн
1000+ 28.14 грн
Мінімальне замовлення: 331
CSD16342Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 20A, 8V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 12.5 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.44 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD16342Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 1437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+35.49 грн
18+ 33.63 грн
25+ 33.5 грн
100+ 30.08 грн
250+ 27.74 грн
500+ 26.38 грн
1000+ 26.13 грн
Мінімальне замовлення: 17
CSD16342Q5ATexas InstrumentsMOSFET N-Channel NexFET Power MOSFET
на замовлення 6183 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+56.92 грн
10+ 48.1 грн
100+ 34.99 грн
500+ 31.82 грн
1000+ 28.71 грн
2500+ 27.74 грн
5000+ 27.05 грн
Мінімальне замовлення: 6
CSD16342Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD16342Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.82 грн
5000+ 30.11 грн
10000+ 29.32 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD163CEVM-591Texas InstrumentsPower Management IC Development Tools CSD163CEVM-591
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4880.03 грн
CSD163CEVM-591Texas InstrumentsTPS40304 DC to DC Controller 1.17VDC to 1.23VDC Output Evaluation Board
товар відсутній
CSD163CEVM-591Texas InstrumentsDescription: EVAL MODULE FOR MOSFETS/TPS40304
Packaging: Bulk
Voltage - Output: 1.2V
Voltage - Input: 8V ~ 14V
Current - Output: 25A
Frequency - Switching: 600kHz
Regulator Topology: Buck
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: TPS40304
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: DC/DC, Step Down
Outputs and Type: 1, Non-Isolated
Part Status: Active
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4109.68 грн
CSD163CEVM-591Texas InstrumentsTPS40304 DC to DC Controller 1.17VDC to 1.23VDC Output Evaluation Board
товар відсутній
CSD16401Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
93+129.17 грн
102+ 117.38 грн
114+ 101.65 грн
250+ 91.75 грн
500+ 74.33 грн
Мінімальне замовлення: 93
CSD16401Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 38A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 12.5 V
на замовлення 5449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+176.93 грн
10+ 141.69 грн
100+ 112.79 грн
500+ 89.56 грн
1000+ 75.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
CSD16401Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+119.95 грн
10+ 109.64 грн
25+ 108.99 грн
100+ 94.39 грн
250+ 85.2 грн
500+ 69.02 грн
Мінімальне замовлення: 5
CSD16401Q5TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16401Q5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 0.0013 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 3.1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: SON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0013ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+124.37 грн
Мінімальне замовлення: 100
CSD16401Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD16401Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+79.63 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD16401Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+80.84 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD16401Q5TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16401Q5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 0.0013 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+164.9 грн
10+ 128.51 грн
100+ 108.39 грн
Мінімальне замовлення: 5
CSD16401Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 38A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 12.5 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+74.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD16401Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD16401Q5Texas InstrumentsMOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+153.78 грн
10+ 130.95 грн
100+ 95.93 грн
250+ 94.55 грн
500+ 80.06 грн
1000+ 73.84 грн
2500+ 70.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD16401Q5TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 12.5 V
на замовлення 532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+203.8 грн
10+ 165.2 грн
100+ 133.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
CSD16401Q5TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD16401Q5TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD16401Q5TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD16401Q5TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 12.5 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+131.06 грн
500+ 118.78 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD16401Q5TTexas InstrumentsMOSFET 25-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 5 mm x 6 mm, 2.3 mOhm 8-VSON-CLIP -55 to 150
на замовлення 1580 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+219 грн
10+ 181.75 грн
25+ 149.07 грн
100+ 127.67 грн
250+ 107.66 грн
500+ 100.07 грн
1000+ 91.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
CSD16401Q5TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; Idm: 240A; 156W
Technology: NexFET™
Mounting: SMD
Case: VSON-CLIP8
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 156W
Application: automotive industry
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -12...16V
Pulsed drain current: 240A
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
On-state resistance: 2.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD16401Q5TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD16401Q5TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; Idm: 240A; 156W
Technology: NexFET™
Mounting: SMD
Case: VSON-CLIP8
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 156W
Application: automotive industry
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -12...16V
Pulsed drain current: 240A
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
On-state resistance: 2.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
CSD16403Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 28A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD16403Q5ATexas InstrumentsMOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs
на замовлення 2391 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+112.72 грн
10+ 91.27 грн
100+ 63.77 грн
250+ 58.94 грн
500+ 53.49 грн
1000+ 45.76 грн
2500+ 43.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD16403Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 28A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 12.5 V
на замовлення 14708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+78.39 грн
10+ 62.54 грн
100+ 49.76 грн
500+ 42.16 грн
Мінімальне замовлення: 4
CSD16403Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 28A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD16403Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 28A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 12.5 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+46.66 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD16403Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 28A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD16403Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 28A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD16404Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD16404Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD16404Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 21A/81A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 12.5 V
на замовлення 4554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.41 грн
10+ 57.3 грн
100+ 44.56 грн
500+ 35.45 грн
1000+ 28.87 грн
Мінімальне замовлення: 5
CSD16404Q5ATEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16404Q5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 81 A, 0.0041 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+42.89 грн
500+ 32.92 грн
1000+ 24.02 грн
Мінімальне замовлення: 100
CSD16404Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD16404Q5ATexas InstrumentsMOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs
на замовлення 7816 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+76.41 грн
10+ 61.43 грн
100+ 41.55 грн
500+ 35.27 грн
1000+ 28.71 грн
2500+ 26.16 грн
5000+ 25.47 грн
Мінімальне замовлення: 5
CSD16404Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 21A/81A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 12.5 V
товар відсутній
CSD16404Q5ATEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16404Q5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 81 A, 0.0041 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0041ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+61.16 грн
15+ 54.97 грн
100+ 42.89 грн
500+ 32.92 грн
1000+ 24.02 грн
Мінімальне замовлення: 13
CSD16406Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD16406Q3TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16406Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 60 A, 0.0042 ohm, SON, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25
Dauer-Drainstrom Id: 60
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.7
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7
Verlustleistung: 2.7
Bauform - Transistor: SON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0042
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+89.81 грн
10+ 78.97 грн
100+ 62.48 грн
Мінімальне замовлення: 9
CSD16406Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 1432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
183+65.46 грн
185+ 64.81 грн
228+ 52.57 грн
250+ 48.99 грн
500+ 38.63 грн
1000+ 30.43 грн
Мінімальне замовлення: 183
CSD16406Q3Texas InstrumentsN-MOSFET 25V 60A 2.7W 5.3mΩ CSD16406Q3 Texas Instruments TCSD16406q3
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+47.34 грн
Мінімальне замовлення: 20
CSD16406Q3Texas InstrumentsMOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs
на замовлення 6949 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+80.52 грн
10+ 69.05 грн
100+ 46.79 грн
500+ 39.27 грн
1000+ 31.54 грн
2500+ 29.68 грн
5000+ 27.95 грн
Мінімальне замовлення: 4
CSD16406Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 1432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+71.96 грн
10+ 60.79 грн
25+ 60.18 грн
100+ 47.07 грн
250+ 42.12 грн
500+ 34.44 грн
1000+ 28.26 грн
Мінімальне замовлення: 9
CSD16406Q3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 19A/60A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 12.5 V
на замовлення 6937 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+75.4 грн
10+ 59.67 грн
100+ 46.38 грн
500+ 36.89 грн
1000+ 30.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
CSD16406Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+35.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD16406Q3TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16406Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 60 A, 0.0042 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.7
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7
Bauform - Transistor: SON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0042
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+62.48 грн
Мінімальне замовлення: 100
CSD16406Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD16406Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD16406Q3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 19A/60A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 12.5 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD16406Q3 MOSFET N-CH - Texas Instruments
Код товару: 108023		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
CSD16407Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 31A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 12.5 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+49.54 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD16407Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 31A 8-Pin SON EP T/R
товар відсутній
CSD16407Q5TI0950+ QFN
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
CSD16407Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 31A 8-Pin SON EP T/R
товар відсутній
CSD16407Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 31A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 12.5 V
на замовлення 5427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.95 грн
10+ 94.46 грн
100+ 75.17 грн
500+ 59.69 грн
1000+ 50.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD16407Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 31A 8-Pin SON EP T/R
товар відсутній
CSD16407Q5TI
на замовлення 2235 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
CSD16407Q5Texas InstrumentsMOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs
на замовлення 5795 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+126.41 грн
10+ 107.94 грн
100+ 75.22 грн
250+ 71.77 грн
500+ 61.97 грн
1000+ 52.31 грн
2500+ 48.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD16407Q5CTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 31A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD16407Q5CTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 31A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 12.5 V
товар відсутній
CSD16407Q5CTexas InstrumentsMOSFET DualCool N-Channel NexFET Power MOSFET
на замовлення 6325 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
CSD16407Q5CTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 31A/100A 8VSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 12.5 V
на замовлення 419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
419+64.95 грн
Мінімальне замовлення: 419
CSD16407Q5CTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 31A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD16407Q5CTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 31A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 12.5 V
товар відсутній
CSD16408Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 22A 8-Pin SON T/R
товар відсутній
CSD16408Q5Texas InstrumentsMOSFET N-Channel NexFET Pwr MOSFET
товар відсутній
CSD16408Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 22A/113A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 113A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 12.5 V
товар відсутній
CSD16408Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 22A 8-Pin SON T/R
товар відсутній
CSD16408Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 22A/113A 8VSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 113A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 12.5 V
на замовлення 29715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
476+44.04 грн
Мінімальне замовлення: 476
CSD16408Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 22A 8-Pin SON T/R
товар відсутній
CSD16408Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 22A/113A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 113A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 12.5 V
товар відсутній
CSD16408Q5CTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 22A/113A 8VSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 113A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 12.5 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
452+46.13 грн
Мінімальне замовлення: 452
CSD16408Q5CTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 22A 8-Pin SON EP T/R
товар відсутній
CSD16408Q5CTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 22A/113A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 113A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 12.5 V
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.22 грн
10+ 90.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD16408Q5CTexas InstrumentsMOSFET DualCool N-Channel NexFET Power MOSFET
на замовлення 3038 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
CSD16408Q5CTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 22A 8-Pin SON EP T/R
товар відсутній
CSD16408Q5CTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 22A/113A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 113A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 12.5 V
товар відсутній
CSD16409Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 15A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD16409Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 15A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+30.07 грн
22+ 27.29 грн
25+ 27.02 грн
100+ 16.99 грн
Мінімальне замовлення: 20
CSD16409Q3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 15A/60A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 12.5 V
на замовлення 6358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.95 грн
10+ 51.26 грн
100+ 39.83 грн
500+ 31.68 грн
1000+ 25.81 грн
Мінімальне замовлення: 5
CSD16409Q3Texas InstrumentsMOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs
на замовлення 3488 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+59.18 грн
10+ 49.05 грн
100+ 34.23 грн
500+ 32.23 грн
1000+ 26.22 грн
2500+ 24.64 грн
5000+ 23.26 грн
Мінімальне замовлення: 6
CSD16409Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 15A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD16409Q3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 15A/60A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 12.5 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD16409Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 15A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD16410Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 16A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD16410Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 16A/59A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 12.5 V
на замовлення 2502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+61.22 грн
10+ 51.47 грн
100+ 35.65 грн
500+ 27.95 грн
1000+ 23.79 грн
Мінімальне замовлення: 5
CSD16410Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 16A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD16410Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 16A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD16410Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 16A/59A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 12.5 V
товар відсутній
CSD16410Q5ATexas InstrumentsMOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs
на замовлення 2433 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+49.44 грн
10+ 43.49 грн
100+ 28.23 грн
500+ 25.19 грн
1000+ 21.74 грн
2500+ 21.53 грн
5000+ 20.36 грн
Мінімальне замовлення: 7
CSD16410Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 16A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+31.11 грн
21+ 29.36 грн
25+ 29.07 грн
100+ 24.47 грн
250+ 22.43 грн
500+ 20.79 грн
1000+ 19.14 грн
Мінімальне замовлення: 20
CSD16411Q3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 14A/56A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 12.5 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.93 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD16411Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 14A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.44 грн
5000+ 23.24 грн
10000+ 22.2 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD16411Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 14A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.54 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD16411Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 14A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 1203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+32.96 грн
25+ 32.81 грн
100+ 28.19 грн
250+ 25.95 грн
500+ 22.72 грн
1000+ 20.44 грн
Мінімальне замовлення: 18
CSD16411Q3Texas InstrumentsMOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs
на замовлення 2623 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+56.2 грн
10+ 46.59 грн
100+ 32.3 грн
500+ 27.74 грн
1000+ 23.19 грн
2500+ 22.02 грн
5000+ 21.12 грн
Мінімальне замовлення: 6
CSD16411Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 14A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD16411Q3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 14A/56A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 12.5 V
на замовлення 21066 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.06 грн
10+ 32.35 грн
100+ 25.19 грн
500+ 20.04 грн
1000+ 19.82 грн
Мінімальне замовлення: 8
CSD16411Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 14A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 1203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
338+35.49 грн
339+ 35.34 грн
381+ 31.48 грн
383+ 30.18 грн
500+ 25.49 грн
1000+ 22.01 грн
Мінімальне замовлення: 338
CSD16411Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 14A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD16411Q3/2801Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 56A 8-SON
товар відсутній
CSD16411Q3TTexas InstrumentsCSD16411Q3T
товар відсутній
CSD16412Q5ATI/BB09+
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
CSD16412Q5ATexas InstrumentsMOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs
на замовлення 3845 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+68.92 грн
10+ 59.6 грн
100+ 36.37 грн
500+ 30.37 грн
1000+ 25.19 грн
2500+ 22.71 грн
5000+ 20.7 грн
Мінімальне замовлення: 5
CSD16412Q5A
Код товару: 144313		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
CSD16412Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 14A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD16412Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 14A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD16412Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 14A/52A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 12.5 V
на замовлення 3520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.2 грн
10+ 53.41 грн
100+ 37.02 грн
500+ 29.02 грн
1000+ 24.7 грн
Мінімальне замовлення: 5
CSD16412Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 14A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.92 грн
5000+ 22.69 грн
10000+ 21.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD16412Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 14A/52A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 12.5 V
товар відсутній
CSD16412Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 14A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD16413Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 24A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD16413Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 24A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1780 pF @ 12.5 V
на замовлення 1314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.06 грн
10+ 74.33 грн
100+ 57.82 грн
500+ 45.99 грн
1000+ 37.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
CSD16413Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 24A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD16413Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 24A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD16413Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 24A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+42.14 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD16413Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 24A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1780 pF @ 12.5 V
товар відсутній
CSD16413Q5ATexas InstrumentsMOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs
на замовлення 3659 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+101.45 грн
10+ 81.75 грн
100+ 55.14 грн
500+ 46.72 грн
1000+ 38.03 грн
2500+ 36.58 грн
5000+ 34.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
CSD16413Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 24A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD16414Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 34A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD16414Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 34A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3650 pF @ 12.5 V
товар відсутній
CSD16414Q5Texas InstrumentsMOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs
на замовлення 1227 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+108.7 грн
10+ 93.65 грн
100+ 70.39 грн
500+ 63.35 грн
1000+ 57.63 грн
2500+ 55.49 грн
5000+ 53.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD16414Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 34A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD16414Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 34A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD16414Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 34A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
134+89.93 грн
145+ 82.88 грн
146+ 82.4 грн
158+ 73.37 грн
250+ 67.57 грн
500+ 60.36 грн
1000+ 56.98 грн
Мінімальне замовлення: 134
CSD16414Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 34A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3650 pF @ 12.5 V
на замовлення 2602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+140.35 грн
10+ 112.58 грн
100+ 89.62 грн
500+ 71.16 грн
1000+ 60.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD16414Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 34A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+83.5 грн
10+ 76.96 грн
25+ 76.51 грн
100+ 68.13 грн
250+ 62.74 грн
500+ 56.05 грн
1000+ 52.91 грн
Мінімальне замовлення: 8
CSD16415Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 12.5 V
на замовлення 1710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+167.22 грн
10+ 133.71 грн
100+ 106.46 грн
500+ 84.53 грн
1000+ 71.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
CSD16415Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD16415Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD16415Q5TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16415Q5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 990 µohm, VSON, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25
Dauer-Drainstrom Id: 100
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 3.2
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5
Verlustleistung: 3.2
Bauform - Transistor: VSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 990
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 990
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
CSD16415Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 12.5 V
товар відсутній
CSD16415Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD16415Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD16415Q5Texas InstrumentsMOSFET N-Channel NexFET Pwr MOSFET
на замовлення 2161 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+159.42 грн
10+ 136.51 грн
100+ 98 грн
250+ 97.31 грн
500+ 84.89 грн
1000+ 73.15 грн
2500+ 68.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD16415Q5TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD16415Q5TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 12.5 V
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+194.85 грн
10+ 157.94 грн
100+ 127.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
CSD16415Q5TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD16415Q5TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; Idm: 200A; 156W
Technology: NexFET™
Mounting: SMD
Case: VSON-CLIP8
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 156W
Application: automotive industry
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -12...16V
Pulsed drain current: 200A
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
On-state resistance: 1.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
CSD16415Q5TTexas InstrumentsMOSFET 25-V, N channel NexFET power MOSFET, single SON 5 mm x 6 mm, 1.8 mOhm 8-VSON-CLIP -55 to 150
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+209.34 грн
10+ 173.81 грн
25+ 142.17 грн
100+ 127.67 грн
250+ 107.66 грн
1000+ 92.48 грн
2500+ 86.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
CSD16415Q5TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 12.5 V
товар відсутній
CSD16415Q5TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; Idm: 200A; 156W
Technology: NexFET™
Mounting: SMD
Case: VSON-CLIP8
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 156W
Application: automotive industry
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -12...16V
Pulsed drain current: 200A
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
On-state resistance: 1.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD16415Q5TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD16415Q5TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+98.23 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD16415Q5TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+105.63 грн
500+ 105.11 грн
1000+ 96.15 грн
1250+ 91 грн
2500+ 82.08 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD16556Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD16556Q5BTexas InstrumentsMOSFET 25V NexFET N Ch Pwr MosFET
на замовлення 4879 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+166.67 грн
10+ 137.3 грн
100+ 95.24 грн
250+ 87.65 грн
500+ 79.36 грн
1000+ 68.67 грн
2500+ 62.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
CSD16556Q5BTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.07mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 191W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6180 pF @ 15 V
на замовлення 7089 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+156.03 грн
10+ 124.94 грн
100+ 99.42 грн
500+ 78.95 грн
1000+ 66.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
CSD16556Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD16556Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD16556Q5BTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16556Q5B - MOSFET, N CHANNEL, 25V, 100A, 0.0009OHM,
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
CSD16556Q5BTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.07mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 191W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6180 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+70.42 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD16556Q5BTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16556Q5B - MOSFET, N CHANNEL, 25V, 100A, 0.0009OHM,
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
CSD1656C&KCSD1656
товар відсутній
CSD16570Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD16570Q5BTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.59mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 12 V
на замовлення 5828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+144.08 грн
10+ 115.09 грн
100+ 91.59 грн
500+ 72.73 грн
1000+ 61.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD16570Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD16570Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD16570Q5BTexas InstrumentsMOSFET 25-V N-channel NexFET Pwr MOSFET
на замовлення 4479 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+155.39 грн
10+ 127.78 грн
100+ 88.34 грн
250+ 86.96 грн
500+ 74.53 грн
1000+ 63.28 грн
2500+ 56.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD16570Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+67.07 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD16570Q5BTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.59mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 12 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+64.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD16570Q5BTTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 195W; VSON-CLIP8; 5x6mm
Technology: NexFET™
Mounting: SMD
Case: VSON-CLIP8
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 195W
Polarisation: unipolar
Dimensions: 5x6mm
Gate charge: 95nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
On-state resistance: 0.68mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
CSD16570Q5BTTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16570Q5BT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 490 µohm, VSON, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25
Dauer-Drainstrom Id: 100
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 195
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5
Verlustleistung: 195
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 490
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 85
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
CSD16570Q5BTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.59mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 12 V
на замовлення 25250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+87.88 грн
500+ 78.41 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD16570Q5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD16570Q5BTTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 195W; VSON-CLIP8; 5x6mm
Technology: NexFET™
Mounting: SMD
Case: VSON-CLIP8
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 195W
Polarisation: unipolar
Dimensions: 5x6mm
Gate charge: 95nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
On-state resistance: 0.68mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD16570Q5BTTexas InstrumentsMOSFET 25V NCH NexFET Pwr MOSFET
на замовлення 13216 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+145.73 грн
10+ 120.63 грн
100+ 83.51 грн
250+ 80.06 грн
500+ 77.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD16570Q5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD16570Q5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD16570Q5BTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.59mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 12 V
на замовлення 25468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+136.62 грн
10+ 109.13 грн
100+ 86.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD16570Q5BT
Код товару: 196756		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
CSD16570Q5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+88.27 грн
10+ 87.67 грн
25+ 87.07 грн
100+ 83.39 грн
250+ 76.67 грн
Мінімальне замовлення: 7
CSD16570Q5BT .TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16570Q5BT . - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 490 µohm, VSON, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25
Dauer-Drainstrom Id: 100
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 195
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5
Verlustleistung: 195
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 490
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 85
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товар відсутній
CSD17301Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 2292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+72.99 грн
10+ 68.12 грн
25+ 67.44 грн
100+ 58.28 грн
250+ 53.33 грн
500+ 46.41 грн
1000+ 43.23 грн
Мінімальне замовлення: 9
CSD17301Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 28A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 25A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.55V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3480 pF @ 15 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+45.76 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17301Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17301Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17301Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17301Q5ATexas InstrumentsMOSFET 30V N Channel NexFET Pwr MOSFET
на замовлення 1888 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+71.18 грн
10+ 60.4 грн
100+ 46.79 грн
250+ 45.96 грн
500+ 42.58 грн
1000+ 42.51 грн
2500+ 42.37 грн
Мінімальне замовлення: 5
CSD17301Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 28A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 25A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.55V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3480 pF @ 15 V
на замовлення 13376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+76.15 грн
10+ 61.32 грн
100+ 48.81 грн
500+ 41.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
CSD17301Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 2292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
153+78.61 грн
164+ 73.36 грн
165+ 72.62 грн
184+ 62.76 грн
250+ 57.44 грн
500+ 49.98 грн
1000+ 46.56 грн
Мінімальне замовлення: 153
CSD17302Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 16A/87A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 14A, 8V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 15 V
на замовлення 19870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.19 грн
10+ 53.34 грн
100+ 41.54 грн
500+ 33.04 грн
1000+ 26.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
CSD17302Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17302Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 2382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
312+38.38 грн
315+ 38 грн
341+ 35.16 грн
344+ 33.57 грн
500+ 29.33 грн
1000+ 27.09 грн
Мінімальне замовлення: 312
CSD17302Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17302Q5ATexas InstrumentsMOSFET 30V N Channel NexFET Power MOSFET
на замовлення 4052 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+50.89 грн
10+ 43.17 грн
100+ 31.88 грн
500+ 29.05 грн
1000+ 26.16 грн
2500+ 25.47 грн
5000+ 24.84 грн
Мінімальне замовлення: 7
CSD17302Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 16A/87A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 14A, 8V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 15 V
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.04 грн
5000+ 25.71 грн
12500+ 24.53 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17302Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 2382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+38.17 грн
17+ 35.64 грн
25+ 35.28 грн
100+ 31.49 грн
250+ 28.86 грн
500+ 26.15 грн
1000+ 25.16 грн
Мінімальне замовлення: 16
CSD17302Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17303Q5Texas InstrumentsMOSFET 30V N Channel NexFET Power MOSFET
на замовлення 5622 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+121.58 грн
10+ 100 грн
100+ 69.01 грн
250+ 68.67 грн
500+ 58.73 грн
1000+ 49.07 грн
2500+ 48.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD17303Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin SON T/R
товар відсутній
CSD17303Q5TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17303Q5 - MOSFET TRANSISTOR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
товар відсутній
CSD17303Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 32A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3420 pF @ 15 V
на замовлення 5173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.21 грн
10+ 93.96 грн
100+ 74.76 грн
500+ 59.37 грн
1000+ 50.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD17303Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin SON T/R
товар відсутній
CSD17303Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin SON T/R
на замовлення 2418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
92+130.97 грн
106+ 113.81 грн
107+ 112.66 грн
132+ 88.04 грн
250+ 80.7 грн
500+ 62.32 грн
1000+ 49.46 грн
Мінімальне замовлення: 92
CSD17303Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 32A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3420 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+52.96 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17303Q5TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17303Q5 - MOSFET TRANSISTOR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
товар відсутній
CSD17303Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin SON T/R
на замовлення 2418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+121.61 грн
10+ 105.68 грн
25+ 104.61 грн
100+ 81.75 грн
250+ 74.93 грн
500+ 57.87 грн
1000+ 45.92 грн
Мінімальне замовлення: 5
CSD17303Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin SON T/R
товар відсутній
CSD17304Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD17304Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17304Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.33 грн
5000+ 24.01 грн
10000+ 23.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17304Q3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 15A/56A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 17A, 8V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 955 pF @ 15 V
на замовлення 5808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.98 грн
10+ 46.44 грн
100+ 36.15 грн
500+ 28.75 грн
1000+ 23.42 грн
Мінімальне замовлення: 6
CSD17304Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD17304Q3Texas InstrumentsMOSFET 30V N Channel NexFET Power MOSFET
на замовлення 13749 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+62.88 грн
10+ 50.95 грн
100+ 34.44 грн
500+ 29.19 грн
1000+ 23.81 грн
2500+ 22.36 грн
5000+ 21.33 грн
Мінімальне замовлення: 6
CSD17304Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD17304Q3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 15A/56A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 17A, 8V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 955 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.4 грн
5000+ 22.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17305Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 29A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 15 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+49.72 грн
5000+ 45.48 грн
12500+ 43.77 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17305Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 29A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17305Q5ATexas InstrumentsMOSFET 30V N Channel NexFET Power MOSFET
на замовлення 2504 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+111.92 грн
10+ 90.48 грн
100+ 61.15 грн
500+ 51.83 грн
1000+ 42.24 грн
2500+ 39.2 грн
5000+ 37.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD17305Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 29A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17305Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 29A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17305Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 29A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 15 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
CSD17306Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17306Q5ATEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17306Q5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0029 ohm, SON, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 100
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 3.2
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1
Verlustleistung: 3.2
Bauform - Transistor: SON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0029
Rds(on)-Prüfspannung: 8
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
CSD17306Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 24A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 22A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2170 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+36.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17306Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17306Q5ATEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17306Q5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0029 ohm, SON, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 100
Rds(on)-Messspannung Vgs: 8
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 3.2
Bauform - Transistor: SON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0029
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.1
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+125.42 грн
10+ 112.26 грн
Мінімальне замовлення: 7
CSD17306Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17306Q5ATexas InstrumentsMOSFET 30V N Channel NexFET Power MOSFET
на замовлення 2615 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+98.23 грн
10+ 86.51 грн
100+ 58.25 грн
500+ 48.17 грн
1000+ 38.03 грн
2500+ 33.4 грн
10000+ 31.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
CSD17306Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17306Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 24A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 22A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2170 pF @ 15 V
на замовлення 4816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.84 грн
10+ 69.8 грн
100+ 54.33 грн
500+ 43.22 грн
1000+ 35.2 грн
Мінімальне замовлення: 4
CSD17307Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 14A/73A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 11A, 8V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 15 V
на замовлення 5234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.24 грн
10+ 46.08 грн
100+ 31.91 грн
500+ 25.02 грн
1000+ 21.3 грн
Мінімальне замовлення: 6
CSD17307Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17307Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17307Q5ATexas InstrumentsMOSFET 30V N Channel NexFET Power MOSFET
на замовлення 2487 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+48.71 грн
10+ 41.9 грн
100+ 25.95 грн
500+ 22.5 грн
1000+ 20.36 грн
2500+ 18.63 грн
5000+ 17.32 грн
Мінімальне замовлення: 7
CSD17307Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
CSD17307Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 14A/73A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 11A, 8V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17307Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17307Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 14A/73A 8VSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 11A, 8V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 15 V
на замовлення 165896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
775+27.26 грн
Мінімальне замовлення: 775
CSD17307Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+30.78 грн
21+ 28.79 грн
25+ 28.64 грн
100+ 22.93 грн
250+ 17.55 грн
Мінімальне замовлення: 20
CSD17308Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD17308Q3TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17308Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 47 A, 0.0094 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0094ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+39.64 грн
500+ 30.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
CSD17308Q3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 14A/44A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.3mOhm @ 10A, 8V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 15 V
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.35 грн
5000+ 22.21 грн
12500+ 20.56 грн
25000+ 19.11 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17308Q3Texas InstrumentsTransistor N-Channel MOSFET; 30V; 10V; 16,5mOhm; 44A; 28W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: CSD17308Q3T; CSD17308Q3 TCSD17308q3
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+23.84 грн
Мінімальне замовлення: 25
CSD17308Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.25 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17308Q3TEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; Idm: 167A; 2.7W; 3.3x3.3mm
Mounting: SMD
Power dissipation: 2.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Dimensions: 3.3x3.3mm
Gate charge: 3.9nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 167A
Technology: NexFET™
Case: VSON-CLIP8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
On-state resistance: 12.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+54.19 грн
11+ 35.8 грн
25+ 31.42 грн
31+ 27.39 грн
85+ 25.88 грн
Мінімальне замовлення: 8
CSD17308Q3TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17308Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 47 A, 0.0094 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+75.72 грн
13+ 62.01 грн
100+ 39.64 грн
500+ 30.77 грн
Мінімальне замовлення: 11
CSD17308Q3TEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; Idm: 167A; 2.7W; 3.3x3.3mm
Mounting: SMD
Power dissipation: 2.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Dimensions: 3.3x3.3mm
Gate charge: 3.9nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 167A
Technology: NexFET™
Case: VSON-CLIP8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
On-state resistance: 12.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 580 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+65.03 грн
7+ 44.61 грн
25+ 37.7 грн
31+ 32.87 грн
85+ 31.06 грн
Мінімальне замовлення: 5
CSD17308Q3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 14A/44A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.3mOhm @ 10A, 8V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 15 V
на замовлення 30611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.2 грн
10+ 53.41 грн
100+ 37.02 грн
500+ 29.02 грн
1000+ 24.7 грн
Мінімальне замовлення: 5
CSD17308Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD17308Q3Texas InstrumentsMOSFET 30V NCh NexFET Pwr MOSFET
на замовлення 6854 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+68.92 грн
10+ 58.57 грн
100+ 35.33 грн
500+ 29.54 грн
1000+ 25.19 грн
2500+ 22.36 грн
5000+ 21.12 грн
Мінімальне замовлення: 5
CSD17308Q3 .TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17308Q3 . - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 47 A, 0.0094 ohm, SON, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 47
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.7
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3
Verlustleistung: 2.7
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0094
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товар відсутній
CSD17308Q3TTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17308Q3T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 44 A, 0.0082 ohm, VSON, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 44
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 28
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3
Verlustleistung: 28
Bauform - Transistor: VSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0082
Rds(on)-Prüfspannung: 8
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
CSD17308Q3TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 14A/44A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.3mOhm @ 10A, 8V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 15 V
на замовлення 3185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.92 грн
10+ 55.57 грн
100+ 43.26 грн
Мінімальне замовлення: 5
CSD17308Q3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+41.93 грн
500+ 36.71 грн
1000+ 30.67 грн
2500+ 27.83 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD17308Q3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+44.53 грн
500+ 38.45 грн
1000+ 31.53 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD17308Q3TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; Idm: 167A; 2.7W; 3.3x3.3mm
Mounting: SMD
Power dissipation: 2.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Dimensions: 3.3x3.3mm
Gate charge: 3.9nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 167A
Technology: NexFET™
Case: VSON-CLIP8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
On-state resistance: 9.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+63.48 грн
8+ 49.75 грн
22+ 38.32 грн
61+ 36.23 грн
Мінімальне замовлення: 7
CSD17308Q3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD17308Q3TTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17308Q3T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 44 A, 0.0082 ohm, VSON, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 44
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 28
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3
Verlustleistung: 28
Bauform - Transistor: VSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0082
Rds(on)-Prüfspannung: 8
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
CSD17308Q3TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 14A/44A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.3mOhm @ 10A, 8V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+44.49 грн
500+ 36.67 грн
1250+ 29.87 грн
2500+ 26.39 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD17308Q3T
Код товару: 133334		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
CSD17308Q3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD17308Q3TTexas InstrumentsMOSFET 30-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 3 mm x 3 mm, 11.8 mOhm 8-VSON-CLIP -55 to 150
на замовлення 1048 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+71.9 грн
10+ 58.65 грн
100+ 40.65 грн
500+ 34.92 грн
1000+ 28.43 грн
2500+ 26.78 грн
5000+ 25.47 грн
Мінімальне замовлення: 5
CSD17308Q3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+47.96 грн
500+ 41.41 грн
1000+ 33.96 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD17308Q3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+44.98 грн
Мінімальне замовлення: 14
CSD17308Q3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
CSD17308Q3TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; Idm: 167A; 2.7W; 3.3x3.3mm
Mounting: SMD
Power dissipation: 2.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Dimensions: 3.3x3.3mm
Gate charge: 3.9nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 167A
Technology: NexFET™
Case: VSON-CLIP8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
On-state resistance: 9.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 218 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+76.18 грн
5+ 61.99 грн
22+ 45.98 грн
61+ 43.48 грн
Мінімальне замовлення: 4
CSD17309Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+47.99 грн
251+ 47.74 грн
281+ 42.61 грн
284+ 40.68 грн
500+ 33.92 грн
1000+ 29.99 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD17309Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD17309Q3Texas InstrumentsMOSFET 30V N Channel NexFET Power MOSFET
на замовлення 4933 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+71.18 грн
10+ 60.79 грн
100+ 41.96 грн
500+ 35.75 грн
1000+ 30.57 грн
2500+ 28.92 грн
5000+ 27.67 грн
Мінімальне замовлення: 5
CSD17309Q3TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17309Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0042 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 4188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+72.46 грн
13+ 63.79 грн
100+ 50.4 грн
500+ 38.68 грн
1000+ 28.2 грн
Мінімальне замовлення: 11
CSD17309Q3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 20A/60A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 18A, 8V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 15 V
на замовлення 6929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+76.15 грн
10+ 60.31 грн
100+ 46.88 грн
500+ 37.29 грн
1000+ 30.38 грн
Мінімальне замовлення: 4
CSD17309Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.81 грн
5000+ 31.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17309Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+35.34 грн
5000+ 33.56 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17309Q3TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17309Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0042 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: VSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0042ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 4188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+50.4 грн
500+ 38.68 грн
1000+ 28.2 грн
Мінімальне замовлення: 100
CSD17309Q3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 20A/60A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 18A, 8V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.65 грн
5000+ 29.02 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17309Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.14 грн
5000+ 30.61 грн
10000+ 29.61 грн
12500+ 27.86 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17309Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD17309Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+48.05 грн
14+ 44.56 грн
25+ 44.33 грн
100+ 38.15 грн
250+ 34.97 грн
500+ 30.24 грн
1000+ 27.85 грн
Мінімальне замовлення: 13
CSD17310Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 21A/100A 8VSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 20A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 15 V
на замовлення 210429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
756+27.96 грн
Мінімальне замовлення: 756
CSD17310Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 2221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+66.79 грн
12+ 53.75 грн
25+ 53.21 грн
100+ 39.35 грн
250+ 36.04 грн
500+ 30.55 грн
1000+ 22.6 грн
Мінімальне замовлення: 9
CSD17310Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 2221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
207+57.88 грн
209+ 57.3 грн
273+ 43.95 грн
276+ 41.92 грн
500+ 34.27 грн
1000+ 24.34 грн
Мінімальне замовлення: 207
CSD17310Q5ATEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17310Q5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0039 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
на замовлення 319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+41.88 грн
Мінімальне замовлення: 100
CSD17310Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 21A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 20A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 15 V
на замовлення 22001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.2 грн
10+ 50.47 грн
100+ 39.26 грн
500+ 31.23 грн
1000+ 25.44 грн
Мінімальне замовлення: 5
CSD17310Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17310Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17310Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17310Q5ATexas InstrumentsMOSFET 30V N Channel NexFET Power MOSFET
на замовлення 2717 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+68.92 грн
10+ 54.76 грн
100+ 36.71 грн
500+ 31.06 грн
1000+ 24.64 грн
2500+ 22.98 грн
Мінімальне замовлення: 5
CSD17310Q5ATEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17310Q5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0039 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
на замовлення 319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+75.72 грн
14+ 58.84 грн
100+ 41.88 грн
Мінімальне замовлення: 11
CSD17310Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 21A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 20A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 15 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.5 грн
5000+ 24.3 грн
12500+ 23.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17310Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.41 грн
5000+ 25.26 грн
10000+ 24.75 грн
12500+ 23.84 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17311Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin SON EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+58.13 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17311Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 32A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4280 pF @ 15 V
на замовлення 3879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.38 грн
10+ 107.26 грн
100+ 85.32 грн
500+ 67.76 грн
1000+ 57.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD17311Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin SON EP T/R
товар відсутній
CSD17311Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin SON EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+60.95 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17311Q5Texas InstrumentsMOSFET 30V N-Channel NexFET Power MOSFET
на замовлення 4206 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+144.12 грн
10+ 118.25 грн
100+ 82.13 грн
500+ 69.01 грн
1000+ 58.73 грн
2500+ 55.69 грн
5000+ 53.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD17311Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin SON EP T/R
товар відсутній
CSD17311Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 32A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4280 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+60.44 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17311Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 32A/100A 8VSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4280 pF @ 15 V
на замовлення 7687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
324+65.01 грн
Мінімальне замовлення: 324
CSD17311Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin SON EP T/R
товар відсутній
CSD17312Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 38A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD17312Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 38A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 35A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5240 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+69.01 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17312Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 38A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+69.76 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17312Q5Texas InstrumentsN-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 100 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 5240 @ 15; Qg, нКл = 36 @ 4.5 В; Rds = 1.5 мОм @ 35 А, 8 В; Ugs(th) = 1,5 В @ 250 мкА; Р, Вт = 3,2; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SON-8
на замовлення 85 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
6+105.32 грн
10+ 98.28 грн
100+ 91.26 грн
Мінімальне замовлення: 6
CSD17312Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 38A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 2255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+77.12 грн
10+ 75.93 грн
25+ 74.73 грн
100+ 70.92 грн
250+ 64.6 грн
500+ 61 грн
1000+ 59.98 грн
Мінімальне замовлення: 8
CSD17312Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 38A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD17312Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 38A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+69.24 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17312Q5Texas InstrumentsMOSFET 30V N-Channel NexFET Power MOSFET
на замовлення 2622 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+130.43 грн
10+ 111.11 грн
100+ 82.13 грн
500+ 72.46 грн
1000+ 65.49 грн
2500+ 62.66 грн
5000+ 60.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD17312Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 38A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 35A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5240 pF @ 15 V
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+153.04 грн
10+ 122.43 грн
100+ 97.44 грн
500+ 77.37 грн
1000+ 65.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
CSD17313Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R
на замовлення 1370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+32.67 грн
21+ 28.47 грн
25+ 28.14 грн
100+ 20.71 грн
250+ 18.98 грн
500+ 14.03 грн
1000+ 11.37 грн
Мінімальне замовлення: 19
CSD17313Q2
Код товару: 126922		Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товар відсутній
CSD17313Q2Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 8V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V
на замовлення 9235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.85 грн
11+ 27.17 грн
100+ 18.91 грн
500+ 13.86 грн
1000+ 11.26 грн
Мінімальне замовлення: 10
CSD17313Q2Texas InstrumentsTransistor N-Channel MOSFET; 30V; 10V; 42mOhm; 19A; 17W; -55°C ~ 150°C; CSD17313Q2T CSD17313Q2 TCSD17313q2
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+19.46 грн
Мінімальне замовлення: 50
CSD17313Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R
товар відсутній
CSD17313Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R
товар відсутній
CSD17313Q2Texas InstrumentsMOSFET 30V N Channel NexFET Power MOSFET
на замовлення 46097 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+35.19 грн
11+ 29.84 грн
100+ 18.01 грн
500+ 14.15 грн
1000+ 11.46 грн
3000+ 9.66 грн
9000+ 8.97 грн
Мінімальне замовлення: 10
CSD17313Q2TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17313Q2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.024 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.3W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+40.49 грн
24+ 33.6 грн
Мінімальне замовлення: 20
CSD17313Q2Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 8V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.14 грн
6000+ 10.18 грн
9000+ 9.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
CSD17313Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R
товар відсутній
CSD17313Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R
на замовлення 281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
267+44.95 грн
Мінімальне замовлення: 267
CSD17313Q2TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17313Q2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.024 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.3W
Bauform - Transistor: SON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.024ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
CSD17313Q2Q1Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 5A Automotive 6-Pin WSON EP T/R
товар відсутній
CSD17313Q2Q1Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 5A Automotive 6-Pin WSON EP T/R
товар відсутній
CSD17313Q2Q1Texas InstrumentsMOSFET Auto 30-V N-Ch NexFET Pwr MOSFET
на замовлення 2969 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+60.39 грн
10+ 52.78 грн
100+ 35.2 грн
500+ 27.88 грн
1000+ 22.29 грн
3000+ 20.15 грн
9000+ 18.08 грн
Мінімальне замовлення: 6
CSD17313Q2Q1Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON
на замовлення 6117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+61.96 грн
10+ 52.19 грн
100+ 40.01 грн
500+ 29.68 грн
1000+ 23.75 грн
Мінімальне замовлення: 5
CSD17313Q2Q1Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 5A Automotive 6-Pin WSON EP T/R
товар відсутній
CSD17313Q2Q1Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 5A Automotive 6-Pin WSON EP T/R
товар відсутній
CSD17313Q2Q1Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 5A Automotive 6-Pin WSON EP T/R
товар відсутній
CSD17313Q2Q1Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
CSD17313Q2Q1TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 5A Automotive 6-Pin WSON EP T/R
товар відсутній
CSD17313Q2Q1TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 5A Automotive 6-Pin WSON EP T/R
товар відсутній
CSD17313Q2Q1TTexas InstrumentsMOSFET Automotive 30-V N channel NexFET power MOSFET 6-WSON 0 to 0
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+117.55 грн
10+ 103.17 грн
100+ 69.7 грн
500+ 58.11 грн
1000+ 45.82 грн
2500+ 42.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD17313Q2Q1TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; Idm: 57A; 17W; WSON6
Mounting: SMD
Application: automotive industry
Power dissipation: 17W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -8...10V
Pulsed drain current: 57A
Technology: NexFET™
Case: WSON6
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
On-state resistance: 42mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD17313Q2Q1TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; Idm: 57A; 17W; WSON6
Mounting: SMD
Application: automotive industry
Power dissipation: 17W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -8...10V
Pulsed drain current: 57A
Technology: NexFET™
Case: WSON6
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
On-state resistance: 42mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
CSD17313Q2Q1TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+70.09 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD17313Q2TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 8V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 17W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V
на замовлення 24759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.48 грн
10+ 44.93 грн
100+ 34.92 грн
Мінімальне замовлення: 6
CSD17313Q2TTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17313Q2T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 19 A, 0.024 ohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 17W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 17W
Bauform - Transistor: WSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.024ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+53.11 грн
Мінімальне замовлення: 100
CSD17313Q2TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+51.03 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD17313Q2TTexas InstrumentsMOSFET 30V, N-Channel NexFET Power Mosfet
на замовлення 5360 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+61.43 грн
10+ 49.21 грн
100+ 32.99 грн
500+ 29.05 грн
Мінімальне замовлення: 6
CSD17313Q2TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 17W; WSON6; 2x2mm
Mounting: SMD
Power dissipation: 17W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Dimensions: 2x2mm
Gate charge: 2.1nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
Technology: NexFET™
Case: WSON6
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
On-state resistance: 26mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1931 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+130.06 грн
5+ 67.19 грн
21+ 50.03 грн
56+ 47.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD17313Q2TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 17W; WSON6; 2x2mm
Mounting: SMD
Power dissipation: 17W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Dimensions: 2x2mm
Gate charge: 2.1nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
Technology: NexFET™
Case: WSON6
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
On-state resistance: 26mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 1931 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+108.39 грн
7+ 53.92 грн
21+ 41.7 грн
56+ 39.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
CSD17313Q2TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+52.84 грн
13+ 48.14 грн
25+ 47.9 грн
100+ 40.33 грн
250+ 29.42 грн
Мінімальне замовлення: 12
CSD17313Q2TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 8V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 17W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V
на замовлення 24750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+35.92 грн
500+ 29.6 грн
1250+ 29.28 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD17313Q2TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
231+51.84 грн
232+ 51.58 грн
266+ 45.04 грн
338+ 34.22 грн
Мінімальне замовлення: 231
CSD17313Q2TTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17313Q2T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 19 A, 0.024 ohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 17W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+105.29 грн
10+ 87.48 грн
100+ 63.79 грн
Мінімальне замовлення: 8
CSD17313Q2TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R
на замовлення 4250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+55.36 грн
500+ 47.6 грн
1000+ 38.99 грн
2500+ 35.22 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD17313Q2TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R
товар відсутній
CSD17313Q2TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R
товар відсутній
CSD17313Q2TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R
на замовлення 4250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+51.41 грн
500+ 44.2 грн
1000+ 36.21 грн
2500+ 32.7 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD17318Q2Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 25A 6WSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.1mOhm @ 8A, 8V
Power Dissipation (Max): 16W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879 pF @ 15 V
на замовлення 10714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+34.34 грн
12+ 25.45 грн
100+ 15.28 грн
500+ 13.28 грн
1000+ 9.03 грн
Мінімальне замовлення: 9
CSD17318Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 21.5A 6-Pin WSON EP T/R
товар відсутній
CSD17318Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 21.5A 6-Pin WSON EP T/R
товар відсутній
CSD17318Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 21.5A 6-Pin WSON EP T/R
товар відсутній
CSD17318Q2Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 25A 6WSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.1mOhm @ 8A, 8V
Power Dissipation (Max): 16W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.2 грн
6000+ 8.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
CSD17318Q2Texas InstrumentsMOSFET 30-V, N channel NexFET power MOSFET, single SON 2 mm x 2 mm, 16.9 mOhm 6-WSON -55 to 150
на замовлення 7787 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+38.57 грн
10+ 32.94 грн
100+ 21.39 грн
500+ 16.77 грн
1000+ 12.97 грн
3000+ 11.8 грн
9000+ 10.28 грн
Мінімальне замовлення: 9
CSD17318Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 21.5A 6-Pin WSON EP T/R
товар відсутній
CSD17318Q2Texas InstrumentsN-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 25 А; Ptot, Вт = 16; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 879 @ 15; Qg, нКл = 6 @ 4,5 В; Rds = 15,1 мОм @ 8 A, 8 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1,2 В @ 250 мкА; WDFN-6 (Exp. Pad)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
5+124.8 грн
10+ 62.4 грн
100+ 22.17 грн
Мінімальне замовлення: 5
CSD17318Q2TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 21.5A 6-Pin WSON EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+29.95 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD17318Q2TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 21.5A 6-Pin WSON EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+34.85 грн
500+ 31.47 грн
1000+ 29.47 грн
1250+ 28.14 грн
2500+ 25.52 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD17318Q2TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 21.5A 6-Pin WSON EP T/R
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+41.5 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD17318Q2TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 21.5A 6-Pin WSON EP T/R
товар відсутній
CSD17318Q2TTexas InstrumentsMOSFET 30-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 2 mm x 2 mm, 16.9 mOhm 6-WSON -55 to 150
на замовлення 4891 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+60.63 грн
10+ 51.11 грн
100+ 38.3 грн
500+ 31.4 грн
1000+ 28.23 грн
2500+ 27.61 грн
5000+ 26.85 грн
Мінімальне замовлення: 6
CSD17318Q2TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CHANNEL 30V 25A 6WSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.1mOhm @ 8A, 8V
Power Dissipation (Max): 16W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879 pF @ 15 V
на замовлення 3087 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.91 грн
10+ 58.3 грн
100+ 45.34 грн
Мінімальне замовлення: 5
CSD17318Q2TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 21.5A 6-Pin WSON EP T/R
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
CSD17318Q2TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21.5A; Idm: 68A; 16W; WSON6
Mounting: SMD
Application: automotive industry
Power dissipation: 16W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 68A
Technology: NexFET™
Case: WSON6
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21.5A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD17318Q2TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 21.5A 6-Pin WSON EP T/R
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+42.37 грн
25+ 41.91 грн
Мінімальне замовлення: 14
CSD17318Q2TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CHANNEL 30V 25A 6WSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.1mOhm @ 8A, 8V
Power Dissipation (Max): 16W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+46.63 грн
500+ 38.43 грн
1250+ 31.3 грн
2500+ 27.66 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD17318Q2TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 21.5A 6-Pin WSON EP T/R
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
CSD17318Q2TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21.5A; Idm: 68A; 16W; WSON6
Mounting: SMD
Application: automotive industry
Power dissipation: 16W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 68A
Technology: NexFET™
Case: WSON6
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21.5A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
CSD17322Q5ATexas InstrumentsMOSFET 30V,NCh Nex FET Pwr MOSFET
на замовлення 2171 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+74.15 грн
10+ 59.92 грн
100+ 40.65 грн
500+ 34.37 грн
1000+ 28.02 грн
2500+ 25.19 грн
5000+ 25.12 грн
Мінімальне замовлення: 5
CSD17322Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 87A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 14A, 8V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 8V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 695 pF @ 15 V
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
CSD17322Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin SON EP T/R
товар відсутній
CSD17322Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin SON EP T/R
товар відсутній
CSD17322Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 87A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 14A, 8V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 8V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 695 pF @ 15 V
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.65 грн
5000+ 28.11 грн
12500+ 26.81 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17322Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin SON EP T/R
товар відсутній
CSD17327Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin VSON-FET EP T/R
товар відсутній
CSD17327Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 65A 8SON
на замовлення 24835000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
CSD17327Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 65A 8SON
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
CSD17327Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin VSON-FET EP T/R
товар відсутній
CSD17327Q5ATexas InstrumentsMOSFET 30V,NCh Nex FET Pwr MOSFET
на замовлення 1568 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+72.62 грн
10+ 58.73 грн
100+ 39.82 грн
500+ 33.68 грн
1000+ 27.47 грн
2500+ 25.47 грн
5000+ 24.43 грн
Мінімальне замовлення: 5
CSD17327Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 65A 8SON
на замовлення 24835000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
CSD17327Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin VSON-FET EP T/R
товар відсутній
CSD17381F4Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 3.1A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 500mA, 8A
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): 12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 15 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.83 грн
6000+ 5.49 грн
9000+ 4.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
CSD17381F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 3.1A 3-Pin PicoStar T/R
товар відсутній
CSD17381F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 3.1A 3-Pin PicoStar T/R
товар відсутній
CSD17381F4Texas InstrumentsMOSFET N-CH NexFET Pwr MOSFET
на замовлення 17794 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+28.42 грн
17+ 19.76 грн
100+ 7.73 грн
1000+ 5.87 грн
3000+ 5.18 грн
9000+ 4.49 грн
24000+ 4.14 грн
Мінімальне замовлення: 12
CSD17381F4Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 3.1A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 500mA, 8A
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): 12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 15 V
на замовлення 28203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.88 грн
16+ 18.04 грн
100+ 9.1 грн
500+ 7.57 грн
1000+ 5.89 грн
Мінімальне замовлення: 12
CSD17381F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 3.1A 3-Pin PicoStar T/R
товар відсутній
CSD17381F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 3.1A 3-Pin PicoStar T/R
товар відсутній
CSD17381F4RTexas InstrumentsDescription: PROTOTYPE
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): 12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 15 V
товар відсутній
CSD17381F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 3.1A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
CSD17381F4TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.1A; Idm: 12A; 500mW
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 12A
Technology: NexFET™
Case: PICOSTAR3
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.1A
On-state resistance: 0.25Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD17381F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 3.1A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
CSD17381F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 3.1A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+23.91 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD17381F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 3.1A 3-Pin PicoStar T/R
товар відсутній
CSD17381F4TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 3.1A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): 12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 15 V
на замовлення 38111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.98 грн
10+ 46.22 грн
100+ 35.98 грн
Мінімальне замовлення: 6
CSD17381F4TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.1A; Idm: 12A; 500mW
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 12A
Technology: NexFET™
Case: PICOSTAR3
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.1A
On-state resistance: 0.25Ω
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
CSD17381F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 3.1A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+29.61 грн
500+ 27.01 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD17381F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 3.1A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+56.41 грн
13+ 46.91 грн
25+ 46.5 грн
100+ 23.06 грн
Мінімальне замовлення: 11
CSD17381F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 3.1A 3-Pin PicoStar T/R
товар відсутній
CSD17381F4TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 3.1A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): 12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 15 V
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+37 грн
500+ 30.49 грн
1250+ 24.84 грн
2500+ 21.95 грн
6250+ 20.9 грн
12500+ 19.94 грн
25000+ 19.57 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD17381F4TTexas InstrumentsMOSFET 30V,N-Ch FemtoFET MOSFET
на замовлення 9507 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+62.16 грн
10+ 50.08 грн
100+ 32.16 грн
500+ 28.99 грн
1000+ 23.67 грн
2500+ 22.29 грн
5000+ 21.19 грн
Мінімальне замовлення: 6
CSD17382F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 2.3A 3-Pin PicoStar T/R
товар відсутній
CSD17382F4Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 2.3A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 347 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
CSD17382F4Texas InstrumentsMOSFET 30-V, N channel NexFET power MOSFET, single LGA 1 mm x 0.6mm, 67 mOhm, gate ESD protection 3-PICOSTAR -55 to 150
на замовлення 7693 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.21 грн
14+ 22.78 грн
100+ 8.83 грн
1000+ 6.83 грн
3000+ 5.87 грн
9000+ 5.18 грн
24000+ 4.9 грн
Мінімальне замовлення: 10
CSD17382F4Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 2.3A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 347 pF @ 15 V
на замовлення 6680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+29.86 грн
14+ 20.78 грн
100+ 10.48 грн
500+ 8.72 грн
1000+ 6.78 грн
Мінімальне замовлення: 10
CSD17382F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 2.3A 3-Pin PicoStar T/R
товар відсутній
CSD17382F4TTexas InstrumentsMOSFET 30-V, N channel NexFET power MOSFET, single LGA 1 mm x 0.6mm, 67 mOhm, gate ESD protection 3-PICOSTAR -55 to 150
на замовлення 7977 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+63.69 грн
10+ 51.27 грн
100+ 27.54 грн
500+ 24.71 грн
1000+ 22.29 грн
2500+ 21.6 грн
5000+ 21.26 грн
Мінімальне замовлення: 6
CSD17382F4TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.3A; Idm: 14.8A; 500mW
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.3A
On-state resistance: 0.18Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 14.8A
Mounting: SMD
Case: PICOSTAR3
товар відсутній
CSD17382F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 2.3A 3-Pin PicoStar T/R
товар відсутній
CSD17382F4TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 2.3A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 347 pF @ 15 V
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+36.46 грн
500+ 30.05 грн
1250+ 24.48 грн
2500+ 21.62 грн
6250+ 20.59 грн
12500+ 19.64 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD17382F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 2.3A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+26.81 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD17382F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 2.3A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+24.75 грн
500+ 23.61 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD17382F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 2.3A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+24.15 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD17382F4TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.3A; Idm: 14.8A; 500mW
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.3A
On-state resistance: 0.18Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 14.8A
Mounting: SMD
Case: PICOSTAR3
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD17382F4TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 2.3A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 347 pF @ 15 V
на замовлення 14010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.48 грн
10+ 45.58 грн
100+ 35.45 грн
Мінімальне замовлення: 6
CSD17483F4Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 1.5A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): 12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 15 V
на замовлення 101963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+29.86 грн
15+ 20.49 грн
100+ 10.33 грн
500+ 7.91 грн
1000+ 5.87 грн
Мінімальне замовлення: 10
CSD17483F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 1.5A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 126000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.67 грн
9000+ 3.73 грн
24000+ 3.53 грн
45000+ 3.19 грн
99000+ 2.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
CSD17483F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 1.5A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.3 грн
Мінімальне замовлення: 3000
CSD17483F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 1.5A 3-Pin PicoStar T/R
товар відсутній
CSD17483F4Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 1.5A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): 12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 15 V
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.46 грн
6000+ 5.03 грн
9000+ 4.35 грн
30000+ 4.01 грн
75000+ 3.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
CSD17483F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 1.5A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 1865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1380+8.67 грн
1392+ 8.6 грн
1409+ 8.5 грн
Мінімальне замовлення: 1380
CSD17483F4Texas InstrumentsMOSFET 30V N-CH Pwr MOSFET
на замовлення 22383 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.7 грн
17+ 19.52 грн
100+ 7.45 грн
1000+ 5.24 грн
3000+ 4.49 грн
9000+ 3.59 грн
24000+ 3.38 грн
Мінімальне замовлення: 12
CSD17483F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 1.5A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.67 грн
9000+ 3.73 грн
24000+ 3.53 грн
45000+ 3.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
CSD17483F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 1.5A 3-Pin PicoStar T/R
товар відсутній
CSD17483F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 1.5A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 1865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+19.79 грн
38+ 15.64 грн
100+ 7.76 грн
250+ 7.13 грн
500+ 6.76 грн
1000+ 4.06 грн
Мінімальне замовлення: 30
CSD17483F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 1.5A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
CSD17483F4TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 1.5A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): 12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 15 V
на замовлення 2049 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.46 грн
10+ 53.27 грн
100+ 36.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
CSD17483F4TTexas InstrumentsMOSFET 30V,N-Ch FemtoFET MOSFET
на замовлення 2751 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+63.69 грн
10+ 54.92 грн
100+ 33.95 грн
500+ 29.33 грн
1000+ 24.98 грн
2500+ 22.22 грн
5000+ 20.98 грн
Мінімальне замовлення: 6
CSD17483F4TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.5A; Idm: 5A; 500mW; PICOSTAR3
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.5A
On-state resistance: 0.55Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 5A
Mounting: SMD
Case: PICOSTAR3
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD17483F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 1.5A 3-Pin PicoStar T/R
товар відсутній
CSD17483F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 1.5A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+37.59 грн
17+ 35.33 грн
26+ 22.8 грн
Мінімальне замовлення: 16
CSD17483F4TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 1.5A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): 12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 15 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+36.92 грн
500+ 30.8 грн
1250+ 26.21 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD17483F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 1.5A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+28.96 грн
500+ 26.64 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD17483F4TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.5A; Idm: 5A; 500mW; PICOSTAR3
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.5A
On-state resistance: 0.55Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 5A
Mounting: SMD
Case: PICOSTAR3
товар відсутній
CSD17483F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 1.5A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+22.87 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD17483F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 1.5A 3-Pin PicoStar T/R
товар відсутній
CSD17484F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.6 грн
9000+ 4.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
CSD17484F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin PicoStar T/R
товар відсутній
CSD17484F4Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 3A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 121mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): 12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.04 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 15 V
на замовлення 60908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+27.62 грн
16+ 18.83 грн
100+ 9.52 грн
500+ 7.91 грн
1000+ 6.16 грн
Мінімальне замовлення: 11
CSD17484F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000
CSD17484F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin PicoStar T/R
товар відсутній
CSD17484F4Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 3A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 121mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): 12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.04 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 15 V
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.1 грн
6000+ 5.74 грн
9000+ 5.09 грн
30000+ 4.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
CSD17484F4Texas InstrumentsMOSFET 30-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single LGA 1 mm x 0.6mm, 128 mOhm, gate ESD protection 3-PICOSTAR -55 to 150
на замовлення 5792 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+29.23 грн
16+ 20.95 грн
100+ 8.83 грн
1000+ 6.21 грн
3000+ 5.38 грн
9000+ 4.83 грн
24000+ 4.49 грн
Мінімальне замовлення: 12
CSD17484F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 1649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+22.7 грн
34+ 17.49 грн
35+ 17.34 грн
100+ 8.98 грн
250+ 8.23 грн
500+ 7.83 грн
1000+ 4.7 грн
Мінімальне замовлення: 27
CSD17484F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+24.24 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD17484F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin PicoStar T/R
товар відсутній
CSD17484F4TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3A; Idm: 18A; 500mW; PICOSTAR3
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3A
On-state resistance: 0.27Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 18A
Mounting: SMD
Case: PICOSTAR3
товар відсутній
CSD17484F4TTexas InstrumentsMOSFET 30V N-Ch FemtoFET MOSFET
на замовлення 4543 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+48.71 грн
10+ 36.03 грн
100+ 26.71 грн
500+ 24.43 грн
1000+ 22.08 грн
2500+ 21.46 грн
Мінімальне замовлення: 7
CSD17484F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+26.1 грн
500+ 24.75 грн
1000+ 22.92 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD17484F4TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 3A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 121mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): 12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.04 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 15 V
на замовлення 25333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+60.47 грн
10+ 47.16 грн
100+ 36.69 грн
Мінімальне замовлення: 5
CSD17484F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
CSD17484F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin PicoStar T/R
товар відсутній
CSD17484F4TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3A; Idm: 18A; 500mW; PICOSTAR3
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3A
On-state resistance: 0.27Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 18A
Mounting: SMD
Case: PICOSTAR3
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
CSD17484F4TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 3A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 121mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): 12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.04 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 15 V
на замовлення 24500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+37.74 грн
500+ 31.1 грн
1250+ 25.33 грн
2500+ 22.38 грн
6250+ 21.32 грн
12500+ 20.33 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD17501Q5ATexas InstrumentsMOSFET 30V,NCh NexFET Pwr MOSFET
на замовлення 2044 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+106.28 грн
10+ 91.27 грн
100+ 68.05 грн
250+ 67.43 грн
500+ 60.66 грн
1000+ 55.49 грн
2500+ 54.31 грн
Мінімальне замовлення: 4
CSD17501Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 1773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+74.75 грн
10+ 70.04 грн
25+ 69.7 грн
100+ 63.06 грн
250+ 56.96 грн
500+ 52.81 грн
1000+ 51.77 грн
Мінімальне замовлення: 8
CSD17501Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2630 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+60.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17501Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17501Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+57.03 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17501Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+59.74 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17501Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17501Q5A
Код товару: 107837		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
CSD17501Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2630 pF @ 15 V
на замовлення 6793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+133.63 грн
10+ 106.68 грн
100+ 84.91 грн
500+ 67.43 грн
1000+ 57.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD17501Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 1773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
149+80.5 грн
159+ 75.42 грн
160+ 75.06 грн
170+ 67.91 грн
250+ 61.34 грн
500+ 56.88 грн
1000+ 55.75 грн
Мінімальне замовлення: 149
CSD17505Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+71.56 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17505Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+50.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17505Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17505Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 24A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 15 V
товар відсутній
CSD17505Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+48.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17505Q5ATexas InstrumentsMOSFET 30V,NCh NexFET Power MOSFET
на замовлення 2330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+119.97 грн
10+ 98.41 грн
100+ 68.05 грн
250+ 62.46 грн
500+ 56.66 грн
1000+ 48.59 грн
2500+ 46.1 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD17505Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17505Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17505Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 24A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 15 V
на замовлення 1863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.46 грн
10+ 93.6 грн
100+ 74.51 грн
500+ 59.16 грн
1000+ 50.2 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD17506Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 2352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+50.08 грн
13+ 47.84 грн
25+ 47.68 грн
100+ 45.79 грн
250+ 42.22 грн
500+ 40.36 грн
1000+ 40.19 грн
Мінімальне замовлення: 12
CSD17506Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 15 V
на замовлення 7484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+110.49 грн
10+ 87.2 грн
100+ 67.79 грн
500+ 53.92 грн
1000+ 43.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD17506Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17506Q5ATexas InstrumentsMOSFET 30V,NCh NexFET Pwr MOSFET
на замовлення 3647 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+81.32 грн
10+ 69.6 грн
100+ 52.24 грн
500+ 47.55 грн
1000+ 43 грн
2500+ 40.79 грн
5000+ 39.61 грн
Мінімальне замовлення: 4
CSD17506Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+47.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17506Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+45.76 грн
5000+ 41.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17506Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+46.42 грн
5000+ 44.99 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17506Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+44.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17506Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 2352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
119+101.13 грн
120+ 99.76 грн
155+ 77.44 грн
250+ 73.83 грн
500+ 57.44 грн
1000+ 42 грн
Мінімальне замовлення: 119
CSD17506Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+45.32 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17507Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17507Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 13A/65A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 15 V
на замовлення 3963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+61.22 грн
10+ 51.26 грн
100+ 35.48 грн
500+ 27.83 грн
1000+ 23.68 грн
Мінімальне замовлення: 5
CSD17507Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 1283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
219+54.82 грн
221+ 54.34 грн
294+ 40.79 грн
297+ 38.97 грн
500+ 30.09 грн
1000+ 21.51 грн
Мінімальне замовлення: 219
CSD17507Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17507Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 1283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+57.44 грн
12+ 49.99 грн
25+ 49.53 грн
100+ 34.81 грн
250+ 31.92 грн
500+ 26.5 грн
1000+ 18.89 грн
Мінімальне замовлення: 11
CSD17507Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 13A/65A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.34 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17507Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17507Q5ATexas InstrumentsMOSFET 30V NChannel Hi Side NexFET Pwr MOSFET
на замовлення 7676 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+48.71 грн
10+ 42.3 грн
100+ 27.81 грн
500+ 24.71 грн
1000+ 21.6 грн
2500+ 20.22 грн
5000+ 19.46 грн
Мінімальне замовлення: 7
CSD17507Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.97 грн
5000+ 22.56 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17507Q5ATTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17507Q5ATTexas InstrumentsMOSFET 30-V, N channel NexFET power MOSFET, single SON 5 mm x 6 mm, 10.8 mOhm 8-VSONP -55 to 150
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
CSD17507Q5ATTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17510Q5ATexas InstrumentsMOSFET 30V NChannel Lo Side NexFET Pwr MOSFET
на замовлення 4408 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+87.76 грн
10+ 70.4 грн
100+ 47.69 грн
500+ 40.44 грн
1000+ 32.92 грн
2500+ 29.81 грн
5000+ 29.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
CSD17510Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17510Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17510Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 20A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 15 V
на замовлення 6479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.88 грн
10+ 62.54 грн
100+ 48.65 грн
500+ 38.7 грн
1000+ 31.53 грн
Мінімальне замовлення: 4
CSD17510Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17510Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17510Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 20A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 15 V
на замовлення 4940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.84 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17510Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17522Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin SON EP T/R
товар відсутній
CSD17522Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 87A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 695 pF @ 15 V
на замовлення 13186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.12 грн
10+ 64.34 грн
100+ 50.03 грн
500+ 39.79 грн
1000+ 32.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
CSD17522Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin SON EP T/R
товар відсутній
CSD17522Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin SON EP T/R
товар відсутній
CSD17522Q5ATexas InstrumentsMOSFET 30V,NCh Nex FET Pwr MOSFET
на замовлення 4652 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+85.35 грн
10+ 69.05 грн
100+ 46.72 грн
500+ 39.61 грн
1000+ 32.3 грн
2500+ 28.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
CSD17522Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin SON EP T/R
товар відсутній
CSD17522Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 87A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 695 pF @ 15 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17522Q5A /Texas Instruments
Код товару: 108620		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
CSD17527Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17527Q5ATexas InstrumentsMOSFET 30V,NCh Nex FET Pwr MOSFET
на замовлення 4190 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+80.11 грн
10+ 67.22 грн
100+ 45.55 грн
500+ 38.1 грн
1000+ 30.64 грн
2500+ 28.64 грн
5000+ 27.26 грн
Мінімальне замовлення: 5
CSD17527Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 65A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 506 pF @ 15 V
на замовлення 12472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+78.39 грн
10+ 61.82 грн
100+ 48.1 грн
500+ 38.26 грн
1000+ 31.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
CSD17527Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 65A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 506 pF @ 15 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.44 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17551Q3ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 48A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17551Q3ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 12A 8SON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 15 V
на замовлення 4798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+50.02 грн
10+ 41.98 грн
100+ 29.06 грн
500+ 22.79 грн
1000+ 19.39 грн
Мінімальне замовлення: 6
CSD17551Q3ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 48A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17551Q3ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 12A 8SON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.11 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17551Q3ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 48A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.38 грн
5000+ 18.47 грн
10000+ 18.01 грн
12500+ 16.64 грн
25000+ 15.03 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17551Q3ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 48A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17551Q3ATexas InstrumentsMOSFET 30V N-Chnl MOSFET
на замовлення 16931 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+53.95 грн
10+ 46.03 грн
100+ 27.74 грн
500+ 23.19 грн
1000+ 19.74 грн
2500+ 17.53 грн
5000+ 16.63 грн
Мінімальне замовлення: 6
CSD17551Q3ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 48A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17551Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 48A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1272 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.93 грн
5000+ 23.78 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17551Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 13.5A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17551Q5ATexas InstrumentsMOSFET N-Channel NexFET Power MOSFET
на замовлення 4149 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+66.67 грн
10+ 54.92 грн
100+ 37.13 грн
500+ 31.47 грн
1000+ 25.4 грн
2500+ 22.84 грн
5000+ 22.77 грн
Мінімальне замовлення: 5
CSD17551Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 48A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1272 pF @ 15 V
на замовлення 7655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.71 грн
10+ 49.39 грн
100+ 38.42 грн
500+ 30.56 грн
1000+ 24.89 грн
Мінімальне замовлення: 5
CSD17552Q3ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 74A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17552Q3ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 74A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17552Q3ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 15A/60A 8SON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.52 грн
5000+ 24.32 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17552Q3ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 74A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17552Q3ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 15A/60A 8SON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 15 V
на замовлення 7037 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.2 грн
10+ 50.54 грн
100+ 39.29 грн
500+ 31.25 грн
1000+ 25.45 грн
Мінімальне замовлення: 5
CSD17552Q3ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 74A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17552Q3ATexas InstrumentsMOSFET 30V N-Channel MOSFET
на замовлення 16362 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+69.65 грн
10+ 56.19 грн
100+ 37.96 грн
500+ 32.16 грн
1000+ 26.16 грн
2500+ 24.64 грн
5000+ 23.46 грн
Мінімальне замовлення: 5
CSD17552Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 17A/60A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 15 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.88 грн
5000+ 27.34 грн
12500+ 26.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17552Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 88A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17552Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 88A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17552Q5ATexas InstrumentsMOSFET 30-V N-Ch NexFET Pwr MOSFET
на замовлення 2387 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+74.88 грн
10+ 60.16 грн
100+ 40.79 грн
500+ 34.51 грн
1000+ 28.09 грн
2500+ 27.12 грн
5000+ 25.4 грн
Мінімальне замовлення: 5
CSD17552Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 17A/60A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 15 V
на замовлення 14939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.17 грн
10+ 60.67 грн
100+ 47.28 грн
500+ 36.65 грн
1000+ 28.94 грн
Мінімальне замовлення: 5
CSD17552Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 88A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17553Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 23.5A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17553Q5ATexas InstrumentsMOSFET NCh NexFET Pwr MOSFET
на замовлення 4140 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+101.45 грн
10+ 82.54 грн
100+ 55.56 грн
500+ 47.14 грн
1000+ 38.37 грн
2500+ 36.92 грн
5000+ 36.85 грн
Мінімальне замовлення: 4
CSD17553Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 23.5A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.5A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3252 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+41.57 грн
5000+ 38.12 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17553Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 23.5A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.5A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3252 pF @ 15 V
на замовлення 9638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+100.78 грн
10+ 79.15 грн
100+ 61.58 грн
500+ 48.99 грн
1000+ 39.9 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD17555Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 24A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4650 pF @ 15 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+51.08 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17555Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17555Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 24A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4650 pF @ 15 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
CSD17555Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 24A/100A 8VSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4650 pF @ 15 V
на замовлення 147241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
344+60.75 грн
Мінімальне замовлення: 344
CSD17555Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17555Q5ATexas InstrumentsMOSFET 30V N-ch NexFET Pwr MOSFET
товар відсутній
CSD17555Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17556Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD17556Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD17556Q5BTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 34A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 191W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.65V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7020 pF @ 15 V
товар відсутній
CSD17556Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD17556Q5BTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17556Q5B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0012 ohm, VSON, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 100
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 3.1
Bauform - Transistor: VSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.4
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
CSD17556Q5BTexas InstrumentsMOSFET 30V N-Ch NexFET Power MOSFETs
на замовлення 2192 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+177.13 грн
10+ 153.97 грн
100+ 107.66 грн
250+ 105.59 грн
500+ 88.34 грн
1000+ 74.53 грн
2500+ 68.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
CSD17556Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+77.29 грн
5000+ 74.46 грн
10000+ 73.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17556Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD17556Q5BTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 34A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 191W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.65V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7020 pF @ 15 V
на замовлення 745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+167.97 грн
10+ 134.22 грн
100+ 106.85 грн
500+ 84.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
CSD17556Q5BTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17556Q5B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0012 ohm, VSON, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 100
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 3.1
Bauform - Transistor: VSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.4
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
CSD17556Q5BTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 191W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.65V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7020 pF @ 15 V
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+133.87 грн
500+ 111.95 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD17556Q5BTTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 400A; 191W
Polarisation: unipolar
Case: VSON-CLIP8
Kind of package: reel; tape
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
On-state resistance: 1.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 191W
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD17556Q5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD17556Q5BTTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 400A; 191W
Polarisation: unipolar
Case: VSON-CLIP8
Kind of package: reel; tape
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
On-state resistance: 1.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 191W
товар відсутній
CSD17556Q5BTTexas InstrumentsMOSFET 30V N-Ch NexFET Pwr MOSFET
на замовлення 231 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+222.22 грн
10+ 182.54 грн
100+ 126.29 грн
250+ 115.25 грн
500+ 105.59 грн
1000+ 90.41 грн
2500+ 86.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
CSD17556Q5BTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 191W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.65V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7020 pF @ 15 V
на замовлення 942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+207.54 грн
10+ 166.28 грн
100+ 132.3 грн
Мінімальне замовлення: 2
CSD17559Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 40A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 15 V
на замовлення 3548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+198.58 грн
10+ 158.59 грн
100+ 126.21 грн
500+ 100.21 грн
1000+ 85.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
CSD17559Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD17559Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD17559Q5Texas InstrumentsMOSFET 30V N Ch NexFET Pwr MOSFET
на замовлення 2573 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+206.92 грн
10+ 169.05 грн
100+ 117.32 грн
250+ 112.49 грн
500+ 98.69 грн
1000+ 84.2 грн
2500+ 76.6 грн
Мінімальне замовлення: 2
CSD17559Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 40A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+83.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17559Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD17559Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 40A/100A 8VSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 15 V
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
229+91.57 грн
Мінімальне замовлення: 229
CSD17559Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD17559Q5TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD17559Q5TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 400A; 96W
Polarisation: unipolar
Case: VSON-CLIP8
Kind of package: reel; tape
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
On-state resistance: 1.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 96W
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD17559Q5TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD17559Q5TTexas InstrumentsMOSFET 30V N-Ch NexFET Pwr MOSFET
на замовлення 322 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+235.91 грн
10+ 195.24 грн
25+ 167.7 грн
100+ 137.34 грн
250+ 129.74 грн
500+ 122.15 грн
1000+ 104.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
CSD17559Q5TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 15 V
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+141.26 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD17559Q5TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD17559Q5TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 400A; 96W
Polarisation: unipolar
Case: VSON-CLIP8
Kind of package: reel; tape
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
On-state resistance: 1.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 96W
товар відсутній
CSD17559Q5TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 15 V
на замовлення 482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+220.23 грн
10+ 178.07 грн
100+ 144.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
CSD17570Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+71.82 грн
5000+ 68.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17570Q5BTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.69mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 15 V
на замовлення 2107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+159.01 грн
10+ 126.74 грн
100+ 100.86 грн
500+ 80.09 грн
1000+ 67.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
CSD17570Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD17570Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+111.43 грн
10+ 102.12 грн
25+ 102.04 грн
100+ 85.91 грн
250+ 78.38 грн
500+ 67.5 грн
1000+ 59.1 грн
Мінімальне замовлення: 6
CSD17570Q5BTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.69mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 15 V
товар відсутній
CSD17570Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+120 грн
109+ 109.89 грн
125+ 92.52 грн
250+ 84.41 грн
500+ 72.7 грн
1000+ 63.65 грн
Мінімальне замовлення: 100
CSD17570Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD17570Q5BTexas InstrumentsMOSFET 30V N-Ch Pwr MOSFET
на замовлення 2943 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+161.03 грн
10+ 136.51 грн
100+ 96.62 грн
250+ 95.24 грн
500+ 80.75 грн
1000+ 68.05 грн
2500+ 64.8 грн
Мінімальне замовлення: 2
CSD17570Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD17570Q5BTTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; VSON-CLIP8; 5x6mm
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Dimensions: 5x6mm
Gate charge: 93nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Technology: NexFET™
Case: VSON-CLIP8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
On-state resistance: 0.74mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
CSD17570Q5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+87.87 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD17570Q5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD17570Q5BTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.69mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 15 V
на замовлення 973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+196.34 грн
10+ 157.22 грн
100+ 125.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
CSD17570Q5BTTexas InstrumentsMOSFET 30V N-Ch Pwr MOSFET
на замовлення 6707 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+210.14 грн
10+ 173.02 грн
100+ 119.39 грн
250+ 92.48 грн
500+ 85.58 грн
1000+ 78.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
CSD17570Q5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+97.33 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD17570Q5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD17570Q5BTTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; VSON-CLIP8; 5x6mm
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Dimensions: 5x6mm
Gate charge: 93nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Technology: NexFET™
Case: VSON-CLIP8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
On-state resistance: 0.74mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD17570Q5BTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.69mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 15 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+126.62 грн
500+ 105.89 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD17570Q5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD17570Q5BT /Texas Instruments
Код товару: 109943		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
CSD17571Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 22A 6-Pin WSON EP T/R
товар відсутній
CSD17571Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 22A 6-Pin WSON EP T/R
товар відсутній
CSD17571Q2TEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7.6A; 2.5W; WSON6
Mounting: SMD
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 2.4nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Technology: NexFET™
Case: WSON6
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 7.6A
On-state resistance: 24mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD17571Q2Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 22A 6SON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-SON (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 468 pF @ 15 V
на замовлення 21341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+33.59 грн
11+ 27.61 грн
100+ 19.17 грн
500+ 14.05 грн
1000+ 11.42 грн
Мінімальне замовлення: 9
CSD17571Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 22A 6-Pin WSON EP T/R
товар відсутній
CSD17571Q2TEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7.6A; 2.5W; WSON6
Mounting: SMD
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 2.4nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Technology: NexFET™
Case: WSON6
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 7.6A
On-state resistance: 24mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
CSD17571Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 22A 6-Pin WSON EP T/R
товар відсутній
CSD17571Q2Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 22A 6SON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-SON (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 468 pF @ 15 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.29 грн
6000+ 10.32 грн
9000+ 9.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
CSD17571Q2Texas InstrumentsMOSFET 30V N-CH Pwr MOSFETs
на замовлення 3836 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.93 грн
12+ 27.46 грн
100+ 17.87 грн
500+ 14.08 грн
1000+ 10.84 грн
3000+ 9.66 грн
9000+ 8.56 грн
Мінімальне замовлення: 10
CSD17571Q2 (Texas Instruments)
Код товару: 199547		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
CSD17573Q5BTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+47.77 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17573Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+53.5 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17573Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 2405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+106.07 грн
10+ 93.04 грн
25+ 92.19 грн
100+ 73.43 грн
250+ 63.78 грн
500+ 53.62 грн
1000+ 43.71 грн
Мінімальне замовлення: 6
CSD17573Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+44.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17573Q5BTexas InstrumentsMOSFET 30V, N-channel NexFET Pwr MOSFET
на замовлення 4037 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+112.72 грн
10+ 92.06 грн
100+ 63.08 грн
500+ 54.11 грн
1000+ 45.2 грн
2500+ 41.2 грн
5000+ 40.1 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD17573Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 2405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
105+114.23 грн
120+ 100.19 грн
121+ 99.28 грн
146+ 79.08 грн
250+ 68.69 грн
500+ 57.74 грн
1000+ 47.07 грн
Мінімальне замовлення: 105
CSD17573Q5BTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 15 V
на замовлення 3928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.97 грн
10+ 91.01 грн
100+ 70.77 грн
500+ 56.3 грн
1000+ 45.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD17573Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+51.9 грн
5000+ 48.84 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17573Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD17573Q5BTexas InstrumentsMOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
на замовлення 86 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+341.88 грн
CSD17573Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+49.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17573Q5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD17573Q5BTTexas InstrumentsMOSFET 30V, N-channel NexFET Pwr MOSFET
на замовлення 889 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+152.17 грн
10+ 124.6 грн
100+ 86.96 грн
250+ 80.06 грн
500+ 71.77 грн
1000+ 61.77 грн
2500+ 58.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD17573Q5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+84.92 грн
500+ 77.19 грн
1000+ 68.07 грн
1250+ 63.92 грн
2500+ 56.12 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD17573Q5BTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 15 V
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+89.85 грн
500+ 75.14 грн
1250+ 63.76 грн
2500+ 56.84 грн
6250+ 54.7 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD17573Q5BTTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 195W; VSON-CLIP8; 5x6mm
Mounting: SMD
Power dissipation: 195W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Dimensions: 5x6mm
Gate charge: 49nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Technology: NexFET™
Case: VSON-CLIP8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
On-state resistance: 1.19Ω
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
CSD17573Q5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD17573Q5BTTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 195W; VSON-CLIP8; 5x6mm
Mounting: SMD
Power dissipation: 195W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Dimensions: 5x6mm
Gate charge: 49nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Technology: NexFET™
Case: VSON-CLIP8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
On-state resistance: 1.19Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD17573Q5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+70.06 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD17573Q5BTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 15 V
на замовлення 13742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.6 грн
10+ 111.57 грн
100+ 88.8 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD17573Q5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD17575Q3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 108W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4420 pF @ 15 V
на замовлення 4908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53 грн
10+ 41.77 грн
100+ 32.52 грн
500+ 25.87 грн
1000+ 25.58 грн
Мінімальне замовлення: 6