Продукція > FDS

на замовлення 1165 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS-E 206P

09+ SO-8

на замовлення 2165 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS-E 3170N3

на замовлення 17 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS-E 3170N3

09+ SO-8

на замовлення 1017 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS-E 3170N7

09+ SO-8

на замовлення 1056 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS-E 3170N7

на замовлення 56 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS-E 4080N3

09+ SO-8

на замовлення 1202 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS-E 4080N3

на замовлення 202 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS-E 5170N3

09+ SO-8

на замовлення 1050 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS-E 5170N3

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS-E 5170N7

09+ SO-8

на замовлення 1090 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS-E 5170N7

на замовлення 90 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS-E 7060N7

на замовлення 445 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS-E 7060N7

09+ SO-8

на замовлення 1445 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS-E 7082N3

на замовлення 12 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS-E 7082N3

09+ SO-8

на замовлення 1012 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS-E 7088N7

09+ SO-8

на замовлення 2020 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS-E 7088N7

на замовлення 1020 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS-E 7096N3

09+ SO-8

на замовлення 3438 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS-E 7096N3

на замовлення 2438 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS-E 7288N3

09+ SO-8

на замовлення 1170 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS-E 7288N3

на замовлення 170 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS-E7064N

на замовлення 1475 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS-E7064N

09+ SO-8

на замовлення 2475 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS-E7064N3

на замовлення 1380 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS-E7064N3

09+ SO-8

на замовлення 2380 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS-E7296N3

09+ SO-8

на замовлення 1295 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS-E7296N3

на замовлення 295 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS-E9 7096N3

09+ SO-8

на замовлення 1204 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS-E9 7096N3

на замовлення 204 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS-N 7064N3

09+ SO-8

на замовлення 1032 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS-N 7064N3

на замовлення 32 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS-O 7064N3

на замовлення 19 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS-O 7064N3

09+ SO-8

на замовлення 1019 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS-PC

RLE Technologies

Description: TRANSLATOR - SNMP/MODBUS/BACNET

на замовлення 25 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDS-PC-DP

RLE Technologies

Description: TRANSLATOR - SNMP/MODBUS/BACNET

на замовлення 25 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDS-Q 2170N3

на замовлення 128 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS-Q 2170N3

09+ SO-8

на замовлення 1128 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS-Q 2170N7

09+ SO-8

на замовлення 1245 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS-Q 2170N7

на замовлення 245 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS009

07+/08+ SOP8

на замовлення 600 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS06L

Siemens

Switch Fixings SW OP ONLY FXD DEPTH LF 30-100A MCS SW

товар відсутній

FDS06R

Siemens

Switch Fixings SW OP ONLY FXD DEPTH RT 30-100A MCS SW

товар відсутній

FDS1

Remote Door Switch For Use With Eclipse, Hme

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDS1

Description: DOOR SWITCH

на замовлення 21 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDS1

HAMMOND

Description: HAMMOND - FDS1 - REMOTE DOOR SWITCH, 115/230VAC, HME
tariffCode: 85365080
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
Produktpalette: RDS Series
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	2171.59 грн

FDS1

Racks & Rack Cabinet Accessories Door Switch

на замовлення 39 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDS100AA(BA)60

07+;

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS100AA40

100A/400V/High Speed Diode/2U

на замовлення 55 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS100AA40

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS100AA60

100A/600V/High Speed Diode/2U

на замовлення 55 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS100AA60

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS100AA60

CDH2-1

на замовлення 19 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS100AA60

MODULE

на замовлення 84 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS100BA60

100A/600V/High Speed Diode/2U

на замовлення 55 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS100BA60

F4-5

на замовлення 134 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS100BA60

MODULE

на замовлення 186 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS100BA60

на замовлення 45 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS100BA60

CDH2-1

на замовлення 19 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS100BA60

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS100BA80

F4-5

на замовлення 5 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS100CA100

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS100CA100

MODULE

на замовлення 80 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS100CA100

100A/1000V/High Speed Diode/2U

на замовлення 55 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS100CA100(120)

07+;

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS100CA120

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS100CA120

CDH2-1

на замовлення 19 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS100CA120

Discrete Semiconductor Modules Discrete Semiconductor Modules 1000V 120A

на замовлення 10 шт:

термін постачання 259-268 дні (днів)

1+	5824.47 грн
10+	4697.61 грн

FDS100CA120

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS100CA120

100A/1200V/High Speed Diode/2U

на замовлення 55 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS100CA120

SanRex Corporation

Description: DIODE MODULE 1200V 100A

товар відсутній

FDS100CA120

F4-5

на замовлення 5 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS100CA120

MODULE

на замовлення 59 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS1102

Category: Digital Oscilloscopes
Description: Oscilloscope: digital; Ch: 2; 100MHz; 1Gsps; 10Mpts; LCD TFT 10,4"
Kind of display used: LCD TFT 10,4"
Sampling: 1Gsps
Measuring instrument features: mathematical functions: addition, subtraction, division, multiplication and FFT; measurements by means of cursors
Body dimensions: 421x221x115mm
Standard equipment: mains cable; oscilloscope probe (1 per channel); test lead (BNC - crocodile clips); test leads ( 2pcs.); trimmer; USB cable; user's manual
Measurement: AC current; AC voltage; capacitance; DC current; DC voltage; frequency; resistance
Interface: HDMI; LAN; USB
Additional functions: frequency meter; function generator; multimeter; power supply
Manufacturer series: FDS
Band: 100MHz
Software: download from manufacturers website
Measurement memory: 100
Max. input voltage: 300V
Plug variant: EU
Vertical resolution: 8bit
Input coupling: AC, DC, GND
Trigger: CAN; falling-edge; I2C; LIN; logic; Nth Edge; pulse; rising-edge; RS232; runt; slope; timeout; video signal; window
Type of oscilloscope: digital
Waveform frequency range: 1µHz...1MHz (ramp waveform); 1µHz...10MHz (pulse waveform); 1µHz...25MHz (rectangular waveform); 1µHz...50MHz (sinus waveform)
Rise time: ≤3.5ns
Input sensitivity: 1mV/div...10V/div
Output current 2: 3A
Input impedance: 1MΩ/15pF
Display resolution: 1024x768
Output voltage 2: 15V DC
Number of channels: 2
Memory record length: 10Mpts
Output current: 3A
Touchpad: yes
Output voltage: 15V DC
Power consumption: 30W
Trigger modes: automatic; normal; single
Supply voltage: 100...240V AC
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FDS1102

товар відсутній

FDS1102A

Category: Digital Oscilloscopes
Description: Oscilloscope: digital; Ch: 2; 100MHz; 1Gsps; 10Mpts; LCD TFT 10,4"
Kind of display used: LCD TFT 10,4"
Sampling: 1Gsps
Measuring instrument features: mathematical functions: addition, subtraction, division, multiplication and FFT; measurements by means of cursors
Body dimensions: 421x221x115mm
Standard equipment: mains cable; oscilloscope probe (1 per channel); test lead (BNC - crocodile clips); test leads ( 2pcs.); trimmer; USB cable; user's manual
Measurement: AC current; AC voltage; capacitance; DC current; DC voltage; frequency; resistance
Interface: HDMI; LAN; USB
Additional functions: frequency meter; function generator; multimeter; power supply
Manufacturer series: FDS
Band: 100MHz
Software: download from manufacturers website
Measurement memory: 100
Max. input voltage: 300V
Plug variant: EU
Vertical resolution: 14bit
Input coupling: AC, DC, GND
Trigger: CAN; falling-edge; I2C; LIN; logic; Nth Edge; pulse; rising-edge; RS232; runt; slope; timeout; video signal; window
Type of oscilloscope: digital
Waveform frequency range: 1µHz...1MHz (ramp waveform); 1µHz...10MHz (pulse waveform); 1µHz...25MHz (rectangular waveform); 1µHz...50MHz (sinus waveform)
Rise time: ≤3.5ns
Input sensitivity: 1mV/div...10V/div
Output current 2: 3A
Input impedance: 1MΩ/15pF
Display resolution: 1024x768
Output voltage 2: 15V DC
Number of channels: 2
Memory record length: 10Mpts
Output current: 3A
Touchpad: yes
Output voltage: 15V DC
Power consumption: 30W
Trigger modes: automatic; normal; single
Supply voltage: 100...240V AC
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FDS1102A

Category: Digital Oscilloscopes
Description: Oscilloscope: digital; Ch: 2; 100MHz; 1Gsps; 10Mpts; LCD TFT 10,4"
Kind of display used: LCD TFT 10,4"
Sampling: 1Gsps
Measuring instrument features: mathematical functions: addition, subtraction, division, multiplication and FFT; measurements by means of cursors
Body dimensions: 421x221x115mm
Standard equipment: mains cable; oscilloscope probe (1 per channel); test lead (BNC - crocodile clips); test leads ( 2pcs.); trimmer; USB cable; user's manual
Measurement: AC current; AC voltage; capacitance; DC current; DC voltage; frequency; resistance
Interface: HDMI; LAN; USB
Additional functions: frequency meter; function generator; multimeter; power supply
Manufacturer series: FDS
Band: 100MHz
Software: download from manufacturers website
Measurement memory: 100
Max. input voltage: 300V
Plug variant: EU
Vertical resolution: 14bit
Input coupling: AC, DC, GND
Trigger: CAN; falling-edge; I2C; LIN; logic; Nth Edge; pulse; rising-edge; RS232; runt; slope; timeout; video signal; window
Type of oscilloscope: digital
Waveform frequency range: 1µHz...1MHz (ramp waveform); 1µHz...10MHz (pulse waveform); 1µHz...25MHz (rectangular waveform); 1µHz...50MHz (sinus waveform)
Rise time: ≤3.5ns
Input sensitivity: 1mV/div...10V/div
Output current 2: 3A
Input impedance: 1MΩ/15pF
Display resolution: 1024x768
Output voltage 2: 15V DC
Number of channels: 2
Memory record length: 10Mpts
Output current: 3A
Touchpad: yes
Output voltage: 15V DC
Power consumption: 30W
Trigger modes: automatic; normal; single
Supply voltage: 100...240V AC

товар відсутній

FDS1212

Description: SHELF FOLD DOWN 12X12" BEIGE

на замовлення 65 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDS1212

Electrical Enclosure Accessories Fold Down Shelf 12 x 12"

товар відсутній

FDS1212GY

Electrical Enclosure Accessories Fold Down Shelf - 12x12 - Steel/Gray

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	11807.56 грн
5+	11430.94 грн
10+	9759.82 грн
25+	9614.21 грн

FDS1212GY

Description: FOLD DOWN SHELF

на замовлення 34 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDS1212LG

Electrical Enclosure Accessories Fold Down Shelf - 12x12 - Steel/Lt Gray

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	12363.11 грн
5+	11969.04 грн
10+	10218.76 грн
25+	10066.93 грн

FDS136SBS

00+ SOP-8

на замовлення 2875 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS1818

Description: SHELF FOLD DOWN 18X18" BEIGE
Packaging: Box
Color: Beige
Size / Dimension: 18.000" L x 18.000" W (457.20mm x 457.20mm)
For Use With/Related Products: Enclosures
Material: Metal, Steel
Type: Shelf, Fold Down
Ventilation: Non-Vented

товар відсутній

FDS1818

Electrical Enclosure Accessories Fold Down Shelf 18 x 18"

товар відсутній

FDS1818GY

Description: FOLD DOWN SHELF
Packaging: Bulk
Color: Gray
Size / Dimension: 18.000" L x 18.000" W (457.20mm x 457.20mm)
For Use With/Related Products: Enclosures
Material: Metal, Steel
Type: Shelf, Fold Down
Ventilation: Non-Vented

на замовлення 34 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	13474.22 грн
5+	12743.55 грн
10+	12511.85 грн
25+	11567.92 грн

FDS1818GY

Electrical Enclosure Accessories Fold Down Shelf - 18x18 - Steel/Gray

товар відсутній

FDS1818GY

Fold Down Shelf, Ansi 61 Gray, Mounts With Bolts Through Doors Or Sides

товар відсутній

FDS1818LG

Fold Down Shelf, Steel, Light Gray

товар відсутній

FDS1818LG

Description: FOLD DOWN SHELF - 18X18 - STEEL/
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Racks
Accessory Type: Shelf

на замовлення 20 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	14918.02 грн

FDS1818LG

Electrical Enclosure Accessories Fold Down Shelf - 18x18 - Steel/Lt Gray

товар відсутній

FDS1818S16

Description: FOLD DOWN SHELF - 18X18 - 316SS
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Racks
Accessory Type: Shelf

на замовлення 17 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	64339.4 грн

FDS1818S16

Electrical Enclosure Accessories Fold Down Shelf - 18x18 - 316SS

товар відсутній

FDS1818S16

Fold Down Shelf, Stainless Steel 316

товар відсутній

FDS187N2

D-Sub Contacts

на замовлення 70 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	173.91 грн
1140+	140.48 грн
5130+	106.97 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDS187N2

Description: CONTACTS
Packaging: Bag
Contact Finish: Gold
Contact Termination: Solder
Wire Gauge: 16 AWG
Type: Machined
Pin or Socket: Socket
Contact Finish Thickness: FLASH
Contact Material: Copper Alloy

на замовлення 250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	248.6 грн
10+	217.53 грн
25+	206.06 грн
50+	188.89 грн
100+	179.89 грн
250+	157.4 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDS187N2/AA

D-Sub Contacts

товар відсутній

FDS2-320-05

Autonics

Description: FIBER OPTIC CABLE RETRO 40MM

товар відсутній

FDS2-420-05

Autonics

Description: FIBER OPTIC CABLE RETRO 40MM

на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDS200B

на замовлення 3490 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS2020NZ

07+/08+ SOP8

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS2070N3

SO-8

на замовлення 26000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS2070N3

09+ SO-8

на замовлення 1161 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS2070N3

MOSFET 150V NCh PowerTrench

товар відсутній

FDS2070N3

Description: MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SO

товар відсутній

FDS2070N3

07+ SO-8

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS2070N3

на замовлення 161 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS2070N3

Description: MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SO

товар відсутній

FDS2070N3

Description: MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SO

на замовлення 13740 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

165+	137.15 грн

Мінімальне замовлення: 165

FDS2070N7

Trans MOSFET N-CH 150V 4.1A 8-Pin FLMP SOIC T/R

товар відсутній

FDS2070N7

на замовлення 190 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS2070N7

SO-8

на замовлення 26000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS2070N7

Description: MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SO
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1884 pF @ 75 V

на замовлення 15138 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

150+	150.05 грн

Мінімальне замовлення: 150

FDS2070N7

на замовлення 400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS2070N7

09+ SO-8

на замовлення 1190 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS2070N7

07+ SO-8

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS2070N7

MOSFET 150V NCh PowerTrench

товар відсутній

FDS2070N7

SOP-8

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS2074N3

07+ SO-8

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS2074N3

SO-8

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS2074N7

SO-8

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS2074N7

07+ SO-8

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS2170N3

Description: MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 128mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1292 pF @ 100 V

на замовлення 2627 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

145+	142.7 грн

Мінімальне замовлення: 145

FDS2170N3

Description: MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 128mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO FLMP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1292 pF @ 100 V

товар відсутній

FDS2170N3

09+

на замовлення 1018 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS2170N3

09+

на замовлення 641 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS2170N3

Description: MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 128mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO FLMP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1292 pF @ 100 V

товар відсутній

FDS2170N3

07+ SO-8

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS2170N3

SO-8

на замовлення 26000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS2170N7

товар відсутній

FDS2170N7

FAIRCHAL

SOP8

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS2170N7

на замовлення 400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS2170N7

товар відсутній

FDS2170N7

SO-8

на замовлення 26000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS2170N7

Description: MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 128mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1292 pF @ 100 V

на замовлення 23636 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

139+	149.59 грн

Мінімальне замовлення: 139

FDS2170N7

2004 SOP

на замовлення 2190 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS2360AM

JRC

SOP8

на замовлення 36 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS2370N3

07+ SO-8

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS2370N3

SO-8

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS2370N7

09+ SO-8

на замовлення 1143 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS2370N7

07+ SO-8

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS2370N7

на замовлення 143 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS2370N7

SO-8

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS2407

SOP-8

на замовлення 600 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS2407

09+ SOP8

на замовлення 3420 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS2424GY

Electrical Enclosure Accessories Fold Down Shelf - 24x24 - Steel/Gray

товар відсутній

FDS2424GY

Description: FOLD DOWN SHELF - 24X24 - STEEL/
Packaging: Bulk

товар відсутній

FDS2424LG

Electrical Enclosure Accessories Fold Down Shelf - 24x24 - Steel/Lt Gray

товар відсутній

FDS2424LG

Description: FOLD DOWN SHELF - 24X24 - STEEL/
Packaging: Bulk

товар відсутній

FDS2424S16

Electrical Enclosure Accessories Fold Down Shelf - 24x24 - 316SS

товар відсутній

FDS2424S16

Description: FOLD DOWN SHELF - 24X24 - 316SS
Packaging: Bulk

товар відсутній

FDS24C256

SOP-8

на замовлення 420 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS24C64

SOP-8

на замовлення 450 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS2570

07+ SO-8

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS2570

SOP-8

на замовлення 300 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS2570

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

на замовлення 1810 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

221+	92.2 грн

Мінімальне замовлення: 221

FDS2570

SO-8

на замовлення 41000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS2572

Description: MOSFET N-CH 150V 4.9A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 25 V

на замовлення 22500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	51.64 грн
5000+	47.86 грн
12500+	46.28 грн

Мінімальне замовлення: 2500

FDS2572

Description: ONSEMI - FDS2572 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 4.9 A, 0.04 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 2228 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	134.71 грн
10+	102.19 грн
100+	74.86 грн
500+	52.55 грн

Мінімальне замовлення: 6

FDS2572

Trans MOSFET N-CH 150V 4.9A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 55000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	57.15 грн

Мінімальне замовлення: 2500

FDS2572

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 3.1A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UltraFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 53mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

на замовлення 2490 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	112.26 грн
5+	94.89 грн
13+	68.29 грн
34+	64.7 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDS2572

MOSFET 150V N-Ch UltraFET Trench

на замовлення 11596 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	122.38 грн
10+	96.03 грн
100+	68.05 грн
250+	67.43 грн
500+	57.28 грн
1000+	48.1 грн
2500+	46.58 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDS2572

Trans MOSFET N-CH 150V 4.9A 8-Pin SOIC T/R

товар відсутній

FDS2572

Transistor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 53mOhm; 4,9A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS2572 TFDS2572
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 15 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

20+	39.97 грн

Мінімальне замовлення: 20

FDS2572

Trans MOSFET N-CH 150V 4.9A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 32500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	53.79 грн
5000+	52.04 грн
10000+	50.48 грн
12500+	48.63 грн

Мінімальне замовлення: 2500

FDS2572

Trans MOSFET N-CH 150V 4.9A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 2397 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

94+	127.83 грн
119+	100.96 грн
121+	98.98 грн
146+	79.28 грн
250+	72.27 грн
500+	60.76 грн
1000+	48.23 грн

Мінімальне замовлення: 94

FDS2572

Description: MOSFET N-CH 150V 4.9A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 25 V

на замовлення 24574 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	114.97 грн
10+	91.59 грн
100+	72.91 грн
500+	57.9 грн
1000+	49.13 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDS2572

Trans MOSFET N-CH 150V 4.9A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	52.01 грн

Мінімальне замовлення: 2500

FDS2572

Trans MOSFET N-CH 150V 4.9A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 32500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	53.83 грн
5000+	52.07 грн
10000+	50.52 грн
12500+	48.66 грн

Мінімальне замовлення: 2500

FDS2572

на замовлення 2490 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

3+	134.71 грн
5+	118.25 грн
13+	81.95 грн
34+	77.64 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDS2572

Trans MOSFET N-CH 150V 4.9A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 2397 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	118.7 грн
10+	93.75 грн
25+	91.91 грн
100+	73.61 грн
250+	67.11 грн
500+	56.42 грн
1000+	44.78 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDS2572NL

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS2574

SO-8

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS2574

07+ SO-8

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS2582

Trans MOSFET N-CH 150V 4.1A 8-Pin SOIC T/R

товар відсутній

FDS2582

Description: MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 25 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	36.86 грн
5000+	33.8 грн

Мінімальне замовлення: 2500

FDS2582

Trans MOSFET N-CH 150V 4.1A 8-Pin SOIC T/R

товар відсутній

FDS2582

Trans MOSFET N-CH 150V 4.1A Automotive 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	36.15 грн

Мінімальне замовлення: 2500

FDS2582

N-MOSFET 150V 4.1A 66mΩ 2.5W FDS2582 Fairchild TFDS2582
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 90 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

20+	28.4 грн

Мінімальне замовлення: 20

FDS2582

Trans MOSFET N-CH 150V 4.1A 8-Pin SOIC T/R

товар відсутній

FDS2582

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 2.6A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 146mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 1001 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

4+	91.97 грн
5+	77.04 грн
19+	53.49 грн
51+	50.9 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDS2582

на замовлення 1001 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	61.82 грн
19+	44.57 грн
51+	42.41 грн

Мінімальне замовлення: 6

FDS2582

Description: MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 25 V

на замовлення 6303 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	88.84 грн
10+	70.24 грн
100+	54.61 грн
500+	43.44 грн
1000+	35.38 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDS2582

MOSFET 150V 4.5a .6 Ohms/VGS=1V

на замовлення 19193 шт:

термін постачання 587-596 дні (днів)

4+	98.23 грн
10+	86.51 грн
100+	58.52 грн
500+	48.31 грн
1000+	39.27 грн
2500+	35.61 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDS2582_Q

MOSFET 150V 4.5a .6 Ohms/VGS=1V

товар відсутній

FDS2670

Trans MOSFET N-CH 200V 3A 8-Pin SOIC T/R

товар відсутній

FDS2670

SO-8

на замовлення 41000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS2670

Description: ONSEMI - FDS2670 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3 A, 0.1 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 3401 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	93.46 грн
500+	72.99 грн
1000+	63.37 грн
2500+	55.34 грн

Мінімальне замовлення: 100

FDS2670

на замовлення 87 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS2670

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3A; Idm: 20A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 275mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

FDS2670

Description: MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1228 pF @ 100 V

на замовлення 2359 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDS2670

Trans MOSFET N-CH 200V 3A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 70 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	84.39 грн
10+	76.22 грн
25+	59.76 грн

Мінімальне замовлення: 8

FDS2670

товар відсутній

FDS2670

09+

на замовлення 1618 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS2670

на замовлення 3401 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	154.06 грн
10+	123.87 грн
25+	112.26 грн
100+	93.46 грн
500+	72.99 грн
1000+	63.37 грн
2500+	55.34 грн

Мінімальне замовлення: 6

FDS2670

SOP-8

на замовлення 550 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS2670

Trans MOSFET N-CH 200V 3A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 70 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDS2670

Trans MOSFET N-CH 200V 3A 8-Pin SOIC T/R

товар відсутній

FDS2670

09+ SO-8

на замовлення 1087 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS2670

07+ SO-8

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS2670

Description: MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1228 pF @ 100 V

на замовлення 2359 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	121.69 грн
10+	97.48 грн
100+	77.58 грн
500+	61.6 грн
1000+	52.27 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDS2670

MOSFET SO-8 N-CH 200V

на замовлення 2306 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	111.92 грн
10+	86.51 грн
100+	66.11 грн
500+	60.04 грн
1000+	53.62 грн
2500+	51.83 грн
5000+	50.17 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDS2670-NL

09+

на замовлення 88 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS2670-NL

на замовлення 94000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS2670_NL

на замовлення 175200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS2672

Description: MOSFET N-CH 200V 3.9A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2535 pF @ 100 V

на замовлення 4640 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	139.6 грн
10+	120.99 грн
100+	97.23 грн
500+	74.97 грн
1000+	62.12 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDS2672

Trans MOSFET N-CH 200V 3.9A 8-Pin SOIC T/R

товар відсутній

FDS2672

Trans MOSFET N-CH 200V 3.9A 8-Pin SOIC T/R

товар відсутній

FDS2672

Description: MOSFET N-CH 200V 3.9A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2535 pF @ 100 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	64 грн

Мінімальне замовлення: 2500

FDS2672

MOSFET 200V 3.9A 70mOHMS NCH ULTRAFET

на замовлення 9990 шт:

термін постачання 546-555 дні (днів)

3+	135.27 грн
10+	120.63 грн
100+	84.2 грн
500+	69.7 грн
1000+	57.21 грн
2500+	55.83 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDS2672

Trans MOSFET N-CH 200V 3.9A 8-Pin SOIC T/R

товар відсутній

FDS2672

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.9A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UltraFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 148mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FDS2672

товар відсутній

FDS2672-F085

MOSFET 200V3.9A 70OHMNCH UL TRAFET TRENCH

товар відсутній

FDS2672-F085

Description: MOSFET N-CH 200V 3.9A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2535 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

FDS2672-TF085

MOSFET 200V,3.9A, 70OHM,NCH ULTRAFETtrenchMOSFET

товар відсутній

FDS2682

SO-8

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS2682

07+ SO-8

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS2734

Trans MOSFET N-CH 250V 3A 8-Pin SOIC T/R

товар відсутній

FDS2734

Trans MOSFET N-CH 250V 3A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	63.45 грн

Мінімальне замовлення: 2500

FDS2734

Transistor N-Channel MOSFET; 250V; 20V; 225mOhm; 3A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS2734 TFDS2734
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 40 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

20+	45.76 грн

Мінімальне замовлення: 20

FDS2734

Description: MOSFET N-CH 250V 3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2610 pF @ 100 V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	63.01 грн
5000+	58.4 грн

Мінімальне замовлення: 2500

FDS2734

MOSFET 250V 3.0A 117 OHM NCH ULTRAFE

на замовлення 14834 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	148.95 грн
10+	122.22 грн
100+	84.89 грн
250+	77.98 грн
500+	70.39 грн
1000+	61.56 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDS2734

Description: ONSEMI - FDS2734 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 3 A, 0.097 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

на замовлення 598 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	111.48 грн
500+	70.67 грн

Мінімальне замовлення: 100

FDS2734

Trans MOSFET N-CH 250V 3A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	65.81 грн

Мінімальне замовлення: 2500

FDS2734

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 3A; 2.5W; SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 45nC
Technology: UltraFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 3A
On-state resistance: 0.225Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.5W

товар відсутній

FDS2734

Trans MOSFET N-CH 250V 3A 8-Pin SOIC T/R

товар відсутній

FDS2734

товар відсутній

FDS2734

Description: ONSEMI - FDS2734 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 3 A, 0.097 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 3
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.097
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

на замовлення 598 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	153.29 грн
10+	130.06 грн
100+	111.48 грн
500+	70.67 грн

Мінімальне замовлення: 6

FDS2734

Trans MOSFET N-CH 250V 3A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	65.76 грн

Мінімальне замовлення: 2500

FDS2734

Description: MOSFET N-CH 250V 3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2610 pF @ 100 V

на замовлення 11453 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	139.6 грн
10+	111.79 грн
100+	88.96 грн
500+	70.64 грн
1000+	59.94 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDS2734-NL

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS29106A

07+/08+ SOP8

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS2ND 7064N7

на замовлення 330 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS2ND 7064N7

09+ SO-8

на замовлення 1330 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS2P102

07+/08+ SOP8

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS2P102

SOP-8

на замовлення 35000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS2P102A

04/05/

на замовлення 14745 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS2P103

07+/08+ SOP8

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS300BB50

MARATHON SPECIAL PRODUCTS

CDH4-1

на замовлення 19 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS30C1

Description: MARATHON SPECIAL PRODUCTS - FDS30C1 - FUSED SWITCH, CLASS CC, 1P, 30A, 120VAC
tariffCode: 85365080
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pole: 1 Pole
Kontaktkonfiguration: -
Sicherungsgröße: Class CC
Anzahl der Sicherungen: 1 Fuse
euEccn: NLR
AC-Kontaktstrom, max.: 30A
AC-Kontaktspannung, max.: 120V
Schalteranschlüsse: Spring Clamp
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDS30C3

MARATHON SPECIAL PRODUCTS

Description: MARATHON SPECIAL PRODUCTS - FDS30C3 - FUSED SWITCH, CLASS CC, 3P, 30A, 600VAC
tariffCode: 85365080
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pole: 3 Pole
Kontaktkonfiguration: -
Sicherungsgröße: Class CC
Anzahl der Sicherungen: 3 Fuse
euEccn: NLR
AC-Kontaktstrom, max.: 30A
AC-Kontaktspannung, max.: 600V
Schalteranschlüsse: Spring Clamp
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

на замовлення 12 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	22339.1 грн
10+	21638.46 грн

FDS3170N3

07+ SO-8

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS3170N3

на замовлення 36 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS3170N3

SO-8

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS3170N3

09+ SO-8

на замовлення 1036 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS3170N7

07+ SO-8

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS3170N7

SO-8

на замовлення 41000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS3170N7

Description: MOSFET N-CH 100V 6.7A 8SO
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2714 pF @ 50 V

на замовлення 179 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

179+	150.05 грн

Мінімальне замовлення: 179

FDS3170N7

09+ SO-8

на замовлення 4460 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS3170N7

02+

на замовлення 1419 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS3170N7

09+

на замовлення 90018 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS3170N7

на замовлення 3460 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS3172N3

07+ SO-8

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS3172N3

SO-8

на замовлення 41000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS3172N7

07+ SO-8

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS3172N7

SO-8

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS3512

07+ SO-8

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS3512

Description: MOSFET N-CH 80V 4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634 pF @ 40 V

товар відсутній

FDS3512

Trans MOSFET N-CH 80V 4A 8-Pin SOIC T/R

товар відсутній

FDS3512

Description: MOSFET N-CH 80V 4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634 pF @ 40 V

на замовлення 4594 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	203.8 грн
10+	176.56 грн
100+	141.94 грн
500+	109.44 грн
1000+	90.68 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDS3512

09+ SOP8

на замовлення 1002 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS3512

SO-8

на замовлення 41000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS3512

на замовлення 4594 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	206.04 грн
10+	178.28 грн
100+	143.29 грн
500+	110.48 грн
1000+	91.54 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDS3512

MOSFET SO-8

на замовлення 97 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	208.53 грн
10+	184.92 грн
100+	129.05 грн
500+	106.28 грн
1000+	88.34 грн
2500+	81.44 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDS35606

N/A

09+

на замовлення 228 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS3570

SO-8

на замовлення 41000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS3570

07+ SO-8

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS3570

MOSFET SO-8 N-CH 80V

товар відсутній

FDS3570

на замовлення 2102 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS3570

Description: MOSFET N-CH 80V 9A 8SOIC

на замовлення 279272 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDS3570-NL

SOP8 09+

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS3570_NL

MOSFET 80V N-Channel PowerTrench® MOSFET

товар відсутній

FDS3572

Trans MOSFET N-CH 80V 8.9A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 1857 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	116.5 грн
10+	97.07 грн
25+	91.33 грн
100+	73.56 грн
250+	64.35 грн
500+	55.49 грн
1000+	43.68 грн

Мінімальне замовлення: 6

FDS3572

Description: MOSFET N-CH 80V 8.9A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 25 V

на замовлення 7070 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	108.99 грн
10+	86.99 грн
100+	69.24 грн
500+	54.98 грн
1000+	46.65 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDS3572

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 5.6A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 5.6A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

FDS3572

Description: ONSEMI - FDS3572 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 8.9 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 8.9
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.014
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

на замовлення 454 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	172.64 грн
10+	154.06 грн
100+	120 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDS3572

товар відсутній

FDS3572

MOSFET 80V N-Channel PowerTrench

на замовлення 4084 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	119.97 грн
10+	98.41 грн
100+	68.05 грн
250+	64.8 грн
500+	56.8 грн
1000+	49.21 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDS3572

Trans MOSFET N-CH 80V 8.9A 8-Pin SOIC T/R

товар відсутній

FDS3572

Description: MOSFET N-CH 80V 8.9A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 25 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	49.04 грн
5000+	45.45 грн

Мінімальне замовлення: 2500

FDS3572

Trans MOSFET N-CH 80V 8.9A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 1857 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

96+	125.46 грн
115+	104.53 грн
122+	98.35 грн
146+	79.22 грн
250+	69.3 грн
500+	59.76 грн
1000+	47.04 грн

Мінімальне замовлення: 96

FDS3572

Trans MOSFET N-CH 80V 8.9A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	50.72 грн

Мінімальне замовлення: 2500

FDS3572

MOSFET 80V N-Channel PowerTrench

на замовлення 3795 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDS3572

Trans MOSFET N-CH 80V 8.9A 8-Pin SOIC T/R

товар відсутній

FDS3572-NL

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS3572NL

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS3572_NL

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

на замовлення 126 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

126+	210.85 грн

Мінімальне замовлення: 126

FDS3580

Trans MOSFET N-CH 80V 7.6A 8-Pin SOIC T/R

товар відсутній

FDS3580

Trans MOSFET N-CH 80V 7.6A 8-Pin SOIC T/R

товар відсутній

FDS3580

Description: MOSFET N-CH 80V 7.6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 7.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V

на замовлення 12500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	45 грн
5000+	41.27 грн
12500+	39.37 грн

Мінімальне замовлення: 2500

FDS3580

Trans MOSFET N-CH 80V 7.6A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	81.81 грн

Мінімальне замовлення: 2500

FDS3580

Trans MOSFET N-CH 80V 7.6A 8-Pin SOIC T/R

товар відсутній

FDS3580

Trans MOSFET N-CH 80V 7.6A 8-Pin SOIC T/R

товар відсутній

FDS3580

Description: MOSFET N-CH 80V 7.6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 7.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V

на замовлення 14738 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	108.99 грн
10+	85.76 грн
100+	66.67 грн
500+	53.03 грн
1000+	43.2 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDS3580

MOSFET SO-8 N-CH 80V

на замовлення 2234 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	96.62 грн
10+	81.75 грн
100+	59.28 грн
500+	53.07 грн
1000+	43.82 грн
2500+	42.86 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDS3590

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 6.5A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 86mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 2129 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

4+	70.61 грн
6+	53.57 грн
25+	45.55 грн
26+	39.94 грн
70+	37.78 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDS3590

Description: MOSFET N-CH 80V 6.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 40 V

на замовлення 2420 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	62.71 грн
10+	49.46 грн
100+	38.46 грн
500+	30.59 грн
1000+	24.92 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDS3590

Trans MOSFET N-CH 80V 6.5A 8-Pin SOIC T/R

товар відсутній

FDS3590

Description: MOSFET N-CH 80V 6.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 40 V

товар відсутній

FDS3590

MOSFET SO-8 N-CH 80V

на замовлення 1914 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDS3590

Trans MOSFET N-CH 80V 6.5A 8-Pin SOIC T/R

товар відсутній

FDS3590

на замовлення 2129 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	58.84 грн
9+	42.99 грн
25+	37.96 грн
26+	33.28 грн
70+	31.49 грн

Мінімальне замовлення: 7

FDS3590

Trans MOSFET N-CH 80V 6.5A 8-Pin SOIC T/R

товар відсутній

FDS3601

Trans MOSFET N-CH 100V 1.3A 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

FDS3601

MOSFET SO-8

товар відсутній

FDS3601

SO-8

на замовлення 41000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS3601

Description: MOSFET 2N-CH 100V 1.3A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 153pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 1.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC

на замовлення 49698 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

740+	28.26 грн

Мінімальне замовлення: 740

FDS3601

07+ SO-8

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS3601

Description: MOSFET 2N-CH 100V 1.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 153pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 1.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC

товар відсутній

FDS3601

Description: ONSEMI - FDS3601 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

на замовлення 49698 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

891+	30.66 грн

Мінімальне замовлення: 891

FDS3601

0430+ SOP-8

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS3601-NL

на замовлення 94000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS3601NL

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS3601_NL

на замовлення 54500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS3601_NL

MOSFET 100V/20V, 480/530MO, NCH, DUAL, SO8, 600A GOX, PTI

товар відсутній

FDS3612

07+ SO-8

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS3612

Description: ONSEMI - FDS3612 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

на замовлення 4320 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

544+	47.23 грн

Мінімальне замовлення: 544

FDS3612

Description: MOSFET N-CH 100V 3.4A 8SOIC

на замовлення 4809 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

489+	43.82 грн

Мінімальне замовлення: 489

FDS3612

SO-8

на замовлення 41000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS3612

Description: MOSFET N-CH 100V 3.4A 8SOIC

товар відсутній

FDS3670

Description: MOSFET N-CH 100V 6.3A 8-SOIC

товар відсутній

FDS3670

01+ SMD

на замовлення 368 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS3670

SOP-8

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS3670

SO-8

на замовлення 41000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS3672
Код товару: 38205

Транзистори > Польові N-канальні

товар відсутній

FDS3672

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.8A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.8A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FDS3672

Trans MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-Pin SOIC T/R

товар відсутній

FDS3672

Description: MOSFET N-CH 100V 7.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2015 pF @ 25 V

на замовлення 584 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	104.51 грн
10+	82.38 грн
100+	64.05 грн
500+	50.95 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDS3672

MOSFET 100V 7.5a .22 Ohms/VGS=1V

на замовлення 12140 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	113.53 грн
10+	91.27 грн
100+	61.9 грн
500+	52.45 грн
1000+	42.65 грн
2500+	41.75 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDS3672

товар відсутній

FDS3672

Trans MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 1224 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

124+	96.64 грн
126+	95.69 грн
162+	74.04 грн
250+	70.66 грн
500+	55.04 грн
1000+	41.75 грн

Мінімальне замовлення: 124

FDS3672

Description: ONSEMI - FDS3672 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.5 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5mW
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm

на замовлення 3870 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	69.44 грн
500+	54.64 грн

Мінімальне замовлення: 100

FDS3672

Description: MOSFET N-CH 100V 7.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2015 pF @ 25 V

товар відсутній

FDS3672

Trans MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-Pin SOIC T/R

товар відсутній

FDS3672

Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 43mOhm; 7,5A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS3672 TFDS3672
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 45 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

20+	35.41 грн

Мінімальне замовлення: 20

FDS3672

Trans MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 1224 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	110.46 грн
10+	89.74 грн
25+	88.86 грн
100+	66.29 грн
250+	60.75 грн
500+	49.06 грн
1000+	38.77 грн

Мінімальне замовлення: 6

FDS3672

на замовлення 3870 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	123.1 грн
10+	92.9 грн
100+	69.44 грн
500+	54.64 грн

Мінімальне замовлення: 7

FDS3672-NL

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS3672-NL

SOP8 08+

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS3672NL

FSIRCHILD

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS3672_NL

FAIRCHIL..

07+ SOP-8

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS3672_NL

на замовлення 50000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS3672_Q

MOSFET 100V 7.5a .22 Ohms/VGS=1V

товар відсутній

FDS3680

07+ SO-8

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS3680

Description: MOSFET N-CH 100V 5.2A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1735 pF @ 50 V

товар відсутній

FDS3680

SO-8

на замовлення 41000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS3682

07+ SO-8

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS3682

Description: MOSFET N-CH 100V 6A 8SOIC

товар відсутній

FDS3682

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS3682

SO-8

на замовлення 41000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS3682-NL

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS3682_NL

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V

на замовлення 704 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

360+	61.96 грн

Мінімальне замовлення: 360

FDS3682_NL

09+

на замовлення 388 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS36882

02+ SMD-8

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS3690

07+ SO-8

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS3690

SO-8

на замовлення 41000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS3690

09+

на замовлення 218 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS3692

Description: ONSEMI - FDS3692 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 4.5 A, 0.05 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 4.5
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.05
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 257 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	103.74 грн
10+	92.9 грн
100+	72.46 грн

Мінімальне замовлення: 8

FDS3692

Description: MOSFET N-CH 100V 4.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 746 pF @ 25 V

на замовлення 4407 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	80.63 грн
10+	63.33 грн
100+	49.28 грн
500+	39.2 грн
1000+	31.93 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDS3692

Trans MOSFET N-CH 100V 4.5A Automotive 8-Pin SOIC T/R

товар відсутній

FDS3692

Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 122mOhm; 4,5A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS3692 TFDS3692
кількість в упаковці: 25 шт

на замовлення 50 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

25+	22.97 грн

Мінімальне замовлення: 25

FDS3692

MOSFET 100V 4.5a .3 Ohms/VGS=1V

на замовлення 8974 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	87.76 грн
10+	70.32 грн
100+	47.62 грн
500+	40.37 грн
1000+	32.85 грн
2500+	32.09 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDS3692

Trans MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-Pin SOIC T/R

товар відсутній

FDS3692

Description: MOSFET N-CH 100V 4.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 746 pF @ 25 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	33.26 грн

Мінімальне замовлення: 2500

FDS3692

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.8A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.8A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.122Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FDS3692

товар відсутній

FDS3692

Trans MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-Pin SOIC T/R

товар відсутній

FDS3692-NL

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS3692NL

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS3692_NL

09+

на замовлення 728 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS3692_Q

MOSFET

товар відсутній

FDS37C931CQFP

на замовлення 720 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS37C932

02+ QFP

на замовлення 189 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS37C932

на замовлення 189 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS37H869

на замовлення 109 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS3812

07+ SO-8

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS3812

SO-8

на замовлення 41000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS3812

09+

на замовлення 418 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS3812

Description: MOSFET 2N-CH 80V 3.4A 8SOIC

товар відсутній

FDS3812_NL

09+

на замовлення 828 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS3890

Trans MOSFET N-CH 80V 4.7A 8-Pin SOIC T/R

товар відсутній

FDS3890

09+

на замовлення 618 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS3890

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 80V; 4.7A; Idm: 20A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 4.7A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 82mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FDS3890

Description: MOSFET 2N-CH 80V 4.7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 4.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	55.66 грн
5000+	51.58 грн

Мінімальне замовлення: 2500

FDS3890

товар відсутній

FDS3890

07+ SO-8

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS3890
Код товару: 49621

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2

товар відсутній

FDS3890

MOSFET SO-8

на замовлення 22836 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	132.85 грн
10+	108.73 грн
100+	77.29 грн
250+	74.53 грн
500+	64.8 грн
1000+	55.49 грн
2500+	54.38 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDS3890

Description: ONSEMI - FDS3890 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.034 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.034ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 2483 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	144.77 грн
10+	109.16 грн
100+	79.74 грн
500+	67.5 грн
1000+	52.29 грн

Мінімальне замовлення: 6

FDS3890

SO-8

на замовлення 41000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS3890

Trans MOSFET N-CH 80V 4.7A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	56.04 грн

Мінімальне замовлення: 2500

FDS3890

Description: MOSFET 2N-CH 80V 4.7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 4.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active

на замовлення 9608 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	123.92 грн
10+	98.77 грн
100+	78.58 грн
500+	62.4 грн
1000+	52.95 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDS3890-NL

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS3896

SO-8

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS3896

07+ SO-8

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS3912

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS3912

SO-8

на замовлення 41000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS3912

Description: MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC

товар відсутній

FDS3912

09+ SOP8

на замовлення 1047 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS3912

07+ SO-8

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS3912-NL

на замовлення 94000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS399

SOP-8

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS3992

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 4.5A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 123mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

FDS3992

Description: MOSFET 2N-CH 100V 4.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active

на замовлення 2902 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	107.5 грн
10+	84.68 грн
100+	65.89 грн
500+	52.42 грн
1000+	42.7 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDS3992

Description: MOSFET 2N-CH 100V 4.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	44.48 грн

Мінімальне замовлення: 2500

FDS3992
Код товару: 117038

Транзистори > Польові N-канальні

товар відсутній

FDS3992

MOSFET 100V 4.5a .62 Ohms/VGS=1V

на замовлення 26102 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	116.75 грн
10+	94.44 грн
100+	63.35 грн
500+	53.62 грн
1000+	44.93 грн
2500+	42.93 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDS3992

товар відсутній

FDS3992

Trans MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-Pin SOIC T/R

товар відсутній

FDS3992

Description: ONSEMI - FDS3992 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 4.5 A, 0.054 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -ohm
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.054ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 4923 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	127.74 грн
10+	96 грн
100+	71.46 грн
500+	45.86 грн
2500+	41.28 грн

Мінімальне замовлення: 7

FDS3992

Trans MOSFET N-CH 100V 4.5A Automotive 8-Pin SOIC T/R

товар відсутній

FDS3992

Trans MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 2032 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	113.38 грн
10+	92.65 грн
25+	91.67 грн
100+	67.86 грн
250+	62.19 грн
500+	50.18 грн
1000+	39.88 грн

Мінімальне замовлення: 6

FDS3992

Trans MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 2032 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

120+	99.78 грн
122+	98.72 грн
158+	75.79 грн
250+	72.33 грн
500+	56.3 грн
1000+	42.95 грн

Мінімальне замовлення: 120

FDS3992NL

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS3992_Q

MOSFET

товар відсутній

FDS4070N3

07+ SO-8

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4070N3

SO-8

на замовлення 26000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4070N3

Description: MOSFET N-CH 40V 15.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 15.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO FLMP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2819 pF @ 20 V

товар відсутній

FDS4070N3

09+ SO-8

на замовлення 1156 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4070N3

03+

на замовлення 575 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4070N3

0903+ SOP8

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4070N3

Description: MOSFET N-CH 40V 15.3A 8SO
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 15.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2819 pF @ 20 V

на замовлення 9403 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

171+	120.09 грн

Мінімальне замовлення: 171

FDS4070N3

на замовлення 156 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4070N3

Description: MOSFET N-CH 40V 15.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 15.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO FLMP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2819 pF @ 20 V

товар відсутній

FDS4070N7

07+ SO-8

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4070N7

Description: MOSFET N-CH 40V 15.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO FLMP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2819 pF @ 20 V

товар відсутній

FDS4070N7

на замовлення 400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4070N7

09+ SO-8

на замовлення 1178 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4070N7

Description: MOSFET N-CH 40V 15.3A 8SO
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2819 pF @ 20 V

на замовлення 72429 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

171+	120.09 грн

Мінімальне замовлення: 171

FDS4070N7

SO-8

на замовлення 26000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4070N7

Description: MOSFET N-CH 40V 15.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO FLMP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2819 pF @ 20 V

товар відсутній

FDS4070N7

на замовлення 178 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4072N3

242

на замовлення 1905 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4072N3

SO-8

на замовлення 26000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4072N3

Description: MOSFET N-CH 40V 12.4A 8-SOIC

товар відсутній

FDS4072N3

Description: MOSFET N-CH 40V 12.4A 8-SOIC

товар відсутній

FDS4072N3

07+ SO-8

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4072N3

на замовлення 23 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4072N3

Description: MOSFET N-CH 40V 12.4A 8-SOIC

товар відсутній

FDS4072N7

Description: MOSFET N-CH 40V 12.4A 8SO
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 13.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4299 pF @ 20 V

на замовлення 9775 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

180+	113.66 грн

Мінімальне замовлення: 180

FDS4072N7

07+ SO-8

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4072N7

SO-8

на замовлення 26000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4080N3

SO-8

на замовлення 26000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4080N3

07+ SO-8

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4080N3

Description: MOSFET N-CH 40V 13A 8SO
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 20 V

на замовлення 39912 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

181+	114.43 грн

Мінімальне замовлення: 181

FDS4080N3

на замовлення 30 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4080N7

09+ SO-8

на замовлення 1017 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4080N7

Description: MOSFET N-CH 40V 13A 8SO
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 20 V

на замовлення 11820 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

180+	115.12 грн

Мінімальне замовлення: 180

FDS4080N7

07+ SO-8

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4080N7

на замовлення 17 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4080N7

SO-8

на замовлення 26000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4141

Trans MOSFET P-CH 40V 10.8A 8-Pin SOIC T/R

товар відсутній

FDS4141

Trans MOSFET P-CH 40V 10.8A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 44110 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	88.61 грн
10+	75.39 грн
100+	59.7 грн
500+	49.06 грн
1000+	37.22 грн
2500+	34.9 грн

Мінімальне замовлення: 7

FDS4141

MOSFET -40V P-Channel PowerTrench

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 133-142 дні (днів)

4+	94.2 грн
10+	76.03 грн
100+	51.83 грн
500+	43.96 грн
1000+	35.82 грн
2500+	34.99 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDS4141

Description: MOSFET P-CH 40V 10.8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2670 pF @ 20 V

товар відсутній

FDS4141

Trans MOSFET P-CH 40V 10.8A 8-Pin SOIC T/R

товар відсутній

FDS4141

Description: ONSEMI - FDS4141 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 10.8 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 5
Kanaltyp: p-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

товар відсутній

FDS4141

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -10.8A; 5W; SO8
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Power dissipation: 5W
Gate charge: 35nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: -10.8A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -40V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
On-state resistance: 13mΩ

на замовлення 2356 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	71.61 грн
7+	55.86 грн
21+	39.11 грн
58+	36.97 грн

Мінімальне замовлення: 6

FDS4141

Description: MOSFET P-CH 40V 10.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2670 pF @ 20 V

товар відсутній

FDS4141

Description: ONSEMI - FDS4141 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 10.8 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 10.8
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6
Verlustleistung: 5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

товар відсутній

FDS4141-F085

MOSFET -40V P-Channel PowerTrench

товар відсутній

FDS4141-F085

Description: MOSFET P-CH 40V 10.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2005 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

FDS4141-F085

Trans MOSFET P-CH 40V 10.8A Automotive 8-Pin SOIC T/R

товар відсутній

FDS4141-F085

Description: MOSFET P-CH 40V 10.8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2005 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

FDS4141-F085

Trans MOSFET P-CH 40V 10.8A Automotive 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDS4141-SN00136

товар відсутній

FDS4141-SN00136P

товар відсутній

FDS4141SN00136P

Description: MOSFET P-CH 40V 10.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2670 pF @ 20 V

товар відсутній

FDS4141_TSN00136

onsemi

товар відсутній

FDS4201D/AA

POSITRONIC

Description: POSITRONIC - FDS4201D/AA - D-Sub-Kontakt, D-Sub-Steckverbinder der Produktreihen CBD & CBDD von Positronic, Buchsenkontakt
tariffCode: 85366990
Kontaktausführung: Buchsenkontakt
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kontaktüberzug: Vergoldete Kontakte
Kontaktanschluss: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: TBC
Kontaktmaterial: Kupferlegierung
Leiterstärke (AWG), max.: -
Leiterstärke (AWG), min.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: D-Sub-Steckverbinder der Produktreihen CBD & CBDD von Positronic
usEccn: TBC
Produktpalette: PW Series
SVHC: To Be Advised

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	2187.07 грн

FDS4201D/AA

Positronic

Description: CON F SIZE 8 PCB

на замовлення 535 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDS425N2

D-Sub Contacts

товар відсутній

FDS425N2/AA

D-Sub Contacts

товар відсутній

FDS425P2

D-Sub Contacts

товар відсутній

FDS425P2/AA

D-Sub Contacts

товар відсутній

FDS4310D

PEI-Genesis

Description: CONTACT SIZE 8 FEMALE CBD/CBDD
Packaging: Bulk
Part Status: Active

товар відсутній

FDS4310D

D-Sub Contacts

товар відсутній

FDS4310M

D-Sub Contacts

товар відсутній

FDS4312D

Description: CONTACT
Packaging: Bag
Contact Finish: Gold
Contact Termination: Crimp
Wire Gauge: 10 AWG
Type: Power
Contact Type: Female Socket
Contact Finish Thickness: FLASH
Contact Material: Copper Alloy
Contact Form: Machined
Part Status: Active

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	579.31 грн
10+	502.43 грн
25+	473.34 грн

FDS4312D

D-Sub Contacts

товар відсутній

FDS4312D/AA

D-Sub Contacts

товар відсутній

FDS4314D

D-Sub Contacts

товар відсутній

FDS4314D/AA

D-Sub Contacts

на замовлення 82 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	483.09 грн
10+	410.32 грн
25+	345.07 грн
105+	327.81 грн
210+	293.31 грн
420+	276.05 грн
945+	241.55 грн

FDS4410

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

FDS4410

Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1340 pF @ 15 V

товар відсутній

FDS4410

MOSFET SO-8 N-CH 30V

товар відсутній

FDS4410

Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1340 pF @ 15 V

на замовлення 76100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDS4410

Description: ONSEMI - FDS4410 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

на замовлення 76100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1002+	25.7 грн

Мінімальне замовлення: 1002

FDS4410-NL

на замовлення 94000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4410A

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

FDS4410A

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

FDS4410A

Description: SINGLE N CHANNEL, LOGIC-LEVEL, P
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 15 V

товар відсутній

FDS4410A

MOSFET LOGIC LEVEL PO SINGLE NCH

товар відсутній

FDS4410ANL

на замовлення 100000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4410A_NL

MOSFET 30V,10A,SINGLE NCH LOGIC LEVEL POWER TRENCH MOSFET

товар відсутній

FDS4410NL

на замовлення 75000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4410_NL

05+06+

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4416

на замовлення 17 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4416

09+ SO-8

на замовлення 1017 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4420

на замовлення 23 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4420

09+ SO-8

на замовлення 1023 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4420A

SOP-8

на замовлення 280 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4425-NL

на замовлення 94000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4435

Description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1604 pF @ 15 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15

товар відсутній

FDS4435

MOSFET SO-8 P-CH -30V

товар відсутній

FDS4435

Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

FDS4435

Description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1604 pF @ 15 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15

товар відсутній

FDS4435

Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDS4435(LF)

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4435-NL

на замовлення 94000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4435-NL

09+

на замовлення 20018 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4435-NL

SOP8 09+

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4435-NL

SOP8 08+

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4435A

Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

FDS4435A

SOP8

на замовлення 270 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4435A

Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

FDS4435A

SO-8

на замовлення 41000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4435A

Description: MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 15 V

товар відсутній

FDS4435A

2001+ SMD

на замовлення 134 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4435A

Description: ONSEMI - FDS4435A - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

на замовлення 25372 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	85.93 грн

Мінімальне замовлення: 2500

FDS4435A

09+ SO-8

на замовлення 1097 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4435A

на замовлення 350 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4435A

Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

FDS4435A

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4435A

Description: MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 15 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15

на замовлення 1080 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

229+	91.57 грн

Мінімальне замовлення: 229

FDS4435A

00+

на замовлення 563 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4435A

MOSFET SO-8 P-CH -30V

товар відсутній

FDS4435A

на замовлення 97 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4435A

Description: MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 15 V

на замовлення 422 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	75.4 грн
10+	59.52 грн
100+	46.25 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDS4435A

SOP8

на замовлення 165 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4435A-NL

SOP8 09+

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4435A-NL

09+

на замовлення 20018 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4435ANL

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4435A_NL

на замовлення 5080 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4435BZ

Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 714 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	18.76 грн

Мінімальне замовлення: 18

FDS4435BZ

Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	16.67 грн

Мінімальне замовлення: 2500

FDS4435BZ

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.8A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8.8A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

на замовлення 1560 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	84.39 грн
12+	30.77 грн
25+	26.6 грн
38+	23 грн
103+	21.57 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDS4435BZ

MOSFET 30V.PCH POWER TRENCH MOSFET

на замовлення 84130 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	50.89 грн
10+	39.05 грн
100+	25.74 грн
500+	21.33 грн
1000+	17.32 грн
2500+	16.22 грн
5000+	15.73 грн

Мінімальне замовлення: 7

FDS4435BZ

на замовлення 1560 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

3+	101.26 грн
8+	38.34 грн
25+	31.92 грн
38+	27.61 грн
103+	25.88 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDS4435BZ

Description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1845 pF @ 15 V

на замовлення 17500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	18.15 грн
5000+	16.56 грн
12500+	15.33 грн

Мінімальне замовлення: 2500

FDS4435BZ

Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 714 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	39.36 грн
19+	32.41 грн
100+	26.22 грн
500+	21.81 грн

Мінімальне замовлення: 16

FDS4435BZ

Description: ONSEMI - FDS4435BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.8 A, 0.016 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 36093 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	29.26 грн
500+	22.93 грн

Мінімальне замовлення: 100

FDS4435BZ

Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R

товар відсутній

FDS4435BZ

Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	49.24 грн

Мінімальне замовлення: 13

FDS4435BZ
Код товару: 45479

Транзистори > Польові P-канальні

товар відсутній

FDS4435BZ

Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	19.54 грн
5000+	18.53 грн

Мінімальне замовлення: 2500

FDS4435BZ

Description: ONSEMI - FDS4435BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.8 A, 0.016 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 36093 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	55.97 грн
19+	42.66 грн
100+	29.26 грн
500+	22.93 грн

Мінімальне замовлення: 14

FDS4435BZ

Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC FDS4435BZ-F085 FDS4435BZ TFDS4435bz
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 200 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

30+	22.62 грн

Мінімальне замовлення: 30

FDS4435BZ

Description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1845 pF @ 15 V

на замовлення 20259 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	47.78 грн
10+	39.83 грн
100+	27.6 грн
500+	21.64 грн
1000+	18.42 грн

Мінімальне замовлення: 7

FDS4435BZ-F085

Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A Automotive 8-Pin SOIC T/R

товар відсутній

FDS4435BZ-F085

Description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1845 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

FDS4435BZ-F085

Description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1845 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

FDS4435BZ-F085

Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A Automotive 8-Pin SOIC T/R

товар відсутній

FDS4435BZ-F085

MOSFET 30V P-Chan PowerTrench

товар відсутній

FDS4435BZ-G

Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A T/R

товар відсутній

FDS4435BZ-G

Description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1845 pF @ 15 V

товар відсутній

FDS4435BZ-NL

SOP8 09+

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4435BZNL

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4435FDS4435AFDS4435BZ

FAICHILD

на замовлення 329000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4435NL

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4435_NL

на замовлення 450000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4450-NL

на замовлення 94000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4463

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4463-NL

на замовлення 94000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4463NL

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4465

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -13.5A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -13.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 10.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

на замовлення 719 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	107.61 грн
5+	85.55 грн
14+	61.11 грн
38+	57.51 грн
500+	56.79 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDS4465

на замовлення 719 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

3+	129.13 грн
5+	106.61 грн
14+	73.33 грн
38+	69.01 грн
500+	68.15 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDS4465

Description: ONSEMI - FDS4465 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

на замовлення 1350 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

506+	52.03 грн

Мінімальне замовлення: 506

FDS4465

Trans MOSFET P-CH 20V 13.5A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 265 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

94+	128.15 грн
130+	92.5 грн
131+	91.58 грн
179+	64.79 грн
250+	47.22 грн

Мінімальне замовлення: 94

FDS4465

Trans MOSFET P-CH 20V 13.5A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 265 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	119 грн
10+	85.9 грн
25+	85.04 грн
100+	60.16 грн
250+	43.84 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDS4465

Description: MOSFET P-CH 20V 13.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8237 pF @ 10 V

на замовлення 4700 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	47.59 грн

Мінімальне замовлення: 2500

FDS4465

Trans MOSFET P-CH 20V 13.5A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	53.06 грн
5000+	50.96 грн
10000+	50.89 грн

Мінімальне замовлення: 2500

FDS4465

MOSFET SO-8

на замовлення 13167 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	123.19 грн
10+	88.89 грн
100+	54.45 грн
500+	49.55 грн
1000+	44.79 грн
2500+	43.2 грн
5000+	41.82 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDS4465

Trans MOSFET P-CH 20V 13.5A 8-Pin SOIC T/R

товар відсутній

FDS4465

Trans MOSFET P-CH 20V 13.5A 8-Pin SOIC FDS4465-F085 FDS4465 TFDS4465
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 9 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

10+	58.38 грн

Мінімальне замовлення: 10

FDS4465

Trans MOSFET P-CH 20V 13.5A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	49.38 грн
5000+	47.42 грн
10000+	47.36 грн

Мінімальне замовлення: 2500

FDS4465

Description: MOSFET P-CH 20V 13.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8237 pF @ 10 V

на замовлення 4720 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	114.97 грн
10+	90.65 грн
100+	70.52 грн
500+	56.09 грн
1000+	45.69 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDS4465

Trans MOSFET P-CH 20V 13.5A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	46.7 грн

Мінімальне замовлення: 2500

FDS4465-F085

MOSFET SO-8SNGLPCH20V/8V

на замовлення 1834 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDS4465-F085

Description: MOSFET P-CH 20V 13.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8237 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

FDS4465-F085

Trans MOSFET P-CH 20V 13.5A Automotive 8-Pin SOIC T/R

товар відсутній

FDS4465-G

Description: MOSFET P-CH 20V 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8237 pF @ 10 V

товар відсутній

FDS4465-NL

на замовлення 89000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4465-PG

товар відсутній

FDS4465.

Description: ONSEMI - FDS4465. - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 13.5 A, 0.0085 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

товар відсутній

FDS4465.

Description: ONSEMI - FDS4465. - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 13.5 A, 0.0085 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

товар відсутній

FDS4465NL

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4465_F085

Trans MOSFET P-CH 20V 13.5A Automotive 8-Pin SOIC T/R

товар відсутній

FDS4465_NL

09+

на замовлення 6818 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4465_NL

на замовлення 25000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4465_SN00187

Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 13.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8237 pF @ 10 V

товар відсутній

FDS4467

SOP-8

на замовлення 700 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4467

09+ SOP8

на замовлення 2050 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4467-NL

на замовлення 94000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4467NL

на замовлення 25000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4470

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 12.5A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 731 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	158.86 грн
5+	136.17 грн
10+	100.93 грн
28+	95.76 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDS4470

Description: ONSEMI - FDS4470 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 12.5 A, 0.006 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm

на замовлення 5649 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	82.06 грн
500+	72.61 грн

Мінімальне замовлення: 100

FDS4470

Trans MOSFET N-CH 40V 12.5A 8-Pin SOIC T/R

товар відсутній

FDS4470

Trans MOSFET N-CH 40V 12.5A 8-Pin SOIC T/R

товар відсутній

FDS4470

Description: ONSEMI - FDS4470 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1795 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDS4470

Description: MOSFET N-CH 40V 12.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): +30V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2659 pF @ 20 V

на замовлення 6091 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	131.39 грн
10+	105.24 грн
100+	83.81 грн
500+	66.55 грн
1000+	56.47 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDS4470

Trans MOSFET N-CH 40V 12.5A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 1473 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

133+	90.53 грн
144+	83.22 грн
146+	82.39 грн
159+	72.92 грн
250+	59.13 грн
500+	56.2 грн
1000+	55.43 грн

Мінімальне замовлення: 133

FDS4470

на замовлення 731 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	132.39 грн
5+	109.27 грн
10+	84.11 грн
28+	79.8 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDS4470

MOSFET SO-8

на замовлення 4955 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	115.14 грн
10+	97.62 грн
100+	71.77 грн
250+	66.11 грн
500+	59.83 грн
1000+	55.21 грн
2500+	53.14 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDS4470

на замовлення 5649 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	145.55 грн
10+	111.48 грн
100+	82.06 грн
500+	72.61 грн

Мінімальне замовлення: 6

FDS4470

Description: MOSFET N-CH 40V 12.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): +30V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2659 pF @ 20 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	59.36 грн

Мінімальне замовлення: 2500

FDS4470

Trans MOSFET N-CH 40V 12.5A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 1473 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	84.06 грн
10+	77.27 грн
25+	76.5 грн
100+	67.71 грн
250+	54.91 грн
500+	52.18 грн
1000+	51.47 грн

Мінімальне замовлення: 8

FDS4470-NL

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4470NL

на замовлення 35000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4470_Q

MOSFET SO-8

товар відсутній

FDS4480

07+ SO-8

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4480

Description: MOSFET N-CH 40V 10.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): +30V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1686 pF @ 20 V

товар відсутній

FDS4480

Trans MOSFET N-CH 40V 10.8A 8-Pin SOIC T/R

товар відсутній

FDS4480

SO-8

на замовлення 41000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4480

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 10.8A; Idm: 45A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 10.8A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 41nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

FDS4480

на замовлення 4863 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4480

09+

на замовлення 3018 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4480

Description: MOSFET N-CH 40V 10.8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): +30V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1686 pF @ 20 V

на замовлення 1520 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	77.64 грн
10+	61.25 грн
100+	47.65 грн
500+	37.91 грн
1000+	30.88 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDS4480

Trans MOSFET N-CH 40V 10.8A 8-Pin SOIC T/R

товар відсутній

FDS4480

товар відсутній

FDS4480

09+ SOP8

на замовлення 1455 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4480

MOSFET SO-8

на замовлення 9874 шт:

термін постачання 196-205 дні (днів)

4+	82.13 грн
10+	67.06 грн
100+	45.41 грн
500+	38.51 грн
1000+	31.33 грн
2500+	30.64 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDS4480-NL

SOP8

на замовлення 12 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4480NL

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4480SNL

на замовлення 35000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4480_NL

на замовлення 10080 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4480_Q

MOSFET SO-8

товар відсутній

FDS4485

SO-8

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4485

07+ SO-8

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4488

MOSFET SO-8

на замовлення 769 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	45.89 грн
10+	34.68 грн
100+	25.05 грн
2500+	24.5 грн

Мінімальне замовлення: 8

FDS4488

SO-8

на замовлення 41000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4488

Description: 0.0079A, 30V, N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 927 pF @ 15 V

на замовлення 117757 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDS4488

Trans MOSFET N-CH 30V 7.9A 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

FDS4488

09+

на замовлення 1218 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4488

Description: ONSEMI - FDS4488 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

на замовлення 117757 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

729+	32.67 грн

Мінімальне замовлення: 729

FDS4488

Description: MOSFET N-CH 30V 7.9A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 256 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDS4488

07+ SO-8

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4488-NL

на замовлення 50000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4489

07+ SO-8

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4489

SO-8

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4501

00+ SOP

на замовлення 1288 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4501AH

SO-8

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4501h

на замовлення 37 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4501h

Description: MOSFET N/P-CH 30V 9.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A, 5.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1958pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete

товар відсутній

FDS4501h

09+ SO-8

на замовлення 1037 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4501h

SOP8

на замовлення 46 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4501H

Trans MOSFET N/P-CH 30V/20V 9.3A/5.6A 8-Pin SOIC T/R

товар відсутній

FDS4501h

SO-8

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4501h

Description: MOSFET N/P-CH 30V 9.3A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A, 5.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1958pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active

на замовлення 40090 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

415+	50.87 грн

Мінімальне замовлення: 415

FDS4501h

MOSFET SO-8 COMP N-P-CH

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	90.18 грн
10+	82.54 грн
100+	63.15 грн
1000+	57.69 грн
2500+	32.57 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDS4501h

fsc

04+ sop

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4501h

Description: MOSFET N/P-CH 30V 9.3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A, 5.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1958pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete

товар відсутній

FDS4501h

02+

на замовлення 1847 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4501H

Trans MOSFET N/P-CH 30V/20V 9.3A/5.6A 8-Pin SOIC T/R

товар відсутній

FDS4501h

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-20V; 9.3/-5.6A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-20V
Drain current: 9.3/-5.6A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20/±8V
On-state resistance: 80/29mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21/27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

FDS4501h

товар відсутній

FDS4501h

09+

на замовлення 30018 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4501H

Trans MOSFET N/P-CH 30V/20V 9.3A/5.6A 8-Pin SOIC T/R

товар відсутній

FDS4501HNL

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4501NL

на замовлення 50000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4532

09+ SOP8

на замовлення 1014 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4532

00+ SOP-8

на замовлення 181 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4532

на замовлення 22350 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4532NL

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4542

2004 SMD8

на замовлення 543 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4542

09+ SOP8

на замовлення 1048 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4559

Trans MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	42.96 грн

Мінімальне замовлення: 2500

FDS4559

Trans MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-Pin SOIC T/R

товар відсутній

FDS4559

MOSFET 60V/-60V N/P

на замовлення 10326 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	65.86 грн
10+	57.46 грн
100+	34.09 грн
500+	28.5 грн
1000+	24.29 грн
2500+	21.95 грн
5000+	21.53 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDS4559

Description: ONSEMI - FDS4559 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.055 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.055ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.055ohm
productTraceability: No
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 175°C

на замовлення 6326 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	74.71 грн
13+	61.32 грн
100+	39.1 грн
500+	30.34 грн

Мінімальне замовлення: 11

FDS4559

Description: MOSFET N/P-CH 60V 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A, 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V, 759pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active

на замовлення 17500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	23.54 грн
5000+	21.48 грн
12500+	19.89 грн

Мінімальне замовлення: 2500

FDS4559

Trans MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-Pin SOIC T/R

товар відсутній

FDS4559

Trans MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-Pin SOIC T/R

товар відсутній

FDS4559

Description: MOSFET N/P-CH 60V 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A, 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V, 759pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active

на замовлення 17578 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	61.96 грн
10+	51.69 грн
100+	35.79 грн
500+	28.07 грн
1000+	23.89 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDS4559

Description: ONSEMI - FDS4559 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.055 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -888
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.055ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -888
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.055ohm
productTraceability: No
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 175°C

на замовлення 6356 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	44.75 грн
500+	32.92 грн

Мінімальне замовлення: 100

FDS4559

Trans MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-Pin SOIC T/R

товар відсутній

FDS4559-F085

Description: MOSFET N/P-CH 60V 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A, 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

FDS4559-F085

Description: MOSFET N/P-CH 60V 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A, 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

FDS4559-F085

Description: ONSEMI - FDS4559-F085 - 60V COMPLEMENTARY POWERTRENCH® MOSFET
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

товар відсутній

FDS4559-F085

Trans MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A Automotive 8-Pin SOIC T/R

товар відсутній

FDS4559-F085

Trans MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A Automotive 8-Pin SOIC T/R

товар відсутній

FDS4559-F085

MOSFET 60V Complementary PowerTrench MOS

на замовлення 8150 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDS4559-NL

на замовлення 94000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4559ANL

на замовлення 35000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4559NL

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4559_NL

на замовлення 35000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4585

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4585NL

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4672

SOP-8

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4672

07+/08+ SOP8

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4672A

Description: ONSEMI - FDS4672A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 11 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 11
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.01
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

товар відсутній

FDS4672A

Description: MOSFET N-CH 40V 11A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4766 pF @ 20 V

на замовлення 79656 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	38.56 грн
5000+	35.36 грн
12500+	33.73 грн

Мінімальне замовлення: 2500

FDS4672A

Trans MOSFET N-CH 40V 11A 8-Pin SOIC T/R

товар відсутній

FDS4672A

Trans MOSFET N-CH 40V 11A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	37.84 грн

Мінімальне замовлення: 2500

FDS4672A

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 11A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 11A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

на замовлення 2322 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	78.19 грн
6+	65.42 грн
18+	48.88 грн
25+	48.17 грн
47+	46.01 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDS4672A

MOSFET SO-8

на замовлення 4643 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	101.45 грн
10+	89.68 грн
100+	60.87 грн
500+	50.31 грн
1000+	39.75 грн
2500+	37.13 грн
5000+	33.68 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDS4672A

Description: MOSFET N-CH 40V 11A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4766 pF @ 20 V

на замовлення 81983 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	93.32 грн
10+	73.47 грн
100+	57.12 грн
500+	45.44 грн
1000+	37.01 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDS4672A

Trans MOSFET N-CH 40V 11A 8-Pin SOIC T/R

товар відсутній

FDS4672A

на замовлення 2322 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

3+	93.83 грн
5+	81.52 грн
18+	58.66 грн
25+	57.8 грн
47+	55.21 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDS4672A-NL

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4672ANL

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4675

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -11A; 2.4W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -11A
Power dissipation: 2.4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

на замовлення 2102 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	78.19 грн
6+	64.7 грн
18+	47.45 грн
49+	44.57 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDS4675

MOSFET SO-8

на замовлення 3574 шт:

термін постачання 841-850 дні (днів)

3+	108.7 грн
10+	96.03 грн
100+	65.49 грн
500+	53.69 грн
1000+	44.03 грн
2500+	39.61 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDS4675

Trans MOSFET P-CH 40V 11A 8-Pin SOIC T/R

товар відсутній

FDS4675

Transistor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 21mOhm; 11A; 2,4W; -55°C ~ 175°C; FDS4675 TFDS4675
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 20 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

20+	50.67 грн

Мінімальне замовлення: 20

FDS4675

Description: MOSFET P-CH 40V 11A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4350 pF @ 20 V

на замовлення 8317 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	95.56 грн
10+	75.48 грн
100+	58.69 грн
500+	46.69 грн
1000+	38.03 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDS4675

Trans MOSFET P-CH 40V 11A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDS4675

Trans MOSFET P-CH 40V 11A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

133+	90.33 грн
134+	89.43 грн
169+	70.81 грн
250+	67.58 грн
500+	54.72 грн
1000+	36.27 грн

Мінімальне замовлення: 133

FDS4675

на замовлення 2102 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

3+	93.83 грн
5+	80.63 грн
18+	56.94 грн
49+	53.49 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDS4675

Description: MOSFET P-CH 40V 11A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4350 pF @ 20 V

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	39.62 грн
5000+	36.33 грн

Мінімальне замовлення: 2500

FDS4675

Trans MOSFET P-CH 40V 11A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	38.89 грн

Мінімальне замовлення: 2500

FDS4675-F085

Description: MOSFET P-CH 40V 11A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4350 pF @ 20 V

товар відсутній

FDS4675-F085

Trans MOSFET P-CH 40V 11A Automotive 8-Pin SOIC T/R

товар відсутній

FDS4675-F085

Description: MOSFET P-CH 40V 11A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4350 pF @ 20 V

товар відсутній

FDS4675-F085

MOSFET P-CHANNEL MOSFET

на замовлення 4603 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDS4675-NL

на замовлення 94000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4675NL

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4675_NL

на замовлення 3080 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4678

SO-8

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4678

07+ SO-8

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4685

Trans MOSFET P-CH 40V 8.2A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	32.25 грн
5000+	30.72 грн

Мінімальне замовлення: 2500

FDS4685

Trans MOSFET P-CH 40V 8.2A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	30.52 грн

Мінімальне замовлення: 2500

FDS4685

Description: MOSFET P-CH 40V 8.2A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1872 pF @ 20 V

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	31.1 грн
5000+	28.52 грн
12500+	27.2 грн

Мінімальне замовлення: 2500

FDS4685

MOSFET 40V PCH POWER TRENCH MOSFET

на замовлення 9238 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	80.52 грн
10+	63.97 грн
100+	43.96 грн
500+	36.23 грн
1000+	30.37 грн
2500+	29.61 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDS4685

Trans MOSFET P-CH 40V 8.2A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	32.27 грн
5000+	30.74 грн

Мінімальне замовлення: 2500

FDS4685

Trans MOSFET P-CH 40V 8.2A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 580 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	78.48 грн
10+	63.68 грн
25+	58.3 грн
100+	48 грн
250+	44.01 грн
500+	35.52 грн

Мінімальне замовлення: 8

FDS4685
Код товару: 82291

Транзистори > Польові P-канальні

товар відсутній

FDS4685

Trans MOSFET P-CH 40V 8.2A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 580 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

175+	68.58 грн
191+	62.79 грн
224+	53.61 грн
250+	51.19 грн
500+	30.85 грн

Мінімальне замовлення: 175

FDS4685

Transistor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 42mOhm; 8,2A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS4685 TFDS4685
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 50 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

20+	32.44 грн

Мінімальне замовлення: 20

FDS4685

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -8.2A; 2.5W; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
On-state resistance: 42mΩ
Kind of package: reel; tape
Technology: PowerTrench®
Drain current: -8.2A
Drain-source voltage: -40V
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 27nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: P-MOSFET

на замовлення 1113 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	85.93 грн
7+	53.92 грн
21+	41.7 грн
56+	39.54 грн
500+	37.74 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDS4685

Trans MOSFET P-CH 40V 8.2A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 25000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	56.59 грн
5000+	51.71 грн
10000+	48.12 грн
15000+	43.76 грн

Мінімальне замовлення: 2500

FDS4685

Description: MOSFET P-CH 40V 8.2A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1872 pF @ 20 V

на замовлення 20547 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	75.4 грн
10+	59.24 грн
100+	46.07 грн
500+	36.65 грн
1000+	29.85 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDS4685

Trans MOSFET P-CH 40V 8.2A 8-Pin SOIC T/R

товар відсутній

FDS4685

на замовлення 1113 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

3+	103.12 грн
5+	67.19 грн
21+	50.03 грн
56+	47.45 грн
500+	45.29 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDS4685-NL

09+

на замовлення 618 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4685NL

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4685_NL

09+ TSSOP8

на замовлення 850 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4770

SO-8

на замовлення 41000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4770

Description: MOSFET N-CH 40V 13.2A 8SOIC

товар відсутній

FDS4770

07+ SO-8

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4770

03+

на замовлення 740 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4770-NL

SOP8 09+

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4770NL

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4780

на замовлення 26 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4780

SO-8

на замовлення 41000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4780

09+ SO-8

на замовлення 1026 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4780

07+ SO-8

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4780

Description: MOSFET N-CH 40V 10.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 10.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1686 pF @ 20 V

товар відсутній

FDS4831-NL

на замовлення 94000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4835

на замовлення 415 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4835

02+ SOP8

на замовлення 10 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4835A

на замовлення 25000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4835ANL

на замовлення 25000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4884-NL

на замовлення 94000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4885-NL

на замовлення 94000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4885C

Description: P-CHANNEL POWER MOSFET

на замовлення 1266 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

419+	49.67 грн

Мінімальне замовлення: 419

FDS4885C

07+ SO-8

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4885C

Description: MOSFET N/P-CH 40V 7.5A/6A 8SOIC

товар відсутній

FDS4885C

Trans MOSFET N/P-CH 40V 7.5A/6A 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

FDS4885C

SO-8

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4885C-NL

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4885CNL

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4885C_NL

на замовлення 175200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4895C

Trans MOSFET N/P-CH 40V 5.5A/4.4A 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

FDS4895C

09+ SOP8

на замовлення 1007 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4895C

Description: P-CHANNEL POWER MOSFET

товар відсутній

FDS4895C

SO-8

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4895C

Description: MOSFET N/P-CH 40V 8SOIC

товар відсутній

FDS4895C

07+ SO-8

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4895L

07+/08+ SOP8

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4897AC

Trans MOSFET N/P-CH 40V 6.1A/5.2A 8-Pin SOIC T/R

товар відсутній

FDS4897AC

Description: ONSEMI - FDS4897AC - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 6.1 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 6.1
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Bauform - Transistor: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

товар відсутній

FDS4897AC

Trans MOSFET N/P-CH 40V 6.1A/5.2A 8-Pin SOIC T/R

товар відсутній

FDS4897AC

Description: MOSFET N/P-CH 40V 6.1A/5.2A 8SO

товар відсутній

FDS4897AC

Trans MOSFET N/P-CH 40V 6.1A/5.2A 8-Pin SOIC T/R

товар відсутній

FDS4897AC

товар відсутній

FDS4897AC

Transistor N/P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 39mOhm/65mOhm; 6,1A/5,2A; 2W; -55°C ~ 150°C; FDS4897AC TFDS4897ac
кількість в упаковці: 25 шт

на замовлення 25 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

25+	21.88 грн

Мінімальне замовлення: 25

FDS4897AC

MOSFET 40V Dual N & P Chan PowerTrench

товар відсутній

FDS4897AC

Trans MOSFET N/P-CH 40V 6.1A/5.2A 8-Pin SOIC T/R

товар відсутній

FDS4897AC

Trans MOSFET N/P-CH 40V 6.1A/5.2A 8-Pin SOIC T/R

товар відсутній

FDS4897AC

Description: MOSFET N/P-CH 40V 6.1A/5.2A 8SO

товар відсутній

FDS4897C

Description: MOSFET N/P-CH 40V 6.2A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A, 4.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	25.24 грн
5000+	23.15 грн

Мінімальне замовлення: 2500

FDS4897C

Trans MOSFET N/P-CH 40V 6.2A/4.4A 8-Pin SOIC T/R

товар відсутній

FDS4897C

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 40/-40V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 40/-40V
Drain current: 6.2/-4.4A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43/73mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20/28nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

на замовлення 21 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	61.93 грн
9+	43.13 грн

Мінімальне замовлення: 7

FDS4897C

на замовлення 21 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

4+	74.32 грн
5+	53.75 грн
25+	40.29 грн
68+	38.13 грн
500+	37.96 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDS4897C

Trans MOSFET N/P-CH 40V 6.2A/4.4A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	48.41 грн

Мінімальне замовлення: 2500

FDS4897C

MOSFET 40V Dual N & P-Ch PowerTrench MOSFET

на замовлення 59908 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	65.14 грн
10+	52.7 грн
100+	35.68 грн
500+	30.23 грн
1000+	24.64 грн
2500+	24.09 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDS4897C

Trans MOSFET N/P-CH 40V 6.2A/4.4A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDS4897C

Description: MOSFET N/P-CH 40V 6.2A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A, 4.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC

на замовлення 5424 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	60.47 грн
10+	48.09 грн
100+	37.39 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDS4897C

Trans MOSFET N/P-CH 40V 6.2A/4.4A 8-Pin SOIC T/R

товар відсутній

FDS4897C

Description: ONSEMI - FDS4897C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 6.2 A, 6.2 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pins
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	27.79 грн

Мінімальне замовлення: 2500

FDS4897C

Trans MOSFET N/P-CH 40V 6.2A/4.4A 8-Pin SOIC FDS4897C TFDS4897C
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 80 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

40+	16.25 грн

Мінімальне замовлення: 40

FDS4897C-NL

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4920

SO-8

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4920

SOP-8

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4925

09+ SOP8

на замовлення 1235 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4925-NL

на замовлення 94000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4925NL

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4935

MOSFET 30V P-CH DUAL PowerTrench MOSFET

товар відсутній

FDS4935

09+ SO-8

на замовлення 1090 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4935

на замовлення 139 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4935

Trans MOSFET P-CH 30V 7A 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

FDS4935

09+

на замовлення 5018 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4935

Description: MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1233pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete

товар відсутній

FDS4935

на замовлення 90 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4935

07+ SO-8

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4935

SO-8

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4935-NL

09+

на замовлення 5018 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4935A

Description: ONSEMI - FDS4935A - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -888
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -888A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -888V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -888
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -888ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: -888W
Betriebstemperatur, max.: 175°C

на замовлення 11674 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	50.4 грн
500+	38.68 грн
1000+	31.12 грн

Мінімальне замовлення: 100

FDS4935A
Код товару: 40550

Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Id,A: 7 А
Rds(on),Om: 0,023 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1233/15
Монтаж: SMD

у наявності 26 шт:

11 шт - РАДІОМАГ-Львів
5 шт - РАДІОМАГ-Харків
5 шт - РАДІОМАГ-Одеса
5 шт - РАДІОМАГ-Дніпро

1+	28 грн
10+	25.2 грн

FDS4935A

Trans MOSFET P-CH 30V 7A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	28.24 грн
5000+	27.05 грн
12500+	26.94 грн

Мінімальне замовлення: 2500

FDS4935A

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; 1.6W; SO8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7A
On-state resistance: 35mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 21nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 2464 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

4+	90.12 грн
5+	54.47 грн
24+	43.13 грн
64+	41.41 грн
250+	39.25 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDS4935A

Trans MOSFET P-CH 30V 7A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	30.77 грн
5000+	29.48 грн
12500+	29.36 грн

Мінімальне замовлення: 2500

FDS4935A

Description: ONSEMI - FDS4935A - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: -W
Betriebstemperatur, max.: 175°C

на замовлення 11664 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	81.29 грн
13+	63.64 грн
100+	45.68 грн
500+	35.94 грн

Мінімальне замовлення: 10

FDS4935A

Description: MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1233pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active

на замовлення 24948 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	70.17 грн
10+	54.92 грн
100+	42.74 грн
500+	34 грн
1000+	27.7 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDS4935A

Trans MOSFET P-CH 30V 7A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	31.27 грн

Мінімальне замовлення: 2500

FDS4935A

MOSFET -30V Dual

на замовлення 5045 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	74.88 грн
10+	58.97 грн
100+	40.72 грн
500+	34.51 грн
1000+	28.09 грн
2500+	27.47 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDS4935A

Description: ONSEMI - FDS4935A - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	30.5 грн

Мінімальне замовлення: 2500

FDS4935A

Trans MOSFET P-CH 30V 7A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 17500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	28.26 грн

Мінімальне замовлення: 2500

FDS4935A

Trans MOSFET P-CH 30V 7A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	33.68 грн

Мінімальне замовлення: 2500

FDS4935A

Transistor 2xP-Channel MOSFET; 30V; 20V; 35mOhm; 7A; 2W; -55°C ~ 175°C; FDS4935A TFDS4935a
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 20 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

20+	52.42 грн

Мінімальне замовлення: 20

FDS4935A

на замовлення 2464 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	75.1 грн
9+	43.71 грн
24+	35.94 грн
64+	34.51 грн
250+	32.71 грн

Мінімальне замовлення: 6

FDS4935A

Description: MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1233pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active

на замовлення 22500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	28.85 грн
5000+	26.46 грн
12500+	25.24 грн

Мінімальне замовлення: 2500

FDS4935A

Trans MOSFET P-CH 30V 7A 8-Pin SOIC T/R

товар відсутній

FDS4935A-NL

SOP8 09+

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4935ANL

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4935A_NL

на замовлення 128000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4935A_Q

MOSFET -30V Dual

товар відсутній

FDS4935B

на замовлення 9080 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4935BZ

Description: MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	26.31 грн
5000+	24.13 грн
12500+	23.01 грн
25000+	21.56 грн

Мінімальне замовлення: 2500

FDS4935BZ

Trans MOSFET P-CH 30V 6.9A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 879 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

294+	40.76 грн
297+	40.36 грн
333+	35.99 грн
341+	33.93 грн
500+	24.94 грн

Мінімальне замовлення: 294

FDS4935BZ

Description: ONSEMI - FDS4935BZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.9 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -888
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -888A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.022ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -888V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -888
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -888ohm
productTraceability: No
Verlustleistung, n-Kanal: -888W
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 617 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	76.33 грн
13+	60.7 грн
100+	44.83 грн
500+	35.73 грн

Мінімальне замовлення: 11

FDS4935BZ

Trans MOSFET P-CH 30V 6.9A 8-Pin SOIC T/R

товар відсутній

FDS4935BZ

Mosfet Array 2x P-Channel (Dual) 30V 6.9A 900mW Surface Mount 8-SOIC FDS4935BZ ONS TFDS4935bz
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 100 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

20+	31.38 грн

Мінімальне замовлення: 20

FDS4935BZ

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -6.9A; 1.6W; SO8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.9A
On-state resistance: 35mΩ
Type of transistor: P-MOSFET x2
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 40nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±25V
Case: SO8

на замовлення 1720 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	78.19 грн
9+	43.56 грн
25+	33.57 грн
69+	31.7 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDS4935BZ

Trans MOSFET P-CH 30V 6.9A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 879 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	41.68 грн
16+	37.85 грн
25+	37.47 грн
100+	32.22 грн
250+	29.17 грн
500+	22.23 грн

Мінімальне замовлення: 15

FDS4935BZ

Description: MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active

на замовлення 40503 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	63.46 грн
10+	50.11 грн
100+	38.97 грн
500+	31 грн
1000+	25.25 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDS4935BZ

Trans MOSFET P-CH 30V 6.9A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	24.5 грн

Мінімальне замовлення: 2500

FDS4935BZ

на замовлення 1720 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

3+	93.83 грн
5+	54.29 грн
25+	40.29 грн
69+	38.04 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDS4935BZ

MOSFET 30V PCH DUAL POWER TRENCH M

на замовлення 52459 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	68.12 грн
10+	54.92 грн
100+	37.13 грн
500+	31.54 грн
1000+	25.67 грн
2500+	25.05 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDS4935BZ

Description: ONSEMI - FDS4935BZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.9 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -888
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -888A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.022ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -888V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -888
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -888ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: -888W
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 617 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	44.83 грн
500+	35.73 грн

Мінімальне замовлення: 100

FDS4935BZ

Trans MOSFET P-CH 30V 6.9A 8-Pin SOIC T/R

товар відсутній

FDS4935BZ-NL

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4935BZ_NL

на замовлення 25000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4935NL

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4935_NL

на замовлення 400000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4936

07+ SO-8

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4936

SO-8

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4936-NL

на замовлення 94000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4953

Description: MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 528pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete

товар відсутній

FDS4953

MOSFET SO-8 P-CH DUAL -30V

товар відсутній

FDS4953

Trans MOSFET P-CH 30V 5A 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

FDS4953

Description: MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 528pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete

товар відсутній

FDS4953-NL

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4953A

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4953A-NL

SOP8 09+

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4953ANL

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4953NL

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS4953_NL

MOSFET 30V, DUAL, SO-8, PCH

товар відсутній

FDS4963

04+ SOP-8

на замовлення 6 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS5009

04+

на замовлення 10 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS5109

07+/08+ SOP8

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS5109M

09+ SOP8

на замовлення 21520 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS5170N3

SO-8

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS5170N3

09+ SO-8

на замовлення 2305 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS5170N3

07+ SO-8

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS5170N3

на замовлення 1305 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS5170N7

09+

на замовлення 250 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS5170N7

Description: MOSFET N-CH 60V 10.6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2889 pF @ 30 V

товар відсутній

FDS5170N7

09+ SO-8

на замовлення 1490 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS5170N7

SO-8

на замовлення 26000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS5170N7

Description: MOSFET N-CH 60V 10.6A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2889 pF @ 30 V

товар відсутній

FDS5170N7

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS5170N7

07+ SO-8

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS5341

SOP-8

на замовлення 160 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS53418M

SOP-8

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS5351

Trans MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	21.98 грн
5000+	20.58 грн

Мінімальне замовлення: 2500

FDS5351

N-MOSFET 6.1A 60V 2.5W 35mΩ FDS5351 TFDS5351
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 80 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

30+	21.04 грн

Мінімальне замовлення: 30

FDS5351

Description: MOSFET N-CH 60V 6.1A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 30 V

на замовлення 29791 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	55.99 грн
10+	46.87 грн
100+	32.45 грн
500+	25.44 грн
1000+	21.65 грн

Мінімальне замовлення: 6

FDS5351

Trans MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	21.99 грн
5000+	20.59 грн

Мінімальне замовлення: 2500

FDS5351

Trans MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-Pin SOIC T/R

товар відсутній

FDS5351

Description: ONSEMI - FDS5351 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6.1 A, 0.0265 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 6.1
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0265
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

товар відсутній

FDS5351

Trans MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	20.37 грн

Мінімальне замовлення: 2500

FDS5351

On Semiconductor/Fairchild

Trans MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	36.81 грн

Мінімальне замовлення: 2500

FDS5351

MOSFET N-CH 60V 6.1A SOIC-8

на замовлення 8 шт:

термін постачання 5 дні (днів)

FDS5351

MOSFET 60V N-Channel PowerTrench

на замовлення 7276 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	59.18 грн
10+	51.35 грн
100+	31.4 грн
500+	26.22 грн
1000+	21.74 грн
2500+	19.81 грн
5000+	19.74 грн

Мінімальне замовлення: 6

FDS5351

Description: MOSFET N-CH 60V 6.1A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 30 V

на замовлення 27500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	21.34 грн
5000+	19.47 грн
12500+	18.03 грн
25000+	16.75 грн

Мінімальне замовлення: 2500

FDS5351

Trans MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 2230 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

281+	42.59 грн
282+	42.5 грн
365+	32.8 грн
368+	31.38 грн
500+	25.18 грн
1000+	18.86 грн

Мінімальне замовлення: 281

FDS5351

Trans MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 2230 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	43.18 грн
15+	39.55 грн
25+	39.47 грн
100+	29.37 грн
250+	26.98 грн
500+	22.44 грн
1000+	17.52 грн

Мінімальне замовлення: 14

FDS5351

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6.1A; 5W; SO8
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 6.1A
On-state resistance: 58.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 27nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 198 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

4+	78.04 грн
7+	41.21 грн
25+	35.37 грн
34+	30.37 грн
92+	28.73 грн
500+	28.47 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDS5351

на замовлення 198 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	65.03 грн
11+	33.07 грн
25+	29.47 грн
34+	25.3 грн
92+	23.94 грн

Мінімальне замовлення: 6

FDS5670

Trans MOSFET N-CH 60V 10A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	62.48 грн

Мінімальне замовлення: 2500

FDS5670

Trans MOSFET N-CH 60V 10A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

152+	78.76 грн

Мінімальне замовлення: 152

FDS5670

MOSFET SO-8 N-CH 60V

на замовлення 8013 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	150.56 грн
10+	121.43 грн
100+	85.58 грн
500+	72.46 грн
1000+	61.21 грн
2500+	60.66 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDS5670

Description: ONSEMI - FDS5670 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 10 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 10
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.014
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

товар відсутній

FDS5670

Trans MOSFET N-CH 60V 10A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	63.68 грн

Мінімальне замовлення: 2500

FDS5670

Description: MOSFET N-CH 60V 10A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 15 V

товар відсутній

FDS5670

Trans MOSFET N-CH 60V 10A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	84.64 грн

Мінімальне замовлення: 2500

FDS5670

Description: ONSEMI - FDS5670 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 10 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 2.5
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

товар відсутній

FDS5670

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 10A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 10A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

FDS5670
Код товару: 66965

Транзистори > Польові N-канальні

товар відсутній

FDS5670

Trans MOSFET N-CH 60V 10A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	63.63 грн

Мінімальне замовлення: 2500

FDS5670

товар відсутній

FDS5670

Description: MOSFET N-CH 60V 10A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 15 V

товар відсутній

FDS5670

Trans MOSFET N-CH 60V 10A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	73.13 грн

Мінімальне замовлення: 9

FDS5670

Trans MOSFET N-CH 60V 10A 8-Pin SOIC T/R

товар відсутній

FDS5670

Description: ONSEMI - FDS5670 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 10 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 10
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.014
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.4
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

товар відсутній

FDS5670-NL

1025+/1041+ SOP8

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS5670-NL

на замовлення 94000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS5670NL

на замовлення 22500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS5670_NL

на замовлення 45000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS5672

Description: MOSFET N-CH 60V 12A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V

на замовлення 13000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	51.64 грн
5000+	47.86 грн
12500+	46.28 грн

Мінімальне замовлення: 2500

FDS5672

Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 866 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	93.34 грн
10+	79.32 грн
25+	78.53 грн
100+	74.97 грн
250+	51.6 грн
500+	46.87 грн

Мінімальне замовлення: 7

FDS5672

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; 2.5W; SO8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
On-state resistance: 23mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 45nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SO8

товар відсутній

FDS5672

Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 866 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

120+	100.52 грн
133+	90.44 грн
134+	89.53 грн
143+	80.74 грн
250+	55.59 грн
500+	50.48 грн

Мінімальне замовлення: 120

FDS5672

Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 23mOhm; 12A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS5672 TFDS5672
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 40 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

20+	35.94 грн

Мінімальне замовлення: 20

FDS5672

Description: ONSEMI - FDS5672 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.0088 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung: 2.5
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0088
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 107 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	92.13 грн

Мінімальне замовлення: 100

FDS5672

Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC T/R

товар відсутній

FDS5672

Description: MOSFET N-CH 60V 12A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V

на замовлення 14607 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	114.97 грн
10+	91.59 грн
100+	72.91 грн
500+	57.9 грн
1000+	49.13 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDS5672

Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	52.01 грн

Мінімальне замовлення: 2500

FDS5672

Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	53.83 грн

Мінімальне замовлення: 2500

FDS5672

товар відсутній

FDS5672

MOSFET 60V 12A 10 OHM NCH POWER TRENCH MOSFET

на замовлення 45531 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	122.38 грн
10+	100 грн
100+	69.7 грн
500+	58.87 грн
1000+	50.93 грн
2500+	50.45 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDS5672

Description: ONSEMI - FDS5672 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.0088 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0088ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 1445 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	133.93 грн
10+	101.42 грн
100+	71.3 грн
500+	60.67 грн

Мінімальне замовлення: 6

FDS5672

Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	53.87 грн

Мінімальне замовлення: 2500

FDS5672-NL

на замовлення 94000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS5672NL

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS5672_F095

Description: MOSFET N-CH 60V 12A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V

товар відсутній

FDS5680

Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 15 V

товар відсутній

FDS5680

Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R

товар відсутній

FDS5680

Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 32mOhm; 8A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS5680 TFDS5680
кількість в упаковці: 25 шт

на замовлення 50 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

25+	23.32 грн

Мінімальне замовлення: 25

FDS5680
Код товару: 131521

Мікросхеми > Інші мікросхеми

товар відсутній

FDS5680

Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R

товар відсутній

FDS5680

MOSFET SO-8 N-CH 60V

на замовлення 11779 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDS5680

Description: MOSFET N-CH 60V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 15 V

товар відсутній

FDS5680

Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R

товар відсутній

FDS5680

Description: MOSFET N-CH 60V 8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 15 V

товар відсутній

FDS5680

Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R

товар відсутній

FDS5680

Description: ONSEMI - FDS5680 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 8 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

на замовлення 9995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	164.13 грн
10+	136.26 грн
100+	101.42 грн
500+	61.32 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDS5680-NL

09+ TSOP

на замовлення 850 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS5680NL

на замовлення 12500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS5680NL

RHFAIRC

09+

на замовлення 2518 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS5682

Trans MOSFET N-CH 60V 7.5A 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

FDS5682

09+ SOP8

на замовлення 1014 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS5682

Description: MOSFET N-CH 60V 7.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V

товар відсутній

FDS5682

MOSFET 60V N-CH. FET 20 MO SO8 TR

товар відсутній

FDS5682-NL

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS5690

Trans MOSFET N-CH 60V 7A 8-Pin SOIC T/R

товар відсутній

FDS5690

07+ SO-8

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS5690

Description: MOSFET N-CH 60V 7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1107 pF @ 30 V

товар відсутній

FDS5690

Trans MOSFET N-CH 60V 7A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	26.46 грн
5000+	25.89 грн
12500+	25.44 грн

Мінімальне замовлення: 2500

FDS5690

SO-8

на замовлення 41000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS5690

SOP8

на замовлення 538 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS5690

Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1107 pF @ 30 V

товар відсутній

FDS5690

Trans MOSFET N-CH 60V 7A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	26.12 грн

Мінімальне замовлення: 2500

FDS5690

SOP-8

на замовлення 550 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS5690

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS5690

MOSFET SO-8 N-CH 60V

на замовлення 90 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDS5690

Trans MOSFET N-CH 60V 7A 8-Pin SOIC T/R

товар відсутній

FDS5690

09+

на замовлення 5018 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS5690

99+

на замовлення 2450 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS5690

Description: MOSFET N-CH 60V 7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1107 pF @ 30 V

товар відсутній

FDS5690

Trans MOSFET N-CH 60V 7A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	28.49 грн
5000+	27.88 грн
12500+	27.39 грн

Мінімальне замовлення: 2500

FDS5690

SOP-8

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS5690

09+ SOP8

на замовлення 1850 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS5690-NBBM009A

Description: MOSFET N-CH 60V 7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1107 pF @ 30 V

товар відсутній

FDS5690-NL

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS5690_NBBM009A

Description: MOSFET N-CH 60V 7A 8SOIC

товар відсутній

FDS5690_NBBM009A

Description: MOSFET N-CH 60V 7A 8SOIC

товар відсутній

FDS5690_NBBM009A

Description: MOSFET N-CH 60V 7A 8SOIC

товар відсутній

FDS5692Z

Description: MOSFET N-CH 50V 5.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1025 pF @ 25 V

товар відсутній

FDS5692Z

Description: MOSFET N-CH 50V 5.8A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1025 pF @ 25 V

на замовлення 8231 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

304+	69.32 грн

Мінімальне замовлення: 304

FDS5692Z

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS5692Z

Trans MOSFET N-CH 50V 5.8A 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

FDS5692Z

Description: MOSFET N-CH 50V 5.8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1025 pF @ 25 V

товар відсутній

FDS6064N3

Description: MOSFET N-CH 20V 23A 8SO

на замовлення 31115 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDS6064N3

на замовлення 12500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS6064N3

Trans MOSFET N-CH 20V 23A 8-Pin FLMP SOIC T/R

товар відсутній

FDS6064N3

SO-8

на замовлення 26000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS6064N3

07+ SO-8

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS6064N7

Rochester Electronics, LLC

SO-8

на замовлення 26000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS6064N7

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

на замовлення 310 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDS6064N7

Trans MOSFET N-CH 20V 23A 8-Pin FLMP SOIC T/R

товар відсутній

FDS6064N7

07+ SO-8

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS6141CS

09+ SOP8

на замовлення 1008 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS6143

SOP-8

на замовлення 6400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS6143CS

09+ SOP8

на замовлення 10150 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS6162N3

SO-8

на замовлення 26000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS6162N3

09+ SO-8

на замовлення 1025 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDS6162N3