Продукція > IMZ

08+ S0T-363

на замовлення 180000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IMZ1 A T108

SOT26/SOT363

на замовлення 1220 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IMZ1 T108

SOT26/SOT363

на замовлення 7640 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IMZ120R030M1H

Infineon SIC DISCRETE

товар відсутній

IMZ120R030M1H

Infineon

на замовлення 210 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IMZ120R030M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 20586 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1041.87 грн

IMZ120R030M1HXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 45A; Idm: 150A; 114W
Kind of package: tube
Mounting: THT
Drain current: 45A
On-state resistance: 57mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 114W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -7...23V
Pulsed drain current: 150A
Case: TO247-4
Drain-source voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 28 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	2210.14 грн
2+	2014.75 грн

IMZ120R030M1HXKSA1

Description: SICFET N-CH 1.2KV 56A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 10mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 800 V

товар відсутній

IMZ120R030M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 354 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	2552.9 грн

Мінімальне замовлення: 5

IMZ120R030M1HXKSA1

на замовлення 28 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1841.79 грн
2+	1616.77 грн

IMZ120R030M1HXKSA1

Description: INFINEON - IMZ120R030M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 56 A, 1.2 kV, 0.03 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Anzahl der Pins: 4Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm

на замовлення 675 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1669.92 грн
5+	1542.18 грн
10+	1414.44 грн
50+	1293.28 грн
100+	1050.46 грн
250+	1029.22 грн

IMZ120R030M1HXKSA1

MOSFET SIC DISCRETE

на замовлення 2148 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1624.8 грн
10+	1538.09 грн
25+	1134.57 грн
50+	1126.98 грн
100+	1074.53 грн
240+	1022.08 грн
480+	966.87 грн

IMZ120R045M1XKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 36A; Idm: 130A; 114W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolSiC™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 114W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -10...20V
On-state resistance: 59mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal

товар відсутній

IMZ120R045M1XKSA1

Description: INFINEON - IMZ120R045M1XKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 52 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 228W
Anzahl der Pins: 4Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm

на замовлення 131 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1407.47 грн
5+	1279.73 грн
10+	1151.21 грн
50+	1012.91 грн
100+	804.93 грн

IMZ120R045M1XKSA1

MOSFET SIC DISCRETE

на замовлення 260 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1463.77 грн
10+	1282.54 грн
25+	1038.65 грн
50+	975.84 грн
100+	944.1 грн
240+	920.63 грн
480+	837.13 грн

IMZ120R045M1XKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 52A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 206 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	1784.9 грн

Мінімальне замовлення: 7

IMZ120R045M1XKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 52A Tube

товар відсутній

IMZ120R045M1XKSA1

товар відсутній

IMZ120R045M1XKSA1

Description: SICFET N-CH 1200V 52A TO247-4
Packaging: Tray
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 20A, 15V
FET Feature: Current Sensing
Power Dissipation (Max): 228W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 10mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 800 V

на замовлення 60 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1330.33 грн
10+	1138.64 грн
30+	1062.3 грн

IMZ120R045M1XKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 52A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	1779.91 грн

Мінімальне замовлення: 7

IMZ120R060M1HXKSA1

MOSFET SIC DISCRETE

на замовлення 720 шт:

термін постачання 379-388 дні (днів)

1+	1260.06 грн
10+	1142.06 грн
100+	838.51 грн
480+	746.03 грн

IMZ120R060M1HXKSA1

Silicon Carbide Power Mosfet

товар відсутній

IMZ120R060M1HXKSA1

Silicon Carbide Power Mosfet

на замовлення 3470 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	590.18 грн

IMZ120R060M1HXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 26A; Idm: 76A; 75W
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhanced
Pulsed drain current: 76A
Gate-source voltage: -7...23V
Case: TO247-4
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 26A
On-state resistance: 113mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 75W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IMZ120R060M1HXKSA1

Description: SICFET N-CH 1.2KV 36A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 13A, 18V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 5.6mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 800 V

на замовлення 260 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	809.24 грн
30+	630.85 грн
120+	593.73 грн

IMZ120R060M1HXKSA1

товар відсутній

IMZ120R060M1HXKSA1

Silicon Carbide Power Mosfet

товар відсутній

IMZ120R060M1HXKSA1

Description: INFINEON - IMZ120R060M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 391 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1018.83 грн
5+	906.57 грн
10+	794.31 грн
50+	709.54 грн
100+	629.08 грн
250+	592.58 грн

IMZ120R090M1HXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 18A; Idm: 50A; 58W
Mounting: THT
Case: TO247-4
Kind of package: tube
Power dissipation: 58W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolSiC™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 18A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -7...23V
On-state resistance: 0.17Ω
Pulsed drain current: 50A
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IMZ120R090M1HXKSA1

Description: SICFET N-CH 1.2KV 26A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 8.5A, 18V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 3.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 707 pF @ 800 V

на замовлення 602 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	762.96 грн
10+	647.5 грн
100+	559.99 грн
500+	476.26 грн

IMZ120R090M1HXKSA1

товар відсутній

IMZ120R090M1HXKSA1

Silicon Carbide Power Mosfet

товар відсутній

IMZ120R090M1HXKSA1

Description: INFINEON - IMZ120R090M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Anzahl der Pins: 4Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm

на замовлення 140 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	943.73 грн
5+	868.64 грн
10+	793.54 грн
50+	726.07 грн
100+	578.65 грн

IMZ120R090M1HXKSA1

MOSFET SIC DISCRETE

на замовлення 352 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	752.01 грн
10+	730.16 грн
25+	518.29 грн
100+	474.81 грн
240+	469.29 грн
480+	392.68 грн
1200+	391.99 грн

IMZ120R090M1HXKSA1

Silicon Carbide Power Mosfet

товар відсутній

IMZ120R090M1HXKSA1

Silicon Carbide Power Mosfet

на замовлення 110 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	528.98 грн

IMZ120R140M1HXKSA1

Description: INFINEON - IMZ120R140M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 19 A, 1.2 kV, 0.14 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 396 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	646.44 грн
5+	551.99 грн
10+	456.77 грн
50+	396.11 грн
100+	339.09 грн

Мінімальне замовлення: 2

IMZ120R140M1HXKSA1

MOSFET SIC DISCRETE

на замовлення 532 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	673.91 грн
10+	651.59 грн
25+	445.82 грн
100+	426.5 грн
240+	391.3 грн
480+	384.4 грн
1200+	378.88 грн

IMZ120R140M1HXKSA1

Silicon Carbide Power Mosfet

товар відсутній

IMZ120R140M1HXKSA1

Silicon Carbide Power Mosfet

товар відсутній

IMZ120R140M1HXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 13A; Idm: 32A; 47W
Mounting: THT
Kind of package: tube
On-state resistance: 265mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 47W
Polarisation: unipolar
Case: TO247-4
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -7...23V
Pulsed drain current: 32A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 13A
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IMZ120R140M1HXKSA1

Description: SICFET N-CH 1.2KV 19A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 6A, 18V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 2.5mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454 pF @ 800 V

на замовлення 235 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	734.59 грн
10+	622.7 грн
100+	538.55 грн

IMZ120R140M1HXKSA1

товар відсутній

IMZ120R220M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 13A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	608.22 грн

IMZ120R220M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 13A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IMZ120R220M1HXKSA1

Description: SICFET N-CH 1.2KV 13A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 4A, 18V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.6mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 289 pF @ 800 V

на замовлення 379 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	734.59 грн
10+	606.67 грн
100+	505.58 грн

IMZ120R220M1HXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 9.5A; Idm: 21A; 37.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolSiC™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 9.5A
Pulsed drain current: 21A
Power dissipation: 37.5W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -7...23V
On-state resistance: 416mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IMZ120R220M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 13A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IMZ120R220M1HXKSA1

товар відсутній

IMZ120R220M1HXKSA1

Description: INFINEON - IMZ120R220M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 13 A, 1.2 kV, 0.22 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Anzahl der Pins: 4Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm

на замовлення 86 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	728.51 грн
5+	639.48 грн
10+	550.45 грн
50+	470.87 грн

Мінімальне замовлення: 2

IMZ120R220M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 13A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IMZ120R220M1HXKSA1

MOSFET SIC DISCRETE

на замовлення 238 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	752.01 грн
10+	657.94 грн
25+	543.13 грн
100+	476.19 грн
240+	463.08 грн
480+	378.88 грн

IMZ120R350M1H

Infineon SIC DISCRETE

товар відсутній

IMZ120R350M1HXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 4.7A; Idm: 13A; 30W
Kind of package: tube
Mounting: THT
Drain current: 4.7A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO247-4
On-state resistance: 662mΩ
Gate-source voltage: -7...23V
Pulsed drain current: 13A
Power dissipation: 30W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolSiC™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal

товар відсутній

IMZ120R350M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 4.7A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 167 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	581.22 грн
22+	545.56 грн
100+	493.47 грн

Мінімальне замовлення: 21

IMZ120R350M1HXKSA1

Description: INFINEON - IMZ120R350M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4.7 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Anzahl der Pins: 4Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm

на замовлення 73 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	579.09 грн
5+	519.48 грн
10+	459.87 грн
50+	407.61 грн

Мінімальне замовлення: 2

IMZ120R350M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 4.7A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 15360 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	510.46 грн

Мінімальне замовлення: 240

IMZ120R350M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 4.7A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IMZ120R350M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 4.7A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 62 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

39+	310.21 грн
42+	290.89 грн
50+	282.75 грн

Мінімальне замовлення: 39

IMZ120R350M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 4.7A Tube

товар відсутній

IMZ120R350M1HXKSA1

Description: SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 2A, 18V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 182 pF @ 800 V

на замовлення 260 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	636.79 грн
10+	525.94 грн
100+	438.33 грн

IMZ120R350M1HXKSA1

товар відсутній

IMZ120R350M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 4.7A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 167 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	539.7 грн
10+	506.59 грн
100+	458.22 грн

Мінімальне замовлення: 2

IMZ120R350M1HXKSA1

MOSFET SIC DISCRETE

на замовлення 472 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	683.57 грн
10+	610.32 грн
100+	447.2 грн
480+	349.9 грн

IMZ1A T108

SOT26/SOT363

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IMZ1A T108

SO163-Z1

на замовлення 2629 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IMZ1A T108

SOT26

на замовлення 5486 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IMZ1A T108

SOT23-

на замовлення 2953 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IMZ1A T108 SO163-Z1

на замовлення 2429 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IMZ1A T108 SO163-Z1

на замовлення 5258 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IMZ1A/Z1

09+

на замовлення 22818 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IMZ1A108-T

0430+

на замовлення 7835 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IMZ1A108-T

Panjit International Inc.

0430+

на замовлення 7835 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IMZ1AS-AU_S1_000A1

Description: COMPLEMENTARY DUAL GENERAL PURPO

товар відсутній

IMZ1AS-AU_S1_000A1

Panjit International Inc.

Bipolar Transistors - BJT ComplementaryDualGeneralPurposeTransistor VCE-60/60V IC-150/150mA SOT23-6L AEC-Q101 Qualified

товар відсутній

IMZ1AS-AU_S1_000A1

Description: COMPLEMENTARY DUAL GENERAL PURPO

на замовлення 2966 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	35.09 грн
12+	24.73 грн
100+	14 грн
500+	8.7 грн
1000+	6.67 грн

Мінімальне замовлення: 9

IMZ1AS_S1_00001

Bipolar Transistors - BJT ComplementaryDualGeneralPurposeTransistor VCE-60/60V IC-150/150mA SOT23-6L

товар відсутній

IMZ1AT108

Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 6SMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz, 140MHz
Supplier Device Package: SMT6

на замовлення 19527 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	25.38 грн
16+	18.62 грн
100+	11.19 грн
500+	9.73 грн
1000+	6.62 грн

Мінімальне замовлення: 12

IMZ1AT108

Description: ROHM - IMZ1AT108 - Bipolares Transistor-Array, zweifach, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 150 mA, 150 mA, 300 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE
Übergangsfrequenz, NPN: 180MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verlustleistung, PNP: 300mW
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA
Übergangsfrequenz, PNP: 140MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 120hFE
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pins
Verlustleistung, NPN: 300mW
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA

на замовлення 1832 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	10.45 грн
500+	7.55 грн
1000+	4.91 грн

Мінімальне замовлення: 100

IMZ1AT108

Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 6SMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz, 140MHz
Supplier Device Package: SMT6

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.74 грн
6000+	6.22 грн
9000+	5.6 грн

Мінімальне замовлення: 3000

IMZ1AT108

ROHM SEMICONDUCTOR

Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 50V; 0.15A
Frequency: 180MHz
Mounting: SMD
Case: SC74; SOT457
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.15A
Type of transistor: NPN / PNP
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: complementary pair

на замовлення 2934 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	54.19 грн
9+	43.85 грн
24+	36.02 грн
65+	34.08 грн
500+	32.78 грн

Мінімальне замовлення: 8

IMZ1AT108

ROHM SEMICONDUCTOR

на замовлення 2934 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

5+	54.65 грн
24+	43.22 грн
65+	40.89 грн
500+	39.34 грн

Мінімальне замовлення: 5

IMZ1AT108

Bipolar Transistors - BJT NPN/PNP 50V 150MA SOT-457

на замовлення 6482 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	26.97 грн
16+	20.48 грн
100+	9.87 грн
1000+	6.76 грн
3000+	5.18 грн
9000+	5.11 грн

Мінімальне замовлення: 12

IMZ1AT108

на замовлення 1832 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

27+	29.73 грн
41+	19.12 грн
100+	10.45 грн
500+	7.55 грн
1000+	4.91 грн

Мінімальне замовлення: 27

IMZ1AT108

Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.15A 300mW 6-Pin SMT T/R

на замовлення 41926 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	30.25 грн
28+	21.18 грн
31+	19.13 грн
50+	16.95 грн
100+	8.67 грн
250+	8.23 грн
500+	7.23 грн
1000+	5.97 грн
3000+	5.49 грн

Мінімальне замовлення: 20

IMZ1AT108SOT163-Z1PB-FREE

на замовлення 48000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IMZ1T108

03+ SOT23-6

на замовлення 1300 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IMZ2

SOT26/

на замовлення 831 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IMZ2

SOT-23-6

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IMZ2A

SOT-163

на замовлення 778000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IMZ2A

07+ SOT-163

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IMZ2AT108

на замовлення 5598 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	27.62 грн
15+	20.2 грн
100+	12.11 грн
500+	10.53 грн
1000+	7.16 грн

Мінімальне замовлення: 11

IMZ2AT108

Bipolar Transistors - BJT NPN/PNP 50V 150MA

на замовлення 15 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IMZ2AT108

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.29 грн

Мінімальне замовлення: 3000

IMZ2A_R1_00001

Bipolar Transistors - BJT COMPLEMENTARYDUALGENERALPURPOSEAMPLIFIERTRANSIS VCE-50/50V IC-150/150mA SOT23-6L

товар відсутній

IMZ2A_R1_10001

Bipolar Transistors - BJT COMPLEMENTARYDUALGENERALPURPOSEAMPLIFIERTRANSIS VCE-50 50V IC-150 150mA

товар відсутній

IMZ2A_R2_00001

Bipolar Transistors - BJT COMPLEMENTARYDUALGENERALPURPOSEAMPLIFIERTRANSIS VCE-50 50V IC-150 150mA

товар відсутній

IMZ2A_R2_10001

Bipolar Transistors - BJT COMPLEMENTARYDUALGENERALPURPOSEAMPLIFIERTRANSIS VCE-50 50V IC-150 150mA

товар відсутній

IMZ2T108

на замовлення 36000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IMZ4

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

IMZ4 FRAT108

SOT26/SOT363

на замовлення 1624 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IMZ4 T108

0805+ SOT23-6

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IMZ4T108

Description: TRANS NPN/PNP 32V 0.5A 6SMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA / 600mV @ 30mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Supplier Device Package: SMT6

товар відсутній

IMZ4T108

Bipolar Transistors - BJT NPN/PNP 32V 500MA

на замовлення 1091 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	29.37 грн
1000+	17.32 грн
3000+	6.42 грн
9000+	5.8 грн
24000+	5.66 грн
45000+	5.45 грн

Мінімальне замовлення: 11

IMZ4T108

Rochester Electronics, LLC

Description: TRANS NPN/PNP 32V 0.5A 6SMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA / 600mV @ 30mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Supplier Device Package: SMT6

товар відсутній

IMZ9972BA

Description: IMZ9972BA

на замовлення 7178 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IMZA120R007M1HXKSA1

Description: INFINEON - IMZA120R007M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 225 A, 1.2 kV, 0.007 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 225A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: Produktreihe CoolSiC Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	6126.9 грн

IMZA120R007M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 225A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IMZA120R007M1HXKSA1

MOSFET SIC DISCRETE

на замовлення 353 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	4912.23 грн
10+	4388.88 грн
25+	3684.61 грн
50+	3552.79 грн
100+	3421.67 грн
240+	3387.85 грн

IMZA120R007M1HXKSA1

Description: SIC DISCRETE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 225A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 108A, 18V
Power Dissipation (Max): 750W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 47mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 289 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9170 pF @ 800 V

на замовлення 228 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	4585.97 грн
30+	3864.08 грн
120+	3588.07 грн

IMZA120R014M1HXKSA1

MOSFET

на замовлення 55 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	3541.06 грн
10+	3110.31 грн
25+	2544.51 грн
50+	2458.93 грн
100+	2374.05 грн
240+	2288.47 грн
480+	2182.88 грн

IMZA120R014M1HXKSA1

Description: SIC DISCRETE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 127A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.4mOhm @ 54.3A, 18V
Power Dissipation (Max): 455W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 23.4mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4580 pF @ 25 V

на замовлення 935 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	2661.4 грн
30+	2124.67 грн
120+	1991.88 грн

IMZA120R014M1HXKSA1

Description: INFINEON - IMZA120R014M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 127 A, 1.2 kV, 0.014 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 127A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 455W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: Produktreihe CoolSiC Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 239 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	3404.86 грн
5+	3130.03 грн
10+	2854.42 грн
50+	2561.39 грн
100+	2282.74 грн

IMZA120R020M1HXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 71A; Idm: 213A; 188W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolSiC™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 71A
Pulsed drain current: 213A
Power dissipation: 188W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -7...20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal

товар відсутній

IMZA120R020M1HXKSA1

Description: INFINEON - IMZA120R020M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 98 A, 1.2 kV, 0.019 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: Produktreihe CoolSiC Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 239 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	2249.78 грн
5+	2057.78 грн
10+	1865.79 грн
50+	1677.88 грн
100+	1499.04 грн

IMZA120R020M1HXKSA1

товар відсутній

IMZA120R020M1HXKSA1

MOSFET SIC DISCRETE

на замовлення 709 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1988.73 грн
10+	1742.86 грн
25+	1413.39 грн
50+	1369.91 грн
100+	1325.05 грн
240+	1236.02 грн
480+	1136.64 грн

IMZA120R020M1HXKSA1

Description: SIC DISCRETE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.9mOhm @ 41A, 18V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 17.6mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3460 nF @ 25 V

на замовлення 146 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	2132.1 грн
30+	1702.37 грн
120+	1595.96 грн

IMZA120R020M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 98A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	1591.79 грн

Мінімальне замовлення: 240

IMZA120R030M1HXKSA1

MOSFET SIC DISCRETE

на замовлення 185 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1530.59 грн
10+	1329.36 грн
25+	1124.91 грн
50+	1062.11 грн
100+	1000 грн
240+	967.56 грн
480+	905.45 грн

IMZA120R030M1HXKSA1

Description: SIC DISCRETE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40.9mOhm @ 25.6A, 18V
Power Dissipation (Max): 273W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 11mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2160 pF @ 800 V

на замовлення 147 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1428.87 грн
10+	1212.11 грн

IMZA120R040M1HXKSA1

Description: SIC DISCRETE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54.4mOhm @ 19.3A, 18V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 8.3mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 nF @ 25 V

на замовлення 32 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1249.7 грн
30+	974.09 грн

IMZA120R040M1HXKSA1

Description: INFINEON - IMZA120R040M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 55 A, 1.2 kV, 0.039 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe CoolSiC Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 241 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1319.99 грн
5+	1225.53 грн
10+	1130.31 грн
50+	991.34 грн
100+	833.47 грн

IMZA120R040M1HXKSA1

MOSFET SIC DISCRETE

на замовлення 389 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1165.86 грн
10+	1012.7 грн
25+	857.14 грн
50+	808.83 грн
100+	761.21 грн
240+	737.06 грн
480+	689.44 грн

IMZA65R015M2HXKSA1

MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

на замовлення 412 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1731.88 грн
10+	1517.46 грн
25+	1231.19 грн
50+	1192.55 грн
100+	1153.9 грн
240+	1076.6 грн
480+	990.34 грн

IMZA65R015M2HXKSA1

IMZA65R015M2HXKSA1

товар відсутній

IMZA65R020M2HXKSA1

MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

на замовлення 366 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1539.45 грн
10+	1337.3 грн
25+	1131.81 грн
50+	1068.32 грн
100+	1005.52 грн
240+	973.77 грн
480+	910.97 грн

IMZA65R027M1HXKSA1

CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 4-pin package

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IMZA65R027M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 59A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IMZA65R027M1HXKSA1

CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 4-pin package

на замовлення 1920 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	1594.81 грн

Мінімальне замовлення: 240

IMZA65R027M1HXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 41A; Idm: 184A; 189W
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhanced
Pulsed drain current: 184A
Gate-source voltage: -5...23V
Case: TO247-4
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 41A
On-state resistance: 35mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 189W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IMZA65R027M1HXKSA1

Description: INFINEON - IMZA65R027M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SiC-Trench, Eins, n-Kanal, 59 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 189W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 154 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1505.02 грн
5+	1361.79 грн
10+	1218.57 грн
50+	1098.46 грн
100+	982.77 грн

IMZA65R027M1HXKSA1

CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 4-pin package

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1868.15 грн
10+	1685.92 грн
100+	1456.29 грн
240+	1294.28 грн

IMZA65R027M1HXKSA1

CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 4-pin package

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	2011.85 грн
10+	1815.61 грн
100+	1568.32 грн
240+	1393.84 грн

Мінімальне замовлення: 6

IMZA65R027M1HXKSA1

MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

на замовлення 211 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1309.98 грн
10+	1228.57 грн
25+	932.37 грн
50+	928.23 грн
100+	884.06 грн
240+	868.18 грн
480+	801.24 грн

IMZA65R027M1HXKSA1

Description: MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 38.3A, 18V
Power Dissipation (Max): 189W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 11mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2131 pF @ 400 V

на замовлення 330 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1263.14 грн
30+	984.87 грн
120+	926.93 грн

IMZA65R027M1HXKSA1

товар відсутній

IMZA65R027M1HXKSA1

CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 4-pin package

товар відсутній

IMZA65R030M1HXKSA1

Description: INFINEON - IMZA65R030M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 53 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-247
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 197W
Anzahl der Pins: 4Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm

на замовлення 170 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1394.31 грн
5+	1295.21 грн
10+	1195.34 грн
50+	1048.14 грн
100+	881.91 грн

IMZA65R030M1HXKSA1

Silicon Carbide Power Mosfet

на замовлення 1440 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	1332.66 грн

Мінімальне замовлення: 240

IMZA65R030M1HXKSA1

MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

на замовлення 161 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1484.7 грн
10+	1353.97 грн
100+	1013.11 грн
480+	933.75 грн
1200+	911.66 грн

IMZA65R030M1HXKSA1

Description: SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 29.5A, 18V
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 8.8mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +20V, -2V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1643 pF @ 400 V

на замовлення 221 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1216.85 грн
30+	948.59 грн
120+	892.78 грн

IMZA65R030M1HXKSA1

Silicon Carbide Power Mosfet

на замовлення 328 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1276.3 грн
10+	1207.41 грн
100+	1086.67 грн

IMZA65R030M1HXKSA1

Silicon Carbide Power Mosfet

на замовлення 328 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	1374.47 грн
10+	1300.28 грн
100+	1170.26 грн

Мінімальне замовлення: 9

IMZA65R030M1HXKSA1

SP005423795

товар відсутній

IMZA65R039M1HXKSA1

Silicon Carbide Power Mosfet

на замовлення 28 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	1137.07 грн
12+	1074.05 грн

Мінімальне замовлення: 11

IMZA65R039M1HXKSA1

Silicon Carbide Power Mosfet

товар відсутній

IMZA65R039M1HXKSA1

Silicon Carbide Power Mosfet

товар відсутній

IMZA65R039M1HXKSA1

Description: INFINEON - IMZA65R039M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 50 A, 650 V, 0.039 ohm, TO-247
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 176W
Anzahl der Pins: 4Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm

на замовлення 221 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1131.08 грн
5+	1048.25 грн
10+	965.41 грн
50+	877.76 грн
100+	710.04 грн

IMZA65R039M1HXKSA1

Silicon Carbide Power Mosfet

на замовлення 28 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1055.85 грн
10+	997.33 грн

IMZA65R039M1HXKSA1

MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

на замовлення 304 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1074.88 грн
10+	933.33 грн
25+	790.2 грн
50+	746.03 грн
100+	701.86 грн
240+	679.78 грн
480+	635.61 грн

IMZA65R039M1HXKSA1

Description: SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 7.5mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +20V, -2V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1393 pF @ 400 V

на замовлення 96 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	989.16 грн
30+	771.32 грн

IMZA65R040M2HXKSA1

MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

на замовлення 330 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	922.7 грн
10+	800.79 грн
25+	677.71 грн
50+	639.75 грн
100+	602.48 грн
240+	582.47 грн
480+	545.89 грн

IMZA65R048M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IMZA65R048M1HXKSA1

MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

на замовлення 1017 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	850.24 грн
10+	775.4 грн
25+	537.61 грн
50+	535.54 грн
100+	515.53 грн
240+	511.39 грн
480+	458.94 грн

IMZA65R048M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 720 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	978.68 грн

Мінімальне замовлення: 240

IMZA65R048M1HXKSA1

Description: INFINEON - IMZA65R048M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SiC-Trench, Eins, n-Kanal, 39 A, 650 V, 0.048 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 361 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	952.25 грн
5+	829.93 грн
10+	707.6 грн
50+	653.47 грн
100+	565.38 грн
250+	495.04 грн

IMZA65R048M1HXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 24A; Idm: 100A; 125W
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhanced
Pulsed drain current: 100A
Gate-source voltage: -5...23V
Case: TO247-4
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
On-state resistance: 63mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube

товар відсутній

IMZA65R048M1HXKSA1

Description: MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 20.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 6mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1118 pF @ 400 V

на замовлення 567 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	864.49 грн
30+	674.19 грн
120+	634.53 грн
510+	539.65 грн

IMZA65R048M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	1076.92 грн

Мінімальне замовлення: 12

IMZA65R048M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IMZA65R048M1HXKSA1

товар відсутній

IMZA65R048M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IMZA65R050M2HXKSA1

Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 18.2A, 20V
Power Dissipation (Max): 153W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 400 V

товар відсутній

IMZA65R050M2HXKSA1

MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

на замовлення 434 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	873.59 грн
10+	738.09 грн
25+	582.47 грн
100+	535.54 грн
240+	503.11 грн
480+	472.05 грн
1200+	424.43 грн

IMZA65R057M1HXKSA1

MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

на замовлення 145 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1127.21 грн
10+	1020.63 грн
100+	749.48 грн
480+	599.03 грн
1200+	584.54 грн
2640+	579.02 грн

IMZA65R057M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 264 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	871.51 грн
100+	800.67 грн

Мінімальне замовлення: 14

IMZA65R057M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IMZA65R057M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 264 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	850.07 грн
10+	809.26 грн
100+	743.48 грн

IMZA65R057M1HXKSA1

Description: SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 16.7A, 18V
Power Dissipation (Max): 133W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 5mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +20V, -2V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 400 V

товар відсутній

IMZA65R057M1HXKSA1

Description: INFINEON - IMZA65R057M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 35 A, 650 V, 0.057 ohm, TO-247
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 133W
Anzahl der Pins: 4Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm

на замовлення 95 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	863.22 грн
5+	781.15 грн
10+	699.09 грн
50+	613.21 грн

IMZA65R057M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 137280 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	847.07 грн

Мінімальне замовлення: 240

IMZA65R072M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 28A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IMZA65R072M1HXKSA1

CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package

на замовлення 340 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	720.07 грн
10+	683.41 грн
100+	627.18 грн

IMZA65R072M1HXKSA1

Description: MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 13.3A, 18V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 4mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 744 pF @ 400 V

на замовлення 236 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	780.88 грн
30+	600.13 грн
120+	536.97 грн

IMZA65R072M1HXKSA1

CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package

на замовлення 340 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	775.46 грн
17+	735.98 грн
100+	675.43 грн

Мінімальне замовлення: 16

IMZA65R072M1HXKSA1

Description: INFINEON - IMZA65R072M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SiC-Trench, Eins, n-Kanal, 28 A, 650 V, 0.072 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Anzahl der Pins: 4Pins
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm

на замовлення 75 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	870.18 грн
5+	754.83 грн
10+	639.48 грн
50+	553.54 грн

IMZA65R072M1HXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 18A; Idm: 69A; 96W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolSiC™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 69A
Power dissipation: 96W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...23V
On-state resistance: 94mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IMZA65R072M1HXKSA1

CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package

на замовлення 560 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	809.88 грн
17+	745.1 грн
100+	655.01 грн
480+	549.85 грн

Мінімальне замовлення: 15

IMZA65R072M1HXKSA1

MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

на замовлення 122 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	855.88 грн
10+	722.22 грн
25+	570.05 грн
100+	523.81 грн
240+	492.75 грн
480+	462.39 грн
1200+	416.15 грн

IMZA65R072M1HXKSA1

CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package

на замовлення 560 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	825.95 грн
10+	759.89 грн
100+	668.01 грн
480+	560.76 грн

IMZA65R072M1HXKSA1

товар відсутній

IMZA65R083M1HXKSA1

Silicon Carbide Power Mosfet

на замовлення 1440 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	693.31 грн

Мінімальне замовлення: 240

IMZA65R083M1HXKSA1

MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

на замовлення 501 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	815.62 грн
10+	697.62 грн
25+	577.64 грн
100+	534.16 грн
480+	472.05 грн
1200+	415.46 грн
2640+	409.94 грн

IMZA65R083M1HXKSA1

Silicon Carbide Power Mosfet

на замовлення 244 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	749.22 грн
17+	709.25 грн
100+	639.29 грн

Мінімальне замовлення: 16

IMZA65R083M1HXKSA1

Silicon Carbide Power Mosfet

товар відсутній

IMZA65R083M1HXKSA1

Silicon Carbide Power Mosfet

на замовлення 244 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	695.7 грн
10+	658.59 грн
100+	593.63 грн

IMZA65R083M1HXKSA1

Description: SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 11.2A, 18V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 3.3mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +20V, -2V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 624 pF @ 400 V

на замовлення 44 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	888.38 грн
10+	786.46 грн

IMZA65R083M1HXKSA1

Description: INFINEON - IMZA65R083M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 650 V, 0.083 ohm, TO-247
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Anzahl der Pins: 4Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm

на замовлення 224 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	832.25 грн
5+	740.12 грн
10+	647.99 грн
50+	579.42 грн
100+	513.62 грн

IMZA65R107M1HXKSA1

MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

на замовлення 352 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	626.41 грн
10+	603.17 грн
25+	427.19 грн
100+	391.3 грн
240+	383.71 грн
480+	304.35 грн
1200+	290.54 грн

IMZA65R107M1HXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 13A; Idm: 48A; 75W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
On-state resistance: 139mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 75W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -5...23V
Pulsed drain current: 48A
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IMZA65R107M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 20A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IMZA65R107M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 20A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IMZA65R107M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 20A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IMZA65R107M1HXKSA1

Description: MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 142mOhm @ 8.9A, 18V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 3mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 496 pF @ 400 V

на замовлення 262 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	641.27 грн
30+	492.96 грн
120+	441.08 грн

IMZA65R107M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 20A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1680 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	613.92 грн

Мінімальне замовлення: 240

IMZA65R107M1HXKSA1

товар відсутній

IMZA65R107M1HXKSA1

Description: INFINEON - IMZA65R107M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 20 A, 650 V, 0.107 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 324 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	575.22 грн
5+	496.25 грн
10+	416.51 грн
50+	378.85 грн

Мінімальне замовлення: 2

IMZA65R107M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 20A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 239 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	1166.67 грн

Мінімальне замовлення: 11

IMZA75R016M1HXKSA1

Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 41.5A, 20V
Power Dissipation (Max): 319W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 14.9mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2869 pF @ 500 V

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1798.4 грн
10+	1597 грн
30+	1525.19 грн
120+	1279.78 грн

IMZA75R016M1HXKSA1

MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1926.73 грн
10+	1687.3 грн
25+	1369.22 грн
50+	1325.74 грн
100+	1283.64 грн
240+	1196.69 грн
480+	1100.76 грн

IMZA75R060M1HXKSA1

MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	813.2 грн
10+	687.3 грн
25+	541.75 грн
100+	497.58 грн
240+	468.6 грн
480+	438.92 грн
1200+	395.44 грн

IMZA75R140M1HXKSA1

Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 129mOhm @ 4.7A, 20V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 1.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 351 pF @ 500 V

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	483.01 грн
10+	420.33 грн
30+	400.83 грн
120+	326.62 грн

IMZA75R140M1HXKSA1

MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

на замовлення 240 шт:

термін постачання 203-212 дні (днів)

1+	518.52 грн
10+	437.3 грн
25+	345.07 грн
100+	316.77 грн
240+	298.14 грн

IMZA75R140M1HXKSA1