Продукція > IPB

MOSFET N-Ch 30V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

на замовлення 1880 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IPB009N03L G
Код товару: 132260

товар відсутній

IPB009N03LGATMA1

MOSFET N-Ch 30V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

на замовлення 13 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	321.26 грн
10+	284.92 грн
100+	202.9 грн
500+	173.22 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB009N03LGATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 180A; 250W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 180A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.95mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1000 шт

товар відсутній

IPB009N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB009N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB009N03LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 227 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25000 pF @ 15 V

товар відсутній

IPB009N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB009N03LGATMA1

товар відсутній

IPB009N03LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 227 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25000 pF @ 15 V

товар відсутній

IPB010N06N

MOSFET N-Ch 60V 180A D2PAK-6

на замовлення 953 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	543.48 грн
10+	459.52 грн
25+	362.32 грн
100+	333.33 грн
250+	313.32 грн
500+	294 грн
1000+	251.9 грн

IPB010N06N

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB010N06NATMA1

Description: INFINEON - IPB010N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 A, 800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1994 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	569.8 грн
10+	406.45 грн
50+	373.93 грн
200+	326.37 грн
500+	282.69 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB010N06NATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 45A/180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 208 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 30 V

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	287.81 грн
2000+	259.7 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB010N06NATMA1

MOSFET N-Ch 60V 180A D2PAK-6

на замовлення 1297 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	513.69 грн
10+	438.89 грн
25+	380.26 грн
100+	321.6 грн
250+	320.22 грн
500+	285.71 грн
1000+	259.49 грн

IPB010N06NATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 180A; 300W; PG-TO263-7
Technology: OptiMOS™
Mounting: SMD
Case: PG-TO263-7
On-state resistance: 1mΩ
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Power dissipation: 300W
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 180A
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPB010N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB010N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	243.96 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB010N06NATMA1

товар відсутній

IPB010N06NATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 45A/180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 208 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 30 V

на замовлення 4973 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	507.64 грн
10+	418.82 грн
100+	349.01 грн
500+	289 грн

IPB010N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB010N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB011N04L G

MOSFET N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

на замовлення 1908 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	393.72 грн
10+	326.19 грн
25+	267.77 грн
100+	229.81 грн
250+	216.7 грн
500+	204.97 грн
1000+	173.22 грн

IPB011N04LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB011N04LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	104.67 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB011N04LGATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 250W; PG-TO263-7
Mounting: SMD
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Case: PG-TO263-7
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
On-state resistance: 1.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET

товар відсутній

IPB011N04LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 346 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29000 pF @ 20 V

на замовлення 2443 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	367.3 грн
10+	297.12 грн
100+	240.38 грн
500+	200.52 грн

IPB011N04LGATMA1

MOSFET N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

на замовлення 722 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	370.37 грн
10+	310.32 грн
25+	267.08 грн
100+	220.15 грн
250+	218.77 грн
500+	197.38 грн
1000+	167.7 грн

IPB011N04LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB011N04LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 346 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29000 pF @ 20 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	189.99 грн
2000+	172.27 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB011N04LGATMA1

товар відсутній

IPB011N04N

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB011N04N (транзисторы)
Код товару: 50026

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2

товар відсутній

IPB011N04N G

MOSFET N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

на замовлення 4454 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	249.6 грн
10+	206.35 грн
25+	178.74 грн
100+	145.62 грн
250+	144.93 грн
500+	129.74 грн
1000+	109.73 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB011N04NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPB011N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 201 A, 740 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 201A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 740µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 594 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	252.38 грн
10+	178.84 грн
100+	144.77 грн
500+	107.83 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPB011N04NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 783 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	120.22 грн
104+	115.43 грн
106+	113.83 грн
110+	105.15 грн
250+	95.87 грн
500+	85.2 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPB011N04NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB011N04NF2SATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 201A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 249µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 20 V

на замовлення 733 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	217.99 грн
10+	176.34 грн
100+	142.68 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB011N04NF2SATMA1

на замовлення 594 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	144.77 грн
500+	107.83 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPB011N04NF2SATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 266 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	233.49 грн
10+	194.44 грн
25+	159.42 грн
100+	135.96 грн
250+	129.05 грн
500+	121.46 грн
800+	103.52 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB011N04NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB011N04NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 783 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	111.63 грн
10+	107.19 грн
25+	105.7 грн
100+	97.64 грн
250+	89.02 грн
500+	79.11 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPB011N04NF2SATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 201A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 249µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 20 V

товар відсутній

IPB011N04NG

на замовлення 15 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB011N04NGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	126.81 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB011N04NGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 20 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	120.39 грн
2000+	109.17 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB011N04NGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	140.16 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB011N04NGATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

товар відсутній

IPB011N04NGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	72.06 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB011N04NGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	122.28 грн
2000+	116.31 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB011N04NGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	136.57 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB011N04NGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 20 V

на замовлення 3168 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	232.92 грн
10+	188.28 грн
100+	152.32 грн
500+	127.07 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB011N04NGATMA1

товар відсутній

IPB011N04NGATMA1

товар відсутній

IPB011N04NGATMA1

Description: INFINEON - IPB011N04NGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 250W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 900µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 1942 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	282.58 грн
10+	226.06 грн
100+	185.8 грн
500+	146.65 грн
1000+	132.72 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB011N04NGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1180 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

36+	341.03 грн
50+	241.31 грн
60+	202.42 грн
100+	184.62 грн
200+	170.05 грн
500+	147.86 грн
1000+	139.32 грн

Мінімальне замовлення: 36

IPB011N04NGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB011N04NGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	113.71 грн
2000+	108.16 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB012N04NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 41A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	85.9 грн
10+	82.19 грн
25+	81.7 грн
100+	74.42 грн
250+	67.25 грн
500+	56.51 грн

Мінімальне замовлення: 7

IPB012N04NF2SATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 197A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 189µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 239 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 20 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	113.33 грн

Мінімальне замовлення: 800

IPB012N04NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPB012N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 197 A, 820 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 197A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 820µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 709 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	127.74 грн
500+	104.96 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPB012N04NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 41A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB012N04NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 41A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

130+	92.5 грн
136+	88.52 грн
137+	87.98 грн
144+	80.15 грн
250+	72.42 грн
500+	60.85 грн

Мінімальне замовлення: 130

IPB012N04NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 41A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB012N04NF2SATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 293 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	217.39 грн
10+	177.78 грн
100+	123.53 грн
250+	113.87 грн
500+	103.52 грн
800+	87.65 грн
2400+	83.51 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB012N04NF2SATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 197A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 189µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 239 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 20 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	203.06 грн
10+	162.04 грн
100+	128.97 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB012N04NF2SATMA1

на замовлення 709 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	235.35 грн
10+	173.42 грн
100+	127.74 грн
500+	104.96 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPB013N06NF2SATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 198A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 246µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 30 V

на замовлення 930 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	266.51 грн
10+	215.45 грн
100+	174.31 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB013N06NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB013N06NF2SATMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 798 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	285.83 грн
10+	237.3 грн
25+	194.62 грн
100+	166.32 грн
250+	157.35 грн
500+	148.38 грн
800+	126.29 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB013N06NF2SATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 198A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 246µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 30 V

товар відсутній

IPB014N04NF2SATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 289 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	134.46 грн
10+	111.11 грн
100+	76.6 грн
250+	70.39 грн
500+	63.91 грн
800+	54.66 грн
2400+	51.97 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB014N04NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPB014N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 191 A, 0.00103 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 191A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00103ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 788 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	78.97 грн
500+	56.94 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPB014N04NF2SATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 191A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 126µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 159 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 20 V

на замовлення 556 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	126.16 грн
10+	100.43 грн
100+	79.95 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB014N04NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

245+	48.99 грн
246+	48.84 грн
256+	46.77 грн
261+	44.32 грн
500+	37.14 грн

Мінімальне замовлення: 245

IPB014N04NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	46.98 грн
14+	45.49 грн
25+	45.35 грн
100+	41.88 грн
250+	38.1 грн
500+	33.1 грн

Мінімальне замовлення: 13

IPB014N04NF2SATMA1

на замовлення 788 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	147.1 грн
10+	111.48 грн
100+	78.97 грн
500+	56.94 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPB014N04NF2SATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 191A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 126µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 159 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 20 V

товар відсутній

IPB014N04NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB014N04NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB014N06N

на замовлення 7 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB014N06N

MOSFET N-Ch 60V 180A D2PAK-6

на замовлення 130 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	332.53 грн
10+	275.4 грн
25+	225.67 грн
100+	193.93 грн
250+	182.88 грн
500+	172.53 грн
1000+	146.31 грн

IPB014N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB014N06NATMA1

MOSFET N-Ch 60V 180A D2PAK-6

на замовлення 61 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	331.72 грн
10+	274.6 грн
25+	224.98 грн
100+	193.24 грн
250+	182.19 грн
500+	171.15 грн
1000+	147 грн

IPB014N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB014N06NATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 180A; 214W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 180A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPB014N06NATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 34A/180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 143µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 30 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	160.18 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB014N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB014N06NATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 34A/180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 143µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 30 V

на замовлення 2758 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	309.81 грн
10+	250.53 грн
100+	202.65 грн
500+	169.05 грн

IPB014N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	90.98 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB014N06NATMA1

товар відсутній

IPB014N06NE8197ATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R (incomplete reels from part IPB014N06NATMA1)

товар відсутній

IPB015N04L G

MOSFET N-Ch 40V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

товар відсутній

IPB015N04LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 346 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 25 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	169.29 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB015N04LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	119.97 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB015N04LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB015N04LGATMA1

MOSFET N-Ch 40V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

товар відсутній

IPB015N04LGATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 250W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 260nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPB015N04LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 346 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 25 V

на замовлення 1564 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	326.98 грн
10+	264.69 грн
100+	214.18 грн
500+	178.67 грн

IPB015N04LGATMA1

товар відсутній

IPB015N04LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB015N04N
Код товару: 62499

товар відсутній

IPB015N04N G

MOSFET N-Ch 40V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 975 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	309.98 грн
10+	256.35 грн
25+	210.49 грн
100+	180.12 грн
250+	169.77 грн
500+	160.8 грн
1000+	135.96 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB015N04NGATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 250W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPB015N04NGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	146.59 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB015N04NGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 20 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	149.76 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB015N04NGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	165.71 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB015N04NGATMA1

товар відсутній

IPB015N04NGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	157.47 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB015N04NGATMA1

MOSFET N-Ch 40V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	309.98 грн
10+	257.14 грн
100+	180.81 грн
250+	180.12 грн
500+	160.8 грн
1000+	137.34 грн
2000+	129.05 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB015N04NGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	102.25 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB015N04NGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB015N04NGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 20 V

на замовлення 2155 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	289.66 грн
10+	234.21 грн
100+	189.48 грн
500+	158.06 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB015N04NGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB015N06NF2SATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 186µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 30 V

на замовлення 691 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	181.41 грн
10+	144.5 грн
100+	115.01 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB015N06NF2SATMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 719 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	193.24 грн
10+	157.94 грн
100+	109.04 грн
250+	100.76 грн
500+	91.79 грн
800+	77.98 грн
2400+	74.53 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB015N06NF2SATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 186µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 30 V

товар відсутній

IPB015N08N5

MOSFET TRENCH 40<-<100V

товар відсутній

IPB015N08N5ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 180A; 375W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 180A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPB015N08N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB015N08N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 279µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 222 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16900 pF @ 40 V

на замовлення 982 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	485.25 грн
10+	400.56 грн
100+	333.81 грн
500+	276.41 грн

IPB015N08N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 180A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB015N08N5ATMA1

MOSFET N-Ch 80V 180A D2PAK-2

на замовлення 5325 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	515.3 грн
10+	434.92 грн
25+	358.18 грн
100+	273.98 грн
250+	273.29 грн
500+	257.42 грн
1000+	243.62 грн

IPB015N08N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB015N08N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 279µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 222 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16900 pF @ 40 V

товар відсутній

IPB015N08N5ATMA1

товар відсутній

IPB015N08N5ATMA1

Description: INFINEON - IPB015N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 180 A, 0.0011 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pins
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm

на замовлення 2285 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	556.64 грн
10+	437.41 грн
100+	371.61 грн
500+	306.96 грн
1000+	252.83 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB016N06L3 G

MOSFET N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

на замовлення 1951 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	289.05 грн
10+	239.68 грн
25+	196.69 грн
100+	169.08 грн
250+	159.42 грн
500+	150.45 грн
1000+	126.98 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB016N06L3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB016N06L3GATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 180A; 250W; PG-TO263-7
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Case: PG-TO263-7
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 180A
On-state resistance: 1.6mΩ
кількість в упаковці: 1000 шт

товар відсутній

IPB016N06L3GATMA1

Description: INFINEON - IPB016N06L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 A, 0.0012 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 250
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

на замовлення 987 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	333.67 грн
10+	299.61 грн
100+	245.42 грн
500+	194.1 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB016N06L3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 196µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 30 V

на замовлення 9368 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	269.5 грн
10+	218.18 грн
100+	176.46 грн
500+	147.21 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB016N06L3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	112.72 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB016N06L3GATMA1

MOSFET N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

на замовлення 672 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	285.02 грн
10+	239.68 грн
25+	195.31 грн
100+	167.01 грн
250+	163.56 грн
500+	150.45 грн
1000+	126.29 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB016N06L3GATMA1

товар відсутній

IPB016N06L3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 237 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	274.15 грн
10+	235.41 грн
25+	197.7 грн
100+	128 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB016N06L3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 196µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 30 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	139.48 грн
2000+	126.47 грн
5000+	121.33 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB016N06L3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB016N06L3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 237 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

41+	295.24 грн
48+	253.52 грн
57+	212.91 грн
100+	137.85 грн

Мінімальне замовлення: 41

IPB016N08NF2SATMA1

SP005571685

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	110.31 грн

Мінімальне замовлення: 800

IPB016N08NF2SATMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 695 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	314.01 грн
10+	259.52 грн
25+	218.77 грн
100+	182.88 грн
250+	177.36 грн
500+	166.32 грн
800+	131.12 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB016N08NF2SATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 267µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 40 V

на замовлення 960 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	292.64 грн
10+	236.87 грн
100+	191.63 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB016N08NF2SATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 267µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 40 V

товар відсутній

IPB017N06N3 G

MOSFET N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

на замовлення 771 шт:

термін постачання 403-412 дні (днів)

2+	264.09 грн
10+	218.25 грн
25+	179.43 грн
100+	153.9 грн
250+	144.93 грн
500+	136.65 грн
1000+	116.63 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB017N06N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 196µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 30 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	124.69 грн
2000+	113.06 грн
5000+	108.47 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB017N06N3GATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 180A; 250W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 180A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPB017N06N3GATMA1

MOSFET N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

на замовлення 3053 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	272.95 грн
10+	234.92 грн
100+	167.7 грн
500+	144.93 грн
1000+	120.08 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB017N06N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB017N06N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	86.15 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB017N06N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 196µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 30 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	241.13 грн
10+	195.03 грн
100+	157.76 грн
500+	131.6 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB017N06N3GATMA1

товар відсутній

IPB017N06N3GATMA1

Description: INFINEON - IPB017N06N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 A, 0.0013 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1015 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	285.67 грн
10+	202.06 грн
100+	163.35 грн
500+	143.78 грн
1000+	111.48 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB017N06N3GXT

MOSFET N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

товар відсутній

IPB017N08N5

MOSFET N-Ch 80V 120A D2PAK-2

на замовлення 876 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	464.57 грн
10+	392.06 грн
25+	309.18 грн
100+	283.64 грн
250+	267.08 грн
500+	250.52 грн
1000+	224.98 грн

IPB017N08N5ATMA1

MOSFET N-Ch 80V 120A D2PAK-2

на замовлення 177 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	463.77 грн
10+	392.86 грн
100+	284.33 грн
250+	282.26 грн
500+	251.21 грн
1000+	224.98 грн
2000+	215.32 грн

IPB017N08N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 177A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB017N08N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16900 pF @ 40 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	245.87 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB017N08N5ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 375W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPB017N08N5ATMA1

товар відсутній

IPB017N08N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16900 pF @ 40 V

на замовлення 2302 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	433.74 грн
10+	357.72 грн
100+	298.14 грн
500+	246.88 грн

IPB017N10N5

Trans MOSFET N-CH 100V 180A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	627.49 грн
25+	600.54 грн
50+	577.66 грн
100+	538.13 грн
250+	483.15 грн
500+	451.21 грн

Мінімальне замовлення: 20

IPB017N10N5

на замовлення 987 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB017N10N5

MOSFET TRENCH >=100V

товар відсутній

IPB017N10N5ATMA1

Description: INFINEON - IPB017N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 0.0015 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 375W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 7063 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	519.48 грн
25+	446.7 грн
100+	347.22 грн
1000+	279.37 грн

Мінімальне замовлення: 10

IPB017N10N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 279µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15600 pF @ 50 V

на замовлення 2598 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	509.14 грн
10+	419.9 грн
100+	349.89 грн
500+	289.73 грн

IPB017N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 180A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB017N10N5ATMA1

MOSFET N-Ch 100V 180A D2PAK-2

на замовлення 10035 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	545.09 грн
10+	460.32 грн
25+	382.33 грн
100+	334.02 грн
250+	326.43 грн
500+	294.69 грн
1000+	261.56 грн

IPB017N10N5ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 375W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPB017N10N5ATMA1

Description: INFINEON - IPB017N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 0.0015 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 375W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0015ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 7063 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	596.9 грн
10+	519.48 грн
25+	446.7 грн
100+	347.22 грн
1000+	279.37 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB017N10N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 279µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15600 pF @ 50 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	288.54 грн
2000+	260.36 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB017N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 180A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB017N10N5ATMA1

товар відсутній

IPB017N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 180A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB017N10N5E8187ATMA1

OptiMOS5Power-Transistor,100VPG-TO 263-7

товар відсутній

IPB017N10N5LFATMA1

Description: INFINEON - IPB017N10N5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 0.0015 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 313W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 289 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	586.06 грн
25+	507.87 грн
100+	398.26 грн

Мінімальне замовлення: 10

IPB017N10N5LFATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 50 V

на замовлення 8402 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	607.68 грн
10+	501.35 грн
100+	417.85 грн
500+	346 грн

IPB017N10N5LFATMA1

Description: INFINEON - IPB017N10N5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 0.0015 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 313W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0015ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 289 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	709.93 грн
10+	586.06 грн
25+	507.87 грн
100+	398.26 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB017N10N5LFATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 50 V

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	344.58 грн
2000+	310.93 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB017N10N5LFATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 578 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	603.13 грн
28+	440.4 грн
50+	390.56 грн
100+	353.08 грн
200+	308.76 грн
500+	276.36 грн

Мінімальне замовлення: 20

IPB017N10N5LFATMA1

MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS

на замовлення 9405 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	650.56 грн
10+	550 грн
25+	471.36 грн
100+	398.9 грн
500+	351.97 грн
1000+	316.08 грн
2000+	301.59 грн

IPB017N10N5LFATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	292.27 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB018N06NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	68.13 грн

Мінімальне замовлення: 800

IPB018N06NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	68.56 грн

Мінімальне замовлення: 800

IPB018N06NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB018N06NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

75+	159.88 грн
91+	132.88 грн
92+	131.45 грн
113+	102.91 грн
250+	88.15 грн
500+	59.05 грн

Мінімальне замовлення: 75

IPB018N06NF2SATMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 121 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	153.78 грн
10+	126.19 грн
100+	86.96 грн
250+	80.06 грн
500+	73.15 грн
800+	62.32 грн
2400+	59.21 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB018N06NF2SATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 187A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 129µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 30 V

на замовлення 442 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	143.33 грн
10+	114.45 грн
100+	91.1 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB018N06NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 23200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	73.55 грн

Мінімальне замовлення: 800

IPB018N06NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	148.46 грн
10+	123.39 грн
25+	122.06 грн
100+	95.56 грн
250+	81.85 грн
500+	54.83 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPB018N06NF2SATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 187A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 129µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 30 V

товар відсутній

IPB018N10N5ATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 25 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	466.18 грн
10+	394.44 грн
25+	310.56 грн
100+	285.71 грн
250+	269.15 грн
500+	258.11 грн
1000+	218.77 грн

IPB018N10N5ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 176A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.83mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 50 V

товар відсутній

IPB018N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 33A T/R

товар відсутній

IPB018N10N5ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 176A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.83mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 50 V

на замовлення 374 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	434.48 грн
10+	359.08 грн
100+	299.22 грн

IPB019N06L3 G

MOSFET N-Ch 60V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 677 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	271.34 грн
10+	224.6 грн
25+	184.26 грн
100+	158.04 грн
250+	149.76 грн
500+	141.48 грн
1000+	119.39 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB019N06L3GATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 250W; PG-TO263-3
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
On-state resistance: 1.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	144 грн
5+	125.09 грн
8+	112.87 грн
21+	106.4 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB019N06L3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	98.23 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB019N06L3GATMA1

на замовлення 50 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	172.8 грн
5+	155.88 грн
8+	135.44 грн
21+	127.67 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB019N06L3GATMA1

MOSFET N-Ch 60V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 6308 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	270.53 грн
10+	223.81 грн
25+	183.57 грн
100+	157.35 грн
250+	149.07 грн
500+	140.1 грн
1000+	113.18 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB019N06L3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 196µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 30 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	129.01 грн
2000+	116.98 грн
5000+	112.23 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB019N06L3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB019N06L3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 196µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 30 V

на замовлення 7726 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	249.34 грн
10+	201.72 грн
100+	163.22 грн
500+	136.16 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB019N06L3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB019N08N3 G

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB019N08N3 G

MOSFET N-Ch 80V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

на замовлення 88 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	459.74 грн
10+	388.09 грн
25+	306.42 грн
100+	280.88 грн
250+	265.01 грн
500+	253.97 грн
1000+	215.32 грн

IPB019N08N3G

Trans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	496.97 грн
26+	475.62 грн
50+	457.5 грн
100+	426.19 грн
250+	382.65 грн
500+	357.35 грн
1000+	348.61 грн

Мінімальне замовлення: 25

IPB019N08N3G

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 180A; 300W; PG-TO263-7
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-7
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 180A
On-state resistance: 1.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1000 шт

товар відсутній

IPB019N08N3G

товар відсутній

IPB019N08N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14200 pF @ 40 V

на замовлення 7622 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	428.51 грн
10+	353.62 грн
100+	294.73 грн
500+	244.05 грн

IPB019N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	264.42 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB019N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	242.63 грн
2000+	234.67 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB019N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 180A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB019N08N3GATMA1

MOSFET N-Ch 80V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

на замовлення 944 шт:

термін постачання 215-224 дні (днів)

1+	418.68 грн
10+	358.73 грн
100+	271.91 грн
250+	267.77 грн
500+	242.24 грн
1000+	215.32 грн

IPB019N08N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14200 pF @ 40 V

на замовлення 7000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	243.05 грн
2000+	219.31 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB019N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1780 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	247.53 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB019N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 855 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

27+	454.64 грн
32+	384.46 грн
50+	292.92 грн
200+	264.81 грн
500+	216.13 грн

Мінімальне замовлення: 27

IPB019N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1780 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

45+	266.57 грн

Мінімальне замовлення: 45

IPB019N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 180A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	183.57 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB019N08N3GATMA1

Description: INFINEON - IPB019N08N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 180 A, 0.0016 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm

на замовлення 2501 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	466.83 грн
10+	343.74 грн
100+	297.29 грн
500+	258.08 грн
1000+	207.04 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB019N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB019N08N5ATMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

товар відсутній

IPB019N08N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 224W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 154µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8970 pF @ 40 V

на замовлення 847 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	360.58 грн
10+	291.29 грн
100+	235.63 грн
500+	196.56 грн

IPB019N08N5ATMA1

Trench Power Transistor IC

товар відсутній

IPB019N08N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 224W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 154µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8970 pF @ 40 V

товар відсутній

IPB019N08N5ATMA1

Trench Power Transistor IC

товар відсутній

IPB019N08NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPB019N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 166 A, 0.0016 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 166A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 410 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	259.35 грн
10+	188.13 грн
100+	152.51 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB019N08NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 30400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	125.63 грн

Мінімальне замовлення: 800

IPB019N08NF2SATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 166A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 194µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8700 pF @ 40 V

на замовлення 307 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	219.48 грн
10+	177.56 грн
100+	143.64 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB019N08NF2SATMA1

на замовлення 410 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	152.51 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPB019N08NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	122.36 грн

Мінімальне замовлення: 800

IPB019N08NF2SATMA1

SP005571690

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	82.13 грн

Мінімальне замовлення: 800

IPB019N08NF2SATMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 1098 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	235.1 грн
10+	195.24 грн
25+	164.25 грн
100+	137.34 грн
250+	133.2 грн
500+	122.15 грн
800+	98 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB019N08NF2SATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 166A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 194µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8700 pF @ 40 V

товар відсутній

IPB019N08NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	129.03 грн

Мінімальне замовлення: 800

IPB020N04N G

MOSFET N-Ch 40V 140A D2PAK-6 OptiMOS 3

на замовлення 899 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	167.47 грн
10+	144.44 грн
100+	96.62 грн
500+	87.65 грн
1000+	84.89 грн
2000+	82.82 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB020N04NGATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 140A; 167W; PG-TO263-7
Technology: OptiMOS™ 3
Mounting: SMD
Case: PG-TO263-7
Power dissipation: 167W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 2mΩ
Drain current: 140A
Drain-source voltage: 40V
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPB020N04NGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 140A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9700 pF @ 20 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	98.35 грн
2000+	89.97 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB020N04NGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 140A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB020N04NGATMA1

товар відсутній

IPB020N04NGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 140A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 3515 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	112.2 грн
10+	107.58 грн
25+	106.19 грн
100+	97.21 грн
250+	87.71 грн
500+	81.04 грн
1000+	78.22 грн
3000+	77.43 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPB020N04NGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 140A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9700 pF @ 20 V

на замовлення 3448 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	206.79 грн
10+	165.7 грн
100+	131.92 грн
500+	104.75 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB020N04NGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 140A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB020N08N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 208µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12100 pF @ 40 V

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	150.8 грн
2000+	136.74 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB020N08N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 173A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	196.96 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPB020N08N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 173A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	99.03 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB020N08N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 208µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12100 pF @ 40 V

на замовлення 5508 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	291.15 грн
10+	235.87 грн
100+	190.79 грн
500+	159.16 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB020N08N5ATMA1

MOSFET N-Ch 80V 120A D2PAK-2

на замовлення 1551 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	312.4 грн
10+	258.73 грн
25+	223.6 грн
100+	182.19 грн
250+	180.12 грн
500+	161.49 грн
1000+	131.12 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB020N08N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 173A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB020N10N5

MOSFET N-Ch 100V 120A D2PAK-2

на замовлення 506 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	504.03 грн
10+	426.19 грн
25+	335.4 грн
100+	308.49 грн
250+	289.85 грн
500+	271.91 грн
1000+	245 грн

IPB020N10N5

на замовлення 215 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB020N10N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15600 pF @ 50 V

на замовлення 2832 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	471.06 грн
10+	388.63 грн
100+	323.86 грн
500+	268.17 грн

IPB020N10N5ATMA1

MOSFET N-Ch 100V 120A D2PAK-2

на замовлення 2365 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	504.83 грн
10+	426.19 грн
25+	354.04 грн
100+	308.49 грн
250+	305.73 грн
500+	272.6 грн
1000+	245 грн

IPB020N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 176A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB020N10N5ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 375W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1000 шт

товар відсутній

IPB020N10N5ATMA1

Description: INFINEON - IPB020N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0017 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm

на замовлення 3239 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	377.03 грн
50+	336.44 грн
100+	297.29 грн
250+	279.37 грн

Мінімальне замовлення: 10

IPB020N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 176A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	238.33 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB020N10N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15600 pF @ 50 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	267.08 грн
2000+	240.99 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB020N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 176A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 750 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	410.89 грн
10+	355.04 грн
25+	339.93 грн
100+	263 грн
250+	234.52 грн
500+	212.19 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB020N10N5ATMA1

на замовлення 3239 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	531.86 грн
5+	454.45 грн
10+	377.03 грн
50+	336.44 грн
100+	297.29 грн
250+	279.37 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB020N10N5ATMA1

товар відсутній

IPB020N10N5LF

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 313W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 313W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPB020N10N5LF

товар відсутній

IPB020N10N5LFATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 176A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1830 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	590.77 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB020N10N5LFATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 176A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 176A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 50 V

на замовлення 1519 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	566.62 грн
10+	467.64 грн
100+	389.72 грн
500+	322.71 грн

IPB020N10N5LFATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 176A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	904.19 грн
15+	817.74 грн
50+	727.23 грн
100+	638.48 грн
200+	571.21 грн
500+	503.9 грн
1000+	455.94 грн

Мінімальне замовлення: 14

IPB020N10N5LFATMA1

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB020N10N5LFATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 176A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB020N10N5LFATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 176A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 176A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 50 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	321.38 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB020N10N5LFATMA1

MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS

на замовлення 1947 шт:

термін постачання 161-170 дні (днів)

1+	607.08 грн
10+	512.7 грн
100+	371.29 грн
500+	317.46 грн
1000+	294.69 грн

IPB020N10N5LFATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 176A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1830 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	636.21 грн

Мінімальне замовлення: 19

IPB020N10N5LFATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	286.63 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB020NE7N3 G

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB020NE7N3 G

Rochester Electronics, LLC

MOSFET N-Ch 75V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 2950 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	456.52 грн
10+	397.62 грн
25+	343.68 грн
100+	279.5 грн
500+	249.14 грн
1000+	212.56 грн
2000+	200.14 грн

IPB020NE7N3G

Description: IPB020NE7 - 12V-300V N-CHANNEL P

на замовлення 5372 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPB020NE7N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 75V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB020NE7N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 273µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14400 pF @ 37.5 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	231.94 грн
2000+	210.31 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB020NE7N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 75V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB020NE7N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 75V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB020NE7N3GATMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

товар відсутній

IPB020NE7N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 75V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	196.87 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB020NE7N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 273µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14400 pF @ 37.5 V

на замовлення 7894 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	448.67 грн
10+	362.75 грн
100+	293.45 грн
500+	244.79 грн

IPB021N06N3 G

Rochester Electronics, LLC

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IPB021N06N3G

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

товар відсутній

IPB021N06N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 196µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 30 V

товар відсутній

IPB021N06N3GXT

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB022N04L G

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB022N04LG

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 20 V

на замовлення 1840 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

335+	63.59 грн

Мінімальне замовлення: 335

IPB022N04LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 90A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 20 V

товар відсутній

IPB022N04LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 90A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 20 V

товар відсутній

IPB022N04LGXT

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB022N12NM6ATMA1

TRENCH >=100V

товар відсутній

IPB023N04N G

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IPB023N04NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 794 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	66.53 грн
10+	63.03 грн
25+	62.58 грн
100+	56.31 грн
250+	50.79 грн
500+	41.62 грн

Мінімальне замовлення: 9

IPB023N04NF2SATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 122A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.35mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 81µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 20 V

на замовлення 761 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	126.91 грн
10+	101.72 грн
100+	80.96 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB023N04NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	64.61 грн

Мінімальне замовлення: 800

IPB023N04NF2SATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 284 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	136.07 грн
10+	111.9 грн
100+	77.98 грн
250+	71.77 грн
500+	64.8 грн
800+	55.42 грн
2400+	52.66 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB023N04NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 794 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

177+	67.88 грн
178+	67.39 грн
191+	62.88 грн
250+	59.07 грн
500+	46.69 грн

Мінімальне замовлення: 177

IPB023N04NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPB023N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 122 A, 0.0019 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 122A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	82.06 грн
500+	58.88 грн
1000+	49.97 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPB023N04NF2SATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 122A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.35mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 81µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 20 V

товар відсутній

IPB023N04NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	64.2 грн

Мінімальне замовлення: 800

IPB023N04NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	49.03 грн

Мінімальне замовлення: 800

IPB023N04NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB023N04NF2SATMA1

на замовлення 1100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	151.74 грн
10+	114.58 грн
100+	82.06 грн
500+	58.88 грн
1000+	49.97 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPB023N04NG

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 20 V

товар відсутній

IPB023N04NGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 90A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 20 V

товар відсутній

IPB023N04NGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 90A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 20 V

товар відсутній

IPB023N04NGXT

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB023N06N3 G

MOSFET N-Ch 60V 140A D2PAK-6

на замовлення 393 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IPB023N06N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 140A TO263-7

товар відсутній

IPB023N06N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 140A TO263-7

товар відсутній

IPB023N06N3GXT

Trans MOSFET N-CH 60V 140A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB024N08N5ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 375W; PG-TO263-3
Mounting: SMD
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-3
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
On-state resistance: 2.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET

товар відсутній

IPB024N08N5ATMA1

Description: INFINEON - IPB024N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.0021 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 264 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	364.64 грн
10+	297.29 грн
25+	274.06 грн
100+	232.92 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB024N08N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 166A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 16000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	166.32 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB024N08N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 154µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8970 pF @ 40 V

на замовлення 990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	270.99 грн
10+	219.04 грн
100+	177.2 грн
500+	147.82 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB024N08N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 166A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB024N08N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 166A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	94.2 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB024N08N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 166A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

65+	186.75 грн
67+	180.13 грн
68+	178.37 грн
100+	170.15 грн
250+	155.84 грн
500+	147.97 грн

Мінімальне замовлення: 65

IPB024N08N5ATMA1

MOSFET N-Ch 80V 120A D2PAK-2

на замовлення 1001 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	203.7 грн
10+	177.78 грн
25+	153.9 грн
100+	135.27 грн
250+	134.58 грн
500+	125.6 грн
1000+	123.53 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB024N08N5ATMA1

товар відсутній

IPB024N08N5ATMA1

на замовлення 264 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	297.29 грн
25+	274.06 грн
100+	232.92 грн

Мінімальне замовлення: 10

IPB024N08N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 154µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8970 pF @ 40 V

товар відсутній

IPB024N08N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 166A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	173.41 грн
10+	167.26 грн
25+	165.63 грн
100+	158 грн
250+	144.71 грн
500+	137.4 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPB024N08NF2SATMA1

SP005571694

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	75.04 грн

Мінімальне замовлення: 800

IPB024N08NF2SATMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 619 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	223.83 грн
10+	184.92 грн
25+	156.66 грн
100+	130.43 грн
250+	126.29 грн
500+	115.94 грн
800+	93.17 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB024N08NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPB024N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 161 A, 0.002 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 161A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 690 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	130.12 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPB024N08NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB024N08NF2SATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 107A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200 pF @ 40 V

на замовлення 769 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	206.04 грн
10+	166.64 грн
100+	134.77 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB024N08NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 29600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	119.52 грн

Мінімальне замовлення: 800

IPB024N08NF2SATMA1

на замовлення 690 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	250.84 грн
10+	200.51 грн
25+	170.32 грн
100+	130.12 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPB024N08NF2SATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 107A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200 pF @ 40 V

товар відсутній

IPB024N10N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 183µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10200 pF @ 50 V

товар відсутній

IPB024N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 180A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB024N10N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 183µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10200 pF @ 50 V

на замовлення 463 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	420.3 грн
10+	339.75 грн
100+	274.82 грн

IPB024N10N5ATMA1

MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS

на замовлення 2978 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	450.08 грн
10+	373.02 грн
25+	306.42 грн
100+	262.25 грн
250+	247.76 грн
500+	233.26 грн
1000+	187.72 грн

IPB024N10N5E8197ATMA1

IPB024N10N5E8197ATMA1

товар відсутній

IPB025N08N3 G

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14200 pF @ 40 V

товар відсутній

IPB025N08N3 G

MOSFET N-Ch 80V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 8273 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	328.5 грн
10+	274.6 грн
25+	237.4 грн
100+	197.38 грн
500+	182.88 грн
1000+	173.22 грн

IPB025N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB025N08N3GATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 300W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPB025N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	122.38 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB025N08N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14200 pF @ 40 V

на замовлення 14355 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	387.45 грн
10+	313.15 грн
100+	253.31 грн
500+	211.3 грн

IPB025N08N3GATMA1

Description: INFINEON - IPB025N08N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.002 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm

на замовлення 5617 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	380.9 грн
10+	290.32 грн
100+	230.71 грн
500+	201.29 грн
1000+	166.56 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB025N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	487.81 грн
100+	465.69 грн
250+	426.92 грн
500+	405.67 грн

Мінімальне замовлення: 25

IPB025N08N3GATMA1

товар відсутній

IPB025N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	461.93 грн
10+	412 грн
25+	408 грн
100+	320.71 грн
250+	293.98 грн
500+	238.6 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB025N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB025N08N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14200 pF @ 40 V

на замовлення 13000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	200.21 грн
2000+	181.53 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB025N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

27+	447.52 грн
32+	379.37 грн
50+	288.85 грн
200+	261.87 грн
500+	212.5 грн
1000+	198.77 грн

Мінімальне замовлення: 27

IPB025N10N3 G

MOSFET N-Ch 100V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

на замовлення 1324 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	495.97 грн
10+	410.32 грн
25+	336.78 грн
100+	289.16 грн
250+	272.6 грн
500+	257.42 грн
1000+	218.08 грн

IPB025N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 180A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	169.89 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB025N10N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800 pF @ 50 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	239.03 грн
2000+	216.73 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB025N10N3GATMA1

Description: INFINEON - IPB025N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 0.002 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm

на замовлення 14200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	539.61 грн
10+	382.45 грн
100+	330.58 грн
500+	287.55 грн
1000+	239.55 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB025N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	253.98 грн
2000+	240.44 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB025N10N3GATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 300W; PG-TO263-7
Mounting: SMD
Case: PG-TO263-7
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
On-state resistance: 2.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V

на замовлення 883 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	347.61 грн
3+	290.43 грн
4+	224.29 грн
11+	212.07 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB025N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 61000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	274.3 грн
2000+	257.26 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB025N10N3GATMA1
Код товару: 133145

товар відсутній

IPB025N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 61000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	295.4 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB025N10N3GATMA1

MOSFET N-Ch 100V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

на замовлення 329 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	495.17 грн
10+	411.11 грн
100+	291.24 грн
250+	290.54 грн
500+	261.56 грн
1000+	228.43 грн

IPB025N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 180A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB025N10N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800 pF @ 50 V

на замовлення 5409 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	462.11 грн
10+	373.82 грн
100+	302.42 грн
500+	252.28 грн

IPB025N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	351.87 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB025N10N3GATMA1

на замовлення 883 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	417.13 грн
3+	361.92 грн
4+	269.15 грн
11+	254.49 грн
1000+	249.31 грн

IPB025N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 3800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	627.21 грн
22+	567.38 грн
50+	497.58 грн
100+	456.73 грн
200+	406.87 грн
500+	361.54 грн
1000+	328.2 грн
2000+	308.55 грн

Мінімальне замовлення: 20

IPB025N10N3GE8187ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800 pF @ 50 V

товар відсутній

IPB025N10N3GE818XT

MOSFET N-Ch 100V 180A D2PAK-6

товар відсутній

IPB025N10N3GE8197ATMA1

SP001227196

товар відсутній

IPB025N10N3GE8197ATMA1

SP001227196

товар відсутній

IPB026N06N

Description: MOSFET N-CH 60V 25A TO263-3

на замовлення 1928 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPB026N06N

Description: MOSFET N-CH 60V 25A TO263-3

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPB026N06N

MOSFET N-Ch 60V 100A D2PAK-2

на замовлення 1522 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	177.13 грн
10+	145.24 грн
100+	100.07 грн
250+	92.48 грн
500+	84.89 грн
1000+	71.08 грн
2000+	68.67 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB026N06N

Description: MOSFET N-CH 60V 25A TO263-3

на замовлення 1928 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPB026N06NATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 25A/100A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 75µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 30 V

на замовлення 2943 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	162 грн
10+	129.54 грн
100+	103.12 грн
500+	81.89 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB026N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	191.31 грн
10+	171.49 грн
25+	169.77 грн
100+	132.96 грн
250+	121.88 грн
500+	99.61 грн
1000+	81.52 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPB026N06NATMA1

MOSFET N-Ch 60V 100A D2PAK-2

на замовлення 1150 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	144.93 грн
10+	116.67 грн
100+	86.27 грн
250+	77.29 грн
500+	69.7 грн
1000+	66.46 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB026N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 42000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	50.56 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB026N06NATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 136W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPB026N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB026N06NATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 25A/100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 75µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 30 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	76.89 грн
2000+	70.34 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB026N06NATMA1

товар відсутній

IPB026N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

59+	206.03 грн
65+	184.68 грн
66+	182.83 грн
100+	143.18 грн
250+	131.25 грн
500+	107.28 грн
1000+	87.79 грн

Мінімальне замовлення: 59

IPB026N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB026N10NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPB026N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 162 A, 0.0022 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 414 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	365.42 грн
10+	294.19 грн
100+	240.77 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB026N10NF2SATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 162A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 169µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 50 V

на замовлення 1244 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	302.35 грн
10+	244.49 грн
100+	197.75 грн

IPB026N10NF2SATMA1

SP005571706

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	100.64 грн

Мінімальне замовлення: 800

IPB026N10NF2SATMA1

на замовлення 414 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	240.77 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPB026N10NF2SATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 162A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 169µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 50 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	182.54 грн

Мінімальне замовлення: 800

IPB026N10NF2SATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 788 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	324.48 грн
10+	269.05 грн
25+	220.15 грн
100+	188.41 грн
250+	178.74 грн
500+	168.39 грн
800+	142.86 грн

IPB027N10N3 G

Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

36+	341.7 грн
37+	327.02 грн
50+	314.56 грн
100+	293.03 грн
250+	263.1 грн
500+	245.7 грн
1000+	239.69 грн

Мінімальне замовлення: 36

IPB027N10N3 G

MOSFET N-Ch 100V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 6814 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	243.96 грн
1000+	233.33 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB027N10N3 G

на замовлення 300 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB027N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

54+	222.42 грн
56+	213.95 грн
100+	206.69 грн
250+	193.26 грн
500+	174.07 грн

Мінімальне замовлення: 54

IPB027N10N3GATMA1

MOSFET N-Ch 100V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 2044 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	487.12 грн
10+	403.17 грн
25+	345.07 грн
100+	283.64 грн
250+	279.5 грн
500+	251.9 грн
1000+	209.8 грн

IPB027N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	141.71 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB027N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB027N10N3GATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 300W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPB027N10N3GATMA1

Description: INFINEON - IPB027N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0023 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm

на замовлення 11140 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	318.19 грн
100+	315.87 грн
500+	263.11 грн
1000+	195.76 грн

Мінімальне замовлення: 10

IPB027N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1850 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	523.81 грн
32+	381.41 грн
50+	338.7 грн
100+	306.98 грн
200+	267.89 грн
500+	239.75 грн
1000+	224.92 грн

Мінімальне замовлення: 23

IPB027N10N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800 pF @ 50 V

на замовлення 10504 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	320.26 грн
10+	258.66 грн
100+	209.24 грн
500+	192.06 грн

IPB027N10N3GATMA1

товар відсутній

IPB027N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1256 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	461.04 грн
10+	395.41 грн
25+	385.18 грн
100+	304.07 грн
250+	226.72 грн
500+	165.02 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB027N10N3GATMA1

Description: INFINEON - IPB027N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0023 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm

на замовлення 4558 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	322.06 грн
10+	250.06 грн
50+	245.42 грн
200+	222.85 грн
500+	201.73 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB027N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1256 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

50+	241.44 грн

Мінімальне замовлення: 50

IPB027N10N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800 pF @ 50 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	212.53 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB027N10N3GE8187ATMA1

Description: MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete

товар відсутній

IPB027N10N5ATMA1

Description: INFINEON - IPB027N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 166 A, 0.0024 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 166A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1159 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	356.9 грн
10+	266.32 грн
50+	231.48 грн
200+	211.35 грн
500+	175.19 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB027N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 166A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

48+	254.35 грн

Мінімальне замовлення: 48

IPB027N10N5ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 250W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1000 шт

товар відсутній

IPB027N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 166A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB027N10N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 184µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 50 V

на замовлення 2327 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	400.14 грн
10+	323 грн
100+	261.31 грн
500+	217.98 грн

IPB027N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 166A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 736 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

43+	278.89 грн
45+	266.91 грн
50+	256.74 грн
100+	239.17 грн
250+	214.74 грн
500+	200.54 грн

Мінімальне замовлення: 43

IPB027N10N5ATMA1

на замовлення 1159 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	266.32 грн
50+	231.48 грн
200+	211.35 грн
500+	175.19 грн

Мінімальне замовлення: 10

IPB027N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 166A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	394.3 грн
10+	334.59 грн
25+	320.89 грн
100+	260.79 грн
250+	232.94 грн
500+	173.84 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB027N10N5ATMA1

MOSFET N-Ch 100V 120A D2PAK-2

на замовлення 2406 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	345.41 грн
10+	298.41 грн
25+	250.52 грн
100+	220.15 грн
250+	218.08 грн
500+	200.83 грн
1000+	185.65 грн

IPB027N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 166A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB027N10N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 184µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 50 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	206.53 грн
2000+	187.27 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB027N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 166A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 2064 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

26+	462.77 грн
31+	391.58 грн
50+	298 грн
100+	286.38 грн
200+	249.74 грн
500+	210.97 грн
1000+	205.74 грн
2000+	197.89 грн

Мінімальне замовлення: 26

IPB027N10N5ATMA1

товар відсутній

IPB029N06N3 G

MOSFET N-Ch 60V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 1935 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	158.61 грн
10+	130.16 грн
100+	89.72 грн
250+	82.82 грн
500+	75.91 грн
1000+	63.98 грн
2000+	61.56 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB029N06N3GATMA1
Код товару: 150736

товар відсутній

IPB029N06N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	76.81 грн

Мінімальне замовлення: 8

IPB029N06N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB029N06N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 118µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V

на замовлення 29169 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	104.51 грн
10+	83.61 грн
100+	66.55 грн
500+	56.38 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB029N06N3GATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 188W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPB029N06N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB029N06N3GATMA1

товар відсутній

IPB029N06N3GATMA1

MOSFET N-Ch 60V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 5214 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	112.72 грн
10+	92.06 грн
100+	63.49 грн
500+	59.56 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB029N06N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 118µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V

на замовлення 28000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	62.39 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB029N06N3GE8187ATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 118µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V

товар відсутній

IPB029N06N3GE8187ATMA1

MOSFET N-Ch 60V 120A D2PAK-2

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IPB029N06N3GE8187ATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A T/R

товар відсутній

IPB029N06N3GE8187ATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 118µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V

товар відсутній

IPB029N06N3GE8187ATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A T/R

товар відсутній

IPB029N06NF2SATMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 55 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	136.88 грн
10+	112.7 грн
100+	77.98 грн
250+	71.77 грн
500+	65.49 грн
800+	55.76 грн
2400+	53 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB029N06NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB029N06NF2SATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 30 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	71.66 грн

Мінімальне замовлення: 800

IPB029N06NF2SATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 30 V

на замовлення 813 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	127.66 грн
10+	102.44 грн
100+	81.55 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB030N08N3 G

MOSFET N-Ch 80V 160A D2PAK-6 OptiMOS 3

на замовлення 2676 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	300.32 грн
10+	248.41 грн
25+	204.28 грн
100+	174.6 грн
250+	164.94 грн
500+	155.28 грн
1000+	125.6 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB030N08N3GATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 160A; 214W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 160A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPB030N08N3GATMA1

Description: INFINEON - IPB030N08N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 160 A, 0.0025 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm

на замовлення 2300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	290.32 грн
10+	205.93 грн
100+	166.45 грн
500+	145.93 грн
1000+	115.46 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB030N08N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 160A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 155µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8110 pF @ 40 V

на замовлення 2748 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	273.98 грн
10+	221.49 грн
100+	179.2 грн
500+	149.48 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB030N08N3GATMA1

товар відсутній

IPB030N08N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 160A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 155µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8110 pF @ 40 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	141.63 грн
2000+	128.42 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB030N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 160A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	83.74 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB031N08N5

MOSFET N-Ch 80V 120A D2PAK-2

на замовлення 771 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	214.17 грн
10+	176.98 грн
25+	145.62 грн
100+	124.22 грн
250+	118.01 грн
500+	111.11 грн
1000+	95.24 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB031N08N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 17000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	86.15 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB031N08N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB031N08N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 40 V

на замовлення 5378 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPB031N08N5ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 167W; PG-TO263-3
Mounting: SMD
Case: PG-TO263-3
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
On-state resistance: 3.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 167W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V

товар відсутній

IPB031N08N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB031N08N5ATMA1

MOSFET N-Ch 80V 120A D2PAK-2

на замовлення 1036 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	214.98 грн
10+	177.78 грн
25+	150.45 грн
100+	124.91 грн
250+	121.46 грн
500+	111.11 грн
1000+	94.55 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB031N08N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 40 V

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPB031N08N5ATMA1

Rochester Electronics, LLC

товар відсутній

IPB031NE7N3 G

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

товар відсутній

IPB031NE7N3 G

MOSFET N-Ch 75V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 9 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	347.02 грн
10+	307.94 грн
100+	219.46 грн
500+	186.34 грн

IPB031NE7N3G

Description: IPB031NE7 - 12V-300V N-CHANNEL P

товар відсутній

IPB031NE7N3GATMA1

MOSFET N-Ch 75V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 315-324 дні (днів)

1+	358.29 грн
10+	315.87 грн
100+	224.98 грн
250+	211.87 грн

IPB031NE7N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3-2

на замовлення 3216 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPB031NE7N3GATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 100A; 214W; PG-TO263-3
Mounting: SMD
Case: PG-TO263-3
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 100A
On-state resistance: 3.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 214W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V

товар відсутній

IPB031NE7N3GATMA1

товар відсутній

IPB031NE7N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 75V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB031NE7N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 75V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 874 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	130.15 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPB032N10N5ATMA1

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB032N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 166A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	334.7 грн
10+	301.98 грн
25+	288.27 грн
100+	247.74 грн
250+	218.37 грн
500+	194.44 грн
1000+	183.78 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB032N10N5ATMA1

Description: INFINEON - IPB032N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 166 A, 0.0028 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 166A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 187W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0028ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 555 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	301.93 грн
100+	243.87 грн
500+	213.51 грн

Мінімальне замовлення: 10

IPB032N10N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 166A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 166A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 83A, 10V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 125µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6970 pF @ 50 V

на замовлення 1980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	369.53 грн
10+	298.98 грн
100+	241.88 грн
500+	201.77 грн

IPB032N10N5ATMA1

MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS

на замовлення 1170 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	395.33 грн
10+	327.78 грн
25+	269.15 грн
100+	230.5 грн
250+	217.39 грн
500+	204.97 грн
1000+	175.29 грн

IPB032N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 166A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB032N10N5ATMA1

Description: INFINEON - IPB032N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 166 A, 0.0028 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 166A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 555 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	421.16 грн
10+	301.93 грн
100+	243.87 грн
500+	213.51 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB032N10N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 166A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 166A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 83A, 10V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 125µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6970 pF @ 50 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	191.17 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB032N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 166A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB033N10N5LF

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 108A; 179W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 108A
Power dissipation: 179W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1000 шт

товар відсутній

IPB033N10N5LF

товар відсутній

IPB033N10N5LFATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 50 V

товар відсутній

IPB033N10N5LFATMA1

MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS

на замовлення 5749 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	496.78 грн
10+	411.11 грн
25+	352.66 грн
100+	289.16 грн
500+	233.95 грн
1000+	206.35 грн

IPB033N10N5LFATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 159A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1030 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	484.07 грн
10+	404.37 грн
25+	391.11 грн
100+	310.57 грн
250+	284.66 грн
500+	252.89 грн
1000+	201.65 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB033N10N5LFATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB033N10N5LFATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 159A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1030 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	521.31 грн
28+	435.48 грн
29+	421.2 грн
100+	334.46 грн
250+	306.55 грн
500+	272.34 грн
1000+	217.16 грн

Мінімальне замовлення: 23

IPB033N10N5LFATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 50 V

на замовлення 342 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	463.6 грн
10+	374.61 грн
100+	303.08 грн

IPB033N10N5LFATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 159A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB033N10N5LFATMA1

Description: INFINEON - IPB033N10N5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0027 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm

на замовлення 6086 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	554.32 грн
10+	444.38 грн
25+	404.9 грн
100+	339.31 грн
500+	272.07 грн
1000+	227.61 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB034N03L G

MOSFET N-Ch 30V 80A D2PAK-2 OptiMOS 3

товар відсутній

IPB034N03LG

07+

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB034N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB034N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB034N03LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

товар відсутній

IPB034N03LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPB034N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 785 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	91.62 грн
10+	90.71 грн
25+	89.8 грн
100+	85.73 грн
250+	78.58 грн
500+	66.51 грн

Мінімальне замовлення: 7

IPB034N03LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

товар відсутній

IPB034N06L3 G

MOSFET N-Ch 60V 90A D2PAK-2 OptiMOS 3

товар відсутній

IPB034N06L3GATMA1

MOSFET N-Ch 60V 90A D2PAK-2 OptiMOS 3

товар відсутній

IPB034N06L3GATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 167W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPB034N06L3GATMA1

Description: INFINEON - IPB034N06L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 0.0027 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 167W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0027ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	158.71 грн
10+	128.51 грн
100+	102.19 грн
500+	77.64 грн
1000+	70.34 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPB034N06L3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 90A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V

на замовлення 1632 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	138.86 грн
10+	111.07 грн
100+	88.37 грн
500+	70.17 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB034N06L3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	37.92 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB034N06L3GATMA1

товар відсутній

IPB034N06L3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 90A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	65.88 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB034N06N3G

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V

на замовлення 3146 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

315+	66.4 грн

Мінімальне замовлення: 315

IPB034N06N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V

товар відсутній

IPB034N06N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V

товар відсутній

IPB034N06N3GATMA2

N-channel MOSFET

товар відсутній

IPB034N06N3GATMA2

MOSFET TRENCH 40<-<100V

товар відсутній

IPB034N06N3GATMA2

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V

товар відсутній

IPB035N08N3 G

MOSFET N-Ch 80V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 454 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	285.02 грн
10+	236.51 грн
25+	193.93 грн
100+	166.32 грн
250+	156.66 грн
500+	147.69 грн
1000+	131.12 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB035N08N3 G

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB035N08N3GATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 214W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 214W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TO263-3
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
On-state resistance: 3.5mΩ
кількість в упаковці: 1000 шт

товар відсутній

IPB035N08N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 155µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8110 pF @ 40 V

на замовлення 1941 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	293.39 грн
10+	237.23 грн
100+	191.9 грн
500+	160.08 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB035N08N3GATMA1

товар відсутній

IPB035N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB035N08N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 155µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8110 pF @ 40 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	151.67 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB035N08N3GATMA1

MOSFET N-Ch 80V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 562 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	314.81 грн
10+	260.32 грн
25+	216.01 грн
100+	182.88 грн
250+	178.05 грн
500+	162.18 грн
1000+	138.72 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB035N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB035N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB035N12NM6ATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

товар відсутній

IPB035N12NM6ATMA1

IPB035N12NM6ATMA1

товар відсутній

IPB035N12NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)

товар відсутній

IPB036N12N3 G

Description: MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7

на замовлення 5518 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPB036N12N3 G

на замовлення 270 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB036N12N3 G

Description: MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7

на замовлення 5518 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPB036N12N3 G

MOSFET N-Ch 120V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

на замовлення 40 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	461.35 грн
10+	389.68 грн
25+	307.11 грн
100+	282.26 грн
250+	265.7 грн
500+	249.83 грн
1000+	213.25 грн

IPB036N12N3G

на замовлення 188 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB036N12N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 120V 180A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	181.96 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB036N12N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 120V 180A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB036N12N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 60 V

на замовлення 2010 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	430.75 грн
10+	355.2 грн
100+	296.02 грн
500+	245.11 грн

IPB036N12N3GATMA1

Description: INFINEON - IPB036N12N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 180 A, 0.0029 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 6629 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	497.8 грн
10+	351.48 грн
100+	304.25 грн
500+	265.27 грн
1000+	209.03 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB036N12N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 120V 180A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB036N12N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 60 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	244.11 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB036N12N3GATMA1

MOSFET N-Ch 120V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

на замовлення 3875 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	553.14 грн
10+	492.86 грн
100+	354.73 грн
500+	308.49 грн
1000+	290.54 грн
2000+	273.98 грн

IPB036N12N3GATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 180A; 300W; PG-TO263-3
Mounting: SMD
Case: PG-TO263-3
On-state resistance: 3.6mΩ
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 180A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 120V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V

товар відсутній

IPB036N12N3GATMA1

товар відсутній

IPB037N06N3 G

MOSFET N-Ch 60V 90A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 995 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	139.29 грн
10+	114.29 грн
100+	78.67 грн
250+	73.15 грн
500+	66.74 грн
1000+	56.38 грн
2000+	53.62 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB037N06N3 G

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3

на замовлення 2504 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPB037N06N3 G

TO-263

на замовлення 28000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB037N06N3 G

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPB037N06N3 G

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3

на замовлення 2504 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPB037N06N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 90A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V

на замовлення 3995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	129.15 грн
10+	103.66 грн
100+	82.51 грн
500+	65.52 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB037N06N3GATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 188W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPB037N06N3GATMA1

товар відсутній

IPB037N06N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 90A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	61.52 грн
2000+	56.28 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB037N06N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB037N06N3GATMA1

MOSFET N-Ch 60V 90A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 792 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	107.89 грн
10+	92.06 грн
100+	61.49 грн
250+	61.21 грн
500+	56.11 грн
1000+	52.38 грн
2000+	52.1 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB038N12N3 G

MOSFET N-Ch 120V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 6751 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	364.73 грн
10+	354.76 грн
25+	281.57 грн
100+	265.01 грн
250+	263.63 грн
500+	249.14 грн
1000+	224.29 грн

IPB038N12N3 G

на замовлення 252 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB038N12N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 120V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 60 V

на замовлення 2370 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	430.75 грн
10+	355.2 грн
100+	296.02 грн
500+	245.11 грн

IPB038N12N3GATMA1

IPB038N12N3GATMA1 SMD N channel transistors

товар відсутній

IPB038N12N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 120V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB038N12N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 120V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1680 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	422.74 грн
10+	356.07 грн
25+	352.22 грн
100+	263.36 грн
250+	241.4 грн
500+	210.79 грн
1000+	176.19 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB038N12N3GATMA1

Description: INFINEON - IPB038N12N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 120 A, 0.0032 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 566 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	314.32 грн
50+	296.51 грн
200+	274.61 грн
500+	229.6 грн

Мінімальне замовлення: 10

IPB038N12N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 120V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 60 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	244.11 грн
2000+	220.27 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB038N12N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 120V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB038N12N3GATMA1

на замовлення 566 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	384.77 грн
10+	314.32 грн
50+	296.51 грн
200+	274.61 грн
500+	229.6 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB038N12N3GATMA1

MOSFET N-Ch 120V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 4563 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	600.64 грн
10+	490.48 грн
100+	385.09 грн
250+	374.05 грн

IPB039N04LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V

товар відсутній

IPB039N04LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V

товар відсутній

IPB039N04LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB039N04LGXT

Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB039N10N3 G

MOSFET N-Ch 100V 160A D2PAK-6 OptiMOS 3

на замовлення 3939 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	219 грн
10+	180.95 грн
25+	148.38 грн
100+	126.98 грн
250+	120.08 грн
500+	113.87 грн
1000+	96.62 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB039N10N3 G

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB039N10N3G

на замовлення 39 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB039N10N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V

на замовлення 29000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	105.71 грн
2000+	95.85 грн
5000+	91.96 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB039N10N3GATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 160A; 214W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 160A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPB039N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 160A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	76.81 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB039N10N3GATMA1

MOSFET N-Ch 100V 160A D2PAK-6 OptiMOS 3

на замовлення 1682 шт:

термін постачання 147-156 дні (днів)

2+	219 грн
10+	180.95 грн
25+	156.66 грн
100+	126.98 грн
250+	124.91 грн
500+	106.28 грн
1000+	93.17 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB039N10N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V

на замовлення 29689 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	204.55 грн
10+	165.34 грн
100+	133.75 грн
500+	111.57 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB039N10N3GATMA1

товар відсутній

IPB039N10N3GATMA1

Description: INFINEON - IPB039N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 160 A, 0.0033 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Anzahl der Pins: 7Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm

на замовлення 4889 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	241.55 грн
10+	170.32 грн
100+	138.58 грн
500+	120.77 грн
1000+	90.25 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPB039N10N3GE8187ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V

товар відсутній

IPB039N10N3GE8187ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 160A

товар відсутній

IPB039N10N3GE8187ATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

товар відсутній

IPB039N10N3GE8197ATMA1

SP001227198

товар відсутній

IPB039N10N3GE8197ATMA1

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V

товар відсутній

IPB039N10N3GE8197ATMA1

SP001227198

товар відсутній

IPB03N03LA

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB03N03LA

TO-263

на замовлення 22000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB03N03LA

Description: MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3

товар відсутній

IPB03N03LA

09+

на замовлення 5030 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB03N03LA

07+;

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB03N03LA

07+ to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB03N03LA G

Description: MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3

товар відсутній

IPB03N03LA G

Description: MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3

товар відсутній

IPB03N03LAG

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

322+	63.46 грн

Мінімальне замовлення: 322

IPB03N03LAG

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB03N03LB

07+ to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB03N03LB

Description: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

товар відсутній

IPB03N03LB

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB03N03LB G

Description: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7624 pF @ 15 V

товар відсутній

IPB03N03LB G

Description: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7624 pF @ 15 V

на замовлення 787 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	114.97 грн
10+	94.89 грн
100+	82.12 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB03N03LBG

Description: OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPB0401NM5S

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB0401NM5SATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active

товар відсутній

IPB0401NM5SATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

товар відсутній

IPB0401NM5SATMA1

SP004565816

товар відсутній

IPB0401NM5SATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active

на замовлення 990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	331.46 грн
10+	267.86 грн
100+	216.73 грн
500+	180.79 грн

IPB040N08NF2SATMA1

SP005571698

товар відсутній

IPB040N08NF2SATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 107A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 40 V

товар відсутній

IPB040N08NF2SATMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 799 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	225.44 грн
10+	200 грн
100+	142.86 грн
500+	121.46 грн
800+	96.62 грн
4800+	93.17 грн
9600+	91.79 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB040N08NF2SATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 107A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 40 V

на замовлення 790 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	197.83 грн
10+	159.88 грн
100+	129.3 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB041N04N G

MOSFET N-Ch 40V 80A D2PAK-2

товар відсутній

IPB041N04N G

TO-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB041N04NGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 20 V

товар відсутній

IPB041N04NGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 20 V

товар відсутній

IPB041N04NGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB041N04NGXT

Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB042N03L G

MOSFET N-Ch 30V 70A D2PAK-2 OptiMOS 3

товар відсутній

IPB042N03L G

TO-263

на замовлення 28000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB042N03LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 70A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V

товар відсутній

IPB042N03LGATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

товар відсутній

IPB042N03LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 70A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V

товар відсутній

IPB042N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB042N10N3 G

на замовлення 167000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB042N10N3 G

MOSFET N-Ch 100V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 3724 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	213.37 грн
10+	174.6 грн
100+	121.46 грн
250+	111.8 грн
500+	102.14 грн
1000+	86.27 грн
2000+	82.82 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB042N10N3 G

Trans MOSFET N-CH 100V 137A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

67+	180.34 грн
69+	173.47 грн
100+	167.59 грн
250+	156.7 грн
500+	141.15 грн
1000+	132.18 грн

Мінімальне замовлення: 67

IPB042N10N3 G E8187

MOSFET N-Ch 100V 100A D2PAK-2

товар відсутній

IPB042N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 137A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	94.78 грн
2000+	90.72 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB042N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 137A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 219 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

64+	189.03 грн
106+	113.04 грн
107+	111.9 грн
109+	106.83 грн

Мінімальне замовлення: 64

IPB042N10N3GATMA1

Description: INFINEON - IPB042N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0036 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 579 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	125.42 грн
500+	105.68 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPB042N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 137A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 721 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

105+	114.82 грн
110+	109.68 грн
250+	105.28 грн
500+	97.86 грн

Мінімальне замовлення: 105

IPB042N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 137A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	74.8 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB042N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 137A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1235 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

92+	130.19 грн
102+	117.98 грн
124+	96.62 грн
200+	87.19 грн
1000+	71.47 грн

Мінімальне замовлення: 92

IPB042N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 137A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 219 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	175.53 грн
10+	104.96 грн
25+	103.91 грн
100+	99.2 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPB042N10N3GATMA1

MOSFET N-Ch 100V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 14725 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	190.02 грн
10+	149.21 грн
100+	112.49 грн
250+	109.73 грн
500+	96.62 грн
1000+	82.82 грн
2000+	80.06 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB042N10N3GATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 214W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPB042N10N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V

на замовлення 37396 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	200.07 грн
10+	160.1 грн
100+	127.42 грн
500+	101.18 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB042N10N3GATMA1

Description: INFINEON - IPB042N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0036 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 3969 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	211.35 грн
10+	151.74 грн
50+	130.84 грн
200+	116.46 грн
500+	96.88 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPB042N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 137A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 7000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	98.91 грн
2000+	94.07 грн
5000+	91.38 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB042N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 137A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 7000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	106.52 грн
2000+	101.31 грн
5000+	98.41 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB042N10N3GATMA1
Код товару: 117738

товар відсутній

IPB042N10N3GATMA1

товар відсутній

IPB042N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 137A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	95.12 грн
2000+	91.04 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB042N10N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V

на замовлення 37000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	95 грн
2000+	86.91 грн
5000+	83.64 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB042N10N3GE8187ATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

товар відсутній

IPB042N10N3GE8187ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V

товар відсутній

IPB042N10N3GE8187ATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

IPB042N10N3GE8187ATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

IPB042N10N3GE818XT

MOSFET N-Ch 100V 100A D2PAK-2

товар відсутній

IPB042N10NF2SATMA1

Infineon

товар відсутній

IPB042N10NF2SATMA1

SP005557198

товар відсутній

IPB042N10NF2SATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Discontinued at Digi-Key

товар відсутній

IPB043N10NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB043N10NF2SATMA1

Description: AUTOMOTIVE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 135A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.35mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 50 V

товар відсутній

IPB043N10NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPB043N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 135 A, 0.0038 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 135A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: TBC
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: TBC
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	116.13 грн
500+	89.86 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPB043N10NF2SATMA1

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	172.64 грн
10+	143.22 грн
100+	116.13 грн
500+	89.86 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPB043N10NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 3200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	70.13 грн

Мінімальне замовлення: 800

IPB043N10NF2SATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 217 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	145.73 грн
10+	120.63 грн
100+	83.51 грн
250+	77.29 грн
500+	69.7 грн
800+	59.42 грн
2400+	56.45 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB043N10NF2SATMA1

Description: AUTOMOTIVE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 135A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.35mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 50 V

на замовлення 547 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	136.62 грн
10+	109.13 грн
100+	86.86 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB044N15N5

MOSFET TRENCH >=100V

товар відсутній

IPB044N15N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 974 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

33+	366.95 грн
37+	327.07 грн
50+	311.11 грн
100+	291.35 грн
200+	263.53 грн

Мінімальне замовлення: 33

IPB044N15N5ATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 10318 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	472.62 грн
10+	426.19 грн
25+	369.91 грн
100+	334.71 грн
500+	314.01 грн
1000+	293.31 грн

IPB044N15N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 150V 174A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 174A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 87A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 264µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 75 V

на замовлення 1390 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	591.26 грн
10+	488.2 грн
100+	406.85 грн
500+	336.9 грн

IPB044N15N5ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 123A; Idm: 696A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 123A
Pulsed drain current: 696A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPB044N15N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPB044N15N5ATMA1

товар відсутній

IPB044N15N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 16000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	328.66 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB044N15N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 2880 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	738.89 грн
23+	538.46 грн
50+	477.63 грн
100+	432.69 грн
200+	377.49 грн
500+	338.46 грн
1000+	317.09 грн
2000+	316.24 грн

Мінімальне замовлення: 17

IPB044N15N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 150V 174A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 174A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 87A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 264µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 75 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	335.52 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB044N15N5ATMA1

Description: INFINEON - IPB044N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 174 A, 0.0034 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 174A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 3324 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	537.28 грн
5+	510.96 грн
10+	484.64 грн
50+	411.92 грн
100+	344.4 грн
250+	337.77 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB044N15N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 16000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	305.18 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB044N15N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	285.02 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB044N15N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	343.56 грн
2000+	333.08 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB044N15N5ATMA1

на замовлення 3324 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	484.64 грн
50+	411.92 грн
100+	344.4 грн
250+	337.77 грн

Мінімальне замовлення: 10

IPB044N15N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	319.53 грн
2000+	310.96 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB044N15N5E8187ATMA1

SP004531436

товар відсутній

IPB048N06L

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB048N06L

07+ to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB048N06LG

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB048N06LG

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB048N06LG

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO-263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 30 V

товар відсутній

IPB048N06LG

07+ to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB048N06LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 30 V

товар відсутній

IPB048N06LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 30 V

товар відсутній

IPB048N06LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB048N06LGXT

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB048N06LGXT

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB048N15N5

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB048N15N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 150V 120A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 264µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 75 V

на замовлення 105 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	538.25 грн
10+	443.98 грн
100+	369.97 грн

IPB048N15N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 953 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	572.48 грн
10+	487.94 грн
25+	465.24 грн
100+	385.79 грн
250+	348.56 грн
500+	296.99 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB048N15N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 150V 120A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 264µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 75 V

товар відсутній

IPB048N15N5ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 118A; Idm: 480A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 118A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO 263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1000 шт

товар відсутній

IPB048N15N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 952 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	615.14 грн
23+	524.29 грн
25+	499.9 грн
100+	414.53 грн
250+	374.52 грн
500+	319.12 грн

Мінімальне замовлення: 20

IPB048N15N5ATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 1601 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	576.49 грн
10+	487.3 грн
25+	408.56 грн
100+	353.35 грн
250+	349.21 грн
500+	311.25 грн
1000+	294.69 грн

IPB048N15N5ATMA1

товар відсутній

IPB048N15N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 953 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	259.26 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB048N15N5LF

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 115A; 313W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 115A
Power dissipation: 313W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPB048N15N5LF

товар відсутній

IPB048N15N5LFATMA1

Description: MOSFET N-CH 150V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 255µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 75 V

на замовлення 898 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	649.49 грн
10+	536.15 грн
100+	446.81 грн
500+	369.98 грн

IPB048N15N5LFATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 635 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	711.75 грн
10+	601.59 грн
25+	508.63 грн
100+	435.47 грн
250+	427.88 грн
500+	392.68 грн
1000+	345.76 грн

IPB048N15N5LFATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	319.65 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB048N15N5LFATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	325.62 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB048N15N5LFATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	303.04 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB048N15N5LFATMA1

Description: MOSFET N-CH 150V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 255µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 75 V

товар відсутній

IPB048N15N5LFATMA1

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB048N15N5LFATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	508.21 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB048N15N5LFATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1006 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	906.41 грн
17+	730.91 грн
50+	693.02 грн
100+	603.85 грн
200+	526.17 грн
500+	460.68 грн
1000+	447.01 грн

Мінімальне замовлення: 14

IPB049N06L3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3

товар відсутній

IPB049N06L3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3

товар відсутній

IPB049N06L3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3

товар відсутній

IPB049N06L3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB049N08N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 66µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 40 V

на замовлення 1859 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	162 грн
10+	129.62 грн
100+	103.2 грн
500+	81.95 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB049N08N5ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 320A; 125W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 320A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPB049N08N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB049N08N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 66µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 40 V

товар відсутній

IPB049N08N5ATMA1

MOSFET N-Ch 80V 80A D2PAK-2

на замовлення 696 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	176.33 грн
10+	143.65 грн
100+	100.07 грн
250+	95.93 грн
500+	84.2 грн
1000+	71.08 грн
2000+	68.05 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB049N08N5ATMA1

товар відсутній

IPB049NE7N3 G

MOSFET N-Ch 75V 80A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 130 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	254.43 грн
10+	225.4 грн
100+	156.66 грн
500+	129.05 грн
1000+	107.66 грн
2000+	101.45 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB049NE7N3G

на замовлення 366 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB049NE7N3GATMA1

MOSFET N-Ch 75V 80A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 564 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	269.73 грн
10+	239.68 грн
100+	167.7 грн
500+	138.03 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB049NE7N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 75V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	65.22 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB049NE7N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 75V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB049NE7N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK

на замовлення 4680 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	241.88 грн
10+	209.2 грн
100+	168.15 грн
500+	129.65 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB049NE7N3GATMA1

IPB049NE7N3GATMA1 SMD N channel transistors

товар відсутній

IPB049NE7N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 75V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB049NE7N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	119.55 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB04CN10NG

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB04CN10NGANBRUCH

0825

на замовлення 1 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB04CN10NGANBRUCH

inf

07+

на замовлення 10 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB04CN10NGANBRUCH

07+

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB04CN10NGXT

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB04N03L

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB04N03L

07+ to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB04N03LA

07+ to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB04N03LA

MOSFET

товар відсутній

IPB04N03LA

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB04N03LA

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB04N03LA

Description: MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3877 pF @ 15 V

товар відсутній

IPB04N03LA G

Description: MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3877 pF @ 15 V

товар відсутній

IPB04N03LA G

MOSFET N-Ch 25V 80A D2PAK-2

товар відсутній

IPB04N03LA G

TO-263

на замовлення 62000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB04N03LA G

Description: MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3877 pF @ 15 V

товар відсутній

IPB04N03LAG

07+ to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB04N03LAG

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB04N03LAG

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3877 pF @ 15 V

товар відсутній

IPB04N03LAG

MOSFET N-Ch 25V 80A D2PAK-2

товар відсутній

IPB04N03LAGATMA1

MOSFET

товар відсутній

IPB04N03LAT

товар відсутній

IPB04N03LAT

Description: MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3877 pF @ 15 V

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	82.87 грн
10+	65.13 грн
100+	57.03 грн
500+	50.26 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPB04N03LAT

MOSFET

товар відсутній

IPB04N03LB

07+ to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB04N03LB

Description: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5203 pF @ 15 V

товар відсутній

IPB04N03LB

MOSFET N-KANAL POWER MOS

товар відсутній

IPB04N03LB

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB04N03LB G

Description: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5203 pF @ 15 V

товар відсутній

IPB04N03LBG

MOSFET N-Ch 30V 80A D2PAK-2

товар відсутній

IPB050N06N G

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IPB050N06NG

07+ to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB050N06NG

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB050N06NGATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 30 V

товар відсутній

IPB050N06NGATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 30 V

товар відсутній

IPB050N06NGATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB050N06NGXT

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB050N10NF2SATMA1

SP005571710

товар відсутній

IPB050N10NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPB050N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 103 A, 0.0045 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 799 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	163.35 грн
10+	120.77 грн
100+	87.48 грн
500+	63.33 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPB050N10NF2SATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 103A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.05mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 50 V

на замовлення 813 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	139.6 грн
10+	111.57 грн
100+	88.81 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB050N10NF2SATMA1

на замовлення 799 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	87.48 грн
500+	63.33 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPB050N10NF2SATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	149.76 грн
10+	122.22 грн
100+	84.89 грн
250+	77.98 грн
500+	71.08 грн
800+	60.8 грн
2400+	57.69 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB050N10NF2SATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 103A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.05mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 50 V

товар відсутній

IPB051NE8N G

MOSFET N-Ch 85V 100A D2PAK-2

товар відсутній

IPB051NE8NG

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

на замовлення 775 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

198+	106.92 грн

Мінімальне замовлення: 198

IPB051NE8NG

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB051NE8NG

07+ to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB051NE8NGATMA1

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

товар відсутній

IPB051NE8NGXT

Trans MOSFET N-CH 85V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB051NE8NGXT

Trans MOSFET N-CH 85V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB052N04N G

Trans MOSFET N-CH 40V 70A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IPB052N04N G

TO-263

на замовлення 42000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB052N04N G

MOSFET N-Ch 40V 70A D2PAK-2

на замовлення 870 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IPB052N04NG

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TO-263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 20 V

на замовлення 1989 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

693+	29.64 грн

Мінімальне замовлення: 693

IPB052N04NGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 20 V

товар відсутній

IPB052N04NGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 20 V

товар відсутній

IPB054N06N3 G

MOSFET N-Ch 60V 80A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 954 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	135.27 грн
10+	111.11 грн
100+	77.29 грн
250+	70.39 грн
500+	65.49 грн
1000+	55.28 грн
2000+	52.52 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB054N06N3G

Description: IPB054N06 - 12V-300V N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 58µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 30 V

товар відсутній

IPB054N06N3G

на замовлення 161 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB054N06N3GATMA1

MOSFET N-Ch 60V 80A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 645 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	136.07 грн
10+	111.11 грн
100+	77.29 грн
500+	65.49 грн
1000+	55.28 грн
2000+	52.52 грн
5000+	50.86 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB054N06N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 58µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 30 V

на замовлення 3338 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	126.91 грн
10+	101.51 грн
100+	80.8 грн
500+	64.16 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB054N06N3GATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 115W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 115W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPB054N06N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB054N06N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 58µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 30 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	60.24 грн
2000+	55.11 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB054N06N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1255 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	30.68 грн

Мінімальне замовлення: 11

IPB054N06N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB054N06N3GATMA1

товар відсутній

IPB054N08N3 G

MOSFET N-Ch 80V 80A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 170 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	142.51 грн
10+	116.67 грн
100+	80.06 грн
250+	74.53 грн
500+	67.43 грн
1000+	58.04 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB054N08N3G

на замовлення 1900 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB054N08N3GATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 80A; 150W; PG-TO263-3
Kind of channel: enhanced
On-state resistance: 5.4mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 80A
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Case: PG-TO263-3
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 3

товар відсутній

IPB054N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB054N08N3GATMA1

товар відсутній

IPB054N08N3GATMA1

MOSFET N-Ch 80V 80A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 3377 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	141.71 грн
10+	111.11 грн
100+	80.06 грн
250+	68.05 грн
500+	62.8 грн
1000+	55.35 грн
2000+	53.42 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB054N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB054N08N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 40 V

на замовлення 2888 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	131.39 грн
10+	105.1 грн
100+	83.62 грн
500+	66.4 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB054N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB054N08N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 40 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	62.34 грн
2000+	57.03 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB055N03L G
Код товару: 61412

товар відсутній

IPB055N03L G

MOSFET N-Ch 30V 50A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 413 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IPB055N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB055N03LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 15 V

товар відсутній

IPB055N03LGATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 68W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPB055N03LGATMA1

товар відсутній

IPB055N08NF2SATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 94A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 55µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 40 V

на замовлення 598 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	121.69 грн
10+	97.62 грн
100+	77.71 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB055N08NF2SATMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 674 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	132.85 грн
10+	109.52 грн
100+	75.91 грн
250+	72.46 грн
500+	62.94 грн
800+	51.21 грн
4800+	49.62 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB055N08NF2SATMA1

SP005571702

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	41.71 грн

Мінімальне замовлення: 800

IPB055N08NF2SATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 94A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 55µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 40 V

товар відсутній

IPB056N06N

MOSFET 60V TO-263

товар відсутній

IPB057N06N

MOSFET N-Ch 60V 45A D2PAK-2

на замовлення 259 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	114.33 грн
10+	93.65 грн
100+	64.8 грн
250+	59.83 грн
500+	54.31 грн
1000+	46.45 грн
2000+	44.17 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB057N06N
Код товару: 176082

товар відсутній

IPB057N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB057N06NATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 45A; 83W; PG-TO263-3
Kind of channel: enhanced
On-state resistance: 5.7mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 45A
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Case: PG-TO263-3
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™

товар відсутній

IPB057N06NATMA1

MOSFET N-Ch 60V 45A D2PAK-2

на замовлення 2068 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	114.33 грн
10+	93.65 грн
100+	64.8 грн
250+	61.97 грн
500+	54.24 грн
1000+	47.41 грн
2000+	45.13 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB057N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 160 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	130.31 грн
10+	116.65 грн
25+	107.96 грн
100+	89.22 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPB057N06NATMA1

товар відсутній

IPB057N06NATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 17A/45A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V

товар відсутній

IPB057N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 160 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

96+	125.62 грн
103+	116.27 грн
121+	99.64 грн

Мінімальне замовлення: 96

IPB057N06NATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 17A/45A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V

на замовлення 444 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	106.75 грн
10+	85.33 грн
100+	67.93 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB057N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB057N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB05CN10N G

Description: MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 181 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 50 V

товар відсутній

IPB05CN10NG

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB05CN10NG

07+ to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB05CN10NG

INFINE0N

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB05CN10NGXT

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 375 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	155.72 грн
10+	153.25 грн
25+	150.78 грн
50+	143.09 грн
100+	130.29 грн
250+	122.96 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPB05CN10NGXT

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB05N03

TO-263

на замовлення 25000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB05N03L

07+ to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB05N03L

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB05N03L

09+

на замовлення 5030 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB05N03LA

07+;

на замовлення 3019 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB05N03LA

Description: MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3110 pF @ 15 V

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

507+	40.67 грн

Мінімальне замовлення: 507

IPB05N03LA

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB05N03LA

Description: MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3110 pF @ 15 V

товар відсутній

IPB05N03LA

04+ D2PAK

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB05N03LA G

Description: MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3

товар відсутній

IPB05N03LAG

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB05N03LAG

MOSFET N-KANAL POWER MOS

товар відсутній

IPB05N03LAT

Description: MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3

товар відсутній

IPB05N03LAT

MOSFET

товар відсутній

IPB05N03LAT

Description: MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3

товар відсутній

IPB05N03LB

Infineon

товар відсутній

IPB05N03LB

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB05N03LB

Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3

товар відсутній

IPB05N03LB G

TO-263

на замовлення 32000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB05N03LB G

Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3

товар відсутній

IPB05N03LB G

MOSFET N-Ch 30V 80A D2PAK-2

товар відсутній

IPB05N03LB G

Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3

товар відсутній

IPB05N03LE3045A

03+ TO-263

на замовлення 650 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB05N06L

07+ to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB05N06L

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB05N06LG

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB060N15N5ATMA1

OptiMOS 5 Power-Transistor, 150V

товар відсутній

IPB060N15N5ATMA1

MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS

на замовлення 432 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	513.69 грн
10+	434.13 грн
25+	342.3 грн
100+	314.7 грн
250+	296.07 грн
500+	277.43 грн
1000+	249.83 грн

IPB060N15N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 150V 136A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 136A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 68A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 75 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	268.35 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB060N15N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 150V 136A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 136A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 68A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 75 V

на замовлення 1588 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	472.56 грн
10+	390.43 грн
100+	325.4 грн
500+	269.45 грн

IPB060N15N5E8187ATMA1

SP001863630

товар відсутній

IPB065N03L G

TO-263

на замовлення 62000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB065N03L G

MOSFET N-Ch 30V 50A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 1810 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IPB065N03LG

08+

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB065N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB065N03LGATMA1

MOSFET N-Ch 30V 50A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 182 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IPB065N03LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V

товар відсутній

IPB065N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 158 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	30.03 грн
25+	29.55 грн
50+	28.02 грн
100+	25.52 грн

Мінімальне замовлення: 20

IPB065N06L G

Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 30 V

товар відсутній

IPB065N06L G

TO-263

на замовлення 36000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB065N06L G

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IPB065N06LG

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB065N06LG

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 30 V

товар відсутній

IPB065N06LG

07+ to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB065N10N3GATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 1002 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	266.51 грн
10+	236.51 грн
100+	165.63 грн
500+	136.65 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB065N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 930 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	254.75 грн
10+	220.06 грн
25+	204.78 грн
100+	171.09 грн
250+	117.16 грн
500+	111.35 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB065N10N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4910 pF @ 50 V

товар відсутній

IPB065N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB065N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB065N15N3 G

MOSFET N-Ch 150V 130A D2PAK-6 OptiMOS 3

на замовлення 1835 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	547.5 грн
10+	461.9 грн
25+	364.39 грн
100+	334.71 грн
250+	315.39 грн
500+	295.38 грн
1000+	265.7 грн

IPB065N15N3 G

на замовлення 19000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB065N15N3G

на замовлення 845 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB065N15N3GATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 130A; 300W; PG-TO263-3
On-state resistance: 6.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TO263-3
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 130A
кількість в упаковці: 1000 шт

товар відсутній

IPB065N15N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 130A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB065N15N3GATMA1

MOSFET N-Ch 150V 130A D2PAK-6 OptiMOS 3

на замовлення 87 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	502.41 грн
10+	430.16 грн
25+	371.29 грн
100+	313.32 грн
500+	282.95 грн
1000+	259.49 грн
2000+	253.97 грн

IPB065N15N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 75 V

на замовлення 827 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	510.63 грн
10+	421.84 грн
100+	351.5 грн
500+	291.06 грн

IPB065N15N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 130A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	171.5 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB065N15N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 130A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	494.37 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB065N15N3GATMA1

товар відсутній

IPB065N15N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 75 V

на замовлення 648 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPB065N15N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 130A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB065N15N3GE8187ATMA1

Description: MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 75 V

товар відсутній

IPB065N15N3GE8187ATMA1

Old Part IPB065N15N3GE8187XT^INFINEON

товар відсутній

IPB065N15N3GE8197ATMA1

SP001227194

товар відсутній

IPB065N15N3GE8197ATMA1

SP001227194

товар відсутній

IPB067N08N3 G

MOSFET N-Ch 80V 80A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 1960 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	219 грн
10+	180.16 грн
100+	124.22 грн
250+	114.56 грн
500+	104.21 грн
1000+	82.13 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB067N08N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 73A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 73µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 40 V

на замовлення 5515 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	202.31 грн
10+	162.11 грн
100+	129.01 грн
500+	102.45 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB067N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB067N08N3GATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 80A; 136W; PG-TO263-3
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 80A
On-state resistance: 6.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 136W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-3

товар відсутній

IPB067N08N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 73A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 73µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 40 V

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	96.19 грн
2000+	87.99 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB067N08N3GATMA1

товар відсутній

IPB067N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB067N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	66.51 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB068N20NM6ATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 761 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	611.92 грн
10+	516.67 грн
25+	407.87 грн
100+	374.74 грн
250+	352.66 грн
500+	338.85 грн
1000+	287.78 грн

IPB068N20NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Ta), 134A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 100A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 258µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 100 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	562.89 грн
10+	464.69 грн
100+	387.23 грн
500+	320.65 грн

IPB068N20NM6ATMA1

TRENCH >=100V

товар відсутній

IPB068N20NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Ta), 134A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 100A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 258µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 100 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	319.33 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB06CN10N G

Description: MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 50 V

товар відсутній

IPB06CN10NG

07+ to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB06CN10NG

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB06CNE8NG

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB06CNE8NG

07+ to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB06N03

TO-263

на замовлення 25000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB06N03LA

MOSFET N-KANAL POWER MOS

товар відсутній

IPB06N03LA

09+

на замовлення 5030 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB06N03LA

07+;

на замовлення 442 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB06N03LA

0544+

на замовлення 250 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB06N03LA

Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2653 pF @ 15 V

товар відсутній

IPB06N03LA

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB06N03LA

0237+ TO-263

на замовлення 990 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB06N03LA G

товар відсутній

IPB06N03LA G

MOSFET N-Ch 25V 50A D2PAK-2

товар відсутній

IPB06N03LAG

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB06N03LAT

Infineon

товар відсутній

IPB06N03LAT

товар відсутній

IPB06N03LB

Description: MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2782 pF @ 15 V

товар відсутній

IPB06N03LB

Infineon

товар відсутній

IPB06N03LB

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB06N03LB G

Description: MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2782 pF @ 15 V

товар відсутній

IPB06N03LB G

TO-263

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB06N03LBG

MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V

товар відсутній

IPB06P001LATMA1

MOSFET

товар відсутній

IPB070N06L G

MOSFET N-Ch 60V 80A D2PAK-2

товар відсутній

IPB070N06L G

Description: MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 30 V

товар відсутній

IPB070N06LG

07+ to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB070N06LG

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB070N06LGATMA1

MOSFET

товар відсутній

IPB070N06N G

Description: MOSFET N-CHAN D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 30 V

товар відсутній

IPB070N06NG

07+ to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB070N06NG

MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V

товар відсутній

IPB070N06NG

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB070N06NGATMA1

MOSFET

товар відсутній

IPB072N15N3 G

на замовлення 83000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB072N15N3 G

MOSFET N-Ch 150V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 6680 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	500 грн
10+	414.29 грн
25+	339.54 грн
100+	290.54 грн
250+	274.67 грн
500+	258.8 грн
1000+	221.53 грн

IPB072N15N3 G E8187

MOSFET PG-TO263-3-2

товар відсутній

IPB072N15N3G

N-MOSFET 150V 100A 300W 7.2mΩ IPB072N15N3G Infineon TIPB072n15n3g

на замовлення 20 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

IPB072N15N3G

N-MOSFET 150V 100A 300W 7.2mΩ IPB072N15N3G Infineon TIPB072n15n3g
кількість в упаковці: 2 шт

на замовлення 4 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

4+	217.22 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPB072N15N3G

Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

29+	425.11 грн
30+	406.85 грн
50+	391.35 грн
100+	364.57 грн
250+	327.32 грн
500+	305.68 грн

Мінімальне замовлення: 29

IPB072N15N3GATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 100A; 300W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 100A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPB072N15N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	146.54 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB072N15N3GATMA1

MOSFET N-Ch 150V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 3530 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	500 грн
10+	414.29 грн
25+	349.21 грн
100+	291.24 грн
250+	289.16 грн
500+	259.49 грн
1000+	216.01 грн

IPB072N15N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1919 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	485.65 грн
29+	416.81 грн
31+	388.65 грн
100+	322.92 грн
250+	281.27 грн
500+	253.06 грн
1000+	190.43 грн

Мінімальне замовлення: 25

IPB072N15N3GATMA1

товар відсутній

IPB072N15N3GATMA1

Description: INFINEON - IPB072N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 100 A, 0.0058 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 8656 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	510.96 грн
10+	368.51 грн
50+	316.64 грн
200+	277.49 грн
500+	241.55 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB072N15N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 4673 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	555.33 грн
30+	404.8 грн
50+	359.04 грн
100+	325.62 грн
200+	284.24 грн
500+	253.69 грн
1000+	238.87 грн
2000+	238 грн

Мінімальне замовлення: 22

IPB072N15N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5470 pF @ 75 V

на замовлення 4048 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	434.48 грн
10+	351.46 грн
100+	284.36 грн
500+	237.21 грн

IPB072N15N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1919 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	450.96 грн
10+	387.04 грн
25+	360.89 грн
100+	299.86 грн
250+	261.18 грн
500+	234.98 грн
1000+	176.83 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB072N15N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB072N15N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5470 pF @ 75 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	224.75 грн
2000+	203.79 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB072N15N3GATMA1

Description: INFINEON - IPB072N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 100 A, 0.0058 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 9700 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	396.38 грн
100+	320.51 грн
500+	280.37 грн
1000+	216.99 грн

Мінімальне замовлення: 10

IPB072N15N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1147 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

44+	273.87 грн
46+	262.1 грн
50+	252.11 грн
100+	234.86 грн
250+	210.86 грн
500+	196.92 грн
1000+	192.11 грн

Мінімальне замовлення: 44

IPB072N15N3GE8187ATMA1

Description: MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5470 pF @ 75 V

товар відсутній

IPB073N15N5ATMA1

Description: INFINEON - IPB073N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 114 A, 0.0056 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 114A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 3385 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	322.06 грн
100+	260.9 грн
500+	219.26 грн
1000+	172.53 грн

Мінімальне замовлення: 10

IPB073N15N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 114A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 305 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	277.93 грн
10+	253.63 грн
25+	250.67 грн
100+	214.79 грн
250+	172.02 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB073N15N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 150V 114A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 114A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 57A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 75 V

на замовлення 2497 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	379.24 грн
10+	306.82 грн
100+	248.19 грн
500+	207.04 грн

IPB073N15N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 114A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 305 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

29+	425.93 грн
34+	355.87 грн
100+	280.21 грн
250+	257.32 грн

Мінімальне замовлення: 29

IPB073N15N5ATMA1

Description: INFINEON - IPB073N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 114 A, 0.0056 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 114A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 3010 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	431.22 грн
10+	309.67 грн
100+	250.84 грн
500+	218.54 грн
1000+	172.53 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB073N15N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 114A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB073N15N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 150V 114A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 114A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 57A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 75 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	196.16 грн
2000+	177.87 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB073N15N5ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 81A; 214W; PG-TO263-3
Case: PG-TO263-3
Mounting: SMD
Power dissipation: 214W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 49nC
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 81A
On-state resistance: 7.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET

товар відсутній

IPB073N15N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 114A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB073N15N5ATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 12924 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	299.52 грн
10+	265.08 грн
25+	227.74 грн
100+	204.28 грн
250+	202.21 грн
500+	190.48 грн
1000+	172.53 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB073N15N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 114A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	554.32 грн
30+	403.78 грн
50+	358.02 грн
100+	324.64 грн
200+	283.33 грн
500+	253.69 грн

Мінімальне замовлення: 22

IPB073N15N5ATMA1

товар відсутній

IPB075N04LG

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB075N04LG

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

товар відсутній

IPB075N04LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 50A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V

товар відсутній

IPB075N04LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 50A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V

товар відсутній

IPB075N04LGXT

Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB07N03

на замовлення 860 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB07N03L

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB07N03L

09+

на замовлення 5030 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB07N03L

TO263

на замовлення 18200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB07N03L E3045A

на замовлення 1564 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB080N03L G

MOSFET N-Ch 30V 50A D2PAK-2 OptiMOS 3

товар відсутній

IPB080N03L G

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V

на замовлення 1250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

693+	30.38 грн

Мінімальне замовлення: 693

IPB080N03L G

TO-263

на замовлення 46000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB080N03LG

Description: OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V

товар відсутній

IPB080N03LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V

товар відсутній

IPB080N03LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V

товар відсутній

IPB080N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB080N03LGATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

товар відсутній

IPB080N03LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V

на замовлення 3905 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

693+	29.64 грн

Мінімальне замовлення: 693

IPB080N03LGXT

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB080N06N G

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IPB080N06N G

Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 30 V

товар відсутній

IPB080N06N G

Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 30 V

товар відсутній

IPB080N06NG

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB080N06NG

07+ to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB081N06L3 G

MOSFET N-Ch 60V 50A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 659 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	122.38 грн
10+	99.21 грн
100+	66.74 грн
500+	56.8 грн
1000+	46.31 грн
2000+	43.55 грн
5000+	41.48 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB081N06L3G

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 79W; PG-TO263-3
Mounting: SMD
Case: PG-TO263-3
On-state resistance: 8.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 79W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A

товар відсутній

IPB081N06L3G

товар відсутній

IPB081N06L3GATMA1

MOSFET N-Ch 60V 50A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 1137 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	123.19 грн
10+	99.21 грн
100+	63.63 грн
500+	51.97 грн
1000+	46.31 грн
2000+	43.55 грн
5000+	41.48 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB081N06L3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 30 V

на замовлення 5151 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	112.73 грн
10+	89.14 грн
100+	69.33 грн
500+	55.15 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB081N06L3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	56.96 грн

Мінімальне замовлення: 11

IPB081N06L3GATMA1

Description: INFINEON - IPB081N06L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0067 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 3461 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	109.16 грн
10+	79.74 грн
100+	64.1 грн
500+	54.64 грн
1000+	39.75 грн

Мінімальне замовлення: 8

IPB081N06L3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 31000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	29.15 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB081N06L3GATMA1