НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IKQ100N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+946.86 грн
10+ 823.02 грн
25+ 696.34 грн
50+ 657.69 грн
100+ 619.05 грн
240+ 599.03 грн
480+ 560.39 грн
IKQ100N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 166A 721W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+1007.12 грн
14+ 905.09 грн
100+ 799 грн
Мінімальне замовлення: 12
IKQ100N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 166A 721W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKQ100N120CH7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKQ100N120CH7XKSA1 - IGBT, 166 A, 1.7 V, 721 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 721W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 166A
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1513.53 грн
10+ 1264.24 грн
25+ 1082.31 грн
IKQ100N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 166A 721W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+935.18 грн
10+ 840.44 грн
100+ 741.93 грн
IKQ100N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 166A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 148 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-U01
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 66ns/547ns
Switching Energy: 6.7mJ (on), 2.52mJ (off)
Gate Charge: 696 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 166 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 400 A
Power - Max: 721 W
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+883.9 грн
30+ 689.46 грн
120+ 648.89 грн
IKQ100N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: INDUSTRY 14
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 203 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-55
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 38ns/200ns
Switching Energy: 6.87mJ (on), 4.71mJ (off)
Gate Charge: 610 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 188 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 824 W
на замовлення 226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1335.55 грн
10+ 1182.21 грн
100+ 998.47 грн
IKQ100N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 1609 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1058.78 грн
10+ 919.84 грн
25+ 778.47 грн
50+ 734.99 грн
100+ 692.2 грн
240+ 669.43 грн
480+ 626.64 грн
IKQ100N60TInfineon technologies
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKQ100N60TAInfineon TechnologiesInfineon DISCRETE SWITCHES
товар відсутній
IKQ100N60TAXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 160A 714000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKQ100N60TAXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 160A 714000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKQ100N60TAXKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
товар відсутній
IKQ100N60TAXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 600V TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 225 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-46
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/290ns
Switching Energy: 3.1mJ (on), 2.5mJ (off)
Test Condition: 400V, 100A, 3.6Ohm, 15V
Gate Charge: 610 nC
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 400 A
Power - Max: 714 W
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
IKQ100N60TXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKQ100N60TXKSA1 - IGBT, 160 A, 1.5 V, 714 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 714W
Anzahl der Pins: 3Pins
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
на замовлення 229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+918.18 грн
5+ 798.18 грн
10+ 677.41 грн
50+ 586.61 грн
100+ 502.34 грн
IKQ100N60TXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 160A 714000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+454.11 грн
IKQ100N60TXKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+888.89 грн
10+ 751.59 грн
25+ 592.13 грн
100+ 544.51 грн
240+ 512.08 грн
480+ 480.33 грн
1200+ 432.02 грн
IKQ100N60TXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 160A 714000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKQ100N60TXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH/FS 600V 160A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 230 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-46
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/290ns
Switching Energy: 3.1mJ (on), 2.5mJ (off)
Test Condition: 400V, 100A, 3.6Ohm, 15V
Gate Charge: 610 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 400 A
Power - Max: 714 W
товар відсутній
IKQ100N60TXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 100A; 714W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 100A
Power dissipation: 714W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 400A
Mounting: THT
Gate charge: 610nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 68ns
Turn-off time: 321ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
IKQ100N60TXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 100A; 714W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 100A
Power dissipation: 714W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 400A
Mounting: THT
Gate charge: 610nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 68ns
Turn-off time: 321ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKQ100N60TXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 160A 714000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+785.33 грн
10+ 672.37 грн
25+ 633.7 грн
50+ 604.93 грн
100+ 507.94 грн
IKQ120N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT
Packaging: Tube
Part Status: Active
на замовлення 351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+998.12 грн
30+ 777.88 грн
120+ 732.13 грн
IKQ120N120CH7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKQ120N120CH7XKSA1 - IGBT, 170 A, 1.7 V, 780 W, 1.2 kV, TO-247 Plus, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 780W
Bauform - Transistor: TO-247 Plus
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 170A
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1273.53 грн
5+ 1198.44 грн
10+ 1138.05 грн
50+ 1025.85 грн
100+ 719.33 грн
IKQ120N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesSP005578286
товар відсутній
IKQ120N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1069.24 грн
10+ 928.57 грн
25+ 785.37 грн
50+ 741.89 грн
100+ 698.41 грн
240+ 675.64 грн
480+ 632.16 грн
IKQ120N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 216A 1004W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKQ120N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 1375 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1291.46 грн
10+ 1122.22 грн
25+ 948.93 грн
50+ 896.48 грн
100+ 844.03 грн
240+ 817.11 грн
480+ 764.66 грн
IKQ120N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 216A TO247
Packaging: Tube
Part Status: Active
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 205 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 120A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-46
IGBT Type: Trench Field Stop
Gate Charge: 710 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 216 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 360 A
Power - Max: 1004 W
Td (on/off) @ 25°C: 44ns/205ns
Switching Energy: 10.3mJ (on), 5.72mJ (off)
на замовлення 164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1205.65 грн
30+ 940.14 грн
120+ 884.83 грн
IKQ120N60TInfineon TechnologiesInfineon INDUSTRY 14
товар відсутній
IKQ120N60TInfineon technologies
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKQ120N60TAInfineon TechnologiesInfineon DISCRETE SWITCHES
товар відсутній
IKQ120N60TAXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 160A 833000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKQ120N60TAXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 120A; 833W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 120A
Power dissipation: 833W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 480A
Mounting: THT
Gate charge: 772nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 76ns
Turn-off time: 343ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
IKQ120N60TAXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH/FS 600V 160A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 280 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 120A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-46
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/310ns
Switching Energy: 4.1mJ (on), 2.8mJ (off)
Test Condition: 400V, 120A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 772 nC
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 480 A
Power - Max: 833 W
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
IKQ120N60TAXKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1191.63 грн
10+ 1079.36 грн
25+ 899.93 грн
100+ 792.96 грн
240+ 753.62 грн
480+ 740.51 грн
1200+ 697.72 грн
IKQ120N60TAXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 120A; 833W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 120A
Power dissipation: 833W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 480A
Mounting: THT
Gate charge: 772nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 76ns
Turn-off time: 343ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKQ120N60TAXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 160A 833000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+963.33 грн
10+ 884.67 грн
25+ 843.33 грн
IKQ120N60TXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 160A 833000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKQ120N60TXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKQ120N60TXKSA1 - IGBT, 160 A, 1.5 V, 833 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 833W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 160A
на замовлення 533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+942.18 грн
5+ 855.47 грн
10+ 768.77 грн
50+ 674.31 грн
100+ 567.37 грн
250+ 530.87 грн
IKQ120N60TXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 120A; 833W; PG-TO247-3-46
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 120A
Power dissipation: 833W
Case: PG-TO247-3-46
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 480A
Mounting: THT
Gate charge: 703nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 76ns
Turn-off time: 343ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKQ120N60TXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 160A 833000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+981.55 грн
10+ 859.7 грн
100+ 646.96 грн
IKQ120N60TXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 160A 833000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKQ120N60TXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 120A; 833W; PG-TO247-3-46
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 120A
Power dissipation: 833W
Case: PG-TO247-3-46
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 480A
Mounting: THT
Gate charge: 703nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 76ns
Turn-off time: 343ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
IKQ120N60TXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 160A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 241 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 120A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-46
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/565ns
Switching Energy: 6.2mJ (on), 5.9mJ (off)
Test Condition: 400V, 120A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 703 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 480 A
Power - Max: 833 W
на замовлення 695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+828.65 грн
30+ 646.01 грн
120+ 608.01 грн
510+ 517.1 грн
IKQ120N60TXKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 241 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+888.08 грн
10+ 851.59 грн
25+ 601.79 грн
100+ 570.05 грн
240+ 565.91 грн
480+ 481.71 грн
IKQ120N65EH7XKSA1Infineon TechnologiesINDUSTRY 14
товар відсутній
IKQ120N65EH7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 160A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: PG-TO247-3-46
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 82 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 120A
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 38ns/287ns
Switching Energy: 4.2mJ (on), 3.7mJ (off)
Test Condition: 400V, 120A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 251 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 480 A
Power - Max: 498 W
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+813.72 грн
10+ 671.8 грн
IKQ120N65EH7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+871.98 грн
10+ 736.51 грн
25+ 581.78 грн
100+ 534.16 грн
240+ 501.72 грн
480+ 470.67 грн
1200+ 423.74 грн
IKQ140N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 175A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 144 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 140A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-U01
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 68ns/541ns
Switching Energy: 8.84mJ (on), 3.38mJ (off)
Gate Charge: 970 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 175 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 560 A
Power - Max: 962 W
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1099.65 грн
30+ 856.86 грн
120+ 806.46 грн
IKQ140N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 757 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1177.94 грн
10+ 1023.01 грн
25+ 865.42 грн
50+ 817.11 грн
100+ 768.81 грн
240+ 744.65 грн
480+ 696.34 грн
IKQ140N120CH7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKQ140N120CH7XKSA1 - IGBT, 175 A, 1.7 V, 962 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 962W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 175A
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1880.49 грн
10+ 1571.6 грн
25+ 1344.76 грн
IKQ140N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 175A 962W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKQ150N65EH7XKSA1Infineon TechnologiesINDUSTRY 14
товар відсутній
IKQ150N65EH7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 160A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: PG-TO247-3-46
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 84 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 150A
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 45ns/341ns
Switching Energy: 5.8mJ (on), 5.4mJ (off)
Test Condition: 400V, 150A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 301 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 600 A
Power - Max: 621 W
на замовлення 164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+897.34 грн
10+ 761.52 грн
IKQ150N65EH7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 328 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+961.35 грн
10+ 835.71 грн
25+ 706.69 грн
50+ 667.36 грн
100+ 628.02 грн
240+ 608 грн
480+ 568.67 грн
IKQ40N120CH3Infineon TechnologiesInfineon INDUSTRY 14
товар відсутній
IKQ40N120CH3XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 136W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Turn-on time: 76ns
Turn-off time: 331ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKQ40N120CH3XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 500000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKQ40N120CH3XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1200V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-46
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/300ns
Switching Energy: 3.3mJ (on), 1.3mJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 190 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 500 W
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+688.31 грн
30+ 529.41 грн
120+ 473.68 грн
IKQ40N120CH3XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 500mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKQ40N120CH3XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKQ40N120CH3XKSA1 - IGBT, 80 A, 2 V, 500 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
Betriebstemperatur, max.: 175
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товар відсутній
IKQ40N120CH3XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 136W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Turn-on time: 76ns
Turn-off time: 331ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
IKQ40N120CH3XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 500mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKQ40N120CH3XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+737.52 грн
10+ 710.32 грн
25+ 503.11 грн
100+ 452.04 грн
240+ 451.35 грн
480+ 358.18 грн
IKQ40N120CT2XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKQ40N120CT2XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.75 V, 500 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
Verlustleistung: 500
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: TRENCHSTOP 2
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+913.54 грн
5+ 869.41 грн
10+ 825.28 грн
IKQ40N120CT2XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 133W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 2
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 133W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 75ns
Turn-off time: 379ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
IKQ40N120CT2XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+754.43 грн
10+ 732.54 грн
25+ 515.53 грн
100+ 461.7 грн
240+ 461.01 грн
480+ 365.77 грн
IKQ40N120CT2XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 133W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 2
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 133W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 75ns
Turn-off time: 379ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKQ40N120CT2XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 500000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKQ40N120CT2XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH/FS 1200V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-46
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 32ns/328ns
Switching Energy: 3.1mJ (on), 2.9mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 190 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 500 W
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+703.98 грн
30+ 540.84 грн
120+ 483.91 грн
IKQ50N120CH3Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
товар відсутній
IKQ50N120CH3XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 173W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 173W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 235nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKQ50N120CH3XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 100A 652000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKQ50N120CH3XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1200V 100A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-46
Td (on/off) @ 25°C: 34ns/297ns
Switching Energy: 3mJ (on), 1.9mJ (off)
Test Condition: 600V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 235 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 652 W
на замовлення 474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+764.45 грн
30+ 596.1 грн
120+ 561.04 грн
IKQ50N120CH3XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 100A 652W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKQ50N120CH3XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKQ50N120CH3XKSA1 - IGBT, 100 A, 2 V, 652 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 652W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HighSpeed 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+835.35 грн
5+ 755.6 грн
10+ 675.09 грн
50+ 592.36 грн
100+ 498.35 грн
IKQ50N120CH3XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 173W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 173W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 235nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
IKQ50N120CH3XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 477 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+818.84 грн
10+ 711.9 грн
25+ 568.67 грн
50+ 567.98 грн
100+ 534.85 грн
240+ 444.44 грн
IKQ50N120CH3XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 100A 652W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKQ50N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 71A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 133 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-U01
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/323ns
Switching Energy: 2.61mJ (on), 1.1mJ (off)
Gate Charge: 366 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 71 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 398 W
на замовлення 192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+642.02 грн
30+ 493.11 грн
120+ 441.2 грн
IKQ50N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 471 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+685.18 грн
10+ 579.36 грн
25+ 456.87 грн
100+ 419.6 грн
240+ 394.06 грн
480+ 369.91 грн
1200+ 332.64 грн
IKQ50N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 71A 398W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKQ50N120CT2Infineon TechnologiesInfineon INDUSTRY 14
товар відсутній
IKQ50N120CT2XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 100A 652mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 31160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1055.27 грн
10+ 962.34 грн
25+ 952.8 грн
50+ 909.57 грн
100+ 740.89 грн
500+ 699.49 грн
IKQ50N120CT2XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKQ50N120CT2XKSA1 - IGBT, 100 A, 1.75 V, 652 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 652
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TRENCHSTOP 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
Betriebstemperatur, max.: 175
Kollektorstrom: 100
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товар відсутній
IKQ50N120CT2XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 151W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 2
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 151W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 235nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
IKQ50N120CT2XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 100A 652mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+693.68 грн
Мінімальне замовлення: 240
IKQ50N120CT2XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 100A 652000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKQ50N120CT2XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+781 грн
10+ 744.44 грн
25+ 556.25 грн
50+ 550.03 грн
100+ 524.5 грн
240+ 523.81 грн
480+ 445.13 грн
IKQ50N120CT2XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 100A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-46
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 34ns/312ns
Switching Energy: 3.8mJ (on), 3.3mJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 235 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 652 W
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+765.95 грн
30+ 597.2 грн
120+ 562.08 грн
IKQ50N120CT2XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 100A 652mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+918.13 грн
10+ 855.77 грн
25+ 849.21 грн
50+ 812.56 грн
100+ 680.34 грн
IKQ50N120CT2XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 151W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 2
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 151W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 235nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKQ75N120CH3Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
товар відсутній
IKQ75N120CH3XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 938000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKQ75N120CH3XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 938W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+1410.77 грн
10+ 1284.17 грн
100+ 1085.54 грн
Мінімальне замовлення: 9
IKQ75N120CH3XKSA1
Код товару: 162552
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IKQ75N120CH3XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1200V 150A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-46
Td (on/off) @ 25°C: 34ns/282ns
Switching Energy: 6.4mJ (on), 2.8mJ (off)
Test Condition: 600V, 75A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 370 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 938 W
на замовлення 337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1098.15 грн
30+ 855.79 грн
120+ 805.46 грн
IKQ75N120CH3XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 75A; 256W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 75A
Power dissipation: 256W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKQ75N120CH3XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 938W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKQ75N120CH3XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 507 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+867.15 грн
10+ 845.24 грн
25+ 679.09 грн
50+ 663.91 грн
100+ 661.14 грн
240+ 655.62 грн
480+ 628.71 грн
IKQ75N120CH3XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKQ75N120CH3XKSA1 - IGBT, 150 A, 2 V, 938 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 938
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
Betriebstemperatur, max.: 175
Kollektorstrom: 150
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1367.98 грн
5+ 1286.7 грн
10+ 1205.41 грн
50+ 1097.02 грн
IKQ75N120CH3XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 75A; 256W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 75A
Power dissipation: 256W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
IKQ75N120CH3XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 938W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1310 грн
10+ 1192.44 грн
100+ 1008 грн
IKQ75N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 451 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+861.51 грн
10+ 748.41 грн
25+ 632.85 грн
50+ 598.34 грн
100+ 563.15 грн
240+ 544.51 грн
480+ 509.32 грн
IKQ75N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 82A 549W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKQ75N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesIKQ75N120CH7XKSA1
товар відсутній
IKQ75N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 82A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 149 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-U01
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 56ns/470ns
Switching Energy: 5.28mJ (on), 1.76mJ (off)
Gate Charge: 518 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 82 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 549 W
на замовлення 518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+804.02 грн
30+ 626.75 грн
120+ 589.88 грн
510+ 501.68 грн
IKQ75N120CS6XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 880000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+327.7 грн
IKQ75N120CS6XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 880mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKQ75N120CS6XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKQ75N120CS6XKSA1 - IGBT, 150 A, 1.85 V, 880 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 880W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT6
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 150A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+925.15 грн
10+ 793.54 грн
25+ 657.28 грн
240+ 598.11 грн
480+ 540.82 грн
IKQ75N120CS6XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 75A; 440W; PG-TO247-3-46
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 75A
Power dissipation: 440W
Case: PG-TO247-3-46
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 530nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
IKQ75N120CS6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 150A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 440 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-46
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 34ns/300ns
Switching Energy: 5.15mJ (on), 2.95mJ (off)
Test Condition: 600V, 75A, 4Ohm, 15V
Gate Charge: 530 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 880 W
на замовлення 2459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+718.91 грн
30+ 552.39 грн
120+ 494.23 грн
510+ 409.25 грн
1020+ 368.33 грн
IKQ75N120CS6XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+769.73 грн
10+ 742.06 грн
25+ 492.06 грн
100+ 463.08 грн
240+ 462.39 грн
480+ 374.05 грн
IKQ75N120CS6XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 75A; 440W; PG-TO247-3-46
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 75A
Power dissipation: 440W
Case: PG-TO247-3-46
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 530nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKQ75N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 1200V 154A TO247-3
Packaging: Tube
Part Status: Active
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-46
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 38ns/190ns
Switching Energy: 5.13mJ (on), 3.48mJ (off)
Test Condition: 600V, 75A, 2.1Ohm, 15V
Gate Charge: 450 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 154 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 630 W
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+861.5 грн
30+ 671.51 грн
IKQ75N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 276 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+923.51 грн
10+ 801.59 грн
25+ 678.4 грн
50+ 640.44 грн
100+ 602.48 грн
240+ 583.16 грн
480+ 545.89 грн
IKQ75N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 154A 630W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKQ75N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesIKQ75N120CS7XKSA1
товар відсутній
IKQ75N120CT2Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
товар відсутній
IKQ75N120CT2Infineon TechnologiesDescription: IKQ75N120 - DISCRETE IGBT WITH A
Packaging: Bulk
товар відсутній
IKQ75N120CT2XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 938W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKQ75N120CT2XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 150A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-46
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/328ns
Switching Energy: 6.7mJ (on), 4.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 75A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 370 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 938 W
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1163.85 грн
30+ 907.19 грн
120+ 853.83 грн
IKQ75N120CT2XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 938W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+1103.4 грн
13+ 995.15 грн
25+ 965.15 грн
50+ 920.21 грн
100+ 784.75 грн
Мінімальне замовлення: 11
IKQ75N120CT2XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 938000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKQ75N120CT2XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 938W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKQ75N120CT2XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 75A; 237W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 2
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 75A
Power dissipation: 237W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKQ75N120CT2XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1235.91 грн
10+ 1160.32 грн
25+ 853 грн
100+ 814.35 грн
240+ 755 грн
480+ 737.75 грн
IKQ75N120CT2XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 938W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+1657.86 грн
9+ 1342.56 грн
10+ 1251.02 грн
50+ 1069.04 грн
100+ 926.28 грн
200+ 867.43 грн
Мінімальне замовлення: 8
IKQ75N120CT2XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 938W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1116.47 грн
10+ 1006.94 грн
25+ 976.58 грн
50+ 931.11 грн
100+ 794.05 грн
IKQ75N120CT2XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKQ75N120CT2XKSA1 - IGBT, 150 A, 1.75 V, 938 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 938W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 150A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1402.82 грн
10+ 1288.24 грн
25+ 1088.5 грн
240+ 961.87 грн
IKQ75N120CT2XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 75A; 237W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 2
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 75A
Power dissipation: 237W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
IKQB120N75CP2AKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 211 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+939.61 грн
10+ 816.67 грн
25+ 690.82 грн
50+ 652.17 грн
100+ 614.22 грн
240+ 594.2 грн
480+ 555.56 грн
IKQB160N75CP2AKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 750V 200A 750W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKQB160N75CP2AKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 750V 200A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 160A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-51
Td (on/off) @ 25°C: 72ns/324ns
Switching Energy: 9.7mJ (on), 5.2mJ (off)
Test Condition: 450V, 160A, 4.8Ohm, 15V
Gate Charge: 610 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 750 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 480 A
Power - Max: 750 W
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1060.83 грн
30+ 826.86 грн
120+ 778.22 грн
IKQB160N75CP2AKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1152.17 грн
10+ 1000.79 грн
25+ 846.79 грн
50+ 799.86 грн
100+ 752.93 грн
240+ 728.78 грн
480+ 681.85 грн
IKQB200N75CP2AKSA1Infineon TechnologiesDescription: INDUSTRY 14
Packaging: Tube
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1326.59 грн
10+ 1125.34 грн
100+ 973.26 грн
IKQB200N75CP2AKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1340.58 грн
10+ 1164.28 грн
25+ 985.51 грн
50+ 930.3 грн
100+ 875.78 грн
240+ 848.17 грн
480+ 792.96 грн
IKQB200N75CP2AKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKQB200N75CP2AKSA1 - IGBT, 200 A, 1.4 V, 937 W, 750 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 937W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 750V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 200A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1645.92 грн
5+ 1428.37 грн
10+ 1243.34 грн
50+ 1081.92 грн
100+ 901.15 грн