Продукція > DI4
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DI4 | DBX | Description: DBX - DI4 - DI-Box DI4 aktiv 4 Kanäle mit Line-Mischer tariffCode: 85184000 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR Netzsteckertyp: UK hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DI4008A | DI | на замовлення 6775 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
| DI402SIA | IXYS | 09+ SOP8 | на замовлення 3079 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| DI409SI | IXYS | 09+ | на замовлення 351 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| DI4A7P06SQ2 | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET SO8 P -60V -4.7A 0.075OHM Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 525pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DI4A7P06SQ2 | Diotec Semiconductor | MOSFET MOSFET, SO-8, -60V, -4.7A, 150C, P | на замовлення 3958 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DI4A7P06SQ2 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -4.7A; Idm: -30A; 3W; SO8 Case: SO8 Polarisation: unipolar Power dissipation: 3W Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: -60V Gate charge: 8.5nC Mounting: SMD Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Type of transistor: P-MOSFET x2 Pulsed drain current: -30A On-state resistance: 0.12Ω Drain current: -4.7A | товар відсутній | |||||||||||||||
| DI4A7P06SQ2 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -4.7A; Idm: -30A; 3W; SO8 Case: SO8 Polarisation: unipolar Power dissipation: 3W Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: -60V Gate charge: 8.5nC Mounting: SMD Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Type of transistor: P-MOSFET x2 Pulsed drain current: -30A On-state resistance: 0.12Ω Drain current: -4.7A кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
| DI4A7P06SQ2 | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET SO8 P -60V -4.7A 0.075OHM Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 525pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|