Продукція > IPF

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPF009N04NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 49A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
79+151.97 грн
84+ 143.43 грн
85+ 141.12 грн
100+ 128.62 грн
250+ 116.52 грн
500+ 97.57 грн
Мінімальне замовлення: 79
IPF009N04NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPF009N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 302 A, 790 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 302A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pins
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 790µohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+317.42 грн
10+ 247.74 грн
100+ 204.38 грн
500+ 178.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPF009N04NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 49A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+130.22 грн
Мінімальне замовлення: 800
IPF009N04NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 49A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IPF009N04NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 302A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 249µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 20 V
на замовлення 754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+249.34 грн
10+ 202.01 грн
100+ 163.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPF009N04NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 49A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+129.4 грн
Мінімальне замовлення: 800
IPF009N04NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPF009N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 302 A, 790 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 302A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pins
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 790µohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+204.38 грн
500+ 178.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
IPF009N04NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 49A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+141.11 грн
10+ 133.19 грн
25+ 131.04 грн
100+ 119.43 грн
250+ 108.2 грн
500+ 90.6 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPF009N04NF2SATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 829 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+267.31 грн
10+ 221.43 грн
25+ 181.5 грн
100+ 155.28 грн
250+ 147 грн
500+ 138.03 грн
800+ 118.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPF009N04NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 49A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+101.45 грн
Мінімальне замовлення: 800
IPF009N04NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 302A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 249µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 20 V
товар відсутній
IPF010N04NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 289A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 189µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 239 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 20 V
товар відсутній
IPF010N04NF2SATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 965 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+248.79 грн
10+ 205.56 грн
25+ 169.08 грн
100+ 144.93 грн
250+ 136.65 грн
500+ 129.05 грн
800+ 109.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPF010N04NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 46A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IPF010N04NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 289A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 189µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 239 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 20 V
на замовлення 1206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+232.17 грн
10+ 187.41 грн
100+ 151.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPF010N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 44A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+164.79 грн
Мінімальне замовлення: 800
IPF010N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+308.37 грн
10+ 255.56 грн
25+ 209.8 грн
100+ 179.43 грн
250+ 169.77 грн
500+ 160.11 грн
800+ 136.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPF010N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 44A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IPF010N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 44A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
69+175.26 грн
73+ 165.45 грн
74+ 162.81 грн
100+ 148.38 грн
250+ 134.54 грн
500+ 112.48 грн
Мінімальне замовлення: 69
IPF010N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Ta), 293A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 246µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-U02
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 30 V
товар відсутній
IPF010N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 44A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+162.74 грн
10+ 153.63 грн
25+ 151.19 грн
100+ 137.79 грн
250+ 124.93 грн
500+ 104.44 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPF010N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 44A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+158.52 грн
Мінімальне замовлення: 800
IPF010N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 44A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+159.53 грн
Мінімальне замовлення: 800
IPF010N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Ta), 293A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 246µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-U02
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 30 V
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+288.16 грн
10+ 232.92 грн
100+ 188.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPF010N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 44A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IPF011N08NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
товар відсутній
IPF011N08NM6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
товар відсутній
IPF011N08NM6ATMA1Infineon TechnologiesTRENCH 40<-<100V
товар відсутній
IPF012N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 282A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 186µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-U02
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 30 V
товар відсутній
IPF012N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 41A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+114.57 грн
Мінімальне замовлення: 800
IPF012N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+236.71 грн
10+ 196.03 грн
25+ 160.8 грн
100+ 138.03 грн
250+ 130.43 грн
500+ 122.84 грн
800+ 104.9 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPF012N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 41A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+95.01 грн
Мінімальне замовлення: 800
IPF012N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 41A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+147.7 грн
10+ 135.78 грн
25+ 132.52 грн
100+ 117.79 грн
250+ 105.82 грн
500+ 83.94 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPF012N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 41A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
76+159.07 грн
82+ 146.22 грн
84+ 142.71 грн
100+ 126.85 грн
250+ 113.96 грн
500+ 90.39 грн
Мінімальне замовлення: 76
IPF012N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 282A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 186µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-U02
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 30 V
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+220.97 грн
10+ 178.43 грн
100+ 144.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPF012N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 41A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+115.3 грн
Мінімальне замовлення: 800
IPF012N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 41A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IPF013N04NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 232A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 126µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-U02
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 159 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 20 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+103.57 грн
Мінімальне замовлення: 800
IPF013N04NF2SATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 283 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+198.07 грн
10+ 163.49 грн
100+ 113.18 грн
250+ 104.21 грн
500+ 94.55 грн
800+ 80.06 грн
2400+ 76.6 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPF013N04NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 232A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 126µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-U02
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 159 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 20 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+185.14 грн
10+ 148.09 грн
100+ 117.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPF013N04NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IPF014N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 282A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 267µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-14
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 40 V
на замовлення 1054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+327.73 грн
10+ 265.27 грн
100+ 214.58 грн
IPF014N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
на замовлення 1064 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+351.05 грн
10+ 290.48 грн
25+ 238.1 грн
100+ 204.28 грн
250+ 193.24 грн
500+ 181.5 грн
800+ 155.28 грн
IPF014N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 282A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 267µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-14
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 40 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+198.08 грн
Мінімальне замовлення: 800
IPF014N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesN Channel Power Mosfet
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+125.6 грн
Мінімальне замовлення: 800
IPF015N10N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 35A T/R
товар відсутній
IPF015N10N5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 276A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.53mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 279µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 50 V
на замовлення 1014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+478.53 грн
10+ 394.96 грн
100+ 329.17 грн
500+ 272.57 грн
IPF015N10N5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPF015N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 276 A, 0.0014 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 276A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+384 грн
50+ 342.19 грн
100+ 301.93 грн
Мінімальне замовлення: 10
IPF015N10N5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 276A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.53mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 279µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 50 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+271.45 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IPF015N10N5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPF015N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 276 A, 0.0014 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 276A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+539.61 грн
5+ 462.19 грн
10+ 384 грн
50+ 342.19 грн
100+ 301.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPF015N10N5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+512.88 грн
10+ 433.33 грн
25+ 342.3 грн
100+ 314.01 грн
250+ 296.07 грн
500+ 284.33 грн
1000+ 240.86 грн
IPF016N06NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPF016N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 223 A, 0.0013 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 223A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+202.84 грн
10+ 149.42 грн
100+ 109.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPF016N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 223A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 129µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-U02
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 30 V
на замовлення 748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+170.21 грн
10+ 136.09 грн
100+ 108.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPF016N06NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPF016N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 223 A, 0.0013 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 223A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+109.93 грн
Мінімальне замовлення: 100
IPF016N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesMOSFET
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+186.8 грн
10+ 153.17 грн
100+ 105.59 грн
250+ 98 грн
500+ 89.03 грн
800+ 75.91 грн
2400+ 71.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPF016N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 35A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IPF016N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 223A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 129µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-U02
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 30 V
товар відсутній
IPF016N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 274A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 267µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-14
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 241 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 50 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+255.36 грн
Мінімальне замовлення: 800
IPF016N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
на замовлення 1123 шт:
термін постачання 105-114 дні (днів)
1+453.3 грн
10+ 375.4 грн
25+ 307.8 грн
100+ 263.63 грн
250+ 249.83 грн
500+ 234.64 грн
800+ 200.14 грн
IPF016N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesSP005578929
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+140.9 грн
Мінімальне замовлення: 800
IPF016N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 274A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 267µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-14
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 241 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 50 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+422.54 грн
10+ 341.9 грн
100+ 276.64 грн
IPF017N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 259A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 194µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-14
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8700 pF @ 40 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+165.07 грн
1600+ 136.11 грн
Мінімальне замовлення: 800
IPF017N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+293.08 грн
10+ 242.86 грн
25+ 204.97 грн
100+ 170.46 грн
250+ 165.63 грн
500+ 151.83 грн
800+ 122.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPF017N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 259A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 194µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-14
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8700 pF @ 40 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+273.23 грн
10+ 221.06 грн
100+ 178.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPF017N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 33A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+102.25 грн
Мінімальне замовлення: 800
IPF019N12NM6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
на замовлення 927 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+484.7 грн
10+ 400.79 грн
25+ 329.19 грн
100+ 282.26 грн
250+ 266.39 грн
500+ 251.9 грн
1000+ 213.25 грн
IPF021N13NM6ATMA1Infineon TechnologiesTRENCH >=100V
товар відсутній
IPF021N13NM6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
на замовлення 925 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+472.62 грн
10+ 398.41 грн
25+ 314.7 грн
100+ 289.16 грн
250+ 271.91 грн
500+ 254.66 грн
1000+ 229.12 грн
IPF023N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesN Channel Power Mosfet
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+90.98 грн
Мінімальне замовлення: 800
IPF023N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 209A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 139µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-14
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200 pF @ 40 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+144.51 грн
Мінімальне замовлення: 800
IPF023N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+272.95 грн
10+ 242.86 грн
100+ 172.53 грн
500+ 147 грн
800+ 117.32 грн
4800+ 113.87 грн
9600+ 111.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPF023N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 209A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 139µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-14
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200 pF @ 40 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+238.89 грн
10+ 193.52 грн
100+ 156.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPF024N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
на замовлення 786 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+339.77 грн
10+ 280.95 грн
25+ 231.19 грн
100+ 197.38 грн
250+ 187.03 грн
500+ 175.98 грн
800+ 150.45 грн
IPF024N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 227A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 169µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-14
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 50 V
на замовлення 786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+316.53 грн
10+ 256.21 грн
100+ 207.25 грн
IPF024N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 227A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 169µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-14
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 50 V
товар відсутній
IPF024N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesN Channel Power Mosfet
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+107.89 грн
Мінімальне замовлення: 800
IPF031N13NM6ATMA1Infineon TechnologiesTRENCH >=100V
товар відсутній
IPF031N13NM6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+393.72 грн
10+ 326.19 грн
25+ 267.77 грн
100+ 229.12 грн
250+ 216.01 грн
500+ 204.28 грн
1000+ 174.6 грн
IPF039N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+207.73 грн
10+ 172.22 грн
25+ 144.93 грн
100+ 121.46 грн
250+ 117.32 грн
500+ 107.66 грн
800+ 86.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPF039N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 126A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-14
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 40 V
на замовлення 682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+191.11 грн
10+ 154.7 грн
100+ 125.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPF039N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 126A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-14
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 40 V
товар відсутній
IPF039N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 22A
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+74.24 грн
Мінімальне замовлення: 800
IPF041N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesMOSFET
товар відсутній
IPF042N10NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPF042N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 139 A, 0.0037 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 139A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+109.16 грн
500+ 77.64 грн
1000+ 71 грн
Мінімальне замовлення: 100
IPF042N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 21A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+57.73 грн
Мінімальне замовлення: 800
IPF042N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+181.16 грн
10+ 148.41 грн
100+ 102.83 грн
250+ 95.24 грн
500+ 86.27 грн
800+ 73.15 грн
2400+ 69.7 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPF042N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 21A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+86.88 грн
Мінімальне замовлення: 800
IPF042N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 139A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.25mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 50 V
на замовлення 281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+169.46 грн
10+ 135.22 грн
100+ 107.6 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPF042N10NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPF042N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 139 A, 0.0037 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 139A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+200.51 грн
10+ 147.87 грн
100+ 109.16 грн
500+ 77.64 грн
1000+ 71 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPF042N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 139A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.25mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 50 V
товар відсутній
IPF049N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
товар відсутній
IPF049N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesSP005578921
товар відсутній
IPF04N03LAInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5199 pF @ 15 V
товар відсутній
IPF04N03LA GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5199 pF @ 15 V
товар відсутній
IPF050N03LGInfineon0724+
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPF050N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
на замовлення 599 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+160.23 грн
10+ 131.75 грн
100+ 91.1 грн
250+ 84.2 грн
500+ 76.6 грн
800+ 64.8 грн
2400+ 61.9 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPF050N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 117A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.05mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 84µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 50 V
на замовлення 1321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+149.31 грн
10+ 119.62 грн
100+ 95.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPF050N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 19A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IPF050N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 117A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.05mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 84µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 50 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+83.66 грн
Мінімальне замовлення: 800
IPF05N03LA GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-23
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3110 pF @ 15 V
товар відсутній
IPF05N03LAGInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3110 pF @ 15 V
на замовлення 24746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
547+38.44 грн
Мінімальне замовлення: 547
IPF067N20NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Ta), 138A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 100A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 253µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 100 V
товар відсутній
IPF067N20NM6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
на замовлення 892 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+643.32 грн
10+ 542.86 грн
25+ 428.57 грн
100+ 393.37 грн
250+ 370.6 грн
500+ 347.14 грн
1000+ 312.63 грн
IPF067N20NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Ta), 138A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 100A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 253µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 100 V
на замовлення 851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+600.96 грн
10+ 495.96 грн
100+ 413.29 грн
500+ 342.23 грн
IPF06N03LAInfineon TechnologiesMOSFET N-KANAL POWER MOS
товар відсутній
IPF06N03LA GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-23
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2653 pF @ 15 V
товар відсутній
IPF06N03LAGInfineon TechnologiesMOSFET N-Channel MOSFET 20-200V
товар відсутній
IPF09N03LAInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-23
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1642 pF @ 15 V
товар відсутній
IPF09N03LAInfineon TechnologiesMOSFET N-KANAL POWER MOS
товар відсутній
IPF09N03LA GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-23
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1642 pF @ 15 V
товар відсутній
IPF09N03LAGInfineon TechnologiesMOSFET N-Channel MOSFET 20-200V
товар відсутній
IPF105N03infineon07+
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPF105N03LGinfineon07+
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPF10N03LAInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 30A TO252-3
товар відсутній
IPF10N03LAInfineon TechnologiesInfineon
товар відсутній
IPF10N03LA GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1358 pF @ 15 V
товар відсутній
IPF129N20NM6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+472.62 грн
10+ 399.21 грн
25+ 315.39 грн
100+ 289.16 грн
250+ 271.91 грн
500+ 255.35 грн
1000+ 229.81 грн
IPF13N03LAInfineon TechnologiesMOSFET N-KANAL POWER MOS
товар відсутній
IPF13N03LA GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 30A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-23
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1043 pF @ 15 V
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.09 грн
11+ 28.54 грн
100+ 24.28 грн
Мінімальне замовлення: 9
IPF13N03LA GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 25V 30A DPAK-2
товар відсутній
IPF13N03LA GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-23
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1043 pF @ 15 V
товар відсутній
IPF13N03LAGInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IPF7473TRPBFIRSOP8
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPFH6N03LA GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 50A DPAK
товар відсутній