Продукція > IKW

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IKW03N120HInfineon TechnologiesDescription: IGBT WITH ANTI-PARALLEL DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
Td (on/off) @ 25°C: 9.2ns/281ns
Switching Energy: 140µJ (on), 150µJ (off)
Test Condition: 800V, 3A, 82Ohm, 15V
Gate Charge: 22 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 9.6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 9.9 A
Power - Max: 62.5 W
на замовлення 683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
226+90.52 грн
Мінімальне замовлення: 226
IKW03N120H2INF07+;
на замовлення 3145 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW03N120H2Infineon TechnologiesDescription: IGBT WITH ANTI-PARALLEL DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Td (on/off) @ 25°C: 9.2ns/281ns
Switching Energy: 290µJ
Test Condition: 800V, 3A, 82Ohm, 15V
Gate Charge: 22 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 9.6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 9.9 A
Power - Max: 62.5 W
товар відсутній
IKW03N120H2Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 9.6A 62500mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW03N120H2INFTO-247
на замовлення 8640 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW03N120H2Infineon TechnologiesIGBT Transistors HIGH SPEED 2 TECH 1200V 3A
товар відсутній
IKW03N120H2FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 9.6A 62.5mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW03N120H2FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Td (on/off) @ 25°C: 9.2ns/281ns
Switching Energy: 290µJ
Test Condition: 800V, 3A, 82Ohm, 15V
Gate Charge: 22 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 9.6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 9.9 A
Power - Max: 62.5 W
товар відсутній
IKW03N120H2FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Td (on/off) @ 25°C: 9.2ns/281ns
Switching Energy: 290µJ
Test Condition: 800V, 3A, 82Ohm, 15V
Gate Charge: 22 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 9.6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 9.9 A
Power - Max: 62.5 W
на замовлення 3415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
219+95.67 грн
Мінімальне замовлення: 219
IKW08N120Infineon
на замовлення 480 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW08N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 335 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+481.48 грн
10+ 426.19 грн
25+ 350.59 грн
100+ 303.66 грн
IKW08N120CS7XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 14A; 53W; TO247-3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 14A
Pulsed collector current: 24A
Turn-on time: 31ns
Turn-off time: 0.5µs
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 53W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 52nC
Technology: TRENCHSTOP™
Mounting: THT
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKW08N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: INDUSTRY 14 PG-TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 130 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/160ns
Switching Energy: 370µJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 600V, 8A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 52 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 21 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Power - Max: 106 W
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+446.43 грн
10+ 386.33 грн
IKW08N120CS7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW08N120CS7XKSA1 - IGBT, 21 A, 1.65 V, 106 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 106W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+359.22 грн
10+ 263.22 грн
100+ 167.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW08N120CS7XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 14A; 53W; TO247-3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 14A
Pulsed collector current: 24A
Turn-on time: 31ns
Turn-off time: 0.5µs
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 53W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 52nC
Technology: TRENCHSTOP™
Mounting: THT
Case: TO247-3
товар відсутній
IKW08T120Infineon technologies
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW08T120Infineon TechnologiesIGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 8A
на замовлення 833 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+257.65 грн
10+ 213.49 грн
25+ 175.29 грн
100+ 150.45 грн
240+ 126.98 грн
1200+ 114.56 грн
2640+ 107.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW08T120INFINEONMODULE
на замовлення 100087 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW08T120
Код товару: 113720		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKW08T120FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 16A 70W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW08T120FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 16A 70W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 6480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+138.01 грн
Мінімальне замовлення: 240
IKW08T120FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 16A 70W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
54+222.52 грн
59+ 204.63 грн
67+ 178.61 грн
240+ 152.55 грн
Мінімальне замовлення: 54
IKW08T120FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT NPT FS 1200V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/450ns
Switching Energy: 1.37mJ
Test Condition: 600V, 8A, 81Ohm, 15V
Gate Charge: 53 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Power - Max: 70 W
товар відсутній
IKW08T120FKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW08T120FKSA1 - IGBT, Universal, 16 A, 2.2 V, 70 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 70W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 16A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+277.93 грн
10+ 149.42 грн
100+ 126.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW08T120FKSA1
Код товару: 166948		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKW08T120FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 8A; 70W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 8A
Power dissipation: 70W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 24A
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 63ns
Turn-off time: 520ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+213.68 грн
3+ 175.41 грн
6+ 152.4 грн
16+ 143.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW08T120FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 8A; 70W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 8A
Power dissipation: 70W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 24A
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 63ns
Turn-off time: 520ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 58 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+256.41 грн
3+ 218.59 грн
6+ 182.88 грн
16+ 172.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW08T120FKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 8A
на замовлення 211 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+258.45 грн
10+ 242.06 грн
25+ 194.62 грн
240+ 142.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW08T120FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 16A 70000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.2 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKW08T120FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 16A 70W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+207.77 грн
10+ 191.1 грн
25+ 166.76 грн
240+ 142.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW08T120FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 16A 70W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+290.17 грн
55+ 221.37 грн
63+ 191.45 грн
100+ 176.92 грн
200+ 162.93 грн
Мінімальне замовлення: 42
IKW15N120BH6Infineon TechnologiesInfineon INDUSTRY 14
товар відсутній
IKW15N120BH6XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW15N120BH6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1200 V 15A TO247-3-46
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 340 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/240ns
Switching Energy: 700µJ (on), 550µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 92 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 200 W
товар відсутній
IKW15N120BH6XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW15N120BH6XKSA1 - IGBT, 30 A, 1.9 V, 200 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 6
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+260.13 грн
10+ 183.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW15N120BH6XKSA1
Код товару: 174089		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKW15N120BH6XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 100W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 100W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 92nC
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 60A
Collector current: 15A
товар відсутній
IKW15N120BH6XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 100W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 100W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 92nC
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 60A
Collector current: 15A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKW15N120BH6XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 20160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+134.42 грн
Мінімальне замовлення: 240
IKW15N120BH6XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.79 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKW15N120BH6XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 367 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+279.2 грн
57+ 212.39 грн
65+ 184.47 грн
100+ 170.19 грн
200+ 156.7 грн
Мінімальне замовлення: 43
IKW15N120BH6XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 354 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+245.57 грн
25+ 192.06 грн
100+ 142.86 грн
480+ 106.28 грн
1200+ 100.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW15N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT7 S7 with Anti-parallel Diode
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IKW15N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT7 S7 with Anti-parallel Diode
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+364.68 грн
10+ 333.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW15N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+435.59 грн
10+ 420.63 грн
25+ 289.85 грн
100+ 253.28 грн
240+ 249.14 грн
480+ 189.79 грн
IKW15N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT7 S7 with Anti-parallel Diode
товар відсутній
IKW15N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT7 S7 with Anti-parallel Diode
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+556.41 грн
30+ 405.84 грн
50+ 359.97 грн
100+ 325.96 грн
200+ 284.9 грн
Мінімальне замовлення: 22
IKW15N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 36A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 135 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/170ns
Switching Energy: 750µJ (on), 700µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 36 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 176 W
товар відсутній
IKW15N120CS7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW15N120CS7XKSA1 - IGBT, 36 A, 1.65 V, 176 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
Verlustleistung: 176
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 36
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+423.48 грн
10+ 369.29 грн
100+ 264.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW15N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT7 S7 with Anti-parallel Diode
товар відсутній
IKW15N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesSP005419706
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+195.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW15N120H3Infineon TechnologiesDescription: IKW15N120 - DISCRETE IGBT WITH A
товар відсутній
IKW15N120H3
Код товару: 100561		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKW15N120H3Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+403.38 грн
31+ 386.05 грн
50+ 371.35 грн
100+ 345.93 грн
Мінімальне замовлення: 30
IKW15N120H3Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+409.82 грн
10+ 339.68 грн
25+ 278.81 грн
100+ 238.79 грн
240+ 224.98 грн
480+ 211.87 грн
1200+ 180.81 грн
IKW15N120H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+365.35 грн
36+ 338.28 грн
40+ 300.88 грн
100+ 255.41 грн
240+ 231.84 грн
480+ 188.14 грн
1200+ 178.95 грн
Мінімальне замовлення: 33
IKW15N120H3FKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW15N120H3FKSA1 - IGBT, 30 A, 2.05 V, 217 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 217W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
товар відсутній
IKW15N120H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+367.95 грн
39+ 312.11 грн
50+ 291.17 грн
100+ 270.19 грн
200+ 241.27 грн
Мінімальне замовлення: 33
IKW15N120H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+286.89 грн
10+ 272.89 грн
25+ 251.56 грн
100+ 221.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW15N120H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+187.6 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW15N120H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+308.96 грн
41+ 293.88 грн
45+ 270.91 грн
100+ 238.15 грн
Мінімальне замовлення: 39
IKW15N120H3FKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+417.87 грн
10+ 398.41 грн
25+ 283.64 грн
100+ 242.93 грн
240+ 233.95 грн
480+ 180.81 грн
1200+ 170.46 грн
IKW15N120H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+341.1 грн
10+ 317 грн
25+ 281.6 грн
100+ 238.87 грн
240+ 216.38 грн
480+ 175.63 грн
1200+ 166.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW15N120H3FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 217W; TO247-3; H3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Manufacturer series: H3
Kind of package: tube
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 217W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 75nC
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 60A
Collector current: 30A
товар відсутній
IKW15N120H3FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 217W; TO247-3; H3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Manufacturer series: H3
Kind of package: tube
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 217W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 75nC
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 60A
Collector current: 30A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKW15N120H3FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 260 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/260ns
Switching Energy: 1.55mJ
Test Condition: 600V, 15A, 35Ohm, 15V
Gate Charge: 75 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 217 W
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+382.23 грн
30+ 291.68 грн
120+ 250 грн
IKW15N120H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW15N120T2Infineon TechnologiesIGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 15A
на замовлення 253 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+403.38 грн
25+ 315.08 грн
100+ 234.64 грн
480+ 164.25 грн
IKW15N120T2
Код товару: 126256		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKW15N120T2InfineonIGBT Trench 1200V 30A 235W IKW15N120T2FKSA1 IKW15N120T2 TIKW15n120t2
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+273.5 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW15N120T2FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 235000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+173.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW15N120T2FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 235W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+299.94 грн
41+ 296.99 грн
46+ 265.24 грн
50+ 253.23 грн
100+ 216.74 грн
Мінімальне замовлення: 40
IKW15N120T2FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 235W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+356.17 грн
41+ 297.55 грн
50+ 286.06 грн
100+ 234.17 грн
Мінімальне замовлення: 34
IKW15N120T2FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 235W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Turn-off time: 457ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 235W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 93nC
Turn-on time: 57ns
Technology: TRENCHSTOP™ 2
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 60A
Collector current: 30A
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+429.67 грн
3+ 358.72 грн
4+ 274.61 грн
9+ 259.52 грн
IKW15N120T2FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1200V 30A 235W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 300 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 32ns/362ns
Switching Energy: 2.05mJ
Test Condition: 600V, 15A, 41.8Ohm, 15V
Gate Charge: 93 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 235 W
товар відсутній
IKW15N120T2FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 235W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW15N120T2FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 235W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+333.98 грн
10+ 332.61 грн
25+ 277.74 грн
50+ 267.01 грн
100+ 218.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW15N120T2FKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
товар відсутній
IKW15N120T2FKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW15N120T2FKSA1 - IGBT, 30 A, 1.7 V, 235 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 235W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchStop® 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+437.41 грн
10+ 331.35 грн
100+ 195.09 грн
500+ 178.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW15N120T2FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 235W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+330.06 грн
40+ 303.13 грн
50+ 260.26 грн
100+ 250 грн
200+ 224.36 грн
Мінімальне замовлення: 37
IKW15N120T2FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 235W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+278.52 грн
10+ 275.78 грн
25+ 246.3 грн
50+ 235.14 грн
100+ 201.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW15N120T2FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 235W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Turn-off time: 457ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 235W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 93nC
Turn-on time: 57ns
Technology: TRENCHSTOP™ 2
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 60A
Collector current: 30A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 56 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+515.61 грн
3+ 447.03 грн
4+ 329.54 грн
9+ 311.42 грн
IKW15T120Infineon TechnologiesDescription: IKW15T120 - DISCRETE IGBT WITH A
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/520ns
Switching Energy: 1.3mJ (on), 1.4mJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 56Ohm, 15V
Gate Charge: 85 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 110 W
товар відсутній
IKW15T120Infineon TechnologiesIGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 15A
товар відсутній
IKW15T120
Код товару: 119901		InfineonТранзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 1200 V
Vce: 1,7 V
Ic 25: 30 A
Ic 100: 15 A
Pd 25: 110 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 50/520
у наявності 44 шт:
22 шт - склад
7 шт - РАДІОМАГ-Київ
8 шт - РАДІОМАГ-Одеса
7 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+155 грн
10+ 144 грн
IKW15T120 E8161Infineon TechnologiesIGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 15A
товар відсутній
IKW15T120FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 110W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 14730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+326.28 грн
3000+ 322.93 грн
6000+ 319.66 грн
9000+ 305.01 грн
Мінімальне замовлення: 37
IKW15T120FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 110W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 14730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+303.85 грн
3000+ 300.73 грн
6000+ 297.68 грн
9000+ 284.04 грн
Мінімальне замовлення: 240
IKW15T120FKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
товар відсутній
IKW15T120FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1200V 30A 110W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/520ns
Switching Energy: 2.7mJ
Test Condition: 600V, 15A, 56Ohm, 15V
Gate Charge: 85 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 110 W
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+285.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW15T120FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 110000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW15T120T2MODULE
на замовлення 59 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW20N60H3Infineon TechnologiesIGBT Transistors 600V 20A 170W
товар відсутній
IKW20N60H3Infineon technologies
на замовлення 140 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW20N60H3Infineon TechnologiesDescription: IKW20N60 - DISCRETE IGBT WITH AN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 112 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/194ns
Switching Energy: 560µJ (on), 240µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 14.6Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 170 W
товар відсутній
IKW20N60H3Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170W Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+417.01 грн
46+ 265.46 грн
56+ 215.62 грн
100+ 194.19 грн
Мінімальне замовлення: 29
IKW20N60H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
63+190.21 грн
73+ 164.44 грн
78+ 155.26 грн
100+ 131.08 грн
Мінімальне замовлення: 63
IKW20N60H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.01 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKW20N60H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW20N60H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+175.44 грн
10+ 151.67 грн
25+ 143.2 грн
100+ 120.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKW20N60H3FKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors 600V 20A 170W
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+207.73 грн
10+ 183.33 грн
25+ 140.1 грн
100+ 120.77 грн
240+ 114.56 грн
480+ 91.79 грн
1200+ 86.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW20N60H3FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 85W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 205ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+327.94 грн
3+ 284.88 грн
5+ 209.63 грн
14+ 198.41 грн
IKW20N60H3FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 112 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/194ns
Switching Energy: 800µJ
Test Condition: 400V, 20A, 14.6Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 170 W
на замовлення 232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+193.35 грн
30+ 147.75 грн
120+ 126.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW20N60H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW20N60H3FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 85W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 205ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+273.29 грн
3+ 228.61 грн
5+ 174.69 грн
14+ 165.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW20N60TInfineon TechnologiesIGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 20A
на замовлення 721 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+269.73 грн
10+ 223.02 грн
25+ 182.88 грн
100+ 157.35 грн
240+ 147.69 грн
480+ 139.41 грн
1200+ 118.7 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW20N60T
Код товару: 187316		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKW20N60T E8161Infineon TechnologiesIGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 20A
товар відсутній
IKW20N60TAInfineon TechnologiesDescription: IKW20N60 - AUTOMOTIVE IGBT DISCR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 41 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns
Switching Energy: 310µJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 166 W
товар відсутній
IKW20N60TAInfineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop
товар відсутній
IKW20N60TAFKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
товар відсутній
IKW20N60TAFKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 600V 40A 166W TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 41 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns
Switching Energy: 770µJ
Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 166 W
на замовлення 347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
132+159.37 грн
Мінімальне замовлення: 132
IKW20N60TAFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 166000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW20N60TAFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 166000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW20N60TAFKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 600V 40A 166W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 41 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns
Switching Energy: 770µJ
Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 166 W
товар відсутній
IKW20N60TFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 41A 166W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+282.79 грн
48+ 254.55 грн
55+ 220.41 грн
100+ 182.92 грн
240+ 167.66 грн
480+ 118.63 грн
Мінімальне замовлення: 43
IKW20N60TFKSA1
Код товару: 188050		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKW20N60TFKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 41 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns
Switching Energy: 770µJ
Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 166 W
на замовлення 244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+251.58 грн
30+ 191.78 грн
120+ 164.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW20N60TFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 41A 166W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+262.59 грн
10+ 236.37 грн
25+ 204.67 грн
100+ 169.86 грн
240+ 155.69 грн
480+ 110.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW20N60TFKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 166W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKW20N60TFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 166000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW20N60TFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 41A 166W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IKW20N60TFKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW20N60TFKSA1 - IGBT, 40 A, 1.5 V, 166 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+297.29 грн
10+ 209.03 грн
100+ 159.48 грн
500+ 137.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW20N60TFKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 166W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
IKW20N60TFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 41A 166W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
65+186.47 грн
72+ 166.52 грн
100+ 159.54 грн
200+ 152.88 грн
Мінімальне замовлення: 65
IKW20N60TFKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 20A
на замовлення 401 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+269.73 грн
10+ 253.97 грн
25+ 182.19 грн
100+ 156.66 грн
240+ 155.28 грн
480+ 113.18 грн
1200+ 112.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW20N60TFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 41A 166W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+192.74 грн
10+ 182.3 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKW20N60TFKSA1Infineon40A; 600V; 166W; IGBT w/ Diode   IKW20N60T TIKW20n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+162.88 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKW20N65ET7XKSA1Infineon TechnologiesSP005348286
товар відсутній
IKW20N65ET7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW20N65ET7XKSA1 - IGBT, 40 A, 1.35 V, 136 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 136W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+274.84 грн
10+ 200.51 грн
100+ 127.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW20N65ET7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT with Anti-parallel Diode
товар відсутній
IKW20N65ET7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 4186 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+262.48 грн
10+ 216.67 грн
25+ 178.74 грн
100+ 152.52 грн
240+ 143.55 грн
480+ 115.94 грн
1200+ 109.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW20N65ET7XKSA1
Код товару: 178407		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKW20N65ET7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 40A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/210ns
Switching Energy: 360µJ (on), 360µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 128 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 136 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+244.86 грн
30+ 186.77 грн
120+ 160.08 грн
510+ 133.54 грн
1020+ 114.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW25N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT7 S7 with Anti-parallel Diode
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+326.64 грн
Мінімальне замовлення: 240
IKW25N120CS7XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 37A; 125W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 37A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 75A
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 38ns
Turn-off time: 490ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
IKW25N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT7 S7 with Anti-parallel Diode
товар відсутній
IKW25N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 55A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/160ns
Switching Energy: 1.2mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 150 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 250 W
товар відсутній
IKW25N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT7 S7 with Anti-parallel Diode
на замовлення 1946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+473.15 грн
30+ 401.94 грн
34+ 355.11 грн
100+ 337.33 грн
480+ 278.59 грн
1200+ 256.43 грн
Мінімальне замовлення: 26
IKW25N120CS7XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 37A; 125W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 37A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 75A
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 38ns
Turn-off time: 490ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKW25N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesSP005419560
на замовлення 1907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+233.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW25N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT7 S7 with Anti-parallel Diode
на замовлення 1947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+440.3 грн
10+ 374.03 грн
25+ 330.45 грн
100+ 313.91 грн
480+ 259.25 грн
1200+ 238.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW25N120CS7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW25N120CS7XKSA1 - IGBT, 55 A, 1.65 V, 250 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 55A
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+498.58 грн
5+ 425.8 грн
10+ 352.25 грн
50+ 304.81 грн
100+ 260.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW25N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT7 S7 with Anti-parallel Diode
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+665.1 грн
Мінімальне замовлення: 18
IKW25N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT7 S7 with Anti-parallel Diode
товар відсутній
IKW25N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 452 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+568.44 грн
10+ 491.27 грн
25+ 347.83 грн
100+ 307.11 грн
480+ 278.81 грн
1200+ 261.56 грн
2640+ 251.9 грн
IKW25N120H3Infineon50A; 1200V; 326W; IGBT w/ Diode IKW25N120H3FKSA1 IKW25N120H3 TIKW25n120h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+236.51 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKW25N120H3
Код товару: 113551		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKW25N120H3Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+391.07 грн
32+ 374.27 грн
50+ 360.01 грн
100+ 335.38 грн
250+ 301.11 грн
Мінімальне замовлення: 31
IKW25N120H3Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 1638 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+461.35 грн
10+ 389.68 грн
25+ 307.11 грн
100+ 282.26 грн
240+ 265.01 грн
480+ 248.45 грн
1200+ 223.6 грн
IKW25N120H3FKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 480 шт:
термін постачання 154-163 дні (днів)
1+440.42 грн
10+ 425.4 грн
25+ 303.66 грн
100+ 274.67 грн
240+ 273.98 грн
480+ 223.6 грн
1200+ 213.25 грн
IKW25N120H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+539.46 грн
31+ 392.88 грн
50+ 349 грн
100+ 315.38 грн
200+ 276 грн
Мінімальне замовлення: 23
IKW25N120H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW25N120H3FKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW25N120H3FKSA1 - IGBT, 25 A, 2.4 V, 326 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 326W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 25A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+512.51 грн
5+ 437.41 грн
10+ 361.54 грн
50+ 313.43 грн
100+ 268.09 грн
250+ 226.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW25N120H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+387.87 грн
10+ 376.15 грн
25+ 302.01 грн
100+ 215.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW25N120H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW25N120H3FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 326W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 326W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+631.73 грн
3+ 466.73 грн
7+ 425.29 грн
IKW25N120H3FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 326W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 326W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+526.45 грн
3+ 374.54 грн
7+ 354.41 грн
IKW25N120H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+416.81 грн
30+ 404.21 грн
37+ 324.54 грн
100+ 231.81 грн
Мінімальне замовлення: 29
IKW25N120H3FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 290 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/277ns
Switching Energy: 2.65mJ
Test Condition: 600V, 25A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 115 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 326 W
на замовлення 397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+430 грн
30+ 330.57 грн
120+ 295.77 грн
IKW25N120H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW25N120H3XKInfineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 478 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+429.95 грн
10+ 372.22 грн
25+ 295.38 грн
100+ 273.98 грн
240+ 258.8 грн
480+ 243.62 грн
1200+ 223.6 грн
IKW25N120T2Infineon TechnologiesIGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 25A
на замовлення 3360 шт:
термін постачання 154-163 дні (днів)
1+440.42 грн
10+ 429.36 грн
25+ 298.83 грн
100+ 280.19 грн
240+ 279.5 грн
480+ 229.81 грн
1200+ 220.15 грн
IKW25N120T2
Код товару: 39789		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKW25N120T2FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+334.4 грн
40+ 299.62 грн
50+ 283.62 грн
100+ 254.34 грн
Мінімальне замовлення: 36
IKW25N120T2FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 349W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 349W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 147 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+706.06 грн
3+ 466.73 грн
7+ 425.29 грн
100+ 408.9 грн
IKW25N120T2FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 349W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 349W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+588.38 грн
3+ 374.54 грн
7+ 354.41 грн
100+ 340.75 грн
IKW25N120T2FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+381.91 грн
36+ 340.03 грн
50+ 323.08 грн
100+ 302.88 грн
200+ 275.11 грн
Мінімальне замовлення: 32
IKW25N120T2FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+313.41 грн
10+ 310.52 грн
25+ 278.22 грн
50+ 263.36 грн
100+ 236.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW25N120T2FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 1200V 50A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 195 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/265ns
Switching Energy: 2.9mJ
Test Condition: 600V, 25A, 16.4Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 349 W
на замовлення 231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+443.44 грн
30+ 340.54 грн
120+ 304.69 грн
IKW25N120T2FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+312.81 грн
40+ 299.37 грн
50+ 287.96 грн
100+ 268.25 грн
Мінімальне замовлення: 39
IKW25N120T2FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 349000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW25N120T2FKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW25N120T2FKSA1 - IGBT, 25 A, 2.2 V, 349 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 349W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 25A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+488.51 грн
5+ 430.45 грн
10+ 371.61 грн
50+ 322.78 грн
100+ 277.38 грн
250+ 229.6 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW25N120T2FKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
товар відсутній
IKW25N120T2FKSA1Infineon50A; 1200V; 349W; IGBT w/ Diode   IKW25N120T2 TIKW25n120t2
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+271.58 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKW25N120T2FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW25N120T2XKInfineon TechnologiesDescription: IGBT, 50A, 1200V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 195 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/265ns
Switching Energy: 1.55mJ (on), 1.35mJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 16.4Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 349 W
товар відсутній
IKW25T120
Код товару: 175269		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKW25T120Infineon TechnologiesIGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 25A
на замовлення 1499 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+491.14 грн
10+ 415.08 грн
25+ 327.12 грн
100+ 300.21 грн
240+ 282.26 грн
480+ 264.32 грн
1200+ 250.52 грн
IKW25T120Infineon TechnologiesDescription: IKW25T120 - DISCRETE IGBT WITH A
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/560ns
Switching Energy: 2mJ (on), 2.2mJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 155 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 190 W
товар відсутній
IKW25T120FKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 25A
на замовлення 2094 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+301.93 грн
10+ 295.24 грн
25+ 227.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW25T120FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+312.23 грн
42+ 291.41 грн
43+ 284.23 грн
50+ 271.31 грн
100+ 221.87 грн
Мінімальне замовлення: 39
IKW25T120FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
48+253.36 грн
50+ 233.81 грн
52+ 199.96 грн
100+ 193.13 грн
250+ 187.31 грн
Мінімальне замовлення: 48
IKW25T120FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT NPT FS 1200V 50A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/560ns
Switching Energy: 4.2mJ
Test Condition: 600V, 25A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 155 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 190 W
товар відсутній
IKW25T120FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+199.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW25T120FKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW25T120FKSA1 - IGBT, Universal, 50 A, 2.2 V, 190 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+394.06 грн
5+ 346.06 грн
10+ 297.29 грн
50+ 256.64 грн
100+ 218.32 грн
250+ 213.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW25T120FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 190W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 190W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 75A
Mounting: THT
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+581.57 грн
3+ 403.13 грн
8+ 366.63 грн
120+ 360.59 грн
IKW25T120FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+289.93 грн
10+ 270.59 грн
25+ 263.93 грн
50+ 251.93 грн
100+ 206.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW25T120FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+777.06 грн
18+ 693.66 грн
50+ 600.08 грн
100+ 548.25 грн
200+ 486.75 грн
Мінімальне замовлення: 16
IKW25T120FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+329.34 грн
10+ 298.47 грн
25+ 287.78 грн
50+ 274.71 грн
100+ 214.82 грн
480+ 204.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW25T120FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 190W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 190W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 75A
Mounting: THT
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+484.64 грн
3+ 323.5 грн
8+ 305.53 грн
IKW25T120FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW25T120T2MODULE
на замовлення 59 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW30N60DTPInfineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
товар відсутній
IKW30N60DTPInfineon
на замовлення 91440 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW30N60DTPInfineon TechnologiesDescription: HIGH SPEED IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 76 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/179ns
Switching Energy: 710µJ (on), 420µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V
Gate Charge: 130 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 53 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 200 W
товар відсутній
IKW30N60DTPXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 53A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+183.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKW30N60DTPXKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 389 шт:
термін постачання 154-163 дні (днів)
2+183.57 грн
25+ 157.14 грн
100+ 116.63 грн
240+ 115.94 грн
480+ 88.34 грн
1200+ 83.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW30N60DTPXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 53A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
74+162.73 грн
85+ 141.38 грн
100+ 134.26 грн
Мінімальне замовлення: 74
IKW30N60DTPXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 53A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW30N60DTPXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 53A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 76 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/179ns
Switching Energy: 710µJ (on), 420µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V
Gate Charge: 130 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 53 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 200 W
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+187.38 грн
30+ 142.87 грн
120+ 122.46 грн
510+ 102.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW30N60DTPXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 53A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+160.39 грн
86+ 140.5 грн
105+ 113.99 грн
107+ 108.82 грн
240+ 99.75 грн
480+ 81.63 грн
Мінімальне замовлення: 75
IKW30N60DTPXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 53A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+160.53 грн
10+ 140.62 грн
25+ 114.08 грн
100+ 108.91 грн
240+ 99.83 грн
480+ 81.7 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKW30N60DTPXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 53A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW30N60H3
Код товару: 94542		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKW30N60H3Infineon60A; 600V; 187W; IGBT w/ Diode   IKW30N60H3 TIKW30n60h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+122.55 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKW30N60H3Infineon TechnologiesIGBT Transistors 600V 30A 187W
на замовлення 3702 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+247.18 грн
10+ 204.76 грн
25+ 168.39 грн
100+ 143.55 грн
240+ 133.2 грн
480+ 126.98 грн
1200+ 109.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW30N60H3FKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW30N60H3FKSA1 - IGBT, 30 A, 2.4 V, 187 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+265.55 грн
10+ 185.8 грн
100+ 168 грн
500+ 139.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW30N60H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+155.19 грн
10+ 149.19 грн
25+ 135.56 грн
100+ 124.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKW30N60H3FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 38 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/207ns
Switching Energy: 1.38mJ
Test Condition: 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V
Gate Charge: 165 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 187 W
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+230.68 грн
30+ 175.79 грн
120+ 150.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW30N60H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
54+223.55 грн
59+ 205.14 грн
71+ 170.33 грн
100+ 149.38 грн
240+ 134.47 грн
480+ 112.75 грн
Мінімальне замовлення: 54
IKW30N60H3FKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors 600V 30A 187W
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+247.18 грн
10+ 218.25 грн
25+ 149.76 грн
100+ 143.55 грн
480+ 111.8 грн
1200+ 106.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW30N60H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
76+157.55 грн
Мінімальне замовлення: 76
IKW30N60H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW30N60H3FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 94W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 94W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 165nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+276.38 грн
5+ 176.85 грн
14+ 166.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW30N60H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW30N60H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
72+167.12 грн
75+ 160.66 грн
82+ 145.98 грн
100+ 134.31 грн
Мінімальне замовлення: 72
IKW30N60H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+208.01 грн
10+ 190.88 грн
25+ 158.49 грн
100+ 138.99 грн
240+ 125.13 грн
480+ 104.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW30N60H3FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 94W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 94W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 165nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+331.66 грн
5+ 220.38 грн
14+ 200.14 грн
IKW30N60TInfineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 45A 187W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+359.17 грн
35+ 343.73 грн
50+ 330.64 грн
100+ 308.01 грн
Мінімальне замовлення: 34
IKW30N60TInfineon TechnologiesIGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 30A
на замовлення 239 шт:
термін постачання 154-163 дні (днів)
1+329.31 грн
10+ 273.02 грн
25+ 224.29 грн
100+ 191.86 грн
240+ 180.12 грн
480+ 169.77 грн
1200+ 145.62 грн
IKW30N60T
Код товару: 99658		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKW30N60TInfineon TechnologiesDescription: IKW30N60 - DISCRETE IGBT WITH AN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 143 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/254ns
Switching Energy: 690µJ (on), 770µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10.6Ohm, 15V
Gate Charge: 167 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 45 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 187 W
товар відсутній
IKW30N60TAInfineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT TrnchStp w/Soft Fast recovery
на замовлення 243 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
IKW30N60TAFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW30N60TAFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW30N60TAFKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH/FS 600V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 143 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/254ns
Switching Energy: 1.46mJ
Test Condition: 400V, 30A, 10.6Ohm, 15V
Gate Charge: 167 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 187 W
товар відсутній
IKW30N60TAFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+214.81 грн
6+ 99.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW30N60TFKSA1Infineon45A; 600V; 187W; IGBT w/ Diode   IKW30N60T TIKW30n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+240.02 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKW30N60TFKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 39A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 39A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 167nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 0.3µs
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
IKW30N60TFKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 30A
на замовлення 1374 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+329.31 грн
10+ 320.63 грн
25+ 212.56 грн
100+ 187.72 грн
240+ 187.03 грн
480+ 145.62 грн
1200+ 137.34 грн
IKW30N60TFKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 39A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 39A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 167nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 0.3µs
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKW30N60TFKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW30N60TFKSA1 - IGBT, Universal, 60 A, 2.05 V, 187 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+361.54 грн
10+ 253.16 грн
100+ 196.64 грн
500+ 166.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW30N60TFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 45A 187000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+150.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW30N60TFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 45A 187W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW30N60TFKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 143 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/254ns
Switching Energy: 1.46mJ
Test Condition: 400V, 30A, 10.6Ohm, 15V
Gate Charge: 167 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 187 W
на замовлення 2094 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+307.57 грн
30+ 234.48 грн
120+ 200.98 грн
510+ 167.65 грн
1020+ 143.55 грн
2010+ 135.17 грн
IKW30N65EL5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW30N65EL5XKSA1 - IGBT, 85 A, 1.05 V, 227 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 227W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.05V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
на замовлення 1176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+368.51 грн
10+ 264 грн
100+ 168.77 грн
500+ 153.84 грн
1000+ 139.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW30N65EL5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 85A 227000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+163.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW30N65EL5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 85A 227W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW30N65EL5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 650V 85A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/308ns
Switching Energy: 470µJ (on), 1.35mJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 168 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 85 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 227 W
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+338.18 грн
30+ 258.22 грн
IKW30N65EL5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 85A 227W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+511.59 грн
28+ 433.28 грн
50+ 329.54 грн
200+ 298.15 грн
Мінімальне замовлення: 24
IKW30N65EL5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 62A; 114W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 62A
Power dissipation: 114W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 168nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 359ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+484.02 грн
3+ 357.44 грн
9+ 325.22 грн
IKW30N65EL5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 62A; 114W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 62A
Power dissipation: 114W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 168nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 359ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+403.35 грн
3+ 286.84 грн
9+ 271.02 грн
IKW30N65EL5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors 650V IGBT Trenchstop 5
на замовлення 3080 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+356.68 грн
10+ 295.24 грн
25+ 242.93 грн
100+ 207.73 грн
240+ 160.8 грн
480+ 158.04 грн
1200+ 149.07 грн
IKW30N65EL5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 85A 227W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW30N65ES5Infineon
на замовлення 22080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW30N65ES5Infineon TechnologiesIGBT Transistors Trenchstop 5 IGBT
на замовлення 1516 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+298.71 грн
10+ 247.62 грн
25+ 203.59 грн
100+ 173.91 грн
240+ 163.56 грн
480+ 153.9 грн
1200+ 132.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW30N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 650V 62A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/124ns
Switching Energy: 560µJ (on), 320µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 13Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 62 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 188 W
на замовлення 591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+279.2 грн
30+ 212.79 грн
120+ 182.39 грн
510+ 152.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW30N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 62A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW30N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 62A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+221.78 грн
10+ 202.07 грн
25+ 195.41 грн
100+ 172.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW30N65ES5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 39.5A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 39.5A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 29ns
Turn-off time: 154ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+349.16 грн
3+ 291.87 грн
4+ 223.57 грн
11+ 211.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW30N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 62A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
59+203.24 грн
65+ 186.67 грн
67+ 180.95 грн
100+ 160.58 грн
240+ 143.78 грн
480+ 124.85 грн
1200+ 120.26 грн
Мінімальне замовлення: 59
IKW30N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 62A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+205.41 грн
10+ 188.66 грн
25+ 182.88 грн
100+ 162.29 грн
240+ 145.31 грн
480+ 126.18 грн
1200+ 121.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW30N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 62A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
51+238.84 грн
55+ 217.62 грн
57+ 210.44 грн
100+ 185.54 грн
Мінімальне замовлення: 51
IKW30N65ES5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW30N65ES5XKSA1 - IGBT, 62 A, 1.35 V, 188 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP™ 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 62A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+410.32 грн
10+ 332.9 грн
25+ 271.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW30N65ES5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 39.5A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 39.5A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 29ns
Turn-off time: 154ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+418.99 грн
3+ 363.71 грн
4+ 268.29 грн
11+ 253.62 грн
IKW30N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 62A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+400.73 грн
36+ 339.71 грн
50+ 258.34 грн
100+ 248.14 грн
200+ 217.04 грн
Мінімальне замовлення: 30
IKW30N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 62A 188000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+136.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW30N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 169 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+290.66 грн
10+ 271.43 грн
25+ 202.21 грн
100+ 175.98 грн
240+ 175.29 грн
480+ 135.96 грн
1200+ 128.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW30N65ET7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW30N65ET7XKSA1 - IGBT, 60 A, 1.35 V, 188 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
на замовлення 588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+332.13 грн
10+ 235.35 грн
100+ 159.48 грн
500+ 143.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW30N65ET7XKSA1Infineon TechnologiesIKW30N65ET7
товар відсутній
IKW30N65ET7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 483 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+305.15 грн
10+ 274.6 грн
25+ 207.04 грн
100+ 178.05 грн
240+ 175.29 грн
480+ 136.65 грн
1200+ 129.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW30N65ET7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/245ns
Switching Energy: 590µJ (on), 500µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 180 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 188 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+279.95 грн
30+ 213.99 грн
120+ 183.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW30N65ET7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT with Anti-parallel Diode
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+422.09 грн
32+ 376.32 грн
50+ 343.78 грн
100+ 301.1 грн
200+ 276.97 грн
Мінімальне замовлення: 29
IKW30N65H5Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
товар відсутній
IKW30N65H5Infineon technologies
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW30N65H5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 35A; 94W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 35A
Power dissipation: 94W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Turn-on time: 31ns
Turn-off time: 209ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKW30N65H5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 55A 188000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW30N65H5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 650V 55A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/190ns
Switching Energy: 280µJ (on), 100µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 188 W
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+276.96 грн
30+ 211.16 грн
120+ 181 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW30N65H5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 55A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW30N65H5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 55A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+430.23 грн
32+ 377.34 грн
50+ 340.73 грн
100+ 296.19 грн
200+ 271.53 грн
Мінімальне замовлення: 28
IKW30N65H5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 169 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+296.3 грн
10+ 278.57 грн
25+ 201.52 грн
100+ 172.53 грн
240+ 169.08 грн
480+ 131.12 грн
1200+ 123.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW30N65H5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 35A; 94W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 35A
Power dissipation: 94W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Turn-on time: 31ns
Turn-off time: 209ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
IKW30N65H5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 55A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW30N65H5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW30N65H5XKSA1 - IGBT, 55 A, 1.65 V, 188 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 55A
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+335.22 грн
10+ 240.77 грн
100+ 158.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW30N65NL5Infineon TechnologiesDescription: IKW30N65 - DISCRETE IGBT WITH AN
товар відсутній
IKW30N65NL5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 85A 227mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+221.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW30N65NL5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors 650V IGBT Trenchstop 5
на замовлення 2403 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+420.29 грн
10+ 352.38 грн
100+ 265.7 грн
240+ 251.9 грн
IKW30N65NL5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 650V 85A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 59 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 59ns/283ns
Switching Energy: 560µJ (on), 1.35mJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 168 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 85 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 227 W
товар відсутній
IKW30N65NL5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW30N65NL5XKSA1 - IGBT, 85 A, 1.05 V, 227 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.05
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 227
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Betriebstemperatur, max.: 175
Kollektorstrom: 85
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товар відсутній
IKW30N65NL5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 85A 227000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW30N65WR5Infineon technologies
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW30N65WR5Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
товар відсутній
IKW30N65WR5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 650V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 95 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 39ns/367ns
Switching Energy: 990µJ (on), 330µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 26Ohm, 15V
Gate Charge: 155 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 185 W
на замовлення 349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+191.86 грн
30+ 146.37 грн
120+ 125.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW30N65WR5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW30N65WR5XKSA1 - IGBT, 60 A, 1.4 V, 185 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 185W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+229.16 грн
10+ 161.8 грн
100+ 126.19 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKW30N65WR5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 75W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 75W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 376ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+329.8 грн
3+ 285.77 грн
5+ 228.61 грн
13+ 215.67 грн
IKW30N65WR5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 60A 185W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW30N65WR5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 60A 185000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW30N65WR5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 75W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 75W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 376ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+274.84 грн
3+ 229.32 грн
5+ 190.5 грн
13+ 179.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW30N65WR5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+205.31 грн
10+ 184.92 грн
25+ 140.1 грн
100+ 120.08 грн
240+ 115.25 грн
480+ 90.41 грн
1200+ 85.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW30N65WR5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 60A 185W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW30N65WR5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 60A 185W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+363.96 грн
52+ 232.34 грн
64+ 188.46 грн
100+ 170.19 грн
200+ 156.7 грн
Мінімальне замовлення: 33
IKW40N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 82A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW40N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 617 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+546.7 грн
10+ 461.9 грн
25+ 364.39 грн
100+ 334.71 грн
240+ 314.7 грн
480+ 294.69 грн
1200+ 265.01 грн
IKW40N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 82A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW40N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 82A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 120 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-U06
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/336ns
Switching Energy: 1.69mJ (on), 920µJ (off)
Gate Charge: 290 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 82 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 330 W
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+509.88 грн
30+ 392.03 грн
120+ 350.77 грн
IKW40N120CH7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW40N120CH7XKSA1 - IGBT, 82 A, 1.7 V, 330 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 82A
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+627.86 грн
5+ 538.83 грн
10+ 449.03 грн
50+ 388.92 грн
100+ 332.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW40N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 82A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW40N120CS6Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
товар відсутній
IKW40N120CS6XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 500W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
51+234.92 грн
Мінімальне замовлення: 51
IKW40N120CS6XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 285nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+555.86 грн
3+ 356.57 грн
7+ 337.16 грн
IKW40N120CS6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 400 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/315ns
Switching Energy: 2.55mJ (on), 1.55mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 9Ohm, 15V
Gate Charge: 285 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 500 W
на замовлення 507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+474.8 грн
30+ 364.91 грн
120+ 326.49 грн
IKW40N120CS6XKSA1
Код товару: 193315		Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товар відсутній
IKW40N120CS6XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 500W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+684.51 грн
24+ 499.4 грн
50+ 442.43 грн
100+ 401.14 грн
200+ 349.63 грн
Мінімальне замовлення: 18
IKW40N120CS6XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 500W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+306.85 грн
Мінімальне замовлення: 39
IKW40N120CS6XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 960 шт:
термін постачання 154-163 дні (днів)
1+508.05 грн
10+ 429.36 грн
25+ 338.16 грн
100+ 310.56 грн
240+ 292.62 грн
480+ 273.98 грн
1200+ 247.07 грн
IKW40N120CS6XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW40N120CS6XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.85 V, 500 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 500W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+579.86 грн
5+ 496.25 грн
10+ 411.87 грн
50+ 357.29 грн
100+ 306.58 грн
250+ 300.6 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW40N120CS6XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 500W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4078 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+332.44 грн
10+ 315.41 грн
25+ 297.7 грн
50+ 285.93 грн
100+ 249.07 грн
480+ 224.13 грн
720+ 202.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW40N120CS6XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 500000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+216.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW40N120CS6XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 500W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4078 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+273.85 грн
Мінімальне замовлення: 44
IKW40N120CS6XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 500W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+336.15 грн
10+ 319.93 грн
25+ 302.89 грн
50+ 291 грн
100+ 254.3 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW40N120CS6XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 285nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+667.04 грн
3+ 444.34 грн
7+ 404.59 грн
IKW40N120CS6XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 500W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+419.7 грн
10+ 385.38 грн
25+ 352.34 грн
50+ 336.79 грн
100+ 284.89 грн
480+ 249.5 грн
720+ 217.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW40N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT7 S7 with Anti-parallel Diode
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IKW40N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesSP005415716
товар відсутній
IKW40N120CS7XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 56A; 179W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 56A
Power dissipation: 179W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 0.5µs
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKW40N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT7 S7 with Anti-parallel Diode
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+449.63 грн
10+ 412.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW40N120CS7XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 56A; 179W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 56A
Power dissipation: 179W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 0.5µs
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
IKW40N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 82A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 175 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/190ns
Switching Energy: 2.55mJ (on), 1.75mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 4Ohm, 15V
Gate Charge: 230 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 82 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 357 W
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+536.76 грн
30+ 412.71 грн
120+ 369.28 грн
IKW40N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT7 S7 with Anti-parallel Diode
товар відсутній
IKW40N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 461 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+555.56 грн
10+ 542.86 грн
25+ 390.61 грн
100+ 352.66 грн
240+ 331.26 грн
480+ 279.5 грн
1200+ 266.39 грн
IKW40N120CS7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW40N120CS7XKSA1 - IGBT, 82 A, 1.65 V, 357 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 357W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
на замовлення 387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+550.45 грн
5+ 492.38 грн
10+ 433.54 грн
50+ 383.17 грн
100+ 335.78 грн
250+ 295.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW40N120H3Infineon80A; 1200V; 483W; IGBT w/ Diode   IKW40N120H3 TIKW40n120h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 65 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+315.4 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKW40N120H3Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 2897 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+598.23 грн
10+ 505.56 грн
25+ 398.9 грн
100+ 366.46 грн
240+ 343.68 грн
480+ 322.98 грн
1200+ 314.7 грн
IKW40N120H3Infineon TechnologiesHigh speed Trans IGBT Chip
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+521.34 грн
25+ 498.94 грн
50+ 479.94 грн
100+ 447.09 грн
250+ 401.42 грн
Мінімальне замовлення: 23
IKW40N120H3
Код товару: 153177		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKW40N120H3FKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+574.07 грн
10+ 542.86 грн
25+ 394.75 грн
100+ 358.87 грн
240+ 346.45 грн
480+ 289.85 грн
1200+ 277.43 грн
IKW40N120H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 483W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+846.22 грн
16+ 755.7 грн
50+ 652.97 грн
100+ 596.31 грн
200+ 529.44 грн
960+ 505.64 грн
1920+ 446.36 грн
Мінімальне замовлення: 15
IKW40N120H3FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 80A; 483W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 80A
Power dissipation: 483W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
IKW40N120H3FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 355 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/290ns
Switching Energy: 4.4mJ
Test Condition: 600V, 40A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 185 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 483 W
на замовлення 6362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+558.41 грн
30+ 429.08 грн
120+ 383.91 грн
510+ 317.9 грн
1020+ 286.11 грн
2010+ 268.1 грн
IKW40N120H3FKSA1
Код товару: 144428		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKW40N120H3FKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW40N120H3FKSA1 - IGBT, 40 A, 2.4 V, 483 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 483W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 13078 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+648.77 грн
5+ 557.41 грн
10+ 465.29 грн
50+ 402.58 грн
100+ 343.74 грн
250+ 323.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW40N120H3FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 80A; 483W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 80A
Power dissipation: 483W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKW40N120H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 483000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW40N120T2
Код товару: 73806		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKW40N120T2InfineonTrans IGBT Chip N-CH 1.2KV 75A IKW40N120T2FKSA1 IKW40N120T2 TIKW40n120t2
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+411.31 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKW40N120T2
Код товару: 150870		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKW40N120T2Infineon TechnologiesIGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 40A
на замовлення 2241 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+647.34 грн
10+ 546.82 грн
25+ 431.33 грн
100+ 396.13 грн
240+ 372.67 грн
480+ 349.9 грн
1200+ 314.7 грн
IKW40N120T2Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 480W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+541.44 грн
25+ 518.18 грн
50+ 498.44 грн
100+ 464.33 грн
250+ 416.89 грн
500+ 389.33 грн
Мінімальне замовлення: 23
IKW40N120T2FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1200V 75A 480W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 258 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/314ns
Switching Energy: 5.25mJ
Test Condition: 600V, 40A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 192 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 480 W
на замовлення 1926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+604.69 грн
30+ 464.86 грн
120+ 415.94 грн
510+ 344.42 грн
1020+ 309.98 грн
IKW40N120T2FKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW40N120T2FKSA1 - IGBT, 75 A, 1.75 V, 480 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 75A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+671.99 грн
5+ 578.32 грн
10+ 483.87 грн
50+ 419.11 грн
100+ 358.34 грн
250+ 302.6 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW40N120T2FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 480W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+554.91 грн
10+ 540.58 грн
25+ 455.71 грн
100+ 397.87 грн
240+ 363.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW40N120T2FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 480000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+316.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW40N120T2FKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 40A
на замовлення 599 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+647.34 грн
10+ 636.51 грн
25+ 443.06 грн
100+ 396.13 грн
240+ 395.44 грн
480+ 314.01 грн
1200+ 300.9 грн
IKW40N120T2FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 480W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW40N120T2FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 480W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+582.28 грн
25+ 490.87 грн
100+ 428.57 грн
240+ 391.15 грн
Мінімальне замовлення: 21
IKW40N120T2FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 480W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2721 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+758.83 грн
22+ 553.42 грн
50+ 490.6 грн
100+ 444.23 грн
200+ 388.18 грн
960+ 347.01 грн
1920+ 325.64 грн
Мінімальне замовлення: 16
IKW40N120T2FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 165A
Mounting: THT
Gate charge: 192nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+770.16 грн
2+ 570.65 грн
6+ 519.32 грн
IKW40N120T2FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 165A
Mounting: THT
Gate charge: 192nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+641.8 грн
2+ 457.93 грн
6+ 432.77 грн
IKW40N120T2FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 480W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW40N60DTPInfineon
на замовлення 21840 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW40N60DTPInfineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
товар відсутній
IKW40N60DTPXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 67A 246W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW40N60DTPXKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
товар відсутній
IKW40N60DTPXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 67A 246W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+227.29 грн
10+ 197.83 грн
25+ 191.98 грн
100+ 150.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW40N60DTPXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 67A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 87 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/222ns
Switching Energy: 1.06mJ (on), 610µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10.1Ohm, 15V
Gate Charge: 177 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 67 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 246 W
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+215 грн
30+ 164.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW40N60DTPXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW40N60DTPXKSA1 - IGBT, 67 A, 1.6 V, 246 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6
Verlustleistung Pd: 246
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TRENCHSTOP
DC-Kollektorstrom: 67
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товар відсутній
IKW40N60DTPXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 306000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKW40N60DTPXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 67A 246W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
104+115.81 грн
109+ 110.64 грн
Мінімальне замовлення: 104
IKW40N60DTPXKSA1Infineon TechnologiesIKW40N60DT Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 306mW TO-247
на замовлення 20 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
IKW40N60H3Infineon TechnologiesIGBT Transistors 600V 40A 306W
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+276.97 грн
25+ 216.67 грн
100+ 164.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW40N60H3Infineon TechnologiesDescription: IKW40N60 - DISCRETE IGBT WITH AN
товар відсутній
IKW40N60H3
Код товару: 128556		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKW40N60H3Infineon technologies
на замовлення 243 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW40N60H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 306W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW40N60H3FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 153W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 153W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 223nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 52ns
Turn-off time: 218ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+510.03 грн
3+ 442.55 грн
4+ 326.09 грн
9+ 308.83 грн
IKW40N60H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 306W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+512.61 грн
27+ 456.68 грн
50+ 417.01 грн
100+ 365.82 грн
200+ 336 грн
Мінімальне замовлення: 24
IKW40N60H3FKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW40N60H3FKSA1 - IGBT, 40 A, 2.4 V, 306 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 306W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+418.83 грн
10+ 300.38 грн
100+ 228.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW40N60H3FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 153W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 153W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 223nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 52ns
Turn-off time: 218ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+425.03 грн
IKW40N60H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 306000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW40N60H3FKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
товар відсутній
IKW40N60H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 306W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW40N60H3FKSA1Infineon TechnologiesIKW40N60H3 IGBT 600V 80A 306.0W TO247-3
на замовлення 50 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
IKW40N60H3FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 124 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/197ns
Switching Energy: 1.68mJ
Test Condition: 400V, 40A, 7.9Ohm, 15V
Gate Charge: 223 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 306 W
на замовлення 1280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+258.3 грн
30+ 197.43 грн
120+ 169.21 грн
510+ 155.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW40N60H3FKSA1 (TO-247, Infineon) IGBT N-ch 600V/80A
Код товару: 160842		Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
товар відсутній
IKW40N65ES5Infineon TechnologiesIGBT Transistors Trenchstop 5 IGBT
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+353.46 грн
10+ 292.06 грн
25+ 240.17 грн
100+ 206.35 грн
240+ 193.93 грн
480+ 182.19 грн
1200+ 161.49 грн
IKW40N65ES5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 115W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 115W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 95nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 37ns
Turn-off time: 153ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
IKW40N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+161.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW40N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+438.75 грн
33+ 371.94 грн
50+ 283.19 грн
100+ 272.12 грн
200+ 236.82 грн
960+ 200 грн
Мінімальне замовлення: 28
IKW40N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+350.05 грн
10+ 341.36 грн
25+ 252.92 грн
50+ 235.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW40N65ES5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 115W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 115W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 95nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 37ns
Turn-off time: 153ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKW40N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 650V 79A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 73 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/130ns
Switching Energy: 860µJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 79 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 230 W
на замовлення 516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+329.22 грн
30+ 251.44 грн
120+ 215.53 грн
510+ 179.79 грн
IKW40N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW40N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+375.8 грн
33+ 366.46 грн
45+ 271.52 грн
50+ 252.98 грн
Мінімальне замовлення: 32
IKW40N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+352.66 грн
10+ 342.86 грн
25+ 228.43 грн
100+ 200.83 грн
240+ 200.14 грн
480+ 155.97 грн
1200+ 147 грн
IKW40N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW40N65ES5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW40N65ES5XKSA1 - IGBT, 79 A, 1.7 V, 230 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 79A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+403.35 грн
10+ 283.35 грн
100+ 187.35 грн
500+ 168.94 грн
1000+ 151.3 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW40N65ET7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 12369 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+338.97 грн
10+ 280.95 грн
25+ 223.6 грн
100+ 191.17 грн
240+ 188.41 грн
480+ 150.45 грн
1200+ 142.17 грн
IKW40N65ET7XKSA1Infineon TechnologiesIKW40N65ET7XKSA1
товар відсутній
IKW40N65ET7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW40N65ET7XKSA1 - IGBT, 76 A, 1.35 V, 230.8 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 230.8W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+399.48 грн
10+ 357.67 грн
25+ 294.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW40N65ET7XKSA1Infineon TechnologiesSP005403468
товар відсутній
IKW40N65ET7XKSA1Infineon TechnologiesIKW40N65ET7XKSA1
товар відсутній
IKW40N65ET7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 76A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/310ns
Switching Energy: 1.05mJ (on), 590µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 235 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 76 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 230.8 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+316.53 грн
30+ 241.74 грн
120+ 207.2 грн
510+ 172.84 грн
IKW40N65F5Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
товар відсутній
IKW40N65F5AXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW40N65F5AXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 650V 74A 255W PG-TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 73 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/165ns
Switching Energy: 350µJ (on), 100µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 250 W
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
IKW40N65F5AXKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
IKW40N65F5FInfineon TechnologiesDescription: IGBT WITH ANTI-PARALLEL DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/160ns
Switching Energy: 360µJ (on), 100µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 255 W
товар відсутній
IKW40N65F5FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 74A 255mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+370.21 грн
10+ 333.33 грн
25+ 332.9 грн
50+ 301.22 грн
100+ 236.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW40N65F5FKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW40N65F5FKSA1 - IGBT, 40 A, 1.6 V, 255 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 255W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
на замовлення 169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+332.9 грн
10+ 267.87 грн
100+ 198.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW40N65F5FKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 244 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+293.88 грн
25+ 250.79 грн
100+ 187.72 грн
240+ 185.65 грн
480+ 142.17 грн
1200+ 135.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW40N65F5FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 74A; 250W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 74A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+366.19 грн
3+ 306.25 грн
4+ 235.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW40N65F5FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 74A 255mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+419.04 грн
34+ 354.96 грн
50+ 270.55 грн
200+ 244.21 грн
Мінімальне замовлення: 29
IKW40N65F5FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 650V 74A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/160ns
Switching Energy: 360µJ (on), 100µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 255 W
на замовлення 1722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+303.84 грн
30+ 232.06 грн
120+ 198.9 грн
510+ 165.92 грн
1020+ 142.07 грн
IKW40N65F5FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 74A 255000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+147.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW40N65F5FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 74A; 250W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 74A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+439.43 грн
3+ 381.63 грн
4+ 282.09 грн
10+ 266.56 грн
IKW40N65H5InfineonIGBT Chip N-CH Trench Field Stop 650V 74A 255W   IKW40N65H5FKSA1 TIKW40n65h5
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+210.39 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKW40N65H5Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+296.47 грн
43+ 283.74 грн
50+ 272.92 грн
100+ 254.25 грн
250+ 228.28 грн
500+ 213.18 грн
Мінімальне замовлення: 41
IKW40N65H5Infineon TechnologiesDescription: IGBT 650V 74A 255W PG-TO247-3
товар відсутній
IKW40N65H5Infineon technologies
на замовлення 242 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW40N65H5Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
товар відсутній
IKW40N65H5AXKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETE SWITCHES
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
IKW40N65H5AXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW40N65H5AXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 650V 74A 255W PG-TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/153ns
Switching Energy: 380µJ (on), 120µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 92 nC
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 250 W
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
IKW40N65H5FKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 806 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+355.07 грн
10+ 326.98 грн
25+ 241.55 грн
100+ 207.04 грн
240+ 202.9 грн
480+ 157.35 грн
1200+ 148.38 грн
IKW40N65H5FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
49+246.3 грн
59+ 204.42 грн
100+ 203.42 грн
Мінімальне замовлення: 49
IKW40N65H5FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+162.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW40N65H5FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 74A; 250W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 74A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
IKW40N65H5FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+301.07 грн
10+ 272.8 грн
25+ 250.5 грн
50+ 240.1 грн
100+ 186.01 грн
480+ 144.94 грн
720+ 143.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW40N65H5FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW40N65H5FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 650V 74A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 62 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/165ns
Switching Energy: 390µJ (on), 120µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 255 W
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+331.46 грн
30+ 253 грн
120+ 216.85 грн
510+ 180.89 грн
IKW40N65H5FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+323.2 грн
41+ 292.86 грн
45+ 268.93 грн
50+ 257.75 грн
100+ 199.68 грн
480+ 155.6 грн
720+ 153.92 грн
Мінімальне замовлення: 38
IKW40N65H5FKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW40N65H5FKSA1 - IGBT, 40 A, 1.65 V, 255 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 18442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+366.96 грн
10+ 240 грн
240+ 231.48 грн
480+ 196.97 грн
720+ 164.57 грн
1200+ 146.65 грн
2640+ 139.35 грн
12720+ 132.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW40N65H5FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 74A; 250W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 74A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKW40N65H5FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW40N65RH5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 74A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/165ns
Switching Energy: 160µJ (on), 120µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+438.96 грн
30+ 335.02 грн
120+ 287.16 грн
IKW40N65RH5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW40N65RH5XKSA1 - IGBT, 650V, 74A, 250W, To-247, 1.65Vsat
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 H5 CoolSiC Gen VI
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 74A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+497.03 грн
5+ 428.12 грн
10+ 358.45 грн
50+ 314.87 грн
100+ 274.72 грн
250+ 258.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW40N65RH5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors SIC DISCRETE
на замовлення 612 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+470.21 грн
10+ 389.68 грн
25+ 318.84 грн
100+ 273.29 грн
240+ 258.11 грн
480+ 209.8 грн
1200+ 196 грн
IKW40N65RH5XKSA1Infineon TechnologiesSP004038146
товар відсутній
IKW40N65WR5Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
товар відсутній
IKW40N65WR5Infineon technologies
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW40N65WR5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
66+181.88 грн
73+ 165.13 грн
75+ 160.66 грн
76+ 153.38 грн
Мінімальне замовлення: 66
IKW40N65WR5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+418.8 грн
45+ 267.24 грн
56+ 216.38 грн
100+ 195.19 грн
200+ 179.84 грн
Мінімальне замовлення: 29
IKW40N65WR5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 230000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.7 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW40N65WR5XKSA1
Код товару: 200399		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKW40N65WR5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW40N65WR5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+202.74 грн
10+ 175.44 грн
25+ 168.18 грн
50+ 161.74 грн
100+ 125.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW40N65WR5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 112 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 42ns/432ns
Switching Energy: 770µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 193 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 230 W
товар відсутній
IKW40N65WR5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+218.03 грн
64+ 188.67 грн
67+ 173.93 грн
100+ 135.49 грн
Мінімальне замовлення: 55
IKW40N65WR5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+240.74 грн
25+ 188.1 грн
240+ 137.34 грн
480+ 104.9 грн
1200+ 98.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW40N65WR5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 115W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 115W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 193nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 448ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+316.64 грн
3+ 264.55 грн
5+ 203.44 грн
12+ 191.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW40N65WR5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+168.89 грн
10+ 153.33 грн
25+ 149.19 грн
50+ 142.43 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKW40N65WR5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW40N65WR5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.4 V, 230 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+273.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW40N65WR5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 115W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 115W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 193nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 448ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 33 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+379.97 грн
3+ 329.67 грн
5+ 244.13 грн
12+ 230.33 грн
IKW40T120INFINEON10+ TO-247
на замовлення 3240 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW40T120Infineon technologies
на замовлення 240 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW40T120Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 270W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+599.23 грн
25+ 573.49 грн
50+ 551.64 грн
100+ 513.88 грн
Мінімальне замовлення: 20
IKW40T120Infineon TechnologiesIGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 40A
на замовлення 761 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+596.62 грн
10+ 503.97 грн
25+ 397.52 грн
100+ 365.08 грн
240+ 343.68 грн
480+ 321.6 грн
1200+ 289.16 грн
IKW40T120INFINEON
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW40T120INFINEONMODULE
на замовлення 500094 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW40T120
Код товару: 48060		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKW40T120FKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 40A
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+595.81 грн
10+ 573.81 грн
25+ 394.75 грн
100+ 364.39 грн
240+ 360.94 грн
480+ 303.66 грн
1200+ 294.69 грн
IKW40T120FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 270W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+485.47 грн
10+ 431.64 грн
25+ 391.79 грн
100+ 257.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW40T120FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT NPT FS 1200V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 240 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 48ns/480ns
Switching Energy: 6.5mJ
Test Condition: 600V, 40A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 203 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A
Power - Max: 270 W
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+556.17 грн
30+ 427.88 грн
120+ 382.85 грн
510+ 317.02 грн
IKW40T120FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 270W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+758.75 грн
18+ 685.52 грн
50+ 601.1 грн
100+ 552.18 грн
200+ 492.2 грн
Мінімальне замовлення: 16
IKW40T120FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 270W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 270W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 105A
Mounting: THT
Gate charge: 203nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 92ns
Turn-off time: 700ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+491.61 грн
3+ 396.11 грн
6+ 374.54 грн
IKW40T120FKSA1InfineonIGBT NPT, Trench Field Stop 1200V 75A 270W IKW40T120FKSA1 IKW40T120 TIKW40t120
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+381.5 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW40T120FKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW40T120FKSA1 - IGBT, Universal, 75 A, 2.3 V, 270 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.3V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 75A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+621.67 грн
5+ 534.19 грн
10+ 445.93 грн
50+ 405.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW40T120FKSA1
Код товару: 152618		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKW40T120FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 270W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW40T120FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 270W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+305.97 грн
41+ 292.83 грн
50+ 281.67 грн
100+ 262.4 грн
Мінімальне замовлення: 40
IKW40T120FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 270000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW40T120FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 270W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 270W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 105A
Mounting: THT
Gate charge: 203nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 92ns
Turn-off time: 700ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+589.93 грн
3+ 493.61 грн
6+ 449.45 грн
30+ 431.33 грн
IKW40T120FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 270W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW40T120XKInfineon TechnologiesIGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 40A
товар відсутній
IKW40TI20FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT, 75A, 1200V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 240 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 48ns/480ns
Switching Energy: 3.3mJ (on), 3.2mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 203 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A
Power - Max: 270 W
товар відсутній
IKW50N120CH7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW50N120CH7XKSA1 - IGBT, 86 A, 1.7 V, 398 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 398W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 86A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+671.99 грн
5+ 578.32 грн
10+ 484.64 грн
50+ 419.11 грн
100+ 358.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW50N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 86A 398W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW50N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
товар відсутній
IKW50N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 86A 398W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW50N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 86A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 116 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-U06
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 39ns/319ns
Switching Energy: 2.33mJ (on), 1.12mJ (off)
Gate Charge: 375 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 86 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 398 W
товар відсутній
IKW50N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 86A 398W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+683.09 грн
21+ 587.6 грн
25+ 533.83 грн
30+ 509.61 грн
100+ 438.25 грн
120+ 420.58 грн
240+ 395.9 грн
Мінімальне замовлення: 18
IKW50N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 86A 398W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+634.3 грн
10+ 545.63 грн
25+ 495.7 грн
30+ 473.21 грн
100+ 406.94 грн
120+ 390.54 грн
240+ 367.62 грн
IKW50N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesSP005419710
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+338.16 грн
IKW50N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 82A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+589.38 грн
10+ 551.1 грн
25+ 499.25 грн
30+ 473.21 грн
100+ 415.48 грн
120+ 383.43 грн
240+ 369.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW50N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 82A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 165 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 29ns/170ns
Switching Energy: 2.8mJ (on), 2.2mJ (off)
Test Condition: 600V, 50A, 2.3Ohm, 15V
Gate Charge: 290 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 82 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 428 W
на замовлення 399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+618.13 грн
30+ 474.99 грн
120+ 425.01 грн
IKW50N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 82A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW50N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 82A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+789.76 грн
18+ 676.71 грн
25+ 601.87 грн
100+ 544.29 грн
240+ 474.12 грн
Мінімальне замовлення: 16
IKW50N120CS7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW50N120CS7XKSA1 - IGBT, 82 A, 1.65 V, 428 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 428W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 82A
на замовлення 449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+764.12 грн
5+ 654.19 грн
10+ 544.25 грн
50+ 475.9 грн
100+ 411.42 грн
250+ 385.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW50N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 82A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+463.33 грн
10+ 448.59 грн
25+ 423.04 грн
100+ 388.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW50N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+661.84 грн
10+ 600.79 грн
25+ 446.51 грн
100+ 405.8 грн
240+ 391.3 грн
480+ 365.08 грн
1200+ 321.6 грн
IKW50N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 82A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+498.97 грн
25+ 483.1 грн
27+ 455.58 грн
100+ 418.08 грн
Мінімальне замовлення: 24
IKW50N60DTPInfineon
на замовлення 15600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW50N60DTPInfineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
товар відсутній
IKW50N60DTPInfineon technologies
на замовлення 239 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW50N60DTPXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 61A; 159.6W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 61A
Power dissipation: 159.6W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 249nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 233ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+264 грн
3+ 216.38 грн
5+ 188.35 грн
13+ 177.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW50N60DTPXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 61A; 159.6W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 61A
Power dissipation: 159.6W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 249nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 233ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 34 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+316.8 грн
3+ 269.65 грн
5+ 226.02 грн
13+ 213.08 грн
IKW50N60DTPXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW50N60DTPXKSA1 - IGBT, 80 A, 1.6 V, 319.2 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600
Verlustleistung: 319.2
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6
Kollektorstrom: 80
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: TRENCHSTOP
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+323.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW50N60DTPXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 100A 319.2W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+157.7 грн
10+ 154.37 грн
25+ 140 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKW50N60DTPXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 100A 333000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW50N60DTPXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 100A 319.2W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW50N60DTPXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 115 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/215ns
Switching Energy: 1.53mJ (on), 850µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V
Gate Charge: 249 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 319.2 W
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+256.81 грн
30+ 195.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW50N60DTPXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 100A 319.2W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IKW50N60DTPXKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 1677 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+245.57 грн
10+ 234.92 грн
25+ 169.08 грн
100+ 160.8 грн
240+ 138.03 грн
480+ 137.34 грн
1200+ 121.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW50N60H3
Код товару: 94376		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKW50N60H3Infineon TechnologiesDescription: IKW50N60 - DISCRETE IGBT WITH AN
товар відсутній
IKW50N60H3Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 100A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+364.31 грн
35+ 348.66 грн
50+ 335.38 грн
100+ 312.42 грн
Мінімальне замовлення: 33
IKW50N60H3Infineon TechnologiesIGBT Transistors HIGH SPEED SWITCHING
на замовлення 418 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+483.9 грн
10+ 400.79 грн
25+ 328.5 грн
100+ 281.57 грн
240+ 265.7 грн
480+ 249.83 грн
1200+ 213.94 грн
IKW50N60H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 100A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+340.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW50N60H3FKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HIGH SPEED SWITCHING
на замовлення 468 шт:
термін постачання 154-163 дні (днів)
1+482.29 грн
10+ 461.9 грн
25+ 325.74 грн
100+ 267.08 грн
240+ 265.7 грн
480+ 213.94 грн
1200+ 201.52 грн
IKW50N60H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 100A 333000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+221.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW50N60H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 100A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+366.63 грн
34+ 360.17 грн
37+ 325.63 грн
100+ 282.38 грн
Мінімальне замовлення: 33
IKW50N60H3FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 167W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 167W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 315nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 297ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+421.16 грн
3+ 300.49 грн
8+ 283.96 грн
IKW50N60H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 100A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW50N60H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 100A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+445.73 грн
32+ 377.92 грн
50+ 287.18 грн
100+ 275.96 грн
200+ 241.27 грн
Мінімальне замовлення: 27
IKW50N60H3FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 167W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 167W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 315nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 297ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+505.39 грн
3+ 374.46 грн
8+ 340.75 грн
IKW50N60H3FKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW50N60H3FKSA1 - IGBT, 100 A, 1.85 V, 333 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+508.64 грн
10+ 366.96 грн
100+ 247.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW50N60H3FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 100A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 130 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/235ns
Switching Energy: 2.36mJ
Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V
Gate Charge: 315 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 333 W
на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+451.65 грн
30+ 344.44 грн
120+ 295.23 грн
IKW50N60TInfineonTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab)TO247 IKW50N60TFKSA1 IKW50N60T TIKW50n60t
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+270.7 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKW50N60TInfineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+505.01 грн
25+ 483.31 грн
50+ 464.9 грн
100+ 433.08 грн
Мінімальне замовлення: 24
IKW50N60TInfineonTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab)TO247 IKW50N60TFKSA1 IKW50N60T TIKW50n60t
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+270.7 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKW50N60TInfineon TechnologiesDescription: IKW50N60 - DISCRETE IGBT WITH AN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 143 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/299ns
Switching Energy: 1.2mJ (on), 1.4mJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 333 W
товар відсутній
IKW50N60TInfineon TechnologiesIGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 50A
на замовлення 741 шт:
термін постачання 154-163 дні (днів)
1+486.31 грн
10+ 410.32 грн
25+ 323.67 грн
100+ 297.45 грн
240+ 279.5 грн
IKW50N60T
Код товару: 145126		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKW50N60TAInfineon TechnologiesDescription: IKW50N60 - AUTOMOTIVE IGBT DISCR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 143 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/299ns
Switching Energy: 1.2mJ (on), 1.4mJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 333 W
товар відсутній
IKW50N60TA
Код товару: 139366		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKW50N60TAFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+600.67 грн
10+ 550.37 грн
25+ 519.11 грн
100+ 485 грн
IKW50N60TAFKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH/FS 600V 80A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 143 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/299ns
Switching Energy: 2.6mJ
Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 333 W
на замовлення 9853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
68+308.94 грн
Мінімальне замовлення: 68
IKW50N60TAFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW50N60TAFKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH/FS 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 143 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/299ns
Switching Energy: 2.6mJ
Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 333 W
товар відсутній
IKW50N60TAFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW50N60TFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+308.4 грн
41+ 298.11 грн
Мінімальне замовлення: 39
IKW50N60TFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 10565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+473.85 грн
25+ 377.26 грн
100+ 334.74 грн
240+ 263.79 грн
480+ 237.37 грн
1200+ 217.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW50N60TFKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+455.99 грн
3+ 324.22 грн
8+ 306.25 грн
IKW50N60TFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+598.29 грн
28+ 435.75 грн
50+ 386.89 грн
100+ 350 грн
200+ 305.38 грн
Мінімальне замовлення: 20
IKW50N60TFKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 50A
на замовлення 303 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+485.51 грн
25+ 373.81 грн
100+ 292.62 грн
240+ 282.26 грн
480+ 234.64 грн
1200+ 224.98 грн
IKW50N60TFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+247.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW50N60TFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+452.24 грн
32+ 375.97 грн
100+ 340.17 грн
240+ 276.66 грн
480+ 249.99 грн
Мінімальне замовлення: 27
IKW50N60TFKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW50N60TFKSA1 - IGBT, Universal, 80 A, 2 V, 333 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 333W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
на замовлення 5189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+571.35 грн
5+ 489.28 грн
10+ 406.45 грн
50+ 352.25 грн
100+ 301.27 грн
250+ 282.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW50N60TFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 10565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+510.3 грн
30+ 406.28 грн
100+ 360.49 грн
240+ 284.08 грн
480+ 255.63 грн
1200+ 234.19 грн
Мінімальне замовлення: 24
IKW50N60TFKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+547.19 грн
3+ 404.02 грн
8+ 367.49 грн
IKW50N60TFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+286.37 грн
25+ 276.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW50N60TFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+419.85 грн
25+ 349.04 грн
100+ 315.81 грн
240+ 256.84 грн
480+ 232.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW50N60TFKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 143 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/299ns
Switching Energy: 2.6mJ
Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 333 W
на замовлення 1916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+453.89 грн
30+ 348.88 грн
120+ 312.13 грн
510+ 258.46 грн
1020+ 232.62 грн
IKW50N65EH5Infineon
на замовлення 12360 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW50N65EH5Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
товар відсутній
IKW50N65EH5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW50N65EH5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.65 V, 275 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 275
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Betriebstemperatur, max.: 175
Kollektorstrom: 80
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товар відсутній
IKW50N65EH5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 275W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+504.56 грн
31+ 389.89 грн
50+ 352.99 грн
100+ 322.12 грн
200+ 284.01 грн
Мінімальне замовлення: 24
IKW50N65EH5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 275W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW50N65EH5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 81 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/172ns
Switching Energy: 1.5mJ (on), 500µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 275 W
на замовлення 133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+407.61 грн
30+ 310.8 грн
120+ 266.38 грн
IKW50N65EH5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 399 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+378.42 грн
10+ 361.9 грн
25+ 267.77 грн
100+ 233.95 грн
240+ 202.21 грн
480+ 193.24 грн
1200+ 181.5 грн
IKW50N65EH5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 275W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+336.24 грн
38+ 320.28 грн
41+ 293.48 грн
100+ 256.46 грн
Мінімальне замовлення: 36
IKW50N65EH5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 138W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 138W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 207ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
IKW50N65EH5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 138W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 138W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 207ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKW50N65EH5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 275000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW50N65EH5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 275W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+312.22 грн
10+ 297.41 грн
25+ 272.52 грн
100+ 238.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW50N65ES5Infineon TechnologiesIGBT Transistors Trenchstop 5 IGBT
на замовлення 239 шт:
термін постачання 105-114 дні (днів)
1+449.27 грн
10+ 372.22 грн
25+ 305.73 грн
100+ 261.56 грн
240+ 247.07 грн
480+ 232.57 грн
IKW50N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/127ns
Switching Energy: 1.23mJ (on), 550µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 8.2Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 274 W
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+407.61 грн
30+ 311.04 грн
120+ 266.6 грн
IKW50N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 274W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+402.01 грн
31+ 397.38 грн
37+ 325.43 грн
100+ 283.87 грн
240+ 256.09 грн
Мінімальне замовлення: 30
IKW50N65ES5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60.5A; 137W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60.5A
Power dissipation: 137W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 47ns
Turn-off time: 161ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
IKW50N65ES5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60.5A; 137W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60.5A
Power dissipation: 137W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 47ns
Turn-off time: 161ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKW50N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 274000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+200.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW50N65ES5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW50N65ES5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.35 V, 274 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 274W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP™ 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+475.35 грн
10+ 342.96 грн
100+ 242.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW50N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 236 шт:
термін постачання 105-114 дні (днів)
1+454.91 грн
10+ 430.16 грн
25+ 301.59 грн
100+ 266.39 грн
240+ 265.01 грн
480+ 213.94 грн
IKW50N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 274W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+426.78 грн
34+ 361.97 грн
50+ 275.21 грн
100+ 264.42 грн
200+ 230.59 грн
Мінімальне замовлення: 29
IKW50N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 274W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+378.05 грн
10+ 373.7 грн
25+ 306.04 грн
100+ 266.95 грн
240+ 240.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW50N65ET7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 273000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW50N65ET7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW50N65ET7XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.35 V, 273 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 273W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+315.87 грн
10+ 240.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW50N65ET7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+369.56 грн
10+ 357.14 грн
25+ 260.87 грн
100+ 224.98 грн
480+ 180.81 грн
1200+ 170.46 грн
IKW50N65ET7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 273W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+334.05 грн
41+ 293.16 грн
52+ 233.33 грн
Мінімальне замовлення: 36
IKW50N65ET7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 50A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 93 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/350ns
Switching Energy: 1.2mJ (on), 850µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 9Ohm, 15V
Gate Charge: 290 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 273 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+348.63 грн
30+ 265.96 грн
IKW50N65ET7XKSA1
Код товару: 178408		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKW50N65F5Infineon
на замовлення 960 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW50N65F5Infineon TechnologiesDescription: IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3
товар відсутній
IKW50N65F5
Код товару: 187321		Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товар відсутній
IKW50N65F5Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
товар відсутній
IKW50N65F5AXKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETE SWITCHES
товар відсутній
IKW50N65F5AXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 270000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW50N65F5AXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 77 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/156ns
Switching Energy: 490µJ (on), 140µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 108 nC
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 270 W
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
IKW50N65F5FKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 312 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+339.77 грн
10+ 334.13 грн
25+ 231.19 грн
100+ 198.07 грн
240+ 193.93 грн
480+ 147.69 грн
1200+ 139.41 грн
IKW50N65F5FKSA1
Код товару: 162192		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKW50N65F5FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW50N65F5FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+418.8 грн
34+ 354.99 грн
50+ 270.23 грн
100+ 259.62 грн
200+ 226.14 грн
Мінімальне замовлення: 29
IKW50N65F5FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+152.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW50N65F5FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 52 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/175ns
Switching Energy: 490µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 305 W
товар відсутній
IKW50N65F5FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; F5
Manufacturer series: F5
Mounting: THT
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 305W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 39 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+350.24 грн
3+ 298.32 грн
5+ 249.31 грн
12+ 236.37 грн
IKW50N65F5FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW50N65F5FKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW50N65F5FKSA1 - IGBT, 50 A, 1.6 V, 305 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 305W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 14204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+370.83 грн
10+ 264 грн
100+ 201.29 грн
500+ 173.97 грн
1000+ 148.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW50N65F5FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; F5
Manufacturer series: F5
Mounting: THT
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 305W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+291.87 грн
3+ 239.39 грн
5+ 207.76 грн
12+ 196.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW50N65H5Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
товар відсутній
IKW50N65H5AInfineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETE SWITCHES
товар відсутній
IKW50N65H5AXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/173ns
Switching Energy: 450µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 116 nC
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 270 W
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
IKW50N65H5AXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 270000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW50N65H5AXKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETE SWITCHES
товар відсутній
IKW50N65H5AXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 270000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW50N65H5AXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 270000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW50N65H5FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+256.27 грн
53+ 229.34 грн
100+ 228.35 грн
200+ 215.38 грн
Мінімальне замовлення: 47
IKW50N65H5FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
49+244.66 грн
53+ 228.55 грн
54+ 222.32 грн
61+ 192.15 грн
Мінімальне замовлення: 49
IKW50N65H5FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+358.6 грн
3+ 305.48 грн
4+ 255.35 грн
11+ 241.55 грн
IKW50N65H5FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+227.18 грн
10+ 212.22 грн
25+ 206.44 грн
50+ 178.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW50N65H5FKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW50N65H5FKSA1 - IGBT, 50 A, 1.65 V, 305 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 305W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+386.32 грн
10+ 275.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW50N65H5FKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+346.22 грн
10+ 308.73 грн
25+ 222.91 грн
100+ 215.32 грн
240+ 169.08 грн
480+ 154.59 грн
1200+ 151.14 грн
IKW50N65H5FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IKW50N65H5FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+165.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW50N65H5FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+298.84 грн
3+ 245.14 грн
4+ 212.79 грн
11+ 201.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW50N65H5FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 57 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/180ns
Switching Energy: 520µJ (on), 180µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 305 W
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+337.43 грн
30+ 257.74 грн
IKW50N65H5FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+351.63 грн
10+ 293.78 грн
25+ 274.59 грн
50+ 159.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW50N65H5FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+309.47 грн
10+ 268.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW50N65H5FKSA1
Код товару: 125871		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKW50N65H5FKSA1Infineon80A; 650V; 305W; IGBT w/ Diode   IKW50N65H5 TIKW50n65h5
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 101 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+242.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKW50N65H5FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+378.68 грн
38+ 316.38 грн
41+ 295.71 грн
68+ 171.62 грн
Мінімальне замовлення: 32
IKW50N65RH5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW50N65RH5XKSA1 - IGBT, 650V, 80A, 305W, To-247, 1.65Vsat
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 305W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 H5 CoolSiC Gen VI
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+524.12 грн
5+ 448.25 грн
10+ 372.38 грн
50+ 343.63 грн
100+ 314.54 грн
250+ 312.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW50N65RH5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors SIC DISCRETE
на замовлення 1074 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+497.58 грн
10+ 452.38 грн
25+ 336.09 грн
100+ 307.11 грн
240+ 305.73 грн
480+ 251.21 грн
1200+ 230.5 грн
IKW50N65RH5XKSA1Infineon TechnologiesSP004038142
товар відсутній
IKW50N65RH5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/180ns
Switching Energy: 230µJ (on), 180µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 305 W
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+598.72 грн
30+ 460.35 грн
IKW50N65RH5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Discrete Chip
товар відсутній
IKW50N65RH5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Discrete Chip
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+782.76 грн
20+ 613.25 грн
50+ 577.35 грн
100+ 503.85 грн
200+ 438.92 грн
Мінімальне замовлення: 16
IKW50N65RH5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Discrete Chip
товар відсутній
IKW50N65SS5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Discrete Chip
товар відсутній
IKW50N65SS5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Discrete Chip
на замовлення 19920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+527.42 грн
Мінімальне замовлення: 240
IKW50N65SS5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW50N65SS5XKSA1 - IGBT, 650V, 80A, 274W, To-247, 1.35Vsat
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 274W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 S5 CoolSiC Gen VI
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+865.54 грн
5+ 764.89 грн
10+ 663.48 грн
50+ 588.77 грн
100+ 517.6 грн
IKW50N65SS5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Discrete Chip
товар відсутній
IKW50N65SS5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors SIC DISCRETE
на замовлення 615 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+739.13 грн
10+ 625.4 грн
25+ 492.75 грн
100+ 452.73 грн
240+ 425.81 грн
480+ 363.01 грн
1200+ 358.87 грн
IKW50N65SS5XKSA1Infineon TechnologiesSP001668430
товар відсутній
IKW50N65SS5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/140ns
Switching Energy: 320µJ (on), 550µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 9Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 274 W
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+689.8 грн
30+ 530.44 грн
IKW50N65SS5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Discrete Chip
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+968.23 грн
16+ 757.83 грн
50+ 714.96 грн
100+ 623.08 грн
200+ 543.09 грн
Мінімальне замовлення: 13
IKW50N65WR5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 282W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+357.98 грн
39+ 314.1 грн
50+ 250.28 грн
100+ 240.38 грн
200+ 211.89 грн
Мінімальне замовлення: 34
IKW50N65WR5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 79ns
Turn-off time: 420ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+378.58 грн
3+ 316.31 грн
4+ 242.26 грн
10+ 229.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW50N65WR5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW50N65WR5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.4 V, 282 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 282W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+313.54 грн
10+ 221.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW50N65WR5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 403 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+282.61 грн
10+ 234.13 грн
25+ 191.17 грн
100+ 164.25 грн
240+ 142.86 грн
480+ 124.22 грн
1200+ 117.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW50N65WR5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 282000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW50N65WR5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 45ns/417ns
Switching Energy: 840µJ (on), 220µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 16Ohm, 15V
Gate Charge: 230 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 282 W
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+263.53 грн
30+ 201.12 грн
120+ 172.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW50N65WR5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 79ns
Turn-off time: 420ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 108 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+454.29 грн
3+ 394.17 грн
4+ 290.72 грн
10+ 275.19 грн
IKW50N65WR5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 282W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW60N60H3Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop
на замовлення 153 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+562.8 грн
10+ 476.19 грн
25+ 375.43 грн
100+ 344.38 грн
240+ 324.36 грн
480+ 303.66 грн
1200+ 287.09 грн
IKW60N60H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 416W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+414.06 грн
Мінімальне замовлення: 240
IKW60N60H3FKSA1
Код товару: 198550		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKW60N60H3FKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop
товар відсутній
IKW60N60H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 416W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW60N60H3FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 416W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 375nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 314ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+540.38 грн
3+ 348.66 грн
7+ 329.97 грн
IKW60N60H3FKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW60N60H3FKSA1 - IGBT, 80 A, 1.85 V, 416 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 416W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: Produktreihe TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+644.12 грн
5+ 553.54 грн
10+ 462.19 грн
50+ 392.51 грн
100+ 327.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW60N60H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 416W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW60N60H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 416000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+287.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW60N60H3FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 143 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/252ns
Switching Energy: 2.1mJ (on), 1.13mJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 375 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 416 W
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+525.56 грн
10+ 433.7 грн
IKW60N60H3FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 416W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 375nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 314ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+648.46 грн
3+ 434.48 грн
7+ 395.96 грн
IKW75N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+758.45 грн
10+ 641.27 грн
25+ 505.87 грн
100+ 464.46 грн
240+ 436.16 грн
480+ 409.25 грн
1200+ 368.53 грн
IKW75N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 92A 549W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+800.52 грн
10+ 625.18 грн
100+ 507.41 грн
IKW75N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 92A 549W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW75N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 92A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 145 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-U06
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 55ns/461ns
Switching Energy: 4.22mJ (on), 1.66mJ (off)
Gate Charge: 535 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 92 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 549 W
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+710.7 грн
30+ 546.64 грн
120+ 489.11 грн
IKW75N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 92A 549W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW75N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 92A 549W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+862.1 грн
18+ 673.28 грн
100+ 546.44 грн
Мінімальне замовлення: 14
IKW75N60H3Infineon TechnologiesDescription: IKW75N60 - DISCRETE IGBT WITH AN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 190 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 31ns/265ns
Switching Energy: 3mJ (on), 1.7mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 5.2Ohm, 15V
Gate Charge: 470 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 428 W
товар відсутній
IKW75N60H3Infineon technologies
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW75N60H3Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
товар відсутній
IKW75N60H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+472.35 грн
Мінімальне замовлення: 240
IKW75N60H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW75N60H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+463.04 грн
10+ 433.85 грн
25+ 427.33 грн
100+ 383.57 грн
240+ 336.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW75N60H3FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 75A
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 332ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 39 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+825.9 грн
2+ 609.17 грн
5+ 554.69 грн
IKW75N60H3FKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 815 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+646.54 грн
10+ 634.92 грн
25+ 442.37 грн
100+ 396.13 грн
480+ 341.61 грн
1200+ 288.47 грн
IKW75N60H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW75N60H3FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 75A
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 332ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+688.25 грн
2+ 488.84 грн
5+ 462.24 грн
IKW75N60H3FKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW75N60H3FKSA1 - IGBT, 80 A, 1.85 V, 428 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 428W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
на замовлення 121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+503.22 грн
5+ 455.99 грн
10+ 408.77 грн
50+ 342.91 грн
100+ 282.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW75N60H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+716.03 грн
23+ 521.77 грн
50+ 462.77 грн
100+ 418.79 грн
200+ 365.98 грн
Мінімальне замовлення: 17
IKW75N60H3FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 600V 80A 428W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 190 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 31ns/265ns
Switching Energy: 3mJ (on), 1.7mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 5.2Ohm, 15V
Gate Charge: 470 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 428 W
товар відсутній
IKW75N60H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+498.65 грн
26+ 467.22 грн
27+ 460.2 грн
100+ 413.08 грн
240+ 362.46 грн
Мінімальне замовлення: 24
IKW75N60H3FKSA1
Код товару: 138035		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKW75N60T
Код товару: 40498		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IKW75N60TInfineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+593.96 грн
25+ 568.44 грн
50+ 546.78 грн
100+ 509.36 грн
250+ 457.33 грн
500+ 427.09 грн
1000+ 416.64 грн
Мінімальне замовлення: 21
IKW75N60TInfineon TechnologiesIGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 75A
на замовлення 882 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+643.32 грн
10+ 542.86 грн
25+ 428.57 грн
100+ 393.37 грн
240+ 370.6 грн
480+ 347.14 грн
1200+ 312.63 грн
IKW75N60TAInfineon TechnologiesDescription: IKW75N60 - AUTOMOTIVE IGBT DISCR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 121 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/330ns
Switching Energy: 2mJ (on), 2.5mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 470 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 428 W
товар відсутній
IKW75N60TAInfineon TechnologiesIGBT Transistors 600V 75A 100nA
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
IKW75N60TAFKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors 600V 75A 100nA
товар відсутній
IKW75N60TAFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW75N60TAFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW75N60TAFKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH/FS 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 121 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/330ns
Switching Energy: 4.5mJ
Test Condition: 400V, 75A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 470 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 428 W
товар відсутній
IKW75N60TFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW75N60TFKSA1
Код товару: 169611		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IKW75N60TFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+647.41 грн
20+ 611.07 грн
26+ 476.88 грн
Мінімальне замовлення: 19
IKW75N60TFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW75N60TFKSA1Infineon80A; 600V; 428W; IGBT w/ Diode   IKW75N60T TIKW75n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 31 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+350.47 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKW75N60TFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IKW75N60TFKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 121 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/330ns
Switching Energy: 4.5mJ
Test Condition: 400V, 75A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 470 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 428 W
на замовлення 1263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+583.04 грн
30+ 448.03 грн
120+ 400.87 грн
510+ 331.95 грн
1020+ 298.75 грн
IKW75N60TFKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 75A
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+644.12 грн
10+ 619.84 грн
25+ 429.26 грн
100+ 394.06 грн
240+ 389.92 грн
480+ 312.63 грн
1200+ 292.62 грн
IKW75N60TFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+747.86 грн
22+ 545.44 грн
50+ 483.62 грн
100+ 438.46 грн
200+ 381.94 грн
Мінімальне замовлення: 16
IKW75N60TFKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 75A
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 69ns
Turn-off time: 401ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+841.69 грн
2+ 621.71 грн
5+ 565.91 грн
IKW75N60TFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+599.16 грн
10+ 565.52 грн
25+ 441.33 грн
IKW75N60TFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW75N60TFKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 75A
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 69ns
Turn-off time: 401ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+701.41 грн
2+ 498.91 грн
5+ 471.59 грн
IKW75N60TFKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW75N60TFKSA1 - IGBT, Universal, 80 A, 2 V, 428 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 428W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6823 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+681.28 грн
5+ 586.06 грн
10+ 490.06 грн
50+ 424.86 грн
100+ 363.65 грн
250+ 340.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW75N60TXKInfineon TechnologiesDescription: IKW75N60 - DISCRETE IGBT WITH AN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товар відсутній
IKW75N65EH5Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
товар відсутній
IKW75N65EH5Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 90A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+532.77 грн
25+ 509.89 грн
50+ 490.46 грн
100+ 456.9 грн
Мінімальне замовлення: 23
IKW75N65EH5Infineon TechnologiesIKW75N65EH5XKSA1 IGBT TRENCH 650V 90A TO247-3
на замовлення 81 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
IKW75N65EH5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 90A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW75N65EH5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 90A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+453.82 грн
30+ 410.59 грн
32+ 385.38 грн
100+ 348.46 грн
Мінімальне замовлення: 27
IKW75N65EH5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 198W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 198W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 215ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
IKW75N65EH5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 198W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 198W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 215ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKW75N65EH5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW75N65EH5XKSA1 - IGBT, 90 A, 1.65 V, 395 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 90A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 14628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+588.38 грн
5+ 513.28 грн
10+ 437.41 грн
50+ 360.16 грн
100+ 289.32 грн
250+ 283.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW75N65EH5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 90A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+421.41 грн
10+ 381.26 грн
25+ 357.85 грн
100+ 323.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW75N65EH5XKSA1
Код товару: 177738		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKW75N65EH5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 650V 90A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 92 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/174ns
Switching Energy: 2.3mJ (on), 900µJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 8Ohm, 15V
Gate Charge: 160 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
товар відсутній
IKW75N65EH5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 90A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+806.55 грн
21+ 587.88 грн
50+ 521.77 грн
100+ 472.73 грн
200+ 412.29 грн
Мінімальне замовлення: 15
IKW75N65EH5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 240 шт:
термін постачання 105-114 дні (днів)
1+498.39 грн
25+ 400.79 грн
100+ 322.29 грн
240+ 305.73 грн
IKW75N65EH5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 90A 395000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW75N65EL5Infineon technologies
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW75N65EL5Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
товар відсутній
IKW75N65EL5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW75N65EL5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.1 V, 536 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 536W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.1V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+689.02 грн
5+ 593.8 грн
10+ 498.58 грн
50+ 424.14 грн
100+ 355.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW75N65EL5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 536W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+494.57 грн
26+ 473.33 грн
50+ 455.29 грн
100+ 424.14 грн
250+ 380.8 грн
500+ 355.63 грн
Мінімальне замовлення: 25
IKW75N65EL5XKSA1
Код товару: 190876		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKW75N65EL5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 114 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/275ns
Switching Energy: 1.61mJ (on), 3.2mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 4Ohm, 15V
Gate Charge: 436 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 536 W
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+564.38 грн
30+ 433.78 грн
120+ 388.13 грн
IKW75N65EL5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 536W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+683.26 грн
10+ 612.15 грн
100+ 390.37 грн
IKW75N65EL5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 536000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW75N65EL5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 536W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+590.63 грн
10+ 540 грн
100+ 372.61 грн
500+ 358.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW75N65EL5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 536W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+735.82 грн
19+ 659.24 грн
100+ 420.4 грн
Мінімальне замовлення: 17
IKW75N65EL5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors 650V IGBT Trenchstop 5
на замовлення 872 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+495.97 грн
10+ 480.16 грн
25+ 363.7 грн
100+ 338.85 грн
240+ 328.5 грн
480+ 294.69 грн
1200+ 280.19 грн
IKW75N65ES5Infineon TechnologiesIGBT Transistors Trenchstop 5 IGBT
на замовлення 2114 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+514.49 грн
10+ 434.92 грн
25+ 342.99 грн
100+ 315.39 грн
240+ 296.07 грн
480+ 277.43 грн
1200+ 249.83 грн
IKW75N65ES5Infineon technologies
на замовлення 167 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW75N65ES5
Код товару: 169192		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKW75N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 395000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+262.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW75N65ES5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 197W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 197W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 164nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 86ns
Turn-off time: 185ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
IKW75N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+475.04 грн
10+ 453.17 грн
25+ 293.31 грн
100+ 277.43 грн
240+ 276.74 грн
480+ 243.62 грн
1200+ 238.79 грн
IKW75N65ES5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 197W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 197W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 164nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 86ns
Turn-off time: 185ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKW75N65ES5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW75N65ES5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.42 V, 395 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.42
DC-Kollektorstrom: 80
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650
Verlustleistung Pd: 395
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: TRENCHSTOP™ 5
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товар відсутній
IKW75N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+752.65 грн
22+ 548.22 грн
50+ 486.17 грн
100+ 440.37 грн
200+ 384.14 грн
Мінімальне замовлення: 16
IKW75N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/144ns
Switching Energy: 2.4mJ (on), 950µJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 18Ohm, 15V
Gate Charge: 164 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
на замовлення 14370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+480.02 грн
30+ 369.05 грн
120+ 330.22 грн
510+ 273.44 грн
1020+ 246.09 грн
2010+ 230.6 грн
IKW75N65ET7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+779.09 грн
17+ 704.85 грн
50+ 618.39 грн
100+ 567.86 грн
200+ 505.83 грн
Мінімальне замовлення: 16
IKW75N65ET7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW75N65ET7XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.35 V, 333 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
на замовлення 226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+585.28 грн
5+ 489.28 грн
10+ 392.51 грн
50+ 348.66 грн
100+ 306.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW75N65ET7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW75N65ET7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/310ns
Switching Energy: 2.17mJ (on), 1.23mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 435 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 333 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+506.15 грн
30+ 388.8 грн
120+ 347.86 грн
IKW75N65ET7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+587.6 грн
23+ 543.41 грн
29+ 424.87 грн
50+ 405.61 грн
100+ 350 грн
Мінімальне замовлення: 21
IKW75N65ET7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 333000mW Tube
товар відсутній
IKW75N65ET7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 458 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+540.26 грн
10+ 502.38 грн
25+ 320.22 грн
100+ 300.21 грн
240+ 299.52 грн
480+ 262.94 грн
1200+ 251.21 грн
IKW75N65ET7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+545.63 грн
10+ 504.59 грн
25+ 394.52 грн
50+ 376.64 грн
100+ 325 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW75N65RH5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/180ns
Switching Energy: 360µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 37.5A, 9Ohm, 15V
Gate Charge: 168 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+633.81 грн
30+ 487.17 грн
120+ 435.87 грн
IKW75N65RH5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 395000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW75N65RH5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW75N65RH5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors SIC DISCRETE
на замовлення 356 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+679.55 грн
10+ 573.81 грн
25+ 452.73 грн
100+ 415.46 грн
240+ 390.61 грн
480+ 329.88 грн
1200+ 314.7 грн
IKW75N65RH5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW75N65RH5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+1057.78 грн
16+ 788.24 грн
50+ 737.4 грн
100+ 629.65 грн
Мінімальне замовлення: 12
IKW75N65RH5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW75N65RH5XKSA1 - IGBT, 650V, 80A, 395W, To-247, 1.65Vsat
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 395W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+834.57 грн
5+ 759.48 грн
10+ 683.61 грн
IKW75N65SS5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+909.04 грн
10+ 864.67 грн
25+ 861.55 грн
50+ 812 грн
100+ 725.99 грн
IKW75N65SS5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+1851.11 грн
9+ 1495.13 грн
10+ 1484.96 грн
50+ 1265.19 грн
100+ 1089.74 грн
200+ 1020 грн
Мінімальне замовлення: 7
IKW75N65SS5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
товар відсутній
IKW75N65SS5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW75N65SS5XKSA1 - IGBT, 650V, 80A, 395W, To-247, 1.35Vsat
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 395W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
на замовлення 213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1208.5 грн
5+ 1128.76 грн
10+ 1049.02 грн
50+ 953.96 грн
100+ 773.74 грн
IKW75N65SS5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+931.18 грн
25+ 927.83 грн
50+ 874.46 грн
100+ 781.84 грн
Мінімальне замовлення: 13
IKW75N65SS5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/145ns
Switching Energy: 450µJ (on), 750µJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 5.6Ohm, 15V
Gate Charge: 164 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
товар відсутній
IKW75N65SS5XKSA1Infineon TechnologiesSP004038158
товар відсутній
IKW75N65SS5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors SIC DISCRETE
на замовлення 601 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+837.36 грн
10+ 807.94 грн
25+ 653.55 грн
50+ 650.1 грн
100+ 608.7 грн
240+ 590.75 грн
480+ 510.7 грн
IKWH100N65EH7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKWH100N65EH7XKSA1 - IGBT, 140 A, 1.4 V, 427 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 427W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 140A
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+752.51 грн
5+ 652.64 грн
10+ 568.25 грн
50+ 494.59 грн
100+ 411.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKWH100N65EH7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 140A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 106 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-32
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 32ns/240ns
Switching Energy: 3.58mJ (on), 2.37mJ (off)
Test Condition: 400V, 100A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 199 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 140 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 400 A
Power - Max: 427 W
на замовлення 194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+639.78 грн
10+ 527.81 грн
IKWH100N65EH7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 140A 427W
товар відсутній
IKWH100N65EH7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+685.18 грн
10+ 579.36 грн
25+ 456.87 грн
100+ 419.6 грн
240+ 394.06 грн
480+ 369.91 грн
1200+ 332.64 грн
IKWH20N65WR6XKSA1Infineon TechnologiesSP005545963
товар відсутній
IKWH20N65WR6XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 253 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+203.7 грн
10+ 161.9 грн
100+ 115.25 грн
240+ 105.59 грн
480+ 97.31 грн
1200+ 77.98 грн
5040+ 75.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKWH20N65WR6XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKWH20N65WR6XKSA1 - IGBT, 40 A, 1.35 V, 140 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 WR6
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+226.84 грн
10+ 168 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKWH20N65WR6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 55A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-32
IGBT Type: Trench Field Stop
Gate Charge: 97 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 136 W
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+190.37 грн
30+ 146.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKWH30N65WR5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKWH30N65WR5XKSA1 - IGBT, 60 A, 1.4 V, 190 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Verlustleistung: 190
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 WR5
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товар відсутній
IKWH30N65WR5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-32
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 41ns/398ns
Switching Energy: 870µJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 27Ohm, 15V
Gate Charge: 133 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 190 W
на замовлення 163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+202.31 грн
30+ 154.39 грн
120+ 132.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKWH30N65WR5XKSA1Infineon TechnologiesSP005430891
товар відсутній
IKWH30N65WR5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+216.59 грн
10+ 179.36 грн
25+ 147 грн
100+ 125.6 грн
240+ 118.7 грн
480+ 111.8 грн
1200+ 95.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKWH30N65WR6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 67A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-32
IGBT Type: Trench Field Stop
Gate Charge: 97 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 67 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 136 W
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+202.31 грн
30+ 156.33 грн
120+ 128.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKWH30N65WR6XKSA1Infineon TechnologiesSP005430886
товар відсутній
IKWH30N65WR6XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 901 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+216.59 грн
10+ 172.22 грн
100+ 123.53 грн
240+ 113.18 грн
480+ 105.59 грн
1200+ 83.51 грн
2640+ 80.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKWH30N65WR6XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKWH30N65WR6XKSA1 - IGBT, 60 A, 1.45 V, 165 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Verlustleistung: 165
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 WR6
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товар відсутній
IKWH40N65EH7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKWH40N65EH7XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.4 V, 208 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+428.12 грн
10+ 366.96 грн
100+ 317.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKWH40N65EH7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: PG-TO247-3-32
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 74 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 40A
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/141ns
Switching Energy: 970µJ (on), 420µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 12.5Ohm, 15V
Gate Charge: 81 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 208 W
на замовлення 209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+374.01 грн
10+ 302.44 грн
IKWH40N65EH7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 208W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKWH40N65EH7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 163 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+400.97 грн
10+ 332.54 грн
25+ 272.6 грн
100+ 233.95 грн
240+ 220.15 грн
480+ 207.04 грн
1200+ 177.36 грн
IKWH40N65WR6XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKWH40N65WR6XKSA1 - IGBT, 75 A, 1.55 V, 175 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 175W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 WR6
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 75A
на замовлення 266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+250.84 грн
10+ 177.29 грн
100+ 133.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKWH40N65WR6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 650V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 79 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-32
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/353ns
Switching Energy: 1.09mJ (on), 570µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 27Ohm, 15V
Gate Charge: 117 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 175 W
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+209.78 грн
30+ 160.1 грн
120+ 137.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKWH40N65WR6XKSA1Infineon TechnologiesSP005542785
товар відсутній
IKWH40N65WR6XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 576 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+224.64 грн
10+ 211.11 грн
25+ 152.52 грн
100+ 131.12 грн
240+ 126.29 грн
480+ 118.7 грн
1200+ 93.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKWH50N65EH7XKSA1Infineon TechnologiesINDUSTRY 14
товар відсутній
IKWH50N65EH7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 177 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+458.13 грн
10+ 379.36 грн
25+ 311.94 грн
100+ 267.08 грн
240+ 251.9 грн
480+ 236.71 грн
1200+ 202.9 грн
IKWH50N65EH7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKWH50N65EH7XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.4 V, 249 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 249W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+490.06 грн
10+ 420.38 грн
100+ 363.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKWH50N65EH7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 50A
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/147ns
Switching Energy: 1.27mJ (on), 650µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 102 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 249 W
Package / Case: TO-247-3
Supplier Device Package: PG-TO247-3-32
Reverse Recovery Time (trr): 76 ns
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+427.76 грн
10+ 346 грн
IKWH50N65WR6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 85A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-32
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/351ns
Switching Energy: 1.5mJ (on), 730µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 144 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 85 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 205 W
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+260.54 грн
30+ 198.92 грн
120+ 170.5 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKWH50N65WR6XKSA1Infineon TechnologiesSP005542787
товар відсутній
IKWH50N65WR6XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 605 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+279.39 грн
10+ 250.79 грн
25+ 189.79 грн
100+ 162.87 грн
240+ 157.35 грн
480+ 147.69 грн
1200+ 116.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKWH60N65WR6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 100A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-32
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/311ns
Switching Energy: 1.82mJ (on), 850µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 174 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 240 W
на замовлення 318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+297.87 грн
30+ 227.1 грн
120+ 194.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKWH60N65WR6XKSA1Infineon TechnologiesSP005430894
товар відсутній
IKWH60N65WR6XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKWH60N65WR6XKSA1 - IGBT, 100 A, 1.55 V, 240 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 WR6
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100A
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+352.25 грн
10+ 250.84 грн
100+ 190.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKWH60N65WR6XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+318.84 грн
10+ 299.21 грн
25+ 216.7 грн
100+ 186.34 грн
240+ 182.19 грн
480+ 141.48 грн
1200+ 133.2 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKWH70N65WR6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 122A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 70A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-32
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 42ns/378ns
Switching Energy: 2.2mJ (on), 1.07mJ (off)
Test Condition: 400V, 70A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 269 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 122 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 210 A
Power - Max: 290 W
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+334.45 грн
30+ 255.71 грн
120+ 219.19 грн
IKWH70N65WR6XKSA1Infineon TechnologiesSP005430896
товар відсутній
IKWH70N65WR6XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 239 шт:
термін постачання 154-163 дні (днів)
1+358.29 грн
10+ 322.22 грн
25+ 243.62 грн
100+ 181.5 грн
240+ 180.81 грн
480+ 171.15 грн
IKWH75N65EH7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 89 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-32
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/45ns
Switching Energy: 2.42mJ (on), 1.4mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 150 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 341 W
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+488.23 грн
10+ 403.15 грн
IKWH75N65EH7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 341W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKWH75N65EH7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+523.35 грн
10+ 442.06 грн
25+ 349.21 грн
100+ 320.22 грн
240+ 300.9 грн
480+ 282.26 грн
1200+ 253.97 грн
IKWH75N65EH7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKWH75N65EH7XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.4 V, 341 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+610.06 грн
5+ 522.57 грн
10+ 452.12 грн
50+ 394.67 грн
100+ 324.49 грн
Мінімальне замовлення: 2