НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DTD04S01DENMOS
на замовлення 820 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DTD05101DENMOS
на замовлення 5219 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DTD05202DENMOS
на замовлення 690 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DTD11003DENMOS
на замовлення 635 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DTD113/DTD113EKИэЕЖ/07+ SOT-23
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DTD113EonsemiDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DTD113ECHZGT116ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SOT23; R1: 1kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Current gain: 33
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Base resistor: 1kΩ
Base-emitter resistor: 1kΩ
кількість в упаковці: 20 шт
товар відсутній
DTD113ECHZGT116ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SOT23; R1: 1kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Current gain: 33
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Base resistor: 1kΩ
Base-emitter resistor: 1kΩ
товар відсутній
DTD113ECHZGT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.5A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
DTD113ECHZGT116ROHMDescription: ROHM - DTD113ECHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 1 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 1kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+17.81 грн
64+ 12.15 грн
137+ 5.65 грн
500+ 5.18 грн
Мінімальне замовлення: 44
DTD113ECHZGT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DTD113ECHZGT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.5A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+16.42 грн
26+ 11.07 грн
100+ 5.38 грн
500+ 4.21 грн
1000+ 2.93 грн
Мінімальне замовлення: 19
DTD113ECHZGT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
930+12.88 грн
965+ 12.41 грн
1000+ 12.01 грн
2500+ 11.24 грн
5000+ 10.13 грн
Мінімальне замовлення: 930
DTD113ECHZGT116ROHMDescription: ROHM - DTD113ECHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 1 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 1kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+5.18 грн
Мінімальне замовлення: 500
DTD113ECHZGT116ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN SOT-23 1kO Input Resist
на замовлення 518 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+17.95 грн
27+ 12.14 грн
100+ 4.28 грн
1000+ 3.04 грн
3000+ 2.35 грн
9000+ 1.93 грн
24000+ 1.86 грн
Мінімальне замовлення: 18
DTD113ECT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1035+11.57 грн
1070+ 11.19 грн
2500+ 10.86 грн
Мінімальне замовлення: 1035
DTD113ECT116Rohm SemiconductorDescription: NPN 500MA/50V DIGITAL TRANSISTOR
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DTD113ECT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1035+11.57 грн
1070+ 11.19 грн
2500+ 10.86 грн
Мінімальне замовлення: 1035
DTD113ECT116ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN 500mA/50V w/bias resistors
на замовлення 1402 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+26.97 грн
18+ 18.17 грн
100+ 7.8 грн
1000+ 4.69 грн
3000+ 3.45 грн
9000+ 2.97 грн
24000+ 2.76 грн
Мінімальне замовлення: 12
DTD113ECT116ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SOT23; R1: 1kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Current gain: 33
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Base resistor: 1kΩ
Base-emitter resistor: 1kΩ
кількість в упаковці: 20 шт
товар відсутній
DTD113ECT116ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SOT23; R1: 1kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Current gain: 33
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Base resistor: 1kΩ
Base-emitter resistor: 1kΩ
товар відсутній
DTD113ECT116Rohm SemiconductorDescription: NPN 500MA/50V DIGITAL TRANSISTOR
товар відсутній
DTD113ECT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DTD113EK
на замовлення 6817 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DTD113EKFRAT146ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN 50V 0.5A 1kO SOT-346
на замовлення 2698 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.21 грн
12+ 27.14 грн
100+ 17.67 грн
500+ 13.87 грн
1000+ 12.01 грн
3000+ 9.66 грн
9000+ 8.14 грн
Мінімальне замовлення: 10
DTD113EKFRAT146Rohm SemiconductorDescription: DTD113EKFRA IS A TRANSISTOR WITH
на замовлення 2955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DTD113EKFRAT146Rohm SemiconductorDescription: DTD113EKFRA IS A TRANSISTOR WITH
товар відсутній
DTD113EKT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.4 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DTD113EKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R
на замовлення 1974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
805+14.88 грн
835+ 14.34 грн
1000+ 13.87 грн
Мінімальне замовлення: 805
DTD113EKT146ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SC59,SOT346; R1: 1kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC59; SOT346
Current gain: 33
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Base resistor: 1kΩ
Base-emitter resistor: 1kΩ
товар відсутній
DTD113EKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
805+14.88 грн
835+ 14.34 грн
1000+ 13.87 грн
2500+ 12.98 грн
Мінімальне замовлення: 805
DTD113EKT146ROHMDescription: ROHM - DTD113EKT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 1 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 1kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Produktpalette: DTD113E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DTD113EKT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
на замовлення 5759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+27.62 грн
14+ 20.56 грн
100+ 12.3 грн
500+ 10.69 грн
1000+ 7.27 грн
Мінімальне замовлення: 11
DTD113EKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R
на замовлення 16038 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1495+8.01 грн
1751+ 6.84 грн
1855+ 6.45 грн
2000+ 5.82 грн
3000+ 5.34 грн
6000+ 4.9 грн
12000+ 4.62 грн
Мінімальне замовлення: 1495
DTD113EKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DTD113EKT146ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN 50V 500MA
на замовлення 1733 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+29.23 грн
15+ 22.54 грн
100+ 10.63 грн
1000+ 7.38 грн
3000+ 5.87 грн
24000+ 5.8 грн
45000+ 5.59 грн
Мінімальне замовлення: 12
DTD113EKT146ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SC59,SOT346; R1: 1kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC59; SOT346
Current gain: 33
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Base resistor: 1kΩ
Base-emitter resistor: 1kΩ
кількість в упаковці: 10 шт
товар відсутній
DTD113EKT146ROHMDescription: ROHM - DTD113EKT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 1 kohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Produktpalette: DTD113E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DTD113ESROHM
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DTD113ESROHMTO-92S
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DTD113ZCHZGT116ROHMDescription: ROHM - DTD113ZCHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 6326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+3.59 грн
1500+ 3.25 грн
Мінімальне замовлення: 500
DTD113ZCHZGT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.5A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 45952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.41 грн
23+ 12.87 грн
100+ 6.28 грн
500+ 4.92 грн
1000+ 3.42 грн
Мінімальне замовлення: 16
DTD113ZCHZGT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DTD113ZCHZGT116ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN SOT-23 1kO Input Resist
на замовлення 14611 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+20.93 грн
23+ 14.05 грн
100+ 5.04 грн
1000+ 3.45 грн
3000+ 2.76 грн
9000+ 2.28 грн
24000+ 2.14 грн
Мінімальне замовлення: 16
DTD113ZCHZGT116ROHMDescription: ROHM - DTD113ZCHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 6326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+15.56 грн
63+ 12.39 грн
100+ 9.14 грн
500+ 3.59 грн
1500+ 3.25 грн
Мінімальне замовлення: 50
DTD113ZCHZGT116ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SOT23; R1: 1kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Current gain: 82
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Base resistor: 1kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
кількість в упаковці: 20 шт
товар відсутній
DTD113ZCHZGT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.5A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.28 грн
6000+ 2.93 грн
9000+ 2.43 грн
30000+ 2.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DTD113ZCHZGT116ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SOT23; R1: 1kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Current gain: 82
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Base resistor: 1kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
товар відсутній
DTD113ZCHZGT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1035+11.57 грн
1070+ 11.19 грн
2500+ 10.86 грн
Мінімальне замовлення: 1035
DTD113ZCT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 6491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+25.38 грн
18+ 16.53 грн
100+ 8.08 грн
500+ 6.32 грн
1000+ 4.39 грн
Мінімальне замовлення: 12
DTD113ZCT116ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SOT23; R1: 1kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Current gain: 82
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Base resistor: 1kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
кількість в упаковці: 20 шт
товар відсутній
DTD113ZCT116ROHMDescription: ROHM - DTD113ZCT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD113Z Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 9950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+7.74 грн
500+ 5.43 грн
1000+ 3.38 грн
5000+ 3.05 грн
Мінімальне замовлення: 100
DTD113ZCT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DTD113ZCT116ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SOT23; R1: 1kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Current gain: 82
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Base resistor: 1kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
товар відсутній
DTD113ZCT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
630+19.01 грн
654+ 18.32 грн
1000+ 17.73 грн
2500+ 16.58 грн
5000+ 14.94 грн
Мінімальне замовлення: 630
DTD113ZCT116ROHMDescription: ROHM - DTD113ZCT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD113Z Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 9950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+29.73 грн
39+ 20.05 грн
100+ 7.74 грн
500+ 5.43 грн
1000+ 3.38 грн
5000+ 3.05 грн
Мінімальне замовлення: 27
DTD113ZCT116ROHM SemiconductorDigital Transistors RECOMMENDED ALT 755-DTD113ZUT106
на замовлення 27386 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+26.97 грн
22+ 15 грн
100+ 6.07 грн
1000+ 4.49 грн
3000+ 3.11 грн
9000+ 2.69 грн
24000+ 2.55 грн
Мінімальне замовлення: 12
DTD113ZKROHMSOT23
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DTD113ZKROHM
на замовлення 5850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DTD113ZKT146ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SC59,SOT346; R1: 1kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC59; SOT346
Current gain: 82
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Base resistor: 1kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
товар відсутній
DTD113ZKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 3-Pin SMT T/R
товар відсутній
DTD113ZKT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 148687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+27.62 грн
14+ 20.56 грн
100+ 12.3 грн
500+ 10.69 грн
1000+ 7.27 грн
Мінімальне замовлення: 11
DTD113ZKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 3-Pin SMT T/R
на замовлення 73732 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2197+5.45 грн
2341+ 5.11 грн
2389+ 5.01 грн
2460+ 4.69 грн
3000+ 4.33 грн
6000+ 4.06 грн
12000+ 3.95 грн
Мінімальне замовлення: 2197
DTD113ZKT146ROHMDescription: ROHM - DTD113ZKT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Produktpalette: DTD113Z Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.23 грн
Мінімальне замовлення: 100
DTD113ZKT146ROHM SemiconductorDigital Transistors DIGIT NPN 50V 500MA
на замовлення 9632 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+28.42 грн
14+ 23.41 грн
100+ 13.87 грн
1000+ 7.8 грн
3000+ 7.11 грн
9000+ 6.28 грн
24000+ 5.73 грн
Мінімальне замовлення: 12
DTD113ZKT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 147000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.4 грн
6000+ 6.83 грн
9000+ 6.15 грн
30000+ 5.69 грн
75000+ 5.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DTD113ZKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 3-Pin SMT T/R
на замовлення 14712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
486+24.63 грн
505+ 23.74 грн
1000+ 22.97 грн
2500+ 21.49 грн
5000+ 19.37 грн
10000+ 18.14 грн
Мінімальне замовлення: 486
DTD113ZKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 3-Pin SMT T/R
на замовлення 32871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1841+6.5 грн
2019+ 5.93 грн
2061+ 5.81 грн
2146+ 5.38 грн
3000+ 4.95 грн
6000+ 4.61 грн
12000+ 4.44 грн
Мінімальне замовлення: 1841
DTD113ZKT146ROHMDescription: ROHM - DTD113ZKT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Produktpalette: DTD113Z Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+31.35 грн
34+ 23.38 грн
100+ 12.23 грн
Мінімальне замовлення: 25
DTD113ZKT146ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SC59,SOT346; R1: 1kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC59; SOT346
Current gain: 82
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Base resistor: 1kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
кількість в упаковці: 10 шт
товар відсутній
DTD113ZS
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DTD113ZSTPDTD113ZSTP Транзисторы Digital
на замовлення 5013 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
DTD113ZSTPRohm SemiconductorDescription: TRANS DIGITAL BJT NPN 500MA 3-PI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-72 Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SPT
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
товар відсутній
DTD113ZUROHMSOT323
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DTD113ZUROHM07+ SOT-323
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DTD113ZU T106ROHMSOT23/SOT323
на замовлення 1651 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DTD113ZU T106ROHM0239+
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DTD113ZUT106Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 3-Pin UMT T/R
на замовлення 41655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1091+10.97 грн
1276+ 9.38 грн
1341+ 8.93 грн
2000+ 7.98 грн
3000+ 7.33 грн
6000+ 6.7 грн
12000+ 6.15 грн
Мінімальне замовлення: 1091
DTD113ZUT106ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SC70,SOT323; R1: 1kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 82
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Base resistor: 1kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
DTD113ZUT106ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN 50V 500MA
на замовлення 31250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.74 грн
12+ 28.73 грн
100+ 17.39 грн
500+ 13.53 грн
1000+ 11.04 грн
3000+ 8.7 грн
9000+ 8.63 грн
Мінімальне замовлення: 10
DTD113ZUT106Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A UMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 5720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DTD113ZUT106Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 3-Pin UMT T/R
на замовлення 20875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
321+37.39 грн
334+ 35.89 грн
500+ 34.59 грн
1000+ 32.27 грн
2500+ 29 грн
5000+ 27.08 грн
10000+ 26.42 грн
Мінімальне замовлення: 321
DTD113ZUT106ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SC70,SOT323; R1: 1kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 82
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Base resistor: 1kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
товар відсутній
DTD113ZUT106Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 5889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.1 грн
11+ 26.17 грн
100+ 18.21 грн
500+ 13.34 грн
1000+ 10.84 грн
Мінімальне замовлення: 10
DTD114ECHZGT116ROHMDescription: ROHM - DTD114ECHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+18.43 грн
62+ 12.54 грн
159+ 4.88 грн
500+ 3.45 грн
Мінімальне замовлення: 43
DTD114ECHZGT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.5A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DTD114ECHZGT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
948+12.63 грн
983+ 12.17 грн
1017+ 11.77 грн
Мінімальне замовлення: 948
DTD114ECHZGT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.5A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.41 грн
23+ 12.87 грн
100+ 6.28 грн
500+ 4.92 грн
1000+ 3.42 грн
Мінімальне замовлення: 16
DTD114ECHZGT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
948+12.63 грн
983+ 12.17 грн
1017+ 11.77 грн
2500+ 11.02 грн
Мінімальне замовлення: 948
DTD114ECHZGT116ROHMDescription: ROHM - DTD114ECHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+3.45 грн
Мінімальне замовлення: 500
DTD114ECHZGT116ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN SOT-23 10kO Input Resist
на замовлення 4476 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+20.93 грн
23+ 14.13 грн
100+ 5.04 грн
1000+ 3.52 грн
3000+ 2.76 грн
9000+ 2.28 грн
24000+ 2.14 грн
Мінімальне замовлення: 16
DTD114ECT116ROHMDescription: ROHM - DTD114ECT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD114E Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+31.2 грн
38+ 20.44 грн
100+ 9.37 грн
500+ 6.41 грн
1000+ 3.79 грн
Мінімальне замовлення: 25
DTD114ECT116ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN 500mA/50V w/bias resistors
на замовлення 2383 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.7 грн
18+ 18.17 грн
100+ 7.8 грн
1000+ 4.69 грн
3000+ 3.86 грн
9000+ 2.97 грн
24000+ 2.76 грн
Мінімальне замовлення: 12
DTD114ECT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
товар відсутній
DTD114ECT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
товар відсутній
DTD114ECT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+23.11 грн
37+ 16.12 грн
38+ 15.98 грн
62+ 9.24 грн
Мінімальне замовлення: 26
DTD114ECT116ROHMDescription: ROHM - DTD114ECT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD114E Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+9.37 грн
500+ 6.41 грн
1000+ 3.79 грн
Мінімальне замовлення: 100
DTD114EKROHM09+
на замовлення 3038 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DTD114EKROHM07+ SOT-23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DTD114EKROHMSOT23
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DTD114EK-T146ROHM
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DTD114EKFRAROHM SemiconductorROHM Semiconductor
товар відсутній
DTD114EKFRAT146ROHMDescription: ROHM - DTD114EKFRAT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 10 kohm, 10 kohm
Dauer-Kollektorstrom Ic: 500
Transistormontage: Oberflächenmontage
Basis-Eingangswiderstand R1: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10
Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN
Bauform - HF-Transistor: SOT-346
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
Widerstandsverhältnis R1/R2: 1
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+26.17 грн
36+ 21.91 грн
100+ 12.46 грн
500+ 8.34 грн
1000+ 4.78 грн
Мінімальне замовлення: 30
DTD114EKFRAT146ROHMDescription: ROHM - DTD114EKFRAT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 10 kohm, 10 kohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.46 грн
500+ 8.34 грн
1000+ 4.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
DTD114EKFRAT146ROHM SemiconductorROHM Semiconductor
товар відсутній
DTD114EKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R
на замовлення 4350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
451+26.57 грн
470+ 25.51 грн
500+ 24.59 грн
1000+ 22.94 грн
2500+ 20.61 грн
Мінімальне замовлення: 451
DTD114EKT146ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SC59,SOT346
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC59; SOT346
Current gain: 56
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2809 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
20+14.12 грн
35+ 8.6 грн
100+ 7.42 грн
175+ 5.78 грн
485+ 5.43 грн
Мінімальне замовлення: 20
DTD114EKT146ROHM SemiconductorDigital Transistors DIGIT NPN 50V 500MA
на замовлення 49364 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+23.19 грн
20+ 16.43 грн
100+ 8.63 грн
1000+ 6.28 грн
Мінімальне замовлення: 14
DTD114EKT146ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SC59,SOT346
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC59; SOT346
Current gain: 56
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
на замовлення 2809 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
35+11.77 грн
55+ 6.9 грн
100+ 6.18 грн
175+ 4.82 грн
485+ 4.53 грн
Мінімальне замовлення: 35
DTD114EKT146ROHMDescription: ROHM - DTD114EKT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 24890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.39 грн
500+ 9.06 грн
1000+ 6.1 грн
5000+ 6.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
DTD114EKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R
на замовлення 284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DTD114EKT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 92199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+21.65 грн
18+ 16.17 грн
100+ 9.68 грн
500+ 8.41 грн
1000+ 5.92 грн
Мінімальне замовлення: 14
DTD114EKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R
на замовлення 51289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1360+8.8 грн
1598+ 7.49 грн
1686+ 7.1 грн
2000+ 6.41 грн
3000+ 5.88 грн
6000+ 5.33 грн
12000+ 5.03 грн
Мінімальне замовлення: 1360
DTD114EKT146ROHMDescription: ROHM - DTD114EKT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 24890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+35.46 грн
34+ 23.46 грн
100+ 12.39 грн
500+ 9.06 грн
1000+ 6.1 грн
5000+ 6.04 грн
Мінімальне замовлення: 22
DTD114EKT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 87000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DTD114ESROHMTO-92S
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DTD114ESTPRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SPT
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: SC-72 Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SPT
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
товар відсутній
DTD114GCHZGT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1035+11.57 грн
1070+ 11.19 грн
2500+ 10.86 грн
Мінімальне замовлення: 1035
DTD114GCHZGT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+27.62 грн
16+ 18.91 грн
100+ 9.56 грн
500+ 7.32 грн
1000+ 5.43 грн
Мінімальне замовлення: 11
DTD114GCHZGT116ROHM SemiconductorDigital Transistors DTD114GCHZG is the high reliability Automotive transistor, suitable for inverter and interface, driver.
на замовлення 7668 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+29.95 грн
16+ 20.71 грн
100+ 7.45 грн
1000+ 5.52 грн
3000+ 4.76 грн
9000+ 3.8 грн
24000+ 3.59 грн
Мінімальне замовлення: 11
DTD114GCHZGT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
DTD114GCT116ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN 500mA/50V w/bias resistors
на замовлення 3793 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+26.97 грн
18+ 18.17 грн
100+ 6.49 грн
1000+ 4.49 грн
3000+ 3.52 грн
9000+ 2.97 грн
24000+ 2.76 грн
Мінімальне замовлення: 12
DTD114GCT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
948+12.63 грн
983+ 12.17 грн
1017+ 11.77 грн
2500+ 11.02 грн
Мінімальне замовлення: 948
DTD114GCT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 3080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+25.38 грн
18+ 16.53 грн
100+ 8.08 грн
500+ 6.32 грн
1000+ 4.39 грн
Мінімальне замовлення: 12
DTD114GCT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+25.75 грн
35+ 17.42 грн
37+ 16.32 грн
50+ 15.58 грн
100+ 8.66 грн
250+ 5.88 грн
500+ 5.51 грн
1000+ 3.31 грн
Мінімальне замовлення: 24
DTD114GCT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DTD114GK T146ROHMSOT23
на замовлення 2893 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DTD114GKT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DTD114GKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
256+46.9 грн
266+ 45.02 грн
500+ 43.39 грн
1000+ 40.48 грн
2500+ 36.37 грн
Мінімальне замовлення: 256
DTD114GKT146ROHMDescription: ROHM - DTD114GKT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD114GK Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+9.37 грн
500+ 8.55 грн
Мінімальне замовлення: 100
DTD114GKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
256+46.9 грн
266+ 45.02 грн
500+ 43.39 грн
1000+ 40.48 грн
2500+ 36.37 грн
Мінімальне замовлення: 256
DTD114GKT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 5900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.58 грн
11+ 27.25 грн
100+ 16.33 грн
500+ 14.19 грн
1000+ 9.65 грн
Мінімальне замовлення: 9
DTD114GKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
256+46.9 грн
266+ 45.02 грн
500+ 43.39 грн
Мінімальне замовлення: 256
DTD114GKT146ROHMSOT-23 96+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DTD114GKT146ROHMDescription: ROHM - DTD114GKT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD114GK Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+25.78 грн
39+ 20.28 грн
100+ 9.37 грн
500+ 8.55 грн
Мінімальне замовлення: 31
DTD114GKT146ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN 50V 500MA
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+38.97 грн
11+ 31.11 грн
100+ 13.87 грн
1000+ 10.42 грн
3000+ 8.9 грн
9000+ 8.35 грн
24000+ 7.66 грн
Мінімальне замовлення: 9
DTD114GKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DTD120-12SX-F-WETA-USADesktop AC Adapters 12 vdc 100W 8.33A ADAPTER AC/DC
товар відсутній
DTD120-12SX-F-W6ETA-USADesktop AC Adapters 120W 12V 8.33A
товар відсутній
DTD120-12SX-F-W6ETA-USADescription: AC/DC DESKTOP ADAPTER 12V 100W
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 6.69" L x 2.55" W x 1.52" H (170.0mm x 64.8mm x 38.5mm)
Voltage - Output: 12V
Output Connector: Power DIN, 4 Pin
Voltage - Input: 90 ~ 264 VAC
Cord Length: 39.4" (1.00m)
Operating Temperature: 0°C ~ 40°C
Applications: ITE (Commercial)
Input Type: Cord (Sold Separately)
Approval Agency: CE, CSA, TUV, UL
Form: Desktop (Class I)
Efficiency: Level VI
Current - Output (Max): 8.33A
Input Connector: IEC 320-C14
Region Utilized: International
No Load Power Consumption: 300mW (Max)
Part Status: Active
Power (Watts): 100 W
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8137.24 грн
DTD120-19SX-F-WETA-USADesktop AC Adapters 19 vdc 120W 6.3A AC/DC Adapter
товар відсутній
DTD120-19SX-F-W6ETA-USADesktop AC Adapters 120W 19V 6.3A
товар відсутній
DTD120-19SX-F-W6ETA-USADescription: AC/DC DESKTOP ADAPTER 19V 120W
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 6.69" L x 2.55" W x 1.52" H (170.0mm x 64.8mm x 38.5mm)
Voltage - Output: 19V
Output Connector: Power DIN, 4 Pin
Voltage - Input: 90 ~ 264 VAC
Cord Length: 39.4" (1.00m)
Operating Temperature: 0°C ~ 40°C
Applications: ITE (Commercial)
Input Type: Cord (Sold Separately)
Approval Agency: CE, CSA, TUV, UL
Form: Desktop (Class I)
Efficiency: Level VI
Current - Output (Max): 6.3A
Input Connector: IEC 320-C14
Region Utilized: International
No Load Power Consumption: 300mW (Max)
Part Status: Active
Power (Watts): 120 W
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8137.24 грн
DTD120-24SX-F-WETA-USADesktop AC Adapters 24vdc
товар відсутній
DTD120-24SX-F-W6ETA-USADesktop AC Adapters 120W 24V 5A
товар відсутній
DTD120-24SX-F-W6ETA-USADescription: AC/DC DESKTOP ADAPTER 24V 120W
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 6.69" L x 2.55" W x 1.52" H (170.0mm x 64.8mm x 38.5mm)
Voltage - Output: 24V
Output Connector: Power DIN, 4 Pin
Voltage - Input: 90 ~ 264 VAC
Cord Length: 39.4" (1.00m)
Operating Temperature: 0°C ~ 40°C
Applications: ITE (Commercial)
Input Type: Cord (Sold Separately)
Approval Agency: CE, CSA, TUV, UL
Form: Desktop (Class I)
Efficiency: Level VI
Current - Output (Max): 5A
Input Connector: IEC 320-C14
Region Utilized: International
No Load Power Consumption: 300mW (Max)
Part Status: Active
Power (Watts): 120 W
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8137.24 грн
DTD120-36SX-F-W6ETA-USADesktop AC Adapters 120W 36V 3.3A
товар відсутній
DTD120-48SX-F-W6ETA-USADescription: AC-DC EXTERNAL POWER ADAPTER
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DTD120-48SX-F-W6ETA-USADesktop AC Adapters 120W 48V 2.5A
товар відсутній
DTD120-SX-F-WETA-USADesktop AC Adapters 120W INPUT 90~264
товар відсутній
DTD122JKT146ROHM06+ROHS
на замовлення 695 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DTD122JKT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
товар відсутній
DTD122JKT146ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN 50V 500MA
товар відсутній
DTD123ECHZGT116ROHMDescription: ROHM - DTD123ECHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 39hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+26.48 грн
43+ 18.19 грн
110+ 7.05 грн
500+ 5.1 грн
1000+ 3.38 грн
Мінімальне замовлення: 30
DTD123ECHZGT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 39 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DTD123ECHZGT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
993+12.05 грн
1026+ 11.66 грн
2500+ 11.31 грн
Мінімальне замовлення: 993
DTD123ECHZGT116ROHM SemiconductorDigital Transistors DTD123ECHZG is the high reliability Automotive transistor, suitable for inverter and interface, driver.
на замовлення 5871 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+29.95 грн
16+ 20.71 грн
100+ 7.45 грн
1000+ 5.52 грн
3000+ 4.42 грн
9000+ 3.8 грн
24000+ 3.59 грн
Мінімальне замовлення: 11
DTD123ECHZGT116ROHMDescription: ROHM - DTD123ECHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 39hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+18.19 грн
110+ 7.05 грн
500+ 5.1 грн
1000+ 3.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
DTD123ECHZGT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 39 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+27.62 грн
16+ 18.91 грн
100+ 9.56 грн
500+ 7.32 грн
1000+ 5.43 грн
Мінімальне замовлення: 11
DTD123ECT116ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN 500mA/50V w/bias resistors
на замовлення 637 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+26.97 грн
18+ 18.17 грн
100+ 6.49 грн
1000+ 4.49 грн
3000+ 3.45 грн
9000+ 2.97 грн
24000+ 2.76 грн
Мінімальне замовлення: 12
DTD123ECT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 39 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
на замовлення 3785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+25.38 грн
18+ 16.53 грн
100+ 8.08 грн
500+ 6.32 грн
1000+ 4.39 грн
Мінімальне замовлення: 12
DTD123ECT116ROHMDescription: ROHM - DTD123ECT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
DTD123ECT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 39 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
товар відсутній
DTD123ECT116ROHMDescription: ROHM - DTD123ECT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
Dauer-Kollektorstrom Ic: 500
Transistormontage: Oberflächenmontage
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2
Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN
Bauform - HF-Transistor: SOT-23
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD123E
Widerstandsverhältnis R1/R2: 1
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
DTD123ECT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 19672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
602+19.88 грн
625+ 19.16 грн
1000+ 18.54 грн
2500+ 17.35 грн
5000+ 15.63 грн
10000+ 14.64 грн
Мінімальне замовлення: 602
DTD123EKROHM04+ SOT-23
на замовлення 15100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DTD123EKROHMSOT23
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DTD123EKROHM11+ROHS SOT-23
на замовлення 53500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DTD123EKROHMSOT23/SOT323
на замовлення 360 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DTD123EK T146ROHMSOT23
на замовлення 850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DTD123EKFRAT146ROHMDescription: ROHM - DTD123EKFRAT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 39hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.61 грн
500+ 7.91 грн
1000+ 4.91 грн
Мінімальне замовлення: 100
DTD123EKFRAT146ROHMDescription: ROHM - DTD123EKFRAT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 39hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+32.75 грн
32+ 24.23 грн
100+ 11.61 грн
500+ 7.91 грн
1000+ 4.91 грн
Мінімальне замовлення: 24
DTD123EKT146ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SC59,SOT346
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC59; SOT346
Current gain: 39
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 2.2kΩ
кількість в упаковці: 10 шт
товар відсутній
DTD123EKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R
на замовлення 187642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1964+6.09 грн
2128+ 5.62 грн
2193+ 5.46 грн
2280+ 5.06 грн
3000+ 4.67 грн
6000+ 4.34 грн
12000+ 4.18 грн
Мінімальне замовлення: 1964
DTD123EKT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 39 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
на замовлення 7970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.61 грн
13+ 22.93 грн
100+ 13.77 грн
500+ 11.96 грн
1000+ 8.13 грн
Мінімальне замовлення: 10
DTD123EKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R
на замовлення 3772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
438+27.35 грн
456+ 26.26 грн
500+ 25.31 грн
1000+ 23.61 грн
2500+ 21.22 грн
Мінімальне замовлення: 438
DTD123EKT146ROHMDescription: ROHM - DTD123EKT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
Dauer-Kollektorstrom Ic: 500
Transistormontage: Oberflächenmontage
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2
Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN
Bauform - HF-Transistor: SOT-346
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD123E
Widerstandsverhältnis R1/R2: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
DTD123EKT146ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN 50V 500MA
на замовлення 4282 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.93 грн
13+ 25.16 грн
100+ 11.94 грн
1000+ 8.28 грн
3000+ 7.04 грн
9000+ 6.56 грн
24000+ 6.35 грн
Мінімальне замовлення: 10
DTD123EKT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 39 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DTD123EKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
438+27.35 грн
456+ 26.26 грн
500+ 25.31 грн
1000+ 23.61 грн
2500+ 21.22 грн
Мінімальне замовлення: 438
DTD123EKT146ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SC59,SOT346
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC59; SOT346
Current gain: 39
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 2.2kΩ
товар відсутній
DTD123TCHZGT116ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN SOT-23 2.2kO Input Resist
на замовлення 6333 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+20.21 грн
24+ 13.41 грн
100+ 4.83 грн
1000+ 3.31 грн
3000+ 2.62 грн
9000+ 2.21 грн
24000+ 2.07 грн
Мінімальне замовлення: 16
DTD123TCHZGT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 40V 500mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1035+11.57 грн
1070+ 11.19 грн
2500+ 10.86 грн
5000+ 10.19 грн
Мінімальне замовлення: 1035
DTD123TCHZGT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.5A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.12 грн
6000+ 2.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DTD123TCHZGT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.5A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+18.66 грн
24+ 12.22 грн
100+ 5.98 грн
500+ 4.68 грн
1000+ 3.25 грн
Мінімальне замовлення: 16
DTD123TCT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 40V 0.5A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
товар відсутній
DTD123TCT116ROHMDescription: ROHM - DTD123TCT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD123T Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+30.58 грн
36+ 21.68 грн
100+ 9.21 грн
500+ 6.07 грн
1000+ 3.32 грн
Мінімальне замовлення: 26
DTD123TCT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 40V 0.5A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
товар відсутній
DTD123TCT116ROHMDescription: ROHM - DTD123TCT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD123T Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+6.07 грн
1000+ 3.32 грн
Мінімальне замовлення: 500
DTD123TCT116ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN 500mA/50V w/bias resistors
на замовлення 2861 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.7 грн
17+ 19.68 грн
100+ 7.8 грн
1000+ 4.69 грн
3000+ 3.45 грн
9000+ 2.97 грн
24000+ 2.76 грн
Мінімальне замовлення: 12
DTD123TCT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 40V 500mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
939+12.76 грн
974+ 12.29 грн
1007+ 11.89 грн
2500+ 11.13 грн
Мінімальне замовлення: 939
DTD123TKROHMSOT23
на замовлення 1103 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DTD123TKT146ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SC59,SOT346; 2.2kΩ
Mounting: SMD
Case: SC59; SOT346
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 2.2kΩ
Frequency: 200MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 100...600
Collector current: 0.5A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
кількість в упаковці: 10 шт
товар відсутній
DTD123TKT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 40V 0.5A SMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
товар відсутній
DTD123TKT146ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SC59,SOT346; 2.2kΩ
Mounting: SMD
Case: SC59; SOT346
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 2.2kΩ
Frequency: 200MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 100...600
Collector current: 0.5A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
товар відсутній
DTD123TKT146ROHMDescription: ROHM - DTD123TKT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 40 V, 500 mA, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD123T Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DTD123TKT146ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN 50V 500MA
на замовлення 6942 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+38.16 грн
11+ 29.92 грн
100+ 14.42 грн
1000+ 9.8 грн
3000+ 8.9 грн
9000+ 7.45 грн
Мінімальне замовлення: 9
DTD123TKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 40V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R
на замовлення 1254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
805+14.88 грн
835+ 14.34 грн
1000+ 13.87 грн
Мінімальне замовлення: 805
DTD123TKT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 40V 0.5A SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
на замовлення 2920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.58 грн
11+ 27.25 грн
100+ 16.33 грн
500+ 14.19 грн
1000+ 9.65 грн
Мінімальне замовлення: 9
DTD123TSTPRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 40V 0.5A SPT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-72 Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SPT
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 300 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
товар відсутній
DTD123YCHZGT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
930+12.88 грн
965+ 12.41 грн
1000+ 12.01 грн
Мінімальне замовлення: 930
DTD123YCHZGT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
930+12.88 грн
965+ 12.41 грн
1000+ 12.01 грн
2500+ 11.24 грн
Мінімальне замовлення: 930
DTD123YCHZGT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+25.38 грн
18+ 16.53 грн
100+ 8.08 грн
500+ 6.32 грн
1000+ 4.39 грн
Мінімальне замовлення: 12
DTD123YCHZGT116ROHMDescription: ROHM - DTD123YCHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.16 грн
101+ 7.69 грн
500+ 4.67 грн
1500+ 4.23 грн
Мінімальне замовлення: 100
DTD123YCHZGT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DTD123YCHZGT116ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SOT23; R1: 2.2kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Current gain: 56
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
кількість в упаковці: 20 шт
товар відсутній
DTD123YCHZGT116ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SOT23; R1: 2.2kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Current gain: 56
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
товар відсутній
DTD123YCHZGT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DTD123YCHZGT116ROHMDescription: ROHM - DTD123YCHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+18.66 грн
59+ 13.16 грн
101+ 7.69 грн
500+ 4.67 грн
1500+ 4.23 грн
Мінімальне замовлення: 42
DTD123YCHZGT116ROHM SemiconductorDigital Transistors DTD123YCHZG is the high reliability Automotive transistor, suitable for inverter and interface, driver.
на замовлення 9169 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+26.97 грн
19+ 16.9 грн
100+ 6.42 грн
1000+ 4.49 грн
3000+ 3.04 грн
9000+ 2.76 грн
45000+ 2.55 грн
Мінімальне замовлення: 12
DTD123YCT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
товар відсутній
DTD123YCT116ROHMDescription: ROHM - DTD123YCT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 10 kohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
DTD123YCT116ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SOT23; R1: 2.2kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Current gain: 56
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DTD123YCT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
626+19.13 грн
649+ 18.44 грн
1000+ 17.84 грн
2500+ 16.69 грн
5000+ 15.04 грн
10000+ 14.09 грн
Мінімальне замовлення: 626
DTD123YCT116ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SOT23; R1: 2.2kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Current gain: 56
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
товар відсутній
DTD123YCT116ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN 500mA/50V w/bias resistors
на замовлення 9710 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+26.97 грн
16+ 20.56 грн
100+ 6.63 грн
1000+ 4.49 грн
3000+ 3.45 грн
9000+ 2.97 грн
24000+ 2.76 грн
Мінімальне замовлення: 12
DTD123YCT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+25.38 грн
18+ 16.53 грн
100+ 8.08 грн
500+ 6.32 грн
Мінімальне замовлення: 12
DTD123YCT116ROHMDescription: ROHM - DTD123YCT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 10 kohm
Dauer-Kollektorstrom Ic: 500
Transistormontage: Oberflächenmontage
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10
Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN
Bauform - HF-Transistor: SOT-23
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD123Y
Widerstandsverhältnis R1/R2: 0.22
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
DTD123YCT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2239+5.34 грн
2455+ 4.87 грн
Мінімальне замовлення: 2239
DTD123YKROHMSOT23
на замовлення 84620 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DTD123YKROHM05+ SOT-23
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DTD123YKROHM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DTD123YK/F62
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DTD123YKA
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DTD123YKFRAT146ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SC59,SOT346
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC59; SOT346
Current gain: 56
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
товар відсутній
DTD123YKFRAT146ROHMDescription: ROHM - DTD123YKFRAT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1021 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+31.43 грн
34+ 23.3 грн
100+ 11.15 грн
500+ 7.62 грн
1000+ 4.71 грн
Мінімальне замовлення: 25
DTD123YKFRAT146ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SC59,SOT346
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC59; SOT346
Current gain: 56
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
DTD123YKFRAT146ROHMDescription: ROHM - DTD123YKFRAT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1031 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.07 грн
500+ 7.62 грн
1000+ 4.71 грн
Мінімальне замовлення: 100
DTD123YKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R
на замовлення 7572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
451+26.57 грн
470+ 25.51 грн
500+ 24.59 грн
1000+ 22.94 грн
2500+ 20.61 грн
5000+ 19.25 грн
Мінімальне замовлення: 451
DTD123YKT146ROHM SemiconductorDigital Transistors DIGIT NPN 50V 500MA SOT-346
на замовлення 24548 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+23.19 грн
18+ 17.7 грн
100+ 8.63 грн
1000+ 6.28 грн
Мінімальне замовлення: 14
DTD123YKT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 186000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DTD123YKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R
товар відсутній
DTD123YKT146ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SC59,SOT346
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC59; SOT346
Current gain: 56
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
кількість в упаковці: 10 шт
товар відсутній
DTD123YKT146ROHMDescription: ROHM - DTD123YKT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 10 kohm
Dauer-Kollektorstrom Ic: 500
Transistormontage: Oberflächenmontage
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10
Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN
Bauform - HF-Transistor: SOT-346
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD123Y
Widerstandsverhältnis R1/R2: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
DTD123YKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R
на замовлення 35526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1345+8.9 грн
1573+ 7.61 грн
1660+ 7.21 грн
2000+ 6.5 грн
3000+ 5.98 грн
6000+ 5.44 грн
12000+ 5.12 грн
Мінімальне замовлення: 1345
DTD123YKT146ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SC59,SOT346
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC59; SOT346
Current gain: 56
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
товар відсутній
DTD123YKT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 191239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+21.65 грн
18+ 16.17 грн
100+ 9.68 грн
500+ 8.41 грн
1000+ 5.92 грн
Мінімальне замовлення: 14
DTD123YKT147
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DTD13001DENMOS
на замовлення 1093 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DTD133EK
на замовлення 910 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DTD133HKT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
товар відсутній
DTD133HKT146
на замовлення 14800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DTD143ECROHMSOT23
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DTD143ECRICOH
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DTD143ECHZGT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.5A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+17.17 грн
26+ 11.21 грн
100+ 5.46 грн
Мінімальне замовлення: 18
DTD143ECHZGT116ROHMDescription: ROHM - DTD143ECHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 47hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+20.67 грн
57+ 13.7 грн
139+ 5.58 грн
500+ 4.53 грн
1000+ 3.58 грн
Мінімальне замовлення: 38
DTD143ECHZGT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2674+4.48 грн
3037+ 3.94 грн
3185+ 3.76 грн
3199+ 3.61 грн
Мінімальне замовлення: 2674
DTD143ECHZGT116ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SOT23; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Current gain: 47
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
товар відсутній
DTD143ECHZGT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3897+3.07 грн
6000+ 2.8 грн
12000+ 2.61 грн
18000+ 2.37 грн
Мінімальне замовлення: 3897
DTD143ECHZGT116ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SOT23; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Current gain: 47
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
кількість в упаковці: 20 шт
товар відсутній
DTD143ECHZGT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.5A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
DTD143ECHZGT116ROHMDescription: ROHM - DTD143ECHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 47hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+4.53 грн
1000+ 3.58 грн
Мінімальне замовлення: 500
DTD143ECHZGT116ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN SOT-23 4.7kO Input Resist
на замовлення 6798 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+18.76 грн
28+ 11.75 грн
100+ 4.55 грн
1000+ 3.17 грн
3000+ 2.55 грн
9000+ 1.93 грн
24000+ 1.86 грн
Мінімальне замовлення: 18
DTD143ECHZGT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1068+11.21 грн
1104+ 10.84 грн
2500+ 10.52 грн
Мінімальне замовлення: 1068
DTD143ECT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DTD143ECT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DTD143ECT116ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SOT23; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Current gain: 47
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
кількість в упаковці: 20 шт
товар відсутній
DTD143ECT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DTD143ECT116ROHMDescription: ROHM - DTD143ECT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 47hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD143E Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+29.73 грн
39+ 19.97 грн
100+ 7.74 грн
500+ 6.3 грн
1000+ 5.01 грн
Мінімальне замовлення: 27
DTD143ECT116ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN 500mA/50V w/bias resistors
на замовлення 8462 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+26.97 грн
18+ 18.1 грн
100+ 6.49 грн
1000+ 4.42 грн
3000+ 3.52 грн
9000+ 2.97 грн
24000+ 2.76 грн
Мінімальне замовлення: 12
DTD143ECT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1155+10.36 грн
1194+ 10.03 грн
Мінімальне замовлення: 1155
DTD143ECT116
Код товару: 169680
Транзистори > Біполярні NPN
товар відсутній
DTD143ECT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
на замовлення 3519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+25.38 грн
18+ 16.53 грн
100+ 8.08 грн
500+ 6.32 грн
1000+ 4.39 грн
Мінімальне замовлення: 12
DTD143ECT116ROHMDescription: ROHM - DTD143ECT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 47hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD143E Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+6.3 грн
1000+ 5.01 грн
Мінімальне замовлення: 500
DTD143ECT116ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SOT23; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Current gain: 47
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
товар відсутній
DTD143ECT216Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
на замовлення 921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.61 грн
14+ 21.85 грн
100+ 13.61 грн
500+ 8.74 грн
Мінімальне замовлення: 10
DTD143ECT216Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
товар відсутній
DTD143ECT216ROHM SemiconductorDigital Transistors DIGITAL NPN 500mA
товар відсутній
DTD143EKROHMSOT23
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DTD143EKROHM
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DTD143EK T146ROHMSOT23-F23
на замовлення 599 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DTD143EK T146 SOT23-F23ROHM
на замовлення 599 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DTD143EKAROHM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DTD143EKFRAT146ROHMDescription: ROHM - DTD143EKFRAT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 47hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD143E Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+14.55 грн
500+ 10.64 грн
1000+ 6.3 грн
Мінімальне замовлення: 100
DTD143EKFRAT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1086 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.61 грн
12+ 24.95 грн
100+ 17.37 грн
500+ 12.73 грн
1000+ 10.34 грн
Мінімальне замовлення: 10
DTD143EKFRAT146ROHMDescription: ROHM - DTD143EKFRAT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 47hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD143E Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+28.34 грн
36+ 21.83 грн
100+ 14.55 грн
500+ 10.64 грн
1000+ 6.3 грн
Мінімальне замовлення: 28
DTD143EKFRAT146ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN 50V 0.5A 4.7kO SOT-346
на замовлення 4964 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+34.46 грн
12+ 27.06 грн
100+ 17.6 грн
500+ 13.8 грн
1000+ 12.97 грн
3000+ 10.97 грн
9000+ 9.18 грн
Мінімальне замовлення: 10
DTD143EKFRAT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
DTD143EKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 3-Pin SMT T/R
на замовлення 1265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DTD143EKT146ROHM SemiconductorDigital Transistors DIGIT NPN 50V 500MA
на замовлення 21043 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+31.48 грн
12+ 26.51 грн
100+ 16.08 грн
500+ 12.49 грн
1000+ 10.21 грн
3000+ 8.63 грн
9000+ 8.28 грн
Мінімальне замовлення: 11
DTD143EKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 3-Pin SMT T/R
на замовлення 694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
293+40.9 грн
305+ 39.26 грн
500+ 37.84 грн
Мінімальне замовлення: 293
DTD143EKT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
на замовлення 8194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.11 грн
12+ 24.15 грн
100+ 16.79 грн
500+ 12.3 грн
1000+ 10 грн
Мінімальне замовлення: 11
DTD143EKT146ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SC59,SOT346
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC59; SOT346
Current gain: 47
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
товар відсутній
DTD143EKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 3-Pin SMT T/R
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
293+40.9 грн
305+ 39.26 грн
500+ 37.84 грн
1000+ 35.3 грн
2500+ 31.72 грн
5000+ 29.63 грн
10000+ 28.91 грн
25000+ 28.26 грн
Мінімальне замовлення: 293
DTD143EKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 3-Pin SMT T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
293+40.9 грн
305+ 39.26 грн
500+ 37.84 грн
1000+ 35.3 грн
2500+ 31.72 грн
5000+ 29.63 грн
10000+ 28.91 грн
Мінімальне замовлення: 293
DTD143EKT146ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SC59,SOT346
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC59; SOT346
Current gain: 47
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
кількість в упаковці: 10 шт
товар відсутній
DTD143EKT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.89 грн
6000+ 9.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DTD143EKT146/F23ROHM
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DTD143EKT146SOT23-F23ROHM
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DTD143ESROHMTO-92S
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DTD143ESTPRohm SemiconductorDescription: TRANS DIGITAL BJT NPN 500MA 3-PI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-72 Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SPT
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
товар відсутній
DTD143TKROHMSOT-23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DTD143TKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 40V 500mA 3-Pin SMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
453+26.44 грн
472+ 25.38 грн
500+ 24.47 грн
1000+ 22.82 грн
2500+ 20.51 грн
Мінімальне замовлення: 453
DTD143TKT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 40V 0.5A SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.88 грн
15+ 19.84 грн
Мінімальне замовлення: 12
DTD143TKT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 40V 0.5A SMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
товар відсутній
DTD143TKT146ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN 50V 500MA
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.93 грн
13+ 26.27 грн
100+ 15.6 грн
1000+ 9.04 грн
3000+ 7.66 грн
9000+ 6.97 грн
24000+ 6.42 грн
Мінімальне замовлення: 10
DTD143TKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 40V 500mA 3-Pin SMT T/R
на замовлення 7573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1678+7.13 грн
1776+ 6.74 грн
1834+ 6.53 грн
2000+ 6 грн
3000+ 5.52 грн
6000+ 5.09 грн
Мінімальне замовлення: 1678
DTD152ZMAKITADescription: MAKITA - DTD152Z - 18V IMPACT DRIVER BODY ONLY
tariffCode: 82051000
Schlagrate, max.: 3200BPM
Batterie-/Akkutyp: Li-Ionen
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Drehmoment: 165Nm
Versorgungsspannung, V AC: -V
euEccn: NLR
Batterie-/Akkuspannung: 18V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Eingangsleistung: -W
usEccn: EAR99
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10098.47 грн
DTD153ZMAKITADescription: MAKITA - DTD153Z - 18V B/LESS IMPACT DRIVER - BARE UNIT
tariffCode: 82051000
Schlagrate, max.: 3600BPM
Batterie-/Akkutyp: Li-Ionen
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Drehmoment: 170Nm
Versorgungsspannung, V AC: -V
euEccn: NLR
Batterie-/Akkuspannung: 18V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Eingangsleistung: -W
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10583.11 грн
DTD17102DENMOS
на замовлення 659 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DTD26101DENMOS
на замовлення 1134 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DTD50FISNARCategory: Dispensers
Description: Dispenser; pneumatic; 50/50ml; 0÷6.9bar
Type of device: dispenser
Version: pneumatic
Syringe capacity: 50/50ml
Soldering equipment features: for use with square back cartridges
Operating pressure: 0...6.9bar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+60518.33 грн
3+ 56112.88 грн
DTD50FISNARCategory: Dispensers
Description: Dispenser; pneumatic; 50/50ml; 0÷6.9bar
Type of device: dispenser
Version: pneumatic
Syringe capacity: 50/50ml
Soldering equipment features: for use with square back cartridges
Operating pressure: 0...6.9bar
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+50431.94 грн
3+ 45028.85 грн
DTD50-RBFISNARCategory: Dispensers
Description: Dispenser; pneumatic; 50/50ml; 0÷6.9bar
Type of device: dispenser
Version: pneumatic
Syringe capacity: 50/50ml
Soldering equipment features: for use with round back cartridges
Operating pressure: 0...6.9bar
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DTD50-RBFISNARCategory: Dispensers
Description: Dispenser; pneumatic; 50/50ml; 0÷6.9bar
Type of device: dispenser
Version: pneumatic
Syringe capacity: 50/50ml
Soldering equipment features: for use with round back cartridges
Operating pressure: 0...6.9bar
товар відсутній
DTD513ZEROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased
товар відсутній
DTD513ZE3TLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 2707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+27.62 грн
14+ 20.56 грн
100+ 12.3 грн
500+ 10.69 грн
1000+ 7.27 грн
Мінімальне замовлення: 11
DTD513ZE3TLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
товар відсутній
DTD513ZE3TLROHM SemiconductorDigital Transistors NPN, SOT-416, R1?R2 Leak Absorption Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
на замовлення 5305 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+29.23 грн
14+ 23.49 грн
100+ 13.94 грн
1000+ 8.07 грн
3000+ 6.83 грн
9000+ 6.28 грн
24000+ 5.73 грн
Мінімальне замовлення: 12
DTD513ZETLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.95 грн
6000+ 6.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DTD513ZETLROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 12V; 0.5A; 150mW; SC75A,SOT416
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC75A; SOT416
Current gain: 140
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 260MHz
Base resistor: 1kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
кількість в упаковці: 10 шт
товар відсутній
DTD513ZETLROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 12V; 0.5A; 150mW; SC75A,SOT416
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC75A; SOT416
Current gain: 140
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 260MHz
Base resistor: 1kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
товар відсутній
DTD513ZETLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 12V 500mA 3-Pin EMT T/R
на замовлення 5775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1003+11.93 грн
1037+ 11.54 грн
2500+ 11.2 грн
5000+ 10.51 грн
Мінімальне замовлення: 1003
DTD513ZETLROHMDescription: ROHM - DTD513ZETL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товар відсутній
DTD513ZETLROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased TRANSISTOR
на замовлення 1060 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.74 грн
13+ 25 грн
100+ 9.32 грн
1000+ 7.18 грн
3000+ 6 грн
9000+ 5.52 грн
24000+ 5.11 грн
Мінімальне замовлення: 10
DTD513ZETLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 10071 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.35 грн
14+ 21.49 грн
100+ 10.84 грн
500+ 9.02 грн
1000+ 7.02 грн
Мінімальне замовлення: 10
DTD513ZETLROHMDescription: ROHM - DTD513ZETL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm
Dauer-Kollektorstrom Ic: 500
Transistormontage: Oberflächenmontage
Basis-Eingangswiderstand R1: 1
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10
Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN
Bauform - HF-Transistor: SOT-416
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD513Z
Widerstandsverhältnis R1/R2: 0.1
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товар відсутній
DTD513ZETLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 12V 500mA 3-Pin EMT T/R
на замовлення 28169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1987+6.02 грн
1990+ 6.01 грн
2229+ 5.37 грн
2322+ 4.97 грн
3000+ 4.59 грн
6000+ 4.38 грн
12000+ 4.11 грн
Мінімальне замовлення: 1987
DTD513ZMGT2LROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased NPN Digital Transtr 500mA12V w/bias rstr
на замовлення 6759 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+36.23 грн
12+ 27.22 грн
100+ 14.77 грн
500+ 10.14 грн
Мінімальне замовлення: 9
DTD513ZMGT2LRohm SemiconductorDescription: DIGITAL TRANSISTOR (500MA/12V),
товар відсутній
DTD513ZMGT2LRohm SemiconductorDescription: DIGITAL TRANSISTOR (500MA/12V),
на замовлення 6643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+28.37 грн
14+ 20.92 грн
100+ 13.06 грн
500+ 8.39 грн
1000+ 6.45 грн
2000+ 5.81 грн
Мінімальне замовлення: 11
DTD513ZMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
товар відсутній
DTD513ZMT2LROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased RECOMMENDED ALT 755-DTD513ZMGT2L
товар відсутній
DTD523YE3TLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DTD523YE3TLROHM SemiconductorDigital Transistors NPN, SOT-416, R1?R2 Leak Absorption Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
на замовлення 5580 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+29.95 грн
14+ 23.81 грн
100+ 14.15 грн
1000+ 8.21 грн
3000+ 6.9 грн
9000+ 6.35 грн
24000+ 5.87 грн
Мінімальне замовлення: 11
DTD523YE3TLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+27.62 грн
14+ 20.78 грн
100+ 12.48 грн
500+ 10.85 грн
1000+ 7.38 грн
Мінімальне замовлення: 11
DTD523YETLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3
на замовлення 1963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DTD523YETLROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 12V; 0.5A; 150mW; SC75A,SOT416
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SC75A; SOT416
Power dissipation: 0.15W
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: NPN
Current gain: 140
Base-emitter resistor: 10kΩ
Frequency: 260MHz
Collector current: 0.5A
Collector-emitter voltage: 12V
Base resistor: 2.2kΩ
Polarisation: bipolar
кількість в упаковці: 10 шт
товар відсутній
DTD523YETLROHM SemiconductorDigital Transistors NPN Digital Transistor
на замовлення 1831 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+35.19 грн
13+ 24.44 грн
100+ 9.52 грн
1000+ 7.66 грн
3000+ 4.76 грн
Мінімальне замовлення: 10
DTD523YETLROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 12V; 0.5A; 150mW; SC75A,SOT416
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SC75A; SOT416
Power dissipation: 0.15W
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: NPN
Current gain: 140
Base-emitter resistor: 10kΩ
Frequency: 260MHz
Collector current: 0.5A
Collector-emitter voltage: 12V
Base resistor: 2.2kΩ
Polarisation: bipolar
товар відсутній
DTD523YMT2LROHM SEMICONDUCTORDTD523YMT2L NPN SMD transistors
товар відсутній
DTD523YMT2LROHM SemiconductorDigital Transistors TRANSISTOR
на замовлення 2334 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.93 грн
14+ 24.21 грн
100+ 14.35 грн
1000+ 8.97 грн
2500+ 6.76 грн
8000+ 5.94 грн
48000+ 5.73 грн
Мінімальне замовлення: 10
DTD523YMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
товар відсутній
DTD543EE3TLROHM SemiconductorDigital Transistors NPN, SOT-416, R1=R2 Potential Divider Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+29.23 грн
14+ 23.49 грн
100+ 13.94 грн
1000+ 8.07 грн
3000+ 6.83 грн
9000+ 6.28 грн
24000+ 5.73 грн
Мінімальне замовлення: 12
DTD543EE3TLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 115 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
товар відсутній
DTD543EE3TLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 115 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
на замовлення 2954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+27.62 грн
14+ 20.56 грн
100+ 12.3 грн
500+ 10.69 грн
1000+ 7.27 грн
Мінімальне замовлення: 11
DTD543EETLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 115 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
на замовлення 1212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.35 грн
14+ 21.49 грн
100+ 10.84 грн
500+ 9.02 грн
1000+ 7.02 грн
Мінімальне замовлення: 10
DTD543EETLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 115 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
товар відсутній
DTD543EETLROHM SemiconductorDigital Transistors TRANSISTOR
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.74 грн
14+ 23.57 грн
100+ 9.18 грн
1000+ 7.18 грн
3000+ 6 грн
9000+ 5.52 грн
24000+ 5.11 грн
Мінімальне замовлення: 10
DTD543EMT2LROHM SemiconductorDigital Transistors TRANSISTOR
на замовлення 7819 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+30.68 грн
18+ 18.41 грн
100+ 10.56 грн
1000+ 8.49 грн
2500+ 6.76 грн
8000+ 5.38 грн
24000+ 5.31 грн
Мінімальне замовлення: 11
DTD543EMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 115 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: VMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
товар відсутній
DTD543XE3TLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.4 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DTD543XE3TLROHM SemiconductorDigital Transistors NPN, SOT-416, R1?R2 Leak Absorption Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+29.23 грн
14+ 23.49 грн
100+ 13.94 грн
1000+ 8.07 грн
3000+ 6.83 грн
9000+ 6.28 грн
24000+ 5.73 грн
Мінімальне замовлення: 12
DTD543XE3TLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+27.62 грн
14+ 20.56 грн
100+ 12.3 грн
500+ 10.69 грн
1000+ 7.27 грн
Мінімальне замовлення: 11
DTD543XETLROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased TRANSISTOR
на замовлення 1467 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+36.71 грн
13+ 25.08 грн
100+ 13.6 грн
1000+ 7.87 грн
3000+ 6.21 грн
9000+ 5.52 грн
24000+ 5.11 грн
Мінімальне замовлення: 9
DTD543XETLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3
товар відсутній
DTD543XMT2LROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased TRANSISTOR
товар відсутній
DTD543XMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
товар відсутній
DTD543ZE3TLROHM SemiconductorDigital Transistors NPN, SOT-416, R1?R2 Leak Absorption Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
на замовлення 6388 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+29.23 грн
14+ 23.49 грн
100+ 13.94 грн
1000+ 8.07 грн
3000+ 6.83 грн
9000+ 6.28 грн
24000+ 5.73 грн
Мінімальне замовлення: 12
DTD543ZETLROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased TRANSISTOR
на замовлення 2966 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
DTD543ZETLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.11 грн
Мінімальне замовлення: 11
DTD543ZETLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3
товар відсутній
DTD543ZMT2LROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 12V; 0.5A; 150mW; SOT723; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 150mW
Case: SOT723
Current gain: 140
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 260MHz
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
товар відсутній
DTD543ZMT2LROHM SemiconductorDigital Transistors TRANSISTOR
на замовлення 7628 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+29.95 грн
17+ 19.13 грн
100+ 10.97 грн
1000+ 8.14 грн
2500+ 6.76 грн
8000+ 5.38 грн
24000+ 5.31 грн
Мінімальне замовлення: 11
DTD543ZMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
товар відсутній
DTD543ZMT2LROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 12V; 0.5A; 150mW; SOT723; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 150mW
Case: SOT723
Current gain: 140
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 260MHz
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
товар відсутній
DTD713ZETLROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased TRANS DIGI BJT NPN 200MA 3PIN
товар відсутній
DTD713ZETLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3
товар відсутній
DTD713ZMT2LROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased TRNSISTR DIGI NPN 200MA
товар відсутній
DTD713ZMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
товар відсутній
DTD713ZMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
на замовлення 7527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DTD713ZMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
на замовлення 7527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DTD723YETLROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased TRANS DIGI BJT NPN 200MA
товар відсутній
DTD723YETLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3
товар відсутній
DTD723YMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
на замовлення 3426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DTD723YMT2LROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased TRANS DIGI BJT NPN 200MA TR
товар відсутній
DTD723YMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
товар відсутній
DTD723YMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
на замовлення 3426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DTD743EETLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3
товар відсутній
DTD743EETLROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased TRANSISTOR
товар відсутній
DTD743EETLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DTD743EMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 30V 0.2A VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 115 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: VMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
товар відсутній
DTD743EMT2LROHM SemiconductorDigital Transistors TRANSISTOR
товар відсутній
DTD743EMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 30V 0.2A VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 115 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: VMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
товар відсутній
DTD743XETLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 30V 0.2A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 2860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.35 грн
14+ 21.49 грн
100+ 10.84 грн
500+ 9.02 грн
1000+ 7.02 грн
Мінімальне замовлення: 10
DTD743XETLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 30V 0.2A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
товар відсутній
DTD743XETLROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased DIGI 200MA/30V 3EMT
товар відсутній
DTD743XMT2LROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased DIGI 200MA/30V 3VMT
товар відсутній
DTD743XMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
товар відсутній
DTD743ZETLROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased TRANSISTOR
товар відсутній
DTD743ZETLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3
товар відсутній
DTD743ZMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
товар відсутній
DTD743ZMT2LROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased TRANSISTOR
товар відсутній
DTDG14GPROHM09+
на замовлення 997 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DTDG14GP
Код товару: 106265
Транзистори > Біполярні NPN
товар відсутній
DTDG14GPROHM08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DTDG14GPROHMSOT89
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DTDG14GP/EO1PROHM
на замовлення 941 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DTDG14GPFRAT100ROHMDescription: ROHM - DTDG14GPFRAT100 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 60 V, 1 A, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Dauer-Kollektorstrom Ic: 1
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: -
Dauer-Kollektorstrom: 1
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 60
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500
Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN
Bauform - Transistor: SOT-89
Bauform - HF-Transistor: SOT-89
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Widerstandsverhältnis R1/R2: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+77.34 грн
13+ 63.41 грн
100+ 33.99 грн
Мінімальне замовлення: 11
DTDG14GPFRAT100ROHMDescription: ROHM - DTDG14GPFRAT100 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 60 V, 1 A, 10 kohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 60
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500
Bauform - Transistor: SOT-89
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+33.99 грн
Мінімальне замовлення: 100
DTDG14GPT100ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 60V; 1A; 500mW; SC62,SOT89; 10kΩ
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT
Base-emitter resistor: 10kΩ
Case: SC62; SOT89
Frequency: 80MHz
Collector-emitter voltage: 60V
Current gain: 300
Collector current: 1A
товар відсутній
DTDG14GPT100Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 60V 1A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
Frequency - Transition: 80 MHz
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 11802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.06 грн
10+ 34.08 грн
100+ 23.69 грн
500+ 17.35 грн
Мінімальне замовлення: 8
DTDG14GPT100ROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased DIGITAL NPN 60V 1A
на замовлення 1545 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+44.2 грн
10+ 37.46 грн
100+ 24.29 грн
500+ 19.12 грн
1000+ 14.77 грн
2000+ 12.56 грн
10000+ 11.66 грн
Мінімальне замовлення: 8
DTDG14GPT100ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 60V; 1A; 500mW; SC62,SOT89; 10kΩ
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT
Base-emitter resistor: 10kΩ
Case: SC62; SOT89
Frequency: 80MHz
Collector-emitter voltage: 60V
Current gain: 300
Collector current: 1A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DTDG14GPT100Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 60V 1A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
Frequency - Transition: 80 MHz
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+15.61 грн
2000+ 13.44 грн
5000+ 12.75 грн
10000+ 11.11 грн
Мінімальне замовлення: 1000
DTDG14GPT100ROHMSOT-89 09+
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DTDG14PROHMN A
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DTDG23YPROHM09+
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DTDG23YPT100ROHMDescription: ROHM - DTDG23YPT100 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 60 V, 1 A, 2.2 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 60V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 1944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.55 грн
500+ 19.77 грн
1000+ 12.48 грн
Мінімальне замовлення: 100
DTDG23YPT100ROHM SEMICONDUCTORDTDG23YPT100 NPN SMD transistors
товар відсутній
DTDG23YPT100Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 60V 1A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.5 W
Frequency - Transition: 80 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
на замовлення 868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+52.26 грн
10+ 43.56 грн
100+ 30.15 грн
500+ 23.64 грн
Мінімальне замовлення: 6
DTDG23YPT100Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 60V 1A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.5 W
Frequency - Transition: 80 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
товар відсутній
DTDG23YPT100ROHMDescription: ROHM - DTDG23YPT100 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 60 V, 1 A, 2.2 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 60V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 1944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+48.15 грн
21+ 38.24 грн
100+ 25.55 грн
500+ 19.77 грн
1000+ 12.48 грн
Мінімальне замовлення: 17
DTDG23YPT100ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN 60V 1A
на замовлення 6004 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+54.67 грн
10+ 44.52 грн
100+ 28.43 грн
500+ 23.74 грн
1000+ 16.22 грн
Мінімальне замовлення: 6
DTDS14GPROHM SemiconductorROHM Semiconductor
товар відсутній
DTDS14GP HRAT100ROHMSOT89
на замовлення 795 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DTDS14GPHRAT100ROHM98+
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DTDS14GPT100ROHM SemiconductorROHM Semiconductor
товар відсутній
DTDUO3/16GBKingston TechnologyFlash Card 16G-byte USB Flash Drive
товар відсутній
DTDV23YPHRAT101ROHM98+
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)